APOSTILA DE ELETRNICA GERAL UNIDADE I - TRANSISTORES 1.

1 - TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO (TBJ OU BJT) - CONSTITUIO:

1.1

emissor

coletor

emissor

P N

N P

P N

coletor

base
figura 1

base

O transistor um dispositivo semicondutor de trs camadas que consiste em duas camadas externas de material tipo N e uma camada interna de material tipo P ou duas camadas externas de material tipo P e uma camada interna de material tipo N. O primeiro chamado de transistor tipo NPN enquanto que o segundo chamado transistor tipo PNP. A estas regies ou camadas damos o nome de emissor, base e coletor. Da unio do cristal semicondutor do emissor com o cristal semicondutor da base resulta numa juno PN a qual recebe o nome de juno base-emissor. Da unio do cristal semicondutor da base com o cristal semicondutor do coletor tambm resulta numa juno PN, sendo esta denominada juno base-coletor. A relao entre a largura total e a camada do meio (base) de aproximadamente 150/1, ou seja, as camadas externas so muito mais largas do que a camada do meio. O nvel de dopagem da camada do meio tambm consideravelmente menor do que o das camadas externas (tipicamente 1:10 ou menos). Este baixo nvel de dopagem aumenta a resistividade deste material, pois limita o nmero de portadores livres de carga eltrica. - SIMBOLOGIA C Ic C Ic

Ib B

Ib B

Ie

Ie

TRANSISTOR NPN figura 2

TRANSISTOR PNP

Na figura 2 foi mostrada a simbologia utilizada para os transistores PNP e NPN, assim como o sentido das correntes de emissor, coletor e base. Observe que a seta do emissor aponta no sentido da corrente do emissor, se considerarmos o sentido convencional, e em sentido oposto se considerarmos o sentido eletrnico de corrente. Observe tambm que a seta aponta para o semicondutor tipo N (emissor no transistor NPN e base no transistor PNP). - POLARIZAO DO TRANSISTOR: Polarizar um circuito transistorizado significa escolher os componentes (resistores) e as tenses contnuas de alimentao do circuito de modo a obter um certo valor para as tenses entre coletor e emissor (V CE), entre base e emissor (VBE) e entre coletor e base (VCB) e para as corrente de emissor, coletor e base (IE, IC e IB).

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL - FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR C N RC C + VCC _ + E VCC _ RC

1.2

+ _ P + _
N

figura 3.a figura 3.b Nos circuitos da figura 3 a fonte de tenso VCC polariza a juno base-coletor do transistor em sentido inverso e a juno base-emissor em sentido direto. A polarizao inversa da juno base-coletor faz que sua resistncia seja muito maior do que a resistncia da juno base-emissor e a maior parte da tenso da fonte V CC fica na juno base-coletor. A tenso na juno base-emissor, apesar de ter a polaridade correta, muito pequena e no possui intensidade suficiente para vencer a barreira de potencial desta juno, que de 0,7 V para o silcio e 0,3 V para o germnio. Isto faz com que o transistor no conduza e as corrente de emissor, coletor e base sejam praticamente nulas. IC N RB B IB + VBB _ E IE RC VCB IC RB + VCC _ + VBB _ IB RC

+ _ P + _
N

_ +

+ +
VCE + VCC IE _

VBE

figura 4a figura 4.b Para que o transistor funcione preciso conectar uma segunda fonte de tenso, conforme mostrado na figura 4. Esta fonte de tenso polariza a juno base-emissor no sentido direto, tanto em polaridade quanto em intensidade, resultando em uma reduo da barreira de potencial desta juno, conforme pode ser visto pintado de cinza na figura 4a. Com a reduo da barreira de potencial, um grande nmero de eltrons se difundem (se deslocam) da regio de emissor para a base. medida que os eltrons se deslocam do emissor para a base, novos eltrons entram na regio de emissor, provenientes do terminal negativo das fonte VBB e VCC, constituindo a corrente de emissor (IE). Nos circuitos da figura 4 a corrente de emissor foi representada saindo do emissor porque estamos trabalhando com o sentido convencional de corrente eltrica (deslocamento de cargas positivas). Os eltrons que entram na base podem seguir dois caminhos: em direo ao coletor ou em direo ao terminal da base. O caminho em direo ao terminal da base estreito e longo, apresentando elevada resistncia.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.3

Por outro lado, o caminho em direo ao coletor curto e largo apresentando baixa resistncia (R=.l/S). Por este motivo, a maior parte dos eltrons que entram na regio da base, vindos do emissor, se deslocam para a juno base-coletor, onde so acelerados pela barreira de potencial desta juno polarizada inversamente (ver explicao abaixo *). Quando chegam no coletor os eltrons so atrados pelo terminal positivo da fonte V CC, constituindo a corrente de coletor (IC). Dos eltrons que entram na base, provenientes do emissor, alguns se recombinam com as lacunas da base e o par eltron-lacuna desaparece. Porm, antes de haver a recombinao, o cristal semicondutor da base era eletricamente neutro, com a recombinao, esta neutralidade deixou de existir. Portanto, para que o cristal se mantenha eletricamente neutro, para cada eltron que se recombina com uma lacuna, um eltron deve deixar a base em direo ao terminal positivo da fonte VBB, constituindo a corrente de base. Quanto mais estreita e menos dopada for a base, menor ser a probabilidade de haver recombinao de um eltron com uma lacuna e, consequentemente, menor ser a corrente de base.

* A explicao para este fato que a barreira de potencial da juno base-coletor, polarizada inversamente,
impede os eltrons do coletor e as lacunas da base (portadores majoritrios) de atravessarem a juno, porm no impede que os eltrons da base e as lacunas do coletor (portadores minoritrios) se desloquem atravs da juno. Na realidade, a barreira de potencial desta juno polarizada inversamente fora o movimento dos portadores minoritrios de carga eltrica atravs da juno, conforme ilustrado na figura 5. Nesta figura pode-se observar a juno base-coletor polarizada inversamente e um eltrons que chegou na base vindo do emissor. Como o eltron possui carga negativa, ele ser repelido pela carga negativa do lado P da juno e ser atrado pela carga positiva do lado N da juno. Portanto, a barreira de potencial desta juno polarizada inversamente, alm de no impedir que o eltron atravessasse a juno ainda atuou no sentido de forar o movimento deste eltron atravs da juno. Base - P _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + + + + + + + + Figura 5 Para explicar o funcionamento do transistor utilizou-se o transistor tipo NPN. O funcionamento do transistor PNP exatamente o mesmo, com os papis desempenhados pelos eltrons e pelas lacunas trocados, conforme mostra a figura 6. Observe nesta figura que as fontes que polarizam o transistor foram invertidas em relao figura 4. IC P RB B IB _ VBB + E IE RC VCB IC RC + + + + + + + Coletor - N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

_ + N _ +
P

_ _
VCE + VCC IE _

RB _ VCC + + VBB _ IB

+ _
VBE

figura 6.a figura 6.b

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL - EQUAES PARA O TRANSISTOR

1.4

1 ) Aplicando-se a lei das correntes de Kirchoff ao transistor da figura 4, ou da figura 6, como se ele fosse um nico n, resulta: IE = IB + IC (1)

Mas, a maior parte dos eltrons que entram na base alcana o coletor, portanto: IC >> IB ( IB = 1 5 % de IE) 2 ) Analisando-se as figuras 4.b ou 6.b, obtm-se: VCE = VCB + VBE (3) (2)

Porm, a juno base-emissor sempre polarizada no sentido direto, de modo que a tenso V BE = 0,7 ou 0,3 V para transistores de Si e Ge, respectivamente. - GANHO DE CORRENTE DO TRANSISTOR ( ou HFE): Por definio:
= H FE =
IC IB

(4)

Uma vez que IC muito maior do que IB, resulta que >> 1. Para transistores de baixa potncia (ICMX pequena) varia de 50 400. Para transistores de potncia (ICMX grande) varia de 2 20. - EFEITO DA VARIAO DA TENSO VBB NO FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR: Uma vez que a tenso entre base e emissor praticamente constante, um pequeno aumento na tenso da fonte VBB, nos circuitos das figuras 4 ou 6, produzir um pequeno aumento na corrente de base. Este pequeno aumento na corrente de base produzir grande aumento na corrente de coletor pois IC = .IB (equao 4). Este grande aumento na corrente de coletor resultar em um grande aumento da tenso sobre o resistor RC (VRC = RC.IC). Analisando-se as figuras 4 e 6, v-se que a tenso de sada (VCE) igual tenso da fonte VCC descontada a queda de tenso sobre o resistor RC (VRC), ou seja: VSADA = VCE = VCC - VRC = VCC - RC.IC (5)

O grande aumento da tenso no resistor de coletor (V RC) causar grande reduo na tenso de sada do circuito (VCE), o que comprova o efeito amplificador do transistor pois esta grande variao da tenso de sada foi causada por uma pequena variao da tenso de entrada (VBB) do circuito. Anlise semelhante pode ser feita quando a tenso da fonte VBB diminuir. - REGIES DE OPERAO DO TRANSISTOR: 1 ) REGIO ATIVA Quando o transistor polarizado na regio ativa, uma variao na corrente de entrada do circuito (corrente de base) produz uma variao proporcional na corrente de sada (corrente de coletor) e uma variao inversa na tenso de sada (VCE), ou seja, se a corrente de coletor aumenta, a tenso de sada diminui (ver equao 5). O transistor polarizado na regio ativa apresenta corrente de coletor e tenso entre coletor e emissor diferentes de zero, portanto, a potncia dissipada pelo transistor (IC x VCE ) tambm diferente de zero, ou seja: VCE 0 IC 0 P 0 ( 0 < VCE < VCC )

Na regio ativa a juno base-coletor polarizada inversamente.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL 2 ) REGIO DE SATURAO

1.5

Nos circuitos das figuras 4 e 6 se a corrente de coletor aumenta, a tenso no resistor de coletor (VRC) aumenta e a tenso entre coletor e emissor (VCE) diminui. Se a corrente de coletor aumentar muito, o valor da tenso VCE ser reduzido para aproximadamente 0 V. Como a tenso V CE no pode diminuir mais, pois sua intensidade j est prxima de 0 V, a corrente de coletor no pode mais aumentar. A partir deste ponto, se a corrente de base aumentar, a corrente de coletor no aumentar, e o transistor estar operando na regio de saturao. Portanto, ao contrrio da regio ativa, na regio de saturao, uma variao da corrente de base no produz variao na corrente de coletor. Dividindo-se a corrente de coletor pelo ganho de corrente () do transistor (equao 4) obteremos o valor da corrente de base que coloca o transistor operando no limite entre a regio de saturao e a regio ativa. Se a corrente de base for maior do que este valor, o transistor estar operando na regio de saturao, caso contrrio estar operando na regio ativa. O transistor polarizado na regio de saturao apresenta corrente de coletor (I C) diferente de zero e tenso entre coletor e emissor (VCE) aproximadamente nula. Assim, na regio de saturao, a potncia dissipada pelo transistor aproximadamente igual zero ( P = VCE x IC 0 x IC 0 ). VCE 0 IC 0 P 0 Na regio de saturao a juno base-coletor polarizada diretamente com uma tenso de aproximadamente 0,5 V. 3 ) REGIO DE CORTE Polarizar um transistor na regio de corte significa fazer com que sua corrente de coletor seja nula. A tenso de sada (VCE) neste caso igual tenso da fonte, pois a queda de tenso no resistor R C nula. Para levar um transistor ao corte devemos adotar o seguinte procedimento: a ) Transistor de Silcio: Para polarizar um transistor de silcio na regio de corte (IC = 0) necessrio curto-circuitar a entrada do circuito com a massa ou abrir o circuito de base, como mostrado na figura 7. Em qualquer dos dois casos tem-se IB = 0 e, consequentemente IC = 0, ou seja, o transistor no conduz.

IC = 0 RB IB = 0 + VBE = 0 _

RC + _ VCE + VCC _ VBB + _ IB = 0 RB

IC = 0

RC + _ VCE + VCC _

+ VBE = 0

figura 7.a figura 7.b b ) Transistor de Germnio: Para fazer com que o transistor de Germnio fique cortado, preciso aplicar Juno base-emissor uma tenso reversa da ordem de 0,1 V. Com a base aberta (Ib=0), pode-se ter uma corrente de emissor e de coletor de valor considervel, principalmente em temperatura elevada.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.6

Na regio de corte a corrente de coletor (I C) nula e a tenso entre coletor e emissor (V CE) = VCC, portanto, a potncia dissipada pelo transistor nula (P = VCE x IC = VCC x 0 = 0 ). VCE = VCC IC = 0 P=0

Quando o transistor funciona como amplificador, normalmente polarizado na regio ativa. Quando utilizado na construo de portas lgicas (NOT, AND, OR, ETC.) ou como dispositivo de chaveamento (liga-desliga), o transistor opera nas regies de corte e de saturao, pois nestas regies a potncia dissipada aproximadamente nula. - POLARIZAO DO TRANSISTOR COM UMA FONTE DE TENSO (POLARIZAO DE BASE FIXA): O circuito da figura 4.b poderia ser redesenhado com as fontes de tenso de mesmo valor e teramos o circuito mostrado na figura 8. B A RB + VBB = VCC _ IB IC C RC + _ B E IE sada figura 8 VCC

O potencial do ponto A em relao massa igual ao potencial do ponto B em relao massa, ou seja VA = VB = VCC, portanto, se retirarmos a fonte de tenso VBB e ligarmos o ponto A ao ponto B, o circuito no sofrer nenhuma alterao quanto ao funcionamento, VA continuar sendo igual VB que igual VCC, apenas que, agora, uma nica fonte estar fornecendo as correntes de coletor e de base. O circuito resultante est mostrado nas figuras 9.a e 9.b para os transistores NPN e PNP, respectivamente. Nos circuitos mostrados na figura 9, a corrente de base fixa (constante) e seu valor depende apenas da fonte Vcc e do resistor Rb. Por este motivo, este tipo de polarizao recebeu o nome de polarizao de base fixa.

RB

IC C IB

RC + _ VCC

RB

IC C IB B E

RC _ VCC + IE sada

B E IE

sada

figura 9.a Transistor NPN

figura 9.b Transistor PNP

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL - CAPACIDADES MXIMAS DO TRANSISTOR:

1.7

Alm do ganho de corrente, os fabricantes de transistores costumam informar em seus catlogos pelo menos 3 itens: 1) A capacidade mxima de dissipao de potncia (PCMX). 2) A corrente mxima de coletor (ICMX) que especifica o mximo valor de corrente permissvel circulando do emissor para o coletor. Quando se pretende construir um circuito com transistores, deve-se escolher um transistor que tenha corrente e potncia mxima superiores s do circuito no qual vai ser utilizado. 3) A tenso mxima entre coletor e emissor (VCEMX) Devemos escolher o transistor de modo que a tenso (VCEMX) seja maior do que a tenso da fonte de alimentao VCC. - CONFIGURAO DARLINGTON: Um nico transistor nos oferece, em geral, um baixo ganho de corrente e, quando necessitamos de um ganho elevado, a soluo utilizar o circuito da figura 10 onde temos dois transistores ligados em configurao Darlington. C I IC1 B IB1 Tr1

IC2

Tr2 IE1 = IB2 IE2 E figura 10 IC2 = 2.IB2 mas IB2 = IE1 IE1 IC1 = 1.IB1 portanto IC2 = 1.2.IB1 I

O circuito mostrado na figura 10 pode ser encontrado em um nico invlucro, como se fosse um nico transistor, apresentando 3 terminais, base, coletor e emissor. Conforme podemos ver na figura 10, para o transistor Drlington VBE = VBE1 + VBE2, portanto, VBE = 1,4 V (0,7 + 0,7 V) se o transistor for de silcio. - Desvantagens da configurao Darlington: - Aumenta a tenso VCE de saturao e a tenso entre base e emissor. - Reduz a velocidade de chaveamento.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL - EXEMPLOS DE APLICAES DOS TRANSISTORES: 1o-) INTERFACEAMENTO DE UM CIRCUITO DIGITAL COM REL UTILIZANDO TRANSISTOR:

1.8

+
D1

1 2 + VCC -

+5V P + VBE _ N IC

7408

+ VOUT _

Rb

figura 11.a - Funcionamento do circuito: a) Com nvel lgico 1 na sada da porta lgica: Nvel lgico 1 na sada de um circuito digital significa que temos tenso positiva na sada deste circuito em relao massa, conforme mostrado na figura 11.a. Esta tenso polariza diretamente a juno base-emissor do transistor (positivo na base P e negativo no emissor N) levando-o ao estado de saturao e fazendo com que ele se comporte como chave fechada entre coletor e emissor (VCESAT = 0,2 V). Temos, portanto, um circuito fechado, composto pelo transistor, fonte e bobina do rel, por onde circula a corrente de coletor do transistor (I C), corrente esta que excita a bobina do rel, fazendo com que seu contato comute, ou seja, passe da posio 1 para a posio 2, ligando a carga por ele comandada. O diodo est inversamente polarizado pela tenso da fonte e no conduz. b) Com nvel lgico 0 na sada da porta lgica.

_
D1

_
1 ID 2 + VCC -

+
+ 5 Vcc

7408

+ VOUT = 0 _

Rb VBE = 0

IC = 0 pois o transistor est no corte

figura 11.b

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.9

Nvel lgico 0 na sada de uma porta lgica significa ausncia de tenso na sua sada em relao massa. Portanto, no h tenso para polarizar diretamente a juno base-emissor do transistor, levando-o ao estado de corte. Neste estado o transistor se comporta como uma chave aberta entre coletor e emissor (V CE = VCC), interrompendo a corrente que circula pela bobina do rel. Ao ser interrompida a corrente da bobina do rel seu contato comutador passa da posio 2 para a posio 1 novamente, desligando a carga por ele comandada. No instante que o transistor interrompe a corrente de coletor, na bobina do rel induzida uma fora eletromotriz com polaridade tal a se opor reduo desta corrente, ou seja, a bobina do rel se comporta como uma fonte de tenso. Conforme se pode ver na figura 11.b, esta tenso polariza diretamente o diodo, curto-circuitando os terminais da bobina, o que proporciona um caminho fechado para que a corrente da bobina do rel (I D) continue circulando com o mesmo sentido que antes. Ao circular pelas resistncias dos fios, do diodo e da prpria bobina esta corrente causa perdas por efeito joule, reduzindo a energia armazenada no campo magntico da bobina do rel at que ela se reduza a zero, quando ento a corrente ID tambm nula. Se no houvesse o diodo em paralelo com a bobina do rel, a fora eletromotriz, induzida nos terminais da bobina no instante do desligamento do transistor, poderia ser intensa o suficiente para danificar o transistor ou a isolao da bobina do rel. 2o-) REGULADOR SRIE DE TENSO COM TRANSISTOR A) UTILIZANDO DIODO ZENER COMO ELEMENTO DE REFERNCIA: + + R + + VIN + VZ _ _ RL VOUT _ VCE _ _ VBE

figura 12 O circuito da figura 12 um melhoramento do circuito regulador de tenso com diodo zener, visto no semestre anterior. O transistor neste circuito denominado de elemento de controle e, por estar em srie com a carga, este circuito denominado de regulador de tenso srie. O diodo zener atua como elemento de referncia de tenso. - FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO: No circuito mostrado na figura 12, o resistor R e o diodo zener formam um regulador de tenso, do tipo que estudamos no semestre anterior. Se o diodo zener est no estado ligado, temos uma tenso constante nos seus terminais. Como a tenso entre base e emissor do transistor tambm constante e, sendo a tenso na carga a diferena entre a tenso do zener e a tenso entre base e emissor, tem-se na carga uma tenso constante, mesmo que ocorram variaes da tenso de entrada do circuito e/ou da corrente de carga. A diferena entre a tenso de entrada (VIN) e a tenso de sada (VOUT) a tenso nos terminais do transistor (VCE). Se a tenso de entrada aumenta, a tenso no resistor R, a tenso VBC e a tenso VCE tambm aumentam, compensando a variao de tenso na entrada do circuito de modo a manter a tenso na carga constante. Porm, para que a tenso VCE possa variar, o transistor precisa estar operando na regio ativa. A tenso que polariza a juno base-emissor do transistor no sentido direto, colocando-o na regio ativa, a tenso do diodo zener (VZ ). - VANTAGEM DO REGULADOR SRIE DE TENSO EM RELAO AO REGULADOR DE TENSO COM DIODO ZENER ESTUDADO NO SEMESTRE ANTERIOR: A vantagem do regulador srie de tenso em relao ao regulador de tenso com diodo zener, que estudamos no semestre anterior, que a carga do regulador de tenso (formado pelo resistor R e o diodo zener) a corrente de base do transistor que muito menor do que a corrente de carga do circuito ( I E ), resultando na utilizao de um diodo zener de menor potncia.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.10

B) UTILIZANDO REGULADOR DE TENSO EM CIRCUITO INTEGRADO COMO ELEMENTO DE REFERNCIA: Podemos utilizar o transistor para aumentar a capacidade de corrente de um circuito regulador de tenso em CI (tenso de sada fixa ou ajustvel), conforme mostrado na figura 13 I IC _ + + VIN
REGULADOR DE TENSO

IE = IL

VBE IB + VOUT _ C2

+ VL _ RL

C1

figura 13 - FUNCIONAMENTO: A tenso na carga igual tenso na sada do regulador de tenso descontada da diferena de potencial entre base e emissor, ou seja: VL = VOUT - VBE Mas a tenso de sada de um circuito regulador de tenso (V OUT) e a tenso entre base e emissor de um transistor (VBE) so constantes, portanto, a tenso na carga (VL) tambm constante. Observe que a corrente de carga circula praticamente toda pelo coletor do transistor. No regulador de tenso temos apenas a corrente de base do transistor que muito menor do que a corrente da carga (IE). Na figura 13, C1 um capacitor eletroltico de alumnio que tem funo de filtro, ou seja, manter a tenso na entrada do regulador de tenso acima da tenso mnima que ele precisa para funcionar. C2 um capacitor de tntalo de, no mnimo 0,1 microfarad, sua funo eliminar possveis variaes da tenso de sada (supressor). - CONCLUSO: Os reguladores de tenso lineares, como os mostrados nas figuras 12 e 13 desta unidade, apresentam baixo rendimento (30 a 50 %) e grandes dimenses. Isto se deve a dois fatores: 1o - O transistor opera na regio ativa, ou seja, a tenso entre coletor e emissor do transistor e a corrente de coletor so diferentes de zero. Portanto, a potncia dissipada pelo transistor tambm diferente de zero. A elevada dissipao de potncia no transistor torna necessria a utilizao de dissipadores de calor de grandes dimenses, aumentando o volume da fonte. 2o - O circuito trabalha com baixa frequncia o que exige a utilizao de capacitores com elevada capacitncia e grandes dimenses, o que torna a fonte volumosa. Por apresentar baixo rendimento e grandes dimenses o regulador de tenso linear s economicamente vivel para potncia de sada de at 10 W. 3o PONTE H PARA ACIONAMENTO DE MOTORES: um circuito utilizado para controlar a velocidade e o sentido de rotao de um motor eltrico a partir de sinais gerados por circuitos digitais (microcontrolador, temporizador 555, etc.). A sada destes no suporta a corrente necessria e nem possui a tenso adequada para acionar um motor, necessria uma unidade de potncia que possa aliment-lo convenientemente. Quando ligamos um motor DC uma fonte de tenso contnua observamos que ele gira numa velocidade constante e numa nica direo. Para alterarmos o sentido da rotao do motor, basta apenas ligar os terminais do motor de forma invertida. Para que no seja necessrio fazer essa operao manualmente, podemos utilizar

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.11

uma ponte H. Pode-se cri-la facilmente com a finalidade de controlar o sentido da rotao de um motor utilizando chaves simples, rels ou transistores. Uma ponte H bsica composta por 4 chaves mecnicas ou eletrnicas posicionadas formando a letra H, sendo que cada uma localiza-se num extremo e o motor posicionado no centro, conforme mostrado na figura 14.

+ VCC _

MOTOR CC

figura 14

Para que o motor funcione, basta acionar um par de chaves diagonalmente opostas, o que faz a corrente fluir do plo positivo para o negativo atravessando o motor e fazendo-o girar. Para inverter a rotao, desligamos essas chaves e acionamos o outro par de chaves, o que faz a corrente circular no motor em sentido contrrio ao anterior invertendo sua rotao, conforme mostrado na figura 15. Deve-se tomar o cuidado de no acionar as duas chaves de um mesmo lado pois isto ocasionaria um curto-circuito na fonte. + VCC + VCC

MOTOR CC

MOTOR CC

MICROCONTROLADO

CIRCUITO

R T1
SADA DIGITAL 1

R T2 figura 15.b +

figura 15.a

MOTOR VCC CC Para que o motor possa ser acionado por um microcontrolador, ou outro circuito digital, devemos substituir as chaves mecnicas por chaves eletrnicas, como por exemplo: transistores, mosfets ou tiristores. Na figura 16 _ SADA foi mostrado o circuito de uma ponte H construda com transistores. R R DIGITAL 2 T3 T4

figura 16

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.12

- FUNCIONAMENTO: Quando tivermos nvel lgico 1 na sada digital 1 do circuito microcontrolado, a base do transistor 3 (NPN) ser positiva em relao massa e ao emissor, polarizando a juno base-emissor deste transistor diretamente e levando-o ao estado de conduo, conforme mostrado na figura 17. Ao mesmo tempo, a base do transistor 1 ser positiva em relao massa. Porm, como o emissor do transistor 1 tambm positivo em relao massa, e com potencial igual ao da base, a tenso na juno base-emissor nula fazendo com que o transistor 1 no coduza. Deste modo, no h o perigo de se ligar os dois transistores do mesmo lado da ponte o que causaria um curto circuito na fonte. Se na sada digital 2 do circuito microcontrolado tivermos nvel lgico 0, no haver tenso suficiente para polarizar diretamente a juno base-emissor do transistor 4 e este no conduzir. Porm, nvel lgico 0 na sada digital 2 far com que a base do transistor 2 (PNP) tenha potencial negativo em relao ao emissor , levando-o ao estado de conduo. Portanto, nvel lgico 1 na sada 1 e 0 na sada 2 do circuito microcontrolado faz com que os transistores 2 e 3 conduzam e a corrente no motor circule da direita para a esquerda fazendo-o girar em um determinado sentido. Esta situao est mostrada na figura 17 onde podemos ver o caminho da corrente identificado pela linha grossa. Da mesma forma, se na sada digital 1 tivermos nvel lgico 0 e na sada digital 2 tivermos nvel lgico 1, os transistores 1 e 4 que estaro conduzindo e a corrente no motor circular da esquerda para a direita, fazendo-o girar em sentido contrrio ao anterior. Se tivermos nvel lgico igual nas duas sadas digitais apenas os dois transistores superiores ou os dois transistores inferiores estaro conduzindo e a tenso nos terminais do motor ser nula fazendo com que ele no parta. Se o motor estiver funcionando e as sadas digitais passarem a ter o mesmo nvel lgico, para que a corrente no motor continue circulando no mesmo sentido e com a mesma intensidade que antes, a bobina do motor induzir nos seus terminais uma fem com polaridade contrria a anterior. Esta fem polarizar um dos diodos da ponte diretamente e a mquina ter sua velocidade reduzida lentamente.+ Esta situao foi mostrada na figura _ 18 onde se sups que os transistores R e 3 estavam conduzindo e as sadas digitais R 2 passaram para nvel lgico 0, T2 levando os transistores 1 e 2 para o estado deTconduo. Como a corrente no pode circular do coletor para o 1 emissor no transistor PNP 1, a fem induzida pela bobina do motor CC polarizou diretamente o diodo em paralelo com o transistor T1 fornecendo um caminho fechado para que a corrente do motor continuasse circulando no + SADA + mesmo sentido DIGITAL 1 que antes. I _ MOTOR VCC CC + V fonte aterrado, como na figura 16, o transistor NPN conduz com nvel lgico 1 na 0 OBS: Quando o negativo da _ base e o transistor PNP com nvel lgico 0. SADA R R DIGITAL 2 T3 T4 MICROCONTROLADO CIRCUITO

figura 17

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.13

MICROCONTROLADO

CIRCUITO

R T1
SADA DIGITAL 1

+
T2 I

+
MOTOR CC

_ 0 R T4

+ VCC _

0
SADA DIGITAL 2

R T3

figura 18 OBS: A ponte H com transistores, mostrada nas figuras anteriores, s pode ser utilizada se a tenso da fonte VCC for igual ou inferior tenso nas sadas digitais quando estas estiverem em nvel lgico 1. Caso contrrio, quando uma das sadas for para nvel lgico 1 teremos dois transistores de um mesmo lado da ponte (esquerdo ou direito) conduzindo o que curto-circuitar a fonte, danificando os transistores e a prpria fonte. A ponte H tambm pode ser utilizada para acionar motores de corrente alternada. Neste caso, os pares de transistores so acionados alternadamente, ora T1 e T4 conduzem ora T2 e T3 conduzem. Isto faz com que a corrente no motor circule ora num sentido, ora em sentido contrrio. Variando-se a velocidade de chaveamento dos transistores, podemos variar a frequncia da corrente alternada que a fonte CC entrega para o motor e, consequentemente, sua velocidade. Este circuito chamado de conversor ou inversor de frequncia e amplamente utilizado para variar a velocidade dos motores de induo monofsicos e trifsicos. Neste ltimo caso a ponte constituda de 3 pares de transistores. A fonte de tenso contnua V CC a tenso alternada da rede retificada, atravs de retificadores monofsicos ou trifsicos, controlados ou no. A tenso da rede, aps ser retificada filtrada por circuito de filtro.

Na tabela abaixo temos um resumo do funcionamento da ponte H.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.14

SADA DIGITAL 1 1 0 0 1

SADA DIGITAL 2 0 1 0 1

EFEITO Rotao em determinado sentido Rotao em sentido contrrio No parte, ou pra suavemente No parte, ou pra suavemente

Se a tenso da fonte que alimenta o motor for diferente da tenso de sada em nvel lgico 1 do circuito digital, devemos acrescentar quatro transistores NPN ao circuito, conforme mostrado na figura 19.

R1 R2 T1 T5

T2

R1 T6 R2

+ SD1
MOTOR CC

+ VCC R1 R2 T7 T3 T4

+ VCC R1 R2

SD2

VCC _

T8

figura 19 Quando a sada digital 1 (SD1) vai para nvel lgico 1, a juno base-emissor dos transistores 5 e 7 polarizada diretamente levando estes transistores ao estado de conduo. A conduo do transistor 5 far com que a base do transistor 1 (PNP) tenha potencial negativo em relao ao emissor, levando-o ao estado de conduo. Por outro lado, a conduo do transistor 7 far com que a base do transistor 3 (NPN) tenha potencial nulo em relao ao emissor, levando-o ao estado de corte. Se a sada digital 2 (SD2) estiver com nvel lgico 0 o os transistores 6 e 8 estaro no estado desligado. Estando o transistor 6 desligado(chave aberta), no haver tenso para polarizar a juno base-emissor do transistor 2 (PNP) que tambm ficar no estado desligado. Se o transistor 8 estiver desligado, a base do transistor 4 (NPN) ter potencial positivo em relao ao emissor, levandoo ao estado de conduo. Portanto, a corrente no motor ir circular da esquerda para a direita no circuito da figura 19. Fazendo-se a mesma anlise com a sada digital 1 em nvel lgico 0 e a sada digital 2 em nvel lgico 1, conclui-se que os transistores 2, 3, 6 e 8 estaro conduzindo e os transistores 1, 4, 5 e 7 estaro desligados, levando a corrente no motor a circular da direita para a esquerda.

4o-) REATOR ELETRNICO PARA LMPADA FLUORESCENTE:

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.15

A lmpada fluorescente tem se tornado uma importante fonte de iluminao artificial devido ao seu grande tempo de vida til e sua alta eficincia, quando comparada com as lmpadas incandescentes. Entretanto, estas lmpadas apresentam caractersticas de impedncia negativa, o que requer dispositivos que atuem limitando a sua corrente, para evitar a sua destruio por corrente excessiva. Alm disto, tais lmpadas requerem elevadas tenses para sua ignio. Estes problemas tm sido resolvidos pela utilizao de um reator magntico. Apesar de seu baixo custo, estes reatores apresentam grande peso e volume, baixo fator de potncia e efeito denominado de flickering (oscilao). Quando as lmpadas fluorescentes so acionadas em altas frequncias sua eficincia luminosa aumenta, o rudo audvel e o flickering so eliminados (Brioschi, R.O. e outros). Entretanto, isto requer o uso de um reator eletrnico, como o mostrado na figura 20, para acionar as lmpadas. Este circuito foi retirado de uma lmpada fluorescente comercial de 14 W fabricada pela Home Depot. Quando o circuito energizado, a tenso retificada pelo retificador em ponte, formado pelos diodos D 1 D4, e filtrada pelo capacitor de 10 F. Quando o circuito energizado pela primeira vez, o capacitor de 100 F, 63 V comea a se carregar atravs do resistor de 470 K. Quando a tenso neste capacitor atinge 32 V, o diac passa para o estado de conduo e a tenso do capacitor polariza o transistor Q 2 que passa agora para o estado de conduo. A corrente ento flui atravs do transistor Q 2, do enrolamento superior do transformador T1, da bobina L2, do filamento da esquerda da lmpada fluorescente, do capacitor de 4,7 nF, do filamento da direita da lmpada fluorescente e do capacitor de 0,1 F. A intensidade desta corrente limitada pela indutncia L 2 e pela resistncia dos filamentos. A circulao de corrente no enrolamento superior do transformador T1 induz tenso nos outros dois enrolamentos deste transformador. A tenso destes enrolamentos polariza a juno base-emissor do transistor Q1 no sentido direto, que comea a conduzir, e polariza a juno base-emissor do transistor Q 2 no sentido inverso, levando-o ao corte. Quando o transistor Q1 chega ao estado de conduo, os capacitores de 0,1 F e de 4,7 nF, conectados na lmpada fluorescente FL1, comeam a se descarregar e a corrente passa a fluir em sentido contrrio ao anterior, atravs dos filamentos da lmpada, do reator L2, do enrolamento superior do transformador T1 e do transistor Q1. A circulao de corrente no enrolamento superior do transformador T1 novamente induz tenso nos outros dois enrolamentos deste transformador, mas com polaridade contrria a anterior o que leva o transistor Q2 ao estado de conduo e o transistor Q1 ao estado de corte. Quando a corrente no indutor L2 inverte de sentido, induzida uma tenso nos terminais deste indutor que produz a partida da lmpada fluorescente. A reatncia indutiva do indutor L2 tambm limita a corrente que circula pela lmpada aps a sua ignio, quando sua resistncia diminui bastante, impedindo a destruio da lmpada. Quando a lmpada liga, a maior parte da corrente flui diretamente entre os filamentos ao invs de atravs deles. Somente uma pequena parcela desta corrente flui atravs dos filamentos para mant-los aquecidos. O resistor de 47 conectado na entrada do circuito atua como fusvel. O indutor L 1 e o capacitor de 0,1F atuam como filtro passa baixa impedindo que a tenso de alta frequncia, gerada pelo circuito eletrnico, se propague pela rede eltrica e interfira no funcionamento de outros equipamentos. O capacitor de 470 pf e o resistor de 470 K em paralelo com Q 1 impedem que os dois transistores liguem ao mesmo tempo o que provocaria um curto-circuito na fonte. O transistor DK 43 um transistor projetado especificamente para chavear circuitos utilizados na construo de reatores eletrnicos.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.16

4,7 nF 1,2 KV

FL1 L2 150 T

1 F 250 V

T1 47 3T Q1 D1 D2 3T REDE 127 V 50/60 HZ 0,1 F 250 V D4 1N 4005 10 F 200 V D3 3T Q2 10 DK43 100 nF 63 V 1N 4005 10 DK43 470 pF 1 kV 470 K 470 K

L1

DIAC 32 V D33

figura 20

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL - IDENTIFICAO DOS TERMINAIS E DO TIPO DE UM TRANSISTOR:

1.17

A identificao dos terminais e do tipo de um transistor pode ser feita consultando-se o catlogo ou o manual do fabricante. Na falta deste, com o auxlio de um multiteste, podemos utilizar alguns procedimentos que, em geral, nos permitem determinar o tipo e identificar os terminais do transistor. a-) Identificao do tipo e do terminal da base do transistor: O transistor possui 3 terminais, conforme mostrado na figura 21, que chamaremos de terminais 1, 2 e 3. Para identificar a base do transistor, devemos proceder da seguinte maneira: 1- Colocar a chave seletora do multiteste na posio x 10 ohm. 2- Conectar as ponteiras do multiteste a um par de terminais do transistor de cada vez, conforme indicado na tabela abaixo. 123 +++-+ -+ -+

123

figura 21

3- Se o transistor estiver em bom estado, duas situaes podero ocorrer: - Com o plo positivo da bateria do multiteste em um dos terminais do transistor, e o negativo em qualquer um dos outros dois terminais o instrumento indicou baixa resistncia. Neste caso, o terminal do transistor onde se encontra o plo positivo da bateria do multiteste a base e o transistor do tipo NPN. Esta situao est mostrada na figura 22.a, onde temos as duas junes polarizadas no sentido direto. - Com o plo negativo da bateria do multiteste em um dos terminais do transistor, e o positivo em qualquer um dos outros dois terminais o instrumento indicou baixa resistncia. Neste caso, o terminal do transistor onde se encontra o plo negativo da bateria do multiteste a base e o transistor do tipo PNP. Esta situao est mostrada na figura 22.b, onde temos as duas junes polarizadas no sentido direto. N P N P N P

figura 22.a

figura. 22.b

OBS: No multiteste analgico, a ponteira que tem polaridade positiva a preta (comum), pois neste terminal que est conectado o plo positivo da bateria interna do instrumento, a ponteira vermelha tem polaridade negativa. No multiteste digital normalmente no h esta inverso. b-) Identificao dos terminais coletor e emissor do transistor: Uma vez identificado o terminal de base e o tipo do transistor (NPN ou PNP), podemos identificar os terminais de coletor e de emissor procedendo da seguinte maneira: 1o- Colocar a chave seletora do multiteste na posio x 1 Kohm. 2- Conectar as ponteiras do multiteste entre os terminais desconhecidos do transistor, conforme mostrado na figura 23. 3- Medir a resistncia do transistor segurando com uma das mos o terminal da base, e com a outra mo o terminal do multiteste que corresponde polaridade da base no sentido direto (positiva NPN negativa PNP) conforme mostrado na figura 23. Repita a medio invertendo os terminais do multiteste. 4- Na medio em que o multiteste indicar menor resistncia (maior deflexo do ponteiro), o terminal do multiteste que corresponde a polaridade da base indicar o terminal de coletor e o outro ser o emissor.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.18

NPN

PNP

B
mos mos

figura 23

-+ -+ VERIFICAO DO ESTADO DE FUNCIONAMENTO DE UM TRANSISTOR: Para saber se um transistor est em bom estado, basta medir a resistncia das duas junes (base-emissor e base-coletor) nos dois sentidos (direto e inverso). Se tivermos baixa resistncia nas duas junes quando polarizadas no sentido direto e elevada resistncia nas duas junes quando polarizadas no sentido inverso, o transistor est em bom estado, caso contrrio, est danificado. 1.2-) TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO (JFET): - ESTRUTURA INTERNA: O JFET constitudo por um canal, que pode ser de material tipo N ou material tipo P, em cujas extremidades so colocados dois terminais, que recebem a denominao de fonte (source) e dreno (drain), conforme mostrado na figura 24. As regies hachuradas so construdas com semicondutor oposto ao do canal e so conectadas a dois terminais que recebem a denominao de porta (gate). Os terminais de porta normalmente so interligados. O canal fracamente dopado enquanto que as regies de porta so fortemente dopadas. A regio em negrito, entre o canal e as regies de porta, denominada regio de depleo. Esta regio isenta de portadores de carga eltrica e apresenta uma barreira de potencial (ddp) da ordem de 1 V. Ela maior dentro do canal devido menor dopagem deste em relao s regies de porta. - FUNCIONAMENTO: Aplicando-se o terminal positivo da bateria no terminal dreno (D) e o negativo no terminal fonte (S), conforme mostrado na figura 25, haver o deslocamento de eltrons livres do canal (semicondutor tipo N) em direo ao positivo da bateria, constituindo a corrente de dreno (ID) e de eltrons do negativo da bateria em direo ao terminal fonte constituindo a corrente de fonte (IS). Na figura 25 estas R correntes foram representadas com sentido contrrio porque utilizamos o sentido convencional de corrente eltrica. Portanto, ao contrrio do transistor BJT, que normalmente desligado, o JFET normalmente ligado, ou seja, basta alimentarmos os terminais dreno e fonte para haver circulao mxima de corrente (componente saturado). Seu comportamento se assemelha ao das vlvulas triodo. Para que se possa controlar a intensidade da corrente de dreno (ID) necessria a utilizao de uma segunda bateria que deve + ser colocada entre gate e fonte (VGS), cuja funo polarizar inversamente as duas junes PN formadas pela unio do VDD semicondutor tipo N do canal com o semicondutor tipo P das regies de porta, conforme mostrado na figura 26. Isto faz com que a regio de _ depleo se estenda ainda mais para dentro do canal, reduzindo sua espessura e aumentando sua resistncia. O aumento da resistncia do canal provoca uma reduo na corrente de dreno. Se a tenso V GS tiver grande intensidade, o canal se fecha completamente e as correntes de dreno e de fonte caem a zero (componente em corte).
FONTE (S)

CANAL

PORTA (G)

PORTA (G)

DRENO (D)

figura 24

ID

CANAL N

IS figura 25

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.19

Como a juno PN formada entre gate e canal polarizada inversamente, a corrente de porta muito menor do que a corrente de base dos transistores bipolares, o que uma vantagem do JFET. A corrente de porta de um JFET da ordem de 10-13 A. O funcionamento do JFET de canal P exatamente igual ao funcionamento do FJET de canal N , com os papis desempenhados pelos eltrons e pelas lacunas trocados. As fontes que polarizam o JFET devem ser invertidas em relao figura 26.

I
D
D

+ VDD _

_ VGS +
S CANAL N

IS - SMBOLO: D D

figura 26

S figura 27.a JFET de canal N

S figura 27.b JFET de canal P

Da mesma forma que no transistor bipolar de juno, no JFET a seta sempre aponta para o semicondutor tipo N. Portanto no JFET de canal N a seta aponta para o canal (figura 27.a) e no JFET de canal P a seta aponta para a regio da porta (semicondutor N figura 27.b). 1.3-) TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL XIDO SEMICONDUTOR (MOS-FET): O MOS-FET um componente bastante utilizado na construo de circuitos integrados, pois suas caractersticas nos permitem construir circuitos muito mais complexos e versteis do que os construdos com simples transistores de juno. - ESTRUTURA INTERNA (ver figura 28): O MOS-FET constitudo de uma regio de elevada resistividade (pouco dopada), denominada substrato e de duas regies de baixa resistividade (muito dopada) denominadas canal. O semicondutor utilizado na construo do canal oposto ao semicondutor do substrato. Se o canal for do tipo N, o substrato ser do tipo P e vice-versa. Sobre o conjunto depositada uma fina camada de SiO2 (dixido de silcio), que um material isolante, na qual so feitos dois orifcios para que tenhamos acesso direto s regies denominadas por canal, nas quais so conectados dois contatos denominados de fonte (S) e dreno (D). Um terceiro contato, denominado gate (G) conectado estrutura canal + substrato, porm permanece isolado desta atravs da fina camada de material isolante (SiO2). SGD

CANAL

CANAL SUBSTRATO

figura 28

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL - FUNCIONAMENTO:

1.20

Se o terminal gate do MOSFET estiver aberto, ou se curto-circuitarmos o terminal gate (G) com o terminal fonte (S) a diferena de potencial entre os dois terminais (V GS) ser igual a zero. Ainda que uma tenso seja aplicada entre o dreno e a fonte, no haver circulao de corrente pois a juno PN (J2) estar polarizada inversamente (figura 29.a). - VDD + - VDD + - VGS + SGD SGD

CANAL N J1

CANAL N J2 CANAL N CANAL N CANAL N INDUZIDO

SUBSTRATO P

SUBSTRATO P

Figura 29.a

Figura 29.b

Aplicando-se uma tenso positiva no gate em relao fonte, conforme mostrado na figura 29.b, os eltrons livres que esto presentes no semicondutor tipo P sero atrados pelo plo positivo de V GS, deslocando-se em direo camada isolante de SiO2. As lacunas sero atradas pelo plo negativo de VGS, deslocando-se em direo contrria (oposta camada isolante). Os eltrons que se acumulam prximo camada isolante do gate formam um canal condutor tipo N que permite a circulao de corrente entre o dreno e a fonte. Por este motivo, este tipo de MOS-FET chamado de MOS-FET de canal N O MOS-FET continuar ligado (conduzindo corrente entre o dreno e a fonte) enquanto tivermos tenso entre o gate e a fonte com valor e polaridade apropriados, quando esta tenso for retirada o MOS-FET desligar. A corrente no gate igual zero pois h uma camada isolante de S iO2 entre o terminal de gate e o canal tipo N, por este motivo, dizemos que o MOS-FET acionado por tenso, contrrio ao BJT que acionado por corrente e necessita de uma quantidade de energia para ser acionado muito maior do que o MOS-FET. Durante a comutao, ou seja, quando o MOS-FET passa do estado desligado para ligado, ou vice-versa, teremos uma pequena corrente no gate devido carga ou descarga do capacitor de gate que formado pelo contato metlico de gate, camada isolante de SiO2(dieltrico) e semicondutor tipo P. Esta corrente de curtssima durao (no mximo algumas centenas de nanosegundos). Alm do MOS-FET de canal N existe tambm o MOS-FET de canal P, cuja estrutura igual do MOSFET de canal N, porm, os semicondutores so invertidos (troca N pelo P e P pelo N). Os circuitos digitais da famlia CMOS utilizam transistores MOS-FET tipo N e MOS-FET tipo P. Uma vez que estes transistores so complementares, agrega-se a letra C palavra MOS resultando na palavra CMOS. - SMBOLO: dreno dreno

porta (gate)

porta (gate)

fonte (source) MOS-FET CANAL N Figura 30

fonte (source) MOS-FET CANAL P

- VANTAGENS DO MOSFET EM RELAO AO BJT: a-) Devido elevada resistncia entre gate e fonte a corrente de gate nula o que faz com que o MOS-FET necessite de muito menos energia para ser ligado do que o BJT. b-) Menor perda de energia durante a comutao. c-) Menor tempo de comutao, o que permite que trabalhe com frequncia mais elevada.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL - DESVANTAGEM DO MOSFET EM RELAO AO BJT: a-) O BJT consegue acionar cargas de potncia superior ao MOS-FET. b-) O BJT mais barato e mais fcil de se obter do que o MOS-FET. c-) O BJT no to sensvel eletricidade esttica quanto o MOS-FET.

1.21

OBS: 1-) O MOS-FET estudado neste captulo do tipo intensificao. Existe ainda o MOS-FET tipo depleo que no ser estudado. Maiores informaes sobre o MOS-FET podem ser obtidas nos livros de eletrnica. 2-) O MOS-FET pode ser utilizado nos mesmos circuitos construdos com o BJT, com as vantagens descritas anteriormente.

EXERCCIOS
1) Desenhe o smbolo e indique o nome dos terminais e o sentido das correntes do transistor NPN. 2) Desenhe o smbolo e indique o nome dos terminais e o sentido das correntes do transistor PNP. 3) A seta utilizada na simbologia dos componentes eletrnicos, aponta sempre na direo de que tipo de semicondutor, N ou P? 4) O que significa "polarizar um transistor"? 5) Faa o desenho mostrando a estrutura interna do transistor NPN com as fontes de polarizao. Indique no desenho o sentido das correntes, a barreira de potencial das junes base-emissor e base-coletor e o nome de cada camada semicondutora. 6) Explique o funcionamento do transistor NPN cuja estrutura interna foi desenhada no exerccio 5. 7) Faa o desenho mostrando a estrutura interna do transistor PNP com as fontes de polarizao. Indique no desenho o sentido das correntes, a barreira de potencial das junes base-emissor e base-coletor e o nome de cada camada semicondutora. 8) Explique o funcionamento do transistor PNP cuja estrutura interna foi desenhada no exerccio 7. 9) Defina ganho de corrente de um transistor. Quais os smbolos comumente utilizados para represent-lo? 10) Entre que valores se encontra o ganho de corrente de um transistor: a) De baixa potncia? b) De elevada potncia? 11) Qual o nome das regies de operao do transistor que estudamos? 12) Como devemos proceder para levar um transistor de silcio regio de corte? Explique os dois modos. 13) Se houver variao na corrente de base do circuito transistorizado, o que podemos afirmar em relao variao da corrente de coletor se o mesmo estiver polarizado: a) Na regio ativa? b) Na regio de saturao? 14) Que efeito o aumento da corrente de coletor ter sobre a tenso entre coletor e emissor do transistor? Explique. 15) Que valores tero a corrente de coletor (I C), a tenso entre coletor e emissor (VCE) e a potncia dissipada pelo transistor (PC) se o transistor estiver polarizado: a) Na regio ativa? b) Na regio de saturao? c) Na regio de corte? 16) Em que regio (es) de operao o transistor vai operar quando funcionar: a) Como chave (liga-desliga)? b) Como porta lgica? c) Como amplificador?

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.22

17) Calcule as correntes de polarizao e o potencial do coletor em relao massa (Vc) do circuito com polarizao de base fixa mostrado na figura 9.a sendo dados: Vcc = 20 V, Rb = 400 K, Rc = 2,0 K e = 100. 18) Refaa o exerccio anterior considerando que o transistor foi substitudo por outro com = 180. 19) Calcule o valor do resistor de coletor que levar o transistor do exerccio 17 saturao (VCE = 0 V). 20) Calcule o valor da tenso da fonte, a corrente de base e o ganho de corrente do transistor do circuito com polarizao de base fixa mostrado na figura 31.

330 K

5 mA C IB B E

820 _ 4,9 V + figura 31 _ VCC +

21) Calcule o valor do resistor de base, a corrente de coletor e o potencial do coletor em relao massa (Vc) do circuito com polarizao de base fixa mostrado na figura 32.

RB

IC C 12 A

2,7 K = 150 + _ 11 V

B E IE figura 32

22) Quais os trs fatores que precisamos levar em considerao quando vamos escolher um transistor? 23) Faa o desenho de dois transistores ligados em configurao Darlington e indique o sentido das correntes. 24) Quais as vantagens e as desvantagens da configurao Darlington? 25) Faa o desenho mostrando o interfaceamento de um circuito digital com um rel atravs de um transistor amplificador tipo NPN. 26) Explique o funcionamento do circuito do exerccio anterior: a) Com a sada da porta lgica em nvel lgico 1. b) Com a sada da porta lgica em nvel lgico 0.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.23

27) Faa o desenho mostrando o interfaceamento de um circuito digital com um rel atravs de um transistor amplificador tipo PNP. Dica: O coletor do transistor deve ser ligado na massa. 28) Explique o funcionamento do circuito do exerccio anterior: a) Com a sada da porta lgica em nvel lgico 1. b) Com a sada da porta lgica em nvel lgico 0. 29) Explique o funcionamento do diodo D1 no circuito do exerccio 25. 30) Para acionar um rel cuja bobina possui tenso nominal igual 6 V e resistncia de 80 necessrio utilizar um transistor, conforme mostrado na figura 11. Determine: a) O valor da tenso da fonte (V1) necessria para alimentar o circuito. b) As caractersticas mnimas (Vce mx e Icmx) que o transistor deve possuir. Utilize o apndice 1 (pg 30) e verifique se possvel construir este circuito utilizando o transistor BC 548. c) O valor mximo que o resistor Rb deve possuir, considerando-se que = 100 a 200. 31) Repita o exerccio anterior para um rel de 12 Vcc e R = 200,0 . 32) Faa o desenho de um circuito regulador srie de tenso com transistor e diodo zener, sada positiva, e indique o sentido das correntes e a polaridade das tenses. 33) Qual a vantagem do circuito regulador srie de tenso com transistor em relao ao regulador de tenso sem transistor que estudamos no semestre anterior? 34) Calcule as correntes, as tenses e o rendimento do circuito regulador de tenso mostrado na figura 12 . O resistor R de 100 , o transistor possui Hfe () igual 100, o diodo de 12 V, o resistor de carga e a tenso de entrada so, respectivamente: a) VIN = 15V e RL = 500 . b) VIN = 15V e RL = 100 . c) VIN = 18V e RL = 100 . 35) Explique o funcionamento do circuito anterior: a) Com carga constante e tenso de entrada aumentando. b) Com tenso de entrada constante e corrente de carga aumentando. 36) Faa o desenho mostrando as ligaes que devemos fazer para aumentar a capacidade de corrente de um regulador de tenso com sada positiva em circuito integrado (srie 78XX) utilizando transistores NPN. 37) Faa o desenho mostrando as ligaes que devemos fazer para aumentar a capacidade de corrente de um regulador de tenso com sada negativa em circuito integrado (srie 79XX) utilizando transistores PNP. 38) Cite duas desvantagens dos circuitos reguladores de tenso mostrados nas figuras 12 e 13. Quais os dois fatores que causam estas desvantagens? 39) Qual a funo de uma ponte H? 40) Faa o desenho de uma ponte H construda com transistores e explique o seu funcionamento considerando-se que temos nvel lgico 0 na sada digital 1 e nvel lgico 1 na sada digital 2. Indique no desenho com linha mais grossa o trajeto percorrido pela corrente no circuito. 41) Considere no exerccio anterior que as duas sadas digitais passaram para nvel lgico 1 e explique o funcionamento do circuito. Faa o desenho indicando com linha mais grossa o trajeto percorrido pela corrente no circuito. 42) Considere no exerccio 40 que as duas sadas digitais passaram para nvel lgico 0 e explique o funcionamento do circuito. Faa o desenho indicando com linha mais grossa o trajeto percorrido pela corrente no circuito. 43) No que se refere tenso de alimentao V CC quais as condies que ela deve satisfazer para que possamos utilizar o circuito do exerccio 40? 44) Explique de que forma a ponte H pode ser utilizada para alimentar um motor de corrente alternada. Do que depende a frequncia da tenso fornecida ao motor? 45) Explique o funcionamento do reator eletrnico mostrado na figura 20.

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL 46) Quais as vantagens de se alimentar as lmpadas fluorescentes em alta frequncia? 47) Qual a funo do indutor L1 e do capacitor de 0,1 F do circuito da figura 20? 48) Faa o desenho da estrutura interna de um JFET: a-) de canal N. b-) de canal P. 49) Desenhe o smbolo e identifique os terminais de um JFET: a-) de canal N. b-) de canal P.

1.24

50) O que significa dizer que um JFET normalmente ligado? Pode-se dizer o mesmo do BJT? Por que? 51) Faa o desenho de um JFET de canal N com as respectivas fontes de alimentao. 52) Explique o funcionamento do JFET do exerccio 51. 53) Faa o desenho de um JFET de canal P com as respectivas fontes de alimentao. 54) Explique o funcionamento do JFET do exerccio 53. 55) A corrente de gate de um JFET maior ou menor do que a corrente de base de um transistor? Justifique sua resposta. 56) Faa o desenho de um MOSFET de canal N com as respectivas fontes de alimentao. 57) Explique o funcionamento do MOSFET do exerccio 56. 58) Faa o desenho de um MOSFET de canal P com as respectivas fontes de alimentao. 59) Explique o funcionamento do MOSFET do exerccio 58. 60) Faca o desenho do smbolo do MOSFET: a-) de canal N. b-) de canal P. RESPOSTAS 17) IB = 48,25 A; IE IC = 4,825 ma; VC = 10,35 V 18) IB = 48,25 A; IE IC = 8,685 mA; VC = 2,63 V 19) RC = 4,15 K 20) VCC = 9 V; IB = 25,15 mA; = 198,8 21) RB = 858,3 K IC = 1,8 mA; VC = 6,14 V ; 30) a) VCC = 6 V b) Vcemx. 6 V e Icmx. 75 mA c) Rb 5,73 K. 31) a) VCC = 12 V b) Vcemx. 12 V e Icmx. 60 mA c) Rb 7,17 K. 34) a) VR = 3 V; VZ = 12 V; VL = 11,3 V; VCE = 3,7V; IR = 0,03 A; IZ = 29,77 mA; IL = 22,6 mA; IB = 226 mA; b) VR = 3 V; VZ = 12 V; VL = 11,3 V; VCE = 3,7V; IR = 0,03 A; IZ = 28,87 mA; IL = 113 mA; IB = 1,13 mA; c) VR = 6 V; VZ = 12 V; VL = 11,3 V; VCE = 6,7V; IR = 0,06 A; IZ = 58,87 mA; IL = 113 mA; IB = 1,13 mA; = 32,37 % = 59,53 % = 41,0 %

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL AULA PRTICA 1a TAREFA - MATERIAL NECESSRIO: - Alguns transistores - Multiteste - OBJETIVO: - Identificar os terminais, o tipo e as condies dos transistores. - PROCEDIMENTO:

1.25

1o) Faa o desenho no caderno do transistor e anote sua referncia (nmero) 2o) Identifique, utilizando o multiteste, o tipo de transistor e os terminais coletor, emissor e base, anotando o resultado no caderno. 2a TAREFA - MATERIAL NECESSRIO: - 1 rel de 6 V - 1 transistor BC 548 - 1 placa protoboard - 1 multiteste - 1 fonte de tenso contnua - 1 placa com diodos - 1 resistor de carbono de 680 , 1/8 de W - 1 conjunto de cabos com pino banana - OBJETIVO: Permitir que os alunos verifiquem na prtica a possibilidade de acionamento de um rel e de cargas de maior potncia a partir da aplicao de uma tenso contnua e de pequena intensidade na base de um transistor. - PROCEDIMENTO: 1o) Ajuste a tenso da fonte contnua para 6,0 V e corrente de 100 mA. 2o) Monte o circuito mostrado na figura abaixo. 3o) Anote na tabela o estado do rel ligado ou desligado. 4o) Conecte o resistor de base (entrada do circuito) ao positivo da fonte e repita o 3o passo. 5o) Curto-circuite os terminais base e emissor do transistor e repita o 3o passo.

+
D1

1 2 + 6V E ESTADO DA BASEREL ABERTACONECTADA EM + 6V LIGADA NA MASSA

1 K BC 548 RB

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL 3a TAREFA - MATERIAL NECESSRIO: - 1 motor CC de 6 V, - 2 transistores BC 548, - 2 transistores BC 558, - 1 placa protoboard, - 1 multiteste, - 1 fonte de tenso contnua, - 4 resistores de carbono de 10 K, 1/8 de W, - 1 conjunto de fios. - OBJETIVO: Comprovar o funcionamento da ponte H para o acionamento de motores eltricos. - PROCEDIMENTO:

1.26

1o) Ajuste a tenso da fonte contnua para 5,0 V e a corrente para 100 mA. 2o) Monte o circuito da figura abaixo. Se tiver dvida pea ajuda ao professor. 3o) Conecte a sada digital 1 em + 5 V (nvel 1) e a sada digital 2 no comum (nvel 0). 4o) O motor girou? Em caso afirmativo, em que sentido? ____________________________ 5o) Desligue a fonte e conecte as duas sadas digitais em 5,0 V (nvel 1). 6o) Ligue a fonte. O motor partiu? _______________. 7o) Desligue a fonte e conecte as duas sadas digitais no comum da fonte (nvel 0). 8o) Ligue a fonte. O motor partiu? _______________. 9o) Desligue a fonte e conecte a sada digital 2 em + 5 V (nvel 1) e a sada digital 1 no comum (nvel 0). 10o) O motor girou? Em caso afirmativo, em que sentido? ____________________________. Igual ou contrrio ao sentido do 4o passo? _________________________. 11o) Compare os resultados obtidos com a teoria estudada em aula. OBS: 1-) Mantenha as sadas digitais conectadas em + 5 V (nvel lgico 1) ou no comum (nvel lgico 0), caso contrrio os dois transistores de um dos lados da ponte H podero conduzir o que pode queimar a fonte ou os transistores (se a fonte no tiver limitador de corrente). 2-) Uma vez que a corrente solicitada pelo motor utilizado muito pequena, comparada com a corrente mxima dos transistores, e, para agilizar a realizao desta tarefa, no utilizamos diodos em paralelo com os transistores. MICROCONTROLADO

CIRCUITO

10 K T1
SADA DIGITAL 1

10 K T2 +
MOTOR CC

VCC 10 K _

SADA DIGITAL 2

10 K T3 T4

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL 4a TAREFA - MATERIAL NECESSRIO: - Computador com software PSIM ou outro simulador de circuitos eletrnicos. - OBJETIVO:

1.27

- Verificar o comportamento do circuito em que o transistor opera nas regies de corte, ativa e saturao. - PROCEDIMENTO: 1o) Desenhe no computador o circuito abaixo. 2o) Faa a simulao do circuito e anote o valor das correntes de coletor e base e da tenso VCE. 3o) Altere a tenso da fonte VBB de acordo com a tabela e repita o 2o passo. 4o) Aps fazer a simulao do circuito com todos os valores da tenso VBB da tabela, identifique as regies de operao do transistor.

1 K

IC

10 K IB 0,5 V VBB VCE VCC = 12 V

5o) Ajuste a tenso da fonte VBB para 2,0 volts e a tenso VCC de 12 V para 20 V. Anote, abaixo, os resultados obtidos e compare-os com os resultados anteriores. IB = __________________ IC = __________________ VCE = __________________ Responda: A variao da tenso da fonte de 12 para 20 V, ocasionou variao em qual(is) grandeza(s)? 6o) Mea com o voltmetro a tenso entre base e emissor para trs valores da tenso VBB. VBBIBICVCEREGIO 0,50,60,70,80,9 1,01,52,02,53,03,13,23,3 3,43,5

VBB1,0 V2,5 V3,5 VVBE B

Concluso: Quando a tenso VBB variou, houve variao proporcional da tenso VBE?

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL 5a TAREFA - MATERIAL NECESSRIO: - Computador com software PSIM ou outro simulador de circuitos eletrnicos. - OBJETIVO:

1.28

- Mostrar como o transistor pode ser utilizado para aumentar a potncia que uma fonte de tenso pode fornecer. - PROCEDIMENTO: 1o) Desenhe no computador o circuito mostrado na figura . 2o) Faa a simulao do circuito e anote na tabela o valor das correntes e das tenses. Considere a tenso de entrada e o resistor de carga com os valores indicados na tabela. VCE

IL IR

= 100
VR IB

+ VIN _
12 V

R = 100

IZ

RL

VL

figura 1
GRANDEZA

VIN = 15 V

VIN = 18 V

RL = 500

RL = 100

RL = 100

3 ) Responda: a-) De que forma o circuito compensou o aumento da tenso de entrada? b-) De que forma o circuito compensou o aumento da corrente da carga? c-) Que grandeza se manteve constante nos trs ensaios?

VR VZ VL VCE I IR IZ IB IL

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.29

APNDICE 1.1 CARACTERSTICAS DE ALGUNS TRANSISTORES DA SRIE TIP NPN Tipo TIP29 TIP29A TIP29B TIP29C TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C TIP33 TIP33A TIP33B TIP33C TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Vce (V) 40 60 80 100 40 60 80 100 40 60 80 100 40 60 80 100 40 60 80 100 Ic (max) (A) 1 1 1 1 3 3 3 3 10 10 10 10 25 25 25 25 6 6 6 6 hFE (min) 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 25 25 25 25 20 20 20 20 Pd (W) 30 30 30 30 40 40 40 40 80 80 80 80 125 125 125 125 65 65 65 65 fT (MHz) 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3

APNDICE 1.2 CARACTERSTICAS DE ALGUNS TRANSISTORES DA SRIE TIP PNP Tipo TIP30 Vce (V) 40 Ic (max) (A) 1 hFE (min) 20 Pd (W) 30 fT (MHz) 3

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.30

TIP30A TIP30B TIP30C TIP32 TIP32A TIP32B TIP32C TIP34 TIP34A TIP34B TIP34C TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C

60 80 100 40 60 80 100 40 60 80 100 40 60 80 100 40 60 80 100

1 1 1 3 3 3 3 10 10 10 10 25 25 25 25 6 6 6 6

20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 25 25 25 25 20 20 20 20

30 30 30 40 40 40 40 80 80 80 80 125 125 125 125 65 65 65 65

3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3

Significado dos parmetros: Vce a tenso mxima entre o coletor e o emissor. Quando essa especificao acompanhada de o (open) como em Vceo, significa a tenso mxima entre coletor e emissor quando a base est aberta. Ic a corrente mxima de coletor. Trata-se da corrente contnua mxima que o componente pode conduzir. hFE o ganho esttico de corrente, normalmente especificado para uma tenso entre coletor e emissor de 10 V quando o componente conduz uma corrente de 1 A. Pd a potncia mxima que o componente pode dissipar quando montado num dissipador ideal. fT a frequncia de transio, ou seja, a frequncia em que o ganho de corrente do componente cai para 1. Alm dessa frequncia o componente deixa de amplificar os sinais.

APNDICE 1.3 CARACTERSTICAS DE ALGUNS TRANSISTORES DA SRIE BC, BD E 2N

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL

1.31

Cdigo BC107 BC108 BC109 BC177 BC178 BC179 BC237 BC238 BC239 BC307 BC308 BC309 BC327 BC328 BC337 BC338 BC368 BC369 BC375 BC376 BC546 BC547 BC548 BC549 BC550 BC556 BC557 BC558 BC559 BC560 BC635 BC636 BC637 BC638 BC639 BC640 BD115 BD135 BD136 BD137 BD138 BD139 BD140 2N3055

Polaridade NPN NPN NPN PNP PNP PNP NPN NPN NPN PNP PNP PNP PNP PNP NPN NPN NPN PNP NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN PNP PNP PNP PNP PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN

Vce. mximo (volts) 45 20 20 45 25 20 45 20 20 45 25 20 45 25 45 25 20 20 20 20 65 45 30 30 45 65 45 30 30 45 45 45 60 60 80 80 180 45 45 60 60 80 80 70

Ic mximo Potncia Total (ampres) (watts) 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,1 0,3 0,5 0,8 0,5 0,8 0,5 0,8 0,5 0,8 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 0,8 1,0 0,8 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,5 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 0,15 6,0 1,0 8,0 1,0 8,0 1,0 8,0 1,0 8,0 1,0 8,0 1,0 8,0 15,0 115,0

hFE (mn-mx) 110-450 110-800 200-800 75-260 125-500 125-500 110-450 110-800 20-800 75-475 75-475 125-475 100-600 100-600 100-600 100-600 85-375 85-375 60-340 60-340 110-450 110-800 110-800 200-800 200-800 75-250 75-475 75-475 125-475 125-475 40-250 40-250 40-160 40-160 40-160 40-160 acima de 22 40-250 40-250 40-250 40-250 40-250 40-250 20-70