Memorias rom

La memoria ROM, tambin conocida como firmware, es un circuito integrado programado con unos datos especficos cuando es fabricado. Los chips de caractersticas ROM no solo se usan en ordenadores, sino en muchos otros componentes electrnicos tambin. Hay varios tipos de ROM, por lo que lo mejor es empezar por partes. Funcionamiento ROM De un modo similar a la memoria RAM, los chips ROM contienen una hilera de filas y columnas, aunque la manera en que interactan es bastante diferente. Mientras que RAM usualmente utiliza transistores para dar paso a un capacitador en cada interseccin, ROM usa un diodo para conectar las lneas si el valor es igual a 1. Por el contrario, si el valor es 0, las lneas no se conectan en absoluto. ARQUITECTURA DE LA PROM Estructura bsica de un PLD Un dispositivo programable por el usuario es aquel que contiene una arquitectura general pre-definida en la que el usuario puede programar el diseo final del dispositivo empleando un conjunto de herramientas de desarrollo. Las arquitecturas generales pueden variar pero normalmente consisten en una o ms matrices de puertas AND y OR para implementar funciones lgicas. Muchos dispositivos tambin contienen combinaciones de flip-flops y latches que pueden usarse como elementos de almacenaje para entrada y salida de un dispositivo. Los dispositivos ms complejos contienen macroclulas. Las macroclulas permiten al usuario configurar el tipo de entradas y salidas necesarias en el diseo Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior Las PROM son memorias programables de slo lectura. Aunque el nombre no implica la lgica programable, las PROM, son de hecho lgicas. La arquitectura de la mayora de las PROM consiste generalmente en un nmero fijo de trminos AND que alimenta una matriz programable OR. Se usan principalmente para decodificar las combinaciones de entrada en funciones de salida. a. b. c. d. e. f. Las Aplicaciones ms importantes: Microprogramacin Librera de subrutinas Programas de sistema Tablas de funcin

MEMORIA PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES) Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan mediante impulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su estado.

Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior - Vista de la Ventanita de una EPROM PROGRAMACIN DE UNA MEMORIA EPROM Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y aplicando en un pin especial de la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria. La memoria EPROM, se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N de compuerta aislada. En la figura se observa el transistor funcionando como celda de memoria en una EPROM. Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior Celda de memoria de una EPROM Cada transistor tiene una compuerta flotante de SiO2 (sin conexin elctrica) que en estado normal se encuentra apagado y almacena un 1 lgico. Durante la programacin, al aplicar una tensin (10 a 25V) la regin de la compuerta queda cargada elctricamente, haciendo que el transistor se encienda, almacenando de esta forma un 0 lgico. Este dato queda almacenado de forma permanente, sin necesidad de mantener la tensin en la compuerta ya que la carga elctrica en la compuerta puede permanecer por un perodo aproximado de 10 aos. Las EPROMs tambin emplean transistores de puerta dual o FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) de cargas almacenadas. Estos transistores son similares a los transistores de efecto de campo (FETs) canal-P, pero tienen dos compuertas. La compuerta interior o flotante esta completamente rodeada por una capa aislante de dixido de silicio; la compuerta superior o compuerta de control es la efectivamente conectada a la circuitera externa. Inicialmente, la puerta flotante esta descargada, y el transistor se comporta como un transistor MOS normal. No obstante, mediante un equipo programador, se puede acumular carga en la puerta flotante aplicando una sobre tensin a la puerta y al drenador del transistor. Esta acumulacin de electrones en la segunda puerta tiene el efecto de aumentar la umbral del transistor a un valor tal que no conduce aunque se direccione la celda. As pues la cantidad de carga elctrica almacenada sobre la compuerta flotante determina que el bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdas cargadas son ledas como un 0, mientras que las que no lo estn son ledas como un 1. Tal como las EPROMs salen de la fbrica, todas las celdas se encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de ah que una EPROM virgen presente el valor hexadecimal FF en todas sus direcciones. Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior

Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a travs del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta (obviamente, los electrones siguen el camino inverso). Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensin sobre la compuerta superior o de control del transistor, crendose de esta manera un campo elctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor. Ante la presencia de este campo elctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el canal fuente-compuerta ganan suficiente energa como para formar un tnel y atravesar la capa aislante que normalmente asla la compuerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha compuerta toma carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0. Funcionamiento de una EPROM Recordemos que son memorias de acceso aleatorio, generalmente ledas y eventualmente borradas y reescritas. Una vez grabada una EPROM con la informacin pertinente, por medio de un dispositivo especial que se explicar luego, la misma es instalada en el sistema correspondiente donde efectivamente ser utilizada como dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la necesidad de realizar alguna modificacin en la informacin contenida o bien para ser utilizada en otra aplicacin, la EPROM es retirada del sistema, borrada mediante la exposicin a luz ultravioleta con una longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de longitud por la cual 1 A = 10-10 m), programada con los nuevos datos, y vuelta a instalar para volver a comportarse como una memoria de lectura solamente. Por esa exposicin para su borrado es que es encapsulada con una ventana transparente de cuarzo sobre la pastilla o "die" de la EPROM. Es atinente aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente; de ah que por ms pequea que fuese la eventual modificacin a realizar en su contenido, inevitablemente se deber borrar y reprogramar en su totalidad. Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta, oscilan entre 10 y 30 minutos. Con el advenimiento de las nuevas tecnologas para la fabricacin de circuitos integrados, se pueden emplear mtodos elctricos de borrado. Estas ROM pueden ser borradas sin necesidad de extraerlas de la tarjeta del circuito. Adems de EAPROM suelen ser denominadas RMM (Read Mostly Memories), memorias de casi-siempre lectura, ya que no suelen modificarse casi nunca, pues los tiempos de escritura son significativamente mayores que los de lectura. Las memorias de slo lectura presentan un esquema de direccionamiento similar al de las memorias RAM. El microprocesador no puede cambiar el contenido de la memoria ROM. Entre las aplicaciones generales que involucran a las EPROM debemos destacar las de manejo de sistemas microcontrolados. Todo sistema microcontrolado y/o microprocesado (se trate de una computadora personal o de una mquina expendedora de boletos para el autotransporte...) nos encontraremos con cierta cantidad de memoria programable por el

usuario (la RAM), usualmente en la forma de dispositivos semiconductores contenidos en un circuito integrado (no olvidemos que un relay biestable o un flip-flop tambin son medios de almacenamiento de informacin). Estos dispositivos semiconductores integrados estn generalmente construidos en tecnologa MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Semiconductor de Oxido Metlico) o -ms recientemente- CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconducto o Semiconductor de Oxido Metlico Complementario). Lamentablemente, estos dispositivos RAM adolecen de un ligero inconveniente, que es, como ya se ha comentado, su volatibilidad. Dado que cualquier sistema microprocesado requiere de al menos un mnimo de memoria no voltil donde almacenar ya sea un sistema operativo, un programa de aplicacin, un lenguaje intrprete, o una simple rutina de "upload", es necesario utilizar un dispositivo que preserve su informacin de manera al menos semi-permanente. Y aqu es donde comienzan a brillar las EPROMs.

Tal como mencionramos anteriormente, el proceso de borrado de los datos contenidos en una EPROM es llevado a cabo exponiendo la misma a luz ultravioleta. El punto reside en que la misma contiene fotones (Cuantos de energa electromagntica) de energa relativamente alta. La familia 2700 Los dispositivos EPROM de la familia 2700 contienen celdas de almacenamiento de bits configuradas como bytes direccionables individualmente. Habitualmente esta organizacin interna suele denominarse como 2K x 8 para el caso de una 2716, 8k x 8 para una 2764, etc. Por razones de compatibilidad (tanto con dispositivos anteriores como con dispositivos futuros), la gran mayora de las EPROMs se ajustan a distribuciones de terminales o "pinouts" estndar. Para el caso mas usual, que es el encapsulado DIP (Dual In-Line Package) de 28 pines, el estndar utilizado es el JEDEC-28. En cuanto a la programacin de estos dispositivos (si bien conceptualmente obedece siempre a la metodologa descripta anteriormente) en realidad existe una relativamente alta variedad de implementaciones prcticas.

Si bien en la actualidad parece haberse uniformado razonablemente, las tensiones de programacin varan en funcin tanto del dispositivo, como del fabricante; as nos encontramos con tensiones de programacin (Vpp) de 12,5V, 13V, 21V y 25V. Lo mismo sucede con otros parmetros importantes que intervienen en el proceso de grabacin de un EPROM, como es el caso de la duracin de dicho pulso de programacin y los niveles lgicos que determinan distintos modos de operacin. PROGRAMADOR/ EMULADOR DE FLASH EPROM La manera ms cmoda, aunque tambin la ms costosa de desarrollar circuitos microcontroladores consiste en simular la parte principal del controlador con la ayuda de un emulador. Una de opciones ms baratas consiste en emplear un programa monitor junto con un emulador de memorias EPROM. Desafortunadamente, la mayora de los programas monitores consumen algunos de los recursos del controlador. Esta seria desventaja se resuelve utilizando el emulador de memorias EPROM, que se comporta bsicamente igual que una memoria RAM de un doble puerto: a un lado se encuentra la interfase, como una memoria EPROM, mientras que al otro lado proporciona las seales necesarias para introducir el flujo de datos a la memoria RAM. Cuando compaas como AMD desarrollaron las memorias EPROM "Flash" con una tensin de programacin de 5V y un ciclo de vida que permita programar la memoria hasta 100.000 veces, se abrieron las puertas a un nuevo modelo de emulador de memorias EPROM. El diseo que se presenta no solo acta como un emulador con una enorme capacidad de almacenamiento, sino que tambin funciona como un programador de memorias EPROM "Flash", ahorrndose comprar un sistema exclusivamente dedicado a programar. Cuando se termine de trabajar con el emulador durante la fase del diseo, se dispondr en la memoria EPROM "Flash" del cdigo definitivo, que se sacar del emulador y se introducir en el circuito que se vaya a utilizar en la aplicacin. Como los precios de las memorias EPROM "Flash" no son mucho mayores que los de las memorias EPROM convencionales, la ventaja adicional que se ha descrito es sin costo. Ejemplo de Borrador de una EPROM Fotografas de algunos borradores de eproms Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior MEMORIA EPROM Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente y su nombre proviene de la sigla en ingls Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnologa MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).

Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible. Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) son memorias no voltiles y elctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone una gran flexibilidad, pero tambin una celda de memoria ms compleja. Adems del transistor de puerta flotante anterior, es preciso un segundo transistor de seleccin. El tener 2 transistores por celda hace que las memorias EEPROM sean de baja densidad y mayor coste. La programacin requiere de tiempos que oscilan entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la ventaja de permitir su borrado y programacin en placa, aunque tienen mayor coste debido a sus dos transistores por celda. Estas memorias se presentan, en cuanto a la organizacin y asignacin de patillas, como la UVPROM cuando estn organizadas en palabras de 8 bits. Se programan de forma casi idntica pero tienen la posibilidad de ser borradas elctricamente. Esta caracterstica permite que puedan ser programadas y borradas "en el circuito". Debido a que la clda elemental de este tipo de memorias es ms complicada que sus equivalentes en EPROM o PROM (y por ello bastante ms cara), este tipo de memoria no dispone en el mercado de una variedad tan amplia, y es habitual tener que acudir a fabricantes especializados en las mismas (ejemplo: Xicor). 24LC256 Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior En cuanto a la forma de referenciar los circuitos, estas memorias suelen comenzar con el prefijo 28, de forma que la 2864 indica una memoria EEPROM de 64Kbytes, equivalente en cuanto a patillaje y modo de operacin de lectura a la UVPROM 2764. Una ventaja adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de una alta tensin de grabado, sirven los 5 voltios de la tensin de alimentacin habitual. CE = CHIP ENABLE: Permite Activar el Circuito Integrado OE = OUTPUT ENABLE: Permite Activar La Salida Del Bus De Datos

LECTURA

ESCRITURA 0

Ventajas de la EEPROM:

La programacin y el borrado pueden realizarse sin la necesidad de una fuente de luz UV y unidad programadora de PROM, adems de poder hacerse en el mismo circuito gracias a que el mecanismo de transporte de cargas mencionado en el prrafo anterior requiere corrientes muy bajas. Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual. Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta. Las memorias EEPROM no requieren programador. De manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de caracteres o palabras en el arreglo de la memoria. El tiempo de borrado total se reduce a 10ms en circuito donde su antepasado inmediato requera media hora bajo luz ultravioleta externa. El tiempo de programacin depende de un pulso por cada palabra de datos de 10 ms, versus los 50 ms empleados por una ROM programable y borrable. Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para almacenar la informacin. Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo. Aplicaciones de las Memorias EEPROM Encontramos este tipo de memorias en aquellas aplicaciones en las que el usuario necesita almacenar de forma permanente algn tipo de informacin; por ejemplo en los receptores de TV o magnetoscopios para memorizar los ajustes o los canales de recepcin. EJEMPLO DE MEMORIA EEPROM - 28C64A Esta memoria tiene una capacidad de 8K X 8 (64 KB). Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior EEPROM 28C64A En la figura se indica la disposicin de los pines de esta memoria la cual se encuentra disponible en dos tipos de encapsulados (DIL y PLCC). Qu es... la memoria RAM? La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el computador guarda los datos que est utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.

Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicacin de ella aleatoria y rpidamente Fsicamente, estn constituidas por un conjunto de chips o mdulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre. Los chips de memoria son rectngulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos:

La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es mucho ms rpida, y que se borra al apagar el computador, no como los Disquetes o discos duros en donde la informacin permanece grabada. Tipos de RAM Hay muchos tipos de memorias DRAM, Fast Page, EDO, SDRAM, etc. Y lo que es peor, varios nombres. Trataremos estos cuatro, que son los principales, aunque mas adelante en este Informe encontrar prcticamente todos los dems tipos.

DRAM: Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA, ya que es "la original", y por tanto la ms lenta. Usada hasta la poca del 386, su velocidad tpica es de 80 70 nanosegundos (ns), tiempo ste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, es ms rpida la de 70 ns que la de 80 ns. Fsicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos ltimos de 30 contactos. Fast Page (FPM): a veces llamada DRAM (o slo "RAM"), puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo ms rpida, tanto por su estructura (el modo de Pgina Rpida) como por ser de 70 60 ns. Usada hasta con los primeros Pentium, fsicamente aparece como SIMMs de 30 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486). EDO: o EDO-RAM, Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o menos). Muy comn en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. SDRAM: Sincronic-RAM. Funciona de manera sincronizada con la velocidad de la placa (de 50 a 66 MHz), para lo que debe ser rapidsima, de unos 25 a 10 ns. Slo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.

PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz de funcionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y computadores ms modernos; tericamente se trata de unas especificaciones mnimas que se deben cumplir para funcionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas las memorias vendidas como "de 100 MHz" las cumplen. PC133: o SDRAM de 133 MHz. La ms moderna (y recomendable).

SIMMs y DIMMs Se trata de la forma en que se juntan los chips de memoria, del tipo que sean, para conectarse a la placa base del ordenador. Son unas plaquitas alargadas con conectores en un extremo; al conjunto se le llama mdulo. El nmero de conectores depende del bus de datos del microprocesador, que ms que un autobs es la carretera por la que van los datos; el nmero de carriles de dicha carretera representara el nmero de bits de informacin que puede manejar cada vez.

SIMMs: Single In-line Memory Module, con 30 72 contactos. Los de 30 contactos pueden manejar 8 bits cada vez, por lo que en un 386 486, que tiene un bus de datos de 32 bits, necesitamos usarlos de 4 en 4 mdulos iguales. Miden unos 8,5 cm (30 c.) 10,5 cm (72 c.) y sus zcalos suelen ser de color blanco.

Los SIMMs de 72 contactos, ms modernos, manejan 32 bits, por lo que se usan de 1 en 1 en los 486; en los Pentium se hara de 2 en 2 mdulos (iguales), porque el bus de datos de los Pentium es el doble de grande (64 bits).

DIMMs: ms alargados (unos 13 cm), con 168 contactos y en zcalos generalmente negros; llevan dos muescas para facilitar su correcta colocacin. Pueden manejar 64 bits de una vez, por lo que pueden usarse de 1 en 1 en los Pentium, K6 y superiores. Existen para voltaje estndar (5 voltios) o reducido (3.3 V).

Y podramos aadir los mdulos SIP, que eran parecidos a los SIMM pero con frgiles patitas soldadas y que no se usan desde hace bastantes aos, o cuando toda o parte de la memoria viene soldada en la placa (caso de algunos ordenadores de marca). Otros tipos de RAM

BEDO (Burst-EDO): una evolucin de la EDO, que enva ciertos datos en "rfagas". Poco extendida, compite en prestaciones con la SDRAM. Memorias con paridad: consisten en aadir a cualquiera de los tipos anteriores un chip que realiza una operacin con los datos cuando entran en el chip y otra cuando salen. Si el resultado ha variado, se ha producido un error y los datos ya no son fiables. Dicho as, parece una ventaja; sin embargo, el ordenador slo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige. Es ms, estos errores son tan improbables que la mayor parte de los chips no los sufren jams aunque estn funcionando durante aos; por ello, hace aos que todas las memorias se fabrican sin paridad.

ECC: memoria con correccin de errores. Puede ser de cualquier tipo, aunque sobre todo EDO-ECC o SDRAM-ECC. Detecta errores de datos y los corrige; para aplicaciones realmente crticas. Usada en servidores y mainframes. Memorias de Vdeo: para tarjetas grficas. De menor a mayor rendimiento, pueden ser: DRAM -> FPM -> EDO -> VRAM -> WRAM -> SDRAM -> SGRAM

DDR-SDRAM: (Doble Data Rate) Cmo es fsicamente la DDR-SDRAM? O lo que es lo mismo: puedo instalarla en mi "antigua" placa base? Lamentablemente, la respuesta es un NO rotundo.

Los mdulos de memoria DDR-SDRAM (o DDR) son del mismo tamao que los DIMM de SDRAM, pero con ms conectores: 184 pines en lugar de los 168 de la SDRAM normal.

Adems, los DDR tienen 1 nica muesca en lugar de las 2 de los DIMM "clsicos". Los nuevos pines son absolutamente necesarios para implementar el sistema DDR, por no hablar de que se utiliza un voltaje distinto y que, sencillamente, tampoco nos servira de nada poder instalarlos, porque necesitaramos un chipset nuevo. Hablando del voltaje: en principio debera ser de 2,5 V, una reduccin del 30% respecto a los actuales 3,3 V de la SDRAM. Cmo funciona la DDR-SDRAM? Consiste en enviar los datos 2 veces por cada seal de reloj, una vez en cada extremo de la seal (el ascendente y el descendente), en lugar de enviar datos slo en la parte ascendente de la seal.

De esta forma, un aparato con tecnologa DDR que funcione con una seal de reloj "real", "fsica", de por ejemplo 100 MHz, enviar tantos datos como otro sin tecnologa DDR que funcione a 200 MHz. Por ello, las velocidades de reloj de los aparatos DDR se suelen dar en lo que podramos llamar " MHz efectivos o equivalentes" (en nuestro ejemplo, 200 MHz, "100 MHz x 2"). Uno de los problemas de la memoria Rambus: funciona a 266 MHz "fsicos" o ms, y resulta muy difcil (y cara) de fabricar. La tecnologa DDR est de moda ltimamente, bajo ste u otro nombre. Adems de las numerossimas tarjetas grficas con memoria de vdeo DDR-SDRAM, tenemos por ejemplo los microprocesadores AMD Athlon y Duron, cuyo bus de 200 MHz realmente es de "100 x 2", "100 MHz con doble aprovechamiento de seal"; o el AGP 2X 4X, con 66 MHz "fsicos" aprovechados doble o cudruplemente, ya que una tarjeta grfica con un bus de 266 MHz "fsicos" sera difcil de fabricar... y extremadamente cara. (Atencin, esto no quiere decir que una tarjeta AGP 4X sea en la realidad el doble de rpida que una 2X, ni mucho menos: a veces se "notan" IGUAL de rpidas, por motivos que no vienen al caso ahora.) Bien, pues la DDR-SDRAM es el concepto DDR aplicado a la memoria SDRAM. Y la SDRAM no es otra que nuestra conocida PC66, PC100 y PC133, la memoria que se utiliza actualmente en casi la totalidad de los PCs normales; los 133 MHz de la PC133 son ya una cosa difcil de superar sin subir mucho los precios, y por ello la introduccin del DDR. Tipos de DDR-SDRAM y nomenclatura Por supuesto, existe memoria DDR de diferentes clases, categoras y precios. Lo primero, puede funcionar a 100 o 133 MHz (de nuevo, "fsicos"); algo lgico, ya que se trata de SDRAM con DDR, y la SDRAM funciona a 66, 100 133 MHz (por cierto, no existe DDR a 66 MHz). Si consideramos los MHz "equivalentes", estaramos ante memorias de 200 266 MHz. En el primer caso es capaz de transmitir 1,6 GB/s (1600 MB/s), y en el segundo 2,1 GB/s (2133 MB/s). Al principio se las conoca como PC200 y PC266, siguiendo el sistema de clasificacin por MHz utilizado con la SDRAM. Pero lleg Rambus y decidi que sus memorias se llamaran PC600, PC700 y PC800, tambin segn el sistema de los MHz. Como esto hara que parecieran muchsimo ms rpidas que la DDR (algo que NO SUCEDE, porque funcionan de una forma completamente distinta), se decidi denominarlas segn su capacidad de transferencia en MB/s: PC1600 y PC2100 (PC2133 es poco comercial, por lo visto). 2.1- Cunta memoria debo tener? Se podra decir que: cuanta ms memoria RAM, mejor. Claro est que la memoria RAM vale dinero, as que se intentara llegar a un compromiso satisfactorio, pero nunca quedndose cortos. Ante todo, de todas formas no nos podemos quejar en los precios: hasta antes del 1996 el costo de la memoria haba mantenido un costo constante de

alrededor de US 40 por megabyte . A finales de 1996 los precios se haban reducido a US 4 el megabyte (una cada del 901% en menos de un ao). Hoy en da la memoria RAM est a menos de US 1 por megabyte. La cantidad de RAM necesaria es funcin nicamente de para qu se use un ordenador, lo que condiciona a qu sistema operativo y programas se van a usar, se recomienda una cantidad mnima de 64 MB de RAM, y si es posible incluso 128. Cunta memoria es "suficiente"? En el mundo de los computadores, la duda siempre parece estar en si comprar un microprocesador Intel o AMD, en si ser un Pentium III o un Athlon, un Celeron o un K6-2, y a cuntos MHz funcionar. Cuando se llega al tema de la memoria, la mayor parte de los compradores aceptan la cantidad que trae el sistema por defecto, lo que puede ser un gran error.

Lo ms importante al comprar un computador es que sea equilibrado; nada de 800 MHz para slo 32 MB de memoria RAM, o una tarjeta 3D de alta gama para un monitor pequeo y de mala calidad. Y como intentaremos demostrar, la cantidad de memoria del PC es uno de los factores que ms puede afectar al rendimiento. Por cierto, este trabajo se centrar en Windows 95 y 98, ya que son con diferencia los sistemas operativos ms utilizados. Los resultados son perfectamente aplicables a Linux, "excepto" por su mayor estabilidad y mejor aprovechamiento de la memoria; en cuanto a Windows NT 4 y 2000, actan de forma similar a Linux, si bien consumen entre 16 y 40 MB ms de memoria que los Windows "domsticos". Windows y la memoria virtual Por supuesto, cuantos ms programas utilicemos y ms complejos sean, ms memoria necesitaremos; esto seguro que no sorprender a nadie, pero lo que s puede que nos sorprenda es la gran cantidad de memoria que se utiliza tan slo para arrancar el sistema operativo. Observen los siguientes datos: Programas cargados Slo Windows 95 Slo Windows 98 Slo Windows 98, tras varios meses de funcionamiento y diversas instalaciones de programas Windows 98, Microsoft Word 97 e Internet Explorer 4 RAM utilizada 21 MB 27 MB 35 MB 46 MB

Windows 98 y AutoCAD 14 (con un dibujo sencillo en 2D)

55 MB

Como puede ver, slo la carga del sistema operativo puede consumir TODA la memoria con la que se venden algunos computadores de gama baja. Adems, Windows 98 utiliza ms memoria que Windows 95 debido entre otros temas a su integracin con Microsoft Internet Explorer. Para terminar de complicar el tema, ambos Windows tienden a aumentar su tamao y su consumo de memoria segn vamos instalando programas, o sencillamente segn pasa el tiempo, sin instalar nada. Pese a esto, el hecho es que los computadores siguen trabajando cuando se les agota la memoria RAM, algo que sera imposible si no fuera por la denominada "memoria virtual", que no es sino espacio del disco duro que se utiliza como si fuera memoria RAM. Sin embargo, esta memoria virtual tiene varios inconvenientes; el principal es su velocidad, ya que es muchsimo ms lenta que la RAM. Mientras la velocidad de acceso a la RAM se mide en nanosegundos (ns, la 0,000000001 parte de un segundo), la de los discos duros se mide en milisegundos; es decir, que se tarda casi un milln de veces ms en acceder a un dato que encuentra en el disco duro que a uno de la RAM. Por ende, lo ideal es necesitar lo menos posible la memoria virtual, y para eso evidentemente hay que tener la mayor cantidad de memoria RAM posible.