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UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA ELC-115 LABORATORIO 1 CARACTERSTICAS DEL DIODO Mediciones de Laboratorio y Simulaciones de Circuitos con

Semiconductores usando SPICE Introduccin SPICE es capaz de realizar anlisis DC, AC y transitorio en circuitos no-lineales que contienen dispositivos semiconductores tales como diodos y transistores. Mucho de lo que puede ser aprendido aqu tambin se aplica a los transistores. El anlisis a mano de estos tipos de circuitos puede ser instructivo, pero un poco tedioso. Tpicamente, se asumen muchas simplificaciones en el anlisis a mano de un circuito con transistores para verificar su funcionamiento bsico. Subsecuentemente, SPICE es usado para mejorar el estimado del desempeo del circuito. SPICE es una herramienta de diseo de circuitos, y no es un sustituto de un buen entendimiento de circuitos y dispositivos. En este laboratorio usted medir los dispositivos de SPICE que sern usados en las simulaciones requeridas. Si estudia el formato del modelo de SPICE para el diodo, se dar cuenta de que existen muchos (ms de 10) parmetros que SPICE puede usar para describir mejor los componentes del mundo real. Usted va a obtener algunos de esos parmetros en el laboratorio y tratar de hacer que sus datos coincidan con su simulacin en SPICE. Durante este ejercicio usted ganar familiaridad con el funcionamiento de circuitos no-lineales, y las fortalezas y debilidades del modelado por computadora. Tareas de Laboratorio Tarea 1 Caractersticas del Diodo: La Curva I-V.

Circuito A: R1 = 500 Ohm y D1 = 1N914 (a) Seleccione um diodo de silicio de seal (por ejemplo el 1N914) y coloque una etiqueta con cinta para referencia futura.

(b) Usando una fuente de alimentacin DC y dos multmetros digitales, mida y trace el grfico de la caracterstica corriente contra voltaje en el rango -1 voltio hasta +1 voltio. Para polarizacin directa, escoja corrientes que incrementen en una secuencia de 1, 2, 5, 10 mA. Use una resistencia de aproximadamente 500 ohm para proteger el dispositivo, y asegrese de no exceder una corriente en directa de I = 100 mA, an si esto ocurre antes de alcanzar una cada de voltaje en directa de 1 voltio. (c) Describa sus resultados y ajstelos a la ecuacin del diodo de Shockley. Extraiga el valor de Is, de su trazo, asumiendo que la ecuacin de Shockley es vlida. (d) Los diodos reales tienen resistencias del orden de 100 ohm. Si no toma en cuenta esto cuando resuelva el circuito para calcular la corriente, sus resultados pueden ser incorrectos. Considere el modelo siguiente:

Usando los datos de dos puntos, usted debera ser capaz de determinar tanto Rs como Is para el diodo real 100 uA y 10 mA son dos buenos valores de corriente a usar para este tipo de diodo. La ecuacin siguiente describe el modelo Shockley:
I Vd = VT ln d + 1 + Rs I d Is Usted puede obtener datos de dos puntos usando los valores sugeridos de corriente y resolver las ecuaciones simultneas, o tambin puede simplificar el anlisis, despreciando uno de los trminos para uno de los puntos de datos (tomando en cuenta de que Rs es a lo sumo de 100 ohm). Usar ambos Rs e Is, en sus modelos de SPICE.

Tarea 2 Caractersticas del Diodo: Grandes Seales.

Circuito B: R1 = 1 kohm y D1 = 1N914. (a) Armar el circuito de la figura B. Aplique una onda senoidal de +10V con un desplazamiento de 0 V en Vin. Observe la salida en extremos de la resistencia R1. (b) Graficar, sobre una pieza de papel grfico lineal-lineal, las formas de onda de entrada (Vin) y de salida (voltaje en extremos de R1) que usted observa. Indicar y etiquetar los puntos en el voltaje mximo y mnimo. Explicar la diferencia entre la entrada y la salida.

Circuito C: R1 = 100 Ohm y D1 = 1N914 (c) Modificar el circuito de acuerdo a lo mostrado en el circuito C. Obsevar la forma de onda tal como se hizo en la parte (a) usando una seal de +10V pico-a-pico. (d) Dibujar sobre una pieza de papel lineal-lineal, las formas de onda de entrada (Vin) y salida (voltaje en extremos de RL). Indicar y etiquetar los puntos de voltajes mximo y mnimo. Explicar la diferencia entre las seales de entrada y salida.

Tarea 3: Caractersticas del Diodo: Pequeas Seales.

Circuito D: R1 = 100 ohm y D1 = 1N914. (a) Aplique la salida del generador de funciones a su diodo con una resistencia de 100 ohm en serie, tal como se muestra en el circuito D. Coloque la tierra de las puntas de prueba y la tierra del generador de funciones sobre el ctodo del diodo (el lado negativo en este circuito). (b) Usar los controles de desplazamiento (offset) y amplitud para conseguir en extremos del diodo una seal a 1 kHz que tiene 0.5 voltios de offset y 20 mV pico-a-pico montada sobre la parte superior del offset. Investigar como lograr producir esta seal en su generador de funciones. Pruebe usando la atenuacin de -20 dB en el generador de funciones. Tambin Puede que obtenga mejores resultados usando la opcin 1X en las puntas del osciloscopio. No se preocupe excesivamente si no puede conseguir 20 mV exactos. Solo consiga el voltaje offset correcto y luego acrquese lo ms que pueda a 20 mV. El problema puede ser que la atenuacin de -20 dB en el generador de funciones est atenuando tanto la seal de AC y el offset DC. (c) Mida la resistencia de pequeas seales ro = dV/dI alrededor de un punto de operacin Io. (d) Haga dos mediciones adicionales de ro en 0.4 V y en 0.6 V de offset

Tarea 4: Rectificador de media onda mejorado

Circuito E. (a) Armar el circuito E, y aplicar una onda seno de +10 V con un offset de 0 voltios en Vin. Observar la salida en extremos de RL con un osciloscopio. Qu determina el valor de la resistencia RL? (b) Graficar las formas de onda de entrada (Vin) y salida (voltaje en extremos de RL) que usted observa. Indicar y etiquetar los puntos de voltajes mximo y mnimo. Explicar la diferencia entre las seales de entrada y salida. (c) Comparar el desempeo de este circuito con el circuito estudiado en la tareas 2 partes (a) y (b). Tareas Post-laboratorio Simulacin SPICE de caractersticas de diodos y transistores Con los parmetros obtenidos de los circuitos construidos y estudiados en el laboratorio usted debera obtener en SPICE resultados similares a los que ha medido. Se sugiere investigar Detalles extra de SPICE. a) usando el modelo de SPICE para un diodo, encontrar Id contra Vd para Vd = -3 V hasta +3 V. (usar el anlisis de polarizacin DC y recordar que el modelo SPICE hace Is igual al valor obtenido en el laboratorio). Cul es el valor de Vd para Id = 1 uA?

Circuito F: R1 = 100 ohm y d1 = 1N914. b) Calcular el voltaje en el nodo 2 cuando VS = 2V y VS = -2V. c) Haga VS una senoidal a 1000 Hz y con una amplitud de 0.6 V. usar SPICE para encontrar la forma de onda de voltaje en el nodo 2. Comparar la forma de onda de voltaje en el nodo 2 y la corriente en el diodo. Comentar la relacin. d) hacer VS una entrada senoidal a 1000 Hz, con un offset de 0.5 V y con una amplitud de 1V, 100 mV, y 10 mV. Usar SPICE para encontrar la forma de onda de voltaje en el nodo 2. Comentar acerca de la cantidad de distorsin y la amplitud de la salida. e) Usar SPICE para modelar el circuito de onda completa mostrado en la figura Circuito C. Aplicar una seal de +10 V pico-a-pico a la entrada y comparar con los resultados obtenidos del circuito real en el laboratorio. BIBLIOGRAFIA [1] Harvard Engineering Sciences 154. Lab Assignment 2: Diode Characteristics.