TRANSISTOR BJT

GRUPO BJT (del ingles, Bipolar Junction Transistor). Transistores Bipolares de Unin

TRANSISTOR MOS (MOSFET)

GRUPO FET (del ingles Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Transistores Metal Oxido Semiconductor de Efecto de campo En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.

El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.

Simbologa NPN Simbologa PNP FUNCIONAMINETO

Simbologa N Simbologa P FUNCIONAMIENTO

Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga. Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga. Base (B): Controla el paso de corriente a traves del transistor. Es el cristal de en medio. Es uno de los primeros transistores creado en 1965. Dispositivo de tres terminales Corriente del emisor al colector controlada por la corriente inyectada a la base La corriente de fuga es muy inestable. Las zonas de puertas es pequeas.

Drenador(D):donde fluye la corriente ID, que es controlada por la tensin VGS entre la puerta (G) y la fuente. Puerta(G): es el que controla la corriente entre la fuente y el drenador. Fuente(S): Es uno de los ms recientes en la actualidad, el cuales los pueden llevar los dispositivos portables muy miniaturizados. Dispositivo de tres terminales Corriente desde la fuente al drenador, controlada por el campo elctrico generado por la puerta. La corriente de fuga es muy mnima. En ausencia de voltaje de puerta, el

Entre la puerta y el drenado hay una conexin galvnica. Su disparo es de corriente. La potencia del circuito de mando es de media a alta. Su complejidad es alta. La densidad de corriente es de media a baja. Tensin inversa media. La prdida en conmutacin es alta. Su potencia es media. La frecuencia es media. Su corriente es menor de 700 A. Con una unin bipolar. Definicin de corte

semiconductor funciona como unin NPN, entre el drenador y la fuente. No hay necesidad du na conexin galvnica. Su disparo es de tensin. La potencia del circuito de mando es muy baja. Su complejidad es de baja a media. Su densidad de corriente baja a media. Tensin inversa baja. La prdida en conmutacin. Su potencia es baja. La frecuencia es alta. Su corriente es menor de 100 A. Es unipolar. Definicion de corte

IC= - IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;

CUADRO COMPARATIVO