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ENTREGA 1

El transistor FET
Elaborado por Lic. Prof. Edgardo Faletti

Introduccin
El estudio de la electrnica contina con el conocimiento de los transistores JFET. Para el caso de los transistores de efecto de campo ms conocidos como JFET la relacin entre las variables de entrada y salida es no lineal debido a la ecuacin de Shockley. Para el clculo de estos se usa el mtodo matemtico, adems tambin se utiliza el mtodo grfico el cual es el ms utilizado. Destacando que la ecuacin mencionada anteriormente es la misma para todas las configuraciones de red del JFET siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la regin activa. La red define el nivel de corriente y voltaje asociado con el punto de operacin mediante su propio conjunto de ecuaciones. Este tipo de transistor se lo puede configurar de diferentes formas como son polarizacin con dos fuentes, autopolarizacin; con resistencia de source y sin ella, y polarizacin con dos fuentes. Adems estos transistores FET existen de dos tipos que
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son de tipo n y p, que en su simbologa se lo reconoce por el signo de la flecha.

de JFET: de canal N y de canal P.

Objetivos
Disear, comprobar, simular y calcular el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarizacin con el transistor FET.
a. Polarizacin con dos fuentes b. Auto polarizacin: c. Polarizacin con divisor de tensin d. Polarizacin con fuente doble

Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al colector, en tanto que el surtidor (S) es anlogo al emisor. Un tercer contacto, la compuerta (G), es anlogo a la base. La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto campo de unin) consiste en un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo de JFET, con contactos hmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal existen dos regiones de material semiconductor de SmbolodeunFETdecanalP
Sumidero

El transistor FET
El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos SmbolodeunFETdecanalN
Sumidero

Puerta

Puerta

Fuente
Figura 1. Smbolos de los transistores JFET, canal N y canal P

Fuente

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diferente tipo al canal, conectados entre s, formando el terminal de PUERTA.

En el caso del JFET de canal N, la unin

puerta canal, se encuentra polarizada en inversa, por lo que prcticamente no entra ninguna corriente a travs del terminal de la puerta. El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n; siendo por tanto necesaria su polarizacin de puerta tambin inversa respecto al de canal n. Los JFET se utilizan preferiblemente a los MOSFET en circuitos discretos. En el smbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de polarizacin directa de la unin pn.

ra ocupa toda la anchura del canal, se llega al corte del canal. A la tensin necesaria para que la zona de deplexin ocupe todo el canal se le llama tensin puerta-fuente de corte (VGSoff o Vto). Esta tensin es negativa en los JFET de canal n. En funcionamiento normal del JFET canal n, D es positivo respecto a S. La corriente va de D a S a travs del canal. Como la resistencia del canal depende de la tensin GS, la corriente de drenador se controla por dicha tensin.

Valores altos de VDS

Para valores altos de VDS comparables y superiores a VGS, la situacin cambia con respecto al caso anterior. La resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFet pierde su comportamiento hmico. Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, ste se distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D, la tensin ser de 5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativo (-2 V, por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona al no existir ninguna corriente. En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V, que corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4.5 V y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al canal no es constante por lo que la anchura de la zona de deplecin tampoco lo ser. Cuando VDS es pequea, esta diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin en la seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.

Zona lineal
Si en la estructura del transistor de canal n se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones, segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VDS.

Principio de operacin del JFET (de canal N)

En la unin pn, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una capa del canal adyacente a la puerta se convierte en no conductora. A esta capa se la denomina zona de carga espacial o deplexin. Cuanto mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la zona de deplexin; cuando la zona no conducto-

Valores pequeos de voltaje VDS

La siguiente figura muestra la situacin cuando se polariza la unin GS una tensin negativa, mientras que se aplica una tensin menor entre D y S. Por la terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble dependencia:
La corriente ID es directamente pro-

D
P

S
vGS < VIO

N P

0 > vGS > VIO

Continuar...

porcional al valor de VDS.

La anchura del canal es proporcional a

la diferencia entre VGS y VP. Como ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la anchura del canal y mayor la corriente obtenida. Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin: ID = ( VGS - VP ) VDS. Por lo tanto en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y VDS.

D
P

Figura 2. Estados del JFET canal N

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