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PRESENTACION.

PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES Diodo rectificador de onda completa Puente rectificador de onda completa PRACTICA 2 OTRAS APLICACIONES DEL DIODO 2.1 Doblador de voltaje 2.2 Circuito recortador 2.3 Fijador de nivel PRACTICA 3 POLARIZACION 3.1 Polarizacin del transistor PRACTICA 4 AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BJT 4.1 Amplificador de voltaje con ganancia de 10 PRACTICA 5 AMPLIFICADOR CON J-FET 5.1 Amplificador de voltaje con ganancia de 10 PROYECTO FINAL AMPLIFICADOR MULTI-ETAPAS - AMPLIFICADOR DE 4 ETAPAS EXPOSICIN

DOS CIRCUITOS QUE CONTIENEN TRANSISTORES. PRESENTACIN Con motivo del cumplimiento de el programa que se estableci a principio de semestre, se presenta este trabajo como requisito para la aprobacin de la asignatura de ELECTRONICA 1 en el periodo comprendido de Agosto a Noviembre de 2002. INTRODUCCIN El presente reporte ha sido elaborada con el propsito de mostrar lo realizado durante el curso, posteriormente los conocimientos adquiridos sern aplicados en las distintas reas de Electrnica. La informacin recopilada en este reporte corresponde al mismo orden del desarrollo temtico del programa PRACTICA 1 DIODOS RECTIFICADORES

El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disrupcin (zona inversa) se produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc. Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante): La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx. o VR mx., respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a soportar. 2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o no (IFRM mx. e IF mx. respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar. 3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar Parmetros caractersticos de un rectificador

Corriente media directa: Es la mxima intensidad media que puede circular en sentido directo. Corriente de pico directa: Mxima intensidad de pico que puede circular en sentido directo en forma de impulsos peridicos. Mximo impulso de corriente: Es la mxima intensidad que puede circular en sentido directo en forma de impulsos no peridicos. Tensin inversa de pico: Mxima tensin de polarizacin inversa que puede ser aplicada a la unin PN de los diodos. FILTRADO La salida de cualquiera de los rectificadores anteriormente expuestos debe ser modificada para que se aproxime lo ms posible a una corriente continua pura. Para ello se utiliza un filtro (tipo paso bajo) para as aplanar los impulsos rectificados. Factor de rizado La seal obtenida en la salida de un sistema de alimentacin no es totalmente constante como sera de esperar, ya que los filtros no consiguen aplanar totalmente la seal de salida. Esta seal podemos considerarla como el resultado de superponer una corriente alterna a una corriente continua. A la componente alterna de la seal rectificada se le denomina rizado. La cantidad de rizado que aparece a la salida de un filtro se expresa por un coeficiente que recibe el nombre de factor de rizado, el cual es igual a la relacin existente entre el valor eficaz de la tensin de

rizado y la tensin continua de salida (Vs media). Se suele expresar en tanto por ciento, y podemos considerar ptima (siempre dependiendo de las aplicaciones) una seal de salida con un factor de rizado menor del 10%. Por tanto, el factor de rizado responde a la frmula (%) Fr = 100xVr/Vs media La tensin de rizado Vr depender del tipo de rectificador utilizado, media o doble onda, y del filtro empleado. 1.1 DIODO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA El rectificador de doble onda, tambin denominado onda completa, est formado por dos rectificadores de media onda que funciona durante alternancias opuestas de la tensin de entrada El secundario del transformador tiene en su punto intermedio una toma conectada a masa, obtenindose as dos tensiones iguales y desfasadas 180 grados que se aplican alternativamente a los nodos de cada diodo. Cuando llega el semiciclo positivo a un diodo, al otro le llega el semiciclo negativo, con lo cual uno conduce y el otro no, y viceversa. Consecuentemente siempre habr un diodo conduciendo, obtenindose en la salida nicamente semiciclos positivos En este circuito tenemos Vs = Vmx / 1,41 Vs media =2Vmx / PI Aplicaciones. Se usan en sistemas de todos los equipos de comunicacin, teniendo un gran rendimiento y posibilidad de proporcionar una gran gama de tensiones con corrientes moderadas. Se utilizan mucho para la carga de bateras porque as se evita el peligro de la saturacin del ncleo del transformador. Filtro a condensador en el rectificador de doble onda En este caso, el efecto producido por el condensador es el mismo, pero el tiempo de descarga se reduce a la mitad y consecuentemente la magnitud de los impulsos de corriente disminuye. La tensin de salida del circuito y la corriente sern idnticas a las obtenidas en el rectificador de media onda; ahora bien, al ser el doble la frecuencia de los semiciclos que llegan al condensador, la tensin de rizado ser menor y se obtendr una tensin ms constante.

Armar el circuito de rectificador de onda completa y medir lo siguiente: Medir voltaje AC en el primario y secundario del transformador rectificador. V CD en primario y secundario del transformador. Voltaje de corriente alterna en cada uno de los diodos. Voltaje de corriente directa en los extremos de los diodos. Voltaje de DC en la carga. Voltaje de AC en la carga. Medir voltaje pico con osciloscopio. Dibujar forma de onda de voltaje en la carga.

Medir voltaje de DC y AC con un filtro de 100f. Medir voltaje de P.P de rizo con osciloscopio. Medir voltaje de DC y AC con filtro de 1000f. (en la carga) Medir voltaje de P.P de rizado con el osciloscopio. Forma de onda de rizado en el osciloscopio.

Valores Medidos con Valores Medidos con el el Multmetro Osciloscopio Punto 1 Voltaje de ca en el primario y secundario del transformador Primario: 122.8Vca Secundario: 11.7Vca Primario: 0V Secundario: 0V Vd1: 6.75V ca Vd2: 6.75V ca Primario: 163.30Vp Secundario: 32.15Vp Primario: 0V Secundario: 0V Vd1: 15.66Vp Vd2: 15.63Vp

Valores Calculados y/o Nominales Primario: 110V Secundario: 24V Primario: 0V Secundario: 0V Vd1: 12V Vd2: 12V

Punto 2 Voltaje de cd en el primario y secundario del transformador Punto 3 Voltaje de ca en los diodos Punto 4 Voltaje de cd en los extremos de los diodos Punto 5 Voltaje de cd en la carga Punto 6 Voltaje de ca en la carga Punto 7 Voltaje pico con

Vd1: 7.54V dc Vd2: 7.61V dc

Vd1: 9.5Vp Vd2: 9.5Vp

Vd1: 10V Vd2: 10V

9.15V cd

12.58Vp

10.82V

4.97V ca

6.67Vp

6V

9.12 V

8.75Vp

osciloscopio Punto 9 Voltaje de cd y ca con filtro de 100f Punto 10 Voltaje de p.p de rizo con osciloscopio. Punto 11 Voltaje de cd y ca con filtro de 1000f en la carga. Punto 12 Voltaje p.p de rizado con el osciloscopio. 13.26 Vpp 7.43 V 14.32V cd. .33V ca. 8Vp cd 16.291V 12.15Vcd 2.15V ca. 16.3Vp cd 1.25Vp ca

15.491V

1.2 PUENTE RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA Son cuatro rectificadores de media onda conectados en la forma indicada en el circuito. En este rectificador las frmulas y el tipo de aplicaciones son las mismas que en el anterior, aunque debemos tener en cuenta que la tensin de salida ser 0,6 voltios inferior pues al haber dos diodos conduciendo la cada de tensin ser ahora de 0,6+0,6. Sin embargo, la ventaja que presenta es que el transformador no necesita toma intermedia y que la tensin inversa se reparte entre dos diodos en cada semiciclo, no sobre uno slo como en el circuito anterior

Armar el circuito de rectificador de onda completa y medir lo siguiente: 1. Medir voltaje AC en el primario y secundario del transformador rectificador. 2. Voltaje de DC en primario y secundario del trasformador. 3. Medir voltaje de AC en cada uno de los diodos. 4. Medir voltaje de CD en los extremos de los diodos. 5. Medir el voltaje de DC en la carga 6. Medir el voltaje de AC en la carga

7. Medir voltaje pico con el osciloscopio. 8. Dibujar forma de onda de voltaje en la carga.

9. Medir voltaje de AC y DC con un filtro de 100f (con Multmetro). 10. Medir voltaje de P.P de rizo con osciloscopio. 11. Medir voltaje de CA y DC con filtro de 1000f. 12. Medir voltaje de P.P de rizado con el osciloscopio. Forma de onda de rizado.

Valores Medidos con Valores Medidos con el el Multmetro Osciloscopio Punto 1 Voltaje de ca en el primario y secundario del transformador Primario: 122.8V Secundario: 11.7V Primario: 0V Secundario: 0V Primario: 124.17Vp Secundario: 12.14Vp Primario: 0V Secundario: 0V

Valores Calculados y/o Nominales Primario: 127V Secundario: 12V Primario: 0V Secundario: 0V

Punto 2 Voltaje de cd en el primario y secundario del transformador

Vd1: 6.75V Punto 3 Voltaje de ca en los diodos Vd2: 6.75V Vd3: 6.22V Vd4: 6.22V Punto 4 Voltaje de cd en los extremos de los diodos Punto 5 Voltaje de cd en la carga Punto 6 Voltaje de ca en la carga Punto 7 Voltaje pico con el osciloscopio. Punto 9 Medir ca y cd con filtro de 100F Punto 10 Voltaje de p.p de rizo con osciloscopio. Punto 11 Voltaje de ca y cd con filtro de 1000f Punto 12 Voltaje pico a pico de rizado con el osciloscopio. 7.95V 12.15Vcd 2.15Vca 4.97V 9.15V Vd1: 4.54V Vd2: 4.61V Vd3: 4.61V Vd4: 4.57V

Vd1: 6.20Vp Vd2: 6.21Vp Vd3: 6.20Vp Vd4: 6.22Vp Vd1: 5.78Vp Vd2: 5.69Vp Vd3: 5.45Vp Vd4: 5.84Vp

Vd1: 12V Vd2: 12V Vd3: 12V Vd4: 12V Vd1: 10V Vd2: 10V Vd3: 10V Vd4: 10V

10.58Vp

10.82V

5.23Vp

6V

8.75V p

8.92V

12.52V 1.95V ca

8.00V p.p

8.26V

14.32V cd .33V a

14.35V .35V

.132V p.p

.215 V

PRACTICA 2 OTRAS APLICACIONES 2.1 DOBLADOR DE VOLTAJE

Un circuito multiplicador de tensin est formado por diversos rectificadores de media onda y condensadores dispuestos especialmente para entregar una tensin mltiplo de la recibida en su entrada. En el caso de un doblador, la tensin en la salida ser, en principio, el doble de la tensin mxima de la seal de entrada Cuando llega el semiciclo negativo, el primer diodo conduce pues queda polarizado directamente y se carga el primer condensador a la tensin mxima de entrada; durante este tiempo no conduce el segundo diodo. En el semiciclo positivo no conducir el primer diodo, pues queda polarizado inversamente y se comportar como un circuito abierto, siendo el segundo diodo el que permitir la conduccin ya que est polarizado directamente y consecuentemente se cargar el segundo condensador (que es donde se toma la tensin de salida). Esta tensin de carga ser la suma de la tensin en la entrada ms la del primer condensador, siendo as la tensin total en la salida el doble de la seal mxima de entrada. Vsalida=2xVentrada mxima Si seguimos disponiendo diodos y condensadores iremos haciendo que la tensin de salida sea el triple, cudruplo, etc. de la seal alterna de entrada.

CIRCUITO RECORTADOR O LIMITADORES Limitadores de tensin o recortadores son circuitos que emplean como elemento fundamental el diodo. Su misin es recortar la seal de entrada en un cierto sentido segn se disponga el diodo y una tensin continua auxiliar. Podemos distinguir dos tipos de recortadores: Recortadores a un nivel y recortadores a dos niveles. Limitadores a un nivel Ejemplo 1

Semiciclo positivo de la tensin de entrada: Cuando la tensin de entrada es menor que la tensin de la batera, el diodo queda polarizado inversamente (circuito abierto), con lo cual la tensin de salida es igual a la tensin de entrada (Vs=Ve). Cuando la tensin de entrada es mayor que la tensin de la batera, el diodo queda polarizado directamente (cortocircuito), siendo ahora la tensin de salida igual a la de la batera (Vs=5v). Semiciclo negativo de la tensin de entrada: Tanto si la tensin de entrada es mayor o menor que la tensin de la batera, el diodo se encontrar polarizado inversamente (circuito abierto) y la tensin en la salida ser igual a la de la entrada (Vs=Ve). REALIZAR EL CIRCUITO RECORTADOR A DOS NIVELES

Semiciclo positivo de la tensin de entrada: Cuando la tensin de entrada es menor que la tensin de las bateras, los diodos quedan polarizados inversamente y la tensin de salida es igual a la tensin de entrada (Vs=Ve). Cuando la tensin de entrada sea mayor que la de las bateras, el diodo 1 se polariza inversamente y el diodo 2 directamente, as que la tensin en la salida ser la de la batera 2 (Vs=5v). Semiciclo negativo de la tensin de entrada: Si la tensin de entrada es menor que las de las bateras, los diodos 1 y 2 quedarn polarizados inversamente y la tensin en la salida ser la de entrada (Vs=Ve). En el caso de que la tensin de entrada sea mayor, el diodo 1 queda polarizado directamente y el diodo 2 inversamente; la tensin en la salida ser la de la batera 1 (Vs=5v). 2.3 FIJADOR DE NIVEL Lo que hace el circuito fijador de nivel es agregar una componente de corriente continua a la seal a la forma de la seal original que ha sido respetada y lo que ha sucedido es un desplazamiento vertical de dicha seal. El primer semiciclo negativo del voltaje de entrada el diodo se enciende. El capacitor de carga a Vp con la polaridad que se muestra en la figura. Ligeramente despus del pico negativo el diodo se apaga. La constante de tiempo RLC se hace deliberadamente mucho mayor que el periodo T de la seal de entrada. Por esta razn el capacitor permanece casi completamente cargado durante el tiempo de apagado del diodo. En primera aproximacin el capacitor acta como una batera.

PRACTICA 3 POLARIZACION 3.1 POLARIZACION DE UN TRANSISTOR Introduccin El transistor unipolar es un elemento cuya resistencia interna puede variar en funcin de la

seal de entrada aplicada; esta variacin provocada hace que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito en el que se encuentra conectado. Est formado por la unin de tres pastillas semiconductoras (N o P) unidas entre s, siendo la central diferente a las de los extremos; de este modo, podemos encontrar transistores NPN o PNP. La pastilla central es la base y es la ms pequea de todas, y las de los extremos son el emisor y el colector (mayor que la del emisor). El emisor est fuertemente dopado de portadores, y su misin es inyectarlos en la base. La base est ligeramente impurificada (menos dopada), y es por aqu por donde pasan los portadores que proceden del emisor camino del colector; de esta manera se crea una corriente. El colector est ms dopado que la base, pero menos que el emisor, siendo ste quien recoge los portadores que vienen del emisor y no ha recogido la base.

En todo transistor se cumple, respecto a tensiones y corrientes, lo siguiente: Vcb + Vbe = Vce Ic + Ib = Ie Adems, como un parmetro muy importante, tenemos que: B (beta o hfe) = Ic/Ib Y es la ganancia de corriente colector-base cuando la resistencia de carga es nula. Polarizacin Consiste en conseguir las tensiones adecuadas en cada punto del circuito, las corrientes deseadas y el punto de reposo (o trabajo) Q. Todo lo anterior implica conectar los transistores a ciertas resistencias que, por medio de las cadas de tensin producidas en ellas, lograrn establecer los valores pretendidos, as como su estabilidad. Todo esto se har a partir de tensiones continuas. Recta de carga esttica

Ser una recta situada en el primer cuadrante que cortar a las curvas Ic = f (Vce) --corriente de colector funcin de la tensin colector-emisor--. Para obtener los dos puntos que definen la recta, plantearemos la ecuacin de la malla de colector en el circuito que estemos analizando, haremos Ic = 0 y obtendremos Vce (punto de corte con el eje horizontal y mxima tensin que se puede aplicar). A continuacin hacemos Vce = 0 y obtendremos Ic (punto de corte con el eje vertical y mxima corriente que nos puede proporcionar). Punto de trabajo Siempre est situado en la recta de carga y dentro de alguna curva, especificando una cierta corriente de colector Ic y una determinada tensin colector-emisor Vce. Para obtener el punto de trabajo Q plantearemos tres ecuaciones: La de la malla de base, la de la malla de colector y por ltimo la ecuacin del transistor Ic = B x Ib. Posteriormente veremos aplicaciones de lo anterior en diversos circuitos de aplicacin. Zonas de trabajo Dependiendo de la posicin del punto de trabajo, podemos distinguir tres zonas: Zona de corte, zona activa y zona de saturacin. Zona de corte En esta zona siempre tendremos Ib = 0, Ic = 0, Vce = Vcc. El transistor se comporta prcticamente como un circuito abierto. * Zona activa Aqu es donde el transistor suele trabajar, siendo la zona en donde el transistor amplifica, cumplindose Ic = B Ib, Vce = 0,6v (0,2v para el caso de transistores de germanio). * Zona de saturacin El transistor se comporta aproximadamente como un cortocircuito. Vce = 0,2v, Ibsat > Ib, Icsat = B Ibsat, Ic = Icsat Configuraciones bsicas Son las siguientes:

Emisor comn: La entrada es por la base y la salida por el colector. Base comn: Entrada por emisor y salida por colector. Colector comn: Entrada por base y salida por emisor.

Polarizacin por divisor de tensin en base (auto polarizacin)

El mecanismo elctrico de este circuito es muy eficaz y se desarrolla del siguiente modo: Si suponemos un aumento de Ic, la cada de tensin en Re aumenta y contrarresta el aumento de la corriente Ic porque se produce un descenso en la tensin de polarizacin de base Vbe. R1 y R2 son las resistencias que hacen variar el punto de trabajo Q y consecuentemente la zona de trabajo. Obtencin del punto Q: Ecuacin de corrientes: Ie = Ic+Ib Malla de colector: Vcc-Vce = IcRc+(Ic+Ib)Re Ecuacin de tensin en base: Vbb = Vcc R2/(R1+R2) Rb = R1R2/(R1+R2) Malla de base: Vbb-Vbe = IbRb+(Ic+Ib)Re Ecuacin del transistor: Ic = BIb (suponemos B = 110) Se pueden realizar circuitos de polarizacin en los que las posibles desviaciones de los parmetros de los transistores tengan menor importancia. Todos ellos se basan en la presencia de realimentaciones de continua y el mejor ejemplo es el circuito de la figura 4 que es, por otra parte, el ms utilizado en circuitos con transistores discretos. Las resistencias R1 y R2 se conocen como resistencias de polarizacin, RE es la resistencia de emisor y la resistencia RL es la resistencia de carga. Dado que la potencia de la batera se distribuye entre el transistor y la carga en el circuito de la figura 2, es evidente que existe una prdida de potencia al incluir una resistencia en el emisor en el circuito de la figura 4.

Ahora la potencia de la batera ha de distribuirse entre la carga RL (RLIC2), el transistor (VCEIC) y la resistencia de emisor (REIE2), por lo que el valor de esta ha de ser pequeo.

El circuito se analiza mejor si se substituye R1 y R2 por su equivalente Thevenin, como se refleja en la figura 5. Ahora RB = R1//R2 y VBB = VCC x R2/(R1+R2). Las ecuaciones de las mallas sern:

Estas ecuaciones en conjunto con las ecuaciones (3) resuelven tanto el problema directo como el inverso. Habr de considerarse tambin que IE = IC + IB. En el caso del problema inverso se puede obtener una solucin aproximada si se desprecia el efecto Early y se supone VBE = 0.7V. En este caso: En el caso del problema directo existen infinitas soluciones para cada punto de operacin y hacen falta ms criterios para definir unvocamente los valores de las resistencias. Para obtener esos criterios hace falta conocer las expresiones de las impedancias de entrada y de salida del circuito, puesto que son factores determinantes del funcionamiento del amplificador y adems muy dependientes de la eleccin de las resistencias. Veremos estas expresiones ms adelante. Otro factor determinante en las resistencias de polarizacin es la estabilidad del circuito. Tenemos en principio la estabilidad trmica, que se consigue haciendo la resistencia de emisor grande y RB (paralelo de R1 y R2) lo ms pequea posible, an cuando estos dos factores estropearn de forma importante las caractersticas del amplificador. Otra cuestin es la estabilidad del circuito frente a un posible cambio del transistor. Nos interesa que la corriente de colector IC sea lo ms independiente posible de IS y de BF, de forma que las dispersiones de estos parmetros tengan el mnimo efecto en el punto de operacin. La primera ecuacin de (5) puede escribirse de la forma:

Donde se ha supuesto que por estar en zona activa IB<<IC y por lo tanto ICIE. Est claro que si queremos un valor de IC determinado nicamente por los parmetros externos y no por el transistor deberamos conseguir que los trminos RBIB y VBE sean despreciables frente a REIC. Para ello necesitamos un valor grande del primer trmino de la ecuacin (7) y consecuentemente de RE. Es decir R2>R1, RB pequeo y RE grande. Por las razones de prdida de eficiencia en potencia del amplificador no se puede hacer RE demasiado grande frente a RL. Tpicamente se escoge un valor para RE del orden del 10% de RL. La determinacin exacta de RB vendr casi siempre elegida por la impedancia de entrada. De acuerdo a lo visto anteriormente: Material y equipo utilizado: -Una fuente de 12V -Generador de funciones -Osciloscopio -Transistor BC547 -4 Resistencias de: -670 ohms -120 ohms -22k -160k DESARROLLO: CALCULOS Beta Vcc=Vce + ic (Rc+Re) 12= 8 + 5mA (Rc+Re) 12-8/5mA = Rc + Re Rc + Re = 800 ohms Rc = 670 ohms Re = 120 ohms Rb = Rc(B+1)/10 Rb =670(248)/10 = 16.616K VBB = Vbe + Ie Re Rc = 670 ohms Re = 120 ohms B = 200 NOMINAL B = 247 REAL

VBB = 0.7 + 5mA (120) VBB = 1.3 V R1 = Rb/1-(VBB/Vcc) R1 =16.6/1-(1.3/12) = 18.63K R2 = Vcc/VBB (Rb) R2 = 12/1.3 (16.6K) = 153.37K R1 = Rb/1-(VBB/Vcc) R1 =16.6/1-(1.3/12) = 18.63K R2 = Vcc/VBB (Rb) R2 = 12/1.3 (16.6K) = 153.37K PRACTICA 4 AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BJT El principal problema que nos encontramos es la falta de valores de los elementos pasivos de polarizacin, por lo tanto carecemos de un punto de partida a partir del cual podamos ir calculando los dems valores significativos del circuito. Por lo tanto lo que se har es seguir el mtodo clsico de anlisis de circuitos transistorizados que trabajan como amplificadores por tanto supondremos que estn trabajando en su zona activa para as realizar su misin, de esta forma despejaremos los valores mas significativos para nosotros (ganancia, resistencia de entrada) y los dejaremos en funcin de los parmetros del circuito, de esta forma podremos ver como se relacionan unos con otros y as ver cual puede ser la solucin mas ptima. Hay que hacer una observacin, el valor de la fuente de alterna es de 20 mV y este valor de tensin es el que cae en la conexin base emisor del transistor por lo tanto siempre estaremos violando la condicin de pequea seal que establece que VBE (MAX) no debe de sobrepasar los 10 milivoltios para que el transistor trabaje en una zona cuasi lineal de forma que no haya distorsin. Luego partimos de la base de que con esta configuracin siempre vamos a tener una distorsin ms o menos significativa debido al elevado valor de pico de la fuente de alterna. Hechas estas consideraciones pasaremos a realizar el anlisis clsico de este amplificador. La configuracin amplificadora ms usada del transistor bipolar es la de emisor comn. Se denomina as porque la seal de entrada se introduce entre base y emisor y la seal de salida se obtiene entre colector y emisor, de modo que el emisor es el punto comn de referencia para ambas seales. En la siguiente figura se muestra la red de polarizacin del transistor en una etapa de emisor comn tal como se estudi en el apartado terico de esta prctica. R1 = 22Kohm

R2 = 160Kohm

R1 = 22Kohm

R2 = 160Kohm

Recuerde que las resistencias R1, R2, RC y RE fijan el punto de operacin del transistor. La fuente Vs introduce la seal que va a ser amplificada y el condensador C1 acta como un condensador de acoplo que impide que la introduccin de la fuente de pequea seal (Vs) altere el punto de polarizacin determinado mediante las resistencias (a efectos de la tensin de continua este condensador es un circuito abierto). El condensador C2 tiene la finalidad de ocultar la resistencia RE a efectos de la amplificacin de la seal, es decir, que a la frecuencia de la seal prcticamente est cortocircuitando a RE con el objetivo de aumentar la ganancia, mientras que en continua es como si fuera un circuito abierto y por tanto la resistencia RE acta mejorando la estabilidad del punto de operacin y por tanto de la ganancia frente a variaciones de los parmetros del transistor. Anlisis en continua Procederemos ahora a realizar el anlisis en continua de la malla de salida del amplificador para obtener la recta de carga, y visualizar su dependencia con los elementos pasivos cuyo valor desconocemos Aplicando la ley de Kirchoff de los voltajes tenemos: IC = -( Vcc - Vce )/Rc. Donde desconocemos el valor de la resistencia de emisor.

a. b.

c: Al realizar el anlisis en corriente continua, se eliminan todas las fuentes de seal alterna y sustituiremos los componentes por su equivalente para continua. En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de salida. La aplicacin por excelencia, posiblemente se encuentra en el concepto de amplificacin: bajo determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente de colector sea proporcional a la corriente de base.

Para terminar con nuestro anlisis debemos suponer que ahora aplicamos una seal al circuito y veremos cmo vara el punto Q En la figura vemos un ejemplo, donde se muestra el punto Q en ausencia de seal y cmo vara con la aplicacin de una seal de entrada.

Es importante verificar bien el lugar de ubicacin del punto Q, dado que si queremos que el transistor opere en la zona activa y polarizamos a ste en un punto Q cercano a la zona de saturacin, corremos el riesgo de que cuando le aplicamos una seal de entrada, Q se desplace hacia la zona de saturacin, dejando la zona activa. Para evitar este problema conviene analizar siempre antes la variacin de Q en nuestro transistor y verificar que no salga de la regin donde queremos que trabaje. Anlisis de Corriente Alterna Los transistores tienen un modelo equivalente que permite aplicar los mtodos tradicionales de anlisis de circuitos (mallas, nodos). Estos modelos se obtienen del estudio de las ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores. Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna, l ms popular es el modelo en parmetros h. Para realizar el estudio en alterna, cortocircuitaremos las fuentes de tensin de voltaje continuo, consideraremos los condensadores cortocircuitos, (gran capacidad), y utilizaremos el modelo de pequea seal del transistor. Esto se muestra en el esquema de la figura:

De nuevo aplicando la ley de Kirchoff de los voltajes en la malla de salida obtenemos la ecuacin de la recta de carga en alterna. Esta recta de carga debe de pasar por el punto de trabajo (Icq, Vceq) por tanto la ecuacin que nos queda es: (RcRL/ (Rc+RL))(Vce-Vceq)=Ic-Iceq Operando y simplificando podemos comparar el valor absoluto de las dos pendientes.

Llamaremos Mac a la pendiente en alterna y Mdc a la de continua obteniendo los siguientes resultados Mac= 1+1/RC Y Mdc=1/RC, de esta comparacin podemos inferir que la pendiente de alterna siempre va a ser mayor que la de continua para cualquier valor de la resistencia de colector. Esto nos lleva a pensar que por el lado derecho del punto de trabajo Vceq la que nos va a limitar antes es la pendiente AC. Procederemos a calcular los parmetros de pequea seal, es decir, la impedancia de entrada y de salida, la ganancia en tensin, y la resistencia de base del transistor. El valor de la impedancia de entrada del amplificador es Zin= (R1//R2//rpi), (rpi=hie) la impedancia de salida vale Zout=RC, la ganancia es un parmetro laborioso de calcular que depende de la de las resistencias de colector y de carga de beta y de rpi su ecuacin es: GV=-(Bib (RC//RL))/rpi de esta expresin se deduce que la ganancia se hace mas grande cuando RC se hace pequea. Optimizacin del diseo Una vez halladas las expresiones de los parmetros en pequea seal nuestro prximo paso ser el de obtener la mxima excursin de la seal sin distorsin para ello debemos de recurrir a las rectas de carga en alterna del circuito que son las que nos caracterizan el comportamiento del transistor Las dos rectas las representaremos en la figura:

En esta grfica los puntos ms significativos para nosotros son el voltaje colector emisor de polarizacin VceQ, el valor Vce2 en el que Ic=0, es decir el valor de tensin C-E en que el transistor se corta debido a la tensin de alterna y continua. Por ltimo nos interesa el tercer valor que limita la excursin de la seal, es decir, el valor de tensin C-E en que el transistor entra en saturacin, esto se produce cuando la corriente de colector tiene un valor de IC=VCC/RC llamemos a este valor VCE1 que est situado a la izquierda del punto de trabajo. Por lo tanto con estos datos sustituimos en la ecuacin de la recta de carga en alterna y despejamos Vce1 y Vce2 quedando las siguientes expresiones en donde hemos sustituido RL=1K. VCE1=VCEQ - (VCEQ/ (1+RC)) VCE2=-(VCEQ+VCC)/ (1+RC) + VCEQ

Bien, de momento tenemos los puntos que limitan la excursin de la seal, sin embargo, no conocemos su valor ya que dependen del valor de la resistencia de colector y del punto de polarizacin que los desconocemos. De todo esto se puede deducir que existen un valor de RC y VCEQ que hacen que la anchura de este margen sea mximo por lo cual tendremos que estudiar la expresin |VCE2-VCE1| Cuyo valor es: |VCE2-VCE1|=VCC/ (1+RC) De este resultado debemos resaltar dos cosas: A) La excursin ya no depende de VCEQ. B) Se logra una mayor excursin disminuyendo RC. Por lo que el valor de RC solo queda limitado por la potencia mxima que puede disipar el transistor. Por lo tanto recurriendo a la expresin de la potencia calcularemos la RC mnima a la cual el transistor no se quema. Sabiendo que VCEQ=VCE1 + (|VCE1-VCE2|)/2 =VCC/2 Para que el transistor no se queme cogeremos la potencia de trabajo como la mitad de la potencia mxima siendo sta en nuestro transistor real de 0.5 Watt La expresin de la potencia es la siguiente: P (MAX)/2=VCEQICEQ De esta ecuacin podemos despejar RC sin problemas y su valor exacto es de 144 ohm, una vez que tenemos el valor de la resistencia podemos calcular la intensidad de colector cuyo valor es de IC=41.6 miliamperios. Con este dato podemos saber tambin la intensidad de base ya que estn relacionados con beta, que en nuestro caso es de 190 teniendo por tanto una IB=0.215 miliamperios. Los valores de las resistencias R1 y R2 calculan fcilmente fijando una de ellas pongamos por ejemplo R1=10K se calcula el equivalente Thevenin y se aplica la L.K.V. como se muestra en la figura: La ecuacin que se obtiene es: VCCR2/ (R1+R2)= IBR1R2/ (R1+R2) + 0.7 Obtenemos aqu que R2=0.764K Para terminar el clculo terico solo nos queda hallar los valores de los parmetros de pequea seal, que se obtienen sustituyendo en las expresiones de los apartados anteriores. GV=210, rpi=116.27ohm, ZIN=99ohm, ZOUT=144ohm. Los condensadores tendrn una capacidad suficiente para que la frecuencia de corte inferior est muy alejada de la frecuencia de funcionamiento, por tanto una capacidad de 10 microfaradios para cada uno se considera ms que suficiente AMPLIFICADOR DE VOLTAJE CON GANANCIA DE 10

PRACTICA 5 AMPLIFICADOR CON UN J-FET TRANSISTOR FET (JFET). En este reporte estudiamos aplicaciones del JFET, del MOSFET en modo de empobrecimiento y el MOSFET en modo de enriquecimiento. Las aplicaciones principales de un JFET son como fuente seguidora (anloga al emisor seguidor) y conmutador analgico (un circuito que transmite y bloquea seales de CA). MOSFET en modo de empobrecimiento es muy til como amplificador de muy alta frecuencia (VHF). El MOSFET en modo de enriquecimiento se usa inicialmente como conmutador digital, la espina dorsal de las computadoras. En este reporte se estudian algunas de las ideas bsicas que se requieren para entender como esos dispositivos FET se usan en la mayora de las aplicaciones prcticas. Consideraciones tericas: Los transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de voltaje, adems de presentar la caracterstica de alta impedancia de entrada. Tambin, se trata de configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen rango de potencia y de tamao y peso mnimos.

Los dispositivos JFET y MOSFET de decremento pueden utilizarse para disear amplificadores que tengan ganancias similares de voltaje. Sin embargo, el circuito con MOSFET decrementa tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una configuracin JFET similar. Mientras que un dispositivo BJT controla una gran cantidad de corriente de salida (colector) por medio de una corriente de entrada (base) relativamente pequea, el dispositivo FET controla una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeo voltaje de entrada (voltaje en la compuerta). Por lo tanto, el BJT generalmente es un dispositivo controlado por corriente y el FET es un dispositivo controlado por voltaje, pero en ambos casos se observa que la corriente de salida es la variable controlada. Debido a la caracterstica de gran impedancia de entrada de los FET, el modelo equivalente de a. c. es ms sencillo que el utilizado para el BJT. As que mientras el BJT tuvo un factor de amplificacin (beta), el FET tiene un factor de transconductancia, gm. El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en los circuitos lgicos. De hecho, el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales, especialmente en los circuitos CMOS que requieren un consumo muy bajo de potencia. Los dispositivos FET tambin se utilizan en las aplicaciones de altas frecuencias y e las aplicaciones de acoplamiento (interfases). Aunque la configuracin de fuente comn es la ms popular al proporcionar una seal invertida y amplificada, tambin existen circuitos de drenaje comn (fuente - seguidor), aunque menos utilizados que proporcionan ganancia unitaria sin inversin, as como circuitos de compuerta comn que proporcionan ganancia sin inversin. Al igual que con los amplificadores BJT, las caractersticas importantes del circuito como la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y la impedancia de salida. Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de entrada por lo general se supone de cero y la ganancia de corriente es una cantidad indefinida. Mientras que la ganancia de voltaje de un amplificador FET es casi siempre menor que la obtenida al utilizar un amplificador BJT, el amplificador FET proporciona una impedancia de entrada mucho mayor que la de configuracin de un BJT. Los valores de la impedancia de salida son comparables tanto para los circuitos BJT como para los FET. Las redes de amplificadores FET tambin pueden analizarse mediante del empleo de programas de computadora. MODELO DE PEQUEA SEAL DE FET. El anlisis en AC de una configuracin FET requiere que se desarrolle un modelo de pequea seal. Un componente muy importante del modelo har evidente que un voltaje de AC aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente controla el nivel de corriente del drenaje a la fuente. El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente (canal) de un FET. Un voltaje de DC en la compuerta a la fuente controlaba el nivel de corriente de drenaje mediante una relacin conocida como la ecuacin de Shockley: ID = IDSS (1-VGS/Vp)2 El cambio en la corriente del colector que se obtendr de un cambio en el voltaje de la compuerta a la fuente se puede determinar utilizando el factor de transductancia gm de la siguiente manera: ID = gm VGS

El prefijo trans que se aplica a gm en la terminologa indica que se establece una relacin entre las cantidades de salida y de entrada. El trmino conductancia es debido a que gm se determina por la relacin del voltaje a la corriente, similar a la relacin que define la conductancia de una resistor G = 1/R = I/V. Al despejar gm de la ecuacin: gm = ID / VGS Si ahora examinamos las caractersticas de transferencia de la figura siguiente, se encuentra que gm es en realidad la pendiente de las caractersticas en el punto de operacin. Esto es: gm = m = ID/ y/ VGS x=

Al seguir la curvatura de las caractersticas de transferencia, resulta bastante claro que la pendiente y por lo tanto gm, se incrementa cuando se pasa desde Vp a IDSS. O, dicho en otras palabras, cuando VGS se acerca a cero voltios, se incrementa la magnitud de gm. Anlisis de pequea seal de FET. ID IDSS gm = (pendiente en el punto Q) Vp VGS Definicin de gm utilizando las caractersticas de transferencia. La ecuacin de gm indica que gm puede determinarse en cualquier punto Q sobre las caractersticas de transferencia con solo seleccionar un incremento finito en VGS (o en ID) cercano al punto Q y luego encontrar el cambio correspondiente en ID (o VGS respectivamente). Los cambios que se obtienen en cada cantidad se sustituyen despus en la ecuacin de gm para calcularlo. DEFINICIN MATEMTICA DE gm. El procedimiento grfico descrito est limitado por la exactitud de la grfica de transferencia y el cuidado con que pueden determinarse los cambios en cada cantidad. Otro mtodo alternativo establece que, la derivada de la funcin en un punto es igual a la pendiente de la lnea tangente dibujada en dicho punto. Si se toma la derivada de ID respecto a VGS (clculo diferencial) utilizando la ecuacin de Shockley, es posible derivar una ecuacin para gm de la siguiente manera: gm = ID/ dID/dVGS|punto Q = d/dVGS[IDSS(1-VGS/Vp)2] gm = 2IDSS [1 - VGS/Vp] / |Vp| Donde |Vp| denota la magnitud, solo con el objeto de asegurar un valor positivo de gm. Como la pendiente de la curva de transferencia es un mximo cuando VGS = 0V. Sustituyendo este valor en la ecuacin anterior, se obtiene lo siguiente: gm = 2IDSS / |Vp| [1-0/Vp] gm0 = 2IDSS / |Vp| Donde el subndice 0 que se aadi recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = 0V. Entonces la ecuacin se convierte en: VGS|punto Q = ID/ VGS

gm = gm0 [1-VGS/Vp] GRFICA DE gm EN FUNCIN DE VGS. Debido a que el factor [1-VGS/Vp] de la ecuacin anterior es menor que 1 para cualquier valor de VGS diferente de cero voltios, la magnitud de gm se reducir mientras VGS se aproxime a Vp y la relacin VGS/Vp se incrementa en magnitud. Cuando VGS = Vp, gm = gm0 (1-1) = 0. La ecuacin de arriba define una lnea recta con un valor mnimo de cero y mximo de gm como se muestra en la siguiente grfica. gm (s) gm0 gm0/2 Vp Vp/2 0 VGS(V) Grfica de gm en funcin de VGS. Esta figura tambin indica que cuando VGS es igual a la mitad del valor de estrechamiento, gm tendr nicamente la mitad del valor mximo. EFECTO DE ID SOBRE gm. Puede derivarse una expresin matemtica entre gm y la corriente de polarizacin ID al observar que la ecuacin de Shockley puede escribirse de la siguiente manera: 1 - VGS = ID / IDSS Al sustituir la ecuacin anterior en la expresin de gm. gm = gm0 [1-VGS/Vp] = gm0 ID/IDSS Al emplear esta ltima ecuacin para determinar gm para algunos valores especficos de ID, los resultados son: Si ID = IDSS: gm = gm0 IDSS/IDSS = gm0 Si ID = IDSS/2: gm = gm0 IDSS/2 / IDSS = 0.707 gm0 Si ID = IDSS/4: gm = gm0 IDSS/4 / IDSS = gm0 /2 = 0.5gm0 IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DE FET. La impedancia de entrada de todos los FET disponibles en el mercado es lo suficientemente grande para suponer que las terminales de entrada son similares a un circuito abierto. En forma de ecuacin: Zi (FET) = " As, como para un JFET un valor prctico es de 109 valor caracterstico, un valor entre 1012 y 1015 MOSFET. IMPEDANCIA DE SALIDA Zo DE FET. La impedancia de salida de los FET es similar en magnitud a la de los BJT convencionales. En las hojas de especificaciones de los FET la impedancia de salida aparecer normalmente como yos con las unidades de S. El parmetro yos es un componente de un circuito equivalente de admitancia y el subndice o significa un parmetro es un es tpico de los

de salida de la red y s la terminal fuente a la cual est asignada en el modelo. En forma de ecuacin: Zo (FET) = rd = 1/ yos Donde: rd = VDS / ID |VGS = constante. CIRCUITO EQUIVALENTE EN CA DEL FET. El control de Id mediante Vgs se encuentra incluido como una fuente de corriente gmVgs conectada desde el drenaje a la fuente, tal como se muestra en la siguiente figura. La fuente de corriente est dirigida desde el drenaje hasta la fuente, esto con la finalidad de establecer un cambio de fase de 180 entre los voltajes de salida y de entrada como sucede en la operacin real. Circuito equivalente de CA del FET. La impedancia de entrada est representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y la impedancia de salida por medio del resistor rd desde el drenaje hacia la fuente. El voltaje de la fuente se representa por Vgs. La corriente es comn tanto para los circuitos de entrada y salida, mientras que las terminales de la compuerta y el drenaje solo estn en contacto mediante la fuente de corriente controlada gmVgs. Tambin existen situaciones en las que rd se ignora, ya que se supone que es demasiado grande respecto a los dems elementos, as que se aproxima a un circuito abierto, esto se puede emplear para acoplar circuitos amplificadores multietapas con transistores en cascada. CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA PARA EL FET. El mtodo que se sigue para especificar las configuraciones del FET es similar al del BJT, adems de los parmetros importantes Zi, Zo y Av. para cada configuracin. La configuracin de polarizacin fija del FET incluye los capacitores de acoplamiento C1 y C2 que tienen como objetivo eliminar los niveles de CD de la seal, como se muestra en el siguiente circuito. Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarizacin de la hoja de especificaciones, o de las caractersticas, el modelo equivalente en CA se puede sustituir entre las terminales adecuadas. Ambos capacitores se comportan como corto circuitos debido a la reactancia Xc = 1/(2 fC) es muy pequea comparada con los otros niveles de impedancia de la red y las fuentes VGG y VDD se hacen cero mediante un corto circuito equivalente. Despus se redibuja como sigue y se observa la polaridad definida mediante Vgs, la cual define la direccin de gmVgs. Cuando Vgs es negativo, la direccin de la fuente de corriente se invierte. La seal aplicada se representa mediante Vi y la seal de salida a travs de RD se representa mediante Vo. Zi: esta figura revela con claridad que: Zi = RG Debido a la equivalencia del circuito abierto en las terminales del FET. Zo: Al hacer Vi = 0 como se requiere debido a la definicin de ZoVgs se har cero volts tambin. El resultado es gmVgs = 0 mA y la fuente de corriente puede reemplazarse mediante un circuito abierto equivalente, la impedancia de salida es: Zo = RD || rd

Si la resistencia rd es suficientemente grande (por lo menos 10 veces) comparada con RD con frecuencia se aplica la aproximacin rd || RD " RD. Av: la ganancia de voltaje se obtiene resolviendo para Vo en la figura anterior, como: Vo = -gmVgs (rd || RD) Pero Vgs = Vi Y adems Vo = -gmVi (rd ||RD) De manera que: Av = Vo/Vi = -gm (rd || RD) El signo negativo indica un cambio de fase de 180 entre los voltajes de entrada y salida. CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN DEL FET. La configuracin de polarizacin fija tiene la desventaja de utilizar dos fuentes de voltaje CD. La configuracin de auto polarizacin de la siguiente figura requiere solo una fuente para establecer el punto de operacin deseado. El capacitor Cs a travs de la resistencia de la fuente es un corto equivalente para CD lo cual permite que Rs defina el punto de operacin. Bajo condiciones de CA el capacitor se comporta como corto en los efectos de Rs. Si se deja en CA, se reducir la ganancia. Redibujando la red: Debido a que la configuracin obtenida es la misma, las relaciones de Zi, Zo y Av son las mismas. CONFIGURACIN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL FET. La configuracin de divisor de voltaje para los BJT tambin se aplica para el FET:

Configuracin de FET mediante divisor de voltaje: Al sustituir el modelo equivalente de CA para el FET se obtiene la configuracin de la siguiente figura: Reemplazando la fuente VDD por un corto circuito equivalente a tierra una terminal de R1 y RD. Debido a que cada red tiene una tierra comn, R1 queda en paralelo con R2, como se muestra en la siguiente figura que representa el modelo hbrido para seal dbil del FET. Donde: Zi: R1 y R2 estn en paralelo con el cual se obtiene el equivalente del circuito abierto del FET. Zi = R1 || R2 Zo: Al hacer Vi = 0 V se fijarn los valores Vgs y gmVgs a cero y: Zo = rd || RD Av: Vgs = Vi Vo = -gmVgs (rd || RD) Av = Vo/Vi = -gmVgs (rd || RD) / Vgs. De modo que: Av = Vo/Vi = -gm (rd || RD) Vale mencionar que las ecuaciones para Zo y Av en este tipo de configuracin son las mismas que las obtenidas para las configuraciones de polarizacin fija y autopolarizacin. La nica diferencia radica en la ecuacin para Zi que se volvi el paralelo de R1 y R2 para esta configuracin.

Desarrollo: Con las consideraciones tericas anteriores se procedi a realizar el calculo de la polarizacin del FET para que nos diera una ganancia de 10 o cercana a esta. Utilizando la autopolarizacin del FET que es la ms segura como se aclaro anteriormente. AMPLIFICADOR DE VOLTAJE CON GANANCIA DE 10

CALCULOS Idss= 2ma Vp= -6 Id= Idss (1- (Vgs/Vp)) Idq= 2mA (1-(-3/6))= .5mA Rd= 3/.5 ma = 3.3 K ohms VRD= (.5ma)(3.33 K ohms) = 1.66 V Rs= 4.88/.5ma = 9.760 k ohms R2 =100 K Vg= R2 Vdd/ (R1+R2) = R1= R2 Vdd/Vg - R2 = (100 K) (12)/1.8= 566 K ohms Observaciones: En esta prctica pudimos observar que la polarizacin para FET ms estable es la auto polarizacin pues con esta polarizacin ya no se depende tanto del transistor.

Conclusiones: Podemos llegar a la conclusin de que con los FETs se puede lograr un buen amplificador debido a la estabilidad que proveen y debido a esto la aplicacin de estos componentes es cada vez mayor en la electrnica. Y que con los clculos adecuados se puede llegar a obtener la ganancia deseada para las diferentes aplicaciones que pudisemos llegar a ocupar. PROYECTO FINAL REALIZACIN DE UN AMPLIFICADOR DE CUATRO ETAPAS Objetivo: Disear y proyectar un amplificador de cuatro etapas, la primera de ellas debe ser un FET o MOSFET en configuracin de surtidor comn con ganancia Av = 10; la segunda un transistor BJT en configuracin de emisor comn con ganancia de 5; y la tercera tambin debe ser un emisor comn con ganancia de 5; y la cuarta etapa un transistor en configuracin de colector comn (seguidor emisor) con ganancia de 1; con un voltaje Vcc de 12 V y una resistencia de carga de 1 Kohms. Consideraciones tericas: Un amplificador puede estar constituido por una nica etapa, sencilla o complicada, o puede utilizar una interconexin de varias etapas. Diversas alternativas de diseo, polarizacin, acople y realimentacin, lo cual determina la topologa del amplificador. En un amplificador multietapa, las etapas individuales pueden ser esencialmente idnticas o radicalmente distintas. Las tcnicas de realimentacin se pueden emplear tanto a nivel individual como a nivel funcional, o en ambos, y con la finalidad de obtener estabilizacin de la polarizacin o de la ganancia, reduccin de la impedancia de salida, etc. Los amplificadores prcticos de transistores constan por lo general de cierto nmero de etapas conectadas en cascada. Adems de que proporcionan ganancia, la primera etapa o de entrada usualmente se requiere para que proporcione una alta resistencia de con el fin de evitar prdida del nivel de seal cuando el amplificador se alimenta con una fuente de alta resistencia. En un amplificador diferencial la etapa de entrada debe tambin proporcionar un gran rechazo en modo comn. La funcin de las etapas intermedias de la cascada de un amplificador es proporcionar el grueso de la ganancia de voltaje. En adicin, las etapas intermedias proveen tales otras funciones como la conversin de la seal del modo diferencial al modo asimtrico (de un solo extremo) y el corrimiento del nivel de CD de la seal. Finalmente, la funcin principal de la ltima etapa o de salida de un amplificador es proporcionar una baja resistencia de salida con el fin de evitar prdida de ganancia cuando al amplificador se conecta una resistencia de carga de bajo valor. Tambin, la etapa de salida debe sercapaz de suministrar la corriente que requiere la carga de manera eficiente, esto es, sin disipar en forzad indebida una gran cantidad de potencia en los transistores de salida. La carga en el primer amplificador es la resistencia de entrada del segundo amplificador. No es necesario que las diferentes etapas tengan las mismas ganancias de tensin y de corriente. En la prctica, las etapas iniciales suelen ser amplificadores de tensin y la ltima o las dos ltimas con amplificadores de corriente. La ganancia en una etapa se determina por la carga de sta, que se gobierna por la resistencia de entrada a la siguiente etapa. Por tanto cuando se disean o analizan amplificadores multietapa, se inicia en la salida y se contina hacia la entrada. Acoplamiento a Resistencia y Capacitancia Este acoplamiento permite generalmente cierta economa y reduccin en el tamao, pero importa algn sacrificio de la ganancia. Este mtodo de acoplamiento es particularmente

preferido para etapas amplificadoras de audio de bajo nivel y bajo ruido, a efectos de reducir al mnimo la captacin de zumbido por campos magnticos parsitos. En los equipos alimentados a batera, la aplicacin del acoplamiento a resistencia y capacitancia (RC) se limita de ordinario al funcionamiento en baja potencia. La respuesta de frecuencias de una etapa con acoplamiento RC normalmente es superior a la que puede obtenerse de las acopladas con transformador. La fig. 2 muestra un circuito de dos etapas con acoplamiento RC, que emplea transistores NPN en la configuracin de emisor comn. El mtodo de polarizacin es similar al usado en el circuito de la figura 1. Los componentes adicionales de mayor importancia son las resistencias de carga de colector, RL1 y RL2, y el capacitor de acoplamiento Cc. El valor de Cc debe ser bastante grande, en el orden de 2 a 10 uF, en razn de lo reducido que resultan las resistencias de entrada y de carga. Debe sealarse que el acoplamiento en los circuitos de audio a transistores se verifica normalmente con capacitores electrolticos; ha de observarse, por lo tanto, la polaridad para asegurar el funcionamiento correcto.

Ocasionalmente, las excesivas corrientes de fuga a travs del capacitor electroltico de acoplamiento pueden afectar adversamente las corrientes del transistor. El acoplamiento a impedancia es una forma modificada del acoplamiento a resistencia y capacitancia, sque se vale de inductancias para reemplazar los resistores de carga. Este tipo de acoplamiento se utiliza raramente, excepto en aplicaciones especiales donde las tensiones de alimentacin son bajas y el costo carece de importancia. Acoplamiento directo El acoplamiento directo se usa principalmente cuando el costo es factor importante. Debe hacerse notar que los amplificadores con acoplamiento directo no son necesariamente amplificadores de CC, es decir, no siempre pueden amplificar seales de CC. La respuesta de baja frecuencia est limitada de ordinario por factores distintos de los relacionados con la red de acoplamiento. En el amplificador de acoplamiento directo, fig. 3, R3 sirve a la vez de resistor de carga de colector para la primera etapa y de polarizacin para la segunda. Los resistores R1 y R2 introducen estabilidad en el circuito, puesto que la tensin de emisor correspondiente al

transistor Q2 difiere slo unas dcimas de volt de la tensin de la tensin de colector del transistor Q1.

En razn de que se requieren muy pocos componentes en el circuito del amplificador con acoplamiento directo, se logra mxima economa. No obstante, el nmero de etapas que pueden acoplarse directamente es limitado. Las variaciones por temperatura de la corriente de polarizacin en una etapa son amplificadas por todas las dems y pueden producirse severas condiciones de inestabil Acoplamiento a Resistencia y Capacitancia Este acoplamiento permite generalmente cierta economa y reduccin en el tamao, pero importa algn sacrificio de la ganancia. Este mtodo de acoplamiento es particularmente preferido para etapas amplificadoras de audio de bajo nivel y bajo ruido, a efectos de reducir al mnimo la captacin de zumbido por campos magnticos parsitos. En los equipos alimentados a batera, la aplicacin del acoplamiento a resistencia y capacitancia (RC) se limita de ordinario al funcionamiento en baja potencia. La respuesta de frecuencias de una etapa con acoplamiento RC normalmente es superior a la que puede obtenerse de las acopladas con transformador. La fig. 2 muestra un circuito de dos etapas con acoplamiento RC, que emplea transistores NPN en la configuracin de emisor comn. El mtodo de polarizacin es similar al usado en el circuito de la figura 1. Los componentes adicionales de mayor importancia son las resistencias de carga de colector, RL1 y RL2, y el capacitor de acoplamiento Cc. El valor de Cc debe ser bastante grande, en el orden de 2 a 10 uF, en razn de lo reducido que resultan las resistencias de entrada y de carga. Debe sealarse que el acoplamiento en los circuitos de audio a transistores se verifica normalmente con capacitores electrolticos; ha de observarse, por lo tanto, la polaridad para asegurar el funcionamiento correcto.

Ocasionalmente, las excesivas corrientes de fuga a travs del capacitor electroltico de acoplamiento pueden afectar adversamente las corrientes del transistor. El acoplamiento a impedancia es una forma modificada del acoplamiento a resistencia y capacitancia, sque se vale de inductancias para reemplazar los resistores de carga. Este tipo de acoplamiento se utiliza raramente, excepto en aplicaciones especiales donde las tensiones de alimentacin son bajas y el costo carece de importancia. Acoplamiento directo El acoplamiento directo se usa principalmente cuando el costo es factor importante. Debe hacerse notar que los amplificadores con acoplamiento directo no son necesariamente amplificadores de CC, es decir, no siempre pueden amplificar seales de CC. La respuesta de baja frecuencia est limitada de ordinario por factores distintos de los relacionados con la red de acoplamiento. En el amplificador de acoplamiento directo, fig. 3, R3 sirve a la vez de resistor de carga de colector para la primera etapa y de polarizacin para la segunda. Los resistores R1 y R2 introducen estabilidad en el circuito, puesto que la tensin de emisor correspondiente al transistor Q2 difiere slo unas dcimas de volt de la tensin de la tensin de colector del transistor Q1.

En razn de que se requieren muy pocos componentes en el circuito del amplificador con acoplamiento directo, se logra mxima economa. No obstante, el nmero de etapas que pueden acoplarse directamente es limitado. Las variaciones por temperatura de la corriente de polarizacin en una etapa son amplificadas por todas las dems y pueden producirse severas condiciones de inestabil AMPLIFICADOR EN CASCADA BJT Un amplificador en cascada con acoplamiento RC construido utilizando BJT se ilustra en la figura 7.3. Como antes, la ventaja de las etapas en cascada es la mayor ganancia total de voltaje.

Figura 7.3 Amplificador BJT en cascada (acoplamiento RC). La impedancia de entrada del amplificador es la de la etapa 1, Zi = R1 || R2 || hie

y la impedancia de salida del amplificador es la de la etapa 2, Zo = RC || roRC El siguiente ejemplo muestra el anlisis de un amplificador BJT en cascada exhibiendo la gran ganancia de voltaje conseguida. EJEMPLO 2 Calcule la ganancia de voltaje, voltaje de salida, impedancia de entrada e impedancia de salida para el amplificador BJT en cascada de la figura 7.4. Calcule el voltaje de salida resultante si una carga de 10 k se conecta a la salida.

Figura 7.4. Amplificador BJT con acoplamiento RC. Solucin: El anlisis de polarizacin de cd resulta en VB = 4.8 V, VE = 4.1 V, VC = 11 V, IC = 4.1 mA En el punto de polarizacin,

La ganancia de voltaje de la etapa 1 es por consiguiente

Mientras que la ganancia de voltaje de la etapa 2 es

Para una ganancia de voltaje total de Av = Av1 Av2 = (-104) (-349) = 36 296 El voltaje de salida es entonces Vo = Av Vi = (36 296) (25V) = 0.9V La impedancia de entrada del amplificador es Zi = R1||R2||re = 4.7 k! (200) (6.3) = 932! Mientras que la impedancia de salida del amplificador es Zo = Rc = 2.2 k! Si se conecta una carga de 10 k! a la salida del amplificador, el voltaje resultante a travs de la carga es

Una combinacin de etapas BJT y FET tambin puede utilizarse para proporcionar una alta ganancia de voltaje y una alta impedancia de entrada. COMENTARIOS. Todas las practicas para su desarrollo fue necesario el aporte de los conocimientos tericos en el aula acompaados del estudio, de la puesta en practica en el laboratorio, donde se encuentra uno diferentes problemas, como son las puntas de3 generador y osciloscopio que meten ruido, o que simplemente estn fallando etc., la tablilla de prueba tiene falsos internos por ciertos motivos ajenos a nuestra practica, muchas de las ocasiones el realizar cuidadosamente y probar cada instrumento de trabajo se obteniendo en buenos resultados y concluyendo con el resultado bueno de la practica. Por medio de realizaciones de prctica se disuelve diversas inquietudes que quedan en el aula, y es por ello la importancia de realizarlas ya que en el momento de desarrollarlas se encuentra uno con una serie de dudas que resultan y que a la vez son benficas en el proceso de nuestra formacin y estudio. EXPOSICION

Este circuito produce el sonido de una sirena tpica con slo 4 transistores. Se puede variar la cadencia del sonido cambiando los dos condensadores de 15 F. por otros de valor diferente.

Los transistores T1 y T2 conforman un biestable (un circuito que tiene dos estados estables). Este circuito biestable oscila entre estos dos estados, alto y bajo, que se pueden medir en el colector del transistor T2.

Estos dos niveles son entregados al grupo de elementos conformados por las resistencias de 10 KW, 27 KW y el condensador de 4.7 F que dan la cadencia del sonido conforme se carga y descarga el T3 y T4 que conforman un oscilador que hace sonar el parlante de 8 ohmios.

Lista de componentes 2 PNP BC559 o equivalente 1 NPN BC547 o equivalente 1 PNP BC636 o equivalente 2 de 15 KW 2 de 3.3 KW 1 de 10 KW 1 de 27 KW

Transistores

Resistencias

Condensadores

2 de 15 F (electrolticos) 1 de 4.7 F (electroltico) 1 de 0.1 F 1 parlante comn de 8 W

Otros

Este circuito encender un bulbo o lmpara de baja potencia en forma intermitente. Cuando el bulbo est apagado, T2 est en corte (no conduce). Como T1 controla a T2, vemos que tambin est en corte. 2. El divisor de tensin que forman la resistencia de 5.6K y el potencimetro (resistencia variable) de 100K, dan la suficiente tensin de base en T1 para ponerlo a conducir, T1 a su vez hace conducir a T2 y se enciende el bulbo. 3. A partir de este momento el condensador C1 empieza a cargarse a traves de T2 y la resistencia de 5.6K hasta que est suficientemente cargado para poner en corte a T1 y el bulbo se apaga. 4. Cuando el bulbo se apaga, C1 mantiene encendido a T1 en corte mientras este (C1) se descarga a travs de la resistencia de 5.6K y el bulbo. 5. Cuando C1 est totalmente descargado, y se repite el el ciclo en el punto

Lista de componentes Transistores 1 NPN 2N2222 (T1) 1 PNP 2N2907 (T2) 1 de 100 KW, 1 de 1.2 KW, 1 de 5.6 KW (KW = Kilohmios) 1 de 20 F, electroltico ( F = microfaradios) 1 bulbo 6 voltios 1 batera 9 voltios de uso general como Vcc

Resistencias

Condensadores Otros

Este circuito es muy simple y tambin muy interesante. Cuntas veces nos hemos encontrado con el carro que no arranca por que la batera del carro est descargada? Bueno, pues aqu encontrarn un circuito que necesita slo 3 transistores y unos elementos adicionales para avisarnos del estado de la batera.

Como se puede ver en el diagrama, el circuito tiene 2 LEDS, uno es verde y nos indicar cuando la carga de la batera este bien y el otro es rojo y nos dir cuando el circuito est con una carga menor a la deseada.

Cuando el voltaje en la flecha del potencimetro R1 supera el voltaje que es la suma de el voltaje base-emisor de Q1 + Voltaje de D1 (diodo zener) + caida de voltaje en R2, el transistor Q1 se activa causando que pase una corriente por R3 y que se encienda el LED verde, indicando que la carga de la batera esta bien El segundo LED se enciende en el caso opuesto, slo cuando el voltaje que es la suma del voltaje base-emisor de Q2 + voltaje de D2 (diodo zener) + caida de voltaje en R5 no sea superior al voltaje suministrado por la flecha del potencimetro R4, indicando que la batera est con carga menor a la deseada. En este caso el transistor Q2 se utiliza como inversor *

Como regulo a que voltaje se enciende y se apaga cada LED? muy simple: Alimento el circuito con una fuente variable (para simular los diferentes voltajes en la batera) y regulo los potencimetros (R1 y R4) para que el diodo verde se encienda, por ejemplo, slo cuando el voltaje sea superior a 13 voltios y que el diodo rojo se encienda cuando el voltaje sea menor a 12 voltios.

NOTA: Inversor es cuando a la salida del circuito o elemento obtenemos lo opuesto que a la entrada. Si a la entrada del transistor tenemos una seal alta a la salida tendremos una seal baja y viceversa Lista de componentes Transistores 3 NPN 2N2222 2 de 390W / 0.5 W 2 de 33 KW 1 de 39 KW (KW = Kilohmio 2 de 10 KW 2 diodos zener de 6 a 8 voltios 2 diodos LED (1 verde y 1 rojo). BIBLIOGRAFA CIRCUITOS ELECTRNICOS DISCRETOS E INTEGRADOS AUTOR: DONALD L. SHILLING ED. ALFAOMEGA PRACTICAS DE ELECTRONICA AUTOR: BAEZ MORLAN ED. MARCOMBO ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS AUTOR: ROBERT L. BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY

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ED: PRENTICE may.