Ivan Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT)

es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda. Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar

Ivan en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Ivan La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN) MOSFET El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Fieldeffect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo. El transistor MOSFET est basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo de la compuerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de drenador y surtidor, gracias al efecto de campo. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal, que tambin es conocida como la zona de inversin. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o nMOS), o huecos (en un pMOSFET o pMOS), en donde el sustrato tiene el tipo de dopado opuesto: un transistor nMOS se construye con un sustrato tipo p, mientras que un transistor pMOS se construye con un sustrato tipo n. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad. El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. En sus inicios se utiliz

Ivan aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas. Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulatedgate field-effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es un poco ms inclusivo, debido a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un aislante de compuerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislantesemiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor). Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer una capa de dixido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una capa de metal o silicio policristalino, siendo el segundo el ms utilizado. Debido a que el dixido de silicio es un material dielctrico, esta estructura equivale a un condensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por un semiconductor. Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin de cargas en el semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores NA), p es la densidad de huecos; p = NA en el silicio intrnseco), una tensin positiva VGB aplicada entre la compuerta y el sustrato (ver figura) crea una regin de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la interfaz entre el aislante de compuerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre de portadores, que est constituida por los iones de los tomos aceptores cargados negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente alto, una alta concentracin de portadores de carga negativos formar una regin de inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona que los portadores de carga se establezcan rpidamente a travs del drenador y el surtidor, en un condensador MOS los electrones se generan mucho ms lentamente mediante generacin trmica en los centros de generacin y recombinacin de portadores que estn en la regin de agotamiento. De forma convencional, la tensin de compuerta a la cual la densidad volumtrica de electrones en la regin de inversin es la misma que la densidad volumtrica de huecos en el sustrato se llama tensin de umbral. Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y el surtidor. Formacin del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensin de compuerta dobla las bandas de energa, y se agotan los huecos de la superficie cercana a la compuerta (izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se

Ivan equilibra con una capa de cargas negativas de iones aceptores (derecha). Inferior: Una tensin todava mayor aplicada en la compuerta agota los huecos, y la banda de conduccin disminuye de forma que se logra la conduccin a travs del canal. Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Si se utilizan otros materiales dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales (surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se indica con un signo '+' despus del tipo de dopado. Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El surtidor se denomina as porque es la fuente de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal p) que fluyen a travs del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal. La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la posicin del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la figura, cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la banda de valencia se aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la compuerta. Cuando se polariza todava ms la compuerta, el borde de la banda de conduccin se acerca al nivel de Fermi en la regin cercana a la superficie del semiconductor, y esta regin se llena de electrones en una regin de inversin o un canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el xido. Este canal conductor se extiende entre el drenador y el surtidor, y la corriente fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un potencial entre el drenador y el surtidor. Al aumentar la tensin en la compuerta, se incrementa la densidad de electrones en la regin de inversin y por lo tanto se incrementa el flujo de corriente entre el drenador y el surtidor. Para tensiones de compuerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma slo una pequea corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y el surtidor. Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta-surtidor (positiva entre surtidor-compuerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma anloga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensin menos negativa que la tensin de umbral es aplicada (una tensin negativa para el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de subumbral entre el drenador y el surtidor. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de

Ivan dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Ivan Las reas de difusin se denominan fuente (source) y drenador (drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate). El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento: Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. Tambin se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (huecos en pMOS, electrones en nMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta. Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. Aplicaciones del transistor bipolar Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores) Se usan generalmente en electrnica analgica y en la electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

Aplicaciones del MOSFET

Ivan La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son: Bibliografa http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET http://www.monografias.com/trabajos-pdf/transistores-aplicaciones/transistores-aplicaciones.pdf Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.