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POLARIZACIN DE TRANSISTORES

I. OBJETIVO Analizar el comportamiento de un transistor polarizado en DC. II. MARCO TEORICO El termino polarizacin es un trmino que comprende todo lo relacionado para la aplicacin de voltajes de DC, que ayudan a establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistores el voltaje y corriente de DC resultantes establecen un punto de operacin sobre las caractersticas que definen una regin que se utilizara para la amplificacin de seal aplicada. Debido a que el punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas, tambin se le llama punto de reposo(abreviado unto Q, por la sigla en ingles de, quiescent point). La figura muestra una caracterstica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operacin indicados. El circuito de polarizacin puede disearse para establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de eso puntos o de otro modos dentro de al regin activa. Los valores mximos estn indicados en las caractersticas de la figura mediante una liena horizontal para la corriente mxima del colector ICmax, y una lnea vertical cuando sea el voltaje mximo del colectro-emiso VCEmax. La restriccin de mxima potencia se define por al curva PCmax en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se encuentra la regin de corte, definida por IB 0A, y la regin de saturacin, definida por VCE VCEsat.

El dispositivo BJT puede estar polarizado para operar fuera de estos lmites mximos, pero el resultado de tal operacin podra ser un recorte considerable de la vida del dispositivo, o bien la destruccin del dispositivo. Cuando se confan la regin activa pueden seleccionarse muchas reas o puntos de operacin diferentes. El punto Q que se elige a menudo depende del empleo del circuito. De cualquier manera, se pueden considerar algunas diferencias entre diversos puntos mostrados en al figura para presentar algunas ideas bsicas acerca del punto de operacin y por tanto, del circuito de polarizacin.

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE En otras configuraciones de polarizacin (polarizacin directa base-emisor, polarizacin estabilizado en emisor) la corriente de polarizacin ICQ y el voltaje VCEQ de polarizacin eran una funcin de la ganancia de corriente () del transistor. Sin embargo, debido a que es sensible a la temperatura, especialmente para los transistores de silicio, y de que el valor real de la beta por lo general, no esta bien definido, lo mejor sera desarrollar un circui8to que fuera menso dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La red a la que nos referimos es configuracin de polarizacin por divisor de voltaje.

Anlisis exacto

El lado de entrada de la red de al figura puede volver a dibujarse segn se muestra en la figura siguiente para el anlisis en DC. LA red equivalente Thevenin a la izquierda de la terminal de la base puede encontrase de la siguiente manera:

RTh: LA fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica en la figura.

ETh: La fuente de voltaje VCC regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto Thevenin de la figura se calcula de la siguiente manera:

Despus se vuelve a dibujar la red Thevenin como se muestra en al figura e IBQ Puede calcularse al aplicar primero la ley de voltajes de Kirchhoff en al direccin de las manecillas el reloj para la malla que se indica:

Sustituyendo IE = (+1)IB y resolviendo para IB

Una vez que IB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la siguiente manera:

III. MATERIALES

Componente 1 resistencia de 100 1 Transistor BC547B 2 resistencias de 1K 2 resistencias de 3.3K 1 resistencias de 4.7K 1 resistencia de 33K 1 resistencia de 47K 1 resistencia de 54K 1 resistencias de 68 K

Valor comercial 5% -----------5% 5% 5% 5% 5% 5% 5%

Valor medido 101 747/751 984/980 3.23/3.2 4.59 32.2 45.9 56.1 67.2

IV. PROCEDIMIENTO 1.- Cuadro de valores N 1 (Con Re = 3.3 K y Rc = 1 K) Valores medidos Icq (mA) Vceq (V) 1.42 5.95 1.76 4.54 1.13 7.23 1.26 6.61 1.92 3.78 0 11.96 2.75 0.09 Valores Teoricos Icq Vceq (mA) (V) 1.4257 5.86949 1.7495 4.47732 1.1205 7.18193 1.2514 6.11855 1.8924 3.86258 0.2117 11.0684 3.3098 0 Valores multisim Icq Vceq (mA) (V) 1.428 5.841 1.743 4.482 1.133 7.114 1.258 6.573 1.899 3.807 0 11.995 2.734 0.109

Pto 1 2 3 4 5 6 7

R1 (K) 56 56 56 68 33 56

R2 (K) 47 68 33 47 47 47

Zona de Trabajo Activa Activa Activa Activa Activa Corte Saturacin

Modelo de clculo para R1 = 56K y R2 = 47K.

( (

)( )(

) )

El (hFE) fue tomado de la hoja de datos del transistor se tomo el tpico = 520 ( ) ( )

Simulacin

Recta de Carga

2.- Variacin de la resistencia del emisor. Volver a poner el resistor de 47 K como R2. Reemplazar Re por los valores indicados en el Cuadro N 2. Cuadro de valores N 2 (con R1 = 56 K, R2 = 47 K y Rc = 1 K)

Valores medidos Pto Re(K) Icq (mA) Vceq (V) 1 1 4.4093 2.9812 2 3.3 1.4112 5.453 3 4.7 0.9982 5.9867

Valores calculados Icq (mA) Vceq (V) 4.5437 2.91258 1.4257 5.86949 1.0037 6.27898

Valores Simulados Icq (mA) Vceq (V) 4.464 3.059 1.428 5.84 1.011 6.218

Modelo de clculo ( ( )( )( ) )

( Simulacin

Recta de carga

3.- Variacin de la resistencia de colector. Reemplazar la Re por el resistor de 3.3 K. Reemplazar Rc por los valores indicados en el cuadro N 3. Completar el cuadro N 3.

Pto 1 2 3

Valores medidos Re(K) Icq (mA) Vceq (V) 1 1.415 5.623 3.3 1.423 2.458 4.7 1.433 0.021

Valores calculados Icq (mA) Vceq (V) 1.42326 5.8799 1.42326 2.60648 1.42326 0.613925

Valores Simulados Icq (mA) Vceq (V) 1.428 5.84 1.425 2.584 1.421 6.16.12mV

Modelo de clculo ( ( )( )( ) )

( Simulacin

Recta de carga

V.

OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES En las hojas de datos del transistor presenta 3 valores para hFE () mnimo, tpico, mximo. Para los clculos se utilizo el valor tpico. En la Actividad 2 al variar Re se obtena diferentes IB para cada caso por lo tanto en al recta de carga los puntos Q se encontraban en diferentes curvas IB En la actividad 3 se vario Rc y se mantuvo contaste Re, lo que ocasiono que la corriente IB no variara. Por otro lado se vio en al recta de carga que las IC max variaban pero el punto Q para cada uno se mantuvo en al recta de IB = 2.737 A La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente de base es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor. La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente, y se le denota por o bien por hFE. Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa. Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de saturacin y/o corte.

VI. BIBLIOGRAFIA Electrnica Teora de Circuitos(sexta edicin) Robert L. Boylestad

http://www.dav.sceu.frba.utn.edu.ar/homovidens/sergio_alberino/Pagina/inicio.htm

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA POLARIZACION DE TRANSISTORES

PROFESOR: ING. HUACHA

INTEGRANTES:
TRIGOSO MORALES GABRIEL SOSA DIAZ YHONATAN LUIS ESCUDERO LOPEZ FRANK DEL CASTILLO BELTRAN DAMIAN 080862-E 080153-D 082854-J 080859-D

2011