Está en la página 1de 10

UNIVERSIDAD ESTATAL PENNSULA DE SANTA ELENA FACULTAD DE SISTEMAS Y TELECOMUNICACIONES ESCUELA DE ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES CARRERA DE INGENIERA ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

ASIGNATURA: Electrnica ESTUDIANTE: HOLGER CHAMBA GONZAGA CURSO: 4/1 Semestre CUESTIONES 1. Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo de cobre? a) 1 b) 4 c) 18 d) 29 FECHA: 30/11/12 PROFESORA: MSC. SILVIA TEJADA TEMA: Cuestiones

2. La carga resultante de un tomo de cobre es a) 0 b) +1 c)-1 d)+4

3. Si a un tomo de cobre se le extrae su electrn de valencia, la carga resultante vale? a) 0 b) +1 c)-1 d)+4

4. La atraccin que experimenta hacia el ncleo el electrn de valencia de un tomo de cobre a) Ninguna b) Dbil c) Fuerte d) Imposible de describir 5. Cuntos electrones de valencia tiene un tomo de silicio? a) 0 b) 1 c) 2 d) 4

6. El semiconductor mas empleado es a) Cobre b) Germanio c) Silicio d) Ninguna de las anteriores

7. Qu nmero de protones posee un tomo de silicio? a) 4 b) 14 c) 29 d) 32

8. Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre de? a) Enlace covalente b) Cristal c) Semiconductor d) Orbita de valencia

9. Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura causados por a) El dopaje b) Electrones Libres c) Energa Trmica d) Electrones de valencia 10. Cada electrn de valencia en un semiconductor establece un a) Enlace covalente b) Electrn Libre c) Hueco d) Recombinacin 11. La unin de un electrn libre con un hueco recibe el nombre de a) Enlace covalente b) Tiempo de vida c) Recombinacin d) Energa Trmica 12. A temperatura ambiente un cristal de silicio se comporta como a) Una batera b) Un conductor c) Un aislante d) Un hilo de cobre 13. El tiempo que trascurre entre la creacin de un hueco y su desaparicin se conoce como a) Dopaje b) Tiempo de vida c) Recombinacin d) Valencia 14. Al electrn de valencia de un conductor se la denomina tambin por a) Electrn ligado b) Electrn Libre c) Ncleo d) Protn 15. Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un conductor? a) 1 b) 2 c) 3 d) 4

16. Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor? a) 1 b) 2 c) 3 d) 4 17. Cuando se aplica un tensin a un semiconductor, los huecos circulan a) Distancindose del potencial negativo b) Hacia el potencial positivo c) En el circuito externo d) Ninguna de las anteriores 18. Cuntos huecos presenta un conductor? a) Muchos b) Ninguno c) Solo los producidos por energa trmica d) El mismo nmeros de electrones libres 19. En un semiconductor intrnseco, el numero de electrones libres es a) Igual al nmero de huecos b) Mayor que el numero de huecos c) Menor que el numero de huecos d) Ninguna de las anteriores 20. La temperatura de cero absoluto es igual a a) b) c) d) 21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrnseco presenta a) Pocos electrones libres b) Muchos huecos c) Muchos electrones libres d) Ni huecos ni electrones libres 22. A la temperatura ambiente un semiconductor intrnseco tiene a) Algunos electrones libres y huecos b) Muchos huecos c) Muchos electrones libres d) Ningn Hueco 23. El nmero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrnseco aumenta cuando la temperatura a) Disminuye b) Aumenta c) Se mantiene constante

d) Ninguna de las anteriores 24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos circulan hacia a) L a izquierda b) La derecha c) En cualquier direccin d) Ninguna de las anteriores 25. Los huecos se comportan como a) tomos b) Cristales c) Cargas negativas d) Cargas positivas 26. Cuntos electrones de valencia tienen los tomos trivalentes? a) 1 b) 3 c) 4 d) 5 27. Qu numero de electrones de valencia tiene un tomo donador? a) 1 b) 3 c) 4 d) 5 28. Si quisiera reproducir un conductor tipo p, que empleara? a) tomos aceptadores b) tomos donadores c) Impurezas Pentavalentes d) Silicio 29. Los huecos son minoritarios en los semiconductores tipo a) Extrnseco b) Intrnseco c) Tipo n d) Tipo p 30. Cuntos electrones libres contiene un semiconductor tipo p? a) Muchos b) Ninguno c) Solo los producidos por energa trmica d) El mismo nmero que de huecos

31. La plata es el mejor conductor. Cul es el nmero de valencia que tiene? a) 1 b) 4 c) 18 d) 29 32. Si un semiconductor intrnseco tiene un billn de electrones libres a la temperatura ambiente, Cuntos presentara a la temperatura de a) Menos de un billn b) Un billn c) Ms de un billn d) Imposible de contestar 33. Una fuente de tensin es aplicada a un semiconductor tipo p. Si el extremo del cristal es positivo, en qu sentido circularan los portadores mayoritarios? a) Hacia la izquierda b) Hacia la derecha c) En ninguna direccin d) Imposible de contestar 34. Cul de los siguientes conceptos estn menos relacionados con los otros tres? a) Conductor b) Semiconductor c) Cuatro electrones de valencia d) Estructura cristalina 35. Cul de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura ambiente? a) b) c) d) 36. Cuntos electrones hay en la orbital de valencia de un tomo de silicio dentro de un cristal? a) 1 b) 4 c) 8 d) 14 37. Los iones positivos son tomos que a) Han ganado un protn b) Han perdido un protn c) Han ganado un electrn d) Han perdido un electrn ?

38. Cul de los siguientes semiconductores describe un semiconductor tipo n? a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente d) Tiene muchos huecos 39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y a) Iones positivos b) Iones negativos c) tomos pentavalentes d) tomos donadores 40. Cul de los siguientes semiconductores describe un semiconductor tipo p? a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente d) Tiene muchos electrones libres 41. Cul de los siguientes elementos no se puede mover? a) Huecos b) Electrones libres c) Iones d) Portadores mayoritarios 42. A qu se debe la zona de deplexin? a) Al dopaje b) A la recombinacin c) A la barrera de potencial d) A los iones 43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de a) 0,3V b) 0,7V c) 1V d) 44. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la tensin aplicada debe superar a) 0V b) 0,3V c) 0,7V d) 1V

45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente a) Muy pequea b) Muy grande c) Cero d) En la regin de ruptura 46. La corriente superficial de fuga es parte de a) La corriente de polarizacin directa b) La corriente de ruptura en polarizacin directa c) La corriente inversa d) La corriente de ruptura en polarizacin inversa 47. La tensin que provoca el fenmeno de avalancha es a) La barrera de potencial b) La zona de deplexin c) La tensin de codo d) La tensin de ruptura 48. L a difusin de electrones libres a travs de la unin de un diodo produce a) Polarizacin directa b) Polarizacin inversa c) Ruptura d) La zona de deplexin 49. Cuando la tensin inversa crece de 5 a 10 v, la zona de deplexin a) Se reduce b) Crece c) No le ocurre nada d) Se rompe 50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinacin de electrones libres y huecos puede producir a) Calor b) Luz c) Radiacin d) Todas las anteriores 51. Si aplicamos una tensin inversa de 20V a un diodo, la tensin en la zona de deplexin ser a) 0V b) 0,7V c) 20V d) Ninguna de las anteriores

52. Cada gramo de aumento de temperatura en la unin decrece la barrera de potencial en a) 1mV b) 2mV c) 4mV d) 10mV 53. La corriente inversa de saturacin se duplica cuando la temperatura de la unin se incrementa a) b) c) d) 54. La corriente superficial de fuga cuando la tensin inversa aumenta a) 7 por 100 b) 100 por 100 c) 200 por 100 d) 2mV

UNIVERSIDAD ESTATAL PENNSULA DE SANTA ELENA FACULTAD DE SISTEMAS Y TELECOMUNICACIONES ESCUELA DE ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES CARRERA DE INGENIERA ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
ASIGNATURA: Programacin Avanzada ESTUDIANTE(S): CURSO: 2/1 Semestre TALLER INDIVIDUAL:

FECHA: TEMA: No.: