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Universidad Autnoma De Santo Domingo

Facultad de Ingeniera Escuela de Electromecnica Tema:

FAMILIAS LGICAS

Sustentante: FRANCISCO GIL CH-6945

Ciudad Universitaria Marzo/2012

INDICE
1. Familias Lgicas De Circuitos Integrados............................................................................ 3 1.1. Caractersticas Generales ............................................................................................ 4 2. Circuitos Integrados TTL ..................................................................................................... 6 2.1. Caractersticas ............................................................................................................. 6 2.2. Subfamilias................................................................................................................... 7 2.3. Aplicaciones ............................................................................................................... 11 3. Circuitos Integrados ECL ................................................................................................... 12 4.1 Aplicaciones ................................................................................................................ 12 4. Circuitos Integrados IIL I2L ............................................................................................. 13 5. Circuitos Integrados MOS ................................................................................................. 14 4.1. Caractersticas ........................................................................................................... 14 6. Circuitos Integrados CMOS ............................................................................................... 17 3.1. Caractersticas ........................................................................................................... 17 3.2. Subfamilias................................................................................................................. 17 3.3. Ventajas y desventajas .............................................................................................. 19 3.4. Aplicaciones ............................................................................................................... 20 Anexo .................................................................................................................................... 21 Bibliografa ............................................................................................................................ 22

1. Familias Lgicas De Circuitos Integrados


La seleccin de la familia lgica ms adecuada es un paso clave y decisivo en el diseo de cualquier aplicacin con circuitos integrados digitales. Algunos diseos requieren operar a altas velocidades, otros con bajos consumos de potencia y otros ms con costos reducidos. Aqu se proporciona toda la informacin necesaria para ayudar a los usuarios de chips TTL y CMOS a escoger la subfamilia que mejor se adapta a sus necesidades particulares. Una familia lgica es un grupo de dispositivos lgicos integrados (compuertas, flip flops, decodificadores, contadores, registros, etc.) que comparten una tecnologa comn de fabricacin y son elctricamente compatibles entre s, es decir, tienen estandarizadas sus caractersticas de entrada y de salida. Como resultado de esta estandarizacin, la interconexin entre dispositivos lgicos de una misma familia es sencilla y directa, es decir no requiere de etapas adicionales de acoplamiento. Actualmente, la mayor parte de los circuitos integrados digitales son de tecnologa bipolar o MOS. Los primeros estn basados en el uso de transistores bipolares NPN y/o PNP, y los segundos en el uso de MOSFETs o transistores de efecto de campo de compuerta aislada de canal N y/o canal P. Dentro de cada una de estas tecnologas existen varias familias y subfamilias, diferenciadas principalmente por sus caractersticas de velocidad, consumo de potencia y densidad de integracin. Las familias bipolares ms utilizadas son la TTL (Transistor-Transistor Logic: lgica de transistor-transistor), la ECL (Emitter-Coupled Logic: lgica de emisor acoplado) y la I2L (Integrated Injection Logic: lgica de inyeccin integrada). En el pasado fueron tambin muy populares las familias DTL (Diode-Transistor Logic: lgica de diodo-transistor), RTL (Resistor-Transistor Logic: lgica de resistencia-transistor) y HLL (High Level Logic: lgica de alto nivel), hoy prcticamente obsoletas. Dentro de las familias MOS, las ms conocidas son la PMOS (MOS de canal P), la NMOS (MOS de canal N) y la CMOS (MOS complementaria). Tambin existen variantes estructurales de estos procesos como VMOS, DMOS, HMOS, COS/ MOS, etc. Recientemente, como resultado de la evolucin natural de los procesos de fabricacin de circuitos integrados, han surgido otras nuevas tecnologas tendientes a incrementar la complejidad de las funciones lgicas que pueden implementarse en un chip y lograr que los circuitos lgicos operen a frecuencias cada vez ms altas. Las mas avanzadas hasta el momento de basan en el uso de semiconductores de arseniuro de galio (GaAs) y de dispositivos superconductores. En nuestro caso nos referiremos exclusivamente a las familias TTL, CMOS, ECL e I2L.

1.1. Caractersticas Generales


Niveles Lgicos Para que un CI TTL opere adecuadamente, el fabricante especifica que una entrada baja vare de 0 a 0.8V y una alta vare de 2 a 5V. La regin que esta comprendida entre 0.8 y 2V se le denomina regin prohibida o de incertidumbre y cualquier entrada en este rango dara resultados impredecibles. Los rangos de salidas esperados varan normalmente entre 0 y 0.4V para una salida baja y de 2.4 a 5V para una salida alta. La diferencia entre los niveles de entrada y salida (2-2.4V y 0.8-0.4V) es proporcionarle al dispositivo inmunidad al ruido que se define como la insensibilidad del circuito digital a seales elctricas no deseadas. Para los CI CMOS una entrada alta puede variar de 0 a 3V y una alta de 7 a 10V (dependiendo del tipo de CI CMOS). Para las salidas los CI toman valores muy cercanos a los de VCC Y GND (Alrededor de los 0.05V de diferencia). Este amplio margen entre los niveles de entrada y salida ofrece una inmunidad al ruido mucho mayor que la de los CI TTL. Velocidad De Operacin Cuando se presenta un cambio de estado en la entrada de un dispositivo digital, debido a su circuitera interna, este se demora un cierto tiempo antes de dar una respuesta a la salida. A este tiempo se le denomina retardo de propagacin. Este retardo puede ser distinto en la transicin de alto a bajo (H-L) y de bajo a alto (L-H). La familia TTL se caracteriza por su alta velocidad (bajo retardo de propagacin) mientras que la familia CMOS es de baja velocidad, sin embargo la subfamilia de CI CMOS HC de alta velocidad reduce considerablemente los retardos de propagacin. Fan-Out O Abanico De Salida Al interconectar dos dispositivos TTL (un excitador que proporciona la seal de entrada a una carga) fluye una corriente convencional entre ellos. Cuando hay una salida baja en el excitador, este absorbe la corriente de la carga y cuando hay una salida alta en el excitador, la suministra. En este caso la corriente de absorcin es mucho mayor a la corriente de suministro.

Estas corrientes determinan el fan-out que se puede definir como la cantidad de entradas que se pueden conectar a una sola salida, que para los CIs TTL es de aproximadamente de 10. Los CIs CMOS poseen corrientes de absorcin y de suministro muy similares y su fanout es mucho mas amplio que la de los CIs TTL. Aproximadamente 50.

2. Circuitos Integrados TTL


TTL es la sigla en ingls de transistor-transistor logic, es decir, "lgica transistor a transistor". Es una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares. Introducida originalmente por Texas Instruments en 1964, la familia TTL es de gran aceptacin en el diseo de sistemas lgicos debido principalmente a su alta velocidad de operacin, su fcil disponibilidad y su bajo costo. La mayor parte de los dispositivos TTL se especifican mediante una referencia de la forma AA74xxyy, donde AA es el cdigo que identifica al fabricante (DM, SN, MM, TC, etc.), xx un cdigo que identifica la subfamilia del dispositivo (LS, S, AS, etc.) y yy un nmero de dos o tres cifras que identifica la funcin del mismo. El 74LS00, por ejemplo, contiene 4 compuertas NAND de 2 entradas de tecnologa TTL Schottky de bajo consumo de potencia, mientras que el 7490 contiene un contador decimal de 4 bits de tecnologa TTL estndar. La serie 74, en general, se destina para aplicaciones industriales y de propsito general. Tambin se dispone de una serie 54, funcionalmente equivalente a la serie 74, destinada a aplicaciones militares. Esta ltima se caracteriza principalmente por su amplio rango de temperaturas de operacin (55C a +125C contra 0C a +70C).

2.1. Caractersticas
Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4.75v y los 5.25V (como se ve un rango muy estrecho). Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0.2V y 0.8V para el estado L (bajo) y los 2.4V y Vcc para el estado H (alto). Los circuitos integrados TTL, en general, operan con una tensin de alimentacin nominal de +5V e interpretan niveles lgicos de voltaje como se indica en la figura 1. Especficamente, cualquier voltaje entre 0V y 0.8V (VIL, MAX) ser interpretado por una entrada TTL como un bajo (0), y cualquier voltaje entre 2.0V (VIH, MIN) y 5.0V como un alto (1). Los voltajes de entrada entre 0.8V y 2.0V se consideran invlidos en TTL porque producen estados de salida indeterminados.

Consecuentemente, los dispositivos TTL entregan voltajes de salida entre 0 y 0.4V (VOL, MAX) para el estado bajo (0) y entre 2.4V (VOH, MIN) y 5.0V para el estado alto (1). La diferencia de 0.4V entre VIL, MIN y VOL, MAX, y entre VOH, MIN y VIH, MIN, se denomina margen de ruido. Este margen de voltaje asegura que un pequeo transitorio de ruido (interferencia) en una lnea de conexin no cambie el estado de la siguiente etapa.

2.2. Subfamilias
Actualmente, la familia TTL comprende varias subfamilias que representan la bsqueda de un compromiso entre la necesidad de obtener altas velocidades de operacin y la de reducir el consumo de potencia. Las ms importantes son la estndar (74), la de baja potencia (74L), la de alta velocidad (74H), la Schottky (74S), la Schottky de bajo consumo (74LS) y las Schottky avanzadas (74AS y 74ALS). A continuacin se resumen las caractersticas generales de cada una.

Familia TTL estndar. Comprende los dispositivos identificados como 74xx, por ejemplo 7402 o 74157. Se caracteriza por su alta velocidad de operacin (tpicamente por encima de 20MHz) y su alto consumo de potencia (1 a 25 mW por compuerta). En la figura 2 se muestra la estructura bsica de una compuerta TTL estndar. Con ligeras modificaciones, esta configuracin se mantiene para las otras familias TTL.

TTL de baja potencia (L). Comprende los dispositivos identificados en forma genrica como 74Lxx, por ejemplo 74L04 o 74L574. Consume 10 veces menos potencia que TTL estndar pero es 4 veces ms lenta. Esto se debe a que utiliza resistencias de valores relativamente altos. Por ejemplo, algunas resistencias de 4kohms y 1.6kohms de la configuracin estndar son sustituidas por resistencias de 40kohms y 20k, respectivamente. TTL de alta velocidad (H). Comprende los dispositivos identificados como 74Hxx, por ejemplo 74H08 o 74H368. Consume 2.5 veces ms potencia que TTL estndar pero es 2 veces ms rpida. Esto se debe a que utiliza resistencias de valores relativamente bajos. Por ejemplo, algunas resistencias de 4kohms y 1.6kohms de la configuracin estndar son sustituidas por resistencias de 2.8k ohms y 760 ohms, respectivamente. TTL Schottky. Comprende los dispositivos identificados como 74Sxx, por ejemplo 74S30 o 74S244. Consume 1.8 veces ms potencia que TTL estndar pero es 4 veces ms rpida. Esto se debe a que utiliza diodos Schottky entre la base y el colector de cada transistor, constituyendo lo que se denomina un transistor Schottky, figura 3. Estos ltimos trabajan como interruptores no saturados y pueden cambiar rpidamente de un estado a otro. En la figura 4 se muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-S.

TTL Schottky de baja potencia. Comprende los dispositivos designados como 74LSxx, por ejemplo 74LS51 o 74LS373. Consume 5 veces menos potencia que TTL estndar y es igual de rpida. Esto se debe a que utiliza transistores Schottky no saturados y valores de resistencia relativamente altos comparados con la serie 74S. Es la subfamilia TTL ms utilizada. En la figura 5 se muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-LS.

TTL Schottky avanzada. Comprende los dispositivos designados como 74ASxx, por ejemplo 74AS157 o 74AS240. Proporciona las ms altas velocidades que el estado actual de la tecnologa bipolar puede ofrecer (ms de 600 MHz) y su consumo es intermedio entre TTL estndar y TTL-LS (menos de 7mW por compuerta). TTL Schottky avanzada de baja potencia. Comprende los dispositivos designados en forma genrica como 74ALSxx, por ejemplo, 74ALS86 o 74ALS574. Consume la mitad de potencia de TTL LS y es dos veces ms rpida. Una compuerta 74ALS tiene tpicamente 9

una disipacin de potencia del orden de 1mW y un tiempo de propagacin del orden de 4 ns. Adems de sus caractersticas de velocidad y potencia, las subfamilias TTL anteriores se diferencian tambin por sus caractersticas de carga, es decir la corriente que demanda una entrada de la fuente de seal y la corriente que puede entregar una salida al circuito de carga. Estas caractersticas, denominadas respectivamente abanico de entrada (fan-in) y abanico de salida (fan-out), determinan el nmero mximo de entradas de una misma subfamilia que pueden ser conectados a una salida de la misma u otra subfamilia. Una entrada TTL estndar, por ejemplo, se comporta como una fuente de corriente de 1.8mA. A este valor se le asigna un fan-in de 1. Una salida TTL estndar, por su parte, se comporta como una fuente de voltaje con una capacidad de corriente mxima de 18mA. Esto implica que puede impulsar hasta 10 entradas TTL del mismo tipo. En otras palabras, tiene un fan out de 10. En la tabla 1 se relacionan las caractersticas de carga tpicas de otras subfamilias TTL comunes.

Tabla 1. Caractersticas de carga de subfamilias TTL comunes Como sus caractersticas de voltaje son las mismas (La familia lgica TTL trabaja normalmente a +5V), analizaremos las velocidades y consumo de potencia de ellas.

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Tabla 2. Observemos que las subfamilias Schottky de baja potencia como la Schottky avanzada de baja potencia renen excelentes caractersticas de alta velocidad y bajo consumo de potencia. Debido a su configuracin interna, las salidas de los dispositivos TTL NO pueden conectarse entre si a menos que estas salidas sean de colector abierto o de tres estados.

2.3. Aplicaciones
Las aplicaciones ms comunes de la tecnologa TTL son las siguientes: Microprocesadores, como el 8X300, de Signetics, la familia 2900 de AMD y otros. Memorias RAM Memorias PROM PAL, Programmable Array Logic, consistente en una PROM que interconecta las entradas y cierto nmero de puertas lgicas.

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3. Circuitos Integrados ECL


Introducida por Motorola en 1962 como MECL I, la tecnologa ECL (Emitter-Coupled Logic), basada en el uso de transistores bipolares actuando como interruptores no saturados, se caracteriza principalmente por proveer tiempos de propagacin muy cortos, tpicamente entre 1ns y 8ns, comparables a los de la subfamilia TTL Schottky avanzada. Por esta razn es muy utilizada en aplicaciones de alta frecuencia. Sus principales desventajas son el alto consumo de potencia y su incompatibilidad con TTL. En la figura 8 se muestra la estructura tpica de una compuerta ECL.

Los circuitos integrados ECL operan generalmente con una tensin de alimentacin nominal de -5.2V y vienen actualmente en cuatro series, denominadas MECL I, II, III y 10000, todas ellas fabricadas casi que exclusivamente por Motorola. En particular, un dispositivo MECL 10000, por ejemplo el MC10102, interpreta como 1s voltajes entre 0 y 1.105V, y como Os voltajes entre -1.475V y 5.2V. Consecuentemente, produce niveles de salida altos (s) entre 0 y -0.98V, y bajos (Os) entre -1.63V y -5.2V.

4.1 Aplicaciones
Matrices lgicas. Memorias (Motorola, Fairchild). Microprocesadores (Motorola, F100 de Ferranti). Para mejorar las prestaciones de la tecnologa CMOS, la ECL se incorpora en ciertas funciones crticas en circuitos CMOS, aumentando la velocidad, pero manteniendo bajo el consumo total.

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4. Circuitos Integrados IIL I2L


La tecnologa I2L (Integrated Injection Logic), se caracteriza principalmente por su bajo consumo de potencia y su alta capacidad de integracin. Por esta razn se utiliza principalmente en chips de alta densidad como relojes, sintetizadores de sonidos, microprocesadores, etc., combinada generalmente con circuitera anloga. En la figura 9 se muestra la estructura tpica de una compuerta I2L. Los transistores Q1 y Q2, en particular, actan como fuentes de corriente constante, el valor de la cual, llamada corriente de inyeccin, se programa mediante una resistencia externa.

Tpicamente, la corriente de inyeccin est en el rango de 10nA a 100A. Seleccionando adecuadamente dicha corriente usted puede controlar fcilmente el tiempo de propagacin y el consumo de corriente por compuerta. Los dispositivos EL pueden trabajar con tensiones de alimentacin (Vcc) desde 1V hasta ms de 15V e interpretan las entradas flotantes o con ms de 0.7V como altos (1s) y las entradas a tierra o con menos de 0.4V como bajos (0s). Consecuentemente producen niveles de salida altos (1s) del orden de +Vcc y bajos (0s) del orden de 0.4Vcc. La principal desventaja de esta tecnologa radica en que necesita un paso ms en el proceso de fabricacin que la tecnologa MOS, su competidor ms in-mediato en el exclusivo mercado de la integracin a gran escala (LSI).

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5. Circuitos Integrados MOS


Los transistores de la tecnologa MOS (Metal Oxide Semiconductors) son transistores de efecto de campo a los que llamamos MOSFET, la gran mayora de los circuitos integrados digitales MOS se fabrican solamente con este tipo de transistores. El MOSFET tiene varias ventajas: es muy simple, poco costoso, pequeo y consume muy poca energa. Los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio en un CI que los BJT, un MOSFET requiere de 1 mlesimo cuadrado del area del CI mientras que un BJT ocupa 50 mlesimos del area del CI. Esta ventaja provoca que los circuitos integrados MOS estn superando por mucho a los bipolares en lo que respecta a la integracin a gran escala (LSI, VLSI). Todo esto significa que los CI MOS pueden tener un nmero mucho mayor de elementos en un solo subestrato que los circuitos integrados bipolares. La velocidad de este tipo de tecnologa es relativamente lenta cuando se compara con los BJT, esto se puede considerar como una de sus principales desventajas. Los CI digitales MOS utilizan exclusivamente MOSFET de incremento, adems nos interesa utilizarlos solamente como interruptores al igual que se usan los BJT en la familia TTL. En los MOSFET canal N, el voltaje de la compuerta a la fuente VGS es el voltaje que determina si el dispositivo esta en ENCENDIDO o en APAGADO. Cuando VGS = 0 V, la resistencia del canal es muy alta, o sea, que no existe un canal conductor entre la fuente y el drenaje ya que para propsitos prcticos esto es un circuito abierto. Mientras VGS sea cero o negativo el dispositivo permanecer apagado. Cuando VGS se hace positivo, en particular un valor mayor al voltaje de umbral (VT) que por lo general es de 1.5 V, el MOSFET conduce. En este caso el dispositivo esta encendido y la resistencia del canal, entre la fuente y el drenaje, es de 1 k. El MOSFET canal P opera exactamente igual excepto que emplea voltajes de polaridad opuesta. Para encender los P-MOSFET, debe aplicarse un voltaje VGS negativo que exceda VT. Los circuitos integrados P-MOS y N-MOS tiene una mayor densidad de integracin por lo que son ms econmicos que los CMOS. Los N-MOS son ms comnmente utilizados que los P-MOS, ya que son dos veces ms rpidos y tienen cerca de dos veces la densidad de integracin de los P-MOS.

4.1. Caractersticas
Velocidad de Operacin Margen de Ruido Factor de Carga Consumo de Potencia 50 ns 1.5 V 50 0.1 mW

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Como podemos ver los circuitos MOS tiene algunos aspectos mejores y otros peores en comparacin con los TTL o los ECL. El tiempo de retardo tan alto se debe a la alta resistencia de entrada que tienen estos dispositivos y a la capacitancia de entrada razonablemente alta. Los MOS consumen muy pequeas cantidades de potencia por lo que son ampliamente utilizados para el LSI y el VLSI, donde se guardan grandes cantidades de compuertas en un solo encapsulado sin ocasionar sobrecalentamiento. Otro aspecto favorable es que los MOS son muy simples de fabricar, no requiere de otros elementos como resistencias o diodos. Esta caracterstica y su bajo consumo de potencia son la causa de su gran auge en el campo digital. Inversor MOS

T1 se comporta como la resistencia de polarizacin.

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Los dispositivos MOS son sensibles a dao por electricidad esttica. Al grado de que las mismas cargas almacenadas en el cuerpo humano pueden daarlos. La descarga electrosttica provoca grandes prdidas de estos dispositivos y circuitos electrnicos por lo que se deben tomar medidas especiales como: conectar todos los instrumentos a tierra fsica, conectarse a s mismo a tierra fsica, mantener los CI en una esponja conductora o en papel aluminio; todo esto para evitar cargas electrostticas que puedan daar los dispositivos MOS.

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6. Circuitos Integrados CMOS


La familia CMOS o MOS complementaria es de gran aceptacin en el diseo de sistemas digitales debido principalmente a su bajo consumo de potencia, su alta capacidad de integracin, su buena inmunidad al ruido, su fcil disponibilidad y su bajo costo. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas. En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales cuyo consumo es considerablemente bajo.

3.1. Caractersticas
En un circuito CMOS, la funcin lgica a sintetizar se implementa por duplicado mediante dos circuitos: uno basado exclusivamente en transistores pMOS (circuito de pull-up), y otro basado exclusivamente en transistores nMOS (circuito de pull-down). El circuito pMOS es empleado para propagar el valor binario 1 (pull-up), y el circuito nMOS para propagar el valor binario 0 (pull-down). Vase la figura. Representa una puerta lgica NOT o inversor.

Cuando la entrada es 1, el transistor nMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a tierra (0), el valor 0 se propaga al drenaje y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin. Cuando la entrada es 0, el transistor pMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a la alimentacin (1), el valor 1 se propaga al drenaje y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor nMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin. Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0 1, siempre y cuando an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

3.2. Subfamilias
Incluye principalmente las siguientes series o subfamilias: 17

CMOS estndar. Llamada tambin serie 4000B. Comprende los dispositivos identificados como 40xxB, 45xxB y 47xxB, por ejemplo 4011B, 4528B y 4724B. Se caracteriza por su baja disipacin de potencia (cerca de 10nW por compuerta) y su moderada velocidad de operacin (menos de 10MHz). Opera con tensiones de alimentacin (VDD) desde 3V hasta 18V e interpreta niveles de voltaje de entrada como se indica en la figura 6, es decir desde 0 hasta 1/3 de VDD como bajos (Os) y desde 2/3 de VDD hasta VDD como altos (1s). Consecuentemente, produce niveles de salida muy prximos a 0V para el estado bajo (0) y muy prximos a +VDD para el estado alto (1). En la figura 7 se muestra la estructura tpica de una compuerta CMOS.

Tambin se dispone de una serie CMOS estndar 4000A, ms econmica, formada por dispositivos identificados como 40xxA o 40xx, digamos 4002A o 4013, que opera con tensiones de alimentacin desde 3V hasta 15V y tiene la misma definicin de niveles de la serie 4000B. Sin embargo, opera a frecuencias ms bajas y tiene una menor capacidad de corriente de salida. Adems, es ms sensible al dao por electricidad esttica. CMOS equivalente a TTL. Comprende los dispositivos designados como 74Cxx, por ejemplo 74C14 y 74C164: Los mismos son funcionalmente equivalentes a los de la serie TTL 74L y tienen la misma distribucin de pines. Es un 50% ms rpida que la serie 4000B, pero consume un 50% ms de potencia. Opera con tensiones de alimentacin desde 3V hasta 15V, excepto algunos casos particulares, y responde a niveles lgicos CMOS estndares. Muchas funciones 74C no estn disponibles en TTL. CMOS de alta velocidad. Comprende los dispositivos designados como 74HCxx, por ejemplo 74HC74 o 74HC259. Los mismos son funcionalmente equivalentes a los de la serie TTL 74LS, tienen la misma distribucin de pines y ofrecen velocidades de conmutacin comparables. Opera con tensiones de alimentacin desde 2V hasta 6V y niveles lgicos

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CMOS estndares. Es la tecnologa que proporciona actualmente el mejor compromiso entre velocidad de operacin y consumo de potencia. CMOS de alta velocidad con entradas TTL. Comprende los dispositivos designados como 74HCTxx, por ejemplo 74HCT04 o 74HCT374. Los mismos son funcionalmente equivalentes a los de la serie 74HC, operan con el mismo rango de tensiones de alimentacin y tienen la misma distribucin de pines, excepto que sus entradas son compatibles con niveles lgicos TTL. Es la mejor alternativa de que se dispone actualmente para convertir sistemas basados en lgica TTL a lgica CMOS.

Otras subfamilias CMOS menos conocidas, caracterizadas principalmente por su alta velocidad, son las series 74HVCxx (CMOS de muy alta velocidad), 74VHCTxx (HVC compatible con TTL), 74ABT (BiCMOS avanzada compatible con TTL), 74ACxx (CMOS avanzada), 74ACT (AC compatible con TTL), 74FCT (CMOS rpida compatible con TTL), etc. Tambin se dispone de dispositivos CMOS y TTL para lgica de 3.3V, como las populares familias 74VCX, 74LCX, 74LVX, 74LVXT, 74LVQ, 74LVCH y 74LVT de Fairchild, Toshiba y otros fabricantes.

3.3. Ventajas y desventajas


Ventajas: El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico se encuentra en la regin de corte en estado estacionario. Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin. Los circuitos CMOS son sencillos de disear.

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La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas.

Desventajas: Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al dao por descargas electrostticas entre un par de pines. Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es comparativamente menor que la de otras familias lgicas. Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentacin de los circuitos integrados. El latch-up produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo. Siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este riesgo es prcticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos de difusin con suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente conectado a masa o alimentacin. Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan a ser comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos).

3.4. Aplicaciones
Memorias. Fabricacin de microprocesadores. ASCI's (Application Specific Integrated Circuits).

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Anexo

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Bibliografa
https://sites.google.com/site/nauravila/familiaslgicas Ing. Naur Avila Estrada http://sergiorendain.blogspot.com/2011/02/familias-logicas-ttl-y-cmos.html Sergio Orendain http://ladelec.com Cursos, servicios, productos y circuitos. http://www.uned.es/cabergara/ppropias/Morillo/web_et_dig/04_fam_log_mos/transp_fam_logi_mos.pdf Universidad Nacional de Educacin a Distancia. http://html.rincondelvago.com/electronica-digital_9.html

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