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Universidad Politcnica del Estado de Morelos Ingeniera en Electrnica y Telecomunicaciones

Asignatura: Sistemas de amplificacin

Profesor: M. en C. Cornelio Morales Morales

Cuatrimestre: Quinto

Tarea de investigacin #1 Transistores

Alumno: Snchez Miranda Gustavo

Fecha de entrega: 14 de enero de 2013.

CONTENIDO

OBJETIVO

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ANTECEDENTES .. 3

MARCO TEORICO 4

BIBLIOGRAFIA .. 14

OBJETIVO Obtner el conocimiento acerca de los diferentes tipos de transistores asi como sus configuraciones bsicas y su funcionamiento en cada una de ellas.

ANTECEDENTES

Los transistores son elementos que han facilitado, en gran medida el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versalidad y facilidad de control.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:


Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores).

Imagen 1. Tipos de encapsulado del transistor.

MARCO TERICO Definicin y configuracin de los transistores BJT y JFET BJT (Bipolar Junction Transistor) Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal. El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes mviles). Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que est conectado. CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector). En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP. La unin correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base- Colector en inversa. As, por la unin Base-Colector circula una corriente inversa. En npn, la regin de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unin BaseEmisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor nmero de huecos, por lo que son atrados por el colector (con alta concentracin de impurezas).

Figura 2. Representacion de un transistor BJT.

CONFIGURACIONES DEL BJT Aunque el transistor posea nicamente tres terminales, se puede realizar su estudio como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno de sus terminales es comn a la entrada y salida: Base Comn. Emisor Comn. Colector Comn Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea; Rs muy grande. Colector comn (CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequea. Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea; Rs grande. El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal. El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que ataca a una carga de alta resistencia. El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una carga de bajo valor.

Figura 3. Configuraciones del transistor BJT.

CIRCUITOS DE POLARIZACION. RECTA DE CARGA Punto de trabajo o de reposo (Q) de un transistor es el punto de la recta de carga que determina el valor de la tensin de colector emisor y de las corrientes de colector y base. Consiste en situar el punto de trabajo en la regin caracterstica donde responde con mayor linealidad, de manera que cualquier cambio en la entrada tenga una respuesta proporcional a la salida. Se sita en un determinado lugar en la recta de carga. El comportamiento del transistor puede verse afectado por la temperatura (modifica la corriente inversa en la unin pn polarizada inversamente). El valor de b no se mantiene constante, pues puede no coincidir entre transistores del mismo tipo, adems de modificarse segn el punto de trabajo (margen dado por los fabricantes). Los circuitos de polarizacin insensibilizan al transistor frente a variaciones de b.
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EL BJT EN CONMUTACION Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de bloqueo a saturacin se considera inmediato, es decir, el transistor no permanece en la zona activa. Los circuitos tpicos del transistor en conmutacin son los multivibradores y la bscula de Schmitt. Los multivibradores se aplican en los sistemas electrnicos de temporizacin, generacin de seales cuadradas, intermitencias, etc. Las bsculas de Schmitt tienen su principal aplicacin en sistemas de deteccin que utilizan sensores, de forma que se comporta como un interruptor activado por las variaciones de algn parmetro fsico detectado por el sensor. El transistor BJT en CORTE. El transistor BJT en SATURACION. EL BJT EN CORTE Y SATURACION CORTE: El BJT en corte tiene su Ib a cero amperios. La Ic es igual a la de fugas: Iceo (del orden de nA a T=300K) La tensin Vce es Vcc si se desprecia la cada producida por la corriente de fugas. El BJT se comporta como un interruptor abierto. SATURACION: En esta zona la Vce es aproximadamente de 0,2 voltios. La Ic es aproximadamente igual a Vcc dividido por la suma de resistencias en la malla de colector emisor. Se comporta como un interruptor cerrado. El tiempo de conmutacin de un estado a otro limita la frecuencia mxima de trabajo.

Transistor de Efecto de campo (FET) Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

Figura 4. FET de material N.

Figura 5. Simbolos grficos para un FET de canal N

Figura 6. Simbolos grficos para un FET de canal N

Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N. La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin PN entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin. Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.

Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores. El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.

Analisis en CD con transistores BJT para diseo de amplificadores

PConfiguracion Cascade

Presenta ganancia de corriente mas ganancia de voltaje. Mejora el ancho de banda. Presenta alta impedancia para la base comn. Favorece la estabilidad de banda a banda. Puede trabajar a alatas frecuencias.

Amplifica seales muy chicas con el fin de llevarlos ya amplificadas a un decodificador que nos mostrara los datos de la onda inyecatada.

Figura 8. Diagrama a bloques del modo Cascade.

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CIRCUITO A ANALIZAR

Q1 = Q2 =SILICIO = 2n2222 ? = 75

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ANALISIS DC

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Entonces para el transistor Q1:

se encuentra dentro del punto de trabajo.

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Para Q2 :

BIBLIOGRAFIA.

http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf

R.L. Boylestad, Introduccin al Anlisis de Circuitos, Prentice Hall, Decima Edicin, USA, 2008,

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