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TEMA 1: NUEVAS TECNOLOGIAS DE FABRICACION DE TRANSISTORES
INTRODUCCION:
En uno de los mayores avances en el diseo fundamental de transistores, Intel Corporation ha anunciado hoy la
utilizacin de dos nuevos e increbles materiales para la construccin de las paredes de aislamiento y la conexin de
puerta de sus transistores en 45 nanmetros (nm). Cientos de millones de estos transistores microscpicos o
interruptores se incluirn en la prxima generacin de familias de procesadores multincleo Intel Core 2 Duo,
Intel Core 2 Quad y Xeon. La compaa tambin ha indicado que cuenta con cinco productos en fase inicial listos y
funcionando los primeros de los quince procesadores en 45 nanmetros planeados por Intel.
Esta innovacin en transistores permitir a la compaa continuar ofreciendo velocidades de procesamiento
asombrosas en servidores, equipos porttiles y de sobremesa, mientras se reducen las prdidas de energa elctrica de
los transistores, lo que permite reducir el diseo del chip y del equipo informtico, su tamao, consumo elctrico,
ruido y costes. Adems, este anuncio asegura la Ley de Moore, un axioma de la industria de alta tecnologa en el que
se plantea que el nmero de transistores en un chip se duplica cada dos aos, algo que toma fuerza para la prxima
dcada.
Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos electrnicos consisten en general en la simulacin o
caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales. Difcilmente se aborda en dichas prcticas la fabricacin real de
dispositivos electrnicos activos. Como mucho se fabrican elementos pasivos, tales como resistencias o
condensadores. Las razones son obvias, para la fabricacin de dispositivos electrnicos con razonables prestaciones
elctricas se necesitan equipos de proceso que en la mayora de los casos no existen ni en los propios grupos de
investigacin de las universidades.
En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales
como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran
inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas
electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de
semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo
posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.
En general, los semiconductores orgnicos pueden dividirse en dos grandes grupos segn su estructura qumica:
polmeros, formados por cadenas de monmeros, y oligmeros, formados por una o unas pocas molculas. La
obtencin de capas delgadas de dichos semiconductores es diferente segn estemos tratando con polmeros o con
molculas pequeas. Para los polmeros el proceso usual de depsito es a partir de la tcnica conocida como spin-
coating. El polmero se disuelve en un disolvente orgnico y a continuacin se deposita sobre un substrato.
Posteriormente se hace rotar el substrato a gran velocidad, distribuyndose todo el lquido sobre su superfcie. Con
este proceso se consiguen capas delgadas con buena uniformidad. Por el contrario, los semiconductores orgnicos en
pequea molcula se depositan mediante evaporacin trmica en cmaras de vaco. Con ambas tecnologas es posible
obtener dispositivos con notables propiedades elctricas.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de
refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de
rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.
La percepcin de Intel es que ha ampliado su liderazgo en ms de un ao frente al resto del mercado de
semiconductores con el anuncio de los procesadores de 45 nanmetros y la prxima generacin de productos basada
en esta tecnologa de nombre cdigo Penryn. Las primeras versiones, que estarn centradas en cinco segmentos de
mercado informtico diferentes, estn trabajando con sistemas operativos como Windows* Vista*, Mac OS X*,
Windows* XP y Linux, as como diferentes aplicaciones. La compaa mantiene sus planes de produccin de 45
nanmetros para la segunda mitad de este ao.
Los transistores de Intel incorporan el nuevo material dielectrico High-K y un Nuevo metal de puerta
Intel es el primero en implantar una innovadora combinacin de nuevos materiales que reducen drsticamente las
fugas e incrementan el rendimiento de su tecnologa de procesamiento de 45 nanmetros. La compaa utilizar un
nuevo material con una propiedad denominada high-k, para dielctrico de puerta del transistor, y una nueva
combinacin de materiales metlicos para el electrodo de puerta del transistor.
La implementacin de materiales metlicos y high-k marca el cambio ms grande en la tecnologa de transistores
desde la presentacin de los transistores MOS de puente de polisilicio a finales de los aos 60 comenta Gordon
Moore, co-fundador de Intel.
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Los transistores son interruptores diminutos que procesan los unos y ceros del mundo digital. La puerta deja pasar o
no la corriente en el transistor y el dielctrico de puerta es un aislante inferior que separa la puerta del canal por el que
fluye la corriente. La combinacin de la conexin de puerta metlica y el nuevo dielctrico de puerta high-k permite
transistores con corrientes elctricas de fuga muy bajas y ofrece un alto rendimiento sin igual.
Debido a que cada vez ms y ms transistores son encapsulados en una nica pieza de silicio, el mercado contina
analizando las actuales soluciones para la reduccin de corrientes de fuga, indica Mark Bohr, Socio Senior de Intel.
Mientras, nuestros ingenieros y diseadores han alcanzado un logro muy importante que asegura el liderazgo de Intel
en productos e innovacin. Nuestra implementacin de transistores de puerta metlica y el innovador material high-k
para nuestra tecnologa de fabricacin de 45 nanmetros ayudar a Intel a proporcionar productos multincleo ms
eficientes y rpidos sobre los que construir el xito de las familias de procesadores Intel Core 2 y Xeon, y extender la
Ley de Moore durante la prxima dcada.
En trminos de comparacin, aproximadamente cerca de 400 transistores de 45 nanmetros de Intel podran caber en
la superficie de un solo glbulo rojo de sangre humana. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin ms innovadora
era la de 250 nanmetros, lo que significaba que las dimensiones del transistor eran aproximadamente 5,5 veces
superior en tamao y 30 veces el rea de la tecnologa anunciada hoy por Intel.
Como el nmero de transistores por chip se dobla aproximadamente cada dos aos de acuerdo con la Ley de Moore,
Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de procesamiento informtico,
incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el coste por transistor. Para mantener este ritmo
de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms. Sin embargo, el uso de los actuales
materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites bsicos, debido al incremento en la
potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est alcanzando lmites atmicos. Como
resultado, la implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la Ley de Moore y la rentabilidad en la
era de la informacin.
La puerta metlica y High-k la receta para la tecnologa de fabricacin de 45nm
El dixido de silicio es el material que ha sido utilizado para fabricar el dielctrico de puerta del transistor desde hace
ms de 40 aos, debido a su facilidad para ser procesado y la capacidad para proporcionar mejoras constantes en el
rendimiento del transistor, ya que cada vez se ha fabricado ms fino. Intel ha reducido con gran xito el dielctrico de
puerta de dixido de silicio a menos de 1,2 nanmetros de grosor lo que significa un total de cinco capas atmicas
en los anteriores procesos de fabricacin de 65nm de la compaa, pero la continua reduccin ha dado como resultado
un incremento en las corrientes de fuga a travs del dielctrico o aislante de puerta, lo que ha dado como resultado un
calentamiento innecesario y un malgasto de energa.
La fuga de electricidad a travs de la puerta del transistor asociado con el cada vez ms fino dielctrico de puerta de
dixido de silicio es reconocido por el mercado como uno de los retos tcnicos ms importantes a los que hace frente
la Ley de Moore. Con el fin de resolver este tema tan crtico, Intel reemplaz el dixido de silicio con una capa ms
gruesa de un material high-k basado en hafnium en el dielctrico de puerta, reduciendo la fuga hasta diez veces
comparado con el dixido de silicio utilizado durante ms de cuatro dcadas.
Debido a que el dielctrico de puerta basado en high-k no es compatible con el electrodo de puerta de silicio de hoy en
da, la segunda parte de la receta de material del transistor de 45nm ha sido el desarrollo de nuevos materiales para una
puerta de metal. Debido a que los metales especficos que Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa utilizar
una combinacin de diferentes materiales metlicos para los electrodos de la puerta del transistor.
La combinacin del dielctrico de puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de fabricacin de 45nm de
Intel proporciona ms de un 20% de incremento en la conduccin de la corriente, o lo que es lo mismo un rendimiento
del transistor mucho ms alto. Por otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces, mejorndose la
eficiencia energtica del transistor.
El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores
generaciones, consumen menos energa al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el
consumo elctrico en la conexin y desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un
dielctrico low-k para sus interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de
energa. Todo ello utilizar tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de enmascarado para ampliar la
utilizacin de la tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus procesadores de 45nm, debido a
sus ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin que ofrece.
La familia Penryn ofrece ms rendimiento de forma ms eficiente
La familia de procesadores Penryn es un derivado de la microarquitectura Intel Core y supone un paso ms all en la
rpida velocidad de Intel a la hora de proporcionar una nueva tecnologa de fabricacin y una nueva microarquitectura
en aos alternos. La compaa cuenta con ms de 15 productos basados en 45nm en desarrollo para segmentos de
sobremesa, porttiles, estaciones de trabajo y empresariales. Con ms de 400 millones de transistores para
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procesadores de doble ncleo y ms de 800 millones para los de cuatro ncleos, la familia de procesadores Penryn de
45nm incluyen las funcionalidades de una nueva microarquitectura para un mayor rendimiento y capacidades para la
gestin de la energa, as como velocidades de ncleo ms altas y hasta 12 megabytes de cach. La familia Penryn
adems ofrece aproximadamente 50 nuevas instrucciones Intel SSE4 que amplan las capacidades y el rendimiento
para aplicaciones informticas multimedia y de alto rendimiento.
HISTORIA
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en
1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo. El transistor de efecto de campo fue
descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa
necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los
denominados transistores de efecto de campo (FET).
En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo
elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-
Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos
altamente integrados (CI). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS
(Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p),
que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede
explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de
ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de
trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector
Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc.
Los tres tipos de esquemas (configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn,
colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la
corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada
la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en
el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje.
De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin
presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que
en el triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo. Los
transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da, para
tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro
cuadrado y en varias capas superpuestas. Puede ser refinado por medio de tcnicas bien establecidas de purificacin y
crecimiento de cristales. El silicio tambin exhibe propiedades fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos
activos con buenas caractersticas elctricas, adems es fcil de oxidar para formar un excelente aislante SiO2 (vidrio).
Este xido nativo es til para construir condensadores y MOSFET. Tambin sirve como barrera de proteccin contra
la difusin de impurezas indeseables hacia el mineral adyacente de silicio de alta pureza. Esta propiedad de proteccin
del oxido de silicio permite que sus propiedades elctricas sean fciles de modificar en reas predefinidas.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de
refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, etc.
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La fabricacin de circuitos integrados es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas. Cada
fabricante de circuitos integrados tiene sus propias tcnicas que guardan como secreto de empresa, aunque las tcnicas
son parecidas. Los dispositivos integrados pueden ser tanto analgicos como digitales, aunque todos tienen como base
un material semiconductor, normalmente el silicio. Difcilmente se aborda en dichas prcticas la fabricacin real de
dispositivos electrnicos activos. Como mucho se fabrican elementos pasivos, tales como resistencias o
condensadores.
Las razones son obvias, para la fabricacin de dispositivos electrnicos con razonables prestaciones elctricas se
necesitan equipos de proceso que en la mayora de los casos no existen ni en los propios grupos de investigacin de las
universidades. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha
habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en
sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes.
Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso
en los ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con
propiedades predeterminadas. En general, los semiconductores orgnicos pueden dividirse en dos grandes grupos
segn su estructura qumica: polmeros, formados por cadenas de monmeros, y oligmeros, formados por una o unas
pocas molculas. La obtencin de capas delgadas de dichos semiconductores es diferente segn estemos tratando con
polmeros o con molculas pequeas. Para los polmeros el proceso usual de depsito es a partir de la tcnica conocida
como spin-coating. El polmero se disuelve en un disolvente orgnico y a continuacin se deposita sobre un substrato.
Posteriormente se hace rotar el substrato a gran velocidad, distribuyndose todo el lquido sobre su superfcie. Con
este proceso se consiguen capas delgadas con buena uniformidad. Por el contrario, los semiconductores orgnicos en
pequea molcula se depositan mediante evaporacin trmica en cmaras de vaco. Con ambas tecnologas es posible
obtener dispositivos con notables propiedades elctricas.
En este artculo describiremos la fabricacin de un transistor de efecto de campo en capa delgada utilizando procesos
tecnolgicos simples que pueden realizarse en equipos relativamente econmicos. Describiremos la fabricacin del
BJT planar para circuitos monolticos mediante los procesos tratados. Para seguir la secuencia de fabricacin nos
concentraremos en la construccin de dos transistores npn en la fuente de corriente. Tambin analizaremos la
fabricacin de resistencias. En 1948, tres investigadores de los Laboratorios Bell, de Estados Unidos, no satisfechos
con los buenos resultados de la unin de dos pastillas P y N de material semiconductor, juntaron tres bloquesitos de
este material y lo colocaron uno encima del otro a manera de sandwich o emparedado. Se poda hacer de dos maneras:
dos pastillas de semiconductor tipo N en los extremos y en el centro uno de tipo P, o sea un conjunto N - P - N;
tambin de igual manera se lograba un conjunto P - N - P.
El aparato hecho de esta manera present caractersticas que impresionaron a estos tres hombres de ciencia, y que
sirvi para revolucionar el mundo. Cuando los dos extremos (material del mismo tipo) eran colocados en serie con una
corriente grande de electrones se poda controlar su flujo o intensidad dejando pasar o no, una pequesima corriente
por la pastilla del centro. Observaron que el conjunto se comportaba como una resistencia de valor variable y
regulable electrnicamente con el electrodo central. Inicialmente eso para ellos fue como transferir una resistencia de
un circuito a otro, y bautizaron TRANSISTOR a su descubrimiento.
FABRICACION
La fabricacin de circuitos integrados a grande escala se explica a travs de un procedimiento VLSI (por sus siglas en
ingls) con silicio estndar. Se presentan las caractersticas de los dispositivos disponibles en tecnologas de la
fabricacin CMOS y BiCMOS, donde se analizarn los aspectos de diseo de los circuitos integrados que son distintos
a los del diseo de circuitos discretos. Por consiguiente, entender las caractersticas del dispositivo es esencial al
disear buenos VLSI a la medida o circuitos integrados para aplicaciones especficas. Este mtodo considera solo
tecnologas que se basan en el silicio; ya que es el material ms popular, gracias a que posee una amplia variedad de
compromisos costo desempeo. Desarrollos recientes en tecnologas de SiGe y silicio, sometido a esfuerzo, reforzarn
an ms la posicin de los procesos de fabricacin que se basan en este elemento en la industria microelectrnica en
los aos venideros.
Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito Integrado formado por Silicio como componente activo. Los pasos de
fabricacin bsica se pueden realizar muchas veces, en diferentes combinaciones y en diferentes condiciones de
procedimiento durante un turno de fabricacin completo. El silicio es un elemento abundante que existe naturalmente
en forma de arena. Puede ser refinado por medio de tcnicas bien establecidas de purificacin y crecimiento de
cristales. El silicio tambin exhibe propiedades fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos activos con
buenas caractersticas elctricas, adems es fcil de oxidar para formar un excelente aislante SiO2 (vidrio).
Este xido nativo es til para construir condensadores y MOSFET.
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Tambin sirve como barrera de proteccin contra la difusin de impurezas indeseables hacia el mineral adyacente de
silicio de alta pureza. Esta propiedad de proteccin del oxido de silicio permite que sus propiedades elctricas sean
fciles de modificar en reas predefinidas. Por consiguiente, se pueden construir elementos activos y pasivos en la
misma pieza material (o sustrato). Entonces los componentes pueden interconectarse con capas de metal (similares a
las que se utilizan en las tarjetas de circuito impreso) para formar el llamado circuito integrado monoltico, que es en
esencia una pieza nica de metal.
Preparacin de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de
un cilindro slido de color gris acero de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser de 1m a 2m de longitud (Figura 1). Este
cristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es igual a 1x10-6 metros).
Despus, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de tcnicas de pulimento qumicas y mecnicas.
Las propiedades elctricas y mecnicas de la oblea dependen de la orientacin de los planos cristalinos, concentracin
e impurezas existentes. Para lograr tener mayor resistividad, se necesita alterar las propiedades elctricas del Silicio a
partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente impurificado (baja resistividad)
sera designada como material n+, mientras que una regin levemente impurificada se designara n-.
Oxidacin
Se refiere al proceso qumico de reaccin del Silicio con el Oxgeno para formar Bixido de Silicio (SiO2). Para
acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos ultra limpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se utiliza
en la reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o como vapor (oxidacin
hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidacin seca produce mejores
caractersticas elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes condensadores.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. El Bixido de de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante. Si se
ilumina con luz blanca una oblea oxidada la interferencia constructiva y destructiva har que ciertos colores se reflejen
y con base en el color de la superficie de la oblea se puede deducir el espesor de la capa de xido.
Difusin
Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta concentracin a una de baja a travs del
cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se introducen tomos
de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso de difusin de impurezas
se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado. Las impurezas ms
comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo n). Si la
concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida tambin puede utilizarse como conductor.
Implantacin de iones
Es otro mtodo que se utiliza para introducir tomos de impurezas en el cristal semiconductor. Un implantador de
iones produce iones del contaminante deseado, los acelera mediante un campo elctrico y les permite chocar contra la
superficie del semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al variar la corriente del haz
(flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso del perfil del dopaje es esencial para la
operacin del dispositivo.
Deposicin por medio de vapor qumico
Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar qumicamente, lo cual conduce a la formacin de
slidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de xido que se deposita por medio de vapor qumico no son tan
buenas como las de un xido trmicamente formado, pero es suficiente para que acte como aislante trmico. La
ventaja de una capa depositada por vapor qumico es que el xido se deposita con rapidez y a una baja temperatura
(menos de 500C).
Metalizacin
Su propsito es interconectar los diversos componentes (transistores, condensadores, etc.) para formar el circuito
integrado que se desea, implica la deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio. Puede ser refinado por
medio de tcnicas bien establecidas de purificacin y crecimiento de cristales. El silicio tambin exhibe propiedades
fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos activos con buenas caractersticas elctricas, adems es fcil de
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oxidar para formar un excelente aislante SiO2 (vidrio). Este xido nativo es til para construir condensadores y
MOSFET. Tambin sirve como barrera de proteccin contra la difusin de impurezas indeseables hacia el mineral
adyacente de silicio de alta pureza. Esta propiedad de proteccin del oxido de silicio permite que sus propiedades
elctricas sean fciles de modificar en reas predefinidas. El espesor de la pelcula del metal puede ser controlado por
la duracin de la deposicin electrnica, que normalmente es de 1 a 2 minutos.
Fotolitografa
Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie de los diversos componentes de un circuito
integrado. Para lograr la fotolitografa, primeramente se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada
sustancia fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus de esto se utilizar una placa fotogrfica
con patrones dibujados para exponer de forma selectiva la capa fotosensible a la iluminacin ultravioleta. Las reas
opuestas se ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y de esta manera, producir con precisin geometras
de superficies muy finas. La capa fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el ataque
qumico en hmedo o contra el ataque qumico de iones reactivos. Este requerimiento impone restricciones mecnicas
y pticas muy crticas en el equipo de fotolitografa.
Empacado
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados, cada chip puede contener de 10 a
108 o ms transistores en un rea rectangular, tpicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Despus de haber probado
los circuitos elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y los buenos (pastillas) se montan en cpsulas
(soportes). Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del paquete al patrn de
metalizacin en la pastilla; por ltimo, se sella el paquete con plstico o resina epxica al vacio o en una atmsfera
inerte. Puede ser refinado por medio de tcnicas bien establecidas de purificacin y crecimiento de cristales. El silicio
tambin exhibe propiedades fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos activos con buenas caractersticas
elctricas, adems es fcil de oxidar para formar un excelente aislante SiO2 (vidrio). Este xido nativo es til para
construir condensadores y MOSFET. Tambin sirve como barrera de proteccin contra la difusin de impurezas
indeseables hacia el mineral adyacente de silicio de alta pureza. Esta propiedad de proteccin del oxido de silicio
permite que sus propiedades elctricas sean fciles de modificar en reas predefinidas. Componentes Electrnicos ms
usados en el diseo de circuitos:
MOSFET
Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p. La movilidad de la superficie de electrones del dispositivo de
canal n es de dos a cuatro veces ms alta a la de los huecos. Este transistor ofrece una corriente ms alta y una
resistencia baja; as como una transconductancia ms alta. Su diseo se caracteriza por su voltaje de umbral y sus
tamaos de dispositivos, en general, los MOSFET (tipo n o p) se disean para que tengan voltajes de umbral de
magnitud similar para un proceso particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son mucho ms flexibles en su
diseo.
Resistencias
Las regiones de distinta difusin tienen diferente resistencia. El pozo n en general se utiliza para resistencias de valor
medio, mientras que las difusiones n+ y p+ son tiles para resistencias de valor bajo. Cuando se disea un valor real
de una resistencia se hace a travs del cambio de la longitud y el ancho de las regiones difundidas. Todas las
resistencias difundidas estn auto aisladas por las uniones pn polarizadas a la inversa. Sin embargo una desventaja es
que estn acompaadas por una sustancial capacitancia parsita de unin que los hace no muy tiles en el uso de
frecuencias altas. Adems, es posible que exista una variacin en el valor real de la resistencia cuando se aumenta el
voltaje debido a un efecto llamado JFET. Para obtener un valor ms exacto, se recomienda que se fabrique con una
capa de polisilicio que se coloca encima del grueso campo de xido.
Capacitores
Existen 2 tipos de estructura de condensador en los procesos CMOS, condensadores MOS y de interpolietileno.
La capacitancia de compuerta MOS es bsicamente la capacitancia de compuerta a fuente de un MOSFET, la cual
depende del rea de dicha compuerta; este condensador exhibe una gran dependencia del voltaje, para eliminar este
problema, se requiere un implante n+ adicional para formar la placa inferior de los condensadores. Estos dos
condensadores MOS estn fsicamente en contacto con el sustrato, lo que produce una gran capacitancia parsita en la
unin pn en la placa inferior. El condensador interpoli exhibe caractersticas casi ideales pero a expensas de la incluir
una segunda capa de polisilicio en el proceso CMOS, donde los efectos parsitos se mantienen al mnimo. Para los 2
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tipos de condensadores anteriormente (interpoli y MOS), los valores de capacitancia pueden controlarse hasta un
margen de error de 1%. Esta propiedad es extremadamente til para disear circuitos CMOS anlogos de precisin.
Transistor pnp lateral
Cuando se utilizan este tipo de dispositivos electrnico, el pozo n sirve como regin de base n con difusiones p+ como
emisor y colector. Finalmente, el anlisis terico confirma la posibilidad de realizar optimizaciones adicionales. Los
trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos electrnicos consisten en general en la simulacin o
caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales. La separacin de entre las dos difusiones determina el ancho de
la base. Como el perfil de dopaje no est perfeccionado para las uniones base-colector, y como el ancho de la base est
limitado por la resolucin de fotolitogrfica mnima, el desempeo de este dispositivo no es muy bueno.
Resistores de base p y de base estrecha
La difusin en la base p se puede utilizar para formar un resistor de base p directo. Como la regin de la base es, por lo
general, de un nivel de dopaje relativamente bajo y con una profundidad de unin moderada, es adecuada para
resistores de valor medio. Si se requiere un resistor de valor grande, se puede utilizar el de base estrecha; ya que
exhiben malos coeficientes de tolerancia y temperatura pero una coincidencia relativamente buena.
Para su nombre se escogi las cuatro primeras letras de la palabra TRANSFERENCIA (transference), o paso, y las
seis ltimas de RESISTOR (resistor), que en ingls significa resistencia. Finalmente, el anlisis terico confirma la
posibilidad de realizar optimizaciones adicionales. Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos
electrnicos consisten en general en la simulacin o caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales
Fabricacin de Transistores
Una vez preparada la oblea, el sustrato tipo p, se crece una capa epitaxial tipo n, tal como se ve en la Figura 1. Esta
capa forma las regiones de colector de los transistores. Seguidamente se deposita una capa de oxido para cubrir la
superficie. Ahora deben aislarse entre s las regiones de ambos transistores. Para ello se forman tres ventanas en el
SiO2 mediante fotolitografa y corrosin. Se difunde una regin p+ en la capa epitaxial expuesta hasta que alcance el
sustrato. Este proceso establece una isla aislada alrededor de cada transistor como se ve en la figura 3.1.
El aislamiento elctrico se consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito. Con esto se garantiza
que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin inversa. Una vez completada la difusin
de aislamiento se recubre nuevamente la oblea con una capa de SiO2. Con una nueva mascara se forman las ventanas
en las que se difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1 (d), quedando definidas las regiones de las bases
en la vista de la figura 3.1 (e). Se recrece una capa de SiO2 para cubrir la oblea despus de la difusin de la base.
Figura N 3.1(a) Fabricacin de un TR npn:
Crecimiento Epitaxial tipo n y Oxidacin.
Con una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina el SiO2 como preparacin para la difusin superficial
de emisor figura 3.1 (f). Finalmente, el anlisis terico confirma la posibilidad de realizar optimizaciones adicionales.
Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos electrnicos consisten en general en la simulacin o
caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales. Obsrvese que tambin se difunde una regin n+ en la regin de
colector de cada transistor. Aqu se hace el contacto en el aluminio del colector, y la zona n+ contribuye a formar un
buen contacto hmico. Despus de la difusin de colector se crece otra capa de SiO2 sobre la superficie de la oblea. El
ltimo paso del proceso es la mentalizacin. La capa de oxido se graba con una cuarta mascara para descubrir la oblea
all donde se deseen los contactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza aluminio, cuyos sobrantes se eliminan
qumicamente con una 6a mascara dejando los contactos y las conexiones deseadas. En la seccin transversal de la
figura 3.1 (g) y en la vista superior de la figura 3.1 (h) puede verse el resultado de esta secuencia.
La figura 3.1 (g) es idntica a la figura 3.1(a) para Q1 y Q2. Las dimensiones sealadas en la figura 3.1 son las tpicas
empleadas en la fabricacin comercial de BJT de pequea geometra. Al construirse ambos transistores
simultneamente y fsicamente prximos, sus caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar
transistores con propiedades elctricas distintas, normalmente se modifica la geometra del dispositivo. En particular
para obtener BJT de mayor corriente por aumento de IES, se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el
dispositivo queda aumentado. Empricamente se acostumbra a limitar a 10:1 la relacin entre las superficies de emisor
de transistores muy prximos entre s, y ello debido a las limitaciones del proceso de difusin. En la fabricacin de
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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circuitos integrados comerciales corrientemente se emplea la implantacin de iones en las zonas de emisor y de base.
Estas regiones son muy tenues y puede regularse mejor su espesor mediante la implantacin. Adems como la
implantacin se realiza a menor temperatura que la difusin se minimiza el inconveniente de la difusin lateral de base
y emisor.
Debido a que los metales especficos que Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa utilizar una combinacin
de diferentes materiales metlicos para los electrodos de la puerta del transistor. La combinacin del dielctrico de
puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de fabricacin de 45nm de Intel proporciona ms de un 20% de
incremento en la conduccin de la corriente, o lo que es lo mismo un rendimiento del transistor mucho ms alto. Por
otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor. El
proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos.
Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores generaciones, consumen menos energa
al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el consumo elctrico en la conexin y
desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un dielctrico low-k para sus
interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de energa. Todo ello utilizar
tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa
seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta
capacidad de fabricacin que ofrece.
Figura N 3.1 (b) Fabricacin de un TR npn:
Enmascaramiento y Grabado para Exponer la
Superficie Tipo n para la Difusin de
Aislamiento.
Las razones son obvias, para la fabricacin de dispositivos electrnicos con razonables prestaciones elctricas se
necesitan equipos de proceso que en la mayora de los casos no existen ni en los propios grupos de investigacin de las
universidades. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha
habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en
sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad
de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos,
siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades
predeterminadas.
En general, los semiconductores orgnicos pueden dividirse en dos grandes grupos segn su estructura qumica:
polmeros, formados por cadenas de monmeros, y oligmeros, formados por una o unas pocas molculas. La
obtencin de capas delgadas de dichos semiconductores es diferente segn estemos tratando con polmeros o con
molculas pequeas. Para los polmeros el proceso usual de depsito es a partir de la tcnica conocida como spin-
coating. El polmero se disuelve en un disolvente orgnico y a continuacin se deposita sobre un substrato.
Posteriormente se hace rotar el substrato a gran velocidad, distribuyndose todo el lquido sobre su superfcie. Con
este proceso se consiguen capas delgadas con buena uniformidad. Por el contrario, los semiconductores orgnicos en
pequea molcula se depositan mediante evaporacin trmica en cmaras de vaco. Con ambas tecnologas es posible
obtener dispositivos con notables propiedades elctricas. En este artculo describiremos la fabricacin de un transistor
de efecto de campo en capa delgada utilizando procesos tecnolgicos simples que pueden realizarse en equipos
relativamente econmicos.
El aislamiento elctrico se consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito. Con esto se garantiza
que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin inversa. Una vez completada la difusin
de aislamiento se recubre nuevamente la oblea con una capa de SiO2. Con una nueva mascara se forman las ventanas
en las que se difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1 (d), quedando definidas las regiones de las bases
en la vista de la figura 3.1(e). Se recrece una capa de SiO2 para cubrir la oblea despus de la difusin de la base. Con
una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina el SiO2 como preparacin para la difusin superficial de
emisor figura 3.1(f). Obsrvese que tambin se difunde una regin n+ en la regin de colector de cada transistor. Aqu
se hace el contacto en el aluminio del colector, y la zona n+ contribuye a formar un buen contacto hmico.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Despus de la difusin de colector se crece otra capa de SiO2 sobre la superficie de la oblea. El ltimo paso del
proceso es la mentalizacin. La capa de oxido se graba con una cuarta mascara para descubrir la oblea all donde se
deseen los contactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza aluminio, cuyos sobrantes se eliminan qumicamente
con una 6a mascara dejando los contactos y las conexiones deseadas. En la seccin transversal de la figura 3.1 (g) y en
la vista superior de la figura 3.1(h) puede verse el resultado de esta secuencia. La figura 3.1 (g) es idntica a la figura
3.1(a) para Q1 y Q2. Las dimensiones sealadas en la figura 3.1 son las tpicas empleadas en la fabricacin comercial
de BJT de pequea geometra. Al construirse ambos transistores simultneamente y fsicamente prximos, sus
caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades elctricas distintas,
normalmente se modifica la geometra del dispositivo.
En uno de los mayores avances en el diseo fundamental de transistores, Intel Corporation ha anunciado hoy la
utilizacin de dos nuevos e increbles materiales para la construccin de las paredes de aislamiento y la conexin de
puerta de sus transistores en 45 nanmetros (nm). Cientos de millones de estos transistores microscpicos o
interruptores se incluirn en la prxima generacin de familias de procesadores multi ncleo Intel Core 2 Duo,
Intel Core 2 Quad y Xeon. La compaa tambin ha indicado que cuenta con cinco productos en fase inicial listos y
funcionando los primeros de los quince procesadores en 45 nanmetros planeados por Intel.
Figura N 3.1(c) Fabricacin de un TR npn: Vista
Superior Despus de la Difusin de Aislamiento Tipo p.
Esta innovacin en transistores permitir a la compaa continuar ofreciendo velocidades de procesamiento
asombrosas en servidores, equipos porttiles y de sobremesa, mientras se reducen las prdidas de energa elctrica de
los transistores, lo que permite reducir el diseo del chip y del equipo informtico, su tamao, consumo elctrico,
ruido y costes.
Adems, este anuncio asegura la Ley de Moore, un axioma de la industria de alta tecnologa en el que se plantea que
el nmero de transistores en un chip se duplica cada dos aos, algo que toma fuerza para la prxima dcada. La
percepcin de Intel es que ha ampliado su liderazgo en ms de un ao frente al resto del mercado de semiconductores
con el anuncio de los procesadores de 45 nanmetros y la prxima generacin de productos basada en esta tecnologa
de nombre cdigo Penryn. Al construirse ambos transistores simultneamente y fsicamente prximos, sus
caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades elctricas distintas,
normalmente se modifica la geometra del dispositivo. En particular para obtener BJT de mayor corriente por aumento
de IES, se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el dispositivo queda aumentado. En la actualidad, la
mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y
sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la
obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que
requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores
orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la
actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.
Empricamente se acostumbra a limitar a 10:1 la relacin entre las superficies de emisor de transistores muy prximos
entre s, y ello debido a las limitaciones del proceso de difusin.
Este proceso establece una isla aislada alrededor de cada transistor como se ve en la figura 3.1. En la actualidad, la
mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y
sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la
obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que
requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores
orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la
actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas. El
aislamiento elctrico se consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito.
En trminos de comparacin, aproximadamente cerca de 400 transistores de 45 nanmetros de Intel podran caber en
la superficie de un solo glbulo rojo de sangre humana. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin ms innovadora
era la de 250 nanmetros, lo que significaba que las dimensiones del transistor eran aproximadamente 5,5 veces
superior en tamao y 30 veces el rea de la tecnologa anunciada hoy por Intel.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Figura N 3.1 (d) Fabricacin de un TR npn:
Difusin de la Base.
Como el nmero de transistores por chip se dobla aproximadamente cada dos aos de acuerdo con la Ley de Moore,
Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de procesamiento informtico,
incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el coste por transistor. Para mantener este ritmo
de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms.
Sin embargo, el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites
bsicos, debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est
alcanzando lmites atmicos. Como resultado, la implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la
Ley de Moore y la rentabilidad en la era de la informacin.
Una vez preparada la oblea, el sustrato tipo p, se crece una capa epitaxial tipo n, tal como se ve en la Figura 1. Esta
capa forma las regiones de colector de los transistores. Seguidamente se deposita una capa de oxido para cubrir la
superficie. Ahora deben aislarse entre s las regiones de ambos transistores. Para ello se forman tres ventanas en el
SiO2 mediante fotolitografa y corrosin. Se difunde una regin p+ en la capa epitaxial expuesta hasta que alcance el
sustrato.
Con esto se garantiza que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin inversa. Una vez
completada la difusin de aislamiento se recubre nuevamente la oblea con una capa de SiO2. Con una nueva mascara
se forman las ventanas en las que se difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1 (d), quedando definidas
las regiones de las bases en la vista de la figura 3.1 (e). Se recrece una capa de SiO2 para cubrir la oblea despus de la
difusin de la base. Con una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina el SiO2 como preparacin para la
difusin superficial de emisor figura 3.1 (f). De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es
funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs
de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor. Obsrvese que tambin se difunde una regin n+ en la regin de
colector de cada transistor. Aqu se hace el contacto en el aluminio del colector, y la zona n+ contribuye a formar un
buen contacto hmico.
Figura N 3.1 (e) Fabricacin de un TR npn: Vista Superior
Despus de la Difusin de Base.
Durante el cuatrimestre de otoo del curso 2006-07 se realiz una prueba piloto del desarrollo de esta prctica en
alumnos que cursaban la asignatura de Dispositivos Electrnicos y Fotnicos 2, correspondiente a la enseanza de
segundo ciclo de Ingeniera Electrnica. Esta prueba segua a la realizada en el curso anterior dedicada a la fabricacin
de diodos orgnicos. En esta prueba piloto participaron slo una parte de los alumnos (8 personas). A su vez, stos se
dividieron en dos subgrupos que conjuntamente con el profesor realizaron la fabricacin del transistor y su
caracterizacin elctrica. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando
semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los
ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su
aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes.
Los datos de la caracterizacin elctrica fueron analizados por los alumnos y comparados con los datos de un
transistor CMOS de silicio cristalino. Los alumnos tambin expusieron un trabajo de investigacin en nuevos
conceptos de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos. Para ello contaron con la orientacin del profesor en
la bsqueda de artculos de investigacin y de divulgacin de las nuevas tecnologas con semiconductores orgnicos.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Con el fin de resolver este tema tan crtico, Intel reemplaz el dixido de silicio con una capa ms gruesa de un
material high-k basado en hafnium en el dielctrico de puerta, reduciendo la fuga hasta diez veces comparado con el
dixido de silicio utilizado durante ms de cuatro dcadas. Debido a que el dielctrico de puerta basado en high-k no
es compatible con el electrodo de puerta de silicio de hoy en da, la segunda parte de la receta de material del transistor
de 45nm ha sido el desarrollo de nuevos materiales para una puerta de metal. Debido a que los metales especficos que
Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa utilizar una combinacin de diferentes materiales metlicos para los
electrodos de la puerta del transistor. La combinacin del dielctrico de puerta high-k con la puerta metlica para la
tecnologa de fabricacin de 45nm de Intel proporciona ms de un 20% de incremento en la conduccin de la
corriente, o lo que es lo mismo un rendimiento del transistor mucho ms alto. Por otro lado, se reduce la corriente de
fuga en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor. En la actualidad, la mayora de los
dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones
electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos
utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y
prestaciones electrnicas no muy exigentes.
Figura N3.1 (f) Fabricacin de un TR npn:
Difusin de Emisor n+.
El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores
generaciones, consumen menos energa al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el
consumo elctrico en la conexin y desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un
dielctrico low-k para sus interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de
energa. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes.
No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores
orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy
exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un
gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta,
es decir con propiedades predeterminadas. Todo ello utilizar tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de
enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus
procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin que ofrece.
Figura N 3.1 (h) Fabricacin de un TR npn: Vista Superior
del Chip Mostrando los Contactos y las Interconexiones entre
Componentes.
En esta ltima figura se puede observar que la capa de SiO2 se supone transparente para que sean visibles las regiones
de base, emisor y colector. Las dimensiones sealadas son las normales en los circuitos integrados CI comerciales
modernos. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin ms innovadora era la de 250 nanmetros, lo que significaba
que las dimensiones del transistor eran aproximadamente 5,5 veces superior en tamao y 30 veces el rea de la
tecnologa anunciada hoy por Intel. Como el nmero de transistores por chip se dobla aproximadamente cada dos aos
de acuerdo con la Ley de Moore, Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de
procesamiento informtico, incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el coste por
transistor.
Para mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms. Sin embargo,
el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites bsicos,
debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est alcanzando
lmites atmicos. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha
habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en
sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Como resultado, la
implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la Ley de Moore y la rentabilidad en la era de la
informacin.
Descripcin del proceso de fabricacin
La estructura de los dispositivos fabricados se muestra en la figura 1. En la figura 1a se presenta un esquema del
transistor, consistente en vidrio/metal/PMMA/pentaceno/oro, as como una foto con los dispositivos fabricados (figura
1b). El substrato consiste un vidrio, por ejemplo una porta objetos de microscopio, aunque tambin podra utilizarse
un plstico o cualquier superfcie suficientemente plana. A continuacin se deposita por evaporacin trmica una capa
de metal que actuar como electrodo de puerta (Gate). El proceso continua mediante el depsito de polimetil
metacrilato (PMMA), polmero que realizar la funcin de dielctrico. El PMMA se deposita por spin-coating con el
fin de conseguir una superfcie uniforme. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican
utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes.
o obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores
orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy
exigentes. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta
del transistor. Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un
gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta,
es decir con propiedades predeterminadas. El semiconductor orgnico, pentaceno en nuestro caso, se deposita a
continuacin mediante una mscara de sombra. Finalmente se deposita mediante evaporacin trmica el contacto de
oro, que delimitar los contactos de drenador (Drain) y fuente (Source).
Figura 1. Esquema de los diodos fabricados (Fig 1a) y fotografa de los dispositivos finales (Fig 1b).
La utilizacin de una mscara de sombra nos permite aislar los dispositivos, as como delimitar la longitud y anchura
del canal del transistor. En nuestro caso hemos utilizado mscaras de sombra fabricadas en nuestras instalaciones de
Sala Blanca, aunque tambin es posible adquirirlas en compaas especializadas (www.labelcomat.be). La capa
delgada de pentaceno se deposita mediante evaporacin trmica en un equipo que describiremos a continuacin. El
material base, pentaceno en polvo, fue proporcionado por la compaa SigmaAldrich (www.sigmaaldrich.com). El
electrodo de aluminio fue tambin depositado por evaporacin trmica a partir de filamento de oro.
En nuestro caso utilizamos oro proporcionado por la compaa Goodfellow (www.goodfellow.com). Los nombres de
las compaas se mencionan a ttulo de ejemplo, puesto que son varias las que ofertan los diferentes compuestos. El
equipo utilizado para el depsito del semiconductor, pentaceno, y del contacto superior, aluminio, consiste de los
siguientes subequipos:
Campana de evaporacin. En nuestro caso la campana de evaporacin es de vidrio y de dimensiones 20 cm de
dimetro de base por 25 cm de altura.
Equipo de vaco, que consiste en una bomba mecnica en serie con una bomba turbo molecular.
En la figura 2a se muestra la campana de evaporacin utilizada. Tambin se puede observar uno de los crisoles
utilizados para la evaporacin de los materiales. El semiconductor orgnico y los electrodos se evaporan trmicamente
utilizando crisoles moldeados manualmente a partir de una chapa de molibdeno de 50 micras de grosor. Las
temperaturas de evaporacin para los materiales utilizados son bastante moderadas. La temperatura de fusin para el
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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pentaceno es de 300C, mientras que el oro funde a 1000C. Para la delimitacin de los contactos metlicos, tanto el
pentaceno, como el contacto de oro fueron evaporados a travs de una mscara metlica a la que previamente se
haban delimitado los contactos de drenador y fuente. En la figura 2b se observa a alumnos de segundo ciclo
utilizando el sencillo equipo de depsito de semiconductores orgnicos.
Durante el cuatrimestre de otoo del curso 2006-07 se realiz una prueba piloto del desarrollo de esta prctica en
alumnos que cursaban la asignatura de Dispositivos Electrnicos y Fotnicos 2, correspondiente a la enseanza de
segundo ciclo de Ingeniera Electrnica. Esta prueba segua a la realizada en el curso anterior dedicada a la fabricacin
de diodos orgnicos. En esta prueba piloto participaron slo una parte de los alumnos (8 personas). A su vez, stos se
dividieron en dos subgrupos que conjuntamente con el profesor realizaron la fabricacin del transistor y su
caracterizacin elctrica. Los datos de la caracterizacin elctrica fueron analizados por los alumnos y comparados
con los datos de un transistor CMOS de silicio cristalino. Los alumnos tambin expusieron un trabajo de investigacin
en nuevos conceptos de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos. Para ello contaron con la orientacin del
profesor en la bsqueda de artculos de investigacin y de divulgacin de las nuevas tecnologas con semiconductores
orgnicos.
La puerta metlica y High-k la receta para la tecnologa de fabricacin de 45nm El dixido de silicio es el material
que ha sido utilizado para fabricar el dielctrico de puerta del transistor desde hace ms de 40 aos, debido a su
facilidad para ser procesado y la capacidad para proporcionar mejoras constantes en el rendimiento del transistor, ya
que cada vez se ha fabricado ms fino. Intel ha reducido con gran xito el dielctrico de puerta de dixido de silicio a
menos de 1,2 nanmetros de grosor lo que significa un total de cinco capas atmicas en los anteriores procesos de
fabricacin de 65nm de la compaa, pero la continua reduccin ha dado como resultado un incremento en las
corrientes de fuga a travs del dielctrico o aislante de puerta, lo que ha dado como resultado un calentamiento
innecesario y un malgasto de energa.
En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales
como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran
inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas
electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de
semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo
posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.
La fuga de electricidad a travs de la puerta del transistor asociado con el cada vez ms fino dielctrico de puerta de
dixido de silicio es reconocido por el mercado como uno de los retos tcnicos ms importantes a los que hace frente
la Ley de Moore.
Figura N 3.2 Transistores
Integrados mostrando la Capa
Enterrada.
Con el fin de resolver este tema tan crtico, Intel reemplaz el dixido de silicio con una capa ms gruesa de un
material high-k basado en hafnium en el dielctrico de puerta, reduciendo la fuga hasta diez veces comparado con el
dixido de silicio utilizado durante ms de cuatro dcadas. Debido a que el dielctrico de puerta basado en high-k no
es compatible con el electrodo de puerta de silicio de hoy en da, la segunda parte de la receta de material del transistor
de 45nm ha sido el desarrollo de nuevos materiales para una puerta de metal. Debido a que los metales especficos que
Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa utilizar una combinacin de diferentes materiales metlicos para los
electrodos de la puerta del transistor.
La combinacin del dielctrico de puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de fabricacin de 45nm de
Intel proporciona ms de un 20% de incremento en la conduccin de la corriente, o lo que es lo mismo un rendimiento
del transistor mucho ms alto. Por otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces, mejorndose la
eficiencia energtica del transistor. El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de
transistores en cerca de dos veces frente a la anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el
nmero total de transistores o bien hacer que los procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de
45nm son ms pequeos que los de anteriores generaciones, consumen menos energa al dejar y no dejar pasar la
corriente, por lo que se reduce de forma activa el consumo elctrico en la conexin y desconexin en un 30%
aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un dielctrico low-k para sus interconexiones en 45nm con el fin
de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de energa. Todo ello utilizar tambin innovadoras reglas de
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diseo y tcnicas de enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la
hora de fabricar sus procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin que
ofrece.
Capa Enterrada
La fabricacin del BJT indicada en la figura 3.1 casi siempre se modifica aadiendo un nuevo paso al proceso como
en la figura 3.2. Las dos regiones n+ conocida como capa enterrada, entre las capas n y p se depositan antes del
crecimiento epitaxial. Recurdese que con el smbolo n+ se designa una regin n con mayor concentracin de dopado
que otra designada simplemente como de tipo n. La utilizacin de las regiones n+ cumple dos funciones: (1) mejora la
formacin de la capa epitaxial; (2) la mayor densidad de electrones en la capa n+ reduce la resistencia en serie entre la
unin de colector y el terminal del propio colector.
Fabricacin del TR pnp
Las resistencias de colector se logran utilizando un par de transistores pnp en configuracin de fuente de corriente. Las
dos clases de tales transistores mas corrientemente empleados son el pnp lateral y el pnp vertical. En la figura 3.2
puede apreciarse que la base, el colector y la regin aislada forman un transistor pnp parsito. El trmino lateral se
refiere al hecho de que los tres elementos estn ubicados en un plano horizontal contrariamente al plano vertical de los
transistores npn. Anlogamente un dispositivo pnp vertical parsito se forma por la base y el colector del transistor
npn y el sustrato del tipo p. Estas observaciones conducen a la fabricacin de los tipos de transistores pnp empleados
en circuitos integrados. El pnp lateral, cuya seccin transversal es el de la figura 3.3 se forma implantando las regiones
tipo p de emisor y de colector al mismo tiempo que se fabrican las bases de dispositivos npn. Asimismo se forman
simultneamente el contacto n+ de base del transistor pnp y los emisores n+ del BJT npn. As vemos que tanto los
transistores npn como los pnp se fabrican segn las mismas secuencias del proceso. Todo lo que se necesitan para el
pnp son ventanas adicionales en las mascaras. El transistor lateral pnp tiene un valor de F considerablemente menor
que el del npn. Esto es debido a que el emisor de tipo p no puede inyectar portadores minoritarios en la base tipo n con
la misma eficacia que lo hace el emisor tipo n+ en la base tipo p de un BJT npn.
Por otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor.
En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales
como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran
inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas
electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes.
El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores
generaciones, consumen menos energa al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el
consumo elctrico en la conexin y desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un
dielctrico low-k para sus interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de
energa. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes.
No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores
orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy
exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un
gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta,
es decir con propiedades predeterminadas. Todo ello utilizar tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de
enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus
procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin que ofrece.
En esta ltima figura se puede observar que la capa de SiO2 se supone transparente para que sean visibles las regiones
de base, emisor y colector. Las dimensiones sealadas son las normales en los circuitos integrados CI comerciales
modernos. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin ms innovadora era la de 250 nanmetros, lo que significaba
que las dimensiones del transistor eran aproximadamente 5,5 veces superior en tamao y 30 veces el rea de la
tecnologa anunciada hoy por Intel. Como el nmero de transistores por chip se dobla aproximadamente cada dos aos
de acuerdo con la Ley de Moore, Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de
procesamiento informtico, incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el coste por
transistor.
Para mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms. Sin embargo,
el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites bsicos,
debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est alcanzando
lmites atmicos. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
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inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha
habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en
sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Como resultado, la
implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la Ley de Moore y la rentabilidad en la era de la
informacin.
Figura N 3.3 Seccin Transversal de un Transistor
Lateral Pnp.
Adems la mayor rea de la base y el hecho de que algunos de los huecos inyectados migren hacia el sustrato hace que
disminuya el nmero de huecos que llegan al colector. Por tanto los transistores pnp laterales se emplean en circuitos
con poca corriente de colector. El transistor pnp vertical se emplea donde se requieran mayores corrientes y potencias.
En la figura 3.4 est representado este dispositivo y en ella se ve que tambin puede fabricarse simultneamente y con
los mismos procesos empleados para los transistores npn. Los dos pasos simultneos son: (1) la fabricacin de las
regiones p de emisor del transistor pnp y las bases de los npn. y (2) la fabricacin de la regin n+ de base del sustrato
pnp y los emisores de los transistores npn. El sustrato debe conectarse a la tensin ms negativa del circuito. Por tanto
un transistor pnp vertical solo se puede utilizar si su colector esta a una tensin negativa fijada. A esta configuracin
se le denomina seguidor de emisor y ser comentada ms adelante.
Transistor Parsito
Cuando se usa el transistor bsico como diodo aparece un transistor parsito cuyo colector es el sustrato, la capa
epitaxial es la base y la base tipo p es el emisor. En la figura 3.5(a) se muestra el circuito equivalente de este transistor
parsito. Aunque su estructura hace que sea un dispositivo muy ineficaz. En la actualidad, la mayora de los
dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones
electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos
utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y
prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la investigacin
en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de
semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.En el ao 1948 J. Bardeen y W.H.
Brattain, de los laboratorios Bell inventaron el transistor. El transistor inventado fue realizado segn la tcnica de
puntas de contacto. En este mismo ao W. Shockley fue quien introdujo, con sus trabajos, el transistor de unin.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice.
En su forma bsica el transistor de puntas de contacto est hecho de un pequeo cubo de material semiconductor de
tipo N en el cual se encuentran adheridos dos alambres muy finos considerablemente juntos; estos alambres se
denominan "bigotes de gato". La separacin de los bigotes es del orden de las 50 micras. Durante el proceso de
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fabricacin la unidad es tratada de forma que los tomos de los alambres de contacto emigren dentro del tubo
semiconductor para formar pequeas regiones tipo P en sus extremidades. Uno de los bigotes sirve como electrodo
emisor y el otro como colector, mientras que el cubo semiconductor es la base del transistor. En la figura 6.5 se ha
representado esquemticamente un transistor de puntas de contacto.
Esta clase de transistor tiene una extrema alta ganancia y una muy buena caracterstica de altas frecuencias. Pero
resultan bastante ruidosos, inestables y bastante difciles de fabricar, por cuyo motivo resultan poco ventajosos para su
utilizacin.
Transistor de Unin
Al transistor de unin tambin se le denomina transistor de contacto desarrollado; como su nombre lo indica, este tipo
de transistor est basado en el aumento del (de los) contacto de las uniones P - N durante el proceso de fabricacin del
cristal original. Para la fabricacin del transistor de unin se parte de una barra de germanio puro, a la que se le van
introduciendo alternativamente impurezas del tipo P y del tipo N. ello motiva el que se posea una barra de germanio
constituida por capas alternativas P o N. Para obtener el transistor se corta un pedazo de la barra en la que existan tres
zonas, bien del tipo PNP o del tipo NPN. Luego se aaden los electrodos, siendo los electrodos extremos el emisor y
el colector y el electrodo central constituye la base (fig. 6.6).
El procedimiento de formar bloques del tipo P o N en una barra de germanio pura se le conoce por "procedimiento de
estiraje". La fabricacin de los transistores de unin es bastante fcil, por lo cual resultan ventajosos para ser
fabricados en grandes cantidades, lo cual implica un costo bastante econmico.
La frecuencia de corte de un transistor est determinada principalmente por las dimensiones de su base. Pero por
medios mecnicos es imposible formar una base de muy pequeas dimensiones. Para obtener transistores que trabajen
en elevadas frecuencias se recurre a la tecnologa de unin difusa (fig. 6.7). Para la fabricacin de transistores de
unin difusa se parte de un transistor de unin. Una extremidad de la barra se funde en forma de gota y de manera que
pueda recristalizarse de nuevo. Durante el enfriamiento el germanio de base se difunde entre la parte difundida y la
parte solidificada; este proceso motiva una considerable disminucin del espesor de la base. El control del espesor de
la base se realiza por medio de las variaciones de temperatura y el tiempo de difusin, con lo cual se obtienen bases
con muy pocas micras de espesor. El transistor de unin difusa tiene propiedades similares al transistor de unin, pero
presenta una respuesta ms elevada para la alta frecuencia.
Por otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor.
En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales
como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran
inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas
electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes.
El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos.
En esta ltima figura se puede observar que la capa de SiO2 se supone transparente para que sean visibles las regiones
de base, emisor y colector. Las dimensiones sealadas son las normales en los circuitos integrados CI comerciales
modernos. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin ms innovadora era la de 250 nanmetros, lo que significaba
que las dimensiones del transistor eran aproximadamente 5,5 veces superior en tamao y 30 veces el rea de la
tecnologa anunciada hoy por Intel. Como el nmero de transistores por chip se dobla aproximadamente cada dos aos
de acuerdo con la Ley de Moore, Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de
procesamiento informtico, incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el coste por
transistor.
Para mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms. Sin embargo,
el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites bsicos,
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debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est alcanzando
lmites atmicos. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha
habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en
sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Como resultado, la
implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la Ley de Moore y la rentabilidad en la era de la
informacin.
La compaa cuenta con ms de 15 productos basados en 45nm en desarrollo para segmentos de sobremesa, porttiles,
estaciones de trabajo y empresariales. Con ms de 400 millones de transistores para procesadores de doble ncleo y
ms de 800 millones para los de cuatro ncleos, la familia de procesadores Penryn de 45nm incluyen las
funcionalidades de una nueva microarquitectura para un mayor rendimiento y capacidades para la gestin de la
energa, as como velocidades de ncleo ms altas y hasta 12 megabytes de cach. La familia Penryn adems ofrece
aproximadamente 50 nuevas instrucciones Intel SSE4 que amplan las capacidades y el rendimiento para aplicaciones
informticas multimedia y de alto rendimiento. Por otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces,
mejorndose la eficiencia energtica del transistor. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se
fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes
.No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores
orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy
exigentes.
La mayor parte de los transistores que actualmente existen en el mercado y todos los transistores de potencia son
fabricados utilizando esta tecnologa. Para la fabricacin de los transistores de unin aleada se parte de un pequeo
bloque de germanio N. En dos caras opuestas de este bloque se efectan dos soldaduras con indio, lo que motiva la
formacin de germanio tipo P. En la figura 6.8 se representa el interior de un transistor fabricado siguiendo este
mtodo. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha
habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en
sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes.
Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progeso
en los ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con
propiedades predeterminadas. Las soldaduras que se le introducen en el bloque de germanio constituyen el colector y
el emisor. Y como es natural el bloque forma la base. La formacin del germanio tipo P depende del tiempo y la
temperatura de la soldadura. Se regulan muy cuidadosamente estas magnitudes para obtener un espesor de base del
orden de 0,05 mm.
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El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede
explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s
mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada
tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima,
disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como
corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas
(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base
comn.
Figura N 3.4 Seccin Transversal de un Transistor Vertical
Sustrato pnp.
Con una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina el SiO2 como preparacin para la difusin superficial
de emisor figura 3.1(f). Finalmente, el anlisis terico confirma la posibilidad de realizar optimizaciones adicionales.
Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos electrnicos consisten en general en la simulacin o
caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales. Obsrvese que tambin se difunde una regin n+ en la regin de
colector de cada transistor. Aqu se hace el contacto en el aluminio del colector, y la zona n+ contribuye a formar un
buen contacto hmico. Despus de la difusin de colector se crece otra capa de SiO2 sobre la superficie de la oblea. El
ltimo paso del proceso es la mentalizacin. La capa de oxido se graba con una cuarta mascara para descubrir la oblea
all donde se deseen los contactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza aluminio, cuyos sobrantes se eliminan
qumicamente con una 6a mascara dejando los contactos y las conexiones deseadas. En la seccin transversal de la
figura 3.1(g) y en la vista superior de la figura 3.1(h) puede verse el resultado de esta secuencia.
Al construirse ambos transistores simultneamente y fsicamente prximos, sus caractersticas elctricas son
prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades elctricas distintas, normalmente se modifica la
geometra del dispositivo. En particular para obtener BJT de mayor corriente por aumento de IES, se aumenta la
superficie del emisor, con lo que todo el dispositivo queda aumentado. Empricamente se acostumbra a limitar a 10:1
la relacin entre las superficies de emisor de transistores muy prximos entre s, y ello debido a las limitaciones del
proceso de difusin. En la fabricacin de circuitos integrados comerciales corrientemente se emplea la implantacin
de iones en las zonas de emisor y de base. Estas regiones son muy tenues y puede regularse mejor su espesor mediante
la implantacin. Adems como la implantacin se realiza a menor temperatura que la difusin se minimiza el
inconveniente de la difusin lateral de base y emisor.
Debido a que los metales especficos que Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa utilizar una combinacin
de diferentes materiales metlicos para los electrodos de la puerta del transistor. La combinacin del dielctrico de
puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de fabricacin de 45nm de Intel proporciona ms de un 20% de
incremento en la conduccin de la corriente, o lo que es lo mismo un rendimiento del transistor mucho ms alto. Por
otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor. El
proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos.
Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores generaciones, consumen menos energa
al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el consumo elctrico en la conexin y
desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un dielctrico low-k para sus
interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de energa. Todo ello utilizar
tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa
seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta
capacidad de fabricacin que ofrece.
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De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta
del transistor.
La compaa cuenta con ms de 15 productos basados en
45nm en desarrollo para segmentos de sobremesa,
porttiles, estaciones de trabajo y empresariales. Con ms
de 400 millones de transistores para procesadores de doble
ncleo y ms de 800 millones para los de cuatro ncleos,
la familia de procesadores Penryn de 45nm incluyen las
funcionalidades de una nueva microarquitectura para un
mayor rendimiento y capacidades para la gestin de la
energa, as como velocidades de ncleo ms altas y hasta
12 megabytes de cach. La familia Penryn adems ofrece
aproximadamente 50 nuevas instrucciones Intel SSE4 que
amplan las capacidades y el rendimiento para
aplicaciones informticas multimedia y de alto
rendimiento. Por otro lado, se reduce la corriente de fuga
en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia
energtica del transistor. En la actualidad, la mayora de
los dispositivos comerciales se fabrican utilizando
semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus
prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en
los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin
de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para
su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran
rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes.
Figura N 3.5 (a) Circuitos Equivalente y Estructura de
un Transistor pnp Parsito;(b) Capacitor tipo Juntura.
La familia Penryn ofrece ms rendimiento de forma ms eficiente
La familia de procesadores Penryn es un derivado de la microarquitectura Intel Core y supone un paso ms all en la
rpida velocidad de Intel a la hora de proporcionar una nueva tecnologa de fabricacin y una nueva microarquitectura
en aos alternos. La combinacin de los procesos tecnolgicos de 45nm lderes de Intel, las capacidades de
fabricacin a gran volumen y el liderazgo en el diseo de microarquitecturas han permitido a la compaa desarrollar
ya los primeros procesadores Penryn de 45nm.
El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores
generaciones, consumen menos energa al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el
consumo elctrico en la conexin y desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un
dielctrico low-k para sus interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de
energa. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes.
No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores
orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy
exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un
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gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta,
es decir con propiedades predeterminadas.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. De
manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
Para mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms. Sin embargo,
el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites bsicos,
debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est alcanzando
lmites atmicos. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha
habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en
sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Como resultado, la
implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la Ley de Moore y la rentabilidad en la era de la
informacin.
Caracterizacin
Una vez fabricados los diodos, se puede proceder a su caracterizacin elctrica. La caracterizacin ms bsica consiste
en la medida de la caracterstica intensidad-tensin. En la figura 3 se muestra un ejemplo de las caractersticas
medidas, tanto en escala lineal como semilogartmica para apreciar la rectificacin de varios rdenes de magnitud. La
fabricacin de dispositivos tales como transistores o diodos es relativamente sencilla y asumible si se utilizan
materiales orgnicos como semiconductores activos. Esta aproximacin permitira la realizacin de prcticas de
laboratorio en las que los alumnos realmente fabrican y caracterizan dispositivos. Esto permite a los alumnos
participar en todo el proceso de obtencin y caracterizacin del dispositivo, lo que se traduce en una mejor
comprensin de todas las etapas involucradas. La actitud y la motivacin de los alumnos en esta novedosa experiencia
ha resultado excelente aunque actualmente la limitacin de recursos impide su implantacin definitiva para todos los
grupos de la asignatura.
A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los
resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante
mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que
se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito
que se utilice. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice.
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El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina
Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones
de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia
de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector
Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones) bsicos para
utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn.
TIPOS DE TRANSISTOR
Distintos encapsulados de "transistores.
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en
1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que
la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el
emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el
nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el
transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma
muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La
zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas
positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de
signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms
contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.)
y del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de unin unipolar o de efecto de campo
El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se
producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de
estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin;
tienen alta impedancia de entrada.
- Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
- Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal
mediante un dielctrico.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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- Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este
caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido
a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente.
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de
base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es
ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo
de iluminacin).
3. Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con
el pin de la base sin conectar.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en cpsulas plsticas
como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente. Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas,
lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin se
pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan
ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que detectan la
interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Para obtener un
circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un transistor comn un fotodiodo, conectando en el colector
del transistor el catodo del fotodiodo y el anodo a la base. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
- Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn).
- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo
de iluminacin).
Transistores y electrnica de potencia
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para
soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. En la
actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como
el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en
la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que
requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores
orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la
actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas. Las
soldaduras que se le introducen en el bloque de germanio constituyen el colector y el emisor. Es as como actualmente
los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito
cerrado.
Una vez preparada la oblea, el sustrato tipo p, se crece una capa epitaxial tipo n, tal como se ve en la Figura 1. Esta
capa forma las regiones de colector de los transistores. Seguidamente se deposita una capa de oxido para cubrir la
superficie. Ahora deben aislarse entre s las regiones de ambos transistores. Para ello se forman tres ventanas en el
SiO2 mediante fotolitografa y corrosin. Se difunde una regin p+ en la capa epitaxial expuesta hasta que alcance el
sustrato. Este proceso establece una isla aislada alrededor de cada transistor como se ve en la figura 3.1.
El aislamiento elctrico se consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito. Con esto se garantiza
que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin inversa. Una vez completada la difusin
de aislamiento se recubre nuevamente la oblea con una capa de SiO2. Con una nueva mascara se forman las ventanas
en las que se difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1 (d), quedando definidas las regiones de las bases
en la vista de la figura 3.1(e). Se recrece una capa de SiO2 para cubrir la oblea despus de la difusin de la base.
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Con una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina el SiO2 como preparacin para la difusin superficial
de emisor figura 3.1 (f). Finalmente, el anlisis terico confirma la posibilidad de realizar optimizaciones adicionales.
Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos electrnicos consisten en general en la simulacin o
caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales. Obsrvese que tambin se difunde una regin n+ en la regin de
colector de cada transistor. Aqu se hace el contacto en el aluminio del colector, y la zona n+ contribuye a formar un
buen contacto hmico. Despus de la difusin de colector se crece otra capa de SiO2 sobre la superficie de la oblea. El
ltimo paso del proceso es la mentalizacin. La capa de oxido se graba con una cuarta mascara para descubrir la oblea
all donde se deseen los contactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza aluminio, cuyos sobrantes se eliminan
qumicamente con una 6a mascara dejando los contactos y las conexiones deseadas. En la seccin transversal de la
figura 3.1 (g) y en la vista superior de la figura 3.1 (h) puede verse el resultado de esta secuencia.
La figura 3.1 (g) es idntica a la figura 3.1(a) para Q1 y Q2. Las dimensiones sealadas en la figura 3.1 son las tpicas
empleadas en la fabricacin comercial de BJT de pequea geometra. Al construirse ambos transistores
simultneamente y fsicamente prximos, sus caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar
transistores con propiedades elctricas distintas, normalmente se modifica la geometra del dispositivo. En particular
para obtener BJT de mayor corriente por aumento de IES, se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el
dispositivo queda aumentado. Empricamente se acostumbra a limitar a 10:1 la relacin entre las superficies de emisor
de transistores muy prximos entre s, y ello debido a las limitaciones del proceso de difusin. En la fabricacin de
circuitos integrados comerciales corrientemente se emplea la implantacin de iones en las zonas de emisor y de base.
Estas regiones son muy tenues y puede regularse mejor su espesor mediante la implantacin. Adems como la
implantacin se realiza a menor temperatura que la difusin se minimiza el inconveniente de la difusin lateral de base
y emisor.
Debido a que los metales especficos que Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa utilizar una combinacin
de diferentes materiales metlicos para los electrodos de la puerta del transistor. La combinacin del dielctrico de
puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de fabricacin de 45nm de Intel proporciona ms de un 20% de
incremento en la conduccin de la corriente, o lo que es lo mismo un rendimiento del transistor mucho ms alto. Por
otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor. El
proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos.
Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores generaciones, consumen menos energa
al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el consumo elctrico en la conexin y
desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un dielctrico low-k para sus
interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de energa. Todo ello utilizar
tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa
seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta
capacidad de fabricacin que ofrece.
Las razones son obvias, para la fabricacin de dispositivos electrnicos con razonables prestaciones elctricas se
necesitan equipos de proceso que en la mayora de los casos no existen ni en los propios grupos de investigacin de las
universidades. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha
habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en
sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad
de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos,
siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades
predeterminadas.
En general, los semiconductores orgnicos pueden dividirse en dos grandes grupos segn su estructura qumica:
polmeros, formados por cadenas de monmeros, y oligmeros, formados por una o unas pocas molculas. La
obtencin de capas delgadas de dichos semiconductores es diferente segn estemos tratando con polmeros o con
molculas pequeas. Para los polmeros el proceso usual de depsito es a partir de la tcnica conocida como spin-
coating. El polmero se disuelve en un disolvente orgnico y a continuacin se deposita sobre un substrato.
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Posteriormente se hace rotar el substrato a gran velocidad, distribuyndose todo el lquido sobre su superfcie. Con
este proceso se consiguen capas delgadas con buena uniformidad. Por el contrario, los semiconductores orgnicos en
pequea molcula se depositan mediante evaporacin trmica en cmaras de vaco. Con ambas tecnologas es posible
obtener dispositivos con notables propiedades elctricas. En este artculo describiremos la fabricacin de un transistor
de efecto de campo en capa delgada utilizando procesos tecnolgicos simples que pueden realizarse en equipos
relativamente econmicos.
El aislamiento elctrico se consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito. Con esto se garantiza
que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin inversa. Una vez completada la difusin
de aislamiento se recubre nuevamente la oblea con una capa de SiO2. Con una nueva mascara se forman las ventanas
en las que se difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1 (d), quedando definidas las regiones de las bases
en la vista de la figura 3.1(e). Se recrece una capa de SiO2 para cubrir la oblea despus de la difusin de la base. Con
una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina el SiO2 como preparacin para la difusin superficial de
emisor figura 3.1(f). Obsrvese que tambin se difunde una regin n+ en la regin de colector de cada transistor. Aqu
se hace el contacto en el aluminio del colector, y la zona n+ contribuye a formar un buen contacto hmico.
Despus de la difusin de colector se crece otra capa de SiO2 sobre la superficie de la oblea. El ltimo paso del
proceso es la mentalizacin. La capa de oxido se graba con una cuarta mascara para descubrir la oblea all donde se
deseen los contactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza aluminio, cuyos sobrantes se eliminan qumicamente
con una 6a mascara dejando los contactos y las conexiones deseadas. En la seccin transversal de la figura 3.1 (g) y en
la vista superior de la figura 3.1 (h) puede verse el resultado de esta secuencia. La figura 3.1 (g) es idntica a la figura
3.1(a) para Q1 y Q2. Las dimensiones sealadas en la figura 3.1 son las tpicas empleadas en la fabricacin comercial
de BJT de pequea geometra. Al construirse ambos transistores simultneamente y fsicamente prximos, sus
caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades elctricas distintas,
normalmente se modifica la geometra del dispositivo.
En uno de los mayores avances en el diseo fundamental de transistores, Intel
Corporation ha anunciado hoy la utilizacin de dos nuevos e increbles materiales
para la construccin de las paredes de aislamiento y la conexin de puerta de sus
transistores en 45 nanmetros (nm). Cientos de millones de estos transistores
microscpicos o interruptores se incluirn en la prxima generacin de familias
de procesadores multi ncleo Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad y Xeon. La
compaa tambin ha indicado que cuenta con cinco productos en fase inicial listos y
funcionando los primeros de los quince procesadores en 45 nanmetros planeados
por Intel.
Esta innovacin en transistores permitir a la compaa continuar ofreciendo velocidades de procesamiento
asombrosas en servidores, equipos porttiles y de sobremesa, mientras se reducen las prdidas de energa elctrica de
los transistores, lo que permite reducir el diseo del chip y del equipo informtico, su tamao, consumo elctrico,
ruido y costes.
Adems, este anuncio asegura la Ley de Moore, un axioma de la industria de alta tecnologa en el que se plantea que
el nmero de transistores en un chip se duplica cada dos aos, algo que toma fuerza para la prxima dcada. La
percepcin de Intel es que ha ampliado su liderazgo en ms de un ao frente al resto del mercado de semiconductores
con el anuncio de los procesadores de 45 nanmetros y la prxima generacin de productos basada en esta tecnologa
de nombre cdigo Penryn. Al construirse ambos transistores simultneamente y fsicamente prximos, sus
caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades elctricas distintas,
normalmente se modifica la geometra del dispositivo. En particular para obtener BJT de mayor corriente por aumento
de IES, se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el dispositivo queda aumentado. En la actualidad, la
mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y
sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la
obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que
requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores
orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la
actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.
Empricamente se acostumbra a limitar a 10:1 la relacin entre las superficies de emisor de transistores muy prximos
entre s, y ello debido a las limitaciones del proceso de difusin.
En trminos de comparacin, aproximadamente cerca de 400 transistores de 45 nanmetros de Intel podran caber en
la superficie de un solo glbulo rojo de sangre humana. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin ms innovadora
era la de 250 nanmetros, lo que significaba que las dimensiones del transistor eran aproximadamente 5,5 veces
superior en tamao y 30 veces el rea de la tecnologa anunciada hoy por Intel. Como el nmero de transistores por
chip se dobla aproximadamente cada dos aos de acuerdo con la Ley de Moore, Intel es capaz de innovar e integrar,
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aadiendo ms funcionalidades y ncleos de procesamiento informtico, incrementando el rendimiento y reduciendo
los costes de fabricacin y el coste por transistor. Para mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben
continuar reduciendo su tamao an ms.
Sin embargo, el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites
bsicos, debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est
alcanzando lmites atmicos. Como resultado, la implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la
Ley de Moore y la rentabilidad en la era de la informacin.
Una vez preparada la oblea, el sustrato tipo p, se crece una capa epitaxial tipo n, tal como se ve en la Figura 1. Esta
capa forma las regiones de colector de los transistores. Seguidamente se deposita una capa de oxido para cubrir la
superficie. Ahora deben aislarse entre s las regiones de ambos transistores. Para ello se forman tres ventanas en el
SiO2 mediante fotolitografa y corrosin. Se difunde una regin p+ en la capa epitaxial expuesta hasta que alcance el
sustrato.
Este proceso establece una isla aislada alrededor de cada transistor como se ve en la figura 3.1. En la actualidad, la
mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y
sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la
obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que
requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores
orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la
actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas. El
aislamiento elctrico se consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito.
Con esto se garantiza que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin inversa. Una vez
completada la difusin de aislamiento se recubre nuevamente la oblea con una capa de SiO2. Con una nueva mascara
se forman las ventanas en las que se difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1 (d), quedando definidas
las regiones de las bases en la vista de la figura 3.1 (e). Se recrece una capa de SiO2 para cubrir la oblea despus de la
difusin de la base. Con una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina el SiO2 como preparacin para la
difusin superficial de emisor figura 3.1 (f). De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es
funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs
de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor. Obsrvese que tambin se difunde una regin n+ en la regin de
colector de cada transistor. Aqu se hace el contacto en el aluminio del colector, y la zona n+ contribuye a formar un
buen contacto hmico.
Durante el cuatrimestre de otoo del curso 2006-07 se realiz
una prueba piloto del desarrollo de esta prctica en alumnos
que cursaban la asignatura de Dispositivos Electrnicos y
Fotnicos 2, correspondiente a la enseanza de segundo ciclo
de Ingeniera Electrnica. Esta prueba segua a la realizada en
el curso anterior dedicada a la fabricacin de diodos
orgnicos. En esta prueba piloto participaron slo una parte de
los alumnos (8 personas). A su vez, stos se dividieron en dos subgrupos que conjuntamente con el profesor realizaron
la fabricacin del transistor y su caracterizacin elctrica. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales
se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son
excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando
semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones
electrnicas no muy exigentes.
Los datos de la caracterizacin elctrica fueron analizados por los alumnos y comparados con los datos de un
transistor CMOS de silicio cristalino. Los alumnos tambin expusieron un trabajo de investigacin en nuevos
conceptos de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos. Para ello contaron con la orientacin del profesor en
la bsqueda de artculos de investigacin y de divulgacin de las nuevas tecnologas con semiconductores orgnicos.
Con el fin de resolver este tema tan crtico, Intel reemplaz el dixido de silicio con una capa ms gruesa de un
material high-k basado en hafnium en el dielctrico de puerta, reduciendo la fuga hasta diez veces comparado con el
dixido de silicio utilizado durante ms de cuatro dcadas. Debido a que el dielctrico de puerta basado en high-k no
es compatible con el electrodo de puerta de silicio de hoy en da, la segunda parte de la receta de material del transistor
de 45nm ha sido el desarrollo de nuevos materiales para una puerta de metal. Debido a que los metales especficos que
Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa utilizar una combinacin de diferentes materiales metlicos para los
electrodos de la puerta del transistor. La combinacin del dielctrico de puerta high-k con la puerta metlica para la
tecnologa de fabricacin de 45nm de Intel proporciona ms de un 20% de incremento en la conduccin de la
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corriente, o lo que es lo mismo un rendimiento del transistor mucho ms alto. Por otro lado, se reduce la corriente de
fuga en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor. En la actualidad, la mayora de los
dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones
electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos
utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y
prestaciones electrnicas no muy exigentes.
El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la
anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los
procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores
generaciones, consumen menos energa al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el
consumo elctrico en la conexin y desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un
dielctrico low-k para sus interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de
energa. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores
inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes.
No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores
orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy
exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un
gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta,
es decir con propiedades predeterminadas. Todo ello utilizar tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de
enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus
procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin que ofrece.
En esta ltima figura se puede observar que la capa de SiO2 se supone
transparente para que sean visibles las regiones de base, emisor y colector. Las
dimensiones sealadas son las normales en los circuitos integrados CI
comerciales modernos. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin ms
innovadora era la de 250 nanmetros, lo que significaba que las dimensiones del
transistor eran aproximadamente 5,5 veces superior en tamao y 30 veces el rea
de la tecnologa anunciada hoy por Intel. Como el nmero de transistores por
chip se dobla aproximadamente cada dos aos de acuerdo con la Ley de Moore,
Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de
procesamiento informtico, incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el coste por
transistor. Para mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms.
Sin embargo, el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites
bsicos, debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est
alcanzando lmites atmicos. En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando
semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los
ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su
aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Como
resultado, la implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la Ley de Moore y la rentabilidad en la
era de la informacin.
Transistores y electrnica de potencia
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para
soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. En la
actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como
el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en
la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que
requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores
orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo posible en la
actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas. Las
soldaduras que se le introducen en el bloque de germanio constituyen el colector y el emisor. Es as como actualmente
los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito
cerrado. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta
en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de
corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice.
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EL TRANSISTOR BJT.
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico
de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque
tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Transistor de unin bipolar
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una
regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se
debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. La unin base-emisor se polariza en forma
directa. Los valores del voltaje de polarizacin ms comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el Si. El emisor P del
transistor PNP de la figura 1a inyecta huecos a su unin con la base. La direccin de la corriente de huecos en el
emisor est sealada por la flecha que aparece en su smbolo. Cuando la flecha apunta hacia la base, la unin entre el
emisor y ella es del tipo PN.
En el transistor de la figura 1b, el emisor inyecta electrones en la base. Por consiguiente, para un emisor de tipo N el
smbolo es una flecha que seala en direccin contraria a la base y opuesta al flujo de electrones. En los smbolos para
transistores, el emisor es el nico que tiene una flecha. Cuando sta apunta hacia la base, el transistor es PNP; en caso
contrario, el transistor es NPN. En la prctica, todos los transistores pequeos utilizados en amplificadores de audio y
RF son de tipo NPN, fabricados con silicio y con voltajes de polarizacin directa entre la base y el emisor de 0.6 v.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. La base separa el colector del emisor. La unin
base-emisor tiene polarizacin directa y, por tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unin base-
colector tiene polarizacin inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy grande.
Colector, de extensin mucho mayor. La funcin de este electrodo es remover las cargas de su unin con la base. En la
figura 1a, el transistor PNP tiene un transistor P que recibe huecos. En el transistor NPN de la figura 1b, el colector N
recibe electrones. La unin base-colector siempre tiene un voltaje con polarizacin inversa. Los valores ms
frecuentes de este voltaje varan de 4 a 100 v. La polarizacin inversa impide el flujo de portadores mayoritarios del
colector hacia la base. Sin embargo, en la direccin opuesta, de la base hacia el colector, el voltaje en este ltimo atrae
las cargas en la base que proporciona el emisor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor
est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. El transistor
bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos
transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
grfico de cada tipo de transistor.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son:
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. De manera simplificada,
la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor
slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la
"base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. De manera simplificada, la
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corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor
slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la
"base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar
por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama
amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin)
por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al
transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.
Un transistor de unin bipolar es un dispositivo de tres terminales, formado por dos trozos de semiconductor
extrnseco del mismo tipo, separados por una estrecha capa de semiconductor extrnseco de tipo contrario. Los
terminales son contactos hmicos ubicados uno en cada uno de estos tres trozos de material semiconductor. Las siglas
de la denominacin en ingls de este dispositivo bipolar junction transistor dan pie a que habitualmente se denomine
BJT ya que la denominacin transistor BJT es una redundancia. Dado que hay dos tipos de semiconductor extrnseco:
semiconductor extrnseco tipo P y semiconductor extrnseco tipo N, habr dos tipos de BJT:
El que en los extremos el semiconductor extrnseco es de tipo P y en el centro hay una fina capa de semiconductor
extrnseco tipo N, y el tipo opuesto, en los extremos semiconductor extrnseco tipo N y en medio una fina capa de
semiconductor extrnseco tipo P. El primer tipo se denomina transistor PNP y al segundo transistor NPN. En la figura
3.1 se puede observar lo que sera cada uno de estos dos tipos de BJT, as como el smbolo con el cual se representa a
cada uno de ellos. Cada uno de los terminales del transistor se denomina por la sigla del nombre asignado a cada
terminal: el terminal emisor por E, el terminal de base por B y el terminal de colector por C.
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor,
polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y
emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a
la corriente de base: I
C
= I
B
, es decir, ganancia de corriente cuando >1.
Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. De manera simplificada, la corriente que circula por el
"colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que
circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga
por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. De manera simplificada, la corriente que circula por el
"colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que
circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga
por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son. La razn de estos
nombres se comprender posteriormente. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s
mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada
tipo de transistor son:
Es conveniente aclarar que la estructura geomtrica que
se ha dado a ambos transistores no es la ms habitual
en la fabricacin de transistores BJT, pero es la que se
utilizar para explicar los fundamentos de su
funcionamiento. Esta estructura geomtrica presenta
muchas facilidades para hacer ms comprensible la
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explicacin de su funcionamiento. Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una corriente de retorno
Ib muy pequea, que circula de la base hacia el emisor. En la unin base-emisor existe una concentracin muy alta de
electrones libres gracias a la polarizacin directa.
Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones fluyen a lo largo de la base hacia la unin con el colector. El
voltaje de polarizacin inversa del colector N es positivo. Este voltaje positivo del colector atrae las cargas libres, que
son los electrones que se mueven de la base. Debido a lo anterior, los electrones que salen de la unin base-emisor
avanzan hacia el colector, donde dan origen a la corriente Ic que circula por el circuito del colector. En un transistor
PNP, la polaridad de todos los voltajes e invierte y la corriente Ic que circula por el electrodo colector est formada
por huecos. Para explicar el funcionamiento del BJT se usar el PNP de la figura 3.1. Se supone para ello que se ha
fabricado de forma que el dopado de ambas zonas P es igual y que es mayor que el dopado de la zona N. Si los
terminales del dispositivo no estn conectados a ningn circuito externo, en ambas uniones se habr formado una
barrera de potencial:
UE en la unin emisor-base y UC en la unin colector-base, que segn se vio al principio del tema anterior seran:
En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales
como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran
inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas
electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de
semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo
posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.
Las soldaduras que se le introducen en el bloque de germanio constituyen el colector y el emisor.
NE, NC y NB son la concentracin de impurezas en las
zonas: emisor, colector y base respectivamente. Puesto que se
supone NE = NC, la barrera de potencial en ambas uniones,
en ausencia de polarizacin externa, ser la misma. En la
figura 3.2 se puede observar las barreras de potencial que se
han formado en las uniones.
Si se conectan al transistor PNP dos fuentes de alimentacin
de corriente continua: Vee y Vcc, con resistencias en serie Re
y Rc, tal que la unin emisor-base se polariza directamente y
la unin colector-base se polariza inversamente, tal como
muestra el circuito de la figura 3.3, se puede observar que
circulan las corrientes Ie, Ib e Ic, donde Ie e Ic son
prcticamente iguales.
Que las corrientes de emisor y colector, Ie e Ic, sean muy
parecidas es aparentemente extrao y elimina la posibilidad
de tratar de analizar el comportamiento del transistor PNP
como dos diodos en oposicin con sus ctodos unidos en el
terminal de base, tal que mediante un circuito de polarizacin
externo, se polariza directamente uno de los diodos, Deb, y el
otro inversamente, Dcb, tal como muestra la figura 3.4.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres
partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
especficos en cantidades especficas) que forman dos
uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores,
condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica
cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta
en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de
corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta
del transistor.
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Para comprobarlo se puede montar en el laboratorio ambos
circuitos, el circuito de la figura 3.3 y el circuito de la
figura 3.4, usando componentes que se utilizarn en las
prcticas de laboratorio: transistor PNP BC548, diodos
1N4148, fuentes de CC de 10 V y resistencias de 1k. Se
miden las corrientes Ie, Ic e Ib en ambos circuitos y se
comprueba que la corriente Ie es prcticamente igual en
ambos circuitos, pero las corrientes Ib e Ic son muy
diferentes en un circuito y en otro. De manera
simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero
el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se
alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales
como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran
inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas
electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de
semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo
posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.
Las soldaduras que se le introducen en el bloque de germanio constituyen el colector y el emisor. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una corriente de retorno Ib muy pequea, que circula de la
base hacia el emisor. En la unin base-emisor existe una concentracin muy alta de electrones libres gracias a la
polarizacin directa. Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones fluyen a lo largo de la base hacia la unin
con el colector. El voltaje de polarizacin inversa del colector N es positivo. En la actualidad, la mayora de los
dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones
electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos
utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y
prestaciones electrnicas no muy exigentes.
La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores
inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
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El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que
son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el
emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente
de entrada. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice.
Por tanto las concentraciones de portadores minoritarios tambin han variado tal como se ve en la figura 3.5.
En la unin de emisor-base, polarizada directamente, se estn inyectando portadores mayoritarios (huecos) desde la
zona P (emisor) a la zona N (base) y electrones desde la zona N (base) a la zona P (emisor), dando lugar a la corriente
de emisor Ie. En la unin de colector-base debido a su polarizacin inversa sern los portadores minoritarios los que se
inyectan a la unin: huecos desde la zona N (base) a la zona P (colector) y electrones del colector a la base. Si en la
unin de colector-base no hubiese mas trasiego de portadores que los que se producen en una unin PN polarizada
inversamente, la corriente de colector Ic debera ser Ics, corriente de saturacin inversa de una unin PN, pero debido
a la estrechez de la base gran parte de los huecos inyectados por el emisor en la base llegan a la unin base-colector y
la atraviesan. Por tanto:
Este parmetro no es una constante ya que dada una geometra de las uniones, de la cual depende fuertemente,
tambin depende de Ie de Vcb y de la temperatura. Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una
corriente de retorno Ib muy pequea, que circula de la base hacia el emisor. En la unin base-emisor existe una
concentracin muy alta de electrones libres gracias a la polarizacin directa. Como resultado de lo anterior, casi todos
los electrones fluyen a lo largo de la base hacia la unin con el colector. El voltaje de polarizacin inversa del colector
N es positivo.
Este voltaje positivo del colector atrae las cargas libres, que son los electrones que se mueven de la base. Debido a lo
anterior, los electrones que salen de la unin base-emisor avanzan hacia el colector, donde dan origen a la corriente Ic
que circula por el circuito del colector. En un transistor PNP, la polaridad de todos los voltajes e invierte y la corriente
Ic que circula por el electrodo colector est formada por huecos. La expresin (3-2) se puede generalizar para
cualquier valor de la tensin de polarizacin de la unin colector-base, dando lugar a la expresin:
ESTRUCTURA
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la
base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y
tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E),
base (B) o colector (C), segn corresponda. Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una corriente de
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retorno Ib muy pequea, que circula de la base hacia el emisor. En la unin base-emisor existe una concentracin muy
alta de electrones libres gracias a la polarizacin directa. Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones
fluyen a lo largo de la base hacia la unin con el colector. El voltaje de polarizacin inversa del colector N es positivo.
n la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales
como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran
inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas
electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de
semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo
posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.
En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales
como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran
inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas
electrnicos que requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de
semiconductores orgnicos, y la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los ltimos aos, siendo
posible en la actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades predeterminadas.
Las soldaduras que se le introducen en el bloque de germanio constituyen el colector y el emisor. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Las
soldaduras que se le introducen en el bloque de germanio constituyen el colector y el emisor. Este voltaje positivo del
colector atrae las cargas libres, que son los electrones que se mueven de la base. Debido a lo anterior, los electrones
que salen de la unin base-emisor avanzan hacia el colector, donde dan origen a la corriente Ic que circula por el
circuito del colector. En un transistor PNP, la polaridad de todos los voltajes e invierte y la corriente Ic que circula por
el electrodo colector est formada por huecos.
Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede
apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. La
base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de
material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin
de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se
acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico.
Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y
comience a funcionar en modo inverso.
Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo,
intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que
los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de
simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado,
mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la
unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin
normal.
La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del
emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran
ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El
bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son
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diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el
emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente
de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados
ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la
baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de
heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
FUNCIONAMIENTO
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a
la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe
entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa.
En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre
los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a
travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana
al colector.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede
explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son:
Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor,
frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin
Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones) bsicos
para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. En la actualidad, la
mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y
sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la
obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que
requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes.
Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la
investigacin en su sntesis ha realizado un gran progreso en los
ltimos aos, siendo posible en la actualidad la sntesis de
semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades
predeterminadas. Las soldaduras que se le introducen en el bloque de
germanio constituyen el colector y el emisor. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor. De manera
simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo
grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la
carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.
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Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los
cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la
vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por
la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la
cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos
analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente
de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo
que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la
base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos
matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
El Alfa y Beta del transistor
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y
alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor comn est representada por
F
o por h
fe
. Esto es aproximadamente la tasa de corriente
continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro
parmetro importante es la ganancia de corriente base comn,
F
. La ganancia de corriente base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente
tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):
TIPOS DE TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR
La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores
inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los
transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados
simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el
emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente
de entrada.
TRANSISTOR NPN.
El smbolo de un transistor NPN.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del
electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin. De manera simplificada, la corriente que circula
por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor
slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la
"base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
35
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la
salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin
en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
TRANSISTOR PNP
El smbolo de un transistor PNP.
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy
en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de
una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo Segn la frmula anterior las corrientes no
dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc.
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es ms
alta. El requisito final para que el transistor funcione es que el circuito base-emisor controle la corriente del colector.
El emisor tiene una contaminacin considerable de impurezas con el fin de proporcionar portadores mayoritarios. Sin
embargo, la base tiene una cantidad pequea de impurezas y es muy delgada, lo cual permite que las cargas puedan
moverse hacia la unin con el colector. El voltaje en el colector es relativamente grande. Como consecuencia de estos
factores, prcticamente todas las cargas inyectadas a la base por el emisor circulan por el circuito del colector. Es
comn que entre un 98% y 99% de las cargas inyectadas por el emisor formen la corriente del colector Ic.
El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base Ib. Por ejemplo, considrense las corrientes en un transistor
NPN. El emisor N inyecta electrones en la base P. En ella, los electrones son portadores minoritarios. Como
consecuencia de las escasas impurezas contenidas en la base, muy pocos electrones pueden recombinarse con los
huecos de la base. Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una corriente de retorno Ib muy pequea,
que circula de la base hacia el emisor. En la unin base-emisor existe una concentracin muy alta de electrones libres
gracias a la polarizacin directa. Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones fluyen a lo largo de la base
hacia la unin con el colector.
Transistor Bipolar de Heterounin
El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar seales de muy altas frecuencias,
de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en
sistemas de radiofrecuencia. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos
del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base.
Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor-base est
polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores mejorada en
la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un
transistor de unin convencional, tambin conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la
inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
36
emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de
portadores, su resistencia es relativamente alta.
Regiones operativas del transistor
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. Los
transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:
Regin activa:
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin
intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el
colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
seal.
El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la
intensidad de base (ganancia de corriente). Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un mximo y
un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la
temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros
son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el
polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en
el circuito.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en
funcionamiento en modo inverso. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s
mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian
roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo. Esta zona se puede considerar
como carente de inters.
Regin de corte:
Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver
Ley de Ohm). De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0). el transistor es utilizado para
aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan
prcticamente nulas (y en especial Ic).
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = Imaxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande.
(Recordar que Ic = * Ib). En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos
digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. De manera simplificada,
la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor
slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la
"base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice.
Cualquier nueva combinacin de cargas en la base
genera una corriente de retorno Ib muy pequea,
que circula de la base hacia el emisor. En la unin
base-emisor existe una concentracin muy alta de
electrones libres gracias a la polarizacin directa.
Como resultado de lo anterior, casi todos los
electrones fluyen a lo largo de la base hacia la
unin con el colector. El voltaje de polarizacin
inversa del colector N es positivo. Este voltaje
positivo del colector atrae las cargas libres, que son
los electrones que se mueven de la base. Debido a
lo anterior, los electrones que salen de la unin
base-emisor avanzan hacia el colector, donde dan
origen a la corriente Ic que circula por el circuito
del colector. En un transistor PNP, la polaridad de
todos los voltajes e invierte y la corriente Ic que circula por el electrodo colector est formada por huecos.
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del
transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario:
1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.
TBJS
Se trata de una adaptacin del modelo integral de control por carga formulado por Gummel y Poon en 1970.
El modelo utilizado introduce en las ecuaciones bsicas de Ebers y Moll los efectos de bajo y alto nivel de corriente, el
de modulacin del ancho de la base (efecto) al variar las tensiones de polarizacin y los efectos de la temperatura para
el anlisis de continua o de gran seal y la derivacin del modelo hbrido t para pequea seal.
La correccin anterior la realiza en base a los principios del modelo de control por carga, que tambin utiliza para
determinar los efectos de almacenamiento de carga en las zonas neutras del transistor para incluir las componentes
correspondientes de pequea seal del modelo hbridot. A estas ltimas se agregan las capacitancias de juntura.
En el anlisis de los transitorios toma en cuenta ambos tipos de almacenamiento de cargas, en las zonas neutras y en
las zonas de deflexin.
Cuando no se introducen datos de alguno o todos los parmetros del modelo, el programa tiene incluidos los valores
de referencia, denominados de "default" o por omisin.
Si los datos no introducidos son de los parmetros relacionados con las correcciones por el punto de reposo y por
temperatura, este modelo se simplifica automticamente al modelo de EbersMoll.
El modelo del TBJ utilizado en el Spice 2G.1 contiene 40 parmetros, de los cuales 18 representan el comportamiento
completo en corriente continua a temperatura ambiente normal (300K = 27C); 3 incluyen los efectos de la
temperatura en los valores de | directo e inverso y en la corriente de saturacin de transporte; 12 incluyen los efectos
de almacenamiento de cargas en las zonas neutras y de deflexin de las junturas B-E y B-C para el anlisis con seales
variables en el tiempo; 3 los efectos de almacenamiento de carga en la juntura colector-sustrato para circuitos
integrados; 1 parmetro que corrige las capacitancias de juntura con polarizacin directa cuando esta cae por efecto de
los portadores en trnsito a travs de la zona considerada desierta; 1 parmetro que corrige la fase del generador
controlado para cuando se extiende la validez del modelo hbrido-t a frecuencias cercanas a f
T
y 2 parmetros que
introducen los efectos del ruido generado por el transistor.
Efecto Early
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
38
La modulacin del ancho efectivo de base tambin llamado efecto Early, W, resulta del cambio de tensin de la
juntura B-C. En la zona activa la juntura B-E esta polarizada en directa y la juntura B-C en inversa. El ancho de la
zona espacial de la juntura pn es muy dependiente del potencial aplicado. Grandes variaciones en la tensin B-C puede
causar que la zona de carga espacial entre C-B vare significativamente. Esto cambia el ancho normal de la base como
se ve en la figura 1.
El efecto total de la modulacin en el ancho de la base es una modificacin (en funcin de V
BC
) de I
S
y en
consecuencia de la I
C
, |
F
y t
F
a travs del tiempo de transicin.
Solamente se utiliza un parmetro extra, el voltaje Early V
A
, en el modelo de modulacin del ancho de base en la
regin activa.
INCLUSION DEL EFECTO Y DE LOS EFECTOS DE ALTOS NIVEL DE INYECCION
Tomando como base la corriente de saturacin de transporte I
S
para bajos niveles de inyeccin en ambas junturas sin
tener en cuenta el efecto sabiendo que:
Donde:
Q
BO
= carga de portadores mayoritarios en la base en equilibrio
Dadas las ecuaciones de Ebers-Moll, Gummel y Poon tuvo en cuenta la I
C
y la modulacin del ancho de la base para
altos niveles de inyeccin tomando el modelo de control de carga que describe el TBJ en la cantidad de portadores
minoritarios almacenados en la base cuando hay circulacin de corriente entre emisor y colector, donde permite tener
en cuenta el tiempo de trnsito a travs de la base como parmetro fundamental para TBJ no planares. En el caso que
sea un TBJ planar aparte del parmetro fundamental hay que tener en cuenta la inyeccin en el emisor para colocar
adecuadamente la capacitancia de difusin en la juntura E-B para MAD.
Para que la I
S
dependa de los efectos anteriores se debe modificar el denominador reemplazndolo por Q
B
por lo que:
Q
B
= carga de portadores mayoritarios en la base.
W
EE
, W
CC
= posicin de contacto, c para medir las recombinaciones en las zonas.
Gummel y Poon llamaron este mtodo MODELO INTEGRAL DE CONTROL POR CARGA tomando como base los
efectos anteriores que alteraban el funcionamiento del transistor.
Como en la ecuacin de la I
C
se toman valores de la I
S
tendremos que:
Donde Q
B
= Q
BO
+ cargas de portadores mayoritarios en la base dependiendo de las corrientes y tensiones.
Estas cargas estn dadas por la sumatoria de:
Q
JE
= Portadores mayoritarios de base debido a la variacin de las zonas desiertas de la juntura B-E al pasar de V
BE
= 0
a la tensin de polarizacin.
Q
JC
= Representa el mismo efecto que Q
JE
pero en la juntura B-C.
Q
F
= Incremento de cargas de portadores mayoritarios necesarios para neutralizar las cargas de portadores
minoritarios inyectados desde el emisor y almacenados en la base Q
BF
y los minoritarios inyectados desde la base y
almacenados en el emisor Q
E
por lo que Q
F
= Q
BF
+ Q
E
.
Q
R
= Provoca el mismo efecto que Q
F
pero la juntura de inyeccin es B-C.
Q
B
= Q
BO
+ Q
JE
+ Q
JC
+ Q
F
+ Q
R
Los trminos Q
JE
y Q
JC
se encuentran relacionados con las respectivas capacitancias de la juntura que es producida por
la fabricacin del mismo transistor.
A partir de la definicin de tensin en directa V
AF
se puede determinar Q
JC
y mediante la tensin Early en inversa se
determina Q
JE
mediante:
BO
n
s
Q
D
I
N q A
I
=
2 2 2
=
W
b E BO
dx x p A q Q
0
) (
=
CC
EE
W
W
b E B
dx x p A q Q ) (
B
BO
S
B
n I E
Q
Q
I
Q
D N q A
=
2 2 2
B
AF
BC
JC
Q
V
V
Q =
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
39
Dada la expresin de Q
JC
vemos que a medida que disminuye la tensin Early con el nivel de inyeccin y con el
aumento de la polarizacin en directa de la juntura E-B y aumenta al aumentar la tensin V
CB
en inversa en la juntura
C-B ( pues Q
B
disminuye ).
De la misma forma analizaremos Q
JE
:
Parmetro Unidades
BF Beta Mximo en Directa
BR Beta Mximo en Inversa
XTB Coeficiente de temperatura para Beta
IS Corriente de saturacin Amper
EG Hueco de energa eV
CJC Capacitancia de transicin B-C con polarizacin nula Faradio
CJE Capacitancia de transicin B-E con polarizacin nula Faradio
RB Resistencia de base para polarizacin nula Ohms
RC Resistencia de colector Ohms
VAF Tensin de Directa Volt
TF Tiempo de transito en directa Segundo
TR Tiempo de transito en inversa Segundo
MJC Factor exponencial en la factura B-C
VJC Potencial de contacto B-C Volt
MJE Factor exponencial en la juntura B-E
VJE Potencial de contacto B-E Volt
CJS Capacitancia colectorsubstrato con polarizacin nula Faradio
VAR Tensin de Inversa Volt
NF Coeficiente de emisin de corriente directa
NR Coeficiente de emisin de corriente inversa
ISE Corriente de saturacin de fugas B-E Amper
ISC Corriente de saturacin de fugas B-C Amper
IKF Corriente de codo para la cada de beta directo Amper
IKR Corriente de codo para la cada de beta inverso Amper
NE Coeficiente de emisin de fugas B-E
NC Coeficiente de emisin de fugas B-C
RE Resistencia del emisor Ohms
IRB Corriente para la cual la resistencia de base cae a un valor promedio entre el
mnimo y el mximo
Amper
RBM Mnima resistencia de base a altas las corrientes. Ohms
VTF Tensin que describe la dependencia de TF con VBC Volt
ITF Parmetro de alta corriente para el efecto sobre TF Amper
XTF Coeficiente para la dependencia de TF con la polarizacin
PTF Exceso de fase a la frecuencia f=1 / (2 * Tf) Hz Grados
XCJC Fraccin de la capacitancia de transicin conectada al nodo interno de base
VJS Potencial de contacto de la juntura de substrato Volt
MJS Factor exponencial en la juntura de substrato
XTI Exponente de la temperatura para efectos sobre Is
KF Coeficiente de ruido de parpadeo
AF Exponente de ruido de parpadeo
FC Coeficiente para la capacitancia de transicin con polarizacin directa
Modelo para npn:
R F
AF
BC
B
AR
BE
B BO B
Q Q
V
V
Q
V
V
Q Q Q + + + + =
B
AR
BE
JE
Q
V
V
Q =
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
40
CONFIGURACIONES DEL BJT.
Hay tres configuraciones bsicas para el transistor BJT, en cada una de ellas se usa como terminal de referencia un
terminal distinto del transistor BJT: base comn, emisor comn y colector comn. Que las corrientes de emisor y
colector, Ie e Ic, sean muy parecidas es aparentemente extrao y elimina la posibilidad de tratar de analizar el
comportamiento del transistor PNP como dos diodos en oposicin con sus ctodos unidos en el terminal de base, tal
que mediante un circuito de polarizacin externo, se polariza directamente uno de los diodos, Deb, y el otro
inversamente, Dcb. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que
se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito
que se utilice.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas
con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores (base). . De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s
mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice.
A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice.
Smbolo electrnico
Configuracin Emisor, base y colector
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor,
polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y
emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio. El requisito final para que el transistor funcione es que el circuito base-emisor controle la
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
41
corriente del colector. El emisor tiene una contaminacin considerable de impurezas con el fin de proporcionar
portadores mayoritarios.
Sin embargo, la base tiene una cantidad pequea de impurezas y es muy delgada, lo cual permite que las cargas
puedan moverse hacia la unin con el colector. El voltaje en el colector es relativamente grande. Como consecuencia
de estos factores, prcticamente todas las cargas inyectadas a la base por el emisor circulan por el circuito del colector.
Es comn que entre un 98% y 99% de las cargas inyectadas por el emisor formen la corriente del colector Ic. El
transistor sin polarizar se puede considerarse como dos diodos contrapuestos, con una barrera de potencial de 0,7 V
para cada diodo. Si se polariza ambos diodos directa o inversamente, se comportarn permitiendo o no el paso de la
corriente como se sabe. .
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del
emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran
ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El efecto de amplificacin en el transistor se crea al polarizar directamente la unin base-emisor e inversamente la
unin colector-base. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base Ib. Por ejemplo, considrense las
corrientes en un transistor NPN. El emisor N inyecta electrones en la base P. En ella, los electrones son portadores
minoritarios. Como consecuencia de las escasas impurezas contenidas en la base, muy pocos electrones pueden
recombinarse con los huecos de la base. Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una corriente de
retorno Ib muy pequea, que circula de la base hacia el emisor. En la unin base-emisor existe una concentracin muy
alta de electrones libres gracias a la polarizacin directa. Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones
fluyen a lo largo de la base hacia la unin con el colector. Lo interesante del dispositivo es que en el colector
tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: I
C
= I
B
, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para
transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador.
CONFIGURACIN EN BASE COMN.
Base comn.
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia
slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno,
debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de
emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al
realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente:
.
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo,
micrfonos dinmicos. Es la configuracin que se ha usado para introducir el transistor de unin bipolar BJT.
Se toma como circuito de entrada de seal el circuito de emisor-base y como circuito de salida de seal el circuito
colector-base. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula
el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por
corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores,
condensadores e inductores que son elementos pasivos. De manera simplificada, la corriente que circula por el
"colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que
circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga
por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente
de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante
mecnica cuntica
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de
ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de
trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
42
Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones) bsicos para
utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Las variables de la seal de
entrada sern VEB e IE, y para la seal de salida VCB e IC. Para estudiar su funcionamiento se usan las curvas
caractersticas de entrada y de salida al dispositivo.
En las curvas caractersticas de entrada, figura 3.6, se estudia la dependencia de la tensin de entrada (VEB) con la
corriente de entrada (IE) y la tensin de salida (VCB), y en las curvas caractersticas de salida, figura 3.7, se estudia la
variacin de la corriente de salida (IC) con la corriente de entrada (IE) y la tensin de salida (VCB). La unin
colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente
dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los
portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que
son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula
entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o
corriente de entrada. Antes de analizar las curvas caractersticas de entrada y salida, y para comprender mejor el
comportamiento del dispositivo que reflejan estas curvas, se ha de mencionar el efecto de la modulacin del ancho de
base, llamado efecto Early.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que
se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito
que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor.
En un transistor PNP con polarizacin directa en la unin de emisor e inversa en la de colector, existirn zonas de
cargas descubiertas en ambas uniones. Dadas las polarizaciones existentes esta ser pequea en la unin de emisor-
base e importante en la unin de colector-base. En concreto dado que el lado P (colector) de la unin de colector-base
est mucho ms dopado que el lado N (base) de dicha unin (1), la anchura de la zona de cargas descubiertas en la
base es considerable. Por tanto la anchura real de la base, anchura fsica menos regin de cargas descubiertas, cambia
con VCB. Habitualmente en los transistores BJT el nivel de dopado de la base es muy inferior al del emisor y al del
colector.
Que las corrientes de emisor y colector, Ie e Ic, sean muy parecidas es aparentemente extrao y elimina la posibilidad
de tratar de analizar el comportamiento del transistor PNP como dos diodos en oposicin con sus ctodos unidos en el
terminal de base, tal que mediante un circuito de polarizacin externo, se polariza directamente uno de los diodos,
Deb, y el otro inversamente, Dcb. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s
mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice. Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una corriente de
retorno Ib muy pequea, que circula de la base hacia el emisor. En la unin base-emisor existe una concentracin muy
alta de electrones libres gracias a la polarizacin directa. Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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fluyen a lo largo de la base hacia la unin con el colector. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la
operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de
portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir
del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que
son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula
entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o
corriente de entrada. El voltaje de polarizacin inversa del colector N es positivo. Este voltaje positivo del colector
atrae las cargas libres, que son los electrones que se mueven de la base.
Debido a lo anterior, los electrones que salen de la unin base-emisor avanzan hacia el colector, donde dan origen a la
corriente Ic que circula por el circuito del colector. En un transistor PNP, la polaridad de todos los voltajes e invierte y
la corriente Ic que circula por el electrodo colector est formada por huecos. El transistor consta de un sustrato
(usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades
especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base).
A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta
del transistor.
Por tanto el aumento de VCB, en polarizacin inversa, hace que el ancho de la regin de cargas descubiertas en la
unin colector-base aumente en la zona de base, con los posibles efectos. Aumento del , ya que al
estrecharse la base disminuye la recombinacin de huecos inyectados por el emisor en la base, y llegan en ms
proporcin a la unin de colector-base. Aumento de IE ya que aumenta el gradiente de la concentracin de portadores
minoritarios (pn) en la unin de emisor-base en lado de la base (pn (0)).
Concentracin pn en el borde de la unin de colector debe ser cero, por tanto la concentracin de huecos en la base
decae desde pn(0) hasta cero en menos espacio, su gradiente aumenta y con l la corriente en la unin emisor-base
(IE). Se ha de tener en cuenta que si se aumenta demasiado VCB se puede reducir a cero el ancho real de base,
provocando la ruptura del transistor, es lo que se denomina perforar el transistor. De manera simplificada, la corriente
que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada
la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que
circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Una vez planteado el efecto Early se ha de a analizar las curvas caractersticas de entrada y salida, figuras
3.6 y 3.7. En las curvas caractersticas de entrada se ve que hay una tensin umbral de VEB, que se denomina Vg, a
partir de la cual el transistor empieza a conducir apreciablemente. El valor de Vg es de aproximadamente 0,55 V para
un transistor de Si. Igualmente en dichas curvas se observa la influencia de VCB sobre IE, de acuerdo a lo que predice
el efecto Early. En las curvas caractersticas de salida se puede observar la ligera pendiente de IC para un valor
constante de IE al variar VCB, otra vez el efecto Early. Para IE = 0, IC ser ICS, corriente de saturacin inversa.
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De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Tambin se observa que para IE > 0 se necesita llegar a polarizar positivamente la unin colector-base para
anular la corriente de colector, pero la curva de Ic correspondiente a IE = 0, pasa por (0,0). Las curvas caractersticas
de salida son las que ms se usan en el diseo con transistores. En ellas se distinguen tres regiones.
CONFIGURACIN EN EMISOR COMN.
Emisor comn.
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia
tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de
emisor, R
E
> 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en tensin se aproxima bastante bien
por la siguiente expresin:
;
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin
constante, V
g
. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es: V
E
= V
B
V
g
Y la corriente de emisor:
.
La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de base:
.
Despejando
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice.
La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:
Como >> 1, se puede aproximar: y, entonces,
Que podemos escribir como
Vemos que la parte es constante (no depende de la seal de entrada), y la parte nos da la
seal de salida.
El signo negativo indica que la seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada. De manera simplificada, la
corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor
slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la
"base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Finalmente, la ganancia queda:
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La corriente de entrada, , que aproximamos por .
Suponiendo que V
B
>>V
g
, podemos escribir:
y la impedancia de entrada:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es muy
frecuente usar el modelo en pi. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s
mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor.
En esta configuracin el terminal de referencia es el terminal de emisor. El circuito de entrada de seal ser el de base-
emisor y el de salida de seal el de colector-emisor. En la figura 3.8 se muestra una posible configuracin en emisor
comn donde se ha usado un BJT tipo NPN. La razn del cambio de tipo de transistor es que este tipo de transistor es
el que habitualmente se usa en los diferentes diseos con transistores BJT. Este efecto puede ser utilizado para
amplificar la tensin o corriente de entrada.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja
impedancia de la base. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la
que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito
que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor.
En las grficas de la figuras 3.9 y 3.10, se pueden observar las curvas caractersticas
de entrada y salida de esta configuracin. Como en la configuracin anterior se usar
como variable a estudiar en el circuito de entrada la tensin entre los terminales de
entrada al transistor, por tanto la tensin VBE, y en el circuito de salida la corriente
en el terminal de salida del transistor, por tanto IC. Como variables independientes se
toman nuevamente la corriente en el terminal de entrada al transistor, IB, y la tensin
en los terminales de salida del transistor, VCE. En las curvas caractersticas de
entrada, figura 3.9 VBE = f (IB, VCE), se vuelve a observar la existencia de una
tensin umbral, Vg, a partir de la cual la corriente en el terminal de entrada es
apreciable, Vg = 0,55 V para un BJT de Si. Tambin se pone de manifiesto el efecto Early: un incremento en la
tensin en los terminales de salida VCE (2), disminuye la corriente de entrada IB, el estrechamiento de la base reduce
la corriente de recombinacin de base.
Como aclaracin se ha de tener en cuenta que al aumentar la tensin en los terminales de salida, VCE, se aumenta la
polarizacin inversa en el diodo colector-base. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es
funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs
de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector",
segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que
son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula
entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o
corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son
caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de
corriente, debido a la baja impedancia de la base.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
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factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn
compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn
hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de
identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada
por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece
el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora.
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a
la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe
entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa.
Que las corrientes de emisor y colector, Ie e Ic, sean muy parecidas es aparentemente extrao y elimina la posibilidad
de tratar de analizar el comportamiento del transistor PNP como dos diodos en oposicin con sus ctodos unidos en el
terminal de base, tal que mediante un circuito de polarizacin externo, se polariza directamente uno de los diodos,
Deb, y el otro inversamente, Dcb. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares,
el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base).
A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones
"vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector.
Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una corriente de retorno Ib muy pequea, que circula de la
base hacia el emisor. En la unin base-emisor existe una concentracin muy alta de electrones libres gracias a la
polarizacin directa. Como resultado de lo anterior, casi todos los electrones fluyen a lo largo de la base hacia la unin
con el colector. El voltaje de polarizacin inversa del colector N es positivo. Este voltaje positivo del colector atrae las
cargas libres, que son los electrones que se mueven de la base. Debido a lo anterior, los electrones que salen de la
unin base-emisor avanzan hacia el colector, donde dan origen a la corriente Ic que circula por el circuito del colector.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de
portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir
del emisor. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se
inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente
de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
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utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta
del transistor. En un transistor PNP, la polaridad de todos los voltajes e invierte y la corriente Ic que circula por el
electrodo colector est formada por huecos.
En las curvas caractersticas de salida, figura 3.10 IC = f (IB, VCE), se observa la ligera variacin de IC, para IB
constante, al variar VCE, otra vez el efecto Early. Como detalle interesante se ha de resaltar que si se prolongan estas
rectas, confluirn en un punto del eje X, un valor VCE negativo, dicha tensin se denomina tensin Early. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Igual
que en la configuracin de base comn, en la grfica de las curvas caractersticas de salida se distinguen de tres
regiones: activa, saturacin y corte.
La regin activa es aquella en que IB > 0 y VCE > 0,3 V, ya que para VCE < 0,3 V se entra en los codos de las curvas
y se pasa a la regin de saturacin, la cual se toma para VCE < 0,25 V. La regin de corte es para IB 0, en esta
regin las corrientes en el transistor son despreciables. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para
aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en
relacin con aquellos inyectados por la base. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de
entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja
impedancia de la base.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el
"emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El
factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben
provenir del emisor. Al analizar un circuito que contenga un transistor este se comportar como un nudo en el cual
confluyen tres ramas por tanto se debe cumplir:
IE = IC + IB (3-5)
Sustituyendo (3-5) en (3-2) y despejando IC, se obtiene:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Que las corrientes de emisor y colector, Ie e Ic, sean muy parecidas es aparentemente extrao y elimina la posibilidad
de tratar de analizar el comportamiento del transistor PNP como dos diodos en oposicin con sus ctodos unidos en el
terminal de base, tal que mediante un circuito de polarizacin externo, se polariza directamente uno de los diodos,
Deb, y el otro inversamente. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada
de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde
una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de
circuito que se utilice.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas
con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y
del que se obtiene corriente amplificada.
Puesto que ICS << IB, la expresin (3-8) se suele aproximar por la expresin:
De la expresin previa se deduce que el tambin denominado hFE, da la ganancia de corriente en rgimen
esttico, es decir sin seal variable aplicada al circuito de entrada, por tanto es la ganancia de corriente en continua.
Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como
fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente
controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. De manera
simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero
el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se
alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
ser muy usado en el anlisis y diseo de circuitos con transistores BJT, por tanto es muy importante el
tener claro sus posibles variaciones con el resto de variables de las cuales pueda depender. Aumenta su valor con la
temperatura y con VCE, esto ltimo debido al efecto Early, pero la dependencia ms importante es con IC.
aumenta con IC hasta llegar a un intervalo de valores de IC en que es prcticamente constante, este intervalo es desde
casi el miliamperio hasta unas decenas de miliamperios, para despus volver a disminuir al seguir aumentado IC. Otro
aspecto importante a considerar es que de la definicin de, expresin (3-7), se deduce que ligeras variaciones del
parmetro producirn grandes variaciones del parmetro .
Dado que la geometra del transistor influye en el valor de , es lgico que transistores tericamente iguales tengan
valores de su parmetro ligeramente diferentes y por tanto con valores de su muy diferentes, por ello al
comprobar la hoja de caractersticas que da el fabricante de un transistor cualquiera, no es difcil que para el parmetro
el fabricante de un intervalo de valores posibles muy grande, por ejemplo entre 50 y 200.
Con un simple ejemplo numrico se puede comprender mejor este problema. Supuesto que el valor medio del
parmetro de unos transistores que se est fabricando es 0.99,
= 99, y que se garantice que los valores de que se van a obtener no varen ms del
0,5 %. El intervalo de valores del parmetro que garantiza es:
Por tanto antes de usar un transistor es conveniente medir su beta. Dado un transistor concreto con un valor de beta
dado, es importante comprender que el parmetro beta slo tiene sentido cuando est trabajando en un punto de
funcionamiento de la regin activa del transistor. La regin de saturacin es la zona izquierda de las curvas
caractersticas de salida, previa a los codos de las curvas. En la regin de saturacin no tiene validez el parmetro beta
ya que segn se ver posteriormente, la corriente de colector que pasa por el transistor, en toda esta regin, es menor
que la que define la expresin (3-9), expresin que liga la corriente de base y de colector a travs del parmetro beta.
Igual que se ha definido el parmetro (hFE) para corrientes estticas, corriente continua, se define tambin para
variaciones de la corriente. En tal caso se usa normalmente hfe para denominar la dinmica, es por ello que en lo
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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que sigue se utilizar hFE para denominar la b esttica, y hfe para denominar la dinmica, tambin denominada
ganancia de corriente para pequea seal y cuya definicin es:
iC e iB son las corrientes instantneas de colector y base respectivamente. Que las corrientes de emisor y colector, Ie e
Ic, sean muy parecidas es aparentemente extrao y elimina la posibilidad de tratar de analizar el comportamiento del
transistor PNP como dos diodos en oposicin con sus ctodos unidos en el terminal de base, tal que mediante un
circuito de polarizacin externo, se polariza directamente uno de los diodos, Deb, y el otro inversamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja
impedancia de la base. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la
que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito
que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. Se puede demostrar que hfe y hFE estn relacionados por la expresin:
ICB0 es la corriente de colector cuando se anula la corriente de emisor haciendo VBE = 0. El transistor se usar en
una zona de funcionamiento, valor de IC, en la que la variacin de hFE con IC es prcticamente despreciable y hFE
toma su valor mximo. Por ello en los problemas de diseo y de anlisis de circuitos con transistores BJT se supondr
que hFE y hfe toman el mismo valor. Dada la variacin de hFE con IC, para puntos de funcionamiento con IC muy
pequeo hfe > hFE, y para puntos de funcionamiento con IC grande, varias decenas de miliamperios, hfe < hFE,
CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN.
Colector comn.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y
corriente de base, se denomina Beta del transistor. La seal se aplica a la base
del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto
de la seal de entrada como a la de salida. Este efecto puede ser utilizado para
amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como
fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn
el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la
unidad. Esta configuracin multiplica la impedancia de salida por . Es prcticamente la misma que emisor comn,
figura 3.11, salvo que la resistencia de carga se ha transferido del colector al emisor. Las curvas caractersticas de esta
configuracin son similares a las de la configuracin de emisor comn.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
50
Corriente de Colector
El requisito final para que el transistor funcione es que el circuito base-emisor
controle la corriente del colector. El emisor tiene una contaminacin
considerable de impurezas con el fin de proporcionar portadores mayoritarios.
Sin embargo, la base tiene una cantidad pequea de impurezas y es muy
delgada, lo cual permite que las cargas puedan moverse hacia la unin con el
colector. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de
colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. De manera
simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de
la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que
circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se
alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. El
voltaje en el colector es relativamente grande. Como consecuencia de estos factores, prcticamente todas las cargas
inyectadas a la base por el emisor circulan por el circuito del colector. Es comn que entre un 98% y 99% de las
cargas inyectadas por el emisor formen la corriente del colector Ic.
Las flechas punteadas indican la direccin del flujo de electrones de corriente
I del circuito externo. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base
Ib. Por ejemplo, considrense las corrientes en un transistor NPN. El emisor
N inyecta electrones en la base P. En ella, los electrones son portadores
minoritarios. Como consecuencia de las escasas impurezas contenidas en la
base, muy pocos electrones pueden recombinarse con los huecos de la base.
Cualquier nueva combinacin de cargas en la base genera una corriente de
retorno Ib muy pequea, que circula de la base hacia el emisor.
Figura 2. Corrientes Ie, Ib e Ic en los
electrodos de un transistor NPN.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor.
En la unin base-emisor existe una concentracin muy alta de electrones libres gracias a la polarizacin directa. Como
resultado de lo anterior, casi todos los electrones fluyen a lo largo de la base hacia la unin con el colector. El voltaje
de polarizacin inversa del colector N es positivo. Este voltaje positivo del colector atrae las cargas libres, que son los
electrones que se mueven de la base. Debido a lo anterior, los electrones que salen de la unin base-emisor avanzan
hacia el colector, donde dan origen a la corriente Ic que circula por el circuito del colector. En un transistor PNP, la
polaridad de todos los voltajes e invierte y la corriente Ic que circula por el electrodo colector est formada por
huecos.
TRANSISTORES FETs
Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se controlaba una
corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla
mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la
tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico
Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET
(transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan
menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain).
Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:
Smbolo de un FET de canal N Smbolo de un FET de canal P
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51
CURVA CARACTERISTICA
Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:
Parmetros de un FET de canal N Parmetros de un FET de canal P
La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres
regiones o zonas importantes:
Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una
fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y
Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los
transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la amplificacin de seales dbiles.
CARACTERSTICAS DE SALIDA
Al variar la tensin entre drenador y surtidor vara la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre
puerta y surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de
drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de
drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor.
Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.
CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.
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HOJAS DE CARACTERISTICAS DE LOS FET
En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes):
VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN.
IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente.
PD.- potencia total disipable por el componente.
IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0.
IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado en
sentido inverso.
El transistor de efecto de campo (FET = Field-Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se emplea
para una amplia variedad de aplicaciones que coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes al transistor
BJT. La diferencia principal entre las-dos clases de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo
controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la
corriente Ic la es una funcin directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID ser una funcin del voltaje VGS
aplicado a la entrada del circuito, en cada caso la corriente de la salida del circuito se controla por un par metro del
circuito de entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a
la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de
campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no
siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay
que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y
PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de
una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente.
Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT). Aunque su fabricacin no fue
posible hasta mediados de los aos 60's.El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal"
en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la
oblea mono cristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor,
o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la
principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o
FET ms conocidos son los JFET (Junction Field-Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y
MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal
equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El
funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe
corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin
con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Amplificador controlado por corriente (a) y (b) amplificador controlado por voltaje.
Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el
anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta
pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo
MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados
o chips digitales.
P-channel
N-channel
Smbolos esquemticos para los
JFETs canal-n y canal-p.
G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain)
S=Fuente (Source).
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que
pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares.
Se llama transistor de efecto campo. As como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de efecto de
campo de canal-n y canal-p.
Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar (el prefijo bi- revela que el
nivel de conduccin es una funcin de dos portadores de carga, electrones y huecos). El FET es un dispositivo
unipolar que depende nicamente ya sea de la conduccin por electrones (canal-n) o por los huecos (canal-p). El
trmino "efecto de campo" en el nombre elegido amerita una explicacin. Todos estamos familiarizados con la
habilidad de un imn permanente de atraer limaduras de metal sin necesidad de un contacto fsico directo. El campo
magntico de un imn permanente acta sobre las limaduras y las atrae hacia el imn a travs de un esfuerzo por
parte de las lneas de flujo magntico, para mantenerlas a tan corta distancia como sea posible.
Para el FET se establece un campo elctrico por medio de las cargas presentes que controlaran la trayectoria de
conduccin del circuito de salida, sin necesidad de un contacto directo entre la cantidad que controla y la que es
controlada. Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro presentado con
anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las caractersticas generales de uno contra el otro.
Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro presentado con
anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las caractersticas generales de uno contra el otro.
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El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un
campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P
llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre s. Ver la figura.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente
(source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La
regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de
los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente
(S). Ver el grfico.
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El
terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de
fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a
la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al
terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para
cada FET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que haya cambios en la corriente de
base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de
la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal.
Explicacin de la combinacin de portadores.
Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador
(o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable
entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado
inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la
terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.
Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con
empobrecimiento de cargas libres
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de
identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada
por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta
el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos
valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.
Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como
fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente
controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. De manera
simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero
el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se
alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Explicacin de sus elementos o terminales.
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en
parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente
(s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.
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La figura muestra el croquis de un FET con canal N
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que
pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares.
Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de
material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el
canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.
La Figura muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto
que el canal es de material de tipo N. La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin
P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta
est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal.
Smbolos grficos para un FET de canal N
Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo
largo de la unin. Si Vds se hace positiva (y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero
y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en
la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin
de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que
aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia
de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el
canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre
la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off),
nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin
entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.
Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que con la
polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la
polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de
identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo.
El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta
potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un
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radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de
caractersticas de los distintos dispositivos. El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la
conductancia del canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada
inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.
Fundamento de transistores de efecto de campo:
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras
de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla.
Modelo de transistor FET
canal n
Modelo de transistor FET
canal p
Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente
que la inversa de saturacin de la unin PN. El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y
es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he
dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El trmino "efecto de campo" en el
nombre elegido amerita una explicacin. Todos estamos familiarizados con la habilidad de un imn permanente de
atraer limaduras de metal sin necesidad de un contacto fsico directo. Cuando seleccionamos un transistor tendremos
que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que
conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir
el dispositivo.
El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta
potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un
radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de
caractersticas de los distintos dispositivos. La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la
unin P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la
puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal.
Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo
largo de la unin. Si Vds se hace positiva (y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero
y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en
la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las
caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. La zona n (en el FET canal n) es pequea y
la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y
depende de la tensin inversa (tensin de puerta).
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en
los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en
parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente
(s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.
Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N.
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La Figura muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto
que el canal es de material de tipo N.
La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra
polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al
tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo
largo de la unin.
Si Vds se hace positiva (y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har
que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms
prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin
de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que
aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia
de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el
canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre
la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off),
nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin
entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.
Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que con la
polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la
polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores.
El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de la tensin de
puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento
de alta impedancia de entrada.
PARAMETROS DEL FET
La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est
polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)
En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en
realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds
y Vgs en esta forma.
El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que
como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la
rd es infinita (muy grande).
El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las
caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del
valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on),
y distintos valores de VGS.
ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente
gobernada por VGS
ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se
altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).
La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de
CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido
contrario.
La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est
polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)
En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en
realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds
y Vgs en esta forma
El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que
como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la
rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la
separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
Ecuacin de Shockley:
ID=IDSS(1-VGS/Vp)2
Donde:
Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la
puerta es VSG= 0 vol.
Resistencia del canal RDS
Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este
comportamiento como un resistor cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que el
voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico). La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo
que la unin P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de
la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la
puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin
de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que
aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia
de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el
canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre
la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off),
nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin
entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.
Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET, se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente frmula:
RDS = VDS/ID
Los smbolos del FET son:
Fet canal N ---- Fet canal P
Seg&uoacute sea la construccin del electrodo de control (gate), se conocen principalmente dos clases de FET: Los de
juntura(unin PN entre el cuerpo principal y el cilindro para el campo electrosttico) y los de compuesta aislada. Los
de juntura (JFET) son los que se explicaron inicialmente, bastante sensibles a los cambios de temperatura, pero muy
buenos para el manejo de altas frecuencias y seales muy dbiles.
El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta
potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un
radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de
caractersticas de los distintos dispositivos. Los de compuerta aislada (MOS FET) tienen un electrodo de control
metlico, aislado del canal mediante una delgada capa de dixido de silicio, de la que se deriva el nombre MOS
(Metal-Oxido-semiconductor). Se emplean en aplicaciones de conmutacin de corrientes, tales como los circuitos
digitales de calculadoras, computadoras, etc.
El transistor bipolar, el cual est compuesto por 3 capas de material semiconductor, lo podemos comparar con una
vlvula mecnica para controlar lquidos, por ejemplo, la del lavamanos de la casa, pero a la que le hemos hecho una
ligera modificacin en la palanca de abertura, la cual ha sido cambiada por una pequea rueda pelton ( rueda bordeada
de cucharones ) que la hace girar cuando recibe el impulso de una corriente de agua: A partir de este momento el flujo
principal entre la entrada y salida de corriente de la vlvula (entre emisor y colector del transistor) puede ser
fcilmente manejado con un pequeo chorro de corriente aplicado a las paletas del mecanismo rotatorio de apertura)
corriente de polarizacin de base del transistor).
Seg&uoacute; n sea la construccin del electrodo de control (gate), se conocen principalmente dos clases de FET: Los
de juntura (unin PN entre el cuerpo principal y el cilindro para el campo electrosttico) y los de compuesta aislada.
Los de juntura (JFET) son los que se explicaron inicialmente, bastante sensibles a los cambios de temperatura, pero
muy buenos para el manejo de altas frecuencias y seales muy dbiles. Los de compuerta aislada (MOS FET) tienen
un electrodo de control metlico, aislado del canal mediante una delgada capa de dixido de silicio, de la que se deriva
el nombre MOS (Metal-Oxido-semiconductor). Se emplean en aplicaciones de conmutacin de corrientes, tales como
los circuitos digitales de calculadoras, computadoras, etc.
PRECAUCIONES:
Con los transistores FET hay que tener cuidados especiales, pues algunas referencias se daan con solo tocar sus
terminales desconectadas (Esttica). Por tal motivo, cuando nuevos traen sus patas en corto-circuito mediante una
espuma conductora elctrica o con algo metlico, esto no se debe quitar hasta que estn soldados en la tableta de
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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circuito impreso, hecho esto ya no hay problema. La profundidad de la regin de estrangulamiento depende de la
magnitud de la polarizacin inversa.
Como en la polarizacin inversa es mnima la corriente circulante por la juntura, el dispositivo se comporta como una
vlvula al vaco. Un FET se parece en varias cosas a una vlvula amplificadora. De esta manera la tensin en la
compuerta ser ms negativa que la tensin en el surtidor. En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo
VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS
= 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de
agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin
de la figura del transistor FET.
La vlvula (Ya no se usan en equipos electrnicos), tiene alta impedancia de entrada (necesita seales con muy poca
corriente), similar a la de un FET. Con los transistores FET hay que tener cuidados especiales, pues algunas
referencias se daan con solo tocar sus terminales desconectadas (Esttica). Por tal motivo, cuando nuevos traen sus
patas en corto-circuito mediante una espuma conductora elctrica o con algo metlico, esto no se debe quitar hasta que
esten soldados en la tableta de circuito impreso, hecho esto ya no hay problema.
Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de salida) de los
diferentes tipos de transistores de efecto de campo
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de
identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada
por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta
el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos
valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. El canal de
un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar
dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en
el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de
aislamiento entre el canal y la puerta.
CLASIFICACION DE LOS FET
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO
2
).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera
Schottky.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
61
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de
material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados
cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los
dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas
de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que
hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.
CARACTERSTICAS
Una de las caractersticas ms importantes del FET es su alta impedancia de entrada. En un nivel de I hasta varios
cientos de mega Ohms, este dispositivo exceder con mucho los niveles tpicos de resistencia de entrada de las
configuraciones con transistores BJT. Una caracterstica muy importante en el diseo de sistemas amplificadores
lineales de CA. Por otro lado, el transistor BJT tiene una sensibilidad mucho mayor a los cambios en la seal
aplicada. En otras palabras, la variacin en la corriente de salida es por lo general mucho mayor para los BJT que para
los FET, con el mismo cambio en el voltaje. Por esta razn, las ganancias tpicas de voltaje de CA para amplificadores
BJT son mucho mayores que para FET.
En general, los FET son ms estables con relacin a la temperatura que los BJT, y los FET son normalmente ms
pequeos en construccin que los BJT, hacindolos particularmente tiles en circuitos integrados (CI). Sin embargo,
las caractersticas de construccin de algunos FET pueden hacerlos ms sensibles al manejo que los BJT. La puerta
est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra polarizada
inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la
mayor parte de la capa estar formada por el canal.
Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo
largo de la unin. Si Vds se hace positiva (y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero
y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en
la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin
de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial.
Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en
el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y
llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de
Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de
estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la
del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.
En este reporte se introducirn dos tipos de FET: El transistor de efecto de campo de unin JFET. El transistor de
efecto de campo de metal-xido-semiconductor MOSFET. La categora MOSFET se subdivide posteriormente en los
tipos decremental e incremental, que se describir n en su oportunidad. El transistor MOSFET se ha convertido en uno
de los ms importantes dispositivos empleados en el diseo y construccin de circuitos integrados para computadoras
digitales. Su estabilidad trmica y otras caractersticas generales lo han hecho extremadamente popular en el diseo de
circuitos de computadora. Sin embargo, ya que es un elemento discreto en un tpico encapsulado cilndrico, debe
manejarse con cuidado.
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.
Un amplificador es un circuito electrnico amplificador que se puede conectar a un dispositivo de bajo nivel de salida
tal como una cpsula de un tocadiscos, o un micrfono, y producir un voltaje de salida mayor a una menor
impedancia, con la respuesta en frecuencia correcta. Las cpsulas de tocadiscos necesitan tanto amplificacin como
ecualizacin de la respuesta en frecuencia. Los micrfonos solo necesitas ecualizacin. En la mayora de la
aplicaciones de audio, "preamplificador" es un trmino inapropiado y se refiere a un dispositivo llamado mas
correctamente "amplificador de control".
Su propsito es proporcionar caractersticas tales como selector de entrada, control de niveles, bucles de catete, y a
veces una pequea cantidad de ganancia de etapa-de-line. Estas unidades no son preamplificadores en el sentido ms
tcnico de la palabra, aunque todo el mundo les llame as. Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango
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de aplicaciones semejante a otro presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las
caractersticas generales de uno contra el otro. Una de las caractersticas ms importantes del FET es su alta
impedancia de entrada.
En un nivel de 1 hasta varios cientos de mega Ohms, este dispositivo exceder con mucho los niveles tpicos de
resistencia de entrada de las configuraciones con transistores BJT, una caracterstica muy importante en el diseo de
sistemas amplificadores lineales de c.a. Por otro lado, el transistor BJT tiene una sensibilidad mucho mayor a los
cambios en la seal aplicada. En otras palabras, la variacin en la corriente de salida es por lo general mucho mayor
para los BJT que para los FET, con el mismo cambio en el voltaje.
Por esta razn, las ganancias tpicas de voltaje de ca para amplificadores BJT son mucho mayores que para FET. En
general los FET son ms estables con relacin a la temperatura que los BJT, y los FET son normalmente ms
pequeos en construccin que los BJT, hacindolos particularmente tiles en circuitos integrados (CI). Sin embargo,
las caractersticas de construccin de algunos FET pueden hacerlos ms sensibles al manejo que los BJT.
En el primer circuito se grafica un amplificador que utiliza dos bateras (despus de ver cmo hacerlo funcionar con
solo una). La batera VGG se utiliza para polarizar la compuerta del transistor. La tensin en la compuerta ser
negativa (-VGG), pues no hay cada de tensin, en corriente continua, en la resistencia RG. (Acordarse de que no hay
paso de corriente entre la compuerta G y el surtidor S y la corriente que suministra la fuente Vin es de corriente
alterna). De esta manera la tensin en la compuerta ser ms negativa que la tensin en el surtidor. En la figura
siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa
a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V.
El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento
en el extremo inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura
del transistor FET. En el instante que el voltaje vDD (= VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal
de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del
flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las
condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente
por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.
En cuanto el voltaje VDS se incrementa de O a unos cuantos voltios, la corriente aumentar segn se determina por la
ley de Ohm, y la grfica de ID contra VDS aparecer como se ilustra en la figura 5.6. La relativa linealidad de la
grfica revela que para la regin de valores inferiores de VDS la resistencia es esencialmente una constante. A medida
que VDS se incrementa y se aproxima a un nivel denominado como Vp en la figura 5.6, las regiones de agotamiento
de la figura 5.4 se ampliarn, ocasionando una notable reduccin en la anchura del canal. La reducida trayectoria de
conduccin causa que la resistencia se incremente, y provoca la curva en la grfica de la figura 5.6. Cuanto ms
horizontal sea la curva, ms grande ser la resistencia, lo que sugiere que la resistencia se aproxima a "infinitos"
ohmios en la regin horizontal.
APLICACIN DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Las aplicaciones generales de todos los FET son:
ELECTRONICA ANALOGICA
Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas
tensiones en estado de corte.
Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal).
Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia.
Control de potencia elctrica entregada a una carga.
En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC del MOS se encuentre en la
regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente slo de la tensin VGS.
ELECTRONICA DIGITAL
Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar entre dos estados
diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta aplicacin se emplean
dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente pueda considerarse que:
La cada de tensin en conduccin es muy pequea.
La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.
Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:
APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador Impedancia de entrada alta y Uso general, equipo de medida,
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
63
(buffer) de salida baja receptores
Amplificador de RF Bajo ruido
Sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Receptores de FM y TV, equipos para
comunicaciones
Amplificador con CAG
Facilidad para controlar
ganancia
Receptores, generadores de seales
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
Instrumentos de medicin, equipos de
prueba
Troceador Ausencia de deriva
Amplificadores de c.c, sistemas de
control de direccin
Resistor variable por
voltaje
Se controla por voltaje
Amplificadores operacionales, rganos
electrnicos, controlas de tono
Amplificador de baja
frecuencia
Capacidad pequea de
acoplamiento
Audfonos para sordera, transductores
inductivos
Oscilador
Mnima variacin de
frecuencia
Generadores de frecuencia patrn,
receptores
Circuito MOS digital Pequeo tamao
Integracin en gran escala, computadores,
memorias
Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable que me controle la cantidad de
corriente que pase por el drenador sea la tensin de puerta. En las proximidades del terminal S la tensin inversa
aplicada es de 2 V, que corresponde con la V
GS
= -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensin
aumenta: en la mitad del canal es de 4.5 V y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al canal no es
constante por lo que la anchura de la zona de deplexin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando V
DS
es pequea, esta
diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin en la seccin de
conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de V
DS
y que disminuya con respecto a la
obtenida sin En un nivel de 1 hasta varios cientos de mega Ohms, este dispositivo exceder con mucho los niveles
tpicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistores BJT, una caracterstica muy importante en el
diseo de sistemas amplificadores lineales de ca. Por otro lado, el transistor BJT tiene una sensibilidad mucho mayor a
los cambios en la seal aplicada. En otras palabras, la variacin en la corriente de salida es por lo general mucho
mayor para los BJT que para los FET, con el mismo cambio en el voltaje. Por esta razn, las ganancias tpicas de
voltaje de ca para amplificadores BJT son mucho mayores que para FET. En general los FET son ms estables con
relacin a la temperatura que los BJT, y los FET son normalmente ms pequeos en construccin que los BJT,
hacindolos particularmente tiles en circuitos integrados (CI). Sin embargo, las caractersticas de construccin de
algunos FET pueden hacerlos ms sensibles al manejo que los BJT.
En el primer circuito se grafica un amplificador que utiliza dos bateras (despus de ver cmo hacerlo funcionar con
solo una). La batera VGG se utiliza para polarizar la compuerta del transistor. La tensin en la compuerta ser
negativa (-VGG), pues no hay cada de tensin, en corriente continua, en la resistencia RG. (Acordarse de que no hay
paso de corriente entre la compuerta G y el surtidor S y la corriente que suministra la fuente Vin es de corriente
alterna). De esta manera la tensin en la compuerta ser ms negativa que la tensin en el surtidor. En la figura
siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa
a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V.
Para
Valores altos de V
DS
comparables y superiores a V
GS
, la situacin cambia con respecto al caso anterior. La
resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFet pierde su comportamiento hmico. Veamos por qu sucede
esto. Cuando se aplica un voltaje V
DS
al canal de 5 volts por ejemplo, ste se distribuye a lo largo del canal, es decir,
en las proximidades del terminal D, la tensin ser de 5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habr
reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje ser nulo. Por otra parte, si V
GS
es negativo (-2 V,
por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona al no existir ninguna corriente (Figura
5). NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas por debajo de los contactos.
Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta)
fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de
estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de
disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye. En la figura
siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa
a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V.El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan
al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del transistor FET. En el instante que el voltaje vDD (=
VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID
con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de
fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga
es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.
Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de
grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo.
Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (Ver grficos a la derecha)
Para saber cul es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la curva caracterstica de transferencia del FET.
Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de canal tipo P en el grfico inferior
derecha. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)])
Donde:
- IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0
- Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0)
- Vgs es el voltaje entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID
Es importante observar que la regin de agotamiento es ms ancha cerca del
extremo superior de ambos materiales tipo p. La razn para el cambio en la
anchura de la regin se puede describir mejor con la ayuda de la figura
siguiente. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del
canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. La
corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs del canal, como se
indica en la misma figura. El resultado es que la regin superior del material
tipo p estar inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la regin
inferior inversamente polarizada slo en los 0.5 V.
Recurdese, la explicacin de la operacin del diodo, que cuanto mayor sea la polarizacin inversa aplicada, mayor
ser la anchura de la regin de agotamiento, de aqu la distribucin de la regin de agotamiento que se muestra en la
figura siguiente. El hecho de que la unin p-n est inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado
una corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A es una
importante caracterstica del JFET.
A medida que VDs incrementa su valor ms all de Vp, la regin de estrechamiento cutre las dos regiones de
agotamiento aumentar en longitud a lo largo del canal, pero el nivel de ID contina siendo fundamentalmente el
mismo. Por tanto, esencialmente, una vez que VDS > Vp el JFET posee las caractersticas de una fuente de corriente.
Como se muestra en la figura 5.8, la corriente est fija en ID = IDSS, pero el voltaje VDS y (para niveles > Vp) se
determina por la carga aplicada. La eleccin de la notacin para IDSS se deriva del hecho de que es la corriente de
drenaje a fuente con una conexin en corto circuito de la compuerta a la fuente.
A medida que continuemos investigando las caractersticas del dispositivo hallaremos que: Idss es la mxima corriente
de drenaje, para un JFET y se define por las condiciones VGS = 0 V y VDS > Vp. Ntese en la figura 5.6 que VGS =
O V para la longitud total de la curva. La profundidad de la regin de estrangulamiento depende de la magnitud de la
polarizacin inversa. Como en la polarizacin inversa es mnima la corriente circulante por la juntura, el dispositivo se
comporta como una vlvula al vaco. Un FET se parece en varias cosas a una vlvula amplificadora. La vlvula (Ya
no se usan en equipos electrnicos), tiene alta impedancia de entrada (necesita seales con muy poca corriente),
similar a la de un FET.
El FET, por sus caractersticas especiales, (alta impedancia de entrada, mejor respuesta de frecuencia que los
transistores bipolares, bajo ruido) se utiliza con frecuencia en amplificadores.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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En el primer circuito se grafica un amplificador que utiliza dos bateras (despus de ver cmo hacerlo funcionar con
solo una). La batera VGG se utiliza para polarizar la compuerta del transistor. La tensin en la compuerta ser
negativa (-VGG), pues no hay cada de tensin, en corriente continua, en la resistencia RG. (Acordarse de que no hay
paso de corriente entre la compuerta G y el surtidor S y la corriente que suministra la fuente Vin es de corriente
alterna).
De esta manera la tensin en la compuerta ser ms negativa que la tensin en el surtidor. En la figura siguiente se ha
aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para
establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo
potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las
condiciones sin polarizacin de la figura del transistor FET.
En el instante que el voltaje vDD (= VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje,
estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de
carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que
aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia
del canal-n entre el drenaje y la fuente.
En cuanto el voltaje VDS se incrementa de O a unos cuantos voltios, la corriente aumentar segn se determina por la
ley de Ohm, y la grfica de ID contra VDS aparecer como se ilustra en la figura 5.6. La relativa linealidad de la
grfica revela que para la regin de valores inferiores de VDS la resistencia es esencialmente una constante. A medida
que VDS se incrementa y se aproxima a un nivel denominado como Vp en la figura 5.6, las regiones de agotamiento
de la figura 5.4 se ampliarn, ocasionando una notable reduccin en la anchura del canal. La reducida trayectoria de
conduccin causa que la resistencia se incremente, y provoca la curva en la grfica de la figura 5.6.
Cuanto ms horizontal sea la curva, ms grande ser la resistencia, lo que sugiere que la resistencia se aproxima a
"infinitos" ohmios en la regin horizontal. Si VDS se incrementa hasta un nivel donde parezca que las dos regiones de
agotamiento se "tocaran", como se ilustra en la figura 5.7, se tendra una condicin denominada como estrechamiento
(pinch-off).
POLARIZACION
AUTOPOLARIZACIN
Para utilizar slo una batera, la batera de polarizacin VGG se reemplaza por un
resistor Rs, que se conecta entre el terminal surtidor S y el comn (ver punto T). La
corriente continua que pasa por el surtidor tambin pasar por el resistor RS y
causar una cada de tensin VS = IS x RS.
La corriente de surtidor y la corriente de drenaje son iguales (IS = ID) debido a que
no existe corriente de compuerta. Entonces la cada de tensin en RS es igual a VS
= ID x RS.
Esta cada de tensin tiene una polaridad con el signo (+) en el terminal surtidor del
FET y de signo (-) en el comn (ver punto T). Esto significa que el comn tiene una
tensin inferior o ms negativa que el terminal S del FET. Como no hay cada de
tensin en la resistencia RG (se explic anteriormente) la tensin en VG es inferior
a la tensin en VS. De esta manera se logra polarizar la compuerta G del FET con
una sola batera y a este tipo de polarizacin se le llama auto polarizacin.
En el primer circuito se grafica un amplificador que utiliza dos bateras (despus de
ver cmo hacerlo funcionar con solo una). La batera VGG se utiliza para polarizar
la compuerta del transistor.
La tensin en la compuerta ser negativa (-VGG), pues no hay cada de tensin, en
corriente continua, en la resistencia RG. (Acordarse de que no hay paso de corriente entre la compuerta G y el surtidor
S y la corriente que suministra la fuente Vin es de corriente alterna). De esta manera la tensin en la compuerta ser
ms negativa que la tensin en el surtidor. En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del
canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado
es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el
extremo inferior de cada material p, semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del
transistor FET. En el instante que el voltaje vDD (= VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de
drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del
flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las
condiciones que aparecen en la figura. Siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente
por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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VENTAJAS DEL FET
1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (10
7
a 10
12
ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en
un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin
como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
8) Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada.
9) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
10) Son ms estables con la temperatura que los BJT.
11) Se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores bajos de tensin drenaje-fuente.
12) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar grandes corrientes.
DESVENTAJAS DEL FET
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este apartado se estudiarn brevemente las
caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.
4) Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre a la alta capacitancia de entrada.
5) Presentan una linealidad muy pobre.
6) Se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.
JFET
Fijemos nuestra atencin en la figura 7. La zona de tipo P, conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es
de tipo N. Como se recordar, cuando se forma una unin PN aparecen en los bordes de la misma zona de deplexin
en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin aplicada. Si esta es
inversa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin aplicada. Aplicando una tensin V
GS
negativa
aumentamos la anchura de la zona de deplexin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. La construccin bsica del JFET de
canal-n se muestra en la figura siguiente.
Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en
material tipo p. Si el valor de V
GS
se hace lo suficientemente negativo, la regin de agotamiento se extender
completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del mismo se har infinita y se impedir el paso de I
D
. El
potencial al que se sucede este fenmeno se llama potencial de bloqueo (Pinch Voltage, V
P
). Por lo tanto, para valores
ms negativos de V
P
, el transistor se encuentra polarizado en la zona de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.
Los breves prrafos siguientes describirn cmo se afectan las caractersticas de la figura 5.6 a causa de los cambios
en el nivel de VGS. En la mayora de las hojas de especificaciones, el voltaje de estrechamiento se especifica como
VGS (apagado), en lugar de Vp, Se revisar una hoja de especificaciones posteriormente en el captulo, cuando se
hayan introducido los elementos principales de inters.
TCNICAS DE MANUFACTURA
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor slido cristalino
(generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones, que permite regular la
circulacin de una corriente elctrica mediante una corriente de control, mucho menor. El primer transistor se cre en
los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947, partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de
William Shockley, John Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
En el ao 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabric el primer transistor de silicio, lo cual baj los
costos y permiti, gracias a nuevas tcnicas de fabricacin, su comercializacin a gran escala. Han reemplazado en la
mayora de las aplicaciones a los tubos vlvulas electrnicas, en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la
fabricacin de equipos porttiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energa (en los primeros tiempos se
llamaba a los equipos transistorizados de "estado slido" o "fros"). Como se indic con anterioridad, el JFET es un
dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
67
Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con tensin de bloqueo.
En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones
de anlisis y diseo, con una seccin dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor
JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo predominante, con prrafos y secciones dedicadas a los
efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura
siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas
difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la terminal
denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de
contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S).
En la figura 5.4 se ha aplicado un voltaje positivo VDS ya travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma
directa a la fuente para establecer la condicin VGS= 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se
hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la
distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura 5.2. En el instante que el voltaje vDD (= VDS) se aplica,
los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin
definida de la figura 5.4.
La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is).
Bajo las condiciones que aparecen en la figura 5.4, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente
por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente. Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y
al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan
en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de
cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin.
La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra
polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el del
canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas
desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin. Si Vds se hace positiva ( y Vgs
sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de
la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms
polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin
de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que
aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia
de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el
canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre
la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off),
nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin
entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.
La corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es
que la regin superior del material tipo p estar inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la regin inferior
inversamente polarizada slo en los 0.5 V. Recurdese, la explicacin de la operacin del diodo, que cuanto mayor sea
la polarizacin inversa aplicada, mayor ser la anchura de la regin de agotamiento, de aqu la distribucin de la
regin de agotamiento que se muestra en la figura 5.5. El hecho de que la unin p-n est inversamente polarizada en la
longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El
hecho que iG = O A es una importante caracterstica del JFET.
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la
estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. Las terminales del
drenaje y la fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior, debido a que la
terminologa se define para el flujo de electrones. Recurdese, la explicacin de la operacin del diodo, que cuanto
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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mayor sea la polarizacin inversa aplicada, mayor ser la anchura de la regin de agotamiento, de aqu la distribucin
de la regin de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unin p-n est inversamente
polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la
misma figura. El hecho que iG = O A es una importante caracterstica del JFET
Transistor de unin de efecto de campo (JFET).
Muy pocas veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero la analoga hidrulica de la
figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la
terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presin del agua puede semejarse al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La
"compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje".
Secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.
Analoga hidrulica para el mecanismo de control del JFET.
VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo
En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en
forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y
fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p,
semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del transistor FET. En el instante que el
voltaje vDD (= VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente
convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad
que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura
siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia del canal-n entre el
drenaje y la fuente.
En cuanto el voltaje VDS se incrementa de O a unos cuantos voltios, la corriente aumentar segn se determina por la
ley de Ohm, y la grfica de ID contra VDS aparecer como se ilustra en la figura 5.6. La relativa linealidad de la
grfica revela que para la regin de valores inferiores de VDS la resistencia es esencialmente una constante. A medida
que VDS se incrementa y se aproxima a un nivel denominado como Vp en la figura 5.6, las regiones de agotamiento
de la figura 5.4 se ampliarn, ocasionando una notable reduccin en la anchura del canal.
La reducida trayectoria de conduccin causa que la resistencia se incremente, y provoca la curva en la grfica de la
figura 5.6. Cuanto ms horizontal sea la curva, ms grande ser la resistencia, lo que sugiere que la resistencia se
aproxima a "infinitos" ohmios en la regin horizontal. Si VDS se incrementa hasta un nivel donde parezca que las dos
regiones de agotamiento se "tocaran", como se ilustra en la figura 5.7, se tendra una condicin denominada como
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
69
estrechamiento (pinch-off). La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que
la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p.
Las terminales del drenaje y la fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior,
debido a que la terminologa se define para el flujo de electrones.
Figura 5.6 ID contra VDS para VGS = 0 V.
El nivel de VDS que establece esta condicin se conoce como el voltaje d estrechamiento y se denota por Vp, como
se muestra en la figura 5.6. En realidad, el trmino "estrechamiento" es un nombre inapropiado en cuanto a que
sugiere que la corriente Id disminuye, al estrecharse el canal, a 0 A. Sin embargo, como se muestra en la figura 5.6, es
poco probable que ocurra este caso, ya que ID mantiene un nivel de saturacin definido como IDSS en la figura 5.6.
Los breves prrafos siguientes describirn cmo se afectan las caractersticas de la figura 5.6 a causa de los cambios
en el nivel de VGS.
En la mayora de las hojas de especificaciones, el voltaje de estrechamiento se especifica como VGS (apagado), en
lugar de Vp, Se revisar una hoja de especificaciones posteriormente en el captulo, cuando se hayan introducido los
elementos principales de inters. En realidad existe todava un canal muy pequeo, con una corriente de muy alta
densidad. Secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. La construccin bsica del
JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que
forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p.
El hecho de que ID no caiga por el estrechamiento y mantenga el nivel de saturacin indicado en la figura 5.6 se
verifica por el siguiente hecho: la ausencia de una corriente de drenaje eliminara la posibilidad de diferentes niveles
de potencial a travs del canal de material n, para establecer los niveles de variacin de polarizacin inversa a lo largo
de la unin p-n.
La profundidad de la regin de estrangulamiento depende de la magnitud de la polarizacin inversa. Como en la
polarizacin inversa es mnima la corriente circulante por la juntura, el dispositivo se comporta como una vlvula al
vaco. Un FET se parece en varias cosas a una vlvula amplificadora. La vlvula (Ya no se usan en equipos
electrnicos), tiene alta impedancia de entrada (necesita seales con muy poca corriente), similar a la de un FET. El
resultado sera una prdida de la distribucin de la regin de agotamiento, que ocasiona en primer lugar el
estrechamiento.
Los transistores de efecto de campo o FET (Field-Effect Transistor) son particularmente interesantes en circuitos
integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo
metal-xido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada
(10
12
ohmios). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como
conmutador. Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente
diferentes.
Es importante observar que la regin de agotamiento es ms ancha cerca del extremo superior de ambos materiales
tipo p. La razn para el cambio en la anchura de la regin se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente.
Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen
en la figura siguiente. La corriente ID establecer los niveles de voltaje a travs del canal, como se indica en la misma
figura. El resultado es que la regin superior del material tipo p estar inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V,
con la regin inferior inversamente polarizada slo en los 0.5 V. A medida que Vds incrementa su valor ms all de
Vp, la regin de estrechamiento cutre las dos regiones de agotamiento aumentar en longitud a lo largo del canal, pero
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
70
el nivel de ID contina siendo fundamentalmente el mismo. Por tanto, esencialmente, una vez que VDS > Vp el JFET
posee las caractersticas de una fuente de corriente. Como se muestra en la figura 5.8, la corriente est fija en ID =
IDSS, pero el voltaje VDS y (para niveles > Vp) se determina por la carga aplicada. La eleccin de la notacin para
IDSS se deriva del hecho de que es la corriente de drenaje a fuente con una conexin en corto circuito de la compuerta
a la fuente.
A medida que continuemos investigando las caractersticas del dispositivo hallaremos que: Idss es la mxima corriente
de drenaje, para un JFET y se define por las condiciones VGS = 0 V y VDS > Vp. Ntese en la figura 5.6 que VGS =
O V para la longitud total de la curva. La profundidad de la regin de estrangulamiento depende de la magnitud de la
polarizacin inversa. Como en la polarizacin inversa es mnima la corriente circulante por la juntura, el dispositivo se
comporta como una vlvula al vaco. Un FET se parece en varias cosas a una vlvula amplificadora. La vlvula (Ya
no se usan en equipos electrnicos), tiene alta impedancia de entrada (necesita seales con muy poca corriente),
similar a la de un FET.
Los breves prrafos siguientes describirn cmo se afectan las caractersticas de la figura 5.6 a causa de los cambios
en el nivel de VGS. En la mayora de las hojas de especificaciones, el voltaje de estrechamiento se especifica como
VGS (apagado), en lugar de Vp, Se revisar una hoja de especificaciones posteriormente en el captulo, cuando se
hayan introducido los elementos principales de inters. El resultado es que la regin superior del material tipo p estar
inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la regin inferior inversamente polarizada slo en los 0.5 V.
JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V.
El transistor bipolar, el cual est compuesto por 3 capas de material semiconductor, lo podemos comparar con una
vlvula mecnica para controlar lquidos, por ejemplo, la del lavamanos de la casa, pero a la que le hemos hecho una
ligera modificacin en la palanca de abertura, la cual ha sido cambiada por una pequea rueda pelton (rueda bordeada
de cucharones) que la hace girar cuando recibe el impulso de una corriente de agua. Las terminales del drenaje y la
fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura 5.2, debido a que la terminologa se
define para el flujo de electrones
Figura 5.8 Fuente de corriente equivalente para VGS = 0 V, VDS > Vp .VGS < o v
El voltaje de la compuerta a la fuente, que se denota como VGS es el voltaje de control del JFET. Del mismo modo
que fueron establecidas varias curvas de IC contra VCE para diferentes niveles de IB para el transistor BJT, pueden
desarrollarse curvas de ID contra VDS para varios niveles de VGS para el JFET. Para el dispositivo de canal n el
voltaje de control VGS se hace ms y ms negativo con respecto a. su nivel de VGS = O V. En otras palabras, la
terminal de compuerta se situar en niveles de potencia cada vez ms bajos en comparacin con la fuente. En la figura
5.9 se ha aplicado un voltaje negativo de -1 V entre las terminales de compuerta y fuente para un nivel bajo de VDS.
El resultado es que la regin superior del material tipo p estar inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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regin inferior inversamente polarizada slo en los 0.5 V. El efecto de la polarizacin negativa aplicada VGS es el de
establecer regiones de agotamiento semejantes a las obtenidas con Vgs = 0 V pero a menores niveles de VDS. Por lo
tanto, el resultado de aplicar una polarizacin negativa a la compuerta es el de alcanzar el nivel de saturacin a un
nivel menor de VDS, como se ilustra en la figura 5.10 para VGS = -1 V. El nivel de saturacin resultante para ID se
ha reducido y de hecho continuar disminuyendo en tanto VGS contine hacindose ms y ms negativo.
Eventualmente, cuando vGS = -Vp, VGS, ser lo suficientemente negativo para establecer un nivel de saturacin que
es esencialmente de O mA, y para todos los fines prcticos el dispositivo se habr "apagado". En resumen: El nivel de
vGS que resulta en ID = 0mA se define por VGS = Vp, siendo Vp, un voltaje negativo para dispositivos de canal n y
un voltaje positivo para JFETs de canal-p. En el primer circuito se grafica un amplificador que utiliza dos bateras
(despus de ver cmo hacerlo funcionar con solo una). La batera VGG se utiliza para polarizar la compuerta del
transistor. La tensin en la compuerta ser negativa (-VGG), pues no hay cada de tensin, en corriente continua, en la
resistencia RG.
(Acordarse de que no hay paso de corriente entre la compuerta G y el surtidor S y la corriente que suministra la fuente
Vin es de corriente alterna). De esta manera la tensin en la compuerta ser ms negativa que la tensin en el surtidor.
En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en
forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y
fuente se hallan al mismo potencial y hay una regin de agotamiento en el extremo inferior de cada material p,
semejante a la distribucin de las condiciones sin polarizacin de la figura del transistor FET. En el instante que el
voltaje vDD (= VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente
convencional ID con la direccin definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad
que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is).
Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado
nicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente. La puerta est polarizada negativamente respecto
a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa
desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el
canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a
todo lo largo de la unin.
Si Vds se hace positiva (y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har
que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms
prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal. Para valores
pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin de la capa
desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial.
Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en
el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y
llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de
Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de
estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la
del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.
En cuanto el voltaje VDS se incrementa de O a unos cuantos voltios, la corriente aumentar segn se determina por la
ley de Ohm, y la grfica de ID contra VDS aparecer como se ilustra en la figura 5.6. La relativa linealidad de la
grfica revela que para la regin de valores inferiores de VDS la resistencia es esencialmente una constante. A medida
que VDS se incrementa y se aproxima a un nivel denominado como Vp en la figura 5.6, las regiones de agotamiento
de la figura 5.4 se ampliarn, ocasionando una notable reduccin en la anchura del canal. La reducida trayectoria de
conduccin causa que la resistencia se incremente, y provoca la curva en la grfica de la figura 5.6. Cuanto ms
horizontal sea la curva, ms grande ser la resistencia, lo que sugiere que la resistencia se aproxima a "infinitos"
ohmios en la regin horizontal.
Variacin de los potenciales de polarizacin inversa a travs de la unin p-n de un JFET de canal n. Como se indic
con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de
corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el transistor npn a lo largo de la
mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una seccin dedicada a los efectos resultantes de emplear un
transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo predominante, con
prrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. La construccin bsica del
JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2. Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que
forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p.
El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto hmico a la terminal denominada como drenaje
(drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la
terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo
hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
72
uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se
ilustra en la figura 5.2, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin. Muy pocas
veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero la analoga hidrulica de la figura 5.3
proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminologa
aplicada a las terminales del dispositivo.
La fuente de la presin del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo
de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial),
controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente estn en los extremos
opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura 5.2, debido a que la terminologa se define para el flujo de
electrones. Los breves prrafos siguientes describirn cmo se afectan las caractersticas de la figura 5.6 a causa de los
cambios en el nivel de VGS.
En la mayora de las hojas de especificaciones, el voltaje de estrechamiento se especifica como VGS (apagado), en
lugar de Vp, Se revisar una hoja de especificaciones posteriormente en el captulo, cuando se hayan introducido los
elementos principales de inters. La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N
entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si
al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo
largo de la unin. Si Vds se hace positiva (y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero
y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en
la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin
de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que
aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia
de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el
canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre
la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off),
nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin
entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.
Explicacin de su encapsulado e identificacin de sus terminales.
La fabricacin de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio,
permiti crear los circuitos integrados o chips, base de todos los aparatos electrnicos modernos.
Conectados de manera apropiada, permite amplificar seales muy dbiles, convertir energa, encender o apagar
sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc. Segn sea el
orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN PNP, los cuales, en disposiciones
circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan
pues funcionan con sentidos opuestos de circulacin de corriente. En la actualidad, existen una gran variedad de
transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control acta por medio de campo elctrico), los tipo
unijuntura, los MOS o de xido metlico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para
controlar grandes potencias y tensiones), etc. Existe una innumerable cantidad de diseos, especializados para alta
potencia, bajo ruido elctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensin, aplicaciones de conmutacin,
etc.
Ya hemos estudiado el principio de funcionamiento de los transistores bipolares PNP y NPN, sin embargo debemos
ahora repasar algunas de sus propiedades, las cuales son muy diferentes a las de los transistores de efecto de campo,
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
73
comunmente conocidos como FETs. El transistor bipolar, el cual est compuesto por 3 capas de material
semiconductor, lo podemos comparar con una vlvula mecnica para controlar lquidos, por ejemplo, la del lavamanos
de la casa, pero a la que le hemos hecho una ligera modificacin en la palanca de abertura, la cual ha sido cambiada
por una pequea rueda pelton (rueda bordeada de cucharones) que la hace girar cuando recibe el impulso de una
corriente de agua:
A partir de este momento el flujo principal entre la entrada y salida de corriente de la vlvula (entre emisor y colector
del transistor) puede ser fcilmente manejado con un pequeo chorro de corriente aplicado a las paletas del
mecanismo rotatorio de apertura) corriente de polarizacin de base del transistor). Ahora imaginemos a una persona
regando el jardn de su casa con una manguera, a la cual le puede graduar la salida del agua con la llave, esto lo
podemos relacionar con el funcionamiento del transistor bipolar. Sin embargo, tambin se puede controlar el chorro de
otra forma:
Oprimiendo la manguera hasta cerrar la salida de agua, tal situacin se puede comparar con el principio de
funcionamiento de un transistor FET, el cual controla el paso de corriente entre el terminal surtidor(source) y el
terminal drenador (drain) mediante un campo electrosttico aplicado a un electrodo circular envolvente, terminal
compuerta(gate), el cual se expande o contrae proporcionalmente al voltaje aplicado, para ensanchar o reducir el
conducto imaginario que se forma en el material semiconductor empleado como canal central del cilindro metlico o
semiconductor de la compuerta de control.
Las muchas o pocas cargas negativas se dispersan por el ncleo en una distribucin, que rechazan el paso de las cargas
elctricas de igual signo que conforman la corriente principal entre el surtidor y el drenaje, por el principio de que
cargas elctricas iguales se repelen, y forzando la corriente a circular slo por el centro del ncleo semiconductor, el
cual como se puede deducir es de solamente un tipo de material semiconductor n o p, este factor de por si diferencia
en cierta medida a un FET de un transistor bipolar. Por lo que, un FET ( Field-Effect transistor ), es un dispositivo
amplificador en el cual los portadores de corriente(electrones) son inyectados a un terminal( surtidor, source ) y pasan
a otro( drenaje ) a travs de un canal semiconductor cuya resistividad depende de una regin de
estrangulamiento(deplexin regin) motivada por la accin repelente del campo elctrico conectado al terminal de
control(Compuerta, gate). La regin de estrangulamiento (campo de fuerza de los portadores minoritarios) se produce
al rodear el canal con un material semiconductor de conductividad opuesta y polarizando inversamente la juntura PN
resultante, mediante el terminal gate. La profundidad de la regin de estrangulamiento depende de la magnitud de la
polarizacin inversa.
Como en la polarizacin inversa es mnima la corriente circulante por la juntura, el dispositivo se comporta como una
vlvula al vaco. Un FET se parece en varias cosas a una vlvula amplificadora. La vlvula (Ya no se usan en equipos
electrnicos), tiene alta impedancia de entrada (necesita seales con muy poca corriente), similar a la de un FET. Los
transistores bipolares tienen baja impedancia de entrada (la seal de control opera en base a su corriente, sin importar
mayormente sus variaciones de tensin). La ganancia de las vlvulas se mide en microohms (Gm). La ganancia de un
transistor se mide en beta, y la de un FET en microohms, tal como en las vlvulas.
Segn sea la construccin del electrodo de control (gate), se conocen principalmente dos clases de FET: Los de
juntura (unin PN entre el cuerpo principal y el cilindro para el campo electrosttico) y los de compuesta aislada. Los
de juntura (JFET) son los que se explicaron inicialmente, bastante sensibles a los cambios de temperatura, pero muy
buenos para el manejo de altas frecuencias y seales muy dbiles.
El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta
potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de
caractersticas de los distintos dispositivos. Los de compuerta aislada (MOS FET) tienen un electrodo de control
metlico, aislado del canal mediante una delgada capa de dixido de silicio, de la que se deriva el nombre
MOS(Metal-Oxido-semiconductor). Se emplean en aplicaciones de conmutacin de corrientes, tales como los
circuitos digitales de calculadoras, computadoras, etc.
El transistor bipolar, el cual est compuesto por 3 capas de material semiconductor, lo podemos comparar con una
vlvula mecnica para controlar lquidos, por ejemplo, la del lavamanos de la casa, pero a la que le hemos hecho una
ligera modificacin en la palanca de abertura, la cual ha sido cambiada por una pequea rueda pelton ( rueda bordeada
de cucharones ) que la hace girar cuando recibe el impulso de una corriente de agua: A partir de este momento el flujo
principal entre la entrada y salida de corriente de la vlvula (entre emisor y colector del transistor) puede ser
fcilmente manejado con un pequeo chorro de corriente aplicado a las paletas del mecanismo rotgatorio de apertura)
corriente de polarizacin de base del transistor).
El JFET es un dispositivo semiconductor en el que la corriente fluye por una zona denominada canal que une los
terminales fuente y drenador. Esta corriente se controla mediante un campo elctrico originado por una tensin
aplicada en un tercer terminal denominado puerta.
Vamos a describir la estructura, funcionamiento, parmetros estticos y relacin corriente/tensin de un JFET de canal
n.
ESTRUCTURA
En la figura 1 puede observarse su estructura tpica, representacin unidimensional y smbolo de circuito.
Segn puede verse en la figura 1.b, se parte de una barra (canal) de material semiconductor tipo n en que se
construyen dos contactos hmicos en sus extremos (fuente y drenador).
La fuente es el terminal S, a travs del cual los portadores mayoritarios entran en la barra.
El drenador es el terminal D, a travs del cual los portadores mayoritarios salen de la barra.
El canal es la porcin de material semiconductor (en este caso, tipo n) a travs del cual los portadores se mueven
desde la fuente al drenador.
Si se establece una tensin de alimentacin VDS entre los extremos, se consigue hace circular una corriente a lo largo
de la barra. Esta corriente est constituida por portadores mayoritarios (en este caso e-).
En los otros dos lados de la barra se forman dos regiones fuertemente dopadas con impurezas aceptadoras. Estas
regiones se denominan puertas (G). Entre la puerta y la fuente se aplica una tensin VGS que polariza inversamente la
unin pn entre la puerta y el canal (IG 0)
En un JFET de canal n:
VDS > 0
VGS < 0
ID > 0 (entrante)
IS < 0 (saliente)
Puesto que IG 0 ID -IS
Para un JFET de canal p basta con cambiar el sentido de las inecuaciones.
FUNCIONAMIENTO
El funcionamiento de un transistor JFET se basa en la modulacin de la conductividad del canal por medio de la
polarizacin inversa de la unin pn entre la puerta y el canal.
Al encontrarse el canal mucho menos impurificado que la puerta, la zona de deplexin se extender prcticamente
slo al canal, de esta forma, la anchura efectiva (seccin conductora) del canal ser tanto menor cuanto mayor sea la
polarizacin inversa.
La modulacin de la anchura de la zona de deplexin, y por tanto del canal, se realiza a travs de dos tensiones:
VGS: el aumento de la zona de deplexin (estrechamiento del canal) se produce de manera uniforme a lo largo de las
puertas.
VDS: el aumento de la zona de deplexin (estrechamiento del canal) se produce en las proximidades del drenador.
Tal y como se ver posteriormente, un valor lmite de VGS que estrangule el canal de manera uniforme, provoca la
ausencia de corriente en el mismo: ID = 0. Sin embargo, curiosamente, un valor lmite de VDS que estrangule el canal
en las proximidades del drenador, provoca la entrada en saturacin del transistor: ID=ID, sat
A continuacin, vamos a realizar un anlisis cualitativo del funcionamiento del JFET para distintos valores de VGS y
VDS.
VGS = 0
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
75
VDS = 0 El transistor se encuentra en equilibrio (ID = 0). El canal entre las dos uniones pn puerta-canal est
totalmente abierto. CORTE.
VDS pequeas Empezar a circular una corriente ID que ser pequea. La cada de tensin producida por ID a lo
largo del canal tambin ser pequea y no influir en la polarizacin inversa de las uniones pn puerta-canal. En estas
condiciones, el canal est abierto y ID VDS, siendo la constante de proporcionalidad la conductancia del canal
(figuras 2b y 3a). Por lo tanto, el canal de tipo n acta como una resistencia. ZONA HMICA (REGIN LINEAL).
VDS moderadas La corriente ID aumenta. La cada hmica de tensin a lo largo del canal ser apreciable (figura
2c). Esta cada hmica de tensin polariza inversamente la uniones pn puerta-canal, con lo que el canal empezar a
estrecharse (figura 2d). Esta contraccin del canal no es uniforme, sino que tiene lugar en las proximidades del
drenador, por ser dichos puntos los que estn sometidos a un mayor potencial y, por tanto, a una mayor polarizacin
inversa. Como consecuencia del estrechamiento del canal, la resistencia del canal aumenta y la caracterstica ID/VDS
suaviza su pendiente (figura 3b). ZONA HMICA (REGIN GRADUAL).
VDS = VDS, sat Si seguimos aumentando VDS, llegar un momento en el que el canal se haya contrado por
completo en las proximidades del drenador y, por lo tanto, la conexin entre la fuente y el drenador desaparece: se
dice que el canal se ha estrangulado. La tensin VDS a la que se produce este fenmeno se denomina tensin de
drenador de saturacin VDS, sat. En este caso, la pendiente de la caracterstica ID/VDS se hace cero (figura 3c).
SATURACIN
VDS > VDS, sat a porcin estrangulada del canal avanza un poco hacia la fuente y la caracterstica ID/VDS se
satura, es decir, ID permanece aproximadamente constante e igual al valor ID, sat (figuras 2f y 3c). SATURACIN.
VDS > VDS, rup cuando la tensin VDS supera el mximo especificado para la unin, la corriente ID crece
bruscamente con un aumento apenas apreciable de VDS y se produce la ruptura del transistor por avalancha.
RUPTURA.
Cmo posible que el estrangulamiento del canal en las proximidades del drenador no elimine por completo cualquier
flujo de corriente por el mismo? Supongamos que al alcanzar el estrangulamiento ID=0. Si ID=0, no existe corriente
en ningn punto del canal, por lo tanto, el potencial a lo largo del canal ser el mismo que con VDS=0, es decir, cero
en todos los puntos del canal. Si fuera as, el canal debera estar totalmente abierto, lo cual contradice la suposicin
inicial de estrangulamiento del canal. Por lo tanto, en un JFET, para VDS VDS, sat, debe circular una corriente para
inducir y mantener la condicin de estrangulamiento del canal. Concretamente, los electrones que circulan desde la
fuente al drenador son acelerados por el campo elctrico de la zona de deplexin al alcanzar el punto de
estrangulamiento.
VGS <0
Debido a la tensin VGS aplicada, inicialmente el canal se encuentra uniformemente contrado a lo largo de las
puertas, de manera que se repite el proceso anterior, pero con valores inferiores para la corriente ID y las tensiones de
drenador de saturacin VDS, sat y ruptura VDS, rup.
VGS = VT (VT <0)
El canal se encuentra estrangulado de manera uniforme a lo largo de las puertas, lo cual provoca la ausencia de
corriente en el mismo: ID = 0. CORTE.
VGS < VT (VT <0)
El canal se encuentra estrangulado de manera uniforme a lo largo de las puertas, lo cual provoca la ausencia de
corriente en el mismo: ID = 0. CORTE.
PARMETROS ESTTICOS
Corriente mxima de drenador
sat DS DS
GS
D DS
V V
V
I I
,
0
=
=
=
Potencial de estrangulamiento
Se define como potencial de estrangulamiento o potencial de pinch-off VP a la tensin del punto de estrangulamiento:
) (
,sat DS GS P
V V V =
Tensin positiva para un JFET de canal n
La tensin VP es una caracterstica del transistor que se determina a partir de la geometra del mismo, por lo tanto, a
mayor VGS aplicada menor VDS, sat es necesaria para que se produzca el estrangulamiento del canal.
Tensin de corte
Se define como tensin de corte VT a la tensin de puerta que elimina todas las cargas libres del canal con
independencia de cul sea la tensin VDS aplicada:
sat DS GS T
V V V
,
=
Tensin negativa para un JFET de canal n
La tensin VT es una caracterstica del transistor que se determina a partir de la geometra del mismo, por lo tanto, a
mayor VGS aplicada menor VDS, sat es necesaria para que se produzca el corte del transistor.
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RELACIN CORRIENTE/TENSIN
* NOTA IMPORTANTE: si en un problema nos dan como dato VP, consideraremos que dicha tensin es en realidad
VT (recordad que se trata de una tensin de puerta).
ZONA HMICA
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
2
1 2
T
DS
T
DS
T
GS
DS D
V
V
V
V
V
V
I I
Comprobacin:
T DS GS
V V V < +
El JFET trabajando en la zona hmica acta como una VDR: una resistencia controlada por la tensin VGS.
Simplificacin para la zona lineal (
1 0 s s
DS
V
):
DS
T
GS
T
DS
D
V
V
V
V
I
I
|
|
.
|
\
|
~ 1
2
ZONA DE SATURACIN
2
1
|
|
.
|
\
|
=
T
GS
DS D
V
V
I I
Comprobacin:
T DS GS
V V V > +
Tal y como indica la ecuacin, en la zona de saturacin la corriente ID es independiente del valor de VDS, actuando el
transistor como una fuente de corriente constante controlada por la tensin VGS.
LMITE ENTRE LA ZONA HMICA Y LA DE SATURACIN
En el lmite entre la zona hmica y la de saturacin se cumple que:
T DS GS
V V V = +
Por lo tanto, en la ecuacin general nos queda la ecuacin de la parbola frontera entre las dos zonas:
2
|
|
.
|
\
|
=
T
DS
DS D
V
V
I I
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de juntura o unin) es un
dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son
las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS.
Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres
zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos
extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las
que se conectan dos terminales conectados entre s (puerta).
Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el
paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador
queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp.
As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp
(puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la
ID en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el circuito que viene definida por la
propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente VDS. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se
le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y
saturacin.
Ecuaciones del transistor JFET
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analticas que permiten analizar
matemticamente el funcionamiento de este. As, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de
funcionamiento.
Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la expresin:
Siendo la IDSS la ID de saturacin que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada por la expresin:
Los puntos incluidos en esta curva representan las ID y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de saturacin, mientras que
los puntos del rea inferior a sta representan la zona hmica.
Para |VGS| > |Vp| (zona de corte): ID = 0
Ecuacin de salida
En la grfica de salida se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de
corriente. En un primer momento, la ID va aumentando progresivamente segn lo hace la tensin de salida VDS. Esta
curva viene dada por la expresin: que suele expresarse como ,
siendo:
Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron, con lo
que se observa una relacin entre la ID y la VDS definida por laLey de Ohm. Esto hace que a esta zona de
funcionamiento se le denomina zona hmica.
A partir de una determinada VDS la corriente ID deja de aumentar, quedndose fija en un valor al que se denomina
ID de saturacin o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene
dado por la expresin: VDS = VGS Vp. Esta IDSAT, caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la
expresin:
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido
tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas
dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente
"transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los
transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en
empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan. Los transistores
tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran: Amplificacin de todo tipo (radio, televisin,
instrumentacin). Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia). Conmutacin,
actuando de interruptores (control de rels, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM).
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
78
Caractersticas elctricas del JFET.
El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones
(islas) de material tipo p situadas a ambos lados.
Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el smbolo de este dispositivo y en la
1.10.c el smbolo de un JFET de canal P
La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas.
En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de
corriente a travs de canal.
Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado
inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 1.11.
Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin
embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensin
gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas
de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas
regiones para el caso de un NJFET.
APLICACIONES
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de
transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.)
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias
ventajas sobre los transistores bipolares:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
79
Consumo en modo esttico muy bajo.
Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La
intensidad que circula por la puerta es del orden del nano amperio.
Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
Colocar una capa aislante entre la puerta y el canal permite una gama ms amplia de control (la puerta) las tensiones y
disminuye an ms la corriente de la puerta (y por lo tanto aumenta la resistencia del dispositivo de entrada). El
aislante es tpicamente de un xido (como el dixido de silicio, SiO 2), Este tipo de dispositivo se llama-xido-
semiconductor FET de metal (IC) o la puerta del FET-aislamiento (IGFET). El sustrato es a menudo relacionado con
la fuente interna. El aislado de la puerta est en el lado opuesto del canal desde el sustrato (ver figura). El voltaje de
polarizacin en el terminal de la puerta atrae o repele a los portadores mayoritarios del sustrato a travs de la unin PN
con el canal. Esta estrecha (reduce) o ampla (aumenta) el canal, respectivamente, como V GS cambios de polaridad.
Por canales MOSFET N, la puerta de voltajes positivos con respecto al substrato y la fuente (V GS > 0) se repelen los
agujeros del canal en el sustrato, ampliando as el canal y la disminucin de la resistencia del canal. Por el contrario,
V GS <0 hace que los agujeros de ser atrados por el sustrato, el estrechamiento del canal y aumentar la resistencia del
canal. Una vez ms, las polaridades discutidas en este ejemplo se invierten para dispositivos de canal P. La abreviatura
comn para un MOSFET de canal N es NMOS, y para un MOSFET de canal P, PMOS.
Debido a la capa de aislamiento junto a la puerta, la resistencia de entrada de un MOSFET es generalmente superior a
10 12 ohmios (un milln de megaohmios). Desde MOSFET puede agotar tanto el canal, al igual que el JFET, y
tambin mejorar, la construccin de dispositivos MOSFET difiere segn el tamao del canal en el estado de reposo,
V GS = 0. A modo de agotamiento , el dispositivo (tambin llamado normalmente en MOSFET) tiene un canal en
estado de reposo que se hace ms pequeo como una polarizacin inversa aplicada s, este dispositivo conduce la
corriente sin sesgo aplicado (vase la figura). Un dispositivo del modo del realce (tambin llamado normalmente
fuera del MOSFET) se construye sin un canal y no conduce la corriente cuando V GS = 0; polarizacin directa formas
cada vez un canal que conduce la corriente.
MOSFET
Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p. La movilidad de la superficie de electrones del dispositivo de
canal n es de dos a cuatro veces ms alta a la de los huecos. Este transistor ofrece una corriente ms alta y una
resistencia baja; as como una transconductancia ms alta. Su diseo se caracteriza por su voltaje de umbral y sus
tamaos de dispositivos, en general, los MOSFET (tipo n o p) se disean para que tengan voltajes de umbral de
magnitud similar para un proceso particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son mucho ms flexibles en su
diseo.
El -xido-semiconductor transistor de efecto de campo de metal (MOSFET, MOS-FET o MOS FET ) es
un transistor utilizado para amplificar o conmutacin electrnica seales . El principio bsico de este tipo
de transistor se propuso por primera vez por Julius Edgar Lilienfeld en 1925. En MOSFETs, una tensin en el xido-
electrodo de puerta aislada puede inducir a un canal conductor entre los dos contactos de otros llamados fuente y el
drenaje. El canal puede ser de tipo n o de tipo p (vase el artculo sobre dispositivos de semiconductores ), y, en
consecuencia llamado NMOSFET o un pMOSFET (tambin comnmente NMOS, PMOS). Es de lejos el ms comn
de transistores en tanto digitales circuitos analgicos y, aunque el transistor de unin bipolar fue en un tiempo mucho
ms comn.
El 'metal' en el nombre se encuentra a menudo un nombre poco apropiado porque la puerta de metal material ya se
encuentra a menudo una capa de polisilicio (silicio policristalino). Aluminio ha sido el material de puerta hasta
mediados de la dcada de 1970, cuando polisilicio se convirti en dominante, debido a su capacidad para
formar alineado a las puertas de auto . Puertas metlicas estn recuperando popularidad, ya que es difcil aumentar la
velocidad de funcionamiento de los transistores, sin puertas de metal .
IGFET es un trmino relacionado con el significado de puerta aislada transistor del efecto de campo, y se utiliza casi
como sinnimo de MOSFET, siendo ms precisos, ya que muchos "MOSFET de" utilizar una puerta que no es de
metal y un aislador de la puerta que no es el xido. Otro sinnimo es MISFET para-aislante-semiconductor FET de
metal.
Composicin
Microfotografa de dos MOSFETs puerta de metal en un patrn de prueba. Sonda de pastillas de dos puertas y tres de origen /
nodos de drenaje estn etiquetados.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
80
Por lo general, los semiconductores de eleccin es el silicio , pero algunos fabricantes de chips, sobre todo de
IBM y de Intel , recientemente comenz a utilizar un compuesto qumico de silicio y germanio ( SiGe ) en los canales
MOSFET.
Desafortunadamente, muchos semiconductores con mejores propiedades elctricas del silicio, como el arseniuro de
galio , no forman semiconductores-a-aislante interfaces bien, por lo tanto no son adecuados para los MOSFETs. La
investigacin contina en la creacin de aisladores con aceptables caractersticas elctricas del material
semiconductor.
A fin de superar aumentar el consumo de energa debido a la corriente de fuga puerta, alta dielctrico sustituye
dixido de silicio para el aislador de la puerta, mientras que el metal retorno puertas mediante la sustitucin de
polisilicio (vase el anuncio de Intel [1] ).
La puerta est separada de la canal por una delgada capa de aislamiento, tradicionalmente de dixido de silicio y luego
deoxinitruro de silicio . Algunas compaas han empezado a introducir una puerta de metal combinado + dielctrico
de alta en el de 45 nanmetros nodo.
Cuando se aplica un voltaje entre los terminales de la puerta y el cuerpo, el campo elctrico generado penetra a travs
del xido y crea una "capa de inversin" o "canal" en la interfaz semiconductor-aislante. El canal de la inversin es del
mismo tipo, de tipo P o tipo N, como la fuente y el drenaje, por lo que proporciona un canal a travs del cual la
corriente puede pasar. Variando la tensin entre la puerta y el cuerpo modula la conductividad de esta capa y permite
controlar el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente.
Smbolos
Una variedad de smbolos se utilizan para el MOSFET. El diseo bsico es generalmente una lnea para el canal con la
fuente y el drenaje dejando en ngulo recto y luego doblar de nuevo en ngulo recto en la misma direccin que el
canal. A veces, tres segmentos de lnea se utilizan para el modo de mejora y una lnea continua para el modo de
agotamiento. Otra lnea es paralela al canal de la puerta.
La conexin a granel, si se muestra, aparece vinculada a la parte posterior de la canal con una flecha que indica PMOS
y NMOS. Siempre el punto de P a N flechas, por lo que un NMOS (N-canal en la categora P-bien o P-sustrato) tiene
la flecha que apunta en un (a partir de la mayor parte de la canal). Si la mayor parte se conecta a la fuente (como suele
ocurrir con los dispositivos discretos) a veces es en ngulo para encontrarse con la fuente dejando el transistor. Si la
mayor parte no se muestra (como suele ser el caso en el diseo de circuitos integrados, ya que suelen ser comunes a
granel), un smbolo de la inversin se utiliza a veces para indicar PMOS, alternativamente, una flecha en la fuente
puede ser utilizado en la misma forma que para los transistores bipolares (a cabo para NMOS, en la pMOS).
Cuando una tensin superior a 12V pasa por el reset de 2K5 y acciona la compuerta de dicho semiconductor el mismo
queda conduciendo en directa, haciendo que el LED se ilumine y la bobina del rel se energize, desconectando este
ltimo la salida de la entrada. Como todo SCR queda bloqueado (conduciendo) hasta que se lo desconecte de la
tensin el mismo har que, hasta que no se presione el pulsador Normal Cerrado de reset el circuito no vuelva a
armarse.
Dada su simplicidad este circuito puede armarse perfectamente en el aire, rellenando los espacios con plstico
fundido, resina o silicona. Aunque siempre es mejor el uso de un circuito impreso.
Comparacin de la mejora-y el modo de smbolos-MOSFET de agotamiento, junto con JFET smbolos (dibujado con
fuente y el dren orden de tal manera que voltajes ms altos aparecen ms arriba en la pgina de tensiones ms bajas):
Para los smbolos en los que la mayor parte, o el cuerpo, la terminal se muestra, es aqu donde se muestra conectado
internamente a la fuente.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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P-canal
N-canal
JFET MOSFET enh enh MOSFET (no a granel) MOSFET dep
Esta es una configuracin tpica, pero de ninguna manera la nica configuracin importante. En general, el MOSFET
es un dispositivo de cuatro terminales, y en muchos circuitos integrados de la cuota de MOSFETs no una conexin
cuerpo, necesariamente conectados a los terminales de la fuente de todos los transistores.
OPERACIN MOSFET
Ejemplo de aplicacin de un MOSFET de canal-N. Cuando se empuja el interruptor se enciende la luz. [2]
Metal-xido-semiconductor de estructura en el silicio tipo P
xido-Semiconductor De Estructura De Metal
Un metal tradicional-xido-semiconductor (MOS), la estructura se obtiene por cultivo de una capa de dixido de
silicio ( Si O 2 ) en la parte superior de un sustrato de silicio y depositar una capa de metal o de silicio
policristalino (este ltimo es de uso general). A medida que el dixido de silicio es un dielctrico de materiales, su
estructura es equivalente a un plano de condensadores , con uno de los electrodos sustituye por un semiconductor.
Cuando se aplica un voltaje a travs de una estructura MOS, que modifica la distribucin de las cargas en el
semiconductor. Si se considera un tipo de semiconductor P (con N A la densidad de aceptantes , p la densidad de los
agujeros; p = N A granel neutro), una tensin positiva, V G B , de la puerta al cuerpo (ver figura) crea un capa de
agotamiento forzando la carga positiva agujeros lejos de la interfaz gate-insulator/semiconductor, dejando al
descubierto una regin libre de portadoras de iones cargados negativamente aceptor inmvil (vase el dopaje
(semiconductores) ). Si V G B es lo suficientemente alto, una alta concentracin de portadores de carga negativa se
forma en una capa de inversin situado en una capa fina junto a la interfaz entre el semiconductor y el aislante. A
diferencia de los MOSFET, donde los electrones de la capa de inversin se suministran con rapidez de la fuente /
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
82
electrodos de drenaje, en el condensador del MOS se producen mucho ms lentamente por la generacin trmica a
travs de la generacin de portador y recombinacin centros en la regin de agotamiento. Convencionalmente, el
voltaje de la puerta en la que la densidad de volumen de los electrones en la capa de inversin es la misma que la
densidad de volumen de los agujeros en el cuerpo se llama el voltaje del umbral .
Esta estructura con cuerpo de tipo p es la base del MOSFET N-tipo, que requiere la adicin de una fuente de N-tipo y
las regiones del dren.
Estructura del MOSFET y de formacin de canales
Seccin transversal de un NMOS sin canal formado: estado OFF
Seccin transversal de un canal formado NMOS con: estado ON
A-xido-semiconductor transistor de efecto de campo de metal (IC) se basa en la modulacin de la concentracin de
carga de una capacidad MOS entre un cuerpo y un electrodo de puerta de electrodos situados sobre el cuerpo y el
aislamiento de todas las regiones otro dispositivo por una puerta capa dielctrica que en el caso de un MOSFET es un
xido, como el dixido de silicio. Si dielctricos que no sea un xido como el dixido de silicio (a menudo
denominado como el xido) se emplean el dispositivo puede ser denominado como un aislante-semiconductor FET de
metal (MISFET). En comparacin con el capacitor MOS, MOSFET incluye dos terminales adicionales (fuente y
drenaje), cada uno conectado con regiones altamente dopadas individuales que estn separadas por la regin del
cuerpo. Estas regiones pueden ser n o tipo p, pero ambos deben ser del mismo tipo, y de tipo opuesto a la regin del
cuerpo. La fuente y el drenaje (a diferencia del cuerpo) son altamente dopado segn lo significado por un signo '+'
despus de que el tipo de dopaje.
Si el MOSFET es un n-FET de canal o del nMOS, a continuacin, la fuente y el drenaje son "n +" las regiones y el
cuerpo es 'p' de una regin. Como se describe anteriormente, con suficiente voltaje de la puerta, los agujeros del
cuerpo son expulsados de la puerta, formando una capa de inversin o de canal n en la interface entre la regin P y el
xido. Este canal de conduccin se extiende entre la fuente y el dren, y la corriente se lleva a cabo a travs de l
cuando se aplica un voltaje entre la fuente y el drenaje. El aumento de la tensin en la puerta conduce a una mayor
densidad de electrones en la capa de inversin y por lo tanto aumenta el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje.
Para voltajes de la puerta por debajo del valor umbral, el canal es poco pobladas, y slo una muy pequea fuga
subliminales circulacin de la corriente entre la fuente y el dren.
Si el MOSFET es un p-FET de canal o pMOS, a continuacin, la fuente y el drenaje son 'p + regiones y el cuerpo es
"n" de una regin. Cuando una puerta-fuente de voltaje negativo (positivo fuente-puerta) se aplica, se crea un p-
canal en la superficie de la regin n, de forma anloga a los canales n caso, pero con polaridades opuestas de las cargas
y tensiones. Cuando una tensin menos negativo que el valor de umbral (un voltaje negativo para el p-canal) se aplica
entre la puerta y la fuente, el canal desaparece y slo una pequea corriente subumbral puede fluir entre la fuente y el
drenaje.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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La fuente se llama as porque es la fuente de los portadores de carga (electrones de n-canal, los agujeros para el p-
canal) que fluyen a travs del canal, del mismo modo, la fuga es donde los portadores de carga deja el canal.
El dispositivo puede comprender un silicio en aislador (SOI) de dispositivo en el que un Enterrado xido (BOX) se
forma debajo de una capa fina del semiconductor. Si la regin del canal entre la puerta dielctrica y una regin del
xido enterrado (BOX) es muy delgada, la regin del canal muy delgado se conoce como un ultra delgado canal
(UTC) la regin con las regiones de origen y de drenaje formado a ambos lados del mismo y o encima de la capa fina
del semiconductor. Por otra parte, el dispositivo puede comprender un semiconductor en aislador (SEMOI) dispositivo
en el que otros semiconductores de silicio que se emplean. Muchos de los materiales semiconductores alternativa
puede ser empleado.
Cuando las regiones de origen y de desage se forma sobre el canal en su totalidad o en parte, a que se refieren como
Criado Fuente / drenaje (RSD) regiones.
Modos de funcionamiento
El funcionamiento de un MOSFET se puede separar en tres modos diferentes, dependiendo de las tensiones en los
terminales. En la discusin siguiente, un modelo simplificado algebraico que se utiliza es exacto slo para tecnologa
antigua. Moderno caractersticas MOSFET requieren modelos de computadora que tienen un comportamiento bastante
ms complejo.
Para una mejora de modo, el MOSFET de canal-n , los tres modos de funcionamiento son:
De corte, subliminales, o el modo dbil inversin
Cuando V GS V < :
Donde V t h es la tensin umbral del dispositivo.
De acuerdo con el modelo de umbral de base, el transistor est apagado, y no hay conduccin entre el drenaje y la
fuente. En realidad, la distribucin de Boltzmann de las energas de electrones permite que algunos de los electrones
ms energticos en la fuente para entrar en el canal y el flujo de la fuga, dando lugar a una corriente subumbral de que
es una funcin exponencial de la fuente de voltaje de la puerta-. Mientras que la corriente entre el drenaje y la fuente
ideal debe ser cero cuando el transistor se utiliza como un interruptor de encendido-se volvi, hay una dbil inversin
en curso, a veces llamada fuga subliminal.
En inversin dbil la corriente vara exponencialmente con la-a-fuente diagonal de la puerta V G S como dada
aproximadamente por:
,
Donde yo D 0 = corriente en V G S = V t h, la tensin trmica V T = k T / q y la pendiente factor n viene dada por
n = 1 + C, D / C O X,
Con C D = capacidad de la capa de agotamiento y C O X = capacidad de la capa de xido. En un canal de dispositivo
de largo, no hay tensin de la dependencia de drenaje de la corriente una vez que V D S >> V T, pero a medida que se
reduce la longitud del canal de drenaje inducida barrera reducir la dependencia de drenaje presenta tensin que
depende de una manera compleja en la geometra del dispositivo (por ejemplo, el canal de dopaje, el cruce de dopaje,
etc.). Con frecuencia, voltaje del umbral V de este modo se define como el voltaje de la puerta en la que un valor
seleccionado de la corriente I D0 ocurre, por ejemplo, D0 = 1 mA, lo cual no puede ser el mismo V -valor que se
utiliza en las ecuaciones de los siguientes modos.
Microcentrales son circuitos analgicos diseados para tomar
ventaja de subumbral. Algunos de conduccin [5] [6] [7] Al
trabajar en la regin, la inversin dbil, los MOSFETs en estos
circuitos entregar los posibles transconductancia a corriente
mayor relacin, a saber: g m / I D = 1 / (n V T), casi la de un
transistor bipolar.
El subliminal -V curva que depende de forma exponencial de la
tensin de umbral, la introduccin de una fuerte dependencia de
cualquier variacin de fabricacin que afecta a la tensin umbral,
por ejemplo: variaciones en el espesor del xido, la profundidad
de la salida, o el organismo antidopaje que cambiar el grado de la
fuga de la barrera inducida por el descenso. La sensibilidad a las
variaciones fabricational complica la optimizacin para la salida
y el rendimiento. [9] [10]
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MOSFET de drenaje actual vs drenaje a la fuente de tensin para varios valores de V G S - V t h , el lmite entre
los lineales ( hmica ) y saturacin (activa los modos) se indica mediante la parbola curvado hacia arriba.
Seccin transversal de un MOSFET de funcionamiento en el lineal (hmica) regin; regin de fuerte inversin actual
de drenaje incluso cerca de
Seccin transversal de un MOSFET de funcionamiento en la saturacin (activo) regin; exposiciones canal de pinch-
off cerca de drenaje
El modo Triodo o regin lineal (tambin conocido como el modo hmico [11] [12] )
Cuando V GS > V y V DS < (V GS - V )
El transistor se enciende, y un canal se ha creado lo que permite que la corriente fluya entre el drenaje y la fuente. El
MOSFET funciona como una resistencia, controlada por el voltaje de la puerta en relacin con el origen y tensiones de
drenaje. La corriente del drenaje a la fuente se modela como:
Donde n es la carga de portadores movilidad efectiva, W es la anchura de la puerta, L es la longitud de la puerta
y C o X es el xido de la puerta de la capacitancia por unidad de superficie. La transicin de la regin subumbral
exponencial en la regin triodo no es tan aguda como sugieren las ecuaciones.
Saturacin o modo activo
Cuando V GS > V y V DS > (V GS - V )
El interruptor est encendido, y un canal se ha creado, lo que permite que la corriente fluya entre el drenaje y la
fuente. Puesto que el voltaje de drenaje es mayor que el voltaje de la puerta, los electrones hacia fuera, y la conduccin
no es a travs de un estrecho canal, pero a travs de una ms amplia, o en tres dimensiones actuales de distribucin y
dos se extiende fuera de la interfaz y ms profundo en el sustrato. El inicio de esta regin es tambin conocida
como pinch-off para indicar la falta de cerca de la regin del canal de desage. La corriente de drenaje est dbilmente
dependiente de voltaje del dren y controlado principalmente por la fuente de voltaje de la puerta-, y model
aproximadamente como:
El factor adicional que inclua , la longitud del parmetro de modulacin de canal, la dependencia de los modelos
actuales sobre la tensin de drenaje debido al efecto temprano , o modulacin de longitud del canal. De acuerdo a esta
ecuacin, un parmetro clave en el diseo, la transconductancia MOSFET es:
,
Donde la combinacin V ov = V GS - V se denomina tensin de saturacin, [15] y donde V DSSAT = V GS -
V (que deja de lado Sedra) representa una discontinuidad pequeo que D que de otro modo aparecera en la
transicin entre las regiones y la saturacin del triodo.
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Otro parmetro clave de diseo es la resistencia de salida MOSFET r fuera dada por:
.
r a cabo es la inversa de g DS en . V DS es la expresin en la regin de saturacin.
Si se toma como cero, una resistencia de salida infinita de los resultados del dispositivo que lleva a predicciones
circuito de poco realista, sobre todo en circuitos analgicos.
A medida que la longitud del canal se hace muy corto, estas ecuaciones llegar a ser bastante inexactos. Surgen nuevos
efectos fsicos.Por ejemplo, el transporte del portador en el modo activo puede llegar a ser limitada por la saturacin
de la velocidad . Cuando domina la saturacin de la velocidad, la fuga de corriente de saturacin es ms casi lineal de
segundo grado en la V GS. En los trayectos cortos, incluso, las compaas de transporte con cerca de cero dispersin,
conocida como cuasi- transporte balsticos . Adems, la corriente de salida se ve afectada por la fuga de barrera
inducida por la reduccin de la tensin de umbral.
Consejo de efecto
Contacto hmico a cuerpo para asegurarse de que no sesgos cuerpo, arriba a la izquierda: subliminal, arriba a la
derecha: el modo hmico, abajo a la izquierda: el modo activo en el inicio de pinch-off, abajo a la derecha: el modo
activo hasta bien entrado pinch-off - modulacin de longitud de canal evidente
El efecto del cuerpo se describe los cambios en el voltaje del umbral por el cambio en el voltaje de la fuente a granel,
aproximada por la siguiente ecuacin:
,
Donde V TN es la tensin umbral con el sesgo actual sustrato, y V A es el cero- V S B el valor de la tensin de
umbral, es el parmetro de efecto cuerpo, y 2 es la superficie potencial de parmetros.
El cuerpo puede funcionar como una segunda puerta, y se refiere a veces como la "puerta trasera", el cuerpo es el
efecto a veces llamado la "puerta de atrs efecto".
Historia
En 1959, Dawon Kahng y Martn M. (Juan) Atalla en los Laboratorios Bell invent el-xido-semiconductor transistor
de efecto de campo de metal (MOSFET). [17] de vista operativo y estructuralmente diferente del transistor de unin
bipolar, [18] fue el MOSFET hace poniendo una capa de aislamiento en la superficie del semiconductor y luego
colocar una puerta metlica del electrodo en eso. Se utilizan silicio cristalino para el semiconductor y una capa de
oxidacin trmica de dixido de silicio para el aislante. El silicio MOSFET no generan electrones trampas localizadas
en la interface entre el silicio y su capa de xido nativo, y por lo tanto es inherentemente libre de la captura de
animales y la dispersin de las compaas que haban impedido el desempeo de los transistores de efecto de campo
anterior. A raz de la cara) el desarrollo (de salas limpias para reducir la contaminacin a niveles nunca antes se crey
necesario, y de fotolitografa [ 19 ] y el proceso planar para permitir que los circuitos a realizar en muy pocos pasos, el
Si-SiO 2 sistema posea tales atracciones tcnica como el bajo costo de produccin (sobre una base por circuito) y la
facilidad de integracin. Debido en gran parte de estos dos factores, el MOSFET se ha convertido en el tipo ms
ampliamente utilizado del transistor en los circuitos integrados .
CIRCUITOS CMOS
El MOSFET se utiliza en formato digital CMOS de la lgica, [20] que usa p-y el canal MOSFET-n como bloques de
construccin. El recalentamiento es una preocupacin importante en los circuitos integrados ya que cada vez ms
transistores son embalados en pequeas virutas de siempre. Lgica CMOS reduce el consumo de energa porque no
fluye corriente (idealmente), y por ende no poder consumir es, excepto cuando las entradas de puertas lgicas se
encienden.
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CMOS lleva a cabo esta reduccin de la corriente complementando cada NMOSFET con un pMOSFET y la conexin
de ambas puertas y los dos desages juntos. Un alto voltaje en las puertas har que el NMOSFET para llevar a cabo y
el pMOSFET no llevar a cabo y una baja tensin en las puertas de la causa a la inversa. Durante el tiempo de
conmutacin de la tensin pasa de un estado a otro, tanto MOSFETs llevar a cabo brevemente. Este sistema reduce el
consumo de energa y la generacin de calor. Y aplicaciones digitales CMOS analgico se describen a continuacin.
Digital
El crecimiento de las tecnologas digitales como el microprocesador ha proporcionado la motivacin para avanzar en
la tecnologa MOSFET ms rpido que cualquier otro tipo de-basados en transistores de silicio. [ 21 ] Una gran ventaja
de los MOSFETs de conmutacin digital es que la capa de xido entre la puerta y el canal impide impedancia de
corriente continua de fluir a travs de la puerta, ms el poder de reducir el consumo y dar una entrada muy grande.
El xido de aislante entre la puerta y el canal de un MOSFET efectivamente aislados en una etapa de la lgica de las
etapas anteriores y posteriores, lo que permite una salida MOSFET nica para manejar un nmero considerable de
entradas MOSFET. Transistores basados en la lgica bipolar (como TTL) no tiene esa capacidad cargabilidad de
salida de alta. Este aislamiento tambin lo hace ms fcil para los diseadores de ignorar en cierta medida los efectos
de carga entre las fases lgicas de forma independiente. Esa medida se define por la frecuencia de operacin: a medida
que aumentan las frecuencias, la impedancia de entrada de las disminuciones MOSFETs.
Analgico
El MOSFET de ventajas en los circuitos digitales no se traduce en la supremaca en todos los circuitos
analgicos . Los dos tipos de circuito de recurrir a diferentes caractersticas de comportamiento del
transistor. Interruptor de circuitos digitales, pasando la mayor parte de su tiempo fuera de la regin de conmutacin,
mientras que los circuitos analgicos dependen del comportamiento del MOSFET celebrada precisamente en la regin
de la conmutacin de la operacin. El transistor de unin bipolar (BJT) ha sido tradicionalmente analgico de diseo
del transistor de la eleccin, debido en gran parte a su mayor transconductancia y su mayor impedancia de
salida (tensin de la independencia de drenaje) en la regin de conmutacin.
Sin embargo, MOSFETs son ampliamente utilizados en muchos tipos de circuitos analgicos, debido a ciertas
ventajas. Las caractersticas y el rendimiento de muchos circuitos analgicos se pueden disear al cambiar el tamao
(longitud y anchura) de los MOSFETs utilizado. En comparacin, en la mayora de los transistores bipolares el tamao
del dispositivo no afecta significativamente el rendimiento. caractersticas ideales 'MOSFETs sobre la puerta actual
(cero) y el desage de fuente de tensin compensada (cero) tambin los hacen cambiar elementos ideales cerca, y
tambin hacer conmutacin de condensadores circuitos analgicos prctica. En su regin lineal, MOSFETs se puede
utilizar como resistencias de precisin, que puede tener un mayor control de resistencia mucho ms BJTs.
En los circuitos de alta potencia, MOSFETs a veces tienen la ventaja de no sufren escapes trmicos BJTs como lo
hacen. Asimismo, se pueden formar en los condensadores y circuitos girador que permiten amplificadores
operacionales hecho de que aparezcan como inductores, lo que permite a todos los dispositivos analgicos normales,
excepto para los diodos (que se puede hacer ms pequeo que un MOSFET de todos modos), que se construido
enteramente de los MOSFETs. Esto permite completar los circuitos analgicos que deben figurar en un chip de silicio
en un pequeo espacio.
Algunos circuitos integrados digitales se combinan circuitos MOSFET y analgicos en un solo circuito integrado de
seal mixta , haciendo que el espacio en la placa necesita an ms pequeos. Esto crea una necesidad de aislar los
circuitos analgicos de los circuitos digitales a nivel de chip, lo que lleva a la utilizacin de anillos de aislamiento y de
silicio sobre aislante (SOI). La principal ventaja de BJTs frente MOSFETs en el proceso de diseo analgico es la
capacidad de BJTs para manejar una corriente ms grande en un espacio ms pequeo. procesos de fabricacin
existentes que incorporan BJT y MOSFET en un solo dispositivo. -Transistor dispositivos mixtos son llamados Bi-
FET (bipolar-FET), si contienen slo un BJT, FET y BiCMOS (bipolar-CMOS), si contienen complementarias BJT,
FET. Estos dispositivos tienen la ventaja de dos puertas con aislamiento y una mayor densidad de corriente.
AMPLIACIN MOSFET
En las ltimas dcadas, el MOSFET ha sido constantemente reducido en tamao, tpicos longitudes de canal del
MOSFET alguna vez fueron varios micrmetros , pero modernos circuitos integrados estn incorporando MOSFET de
canal con una longitud de decenas de nanmetros. Intel comenz la produccin de un proceso con una funcin del
tamao nanmetro 32 (con el canal siendo incluso ms corto) a finales de 2009. La industria de semiconductores
mantiene una "hoja de ruta", el ITRS, [22] que marca la pauta para el desarrollo de IC.
Histricamente, las dificultades con la disminucin del tamao de la IC se han asociado con el dispositivo de proceso
de fabricacin de semiconductores, la necesidad de utilizar voltajes muy bajos, y con un peor rendimiento elctrico
que requiere la innovacin y el rediseo (pequeo MOSFETs mayor exhibicin de fuga, las corrientes y la
disminucin de la produccin de circuitos resistencia, ms adelante).
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Razones para la ampliacin del MOSFET
Pequeos MOSFETs son deseables por varias razones. La razn principal para hacer transistores ms pequeos es
empacar y ms dispositivos de ms en un rea de la viruta dado. Esto se traduce en un chip con la misma
funcionalidad en un rea ms pequea, o chips con ms funciones en la misma zona.
Dado que los costos de fabricacin de una oblea de semiconductor son relativamente fijos, el costo por circuitos
integrados est relacionado con el nmero de fichas que se pueden producir por oblea. Por lo tanto, menor VA
permitir ms chips por oblea, lo que reduce el precio por chip.
De hecho, en los ltimos 30 aos el nmero de transistores por chip se duplica cada 2-3 aos una vez que un nodo se
introduzcan nuevas tecnologas. Por ejemplo, el nmero de MOSFETs en un microprocesador fabricado en 45 nm la
tecnologa es el doble que en una de 65 nanmetros del chip. Esta duplicacin del nmero de transistores se observ
por primera vez por Gordon Moore en 1965 y es comnmente conocida como la ley de Moore .
Evolucin de los transistores de Intel CPU longitud de la puerta
Tambin se espera que los pequeos transistores conmuten ms rpidamente. Por ejemplo, un enfoque para la
reduccin de tamao es una ampliacin del MOSFET que requiere que todas las dimensiones del dispositivo para
reducir de manera proporcional. Las dimensiones del dispositivo principales son la longitud del transistor, el ancho y
el espesor del xido, es utilizado para) escala (con un factor de 0,7 por nodo. De esta manera, la resistencia del canal
del transistor no cambia con la escala, mientras que capacitancia de la puerta se corta por un factor de 0,7. Por lo tanto,
el retardo RC de las escalas de transistor con un factor de 0,7.
Si bien esto ha sido tradicionalmente el caso de las tecnologas ms antiguas, para la reduccin del estado de la
tcnica-MOSFET de las dimensiones de los transistores no necesariamente se traducen en una mayor velocidad de
chip porque el retraso debido a las interconexiones es ms significativo.
Las dificultades que surgen debido a la reduccin del tamao del MOSFET
La produccin de MOSFETs con longitudes de canal mucho ms pequeo que un micrmetro es un desafo, y las
dificultades de dispositivo de fabricacin de semiconductores son siempre un factor limitante en el avance de la
tecnologa de circuito integrado. En los ltimos aos, el pequeo tamao de la IC, por debajo de unas pocas decenas
de nanmetros, ha creado problemas de funcionamiento.
Debajo Del Umbral De La Conduccin Superior
Como geometras MOSFET reducir la tensin que se pueden aplicar a la puerta debe ser reducida para mantener la
fiabilidad.
Para mantener el rendimiento, el voltaje del umbral del MOSFET tiene que reducirse tambin. Como voltaje del
umbral se reduce, el transistor no se puede cambiar de ser completa desvo para completar el encendido con el voltaje
disponible limitada oscilacin, el diseo del circuito es un compromiso entre la fuerte corriente en el "sobre" el caso y
de poca intensidad en "off "caso, y la aplicacin determina si se debe favorecer una sobre la otra. fugas subliminales
(incluyendo la conduccin subumbral, de xido de salida de la puerta y sesgada la salida de prdida inversa), que fue
ignorado en el pasado, ahora pueden consumir ms de la mitad de la potencia total de los modernos de alto
rendimiento de los chips VLSI. [24] [25] [26].
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El aumento de xido de salida de la puerta
El xido de la puerta, que sirve como aislante entre la puerta y el canal, debe ser lo ms fina posible para aumentar la
conductividad del canal y el rendimiento cuando el transistor est encendido y para reducir las fugas subliminales
cuando el transistor est apagado. Sin embargo, con los xidos de corriente de la puerta con un espesor de alrededor de
1,2 nm (que en el silicio es de 5 tomos de grosor) de la mecnica cuntica fenmeno del efecto tnel de electrones se
produce entre la puerta y el canal, que lleva a mayor consumo de energa.
Aisladores que tienen una mayor constante dielctrica que el dixido de silicio (en adelante, dielctricos de alto-k ),
como el grupo de metal IV ter silicatos por ejemplo, hafnio y circonio, silicatos y xidos se utilizan para reducir la
salida de la puerta de la tecnologa en adelante nodo de 45 nanmetros. El aumento de la constante dielctrica del
dielctrico de la puerta permite una capa ms gruesa, mientras que el mantenimiento de una alta capacidad (capacidad
es proporcional a la constante dielctrica e inversamente proporcional al espesor del dielctrico). Todo lo dems igual,
un dielctrico de espesor superior reduce el efecto tnel cuntico corriente a travs del dielctrico entre la puerta y el
canal. Por otro lado, la altura de la barrera del aislador de la puerta nueva es una consideracin importante, la
diferencia en la banda de conduccin de energa entre el semiconductor y el dielctrico (y la diferencia
correspondiente en la banda de valencia de energa) tambin afecta el nivel actual de fuga. Para el xido de la puerta
tradicional de dixido de silicio, la barrera del primero es de aproximadamente 8 eV . Para muchos dielctricos
alternativa el valor es significativamente ms bajo, con tendencia a aumentar el tnel actual, algo negar la ventaja de
su elevada constante dielctrica.
El aumento de salida de la ensambladura
Para hacer que los dispositivos ms pequeos, el diseo de conexiones se ha vuelto ms compleja, lo que aumenta el
dopaje niveles, superficial uniones, "halo" de dopaje y as sucesivamente, [ 27 ] [ 28 ] todas las de drenaje para
disminuir la barrera inducida por la reduccin (ver la seccin de diseo de conexiones ). Para mantener estas uniones
complejas en su lugar, los pasos de recocido anteriormente utilizada para eliminar los daos y defectos elctricamente
activo debe ser reducido [29] la salida de fugas en aumento. Ms pesado dopaje tambin se asocia con el agotamiento
de las capas ms delgadas y ms centros de recombinacin que se traducen en aumento de las fugas de corriente,
incluso sin daos red.
Versin MOSFET de la ganancia-impulsado espejo actual , M 1 y M 2 son en modo activo, mientras que M 3 y
M 4 son en modo hmico, y actan como resistencias. El amplificador operacional proporciona retroalimentacin que
mantiene una resistencia de salida de alta.
Resistencia De Salida Inferior
Para un funcionamiento anlogo, buena ganancia requiere una impedancia de salida MOSFET de alta, es decir, la
corriente MOSFET debe variar ligeramente con la aplicacin de drenaje a la fuente de tensin. Dado que los
dispositivos se hacen ms pequeos, la influencia de la fuga de ms compite con xito con el de la puerta debido a la
proximidad cada vez mayor de estos dos electrodos, el aumento de la sensibilidad de la IC actual a la tensin de
drenaje.
El interruptor controlado de silicio (SCS) es un tiristor con una compuerta adicional. Puede usarse como un tiristor,
pero que se dispara con pulsos positivos o negativos en cualquiera de las compuertas. Sin embargo, tambin puede
pasar al estado de no conduccin aplicando pulsos a las compuertas. Un interruptor de silicio controlado consiste en
una estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones semiconductoras son accesibles. El dispositivo puede ser
considerado como un circuito integrado con sendos transistores npn y pnp conectados como un par de realimentacin
positiva. Para contrarrestar la disminucin resultante en la resistencia de salida, los circuitos se hacen ms complejas,
ya sea exigiendo ms dispositivos, por ejemplo, el cascodo y amplificadores en cascada , o por los circuitos de
retroalimentacin mediante amplificadores operacionales , por ejemplo un circuito como el de la figura adyacente.
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Bajo la transconductancia
La transconductancia del MOSFET decide su ganancia y es proporcional al agujero o la movilidad de
electrones (dependiendo del tipo de dispositivo), por lo menos para tensiones de bajo consumo. Como el tamao del
MOSFET se reduce, los campos en el aumento de canales y el aumento de los niveles de impureza dopante. Ambos
cambios reducen la movilidad de mercancas, y por lo tanto, la transconductancia. Como la longitud del canal se
reduce, sin reduccin proporcional de la tensin de drenaje, aumentando el campo elctrico en el canal, el resultado es
la saturacin de la velocidad de los portadores, lo que limita la corriente y la transconductancia.
Interconexin de capacitancia
Tradicionalmente, el tiempo de conmutacin es aproximadamente proporcional a la capacitancia de la puerta de las
puertas. Sin embargo, con transistores y cada vez ms transistores ms pequeos que se colocan en el chip, la
capacidad de interconexin (la capacidad de la capa de conexiones de metal entre las diferentes partes del chip) se est
convirtiendo en un gran porcentaje de la capacitancia. [ 30 ] [ 31 ] Las seales tienen que viajar a travs de la
interconexin, que conduce a la demora mayor y menor rendimiento.
La produccin de calor
Disipadores grandes para enfriar los transistores de potencia en una TRM-800 amplificador de audio
La densidad cada vez mayor de los MOSFET en un circuito integrado crea problemas importantes de la generacin de
calor localizado que puede perjudicar el funcionamiento del circuito. Circuitos operan ms lenta a altas temperaturas,
y han reducido la fiabilidad y la ms corta vida. Disipadores de calor y otros mtodos de enfriamiento son necesarios
para muchos circuitos integrados como microprocesadores.
MOSFET de potencia se encuentran en riesgo de fuga trmica. A medida que su resistencia se eleva en el estado con
la temperatura, si la carga es de aproximadamente una carga de corriente constante a continuacin, la prdida de
potencia se eleva en consecuencia, generar ms calor. Cuando el disipador de calor no es capaz de mantener la
temperatura lo suficientemente baja, la temperatura de la unin puede aumentar de forma rpida y sin control,
resultando en la destruccin del dispositivo.
Proceso de variaciones
Con MOSFETS de la cada vez ms pequeos, el nmero de tomos en el silicio que producen muchas de las
propiedades del transistor es cada vez menos, con el resultado de que el control de nmeros de dopante y la colocacin
es ms irregular.
Durante la fabricacin de chips, el proceso de variaciones aleatorias afectan a todas las dimensiones de los
transistores: longitud, anchura, profundidad de la salida, el espesor del xido , etc , y convertirse en un mayor
porcentaje del tamao del transistor se reduce en general como el transistor.
Las caractersticas del transistor se hacen menos ciertas, ms estadsticas.
La naturaleza aleatoria de fabricacin significa que no sabe qu ejemplo MOSFETs particular, en realidad va a
terminar en un caso particular del circuito.
Esta incertidumbre obliga a un ptimo diseo de menos porque el diseo debe trabajar para una gran variedad de
MOSFETs posible componente. Ver la variacin del proceso , diseo de fabricacin , ingeniera de
confiabilidad y control estadstico de procesos .
Desafos De Modelado
VA modernos son simulado por ordenador con el objetivo de obtener circuitos de trabajo del lote fabricado por
primera vez. Como los dispositivos son en miniatura, la complejidad del proceso hace que sea difcil predecir
exactamente lo que los dispositivos finales se parecen, y el modelado de los procesos fsicos se hace ms difcil
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tambin. Adems, las variaciones en la estructura microscpica debe simplemente a la naturaleza probabilstica de los
procesos atmicos requieren estadsticos (no slo determinista) predicciones. Estos factores se combinan para hacer de
simulacin adecuados y "desde el primer momento" difcil fabricacin.
LA CONSTRUCCIN DEL MOSFET
Puerta de material
El criterio principal para el material de la puerta es que es un buen conductor . Dopado de silicio policristalino de alta-
es un aceptable, pero ciertamente no es el conductor ideal, y tambin sufre de algunas deficiencias tcnicas ms en su
papel como el material de puerta estndar. Sin embargo, hay varias razones favoreciendo el uso de polisilicio:
La tensin de umbral (y en consecuencia el drenaje a la fuente de corriente) se modifica por la diferencia de la funcin
del trabajo entre el material de la puerta y material del canal. Debido a polisilicio es un semiconductor, su funcin de
trabajo puede ser modulada por el ajuste del tipo y el nivel de dopaje. Adems, debido a polisilicio tiene la banda
prohibida misma que el canal de silicio subyacente, que es bastante sencillo para ajustar la funcin de trabajo para
alcanzar el umbral voltajes bajos, tanto para dispositivos NMOS y PMOS. Por el contrario, las funciones de trabajo de
los metales no son fciles de modular, de modo de ajuste de la funcin de trabajo para obtener umbral de baja tensin
se convierte en un reto importante. Adems, la obtencin de dispositivos de bajo umbral en ambos dispositivos NMOS
y PMOS es probable que requiera el uso de metales diferentes para cada tipo de dispositivo, la introduccin de una
complejidad adicional al proceso de fabricacin.
El silicio SiO 2 interfaz ha sido bien estudiado y se sabe que tiene pocos defectos relativamente. Por el contrario metal
aislante interfaces que muchos pueden contener niveles significativos de defectos que pueden conducir a Fermi nivel
fijacin, de carga, o de otros fenmenos que en ltima instancia, afectar al rendimiento del dispositivo.
En el MOSFET de fabricacin de CI proceso, es preferible depositar el material de la puerta antes de que determinadas
medidas de alta temperatura para hacer transistores mejor rendimiento. Tales medidas de alta temperatura que derrite
los metales, lo que limita los tipos de metal que puede ser utilizado en una-puerta-basados en procesos de metal.
Si bien las puertas de polisilicio han sido el estndar de facto para los ltimos veinte aos, tienen algunas desventajas
que han llevado a su sustitucin que pudieran producirse por las puertas de metal. Estas desventajas incluyen:
Polisilicio no es un gran director (aproximadamente 1000 veces ms resistentes que los metales), que reduce la
velocidad de propagacin de la seal a travs del material. La resistencia se puede reducir aumentando el nivel de
dopaje, pero incluso dopado polisilicio de alta no es el conductor como la mayora de los metales. Con el fin de
mejorar la conductividad ms, a veces un metal de alta temperatura, tales como tungsteno , titanio , cobalto , y, ms
recientemente, el nquel se alea con las capas superiores del polisilicio. Este material mezclado se llama siliciuro . La
combinacin de polisilicio-siliciuro tiene propiedades elctricas mejor que el polisilicio solo y todava no se funde en
el procesamiento posterior. Tambin la tensin de umbral no es significativamente mayor que con polisilicio solo,
porque el material de siliciuro no est cerca del canal. El proceso en el que siliciuro se forma tanto en el electrodo de
puerta y la fuente y las regiones del dren es a veces llamado salicide , uno mismo-alineado siliciuro.
Cuando los transistores son extremadamente reducidos, es necesario que el dielctrico capa de la puerta muy delgada,
alrededor de 1 nm en el estado de las tecnologas de ltima generacin. Un fenmeno que se observa aqu es el
llamado agotamiento del poli , donde la capa se forma un agotamiento de la capa de polisilicio de puerta de al lado del
dielctrico de la puerta cuando el transistor est en la inversin. Para evitar este problema, una puerta de metal que se
desea. Una variedad de puertas de metal, tales como el tantalio , tungsteno, tntalo nitruro y nitruro de titanio se
utilizan generalmente en conjunto con Hi-k de dielctricos. Una alternativa es utilizar silicided polisilicio puertas,
totalmente, un proceso conocido como FUSI .
Aislador
Dado que los dispositivos se hacen ms pequeos, capas de aislamiento se hacen ms delgadas, y en algn momento
hacer un tnel a las compaas a travs del aislante del canal para el electrodo de puerta se lleva a cabo. Para reducir la
fuga de corriente resultante, el aislante se puede hacer ms gruesa por la eleccin de un material con una constante
dielctrica superior. Para ver cmo espesor y constante dielctrica se relacionan, tenga en cuenta que "la ley de
Gauss se conecta campo a cargo de:
,
Con Q = densidad de carga, = constante dielctrica, 0 = permitividad del espacio vaco y E = campo elctrico. De
esta ley se desprende la misma carga se puede mantener en el canal en un campo inferior siempre es mayor. La
tensin en la puerta viene dada por:
,
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
91
con V G = voltaje de la puerta, V ch = tensin en el lado del canal de aislante, y t ins = espesor de aislante. Esta
ecuacin muestra el voltaje de la puerta no va a aumentar cuando aumenta el espesor de aislante, siempre y cuando
aumenta para mantener t ins / = constante (ver el artculo sobre- dielctricos de alta para obtener ms detalles, y la
seccin de este artculo sobre la fuga de xido de puerta ).
El aislante en un MOSFET es un dielctrico que puede en cualquier caso, xido de silicio, pero muchos otros
materiales dielctricos estn empleados. El trmino genrico para el dielctrico es dielctrico de la puerta ya que el
dielctrico se encuentra directamente debajo del electrodo de puerta y por encima del canal del MOSFET.
Diseo De La Salida
-A-cuerpo y drenaje-fuente del cuerpo uniones son objeto de mucha atencin debido a tres factores principales: su
diseo afecta a la corriente-voltaje (IV) las caractersticas del producto, disminuir la resistencia de salida, y tambin la
velocidad de la dispositivo a travs del efecto de carga de las capacitancias de unin, y, por ltimo, el componente de
"stand-by disipacin de potencia debido a la salida de conexiones.
MOSFET que muestra las extensiones superficiales de unin, de origen planteadas y de drenaje y el implante de
halo. de origen planteadas y de drenaje separado de la puerta por medio de espaciadores de xido.
La barrera inducida por fuga de reduccin de la tensin de umbral y el canal de modulacin de longitud efectos sobre
la IV curvas se reducen mediante el uso de conexiones extensiones superficiales. Adems, el halo de dopaje puede ser
utilizado, es decir, la adicin de dopado regiones muy fina del dopaje mismo tipo que el cuerpo apretado contra las
paredes de la salida para limitar la extensin de las regiones de agotamiento . [33]
Los efectos capacitivos estn limitadas por el uso fuente planteadas y las geometras de drenaje que hacen que la
mayor parte de la frontera con el rea de contacto de espesor dielctrico en vez de silicio. [34]
Estas diversas caractersticas de diseo de conexiones se muestran (con licencia artstica ) en la figura.
Fuga de la salida se discute en la seccin de mayor salida de la ensambladura .
OTROS TIPOS DE MOSFET.
MOSFET de doble puerta
El MOSFET de doble puerta tiene un tetrodo de configuracin, donde tanto las puertas de control de la corriente en el
dispositivo. Es de uso para los dispositivos de pequea seal en aplicaciones de radiofrecuencia en la puerta
normalmente es el segundo para el control de ganancia o la conversin de frecuencia y de mezcla.
Un interruptor de silicio controlado consiste en una
estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones
semiconductoras son accesibles. El dispositivo puede ser
considerado como un circuito integrado con sendos
transistores npn y pnp conectados como un par de
realimentacin positiva. Siendo accesibles las cuatro
regiones, la realimentacin positiva es fcilmente controlada,
y el dispositivo puede ser accionado como un amplificador
lineal de elevada ganancia de c.c. o como un interruptor. El
SCS es semejante en construccin al SCR. Sin embargo, el
SCS tiene dos terminales de compuerta, como se muestra en
la figura 1.1: la compuerta del ctodo y la compuerta del
nodo. El SCS puede encenderse y apagarse usando cualquiera de sus terminales de compuerta. El SCR puede
encenderse usando slo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se encuentra disponible slo en rangos de
potencia menores que las del SCR.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
92
FinFET
Un dispositivo FinFET doble puerta.
El FinFET , vase la figura a la derecha, es un dispositivo de
doble puerta, una de una serie de geometras que se introdujo para
paliar los efectos de los canales cortos y reducir la fuga de barrera
inducida por el descenso.
MODO-MOSFET DE AGOTAMIENTO
Hay modo de agotamiento de los dispositivos MOSFET, que se utiliza con menor frecuencia que el estndar de modo
de mejorar los dispositivos ya descritos. Estos son dispositivos MOSFET que se dopan para que un canal existe
incluso con cero de tensin de la puerta a la fuente. Con el fin de controlar el canal, un voltaje negativo se aplica a la
puerta (para un dispositivo de canal-n), que agotan el canal, lo que reduce el flujo de corriente a travs del
dispositivo. En esencia, el modo de dispositivo de agotamiento es equivalente a un normalmente cerrado (a) del
interruptor, mientras que el dispositivo en modo de mejora es equivalente a un normalmente abierto(apagado). [ 35 ]
Debido a su baja figura de ruido de RF en la regin, y una mejor ganancia, estos dispositivos son a menudo preferan
bipolares en RF front-end como en aparatos de televisin. Familias modo de agotamiento-MOSFET incluyen BF 960
por Siemens y BF 980 por Philips (1980 de fecha), cuyos derivados se utilizan an en AGC y RF extremos frontal del
mezclador.
LGICA NMOS
MOSFET de canal-n son ms pequeos que MOSFET de canal-p y la produccin de un solo tipo de MOSFET en un
substrato de silicio es ms barato y ms sencillo tcnicamente. Estos fueron los principios rectores en el diseo de la
lgica del NMOS que utiliza MOSFET de canal-n exclusiva. Sin embargo, a diferencia de la lgica del Cmos, lgica
NMOS consume energa incluso cuando no hay cambio est teniendo lugar. Con los avances tecnolgicos, la lgica
CMOS desplazados lgica NMOS a mediados de 1980 para convertirse en el procedimiento preferido para los chips
digitales.
MOSFET de la energa
Seccin transversal de un MOSFET de potencia, con clulas cuadradas. Un transistor tpico est constituido por varios
miles de clulas
Artculo principal: MOSFET de la energa
MOSFET de potencia tienen una estructura diferente a la presentada anteriormente. [ 36 ] Al igual que con todos los
dispositivos de poder, la estructura es vertical y no plana. Usando una estructura vertical, es posible que el transistor
para sostener tanto el bloqueo de alto voltaje y alta corriente. La tensin nominal del transistor es una funcin del
dopaje y el espesor de la N- epitaxial capa (vase la seccin transversal), mientras que la valoracin actual es una
funcin de la anchura del canal (el ms amplio el canal, mayor es la actual). En una estructura plana, el desglose de
tensin y las valoraciones actuales son a la vez una funcin de las dimensiones del canal (respectivamente, la anchura
y la longitud del canal), lo que resulta en un uso ineficiente de la "Residencia de silicio". Con la estructura vertical, el
rea de componentes es aproximadamente proporcional a la corriente que puede soportar, y el grueso de componentes
(en realidad el grueso de la capa epitaxial-N) es proporcional a la tensin de ruptura.
MOSFET de potencia con la estructura lateral se utilizan principalmente en los amplificadores de audio de gama alta y
sistemas de alta potencia PA. Su ventaja es un mejor comportamiento en la regin saturada (que corresponde a la
regin lineal de un transistor bipolar) que los MOSFETs vertical. MOSFETs verticales estn diseados para
aplicaciones de conmutacin.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
93
RHBD MOSFETs
Semiconductor sub-micromtrico y circuitos electrnicos nanmetros son la principal preocupacin para el
funcionamiento dentro de la tolerancia normal en los ambientes de radiacin dura como el espacio. Uno de los
enfoques de diseo para hacer unos resistentes a la radiacin por diseo (RHBD) dispositivo est cerrado-Diseo-
transistor (ELT). Normalmente, la puerta del MOSFET rodea el desage, que se coloca en el centro de la ELT. La
fuente del MOSFET rodea la puerta. Otro MOSFET RHBD se llama H-Gate. Ambos de estos transistores tienen fugas
de corriente muy baja con respecto a la radiacin. Sin embargo, son grandes y ocupan ms espacio en el silicio de un
MOSFET estndar.
Nuevas tecnologas estn surgiendo para los pequeos dispositivos de ahorro de costes, de baja potencia y la velocidad
de operacin. El MOSFET estndar tambin se est volviendo extremadamente sensible a la radiacin de las nuevas
tecnologas. Mucho ms trabajos de investigacin debe ser completada antes de electrnica espacial puede utilizar con
seguridad RHBD circuitos MOSFET de la nanotecnologa.
Cuando ocurre la radiacin cerca de la regin de xido de silicio (ITS) del MOSFET, la inversin del canal se produce
en las esquinas del MOSFET estndar debido a la acumulacin de la radiacin inducida por cargas atrapadas. Si los
cargos son lo suficientemente grandes, los cargos acumulados afectan a los bordes de las ITS superficie a lo largo del
canal, cerca de la interfaz de canal (puerta) del MOSFET estndar. As, la inversin del canal dispositivo se produce a
lo largo de los bordes del canal y el dispositivo crea un paso fuera del estado de fuga, causando dispositivo para
encenderse. Por lo que la fiabilidad de los circuitos degrada severamente. El ELT ofrece muchas ventajas. Estas
ventajas incluyen la mejora de la fiabilidad mediante la reduccin de la inversin de la superficie no deseados en los
bordes de la puerta que se produce en el MOSFET estndar. Desde los bordes de la puerta estn encerrados en ELT,
no hay ningn borde xido de la puerta (ITS en la interfaz de la puerta), y por lo tanto el transistor de salida fuera del
estado se reduce mucho.
Circuitos de baja potencia de la microelectrnica, incluyendo ordenadores, dispositivos de comunicacin y sistemas de
control en transbordador espacial y los satlites son muy diferentes de lo que usamos en la tierra. Ellos son la
radiacin (partculas atmicas de alta velocidad como protones y neutrones, la disipacin de la energa solar flare
magntico en el espacio terrestre, los rayos csmicos energticos como rayos X, rayos gamma, etc) circuitos
tolerantes. Estos productos electrnicos especiales estn diseados mediante la aplicacin de tcnicas muy diferentes
que utilizan MOSFETs RHBD para asegurar el viaje espacio seguro y tambin el espacio del paseo de los astronautas.
CONMUTADOR ANALGICO MOSFET
Interruptores MOSFET analgica utilizar el canal del MOSFET como bajo el interruptor de la resistencia para pasar
las seales analgicas en cuando, y como una alta impedancia cuando est apagada. Las seales fluyen en ambas
direcciones a travs de un interruptor del MOSFET. En esta aplicacin, el drenaje y la fuente de un MOSFET de los
lugares de cambio en funcin de la tensin relativa de la fuente / electrodos de drenaje. La fuente es el lado ms
negativo para un N-MOS o el lado ms positivo de P-MOS. Todos estos interruptores estn limitados en lo que las
seales pueden pasar o pasar por su puerta-fuente, la fuga de la puerta-y tensiones dren de la fuente; superior a la
tensin, corriente, o los lmites de potencia potencialmente daar el interruptor.
TIPO MOSFET DE CONMUTACIN INDIVIDUAL
Este conmutador analgico utiliza un terminal simple MOSFET y cuatro de P o tipo N.
En el caso de un tipo de interruptor de N, el cuerpo est conectado a la negativa de suministro ms (por lo general
GND) y la puerta se utiliza como el interruptor de control. Cada vez que el voltaje de la puerta superior al voltaje de la
fuente por lo menos un voltaje del umbral, el MOSFET conduce. Cuanto mayor sea el voltaje, mayor el MOSFET
puede llevar a cabo. Un interruptor de N-MOS pasa todas las tensiones a menos de V puerta -V tn. Cuando el
interruptor est llevando a cabo, por lo general opera en el lineal (o hmica) modo de operacin, ya que los voltajes de
la fuente y el drenaje normalmente ser casi igual.
En el caso de un P-MOS, el cuerpo est conectado a la tensin ms positiva, y la puerta se trae a un menor potencial
para encender el interruptor.
El interruptor de P-MOS pasa todas las tensiones superiores a V puerta -V tp (voltaje del umbral V tp es negativo en el
caso de enhancent en modo P-MOS).
Un interruptor de P-MOS tendr cerca de tres veces la resistencia de un dispositivo N-MOS de dimensiones iguales
porque los electrones tienen cerca de tres veces la movilidad de los agujeros en el silicio.
DOBLE-TIPO (CMOS) INTERRUPTOR DEL MOSFET
Artculo principal: puerta de la transmisin
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Este "complementaria" o tipo CMOS de conmutador utiliza un P-MOS y MOS-FET de una N para contrarrestar las
limitaciones del tipo de cambio nico. La FET tiene sus desages y las fuentes conectadas en paralelo, el cuerpo de la
P-MOS est relacionado con el alto potencial (V DD) y el cuerpo de la N-MOS est relacionado con el potencial bajo
(GND). Para encender el interruptor, la puerta del P-MOS es conducido a la posibilidad de baja y la puerta de la N-
MOS es conducido al alto potencial. Para tensiones entre V DD -V tn y Gnd-V tp, tanto FETs el funcionamiento de la
seal, para tensiones de menos de GND-V tp, la N-MOS lleva a cabo solo, y de una mayor tensin de V DD -V tn , el
P- MOS lleva a cabo solo.
Los lmites de tensin de esta opcin son la puerta-fuente, la puerta de la fuga y los lmites de drenaje fuente de
tensin tanto para los FETs. Adems, el P-MOS es de dos a tres veces ms ancho que la N-MOS, por lo que el
interruptor ser equilibrado por la velocidad en las dos direcciones.
Tri-circuitos de estado a veces incorpora un interruptor CMOS IC en su salida para proporcionar un bajo hmico,
alcance plena potencia cuando est encendido, y un alto hmico, a nivel de la seal a mediados cuando est apagada.
PRINCIPIO DE OPERACION
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente
entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)
Principio de operacin.
C-MOS FET es la abreviacin de Complementary Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor
Complementary MOS FET MOSFET complementario.
Este circuito es la combinacin de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N.
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductores npnp, cuya
estructura y smbolo se describen en la figuras 12.2.a y 12.2.b. Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar
un tensin positiva entre anodo y catodo se puede observar que la unin J1 y J3 esta polarizada en directa, y la unin
J2 polarizada en inversa. En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el
dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin VBO de ruptura o avalancha
donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la misma manera. En este momento, el
diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.
Para su nombre se escogi las cuatro primeras letras de la palabra TRANSFERENCIA (transference), o paso, y las
seis ltimas de RESISTOR (resistor), que en ingls significa resistencia. Finalmente, el anlisis terico confirma la
posibilidad de realizar optimizaciones adicionales. Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos
electrnicos consisten en general en la simulacin o caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales.
ANALOGIA ENTRE EL TRIODO DE VACIO Y EL TRANSISTOR
El transistor es por todos los conceptos equiparable al tubo de vaco. Para empezar existe una estrecha analoga entre
sus elementos bsicos. As, la placa o nodo del triodo de vaco capta el flujo de electrones, y el colector del transistor
tambin; por consiguiente ambos elementos, es decir, placa y colector, cumplen funciones similares. El ctodo del
tubo emite el flujo de electrones que viaja hasta el nodo, y el emisor del transistor libera los electrones que son
captados luego por el colector; por tanto, el ctodo del tubo y el emisor del transistor cumplen funciones anlogas.
Finalmente en el triodo de vaco la corriente electrnica de placa circula a travs de la rejilla y es gobernada por la
tensin de polarizacin de sta ltima. En el transistor, la corriente electrnica de colector circula a travs de la base y
es gobernada por la tensin de polarizacin aplicada entre emisor y base. Estas profundas analogas (fig. 6.4) permiten
ver fcilmente que el triodo de vaco y el transistor ejecuta funciones similares.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
95
A pesar de sus similitudes el triodo de vaco adolece de ciertos defectos que no tiene el transistor.
Se necesita una corriente a un voltaje bajo para calentar un filamento interior, lo cual implicaba el desperdicio de
energa en forma de calor y la necesidad de disponer de grandes espacios para ventilacin.
Era necesario disponer en su interior varios elementos diferentes, tales como tubos metlicos de materiales
especiales, rejillas de alambre, aislantes de vidrio, etc., lo cual traa consigo la necesidad de fabricar de buen tamao la
ampolleta de vidrio.
Bastante frgil a los golpes y deterioro por vibracin.
La corriente a controlar deba estar a un voltaje muy alto, de 110 voltios en adelante, lo cual era difcil de conseguir
con pilas de linterna.
El gran peso con el que quedaba el aparato fabricado a base de estos tubos lo haca poco prctica.
El objetivo principal de este trabajo ha sido realizar una aportacin al estudio del funcionamiento y de la tecnologa de
fabricacin de transistores bipolares de silicio con emisor de silicio-carbono amorfo depositado mediante PECVD. La
metodologa utilizada ha consistido en adecuar primero un modelo usado para los emisores de polisilicio,
modificndolo con la finalidad de considerar la diferencia entre la energa del gap de la capa depositada y el sustrato
de base.
Se ha fabricado despus una estructura transistor base, caracterizndola y comparando los resultados experimentales
con los tericos. Finalmente se han realizado otras estructuras transistor mejorando el proceso de fabricacin y
consiguiendo mejores prestaciones. As pues, las fases ms importantes de este trabajo son:
- Revisin de los trabajos ms importantes referenciados que tratan sobre la tecnologa de fabricacin de los
transistores bipolares con emisor depositado mediante CVD. Finalmente, el anlisis terico confirma la posibilidad de
realizar optimizaciones adicionales. Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos electrnicos
consisten en general en la simulacin o caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales.
- Repaso de los diferentes modelos propuestos para los emisores de polisilicio, escogiendo y adaptando uno de ellos a
los materiales amorfos con una energa del gap mejor que el silicio cristalino de la base. - Fabricacin de una primera
estructura transistor y caracterizacin de la capa de emisor depositada y del transistor obtenido. - Partiendo de la
interpretacin fsica de funcionamiento de la estructura transistor realizada, se ha variado el proceso de fabricacin
obteniendo nuevas estructuras con mejores factores de mrito.
Esta variacin se ha centrado en el estudio de la difusin de los tomos de impurezas del dopado de emisor hacia la
base y en la disminucin de la resistencia de contacto de emisor utilizando emisores de doble capa. Se han conseguido
as los siguientes resultados: - Obtencin de un modelo que ajusta y explica los resultados experimentales. Los
resultados tericos concluyen que los transistores con emisor de gap ancho tienen potencialmente una mayor
eficiencia de inyeccin que los transistores con emisor de polisilicio. Adems, es necesario un incremento de la
energa del gap slo mayor de 0.2 eV para conseguir que la corriente inyectada a la capa depositada no influya en la
corriente total de base. - Se han fabricado diferentes estructuras transistor que presentan corrientes de base y colector
ideales.
De la caracterizacin de la capa depositada se deduce la posibilidad de realizar despus del depsito un paso trmico a
temperatura moderadas, consiguiendo reordenarla parcialmente, activando las impurezas del dopante y difundindolas
hacia la base. La estructura transistor con emisor de doble capa fabricada, posee un nmero de Gummel del emisor
Ge=210.10 elevado 12 s/cm elevado 4 ms del doble que el referenciado hasta la actualidad y una resistencia de
emisor Re=0.65.10-6 omega.cm
CMOSFET
Complementary metal oxide semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de
circuitos integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo
nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las
corrientes parsitas.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS. Esto incluye
microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Principio de funcionamiento
En un circuito CMOS, la funcin lgica a sintetizar se implementa por duplicado mediante dos circuitos: uno basado
exclusivamente en transistores pMOS (circuito de pull-up), y otro basado exclusivamente en transistores nMOS
(circuito de pull-down). El circuito pMOS es empleado para propagar el valor binario 1 (pull-up), y el circuito nMOS
para propagar el valor binario 0 (pull-down). Vase la figura. Representa una puerta lgica NOT o inversor.
Cuando la entrada es 1, el transistor nMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a tierra (0), el
valor 0 se propaga al drenador y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est
en estado de no conduccin.
Cuando la entrada es 0, el transistor pMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a la
alimentacin (1), el valor 1 se propaga al drenador y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor nMOS,
por el contrario, est en estado de no conduccin.
Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal degradada que
acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0 1, siempre y cuando an est dentro
de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.
Ventajas
La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricacin de circuitos integrados
digitales:
El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los transistores de tipo MOSFET y a
que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno
de los dos estados lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, o lo que es
lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico se encuentra en la regin de corte en
estado estacionario.
Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o degradacin de seal debido a la
impedancia del metal de interconexin.
Los circuitos CMOS son sencillos de disear.
La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de integracin muy altas a un
precio mucho menor que otras tecnologas.
Inconvenientes
Algunos de los inconvenientes son los siguientes:
Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son empleados por duplicado en
parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es comparativamente menor que la de otras familias
lgicas.
Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura CMOS que entra en
conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad debido a la componente
inductiva de la red de alimentacin de los circuitos integrados. El latch-up produce un camino de baja resistencia a la
corriente de alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo. Siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este
riesgo es prcticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos de difusin con
suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente conectado a masa o alimentacin.
Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan a ser comparables a las
corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos).
Historia
La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah,
de Fairchild Semiconductor, a principios de los aos 60. Sin
embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su famosa familia lgica CD4000.
Posteriormente, la introduccin de un bfer y mejoras en el proceso de oxidacin local condujeron a la introduccin de
la serie 4000B, de gran xito debido a su bajo consumo (prcticamente cero, en condiciones estticas) y gran margen
de alimentacin (de 3 a 18 V).
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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RCA tambin fabric LSI en esta tecnologa, como su familia COSMAC de amplia aceptacin en determinados
sectores, a pesar de ser un producto caro, debido a la mayor dificultad de fabricacin frente a dispositivos NMOS.
Pero su taln de Aquiles consista en su reducida velocidad. Cuando se aumenta la frecuencia de reloj, su consumo
sube proporcionalmente, hacindose mayor que el de otras tecnologas. Esto se debe a dos factores:
La capacidad MOS, intrnseca a los transistores MOS, y
la utilizacin de MOS de canal P, ms lentos que los de canal N, por ser la movilidad de los huecos menor que la de
los electrones.
El otro factor negativo era la complejidad que conlleva el fabricar los dos tipos de transistores, que obliga a utilizar un
mayor nmero de mscaras.
Por estos motivos, a comienzos de los 80, algunos autores pronosticaban el final de la tecnologa CMOS, que sera
sustituida por la novedosaI
2
L, entonces prometedora.
Esta fue la situacin durante una dcada, para, en los ochenta, cambia el escenario rpidamente:
Por un lado, las mejoras en los materiales, tcnicas de litografa y fabricacin, permitan reducir el tamao de los
transistores, con lo que la capacidad MOS resultaba cada vez menor.
Por otro, la integracin de dispositivos cada vez ms complejos obligaba a la introduccin de un mayor nmero de
mscaras para asegurar el aislamiento entre transistores, de modo que no era ms difcil la fabricacin de CMOS que
de NMOS.
En este momento empez un eclosin de memorias CMOS, pasando de 256x4 bits de la 5101 a 2kx8 de la 6116 y
8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como consumo reducido y velocidad a sus contrapartidas NMOS.
Tambin los microprocesadores, NMOS hasta la fecha, comenzaron a aparecer en versiones CMOS (80C85, 80C88,
65C02, etc.).
Y aparecieron nuevas familias lgicas, HC y HCT en competencia directa con la TTL-LS, dominadora del sector
digital hasta el momento.
Para entender la velocidad de estos nuevos CMOS, hay que considerar la arquitectura de los circuitos NMOS:
Uso de cargas activas. Esto es, un transistor se polariza con otros transistores y no con resistencias debido al menor
tamao de aquellos. Adems, el transistor MOS funciona fcilmente como fuente de corriente constante. Entonces un
inversor se hace conectando el transistor inversor a la carga activa. Cuando se satura el transistor, drena toda la
corriente de la carga y el nivel da salida baja. Cuando se corta, la carga activa inyecta corriente hasta que el nivel de
salida sube. Y aqu est el compromiso: es deseable una corriente pequea porque reduce la necesidad de superficie en
el silicio (transistores ms pequeos) y la disipacin (menor consumo). Pero las transiciones de nivel bajo a nivel alto
se realizan porque la carga activa carga la capacidad MOS del siguiente transistor, adems de las capacidades parsitas
que existan, por lo que una corriente elevada es mejor, pues se cargan las capacidades rpidamente.
Estructuras de almacenamiento dinmicas. La propia capacidad MOS se puede utilizar para retener la informacin
durante cortos periodos de tiempo. Este medio ahorra transistores frente al biestable esttico. Como la capacidad MOS
es relativamente pequea, en esta aplicacin hay que usar transistores grandes y corrientes reducidas, lo que lleva a un
dispositivo lento.
La tecnologa CMOS mejora estos dos factores:
Elimina la carga activa. La estructura complementaria hace que slo se consuma corriente en las transiciones, de modo
que el transistor de canal P puede aportar la corriente necesaria para cargar rpidamente las capacidades parsitas, con
un transistor de canal N ms pequeo, de modo que la clula resulta ms pequea que su contrapartida en NMOS.
En CMOS se suelen sustituir los registros dinmicos por estticos, debido a que as se puede bajar el reloj hasta cero y
las reducidas dimensiones y bajo consumo de la celda CMOS ya no hacen tan atractivos los registros dinmicos.
Por ltimo, se suelen emplear transistores pequeos, poniendo una celda mayor para la interfaz con las patillas, ya que
las necesidades de corriente son mucho mayores en las lneas de salida del chip.
La disminucin del tamao de los transistores y otras mejoras condujo a nuevas familias CMOS: AC, ACT, ACQ, etc.
Los transistores MOS tambin se emplean en circuitos analgicos, debido a dos caractersticas importantes:
CMOS analgicos
Alta impedancia de entrada
La puerta de un transistor MOS viene a ser un pequeo condensador, por lo que no existe corriente de polarizacin.
Un transistor, para que pueda funcionar, necesita tensin de polarizacin.
Baja resistencia de canal
Un MOS saturado se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la superficie del transistor. Es decir, que si
se le piden corrientes reducidas, la cada de tensin en el transistor llega a ser muy reducida.
Estas caractersticas posibilitan la fabricacin de amplificadores operacionales "Rail-to-Rail", en los que el margen de
la tensin de salida abarca desde la alimentacin negativa a la positiva. Tambin es til en el diseo de reguladores de
tensin lineales y fuentes conmutadas.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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CMOS y bipolar
Se emplean circuitos mixtos bipolares y CMOS tanto en circuitos analgicos como digitales, en un intento de
aprovechar lo mejor de ambas tecnologas. En el mbito analgico destaca la tecnologa BiCMOS, que permite
mantener la velocidad y precisin de los circuitos bipolares, pero con la alta impedancia de entrada y mrgenes de
tensin CMOS. En cuanto a las familias digitales, la idea es cortar las lneas de corriente entre alimentacin y masa de
un circuito bipolar, colocando transistores MOS. Esto debido a que un transistor bipolar se controla por corriente,
mientras que uno MOS, por tensin.
La relevancia de estos inconvenientes es muy baja en el diseo microelectrnico actual.
Problemas
Hay tres problemas principales relacionados con la tecnologa CMOS, aunque no son exclusivos de ella:
Sensibilidad a las cargas estticas
Histricamente, este problema se ha resuelto mediante protecciones en las entradas del circuito. Pueden ser diodos en
inversa conectados a masa y a la alimentacin, que, adems de proteger el dispositivo, reducen
los transitorios o zener conectados a masa. Este ltimo mtodo permite quitar la alimentacin de un slo dispositivo.
Latch-up
Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura cmos que se dispara cuando la salida supera la
alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad cuando existen transitorios por usar lneas largas mal adaptadas,
excesiva impedancia en la alimentacin o alimentacin mal desacoplada. El Latch-Up produce un camino de baja
resistencia a la corriente de alimentacin, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la destruccin del dispositivo. Las
ltimas tecnologas se anuncian como inmunes al latch-up.
Resistencia a la radiacin
El comportamiento de la estructura MOS es sumamente sensible a la existencia de cargas atrapadas en el xido. Una
partcula alfa o beta que atraviese un chip CMOS puede dejar cargas a su paso, cambiando la tensin umbral de los
transistores y deteriorando o inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos" (Hardened),
fabricados habitualmente en silicio sobre aislante (SOI).
Principio de operacin.
C-MOS FET es la abreviacin de Complementary Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor Complementary MOS FET MOSFET complementario.
Este circuito es la combinacin de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N.
Funcionamiento:
- Cuando la entrada tiene un nivel de tensin negativo (L), el MOSFET de canalP conduce y el MOSFET de canal N
no lo hace
- Cuando la entrada tiene un nivel de tensin positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET de canal P
no lo hace
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
99
Se puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una caracterstica importante de este circuitos es
que la corriente de salida, que se puede considerar relativamente alta, es controlada con facilidad.
Cuando la entrada est en nivel bajo (L), la salida est conectada directamente a la fuente de alimentacin a travs del
MOS FET de canal P y se tiene un nivel alto (H).
Cuando la entrada est en nivel alto (H), la salida est conectada directamente a la tierra a travs del MOS FET
de canal N y se tiene un nivel bajo (L).
El nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay inversin de fase).
En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podran no iniciar o dejar la conduccin bajo las
mismas condiciones, esto debido a que la tensin en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene
un valor que va de 1 a 2 voltios.
Esta caracterstica depende de cada MOSFET en particular y es comn observar que la corriente de drenaje de un
MOSFET es cero (MOSFET en corte) an cuando la tensin en la compuerta no lo sea.
Resumen:
La presente invencin proporciona un complemento de metal-xido-semiconductor (CMOS) del dispositivo y un
mtodo de fabricacin del mismo. El dispositivo incluye un canal CMOSFET SiGe compresivo tensas por un
PMOSFET, as como un canal de traccin tensa Si para un NMOSFET, aumentando as el agujero y la movilidad de
electrones para la PMOSFET y NMOSFET, respectivamente. Como tal, los voltajes del umbral de los dos tipos de
transistores se pueden obtener en opuesto simtrico por la puerta de metal nico.
Reclamaciones:
Un mtodo de formar un MOSFET complementario que consiste en un PMOSFET y NMOSFET uno, que comprende:
proporcionar un substrato del semiconductor con las regiones de un PMOSFET y un NMOSFET, formando una tensa
pelcula compresivo que cubre el canal PMOSFET; dielctrico de la puerta capas que forman la regin NMOSFET y
la tensa pelcula compresivo, respectivamente; puerta de electrodos que se forman en las capas del dielctrico de la
puerta; andforming una capa de la tapa que cubre la regin NMOSFET para producir una tensin de traccin en un
canal local de la NMOSFET, en donde la formacin de la tensa pelcula compresivo que cubre la regin PMOSFET
comprende : formacin de una capa amorfa que cubre el substrato del semiconductor incluyendo el PMOSFET y las
regiones NMOSFET; la eliminacin de la capa amorfa que cubre la regin PMOSFET; andforming la tensa pelcula
compresivo que cubre la regin PMOSFET por epitaxia selectiva.
El mtodo segn la reivindicacin 1, que comprende adems la eliminacin de la capa amorfa que cubre el
NMOSFET.
El mtodo segn la reivindicacin 1, en donde la capa amorfa comprende una capa de xido.
El mtodo segn la reivindicacin 1, en donde la capa de la tapa se forma ms que cubre la regin PMOSFET, y ms
dopados con iones de Ge en las posiciones que cubre el PMOSFET, de manera que el canal de la PMOSFET est
sustancialmente libre de un esfuerzo de traccin.
El mtodo segn la reivindicacin 1, en donde la capa de la tapa se forma ms que cubre la regin PMOSFET, y el
mtodo comprende adems la eliminacin de la capa de la tapa que cubre la regin formada PMOSFET.
ANTECEDENTES DE LA INVENCIN
Campo de la invencin
La presente invencin se refiere a la complementariedad de metal-xido-semiconductor (CMOS). Ms concretamente,
se refiere a la combinacin de un canal de SiGe tensas compresivo de un PMOSFET con un tirn a la traccin Si el
canal local de un NMOSFET, de manera que una reduccin de la brecha de banda CMOSFET y la mejora de los
agujeros y la movilidad de los electrones y PMOSFET NMOSFET, respectivamente.
Descripcin del arte relacionado
La densidad de los circuitos integrados (IC) sigue aumentando su tamao y funcin sigue a reducir, mejorar el
rendimiento de los dispositivos IC y la reduccin de los costes de fabricacin. Canal de longitud ms corta hace que
los electrodos de puerta a perder capacidad de control del canal por el efecto de canal corto (SCE). Este problema de la
controlabilidad se puede resolver mediante la reduccin del espesor de la capa de la puerta dielctrica (dixido de
silicio), lo que disminuye la tensin de funcionamiento y aumenta la conduccin actual. Como resultado, la corriente
de fuga se incrementa significativamente con un tnel de efecto directo, y el problema todava existe capacidad de
control.
El espesor de fsica de materiales de alto-k es mucho ms gruesa que la de dixido de silicio en la capacidad
misma. Con materiales de alta-k que acta como un dielctrico capa de la puerta, la elctrica present en el dielctrico
es menor en virtud de un voltaje de polarizacin del mismo, disminuyendo as la corriente de fuga. -K puerta de
dielctricos de alta, por lo tanto considerado como una solucin prometedora para la sustitucin de dixido de silicio
convencionales.
La tecnologa de semiconductores incluye procesos de alta temperatura, tales como la activacin de recocido despus
de implantaciones de iones. En la tcnica convencional, poli-Si ha sido ampliamente utilizado como material de puerta
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
100
debido a su presupuesto trmica y propiedades de interfaz con el dixido de silicio. Cuando IC disminuir las
dimensiones, el poli-Si tiene problemas de agotamiento de poli y resistencia de hoja. En submicron tecnologa
CMOSFET profunda, la introduccin de puertas de metal se ha convertido en un mtodo convencional para la
reduccin de los problemas descritos.
Para disear un CMOSFET de alta velocidad con la prdida de energa, el voltaje umbral de PMOSFET y NMOSFET
tiene que ser opuesto simtrico. Para obtener una funcin de trabajo armonioso de la puerta de metal en un sensor
CMOS, la puerta de metal electrodos-dual o implantacin de iones para ajustar la funcin del trabajo se aplica. El
primero, sin embargo, es un proceso complejo, y la segunda est limitada por la solubilidad slida.
Un mtodo eficaz para reducir la brecha de banda de canal en una puerta de metal workfunction nico, espacio de
banda desplazamiento de tensas y tirantes Si los canales de SiGe se describen en el estndar IEEE EDL, vol. 25-6, pp
402 a 404, titulado "colados-Si-tensas-SiGe de doble canal como la capa de la estructura CMOS de sustrato para un
solo Workfunction puerta de metal y Tecnologa", publicado en junio de 2004. En este mtodo, un compresivo tensas
Si 0 Ge 0,4 0 0,6 capa como un canal de hoyos y una tensa Si la capa de tensin como un canal de electrones se
forman de forma secuencial en una relacin Si 0 Ge 0,7 0 0,3 sustrato virtual, en donde la capa de silicio de un
PMOSFET es ms gruesa que la de la NMOSFET para asegurarse de que el canal de reversin en la capa de SiGe
tensas compresivo. Como se muestra en la figura. 1, a la traccin tensa Si (regin I), compresivo tensas Si 0 0.4
Ge 0 0.6 (II Regin), relajado Si 0 Ge 0,7 0 0,3 tampn (III Regin), y la mayor parte de Si (IV Regin) se utilizan
como canales con energa lagunas diferentes. La traccin Si tensas mejora la movilidad de electrones de manera
significativa en NMOSFET. Sin embargo, la resistencia a la traccin Si tensas mucho no puede mejorar la movilidad
agujero en PMOSFET. Usando compresivo tensas Si 0 0.4 Ge 0 0.6 como un canal hueco puede aumentar la velocidad
de funcionamiento de la PMOSFET. Por lo tanto, el documento citado se aplica el "S" 0 Ge 0,4 0 0,6 y la resistencia a
la traccin-Si tensas como canales de la PMOSFET y NMOSFET, respectivamente, de tal manera que la brecha de
banda efectivo es ms estrecha que la mayor parte del silicio de 0,5 eV (de 1,1 eV a 0,6 eV). Un ideal umbral de
tensin simtrica opuesta de la PMOSFET y NMOSFET se puede obtener por una sola puerta de metal de 4,5 eV
workfunction. Este mtodo requiere un sustrato virtual SiGe que conduce aumento de los costos y el espesor de la
capa delgada de Si la tapa que cubre el ultra-PMOSFET es difcil de controlar.
En la actualidad tirante de ingeniera del canal se compone principalmente de la tensin mundial y la tensin
local. Desventajas de la cepa global incluyen el alto costo, la movilidad del agujero bajo y alta densidad de defectos en
el sustrato virtud SiGe. La desventaja de la cepa local es difcil en el control del proceso.
EE.UU. Pat. N 6.784.507 describe una estructura de CMOSFET y BiCMOSFET, que incluye un PMOSFET tener un
canal de SiGe tensas compresivo, y una NMOSFET tener un canal de silicio. Un canal de SiGe tensas compresivo se
utiliza para mejorar la movilidad del agujero de la PMOSFET, pero la movilidad de los electrones de la NMOSFET no
es mejor.
Una mejora de la mejora de la movilidad por CMOSFET canal tensa con workfunction de metal de una sola puerta y
un mtodo de fabricacin se pide.
BREVE RESUMEN DE LA INVENCIN
Segn la invencin, un mtodo y un dispositivo para la mejora de la movilidad por CMOSFET canal tensa con
workfunction de metal de una sola puerta se proporcionan, en donde un canal PMOSFET es compresivo tensas para
mejorar la movilidad del agujero, y un canal de NMOSFET es elongacin para mejorar la movilidad de electrones.
Un ejemplo de realizacin de la presente invencin utiliza una tensa canal compresiva, para reducir la brecha de
banda.
El mtodo para fabricar una mejora de la movilidad por CMOSFET canal tensa con workfunction puerta de metal
nico de la invencin comprende: proporcionar un substrato del semiconductor se forma con las regiones de un
PMOSFET y NMOSFET uno. Una tensa pelcula se forma compresiva que cubre el canal PMOSFET, y luego capas
dielctricas puerta se forman en la regin NMOSFET y la tensa pelcula compresiva, respectivamente. Electrodos de
la puerta se forman en las capas del dielctrico puerta, y una capa de la tapa se forma cubre la regin NMOSFET para
producir una traccin tensin local en un canal de la NMOSFET.
La mejora de la movilidad por CMOSFET canal tensas, que comprende un substrato del semiconductor con una
regin aislada para definir las regiones de un PMOSFET y NMOSFET uno. Una tensa pelcula es compresiva que
cubre la regin PMOSFET como un canal de la PMOSFET. Un dielctrico capa de la puerta se encuentra en la regin
NMOSFET y la tensa pelcula compresivo, respectivamente. Electrodos de la puerta se encuentran en las capas del
dielctrico de la puerta. Una capa se tapa que cubre la regin NMOSFET para producir una traccin tensin local en
un canal de la NMOSFET.
La presente invencin combina PMOSFET compresivo tensas canal y un canal de traccin NMOSFET tensas. La
tensa canal compresiva mejora la movilidad del agujero PMOSFET, y el esfuerzo de traccin aumenta la movilidad de
los electrones NMOSFET.
La puerta workfunction solo metal de la invencin no slo se utiliza solo, sino tambin con materiales de alta-k.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
101
NANOTECNOLOGIA
La nanotecnologa es un campo de las ciencias aplicadas dedicado al control y manipulacin de la materia a una escala
menor que un micrmetro, es decir, a nivel de tomos y molculas (nano materiales). Lo ms habitual es que tal
manipulacin se produzca en un rango de entre uno y cien nanmetros. Se tiene una idea de lo pequeo que puede ser
un nanobot sabiendo que un nanobot de unos 50 nm tiene el tamao de 5 capas de molculas o tomos -depende de
qu est hecho el nanobot.
Nano es un prefijo griego que indica una medida (10
-9
= 0,000 000 001), no un objeto; de manera que la
nanotecnologa se caracteriza por ser un campo esencialmente multidisciplinar, y cohesionado exclusivamente por la
escala de la materia con la que trabaja.
La palabra "nanotecnologa" es usada extensivamente para definir las ciencias y tcnicas que se aplican a un nivel de
nano escala, esto es unas medidas extremadamente pequeas "nanos" que permiten trabajar y manipular las estructuras
moleculares y sus tomos. En sntesis nos llevara a la posibilidad de fabricar materiales y mquinas a partir del
reordenamiento de tomos y molculas. El desarrollo de esta disciplina se produce a partir de las propuestas de
Richard Feynman (Breve cronologa - historia de la nanotecnologa).
La mejor definicin de Nanotecnologa que hemos encontrado es esta: La nanotecnologa es el estudio, diseo,
creacin, sntesis, manipulacin y aplicacin de materiales, aparatos y sistemas funcionales a travs del control de la
materia a nano escala, y la explotacin de fenmenos y propiedades de la materia a nano escala.
Cuando se manipula la materia a la escala tan minscula de tomos y molculas, demuestra fenmenos y propiedades
totalmente nuevas. Por lo tanto, cientficos utilizan la nanotecnologa para crear materiales, aparatos y sistemas
novedosos y poco costosos con propiedades nicas
Nos interesa, ms que su concepto, lo que representa potencialmente dentro del conjunto de investigaciones y
aplicaciones actuales cuyo propsito es crear nuevas estructuras y productos que tendran un gran impacto en la
industria, la medicina (nano medicina), etc.
Estas nuevas estructuras con precisin atmica, tales como nanotubos de carbn, o
pequeos instrumentos para el interior del cuerpo humano pueden introducirnos en una
nueva era, tal como seala Charles Vest (ex-presidente del MIT). Los avances
nanotecnolgicos protagonizaran de esta forma la sociedad del conocimiento con multitud
de desarrollos con una gran repercusin en su instrumentacin empresarial y social.
La nanociencia est unida en gran medida desde la dcada de los 80 con Drexler y sus aportaciones a la
"nanotecnologa molecular", esto es, la construccin de nano mquinas hechas de tomos y que son capaces de
construir ellas mismas otros componentes moleculares. Desde entonces Eric Drexler (personal webpage), se le
considera uno de los mayores visionarios sobre este tema. Ya en 1986, en su libro "Engines of creation "introdujo las
promesas y peligros de la manipulacin molecular. Actualmente preside el Foresight Institute.
El padre de la "nanociencia", es considerado Richard Feynman, premio Nbel de Fsica,
quin en 1959 propuso fabricar productos en base a un reordenamiento de tomos y
molculas. En 1959, el gran fsico escribi un artculo que analizaba cmo los ordenadores
trabajando con tomos individuales podran consumir poqusima energa y conseguir
velocidades asombrosas.
Existe un gran consenso en que la nanotecnologa nos llevar a una segunda revolucin industrial en el siglo XXI tal
como anunci hace unos aos, Charles Vest (ex-presidente del MIT).
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
102
Supondr numerosos avances para muchas industrias y nuevos materiales con propiedades
extraordinarias (desarrollar materiales ms fuertes que el acero pero con solamente diez
por ciento el peso), nuevas aplicaciones informticas con componentes increblemente
ms rpidos o sensores moleculares capaces de detectar y destruir clulas cancergenas en
las partes ms dedicadas del cuerpo humano como el cerebro, entre otras muchas
aplicaciones.
Podemos decir que muchos progresos de la nanociencia estarn entre los grandes avances
tecnolgicos que cambiarn el mundo.
DEFINICION
La nanotecnologa comprende el estudio, diseo, creacin, sntesis, manipulacin y aplicacin de materiales, aparatos
y sistemas funcionales a travs del control de la materia a nano escala, y la explotacin de fenmenos y propiedades
de la materia a nano escala. Cuando se manipula la materia a escala tan minscula, presenta fenmenos y propiedades
totalmente nuevas. Por lo tanto, los cientficos utilizan la nanotecnologa para crear materiales, aparatos y sistemas
novedosos y poco costosos con propiedades nicas.
HISTORIA
El ganador del premio Nobel de Fsica de 1965, Richard Feynman, fue el primero en hacer referencia a las
posibilidades de la nano ciencia y la nanotecnologa en el clebre discurso que dio en el Caltech (Instituto Tecnolgico
de California) el 29 de diciembre de1959, titulado En el fondo hay espacio de sobra (There's Plenty of Room at the
Bottom).
Otras personas de esta rea fueron Rosalind Franklin, James Dewey Watson y Francis Crick quienes propusieron que
el ADN era la molcula principal que jugaba un papel clave en la regulacin de todos los procesos del organismo,
revelando la importancia de las molculas como determinantes en los procesos de la vida.
Pero estos conocimientos fueron ms all, ya que con esto se pudo modificar la estructura de las molculas, como es el
caso de los polmeros o plsticos que hoy en da encontramos en nuestros hogares. Pero hay que decir que a este tipo
de molculas se les puede considerar grandes.
Hoy en da la medicina tiene ms inters en la investigacin en el mundo microscpico, ya que en l se encuentran
posiblemente las alteraciones estructurales que provocan las enfermedades, y no hay que decir de las ramas de la
medicina que han salido ms beneficiadas como es la microbiologa, inmunologa, fisiologa; han surgido tambin
nuevas ciencias como la Ingeniera Gentica, que ha generado polmicas sobre las repercusiones de procesos como
la clonacin o la eugenesia.
INVERSION
Algunos pases en vas de desarrollo ya destinan importantes recursos a la investigacin en nanotecnologa. La nano
medicina es una de las reas que ms puede contribuir al avance sostenible del Tercer Mundo, proporcionando nuevos
mtodos de diagnstico y cribaje de enfermedades, mejores sistemas para la administracin de frmacos y
herramientas para la monitorizacin de algunos parmetros biolgicos.
Alrededor de cuarenta laboratorios en todo el mundo canalizan grandes cantidades de dinero para la investigacin en
nanotecnologa. Unas trescientas empresas tienen el trmino nano en su nombre, aunque todava hay muy pocos
productos en el mercado.
Algunos gigantes del mundo informtico como IBM, Hewlett-Packard ('HP)' NEC e Intel estn invirtiendo millones
de dlares al ao en el tema. Los gobiernos del llamado Primer Mundo tambin se han tomado el tema muy en serio,
con el claro liderazgo del gobierno estadounidense, que dedica cientos millones de dlares a su National
Nanotechnology Initiative.
En Espaa, los cientficos hablan de nano presupuestos. Pero el inters crece, ya que ha habido algunos congresos
sobre el tema: en Sevilla, en la Fundacin San Telmo, sobre oportunidades de inversin, y en Madrid, con una reunin
entre responsables de centros de nanotecnologa de Francia, Alemania y Reino Unido en la Universidad Autnoma de
Madrid.
Las industrias tradicionales podrn beneficiarse de la nanotecnologa para mejorar su competitividad en sectores
habituales, como textil, alimentacin, calzado, automocin, construccin y salud. Lo que se pretende es que las
empresas pertenecientes a sectores tradicionales incorporen y apliquen la nanotecnologa en sus procesos con el fin de
contribuir a la sostenibilidad del empleo. Actualmente la cifra en uso cotidiano es del 0.2 %. Con la ayuda de
programas de acceso a la nanotecnologa se prev que en 2014 sea del 17 % en el uso y la produccin manufacturera.
La caracterstica fundamental de nanotecnologa es que constituye un ensamblaje interdisciplinar de varios campos de
las ciencias naturales que estn altamente especializados. Por tanto, los fsicos juegan un importante rol no slo en la
construccin del microscopio usado para investigar tales fenmenos sino tambin sobre todas las leyes de la mecnica
cuntica. Alcanzar la estructura del material deseado y las configuraciones de ciertos tomos hacen jugar a la qumica
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
103
un papel importante. En medicina, el desarrollo especfico dirigido a nano partculas promete ayuda al tratamiento de
ciertas enfermedades. Aqu, la ciencia ha alcanzado un punto en el que las fronteras que separan las diferentes
disciplinas han empezado a diluirse, y es precisamente por esa razn por la que la nanotecnologa tambin se refiere a
ser una tecnologa convergente.
Una posible lista de ciencias involucradas sera la siguiente:
Qumica (Moleculares y computacional).
Bioqumica.
Biologa molecular.
Fsica.
Electrnica.
Informtica.
Matemticas.
Medicina.
Nano ingeniera.
La nanotecnologa avanzada, a veces tambin llamada fabricacin molecular, es un trmino dado al concepto
de ingeniera de nano sistemas (mquinas a escala nano mtrica) operando a escala molecular. Se basa en que los
productos manufacturados se realizan a partir de tomos. Las propiedades de estos productos dependen de cmo estn
esos tomos dispuestos. As por ejemplo, si reubicamos los tomos del grafito (compuesto por carbono,
principalmente) de la mina del lpiz podemos hacer diamantes (carbono puro cristalizado). Si reubicamos los tomos
de la arena (compuesta bsicamente por slice) y agregamos algunos elementos extras se hacen los chips de
un ordenador.
A partir de los incontables ejemplos encontrados en la biologa se sabe que miles de millones de aos de
retroalimentacin evolucionada pueden producir mquinas biolgicas sofisticadas y estocsticamente optimizadas. Se
tiene la esperanza que los desarrollos en nanotecnologa harn posible su construccin a travs de algunos significados
ms cortos, quizs usando principios biomimticos. Sin embargo, K. Eric Drexler y otros investigadores han
propuesto que la nanotecnologa avanzada, aunque quiz inicialmente implementada a travs de principios mimticos,
finalmente podra estar basada en los principios de la ingeniera mecnica.
Determinar un conjunto de caminos a seguir para el desarrollo de la nanotecnologa molecular es un objetivo para el
proyecto sobre el mapa de la tecnologa liderado por Instituto Memorial Battelle (el jefe de varios laboratorios
nacionales de EEUU) y del Foresigth Institute. Ese mapa debera estar completado a finales de 2006.
Segn un informe de un grupo de investigadores de la Universidad de Toronto, en Canad, las quince aplicaciones
ms prometedoras de la nanotecnologa son:
[cita requerida]
Almacenamiento, produccin y conversin de energa.
Armamento y sistemas de defensa.
Produccin agrcola.
Tratamiento y remediacin de aguas.
Diagnstico y cribaje de enfermedades.
Sistemas de administracin de frmacos.
Procesamiento de alimentos.
Remediacin de la contaminacin atmosfrica.
Construccin.
Monitorizacin de la salud.
Deteccin y control de plagas.
Control de desnutricin en lugares pobres.
Informtica.
Alimentos transgnicos.
Cambios trmicos moleculares (Nano termologa).
Nanotecnologa aplicada al envasado de alimentos
Una de las aplicaciones de la nanotecnologa en el campo de envases para alimentacin es la aplicacin de materiales
aditivados con nano arcillas, que mejoren las propiedades mecnicas, trmicas, barrera a los gases, entre otras; de los
materiales de envasado. En el caso de mejora de la barrera a los gases, las nano arcillas crean un recorrido tortuoso
para la difusin de las molculas gaseosas, lo cual permite conseguir una barrera similar con espesores inferiores,
reduciendo as los costos asociados a los materiales.
Los procesos de incorporacin de las nano partculas se pueden realizar mediante extrusin o por recubrimiento, y los
parmetros a controlar en el proceso de aditivacin de los materiales son: la dispersin nano partculas, la interaccin
de las nano partculas con la matriz, las agregaciones que puedan tener lugar entre las nano partculas y la cantidad de
nano partculas incorporada.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
104
TIPOS DE NANOTECNOLOGA
- Segn la forma de trabajo la nanotecnologa se divide en:
-
A) Top-down: Reduccin de tamao. Literalmente desde arriba (mayor) hasta abajo (menor). Los mecanismos y
las estructuras se miniaturizan a escala nanomtrica. Este tipo de Nanotecnologa ha sido el ms frecuente hasta la
fecha, ms concretamente en el mbito de la electrnica donde predomina la miniaturizacin.
B) Bottom-Up: Auto ensamblado. Literalmente desde abajo (menor) hasta arriba (mayor). Se comienza con
una estructura nanomtrica como una molcula y mediante un proceso de montaje o auto ensamblado, se crea un
mecanismo mayor que el mecanismo con el que comenzamos. Este enfoque, que algunos consideran como el nico y
"verdadero" enfoque nano tecnolgico, ha de permitir que la materia pueda controlarse de manera extremadamente
precisa. De esta manera podremos liberarnos de las limitaciones de la miniaturizacin, muy presentes en el campo de
la electrnica.
El ltimo paso para la Nanotecnologa de auto montaje de dentro hacia fuera se denomina "Nanotecnologa
molecular" o "fabricacin molecular", y ha sido desarrollada por el investigador K. Eric Drexler. Se prev que las
fbricas moleculares reales sean capaces de crear cualquier material mediante procesos de montaje exponencial de
tomos y molculas, controlados con precisin. Cuando alguien se da cuenta de que la totalidad de nuestro entorno
perceptivo est construida mediante un limitado alfabeto de diferentes constituyentes (tomos) y que este alfabeto da
lugar a creaciones tan diversas como el agua, los diamantes o los huesos, es fcil imaginar el potencial casi ilimitado
que ofrece el montaje molecular.
Algunos partidarios de una visin ms conservadora de la Nanotecnologa ponen en duda la viabilidad de la
fabricacin molecular y de este modo tienen una visin contradictoria a largo plazo con respecto a la teora de Eric
Drexler, el defensor ms conocido de la teora de la fabricacin molecular. Es importante tener en cuenta de alguna
manera esta nota discordante, porque la mayora de los investigadores involucrados piensan que la madurez de la
Nanotecnologa es una evolucin positiva y que la Nanotecnologa mejorar de manera significativa la calidad de la
vida en el planeta (y en el espacio) de la poblacin mundial.
Segn el campo en el que se trabaja la nanotecnologa se divide en:
Nanotecnologa Hmeda
- Esta tecnologa se basa en sistemas biolgicos que existen en un entorno acuoso incluyendo material gentico,
membranas, encimas y otros componentes celulares.
- Tambin se basan en organismos vivientes cuyas formas, funciones y evolucin, son gobernados por las
interacciones de estructuras de escalas nanomtricas.
Nanotecnologa Seca
- Es la tecnologa que se dedica a la fabricacin de estructuras en carbn, Silicio, materiales
inorgnicos, metales y semiconductores.
- Tambin est presente en la electrnica, magnetismo y dispositivos pticos.
- Auto ensamblaje controlado por computadora.
- Es tambin confundida con la micro miniaturizacin.
Nanotecnologa Seca y Humeda
- Las ltimas propuestas tienden a usar una combinacin de la nanotecnologa hmeda y la nanotecnologa seca
- Una cadena de ADN se programa para forzar molculas en reas muy especficas dejando que uniones
covalentes se formen slo en reas muy especficas.
- Las formas resultantes se pueden manipulas para permitir el control posicional y la fabricacin de
nanoestructuras.
Nanotecnologa computacional
- Con esta rama se puede trabajar en el modelado y simulacin de estructuras complejas de escala nanomtrica.
- Se puede manipular tomos utilizando los nanomanipuladores controlados por computadoras.
NANODIAMANTES
El diamante, el material natural ms duro y resistente, se espera que con el uso de la nanotecnologa ample y mejore
sus aplicaciones. As los nanodiamantes podran conducir a la detencin de contaminantes bacterianos en agua y
alimentos; y a producir nanodispositivos electrnicos, que como en el caso de los nanotubos del carbn que estn
siendo desarrollados y estudiados, presenten mayores ventajas que los actuales en silicio. Es decir, ser posible hacer
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
105
diamantes o las pelculas de diamante en diferentes formas y tamaos, asi como tambin mejorar su costo. La
nanotecnologa ha permitido sintetizar pelculas de nanodiamantes con las caractersticas fsicas, qumicas y
biolgicas mejoradas para ser aplicado en reas tecnolgicas muy diferentes.9-12 Estos nanodiamantes crecidos en
diversos substratos tienen una capacidad particular para el estudio electroqumico ofreciendo alta sensibilidad, buena
precisin y alta estabilidad en comparacin con otros materiales como el carbn vtreo y el platino.
Adems de las caractersticas naturales del diamante, tales como alta conductividad trmica, alta dureza e
inercia qumica tambin presenta un amplio intervalo de potencial electroqumico en medios acuosos y no acuosos,
capacitancia muy baja y estabilidad electroqumica extrema. Por otra parte, se desarrollan nuevas superficies que
permiten el fijar compuestos como protenas o molculas ms simples que permitirn obtener mayor afinidad a
lquidos especficos para su estudio mejorando las propiedades biolgicas de dichos materiales. Mientras que todas
estas caractersticas promueven nuevas aplicaciones en campos como el electroanlisis, otras incluyen el uso de estas
pelculas en la fabricacin de los revestimientos duros que poseen coeficiente friccional bajo y caractersticas
excelentes de desgaste,13 dispositivos emisores de electrones11 y cubiertas resistentes a altos impactos.14, 15 La
nanocristalinidad de estas pelculas es el resultado de un nuevo tipo de crecimiento y mecanismos de nucleacin,
dando por resultado un nivel de nucleacin alrededor de 1,010 cm-2s-1; gracias al uso de diversas tcnicas de
deposicin, por ejemplo, del plasma asistido por microondas, descarga a baja presin, plasma inducido por laser,
filamento caliente y otras tcnicas.6 Tpicamente, la mezcla gaseosa usada para la sntesis del diamante
microcristalino o nanocristalinos es formada de hidrgeno y metano.1, 2 Sin embargo, en el logro de nano-pelculas,
se han utilizado otras composiciones formadas de argn, hidrgeno y metano16, 17 o de helio, hidrgeno y metano;9,
10 obteniendo nanodiamantes con caractersticas especficas y con nuevas propiedades; como una mayor
conductividad elctrica, conductividad trmica y mayor rea superficial potencialmente utilizable.
Algunos ejemplos de nanodiamantes pueden ser observados en las figuras 1, 2, 3 y 4; que son fotos
Fig. 1. A) Foto de un soporte carbonoso realizada mediante
microscopa electrnica de barrido (conocido por sus siglas en ingls, SEM.
Fig. 2. B) Foto del soporte de carbono con un depsito de nanodiamantes realizada mediante Microscopa
electrnica de barrido. El depsito de nanodiamantes se realiz con un nivel de drogado en boro de 1018 partes
por cm-3. Reimpreso de Diamond & Related Materials 14 (2005) 1673 1677, con permiso de Elsevier.18
Fig. 3. Imgenes de Microscopa electrnica de barrido del electrodo del diamante/soporte de carbono con un
nivel de drogado con boro de 5000 ppm. (a) Morfologa; (b) Seccin representativa que evidencia la fibra interna
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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NANOTUBOS DE CARBN
DEFINICIN
Los nanotubos de carbono se consideran una gran promesa debido a sus propiedades mecnicas excepcionalmente
fuertes, su habilidad para transportar de modo eficaz altas densidades de corriente elctrica, y otras propiedades
elctricas y qumicas.
Los nanotubos, que son aproximadamente 10.000 veces ms delgados que un cabello humano, pueden fabricarse casi
perfectamente rectos en cmaras especiales de plasma gaseoso. Son las fibras ms fuertes que se conocen. Un solo
nanotubo perfecto es de 10 a 100 veces ms fuerte que el acero por peso de unidad y poseen propiedades elctricas
muy interesantes, conduciendo la corriente elctrica cientos de veces ms eficazmente que los tradicionales cables de
cobre
El grafito (sustancia utilizada en lpices) es formado por tomos de carbono estructurados en forma de panel. Estas
capas tipo-panel se colocan una encima de otra. Una sola capa de grafito es muy estable, fuerte y flexible. Dado que
una capa de grafito es tan estable sola, se adhiere de forma dbil a las capas al lado, Por esto se utiliza en lpices -
porque mientras se escribe, se caen pequeas escamas de grafito.
En fibras de carbono, las capas individuales de grafito son mucho ms grandes que en lpices, y forman una estructura
larga, ondulada y fina, tipo-espiral. Se pueden pegar estas fibras una a otras y formar as una sustancia muy fuerte,
ligera (y cara) utilizada en aviones, raquetas de tenis, bicicletas de carrera etc.
Pero existe otra forma de estructurar las capas que produce un material ms fuerte todava, enrollando la estructura
tipo-panel para que forme un tubo de grafito. Este tubo es un nanotubo de carbono.
Los nanotubos de carbono, adems de ser tremendamente resistentes, poseen propiedades elctricas interesantes. Una
capa de grafito es un semi-metal. Esto quiere decir que tiene propiedades intermedias entre semiconductores (como la
silicona en microchips de ordenador, cuando los electrones se muevan con restricciones) y metales (como
el cobre utilizado en cables cuando los electrones se mueven sin restriccin). Cuando se enrolla una capa de grafito en
un nanotubo, adems de tener que alinearse los tomos de carbono alrededor de la circunferencia del tubo, tambin las
funciones de onda estilo mecnica cuntica de los electrones deben tambin ajustarse. Este ajuste restringe las clases
de funcin de onda que puedan tener los electrones, lo que a su vez afecta el movimiento de stos. Dependiendo de la
forma exacta en la que se enrolla, el nanotubo pueda ser un semiconductor o un metal.
ASPECTOS INNOVADORES DE LOS NANOTUBOS DE CARBONO
El aspecto innovador de los materiales carbonosos de escala nanomtrica, fullerenos y nanotubos, reside en que
renen las siguientes propiedades:
1. Habilidad para trabajar a escala molecular, tomo a tomo. Esto permite crear grandes estructuras con
fundamentalmente nueva organizacin molecular.
2. Son materiales de "base", utilizados para la sntesis de nanoestructuras va auto ensamblado.
3. Propiedades y simetra nicas que determinan sus potenciales aplicaciones en campos que van desde la electrnica,
formacin de compositores, almacenamiento de energa, sensores o biomedicina.
VENTAJAS COMPETITIVAS DE LOS NANOTUBOS DE CARBONO
El campo de la Nanotecnologa, y en particular el de los CNTs es un campo reciente, (fueron descubiertos en 1991),
que puede ofrecer soluciones en campos multisectoriales y multidisciplinares y que tiene importantes implicaciones en
Ciencia y Tecnologa.
Sus extraordinarias propiedades aseguran una revolucin en los modos en que los materiales y productos van a ser
obtenidos, siendo la investigacin a nanoescala de inters para industrias tales como: productoras de cermicas,
metalurga, lminas delgadas, electrnica, materiales magnticos, dispositivos pticos, catalizadores, almacenamiento
de energa y biomedicina.
NANOMEDICINA
GENERALIDADES
En la nanomedicina se han clasificado tres partes principales
para poder atender a una persona: el nanodiagnstico, la liberacin
controlada de frmacos y la medicina regenerativa.
Nanodiagnostico.- El objetivo del nanodiagnostico es de identificar la
aparicin de una enfermedad en sus primeros estadios a nivel celular o
molecular e idealmente al nivel de una slo clula. Para posteriormente dar
un buen tratamiento en base al diagnostico que se le da.
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Liberacin controlada de frmacos.- El objetivo de la liberacin controlada de frmacos como su nombre bien lo
describe, es que una vez dada el diagnostico al paciente, se le suministre el medicamento de tal manera que este llegue
a su destino y recin ah empiece a reaccionar con la zona tratada. Para esto se utiliza tecnologa para que en el
transcurso del medicamento a travs del organismo no se desperdicie el frmaco. Esto ayudara al paciente ya que se le
suministrara menor cantidad de drogas pero que esto no influya en la eficacia del mismo. Liberndose cuando este en
la zona requerida y no antes.
Nanomateriales usados:
Diferentes nanosistemas empleados para la dosificacin controlada de frmacos
Medicina regenerativa.- El objetivo principal de esta rea es el de regenerar o reemplazar los tejidos u organos
afectados, rganos mediante la aplicacin de mtodos procedentes de terapia gnica, terapia celular, dosificacin de
sustancias bioregenerativas e ingeniera tisular.
Nanomateriales usados:
Crecimiento de clulas de fibroblasto sobre un sustrato nanoestructurado,
Pero estos no solo son los nicos materiales para una terapia, ya que hay diversos nanomateriales que cada da se
desarrollan, con el objetivo de darle a la humanidad una mejor calidad de vida.
Nanotubos en terapia gentica
Gracias a los ltimos avances cientficos en la medicina, se han logrado identificar muchos de los genes relacionados
con ciertas enfermedades, y actualmente investigaciones utilizan estos nuevos conocimientos para desarrollar nuevos
tratamientos para dichas enfermedades.
Se cree que se podra reemplazar genes defectuosos o ausentes a travs de la implantacin en clulas humanas desde el
exterior del mismo tipo de gen. Este proceso no resulta sencillo porque, como el ADN no puede traspasar las
membranas clulas, se requiere la ayuda de un transportador. Ejemplos de este tipo de transportador incluyen un virus,
un lisosoma o pptido especial. Un equipo europeo de investigadores ha desarrollado un nuevo mtodopara introducir
el ADN en clulas de mamferos a travs de nanotubos de carbn modificados.
Los nanotubos de carbn son estructuras diminutas con forma de aguja y fabricados con tomos de carbn.
Para utilizar nanotubos como transportador de genes, era necesario modificarlos. El equipo de investigadores logr
enlazar al exterior de los nanotubos de carbn varias cadenas hechas de tomos de carbn y oxgeno cuyo lateral
consiste en un grupo de aminos cargados positivamente ( NH3+). Esta pequea alteracin hace que los nanotubos
sean solubles. Adems, los grupos cargados positivamente atraen a los grupos de fosfatos cargados negativamente en
el esqueleto del ADN. Al utilizar estas fuerzas electrostticas atractivas, los cientficos lograron fijar de forma slida
plsmidos al exterior de de los nanotubos. Luego contactaron los hbridos de nanotubo-ADN con su cultivo celular de
clulas de mamfero.
El resultado fue que los nanotubos de carbn, junto con su cargamento de ADN, entraron dentro de la clula.
Imgenes de microscopio electrnico mostraron la forma en la que los nanotubos penetraron la membrana celular.
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Los nanotubos no daan a las clulas porque, a diferencia de los anteriores sistemas de transporte gentica, no
desestabilizan la membrana al penetrarla. Una vez dentro de la clula, los genes resultaron ser funcionales. El uso de
nanotubos de carbn como transportador no se limitar al trasplante de genes. Nuevos avances cientficos lograrn que
sea posible el transporte de medicamentos y el desarrollo de otras nuevas tcnicas mdicas.
NANOTUBOS EN LA MEDICINA
Segn los resultados de una investigacin llevada a cabo por un equipo de cientficos de la Universidad de California,
la fuerza, flexibilidad y poco peso de nanotubos de carbn hace que podran servir como andamios capaces de
suportar a los huesos y ayudar a vctimas de osteoporosis y huesos rotos.
Los cientficos describen su descubrimiento en un artculo publicado por la revista Chemistry of Materials de la
American Chemical Society. Los resultados podran suponer mayor flexibilidad y fuerza de huesos artificiales y
prtesis, adems de avances en el tratamiento de la enfermedad osteoporosis.
Segn el director de la revista, la investigacin es importante porque indica un posible camino para la aplicacin de
nanotubos de carbn en el tratamiento mdico de huesos rotos.
Actualmente, las estructuras de hueso artificial se fabrican utilizando una gran variedad de materiales, tales como
polmeros o fibras de pptido, pero tienen la desventaja de carecer de fuerza y el riesgo de ser rechazados por
el cuerpo humano. Sin embargo, los nanotubos de carbn son excepcionalmente fuertes, y existe menos posibilidad de
rechazo por su carcter orgnico.
El tejido seo es un compuesto natural de fibras de colgeno y hidroxiapatita cristalina, un mineral basado en fosfato
de calcio. Los investigadores han demostrado que los nanotubos de carbn pueden imitar la funcin de colgeno y
actuar como un andamio para inducir el crecimiento de cristales de hidroxiapatita. Al tratar los nanotubos
qumicamente, es posible atraer iones de calcio lo que fomenta el proceso de cristalizacin y mejora la
biocompatibilidad de los nanotubos al aumentar su hidrosolubilidad.
NANOROBOTS EN LA MEDICINA
Definicin
Aunque todava no se han fabricado nanorobots, existen mltiples diseos de stos, incluso no pueden ser del todo
robots es decir pueden hasta ser modificaciones de clulas normales llamadas tambin clulas artificiales. Las
caractersticas que stos deben de cumplir, entre las que se pueden mencionar:
Tamao
Como el nombre lo indica, los nanorobots deben de tener un tamao sumamente pequeo, alrededor de 0.5-3 micras (
1micra=1*10-6) ms pequeos que los hemates (alrededor de 8 micras.
Componentes
El tamao de los engranes o los componentes que podra tener el nanorobot seria de 1-100 nanmetros (1nm=1*10-9)
y los materiales variara de diamante como cubierta protectora, hasta elementos como nitrgeno, hidrgeno, oxigeno,
fluoruro, silicn utilizados quizs para los engranes
Nanorobots inmunolgicos
El sistema inmune de nuestro cuerpo es el encargado de proporcionar defensas contra agentes extraos o nocivos para
nuestro cuerpo, pero como todos los sistemas ste siempre no puede con todo. Entre estas deficiencias se encuentra
que muchas veces no responde (como es el caso con el SIDA) u otras veces sobreresponde (en el caso de
enfermedades autoinmunitarias). Cabe decir que los nanorobots estarn diseados para no provocar una respuesta
inmune, quizs las medidas que tienen estos bastaran para no ser detectados por el sistema inmune. La solucin que
ofrece la nanomedicina es proporcionar dosis de nanorobots para una enfermedad especfica y la subsecuente
reparacin de los tejidos daados, substituyendo en medida a las propias defensas naturales del organismo.
Nanorobots en la piel
Parece que con billones de nanorobots que se implantan en el cuerpo humano y que
recopilan informacin del estado de todo nuestro cuerpo, rganos, msculos,
huesos, corazn, etc. para disponer de mucha informacin y poder hacer
un anlisis en tiempo real de alto nivel.
Como nos citan en Xataka: "Para mostrar el anlisis, algunos de estos nanorobots se
colocaran sobre la mano o el antebrazo, a unas 200 o 300 micras por debajo de la piel, y
alimentndose a partir de la glucosa y el oxgeno de nuestro propio cuerpo (menudos
parsitos) formaran un pequeo rectngulo de unos 56 centmetros. podran lucir en
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diversos colores gracias a una especie de diodos que vendran integrados con los nanorobots, pero cuando se
"apagasen" la piel volvera a lucir su color normal."
Freitas ha diseado tambin los microbvoros, fagotitos mecnicos concebidos para destruir cualquier microbio de
nuestro torrente sanguneo. Utilizando un protocolo digestivo y de descargas actuarn, segn estima su creador, hasta
1000 veces ms rpido que las defensas naturales.
TRATAMIENTO CONTRA EL CNCER
Generalidades
El equipo de Nanospectra ha logrado desarrollar nanopartculas de cristal baadas en oro capaces de invadir un tumor
y, cuando se calientan a travs de un sistema remoto, capaces de destruirlo.
La clave del alto grado de efectividad de este nuevo avance se deriva de las dimensiones de las partculas. Las
nanopartculas tienen un dimetro de 150 nanmetros, que segn el equipo de Nanoespectra, es el tamao ideal para
que puedan atravesar los vasos sanguneos agujereados de un tumor. Esto podra permitir que las partculas se
acumulasen en el tumor ms que en otros tejidos. Cuando se dirigen rayos de luz infrarrojos a la localizacin del
tumor, bien desde el exterior, o bien a travs de una sonda, las partculas absorben la luz y se calientan. El resultado es
que los tumores se calientan ms que los otros tejidos alrededor, y se mueren.
En el primer estudio realizado por la empresa, los tumores en ratones injertados
con las nanopartculas desaparecieron a los seis das despus de aplicarles el
tratamiento de los rayos infrarrojos.
Aunque la aplicacin de rayos infrarrojos de luz ha sido utilizada en el campo de la
medicina como una herramienta para mostrar imgenes, este nuevo avance
cientfico supone la primera vez que se aplican rayos infrarrojos para calentar a los
tejidos.
En teora, este nuevo avance tecnolgico podra ayudar a eliminar aquellos
tumores que caracterizan el cncer de pecho, prstata y pulmn. La nanotecnologa
se sumara as a otros tratamientos contra los cnceres ms convencionales como la
quimioterapia y la radioterapia. Y, segn el presidente de Nanospectra Donald
Payne, este nuevo mtodo sera una "herramienta mucho menos txica para la caja
de herramientas de los cirujanos".
En la afeccin de mamas
Investigadores de la Universidad de Cambridge identificaron cuatro genes responsables del desarrollo del cncer de
mama. Un equipo de investigacin sobre cncer de esta universidad utiliz una moderna tecnologa, llamada de
micromatriz del ADN, que consiste en unos microchips capaces de estudiar la actividad de cientos de genes al mismo
tiempo.
Fuentes del equipo investigador informaron de que, antes de que se completara el mapa gentico humano, esta
investigacin habra requerido aos, puesto que slo se poda estudiar un gen al tiempo.
La identificacin de los genes causantes del cncer de mama es vital para encontrar nuevas y mejores formas de
combatir la enfermedad.
Los cientficos examinaron tejidos de 53 tumores as como clulas de cncer de mama creadas en laboratorio, y
concentraron la bsqueda en un grupo concreto de genes del cromosoma ocho, implicados en el desarrollo del cncer.
A continuacin utilizaron la tcnica de micromatriz del ADN para averiguar cules de entre los centenares de genes
parecan estar implicados de forma activa en el desarrollo de los tumores.
De este modo identificaron los genes FLJ14299, C8orf2, BRF2 y RAB11FIP.
Carlos Caldas, responsable de la investigacin, explic que el resultado "no es slo un avance apasionante para
comprender cmo se desarrolla el cncer de mama, sino que anuncia una nueva era revolucionaria en el
descubrimiento de genes relacionados con la enfermedad".
Tambin anunci que "el prximo paso ser observar la funcin de estos genes para ver qu papel juegan en el cncer
de mama". Una de cada nueve mujeres en todo el mundo desarrolla cncer de mama a lo largo de su vida.
EN LOS FRMACOS
Capsulas que Navegan por la Sangre
El matrimonio entre medicina y nanotecnologa se est convirtiendo en una pesadilla para el cncer. El combate de la
enfermedad a escala molecular permite detectar precozmente la enfermedad, identificar y atacar de forma ms
especfica a las clulas cancergenas. Por eso, el Instituto Nacional del Cncer de Estados Unidos (NCI) ha puesto en
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marcha la "Alianza para la nanotecnologa en el cncer", un plan que incluye el desarrollo y creacin de instrumentos
en miniatura para la deteccin precoz.
En la administracin de medicamentos, las nuevas tcnicas son ya un hecho. "Los nanosistemas de liberacin de
frmacos actan como transportadores de frmacos a travs del organismo, aportando a estos una mayor estabilidad
frente a la degradacin, y facilitando su difusin a travs de las barreras biolgicas y, por lo tanto el acceso a las
clulas diana", explica Mara Jos Alonso, investigadora de la Universidad de Santiago de Compostela, que trabaja en
esta lnea desde 1987. En el tratamiento del cncer, asegura, "estos nanosistemas facilitan el acceso a las clulas
tumorales y reducen la acumulacin del frmaco en las clulas sanas y, por tanto, reducen los efectos txicos de los
antitumorales".
Desde Estados Unidos, el nanotecnolgo James Baker ha desarrollado otra
alternativa basada en unas molculas artificiales conocidas como dendrmeros. Se
trata de estructuras tridimensionales ramificadas que pueden disearse a escala
nanomtrica con extraordinaria precisin. Los dendrmeros cuentan con varios
extremos libres, en los que se pueden acoplar y ser transportadas molculas de
distinta naturaleza, desde agentes teraputicos hasta molculas fluorescentes. En su
estudio, Baker aplic una poderosa medicina contra el cncer, metotrexato, a
algunas ramas del dendrmero. En otras, incorpor agentes fluorescentes, as como
cido flico o folato, una vitamina necesaria para el funcionamiento celular. "Es
como un caballo de Troya. Las molculas del folato en la nanopartcula se aferran a
los receptores de las membranas celulares y stas piensan que estn recibiendo la
vitamina. Al permitir que el folato traspase la membrana, la clula tambin recibe el
frmaco que la envenena", seal el investigador.
EN CUANTO A LOS LABORATORIOS
Laboratorios en un Chip
Las enfermedades infecciosas son otro de los grandes objetivos de la medicina actual. Por eso, la profesora Alonso y
su equipo han desarrollado tambin nanopartculas que permiten administrar, en forma de simples gotas nasales,
algunas vacunas que hasta ahora deban inyectarse. Su eficacia ha sido demostrada, hasta el momento, para
las vacunas anti-tetnica y anti-diftrica.
"Recientemente, hemos propuesto estas tecnologas al concurso de ideas promovido por la Fundacin Bill & Melinda
Gates para resolver los grandes problemas de salud del tercer mundo", aade la investigadora. "Nuestra idea para
administrar de esta forma la vacuna de la Hepatitis B fue una de las seleccionadas de un total de 1.500 presentadas".
No menos importante es la batalla que en estos momentos se libra en todo el mundo contra la diabetes, y en la que la
nanotecnologa tiene mucho que decir. Las nanopartculas desarrolladas por Alonso y su equipo estn siendo
utilizadas en experimentos en la clnica para estudiar su uso como vehculos para administrar insulina por va oral,
nasal o pulmonar. Por su parte, la doctora Tejal Desai, profesora de bioingeniera en Boston, ha creado un dispositivo
que puede ser inyectado en el torrente sanguneo y actuar como pncreas artificial, liberando insulina. La tcnica
desarrollada por esta investigadora consiste en encapsular clulas que producen la insulina en contenedores con
paredes con nanoporos, que por su tamao slo pueden ser atravesados por molculas como el oxgeno, la glucosa o la
insulina. De esta forma, las paredes de la cpsula impiden que estas clulas productoras de insulina sean reconocidas
como extraas por los anticuerpos, mientras que los poros permiten la liberacin de la insulina y la entrada de
nutrientes, como azcares y nutrientes. La innovadora tcnica tiene potencial para la cura de otras enfermedades tales
como la enfermedad de Parkinson, por medio de la liberacin de dopamina en el cerebro, o el Alzheimer.
Afinar el Diagnstico
Si las terapias estn experimentando cambios drsticos, el diagnstico no se queda atrs. De la mano de la
nanotecnologa nos adentramos en la era del diagnstico molecular, sofisticado y preciso, que hace posible identificar
enfermedades genticas, infecciosas o incluso pequeas alteraciones de protenas de forma precoz.
No en vano, esta disciplina ha contribuido a la creacin de biochips, que
permiten la obtencin de grandes cantidades de informacin trabajando a
una escala muy pequea. Con los biochips a nanoescala es posible
conseguir en poco tiempo abundante informacin gentica tanto
del individuo como del agente patgeno-, que permitir elaborar vacunas,
medir las resistencias de las cepas de la tuberculosis a los antibiticos o
identificar las mutaciones que experimentan algunos genes y que
desempean un papel destacado en ciertas enfermedades tumorales, como
el gen p53 en los cnceres de colon y de mama.
El desarrollo de sensores a escala molecular parece no tener lmites.
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Hace poco, un equipo de cientficos de la Universidad de Harvard descubra que se pueden utilizar hilos ultrafinos de
silicio para detectar la presencia de virus individuales, en tiempo real y con una gran precisin. Charles M. Lieber,
profesor de Qumica en Harvard y coautor del descubrimiento, asegura que las posibilidades de estos detectores, que
pueden ser ordenados en matrices capaces de detectar literalmente miles de virus diferentes, "podran introducirnos en
una nueva era en materia de diagnsticos, seguridad biolgica y respuestas a brotes vricos". En el ambiente clnico, la
extremada sensibilidad de las matrices de nanohilos permitira detectar infecciones virales en sus primeros estadios,
cuando el sistema inmunolgico an es incapaz de actuar.
LA PRIMERA NANOVLVULA
Se ha fabricado la primera nanovlvula que puede abrirse y cerrarse a voluntad para atrapar o liberar molculas. Entre
sus incontables aplicaciones, una sera el suministro de frmacos con la mxima precisin posible.
El desarrollo del dispositivo, fruto de la labor de qumicos de la Universidad de California en Los Angeles (UCLA),
ha sido financiado por la National Science Foundation.
La nanovlvula es un sistema mecnico que podemos controlar a voluntad, como lo haramos con un grifo. Atrapar la
molcula en su interior y cerrar la vlvula hermticamente constituy sin embargo un desafo. Las
primeras vlvulas producidas por los investigadores "goteaban" ligeramente.
La nanovlvula consiste en partes mviles adheridas a una pieza diminuta de cristal (slice porosa) que mide
aproximadamente 500 nanmetros y cuyas dimensiones los investigadores tratan de reducir en la actualidad. Los
poros diminutos en el cristal tienen dimensiones de slo unos pocos nanmetros.
La vlvula se disea para que un extremo se adhiera a la apertura del agujero que se bloquear y desbloquear, y el
otro extremo tiene las molculas cuyos componentes mviles bloquean el agujero en la posicin hacia abajo y lo abren
en la posicin hacia arriba. Los investigadores usaron energa qumica involucrando a un solo electrn como
suministro energtico para abrir y cerrar la vlvula, y una molcula luminiscente que les permite decir por la luz
emitida si la molcula se encuentra atrapada o se ha liberado.
Las molculas que trabajan como partes mviles son molculas compuestas de una "pesa" con dos posiciones, entre
las cuales un componente en forma de anillo puede moverse hacia delante y hacia atrs de modo lineal. Estas partes
mviles tambin pueden ser usadas en electrnica molecular.
Lo esencial es que se puede tomar una molcula bioestable que se comporte como un interruptor en un dispositivo
electrnico basado en silicio, y fabricarla de modo diferente para que trabaje como parte de una nanovlvula en slice
porosa. Ello muestra que tales pequeas piezas de maquinaria molecular son muy adaptables y llenas de recursos, y
que los nanoingenieros pueden moverse por el nanomundo con el mismo juego de herramientas moleculares y
adaptarlas a las diferentes necesidades, segn la demanda.
LA NANOTECNOLOGA EN LA INSUFICIENCIA RENAL
Segn un artculo en la revista Medical News Today, un equipo de cientficos ha
utilizado nanotecnologa para desarrollar un filtro de nefronas para humanos (HNF)
que podra hacer posible la fabricacin de riones artificiales para su implantacin
en personas con insuficiencia renal sustituyendo terapias convencionales como la
implantacin de riones de donantes as como los mtodos de dilisis
convencionales.
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El filtro HNF sera la primera aplicacin hacia el eventual desarrollo de una nueva terapia de implantacin renal para
pacientes en la ltima fase de insuficiencia renal crnica.
El filtro HNF utiliza un sistema nico creado mediante nanotecnologa aplicada. En el aparato ideal para terapia de
reemplazo renal (RRT), esta tecnologa se usara para copiar el funcionamiento de riones naturales, operando sin
parar y de acuerdo con las necesidades particulares de cada paciente. Funcionando 12 horas diarias 7 das de la
semana, la tasa de filtracin del filtro HNF es dos veces la de hemodilisis convencional que se administra tres veces a
la semana.
Segn los investigadores, el sistema HNF, al eliminar el dialisate y utilizar un sistema de membrana innovador,
supone un gran avance en el campo de terapias de reemplazo de rin basadas en el funcionamiento de riones
nativos. La mejor tasa de eliminacin adems del diseo funcional que permite insertarlo sin problemas debera
contribuir a una mejora en la calidad de la vida de pacientes con insuficiencia renal crnica.
Los cientficos pretenden iniciar las primeras pruebas con animales dentro de 1-2 aos para luego pasar a la
organizacin de pruebas clnicas.
LA NANOTECNOLOGA EN LA NEUROCIENCIA
Un equipo de cientficos del MIT y de las universidades de Nueva York y Tokio ha demostrado cmo se podra entrar
en el crneo y llegar al cerebro a travs de la conexin de una red de nanocables de polmero a vasos sanguneos en el
cuello.
Hoy en da los mtodos quirrgicos modernos para implantar aparatos electrnicos que sirvan para estimular el
corazn y corregir ritmos cardacos anormales se han convertido en rutina. Pero llegar al cerebro de la misma manera,
sin destrozar las neuronas en el proceso, plantea mucha ms dificultad.
Aunque ltimas tcnicas permiten la instalacin de electrodos en el cerebro para restaurar
sentidos como la vista o el odo, frenar los temblores de la enfermedad de Parksinson, el
mtodo utilizado, es decir romper el crneo, daa tejidos cerebrales sanos, crea un riesgo de
infeccin y deja cables que sobresalen de su cabeza. Y a lo largo del tiempo, se desarrolla
tejidos de cicatriz alrededor de los electrodos, aislndoles del tejido cerebral activo.
Pero a travs de un trabajo de investigacin publicado en The Journal of Nanoparticle
Research, el citado equipo de cientficos propone un nuevo procedimiento para llegar al
cerebro sin tocar el crneo. Se trata de un mtodo para conectar los electrodos a pequeas
agrupaciones de clulas cerebrales (o incluso neuronas individuales), utilizando el sistema
cardiovascular como el conducto por el que se hilan los nanocables.
Los investigadores estiman que dentro de aproximadamente una dcada, ser posible insertar un catter en una gran
arteria y dirigirlo por el sistema circulatorio hasta el cerebro. Una vez llegue a su destino, un conjunto de nanocables
se extenderan en un "ramo" con millones de diminutas sondas que podran utilizar los 25.000 metros de capilares del
cerebro como una va para llegar a destinos especficos dentro del cerebro.
En sus experimentos los cientficos maniobraron nanocables de platino a travs de los vasos sanguneos en muestras
de tejido humano y detectaron la actividad elctrica de las clulas cerebrales activas colocadas al lado del tejido.
Paralelamente crearon programas y soportes informticos que podran funcionar como un tipo de conversin de
analgico a digital, convirtiendo seales emitidas por el cerebro en seales digitales y viceversa.
Desde entonces, los investigadores centran sus esfuerzos en cmo crear un conector suficientemente pequeo en una
punta para llegar a cualquier neurona sin obstruir el flujo sanguneo, pero suficientemente grande en la otra punta para
conectar con instrumentos con el fin de grabar o enviar pulsos elctricos. La solucin que ha encontrado el equipo ha
sido sustituir los nanocables de platino por nanocables de polmeros, que adems de ser mucho ms baratos, pueden
ser convertidos en cables mucho ms finos y flexibles.
Actualmente los cientficos investigan un proceso que permita la fabricacin de nanocables de polmero que miden tan
solo 100 nm. Creen que un nanocable de este tipo podra ser "dirigible" y que se le podra guiar por uno de los vasos
sanguneos menores que salen de los ms grandes. Otra ventaja de este tipo de cables de polmero es que son
biodegradables as que podran ser utilizados para estudios cortos o diagnsticos, porque luego se descompondran.
EUROPA APUESTA POR LA NANOMEDICINA
La tecnologa que acta en la escala de lo minsculo ha llegado a la medicina, con aplicaciones tan espectaculares
como nanopartculas para llevar frmacos donde se necesitan o nuevos materiales capaces de comunicarse con las
clulas e inducir la regeneracin de los tejidos. Los cientficos avanzan en este campo y tienden una mano a
la industria.
Una protena mide unas diez millonsimas de milmetro, o nanmetros; un virus medio, cien nanmetros; el ncleo de
una clula humana, mil nanmetros. Son dimensiones hasta hace poco slo accesibles con unas pocas tcnicas
complejas, pero la nanotecnologa ya permite manipular directamente la materia a esas escalas, y eso ha disparado la
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creatividad de los investigadores, por ejemplo, en el rea de la medicina. La UE apuesta tan fuerte por esta visin que
considera la nanomedicina un rea de investigacin prioritaria y se esfuerza en atraer a ella a la industria.
se fue el objetivo principal del congreso Euronanofrum sobre nanomedicina celebrado en Edimburgo (Reino
Unido), patrocinado por la Comisin Europea. La nanotecnologa es una macrorea de investigacin calificada de
estratgica que recibe 1.300 millones de euros del actual Programa Marco de Investigacin europeo (casi el 7,5% del
total). Pero dos fantasmas amenazan el xito de la inversin: la an escasa implicacin del sector privado europeo en
I+D en nanotecnologa y la posibilidad de que el pblico rechace los productos nano, como pas con los transgnicos.
Los organizadores del Euronanofrum lo dejaron claro. "Europa destina a nanotecnologa ms fondos pblicos que
Estados Unidos, pero ellos invierten ms en total, por la aportacin privada. Por tanto, aqu hemos venido a vender a
la industria que esto es una buena inversin. Esto es por donde va la medicina del futuro", dijo Octavi Quintana,
director de Salud de la Direccin General de Investigacin de la Comisin Europea. Con o sin industria, los
investigadores europeos s parecen estar en la onda nano. "El ao pasado, todas las palabras eran con omics -
genmica, protemica, pero ahora el prefijo de moda es nano", dijo Shimshon Belkin, de la Universidad Hebrea de
Jerusaln. La nanomedicina augura mejoras en tres reas: diagnstico, tratamiento y medicina regenerativa.
En el diagnstico, el acceso al mundo a escalas de millonsimas de milmetro debera permitir detectar la enfermedad
en los estadios ms tempranos posibles, idealmente al nivel de una sola clula. En esa lnea -aunque an lejos de ese
sueo-, una idea ya bastante avanzada es desarrollar chip-laboratorios, pequeos dispositivos capaces de albergar
numerosos sensores distintos, tiles para varias pruebas diagnsticas a la vez. La versin futurista de
estos biochips son las pastillas-laboratorio, que el paciente ingiere para que vaya transmitiendo datos a medida que
avanza por el organismo.
Tambin para diagnstico, Belkin expuso en Edimburgo su trabajo en biosensores con
clulas vivas, modificadas genticamente para detectar la presencia de numerosos
compuestos -toxinas, contaminantes o venenos- y alertar de su presencia, por ejemplo, con
fluorescencia. Y en la red de excelencia europea Nano2Life, formada por 23 institutos de
12 pases y dirigida sobre todo a la tercera edad, se persigue el desarrollo de nanosensores
que se llevan puestos. "Los resultados podrn leerse desde la clnica, para tener controlado
al paciente mientras ste hace su vida normal", explic Patrick Boisseau, de CEA-Leti
en Francia.
Stephan W. Hell, del instituto Max Planck para Biofsica Qumica en Gottingem
(Alemania), present un microscopio ptico cuya capacidad para distinguir detalles, la
resolucin, no est limitada por la propia longitud de onda de la luz visible. Contradice as
una ley fsica formulada en el siglo XIX y nunca cuestionada hasta ahora. La tcnica de
Hellutiliza muestras previamente preparadas que sean fluorescentes; detectar esta fluorescencia tras iluminar la
muestra es lo que permite aumentar la resolucin del microscopio hasta unos sesenta nanmetros, cuando lo mximo
con otras tcnicas pticas es de 200 nanmetros.
El objetivo de las terapias con nanomedicina tambin es, como en el
diagnstico, mxima precisin: "Queremos que los medicamentos lleguen
slo a las clulas afectadas, porque cuanto ms focalizado es el
tratamiento, ms efectivo es y con menos efectos secundarios", asegura
Quintana.
En el congreso hubo novedades muy avanzadas. Desde partculas
cristalinas recubiertas de biomolculas, pensadas para administrar
frmacos por inhalacin, hasta aqullas cuya accin teraputica puede ser
activada externamente -por campos magnticos, lser, rayos X o
incluso ondas acsticas-, o las que se inyectan en un tumor, por ejemplo, y
liberan el frmaco poco a poco. Jackie Y. Ying, del Instituto de Bioingeniera y Nanotecnologa de Singapur, present
nanopartculas que descargan insulina en funcin de los niveles de azcar en sangre del paciente, que pueden detectar.
Pero los objetivos son ambiciosos, y los avances, lentos. An queda mucho para que estas estructuras funcionen
realmente como esa aorada bala mgica -o misil inteligente- que destruye selectivamente clulas tumorales, por
ejemplo. No est resultando fcil conseguir que las nanopartculas reconozcan sus clulas de destino, ni que aprendan
a sortear las propias clulas defensivas del organismo. Adems, "la citotoxicidad de las nanopartculas o de sus
productos de degradacin sigue siendo un problema fundamental", seal Costas Kiparissides, director del Instituto de
Investigacin en Ingeniera de Procesos Qumicos en Tesalnica, Grecia.
En cuanto a la medicina regenerativa, no puede avanzar sin nuevos nanomateriales que sirvan de soporte a las clulas
y tejidos en crecimiento. "La ingeniera de tejidos pasa por colonizar un molde o matriz hecha de un material poroso,
biodegradable, con clulas donadas, que proliferan y simulan lo que ocurre naturalmente en los tejidos", explic
Alessandra Pavesio, de la empresa italiana Fidia Advances Biopolymers.
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Estos moldes colonizados se implantan en el paciente y con el tiempo son reemplazados por tejido normal, con vasos
y nervios. Se buscan, pues, materiales porosos que permitan la difusin de lquidos y faciliten la vascularizacin
rpida del nuevo tejido implantado. Este enfoque ya se usa hoy en la clnica con piel, cartlago y hueso, pero se quiere
mejorar recurriendo, entre otras cosas, a clulas madre adultas del paciente como fuente de clulas, y a molculas que
induzcan a la regeneracin.
Pero para 2020 se aspira a algo ms complejo, como explica Josep Planell, director del Centro de Referencia de
Bioingeniera de Catalua: "Queremos llegar a la ingeniera de tejidos sin clulas, es decir, implantar material que
lleve los elementos de sealizacin biolgica naturales que inducen al tejido a regenerarse".
Los organizadores del congreso pusieron mucho nfasis en transmitir seguridad. Hay evidencias de que algunas
nanopartculas provocan daos neurolgicos en animales, y tambin de que pueden comportarse como los asbestos,
cancergenos. La idea de que haya nanopartculas dispersas de forma incontrolada en el ambiente ha
generado debate en algunos pases. Para analizar el problema, el VI Programa Marco financia el proyecto Nanosafe.
NANOTECNOLOGA BASADA EN EL ADN
La nanotecnologa comprende bsicamente un conjunto de tcnicas con aplicaciones potenciales en la mayora de los
sectores industriales existentes en la actualidad, y con el potencial de ayudar a crear nuevas industrias. Estas tcnicas
comparten el objetivo de hacer cosas cada vez ms pequeas, ms pequeas de hecho que los lmites fsicos
establecidos en los microchips (100 nanometros, o 100 millonsimas de un milmetro) aunque ms grandes,
naturalmente, que el tomo individual (0,1 nanometros). A menudo se distinguen dos enfoques: la miniaturizacin de
arriba a abajo de microtecnologas y la construccin controlada de abajo a arriba de materiales y dispositivos a partir
de tomos y molculas individuales.
La nanotecnologa puede utilizarse para investigacin en ciencia de los
materiales, fsica, qumica, biologa y medicina. Adems, a veces se considera
como una opcin futura para el desarrollo, o incluso en ciertos casos ya en uso,
en I&D en materiales y produccin industrial (tecnologa de ultra precisin),
catlisis, electrnica, productos farmacuticos (frmacos inteligentes),
tecnologas biomdicas, (rganos artificiales), energa (nuevos materiales
fotovoltaicos, bateras) y deteccin ambiental. Algunos productos estn ya o
van a estar prximamente en el mercado. Estos productos son principalmente
nuevos materiales nanoestructurado e instrumentos y tcnicas para su
fabricacin. Los ejemplos incluyen lseres en reproductores de CD, espejos y
lentes de alta calidad e incluso lpices de labios.
Lograr dirigir el movimiento atmico dentro de la molcula de ADN permite
generar sistemticamente cada molcula al menos dos estados, cada uno puede representar, ora 0, ora 1. Esta fue
la hiptesis de la que se parti y los xitos aunque modestos de apariencia han sido rotundos.
Esa tesis permiti organizar computadoras que ofrecen reducciones del tamao de los equipos porque son
intrnsecamente pequeos: una milsima del tamao de los transistores del semiconductor utilizados hoy como puertas
cuyo dimetro ronda la micra, o sea, una millonsima de metro. De hecho, un ordenador biomolecular podra ser la
quincuagsima parte (cincuenta veces menor) de un ordenador actual de semiconductores que contuviera similar
nmero de elementos lgicos.
La reduccin del tamao de las puertas desemboca en dispositivos ms veloces; los ordenadores de base protenica
podrn, operar a velocidades mil veces mayores que los ordenadores modernos. Hasta ahora, nadie propone un
ordenador puramente molecular. Es mucho ms probable, al menos en un futuro cercano, que se utilice una tecnologa
hbrida, que combine molculas y semiconductores. Tal proceder debera proporcionar ordenadores cincuenta veces
menores que los actuales y centuplicar su velocidad.
Las molculas biolgicas confieren as el control necesario para crear puertas que funcionen de acuerdo con los
requerimientos de una aplicacin. Parece razonable pronosticar que la tcnica hbrida, que conjuga microcircuitos
semiconductores y molculas biolgicas, pasar bastante pronto del dominio de la fantasa cientfica a las aplicaciones
comerciales. La pantallas de cristal lquido ofrecen un esplndido ejemplo del sistema hbrido que ha triunfado. Casi
todos los ordenadores porttiles de nuestros das se basan en pantallas de cristal lquido, que combinan dispositivos
semiconductores con molculas orgnicas para controlar la intensidad de la imagen en la pantalla. Son varias las
molculas biolgicas que se podran utilizar con vistas a su utilizacin en componentes informticos, pero de todas
ellas, es una protena bacteriana, la bacteriorrodopsina la que suscita mayor inters.
MATERIAL DE CONSTRUCCIN GENTICO
En el ao de 1980, naci la idea de utilizar las molculas de ADN como material de construccin a nanoescala. La
idea se basa en utilizar variantes estables de intermediaros bifurcados de la recombinacin gentica (Cruces de
Holliday), como elementos bsicos para materiales a nanoescala. Al combinar estas molculas bifurcadas con
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extremos cohesivos, se pueden producir redes peridicas que puedan actuar como anfitrionas hacia macromolculas
huspedes en experientos cristalogrficos macromoleculares. La idea bsica ha sido expuesta por casi un cuarto de
siglo, sin embargo, an est en su infancia.
3.4.1.a Extremos Cohesivos (Sticky Ends)
El origen de los extremos cohesivos se remonta a inicios de los aos 70, cuando las tcnicas de manipulacin gentica
in vitro fueron realizadas inicialmente apilando molculas de ADN con estos extremos cohesivos.
Un extremo cohesivo es una corta hebra de ADN que existe como una pequea protuberancia al final de una molcula
de doble hlice de ADN.
La ventaja de los extremos cohesivos es que dos molculas de ADN con extremos cohesivos complementarios (es
decir, sus. extremos cohesivos poseen el arreglo complementario de bases de nucletidos adenina, citosina, guanina y
tirosina) se unen para formar una molcula de ADN ms compleja.
Los extremos cohesivos son sin duda el mejor ejemplo de reconocimiento molecular programable: hay
significativamente, una gran variedad de extremos cohesivos, y el producto formado debido a la cohesin es siempre
la clsica doble hlice del ADN.
Adems, la conveniencia de la sntesis de ADN basado en soportes slidos hace n mas facil programar diversas
secuencias de extremos cohesivos en las hebras de ADN.
Por lo tanto, los extremos cohesivos ofrecen un predecible y controlado asociamiento intermolecular con
una geometra impredecible con el punto de cohesin. Posiblemente se puede obtener afinidades similares entre las
interacciones antigeno-anticuerpo, pero en contraste con los extremos cohesivos de ADN, la orientacin
tridimensional de las interacciones Antigeno- anticuerpo no van a ser predecibles entre cada par. Es decir, cada
interaccin Antigeno- anticuerpo e va a comportar de diferente manera, siendo casi imposible predecir
una geometra determinada que englobe dicha interaccin.
Los cidos nucleicos parecen ser nicos en estas propiedades, ofreciendo un sistema programable y diverso, con un
remarcable control sobre las interacciones intermoleculares.
A pesar de que los extremos cohesivos resultaron una gran alternativa para definir por primera vez a
la programacin molecular, las molculas de ADN aun carecan de una propiedad importante para ser utilizadas como
material de construccin a nanoescala. Y es que formando molculas de ADN lineales. Pero para producir materiales
interesantes a partir de ADN, la sntesis era requerida en mltiples dimensiones, para este puposito molculas
bifurcadas de ADN eran requeridas.
Formacin de un Cruce de Holliday
El cruce de holliday contiene cuatro hebras de ADN (cada par de cromosomas homlogos alineados esta compuesto
de 2 hebras de ADN) enlazadas entre ellas para formar un brazo de cuatro dobles enlaces.
El punto de bifurcacin en el cruce de holliday puede reubicarse debido a la simetra de las secuencias. En contraste,
complejos sintticos de ADN pueden disearse para formar bifurcaciones que imiten el cruce de holliday sin que este
pueda poseer centros de simetra.
Un Cruce bifurcado de Holliday inmovilizado
El cruce d holliday est compuesto de 4 hebras de ADN, marcados con nmeros rabes. El termino 3 de cada
molcula est indicado por flechas.
Cada hebra esta enlazada con otras dos hebras para formar brazos de doble hlice, los brazos estn enumerados con
nmeros romanos. Lo enlaces de hidrogeno de los pares de bases que forman la doble hlice estn indicados por los
puntos entre las bases. La secuencia de este cruce ah sido optimizada para minimizar las simetras y las faltas de pares
complementarios. Debido a que no hay simetra C2 flanqueando el centro de bifurcacin, este cruce no puede
sobrellevar reacciones de isomerizacin que permitan la migracin del punto de bifurcacin. La molcula ah sido
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diseada para minimizar secuencias simtrica; esto significa que todos los segmentos de secuencias cortos son nicos.
En la parte de arriba del brazo 1, dos de los 52 tetrmeros en el complejo estn marcados, estos son CGCA y GCAA
en la esquina de la hebra 1, la secuencia CGTA est marcada tambin. Esta es una de las 12 secuencias en l complejo
que forman el cruce. El complemento de cada una de estas 12 secuencias no est presente en el complejo, lo que no les
va a permitir formar doble hlices. Mientras que los otro elementos tetrameritos si poseen sus complementos y forman
los brazos de doble hlice.
Cruce de Holliday sintetizado
La sntesis de este complejo no va a permitir poseer un cruce bifurcado de holliday
inmvil. Esta sntesis es de gran importancia, ya que sera el "bosquejo" de la
molcula de ADN que buscamos para que funcione como una unidad estructural de
futuros compuestos en escala manomtrica.
Por lo tanto, la prescripcin para usar el ADN como elemento bsico para la
formacin de materiales ms complejos a una escala manomtrica es simple: tomar
molculas sintticas de ADN con bifurcaciones y programarlas con extremos
cohesivos, para permitirn autoensamblaje a la estructura deseada, el cual puede
ser objeto cerrado a un medio cristalino.
AVANCES DE LA NANOTECNOLOGA BASADA EN EL ADN
Un Cubo hecho de ADN
El primer gran xito de la nanotecnologia basad en ADN fue la construccin de una molcula de ADN con los ejes de
sus hlices conectados como los lados de una figura cbica. Este objeto consiste d seis hebras de ADN cclicas, una
para cada cara del poliedro. Cada vrtice del cubo consiste de dos vueltas de la doble hlice.
Doble entrecruzamiento del ADN (DX-Doubl Crossover)
La idea que sigui a la formacin del cubo basado en ADN,
fue la construccin de arreglos peridicos de ADN y
aprovechar a los extremos cohesivos para que puedan
autoensamblarse. Sin embargo, los cruzamientos de Holliday
resultaron algo flexibles y muy inestables al momento de
producir arreglos en dos dimensiones, por lo tanto, se busco
otro motivo de ADN que tengo menor flexibilidad y mayor
dureza. Este nuevo motivo no estuvo muy lejano al ya
conocido cruce de holliday, mas bien, fue una estructura
similar llamada doble entrecruzamiento de holliday que
tambin es anloga a un intermediario formado durante
la meiosis. Este nuevo motivo molecular contiene do dobles
hlices conectadas una a otra en dos ocasiones a travs de
dos puntos de entrecruzamiento.
Arreglo de Doble Entrecruzamiento de ADN.
En la parte superior del dibujo mostrado se presentan a las
dos molculas de doble entrecruzamiento A y B, que se
muestran esquemticamente.
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Arreglos con doble entrecruzamiento del ADN
El carcter complementario entre sus extremos cohesivos es representado por una
complementariedad geomtrica. Las molculas b contienen orquilla de ADN que
se proyectan fuera del plano de las hlices; estas horquillas actan como
marcadores topogrficos en el microscopio de fuerza atmica que es el
instrumento donde se visualizan. Las dos molculas son de aproximadamente 4
nm de ancho, 16 nm de largo y 2 nm de espesor. Cuando estas 2 molculas son
mezcladas en solucin, forman los arreglos bidimensionales que tienen varios
micrones de largo y cientos de nanometros de ancho. La filia que proyectan las
orqudeas aparecen como lneas blancas la ser visualidades por AFM. Estas lneas
estn separadas 32 nm como era de esperarse, al haber una molcula A de 16 nm
de largo entre dos molculas de A de 16 nm de largo entre dos molcula de B.
Triple entrecruzamiento del ADN (Triple Crossover)
Adems de la molcula de doble cruzamiento de ADN, se sintetiz una molcula entrecruzada con tres dobles hlices.
Triple entrecruzamiento de heras de ADN
Esta molcula consiste de 4 oligonucletidos hibridizados para formar tres dobles hlices de ADN que se recuestan en
el plano y que permanecen unidas por intercambios de hebras en cuatro puntos inmovibles de entrecruzamiento.
Arreglo del triple entrecruzamiento del ADN (TX)
De la misma manera que para las molculas de doble entrecruzamiento, molculas TX son tambin robustas y pueden
ser fcilmente usadas para el diseo de arreglos cristalinos en dos dimensiones.
Arreglo con triple Entrecruzamiento del ADN
Nuevamente, hacemos uso de los extremos cohesivos para programar las uniones
entre las molculas. Una ventaja importante de las molculas de TX en comparacin
a otros motivos de ADN, es q poseemos grandes espacios dentro del arreglo
cristalino, que nos va poder permitir llenarlas con otros nanodispositivos o incluso
permitir la incorporacin de componentes altamente estructurados y fuera del plano
bidimensional; es decir, un posible acercamiento a los tan esperados arreglos en tres
dimensiones.
Arreglo en ADN
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Primer dispositivo nanomecnico basado en ADN
La rigidez de las molculas antiparalelas de doble entrecruzamiento ha
permitido usarlas como componentes de dispositivos nanomecanicos basados
en ADN. Este dispositivo trabaja utilizando la transicin B-Z de las molculas
de doble hlice del ADN. Lo que se ha logrado, es conectar dos molculas de
doble entrecruzamiento (regiones rojas y azules) con un segmento puente que
contiene una regin donde B-ADN se puede convertir en Z-ADN. Este
segmento convertible se muestra en el dibujo con color amarillo.
LA NANOTECNOLOGA EN LA EXPLORACIN ESPACIAL
En los laboratorios de todo el pas, la NASA est apoyando la floreciente ciencia
de la nanotecnologa. La idea bsica es aprender a tratar la materia a escala
atmica poder controlar con la suficiente precisin tomos individuales y
molculas para disear mquinas del tamao de una molcula, electrnica
avanzada y materiales "inteligentes". Si los visionarios estn en lo cierto, la
nanotecnologa podra llevar a robots que usted podra sostener en la yema del
dedo, trajes espaciales autorreparables, ascensores espaciales y otros fantsticos
dispositivos. El cabal desarrollo de algunas de estas cosas puede llevar ms de
20 aos; otras estn tomando forma en el laboratorio hoy en da.
Pensando en lo pequeo
Sencillamente, hacer cosas ms pequeas tiene sus ventajas. Imagnese, por ejemplo, que los vehculos de Marte,
Spirit y Opportunity, se hubiesen podido construir tan pequeos como un escarabajo, y pudiesen correr rpidamente
como ste por rocas y arena, tomando muestras de minerales y buscando evidencia sobre la historia del agua de Marte.
Cientos de miles de estos diminutos robots podran haberse enviado en las mismas cpsulas que llevaron a los dos
vehculos del tamao de un escritorio, permitiendo a los cientficos explorar mucha ms superficie del planeta e
incrementando las probabilidades de encontrar una bacteria marciana fosilizada!
Pero la nanotecnologa va ms all de slo la reduccin de objetos. Cuando los cientficos puedan ordenar y
estructurar a voluntad la materia a nivel molecular, nuevas y asombrosas propiedades podran surgir en cualquier
momento.
Un excelente ejemplo, preferido del mundo nanotecnolgico, es el nanotubo de carbono. En estado natural el carbono
aparece como grafito el blando y negro material usado habitualmente en la mina de los lpices y como diamante.
La nica diferencia entre los dos es la organizacin de los tomos de carbono. Cuando los cientficos colocan los
mismos tomos de carbono en un modelo de "red metlica" y los enrollan en minsculos tubos de tan slo 10 tomos
de dimetro, los "nanotubos" resultantes adquieren algunas caractersticas extraordinarias. Los nanotubos:
- tienen 100 veces la resistencia del acero, pero slo 1/6 de su peso;
- son 40 veces ms fuertes que las fibras de grafito;
- conducen la electricidad mejor que el cobre;
- pueden ser conductores o semiconductores (como los microprocesadores del computador), dependiendo de la
colocacin de los tomos;
- y son excelentes conductores de calor.
Actualmente la mayor parte de la investigacin mundial en nanotecnologa se centra en estos nanotubos. Los
cientficos han propuesto usarlos en un amplio abanico de aplicaciones: en cables de alta resistencia y bajo peso
necesario para un ascensor espacial; como alambres moleculares para nanoelectrnica; integrado en
microprocesadores para ayudar a disipar el calor; y como barras de transmisin y engranajes en nanomquinas, para
mencionar slo algunos ejemplos.
Los nanotubos ocupan un lugar relevante en la investigacin llevada a cabo en el Centro de
Nanotecnologa de Ames de la NASA (CNT). El centro se cre en 1997 y actualmente emplea a
casi 50 investigadores a tiempo completo.
"Intentamos centrarnos en tecnologas que puedan dar lugar a productos utilizables dentro de
unos pocos aos a una dcada," dice el director de CNT, Meyya Meyyappan. "Por ejemplo,
estamos mirando cmo los nanomateriales podran ser utilizados para sostener vida avanzada,
secuenciadores de ADN, computadores superpotentes, y pequeos sensores de productos
qumicos, o incluso sensores del cncer."
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Un sensor qumico que ellos desarrollan usando nanotubos volar el prximo ao al espacio en una misin de
demostracin a bordo de un cohete de la Armada. Este diminuto sensor puede detectar cantidades tan pequeas como
unas pocas partes por mil millones de sustancias qumicas especficas tales como gases txicos resultando til
tanto para la exploracin espacial como para la defensa del pas. CNT tambin ha desarrollado un modo de utilizar
nanotubos para refrigerar los microprocesadores de computadores personales, un reto de primer orden a medida que
los CPUs se hacen cada vez ms potentes. Esta tecnologa de refrigeracin ha sido autorizada a una empresa de
reciente creacin de Santa Clara, California, llamada Nanoconduccin, e Intel tambin ha demostrado inters, dice
Meyyappan.
3.5.2 Diseando el futuro
Si estas aplicaciones a corto plazo de la nanotecnologa parecen impresionantes, las posibilidades a largo plazo son
realmente increbles.
El Instituto de Ideas Avanzadas de la NASA (NIAC), una organizacin independiente y financiada por la NASA,
ubicada en Atlanta, Georgia, fue creada para promover la investigacin avanzada en tecnologas radicales del espacio
que tardar de 10 a 40 aos en dar sus primeros frutos.
Por ejemplo, una reciente subvencin de NIAC financi un estudio de factibilidad para la nanoindustria en otras
palabras, la utilizacin de grandes cantidades de mquinas moleculares microscpicas para producir cualquier objeto
que se desee, ensamblndolo tomo por tomo!
Esta subvencin de NIAC fue concedida a Chris Phoenix del Centro
de Nanotecnologa Responsable.
En la pgina 112 de su informe, Phoenix explica que una
"nanofbrica" de esta ndole podra producir, dice, piezas de
astronaves con precisin atmica, lo cual significa que cada tomo
dentro del objeto est colocado exactamente en donde corresponde. La
pieza resultante sera extremadamente fuerte, y su forma podra estar
dentro de la anchura de diseo ideal con no ms de un solo tomo de
diferencia. Superficies ultra-lisas no necesitaran limpieza ni
lubricacin, y prcticamente no sufriran deterioro por el paso del
tiempo. Una tan alta precisin y fiabilidad de las piezas de una astronave es de mxima importancia cuando est
en juego la vida de los astronautas.
Aunque Phoenix esboz algunas ideas de diseo de una nanofbrica de oficina en su informe, reconoce que a
excepcin de un "Proyecto Nanhattan" de gran presupuesto, como l lo llama para una nanofbrica funcional, tardara
como mnimo una dcada, y probablemente mucho ms.
Tomando ejemplo de la biologa, Constantinos Mavroides, director del Laboratorio de Bionanorrobtica
Computacional del la Universidad del Nordeste, de Boston, est explorando un planteamiento alternativo sobre
aplicacin de la nanotecnologa:
En lugar de empezar desde cero, las ideas del estudio de Mavroidis financiado por NIAC emplean "mquinas"
moleculares y funcionales preexistentes que pueden ser encontradas en toda clula viva: molculas de
DNA, protenas, enzimas, etc.
Formadas por una evolucin de millones de aos, estas molculas
biolgicas se encuentran ya completamente adaptadas a la
manipulacin a escala molecular de la materia la razn por la cual una
planta puede combinar aire, agua y desechos, y producir una jugosa
fresa roja, y el cuerpo de una persona puede convertir la cena de la
noche pasada en los nuevos glbulos rojos de hoy. La reorganizacin
de tomos que hace que todo esto sea posible es llevada a cabo por
cientos de enzimas y protenas especializadas, y el DNA guarda
el cdigo para llevar a cabo el proceso. La utilizacin de estas
mquinas moleculares "pre-existentes" o usndolas como puntos de
partida para nuevos diseos es una derivacin popular de la nanotecnologa, llamada "bionanotecnologa".
"Por qu reinventar la rueda?" se pregunta Mavroidis. "La naturaleza nos ha dado toda esta grande y altamente
perfeccionada nanotecnologa dentro de los seres vivos, as que Por qu no usarla, e intentar aprender algo de ella?"
Los usos especficos de la bionanotecnologa que Mavroidis propone en su estudio son muy futuristas. Una idea
consiste en cubrir con una especie de "tela de araa" de tubos del grosor de un cabello, llena de detectores
bionanotecnolgicos, docenas de millas de terreno, para cartografiar con gran detalle el entorno de algn planeta
extraterrestre. Otra idea que propone es una "segunda piel" que los astronautas llevaran debajo de sus trajes
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espaciales, la cual usara bionanotecnologa para detectar y reaccionar a la radiacin que atravesara el traje, y sellar
rpidamente todo corte o pinchazo.
Futurista? Sin duda. Posible? Quizs. Mavroidis admite que faltan probablemente dcadas para tecnologas
semejantes, y que la tecnologa del futuro ser probablemente muy diferente de como la imaginamos actualmente. De
todas formas, cree que es importante que se empiece a pensar ahora en lo que la nanotecnologa podra hacer posible
dentro de muchos aos.
Considerando que la vida misma es, en cierto sentido, el mximo ejemplo de nanotecnologa, las posibilidades son
verdaderamente apasionantes.
NANOTECNOLOGA EN LA INFORMTICA
Nuevos avances en nanotecnologa pone a tiro a las supercomputadoras del maana. Dentro de unos aos, las
computadoras sern bastante diferentes de las actuales. Los avances en el campo de la nanotecnologa harn que las
computadoras dejen de utilizar el silicio como sistema para integrar los transistores que la componen y empiecen a
manejarse con lo que se llama mecnica cuntica, lo que har que utilicen transistores a escala atmica.
2010, el tamao de los transistores o chips llegar a lmites de integracin con la tecnologa actual, y ya no se podrn
empaquetar ms transistores en un rea de silicio, entonces se entrar al nivel atmico o lo que se conoce
como mecnica cuntica.
Las computadoras convencionales trabajan simbolizando datos como series de unos y ceros dgitos binarios
conocidos como bits. El cdigo binario resultante es conducido a travs de transistores, switches que pueden
encenderse o prenderse para simbolizar un uno o un cero.
Las computadoras cunticas, sin embargo, utilizan un fenmeno fsico conocido como "superposicin", donde objetos
de tamao infinitesimal como electrones o tomos pueden existir en dos o ms lugares al mismo tiempo, o girar en
direcciones opuestas al mismo tiempo. Esto significa que las computadoras creadas con procesadores superpuestos
puedan utilizar bits cunticos llamados qubits que pueden existir en los estados de encendido y apagado
simultneamente.
De esta manera, estas computadoras cunticas pueden calcular cada combinacin de encendido y apagado al mismo
tiempo, lo que las hara muchsimo ms veloces que los actuales procesadores de datos a la hora de resolver
ciertos problemas complejos de clculos matemticos. La investigacin de la computacin cuntica est ganando
terreno rpidamente en laboratorios de investigacin militares, de inteligencia y universidades alrededor del planeta.
Entre otros, estn involucrados gigantes como AT&T, IBM, Hewlett-Packard, Lucent and Microsoft .
En electrnica, miniaturizacin es sinnimo de xito. Reducir el tamao de los circuitos integrados implica una
respuesta ms rpida y un menor consumo de energa. Y en esta escalada hacia lo extremadamente pequeo, la
nanotecnologa se convierte en un aliado imprescindible.
Informtica a Nanoescala
Hasta ahora nos habamos habituado a que la Ley de Moore, que afirma que la capacidad de
nuestros ordenadores se dobla cada 18 meses, se cumpliera a rajatabla. Pero la realidad
muestra que, utilizando la tecnologa convencional, que utiliza los transistores como pieza
bsica, este desarrollo alcanzar pronto sus lmites. La alternativa para que el progreso no se
detenga es crear los dispositivos de almacenamiento a escala molecular, nuevos
mtodos de clculo, interruptores moleculares y cables de tubos de carbono estirados.
En definitiva, lo que se conoce como ordenadores cunticos. El primer paso hacia estos dispositivos se produca a
finales de agosto de 2001, cuando los investigadores de IBM crearon un circuito capaz de ejecutar clculos lgicos
simples mediante un nanotubo de carbono autoensamblado. En estos momentos es la empresa Hewlett-Packard la que
se encuentra ms cerca de crear una tecnologa capaz de sustituir a los actuales procesadores. Hace tan solo unos
meses daban un paso de gigante al lograr que una nueva tcnica basada en sistemas usados actualmente
en matemticas, criptografa y telecomunicaciones les permita crear dispositivos con equipos mil veces ms
econmicos que los actuales. La compaa promete que habr chips de slo 32 nanmetros en el mercado dentro de 8
aos.
Otras empresas como IBM o Intel le siguen de cerca. En concreto, en el marco de la First Internacional
Nanotechnology Conference celebrada el pasado mes de junio, Intel desvelaba por primera vez pblicamente sus
planes para el desarrollo de chips de tamao inferior a 10 nanmetros, combinando el silicio con otras tecnologas que
estn an en sus primeras fases de investigacin. Tan importante como la velocidad de procesamiento es la capacidad
de almacenamiento. Eso lo sabe bien Nantero, una empresa de nanotecnologa que trabaja en el desarrollo de
la NRAM. Se trata de un chip de memoria de acceso aleatorio no voltil y basada en nanotubos. Sus creadores
aseguran que podra reemplazar a las actuales memorias SRAM, DRAM y flash, convirtindose en la
memoria universal para telfonos mviles, reproductores MP3, cmaras digitales y PDAs.
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Por su parte, investigadores de la Texas A&M University y del Rensselaer Polytechnic Institute han diseado un tipo
memoria flash de nanotubo que tiene una capacidad potencial de 40 gigas por centmetro cuadrado y 1000 terabits por
centmetro cbico. Y la compaa Philips trabaja en una nueva tecnologa de almacenamiento ptico que permite el
almacenaje de hasta 150 gigabytes de datos en dos capas sobre un medio ptico similar a los actuales DVDs.
Computadoras casi invisibles
La nanotecnologa ser un salto importante en la reduccin de los componentes, y ya hay avances, pero muchos de
estos adelantos se consideran secretos de las empresas que los estn desarrollando.
El tamao de las computadoras del futuro tambin podra sorprender, ya que podra ser la quincuagsima parte
(cincuenta veces menor) de una computadora actual de semiconductores que contuviera similar nmero de elementos
lgicos. La reduccin del tamao desemboca en dispositivos ms veloces; las computadoras podrn operar a
velocidades mil veces mayores que las actuales.
Algunos estudios pronostican que la tcnica hbrida, que conjuga microcircuitos semiconductores y molculas
biolgicas, pasar bastante pronto del dominio de la fantasa cientfica a las aplicaciones comerciales. Las pantallas de
cristal lquido ofrecen un esplndido ejemplo del sistema hbrido que ha triunfado. Casi todas las computadoras
porttiles utilizan pantallas de cristal lquido, que combinan dispositivos semiconductores con molculas orgnicas
para controlar la intensidad de la imagen en la pantalla. Son varias las molculas biolgicas que se podran utilizar con
vistas a su utilizacin en componentes informticos.
NANOTECNOLOGA EN LOS DEPORTES
Los ltimos avances en la investigacin sobre nanotecnologa podrn afectar de forma importante el mundo
del deporte. Segn un artculo en USA TODAY, la empresa NanoDynamics proyecta vender una pelota de golf que
promete reducir de forma dramtica los giros y movimientos a los que puedan estar sujetas las pelotas durante un
partido de golf.
La empresa dice que ha descubierto cmo alterar los materiales en una pelota de
golf a nivel molecular para que el peso dentro se mueva menos mientras gira la
pelota. Cuanto menos se mueva, ms recto va la pelota.
"Se trata de controlar a travs de la Fsica cmo se gira la pelota" segn el
consejero delegado de NanoDynamics, Keith Blakely.
Desde hace tiempo los avances tecnolgicos influyen en el deporte. En cascos de
bicicleta, ropa deportiva. Un ejemplo de cmo los avances cientficos pueden
influir en el deporte es el tenis. Hasta hace unas dcadas, las raquetas de tenis
estaban hechas de madera. En los aos ochenta las mejores raquetas se fabricaban
con grafito. Conforme los materiales se hacan ms firmes y ms ligeros, en el juego empezaba a predominar la
velocidad y los saques potentes. Ahora parece que la nanotecnologa empieza a afectar a los deportes. Hasta el
momento en el mercado hay pocos productos deportivos hechos con tcnicas de la nanotecnologa. Una empresa
japonesa fabrica una pelota de bolos a la que no le afectan los imperfectos de la superficie y que se queda en el centro
de la pista. La empresa Wilson utiliza la nanotecnologa para fabricar pelotas de tenis que tardan mucho ms en
desinflarse, y varias empresas estn desarrollando palos de golf fabricados con nanotecnoga.
Se prev que a partir de ahora la nanotecnologa empezar a tener un impacto muy significativo en muchos deportes
porque a travs de avances nanotecnolgicos es posible fabricar productos deportivos ms fuertes y ms ligeros que
nunca.
Nanometales en palos de golf
Se aplican nanometales a los palos de golf, para crear palos ms fuertes pero menos pesados. Los cubrimientos de
nanometal con estructura cristalina son hasta 1.000 veces ms pequeos que metales tradicionales pero cuatro veces
ms fuertes. Una cabeza de palo cubierta con nanometal que pesa menos podra permitir pegar la pelota con ms
fuerza y precisin.
Tambin se estudia la aplicacin de nanometales a patines, para reducir la friccin sobre hielo, y bicicletas, cascos,
raquetas de tenis etc.
Pero uno de los motivos por los que el sector de golf parece estar en cabeza es que los jugadores de este deporte estn
acostumbrados a pagar altos precios por sus equipos. Y la aplicacin de nanotecnologa en los procesos de fabricacin
resulta todava muy costosa. Un driver Pd5 con nanotecnologa incorporada cuesta unos $300.
Nanotecnologa y ciclismo
El Equipo Phonak utiliza una bicicleta que con una estructura que incorpora nanotubos de carbn. El fabricante suizo,
BMC, afirma que el marco de su "Pro Machine" pesa menos de un kilo y goza de unos niveles excepcionales de
rigidez y fuerza.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
122
Para crear la estructura, BMC, aplic tecnologa compsita desarrollada por la empresa norteamericana Easton. Su
sistema de resina realzada integra fibra de carbn en un matriz de resina reforzada con nanotubos de carbn. Segn el
fabricante, esto mejora la fuerza y resistencia en los huecos que existen entre las fibras de carbn.
Easton colabora con Zyvex, empresa especializada en nanotecnologa que
proporciona los nanotubos para el sistema. Zyvex aplica un tratamiento
especial a las superficies de nanotubo para que los tubos se disipen con
mayor facilidad en otros materiales.
BMC afirma ser la primera empresa que ha logrado construir un marco de
bicicleta utilizando nanotecnologa de nanotubos de carbn. Adems, la
estructura no requiere ajustes mecnicos despus del proceso de fabricacin,
lo que reduce que se ocasionen posibles daos a las fibras de carbn.
LA NANOTECNOLOGA EN OTROS ASPECTOS DE LA VIDA COTIDIANA
Los productos que incorporan nanotecnologa o son manufacturados mediante la misma pasarn del 0,1% actual al
15% en 2015 del total, segn un informe de la OCDE que seala que la extensin de esta tecnologa se realizar en
tres fases. La primera, en la que nos encontramos actualmente, sita estos productos en el mbito industrial. Para 2009
llegar a los mercados electrnicos y en 2010 se extender a todos los bienes de consumo.
Aplicaciones muy diversas que se vern incrementadas en unos pocos
aos por una tecnologa con un potencial que indudablemente
revolucionar el mundo que nos rodea, la nanotecnologa. Se trata del
estudio, diseo, creacin, sntesis, manipulacin y aplicacin de
materiales, aparatos y sistemas a travs del control de la materia en una
escala de un nanmetro, aproximadamente una mil millonsima de metro.
Un estudio elaborado por la Organizacin de Cooperacin y Desarrollo
Econmico (OCDE) y Allianz Group seala que su desarrollo futuro se
producir en tres fases, estando ya inmersos en la primera de ellas, que se
caracteriza por el uso de la nanotecnologa principalmente en
aplicaciones de industrias punteras desde el punto de vista tcnico, como
por ejemplo la aeroespacial.
La segunda fase comenzar a lo largo del 2009, cuando los mercados electrnicos y de las Tecnologas de
la Informacin estn preparados para incorporar las innovaciones en materia de microprocesadores y chips de
memoria construidos mediante procesos nanomtricos.
A partir del 2010 , la nanotecnologa se extender a todos los bienes manufacturados, destacando las aplicaciones
sanitarias para la salud humana de aplicaciones como biosensores, la dosificacin de frmacos en puntos muy
concretos o nanodispositivos portadores de medicamentos que curarn selectivamente las clulas cancergenas.
Convergencia tecnolgica
El estudio seala que a escala nanomtrica, el linde entre disciplinas cientficas como la qumica, la fsica, la biologa,
la electrnica o la ingeniera se desdibuja por lo que se produce una convergencia cientfica cuya consecuencia es una
mirada de aplicaciones que van desde raquetas de tenis hasta sistemas energticos completamente nuevos pasando por
medicinas.
Esta dinmica de convergencia cientfica y multiplicacin de aplicaciones hace que los mayores impactos de la
nanotecnologa surgirn de combinaciones inesperadas de aspectos previamente separados, tal y como pas con la
creacin de Internet, resultado de la confluencia entre la telefona, la televisin o la radio, y la informtica.
Cosmtica, tejidos y bateras
A pesar de que, de acuerdo a la cronologa del estudio, seguimos en la primera fase de su evolucin, la nanotecnologa
ya est implicada en sectores empresariales tan diversos como el textil, el automovilstico o el de equipamiento
electrnico. En la industria del automvil, se emplea para reforzar los parachoques debido a su potencial para
incrementar la resistencia y capacidad de absorcin de los materiales y para mejorar las propiedades adhesivas de
la pintura.
En el sector textil, la nanotecnologa es la solucin perfecta para que los pases
desarrollados puedan competir con las regiones de bajo coste productivo que cada vez
estn incrementando su trozo del pastel, ya que aade a los tejidos propiedades
"inteligentes". Existen proyectos de productos textiles con funcionalidades electrnicas
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
123
tales como sensores que supervisen el comportamiento corporal, mecanismos de auto-reparacin o acceso a Internet.
En cuanto al sector energtico, la nanotecnologa es clave en la fabricacin de nuevos tipos de bateras con una
duracin mucho ms prolongada, en la fotosntesis artificial para la generacin de energa limpia o en
el ahorro energtico que supone la utilizacin de materiales ms ligeros y circuitos ms pequeos.
El estudio seala como empresas de cosmtica encuentran aplicaciones contra las arrugas basadas en liposomas que
transmiten los frmacos a travs de la piel o incluso polvos de maquillaje que son nanopartculas que modifican el
reflejo de la luz, para impedir apreciar la profundidad de las arrugas.
Miedo a la burbuja
El estudio indica que los potenciales inversores, escaldados por el fiasco de las puntocom, tienen sus reticencias a la
hora de considerar la irrupcin de la nanotecnologa como la "prxima revolucin". Sin embargo, los expertos sealan
dos diferencias cruciales que dificultan la formacin de una "nanoburbuja".
La primera de ellas es que el elevado coste y la dificultad que implica hace que su desarrollo se concentre en
compaas e instituciones bien financiadas que pueden atraer el conocimiento cientfico y tcnico necesario para
comprender sus problemas y oportunidades. La segunda diferencia radica en que los largos periodos de tiempo que
requiere pasar de la idea a la comercializacin hacen que la nanotecnologa sea particularmente inadecuada para
ganar dinero rpido.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
124
TEMA 2: DISPOSITIVOS DE 4 CAPAS
INTRODUCCION:
Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as
como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el
transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.
Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor
bloqueable por puerta (GTO).
Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que
los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales.
El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
- Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia
(conduccin).
- Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia.
- Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas
cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan
para controlar grandes potencias.
- Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
La unin entre un semiconductor tipo p y otro tipo n es el elemento bsico del que depende el funcionamiento de
casi la totalidad de los dispositivos basados en semiconductores. A partir de las propiedades de los semiconductores, y
los procesos de difusin y desplazamiento de portadores de carga, se puede analizar de forma cualitativa el
comportamiento de la unin pn, tanto en equilibrio como polarizada. La unin pn es en s misma un dispositivo
denominado diodo.
Los dispositivos semiconductores y los circuitos integrados son los pilares de la tecnologa moderna, motivo por el
cual el estudio de la electrnica, que trata con las caractersticas y aplicaciones de aquellos, es una parte fundamental
del plan de estudios de cualquier carrera en computacin. La electrnica se encuentra en nuestra vida diaria en forma
de telfonos, receptores de radio, televisores, equipo de audio, aparatos domsticos, computadoras y equipo para
control y automatizacin industrial. La electrnica se ha convertido tanto en un estmulo como en una parte integral
del crecimiento y desarrollo tecnolgico actual. El campo de la electrnica est relacionado con el diseo y las
aplicaciones de los dispositivos electrnicos.
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta han atestiguado un cambio
sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando
consideramos sus lmites. En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el
ms sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas semiconductores en comparacin
con las redes con tubos de los aos anteriores son, en su mayor parte, obvias: ms pequeos y ligeros, no requieren
calentamiento previo para llegar a su punto ptimo de operacin, y dado que su temperatura de operacin es mucho
menor, no se producen prdidas trmicas (lo que si sucede en el caso de los tubos), ni se requieren grandes sistemas de
disipacin de calor (ventilacin forzada, etc.), una construccin ms resistente y una capacidad de integracin
asombrosa, sin dejar de lado que los dispositivos semiconductores pueden operar a frecuencias mucho mayores que
los tubos electrnicos.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan pequeos que el propsito
principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para
asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores definen en apariencia los
lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica de diseo de la red y los lmites
del equipo de manufactura y procesamiento.
HISTORIA DE LA ELECTRNICA:
La era de la electrnica comenz con la invencin del primer dispositivo amplificador: el triodo de vaco, realizado
por Fleming en 1904. A este invento sigui el desarrollo del diodo de punto de contacto de estado slido, por parte de
Pickard, en 1906, los primeros circuitos de radio que utilizaban diodos y triodos, entre 1907 y 1927; el receptor
superheterodino de Armstrong, en 1920; la demostracin de la televisin, en 1925; el dispositivo de efecto de campo
de Lilienfield, en 1925; la modulacin de frecuencia de Armstrong, en 1933, y del radar, en 1940.
La primera revolucin de la electrnica comenz en 1947 con la invencin del transistor de silicio por Bardeen,
Bratain y Shockley en los laboratorios de la compaa Bell Telephone. La mayor parte de las tecnologas electrnicas
avanzadas que existen en la actualidad tienen sus bases en este invento; tal es el caso de la microelectrnica moderna
que ha evolucionado, con el paso de los aos, a partir de los semiconductores. Esta revolucin fue seguida por la
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primera demostracin de la televisin en color, en 1950, y la invencin del transistor unipolar de efecto de campo por
Shockley, en 1952.La siguiente innovacin se present en 1956, cuando los laboratorios Bell desarrollaron el
transistor de disparo pnpn, tambin conocido como tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en
ingls). La segunda revolucin de la electrnica inici con el desarrollo de un tiristor comercial realizado por lo
General Electric, en 1958. ste fue el comienzo de una nueva era para las aplicaciones de la electrnica en las reas de
procesamiento o acondicionamiento de potencia, conocida como electrnica de potencia. Desde entonces, se han
desarrollado muchas clases de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin.
El primer circuito integrado (CI) fue desarrollado en 1958, en forma simultnea por Kilby en la compaa Texas
Instruments y los investigadores Noyce y Moore en Fairchild Semiconductor, Inc.; esto marc el inicio de una nueva
fase en la revolucin de la microelectrnica. Este invento fue seguido por el desarrollo del primer circuito integrado
comercial para un amplificador operacional, el uA709, de la compaa Fairchild Semiconductor, en 1968; el
microprocesador 4004 de Intel, en 1971 y el de 8 bits, en 1972. El desarrollo de los CI contina en la actualidad, como
un esfuerzo para alcanzar circuitos integrados con una mayor densidad y una menor disipacin de potencia.
En algunos campos, la electrnica juega un papel tan importante que sin sta nunca hubieran llegado a su desarrollo
presente. Como ejemplo tenemos las comunicaciones: sin los transmisores y receptores electrnicos de radio sera
imposible la comunicacin rpida y mvil, tal como se conoce actualmente. Otro ejemplo es la automatizacin
industrial, donde la mayor parte de los dispositivos de control y monitores son electrnicos. Tambin el procesamiento
de datos y las investigaciones cientficas y mdicas son reas que requieren de la electrnica. Aunque las operaciones
militares constituyan un campo muy distinto del de las comunicaciones y de la automatizacin, el ejrcito requiere
gran cantidad de equipo electrnico. Las fuerzas armadas no slo utilizan estos equipos, sino que cada ao erogan
enormes sumas de dinero para la investigacin y el desarrollo de equipo nuevo o perfeccionado, as como para buscar
nuevas aplicaciones de la electrnica. Las primeras observaciones relacionados con los fenmenos elctricos son del
tiempo de la Grecia Antigua (Tales de Mileto, Demcrito, etc.). Sin embargo, no es hasta el siglo XIX cuando se
desarrollan algunas teoras que explican satisfactoriamente parte de dichos fenmenos. En 1893, Maxwell reuni las
investigaciones en el campo de la electricidad y magnetismo de grandes cientficos tales como Coulomb, Ampere,
Ohm, Gauss, Faraday y public las reglas matemticas que rigen las interacciones electromagnticas. Aunque
Maxwell no reconoce la naturaleza corpuscular de la corriente elctrica, sus ecuaciones son aplicables incluso despus
del establecimiento de la naturaleza discreta de la carga. La prediccin de la existencia de ondas electromagnticas y
su posibilidad de propagacin en el espacio constituye muy probablemente la base del posterior desarrollo de las
comunicaciones, y en definitiva, de la Electrnica.
La Electrnica probablemente no se inicia hasta que Lorentz postul en 1895 la existencia de cargas discretas
denominadas electrones. Thompson hall experimentalmente su existencia dos aos ms tarde y Millikan midi con
precisin la carga del electrn ya entrado el siglo XX. Hasta principios de este siglo, la Electrnica no empez a tomar
cariz tecnolgico. En 1904, Fleming invent el diodo que denomin vlvula el cual consista en un filamento caliente,
emisor de electrones, situado en el vaco a una corta distancia de una placa. En funcin de la tensin positiva o
negativa de la placa, se produca paso de corriente en una direccin. Esta vlvula se emple como detector de seales
inalmbricas y vino a sustituir a los detectores de galena utilizados hasta ese momento, que eran de difcil
construccin y precisaban de continuos ajustes manuales.
Quiz el acontecimiento ms importante en la historia primitiva de la electrnica tuvo lugar en 1906 cuando De Forest
interpuso un tercer electrodo (rejilla) en una vlvula de Fleming creando el tubo trodo denominado audin. En este
dispositivo, la aplicacin de una pequea tensin a la rejilla produce una alta variacin de la tensin de la placa; por
consiguiente, el audin fue el primer amplificador de la historia. No obstante, se necesitaron varios aos para avanzar
en el problema de emisin termoinica con objeto de conseguir un elemento electrnico seguro.
El desarrollo de la electrnica en sta poca est ligado al desarrollo de la radio. Basados en tubos de vaco se
construyen diferentes tipos de circuitos con aplicacin en las comunicaciones por radio. Con diodos y trodos fueron
diseados los amplificadores en cascada, amplificadores regenerativos, osciladores, el receptor heterodino, entre otros.
Este desarrollo de la electrnica permiti fundar la primera emisora de radiodifusin, KDKA, construida en 1920 por
la Westinghouse Electric Corporation; en 1924, ya haba 500 estaciones de radio en
Estados Unidos. La evolucin del trodo dio lugar a tcnicas de calentamiento indirecto del ctodo y a la introduccin
de los tetrodos, pentodos y las ampollas de vidrio en miniatura. En 1938 se encuentra disponible del primer receptor
en FM despus que Armstrong en 1933 desarroll la modulacin en frecuencia. La televisin en blanco y negro surgi
en 1930 y la de color alrededor de la mitad de este siglo.
La verdadera revolucin tecnolgica de la Electrnica surge con la invencin de los dispositivos basados en
semiconductores, y ms en concreto, con la invencin del transistor. Los primeros trabajos sobre semiconductores
fueron comenzados por Hall en 1879 sobre el efecto que lleva su nombre. Los primeros rectificadores de unin
Metal semiconductor se estudian entre 1920 y 1930, y es en 1938 cuando Shottky y Mott realizan separadamente un
estudio sistemtico sobre las propiedades de estos dispositivos, proponiendo la primera teora del espacio de carga. En
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
126
esta poca, se realizan muchos estudios sobre semiconductores y se perfeccionan las tcnicas decrecimiento de
cristales. En 1943, se obtiene la primera unin P-N sobre cristal nico de silicio.
En 1947, se presionaron dos sondas de hilo de oro prximas entre s sobre una superficie de un cristal de germanio.
Brattain y Bardeen se dieron cuenta que era un dispositivo amplificador naciendo as el primer amplificador de estado
slido (en forma de transistor de contacto). Sin embargo, era un transistor deficiente, de poca amplitud de banda y
mucho ruido, donde adems los parmetros diferan ampliamente de uno a otro dispositivo. Shockley propuso el
transistor de unin para mejorar las caractersticas del transistor de punta de contacto, y complet su teora de
funcionamiento. El nuevo dispositivo tena portadores de ambas polaridades operando simultneamente: eran
dispositivos bipolares. En 1956, Bardeen, Brattain y Shockley recibieron el premio Nobel de fsica por sus
investigaciones.
El transistor no poda ser eficiente hasta que no se dispusiese de cristales simples extraordinariamente puros.
Bell Laboratories lograron formar cristales simples de germanio y silicio con impurezas muy por debajo de una parte
en mil millones, y a partir de aqu, fue posible controlar el proceso de dopado de los semiconductores. Los primeros
transistores de crecimiento fueron construidos en 1950, y un ao despus, ya se fabricaban comercialmente por RCA,
Westinghouse, General Electric y Western Electric. En esta poca, los componentes de estado slido desplazaron
virtualmente a las vlvulas en casi todas las aplicaciones, tanto militares como comerciales.
La idea inicial de construir un circuito completo de estado slido en un bloque semiconductor fue propuesta por
Dummer en 1952. No obstante, en 1958 Kilby, poco despus de incorporarse a la Texas Instrument, concibi la idea
de un monoltico, es decir, construir un circuito completo en germanio o silicio. El primer circuito integrado fue un
oscilador por rotacin de fase que se construy empleando como material base el germanio, y sobre l, se formaban
resistencias, condensadores y transistores, utilizando cables de oro para unir estos componentes.
Simultneamente, Noyce, de Fairchild Semiconductor, tuvo tambin la idea de un circuito monoltico en el que aisl
mediante diodos p-n los distintos dispositivos, desarroll la fabricacin de resistencias e interconect los diferentes
dispositivos mediante metal vaporizado. No obstante, el primer transistor de difusin moderno fue creado por Hoerni
de Fairchild en 1958 empleando tcnicas fotolitogrficas y utilizando los procesos de difusin antes desarrollados por
Noyce y Moore. La clave de la fabricacin de circuitos integrados reside en el transistor planar y la posibilidad de
fabricacin en masa. En 1961, Fairchild e Texas Instrument introdujeron comercialmente los circuitos integrados.
Otro dispositivo que intervino en el avance espectacular de la Electrnica, aunque su desarrollo fue posterior al del
transistor debido a problemas tecnolgicos, es el transistor de efecto de campo. Antes de la invencin de este
transistor, numerosos investigadores ya haban estudiado la variacin de conductividad de un slido debido a la
aplicacin de un campo elctrico. El transistor de unin de efecto de campo fue propuesto por Shockley en 1951,
aunque problemas tecnolgicos para lograr una superficie estable retrasaron su realizacin fsica. Estos problemas
fueron solucionados al desarrollarse el proceso planar y la pasivacin de la superficie con xido de silicio (SiO2). En
1960, Kahng y Atalla, de Bell Laboratories, anunciaron el primer transistor de efecto de campo de puerta aislada. En
1962, Hofstein y Heiman emplearon la nueva tecnologa MOS para fabricar un circuito integrado con ms de mil
elementos activos. El nuevo dispositivo MOS presentaba diversas ventajas sobre transistores bipolares y sentaba la
base para el desarrollo de la alta escala de integracin.
Las tcnicas de integracin de circuitos se beneficiaron de los avances tecnolgicos. Los procesos de implantacin
inica y litografa permitieron realizar lneas de conexin en la oblea de silicio con anchuras del orden de micras.
Adems, el avance en las tecnologas de integracin introdujeron los circuitos PMOS y CMOS, con unas
caractersticas de tiempos de propagacin y potencia consumida cada vez mejores. La eficiencia, velocidad y
produccin han mejorado continuamente en los transistores de unin y efecto de campo, a la vez que el tamao y el
costo se ha reducido considerablemente. En poco tiempo, se pas de construir elementos discretos a sistemas
integrados con ms de un milln de transistores en una sola pastilla. La evolucin ha sido espectacular: as, en 1951 se
fabricaron los primeros transistores discretos, en 1960 se construyeron los primeros circuitos monolticos con 100
componentes, en 1966 estos circuitos alcanzaron 1000 componentes, en 1969 se lleg a 10000, y actualmente se estn
fabricando circuitos integrados con varios millones de transistores.
En un principio, los circuitos desarrollados para aplicaciones de comunicacin utilizando tubos de vaco, fueron
construidos con transistores discretos. Sin embargo, los investigadores de los aos 60 se dieron cuenta que estos
mismos circuitos no eran transplantables directamente a circuitos integrados y que era preciso disear estructuras
nuevas. Esto potenci el desarrollo de nuevas estructuras tales como las fuentes de polarizacin desarrolladas por
Widlar y a la introduccin del primer amplificador operacional comercial (A702). En 1968, los laboratorios de
Fairchild presentan el popular amplificador operacional compensado internamente A741. Otros circuitos analgicos
de esta poca son los comparadores, reguladores de tensin, los PLL monolticos, convertidor analgica-digital, etc. La
revolucin microelectrnica introdujo una nueva industria: la computacin. Esta industria surgi por la gran
expansin que se produce en el campo de la electrnica digital.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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En 1960, Noyce y Norman introdujeron la primera familia lgica semiconductora, lgica resistencia-transistor (RTL),
que sirvi de base para la construccin de los primeros circuitos integrados digitales.
Seguidamente, en 1961, apareci la familia de acoplo directo (DCTL), y un ao ms tarde la lgica diodo transistor
(DTL). En 1964, Texas Instrument presenta la lgica transistor-
transistor (TTL), y la serie de circuitos integrados digitales 54/74
que han permanecido activos hasta hace poco. Motorola, en 1962
introduce la lgica de emisores acoplados (ECL) de alta velocidad y
en 1968 con sta misma lgica logra tiempos de retraso del orden
del nanosegundo. En contrapartida, en 1970 se lanza la serie TTL en
tecnologa Shottky y en 1975 aparece la serie TTL Shottky de baja
potencia con tiempos de retraso muy prximos a la ECL. En 1972,
apareci la familia lgica de inyeccin integrada (IIL) cuya
principal caracterstica es su alta densidad de empaquetamiento.
La electrnica digital tiene su mxima expansin con las familias
lgicas basadas en el transistor MOS, debido a que su proceso de
fabricacin es ms sencillo, permite mayor escala de integracin y
los consumos de potencia son ms reducidos. Estas caractersticas han dado lugar que la tecnologa MOS desplace a la
bipolar en la mayor parte de las aplicaciones. El proceso de miniaturizacin en tecnologa MOS se encuentra por
debajo de 1 micra aproximndose rpidamente a su lmite fsico. Esto ha permitido que se puedan realizar circuitos
integrados que incorporan millones de dispositivos.
En la dcada de los ochenta se introducen los circuitos digitales BiCMOS que ofrecen conjuntamente el bajo consumo
de la tecnologa CMOS y la velocidad de las familias bipolares a costa de una mayor complejidad y coste del proceso
de fabricacin. Tambin se desarrollan circuitos de alta velocidad basados en el GaAs con retrasos del orden de
decenas de picosegundos. Existen muchas expectativas en el desarrollo de esta tecnologa aunque problemas de
fabricacin no permiten actualmente alcanzar la escala de integracin que se logra con el silicio.
Paralelamente, se desarrollan teoras matemticas para anlisis y diseo de sistemas electrnicos.
Particularmente, el espectacular desarrollo de las computadoras digitales se debe en gran parte a los avances
conseguidos en la Teora de Conmutacin, que establece modelos matemticos para los circuitos digitales,
transformando los problemas de diseo y verificacin en tcnicas matemticas muy algoritmizadas e independientes
en gran medida de los dispositivos fsicos. El desarrollo de la Teora de Conmutacin puede decirse que empieza con
los trabajos de Shannon en 1938, en los que aplica el lgebra de Boole al anlisis de circuitos relevadores. El lgebra
de Boole fue desarrollado en 1854 como una concreccin matemtica de las leyes de la lgica de predicados estudiada
por los filsofos de la poca. La Teora de Conmutacin se extiende principalmente a circuitos combinacionales hasta
que, a mediados de la dcada de los cincuenta, los trabajos de Huffman y de Moore desarrollan la teora de los
circuitos secuenciales. El carcter algortmico de las tcnicas de diseo las hace especialmente aptas para su
resolucin mediante computador, con lo que ste se convierte as en herramienta bsica para el desarrollo de sistemas
digitales en general y de nuevos computadores ms potentes y sofisticados en particular.
El ms significativo avance de la electrnica digital es la introduccin en 1971 del microprocesador, debido a la
necesidad de producir un circuito estndar de propsito general y gran flexibilidad que sirviera para las calculadoras y
fuera apto a otras muchas aplicaciones. En 1971, Intel introdujo en el mercado el microprocesador de cuatro bits
conocido como el modelo 4004. Era una CPU completa monoltica con 45 instrucciones en tecnologa PMOS con
2300 transistores. El xito del procesador fue inmediato y su amplia difusin supusieron el comienzo de una autntica
revolucin industrial. Dos aos posteriores a la presentacin del primer procesador,
Intel desarrolla el microprocesador de 8 bits 8008 con una velocidad de 50000 instrucciones por segundo. Este
continuo desarrollo de los microprocesadores ha permitido en la actualidad construir procesadores de 32 bits con altas
velocidades de procesado. La evolucin de los microprocesadores es actualmente muy rpida, con creciente
implantacin en los procesos de automatizacin industrial, robtica, instrumentacin inteligente, y en los elementos de
sociedad de consumo, automviles, electrodomsticos, etc. La introduccin de microprocesadores ms potentes ha
marcado un rpido desarrollo de los microcomputadores y ordenadores personales, y su implantacin es cada vez ms
importante en el mbito de automatizacin de oficinas, comunicaciones y redes informticas.
Electrnica Bsica para Ingenieros
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depsito Legal: SA-138-2001
El propio proceso de automatizacin que ha permitido desarrollar el microprocesador, alcanza a la propia tecnologa
de los circuitos integrados. A partir de la dcada de los 80, las propias industrias dedicadas a la fabricacin de
circuitos integrados ofrecen la posibilidad de que los clientes diseen sus prototipos. Es decir, con un soporte CAD
adecuado, los diseadores pueden acceder al diseo y verificacin de sus propios circuitos, tarea reservada hasta
entonces a unos pocos especialistas. Esto ha permitido que el diseo de circuitos integrados haya sido introducido en
la Universidad surgiendo asignaturas y especialidades dedicadas exclusivamente a este tema.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Sin embargo, la enorme complejidad de los circuitos integrados requiere cada vez herramientas de simulacin y test
ms sofisticadas en todos los niveles de diseo. Han surgido tcnicas de diseo estructurado (diseo para testabilidad)
que imponen restricciones en la libertad del diseo como la nica manera de simplificar la complejidad de los
circuitos, y que constituyen una de las lneas de investigacin donde ms esfuerzo se est realizando tanto a nivel
universitario como a nivel industrial.
Durante el periodo 1904 -1947, el tubo de vaco fue sin duda el
dispositivo electrnico de inters y desarrollo. Sin embargo, a
principios de la dcada de los treinta el tetrodo de cuatro
elementos y el pentodo de cinco elementos se distinguieron en la
industria de tubos electrnicos, y en los aos siguientes, la
industria se convirti en una de primera importancia y se lograron
avances rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura, las
aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la
miniaturizacin.
Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto
amplificador del primer transistor en los Bell Telephone
Laboratorios. Las ventajas de este dispositivo de estado slido de
tres terminales sobre el tubo electrnico fueron evidentes: era ms
pequeo y ligero; no tena filamentos o prdidas trmicas;
construccin de mayor resistencia y ms eficiente al absorber menos potencia; de uso rpido, sin requerir un periodo
de calentamiento; adems, las tensiones de operacin son ms bajas. El alumno descubrir que todos los
amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia) tendrn al menos tres terminales
con una de ellas controlando el flujo entre las otras dos.
Por otro lado el concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores
analgicos, usados en tcnicas operacionales en los aos 40. El nombre de amplificador operacional deriva del
concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia
extremadamente alta. Cambiando los tipos y disposicin de los elementos de retroalimentacin, podan implementarse
diferentes operaciones analgicas; en gran medida, las caractersticas globales del circuito estaban determinadas slo
por estos elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas
operaciones, y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era en
los conceptos de diseo de circuitos.
En cuanto a la historia de la electrnica de potencia empez en el ao de 1900, con la introduccin del rectificador de
arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al vaco de rejilla
controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos tuvieron su aplicacin en el control de la energa
hasta la dcada de 1950.
La primera revolucin electrnica tiene su inicio en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell
Telephone Laboratories. La mayora de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en este
descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se defini como un
tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR).
La Segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric
Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han introducido muy
diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. En la actualidad la revolucin de
la electrnica de potencia nos est dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energa con una
eficiencia cada vez mayor.
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se
utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando
de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
Conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idneo en electrnica de
potencia. El tiristor, comnmente conocido como SCR, es un dispositivo unidireccional. Su variante bidireccional es
el TRIAC.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para
propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta
para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
129
DISPOSITIVOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA.
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos, de
acuerdo con su grado de controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de conduccin o cierre (ON) y
bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn
terminal de control externo.
2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR
(Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin
(paso de OFF a ON) se debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo,
comnmente denominado puerta.
Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control
externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (Bipolar Junction
Transistor), los transistores de efecto de campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor),
los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate
Turn-Off Thyristor), entre otros.
En esta oportunidad nos concierne el estudio de los elementos de cuatro capas denominados tiristores, a su diseo y a
su funcin en el control de potencia en un sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas
propiedades en comn: son dispositivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un
estado de alta impedancia a uno de baja, estado que se mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores
a un valor mnimo denominado niveles de mantenimiento.
Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n, en
realidad cuentan con cuatro capas. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma
que, mediante un reaccin regenerativa, conmuta a conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo
sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente.
Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de
flexibilidad, duracin y velocidad. Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DC-
AC o AC-DC o AC-AC, motores, luz incandescente, etc. En la figura 1 se muestran los smbolos de los dispositivos
pertenecientes a la familia de los tiristores. El rectificador controlado de silicio o Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
es el tiristor de mayor inters hoy en da. Fue introducido en 1956 por los laboratorios de Bell Telephone y son
capaces de controlar hasta 10MW con niveles de corriente de hasta 2000A a 18000V.
El control de estos dispositivos se realiza a travs de transistores, familias lgicas, luz (en triacs optoelectrnicos),
transistores de uni-unin (UJTs), transistores de uniunin programables (PUTs), conmutadores bidireccionales de
silicio(SBSs), etc.
Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los
atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales.
El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo)
y otro de baja impedancia (conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea
potencia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est
en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos,
cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan
para controlar grandes potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de
funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la
potencia disipada depende de la frecuencia.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
130
DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS DE POTENCIA.
HISTORIA
El desarrollo de la EP inicia con la aparicin del rectificador de arco con vapor de mercurio en un tubo de vidrio, en el
ao de 1900. Entonces, y de manera gradual, los rectificadores de tanque metlico, los rectificadores con rejilla de
control, el ignitrn y el tiratrn fueron introducidos. Durante la segunda
guerra mundial, los amplificadores magnticos basados en reactores de ncleo
saturable y los rectificadores de selenio se hicieron especialmente atractivos
debido a su robustez y confiabilidad. Posiblemente la mayor revolucin en la
historia de la ingeniera elctrica ocurri en 1948 con la invencin del
transistor bipolar (BJT) por Bardeen, Brattain y Shockley de los laboratorios
Bell. En 1956 el mismo laboratorio desarrollo el diodo de cuatro capas PNPN
y posteriormente el SCR (rectificador controlado de silicio) que es similar a
un transistor de disparo, el cual se designo tambin con la palabra Tiristor. En 1958, la compaa General Electric
introduce el tiristor comercial al mercado, lo que marca el inicio de la era moderna de la electrnica. En los aos 60s
se desarrolla el GTO (Gate Turn Off) que es un tipo de SCR mejorado, pues se puede disparar y bloquear por la
Terminal de gatillo o puerta.
Ya en 1970, aparecen los primeros circuitos integrados, cuya tecnologa se aplicar posteriormente en el desarrollo de
mdulos de dispositivos de potencia, simples e inteligentes. En 1981 IBM desarrolla la computadora personal que
inicia la revolucin de la informtica, y que tiene repercusiones determinantes en todas las reas del saber humano. En
la dcada de los 80s se desarrollan nuevos dispositivos de potencia tales como el MCT (MOS Controlled Tiristor) y
el IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), los cuales son denominados componentes electrnicos hbridos, es decir,
que estn formados por dos o ms dispositivos originales, mejorando as radicalmente su desempeo. A finales de los
80s y en los aos 90s se desarrollan mdulos que agrupan varios dispositivos en un mismo chasis. Los mdulos
simples son aquellos que solo contienen los dispositivos de potencia y algunas protecciones, como los diodos para
corrientes inversas de cargas inductivas. Por otro lado, los mdulos inteligentes o SMART MODULES que
representan el estado ms avanzado de la EP, son dispositivos electrnicos complejos que manejan en la misma
unidad la potencia, las protecciones y diagnstico, el aislamiento ptico entrada/salida, el circuito de excitacin y la
lgica digital para su trabajo (procesador). Los usuarios solo requieren conectar fuentes de alimentacin externa para
su operacin. Tambin en la dcada de los 90s se desarrollan los motores de CA de velocidad variable y los
microprocesadores de 128 bits con un total de hasta 125 millones de transistores.
Ya en los aos recientes a partir del 2000, se han desarrollado innovaciones tales como los transformadores
piezoelctricos que sustituyen con grandes ventajas a los componentes magnticos en fuentes de alimentacin
conmutadas. Otro avance significativo es en los sistemas automotrices de 42 V, en los que se convierte de dicho
voltaje a los 12 V acostumbrados mediante un Troceador.
REAS DE ESTUDIO
La Electrnica de Potencia (EP) es aquella parte de la electrnica, analgica y digital, encargada del control y la
conversin de la energa elctrica. Por su parte, la industria moderna tiene dos necesidades fundamentales a ser
atendidas desde el punto de vista de la electrnica: la primera es el diseo de sistemas electrnicos para conversin de
energa elctrica, y la segunda el diseo de circuitos electrnicos capaces de controlar la maquinaria industrial.
La EP. Adems de estudiar los dispositivos, circuitos de proteccin y disparo, tiene por misin el aplicarlos en el
control y la conversin de la energa elctrica para diversos fines, por medio de los denominados convertidores de
energa. Estos convertidores se clasifican de la manera siguiente:
1. Rectificadores (CA a CD): circuito formado por diodos y pueden ser monofsicos o trifsicos.
2. Rectificadores controlados (CA a CD): formados por SCRs y cuyo valor promedio de voltaje de salida se
puede controlar.
3. Pulsadores o troceadores (CD a CD): Tambin formados con SCRs, conmutan el voltaje de bateras de CD,
para modificar su potencia.
4. Inversores (CD a CA): pueden ser formados con tiristores o transistores para alimentar cargas de CD a partir
de bancos de bateras.
5. Cicloconvertidores (CA a CA): formados con SCRs suministran a la salida una CA de frecuencia variable.
Cualquiera de dichos sistemas estar estructurado de acuerdo con el siguiente esquema:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
131
En el esquema anterior se puede observar que cualquier
sistema de control electrnico de potencia est formado
por tres bloques que accionan una determinada carga
(sistema a accionar). El circuito de potencia tiene como
finalidad el convertir y proporcionar la energa requerida
por la carga, de acuerdo a la seales de disparo y bloqueo
recibidas de dicho bloque funcional, y a este ltimo llegar
una seal de error que resulta de la comparacin en
funcin de la seal esperada (referencia) con respecto a la
variable real de la carga a controlar. Esta variable puede
ser velocidad de un motor, temperatura en un calefactor,
intensidad lumnica en una lmpara, etc.
APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Las aplicaciones generales de todos los FET son:
Electrnica Analgica
Para estas aplicaciones se emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas
tensiones en estado de corte.
Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal).
Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia.
Control de potencia elctrica entregada a una carga.
En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC del MOS se encuentre en la
regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente slo de la tensin VGS.
Electrnica Digital
Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar entre dos estados
diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta aplicacin se emplean
dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente pueda considerarse que:
La cada de tensin en conduccin es muy pequea.
La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.
Ejemplo:
Considerar el circuito de la figura 1.29 Se desea saber cual debe ser el valor de Vin que se necesita para hacer
conducir el SCR y la potencia que disipara el resistor R1.
El valor de R1 es 150 W y el SCR es el 2N3669, el cual requiere una IG = 20 mA en condiciones normales.
Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as
como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el
transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos
semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma
extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un
estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los
Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los
tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores,
los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).
Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva
caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la
cada de tensin entre los electrodos principales.
Figura 1.2. Estructura de un sistema electrnico de
potencia.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
132
Tiristores unidireccionales
Se llama tiristor a todo componente semiconductor con 2 estados estables constituidos por varias capas
semiconductoras, 3 o ms uniones pn y 2, 3 o 4 terminales. La electronica de potencia utiliza los tiristores, y su
operacin se basa en la conmutacin. Conmutacin significa pasar de estado de conduccin a estado de bloqueo o
viceversa.
Unidireccionales: Conducen en un solo sentido
Dentro de los unidireccionales tenemos: SCR, GTO, Diodo de cuatro capas o Diodo Shockley.
El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :
- Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia
(conduccin).
- Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia.
- Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas
cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan
para controlar grandes potencias.
- Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia.
Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura
pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y
compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta
de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las
uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene
polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del
nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de
bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga
corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se
incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada
inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por
avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen
polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran
corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.
La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1V. En el estado
activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en
la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la
cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al
ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo
mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y
se ha retirado la seal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica v-i comn de un tiristor.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
133
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el
dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de vida a
movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel
conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida
al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es
del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH . La corriente de
mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La
corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las
uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a
travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente
de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.
La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un modelo
de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor
PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3.
La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga
de la unin colector-base ICBO, como:
Ic = IE + ICBO (1)
La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la
corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1):
IC1 = 1 IA + ICBO1 (2)
Modelo de tiristor de dos terminales.
Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para el transistor
Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 = 2IK + ICBO2 (3)
Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al combinar IC1 e IC2,
obtenemos:
IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2 (4)
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en funcin de IA
obtenemos:
IA = 2 IG + ICBO1 + ICBO2 (5)
1 - ( 1 + 2)
Activacin Del Tiristor
Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes
formas.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
134
Termica.
Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las
corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que 1 y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa (
1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica
que por lo general se evita.
Luz.
Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco pudindose activar el
tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.
Aplicaciones de la Electrnica de Potencia
Residencial:
1. Refrigeracin y congeladores
2. Calefaccin
3. Aire acondicionado
4. Iluminacin
5. Computadoras personales
6. Equipos de entretenimiento
Comercial:
1. Elevadores
2. Fuentes de energa ininterrumpibles
3. Computadoras y equipos de oficina
4. Centrales de refrigeracin
5. Aire acondicionado
6. Iluminacin
Industrial:
7. Bombas y compresores
8. Robots industriales
9. Hornos de arco y de induccin
10. Lser industrial
11. Mquinas de soldadura
Transportacin:
7. Control de la traccin en vehculos elctricos
8. Cargadores de bateras
9. Trenes elctricos
10. Mecatrnica automotriz
Sistemas utilitarios:
12. Transmisin de alto voltaje (HVDC)
13. Fuentes alternativas de energa (viento,
fotovoltaica, etc.)
14. Sistemas de almacenamiento de energa
Industria aeroespacial:
11. Sistemas de alimentacin de satlites
12. Sistemas de potencia de aviones comerciales
y militares.
13. Cohetes y transbordadores espaciales
Telecomunicaciones:
15. Cargadores de bateras
16. Transmisores de microondas
17. Fuentes de poder
Otros:
14. Perforacin de pozos petroleros
15. Generadores ultrasnicos
16. Juguetes electrnicos.
Alto voltaje.
Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga
suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe
evitar.
dv/dt.
Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las
uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor.
Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe
protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los
tiristores.
Corriente De Compuerta.
Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de
compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las
terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de
compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la
fig.4
Existe un gran nmero de dispositivos electrnicos (llamados tiristores) cuya
estructura a nivel semiconductor es bastante semejante y se basan en lo que se
denomina diodo de cuatro capas, tal como se muestra a continuacin:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
135
Como se observa en la figura, existen tres junturas, indicadas por J1, J2 y J3, por lo que en una primera aproximacin,
se podra pensar en el siguiente equivalente:
Este modelo equivalente es sumamente rudimentario e inexacto, pero nos permite observar que entre nodo y ctodo
no es posible la circulacin de corriente en ninguno de los sentidos, ya que siempre habr una juntura polarizada en
inverso. De todas maneras, recordemos que todo diodo posee un voltaje de ruptura inverso, de manera que si se supera
esa ruptura (aplicando la tensin adecuada), se establecera la conduccin.
Entre la puerta de control y el ctodo si existe una juntura que se puede polarizar en directo. La polarizacin en directo
de dicha juntura (con un nivel de corriente adecuado) produce lo que se llama el cebado del tiristor. Dicho cebado trae
como consecuencia un fenmeno de avalancha que permite la conduccin de corriente entre nodo y ctodo.
La familia de dispositivos tiristores es muy amplia. En funcin de las tcnicas de fabricacin del dispositivo
semiconductor, los tiristores pueden ser unidireccionales (la corriente A-K puede circular en un solo sentido) o
bidireccionales (la corriente A-K puede circular en un los dos sentidos).
Entre los dispositivos unidireccionales se pueden mencionar los siguientes:
SCR (rectificador controlado de silicio), GTO (tiristor de apagado por puerta), SCS (tiristor de doble puerta), SUS
(conmutador unilateral) y el LASCR (tiristor activado por luz).
Entre los dispositivos bidireccionales se pueden mencionar los siguientes:
TRIAC (triodo de corriente alterna), DIAC (diodo de corriente alterna) y el SBS (conmutador bilateral).
De los dispositivos antes mencionados estudiaremos dos: El SCR y el TRIAC.
Aplicaciones:
Traccin elctrica: troceadores y convertidores.
Industria:
Control de motores asncronos.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
Etc.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor-.- que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia").
La palabra tiristor proviene del griego puerta. Se trata de un dispositivo semiconductor de
cuatro capas PNPN, utilizado para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos
electrnicos de disparo, que conmuta en dos estados: corte y saturacin.
Con tres terminales accesibles denominadas nodo, ctodo y puerta o gatillo, el funcionamiento
de este semiconductor es como diodo rectificador controlado (S.C.R.), el cual permite
circulacin de corriente en un solo sentido. Para que exista circulacin, la puerta debe recibir
un pulso de un determinado voltaje, ya que una vez accionado el tiristor no se necesita el pulso
de voltaje en la puerta, pues ste continuar conduciendo hasta que la corriente de carga se
anule o reciba otro pulso de voltaje. Cuando se trabaja en corriente alterna el tiristor se
desconecta en cada alternancia de ciclo.
En corriente alterna se utiliza mayormente la configuracin antipara-lelo, ya que de esta forma es posible trabajar con
los semiciclos positivos y negativos en combinacin con circuitos llamados "detectores de cruces por cero".
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se
utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando
de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los artefactos domsticos de uso diario: radios, televisores,
grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar
grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.
La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la funcin que efecta este
componente: una puerta que permite o impide el paso de la corriente a travs de ella. As como los transistores pueden
operar en cualquier punto entre corte y saturacin, los tiristores en cambio slo conmutan entre dos estados: corte y
conduccin.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
136
Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms significativos: Diodo Shockley, SCR
(Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones
pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La figura muestra el smbolo del tiristor y
una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una
pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en
condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente
de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo
suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce
como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las
uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones
que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o
activado.
La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por
lo comn 1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una
impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la figura.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de
enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de
la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo
regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del
nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin
inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la
compuerta.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el
dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de vida a
movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel
conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida
al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es
del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH. La corriente de
mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La
corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las
uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a
travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente
de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.
Los electrones de la capa ms externa se conocen como electrones de valencia. Cuando elementos muy puros, como el
silicio y el germanio, se enfran desde el estado lquido, sus tomos se colocan en patrones ordenados que se llaman
cristales. Los electrones de valencia determinan la forma caracterstica o estructura reticular del cristal resultante. Los
tomos de silicio y germanio tienen cuatro electrones de valencia cada uno.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
137
Teora de semiconductores
Aunque los electrones de valencia son retenidos con fuerza en la estructura cristalina, pueden romper sus enlaces y,
por tanto, moverse en forma de conduccin. Esto sucede si se proporciona suficiente energa externa (por ejemplo, en
forma de luz o calor). Debido a la interaccin entre tomos en un cristal, es posible que los electrones de valencia
posean niveles de fuente de energa dentro de un intervalo de valores. As como existe un intervalo o banda de fuente
de energas para los electrones de valencia, hay otro intervalo de valores de fuente de energa para los electrones
libres, es decir, aquellos que rompen el enlace y forman un canal de conduccin.
Conduccin en los materiales.
En la figura 1.2 se presentan tres diagramas de niveles de fuente de energa. En la figura 1.2 (a) las bandas de fuente
de energa se encuentran muy separadas. La regin sin sombrear representa una banda prohibida de niveles de fuente
de energa en el cual no se encuentran electrones. Cuando esta banda es relativamente grande, como se muestra en la
figura, el resultado es un aislante.
Si la banda es ms o menos pequea (del orden de un electrn volt (eV), la cantidad de energa cintica que aumenta
un electrn cuando cae a travs de un potencial de 1 V o 1.6 x 10
19
J), el resultado es un semiconductor.
La fuente de energa necesaria para romper un enlace covalente es funcin del espaciamiento atmico en el cristal.
Cuanto ms pequeo sea el tomo, ms pequeo ser el espaciamiento y mayor la fuente de energa necesaria para
romper los enlaces covalentes. El conductor, o metal, se tiene cuando las bandas se traslapan, como se muestra en de
la figura 1.2 (c).
El conductor permite que se muevan las cargas elctricas cuando existe una diferencia de potencial a travs del
material. En un conductor, no existen barrera alguna entre la fuente de energa de electrn de valencia y la del electrn
de conduccin. Esto significa que un electrn de valencia particular no est asociado fuertemente a su propio ncleo.
Por tanto, es libre de moverse a travs de la estructura. Este movimiento de electrones, generalmente como respuesta a
la aplicacin de un potencial, es la conduccin.
Conduccin en materiales semiconductores
En los tomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen juntos con suficiente fuerza. Los electrones interiores
se encuentran a gran profundidad dentro del tomo, mientras que los electrones de valencia son parte del enlace
covalente: no pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de energa. En calor y otras fuentes de
energa provocan que los electrones en la banda de valencia rompan sus enlaces covalentes y se conviertan en
electrones libres en la banda de conduccin. Por cada electrn que deja la banda de valencia, se forma un " hueco. Un
electrn cercano a la banda de valencia puede moverse y llenar el hueco, creando otro, prcticamente sin intercambio
de energa. La conduccin provocada por los electrones en la banda de conduccin es diferente de la conduccin
debida a los huecos dejados en la banda de valencia. En semiconductores puros, existen tantos huecos como electrones
libres.
La fuente de energa trmica interna aumenta la actividad de los electrones; por tanto, saca a los electrones de valencia
de la influencia del enlace covalente y los dirige hacia la banda de conduccin. De esta forma, existe un nmero
limitado de electrones en la banda de conduccin bajo la influencia del campo elctrico aplicado; estos electrones se
mueven en una direccin y establecen una corriente, como se muestra en la figura 1.5. El movimiento de huecos es
opuesto al de los electrones y se conoce como corriente de huecos. Los huecos actan como si fueran partculas
positivas y contribuyen a la corriente total. Los dos mtodos mediante los cuales se pueden mover los electrones y
huecos a travs de un cristal de silicio son la difusin y el desplazamiento.
Materiales semiconductores
El tomo de germanio tiene lleno un anillo exterior ms que el tomo de silicio. Este anillo exterior en el germanio se
encuentra a una distancia mayor del ncleo que el anillo exterior en el silicio. Por tanto, en el tomo de germanio se
necesita una fuente de energa menor para elevar electrones de la banda de exterior a la banda de conduccin. El
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
138
germanio tiene una barrera de la fuente de energa ms pequea para separar sus bandas de valencia y de conduccin,
por lo que se requiere una menor cantidad de energa para cruzar las barreras entre bandas.
Semiconductores contaminados
La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considerable cuando se introducen cantidades
pequeas de impurezas especficas en el cristal. Este procedimiento se llama contaminacin. Si las sustancias
contaminantes tienen electrones libres extra, se conoce como donador, y el semiconductor contaminado es de tipo n.
Los portadores mayoritarios son electrones y los portadores minoritarios son huecos, pues existen ms electrones que
huecos. Si la sustancia contaminante tiene huecos extra, se conoce como aceptor o receptor, y el semiconductor
contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios son huecos y los minoritarios son electrones. Los materiales
contaminados se conocen como semiconductores extrnsecos, mientras que las sustancias puras son materiales
intrnsecos. La densidad de electrones se denota por n y la densidad de huecos por p. Se puede demostrar que el
producto, np, es una constante para un material dado a una temperatura dada. La densidad intrnseca de portadores,
que se denota con n
i
, est dada por la raz cuadrada de este producto. Entonces,
n
i
2
= np
Como estas concentraciones estn provocadas por ionizacin trmica, n
i
depende de la temperatura del cristal. Se
concluyen entonces que n o p, o ambos, tienen que ser funcin de la temperatura. La concentracin de huecos
minoritarios es funcin de la temperatura en el material contaminado de tipo n y la densidad de electrones
mayoritarios es independiente de la temperatura. En forma similar, la concentracin de electrones minoritarios es
funcin de la temperatura en los materiales de tipo p, mientras que la densidad de huecos mayoritarios es
independiente de la temperatura. La resistencia de un semiconductor se conoce como resistencia de bloque. Un
semiconductor ligeramente contaminado tiene una alta resistencia de bloque.
Diodos semiconductores
El diodo ideal es un dispositivo lineal con caractersticas de corriente contra tensin, como la mostrada en la figura 1.9
(b). Esta caracterstica se conoce como lineal a segmentos, ya que la curva se construye con segmentos de rectas, si se
intenta colocar una tensin positiva (o directa) a travs del diodo, no se tienen xito y la tensin se limita a cero. La
pendiente de la curva est infinita. Por tanto, bajo esta condicin la resistencia es cero y el diodo se comporta como un
cortocircuito. Si se colocan una tensin negativa (o inversa) a travs del diodo, la corriente es cero y la pendiente de la
curva tambin es cero. Por tanto, del diodo se comporta ahora como una resistencia infinita, o circuito abierto.
Construccin del diodo
En la figura 1.10 se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocada junta para formar una unin. Esto
representa un modelo simplificado de construccin del diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la
concentracin de impurezas en el material. Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material
semiconductor, en la que un lado se contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n.
Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio.
En general, en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la
operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son mucho menores. El arsenurio de galio es
particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el
cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin. La caracterstica esencial de la
unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De
otra manera, la unin no se comporta como un diodo. C abran una regin desrtica en la vecindad de la unin, como se
muestra en la figura 1.11 (a). Este fenmeno se debe a la combinacin de huecos y electrones donde se unen los
materiales. La regin desrtica tendr muy pocos portadores.
Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento de huecos y electrones a travs de la
unin se suman para formar la corriente de difusin, I
D
. La direccin de esta corriente es del lado p al lado n. Adems
de la corriente de difusin existe otra corriente debido al desplazamiento de portadores minoritarios a travs de la
unin, y se conoce como I
S
.
Si ahora se aplica un potencial positivo al material p en relacin con el material n, como se muestra en la figura 1.11
(b), se dice que el diodo est polarizado en directo, por otra parte, si la tensin se aplican como en la figura 1.11 (c), el
diodo se polariza en inverso.
Operacin se del diodo
El la figura 1.12 se ilustran las caractersticas de operacin de un diodo prctico. Esta curva difiere de la caracterstica
ideal de la figura 1.9 (b) en los siguientes puntos: conforme la tensin en directo aumenta ms all de cero, la corriente
no fluye de inmediato. Es necesaria una tensin mnima, denotada por V, para obtener una corriente significativa.
Conforme la tensin tiende a exceder V la corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva caracterstica es
grande pero no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensin mnima necesaria para obtener una corriente
significativa, V, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores de silicio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para
semiconductores de germanio.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
139
La diferencia de tensin para el silicio y el germanio radica en la estructura atmica de los materiales. Para diodos de
arsenurio de galio, V es ms o menos 1.2 V.
Cuando el diodo est polarizado el inverso, existe una pequea corriente de fuga, est corriente se producen siempre
que la tensin sea inferior a la requerida para romper la unin. El dao al diodo normal en ruptura se debe a la
avalancha de electrones, que fluyen a travs de la unin con poco incremento en la tensin. La corriente muy grande
puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensin de ruptura del
diodo (V
BR
).
Modelos de circuito equivalentes del diodo
El circuito mostrado en la figura 1.13 (a) representa un modelo simplificado del diodo de silicio bajo condiciones de
operacin en cd tanto en directo como en inverso. El resistor R
r
representa la resistencia en polarizacin inversa del
diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (M). El resistor R
f
representa la resistencia de bloque y contacto del
diodo, y suele ser menor que 50. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocircuito, o
resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo practic modelado en la figura 1.13 (a) es R
r
.
Bajo condiciones de polarizacin en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (circuito abierto), y la resistencia
de circuito del modelo prctico es R
r
. Los modelos de circuito en ca son ms complejos debido a que la operacin del
diodo depende de la frecuencia.
Fsica de los diodos en estado slido
Distribucin de carga
Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se producen una redistribucin de carga. Algunos
de los electrones libres del material n migran a travs de la unin y se combinan con huecos libres en el material p. De
la misma forma, algunos de los huecos libres de material p se mueven a travs de la unin y se combinan con
electrones libres en el material n. Como resultado de esta redistribucin de carga, el material p adquiere la carga
negativa neta y el material n obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo elctrico y una diferencia de
potencial entre los dos tipos de material que inhibe cualquier otro movimiento de carga. El resultado es una reduccin
en el nmero de portadores de corriente cerca de la unin. Esto sucede en un rea conocida como regin desrtica.
Estamp elctrico resultante proporciona una barrera de potencial, o colina, en una direccin que inhibe la migracin
de portadores a travs de la unin.
Relacin entre la corriente y la tensin en un diodo
Existe una relacin exponencial entre la corriente del diodo y en potencial aplicado.
La relacin se describe por medio de la ecuacin (1.1).
Los trminos de la ecuacin (1.1) se definen como sigue:
I
D
= corriente en el diodo
v
D
= diferencia de potencial a travs del diodo
I
0
= corriente de fuga
q = carga del electrn: 1.6 x 10
-19
coulombs
k = constante de Boltzman 1.38 x 10
-23
J/ k
T = temperatura absoluta en grados kelvin
n = constante emprica entre 1 y 2
La ecuacin (1.1) se puede simplificar definiendo Esto da
(1.2)
Si se opera a temperatura ambiente (25 c) y solo en la regin de polarizacin en directo, entonces predomina el primer
trmino en el parntesis y la corriente est dada aproximadamente por
(1.3)
La corriente de saturacin inversa, I
0
, es funcin de la pureza del material, de la combinacin y de la geometra del
diodo. La constante emprica, n, es un nmero propiedad de la construccin del diodo y puede variar de acuerdo con
los niveles de tensin y de corriente.
Aunque las curvas para la regin en directo mostrados en la figura 1.15 recuerdan una lnea recta, se sabe que la lnea
no es recta, ya que sigue una relacin exponencial, esto significa que la pendiente de la lnea se modifica conforme
cambia i
D
. Se puede diferenciar la expresin de la ecuacin (1.) para encontrar la pendiente en cualquier i
D
dada:
(1.4)
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
140
Aunque se sabe que r
d
cambia cuando cambian i
D
, se puede suponer fija para un intervalo de operacin especfico.
Efectos de la temperatura
La temperatura tiene un papel importante en la determinacin de las caractersticas operacionales de los diodos.
Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensin de encendido V. Por otra parte, un descenso en la temperatura
provoca un incremento en V. Esto se ilustra en la figura 1.16. Aqu V vara linealmente con la temperatura de acuerdo
con la siguiente ecuacin (se supone que la corriente del diodo, i
D
, se mantiene constante):
Donde:
T
0
= temperatura ambiente
T
1
= temperatura del diodo
V (T
0
) = tensin del diodo a temperatura ambiente
V (T
1
) = tensin del diodo a la nueva temperatura
k = coeficiente de temperatura en V
Lneas de carga del diodo
Como El diodo es un dispositivo no lineal, se deben modificar las tcnicas estndar de anlisis de circuitos. No se
pueden escribir ecuaciones simples y resolver para las variables, ya que las ecuaciones slo son vlidas dentro de una
regin particular de operacin. En la figura 1. Resienten (a) se ilustra un circuito con un todo, un capacitor, una fuente
y dos resistor se. Si se denomina a la corriente y a la tensin del diodo como las dos incgnitas del circuito, se
necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan estas dos incgnitas para encontrar una solucin emitan para el
punto de operacin. Una vez las ecuaciones es la restriccin proporcionada por los elementos conectados al diodo
pronto la segunda es la relacin real entre corriente y tensin para el diodo. Estas dos ecuaciones se deben resolver
simultneamente para determinar la tensin y la corriente en el diodo. Esta solucin simultnea se puede llevar a cabo
en forma grfica.
Si en primer lugar se toma la condicin de cd, la fuente de tensin se
vuelve simplemente V
s
, y el capacitor es un circuito abierto (es decir, la
impedancia del capacitor es infinita a frecuencia cero). Por tanto, la
ecuacin del caso se puede escribir como
(1.6)
sta es la primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tensin del diodo. Es necesario combinarla con la
caracterstica del diodo y resolver para el punto de operacin. La grfica de esta ecuacin se muestra en la figura 1.17
(b) y se etiqueta como " lnea de carga en cd. La grfica de la caracterstica del diodo tambin se muestra en el mismo
conjunto de ejes. La interseccin de las dos grficas da la solucin simultnea de las
Ecuaciones y se etiqueta como. Q " en la figura. Este es el punto en el cual opera el circuito con las entradas variables
iguales a cero. La Q (quiescente) denota condicin de reposo.
Si ahora se aplica una seal en el tiempo adems de la entrada de sede, cambia una de las dos ecuaciones simultneas.
Si se supone que la entrada variable es de una frecuencia suficientemente alta como para permitir la aproximacin del
capacitor como un cortocircuito, la nueva ecuacin est dada por (1.7):
Figura 1.17
(1.7)
De los muchos parmetros, slo se han considerado los componentes variables en el tiempo. Entonces, en valor total
de los parmetros est dado por
y la ecuacin (1.7) se vuelve
Esta ltima ecuacin se etiqueta como " lnea de carga en ca " en la figura 1.17 (b). La lnea de carga en ca debe pasar
a travs del punto Q, ya que en los momentos en que la parte variable se hace cero, las dos condiciones de operacin
(cd y ca) deben coincidir. Por tanto, la lnea de carga en ca se determina de manera nica.
Capacidad de manejo de potencia
Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las caractersticas se determinan por la
construccin fsica del diodo (por ejemplo, el tamao de la unin, el tipo de empaque y el tamao del diodo). Las
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
141
especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para ciertos intervalos
de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se clasifican por su capacidad de paso de corriente.
La potencia instantnea disipada por un diodo se define por medio de la expresin de la ecuacin (1.8):
Capacitancia del diodo
El circuito equivalente del diodo incluye un pequeo capacitor. El tamao de este capacitor depende de la magnitud y
moralidad de la tensin aplicaba al diodo. As como de las caractersticas de la unin formada durante la fabricacin.
En diodo polarizado en inverso acta como un capacitor cuya capacitancia vara en razn inversa a la raz cuadrada de
la tensin a claves del material semiconductor. La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a
5 pF. Est capacitancia puede llegar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta corriente (baja velocidad).
RECTIFICACION
Rectificacin de media onda
Como el diodo ideal puede mantener el flujo de corriente en una sola direccin, se puede utilizar para cambiar una
seal de ca en una de cd.
En la figura 1.20 se ilustra un circuito rectificador de media onda simple. Cuando la tensin de entrada es positiva, el
diodo se polariza en directo y se puede reemplazar por un cortocircuito (suponiendo que sea ideal). Si la tensin de
entrada es negativa, el diodo se polariza en inverso y se puede reemplazar por un circuito abierto (siempre que la
tensin no sea muy negativa como para romper la unin). Por otra parte, cuando el diodo se polariza en directo, la
tensin de salida a travs del resistor de carga se puede encontrar a partir de la relacin de un divisor de tensin. Por
otra parte, en condicin de polarizacin inversa, la corriente es cero, de manera que la tensin de salida tambin es
cero.
Rectificacin de onda completa.
Un rectificador de onda completa transfiere energa de la entrada a la salida durante todo el ciclo y proporciona mayor
corriente promedio por cada ciclo en relacin con la que se obtiene utilizando un rectificador de media onda. Por lo
general, al construir un rectificador de onda completa se utiliza un transformador con el fin de obtener polaridades
positivas y negativas. En la figura 1.21 se muestran un circuito representativo y la curva de la tensin de salida.
El promedio de una funcin peridica se define como la integral de la funcin sobre el periodo dividida por el periodo.
Es igual al primer trmino del desarrollo de la funcin en series de Fourier. El rectificador de onda completa produce
el doble de corriente promedio en relacin con el rectificador de media onda. El puente rectificador de la figura 1.22
realiza la rectificacin de onda completa. Cuando la fuente de tensin es positiva, los diodos 1 y 4 conducen y los
diodos 2 y 3 son circuitos abiertos. Cuando la fuente de tensin se vuelve negativa, se invierte la situacin y los diodos
2 y 3 conducen. Esto se indica en la figura 1.23.
Filtrado
Los circuitos rectificadores de la seccin anterior proporcionan una tensin en cd pulsante en la tensin de salida.
Estas pulsaciones conocidas como rizo de salida se pueden reducir considerablemente filtrando la tensin de salida del
rectificador. El tipo de filtro ms comn emplea un solo capacitor.
Demodulacin
La modulacin en amplitud (AM) es un mtodo para trasladar una seal de baja frecuencia a una frecuencia superior
para su transmisin a travs de un canal. La forma de onda de AM se caracteriza por la siguiente ecuacin:
La demodulacin, tambin conocida como deteccin, es el proceso de comenzar con la forma de onda modulada de la
figura 1.27 (a) y procesarla de manera que se obtenga la seal de audio, o la envolvente de la grfica. Este proceso no
es muy diferente del de rectificacin, excepto porque en el caso de la rectificacin la seal con la que se empieza es
una sinusoide de amplitud constante. Esto es, la rectificacin se puede considerar un caso especial de la demodulacin,
donde f (t) es Luna constante. Si se construye un rectificador pero se permite que la salida vare con tanta rapidez
como varia f (t) se abra construido un de moderador.
El circuito de la figura 1.27 (b) realiza la rectificacin de media onda sobre la entrada y produce la seal de salida,
como se muestra. Si ahora se coloca un capacitor en paralelo con el resistor, el efecto es proporcionar un decaimiento
exponencial entre pulsos, como se hizo en la figura 1.25, que muestra la salida de un filtro rectificador. Por tanto, con
una adecuada eleccin de parmetros, la salida del circuito de la figura 1.27(c) es aproximadamente igual a la seal de
audio.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
142
La constante de tiempo del circuito (el producto de la resistencia y la capacitancia) se debe elegir con cuidado para no
distorsionada la seal modulante (audio).
Diodos zener
El diodo zener es un dispositivo donde la contaminacin se realiza de tal forma que la tensin caracterstica de ruptura
o avalancha, Vz, es muy pronunciada. Si La tensin en inverso excede la tensin de ruptura, el diodo normalmente no
se destruye. Esto siempre que la corriente no exceda un mximo predeterminado y el dispositivo no se sobrecaliente.
Existe un segundo mecanismo por el cual se rompen los enlaces covalentes. La utilizacin de un campo elctrico
bastante fuerte en la unin puede provocar la ruptura directa del enlace. Si el campo elctrico ejerce una fuerza intensa
en un electrn de enlace, el electrn se extrae del enlace covalente provocando la multiplicacin de pares electrn-
hueco. Este mecanismo de ruptura se llama ruptura zener. El valor de la tensin inversa al cual se produce este
fenmeno se controla con la cantidad de contaminante en el diodo. Un diodo fuertemente contaminado tiene baja
tensin de ruptura zener, mientras que un diodo poco contaminado tiene una tensin de ruptura zener elevada.
La caracterstica de un diodo zener tpico se muestra en la figura 1.28. El smbolo de circuito para el diodo zener es
diferente del de un diodo regular y se ilustra en la figura 1.28.
Regulador zener
Se puede utilizar un diodo zener como regulador de tensin en la configuracin mostrada en la figura 1.29. En la
figura se ilustra una carga cuya resistencia puede variar sobre un intervalo particular. Est circuito se disea de tal
forma que el diodo opere en la regin de ruptura, aproximndose as a una fuente ideal de tensin. La tensin de salida
permanece relativamente constante an cuando la tensin de la fuente de entrada vare sobre un intervalo ms o menos
amplio. Es importante conocer el intervalo de la tensin de entrada y de la corriente de carga para disear este circuito
de manera apropiada. La resistencia, Ri, qued ser tal que el diodo permanezca en el modo de tensin constante sobre
el intervalo completo de variables.
Para asegurar que el diodo permanezca en la regin de tensin constante (ruptura), se examinan los dos extremos de
las condiciones de entrada-salida.
La corriente a travs del diodo i
z
es mnima cuando la corriente de carga i
L
es mxima y la fuente de tensin v
s
es
mnima.
La corriente a travs del diodo i
z
es mxima cuando la corriente de carga i
L
es mnima y la fuente de tensin v
s
es
mxima.
Cuando estas caractersticas de los dos extremos se insertan en la ecuacin (euro.12), se encuentra
Condicin 1: (1.13a)
Condicin 2: (1.13b)
Se igualan (1.13a) y (1.13b) para obtener
(1.13c)
En un problema prctico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de tensiones de entrada, el intervalo de
corriente de salida en la carga y el valor de tensin zener deseado. La ecuacin (1.13) representa por tanto una
ecuacin en dos incgnitas, las corrientes zener mxima y mnima. Se encuentra la segunda ecuacin examinando la
figura 1.28. Para evitar la porcin no constante de la curva caracterstica, se utiliza la regla prctica de que la mxima
corriente zener debe ser al menos diez veces mayor que la mnima; esto es,
Diodos zener prcticos y porcentaje de regulacin
En la seccin anterior se supuso que el diodo zener era ideal. Esto es, en la regin de ruptura por avalancha, el diodo
se comporta como fuente de tensin constante. Esta suposicin significa que la curva que la figura 1.28 es una lnea
vertical en la regin de ruptura. En la prctica, esta curva no es vertical y la pendiente es provocada por una resistencia
en serie. La tensin de ruptura es entonces una funcin de la corriente en vez de una constante. El diodo zener prctico
se modelar como se muestra en la figura 1.32. Este modelo reemplaza al diodo zener con un diodo ideal en serie con
una resistencia, Rz.
El porcentaje de regulacin se define como la excursin de tensin dividida entre el valor de la tensin nominal. A
menor porcentaje de regulacin, mejor regulador.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
143
Desde su introduccin a mediados de 1950, las celdas solares han experimentado un desarrollo notable. Los
dispositivos fotovoltaicos basados en Si fueron empleados inicialmente como fuente de energa elctrica confiable y
conveniente en satlites artificiales, mientras que en las ltimas dos dcadas encontraron su lugar de aplicacin en la
Tierra, donde pueden proveer electricidad en regiones aisladas o ser conectados a la red para aportar a la produccin
de electricidad.
Al inicio de los 80 la investigacin sobre el arseniuro de galio (GaAs) tuvo un rpido desarrollo, debido al
mejoramiento de las tcnicas de crecimiento epitaxial como MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) y MBE
(Molecular Beam Epitaxy), y este material comenz a ser utilizado en aplicaciones fotovoltaicas; gracias a sus
superiores propiedades fsicas y mejor eficiencia de conversin respecto del Si, las celdas solares de GaAs fueron
pronto adoptadas para aplicaciones espaciales.
Varios aos ms tarde, heteroestructuras ms complejas basadas en arseniuros y fosfuros dieron lugar a celdas
multijuntura.
Las mismas fueron fabricadas sobre sustratos de Ge, con mejores propiedades mecnicas que el GaAs, obtenindose
as importantes mejoras en la dcada de 1990. Esto permiti sobrepasar la barrera del 20% de eficiencia (AM0), y
obtener una significativa participacin de celdas solares de este tipo en la provisin de potencia elctrica para satlites.
Hacia fines del ao 2000 el objetivo del 30% de eficiencia de conversin fue alcanzado gracias al dispositivo de triple
juntura InGaP/GaAs/Ge.
En la actualidad, los dispositivos FV basados en semiconductores III-V reemplazaron casi completamente a aquellos
basados en Si como componente principal para mdulos FV en aplicaciones espaciales debido a su considerablemente
mayor eficiencia, bajo peso y mayor resistencia a la radiacin. En cuanto a aplicaciones terrestres, el Si conserva su
lugar como principal componente para mdulos FV, dado que otros posibles materiales an son demasiado costosos o
conducen a eficiencias demasiado bajas.
Dada la importancia que han adquirido los dispositivos FV basados en materiales III-V, se inici una colaboracin
cientfica entre el Grupo Energa Solar (GES) de la Comisin Nacional de Energa Atmica (CNEA) y el Instituto
IMEM (Istituto deiMateriali per lElettronica ed il Magnetismo) del CNR (Consigio Nazionale delle Ricerche) italiano
a fin de profundizar el conocimiento sobre dichos dispositivos aprovechando las experiencias complementarias de
ambos grupos.
Se presentan en este trabajo las actividades desarrolladas en el marco de esta colaboracin y relacionadas con: i) el
crecimiento y caracterizacin de estructuras de materiales III-V por la tcnica MOVPE para aplicaciones
fotovoltaicas, ii) simulacin numrica de dispositivos basados en materiales III-V, y iii) caracterizacin electrnica de
dispositivos multijuntura.
Crecimiento De Estructuras Iii-V Sobre Sustratos De Ge
Se realizaron crecimientos epitaxiales de pelculas de GaAs y InGaP mediante la tcnica MOVPE en el laboratorio del
IMEM-CNR de Parma, Italia. El proceso MOVPE utiliza gases hidruros (arsina y fosfina) y compuestos
metalorgnicos apropiados para transportar dentro de la cmara de reaccin, diluidos en el gas de arrastre (H2), las
especies atmicas necesarias para el crecimiento. Los metalorgnicos son compuestos en los cuales un metal (por
ejemplo Ga, In, Al) est ligado a uno o ms radicales orgnicos (grupos metlicos, etlicos, etc.) para formar una
molcula que en general se encuentra en estado lquido en un rango de temperatura desde 20 a +20C, posee una
elevada presin de vapor y se descompone fcilmente a las temperaturas tpicas de crecimiento (>500 C). Gracias a la
gran variedad de compuestos metalorgnicos disponibles es posible la deposicin de una amplia gama de materiales y
el acceso a numerosas especies dopantes, no solo limitadas a aquellas metlicas; adems, la tecnologa MOVPE
resulta apropiada para su empleo a nivel industrial.
El reactor epitaxial en uso en el IMEM ha sido proyectado enteramente por investigadores del Instituto y modificado
para el agregado de numerosas lneas de precursores qumicos a lo largo de los aos. Actualmente es capaz de
depositar compuestos binarios y ternarios sobre la base de Al-In-Ga-As, Al-In-Ga-P, y Ga-N-As, y dopar las pelculas
mediante Zn (tipo n) y Si (tipo p). Est prevista, adems, la instalacin de un metalorgnico a base de Ge para la
realizacin de capas epitaxiales de Ge sobre sustratos de Ge. Las deposiciones se efectan normalmente sobre
sustratos de 2 de dimetro (GaAs y Ge) a una temperatura de 600C y a baja presin (60 mbar).
El empleo de sustratos de Ge en lugar de aquellos de GaAs se
debe principalmente a sus superiores propiedades mecnicas,
lo cual permite utilizar una menor cantidad de material y por
lo tanto se obtienen dispositivos de menor peso, caracterstica
de suma importancia en aplicaciones espaciales. El Ge posee
un reducido desajuste (mismatch) del parmetro de red
respecto del GaAs (0,4%) y, adems, es posible utilizarlo
como regin activa en una celda multijuntura.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
144
Existen numerosos artculos en la literatura acerca de celdas solares GaAs/Ge y GaInP/GaAs/Ge (doble o triple
juntura, segn sea el Ge activo o no). Se realiz un relevamiento de la informacin existente, cuyo resultado se resume
a continuacin.
Una celda estndar de GaAs/Ge, segn las primeras publicaciones, se realiza segn el esquema que se presenta en la
Histricamente, las primeras celdas de GaAs/Ge se depositaron sobre sustratos tipo n, dopados con Sb (Chang et al.,
1987,
Cavicchi et al., 1988), o bien con As (Cavicchi et al., 1988), de modo de tener celdas con el emisor tipo p; esta
tendencia luego fue cambiada dado que se supone que las capas tipo p tienen una movilidad de portadores minoritarios
ms alta as como una mejor resistencia al dao por radiacin, siendo entonces ms apropiadas para funcionar como
base del dispositivo.
El Ge est generalmente corrido en orientacin respecto de la direccin cristalina (100) en 4 (Chang et al., 1987), o
bien en 2 (Tobin et al., 1988a, Tobin et al., 1988b, Kato et al., 1985), mientras que la concentracin de dopante es del
orden de
4x1017 cm-3 (Cavicchi et al., 1988), con una resistividad de 0,014 Wcm (Tobin et al., 1988b).
Algunos autores depositan una capa buffer diferencindolo de la base de la celda de GaAs, aunque en algunos casos se
comporta como BSF (Back Surface Field) de la misma celda. Por ejemplo en (Cavicchi et al., 1988) se reporta una
capa n+ de
GaAs de 1,7 m, en (Tobin et al., 1988a, Tobin et al., 1988b) de 2 m, y en Gillanders et al., 1991 de 5 m. En las
multijunturas la capa BSF es mucho ms delgada y se diferencia del buffer, el cual se deposita directamente sobre el
Ge.Para mejorar las propiedades electrnicas de la superficie del dispositivo se deposita sobre el emisor una capa de
AlGaAs (llamada capa ventana) cuya funcin es pasiva el GaAs a fin de reducir la tasa de recombinacin superficial.
La composicin de la aleacin AlxGa1-xAs proviene de un compromiso entre una menor absorcin (que implica un x
ms grande) y una mayor resistencia a la oxidacin (que se obtiene con x ms pequeos) (Gillanders et al., 1991).
Para facilitar el contacto hmico en la cara frontal resulta conveniente depositar una capa adicional tipo p de GaAs.
Esta capa, luego de la deposicin del contacto, se remueve mediante un ataque qumico selectivo, de modo que solo
permanece bajo la grilla de contactos frontal.
Un problema que aparece en varias publicaciones es el del autodopado del GaAs por medio de tomos de Ge que
difunden desde el sustrato. Este fenmeno depende fuertemente de la temperatura de crecimiento y se basa en el hecho
de que el Ge es un dopante tipo n del GaAs y difunde en el mismo a una profundidad que depende de la temperatura
de crecimiento. En las muestras elaboradas en el IMEM la temperatura es mantenida en 600C para evitar este
fenmeno.
De acuerdo a la informacin recabada en la literatura, se propusieron y generaron las primeras muestras de estructuras
monolticas apropiadas para la elaboracin de homojunturas de GaAs, tanto sobre sustrato de Ge como de GaAs; las
caractersticas de la estructura realizada, siguiendo la idea bsica de la celda presentada en la Fig. 1, son: Capa de
contacto p GaAs [Zn], 0,5 m, 2x1019 cm-3 ; capa ventana p AlGaAs [Zn], 0,03 m, 2x1018 cm-3 ; emisor p GaAs
[Zn], 0,1 m, 2x1018 cm-3 ; base n GaAs [Si], 3,5 m, 2x1017 cm-3 ; BSF n+ GaAs [Si], 0,5 m, 2x1018 cm-3 ;
sustrato n Ge
[Sb]. Los corchetes indican cual es el dopante utilizado en cada caso.
Por otra parte, como una alternativa en aplicaciones terrestres de celdas III-V, una celda homojuntura de InGaP es una
ptima candidata para ser puesta en tandem con una celda de Si, dado que puede convertir con mucha mayor
eficiencia los fotones de energa superior a 1,8 1,9 eV. As, la luz incidente puede ser separada por un adecuado
reflector dicroico incidiendo sobre cada celda de Si e InGaP solo la parte del espectro a convertir por cada una de
ellas. En lo que concierne a aplicaciones espaciales, el estudio de la celda homojuntura de InGaP es el primer paso
para su integracin en un dispositivo multijuntura del tipo InGaP/GaAs y InGaP/GaAs/Ge. La estructura de dicha
celda es conceptualmente la misma que aquella de GaAs, aunque en este caso se prefiere generalmente una capa
ventana de AlInP, dado que la recombinacin, de los portadores en la interfaz AlGaAs-p e InGaP-p es muy elevada
(106 cm/s) respecto a la que se obtiene entre AlInP-p e InGaP-p (<2x105 cm/s)
(Wojtczuk et al., 1993). Dado que an no ha sido optimizada la deposicin de capas de AlInP, el material usualmente
utilizado para pasiva el InGaP, se opt por la deposicin de AlGaAs, como en el caso de la celda de GaAs. La
estructura realizada se resume en:
Capa de contacto p GaAs [Zn], 0,2 m, 1x1019 cm-3 ; Capa ventana p AlGaAs [Zn], 0,025 m, 8x1017 cm-3 ;
Emisor p InGaP [Zn], 0,1 m, 2x1018 cm-3 ; Base n InGaP [Si], 1 m, 1x1017 cm-3 ; BSF n+ InGaP [Si], 0,02 m,
2x1018 cm-3 ; Buffer n+ GaAs [Si], 0,4 m, 2x1018 cm-3 ; Sustrato n Ge [Sb].
La propuesta de estructura para una celda homojuntura de InGaP se basa esencialmente en los trabajos de Takamoto et
al., 1994, Takamoto et al., 1997, y Takamoto et al., 1999, donde pueden encontrarse detalles acerca de materiales,
espesores, y concentraciones de dopaje utilizadas en este tipo de celdas
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
145
DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS DE POTENCIA
La electrnica de potencia estudia a los circuitos con tiristores, diseo y funcin en el control de potencia en un
sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son dispositivos de
estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja, estado
que se mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo denominado niveles de
mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores estn construidos en varias capas alternadas de silicio dopado
con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante
un reaccin regenerativa, conmuta a conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada,
siempre que se verifiquen algunos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que los
tiristores sean mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos (rels y contactores), en trminos de flexibilidad,
duracin y velocidad. Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DCAC o AC-DC o
AC-AC, motores, luz incandescente, etc. En la figura 1.1 se muestran los smbolos de los dispositivos pertenecientes a
la familia de los tiristores. El rectificador controlado de silicio o Silicon Controlled Rectifiers (SCR) es el tiristor de
mayor inters hoy en da.
Fue introducido en 1956 por los laboratorios de Bell Telephone y son capaces de controlar hasta 10MW con niveles de
corriente de hasta 2000A a 18000V. El control de estos dispositivos se realiza a travs de transistores, familias lgicas,
luz (en triacs optoelectrnicos), transistores de uniunin (UJTs), transistores de uniunin programables (PUTs),
conmutadores bidireccionales de silicio (SBSs), etc.
Optimizacin Y Simulacin Numrica De Dispositivos
Se iniciaron actividades conducentes a la optimizacin y simulacin numrica de dispositivos basados en materiales
semiconductores III-V. En caso de la simulacin numrica, se trabaj en la adaptacin del programa D-AMPS-1D (un
ejemplo de sus aplicaciones puede verse en Rubinelli et al., 2001), diseado inicialmente solo para celdas solares
basadas en silicio amorfo y microcristalino, introduciendo la posibilidad de recombinacin directa, usual en materiales
III-V, sus correspondientes propiedades electro-pticas (ndice de refraccin, coeficiente de absorcin, movilidad de
portadores, gap, etc.), doble capa antirreflectante (AR), y espectro solar AM0. Tambin se tuvo en cuenta, a fin de
extender en el futuro la simulacin a una celda triple juntura InGaP-GaAs-Ge, que los parmetros pticos y el espectro
solar estuvieran definidos para todo el intervalo de respuesta de dicha celda (300 nm -1900 nm).
Como parte del trabajo de simulacin numrica, se consider un caso particular de un dispositivo homojuntura de
GaAs cuya estructura y valores experimentales de los parmetros elctricos fueron publicados en Bett et al., 1999. La
estructura presentada en dicho artculo es similar a aquella de la Fig. 1, salvo que la capa pasiva del emisor es de
InGaP y el sustrato, de todas maneras no activo, es de GaAs.
Dado que no se explicitaban valores de los
espesores de la doble capa AR MgF2- TiO2
utilizada se hicieron clculos de
optimizacin numrica a fin de
determinarlos, pero considerando adems la
influencia de la capa de InGaP pasiva del
emisor; parte de los resultados de esta
optimizacin pueden verse en la Fig. 2,
mientras que los detalles acerca del
procedimiento utilizado pueden encontrarse
en Pl et al., 2003. En la Fig. 2 se muestra
que la capa ventana de InGaP influye
sensiblemente en los valores ptimos de los
espesores de MgF2 y TiO2.
Finalmente, la simulacin del dispositivo
completo se realiz utilizando el D-AMPS-
1D, considerando los valores ptimos del
AR calculados anteriormente y ajustando la densidad de defectos en el volumen para variar la vida media de los
portadores minoritarios, obtenindose un acuerdo razonablemente bueno entre los valores de los parmetros elctricos
simulados y experimentales tanto para la tensin de circuito abierto (Voc) como para la corriente de cortocircuito
(Jsc), como puede verse en la Tabla I. La diferencia observada en el factor de forma FF, y en consecuencia en la
eficiencia de conversin h, se debe al hecho de que en la simulacin numrica no se consideraron las prdidas hmicas
debidas a los contactos elctricos que se verifican en un dispositivo real.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
146
Se realizaron tambin simulaciones del dispositivo completo para distintos espesores de la capa pasivante de InGaP,
en los casos en que la cara frontal est pasivada y no pasivada (velocidad de recombinacin superficial Sf 200 cm/s y
107 cm/s respectivamente) Nuestros resultados se resumen en la Tabla II. Puede observarse el beneficio de la
pasivacin del emisor de GaAs por parte del InGaP, as como un espesor ptimo (aquel que hace mxima la Jsc) de
este ltimo del orden de los 15 nm.
Medicin De La Respuesta Espectral En Dispositivos Multijuntura
El diseo del equipo de medicin de respuesta espectral (RE) en celdas multijuntura, la definicin del procedimiento
de medicin, y las primeras mediciones realizadas fueron presentadas en un artculo anterior (Fortin et al., 2005). El
equipo desarrollado se basa esencialmente en una serie de filtros pticos de banda angosta que definen la perturbacin
monocromtica, una luz de polarizacin a la que es posible modificar su espectro, y un amplificador lock-in para la
medicin de la seal generada por la celda. Se realizaron avances referidos a la automatizacin de la medicin,
habindose desarrollado un programa para la adquisin de datos que permite verificar la estabilizacin de la medicin
del lock-in considerando la evolucin del promedio de 10 lecturas, tomadas una por segundo. Cuando las diferencias
de los ltimos 4 promedios se encuentra debajo de un cierto valor (por ejemplo del 1% del promedio total), se calcula
el valor medido y su dispersin estadstica como el promedio de las ltimas 40 lecturas. Este procedimeinto permite
obtener mediciones de una mayor precisin e independientes del operador.
De esta forma fue posible refinar las mediciones de RE lo cual posibilit, por una parte, generar un nuevo patrn de Si
mejor definido en 400 nm e incorporando el punto correspondiente al filtro de 340 nm y, en consecuencia, obtener
mediciones ms precisas respecto a las presentadas en Fortin et al., 2005.
En la Fig. 3 se observa la eficiencia cuntica externa (ECE) de las subceldas de InGaP y GaAs correspondientes a una
celda ATJ (Advanced Triple Junction) InGaP-GaAs-Ge fabricada por la empresa Emcore, calculada a partir de la
medicin de la respuesta espectral RE segn la ecuacin (Fortin et al., 2005):
En la misma figura se muestran tambin los datos de ECE
para una celda ATJ Emcore tpica publicados en Stan et
al., 2003.
Como puede verse, las curvas resultan cualitativamente
similares y, mientras que en el caso de la subcelda de
GaAs el acuerdo entre ambas curvas es muy bueno, en el
caso de la subcelda de InGaP la medicin realizada en
CNEA da por resultado una ECE un poco mayor. Por
medio del clculo la integral de las curvas de RE pesadas
con el espectro solar AM0, se obtuvo la densidad de
corriente de cortocircuito de cada subcelda de 18,08
mA/cm2 para la subcelda de InGaP, y de 16,62 mA/cm2
para aquella de GaAs. As, la subcelda de GaAs aparece
limitando la corriente de la multijuntura, contrariamente al
criterio de optimizacin aplicado por Emcore a sus
dispositivos de hacer limitar la corriente por la subcelda de InGaP. Dado que la celda ATJ medida corresponde a un
lote de dispositivos descartados por Emcore por sus deficientes caractersticas elctricas, este resultado podra
representar una evidencia de este hecho.
Se presentaron parte de las actividades realizadas hasta el presente a travs de una colaboracin entre el Instituto
IMEM-CNR de Italia y el GES de la CNEA dirigida al estudio de celdas solares multijuntura. Entre dichas
actividades, se encuentran la deposicin de estructuras monolticas de GaAs e InGaP sobre sustratos de Ge aptas para
la fabricacin de celdas solares, la simulacin y optimizacin numrica de dispositivos de GaAs, y la caracterizacin
de multijunturas a partir de la medicin de la respuesta espectral de cada subcelda.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
147
En todos los casos se obtuvieron resultados acordes con los objetivos planteados en dicha colaboracin, los cuales
servirn como base para profundizar el conocimiento de las mencionadas celdas solares basadas en semiconductores
III-V.
Diseo de una fuente de poder usando un circuito integrado
Los reguladores se empaquetado como circuitos integrados (CI); como ejemplo, se enfocada la atencin sobre la serie
MC78XX. Las hojas de especificaciones apropiadas aparecen en el apndice D, y se deben considerar durante la
siguiente exposicin. Se pueden obtener varias pensiones diferentes de la serie de CI 7800; stas son 5, 6, 8, 8.5, 10,
12, 15, 18 y 24 V. Todo lo que se requiere para disear un regulador alrededor de uno de estos CI es seleccionar el
transformador, los diodos y el filtro. En la figura 1.33 se muestra un circuito caracterstico.
La hoja de especificaciones para este CI indica que debe existir una tierra comn entre la entrada y la salida, y que la
tensin mnima en la entrada del CI debe estar al menos 2 o 4 V por encima de la salida regulada. Para asegurar esta
ltima condicin, es necesario filtrar la salida del rectificador.
Los reguladores de la serie MC7900 son idnticos a los de la serie 7800, con la excepcin de que los primeros
proporcionan tensiones reguladas de salida negativas en vez de positivos.
Recortadores y fijadores
Recortadores
Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar parte de una forma de onda que se encuentra por encima o por
debajo de algn nivel de referencia. Los circuitos recortadores se conocen a veces como limitadores, selectores de
amplitud o rebanadores. Si se aade una batera en serie con el diodo, un circuito rectificador recortada todo lo que se
encuentre por encima o por debajo del valor de la materia, dependiendo de la orientacin del diodo.
Para las formas de onda de salida indicadas en la figura 1.34 se supone que los diodos son ideales. Se extiende esta
suposicin para el circuito de la figura 1.34 (a) mediante la inclusin de dos parmetros adicionales en el modelo del
diodo conduce, se incluye una resistencia en directo, R
f
. El efecto de
B
en vez de V
B
. El efecto de la resistencia es cambiar la accin recortadora plana a una que sigue a la tensin de entrada
en forma proporcional (es decir, en efecto de divisin de tensin). La salida resultante se calcula como sigue, y se
ilustra en la figura 1.35.
Para
Para
Los recortes positivo y negativo se pueden realizar simultneamente. El resultado es un recortador polarizado en
paralelo, que se disea utilizando dos diodos y dos fuentes de tensin orientadas de forma opuesta. Otro tipo de
recortador es el polarizado en serie, que se muestra en la figura 1.37. La batera de 1 V en serie con la entrada provoca
que la seal de entrada se superponga en una tensin de cd de -1 V en vez de estar simtrica alrededor del eje cero.
Suponiendo que este sistema utiliza un diodo ideal, se encuentra que el diodo de la figura 1.37 (a) conduce slo
durante la porcin negativa de la seal de entrada condicionada (Es decir, desplazada). Cuando el diodo se encuentra
en condicin, la salida es cero. Se tiene la salida distinta de cero cuando el diodo no conduce. En la figura 1.37 (b), lo
contrario es cierto. Cuando la seal condicionada es positiva, el diodo conduce y existe seal en la salida, pero cuando
el diodo est apagado, no hay seal de salida. Aunque la operacin de los dos circuitos es diferente, las dos salidas son
idnticas.
Fijadores
Una forma de onda de tensin se puede desplazar aadiendo en serie con ella una fuente de tensin independiente, ya
sea constante o dependiente del tiempo. La fijacin es una operacin de desplazamiento, pero la cantidad de este
depende de la forma de onda real. En la figura 1.38 se muestra un ejemplo de fijacin. La forma de onda de entrada se
encuentra desplazaba por una cantidad que lleva el valor pico de la onda desplazaba al valor V
B
. Por tanto, la cantidad
de desplazamiento es la cantidad exacta necesaria para cambiar el mximo original, V
m
, al nuevo mximo, V
B
. La
forma de onda se " fija " al valor V
B
.
Un circuito de fijacin est compuesto de una batera (o fuente de cd), un diodo, un capacitor y un resistor. El resistor
y el capacitor se eligen de tal forma que la constante de tiempo sea grande. Es deseable que el capacitor se cargue a un
valor constante y permanezca en ese valor durante el perodo de la onda de entrada. Si se cumple esta condicin y se
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
148
supone que la resistencia en directo del diodo es cero, la salida es una reproduccin de la entrada con el
desplazamiento adecuado.
Tipos alternos de diodos
Diodos Schottky
El diodo Schottky se forma tan enlazar un metal, como aluminio o platino, a silicio de tipo n. Se utiliza a menudo en
circuitos integrados para aplicaciones de conmutacin de alta velocidad. Su smbolo y su construccin se muestran en
la figura 1.40. El diodo Schottky tiene una caracterstica de tensin contra corriente similar a la del diodo de unin pn
de silicio, excepto porque la tensin en directo, V, es 0.3 V en vez de 0.7 V. la capacitancia asociada con el diodo es
pequea.
El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a travs de la unin debido al
movimiento de los electrones del semiconductor a la interfaz metlica.
Diodos varactor
Los diodos de unin perenne normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo de polarizacin inversa el
diodo varactor se fabrica especficamente para operar en este modo. La capacitancia es una funcin de la inversa de
tensin. Por tanto, el diodo acta como capacitor variable, donde el valor de la capacitancia es una funcin de la
tensin de entrada.
Un uso comn de este diodo es en el oscilador controlado por tensin (VCO).
Diodos tnel (diodo Esaki)
El diodo tnel est ms contaminado que el diodo zener, provocando que la zona desrtica sea ms pequea. Esto
aumenta la velocidad de operacin, por lo que el diodo tnel es til en aplicaciones de alta velocidad. Conforme
aumenta la polarizacin directo, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce la ruptura. Entonces la
corriente cae rpidamente. El diodo tnel es til debido a esta cesin de resistencia negativa. La regin de resistencia
negativa de un diodo tnel se desarrolla de manera caracterstica en el intervalo de 50 mV a 250 mV.
Diodos emisores de luz y fotodiodos.
Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energa elctrica en fuente de energa lumnica. El diodo
emisor de luz (LED, ligth emitting diode) transforma la corriente elctrica en luz. Es til para diversas formas de
despliegues, y a veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra ptica.
Un fotodiodo realiza la funcin inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de energa lumnica en corriente
elctrica. Se aplica polarizacin inversa al fotodiodo y la corriente de saturacin inversa se controla por la intensidad
de luz que ilumina el diodo. La luz genera pares electrn-hueco, que inducen corriente. El resultado es una "
fotocorriente " en el circuito externo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se
comporta como generador de corriente constante mientras la tensin no exceda la tensin de avalancha.
Diodos PIN
El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre las regiones de y n se llama diodo Pinto. El
nombre se deriva del material intrnseco entre las capas p y n. Debido a su construccin, el diodo quien tiene baja
capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccin de
portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se
vaca totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante.
Especificaciones del fabricante
La construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de manejar, la cantidad de potencia que
puede disipar y la tensin inversa pico que puede soportar sin daarse. A continuacin se lista los parmetros
principales que se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador:
1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico de los nmeros del fabricante.
2. Tensin inversa pico (PIV).
3. Mxima corriente inversa en PIV.
4. Mxima corriente de cd en directo.
5. Corriente promedio de media onda rectificada en directo.
6. Mxima temperatura de la unin.
7. Curvas de degradacin de corriente.
8. Curvas caractersticas para cambio en temperatura de tal forma que el dispositivo se pueda estimar para altas
temperaturas.
En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parmetros en las hojas de especificaciones.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
149
1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico o con los nmeros del fabricante.
2. Tensin zener nominal (tensin de temperatura por avalancha).
3. Tolerancia de tensin.
4. Mxima disipacin de potencia (a 25 c).
5. Corriente de prueba, Izt.
6. Impedancia dinmica a Izt.
7. Corriente de vrtice.
8. Mxima temperatura en la unin.
9. Coeficiente de temperatura.
10. Curvas de degradacin para altas temperaturas.
Etapas para la fabricacin de un dispositivo
En funcin de la capacidad que tenga un material para conducir la corriente elctrica puede ser: aislante, conductor o
semiconductor.
Conductor elctrico
Se dice que un cuerpo es conductor cuando puesto en contacto con un cuerpo cargado de electricidad transmite sta a
todos los puntos de su superficie.
Generalmente es un elemento metlico capaz de conducir la electricidad cuando es sometido a una diferencia de
potencial elctrico. Para que ello sea efectuado eficientemente se requiere que posea una baja resistencia para evitar
prdidas por efecto Joule y cada de tensin.
Aislante elctrico
Material con escasa conductividad elctrica, utilizado para separar conductores elctricos para evitar un cortocircuito y
para mantener alejadas del usuario determinadas partes de los sistemas elctricos que, de tocarse accidentalmente
cuando se encuentran en tensin, pueden producir una descarga. Los ms frecuentemente utilizados son los materiales
plsticos y las cermicas.
El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de valencia y
conduccin, que dificulta la existencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material.
Semiconductor
Un material semiconductor es capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La
conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de
potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes.
Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como
el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se
comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la
conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a la
de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido.
Electrones de conduccin y huecos
Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el
selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el teluro de plomo. El incremento de la conductividad provocado
por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del nmero de electrones conductores que
transportan la corriente elctrica. En un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones de valencia
(o electrones exteriores) de un tomo estn emparejados y son compartidos por otros tomos para formar un enlace
covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no estn libres para transportar corriente
elctrica.
Para producir electrones de conduccin, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones de valencia y
provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que
quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen
fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.
El dopaje
Otro mtodo para obtener electrones para el transporte de electricidad en un semiconductor consiste en aadir
impurezas al mismo o doparlo.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
150
La diferencia del nmero de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere
electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de conduccin negativos (tipo n) o positivos
(tipo p). Este concepto se ilustra en el diagrama adjunto, que muestra un cristal de silicio dopado.
Cada tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia (representados mediante puntos). Se requieren dos para
formar el enlace covalente. En el silicio tipo n, un tomo como el del fsforo (P), con cinco electrones de valencia,
reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales.
En el silicio tipo p, los tomos de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una deficiencia de
electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir la
electricidad.
Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son adyacentes, forman un diodo de semiconductor, y la
regin de contacto se llama unin pn. Un diodo es un dispositivo de dos terminales que tiene una gran resistencia al
paso de la corriente elctrica en una direccin y una baja resistencia en la otra. Las propiedades de conductividad de la
unin pn dependen de la polaridad del voltaje, que puede a su vez utilizarse para controlar la naturaleza elctrica del
dispositivo. Algunas series de estas uniones se usan para hacer transistores y otros dispositivos semiconductores. Los
dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones. Los ltimos avances de la ingeniera han producido
pequeos chips semiconductores que contienen cientos de miles de transistores.
Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturizacin en los dispositivos electrnicos. La aplicacin ms
eficiente de este tipo de chips es la fabricacin de circuitos de semiconductores de metal _ xido complementario o
CMOS, que estn formados por parejas de transistores de canal p y n controladas por un solo circuito. Adems, se
estn fabricando dispositivos extremadamente pequeos utilizando la tcnica epitaxial de haz molecular.
Semiconductores con impurezas
Las propiedades elctricas de los materiales semiconductores pueden mejorarse si se introducen en el momento de la
formacin del cristal algunos tomos de otra sustancia. Se forma entonces un semiconductor con impurezas. As,
cuando a un cristal de silicio se le aaden impurezas de arsnico aumenta su conductividad. Ello se explica como
debido a que, mientras que cada tomo de silicio contribuye con sus cuatro electrones externos a la banda de valencia,
los de arsnico contribuyen con cinco. Dado que en los semiconductores la banda de valencia est llena, ese electrn
adicional ocupar niveles discretos de energa por encima de ella y muy prximos a la banda de conduccin, lo que
hace ms fcil su promocin a dicha banda y mejora la capacidad de conduccin elctrica del cristal.
Es posible, asimismo, inyectar en el cristal en formacin tomos de impureza con menos electrones externos que el
elemento semiconductor.
Tal es el caso, por ejemplo, del galio, con tres electrones externos. Por la presencia de este tipo de impurezas aparecen
nuevos niveles de energa vacantes en las proximidades de la banda de valencia que pueden ser ocupados por
electrones excitados. Ello da lugar a la generacin de huecos en dicha banda que contribuyen a la corriente elctrica
como si se tratara de cargas positivas.
Semiconductores con impurezas tipo N y tipo P
El semiconductor que resulta por la presencia de tomos como el arsnico, donadores de electrones extra, se considera
del tipo n o negativo. Si los tomos de impureza, como en el caso del galio, son aceptores de electrones respecto del
cristal, el semiconductor resultante es del tipo p o positivo.
En los semiconductores del tipo n la conduccin es por electrones y en los del tipo p es, sin embargo, por huecos. La
unin pn de dos semiconductores de tales caractersticas constituye un dispositivo electrnico fundamental de
utilizacin amplia en la industria y que ha permitido reducir considerablemente el tamao y el coste de aparatos
basados en la electrnica.
Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor ms simple y fundamental es el diodo;
todos los dems dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento. El diodo de unin P-N es el dispositivo
semiconductor ms elemental. Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con
impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P), de esta forma, en la parte P existe
mucha mayor concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.
Conductividad del diodo PN
La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que se aplique un campo elctrico externo. Existen dos
posibilidades de aplicacin de este campo: polarizacin inversa y polarizacin directa.
Polarizacin inversa
Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensin ms positiva que a la parte P. De esta forma, el campo elctrico
estar dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tendern a circular en ese sentido, mientras que los electrones
tendern a circular en sentido contrario.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Esto significa que circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son
mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusin que tiende a llevar a los
huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente
global de huecos es prcticamente nula. Algo totalmente anlogo ocurre con la corriente de electrones: la corriente de
arrastre va en sentido contrario a la de difusin, contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total
prcticamente nula. La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denominan corriente inversa
de saturacin (Is). En la prctica, el valor de esta corriente es muy pequeo (del orden de nA en el Silicio) y depende
de la temperatura de forma que aumenta al aumentar sta.
En el grfico mostrado a continuacin, se muestra lo que se denomina la regin de vaciamiento, en la que no hay
electrones libres en la regin N del diodo ni huecos libres en la regin P de diodo.
Polarizacin directa
Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De esta forma, el campo elctrico
estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularan huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a
la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusin. De
esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la corriente de electrones. La
corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor elevado a partir de un determinado valor
de tensin que depende del tipo de semiconductor (en el Silicio el umbral se encuentra aproximadamente en 0,7 V y
en el caso del Germanio es de 0,2 V). A continuacin, se presentan dos grficos de un diodo polarizado en directo. En
el primer grfico se aplica una polarizacin directa leve, que trae como consecuencia una disminucin de la regin de
vaciamiento.
En este caso el diodo no ha superado el umbral de conduccin del diodo.
En el segundo grfico, la tensin aplicada en directo s supera el umbral de conduccin, de manera que la corriente
presente en el diodo puede ser elevada.
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que permite el paso de corriente en un
sentido y lo rechaza en sentido contrario.
Smbolo y aspecto externo del diodo
El diodo tiene un smbolo estndar mediante el cual se representa el mismo en un circuito elctrico:
La regin P del diodo se denomina nodo (destacado con la letra A) y la regin P se denomina Ctodo (normalmente
se designa con la letra K). Los diodos se empaquetan para su utilizacin de diversas maneras.
En la imagen que se presenta a continuacin se pueden observar algunas presentaciones de diodos:
A nivel comercial, existe una enorme variedad de diodos, de manera que resulte relativamente sencillo seleccionar uno
para una aplicacin especfica.
A la hora de colocar un diodo en un circuito se debe respetar la polaridad adecuada. Para ello, la mayor parte de los
diodos identifican el ctodo mediante una banda pintada sobre en el empaque del diodo.
En la imagen se puede observar que existe un texto impreso sobre el empaque del diodo. Este texto es una referencia
compuesta por nmeros y letras que identifica al diodo claramente, de manera que se puedan buscar en los manuales
que editan los fabricantes de semiconductores las caractersticas del mismo.
Anlisis De Circuitos Con Diodos
A fin de analizar un circuito con diodos, lo primero que se requiere es definir un modelo equivalente del dispositivo.
Con este propsito se utilizar un modelo simplificado del diodo, en el que se considerar que en el estado de
conduccin (polarizacin directa) se observar un paso de corriente en el dispositivo, y tendremos sobre el mismo una
tensin de 0,7V (utilizaremos un diodo de Silicio). Cuando se aplica una polarizacin inversa, el dispositivo no
conduce, con lo que su modelo equivalente ser el de un circuito abierto.
La caracterstica Voltaje-Corriente de este modelo simplificado es la que se muestra de manera grfica en la figura
presentada a continuacin:
Ejemplos de clculo:
En el circuito mostrado a continuacin est presente una fuente de alimentacin de 6V que permite la polarizacin en
directo del diodo. Para calcular la corriente en el mismo basta sustituir el diodo por su modelo simplificado en estado
de conduccin:
Es conveniente recordar que la caracterstica Voltaje-Corriente de un diodo real es diferente a la simplificacin que
estamos empleando:
Las diferencias ms importantes entre ambas caractersticas son las siguientes:
1. Cuando un diodo est polarizado en directo, la corriente en el mismo responde a una funcin exponencial del
voltaje aplicado al diodo.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
152
En caso de diodos rectificadores de potencia que manejen corrientes elevadas, se pueden observar valores de voltaje
bastante por encima de los 0,7V que estamos empleando.
2. Cuando el diodo est polarizado en inverso, aunque se pueda despreciar, existe una circulacin de corriente a travs
del dispositivo.
Dicha corriente se denomina corriente de fuga.
3. Existe un cierto voltaje mximo inverso que el diodo puede soportar sin conducir de una manera notable. Si se
supera este voltaje se presenta en el diodo un fenmeno llamado avalancha, en el cual la corriente comienza a crecer
notablemente. Normalmente esta avalancha conduce a la destruccin del dispositivo semiconductor.
En definitiva, cuando se selecciona un diodo para una aplicacin concreta, debemos asegurarnos de que el diodo
soporte la mxima corriente que se presentar en el circuito. De igual manera, debemos conocer la mxima tensin
inversa que se tendr en el circuito, a fin de seleccionar un diodo que soporte dicha tensin sin entrar en avalancha.
Aplicaciones Del Diodo
El diodo tiene un amplio rango de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin
contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, etc.
Aplicaciones como rectificador
La rectificacin consiste bsicamente en la conversin de corriente alterna a corriente continua. Todo equipo
electrnico que se alimente de la red elctrica domstica requiere que en el mismo existan rectificadores para que
dicho equipo disponga de las tensiones de corriente continua requeridas para su correcto funcionamiento.
A la hora de hacer rectificacin se presentan dos alternativas: rectificacin de media onda y rectificacin de onda
completa. En primer lugar, nos centraremos en la rectificacin de media onda.
Rectificacin de media onda
En la figura presentada a continuacin se muestra el montaje bsico de un rectificador de media onda.
Hay que notar que el diodo solo permitir la conduccin durante el semiciclo positivo de la seal alterna Vs. Durante
este semiciclo se tendr sobre la carga RL una tensin pico que ser 0,7V inferior al pico de la tensin Vs. Durante el
semiciclo negativo el diodo el diodo bloque el paso de la corriente y la tensin en la carga ser igual a 0V. Como se
observa en el grfico, la tensin en la carga RL tiene un valor promedio positivo.
En caso de que sea de nuestro inters que la seal sobre la carga tenga una amplitud inferior, se puede colocar un
transformador para reducir el nivel de tensin, tal como se muestra en la siguiente figura:
Rectificacin de onda completa y filtraje
En el circuito presentado a continuacin se muestra un rectificador de onda completa:
En este circuito, el diodo D1 conduce durante el semiciclo positivo de
Vs, mientras que el diodo D2 no conduce. Durante el semiciclo negativo se invierten los papeles, conduciendo el
diodo D2 mientras que D1 no conduce. Note que la tensin pico sobre la carga RL ser igual a Vsec- 0,7V.
Obviamente, al tener rectificacin de onda completa, la componente de corriente continua presente sobre la carga RL
es superior a la que se observa en el caso de la rectificacin de media onda. No obstante, la seal presente sobre la
carga RL dista mucho de parecerse a una tensin constante y regulada, la requerida usualmente para alimentar a
equipos electrnicos.
A continuacin se muestra un rectificador de onda completa que incluye un filtro capacitivo a la salida, con el
propsito de de obtener una mayor estabilidad en el voltaje sobre RL.
El condensador se encargar de almacenar carga (mientras algn diodo conduce), cargndose hasta un voltaje mximo
que ser igual a Vsec- 0,7V. Cuando ninguno de los diodos conduce, el condensador se descargar a travs de la
resistencia de carga RL. Si se selecciona un valor adecuado para el condensador, la descarga puede ser relativamente
baja, presentndose sobre RL la tensin que se muestra en la figura a continuacin:
Observando con mayor detalle el ltimo grfico, resulta interesante destacar varios elementos del mismo:
De este grfico se pueden destacar los siguientes parmetros:
T: Perodo de la seal en la carga. Si consideramos que la alimentacin
AC en el primario es de 50Hz, el perodo T ser de 10ms, la mitad del perodo de la seal de lnea AC. Nota: En caso
de hacer rectificacin de media onda, el perodo T coincide con el de la lnea AC, es decir 20ms.
TD: Tiempo de descarga del condensador (coincide con el intervalo de tiempo durante el que ninguno de los diodos
conduce).
TC: Tiempo de carga del condensador (coincide con el intervalo de tiempo durante el que alguno de los diodos
conduce).
Vriz: Voltaje de rizado, la diferencia entre el mximo y el mnimo voltaje sobre el condensador (Vmax-Vmin).
Obviamente, mientras menor sea el voltaje de rizado, el voltaje de salida (VRL) ser ms adecuado como tensin de
alimentacin para un circuito electrnico.
Rectificador de onda completa tipo puente
En la figura mostrada a continuacin, se presenta otro montaje para realizar rectificacin de onda completa:
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Durante el semiciclo positivo de la seal Vs, los diodos D2 y D3 estn polarizados en directo, mientras que D1 y D4
estn en circuito abierto.
Note que la tensin pico sobre RL ser igual a la tensin pico de Vsec menos la cada de tensin en los dos diodos que
conducen (1,4V).
Durante el semiciclo negativo de Vs los diodos D1 y D4 estn polarizados en directo, mientras que D2 y D3 estn en
circuito abierto. La tensin pico sobre RL tambin presenta la cada de 1,4V antes mencionada. En cualquiera de los
casos, la tensin sobre RL siempre es positiva.
Normalmente para hacer este montaje no se emplean 4 diodos separados, sino que se utiliza un rectificador tipo
puente, que en el mismo empaque incluye los 4 diodos:
Como todo dispositivo semiconductor, un puente rectificador viene identificado mediante una referencia (en este caso
BR-82D), con el fin de poder comprobar sus especificaciones en el manual del fabricante.
En caso de utilizar un filtraje capacitivo en este montaje, son totalmente vlidas las consideraciones realizadas en
apartados anteriores, siempre recordando que el voltaje pico en el condensador es 1,4V inferior al pico en el
secundario.
Reciben este nombre un cierto nmero de estructuras electrnicas formadas por sustancias slidas semiconductoras. El
t. es un dispositivo amplificador (v.) semiconductor (v.), que en muchos aspectos se ha mostrado superior a la vlvula
electrnica, habindola desplazado en muchas de sus posibilidades de uso. El t. tiene a su favor, respecto de la vlvula
de vaco: su reducido tamao, no necesita potencia calefactora de ctodo, el rendimiento en conversin de potencia es
muy elevado, no presenta perturbaciones microfnicas, su vida es extremadamente dilatada, es menos frgil y de
precio ms reducido, frente al de aqullas, a igualdad de prestaciones. Tiene tambin ciertos inconvenientes: gama de
frecuencias de aplicacin ms reducida, potencias de salida ms bajas y temperatura admisible de ambiente de trabajo
menos elevada.
Fsica de la semiconduccin. En las substancias semiconductoras (v.), los tomos (Y.) estn ordenados segn una
estructura estercomtrica tetravalente, de modo que pueden tener electrones compartidos con los tomos contiguos,
formando los enlaces covalentes (V. ENLACES QUMICOS, 3). Los electrones, que forman la nube negativa que
rodea al ncleo positivo de un tomo, estn situados, segn su energa, en las bandas orbitales de energa. Los
electrones de valencia, que forman los enlaces covalentes, ocupan bandas de energa llenas, que se solapan de unos
tomos a otros. Para que los electrones de valencia pasen a la banda de energa superior (banda de conduccin) es
preciso que adquieran una energa adicional. En los semiconductores, esta energa adicional es pequea, y la simple
agitacin trmica, a temperatura ambiente, eleva los electrones de valencia a la banda de conduccin, dejando huecos
vacantes que se rellenan con otros electrones de la misma banda de energa. Los huecos vacos de electrones se
denominan huecos positivos. La conduccin elctrica en los semiconductores puede realizarse por el movimiento de
electrones en la banda de conduccin, o por el movimiento de huecos positivos en la banda de valencia. r_stos son los
semiconductores intrnsecos.
Los procesos internos en un semiconductor pueden modificarse por la presencia de pequeas cantidades de impurezas,
especialmente cuando las impurezas consisten en tomos con cinco o tres electrones de valencia. En el primer caso, el
tomo de impurezas puede reemplazar a un tomo de germanio o silicio (elementos semiconductores ms importantes)
en la red cristalina; as, cuatro electrones forman el enlace covalente y uno queda libre. La energa de ese electrn es
un poco menor que la correspondiente a la banda de conduccin del semiconductor y trmicamente se le puede elevar
a dicha banda y contribuir as a la conduccin elctrica. Este tipo de impurezas (fsforo, arsnico) se conocen con el
nombre genrico de dador, ya que cede un electrn a la banda de conduccin del semiconductor. Los semiconductores
con estas impurezas se denominan semiconductores tipo-n (portadores negativos). Cuando la impureza est formada
por tomos de valencia tres, y uno de estos tomos reemplaza a uno de germanio o silicio en la red cristalina, aparece
un hueco positivo accesible a los electrones de valencia del semiconductor, ya que la energa del nivel que
corresponde a ese hueco queda por encima y muy cerca de la banda de valencia. Todo electrn que salta a la impureza
deja tras de s un hueco positivo que contribuye a la conduccin elctrica. Estos semiconductores se llaman
semiconductores tipo p (portadores positivos), y la impureza (aluminio, indio, boro), aceptador. La fig. 1 representa
los diagramas energticos correspondientes al semiconductor intrnseco, al tipo n y al tipo p.
La concentracin de impurezas en los semiconductores (normalmente un tomo de impureza por 108 tomos
semiconductores) cambia la conduccin elctrica. La, influencia de la temperatura es decisiva.
Si artificialmente se unen un semiconductor tipo p con uno tipo n, en las proximidades de la superficie de unin
aparece un proceso de difusin. El exceso de electrones conductores en el semiconductor tipo n provoca un
gradiente en la concentracin de cargas elctricas libres y permite el paso, a travs de la discontinuidad, de electrones
del material n al p. De igual modo, hay una difusin de huecos positivos del material p al n. Al cabo de
cierto tiempo, el semiconductor tipo p se carga negativamente, y el n, positivamente, y se establece un campo
elctrico que se opone al movimiento de las cargas, distribuyndose el potencial a travs de la superficie de
separacin, segn se muestra en la fig. 2. Hay equilibrio cuando la corriente media es nula.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
154
Fsica del transistor. La fig. 3, presenta dos tipos diferentes de sandwich formado por dos capas de semiconductor tipo
p (n) entre las que se sita una delgada capa de semiconductor tipo n (p). La estructura de la fig. 3 forma el t.
de unin; aunque no todos los t. presentan estructuras idnticas a sta, su anlisis ayuda a comprender el proceso en el
movimiento de portadores elctricos en el interior del t., y, por tanto, el comportamiento global del transistor.
El t. consiste en la yuxtaposicin de dos uniones pn (np). Hay dos tipos posibles: t. pnp y t. npn. La operatividad
de ambos es conceptualmente idntica, excepto en el intercambio de portadores mayoritarios y minoritarios, as como
en la polaridad elctrica externa que se aplica a los mismos. En la fig. 3 se muestran tambin los esquemas simblicos
del t. como elemento de un circuito. Las tres zonas de un t. se denominan: emisor, base y colector. La flecha en el
terminal emisor indica el sentido de circulacin de corriente.
La fig. 4(A) muestra el montaje de un t. como elemento de un circuito. El t. es un pnp, con dos fuentes de tensin
que polarizan las uniones emisor-base y colector base. La fig. 4(13) presenta la variacin de potencial en un t. no
polarizado, o sea, en circuito abierto; el esquema (C) de la fig. 4 esquematiza la variacin del potencial interno en el t.
polarizado. La curva de puntos da la distribucin anterior a la aplicacin de los campos elctricos externos, y la curva
continua la distribucin obtenida despus de aplicar la polarizacin externa. En ausencia de voltajes externos, las
barreras de potencial en las uniones se ajustan por s mismas al valor Vo (dcimas de voltios); lo que hace que no
circule corriente. Al aplicar tensiones elctricas externas, stas aparecen en las uniones; as, la polarizacin positiva de
la unin emisor-base hace descender la barrera de potencial en un valor igual al voltaje de polarizacin externo, VEB,
mientras que la polarizacin negativa de la unin colector-base incrementa en VcB la barrera de potencial
correspondiente. El descenso de la barrera emisor-base hace que aumente la corriente de emisor y que se inyecten
huecos positivos en la base. El potencial es constante a lo largo de la base (resistencia hmica despreciable) y los
huecos inyectados se difunden a travs del semiconductor tipo n hacia la unin colector-base, cayendo
posteriormente, por el descenso de potencial, y siendo recogidos por el colector.
La corriente de emisor IE est formada por los huecos emisor-base, I, E, y la corriente de electrones 4E (base emisor).
La relacin IPE11. Es funcin directa de las conductividades de los materiales p y n. El t. pnp tiene un emisor
con ms impurezas que la base, de modo que la corriente de emisor est fundamentalmente constituida por huecos.
Por otra parte, no todos los huecos que cruzan la frontera emisor base alcanzan la unin colector-base, debido a
recombinaciones con electrones en el semiconductor base. Si Ipc es la corriente de huecos en la unin colector-base, la
corriente de recombinacin es IPE - IPC*Con el emisor en circuito abierto, IE=0,al igual que Ic, actuando el conjunto
base-colector como un diodo inversamente polarizado, siendo la corriente de colector Ic igual a la corriente inversa de
saturacin Ico. Cuando IE 7~: 0(fig. 5), se observa que1, = ICO - Ipc.
Para un t. pnp, Ico est formada por los huecos que cruzan la frontera colector-base y por los electrones que la
atraviesan en sentido opuesto. Los sentidos de la fig. 5 hacen referencia a un t. pnp; si el t. fuese npn, los sentidos
seran los contrarios.
Como puede deducirse de la fig. 5, la polarizacin directa del emisor representa para el movimiento de los
electrones una resistencia elctrica muy pequea, mientras que la polarizacin inversa del colector implica una
resistencia elctrica muy grande. Dado que la corriente es casi idntica en ambos, resulta una amplificacin (ganancia)
de potencia muy grande.
El t. se caracteriza por un coeficiente a, denominado factor de ganancia de corriente, y que es la relacin entre las
corrientes de colector y emisor, siendo constante el voltaje en el colector. El factor de ganancia a no es una constante,
sino que vara en funcin de IE, VcB y de la temperatura, es adems un coeficiente positivo, siendo su valor tpico
comprendido entre 0,90 y 0,995. El valor a est relacionado por la ecuacin=ey, con otros coeficientes importantes. y
es la eficiencia o rendimiento del emisor, o sea, la fraccin de la corriente a travs de la unin emisor-base, que se
realiza por huecos (t. pnp); E es el factor de transporte, que relaciona la corriente de colector y la de huecos
inyectada en la base desde el emisor. La fig. 5 presenta, en esquema, las corrientes elctricas en el t., en las que la
corriente de emisor IE acta como parmetro.
Construccin de transistores. Cinco son las tcnicas bsicas para la fabricacin de t. y dispositivos semiconductores: la
tcnica de crecimiento extrae un monocristal de una masa fundida de silicio o germanio, cuya concentracin de
impurezas se cambia durante la extraccin del cristal aadiendo tomos n o p, segn el caso. En la tcnica de
aleacin o fusin, la seccin central (base) del t. es una oblea delgada tipo n, a la que se adosan dos pastillas de
indio a cada lado de la misma y se somete el conjunto durante un tiempo pequeo a una temperatura elevada, superior
al punto de fusin del indio, pero inferior a la del germanio, de manera que el indio disuelve el germanio ms
prximo, y se forma una solucin saturada. Al enfriarse el germanio en contacto con la base, recristaliza con una
concentracin de indio suficiente para cambiarlo de tipo n a p. En esta tcnica, el colector se hace de mayor
tamao que el emisor para que, subtendiendo un ngulo mayor, la corriente de emisor que se deriva hacia el terminal
base sea mnima. La tcnica de grabado electroltico consiste en reducir el espesor de una capa semiconductora en su
zona central, depositndose a continuacin por procesos electrolticos, y sobre la zona rebajada, un metal adecuado
que formar el emisor y el colector; as se constituye el t. de barrera superficial, de pequeo inters comercial en la
actualidad.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
155
Es de importancia fundamental la consecucin de dimensiones muy pequeas de las diversas zonas del t., de modo
que el comportamiento del mismo en altas frecuencias sea satisfactorio. Esto es difcil mediante las tcnicas ya
analizadas, tenindose que recurrir a otras ms complejas.
La tcnica de difusin-mesa es ms adecuada para la obtencin de t. de alta frecuencia. Mediante esta tcnica, la unin
base-colector se efecta colocando una capa de monocristal tipo p en la atmsfera de un gas caliente (p.ej., tomos
de antimonio). Cuando el monocristal se calienta, los tomos de gas se difunden en l hasta profundidades de 10-3
mm., y seguidamente el cristal es qumicamente corrodo para producir una pequea regin elevada, o mesa, de
unos 22 mm. de dimetro. Sobre la superficie de la mesa, adecuadamente enmascarada, se dejan expuestas dos
regiones de unos 0,3 mm. de dimetro, de manera que metales apropiados se depositen sobre ellas por evaporacin en
vaco; en una etapa posterior el conjunto es mantenido a una temperatura bastante elevada para que los dos depsitos
metlicos se difundan en la regin n. Se obtiene as un emisor de tipo p con uno de los depsitos metlicos,
mientras que el otro hace contacto metlico conductor con la base. Con la tcnica de difusin-planar, semejante a la
anterior, la superficie de la unin colector-base se forma mediante una difusin a travs de una mscara previamente
fotograbada para luego difundir el emisor sobre la base, creciendo, por ltimo, una capa de dixido de silicio sobre
toda la superficie. La tcnica epitaxial consiste en crecer una capa monocristalina de silicio o germanio muy delgada y
de alta pureza sobre un sustrato fuertemente impurificado del mismo material; este cristal crecido forma el colector
sobre el cual se difunden la base y el emisor. La fig. 6 muestra las estructuras de los t. obtenidos con alguna de las
tcnicas examinadas.
Por su inters histrico, merece mencionar el primer tipo de t. inventado. Este dispositivo consta de dos hilos de
tungsteno de puntas muy finas, que presionan sobre una oblea semiconductora. La fiabilidad y repetibilidad de este t.
de contacto es muy deficiente; en la prctica, este t. no se utiliza. Varios cientos de t. pueden fabricarse
simultneamente, partiendo de un nico lecho semiconductor de 1 cm. de dimetro; luego se separan y se encapsulan.
Curvas caractersticas. Las caractersticas operacionales del t. se muestran mediante curvas representativas de su
comportamiento. La fig. 7 presenta dos series de tales curvas. En la primera de ellas aparece la variacin de la
corriente en el colector respecto del voltaje en el mismo colector, cuando la corriente en el emisor toma ciertos valores
fijos; obsrvese que las curvas son planas, rectas y uniformemente espaciadas, lo cual indica la gran utilidad del t.
como amplificador. Prcticamente, la corriente de emisor determina la corriente de colector con independencia del
voltaje en el colector. Las curvas de la fig. 7(A) son tpicas de un t. de unin en la disposicin de base comn, o sea,
cuando la base acta como punto comn en el circuito. En la fig. 7(13) aparece tambin la variacin de la corriente de
colector cuando vara el voltaje en el colector, pero para un cierto nmero de valores de corriente de base. En este
caso, el emisor del t. es el punto comn (emisor comn). En estas curvas se observa que la corriente en el colector no
es independiente del voltaje en el mismo, lo que indica que la resistencia de salida del t., en este tipo de conexin, es
muy pequea. Tambin la corriente de base es pequea, lo que significa que la resistencia del circuito base-emisor es
moderadamente alta. Este resultado contrasta con los altos valores de corriente de emisor que aparecen en la fig. 7(A).
La determinacin de los parmetros del t., partiendo de circuitos como los empleados en la obtencin de las curvas de
la fig. 7, es difcil de realizar con mediciones directas en los t. reales. Por esta razn se acude a circuitos
equivalentes que facilitan el anlisis del transistor. Todo circuito electrnico con dos terminales de entrada y dos de
salida, independientemente de la mayor o menor complicacin interna del mismo, puede, para su anlisis, considerarse
como un cuadripolo como el presentado en la fig. 8, junto con las ecuaciones que lo caracterizan. Los coeficientes hil,
h]2, h2l y h22 se denominan parmetros h o hbridos, ya que no son homogneos dimensionalmente; si no existen
elementos reactivos dentro del cuadripolo (dentro del t.), los parmetros h son siempre nmeros reales. El modelo
matemtico cuadripolar es aplicable al t. siempre y cuando, en su regin activa, el t. trabaje linealmente, o sea, son
pequeas las variaciones alrededor del punto de reposo, por lo que pueden considerarse constantes los parmetros del
t. para todo el margen de variacin de las seales externas que se puedan aplicar al mismo.
La relacin funcional que aparece en la fig. 8, y que caracteriza al cuadripolo, expresa las variaciones de la corriente
de salida y voltaje de entrada, cuya medida es factible, en funcin de la corriente de entrada y del voltaje de salida,
tambin medibles. La fig. 9 presenta tres configuraciones cuadripolares del t. junto a sus modelos hbridos y
ecuaciones funcionales caractersticas. Estas relaciones funcionales son precisamente las curvas caractersticas del t.
(fig. 7). Habitualmente se especifican dos familias de curvas para el transistor. Las curvas caractersticas de salida
describen grficamente la relacin entre la corriente y la tensin de salida, con la corriente de entrada como parmetro.
Las caractersticas de entrada describen la relacin entre la tensin y la corriente de entrada, con la tensin de salida
como parmetro. Si se conocen las caractersticas de entrada y salida de una configuracin particular del t., pueden
determinarse grficamente los parmetros hbridos del t. para tal configuracin, parmetros que para todo t. comercial
son facilitados por el fabricante. La tabla 1 presenta las relaciones entre los parmetros hbridos de una configuracin
y las dos restantes.
Transistores especiales. Aunque el t. de unin es el tipo ms importante por su amplio uso, cierto nmero de t. de gran
inters han sido desarrollados. El t. de efecto de campo (FET) mejora el comportamiento del t. de unin en altas
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
156
frecuencias; en el FET el flujo de los portadores mayoritarios es controlado mediante un voltaje externo aplicado a la
unin pn, lo que hace que aparezca una gran impedancia de entrada, y la aceleracin de los portadores mayoritarios,
respondiendo al voltaje externo aplicado, reduce el tiempo de transporte de los portadores desde la entrada a la salida.
De inters son tambin los t. de unin de construccin similar a la del FET y los SCR (silicon controlled rectifiers),
que son esencialmente t. de unin, de estructura pnpn, y que se obtiene aadiendo una tercera unin pn al t.
normal. El t. denominado diodo de cuatro capas es un SCR cuya conexin exterior es distinta.
Como se coment en la introduccin, la invencin del transistor bipolar a mediados del siglo XX (Inventado por John
Bardeen, William Bradford Shockley y Walter Brattain), marc un antes y un despus en el mundo de la electrnica.
El transistor bipolar es el dispositivo que se ha empleado (y se sigue empleando) como elemento fundamental para el
diseo de los circuitos electrnicos (incluyendo los circuitos integrados). En este punto, sera injusto no mencionar
tambin como elementos bsicos constructivos a los distintos tipos de transistores de efecto de campo, con fechas de
invencin posteriores al transistor bipolar. La caracterstica bsica que hace que el transistor sea un dispositivo tan til
es su propiedad de amplificar corriente, cosa que se detallar en este captulo.
En la figura presentada a continuacin se muestran varios transistores de diferentes potencias. Como ya se ha
comentado otras veces, este dispositivo de tres terminales no se puede distinguir a simple vista de otros que tengan el
mismo nmero de patillas.
Los transistores bipolares surgen de la unin de tres cristales de semiconductor con dopajes diferentes, en el caso del
transistor NPN, su estructura, un equivalente muy simple y su smbolo son los siguientes.
En funcin de la polarizacin de estas dos junturas, el transistor puede operar en cuatro regiones diferentes:
1. Regin activa: Juntura BE polarizada en directo (VBE=0,7V) y juntura
BC polarizada en inverso (VBC<0,7V). Otra manera de expresar esta condicin es decir que VBE=0,7V y que
VCE>0, normalmente estas ltimas condiciones son las que se emplean en el anlisis de la regin activa
Bajo estas condiciones de polarizacin el dispositivo funciona como amplificador de corriente. stas son las
condiciones necesarias para que el dispositivo opere como elemento amplificador.
En la regin activa del transistor la corriente de colector es b veces mayor que la corriente de base, es decir:
IC = X IB
El parmetro b se denomina ganancia de corriente del transistor, su valor depende del transistor seleccionado y puede
estar comprendido entre 100 y 300 como valores tpicos.
2. Regin de corte: Ambas junturas polarizadas en inverso (VBE<0,7V y VBC<0,7V). El transistor se porta como un
circuito abierto y no circula ninguna corriente por sus terminales, es decir: IB=IC=IE=0.
3. Regin de saturacin: Ambas junturas polarizadas en directo
(VBE=0,7V y VBC=0,7V). Bajo estas condiciones, entre colector y emisor se observa un voltaje igual a 0V, de
manera que tenemos un circuito cerrado entre colector y emisor. Para que el transistor se sature, se requiere que,
donde x IB > IC sat es la corriente de colector en el estado de saturacin (con VCE=0).
En muchas aplicaciones se utiliza el transistor como interruptor, haciendo que las condiciones de operacin del mismo
pasen de corte a saturacin y viceversa.
4. Regin activa inversa: VBC=0,7V y VBE<0,7V. Esta regin carece de utilidad prctica.
Corrientes y voltajes en la regin activa
A groso modo, existen dos tipos de transistores de efecto de campo: El transistor JFET (Junction Field-Effect
Transistor) y el transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). Casi todos ellos son
dispositivos de tres terminales (tambin existen algunos dispositivos especiales de 4 terminales). Como siempre, a
simple vista, su aspecto externo no permite distinguirlo de otros dispositivos de tres terminales.
Estos tres terminales se llaman Drenador (D), Surtidor (S) y Gate o compuerta (G).
Los transistores de efecto de campo poseen lo que se llama un canal, zona por la que pasa la corriente interna en el
dispositivo semiconductor.
Dicho canal puede ser tipo P o tipo N, en funcin de la fabricacin del dispositivo.
Un FET con canal N posee un comportamiento semejante al de un transistor bipolar NPN (ya detallaremos las
diferencias), mientras que un FET con canal P posee un comportamiento semejante al de un transistor bipolar PNP.
Por otra parte, el Gate guarda cierta semejanza con la base del transistor bipolar, ya que es el terminal en el que
normalmente se inyecta la seal de entrada al FET. De igual forma, el Drenador cumple funciones semejantes al
colector del bipolar y el Surtidor guarda semejanza con el colector.
La nica diferencia que salta a la vista es la siguiente: Mientras en el transistor existe corriente de base (que resulta
amplificada en el colector), en le gate no hay paso de corriente (IG=0), por lo que ID=IS. Tampoco se requiere la
resistencia RB. La corriente del drenador es una funcin del voltaje VGS que se aplica al MOSFET, no de la corriente
que entra al dispositivo.
De un anlisis de las caractersticas del MOSFET, se pueden extraer algunas aplicaciones destacadas de dicho
dispositivo:
1. Con VGS=0V, en el MOSFET mostrado no hay circulacin de corriente
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
157
(ID=0). Esta condicin es equivalente al corte del transistor bipolar.
2. Para valores bajos de VDS (y VGS constante), la corriente ID vara de manera lineal (observe el grfico) con las
variaciones de VDS. En esta regin, llamada zona hmica, el MOSFET se comporta como una resistencia. Su valor R
depende del voltaje VGS aplicado y de las caractersticas del MOSFET. Para MOSFETS fabricados especficamente
para conmutacin, el valor de R puede ser de algunos m .
Esta ltima caracterstica implica que el MOSFET puede ser es un dispositivo magnfico para aplicaciones como
interruptor. En este campo es netamente superior a un transistor bipolar y es donde el MOSFET tiene ms
aplicaciones, ya que el voltaje VDS en la regin hmica puede ser mucho menor que el voltaje de saturacin de un
bipolar real.\
3. Para valores altos de VDS (una vez superada la regin hmica), la corriente ID permanece prcticamente
constante para valores de VGS constantes. Esto lo convierte en un dispositivo ideal para aplicaciones en las que se
requiera una fuente de corriente constante.
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de una
pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de
conmutacin del orden de los nanosegundos. Los MOSFET no tienen los problemas de los
fenmenos de ruptura secundaria que tienen los BJT, pero tienen problemas de descargas
electrostticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales. Adems es muy difcil
protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito.
Los MOSFET son de 2 tipos:
1. - MOSFET de agotamiento. Un MOSFET tipo agotamiento de canal N se forma en un
substrato de silicio de tipo P con dos silicios N+ fuertemente dopados para tener conexiones
de baja resistencia. La compuerta est aislada del canal mediante una delgada capa de xido.
Las 3 terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente el substrato se
conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a la fuente, VGS, puede ser positivo o negativo; si
es negativo algunos electrones del rea del canal N sern repelidos y se crear una regin de
agotamiento por debajo de la capa de xido, que resultar en un canal efectivo ms angosto y
en una alta resistencia de drenaje a fuente, RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el
canal se agotar totalmente, ofreciendo un alto valor RDS, y no habr flujo de drenaje a fuente,
IDS = 0. Cuando esto ocurre al VGS se le conoce como voltaje de estrechamiento Vp. Por
otra parte, VGS se hace positivo, el canal se ensancha, e IDS aumenta debido a la reduccin
de RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal P se invierten las polaridades de VDS,
IDS y VGS.
2. MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET de enriquecimiento de canal N, no tiene un
canal fsico. Si VGS es positivo, un voltaje inducido atraer los electrones del substrato P y los
acumular en la superficie por debajo de la capa de xido. Si VGS es mayor o igual a un
voltaje conocido como voltaje de umbral, VT, se acumular un nmero suficiente de electrones
para formar un canal virtual N y la corriente fluir del drenaje a la fuente. Si se trata de un
MOSFET de enriquecimiento canal P, las polaridades de VDS, IDS y VGS se invierten.
Sabemos que cuando una corriente recorre un conductor rectilneo, el movimiento de las
cargas es responsable de la aparicin de un campo magntico. Ese campo magntico tiene la
misma naturaleza que el que se produce con una barra de imn permanente y puede actuar
sobre objetos de metal, atrayndolos o repelindolos. En el caso del campo producido por una
corriente en el conductor no solo tenemos el control de su intensidad sino tambin podemos
intervenir en la geometra del sistema, dndole formas y disposiciones mediante las que se
puede aumentar, dirigir y difundir las lneas de fuerza y el campo segn se desee. Hay varias
maneras de lograr eso, lo que nos lleva a la elaboracin de distintos dispositivos de aplicacin
en electrnica.
Un dispositivo comnmente utilizado es el rel, el cual podemos definirlo como un dispositivo
de conmutacin elctrica controlado por seal elctrica.
El rel esta formado por las siguientes partes bsicas:
El electroimn.
Contacto comn.
Contactos mviles.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
158
En las cercanas de un electroimn se coloca un juego de contactos electrnicos, cuando no
circula la corriente por el solenoide (bobina) los contactos permanecen en un estado normal (el
normalmente cerrado permanece cerrado y el normalmente abierto permanece abierto), pero si
llegase a aplicarse una tensin en las terminales de la bobina los contactos mviles sufrirn un
cambio; el cerrado se abrir y el abierto se cerrara.
Normalmente, en el anlisis de los dispositivos electrnicos de potencia que conforman a los circuitos de potencia, se
consideran como interruptores ideales, desprecindose los efectos de la inductancia de dispersin de circuito, la
resistencia interna y la inductancia de la fuente. Esto es til sobre todo en las etapas iniciales del diseo, es decir,
llevar a cabo el anlisis simplificado para comprender la operacin del circuito y para establecer las caractersticas y la
estrategia de control. Posteriormente, se debern considerar las caractersticas reales de los dispositivos a emplear para
ajustar el diseo antes de construir un prototipo. El diseo de un equipo de electrnica de potencia se compone de 5
pasos principales:
1. Diseo de los circuitos de potencia en base a los requerimientos de la carga.
2. Determinacin de los dispositivos de proteccin de los dispositivos de potencia.
3. determinacin de las estrategias de control.
4. Seleccin de los circuitos lgicos o procesador.
5. Diseo de las interfases y circuitos de disparo.
Comparacin de Prestaciones entre los Diferentes Dispositivos de Electrnica de Potencia.
A continuacin se presenta una tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia ms utilizados, haciendo
especial hincapi en los lmites de tensin, corriente y frecuencia de trabajo.
Regiones de Utilizacin: en funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas zonas,
parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de trabajo. Una clasificacin cualitativa se presenta en la
siguiente figura:
Por otro lado, la figura 1.3 muestra un grfico que compara las
capacidades de tensin, corriente y frecuencia de los componentes
controlables.
En la siguiente tabla se aaden otras caractersticas importantes a
tener en cuenta en el diseo de circuitos de electrnica de potencia.
Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos
electrnicos de potencia, operando como conmutadores biestables,
pasando de un estado conductor a un estado no conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas
limitaciones.
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas alternadas de estructura PNPN con tres uniones P-N
intermedias y tiene tres terminales accesibles denominados nodo, ctodo y compuerta (o gate). El nodo corresponde
al extremo P, el ctodo al extremo N y la compuerta de control generalmente corresponde a la capa intermedia P. Este
semiconductor funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un
solo sentido.
APLICACIONES
Las repercusiones de la EP en la tecnologa moderna son sumamente importantes y abarca a muchas industrias,
desde los trenes elctricos, robots industriales y automviles, hasta sistemas de aire acondicionado y refrigeracin.
Figura 1.3. Comparacin de los
dispositivos de potencia.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
159
En la tabla siguiente mostramos algunas de las ms comunes aplicaciones de la EP.
Aplicaciones de la Electrnica de Potencia
Residencial:
18. Refrigeracin y congeladores
19. Calefaccin
20. Aire acondicionado
21. Iluminacin
22. Computadoras personales
23. Equipos de entretenimiento
Comercial:
17. Elevadores
18. Fuentes de energa ininterrumpibles
19. Computadoras y equipos de oficina
20. Centrales de refrigeracin
21. Aire acondicionado
22. Iluminacin
Industrial:
24. Bombas y compresores
25. Robots industriales
26. Hornos de arco y de induccin
27. Lser industrial
28. Mquinas de soldadura
Transportacin:
23. Control de la traccin en vehculos elctricos
24. Cargadores de bateras
25. Trenes elctricos
26. Mecatrnica automotriz
Sistemas utilitarios:
29. Transmisin de alto voltaje (HVDC)
30. Fuentes alternativas de energa (viento,
fotovoltaica, etc.)
31. Sistemas de almacenamiento de energa
Industria aeroespacial:
27. Sistemas de alimentacin de satlites
28. Sistemas de potencia de aviones comerciales
y militares.
29. Cohetes y transbordadores espaciales
Telecomunicaciones:
32. Cargadores de bateras
33. Transmisores de microondas
34. Fuentes de poder
Otros:
30. Perforacin de pozos petroleros
31. Generadores ultrasnicos
32. Juguetes electrnicos.
Las principales aplicaciones de los convertidores electrnicos de potencia son las siguientes:
- Fuentes de alimentacin: En la actualidad han cobrado gran importancia un subtipo de fuentes de alimentacin
electrnicas, denominadas fuentes de alimentacin conmutadas. Estas fuentes se caracterizan por su elevado
rendimiento y reduccin de volumen necesario. El ejemplo ms claro de aplicacin se encuentra en la fuente de
alimentacin de los ordenadores.
- Control de motores elctricos: La utilizacin de convertidores electrnicos permite controlar parmetros tales
como la posicin, velocidad o par suministrado por un motor. Este tipo de control se utiliza en la actualidad en los
sistemas de aire acondicionado. Esta tcnica, denominada comercialmente como "inverter" sustituye el antiguo
control encendido/apagado por una regulacin de velocidad que permite ahorrar energa.
- Calentamiento por induccin: Consiste en el calentamiento de un material conductor a travs del campo
generado por un inductor. La alimentacin del inductor se realiza a alta frecuencia, generalmente en el rango de
los kHz, de manera que se hacen necesarios convertidores electrnicos de frecuencia. La aplicacin ms vistosa se
encuentra en las cocinas de induccin actuales.
- Otras: Como se ha comentado anteriormente son innumerables las aplicaciones de la electrnica de potencia.
Adems de las ya comentadas destacan: sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de control del factor de
potencia, balastos electrnicos para iluminacin a alta frecuencia, interface entre fuentes de energa renovables y
la red elctrica, etc.
CONCLUSIN
Podemos afirmar que la EP es una tecnologa relativamente nueva que se ha desarrollado a partir de la electrnica
analgica y de la electrotecnia gracias al avance tecnolgico en la fabricacin de los semiconductores de potencia y de
la revolucin de la electrnica digital. La EP presenta varias ventajas sobre la electrotecnia clsica, como presentar
mejores caractersticas elctricas, mayor fiabilidad y vida til de los equipos, carencia casi total de mantenimiento
preventivo, ausencia de vibraciones y no producen arco elctrico. Por todo ello, la EP se ha introducido de lleno en las
aplicaciones industriales en donde se requiere el manejo de grandes potencias y sigue evolucionando y creciendo
constantemente.
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres
terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn.
Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o
positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se
dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
160
fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente
grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa,
habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del
nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.
FOTODIODOS
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en electricidad y esta
variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre
el fotodiodo.
Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado
en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor
normal. La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo
incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente. A diferencia del LDR o fotorresistencia, el
fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede
utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Si se combina un fotodiodo con una transistor
bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al
colector del transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.
Los Fotodiodos son diodos semiconductores que operan polarizados inversamente.
Durante la absorcin de la luz, cuando un fotodiodo es iluminado, las partculas de
energa luminosa, tambin llamadas fotones, son absorbidas generando pares electrn-
hueco, que en presencia de un campo elctrico producen una corriente elctrica. Estos
dispositivos son muy rpidos, de alta sensibilidad y pequeas dimensiones. La corriente
elctrica generada por ellos es del orden de los nanoamperios (10 9 A) y por lo tanto se
requiere de una amplificacin para manipular adecuadamente la seal.
Los fotodiodos utilizados actualmente son:
PIN (Positivo Intrnseco Negativo)
APD (Fotodiodo de Avalancha)
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una caracterstica que lo hace muy
especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo
incide (lo ilumina). Recibe luz, al contrario que el led y se usa en polarizacin inversa.
Cuando se coloca una pila en inversa, el negativo atrae a los huecos y los saca de la unin con el in ( lo mismo con el
positivo y los electrones). Pero se llega a un equilibrio, un equilibrio con una W (anchura de z.c.e.) concreta. Y no
tenemos ni huecos ni electrones en la z.c.e. (W) y esa unin me la pueden pasar los portadores (h y e) (solo quedan los
iones en la W).
Hay una pequea generacin trmica y los pares h-e que se crean se recombinan antes de llegar a W... No sirve para
nada, se recombinan pero los que se generan cerca de la unin pueden cruzar y los minoritarios sirven para cruzar y
tenemos e hacia la izquierda y h hacia la derecha. Tenemos as una corriente inversa de saturacin que es muy
pequea. Otra corriente que tenemos es la If que es tambin pequea. Se suele coger la corriente de p hacia n, en la
realidad es al revs, por eso I = -IS - If, es negativa. En un fotodiodo adems de la generacin trmica se le suma la
"Generacin por energa luminosa", que la crean los fotones que atacan cerca de la unin formando ms pares h-e y
por lo tanto ms corriente. Entonces tenemos:
Y la corriente aumenta en valor absoluto. Es para convertir energa luminosa en energa elctrica.
Figura 13.17.-
Smbolo de
Fotodiodo
Figura 13.18.-
Polarizacin de
un Fotodiodo
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
161
Aplicacin:
Las placas solares estn basadas en los fotodiodos. Si los pongo en paralelo es el doble,
por eso se ponen muchos. El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de
luz, pues convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se
utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo.
Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el
sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto
sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal. La mayora de los
fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide,
de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa
con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Si se combina un
fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el ctodo del
diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor
Una de las componentes de la corriente inversa en un diodo es el flujo de portadores minoritarios. La existencia de
estos portadores se debe a que la energa trmica continuamente est desligando electrones de valencia de sus
orbitales, produciendo durante este proceso electrones libres y huecos. El tiempo de vida de los portadores
minoritarios es corto, pero mientras existen pueden contribuir a la corriente inversa.
Cuando la energa luminosa bombardea una unin pn, puede desligar electrones de valencia. Cuanta ms luz incida
sobre la unin, mayor ser la corriente inversa en el diodo. Un fotodiodo es aquel cuya sensibilidad a la luz es ptima.
En este tipo de diodos, una ventana permite que la luz pase por el encapsulado hasta la unin. La luz incidente produce
electrones libres y huecos. Cuanta ms intensa sea la luz, mayor ser el nmero de portadores minoritarios y mayor
ser la corriente inversa.
La deteccin de radiacin ultravioleta (UV) ha atrado una gran atencin en los ltimos aos. Tanto la industria civil
como la militar requieren una mejora en la instrumentacin UV, para aplicaciones como control de motores,
seguimiento de la radiacin UV solar, calibracin de emisores, estudios astronmicos, sensores de llama, deteccin de
misiles, sistemas compactos de almacenamiento de informacin y comunicaciones espaciales seguras.
Los nitruros del grupo III (GaN, AlN, InN y sus aleaciones ternarias) se han revelado como los materiales ms
prometedores para la fabricacin de fotodetectores de UV basados en semiconductores, gracias a la anchura de su gap
directo, que proporciona coeficientes de absorcin elevados y una insensibilidad intrnseca a la radiacin visible. Entre
otras ventajas se incluyen la posibilidad de fabricar dispositivos de heterounin y de seleccionar la longitud de onda de
corte modificando la fraccin molar de los compuestos ternarios.
Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua proporcional a la cantidad de
luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la
cantidad de luz que incide sobre la unin. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores pticos de
comunicaciones.
Curvas caractersticas de un fotodiodo
El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. Conviene recordar
que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los
portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz
Figura 13.20.-
Algunos Tipos
de Fotodiodos
Figura 13.19.-
Aplicacin de
Fotodiodos
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
162
provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en
inversa tal y como se ve en la figura 4.5.
El modelo circuital del fotodiodo en inversa est formado por un generador de intensidad cuyo valor depende de la
cantidad de luz. En directa, el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si est fabricado en silicio, la tensin que
cae en el dispositivo ser aproximadamente 0,7 V.
El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es
debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los
portadores de generacin luminosa.
Para caracterizar el funcionamiento del fotodiodo se definen los siguientes parmetros: Se denomina corriente oscura
(dark current), a la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe luz incidente. Se define la sensibilidad del
fotodiodo al incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por unidad de intensidad de luz, expresada
en luxes o en mW/cm2. La sensibilidad depende de la temperatura. Para fotodiodos no polarizados, se puede emplear
el propio fotodiodo como sensor de temperatura. Esta relacin es constante para un amplio intervalo de iluminaciones.
En la figura 13.13 se muestra su smbolo circuital.
El circuito de un fotodiodo se trata de un circuito similar al de
una clula fotoelctrica con la diferencia de que a este ltimo
se le han aadido corrientes de fuga y ruido. Las variables las
especificamos a continuacin:
V
o
= (I
p
+I
d
).(R
C
.R
p
)/(R
C
+R
p
+ R
C
)
Y las fuentes de corriente inversa son:
I
p
= q A
I
d
= I
o
(e
qV/kT
1)
Donde:
es el rendimiento cuntico del detector
q el la carga del electrn
es la densidad de flujo incidente
A es el rea del detector
Io es la corriente de saturacin inversa
V es la tensin aplicada al diodo
k es la constante de Boltzmann
T es la temperatura absoluta
Para detectar la seal de un fotodiodo hay distintas opciones. Una posibilidad es no polarizar el diodo (modo
fotovoltaico) y medir la tensin en vaco, o la corriente de cortocircuito mediante un amplificador de transimpedancia.
Cuando no hay polarizacin, la corriente generada lo es en el sentido de la conduccin directa del diodo, haciendo el
nodo positivo, por lo que la tensin en vaco, Vo, se obtiene a partir de:
0= I
P
- I
O
( e
qv/kt
- 1 )
De donde:
V
d
= kT/q . ln ( 1+ I
p
/I
o
)
Figura 13.13.- Circuito Equivalente para un Fotodiodo
Figura 13.22.- Circuitos
para detectar la seal de un
Fotodiodo:
(a y b) sin polarizacin y (c)
con polarizacin inversa
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
163
Para detectar radiacin ultravioleta, se emplea un recubrimiento plstico que bloquea la luz visible, y dejar pasar toda
la radiacin (<800nm).
Para sensores de color. La luz incidente se hace pasar a travs de un filtro rojo, azul o verde, antes de llegar al
fotodiodo. El color se determina midiendo la fotocorriente generada por la luz que atraviesa cada filtro. El problema
de este mtodo consiste en emplear una ventana transparente y dos diodos p-i-n en cascada. La respuesta espectral de
los diodos depende de la diferencia de potencial aplicada entre los extremos del conjunto; aplicando secuencialmente
tres tensiones distintas, se detectan los tres colores bsicos.
En la figura 4.8, vemos la respuesta del fotodiodo a un pulso de radiacin con forma cuadrada. En ausencia de
polarizacin, la respuesta es lenta debido a la lentitud de la cargas en su
migracin hacia la superficie.
Al aplicar una tensin inversa pequea (5 V), las cargas generadas
en la zona desierta son recogidas rpidamente y son responsables de la
rpida respuesta inicial. Cuando la tensin aplicada es mayor. La zona
desierta se extiende a toda la profundidad del dispositivo, dando un solo
flanco de subida rpido.
Los fotodiodos son ms rpidos que las fotorresistencias, es decir,
tienen un tiempo de respuesta menor, sin embargo solo pueden
conducir en una polarizacin directa corrientes relativamente pequeas.
Geometra
Un fotodiodo presenta una construccin anloga a la de un diodo LED, en el
sentido que necesita una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan
los rayos luminosas para incidir en la unin PN. En la siguiente foto aparece
una geometra tpica. Por supuesto, el encapsulado es transparente a la luz.
FOTODIODO PIN
Este diodo est conformado por una capa intrnseca, casi pura, de material semiconductor, introducida entre la unin
de dos capas de materiales semiconductores tipo n y p. Se aplica una tensin de polarizacin inversa.
La luz entra al diodo por una ventana muy pequea y es absorbida por el material intrnseco, el cual agrega la energa
suficiente para lograr que los electrones se muevan de la banda de valencia a la banda de conduccin y se generen
portadores de carga elctrica que permiten que una corriente fluya a travs del diodo. Los elementos ms utilizados en
la fabricacin de este tipo de detectores son el Germanio y ltimamente se utiliza el GaAs, GaInAs, InP, con
resultados muy buenos.
Los diodos PIN requieren bajas tensiones para su funcionamiento, pero deben utilizar buenos amplificadores.
Presentan tiempos de vida relativamente altos. Que podran reducir nicamente por factores externos y son los ms
indicados para el uso en la segunda y tercera ventana de transmisin (1300 y 1550 nm).
Fotodiodo APD (Avalancha)
Los fotodiodos de avalancha son una estructura de materiales
semiconductores, ordenados en forma p-i-p-n. Figura 13.18.
La luz entra al diodo y es absorbida por la capa n, haciendo
que ciertos electrones pasen de la banda de valencia a la
banda de conduccin.Debido al gran campo elctrico
generado por la polarizacin inversa, los electrones adquieren
velocidades muy altas y al chocar con otros electrones de
otros tomos, hacen que stos se ionicen. Los tomos
Figura 13.24.- Corte transversal de
un fotodiodo comercial
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
164
ionizados ionizan a su vez otros tomos, desencadenando un efecto de avalancha de corriente fotoelctrica. Los
fotodiodos APD son 10 veces ms sensibles que los diodos PIN y requieren de menos amplificacin adicional. Su
desventaja radica en que los tiempos de transicin son muy largos y su vida til es muy corta. Los fotodiodos APD de
Silicio presentan ruido bajo y un rendimiento hasta del 90% trabajando en primera ventana. Su factor de ganancia, M,
es alto (de 50 a 150) y no es crtico, porque la ganancia del receptor es fcilmente controlable mientas el factor F sea
bajo. Su sensibilidad es casi inversamente proporcional a la velocidad binaria, tpicamente de 64 dBm a 8 Mb/s y
50 dBm a 140 Mb/s y el tiempo medio entre fallas es de 107 horas. La corriente de oscuridad es relativamente baja: a
25 C est entre 1 y 5 nA. En cuanto a los anchos de banda obtenidos comercialmente, superan 1 GHz. Como
inconveniente, est su alta tensin de alimentacin (200-300 V), Los fotodiodos APD de germanio trabajan con
longitudes de onda comprendidas entre 1000 y 1300 nm y rendimientos del 70% presentan como incoveniente el
ajuste y control de factor M que, por cierto, tiene un valor ptimo ms bajo (1520) que en los de silicio. Se puede
prolongar su funcionamiento hasta los 1550 nm, pero necesitan entonces una zona de deplexin prxima a las 10 um,
frente a las 3 4 que son habituales. Adems de esto, la aplicacin para 1550 nm suele ir acompaada de mayores
velocidades de transmisin y en este sentido el APD de germanio es bastante limitado.
De lo indicado en el prrafo anterior, en cuanto a la tensin necesaria para la polarizacin, es del orden de los 30 V,
encontrndose en el mercado fotodiodos de este tipo cuyos anchos de banda alcanzan 1 GHz, y la corriente de
oscuridad es alta (del orden de 0,1 uA) y se duplica cada 9 10 C, afectando a su sensibilidad. Esta vara, igual que
en los de silicio, con el rgimen binario, siendo valores habituales los siguientes:
- 45 dBm a 34 Mb/s
- 40 dBm a 140 Mb/s
- 35 dBm a 565 Mb/s
Caractersticas comparativas entre los diodos PIN y APD
Costo. Los diodos APD son ms complejos y por ende ms caros.
Vida. Los diodos PIN presentan tiempos de vida til superiores.
Temperatura. Los diodos APD poseen velocidades de respuesta mayores, por lo tanto permiten la transmisin de
mayores tasas de informacin.
Circuitos de polarizacin. Los diodos PIN requieren circuitos de polarizacin ms simples, pues trabajan a menores
tensiones.
Composicin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar
compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud
de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.
Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda
entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno lquido. Antiguamente se fabricaban exposmetros
con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz,
pues convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un
cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo. Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule
la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se
comportara como un diodo semiconductor normal. La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que
concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente. A diferencia del LDR
o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms
velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.
Si se combina un fotodiodo con un transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector y la base del
transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene el circuito equivalente de un
fototransistor. Los fotodiodos tienen ensambladuras anchas, transparentes. Los fotones pueden empujar electrones
sobre la ensambladura, haciendo una corriente fluir.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
165
Fotodiodos PIN-FET
Para la determinacin de la relacin seal-ruido de un receptor, la capacidad del detector
es decisiva para que aquella sea mxima, y una solucin alternativa a los APD en altas
longitudes de onda (desde 1500 hasta 1700 nm) la constituye un diodo PIN seguido de un
preamplificador de bajo nivel de ruido, aunque se puede utilizar desde los 800 nm con un
rendimiento cuntico ms bajo, del orden del 40%.
En cualquier caso, se utiliza una capa muy empobrecida de GaAsIn de unas 3 um de
espesor; la estrechez de esta capa y el bajo tiempo de trnsito de los portadores implica que
el componente sea especialmente rpido, con un ancho de banda terico de 15 GHz, que,
por consideraciones relativas al encapsulado del detector, debe limitarse a un mximo de 2
GHz.
Estas configuraciones constituyen detectores optoelectrnicos integrados de gran inters, debido a su mayor ancho de
banda y bajo costo y consisten en un fotodiodo PIN de GaAlAs y un circuito amplificador del tipo FET de GaAs
integrados monolticamente, en lugar de utilizar un diodo discreto cableado al transistor de entrada del amplificador,
lo que redunda en beneficio de la baja capacidad del conjunto.
Caractersticas tpicas de diodos PIN-FET
Corriente oscura: Es la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe luz incidente.
Sensibilidad: Es el incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por unidad de intensidad de luz,
expresada en luxes.
Geometra: Presenta una construccin anloga a la de un diodo LED
EL EFECTO FOTOELCTRICO
El efecto fotoelctrico fue descubierto por Heinrich Hertz en 1887, al observar que el arco que salta entre dos
electrodos conectados a alta tensin alcanza distancias mayores cuando se ilumina con luz ultravioleta que cuando se
deja en la oscuridad. Un Ao despus, Hallwachs hizo una importante observacin de que la luz ultravioleta al incidir
sobre un cuerpo cargado negativamente causaba la perdida su carga, mientras que no afectaba a un cuerpo con carga
positiva. Diez aos mas tarde, J. Thomson y P. Lenard demostraron independientemente, que la accin de al luz era la
causa de al emisin de cargas negativas libres por la superficie del metal. Aunque no hay diferencia con los dems
electrones, se acostumbra al denominar fotoelectrones a estas cargas negativas.
Heinrich Hertz establece bsicamente que electrones de una superficie
metlica pueden escapar de ella si adquieren la energa suficiente
suministrada por luz de longitud de onda lo suficientemente corta.
Hallwachs y Lenard estudiaron tambin este efecto aos despus.
Posteriormente Einstein le dio el significado correcto en 1905, en el que
dice que un haz de luz se compone de paquetes de energa llamados
cuantos de luz o fotones. Cuando el fotn choca contra un electrn en la
superficie de un metal, el fotn l e puede transmitir energa al electrn,
con la cual podra este escapar de la superficie del metal.
Efecto fotoelctrico externo
Es la formacin y liberacin de partculas elctricamente cargadas que se produce en la materia cuando es irradiada
con luz u otra radiacin electromagntica. El trmino efecto fotoelctrico designa varios tipos de interacciones
similares. En el efecto fotoelctrico externo se liberan electrones en la superficie de un conductor metlico al absorber
energa de la luz que incide sobre dicha superficie. Este efecto se emplea en la clula fotoelctrica, donde los
electrones liberados por un polo de la clula, el fotoctodo, se mueven hacia el otro polo, el nodo, bajo la influencia
de un campo elctrico. El estudio del efecto fotoelctrico externo desempe un papel importante en el desarrollo de
la fsica moderna. Una serie de experimentos iniciados en 1887 demostr que el efecto fotoelctrico externo tena
determinadas caractersticas que no podan explicarse por las teoras de aquella poca, que consideraban que la luz y
Figura 13.28- Fotodiodo
PIN- FET
Figura 13.29.- Efecto
Fotoelctrico
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
166
todas las dems clases de radiacin electromagntica se comportaban como ondas. Por ejemplo, a medida que la luz
que incide sobre un metal se hace ms intensa, la teora ondulatoria de la luz sugiere que en el metal se liberarn
electrones con una energa cada vez mayor. Sin embargo, los experimentos mostraron que la mxima energa posible
de los electrones emitidos slo depende de la frecuencia de la luz incidente, y no de su intensidad. En 1905, para tratar
de explicar el mecanismo del efecto fotoelctrico externo, Albert Einstein sugiri que podra considerarse que la luz se
comporta en determinados casos como una partcula, y que la energa de cada partcula luminosa, o fotn, slo
depende de la frecuencia de la luz. Para explicar el efecto fotoelctrico externo, Einstein consider la luz como un
conjunto de "proyectiles" que chocan contra el metal.
Cuando un electrn libre del metal es golpeado por un fotn, absorbe la energa del mismo. Si el fotn tiene la suficiente energa,
el electrn es expulsado del metal. La teora de Einstein explicaba muchas caractersticas del efecto fotoelctrico externo, como
por ejemplo el hecho de que la energa mxima de los electrones expulsados sea independiente de la intensidad de la luz.Un
primer paso para abandonar el concepto de ter elstico lo realiz MacCullagh, que postul un medio con propiedades diferentes a
la de los cuerpos ordinarios. Las leyes de propagacin de ondas en este tipo de ter son similares a las ecuaciones
electromagnticas de Maxwell.
Segn la teora de Einstein, esta energa mxima slo depende de la energa del fotn que lo expulsa, que a su vez slo
depende de la frecuencia de la luz. La teora de Einstein se verific por experimentos posteriores. Su explicacin del
efecto fotoelctrico, con la demostracin de que la radiacin electromagntica puede comportarse en algunos casos
como un conjunto de partculas, contribuy al desarrollo de la teora cuntica. El trmino efecto fotoelctrico tambin
puede referirse a otros tres procesos: la fotoionizacin, la fotoconduccin y el efecto fotovoltico. La fotoionizacin es
la ionizacin de un gas por la luz u otra radiacin electromagntica. Para ello, los fotones tienen que poseer la
suficiente energa para separar uno o ms electrones externos de los tomos de gas. En la fotoconduccin, los
electrones de materiales cristalinos absorben energa de los fotones y llegan as a la gama de niveles de energa en la
que pueden desplazarse libremente y conducir electricidad. En el efecto fotovoltico, los fotones crean pares electrn-
hueco en materiales semiconductores. En un transistor, este efecto provoca la creacin de un potencial elctrico en la
unin entre dos semiconductores diferentes.
Efecto fotoelctrico interno
En el fotoefecto interno los electrones excitados permanecen dentro de la sustancia, contrario al fotoefecto externo.
Cuando el material es irradiado, electrones de la banda de valencia son llevados a la banda de conduccin y aumenta
la conductividad elctrica del material irradiado. Este aumento de conductividad se llama fotoconduccin. En el caso
en de los metales, debido a su alta conductividad elctrica base, el aumento de conductividad por radiacin es
insignificante, por eso el fotoefecto interno se emplea tanto en los semiconductores dopados como en los intrnsecos.
La conductividad intrnseca es ocasionada por electrones y huecos trmicamente generados, que estn presentes en
iguales concentraciones. Cuando la sustancia es irradiada, portadores de carga libres adicionales son producidos por la
energa del fotn con lo que se mejora la conductividad. Mediante el dopado deliberado de un semiconductor con
donantes o aceptores, se obtiene un semiconductor tipo P o N.
Foto efecto de unin
El fotoefecto de unin es un fotoefecto interno y se utiliza en fotodiodos, diodos de avalancha, fototransistores,
transistores de efecto de campo y fototiristores. Estos componentes se fabrican como semiconductores dopados donde
energas cunticas ms pequeas son necesarias para elevar la conductividad que en el caso del semiconductor
intrnseco. La construccin de un fotodiodo o un fototransistor es la misma en principio como en un diodo o un
transistor.
Elementos bsicos
Los elementos bsicos del sistema de control tpico abarcan cuatro componentes principales:
- Una fuente de radiacin tpica, esto, es algo especficamente diseado para emitir radiacin.
- Un receptor de radiacin que contiene un elemento fotosensitivo para cambios sensibles en radiacin.
- Un amplificador para aumentar la salida elctrica del elemento sensible a un nivel til.
- Un dispositivo de salida que ejecute alguna funcin de control como resultado de la seal amplificada.
Medida de h por Millikan
La letra h en la ecuacin de Einstein, es importante porque es fundamental para la estructura de la materia y, por lo
tanto, es una constante universal.
Habiendo sido introducida primero por Planck, en 1901, el nombre de la constante de Planck s ha adherido
firmemente a este smbolo h. La primera confirmacin experimental de la ecuacin fotoelctrica de Einstein vino en
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
167
1912, cuando A. L. Hugues; e independiente O. W. Richardon y K. T. Compton, observaron que la energa de los
fotoelectrones aumentaba proporcionalmente con la frecuencia. La constante de proporcionalidad que ellos
encontraron es aproximadamente igual a la constante h de Planck. Posteriormente, Millikan realizo una serie de
experimentos exhaustivos que establecieron la ecuacin fotoelctrica de tan preciso, que sus trabajos se consideran
ahora como los que dan el valor ms exacto de h. Para esto fue necesario medir los tres factores v, W y mv2, y
despejar la incgnita h de la siguiente ecuacin:
V
e
= mV
2
/2
Experimentos previos realizados sobre el efecto fotoelctrico demuestran que obtenerse buenos resultados solo si las
superficies metlicas estn adecuadamente limpias. Millikan logro obtener superficies metlicas no contaminadas
preparndolas dispositivos.
Umbral fotoelctrico
Una vez hechas las mediciones, Millikan calculo las energas correspondientes a los fotones para diversas frecuencias
de luz y represento los resultados sobre un grfico. El punto de interseccin entre la recta u el eje horizontal
determinara la frecuencia umbral v0. El umbral fotoelctrico se define como la frecuencia para la cual la luz que
incide sobre la superficie metlica solo puede liberar los electrones, pero sin comunicarles energa cintica adicional.
Para esta frecuencia, la energa cintica mv2 de la ecuacin de Einstein es nula y el valor de
.
La energa del fotn esta dada por:
W = hV
o
Clula fotoelctrica
Componente electrnico basado en el efecto fotoelctrico. En su forma ms simple, se compone de un nodo y un
ctodo recubierto de un material fotosensible. La luz que incide sobre el ctodo libera electrones que son atrados
hacia el nodo, de carga positiva, originando un flujo de corriente proporcional a la intensidad de la radiacin. Las
clulas fotoelctricas pueden estar vacas o llenas de un gas inerte a baja presin para obtener una mayor sensibilidad.
Una variante de la clula fotoelctrica, el fototubo multiplicador o fotomultiplicador, consiste en una serie de placas
metlicas dispuestas de forma que la emisin fotoelctrica se amplifica mediante una emisin elctrica secundaria. El
fototubo multiplicador es capaz de detectar radiaciones extremadamente dbiles, por lo que es una herramienta
esencial en el rea de la investigacin nuclear.
Las clulas fotoelctricas se emplean en alarmas antirrobo, semforos de trfico y puertas automticas. Una clula
fotoelctrica y un rayo de luz (que puede ser infrarrojo o invisible al ojo humano) forman una parte esencial de este
tipo de circuito elctrico. La luz producida por una bombilla en un extremo del circuito cae sobre la clula, situada a
cierta distancia. El circuito salta al cortarse el rayo de luz, lo que provoca el cierre de un rel y activa el sistema
antirrobo u otros circuitos. Se utilizan varios tipos de clulas fotoelctricas en la grabacin de sonido, en la televisin
y en los contadores de centelleo.
PRINCIPIO DE OPERACIN
Un fotodiodo es una unin P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un
electrn dndole movimento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de
la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de
agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a
los portadores de carga fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una
ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.
Fotodiodos de avalancha
Los fotodiodos de avalancha son detectores de silicio, sensibles a la radiacin visible, ultravioleta y parte del infrarojo.
La carcterstica ms importante, es que mediante la aplicacin de un potencial externo, se obtiene amplificacin de la
seal de hasta 400 veces. El diseo de los sensores y parte de la construccin es realizado en el Laboratorio. Parte de
la construccin es realizado en colaboracin con la Compaa UDT Sensors de Hawthorne, CA. El Laboratorio recibe
financiamiento del Fondo Nacional para la Ciencia y Tecnologa, Fondecyt y de la Universidad de Santiago a travs
de Dicyt. Actualmente mantenemos una colaboracin activa con la Comisin Chilena de Energa Atmica, Santiago,
con UDT Sensors, Hawthorne, CA y con Lawrence Berkeley Laboratory, Berkeley, CA.
Desarrollos recientes del Laboratorio incluyen fotodiodos de avalancha de tamao grande (1 x 1 cm2) y redes de detectores de
avalancha ( 3 x 3 elementos), del tipo difusin profunda. Nuestro inters es desarrollar detectores con eficiencia cuntica alta en la
regin del ultravioleta, redes con gran nmero de elementos, (10 - 100), alta ganancia y bajo ruido. Tambin estamos interesados
en las aplicaciones de estos detectores para equipos de Tomografa Computarizada de Positrones y sistemas Lidar. Algunas
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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publicaciones recientes del laboratorio se dan a continuacin. Un primer paso para abandonar el concepto de ter elstico lo
realiz MacCullagh, que postul unmedio con propiedades diferentes a la de los cuerpos ordinarios. Las leyes de propagacin de
ondas en este tipo de ter son similares a las ecuaciones electromagnticas de Maxwell.
El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicacin por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por
los pares hueco-electrn.
Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. Sin embargo, el
equilibrio entre ruido y ganancia es difcil de conseguir y como consecuencia, el
coste es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere
una tensin de alimentacin de valor elevado (100-300 v.), estrechamente
controlada. Por estas razones, el fotodiodo de avalancha tiene limitadas
aplicaciones.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para
definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible
(longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda
hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que
se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los
fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy
pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el
nombre de corriente de oscuridad.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar
compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud
de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.
Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrn-hueco. Al haber un mayor nmero de
portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de
resistencia bajo.
Aplicaciones
Las LDR se usan para detectar niveles de luz ambiente o seguimiento de luces o linternas, as pues podemos crear un
seguidor de luz con varias LDR dispuestas alrededor del robot y hacer que este siga una luz directa que le enfoque,
tambin pueden usarse para encender los focos o luces de balizamiento del robot en ausencia de luz.
Ideas y mejoras:
Una mejora es sustituir la resistencia fija del divisor de tensin por una variable de valor adecuado, para poder ajustar
el umbral de disparo. Ejemplo de aplicacin:
Para hacernos un medidor de luz ambiental o una fotoclula que encienda un determinado proceso en ausencia o
presencia de luz podremos hacerlo de dos maneras, usando un amplificador operacional para detectar y ajustar la
sensibilidad y punto en que se dispara la salida como en el caso del CNY70 mostrado mas arriba o bien hacerlo como
se muestra en el siguiente circuito, que es en base a un disparador trigger schmitt TTL que conformara una seal
totalmente compatible TTL para ser aplicada a un microcontrolador o puerta lgica compatible.
El circuito consta de un divisor de tensin formado por la LDR, una resistencia y un disparador trigger schmitt
inversor modelo 74LS14. Como la LDR varia en funcin de la luz, la seal de salida del divisor tambin lo har y
cuando pase el umbral de disparo del trigger schmitt este cambiara el estado de su salida segn corresponda.
Los umbrales de disparo para el 74LS14 son de 0,9 y 1,7 voltios, esto quiere decir que cuando la seal en la entrada
del disparador supere los 1,7 voltios se tomara como un 1 lgico en la entrada y la salida al ser inversa tomara el nivel
lgico bajo o 0 voltios, si el voltaje de entrada baja por debajo de 0,9 voltios se tomara como un 0 lgico en la entrada
con lo que la salida tomara un nivel lgico 1.
El problema que se comentaba en la explicacin del CNY70 radica en la distancia en voltios entre el umbral de
disparo alto y bajo, que es de 0,8 voltios entonces imaginemos que si la luz recibida en el sensor va incrementando
hasta llegar a los 1,7 voltios y rebosarlos este ser el punto de activacin pero no se desactivara al volver a pasar por
este punto, ya que la salida del circuito no se desactivara hasta que no se baje por debajo del umbral de 0,9 voltios,
Fotodiodos de avalancha de
3 mm de dimetro del tipo
construccion plana
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
169
esto hay que tenerlo muy en cuenta ya que para algunos casos donde los niveles a detectar sean muy distantes como
por ejemplo detectar niveles de todo o nada o luz y oscuridad puede dar igual pero si lo que se quiere es activar algn
circuito en un determinado nivel de luz y desactivarlo justo cuando ese nivel ya no exista, entonces el circuito ya no es
valido y ser mejor usar el circuito basado en amplificador operacional en modo comparador de tensiones.
Se comercializan fotodiodos con amplificadores, compensacin de temperatura y estabilizacin en el mismo chip. Con
la integracin se reducen los problemas debidos a corrientes de fugas, interferencias y picos de ganancia debidos a
capacidades parsitas.
Los fotodiodos se emplean no solo en comunicaciones pticas y fotmetros, sino tambin para control de iluminacin
y brillo, control remoto por infrarrojos, monitorizacin de llamas de gas y de petrleo (radiacin ultravioleta centrada
en la banda de 310 nm), enfoque automtico y control de exposicin en cmaras. Combinados con una fuente de luz,
se emplean en codificadores de posicin, medidas de distancia, espesor, transparencia y posicin, como detectores de
proximidad y de presencia. Los sensores de color se emplean para inspeccin y control de calidad. Las agrupaciones
de sensores se aplican al reconocimiento de formas, manipulacin de papes (fotocopias), lectoras de tarjetas
codificadas, etc.
Fotoconductores
Constituye el caso ms simple de la aplicacin de materiales semiconductores a la deteccin de radiacin ptica, pues
consiste simplemente en la absorcin de luz por parte de un trozo de semiconductor con contactos elctricos, tal y
como aparece en la figura 13.31a. Cuando un fotn alcanza al semiconductor y es absorbido, se produce la generacin
de un par eh. La influencia
del campo elctrico que hay entre los contactos provoca la migracin de electrones y huecos hacia ellos, con lo que se
produce un cambio en la resistencia del material en funcin de la cantidad de luz que reciben, es decir, su
conductividad aumenta proporcionalmente al flujo de electrones recibido, con lo que se obtiene una fotocorriente
medible en el circuito de la figura 13.31a. Con este tipo de fotodetectores se puede registrar esa fotocorriente o bien
medir la cada de tensin en una resistencia de carga colocada en serie con el dispositivo.
Una configuracin usual de esta clase de detectores es la que se muestra en la figura 13.31b, donde el nodo y el
ctodo se encuentran sobre la misma superficie del material de forma que el tiempo de transicin entre uno y otro se
minimiza al tiempo que se maximiza la transmisin de luz. Aqu encontramos una caracterstica til para los
detectores en general, y es que cuanto menor sea su tamao, su comportamiento en conmutacin ser mejor, aunque
esta reduccin en las dimensiones hace que recolecte menos luz.
Podemos calcular el aumento en la conductividad del material por efecto del flujo de fotones incidente . Si Vol. = S l
es el volumen de semiconductor, sabemos que no todos los fotones incidentes producen la generacin de corriente til,
para dar cuenta de esto utilizamos el parmetro de la eficiencia cuntica . La tasa de generacin de pares eh ser
entonces
Si es el tiempo de vida medio de los portadores antes de la recombinacin, esto quiere decir que los electrones
desaparecen a un ritmo .n/, tal que .n es la concentracin de electrones generados por fotones. En el estado
estacionario las tasas de generacin y recombinacin deben ser iguales, por lo que podemos escribir
Este cambio en la concentracin de portadores resulta en un cambio en la conductividad del material dado por:
Figura 13.31.-
a) Esquema bsico de del
funcionamiento de un fotoconductor.
b) Configuracin ms habitual
para fotoconductores comerciales.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
170
Donde e y h son las movilidades de electrones y huecos en el material respectivamente. Sustituyendo valores en la
ecuacin (4.3.3) podemos ver la proporcionalidad entre el incremento de la conductividad y el flujo de fotones
incidente. Operaciones de electricidad bsica, nos permiten obtener a partir de la conductividad y el campo elctrico
aplicado, el valor de la fotocorriente generada
Donde
e
es el tiempo de trnsito entre electrodos, parmetro que depende de las dimensiones fsicas del dispositivo y
de la tensin entre electrodos. Segn esta expresin, y si recordamos las ecuaciones (4.2.7) generalizadas, tendremos
que el cociente /e debe corresponder a la ganancia G del fotoconductor. Esta ganancia proviene de que la velocidad
de los electrones en el material es superior a la de los huecos, lo que implica que el electrn llega antes al ctodo que
el hueco al nodo. En ese momento el nodo emite un electrn al material, que tambin tender a llegar antes al ctodo
que el hueco al nodo, con lo que se emitir otro electrn al material.
Sensibilidad Espectral
Est gobernada principalmente por la dependencia con de la eficiencia cuntica. As pues, diferentes
semiconductores tendrn distintas limitaciones en la longitud de onda de operacin. Detectores fotoconductores
pueden funcionar bien en el rango del IR (por encima de = 2 m).
Para eliminar las limitaciones de los materiales intrnsecos (ausencia de dopaje), pueden emplearse los denominados
semiconductores extrnsecos, que involucren en el fenmeno de la fotoconductividad a niveles de energa dentro de la
banda prohibida. Con este tipo de componentes, la energa de los fotones subsceptibles de ser absorbidos se reduce,
con lo que es posible detectar longitudes de onda mayores, aunque este tipo de tratamiento hace que tengamos que
enfriar los detectores para evitar el ruido trmico de los mismos.
FOTODIODO PN
A grandes rasgos, podemos definir un fotodiodo pn como una unin pn en la
que la corriente inversa aumenta con el flujo de fotones incidente.
En principio, los fotones pueden ser absorbidos en toda la estructura como en
el caso de los fotoconductores, pero aqu aparece el efecto de la unin de
forma que existe un campo elctrico intenso en la zona de la unin con la
direccin np (figura 13.32) que es capaz de separar los pares de portadores
generados rpidamente, disminuyendo as la probabilidad de que se
produzcan recombinaciones que impidan la contribucin a la fotocorriente.
Ser en esta zona donde ser deseable que se produzca la absorcin. A
temperatura ambiente existe una cierta probabilidad de que se produzcan transiciones espontneas entre bandas an en
ausencia de iluminacin, con lo que se puede generar una pequea corriente que recibe el nombre de corriente de
oscuridad. Esta corriente de oscuridad depender de la temperatura y de las condiciones elctricas de operacin del
fotodiodo.
Los fotodiodos de unin p-n y p-i-n basados en AlxGa1-xN son lineales con la potencia ptica y presentan un
contraste UV/visible de 104. Sin embargo, su tiempo de respuesta suele estar limitado por el comportamiento de los
centros relacionados con el dopante tipo p (Mg), que tambin pueden deteriorar la respuesta espectral. Por otra parte,
la longitud de onda de corte mnima que puede alcanzarse con estos dispositivos est limitada por la dificultad de
conseguir conduccin tipo p en AlxGa1-xN con contenidos de Al superiores al 15%. Aunque los resultados son
prometedores, resulta todava necesario un esfuerzo investigador en el dopaje tipo p del AlxGa1-xN para mejorar las
prestaciones de estos detectores. Un hecho que tambin se ha utilizado en provecho de la moderna tcnica electrnica
es la influencia de la energa luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un
diodo. El tiempo de respuesta est limitado, como es lgico, por el tiempo de trnsito de los portadores a travs de la
zona de la unin, as como por la constante de tiempo del circuito asociado.
Hay adems otra contribucin a la fotocorriente por parte de los portadores generados fuera de la zona de la unin,
pero con cierta proximidad a ella. Estos portadores tienen la posibilidad de alcanzar la zona de transicin por medio de
la difusin trmica dentro de los materiales neutros, con lo que el campo elctrico puede hacer que atraviesen
rpidamente la zona de transicin comunicndoles una cierta aceleracin. En este caso, esos portadores generados
Figura 13.32.-Esquema
bsico del funcionamiento
de un fotodiodo p
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
171
fuera de la zona de la unin pueden contribuir a la corriente. Sin embargo, los procesos asociados con la difusin de
portadores dentro de la estructura son muy lentos, lo que hace que los dispositivos basados en fotodiodos pn no
puedan ser utilizados en sistemas que requieran de una alta velocidad de conmutacin, aunque en general presentarn
un menor tiempo de respuesta que los fotoconductores.
Como hemos visto, la zona en que interesa que se produzca la incidencia del flujo de fotones de forma que se consiga
la mayor eficiencia cuntica, es la zona de la unin o zona de transicin. Pero esa zona es fsicamente muy delgada.
Para mejorar las prestaciones del fotodiodo pn, la idea ms sencilla sera aumentar el tamao de esa zona de
transicin, y eso es lo que se pretende con la siguiente configuracin. Como cualquier componente electrnico basado
en la unin de semiconductores, el fotodiodo presenta una caracterstica iV en rgimen estacionario e iluminado donde
is es la corriente inversa de saturacin. En la ecuacin anterior el primer trmino representa la corriente de oscuridad,
y se aade adems el trmino de la fotocorriente ip, que tiene sentido contrario.
Existen tres formatos clsicos de operacin con un fotodiodo: circuito abierto (modo fotovoltaico), cortocircuito y
polarizado en inversa (modo fotoconductivo).
En el modo de circuito abierto la luz genera pares eh en la zona de la unin. Los electrones
generados se recombinan con los huecos de la zona p de la zona de transicin y viceversa. El
resultado es un incremento del campo elctrico que produce un fotovoltaje VP a travs del
dispositivo que aumenta con el flujo de fotones recibido. Como en el caso de los generadores,
el valor de potencia consumida es negativo, lo que hace que el fotodiodo se comporte en esta configuracin como una
fotopila, que suministra potencia a partir de la luz recibida. No es usual encontrar un fotodiodo trabajando de esta
forma, pero este comportamiento bsico se emplea, con algunas modificaciones principalmente en cuanto a su
extensin y a la optimizacin de la eficiencia cuntica, en las clulas solares o fotovoltaicas. La responsividad en el
caso del fotodiodo actuando en modo fotovoltaico puede aparecer como V/W en lugar de la especificacin usual de
A/W. Tanto en el caso de considerar fotocorriente, como en el caso de considerar voltaje, la informacin relacionar
las variaciones en ambas magnitudes con la cantidad de luz recibida. El fotodiodo operando en modo de cortocircuito
(V = 0) presenta un esquema bsico en el que la corriente por el circuito es simplemente la fotocorriente ip. El
comportamiento de los fotodiodos en rgimen de conmutacin, est directamente relacionado con el tiempo de
respuesta del componente. En general, ese tiempo de respuesta va a depender da la constante RC del circuito, por lo
que para evaluarlo necesitamos el valor de la capacitancia de la unin. Debemos tener en cuenta que tal capacitancia
depende de la tensin inversa a que se somete la unin. Cuando aumenta VR disminuye la Cj con lo que el dispositivo
es ms rpido, pero esta disminucin en la capacitancia acarrea tambin el aumento de la corriente de oscuridad, lo
que en redunda en la prdida de sensibilidad.
En general, los fotodiodos operan con una fuerte polarizacin inversa con el objetivo de crear un campo elctrico
intenso en la zona de la unin, de forma que aumente la velocidad de los portadores en ella reduciendo as el tiempo
del transitorio, adems, se incrementa la anchura de la zona de transicin, con lo que facilitamos la absorcin de
fotones en la zona de inters a la vez que reducimos la capacitancia de la unin, lo que tambin contribuye al
incremento en la velocidad de respuesta. Todos estos datos relativos al funcionamiento del fotodiodo, suelen ser
suministrados por los fabricantes (anexo hojas caractersticas) junto con otros tales como las caractersticas
direccionales, datos de ruido, etc. Por tanto, no tendremos ms que estudiar las hojas de caractersticas para encontrar
el dispositivo ms adecuado para nuestros fines.
En algn momento de la discusin acerca de las caractersticas de los fotodiodos bsicos, hemos hablado de su
relativamente alto tiempo de respuesta, y conseguimos reducirlo aplicando una tensin en inversa de forma que el
fotodiodo funcionaba en modo fotoconductivo. Una de las causas por las que mejoraba en lo referido al tiempo de
Figura 13.33.-
Polarizacin de un
fotodiodo pn.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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respuesta, era el ensanchamiento de la zona de la unin, donde tambin vimos que era deseable que se produjera la
absorcin.
Fototransistores
La influencia de la luz sobre los transistores tradicionales es conocida desde el momento de su invencin, de ah el
hecho de que se encapsulen con un material opaco. Los fototransistores pretenden utilizar esa dependencia con la
luz del transistor para su uso como detector. Dependiendo de donde se produzca la incidencia de luz, se generarn
portadores en diferentes zonas, y el efecto ser distinto segn la zona en cuestin. El diseo ptimo requiere que la
absorcin tenga lugar en la unin entre el emisor y la base, con lo que se genera
un flujo de corriente en el circuito EB que se amplifica por la accin del dispositivo
como transistor. Su funcionamiento es bsicamente equivalente al de un
transistor NPN convencional, aunque en el diseo de fototransistores el rea de la
base es ms extensa para favorecer la absorcin de fotones y generar corrientes
elevadas en la unin BC que se utiliza con polarizacin inversa (la unin BE se
polariza en directa). La generacin de portadores por parte de la radiacin
incidente, unida a la inyeccin de electrones por parte del emisor, produce una
corriente que a la salida del dispositivo vendr dada por
As pues, un fototransistor puede entenderse como un transistor bipolar con sus mismas zonas de trabajo, controlado
por la radiacin incidente en la regin activa de la base. Ofrece la ventaja de un menor ruido y mayor seal de salida
que los APD, sin embargo su responsividad es inferior a la de los APD y pin. Su respuesta espectral es adecuada en el
rango del visible y NIR, con lo que suelen utilizarse en sistemas de control remoto, de alarma, etc.
En ocasiones, los fototransistores se emplean como componentes de circuitos integrados. En esta configuracin
reciben el nombre de IPD (Integrated Preamplified Detectors) o detectores OPIC (Optical Integrated Circuit). Sus
caractersticas van a ser una mezcla de propiedades pticas y elctricas, siendo estas ltimas las tpicas para un
transistor convencional, aunque las familias de curvas que aparecen en las hojas de caractersticas estarn asociadas a
ciertos niveles de iluminacin. As, su sensibilidad espectral va a ser anloga a la de un fotodiodo con el mismo
material de la base, dependiente de la longitud de onda, la temperatura y el ngulo de recepcin.
Su caracterstica de salida ic = f(VCE) es igual que la de un transistor NPN, pero el parmetro que aparecer ser la
irradiancia en lugar de la corriente de base. Mientras no se supere la tensin de ruptura, el efecto de VCE sobre ic es
despreciable. Cuando trabajemos con un fototransistor, habr que tener cuidado con la carga aplicada para evitar que
el punto de trabajo se site por encima de los valores fijados por la potencia disipada a una temperatura dada. La
variacin de la potencia con T tambin es un dato que obtendremos en las hojas caractersticas. En todo caso, conviene
recordar que la potencia disipada por el transistor es funcin de ic y VCE.
La responsividad de los fototransistores es bsicamente igual que en los fotodiodos. Para el caso de fototransistores
operando en la zona activa, deberemos aadir el factor de ganancia, que depender de T y . Cuando el fototransistor
se encuentra en estado de corte (Ee=0), existe una pequea corriente de fugas que circula entre el colector y el emisor
icE0. Esta corriente constituye la corriente de oscuridad en los fototransistores, y es equivalente a la icB0 o
simplemente ic0 de transistores bipolares. Las limitaciones bsicas a la velocidad de respuesta en los fototransistores
procede fundamentalmente de la capacidad dela unin BC. A efectos prcticos, podemos considerar que esta
capacidad se incrementa por el factor de amplificacin hFE.
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
- Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn)
- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP)
(modo de iluminacin).
Se pueden utilizar las dos en forma simultnea, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la patita de la
base sin conectar. (IB = 0). La corriente de base total es igual a corriente de base (modo comn) + corriente de base
(por iluminacin): IBT = IB + IP Si se desea aumentar la sensibilidad del fototransistor, debido a la baja iluminacin,
se puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarizacin externa El circuito equivalente de un
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fototransistor, es un transistor comn con un fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el ctodo del
fotodiodo conectado al colector del transistor y el nodo a la base. El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones
donde la deteccin de iluminacin es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto,
solo que su entrega de corriente elctrica es mucho mayor. El fototransistor. est compuesto por un fotodiodo y un
transistor. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica veces, y es la
corriente que puede entregar el fototransistor.
FOTODIODOS DE AVALANCHA (APD)
Esta clase de fotodiodos genera una cascada de portadores en movimiento a partir de la incidencia de un fotn, con lo
que amplifican la seal durante el proceso de fotodeteccin. En su forma bsica, un APD es un diodo pin con una
fuerte polarizacin inversa (puede llegar a ser del orden de miles de Voltios frente a los . 3V de un fotodiodo
convencional). La principal diferencia estructural es que la zona intrnseca se dopa ligeramente de tipo p y se la
renombra como capa . Tpicamente es ms ancha que una zona i y se disea de forma que el campo elctrico a travs
de ella sea lo ms uniforme posible.
Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo comn formando parte del propio fotodiodo. El
fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicacin por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por
los pares hueco-electrn. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. Sin embargo, el equilibrio entre
ruido y ganancia es difcil de conseguir y como consecuencia, el coste es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura
es deficiente y se requiere una tensin de alimentacin de valor elevado (100-300 v.), estrechamente controlada. Por
estas razones, el fotodiodo de avalancha tiene limitadas aplicaciones.
Los fotodiodos de avalancha son detectores de silicio, sensibles a la radiacin visible, ultravioleta y parte del infrarojo.
La carcterstica ms importante, es que mediante la aplicacin de un potencial externo, se obtiene amplificacin de la
seal de hasta 400 veces. Desarrollos recientes del Laboratorio incluyen fotodiodos de avalancha de tamao grande (1
x 1 cm2) y redes de detectores de avalancha ( 3 x 3 elementos), del tipo difusin profunda. El inters es desarrollar
detectores con eficiencia cuntica alta en la regin del ultravioleta, redes con gran nmero de elementos, (10 - 100),
alta ganancia y bajo ruido. As como en las aplicaciones de estos detectores para equipos de Tomografa
Computarizada de Positrones y sistemas Lidar. Algunas publicaciones recientes del laboratorio se dan a continuacin.
Los fotones atraviesan la unin n+ p ( que se fabrica muy delgada) y son absorbidos en la capa , donde se generan los
pares eh. El potencial elctrico en esta capa es suficiente para arrastrar a los portadores hacia los contactos elctricos.
En las proximidades de la unin n+ p el campo elctrico es tan intenso (figura 4.20) que los electrones son
fuertemente acelerados con lo que aumenta su energa. Cuando estos electrones rpidos colisionan con los tomos de
la red cristalina, se generan nuevos pares eh, proceso conocido como ionizacin por colisin. Estos pares de
portadores as generados tambin son acelerados con lo que tanto los electrones como los huecos pueden contribuir al
proceso de multiplicacin. El problema que nos encontramos es cundo se detiene el proceso?. Para controlar el
proceso de avalancha, lo que se suele hacer es disear los dispositivos de forma que slo uno de los portadores sea
capaz de ionizar, de forma que al cabo de cierto tiempo todos esos portadores alcanzan la parte n de la zona de
transicin (p en el caso de huecos).
As pues, resumiendo las caractersticas de los APD, podemos decir que la alta sensibilidad es uno de los motivos
fundamentales para su utilizacin, pues un solo fotn puede generar una seal detectable por el circuito asociado. La
velocidad de respuesta va a estar limitada , como en casos anteriores, por el tiempo del transitorio y los efectos RC.
La reduccin de la capacitancia es un factor que contribuye al aumento de la velocidad, pero hay que tener en cuenta
el tiempo de generacin de la avalancha, que es un valor intrnsecamente aleatorio lo que hace del APD un dispositivo
intrnsecamente ruidoso. Mxime teniendo en cuenta que la avalancha afecta a todos los electrones libres, incluidos
los generados trmicamente. Tambin las altas tensiones de polarizacin pueden causar episodios de ionizacin
espontnea, lo que incrementa an ms el ruido.
Este tipo de fotodiodo estar especialmente indicado en aquellas aplicaciones en las que la sensibilidad sea lo ms
importante, como por ejemplo en aquellas en que se requiera un rea extensa de deteccin o efectuar sta a larga
distancia. Sin embargo, si lo que se pretende es aunar la velocidad con la sensibilidad, es ms til utilizar fotodiodos
pin con preamplificacin.
Barrera Schottky
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Estn basados en la unin entre un metal y un semiconductor (existe la variante de la configuracin metal-
semiconductor-metal, con lo que uno de los componentes de la unin pn se sustituye por un metal. Actualmente no
son muy utilizados de forma comercial, aunque si estn siendo objeto de investigacin debido a ciertas caractersticas
muy prometedoras.
Estos dispositivos presentan muy bajas corrientes en oscuridad, se comportan linealmente con la potencia ptica y su
contraste UV/visible supera 104. Su estructura planar permite conseguir un gran ancho de banda (en el rango de los
GHz), que, con sus bajos niveles de ruido, hace que estos detectores sean los mejores candidatos para la fabricacin
receptores en comunicaciones pticas en el rango UV. Desde el punto de vista de esta aplicacin, resulta de especial
inters el rango de longitudes de onda >280 nm, para comunicaciones entre satlites, que no podran interferirse desde
la Tierra gracias a la presencia del ozono estratosfrico. Para trabajar en este rango son necesarios contenidos de Al
superiores al 30%, donde es muy difcil depositar contactos hmicos de calidad razonable.
En principio existe un elevado nmero de materiales semiconductores que podran utilizarse en la deteccin dadas sus
buenas caractersticas de eficiencia, pero no pueden emplearse en las configuraciones de pn o pin a causa de las
dificultades para su dopaje. Tambin existen problemas en las estructuras de fotodiodo por la necesidad de casamiento
del parmetro de red cristalina en la construccin de las uniones, este problema se salva con la utilizacin del metal,
que al ser tambin un buen conductor facilita la salida de electrones de la unin minimizando los problemas de
recombinacin. Con ello se consigue un aumento en la eficiencia del dispositivo y la velocidad de respuesta.
Fotodetectores de cavidad resonante
Una forma de conseguir una alta eficiencia cuntica al tiempo que una muy alta velocidad de respuesta, consiste en
utilizar fotodetectores de cavidad resonante (RECAP). En stos, un fotodiodo pin con una capa intrnseca delgada, se
sita en el interior de una cavidad FabryPerot. El hecho de que la capa intrnseca sea delgada hace que la velocidad de
respuesta aumente. Para mantener la eficiencia del dispositivo, lo que se hace es que la luz pase por esa capa un gran
nmero de veces, de forma que la probabilidad de absorcin tambin aumenta. La cavidad resonante que forman los
reflectores de Bragg es altamente selectiva en , con lo que el detector tambin lo ser. La aplicacin de este tipo de
detectores aparece en los modernos sistemas de comunicaciones pticas basados en WDM.
Por otra parte, Los fotodiodos MSM, que no precisan de contactos hmicos, constituyen una prometedora alternativa
tecnolgica. Adems, una ventaja aadida de estos dispositivos es su facilidad de integracin con transistores de
efecto campo.
Fotodarlington
Bsicamente, este dispositivo es el mismo que el transistor sensible a la luz, excepto que tiene una ganancia mucho
mayor debido a las dos etapas de amplificacin, conectadas en cascada, incorporadas en una sola pastilla.
FOTO SCR
El circuito equivalente con dos transistores del rectificador controlado de silicio mostrado en la figura ilustra el
mecanismo de conmutacin de este dispositivo.
La corriente debida a los fotones, generada en la unin pn polarizada en sentido inverso, alcanza la regin de puerta y
polariza en sentido directo el transistor npn, iniciando la conmutacin.
Amplificador para fotodiodo, convertidor corriente a tensin
Un amplificador de alta eficiencia para un fotodiodo es muchas veces indispensable. Si se toma en cuenta que la
corriente que entrega el fotodiodo es muy pequea, poder amplificar la seal que este recibe es de gran utilidad.
Figura 13.35.- Esquema de un fotodarlingon.
Figura 13.36.- Esquema de un foto SCR.
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Aunque se pueden utilizar un gran nmero de amplificadores operacionales diferentes para realizar esta amplificacin,
se utiliza en este caso un LM308, debido a que tiene una excelente ganancia, es ms inmune al ruido que otros
operacionales y su respuesta de frecuencia es mejor (Hay que tomar en cuenta que la ganancia de un amplificador
operacional disminuye al aumentar la frecuencia).
Este circuito est diseado para recibir pulsos de luz. Si se desea que este amplificador se utilice como detector de luz
hay que retirar el condensador C1 y el fotodiodo debe de conectarse directamente a la entrada no inversora (smbolo
negativo - ) del amplificador operacional (patita 2). Este circuito es muy sensible y funciona muy bien como receptor
de de seales de luz. El amplificador esta configurado como un amplificador
inversor. Esto significa que la forma de onda de la salida es opuesta a la de la
entrada (est desfasada 180). La ganancia del amplificador se puede controlar
con ayuda del potencimetro R2 Otra manera de observar este circuito es como
convertidor de corriente (corriente del fotodiodo) a tensin (salida del
amplificador operacional). El voltaje de salida es el producto de la corriente del
fotodiodo por la resistencia R1. El capacitor C2 se utiliza en el LM308 para
mejorar su respuesta de frecuencia. Este circuito puede funcionar tambin con el
amplificador operacional 741C (ms barato), pero la ganancia y la respuesta de
frecuencia es menor. En este caso el capacitor C2 no es necesario. El voltaje de
alimentacin puede estar entre los 6 y 15 Voltios
APLICACIONES
Este tipo de diodos tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las clulas
fotoelctricas. Actualmente, y en muchos circuitos ests ltimas se estn sustituyendo por ellos, debido a la ventaja
anteriormente citada. El nivel de corriente generado por la luz incidente en un fotodiodo no es tan grande para usarse
como un control directo, pero puede amplificarse para este efecto. Generalmente se usan en sistemas de alarmas, por
ejemplo, o sistemas de conteo automtico; donde la corriente inversa I fluye mientras su rayo no se corte, si esto
sucede I cae en el nivel de corriente de oscuridad y hace sonar la alarma, o hace que el contador aumente en uno
respectivamente. La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el
desarrollo de clulas solares econmicas, miniaturizacin y mejora de los sensores CCD y CMOS, as como de
fotodiodos ms rpidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra ptica. Desde 2005 existen tambin
semiconductores orgnicos. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un
fotodetector orgnico, basado en fotodiodos orgnicos. Se utiliza en televisores, videos, y equipos de msica como
sensor de los mandos a distancia que utilizan diodos emisores de rayos infrarrojos.
Este tipo de diodos es aplicado en:
- Comunicaciones
- Fotmetros
- Control de iluminacin y brillo
- Control remoto por infrarrojos
- Monitorizacin de llamas de gas y de petrleo (radiacin ultravioleta centrada en la banda de 310nm)
- - Enfoque automtico y control de exposicin en cmaras
Cuando son combinados con alguna fuente de luz:
- Codificadores de posicin
- Medidas de distancia
- Medidas de espesor
- Transparencia
- Detectores de proximidad y de presencia
- Sensado de color para inspeccin y control de calidad
Cuando se hace un "array" o arreglo de sensores:
- Reconocimiento de formas
- Lectores de tarjetas codificadas
Figura 13.37.- Esquema de un
Amplificador para fotodiodo
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NOTA: Se comercializan fotodiodos con amplificadores, compensacin de temperatura y estabilizacin en el mismo
chip. La integracin reduce los problemas debidos a corrientes de fuga, interferencias y picos de ganancia debidos a
capacitancias parsitas.
stos se utilizan para proteger a internos contra descarga elctrica. Los pacientes con los intravenosos en sus cuerpos
son particularmente susceptable, a veces sucumbiendo a la ' descarga elctrica de la alfombra.' Tambin los utilizan
para aislar el trazado de circuito de poca intensidad del control o de la seal de los circuitos "sucios" de la fuente de
alimentacin o de los circuitos alto-actuales del motor y de la mquina.
Display de Fotodiodos
Aplicacin Conjunta de Fotodiodo y LED (Optoacoplador)
Un opt acoplador es un componente formado por la unin de al menos un emisor (diodo LED) y un fotodetector
(fototransistor u otro) acoplados a travs de un medio conductor de luz, pueden ser encapsulados o de tipo discreto.
Cuanta mayor intensidad atraviesa el fotodiodo, mayor ser la cantidad de fotones emitidos y, por tanto, mayor ser la
corriente que recorra el fototransistor. Se trata de una manera de transmitir una seal de un circuito elctrico a otro.
Obsrvese que no existe comunicacin elctrica entre los dos circuitos, es decir existe un trasiego de informacin pero
no existe una conexin elctrica: la conexin es ptica.
Las implementaciones de un opt acoplador son variadas y dependen de la casa que los fabrique. Una de las ms
populares se ve en la Figura 4.32. Se puede observar como el LED, en la parte superior, emite fotones que, tras
atravesar el vidrio, inciden sobre el fototransistor
Estructura
Una resina aloja al elemento sensitivo a la luz (fototransistor o fototransistor de salida Darlington) que esta rodeado
por otra resina que permite la transmisin de la luz.
Una seal luminosa es transmitida por un diodo emisor de luz hacia el
transistor fotosensitivo a travs de la resina transmisora de luz interna.
La resina albergue y la resina interior tienen el mismo coeficiente de la
expansin. El alto aislamiento voltaje se obtiene gracias al gran rea
existente entre la resina externa y la interna que no es modificada por los
cambios de temperatura pues los coeficientes de expansin son iguales,
adems, si la temperatura aumenta las resinas se expanden obtenindose
como resultado una mayor rea entre los elementos conductores. El
optoacoplador es un encapsulado con 4 patillas (de color negro en el
grfico), para que no salga luz de dentro hacia fuera.
Figura 13.38.-
Aplicaciones para
un fotodiodo
Figura 13.39.- Encapsulados de Fotodiodos
Figura 13.41.-
Esquema de un
Optoacoplador
Figura 13.40.- Esquema de un
Optoacoplador
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Si vario la pila vara ILED, vara la iluminacin que recibe el fotodiodo, vara su corriente I. Esta variacin de V
afecta a la I y esta a la tensin en RL. En realidad ese circuito es como:
Pero el fotodiodo sirve para aislar, puede dar problemas conectar directamente a la carga.
Ejemplo: Conectar un torno, le tengo que pasar informacin con un control numrico.
Le mando informacin en 5 V y 0 V y como es un ambiente malo puede haber informacin que vara, picos problemas
(o vuelven del torno picos). Hay que aislar un circuito de control (CNC) de la mquina que voy a controlar.
El optoacoplador suele quitar los picos, amortigua los parsitos, no reacciona tan bruscamente a la luz y se reducen
esos picos problemticos. Con el paso de los aos la tecnologa de estado slido en la optoelectrnica ha avanzado
considerablemente. Indagando en nuevos y mejorados materiales y tcnicas de proceso que han permitido a los
dispositivos tener mayor eficiencia, confiabilidad y disminuir su costo.
El SCR (RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO)
INTRODUCCIN
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable
formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn. Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y
Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador
y amplificador a la vez.
Una de las clases ms importantes de la familia de los tiristores es el tiristor de tres
terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este
dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de
tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). Tal como su
nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-
corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo
PNPN.
Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de
encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la
corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura,
sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la
aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga
por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su
Figura 2.1.
Smbolo y terminales
del SCR
Figura 13.42.-
Representacin
un ILED en el
Optoacoplador
Figura 13.43.-
Ejemplo de
Optoacoplador (a)
Figura 13.44.- Ejemplo de
Optoacoplador (b)
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estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la
cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.
Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de
control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en
clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A.
EL TIRISTOR
El tiristor es un dispositivo semiconductor que se emplea exclusivamente en aplicaciones donde se requiera pasar de
un estado de franca conduccin (ON) a un estado de corte o apertura (estado de OFF), estas son las llamadas
aplicaciones de conmutacin. Tambin es un dispositivo bipolar y, por tanto, su conduccin hay que verla en trminos
de huecos y de electrones. Este tipo de dispositivos barre un amplio rango de corrientes y tensiones de
funcionamiento, muy superior al de los transistores bipolares (desde miliamperios hasta 5000A y desde voltios hasta
10kV). Aunque a toda la familia de semiconductores de cuatro capas se les llama Tiristor, es al SCR al que se le aplica
el este nombre, siendo tambin el ms usado y desarrollado.
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres
uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del
tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea
corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de
bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado
inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente
grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura
por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que
las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a
travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice
entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.
La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo
comn 1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una
resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL,
a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo
contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de
bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para
mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado
y se ha retirado la seal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica v-i
comn de un tiristor.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay
control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe
una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce
la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de
mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al
nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente
de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche,
IL. Esto significa que IL>IH. La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo
mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de
mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene
polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos
diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado
de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa
IR, fluir a travs del dispositivo.
Funcionamiento bsico
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto,
es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno,
aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin
en el diodo Shockley.
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El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su
terminal de control, denominada compuerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo,
es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de
voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza
inversamente el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa
mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva
en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha
en la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir
desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de
conducir.
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente
entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y
en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Una vez arrancado, podemos anular la
tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar
en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que
permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y
el nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de control. Podramos decir que un SCR funciona
como un interruptor electrnico.
El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el disparo se provoca por:
Tensin suficientemente elevada: aplicada entre nodo y ctodo,
Intensidad en la puerta: Se puede controlar as la tensin
ON, usando la corriente de puerta adecuada.
Un SCR o TIRISTOR es un componente electrnico de estado slido (sin partes mviles) de 3 terminales: nodo (A),
ctodo (K) y un electrodo de control denominado puerta (G, gate), desarrollado por la General Electric (U.S.A.) en
1957 (10 aos despus de la invencin del transistor).
Es un dispositivo unidireccional (es decir, que deja circular la corriente elctrica en un solo sentido: desde A hacia K
como un diodo rectificador semiconductor), pero adems del estado ON (conduciendo) del diodo comn, tiene un
segundo estado estable: OFF (cortado, sin conducir). Si el voltaje VGK entre G y K es el adecuado, conduce desde A
hacia K. Su nombre SCR (silicon controlled rectifier) proviene de ser como un rectificador de silicio, pero controlado
a travs de G. Es la versin en estado slido de los antiguos tubos tiratrones, y de ah su nombre: thyristor, thyratron y
transistor.
Los tiristores, tambin conocidos como SCR (rectificador controlado por silicio), son dispositivos de estado slido
integrados por 4 capas de material semiconductor, ya sea con estructura NPNP o PNPN, utilizados principalmente en
aplicaciones de control de potencia.
Al igual que los diodos, los SCR tienen terminales nodo y ctodo, sin embargo estos ltimos integran una tercera
terminar, denominada compuerta, la cual es utilizada para controlar la operacin del dispositivo.
Cuando se utilizan en aplicaciones de control de fase, los tiristores son encendidos solo en porciones especficas y
ajustables del ciclo de la seal de control de entrada. Al mover el punto en el cual el tiristor se enciende, se regula la
potencia de salida del dispositivo.
El ejemplo clsico de esta operacin son los dimmers que controlan la intensidad de la luz proporcionada por
bombillas elctricas. En esta aplicacin se controla el SCR para que se encienda en un punto particular de la onda
sinusoidal de la lnea de energa elctrica.
Una vez que se detecta este punto, el tiristor permanece encendido y por lo tanto conduciendo energa, durante lo que
resta del ciclo. Mientras mayor se la porcin de la onda de entrad en que el SCR est encendido, mayor ser la
intensidad de la luz emitida por la bombilla.
Mientras que el tiristor es un diodo controlado y por lo tanto, en general se utiliza en circuitos de control de corriente
continua (DC, direct current), el TRIAC es como un tiristor bidireccional, para utilizar en circuitos de corriente alterna
(AC, altern current). Sus terminales en vez de K y A se denominan Terminal Principal 1 (MT1) y Terminal Principal 2
(MT2). El electrodo de control se denomina puerta, G, como en el tiristor.
Si el voltaje VG1 entre G y MT1 es suficientemente positivo, en el primer semiciclo AC conduce desde MT2 hacia
MT1 (como lo hara un tiristor). Pero en el otro semiciclo, si el voltaje VG1 es suficientemente negativo, conduce
desde MT1 hacia MT2.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
180
En circuitos bsicos donde una fuente DC y otra AC alimentan una "carga" (que puede ser un motor, calefactor, etc.) a
travs del respectivo dispositivo de conmutacin.
En la parte inferior derecha se muestran dos tiristores conectados en "anti-paralelo" (o "back-to-back"), indicando que
la funcin del triac puede ser implementada con dos SCRs de ese modo.
El tiristor y el triac sirven como dispositivos de conmutacin de estado slido en DC y en AC respectivamente. Es
decir, son como interruptores (switches) pero rpidos, silenciosos, sin partes mviles, sin contactos electromecnicos y
que pueden controlarse electrnicamente.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar as la tensin
necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre
nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la
corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo
necesaria para que el tiristor conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo
es mayor que la tensin de bloqueo. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de
potencia, operando como conmutadores bi-estables, pasando de un estado conductor a un estado no conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores ideales, aunque los tiristores prcticos
exhiben ciertas limitaciones.
En la figura podemos ver la caracterstica esttica de un SCR. En su estado de apagado o bloqueo (OFF), puede
bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo
independientemente del signo de la tensin VAK. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conduccin
(ON) aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo intervalo de tiempo,
posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin directa en el estado de conduccin (ON) es de
pocos voltios (1-3 V). Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin (estado ON), aunque la
corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta.
nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del
circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo.
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas alternadas de estructura PNPN con tres uniones P-N
intermedias y tiene tres terminales accesibles denominados nodo, ctodo y compuerta (o gate). El nodo corresponde
al extremo P, el ctodo al extremo N y la compuerta de control generalmente corresponde a la capa intermedia P. Este
semiconductor funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un
solo sentido.
CARACTERISTICAS BSICAS
En la Figura se muestra la estructura tpica interna de un tiristor. Como se observa, est formada por una sucesin de
capas semiconductoras en la forma p-n-p-n. La capa de tipo P externa comunicada con el circuito exterior mediante un
terminal conductor es el nodo, y la capa de tipo N es el ctodo. Con esta disposicin inicial sin ningn terminal
adicional ms que los del nodo y ctodo, el dispositivo as formado recibe el nombre de diodo de cuatro capas.
Obsrvese que aparecen adems tres uniones de material semiconductor.
Este dispositivo electrnico semiconductor tiene dos estados de funcionamiento: conduccin o bloqueo. Internamente
est constituido por la unin de cuatro cristales semiconductores PNPN.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
181
FUNCIONAMIENTO DEL SCR
Cuando la tensin entre el nodo y el ctodo es cero, la intensidad del nodo tambin lo es. Hasta que no se alcance la
tensin de bloqueo (o disparo) (VBO) en la puerta, el tiristor no se dispara. Cuando se alcanza dicha tensin, se
percibe un aumento de la intensidad en el nodo (IA), disminuye la tensin entre el nodo y ctodo, comportndose as
como un diodo polarizado directamente.
Si se reduce la corriente que va desde nodo al ctodo hasta un mnimo
llamado corriente de mantenimiento, el tiristor entra en bloqueo, y no
conduce. Si se polariza inversamente, se observa una dbil corriente
inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima
que provoca la destruccin del mismo. Se puede decir que un tiristor es
como un diodo controlado por una puerta (G)
El tiristor sirve como dispositivo de conmutacin en DC (corriente
continua) y en AC (corriente alterna). Es decir, son como interruptores
pero rpidos y silenciosos, sin partes mviles, sin contactos
electromecnicos y que pueden controlarse electrnicamente.
En la figura 2.2 se muestra un circuito equivalente del SCR para
comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al
terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes:
IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista
una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del
transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es semejante a IB1 en la base de Q1. Este proceso
regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR. Tanto para el estado de bloqueo directo,
como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se polariza
inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima
que provoca la destruccin del mismo.
Los parmetros del SCR son:
VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener
cebado el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de
destruir el SCR.
El rectificador controlado de silicio SCR: (Silicon
Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por
cuatro capas de material semiconductor con estructura
PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de
Tiratrn (tyratron) y Transistor.
EL SCR EN CORRIENTE CONTINUA
Tomar en cuenta el grfico siguiente: ver que es un circuito de corriente continua Normalmente el SCR se comporta
como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con una pequea corriente (se
cierra el interruptor S) y as este conduce y se comporta como un diodo en polarizacin
directa Si no existe corriente en la compuerta el tiristor no conduce.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se
desea que el tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Figura 2.4. Circuito equivalente al SCR
Figura 2.2. Estructura Interna del SCR
Figura 2.3. Seccin Longitudinal de un SCR
Figura 2.5. Elementos equivalentes al SCR
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
182
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de
corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero.
Como se puede ver el SCR, tiene dos estados:
Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja
Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada.
EL SCR EN CORRIENTE ALTERNA
Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el
caso de la figura es un bombillo o foco) La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a.,
120V c.a., 240V c.a. , etc. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la
tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la corriente
a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en el condensador (en azul) est
atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en rojo) causando que el tiristor
conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para
conducir.
Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el
valor de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el
desfase que hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se
active en diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la
seal. y deje de conducir.
El funcionamiento de este circuito es el siguiente: La conduccin se va a producir entre el nodo y el ctodo, despus
de darle un impulso de tensin positivo en la puerta G. Para que el tiristor entre en conduccin, tienen que cumplirse
dos condiciones: - Que este polarizado directamente (tensin nodo-ctodo positiva, es decir, ms tensin en el nodo
que en el ctodo).- Aplicar un impulso de tensin positivo o una corriente entrante en la puerta.
El acoplo entre los dos transistores que integran el tiristor produce una realimentacin positiva, puesto que la corriente
de salida de cada uno es la de entrada del otro, y si ambos semiconductores disponen de una ganancia de corriente
superior a la unidad, rpidamente cada transistor llevar al otro a la saturacin, producindose una corriente mxima
cuyo valor no estar controlado por el tiristor, sino por la carga exterior que alimenta. El cebado del tiristor o la
saturacin de los transistores que lo forman se consigue cuando se vence
la polarizacin inversa de la unin N-P interna, para lo cual es preciso
aplicar un impulso adecuado, y en este caso positivo, a la zona P desde el
exterior y a travs de la puerta.
Cuando el impulso positivo aplicado a la puerta del tiristor satura los dos
transistores que contiene, este semiconductor se comporta prcticamente
como un interruptor cerrado, absorbiendo nicamente entre su ctodo y su
nodo una pequea tensin, que oscila alrededor de 1 V, la cual mantiene
en saturacin a los transistores.
Modelo de tiristor de dos transistores.
La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede
demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar
como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y
como se demuestra en la figura 3.
La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor
IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic = IE + ICBO(1)
La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la
corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede
determinar a partir de la ecuacin (1):
IC1 = 1 IA + ICBO1(2)
Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma
similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 = 2IK + ICBO2(3)
Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2.
Al combinar IC1 e IC2, obtenemos:
Figura 2.6.
SCR en DC
Figura 2.7.
SCR en AC
Figura 2.8.
Desfase de la Seal en el Circuito
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
183
IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2(4)
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en
funcin de IA obtenemos:
IA = 2 IG + ICBO1 + ICBO2(5)
1 - ( 1 + 2)
Activacin Del Tiristor
Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas.
TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares
electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har
que 1 y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad
y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo
general se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares
electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra
permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura
directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa.
Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de
las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de
carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los
fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin
de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y
las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se
reduce el voltaje de bloqueo directo.
Sidac
La figura muestra las caractersticas corriente-tensin (I-V) del SCR y permite ver claramente cmo, dependiendo de
la corriente de puerta (IG), dichas caractersticas pueden variar.
El voltaje de la lnea de ca es rectificado
en onda completa por el puente
constituido por los diodos de 1 a 4. la
salida del puente se aplica al circuito de
control a travs de R1 y se sujeta a un
voltaje fijo por el diodo zner. El termistor
(resistor sensible a la temperatura) RT y el
resistor variable R2 controlan la
polarizacin de Q1. R2 se sujeta de modo
que el transistor Q1 se apague a una
temperatura predeterminada. Cuando Q1
est apagado, el capacitor C1 est
descargado y, por tanto, el UJT (Q2) y el
triac estn apagados. El voltaje de la lnea
de ca es rectificado en onda completa por
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
184
el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R1 y se
sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) RT y el resistor variable R2
controlan la polarizacin de Q1. R2 se sujeta de modo que el transistor Q1 se apague a una temperatura
predeterminada. Cuando Q1 est apagado, el capacitor C1 est descargado y, por tanto, el UJT (Q2) y el triac estn
apagados.
Aplicaciones de Sidac
Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)
Obtencin de Si puro
1)Materia prima: Slice o dixido de Silicio: SiO2 (muy abundante, arena de la playa).
2) Reduccin del SiO2 a alta temperatura:
Silicio + Carbn a 2000C Silicio metalrgico, Si al 98%.
3) Si metalrgico + ClH (Clorhdrico)SiHCl3 TricloroSilano
4) Destilacin del SiHCl3 SiHCl3 TricloroSilano puro.
5) Reduccin del SiHCl3
SiHCl3 + H2 Si de alta pureza Si Policristalino
Concentracin impurezas<1 ppmm (1013 cm-3).
El Silicio policristaio o polisilicio esta
formado por pequeos cristales de
silicio.
Las obleas para la fabricacin de un
C.I. Tienen que tener una estructura
cristalina.
Tres tipos de solidos, clasificados por
su ordenacin atmica:
(a) La estructura cristalina y (b) Amorfa son ilustradas con una vista microscopica de sus atomos, mientras (c) la
estructura policristalina se muestra de una forma ms macroscopica con sus pequeos cristales con distinta orientacion
pegados unos con otros.
Dos mtodos para obtener Si cristalino
a) Mtodo de Czochraiski
Es el mtodo empleado en el 90%
-Horno
Crisol de slice fundida (SiO2)
Soporte de grafito
Mecanismo de rotacin
Calentador
- Mecanismo de crecimiento del cristal
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
185
Soporte para la semilla
Mecanismo de rotacin (sentido contrario).
-Mecanismo del control de ambiente
Una fuente gaseosa (argn)
Un mecanismo para controlar el flujo gaseoso
Un sistema de vaciado.
Procedimiento
En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un pulso de tensin en el
terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que un voltio y la
corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en la prctica por componentes externos. Podemos ver en la curva
cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin diodo Shockley, la tensin a partir de la cual se
produce el fenmeno de avalancha. I
MAX
es la corriente mxima que puede soportar el SCR sin sufrir dao. Los otros
dos valores importantes son la tensin de cebado V
BO
(Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento
I
H
, magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.
Se coloca el Si policristalino en el crisol y el horno se calienta hasta fundirlo.
Se aaden impurezas del tipo necesario para formar un semiconductor tipo N (Fosforo, Arsenico, Antimonio) o P
(Boro, Aluminio, Galio) con el dopado deseado
Se introduce la semilla en el fundido (muestra pequea del cristal que se quiere crecer)
Se levanta lentamente la semilla (se gira la semilla en un sentido y el crisol en el contrario)
El progresivo enfriamiento en la interface slido-lquido proporciona un Si monocristalino con la misma orientacin
cristalina que la semilla pero de mayor dimetro
Dimetro depender de:
La temperatura
La velocidad de elevacin y rotacin de la semilla
La velocidades de rotacin del crisol
Efecto de segregacin:
La concentracin de dopante del Si solidificado es inferior a la del Si fundido.
La concentracin del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece.
La concentracin de impurezas es menor en lado de la semilla que en el otro extremo.
El Silicio fabricado por el mtodo de Czochralski contiene oxigeno, debido a la disolucin del crisol de Slice (SiO2).
Este oxigeno no es perjudicial para el silicio de baja resistividad usado en un circuito integrado.
Para aplicaciones de alta potencia donde se necesita Si con alta resistividad este oxigeno es un problema.
En estos casos se usa el mtodo de Zona Flotante.
b) Mtodo de Zona flotante
El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino
Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla
Una pequea zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo largo de todo
el cristal desde la semilla
El Si fundido es retenido por la tensin superficial entre ambas caras del Si slido
Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la
zona flotante y crece como una extensin de la semilla
V
GT
e I
GT
, que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. "La derivada de la tensin con
respecto al tiempo". Los cambios bruscos de tensin entre el nodo (A) y el ctodo (K = C), pueden producir cebados
no deseados, causando con ello que el tiristor se dispare y empiece a conducir. El dv/dt mximo es especificado por el
fabricante. A veces por diferentes motivos, la tensin entre los terminales del SCR pueden cambiar en forma repentina
y de manera evidente (el cambio de tensin es grande).
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
186
V
GNT
e I
GNT
, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de
temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.
-Proceso de Oxidacin trmica.
Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo
Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilndrica calentado por resistencia
Dos tipos de oxidacin: Seca y hmeda
Oxidacin Hmeda
Se introduce vapor de agua en el horno
Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g)
Es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos gruesos
Oxidacin seca
Se introduce gas de oxigeno puro
Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g)
Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms lenta
Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya que se puede producir una redistribucin de las
impurezas introducidas en los anteriores procesos
Tipos de Hornos
Horno horizontal Horno vertical
En la oxidacin trmica parte de la capa de Si se consume
La interface Si-SiO2 se introduce en el Si
Por cada micra de oxido crecido se consume 0.44 micras de Si
1 Cuando el espesor del oxido formado es pequeo
Crecimiento limitado por la reaccin en la interface Si-SiO2
Espesor vara linealmente con el tiempo.
FUNCIONAMIENTO DEL SCR
Cuando la tensin entre el nodo y el ctodo es cero, la intensidad del nodo tambin lo es. Hasta que no se alcance la
tensin de bloqueo (o disparo) (VBO) en la puerta, el tiristor no se dispara. Cuando se alcanza dicha tensin, se
percibe un aumento de la intensidad en el nodo (IA), disminuye la tensin entre el nodo y ctodo, comportndose as
como un diodo polarizado directamente.
Si se reduce la corriente que va desde nodo al ctodo hasta un mnimo llamado corriente de mantenimiento, el tiristor
entra en bloqueo, y no conduce. Si se polariza inversamente, se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que
alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo. Se puede decir que un tiristor es
como un diodo controlado por una puerta (G)
El tiristor sirve como dispositivo de conmutacin en DC (corriente continua) y en AC (corriente alterna). Es decir, son
como interruptores pero rpidos y silenciosos, sin partes mviles, sin contactos electromecnicos y que pueden
controlarse electrnicamente.
En la figura 2.2 se muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una
corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente
base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del
transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es semejante a IB1 en la base de Q1. Este proceso
regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR. Tanto para el estado de bloqueo directo,
como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se polariza
inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima
que provoca la destruccin del mismo.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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Los parmetros del SCR son:
- VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
- VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Mxima corriente directa permitida.
- PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
- VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
El rectificador controlado de silicio SCR: (Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas
de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y
Transistor.
Disparo de un tiristor
Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes
formas:
Trmica. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un
aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que
aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las
corrientes har que a1 y a2 aumenten. Debido a la accin
regenerativa (a1 + a2 ) puede tender a la unidad y el tiristor
pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una
fuga trmica que por lo general se evita.
Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un
tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco pudindose
activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra
permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.
Alto Voltaje. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO , fluir una corriente
de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que
se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas
puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el
dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
Corriente De Compuerta. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar
un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta
la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, podiendo llegar a activarse.
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres
terminales: nodo ctodo y compuerta. La figura muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn.
Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o
positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se
dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente
fuga corriente de estado inactivo ID . Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente
grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO . Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa,
habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del
nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.
Smbolo del tiristor y tres uniones pn.
La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1v. En el estado
activo, la corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL , a fin de mantener
la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al
reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de
bloqueo. La corriente de enganche, IL , es la corriente del nodo mnima requerida
para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que
ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
188
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo.
El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres
de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente
de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debido al nmero reducido de
portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los
miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL . Esto significa que IL >IH . La corriente de mantenimiento
IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de
mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las
unioneJ1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a
travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente
de fuga inversa IR , fluir a travs del dispositivo.
EL SCR EN CORRIENTE CONTINUA
Tomar en cuenta el grfico siguiente: ver que es un circuito de corriente continua
Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta
(GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este conduce y se comporta
como un diodo en polarizacin directa Si no existe corriente en la compuerta el tiristor no
conduce.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se
desea que el tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo hasta que por el
pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de
retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la
compuerta con respecto a tierra no sea cero.
Como se puede ver el SCR, tiene dos estados:
1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja
2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada
EL SCR EN CORRIENTE ALTERNA
Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o
foco) La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. El circuito RC produce un corrimiento de
la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que
suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en el
condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en rojo)
causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la
alimentacin necesaria para conducir.
Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor
de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el desfase que
hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se active en
diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la seal. y deje de
conducir.
El funcionamiento de este circuito es el siguiente: La conduccin se va a producir entre el nodo y el ctodo, despus
de darle un impulso de tensin positivo en la puerta G. Para que el tiristor entre en conduccin, tienen que cumplirse
dos condiciones: - Que este polarizado directamente (tensin nodo-ctodo positiva, es decir, ms tensin en el nodo
que en el ctodo).- Aplicar un impulso de tensin positivo o una corriente entrante en la puerta.
El acoplo entre los dos transistores que integran el tiristor produce una realimentacin positiva, puesto que la corriente
de salida de cada uno es la de entrada del otro, y si ambos semiconductores disponen de una ganancia de corriente
superior a la unidad, rpidamente cada transistor llevar al otro a la saturacin, producindose una corriente mxima
cuyo valor no estar controlado por el tiristor, sino por la carga exterior que alimenta. El cebado del tiristor o la
saturacin de los transistores que lo forman se consigue cuando se vence la polarizacin inversa de la unin N-P
interna, para lo cual es preciso aplicar un impulso adecuado, y en este caso positivo, a la zona P desde el exterior y a
travs de la puerta.
Figura 2.6.
SCR en DC
Figura 2.7.
SCR en AC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
189
Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo desde la puerta (s GTO tema 7). El
circuito de potencia debe bajar la corriente andica por debajo de la de mantenimiento.
Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad (vida media de los portadores larga) para
conseguir una cada en conduccin lo menor posible. Su funcionamiento se centra en aplicaciones a frecuencia de red.
La derivada de la corriente andica respecto al tiempo en el momento del cebado debe limitarse para dar tiempo a la
expansin del plasma en todo el cristal evitando la focalizacin de la corriente.
La derivada de la tensin nodo ctodo al reaplicar tensin positiva debe limitarse para evitar que vuelva cebarse.
Tambin se debe esperar un tiempo mnimo para reaplicar tensin positiva.
Cuando el impulso positivo aplicado a la puerta del tiristor satura los dos
transistores que contiene, este semiconductor se comporta prcticamente
como un interruptor cerrado, absorbiendo nicamente entre su ctodo y su
nodo una pequea tensin, que oscila alrededor de 1 V, la cual mantiene
en saturacin a los transistores.
CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD
Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarizacin inversa de la curva es anloga a la del diodo Shockley.
Figura 5: Caracterstica del SCR
En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no
conduce hasta que se recibe un pulso de tensin en el
terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin
entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que un voltio y
la corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en
la prctica por componentes externos.
Podemos ver en la curva cuatro valores importantes.
Dos de ellos provocarn la destruccin del SCR si se
superan: V
RB
e I
MAX
. V
RB
(Reverse Breakdown Voltage)
es, al igual que en el diodo Shockley, la tensin a partir
de la cual se produce el fenmeno de avalancha. I
MAX
es
la corriente mxima que puede soportar el SCR sin
sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la
tensin de cebado V
BO
(Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento I
H
, magnitudes anlogas a las
explicadas para el diodo Shockley.
METODOS DE CONMUTACION
Figura 6: Figura 7:
Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del mismo, sta debe disminuir
por debajo del valor I
H
(corriente de mantenimiento). Hay dos mtodos bsicos para provocar la apertura el
dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin forzada. Ambos mtodos se presentan en las figuras
Figura 6 y Figura 7.
En la Figura 6 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un interruptor bien en serie (figura
izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace
Figura 2.8.
Desfase de la Seal en el Circuito
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
190
que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un valor
menor que I
H
.
En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una corriente opuesta a la conduccin
en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una batera en paralelo al circuito.
TIRISTORES
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se
utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando
de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y a su funcin en el control de potencia
en un sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son
dispositivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta impedancia a
uno de baja, estado que se mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo
denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de
silicio dopado con impurezas p y n.
El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante un reaccin
regenerativa, conmuta a conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada, siempre
que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores
sean mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad. Estos
dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DC-AC o AC-DC o AC-AC, motores, luz
incandescente, etc.
El rectificador controlado de silicio o Silicon Controlled Rectifiers (SCR) es el tiristor de mayor inters hoy en da.
Fue introducido en 1956 por los laboratorios de Bell Telephone y son capaces de controlar hasta 10MW con niveles de
corriente de hasta 2000A a 18000V. El control de estos dispositivos se realiza a travs de transistores, familias
lgicas, luz (en triacs optoelectrnicos), transistores de uniunin (UJTs), transistores de uniunin programables
(PUTs), conmutadores bidireccionales de silicio (SBSs), etc.
CARACTERSTICAS DE LOS TIRISTORES
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene
tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin
recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin. Cuando el voltaje del nodo se hace
positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2
tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice
entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la
corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un
valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se
conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las
uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones
que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o
activado. Fig. 1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn. La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro
capas y ser pequea, por lo comn 1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o
una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la
cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al
ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo
mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y
se ha retirado la seal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica v-i comn de un tiristor
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control
sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de
agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa
del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin
de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar
entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es
menor que la corriente de enganche, IL.
Esto significa que IL>IH. La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor
en estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando el
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
191
voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las uniones J1 y
J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de
ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga
inversa IR, fluir a travs del dispositivo.
MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES
La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un modelo
de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor
PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3. La corriente del colector IC de un tiristor se
relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic = IE + ICBO (1)
La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la
corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1): IC1 =1 IA +
ICBO1 (2) .Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para
el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es: IC2 = 2IK+ICBO2 (3) .Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2
es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos: IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1
+ 2IK + ICBO2 (4) Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en
funcin de IA obtenemos: IA
= 2 IG + ICBO1 + ICBO2 (5)
ACTIVACIN DEL TIRISTOR
Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes
formas.
TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que
aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que 1 y 2 aumenten. Debido a la accin
regenerativa (1+2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una
fuga trmica que por lo general se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco pudindose
activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas
puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el
dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de
compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al
tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una
corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva
por lo que se debe evitar.
TIPOS DE TIRISTORES
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para
propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta
para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los tiristores
pueden clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH)
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
192
Funcionalidad de la Compuerta
La misin de la puerta es polarizar y adelantar el momento de disparo, es decir de la puesta en conduccin, pero
despus de esto ya no tiene ninguna funcin excepto en unos tiristores especiales llamados GTO que son disparables y
bloqueables por puerta. Es importante destacar las caractersticas que deben tener los impulsos de encendido aplicados
al tiristor. Los fabricantes suministran para ello unas curvas denominadas caractersticas de puerta. La del tiristor se
asemeja a la de un diodo semiconductor al que se le han permutado los ejes, siendo lgica esta analoga, puesto que la
unin puerta-ctodo es una unin P-N.
Debido a que no todos los tiristores, an siendo del mismo tipo tienen la misma caracterstica de puerta, es habitual
que el fabricante incluya una familia de curvas o lmites de las mismas en las especificaciones tcnicas de los
tiristores, de manera que el usuario pueda hacerlos operar en el margen de disparo o encendido adecuado. En la
siguiente grfica se representa los lmites de curvas posibles fijados entre A y B. El disparo se debe efectuar dentro de
la zona acotada por dichas curvas pero considerando los valores de:
- Tensin y corriente mnima, para producir el encendido de todos los elementos de la familia.
- Tensin directa mxima admisible de los impulsos de encendido.
- Potencia mxima que puede disipar la unin de puerta.
Todas estas limitaciones estn incluidas en los lmites y zonas representadas en la grfica:
- La zona S es la zona de encendido probable para cualquier tiristor de la familia, pero no es seguro.
- La zona S es la zona de encendido seguro, garantiza el encendido de cualquier tiristor de la familia.
PARMETROS PARA DEFINIR LA POTENCIA NECESARIA PARA EL ARRANQUE DE UN TIRISTOR:
Se deben considerar los siguientes parmetros:
- Tensin mxima directa de compuerta (Vgmax).
- Tensin inversa mxima de compuerta (Vginmax).
- Corriente mxima de compuerta (Igmax).
- Potencia mxima disipable (Pgdis).
- Tensin mnima directa de compuerta (Vgmin).
- Corriente mnima de compuerta (Igmin).
Entre los tiristores se pueden encontrar diferentes categoras atendiendo a sus distintos procedimientos de fabricacin
y constitucin propios. Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin y para controlar el di/dt, el tiempo
de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
Mtodos de Poner en Conduccin el Tiristor:
Hay varios modos de poner el tiristor en conduccin:
- Tener una intensidad de puerta igual a cero, cuando la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de
bloqueo.
- Cuando la tensin nodo-ctodo supera el gradiente de tensin.
- Cuando la tensin nodo-ctodo es menor que la tensin de bloqueo, y aplicamos una intensidad en la puerta.
- Cuando el tiristor es un fototiristor, por la luz.
Mtodos de Bloquear el Tiristor:
Tambin hay varios modos de bloquear el tiristor:
- Cuando la tensin nodo-ctodo cambia de polaridad, es decir Vak se polariza inversamente.
- Cuando se abre el circuito. Vak = 0
- Cuando la intensidad disminuye por debajo de un valor determinado. Vak < Tensin de mantenimiento.
- Aplicando una tensin inversa durante un corto perodo de tiempo Vak < 0
PARAMETROS Y CARACTERISTICAS MS IMPORTANTES DE UN SCR:
CARACTERSTICAS GENERALES
- Interruptor casi ideal.
- Soporta tensiones altas.
- Amplificador eficaz.
- Es capaz de controlar grandes potencias.
- Fcil controlabilidad.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
193
- Relativa rapidez.
- Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).
CARACTERSTICAS ESTTICAS
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al
elemento en lmite de sus posibilidades:
- Tensin inversa de pico de trabajo: VRWM
- Tensin directa de pico repetitiva: VDRM
- Tensin directa: VT
- Corriente directa media: ITAV
- Corriente directa eficaz: ITRMS
- Corriente directa de fugas: IDRM
- Corriente inversa de fugas: IRRM
- Corriente de mantenimiento: IH
Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:
- Temperatura de la unin: Tj
- Temperatura de almacenamiento: Tstg
- Resistencia trmica contenedor-disipador: Rc-d
- Resistencia trmica unin-contenedor: Rj-c
- Resistencia trmica unin-ambiente: Rj-a
- Impedancia trmica unin-contenedor: Zj-c
CARACTERSTICAS DE CONTROL
Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las
condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas:
- Tensin directa mxima: VGFM
- Tensin inversa mxima: VGRM
- Corriente mxima: IGM
- Potencia mxima: PGM
- Potencia media: PGAV
- Tensin puerta-ctodo para el encendido: VGT
- Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento: VGNT
- Corriente de puerta para el encendido: IGT
- Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento: IGNT
Entre los anteriores destacan:
-VGT e IGT, que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
-VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de
temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.
rea de Disparo Seguro.
En la figura 2.10 se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las
tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el
interior de la zona formada por las curvas:
Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en
funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de
nodo.
Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.
Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no
debemos sobrepasar.
El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en
los siguientes puntos:
- Una cada de tensin en sentido directo ms elevada.
- Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.
Figura 2.10. Curvas Caractersticas
de Puerta del Tiristor
Figura 2.9. Curva Esttica del SCR
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
194
CARACTERISTICAS ASOCIADAS AL ESTADO DE BLOQUEO
Son esenciales para la seleccin del SCR, ya que deben ser superiores a los valores mximos que se quieren controlar.
Se maneja un coeficiente de seguridad de 2.5.
- VRRM: Tensin inversa repetitiva mxima. Valor mximo que soporta el SCR de tensin negativa.
- VDRM: Tensin directa repetitiva mxima. Valor de tensin mximo que puede soportar el SCR sin cebarse.
- VDSM: Tensin directa mxima de pico repetitivo. Valor mximo de tensin directa con circuito de puerta
abierto que se puede aplicar durante un cierto tiempo sin provocar el disparo.
- VRSM: Tensin inversa de pico no repetitiva. Tensin mxima inversa que se puede aplicar durante un cierto
tiempo sin que haya avalancha.
- VBO: Tensin directa de basculamiento. Tensin directa que produce el cebado del SCR sin la intervencin
de la puerta.
- VBR: Tensin inversa de ruptura o avalancha.
- ID: Corriente directa de saturacin, bloqueo o fugas. Valor mximo de la corriente del tiristor en sentido
directo y estado de bloqueo directo referida a una Tj determinada y a una tensin directa determinada.
- IR: Corriente inversa de bloqueo, fugas o saturacin. Valor mximo de la corriente inversa del tiristor en
estado de bloqueo inverso, referida a una Tj y tensin inversa determinada.
CARACTERISTICAS ASOCIADAS CON EL ESTADO DE CONDUCCIN
- ITAVM: Corriente directa media mxima. Valor mximo de la
corriente media en sentido directo bajo una Tj y factor de forma de la
corriente concretas.
- ITRMSM: Valor eficaz mximo de la corriente directa mxima.
Valor mximo que en valor eficaz puede alcanzar la corriente directa en
unas condiciones de T determinadas.
- ITSM: Corriente directa de choque mxima. Valor eficaz mximo
de la corriente que puede soportar el SCR durante un tiempo y una Tj
determinada.
- Rt: Resistencia de la pendiente de la caracterstica de conduccin.
- I2t: Integral de carga limite. Sirve para elegir lo fusibles que se
colocaran en las ramas donde estn los SCR.
- VTO: Tensin umbral. Cada de tensin mnima del SCR en
sentido directo.
- VT: Cada de tensin directa.
CARACTERSTICAS DINMICAS.
Tensiones transitorias:
- Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin.
- Son breves y de gran amplitud.
- La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores.
Impulsos de corriente:
- Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos
durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada.
- A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de
ciclos.
- El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura
media de la unin.
ngulos de conduccin:
- La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de
conduccin.
- A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia.
- Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor
ngulo de conduccin.
ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo
Figura 2.11. Curva Dinmica del
SCR
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
195
- Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los
diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.
CARACATERISTICAS DE CONMUTACIN
Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a conduccin y viceversa. Vamos
a analizar este hecho.
Tiempo de encendido (Ton): es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de
corte a conduccin. Se divide en dos partes (Figura 2.14):
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de
puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo
alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de
la tensin nodo - ctodo y de la temperatura (td disminuye si estas
magnitudes aumentan).
Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo
pase del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de
tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.
T
on
= t
d
+ t
r
Tiempo de apagado (Toff): es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de
conduccin a corte. Se divide en dos partes (Figura 2.15):
Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas
acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se
eliminan parcialmente.
Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un
nmero suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por
difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno.
Toff = trr + tgr
La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la
corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por
anulacin de la corriente de nodo.
El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin al ctodo no circular la corriente
hasta que una corriente positiva se inyecte en la puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagar hasta que no se
remueva la tensin en el nodo-ctodo, de all el
nombre rectificador controlado. En la posicin ON-
OFF se pueden hacer funcionar con circuitos
sencillos y producir corrientes de salida estables.
Un tiristor se apagar nicamente cuando la tensin
de nodo-ctodo desciende a cero. Existe solamente
un mtodo para controlar el valor medio de la
corriente de carga; en la Fig. 2.16 se ve este mtodo
para un SCR.
Una corriente de puerta estable permite la conduccin por ms de un perodo completo de un semiciclo positivo. Si,
por el contrario, si se aplica un pulso corto de corriente de puerta en los puntos de disparo, la conduccin se realiza
nicamente en parte de un semiciclo reduciendo de esta manera la corriente media. Se puede variar esta corriente
media al cambiar el tiempo de retraso T entre el comienzo del ciclo y el disparador. Esto se conoce como Control de
Fase.
La variacin de fase demora la onda de alimentacin A
para obtener la onda B, y cuando sta alcanza un
determinado nivel de disparo, el circuito de disparo
genera un pulso C en la compuerta del SCR. Para
obtener el control de fase, se necesitan dos elementos:
Un circuito de desplazamiento de fase variable (por lo
general componentes pasivos tales como los resistores y
los capacitores).
Un circuito de disparo que produzca un pulso cuando la
onda retrasada alcance un determinado nivel.
Figura 2.17. Conduccin en Diferentes Tiempos de Retraso
Figura 2.13. ngulo de bloqueo y
conduccin de un tiristor.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
196
CARACTERSTICAS TRMICAS.
Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de energa que produce un aumento
de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la
corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor
que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.
MTODOS DE DISPARO
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizado en directo y la seal de
mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de
corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez
disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso
del estado de conduccin al estado de bloqueo directo.
Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:
- Por puerta.
- Por mdulo de tensin.
- Por gradiente de tensin (dV/dt)
- Disparo por radiacin.
- Disparo por temperatura.
El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no
deseados.
DISPARO POR COMPUERTA.
Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso
positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre
nodo y ctodo.
El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es:
VT = VG + IG R
R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima
seguridad en el disparo (Figura 2.13).
R = VFG / IFG
DISPARO POR MDULO DE TENSIN.
Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al
tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los
equipos electrnicos.
DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.
Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que
un mtodo, se considera un inconveniente.
DISPARO POR RADIACIN.
Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la
absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR
activado por luz se llama LASCR.
DISPARO POR TEMPERATURA.
Figura 2.19. Circuito de Control por
Puerta de un SCR
Figura 2.20. Recta tangente a la curva
de mxima disipacin de potencia.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
197
El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - huecos generados en las uniones del
semiconductor.
ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.
CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR.
Para el control en el disparo:
- nodo positivo respecto al ctodo.
- La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo.
- En el momento del disparo Iak > IL.
Para el control en el corte:
- Anulamos la tensin Vak.
- Incrementamos RL hasta que Iak< IH.
LIMITACIONES DEL SCR
LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO.
- La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores.
- El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo.
- La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.
LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.
"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos transitorios de tensin
de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
a) Causas:
- La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin (inversamente
proporcional a su amplitud) y amplitud.
- Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden producir
transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del dispositivo.
- La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin.
b) Efectos:
- Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo.
- La dV/dt admisible vara con la temperatura.
LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.
"dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes.
a) Causas:
- Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si el circuito
exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran
valor.
- Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor (puntos calientes).
b) Efectos:
- En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy altos.
- La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra destruir el
dispositivo.
LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.
En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un
calentamiento del dispositivo. Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia
media disipada en un tiristor ser:
La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la disipada durante el bloqueo y que
la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Podemos decir que las prdidas con una tensin de alimentacin dada
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
198
y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin (). Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la
potencia media de perdidas ser:
Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin:
VAK = V0 + IA R
V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y para una determinada
temperatura de la unin. En ste caso nos encontraremos dentro de la zona directa de la curva caracterstica (Figura
22).
Operando con las ecuaciones anteriores:
PAV = V0 IA (AV) + R (IA (RMS))2
Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y
para distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente. La potencia que se disipa, depende del valor medio de la
corriente y del valor eficaz, entonces depender del factor de forma:
a = f = IA (RMS) / IA (AV)
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son la potencia total disipada y
temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable, procederemos
a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor
al medio ambiente.
PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.
Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo:
mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.
Mtodo de la constante de tiempo.
Clculo de R y C:
1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el valor de R y C:
= (0,63 VDRM) / (dV/dt) mn
C = /RL
Rs = VA (mx) / (ITSM - IL)
Donde:
- VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo.
- IL = corriente en la carga.
- RL = resistencia de carga.
- ITSM = corriente directa de pico no repetitiva.
- VA (mx) = tensin de nodo mxima.
- = coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1).
Figura 2.24. Circuito de
proteccin contra dV/dt y
dI/dt.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
199
2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima especificada (a partir de la
ecuacin de descarga de C):
Rmn = (VA (mx)/ (dI/dt) C)
Clculo de L:
L = VA (mx)/ (dI/dt)
Mtodo de la resonancia.
Elegimos R, L y C para entrar en resonancia. El valor de la frecuencia es:
f = (dV/dt)/2VA (mx)
En resonancia:
f = 1/2 (LC) C = 1/(2f)
2
L.
El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L=50H.
El valor de R ser: Rs = (L/C)
EXTINCIN DEL SCR. TIPOS DE CONMUTACIN.
Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a pasar a
corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo. El
tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte. Este estado implica
simultneamente dos cosas:
1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada.
2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo indeseado del tiristor.
Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos grandes grupos:
Conmutacin Natural.
a) Libre.
b) Asistida.
Conmutacin Forzada.
a) Por contacto mecnico.
b) Por circuito resonante.
-Serie
-Paralelo
c) Por carga de condensador.
d) Por tiristor auxiliar.
MEDICIN DE LOS PARMETROS DEL SCR
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o
positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga llamada corriente de
estado inactivo ID. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo en estado desactivado. Si el
voltaje de nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande, la unin J2 polarizada
inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama
voltaje de ruptura directa VB0. Dado que las uniones J1 y J3 tienen ya polarizacin directa, habr un movimiento libre
de portadores a travs de las tres uniones, que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el
dispositivo est en estado de conduccin o activado. La cada de voltaje se deber a la resistencia hmica de las cuatro
capas y ser pequea, por lo comn cercana a 1 volt.
La corriente del nodo deber ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la
cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin J2; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo a
ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, es la corriente de nodo mnima
requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha
retirado la seal de la compuerta.
Una vez que el tiristor est activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el
dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento debida a
movimientos libres de portadores. Sin embargo, si se reduce la corriente directa del nodo por debajo del nivel
conocido como corriente de mantenimiento IH, se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al
nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del
orden de los miliamperios y menor que la corriente de enganche. La corriente de mantenimiento es la corriente de
nodo mnima para mantener al tiristor en estado de rgimen permanente.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
200
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las uniones
J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de
ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga, conocida como corriente de fuga inversa
IR fluir a travs del dispositivo.
Un tiristor se puede activar aumentado el voltaje directo de nodo a ctodo ms all de VB0, pero esta forma de
activarlo puede ser destructiva. En la prctica, el voltaje directo se mantiene por debajo de este valor, y el tiristor se
activa mediante la aplicacin de un voltaje positivo entre la compuerta y el ctodo.
Medicin de la Corriente Mnima de Compuerta
Para la medicin de la corriente mnima de compuerta, se utiliz el circuito que se dibuja en la figura 1.3. Para el
clculo de los componentes se tom como referencia al manual del fabricante, el cual proporciona los siguientes
valores:
De acuerdo con la tabla anterior, propusimos que por el tiristor circulara una corriente de nodo, por lo menos 10
veces mayor a la corriente de mantenimiento, para que no tuviramos problemas con el enganche y cebado del tiristor.
De esta forma, propusimos una corriente de nodo circulante por RL y T1 de 50mA. Lo que arroja un valor de RL,
correspondiente a los 12VCD que aplicamos, de:
,
Por lo que aproximamos RL a 220 ohms. En cuanto a las Rs 2,3 y 4, y al trimpot R1, consideramos que la corriente
mnima es de 30A, por lo que la resistencia de compuerta mxima estara dada tericamente por:
Lo que justifica que este sea el valor serie de esos elementos. El micro ampermetro A, se conecta en serie con la
compuerta, y se desprecia la impedancia del instrumento. Amp2 servir para detectar cuando T1 este en estado de
conduccin.
Para poder medir el valor real de la corriente de compuerta, se ajust el trimpot R1 a su mximo valor, se encendi la
fuente y se verific que no existiera flujo de corriente en Amp2, en tanto en A fluan aproximadamente 30A.
Una vez hecho esto, R1 se disminuye lentamente de valor hasta que el tiristor conduce (comprobndose mediante
Amp2.) El valor de la corriente circulante en la compuerta result ser de 35A. La resistencia medida en el arreglo
serie fue de 330 kohms. Para comprobar:
Medicin de la Corriente de Mantenimiento
Para este propsito se ocup el circuito de la figura 1.4. Se utiliz una resistencia de compuerta de 200k, que fija a la
corriente de compuerta en 60A, que es mayor a IGTmn y menor a IGTmx, lo que asegura el disparo por
compuerta. Para el clculo de R1 (fija) y R2 (trimpot), que sumados son RL, se ocup el siguiente procedimiento:
primero se supone que la corriente de nodo es igual a IH mnima dada por el fabricante, por lo que:
En tanto que para IH mxima, tenemos que el valor correspondiente de la resistencia de carga es:
Figura 2.25. Circuito para la medicin de la corriente de compuerta
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
201
Todo esto significa que el valor de la resistencia de carga deber estar entre 4 y 40 kohms para asegurarnos que la
corriente de nodo estar dentro de los valores esperados para la corriente de mantenimiento. Para asegurar que la
corriente de nodo no sea muy grande, por si acaso necesitamos reducir mucho el valor del trimpot, aseguramos que
R1 sea de 2 kohms, lo que sugiere que R2 podr variar libremente desde su mnimo valor.
Para medir la corriente de mantenimiento, se fij R2 a su mnimo valor, para asegurar que la corriente andica fuera
mayor a la mxima corriente de mantenimiento dada por el fabricante, y se dispar el tiristor cerrando
momentneamente el interruptor mostrado en la figura 1.4; se observ que el tiristor cambi a conduccin y se
mantuvo en ese estado. El valor de la corriente andica era de aproximadamente 6mA, como era de esperarse, en tanto
RL=2k.
En estas condiciones, el tiristor estaba cebado. Poco a poco se fue aumentando el valor de R2, en tanto la corriente de
nodo se reduca por esta causa. El tiristor dej de conducir cuando la corriente en A era de aproximadamente
0.39mA; por lo tanto, la corriente de mantenimiento del tiristor que estudiamos, es ligeramente mayor a 0.39mA.
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizado en directo y la seal de
mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de
corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez
disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso
del estado de conduccin al estado de bloqueo directo.
Medicin de la Corriente de Enganche.
A partir del circuito de la figura 1.4, mantenemos el interruptor cerrado, y reducimos ligeramente el valor del trimpot
R2, abriendo de vez en cuando el interruptor. El valor de la corriente de enganche es aquel que, una vez que se ha
abierto el interruptor, es decir, que se retire el pulso de compuerta, el tiristor no regresa al estado de bloqueo. El valor
de la corriente de enganche que se obtuvo mediante este procedimiento fue de 0.41mA. Esto indica que la corriente de
enganche es ligeramente menor a este valor.
Basndonos en los resultados obtenidos en esta prctica, pudimos ver que los valores reales de los parmetros del
tiristor relacionados con su activacin, son muy cercanos a los valores mnimos propuestos por el fabricante. Para la
corriente de compuesta, el fabricante propone un valor mnimo de 30A; en la prctica se obtuvo un valor de 35A
para este parmetro. Para la corriente de mantenimiento, se propone un valor mnimo de 0.3mA; obtuvimos 0.39mA
para este parmetro. Para la corriente de enganche, el fabricante no propone valor alguno, pero se sabe que debe ser
una poco mayor que la corriente de mantenimiento; se obtuvo un valor de 0.41mA.
Tambin fue posible reafirmar los conceptos de corriente de compuerta, de mantenimiento y de enganche. Para la
corriente de compuerta se sabe que es la corriente, en el pulso de compuerta, necesaria para la activacin del tiristor.
En efecto, comprobamos que si no aplicbamos una corriente ligeramente mayor a 35A, el tiristor no encenda. La
corriente de mantenimiento es la corriente de nodo mnima para mantener al tiristor en estado de rgimen permanente
en conduccin. Se comprob que, una vez que el tiristor se disparaba, era necesario mantener el flujo de corriente por
arriba de 0.39mA para mantener la conduccin. La corriente de enganche es la corriente de nodo mnima requerida
para mantener el tiristor en estado de conduccin, inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la
seal de la compuerta. Comprobamos que si no existan al menos 0.41mA, no era posible que el tiristor se quedar
cebado.
CURVA CARACTERSTICA.
La interpretacin directa de la curva caracterstica del tiristor nos dice lo siguiente: cuando la tensin entre nodo y
ctodo es cero la intensidad de nodo tambin lo es.
Figura 2.26. Circuito para medir la corriente de mantenimiento
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
202
Una vez que el tiristor est activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el
dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento debida a
movimientos libres de portadores. Sin embargo, si se reduce la corriente directa del nodo por debajo del nivel
conocido como corriente de mantenimiento IH, se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al
nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del
orden de los miliamperios y menor que la corriente de enganche. La corriente de mantenimiento es la corriente de
nodo mnima para mantener al tiristor en estado de rgimen permanente.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las uniones
J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de
ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga, conocida como corriente de fuga inversa
IR fluir a travs del dispositivo.
Hasta que no se alcance la tensin de bloqueo (V
BO
) el tiristor no se dispara.
Cuando se alcanza dicha tensin, se percibe un aumento de la intensidad en el nodo (I
A
), disminuye la tensin entre
nodo y ctodo, comportndose as como un diodo polarizado directamente. Si se quiere disparar el tiristor antes de
llegar a la tensin de bloqueo ser necesario aumentar la intensidad de puerta (I
G1
, I
G2
, I
G3
, I
G4
...), ya que de esta forma
se modifica la tensin de cebado de este. Este sera el funcionamiento del tiristor cuando se polariza directamente, esto
solo ocurre en el primer cuadrante de la curva. Cuando se polariza inversamente se observa una dbil corriente
inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo.
ENCAPSULADOS
Como en cualquier tipo de semiconductor su apariencia externa se
debe a la potencia que ser capaz de disipar. En el caso de los
tiristores los encapsulados que se utilizan en su fabricacin es diverso,
aqu aparecen los ms importantes.
CONMUTACIN FORZADA DEL SCR Y RED SNUBBER
Conmutacin forzada
En algunos circuitos con tiristores, el voltaje de entrada es de corriente directa.
Como se sabe, el tiristor se "amarra" en el estado de conduccin, en tanto es un
dispositivo de enganche. Una vez que el tiristor entra en conduccin, es necesario
que su corriente andica llegue a ser menor a la corriente de mantenimiento.
Para poder controlar la conmutacin del tiristor en corriente directa existe una
tcnica llamada de conmutacin forzada, que consiste en agregar un circuito
Figura 2.28. Circuito de
Conmutacin Forzada
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
203
adicional, cuya funcin es obligar a que la corriente que fluye por el tiristor pase por cero. Esta tcnica encuentra
aplicacin en los convertidores de dc a dc (pulsadores) y de dc a c.a. (inversores). Hay una gran diversidad de circuitos
de conmutacin forzada, entre los que podemos menciona al circuito de auto conmutacin, conmutacin por impulso,
por pulso resonante, etc. En este caso trataremos de un circuito de conmutacin forzada basado en una red RC simple,
y se muestra en la figura 2.28.
El circuito anterior opera de la siguiente manera: Cuando se dispara el tiristor
T1, la corriente de conduccin fluye a travs de RL y por el nodo del tiristor,
y si es mayor que la corriente de mantenimiento, T1 quedar "cebado"
cuando se haya retirado el pulso de compuerta. Al mismo tiempo, el capacitor
C se cargar por medio de R, existiendo un potencial ms positivo en la
terminal conectada al interruptor. Cuando cerramos el interruptor, el
capacitor se descargar sobre el tiristor, polarizndolo inversamente; de esta
forma, el voltaje en el tiristor adquiere un potencial inverso, obligando a la
corriente que fluye por l a intentar cambiar de direccin, lo que la obligar a
pasar por cero. Adicionalmente se debe decir que es necesario que el tiempo
de carga del capacitor sea menor a la frecuencia de la seal de activacin de la compuerta, y al mismo tiempo, mayor
que el tiempo de apagado del tiristor T1, para que el circuito de conmutacin no influya en el funcionamiento
principal del circuito. El circuito tiene una limitacin: solo se garantiza su funcionamiento para cargas resistivas, ya
que en presencia de cargas inductivas sera necesario considerar el efecto del desfasamiento de la corriente provocado
por la carga.
Red Snubber
La red Snubber es un arreglo RC que se conecta en paralelo al tiristor en un circuito de conmutacin, como una
proteccin para el dv/dt. Es bsicamente un circuito de frenado al apagado del tiristor, cuyo objetivo es amortiguar el
efecto de una variacin voltaje / tiempo que en algn momento pudiera ser destructiva para el tiristor. El diagrama del
circuito correspondiente a la red Snubber se muestra en la figura 2.29. La relacin de sus componentes est dada por:
Es importante saber que el valor de la resistencia Rs, est ligado a la corriente de descarga, ITD (que circular cuando
se descargue el capacitor), y que siempre se sugiere unas 10 veces mayor a la corriente de la carga. De esta forma:
Por consiguiente, si se conoce el valor de la carga R, y se sugiere el valor de la corriente de descarga, puede
encontrarse fcilmente el capacitor a usar.
Implementacin del Circuito de Conmutacin Forzada
El circuito de conmutacin forzada se arm con base en el
circuito de la figura 2.28. Los valores de R y C se calcularon
mediante la constante de tiempo, suponiendo que este es el
tiempo de carga y descarga del capacitor. Obviamente esto es
solo una aproximacin emprica. Se realizaron dos pruebas: en la
primera (figura 2.29) se us un capacitor de 100F, y se supuso
una constante de tiempo de 5ms.
Por esta razn R se calcul como R=T/C=4ms/100F=40 ohms.
Se aproxim a 47 ohms.
Para comprobar el funcionamiento del circuito de la figura 2.30,
se realiz lo siguiente: Una vez encendida la fuente de
alimentacin, se aplic el pulso de compuerta mediante PB1 (la
representacin del diagrama no corresponde a este tipo de
interruptor, pero considrese como tal), de tal forma que el
tiristor se encenda y se mantena en conduccin, y la lmpara L1 encenda. Una vez hecho esto, se oprima PB2 y la
lmpara se apagaba, debido a la descarga de la carga del capacitor sobre el tiristor. Debe comentarse que no se not
variacin a simple vista cuando se sustituy a C de 100F a 1000F.
Nota: la resistencia de compuerta del circuito se us, segn la prctica anterior, con una valor de 200k. La resistencia
RL representa a la lmpara y su valor se calcul mediante RL=V*V/P=12*12/3=48 ohms.
Figura 2.27. Tipos de SCR y Smbolo
Figura 2.30. Circuito para Montaje Prctico
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
204
Simulacin del Circuito de Conmutacin Forzada
Para entender el comportamiento real del circuito de conmutacin forzada, simulamos el circuito que se dibuja en la
figura 2.31. En este circuito se coloc a PB1 como un interruptor formado por un interruptor comnmente abierto y
uno comnmente cerrado, para simular que es un interruptor de pulso (push.)
En la figura 2.32 se dibuja una grfica del voltaje en la carga y en el tiristor, en donde se aprecia que, una vez que se
enciende el tiristor, existe en la carga un voltaje cercano a los 12 V de alimentacin, y cuando se cierra el interruptor
PB2, el voltaje en la carga decrece hasta cero.
Puede notarse tambin que la carga se polariza con un voltaje
aproximado del doble del valor de la fuente, en tanto en el tiristor
se presenta un voltaje inverso de 12 V. Lo anterior es debido a la
descarga del capacitor, por lo que debe considerarse esta
caracterstica del circuito en el diseo de las caractersticas de los
componentes, ya que es un transitorio de magnitud importante.
En la figura 2.33 se observan las formas de onda de la simulacin
del circuito para un valor del capacitor de 1000 F, y se aprecia
que no existe un cambio sustantivo en las formas de onda, a no
ser porque el voltaje de descarga del capacitor desciende ms
lentamente.
Es importante hacer notar que, para la simulacin del circuito, las libreras de PSPICE 6.0, no contienen al SCR
C106D, que se us en la prctica, por lo que se recurri al procedimiento mostrado en consideraciones generales, para
modificar el modelo original del SCR 2N1595.
Implementacin del Circuito Adicionando la Red Snubber
Para el diseo de la red Snubber, primero se calcul el valor de la resistencia en serie RS, sin embargo, para que el
clculo de la misma fuera idntico para todas las prcticas de este manual, se consider que la carga a utilizar era un
foco de 100 W, para 130 VAC; de esta forma, la resistencia equivalente de la carga es:
Para simplificar se utilizar de 160 ohms. A partir del resultado anterior, se puede determinar que la corriente nominal
de la carga es de:
De esta forma, si consideramos que la corriente de descarga es 10 veces la corriente nominal, tenemos que:
Por lo que se utilizar un valor de 15 ohms. Para el clculo del capacitor CS, con todas las consideraciones anteriores,
se tiene que:
Figura 2.32. Formas de onda del circuito
de conmutacin forzada para C=100 F
Figura 2.33. Formas de onda del circuito de
conmutacin forzada para C=1000 F
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
205
Que se llevar a 68 nf.
Simulacin del Circuito
El circuito prctico para simular el circuito de conmutacin forzada
con red Snubber se dibuja en la figura 2.34.
La figura 2.35 contiene las grficas de las formas de onda del
circuito, en donde se puede observar el voltaje entre nodo y ctodo
del tiristor, el voltaje en el capacitor Cs, y la corriente en la
resistencia Rs.
Puede notarse en dicha figura que el comportamiento del circuito no
se altera. As mismo se observa que el voltaje en el capacitor CS es
igual al voltaje en el tiristor, y que la corriente en Rs es cero,
excepto en los instantes de conmutacin.
La red Snubber provoca tambin una disminucin en los transitorios
provocados al momento del apagado por la descarga del capacitor, lo
que protege visiblemente al tiristor. Precisamente la red es del tipo
"freno al apagado".
Como conclusiones generales acerca del circuito de conmutacin
forzada, podemos decir que es un circuito para provocar la
conmutacin del SCR cuando este opera en corriente directa. Debe
mencionarse que este circuito no es apto para conmutar a
velocidades grandes, ya a que el tiempo de apagado es
relativamente grande, debido al tiempo de carga y descarga del
capacitor. Conviene decir tambin que la operacin de la
conmutacin forzada implica la insercin de un transitorio
considerable a la carga y al tiristor. En cuanto a la red Snubber, es
un circuito de proteccin, por lo que no afecta sustantivamente el
funcionamiento del circuito al que se agrega. La proteccin que
aporta consiste en un freno a las pendientes pronunciadas de tensin
al momento del apagado del dispositivo.
DISPARO RESISTIVO
Unas cuantas aplicaciones del SCR se basan en el control de la corriente de compuerta por medio del control de una
resistencia limitadora. Como ejemplos sencillos de tales aplicaciones tenemos al control manual de la intensidad de
iluminacin en lmparas o focos, como los usados en las lmparas de bur en las habitaciones de las casas, o en las
lmparas de los cines y teatros, en los cuales se necesita la variacin gradual de la cantidad de luz, para lograr un
ambiente adecuado al lugar.
Un circuito con la estructura que se aprecia en la figura 3.1 es capaz de controlar
el ngulo de disparo del SCR entre 0 y 90 grados elctricos. El control del ngulo
de disparo implica determinar en qu momento se activar el SCR para un ciclo
de la seal de entrada, o sea, se modificar la porcin de tiempo que conducir el
dispositivo, con relacin a la seal de alimentacin de voltaje.
En el circuito de la figura 2.36, la variacin del ngulo de disparo se logra
mediante la variacin de la resistencia R1, que es la resistencia limitadora de la
corriente de compuerta, y R2 es la carga, o sea una lmpara o foco, para los
ejemplos que se han citado.
Diseo del circuito
Para el diseo del circuito se tomaron como punto de partida las consideraciones siguientes:
Se necesita disear un control de disparo resistivo que permita la manipulacin del ngulo de disparo del SCR C106D
entre 10 y 80, teniendo una fuente de alimentacin de 180 Vp a 60Hz.
La carga ser un foco de 100W, cuya resistencia de carga
equivalente ya se ha calculado en una prctica anterior como 160
ohms. Con aquellas consideraciones, el siguiente paso es
encontrar las caractersticas del SCR que usaremos, siendo la que
nos interesa, la IGT, que se ha convenido usar como 35A, segn
los resultados de la prctica 1. Con todo lo anterior, si se propone
Figura 2.34. Circuito con Red Snubber
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
206
el circuito de la figura 3.2 como el circuito prctico a usar, donde RL es el foco de 100W (160ohms), R1 es la
resistencia limitadora de compuerta para el disparo al ngulo mnimo (10) y R2 es un potencimetro que controlar a
partir de 10 y hasta 80, el clculo de los componentes mencionados est dado por:
Dado que este valor no es comercial, se colocar un potencimetro de 1Mohm, ajustado aproximadamente a este
valor.
De este modo, R2 ser un potencimetro de 4.7Momhs, que ser el que deber moverse para lograra el rango de
ngulo de disparo deseado.
Simulacin del circuito
Para verificar el comportamiento del circuito, se simul en PSPICE 6.0, modificando las caractersticas elctricas del
tiristor, mediante el procedimiento descrito en consideraciones generales, para que se ajustara a las caractersticas del
SCR C106D, que se us en la prctica.
La figura 2.37 muestra el circuito que se us para la simulacin. En la prctica se agreg el transformador de
aislamiento y el fusible, as como la red Snubber para el tiristor.
Para comprobar los resultados de la simulacin con lo esperado
tericamente, el circuito se simul en los casos extremos, cuando R2
tiene un valor cero, es decir, la resistencia limitadora de compuerta vale
892k (disparo a 10), y cuando R2 tiene un valor de 4.17M (disparo a
80.) En la grfica de la figura 3.3 se muestra la simulacin para un
valor de R1 de 892k y R2 de 1ohm, de tal forma que no se tome en
cuenta, y sea como si solo estuviera la resistencia ajustada a 892k para
que el disparo ocurra a 10.
Como puede apreciarse, el disparo ocurri a 580s aproximadamente, lo
que representa un disparo real en grados de:
Para la figura 2.39, que es la simulacin cuando R2 tiene un valor
de 4.17Mohms, se espera un disparo a 80.
Se ve claramente en la figura anterior que el disparo real ocurri a
los 3.63ms, que coincide con un ngulo en grados de:
Ambos valores para el ngulo de disparo difieren solo por 2,
aproximadamente, de lo que se esperaba idealmente.
Resultados Prcticos y Conclusiones
Cuando se implement el circuito en la prctica, los resultados obtenidos
fueron muy aproximados a lo esperado tericamente, ya que, para el valor de
R2 mnimo se obtuvo un ngulo de disparo (visto en el osciloscopio), de unos
14, y para el valor mximo de la misma resistencia, se logr un valor cercano
a los 82.
Cabe mencionar que, debido a que R2 tena un alcance an mayor de lo
requerido (4.7M, cuando se necesitaban 4.17M), el valor del ngulo de disparo
pudo ser de casi 90.
El efecto visual logrado en el foco fue el siguiente: cuando se colocaba el potencimetro R2 en su valor mximo, el
foco apenas se encenda, pero a medida que se giraba hacia su mnimo valor, se incrementaba la intensidad de la luz
que emita, logrndose la mximo intensidad cuando R2 era prcticamente cero.
Figura 2.38. Disparo a 10.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
207
DISPARO RC
El valor de la corriente de corriente de compuerta de los tiristores suele variar demasiado, an en los tiristores de la
misma matrcula. Esto se debe a que la estructura de los cristales de material semiconductor nunca puede ser idntica
de un dispositivo a otro. La diferencia entre las caractersticas elctricas de la compuerta de los tiristores es an mayor
cuando los dispositivos manejan grandes corrientes y voltajes.
Lo anterior implicara que cada que se reemplace un tiristor en un circuito, se tendra que disear nuevamente la red
resistiva, lo que vuelve imprctico un circuito como el analizado en la prctica anterior.
La forma ms simple de solucionar el problema planteado es colocar una red de adelanto RC para lograr un disparo
por voltaje y no por corriente. Para demostrar lo mencionado refirase a la figura 3.40.
La funcin de transferencia del circuito, en el dominio de la frecuencia est dada por:
En donde el desplazamiento de fase del circuito y la tensin de salida en funcin de dicho desplazamiento se pueden
simplificar en las expresiones:
, como el ngulo de desplazamiento y
, como el valor de la tensin de disparo.
Como puede notarse, en ninguna de las expresiones se incluye la corriente de compuerta, que si se supone de un valor
tan pequeo como para superarse a cualquier valor de Vgt, el circuito constituye una red de disparo del tiristor por
voltaje.
Segn las expresiones anteriores, se han diseado redes tpicas de disparo por
control de fase, en donde el elemento de control es el valor de R, que son capaces
de disparar SCRs y TRIACs en ngulos de disparo que van de los 10 hasta casi
90 para redes de primer orden.
De esta forma, debido a que se pueden colocar redes en cascada para lograr
ngulos de adelanto hasta de 180 (una red de segundo orden), entonces es posible
superar el ngulo de disparo, y en ocasiones, pueden alcanzarse ngulos de
disparo de unos 170 o ms. Debe recordarse que no es posible alcanzar un ngulo
de disparo, ni a partir de cero, ni hasta 180, debido a que la red RC tiene
ganancia unitaria solo a determinado valor de resistencia.
Montaje de la red de disparo por voltaje
Red de primer orden
Como se ha mencionado, el diseo de la red RC no se efecta directamente de las ecuaciones ya que, en especial la
ltima (Vgt), es solo una aproximacin en la que se desprecian los valores de la corriente de compuerta, as como las
capacitancias internas de la compuertas o los efectos de la temperatura sobre estos dos valores, principalmente. Por lo
anterior, se han diseado redes que responden adecuadamente a la frecuencia de la lnea de CFE y a valores de fase
ms o menos consistentes para las variaciones de los parmetros del tiristor. Con lo anterior, se usar la red de
adelanto tpica que se analiz en clase, que corresponde al circuito de disparo de la figura 2.41, en donde se proponen
valores para R desde 4.7k hasta poco ms de 1M, y C ha sido definido con un valor de 0.1F.
Existe, segn el mismo circuito de la figura 4.2, un solo valor que se desconoce para el montaje del circuito: la
resistencia de carga. Sin embargo, en prcticas anteriores se ha comentado que se usar un valor de 160 ohms para la
resistencia equivalente de la lmpara incandescente de 100W. Bajo las condiciones descritas, puede calcularse el
ngulo de disparo mnimo y mximo, mediante las ecuaciones siguientes:
y
Por lo que para los valores propuestos en la figura 2.41, la fase de adelanto (y el ngulo de disparo) est dado por:
En la prctica estos valores se mejoraron mediante el ajuste de la resistencia de lmite R1, alcanzando ngulos de
disparo de hasta 90.
Red de disparo de segundo orden
La colocacin en cascada de dos redes de primer orden, como se indica en la
figura 2.42 da lugar a una red RC de adelanto de segundo orden. Esta red es capaz
de proporcionar un ngulo de disparo desde casi cero hasta casi 180. El principio
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
208
de funcionamiento es el mismo que para una red de primer orden, pero el desfasamiento de la tensin Vgt es mucho
mayor.
Simulacin de los circuitos RC
Red de primer orden
El circuito usado para la simulacin se muestra en la figura 2.43. Debe
recordarse que han sido modificados los parmetros del SCR de tal
manera que estn dentro del rango del SCR usado (C106D); as mismo,
se incluye la red Snubber, que ha sido diseada previamente.
De acuerdo al circuito anterior, cuando R2 se encuentra en su mnimo
valor (supuesto de 1 ohm en la simulacin), se genera la seal de la
figura 2.44 en la carga. Puede apreciarse que el tiempo de retraso en el
disparo es de 515s aproximadamente, que corresponde a un ngulo de
disparo de 11.12, cuando se esperaba de poco ms de 10. Cabe
mencionar que la medicin en la grfica se tom en el segundo ciclo,
puesto que el primero no es adecuado debido al proceso de
aproximacin de PSPICE.
De una forma similar, la figura 2.45 contiene la forma de onda de la seal en la carga cuando R2 se encuentra en su
mximo valor (1Mohms).
Se puede apreciar que el cursor seala un tiempo de retardo en el disparo de unos 3.832ms, que corresponden a 83
aproximadamente, que se acercan a los 88 deseados, segn los clculos.
Se recuerda, sin embargo, que en la prctica, mediante el ajuste de la resistencia R1, se logr mejorar el valor del
ngulo mximo de disparo, alcanzando los 90. Nuevamente, en la grfica 2.45 se aprecia que el primer ciclo de la
seal no es lo esperado, pero se ve que en los siguientes ciclos, la seal se establece.
Red de segundo orden
Para la simulacin de la red de segundo orden, se us el circuito de la figura 4.7.
Puede apreciarse como mediante la manipulacin de una sola resistencia (R2), se logr hacer vara el ngulo de
disparo desde 25 hasta 125, como puede verse en las figuras 4.8 y 4.9, que si bien no son los valores que la teora
propone (10 para el valor mnimo, casi 180 para el mximo), son muestra de la mejora que se tiene sobre el control
del ngulo de disparo. Adems, los resultados prcticos resultaron ser mejores, debido a que se pudo variar
directamente el valor de R1 y R3, para incrementar an ms la selectividad del ngulo.
Una red RC de adelanto permite disparar un tiristor por voltaje y no por corriente, en tanto se suponga que su Igt es
muy pequea, permitiendo as un mejor control del ngulo de disparo, independiente del valor de Igt. La red bsica de
adelanto, de primer orden, permite ngulos de disparo entre 10 y 90, en tanto la red de segundo orden puede
extenderse hasta aproximarse bastante a los 180. Las ecuaciones tericas para el ngulo y voltaje de disparo son
aproximaciones, ya que no toman en cuenta las variaciones de las caractersticas de los tiristores; sin embargo, se han
Figura 2.42. Red RC de segundo orden
Figura 2.44. Forma de la Seal en la Carga
Para el ngulo Mnimo
Figura 2.45. Forma de la Seal en la Carga
Para el ngulo Mximo
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
209
propuesto redes RC "prediseadas" para usar la frecuencia y voltaje de la lnea de CFE. Estas redes son adems
ajustables, puesto que permiten que se adecue el ngulo de disparo mediante la variacin de una o dos resistencias, y
no implica el rediseo de la red, como en el caso del disparo resistivo.
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin duda, el de mayor inters
hoy en da, y fue presentado por primera vez en 1956 por los Bell Telephone Laboratories. Algunas de las reas ms
comunes de aplicacin de los SCR incluye controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de
alimentacin reguladas, interruptores estticos, controles de motores, recortadores, inversores, ciclo conversores,
cargadores de bateras, circuitos de proteccin, controles de calefaccin y controles de fase.
En aos recientes han sido diseados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10 MW y con valores
individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia de aplicacin tambin ha sido extendido a
cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia.
Operacin Bsica del Rectificador Controlado de Silicio
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para
efecto de control. Se escogi el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. La operacin bsica
del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada
compuerta, determina cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es
suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin la resistencia
dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1 . La resistencia inversa es tpicamente de 100 k o ms.
El rectificador controlado de silicio SCR: (Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas
de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y
Transistor.
El SCR es un dispositivo de tres terminales (nodo, ctodo y puerta) y cuatro capas (pnpn), cuya estructura se muestra
en la figura 1, junto con su smbolo circuital.
Al aplicar al SCR una tensin V
AK
positiva, las uniones J
A
y J
K
quedan polarizadas en directa, mientras que la unin J
C
(control)
se polariza en inversa, de modo que la corriente es prcticamente
nula y toda la tensin V
AK
cae en la unin J
C
. Si la tensin V
AK
supera el valor de ruptura de la unin J
C
(V
B0
); o lo que es lo
mismo, si la corriente del nodo I
A
supera el valor de
enclavamiento I
L
, se produce un brusco aumento de la corriente;
es decir, se produce el disparo del SCR.
Una vez que se ha producido el disparo, disminuye la
resistividad de las capas, especialmente de la capa n
, con lo que
la tensin V
AK
necesaria para mantener la conduccin disminuye
considerablemente. Adems, el SCR no limita la corriente por lo que ser necesario limitarla externamente. Para que
el SCR vuelva a su estado de corte es necesario que la corriente del nodo disminuya por debajo del valor de
mantenimiento I
H
.
La tensin a la que se produce el disparo puede controlarse mediante la corriente de puerta I
G
. A medida que I
G
aumenta, el disparo se produce para un valor de V
AK
menor.
Si V
AK
es negativa el SCR se comporta como un diodo, con una corriente negativa muy pequea, salvo que se supere
una determinada tensin de ruptura V
B
.
La figura 2 muestra las caractersticas de un SCR, en las que se han identificado los estados de conduccin, bloqueo
directo y bloqueo inverso.
Funcionamiento bsico del SCR
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para
comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de
Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una
corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del
transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es
lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando
el encendido del SCR.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
210
Este es un pequeo dispositivo de tres terminales, que hacen el mismo trabajo semicondudtor de un diodo normal
(deja pasar corriente en un solo sentido), pero con la diferencia de que en ste se puede controlar el momento en el
cual pueden comenzar a pasar los electrones.
Los parmetros del SCR son:
- VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
- VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Mxima corriente directa permitida.
- PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
- VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
Al primer terminal se le denomina Ctodo, y es utilizado como entrada de corriente. El segundo sirve de salida y se le
llama Anodo y el tercero es el Gate, o terminal de control para el paso de corriente ctodo - nodo. El gate, llamado
tambin terminal de arranque o encendido del tiristor, slo sirve para iniciar el paso de corriente entre los otros dos
terminales, lo que logra con una corriente muy baja (unos 20 miliamperios).
Podemos comparar un SCR con una puerta comn, de esas que tienen resorte y se
cierran solas.
Vamos a suponer que un viento fuerte la golpea por uno de sus lados, tratando de
abrirla, Bastar con que alguien la abra o accione el picaporte, para que el viento
se encargue de abrirla y mantenerla as, sin importar el estado del picaporte.
El viento, es equivalente al voltaje de los electrones presentes en el terminal de
control.
Un tiristor es cualquier conmutador semiconductor con una accin biestable dependiendo de la realimentacin p-n-p-n
regenerativa.
Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO, tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla
por la cantidad de corriente iG, presente en el SCR
Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo de IH
Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.
Los tiristores normalmente son dispositivos de dos o tres terminales para configuraciones
de circuitos unidireccionales o bidireccionales. Los tiristores pueden tener muchas formas,
pero tienen ciertas similitudes. Todos los tiristores son conmutadores de estado slido que
son normalmente circuitos abiertos (muy alta impedancia), capaces de resistir tensiones
tasadas de bloqueo / estado desactivado hasta que se disparan a un estado. Cuando se
disparan a un estado, los tiristores pasan a ser un camino de corriente de baja impedancia
hasta que la corriente del principio cesa o cae por debajo de un nivel mnimo de retencin.
Despus de que un tiristor se haya disparado hasta alcanzar un estado activado, la corriente
de disparo se puede eliminar sin apagar el dispositivo. Los tiristores se usan para controlar
el flujo de corrientes elctricas en aplicaciones que incluyen: o Electrodomsticos
(iluminacin, calentadores, control de temperatura, activacin de alarmas, velocidad de
ventiladores) o Herramientas elctricas (para acciones controladas tales como velocidad de
motores, grapadoras, cargadores de bateras) o Equipo para exteriores (aspersores de agua,
encendido de motores de gas, pantallas electrnicas, iluminacin de zonas, equipamiento deportivo, aptitud fsica).
Los productos SCR son rectificadores controlados por silicio de media onda que representan el estado de la tcnica en
diseo y en funcionamiento.
Las capacidades de corriente de carga van desde 1 A hasta 70 A rms, y se pueden especificar tensiones desde 200 V
hasta 1000 V para cumplir con una variedad de necesidades de aplicacin.
Debido a su capacidad de conmutacin unidireccional, el SCR se usa en circuitos en los que se requiere altas
sobrecorrientes o accin de enclavamiento.
Tambin se puede usar para circuitos de tipo de media onda en los que se requiere la accin de rectificacin
controlada por puerta. Las aplicaciones incluyen fuentes de alimentacin, unidades de flash de cmaras, alarmas de
humos, controles de motores, cargadores de bateras y encendido de motores. Los valores de sobrecorrientes se
encuentran disponibles desde 30 A en el encapsulado TO-92 hasta 950 A en el encapsulado TO-218X.
El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin como el
rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo denomin
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
211
SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura
siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR.
Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con
la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN.
Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de
encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la
corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura,
sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la
aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga
por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su
estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la
cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores usados para controlar la cantidad de potencia que
entrega a cargas elctricas. El rectificador controlado de silicio (SCR) es un tiristor. El SCR consiste en cuatro capas p
y n alternadas, como se muestra en la Figura 1.1 a).
En la Figura 1.1 b) se muestra en el smbolo del SCR.
En la Figura 1.2 a), el SCR se conecta a un circuito de prueba
que dara polarizacin directa a un diodo de juntura P-N
comn. El SCR es diferente y no conducir. El SCR ideal acta
como el circuito abierto de la Figura 1.2 b) y est en el estado
OFF. En la Figura 1.3 a) se ha agregado un circuito de disparo
para suministrar una pequea corriente de compuerta para
poner el SCR en ON, acta como un diodo de polarizacin
directa. Si se lo considera como ideal, acta como el
cortocircuito de la Figura 1.3 b). Es necesaria la corriente de
compuerta para poner al SCR en ON.
En la Figura 1.4 a), el conmutador del circuito de disparo que suministra la corriente de compuerta se abre y la
corriente de compuerta cae a cero amperios.
El SCR no se apaga. La corriente de compuerta es necesaria para encender el SCR, pero no es condicin necesaria
para mantenerlo conduciendo.
Cuando est polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la
tensin de polarizacin se aplica sobre la unin J2 (ver figura). El
aumento de la tensin VAK lleva a una expansin de la regin de
transicin tanto para el interior de la capa de la puerta como para
la capa N adyacente. An sin corriente de puerta, por efecto
trmico, siempre existirn cargas libres que penetren en la regin
de transicin (en este caso, electrones), las cuales son aceleradas
por el campo elctrico presente en J2. Para valores elevados de tensin (y, por tanto, de campo elctrico), es posible
iniciar un proceso de avalancha, en el cual las cargas aceleradas, al chocar con tomos vecinos, provoquen la
expulsin de nuevos portadores que reproducen el proceso. Tal fenmeno, desde el punto de vista del comportamiento
del flujo de cargas por la unin J2, tiene el efecto similar al de una inyeccin de corriente por la puerta, de modo que,
si al iniciar la circulacin de corriente se alcanza el lmite IL, el dispositivo se mantendr en conduccin (ver figura).
Para poner el SCR en OFF, la fuente de tensin en Vs1 debe estar apagada como se muestra en la Figura 1.4 b). El
SCR se pone en OFF al eliminar la fuente de tensin que suministra la potencia a la carga (R1). Si se reduce
gradualmente el valor de tensin Vs1, la corriente provista a la carga decrecer. Cuando la corriente disminuye por
debajo de un valor denominado corriente de mantenimiento, el SCR se pondr en OFF an cuando la tensin Vs1 no
sea cero.
Curva caracterstica V I del SCR.
En la Figura 1.5 se muestra la curva caracterstica del
SCR. Cuando el SCR tiene polarizacin inversa, acta
como un diodo comn, con su pequea cantidad
normal de corriente de fuga (tambin llamada
corriente de escape o prdida). Cuando se
aumenta la tensin inversa, tambin llegara a la
ruptura, como un diodo.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
212
Tambin acta como un diodo con polarizacin directa entre los puntos D y E. Para valores altos de corriente de
compuerta, tales como el punto C de la Figura 1.5, el SCR se pondr en ON (o disparar) al valor bajo de la tensin
VB de nodo a ctodo a lo largo del eje horizontal. Cuando disminuye la corriente de compuerta, tal como el punto B
de la Figura 1.5, la tensin VB de nodo a ctodo tendr un valor mucho ms alto antes que el SCR se ponga en ON.
Si la corriente de compuerta es cero, el SCR an se pondr ON s la tensin se aumenta a la tensin directa de
transicin conductiva (o tensin de Irrupcin) en VA para poner disparar un SCR se requiere una combinacin de
corriente de compuerta y de corriente de nodo a ctodo.
Operacin CA.
Los SCR se usan a menudo en circuitos de CA, para controlar la potencia
entregada a las cargas. En la Figura 1.6 la fuente de alimentacin VAC es
de 120 VAC. El circuito RC produce un corrimiento de fase entre la tensin
de entrada VAC y la tensin entre los bornes del condensador. La tensin
entre los bornes del condensador provee la corriente de compuerta. Dado
que el SCR est encendido por una combinacin de tensin de entrada y
corriente de compuerta, el tiempo de disparo puede ser controlado ajustando
la resistencia para cambiar la relacin de fase de las dos tensiones. La
tensin en el condensador estar atrasada con respecto a la tensin de
entrada VAC.
Por medio de este mtodo puede cambiarse el ngulo de disparo sobre una gama de 180 hasta 360. El diodo se usa
para bloquear la tensin de compuerta durante el semiciclo negativo. En la Figura 1.6 c), la resistencia se ajusta de
modo que el SCR pase a ON entre 0 y 90. En este diagrama el ngulo de disparo es de 40 dado que el SCR est en
ON durante sta parte del primer semiciclo, la corriente circular a travs de la lmpara y sta se iluminar.
En la Figura 1.6 d), el SCR pasa a ON entre 90 y 180 a un ngulo de disparo de 150. Debido a que la tensin se
aplica al SCR durante una pequea parte del ciclo, la lmpara se pone dbil. El ajuste de la resistencia para controlar el
ngulo de fase controla a su vez la cantidad de potencia entregada a la lmpara.
Sus modos de control se realiza en:
Rectificacin De Media Onda Y Onda Completa: A mayor cantidad de semiciclos, mayor potencia promedio aplicada
a la carga.
Control De Fase: Mediante el ngulo de disparo o de inicio de conduccin en cada semiciclo positivo.
Sus aplicaciones en la actualidad son: control de iluminacin, control de motores, carga de bateras, generacin de
energa elctrica, control de temperatura, etc.
Aplicaciones prcticas del SCR:
2N5064
2N6394
C106B
C122B
El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de poseer tres terminales:
nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado,
como si se tratase de un interruptor.
Caracterstica Tensin Intensidad
Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarizacin
inversa de la curva es anloga a la del diodo Shockley.
En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce
hasta que se recibe un pulso de tensin en el terminal de puerta
(gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae hasta
ser menor que un voltio y la corriente aumenta rpidamente,
quedando limitada en la prctica por componentes externos.
Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos
provocarn la destruccin del SCR si se superan: V
RB
e I
MAX
. V
RB
(Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que en el diodo Shockley,
la tensin a partir de la cual se produce el fenmeno de avalancha.
I
MAX
es la corriente mxima que puede soportar el SCR sin sufrir
dao. Los otros dos valores importantes son la tensin de cebado
V
BO
(Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
213
I
H
, magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.
Metodos De Conmutacion
Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del mismo, sta debe disminuir
por debajo del valor I
H
(corriente de mantenimiento). Hay dos mtodos bsicos para provocar la apertura el
dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin forzada. Ambos mtodos se presentan en las figuras
Figura 6 y Figura 7.
En la Figura 6 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un interruptor bien en serie (figura
izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace
que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un valor
menor que I
H
.
En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una corriente opuesta a la conduccin
en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una batera en paralelo al circuito.
Aplicaciones Del Scr
Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lmparas,
calentadores elctricos y motores elctricos.
En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable. Entre los terminales A y
B se aplican 120 V (AC). R
L
representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento
de una lmpara). R
1
es una resistencia limitadora de la corriente y R
2
es un potencimetro que ajusta el nivel de
disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de
la onda en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura 8. A altas temperaturas, la corriente de fuga en una
unin P-N inversamente polarizada aproximadamente se duplica con el aumento de 8 C. As, el aumento de
temperatura puede llevar a una corriente a travs de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conduccin.
e) Disparo por luz
La accin combinada de la tensin nodo-ctodo, temperatura y radiacin electromagntica de longitud de onda
apropiada puede provocar tambin la elevacin de la corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crtico y
obligar al disparo la elevacin de la corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crtico y obligar al disparo.
Los tiristores diseados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR
Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la Figura 8 (a), conduce
durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo
de la onda, como en la Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la
carga. Mediante el ajuste de R
X
, el disparo puede retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la
carga.
Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra
vez hasta el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir
el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca
para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.
El SCR o rectificador controlado de Silicio (Silicon Controlled Rectifier) es
un dispositivo de tres terminales que no se puede distinguir a simple vista
de cualquier otro dispositivo con el mismo nmero de terminales.
Slo la referencia marcada sobre el SCR nos permitir identificarlo
plenamente. Existe en el mercado una enorme variedad de ellos, en funcin
de sus especificaciones de voltaje y corriente. A nivel de corriente, pueden
soportar desde unos cuantos mA hasta ms de 1000A y a nivel de tensin
soportada por el dispositivo tambin se pueden superar los 1000V.
Un SCR posee tres conexiones: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G). La puerta es la encargada de controlar el paso de
corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo la
circulacin de corriente en un solo sentido, tal como se muestra en la figura:
Mientras no se aplique ninguna tensin entre la puerta del tiristor y su ctodo (VGK) no se inicia la conduccin. En el
instante en que se aplique dicha tensin y la juntura GK comience a conducir, se produce el cebado del dispositivo y el
tiristor comienza a conducir.
Un modelo aproximado que permite analizar un circuito con SCRs es el siguiente:
En este modelo se muestra un interruptor controlado por el voltaje VGK.
En momento en que ceba al SCR, dicho interruptor se cierra y resulta posible la conduccin de la corriente IA, si el
voltaje entre nodo y ctodo es positivo. Cuando conduce el SCR, su voltaje de conduccin es semejante al que
tenemos en un diodo y resulta despreciable con respecto al voltaje de alimentacin. Debido al fenmeno de avalancha
producido en el dispositivo, una vez cebado el SCR se puede anular la tensin de puerta y el SCR continuar
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
214
conduciendo hasta que la corriente en el dispositivo disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (corriente
mnima que asegura que contina la avalancha). Este valor mnimo lo determina el fabricante del SCR.
El SCR es el dispositivo ms utilizado en infinidad de aplicaciones en electrnica de potencia y de control, tales como:
controles de fase, circuitos de retardo de tiempo, proteccin de fuentes de alimentacin reguladas, interruptores
estticos, control de motores, inversores, ciclo conversores, cargadores de bateras, controles de calefaccin., etc
Circuitos de control de potencia mediante SCRs
Con el propsito de controlar la potencia sobre una carga, se puede plantear el siguiente circuito bsico:
Supongamos que se dispone de un circuito de cebado que est sincronizado con la alimentacin AC y que este circuito
genera una seal VGK capaz de poner en conduccin al SCR. Dicha seal de cebado aparecer tras un tiempo
controlable despus del cruce por cero de la entrada AC: es decir:
Hay que notar que durante el semiciclo positivo de VF, el voltaje VAK es
tambin positivo. De esta manera, al aparecer el pulso de disparo, el SCR se
cebar y entrar en conduccin. La conduccin se mantendr durante el resto
del semiciclo positivo (aunque el pulso de disparo haya desaparecido) hasta
que cerca del cruce por cero de VF la corriente IA del SCR caer por debajo
de la corriente de mantenimiento, produciendo el apagado del SCR. Aunque
durante el semiciclo negativo de VF tambin se producen pulsos de disparo,
estos no producen el cebado del SCR, ya que la corriente del mismo no puede
circular en sentido contrario.
En el grfico que se presenta a continuacin, se muestran las diversas formas
de onda del circuito:
Como se observa, el voltaje en la carga tiene siempre un promedio positivo. Si se vara el retardo entre el cruce por
cero y la aparicin de los pulsos de disparo, tambin se producirn cambios en el valor promedio de la tensin sobre la
carga. De esta manera se puede controlar la potencia en funcin del retardo de los pulsos de disparo.
Resulta conveniente definir algunos detalles con respecto a la onda que se observa en la salida:
Existen muchas posibilidades para implementar el circuito de disparo, los ms verstiles y flexibles emplean otros
componentes electrnicos para generar dicha seal. A continuacin se muestra un esquema muy sencillo, basado en
componentes pasivas:
En este circuito, el condensador se carga con una cierta
constante de tiempo. Variando el potencimetro se modifica
dicha constante de tiempo y por lo tanto se logra una variacin
del requerido para que el condensador se cargue lo suficiente
como para producir el disparo del SCR.
En los circuitos analizados hasta ahora se hace rectificacin
controlada de media onda. Tambin se puede hacer rectificacin
controlada de onda completa, con lo que se enviar hacia la
carga el semiciclo negativo rectificado, obteniendo as mayor
potencia sobre la carga. En este caso se requieren dos circuitos
de disparo:
Se puede hacer lo mismo sobre el rectificador de onda completa
tipo puente:
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador
controlado de silicio (SCR) es, sin duda, el de mayor inters hoy en
da, y fue presentado por primera vez en 1956 por los Bell
Telephone Laboratories.
Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de los SCR
incluyen controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo,
fuentes de alimentacin reguladas, interruptores estticos, controles
de motores, recortadores, inversores, ciclo conversores, cargadores
de bateras, circuitos de proteccin, controles de calefaccin y
controles de fase.
En aos recientes han sido diseados SCR para controlar potencias
tan altas de hasta 10 MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia de
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
215
aplicacin tambin ha sido extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia.
Operacin Bsica del Rectificador Controlado de Silicio
La corriente IGmin es la mnima corriente necesaria para asegurar la entrada en conduccin de cualquier dispositivo
de un cierto tipo, a la mnima temperatura.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin (ver figura anterior) para determinar la recta de carga
sobre las curvas caractersticas vGK-iG. Para el ejemplo de la figura 2.8, la recta de carga cortar los ejes en los
puntos 6 V (tensin en vaco de corriente de disparo) y 6 V / 12 = 0,5 A (intensidad de cortocircuito).
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para
efecto de control. Se escogi el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. La operacin bsica
del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada
compuerta, determina cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin la
resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1 . La resistencia inversa es tpicamente de 100 k o ms.
VERIFICACION Y CHEQUEO DE TIRISTORES:
Si las caractersticas de voltaje y corriente de trabajo del tiristor lo permiten, puedes armar un circuito para la
comprobacin del estado y la identificacin del dispositivo (el circuito de comprobacin lo puedes ver en el ndice).
Cuando la bombilla enciende a plena luz es porque est circulando la onda completa de la corriente alterna, esto
significa que se trata de un TRIAC. Cuando se trata de un SCR la bombilla slo suministra aproximadamente la mitad
de su luz, porque solamente recibe los medios ciclos positivos.
Para comprobar que el triac si est apagado cada vez que la onda de la corriente de trabajo pasa por su nivel cero, la
bombilla se debe apagar cuando se desconecte la resistencia de polarizacin del gate (esto sirve para comprobar que el
dispositivo no est en cortocircuito).
Prueba Con El hmetro O Multmetro:
Debido a que todos los medidores de resistencia tienen una fuente de corriente continua (Pilas), se pueden verificar
con este instrumento la gran mayora de rectificadores SCR y TRIACs.
Si a un SCR se le aplica un escaln de tensin positivo entre nodo y ctodo con tiempo de subida muy corto, del
orden de microsegundos, los portadores sufren un desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensin exterior
aplicada.
Como se coment para el caso de disparo por tensin excesiva, si la intensidad de fugas alcanza el valor suficiente
como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor mantendr en conduccin estable y permanecer as una vez
pasado el escaln de tensin que lo dispar.
Este procedimiento no sirve para los QUADRAC, ya que para estos necesitamos una seal de gatillado superior a los
20 voltios, y los hmetros y multmetro slo tienen 3 voltios.
No se aconseja hacer estos chequeos con instrumentos que slo usan una pila de 1.5 voltios, pues la seal que entregan
no alcanza ni para probar LEDs (diodo emisor de luz).
APLICACIONES DEL SCR
Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificacin de
corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la
realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en
circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que
transforman la corriente contina en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les
utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar
controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la
tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya
que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la
tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear
automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que
en este momento empezar a recibir tensin inversa.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
216
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes:
- Controles de relevador.
- Circuitos de retardo de tiempo.
- Fuentes de alimentacin reguladas.
- Interruptores estticos.
- Controles de motores.
- Recortadores.
- Inversores.
- Ciclo conversores.
- Cargadores de bateras.
- Circuitos de proteccin.
- Controles de calefaccin.
- Controles de fase.
Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lmparas,
calentadores elctricos y motores elctricos.
En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable. Entre los terminales A y
B se aplican 120 V (AC).
R
L
representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R
1
es una
resistencia limitadora de la corriente y R
2
es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el
ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y 180,
como se aprecia en la Figura 8.
Figura 8: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90
Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo
(aproximadamente a 0), como en la Figura 8 (a), conduce durante
aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga.
Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura
8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se transmite
menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de R
X
, el disparo puede
retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga.
Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce
otra vez hasta el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario
repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura 9. El diodo
se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate
del SCR.
Figura 9: Disparos cclicos para control de potencia
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes:
APLICACIN 1: CARGADOR DE BATERAS
El cargador de bateras (acumuladores) que aqu te presento es automtico. En el secundario tenemos un voltaje de 15
voltios de corriente alterna, la cual es rectificada por los 2 diodos (cada uno conduce la mitad del ciclo), lo que
proporciona 2.5 amperios. En el caso de los cargadores no se filtra el voltaje, en este caso nos sirve para que el SCR
pueda ser desconectado al cortarse el voltaje de su compuerta, lo que no ocurre si filtramos la corriente. Si vemos el
diagrama del circuito, la batera est conectada en serie con la fuente, el SCR1 y el ampermetro para verificar el
amperaje (este es opcional, ya que son caros). La compuerta del SCR es polarizada por el resistor de 560 ohmios y el
diodo 1N4002, en el sentido de conducir la corriente cuando la tensin alcanza aproximadamente 1 V. En la
compuerta del SCR1 (TIC 116 TIC 125) tenemos el circuito sensor de carga, el cual est formado por un divisor de
voltaje (el zener y el SCR2 - TIC 106). Ajustamos el trimpot (potencimetro miniatura) de 4.7K, para obtener la
tensin de disparo del SCR2, que en este caso, corresponde a la tensin del zener cuando la batera est
completamente cargada. Para una batera de 6 voltios, el voltaje del zener debe de ser de 2.1 2.4.
Cuando una batera presenta entre sus terminales la tensin que corresponde a la carga completa, el zener conduce y el
SCR2 se dispara. Bajo estas condiciones, el mismo prcticamente pone a tierra la compuerta del SCR1, lo que impide
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
217
el disparo de este, y por lo tanto interrumpe la carga. Al mismo tiempo, la conduccin completa del SCR2 hace que el
LED2 (verde) se encienda indicando que la batera est completamente cargada. PRUEBA: Conectemos una batera
cargada en el circuito y ajustemos el trimpot para que el LED2 encienda, cuando esto sucede, el ampermetro ( si lo
tiene ) deber caer a cero. Con esto ajustamos el cargador para que funcione correctamente. Se recomienda no
conectar 2 bateras a la vez porque arruinara los componentes del circuito electrnico.
LISTA DE COMPONENTES
Capacitores:
1 capacitor de 10 F. 25V(electroltico)
Diodos:
2 diodos de 5 AMP. 50 V.
1 led rojo
1 led verde
1 zener de 5.6V. 400 mW.
1 diodo 1N4002
Semiconductores:
SCR1: TIC116 TIC125 8 amp. 50 V. o ms
SCR2: TIC106 3 4 amp. 50V. o ms
Resistores:
1 Mini potencimetro de 4.7K
2 resistores de 1K
1 Resistor de 10K
1 resistor de 560
1 resistor de 470
1 resistor de 1 10 W.
Otros: 2 fusibles de 3 amp.
Transformador de 120(primario)
secundario 15 - 0 - 15 de 3 5
1 ampermetro (opcional)
Los SCR deben de montarse en disipadores de calor
Cuando la entrada rectificada de onda completa es lo bastante grande para producir la corriente de disparo de
compuerta requerida (controlada por R1), SCR1 se disparar y dar comienzo a la carga de la batera. Al inicio de la
carga, el bajo voltaje de la batera producir un bajo voltaje VR determinado por el circuito divisor de voltaje sencillo.
El voltaje VR es, a su vez, demasiado pequeo para
provocar la conduccin del Zener de 11.0 v. En el
estado de corte, el Zener es efectivamente un circuito
abierto que mantiene a SCR2 en el estado de corte
porque la corriente de compuerta es cero. El capacitor
C1 se incluye para evitar los transitorios de voltaje en
el circuito y que ellos accidentalmente disparen al
SCR2. Recurdese de sus estudios fundamentales de
anlisis de circuitos que el voltaje no puede cambiar en
forma instantnea a travs de un capacitor. De ste
modo, C1 evita que los efectos transitorios afecten al
SCR. A medida que la carga contina, el voltaje de la
batera aumenta hasta un punto donde VR es lo
suficientemente alto como para hacer conducir al Zener
de 11.0 V y disparar al SCR2. Una vez que SCR2 se ha
disparado, la representacin en corto circuito para
SCR2 producir un circuito divisor de voltaje
determinado por R1 y R2, que mantendr a V2 en un nivel demasiado pequeo para disparar el SCR1. Cuando esto
ocurre, la batera est completamente cargada y el estado en circuito abierto de SCR1 cortar la corriente de carga. De
este modo, el regulador recarga la batera si el voltaje disminuye y evita la sobrecarga cuando se ha cargado al
mximo.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es
funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el
transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si
desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que
circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se
utilice.
El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de
colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. El
transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es
usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que
intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje
de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso.
Figura 2.49. Circuito de un Cargador de Bateras
Figura 2.50. Circuito de un Cargador de
Bateras
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
218
APLICACIN 2: ALARMA PARA PUERTA O VENTANA
Para que esta alarma funcione correctamente, es necesario determinar cul es la lnea viva y la neutra del servicio de
energa elctrica. Aunque esta sea alterna hay un alambre que es, digamos positivo. La alarma se activar cuando se
toque alguna de las partes por donde este el alambre sin forro (no esmaltado), en substitucin de la lmpara puede
usarse un timbre. No est dems recordarles que el SCR1 debe montarse en un disipador de calor. Para la sensibilidad
del circuito se deben ajustar los 2 potencimetros (R2 y R5). El C1 y el R1 sirven para que cuando se dispare la
alarma se mantenga sonando el timbre, o alumbrando la lmpara. El SCR1 debe de soportar cuando menos 400 voltios
y unos 6 amperios.
LISTA DE COMPONENTES
Resistores:
R1: 20K
R2: 1M (pot.)
R3: 100K
R4: 100K
R5. 10K (pot.)
Semiconductores:
SCR1: C106 S203
D1: Diodo de 2 amp. 400V.
Capacitores:
C1: 50 F. 250V
Otros:
Lmpara para 110 220 voltios
APLICACIN 3: CIRCUITO PARA CONTROL DE FASE
Un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180 se muestra en la figura (2a). El circuito es
similar al de la figura (1a) excepto por la adicin de un resistor variable y la eliminacin del interruptor. La
combinacin de los resistores R y R1 limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de
entrada. Si R1 se fija para su valor mximo, puede ocurrir que la corriente de compuerta nunca alcance la magnitud
del disparo. Conforme R1 disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta aumentar con el mismo voltaje de
entrada. En esta forma, la corriente de disparo de compuerta requerida puede establecerse en cualquier punto entre 0 y
90, como se muestra en la figura (2b).Si R1 es baja, el SCR se disparar casi de inmediato, resultando la misma
accin que la que se obtuvo del circuito de la figura (1a) (conduccin durante 180).
Si se incrementa R1 se requerir un voltaje de entrada ms
alto (positivo) para activar el SCR. Como se indica en la
figura (2b), el control no puede extenderse ms all de un
desplazamiento de fase de 90 porque la entrada es mxima
en este punto. Si falla para disparar a ste y a valores menores
de voltaje de entrada sobre la pendiente positiva de la entrada,
debe esperarse la misma respuesta de la parte con pendiente
negativa de la forma de onda de la seal. La operacin en este
caso suele denominarse en trminos tcnicos como control de
fase de resistencia variable de media onda. Es un mtodo
efectivo para controlar corriente rms y, en consecuencia, la
potencia hacia la carga.
Caractersticas del Circuito para Control de Fase
Disparo mediante corriente por puerta del SCR
Variacin controlada del ngulo de disparo
Evolucin de las formas de onda ms representativas en el circuito.
Valoracin de la potencia entregada a la carga en varios casos
Cuando la tensin en el condensador alcance la suma de la
tensin directa de los diodos ms la tensin puerta-ctodo del
SCR se producir la aparicin de una corriente entrante por
puerta y por tanto el disparo del SCR. La aparicin de dicha
corriente depender del tiempo que tarde el condensador en
Figura 2.52. Seal de Voltaje de Entrada y Salida
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
219
llegar a ese valor. Tensin de codo de los diodos ms tensin de codo puerta-ctodo?
Utilizando el osciloscopio, se puede visualizar la evolucin de la tensin en el condensador y compararse con la
situacin sin los diodos. Visualice tambin la tensin en la carga y en el SCR simultneamente (tngase en cuenta la
referencia comn de las dos sondas del osciloscopio) y vare con el potencimetro el ngulo de disparo. El ngulo de
disparo es el ngulo elctrico en el que se produce la entrada en conduccin del SCR mediante la corriente por puerta
y se cuenta a partir del instante en el que el SCR se polariza directamente.
APLICACIN 4: DESTELLADOR
Este circuito bsicamente es similar al flash, con la
diferencia que este usa un oscilador por relajacin,
formado por una lmpara nen, la cual se encarga de
gatillar el SCR, cuando en las placas del capacitor de 0.2
F. hay ms de 60 voltios. Aqu el nodo y el ctodo del
SCR substituyen al S1 del flash. Se producir un destello
cada vez que le llegue un pulso negativo al gate dundo se
enciende el nen. Los destellos por minuto se controlan
con el potencimetro de 1M., el resistor de 150K y por
supuesto, el capacitor de 0.2F.
FLASH
Los 2 diodos y los 2 capacitores de 20 F. forman un doblador de voltaje, el cual proporciona los 220 V. de CD que
necesita la lmpara xenn. El resistor de 100K es una limitador de corriente, mismo que se encarga de evitar que por
los contactos de la cmara fotogrfica circulen corrientes altas (en el caso que se use como flash auxiliar). El capacitor
de 0.5 F. se carga a travs del resistor de 100K y se descarga en el primario del transformador, cuando se cierra el
S1. El transformador se devana sobre una forma de plstico o cartn, se embobinan 300 o 350 vueltas de alambre 30
y luego sobre estas, de 30 a 60 de calibre 22, probablemente tendrs que modificar T1, si la lmpara no enciende,
tambin puedes probar con ncleo de ferrita.
APLICACIN 5: UN INTERRUPTOR ESTTICO
Un interruptor esttico es un dispositivo electrnico capaz de hacer transferencias entre dos lneas de alimentacin.
Alimentado por dos fuentes independientes de corriente alterna (una fuente principal y otra alternativa), el interruptor
esttico detecta instantneamente deficiencias en la calidad de la energa y transfiere rpidamente a la fuente
alternativa, sin interrupcin a las cargas crticas. Este acceso ininterrumpido a fuentes de poder dual e independientes
ofrece gran disponibilidad y confiabilidad al sistema.
Un interruptor esttico serie de media onda se muestra en la figura (1a). Si el interruptor se cierra como se muestra en
la figura (1b), circular una corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada, disparando al SCR.
El resistor R, limita la magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se dispare, el voltaje nodo a ctodo
(VF) disminuir el valor de conduccin, producindose una corriente de compuerta bastante reducida y prdidas
sumamente bajas en el circuito de compuerta. En la regin negativa de la seal de entrada, el SCR se apagar, ya que
el nodo es negativo con respecto al ctodo. El diodo D, se incluye para evitar una inversin en la corriente de
compuerta.
Las formas de onda para la corriente y
voltaje de carga resultantes se presentan en la
figura (1b).El resultado es una seal
rectificada de media onda a travs de la
carga. Si se desea una conduccin con una
duracin menor que 180, el interruptor
puede cerrarse a cualquier desplazamiento de
fase durante la parte positiva de la seal de
entrada. El interruptor puede ser electrnico,
Figura 2.53. Circuito de un Destellador
Figura 2.54. Interruptor esttico serie de media onda
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
220
electromagntico o mecnico, dependiendo de la aplicacin.
Un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180 se muestra en la figura (2a). El circuito es
similar al de la figura (1a) excepto por la adicin de un resistor variable y la eliminacin del interruptor. La
combinacin de los resistores R y R1 limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de
entrada. Si R1 se fija para su valor mximo, puede ocurrir que la corriente de compuerta nunca alcance la magnitud
del disparo. Conforme R1 disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta aumentar con el mismo voltaje de
entrada. En esta forma, la corriente de disparo de compuerta requerida puede establecerse en cualquier punto entre 0 y
90, como se muestra en la figura (2b).Si R1 es baja, el SCR se disparar casi de inmediato, resultando la misma
accin que la que se obtuvo del circuito de la figura (1a) (conduccin durante 180).
APLICACIN 6: CONTROL DE TEMPERATURA
En la siguiente figura aparece el diagrama esquemtico de un control de temperatura de 100W que utiliza un SCR. Se
ha diseado de manera tal que el calefactor de 100W se encender y apagar de acuerdo a como lo determine el
termostato. Los termostatos de mercurio en vidrio son muy sensibles al cambio de temperatura. En realidad, ellos
pueden registrar cambios tan pequeos como 0.1C. Sin embargo, su aplicacin es limitada porque slo pueden
manejar niveles sumamente bajos de corriente (menores que 1 mA). En esta aplicacin, el SCR sirve como un
amplificador de corriente en un elemento de conmutacin de carga. No es un amplificador en el sentido de que
incremente el nivel de corriente del termostato. Ms bien es un dispositivo cuyo alto nivel de corriente se controla
mediante el comportamiento del termostato.
Debe ser claro que la red puente est conectada a la
alimentacin de ca a travs del calefactor de 100W. Esto
producir un voltaje rectificado de onda completa a travs
del SCR. Cuando el termostato est abierto el voltaje en el
capacitor se cargar hasta un potencial de disparo de
compuerta a travs de cada pulso de la seal rectificada. La
constante de tiempo de carga se determina por el producto
RC. Esto disparar el SCR durante cada medio ciclo de la
seal de entrada, permitiendo un flujo de carga (corriente)
hacia el calefactor. Conforme aumente la temperatura, el
termostato conductivo pondr en corto circuito al
capacitor, eliminando la posibilidad de que este ltimo se
cargue hasta el potencial de disparo y se dispare el SCR. El
resistor de 510 k contribuir entonces a mantener una
corriente sumamente baja (menor que 250 A) a travs del
termostato.
APLICACIN 7: SISTEMA DE ILUMINACIN DE EMERGENCIA
Es un sistema de iluminacin de emergencia de una sola fuente que mantendr la carga en una batera de 6 V para
asegurar su disponibilidad y brindar tambin energa cd a una lmpara elctrica si hay una interrupcin elctrica. Una
seal rectificada de onda completa aparecer a travs de la lmpara de 6 V debido a los diodos D2 y D1. El capacitor
C1 se cargar hasta un voltaje ligeramente menor que la diferencia entre el valor pico de la seal rectificada de onda
completa y el voltaje cd en R2 establecido por la verta de 6 V.
En todo caso, el ctodo del SCR1 est mayor que
el nodo y el voltaje de la compuerta al ctodo es
negativo, asegurando que el SCR no conduzca. La
batera se est cargando a travs de R1 y D1 a una
razn determinada por R1. La carga de la batera
slo ocurre cuando el nodo de D1 es ms positivo
que su ctodo. El nivel cd de la seal rectificada de
onda completa asegurar que la lmpara esta
encendida cuando haya potencia. Si la
alimentacin elctrica falla, el capacitor C1 se
descargar a travs de D1, R1 y R3 hasta que el
ctodo de SCR1 sea menos positivo que el nodo.
Al mismo tiempo, la unin de R2 y R3 se volver positiva y establecer suficiente voltaje de compuerta a ctodo para
disparar el SCR. Una vez disparado, la batera de 6 V se descargara a travs del SCR1 y energizara la lmpara y
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
221
mantendra su iluminacin. Despus de que se restablece la energa, el capacitor C1 se recargar y restablecer el
estado no conductor de SCR1, como se describi antes.
APLICACIN 8: CICLOCONVERTIDOR DE SEIS SCR
En el ciclo convertidor de la figura, tres SCR en particular son
causantes de la produccin del semiciclo positivo de la forma
de onda de salida. Son los SCR 1, 3, 5. Los tres SCR restantes
7, 9 y 11, son causantes de la produccin del semiciclo
negativo. Es conveniente agrupar mentalmente los SCR de esta
manera.
Si el circuito de disparo entrega slo pequeo nmero de
pulsos secuenciales de compuerta a una terna antes de cambiar
para entregar la misma cantidad a otra terna, entonces cada
terna permanecer en conduccin slo durante un tiempo corto.
Esto corresponde a una duracin corta para cada semiciclo del
a forma de onda de salida, provocando que la frecuencia de
salida sea alta. Por otra parte, si el circuito de disparo un
nmero grande de pulsos secuenciales de compuerta a cada
terna antes de cambiar, entonces cada terna permanecer en conduccin durante un tiempo largo, haciendo que la
frecuencia de salida sea baja. Para clarificar esto vea la siguiente figura:
En la figura anterior, el circuito de disparo est entregando cuatro pulsos secuenciales de compuerta a cada terna, los
pulsos son entregados en orden ascendente. Los pulsos estn sincronizados para producir un ngulo de retardo de
disparo constante de 30, esto, cada SCR es disparado a encendido 30 despus de que su fase de lnea de ca asociada
cruce por cero. Para mantener sencillas las cosas por ahora, supongamos que el circuito de disparo constante de 30,
esto es, cada SCR es disparado a encendido 30 despus de que su fase de lnea de ca asociada por cruce por cero.
Para mantener sencillas las cosas por ahora, supongamos que el circuito de disparo del ciclo convertidor opera de esta
manera, dando un ngulo de retardo de disparo constante. A la izquierda de la figura de las ondas, los cuatro pulsos
secuenciales de compuerta encienden un SCR a la vez, en el orden 1, 3 ,5, 1.
Entonces, la forma de onda del voltaje de carga consiste en segmentos de los voltajes de fase, con segmentos de una
amplitud de 120 , y centrados en sus picos positivos. La conmutacin de los SCR es natural, ya que el disparo a 30 o
despus permite que el nuevo SCR aplique una polarizacin inversa al SCR previamente encendido.
Prueba de un SCR con un ohmmetro.
Si no existe corriente en la compuerta el SCR no conduce. Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda
conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de
corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero. Como se puede ver el SCR, tiene
dos estados:
Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja
Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada
Los usos tpicos incluyen control del calentador, y control del horno y del horno
SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Figura 2.58. Forma de Onda de Salida
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
222
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para
efecto de control. Se escogi el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia.
La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental, en que una tercera
terminal, llamada compuerta, determina cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito
cerrado. No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo.
En la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1. La resistencia inversa es
tpicamente de 100 k o ms.
D De ef fi in ni ic ci i n n
SCR es el acrnimo de Sustained Cell Rate (Cadencia sostenida de celdas). Es un parmetro de
calidad del servicio para el trfico en el protocolo ATM.
El S SC CR R ( (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo
semiconductor b bi ie es st ta ab bl le e formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn Est formado por
tres terminales, llamados n no od do o, C C t to od do o y P Pu ue er rt ta a. La conduccin entre nodo y ctodo es
controlada por el terminal de puerta. E Es s u un n e el le em me en nt to o u un ni id di ir re ec cc ci io on na al l ( (sentido de la corriente es
nico), , c co on nm mu ut ta ad do or r c ca as si i i id de ea al l, , r re ec ct ti if fi ic ca ad do or r y y a am mp pl li if fi ic ca ad do or r a a l la a v ve ez z. .
El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de
tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.
El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor.
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta
es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y
el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador
controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.
Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no
se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha
tensin, el tiristor comienza a conducir. Una vez arrancado,
podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar
conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en
corriente alterna el SCR se des excita en cada alternancia o semiciclo.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar
en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que
permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo. Estos se claisfican en tipo P
y tipo N.
Propiedades:
Es un interruptor casi ideal aunque cuando est en estado de conduccin tiene una cada de tensin de 2V.
Rectificador fcilmente controlable. Relativa rapidez
Nuevo empaquetado para SCR
Empaquetado de SCR que permite reducir sus dimensiones fsicas y ofrecer mayor densidad de potencia.IXYS
Corporation inform que su subsidiaria Westcode ha desarrollado un nuevo empaquetado para tiristores de control de
fase, que permite incrementar la densidad de potencia de los dispositivos, y reduciendo su peso, respecto a los
empaquetados utilizados tradicionalmente en este tipo de componentes.De acuerdo con el fabricante, el nuevo
empaquetado permite a los tiristores ofrecer una relacin peso-potencia tres veces mayor que la ofrecida por los
dispositivos disponibles en empaquetado TO-200.Wespack, como fue llamada esta tecnologa de empaquetado, ya se
encuentran siendo utilizados por los modelos de tiristores N2593MK180 y N2367MK220 con capacidades de manejo
de corriente de 2593A y 2367A y de voltajes de 1800V y 2200V, respectivamente.
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor
biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn. Est formado por tres terminales, llamados
nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la
vez.
El SCR es un dispositivo semiconductor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura
PNPN o bien NPNP. Sus siglas en ingls son SCR (Silicon Controlled Rectifier). El nombre proviene de la unin
de Tiratrn (tyratron) y Transistor. Se utiliza tambin como nombre genrico para cualquier dispositivo
semiconductor de cuatro capas como el diodo Shockley (no confundir con diodo Schottky).
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
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El rectificador controlado silicio (SCR) es simplemente un rectificador convencional controlado por una seal de la
puerta. El circuito principal es un rectificador, no obstante el uso de un voltaje delantero no es bastante para la
conduccin. Una seal de la puerta controla la conduccin del rectificador.
El circuito del rectificador (nodo-ctodo) tiene una resistencia delantera baja y una alta resistencia reversa. Es
controlado apagado de un estado (alta resistencia) encendido al estado (resistencia baja) por una seal aplicada al
tercer terminal, la puerta. Una vez que se d vuelta en l quede orientado incluso despus del retiro de la seal de la
puerta, mientras una corriente mnima, la corriente de la tenencia, Ih, se mantenga en el circuito de la caera o del
rectificador. Para dar vuelta apagado a un SCR el nodo-ctodo actual se debe reducir menos que la corriente de la
tenencia, Ih.
Regulacin de potencia a travs de tiristores
Para regular potencia a travs de tiristores se utilizan mdulos
tiristores, los que contienen dos S.C.R conectados en anti paralelo.
Cuando el S.C.R. es disparado en el comienzo del ciclo
(aproximadamente a 0), el mdulo conduce aproximadamente 360
y esto ocasiona una transmisin de mxima potencia a la carga. En
cambio, cuando el S.C.R es disparado cerca del pico positivo, el
mdulo conduce 180 y esto produce una transmisin menor de
potencia a la carga.
A travs de ajustes en el circuito de disparo, el accionamiento de los
S.C.R. puede retrasarse y, de esta forma, tenemos una transmisin
variable de potencia.
En la actualidad, una de las seales ms empleadas en procesos
industriales es la seal de 420 mA y los sistemas de control para
tiristores utilizan esta seal para modular la potencia.
Una de las aplicaciones ms utilizadas en el control de potencia es
el de temperatura a travs de calefactores elctricos, en el cual se
utiliza un controlador de temperatura con salida 420 mA y un
sistema de regulacin de potencia por tiristor. Con estos
componentes es posible obtener un control proporcional de la
potencia de los calefactores, a travs de la modulacin de voltaje
que el sistema realiza. Tambin es posible aplicar este sistema a
controles de tipo ON-OFF a travs de una salida rel en un control
de temperatura.
Los sistemas reguladores de potencia con tiristores tienen
aplicaciones trifsicas y monofsicas.
Cuando se realiza un sistema de control a travs de tiristores, el
ahorro de energa es considerable, ya que al trabajar el voltaje en
funcin de la seal de 420 mA, se produce solamente la transmisin de potencia necesaria de acuerdo a la demanda
del proceso.
Desde que termin la segunda guerra mundial, se ha trabajado en la teora de los mensajes. Adems de la parte
electrotcnica de su transmisin, existe un campo muy amplio que incluye, no solo el estudio del lenguaje, sino
adems el estudio de los mensajes como medio de manejar aparatos o grupos humanos, el desarrollo de las maquinas
de calcular y otros autmatas similares, algunas reflexiones sobre la psicologa y el sistema nervioso y una tentativa de
enunciar una nueva hiptesis del mtodo cientfico. Esta teora ms amplia de los mensajes es probabilstica y porte
intrnseco de aquella corriente que debe su origen a Willard Gibbs.
Hasta hace muy poco tiempo no exista una voz que comprendiera ese conjunto de ideas; para poder expresarlo todo
mediante una palabra, me vi obligado a inventarla. De ah: ciberntica, que se deriva de la voz griega kubernetes o
timonel, la misma raz de la cual los pueblos de Occidente han formado gobierno y de sus derivados. Por otra parte, se
encontr ms tarde que la voz haba sido usada ya por Ampere. Aplicada a la poltica, e introducida en otro sentido
por un hombre de ciencia polaco; ambos casos datan de principios de siglo XIX.
En la poca de los 50, consista en esa poca en unas pocas ideas compartidas por los doctores Claude Shannon,
Warren Weaver y yo, se ha convertido en un campo permanente de investigacin. En consecuencia, aprovecho la
oportunidad que me da esta nueva edicin para ponerla al da y suprimir ciertos efectos e incongruencias de su
estructura original.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
224
Cuando alguien se pone en contacto con otra persona, le da un mensaje y cuando responde, tiene que tener relacin
con lo primero que se dijo, conteniendo informes accesibles a l primordialmente; lo cual tiene una relacin entre
hombres y maquinas, entre maquinas y hombres y entre maquina y maquina.
Cuando se da una orden a una maquina, la situacin no difiere esencialmente de la que se produce cuando mando algo
a una persona. La seal en sus etapas intermedias, haya pasado por una maquina o por una persona carece de
importancia y de ninguna manera cambia esencialmente mi relacin con seal. As la teora de la regulacin en
ingeniera, sea humana, animal o mecnica, es un captulo de la teora de los mensajes.
Naturalmente, existen diferencias de detalle en los mensajes y en los problemas de regulacin, no solo entre un
organismo vivo y una maquina, sino tambin dentro de cada clase ms especializada de seres. Es propsito de la
ciberntica desarrollar una lengua y unas tcnicas que nos permitan, no solo encarar los problemas ms generales de
comunicacin y regulacin sino adems establecer un repertorio adecuado de ideas y mtodos para clasificar sus
manifestaciones particulares por conceptos.
Las rdenes mediante las cuales regulamos nuestro ambiente son una especie de informacin que le impartimos.
Como cualquier otra clase de informe, estn sometidas a deformaciones al pasar de un este a otro. Generalmente
llegan en una forma menos coherente y, desde luego, no ms coherente que la de partida. En las comunicaciones y en
la regulacin luchamos siempre contra la tendencia de la naturaleza a degradar lo organizado y a destruir lo que tiene
sentido, la misma tendencia de la entropa a aumentar, como lo demostr Gibbs.
El hombre se encuentra sumergido en un mundo que percibe mediante sus sentidos. El cerebelo y el sistema nervioso
coordinan los informes que reciben, hasta que, despus de almacenarlos, colacionarlos y seleccionarlos, resurgen otra
vez mediante rganos de ejecucin, generalmente los msculos. Estos a su vez actan sobre el mundo exterior y
reaccionan sobre el sistema nervioso central mediante receptores tales como los extremos de la sensacin centsima;
la informacin que estos proporcionan se cambia con la acumulacin de vivencias pasadas influyendo sobre las
acciones futuras.
Damos el nombre de informacin al contenido de lo a que es objeto de intercambio con el mundo externo, mientras
nos ajustamos a el y hacemos que se acomode a nosotros. El proceso de recibir y utilizar informaciones consiste en
ajustarnos a las contingencias de nuestro medio y de vivir de manera efectiva dentro de el. Las necesidades y la
complejidad de la vida moderna plantean a este fenmeno del intercambio de informaciones demandas ms intensas
que en cualquier otra poca; la prensa, los museos, los laboratorios cientficos, las universidades, las bibliotecas y los
libros de texto han de satisfacerlas o fracasaran en sus propsitos. Vivir de manera efectiva significa poseer la
informacin adecuada. As pues, la comunicacin y la regulacin constituyen la esencia de la vida interior del hombre,
tanto como de su vida social.
El lugar que ocupa el estudio de las comunicaciones en la historia de la ciencia no es trivial, ni fortuito, no nuevo. Aun
antes de Newton esos problemas eran corrientes en la fsica; especialmente en las investigaciones de Fermat,
Huyghens y Leibnitz; todos ellos compartan el inters por una ciencia cuyo centro no era la mecnica sino la ptica,
la comunicacin de imgenes visuales. Fermat hizo progresar el estudio de la ptica con su principio, segn el cual la
luz, en un recorrido suficientemente corto, sigue el cual la luz, en un recorrido suficientemente corto, sigue la
trayectoria que le exige el tiempo mnimo para pasar de un punto a otro.
Huyghens enuncio la forma primitiva del principio que se designa hoy con su nombre, diciendo que la luz se propaga
desde un punto luminoso creando algo as como una pequea esfera, formada por fuentes secundarias que propagan la
luz como lo hace la primitiva. Mientras tanto, Leibnitz consideraba que todo el universo est compuesto de monadas
cuya actividad consiste en la percepcin mutua, basndose en una armona preestablecida por Dios; es bastante claro
que para l esa accin mutua era en gran parte ptica. Aparte de esa percepcin, las monadas no tienen "ventanas", por
lo que, segn l, todos los efectos mecnicos mutuos no son ms que una sutil consecuencia de la accin ptica entre
ellas.
La preocupacin por la ptica y los mensajes que aparece claramente en esta parte de la filosofa de Leibnitz, se
encuentra tambin en toda su obra. Leibnitz, posedo por la idea de las comunicaciones, es en varios aspectos, el
antepasado intelectual de los conceptos de este libro, pues tambin se intereso por las maquinas de calcular y los
autmatas. Las maquinas de calcular de Leibnitz fueron solo un resultado de su inters por un lenguaje aritmtico, por
un clculo razonador que para l era solo una extensin de su idea de un lenguaje artificial completo. Es decir que, aun
al ocuparse de maquinas de calcular, el inters capital de Leibnitz resida primordialmente en la lingstica y en las
comunicaciones.
A mediados del siglo pasado, las investigaciones de Clerk Maxwell y de Faraday, su precursor, atrajeron nuevamente
la atencin de la fsica hacia la ptica, la ciencia de la luz, considerada desde entonces como un aspecto de la
electricidad que poda reducirse a la mecnica de un curioso medio invisible y rgido llamado ter; en aquella poca se
supona que el ter impregnaba la atmsfera, el espacio interestelar y todas la sustancias trasparentes. Las
investigaciones pticas de Clerk Maxwell consintieron en desarrollar matemticamente las ideas de Faraday haba
expresado sin formulas de manera muy clara. El estudio del ter planteaba ciertas cuestiones cuya respuesta no era
muy evidente como, por Ej., la del movimiento de la materia a travs de ese medio. Con la famosa experiencia de
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Michelson y Morley en la ltima dcada del siglo XIX se pretendi resolver ese problema; proporciono una respuesta
inesperada: no ha ningn modo de determinar el movimiento de la materia a travs del ter.
La primera solucin satisfactoria del problema que planteo el resultado de ese experimento fue dada por Lorentz; este
investigador explico que, si son elctricas u pticas las fuerzas que mantienen unida la materia, debera esperarse u
resultado negativo del experimento de Michelson y Morley. Sin embargo, Einstein en 1905, puso esas ideas de
Lorentz en forma tal que la imposibilidad de observar el movimiento de absoluto venia a ser un postulado de la fsica
y no consecuencia de alguna estructura peculiar de la materia. En lo que respecta a nuestros propsitos importa que, en
las investigaciones de Einstein, la luz y la materia se encuentran en un pie de igualdad, como ocurra en las obras de
los autores anteriores a Newton, sin la subordinacin newtoniana de todo a la materia y al movimiento.
Para explicar sus ideas Einstein utiliza ampliamente el Ej. De un observador en reposo o en movimiento. En su teora
de la relatividad es imposible introducir un observador sin incluir al mismo tiempo el concepto de mensaje y sin
volver de hecho a colocar el centro de gravedad de la fsica en un estado quasi-leibnitziano, cuya tendencia es
nuevamente ptica. La teora de la relatividad de Einstein y la mecnica estadstica de Gibbs se encuentran en campos
enteramente opuestos, pues el primero, como Newton, se ocupa de la dinmica de cuerpos absolutamente dentro del
clculo de probabilidades; sin embargo, ambas tendencias equivalen a desplazar el punto de vista de la fsica; en ellas,
por un mtodo y otro, se reemplaza el universo tal como existe realmente por otro, conforme a las observaciones que
se hayan efectuado; el arcaico realismo ingenuo de la fsica cede a algo que Berkeley habra considerado con una
sonrisa de satisfaccin.
Las maquinas ms antiguas, en particular, las primeras tentativas de producir autmatas, funcionaban como el
mecanismo de un reloj, sin admitir variacin despus de iniciado el movimiento. Pero las modernas, tales como los
proyectiles teledirigidos, la espoleta de aproximacin, el mecanismo de apertura automtica de las puertas, los
aparatos de regulacin de una fbrica de productos qumicos y las otras que efectan trabajos militares o industriales,
poseen rganos sensoriales, es decir, mecanismos de recepcin de mensajes que provienen del exterior. Pueden ser tan
sencillos como una clula fotoelctrica, que cambia cuando la luz incide sobre ella y que puede distinguir la luz de la
oscuridad, o tan complicados como un aparato de televisin. Pueden medir una tensin por el cambio que produce en
la conductibilidad de un alambre sometido a ella o estimar temperaturas mediante un par termoelctrico, que consiste
en dos metales distintos ntimamente unidos que producen una corriente cuando se calienta uno de ellos. Todo
instrumento del repertorio del fabricante de aparatos cientficos es un rgano sensorial posible; mediante sistemas
elctricos se obtiene que las lecturas se registren a distancia. As, pues, ya poseemos desde hace tiempo maquinas
cuyo comportamiento est regulado por el mundo exterior.
Tambin nos es familiar la maquina que obra sobre su ambiente al recibir un mensaje. Toda persona que ha pasado por
la estacin Pennsylvania de Nueva York conoce el aparato fotoelctrico para abrir puertas. Cuando llega a l un
mensaje, que consiste en la intercepcin de un rayo luminoso, se abre la puerta y el viajero para a travs de ella.
Las etapas entre la recepcin de un mensaje mediante aparatos de este tipo y la ejecucin de una tarea pueden ser muy
simples, como en el caso de la apertura de una puerta, o pueden tener cualquier grado de complejidad deseada, dentro
de los limites de nuestra tcnica actual. Una accin compleja es aquella en que los datos introducidos, que llamaremos
entrada, implican un gran nmero de combinaciones para obtener un efecto, que llamaremos salida, sobre el mundo
exterior. Esta ltima es combinacin de los datos recibidos en ese momento y de los hechos registrados en el pasado,
que llamaremos memoria y que guarda el aparato. Las ms complicadas maquinas construidas hasta ahora que
transforman los datos de la entrada en otros de salida son las electrnicas de calcular de alta velocidad. La
determinacin de la forma de comportamiento de estas maquinas est dada por una entrada especial, que consiste
generalmente en tarjetas perforadas, cintas o alambres magnticos que fijan la manera como ha de actuar la maquina
en una operacin dada, una manera diferente de la que podra ser en otra ocasin. Debido al uso frecuente de tarjetas
perforadas o de cintas magnticas, los datos que se suministran al aparato y que indican el modo de operar de una de
esas maquinas para combinar los informes, se llaman tecleado.
Es cierto que han de tomarse las precauciones necesarias para que no sea muy intenso, pues si lo es, el tubo pasara
ms all de la posicin correcta y habr que hacerle girar de vuelta en una serie de oscilaciones que muy bien pueden
aumentar en amplitud y conducir a una inestabilidad desastrosa. Si el sistema de retroalimentacin se corrige
automticamente, en otras palabras, si sus propias tendencias entropicas estn limitadas por otros mecanismos que las
mantienen entre muy estrechas cotas, eso no ocurrir y la existencia de ese dispositivo aumentara la estabilidad del
funcionamiento del can.
Dicho de otra manera, la actividad depender menos de la carga de friccin o, lo que es lo mismo, del retardo causado
por la rigidez de la grasa. Algo muy similar a esto ocurre en los actos humanos como llevarse un cigarro a la boca.
El funcionamiento fsico del ser vivo y el de algunas de las mas nuevas maquinas electrnicas son exactamente
paralelos en sus tentativas anlogas de regular la entropa mediante la retroalimentacin. Ambos poseen receptores
sensoriales en una etapa de su ciclo de operaciones, es decir, ambos cuentan con un aparato especial para extraer
informes del mundo exterior a bajos niveles de energa y para utilizarlos en las operaciones del individuo o de la
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maquina. En ambos casos, esos mensajes del exterior no se toman en bruto, sino que pasan a travs de los mecanismos
especiales de transformacin que posee el aparato, vivo o inanimado.
El hombre y la ciberntica:
Hemos decidido llamar a toda la materia referente al control y teora de la comunicacin, tanto en la maquina como en
el animal, con el nombre de ciberntica. Ciertamente que ya Platn empleo la palabra en el sentido de forma de pilotar
una nave. Cierto que Ampere, en su clasificacin de todos los conocimientos humanos, la utiliza para designar los
medios de gobierno. La palabra, en fin, procede etimolgicamente del griego Kubernetes, piloto, timonel, de ah su
sentido actual, superado del ms estricto de Plato o de la Iglesia que la utiliza como ciencia de su propia organizacin.
Pero la ciberntica obviamente no se circunscribe al platnico "arte de gobernar un timn". Es un concepto mucho
ms amplio. Y lo es aun cuando consideremos, siguiendo a Guilbaud, el existente entre el capitn que seala adonde
ha de ir la nave y el timonel que maneja la barra, a traes del piloto que seala el rumbo. Ciertamente, el piloto es Ej.
De pensamiento ciberntico, puesto que situado entre el capitn que fija el objetivo y el timonel que lleva el buque,
elige el programa de accin y da las rdenes al timonel. Es ciertamente algo mas ampli: es el estudio del
funcionamiento de toda clase de sistemas.
Louis Couffignal, fundamenta: "Ya fue el propio Wiener quien, anticipndose a buscar una concrecin a su
fundamental concepcin, vasta y difcil, en su segunda obra The Human Use of Human Beings, se oriento
especialmente hacia el campo de las ciencias humanas"; as como tambin "no aporto los elementos suficientes para
construir esta extensin".
En Wiener hay mucho, sin duda. Pero era necesario al "humanizar" la ciberntica sustituir y precisar las nociones
implcitas y a veces poco claras de l, por otras ms explcitas y concretas. As, de su definicin "...control y
comunicacin tanto en la maquina como en el animal" con que iniciamos, sera preciso primero sustituir maquina,
concepto vago e impreciso, por mecanismo. Tambin ser necesario -y quiz mucho ms fundamental que lo anterior-
que el termino control tuviese un significado ms concreto, como el de orden mandato..., por analoga en la sociedad
humana; igualmente la palabra comunicacin tiene que ser concretada. No nos vale. A ello se llego, como se ver, a
travs de la teora de la informacin.
En efecto, el sentido etimolgico de ciberntica es ms amplio de lo que en principio parece. Volvamos nuevamente al
Ej. De la nave, su capitn, piloto y timonel. El piloto controla, gobierna u ordena el rumbo del barco tiene,
previamente, que estar informado no solo de adonde ha de dirigirse (orden del capitn), sino del estado de la mar,
velocidad y direccin d los vientos, etc. Recibe toda esta informacin y toma una decisin: el rumbo.
Es por ello por lo que el propio Wiener en su segunda obra dice: "Cuando controlo las acciones de otra persona le
comunico un mensaje y aunque este sea de naturaleza imperativa, la tcnica de la comunicacin no difiere de la
tcnica de la transmisin de un hecho. Por dems, si deseo que mi control sea eficaz, debo informarme de todos los
mensajes procedentes de la persona, capaces de advertirme que la orden ha sido comprendida y ejecutada".
"En forma similar -seala Couffignal- el cerebelo humano recibe del cerebro las indicaciones de lo que hay que hacer:
por los nervios propioceptores recibe en cada momento la indicacin del estado de cada msculo y por los nervios de
los canales semi-circulares la indicacin de la posicin del cuerpo, en relacin a la vertical de un triedro de referencia;
el cerebelo constituye a partir de estos datos las ordenes que han de enviarse a los msculos para que el movimiento
sea ejecutado sin comprometer el equilibrio del cuerpo: el cerebelo es un rgano ciberntico"
Pero tambin las maquinas tienen "rganos" cibernticos. El ms simple es el regulador de Watt, aplicable a las
maquinas de vapor.
Veamos la descripcin que de l nos hace Guillaumaud. Para este autor, de una slida formacin tcnica, es el
antecedente de todos los servomecanismos industriales, componindose de:
-Un rbol O movido por el volante de la mquina de vapor cuya velocidad se quiere regular.
-Un equipo articulado que comprende dos varillas mn y dos balancines qp, cuyas extremidades q estn unidas por
articulaciones a un anillo A que se desliza sobre O.
-Cuando la velocidad de la maquina, y, por lo tanto, la de rotacin del rbol O aumenta, las bolas se levantan bajo la
accin de la fuerza centrifuga y hacen subir A a lo largo de O. A lleva hacia lo alto una varilla T que manda el Cierre
de una compuerta que estrangula parcialmente la llegada del vapor; la velocidad de la maquina tiene entonces a
decrecer. La compuerta se abre de nuevo y la velocidad tiende entonces a aumentar. Por ltimo, la velocidad se
mantiene prcticamente constante despus de un cierto tiempo, al menos durante las condiciones normales de carga de
la maquina.
Prcticamente todos los reguladores, incluyendo el prosaico y generalizado flotador de las cisternas de los no menos
vulgares retretes, pasando por los termostatos y reguladores modulantes, hasta llegar al piloto automtico, son rganos
cibernticos.Pero con independencia de este desarrollo de los mecanismos de control, lo importante a nuestro juicio, es
la semejanza desde el punto de vista ciberntico entre ciertos rganos de los seres vivos y los rganos cibernticos de
las maquinas en su objeto o fin, as como en su estructura y su funcionamiento. Esto hace decir a Wiener que "Los
numerosos autmatas de la poca actual estn acoplados al mundo exterior tanto por la recepcin de impresiones
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como por la ejecucin de acciones. Contienen rganos sensoriales, causas eficientes y el equivalente de un sistema
nervioso para integrar la transferencia de informacin de uno a otro. Se prestan muy bien a la descripcin en trminos
fisiolgicos. Es casi un milagro que puedan ser agrupados bajo una misma teora con los mecanismos de la fisiologa"
Es por ello por lo que, distinguiendo los mecanismos artificiales construidos por el hombre, de los mecanismos
naturales, no construidos por l, se ha llegado a hablar de una zoologa de las maquinas basada en la ciberntica. Pero
no es nuestro objetivo seguir por este camino todava oscuro y muy discutible.
Quizs este nos llevase a las aberraciones de la iatroqumica que considera al hombre como una mquina. Nuestro
objetivo es buscar la relacin del hombre con la ciberntica a travs de un concepto ms amplio de esta nueva ciencia
que el plasmado por Wiener. Quizs Wiener no pase de ser, a este respecto un humanista imprudente, como lo califico
Aurel David.
Para Couffignal, la ciberntica no es el descubrimiento de maquinas intermedias mas perfeccionadas, ni el
descubrimiento de lo que en el hombre probablemente es mecnico, por ser intermediario. Para Couffignal la
ciberntica es:
El arte de hacer eficaz la accin.
El arte de asegurar la eficacia de la accin.
Dejemos a un lado un aspecto importante, pero en cierto modo ajeno: El de s la ciberntica es para Couffignal un arte
y no una ciencia. Preguntmonos con ms inters, Pero de qu accin? Es casi obvio sealar que se trata de la accin
lgica del hombre.
Es precisamente para la sociedad humana para la que Wiener haba previsto que la ciberntica llevara una revolucin
profunda en sus mtodos de accin. Es quiz esto ltimo lo que Couffignal nos quiere decir al definir tambin la
ciberntica como una metodologa de la accin.
En este sentido, si las facultades esenciales del hombre son la comprensin global y las operaciones lgicas, la primera
asimilada en paralelo y a gran velocidad por el sistema nervioso y las segundas son secuenciales y, por tanto,
realizadas a un ritmo mas lento, no hay duda que la mquina ciberntica puede ser un auxiliar valiossimo en la accin
que el hombre realiza.
A estos efectos Kaufmann nos dice: "Las operaciones lgicas que el hombre lleva a cabo tan lentamente, el ordenador
puede realizarlas un milln o mil millones de veces ms rpido, con la condicin de que ello pueda hacerse a partir de
un programa establecido por el hombre".
Pero antes de insistir sobre este punto es conveniente que veamos la diferenciacin a efectos cibernticos entre el
animal y el hombre. Y ello porque Wiener, con el famoso ttulo de su fundamental obra, puede inducirnos a creer que
podemos actuar cibernticamente sobre los animales no racionales. Casi es obvio sealar que esto no es posible con
independencia de otras mltiples razones que pueden ser tradas a colacin, puesto que si tanto el animal como el
hombre en sus acciones intentan conseguir ciertas satisfacciones, si ante las contrariedades reaccionan adaptndose,
huyendo o luchando, si la reaccin del hombre como la del animal es de tipo aleatorio, la mentalidad del hombre est
obviamente mucho ms desarrollada diferencindolo del animal. Tienen, en suma, distintos comportamientos. Por
dems, "La accin del hombre sobre el hombre se realiza por comunicacin de informaciones".
Sentada esta diferencia que nos permite corregir al profesor Wiener en el sentido de denominar o definir con ms
propiedad, segn creo, la ciberntica como el control y comunicacin en el hombre u en la mquina, es conveniente,
para evitar posible confusin, establecer las diferencias entre el hombre y la mquina, entendiendo aqu por hombre, la
"mquina" cerebral.
Acudamos para ello a un trabajo del eminente profesor John von Neumann. Es bastante conocido que el cerebro con
sus varios miles de millones de clulas funciona con una energa inferior a 100 vatios. Una mquina que tuviera tantas
clulas como el cerebro necesitara 100 millones de vatios. Von Neumann ha calculado, sin embargo, que, en teora,
las clulas pueden ser 10.000 millones de veces ms eficientes en el uso de la energa. La economa de energa del
cerebro es evidente-
Por el contrario, en el uso de la energa el hombre va muy por detrs. Mientras que un nervio no puede ser usado ms
de cien veces por segundo seala Kemeny, un tubo de vaco puede ser abierto y cerrado un milln de veces por
segundo y se espera que se pueda hacer an ms rpidamente. Sin duda, pese a las actuales limitaciones, las mquinas
aventajan en velocidad al cerebro, y ello es una gran ayuda a la accin del hombre.
Pero el cerebro humano es mucho ms complejo y hace muchas cosas que la mquina no puede hacer. Tiene 10.000
millones de clulas, mientras que una computadora slo tiene unas cuantas decenas de miles. Aun con los transistores
que vencen problemas de espacio, la dificultad de construccin no permitir ms que un milln, segn previsiones
optimistas.
Por otro lado, la memoria del cerebro humano es mucho ms completa que la de las mquinas ms perfectas en cuanto
a su capacidad. No son comparables por la simple razn de que las mquinas no han imitado todava el mtodo del
cerebro humano en el almacenamiento y recuperacin de la informacin.
Segn Wiener: "Una funcin muy importante del sistema nervioso y, como hemos dicho, una funcin igualmente
exigible en las mquinas computadoras, es la de la memoria, la habilidad de guardar los resultados de operaciones
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pasadas para utilizarlos en el futuro. Se ver que los usos de la memoria son muy variados y es muy improbable que
cualquier mecanismo simple pueda satisfacer las demandas de todos ellos".
Existe, primeramente, la memoria que es necesaria para la realizacin de un procedimiento corriente, como la
multiplicacin, en el que los resultados intermedios no tienen valor hasta que el procedimiento no est acabado, y en el
que el aparato operador debe entonces quedar libre para un uso posterior. Tal memoria debe registrarse, ser leda y
borrarse, todo ello rpidamente.
Por otra parte, existe la memoria que se pretende sea parte de los archivos, del registro permanente, en la mquina o en
el cerebro, y que contribuye bsicamente en su conducta futura, al menos durante una operacin de la mquina.
La Praxeologia, que es la lgica de la actividad racional: como la ciencia que estudia los mtodos a los que aqulla
recurre. Aparecen los siguientes casos:
Cuando la actividad humana se propone un fin de forma indirecta, por medio de la utilizacin de una larga cadena de
causas y efectos, cuyos elementos estn concatenados los uno a los otros; en estos casos, la ciberntica procede a un
anlisis preciso de los procesos que se producen en esta cadena.
En los casos en que las condiciones externas se modifican en el curso de la accin, sobre todo si esta modificacin es
el resultado de la accin en curso. En este caso, se queremos alcanzar el fin que nos hemos propuesto, se deben
modificar los medios de accin. Aparece entonces una cadena que puede expresarse en:
Fin.
Medios de la accin.
Modificacin de condiciones.
Nuevos medios.
Nueva modificacin de condiciones, y as sucesivamente.
El elemento bsico en estos casos es una rpida informacin, exacta y suficiente, sobre la modificacin de las
condiciones que se producen en el transcurso de la accin y la adaptacin rpida de los medios a las nuevas
condiciones.
Es un proceso de ajuste de la accin a las condiciones en constante adaptacin que se sigue mientras las condiciones
se modifiquen.
"La significacin de la ciberntica para la praxeologa consiste en que, en ciertas cuestiones, esta ltima utiliza los
resultados de aqulla, aplicndolos al estudio de problemas determinados de la actividad humana".
As comprendemos que la ciberntica y sus relaciones con la praxeologa, pero teniendo que recurrir a los sistemas
relativamente aislados y su aplicacin a la ciberntica.
La llave y su correspondiente cerradura y cerrojo. La llave es el nico input y el cerrojo de la cerradura su nico
output. El estado del cerrojo siempre est determinado nicamente por el estado pasado (movimiento) de la llave.
Sistema prospectivo seudodeterminado:
Supongamos dos urnas que contienen slo bolas negras y bolas blancas. En una de las urnas hay ms bolas negras que
blancas y en la otra urna sucede lo contrario. Se extraen las bolas, una a uno, indistintamente de las urnas colocndolas
en un plato. Antes de hacer la siguiente extraccin se reintroduce la bola en su correspondiente urna.
El input al sistema es obviamente la mano extractora, representando dos: uno a cada urna. Los outputs son tambin
dos (bola blanca y bola negra en el plato). Si el input est en la urna con ms de bolas blancas, la probabilidad de
sacarla de ese color es mayor que un medio.
Sistema retrospectivo determinado:
La habilidad de un polica estriba en conocidos los estados presentes de output (huellas dactilares o de otro tipo)
determinar nicamente los estados pasados del input (el auto del delito).
Sistema retrospectivo seudodeterminado:
Utilizando el ejemplo anterior, que es el ideal soado por el polica, cabe sealar que la realidad difiere de los sueos,
de forma que todos los policas tienen que luchar en sus investigaciones con sistemas retrospectivos
seudodeterminados.
Conceptos basicos en la ciberntica:
La mejor formulacin se debe a Louis Couffignal. Por dems, y con independencia de su valor intrnseco, tuvo
ocasin de contrastarlos en el simposio sobre Ciberntica y Conocimiento, y de revisarlos para su publicacin, La
Cyberntique.
Presenta las siguientes definiciones, casi inspiradas en las obras de Grey Walter, cuyo trabajo ms significativo ha sido
despojar de sus evocaciones metafsicas los trminos que la biologa toma de la psicologa.
Concepto base i. Ser humano:
Medio exterior. Todo lo que no es parte del ser humano.
Accin fsica sobre el ser humano. (Accin ejercida por el medio exterior).
Accin fsica del ser humano (accin ejercida sobre el medio exterior).
Circunstancia (de un ser humano). Parte del medio exterior en situacin de actuar sobre este ser humano o de sufrir su
accin.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
229
Programa (descripcin de un conjunto de actos elementales estructurados cuya realizacin presupone alcanzar el fin
propuesto).
Reaccin (modificacin del medio exterior como consecuencia de los actos elementales realizados).
Comportamiento (modo de reaccin del medio exterior).
Pasivo (la reaccin que se presupone en el programa).
Determinista. (La reaccin no es la que se presupone, pero est ligada a los agentes por leyes conocidas.
Aleatorio (la reaccin del medio exterior no es la que presupone el programa y se desconoce la ley que la relaciona
con los agentes de ejecucin).
Gua de la accin (conjunto de medios puestos en juego para que la accin sea eficaz).
Ciberntica: Arte de hacer eficaz la accin.
Para Couffignal la ciberntica es, como ya sabemos, el arte de hacer eficaz la accin, pero no debe confundirse con la
gua de la accin, ya que sta ltima es un conjunto de operaciones, unas materiales, otras psquicas. La ciberntica se
ocupa de la organizacin de estas operaciones y de otras necesarias para la eficacia de la accin, en especial en
preparacin y la decisin.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para
propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta
para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los tiristores
pueden clasificarse en ocho categoras:
Notar que las caractersticas reversas son iguales segn lo discutido previamente para el rectificador o el diodo,
teniendo un voltaje breakover con su corriente de la avalancha que atiende; y una corriente de la salida para los
voltajes menos que el voltaje breakover. Sin embargo, en la direccin delantera con la puerta abierta, el restos del SCR
esencialmente en apagado una condicin (aviso sin embargo que hay una salida delantera pequea) para arriba hasta
que se alcanza el voltaje breakover delantero. En ese punto la curva se encaja a presin de nuevo a una caracterstica
delantera tpica del rectificador. El uso de un voltaje de puerta delantera pequeo cambia el SCR sobre su
caracterstica estndar del diodo adelante para los voltajes menos que el voltaje breakover delantero.
Obviamente, el SCR puede tambin ser cambiado excediendo el voltaje breakover delantero, no obstante esto
generalmente se considera un lmite de clculo y la conmutacin se controla normalmente con un voltaje de la puerta.
Una limitacin seria del SCR es el ndice de la subida de voltaje con respecto al tiempo, dV/dt. Un ndice grande de la
subida de voltaje del circuito puede accionar un SCR en la conduccin. Esto es una preocupacin del diseo de
circuito. La mayora de los usos del SCR estn en la conmutacin de la energa, el control de la fase, el interruptor, y
circuitos del inversor.
Las consideraciones importantes al pedir un SCR son:
(a) Voltajes de interrupcin delanteros y reversos mximos
(b) Corriente delantera mxima
(c) Voltaje y corriente de disparador de la puerta
(d) Mnimo que lleva a cabo la corriente, Ih
(e) Disipacin de la energa
(f) Mximo dV/dt
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar el paso de
corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo
circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia
la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Una vez arrancado,
podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga
disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en
cada alternancia o semiciclo.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y
entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de
tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito existente
entre la puerta y el nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de control. Podramos decir que un SCR
funciona como un interruptor electrnico.
Se llama tiratn a una vlvula termoinica parecida a un triodo que estuviera lleno de gas. Se utiliza para el control de
grandes potencias y corrientes, lo que en un dispositivo de vaco es muy difcil debido al nmero limitado de
electrones que puede producir un ctodo termoinico. Aadiendo un gas inerte que se ioniza, inicialmente por medio
de los electrones termoinicos, se tiene un nmero mucho mayor de portadores de corriente que en el triodo.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
230
A diferencia del triodo, la corriente de nodo no es proporcional a la tensin de rejilla, sino que cuando se dispara, se
produce la ionizacin del gas que lleva al dispositivo a su resistencia mnima.
Tiratrn de hidrgeno de General Electric, utilizado en radares.
Este SCR en conduccin virtualmente se comporta como un diodo comn, con su nodo y su ctodo, pero
ciertamente no es un diodo comn, la diferencia fsica se localiza en su patilla de control o puerta (gate), que en
su smbolo se representa por una conexin ms fina que, sale o entra con cierta inclinacin por un lado del
ctodo.
En el momento de conectar la tensin al SCR, ste no conduce, debido a la especial constitucin de la unin
nodo-ctodo que, para su cebado necesitan de una pequea corriente que los haga entrar en conduccin abrupta
(en avalancha), cosa que no ocurre mientras no est activada la mencionada puerta (gate), la cual requiere de una
corriente de encendido muy baja en comparacin con la corriente que suele atravesar el conjunto nodo-ctodo
del diodo. Una vez entra en conduccin el 'diodo', permanecer en conduccin mientras haya una corriente
mnima circulando a travs de la unin. Por lo tanto, slo dejar de conducir cuando se de la siguiente
circunstancia; Cese el paso de corriente por la unin del SCR y esto puede lograrse por diversos motivos, estos
son algunos de los motivos:
- Cortar la corriente por un medio mecnico (por un interruptor)
- Mediante el cruce de la unin nodo-ctodo (por un pulsador)
El rectificador controlado silicio (SCR) es simplemente un rectificador convencional controlado por una seal de
la puerta. El circuito principal es un rectificador, no obstante el uso de un voltaje delantero no es bastante para la
conduccin. Una seal de la puerta controla la conduccin del rectificador.
El circuito del rectificador (nodo-ctodo) tiene una resistencia delantera baja y una alta resistencia reversa. Es
controlado apagado de un estado (alta resistencia) encendido al estado (resistencia baja) por una seal aplicada al
tercer terminal, la puerta. Una vez que se d vuelta en l quede orientado incluso despus del retiro de la seal de
la puerta, mientras una corriente mnima, la corriente de la tenencia, Ih, se mantenga en el circuito de la caera o
del rectificador. Para dar vuelta apagado a un SCR el nodo-ctodo actual se debe reducir menos que la corriente
de la tenencia, Ih.
Notar que las caractersticas reversas son iguales segn lo discutido previamente para el rectificador o el diodo,
teniendo un voltaje breakover con su corriente de la avalancha que atiende; y una corriente de la salida para los
voltajes menos que el voltaje breakover. Sin embargo, en la direccin delantera con la puerta abierta, el restos del
SCR esencialmente en apagado una condicin (aviso sin embargo que hay una sal ida delantera pequea) para
arriba hasta que se alcanza el voltaje breakover delantero. En ese punto la curva se encaja a presin de nuevo a
una caracterstica delantera tpica del rectificador. El uso de un voltaje de puerta delantera pequeo cambia el
SCR sobre su caracterstica estndar del diodo adelante para los voltajes menos que el voltaje breakover
delantero.
Obviamente, el SCR puede tambin ser cambiado excediendo el voltaje breakover delantero, no obstante esto
generalmente se considera un lmite de clculo y la conmutacin se controla normalmente con un voltaje de la
puerta. Una limitacin seria del SCR es el ndice de la subida de voltaje con respecto al tiempo, dV/dt. Un ndice
grande de la subida de voltaje del circuito puede accionar un SCR en la conduccin. Esto es una preocupacin
del diseo de circuito. La mayora de los usos del SCR estn en la conmutacin de la energa, el control de la
fase, el interruptor, y circuitos del inversor.
Las consideraciones importantes al pedir un SCR son:
(a) Voltajes de interrupcin delanteros y reversos mximos
(b) Corriente delantera mxima.
INTERRUPTOR ESTTICO EN SERIE
En la Fig. 1a se muestra un interruptor esttico en serie de media onda. Si el interruptor se cierra como ese muestra en
la Fig. 1b, una corriente de compuerta fluir durante la parte positiva de la seal de entrada y encender al SCR. El
resistor
1
R limita la magnitud de la corriente de compuerta.
Cuando el SCR se enciende, el voltaje del nodo al ctodo (
F
V ) caer hasta el valor de conduccin, lo que ocasiona
una corriente de compuerta muy reducida y una muy pequea prdida en el circuito de compuerta. Para la regin
negativa de la seal de entrada, el SCR se apagar debido a que el nodo es negativo con respecto al ctodo. El diodo
1
D se incluye para evitar una inversin de la corriente de compuerta.
El resultado de todo esto es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea una conduccin
menor a 180, puede cerrarse el interruptor en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la seal de
entrada. El interruptor puede ser electrnico, electromagntico o mecnico; segn la aplicacin.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
231
CONTROL DE FASE DE RESISTENCIA VARIABLE
En la Fig. 2 se muestra un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180. La combinacin de
los resistores R y
1
R limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada. Si
1
R se
ajusta en su valor mximo, la corriente de la compuerta podra nunca alcanzar la magnitud de encendido. A medida
que
1
R disminuye a partir de su mximo, la corriente de compuerta se incrementar a partir del mismo voltaje de
entrada.
De esta forma, la corriente de compuerta de encendido requerida se puede establecer en cualquier punto entre 0 y 90.
Si
1
R es bajo, el SCR se disparar de forma casi inmediata. Sin embargo, si
1
R se incrementa, ser necesario un
voltaje de entrada mayor (positivo) para disparara el SCR.
El control no puede extenderse ms all del desplazamiento de fase de 90 dado que la entrada se encuentra a su
mximo en este punto. Si falla para disparar a ste y menores valores de voltaje de entrada en la pendiente positiva de
la entrada, la misma respuesta deber esperarse en la parte con pendiente negativa de la forma de onda de la seal.
Esta operacin se denomina normalmente como control de fase de media onda por resistencia variable, y es un mtodo
efectivo para controlar la corriente rms, y por tanto, la potencia hacia la carga.
El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin como el
rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo denomin
SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura
siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR. Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un
rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es
la misma que la del diodo PNPN. Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de
controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado,
permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se
inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Una vez
arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga
disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada
alternancia o semiciclo. Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste
puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima
de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito
existente entre la puerta y el nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de control. Podramos decir que un SCR funciona
como un interruptor electrnico.
Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de
encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la
corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve V
BO
. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin
seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la
aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga
por debajo de I
H
. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su
estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la
cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.
Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de
control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en
clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A.
Un SCR.
Se activa cuando el voltaje V
D
que lo alimenta excede V
BO
Tiene un voltaje de ruptura V
BO
, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente i
G
, presente en el SCR
Se desactiva cuando la corriente i
D
que fluye por l cae por debajo de I
H
Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.
Los SCS y SCR se utilizan en aplicaciones semejantes. El SCS tiene la ventaja de apagado ms rpido con pulsos en
cualquiera de sus terminales de compuerta; sin embargo, es ms limitado en trminos de los rangos de corriente y
voltaje mximos. Adems, el SCS se usa algunas veces en aplicaciones digitales, tales como contadores, registradores
y circuitos de sincronizacin.
La muestra las zonas dopadas de un interruptor controlado de silicio
(SCS, en ingles Silicon Controlled Switch). Ahora un terminal
externo se conecta a cada zona dopada. Imaginemos el dispositivo
separado en dos secciones (b). Resulta equivalente a un latch con
acceso a ambas bases (c). Un disparo de polarizacin directa en
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
232
cualquiera de las bases cerrar el SCS. De la misma manera, un dispositivo de polarizacin inversa en cualquiera de
las bases abrir el dispositivo.
Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor),
pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el
estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate.
El smbolo para el tiristor GTO usado ms frecuente, as como sus caractersticas de conmutacin se muestran en la
figura.
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un
voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales gate y ctodo, la corriente en el gate (ig), crece. Cuando la
corriente en el gate alcanza su mximo valor IGR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del
dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor
a 1s. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como
corriente de cola.
La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima
corriente negativa en el gate (IGR) requerida para el voltaje
es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un
voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO
normalmente requiere una corriente negativa de pico en el
gate de 250 A para el apagado.
La estructura del GTO es esencialmente la misma que un
tiristor convencional. Como se muestra en la figura, existen
4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales
(nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica
en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el
GTO.
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad
en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de vas en directa el GTO se bloquea hasta que
un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V
y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa,
solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando
ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin
de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado.
Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO
se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la
corriente de nodo IA por medios externos hasta un
valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual,
la accin regenerativa interna no es efectiva. La
segunda forma de apagarlo es por medio de un
pulso en el gate, y este es el mtodo ms
recomendable porque proporciona un mejor
control.
Como el GTO tiene una conduccin de corriente
unidireccional, y puede ser apagado en cualquier
instante, ste se aplica en circuitos chopper
(conversiones de dc- dc) y circuitos inversores
(conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los
que los MOSFETs, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de
conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de
conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
El SCS (SILICON CONTROLED SWITH)
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
El interruptor controlado de silicio (SCS) es un tiristor con una compuerta adicional. Puede usarse como un tiristor,
pero que se dispara con pulsos positivos o negativos en cualquiera de las compuertas. El interruptor controlado de
silicio, de la misma forma que el rectificador controlado de silicio, es un dispositivo pnpn de cuatro capas; todas estas
capas semiconductoras del SCS se encuentran disponibles gracias a la adicin de una compuerta de nodo. Sin
embargo, tambin puede pasar al estado de no conduccin aplicando pulsos a las compuertas. Un interruptor de silicio
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
233
controlado consiste en una estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones semiconductoras son accesibles. El
dispositivo puede ser considerado como un circuito integrado con sendos transistores npn y pnp conectados como un
par de realimentacin positiva. Siendo accesibles las cuatro regiones, la realimentacin positiva es fcilmente
controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un amplificador lineal de
elevada ganancia de c.c. o como un interruptor.
El SCS es semejante en construccin al SCR. Sin embargo, el SCS tiene dos
terminales de compuerta, como se muestra en la figura 3.1: la compuerta del
ctodo y la compuerta del nodo. El SCS puede encenderse y apagarse usando
cualquiera de sus terminales de compuerta. El SCR puede encenderse usando
slo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se encuentra disponible slo
en rangos de potencia menores que las del SCR.
FUNCIONAMIENTO
La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al equivalente con transistores que se muestra en la
figura 3.2. Se supone que ambos Q1 y Q2 estn apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en
la compuerta andica lleva al Q2 hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la corriente de base al Q1.
Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona excitacin de base al Q2, manteniendo as el estado
encendido del dispositivo. Esta accin regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo
Shockley y se ilustra en la figura 3.2 (a).
OPERACIN DEL SCS
El SCS tambin puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del nodo, como se muestra en la figura (a).
Esto energiza al Q1 hacia conduccin, en el que a su vez proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2
est encendido, proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1, sosteniendo as el estado encendido.
Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del nodo. Esta accin polariza e inversa a la unin base-
emisor del Q1 y lo apaga. El Q2 a su vez, se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte (b). El SCS
tiene comnmente un tiempo de apagado ms rpido que el SCR.
Adems del pulso positivo en la compuerta del nodo o el negativo en la del ctodo, existen otros mtodos para apagar
un SCS. Las figuras 1.3 (a) y (b) muestran los mtodos de conmutacin para reducir la corriente del nodo abajo del
valor de retencin. En cada caso, el transistor opera como un interruptor. El interruptor transistorizado reduce la IA
debajo de IH y apaga al SCS.
Figura 3.2.
(a) Paso a encendido: pulso positivo en GK o negativo en GA
(b) Paso a apagado: pulso positivo en GA o negativo en GK
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
234
Modelo
de tiristor de dos transistores:
La accin regenerativa o de enganche debido a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un modelo
de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor
PNP, Q
1
, y un transistor NPN, Q
2
, tal y como se demuestra en la figura 3.
La corriente del colector I
C
de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor I
E
y la corriente de fuga
de la unin colector-base I
CBO
, como:
I
C
= I
E
+ I
CBO
(1)
La ganancia de corriente de base comn se define como o =I
C
/I
E
. Para el transistor Q
1
la corriente del emisor es la
corriente del nodo I
A
, y la corriente del colector I
C1
se puede determinar a partir de la ecuacin (1):
I
C1
= o
1
I
A
+ I
CBO1
(2)
Donde o
1
es la ganancia de corriente e I
CBO1
es la corriente de fuga para Q
1
. En forma similar para el transistor Q
2
, la
corriente del colector I
C2
es:
I
C2
= o
2
I
K
+ I
CBO2
(3)
Donde o
2
es la ganancia de corriente e I
CBO2
es la corriente de fuga correspondiente a Q
2
. Al combinar I
C1
e I
C2
,
obtenemos:
I
A
= I
C1
+ I
C2
= o
1
I
A
+ I
CBO1
+ o
2
I
K
+ I
CBO2
(4)
Pero para una corriente de compuerta igual a I
G
, I
K
=I
A
+I
G
resolviendo la ecuacin anterior en funcin de I
A
obtenemos:
IA = o
2
IG +ICBO1+ICBO2 / 1- (o
1
+ o
2
)
En particular, un INTERRUPTOR DE SILICIO CONTROLADO consiste en una estructura de cuatro capas cuyas
cuatro regiones semiconductoras son accesibles. El dispositivo puede ser considerado como un circuito integrado con
sendos transistores npn y pnp conectados como un par de realimentacin positiva. Siendo accesibles las cuatro
regiones, la realimentacin positiva es fcilmente controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un
amplificador lineal de elevada ganancia de c.c. o como un interruptor.
El SCS es semejante en construccin al SCR. Sin
embargo, el SCS tiene dos terminales de
compuerta, como se muestra en la figura 1.1: la
compuerta del ctodo y la compuerta del nodo. El
SCS puede encenderse y apagarse usando
cualquiera de sus terminales de compuerta. El SCR
puede encenderse usando slo su terminal de
compuerta. Normalmente el SCS se encuentra
disponible slo en rangos de potencia menores que
las del SCR.
El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de
SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse
ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR
es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente.
Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores.
Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar
en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.
El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse ms rpido
mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se
encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como
contadores y circuitos temporizadores.
El interruptor controlado de silicio (SCS), al igual que el rectificador controlado de silicio, es un dispositivo pnpn de
cuatro capas. Las cuatro capas semiconductoras del SCS estn disponibles debido a la adicin de una compuerta del
nodo, como se muestra en la figura 2.2. El smbolo grafico y el circuito de transistor equivalente se muestran en la
misma figura 2.1.
Las caractersticas del dispositivo son en esencial las mismas que las del SCR. El efecto de la corriente de compuerta
de nodo es muy similar al mostrado para la corriente de compuerta de la figura 1.2. Entre mayor sea la corriente de
compuerta de nodo menor ser el voltaje nodo a ctodo requerido para encender el dispositivo. La conexin de
compuerta de nodo puede usarse para encender o apagar el dispositivo. Para encender al dispositivo se debe aplicar
Figura 3.3. (a) El interruptor en serie apaga al SCS (b) El interruptor en paralelo apaga al SCS
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
235
un pulso negativo a la terminal de compuerta de nodo, mientras que se requiere un pulso positivo para apagar al
dispositivo. La necesidad del tipo de pulso indicado con anterioridad puede demostrarse por medio del circuito de la
figura 2.3. Un pulso negativo en la compuerta de nodo polarizada en forma directa la unin base a emisor de Q1
encendindolo.
La gran corriente de colector resultante I
C,
encender a Q2, dando como resultado una accin regenerativa y el estado
encendido para el dispositivo SCS.
Un pulso positivo en la compuerta de nodo polarizara en forma inversa la unin base a emisor de Q1 apagndola, lo
cual origina un estado apagado de circuito abierto del dispositivo.
Por lo general, la corriente de disparo de la compuerta de nodo (encendido) es mayor en magnitud que la corriente
requerida de compuerta ctodo.
Para un dispositivo SCS representativo, la corriente de disparo de compuerta de nodo es de 1.5mA, mientras que la
corriente de ctodo requerida es de 1uA.
La corriente de compuerta de encendido que se requiere en cualquier terminal est afectado por muchos factores.
Algunos incluyen la temperatura de operacin, el voltaje nodo a ctodo, la colocacin de la carga y el tipo de ctodo,
compuerta a ctodo o compuerta de nodo a nodo (circuito cerrado, circuito abierto, polarizacin, carga, etc.).
Se dispone normalmente de tablas, graficas de curvas de cada dispositivo para proporcionar el tipo de informacin
indicad anteriormente.
Circuito de Alarma
Observe que el potencial de compuerta se encuentra aproximadamente en 0 V si Rs es igual al valor establecido por el
resistor variable dado que ambos resistores tendrn 12 V a travs de ellos. Sin embargo, si Rs disminuye, el potencial
de la unin se incrementar hasta que el SCS se encuentra polarizado de forma directa, lo que ocasionar que el SCS
se encienda y active el relevador de la alarma.
El resistor de 100 k se incluye para reducir la posibilidad de un disparo accidental del dispositivo por un fenmeno
conocido como efecto dependiente, el cual es causado por los niveles de capacitancia parsita entre las compuertas.
Un transitorio de alta frecuencia podra establecer suficiente corriente de base para encender de forma accidental al
SCS. El dispositivo se reinicializa al presionar el botn de reinicio, el cual abre la trayectoria de conduccin del SCS y
reduce la corriente del nodo a cero.
La sensibilidad de los resistores a la temperatura, luz o radiacin, cuya resistencia se incrementa gracias a la aplicacin de
cualquiera de estas tres fuentes de energa, puede ajustarse al simplemente intercambiar la ubicacin de R
s
y del resistor variable.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda
conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de
conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir
conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor
a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que
causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin V
G
(voltaje
de la compuerta) con respecto a tierra no sea cero.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda
conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de
conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir
conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
236
a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la
tensin V
G
(voltaje de la compuerta) con respecto a tierra no sea cero.
CONMUTACION DEL SCS
A continuacin se muestra tres de los tipos ms fundamentales de circuitos de conmutacin con los SCS.
Cuando se aplica un pulso al circuito de la figura 2.4, el transistor tiene una gran conduccin, lo cual da como
resultado una caracterstica de baja impedancia aproximadamente circuito cerrado entre colector y emisor.
Esta rama de baja impedancia desva la corriente de nodo del SCS, hacindola que caiga por abajo del valor de
sostenimiento y, por consecuencia, apagndola.
En forma similar, el pulso positivo en la compuerta de nodo de la figura 2.5 apagara a SCS por el mecanismo descrito
anteriormente en esta seccin.
El circuito de la figura 2.6 puede ser apagado o encendido por un pulso de la magnitud adecuada en la compuerta del
ctodo. La caracterstica de apagado es posible solamente si se emplea el valor correcto de R
A.
Esta controlara la cantidad de retroalimentacin regenerativa, cuya magnitud es crtica para este tipo de lo aeracin.
Obsrvese la diversidad de posiciones en que puede colocarse la resistencia de carga RL. Tambin existen otras
posibilidades que pueden encontrarse en cualquier manual de semiconductores completo.
Una ventajea del SCS sobre un SCR correspondiente es el tiempo de apagado reducido, tpicamente dentro de un
rango de 1 a 10 us para el SCS y de 5 30 us para el SCR.
Algunas de las ventajas adicionales del SCS sobre el SCR incluyen un mayor control y sensibilidad al disparo ms
previsible. Sin embargo, en la actualidad el SCS est limitado a valores de baja potencia, corriente y voltaje.
El rango de corriente de nodo mximo tpico va de 100 a 300mA con valores de disipacin de 100 a 500 mW.
FUNCIONAMIENTO Y ESTRUCTURA
El interruptor controlado de silicio (SCS) es un tiristor con una compuerta adicional. Puede usarse como un tiristor,
pero que se dispara con pulsos positivos o negativos en cualquiera de las compuertas. Sin embargo, tambin puede
pasar al estado de no conduccin aplicando pulsos a las compuertas.
Un interruptor de silicio controlado consiste en una estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones semiconductoras
son accesibles.
El dispositivo puede ser considerado como un circuito integrado con sendos transistores npn y pnp conectados como
un par de realimentacin positiva. Siendo accesibles las cuatro regiones, la realimentacin positiva es fcilmente
controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un amplificador lineal de elevada ganancia de c.c. o como un
interruptor. El SCS es semejante en construccin al SCR. Sin embargo, el SCS tiene dos terminales de compuerta,
como se muestra en la figura 1.1: la compuerta del ctodo y la compuerta del nodo. El SCS puede encenderse y
apagarse usando cualquiera de sus terminales de compuerta.
El SCR puede encenderse usando slo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se encuentra disponible slo en
rangos de potencia menores que las del SCR.
MODO DE OPERACIN Y CIRCUITO EQUIVALENTE
La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al equivalente con transistores que se muestra en la
figura 1.2. Se supone que ambos Q
1
y Q
2
estn apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en
la compuerta andica lleva al Q
2
hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la corriente de base al Q
1
.
Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona excitacin de base al Q
2
, manteniendo as el estado
encendido del dispositivo. Esta accin regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo
Shockley y se ilustra en la figura 1.2 (a).
El SCS tambin puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del nodo, como se muestra en la figura (a).
Esto energiza al Q1 hacia conduccin, en el que a su vez proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2
est encendido, proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1, sosteniendo as el estado encendido.
Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del
nodo. Esta accin polariza e inversa a la unin base-emisor
del Q
1
y lo apaga. El Q
2
a su vez, se apaga y el SCS deja de
conducir como se muestra en la parte (b). El SCS tiene
comnmente un tiempo de apagado ms rpido que el SCR.
Adems del pulso positivo en la compuerta del nodo o el
negativo en la del ctodo, existen otros mtodos para apagar
un SCS.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
237
Las figuras 1.3 (a) y (b) muestran los mtodos de conmutacin para reducir la corriente del nodo abajo del valor de
retencin. En cada caso, el transistor opera como un interruptor.
APLICACIONES
Los SCS y SCR se utilizan en aplicaciones semejantes. El SCS tiene la ventaja de apagado ms rpido con pulsos en
cualquiera de sus terminales de compuerta; sin embargo, es ms limitado en trminos de los rangos de corriente y
voltaje mximos. Adems, el SCS se usa algunas veces en aplicaciones digitales, tales como contadores, registradores
y circuitos de sincronizacin.
APLICACIN 1: OSCILADOR A TIRISTOR
El rectificador controlado por silicio (SCR) es un dispositivo interruptor pnpn de cuatro capas que conduces cuando la
tensin de ruptura del dispositivo (figura 8.6). Tambin la conmutacin puede ser disparada mediante la aplicacin de
un impulso positivo en la puerta. Cuando el SCR est conduciendo, la tensin entre los terminales cae a un pequeo
valor conocido como tensin de mantenimiento. Una vez que el SCR conduce, solamente se podr poner en corte
cuando el potencial del nodo caiga por debajo de la tensin de mantenimiento.
Un dispositivo interruptor ms verstil es el conmutador de silicio (SCS) que se muestra en la figura 8.7. En este caso
una segunda puerta G2, conocida como puerta de nodo, acta como un terminal de control. Esta puerta adicional
tambin puede utilizarse para disparar el dispositivo. Esta vez, sin embargo, se necesita un impulso negativo. Tanto el
SCS como el SCR son normalmente conocidos como tiristores.
Un tiristor auto-oscilante utilizando un SCS. Cuando la tensin entre terminales de C1 excede la tensin de ruptura del
tiristor, este conduce y descarga el condensador muy rpidamente a travs de R2. El tiristor permanece en conduccin
hasta que su potencial de nodo cae por debajo de su potencial de mantenimiento, es decir, cuando el condensador esta
casi totalmente descargado. Cuando esto sucede, el tiristor se pone en corte y el condensador comienza a cargarse de
nuevo y as sucesivamente. Entre terminales de C1 se obtiene una forma de onda en diente de sierra mientras se
obtiene un impulso de salida entre los terminales de R2.
La sincronizacin se obtiene mediante la alimentacin de los impulsos de sincronismo de campo en una de las puertas
de control, un impulso de pendiente positiva en la puesta de ctodo o un impulso de pendiente negativa en la puesta
del nodo. La frecuencia natural del oscilador se determina por la constante de tiempo C1/R1.
APLICACIN 2: ALARMA CARRIER
Con el interruptor del monitor cerrado, la aparicin del signo
del portador sobre el canal empieza el monitoreo por el
receptor hace que el Fet active el 3N84 para opera la alarma
de Sonalert. La alarma contina hasta que el interruptor se
abra, aunque el portador desaparece. El monitor trabaja mejor
cuando la entrada del terminal A se conecta a la reja de
amplificador de DC en el circuito de chapoteo del receptor;
esto previene la activacin del 3N84 por el ruido.
APLICACIN 3: SENSOR DE VOLTAJE.
Algunas de las reas ms comunes de aplicacin incluyen una
amplia variedad de circuitos de computadora (contadores,
registros y circuitos temporizadores), generadores de pulsos,
sensores de voltaje y osciladores. Una aplicacin simple de un
SCS es en un dispositivo sensor de voltaje como el que se
muestra en la Figura 6. Se trata de un sistema de alarma con n
entradas de las distintas estaciones.
Cualquiera de estas entradas encender el SCS particular, lo
que da por resultado un relevador de alarma activado y una
luz en el circuito de compuerta de nodo para indicar la
ubicacin de la entrada (perturbacin).
APLICACIN 4: CIRCUITO DE ALARMA.
Figura 3.5. Circuito de Alarma.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
238
Una aplicacin adicional del SCS es el circuito de alarma de la Figura 3.7, Rs representa un resistor sensible a la
temperatura, la luz o la radiacin, el cual, es un elemento cuya resistencia disminuye al aplicar cualquiera de las tres
fuentes de energa mencionadas antes.
El potencial de la compuerta de ctodo est determinado por la relacin de
divisor establecida por Rs y el resistor variable. Observe que el potencial de
compuerta se encuentra aproximadamente en 0 V si Rs es igual al valor
establecido por el resistor variable dado que ambos resistores tendrn 12 V a
travs de ellos. Sin embargo, si Rs disminuye, el potencial de la unin se
incrementar hasta que el SCS se encuentra polarizado de forma directa, lo que
ocasionar que el SCS se encienda y active el relevador de la alarma.
El resistor de 100 k se incluye para reducir la posibilidad de un disparo
accidental del dispositivo por un fenmeno conocido como efecto dependiente,
el cual es causado por los niveles de capacitancia parsita entre las compuertas.
Un transitorio de alta frecuencia podra establecer suficiente corriente de base
para encender de forma accidental al SCS. El dispositivo se reinicializa al
presionar el botn de reinicio, el cual abre la trayectoria de conduccin del SCS y reduce la corriente del nodo a cero.
La sensibilidad de los resistores a la temperatura, luz o radiacin, cuya resistencia se incrementa gracias a la
aplicacin de cualquiera de estas tres fuentes de energa, puede ajustarse al simplemente intercambiar la ubicacin de
Rs y del resistor variable.
El GTO (INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPUERTA)
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un
SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de
compuerta del orden de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de
corriente negativa de entre 20 y 30m s de duracin. La magnitud de la pulsacin de
corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el
aparato.
Un tiristor GTO (tiristor de apagado de puerta) es un SCR que puede apagarse por
una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente
ID excede IH. Se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los aos
setenta. Son comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan
componentes externos para apagar los SCR en circuitos de CC.
Este dispositivo slo cuenta con tres terminales externas. Aunque el smbolo del GTO es diferente tanto al del SCR y
al del SCS, el equivalente del transistor es exactamente el mismo y las caractersticas son similares. La ventaja ms
obvia del GTO sobre el SCR y el SCS es el hecho de que puede ser encendido o apagado mediante la aplicacin del
pulso apropiado a la compuerta del ctodo, sin la compuerta del nodo y dems circuitera requerida para el SCS. Una
consecuencia de esta capacidad de apagado es un incremento en la magnitud de la corriente de compuerta requerida
para el disparo. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las
aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos
dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de
control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de
componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. El SCR
tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito
de potencia anule su corriente andica esto ha reducido su empleo a
circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo).
Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado
conseguir que los SCR pudiesen cortarse desde la puerta. A principios
de los aos 80 aparecen los primeros GTOs.
Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO
es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la
corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos
para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms
comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos
para apagar los SCR en circuitos de cc. Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido
que un SCR comn.
Figura 4.1. Smbolo de
GTO
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
239
Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para apagarlos
se necesita una gran pulsacin de corriente negativa de entre 20 y 30 s de duracin. La magnitud de la pulsacin de
corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.
Al aplicar una tensin negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente saliente por la puerta. Aparece una
focalizacin de la corriente nodo-ctodo hacia el centro de la difusin n+ catdica debido a la tensin lateral. Esta
corriente polariza directamente la zona central de la unin catdica, manteniendo al SCR en conduccin.
CONSTITUCIN
Las siglas significan GTO Gate Turn-Off Thyristor. A pesar de
que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60,
ha sido poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con
el avance de la tecnologa en el desarrollo de dispositivos
semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para
mejorar tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja
significa dentro de la electrnica de potencia, especialmente en
aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A. Como se ha visto en los
apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los tiristores
tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte
del usuario del paso de conduccin a bloqueo.
Para aquellas aplicaciones en las que nos interese
poder bloquear un interruptor de potencia en
cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de
semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs.
El GTO es un tiristor con capacidad externa de
bloqueo. La puerta permite controlar las dos
transiciones: paso de bloqueo a conduccin y
viceversa. El smbolo utilizado para el GTO se
muestra en la siguiente figura (Fig. 4.4), as como
su estructura interna en dos dimensiones.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los tiristores. Su caracterstica
principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a travs de seales adecuadas en el terminal de puerta
G. El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente polarizado, cuando se le
inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina,
gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo
atrados por el potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por encima de la
corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para mantenerse en conduccin. La figura
4.4 muestra una representacin simplificada de los procesos de entrada y salida de conduccin del GTO. La aplicacin
de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres
(agujeros) presentes en las capas centrales del dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea posible el
restablecimiento de la barrera de potencial en la unin J2.
Aparentemente tal comportamiento tambin sera posible en el SCR. Pero, en realidad, las diferencias estn en el nivel
de construccin del componente. El funcionamiento como GTO depende, por ejemplo, de factores como:
Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de puerta esto es posible debido al uso de impurezas con alta
movilidad.
Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales uso de impurezas con bajo tiempo de recombinacin. Esto
indica que un GTO tiene una mayor cada de tensin en conduccin, comparado a un SCR de dimensiones iguales.
Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin entrar en avalancha menor dopado en la regin del ctodo.
Figura 4.5. Proceso de conmutacin (abertura y cierre) del GTO
Figura 4.3. Representacin de un GTO
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
240
Absorcin de portadores de toda la superficie conductora regin de puerta-ctodo con gran rea de contacto.
Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear
tensiones inversas.
La figura siguiente (Fig. 4.6) muestra las caractersticas estticas (corriente
tensin) del GTO.
Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del
estado OFF al estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta
es negativa, el semiconductor dejar de conducir, pasando del estado de
ON a OFF.
Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier
momento. Ntese que al tratarse de un tiristor, la corriente slo puede
circular de nodo a ctodo, pero no en sentido contrario. Evidentemente,
este dispositivo es ms caro que un SCR y adems el rango de tensiones y
corrientes es ms pequeo que en el caso de los SCRs. En general se suelen
llegar a potencias entorno a los 500kW como mximo. La tensin nodo-
ctodo en conduccin directa tambin es ms elevada que para los tiristores convencionales.
Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor),
pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el
estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate.
El proceso de encendido es similar al del tiristor.
Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo
es aplicado a travs de las terminales gate y ctodo, la corriente en el gate (ig),
crece. Cuando la corriente en el gate alcanza su mximo valor IGR, la corriente de
nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a
crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente
menor a 1s. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin
de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (IA/IGR) de
la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en el gate (IGR) requerida
para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de
2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente
negativa de pico en el gate de 250 A para el apagado.
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo
se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA
leak) existe. Con un voltaje de vas en directa el GTO se bloquea hasta que un
voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso
dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga.
Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una
pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK
puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de
ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una
regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de
polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada
al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin,
existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor
menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de
apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor
control.
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se
aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia
en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores
de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de
conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad
en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que
un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V
y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa,
Figura 4.6. Caracterstica
esttica (I V) de un GTO.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
241
solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un
pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin,
existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor
menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de
apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor
control.La ganancia se calcula con la siguiente formula.
Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser lo mayor posible, para ello debe ser
a2=1 (lo mayor posible) y a1=0 (lo menor posible):
alfa2=1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) este
muy dopado. Estas condiciones tambin son normales en los SCRs.
alfa1=0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta.
Diferencias con el SCR
Las principales diferencias con el SCR son:
Interconexin de capas de control (ms delgada) y catdicas, minimizando distancia entre puerta y centro de
regiones catdicas y aumentando el permetro de las regiones de puerta.
Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las regiones catdicas.
Regiones n+ que cortocircuitan regiones andicas:
Acelerar el apagado
Tensin inversa de ruptura muy baja
Inyeccin de automvil
Los pulsos obtenidos de disparo que salen del oscilador de
relajacin UJT pueden ser usados para disparar un GTO. Por
ejemplo, la figura abajo muestra parte del sistema de
inyeccin de un automvil. Con los terminales del distribuidor
abiertos, El capacitor se carga exponencialmente hasta 12 V.
Luego que la tensin del capacitor excede la tensin de
abastecimiento intrnseca, el UJT conduce fuertemente a
travs del devanado primario. La tensin del secundario
dispara en tanto el GTO. Cuando se traba el GTO se sierra,
entonces el terminal positivo del capacitor de salida es
sbitamente puesto a tierra. A medida que el capacitor de salida se descarga a travs de la bobina de inyeccin, un alto
pulso de tensin alimenta las dos resistencias de entrada. Cuando los contactos se sierran, el circuito se realimenta,
preparndose para el siguiente ciclo
ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO
Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el
cristal. Si slo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente, se puede daar. Ntese que si slo entra en
conduccin una parte bajar la tensin nodo ctodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrn entrar en
conduccin.
Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON
de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente.
(Tiene menos ganancia que el SCR). Para cortar el GTO se aplica
una corriente IG - =IA/off muy grande, ya que off es del orden de
5 a 10. Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero
debe mantenerse una tensin negativa en la puerta para evitar que
pudiera entrar en conduccin espordicamente.
FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
242
Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el
cristal. Si solo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente se puede daar. Si solo entra en conduccin
bajara una parte de la tensin nodo-ctodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrn entrar en conduccin.
Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta
espontneamente (tiene menos ganancia que el SCR).
FORMA DE ONDA EN EL APAGADO DEL GTO
Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/boff muy grande. Ya
que boff es del orden de 5 a 10. Esta corriente negativa debe mantenerse
para evitar que el dispositivo entre en conduccin espontneamente.
MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE POR CORRIENTE DE PUERTA EN UN GTO
Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo
lateral, que provoca que la corriente andica se concentre en los puntos
ms alejados de las metalizaciones de puerta.
Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
Para que circule la corriente IG requerida, se necesita ms tensin.
Si sube IA se necesita an ms tensin -VGK.
Se podr subir -VGK hasta la tensin de ruptura de la unin Puerta-
Ctodo.
Esta ruptura definir la mxima corriente controlable desde la puerta
CARACTERSTICAS
El disparo se realiza mediante una VGK >0.
El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar ms
dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
El GTO (Gate - Turn - Off), es un dispositivo semiconductor de potencia que combina las caractersticas ms
deseables de un tiristor convencional con las caractersticas de un transistor bipolar, presentando la ventaja de poder
pasar del estado de conduccin al estado de bloqueo mediante la aplicacin de un impulso
negativo a la puerta. El smbolo electrnico del GTO es similar al de un tiristor como se puede
ver en la figura.
El interruptor de estado slido (Gate tum-off switch) (GTO) es de construccin similar a la de
un tiristor, tiene cuatro capas y tres terminales, nodo, ctodo y puerta. Se conecta por flujo de
Figura 4.9. Forma de Onda de Encendido del GTO.
Figura 4.10. Forma de Onda de Apagado del GTO.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
243
corriente en el terminal de puerta, como en el tiristor convencional, pero puede desconectarse eliminando la corriente
de la puerta, es decir, con corriente de puerta negativa.
El funcionamiento del GTO puede explicarse con referencia a la analoga de los dos transistores. Aqu la corriente de
puerta IG se muestra fluyendo en el terminal G2, pero suponiendo que los dos transistores en conduccin, si la
corriente de puerta se elimina de este terminal, se desviar toda la corriente de base del transistor n-p-n,
desconectndolo.
El smbolo del GTO se muestra en la figura, siendo similar al del tiristor excepto por la puerta, que indica la doble
direccin del flujo de corriente. Las curvas estticas para el GTO, mostradas en la figura 11.20, tambin son similares
a las del tiristor, una vez que se ha conectado por suficiente corriente de puerta.
A bajos niveles de corriente de puerta, funciona en la regin del transistor, con una familia de curvas de ataques de
puerta en aumento.
La mayora de las especificaciones y caractersticas de un GTO son las mismas que las de un tiristor, excepto en lo
siguiente. El GTO tiene un alto rango de tensin de bloqueo directo, comparable al que se puede conseguir en un
tiristor, pero su rango de tensin inversa es baja, entre 10 y 20V, y en este aspecto es similar al transistor. El GTO
tambin tiene una mayor cada de tensin y una mayor corriente de enclavamiento que el tiristor. Este ltimo
parmetro significa que en la conexin, el ataque de puerta tiene que mantenerse durante un perodo mayor, para
asegurar que se ha alcanzado la corriente de enclavamiento.
Como se espera, es en el proceso de desconexin donde el GTO difiere ms del tiristor. Antes de desconectarse, todas
las regiones estn fuertemente saturadas, y tiene que eliminarse el exceso de carga antes que realizarse la desconexin,
dando lugar aun tiempo de carga y de cada. El exceso de carga primero se elimina de la regin P1 en las
inmediaciones del terminal de puerta, y esta regin recuperada se ampla entonces sobre toda la unin. La corriente
continua fluyendo al pasar por las partes de la unin que todava no se han desconectado, aunque eventualmente toda
la regin se recupera y el perodo de carga finaliza.
Por lo tanto, el efecto de desconectarlo es similar a la conexin de un tiristor, donde la corriente se pasa inicialmente
por la pequea regin de conexin ms cercana a la puerta. En las hojas de datos se marcan dos parmetros en los
GTO, que no se dan para los tiristores, la tensin de desconexin de puerta (VGQ) y la corriente de desconexin de
puerta (IGQ). Con el incremento de la temperatura se degrada el tiempo de desconexin, el tiempo de conexin y la
ganancia de desconexin.
Descebado De Los Gto
En los GTO, el bloqueo se efecta aplicando un impulso negativo a la puerta.
La utilizacin, para hacerlo, de una fuente de corriente provocara una disipacin de potencia importante, por lo que se
recurre a una fuente de tensin.
El valor de la tensin negativa impuesta al electrodo de control debe estar comprendido entre 6 y 8 V y, en ningn
caso, sobrepasar los 10 V; la duracin de aplicacin de la polarizacin negativa debe ser de 20 a 30 ms,
aproximadamente, para permitir al dispositivo recuperar sus propiedades de bloqueo.
Por ejemplo, una fuente de tensin negativa destinada, por mediacin de un tiristor de GTO, a interrumpir una
corriente continua de 5 A con una reaplicacin de tensin de 500 V, puede escogerse igual a -8 V para una duracin de
aplicacin de esta tensin de 30 ms. La alimentacin se constituye de tal forma que, durante 3 mS, transmita una
corriente de 1,5 A sin que la tensin correspondiente decrezca ms del 20%.
Apertura por condensador
Directamente deducido del circuito anterior, el montaje de extincin por condensador
ofrece un cierto nmero de ventajas. El principio utilizado consiste en descargar un
condensador que presenta, en los primeros microsegundos, las caractersticas de una
alimentacin con tensin constante (figura 11.21). Puede suministrar, por otra parte,
una corriente importante durante el tiempo necesario para el rebloqueo, y conservar una
carga suficiente que permita la reaplicacin de la tensin en el nodo del tiristor
bloqueable.
La corriente de cebado del dispositivo viene suministrada por la carga del condensador
C a travs de la resistencia R; es preciso, adems, que C est cargado al final del tiempo
de conduccin.
Caracterstica V I
La caracterstica V - I del GTO, es similar a la de un tiristor convencional. La
tensin nodo ctodo, VAK cuando el dispositivo est conduciendo ser
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
244
aproximadamente de 3 V y la corriente que circula, solo est limitada por la carga exterior colocada en el circuito.
Caracterstica inversa
La caracterstica inversa del GTO es equivalente a una resistencia la cual es incapaz de bloquear voltaje o de conducir
una corriente significativa. Para continua el dispositivo no presenta ningn problema, no obstante, si se quiere
bloquear cualquier voltaje inverso, se deber conectar en serie con el GTO un diodo. Si se quiere que pase la corriente,
se debe conectar un diodo en anti paralelo con el dispositivo. Esto se puede ver representado en la figura.
Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada,
aun si la corriente iD excede IH.
Se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los aos setenta. son comunes en las unidades de control de
motores, ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.
Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO
es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la
corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos
para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms
comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos
para apagar los SCR en circuitos de cc.
A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la
dcada de los aos 60, ha sido poco empleado debido
a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la
tecnologa en el desarrollo de dispositivos
semiconductores, se han encontrado nuevas
soluciones para mejorar tales componentes que hacen
que hoy ocupen una franja significa dentro de la
electrnica de potencia, especialmente en aquellas
aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A.
Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los tiristores tipo SCR o TRIAC es que no
tenemos control externo por parte del usuario del paso de conduccin a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que
nos interese poder bloquear un interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de
semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs.
El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de
bloqueo a conduccin y viceversa. El smbolo utilizado para el GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 2.12), as
como su estructura interna en dos dimensiones.
El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los tiristores. Su caracterstica
principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquear a travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente polarizado, cuando se le inyecta
corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo.
Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N adyacente,
atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si
sta corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta
para mantenerse en conduccin.
La figura 2.13 muestra una representacin simplificada de los procesos de entrada y salida de conduccin del GTO.
La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO.
Portadores libres (agujeros) presentes en las capas centrales del dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que
sea posible el restablecimiento de la barrera de potencial en la unin J2.
Aparentemente tal comportamiento tambin sera posible en el
SCR. Pero, en realidad, las diferencias estn en el nivel de
construccin del componente. El funcionamiento como GTO
depende, por ejemplo, de factores como:
Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de
puerta esto es posible debido al uso de impurezas con alta
movilidad.
Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales
uso de impurezas con bajo tiempo de recombinacin. Esto
indica que un GTO tiene una mayor cada de tensin en
conduccin, comparado a un SCR de dimensiones iguales.
Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin entrar en avalancha menor dopado en la regin del ctodo.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
245
Absorcin de portadores de toda la superficie conductora regin de puerta-ctodo con gran rea de contacto.
Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensiones inversas.
La figura siguiente (Fig. 2.14) muestra las caractersticas estticas (corriente tensin) del GTO.
Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar
del estado OFF al estado ON. Por el contrario, si la corriente
por la puerta es negativa, el semiconductor dejar de conducir,
pasando del estado de ON a OFF.
Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor
en cualquier momento.
Ntese que al tratarse de un tiristor, la corriente slo puede
circular de nodo a ctodo, pero no en sentido contrario. Evidentemente, este dispositivo es ms caro que un SCR y
adems el rango de tensiones y corrientes es ms pequeo que en el caso de los SCRs. En general se suelen llegar a
potencias entorno a los 500kW como mximo. La tensin nodo-ctodo en conduccin directa tambin es ms elevada
que para los tiristores convencionales.
Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos
de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran
pulsacin de corriente negativa de entre 20 y 30m s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa
debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.
El disparo se realiza mediante una VGK >0
El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas
dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
Generador de Diente de Sierra
Algunas de las reas de aplicacin para el GTO incluyen contadores, generadores de pulso, multivibradores y
reguladores de voltaje. La figura es una ilustracin de un generador simple de diente de sierra que utiliza un GTO y un
diodo Zner.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje
de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir
conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a
la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que
causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje
de la compuerta) con respecto a tierra no sea cero.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo
y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el
voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir
conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a
la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que
causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje
de la compuerta) con respecto a tierra no sea cero.
Cuando la fuente se activa, el GTO se encender, lo que ocasionar un equivalente de circuito cerrado del nodo al
ctodo. El capacitor C1 entonces comenzar a cargarse hacia el valor de la fuente de voltaje como se muestra en la
figura anterior.
A medida que el voltaje a travs del capacitor C1 se carga por encima del
potencial Zner, se presentar una inversin en el voltaje de la compuerta al
ctodo, con lo que se establecer una inversin en la corriente de
compuerta. Eventualmente, la corriente de compuerta negativa ser lo
suficientemente grande para apagar al GTO, cuando esto sucede se
originar la representacin de circuito abierto y el capacitor C1 se
descargar a travs del resistor R3.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
246
Una aplicacin adicional del SCS es el circuito de alarma de la figura posterior. Rs representa un resistor sensible a la
temperatura, la luz o la radiacin, el cual, es un elemento cuya resistencia disminuye al aplicar cualquiera de las tres
fuentes de energa mencionadas antes. El potencial de la compuerta de ctodo est determinado por la relacin de
divisor establecida por Rs y el resistor variable.
El tiempo de descarga estar determinado por la constante de tiempo del circuito = R3C1. La adecuada seleccin de
R3 y C1 dar por resultado la forma de onda de diente de sierra de la figura mostrada a continuacin. Una vez que el
potencial de salida VO caiga por debajo de VZ, el GTO se encender y el proceso se repetir.
APLICACIONES:
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se
aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc ac) a niveles de potencia
en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores
de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de
conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia. A nivel industrial
algunos usos son:
Troceadores y convertidores.
Control de motores asncronos.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
Soldadura al arco.
Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI).
Control de motores.
Traccin elctrica.
APLICACIN 1: GENERADOR DE ONDA DIENTE DE SIERRA
A continuacin, el GTO se aplica en un generador de onda diente de sierra.
Al energizar la alimentacin, el GTO se dispara; el capacitor se carga por
encima del potencial del zener, se produce un voltaje inverso en la
compuerta ctodo, estableciendo una inversin de la corriente de la
compuerta. Luego la corriente de la compuerta negativa ser lo
suficientemente grande para apagar al GTO. Entonces el capacitor comienza
a descargarse, lo que dar como resultado la forma de una onda diente de
sierra.
APLICACIN 2: INYECCIN DE AUTOMOVIL
En el siguiente circuito los pulsos obtenidos de disparo que
salen del oscilador de relajacin UJT pueden ser usados para
disparar un GTO. Por ejemplo, la figura muestra parte del
sistema de inyeccin de un automvil. Con los terminales del
distribuidor abiertos, El capacitor se carga exponencialmente
hasta 12 V. Luego que la tensin del capacitor excede la tensin
de abastecimiento intrnseca, el UJT conduce fuertemente a
travs del devanado primario. La tensin del secundario dispara
en tanto el GTO. Cuando se traba el GTO se cierra, entonces el
terminal positivo del capacitor de salida es sbitamente puesto
a tierra. A medida que el capacitor de salida se descarga a
travs de la bobina de inyeccin, un alto pulso de tensin
alimenta las dos resistencias de entrada. Cuando los contactos
se sierran, el circuito se realimenta, preparndose para el
siguiente ciclo.
Figura 4.12. Circuito Generador de
Onda Diente de Sierra.
Figura 4.13. Circuito para Inyeccin
De Automvil.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
247
APLICACIN 3: CIRCUITOS CHOPPER
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser
apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de
DC- DC) y circuitos inversores (conversiones DC -AC) a niveles de potencia en los
que los MOSFET's, BJT's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de
potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la
conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin
que posee, pueden ser usadas para regular la potencia.
APLICACIN 4: D-STATCOM
El D-
STATCOM es un controladorCustom Power, basadoen electrnicade potencia(GTO, IGBT). Actacomounafuentede
potenciareactivaqueproporcionaun control de voltajeflexible en el puntode conexinde la carga, mejorandola CPE en
lossistemasde distribucin. Consiste en inversor 3de estado solido acoplado con un capacitor que acta como un
almacenador de energa para la operacin del inversor.
Este Circuito emplea esquema de modulacin de ancho pulso (PWM) para generar corrientes de frecuencia mayores a
la fundamental. Las seales senoidales son usadas como referencia para construir la seal senoidal de potencia y la
diente de sierra para establecer en que instantes se deben encender en y apagar los dispositivos.
APLICACIN 5: CONVERSOR CSC
Estos conversores son alimentados son alimentados por tensin. En
costo, los sistemas CSC basados en diodos son los ms
econmicos en caso de que no se requiera control de potencia
activa, y si se requiere entonces los CSC basados en tiristores
pueden constituir un excelente medio de control de potencia activa
y reactiva, pero slo operan en dos cuadrantes, es decir, slo
pueden consumir potencia reactiva y no inyectarla al sistema de
potencia, y necesitan fuentes de tensin equivalentes en el lado de
los sistemas de alterna. Los sistemas CSC tienen bajas corrientes de corto-circuito,
mayor capacidad de manipulacin de potencia y configuraciones en las que se pueden
anular ciertos armnicos.
Los sistemas VSC tienen mayores prdidas de conmutacin y conduccin y menor
capacidad de potencia, pero tienen mayores virtudes en materia de velocidad de control
de la potencia activa y reactiva, garanta de altos niveles de calidad de la potencia,
mnimo impacto ambiental y habilidad de conectar redes dbiles o incluso redes
muertas.
Figura 4.14. GTO para circuito
Chopper.
Figura 4.15. (a)Circuito usado en el D-STATCOM. (b)Formas de Onda Senoidal y Diente de Sierra
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
248
Caractersticas generales de los conversores alimentados por tensin
Debido a la necesidad de cambiar el flujo de potencia por medio del cambio en la direccin de la corriente, las
vlvulas de los conversores deben ser bidireccionales pero gracias a la tensin de una sola polaridad en el lado de
directa, las vlvulas no necesitan tener capacidad de voltaje inverso; las configuraciones VSC permiten cambiar tanto
la direccin de la corriente como la polaridad del voltaje, sin embargo se prefiere tener tensin monopolar debido a
esta ventaja.
Los dispositivos semiconductores de corte asimtricos no tienen capacidad de voltaje inverso, por tanto son los
preferidos para estos sistemas, y entre ellos los ms destacados son los GTO e IGBT, los cuales deben tener un diodo
anti paralelo, que puede estar integrado o no en la misma estructura semiconductora.
Como se mencion, la tensin en el lado de directa es monopolar y es mantenida por un capacitor (CD), el cual tiene
suficiente capacidad como para regular ajustadamente la tensin a pesar de las corrientes sostenidas de carga y
descarga que estn asociadas a las maniobras de conmutacin y cambios de ngulos de fase en las vlvulas. Para
efectos de clculos que no exijan altos niveles de precisin, se puede asumir la tensin constante en el lado de directa.
Debido a la polaridad y magnitud fija de la tensin en el lado de directa, la corriente ID debe cambiar su direccin y
magnitud para ajustarse a los cambios en los flujos de potencia activa entre los sistemas de alterna y de directa, y
tambin debe considerarse que la reactancia equivalente del lado de alterna (la cual es generalmente baja) haga que el
capacitor se descargue rpidamente por medio del circuito serie que constituyen estas inductancias y la capacitancia;
para prevenir este fenmeno, debe de tenerse en cuenta la reactancia de los transformadores y de las lneas de
transmisin adyacentes al circuito.
APLICACINES GENERALES
Aplicaciones generales: En la actualidad estos
dispositivos se utilizan en la construccin de sistemas
de transporte, tanto como en la construccin de los
sistemas de transporte, as como en los sistemas de
conduccin de la energa, como se puede apreciar en
la figura 4.18.
El LASCR (RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO ACTIVADOS POR LUZ)
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR). Este dispositivo se activa
mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los pares electrn-hueco
que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un
campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente
sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para
cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto
voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de
potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total
aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de
potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un
LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El
di/dt tpico es 250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms.
Figura 4.18. Aplicaciones Generales
de Dispositivos Electrnicos.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
249
FUNCIONAMIENTO
RESPUESTA ESPECTRAL
En esencia, la respuesta espectral del LASCR es la del propio silicio, cuya
energa de brecha es de 1.2 eV. Para un dispositivo de este tipo la curva es
bastante similar a la de un LED o un fototransistor, siendo sensible a un mbito
de frecuencias con un pico de recepcin en una longitud principal: Por su
geometra, al igual que el rectificador de silicio comn, el LASCR presenta dos
capacitancias principales: la capacitancia nodo-compuerta y la capacitancia
compuerta-ctodo. Como en cualquier dispositivo semiconductor, la
capacitancia es aproximadamente inversamente proporcional al cuadrado del
voltaje, y en base a esta caracterstica se obtienen otras como los tiempos de
conmutacin y las curvas de respuesta en frecuencia.
DISPARO DE UNA LASCR
El LASCR es en el fondo un diodo cuya polarizacin se ve impulsada por la presencia de luz en sus uniones. Por eso
el anlisis del funcionamiento bsico se puede hacer mediante un grfico que define el disparo o no disparo del
LASCR segn la potencia irradiada y la temperatura de trabajo de la unin. Este dispositivo se activa mediante
radiacin directa sobre el disco de silicio provocado con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la
radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se
disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por
ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto
voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva
esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo
luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos
cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A,
con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. Como lo indica la terminologa, se trata de un SCR cuyo
estado lo controla la luz que incide sobre una capa semiconductora de silicio del dispositivo. En la Figura 5.1 se
proporciona el smbolo grfico que con mayor frecuencia se utiliza para el LASCR. Algunas de las reas de aplicacin
para el LASCR incluyen controles pticos de luz, relevadores, controles de fase, controles de motores y una variedad
de aplicaciones de cmputo. En la siguiente fig. se nota que el disparo no est exactamente definido para un valor de
H especfico, sino se define una regin de no disparo, una regin de posible disparo y una regin de disparo seguro.
De esta manera, de acuerdo a la temperatura de la unin se obtiene cunta potencia es necesaria para disparar el
LASCR. Es importante mencionar que esta curva difiere para distintos valores del voltaje de nodo del rectificador, la
curva mostrada es un ejemplo para una polarizacin de nodo de 6V.
El rectificador controlado de silicio activado por luz (LASCR) opera esencialmente como el SCR convencional, salvo
que tambin puede ser disparado por luz. La mayor parte de los LASCR cuentan con una terminal de compuerta
disponible, de modo que el dispositivo tambin puede dispararse mediante un pulso elctrico, justamente como e/j
SCR convencional. LASCR son las siglas para Light Activated Silicon Controlled Rectifier. En otras palabras, un LASCR
es un rectificador controlado de silicio comn con la caracterstica de que su funcionamiento se ve afectado por la
potencia en longitudes de onda efectiva que excita sus uniones pn.
Circuitos And/Or
Una aplicacin interesante de un LASCR se encuentra en los circuitos AND y OR. nicamente cuando la luz incide
sobre el LASCR1 y el LASCR2 ser aplicable la representacin de circuito cerrado y la fuente de voltaje se presentar
a travs de la carga. Para el circuito OR, la energa luminosa aplicada al LASCR1 o al LASCR2 ocasionar que el
voltaje de alimentacin se presente a travs de la carga.
Figura 5.2. Estructura de un
LASCR
Figura 5.4. Encapsulado
de un LASCR
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
250
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje
de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de
corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta) con respecto a tierra no sea cero.
El LASCR es ms sensible a la luz cuando la terminal de la compuerta se encuentra abierta. Su sensibilidad puede
reducirse y controlarse en cierta manera mediante la incorporacin de un resistor de compuerta.
Relevador
En la figura se presenta una segunda aplicacin del LASCR. Se trata de la analoga semiconductora de un relevador
electromecnico. Observe que ofrece un aislamiento completo entre la entrada y el elemento de conmutacin. La
corriente de excitacin puede hacerse pasar a travs de un diodo emisor de luz o un foco, como se muestra en la fi-
gura.
La luz incidente ocasionar que el LASCR se encienda y permita un flujo de carga (corriente) a travs de la carga
segn lo establece la fuente de DC. El LASCR puede apagarse mediante el interruptor de inicializacin S1. Este
sistema ofrece las ventajas adicionales sobre un interruptor electromecnico de contar con una larga vida, respuesta en
microsegundos, tamao pequeo y la eliminacin del rebote de contacto.
La luz incidente ocasionar que el LASCR se encienda y permita un flujo de carga (corriente) a travs de la carga
segn lo establece la fuente de DC. El LASCR puede apagarse mediante el interruptor de inicializacin S1. Este
sistema ofrece las ventajas adicionales sobre un interruptor electromecnico de contar con una larga vida, respuesta en
microsegundos, tamao pequeo y la eliminacin del rebote de contacto.
RESPUESTA ESPECTRAL
En esencia, la respuesta espectral del LASCR es la del propio silicio, cuya energa de brecha es de 1.2 eV. Para un
dispositivo de este tipo la curva es bastante similar a la de un LED o un fototransistor, siendo sensible a un mbito de
frecuencias con un pico de recepcin en una longitud principal: Compuerta andica (GA)
nodo (A) Ctodo (K).
Compuerta Catdica (GK).
La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al equivalente con transistores que se muestra en la
figura 1.2. Se supone que ambos Q1 y Q2 estn apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en
la compuerta andica lleva al Q2 hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la corriente de base al Q1.
Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona excitacin de base al Q2, manteniendo as el estado
encendido del dispositivo. Esta accin regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo
Shockley y se ilustra en la figura 1.2 (a).
Operacin del SCS
El SCS tambin puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del nodo, como se muestra en la figura (a).
Esto energiza al Q1 hacia conduccin, en el que a su vez proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2
est encendido, proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1, sosteniendo as el estado encendido.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
251
Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del nodo. Esta accin polariza e inversa a la unin base-
emisor del Q1 y lo apaga. El Q2 a su vez, se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte (b). El SCS
tiene comnmente un tiempo de apagado ms rpido que el SCR.
Adems del pulso positivo en la compuerta del nodo o el negativo en la del ctodo, existen otros mtodos para apagar
un SCS. Las figuras 1.3 (a) y (b) muestran los mtodos de conmutacin para reducir la corriente del nodo abajo del
valor de retencin. En cada caso, el transistor opera como un interruptor.
Aplicaciones
Los SCS y SCR se utilizan en aplicaciones semejantes. El SCS tiene la ventaja de apagado ms rpido con pulsos en
cualquiera de sus terminales de compuerta; sin embargo, es ms limitado en trminos de los rangos de corriente y
voltaje mximos. Adems, el SCS se usa algunas veces en aplicaciones digitales, tales como contadores, registradores
y circuitos de sincronizacin.
La figura muestra las zonas dopadas de un interruptor controlado de silicio (SCS, en ingles Silicon Controlled
Switch). Ahora un terminal externo se conecta a cada zona dopada. Imaginemos el dispositivo separado en dos
secciones (b). Resulta equivalente a un latch con acceso a ambas bases (c). Un disparo de polarizacin directa en
cualquiera de las bases cerrar el SCS. De la misma manera, un dispositivo de polarizacin inversa en cualquiera de
las bases abrir el dispositivo.
CAPACITANCIAS DE LAS UNIONES DE LAS LASCR
Por su geometra, al igual que el rectificador de silicio comn, el LASCR presenta dos capacitancias principales: la
capacitancia nodo-compuerta y la capacitancia compuerta-ctodo. Como en cualquier dispositivo semiconductor, la
capacitancia es aproximadamente inversamente proporcional al cuadrado del voltaje, y en base a esta caracterstica se
obtienen otras como los tiempos de conmutacin y las curvas de respuesta en frecuencia.
DISPARO DE UNA LASCR
El LASCR es en el fondo un diodo cuya polarizacin se
ve impulsada por la presencia de luz en sus uniones. Por
eso el anlisis del funcionamiento bsico se puede hacer
mediante un grfico que define el disparo o no disparo del
LASCR segn la potencia irradiada y la temperatura de
trabajo de la unin. En la siguiente figura se nota que el
disparo no est exactamente definido para un valor de H
especfico, sino se define una regin de no disparo, una
regin de posible disparo y una regin de disparo seguro.
De esta manera, de acuerdo a la temperatura de la unin
se obtiene cunta potencia es necesaria para disparar el LASCR. Es importante mencionar que esta curva difiere para
distintos valores del voltaje de nodo del rectificador, la curva mostrada es un ejemplo para una polarizacin de nodo
de 6V.
CARACTERSTICAS
- Se encuentran dentro de los dispositivos de la serie pnpn.
- Acta cuando la luz incide sobre la capa del semiconductor de silicio.
- Tiene el mismo comportamiento que el SCR, a diferencia que este inicia su funcionamiento por incidencia de
luz.
- Los valores nominales mximos de Irms y potencia de compuerta son aproximadamente 3A y 0.1W ,
respectivamente.
- Es ms sensible a la luz cuando la terminal de la compuerta se encuentra abierta.
- Son de tamao relativamente pequeo, ofrecen respuestas en s y eliminacin de rebote en los contactos.
APLICACIONES:
Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos
convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos,
pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en
conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se
hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o
corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a
negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
252
APLICACIN 1: CONTROL OPTICO LUMINOSO
Algunas reas de aplicacin para el LASCR incluyen controles
pticos luminosos, relevadores, control de fase, control de
motores, y una diversidad de aplicaciones de computadora. A
continuacin daremos a conocer dos posibles aplicaciones de los
LASCR (como relevador y como circuito lgico optoeletrnico).
En primer lugar, la figura 5.6 muestra un LASCR usado para
energizar un relevador de sujecin. La fuente de entrada enciende
la lmpara y la luz incidente resultante dispara al LASCR. La
corriente del nodo energiza al relevador y cierra el contacto.
APLICACIN 2: FLASH ELECTRNICO DE ARRASTRE PARA FOTOGRAFA
Cuando el interruptor est cerrado, el condensador C1 se
carga a 300 V por R1, y C2 a unos 20 V gracias a R2 y
R3. Cuando se dispara el flash principal entra en
conduccin el fototiristor, y C2 se descarga sobre el
primario del transformador T1. En el secundario aparece
un muy alto voltaje (M.A.T.) que provoca una descarga
en la vlvula de destellos.
Dicha vlvula descarga a C1 mientras que el circuito
resonante C2-T1 polariza inversamente y bloquea al
LASCR.
En caso de emplear un resistor puerta-ctodo debe ajustarse de forma que el fototiristor no se dispare con la
iluminacin ambiente; una precaucin sera montar en paralelo una inductancia de al menos 1 henrio que aparece
como impedancia dbil para la luz visible y como impedancia muy elevada para un destello.
APLICACIN 3: CIRCUITOS AND y OR
Otra aplicacin interesante de un LASCR se observa en los circuitos AND y OR de la figura 5.8 a-b Slo cuando
incida luz sobre LASCR1 y LASCR2 ser aplicable la representacin en corto circuito para cada uno y el voltaje de
alimentacin aparecer a travs de la carga. En el circuito OR, la energa luminosa aplicada a LASCR1 o LASCR2
producir el voltaje de alimentacin que aparece en la carga.
APLICACIN 4: SISTEMA DE ALARMA
Tambin se puede aplicar en un sistema de alarma, cuando a una
perturbacin, se enciende una lmpara que activa el LASCR, lo que
ocasiona que a la vez se active el sistema.
Figura 5.6. Control ptico Luminoso
Figura 5.8. (a) Compuerta AND
Figura 5.8. (b) Compuerta OR
Figura 5.9. Sistema de Alarma
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
253
APLICACIN 5: LUZ-ACTIVADO ONE - SHOT
El UJT se activa 0.6 s despus del pulso de giros ligeros en el
LASCR de L8F. Si el pulso ligero ha acabado entonces, los
LASCR se apagarn. Si la luz todava es encendida, los UJT
operarn como el oscilador de relajacin y LASCR del giro fuera
de la primera vez l que dispara despus de que la luz est alejada.
El DIODO SHOCKLEY
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
Los diodos Shockley, o diodos de cuatro capas, son dispositivos de dos terminales
construidos para impedir la circulacin de la corriente directa hasta que sea alcanzada una
tensin especificada de ruptura, para la cual el diodo se pone a conducir. La tensin de
ruptura en el sentido inverso es mayor que en el directo y no est bien definida. Los diodos
Shockley suelen ser dispositivos de baja potencia con tensiones directas de conmutacin
desde 10 V hasta 200 V y valores de disipacin desde 0.5 W hasta 5 W. El diodo Shockley
es un tiristor es decir un dispositivo de cuatro capas con solo dos terminales externas: nodo
y ctodo. Est constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura
pnpn; es decir, las caractersticas del dispositivo son exactamente iguales a las del SCR
cuando la corriente de compuerta es cero. nicamente se diferencia en que ste dispositivo
no necesita disparo para conducir, sino que acta como interruptor y permanece apagado
hasta que el voltaje directo alcanza cierto valor; entonces se enciende y conduce.
La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especfico. Su smbolo se muestra a
continuacin.
Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables:
OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo
de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p,
dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la
figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja
impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta
alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente,
haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta
alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se
disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta
su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en
sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la
regin I
CONSTITUCIN
El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales (dispositivo de cuatro capas). La construccin bsica consiste en
cuatro capas semiconductoras, que forman una estructura pnpn, como se muestra en la figura 6.3 (a). El smbolo
esquemtico se muestra en la parte (b).
La estructura pnpn puede representarse por un circuito equivalente
formado por un transistor pnp y uno npn, como se muestra en la figura 6.4
(a). Las capas pnp superiores forman al Q1 y las inferiores npn al Q2, con
las dos capas intermedias compartidas por ambos transistores
equivalentes. Observar que la unin base-emisor del Q1 corresponde a la
unin pn 1 en la figura 6.4; la unin base-emisor del Q2 corresponde a la
unin pn 3 y las uniones base-colector de ambos Q1 y Q2 corresponden a
la unin pn.
Figura 5.10. Circuito de Activado de Luz One-Shot
Figura 6.1. Smbolo
del diodo Shockley
Figura 6.2. Representacin
en Circuito
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
254
El esquema de la figura 6.3 (a) se llam originalmente diodo Shockley debido a su inventor. Se usan varios nombres
para este dispositivo: diodo de cuatro capas, diodo pnpn e interruptor unilateral de silicio (SUS: Silicon Unilateral
Switch). El dispositivo solo permite el paso de corriente en una direccin.
FUNCIONAMIENTO
La manera ms fcil de entender cmo funciona es imaginarlo
en dos mitades separadas como se ve en la figura 6.4. La mitad
izquierda es un transistor pnp y la derecha un transistor npn. En
consecuencia el diodo de cuatro capas es equivalente al latch
que aparece en la figura 6.5. La figura 6.3 (b) muestra el
smbolo elctrico del diodo de cuatro capas. El nico modo de
hacer que el diodo de cuatro capas conduzca es mediante el
cebado, y la nica forma de abrirlo es con bloqueo por
disminucin de corriente. En un diodo de cuatro capas no es
necesario reducir la corriente a cero para abrir el latch. Los
transistores internos del diodo de cuatro capas saldrn de la
saturacin cuando la corriente se reduzca a un valor por debajo
de lo que se llama corriente de mantenimiento (indicada en las
hojas de caractersticas). Este valor es la mnima corriente
necesaria para que los transistores pasen de saturacin a corte.
Una vez que el diodo de cuatro capas entra en saturacin, la tensin que cae en l disminuye a un valor pequeo, que
depender de la corriente que circule.
d de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante
un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La
intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un
valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar
al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y
es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.
Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de
recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad. La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".
Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos
Para ta = tb trr = 2ta
Para ta = trr tb = 0
Influencia en la conmutacin
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable, se limita la frecuencia de funcionamiento.
Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa. Para altas frecuencias, por tanto,
debemos usar diodos de recuperacin rpida como es el caso del Diodo Shockley.
A mayor IRRM menor trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad
almacenada, y por tanto mayor ser trr.
Figura 6.5. Circuito Equivalente a un Diodo
Shockley
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
255
Tiempo de recuperacin directo tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en
que la tensin nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables.
Disipacin de potencia
Potencia mxima disipable (Pmx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos
confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo
Potencia media disipada (PAV): Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado
de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el
elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de
forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM): Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de
bloqueo.
Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM): Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.
Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx): Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin
del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de
temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica
ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc): Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del
dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd): Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el
disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como
mica aislante, etc).
Proteccin contra sobreintensidades
Principales causas de sobreintensidades: La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un
cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de
alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las
caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).
rganos de proteccin: Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y
por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus
caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo
con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.
Interruptor de Disparo
La figura muestra una aplicacin del diodo Shockley, donde se utiliza como un
interruptor de disparo para un SCR. Cuando el circuito se activa, el voltaje a travs
del capacitor ser lo suficientemente grande para primero encender al diodo
Shockley y despus al SCR.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
256
Oscilador de Relajacin
Cuando se cierra el interruptor, el capacitor se carga a travs de R, hasta que su voltaje alcanza el voltaje de ruptura en
directa del diodo Shockley. En este punto, el diodo conmuta a conduccin y el capacitor se descarga rpidamente a
travs del diodo. La descarga contina hasta que la corriente por el diodo cae por debajo del valor de retencin. Aqu,
el diodo regresa al estado de apagado y el capacitor comienza a cargarse nuevamente. El resultado de esta accin es
una forma de onda de voltaje en C como la que se muestra en la figura.
MODELOS DEL DIODO DE UNION PN APLICANDO LA ECUACIN DE SHOCKLEY
A continuacin se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de
unin PN.
- Modelos para seales continuas
Bajo el trmino seales continuas se engloban en este apartado tanto las seales constantes en el tiempo como aquellas
que varan con una frecuencia muy baja.
- Modelo DC del diodo real
El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresin:
En donde:
n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las dimensiones del
diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS.
VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q)
y la temperatura absoluta del diodo T (K). La siguiente expresin permite el clculo de VT:
Con y .
El potencial trmico a temperatura ambiente, T=25C, es VT=25.71mV.
R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin que se est aplicando en la
unin PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensin entre terminales externos.
IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y
fuertemente de la temperatura.
Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensin de ruptura en inversa.
El modelo puede completarse mediante la adicin de nuevos parmetros que incluyan efectos no contemplados en la
teora bsica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas simulacin por ordenador constan de hasta
quince parmetros. Sin embargo, a la hora de realizar clculos sobre el papel resulta poco prctico. Por ello es habitual
realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo ms simple.
- Modelo DC del diodo ideal
El modelo ideal del diodo de unin PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:
Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.
Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequea y que, por lo tanto, la cada de tensin en las
zonas P y N es muy pequea, frente a la cada de tensin en la unin PN.
Para V<0, el trmino exponencial es muy pequeo, despreciable frente a la unidad. Entonces la intensidad tiende al
valor IS, que como ya se haba indicado anteriormente, es la corriente inversa del diodo.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
257
Para V>0, la exponencial crece rpidamente por encima de la unidad.
- Modelo lineal por tramos
Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco prctico, dado su carcter no lineal. El modelo lineal
por tramos se obtiene como una aproximacin del modelo ideal del diodo de unin PN, considerando las siguientes
simplificaciones:
- En inversa, la corriente a travs de la unin es nula.
- En directa, la cada de tensin en la unin PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule
por el diodo.
Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unin PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura
ambiente de T=25 C. El potencial trmico a esa temperatura es VT=25.7 mV. Tomando como variable independiente
la intensidad I, la ecuacin ideal del diodo queda:
A partir de esta expresin, se puede calcular la cada de tensin en el diodo para las magnitudes de corriente habituales
en los circuitos electrnicos.
Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V. Como se
puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 rdenes de magnitud, la tensin apenas ha experimentado un
cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la cada de tensin en la unin PN a un valor constante de 0.7 V.
Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los clculos en la
resolucin del circuito.
Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conduccin), cada
uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado.
El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:
Estado Modelo Condicin
Conduccin
Corte
- Conduccin o Polarizacin Directa "On", donde la tensin es VON para cualquier valor de la corriente.
- Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de tensin menor que
VON.
El uso de este modelo slo est justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una gran exactitud en los
clculos.
- Modelo para pequeas seales de alterna
Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensin positiva, y sobre ese punto se superpone una
seal alterna de pequea amplitud.
El funcionamiento del diodo en esta situacin queda representado grficamente en la Figura 18:
Cuando al diodo se le aplica una tensin dada por la expresin:
la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos explicados anteriormente. Si se opta
por el modelo exponencial ideal:
Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensin aplicada (VD) y queremos conocer la
amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El mtodo de clculo sera:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
258
Como puede apreciarse, el clculo se complica. Si se considera adems que el diodo est dentro de un circuito es
posible que ni siquiera pueda obtenerse una solucin analtica.
Para obtener la solucin al problema citado de una forma ms simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del
punto de operacin, es decir, se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de
operacin, segn se aprecia en la Figura 19.
Teniendo en cuenta esta aproximacin, la relacin entre los incrementos de tensin y de corriente pueden relacionarse
tal y como se indica:
Obviamente, esta aproximacin ser tanto ms cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID. A la derivada de la
tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se le llama resistencia dinmica del diodo rD, y su
expresin puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que
VT puede despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:
Como VT 25 mV, la expresin vlida para el clculo de la resistencia dinmica de un diodo en funcin de la corriente
de polarizacin continua puede escribirse de la siguiente forma, llamada aproximacin de Shockley:
Esta aproximacin slo es vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo.
APLICACIN DE LOS MODELOS AL ANLISIS DE CIRCUITOS
En este apartado se detallan algunos mtodos vlidos para el anlisis de circuitos con diodos, basndose en los
modelos expuestos en el apartado anterior.
- Modelo exponencial
Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarizacin del diodo, los pasos para resolver el
problema seran:
1. Sustituir el diodo por una fuente de tensin VD con el signo positivo en el nodo, y nombrar como ID a la corriente
que va de nodo a ctodo del diodo.
2. Resolver el circuito empleando las variables VD e ID como si fueran conocidas.
1. Obtener la expresin que relaciona VD con ID.
2. La ecuacin del modelo del diodo proporciona otra relacin entre VD e ID.
3. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas resultante.
- Modelo lineal por tramos
Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodo empleando el modelo lineal por tramos
son:
1. Se asume la hiptesis de que el diodo est en uno de los dos estados posibles: corte o conduccin.
2. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y corrientes del circuito.
3. Una vez calculado el punto de polarizacin del diodo se comprueba la validez de la hiptesis: los resultados
obtenidos han de ser coherentes con la condicin de existencia. En el caso de que no lo sean, la hiptesis de partida no
es correcta y es necesario rehacer todos los clculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario.
El modelo puede completarse mediante la adicin de nuevos parmetros que incluyan efectos no contemplados en la
teora bsica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas simulacin por ordenador constan de hasta
quince parmetros. Sin embargo, a la hora de realizar clculos sobre el papel resulta poco prctico. Por ello es habitual
realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo ms simple.
- Mtodo grfico
El procedimiento para el clculo sera ahora:
1. Eliminar el diodo del circuito.
2. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo.
3. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado.
4. Dibujar en el mismo grfico la curva caracterstica del diodo.
5. Hallar el punto de interseccin de ambas curvas.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
259
- Pequeas seales de alterna
Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequea amplitud
se resuelve aplicando el principio de superposicin (Figura 20).
El mtodo se resume en los siguientes puntos:
1. Anlisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo mtodos anteriores
el punto de operacin del diodo.
2. Clculo de la resistencia dinmica del diodo, basndose en los resultados del punto anterior
3. Anlisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinmica.
De ese modo se obtiene el circuito equivalente AC, vlido para el clculo de las amplitudes de las oscilaciones de las
seales.
OPERACIN BSICA
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON
o baja impedancia. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar
del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia
del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin,
hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente
hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente,
mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin
I (Punto A). Vrb es la tensin inversa de avalancha.
Este dispositivo fue desarrollado por W. Shockley tras abandonar
los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron
fabricados por Clevite-Shockley.
Cuando se aplica un voltaje positivo de polarizacin al nodo
respecto al ctodo, se muestra en la figura 6.4 (b), las uniones base-
emisor de los Q1 y Q2 (uniones pn 1 y 3 en la figura 3.1 (a)) estn
polarizadas en directa y la unin comn base-colector (unin pn 2
en la figura 6.2 (a)) est polarizado en inversa. En consecuencia,
ambos transistores equivalentes estn en la regin lineal. Para
valores bajos de voltaje de polarizacin en directa, se establece una
ecuacin para la corriente del nodo de la manera siguiente, usando
las relaciones ordinarias del transistor. En niveles de corriente bajos
el alfa del transistor es muy pequea. Por consiguiente, en niveles
de polarizacin bajos hay muy poca corriente del nodo en el diodo Shockley, as se encuentra en apagado o en la
regin de bloqueo directo.
CARACTERSTICAS
CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD
Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente muy pequea hasta que se
alcance la tensin de ruptura (VRB).
En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensin VB0. Una vez
alcanzado este punto, el diodo entra en conduccin, su tensin disminuye hasta menos de un voltio y la corriente que
pasa es limitada, en la prctica, por los componentes externos. La conduccin continuar hasta que de algn modo la
corriente se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento IH.
La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite impuesto por el propio
componente (IMAX), que si se supera llevar a la destruccin del mismo.
Por esta razn, ser necesario disear el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se supere
este valor de corriente. Otro parmetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es VRB, ya que
provocara un fenmeno de avalancha similar al de un diodo convencional.
APLICACIONES:
EJEMPLO DE APLICACION: DETECTOR DE SOBRETENSION
En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con una
tensin de conduccin de 10 V. Por tanto, si la tensin de la fuente
es correcta, es decir, de 9 V, el diodo est abierto, no circula
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
260
corriente por l y la lmpara estar apagada. Figura 3: Detector de sobretensin
Pero si la tensin de la fuente supera, por una falla en su funcionamiento una tensin de 10 V, el diodo entra en
saturacin y la lmpara se enciende. Permanecer encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensin vuelva a 9V,
mostrando de esta manera que ha habido una falla. La nica forma de apagar la lmpara sera desconectar la
alimentacin
APLICACIN 1: LUZ INTERMITENTE DE AVERIA
Tres transistores y un interruptor de silicio
unilateral Ql encienden 32-cp lmparas
fiablemente. Por detrs del vehculo una luz roja
sealada como emergencia es la que advierte
cuando el auto se detiene por un neumtico bajo y
tiene la necesidad de cambiarlo. Incluso opera
cuando la batera auto se cae por debajo de 10 V.
Use con un cable o cordn de 20 pies que va a
encajar en el encendedor de cigarrillos. Se puede
reducir la repeticin del pestaeando y la
duracin de aumento de llamarada, al variar los
valores de R3 y R4.
APLICACIN 2: DETECTOR DE PROXIMIDAD
El diac puede ser empleado como detector de
proximidad: conforme el cuerpo humano se aproxime
al electrodo sensor, la capacitancia entre electrodo y
tierra crecer. El PUT (descrito ms adelante) se
disparar cuando el voltaje del diac sobrepase cierto
valor. Entonces se encender el PUT y el voltaje del
diac caer en forma sustancial. En ste punto se
establece una corriente considerable a travs del PUT,
encendiendo el SCR. Entonces la carga reaccionar con
la presencia de una persona aproximndose.
APLICACIN 3: CIRCUITOS DE OSCILADORES DE RELAJACIN
Tambin se aplica en circuitos de osciladores de relajacin, as: al cerrarse el
interruptor, se carga el capacitor hasta que el diodo Shockley se dispare. En
ste punto el diodo Shockley conduce y el capacitor se descarga rpidamente;
la descarga contina hasta que la corriente baja lo suficiente para apagar el
diodo.
APLICACIN 4: DETECTOR DE SOBRETENSION
En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con
una tensin de conduccin de 10 V. Por tanto, si la tensin de
la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el diodo est abierto, no
circula corriente por l y la lmpara estar apagada. Pero si la
tensin de la fuente supera por un fallo en su funcionamiento
una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin y la lmpara
se enciende. Permanecer encendida (y el diodo cerrado)
aunque la tensin vuelva a 9V, mostrando de esta manera que
ha habido un fallo. La nica forma de apagar la lmpara sera
desconectar la alimentacin.
Figura 6.7. Circuito de luz Intermitente
Figura 6.8. Circuito de luz Intermitente
Figura 6.9. Circuito de luz
Intermitente
Figura 6.10. Detector de sobretensin
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
261
El DIAC (DIODO DE CORRIENTE ALTERNA)
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
El DIAC (DIodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras
haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior
al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el
mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una
tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamineto es similar a
una lmpara de nen.
Este dispositivo est formado por dos diodos PNPN contrapuestos, de forma que ofrece
la caracterstica de uno de estos diodos pero en las dos direcciones de conduccin, segn
se indica en el diagrama de la figura adjunta. Es decir, para conducir en cualquiera de las
dos direcciones se debe superar una tensin de ruptura (una positiva y otra negativa), y
para dejar de conducir, la corriente debe bajar por debajo de un valor IH.
Este es un dispositivo controlado por voltaje, el cual se comporta como dos diodos zener puestos en contra paralelo,
como ya lo dijimos: cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el valor especificado,
entra en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa que, si es colocado en
paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podr recortar todos los picos positivos y negativos que pasen
del voltaje del umbral del diac. Si es puesto en serie, solamente dejar pasar corriente cuando lleve ms tensin que la
del gatillado para triacs en circuitos de corriente alterna.
El dispositivo tiene un rango simtrico de conmutacin (en ambos sentidos) de 20 a 40 voltios, tensin que
usualmente excede el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos trabajan siempre en un nivel
seguro.
Si bien es cierto que el SCR se puede acondicionar para el manejo de cargas alimentadas con corriente alterna, es un
hecho que tal cosa no es del todo prctica ni econmica. Si se colocan 2 SCR en contra paralelo se necesitan dos
circuitos de control independientes para el manejo de sus compuertas, lo cual le resta precisin al diseo y por ende,
aumenta los riesgos de fallas.
El diseo de los primeros TRIACs fue la respuesta a la necesidad industrial de dispositivos tiristores que pudieran
controlar en fase todo el ciclo de una onda de corriente alterna, incorporando las funciones de 2 SCRs dentro de una
sola pastilla semiconductora, y ambos controlados por un solo gate. Las caractersticas de compuerta(gate) del TRIAC
son muy diferentes de aquellas para dos SCR en contra paralelo, para los SCR, se debe aplicar una seal positiva de
control entre el Gate 1 y el terminal principal 1 cuando el terminal Principal 1 es negativo, y entre el Gate 2 y el
terminal Principal 2 sea negativo.
Este mtodo de operacin requiere de dos circuitos separados de compuerta.
En el TRIAC, el Gate 1 y el Gate 2 estn conectados juntos y se pueden operar con solamente un circuito de control
conectado entre las compuertas y el terminal Principal 1. El modo ms fcil de gatillado para control de corriente
alterna, se obtiene polarizando positivamente el terminal de compuertas cuando el Terminal Principal 1 sea positivo.
En otras palabras, para poner en conduccin en ambos sentidos al TRIAC basta con darle al gate un poco de seal de
la misma corriente (polaridad) que haya en ese momento en el Terminal Principal 2.
El gatillado para control de corriente alterna tambin es posible con polarizacin negativa en el terminal de
compuertas durante ambos semiciclos. Para manejo de corriente directa, basta con suministrar al gate una seal
positiva de manera similar a como se controla un SCR.
Si ponemos en serie con el terminal del gate un dispositivo que garantice pulsos de disparo con voltaje superior al
nivel de umbral del TRIAC (punto en el cual el triac no sabe si conducir o no), obtendremos lo que se conoce como
QUADRAC. Este dispositivo se consigue ya integrado dentro de encapsulados iguales a los de los triac, estos se
reconocen por la referencia, por ejemplo: Q4006LT. El nmero 400 seala el voltaje del triac, el 6 indica la corriente
de trabajo en amperios, y las letras LT significan que tienen DIAC incluido en el gate.
El DIAC es un elemento de dos terminales nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2), se lo puede considerar un diodo
bidireccional diseado especficamente para realizar circuitos de disparo de TRIACs o SCRs. El DIAC no conduce
ms que una mnima cantidad de corriente antes de que el voltaje de conmutacin (breakover voltaje) sea alcanzado.
En este momento el elemento muestra una caracterstica de resistencia negativa observndose una disminucin del
voltaje entre sus terminales a un valor aproximado de 5 V, originndose una corriente de conmutacin (breakover
current) lo suficiente como para encender un TRIACs o SCRs.
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le
denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo (30v aproximadamente,
dependiendo del modelo).
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
262
El DIAC es un dispositivo de disparo que puede utilizarse para generar el impulso de corriente de puerta necesario
para disparar un elemento de control, como un SCR o un TRIAC.
EL DIAC es un elemento de dos terminales y 5 capas (figura 5) diseado para dispararse cuando la tensin entre sus
terminales supera la tensin de ruptura de la unin pn central. Una vez disparado, la tensin entre sus extremos
disminuye, aunque mantiene la conduccin.
Al igual que el TRIAC, el DIAC permite la conduccin en ambos
sentidos por lo que no tiene sentidos distinguir entre ctodo y
nodo.
Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin
de disparo VBO; la intensidad que circula por el componente es
muy pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta
bruscamente y disminuyendo, como consecuencia, la tensin
anterior.
La aplicacin ms conocida de este componente es el control de un
triac para regular la potencia de una carga.
Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de
los diodos de unin o de zener.
Los diacs son dispositivos de disparo usados en circuitos de control de la fase para proporcionar pulsos de puerta a un
triac o SCR. Son dispositivos de silicio bidireccionales disparados por tensin dentro de encapsulados DO-35 de
terminal axial de vidrio y encapsulados DO-214 de montaje en superficie. Las selecciones de tensin del diac de 27 V
a 70 V proporcionan pulsos de disparo ajustados de manera prxima en simetra en los puntos de irrupcin positiva y
negativa para minimizar la componente de CC en el circuito de carga.
Algunas aplicaciones incluyen disparadores de puerta para controles de iluminacin, interruptores, circuitos de pulso
de potencia, referencias de tensin en circuitos de potencia CA y disparadores triac en control de velocidad de
motores.
Este es un dispositivo controlado por voltaje, el cual se comporta como dos
diodos zener puestos en contraparalelo, como ya lo digimos: cuando el voltaje de
cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el valor especificado, entra
en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto
significa que, si es colocado en paralelo con la salida de una fuente de corriente
alterna podr recortar todos los picos positivos y negativos que pasen del voltaje
del umbral del diac.
Si es puesto en serie, solamente dejar pasar corriente cuando lleve ms tensin
que la del gatillado para triacs en circuitos de corriente alterna. El dispositivo
tiene un rango simtrico de conmutacin(en ambos sentidos) de 20 a 40 voltios,
tensin que usualmente excede el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos trabajan siempre en un
nivel seguro.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor. Es un
dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el
cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y
36 volts segn la referencia.
Existen dos tipos de DIAC:
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor
iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin
del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto
regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti paralelo, lo que le da la caracterstica
bidireccional.
Su aplicacion tiene como dispositivo de disparo bidireccional para el TRIAC. El DIAC (Diode Alternative Current) o
diodo de corriente alterna es un dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos principales:
MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de
disparo.
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un
dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
263
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin
se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la
tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la
corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia
mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin.
FUNCIONAMIENTO
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin
se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC
normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga.
La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se
reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para
el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en
aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.
En la curva caracterstica se observa que cuando:
- +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grafico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)
El DIAC est diseado como un transistor sin conexin de base, y cuando se lo alimenta con una tensin superior a
VBR, se produce una ruptura.
En un diodo comn, la tensin permanecera constante a medida que la corriente aumenta, pero en el DIAC la accin
del transistor hace reducir a la tensin a medida que la corriente aumenta. Esto le da a la caracterstica una resistencia
negativa , como se puede ver en la Fig. 7.2.
El DIAC es simtrico y por lo tanto posee la misma caracterstica para las
tensiones negativas. Es la resistencia negativa lo que lo hace apropiado como
disparador de un SCR o un TRIAC. Para comprobar lo expresado
anteriormente, asegrese de haber montado el circuito como se demuestra en
el Diagrama de Conexiones y de que el mismo coincida con el circuito de la
Fig. 7.4
- Configure la alimentacin variable en dc en cero y alimente las fuentes
- Lentamente aumente la tensin variable en dc hasta que la forma de onda en Y2 aparezca repentinamente; el
DIAC 'se enciende'. Observe el rpido incremento de VR producido por la resistencia negativa. Vea la Fig. 7.5
- Mida VBR y VR en el osciloscopio. VBR es la tensin de ruptura del DIAC, y VR es la tensin de carga y la
corriente inmediata despus de encenderse el DIAC. La tensin inmediata despus de haberse encendido es de 1000
VBR VR.
- A partir de estos nmeros es posible formular la caracterstica del DIAC como se ve en la Fig. 7.6. La Fig. 7.6
muestra la condicin anterior al encendido y Q muestra la condicin posterior. Los valores expresados no son
necesariamente los correctos.
Figura 7.3. Simbolos Alternativos
del DIAC
Figura 7.2. DIAC.- Smbolo grfico y
su Curva Caracterstica
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
264
Construccin bsica y smbolo del DIAC
En la construccin de estos dispositivos no se requiere que el transistor tenga una (beta) grande, pues esto implica que
el ancho de la base sea pequeo, lo que ocasionara que al pasar una corriente apreciable sta se daara. Se requiere
precisamente que el rea transversal de las tres capas sea igual y de preferencia grande para que el dispositivo pueda
soportar corrientes y pueda aplicarse como dispositivo de disparo o proteccin.
Principio de Operacin y Curva Caracterstica
La operacin del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la
estructura NPN hasta un voltaje de ruptura equivalente al BVCEO
del transistor bipolar.
Debido a la simetra de construccin de este dispositivo, la ruptura
puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma
magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir
corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura BVCEO,
presentando una regin de impedancia negativa (si se sigue
aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura),
entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.
Como se ilustra en la figura 7.6, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual no es
aplicable el concepto de corriente de sustentacin. La conduccin ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de
ruptura, con cualquier polaridad, a travs de las dos terminales. La curva de la figura 7.6 ilustra esta caracterstica.
Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una direccin que depende de la polaridad del voltaje en las
terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de retencin.
El circuito equivalente de un DIAC consiste en cuatro transistores
dispuestos como se ilustra en la figura 7.7 (a). Cuando el DIAC esta
polarizado como en la parte (b), la estructura pnpn desde A1 a A2,
proporciona la operacin del dispositivo con cuatro capas.
En el circuito equivalente, Q1 y Q2 estn polarizados en directa y los Q3
y Q4 en inversa. El dispositivo opera en la porcin derecha superior de
la curva caracterstica de la figura 7.6, bajo esta condicin de
polarizacin. Cuando el DIAC est polarizado como se muestra en la
figura 7.7 (c), la estructura pnpn, desde A2 a A1, es la que se usa. En el
circuito equivalente, los Q3 y Q4 estn polarizados en directa y los Q1 y
Q2 en inversa. El dispositivo opera en la porcin izquierda inferior de la
curva caracterstica, como se muestra en la figura 7.6.
Circuito Equivalente del DIAC y Condiciones de Polarizacin.
Caractersticas y Especificaciones
Los fabricantes dan normalmente las siguientes caractersticas fundamentales de este dispositivo:
- VS Voltaje de ruptura, | VS | = | -VS | 10 % ;
- IS Corriente en el punto de ruptura;
Figura 7.4. El DIAC Circuito de Prueba Figura 7.5. Las formas de onda del DIAC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
265
- IP Corriente de pico durante un cierto tiempo;
- ep Voltaje pico de disparo en la salida.
SWITCH QUE SE ENCIENDE EN LA OSCURIDAD
La clula de sulfato de Cadmio y el DIAC IR.IRD54 (Y2) encienden el TRIAC (Y1) IR.IRT82 por la noche, por dar
energa a carga que puede ser el porche de luces, las luces nocturnas, o la alarma para ladrones, es muy buena para la
seguridad de la casa. La carga mxima que se dan es de 1,000 W.
CONTROL DE ONDA COMPLETA CON DIAC
El diac de la figura de abajo puede disparar el SCR en cada semiciclo de la lnea de tensin. La resistencia variable R1
controla la constante de tempo RC del circuito de control del diac. Desde que este vara un punto del ciclo con el cual
el diac dispara, tenemos un control de ngulo de conduccin del triac. De esa forma, podemos variar a gran corriente
de carga. Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el
tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de
corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin V
G
(voltaje de la compuerta) con respecto a tierra no sea cero.
CONSTITUCIN
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura
similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad
biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus
terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a
los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es un diodo
bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse
superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no
sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El
comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas
direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una
tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su
comportamiento es similar (pero controlado de forma mucho ms precisa y a una tensin menor) a una lmpara de
nen.
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona
bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos. La curva de funcionamiento refleja
claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en
Figura 7.8. Estructura del
DIAC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
266
inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la
corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener
una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.
DISPARO CON DIAC
La utilizacin de un elemento de conmutacin como el DIAC, en conjunto con la red RC de control de fase vista
anteriormente forma un circuito capaz de generar un impulso de disparo en lugar de una seal sinusoidal. Con esta
premisa, se sabe que el tiristor no desperdiciar potencia en su compuerta.
Ahora bien, suponiendo que no se usara un DIAC para el disparo de un TRIAC, sino solo la red RC, existira entonces
un inconveniente: la constante de adelanto de la red implicara la existencia de una corriente remanente inversa al
ciclo de conduccin. Es decir, al ser el TRIAC un dispositivo que se activa en ambas polarizaciones, cuando la seal
de entrada cambiara de signo, el TRIAC tendera a activarse con una corriente de sentido opuesto al adecuado en su
compuerta, debido al desfasamiento corriente voltaje que genera la red RC, lo que implicara un control sumamente
preciso del desfasamiento que provoca la red RC para evitar dicho fenmeno.
Existe an otra ventaja importante de este circuito sobre los que se vieron con anterioridad: el DIAC, por ser un
dispositivo de disparo por voltaje, siempre se activar a la misma tensin (su voltaje de ruptura), permitiendo as un
mejor control del ngulo de disparo del pulso aplicado a la compuerta del tiristor.
Montaje del circuito
Se puede usar la red RC y un DIAC, para formar un circuito como el que se aprecia
en la figura 7.8, que constituye un circuito tpico de disparo con DIAC.
El funcionamiento del circuito es como se indica: En el primer semiciclo de la
tensin de entrada Vs, el condensador C1 se cargar mediante la resistencia en serie
formada por R2, RL y R1. X2 es un DIAC de 30V de voltaje de ruptura, por lo que
cuando la tensin en la red RC alcance este valor, el DIAC comenzar su
conduccin, permitiendo que el condensador descargue un pulso de voltaje y
corriente sobre la compuerta del TRIAC X1, disparndolo. El pulso durar hasta
que finalice el semiciclo. Durante el siguiente semiciclo, las polaridades de
corriente en voltaje se invierten, pero el principio de operacin es el mismo, puesto
que ambos, TRIAC y DIAC son dispositivos bidireccionales. En la figura se muestra el circuito incluyendo la red
Snubber diseada previamente, que tambin puede usarse con TRIACs. En la prctica, se lograron ngulos de
disparo de poco menos de 10 hasta casi 180. Esto es posible debido a que el condensador se carga prcticamente
desde un valor de tensin cero hasta el voltaje de lnea, existiendo solo una porcin en el comienzo de cada semiciclo
en donde el condensador no tendr carga suficiente para activar al TRIAC.
CARACTERSTICAS
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grafico anterior)
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac, de forma que solo se
aplica tensin a la carga durante una fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de
iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos controles de
velocidad de motores.
MEDIDA PARA UN DIAC
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que
se llegue a su tensin de cebado o de disparo (30v aproximadamente,
dependiendo del modelo): Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos
supera la tensin de disparo VBO, la intensidad que circula por el componente
es muy pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente y
disminuyendo, como consecuencia, la tensin anterior. La aplicacin ms
conocida de este componente es el control de un triac para regular la potencia
de una carga. Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de
los diodos de unin o de zener. Para comprobar el diac, lo conectamos a los
Figura 7.9. Circuito de Disparo
con DIAC
Figura 7.10. Medida de un
DIAC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
267
terminales del probador y observamos la indicacin del polmetro:
A continuacin, se invierte la conexin del componente y se repite el procedimiento. En ambos casos la lectura debe
se similar, con no ms de un 5% de diferencia, y debe corresponder con las especificaciones tcnicas del componente
en prueba.
APLICACIONES:
La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito
representado en la Figura, en que la resistencia variable R carga el
condensador C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC,
producindose a travs de l la descarga de C, cuya corriente alcanza la
puerta del TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo se produce
una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del
disparo podr ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia
el tiempo de conduccin del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin
media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz control de
potencia.
Bobina de Ruhmkorff
En los laboratorios de fsica experimental de nivel universitario bsico, se realizan prcticas de espectroscopa en las
que se emplean tubos de descarga en gases, los que para producir el arco voltaico necesitan una tensin del orden de
10 KV. Es muy comn recurrir a los carretes de Ruhmkorff para obtener esta tensin, sin embargo, stos presentan
habitualmente una serie de problemas, que analizaremos ms adelante, los cuales obligan a reemplazarlos por sistemas
ms modernos.
Se propone realizar una modificacin sencilla al equipo para seguir
usndolo en forma casi original, rescatando un elemento que el alumno
puede utilizar como caja transparente , es decir en la cual se visualizan las
leyes del electromagnetismo que intervienen, frente a generadores de alta
tensin, ms modernos, pero con la desventaja de ser usados como caja
negra , que el estudiante emplea sin saber lo que ocurre en su interior
(Colombo de Cudmani, L., 1989).
Se denomina Bobina de Ruhmkorff a un transformador que permite
obtener alta tensin a partir de una fuente de baja tensin en base a
fenmenos de induccin electromagntica (Fig.1). El mismo esta compuesto por una bobina llamada primaria
(arrollada sobre un ncleo de hierro laminado), un arrollamiento secundario de gran nmero de espiras y un
interruptor automtico (o contacto mvil) que abre y cierra en forma cclica el circuito [E. Lamla, 1947].
El elevado valor de la tensin inducida en el secundario se debe a la brusca variacin de la corriente primaria y a la
alta relacin de vueltas entre ambos bobinados. Valores tpicos son del orden de 100 y 1000 vueltas para el primario y
secundario respectivamente. En paralelo con el contacto mvil k hay una capacidad C, cuyo objeto es el de evitar el
chisporroteo en el contacto y lograr la mxima tensin inducida. La corriente del bobinado primario, interrumpida por
el contacto k, es muy intensa, del orden de 5A, para valores ms usuales.
Uno de los problemas que presenta el sistema original de las bobinas de Ruhmkorff es que la chispa en el contacto k
no puede ser evitada ni con el capacitor, la que lo destruye, alterando su funcionamiento. Esto se manifiesta como una
interrupcin peridica de la descarga en el tubo. Una solucin es limar el contacto o platina hasta quitar la parte
quemada. Si bien el problema queda salvado momentneamente, esta operacin desgasta la capa de metal duro que
recubre el contacto, por lo cual se le quita vida til al mismo. Otro inconveniente son las permanentes calibraciones
que deben efectuarse en el contacto mvil para poder mantener el arco voltaico a buen nivel.
Debido a estos problemas surge la idea de hacerla funcionar independizndola del contacto mvil que hace de
interruptor.
Circuito Propuesto
Se propone un circuito elctrico oscilante que produzca una
variacin brusca de la corriente primaria a fin de obtener la tensin
inducida necesaria en el secundario. Luego de algunos ensayos se
opt por utilizar el llamado oscilador de relajacin, que se
esquematiza en la Fig. 2.
El capacitor C se carga con una constante de tiempo R1C hasta un
determinado valor de tensin, al cual llamamos U, que una vez
Figura 7.11. Disparo de TRIAC
mediante un DIAC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
268
alcanzado cierra la llave a (Apndice 1) as circula una corriente Ib a travs del primario de la bobina B sta crece
hasta tomar un valor mximo, para luego disminuir y provocar la apertura de la llave a, interrumpindose la corriente,
de esta manera se reinicia el ciclo de carga. La constante de tiempo de la descarga estar dada por R2L, donde R2
involucra la parte resistiva de la bobina primaria y la resistencia de contacto de la llave a, L es el valor de la
inductancia de la bobina.
Configuracin circuital adoptada
En base al principio bsico de funcionamiento del oscilador descrito en pargrafo anterior, el circuito adoptado es el
que se muestra en la Fig. 3.
El diodo rectificador D carga el capacitor C hasta un valor
positivo de tensin. A causa del divisor constitudo por las
resistencias R2 y R3 aparece en el punto X una tensin que
dispara (o sea que cierra) al DIAC D1 (Apndice 2) y ste, a su
vez, por medio de la compuerta (G) activa el TIRISTOR T,
haciendo conducir corriente por el primario de la bobina, debido
a la descarga del capacitor.
La tensin inducida en el secundario es Us = KNU, donde N es la relacin de vueltas de los arrollamientos primario y
secundario respectivamente, K involucra el valor de la capacidad C y la inductancia de fuga del bobinado primario. El
valor tpico de K es entre 1 y 1,5(adim)
Se puede ver en el esquema elctrico la simplicidad del circuito en cuestin pues lleva slo tres elementos
semiconductores, un diodo rectificador (D), un diac (Di) y un tiristor (T) La resistencia R1 desarrolla una potencia del
orden de los 80 W. En general no es posible conseguir ese valor de potencia por lo cual se hace necesario un arreglo
serie/paralelo de cuatro resistencias de 470 de 25 vatios cada una,
como se indica en la Fig. 4.
Desde luego el sistema cuenta con un interruptor para su puesta en
funcionamiento, una luz testigo de nen y un cordn de alimentacin a
220 V de la red. Se debe prestar especial cuidado con la aislacin del
bobinado primario del carrete, as como en los contactos que sern
conectados al circuito oscilador, pues el sistema est directamente
alimentado de la red de 220 V.
Puede parecer que el hecho de reemplazar el contacto mvil por un circuito de disparo electrnico introduce de nuevo
una caja negra para el estudiante. Sin embargo, la sencillez del circuito propuesto permite mantener en forma original
el principio de funcionamiento de la bobina.
Retomar el uso de los carretes de Ruhmkorff en las experiencias que se realizan en los laboratorios introductorios de
las carreras de ingeniera presenta una serie de ventajas importantes, ya que orientan al estudiante hacia el aprendizaje
significativo de la Fisica.
En efecto:
-Los instrumentos y equipas no aparecen como cajas negras cura nico objetivo es el manejo de diales.
-se rescatan los principias fsicos involucrados en ellos.
-se introduce a los estudiantes en el manejo de circuitos electrnicos.
-el uso de los carretes para la alimentacin de los tubos de descarga, con la modificacin sealada en el trabajo,
permite economizar tiempo, dinero Y esfuerzo pues por un lado se trabaja con un equipo de alimentacin de menor
casta y por el otro, basta con cerrar un interruptor para iniciar la descarga en el tubo, evitndose de este modo
complicadas Y delicadas calibraciones.
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo
bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la
corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de
disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un
interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje
de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor
iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin
del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
269
regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la caracterstica
bidireccional.
Oscilador de relacin con DIAC
El circuito de la figura 6 se comporta como un oscilador de relajacin
que aprovecha los cambios de estado del DIAC. Supongamos en
principio que el condensador se encuentra descargado y el DIAC, por lo
tanto, est en su estado de bloqueo. Al conectar la fuente, el
condensador se cargar con una constante de tiempo t = RC. El proceso
de carga durar hasta que la diferencia de potencial en los extremos del
condensador iguale la tensin de disparo V
B0
del DIAC. EN este
momento, el DIAC se disparar, con lo que la corriente en el DIAC
aumentar y la tensin entre sus extremos ser aproximadamente V
F
.
Esta situacin permanecer hasta que la corriente en el DIAC disminuya
de tal forma que vuelva a su estado de bloqueo; es decir, hasta que el
condensador se descargue. Puesto que la descarga del condensador se
produce a travs del DIAC en estado de conduccin, la descarga es
prcticamente instantnea. Obsrvese que en el estado estacionario el
condensador inicia el proceso de carga partiendo de una tensin aproximadamente igual a V
F
. Durante la carga,
suponiendo en el instante inicial que el condensador se encuentra a potencial V
F
, la tensin del condensador viene
dada por:
( )
|
.
|
\
|
+ =
RC
t
V V V t V
S F S C
exp ) (
El periodo de la oscilacin corresponder al tiempo necesario para que V
C
(t) alcance el valor de la tensin de disparo
V
B0
.
APLICACIN 1: CONTROL DE ONDA COMPLETA CON DIAC
El diac de la figura de abajo puede disparar el SCR
en cada semiciclo de la lnea de tensin. La
resistencia variable R1 controla la constante de
tempo RC del circuito de control del diac. Desde que
este vara un punto del ciclo con el cual el diac
dispara, tenemos un control de ngulo de conduccin
del triac. De esa forma, podemos variar a gran
corriente de carga.
APLICACIN 2: CONTROL DE FASE
El circuito de la siguiente figura controla la potencia
CA a la carga por medio de la conmutacin
conduccin-corte durante los semiciclo positivos y
negativos de la seal senoidal de entrada.
La ventaja de esta configuracin es que durante la parte
negativa de la seal de entrada se producir el mismo
efecto que el semiciclo positivo, ya que tanto el DIAC
como el TR1AC pueden disparar en la direccin
inversa. Al variar R puede controlarse el ngulo de
conduccin
APLICACIN 3: DETECTOR DE PROXIMIDAD
El diac puede ser empleado como detector de proximidad: conforme el cuerpo humano se aproxime al electrodo
sensor, la capacitancia entre electrodo y tierra crecer. El PUT (descrito ms adelante) se disparar cuando el voltaje
del diac sobrepase cierto valor. Entonces se encender el PUT y el voltaje del diac caer en forma sustancial. En ste
Figura 7.12. Circuito de Control de Onda
Completa
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
270
punto se establece una corriente considerable a travs del PUT, encendiendo el SCR. Entonces la carga reaccionar
con la presencia de una persona aproximndose.
APLICACIN 4: PROBADOR DE USOS MLTIPLES
Este sencillo circuito permite probar y verificar diversos componentes electrnicos, como: Zener, VDR, Diac, Diodos
de Alto Voltaje, Condensadores y ms. Se trata de una fuente de aproximadamente 500VDC, de muy baja corriente
(unos pocos microamperios), obtenida directamente de la propia red elctrica de 110 o 220VAC, mediante un circuito
triplicador (110V) o duplicador (220V) segn sea el caso.
ESQUEMA ELCTRICO
Para nuestro caso, el circuito a realizar trabajar con una tensin de 220 VAC Utilizaremos un transformador aislador
de lnea. Conectamos en serie las salidas del transformador de manera que la tensin obtenida finalmente a la salida
del transformador es de 108.7 VAC.
COMPONENTES
PARA LA VERSIN DE 110/120 V
D1, D2 y D3 - Diodos 1N4007 o similares
C1, C2, C3 y C4 - Condensadores electrolticos 4.7uF 350V
R1 y R2 - Resistencias 10 M 1/2W
R3 y R4 - Resistencias 1 M 1/2W
R5 - Resistencia 10 K 3W
LED - LED (Diodo Emisor de Luz)
SW1 y SW2 - Interruptores del tipo "pulsador" normalmente abierto
Varios: cables, conectores, caja de proyecto, etc.
(R5 y el LED son opcionales, pueden ser omitidos, pero se recomienda su uso, para tener una indicacin visual de la
operacin del dispositivo)
RECOMENDACIONES
Este dispositivo debe usarse con un multmetro digital de alta resistencia interna (10 M como mnimo), ya que la
misma influye directamente en la lectura de voltaje.
Figura 7.14. Circuito de Detector de Proximidad.
Figura 7.15. Esquema Elctrico para el
Circuito.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
271
Cuanto ms baja es la resistencia interna del instrumento, ms caer el voltaje por la carga que el propio instrumento
representa.
Sera ideal su uso con un VTVM o un multmetro FET, si se dispone de uno.
Tambin puede usarse un multmetro analgico del tipo de 20.000 / V (o superior), en la escala de 500, 600 o ms
VDC.
PRECAUCIONES IMPORTANTES
Aunque el dispositivo cuenta con resistencias limitadoras (R3 y R4) y doble interruptor (SW1 y SW2), debido a que
maneja un voltaje elevado y que funciona directamente conectado a la red elctrica, se recomienda tener mucha
precaucin en su manejo.
- Usar conectores del tipo caimn (cocodrilo) con cubierta aislante para conectar el componente en prueba y el
multmetro (tster).
- No tocar el componente o sus conexiones mientras se est oprimiendo los pulsadores (SW1,SW2).
- Descargar el dispositivo, una vez culminada cada prueba, cortocircuitando sus terminales por algunos
segundos.
- De ser posible, utilizar el probador conectado a la red elctrica a travs de un transformador aislador de lnea
(relacin 1:1).
El TRIAC
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
El Tiristor de triodo bidireccional (TRIAC) es fundamentalmente un
DIAC con una terminal de compuerta para controlar las condiciones de
encendido bilateral del dispositivo en cualquier direccin. En otras
palabras, para cualquier direccin, la corriente de compuerta puede
controlar la accin del dispositivo en una forma muy similar a la
mostrada para un SCR. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si
se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace
en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los
impulsos positivos como a los negativos de su compuerta.
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a
una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o
al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la
polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Es un dispositivo que se
comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier
direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. Entonces un tiristor o SCR, dar solo la mitad
de voltaje a la carga, mientras que el Triac ser todo el voltaje. De forma coloquial podra decirse que el Triac es un
switch que conmutar la corriente alterna a la carga. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin
que formaran dos SCR en anti paralelo. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de
compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos
positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente
cae por debajo de IH. El triac controla el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del
valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir,
mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder
controlar los dos sentidos de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso
de corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han diseado el
TRIAC ha sido para evitar este inconveniente.
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente
del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
El triac (triodo de corriente alterna) es un componente con tres terminales y derivado del tiristor, que puede
considerarse elctricamente como dos tiristores en anti paralelo.
Presenta, sin embargo, dos ventajas fundamentales sobre este circuito equivalente:
El circuito de control resulta mucho ms sencillo al no existir ms que un electrodo de mando.
Puede bascular al estado conductor independientemente de la polaridad de la tensin aplicada al terminal de control.
Al igual que ocurra en el tiristor, el paso del estado de bloqueo al estado conductor slo se realiza por aplicacin de
un impulso de corriente en el electrodo de mando; y el paso del estado conductor al estado de bloqueo se produce por
Figura 8.1. Smbolo del TRIAC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
272
aplicacin de una tensin de polaridad inversa, o por la disminucin de la corriente por debajo del valor de
mantenimiento IH, siendo este ltimo el caso ms utilizado.
En la Figura 11.16 se representa su estructura interna, formada por seis capas de semiconductor, y su smbolo ms
usual. Los electrodos a los que se aplica la tensin principal a controlar se les denomina nodo 2 (A2) o terminal 2, y
nodo 1 (AJ o terminal I; al electrodo de control se le denomina puerta (G). El paso de la corriente principal se
efectuar entre A2 y Al, siendo el circuito de control el formado por G y A1.
El triac es un semiconductor de tres terminales, dos principales (E1, E2) y otro de control denominado puerta (G). Este
dispositivo tiene la capacidad de controlar el paso de corriente en ambas direcciones, por tanto se puede decir que se
trata de un dispositivo bidireccional, por lo que es muy utilizado en la regulacin de corriente alterna. En la figura,
aparece representado su smbolo electrnico.
El triac presenta la ventaja de poder pasar al estado de conduccin, tanto
para tensiones negativas como positivas. Una forma simple de describir
su comportamiento, es comparndolo con dos tiristores conectados en
antiparalelo como se ve en la figura.
Es ms fcil controlar a un triac que a dos tiristores, pero cuando la
potencia que se debe controlar es excesiva para las caractersticas del
triac (la potencia mxima que puede disipar es reducida), se puede
sustituir por dos tiristores, colocados en antiparalelo como se representa
en la figura.
El triac es sensible a bajos valores de dV/dt y dI/dt, por tanto se puede
decir que el dispositivo tiene baja velocidad de conmutacin,
(frecuencia de trabajo entre 50 y 60Hz). El lmite de frecuencia para este
tipo de dispositivos est en torno a los 400Hz.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar
los dos sentidos de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un
SCR, slo podemos controlar el paso de corriente en un sentido. Por
tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores
han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer
TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su
funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos
SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos
control en ambos sentidos de la circulacin de corriente.
La figura 2.10 muestra el smbolo utilizado para representar el TRIAC, as como su estructura interna en dos
dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite la conduccin de corriente de nodo a ctodo y viceversa,
de ah que los terminales no se denominen nodo y ctodo, sino simplemente nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2). En
algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos permite la puesta en
conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el TRIAC tiene varios mecanismos de encendido
(con corrientes positivas y negativas), lo ms usual es inyectar corriente por la puerta en un sentido para provocar la
puesta en conduccin.
Se puede observar que presenta estado de conduccin tanto para iA positiva como negativa, y puede ser disparada
desde el estado de corte al de conduccin tanto para vA1A2 positiva como negativa. Adems, la corriente de puerta
que fuerza la transicin del estado de corte al de conduccin puede ser tanto positiva como negativa. En general, las
tensiones y corrientes necesarias para producir la transicin del TRIAC son diferentes segn las polaridades de las
tensiones aplicadas.
Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo nicamente un nico circuito de control,
dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin embargo, tal y como est fabricado, es un dispositivo con una
capacidad de control de potencia muy reducida. En general est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con
tensiones que no superan los 1000V y corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo de
TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de velocidad de motores y aplicaciones de
iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia mxima a la que pueden trabajar es tambin
reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofsica.
El triac es fundamentalmente una combinacin paralela inversa de dos terminales de capas de semiconductor que
permiten el disparo en cualquier direccin con una terminal de compuerta para controlar las condiciones de encendido
bilateral del dispositivo en cualquier direccin. En otras palabras, para cualquier direccin, la corriente de compuerta
puede controlar la accin del dispositivo en una forma muy similar a la mostrada para un SCR.
En el grfico del dispositivo Para cada direccin de conduccin posible hay una combinacin de capas de
semiconductor, cuyo estado ser controlado por la seal aplicada a la terminal de compuerta.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
273
El TRIAC es un dispositivo de retencin o enganche bidireccional con funcionamiento parecido al de tener dos SCR
en paralelo inverso. Su capacidad para conducir en cualquier sentido lo hace adecuado para controlar la potencia en las
cargas de CA. Sin embargo, los TRIAC tienen capacidad de corriente relativamente baja en comparacin con los SCR
(< 50 A eficaz) y no pueden substituir a los SCR en aplicaciones de corrientes altas.
El triac (triode AC conductor) es un rectificador controlable por compuerta similar al tiristor, con la particularidad de
que es capaz de conducir en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la
corriente por debajo del valor de mantenimiento.
Se puede considerar a un triac como si fueran dos tiristores conectados en paralelo y en oposicin (anti paralelo), con
una conexin de compuerta comn que controla el cebado de ambos. Es un componente simtrico en cuanto a
conduccin y estado de bloqueo se refiere. Dado que es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus
terminales como nodo y ctodo, llamndoselos simplemente T1 y T2.
El triac tiene fugas en bloqueo y cada de tensin en conduccin prcticamente iguale a las de un tiristor y el hecho de
que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por
sobretensin.
No es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un triac puede ser activado
con una sola seal positiva o negativa de compuerta.
En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro. El triac normalmente opera en el cuadrante I (tensin y
corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (tensin y corriente de compuerta negativos).
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales
puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el
circuito de disparo.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa,
el triac puede entrar en conduccin directa. Cuando se encuentra en conmutacin la dv/dt puede producir tambin el
cebado. En lo referente a la variacin di/dt aparecen dificultades idnticas a las de los tiristores.
El triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa por cero, por lo que con c.a. es necesario
redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que se
considere oportuno.
Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin. Conduce la corriente entre sus
terminales principales en un sentido o en el inverso, por ello, al igual que el diac, es un dispositivo bidireccional.
Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica una seal a la puerta (G).
Se puede considerar como dos tiristores en anti paralelo. Al igual que el tiristor, el paso de bloqueo al de conduccin
se realiza por la aplicacin de un impulso de corriente en la puerta, y el paso del estado de conduccin al de bloqueo
por la disminucin de la corriente por debajo de la intensidad de mantenimiento (I
H
).
La estructura y el smbolo circuital del
TRIAC se muestran en la figura 3. El
TRIAC es un dispositivo de 3 terminales y 5
capas, que puede entenderse, en primera
aproximacin, como dos SCR conectados en
anti paralelo. Su comportamiento es similar
al del SCR, con la diferencia de que puede
dispararse tanto para tensiones positivas
como para tensiones negativas.
Por esta razn, no se distingue entre nodo y ctodo, sino que sus terminales se designan por A
1
, A
2
(nodos) y G
(puerta).
La principal aplicacin del TRIAC es el control de seales de baja potencia en circuitos de corriente alterna.
Las caractersticas estticas del TRIAC se muestran en la figura 4. Prescindiendo del estado de bloqueo, en el que la
corriente del TRIAC es prcticamente nula, se distinguen 4 modos de funcionamiento dependiendo de los signos de
las diferencias de tensin V
A1A2
y V
GA2
. El valor de la corriente de puerta mnima de disparo depende de en qu modo
de operacin trabaje el TRIAC. Un estudio detallado de estos modos de operacin puede encontrarse en la referencia
1.
Est formado por 6 capas de material semiconductor como indica la figura.
La aplicacin de los triacs, a diferencia de los tiristores, se encuentra bsicamente en corriente alterna. Su curva
caracterstica refleja un funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante del
sistema de ejes.
Esto es debido a su bidireccionalidad.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
274
La principal utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga, en corriente alterna.
El encapsulado del triac es idntico al de los tiristores.
Es un dispositivo que se comporta como dos SCR
conectados en contraposicin, con una compuerta de paso
comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en
que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del
TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura
en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de
compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con
la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos
positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez
encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente
cae por debajo de IH.
Los productos triac son conmutadores bidireccionales de CA
capaces de controlar cargas desde 0,8 A hasta 35 A rms con
IGT de 10 mA, 25 Ma y 50 mA en los cuadrantes operativos
I, II y III. Los triacs son de utilidad en aplicaciones de CA de
onda completa para el control de potencia CA o a travs de
la conmutacin de ciclo completo o a travs del control de
fase de la corriente que fluye hacia el elemento de carga.
Estos triacs estn programados para el bloqueo de tensiones en el estado OFF desde 200 V mnimo con productos
seleccionados capaces de funcionamiento a 1000 V. Las aplicaciones tpicas incluyen controles de velocidad de
motores, controles de calentadores y controles de luces incandescentes.
Si bien es cierto que el SCR se puede acondicionar para el manejo de cargas alimentadas con corriente alterna, es un
hecho que tal cosa no es del todo prctica ni econmica. Si se colocan 2 SCR en contra paralelo se necesitan dos
circuitos de control independientes para el manejo de sus compuertas, lo cual le resta precisin al diseo y por ende,
aumenta los riesgos de fallas.
El diseo de los primeros TRIACs fue la respuesta a la necesidad industrial de dispositivos tiristores que pudieran
controlar en fase todo el ciclo de una onda de corriente alterna, incorporando las funciones de 2 SCRs dentro de una
sola pastilla semiconductora, y ambos controlados por un solo gate. Las caractersticas de compuerta(gate) del TRIAC
son muy diferentes de aquellas para dos SCR en contra paralelo, para los SCR, se debe aplicar una seal positiva de
control entre el Gate 1 y el terminal principal 1 cuando el terminal Principal 1 es negativo, y entre el Gate 2 y el
terminal Principal 2 sea negativo. Este mtodo de operacin requiere de dos circuitos separados de compuerta.
En el TRIAC, el Gate 1 y el Gate 2 estn conectados juntos y se pueden operar con solamente un circuito de control
conectado entre las compuertas y el terminal Principal 1. El modo ms fcil de gatillado para control de corriente
alterna, se obtiene polarizando positivamente el terminal de compuertas cuando el Terminal Principal 1 sea positivo.
En otras palabras, para poner en conduccin en ambos sentidos al TRIAC basta con darle al gate un poco de seal de
la misma corriente (polaridad) que haya en ese momento en el Terminal Principal 2.
El gatillado para control de corriente alterna tambin es posible con polarizacin negativa en el terminal de
compuertas durante ambos semiciclos. Para manejo de corriente directa, basta con suministrar al gate una seal
positiva de manera similar a como se controla un SCR.
Si ponemos en serie con el terminal del gate un dispositivo que garantice pulsos de disparo con voltaje superior al
nivel de umbral del TRIAC (punto en el cual el triac no sabe si conducir o no), obtendremos lo que se conoce como
QUADRAC.
Este dispositivo se consigue ya integrado dentro de encapsulados iguales a los de los triac, estos se reconocen por la
referencia, por ejemplo: Q4006LT. El nmero 400 seala el voltaje del triac, el 6 indica la corriente de trabajo en
amperios, y las letras LT significan que tienen DIAC incluido en el gate.
El TRIAC contiene seis regiones semiconductoras diferentes, y su estructura es demasiado
compleja para presentarla aqu. Simplemente se considerar que el TRIAC tiene una
estructura PNPN en ambos sentidos. El smbolo del circuito TRIAC se muestra en la figura
4.6-A. T1 y T2 son las terminales principales del interruptor, a travs de las cuales puede
fluir la corriente en cualquier sentido. La terminal T1 es la terminal de referencia, pues
respecto a ella se consideran todos los voltajes. T2 normalmente es el encapsulado o la
lengeta metlica del montaje, a los que se puede unir un disipador.
La terminal de compuerta G, controla el estado del dispositivo entre T1 y T2. Normalmente
el dispositivo est apagado y acta como un circuito abierto entre T1 y T2. Cuando se
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
275
aplican la corriente y el voltaje de compuerta apropiada, el TRIAC engancha (retiene) el estado de conduccin para
cualquier polaridad del voltaje entre T2 y T1. Una vez que el TRIAC se ha disparado a encendido por una seal de
compuerta, esta ltima deja de ejercer control sobre el TRIAC.
El dispositivo slo puede cambiarse a apagado
si se reduce la corriente a travs de T1 y T2 a un
valor menor que el de la corriente de
mantenimiento. La operacin del TRIAC es muy
parecida a la del SCR, salvo por su capacidad
bidireccional y por el hecho de que el voltaje de
compuerta del TRIAC puede ser de cualquier
polaridad para disparar al dispositivo.
Formas De Disparo
A diferencia del SCR el TRIAC posee cuatro formas posibles de disparo, las que corresponden a las diversas
polaridades de los voltajes en la compuerta y T2 respecto a T1. La tabla de la figura 3.6 incluye estas formas de
disparo junto con los valores tpicos de la corriente de CD de disparo de compuerta IGT. Los modos T2+ /G+ y T2-
/Gnormalmente requieren el valor ms bajo de IGT. El modo T2+ /G- y T2- /G+ requieren una IGT mucho mayor. En
realidad, el modo T2- /G+ rara vez se utiliza y la mayora de las tablas de datos de los TRIAC no lo incluyen.
Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso comn;
puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se
ilustra en la figura siguiente.
El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace
en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su
compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por debajo de IH.
Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de compuerta
comn, como se muestra en la fig.9
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si
la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta,
entre la compuerta y la terminal MT1.
No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado
con una sola seal positiva o negativa de compuerta.
En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje
y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos).
DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra,
dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en
MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta
como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales
sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto. Debe tenerse en
cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede
entrar en conduccin directa. El Triac es un semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con el
tiristor convencional es que ste es unidireccional, es decir, funciona con corriente alterna en el sentido de
polarizacin con medio semiciclo, y el Triac es bidireccional, funciona en los semiciclos positivos y negativos.
Cuando el Triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra,
dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en
MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el Triac se comporta
como un interruptor cerrado. Cuando el Triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales
sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al Triac (dv/dt) an sin conduccin previa,
el Triac puede entrar en conduccin directa.
Modos De Funcionamiento De Un Triac:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
276
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le
da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A
continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de
disparo posibles.
Modo I + :
Terminal T2 positiva con respecto a T1.
Intensidad de puerta entrante.
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con
la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2.
Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada
de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan
por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin.
Modo I - :
Terminal T2 positivo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y
luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura
auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea
de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
Modo III + :
Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin
P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza
ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de
huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la
entrada en conduccin.
Modo III - :
Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1.
La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta.
Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles,
seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.
El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar por puerta de forma similar
a lo explicado para el tiristor.
Existen cuatro modos de disparo segn se aprecia en la figura 5.51
El TRIAC se comporta como 2 SCR en paralelo y en oposicin con sus 2 compuertas
unidas, por lo quelas caractersticas del TRIAC en el primer y tercer cuadrante son algo
diferentes. Puede ser disparado mediante impulsos de corriente de compuerta, ya sean
positivos o negativos indistintamente, y asi lograr la conduccin en semiciclos positivos o
negativos.
Sus modos de control de potencia son:
CONTROL SINCRONO: Mediante la cantidad de ciclos completos para muy altas potencias de CA.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
277
CONTROL DE FASE: Mediante el ngulo de disparo o de inicio de conduccin en cada semiciclo positivo o
negativo.
Sus aplicaciones en la actualidad son: control de motores universales, control de iluminacin en CA, control de
temperatura, relevador esttico, etc.
Control de fase (potencia)
En la subsiguiente figura se presenta una aplicacin fundamental del triac. En esta
condicin, se encuentra controlando la potencia de ac a la carga mediante la conmutacin de
encendido y apagado durante las regiones positiva y negativa de la seal senoidal de entrada.
La accin de este circuito durante la parte positiva de la seal de entrada, es muy similar a la
encontrada para el diodo Shockley. La ventaja de esta configuracin es que durante la parte
negativa de la seal de entrada, se obtendr el mismo tipo de respuesta dado que tanto el
diac como el triac pueden dispararse en la direccin inversa. Al variar el resistor R, es
posible controlar el ngulo de conduccin. Existen unidades disponibles actualmente que
pueden manejar cargas de ms de 10kW.
Control digital de potencia
Otra de las aplicaciones ms tpicas de los tiristores es el control de potencia realizado a travs de seales digitales que
proviene de circuitos digitales o microprocesadores.
Para evitar que el circuito digital de control sea daado por la red de alimentacin es preciso aislar ambos sistemas.
Las tcnicas de aislamiento estn basadas en transformadores u opto-acopladores.
La segunda eleccin es la ms adecuada por dos motivos: direccionalidad y prestaciones. Un opto-acoplador es
unidireccional, la seal va en un nico sentido a diferencia de un transformador que es bidireccional. Adems,
presenta mayores prestaciones desde el punto de vista de coste, volumen y fiabilidad. La mayora de los opto-
acopladores no tiene capacidad de conducir grandes corrientes y por ello son utilizados como circuitos de disparo de
TRIACs de mayor potencia. En el ejemplo de la figura 12.26 se presenta un regulador de potencia controlado por una
seal digital que acta sobre una carga de alterna. El circuito de control son dos opto-acopladores TRIAC MAC3O 11
para disparar el TRIAC de potencia MAC2 1 8A. El aislamiento entre el circuito digital y el circuito de potencia es
total y puede ser diseado para que la seal digital recorra largas distancias. Lo que sucede despus de ser activado el
SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser
reducido a 0 Voltios.
Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada
para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen
que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los
que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo
inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las
tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente
dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que
pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base
antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa
durante la operacin normal.
La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del
emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los
portadores inyectados en la unin base-emisor deben
provenir del emisor. El bajo desempeo de los
transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados
simtricamente, lo que significa que no hay diferencia
alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor
seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad
de corriente menor a la llamada "corriente de
mantenimiento o de retencin", lo que causar que el
SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de
la compuerta) con respecto a tierra no sea cero.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
278
Aplicaciones Prcticas del TRIAC:
2N6071
2N6073
MAC223A6-A10
T2800D
Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate).
Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje V
BO
como el diac.
En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes aplicadas en gate, el
valor de V
BO
es distinto. En la parte de polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor
de V
BO
ms bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo.
Para que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo
del valor I
H
.
Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El triac puede dispararse de tal
modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo.
La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera
que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.
DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad
del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente
fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se
comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir
corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo
aplicado por tanto acta como un interruptor abierto. Debe tenerse en cuenta que si se
aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el
triac puede entrar en conduccin directa. El Triac es un semiconductor, de la familia de
los transistores. La diferencia con el tiristor convencional es que ste es unidireccional,
es decir, funciona con corriente alterna en el sentido de polarizacin con medio
semiciclo, y el Triac es bidireccional, funciona en los semiciclos positivos y negativos.
Cuando el Triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad
del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso
contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el Triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el Triac
deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo
aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al Triac (dv/dt) an sin conduccin previa,
el Triac puede entrar en conduccin directa.
ESTRUCTURA DEL TRIAC
La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 8.3. aunque
funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1
conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de
P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa.
La complicacin de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en
cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se
fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y
desde 400 a 1000 V de tensin de pico repetitivo. Los Triac son fabricados
para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias
medias son denominados alternistores En la FIG. se muestra el smbolo
esquemtico e identificacin de las terminales de un Triac, la nomenclatura
nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal
Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado
puerta que nos permite la puesta en conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el TRIAC
tiene varios mecanismos de encendido (con corrientes positivas y negativas), lo ms usual es inyectar corriente por la
puerta en un sentido para provocar la puesta en conduccin.
Figura 8.2. Terminales
del TRIAC
Figura 8.3. Estructura
del TRIAC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
279
CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE
La figura 8.4.muestra la caracterstica esttica I-V del TRIAC. Se puede
observar que presenta estado de conduccin tanto para iA positiva como
negativa, y puede ser disparada desde el estado de corte al de conduccin
tanto para vA1A2 positiva como negativa. Adems, la corriente de
puerta que fuerza la transicin del estado de corte al de conduccin
puede ser tanto positiva como negativa. En general, las tensiones y
corrientes necesarias para producir la transicin del TRIAC son
diferentes segn las polaridades de las tensiones aplicadas.
Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto,
requiriendo nicamente un nico circuito de control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin embargo, tal
y como est fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de potencia muy reducida. En general est
pensado para aplicaciones de pequea potencia, con tensiones que no superan los 1000V y corrientes mximas de
15A. Es usual el empleo de TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de velocidad de
motores y aplicaciones de iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia mxima a la que
pueden trabajar es tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofsica. Muestra la corriente a travs del
Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1.
El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el
cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una
resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece
con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente
disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento
IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la
tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en
conduccin, la compuerta no controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto
y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es negativa con respecto
al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y
estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III
TRIAC con acoplado optico (opto coupler TRIAC) Los TRIACs acoplados opticamente combinan un diodo emisor de
luz (LED) con un TRIAC foto-detector (foto-TRIAC) dentro de un mismo
encapsulado opaco con un esquema mostrado en la figura 8.5. Al no existir
conexion electrica entre la entrada y la salida, el acoplo es unidireccional
(LED al foto-TRIAC) y permite un aislamiento electrico entre ambos
dispositivos de hasta 7500 V (typ). Ademas, algunos foto-TRIAC incluyen
una circuito de deteccion de paso por cero que permite sincronizar senales
de la red electrica con senales de control del LED para ajustar el angulo de
conduccion. Como ejemplo de estos circuitos se encuentra el MOC3009
(Motorola) que necesita una corriente en el LED de 30mA para disparar el foto-TRIAC o el MOC3021 (Motorola) que
unicamente requiere 10mA. Cuando el LED esta apagado, el foto-TRIAC esta bloqueado conduciendo una pequena
corriente de fuga denominada IDRM(peak-blocking current). Cuando el diodo conduce, dispara al foto-TRIAC
pudiendo circular entre 100mA y 1A. Al no ser un dispositivo que soporte grandes niveles de potencia, el propio foto-
TRIAC en muchos casos acta sobre el control de un TRIAC de mucho mayor potencia, tal como se indica en la
figura 8.6. En este circuito, una seal digital (por ejemplo, una seal de un microcomputador) activa el opto-acoplador
que a su vez activa el TRIAC de potencia conectado a la red elctrica; el valor de R esta comprendido entre 50Z y 500
Z.
CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC
El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su
funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en
anti paralelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en ambos
sentidos de la circulacin de corriente. La figura 8.7 muestra el esquema
equivalente de un TRIAC.
La figura 8.9 muestra ms circuitos utilizados para representar el TRIAC, as
como su estructura interna en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el
TRIAC permite la conduccin de corriente de nodo a ctodo y viceversa, de
ah que los terminales no se denominen nodo y ctodo, sino simplemente nodo
Figura 8.5. Esquema de un
Opto-TRIAC
Figura 8.7. Circuito Equivalente
a un TRIAC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
280
1 (A1) y nodo 2 (A2). En algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.
Aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en
sentido T1-T2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicacin de su estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar
sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a
1000 (V) de tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a frecuencias bajas; los fabricados
para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores.
Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en anti paralelo, con una conexin de compuerta
comn, como se muestra en la fig.8.8 Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus
terminales como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar
una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1. No es necesario que estn presentes ambas
polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de
compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el
cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta
negativos). La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es
que en este ltimo caso cada uno de los dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente,
bloquendose cuando la corriente cambia de polaridad, dando como resultado una conduccin completa de la corriente
alterna.
El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el breve
instante en que la corriente de carga pasa por el valor
cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin
entre T2 y T1, para volver de nuevo a conducir,
suponiendo que la excitacin de la puerta sea la adecuada.
Esto implica la perdida de un pequeo ngulo de
conduccin, que en el caso de cargas resistivas, en las que
la corriente esta en fase con la tensin, no supone ningn
problema. En el caso de cargas reactivas se debe tener en
cuenta, en el diseo del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no coincide con la misma
situacin de la tensin aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos de tensin entre los dos terminales del
componente.
A menudo se necesita una fuente alterna para asegurar que se desconectar el SCR, pero sta es bastante ineficiente
puesto que slo conduce durante cada semiciclo (como un rectificador de onda media). En la Fig. 8.10 se ve un
circuito SCR bsico y sencillo adems de una manera de utilizar cuatro SRC en un puente para lograr el control de un
onda completa rectificada.
Observe que en un circuito puente, las salidas G1/G2 se disparan al mismo
tiempo durante un semiciclo y las G3/G4 durante el prximo semiciclo. Una
manera ms sencilla y menos costosa de obtener una conduccin en dos
direcciones es utilizando el TRIAC. En la Fig. 2 se ve un dispositivo tpico
junto a su smbolo grfico.
El TRIAC, al igual que al SCR, es un tipo de tiristor y, aunque tiene las
mismas cuatro capas de materiales semiconductores, su construccin es muy
compleja para describirla en este punto.
El comportamiento del TRIAC es muy similar al del SCR pero la corriente de
puerta puede ponerlo en funcionamiento en cualquier polaridad de la tensin
entre las terminales T1 y T2.
Figura 8.9. Circuito Equivalente a un TRIAC
Figura 8.8. SCR Antiparalelo
Equivalente a un TRIAC
Figura 8.7. Encapsulado del TRIAC
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
281
MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales
puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el
circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo
posibles. Modo I +: Terminal T2 positiva con respecto a T1. El modo de operacin del Triac, se describe a
continuacin:
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales
puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el
circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo
posibles. La tensin Vb0 es aquella en el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la
corriente, a travs del TRIAC, crece con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El TRIAC permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento Ih.
Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que el TRIAC entra en conduccin, la
compuerta no controla ms la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta
manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer
cuadrante, cuando la tensin en el nodo T2 es negativa con respecto al nodo T1 y obtenemos la caracterstica
invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la
caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III.
Intensidad de puerta entrante.
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin del terminal del
ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se
produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de
tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose la conduccin. Modo
I: Terminal T2 positivo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y
luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P
de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que
inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin
exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. Modo III + :
Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin
P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza
ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de
huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la
entrada en conduccin. Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta
electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la
unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan
en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles,
seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible. El
fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar por puerta de forma similar a
lo explicado para el tiristor.
METODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta G. La polaridad de la
compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1. El Triac puede ser disparado en cualquiera
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
282
de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo
o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son
los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.
1. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la
tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el
modo ms comn (Intensidad de compuerta entrante). La corriente de compuerta
circula internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de
la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es
favorecida en el rea prxima a la compuerta por la cada de tensin que produce
en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se
simboliza en la figura por signos + y - . Parte de los electrones inyectados
alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y son
acelerados por ella inicindose la conduccin.
2. El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III (-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la
tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1 (Intensidad de
compuerta saliente). Se dispara por el procedimiento de puerta remota,
conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen
ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima
de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin
inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a
conduccin.
3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 es positiva
con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es negativa con
respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente). El disparo es similar al
de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar
P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce
como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura
auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2
que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la
estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la
vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
4. El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin del nodo T2 es
negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es
positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). El disparo
tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la
estructura P2N1P1N4. La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+).
Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbido por su potencial de
unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms
positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1,
provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin
N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en
conduccin. El estado I (+), seguido de III (-) es aquel en que la corriente de
compuerta necesaria para el disparo es mnima. En el resto de los estados es
necesaria una corriente de disparo mayor. El modo III (+) es el de disparo ms difcil
y debe evitarse su empleo en lo posible.
Figura 8.8. Modo del Primer
Cuadrante
Figura 8.9. Modo del Segundo
Cuadrante
Figura 8.10. Modo del Tercer
Cuadrante
Figura 8.11. Modo del Cuarto
Cuadrante
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
283
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el disparo en todos los estados.
En la Fig. 8.12 se ven cuatro modos de operacin del TRIAC.
En referencia al cuadrante I, se logra hacer funcionar al TRIAC
mediante una corriente de puerta positiva (modo I +), pero tambin
lo puede hacer una corriente de puerta negativa (modo I -). De
manera similar, en el cuadrante III, es usual una IG negativa (modo
III-), pero tambin es posible una IG positiva (modo III+). Sin
embargo, los modos I- y III+ son menos sensibles que los modos
ms usuales: I+ y III-. El Triac es usado frecuentemente en muchas
aplicaciones de baja potencia como extractores de jugo, mezcladoras
y aspiradora. Es econmico y fcil de controlar en comparacin de 2
SCR's conectados en forma anti paralela. Sin embargo, el Triac tiene
una baja capacidad de dv/dt y un largo tiempo de apagado. No es
recomendable su uso en niveles altos de voltaje y corriente. Las
caractersticas generales que presenta el TRIAC son:
- Estructura compleja (6 capas).
- Baja velocidad y poca potencia.
- Uso como interruptor esttico.
Existe un gran nmero de posibilidades para realizar en la prctica el disparo del TRIAC, pudindose elegir aquella
que ms resulte adecuada para la aplicacin concreta de que se trate. Se pueden resumir en dos variantes bsicas:
Disparo por corriente continua
Disparo por corriente alterna.
DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA.
En este caso la tensin de disparo proviene de una fuente de tensin
continua aplicada al TRIAC a travs de una resistencia limitadora de
la corriente de puerta. Es necesario disponer de un elemento
interruptor en serie con la corriente de disparo encargado de la funcin
de control, que puede ser un simple interruptor mecnico o un
transistor trabajando en conmutacin. Este sistema de disparo es el
normalmente empleado en los circuitos electrnicos alimentados por
tensiones continuas cuya funcin sea la de control de una corriente a
partir de una determinada seal de excitacin, que generalmente se
origina en un transductor de cualquier tipo.
DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA.
El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo
de un transformador que suministre la tensin de disparo, o bien
directamente a partir de la propia tensin de la red con una resistencia
limitadora de la corriente de puerta adecuada y algn elemento
interruptor que entregue la excitacin a la puerta en el momento
preciso.
METODOS ALTERNATIVOS DE DISPARO
Hay algunas maneras indeseables con las que un triac puede encenderse. Algn son benignas, mientras otras son
potencialmente destructivas.
Seal de Ruido en la Compuerta
En ambientes elctricamente ruidosos, disparos espurios pueden ocurrir si el nivel de ruido excede la tensin VGT y si
suficiente corriente de puerta circula para iniciar accin regenerativa dentro del triac. La primera lnea de defensa es
minimizar la ocurrencia del ruido en primer lugar. Uno de los mejores resultados es logrado por realizar las
conexiones de puerta tan corta tan sea posible y asegurando que el retorno comn desde el circuito de disparo se
Figura 8.13. Disparo por Corriente Alterna
Figura 8.12. Disparo por Corriente Continua
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
284
conecte directamente al terminal MT1 (o ctodo en el caso de un tiristor). (Los tiristores y triac de potencia incluyen
este terminal en su dispositivo).
En situaciones donde las conexiones de puerta son de conductor macizo, par torcido o apantallado podra ser
necesario minimizar acortarlo. La inmunidad adicional de ruido puede proveerse agregando un resistor de 1kW o
menor entre la puerta y MT1 para reducir la sensibilidad de puerta. Tambin es posible la utilizacin de un capacitor
de tipo cermico o de polister para filtrar las altas frecuencia o dv/dt. La Alternativa de usar una serie H de triac (p.
ej. BT139-600H). Estos son los tipos insensibles con 10 mA min. De IGT. Estos son triac diseados especficamente
para proveer un alto el grado de inmunidad de ruido.
Excediendo el Valor Permitido de dv/dt
Esta es la ms probable ocurrencia cuando tenemos una carga altamente
reactiva, donde existe un considerable desfasaje entre la tensin de
carga y la corriente de la misma. Cuando el triac conmuta, esto es la
corriente se hace cero, la tensin aplicada en los bornes del mismo no es
cero, debido al desfasaje entre ambas magnitudes, como es mostrado en
la figura N6. El triac entonces repentinamente requerir bloquear esta
tensin. El resultado de esta conmutacin puede forzar al triac a volver
al estado de conduccin si se excede el valor permitido de dv/dt. Esto es
debido a que los portadores en la juntura no tienen el tiempo suficiente
para abandonarla totalmente.
La capacidad para soportar dv/dt es afectada por dos de condiciones:
1. El valor de la cada de corriente en la conmutacin esto es la di/dt.
Alta di/dt implica una capacidad de dv/dt.
2. La temperatura de juntura Tj. Si esta temperatura aumenta disminuye
la capacidad de soportar dv/dt.
Cuando diseamos un circuito de disparo para triacs, trataremos de no dispararlo al mismo en el 3 cuadrante. (MT2-,
G+), cuando esto sea posible. Para minimizar el ruido que toma la compuerta, el largo de conexin tiene que ser lo
ms corto posible. El retorno al terminal MT1 (o ctodo) tiene que retornar en forma directa al terminal propiamente
dicho. Colocar una resistencia de no ms de 1 kW, entre los terminales de compuerta y MT1 o ctodo. Una red
Snubber es aconsejable para la compuerta. La alternativa de utilizar la serie H de triacs, si lo anterior es insuficiente.
Si el triac es probable que supere la mxima dv/dt permitida por el dispositivo, es probable tambin, que sufra falsos
disparos. La manera ms comn para mitigar este problema es con el uso de una red RC de amortiguacin. Estas redes
se las conoce como red Snubber. Esta deber estar entre los terminales MT1-MT2 para limitar el valor de cambio de
voltaje. Los valores comunes son: resistencia de 100 or
de 100nF. Otra alternativa es usar un Hi-Com triac. Ntese que la resistencia de la red Snubber nunca debe omitirse,
porque si as fuere cuando el triac se dispare, pueda sufrir daos, debido a el dispositivo puede superar el valor
mximo de di/dt permitido al descargarse el capacitor entre los bornes MT1 y MT2 sin limitacin de corriente.
Excediendo el Valor Permitido de di/dt
Altas di/dt son causadas por cargas altamente inductivas, alta
frecuencia de lnea o onda no senoidal de corriente de carga. Una causa
bien conocida de corrientes de carga no senoidales y de di/dt un
rectificador que alimenta una cara inductiva. Esto puede generalmente
implicar una conmutacin fallada en un triac comn. Como la tensin
de alimentacin baja mas, el EMF la corriente de la carga y de el triac
baja rpidamente a cero. El efecto de esto se muestra en la Figura 8.15.
Durante esta condicin de corriente cero de triac, la corriente de carga
ser informal sobre el circuito rectificador. Las cargas de esta
naturaleza pueden generar di/dt tan altas que el triac no las soportar una
dv/dt suave reaplicada de 50 Hz que sube desde cero Volt. En este caso
no trae ningn beneficio poner una red Snubber, ya que el problema no
es la dv/dt. La di/dt tendr que ser limitada agregando una inductancia
de algunos mH en serie con la carga.
Figura 8.14. TRIAC dI/dt y dV/dt
Figura 8.15. Efectos de Rectificador
Indicado con carga Inductiva
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
285
Excediendo el Valor Permitido de dv/dt
Si un valor muy alto de cambio de voltaje se aplica a travs de un triac
bloqueado (o el tiristor sensible de puerta en particular) sin exceder su
VDRM (en Figura. 8.16), por la capacidad interna puede circular la corriente
suficiente para activar al triac, esta condicin se ve magnificada por el
aumento de la temperatura. Cuando ocurre este problema, la dv/dt debe ser
limitada por una red Snubber entre sus terminales MT1 y MT2 (o nodo y
ctodo, para el caso del tiristor). La utilizacin de Hi-Com triacs en este caso
puede ser beneficioso.
Excediendo el Valor Permitido de VDRM (Tensin mxima repetitiva de trabajo)
Si el MT2 de voltaje excede VDRM tal como podra ocurrir durante severo y anormal transitorio de lnea, la corriente
de fuga entre los terminales MT2 y MT1, podr hacer que el dispositivo pase al estado de conduccin. Esto se ve en la
Figura 8.17. Cuando altas dvD/dt o dvCOM/dt es probable que causen problemas, una solucin es la colocacin de
una red snubber entre los terminales MT1 y MT2. Cuando altas diCOM/dt son probables causas del problema, la
colocacin de un inductor de algunos mH en serie con la carga mitiga el problema. El uso de Hi-com Triacs es una
solucin alternativa para ambos casos.
Si el MT2 de voltaje excede VDRM tal como podra ocurrir durante
severo y anormal transitorio de lnea, la corriente de fuga entre los
terminales MT2 y MT1, podr hacer que el dispositivo pase al estado de
conduccin. Esto se ve en la Figura 8.17. Si la carga permite que un alto
incremento de corriente fluya hacia la mima, la densidad de corriente
dentro de la pastilla del semiconductor puede hacer que se forme un
"punto caliente", estos puntos van destruyendo las caractersticas del triac
(o tiristor), hasta su destruccin total del mismo. Las lmparas
incandescentes, cargas capacitivas y protecciones del tipo crowbar son
circuitos que frecuentemente ocasionan estos inconvenientes. El
encendido por sobrepasamiento de VDRM no es necesariamente la
amenaza principal a su supervivencia. Si lo es la di/dt que le sigue, esta si
es muy probable que pueda ocasionar el dao. Debido al tiempo requerido para que la conduccin sea generalizada en
toda l juntura. El valor permitido de di/dt en estas condiciones, es inferior al que se produce si e triac es encendido
correctamente por una seal de puerta. Si de alguna manera se pued proteger al triac para que la di/dt en estas
condiciones no sobrepase a este valor (dado en los manuales de datos del dispositivo), es muy probable que el Triac o
tiristor en cuestin sobreviva.
solucin anteriormente es inaceptable o poco prctica, una solucin alternativa sera proveer un filtro adicional y
clamping para impedir que los picos de tensin alcancen los bornes del semiconductor. Esto involucrara
probablemente el uso de un Varistor (de Oxido Metlico- MOV) como un "suavizador" de los picos de voltaje de la
lnea de alimentacin del sistema, en serie con la inductancia seguida por el paralelo del capacitor y MOV. Las dudas
han sido expresadas por algunos fabricantes sobre la confiabilidad de circuitos que usan MOVS, debido
principalmente que en temperaturas ambientales altas las caractersticas de los mismos fallan catastrficamente. Esto
se debe al hecho que su voltaje activo posee un coeficiente de temperatura negativo. Sin embargo, si el grado
recomendado de voltaje de 275V RMS se usa para 220V de tensin de alimentacin, el riesgo de que el MOV falle,
debera ser insignificante. Los tales fracasos son ms probables si MOVS de Vn = 250V RMS se usan, son utilizados
para 220 VAC, a temperaturas ambiente potencialmente altas.
Encendido diT/dt
Cuando un triac o tiristor se provoca es disparado por el mtodo correcto, esto es va compuerta, la conduccin
comienza en el rea adyacente a la compuerta, entonces rpidamente se esparce para cubrir el rea activa entera. Esta
demora de tiempo impone un lmite sobre el valor permisible de incremento por unidad de tiempo de la corriente de
carga. En otras palabras estamos hablando de la diT/dt que es la causa de "puntos calientes" dentro de la juntura. Estos
puntos son fusiones, lo cual lleva en un corto tiempo a un corto circuito entre los terminales MT1 y MT2.
Si el disparo es en el 3 cuadrante, un mecanismo adicional reduce la diT/dt permitida. Es posible momentneamente
tomar la puerta en la avalancha inversa durante el rpido incremento inicial de corriente. Esto no llevar a la
destruccin inmediata sino que habra progresivos puntos calientes en la juntura compuerta - MT1 (dados como
disminucin de la resistencia efectiva), despus de la exposicin repetida a estos procesos. Esto dara lugar a un
aumento de la IGT hasta que el triac no podr ser mas disparado. Los triacs sensibles son probablemente los ms
susceptibles.
Figura 8.17. TRIAC encendido por
Sobrepasar VDRM
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
286
Si la tensin VDRM del triac es probablemente superada, por transitorios de lnea se pueden adoptar las siguientes
medidas:
- Limitar la di/dt con una inductancia no saturable de algunos mH en serie con la carga.
- Usar MOV entre la alimentacin en combinacin con filtros del lado de la alimentacin.
La capacidad de soportar di/dt es afectada por cuan rpida aumenta la corriente de compuerta (diG/dt) y el valor pico
de IG. Un alto valor de diG/dt y de IG(sin exceder las caractersticas de compuerta), dan como resultado un mayor
capacidad de absorber diT/dt. Un buen circuito de disparo y evitar los disparos en el 3 cuadrantes mejora
notablemente la capacidad de absorcin de diT/dt
Como mencionado anteriormente, una carga comn con una corriente alta inicial es la lmpara incandescente que
tiene una resistencia de filamento fra muy baja. Para cargas resistivas tal como esta, la diT/dt estara a su ms alto
valor si la conduccin comienza en el pico de la senoidal de la tensin de alimentacin. Si es probable que la corriente
con un termistor de Coeficiente Negativo de Temperatura con la carga, de forma de que con la carga fra el ngulo de
disparo sea grande (<Vef). Nuevamente, el inductor no debe saturarse durante el pico de corriente mximo. Si lo hace,
su inductancia se derrumbara y no limitara ms la diT/dt. Un inductor de ncleo de aire es aceptado para este
requerimiento. Una solucin ms elegante que puede evitar el requerimiento de un limitador de corriente en serie
dispositivo estara en usar el disparo en el cruce por cero. Esto permitira a la corriente comenzar a crecer mas
gradualmente, desde el comienzo de la onda senoidal.
NOTA: Es importante recodar que el disparo por el cruce de cero es nicamente aplicable sobre cargas resistivas.
Usar el mismo mtodo para cargas inductivas donde hay desfasaje entre el voltaje y la corriente puede ocasionar
conducciones en media onda o unipolares, conduciendo a la saturacin de las cargas reactivas, produciendo
recalentamientos y corrientes de pico mayores y posibles destrucciones. Ms avanz control y en la actualidad se da el
disparo por corriente cero o disparo de ngulo variable como requiere en este caso. Si la diT/dt se espera superar un
de control (este ltimo circuito de disparo). Una alternativa puede ser el empleo de circuitos de disparo por cruce por
cero para cargas resistivas.
Apagado
Desde que apareci en el mercado el triac se usa en los circuitos de Corriente Alterna, ellos conmutan naturalmente al
final de cada ciclo medio de corriente de la carga a menos que una seal de puerta se aplique en el inicio del siguiente
hemiciclo para mantener conduccin. Las reglas para IH son al igual que para el tiristor. Vea la Regla 2.
Hi-Com triac
El triac Hi-Com tiene una construccin interna diferente al triac convencional. Una de las diferencias es que las dos
mitades de tiristor "son bien separadas para reducir la influencia que ellos tienen sobre el uno al otro. Esto ha rendido
varios beneficios:
1- Ms alto dVCOM/dt. Esto los permite de controlar cargas reactivas sin la necesidad que una red snubber en la
mayora de los casos, mientras todava evite la falla de conmutacin. Esto reduce la cantidad de componentes, baja los
costos y elimina disipacin de potencia de la redsnubber.
2-Ms alto dICOM/dt. Esto drsticamente mejora las oportunidades de conmutar a frecuencia mas alta o seales no
senoidales, sin la necesidad de un limitador de diCOM/dt (inductor en serie con la carga).
3- Ms alta dvD/dt. El Triacs llega a ser ms sensible a temperaturas activas altas. La mayor capacidad de dvT/dt del
triac Hi-com reduce su tendencia a disparos aleatorios producidos por dv/dt, cuando el dispositivo esta a una alta
temperatura. Esto los habilita a ser utilizados en aplicaciones de alta temperatura, como control de cargas resistivas
como: hornos elctricos, cocinas elctricas, donde el uso de triacs comunes se dificulta por su temperatura de entorno.
La construccin interna diferente tambin significa, que el disparo en el 3 cuadrante no es posible. Esto no debera ser
un problema en la gran mayora de los casos porque este es el el cuadrante en el cual no debera dispararse un triac, o
sea que es conveniente en reemplazo de un triac convencional por uno Hi-com. Siempre que sea posible.
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a
la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe
entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin
tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa.
En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre
los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
287
travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana
al colector.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede
explicarse mediante mecnica cuntica.
Mtodos de Montaje para triacs
Para cargas pequeas o de corriente de muy corta duracin (es decir menos de 1 segundo), podra ser posible operar el
triac en el aire libre. En la mayora de los casos, sin embargo, se fijara al disipador de calor o al chasis del equipo
(siempre que pueda disipar calor). Los tres mtodos principales de sujetar el triac al disipador son:
a) broche o clip
b) atornillando
c) remachando.
Los mtodos ms comunes son a y b. El sistema remachado no es aconsejado, salvo excepcionalmente.
Resistencia trmica
La resistencia trmica Rth es la resistencia, al flujo de calor, desde el ambiente hasta la juntura. Es anlogo a la
resistencia elctrica; es decir as como:
Resistencia elctrica R = V / I.
Resistencia trmica Rth = T / P.
Donde T es la temperatura que sube en K y P es la potencia a disipar en Vatios. Por lo tanto Rth se expresa en K / W.
Para un dispositivo montado verticalmente en el aire libre, la resistencia trmica es determinada por la resistencia
trmica juntura ambiente (Rthj-a). Esta es tpicamente 100 K/W para el encapsulado SOT82, 60 K / W para el
SOT78 y 55 K / W para los encapsulados aislados Fpack y X-pack. Para un dispositivo NO aislado montado en un
disipador, la resistencia junturaambiente es la suma de la resistencia trmica juntura - carcaza (Rthjc) mas la
resistencia trmica carcaza - disipador (Rthcd) mas la resistencia trmica disipador ambiente (Rthda).
Rthja = Rthjc + Rthjc + Rthjc (para montaje sin aislacin)
Rth j-a = Rth j-h + Rth h-a (paquete aislado).
Rth j-c [= Rthj-mb ] o Rth j-d [= Rthj-h ], se fijan y puede encontrarse en la hoja de datos para cada dispositivo.
Rth h-a es regido por el tamao del disipador y del aire que pasa sin restriccin por el disipador.
El Clculo del Disipador
Para calcular la resistencia trmica requerida para un triac dado y una corriente de
carga, nosotros debemos primero calcular la potencia a disipar en el triac usando
la siguiente ecuacin:
P = V0 x IT(AVE) + RS x IT(RMS)
2
El voltaje de codo Vo y la pendiente de la resistencia RS y VT se obtienen del
manual. Usando la ecuacin de la resistencia trmica antes vista:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
288
Rth = T / P
La mxima temperatura permisible es la que Tj alcanza Tjmax
ONDAS DE LOS TRIACS
La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se representa en la siguiente figura. La corriente
promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en el
estado encendido. Si permanece una parte pequea del tiempo en el estado encendido, el flujo de corriente promedio a
travs de muchos ciclos ser pequeo, en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo
encendido, la corriente promedio ser alta. Un triac no est limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo
adecuado del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de
corriente de onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR. Las formas de onda de los
triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo
negativo. En la FIG.8.19 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac
(a travs de los terminales principales) para dos condiciones diferentes.
En las siguientes formas de onda se muestra que est apagado el
triac durante los primeros 30 de cada semiciclo, durante estos 30 el
triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el
voltaje completo de lnea se cae a travs de las terminales principales
del triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo
de corriente a travs del triac y la carga. La parte del semiciclo
durante la cual existe esta situacin se llama ngulo de retardo de
disparo. Despus de transcurrido los 30, el triac dispara y se vuelve
como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la
carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del
semiciclo durante la cual el triac est encendido se llama ngulo de
conduccin. Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a
las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden
dispararse durante el semiciclo negativo. En la FIG.8.18 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga
como para el voltaje del Triac (a travs de los terminales principales) para dos condiciones diferentes.
En la FIG.8.19 (a), las formas de onda muestran apagado el Triac durante los primeros 30 de cada semiciclo, durante
estos 30 el Triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se cae a
travs de las terminales principales del Triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de corriente a
travs del Triac y la carga. La parte del semiciclo durante la cual existe esta situacin se llama ngulo de retardo de
disparo. Despus de transcurrido los 30, el Triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a
conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el
Triac est encendido se llama ngulo de conduccin. La FIG.8.19 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con
ngulo de retardo de disparo mayor.
CORRESPONDENCIA A UN CIRCUITO DE DISPARO
En la FIG. 8.20 se muestra un circuito prctico de disparo de un Triac utilizando un UJT. El resistor RF es un resistor
variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un transformador de
aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el primario, para este caso asla el circuito
de potencia ca del circuito de disparo. La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en
puente y la salida de este a una combinacin de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v
sincronizada con la lnea de ca. Esta forma de onda es mostrada en la FIG. 8.21 (a). Cuando la alimentacin de 24 v se
establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado
primario del transformador T2. Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la
compuerta del triac, encendindolo durante el resto del semiciclo.
Figura 8.20. Circuito de Disparo
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
289
Las formas de onda del capacitor( Vc1), corriente del secundario de T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran
en la FIG. 8.21 (b), (c),(d). La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un divisor de
voltaje, entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeo en relacin
a R1, entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el transistor pnp Q1 conduzca, con
una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1
se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta.
Por otra parte se RF es grande en relacin a R1,
entonces el voltaje a travs de R1 ser menor que en el
caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje
menor a travs del circuito base-emisor de Q1 con la
cual disminuye su corriente de colector y por
consiguiente la razn de carga de C1 se reduce, por lo
que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por
lo tanto el UJT y el Triac se disparan despus en el
semiciclo y la corriente de carga promedio es menor
que antes.
PARAMETROS DEL TRIAC
- V
DRM
(Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el mximo valor de tensin admitido de
tensin inversa, sin que el triac se dae.
- I
T (RMS)
( Corriente en estado de conduccin) = en general en el grafico se da la temperatura en funcin
de la corriente.
- I
TSM
(Corriente pico de alterna en estado de conduccin (ON)) = es la corriente pico mxima que
puede pasar a travs del triac, en estado de conduccin. En general seta dada a 50 o 60 Hz.
- I
2t
(Corriente de fusin) = este parmetro da el valor relativo de la energa necesaria para la destruccin
del componente.
- P
GM
(Potencia pico de disipacin de compuerta) = la disipacin instantnea mxima permitida en la
compuerta.
- I
H
(Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el triac volver del estado
de conduccin al estado de bloqueo.
- dV/dt (velocidad critica de crecimiento de tensin en el estado de bloqueo) = designa el ritmo de
crecimiento mximo permitido de la tensin en el nodo antes de que el triac pase al estado de conduccin. Se da a
- t
ON
(tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia y aumento de la corriente
inicial de compuerta hasta que circule la corriente andica nominal.
APLICACIONES DEL TRIAC
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control por tiristores. El triac
es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma
compuerta. El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el
triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser positiva y otra negativa. La parte positiva de la
onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de
esta manera la corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de
disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta
hacia arriba) Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). Lo
interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el tiempo que cada tiristor
estar en conduccin. (Recordar que un trisitor solo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre
sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor) Entonces, si se controla el tiempo que
Figura 8.21. Formas de Onda del Voltaje
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
290
cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la
potencia que consume.
APLICACINES
APLICACIN 1: ATENUADOR LUMINOSO DE LAMPARAS INCANDESCENTES
Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas
incandescentes (circuito de control de fase). Donde:
- Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lmpara
- P: potencimetro
- C: condensador (capacitor)
- R: Resistencia
- T: Triac
- A2: Anodo 2 del Triac
- A3: Anodo 3 del Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac
El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara
(carga), pasando continuamente entre los estados de
conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de
corte (cuando la corriente no circula) Si se vara el
potencimetro, se vara el tiempo de carga del condensador
causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de
la tensin de alimentacin y la que se aplica a la compuerta.
Nota: la diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas
se define como el ngulo (diferencia de tiempo) que existe
entre los dos orgenes de las mismas.
APLICACIN 2: DESTELLADOR
Este circuito bsicamente es similar al flash, con la
diferencia que este usa un oscilador por relajacin,
formado por una lmpara nen, la cual se encarga
de gatillar el SCR, cuando en las placas del
capacitor de 0.2 F. hay ms de 60 voltios. Aqu el
nodo y el ctodo del SCR substituyen al S1 del
flaxh. Se producir un destello cada vez que le
llegue un pulso negativo al gate dundo se enciende
el nen. Los destellos por minuto se controlan con
el potencimetro de 1M., el resistor de 150K y por
supuesto, el capacitor de 0.2F.
APLICACIN 3: TERMOSTATO ELECTRNICO
La figura 8.25 muestra un circuito con un Triac, que se utiliza para controlar la corriente a travs de una carga grande.
R1 y C, modifican el ngulo de fase en la seal de compuerta, debido a este corrimiento de fase, el voltaje de la
compuerta est atrasado con respecto al voltaje de lnea un ngulo entre 0 y 90. El voltaje de lnea tiene un ngulo de
fase de 0 mientras que el voltaje de la compuerta esta atrasado. Cuando este voltaje de la compuerta es
Figura 8.24. Circuito de un Destellador
Figura 8.22. Circuito de
Atenuador Luminoso
Figura 8.23. Formas de Onda del
Voltaje
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
291
suficientemente grande para alimentar la corriente de disparo, el Triac conduce. Una vez encendido el Triac, continua
conduciendo hasta que el voltaje de lnea regresa a cero, debido a que R1 es variable, el ngulo de fase del voltaje de
lnea se puede controlar por medio de la carga.
Un control como este es muy til en calentadores industriales,
alumbrado y otras aplicaciones de potencia alta. En la configuracin
actual este circuito enciende un motor u otro aparato cuando la
temperatura alcanza un valor predeterminado. Si se quiere la
operacin contraria, se debe de hacer el cambio que se indica abajo.
El triac debe montarse en disipador conveniente de calor.
APLICACIN 4: DIMMER / CONTROL DE VELOCIDAD DE UN MOTOR DE CORRIENTE ALTERNA
Si desea controlar el nivel de iluminacin del dormitorio o
desea controlar la velocidad de tu taladro o un ventilador
(motores de corriente alterna), este es el circuito que busca.
Muchos de estos circuitos reguladores de potencia tienen
un punto de encendido y apagado que no coincide (a este
fenmeno se le llama histresis), y es comn en los
TRIACS. Para corregir este defecto se ha incluido en el
circuito las resistencias R1, R2 y C1. El conjunto R3 y C3
se utiliza para filtrar picos transitorios de alto voltaje que
pudieran aparecer. El conjunto de elementos P
(potencimetro) y C2 son los necesarios mnimos para que
el triac sea disparado. El triac controla el paso de la
corriente alterna a la carga conmutando entre los estados
de conduccin (pasa corriente) y corte (no pasa corriente)
durante los semiciclos negativos y positivos de la seal de alimentacin (110 / 220 voltios.), la seal de corriente
alterna que viene por el tomacorrientes de nuestras casas El triac se disipar cuando el voltaje entre el condensador y
el potencimetro (conectado a la compuerta del TRIAC) sea el adecuado. Hay que aclarar que el condensador en un
circuito de corriente alterna (como este) tiene su voltaje atrasado con respecto a la seal original, y cambiando el valor
del potencimetro, se modifica la razn de carga del condensador, el atraso que tiene y por ende el desfase con la seal
alterna original. Esto causa que se pueda tener control sobre la cantidad de corriente que pasa a la carga y as la
potencia que se le aplica.
Lista de componentes:
- Resistencias: 2 de 47 K, (kilohmios)
- 1 de 100, (ohmios)
- 1 potencimetro de 100K
- Condensadores: 3 de 0.1 uF (microfaradios)
- Otros: 1 TRIAC (depende de la carga, uno de 2 amperios para aplicaciones comunes como este dimmer)
- 1 enchufe para la carga: de uso general,(110 / 220 Voltios)
APLICACIN 5: DISIPADORES DE CALOR
Los disipadores de calor son componentes metlicos que utilizan para evitar que algunos elementos electrnicos como
los transistores se calienten demasiado y se daen. El calor que produce un transistor no se transfiere con facilidad
hacia el aire que lo rodea. Algunos transistores son de plstico y otros metlicos. Los que son metlicos transfieren
con ms facilidad el calor que generan hacia el aire que lo rodea y si su tamao es mayor, mejor. Es importante aclarar
que el elemento transistor que uno ve, es en realidad la envoltura de un pequeo "chip" que es el que hace el trabajo, al
cual se le llama "juntura" o "unin". La habilidad de transmitir el calor se llama conductancia trmica y a su recproco
se le llama resistencia trmica (Rth) que tiene unidad de C / W (grado Centgrado / Watt). Ejemplo: Si el RTH de un
transistor es 5C/W, esto significa, que la temperatura sube 5C por cada Watt que se disipa. Ponindolo en forma de
frmula se obtiene: R = T / P,
Donde:
- R = resistencia
Figura 8.25. Circuito de un Termostato Electrnico
Figura 8.27. Circuito DIMMER
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
292
- T = temperatura
- P = potencia
La frmula anterior se parece mucho a una frmula por todos conocida (La ley de Ohm). R =
V / I. Donde se reemplaza V por T a I por P y R queda igual. Analizando el siguiente
diagrama:
Donde:
- TJ = Tempartura mxima en la "Juntura" (dato lo suministra el fabricante)
- TC = temperatura en la Carcasa. depende de la potencia que vaya a disipar el
elemento y del tamao del disipador y la temperatura ambiente.
- TD = Temperatura del disipador y depende de la temperatura ambiente y el valor de
RDA (RD)
- TA = temperatura ambiente
- RJC = Resistencia trmica entre la Juntura y la Carcasa
- RCD = Resistencia trmica entre la Carcasa y el Disipador (incluye el efecto de la
mica, si se pone, y de la pasta de silicn) Mejor si se puede evitar poner mica mejor, mejor si
se pone pasta de silicn.
- RDA = Resistencia trmica entre el Disipador y el Aire (Resistencia trmica del
disipador) (RD)
Ejemplo: Se utiliza un transistor 2N3055 que produce 60 Watts en su "juntura". Con los datos del transistor 2N3055,
este puede aguantar hasta 200 Watts en su "juntura" (mximo) y tiene una resistencia trmica entre la juntura y la
carcasa de: 1.5C/W (carcasa es la pieza metlica o plstica que se puede tocar en un transistor) Si la temperatura
ambiente es de 23C, Cul ser la resistencia trmica del disipador de calor que se pondr al transistor? (RDA). Con
RJC = 1.5C/W (dato del fabricante), la cada de temperatura en esta resistencia ser T = R x P = 1.5C x 60 Watts =
90 C (ver frmula) Con RCD = 0.15C/W (se asume que se utiliza pasta de silicn entre el elemento y el disipador),
la cada de temperatura en RCD es T = R x P = 0.15 x 60 Watts = 9C. Tomando en cuenta que la temperatura del
aire (temperatura ambiente es de 23C), el disipador de calor tiene que disipar: 200C 90C 9C 23C = 78C.
Esto significa que la resistencia trmica del disipador de calor ser: RDA = 78C / 60 W = 1.3C/Watt.. Con este dato
se puede encontrar el disipador adecuado. Cuando se ponga un disipador de calor a un transistor, hay que evitar que
haya contacto entre ellos. Se podra evitar esto con plstico o el aire, pero son malos conductores de calor. Para
resolver este problema se utiliza una pasta especial que evita el contacto. La virtud de esta pasta es que es buena
conductora de calor. De todas maneras hay que tomar en cuenta que esta pasta aislante tambin tiene una resistencia
trmica que hay que tomar en cuenta. Es mejor evitar si es posible la utilizacin de la mica pues esta aumenta el RCD.
El contacto directo entre el elemento y el disipador, contrario a lo que se pueda pensar, aumenta el valor de RCD, as
que es mejor utilizar la pasta.
APLICACIN 6: DISEO
En la FIG.8.21 puede verse una aplicacin prctica de
gobierno de un motor de c.a. mediante un Triac
(TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega
desde un circuito de mando exterior a la puerta inversora
de un ULN2803 que a su salida proporciona un 0 lgico
por lo que circular corriente a travs del diodo emisor
perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho diodo
emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac a
travs de R2 tomando la tensin del nodo del Triac de
potencia. Este proceso produce una tensin de puerta
suficiente para excitar al Triac principal que pasa al estado
de conduccin provocando el arranque del motor. Se debe
recordar que el Triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa por cero, es decir, en cada
semiciclo, por lo que es necesario redisparar el Triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control
activada durante el tiempo que consideremos oportuno. Se puede apreciar, que entre las terminales de salida del Triac
se sita una red RC cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se puedan
producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no deseados. Es importante tener en
cuenta que el Triac debe ir montado sobre un disipador de calor constituido a base de aletas de aluminio de forma que
el semiconductor se refrigere adecuadamente.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
293
APLICACIN 7: CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES
El control de velocidad de los motores se ha realizado en base a SCRs en mayor medida que en TRIACs. A primera
vista, el TRIAC presenta mayores ventajas debido a su simetria, lo que le confiere ciertas ventajas frente al SCR que
unicamente conduce en un semiperiodo. Sin
embargo, el TRIAC tiene unas caracteristicas
dv/dt inadecuadas para el control de motores y
es dificil la realizacion de circuitos de control
simetricos. Por otra parte, el SCR puede
conducir en todo el periodo si se rectifica la
senal de red. Las figuras 8.29.a y 8.29.b
muestran dos ejemplos sencillos de control
realizados a traves de SCR de un motor
universal (fig. 8.29.a) y un motor de iman-
permanente (fig. 8.29.b).
MEDICIN DE LA TENSIN Y CORRIENTE DE SALIDA
1. Fijamos V
DD
a la tensin de 12 V.
2. Fijamos V
GG
a la tensin de 12 V.
3. Ajustamos P1 a su valor mximo, verificando que el Triac no se encuentre en conduccin, si no es
as presionamos el interruptor S y as retornar al estado de bloqueo.
En caso de que este mtodo no funcione, apagamos la fuente V
DD
y la prendemos nuevamente
4. Disminuimos el valor de P1 lentamente y observamos la corriente y tensin de la compuerta.
5. Calentamos el Triac acercando el extremo del soldador durante uno a dos minutos (no hay que
hacer contacto entre el soldador y el cuerpo del Triac). El calentamiento se producir por la conduccin del calor en el
aire).
6. Cambiamos la polaridad de V
GG
y V
DD
de acuerdo con la tabla 1.
MEDICIN DE LA CARACTERISTICA DE CONDUCCIN DEL TRIAC
1. Conectamos el circuito de medida de acuerdo a la siguiente Fig.8.30
2. Conectamos VGG y determinamos su valor en 12 V constante. Fijamos P1 en su valor mnimo.
3. Activamos la fuente de tensin VDD y fijamos su lmite de corriente en 400mA y en este estado debemos bajar su
tensin a cero y conectarla al circuito.
4. Aumentamos la tensin de la fuente VDD para obtener el mximo de corriente, If = 400mA. Medimos y anotamos
la tensin del Triac Vf en la tabla 2. Para medir la corriente presionar el interruptor.
5. Disminuimos la corriente de nodo a 300mA con ayuda del lmite de corriente y anotar la tensin Vf obtenida.
6. Continuamos disminuyendo la corriente del Triac de acuerdo a la tabla y anotamos las tensiones obtenidas.
7. Cambiamos la polaridad de VGG y VDD de acuerdo a la tabla (y variamos la polaridad de los instrumentos
anlogamente).
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
294
CARACTERISTICAS DEL TRIAC
1. Conectamos el circuito de medicin de acuerdo a la Fig 8.24. Fijamos el potencimetro P1 a su valor mximo y la
fuente de tensin a un valor pequeo.
2. Fijamos la tensin VGG en 12 V. Tener en cuenta que el generador de audiofrecuencia y la fuente de tensin
deben estar "flotantes" (no a tierra). Si esto no fuera posible se debe intercambiar de lugar la entrada del amplificador
"Y" con tierra (GND), entonces habr que tomar en cuenta el error que proviene de la adicin de cada de tensin
sobre la resistencia de ctodo a la tensin en el nodo medida a travs del amplificador "X".
3. Fijamos la tensin del generador de audiofrecuencia en su valor mximo a una frecuencia de 500 Hz. Fijamos el
amplificador "Y" y "X" de acuerdo a la necesidad.
4. Disminuimos la resistencia del potencimetro P1 (para aumentar la corriente de la compuerta). Observamos en la
pantalla del osciloscopio la influencia de la corriente de compuerta en la figura.
El UJT
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de
disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales.
Las siglas UJT significan UNIJUNCTION TRANSISTOR lo que se traduce como
transistor de juntura nica, este dispositivo hecho de silicio esta compuesto por
una barra de material tipo N fuertemente dopado y casi a la mitad de la barra tiene
difundido material tipo P.
El transistor UJT o de uni-union El transistor de uni-union (unijunction transistor)
o UJT esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales
externos: dos bases y un emisor. En la figura 1.21.a aparece la estructura fisica de
este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la region n
debilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o
resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KZ estando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en la
figura 1.21.b esta constituido por un diodo que excita la union de dos resistencias internas, R1y R2, que verifican
RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la caida de tension en R1(V1) se puede expresar como
En donde VB2B1 es la diferencia de tension entre las bases del UJT y es el factor de division de tension conocido
como relacion intrinseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 9.2.c, cuya
Figura 8.32. Circuito de Medicin
Figura 9.1. Smbolo del UJT
Figura 9.2. Transistor UJT. a) Estructura fisica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) simbolo.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
295
estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccion los transistores la caida de tension
en R1es muy baja. El simbolo del UJT se muestra en la figura 9.1. en donde VB2B1 es la diferencia de tension entre
las bases del UJT y es el factor de division de tension conocido como relacion intrinseca. El modelo de este
dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 9.2.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro
capas. Cuando entra en conduccion los transistores la caida de tension en R1 es muy baja. El simbolo del UJT se
muestra en la figura 9.2.d.
Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y
de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el
lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Como se dijo antes este es
un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado
por la frmula:
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1. Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la
temperatura. Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que
el UJT se dispare = Ip. Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material
tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT
pero con las polaridades de las tensiones al revs
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se
muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2
B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB
teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el
capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de
tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a
un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la
constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del
valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de
oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n
Oscilador de relajacin
A continuacin se muestra un oscilador de relajacin con UJT como ejemplo de una aplicacin. Este tipo de circuito
tambin es bsico para otros circuitos de disparo y sincronizacin.
Cuando se aplica la potencia de cd, el capacitor C se carga exponencialmente a travs de R1 hasta que alcanza el
voltaje de punto pico Vp. En este punto, la unin pn se polariza en directa y la caracterstica de emisor pasa a la regin
de resistencia negativa (VE decrece e IE crece).
Luego, el capacitor se descarga rpidamente a travs de la unin polarizada en directa, rB y R2. Cuando el voltaje del
capacitor desciende hasta el voltaje de punto valle VV, el UJT se apaga, el capacitor comienza a cargarse nuevamente
y el ciclo se repite, como se muestra en la forma de onda de voltaje de emisor. Durante el tiempo de descarga del
capacitor, el UJT conduce; por consiguiente, en R2 se desarrollan un voltaje, como se indica en el diagrama de forma
de onda de la figura.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
296
Control de un calentador sensible a la temperatura
El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida
del puente se aplica al circuito de control a travs de R1 y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor
(resistor sensible a la temperatura) RT y el resistor variable R2 controlan la polarizacin de Q1. R2 se sujeta de modo
que el transistor Q1 se apague a una temperatura predeterminada.
Cuando Q1 est apagado, el capacitor C1 est descargado y, por tanto, el UJT (Q2) y el triac estn apagados. El
voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del
puente se aplica al circuito de control a travs de R1 y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor
(resistor sensible a la temperatura) RT y el resistor variable R2 controlan la polarizacin de Q1. R2 se sujeta de modo
que el transistor Q1 se apague a una temperatura predeterminada. Cuando Q1 est apagado, el capacitor C1 est
descargado y, por tanto, el UJT (Q2) y el triac estn apagados.
Cuando la temperatura desciende por debajo del valor establecido, la resistencia de RT se incrementa, haciendo que
Q1 conduzca. Lo anterior permite que C1 se cargue hasta un voltaje suficiente para disparar al UJT.
El pulso de salida resultante en el UJT se acopla a travs del transformador y dispara al triac, que conduce corriente a
travs del elemento calefactor (carga). Cuando este elemento se calienta, su resistencia crece hasta que la corriente
desciende por debajo del nivel de retencin del triac, apagndolo.
Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor,
frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin
Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones) bsicos
para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. En la actualidad, la
mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y
sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la
obtencin de dispositivos utilizando semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que
requieran gran rea y prestaciones electrnicas no muy exigentes.
Si la temperatura contina descendiendo, entonces la resistencia RT se incrementa ms y hace que Q1 conduzca con
ms intensidad, cargando as con mayor rapidez al C1. Esto dispara ms pronto al triac en el ciclo de ca, de modo que
se entrega ms potencia a la carga. Cuando la temperatura se eleva, la resistencia de RT decrece, provocando que Q1
conduzca menos. Como resultado, el C1 tarda ms en cargarse y el triac se dispara ms tarde en el ciclo de ca, de
modo que se entrega menos potencia a la carga. Cuando se alcanza la temperatura deseada, se apagan el Q1 y tambin
el triac, no entregndose ms potencia a la carga.
CARACTERSTICAS
El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o
UJT esta constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externos: dos
bases y un emisor. En la figura 9.2.a aparece la
estructura fsica de este dispositivo. El emisor esta
fuertemente dopado con impurezas p y la regin n
dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia
entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es
elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).
Est compuesto solamente por dos cristales. Al
cristal P se le contamina con una gran cantidad de
Figura 9.3. Estructura y Encapsulado del UJT
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
297
impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy
pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las
dos bases RBB sea muy alta.
UJT (Uni-Juntion Transistor): transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 K) tipo N con tres
terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unin NP). En la figura se representa la estructura y enapsulado de UJT.
FUNCIONAMIENTO DE UN UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 1.22 se describe las
caracteristicas electricas de este dispositivo a traves de la relacion de la tension de emisor (VE) con la corriente de
emisor (IE). Se definen dos puntos criticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point(VV,
IV), ambos verifican la condicion de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacion: region de
corte, region de resistencia negativa y region de saturacion. El circuito equivalente del UJT es el representado en la
figura 5, para su estudio definimos:
- Vp = Voltaje pico
- Vv = Voltaje valle
- Ip = Corriente pico
- Iv = Corriente valle
- VBB : Tensin interbase.
- rBB : Resistencia interbase rBB =rB1+rB2
- VE : Tensin de emisor.
- IE : Intensidad de emisor.
- VB2 : Tensin en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado).
- VP : Tensin de disparo VP= VrB + VD
- IP : Intensidad de pico (de 20 a 30 A.).
- RBB = Resistencia entre bases
- Iv = Corriente de valle
- PD = Potencia de disipacin
- VV : Tensin de valle de emisor
- IV : Intensidad valle del emisor.
- VD : Tensin directa de saturacin del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V).
- : Relacin intrnseca (de 0,5 a 0,8)
Regin de Corte.
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el
diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT
viene definida por la siguiente ecuacin
V
P
= V
B2B1
+ V
F
donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C.
El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
Regin de Resistencia Negativa
Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en
conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin.
Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una
resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y
de valle (IP< IE< IV).
Regin de Saturacin
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas
corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una
relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la
corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es
mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las
condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a
la regin de corte. En la figura 9.4 tambin se observa una curva
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
298
de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una
forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.
El punto de funcionamiento viene determinado por las caractersticas del circuito exterior. El funcionamiento del UJT
se basa en el control de la resistencia rB1B2 mediante la tensin aplicada al emisor. Si el emisor no est conectado
VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0.
Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE.
Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde rBB vara en funcin de IE. A partir del
punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente. Se
suele usar para el disparo de tiristores o en el diseo de osciladores de relajacin. El componente acepta prueba
esttica de manera que cuando se lee en los extremos de la barra no importando la polaridad siempre se obtendr un
valor fijo de resistencia en el orden de 5k a 10k. En los siguientes diagramas se muestra la estructura interna, el
smbolo y el circuito equivalente de un UJT.
El valor de n es una especificacin que proporciona el fabricante y de
acuerdo al rango se deduce que RB1 siempre es diferente que RB2 y que
RB1 es mayor 50% de RBB.
El UJT o transistor uniunin, es un elemento semiconductor que consta de
una barra de silicio tipo N(versintipo N) en cuyos extremos se obtienen
los terminales base 2 (B2) y base 1 (B1).En las proximidades de la base2
se inserta material tipo P, dando lugar a una unin PN de cuyo extremo
libre se extrae el terminalllamado emisor(E).La versin tipo P est
constituida por una barra de silicio interbases de tipo p, conisercin de
material tipo N en la conexin del terminal del emisor.En la versin tipo N
cabe decir que el dispositivo presenta una resistencia entre las dos bases
(RBB) que,aefectos del terminal de emisor,se comporta como un dicisor
de tensin formado por las seccionescorrespondientes al tramo
comprendido entre B2 y E,y entre B1 y E,denominadas RB1 y RB2
respectivamente. Un parmetro denominado eta (),define la relacin entre ellas de la siguiente manera:Este
parmetro depende fundamentalmente de caractersticas constructivas ligadas al proceso de fabricaciny bse indica en
las especificaciones tcnicas del componente.
Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria
que debe haber entre E Un dato adicional que nos da el fabricante
es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el
UJT se dispare = Ip . El transistor monounin (UJT) se utiliza
generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la
fig.5 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene
tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2.
Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una
resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo
valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de
alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la
resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado
abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC.
Fig.5 Circuito bsico de disparo de un UJT
Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el
capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es
mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se
desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de
oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n
Figura 9.5. Circuito equivalente del
UJT.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
299
TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE.
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.7. Un PUT se puede utilizar
como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.7b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la
alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso
del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al
modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de
compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta
en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar.
La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG
= R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk est limitado a un valor por debajo de 100
Ohms.
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por:
T = 1/f = RC ln Vs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)
Cuando los niveles de voltaje aplicados al emisor son menores que Vp, el diodo D est inversamente polarizado, con
lo cual circula una pequea corriente inversa de juntura. Cuando la tensin Ve se hace igual a Vp, el diodo entra en
conduccin inicindose aqu la trayectoria en la curva de la regin de resistencia negativa y circulando una pequea
corriente Ip.
Debido al fenmeno de modulacin de conductividad, la corriente empieza a crecer mientras el voltaje disminuye
hasta que finalmente se llega a un valor de saturacin, en el cual la resistencia Rb1 se hace constante en el valor Rs
(aproximadamente 5 ( - 30 (), con valores bajos de tensin y niveles altos de corriente, terminando aqu la regin de
resistencia negativa y empezando la de saturacin.
Sobre la caracterstica tensin-corriente se destacan tres zonas de trabajo y funcionamiento:
- Regin de bloqueo: el diodo est inversamente polarizado, la corriente Ie es menor que el valor de Ip.
- Regin de resistencia negativa: los valores de corriente estn comprendidos entre Ip e Iv.
- Regin de saturacin: en esta regin la resistencia vuelve a ser positiva, tenindose niveles de corriente por encima
de Iv.
ESTABILIZACION
Las caractersticas ms importantes del UJT se resumen en la ecuacin:
Vp = Vd + n Vbb
En aplicaciones tales como osciladores y temporizadores no es conveniente tener variaciones en el valor de Vp, pues
la exactitud de estos circuitos depender de la invariabilidad de Vp. Sin embargo, tanto Vd como n son parmetros
dependientes de la temperatura por lo cual es necesario estudiar su incidencia sobre Vp.
En primer lugar Vd disminuye al aumentar la temperatura, siendo esta variacin del orden de -2mV/C. El valor de n
tambin disminuye aunque no en grado apreciable con el aumento de temperatura ya que:
n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = Rb1/Rbb
En trminos generales se tiene que Vp disminuye al aumentar la temperatura.
Ahora bien, el valor de Rbb es fuertemente dependiente de la temperatura puesto que es la resistencia en un material
semiconductor.
Sin embargo su efecto en la tensin Va es despreciable, puesto que este valor depende de n y la variacin de n es
despreciable.
Con el nimo de compensar la variacin en el diodo, se conecta una resistencia R2 externa en serie con Rb2, es decir
al terminal B2. Bajo estas condiciones se tiene:
Va = Vbb Rb1/ (Rb1 + Rb2 + R2)
Va = Vbb Rb1/ (Rbb + R2)
Dividiendo por Rbb,
Va = n Vbb/(1 + (R2/Rbb))
Si la temperatura baja el valor de Rbb baja, con lo cual el factor R2/Rbb sube y por consiguiente Va baja.
Si la temperatura sube el valor de Rbb sube, con lo cual el factor R2/Rbb baja y por consiguiente Va sube.
Puede observarse entonces que las variaciones de Vd pueden ser compensadas con las de Va ya que estas ocurren en
sentido opuesto, de tal forma que se mantiene el valor de Vp aproximadamente constante.
Ahora, el rango de trabajo de la fuente de polarizacin Vbb est comprendido entre 10 y 35 voltios, lo cual hace que
R2 vare entre 50 ohm y 1 kohms
Empricamente se han encontrado los siguientes valores para compensacin:
R2 = 100 ( para trabajo entre -55C y 25C
R2 = 400 ( para trabajo entre 25C y 100C
En trminos generales se obtiene una buena compensacin con R2 = 100 ohms.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
300
IMPEDANCIA DE CARGA
Cualquiera de los tres terminales del UJT puede ser usado para obtener una seal
de salida, siendo el mas utilizado el terminal correspondiente a la base B1, por lo
cual es necesario adicionar una resistencia R1 externa como se muestra en la figura
4.
El valor de R1 est limitado a valores tpicos de 100 (, aunque en algunas
aplicaciones se utilizan transformadores de pulsos.
APLICACIONES
El oscilador de relajacin es el corazn de muchos timers
y circuitos osciladores. La figura 5 muestra un circuito
tpico constituido por un UJT, una redReCe, las
resistencias de carga y compensacin R1 y R2, as como
las formas de onda desarrolladas en cada uno de los
terminales.
El circuito trabaja de la siguiente forma: Cuando se
prende la alimentacin, el condensador Ce se carga a
travs de Re hasta que se alcanza el nivel Vp.
Figura 5. Oscilador de Relajacin con UJT
En este punto, el UJT entra en conduccin haciendo que
la resistencia Rb1 tienda a un valor cercano a cero,
permitiendo que un pulso de corriente correspondiente a la descarga del condensador fluya por R1 y de esta forma se
desarrolle tambin un pulso de voltaje en el terminal B1.
Simultneamente con el pico positivo en B1, aparece uno negativo en B2. Esto sucede debido a que la repentina cada
en Rb1 provoca tambin una repentina reduccin en la resistencia total entre Vbb y tierra, y consecuentemente un
incremento en la corriente por R2, el cual provoca una mayor cada a travs de R2 creando finalmente un pico de
voltaje negativo en el terminal B2.
En el terminal de emisor, se desarrolla una seal diente de sierra, la cual no es totalmente lineal debido a la carga
exponencial del condensador puesto que este no se carga a una rata constante. Por otro lado, la parte baja de la seal
no es exactamente cero voltios. Hay dos razones para que esto ocurra:
- El voltaje emisor-base B1 jams alcanza el valor cero, sino el voltaje de valle Vv.
- Hay siempre alguna cada de voltaje a travs de R1, debido a la corriente que fluye a travs del UJT.
Asumiendo que el condensador est inicialmente descargado, al aplicarse la tensin de polarizacin, este trata de
cargarse hasta el valor de fuente con una constante de tiempo dada por Rece.
Cuando el voltaje sobre el condensador se hace igual al valor Vp del UJT, ste se dispara, entrando en conduccin,
aumentando la corriente de emisor y disminuyendo la tensin, o sea que el condensador empieza a descargarse a
travs de la baja impedancia que ve entre emisor y tierra. La constante de descarga ser aproximadamente R'Ce, donde
R' es la suma de R1 y la resistencia del diodo. Es claro que la constante de carga es mucho mayor que la de descarga.
Cuando el condensador se descarga, entra de nuevo el UJT en la regin de bloqueo puesto que la tensin en el
terminal de emisor se hace menor que el voltaje Vp. Al iniciarse nuevamente el proceso, se repite el ciclo.
Puesto que el circuito anterior es un oscilador a resistencia negativa, es necesario cumplir con la condicin general
impuesta para este tipo de circuitos, y es que la lnea de carga corte la caracterstica en su regin de resistencia
negativa.
La ecuacin de la lnea de carga est dada por:
Vbb = Re Ie + Ve
Dependiendo del valor de Re, se pueden obtener varias curvas:
-Sea Re = Re1 = valor grande de resistencia
Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Rmx
Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb
Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga. Es claro que si Re1 es elevado el valor de Ie tiende
a cero. Bajo estas condiciones dicha lnea de carga cortara la curva caracterstica en la regin de bloqueo.
-Sea Re = Re2 = valor bajo de resistencia
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
301
Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Rmn
Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb
Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga. Es
claro que si Re2 es bajo el valor de Ie tiende a ser elevado. Bajo estas
condiciones dicha lnea de carga cortara la curva caracterstica en la
regin de saturacin.
-Sea Re = Re3 = un valor medio de resistencia
Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Re3
Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb
Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga.
Bajo estas condiciones dicha lnea de carga cortara la curva
caracterstica en la regin de resistencia negativa.
En la figura 6 pueden apreciarse esta serie de situaciones.
En trminos generales se tendra:
Remn (Re (Remx
El valor de Remx debe ser tal que permita obtener el nivel mnimo
de corriente, o sea Ip. Por lo tanto la ecuacin se transformara en:
Vbb = Remx Ip + Vp
Remx = (Vbb - Vp)/Ip
Por otro lado, el valor de Remn debe ser tal que permita obtener el nivel mximo de corriente, o sea Iv. Por lo tanto la
ecuacin se transformara en:
Vbb = Remn Iv + Vv
Remn = (Vbb - Vv)/Iv
En trminos generales el valor de Re est comprendido entre 3 k( y 3 M(, y el condensador vara entre .01 &F y .5
&F.
El perodo de oscilacin est dado por la expresin:
T = Re Ce ln (1/(1-n))
Esta ecuacin proviene de la expresin de carga del condensador:
Vc (t) = Vf + (Vi - Vf) e(-t/Rece)
Vc (t) = Vbb (1 - e(-t/Rece))
En t = T Vc(t) = Vp
Reemplazando estos valores: T = Re Ce ln (Vbb/(Vbb - Vp))
Ahora, Vp = Vd + n Vbb = n Vbb, con lo cual
T = Re Ce ln (1/(1-n))
EJEMPLO
Dado un oscilador de relajacin con UJT que trabaja con una relacin intrnseca n = .7 y con Re = 100 k( y Ce = .5
&F, calcular el perodo y la frecuencia de trabajo, as como el voltaje Vp de disparo suponiendo una fuente de
polarizacin de 20 voltios.
T = 100 k( .5 &F ln (1/(1-.7))
T = 60 ms
f = 1/T = 1/60 =16.6 Hz
Vp = Vd + nVbb = .6 + .7 20 = 14.6 v
APLICACIONES
APLICACIN 1: CARGADOR DE BATERAS BASADO EN UJT.
El cargador de baleras mostrado en la Figura 9.6 es un circuito muy simple que utiliza un oscilador de relajacin
basado en un UJT para el control del SRC. El circuito no opera cuando la balera est completamente cargada o la
polaridad de conexin de la balera no es la correcta.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
302
El funcionamiento del circuito reflejado en las formas de onda de la Figura
9.6 es el mostrado en la Figura 9.7.
El oscilador de relajacin nicamente est activo cuando la tensin de la
batera es baja. En este caso, el UJT dispara al SRC con una frecuencia
variable en funcin de las necesidades de corriente de carga. La tensin Vp de
activacin de] UJT es variable al ser Vp= nVB2B1+VF, en donde VB2B1
depende a su vez de la tensin de la batera regulada a travs del
potencimetro variable R2.
El oscilador de relajacin dejar de funcionar cuando la Vp sea mayor que la
tensin zener del diodo de referencia 1N4735. En este caso, la tensin del
condensador CE ser constante al valor fijado por la tensin zener.
APLICACIN 2: TEMPORIZADOR UJT
El transistor monojuntura (unijunction), o como comunmente se le
conoce UJT, tambin se le conoce como diodo de base doble. Es un
dispositivo semiconductor de 3 terminales, con un comportamiento
similar a un diodo zener (ver la pgina diodos), pero se le puede variar
el voltaje de avalancha con slo modificar las condiciones elctricas en
el terminal Base 2. El efecto zener se presenta normalmente entre los
terminales Emisor y Base 1, a travs de los cuales se establece un sbito
paso de corriente cuando la tensin elctrica entre estos alcanza el punto
de avalancha. Hagamos una analoga del funcionamiento del UJT:
Imaginemos las conchas artificiales que se colocan en el fondo de los
acuarios caseros, debajo de estas se coloca una delgada manguera de la
cual sales burbujas de aire.
Cada vez que se llena de aire, al punto de tener el suficiente empuje
ascendente, se levanta girando sobre uno de sus bordes y libera todas las
burbujas. Hecho esto, cae nuevamente y se inicia el ciclo, cuya duracin
depende del volmen de la concha y del tamao de las burbujas.
Hay un tercer factor que tambien influye en el tiempo, y es la
profundidad a la cual se encuentra la concha, ya que entre mayor sea
sta, mayor ser la presin del agua y se tardar ms la bolsa de aire para tener el volumen suficiente para levantar la
concha. El transistor UJT se comporta de manera semejante a la concha del ejemplo cuando lo ponemos en un circuito
adecuado, que tenga un elemento que recolecte las burbujas, en este caso ser el capacitor que acumula las cargas
elctricas, la manguera, un resistor que limite el paso de la corriente de carga del capacitor y un terminal adicional que
simule las condiciones de profundidad, que en este caso ser la Base 2, para variar en menor o mayor grado el tiempo
de las descargas del capacitor a travs del elemento dispuesto en el terminal Base 1, comunmente un resistor de baja
resistencia elctrica.
A diferencia de un transistor convencional de tres capas semiconductoras, ms conocido como Transistor bipolar(por
lo de los 2 tipos de capa N y P, el transistor UJT tiene solamente dos capas de material semiconductor, y por
consiguiente slo una juntura o unin entre ellas. Adems su funcin principal en los circuitos no es amplificar sino
generar impulsos de corriente a invervalos regulares y usualmente ajustables, lo cual lo convierte en el corazn de
circuitos para el gatillado de tiristores, circuitos osciladores, temporizadores, etc. A la diferencia del voltaje entre la
Base 1 y la Base 2 se le denomina "tensin interbase", y a la resistencia entre estas, "resistencia interbase".
APLICACIN 3: OSCILADORES DE RELAJACIN
Una de las aplicaciones ms tpicas del UJT es la construccin de osciladores de relajacin que se utilizan en muchos
casos como circuito de control de SCRs y TRlACs. El esquema elctrico de este circuito se muestra en la Figura 24a.
Cuando el UJT est en la regin de corte el condensador C se carga a travs de R. Este proceso de carga finalizar si la
tensin de emisor (Vc) es suficiente para entrar al UJT en la regin de resistencia negativa (Vc =Vp), en cuyo caso la
corriente de emisor descarga bruscamente el condensador hasta alcanzar la tensin de valle (Vc = VV).
En estas condiciones, si el circuito ha sido diseado para que la resistencia R no proporcione la suficiente corriente de
mantenimiento (IE<Iv) entonces el UJT conmutar de forma natural a corte y el condensador volver a cargarse de
Figura 9.8. Temporizador UJT
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
303
nuevo a travs de R. La Figura 24b indica el diagrama temporal de las tensiones Vc. VOB1 y VOB2. En resumen,
para asegurar que el circuito de la Figura 24 se comporta como un oscilador, R debe verificar que:
Las ecuaciones que verifica este oscilador son las siguientes:
Vc. Proceso de carga del condensador se realiza a travs de R. Se inicia con la tensin VV y tiende cargarse hasta
VCC. La tensin VC viene dada por la siguiente ecuacin:
Perodo de oscilacin. El periodo de oscilacin est definido por el tiempo (to) que tarda el condensador en alcanzar
la tensin de activacin del UJT (Vp). Es decir, el tiempo to necesario para que la tensin Vc(t= to)=Vp se obtiene a
partir de la ecuacin anterior y vale:
VOB1 y VOB2. Estas tensiones las proporciona el fabricante en forma de grafica en funcion de las B1y RB2
asociadas a la base del UJT; se supone que RB1 y RB2<< RBB. El tiempo de validez de estas tensiones depende del
tiempo de conmutacion y corte del UJT y suelen ser del orden del 1% del periodo de oscilacion del circuito. Por
ejemplo, el 2N2646 produce una tension VOB1=5 V (typ) si RB1=20? y VB2B1=20 V.
DISEO DEL OSCILADOR DE RELAJACIN
Para el diseo del circuito que se muestra en la figura 9.9, se tomaron en consideracin los siguientes datos de partida:
- La fuente de corriente alterna tiene un valor de 180 Vpp, a 60 Hz.
- El voltaje de polarizacin del oscilador de relajacin es de 20 Vdc.
- El valor de la carga, puramente resistiva, tanto para las pruebas en corriente alterna como en directa, se
consider con un valor dado por:
El fabricante del UJT proporciona los siguientes valores para los parmetros principales del dispositivo, cuando se
supone que el voltaje interbases (VBB) es igual al voltaje de alimentacin del oscilador, es decir 20 V.
- La relacin intrnseca es de 0.7
- Corriente de pico (IP) de 1 A
- Corriente de valle (IV) de 4.5 mA
- Voltaje de valle (VV) de 1.66 V
- Resistencia interbases (RBB) de 6.9 kohms
- Voltaje VF de 0.49 V a 25 C
- Voltaje de pico de 14.49 V
Figura 9.8. Oscilador de Relajacin
Figura 9.9. Diagrama
del circuito de disparo
con UJT
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
304
El ltimo punto a considerar para el diseo es que se desea controlar el ngulo de disparo del SCR de 10 a 170
elctricos. Por lo tanto, el rango de frecuencia de oscilacin estar dado por:
, Donde es el ngulo de disparo y T es el periodo de la seal alterna.
De acuerdo a lo anterior, la frecuencia de oscilacin del circuito tendr que estar dentro del rango de 127 a 2160 Hz. A
partir de todos los datos anteriores, es posible calcular el rango de la resistencia de emisor vlido para el circuito:
Lo anterior implica que la resistencia de emisor debe estar en un rango que va desde los 4K, hasta los 5.5M, y el mejor
valor es 40K. Sustituyendo este valor en la expresin que relaciona a la frecuencia de oscilacin con los elementos del
circuito, tenemos:
De esta forma, se eligi un valor comercial de 0.01 F para el capacitor de emisor, y a partir de dicho valor se
recalcul RE para la frecuencia mxima:
Este valor se adapt a una resistencia comercial de 33 K, para asegurar que se controlar la oscilacin desde los 10.
El valor de RE para la frecuencia mnima estar dado por:
3
Para controlar fcilmente el rango de variacin de RE, se coloc un arreglo serie de una resistencia de 33 K y un
potencimetro de 1 M, para asegurar la cobertura del control del ngulo de disparo. De esta forma, en la figura 2 se
tiene:
Los valores de R1 y R2 se obtuvieron mediante las expresiones empricas, y estn dados por:
y
Simulacin del circuito
El circuito de la figura 6.2 se simul en dos partes: primero se realizaron
las pruebas con la carga en corriente alterna, y despus con la carga en
corriente directa. Adems, para cada parte, se simul el disparo para 10 y
para 170. En ambas simulaciones, el voltaje Vcc del oscilador se obtuvo
a partir de la conexin en serie de dos diodos zener de 10 V cada uno,
diodos cuya corriente se limita por la resistencia en serie Rs. Los diodos
rectificadores tienen matrcula 1N4007.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
305
Carga en el Lado de Alterna
Para simular el efecto del circuito sobre la carga en el lado de alterna, se tom el circuito que se dibuja en la figura 9.9.
Primero se coloc RE2 de 1 ohm, para suponer que solo estaba presente el efecto de RE1, de tal manera que la
resistencia de emisor tendra un valor de 33 K aproximadamente. Es decir, el oscilador de relajacin estara
funcionando a su frecuencia mxima, y por lo tanto, el SCR se tiene que disparar a 10.
En la figura 9.10 se muestra la grfica obtenida en la simulacin, para la seal en la carga y la seal de disparo en la
compuerta del tiristor.
Como puede verse en la figura 9.10, la seal en la carga indica que el circuito se ha disparado (comienza un voltaje en
la carga RL), cuando se aplica el pulso en la compuerta (VGx1), que a su vez proviene del oscilador de relajacin. La
posicin del cursor para V(RL:1,RL:2), indica que la conduccin hacia la carga comienza en 573.9614 s, lo que
sugiere un ngulo de disparo de 12.44, que se aproxima mucho al valor de 10 esperado para los 33 K en la
resistencia de emisor.
En la figura 9.10 se aprecian las dimensiones del pulso de disparo en la compuerta, que presenta una amplitud
aproximada de 4.7 V y un ancho de pulso de 2.36 s; esto demuestra que el pulso generado es capaz de disparar al
SCR.
En la figura 9.12 puede verse que, cuando comienza la conduccin,
el voltaje de polarizacin del oscilador de relajacin cae a un valor
muy bajo, lo que provoca que el oscilador deje de funcionar,
motivo por el cual no se provocan impulsos luego del disparo ni
antes de que termine el ciclo de la seal de entrada. Lo anterior es
debido a que el SCR se amarra, y como el oscilador se alimenta del
voltaje de nodo, se sabe que en conduccin, este voltaje es cercano
a 1 V. Puede notarse tambin que el voltaje de alimentacin no
supera los 20 V, lo cual se debe al diodo zener que regula el voltaje
hacia el circuito. La figura 6.6 est ilustrando el efecto del disparo
cuando RE tiene un valor de 655 K, lo que quiere decir que si RE1
tiene un valor de 33 K, el potencimetro RE2 tendr que ajustarse a
622 K para lograr el valor indicado de la resistencia de emisor, que
como se dijo anteriormente es la suma de RE1 y RE2.
Como puede verse en la grfica anterior, el disparo del circuito
ocurre en 6.2768 ms, lo que significa que se tiene un ngulo de conduccin de 136 aproximadamente. Al valor
elegido de RE, se supone que el valor del ngulo de conduccin deba ser 170; sin embargo, debido a que en esta
zona la polarizacin del oscilador comienza a decrecer debido a que la seal de entrada disminuye su valor, no se
asegura que la frecuencia de oscilacin del circuito de relajacin sea de 127 Hz.
En el diagrama de la figura 9.14 se aprecia el ngulo de conduccin a los 170 reales, que sucedi con una valor de RE
de aproximadamente 850 K.
Los que fundamentan su comportamiento en un amplificador reghenerativo,en el cual una parte de la sealque entraga
en su salida se realimenta en fase sobre el elemento activo.Con este principio se puede conseguirla mayoria de formas
de ondas bsicas y,con cierta dificultad,impulsos de corta duracin..Los que el dispositivo activo del ciruito presenta
una zona de resistencia negativa en su caracterstica,noprecisando en este caso realimentacin parta producir las
oscilaciones bastando simplemente la accin de lared pasiva (por ejemplo,resistenciacondensador) para llevar al
dispositivo a la citada zona.Estefuncionamiento supondr,como se detalla en este apartado y en dedicado al transistor
PUT,la activacin ydesactivacin peridica del circuito.
Figura 9.11. Dimensiones del Impulso del
Disparo
Figura 9.12. Efecto en la Alimentacin del Oscilador
Figura 9.13. Efecto en la Carga de Alterna (170)
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
306
Estos circuitos son notablemente ms sencillos que los anteriores y ,suministran normalmente,seales conforma de
onda no senoidal,generalmente ondas en dientes de sierra o impulsos de corta duracin.
Carga en el Lado de Directa
Para simular el efecto del circuito sobre la carga
en el lado de directa, se tom el circuito que se
muestra en la figura 9.15. Primero se coloc
RE2 de 1 ohm, para suponer que solo estaba
presente el efecto de RE1, de tal manera que la
resistencia de emisor tendra un valor de 33 K
aproximadamente. Es decir, el oscilador de
relajacin estara funcionando a su frecuencia
mxima, y por lo tanto, el SCR se tiene que
disparar a 10. En la figura 9.16 se muestra la
grfica obtenida en la simulacin, para la seal
en la carga y la seal de disparo en la compuerta
del tiristor a 10.
En la figura anterior se muestra la estructura bsica de un circuito regulador de potencia bsico. Se quiere entregar una
determina energa de la red elctrica a una carga (ZL) y, para ello, se utiliza un tiristor (en este caso un
SCR) como dispositivo de control y un circuito de disparo que controla ese tiristor. Este circuito de disparo introduce
un desfase f respecto al inicio de la onda sinusoidal; a f se le denomina ngulo de desfase o de disparo y a p-f ngulo
de conduccin. En la figura 12.14 se representa las formas de onda del regulador de potencia. Se identifican tres zonas
del funcionamiento del tiristor:
1) . El SCR est bloqueado. En estas condiciones no circula ninguna corriente por la carga. El voltaje de
la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se
aplica al circuito de control a travs de R1 y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor (resistor
sensible a la temperatura) RT y el resistor variable R2 controlan la polarizacin de Q1. R2 se sujeta de modo que el
transistor Q1 se apague a una temperatura predeterminada. Cuando Q1 est apagado, el capacitor C1 est descargado
y, por tanto, el UJT (Q2) y el triac estn apagados.
2) En el instante a=f el circuito de disparo aplica un pulso que hace entrar el SCR a conduccin. Aparece
una corriente por la carga de valor IL
esas condiciones, VS=VL+VAK@VS.
3) En el instante a=p el SCR conmuta a corte de forma natural. En el semiperiodo negativo el SCR se
mantiene a corte porque la tensin del nodo es inferior a la del ctodo. La corriente es nula (IL=0) y la VAK =V m
sen. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la
salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R1 y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El
termistor (resistor sensible a la temperatura) RT y el resistor variable R2 controlan la polarizacin de Q1. R2 se sujeta
de modo que el transistor Q1 se apague a una temperatura predeterminada. Cuando Q1 est apagado, el capacitor C1
est descargado y, por tanto, el UJT (Q2) y el triac estn apagados.
Figura 9.14. Efecto en la
carga de alterna (170
real)
Figura 9.15. Circuito con la carga en el lado de directa
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
307
Puede verse que el disparo ocurre aproximadamente igual que en el caso cuando la carga estaba en el lado de alterna,
pero el voltaje en la carga es una seal de corriente directa. El pulso de disparo conserva sus caractersticas, al igual
que el voltaje de polarizacin del oscilador, por lo que ya no se mostrarn estas grficas. En la figura 9.17 est la
grfica del disparo a 170, cuando RE tiene un valor de 655K, ya que como vimos anteriormente, este valor puede no
ser ideal.
Puede verse en la grfica de la figura 9.17 que, en efecto, el disparo ocurre a los 136, aproximadamente igual que en
el caso de la carga en alterna. De aqu, si se hace RE igual a 850 K, se supone que el circuito se dispara a 170
realmente, como se puede ver en la figura 9.18.
Frecuencia de operacin del oscilador de relajacin
A partir de los datos y observaciones anteriores, se
simul solamente el oscilador de relajacin, para
obtener el rango de la frecuencia de operacin. La
simulacin se hizo enviando la terminal de compuerta a
tierra, para evitar el disparo del SCR, y con la condicin
de la carga en directa, como se aprecia en la figura 9.19.
A partir del circuito anterior, si RE se coloca en su valor
mnimo de 33 K, se obtiene la forma de onda de la
figura 9.20, que indica una frecuencia de oscilacin de
3.59 KHz. Esto asegura que se disparar el tiristor
aproximadamente a 10, ya que el valor terico inicial
calculado indicaba una frecuencia de oscilacin mayor a
2160 Hz.
De igual manera, para la figura 6.14 se propuso una RE de 850 K, que fue el valor de disparo a 170, obtenindose
una frecuencia de oscilacin de 108 Hz, cuando la frecuencia mnima esperada tericamente indica 127 Hz, lo que
asegura el disparo del SCR a 170.
Figura 9.16. Efecto en la
carga en directa (10)
Figura 9.17. Efecto en la carga en directa (170)
Figura 9.18. Efecto en la carga en directa (170 real)
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
308
El PUT
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
Se llama PUT (Programmmable Uniunion Transistor) a un dispositivo
semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del
UJT. Es un tipo de tiristor y, a veces, se le llama "tiristor disparado por nodo"
debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base
de tiempos, pero es ms flexible, ya que la puerta se conecta a un divisor de
tensin que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante
de tiempo RC.
Es un tiristor de control diseado para programar las caractersticas de RBB, N, Iv, Ip, haciendo uso de manera
selectiva de dos valores de resistencia. PUT El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia
de los dispositivos uniunion y sus caracteristicas son similares al SCR. En la figura 1.17.a se indica su simbolo. Es un
dispositivo de disparo anodo-puerta (anodo-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tension
mas negativa que el anodo, es decir, la conduccion del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales.
Como ejemplo sencillo, la figura 1.17.b muestra el esquema de un oscilador de relajacion basado en este dispositivo.
La tension de puerta esta fijada a un valor constante a traves de las resistencias R1y R2. Si inicialmente el
condensador esta descargado, la tension del anodo es menor que la de la puerta (VA<VG) y el PUT esta cortado. En
estas condiciones, el condensador se carga a traves de R aumentando la tension del anodo. Llegara un momento en que
VA=VG y, en ese instante, se dispara el PUT el cual descarga bruscamente el condensador C produciendo una caida
de tension en la resistencia Ro. Si R y Ro tienen un valor que impida circular a traves del PUT la corriente de
mantenimiento minima de conduccion el dispositivo se cortara y el condensador se carga nuevamente a traves de R
repitiendose el proceso.
Oscilador de relajacin
La compuerta se polariza a +9V por medio del divisor de voltaje formado por los
resistores R2 y R3. Cuando se aplica la potencia de cd, el PUT est apagado y el
capacitor se carga hacia +18V a travs de R1. Cuando el capacitor alcanza el
valor de VG +0.7V, el PUT se enciende y el capacitor se descarga rpidamente a
travs de la baja resistencia en encendido del PUT y R4. Durante la descarga, en
R4 se desarrolla una punta de voltaje. Tan pronto como el capacitor se descarga,
el PUT se apaga y el ciclo de cargado se reinicia, como muestran las formas de
onda en el grfico. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa
por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al
circuito de control a travs de R1 y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zener.
El termistor (resistor sensible a la temperatura) RT y el resistor variable R2
controlan la polarizacin de Q1. R2 se sujeta de modo que el transistor Q1 se
apague a una temperatura predeterminada. Cuando Q1 est apagado, el capacitor
C1 est descargado y, por tanto, el UJT (Q2) y el triac estn apagados.
Figura 9.20. Frecuencia mxima del oscilador
Figura 9.21. Frecuencia mnima del oscilador
Figura 10.1. Smbolo del UJT
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
309
Detector de proximidad
En la figura aparece la utilizacin del diac en un detector de proximidad. Observe el uso de un SCR en serie con la
carga y el transistor monounin (UJT) programable conectado de forma directa al electrodo sensor.
El UJT programable (PUT) es un dispositivo que disparar (entrar al estado de circuito cerrado) cuando el voltaje del
nodo (VA) sea al menos 0.7 V (para el silicio) mayor que el voltaje de compuerta (VG). Antes de que el dispositivo
programable se encienda, el sistema se encontrar bsicamente como el que se muestra en la figura.
A medida que el voltaje de entrada se eleva, el voltaje del diac VG lo seguir como se muestra en la figura hasta que
se alcance el potencial de disparo. Entonces se encender y el voltaje del diac caer de forma sustancial, como se
indica. Observe que el diac se encuentra esencialmente en el estado de circuito abierto hasta que se dispara. Antes de
que se introduzca el elemento capacitivo, el voltaje VG ser el mismo que el de entrada. Como se indica en la figura,
dado que tanto VA como VG siguen a la entrada, VA no podr ser nunca mayor que VG por 0.7 V y encender al
dispositivo. Sin embargo, al incorporar el elemento capacitivo, el voltaje VG comenzar a retrasar el voltaje de
entrada mediante un ngulo creciente, como se indica en la figura. Por tanto, existir un punto establecido donde VA
puede exceder a VG por 0.7 V y ocasionar que el dispositivo programable se dispare. El voltaje de la lnea de ca es
rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito
de control a travs de R1 y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zener. El termistor (resistor sensible a la
temperatura) RT y el resistor variable R2 controlan la polarizacin de Q1. R2 se sujeta de modo que el transistor Q1 se
apague a una temperatura predeterminada. Cuando Q1 est apagado, el capacitor C1 est descargado y, por tanto, el
UJT (Q2) y el triac estn apagados.
En este punto se establece una fuerte corriente a travs del PUT, con lo que el voltaje VK se eleva y se enciende el
SCR. Entonces se presentar una fuerte corriente de SCR a travs de la carga que reacciona a la presencia de una
persona que se aproxime.
TRANSISTOR PROGRAMABLE PUT
Aunque tienen nombres similares, el UJT y el PUT son diferentes en
construccin y en modo de operacin. La designacin se ha hecho en base a
que presentan caractersticas tensin-corriente y aplicaciones similares
Mientras que el UJT es un dispositivo de dos capas, el PUT lo es de cuatro
capas. El trmino programable es usado porque los valores de Rbb, n y Vp
pueden controlarse mediante una red externa. Figura 7.
Conformacin fsica y circuital del PUT
En la figura 7 puede observarse la conformacin fsica y circuital del PUT.
Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en dicho
terminal es:
Vg = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2) = n Vbb
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
310
El circuito no se disparar hasta tanto el potencial en el terminal de nodo no sea superior en el voltaje de polarizacin
directa de la juntura pn entre nodo y compuerta y el voltaje de compuerta. Por lo tanto:
Vak = Vp = Vd + Vg = .7 + n Vbb
La curva tensin-corriente que representa la caracterstica de funcionamiento del PUT es mostrada en la figura 8.
Mientras la tensin Vak no alcance el valor Vp, el PUT estar abierto, por lo cual los niveles de corriente sern muy
bajos. Una vez se alcance el nivel Vp, el dispositivo entrar en conduccin presentando una baja impedancia y por lo
tanto un elevado flujo de corriente.
El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevar al dispositivo a su estado de bloqueo, es necesario que el nivel de
voltaje Vak caiga lo suficiente para reducir la corriente por debajo de un valor de mantenimiento I(br).
APLICACIONES
El PUT es utilizado tambin como oscilador de relajacin. Si inicialmente el condensador est descargado la tensin
Vak ser igual a cero. A medida que transcurre el tiempo ste adquiere carga.
Cuando se alcanza el nivel Vp de disparo, el PUT entra en conduccin y se establece una corriente Ip.
Luego, Vak tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este instante el condensador empieza a descargarse y la
tensin Vgk cae prcticamente a cero. Cuando la tensin en bornes del condensador sea prcticamente cero, el
dispositivo se abre y se regresa a las condiciones inciales.
En la figura 9 puede observarse la configuracin circuital para el oscilador.
EJEMPLO
Se tiene un oscilador de relajacin que trabaja con un PUT, el cual presenta las
siguientes caractersticas:
Ip = 100 &A, Iv = 5.5 mA y Vv = 1 v.
Si el voltaje de polarizacin es de 12 v y la red externa es la siguiente: Rb1 = 10 k(,
Rb2 = 5 k(, R = 20 k(, C = 1 &F y Rk = 100 k(, calcular Vp, Rmx, Rmn y el
perodo de oscilacin.
-Clculo de Vp
Vp = Vd + n Vbb, n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = 10/15 = .66
Vp = .7 + .66 12 = 8.7 v
-Clculo de Rmx y Rmn
Puesto que el PUT es tambin un dispositivo de resistencia negativa, tiene que
cumplir con la condicin impuesta de que la recta de carga de trabajo, corte a la
curva caracterstica tensin-corriente precisamente en la regin que presenta
resistencia negativa. Si esto no ocurre, el dispositivo puede permanecer o en
bloqueo o en saturacin. Para garantizar que efectivamente se trabaje en la regin
adecuada, debe escogerse al igual que en el caso del UJT, el valor de resistencia
comprendido entre unos valores lmites dados por Rmx y Rmn.
Rmx = (Vbb - Vp)/Ip = 3.3/100 = 33 k(
Rmn = (Vbb - Vv)/Iv = 11/5.5 = 2 k(
Ahora, debe cumplirse con la condicin:
Rmn (R (Rmx , 2 k( ( R ( 33 k(
Como puede observarse el valor tomado para R est entre los lmites establecidos ya que tiene un valor de 20 k(.
-Clculo de T
T = RC ln (1 + Rb1/Rb2)
T = 20 k (1 &F ln (1 + 2) = 24 ms
PARMETROS DEL PUT
En el PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de
caracteristicas idnticas al UJT, se puede ajustar los valores
de , VP e IV mediante un circuito de polarizacin externo.
Su constitucin y funcionamiento es similar a las de un
tiristor con puerta de nodo (Fig. 10.2). Tiene tres
terminales: ctodo K, nodo A y puerta de nodo GA.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
311
FUNCIONAMIENTO DEL PUT
Si VA < VGA diodo A-GA se polariza inversamente solo
circula corriente de fugas.
Si VA > VGA diodo A-GA conduce y tiene una caracterstica
similar a la del UJT (Fig. 10.3).
La variacin de IP e IV dependen de R1 y R2 en el divisor de
tensin VGA, es decir de RG (Fig. 10.2).
El voltaje de valle VV es el de encendido del PUT ( 1 V).
Los circuitos de la figura 8 permiten la programacin del PUT.
PRUEBA ESTATICA A UN PUT.
En la Figura 6 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un interruptor bien en serie (figura
izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace
que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un valor
menor que IH.
En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una corriente opuesta a la conduccin
en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una batera en paralelo al circuito. El voltaje de la lnea
de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al
circuito de control a travs de R1 y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la
temperatura) RT y el resistor variable R2 controlan la polarizacin de Q1. R2 se sujeta de modo que el transistor Q1 se
apague a una temperatura predeterminada. Cuando Q1 est apagado, el capacitor C1 est descargado y, por tanto, el
UJT (Q2) y el triac estn apagados.
Como se observa en la figura de la estructura interna un PUT no da las mismas lecturas que las que proporciona un
UJT a pesar de que en la aplicacin sirven para lo mismo, es decir en osciladores de relajacin para proporcionar una
espiga de voltaje que aplique a la compuerta de un tiristor de potencia. Para la prueba esttica del PUT se debe
seleccionar la funcin prueba a semiconductores lectura en volts y checar entre cada par de terminales lo que nos
debe proporcionar para el encapsulado de la siguiente figura los siguientes resultados:
- Potencia de disipacin PF (mW).
- Corriente en sentido directo para nodo para voltaje de directa IT (mA).
- Corriente de compuerta para voltaje de directa IG (mA).
- Corriente pico en sentido directo repetitiva ITRM (A).
- Corriente pico en sentido directo no repetitiva para determinado ancho de pulso ITSM (A).
- Voltaje en sentido directo entre compuerta y ctodo VGKF (V).
- Voltaje en sentido inverso entre compuerta y ctodo VGKR (V).
- Voltaje inverso entre compuerta y nodo VGAR (V).
- Voltaje nodo a ctodo VAK (V).
- Rango de temperatura para la operacin de la unin TJ ( C).
- Corriente pico IP (A).
- Voltaje de desviacin VT (V).
- Corriente de valle IV (A mA).
- Cada de voltaje en el componente VF (V).
- Voltaje pico de salida VO (V).
CARACTERSTICAS
PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de caracteristicas
idnticas al UJT, puede ajustar los valores de , VP e IV
mediante un circuito de polarizacin externo. Su constitucin y
funcionamiento es similar a las de un tiristor con puerta de
nodo. Tiene tres terminales: ctodo K, nodo A y puerta de
nodo GA.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
312
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del
UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros
de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay
corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Del grfico, se ve que cuando IG = 0,
VG = VBB * [ RB2 / (RB1 + RB2) ] = n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1 + RB2)
La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas
en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT
son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.
APLICACIONES
APLICACIN 1: OSCILADOR BASADO EN UN PUT
El PUT es un equivalente del UJT, con la diferencia de que pueden ser controladas las caractersticas de y de la
resistencia entre bases ya que son elementos externos lo que le permite mayor flexibilidad para el diseo. El siguiente
circuito muestra un oscilador de relajacin con PUT as como las resistencias que se programaron. Este circuito se
muestra en la figura 10.5. En el instante en que se conecta la alimentacin, el condensador comenzar a cargarse hacia
VBB volts, debido a que no hay corriente de nodo en este momento. El periodo T requerido para alcanzar el
potencial de disparo V est dado aproximadamente por:
|
|
.
|
\
|
=
p BB
BB
e
V V
V
RC T log
En el instante en que el voltaje a travs del condensador es igual a Vp el dispositivo se disparar y se establecer una
corriente IA = Ip a travs del PUT. Si R es demasiado grande, la corriente I no podr establecerse y el dispositivo no
se disparar. En el punto de transicin:
p BB p
V V R I =
y,
p
p BB
mx
I
V V
R
=
Se incluye el subndice para indicar que cualquier R mayor que Rmx dar como resultado una corriente menor que
Ip. El nivel de R tambin debe ser tal que asegure que sea menor que IV si van a ocurrir oscilaciones. En otras
palabras, queremos que el dispositivo entre a la regin inestable y luego regrese al estado apagado. Por un
razonamiento similar al anterior:
V
p BB
mx
I
V V
R
=
La discusin anterior requiere que R est limitado a lo siguiente para un sistema oscilatorio,
mx mn
R R R < <
El voltaje mximo VA al que se puede cargar. Una vez que el dispositivo se dispara, el condensador se descargar
rpidamente a travs del PUT y RK, produciendo una cada. Por supuesto, VK llegar al valor pico al mismo tiempo,
debido a la breve pero alta corriente. El voltaje VG caer rpidamente de VG a un nivel un poco mayor de O [V].
Cuando el voltaje del condensador cae a un nivel bajo, el PUT nuevamente se apagar y se repetir el ciclo de carga.
El funcionamiento es el siguiente: El condensador C se carga a travs de la resistencia R hasta que el voltaje en A
alcanza el voltaje Vp. En este momento el PUT se dispara y entra en conduccin. El voltaje en VG cae casi hasta 0
Figura 10.5.
Oscilador
Basado en un
PUT.
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
313
(cero) voltios y el PUT se apaga, repitindose otra vez el proceso (oscilador). Ver a continuacin las formas de onda
de las tensiones en C, K y G. La frecuencia de oscilacin es: f = 1 / 1.2 x RC
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que
aparece en la fig.a Un PUT se puede utilizar como un oscilador de
relajacin, tal y como se muestra en la fig.b. El voltaje de compuerta
VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del
voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp.6. En el
caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de
alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al
modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo
VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se
conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al
de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el
punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la
corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en
la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd
Vs. N general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 O. R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2.
APLICACIN 2: DETECTOR DE PROXIMIDAD
En la figura 10.6 aparece la utilizacin del diac en un detector de proximidad. Observe el uso de un SCR en serie con
la carga y el transistor monounin programable PUT conectado de forma directa al electrodo sensor. A medida que el
cuerpo humano se acerca al electrodo sensor, la capacitancia entre el electrodo y la tierra se incrementar. El PUT es
un dispositivo que disparar (entrar al estado de circuito cerrado) cuando el voltaje del nodo (VA) sea al menos 0.7
V (para el silicio) mayor que el voltaje de compuerta (VG) Antes de que el dispositivo programable se encienda. A
medida que el voltaje de entrada se eleva, el voltaje del diac VG lo seguir como se muestra en la figura hasta que se
alcance el potencial de disparo. Entonces se encender y el voltaje del diac caer de forma sustancial.
Figura 10.6. Onda de Oscilacin