DIODOS SEMICONDUCTORES

Hace ya ms de 50 aos se desarrollo el primer transistor, el 23 de diciembre de 1947. Luego, de la evolucin de los tubos al vaco vamos hacia la era del estado slido - dispositivos semiconductores. Entre stos el ms simple es el diodo, el diodo, pero con un papel fundamental para los sistemas electrnicos ya que cuenta con las caractersticas que lo asemejan a un interruptor sencillo.

El trmino ideal, se refiere a cualquier dispositivo o sistema que posea caractersticas ideales, es decir, perfectas en cualquier sentido.

DIODO IDEAL

CARACTERISTICAS

Idealmente solo conduce corriente en una direccin

DIODO IDEAL

Es importante tener en cuenta las polaridades de voltaje aplicado y direcciones de corriente en el diodo, tal como se observa en la figura anterior. VD= Voltaje aplicado. ID= Corriente a travs del diodo.

DIODO IDEAL

RESISTENCIA DEL DIODO IDEAL

DIODO IDEAL

Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los extremos de un dielctrico y de un conductor. La resistividad (, letra griega rho), se mide como -cm, o como -m.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

VALORES REPRESENTATIVOS DE RESISTIVIDAD

El Germanio y el Silicio son los dos materiales ms utilizados para el desarrollo de dispositivos semiconductores, y se debe a las siguientes caractersticas:

MATERIALES SEMICONDUCTORES

La habilidad para transformar significativamente las caractersticas del material a travs de un proceso, el cual se conoce como dopado.

Sus caractersticas pueden ser alteradas de forma importante mediante la aplicacin de luz o de calor.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Otra caracterstica importante del Ge y Si, es la estructura atmica que presentan. Estas estructuras presentan un patrn completo que se denomina cristal y el arreglo peridico de los datos se denomina red. En el Ge y el Si el cristal presenta la estructura tridimensional del diamante.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Ncleo inico que consta del ncleo y los electrones interiores

Electrones en enlaces covalentes

Cristal de silicio intrnseco.

Enlace roto

Electrn libre

La energa trmica puede romper un enlace, creando un hueco y un electrn libre, pudiendo moverse ambos con libertad por todo el cristal.

Estado vaco (hueco)

Electrones en enlaces covalentes

Incremento en el tiempo

A medida que los electrones se desplazan a la izquierda para llenar un hueco, el hueco se desplaza a la derecha.

Electrn de valencia extra del tomo donante

tomo donante

El silicio de tipo n se crea aadiendo tomos con impurezas de valencia cinco.

tomo aceptor

Enlace vacante que se llena a la temperatura de funcionamiento

El silicio de tipo p se crea aadiendo tomos de impureza con valencia tres.

No esta en conduccin. Conduccin directa Conduccin inversa

CONDICIONES DE OPERACION

MODO DE OPERACIN NO CONDUCCION

No hay voltaje externo aplicado: VD = 0V y por lo tanto no hay corriente de flujo ID = 0A.

MODO DE OPERACIN CONDUCCION INVERSA

Es aplicado un voltaje externo a travs de la unin p-n, con polaridad opuesta en los tipos de materiales p y n, respectivamente.

Esto causa una deflexin en la regin de agotamiento. Los electrones en el material tipo-n son atrados a travs del terminal positivo y los huecos en el material tipo-p son atrados a travs del termina negativo.

MODO DE OPERACIN CONDUCCION DIRECTA

Punto en el cual el diodo cambia desde no conduccin a conduccin directa, es donde los electrones y huecos se les entrega la energa suficiente para atravesar la unin p-n.

The Forward bias voltage required for a Silicon diode VT 0.7V Germanium diode VT 0.3V

POLARIZACION DIRECTA VD>0

A medida que la magnitud de la polarizacin aplicada se incrementa, la regin de agotamiento continuar disminuyendo su amplitud hasta que un grupo de electrones pueda atravesar la unin, con un incremento exponencial de la corriente como resultado.

Figura1. Unin p-n bajo polarizacin directa.

POLARIZACION DIRECTA VD>0

Figura 2. Caractersticas del diodo semiconductor.

=1 para el Ge y =2 para el Si para niveles relativamente bajos de corriente del diodo. =1 tanto para el Ge como para el Si en niveles mayores de corriente del diodo donde es temperatura de conduccin.

MODELO REAL DEL DIODO

VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K).

NIVELES DE RESISTENCIA
A medida que el punto de operacin de un diodo se desplaza de una regin a otra, la resistencia del diodo tambin cambiar debido a la forma no lineal de la curva caracterstica.

Resistencia de DC o resistencia esttica. Resistencia de AC o resistencia dinmica. Resistencia de AC promedio.

NIVELES DE RESISTENCIA
Resistencia de DC o resistencia esttica.

NIVELES DE RESISTENCIA
Ejemplo 1:
Determine los niveles de resistencia para el diodo de la figura utilizando los siguientes valores:

NIVELES DE RESISTENCIA

Resistencia de AC o resistencia dinmica.

Figura 4. Definicin de la resistencia dinmica o resistencia de AC.

Al aplicar una entrada senoidal, la variacin de la entrada desplazar al punto de operacin instantneo hacia arriba y hacia abajo a una regin de las caractersticas y de esta forma definir un cambio especfico en la corriente y en el voltaje

NIVELES DE RESISTENCIA
Resistencia de AC o resistencia dinmica.

Figura 4. Definicin de la resistencia dinmica o resistencia de AC.

NIVELES DE RESISTENCIA
Ejemplo 2:
a) Determinar la resistencia de AC cuando b)Determinar la resistencia de AC cuando c) Comparar los resultados de los incisos a) y b) con la resistencia de DC en cada nivel de corriente

NIVELES DE RESISTENCIA
Resistencia de AC o resistencia dinmica.

Aproximacin utilizando el concepto de la derivada.