Saber Eletrônica Ano 41 Nº 11

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EDITORIAL
Editora Saber Itda.
Diretores Hlio Fittipaldi Thereza Mozzato Ciampi Fittipaldi
fim do silcio
na Eletrnica
www.sabereletronica.com.br Editor e Diretor Hlio Fittipaldi Diretor Tcnico Newton C. Braga Redao Srgio Vieira Viviane Bulbow Auxiliar de Redao Claudia Tozetto Conselho Editorial Joo Antonio Zuffo Newton C. Braga Colaboradores Alexandre Capelli, Mrcio Jos Soares Deslgners Diego M. Gomes, Diogo Shiraiwa, Jon9S Ribeiro Alves, Renato Paiotti Estagiria de Produo Yassari Gonalo PUBLICIDADE Andr Zanferrari, Angela Gonalves, Carla de Castro Assis, Ricardo Nunes Souza Responsvel
est chegando segundo alguns especialistas, e a lei de Moore estaria indicando isso. Partindo para a nanotecnologia os cientistas da Intel esto contrariando essas opinies com dispositivos cada vez menores e mais eficientes - como o leitor
Hlio Fittipaldi
poder ver no artigo da pgina 22. Nos ltimos anos, o software Eletronics WorkBench (EWB) fez muito sucesso entre os projetistas. Lanado no Brasil atravs da Saber Eletrnica, ainda no fim do sculo passado, circulou na mo de muita gente, e hoje com a nova verso 8.0 pode ser aplicado em projetos profissionais complexos. Recentemente, a National Instruments adquiriu o controle da empresa e est investindo em seu desenvolvimento visando a satisfao dos usurios. Um dos microcontroladores mais conhecidos em nosso mercado o PIC, da Microchip, que foi divulgado por nossa revista no princpio da dcada de 90. Agora a Microship est lanando o dsPIC, um poderoso dispositivo com arquitetura Harward modificada, combinando as vantagens de um microcontrolador de 16 bits com um processado r digital de sinais e que serve muito bem tanto para projetos industriais como controle de motores, converso de potncia, processamento de sinais de udio e voz, aplicaes automotivas e outros. A lAR Systems, agora com escritrio no Brasil, possui uma linha completa de ferramentas de desenvolvimento para microcontroladores e DSPs de quase todos os fabricantes inclusive para o dsPIC, cujo demo encontra-se no CD.
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A EVOLUO DOS RELS

Existem componentes que aparecem, realizam suas funes por um certo tempo, e depois desaparecem, sendo substitudos por componentes equivalentes completamente diferentes. No caso do rel, isso no ocorreu. Os rels apenas mudaram de tecnologia, passando da verso eletromecnica tomaram para a de estado slido, mas sua funo bsica permanece
a mesma at hoje. Veja, neste artigo, como ele evoluiu e como seus tipos formas diferentes, segundo as aplicaes.
Newton C. Braga
Para muitos o rel considerado um componente superado. Mas isso no verdade. A funo bsica de se controlar um circuito a partir de um sinal, atravs de uma chave controlada por tenso ou corrente, ainda necessria numa infinidade de aplicaes. claro que o rel na sua forma tradicional pode, em muitos casos, ser substitudo por verses de estado slido, porm isso no uma regra. O importante lembrar que, apesar de tudo, ele ainda um componente indispensvel. por esse motivo que, preocupados com isso, os fabricantes desses componentes vm se aperfeioando, criando componentes cada vez mais eficientes, quer sejam eletromecnicos, quer sejam de estado slido.
Bobina
I~
Armadura / NF (Normalmente Contatos fechado) aberto) ~ Terminais de bobina (Normalmente
Matriz de fotodiodos
Figura 2
Figura 1
OS TIPOS Hoje em dia podemos contar basicamente com dois tipos de rels. O primeiro deles o rel eletromecnico tradicional, formado por uma bobina onde aplicado o sinal de controle e um conjunto de contatos que controla o circuito externo, conforme ilustra a figura 1. Esse tipo de rel tem a vantagem de poder isolar completamente o circuito de controle do circuito controlado, e alm disso dirigir correntes nos dois sentidos, ou ainda realizar funes complexas de comutao.
SABER ELETRNICA ESPECIAL
A desvantagem est na velocidade de operao (lenta), rudos e arcos produzidos ao se acionar os contatos e confiabilidade (baixa) pois trata-se de um sistema eletromecnico. Evidentemente, muitos rels eletromecnicos que ainda so usados, possuem projetos elaborados que melhoram muito seu desempenho em relao aos tipos antigos. O uso de ms em conjunto com a bobina de modo a polarizar o circuito magntico, aumentando assim a sensibilidade e a velocidade de respostas, um exemplo dos recursos que encontramos em rels eletromecnicos modernos. O segundo tipo de rel o Photo MOS, formado basicamente por um LEO emissor de infravermelho e um sistema foto-sensor que controla um ou mais transistores de efeito de campo de potncia (Power MOS), conforme mostra a figura 2. A principal vantagem deste tipo de rel que ele no possui partes
mveis e, portanto, silencioso e muito mais confivel. A desvantagem que os dispositivos semicondutores utilizados no controle nem sempre apresentam uma resistncia suficientemente baixa para o sinal como seria desejado. O que o leitor deve lembrar, entretanto, que existem aplicaes em que os rels eletromecnicos ainda so mais vantajosos que os rels de estado slido mais modernos. De qualquer maneira, ao analisar esses componentes, podemos coloc-Ios numa ordem tal em que percebamos a evoluo que vem ocorrendo ao longo do tempo. Antes de passarmos a uma anlise da evoluo dos rels ser interessante colocarmos numa tabela as caractersticas comparadas dos dois tipos (veja na pgina seguinte).
RELS DE ESTADO SLIDO COM TRIACS E MOSFETS Os rels comuns podem ser usados para comutar diversos tipos 3
NQ 11/SETEMBRO/2005
Vantagens
Rels de Estado Slido Confiabilidade na comutao Vida til longa Freqncia de comutao elevada Rels Eletromecnicos Tenso de ruptura elevada Resistncia a surtos e rudos Pode controlar qualquer intensidade de corrente
Desvantagens
Rels de Estado Slido Possuem corrente de fuga elevada Sensveis a surtos e transientes Sua resistncia de conduo elevada Capacidade de controle da carga limitada Rels Eletromecnicos So pesados, caros e volumosos Precisam de muita potncia para o acionamento Contatos sujeitos a repiques Operao ruidosa Produzem arcos principalmente na comutao de cargas indutivas
Muito sensvel - aciona com baixas II Pode operar alternadas correntes ~contnuas e com correntes Operao silenciosa Isolamento total da carga No apresenta arcos na comutaoll No existem correntes de fuga Resistncia a quedas e impactos No sensvel a EMI
de cargas, de corrente
que vo desde cargas contnua e sinais at
No entanto, possvel comutar correntes alternadas com o uso de
cargas de potncia ligadas rede de energia. Para os rels comuns no h muita diferena quanto ao tipo de carga, havendo apenas algumas precaues com a geometria dos contatos. No entanto, no caso dos rels de estado slido, o tipo de carga a ser controlada divide-os em duas categorias. Assim, temos os rels Photo MOS, que tm a estrutura mostrada na figura 3 e que se baseiam em transistores de efeito de campo. Por outro lado, os rels baseados em TRIACs so indicados especialmente para o controle de cargas de corrente alternada, tendo a estrutura exibida na figura 4. Para o Photo MOS, o princpio de funcionamento bastante simples de entender. Na parte superior existe um LED emissor que deve ser excitado pelo circuito de controle. Quando isso ocorre, ele emite radiao infraverme lha que captada por um conjunto de clulas fotoeltricas colocadas logo abaixo, observe a figura 5.
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Invlucro
~m'DlAC
Figura 4
dois transistores ligados conforme vemos na figura 6. Para as duas configuraes comum o uso de transistores DMOS, com resistncias entre o dreno e a fonte no estado baixas. A resistncia de conduo dentre muito e
LED infravermelho
o dreno
Dispositivo ~Terminal opto-sensvel

Figura 5
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a fonte no estado de conduo ou Rds(on) a caracterstica mais importante deste tipo de rel, correspondendo "resistncia de contato" dos rels eletromecnicos. Essa resistncia no s indica a queda de tenso que acontece quando o rel "fecha" seus contatos, mas tambm a sua dissipao. Multiplicando a Rds (on) pelo quadrado da corrente conduzida, temos a potncia que o dispositivo vai dissipar quando acionado. Para as cargas de alta potncia, essa grandeza fundamental no projeto. Para os rels de estado slido baseados em TRIACs, o princpio de funcionamento semelhante. Um LED o emissor, mas na recepo existe um foto-diac ou foto-triac de pequena potncia, veja a figura 7. Esse fotodisparador tem correntes tpicas na faixa de 5 a 20 mA, o que suficiente para disparar um TRIAC de maior potncia, em um controle
A distncia de separao entre o emissor e o receptor de infravermelho tipicamente de 0,4 mm, o que garante um isolamento bastante alto, da ordem de milhares de volts, dependendo apenas do gs presente no interior do dispositivo. O conjunto de fotoclulas excita ento o dispositivo de potncia utilizado no controle externo, normalmente transistores de efeito de campo MOS. Um nico transistor pode comutar somente correntes contnuas, uma vez que ele pode conduzir em um sentido. apenas
ou
MOS opto-sensveis
MOC3010/3020
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Opto-MOS
Figura 3 Figura 6
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Opto-DIAC
Figura 7
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SABER ELETRNICA ESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005
ligado rede de energia, observe a figura 8. A terminologia usada para diferenciar esses dois tipos de rels importante. Os rels de estado slido (Solid State Relays) ou SSR, so os que fazem uso de TRIACs enquanto que os Photo MOS ou PMOS so os que empregam transistores de efeito de campo de potncia. As tabelas dadas abaixo fazem uma comparao entre vantagens e desvantagens dos dois tipos. Atualmente, o projetista pode contar com uma enorme gama de tipos de rels de estado slido Photo MOS. Essa variedade dificulta em alguns casos a seleo do tipo ideal para uma aplicao. No grfico da figura 9 apresentamos as diversas famlias de rels com as tenses de trabalho e as correntes que os principais tipos podem controlar. Nesse grfico observamos que as correntes podem ser to baixas como 50 mA para tipos de RF ou to altas como 6 A para tipos de potncia. As tenses de trabalho ocupam igualmente uma ampla faixa de valores, indo dos 40 V aos 1.500 V. Os fabricantes de rels de estado slido possuem informaes mais completas sobre seus rels, na forma de datasheets e at mesmo Selection Guides. Em especial recomendamos que o leitor visite o site da Metaltex (www.metaltex.com.br) que distribui rels Photo MOS da Aromat (www.aromat.com). A Metaltex tambm um dos mais tradicionais fabricantes de rels eletromecnicos de nosso pas, com uma ampla linha de tipos cujas caractersticas podem ser acessadas em seu site.
Carga }
1
J
i"O MO:Oi~OTRIACI
Figura 8
t Corrente
I
de carga (A) Rel de potncia PhotoMOS (alta capacidade)
10
Tipos econmicos com baixa Rds(on)
0,1
Tipos econmicos de alta sensibilidade
0,01
100 Figura 8
1000
(tenso)
CONCLUSO Rels, tanto eletromecnicos quanto de estado slido so componentes importantes de muitos projetos. H aplicaes em que os tipos tradicionais eletromecnicos podem ser substitudos pelos rels de estado slido ou Photo MOS. Todavia, o projetista deve estar
atento para as vantagens e desvantagens de cada um, levando em conta que a evoluo dos rels semicondutores tende a criar tipos que sejam cada vez mais indicados para aplicaes especficas. Pode-se utilizar um rel de estado slido ou Photo MOS para um projeto, mas o projetista deve saber escolher o tipo ideal para essa aplicao.
Vantagens Photo MOS ou PMOS Solid State Relays ou SSR Podetrabalharcom sinais ana- So melhoresnos controlesde lgicosde baixa intensidade cargas ligadas rede de energia PodemcontrolarTRIACsde alta Possuembaixascorrentesde potncia fugas Possuemuma velocidadede Operamtanto com cargasAC como DC comutaomuitoalta Podemter contatos NA e NF
Desvantagens Photo MOS ou PMOS Solid State Relays ou SSR Pequenacapacidadede Correntede fuga elevada potncia Sensvela tran~ientes Precisade circuitode proteo Resistnciade contato Precisade dissipadorem elevada(Rds (on)) algunscasos
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Segundo a opinio de alguns especialistas, o silcio estaria chegando ao limite de "encolhimento" dos dispositivos onde pode ser aplicado. A prpria lei de Moore estaria indicando isso. No entanto, no
isso o que pensam os cientistas da Intel que,
partindo para novas tecnologias, conseguem dispositivos cada vez menores e mais eficientes. Veja neste artigo o que a Intel apresenta sobre o assunto. Newton C. Braga
Moore deve ser revista. Assim sendo, no mundo da tecnologia deve-se considerar o silcio como um material semicondutor ainda extremamente eficiente.
De acordo com a Intel, o debate de que o silcio estaria com os dias contados como material bsico para a fabricao de dispositivos semiconductores no passa de uma tempestade em copo d'gua. Essa a opinio de Sunlin Chou, vice-presidente do Technologyand Manufacturing Group (TMG) da Intel, um homem acostumado a pensar numa escala diferente.
Sunlin Chou - Vice Presidente do Technology and Manufacturing Group da Intel.
o que o faz acreditar nessa idia j parte do incio da fabricao de transistores com um processo de 50 nanmetros (50 bilionsimos de metro). Com esse processo, a comparao do tamanho dos dispositivos semicondutores com a espessura do cabelo humano se torna obsoleta.
Para que o leitor tenha uma noo, mil desses transistores correspondem espessura de um fio de cabelo!
materiais e estruturas usados para construir transistores e outros elementos de um circuito que sejam menores do que 100 nanmetros (nm). Menores do que um fio de cabelo, essas estruturas podem ser comparadas ao tamanho de um vrus, o menor de todos os microorganismos. Com as tecnologias atuais possvel fabricar transistores que sejam menores do que um vrus, o que nos leva a tomar como padro de medida para eles as dimenses de um nico tomo. Por exemplo, a camada de xido da comporta (gate) de um transistor, um material isolante tendo apenas 5 tomos de espessura, que resulta em alguma coisa mais do que 1 nanmetro. Mas, e o silcio, onde que ele entra nessa histria? Antigamente, a experincia das indstrias parecia indicar que existia um limite definido para o nmero de componentes que poderiam ser fabricados em um wafer de material semicondutor. Isso poderia ser real com os mtodos tradicionais. Mas, se nos aprofundarmos nos recursos da nanotecnologia, as receitas para o trabalho com materiais e processos esto passando por uma transformao. Com essas transformaes, as limitaes at ento respeitadas pela indstria no mais podem ser consideradas como absolutas. A lei de
O SILCIO E OS NOVOS MATERIAIS Quando se consegue diminuir o tamanho de um dispositivo semicondutor, alm da possibilidade de mais componentes por chip temos uma outra vantagem a ser observada: o aumento da velocidade. A Intel, por exemplo, desenvolveu um mtodo que permite aumentar a velocidade de seus transistores de 50 nm, empregando silcio tensionado (strained si/icon). O que ela faz colocar as molculas de silcio de modo que as mesmas formem uma grade. Tensionando e liberando essa estrutura, ela permite que os eltrons passem com mais velocidade e com menos resistncia. Maior velocidade e menor resistncia levam a transistores mais rpidos e, conseqentemente, a chips mais rpidos. A figura 1 mostra a estrutura de um transistor de trs comportas (tri-
NANOTECNOLOGIA EM AO Quando tratamos de nanotecnologia nos referimos aos processos,

6
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
NQ 11/SETEMBRO/2005
gafe), uma outra montagem desenvolvida pela Intel para aumentar o rendimento desse tipo de dispositivo semicondutor. Este transistor emprega uma estrutura de comporta tridimensional, que permite que a corrente flua pela face superior do transistor e pelas paredes laterais, aumentando assim sua rea efetiva. Segundo a Intel, a prpria tecnologia do silcio deve ser renovada com a introduo de novos materiais. Um exemplo disso a substituio da fiao de alumnio por cobre. Outra inovao a substituio do dieltrico de dixido de silcio por um dieltrico denominado low-k (baixo-k). A Intel inclusive est trabalhando em um novo dieltrico denominado "high-k" que deve substituir o dixido de silcio nas estruturas de gafe dos transistores, reduzindo assim as correntes de fuga.
Outro ponto que ainda admite um grande espao de evoluo de novas tecnologias (ainda baseadas no silcio) o relacionado com os nanofios e nanochips, estruturas que podem ser integradas como novas formas de transistores e conectores. CONClUSO A pesquisa em nanotecnologia deve continuar no sentido de fornecer novos materiais e dispositivos. Estes sero muito mais fceis de fabricar e vender do que criar uma nova tecnologia baseada em outros materiais. Enfim, ainda existe muito espao para a tecnologia do silcio, que diferente do que a lei de Moore prev, pode resultar em novos dispositivos menores e mais rpidos. O silcio no acabou com material bsico da eletrnica e isso o que a Intel revela, construindo novas
fbricas como, por exemplo, a nova em Chandler, Arizona, onde foram investidos 3 bilhes de dlares para fabricar chips em wafers de 300 mm. Um wafer desse tamanho tem 225% mais rea que os tradicionais de 200 mm, sendo mais fcil de produzir, alm de outras vantagens que recompensam plenamente o investimento feito pela Intel.
Figura 2 - Wafer de 300 nm, fabricado pela Intel.
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A Maxim (www.maxim-ic.com) sugere um circuito gerador dente-de-serra que utiliza apenas dois componentes e apresenta uma Iinearidade de aproximadamente 1% em toda a sua faixa dinmica de mais de 80 dB. Newton C. Braga
circuito mostrado na figura 1, produzindo ao mesmo tempo um sinal dente-de-serra de alta preciso e um sinal retangular, em sadas diferentes. A freqncia do sinal depende das tenses de alimentao (5 V), tenso de controle (Vc) e de R, e C, no diagrama dado, conforme a seguinte frmula: f = [3(V + Vc)/5](1/R1C1) Onde V a tenso de alimentao de 5 V e Vc a tenso de controle na faixa entre O e 1,66 V. A freqncia obtida em hertz, quando C dado em farads e R em ohms. Uma das aplicaes importantes se d em sistemas de aquisio de dados ou amostragem e reteno, na qual se necessita de um sinal de varredura linear, como o produzido por este circuito. Para um capacitar de 3,3 nF como C, teremos um tempo de subida de 150 ns. Na sada de sinais retangulares o ciclo ativo obtido de 50%.
5 VI
+5V
IC1
MAX4162 (SOT23-5)
Q2
2N3904
3
Vc (-5Va 1-
+!,66V)
-5V
~
Sada
.I0'! flF
Figura 1
retangular
ATENUADOR DE UDIO SIMPLES

Utilizando as caractersticas de conduo de diodos zener conforme sugerimos neste artigo.
O diodo zener pode ser de qualquer tipo entre 2,1 V e 3,3 V, com uma dissipao entre 400 mW e 1 W. Na figura 1 temos essa configurao simples que emprega poucos componentes passivos. A tenso de controle determina a atenuao, a qual varia tipicamente entre 5 e 58 dB, quando a tenso de entrada varia entre a tenso nominal de um zener e o triplo da tenso do zener. Para uma tenso de duas vezes a dos zeners usados a atenuao 8
possvel elaborar um atenuador simples para sinais de udio, Newton C. Braga

tpica de 30 dB. Essa atenuao depende tambm das caractersticas especficas dos componentes colocados. Veja que o resistor em srie com a fonte importante para limitar a corrente no zener. O valor desse resistor depende muito da dissipao dos zener usados, mas o que indicamos serve para os tipos dentro da faixa de valores recomendada. importante notar que a linearidade desse atenuador no das melhores, mas como uma aplicao
de uso geral para sinais de udio, ele funciona perfeitamente. bom lembrar que se trata de um atenuador para pequenos sinais. '
R1
4700
C2
4,7 uF
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Entrada
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C3 2,2 kn
1 pF Vz = ver texto
Figura 1
ESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005
SABER ELETRNICA
Multisim
Agora
National Instruments
o conhecido programa de projeto, simulao e elaborao de placas de circuito impresso passa a incluir novos recursos,
tornando-se uma ferramenta de uso profissional, capaz de atender a todos que estavam acostumados com essa plataforma. Adquirido pela National Instruments, o Multisim ou Electronics Workbench (EWB) como tambm conhecido, chega de uma forma diferenciada ao nosso mercado. Veja neste artigo o que oferece a nova verso 8.0. Newton C. Braga
projeto, simulao e desenvolvimento de placas a ser utilizado. Partir para o uso profissional com mais recursos muito mais fcil do que de um software totalmente diferente. - O MultiSim uma ferramenta de trabalho amplamente testada, que todos conhecem. Com novos algo ritmos aperfeioados, muitos circuitos so testados agora com muito mais facilidade e exatido. - A vasta instrumentao virtual disponvel permite trabalhar Com extrema facilidade nos circuitos simulados. - Simula circuitos de altas freqncias com algo ritmos poderosos, a exemplo dos usados em telecomunicaes. - O software conta com instrumentos virtuais "reais" da Tektronics e Agilent, permitindo assim que testes muito mais completos sejam realizados e depois comprovados em um instrumento exatamente com as mesmas caractersticas, se assim o projetista desejar. - Possui uma integrao direta com os instrumentos do LabView, da Nationallnstruments.
o conhecido MultiSim que tem no EWB (Electronics Workbench) uma de suas ferramentas mais utilizadas, muda completamente ao passar a ser um produto da National Instruments (www.ni.com). Com novos recursos em sua verso 8.0, esse programa de projeto, simulao e elaborao de placas de circuito impresso alm de atender ao seu pblico tradicional, passa a ser uma ferramenta de uso profissional. De fato, para os que aprenderam a usar esse programa quando eram estudantes, a possibilidade de continuar contando com o mesmo quando se tornam profissionais e precisam de uma ferramenta de trabalho mais poderosa muito interessante. J familiarizados com seus recursos bsicos, fica mais fcil aprender mais alguns recursos do mesmo programa do que comear tudo de novo com outro software de interface nem sempre to amistosa. Trata-se, portanto, da ferramenta ideal para desenvolvedores e tambm para escolas tcnicas, uma vez que existe (como apoio para o estudante), uma verso free que casa completamente com a verso profissional completa 8.0. As escolas podero ministrar seus cursos na verso completa e cada aluno poder elaborar
suas tarefas, trabalhando em mdulos e usando a verso free. Na verso 8.0 o MultiSim conta com os mesmos recursos das verses anteriores e mais uma srie de recursos adicionais que o tornam apropriado para o trabalho em desenvolvimento de projetos mais avanados, de uso profissional. Certamente, um dos destaques desse programa sua possibilidade de trabalhar com qualquer microprocessador, fazendo projetos e simulaes. Alm disso, ele "conversa" com outras plataformas de desenvolvimento e simulao como o LabView, da National Instruments. Finalmente, preciso ressaltar que o novo MultiSim possui recursos avanados que permitem a realizao de projetos na rea de Telecomunicaes. Novas ferramentas de simulao de projetos de altas freqncias tornam possvel o trabalho com os circuitos mais crticos, o que no ocorria com as verses anteriores e tambm no acontece com muitos outros programas de desenvolvimento e simulao atuais. Diversas so as vantagens para o leitor que pretenda investir numa ferramenta de trabalho como esta: - O MultiSim fcil de usar, tendo sido por esse motivo, o preferido por muitos como o primeiro programa de
UM POUCO MAIS DE Multisim A possibilidade de possuir um programa capaz de fazer o projeto, simulao e elaborao da placa de circuito impresso pelo computador, algo com que todo profissional de Eletrnica sonha. O MultiSim ou EWB (Electronics Workbench) foi durante muito tempo o programa mais conhecido com
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N 11/SETEMBRO/2005
. PROJETOS
que todos podiam contar. Com uma interface grfica amigvel, o programa dispunha de uma tela onde podiam ser desenhados os circuitos, "arrastando-se" componentes de uma vasta biblioteca, que podia ser ampliada a qualquer momento. Depois, era possvel conectar ao circuito desenhado, diversos instrumentos virtuais como voltmetros, ampermetros, osciloscpios, geradores de funo de modo a se fazer a simulao de seu funcionamento. Finalmente, uma vez que se verificasse que na simulao o circuito funcionava, era possvel transferir as informaes do diagrama para um programa do mesmo conjunto capaz de elaborar a placa de circuito impresso (U!tiRout ou UItiBoard). O importante nesses passos para se partir do componente isolado e chegar a uma placa com um circuito simulado, a perfeita integrao entre todos, no exigindo do projetista mais do que manusear o mouse do computador e eventualmente o teclado. Na parte de instrumentao virtual interessante ressaltar que, alm
de um osciloscpio de duplo trao, o simulador contm outros instrumentos de grande utilidade para os projetos atuais. Um deles faz a anlise do comportamento de um circuito no domnio das freqncias, ferramenta de enorme importncia no projeto de filtros. Podem-se aplicar sinais com um espectro estabelecido previamente e verificar como o circuito responde a esses sinais, com grande preciso. Outro recurso importante na instrumentao virtual o da modelao do circuito no domnio do tempo. Essa simulao permite levantar um grfico do comportamento do circuito a partir do instante em que ele ligado at um determinado instante programado.
dos e que, certamente, devem ser melhorados nas prximas verses: Uma das queixas o fundo preto da tela do osciloscpio, que dificulta sua impresso caso o projetista deseje agreg-Ia a uma documentao impressa. Observamos ainda em alguns comentrios que o manual de uso apresenta diversos pontos de difcil entendimento. No momento em que preparamos esta edio, no tnhamos ainda o manual em portugus que, esperamos, no apresente as mesmas dificuldades.
NOCD No CD que acompanha esta edio, o leitor encontrar uma mdia com o pacote de software "DesignSuite Freeware Edition 8.1", conjunto de ferramentas gratuitas em que todos os recursos desse programa podem ser melhor vistos no seu computador. Informamos aos leitores que no site da National Instruments podem ser obtidas mais informaes sobre o MultiSim: www.national.com. htt:/InLcom/Brasil ou para mais informaes, envie um e-mai! para ewb.br@nLcom.br.
PEQUENAS
DESVANTAGENS
Apesar de todas as vantagens que levam o MultiSim a ser uma das mais poderosas ferramentas de projeto com que os leitores podem contar atualmente, existem alguns pontos obscuros que precisam ser ressalta-
esquemas
Captura de
dePCI
Layout
Instalao
Base de dados de componentes
do MultiSim
I4
..
Co-slmulao
SPICE VHDL VERILOG
Requisitos mnimos: - Windows NT/2000/XP - Pentium 3 - 128MB de RAM - 150MB de espao no HD - unidade de CD-ROM - resoluo do monitor: 800 x 600
1
Projeto iniciao VHOL Projeto iniciao VERILOG
Instrumentos virtuais
..--. ..--. ..--. ..--.
Editor de componentes
Anlises
Editor de smbolos
1
Sntese Modelao FGPAI CPLO
Requisitos recomendveis:
Ps
processadores
Traador de grficos
Verso Profissional do Multisim. 10
- Windows XP Profissonal - Pentium 4 - 256MB de RAM - 500MB de espao de HD - unidade de CD-ROM - resoluo do monitor: 1024 x 768
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
N 11/SETEMBRO/2005
Para mais informaes, envie um e-mail paraewb.br@ni.com ou entre em contato pelo telefone (11) 3262 -3599. Acesse tambm nossa pgina: http://ni.com/brasil
i:lectronics :l C'
A NATIONAL INSTRUMENTS COMPANV
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MICROCONTROLADORES
CONHEA O
o dsPIC, um
Microchip, tempo Controlador de Digital de Sinais (DSC) da dispositivo de 16 que ao mesmo consiste em um poderoso as vantagens bits com arquitetura combina Harvard modificada, de um microcontrolador completa converso para de (MCU) de 16 bits com um Processador Digital de Sinais (DSP) obtendo-se aplicaes assim uma soluo de motores, como controle
dsPIC
potncia, sensores de alta velocidade, processamento de sinais de udio e voz, conectividade e modems, telecom, encriptao o que e aplicaes automotivas. Veja neste artigo de seu
o dsPIC e como voc pode se beneficiar de suas no desenvolvimento
excepcionais caractersticas projeto industrial.
Newton C. Braga
Os dsPICs da Microchip (www.mi crochip.com) podem alcanar velocidades de processamento de 30 MIPS, podendo ser programados em linguagem C, alm de possurem memria flash interna de programa, EEPROM de dados, SRAM de dados, perifricos poderosos incluindo diversas bibliotecas de softwares que permitem ao desenvolvedor criar solues embutidas com facilidade. A memria flash tem tamanhos entre 12 kbytes e 144 kbytes, encontrando-se disponveis na famlia dsPIC30F 18 dispositivos diferentes, mas muitos outros devero aparecer com o passar do tempo. Na figura 1 temos um exemplo de dispositivo disponvel desta famlia. Dentre as vantagens apresentadas pelos dispositivos desta famlia que podem ser aproveitadas pelos leitores j familiarizados com os dispositivos PIC da mesma empresa, destacamos: MCU rpida e poderosa de 16 bits de dados Desempenho elevado para o setor DSP Arquitetura de instrues baseada em RISC Memria Flash
12 Figura 1
Comutao entre fontes de clock em tempo real Memria flash programvel - no circuito Memria EEPROM de dados Memria SRAM de dados Estrutura de interrupes flexvel Capacidade de converso AIO de alta velocidade: Perifricos On-Chip: Opes de clock cristal, ressonador, RC ou chp RC Mdulos de comunicao: SPI, PC, UART, CAN 20B, Codec Interface (PS&AC97) Timers Captura de entrada Comparador de sadalPWM Controle de motores PWM Conversores A/O (+/-1 LSB de preciso) Taxa de converso de dados de 10 bits de 1 Msp. Taxa de converso de dados de 12 bits de 500 kbps Mas, para que o leitor tenha uma idia melhor do que um dsPIC pode fazer e no que ele melhor para muitas aplicaes do que um PIC
ESPECIAL NQ11/SETEMBRO/2005
Barramentos separados de programa e dados Perifricos poderosos on-chp Caractersticas eltricas e de recursos: Faixa de tenses de operao: 2,5 a 5,5V Faixa de temperaturas de operao: -40C a +125 C Faixa de velocidades de operao: DC a 30 MIPS Invlucros: de DIPs de 18 pinos a TFFPs de 80 pinos Power-on Reset programvel Brown-on Reset programvel Deteco de baixa tenso programvel Modos Idle e Sleep
SABER ELETRNICA
~(ONTROlADORES
convencional, comecemos por uma anlise mais detalhada do que um Controlador Digital de Sinais.
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CONTROLADOR DIGITAL DE SINAIS?
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O dsPIC, por outro lado, foi desenvolvido a partir do zero, unindo as exigncias dos 16 bits tradicionais. Sem sacrificar a performance, ele combina as performances das MCUs de 16 bits no cerne de uso geral com todos os recursos necessrios a uma operao de DSP.
Um controlador digital de sinais (DSC = Digital Signal Contral/er) consiste em um dispositivo que tem integrado um microcontrolador (MCU) com recursos adicionais que permitem que ele opere como um processador digital de sinais (DSP). O grfico da figura 2 mostra como esse dispositivo se situa quando o comparamos a DSPs convencionais e MCUs de 32 bits. O que acontece que no processamento de sinais rpidos, como o que ocorre com um controle de motor, no processamento de sinais de sensores muito rpidos (como os /, usados nas aplicaes automotivas), no processamento da palavra, os DSPs so dispositivos muito mais apropriados do que os microcontroladores. Os DSPs convertem os sinais analgicos rapidamente para a forma digital, e aps process-Ios, os entregam quer seja na forma digital como analgica, ou ainda os utilizam para fazer o controle de dispositivos externos. Os DSPs j possuem em seu interior um microcontrolador apropriado para a tarefa que exercem. Assim, um dsPIC, reunindo as caractersticas tanto dos DSPs como dos Microcontroladores, consiste em um dispositivo especialmente indicado para as aplicaes em que DSPs convencionais so recomendados. Isso torna os microcontroladores com DSPs adequados para qualquer aplicao que envolva o processamento de sinais em tempo real. o que ocorre justamente com os dsPICs que, conforme o nome indica, resultam em uma "mescla" de microcontroladores com DSPs num nico chip. No entanto, a vantagem maior do dsPIC est exatamente em sua arquitetura e recursos que os tornam mais fceis de usar do que os DSPs
dsPIC30F 1st Generation DSC
PROJETADO PARA CONTROLE EM TEMPO REAL Diversas so as vantagens oferecidas pelo uso do dsPIC em controles em tempo real, como apregoa a Microchip. Dentre elas, destacam-se a confiabilidade, a robustez e custo reduzido do sistema. Ademais, outros detalhes devem ser observados como. a) O oscilador on-chip elimina a exigncia de cristais, reduzindo assim o custo do projeto. b) A temperatura mxima de operao de 125C, o que o torna ideal para aplicaes em ambientes extremos como os encontrados nas aplicaes industriais e automotivas. c) Os pinos I/O podem excitar cargas de at 25 mA, o que significa a possibilidade de acionamento direta de LEDs, ou ainda a eliminao de MOSFETs externos como comutadores. d) O monitor de clock on-chip, o que agrega confiabilidade ao circuito. e) H diversos recursos para se otimizar o consumo. possvel alterar a freqncia do oscilador on-chip ou ainda dividir a freqncia do clock em perodos de inatividade. Tambm pode-se ir ao modo "power-down" de modo a cortar os clocks e reduzir a corrente a poucos microampres. f) O power-on Reset on-chip elimina a necessidade de circuitos externos para essa finalidade. Para as diversas aplicaes existem recursos especficos, o que muito importante quando se deseja desenvolver um projeto completo. Alguns exemplos so dados a seguir: 13
Price
Figura 2
convencionais, pois podem ser utilizados de forma simples, principalmente por aqueles que j esto familiarizados com os PICs. Alm disso, eles so otimizados para aplicaes de controle em condies extremas como, por exemplo, as encontradas em aplicaes embarcadas, em eletrodomsticos e no controle de motores ou inversores em ambientes industriais. Tudo isso dota os dsPICs de recursos especficos em determinadas aplicaes onde eles podem reunir os benefcios do melhor desempenho, maior facilidade de uso e menor custo.
COMPETITIVIDADE POR QUE DSPIC? Um dos problemas dos microcontroladores que reuniam caractersticas de DSPs das primeiras geraes era sua performance, que deixava muito a desejar quando comparada com a dos DSPs convencionais. Assim, os primeiros MCUs desenvolvidos apresentavam a limitao da fronteira dos 64 kB ditados pelos MCUs de 8 bits. Por isso, altas velocidades no podiam ser alcanadas pelas primeiras arquiteturas. Quando novas arquiteturas se fizeram necessrias, uma primeira dificuldade a ser enfrentada para se aumentar suas performances foi, justamente, a compatibilidade com as MCUs das geraes anteriores.
N 11/SETEMBRO/2005
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CONTROLE DE MOTORES Mais recursos do que os obtidos por um simples microcontrolador podem ser conseguidos com o uso de um dsPIC. Assim, possvel ter muito melhor desempenho nas seguintes aplicaes: Aquecimento, ventilao e sistemas de ar condicionado Encoders e resolvers absolutos Sistemas de controle industrial Equipamentos para exerccios fsicos (academias) Mquinas de lavar Mquinas de costura Bombas industriais Ferramentas de potncia Refrigerao Mquinas impressoras Para essas aplicaes, os dispositivos da famlia dsPIC30F contam com: 1 ou 2 pinos de deteco de falhas Variantes de 28, 40 e 64 pinos 6 ou 8 sadas de controle PWM de motor PWM complementar ou independente PWM alinha nos extremos ou no centro Amostragem AIO sincronizada para o ciclo PWM Conversor AIO de 10 bits, 1 Msps 2 ou 4 amostragens simultneas para o AIO Operao de 5 V para ambientes ruidosos Algoritmo para controle de motor
Modems atravs da rede de energia Sistemas de segurana Set top boxes Para essas aplicaes, os destaques das caractersticas exigidas so: Interface UART Software com biblioteca TCP/IP Biblioteca para Soft Modem (V3/.32bisN.22bis) Bibliotecas de encriptao Software para driver ethernet RTOS para multiconsulta
CONTROLE DE SENSORES O tamanho reduzido dos dispositivos de 18 e 28 pinos da srie dsPIC os tornam ideais para aplicaes que envolvem o controle avanado de sensores. A combinao com um conversor AIO de 12 bits, perifricos de comunicao, gerenciamento de energia e o desempenho de um DSP torna possvel o desenvolvimento de mdulos de interface inteligentes para sensores. Dentre as aplicaes possveis no controle de sensoriamento, lembramos as seguintes: Deteco avanada 2-D PIR Sensores qumicos e de gs Detectores de quebra de vidros Mdulos giroscpicos Detectores de batidas Sensores de vibrao Sensores de presso Sensores de torque Receptores de moedas Sensores magnticos Sensores ultra-snicos Para essa finalidade, as caractersticas do dsPIC que se destacam so: EEPROM de dados Capacidade de DSP Captura de entrada de alta velocidade Conversor AIO de 12 bits, 200 kbps Ferramenta visual para projeto de filtros digitais A memria flash configurvel pode atualizar algoritmos
APLICAES AUTO MOTIVAS Como fornecedor qualificado ISO/TS 16949:2002 para fabricantes de veculos, a Microchip indica os dispositivos da famlia dsPIC30F nas seguintes aplicaes: Direo hidrulica assistida eletrnicamente Caixas de embreagem eletrnicas Pr-tensionadores para cintos de segurana Cancelamento de rudo Monitores avanados de bateria Controlador de airbag Controladores de ignio Sensores Controles de presso de combustvel Para tais finalidades, as caractersticas exigidas, encontradas nos dispositivos dsPIC, so: Capacidade de DSP Cerne MCU poderoso Biblioteca para rede CAN e OSEK Um ou dois mdulos CAN 2.0B Temperatura de operao extendida Faixa de tenses de +2,5 V a 5,5 Vdc Suporte L1N atravs de UART e software Modos de operao segura Alta confiabilidade
PROCESSAMENTO DA PALAVRA Tanto o processamento da palavra como aplicaes de udio com baixa fidelidade utilizam um DSP e uma MCU para controle. Com o uso do dsPIC possvel reduzir o nmero de componentes para diversas aplicaes que envolvem o processamento de sinais de udio, tais como: Sistema de intercomunicadores Playback de palavra de alta qualidade Redes de distribuio para altofalantes Efeitos em instrumentos musicais Microfones ativados pela voz e microfones sem fio Equipamentos de teleconferncia
CONECTIVIDADE Para aplicaes envolvendo conectividade, como por exemplo as ligadas Internet, a famlia dsPIC30F oferece diversos campos de aplicao a saber: Diagnstico remoto de equipamento industrial Equipamento mdico remoto Medidores remotos de gua, luz e gs Sistemas de controle industrial Monitoramento remoto Mquinas de venda (vending machines)
14
SABER ELETRNICA
~I(RO(ONTROLADORES
Reconhecimento da palavra Fones de ouvido Secretrias eletrnicas Rdios digitais de duas vias Gravadores de voz
Para essa finalidade, os pontos crticos das caractersticas que devem ser observados so: Interface Codec: AC97 e 12S Conversor AIO de 12 bits, 200 kbps Ferramenta para projeto de filtro digital Biblioteca DSP pronta para uso Biblioteca para supresso de rudo Biblioteca para cancelamento de eco acstico Biblioteca para codificao e decodificao da palavra Biblioteca para aplicaes em reconhecimento da palavra
estar embutidas em equipamentos de diversos graus de complexidade. As principais aplicaes sugeridas so: Monitoramento de energia em servidores Monitoramento de energia em equipamentos diversos Interruptores de segurana em circuitos Deteco de arcos Unidades de potncia auxiliares Veculos eltricos Conversores AC/DC Conversores DC/DC
1 ou dois pinos de falha Freqncia PWM de 58,6 kHz com 10 bits de resoluo Operao de 5 V para ambientes ruidosos
FERRAMENTAS DE DESENVOLVIMENTO DE PROJETOS
Correo de fator de potncia Inversores No-Breaks online As caractersticas principais exigidas para essas aplicaes so: Conversor A/O de 10 bits, 1 Msps 2 ou 4 amostragens simultneas para o AIO Amostragem A/O sincronizada com o ciclo PWM 6 ou 8 sadas PWM PWM complementares ou independentes
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CONVERSAO DE POTENCIA E MONITORAMENTO
Nessa aplicaes inclumos os No-Breaks, inversores, unidades de gerenciamento de energia que podem
Diversas ferramentas para o desenvolvimento de projetos esto disponveis para os leitores que desejarem criar novos projetos com o dsPIC. (Veja o CD que acompanha esta revista para mais informaes). Na figura 3 o leitor tem um diagrama de blocos com as funes includas no dsPIC.
X-Data Bus<16-bit> V-Data Bus< 16-bit> Data SRAM upto
l/O Ports A-G Input Capture (8 ch) Compare/Std PWM
(8ch)
5 Timers 16-bit SPIThl1 SPI2
ACCA<40> ACCB<40> DSP Engine .
Prego Flash and Data EE Data Access
8Kbytes Data EEPROM
UART 1 UART2
I2C
upto
4K bytes Flash pregram Memory upto
Codec Interface f2S/AC97 CAN 1 CAN2 Motor Control PWM
16-bitALU
Legend MCU/DSP X-Data Path DSP V-Data Patch Address Patch
144Kbytes
I Quad
X-Data Bus<16-bit>
Enc Interface 12-bit AIO 10-bit AIO
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Figura 3
SABER ELETRNICA ESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005 15
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MICROCONTROLADORES
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Embedded Workbench
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IDE
Ferramenta de desenvolvimento lAR para dsPIC

emprego de um DSP nos mais variados segmentos do
I A ferramenta tambm traz o recurso do C-SPY Debugger. Com esta opo possvel "debugar" um programa desenvolvido na "linguagem C" ou assembler lAR de maneira fcil e bastante eficiente. Um outro detalhe importante da ferramenta o Backtracng, que auxilia no desenvolvimento de solues em C/EC++. O uso desta ferramenta recomendado a profissionais da rea e empresas que necessitem de uma ferramenta confivel, com excelente suporte tcnico. Dizemos isso, pois muitas so as empresas que iniciam seu desenvolvimento baseadas em aplicativos "livres" e outros. Todavia, no futuro os problemas comearo a surgir. O principal deles a total falta de suporte e responsabilidade por parte dos desenvolvedores. sempre recomendvel que empresas r;J~rR
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mercado, hoje, uma realidade. As vantagens da aplicao de um DSP em um determinado projeto so muitas, porm, o sucesso desta aplicao depende no somente da escolha correta do DSP a ser utilizado, mas principalmente da ferramenta de desenvolvimento empregada. Neste artigo, abordaremos um pouco a ferramenta de desenvolvimento da lAR para dsPIC, o DSP Microchip. Mrcio Jos Soares
A FERRAMENTA A ferramenta lAR Embedded
Workbench IDEpara dsPIC Microchip (figura 1) um item poderoso. As diferenas desta IDE para a IDE MPLAB (uma outra ferramenta, tambm utilizada por desenvolvedores dsPIC) no so muito grandes, Esto presentes os mesmos recursos para administrao de um projeto, porm com todas as vantagens oferecidas pelos pacotes lAR. Ela permite ainda que o usurio crie um projeto utilizando as linguagens C/EC++ e - ou ASM (lAR dsPIC assembler language). Veja na figura 1. Apesar da aparente simplicidade, a ferramenta bastante poderosa. Sua simplicidade em tela algo muito desejvel, uma vez que uma ferramenta com uma infinidade de "botes" e menus poderia criar o que chamamos de "pnico pr-adaptao". A idia da lAR trazer uma ferramenta bastante simples, com todos os recursos montados de forma automtica, permitindo uma maior velocidade na adaptao por parte dos novos usurios e uma maior simplicidade na operao dos seus recursos por parte do j "experimentado desenvolvedor".
16
Um recurso bastante simples, mas muito importante e que no poderia deixar de estar presente na IDE o realce de "texto e cores". Durante a montagem de um programa qualquer a ferramenta utiliza o recurso "estilo de texto e cores", permitindo uma interao maior entre o programador e o aplicativo, pois todos os comandos, variveis, textos, ete., so realados com cores e fontes diferentes.
lAR fmbedded Workbench IUE (sleve c)
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Figura 1 - lAR Embedded Workbench IDE

lAR
SYSTEMS
Ferramentas para o dsPIC

A lAR Systems oferece um conjunto de ferramentas grficas para projeto, programao e implementao eficientes para os microcontroladores PIC e dsPIC da Microchip. Elas permitiro economizar horas valiosas de trabalho e vo ajud-Io a criar um produto da mais alta qualidade.
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VSdsPIC
visualSTATE para controladores dsPIC:
Sofisticado Ambiente de Projeto que permite representar sua especificao e requisitos atravs de modelos de maquina de estados, debugar, simular, documentar e ainda sintetiza o cdigo ANSI C para o seu MCU dsPIC.
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C Compiler kit para controladores dsPIC:
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fceis de usar para aplicaes "embedded". Integra o compilador lAR C/C++, o assembler, o linker, a biblioteca, o editor de texto, o gerente de projeto e o debugger C-SPY em um ambiente integrado de desenvolvimento (IDE). Com seu optimizador chip-especfico interno, lAR "Embedded Worbench" gera o cdigo de maneira muito eficiente e confivel para a FLASH/PROMable do dsPIC. Alm da tecnologia slida, os sistemas da lAR fornecem tambm o suporte tcnico profissional em todo o mundo.
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Para instalao da mesma licena em mais de uma mquina
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Tel/Fax: (19) 3258-1118, e-mail: adolfo@iar.com
MI(RO(ONTROLADORE~
e profissionais da rea busquem ferramentas que Ihes permitam no somente o desenvolvimento, mas tambm que Ihes ofeream o suporte adequado, quando necessrio. Para nosso leitor estudante o uso e compreenso da ferramenta aqui demonstrada poder ajudar no futuro, quando o mesmo se deparar com outras IDEs da lAR, pois seja qual for o microcontrolador, o ambiente se aproxima bastante. Desta forma, ficar bem fcil "passar" em um teste exigido para uma possvel vaga de emprego. O estudo do manual EWDSPIC_ userguide.pdf poder trazer mais informaes aos leitores interessados em conhecer e se aprofundar na lAR Embedded Workbench IDE para dsPICs.
3. Preencha os campos e envie os dados; 4. Uma outra pgina ser mostrada onde existem dois nmeros: um o nmero da licena, que dever ser colocado na primeira tela da instalao e o segundo o OuickStart key, que habilita o software para uso demonstrativo; 5. Volte na apresentao multimdia, mas no feche a pgina que contm os nmeros de licena, e clique em lAR Embedded Workbench for dsPIC para abrir a tela de instalao; 6. Copie o nmero da licena e cole no campo da tela de instalao do lAR, clique em next para continuar; 7. Em outro momento o instalador ir pedir uma senha para iniciar a instalao; 8. Volte pgina da lAR (registro), copie o OuickStart e cole-o na tela de instalao; 9. A prxima tela a ser demonstrada permitir que voc escolha o subdiretrio onde o aplicativo ser instalado. O uso do "default" recomendvel. Clique em "next" para continuar;
10. Em seguida ser solicitado o tipo de instalao: "Full" ou "Personalizada". Recomendamos a opo "Full" para os usurios sem experincia com as ferramentas lAR. Clique em "next" para continuar; 11. A prxima tela configura as pastas no menu "Iniciar". Clique em "next" para continuar; 12. Em seguida so demonstradas as opes selecionadas de instalao. Clique em "next" para continuar. Passadas estas etapas, o programa ser instalado e uma pasta ser adicionada no menu Iniciar. Para executar o aplicativo, clique em "Iniciar -> lAR System -> lAR Embedded Workbench for dsPIC evaluation version -> lAR Embedded Workbench". No CD tambm inserimos uma cpia do lAR Visual State 5.1 (figura 2). A instalao desta ferramenta tambm recomendada. Ela auxiliar na criao e documentao de um projeto.
INSTALAO A instalao da ferramenta muito simples. Para instal-Ia em seu PC, siga os seguintes passos: 1. Antes de instalar o lAR, necessrio obter o nmero da licena, para isso, necessrio ter uma conexo com a Internet; 2. Clique em Pgina de Registro para ir ao site da lAR;
CONClUSO As ferramentas de desenvolvimento, hoje, trazem uma srie de recursos e facilidades aos desenvolvedores. Aproveitar esses recursos pode significar um ganho de "horas tcnicas" durante o desenvolvimento de um produto, e este ganho em horas no laboratrio ser refletido nos custos finais do produto e tambm no tempo para insero do mesmo no mercado. Estas variveis podem representar uma economia significativa para a empresa. Para o desenvolvedor, as facilidades e recursos permitiro a aplicao da mesma em mais de um projeto num mesmo perodo, demonstrando assim maior eficincia ao seu empregador. Seja qual for a sua "posio neste jogo", garanta o mximo de recursos para ser um vencedor! Bons testes!!!
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18
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
N 11/SETEMBRO/2005
CIRCUITOS PRTICOS
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411~ ill)~ ::.

Newton C. Braga
MSOP de 8 pinos conforme mostra
flliYl][P[bD~rn ~ WJW
circuito apresentado vem da prpria Microchip, como aplicao direta do circuito integrado TC4864, um amplificador de 300 mW para baixa tenso com modo Shutdown. Trata-se de um circuito ideal para aplicaes portteis com alimentao
de 2,7 V a 5,5 V.
8-PinMSOP
o circuito apresentado na figura 1 sugerido pela prpria Microchip, consistindo em um amplificador de 300 mW para cargas de 8 ohms. Conforme podemos ver, trata-se de uma configurao em ponte que pode ser alimentada diretamente por uma tenso de 5 V para fornecer a potncia indicada. A distoro harmnica de apenas 1%, e a principal caracterstica deste circuito o reduzido nmero de componentes externos requeridos. O circuito integrado da Microchip TC4864 formecido em invlucro
a figura 2.
De acordo com essa figura, o circuito conta com uma entrada shutdownque, levada ao nvel alto, coloca o circuito numa condio de baixo consumo. Nessas condies, a corrente drenada para o circuito cai para 0,11JA (tip). A corrente quiescente de 4,1 mA (tip), com uma faixa passante de 100 Hz a 20 kHz (+/- 0,25 dB). A impedncia de entrada de 20 kohms e a sensibilidade de entrada para plena potncia de sada de 1 Vrms.
VREF 2 TC4864 IN+ 3 EUA
7 GNO 6 VOO
IN- 1~8 SHON 4
5 V01 V02
Figura 2
Voo RF 20 kO
Entrada de udo
Cs
0,1
411N-
~lF:r:
6
Vo115
1
OFF
311N+
CfT-Ics 0,;9~lF
21VREF
RL
80
Vo218
CB 1 ,O uF ..,.
Controle shutdown
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Figura 1 SABER ELETRNICA ESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005
19
DESENVOLVIMENTO
----50%Em edies anteriores levamos aos leitores selees de circuitos de divisores de freqncia TIL e CMOS, com aplicaes envolvendo nmeros pares e mpares. No entanto, ficou claro que na maioria dos casos, as divises, principalmente por nmeros mpares, no resultavam em sinais com 50% de ciclo ativo. A forma de obter-se diviso por nmeros mpares com 50% de ciclo ativo
As formas de onda obtidas so dadas junto ao diagrama bsico, observando-se que, realmente, no temos um ciclo ativo de 50% mas menor (33%). Colocando um f1ip-f1op a mais e duas portas (ANO e NOR), podemos facilmente alterar o circuito original e com isso obter um sinal com 50% de ciclo ativo, conforme ilustra a figura 2. Evidentemente, a freqncia mxima de clock deve ser calculada em funo do tempo de trnsito do sinal pelos trs fip-flops. b)Divisor por 6 Acrescentando um flip-flop J-K podemos fazer uma diviso adicional por 2, veja a figura 3. No entanto, para manter o ciclo ativo de 50% preciso contar com
o assunto
deste artigo. Newton C. Braga
A utilizao de f1ip-f1ops e alguns elementos adicionais permite a diviso de freqncia de sinais retangulares por qualquer nmero inteiro com facilidade. Entretanto, as configuraes mais conhecidas no fornecem sinais com 50% de ciclo ativo, ou seja, o tempo no nvel alto no igual ao tempo no nvel baixo. Em muitos casos, isso no um fato relevante, todavia, existem aplicaes sensveis a isso e a necessidade de um circuito com ciclo ativo de 50% pode ser absoluta. Vejamos como implementar de forma simples, A B C
usando como base flip-flops do tipo O (tanto TIL como CMOS), divisores com sinais quadrados (50% de ciclo ativo). a) Divisor por 3 Na figura 1 mostramos a configurao tpica de um divisor por 3, feito da forma tradicional com dois f1ipflops e uma porta ANO.
50% O-Q~D
C O
C O
CIcio ativo
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Saida
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Orn
O" ,1/2
Figura 1 20
DESENVOLVIMENTO
portas adicionais conforme mostra a mesma figura. Nela, temos as formas de onda obtidas nos diversos pontos, observando-se os pontos em que os sinais no tm os ciclos ativos de 50%. c) Divisar por 9 A diviso por 9 com um ciclo ativo para o sinal de sada de 50% exige um circuito mais complexo. Esse circuito apresentado na figura 4. Veja, ento, que so necessrios flip-flops do tipo O e tambm flip-flops do tipo F. As formas de onda dos diversos pontos, inclusive aqueles em que o ciclo ativo no 50%, so mostradas na mesma figura. d) Divisar por 12 A diviso por 12 pode ser implementada com o uso de 4 flip-flops tipo J-K e algumas portas ANO adicionais, conforme exibe a figura 5.
Figura 3
Q
A B
Figura 4
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
N 11/SETEMBRO/2005
21
DESENVOLVIMENTO
As formas de onda obtidas nos diversos pontos do circuito so ilustradas na mesma figura. Observe que existem diversos pontos em que os ciclos ativos so bem diferentes dos 50%.
nicas de projetos digitais, principalmente o manuseio dos Mapas de Karnaugh, poder implementar
facilmente divisores para outras freqncias, com ciclos ativos de 50% para os sinais de sada.
Sada
CONCLUSO Os circuitos bsicosKaqui apresenCLK HII tados se aplicam s tecnologias TIL e CMOS, bastando levar em conta as caractersticas de cada um. Em especial devem ser observadas as velocidades mximas de operao, que iro determinar justamente a freqncia mxima do sinal de entrada. Para os circuitos CMOS, essa velocidade est intimamente ligada tenso de alimentao e no caso dos TTL, o leitor que precisar de velocidades maiores poder contar com as diversas subfamlias. Considerando o modo como os f1ip-f1ops e demais funes so usadas, o leitor que domine as tcC BoJ Sada AO Co
A J o~IJ J K O
CLK
B C
50%
cJ r---c
I
Figura 5
OSCILADORES
SENOIDAIS
Transistores equivalentes aos indicados podem ser usados, e o resisto r de emissor deve ser ajustado para se obter o mnimo de distoro do sinal de sada. . Observamos que se trata de circuito algo crtico e que, eventualmente, alteraes dos componentes podem ser necessrias para se obter seu correto funcionamento.
+
Osciladores de baixa freqncia que produzam sinais senoidais so necessrios em muitas aplicaes. No entanto, conseguir um bom circuito que gere um sinal de baixa distoro no muito fcil. Apresentamos um exemplar que pode ser de grande utilidade para os leitores.
O circuito apresentado na figura 1 gera um sinal de aproximadamente 300 Hz, quando alimentado por tenses na faixa de 6 a 15 V. A configurao bem conhecida. Trata-se de um oscilador por deslocamento de fase, onde a rede formada pelos resistores e capacitores entre o coletor e o emissor do transistor proporciona uma defasagem de 180 graus no sinal. Essa defasagem fundamental para se obter uma realimentao positiva que mantenha as oscilaes.
22
Newton C. Braga
Os resistores dessa rede podem ficar entre 6,8 k ohms e 15 k ohms, tipicamente, e os capacitores vo determinar a freqncia.
47nF
47nF
47nF
I-os~a
10 "F
~~
Figura 1
Rel programvel SMART. Com o Smart voc poder montar quadros de comando onde normalmente ainda eram utilizados rels, e a utilizao de um CLP era lnvivel devido ao custo. Modelos com 6 entradas e 4 saldas ou 12 entradas e 8 sardas. Alimentao e entradas em 24VCC ou 110/220VCA e as saldas do tipo rel 10A/250VCA ou transistor PNP O,3A/24VCC. Modelos analgicos tambm disponrveis. Todos com 20 blocos de funes e com memria de 127 blocos, relgio e calendrio em tempo real e porta de comunicao. Modelos AF-1 OMR e AF-20MR disponlveis com ou sem teclados. Saiba muito mais ligando para a Metaltex.
ENERGIA
PROTETORES DE SURTOS DE TENSO (TVSS)

Funcionamento dos principais tipos e aplicaes
Com o aumento constante da escala de integrao dos circuitos h, tambm, um aumento nos cuidados a serem tomados quanto ao pico de tenso. Esse fenmeno pode ser originado por vrias causas, e seus efeitos, na maioria das vezes, so catastrficos integridade dos equipamentos. Neste artigo vamos estudar um pouco sobre a tecnologia e cuidados na aplicao dos dispositivos de proteo contra surtos de tenso.
Alexandre Capelli
SURTOS DE TENSO Os surtos de tenso podem ter duas origens distintas: interna ou externa. Os surtos de tenso internos, geralmente tm as seguintes causas: Comutao de cargas indutivas; Faiscamento ("Flashover"); Interferncias causadas por acoplamentos capacitivos ou indutivos com outros componentes (por exemplo, comutao de banco de capacitores para correo do fator de potncia); Descargas eletrostticas (ESD). J as causas externas para surtos so: Acoplamento eltrico a potenciais mais altos; Comutaes na rede de alimentao; Descargas atmosfricas; Interferncia indutiva (se um curto-circuito ocorrer numa linha de fora particularmente onde o neutro aterrado, tenses muito altas podem ser induzidas em linhas adjacentes); Interferncia causada por campo magntico interno (provocada, por exemplo, pela queda de um raio em rea prxima ao equipamento). A magnitude de um raio pode chegar a 400 kV,valor alto o suficiente para danificar at mesmo uma linha
24
de alta tenso (13,8 kV). Sua curva tpica pode ser vista na figura 1. Notem que o pico mximo ocorre no intervalo de 10 IJs, com durao levemente superior a 40 IJs.Reparem que trata-se de um fenmeno bem mais lento que uma descarga eletrosttica, cuja durao da ordem de nanossegundos (figura 2).
TVSS (TRANSIENT VOLTAGE SURGE SUPRESSOR) Os protetores de surto tm o nome genrico de TVSS (Transient Voltage Surge Supressor) e podem ser de vrios tipos (varistores, contelhadores a gs, diodos supressores e circuitos combinados).
% do valor de pico
VARISTORES Os varistores so resistncias no lineares dependentes da tenso, com caractersticas logartmicas definidas de tenso e corrente, conforme pode ser observado na figura 3. A elevao de tenso reduz a resistncia e, conseqentemente, aumenta a corrente. O varistor um dispositivo para proteger contra transientes que se comporta como dois diodos zener conectados "back-to-back" (figura 4). Na ausncia de sobretenso, a resistncia do varistor bastante elevada, como um circuito aberto. Entretanto, na ocorrncia de um transiente, sua resistncia cai drasticamente (Z < 1 O), mantendo a tenso entre os terminais em valores baixos. O "excesso" de tenso dissipado em forma de calor (figura 5). A curva caracterstica de um varisESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005
10
20
Tempols)
30
40
Figura 1
Corrente
I aI 60 ns --~~~~---~------~60nS-.. at 30 % 10 I Tempo (durao do pulso) Figura 2
nsl:uuu-..'
SABER ELETRNICA
ENERGIA
Capa
Eletrodo
Disco
210
190
./
170
/I
I
.d'~mi'_
Terminal Figura 7
150
130
10
(mA)
Corrente Curva caracterstica V x I de um varistor de ZnO

Figura 3
Microestrutura
Circuito equivalente varistor do
e Conduo
Figura 9
O varistor constitudo de uma pastilha cermica ligada atravs de dois eletrodos de prata (figura 7). A figura 8 ilustra sua microestrutura. H, basicamente, dois tipos de varistores no que se refere composio: varistores de xido de zinco, e carbeto de silcio. Conforme podemos notar atravs da figura 9, h uma sensvel diferena de performance entre ambos. Quanto menor o valor de ~ (fator de mrito que pode ser determinado pela inclinao da curva V x I do varistor), melhor ser o desempenho do componente, isto porque uma
grande variao no valor da corrente provocar uma pequena variao no valor da tenso. Para varistores de carbeto de silcio, ~ est em torno de 0,17 e 0,4 e para varistores de xido de zinco, de 0,03 a 0,1. O tempo de resposta dos varistores de xido de zinco bem pequeno e com uma alta capacidade de absoro de energia. A identificao das caractersticas do varistor em seu invlucro varia de acordo com o fabricante. Na figura 10 temos um exemplo da EPC08. Notem que a designao 820 pode
Figura 4
tor, bem como seu smbolo, podem ser vistos na figura 6.
rr--rr
1\
Varistor
t~nergia em dissipada calor
de
Limite tenso
Iprotegida Carga
correntel
-Eletrodo
a ser
Figura 5
t
Curva de no linearidade de um varistor B
d = largura da cermica
SIC
0.=5
~ 3,5 v
200 400 600 800
vf-- ~
I
05 :
.1,0:
Smbolo
.1,5:
Tenso de Trajetria da corrente Figura 8 operao
2 ,o:'-mxima I , Figura 6
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
N 11/SETEMBRO/2005
25
ENERGIA
StandarD
AdvanceD
SuperiorR
Figura 10
PEN
vir sozinha, com um trao abaixo e com um trao acima. Isso significa, respectivamente, verso Standard, srie avanada, ou superior "R". A letra K antes do nmero (que representa a tenso nominal do componente, no exemplo 275 Volts) a tolerncia. Nesse caso temos: K = 10%; L = 15%; M = 20%. Os nmeros abaixo do trao (0009) representam a data de fabricao. Os dois primeiros o ano (00 = 2000) e os dois ltimos a semana (09 = nona semana do ano 2000).
Figura 12
Instalao
O varistor deve ser instalado em paralelo com a carga a ser protegida. Para redes monofsicas o processo muito simples (figura 11). Quando lidamos com redes trifsicas, porm, tanto a sobretenso entre fases, como a sobretenso entre fase e terra / neutro devem ser contempladas (figura 12).
disruptiva caracterstica de um centelhador depende do meio ambiente no interior dos eletrodos. Se o interior do invlucro preenchido com gs, a tenso disruptiva funo de sua presso. Se o centelhador do tipo aberto (ar), a tenso disruptiva pode variar com a umidade e com grau de poluentes no local de instalao. Os centelhadores a gs consistem de um tubo contendo gs inerte, o qual sob condies normais de operao apresenta caractersticas de um circuito aberto. Contudo, na ocorrncia de um transiente, o gs se ioniza permitindo a passagem de corrente. O gs permanece ionizado at que a corrente caia a um valor denominado "holding currenf' especificado para cada tipo de centelhador. A figura 13 mostra a curva caracterstica de operao do centelhador. Devido sua caracterstica de operao, os centelhadores so extensivamente usados nas redes telefnicas para proteo contra descargas atmosfricas. Eles no necessitam de manutenes e possuem um tempo de vida til em torno de 30 anos. Se comparados a outros dispositivos, os centelhadores so um tanto insensveis, j que so necessrios aproximadamente 700 V para provocar a ionizao do gs
interno do tubo. Estes dispositivos podem manejar correntes transientes bastante elevadas (at 60 kA) devido s caractersticas de descarga em meio aquoso. Quando atuam, provocam no sistema oscilaes de alta freqncia. Alm disso, a sua atuao seguida muitas vezes da conduo da corrente de carga terra, denominada corrente subseqente, provocando um curto-circuito monopolar que deve ser extinto por uma proteo de retaguarda. Uma das vantagens dos centelhadores a gs sua baixa capacitncia, o que no interfere no funcionamento dos equipamentos quando so atravessados por correntes de alta freqncia.
DlODOS SUPRESSORES DE TRANSIENTES Para atender s exigncias dos avanos tecnolgicos, foram desenvolvidos dispositivos de silcio para proteo que apresentam rapidez de resposta e caractersticas de comportamento bastante definidas. Um desses dispositivos o Diodo Zener. Ele um elemento de dupla camada que, quando polarizado diretamente, funciona como um diodo comum. Entretanto, quando polarizado reversamente, este diodo apresenta um "joelho", ou seja, uma mudana repentina em sua caracterstica V x I. Isso ocorre em um determinado valor de tenso conhecido como "tenso zener". Da, a tenso atravs do diodo se mantm essencialmente constante para qualquer aumento da corrente reversa at um limite de dissipao. A figura 14 ilustra as caractersticas direta e reversa de um diodo zener projetado para atuar em 6 V. Esta figura mostra que, para diodos com tenso zener acima de 40 V, medida que a corrente atravs do dispositivo varia, a curva de tenso torna-se mais resistiva. Assim, para um bom desempenho, os diodos zener esto restritos a baixas tenses. Estes diodos no so capazes de dissipar altas energias e necessitam de um resistor em srie para limitao
Centelhadores a Gs
So dispositivos formados por dois ou trs eletrodos internalizados em um tubo de cermica ou vidro e separados por uma distncia pr-determinada. Os centelhadores podem conduzir correntes de fuga, cjependendo da tecnologia que o fabricante usa na manufatura do invlucro. Alm do mais, a tenso
V(ignio) (ionizao do gs)
Carga
Vqueima Tempo do centelhador
Curva caracterstica
Figura 11
26
Figura 13
SABER ELETRNICA
ENERGIA
1000 Regio do zener
- 40V V
f
f J J f
J
*
'
Regio normal
- 6V Uag 0,7
,--r
If I
_l!q
diodo UB +V u(V)
800 "
,, --,
, / Uas
------ ----- -- --
IT
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 t(ps) 1,2 de resposta de um circuito em paralelo direto quando este limita uma onda de choque de tenso Figura 15
/
J J f
I I
r
do dodo zener 14
600
400
Curva caracterstica Figura
200
da corrente. Alm disso, no possuem uma caracterstica simtrica, ou seja, se conectados de forma errada no protegem o circuito.
Comportamento
CIRCUITOS COMBINADOS Circuito Paralelo Direto: Centelhador Varistor A figura 15 apresenta o comportamento da resposta de um circuito em paralelo direto quando este limita uma onda de choque de tenso de 1 kV / 1 ~s de amplitude 3 kV (queda de um raio). A sobretenso alcana o valor Ud (varistor) de 450 V e sem o varistor, o surto se elevaria at 750 V. Com a ionizao do gs do centelhador, obtemos uma tenso
de 15 V.
do centelhador aplicada a uma rede de baixa resistncia. Devido queda de tenso nos varistores ser quase constante, a tenso resultante no centelhador chega a ser inferior a sua tenso de arco. Com isso, est garantida a extenso do centelhador. Podemos ver atravs das figuras 17 e 18, o comportamento do cente-
Associao
srie varistor-centelhador Figura 16
V . U 800 600 400
I.~
O centelhador se encarrega, portanto, da proteo. Os centelhadores a gs no devem ser utilizados com um nvel de proteo inferior a 70 V por motivos baseados na fsica dos gases. No se deve utilizar portanto, um varistor para um circuito em paralelo direto com um nvel de proteo inferior a 100 V, caso contrrio no O se alcanaria a tenso de centelha do centelhador. O circuito protegido possui uma tenso contnua de 225 V. O centelhador possui uma tenso contnua de 225 V. O centelhador possui Vg = 350 V e Vas = 750 V. O varistor o S07K175.
tr
2
Centelhador
4
operando individualmante Figura 17
ps
..
600800 400 200
~lS .,.u I I 2 tr I_~_a_~ VI I
4 8 6
Circuito em Srie: Centelhador Varistor A figura 16 exibe um circuito apropriado para assegurar a extenso
Operando em conjunto (srie) com centelhador/varistor Figura 18
27
ENERGIA
/ 1
o
Ihador sozinho e com um varistor
2 o 4 2 6 o 8
em srie. Observe que 10 tenso a desce somente at o nvel de proteo (aproximadamente 400 V) do varistor. Podemos concluir que: "em associaes paralelas (varistor x centeIhador), o varistor por sua maior velocidade de reao, fica a cargo da proteo fina, e o centelhador, por sua maior capacidade de carga, da proteo grossa. Em associaes sries (varistor x centelhador), o centelhador que determina as propriedades eltricas de um circuito combinado em condies normais. No caso de sobretenso, o varistor determinar essas propriedades".
(Coei ma, 1988:26)
1 202 flS flS o 400 00L 600 1 200 300 1 500 100 400 4 200 2 300 3 100 1 40 kV/flS ,'1 60 o500 600 o00IV V 6 V
i
~
Influncia de um raio em cabo telemtico protegido pelo conjunto centelhador -varistor -diodo
Figura 19
Tenso
o oc Apresentaremos a seguir, na Forma Sem filtro C .ctl 0----0 ~ 0----;:;-0 ~ Tempo-. Capacitar aplicado 0----0 ~ Tempo-' figura 19, um protetor hbrido tpico, inicial Surto Tempo -. Varistor contendo um centelhador no primeiro varis~:rl estgio, varistor no segundo e o Tempo-. diodo zener no terceiro. O centelhaTe,,'o dor, mais lento, porm com maior capacidade de absorver energia, faz o primeiro corte em aproximadamente 600 V. A seguir o varistor atua reduzindo para 150 V de tenso mxima, que ainda um valor muito alto para a carga a ser protegida. Ento o diodo atua reduzindo o transiente para cerca de 30 V, o qual pode ser absorvido pelo circuito sem danos. Na figura 20 podemos ver um "filtro de linha" equipado com um varistor e um indutor. Porm, Figura 21 necessrio que se tenha cuidado ao utilizar apenas capacitores como um Concluso aqui explorados, uma falha ou defeito protetor de surto. A figura 21 ilustra pode ocorrer. A inteno reduzir sigo que ocorre em trs situaes nificativamente as chances. Enviem distintas: ausncia de proteo, Nenhuma proteo pode garantir suas crticas e sugestes sobre esta proteo com simples capacito r e 100% de confiabilidade. Portanto, mesmo com as tcnicas e circuitos matria para nossa Redao. proteo a varistor.
rJJ
CJ
rJJ
c>
j __ [O
Figura 20 28
ENERGIA
M[Kl~m~
Como feita uma norma tcnica?
m[LWO
Normas NBR 5410 e NBR 5419, tcnicas, e segurana

Penso que a resposta dessa pergunta nem sempre clara no dia-a-dia do profissional de Eletroeletrnica. Genericamente "falando", uma norma contempla a segurana do ambiente onde um dispositivo, sistema, equipamento, ou mquina, est instalado. A NBR 5410, por exemplo, uma norma que dita boas prticas das instalaes eltricas em baixa tenso sob o aspecto de segurana do indivduo e da planta da instalao. Claro que assim, todo o ambiente torna-se mais seguro para os circuitos instalados. Essa, porm, no a prioridade. Neste artigo vamos entender melhor isso, e fazer uma anlise sobre os principais tpicos do aterramento eltrico, e SPDA. Alexandre Capelli
1 - TIPOS DE ATERRAMENTO SEGUNDO A NBR 5410, E SEGURANA A Redao da Revista Saber Eletrnica ficou surpresa com os dados recolhidos sobre segurana nas instalaes eltricas. Eis os mais "impactantes": - Entre 2002 (abril) e 2003 houve um crescimento de quase 1,4 milho de novas ligaes eltricas s na regio nordeste do Brasil. - Em Pernambuco, segundo estudo feito pelo NSHT (Ncleo de Segurana e Higiene do Trabalho), ocorre uma morte por choque eltrico a cada trs dias. O perodo de anlise aconteceu entre 1996 a 2003, e foi coletado no banco de dados de registro de bitos desse Estado. - 82% dos usurios de energia eltrica, entretanto, julgam ter conhecimento suficiente sobre segurana, o que contrasta muito com a realidade. - 49% das 217 residncias pesquisadas, e que utilizam acessrios como derivadores ("benjamins") no traziam sequer gravado a potncia nominal. Isso tambm foi constatado nas chamadas "extenses". -Apenas 8% das residncias possuem disjuntores residuais (DR), exigncia da NBR 5410 desde 1997.
- Quanto ao aterramento, menos da metade est em conformidade com a norma, e 77% dos entrevistados (simples usurios, e profissionais da rea) manifesta. desconhecimento do assunto. Um cenrio interessante, e que arrisco dizer que o mesmo no restante do pas. Antes de tratarmos do aterramento eltrico em si, vamos observar uma sntese do sistema de gerao, transmisso e distribuio da energia eltrica (figura 1). Depois de gerada, a tenso elevada a nveis que variam de 13,8
kV a 750 kV para a transmisso. Quando as linhas chegam prximas as reas de consumo, um segundo transformador, agora redutor, abaixa a tenso do que chamamos rede primria (que vai at 750 kV) para a rede secundria da distribuio (geralmente 13,8 kV). Ento, os transformadores dos postes abaixam a tenso mais uma vez para amplitude comercial (440 VCA, 380 VCA, ou 220 VCA), em redes trifsicas ou monofsicas. Quanto ao aterramento eltrico, a NBR 5410, norma que regula as instalaes eltricas de baixa tenso, permite quatro arquiteturas possveis.
Fase
Mdia tenso 127V 13,8 kV
Neutro
Figura 1
29
ENERGIA
- Aterramento TN-S No sistema TN-S (figura 2) as trs fases e o neutro seguem para a carga, e um condutor separado, tambm conectado haste de aterramento, denominado PE (proteo eltrica) o fio terra.
mesmo condutor, agora chamado PEN, que se separa em terra e neutro apenas prximo carga. Isso feito por razes de facilidade de implementao, uma vez que no so precisos dois cabos distintos desde a origem. As vantagens e desvantagens do TN-C so as mesmas do TN-S. - Aterramento TT O sistema TI, tambm conhecido como terra independente, possui duas hastes distintas, uma plra aterrar o neutro, e outra para servir de fio terra (figura 4).
Sistema
IT
Figura 5
PE
Sistema TN-S
Figura 2
"Qual a diferena entre o P e o neutro, se ambos tm a mesma origem?" A diferena entre o PE e o neutro que pelo terra no circula corrente, e pelo neutro sim (a corrente de "retorno"). - Vantagem desse sistema: Devido equipotencializao (terra e neutro na origem), no instante de uma descarga atmosfrica, no haver o surgimento de d.d.p. entre a rede e o dispositivo devido ao loop de corrente. - Desvantagem: Por ter a mesma origem, um equipamento pode interferir no outro atravs do PE (por exemplo, uma mquina de solda eltrica). - Aterramento TN-C O sistema TN-C (figura 3) assemelha-se ao TN-S. A diferena que terra e neutro seguem atravs do
PE
Sistema
TT
Figura 4
" O que isso significa na prtica?" "Grosseiramente", que melhor um mdico levar um choque eltrico do que um disjuntor desligar um aparelho de respirao artificial. Para auxiliar o leitor na interpretao das siglas dos sistemas de aterramento eltrico, a seguir temos um glossrio: T - Indica que a fonte tem uma ou mais partes diretamente aterradas, isto , aterradas diretamente no eletrodo de terra. l-Indica que a fonte est aterrada via impedncia ou que no est aterrada.
A segunda letra indica o arranjo de terra na carga. N - Toda parte metlica conectada diretamente ao neutro, o terra da carga ligado ao eletrodo de terra do neutro. A terceira e a quarta letras indicam o sistema de aterramento da carga: S- Condutores neutro e terra so separados; C - Um nico condutor para neutro e terra. Outras simbologias: PE - protectve earth, condutor terra ou condutor de proteo. PEN - protective earth and neutro, condutor terra ou de proteo juntamente com o neutro e terra.
- Vantagens: No h interferncia entre equipamentos, pois cada um tem seu prprio terra. H, dependendo da planta, maior facilidade de implementao. - Desvantagem: A principal desvantagem desse sistema a susceptibilidade ao surgimento de d.d.p em nveis perigosos entre a fonte e o equipamento no instante de descarga atmosfrica devido ao loop de corrente. Uma forma de contornar essa desvantagem utilizar dispositivos de proteo contra descargas (supressores de transientes) entre neutro e terra. - Aterramento IT O sistema IT (figura 5) de uso bem restrito, e se trata do aterramento atravs de uma impedncia, geralmente, proporcionada por um indutor. Essa tcnica utilizada com freqncia na rea da Sade (salas cirrgicas, UTI, etc.) onde o fornecimento de energia eltrica tem prioridade sob qualquer outro parmetro.
2 - HASTES E CLCULO DO VALOR DO ATERRAMENTO Basicamente, podemos prover o aterramento eltrico atravs de hastes, de malha, ou ferragens da estrutura e fundao da planta.
PEN
Sistema TN-C
Figura 3 30
SABER ELETR6NICA
ENERGIA
Caso o solo tenha uma condutividade ruim, mais de uma haste pode se fazer necessria. Uma tcnica lig-Ias em linha (figura 6).
Ar
A figura 7 mostra a forma triangular, e a figura 8 a quadrada.
- -d
r--""f"U-. I I I
tu-t---.I I I
I I .-n4---4 I
~
Figura 8
Hastes em linha Figura 6
Para uma nica haste, a resistncia pode ser calculada atravs da frmula: R=~ In (2h/a) [01 21th Onde; h = profundidade da haste em metros, e a = raio da haste em meM"os. Vamos a um exemplo prtico: Qual a resistncia de uma haste de comprimento 2,40 m e raio de 0,50 cm em um solo arenoso seco de resistividade igual a 1000 O.m? Resposta: pa = 1000 O.m h = 2,40 m a = 0,005 m R = 1000/2x3, 14 x 2,40 In (2x 2,40/0,005) = 455,4 O Para vrias hastes; o valor pode ser calculado atravs da frmula: R = --Illi- (In (2h/a) + h/d) O 41th Onde; d = distncias entre barras, em metros. Caso a resistividade do solo seja alta, uma tcnica para conseguir um bom valor de terra (R < 10 O) agrupar as barras formando polgonos.
3 - TRATAMENTO QUMICO DO SOLO
"E .o que fazer quando a resistncia continua alta mesmo com vrias hastes?"
A soluo fazer o tratamento qumico do solo.Trata-se de um gel de composio salina, de boa condutividade, e que fica aglutinado ao redor da haste reduzindo significativamente a resistncia do aterramento eltrico. A figura 9 ilustra a seqncia dos passos para executar o tratamento do solo. Cabe lembrar que, embora eficiente, essa tcnica exige um monitoramento constante atravs de medies regulares, pois a terra pode absorver o produto ao longo do tempo, fazendo com que a resistncia volte a aumentar.
4 - MALHA DE ATERRAMENTO E TI
"O tratamento qumico do solo
a nica forma de reduzir a resistncia?"

No. Existe a possibilidade de se utilizar a malha de terra (figura 10). Conforme podemos observar, um conjunto de condutores (geralmente de cobre) entrelaados na forma de uma rede. Ela deve ser colocada sob o solo na camada de mais baixa resistividade. Geralmente, a malha ocupa grande parte do subsolo da planta, e no raro todo ele. Essa soluo, entretanto, s vivel se j contemplada na construo do imvel. Na figura 11 podemos ver como ela pode ser utilizada nos equipamentos de tecnologia da informao
m
SABER ELETRNICA
.----e----.
I I
l \
I
I~ \ \
Figura 9
Figura 7
ESPECIAL
(TI), onde mltiplos pontos de terra so usados (malha, viga de ao, e ferragem de concreto armado). Essa tcnica reduz bastante a resistncia de aterramento, e mantm o sistema
31
NQ11/SETEMBRO/2005
ENERGIA
//
Figura 10
equipotencializado, evitando tenses perigosas em descargas atmosfricas por loop de corrente. "Como devo conectar o ponto de terra no meu quadro de entrada?" Duas formas so possveis. A figura 12 exibe a conexo para o sistema estrela e para o delta. Notem que h uma barra para o neutro e outra para o terra no sistema estrela.
Figura
11
5 - SISTEMA DE PROTEO CONTRA DESCARGAS ATMOSFRICAS E NBR 5419 Para considerarmos uma instalao segura alm da NBR 5410, temos de observar a norma que rege o sistema de proteo contra descargas atmosfricas, tambm conhecido como SPDA, a NBR 5419.
Antes, porm, vamos tratar um pouco sobre o raio.A figura 13 mostra os picos de corrente ao longo do tempo de uma descarga atmosfrica tpica. Podemos reparar que a amplitude chega incrvel magnitude de 200.000A.
10 kAa 200 kA
O primeiro aspecto da norma o quadro de entrada da energia eltrica. Conforme podemos observar pela figura 14, a cabine de entrada tem seu terra equipotencializado com o quadro de distribuio e pra-raios. Esse, por sua vez, equipado com protetores de surto.
10 kAa 100 kA
Impulsos
800 A
1,2 ps
1 ms . ::; 500 ms
Tempo .... Figura 0,25s::;t::;1s 13 ...
SPOA SPOA 13,8 kV 480 V
a c
~440 V
Fases
I GGElI&d I
b
T T T T
Estrutura
Barra de terra
.T__
T __
T __
T-
.T__
T __ Figura
T __ 14
T __
T __
T __
Malha de terra
Figura 12
32
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
NQ11/SETEMBRO/2005
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Teklronix /
ENERGIA
Quanto ao pra-raios, o mais importante compreender que sua instalao no facultativa. Ela pode ser obrigatria em funo das caractersticas da regio, e de origem legal. Geralmente, a rea a ser protegida conta com um fator de segurana, correspondente a, no mnimo, trs vezes mais a altura do imvel (h) (figura 15).
Tipo de ocupao
Casas Casas com antenas externas Fbricas e laboratrios Escritrios, Shoppmg, hotis, apartamentos estdios, exposies
Fator A
0,3 0,7 1,0 1,2 1,3
Nvel de proteo
rI
111 IV
Efcnca 98% 95% 90% 80%
Escolas e hospitais
1,7 Fator
0,2
Tabela 2
------.---
Marenal de construo
Metal revestido. Concreto no metlico cob. no metlico
Metal ou concreto cob. metlica
0,4 0,8
1,0 1,4 1,7
_th
Alvenaria Madeira Alvenaria ou madeira clcob.metlica
c.J
mais alto o pra-raios, menor o ngulo, e, conseqentemente, tanto maior o nvel de proteo (figura 16). O volume slido da regio protegida por dois pra-raios pode ser visto na figura 17.
Edificao de proteo
Cobertura
de palha
2,0 Fator
0,3
Drea
c;ontedo
Comum, sem valor Sensvel a danos Subestao, gs, Telecom.
Figura 15
0,8
1,0 1,3 1,7
"Como possvel saber a obrigatoriedade (ou no) do uso de um pra-raios?" Atravs de um clculo de probabilidade, denominado "Po", e que funo de 6 fatores (A,S,C,D,E,e P). Assim: Po=PxAxBxCxDxE Onde P = probabilidade de queda de raios na regio, e pode ser obtido em qualquer rgo da regio (SIVAM, ISGE, entre outros). Os fatores A,S,C,D, e E dependem da ocupao da regio. A tabela 1 mostra os respectivos valores para cada situao. Se Po < 0,00001 o pra-raios desnecessrio. Se Po for maior que esse valor, deve ser instalado um sistema de pra- raio. A NSR 5419 relaciona 4 nveis de proteo relacionados com as estruturas como relacionado abaixo: o Nvel 1- Destinado s estruturas nas quais uma falha do sistema de proteo pode causar danos s estruturas vizinhas ou ao meio ambiente. Ex: depsitos de explosivos, materiais sujeitos exploso, material txico ao meio ambiente, etc. o Nvel 11- Destinado s estruturas cujos danos em caso de falha sero elevados ou haver destruio de bens insubstituveis el ou de valor histrico, mas em qualquer caso se restringiro estrutura e seu conte34
Museu e monumentos Escolas e hospitais
~
Nve/IH25 55 45 <30m <45m 35 35 45 25 <60m <20m
. .
L.ocalizao II IV
Semi-isolada Isolada
III I
Fator
0,4
.'
Rodeado por rvores ou estruturas
1,0 2,0 Fator

0,3 1,0 300 a 900 m. 1,3 1,7
Topografa
Plancie Colina Montanha, Montanha
Figura 16
acima de 900 m.
Fatores A,B,C,D,E de atrao de raios. Tabela 1
do. Ex: Museus, escolas, ginsios esportivos, estdios de futebol, entre outros. o Nvel 11I - Destinado s estruturas de uso comum, como residncias, escritrios, fbricas sem risco de exploso. o Nvel IV - Destinados s estruturas construdas de material no inflamvel, com pouco acesso de pessoas. Ex: depsitos em concreto, e com contedo no inflamvel, estoque de produtos agrcolas, etc. A eficincia de cada nvel de
Figura 17
O tipo de pra-raios considerado o eletromagntico, tambm conhecido como pra-raios de Franklin. Suas principais partes so: - Captor - Espaadores - Cabo de descida - Conector - Tubo de proteo - Hastes de aterramento Conforme podemos observar na figura 18. - Sistema de Captores - Recebe os raios, reduzindo ao mnimo a probabilidade da estrutura receber diretamente o raio. Deve ter capaciESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005
proteo pode ser vista na tabela 2. "Como vou saber a rea protegida efetivamente pelo SPDA ?" Atravs do ngulo formado pela linha vertical da altura do pra-raios e o crculo projetado no solo. Quanto
SABER ELETRNICA
ENERGIA
- Sistema de Descida - Conduz

Captor
-+ Espaadores
Prdio
-o -o -o
(t)
'u Ul
Q) Q)
..Q
o
(t)
Conector
Tubo de proteo (tip diam 4" x 2m)
Solo Aterramento
Figura 17
dade trmica e mecnica suficiente para suportar o calor gerado no ponto de impacto, bem como os esforos eletromecnicos resultantes. Alm disso o ataque por poluentes deve ser levado em conta na hora de seu dimensionamento;
a corrente de descarga do raio recebido pelo captor at o sistema de aterramento, reduzindo ao mximo a incidncia de descargas laterais e de campos eletromagnticos no interior do volume protegido. Deve ainda ter a capacidade trmica e mecnica suficiente para suportar o calor gerado pela passagem da corrente, e boa suportabilidade corroso . - Sistema de Aterramento - Dispersa no solo a corrente recebida pelos captores e conduzidas pelos condutores at o solo, reduzindo ao mnimo o risco de ocorrncia de tenses de passo e de toque. Deve resistir ao calor gerado e ao ataque corrosivo dos diversos tipos de solos.
de proteo de qualquer norma ligada s instalaes eltricas teremos: 1 lugar - Proteger os seres vivos; 2 lugar - Proteger o patrimnio (incndios, exploses, etc.); 3 lugar - Proteger a instalao eltrica e mecnica. ltimo lugar - Proteger os dispositivos ligados na rede eltrica. Isso significa que o bom produto tem protees internas que possam garantir a integridade dos circuitos. Um sistema s confivel se estiver de acordo com as normas tcnicas das instalaes (NBR 5410, NBR 5419, entre outras), bem como ser concebido atravs das boas prticas de construo. Enviem suas crticas e sugestes sobre esta matria para nossa Redao, destacando, se possvel, se ela agregou (ou no) valor s suas atividades. Sua opinio muito importante.
6 - CONClUSO
Se colocarmos em ordem decrescente de importncia os parmetros
REPORTAGEM
o Futur esta na
Viviane Bulbow
A capacidade humana de manipular matrias at os limites do tomo e criar novos materiais abre novas e promissoras perspectivas ao mundo. A criao de materiais mais leves e resistentes do que metais e plsticos, amplia a possibilidade de produzir equipamentos de altssima tecnologia, alm de aumentar a capacidade de armazenamento e processamento de dados. No ano de 2005 o tema "nanotecnologia" ganhou ainda mais fora no Brasil. Aqueles que acreditaram na idia - grupos e redes de pesquisa, Universidades, empresas, entre outros - hoje comeam a colher os primeiros resultados. O Brasil no est to aqum dos primeiros pases do mundo na rea. Em 2001 o Ministrio da Cincia e Tecnologia mapeou as competncias brasileiras e por meio de um edital do CNPq selecionou quatro redes temticas complementares, que passariam a cobrir as grandes reas da nanotecnologia. Foi assim que surgiu a rede Renami de Nanotecnologia Molecular e Interfaces, coordenada em Recife e com cerca de 20 instituies espalhadas pelo pas. Em seguida, surgiram outras trs redes: Nanobiotecnologia, Semicondutores e Materiais Nanoestrurados. Todas j passaram pelas fases de estruturao (2001-2003) e consolidao (2003-2005). Agora,
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atravessam mais uma etapa, a de integrao, onde sero feitas algumas mudanas e podero surgir novas redes. A fase de integrao deve incentivar ainda uma aproximao entre a rea acadmica e o setor industrial. "No Brasil, hoje, graas a este modelo de organizao em rede, foi possvel utilizar a infra-estrutura pr-existente nas Universidades e centros de pesquisa", destaca o coordenador de Inovao da rede, professor Petrus d'Amorim Santa Cruz Oliveira. Dentre as redes, a Renami a nica que inclui nanotecnologia molecular. "Essa a rea mais promissora da nanotecnologia, por desenvolver dispositivos por processos chamados "bottom-up" ou "de baixo para cima", diz. Nela, os tomos e molculas so manipulados para desempenharem funes especficas e as estruturas "crescem" por processos, incluindo os de "automontagem" para garantir a
viabilidade prtica da produo de dispositivos em escala". "A eletrnica no ser mais vista da mesma forma. Nos acostumamos com a eletrnica convencional, em que tudo se miniaturizava com a evoluo. Era o processo "topdown", ou "de cima para baixo", que levou os computadores, que ocupavam um andar inteiro de um prdio, palma da mo", ressalta Petrus. "Com a nanotecnologia a lgica outra. Tratam-se de processos inversos. Na escala nanomtrica (um metro contm um bilho de nanmetros) as propriedades dos materiais no so as mesmas, portanto, as aplicaes tambm so novas. Se olharmos s para o efeito da dimenso, simplesmente por uma partcula estar na escala nano (nanopartcula) suas propriedades - inclusive a cor podem ser alteradas, porque sua superfcie passa a ser mais importante do que o volume, e os eltrons esto confinados de tal forma que a partcula pode ser vista como um tomo artificial. Para o professor, este o futuro da tecnologia. Muitos produtos e processos j comearam a surgir e, aos poucos, devem substituir os convencionais. "Esta uma enorme chance para pases como o nosso, que tm uma comunidade cientfica de destaque, mas nenhuma competitividade em tecnologia convencional", diz. "Hoje, no mais necessrio dizer o que pode ser feito com a
SABER ELETRNICA
REPORTAGEM
Nanotecnologia
empresas investindo na rea, entre elas a Kodak (com destaque para os OLEDs - LEDs orgnicos muito mais eficientes, econmicos e versteis); a Sony; CDT (Cambridge Display Technology); Sanyo; Pioneer; Motorola; Philips; entre outras. "Muitas empresas nacionais esto se interessando pela nanotecnologia, como a Embraco (compressores para refrigerao)", cita. Alm de novas empresas como a Eletrocell, para clulas a combustvel, e a Bluecare, que tambm se interessam em novas aplicaes e materiais. Segundo o professor, a rea de frmacos ser outra revoluo: da vetorizao de frmacos, que se dirigem ao rgo doente, at nanoestruturas que digerem antgenos reduzindo-os em aminocidos.
nanotecnologia, mas o que j est sendo feito no Brasil com reconhecimento internacional", ressalta. Na eletrnica molecular um monitor de TV, por exemplo, pode ser "enrolado" e colocado no bolso; o jornal passa a ser diariamente atualizado por rede sem fio, e memrias passam a ter capacidade da ordem de terabytes, podendo conter num minsculo cubo molecular toda a informao acumulada desde a prhistria at os nossos dias. Isso a custos reduzidos, uma vez que se utiliza o princpio bsico da qumica verde, de "economia do tomo", intrnseco aos processos "bottom-up". De acordo com Petrus, transistores baseados em nanotubos de carbono funcionalizados e estruturas envolvendo nanobiotecnologia para eletrnica, em breve, sero utilizados em produtos finais.
Toda esta tecnologia tambm est sendo mostrada l fora. Na Conferncia NanoEurope, realizada recentemente na Sua, o Brasil - atravs da Renami - apresentou o primeiro Dosmetro de UV para controle de cncer de pele, baseado em eletrnica molecular. Neste mesmo ms, a rede realizou uma exposio na EuroNanoForum 2005, na Esccia, de patentes de nanotecnologia brasileira nas reas de Sade e Meio Ambiente - com sistemas para deteco de poluentes em guas potveis, implantes inteligentes e marcadores luminescentes para anlises clnicas, por exemplo. De acordo com o professor Petrus, "o Brasil no tem tradio em microeletrnica, mas poder ter em nanotecnologia e, portanto, em eletrnica molecular". No mundo hoje, existem grandes
Incentivos
Os incentivos por parte do Governo so feitos na forma de editais pblicos, tanto para Redes quanto para jovens pesquisadores. Como exemplo, recentemente, cerca de 200 propost?-s foram apresentadas por novos doutores na rea de Nanocincia e Nanotecnologia (N&N). "Os recursos so muito modestos se comparados com os de pases que esto antecipando a tendncia e investindo muito na rea", diz. De acordo com o professor, h um grande interesse tanto do setor industrial quanto empresarial pela
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N 11/SETEMBRO/2005
REPORTAGEM
Prof Petrus, da Renami:
"A eletrnica no ser mais vista da mesma forma".

Desvantagens
"No h desvantagens na Nanotecnologia, mas necessrio ter um controle - como em tudo o que radicalmente novo", enfatiza. Visto que em escala nano as propriedades so outras, os cuidados tambm devem ser outros.
nanotecnologia. "Provavelmente eles perceberam que esta mudana de tendncias ser radical e que quem no investir na rea estar, muito em breve, com seus produtos e processos obsoletos".
Como exemplo podemos citar um material em escala "macro", inofensivo, como o carbono - que biocompatvel em escala nano. "Os nanotubos de carbono, to interessantes para a rea de eletrnica pelas suas propriedades eltricas excepcionais, podem se tornar perigosos se chegarem ao crebro e induzir conexes indesejveis entre neurnios, por exemplo. Mas isto vlido para qualquer rea da cincia. At a gua pode ser nociva, quando totalmente pura, algum que beber constantemente gua destilada pode morrer", explica o professor. Para ele, devemos criar situaes para viabilizar o uso da nanotecnologia - to til para reduzir o impacto ambiental das tecnologias convencionais - j que opera nos princpios da qumica verde. "Se no investirmos agora, teremos que comprar essa tecnologia de pases que hoje j nos vendem tecnologia convencional" .
Programa Nacional
Em 2000, o CNPq elaborou o Programa Nacional de Nanocincias e Nanotecnologia (N&N), que contou inicialmente com o auxlio de 32 pesquisadores. O programa deu origem a um "mapa" de cientistas que j atuavam na rea de N&N: 99 trabalhavam com Fsica, 51 com engenharia, 16 com Qumica, 14 com Biologia e 9 com Farmcia. A inteno era traar um plano de ao para definir os rumos da tecnologia no pas. Foi realizada, ento, uma diviso pof reas que deveriam ser consideradas prioritrias, o que resultou em seis segmentos: o primeiro composto por Nanodispositivos, Nano-sensores e Nanoeletrnica (25 grupos); Materiais Nanoestruturados (39 grupos); Nanobiotecnologia e Nanoqumica (15 grupos); Processos em Nanoescala com Impacto e Aplicaes em Meio-Ambiente e Agricultura (7 grupos); Energia (2 grupos) e, por fim, o da Nanometrologia (1 grupo). A partir disso, em fevereiro de 2002 foram criadas as quatro redes: Nanobiotecnologia, Nanotecnologia Molecular e lnterfaces, Semicondutores e Materiais Nanoestrurados. O projeto para incio da etapa 111 da Renami foi um dos 17 selecionados na fase I do Edital MCT/CNPq 29/2005. Ainda dentro da fase 11, que j teve encerrada a data limite para apresentao das propostas, no mximo 10 das 17 redes devem
ser selecionadas. Os resultados devem ser divulgados ainda em setembro. A proposta conta com a participao de 115 pesquisadores, sob a coordenao geral do Prof. Oscar Malta, da UFPE; a vice-coordenao do Prof. Henrique Toma, da USP, e a coordenao de inovao do Prof. Petrus Santa-Cruz, tambm da UFPE. O objetivo geral da Rede justamente estabelecer uma cooperao efetiva entre grupos de pesquisa no Brasil que dominam o conhecimento de tcnicas complementares, experimentais e tericas, formando recursos humanos altamente qualificados para a investigao e preparao de materiais avanados, alm de dar apoio a empresas de base tecnolgica, por meio de oferta de pessoal de alto nvel, consultoria, projetos de pesquisa e desenvolvimento em parceria e transferncia de tecnologia.
REPORTAGEM
Alta tecnologia no laboratrio

o Laboratrio de Nanodispositivos Fotnicos, unidade LANDfoton/DQFUFPE completa 10 anos neste ms de setembro. Atualmente ele conta com a empresa incubada Ponto Quntico Nanodispositivos, instalada na incubadora Positiva da UFPE. O objetivo da empresa chegar a produtos finais a partir de pesquisas em N&N, com foco na formao de recursos humanos no prprio laboratrio. "Quando uma tese chega a um ponto em que h potencial aplicao, o produto final passa a ser desenvolvido na Ponto Quntico, que funciona como uma "empresa-vitrine", onde uma planta piloto de produo montada para mostrar a viabilidade de produo de um nanoproduto - tanto para licenciamento como para produo em escala por outras empresas", ressalta o professor Petrus. Somente em 2004, foram depositadas no LANDfoton seis patentes, algumas esto em fase de licenciamento - como a do Nanodosmetro Molecular para Dosimetria Pessoal de UV, podendo ser utilizado por trabalhadores como EPI (Equipamento de Proteo Individual). A empresa Bluecare, do grupo Balaska, estar provavelmente produzindo este nanoEPI. Segundo ele, o LANDfoton/DQFUFPE foi o primeiro laboratrio a transmitir desde 2001 via cmera IP on-line e, durante 24 horas por dia, o que se passa nos experimentos. "Hoje, cmeras IP Wi-Fi permitem mobilidade e conexo com som, atravs de associao das cmeras ao VoIP", conta. O foco principal do laboratrio est em nanodispositivos fotnicos para as reas de Sade e Meio Ambiente.
Equipamentos
para anlise de superfcies em geral, e o Microscpio de Tunelamento (STM) - para amostras condutoras ou semicondutoras. "So equipamentos compatveis com os custos de outros utilizados para pesquisa cientfica. Alguns so destinados tambm para a indstria", diz. No Laboratrio de Nanodispositivos Fotnicos existem dois microscpios de fora atmica e um de tunelamento. Outros equipamentos para manipulao da matria em escala atmica so realmente caros, principalmente pelo ambiente exigido com controle de limpeza dos laboratrios. "O aproveitamento da infra-estrutura pr-existente em laboratrios de instituies de ensino superior e pesquisa a soluo mais lgica e vivel para a nossa realidade. Aproveitando ao mesmo tempo, as competncias locais, que so indispensveis na rea, alm da formao
de recursos humanos - tambm descentralizada", enfatiza.
Nanotecnologia tambm dentro do Programa Institutos do Milnio

Uma outra vertente que abriu espao para a nanotecnologia est dentro do Programa de Apoio ao Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico (PADCT), criado pelo governo brasileiro em 1984, para complementar a poltica de fomento Cincia e Tecnologia. Dentro do PADCT 111, esto os Institutos do Milnio, programas do Ministrio da Cincia e Tecnologia cujo objetivo patrocinar pesquisas cientficas de excelncia em reas estratgicas para o desenvolvimento
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Entre os principais equipamentos utilizados para ver e manipular a matria em escala atmica esto o microscpio de fora atmica (AFM) SABER ELETRNICA ESPECIAL
N 11/SETEMBRO/2005
REPORTAGEM
do pas. Eles integram grupos de pesquisa em redes, potencializam a base nacional instalada de laboratrios e favorecem a integrao com centros internacionais de pesquisa. Dentre as redes, baseado sob o tema nanotecnologia, h o Instituto 10- Instituto de Nanocincias, que congrega 66 pesquisadores de vrias especialidades e de 21 instituies brasileiras. Esta rede investiga vrios sistemas nanoestruturados, reconhecidos como prioritrios para o desenvolvimento tecnolgico em microeletrnica, optoeletrnica, fotnica, telecomunicaes e bioengenharia. Ainda em nanotecnologia existe o Instituto 15 - Rede de Pesquisa em Sistema em Chip, Micro-sistemas e Nanoeletrnica, que tem como proposta de pesquisa integrar os grupos da rea de microeletrnica existentes nas Universidades e as empresas ligadas ao setor. Esta rede formada hoje por 10 grupos e sete universidades, alm da Embrapa de So Carlos, e trabalha com uma linha de pesquisa direcionada a Dispositivos Semicondutores, Novos Materiais, Projeto de Circuitos Integrados, Tecnologia de Microeletrnica e Fotnica e j desenvolveu pesquisas como processos de litografia por feixe de eltrons e corroso por plasma; processos de obteno de nanotubos de carbono; dieltricos ultra-finos (1,5 nm); projetos de circuitos com transistores mono-eltron; sensores; entre outros. De acordo com o Professor Dr. Jacobus Willibrordus Swart, coordenador da rede, um outro projeto foi submetido ao novo editallnstitutos de Milnio (que deve ser publicado no incio do prximo ano), propondo a ampliao do nmero de instituies. " ele que vai permitir que consigamos dar continuidade aos trabalhos com a ampliao dos grupos", ressalta. "No Brasil, falta foco, objetividade e aes quando a assunto nanotecnologia. No incio do governo atual (2003), foi proposto no Plano Pluri Anual (PPA) um plano de ao em temas especficos e a criao de um novo
40
centro de nanotecnologia baseado em tecnologia de Sistemas Integrados: eletrnica e MEMS (Micro-ElectroMechanical Systems), o que foi totalmente abandonado", lembra o professor, que tambm participa do Departamento de Semicondutores, Instrumentos e Fotnica (DSIF), um dos onze departamentos da Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao da Unicamp.
Iizem tecnologias como a concepo, projeto, fabricao e teste de circuitos integrados; de sistemas embarcados, integrando; concepo de microsistemas, nanosistemas e de dispositivos eletrnicos e optoeletrnicos discretos; hardwares e compo. nentes de software embarcados em chip; alm do desenvolvimento de arquiteturas e sistemas de hardware dedicados em FPGAs e circuitos integrados para aplicaes especficas. Em julho, a Finep aprovou nove propostas. No total, estes projetos recebero cerca de R$ 8 milhes provenientes do FNDCT (Fundo Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico), sendo que o valor mximo de recursos para apoio a cada projeto fica limitado a R$ 700 mil. Do montante de R$ 8 milh'es, cerca de R$ 4 milhes devem ser desembolsados ainda em 2005 e o restante em 2006. Entre os critrios de avaliao das propostas enviadas Finep estavam: o impacto scio-econmico e potencial exportador; a viabilidade de introduo do produto no mercado; o grau de relevncia do mercado do produto final beneficiado pelo desenvolvimento da proposta; a qualificao, experincia e adequao da equipe executora s necessidades e grau de complexidade da proposta; e o montante de contrapartida financeira e de outros aportes do projeto.
Projetos de Micro e Nanoeletrnica recebero apoio da Finep Em janeiro deste ano, a Finep (vinculada ao Ministrio da Cincias e Tecnologia) lanou uma Seleo Pblica de Propostas para Apoio Financeiro a Projetos em Micro e Nanoeletrnica. O objetivo da Chamada Pblica foi selecionar propostas para concesso de apoio financeiro a projetos de Micro e Nanoeletrnica, de acordo com o interesse da indstria no Brasil. Outro objetivo era incentivar novas aplicaes em dispositivos eletrnicos e a capacitao tecnolgica da indstria de hardware para as tecnologias de informao, comunicao, eletroeletrnica, automao entre outras. Com a Chamada Pblica, o MCT busca estimular empresas brasileiras para execuo de projetos que foca-
SABER ELETRNICA
AUTOMAO INDUSTRIAL
MOVITOOLS
o MOVITOOLS
4.20 uma ferramenta de software amigvel para acesso s sries de conversores de freqncia SEW-EURODRIVE. Composto por um pacote de softwares para configurao, programao e diagnstico de conversores de freqncia SEW-EURODRIVE, o MOVITOOLS pode ser configurado para os seguintes conversores: - A linha MOVIDRIVE MDX 60/618; - A linha MOVIDRIVE MD_60A; - A linha MOVIDRIVE compact MC_40/41/42A; - A linha MOVITRAC 07. MOVITOOLS verso 4.20 pode ser executado nos ambientes Windows 95, Windows 98, Windows NT, Windows 2000 e Windows XP. Alm de ser uma ferramenta disponvel gratuitamente, de fcil e rpido manuseio. O software MOVITOOLS 4.20 capaz de se comunicar com os equipamentos SEW-EURODRIVE atravs das interfaces de comunicao RS232/RS-485 , Profibus, Interbus, CAN ou Ethernet. O ambiente de trabalho do MOVITOOLS composto pelos seguintes programas principais:
SHELL
- ':. ~tMK8 .- 'ii:J
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DC Iink, etc.) que auxiliam na monitorao do comportamento do acionamento.

IPOSPlus Compiler
gada a se baseia na estrutura em diagrama de blocos de funo.

Mdulos Aplicativos
Dedicado a programao dos conversores de freqncia SEWEURODRIVE que possuam internamente o sistema de controle de posicionamento e controle seqencial IPOSPlus.A linguagem de programao utilizada se baseia na estrutura da linguagem C.
IPOSPlus Assembler
Ambiente para o desenvolvimento automtico de rotinas em IPOSPlus para aplicaes especficas.

CAM Editor
Ambiente para o desenvolvimento de curvas e rotinas em IPOSPluspara a operao na funo CAME eletrnico.
E-SYNC
Dedicado a programao dos conversores de freqncia SEWEURODRIVE que possuam internamente o sistema de controle de posicionamento e controle seqencial IPOSPlus.A linguagem de programa- . o usada da se baseia na estrutura da linguagem assembler.
LOGODrive
Ambiente para o desenvolvimento de curvas e rotinas em IPOSPluspara a operao na funo interna de sincronismo eletrnico.
Bus Monitor
Programa para monitorao e operao de conversores de freqncia em redes de comunicao fieldbus.

AppBuilder
Dedicado a programao conversores de freqncia SEW-EURODRIVE que possuam internamente o sistema de controle de posicionamento e controle seqenciallPOPlus. A linguagem de programao empre-
Ambiente para o desenvolvimento de programas para computador em linguagem voltada para objeto para a comunicao serial com os conversores de freqncia SEW-EURODRIVE.
StUorl#iIIIOOI!'lft
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Programa dedicado para a colocao e parametrizao dos conversores de freqncia SEW-EURODRIVE. Atravs dele tambm possvel salvar todos os dados armazenados no conversor de freqncia em forma de arquivo eletrnico para computador.
SCOPE
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Programa atravs do qual possvel traar grficos em tempo real das principais caractersticas operacionais de acionamen tos ligados a conversores de freqncia (corrente, rotao, freqncia, torque, tenso
SABER ELETRNICA ESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005 41
DESENVOLVIMENTO
GERADOR DE
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Newton C. Braga
rudo branco pode ser usado como sinal de teste para diversos tipos
de equipamentos. Sistemas de telecomunicaes, equipamentos de udio e linhas de transmisso podem ser testados usando-se esse tipo de sinal. Neste artigo ensinamos como montar um simples gerador de rudo branco utilizando um diodo como fonte geradora.
o rudo branco caracteriza-se por ter uma intensidade mdia constante

ao longo de seu espectro. Em outras palavras, os sinais se distribuem aleatoriamente no espectro, com intensidade constante. Podemos gerar rudo branco aproveitando o rudo trmico da juno de um diodo comum polarizado no sentido inverso. justamente esse o princpio de funcionamento do circuito mostrado na figura 1. Dentre as aplicaes possveis, est o teste de equipamentos de telecomunicaes, equipamentos de udio e mesmo em laboratrios de Psicologia Experimental onde o relaxamento pode ser obtido com sua amplificao e reproduo. O circuito deve ser alimentado com uma tenso contnua muito bem filtrada na faixa de 9 a 15 V. Uma bateria de 9 V uma soluo mais apropriada, pois permite que o aparelho seja totalmente porttil. Para reproduo em um altofalante, ou obteno do sinal com maior intensidade, um amplificador externo deve ser utilizado.
P1 ajusta o nvel de rudo e transistores equivalentes ao BC548 podem ser empregados. O diodo pode ser de qualquer tipo de uso geral de silcio. C2
100 nF
+9
15 V
1---0
Saida
Figura 1
~-i .....
Figura 2
I
,
R3 D1 R1
~ 01
ij -Sada -+9V
002
P1~
~R2
~R4_0V '-
Lista de Materias
01 - BC548 ou equivalente - transistor
Na figura 2 temos uma sugesto de placa de circuito impresso para a realizao da montagem. Observamos que o cabo de sada para o amplificador deve ser blindado para que o ronco da rede de energia de 60 Hz no se sobreponha ao rudo branco gerado.
42
NPN de uso geral D1 - 1N4148 ou qualquer outro diodo R1 - 470 k Q x 1/8 W - resistoramarelo, violeta, amarelo R2 - 100 k Q x 1/8 W - resistor marrom, preto, amarelo R3 - 4,7 k Q x 1/8 W - resistoramarelo, violeta, vermelho R4 - 220 Q x 1/8 W - resistor - vermelho, vermelho, marrom
P1 - 2,2 M Q - trimpot C1 - 4,7 nF - capacitar cermica ou
polister
C2 - 100 nF - capacitar cermica ou
polister Diversos: placa de circuito impresso, caixa para montagem, fonte de alimentao, fios, solda, etc.
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
N 11/SETEMBRO/2005
Monte seu prprio rob S-CARGO OWI-936K

um rob que altera sua direo atravs de comandos sonoros.
No acompanha baterias SUEKIT - KP-1
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INSTRUMENTAO
CONHEA AS PONTES
As pontes de medida consistem em um recurso importante com que o profissional de Eletrnica conta para a determinao de diversas grandezas no laboratrio ou bancada de desenvolvimento de projetos. Embora possamos dispor de instrumentos precisos para as medidas de resistncias, indutncias, capacitncias e freqncias, existem casos onde as propriedades das pontes de medidas as tornam mais apropriadas para um trabalho. Neste artigo abordaremos algumas das principais pontes de medida.
Newton C. Braga
A maioria dos nossos leitores conhece a ponte de Wheatstone, usada na medida de resistncias e que serve de ponto de partida para muitos estudos de laboratrio de Instrumentao. No entanto, para esta mesma maioria, h muitas outras pontes que so desconhecidas, mas cuja importncia no menor do que a da prpria Ponte de Wheatstone. dessas outras pontes de medida que vamos tratar neste artigo.
Detectar
Ponte Fonte de sinal ou tenso
h;..J
de nulo
':'v
+ Rx
Componente
em teste
Figura 1
Figura 2
varivel de uma escala de tal forma
o QUE UMA
PONTE?
Uma ponte nada mais do que um circuito de medida que faz uso de uma fonte de sinal (ou de tenso contnua) e um detecto r de nulo que pode ser um fone de ouvido, um indicador de bobina mvel ou qualquer outro conforme o tipo de aplicao exigida, como visto na figura 1. Quando os componentes desta ponte apresentam uma determinada relao de valores, no h sinal ou no circula corrente pelo detector de nulo. Diz-se, nestas condies, que a ponte se encontra em equilbrio. Se tivermos um componente de valor desconhecido, e tambm um componente varivel que compense seu valor, poderemos sempre obter o equilbrio da ponte ajustando o componente varivel. Isso significa que podemos dotar o componente
44
que nos permita determinar o valor do componente desconhecido, quando for alcanado o equilbrio. Conforme os componentes usados e o tipo de grandeza que vai ser medida, as pontes recebem diversas denominaes que passaremos agora a analisar.
PONTE DE THOMSON Esta uma ponte muito interessante destinada medida de resistncias muito baixas, menores do que 1 ohm. Esta ponte recebe o nome de seu descobridor que a desenvolveu em 1862, tendo o circuito bsico mostrado na figura 2. As resistncias do circuito devem manter inicialmente as seguintes relaes de valores:
R1 = R3 R2 = R4
A resistncia Ro fixa e tem um valor que deve ser aproximadamente igual ao valor da resistncia que se espera medir (Rx). As resistncias R2 e R4 so conjugadas, ou seja variam ao mesmo tempo por um eixo nico. Nestas condies, o nulo da ponte ser obtido quando as resistncias do circuito satisfizerem a seguinte igualdade: Rx = Ro (R4/R3) A principal vantagem no uso deste tipo de ponte que a influncia da resistncia dos fios que fazem a ligao a Rx pode ser eliminada, o que importante quando so medidas resistncias muito baixas.
PONTE DE SAUTV A Ponte de Sauty tem seu circuito ilustrado na figura 3 e serve para a medida de capacitncias.
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
N 11/SETEMBRO/2005
= .?J~?S18U t:t~NIAAO
.. ~.~.p,.~~.~.:m.~.;.~.> .. .. .... ~ ~ ~.~.~.~
,?~
Cx = C1 (R1/R2) Rx = R1 (C2/C1)
C1
(Xc)
ca
J5~
C2
(Xo) Figura 3
Onde Cx a capacitncia do capacito r em teste e Rx a resistncia de fuga.

R1{
R2{
PONTE DE WIEN Uma caracterstica importante das pontes que vimos at agora que o seu equilbrio independe da freqncia do sinal de entrada. Para a medida de sinais de udio, uma ponte interessante que na verdade foi a que deu origem ponte de Schering, a chamada ponte de Wien, apresentada na figura 6. Esta ponte equilibra-se quando um capacitor Cx adquire um valor tal que: Cx = 1/(R1.R2.C1.ro) Onde: ro = 2 . n. f, sendo f a freqncia do sinal. Se o capacitor utilizado varivel, previamente ajustado em funo dos demais elementos, pode-se determinar a freqncia do sinal. Fazendo-se com que: R3 = 2.R4 C1 = C2 O equilbrio da ponte ser obtido quando: f = 1/(2.n.Cx.R2) Veja o leitor que esta configurao a mesma utilizada nos denominados osciladores por ponte de Wien, cujo circuito bsico do elo de realimentao que determina a freqncia mostrado na figura 7.
que se faz nesta ponte trocar um dos resistores da ponte de Wheatstone por um capacitor e, alm disso, aplica-se na alimentao um sinal de freqncia de acordo com os capacitores a serem medidos. Desta forma, as reatncias capacitivas do capacito r a ser medido e de um capacitor de referncia so as usadas no equilbrio da ponte. Chamando-se de Xc a reatncia do capacito r a ser medido e de Xo a , reatncia do capacitor de referncia, , o equilbrio da ponte ser conseguido quando a seguinte relao de valores entre todos os elementos da ponte for satisfeita: R1/R2 = Xc/Xo Trabalhando-se com um fone de ouvido de alta impedncia e com sinais na faixa de 1 kHz a 5 kHz, a deteco de nulo ser feita no ponto em que o som desaparecer. Para capacitncias muito pequenas podem-se usar sinais de freqncias mais altas e como detector de nulo um osciloscpio. Um problema que pode ocorrer neste tipo de ponte vem do fato de o capacitor medido no apresentar uma capacitncia pura. Lembramos que um capacitor real tem uma certa resistncia parasita em srie a ser considerada. Um resistor varivel pode ser agregado em srie com o capacito r de referncia para compensar esta resistncia parasita. Nesse caso, o equilbrio (ao ser conseguido), leva tanto determinao da capacitncia Cx como resistncia parasita ligada em srie, conforme exibe a figura 4. Variaes da ponte de Sauty existem para a medio de capacitores eletrolticos, caso em que se agreSABER ELETRNICA ESPECIAL
Figura 4
gam elementos como uma fonte de polarizao contnua para este componente, indutncias e capacitncias com a finalidade de filtrar correntes contnuas e sinais usados nos testes.
PONTE DE SCHERING Na figura 5 temos o diagrama bsico de uma Ponte de Schering, que usada na medida de capacitncias com excelente preciso. Uma caracterstica desta ponte que ela possibilita a medida de capacitores mesmo que apresentem fugas, pois ela pode ser equilibrada em funo da resistncia paralela ao capacitor. A fonte de sinal depender dos valores a serem medidos, bem como o detector de nulo. Para capacitores comuns na faixa de 1 nF a 1 I-lF pode-se usar um gerador de sinais de 1 kHz e um fone de ouvido como elementos da ponte. O equilbrio desta ponte ocorre quando as seguintes relaes entre os componentes forem satisfeitas:
C1
'"
'"
C1
Figura 5
Figura 6
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45
INSTRUMENTAO
7
Vcc C3 R1
R1
~
Rx
Rv
Lx
Figura 7
Figura 9
Lx = Rv R 1 . Cp C Rx=L.R1
PONTE DE MAXWELL Esta ponte, cujo diagrama bsico visto na figura 8, utilizada para a medida de indutncias. A idia bsica fazer a comparao de uma indutncia com uma capacitncia, com base em suas reatncias, isso porque mais difcil obter-se um padro de indutncias do que de capacitncias. Assim, quando esta ponte est em equilbrio temos a relao dada no prprio diagrama. O equilbrio acontece quando as reatncias (da bobina e do capacitor de referncia) adquirem valores que mantm uma proporo que depende dos valores dos resistores dos outros braos. A freqncia do sinal usado depender da ordem de grandeza da indutncia que se pretenda medir. Um aperfeioamento desta ponte apresentado na figura 9 onde se acrescenta ao circuito tambm um resistor varivel. Este componente necessrio para se equilibrar a ponte, levando-se em conta tambm a resistncia
hmica do enrolamento da bobina que se soma sua indutncia. Lembramos que a bobina equivale, em seu circuito real, a uma indutncia ligada em srie com uma resistncia. Veja que o equilbrio desta ponte feito por meio de dois ajustes e um ponto importante que, atravs da medio tanto da indutncia quanto da resistncia associada, pode-se ter uma idia tambm de seu fator de qualidade (fator Q).
Cv
Figura 11
librar com sua reatncia, a reatncia apresentada por um indutor, que est sendo medido. O equilibrio desta ponte ser conseguido quando a relao de valores de componentes mostrada em seu diagrama for alcanada.
PONTE DE OWEN PONTE DE HAV Esta ponte, cujo diagrama bsico exibido na figura 10, tambm se destina medida de indutncias. O princpio de funcionamento o mesmo da ponte de Maxwell, utilizando-se um capacitor para equiNa figura 11 temos o diagrama bsico de uma ponte de Owen, que destinada medio de indutncias. Esta ponte tem por caracterstica importante o fato de seu funcionamento no depender da freqncia do sinal. Junto ao diagrama vemos a relao de valores de componentes que deve ser satisfeita para que ela fique em equilbrio.
R2
CONCLUSO As pontes so de grande importncia nos laboratrios de medidas eletrnicas. Neste artigo demos uma pequena noo sobre seus tipos e utilidades. No entanto, os circuitos indicados, quando levados a equipamentos profissionais podem receber recursos adicionais importantes como, por exemplo, controles de sensibilidade, seleo de faixas de valores medidos, alm de detectores de nulo com diversos nveis de sensibilidade e outros.
'V
Lx
Rx
Lx = R1 . R2 Lx = R1 . R2 .
cp
cp
Rx = Rv R1 .R2 (WCp)
Figura 8
Figura 10
46
SABER ELETRNICA
Para iniciar a multimdia, simplesmente coloque o CD no drive, espere um pouco e a tela principal surgir automaticamente. Como este recurso no apresentado por todos os drives de CD-ROM, caso no acontea nada, siga as seguintes instrues: - Clique no boto Start (Iniciar) e ento selecione a opo Run (Executar); - Surgir uma caixa de dilogo, a seguir, digite D:\saber11.exe (o D representa a letra do seu drive de CD-ROM); - Aperte a tecla Enter. Depois de alguns segundos, aparecer no monitor do seu computador a tela principal da multimdia. Multisim 8 Aps a instalao e o preenchimento de um formulrio, o programa deve se conectar Internet para o envio dos dados e para baixar e instalar os upgrades. A partir NATIONAL da data de instalao, o usurio ter 45 dias para a utili- "'NSTRUMENTS zar normalmente o programa, aps esta data, o programa se restringe a utilizao para esquemas e layout, utilizao de 50 componentes ou 750 pinos e apenas dois layers.
Multisim 8
""-.7
Ingls para Eletrnica, Artigos completos e Mini-curso de Linguagem C para eletrnica Todos os arquivos esto no formato PDF (Portable Document Format), e para isso preciso ter instalado no computador o Acrobat Reader. Caso o leitor no o tenha instalado, o CD que acompanha este revista possui uma verso. Para instalar, basta clicar no boto que se encontra no rodap da multimdia com o logotipo da Adobe PDF. Cdigos-Fonte A utilizao dos Cdigos-Fonte necessita de um bom conhecimento por parte do leitor, que poder acessar os cdigos diretamente na pasta download que est no CD, porm possvel visualizar alguns cdigos atravs da multimdia. ~AR ENlS
Thank you for registering.
Oe"lf User.
T11<lnk YOll for registerill!J YOIII- EWdsPIC eVflhliltion l>roduct. Iicensillg lIumher nnd keyto install
lAR Development Suite for Development Suite Microchip dsPIC para Mlcrochip dsPIC Ambos os programas tm limitao de utilizao para 30 dias. O lAR Embedded WorkSYSTEMS bench for dsPIC requer o uso de uma licena para uso, para isso necessrio fazer um cadastro, que pode ser acessado atravs da prpria multimdia. O lAR visualSTATE for dsPIC no requer licena, mas trata-se apenas de uma verso de demonstrao.
@)IAR
MoviTools e Quickll Ambos os programas no possuem restries, porm o seu funcionamento se d em con-
Please use the
MoviTools 4.20
YO\lr EWdsPIC
followillU softw;are:
Ucetlse
liumher:
9999-999-999-9999
junto com os respectivos equipaEURODRIVE mentos externos, mas o leitor poder ver como a progra- Quickll for Smart mao e comunicao destes METALTE~ programas.
SEW
OUickSla'tkey:
9999999999999995
Ifyou
have any problem
please email support@iar.com
Pgina de registro da lAR
NUV
rlJ1\U~;;J
TEC_NOLGIAS
mrmillM~
As dimenses dos componentes integrados num chip esto se tornando cada vez menores. Com a aproximao dessas dimenses dos comprimentos de onda da luz infravermelha ou mesmo visvel, essas radiaes podem ser tratadas de uma forma diferenciada: irradiadas e recebidas por antenas exatamente como as ondas eletromagnticas de maior comprimento (usadas em telecomunicaes). Essa possibilidade abre campos inteiramente novos para a opto-eletrnica. Newton C. Braga
reduzido comprimento de onda das radiaes infravermelha, visvel ou mesmo ultravioleta impede que elas recebam o mesmo tratamento dado s ondas eletromagnticas de maior comprimento usadas em telecomunicaes. Essas ondas so tratadas com "recursos pticos" diferentes, os quais incluem as lentes, espelhos e refletores parablicos. No entanto, a nanotecnologia, conseguindo levar os dispositivos integrados em um chip s mesmas dimenses das ondas luminosas, abre a possibilidade dessas ondas serem tratadas da mesma forma que as ondas de maior comprimento. Integrando antenas que tenham a mesma ordem de grandeza das ondas luminosas possvel fazer sua emisso (ou recepo) de forma eficiente, com a concentrao da energia na direo desejada e tambm com a sua polarizao, sem a necessidade de filtros. Conforme mostra a figura 1, possvel integrar antenas com barras de ouro de apenas alguns nanmetros de comprimento, as quais atuam
como antenas, focalizando a radiao emitida sem a necessidade de lentes. Essas antenas funcionam exatamente como uma antena convencional de rdio, concentrando sinais com a obteno de um ganho em determinada direo. A grande diferena que elas podem trabalhar com luz infravermelha e visvel, consistindo portanto num meio ideal de se fazer o interfaceamento entre dispositivos pticos e eletrnicos. Os dispositivos desenvolvidos por cientistas da Universidade de Basel, na Suia, consistem em tiras de ouro de apenas 45 nanmetros de largura e de 200 a 400 nanmetros de comprimento, tendo entre elas espaos de 20 nanmetros. Essas antenas, conforme ilustra a figura 2, fazem com que a luz seja irradiada pela parte central sendo que as partes extremas da antena atuam como elementos focalizadores. A grande vantagem dessas antenas a sua resoluo, a qual chega a ser 50 vezes melhor do que uma lente
comum. Uma aplicao interessante disso na microscopia convencional. Uma lente comum no consegue focalizar um objeto que seja muito menor do que o comprimento da luz usada. Por exemplo, para a luz visvel de 400 nanmetros a 800 nanmetros, o menor objeto focalizado tem 200 nanmetros. Com as nanoantenas isso muda, pois sua resoluo chega a permitir que objetos menores do que 5 nanmetros sejam resolvidos. Anteriormente, para a observao de objetos dessas dimenses era necessrio usar radiaes de menor comprimento de onda, como o caso do microscpio eletrnico ou de raios X, veja a figura 3. Nessa foto damos uma idia da complexidade de um microscpio eletrnico, que tem um custo muito elevado. Com as nanoantenas, microscpios pticos simples teriam a mesma capacidade de ampliao. O carter ondulatrio dos eltrons emitidos permite a observao de
Feixe de
Barras
I [ I [ "'
J2
luz irradiado
~I\
Refletor de onda Figura 2 SABER ELETRNICA ESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005
Comprimento
Figura 1
48
objetos muito pequenos, assim como o comprimento de onda dos raios X. Entretanto, essas radiaes impedem a observao de amostras vivas, pois elas as matam. Com a possibilidade de se usar luz visvel para a observao de corpos dessas dimenses, um microscpio ptico comum traz para o campo de viso humano at mesmo molculas maiores, como as que correspondem s protenas. Mas, no apenas na elaborao de microscpios e outros dispositivos pticos que as nanoantenas encontram aplicao.
APLICAES
Atuando como receptores sintonizados (no comprimento de onda que devem receber), essas antenas podem ser usadas na elaborao de sensores extremamente sensveis. Esses sensores poderiam sintonizar uma radiao nica em uma faixa extremamente estreita, detectando, por exemplo, o espectro de emisso de uma nica molcula numa estrutura viva. Seria possvel elaborar um sensor capaz de identificar um simples vrus pela radiao emitida ao ser excitado. Na eletrnica, essas nanoantenas poderiam ser utilizadas na construo de LEOs e sensores usados em COs, CO-ROMs e OVOs muito mais eficientes. No seria preciso usar comprimentos de ondas menores, como no caso em que se passa do infravermelho para o visvel (do CO-ROM para o OVO), de modo a se poder trabalhar com pits menores. Pits at 50 vezes menores do que os existentes atualmente poderiam ser detectados com o uso de dispo-
sitivos focalizados com nanoantenas, aumentando assim em 50 vezes a capacidade de armazenamento da mdia, conforme exibe a figura 4. Tudo isso seria possvel sem a necessidade de se trabalhar com a emisso de luz de menor comprimento de onda. Ainda na eletrnica, essas antenas aumentariam a resoluo dos dispositivos empregados na litografia ptica, possibilitando a fabricao de estururas semicondutoras em chps ainda menores. Finalmente, chegaramos ao limite com a possibilidade e construir dispositivos capazes de emitir um nico fton. Esses dispositivos poderiam ser usados em computadores seguros, permitindo um processo de criptografia praticamente indecifrvel, uma vez que no dependeria da gerao de nmeros aleatrios, como fazem os sistemas atuais. Esses nmeros (chaves) podem ser usados para decodificar a mensagem. Com emissores capazes de emitir um fton isoladamente, a emisso seria totalmente segura, justamente devido a princpio da mecnica quntica que afirma que "um fton no pode ser observado sem que ele seja alterado". Em suma, se algum tentar observar o fton que transporta o bit de mensagem ele ser alterado, e isso ser detectado.
CONCLUSO
As nanoantenas representam um grande passo em direo total integrao dos dispositivos pticos com os dispositivos eletrnicos. Embora ainda seja cedo 'para prever que dispositivos sero fabricados e aplicados nos prximos anos usando essa tecnologia, as possibilidade que analisamos so fantsticas. Segundo as previses teremos ainda de esperar de 5 a 10 anos para que essas nanoantenas passem a incorporar algum dispositivo de uso prtico.
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As novas tecnologias cada vez maior, No entanto, tecnologias de telecomunicaes com velocidade da Internet. de funcionamento, tecnologia empregada e visam levar as informaes aplicaes. Nem sempre essas informaes so acessveis ou fceis de entender, e o leitor que precisa estar em dia com o que h de novo se v em dificuldades. A tecnologia ADSL um desses casos e, neste artigo, procuramos explicar aos nossos leitores exatamente o que ela significa.
uma exigncia
a rapidez com que essas novas so desenvolvidas faz com que os obrigando-os a sair sobre seu princpio
leitores da rea tcnica nem sempre consigam fazer seu acompanhamento, em busca de informaes
Newton C. Braga
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SABER ELETRNICA
ESPECIAL
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A tecnologia comum usada para as comunicaes telefnicas utilizando sinais analgicos, no a mais apropriada para as necessidades crescentes do transporte de um volume enorme de informaes. Cada vez mais pessoas esto ligadas Internet e uma velocidade cada vez maior na transmisso dos dados exigida. Para que o leitor tenha uma idia de como so lentas as linhas telefnicas comuns, basta dizer que usando um modem de 28,8 kbps precisamos de 25 minutos para transmitir um arquivo de 10 megabytes. O problema da ocupao das linhas telefnicas por longos intervalos no est apenas na conta que precisamos pagar. As linhas telefnicas so projetadas para manusear "pacotes" de chamadas de 3 minutos, e nos horrios de pico os pacotes mximos previstos so de 9 minutos. A ocupao da linha por mais de 10 minutos seguidos algo que traz problemas inclusive para as empresas de telefonia. Com a finalidade de adequar as linhas telefnicas tradicionais de modo que elas possam manusear informaes transmitindo-as com muito maior velocidade foi criada a tecnologia ADSL (Asymmetric Digital Subscriber Une) ou Linha de Assinante Assimtrica Digital.
O ponto principal dessa tecnologia proporcionar faixa passante mais larga para os sinais que possam atender s exigncias de demanda da Internet. Originalmente, a tecnologia ADSL foi criada em 1994 para proporcionar a possibilidade de se usar as linhas telefnicas para jogos interativos, multmidia e teleconferncia. Em 1997, um estudo feito pelo NOP Reserach Group mostrou que mais de 250.000 ingleses compravam alguma coisa pelo sistema on-line em cada ms. Este mesmo estudo revelou que 10% das mais de 4,5 milhes de pessoas na Inglaterra que estariam plugadas na Internet eram mulheres, e estariam fazendo compras por este sistema. Tudo isso exigia a criao de um sistema mais rpido de transferir dados pelas linhas telefnicas. A tecnologia ADSL pode transferir dados pela linha telefnica em uma velocidade perto de 200 vezes maior do que as linhas comuns, e mais de 90 vezes mais rapidamente que as linhas ISDN. Basicamente, a tecnologia ADSL oferece as seguintes vantagens: mais rpida. Um arquivo de 10 Mbps pode ser transferido em apenas 10 segundos, empregando um modem ADSL. Modems superrpidos ADSL podem transmitir dados numa velocidade de 8 megabits por segundo. fcil de instalar. As linhas de pares tranados podem ser usadas para transmisso dos dados ADSL no havendo necessidade de novas instalaes. barata.
Esta "ltima milha", na verdade, pode chegar at a 6 quilmetros em alguns casos, dependendo da "qualidade" das conexes e de algumas outras condies locais. O par tranado que utilizado neste caso (ou fio comum) apresenta indutncias e capacitncias que reduzem a banda passante e que oferecem uma sria dificuldade para a transmisso de dados de alta velocidade, figura 1. conforme sugere a
L C
L Figura 1
QUE A TECNOLOGIA ADSL? ADSL uma tecnologia de processamento de sinais digitais para comutao e roteamento atravs de linhas telefnicas com alta velocidade.
De acordo com a figura 2 a faixa passante da maioria das linhas telefnicas no vai alm de 4 kHz, o que permite o uso (e sofrvel) apenas da voz para as comunicaes . Na verdade, quando o telefone foi inventado ningum poderia imaginar que ele poderia ser usado para transmitir algo mais que no fosse a voz. Os modems modernos manuseando a fase, nvel dos sinais e outras caractersticas conseguem milagres, aumentando a capacidade de transmisso de uma linha telefnica para at 56 kbps, sendo este o limite. A idia bsica do ADSL usar uma tcnica sofisticada de processamento de sinais atravs de modems
COMO FUNCIONA O ponto crtico das instalaes telefnicas a chamada "Iast mile" ou ltima milha, que corresponde ao pedao de fio que vai da casa do assinante at o cabo mais prximo de sinais.
Faixa passante de uma linha telefnica comum (p/ a voz) kHz 3,5 Figura 2 51
Modelo fabricado
pela SMC
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Voz
f(Hz) k k k 1.104 k (download)
Canal downstream
Figura 3 - A distribuio dos canais no ADSL: freqncias mais altas so usadas por um canal "downstream" de alta velocidade; as freqncias mais baixas so usadas ara a voz.
velocidade bidirecional (downstream/ upstream) e um canal convencional de voz. Disponibilizando os trs canais pode-se simultaneamente, por exemplo, utilizar o canal de alta velocidade para se fazer o download de um filme, o canal de velocidade mdia para ler ou enviar um e-mail e o canal de voz para manter uma conversao comum. Veja que a grande vantagem deste sistema preservar o sistema convencional das comunicaes de voz, simplesmente acrescentando novas possibilidades mesma linha. Com a utilizao da capacidade completa do canal pode-se ir alm, trabalhando-se com quatro canais MPEG de vdeo comprimido sem interrupo nos servios normais de telefonia.
especiais que possibilitem a utilizao dos fios comuns telefnicos sem precisar de uma faixa passante mais larga que a existente, e mesmo assim transmitindo uma quantidade muito maior de dados. Com a tecnologia ADSL possvel estender a faixa passante para 1 MHz em linhas comuns e, manuseando os dados dentro desta faixa, conseguir velocidades de at 8 Mbps. Para isso, a informao dentro da faixa dividida em trs canais, conforme mostra a figura 3. Um canal para baixar informaes (downstream) de alta velocidade colocado na faixa mais alta de freqncias, um canal intermedirio de alta
Por conta isso, a tecnologia ADSL disponibiliza uma velocidade maior para o downstream do que para o upstream. Assim, para movimentar dados para a casa do assinante temos uma velocidade de 8 Mbps, enquanto que da casa do assinante para a rede a velocidade de apenas 640 kbps, no mximo.
O SISTEMA NA PRTICA Na figura 4 temos o modo como funciona um sistema usando modems ADSL. Os modems ADSL so ligados ao computador, vdeo e tambm ao telefone comum, conectando-o com roteadores para Internet e tambm para sistemas que transferem a voz para os telefones chamados. Na casa do assinante fica um dos modems, enquanto que na empresa telefnica ficam os conjuntos de modems em racks. Os modems da empresa telefnica separam o que voz do que dado, enviando-os aos circuitos apropriados. As chamadas de voz so enviadas rede telefnica comum ao passo que os dados so enviados via uma Ethernet e roteador, eventualmente uma linha de alta velocidade OC-3 de 155 Mbps ao provedor local de acesso Internet.
ASSIMETRIA OTIMIZANDO O SISTEMA A assimetria vem do fato de que ao usar a Internet, as pessoas tendem a movimentar dados em maior quantidade numa direo do que em outra. De fato, passamos a maior parte do tempo recebendo mais dados do que enviando.
Escrhrio central PSTN
~
? ..'~
---.' 1_
POTS Splitter POTS Splitter Rack de modem! ADSL
.,'~'~?:;;~i:;~!i~:' PC ..,
da rede
Servidor de vdeoconferncia
Servidor devdeo
CONCLUSO
Ethernet Frame Relay, ATM
t
Servidor WWW
Backbone de internet
Figura 4 - Os elementos do sistema ADSL. 52
Apesar do acesso via modem ADSL ser dos mais comuns em nossos dias, muitas alternativas aparecem para atender os que desejam outras formas de acesso Internet. Assim sendo, temos muitas empresas de TV a cabo que oferecem acesso rpido e barato, alm de outras que o fazem por links sem fio.
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COMO FUNCIONAM OS SISTEMAS ELETRNICOS DO AUTOMVEL

Os automveis esto se tornando cada vez mais complexos, graas a uma eletrnica avanada que tende a controlar todos os seus elementos. Ignio eletrnica, injeo eletrnica, ABS, sistemas de conforto, segurana e som so apenas alguns exemplos de onde a eletrnica est presente. Conhecer o princpio de funcionamento desses sistemas no apenas algo que o profissional da rea precisa, mas tambm de todos os que desejam saber mais para usar melhor e mesmo para aqueles que gostam de consertar seus prprios carros. Veja neste artigo especial uma introduo ao funcionamento de alguns sistemas eletrnicos automotivos. Newton C. Braga
o termo "eletrnica embarcada" comumente utilizado para designar o conjunto dos equipamentos usados em automveis. No entanto, muito mais do que isso, o termo tambm pode ser estendido a outros tipos de veculos, tais como barcos e at mesmo aeronaves. A eletrnica embarcada visa fornecer um sistema inteligente que possa interagir com dispositivos capazes de realizar alguma ao em um veculo, com sensores que informem quando essas aes precisam ser executadas ou quando no podem. Na figura 1 temos um exemplo de interao entre alguns sistemas de sensores e efetores usados em um automvel comum. Note que alguns tipos de sinais podem interferir em diversos sistemas como, por exemplo, a Chave de Ignio. O modo como todas as funes so controladas em um veculo obedece, basicamente, a dois tipos de arquiteturas.
podem ter arquiteturas centralizadas ou distribudas.
O software o "programa" que controla o funcionamento do veculo, enquanto o hardware consiste nos
a) Arquitetura Centralizada
Na arquitetura centralizada temos uma ECU central que recebe as informaes de sensores e comandos e as processa, fornecendo sadas conforme mostra a figura 2. A ECU contm o hardware e o software para a leitura das entradas, processamento e fornecimento dos sinais de sada.
}s,,,",
Figura 2
res
Sistema travas Freios de dealarme instrum. vidros Painel de Central deABS Limpador marcha--r do motor do veculo porta aberta de ignio Chave Alerta de Velocidade Interruptor Rotao
AROUITETURAS DE SISTEMAS O modo como os sinais so analisados, processados, e a partir da gerados os comandos de aes
54
Figura 1
SABER ELETRNICA
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ELETRONICA
EMBARCADA
o. IpWLI Motwr PWL \
controle dos vidros Lanterna Mdulo de

I I I I I I I
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ORdiO
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I
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*-Rede I 2
Discreta---.:
1
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Bus, onde cada unidade de comando ligada rede deve suprir suas necessidades em funo do uso de cada unidade de processamento. Dessa forma, a unidade de gerenciamento do motor recebe o sinal da posio da borboleta e utiliza esses dados para comandar a transmisso automtica, a unidade do ABS, o controle de potncia, etc.
I I
I
1---.:
I I I
I I I I I I I I
OS PROTOCOLOS Na rede CAN temos um protocolo onde os bits so organizados de forma que as unidades se comuniquem sem problemas. Esse protocolo consta de sete partes com as seguintes funes: Comeo - Esse campo utiliza um bit para marcar o comeo da transmisso ou recepo de dados. Estado - Esse campo utiliza 11 bits para a definio da prioridade do protocolo. Controle - So 6 bits que definem a quantidade de informaes que vai ser recebida ou enviada. Dados - So as informaes transmitidas ou recebidas propriamente ditas. Verificao - Este campo composto por 16 bits que so utilizados para detectar falhas na transmisso dos dados. Conformao - So dois bits usados para indicar que os dados foram recebidos corretamente. Fim - Esse campo tem 7 bits que so utilizados para indicar o fim da transmisso do "pacote" de dados. A figura 6 exibe a organizao desse datagrama. Cada pacote de dados ou datagrama transmitido em tempos que variam entre 0,25 a 20 milissegundos, dependendo da unidade e da funo. Um ponto importante para o eletricista de automveis que o diagnstico de problemas de funcionamento em veculos que utilizam esse sistema pode ser feito pelo rastreamento dos sinais. Atravs de um nico conector ODB II possvel rastrear todos os sistemas. Na figura 7 mostramos esse conector.
Olnstrumentos J ~~~~_~:::::::::~::::::-----I
M6dulo de controle da carroceria
~ o
: l:rn=l --_::_~
~ ((~Il~
Motor
Figura 5
desliga, enquanto que o IPC recebe o sinal do sensor de velocidade passando a indicao ao indicador no painel. Note que no h necessidade de protocolos de comunicao para esse funcionamento conjunto, pois a ECU tem entradas e sadas discretas que operam com os sinais, alm de um algoritmo de controle. Para o caso da Arquitetura Eltrica Distribuda, temos como exemplo o veculo da figura 5. Neste caso, h trs ECUs conectadas por trs redes internas de comunicao de dados. A primeira rede (Rede 1) responsvel pela troca de dados entre o ECM e o BCM1 trabalhando com uma taxa de transmisso de dados de alta velocidade. A segunda (Rede 2)
responsvel pelo interfaceamentre o rdio e o IPC, operando em mdia velocidade. Finalmente, temos a Rede 3 onde acontece o interfaceamento entre os BCMs 1 e 2 e o IPC, trabalhando em baixa velocidade. Observe que nesta arquitetura, um sinal recebido por uma das ECUs pode ser enviado para qualquer outra atravs das redes de comunicao. Um exemplo de funcionamento desse processo pode ser dado por um sensor de velocidade na roda dianteira que envia o sinal para o BCM1, por estar mais prximo, e que depois o retransmite para o IPC pela rede 3, havendo sua indicao no painel. Esse mesmo sinal tambm pode ser usado por outro bloco. Esse o princpio da rede CAN ou CAB-
Sit
sem.uso
(Campo de dados) 64 bits (mx)
(Campo de confirmao) . 2 bits
Campo de (Campo de estado 11 bits controle) 6 bits
(Campo d! verificao) i(campo de 16 bits (mx) finalizao) 7 bits

Figura 6
56
SABER ELETRNICA
1000000008
9000000001
Veremos ago~a alguma coisa sobre alguns sistemas especficos encontrados nos automveis, com uma breve anlise de seu princpio de funcionamento.
OABS
Figura 7 - Conector
00811
Diversas empresas fornecem aparelhos de diagnsticos que, conectados em um veculo, localizam falhas de funcionamento. Na figura 8, por exemplo, temos o Rhaster RX da Tecnomotor, um equipamento que permite comunicar com as centrais eletrnicas dos veculos e, conseqentemente, acessar qualquer informao disponvel.
o coeficiente de atrito dinmico (quando as rodas deslizam) menor do que o coeficiente de atrito esttico (quando as rodas esto em aderncia com o solo). Isso significa que, numa frenagem, o espao exigido para a parada menor quando as rodas no deslizam. Assim, a freada mais eficiente aquela em que se aplica a maior fora de parada possvel roda, mas sem deix-Ia deslizar, conforme mostra a figura 9. A finalidade do ABS (Ant-Lock Break System) justamente aplicar o mximo de fora de frenagem possvel roda, mas sem deix-Ia travar (escorregar). Para conseguir isso o sistema conta com sensores eletrnicos de rotao nas rodas, um microprocessador central e um modulador hidrulico. Esse modulador consiste em um conjunto de vlvulas que, quando
os sensores detectam o travamento da roda, enviam o sinal ao microprocessado r e recebem instrues que "aliviam" a presso do fluido liberando a roda, como ilustrado na figura 10. Evidentemente, a presena do ABS melhora a eficincia dos freios pela reduo da distncia de parada. Mais do que isso, quando as rodas travam e o carro desliza, a dirigibilidade perdida. O processado r do ABS recebe as informaes dos sensores, fazendo a sua comparao com o programa
Sem travar F1 mx
F1 > F2
Deslizando '/Travado --------+ F2 Figura 9
Figura 8 - Rhaster
RX da Tecnomotor.
Esse aparelho tambm pode ser conectado a um computador para uma anlise detalhada das informaes obtidas. Conforme vimos, os diversos dispositivos eltricos e eletrnicos de um veculo so interligados para haver controle inteligente. A maneira como essa comunicao feita e as ferramentas para o diagnstico de problemas foram abordadas nesta introduo. Alm da Tecnomotor (www. tecnomotor.com.br), o leitor tambm pode consultar ainda o ste da Alfatest (www.alfatest.com.br) .
Apply
peda,J
Disco deBrakes freios
Figura
10
57
ELETRNICA
EMBARCADA
que consta de sua memria. Esse dispositivo conta com recursos que; em caso de falha, suspendem sua ao. Quando o contato da ignio ligado temos uma primeira verificao do ABS, caso em que a lmpada indicadora permanece acesa de 3 a 8 segundos. Quando o veculo entra em movimento o sistema novamente testado e, em caso de falha, acionada uma lmpada indicadora. Quando isso ocorre, o veculo no ficar sem freio, pois o modo tradicional ser mantido.
Trata-se de um sistema que rene em um n(co mdulo as funes ABS, TCS e EBD (E/ectronc Brake Force Distrbuton Distribuio Eletrnica de Fora de Frenagem). Esse ltimo sistema, EBD, calcula a presso mxima do freio que pode ser aplicada sem o perigo de travamento do eixo traseiro, tendo por base as variaes da carga no veculo. Nesse sistema, existem diversos sensores sofisticados. Nas rodas h sensores de velocidade que informam do perigo de travamento ou giro em falso. No centro do veculo existe um sensor de acelerao lateral e tambm de sua rotao em torno de seu prprio eixo vertical (YAW).Alm disso, h um sensor no volante que indica a inteno de manobra do motorista. A imagem da Bosch mostrada na figura 11 d uma idia dos elementos desse sistema. O sistema compara as diversas informaes enviadas pelos sensores e atua na mudana do torque ou ainda aplica o freio em uma ou mais rodas para estabilizar o veculo em caso de perda de controle por derrapagem.
Figura 11
TCS (TRACTION CONTROl SYSTEM) No Brasil, o sistema passou a ser utilizado no Vectra em 1996 e atualmente tambm encontrado no Fiat Stilo. O controle de trao consiste em um sistema onde um processador central monitora a aderncia dos pneus. Esse sistema usa sensores instalados nas rodas, que verificam se existe perigo dos pneus girarem em falso. Quando isso ocorre, os freios so acionados momentaneamente, apenas na roda que patina, evitando a perda de controle do veculo. Para detectar se a roda gira em falso, o processador compara (a partir dos sinais dos sensores) a velocidade das rodas dianteiras com as rodas traseiras. O sistema envia os sinais para o sistema de injeo de tal forma que, em caso de derrapagem, enviado um comando para que o motor reduza a quantidade de giros, o que pode evitar a derrapagem.
AIRBAG Eis um outro dispositivo complementar de segurana importante nos
veculos atuais. Esse dispositivo, aliado ao cinto de segurana, protege o motorista e eventual passageiro contra os efeitos de um impacto frontal no veculo. O sistema no ativado em caso de impactos laterais ou traseiros, ou ainda em caso de capotamento. Na figura 12 ilustramos que o ativamento do ABS ocorre somente se o impacto ocorrer dentro de um ngulo mximo de 30 graus em relao ao movimento frontal. Os sensores que determinam o instante do disparo de um arbag so incorporados unidade de comando do sistema. Em carros como a Blazer e a S1 O, os sensores frontais esto localizados na parte inferior do painel do frontal existindo ainda um sensor central na travessa central do chassi. O princpio de funcionamento do sistema simples de entender: A bolsa contm um gs gerador qumico em estado slido. Esses
~teral 30~ Frontal descentralizado
ESP (ELETRONIC STABILlITY PROGRAM) Um outro sistema interessante que equipa alguns veculos o programa eletrnico de estabilidade. Sua finalidade corrigir eventuais falhas de pilotagem, evitando que o veculo derrape mantendo uma trajetria segura. 58
Figura 12
ELETRNICA
EMBARCADA
gases ficam armazenados numa cmara de metal dentro do mdulo do Airbag. As bolsas so lacradas. Quando a unidade de comando recebe o sinal de impacto do veculo, uma corrente eltrica aplicada bolsa provocando a ignio do gs gerador. Esse gs queima rapidamente na cmara de metal fazendo com que seja produzida uma certa quantidade de nitrognio e dixido de carbono, que se expandem enchendo a bolsa. O processo de expanso do gs e enchimento da bolsa faz com que a cobertura da tampa de acabamento se rompa.
O circuito possui um microprocessador, no qual um programa determina as aes que devem ser tomadas para manter o ambiente dentro das condies desejadas.
CONFORTO E CONVENINCIA Esse sistema controla o acionamento eltrico dos vidros, as travas e o alarme. Normalmente, inclui recursos para o uso do controle remoto. Na figura 15 temos a disposio dos elementos que formam esse setor de controle do automvel. So as seguintes funes controladas: Travamento central e diferenciado das portas Bloqueio e desbloqueio do veculo Acionamento eltrico dos vidros Monitoramento do movimento dos vidros (sistema antiesmagamento) Abertura do porta-malas por controle remoto Alm disso, possvel personalizar o sistema com o acrscimo de algumas funes programadas como: Travamento automtico das portas com o veculo em movimento Destravamento das portas ao remover a chave do contato Inibio do sinal sonoro ou luminoso ao desativar o sistema de alarme Em veculos como o Polo, Golf e Passat, existe uma unidade eletrnica em cada porta, alm da unidade central.
se"'o~~~,o'"
Aes
Figura 14
PR-TENSIONADORES Um recurso de segurana encontrado em alguns carros modernos o pr-tensionador. Ele um sistema acoplado ao cinto de segurana dianteiro que elimina a folga do cinto no momento de uma coliso, prendendo assim a pessoa firmemente ao banco, conforme exibe a figura 13. Esse sistema conta com um limitador de fora para no apertar demais a pessoa no banco.
O monitoramento das temperaturas externa e interna feito por sensores, localizados em pontos apropriados do veculo internamente e externamente. Normalmente, para a temperatura externa so usados dois sensores que tomam medidas em dois pontos diferentes. A unidade de comando considera a temperatura mais baixa (normalmente a do ar de entrada). Em caso de falha dos sensores, o dispositivo assume uma temperatura fixa pr-determinada para as aes a serem realizadas, geralmente de 10 C.
Travamento das portas! acionamento dos vidros
Figura 13 Bloqueio!
CLlMATIZAO A finalidade desse sistema manter agradvel o ambiente dentro do carro, independentemente das condies externas. Esse sistema conta com um comando eletrnico que recebe e monitora informaes vindas de diversos sensores, conforme mostra a figura 14.
desbloqueio
Travamento das portas! acionamento dos vidros
Figura 15 59
NQ11!SETEMBRO!2005
ELETRNICA EMBARCADA
UNIDADE
DE INSTRUMENTAO COMBINADA
Essa unidade tem por finalidade avisar o condutor do veculo sobre qualquer anormalidade que ocorra nos sistemas, alm de fornecer informaes importantes sobre o veculo tais como velocidade, rotao do motor, distncia percorrida, etc. O dispositivo, denominado Instrumento Combinado, ligado rede CAN-Bus de dados em alguns veculos, o que permite a realizao de diagnsticos atravs de um scanner. Se a unidade precisar ser substituda, ser possvel registrar na nova unidade a quilometragem original. Da mesma forma, revises e trocas de leo podem ser programadas de modo a serem indicadas no painel. Essa unidade controla as seguintes funes: Velocmetro Tacmetro Combustvel Temperatura do motor Luzes de controle Odmetro e relgio.
Figura 17
pulsos com um ciclo ativo da ordem de 50%. So usados quatro sensores localizados no pra-choque traseiro, conectados a uma central que processa seus sinais. Essa central interligada com outros elementos circuito atravs de rede B-CAN. do
Quando o pra-choque detecta um obstculo, ele passa a emitir um tom intermitente constante. Quando
Figura 16
refrao do vidro molhado aumenta, conforme mostrado na figura. Esse sensor localizado na haste de fixao do espelho retrovisor interno, juntamente com outro tipo de senso r que o senso r crepuscular (quando existir).
a distncia cai abaixo de 25 em, o som tem sua freqncia aumentada tornando-se mais agudo. Afastando-se do obstculo, a emisso de som pra depois de 3 segundos de desengatada a marchaa-r. Em caso de falha, o sistema automaticamente desativado at que um diagnstico revele sua causa.
SENSORES
ESPECIAIS
b) Sensor Crepuscular
Encontrado nos mesmos veculos CONCLUSO Este artigo apresentou uma breve idia de como pode ser complexa a eletrnica do automvel em nossos dias, exigindo assim um preparo especial do profissional. Alm do conhecimento especfico dos princpios de funcionamento dos sistemas, que podem apresentar variaes segundo os modelos dos veculos, o profissional precisa contar com instrumentos especficos (scanque o sensor de chuva, este sensor detecta a luminosidade do ambiente atravs do qual o veculo transita. Em funo do nvel de luz sensoriado, o dispositivo atua no sentido de controlar os faris e luzes de posicionamento. Esse sensor um LDR comum, localizado tambm na haste de fixao do espelho retrovisor.
Diversos tipos de sensores podem ser encontrados em alguns veculos. Eles fornecem indicaes sobre determinadas grandezas fsicas, havendo uma ao para obter maior segurana ou conforto. Vejamos alguns desses sensores:
a) Sensor de Chuva
Alguns veculos nacionais como o Peugeot 206 Techno, Golf e Fiat Stilo possuem um sensor que faz o acionamento automtico do limpador de pra-brisas quando comea a chover. Diferentemente dos tipos antigos que se baseavam na condutividade de um sensor em presena da gua, os tipos modernos avaliam a refrao da luz atravs do vidro, a qual muda quando em presena da gua, conforme ilustra a figura 16. Existe um LED e um sensor que recebem a luz quando o ndice de 60
c) Sensor de Estacionamento
Esse sensor encontrado em alguns veculos nacionais Stilo da Fiat, consistindo como o em um
ners) para o diagnstico.

O leitor que desejar conhecer mais os dispositivos eletrnicos que equipam os automveis modernos ter outras informaes nas edies mensais da Revista Saber Eletrnica. Nela sero publicados artigos especficos sobre os sistemas eletrnicos, e tambm casos encontrados em diversas marcas de veculos nacionais.
dispositivo que informa a proximidade de obstculos quando a marcha-a-r engatada, veja a figura 17. O sistema opera como um sonar, emitindo ultra-sons que so refletidos nos obstculos que devem ser detectados. A freqncia de operao est em torno de 30 kHz, sendo enviados
SABER ELETRNICA
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COMPONENTES
a
Conversores analgicos-digitais (ADCs) so empregados numa infinidade de aplicaes prticas. Sensoriamento remoto de sinais analgicos e interfaceamento so exemplos imediatos dessas aplicaes. Neste artigo focalizamos a nova linha de ADCs da National Semiconductor (www.national.com) que conta com 36 novos produtos com velocidades de 50 ksps a 1 Msps. Newton C. Braga
A nova linha de conversores analgicos-digitais (ADC) conta com 12 tipos de baixa potncia de 1 e 12 bits com trs faixas de velocidade entre 50 kbps e 1 Mbps e, em seguida, dever lanar mais 24 tipos adicionais de uso geral com um a oito canais de 8 bits. Os novos conversores permitem a migrao imediata de configuraes de 8 bits para 12 bits com trs faixas velocidades sem a necessidade de modificar as placas de circuito impresso, pois os novos componentes so totalmente compatveis com as verses anteriores.
Cada ADC tem uma performance superior com baixa tenso de alimentao. Na tabela abaixo temos as caractersticas dos tipos disponveis. Para que o leitor tenha uma idia do desempenho desses novos conversores tomamos como exemplo o ADC121S101 (de 12 bits com taxa de amostragem de 1 Mbps). Suas principais caractersticas so: Garantia de nenhum cdigo ausente: para 12 bits ONL: + 0,5 LSB, - 0.3 LSB (tip), + 1 LSB, -0,9 LSB (mx)
INL: 0,4 LSB (tip), 1 LSB (mx) SNR: 72,5 dB (tip), 70,8 dB (min) SINAO: 72 dB (tip), 70,0 dB (min) THO: - 80 dB (tip) SFOR: 82 dB (tip) Offset Errar: 0,1 LSB (tip), 1,2 LSB (mx) Gain Errar: 0,2 LSB (tip), 1,2 LSB (mx) Potncia tpica: 16 mW mx (VDD = 5V), 4,5 mW mx (VDD = 3V)
t.PC Q2S01 OC1 2'S 101 ADC124S021 ADC124S051 ADC124S101 ADC104S021 ADC104S051 ADC104S101
62
10-bit
1Q-bit 12-bit 12-bit 12-bit 1Q-bit 1Q-bit 1Q-bit
2 2
4
Na foto abaixo um mapa para a escolha dos conversores analgicosdigitais disponveis da National Semiconductor.
200 to 500 KSPS

______ ..."-"-_ ... _ ~
~SPE'~8
MSOf-8
MSOP-10 MSOP-10 MSOP-10 MSOP-10 MSOP-10 MSOP-10
4 4 4
4
~SPSto:rMSPS 50 to"200 KSPS 200 to 500 KSPS 500 KSPS to 1 MSPS 50 to 200 KSPS 200 to 500 KSPS 500 KSPS to 1 MSPS
gOO
-.
COMPONENTES
circuito integrado IRMCK201 da lnternational Rectifier (www.irf.com) consiste em um controlado r de servomotores para corrente alternada, com recursos para simplificar o algoritmo de controle de motores AC de induo de ms permanentes.
o IRMCK201 possui um elo de realimentao de corrente em circuito fechado para encoder que permite o controle de velocidade de aplicaes que usem servos. Ele pode ser usado com o circuito integrado IR2175, um sensor linear de corrente, e com o IR2136, um driverde inversor trifsico. Na figura 1 temos um circuito tpico de aplicao desse componente. A freqncia de operao de sada de 130 kHz para se obter uma acelerao rpida. A IRF disponibiliza uma plataforma de avaliao e projeto para circuitos que utilizem esse componente. Essa plataforma, denominada IRMCK2011, contm todo o hardware para o projeto, alm do software ServoDesigner
(tm) da empresa.
Dentre as vantagens do uso deste circuito integrado nos projetos de controle de servos, destacamos: Arquitetura configurvel que permite controlar motores AC de m permanente ou induo Controle em elo aberto ou fechado Opera com padres comuns de comunicaes como RS-232, RS-422 e RS-485. Dentre as aplicaes sugeridas temos o controle de motores de alta .performance para processos industriais e automao, ferramentas para dentistas, mquinas de fixao de componentes, mquinas de controle numrico e mquinas rpidas de etiquetagem.
Resistor extern~ de frenegem
..
~a
Proteo contra sobrecorrente Barramento
IPMIIRAMX16UP60A '-------------------------------------: I : , I I I I I I
,
Ponte ou
AC V 230J<OCLI
coa <0<0 <t:a ~w t-I
I I I
1~C')cb
i
J
I IR2175
COMUNICAO
CENTRAL
(RS232C/RS422/SPI)
'T
63
Micro controlador genrico
IRMCK201
EEPROM
}+--+
Figura 1
SABER ELETRNICA
ESPECIAL
N 11/SETEMBRO/2005
COMPONENTES
o circuito integrado LM4671 da National Semiconductor consiste em um amplificador de udio de alta eficincia, que no precisa de filtro, podendo fornecer uma potncia de sada de 2,5 W. O circuito opera com fonte simples e tem uma eficincia de 80% com alimentao de 3,6 V e 100 mW de sada em alto-falante de 8 ohms. Essa eficincias sobe para 88% com alto-falante de 8 ohms e sada de 400 mW. A corrente quiescente de 2,5 mA com alimentao de 3,6 V (tip) e
a faixa de tenses de operao vai

de 2,4 V a 5,5 V.
Na figura 1 temos o modo de aplicao deste circuito, que exige muito pouco em matria de compo.nentes externos. Essas caractersticas tornam esse circuito ideal para aplicaes mveis. A taxa de distoro harmnica menor que 1% e o mais importante que ele no necessita 'de filtros externos, apesar de operar como um amplificador PWM. O ganho do LM4671 configurado externamente.
Cs
1 pF VDD
2-+
O circuito integrado LM2793 consiste numa fonte de corrente constante de baixo rudo para LEDs brancos, contendo uma funo dupla de controle de brilho. Este circuito integrado pode ser alimentado com tenses de 2,7 V a 5,5 V e fornece uma alimentao PWM de 18 mA (mx) para cada LED ligado em sua sada. Na figura 1 temos o circuito tpico de aplicao deste circuito integrado, apresentado em invlucro LLP-1 O de 10 pinos. As correntes nos LEDs podem ser ajustadas de forma independente por uma entrada analgica ou ainda um sinal modulado retangular. A freqncia de operao fixada em 500 kHz e o circuito tem uma alta eficincia na regulagem da alimentao dos LEDs. A corrente no modo shutdown de apenas 3 ~A. Mais informaes podem ser obtidas no site da National Semiuconductor em www.national.com.
VIN= 2.7V - 5.5 V
POUT~HOLO 1 /lF IOUT= 16 mA mx. 0116
:t:
C1 1 ~lF, Controle de Shutdown
CIN ~VIN
:t:
1 pF
LM2793
4,C1+
AJ'J'
Figura 1
~~--
GND/9 0217 8IS0-BRGT Figura 1 ESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005
64
SABER ELETRNICA

Saber Eletrônica Ano 41 Nº 11

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~ ~

Diretores Hlio Fittipaldi Thereza Mozzato Ciampi Fittipaldi

Associao Nacional das Editoras de Publicaes Tcnicas, Dirigidas e Especializadas.

A EVOLUO DOS RELS

que vo desde cargas contnua e sinais at

No entanto, possvel comutar correntes alternadas com o uso de

Dispositivo ~Terminal opto-sensvel

SABER ELETRNICA ESPECIAL N 11/SETEMBRO/2005

de carga (A) Rel de potncia PhotoMOS (alta capacidade)

Tipos econmicos com baixa Rds(on)

Tipos econmicos de alta sensibilidade

isso o que pensam os cientistas da Intel que,

Sunlin Chou - Vice Presidente do Technology and Manufacturing Group da Intel.

NANOTECNOLOGIA EM AO Quando tratamos de nanotecnologia nos referimos aos processos,

Figura 2 - Wafer de 300 nm, fabricado pela Intel.

* Consulte para maiores informaes

www.silicom.com.br - Oxxll 6198-2526

GERADOR DENTE-DE-SERRA DE PRECISO

ATENUADOR DE UDIO SIMPLES

possvel elaborar um atenuador simples para sinais de udio, Newton C. Braga

SPICE VHDL VERILOG

..--. ..--. ..--. ..--.

Verso Profissional do Multisim. 10

A NATIONAL INSTRUMENTS COMPANV

o dsPIC e como voc pode se beneficiar de suas no desenvolvimento

excepcionais caractersticas projeto industrial.

CONTROLADOR DIGITAL DE SINAIS?

dsPIC30F 1st Generation DSC

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CONVERSAO DE POTENCIA E MONITORAMENTO

X-Data Bus<16-bit> V-Data Bus< 16-bit> Data SRAM upto

l/O Ports A-G Input Capture (8 ch) Compare/Std PWM

ACCA<40> ACCB<40> DSP Engine .

Prego Flash and Data EE Data Access

8Kbytes Data EEPROM

Codec Interface f2S/AC97 CAN 1 CAN2 Motor Control PWM

Enc Interface 12-bit AIO 10-bit AIO

Ferramenta de desenvolvimento lAR para dsPIC

A FERRAMENTA A ferramenta lAR Embedded

i'.ew erQje(t 100/$ 'Jf..rdoN !j!b

C SOl:rc~ !!:I:C~10::. !'yrone1b f'j:onel VJ_,UJ V3_3"'! v"3_34E V3_,UG ;

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Figura 1 - lAR Embedded Workbench IDE

Ferramentas para o dsPIC

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