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- enlaces quimicos Propiedades de los compuestos inicos Las sustancias inicas estn constituidas por iones ordenados en el retculo cristalino; las fuerzas que mantienen esta ordenacin son fuerzas de Coulomb, muy intensas. Esto hace que las sustancias inicas sean slidos cristalinos con puntos de fusin elevados. En efecto, para fundir un cristal inico hay que deshacer la red cristalina, separar los iones. El aporte de energa necesario para la fusin, en forma de energa trmica, ha de igualar al de energa reticular, que es la energa desprendida en la formacin de un mol de compuesto inico slido a partir de los correspondientes iones en estado gaseoso. Esto hace que haya una relacin entre energa reticular y punto de fusin, siendo ste tanto ms elevado cuanto mayor es el valor de aquella. Por otra parte, la aparicin de fuerzas repulsivas muy intensas cuando dos iones se aproximan a distancias inferiores a la distancia reticular ( distancia en la que quedan en la red dos iones de signo contrario ), hace que los cristales inicos sean muy poco compresibles. Hay sustancias cuyas molculas, si bien son elctricamente neutras, mantienen una separacin de cargas. Esto se debe a que no hay coincidencia entre el centro de gravedad de las cargas positivas y el de las negativas: la molcula es un dipolo, es decir, un conjunto de dos cargas iguales en valor absoluto pero de distinto signo, separadas a una cierta distancia. Los dipolos se caracterizan por su momento; producto del valor absoluto de una de las cargas por la distancia que las separa. Un de estas sustancias polares es, por ejemplo el agua. Cuando un compuesto inico se introduce en un disolvente polar como el agua, los iones de la superficie de cristal provocan a su alrededor una orientacin de las molculas dipolares, que enfrentan hacia cada ion sus extremos con carga opuesta a la del mismo. En este proceso de orientacin se libera una energa que, si supera a la energa reticular, arranca al ion de la red. Una vez arrancado, el ion se rodea de molculas de disolvente: queda solvatado. Las molculas de disolvente alrededor de los iones se comportan como capas protectoras que impiden la reagrupacin de los mismos. Todo esto hace que, en general, los compuestos inicos sean solubles en disolventes polares, aunque dependiendo siempre la solubilidad del valor de la energa reticular y del momento dipolar del disolvente. As, un compuesto como el NaCl, es muy soluble en disolventes como el agua, y un compuesto como el sulfato de bario, con alta energa reticular, no es soluble en los disolventes de momento dipolar muy elevado.
Redes cristalinas La red cristalina est formada por iones de signo opuesto, de manera que cada uno crea a su alrededor un campo elctrico que posibilita que estn rodeados de iones contrarios. Los slidos cristalinos mantienen sus iones prcticamente en contacto mutuo, lo que explica que sean prcticamente incompresibles. Adems, estos iones no pueden moverse libremente, sino que se hallan dispuestos en posiciones fijas distribudas desordenadamente en el espacio formando retculos cristalinos o redes espaciales. Los cristalgrafos clasifican los retculos cristalinos en siete tipos de poliedros llama sistemas cristalogrficos. En cada uno de ellos los iones pueden ocupar los vrtices, los centros de las caras o el centro del cuerpo de dichos poliedros. El ms sencillo de stos recibe el nombre de celdilla unidad. Uno de los parmetros bsicos de todo cristal es el llamado ndice de coordinacin que podemos definir como el nmero de iones de un signo que rodean a un ion de signo opuesto. Podrn existir, segn los casos, ndices diferentes para el catin y para el anin. El ndice de coordinacin, as como el tipo de estructura geomtrica en que cristalice un compuesto inico dependen de dos factores: Tamao de los iones. El valor del radio de los iones marcar las distancias de equilibrio a que stos se situarn entre s por simple cuestin de cabida eni espacio de la red. Carga de los iones. Se agruparn los iones en la red de forma que se mantenga la electroneutralidad del cristal. Volviendo al ejemplo anterior del cloruro de sodio vemos que la relacin de cargas anin-catin es 1:1, observndose adems que el ion Cl- podra rodearse de 12 iones Na+ puesto que la relacin de tamaos as lo permite. Pero como alrededor de cada ion Na+slo caben 6 iones Cl-, este valor mnimo ser el que limite el nmero de iones de un signo que rodearn a uno del otro (I.C. = 6). As, se formar una estructura de red cbica centrada en las caras cuya frmula debiera ser NanCln, y que por simplicidad se escribe NaCl. Otro ejemplo podra ser la red del cloruro de cesio. Su relacin de cargas es tambin 1:1 y su ndice de coordinacin es 8, puesto que estos iones son de tamao ms parecido y, por tanto, cada uno permite ser rodeado por ocho iones de signo opuesto, con lo que se formar una red cbica centrada en el cuerpo cuya frmula proporcional sera CsnCln, que estequiomtricamente formularemos como CsCl. El nmero de iones existentes en la red cristalina es indefinido, de manera que la frmula con que caracterizamos una sustancia inica slo indica la cantidad relativa (proporcin) de iones de uno u otro
signo que deben existir en el cristal para mantener la neutralidad elctrica. Podemos agrupar la mayor parte de los compuestos inicos en una serie de estructuras:
Red Cbica centrada en el cuerpo Cbica centrada en las caras Tetradrica Tipo fluorita Tipo rutilo
Compuesto CsCl, CsBr, Csl NaCl, NaBr, Nal, MgO, CaO ZnS, BeO, BeS CaF2, SrF2, BaCl2 TiO2, SnO2, PbO2
TIPOS DE ESTRUCTURAS Son comunes tres estructuras de redes cristalinas en los metales: Estructura cbica centrada Formada por un tomo del metal en cada uno de los vrtices de un cubo y un tomo en el centro. Los metalesque cristalizan en esta estructura son: hierro alfa, titanio, tungsteno, molibdeno, niobio, vanadio, cromo, circonio, talio, sodio y potasio.
Cada tomo de la estructura, est rodeado por ocho tomos adyacentes y los tomos de los vrtices estn en contacto segn las diagonales del cubo Estructura cbica centrada en las caras Est constituida por un tomo en cada vrtice y un tomo en cada cara del cubo. Los metales que cristalizan en esta estructura son: hierro gama, cobre, plata, platino, oro, plomo y nquel.
Cada tomo est rodeado por doce tomos adyacentes y los tomos de las caras estn en contacto.
Estructura hexagonal compacta Esta estructura est determinada por un tomo en cada uno de los vrtices de un prisma hexagonal, un tomo en las bases del prisma y tres tomos dentro de la celda unitaria. Cada tomo est rodeado por doce tomos y estos estn en contacto segn los lados de los hexgonos bases del prisma hexagonal. Los metales que cristalizan en esta forma de estructura son: titanio, magnesio, cinc, berilio, cobalto, circonio y cadmio.
Estructura hexagonal compacta Algunos metales sufren cambio de estructura a diferentes temperaturas como el hierro que se presenta como cbico centrado a temperatura normal pero cambia a centrado en
las caras a 912C y vuelve a ser cbico centrado a 1400C; cuando un metal cambia su estructura de esta manera se dice que es alotrpico.
CRISTALIZACION El crecimiento de los cristales que se inicia en los centros o ncleos de cristalizacin en el metal lquido, no puede ser uniforme a causa de los diferentes factores de la composicin del metal, la velocidad de enfriamiento y las interferencias que se producen entre ellos mismos durante el proceso de crecimiento.
La estructura final resultante est constituida por un agrupamiento de granos o cristales de forma irregular pero guardando cada uno una orientacin fija y bien determinada.
Estructura granular del acero al carbono, granos poligonales bien definidos RESTRUCTURA ATOMICA PDF ESTRUCTURA DE LOS SOLIDOS PDF DEFECTOS DE LOS CRISTALES PDF
RESUMEN La distribucin atmica en slidos cristalinos puede describirse mediante una red espacial donde se especifican las posiciones atmicas por medio de una celdilla unidad que se
repite y que posee las propiedades del metal correspondiente. Existen siete sistemas cristalinos basados en la geometra de las longitudes axiales y ngulos interaxiales de la celdilla unidad, con catorce subretculos basados en la distribucin interna de sta. En los metales las celdillas unidad de las estructuras cristalinas ms comunes son: cbica centrada en el cuerpo (bcc), cbica centrada en las caras ( fcc) y hexagonal compacta (hcp) que es una variacin compacta de la estructura hexagonal simple. En estos sistemas cristalinos, las direcciones se indican por los ndices de Miller, enteros positivos o negativos como [uvw], las familias de direcciones se indican por los ndices uvw, los planos cristalinos se indican por los inversos de las intersecciones axiales del plano, con la transformacin de las fracciones a los enteros proporcionales, (hkl), la familia de los planos se indican {hkl}. En los cristales hexagonales los planos cristalogrficos se indican como (hkil), estos ndices son los recprocos de las intersecciones del plano sobre los ejes a1, a2, a3 y c de la celdilla unidad hexagonal de la estructura cristalina; las direcciones cristalinas en los cristales hexagonales se indican como [uvtw]. Utilizando el modelo de la esfera rgida para los tomos, se pueden calcular las densidades atmicas volumtricas, planar y lineal en las celdillas unidad. Los planos en los que los tomos estn empaquetados tan juntos como es posible se denominan planos compactos. Los factores de empaquetamiento atmico para diferentes estructuras cristalinas pueden determinarse a partir del modelo atmico de esferas rgidas. Algunos metales tienen diferentes estructuras cristalinas a diferentes rangos de presin y temperatura, este fenmeno se denomina alotropa. Las estructuras cristalinas de slidos cristalinos pueden determinarse mediante anlisis de difraccin de rayos X utilizando difractmetros por el mtodo de muestra en polvo. Los rayos X son difractados por los cristales cuando se cumplen las condiciones de la ley de Bragg.
Y = Longitud de onda de los rayos X difractados a = parmetro de red de la celda unitaria d = distancia interplanar = ngulo de difraccin de los rayos X difractados h + k + l = indices de Miller del plano de difraccin
Las imperfecciones, es decir, los defectos en la red de un material cristalino, son de tres tipos generales: defectos puntuales, defectos de lnea o dislocaciones y defectos de superficie. Las dislocaciones son defectos de lnea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crtico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocacin. La dislocacin se mueve en un sistema de deslizamiento, formado por un plano de deslizamiento y una direccin de deslizamiento. La direccin de deslizamiento, es decir, el vector de Burgers, tpicamente es una direccin compacta. El plano de deslizamiento
normalmente tambin es compacto o casi compacto. En los cristales metlicos, el nmero y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. En los metales fcc, el esfuerzo cortante resultante crtico es bajo y existe un nmero ptimo de planos de deslizamiento; en consecuencia, los metales fcc tienden a ser dctiles. En el caso de los metales bc, no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crtico es alto; por lo que los metales bc tienden a ser resistentes. El nmero de sistemas de deslizamiento en los metales hcp es limitado, haciendo que estos metales se comporten de manera frgil. Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, tomos intersticiales y tomos sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresin o de tensin que alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanas de defectos puntuales, incrementndose la resistencia del material. El nmero de vacancias, o de puntos de red vacos, depende de la temperatura del material; los tomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre tomos normales) y los tomos sustitucionales (que remplazan al tomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su nmero no se altera por los cambios de temperatura del material. Los defectos de superficie incluyen los bordes de grano. Al producir un tamao de grano pequeo se incrementa la cantidad de rea de bordes de grano; dado que las dislocaciones no pueden pasar con facilidad a travs de un borde de grano, el material se hace ms resistente y se incrementa el nmero de dislocaciones ( fuente de Frank Read). El nmero y tipo de defectos de red controlan la facilidad del movimiento de las dislocaciones y, por tanto, influyen de manera directa sobre las propiedades mecnicas del material. El endurecimiento por solucin slida involucra incorporar defectos puntuales y el endurecimiento por tamao de grano se obtiene al producir un material con granos ms pequeos. Los tomos se mueven mediante mecanismos de difusin a travs de un material slido, particularmente a temperaturas elevadas y estando presente un gradiente de concentracin. Algunas relaciones clave que implican difusin son las siguientes: Dos mecanismos de importancia para el movimiento de los tomos son la difusin por vacancias y la difusin intersticial. Los tomos sustitucionales se mueven en la red gracias al mecanismo de difusin por vacancias. La velocidad de difusin se rige por la relacin de Arrhenius, esto es, la difusin aumenta de manera exponencial al incrementarse la temperatura. La difusin es importante a temperaturas superiores a 0.4 veces la temperatura de fusin del material (en grados Kelvin). La energa de activacin Q representa la facilidad con la cual los tomos se difunden, ocurriendo una difusin rpida si la energa de activacin es reducida. Se tiene una baja energa de activacin y una rpida velocidad de difusin en el caso de (1) difusin intersticial en comparacin con la difusin por vacancias, (2) estructuras cristalinas con bajo factor de empaquetamiento, (3) materiales de baja temperatura de fusin o con enlaces atmicos dbiles y (4 ) difusin a lo largo de bordes o superficies de grano. El flujo total de tomos, aumenta cuando se incrementan el gradiente de concentracin y el coeficiente de difusin. Para un sistema particular, la cantidad de difusin est relacionada con el valor de la expresin Dt, la cual nos permite determinar el efecto de la temperatura en el tiempo requerido proceso controlado por difusin.
La difusin atmica es de importancia primordial para muchas de las tcnicas de procesamiento de materiales, como la sinterizacin, la metalurgia de polvos y la soldadura por difusin. Adicionalmente, muchos de los tratamientos trmicos y de los mecanismos de endurecimiento utilizados para controlar la estructura y las propiedades de los materiales son procesos dos por difusin. La estabilidad estructural y las propiedades de los materiales durante su uso a altas temperaturas dependen de la difusin. Finalmente, se producen muchos materiales importantes al evitar de manera deliberada la difusin, formando as estructuras fuera del equilibrio.
La energa reticular, tambin conocida como energa de red, es la energa que se necesita para poder separar de manera completa un mol de un compuesto de tipo inico en sus respectivos iones gaseosos. Tambin se puede decir que la energa reticular es la energa que se consigue a travs de la formacin de un compuesto de tipo inico partiendo siempre de sus iones gaseosos. Este tipo de energa muestra la estabilidad que tiene las redes cristalinas, y viene medida como energa/mol, teniendo las mismas unidades de medida que tiene la entalpa estndar (H), es decir KJ/mol, aunque de signo opuesto. La energa reticular es imposible de medir de forma directa, sin embargo, conociendo la estructura y la composicin que tenga el compuesto inico que queramos estudiar, podemos calcular o al menos aproximarnos a ella mediante una ecuacin que da el modelo inico, basado en la Ley de Coulomb, entre otras. Tambin existe la posibilidad de calcular la energa reticular de manera indirecta mediante los ciclos termodinmicos.
El modelo inico es aquel que se encuentra formado por cationes y aniones a travs de fuerzas electrostticas, siempre que estemos hablando del estado slido. Este caso concreto es vlido solamente si existe bastante diferencia de electronegatividad entre los elementos que forman el compuesto.
En un slido inico, los electrones se encuentran localizados en los correspondientes iones, estando bajo la influencia solamente de sus respectivos ncleos. No hay deslocalizacin de los electrones como podra ocurrir en el caso de los slidos de tipo metlicos, ni siquiera hay comparticin de electrones como en el caso de los slidos de tipo covalente. La localizacin de los electrones tiene como consecuencia la no conduccin de la corriente elctrica para los slidos inicos, pero si son aislantes. La ecuacin que viene tras aplicar dicho modelo es: Uo = -( Na . A . Z^+ . Z^- .q^2 ) / 4o . do . ( 1-1/n) De donde Na es el nmero de Avogadro y A es la constante de Madelung, la cual vara segn la estructura que tenga el compuesto inico en estudio, Z^+ es decir la carga del catin y en el caso negativo la carga del anin. La carga del electrn viene representada con la letra q, o es la permisividad del vaco, do la distancia que existe entre el anin y el catin, y por ltimo n, hace referencia a los exponentes de Born. La energa reticular se puede conocer de manera experimental indirectamente a travs de la aplicacin de la ley de Hess (caso particular del primer principio de la termodinmica). Cuando se usa este caso se conoce como ciclo de Born-Haber, el cual consiste en examinar un ciclo termodinmico que es resultado de considerar la energa que participa en la formacin del compuesto inico de tipo slido, as como tambin se puede explicar como la energa a partir de los elementos que forman el compuesto estndar, o aquella que se transfiere en la formacin de los compuestos partiendo siempre de los elemento que se encuentran en estado estndar pero siguiendo un camino distinto que est formado por diferentes etapas: 1. En primer lugar el proceso de formacin de los tomos que se encuentran en estado gaseoso partiendo de los elementos siempre en su estado estndar. En este paso por regla general se tiene en cuenta las energas que se encuentran asociadas a la sublimacin, y vaporizacin de los distintos elementos que forman el compuesto, y por lo tanto depender del estado de agregacin en el que se encuentren cada uno de ellos. 2. En la segunda etapa tiene lugar la formacin de iones estables, los cuales se encuentran en el retculo inico del cual parten los elementos que se encuentran en estado gaseoso. En este paso se encuentran implicadas la energa de ionizacin, as como la afinidad electrnica de los elementos implicados. 3. En el tercer paso tiene lugar la formacin de la red cristalina partiendo de los iones gaseosos y estables. La energa que se desprende cuando se forma un compuesto partiendo de un metal y de un no metal.
encendido automtico de las luces del alumbrado pblico en las ciudades. Tambin se utilizan en el suministro de pequeas cantidades de energa elctrica para satisfacer diferentes necesidades en zonas apartadas hasta donde no legan las redes del tendido de las grandes plantas generadoras. Las celdas fotovoltaicas se emplean tambin como fuente principal de abastecimiento de energa elctrica en los satlites y mdulos espaciales. Las hay desde el tamao de una moneda hasta las del tamao aproximado de un plato. Para obtener una tensin o voltaje ms alto que el que proporciona una sola celda, se unen varias para formar un panel. Termopares. Se componen de dos alambres de diferentes metales unidos por uno de sus extremos. Cuando reciben calor en el punto donde se unen los dos alambres, se genera una pequea tensin o voltaje en sus dos extremos libres. Entre algunas de las combinaciones de metales utilizadas para la fabricacin de termopares podemos encontrar las siguientes: chromel-alumel (Ni Cr?-Ni Al?), hierroconstantn (Fe-Cu Ni?), chromel-constantn (Ni Cr-Cu Ni), cobreconstantn (Cu-Cu Ni). platino-rodio (Pt-Rh), etc. Los termopares se utilizan mucho como sensores en diferentes equipos destinados a medir, fundamentalmente, temperaturas muy altas, donde se hace imposible utilizar termmetros comunes no aptos para soportar temperaturas que alcanzan los miles de grado. Efecto Piezoelctrico. Propiedad de algunos materiales como el cristal de cuarzo de generar una pequea diferencia de potencial cuando se ejerce presin sobre ellos. Una de las aplicaciones prcticas de esa propiedad es captar el sonido grabado en los antiguos discos de vinilo por medio de una aguja de zafiro, que al deslizarse por los surcos del disco en movimiento convierten sus variaciones de vaivn en corriente elctrica de audiofrecuencia de muy baja tensin o voltaje que se puede amplificar y or a un nivel mucho ms alto. Existe tambin un tipo de micrfono de cermica, que igualmente convierte las variaciones de los sonidos que capta en corrientes de audiofrecuencia que pueden ser amplificadas, transmitidas o grabadas. El efecto piezoelctrico del cristal de cuarzo, por ejemplo, tiene tambin una funcin inversa, que es la de vibrar cuando en lugar de presionarlo le aplicamos una pequea tensin o voltaje. En este caso la frecuencia de la vibracin depender del valor de la tensin aplicada y del rea que tenga el cristal sobre el cual se aplica.
El uso prctico ms conocido de esta variante del efecto piezoelctrico est en los relojes de cuarzo, fijar la frecuencia de trabajo del microprocesador en los ordenadores, fijar as frecuencias de transmisin de las estaciones de radio, etc. El valor de la fuerza electromotriz (FEM) o diferencia de potencial, coincide con la tensin o voltaje que se manifiesta en un circuito elctrico abierto, es decir, cuando no tiene carga conectada y no existe, por tanto, circulacin de corriente. La fuerza electromotriz se representa con la letra (E) y su unidad de medida es el volt (V). En algunos textos la tensin o voltaje puede aparecer representada tambin con la letra (
Electro deposito (calculo de electro deposito). La galvanoplastia es un proceso mediante el cual se recubre un objeto con un metal, gracias al paso de una corriente elctrica por una celda electroqumica. Es un depsito de una capa metlica sobre un material no metlico. La galnostegia es un depsito de una capa metlica sobre un metal Los objetivos de este depsito es el de proteccin y decoracin. Un electro depsito se puede obtener bajo las siguientes caractersticas: 1.- uniformidad de depsito 2.- brillo 3.- dureza 4.- rugosidad 5.- adherencia 6.- no adherencia 7.- quemado Para un buen depsito electroltico es importante la limpieza. Las sustancias a eliminar son: 1.- xidos y productos de corrosin 2.- sustancias orgnicas (grasas y aceites9. 3.- astillas metlicas EJEMPLO: Electro deposito de aleaciones amorfas. La presente invencin se refiere a un proceso de electro depsito para depositar un recubrimiento metlico amorfo que contiene boro en un ctodo que comprende las etapas de: preparar un bao de electro depsito, consistiendo el bao esencialmente de: una fuente de boro seleccionada del grupo que consiste de cido boro fosfrico, dimetilaminaborano y dietilaminaborano, una sal de amonio de un cido, seleccionada del grupo que consiste de un cido hidroxicarboxlico y un cido amino, y una fuente de especies metlicas que se codepositarn con el boro, teniendo el bao un ph desde aproximadamente 7 hasta aproximadamente 10; y electrodepositar una capa metlica amorfa del bao en el ctodo, llevndose a cabo dicha etapa de electrodepsito a una tensin mayor que la sobretensin del hidrgeno del bao y una densidad de corriente mayor de aproximadamente 20 miliamperes por centimetro cuadrado
procesos qumicos y los procesos elctricos. El flujo de electrones desde un punto a otro se llama corriente elctrica. Cuando la concentracin de electrones se iguala en ambos puntos, cesa la corriente elctrica. El material por el cual fluyen los electrones se denomina conductor. Los conductores pueden ser de dos tipos: conductores electrnicos o metlicos, y los conductores electrolticos. La conduccin tiene lugar por la migracin directa de los electrones a travs del conductor bajo la influencia de un potencial aplicado. El punto principal de el presente trabajo, ser la electroqumica, las aplicaciones que esta posee, cuales son sus unidades fundamentales.
Objetivo Los procesos qumicos son de una relativa importancia tanto a nivel industrial como a nivel ecolgico y natural. Con el desarrollo de el trabajo presentado pudimos conocer un poco mas sobre la electroqumica y su funcionamiento, tambin la aplicacin que esta tiene a nivel industrial y comercial. Tambin sobre los puntos relacionados con la electroqumica. Se hablo tambin sobre la electrolisis, los procesos de oxido - reduccin y su importancia a nivel industrial. 1. Demostrar que las reacciones qumicas producen energa y que esta energa es electricidad. 2. Que estas reacciones qumicas son reacciones de oxidacin y otras de reduccin.
3. Demostrar con sencillo ejemplo la fabricacin de una batera casera. 4. Otras fuentes que desarrollan energa.
Las bateras o pilas como comnmente se les conoce, tiene ms de 200 aos de existencia, desde su primer modelo primitivo hasta lo modernos productos que existen en la actualidad, como pilas alcalinas, pilas recargables, etc. Las bateras no han perdido vigencia tecnolgica por el contrario, cada da se perfecciona, ya en la actualidad se habla de sistemas hbridos, de motores de combustin con sistemas de bateras, que pronto sern una realidad en nuestras calles. Este experimento tiene como propsito ilustrar o sencillo que es una batera, una simple reaccin qumica que produce energa. Pero a su vez dar luces que si la crisis energtica se agudiza, pronto deberemos buscar fuentes de energa alternas para no dependar del combustible fsil (petrleo) Una batera es un dispositivo electroqumico el cual almacena energa en forma qumica. Cuando se conecta a un circuito elctrico, la energa qumica se transforma en energa elctrica. Todas las bateras son similares en su construccin y estn compuestas por un nmero de celdas electroqumicas. Cada una de estas celdas est compuesta de un electrodo positivo y otro negativo adems de un separador. Cuando la batera se est descargando un cambio electroqumico se est produciendo entre los diferentes materiales en los dos electrodos. Los electrones son transportados entre el electrodo positivo y negativo va un circuito externo (bombillas, motores de arranque etc