TIPOS DE DIODO Los diodos de potencia se pueden clasificar en 3 categorias Diodos de uso General t rr(tiempo de recuperacin inversa) 25 s (tpicamente)

nte) Corriente de miles de A con especificaciones de voltaje De 50 V hasta alrededor de 5 kV Rectificadores de diodos y convertidores para una baja frecuencia de entrada 1 kHz Fabricados por difusin

Diodos tpicos en fuentes de poder para soldar 1500 V a 400 A Diodos de recuperacin rpida
Rpidos:( Fast) t rr 0.1 s 5 s Desde menos de uno hasta cientos de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 V hasta aproximadamente 3 kV. Convertidores de cd-cdy cd-ca,en los q la velocidad de recuperacin es a menudo de importancia crtica, Frecuencias superiores 20 kHz Conmutacin Inversores, UPS, AC Motores

Para voltajes de arriba de 400 V, los diodos de recuperacin rpida por lo general se fabrican por difusin y el tiempo de recuperacin es controlador por difusin de oro o platino Para voltajes debajo de 400 V, los diodos epitaxiales proporcionan velocidades de conmutacin mayores que los diodos de difusin, el tiempo de recuperacin es tan bajo como 50 ns

Diodos Schottky En un diodo schouttky se puede eliminar o minimizar el problema de almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una barrera potencial con un contacto entre un metal y un semiconductor. Sobre una capa delgada epitaxial de silicio de tipo n se deposita una capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unin pn. La accin rectificadora solo depende de los portadores mayoritarios, y como resultado no existen portadores minoritarios en exceso para recombinar. El efecto de recuperacin se debe nicamente a la autocapacitancia de la unin semiconductora (La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricacin de circuitos integrados.
A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este. Mediante esta tcnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carcter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusin y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada)

Tiempo de recuperacin mucho menor que un diodo normal 5 ns Corriente de 1 a 300 Alimitado a unos 100 V Son los ideales para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo voltaje en cd. Aplicaciones en convertidores. Frecuencias elevadas 2MHz