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Fairchild Semiconductor

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

2N3904

MMBT3904
C

E C B

TO-92
E

SOT-23
Marca: 1A

PZT3904
C

E C B

SOT-223

Amplificador NPN de propsito general


Este dispositivo est diseado a modo de amplificador y enchufe de propsito general. El margen dinmico til se extiende a 100 mA en el caso del enchufe y a 100 MHz en el caso del amplificador. Fuente obtenida de Process 23.

Especificaciones mximas absolutas*


Smbolo
VCEO VCBO VEBO IC TJ, Tstg Tensin colector-emisor Tensin colector-base Tensin emisor-base Corriente del colector - c ontnua

TA = 25C si no hay contraindicacin

Parmetro

Valor
40 60 6,0 200 -55 to +150

Unidades
V V V mA C

Margen de temperaturas de la conexin de almacenamiento y funcionamiento

*Estos valores son limitados y sobrepasarlos puede afectar a la capacidad de servicio de cualquier dispositivo semiconductor.
NOTAS: 1) Estos valores lmite se basan en una temperatura mxima de conexin de 150 grados centgrados. 2) Estos lmites son de rgimen permanente. Se debera consultar a la fbrica acerca de las aplicaciones que implican funcionamientos pulsados o ciclos de utilizacin reducidos.

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general


(continuacin)

Caractersticas elctricas
Smbolo Parmetro

TA = 25C si no hay contraindicacin

Condiciones de prueba

Mn.

Mx. Unidades

CARACTERSTICAS DE DESCONEXIN
V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO IBL ICEX Tensin de ruptura colector-emisor Tensin de ruptura colector-base Tensin de ruptura emisor-base Corriente de corte de la base Corriente de corte del colector IC = 1,0 mA, IB = 0 IC = 10 A, IE = 0 IE = 10 A, IC = 0 VCE = 30 V, VEB = 0 VCE = 30 V, VEB = 0 40 60 6,0 50 50 V V V nA nA

CARACTERSTICAS DE CONEXIN*
hFE Ganancia de corriente contnua IC = 0,1 mA, VCE = 1,0 V IC = 1,0 mA, VCE = 1,0 V IC = 10 mA, VCE = 1,0 V IC = 50 mA, VCE = 1,0 V IC = 100 mA, VCE = 1,0 V IC = 10 mA, IB = 1,0 mA IC = 50 mA, IB = 5,0 mA IC = 10 mA, IB = 1,0 mA IC = 50 mA, IB = 5,0 mA 40 70 100 60 30 300

VCE(sat) VBE(sat)

Tensin de saturacin colector-emisor

Tensin de saturacin base-emisor

0,65

0.2 0.3 0,85 0,95

V V V V

CARACTERSTICAS DE PEQUEA SEAL


fT Cobo Cibo NF
Producto de corriente -- ganancia -ancho de banda

Capacitancia de salida Capacitancia de entrada Figura de ruido (excepto MMPQ3904)

IC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz VCB = 5,0 V, IE = 0, f = 1,0 MHz VEB = 0,5 V, IC = 0, f = 1,0 MHz IC = 100 A, VCE = 5,0 V, RS =1,0k, f=10 Hz to 15,7 kHz

300 4,0 8,0 5,0

MHz pF pF dB

CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN (excepto MMPQ3904)


td tr ts tf Tiempo de retardo Tiempo de subida Tiempo de almacenamiento Tiempo de cada VCC = 3,0 V, VBE = 0,5 V, IC = 10 mA, IB1 = 1,0 mA VCC = 3,0 V, IC = 10mA IB1 = IB2 = 1,0 mA 35 35 200 50 ns ns ns ns

*Pureba de impulso: anchura entre impulsos 300 s, ciclo de trabajo 2,0%

Modelo Spice
NPN (Is=6,734f Xti=3 Eg=1,11 Vaf=74,03 Bf=416,4 Ne=1,259 Ise=6,734 Ikf=66,78m Xtb=1,5 Br=0,7371 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=3,638p Mjc=0,3085 Vjc=0,75 Fc=0,5 Cje=4,493p Mje=0,2593 Vje=0,75 Tr=239,5n Tf=301,2p Itf=0,4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general


(continuacin)

Caractersticas trmicas
Smbolo
PD RJC RJA

TA = 25C si no hay contraindicacin

Caracterstica
Disipacin total del dispositivo Degradacin por encima de 25C Resistencia trmica, conexin a caja Resistencia trmica, conexin a ambiente 2N3904 625 5,0 83,3 200

Mx.
*PZT3904 1000 8,0 125

Unidades
mW mW /C C/W C/W

Smbolo
PD RJA

Caracterstica
Disipacin total del dispositivo Degradacin por encima de 25C Resistencia trmica, conexin a ambiente 4 microplaquetas efectivas Cada microplaqueta

Mx.
**MMBT3904 350 2,8 357 MMPQ3904 1000 8,0 125 240

Unidades
mW mW /C C/W C/W C/W

*Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1,5 mm; almohadilla de montaje para el conductor del colector con un mnimo de 6 cm2.

**Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 1,6" X 1,6" X 0,06."

Caractersticas tpicas
- GANANCIA TPICA DE CORRIENTE PULSADA

Ganancia tpica de corriente pulsada frente a corriente del colector


500
VCESAT- T ENSIN COLECTOR-EMISOR (V)

Tensin de saturacin colector-emisor frente a corriente del colector


0,15 = 10
125 C

V CE = 5V
400
125 C

300
25 C

0,1
25 C

200 100 0 0,1


- 40 C

0,05
- 40 C

FE

10

100

0,1

I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

1 10 100 I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

Tensin de saturacin base-emisor frente a corriente del colector


VBESAT- TENSIN BASE-EMISOR (V) 1
= 10

V BE(ON) TENSIN DE CONEXIN BASE-EMISOR (V) -

Tensin de conexin base-emisor frente a corriente del colector


1 VCE = 5V 0,8
- 40 C 25 C

0.8

- 40 C 25 C

0,6
125 C

0.6
125 C

0,4

0.4 0.1 IC 1 10 100 - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

0,2 0,1

1 10 100 I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general


(continuacin)

Caractersticas tpicas

(continuacin)

ICBO- CORRIENTE DEL COLECTOR (nA)

Corriente de corte del colector frente a temperatura ambiente


500
CAPACITANCIA (pF) 10

Capacitancia frente a tensin de polarizacin inversa


f = 1.0 MHz

100 10 1 0,1

VCB = 30V

5 4 3 2
C obo C ibo

25

50 75 100 125 TA - TEMPERATURA AMBIENTE ( C)

150

1 0,1

1 10 TENSIN DE POLARIZACIN INVERSA (V)

100

Figura de ruido frente a frecuencia


NF - FIGURA DE RUIDO (dB) 12 10 8 6 4 2 0 0,1
I C = 100 A, R S = 500 I C = 1.0 mA R S = 200 I C = 50 A R S = 1.0 k I C = 0.5 mA R S = 200

Figura de ruido frente a resistencia de fuente


12 NF - FIGURA DE RUIDO (dB)
I C = 1.0 mA

V CE = 5.0V

10
I C = 5.0 mA

8 6 4 2 0 0,1

I C = 50 A

I C = 100 A

1 10 f - FRECUENCIA (kHz)

100

1 10 R S - RESISTENCIA DE FUENTE (k )

100

- GANANCIA DE CORRIENTE (dB)

PD - DISIPACIN DE POTENCIA (W)

Ganancia de corriente y ngulo de fase frente a frecuencia


50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 h fe

Disipacin de potencia frente a temperatura ambiente


1

V CE = 40V I C = 10 mA 1 10 100 f - FRECUENCIA (MHz)

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180


1000

SOT-223
0,75

- GRADOS

TO-92

0,5

SOT-23
0,25

fe

25

50 75 100 TEMPERATURA (o C)

125

150

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general


(continuacin)

Caractersticas tpicas

(continuacin)

500 I B1 = I B2 = 40V TIEMPO (nS) 100 15V

t r - TIEMPO DE SUBIDA (ns)

Tiempo de conexin frente a corriente del colector


Ic 10

Tiempo de subida frente a corriente del colector


500 VCC = 40V I B1 = I B2 =
Ic 10

100
T J = 125C

T J = 25C

t r @ V CC = 3.0V 2,0V 10 t d @ VCB = 0V 5 1 10 100 I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

10 5 1 10 100 I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

t S - TIEMPO DE ALMACENAMIENTO (ns)

Tiempo de almacenamiento frente a corriente del colector


500
T J = 25C

Tiempo de cada frente a corriente del colector


500 t f - TIEMPO DE CADA (ns) I B1 = I B2 =
T J = 125C Ic 10

I B1 = I B2 =

Ic 10

VCC = 40V

100
T J = 125C

100
T J = 25C

10 5 1 10 100 I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

10 5 1 10 100 I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propsito general


(continuacin)

Circuitos de prueba
3,0 V

300 ns 10,6 V Ciclo de funcionamiento = 2% 0 - 0,5 V < 1,0 ns 10 K

275

C1 < 4,0 pF

FIGURA 1: Circuito de prueba del equivalente al tiempo de subida y de retardo.


3,0 V

10 < t1 < 500 s

t1 10,9 V 275

Ciclo de funcionamiento = 2% 0 10 K C1 < 4,0 pF - 9,1 V < 1,0 ns 1N916

FIGURA 2: Circuito de prueba del equivalente al tiempo de almacenamiento y de cada.

MARCAS COMERCIALES
A continuacin, se proporciona un listado de marcas registradas y no registradas que posee o est autorizado a utilizar Fairchild Semiconductor. No obstante, no aparecen indicadas todas las marcas comerciales.

ACEx CoolFET CROSSVOLT E2CMOSTM FACT FACT Quiet Series FAST FASTr GTO HiSeC
LIMITACIN DE RESPONSABILIDAD

ISOPLANAR MICROWIRE POP PowerTrench QS Quiet Series SuperSOT-3 SuperSOT-6 SuperSOT-8 TinyLogic

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SE RESERVA EL DERECHO DE REALIZAR CAMBIOS EN CUALQUIERA DE SUS PRODUCTOS SIN PREVIO AVISO, CON EL OBJETIVO DE MEJORAR LA FIABILIDAD, LA FUNCIONALIDAD O EL DISEO DE LOS MISMOS. FAIRCHILD NO SE RESPONSABILIZA DE LA APLICACIN O EL USO DE NINGN PRODUCTO O CIRCUITO DESCRITO AQU Y TAMPOCO TRANSFIERE NINGUNA LICENCIA BAJO SUS DERECHOS DE PATENTE NI BAJO LOS DERECHOS AJENOS.
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NO SE AUTORIZA EL USO DE LOS PRODUCTOS DE FAIRCHILD COMO COMPONENTES CRTICOS EN LOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MANTENIMIENTO DE VIDA SIN AUTORIZACIN EXPRESA POR ESCRITO DE FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.

Tal y como se indica aqu: 1. Los sistemas o dispositivos de mantenimiento de vida son aquellos: (a) cuyo propsito es el implante quirrgico en el cuerpo, (b) el mantenimiento de la vida, o (c) cuyo fallo de funcionamiento, siendo utilizados siguiendo adecuadamente las instrucciones del etiquetado, puede causar un dao considerable al usuario.

2. Un componente crtico es cualquier componente de un dispositivo o sistema de mantenimiento de vida cuyo mal funcionamiento puede provocar la avera del sistema o del dispositivo de mantenimiento de vida, o afectar a la segurida o efectividad del mismo.

DEFINICIONES DEL ESTADO DEL PRODUCTO Definiciones de los trminos


Identificacin de la hoja de datos

Estado del producto En fase formativa o de diseo

Definicin
Esta hoja de datos contiene las especificaciones de diseo para el desarrollo del producto. Las especificaciones pueden estar sujetas a variaciones sin previo aviso. Esta hoja de datos contiene datos preliminares. Los datos complementarios se publicarn ms adelante. Fairchild Semiconductor se reserva el derecho de realizar cambios en cualquier momento, sin previo aviso, con el objetivo de mejorar el diseo.
Esta hoja de datos contiene especificaciones finales. Fairchild Semiconductor se reserva el derecho de realizar cambios en cualquier momento, sin previo aviso, para mejorar el diseo.

Informacin avanzada

Preliminar

Primera fabricacin

No se necesita identificacin

Fabricacin plena

Obsoleto

No se fabrica

Esta hoja de datos contiene especificaciones sobre un producto que Fairchild semiconductor ha dejado de fabricar. La hoja de datos es meramente informativa.