TEMA 5. AMPLIFICADORES MONOETAPA. 5.1. Tipos de amplificadores: caractersticas bsicas.

Un amplificador es un cuadripolo con un puerto de entrada de dos terminales y otro de salida de dos terminales, tal que una de las variables elctricas de salida, tensin o corriente est relacionada, mediante una relacin normalmente lineal con una de las variables elctricas de entrada, tensin o corriente. Este estudio se limitar a los amplificadores en los que la relacin entre la variable de entrada y la variable de salida

sea lineal. Dado que las variables de entrada son dos y las de salida otras dos, esto da lugar a cuatro posibles combinaciones que son los tipos posibles de amplificador: 1. Amplificador de tensin: V2 = AV V1 2. Amplificador de corriente: I2 = AI I1 3. Amplificador de transresistencia: V2 = AR I1 4. Amplificador de transconductancia: I2 = AC V1 El sentido que tiene la existencia de cada uno de estos cuatro tipos reside en dos aspectos: el primero es en la forma en que se recoge la seal de entrada, tensin o corriente, y el segundo aspecto a considerar es como interesa entregar la seal de salida, en tensin o en corriente. Lgicamente la seal se recoge en la forma en que es la variable elctrica que amplifica cada tipo de amplificador, y se da en la forma de la variable elctrica que da esta amplificacin. 5.1.1. Amplificador de tensin. Tanto la seal de entrada como la seal de salida son de tensin, por tanto recoge la seal de un generador de tensin y suministra una tensin de salida a una carga ZL. En la figura 5.1 se puede ver lo que sera el esquema general de un amplificador de tensin:

La seal de tensin que este amplificador entrega a la carga ser:

Reagrupando la expresin (5-1):

La expresin (5-2) indica que la resistencia interna de la fuente Rg, de la que se recoge la seal, influye sobre la amplificacin e interesa que sea despreciable frente a la impedancia de entrada del amplificador Ze. De esta forma el primer factor de la expresin sera uno. La impedancia de carga Zl, conviene que sea mayor que la impedancia interna de salida del amplificador ZS, con lo cual el segundo factor de la expresin (5-2) tambin se hara uno. Si se consigue hacer ambos factores la unidad, la ganancia del amplificador alcanza el valor terico mximo posible AV. 5.1.2. Amplificador de corriente. Tanto la seal de entrada como de salida son en corriente, por tanto recoge la seal de un generador de corriente y suministra la corriente de salida a una carga ZL. La figura 5.2 muestra el esquema general de un amplificador de corriente: La seal de corriente que este amplificador entrega a la carga es:

Reagrupando trminos se obtiene:

La expresin (5-4) indica que la resistencia interna de la fuente de corriente, Rg de la que se recoge la seal, influye sobre la amplificacin e interesa que sea mucho mayor que la impedancia de entrada del amplificador Ze. De esta forma el primer factor de la expresin sera uno. La impedancia de carga Zl, debe ser menor que la impedancia interna de salida del amplificador ZS, con ello el segundo factor de la expresin tambin se hara uno. Si se consigue hacer ambos factores la unidad, la ganancia del amplificador alcanza el valor terico mximo posible AI.

5.1.3. Amplificador de transresistencia. La seal de entrada es de corriente y la seal de salida es en tensin, por tanto recoge la seal de un generador de corriente y suministra la tensin de salida a una carga ZL. En la figura 5.3 se puede ver el esquema general de un amplificador de transresistencia:

La seal de tensin que este amplificador entrega a la carga ser:

Reagrupando trminos en (5-5):

La expresin (5-6) indica que la resistencia interna de la fuente Rg, de la que se recoge la seal, influye sobre la amplificacin e interesa que sea mucho mayor que la impedancia de entrada del amplificador Ze. As el primer factor de la expresin sera uno. La impedancia de carga Zl, tambin interesa que sea mayor que la impedancia interna de salida del amplificador ZS, de esta forma el segundo factor de la expresin tambin se hara uno. Si se consigue hacer ambos factores la unidad, la ganancia del amplificador alcanza el valor terico mximo posible Ar. 5.1.4. Amplificador de transconductancia. La seal de entrada es de tensin y la seal de salida es de corriente, por tanto recoge la seal de un generador de tensin y suministra la corriente de salida a una carga Zl. En la figura 5.4 se puede ver el esquema general de un amplificador de transconductancia:

La seal de corriente que este amplificador entrega a la carga ser:

Reagrupando trminos se obtiene:

La expresin (5-8) indica que la resistencia interna de la fuente Rg, de la que se recoge la seal, influye sobre la amplificacin e interesa que sea mucho menor que la impedancia de entrada del amplificador Ze. De esta forma el primer factor de la expresin sera uno. La impedancia de carga, Zl, debe ser menor que la impedancia interna de salida del amplificador ZS, de esta forma el segundo factor de la expresin tambin se hara uno. Si se consigue hacer ambos factores la unidad, la ganancia del amplificador alcanza el valor terico mximo posible AC. 5.2. Amplificadores monoetapa con BJT. Se plantea ahora a estudiar la forma de disear etapas amplificadoras con un solo BJT, y dentro de las tres configuraciones posibles se escoge la de emisor comn por ser la etapa amplificadora con mejores caractersticas globales: ganancia de tensin e impedancia de entrada. Segn se vio en el Tema 3, la polarizacin ms adecuada de un BJT es con divisor de tensin en base y resistencia de emisor, la resistencia de colector no es necesaria en la configuracin de colector comn, pero si lo es en la de emisor comn. Se analizar la configuracin de emisor comn como amplificador. Segn muestra la figura 5.5, en un principio se desacopla la resistencia de emisor con un condensador tal que a las frecuencias de trabajo su impedancia sea despreciable, y por tanto en rgimen dinmico mantiene constante la tensin en el emisor. A la hora de hacer el anlisis en alterna, el emisor estar conectado a tierra ya que en alterna el condensador cortocircuita a RE. La forma de calcular el valor del condensador de desacoplo de la resistencia de emisor, condensador de desacoplo es el nombre que se suele utilizar para los condensadores que realizan este tipo de funcin, se pospone para los problemas. Los condensadores de paso Ci y Cs, se estudiarn con la respuesta en frecuencia del amplificador.

5.2.1. Punto de funcionamiento en la configuracin de emisor comn. La eleccin del punto de funcionamiento necesita una discusin muy detallada, que aqu se limitar a dar los elementos ms importantes del planteamiento bsico En primer lugar el punto de funcionamiento en continua se define mediante la seleccin de las resistencias R1, R2, RE, RC y VCC, aunque el valor de la fuente de alimentacin, VCC, se supone normalmente que se parte de un valor estndar, p.e. 10 V. Si se escogen RE y RC, se est eligiendo una recta de carga esttica determinada. En el grfico de las curvas de salida del transistor que se est usando, 2N2222 en este caso, la recta de carga esttica ir desde el punto VCE = VCC en el eje X, hasta el punto IC = VCC / (RE + RC) en el eje Y, tal como muestra la figura 5.6. En que punto de esta recta de carga esttica estar el punto de funcionamiento esttico, punto Q, lo definir el valor de la corriente de base seleccionada, lo cual se consigue, una vez elegidas RE y RC, mediante la eleccin de R1 y R2.

La recta de carga esttica que aparece en la figura 5.6, correspondera a una eleccin de VCC = 10V, RE = 1k y RC = 2k. La eleccin de RE y RC viene condicionada por la ganancia de tensin seleccionada para el amplificador, RE segn se ver posteriormente no tendr que ver con la ganancia de tensin si est desacoplada. La eleccin del punto de funcionamiento sobre la recta de carga debe hacerse de forma que ste est algo centrado en ella. Lo de algo no es precisamente una forma de expresarse muy correcta, cientficamente hablando, pero la razn de que no debe estar totalmente centrado en la

recta de carga esttica, se comprender cuando se introduzca el concepto de recta de carga dinmica. Se ha escogido como punto de funcionamiento VCE = 4 V e IC = 2 mA, ver figura 5.7. Analizando el transistor 2N2222 con el simulador PsPice, las figuras 5.6 y 5.7 se han obtenido con dicho simulador, en la recta de carga esttica seleccionada se obtiene que para IC = 2 mA la corriente de base debe ser de 11,4 A. Por tanto la beta, hFE, con la que trabajar el transistor, en dicho punto de funcionamiento, toma el valor de 175. Para calcular las resistencias del divisor de tensin hace falta introducir una condicin ms. En este caso, y para no favorecer la deriva trmica del circuito, se toma RB = 10RE, donde RB es la resistencia equivalente al paralelo de R1 y R2. Con estos datos y aplicando el equivalente de Thevenin al divisor de tensin de base se calcula fcilmente R1 y R2, lo cual se deja como ejercicio al alumno (R1 = 36k y R2 = 14k). Antes de estudiar el comportamiento del BJT como amplificador, se ha de introducir el concepto de recta de carga dinmica. En ausencia de seales variables en la entrada del amplificador, Vg = 0, el transistor est funcionando en el punto de funcionamiento esttico que se calcul previamente. Pero al introducir la seal de alterna Vg, el comportamiento del circuito de colector-emisor cambia radicalmente debido a los condensadores CE y CS. En primer lugar si el condensador CE est bien calculado, hace desaparecer, para

alterna, la resistencia RE, se dice que la desacopla. Lo que ocurre es que el condensador va a mantener la tensin entre sus bornes prcticamente invariable, lo cual equivale a cortocircuitar RE en alterna. Por otra parte si el condensador CS es suficientemente grande, su impedancia a las frecuencias de trabajo va a ser despreciable frente a la resistencia de carga Rl, en esas condiciones se puede ignorarlo. En alterna la resistencia de colector RC va a tener en paralelo la resistencia de carga Rl.

En rgimen dinmico desaparece la resistencia de emisor RE y la resistencia de colector se modifica al aparecer en paralelo con ella Rl. Por tanto la recta de carga dinmica ser aquella que pasando por el punto de funcionamiento esttico, tenga de pendiente 1 / (RC || Rl), ver figura 5.8 Es el momento de justificar la frase: La eleccin del punto de funcionamiento sobre la recta de carga debe hacerse de forma que ste est algo centrado en ella. Para entender el sentido de la frase, lo primero que se ha de comprender es que el dispositivo debe de amplificar seales, lo cual implica que el punto de funcionamiento instantneo del transistor se debe de mover sobre la recta de carga dinmica. Cuando la seal de entrada aumenta, aumentar la intensidad de base del transistor y por tanto el punto de funcionamiento se mover sobre la recta de carga dinmica hacia arriba, aumento de IC. Si la seal de entrada disminuye, disminuir la corriente de base del transistor y el punto de funcionamiento instantneo de ste se mover sobre la recta de carga dinmica en sentido descendente, disminuye IC Como la seal ser en general simtrica, interesa que el punto Q, est lo ms centrado posible en la recta de carga dinmica, dado que sta pasa por el punto Q y con ms pendiente que la recta de carga esttica, es evidente que interesa escoger, en este caso, un punto Q que no est centrado en la recta de carga esttica, si no ms bien desplazado hacia la izquierda en sta (1). 5.2.2. Ganancia de tensin en la configuracin de emisor comn.

Una vez ajustado el punto de funcionamiento se pasa a analizar el comportamiento dinmico del circuito, es decir su comportamiento como amplificador de seales variables que atacan su entrada, que suministra el generador Vg con resistencia interna Rg. Se inicia el anlisis a frecuencias medias, es decir a aquellas en que los condensadores que encuentra en serie la seal, Ci y CS, tienen una impedancia despreciable frente a las impedancias que tienen en serie. Aplicando el modelo de los parmetros hbridos, figura 5.9:

(1)- Afn de no complicarse con procesos de calculo engorrosos y que poco aportaran al conocimiento de estos amplificadores, no se va a plantear el clculo explcito de cual ha de ser el punto idneo de funcionamiento del BJT.

Donde Rb es la resistencia equivalente del paralelo de R1 y R2. En primer lugar se ha de simplificar el circuito de la figura 5.9 ya que el parmetro hre tiene un valor muy pequeo y por tanto se puede considerar que su contribucin es despreciable. Igualmente dado que habitualmente la resistencia (1/hoe) es mucho mayor que RC se la puede ignorar. Por tanto el circuito simplificado ser el de la figura 5.10:

Las seales de entrada y salida sern:

La ganancia de tensin:

De la ecuacin de conduccin del diodo base-emisor:

y de la definicin del parmetro hie:

Por tanto la ganancia de tensin del amplificador ser:

Tomando como primera aproximacin de iE el valor de la corriente de emisor en el punto de funcionamiento en continua IEQ, se encuentra que el valor numrico resultante de la ganancia en tensin del amplificador es muy elevado. Para este caso, segn se vio en el Tema 1, VT toma el valor de 25,86 mV a temperatura ambiente (300K). La corriente de emisor del punto de funcionamiento es de 2 mA y el paralelo de RC y Rl es 1k67, ya que Rl = 10 k. El resultado es una ganancia de tensin de 129, un valor muy elevado, y que como se ver posteriormente se ha de modificar a la baja para paliar ciertos problemas. 5.2.3. Impedancia de entrada y de salida en la configuracin de emisor comn. La impedancia de entrada, Ze, es la resistencia equivalente del paralelo de Rb y hie, donde normalmente Ze = hie ya que Rb suele ser mucho mayor que hie.

La impedancia de salida, ZS, esta definida por el paralelo de Ro y RC, donde Ro = 1 / hoe, habitualmente se aproximar Zs por RC, ya que Ro > RC, Ro > 100 k. 5.2.4. Ajustes de mejora en la configuracin de emisor comn. En la expresin (5-13) de la ganancia de tensin de la configuracin de emisor comn con la resistencia de emisor desacoplada, se ve que esta es funcin de la corriente instantnea de emisor. Este hecho es la causa de que la seal de salida en la resistencia

de carga est distorsionada, una simple simulacin con PsPice permite ver la distorsin de la seal de salida, que habr que corregir. El mtodo para corregir el problema es desacoplar parcialmente la resistencia de emisor, es decir cambiar la resistencia de emisor por la conexin en serie de dos resistencias, tal que la suma del valor de ambas siga siendo el mismo de antes, 1 k, y que solo se desacopla una de estas dos resistencias de emisor, ver el circuito de la figura 5.11.

Aceptando que se sigue cumpliendo que Ro >> Rc, Ro = 1 / hoe, el circuito resultante para alterna a frecuencias medias es el de la figura 5.12, del cual es fcil obtener la nueva ganancia de tensin:

Teniendo en cuenta la expresin (5-12):

La resistencia dinmica del diodo base-emisor, rd, es en este caso del orden de 13 ,

bastar por tanto tomar como valores de Re1 y Re2 180 y 820 respectivamente, Re1 + Re2 = 1 k, para que Re1 sea ms de diez veces rd,, la expresin (5-15) se simplifica para dar:

La nueva expresin de la ganancia de tensin del amplificador da un valor de 8,7, valor mucho menor que el que se deduca de la expresin (5-13) pero en el que la dependencia de AV de la corriente instantnea de emisor se puede considerar despreciable. Prcticamente se ha eliminado la causa de la distorsin en la seal a la salida del amplificador. Una simple comprobacin con el simulador PsPice lo puede corroborar. Otro aspecto ha considerar en la modificacin que se ha introducido en el amplificador es que se ha modificado la impedancia de entrada del mismo. Para obtener la expresin de la impedancia de entrada se recurrir al circuito de la figura 5.12, ligeramente modificado para hacer ms comprensible como se puede obtener la impedancia de entrada, figura 5.13.

La impedancia de entrada del amplificador, Ze, ser el cociente de la tensin de entrada ve, y de la corriente de entrada, ie.

O lo que es lo mismo, la impedancia que hay desde el nodo de base, B, hasta tierra. Esta impedancia es el paralelo de la impedancia que presenta la rama en la que est Rb y la otra rama por la que se puede ir de B a tierra, por la impedancia hie. Llamando Zx a la impedancia de esta segunda rama, la impedancia de entrada ser:

(I)- En toda la demostracin previa se tomado como 1 el valor del parmetro

La ltima expresin es la que se usar cuando se indique el paralelo de dos resistencias.

Para calcular Ze solo falta obtener Zx, ya que Rb es el paralelo de R1 y R2 (R1 || R2). Para calcular Zx se usar la expresin:

Sustituyendo Zx en (5-17) se obtiene lo que se denomina expresin general de la impedancia de entrada de un amplificador en emisor comn:

5.2.5. La configuracin de colector comn. La figura 5.14 muestra la clsica configuracin del BJT en colector comn polarizado por divisor de tensin en base. A su derecha, el circuito equivalente basado en los parmetros hbridos, pero para mayor simplicidad de la configuracin de emisor comn.

Del circuito equivalente se deduce que a frecuencias medias, donde se puede obviar el efecto de los condensadores de paso y de las capacidades de las uniones, la ganancia de tensin ser:

Las expresiones de la impedancia de entrada y de salida se deducen fcilmente del circuito equivalente, y sern:

Todas las expresiones se han obtenido sin tener en cuenta la resistencia interna del generador de tensin, Rg, del cual se recoge la seal de entrada, Ve, ni la resistencia de carga Rl. La obtencin de la expresin (5-24) se deja como ejercicio al alumno. 5.2.6. La configuracin de base comn. De la estructura bsica del BJT en la configuracin de emisor comn se pasa a la configuracin de base comn desacoplando a tierra el terminal de base y seleccionando como terminal de entrada el emisor y de salida el colector. En la figura 5.15 se ve esta configuracin, as como su circuito equivalente basado en los parmetros hbridos de la configuracin de base comn

Dado hib es la resistencia dinmica del diodo emisor-base, esta ser mucho ms pequea que Re, por tanto:

Donde: hib = rd (resistencia dinmica del diodo emisor-base), hfb = y (1/hoe) >> RC. 5.3. Amplificadores monoetapa con FET y MOSFET. Se estudiarn brevemente dos de las posibles configuraciones de amplificador monoetapa de los MOSFET, la configuracin de surtidor comn y la de drenador comn. 5.3.1. Amplificador en configuracin de surtidor comn.

En esta configuracin que tambin se polarizar mediante divisor en puerta y resistencia de surtidor, la resistencia de drenador es imprescindible para poder obtener ganancia de tensin en esta configuracin. La figura 5.16 muestra el circuito del amplificador y su equivalente basado en el circuito hbrido en

Transformando por el Teorema de Thevenin, la fuente de corriente y la resistencia en paralelo rd , se obtiene:

Dado que la diferencia de potencial entre puerta y surtidor, Vgs, es: Vgs = Vg VS = Vg id RS (5-27) La corriente que circula por el circuito de drenador-surtidor, id:

Sustituyendo (5-28) en (5-27) y despejando Vgs:

Sustituyendo (5-29) en (5-28) se obtiene como expresin de la corriente de drenador:

La ganancia de tensin del amplificador:

La impedancia de entrada es muy alta, Rg es de varios megaohms, y en primera aproximacin se supondr infinita. Para obtener la expresin de la impedancia de salida se recurrir al equivalente Thevenin del circuito de salida del amplificador: un generador de seal en serie con la impedancia de salida:

Si en el circuito de la figura 5.17 se cortocircuita la salida, y se denomina (IDS)CC a dicha corriente, esta ser la de la expresin (5-30) en la que se ha cortocircuitado la resistencia Rd, segn se puede comprobar en el circuito de la figura 5.17

Sustituyendo en la expresin (5-32) la ganancia de tensin de la expresin (5-31), y despejando la impedancia de salida:

La resistencia de surtidor RS es necesaria para una adecuada polarizacin en continua del MOSFET con divisor de tensin en puerta, pero no es imprescindible en alterna. Este hecho sugiere que se puede desacoplar, y en tal caso la expresin de la ganancia de

tensin, (5-31) se modifica a:

5.3.2. Amplificador en configuracin de drenador comn. En esta configuracin se repite el mtodo de polarizacin en continua que se us en la de surtidor comn, slo desaparece la resistencia de drenador ya que ahora la salida de seal ser por el surtidor, y por tanto la resistencia de drenador no es imprescindible. En la figura 5.19 se puede ver el circuito del amplificador y su equivalente basado en el circuito hbrido en .

La ganancia de tensin y la impedancia de salida se calcularn con la misma metodologa que se ha usado para la configuracin de surtidor comn. La impedancia de entrada, por la misma razn que en la configuracin anterior se puede suponer infinita. Dado que la diferencia de potencial entre puerta y surtidor, Vgs, es: Vgs = Vi id RS (5-36) La corriente que circula por el circuito de drenador-surtidor, id:

Sustituyendo (5-37) en (5-36) y simplificando:

Por tanto la corriente id ser:

La ganancia de tensin del amplificador ser:

Para calcular la impedancia de salida se cortocircuita la salida. La corriente de salida en cortocircuito:

Sustituyendo la expresin (5-40) y despejando la impedancia de salida:

Esta configuracin con MOSFET es de caractersticas similares a la de emisor comn con BJT: ganancia prxima a la unidad e impedancia de salida muy baja.