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PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATOLICA DE CHILE

ESCUELA DE INGENIERIA


DISEO Y CONSTRUCCIN DE
CONVERSOR DC-DC PARA CONTROL
DE ULTRACAPACITORES EN
VEHCULO ELCTRICO
MICAH ETAN ORTZAR DWORSKY

Memoria para optar al ttulo de
Ingeniero Civil industrial, con Diploma en Ingeniera Elctrica

Profesor Supervisor:
JUAN W. DIXON ROJAS

Santiago de Chile, 2002

PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATOLICA DE CHILE
ESCUELA DE INGENIERIA
Departamento de (departamento)

DISEO Y CONSTRUCCIN DE
CONVERSOR DC-DC PARA CONTROL
DE ULTRACAPACITORES EN
VEHCULO ELCTRICO
MICAH ETAN ORTZAR DWORSKY

Memoria presentada a la Comisin integrada por los profesores:

JUAN W. DIXON ROJAS
NGEL ABUSLEME
JOS RODRGUEZ


Para completar las exigencias del ttulo de
Ingeniero Civil industrial, con Diploma en Ingeniera Elctrica

Santiago de Chile, 2002
ii


A mis Familia, especialmente a mis
Padres, que creyeron en m.
iii
AGRADECIMIENTOS
Quiero agradecer a mi Familia por el apoyo brindado en estos aos de
estudio.
Una mencin especial merece el profesor Juan Dixon por su gua y apoyo
en todos los proyectos que hemos emprendido juntos.
Tambin agradezco la disposicin de los funcionarios del departamento
de ingeniera elctrica, que brindaron su apoyo incondicional en todo momento.
Entre ellos menciono a Betty Andonaegui, Eduardo Cea, Elena Garrido, Sra.
Virginia Meza y don Carlos lvarez.
iv
INDICE GENERAL
Pg.
AGRADECIMIENTOS ............................................................................................iii
INDICE DE TABLAS .............................................................................................vii
INDICE DE FIGURAS...........................................................................................viii
RESUMEN................................................................................................................ xi
ABSTRACT.............................................................................................................xii
I. Introduccin.................................................................................................... 13
II. Diseo del Circuito de Potencia ..................................................................... 21
2.1. Introduccin ........................................................................................... 21
2.2. Convertidor DC-DC tipo Buck Boost..................................................... 21
2.2.1. Operacin Buck............................................................................ 22
2.2.2. Operacin Boost........................................................................... 26
2.3. Seleccin de los Ultracapacitores .......................................................... 30
2.4. Seleccin del Semiconductor de Potencia (IGBT) ................................ 33
2.5. Seleccin del Condensador C para el Circuito Buck Boost................... 34
2.6. Diseo de los Conductores en el Circuito de Potencia .......................... 39
2.7. Configuracin de las Mallas de Proteccin del IGBT (Mallas
Snubber) ................................................................................................. 40
2.8. Diseo de la Inductancia Ls del Circuito Buck-Boost............................ 44
III. Diseo Trmico .............................................................................................. 48
3.1. Introduccin ........................................................................................... 48
3.2. Clculo de Temperaturas........................................................................ 48
3.3. Diseo del Disipador.............................................................................. 51
IV. Transductores.................................................................................................. 54
4.1. Introduccin ........................................................................................... 54
4.2. Transductor de Corriente (LEM) ........................................................... 54
v
4.3. Transductor de Tensin.......................................................................... 57
4.4. Transductor de Temperatura .................................................................. 59
V. Sistemas de Seguridad y Protecciones............................................................ 61
5.1. Introduccin ........................................................................................... 61
5.2. Fusibles .................................................................................................. 61
5.2.1. Fusible 1....................................................................................... 62
5.2.2. Fusible 2....................................................................................... 63
5.3. Detector de Falla en Fusible y Diodo..................................................... 64
5.4. Supervisin de Tensin de Control ........................................................ 65
VI. Diseo de la Caja Protectora y Distribucin de Componentes....................... 67
6.1. Introduccin ........................................................................................... 67
6.2. Distribucin de Componentes................................................................ 67
6.3. Caja Protectora....................................................................................... 68
VII. Resultados Expreimentales............................................................................. 71
VIII. Conclusiones................................................................................................... 74
BIBLIOGRAFIA...................................................................................................... 76
A N E X O S............................................................................................................. 78
Anexo A: Clculo Simblico de Valores de Rizado de Corriente en
Configuraciones Buck-Boost .......................................................................... 80
Anexo B: Clculo de la Energa Disipada en Calor................................................. 83
Anexo B: Clculo de la Energa Disipada en Calor................................................. 84
Anexo C: Calculo de la Resistencia Trmica del Disipador.................................... 88
Anexo D: Curvas de Corrientes de Ruptura de Fusibles ......................................... 96
Anexo E: Hoja de Datos del INTELLIMOD........................................................... 98
Anexo F: Hoja de Datos de Snubbers .................................................................... 105
vi
Anexo G: Hoja de Datos de Ultracapacitores ........................................................ 111
Anexo H: Hoja de Datos de Barniz Aislante ......................................................... 114
Anexo I: Hoja de Datos de Papel Aislante............................................................. 116
Anexo J: Hoja de Datos de Sensor LEM LT 100-S............................................... 126
Anexo K: Hoja de Datos de Sensor LEM LV 100................................................. 129
Anexo L: Hoja de Datos de OP-AMP LF-353....................................................... 132
Anexo M: Hoja de Datos de OP-AMP TLV-7441 ................................................ 136
Anexo N: Hoja de Datos de Supervisor de Tensin TL7705B.............................. 144
vii
INDICE DE TABLAS
Pg.
Tabla 1.1: Comparacin de densidades de energa entre gasolina y distintas bateras... 14
Tabla 2.1: Configuracin y valores sugeridos para los Snubber. ................................... 42
Tabla 4.1: Caractersticas del Transductor de corriente.................................................. 54
Tabla 4.2: Caractersticas del Transductor de tensin. ................................................... 57
Tabla B.1: Clculo de las prdidas en los semiconductores. .......................................... 86
Tabla C.1: Simbologa. ................................................................................................... 90
Tabla C.2: Simbologa. ................................................................................................... 94
Tabla C.3: Resultados de las resistencias trmicas en el disipador. ............................... 94

viii
INDICE DE FIGURAS
Pg.
Figura 1.1: Camioneta Chevrolet LUV transformada en vehculo elctrico. ................... 16
Figura 1.2: Circuito de potencia del vehculo elctrico. ................................................... 17
Figura 1.3: Esquema del circuito de potencia con sistema de almacenaje auxiliar de
energa. .................................................................................................................... 18
Figura 2.1: Diagrama de topologa Buck-Boost. ............................................................... 22
Figura 2.2: formas de onda de corrientes, operacin Buck. a) corriente por Vdc (Ibat),
b) corriente por V2 (Ib). ........................................................................................... 23
Figura 2.3: formas de onda de corrientes, operacin Buck. a) corriente por T2 (Ia), b)
corriente por condensador C, c) corriente por diodo D1, d) Seal de disparo
aplicada a T2. ........................................................................................................... 24
Figura 2.4: formas de onda de corrientes, operacin Boost. a) corriente por Vdc
(Ibat), b) corriente por V2 (Ib)................................................................................ 27
Figura 2.5: Formas de onda de corriente, operacin Boost. a) corriente Ia, b)
corriente por condensador C, c) corriente por T1, d) PWM Aplicado en T1. ........ 28
Figura 2.6: Configuracin Buck-Boost del sistema de almacenaje de energa, bateras
en el lado Buck y ultracapacitores en el lado Boost................................................. 30
Figura 2.7: Ultracapacitor 2700F(S) de Epcos. Su capacidad es de 2700 F, Voltaje
nominal de 2.3 V, ESR = 0.001Ohm. ...................................................................... 33
Figura 2.8: mdulo de potencia INTELLIMOD PM400DSA060 de POWEREX. .......... 34
Figura 2.9: Circuito de potencia incluyendo inductancias parsitas Lp1 y Lp2. .............. 35
Figura 2.10: Condensador marca NIPPON CHEMI-CON de 3300 uF y 450 V. ............ 38
ix
Figura 2.11: Conductores instalados en el convertidor Buck-Bosst. ................................ 40
Figura 2.12: distintas configuraciones de mallas Snubber................................................ 41
Figura 2.13: Snubber instalado en el circuito de potencia. ............................................... 43
Figura 2.14: Condensador y conjunto Condensador-Diodo con resistencia para
mallas Snubber tipo A y B. ...................................................................................... 44
Figura 2.15: Diseo de Bobina L para circuito de potencia.............................................. 46
Figura 2.16: Bobina Ls terminada..................................................................................... 47
Figura 3.1: Modelo trmico para el INTELLIMOD PM400DSA060. ............................. 49
Figura 3.2: Grfico de resistencias trmicas del disipador para mantener temperaturas
nominales. ................................................................................................................ 50
Figura 3.2: Diseo del disipador de calor. ........................................................................ 51
Figura 3.2: Fotografa de las piezas terminadas del disipador de calor. ........................... 52
Figura 3.3: Fotografa del equipo armado sin la tapa. ...................................................... 53
Figura 4.1: Circuito de alimentacin y de manipulacin de seal del transductor de
corriente, Mdulo LEM LT 100-S. ......................................................................... 56
Figura 4.2: Transductor de corriente LT 100-S instalado en el convertidor Buck-
Boost. ....................................................................................................................... 57
Figura 4.3: Circuito de alimentacin y manipulacin de seal de salida del
transductor de tensin LV 100................................................................................. 58
Figura 4.4: Transductor de tensin LV 100 instalado en el paquete de
ultracapacitores. ....................................................................................................... 59
Figura 4.5: Circuito del termistor para medir temperatura. .............................................. 60
Figura 5.1: Circuito de potencia con Fusibles. ................................................................. 62
x
Figura 5.2: Fusible 1, ubicado dentro de la caja del convertidor DC-DC. ....................... 63
Figura 5.3: Ubicacin del Fusible 2. ................................................................................. 64
Figura 5.4: Circuito supervisor de voltaje......................................................................... 66
Figura 6.1: Esquema de la distribucin deseada de los componentes. ............................. 67
Figura 6.2: Ubicacin deseada del equipo en compartimento delantero del vehculo...... 68
Figura 6.3: Componentes ensamblados en la caja protectora. .......................................... 69
Figura 6.4: Conexiones del circuito de agua y de los cables de potencia. ........................ 70
Figura 6.5: Convertidor Buck-Boost instalado en el vehculo. ......................................... 70
Figura 7.1: Forma de onda del rizado de la corriente por los ultrapacacitores para
operacin Buck y Boost. .......................................................................................... 71
Figura 7.2: Respuesta al escaln de un esquema de control bajo prueba. ........................ 72
Figura 7.3: Tensin en ultracapacitores durante pruebas de corriente continua para
determinar el valor de la resistencia serie equivalente (ESR). ................................ 73
Figura A.1: Circuito Buck-Boost....................................................................................... 80
Figura A.2: Rizado de la corriente por Ls. ........................................................................ 81
Figura C.1: Esquema de aleta disipadora en superficie de temperatura constante. .......... 90
Figura C.2: a) parte interna del disipador. b) disipador cerrado con el INTELLIMOD
instalado sobre l. c) Esquema simplificado del disipador para anlisis de
transferencia de calor............................................................................................... 92
Figura C.3: modelo para calcular resistencia trmica total del disipador. ........................ 95

xi
RESUMEN
Los ultracapacitores son elementos de ltima tecnologa que permiten
almacenar energa suficiente, en cortos perodos de tiempo, para controlar
fenmenos de potencia de punta como la aceleracin o el frenado repentino de un
vehculo elctrico. Ello permite entregar y recuperar energa que las bateras no
seran capaces de manejar bajo circunstancias extremas, como una frenada muy
violenta, o una aceleracin muy exigida. Dentro del contexto de utilizar
ultracapacitores para el propsito mencionado, se dise y construy un conversor
DC-DC para controlar la carga y descarga de un banco de ultracapacitores en un
vehculo elctrico.
El conversor diseado es capaz de manejar corrientes de ms de 200 A,
con voltajes de hasta 400 Vdc, y puede transferir cantidades significativas de energa
(aproximadamente 200 Wh) desde los ultracapacitores al banco de bateras y
viceversa, en pocos segundos (5 a 10 segundos). Para llevar a cabo este proceso, se
midieron y controlaron una serie de variables, por lo que el conversor incluye los
sensores necesarios para estas tareas. Otra restriccin de diseo era el tamao, ya que
este aparato deba ir montado en un espacio muy reducido dentro del lugar donde iba
instalado el motor original del vehculo convertido a elctrico. Por esto hubo que
desarrollar un sistema de refrigeracin por agua de reducidas dimensiones, diseando
un disipador especial y utilizando el circuito de enfriamiento por agua ya existente
en el vehculo elctrico transformado. Tambin hubo que disear un sistema de
protecciones contra fallas y una caja para aislar del agua y el polvo ambiental.
En sntesis, en esta Memoria se describe el proceso de diseo y
fabricacin del conversor DC-DC, el cual es el propsito fundamental de este
trabajo. Una vez terminado y probado, satisfizo todos los requerimientos
especificados.

xii
ABSTRACT
Ultracapcitors are state of the art devices that are capable of storing
enough energy (in short periods of time) to control peak power phenomenon, like
electric vehicle acceleration or regenerative braking. This allows to deliver and
recover energy which batteries would not be able to manage under extreme
circumstances, like a fierce braking or a rapid acceleration. In the context of using
ultracapacitors for the mentioned purpose, a DC-DC converter to control the state of
charge of an ultracapacitor bank in an electric vehicle was designed and constructed.
The converter is capable of managing currents of more than 200 A, with
voltages up to 400 Vdc, and transferring considerable amounts of energy (200 Wh
approximately) from the ultracapacitors to the batteries and vice versa, in short
periods of time (5 to 10 seconds). To accomplish this, a series of variables are
measured and controlled, and that is why sensors had to be integrated to the
converter. Size is another design restriction that was considered, because the
equipment had to be mounted in a reduced space together with the main inverter and
electric motor, where originally the engine was mounted in the converted electric
vehicle. For this reason, a reduced size water cooling system, consisting in the
integration of a specially designed water heatsink and the existing water circuit in the
vehicle, was developed. A failure protection system and a water and dust protective
box were also considered in the design.
This report describes the DC-DC converter design and construction
process, which has been the purpose of this work. The constructed and tested
prototype satisfied all the mentioned requirements.

13

I. INTRODUCCIN
Los vehculos elctricos, en los inicios de su desarrollo a fines del siglo
XIX y comienzos del siglo XX, compitieron en forma casi paralela con los vehculos
de combustin interna, siendo incluso la Electric Carriage & Wagon Company la
primera compaa de vehculos elctricos y servicios motorizados en 1897 [Kirs96].
Sin embargo, los vehculos elctricos, debido a su menor relacin potencia peso y
escasa autonoma, fueron rpidamente desplazados por los de combustin interna.
Esto deriv rpidamente en el abandono de esta tecnologa ya que no se vislumbraba
en aquel tiempo ninguna solucin que hiciera a los vehculos elctricos competitivos,
aun cuando stos eran ms confiables y seguros.
En la segunda mitad del siglo XX se vio renacer la idea de utilizar
vehculos con propulsin elctrica por varios motivos, entre stos la crisis del
petrleo, los problemas ambientales y los avances tecnolgicos. Por los aos 70,
hubo grandes perfeccionamientos en semiconductores de potencia, con lo que surgi
la posibilidad de fabricar convertidores de frecuencia (inversores) y utilizar motores
de corriente alterna (sncronos o de induccin), de mayor potencia especfica que los
motores de corriente continua. Posteriormente, durante los 80 y 90, apareci el
motor Brushless DC, una versin del motor sncrono que utiliza imanes permanentes
para producir el flujo de excitacin, el que puede ser controlado como motor de
corriente continua, presentando un alto torque de partida y excelente respuesta
dinmica. Con estos avances el problema de la potencia especfica y densidad de
potencia (kW por unidad de peso y por unidad de volumen respectivamente) de los
motores de traccin, se presentaba muy optimizado.
A pesar de lo anterior, el vehculo elctrico segua siendo un pobre
competidor para los propulsados por motores de combustin interna, debido
principalmente al inconveniente del almacenaje de la energa. Esta desventaja
aunque se mantiene, va disminuyendo con los avances en nuevas tecnologas
(bateras de alta energa especfica y celdas de combustible). Hoy en da las
eficiencias totales de los sistemas de propulsin elctrica son mucho mayores,
superando el 90%, contra un mximo de 25% para los sistemas convencionales de
combustin a gasolina y un 45% para los vehculos Diesel ms modernos. Sin
14

embargo, la densidad de energa y energa especfica para los combustibles fsiles se
mantienen muy por sobre las de las bateras convencionales y an superior a la de las
bateras ms avanzadas[Amer88], [Ddti02]. Esto se muestra en la siguiente tabla.
Tabla 1.1: Comparacin de densidades de energa entre gasolina y
distintas bateras.
Bateras

Gasolina 97
octanos
Plomo cido NiMH Li-ion
Densidad de
energa [Wh/Lt]
9.662 80 135 136
Energa especfica
[Wh/Kg]
12.146 35 52 100
Esto implica que, en igualdad de condiciones, la energa utilizable
contenida en un estanque de combustible es varias veces mayor que un paquete de
razonables dimensiones de las bateras ms eficientes, lo que permite tener una
mayor autonoma. Lo anterior, junto a la baja potencia de algunas bateras,
conforman, despus de los problemas de costo, los mayores obstculos para
introducir masivamente al vehculo elctrico como medio de transporte pblico y
privado.
La solucin a este inconveniente pasa por desarrollar bateras mucho ms
avanzadas (inversin en investigacin) o integrar almacenaje de energa en
hidrocarburos con las ventajas de los motores elctricos (eficiencia, menos ruido y
considerable menor impacto ambiental). Para esto ltimo ya se han creado distintas
soluciones que combinan almacenaje de la energa en hidrocarburos con
transformadores de energa (celdas de combustible, turbinas de gas, motores Diesel
de alta eficiencia, etc.) y motores elctricos. Estos sistemas logran mayores
autonomas que los sistemas basados en almacenaje en bateras, manteniendo altas
eficiencias. Sin embargo, la configuracin de sistemas donde la energa se transfiere
directamente desde alguno de estos transformadores, sin etapas intermedias, se
considera ineficiente, ya que para satisfacer las potencias de punta deben estar muy
15

sobredimensionados en relacin con la potencia media, y a que no pueden regenerar
en las etapas de frenado, disminuyendo su eficiencia con respecto a los sistemas
elctricos basados en bateras.
Por lo anterior se ha adoptado el uso de almacenadores intermedios o
auxiliares, los cuales son elementos de alta potencia especfica, alta densidad de
potencia, alta eficiencia y media o baja densidad de energa, los que se usan en
combinacin con almacenadores de mayor energa especfica pero menor potencia
especfica. Los sistemas que combinan distintos tipos de almacenadores se
denominan hbridos. Dentro de los almacenadores intermedios se pueden mencionar
los volantes de inercia y los ultracapacitores. Estos, al integrarse a los sistemas
mencionados, permiten dimensionar los componentes principales (turbina de gas,
celda de combustible o motor) segn la potencia media requerida y no
necesariamente segn la potencia de punta. Tambin permiten bajar el peso, el
volumen y el costo de estos componentes, aunque esta ventaja es relativa porque se
compensa introduciendo un nuevo componente. Sin embargo, la mayora de las
veces el balance es positivo. Por otro lado, la principal ventaja de estos sistemas es el
aumento en la eficiencia que se logra al poder recuperar la energa del frenado
regenerativo. Esto es particularmente significativo en vehculos pesados que realizan
muchas paradas y aceleraciones, como microbuses urbanos o vehculos que se
mueven por ciudades congestionadas. El uso de estos almacenadores intermedios
tambin se est implementando en combinacin con bateras, que de otra forma
presentan bajas eficiencias a altas potencias y que ven disminuida su vida til cuando
se les exige ciclos de carga-descarga muy violentos, como por ejemplo las bateras
de plomo-cido.
En el departamento de Ingeniera Elctrica de la Pontificia Universidad
Catlica de Chile, como parte de un programa de investigacin en vehculos
elctricos, se ha transformado una camioneta Chevrolet LUV convencional en un
vehculo elctrico. La figura 1.1 muestra una fotografa del vehculo en cuestin.
16







Figura 1.1: Camioneta Chevrolet LUV transformada en vehculo elctrico.
El vehculo cuenta con un motor tipo Brushless DC con imanes
permanentes de ltima generacin, el cual puede desarrollar una potencia de punta de
53 kW, presenta eficiencias entre 90% y 94%, pesa 47.6 Kg y tiene un volumen de
13.3 Lts. Este motor se alimenta de un inversor trifsico controlado por
microprocesador, el cual obtiene la energa de un paquete de 26 bateras de plomo-
cido conectadas en serie, con 50 Ah de capacidad cada una, de los cuales el
fabricante (Sonnenschein) recomienda utilizar un 60%, es decir slo 30 Ah. Con este
porcentaje de la carga, la autonoma del vehculo es de aproximadamente 50 Km. La
tensin nominal del paquete de bateras es de 312 V, pero puede llegar hasta 400 V
en casos de sobrecarga extrema durante los frenados regenerativos. La eficiencia de
estas bateras disminuye en forma cuadrtica conforme aumenta la corriente (debido
a la resistencia interna), hacindose muy ineficiente al extraerse ms de 200 A en las
aceleraciones. Tambin se producen problemas al activar el frenado regenerativo
cuando las bateras se encuentran recin cargadas, ya que en estas condiciones no
17

26 BATERAS DE
TRACCIN
Invesor de
Potencia
CA40 300
Fusible
400 A
_
+
_
+
Brushless
DC
Motor de
Traccin
Plomo-Acido
26 BATERAS DE
TRACCIN
Invesor de
Potencia
CA40 300
Fusible
400 A
_
+
_
+
Brushless
DC
Motor de
Traccin
Plomo-Acido
aceptan carga y por esto el voltaje sube rpida y peligrosamente, disminuyendo
adems la vida til de stas por la evaporacin de hidrgeno generado en el
electrolito en estas situaciones. La figura 1.2 muestra un esquema del circuito de
potencia del vehculo.





Figura 1.2: Circuito de potencia del vehculo elctrico.
Como parte del programa de investigacin mencionado, se ha propuesto
agregar al vehculo un sistema de almacenaje auxiliar basado en los anteriormente
mencionados ultracapacitores. Al agregarse este sistema, se eliminan los problemas
descritos en el prrafo anterior y se aumenta la eficiencia. Con ello, mejora la
autonoma, recuperando la energa que no se puede regenerar cuando las bateras
estn llenas y acercando la potencia exigida de stas a la potencia media y por tanto a
zonas de operacin ms eficientes.
La figura 1.3 muestra como quedara el circuito de potencia al agregarse
el equipo de almacenaje auxiliar basado en ultracapacitores.
18

26 BATERAS DE
TRACCIN
Invesor de
Potencia
CA40 300
Fusible
400 A
_
+
_
+
Brushless
DC
Motor de
Traccin
Plomo-Acido
_
+
Paquete de
Ultracapacitores
Convertidor
DC-DC tipo
Buck-Boost
Inductor Ls
Fusible
125 A
Diodo
Fusible
160 A
26 BATERAS DE
TRACCIN
Invesor de
Potencia
CA40 300
Fusible
400 A
_
+
_
+
Brushless
DC
Motor de
Traccin
Plomo-Acido
_
+
Paquete de
Ultracapacitores
Convertidor
DC-DC tipo
Buck-Boost
Inductor Ls
Fusible
125 A
Diodo
Fusible
160 A





Figura 1.3: Esquema del circuito de potencia con sistema de almacenaje
auxiliar de energa.
El sistema de almacenaje auxiliar propuesto se basa en el uso de
ultracapacitores conectados al bus principal de energa, en paralelo con las bateras.
El sistema requiere de un paquete de ultracapacitores capaz de almacenar suficiente
energa para acelerar el vehculo hasta una velocidad crucero con muy poca o nula
ayuda de las bateras. De forma similar, este paquete debe ser capaz de absorber la
energa del frenado con mnima participacin de las bateras. Dicho de otro modo, el
paquete de ultracapacitores debe suplir la mayor parte de la potencia de punta
requerida en la aceleracin y en el frenado.
Para llevar a cabo esa labor, se requiere de un equipo convertidor de
potencia que transfiera energa desde y hacia los ultracapacitores, es decir, un equipo
de corriente continua que maneje el contenido de energa de acuerdo a las
condiciones explicadas anteriormente.
Esta memoria trata sobre el diseo y construccin de dicho equipo
(encerrado en lnea punteada en la figura 1.3), el que estar a cargo de manejar los
flujos de energa desde las bateras al ultracapacitor, junto con sus sistemas de
19

seguridad y sensores. Esto incluye el diseo de este equipo, la seleccin (y
fabricacin si es necesario) de sus componentes y el ensamblaje final e instalacin en
el vehculo para su uso y pruebas futuras. La elaboracin e implementacin de los
algoritmos de control, as como las pruebas de eficiencia y otras, quedan fuera del
alcance de esta memoria, dejndose como propuestas para otro trabajo de
investigacin.
En concreto, se dise un conversor DC-DC del tipo Buck-Boost, el cual
se encarga de transferir energa desde las bateras a los ultracapacitores y viceversa.
Este tipo de convertidor transfiere energa entre dos fuentes, donde una siempre tiene
una tensin menor que la otra. En este caso, es el paquete de ultracapacitores el que
siempre tiene una tensin inferior a las bateras. El sistema tiene dos modos de
operacin: el modo Buck y el modo Boost. En la operacin Buck se transfiere energa
desde la fuente de mayor tensin (en este caso la batera) a los ultracapacitores. Esto
se hace modulando la tensin mayor a un valor inferior, controlable segn una
modulacin de ancho de pulso (PWM). Con esto se puede controlar la corriente
transferida hacia la fuente de menor tensin (ultracapacitores). La operacin Boost
consiste en elevar artificialmente la tensin menor para poder transferir energa a la
fuente de mayor tensin. Esto se hace cargando energa en una inductancia desde la
fuente de menor tensin (ultracapacitores), la que luego es descargada en la fuente de
mayor tensin. Para esto la inductancia juega un rol fundamental ya que es la
encargada de elevar la tensin haciendo posible la transferencia. En este conversor
DC-DC el valor de la tensin modulada se controla con PWM (Pulse Width
Modulation), siendo posible, si es que se conocen los valores de las tensiones en
ambas fuentes, controlar tambin la corriente transferida a la fuente de mayor tensin
(bateras).
El convertidor debe ser capaz de transferir hasta 200 A en ambos
sentidos para satisfacer los requerimientos. Tambin debe contar con una serie de
elementos para funcionar correctamente, entre los que se destacan:
1) Una inductancia adecuada para limitar las corrientes de rizado y capaz de
almacenar energa durante las transferencias de energa.
20

2) Un disipador de calor capaz de mantener los semiconductores por debajo de
su temperatura de destruccin.
3) Dispositivos de proteccin ante posibles fallas (fusibles y protecciones
electrnicas).
4) Elementos que controlen las sobretensiones (mallas snubber) que puedan
producirse durante las conmutaciones.
El sistema adems debe contar con una estructura y caja protectora que
sostengan y cubran los componentes del equipo.
El objetivo central de esta memoria es describir el proceso de diseo,
construccin y ensamblaje de todos estos elementos que componen el equipo de
potencia que controla los flujos de energa batera-ultracapacitor y viceversa, es
decir, el conversor DC-DC. La capacidad de potencia de este conversor est dada
por los lmites de corriente y voltaje en el lado del ultracapacitor, los cuales son 200
Adc y 300 Vdc respectivamente. Desde el lado de la batera, estos lmites son 150
Adc y 400 Vdc, es decir, el conversor DC-DC tiene una potencia neta de punta de 60
kW.
21

II. DISEO DEL CIRCUITO DE POTENCIA
2.1. Introduccin
Para implementar el equipo electrnico que controlara los flujos de
energa auxiliar en el vehculo elctrico, fue necesario definir una topologa de
potencia adecuada para la aplicacin. Como el sistema debera trabajar al mismo
tiempo que las bateras, pero en forma independiente, se requera una configuracin
en paralelo. Adems la topologa deba ser capaz de transferir energa desde y hacia
las bateras en todo momento, a una potencia mxima cercana a la del motor, para as
poder entregar (o recibir) en ciertos momentos toda la potencia desde el sistema
auxiliar. Los ultracapacitores varan su tensin (desde un valor mnimo hasta su
tensin mxima) de acuerdo a la carga que contienen, mientras la tensin de entrada
del inversor de potencia del vehculo se mantiene cercana a los 312 V (tensin
nominal de las bateras), por lo que se necesita una topologa que pueda transferir
potencia bajo estas condiciones en todo momento. Por esto se decidi utilizar una
configuracin Buck-Boost para la interconexin entre las bateras y el conjunto de
ultracapacitores, los cuales nunca podrn sobrepasar la tensin de las bateras.
El diseo de este convertidor, as como los criterios de seleccin de los
distintos componentes y el proceso de fabricacin del equipo son descritos en detalle
en este captulo.
2.2. Convertidor DC-DC tipo Buck Boost
Una topologa Buck-Boost permite transferir energa en ambos sentidos
entre dos fuentes de tensin, donde una de las dos fuentes (la del lado Buck) siempre
debe tener mayor tensin que la otra (lado Boost). Dadas estas caractersticas, una
configuracin como la mencionada parece adecuada para la aplicacin que se quiere
implementar.
En la Figura 2.1 se puede apreciar la interconexin de los distintos
componentes en una configuracin Buck-Boost. En este circuito, los ultracapacitores
no han sido incluidos, pero su ubicacin fsica corresponde a los bornes de la tensin
V2.
22

Ibat Ia
Ib
Ic
Id1
Lado Buck Lado boost
Vc
Vs




Figura 2.1: Diagrama de topologa Buck-Boost.
Si la condicin de mayor tensin en la fuente Buck no se cumpliera, la
fuente del lado Boost (V2) se descargara hacia la fuente del lado Buck (Vdc) a travs
del diodo D2. En esta configuracin de potencia, los semiconductores siempre se
operan en corte o conduccin, nunca en la zona activa, ya que se trata de disipar la
menor cantidad posible de potencia.
2.2.1. Operacin Buck
La operacin Buck consiste en conmutar el semiconductor T2,
transfiriendo as energa desde la fuente Vdc (de mayor tensin) a la fuente V2 (que
en este circuito reemplaza a los ultracapacitores). Al cerrarse T2 pasa corriente a
travs de ste y de la inductancia Ls en el sentido de las flechas (como aparece en la
Figura 2.1); en ese instante parte de la energa se transfiere a la fuente V2, una
pequea fraccin se disipa en R2 y otra parte se carga en la inductancia Ls. Cuando
se abre T2 la energa que se carg en la inductancia Ls se descarga en V2, a travs
del diodo D1, obligando a la corriente a continuar en la direccin de Ib. En las
Figuras 2.2 y 2.3 se muestra un diagrama con las corrientes para el caso de la
operacin Buck.
En la Figura 2.2 se puede apreciar la forma de onda de la corriente en la
fuente Vdc y en V2. Esta simulacin se hizo con una tensin de 312 V en Vdc y 100V
23

a)







b)
en V2. Si se calculan las potencias transferidas en cada fuente estas deben coincidir
(con alguna diferencia por prdidas en las resistencias, que son pequeas). Se puede
apreciar que las corrientes medias multiplicadas por sus respectivas tensiones dan
aproximadamente 700 W en ambos casos.





Figura 2.2: formas de onda de corrientes, operacin Buck. a) corriente por Vdc
(Ibat), b) corriente por V2 (Ib).
En la figura 2.3 se puede apreciar que la corriente en el condensador C
tiene un valor medio igual a 0 en rgimen permanente, ya que su nica funcin es la
de suavizar la corriente que se extrae de la fuente Vdc (lugar donde ira el banco de
bateras). Si el condensador C no existiera, la corriente por Vdc tendra la forma de
Ia, que tiene un rizado de amplitud igual a la diferencia entre el valor de punta de la
corriente y cero. Tambin se ve cmo la corriente que pasa por T2 ms la corriente
por D1 conforman la corriente Ib mostrada en la Figura 2.2, ya que como se dijo
anteriormente parte de la energa se carga en la inductancia Ls para luego
descargarse en V2 (lugar donde ira el ultracapacitor) a travs del diodo D1. Adems
24

a)


b)



c)


d)
50.00 50.40 50.80
-1.00
4.00
9.00
14.00
-4.00
0.00
4.00
8.00
-2.00
2.00
6.00
10.00
0.10
0.50
0.90
1.30
Time (ms)
se puede apreciar cmo las formas de onda estn coordinadas con el PWM aplicado
en T2.





Figura 2.3: formas de onda de corrientes, operacin Buck. a) corriente por T2
(Ia), b) corriente por condensador C, c) corriente por diodo D1, d) Seal de disparo
aplicada a T2.
La amplitud de rizado de la corriente por V2 depende exclusivamente de
la frecuencia de conmutacin, del valor de la inductancia Ls, del ndice de
modulacin y de la tensin en Vdc. La frmula para este valor se expresa en la
ecuacin 2.1. Esta ecuacin se deduce en el Anexo A.

f Ls
Vdc
Rizado


=
) 1 (
(2.1)
Rizado es el valor punta-punta de la corriente por el ultracapacitor (en
este ejemplo por la fuente de tensin V2), f es la frecuencia de conmutacin, Vdc es
la tensin en la batera, Ls es el valor de la inductancia serie de la fig. 2.1 y es el
25

ndice de modulacin que representa el porcentaje de tiempo que permanece
cerrado T2 durante cada ciclo de conmutacin. Los valores de cada componente se
discuten en los prximos captulos.
Lo ideal es tener un rizado lo ms pequeo posible en la corriente ya que
produce problemas de ruido electromagntico que pueden llegar a causar graves
interferencias con otros equipos. Adems los valores de punta de la corriente podran
llegar a ser muy altos y por lo tanto quemar algn componente. Para calcular el valor
mximo de rizado se deriva la formula anterior con respecto a y se iguala a cero.
Con esto se obtiene el valor 5 . 0 = , el que reemplazado en la ecuacin 2.1 da lo
indicado en la frmula 2.2.
Ls f
Vdc
RizadoMax

=
4
(2.2)
Este rizado mximo se producir cuando la tensin V2<Vdc/2. Se puede
apreciar que las nicas variables manipulables que influyen en el valor del rizado
mximo son la frecuencia de conmutacin f y el valor de la inductancia Ls. Estos se
tomarn en cuenta ms adelante como criterio de diseo.
Las formulas para calcular el rizado y el rizado mximo en la operacin
Boost son las mismas, por lo que no ser necesario hacer el clculo nuevamente para
ese caso.
El control de la transferencia de la energa se logra controlando la
corriente a travs de la modulacin de ancho de pulso, aunque lo que realmente se
controla es la tensin modulada en el punto Vs de la fig. 2.1. En este punto se
modular una tensin determinada por la expresin 2.3.
Vc s V = (2.3)
Donde Vc es la tensin en el condensador C.
Si la tensin modulada es menor que V2 no circular corriente ya que
sta no puede pasar por el diodo D1 (sentido inverso) ni por T1 (est apagado). Si la
tensin modulada es mayor que V2 la corriente que circule depender de estas
26

tensiones y de la resistencia R2. La siguiente expresin establece este valor en forma
simblica.
2
) 2 (
R
V Vc
b I

=

(2.4)
Como la tensin Vc vara dependiendo de la corriente por Vdc y su
resistencia interna, hay que introducir esos elementos y calcular la corriente segn
las tensiones conocidas.
2 / ) 2 int (
2
R V R Ib Vdc b I = (2.5)
Despejando queda:
( )
( )
2
int 2
2

+

=
R R
V Vdc
b I (2.6)
De la ecuacin 2.6 se desprende que la corriente ser cero cuando
Vdc sea igual a V2; en caso que Vdc sea menor que V2 tampoco circular
corriente como ya se mencion. Por lo tanto, se necesita que el ndice de modulacin
sea mayor que V2/Vdc para poder transferir energa a V2.
2.2.2. Operacin Boost
La operacin Boost consiste en conmutar el semiconductor T1 para
transferir energa desde V2 a Vdc. Esto se logra cargando la inductancia Ls al
producir un cortocircuito de corta duracin a travs de sta cuando se cierra T1.
Luego se abre T1 y la energa contenida en la inductancia pasa a travs del diodo D2
y se descarga en las bateras. La transferencia de energa se logra debido a que, al
interrumpir violentamente la corriente por la inductancia, el alto di/dt induce una
tensin en sta, que sumada a la tensin de V2 superan la tensin en Vdc haciendo
entrar en conduccin al diodo D2. Las formas de onda de corriente por Vdc y V2 en
esta operacin se pueden apreciar en la Figura 2.4. Las convenciones de signo de
corriente se invierten con respecto a las flechas de la Figura 2.1 para mayor
simplicidad.
27

La simulacin con que se obtuvieron las formas de onda de la Figura 2.4
se hizo con los mismos valores de tensin en Vdc y en V2 que en el caso de la
operacin Buck. En este caso tambin coinciden las potencias de salida en V2 y de
entrada en Vdc. Este valor de potencia es aproximadamente 690 W.





Figura 2.4: formas de onda de corrientes, operacin Boost. a) corriente por
Vdc (Ibat), b) corriente por V2 (Ib).
En la Figura 2.5 se puede apreciar nuevamente que la corriente por el
condensador C tiene un valor medio igual a cero. Durante la operacin Boost la
corriente por el semiconductor T1, sumada a la corriente Ia (de la figura 2.4)
conforman la corriente Ib.
a)





b)
0.00
1.00
2.00
0.00
4.00
8.00
12.00
140.00 140.40
140.80
Time (ms)
28

a)


b)



c)


d)
140.00 140.40
140.80
Time (ms)
2.00
6.00
10.00
-2.00
0.00
4.00
8.00
-4.00
3.00
7.00
11.00
-1.00
0.30
0.70
11.00
-0.10





Figura 2.5: Formas de onda de corriente, operacin Boost. a) corriente Ia,
b) corriente por condensador C, c) corriente por T1, d) PWM Aplicado en T1.
Como se dijo anteriormente, el valor del rizado de la corriente es el
mismo que el calculado para la operacin Buck. Las frmulas 2.1 y 2.2 entregan los
valores simblicos del rizado y el rizado mximo por la fuente Boost. Aunque el
valor del rizado en la corriente Ib se puede controlar con un diseo adecuado, el
rizado en la corriente Ia y en las corrientes por los diodos y por los semiconductores
no se puede minimizar por diseo. Por lo anterior, al momento de implementar este
tipo de circuito, se debe tratar de hacer uniones elctricas lo ms cortas posibles, ya
que de lo contrario se producen inductancias parsitas que producen altas tensiones
durante las conmutaciones debido a los altos di/dt. Estas inductancias parsitas
tambin son las responsables de las interferencias electromagnticas que el equipo
podra emitir, por lo que adems de minimizar las posibles inductancias parsitas se
debe instalar una jaula de Faraday, o trampa electromagntica adecuada alrededor
del equipo.
Al igual que en el caso de la operacin Buck, la operacin Boost se
controla a travs de una tensin modulada con el mtodo de modulacin de ancho de
29

pulso (PWM). Con esto se pueden controlar las corrientes si se conocen las tensiones
relevantes.
La tensin modulada en el punto Vc durante la operacin Boost se
muestra en la expresin 2.7.
( )
=
1
Vs
c V (2.7)
Realizando una operacin anloga a la realizada para el caso Buck, se
puede calcular el valor de la corriente en la fuente Vdc durante la operacin Boost en
funcin de los valores conocidos.
( )
( )
|
|
.
|

\
|

+
|
|
.
|

\
|

=
2
1
2
int
1
2

R
R
Vdc
V
bat I (2.8)
Si se adecua esta topologa a la aplicacin del sistema de
almacenamiento auxiliar de energa, el circuito quedara compuesto por las bateras
como fuente de tensin mayor (Vdc) y el conjunto de ultracapacitores como fuente
de tensin menor (V2). Se asume que la capacidad del conjunto de ultracapacitores
es suficientemente grande como para ser considerada como una fuente de tensin
ideal en periodos cortos; la nica diferencia es que la tensin en esta fuente variar
lentamente conforme vara la carga en los ultracapacitores. Cuando la tensin es
igual en ambas fuentes no es posible transferir energa desde la fuente del lado Buck
al lado Boost, por lo que nunca se producir el caso en que los ultracapacitores sean
cargados a una tensin mayor que la de las bateras.
La Figura 2.6 muestra la configuracin con los elementos con que se
implementar el sistema
30





Figura 2.6: Configuracin Buck-Boost del sistema de almacenaje de energa,
bateras en el lado Buck y ultracapacitores en el lado Boost.
2.3. Seleccin de los Ultracapacitores
Para seleccionar la cantidad de ultracapacitores a utilizar, se debieron
considerar varios aspectos. Los ms importantes son la capacidad, la tensin nominal
y mxima, la resistencia interna y las dimensiones y peso de cada unidad. Estos datos
se evaluaron considerando las limitaciones del vehculo, las tensiones con que se
trabaja y la capacidad que se requiere para lograr el objetivo planteado para el
equipo.
La cantidad de energa que se puede almacenar en un condensador
depende de su capacidad y la tensin mxima que este soporta (E=1/2CV
2
).
Adems, para el manejo de altas potencias, lo ideal es trabajar con las mayores
tensiones que se pueda en los ultracapacitores, de modo de evitar las prdidas por la
resistencia interna equivalente en serie (ESR). Estas dos condiciones hacen deseable
que se conforme un paquete de ultracapacitores de la ms alta tensin que se pueda
manejar.
Debido a que los ultracapacitores tienen una enorme superficie molecular
con la que logran sus altas capacidades, la distancia entre nodo y ctodo es
infinitesimal y por esto las tensiones internas que pueden manejar sin tener
31

problemas de aislacin son pequeas. Lo anterior se refleja en las reducidas
tensiones nominales y mximas de cada elemento, que estn entre los 2.3 V y 2.7 V
respectivamente. Esta caracterstica limita la capacidad de almacenaje de energa
(1/2CV
2
) y las tensiones con que se puede trabajar. Prcticamente todos los
modelos, incluso de distintas capacidades, tienen las mismas tensiones nominales y
mximas, mencionadas anteriormente.
La tensin nominal del paquete de bateras es de 312 V, y como se
explic anteriormente, debido a las caractersticas de la topologa, nunca se podr
cargar el paquete de ultracapacitores a una tensin mayor que la de las bateras. Por
lo tanto, no tiene objeto instalar un banco de ultracapacitores con una tensin
nominal mayor que el voltaje de las bateras, porque parte de su capacidad de
almacenar energa siempre permanecer ociosa. Por otro lado, si la tensin mxima
del paquete de ultracapacitores es despreciable o demasiado pequea en relacin a la
de las bateras, se corre el riesgo de sobrecargar los primeros con su consiguiente
destruccin. Entonces es deseable que la tensin mxima de los ultracapacitores sea
similar a la tensin mnima de las bateras para tener la menor capacidad ociosa
posible. Las tensiones en el paquete de bateras durante una descarga normal pueden
alcanzar aproximadamente los 300 V; la tensin mxima de un ultracapacitor es
aproximadamente 2.7 V (independiente de su capacidad) y su tensin nominal es de
2.3 V. Por lo tanto se calcul que con una cantidad de 132 condensadores se
resguardan las tensiones mximas y no se mantiene capacidad ociosa, ya que con su
tensin nominal 2.3 V es posible llegar a 303 V.
En cuanto a la capacidad de los ultracapacitores, lo ptimo es adquirir
condensadores de capacidad similar a la que se necesita utilizar debido al alto costo
de stos. Sin embargo la capacidad ptima es uno de los puntos a estudiar en este
proyecto de investigacin, por lo que no es un dato que se conozca con precisin. Por
otro lado, se puede calcular tericamente la cantidad de energa que se necesitara
para llevar al vehculo a un estado de velocidad crucero. Esta cantidad de energa
podra considerarse como la mxima cantidad que deberan entregar los
ultracapacitores en un perodo de potencia de punta por sobre la energa media que
entrega la batera. Este valor se calcula como la energa cintica que lleva el vehculo
a su velocidad crucero, expresado en la ecuacin 2.9.
32

| | | |

=
2
2
2
2
1
s
m
V Kg M J Ecintica (2.9)
Donde M es la masa del vehculo y V es su velocidad. Si la velocidad
crucero del vehculo es de 60 Km/h y su masa de 1700 Kg, entonces el valor de la
energa cintica a esta velocidad es de 236.111,1 J. Si se asume que la tensin
nominal de los ultracapacitores (132 unidades en serie) es de 303 V, entonces la
capacidad que debe tener el paquete para almacenar esa cantidad energa es de 5,14
F, y por lo tanto cada unidad debe tener 678 F. Sin embargo, ellos no se utilizan a su
plena capacidad, ya que esto involucra descargar el paquete desde sus 303 V
iniciales a cero. Lo recomendado por los fabricantes es descargarlos slo hasta un
tercio de su tensin nominal, ya que en estas condiciones se aprovecha un 89% de su
capacidad y descargarlos ms es ineficiente. Adems hay que considerar que la
velocidad del vehculo podra ser mayor, lo que implica una capacidad mayor en el
banco de ultracapacitores. En el caso de la LUV, la velocidad mxima es de 120
km/h.
Por las razones dadas anteriormente, se utiliz un banco de
ultracapacitores que considerara las limitaciones mencionadas. El ultracapacitor
seleccionado fue el modelo 2700F(S) de la compaa EPCOS (ver Anexo G). Este
tiene una capacidad de 2700 F, una resistencia en serie equivalente (ESR) de 0,001
y sus caractersticas de volumen y peso se ajustan a los requerimientos del vehculo.
La capacidad total del paquete es de 20,45 F y es capaz de almacenar 938.747 J. Con
esta capacidad se garantiza que se podr almacenar la cantidad de energa que se
necesita para acelerar al vehculo desde cero a su velocidad crucero y sobra
capacidad para experimentar con distintas estrategias de manejo de energa.
La figura 2.7 muestra la fotografa de una de las unidades que componen
el paquete de 132 Ultracapacitores y sus medidas fsicas.
33





Figura 2.7: Ultracapacitor 2700F(S) de Epcos. Su capacidad es de 2700 F,
Voltaje nominal de 2.3 V, ESR = 0.001Ohm.
2.4. Seleccin del Semiconductor de Potencia (IGBT)
Para implementar la topologa de potencia propuesta en este captulo, es
necesario contar con un semiconductor de potencia que sea capaz de trabajar con
tensiones de 400 V y con corrientes de ms de 200 A. Adems se deben considerar
las posibles sobretensiones producidas durante las conmutaciones para agregar un
margen de seguridad a los valores mencionados.
Se seleccion el IGBT modelo PM400DSA060 de POWEREX (ver
Anexo E), el cual est diseado para conducir una corriente de hasta 400 A y
soportar una tensin de hasta 600 V entre colector y emisor. Es importante hacer
notar que es necesario sobredimensionar la corriente debido a los valores de punta
que sta toma, que pueden llegar a varias veces la corriente media. Adems este
IGBT presenta otras ventajas como son el hecho de que su circuito de disparo
requiere de solo 15 V y que cuenta con sistemas de proteccin contra sobretensiones,
sobrecorrientes, corrientes de cortocircuito y sobretemperaturas. Este sistema de
proteccin reacciona ante cualquiera de estos eventos apagando el aparato y
enviando una seal de falla. Esta caracterstica es muy til en un equipo prototipo
donde la ocurrencia de fallas es bastante probable, evitando as destruccin de
equipos o accidentes.
34

La figura 2.8 muestra una fotografa del IGBT modelo PM400DSA060
de POWEREX, seleccionado para la aplicacin.




Figura 2.8: mdulo de potencia INTELLIMOD PM400DSA060 de
POWEREX.
2.5. Seleccin del Condensador C para el Circuito Buck Boost
En la operacin de semiconductores de potencia, como los IGBT que
operan en corte y conduccin, se producen situaciones durante las conmutaciones en
las que la tensin instantnea en el semiconductor puede alcanzar valores muy altos
si no se toman las precauciones necesarias. Esto se debe a la presencia de
inductancias parsitas en partes del circuito de potencia. Estas inductancias parsitas
se encuentran distribuidas en todos los conductores y es especialmente significativa
en los conductores largos.
En la figura 2.9 se muestra el mismo circuito de potencia de la figura 2.1,
pero se le ha introducido un elemento que no forma parte del diseo y que sin
embargo no es posible eliminar. Este elemento es la inductancia parsita distribuida,
la que se divide en Lp1 y Lp2. En la realidad estas inductancias se encuentran
35

distribuidas en todo el circuito, pero para el anlisis se consideran como elementos
concentrados.



Figura 2.9: Circuito de potencia incluyendo inductancias parsitas Lp1 y Lp2.
La presencia de esta inductancia parsita provoca situaciones no
deseadas para el semiconductor, principalmente sobretensiones. Una de las
situaciones que revisten peligro para los semiconductores es la sobretensin que se
aplica a los IGBT cuando stos son apagados. Por ejemplo, si el IGBT T1 se
encuentra en conduccin y es apagado, la corriente que se encontraba circulando por
ste y que est contenida en Ls encontrar su escape por D2; entonces, entre colector
y emisor de T1, aparecer una tensin igual a la tensin en el condensador C ms la
cada en D2 y la cada en Lp2, igual a Lp2*di/dt. Si Lp2 fuese cero, como en el caso
ideal, entonces no habra problema, pero como esto no es as, esta tensin puede
llegar a ser enorme debido a los altos valores de di/dt. Lo mismo ocurre sobre T2
cuando ste se encuentra conduciendo y se interrumpe su corriente al ser apagado
por la seal de control.
Otra situacin que se produce en este tipo de circuito de potencia es la
sobretensin por la recuperacin de los diodos. A modo de ejemplo, supongamos que
se encuentra conduciendo el diodo D2 durante una operacin boost; cuando T1 se
enciende como parte de la secuencia correspondiente a esta operacin, la corriente
contenida en Ls se redirige hacia T1, y D2 se apaga. Sin embargo, para apagar D2,
debe circular por ste una corriente inversa de recuperacin. Durante el apagado de
36

D2 su corriente disminuye hasta hacerse cero y luego se hace negativa hasta apagar
el diodo, entonces vuelve a cero. La tensin inversa en el diodo es la tensin en C
menos la tensin colector-emisor en T1, por lo que mientras el diodo no se apague la
corriente inversa por ste puede llegar a ser bastante alta. Los diodos utilizados en
este tipo de circuitos de potencia son de recuperacin rpida, lo que significa que una
vez que se empiezan a recuperar, su corriente inversa se interrumpe violentamente.
Entonces el valor de di/dt de la corriente de recuperacin es muy alto y por lo tanto
durante el apagado de un diodo aparece una tensin elevada en Lp2, la que sumada a
la tensin del condensador C se aplica sobre el diodo en cuestin y su IGBT
correspondiente.
Para minimizar estos problemas se toman tres medidas: se instala el
condensador C lo ms cerca posible del semiconductor para as minimizar el valor de
Lp2; se disminuye lo ms posible Lp2 con un diseo adecuado de los conductores
entre C y el semiconductor (este diseo se encuentra en el acpite 2.5); tambin se
introducen elementos externos, llamados mallas Snubber (la incorporacin de estos
elementos se discute en el acpite 2.6) para amortiguar las tensiones transitorias en
Lp2.
El propsito del condensador C en el circuito de potencia es proporcionar
una fuente de baja impedancia lo ms cerca posible del semiconductor, para as
minimizar la inductancia parsita que hay entre los semiconductores y la fuente de
energa, pues como ya se explic, los altos valores de di/dt en la inductancia parsita
distribuida producen tensiones transitorias de punta muy altas, las que aparecen
sumadas a la tensin de C en los semiconductores.
Para encontrar un valor adecuado del tamao de C es necesario calcular
qu tensin mxima ser permitida en sus bornes y por lo tanto en bornes del
semiconductor. Luego se necesita calcular el valor aproximado de la energa que
contendr la inductancia parsita Lp1, ya que sta se traspasar al condensador C y
har subir su tensin al interrumpirse la corriente por el semiconductor. Para que no
se superen los lmites de tensin, la capacidad de C debe ser suficientemente grande
para aceptar esta energa.
37

Como a la tensin que aparece en el IGBT ser la suma de la tensin en
C y la tensin transitoria en Lp2, se debe fijar un valor conservador de la tensin
mxima en C. Considerando que la tensin mxima que soporta el INTELLIMOD es
de 600 V, se fij el valor de la tensin mxima en C en 350 V, para as dejar un
holgado margen de 250 V al valor que pueda tomar la tensin en Lp2 durante la
transicin de apagado del semiconductor.
La energa contenida en Lp1 se expresa en la frmula 2.10.
2
1
2
1
I Lp E = (2.10)
Para calcular el cambio en la tensin de un condensador al inyectarle
(extraerle) una cantidad determinada de energa se utiliza la frmula 2.11.
( )
2
1
2
2
2
1
V V C E = (2.11)
En esta frmula, E representa la energa inyectada (extrada) al
condensador,
1
V es la tensin que exista en el condensador antes del cambio en la
corriente y
2
V es la nueva tensin en C luego que se le inyecta (extrae) la energa
E .
Si se asume que la tensin en C antes de la interrupcin en la corriente
era la tensin nominal en las bateras, es decir 312 V, se puede calcular la capacidad
requerida de C para que al entregarle la mxima cantidad de energa que podra
contener Lp1 en condiciones normales, su tensin quedara igual a la mxima tensin
(350 V). Esta capacidad se calcula en la formula 2.12.
( )
2 2
312 350
2


=
E
C (2.12)
Para calcular C se estimar el valor mximo que podra tomar E segn
la corriente mxima de 200 A. La inductancia parsita Lp1 real se midi con un
puente digital, arrojando un valor de 7,5 uH. Con estos valores se calcula que, bajo
estas condiciones, E sera igual a 0,15 J. Si introducimos este valor a la frmula
2.12 queda que la capacidad de C es de 11,9 uF.
38

Aunque un condensador de este tamao prevendra sobretensiones en el
semiconductor bajo las condiciones ms adversas, se considera necesario utilizar un
condensador de mayor tamao para que acte como filtro (en conjunto con la
inductancia parsita Lp1) atenuando el rizado de la corriente que se extrae de la
batera, ya que ste es daino para las bateras de plomo cido.
Para este condensador es deseable la mayor capacidad posible, pues as
el filtrado es mejor. El nico inconveniente de un condensador grande es la corriente
de inrush al conectarlo a las bateras, pero el condensador se encuentra en paralelo
con el inversor de potencia, el cual cuenta con un sistema de encendido suave que
limita estas corrientes. Entonces las nicas restricciones para el tamao del
condensador son el espacio fsico y la tensin mxima que debe soportar, que se fij
en 450 V. Se adquiri un condensador marca NIPPON CHEMI-CON de 3300 uF
que soporta 450 V. La figura 2.10 muestra una fotografa del condensador utilizado.





Figura 2.10: Condensador marca NIPPON CHEMI-CON de 3300 uF y 450 V.
39

Se hicieron simulaciones con la herramienta computacional Psim para
corrientes de 200 A obteniendo rizado de menos de 4 A en las bateras al utilizar un
condensador de 3300 uF, lo que se consider aceptable.
2.6. Diseo de los Conductores en el Circuito de Potencia
La energa que produce los transitorios de tensin en los circuitos de
potencia que utilizan IGBT es proporcional a Lp2I
2
, por lo que mientras mayor es
la corriente que circula por el circuito mucho menor debe ser la inductancia parsita
si se quiere minimizar el efecto de estos transitorios en la tensin aplicada al IGBT.
Como ya se explic en el captulo 2.4, la inductancia Lp2 depende de lo
cerca que est el condensador C del semiconductor y del diseo del conductor
(especficamente del largo del conductor). Para minimizar esta inductancia se deben
disear conductores lo ms cortos posibles tal que se ajusten a la distribucin de los
componentes en la caja que los contiene y de una seccin apropiada para minimizar
las prdidas.
Una forma de minimizar la inductancia de un conductor es fabricarlo a
base de lminas de cobre, con lo que se distribuye espacialmente la corriente
haciendo ms largo el camino electromagntico por el aire y por lo tanto aumentando
la reluctancia del ncleo parsito [Rote99]. Tambin se debe considerar el efecto
pelicular por la alta frecuencia de conmutacin [Saez98] al definir el espesor de la
lmina a utilizar.
Al circular una corriente alterna con frecuencia de 12 kHz por un
conductor, la penetracin de la corriente es de 0.6 mm, entonces para que la seccin
de una lmina conductora se utilice efectivamente a esta frecuencia su espesor debe
ser igual o menor a 1.2 mm. Si es as se puede calcular la conductividad del material
del conductor multiplicando su seccin por el factor de conductividad y dividiendo
por la longitud de ste.
En este caso se seleccion una lmina de cobre de 0.75 mm de espesor y
se defini un ancho de 2.5 cm promedio para el conductor. Adems se estim que el
largo total de ste sera de unos 20 cm. Para estos valores se calcul una resistencia
40

total de 0.192 m (la resistividad del cobre es aproximadamente 0.018 m mm
2

[Chap74]), la que significara prdidas de 7.68 W al conducir 200 A RMS. Lo
anterior significa que a su mxima potencia, las prdidas en este tramo de los
conductores sern equivalentes a un 0.012% de la potencia total. Esto se puede
considerar como despreciable, y por lo tanto las dimensiones del conductor son
apropiadas en cuanto a las prdidas por resistencia. En la Figura 2.11 se pueden
apreciar las conexiones entre los distintos componentes del convertidor Buck-Boost
hechas con conductores de cobre laminado.




Figura 2.11: Conductores instalados en el convertidor Buck-Bosst.
2.7. Configuracin de las Mallas de Proteccin del IGBT (Mallas
Snubber)
Como ya se mencion, la inductancia parsita Lp2 de la figura 2.9 se
minimiz por medio de un diseo adecuado con conductores laminados. Sin embargo
esta inductancia es imposible de eliminar por completo, por lo que se insertan
elementos externos llamados mallas Snubber. Estas mallas siempre incluyen
condensadores para recibir la energa contenida en Lp2 al cortar la corriente por el
semiconductor.
Conductores
41

a) b) c) d)
En la figura 2.12 se presentan cuatro tipos de mallas Snubber, que son
elementos que se instalan directamente sobre los semiconductores. Por lo general las
mallas Snubber estn compuestas por una combinacin de condensadores, diodos y
resistencias, cuya configuracin depende del tipo de aplicacin y niveles de potencia
que se manejen.




Figura 2.12: distintas configuraciones de mallas Snubber.
El tipo de malla a) indicado en la figura 2.12 puede ser efectivo en
aplicaciones de baja potencia y es muy conveniente por su bajo costo, ya que solo
consiste en un condensador de baja inductancia. Sin embargo, a medida que la
potencia del circuito aumenta, es posible que este condensador oscile con la
inductancia parsita Lp2. Por esto el Snubber tipo b) incorpora un diodo de
recuperacin rpida para bloquear las oscilaciones y una resistencia para
amortiguarlas. En este caso la constante de tiempo debe ser aproximadamente un
tercio del perodo de conmutacin del semiconductor. En aplicaciones con IGBTs
grandes, operando a altas potencias, la inductancia parsita del Snubber tipo b) puede
ser demasiado grande para controlar efectivamente los transitorios de tensin. Para
estas aplicaciones de grandes corrientes se puede utilizar el Snubber tipo c). Esta
configuracin es prcticamente igual al tipo b), pero su ventaja es que al estar
conectado directamente al emisor y colector de cada IGBT su inductancia parsita es
42

menor. El Snubber tipo d) se utiliza para controlar transientes de tensin,
oscilaciones parsitas y ruido causado por el valor de dv/dt. Lamentablemente las
prdidas de esta configuracin Snubber no son despreciables, por lo que no es
adecuado para aplicaciones con alta frecuencia de conmutacin [Powe94].
La tabla 2.1 indica las sugerencias del fabricante del IGBT usado
(POWEREX) en cuanto al tipo de Snubber a utilizar y los valores de sus
componentes segn el tipo de IGBT y su aplicacin. Esta tabla considera que la
tensin admitida por el semiconductor es de 100 V por sobre la tensin del bus DC.
Tabla 2.1: Configuracin y valores sugeridos para los Snubber.
Valores de Diseo Sugeridos Tipo de
Mdulo
Inductancia
Parsita del Bus
Tipo de
Snubber
Inductancia del
Snubber
Capacidad del
Snubber
Mdulo Dual
50 A-200 A
<100 nH A 20 nH 0.47-2.0 uF
Mdulo Dual
300 A-600 A
<50 nH B 20 nH 3.0-6.0 uF
En el caso de esta aplicacin se utiliza un mdulo IGBT Dual modelo
PM400DSA060, el cual soporta hasta 600 V entre colector y emisor. Como en este
diseo se trabaja con tensin en el bus de entre 300 V y 400 V, una sobretensin de
100 V est dentro los lmites nominales del semiconductor. Por lo tanto los valores
sugeridos en esta tabla se aplican.
Como es difcil predecir la inductancia parsita de un diseo previo a su
fabricacin y prueba, sta no era conocida de antemano. Por lo tanto, para utilizar los
valores de referencia de la tabla 2.1, se supuso que una vez fabricados los
conductores, esta inductancia estara dentro del rango indicado en la tabla. Para que
esto fuese efectivo, en el proceso de diseo de los conductores (descrito en el acpite
2.5) se tom como primera prioridad minimizar esta inductancia, por mtodos que
son descritos en el captulo correspondiente.
43

Snubber tipo A
Snubber tipo B
En el caso de esta aplicacin, las corrientes en los ultracapacitores
pueden llegar a 200 A, por lo que se deberan seguir las recomendaciones para el
primer caso expuesto en la tabla, es decir, instalar un Snubber tipo A cuyo
condensador sea de entre 0.47 y 2 uF. Sin embargo, como las tensiones son de ms
de 300 V, el fabricante recomienda utilizar este Snubber en combinacin con uno
tipo B.
Finalmente se instal una combinacin de estos dos tipos. Los valores
utilizados se muestran en la figura 2.13.





Figura 2.13: Snubber instalado en el circuito de potencia.
De la combinacin anterior, el fabricante del IGBT recomienda que el
Snubber tipo B tenga una constante de tiempo RC cercana a un tercio del perodo
( ) de conmutacin (en este caso = 1/12.000 s). El Snubber tipo B que se utiliz
tiene una constante de tiempo RC = 1610
-6
s, la que se encuentra cercana al valor de
3 / = 2710
-6
s.
44

La figura 2.14 muestra una fotografa de los elementos de la malla
Snubber instalada (ver Anexo F).




Figura 2.14: Condensador y conjunto Condensador-Diodo con resistencia para
mallas Snubber tipo A y B.
2.8. Diseo de la Inductancia Ls del Circuito Buck-Boost
El propsito de la inductancia Ls es almacenar temporalmente energa en
forma de corriente para lograr la transferencia de sta en ambos sentidos. Este
proceso se explic en la descripcin del circuito Buck-Boost en 2.2.1 y 2.2.2.
Como se mostr en el comienzo de este captulo, la corriente resultante
por los ultracapacitores tiene una forma de corriente continua con rizado. El rizado
mximo depende de la tensin de las bateras, la frecuencia de conmutacin y el
valor de Ls (ecuacin 2.2). Se busca minimizar el rizado de la corriente pues ste
causa problemas de ruido audible, prdidas por calentamiento, vibraciones
mecnicas y ruido electromagntico que puede provocar fallas en los sistemas de
control (principalmente en las etapas anlogas). Para minimizar el rizado se puede
utilizar una frecuencia de conmutacin alta, una inductancia Ls grande o ambas.
Aunque la frecuencia mxima de operacin de los IGBT utilizados es de 20 kHz, en
Snubber tipo A Snubber tipo B
45

este caso se decidi utilizar una frecuencia de conmutacin de 12 kHz, pues por cada
conmutacin se pierde una cierta cantidad de energa [Powe94], y al aumentar la
frecuencia, aumentan las prdidas por este concepto. Se consider un valor de 12kHz
una frecuencia lo suficientemente alta para no tener que utilizar una inductancia muy
grande y sin aumentar mucho las prdidas.
Se tom como valor arbitrario de rizado mximo 5 A equivalente a un
2.5% de la corriente mxima. Segn la ecuacin 2.2, para tener un rizado mximo de
5 A a una frecuencia de conmutacin 12 kHz y con 312 V de tensin en las bateras,
se necesita una inductancia de 1.3 mH, la que debe ser capaz de conducir 200 A con
pocas prdidas y baja emisin de ruidos. Adems se debe tratar de minimizar el peso
y volumen del elemento.
Las principales variables de decisin en este caso son: material del
conductor, forma del conductor, nmero de vueltas, material del ncleo y rea del
ncleo.
Luego de analizar varias alternativas se decidi utilizar ncleo de aire
(para evitar la saturacin y disminuir peso), y como conductor se utiliz una lmina
de aluminio de 0.5 mm de espesor y 12 cm de ancho.
La resistividad del cobre es 0.667 veces la del aluminio, pero la densidad
del cobre es 3.32 veces la del aluminio [Chap74]. Entonces, el peso de una lmina de
cobre es 2.213 veces el peso de la lmina de aluminio para una misma resistencia por
unidad de longitud. Por esta razn se utiliz conductor de aluminio.
La resistividad de un material que conduce corrientes a altas frecuencias
cambia con la distancia a la superficie (es el denominado efecto pelicular) [Saez98].
La profundidad de penetracin es una medida que indica a qu distancia de la
superficie se mantiene la resistividad natural del material a una frecuencia dada. A
12 kHz la profundidad de penetracin es aproximadamente de 0.6 mm [Saez98]. Por
lo tanto la lmina utilizada en este caso es suficientemente delgada para que no se
presenten cambios en la resistividad debido a la frecuencia en ninguna zona de su
seccin.
46

En la figura 2.15 se muestra el diseo de la inductancia, la que consta de
dos enrollados con circulacin de corriente en el mismo sentido. Los enrollados estn
unidos en la parte exterior y los contactos externos estn en la base de los enrollados.
Cada rollo tiene 130 vueltas y el ncleo, conformado por un tubo hueco de fibra de
vidrio, tiene un dimetro de 7 cm y su largo es de 26 cm.




Figura 2.15: Diseo de Bobina L para circuito de potencia.
Al enrollar la lmina de aluminio sobre la base de fibra de vidrio, se
intercal entre las vueltas un film aislante marca DuPont, tipo NOMEX (ver Anexo
I), de uso industrial en la fabricacin de transformadores. Finalmente, para evitar
vibraciones producidas por las fuerzas electromagnticas que se inducen entre las
espiras, la inductancia completa fue baada en una resina aislante marca Royal
Diamond, tipo Royalac 158/4 (ver Anexo H).
De las ecuaciones 2.13 y 2.14 [Hall88], donde N es el nmero total de
vueltas, R es la reluctancia del ncleo, l es el largo y A la seccin del ncleo, se
desprende que el valor terico de la inductancia es de 1.26 mH.
A
l
R

=
0
u
(2.13)
47

R
N
L
2
= (2.14)
El valor real de la inductancia obtenido con un puente de medidas digital
fue de 1.3 mH, muy cercano al valor terico de 1.26 mH.
La figura 2.16 muestra una fotografa de la bobina terminada, la que fue
montada en una base de madera con estructura de aluminio y tubo de PVC.
Finalmente se incorpor una cubierta aislante de PVC.







Figura 2.16: Bobina Ls terminada.
48

III. DISEO TRMICO
3.1. Introduccin
Durante la operacin de semiconductores de potencia siempre se
producen prdidas en la conmutacin y conduccin. Estas prdidas se materializan
como calor eliminado desde las junturas del semiconductor hacia el ambiente. Si el
calor no encuentra una ruta expedita para transitar hacia el ambiente, la temperatura
del semiconductor se elevar, pudiendo incluso destruirse por este motivo.
El IGBT utilizado en este caso, un INTELLIMOD PM400DSA060 de
POWEREX, cuenta con un sistema de seguridad que interrumpe automticamente la
operacin cuando se sobrepasa un lmite de seguridad establecido para la
temperatura del semiconductor. Sin embargo este sistema de proteccin solo se debe
considerar como una medida de seguridad de respaldo. Por ello se hace necesario
calcular la potencia disipada por el dispositivo y disear un disipador de calor capaz
de extraer esta potencia, manteniendo la temperatura del semiconductor dentro de los
lmites establecidos por el fabricante.
3.2. Clculo de Temperaturas
Para evitar la destruccin del semiconductor es imprescindible que
nunca se sobrepase la temperatura de juntura mxima especificada por el fabricante
(150 C). Sin embargo, la proteccin de sobretemperatura incorporada en el aparato
se activa cuando la temperatura de juntura sobrepasa los 110 C. Por lo tanto, para
asegurar un funcionamiento correcto y sin interrupciones se debe resguardar que,
bajo condiciones normales de operacin, la temperatura de juntura nunca llegue a
110 C.
El modelo de temperaturas se confecciona con las resistencias trmicas
especificadas por el fabricante, la resistencia trmica del disipador y la temperatura
ambiente. Para el aparato en cuestin se confeccion el modelo que se muestra en la
figura 3.1.
49






Figura 3.1: Modelo trmico para el INTELLIMOD PM400DSA060.
En el modelo P
Q
y P
F
representan las potencias de prdida del IGBT y
diodo respectivamente. R
th(j-c)Q
representa la resistencia trmica entre la juntura del
IGBT y la carcasa del aparato. R
th(j-c)F
representa la resistencia trmica entre la
juntura del diodo y la carcasa del aparato. R
th(c-f)
representa la resistencia trmica
entre la carcasa del aparato y el disipador de calor. T
jQ
y T
jF
representan las
temperaturas de la juntura del IGBT y del diodo respectivamente. T
c
es la
temperatura de la carcasa, T
f
es la temperatura del disipador y T
amb
es la temperatura
ambiente.
Las temperaturas de la carcasa y de las junturas del IGBT y del diodo se
calculan en funcin de las resistencias trmicas y las potencias de prdidas. Estas
temperaturas se calculan en forma simblica en las ecuaciones 3.1, 3.2 y 3.3.
( ) ( )
F Q amb f th f c th c
P P R R Tamb T + + + =
) ( ) (
(3.1)
( ) ( )
Q Q c j th F Q amb f th f c th jQ
P R P P R R Tamb T + + + + =
) ( ) ( ) (
(3.2)
( ) ( )
( ) F F c j th F Q amb f th f c th j
P R P P R R Tamb T + + + + =
) ( ) ( F
(3.3)
R
th(c-f)
R
th(f-amb)

T
f
T
amb
R
th(j-c)F

R
th(j-c)Q
T
jQ
P
Q
P
F
T
jF
T
c
INTELLIMOD PM400DSA060
50

Del porcentaje de prdidas calculado en el Anexo B y, asumiendo una
potencia media en el convertidor de 12 kW (esto es suponiendo una operacin
intensiva, con pulsos de 36 kW de 20 segundos de duracin por cada minuto de
funcionamiento), se desprende una potencia media de prdidas de 240 W, de los
cuales 187.2 W provienen del IGBT en conmutacin y 52.8 W del diodo opuesto o
complementario.
En la figura 3.2 se muestra un grfico con los valores que debera tener la
resistencia trmica del disipador para mantener las temperaturas en las junturas del
diodo y del IGBT en 110 C y la temperatura de la caja del dispositivo en 100 C, en
funcin de distintos valores de potencias a disipar. Estos valores fueron calculados
utilizando las ecuaciones 3.1, 3.2 y 3.3; asumiendo una temperatura del ambiente de
60 C.





Figura 3.2: Grfico de resistencias trmicas del disipador para mantener
temperaturas nominales.
Resistencia Trmica del disipador v/s potencia a disipar
0,000
0,050
0,100
0,150
0,200
0,250
0,300
125 145 165 185 205 225 245 265 285
Potencia [W]
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

d
e
l

d
i
s
i
p
a
d
o
r

[

C
/
W
]
Asegurar T en IGBT
Asegurar T en diodo
Asegurar T en caja
T en IGBT = 110C
T en diodo = 110C
T en caja = 100C
51

180 mm
20 mm
185 mm
49 mm
10 mm
41,25 mm
110 mm
40 mm
52 mm
64 mm
20 mm
4 mm
1/2
87 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
24,5 mm
180 mm
20 mm
185 mm
49 mm
10 mm
41,25 mm
110 mm
40 mm
52 mm
64 mm
20 mm
4 mm
1/2
87 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
3 mm
24,5 mm
Del grfico anterior se puede ver que la resistencia del disipador de calor
debe ser menor que 0.05 C/W, para poder mantener todas las temperaturas dentro de
los niveles establecidos por el fabricante.
3.3. Diseo del Disipador
Dentro de los objetivos de la construccin del convertidor Buck-Boost se
encuentra el hacer el disipador lo ms pequeo y eficiente posible. Como el vehculo
elctrico en cuestin cuenta con un circuito de agua, compuesto por una bomba y
radiador, se decidi fabricar un disipador de calor por conveccin forzada con agua,
utilizando el mismo circuito.
El material empleado fue aluminio maquinado con ranuras y canales
principales. En la figura 3.2 se muestra el diseo de disipador y en la figura 3.3 se
muestra una foto de sus piezas terminadas.





Figura 3.2: Diseo del disipador de calor.
52









Figura 3.2: a) Fotografa de las piezas terminadas del disipador de calor; b)
Fotografa del disipador ensamblado con IGBT sobre ste.
El diseo se compone de dos piezas. La primera en forma de tina, con
dos orificios para acoplar los conductos de agua (entrada y salida del fluido), donde
se inserta la segunda pieza en forma de tapa, con ranuras para la disipacin del calor
mediante el contacto con el agua. El semiconductor se atornilla a la pieza que
contiene las ranuras para lograr una transmisin del calor directa al fluido.
a)
b)
53

La ventaja que este tipo de disipador presenta es lo compacto de su
tamao. Su desventaja es que necesita un circuito de agua con intercambiador de
calor, problema que en este caso se poda obviar pues se contaba con el sistema de
enfriamiento por agua del motor de traccin. Esto permiti disear una distribucin
de componentes con menos restricciones, obteniendo un equipo de alta potencia en
un espacio reducido.
Lo anterior se puede apreciar en la fotografa de la figura 3.3, que
muestra el equipo armado sin la tapa, donde se puede observar el pequeo espacio
que ocupa el disipador.





Figura 3.3: Fotografa del equipo armado sin la tapa.
La resistencia trmica terica del disipador, calculada en el Anexo C, es
de 0.01023 C/W. Este valor es mucho menor que la resistencia mnima de 0.05
C/W calculada anteriormente, lo que asegura el mantenimiento de la temperatura de
los componentes dentro de los mrgenes establecidos por el fabricante.
Disipador de calor
54

IV. TRANSDUCTORES
4.1. Introduccin
Para poder aplicar un sistema de control al convertidor Buck-Boost y
manejar el flujo de energa segn un algoritmo predefinido, es necesario adquirir un
conjunto de seales. Entre estas se cuentan la corriente y tensin en el ultracapacitor,
la tensin en las bateras, la velocidad del vehculo, el estado de carga de las bateras
y la corriente del sistema de traccin. Algunas de estas seales estn disponibles
como salidas del microcomputador que controla el sistema de traccin. Sin embargo,
las que tienen relacin con los ultracapacitores deben ser sensadas por separado. Por
esto se instal un transductor de tensin y uno de corriente en los ultrapacitores.
Adems se incorpor un transductor de temperatura en el disipador de calor del
convertidor para poder monitorear esta variable.
4.2. Transductor de Corriente (LEM)
Para medir la corriente en los ultracapacitores (que estn conectados en
serie, por lo que su corriente es la misma para todos) se instal un sensor de efecto
hall marca LEM, modelo LT 100-S (ver Anexo J). Las especificaciones de este
aparato se muestran en la tabla 4.1.
Tabla 4.1: Caractersticas del Transductor de corriente.
Caracterstica Valor Unidad
Modelo LT 100-S -
Corriente nominal 100 A rms
Rango de medidas + 200 A rms
Razn de vueltas 1:1000 -
Alimentacin +12 a +18 V
El sensor en cuestin funciona ptimamente con una alimentacin de
+15 V, para lo que se utiliz una fuente conmutada aislada marca Nemic Lambda,
55

modelo PM20-12D15. Esta fuente se alimenta de los 12 V provenientes de la
alimentacin general para los circuitos de control, y genera dos salidas : +15 Vdc y
15 Vdc, con una corriente mxima de 670 mA por cada una. El consumo del sensor
es de 28 mA ms la corriente de medida (cuyo valor mximo es de 200 mA).
Entonces, el consumo mximo de ste es de 228 mA.
El sensor LEM tiene una relacin de espiras 1:1000, por lo que la seal
de salida de este transductor es una seal de corriente de magnitud 1000 veces menor
que la corriente medida. Para utilizar esta seal en el control, es necesario
transformarla a voltaje y adecuarla a los niveles de tensin que maneja el conversor
Anlogo/Digital del microprocesador. Este conversor adquiere seales de tensin
entre 0 V y 5 V.
En la figura 4.1 se muestra el circuito de alimentacin del transductor o
sensor, y la forma en que se manipula la seal para entregarla al microprocesador.
56

+
-
LF 353
R medida
27 Ohm
5[V]
+
-
LF 353
+
-
LF 353
LEM
LT 100-S
-15 OUT +15
Icap
PM20-12D15
+
1
2








G
N
D
+
1
5


G
N
D


-
1
5
20 k 20 k
20 k
0.1 uF
0.1 uF
100 k
20 k
10 k
10 k
10 k
10 k
10 k
+
-
LF 353
+
-
LF 353
R medida
27 Ohm
5[V]
+
-
LF 353
+
-
LF 353
+
-
LF 353
+
-
LF 353
+
-
LF 353
+
-
LF 353
LEM
LT 100-S
-15 OUT +15
Icap
PM20-12D15
+
1
2








G
N
D
+
1
5


G
N
D


-
1
5
20 k 20 k
20 k
0.1 uF
0.1 uF
100 k
20 k
10 k
10 k
10 k
10 k
10 k





Figura 4.1: Circuito de alimentacin y de manipulacin de seal del
transductor de corriente, Mdulo LEM LT 100-S.
En la figura anterior se puede apreciar una etapa de alimentacin, un
filtro pasabajos, un amplificador sumador para ajustar la ganancia y el corrimiento, y
finalmente un amplificador inversor para entregar seales positivas al conversor
A/D.
La figura 4.2 muestra una fotografa del transductor mencionado,
instalado en la caja del convertidor.
57





Figura 4.2: Transductor de corriente LT 100-S instalado en el convertidor
Buck-Boost.
4.3. Transductor de Tensin
La carga en los ultracapacitores depende directamente de la tensin que
hay en stos. Para poder calcular esta carga se instal en el paquete de
ultracapacitores un transductor de tensin marca LEM, modelo LV 100 (ver Anexo
K). Algunos datos de este instrumento se muestran en la tabla 4.2.

Tabla 4.2: Caractersticas del Transductor de tensin.
Caracterstica Valor Unidad
Modelo LV 100 -
Corriente nominal 10 mA
Rango de medidas + 20 mA
Razn de vueltas 10000:2000 -
Alimentacin +15 V
LT 100-S-
58

+
-
TLV 7441
R medida
75 Ohm
+
-
TLV 7441
32 kOhm
Tensin a medir
LEM
LV 100
-15 OUT +15
PM20-12D15
+
1
2








G
N
D
-
1
5


G
N
D


+
1
5
100 k
+
-
TLV 7441
R medida
75 Ohm
+
-
TLV 7441
32 kOhm
Tensin a medir
LEM
LV 100
-15 OUT +15
PM20-12D15
+
1
2








G
N
D
-
1
5


G
N
D


+
1
5
100 k
Este transductor se alimenta con la misma fuente conmutada utilizada
para alimentar el transductor de corriente. El circuito de alimentacin y
manipulacin de la seal de salida de este transductor se muestra en la figura 4.3.





Figura 4.3: Circuito de alimentacin y manipulacin de seal de salida del
transductor de tensin LV 100.
Como se puede ver en la figura 4.3, este transductor en realidad mide la
corriente que pasa por una resistencia entre los bornes de la tensin a medir. En la
figura se puede distinguir la etapa de alimentacin, luego un amplificador seguidor
de tensin, un divisor de tensin y un segundo amplificador seguidor de tensin. La
seal resultante va al conversor A/D del microprocesador que efecta el control.
El consumo mximo de este transductor es de 10 mA ms la corriente de
medida. Si se asume 300 V como la tensin mxima en los ultracapacitores, la
corriente de medida mxima ser de 47 mA. Por lo tanto la mxima corriente
consumida por el LV 100 ser de 57 mA.
59

El transductor de corriente tiene un consumo mximo de 228 mA, por lo
tanto la corriente total consumida por ambos transductores es de 285 mA. Este valor
esta muy por debajo de la corriente mxima (670 mA) que la fuente conmutada
puede entregar, sin embargo se decidi utilizar una fuente con esa potencia para
tener la posibilidad de medir corrientes mucho mayores.
La figura 4.4 muestra una fotografa del transductor de tensin, instalado
en los bornes del paquete de ultracapacitores..




Figura 4.4: Transductor de tensin LV 100 instalado en el paquete de
ultracapacitores.
4.4. Transductor de Temperatura
El transductor de temperatura tiene como objetivo monitorear la
temperatura del disipador de calor, para as tener una idea de la capacidad real de
extraccin de calor de ste. Adems, conociendo las potencias de prdidas
aproximadas, las resistencias trmicas del INTELLIMOD y la temperatura del
disipador, es posible tener una idea aproximada de la temperatura de juntura de los
semiconductores.
Bornes del paquete
de Ultracapacitores
LV 100
60

+
-
TLV 7441
Al Conversor A/D
+ 5V
Termistor (2kOhm nominal)
+
-
TLV 7441
+
-
TLV 7441
Al Conversor A/D
+ 5V + 5V
Termistor (2kOhm nominal)
Como transductor de medida se utiliz un termistor no lineal de
resistencia nominal 2 k. La resistencia de este elemento vara en forma inversa, no
lineal (polinomio de 4 grado) con la temperatura. Para poder adquirir el valor de la
resistencia se hace circular por sta una corriente fija y se mide la tensin en uno de
sus bornes. El clculo para determinar la temperatura correspondiente se hace en un
procesamiento posterior. La figura 4.5 muestra un esquema del circuito para obtener
un valor aproximado de la resistencia del termistor.





Figura 4.5: Circuito del termistor para medir temperatura.
61

V. SISTEMAS DE SEGURIDAD Y PROTECCIONES
5.1. Introduccin
En el diseo del conversor DC-DC se han incluido algunos sistemas de
seguridad debido a los altos niveles de potencia con los que se trabajar. Estos
sistemas tienen por objeto prevenir situaciones de riesgo para los usuarios o el
equipo. En el caso de los fusibles el objetivo es que, en funcionamiento fuera de
rango, stos se destruyan antes que otras partes valiosas del equipo o antes que se
produzcan incendios o explosiones.
5.2. Fusibles
Aunque el INTELLIMOD PM400DSA060 cuenta con protecciones para
cortocircuito y sobrecorriente, el circuito de potencia ha sido dotado de dos fusibles
rpidos, uno en cada lado del convertidor Buck-Boost. Su propsito es evitar
destruccin de equipos, incendio o explosin frente a posibles cortocircuitos o
sobrecargas que el INTELLIMOD no haya detenido. Los fusibles son del tipo rpido
con filamento envuelto en arena para cortar el arco elctrico.
La figura 5.1 muestra un esquema con la ubicacin de los fusibles en el
circuito de potencia.
62





Figura 5.1: Circuito de potencia con Fusibles.
5.2.1. Fusible 1
El fusible del lado de las bateras est diseado para una corriente
nominal de 125 A. Fuera de este rango puede soportar corrientes de hasta 250 A
durante 2 s. Si la corriente es mayor, el fusible soporta por tiempos cada vez
menores. Esta caracterstica se describe en la curva de corrientes y tiempos de corte
del fusible, expuesta en el Anexo D.
El filamento del fusible se encuentra inserto en un contenedor con arena
de silicio, la cual se funde en caso de producirse un arco elctrico. Esta misma arena
fundida forma una barrera que corta el arco rpidamente. Por estas caractersticas
estos fusibles reciben la denominacin de ultra-rpidos.
La figura 5.2 muestra el fusible 1 instalado dentro de la caja del
convertidor Buck-Boost. Tambin se puede apreciar el diodo que aparece en la figura
5.1 y un mecanismo de deteccin de fusible abierto, el que funciona con un micro-
interruptor, cuyas funciones se describen ms adelante.
63








Figura 5.2: Fusible 1, ubicado dentro de la caja del convertidor DC-DC.
5.2.2. Fusible 2
ste tiene las mismas caractersticas que el anterior, con la diferencia que
est diseado para una corriente nominal de 160 A. La curva que describe la relacin
entre las corrientes y el tiempo de corte se encuentra en el Anexo D.
El Fusible 2 se encuentra en el circuito del paquete de los
ultracapacitores, separando dos mitades de ste. En la figura 5.3 se puede ver la
ubicacin fsica de este fusible.
Fusible 1
Diodo
Micro-Interruptor
64






Figura 5.3: Ubicacin del Fusible 2.
5.3. Detector de Falla en Fusible y Diodo
Analizando el circuito de potencia de la figura 5.1 se puede identificar
una singularidad en ste, la cual se manifiesta cuando el Fusible 1 se queme dejando
aislado el convertidor DC-DC de las bateras. En ese caso se puede producir una
situacin peligrosa si, al no detectar la anomala, el convertidor sigue funcionando e
intenta traspasar carga desde el ultracapacitor hacia las bateras. Esta situacin sera
peligrosa porque al conmutar el IGBT T1, el conversor podra seguir trabajando en el
modo Boost, traspasando energa desde los ultracapacitores hacia el condensador C,
lo que hara subir la tensin en ste hasta destruirlo o hasta destruir el
INTELLIMOD por exceso de tensin en sus terminales.
Para prevenir esta situacin se instal un detector de falla en el Fusible 1.
Este detector, que se puede apreciar en la figura 5.2, consiste en un micro-
interruptor, el cual es accionado mecnicamente por un botn que salta del fusible
cuando ste se quema. El micro-interruptor aplica una tensin equivalente a un 1
lgico en una de las entradas del microprocesador que maneja la operacin del
Fusible 2
65

convertidor DC-DC, desencadenando una interrupcin de programa que detiene la
operacin del convertidor.
Tambin se instal un diodo de alta corriente para prevenir la destruccin
del condensador C en el caso que se trabe el botn del fusible o ste tarde en saltar.
En ese caso la corriente proveniente del convertidor podra pasar a las bateras sin
daar el condensador C ni provocar explosiones, pero no se podra volver a traspasar
energa hacia los ultracapacitores mientras no se cambie el fusible.
El diodo aparece en las figuras 5.1 y 5.2 sobre el Fusible 1. Su corriente
mxima es de 140 A.
5.4. Supervisin de Tensin de Control
Durante el encendido y apagado del equipo, la tensin de alimentacin
del circuito de control del convertidor Buck-Boost pasa por estados transitorios de
niveles inferiores al valor mnimo de funcionamiento. Cuando esto sucede el
microprocesador encargado de controlar los IGBT entra en estado de Reset, lo que
implica prdida de control de las salidas, cuyos niveles de tensin se fijan en el
mximo disponible durante este estado. Esto implica que las salidas encargadas de
conmutar los IGBT se encienden simultneamente, lo que forzara un cortocircuito.
Para evitar corto circuitos en estas situaciones, se ha incluido un circuito
de supervisin de tensin basado en el componente de Texas Instruments TL7705B
(ver Anexo N), el cual controla un buffer interpuesto entre las salidas del
microprocesador y las entradas al INTELLIMOD.
Este componente est especialmente diseado para la supervisin de
niveles de tensin e incorpora un temporizador adems del comparador con la
tensin umbral. Su funcionamiento consiste bsicamente en mantener un cero lgico
en su salida mientras la tensin de alimentacin de los circuitos se encuentre bajo el
umbral. Una vez que esta tensin entra a la zona normal, se activa el temporizador
que mantiene en cero lgico la salida por un perodo predeterminado, luego de lo
cual la salida pasa al uno lgico.
66

La salida del TL7705B habilita o deshabilita al buffer interpuesto entre el
microprocesador y las compuertas del INTELLIMOD.
La figura 5.4 muestra un esquema el circuito supervisor de tensin antes
descrito.







Figura 5.4: Circuito supervisor de voltaje.
El circuito adems est dotado de un interruptor manual para poder
desconectar las compuertas de los IGBT, lo que permite hacer pruebas de programa
con el circuito de potencia deshabilitado.
+ 5V
Interruptor
manual
T1
T2
Del Microprocesador
A los IGBT
T1
T2
+ 5V
Interruptor
manual
T1
T2
Del Microprocesador
A los IGBT
T1
T2
TL7705B
67

VI. DISEO DE LA CAJA PROTECTORA Y DISTRIBUCIN DE
COMPONENTES
6.1. Introduccin
En el presente captulo se mostrar la distribucin de los componentes de
control y de potencia en el interior del compartimiento original del motor de la
camioneta LUV, y la instalacin de las cajas protectoras que los contienen.
6.2. Distribucin de Componentes
La distribucin de los componentes se realiz pensando en un uso
ptimo del espacio, resguardando las distancias necesarias para los componentes de
potencia. El reducido espacio que ocupa el disipador de calor permiti disminuir el
volumen total del equipo.
En la figura 6.1 se puede apreciar un esquema de la distribucin elegida
de los componentes, la que luego se concret en la construccin de la caja protectora
que contiene al equipo.




Figura 6.1: Esquema de la distribucin deseada de los componentes.
Snnuber INTELLIMOD
Conectores de potencia
Hacia el banco de
ultracapacitores
LEM de corriente
Caja para los circuitos de
control y microprocesador
Condensador
Conductos de Agua
Disipador de calor
Terminal positivo
desde la batera
Fusible F1
Terminal negativo
desde la batera
68

La Figura 6.2 muestra un fotomontaje de la ubicacin deseada del equipo
y sus conexiones. El uso de esta herramienta grfica permiti resolver la ubicacin
de conectores sin tener que construir piezas de prueba.





Figura 6.2: Ubicacin deseada del equipo en compartimento delantero del
vehculo.
6.3. Caja Protectora
La caja protectora se fabric con una base de aluminio de 4 mm de
espesor, un perfil de aluminio para el borde y una tapa hecha de aluminio laminado
de 0.6 mm de espesor. La caja que contiene los circuitos de control y el
microprocesador se obtuvo de un circuito de control anterior, y est hecha
especialmente para contener circuitos impresos con proteccin electromagntica
(Jaula de Faraday).
69

La figura 6.3 muestra una fotografa del equipo con sus componentes
ensamblados segn la distribucin predefinida. Para el soporte de la caja de los
circuitos de control se agreg una estructura de perfiles de aluminio.





Figura 6.3: Componentes ensamblados en la caja protectora.
Finalmente se instal el equipo en el interior del compartimento
delantero de la camioneta Chevrolet LUV, sobre el inversor de potencia. La caja del
equipo fue asegurada a la estructura del chasis en su parte posterior. Se conectaron
las mangueras de circulacin de lquido enfriador y se conectaron los cables del
circuito de potencia con sus respectivas aislaciones.
En la figura 6.4 se muestra una fotografa de las conexiones del circuito
de agua y los cables de potencia. En la figura 6.5 se muestra el Equipo completo
instalado con su tapa protectora.
70





Figura 6.4: Conexiones del circuito de agua y de los cables de potencia.





Figura 6.5: Convertidor Buck-Boost instalado en el vehculo.


71

VII. RESULTADOS EXPREIMENTALES
El equipo ya ha sido probado en su funcionamiento elemental de
transferencia de potencia con corrientes de hasta 200 A en ambos sentidos. El
sistema de control y manejo de energa an se encuentra en etapa de desarrollo, por
lo que todava no se pueden sacar conclusiones sobre la eficiencia total del equipo.
La figura 7.1 muestra la forma de onda del rizado de la corriente por los
ultracapacitores operando como Buck y Boost, con un ndice de modulacin igual a
0.5 en ambos casos (donde se logra la mayor amplitud del rizado). Se puede apreciar
que el valor punta-punta del rizado es de aproximadamente 4.3 A, lo que supera las
expectativas planteadas en el captulo 2.7.





Figura 7.1: Forma de onda del rizado de la corriente por los ultrapacacitores
para operacin Buck y Boost.
La figura 7.2 muestra la respuesta al escaln de uno de los esquemas de
control que actualmente estn siendo probados en el equipo. En esta prueba se
Escala: 1 A/div Escala: 1 A/div
Escala: 100 us/div
72

alcanz una corriente de rgimen de 200 A para la operacin Boost y 200 A para la
operacin Buck.




Figura 7.2: Respuesta al escaln de un esquema de control bajo prueba.
Una prueba importante es el clculo emprico del valor de la resistencia
serie equivalente (Equivalent Series Resistance ESR). Esta se realiza aplicando una
corriente de valor constante durante un perodo de tiempo al paquete de
ultracapacitores, luego se mide grficamente la desviacin de la tensin en el paquete
de ultracapacitores durante la prueba con respecto a una curva de descarga de
condensador ideal (esta curva sera una rampa perfecta con inclinacin igual a I/C),
con este valor se calcula el valor de esta resistencia por simple ley de Ohm. .
Una prueba con corriente continua permite determinar el valor de la ESR
para esa condicin solamente, ya que el valor de esta resistencia vara con la
frecuencia. Sin embargo, debido a la naturaleza de la aplicacin, el equipo operar
con variaciones relativamente lentas en la corriente; por esto, el valor determinado
en esta prueba se considerar vlido para el rango de operacin del equipo en esta
aplicacin especfica.
Boost: 200 Adc
V
BAT
=330 Vdc
V
C
=80 Vdc
50 A/div
Buck: -200 Adc
V
BAT
=330 Vdc
V
C
=80 Vdc
50 A/div
Boost: 200 Adc
V
BAT
=330 Vdc
V
C
=80 Vdc
50 A/div
Buck: -200 Adc
V
BAT
=330 Vdc
V
C
=80 Vdc
50 A/div
50 ms/div
50 ms/div
73

V
COND
[V]
0
50
100
150
200
1 3 5 7 9 11 13
I=200 Adc
t [s]
CARGA
V
COND
[V]
0
50
100
150
200
1 3 5 7 9 11 13
I=200 Adc
t [s]
CARGA
La figura 7.3 muestra un grfico de la tensin en el paquete de
ultracapacitores para una prueba de corriente continua de 200 A en ambos sentidos.




Figura 7.3: Tensin en ultracapacitores durante pruebas de corriente continua
para determinar el valor de la resistencia serie equivalente (ESR).
En la figura anterior se puede apreciar que la variacin en la tensin es
de aproximadamente 27 V, lo que se comprob mas exactamente promediando los
valores capturados de esta desviacin durante la prueba. Con este valor de la
desviacin se puede calcular una resistencia serie total de 27V/200A = 0.135.
Como son 132 ultracapacitores en serie se obtiene una resistencia serie aproximada
de 1,023 m para cada uno, muy cercana al valor entregado por el fabricante de 1
m.
V
COND
[V]
50
100
150
200
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
t [s]
I=-200 Adc
DESCARGA
V
COND
[V]
50
100
150
200
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
t [s]
I=-200 Adc
DESCARGA
27 V
27 V
74

VIII. CONCLUSIONES
Se dise y construy un conversor de potencia, basado en un
convertidor DC-DC bidireccional del tipo Buck-Boost. Su aplicacin est orientada
al uso de un sistema de ultracapacitores para el frenado regenerativo en un vehculo
elctrico. Este conversor DC-DC debe permitir mover los flujos de energa desde las
bateras y el sistema de traccin, hacia los ultracapacitores y viceversa.
El diseo de este conversor permiti construir un equipo de potencia
compacto y robusto. Este equipo pudo implementarse en forma compacta gracias al
uso de enfriamiento por agua, utilizando un disipador de calor diseado
especialmente, el cual presenta una resistencia trmica terica menor que 0.02 C/W,
superando todas las expectativas. Dentro del sistema de protecciones del equipo, ste
cuenta con mallas Snubber para evitar condiciones de sobretensin en el
semiconductor, sensores para medir seales especficas del convertidor (cuyas
mediciones sern utilizadas por el sistema de control a implementar en el futuro) y
sistemas redundantes de seguridad para evitar situaciones de riesgo o destruccin de
elementos bajo cualquier condicin de operacin. Adems del conversor, se dise y
construy una bobina de alisamiento (Ls) de 1.3 mH capaz de conducir ms de 200 A
sin saturarse y con bajas prdidas.
Los resultados de las pruebas fueron satisfactorios en todo sentido. Se
obtuvo un rizado mximo en la corriente de menos de 5 A, lo que se logr gracias al
diseo adecuado de la inductancia Ls. En la prueba de respuesta al escaln en
corriente se obtuvo un resultado satisfactorio con control PI, logrando estabilizar la
corriente en menos de 100 ms. Finalmente se determin experimentalmente el valor
de la resistencia serie equivalente, el que result muy cercano al valor de 1 m
entregado por el fabricante.
Se puede concluir que se lograron todos los objetivos planteados para el
desarrollo de este equipo, en cuanto a tamao, potencia y seguridad de operacin.
Por otro lado, los resultados experimentales obtenidos muestran un excelente
comportamiento en todo el rango de operacin.
75

Parte del desarrollo de este equipo, que no se consider dentro del
alcance de esta memoria, queda propuesto como trabajo a realizar en el futuro. En
esta categora se incluye el desarrollo de los algoritmos de control de flujos de
potencia y manejo de energa en el vehculo elctrico. Tambin queda propuesto el
estudio del beneficio tcnico-econmico que implica el uso de estas tecnologas en
vehculos elctricos o hbridos.
76

BIBLIOGRAFIA
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in Automotive Systems Rivalry in the United States, 1890 - 1996
(Ph.D. diss., Stanford University, 1996), UMI 97-14137.
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[Chap74] Chapman, A. (1974) Heat Tansfer, Third Edition. Macmillan Publishing
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Construccin de un Inversor Compacto de Alta Potencia. Memoria
para optar al ttulo de Ingeniero Civil de Industrias con mencin en
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and Testing of a DC/DC Controlled Supercapacitor into an Electric
Vehicle. 18
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Electric Vehicle Symposium, Berlin, Alemania, octubre,
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[Diet01] Dietrich, T. (2001) UltraCaps - A new Energy Storage Device for Peak
Power Applications. 18
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Electric Vehicle Symposium, Berlin, Alemania,
octubre, 2001.






78



A N E X O S
79


ANEXO A
CLCULO SIMBLICO DE VALORES DE RIZADO DE CORRIENTE
EN CONFIGURACIONES BUCK-BOOST
80

Ibat Ia
Ib
Ic
Id1
Lado Buck Lado boost
Vc
Vs
ANEXO A: CLCULO SIMBLICO DE VALORES DE RIZADO DE
CORRIENTE EN CONFIGURACIONES BUCK-BOOST
Para la deduccin de las ecuaciones de rizado de la corriente en un
circuito configurado como Buck-Boost, se plantea un diagrama del circuito en la
figura A.1.




Figura A.1: Circuito Buck-Boost.
En la ecuacin A.1 se define el ndice de modulacin ( ) como el
porcentaje de tiempo que est en conduccin el IGBT que est conmutando.
T
t
0
= (A.1)
Donde t
0
es el tiempo que permanece encendido el IGBT y T es el
perodo de conmutacin.
Si conmuta el IGBT (operacin Buck), T2 la tensin Vs es la que se
expresa en la ecuacin A.2.
81

Vdc Vdc
T
t
Vs = =
0
(A.2)
La figura A.2 muestra un grfico de la corriente por Ls con su rizado,
este grfico servir para analizar ecuaciones que describen el comportamiento de la
corriente.




Figura A.2: Rizado de la corriente por Ls.
La pendiente positiva de la corriente se produce cuando el IGBT T2 se
encuentra en conduccin. Esta pendiente depende de las tensiones en las fuentes V2
y Vdc, del valor de R2 y de la inductancia Ls. La pendiente negativa depende de la
tensin en V2 y del valor de R2 y Ls. En las ecuaciones A.3 y A.4 se expresan las
relaciones entre estos valores.
( ) 0 int , 0 2
0
2
) (

=
+
R R
t
i
Ls
V Vdc
dt
di
b b
(A.3)
( ) 0 2
0
2
) (

= =

R
t T
i
Ls
V
dt
di
b b
(A.4)
t
0

T-t
0

T
) (+
dt
di
b
) (
dt
di
b
b
i
82

Combinando las ecuaciones A.1, A.3 y A.4 se obtiene una expresin para
el rizado de la corriente (
b
i ), esta expresin se muestra en la ecuacin A.5.
( ) |
.
|

\
|
=

=
T
f
f Ls
Vdc
i
b
1
1 (A.5)
Es importante hacer notar que para que esto se cumpla, la corriente Ib se
debe encontrar en rgimen estable en torno a un valor medio, y para que esto ocurra
la tensin en Vs debe ser mayor que V2. Entonces, utilizando la relacin de tensiones
expresada en A.2, la relacin entre Vdc y V2 debe ser la que se muestra en la
expresin A.6.
Vdc V < 2 (A.6)
Si la ecuacin A.5 se deriva con respecto a y se iguala a cero, se puede
encontrar el valor de para el cual el rizado de la corriente (
b
i ) es mximo. Este
valor es de 0,5. Si se reemplaza este valor en la ecuacin A.5 se encuentra el valor de
rizado mximo para la corriente Ib. Este valor se expresa en la ecuacin A.7.
Ls f
Vdc
i
b

=
4
max (A.7)
Luego, volviendo a aplicar la relacin de tensiones expresada en A.6, se
deduce que para la condicin de rizado mximo se debe cumplir lo expresado en A.8.
Vdc V < 5 , 0 2 (A.8)
83

ANEXO B
CLCULO DE LA ENERGA DISIPADA EN CALOR
84

ANEXO B: CLCULO DE LA ENERGA DISIPADA EN CALOR
Las prdidas en los semiconductores se pueden separar en prdidas por
conmutacin y prdidas por conduccin. Ambos valores se calculan a continuacin
en forma separada.
a) Prdidas por Conmutacin
Durante la conmutacin (encendido y apagado de un IGBT) las corrientes y
tensiones no varan instantneamente, por lo tanto existe un perodo de transicin en
que el producto VI no es cero. La potencia de prdida instantnea de encendido y
apagado se puede calcular obteniendo las formas de onda de la tensin y corriente
durante estas operaciones, luego se multiplican los valores punto a punto. La energa
perdida por conmutacin se obtiene integrando las curvas de potencia de prdida. Sin
embargo el fabricante entrega una estimacin de las prdidas por conmutacin en su
hoja de datos [Powe94]. Al multiplicar esta energa por la frecuencia de conmutacin
y se obtiene la potencia de prdidas por este concepto. En la ecuacin B.1 se muestra
como queda el clculo, donde las unidades resultantes son Watts.
( )| | | | seg ciclos ciclo j E E conmut P
off on
/ 12000 / _ + = (B.1)
b) Prdidas por Conduccin
Las prdidas por conduccin se componen de la suma de las prdidas en
el IGBT y el diodo antiparalelo.
Las prdidas instantneas en el IGBT se obtienen multiplicando la
corriente instantnea de colector por la tensin Colector-Emisor. Esta tensin se
obtiene de la hoja de datos del fabricante (ver Anexo E) y depende de la corriente de
colector.
Las prdidas instantneas en el diodo se calculan multiplicando la cada
de tensin en conduccin por la corriente instantnea. La cada de tensin del diodo
depende de la corriente que pasa por ste y tambin se encuentra en la hoja de datos.
Dada la configuracin del convertidor Buck-Boost, la corriente instantnea mxima
85

por el diodo es igual a la corriente instantnea mxima por el colector del IGBT
opuesto.
A diferencia de los convertidores de corriente alterna trifsica, en el
convertidor Buck-Boost el IGBT que conmuta siempre conduce mientras est
encendido. Adems, dadas las caractersticas de la carga inductiva y los caminos
posibles para la corriente, cada vez que un IGBT se apaga, entra en conduccin el
diodo opuesto con un valor de corriente de punta igual a la corriente de punta de
colector de ese IGBT. Por lo tanto, para calcular las potencias medias disipadas por
conduccin en el IGBT y en el diodo, slo se debe multiplicar las potencias
instantneas por el factor de servicio y por 1 menos este factor respectivamente.
Entonces la potencia mxima total disipada por conduccin en un IGBT y en el
diodo opuesto es la que se deduce de las ecuaciones 3.2 y 3.3, donde es el factor
de servicio del IGBT que se encuentra conmutando, mientras las potencias en el
IGBT y el diodo restantes sern cero.
| | | | = A I V V IGBT condu P
C CE
_ _ (B.2)
| | | | ( ) = 1 _ _ A I V V diodo condu P
C FD
(B.3)
La potencia de prdida mxima total en un IGBT es su potencia de
prdida por conmutacin ms su potencia de prdida por conduccin, deducidos en
las ecuaciones B.1 y B.2. La potencia de perdida mxima total en el diodo es solo la
potencia de perdida por conduccin ya calculada en la ecuacin B.3.
En la tabla B.1 se muestra el clculo de las prdidas en los
semiconductores para distintas corrientes de colector. Como el porcentaje de
prdidas se calcula con respecto a la potencia total entregada y esta depende de la
tensin en el paquete de ultracapacitores, se asumir una tensin media arbitraria de
180 V (con lo que se asume =0.58).
86

Tabla B.1: Clculo de las prdidas en los semiconductores.
C
I
| | W Potencia | | W IGBT perdidas P _ _
| | W diodo condu P _ _
| | W tot Perdidas _

50 9.000 42+65* 50*( ) 1 100 98,9%
100 18.000 96+160* 120*( ) 1 239 98,7%
200 36.000 240+360* 300*( ) 1 574 98,4%
300 54.000 372+630* 525*( ) 1 957 98,2%

Como se puede apreciar en la tabla B.1, la eficiencia es siempre mayor
que 98% y se puede aproximar con holgura las prdidas a un 2% promedio. De las
prdidas totales, las producidas en el diodo representan aproximadamente el 22% en
promedio.
87


ANEXO C
CALCULO DE LA RESISTENCIA TRMICA DEL DISIPADOR
88

ANEXO C: CALCULO DE LA RESISTENCIA TRMICA DEL DISIPADOR
El circuito de agua que se utiliza para enfriar el inversor y motor del
sistema de traccin del vehculo fue utilizado para incorporar un disipador de calor
por conveccin forzada. El circuito cuenta con un radiador instalado al frente del
vehculo y una bomba que hace circular 5 galones por minuto. Por experiencia se
sabe que el motor de traccin y el inversor rara vez llegan a los 55 C, ya que cuando
esto sucede se enciende automticamente un ventilador que aumenta el flujo de aire
por el radiador. Por otro lado las potencias mximas disipadas por el motor e
inversor bordean los 4.3 kW, ya que la eficiencia del conjunto motor/inversor bajo
estas condiciones es de alrededor de 92% y su potencia mxima es de 54 kW.
Entonces se puede calcular la resistencia trmica para el sistema de enfriamiento por
agua y radiador. Si con una potencia disipada de 4.3 kW la temperatura del agua
llega a 55 C en verano, con temperatura ambiente de 35 C, entonces la resistencia
trmica del sistema es de 0.0047 C/W. Para esta resistencia trmica se puede
calcular la temperatura a la que llegara el agua si se le agrega la potencia mxima
disipada por el convertidor Buck-Boost. De la tabla B.1 en el Anexo B se desprende
que esta potencia mxima es de 574 W, si la corriente mxima es de 200 A. Entonces
con esta potencia ms la potencia disipada por el motor y el inversor se puede
calcular que, bajo las mismas condiciones, la temperatura del agua llegara a 57.9 C.
Por margen de seguridad se asumir la temperatura mxima del agua en 60 C.
Entonces aplicando el modelo de la figura 3.1, la temperatura del agua se
puede considerar como la temperatura ambiente y R
th(f-amb)
la resistencia trmica
entre el disipador y el agua.
Para calcular tericamente la resistencia trmica de un sistema de
conveccin forzada, como el disipador en cuestin, se debe recurrir a modelos de
transferencia de calor. Estos modelos describen el proceso de transferencia de
energa trmica entre cuerpos y fluidos en movimiento, caracterizados por el material
del que est hecho el cuerpo, su geometra y las caractersticas del fluido.
En este caso se utilizar dos modelos en particular: el de conveccin
sobre una superficie plana de temperatura constante y el de conveccin sobre una
89

aleta adosada a una superficie plana de temperatura constante [Chap74]. El primero
de ellos se describe por las ecuaciones C.1 y C.2.
( )
f s
t t A h q = (C.1)
A h
R
th

=
1
(C.2)
Donde q es el calor transferido, t
s
es la temperatura de la superficie, t
f
es
la temperatura del fluido, A es el rea total de transferencia y h es el coeficiente de
transferencia de calor o de Newton [Chap74]. El coeficiente de Newton describe
variadas caractersticas del fluido, entre las que se cuentan la velocidad, viscosidad,
calor especfico, etc. R
th
es la resistencia trmica resultante entre la superficie y el
fluido.
Para encontrar la resistencia trmica de una aleta adosada a la superficie
se utiliz las formulas C.3, C.4 y C.5. La tabla C.1 y la Figura C.1 ilustran el
significado de las variables expresadas en las ya mencionadas ecuaciones.

( )
f s
t t a L
W k
h
W k
h
W k q
|
|
.
|

\
|


= '
2
tanh
2
(C.3)
2
'
W
L L + = (C.4)
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
+


=
2
2
tanh 2
1
W
L
W k
h
a h W k
R
th
(C.5)
90

Tabla C.1: Simbologa.
q Calor transferido al fluido.
k Conductividad trmica del material del que est hecho la aleta.
h Coeficiente de Newton del fluido.
t
s
Temperatura de la superficie a la que se adosan las aletas.
t
f
Temperatura del fluido.
R
th
Resistencia trmica resultante de la aleta.





Figura C.1: Esquema de aleta disipadora en superficie de temperatura
constante.
Para poder aplicar estos modelos al disipador en cuestin se deber hacer
algunas simplificaciones, de lo contrario la solucin del problema puede ser muy
W
L
a
t
s
t
f
91

engorrosa. En primer lugar se supondr que las aletas son rectangulares y
perpendiculares a los canales principales. Se despreciar el efecto de los bordes
laterales de las aletas para poder aplicar las ecuaciones antes expuestas. La velocidad
del fluido en los canales principales se considerar constante, de valor igual al
promedio estimado segn flujo volumtrico. La forma de estos canales principales se
aproximar a una rectangular. Se despreciar el efecto de la viscosidad en las
esquinas.
En la figura C.2 se muestra una fotografa del disipador terminado y un
esquema simplificado de ste. El esquema es el que se considerar para aplicar los
modelos de transferencia de calor.
92

27 mm
4 mm
2.5 mm
100 mm
18 mm
1
4
5

m
m
2 mm
27 mm
4 mm
2.5 mm
100 mm
18 mm
1
4
5

m
m
2 mm










Figura C.2: a) parte interna del disipador. b) disipador cerrado con el
INTELLIMOD instalado sobre l. c) Esquema simplificado del disipador para
anlisis de transferencia de calor.
a) b)
c)
93

En la figura C.2, el esquema simplificado muestra los canales de color
gris claro, mientras que los slidos de aluminio en gris obscuro. La profundidad de
los canales y aletas es de 20.5 mm.
Para poder aplicar las frmulas C.2 y C.5, que entregan los valores de
resistencias trmicas que se buscan, es necesario conocer el valor de h (coeficiente
de transferencia de calor o de Newton) para cada canal. En el esquema se puede
identificar dos tipos de canales, los canales principales y los secundarios. Se hace
esta clasificacin pues en todos los canales secundarios se tiene las mismas
dimensiones y, por lo tanto, se asume igual caudal en ellos. En los dos canales
principales se asume velocidad constante en toda su extensin, aunque esto sea
imposible dada la configuracin geomtrica del esquema simplificado. Se hace este
supuesto porque en el disipador real el ancho de estos canales va disminuyendo, con
lo que se obtiene velocidad casi homognea e todo el canal.
El caudal total que pasa por el disipador es de 5.5 galones por minuto,
equivalente a 20.82 litros por minuto. Con este valor se obtiene una velocidad de
0.94 m/s en los canales principales y 0.45 m/s en los canales secundarios.
La ecuacin C.6 entrega el coeficiente de transferencia de calor
promedio ( h ) para un flujo turbulento sobre superficies planas de largo L [Chap74].
Esta ecuacin se aplicar a los canales que se pueden considerar como superficies
planas en toda su extensin.
En la tabla C.2 se describe el significado de las variables expresadas en
la ecuacin C.6.

|
.
|

\
|
=
5
4
8 . 0
3
1
Pr
0292 . 0
1
L k
U
N
L
h

(C.6)
94

Tabla C.2: Simbologa.
L Largo del canal [m].
N
Pr
Nmero de Prandtl del fluido (2.53, para agua a 60C).
U Velocidad del fluido [m/s].
k Conductividad trmica del fluido (0.6646[W/mC], para agua a 60C).
Viscosidad cinemtica (4.103*10^-7[m^2/s], para agua a 60C).
Esta ecuacin fue evaluada para cada canal, obteniendo un valor de
h =4765.01 W/mC para los canales principales y h =2847.12 W/mC para los
canales secundarios.
Luego se evalu las formulas C.2 y C.5 para encontrar las resistencias
trmicas de los canales y de las aletas disipadoras. Los valores resultantes se
muestran en la tabla C.3.
Tabla C.3: Resultados de las resistencias trmicas en el disipador.
R
th
canal principal. 0.0804 C/W
R
th
canal secundario. 1.405 C/W
R
th
aleta gruesa. 0.099 C/W
R
th
aleta delgada. 0.257 C/W
Para calcular la resistencia total del disipador se debe incluir la
resistencia trmica de la lmina de aluminio que conforma la tapa del disipador, que
es la misma que sujeta las aletas disipadoras. Este calculo supondr que toda la
potencia disipada se entrega en forma uniforme a lo largo de la superficie de la tapa
(hasta el borde de los canales, no del disipador completo), lo anterior implica una
tendencia a subestimar el valor de la resistencia calculada respecto de la real, pero
como se ver es un valor muy pequeo por lo que esta imprecisin se puede
despreciar.
95

La ecuacin C.7 entrega la resistencia trmica de un slido de rea
frontal A y espesor a atravesar X, cuya conductividad trmica es de k.

=
W
C
k A
X
Rth

(C.7)
Se evalu la formula anterior para un rea de 0.01972 m^2, un espesor de
0.004 m y una conductividad trmica de 228.47 W/mC del aluminio. El valor
obtenido para la resistencia trmica de la placa de aluminio es de 8.88*10^-4 C/W.
Luego, para calcular el valor total de la resistencia trmica se hace un
modelo de resistencias en paralelo y en serie como el que se muestra en la figura C.3.




Figura C.3: modelo para calcular resistencia trmica total del disipador.
Luego de sumar las resistencias en serie y paralelo se calcul un valor
terico estimado de la resistencia trmica total para el disipador analizado. El valor
de la resistencia total terica es de 0.01023 C/W.


Rth 16 canales
secundarios
Rth 13 aletas
delgadas
Rth aletas
gruesas
Rth canales
principales

Rth placa Al
ANEXO D
CURVAS DE CORRIENTES DE RUPTURA DE FUSIBLES
96

ANEXO D: CURVAS DE CORRIENTES DE RUPTURA DE FUSIBLES

97


ANEXO E
HOJA DE DATOS DEL INTELLIMOD
98

ANEXO E: HOJA DE DATOS DEL INTELLIMOD
99

100

101

102

103

104





ANEXO F
HOJA DE DATOS DE SNUBBERS
105

ANEXO F: HOJA DE DATOS DE SNUBBERS
106


107




108


109

110


ANEXO G
HOJA DE DATOS DE ULTRACAPACITORES
111

ANEXO G: HOJA DE DATOS DE ULTRACAPACITORES


112

113


ANEXO H
HOJA DE DATOS DE BARNIZ AISLANTE
114

ANEXO H: HOJA DE DATOS DE BARNIZ AISLANTE



115


ANEXO I
HOJA DE DATOS DE PAPEL AISLANTE
116

ANEXO I: HOJA DE DATOS DE PAPEL AISLANTE
PAPEL NOMEX* DuPont

INFORMACION TECNICA
El papel NOMEX* es fabricado a base de fibras cortas (borra) y de pequeas partculas fibrosas liantes (fibrides) de
aramid (polyamida aromtico). Estos componentes (borra y fibrides) son combinados segn las tcnicas normales de
fabricacin de papel. El material resultante es densificado e internamente ligado por medio de calandras a alta
temperatura. Esto produce un papel sinttico flexible y slido que posee las propiedades siguientes:

Buena resistencia a la temperatura (hasta la clase C-220C).
Excelentes propiedades elctricas.
Buena resistencia a los productos qumicos (solventes) y radiaciones.
Alta resistencia a la traccin y al rasgado.
Propiedades de auto-extincin.
Buena retencin de propiedades a humedad alta.

El papel NOMEX es ampliamente utilizado como:
Aislante de espira, capa, barrera, seccin y conductor en transformadores y bobinas de reactancia.
Aislante de conductor, bobina, ranura, fase, calas y aislante final en motores y generadores.
Bandas de potencimetros, soportes de bobinas para los calentadores de baja potencia.
Tubos bobinados en espiral y enrollados para bobinas, anillos e V y gran variedad de partes preformadas
y cortadas con troquel.
Aislante de cable y de conductor.
Aislamiento de bobinados en balastos, solenoides y bobinados de altavoces.
Adems el papel NOMEX puede ser laminado a si mismo o a otros materiales (tales como el film polyester) para
formar compuestos flexibles o rgidos. Puede tambin ser revestido con resinas para obtener materiales
autoadhesivos. Cuatro tipos de NOMEX son utilizados en la industria elctrica:
Tipo 410 calandrado, existente en espesores de 0,05 mm (peso especfico 0,75) a 0,76 mm (peso
especfico 1,1). Este tipo es utilizado en la mayor parte de las aplicaciones de la lista precedente.
Tipo 411 sin calandrar, el precursor del tipo 410, existente en espesores de 0,15 a 0,76mm (peso
especfico aproximado 0,30). El tipo 411 es utilizado en aplicaciones requiriendo una especie de cojn
relativamente blando y donde no se necesitan resistencias mecnicas o elctricas especialmente altas.
117

Tipo 414 calandrado, similar al tipo 410 pero algo modificado durante su manufacturacin para a
reforzar su resistencia al rasgado y su conformabilidad. Los espesores existentes son de 0,18 a 0,38mm.
Este producto ha sido desarrollado para su utilizacin como aislamiento de ranura en los motores
bobinados automticamente.
Tipo 418, calandrado, contiene el 50% de partculas de Mica. Este producto se describe en el boletn
NOMEX M papel de Aramida y Mica Tipo 418.
CARACTERISTICAS TERMICAS
El papel NOMEX no funde, ni propaga la combustin. Su adopcin generalizada en la industria elctrica resulta de
esta propiedad y de la capacidad que el papel NOMEX tiene, de conservar su excelente combinacin de propiedades
mecnicas y elctricas durante largos perodos de exposicin contnua a las altas temperaturas. Adems, el papel
NOMEX resistir las desviaciones trmicas muy superiores a 300C, con slo una reduccin mnima de esas
propiedades.

El papel NOMEX ha sido aprobado como material aislante para operacin contnua a temperaturas pudiendo
elevarse hasta la clase C (220C) por:
Underwriters Laboratories USA
Lloyds register of Shipping Inglaterra
American Bureau of Shipping USA
Especificacin Militar MIL-I-24204 (USA)

y hasta clase H (180C) por:
VDE 0530 Alemania
Bureau Veritas Francia
Registro Navale Italiano Italia

PROPIEDADES ELECTRICAS
Los valores tipicos de la rigidez dielctrica y constante dielctrica del papel NOMEX, en varios espesores y tipos
son dados en la Tabla I.

118

Tabla I. Propiedades elctricas del
Papel NOMEX, tipos 410, 414 y 411.
Tipo Espesor
mm
Rigidez dielctrica*
kV/mm
Constante dielctrica +
A 10 Hz
410 0,05
0,08
0,13
0,18
0,25
0,30
0,38
0,51
0,61
0,76
21
23
27
33
34
34
34
30
30
28
2,0
2,1
2,3
2,5
2,6
2,8
3,0
3,3
3,3
3,4
414 0,09
0,18
0,25
0,30
0,38
25
32
28
29
28
-
2,5**
2,7**
2,8**
2,8**
411 0,13
0,18
0,25
0,38
0,58
12
12
13
13
13
1,3
1,3
1,3
1,4
1,4
ASTM D-149, 50,8mm C.A. Aumento rpido, medido a 23C Y 50% h.r.
+ ASTM D-150, 25mm, electrodos 140 kPa
** Medido a 60 Hz.

Los propiedades elctricas del papel NOMEX son prcticamente inalterada por la humedad como lo muestran los
valores tpicos dados en la Tabla II.

119

Tabla II. Propiedades elctricas del papel NOMEX en relacin con la humedad.
Papel NOMEX, tipo 410 0,25 mm
Humedad
Relativa
%
Rigidez
Dielctrica*
kV/mm
Constante
Dielctrica**
a 10 Hz.
Factor
de disipacin**
a 10 Hz
Resistividad
Volumtrica**
ohm/cm
Seco
50
95
37,8
35,4
33,8
2,3
2,6
3,1
0,013
0,014
0,025
6 x 1016
2 x 1016
2 x 1014
*ASTM D-149, electrodos de 50,8mm
**ASTM D-150, electrodos de 25,4mm, 1,4kg/cm de presin.
***ASTM D-257.

La variacin de la resistividad volumtrica del papel NOMEX en funcin de la temperatura, es mostrada en la Figura
II. La buena resistividad volumtrica a alta temperatura (mas alta que 1011 ohm/cm a 250C) y alta retencin de
la rigidez dielctrica (5% de perdida a 250C) demuestran la capacidad de sobrecarga trmica del papel
NOMEX.

PROPIEDADES MECANICAS
Las propiedades fsicas propias del papel NOMEX, medidas a 23C y 50% de h.r. son mostradas en la Tabla III.
Como el papel NOMEX es anisotropico, las propiedades son dadas en las dos direcciones; de la mquina y la
transversal (MD y XD). Para su uso es importante asegurarse que el papel NOMEX este orientado correctamente de
manera a obtener las mayores resistencias (a la traccin o al rasgado) donde sean necesarias.

A 200C el papel NOMEX conserva aproximadamente 75% de su resistencia a la traccin (a 20C) y su elongacin a
la ruptura es prcticamente la misma.

El papel NOMEX muestra muy poco encogimiento a alta temperatura. La retencin de sus propiedades mecnicas y
dimensionales nos asegura que el papel NOMEX puede soportar todas las fuerzas mecnicas y vibraciones
encontradas durante el servicio en las mquinas elctricas.

120

Tabla III. Propiedades Fsicas
Papel NOMEX, tipos 410, 414 y 411


Resistencia
a la
traccin
Elongacin
a la
Ruptura %
Resistencia
Finch. a las
Rasgaduras en
Los bordes
Encogi-
Miento
A 300C

Tipo
Espesor
mm

MD

XD

MD

XD

MD

XD

MD

XD
410 0,05
0,08
0,13
0,18
0,25
0,30
0,38
0,51
0,61
0,76
37
65
130
210
300
390
450
680
880
1000
21
39
77
130
190
260
320
490
610
670
8
11
15
18
19
21
21
21
21
23
79
13
15
16
18
18
.18
18
16
18
85
160
350
490
710
710
710
760
760
1200
49
85
180
260
320
360
380
430
350
580
1,8
1,1
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,2
0,2
0,2
1.3
0,9
0,7
0,5
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
0,4
414 0,09
0,18
0,25
0,30
0,38
54
147
235
284
364
31
89
130
172
228
9
13
13
16
15
12
13
14
16
16
-
489
801
956
1157
-
245
365
529
698
2,1
1,9
1,7
-
0,8
1,1
-
-
-
-
411* 0,13
0,18
0,25
0,38
0,58
17
28
35
56
80
9
17
21
35
52
3,5
3,5
3,4
3,2
3,2
4,8
5,0
5,2
5,2
4,8
45
76
100
180
250
27
49
62
120
170
1,2
0,9
0,8
0,9
0,9
1,5
1,0
0,8
0,8
0,8
Referencia ASTM D828-60 ASTM D827-47
*Encogimiento para el Tipo 410 a 330C, Tipo 414 a 300C, y Tipo 411 a 240C.
121


Los papeles NOMEX Tipo 410 y 414 tienen una resistencia al desgarro perifrico relativamente alta, lo que les
permite ser utilizados como rellenos de ranuras en la mayora de los motores elctricos bobinados
indiscriminadamente.
En los casos en que se desea una mayor resistencia al desgarro perifrico, son preferibles los laminados del papel
NOMEX con pelcula de polister. Los laminados de mayor uso constan de tres capas de pelcula de polister
colocadas entre dos capas de papel NOMEX Tipo 410 de 0,08 mm. Estos compuestos estn calificados en la clase F
(e.g. en VDE 0530).

Los cambios dimensionales debidos al aumento de la humedad relativa son inferiores a 1% a 65% H.R. e inferiores a
2% a 95% H.R. para el papel NOMEX T-410 (Ver Tabla IV).

Tabla IV. Estabilidad dimensional en funcin de la humedad relativa
Papel NOMEX, tipo 410 0,08 y 0,25mm


0,08 mm 0,25 mm
Humedad
relativa %
Recuperacin de
humedad %
Exparcin
MD% XD%
Recuperacin
de humedad %
Expansin
MD% XD%
Seco
50
65
95
0
2,9
4,9
7,7
0 0
0,4 0,5
0,6 0,8
0,9 1,6
0
3,5
5,1
8,4
0
0,4 0,5
0,6 0,9
1,1 1,8

RESISTENCIA A PRODUCTOS QUIMICOS
La estructura qumica bsica del polimero Aramid que, es responsable de la excelente estabilidad trmica del papel
NOMEX, tambin le da una resistencia sobresaliente a una gran cantidad de productos qumicos. Esta resistencia
est caracterizada por:
Prcticamente inerte a todos los solventes utilizados generalmente, a temperatura ambiente, como a
ebullicin.
Compatible con todos los barnices y resinas generalmente utilizados en la industria elctrica.
Muy poca materia extraible por los lquidos refrigerantes. (Freon* 11, 12 y 22).
Compatibles con aceites minerales, bifeniles clorados y aceites de silicona utilizados en los
transformadores enfriados con lquido.

122

La resistencia del papel NOMEX a las radiaciones de 2 Me-V se indica en la Table V.


Tabla V. Resistencia a la Radiacin de Electrones 2 MeV (Rayos )
Papel NOMEX, tipo 410 0,25mm

Dosis
Megarads
Resistencia a la traccin retenida en %
MD XD
Elongacin retenida en %
MD XD
Rigidez dielctrica
(electrodos de
6,4mm) Kv/mm
0
400
1600
6400
100
100
87
65
100
99
86
69
100
96
60
18
100
88
47
16
34
33
34
31


El efecto de varios productos qumicos sobre la resistencia a la traccin del papel NOMEX es mostrado en la Tabla
VI.
123

Tabla VI. Resistencia a los productos qumicos
Papel NOMEX, tipo 410 0.25mm

Producto
Qumico
Temp.
C
Tiempo de
Exposicin
Resistencia residual a
la traccin %
H2 SO4 - 70%
H2 SO4 - 70%
HNO3 - 70%
NaOH 10%
NaOH 10%
FREON 11
FREON 12
FREON 22
PETROLEO
ACEITE SILICONICO
PERCLORETILENO
XILENO
ALCOHOL ISOPROPILICO
OZONO
21
95
21
21
95
150
150
150
200
150
70
70
23
40
100 h
8 h
100 h
100 h
8 h
150 d
150 d
150 d
300 h
84 d
7 d
7 d
7 d
7 d
100
50
50
10
50
95
100
80
88
98
99
97
100
85
DIMENSIONES Y PESOS DE LOS ROLLOS STANDARD


124

TIPO 410
Espesor
Mm
Peso del rollo en kg.
Ancho 610 mm Ancho
914 mm
Largo
M
Rendimiento
m/kg
Peso
g/m
Espesor
mm
0,05
0,08
0,13
0,18
27
29
33
33
41
44
45
49
1121
764
440
315
25
15,9
9,1
5,9
40
63
110
170
0,05
0,08
0,13
0,18
0,25
0,30
0,38
35
34
37
53
51
55
242
180
163
4,2
3,2
2,7
240
310
370
0,25
0,30
0,38
0,51
0,61
0,76
38
42
41
57
63
62
115
101
83
1,9
1,5
1,2
540
680
820
0,51
0,61
0,76
Dimetro de los rollos: externo 300 15 mm Anchura standard : 610
4 mm
Interno 76mm
914 4 mm





125


ANEXO J
HOJA DE DATOS DE SENSOR LEM LT-100S
126

ANEXO J: HOJA DE DATOS DE SENSOR LEM LT 100-S



127

128


ANEXO K
HOJA DE DATOS DE SENSOR LEM LV 100
129

ANEXO K: HOJA DE DATOS DE SENSOR LEM LV 100



130

131


ANEXO L
HOJA DE DATOS DE OP-AMP LF-353
132

ANEXO L: HOJA DE DATOS DE OP-AMP LF-353






133

134


135


ANEXO M
HOJA DE DATOS DE OP-AMP TLV-7441
136

ANEXO M: HOJA DE DATOS DE OP-AMP TLV-7441

137

138

139

140

141

142




143


ANEXO N
HOJA DE DATOS DE SUPERVISOR DE TENSIN TL7705B
144

ANEXO N: HOJA DE DATOS DE SUPERVISOR DE TENSIN TL7705B
145

146

147

148

149

150

151

152

153

154