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FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES Jorges Huaman Jhonson Arturo Arrisbaplata Terrones Renato Anchelia Jos NUMERO DE MATRICULA 11190199 11190249

CURSO Dispositivos electronicos

TEMA Caracteristicas Basicas del Diodo semiconductor

INFORME 3 NUMERO REALIZADO 20 de abril 2012

FECHAS ENTREGADO 27 de abril 2012

NOTA

GRUPO

PROFESOR Ing. Luis Paretto Q.

OBJETIVOS:
1. Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.

INTRODUCCION TEORICA:
El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin PN, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N)

POLARIZACIN DIRECTA Si ahora aplicamos a dicha unin una tensin exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin aplicada externamente corresponder una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente. En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N estn en disposicin de pasar a la zona P. Exactamente igual estn los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N. <------------> Regin agotada

o----

----o

zona P

zona N

barrera interna de potencial a)Sin polarizacin Regin Iones negativos que han Iones positivos que han agotada "recuperado" sus huecos "recuperado" sus electrones <--->

+ o--

--o -

zona P

barrera interna de potencial

zona N

b) Polarizacin directa dbil, regin agotada reducida, pero no eliminada

+ o--

--o -

zona P

zona N

c) Al aumentar la polarizacin directa, la zona agotada y su barrera de potencial interna asociada han sido neutralizadas

* En la prctica, un diodo se fabrica a base de una nica pieza de siliceo, introduciendo tipos diferentes de impurezas por los dos casos de ella, unas que creen material tipo P y otros que creen tipo N. Este proceso se realiza a

grandes temperaturas.
A la tensin externa que anula la barrera de potencial de la unin y la deja preparada para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensin Umbral. Se la representa po Vu y sus valores prcticos son: Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios En esta situacin, al aplicar un aumento en la tensin exterior, los electrones se sentirn atraidos por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la misma. No hay dificultad para atravesar la unin y por tanto aparecer una corriente de mayoritarios a travs del circuito. A partir de aqui, cualquier aumento de tensin provoca un aumento de la corriente. Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama tensiones de polarizacin directa o de funcionamiento. Sus valores tpicos son: Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Flujo de corriente en un diodo polarizado en directo Parece lgico pensar que llegar un momento en que el proceso, aumento de tensin exterior, aumento de corriente en la unin, tendr que parar. Y esto es as, porque a partir de un determinado valor de la tension exterior aplicada, los electrones se neutralizan en mayor nmero con los huecos en el

interior del diodo y son pocos los que pueden salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el mismo diodo. A esta tensin a partir de la cual la corriente a travs del diodo se mantiene constante, (en la prctica aumenta ligeramente) se le denomina tensin de saturacin. Sus valore tpicos son: Para el Silicio Vsat 0,8 - 0,9 voltios Para el Germanio Vsat 0,15 - 0,2 voltios Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este momento la destruccin del diodo.

POLARIZACIN INVERSA
Si la tensin aplicada externamente al diodo es del mismo signo que la barrera de potencial interna se dice que el diodo est polarizado inversamente. El terminal positivo de la pila atrae a los electrones del material N apartndolos de la unin, mientras que el negativo a trae a las cargas positivas del material P, apartndolos tambin de la unin. Se crea, por tanto, en la unin, una ausencia de carga, formndose una corriente que recibe el nombre de "corriente inversa de saturacin" o "corriente de fuga". Su valor es prcticamente despreciable, pues es del orden de nA (nanoampaerios). El ancho de la capa agotada aumenta al polarizar la unin en sentido inverso. Regin Iones negativos que han Iones positivos que han agotada "recuperado" sus huecos "recuperado" sus electrones <--->

o--

--o

zona P
barrera interna de

zona N

potencial <---->

a)Sin polarizacin inversa


Iones aceptores Regin Iones donadores negativos que han <----- agotada positivos que han <-----> "perdido" su hueco > inicial "perdido" sus electrones asociado <---> asociados
<------------------------------->

o--

--o

zona P

barrera interna de potencial <------------------------------>

zona N

Rectificadores elctricos con diodos. No vamos a entrar a explicar en detalle como funciona un diodo, pues es un componente electrnico. Baste decir que un diodo es la unin de dos placas de material semiconductor, uno denominado N, y otro, denominado P. El diodo esta constituido por dos partes, una llamada nodo, y otra, llamada ctodo. Precisamente sto es lo que hace tan tiles a los diodos, pues tienen dos estados, uno de conduccin, y otro de bloqueo. El estado de conduccin siempre es conectando el nodo al polo positivo y el ctodo al polo negativo. Si invertimos la conexin de los polos el diodo est en estado de bloqueo, es decir, no deja pasar la corriente. Estamos hablando de polos, no de ciclos. Si fuesen ciclos de una seal alterna esta explicacin no valdra. Un polo es algo continuo, lo contrario de algo cclico. Con una seal alterna lo que sucedera sera que solo dejara pasar un semiciclo, el positivo o el negativo, dependera de la posicin del diodo. Para ms informacin sobre la unin N-P podis visitar la pgina: Union N-P. Existen varios tipos de materiales para construir los diodos, pero como ya

hemos dicho, no vamos a explicar aqu las diferencias entre materiales constructivos, baste aadir que en la actualidad solo se utiliza el diodo de silicio por sus muy buenas caractersticas tcnicas. Los rectificadores de diodos se dividen en dos categoras, los rectificadores monofsicos y los rectificadores trifsicos. Rectificadores monofsicos de diodos. Los rectificadores monofsicos con diodos son de tres tipos: 1. De media onda. 2. De onda completa y punto medio. 3. De puente de Graetz. Rectificador de media onda.

Dependiendo de cmo coloquemos el diodo, rectificar los semiciclos positivos o negativos que provengan del transformador. En el grfico, el diodo rectifica solo los semiciclos positivos de una seal alterna. En el caso que le demos la vuelta al diodo, dejara pasar los semiciclos negativos. Este tipo de circuito solo se puede aplicar en alimentaciones de circuitos de baja potencia. Se pierde mucha energa. La relacin existente entre las tensiones de entrada y salida es : Vd = 0,4* Vv. Y la relacin entre intensidades de entrada y salida : Id = 0,6* Iv. Rectificador de onda completa y punto medio.

Cuando hablamos de punto medio, nos referimos a que el transformador tiene tres salidas en el secundario, es decir, un secundario doble con toma

central. En el circuito representado, se rectifican los semiciclos positivos de una seal alterna. El semiciclo positivo ir alternndose entre las dos salidas del transformador, sin contar con el punto medio. Cuando el semiciclo positivo se encuentre en la parte superior del transformador actuar el diodo de arriba; cuando el semiciclo positivo se encuentre en la parte de abajo del transformador actuar el diodo de abajo. La relacin existente entre tensiones e intensidades de entrada y salida es: Vd = 0,4* Vv y Id = 1,2* Iv. Este circuito se utiliza poco porque el transformador sale menos econmico, de todos modos, en el caso de que se utilice solo se hace con circuitos baja potencia. Rectificador de Graetz.

En la actualidad es el ms utilizado para pequeas potencias. Con este circuito se consigue aprovechar mejor el transformador, obteniendo as una onda completa continua. El transformador tiene dos puntos de salida, A y B, cuando existe un semiciclo positivo en el punto A, funcionaran los diodos 1 y 3, es decir, el semiciclo positivo pasa por el diodo 1, despus por la carga y luego por el diodo 3. En el punto B lo haran los diodos 2 y 4.

MATERIALES Y EQUIPOS:
1. Una fuente de corriente continua variable. 2. Un multimetro 3. Un miliamperimetro y un microamperimetro.

4. Un diodo semiconductor de Si y uno de Ge. 5. Un voltimetro de c.c. 6. Resistencia de 100 7. Cables y conectores.

PROCEDIMIENTO:
1. Usando el ohnimetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los datos en la tabla 1. 2. Armar el circuito de la fidura 1. a. Ajustando el voltaje con el potenciometro, observar y medir la corriente y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2. b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos, proceder como en a), reguistrando los datos en la tabla 3

3. Usando el ohnimetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de germanio. Registrar los datos en la tabla 4. 4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio, de manera similar al paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6.

DATOS OBTENIDOS:
Tabla 1: R directa R inversa

930 (ohm)

Mayor a 40M (ohm)

Tabla 2:

Vcc (v.) Id (mA) Vd(V.)

0,45 0,1 0,435

0,51 0,2 0,481

0,6 0,4 0,526

0,74 0,8 0,561

0,86 0,16 0,589

1,4 2,5 0,61

Vcc (v.) Id (mA) Vd(V.)

0 0,016 0

2 2,014 0 1,52 5 0,642

4 3,96 0 2,2 8 0,663

6 5,88 0 2,3 10 0,673

8 7,85 0 2,6 12 0,681

10 9,89 0 3,3 15 0,691

12 11,88 0

15 14,67 0

Tabla 3:

Tabla 4: R directa 30.4K(ohm) R inversa 118.8 (ohm)

Tabla 5: Vcc (v.) Id (mA) Vd(V.) 0,1 0,1 0,124 0,181 0,2 0,163 0,22 0,4 0,2 0,33 0,8 0,228 0,51 1,6 0,263

0,51

0,79

1,15

1,7

1,6 0,263

2,5 0,298

5 0,329

8 0,361

Tabla 6: Vcc (v.) Id (mA) Vd(V.) 0 0,015 0 1 0,987 2,3 2 2,169 3,1 4 3,871 20,2 6 5,58 70

8 7,53 300

10 10,31 510

12 11,96 790

CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. Los diodos de silicio. Calcular la resistencia dinmica del diodo (usar papel milimetrado).

2. Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 5 y 6. Los diodos de germanio. Calcular la resistencia dinmica del diodo (usar papel milimetrado).

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas 4. Explicar los controles de operacin de la fuente dc utilizada.

CONCLUSIONES:
1.