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LABORATORIOS DE: DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DE ENTRADA/SALIDA. MEMORIAS Y PERIFRICOS.

PRCTICA #3 MEMORIAS DE SLO LECTURA SEMICONDUCTORAS

OBJETIVO DE LA PRCTICA.

Conocer las partes integrales de la memoria de slo lectura semiconductora y su principio de operacin, adems de los diferentes tipos de memorias ROM que existen. Que el alumno conozca e identifique una memoria comercial EPROM y/o EEPROM, as como la configuracin de sus pines y las aplicaciones que puede tener en el campo de la ingeniera computacional. Que el alumno conozca el funcionamiento y operacin del programador universal TOPMAX, a travs de la grabacin de una memoria comercial EPROM o EEPROM.

INTRODUCCIN.

Las memorias de slo lectura ROMs (Read Only Memories), son aquellas memorias que nicamente permiten la operacin de lectura en uso normal, sin embargo cabe sealar que existen algunos tipos de ROMs en las cuales se puede llevar a cabo la operacin de escritura, pero el tiempo que requiere para realizarla es mucho mayor que el tiempo necesario para la operacin de lectura, por consiguiente no son consideradas como memorias de lectura y escritura.

Una caracterstica de las memorias ROMs es que son del tipo de memorias no voltiles por lo que son muy importantes en los sistemas computacionales, esto es debido a que son utilizadas para almacenar informacin que solamente queremos leer, como por ejemplo para guardar el conjunto de instrucciones que tienen que ser ejecutadas para arrancar un sistema computacional cuando ste es encendido. Otras aplicaciones seran: guardar el sistema operativo, macroinstrucciones, cdigos, funciones trigonomtricas, logartmicas, generadores de caracteres, microprogramas, etc. De esta forma las ROMs son integradas como componentes de una computadora, a esto se le conoce con el nombre de firmware (software contenido en hardware). Existen varios tipos de memorias de slo lectura (ROMs): Memoria ROM de mscara (MROM) Memoria ROM programable (PROM) Memoria ROM programable y borrable con luz ultravioleta (EPROM) Memoria ROM programable y borrable elctricamente (EEPROM)

Y dos tipos de tecnologas de fabricacin bsicas en las ROMs, la bipolar y la MOS (figura 1). Como puede observarse, en la bipolar slo hay ROMs de mscara y PROMs, mientras que en la MOS existen adems de las anteriores las EPROMs y las EEPROMs.

Fig. 1 Clasificacin de las memorias ROMs. La principal diferencia entre estas dos tecnologas es el tiempo de acceso. Las ROMs bipolares tienen un tiempo de acceso menor que las ROMs de tecnologa MOS. Por consiguiente, las bipolares tienen una disipacin de potencia mayor que las MOS. Por otro lado, las bipolares se fabrican principalmente con una capacidad menor que las MOS. Como ya dijimos las memorias ROM son no voltiles y de lectura no destructiva, esto ltimo quiere decir que la informacin no se pierde cuando se lee una localidad o registro de la memoria. Los dispositivos de almacenamiento tienen como propsito guardar informacin y proporcionarla cuando sta se necesite, por tal motivo estos dispositivos requieren de una estructura para poder realizar sus operaciones de lectura o escritura, a continuacin se muestra el diagrama de bloques de la estructura bsica de estos dispositivos.

Fig. 2 Estructura bsica de las memorias ROMs.

La arquitectura (estructura) de un circuito integrado (CI) ROM es muy compleja, y no necesitamos conocer todos sus detalles. Sin embargo, es ilustrativo observar un diagrama simplificado de la estructura interna, como el que se muestra en la figura 3 para una ROM de 16 x 8. Los cuatro bloques bsicos mostrados, funcionan de la siguiente manera: Almacenamiento. Este bloque esta integrado por una matriz de registros que almacena los datos que han sido programados en la ROM. Cada registro contiene un nmero de celdas de memoria que es igual al tamao de la palabra. En el caso de la figura, cada registro almacena una palabra de 8 bits. Los registros se disponen en un arreglo de matriz cuadrada que es comn a muchos circuitos. Podemos especificar la posicin de cada registro como una ubicada en un rengln y una columna especficos. Por ejemplo, el registro 0 se encuentra en el rengln 0 / columna 0, el registro 9 se encuentra en el rengln 1 / columna 2 y el registro 15 se encuentra en el rengln 3 / columna 3. Las ocho salidas de datos de cada registro se conectan a un canal de datos interno que corre a travs de todo el circuito (bus de datos). Cada registro tiene dos entradas de habilitacin (E); en este caso, ambas tienen que ser altas a fin de que los datos del registro sean colocados en el canal y sean almacenados en el buffer de entrada/salida. Las caractersticas de las celdas definen el tipo de memoria, es decir si esta es de slo lectura o de lectura escritura. Direccionamiento. Este bloque tiene la finalidad de seleccionar una y slo una localidad o palabra de memoria a la vez, para poder realizar a continuacin una operacin de escritura o lectura sobre ella. En la figura, el cdigo de direccin aplicado A3A2A1A0 determina qu registro ser habilitado para colocar su palabra de datos de 8 bits en el canal. Los bits de direccin A1A0 se alimentan a un decodificador 2 a 4 que activa una lnea de seleccin de rengln, y los bits de direccin A3A2 se alimentan a un segundo decodificador que activa una lnea de seleccin de columna. Solamente un registro estar en el rengln y la columna seleccionados por las entradas de direccin, y ste estar habilitado. Tambin existen unidades de direccionamiento que utilizan solamente un decodificador. Control. Este bloque realiza todo lo necesario para coordinar y controlar el buen funcionamiento. Aqu podemos encontrar las seales de la operacin que se realizar al registro seleccionado por el bloque de direccionamiento, adems regula el flujo de datos hacia el exterior o interior del dispositivo. Entrada/Salida. Esta integrado por un conjunto de amplificadores que actan como un registro intermedio (buffer de entrada/salida) para los datos. Este bloque puede estar controlado por un habilitador de salida de datos CS en la figura, o entrada/salida si el bus es bidireccional como regularmente pasa. Se hablar del funcionamiento del buffer en la prctica 4.

Fig.3 Arquitectura de una memoria de slo lectura de 16 x 8.

En la actualidad existen comercialmente una gran variedad de memorias seriales y paralelas con caractersticas muy particulares por lo que es casi imposible conocerlas todas, as mismo una diversidad de aplicaciones. Por lo que a continuacin se vern primeramente a las memorias EPROM y posteriormente a las EEPROM, dndose algunas de sus caractersticas y diferencias entre ambas memorias. MEMORIAS EPROM y EEPROM Las EPROM, son memorias de slo lectura, programables y borrables, se programan mediante pulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz ultravioleta, por lo que stas tambin son conocidas como UVEPROM (por sus siglas en Ingls Ultra Violet Erasable Read Only Memory). Una caracterstica que presentan estas memorias es que el circuito integrado presenta una ventanita, vase la figura 4. Para guardar la informacin en la memoria se requiere de un dispositivo programador y para su borrado se requiere introducir el circuito integrado en un dispositivo borrador, el cual en su interior contiene una lmpara de luz ultravioleta, la cual debe ser aplicada por aproximadamente 20 minutos, borrando la totalidad de las celdas.

Fig. 4 Memoria UVEPROM La celda de almacenamiento de una memoria EPROM consiste de un solo transistor MOSFET que contiene una compuerta flotante de silicio llamada FAMOS (Floating Gate Avalanche-Inyection MOS). La programacin de una celda consistira en introducir electrones en forma de avalancha a la compuerta flotante del transistor seleccionado, quedando stos atrapados en la misma, dicha carga aumenta la conductividad entre las terminales del gate y el source del transistor, hacindolo conductor (el transistor enciende), en ese caso podramos decir que la celda tiene almacenado un uno. Si la compuerta flotante del transistor seleccionado esta vaca, este transistor no enciende, por lo que podramos decir que la celda tiene guardado un cero. El borrado consistira en colocar el circuito integrado con la ventanita descubierta en un dispositivo borrador, aplicndose los rayos de luz ultravioleta al mismo, con lo cual se eliminaran por efecto fotoelctrico los electrones que estuvieran atrapados en las compuertas flotantes correspondientes, con lo cual se volvera al estado inicial, es decir ningn transistor podra encender, (el borrado sera en todas las celdas de la memoria), por lo que podramos decir que la memoria tendra almacenados puros ceros. Las memorias EPROM solamente se pueden borrar un nmero limitado de veces (entre 6 y 10). Las memorias EEPROMs son memorias de slo lectura, programables y borrables elctricamente (su nombre proviene de las siglas en ingls Electrically Erasable Programmable Read Only Memory). Las celdas de memorias EEPROM son similares a las celdas EPROM algunas diferencias se encuentran en la capa aislante alrededor de cada compuerta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible, adems cada celda de las memorias EEPROM est integrada por dos transistores, uno de direccionamiento y el otro de almacenamiento, ste ltimo es el que posee la compuerta flotante. Las memorias EEPROM son programables y borrables a travs de pulsos elctricos, se puede borrar totalmente una memoria en un solo instante, o localidades individuales de almacenamiento pueden ser borradas y reprogramadas por medio de pulsos elctricos, sin necesidad de retirar el circuito integrado de su lugar, con lo cual se logra una gran flexibilidad. Las memorias EEPROM son ms caras que las EPROM, adems se pueden borrar y reprogramar miles de veces y la informacin almacenada puede perdurar aproximadamente 100 aos. La programacin de una memoria EEPROM es muy similar a la EPROM. El significado de las matrculas, por medio de la cual conoceremos algunas caractersticas especficas de estas memorias, es el siguiente. Los dos primeros dgitos corresponden al tipo de memoria, por ejemplo en el caso de las EPROM el cdigo es el 27, en el caso de las memorias EEPROM podra ser el 28, 29, 37, vara segn sea el fabricante, los siguientes nmeros

especifican la capacidad de la memoria en bits, dada en Kbits (1 K = 1x1024 bits). Por ejemplo, una memoria 2764 2864, en el primer caso corresponde a una memoria EPROM y en el segundo corresponde a una memoria EEPROM, el 64, en ambos casos, nos indica que la capacidad de la memoria es de 64 Kbits, es decir 65536 bits o celdas. Por lo tanto podemos decir que la organizacin interna de la memoria sera de 8 K x 8 bits, o en otras palabras contiene 8 K registros, cada registro de 8 bits. La organizacin de una memoria, est definida como el nmero de palabras por el nmero de bits por palabra, por ejemplo 8K x 8 bits o tambin se podra decir 8K Bytes. En algunos casos aparece o se omite la letra C entre el identificador (27 28) y la referencia de capacidad, esto se refiere al tipo de tecnologa utilizada en la fabricacin de la memoria, as pues si tiene una C la memoria es CMOS y si carece de ella es solamente MOS. Observando la tabla 1, la memoria 27C512 sera una memoria EPROM de tipo CMOS y su capacidad es de 512K bits, la siguiente 27C010 corresponde a una memoria EPROM con capacidad de 1024K 1 M, la 27C020 y la 27C040 seran de 2M y de 4M respectivamente, todas con un tamao de palabra de 8 bits. Originalmente se haba especificado que las memorias de las series 27 y 28 tendran un tamao de palabra fijo de 8 bits, sin embargo posteriormente esto cambio, por ejemplo vase el circuito integrado 27C210, en este caso el 2 indica que el tamao de la palabra es el doble es decir 16 bits y una capacidad de 1 M. EPROM o EEPROM 27C08 28C08 27C16 28C16 27C32 28C32 27C64 28C64 27C128 28C128 27C256 28C256 27C512 28C512 27C010 28C010 27C020 28C020 27C040 28C040 27C210 28C210 Capacidad (bits) 8K 16 K 32 K 64 K 128 K 256 K 512 K 1024 K = 1 M 2M 4M 1M Organizacin ( # palabras / # bits por palabra) 1K x 8 2K x 8 4K x 8 8K x 8 16K x 8 32K x 8 64K x 8 128K x 8 256K x 8 512K x 8 64K x 16

Tabla 1. Ejemplos de diferentes capacidades y organizaciones de EPROMs y EEPROMs. La tabla 2 muestra el patigrama de varios circuitos integrados de la familia 27, en stos se puede apreciar el nmero de pines que contienen, as como la ubicacin y la definicin de cada una de ellas. La muesca que presentan los circuitos nos indican la orientacin y el orden que siguen los pines, el cual tiene un seguimiento en U, como se podr observar en el circuito integrado.

Tabla 2. Patigramas de algunas memorias de la familia 27 Si tomamos como ejemplo, el circuito integrado 27C256 al centro de la tabla anterior, podemos observar la siguiente configuracin de los pines: - Los pines A14, A13, A12A0 son las entradas de las lneas de direccionamiento por medio de las cuales se podr seleccionar una localidad de la memoria en donde se quiera realizar una operacin, ya sea de lectura o escritura. La cantidad de lneas de direccionamiento nos define el nmero de palabras o localidades que tiene la memoria. Lo anterior se puede obtener mediante la expresin 2n, donde n es el nmero de terminales de direccionamiento, en este caso se tienen 15 lneas, por lo tanto se tendrn 215, dndonos un total de 32 K localidades de memoria. Los pines O7, O6, O5O0 son las correspondientes lneas de salida de datos, las cuales en el proceso de grabacin de la memoria sirven a su vez como lneas de entrada de datos. El nmero de lneas depender del tamao de la palabra de la memoria (en este caso 8), sin embargo en el mercado existen memorias de diferentes tamaos de palabras como pudiera ser de: 1, 4, 8 y 16 bits. El pin CE (Chip Enable) se utiliza como habilitador del circuito integrado, por lo regular la memoria esta seleccionada cuando en esta entrada se presenta un voltaje bajo El pin OE (Output Enable) es el habilitador de salida de datos, la salida de datos se encuentra habilitada cuando ste se encuentra a un voltaje bajo, entonces la memoria presenta en sus salidas los datos que tiene guardado, en caso contrario, las lneas de salida de datos presentan una alta impedancia o actan como entrada de datos en el caso de la programacin de la memoria. Los pines VCC y GND corresponden a la lnea de voltaje de alimentacin y a la lnea de voltaje de referencia. El pin Vpp es la lnea de entrada para aplicar el voltaje para programacin cuando se est en el modo de programacin. En la tabla 3 se observan los modos de operacin que tienen las memorias EPROM, as como los voltajes de entrada y de salida respectivos. Los diferentes modos de operacin son: modo lectura (read), modo espera (standby), modo salidas deshabilitadas (output disable), modo programacin

(program), modo verificacin de programacin (program verify) y por ltimo modo programacin inhibida (program inhibit).

MODE READ STANDBY OUTPUT DISABLE PROGRAM PROGRAM VERIFY PROGRAM INHIBIT

CE VIL VIH X VIL VIH VIH

OE VIL X VIH VIH VIL VIH

VPP 5V 5V 5V 12.75 V 12.75V 12.75V

VCC 5V 5V 5V 6.25V 6.25V 6.25V

OUTPUTS DOUT HI-Z HI-Z DIN DOUT HI-Z

X = no importa, HI-Z = alta impedancia, VIL= Voltaje de entrada bajo, VIH= Voltaje de entrada alto DOUT= salida dato, DIN entrada dato. Tabla 3. Modo de Seleccin

En la figura 5 se muestran los circuitos integrados 27C64 y 28C64 que corresponden a las memorias EPROM y EEPROM respectivamente, ambas con una capacidad de 64 Kbits, en ellos podemos apreciar que casi son idnticos, las diferencias seran que en el pin nmero 1 de la EPROM aparece el voltaje para programacin (Vpp), mientras que en la EEPROM no hay conexin (NC), en el pin 27 en la primera est el pulso de programacin (PGM), mientras que en la segunda est el habilitador de escritura (WE). Como se puede observar son casi idnticos.

Fig. 5 Circuito Integrado de Memorias EPROM y EEPROM con capacidad de 64 Kbits.

Ahora que se conoce cmo identificar una memoria se proceder a ver como grabarla. Lo que debemos tomar en cuenta es lo siguiente: Al comprar la memoria debe de estar cubierta con papel estao, aluminio o estar contenida en una mica plstica (como estuche transparente), evite tocar los pines de la memoria. Para encontrar el software del programador en la computadora personal (PC), nicamente se busca en el escritorio el icono que dice Acceso directo a ML (Max Loader) figura 6.

Fig. 6 Acceso Directo a ML Antes de que se proceda a manipularlo se debe asegurar de que el programador este conectado al puerto paralelo de la computadora, posteriormente encindalo en modo operacin; no coloque la memoria antes de encenderlo o antes de ejecutar el programa porque se puede daar el programador o incurrir en un error de software. Ahora ejecute el programa. Aparecer una ventana como la mostrada en la figura 7, entonces proceda a colocar la memoria; para esto slo tmela con el dedo ndice y el pulgar de los lados extremos de la memoria donde no

toque los pines de la memoria. Observe que en el programador el socket o base donde se va a colocar la memoria indicar el sentido y orientacin de la memoria, si no lo ubica pregunte a su profesor para que lo asesore, para sta u otras dudas, NO experimente si no ha entendido .

Fig. 7 Ventana principal. Max Loader (Top Max) Enseguida seleccione en la pantalla principal el men DEVICE y posteriormente dar un click en SELECT, figura 8.

Fig. 8 Men Device.

Se abrir una ventana para identificar la memoria. Primero seleccione el fabricante y posteriormente la matrcula, figura 9.

Fig. 9 Men para seleccionar el circuito integrado a utilizar. Ahora se debe regresar al mismo men DEVICE , aqu se proceder a seleccionar si se programa, lee o borra la memoria, como se muestra en la figura 10, seleccionndose la opcin con un click.

Fig. 10 Men para seleccionar la opcin que se quiera realizar. Para comenzar a vaciar los datos se debe entrar a la pantalla anterior y buscar donde diga Buffer y d un click en Edit Buffer o con F6, dentro de esta herramienta se podr ver el mapeo de la

memoria, o sea los registros asociados de los datos conjuntamente con sus respectivas direcciones. Los datos se podrn ingresar en hexadecimal o en ASCII como se muestra en la Figura 11.

Fig. 11 Ventana de edicin Para salir del modo programador o salvar el archivo recurra nuevamente al recuadro superior de herramientas y seleccione FILE, dentro del men proceder a seleccionar la opcin ya sea salir, guardarlo o cargar el archivo de datos. En la figura 12 se muestra que se puede utilizar tambin la barra de herramientas con las mismas acciones, anteriormente explicadas.

Fig. 12 Men Barra de Herramientas

Con esto se dar por terminado el uso del programador universal.

DESARROLLO Principio de funcionamiento de las memorias ROM i) Implemente la memoria ROM de la figura 13. Nota: Encuentre la forma de utilizar el CI 74LS139 para poder obtener un decodificador 3 x 8 que se necesita para la implementacin. Verifique su funcionamiento y escriba la tabla de informacin que tiene guardada, llame al instructor para la verificacin.

En qu momento se guard la informacin?

A qu tipo de memoria ROM pertenece?

Qu pasar con la informacin guardada en la memoria si se quita inesperadamente la alimentacin?

Por qu sucede esto?

Qu implica que haya un diodo o no? Explique cul es el principio de funcionamiento de esta memoria.

Identifique en la figura 13, los bloques bsicos que integran una memoria.

Fig. 13 Memoria de slo lectura con organizacin 8 x 2.

Programacin de una memoria ii) En una memoria comercial UVEPROM o EEPROM, grabe los siguientes datos: Nombre de la asignatura y semestre. Nombre de los integrantes del equipo. Nmero de cuenta, grupo de laboratorio y grupo de teora. Qu aprendi en la prctica?

Cmo se borra una memoria UVEPROM y una EEPROM?

Texto libre 100 palabras sobre el tema.

Muestre al instructor la informacin anterior en un display de siete segmentos. - Qu organizacin tiene la memoria utilizada y su capacidad total?

- A qu tipo de memoria ROM pertenece?

- Qu pasa con la informacin guardada en la memoria utilizada si se quita inesperadamente la alimentacin?

- Explique el por qu sucede esto.

MATERIAL. 1 CI. 74LS139 (dual decoder 2 x 8). 1 CI. 7404. 1 Memoria EPROM o EEPROM (segn su eleccin). Hojas de especificaciones de la memoria seleccionada (patigrama). 1 display de siete segmentos. 1 Contador Binario. - Suficientes diodos IN4001 equivalentes, para armar la memoria ROM. - Resistencias de 330 y de 1 k. 2 diodos leds.