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INTRODUCCION

Objetivos:

Determinar las características principales de un JFET y MOSFET

Explicar el funcionamiento básico de dispositivos JFET y MOSFET.

Señalar las zonas de trabajo que utilizan los dispositivos JFET y MOSFET.

Determinar el circuito equivalente de señal pequeña de un FET.

JFET y MOSFET. • Determinar el circuito equivalente de señal pequeña de un FET. Docente: Miguel

Transistor de Efecto de Campo FET.

Transistores de Efecto de Campo de Juntura (JFET) Tiene de tres terminales donde El terminal Gate controla el flujo de corriente entre las otras dos terminales Drain y Source.

donde El terminal Gate controla el flujo de corriente entre las otras dos terminales Drain y

JFET canal N

Simbología hidráulica del FET JFET canal P
Simbología hidráulica del FET JFET canal P

Simbología hidráulica del FET

JFET canal P

Al generar un voltaje positivo entre Drain y Source, surgirá una corriente y un angostamiento del canal.

Al generar un voltaje positivo entre Drain y Source, surgirá una corriente y un angostamiento del

Si el diodo inverso entre el terminal Gate y el cuerpo del dispositivo, es lo suficientemente alto, se producirá el estrangulamiento del canal impidiendo nuevos

incrementos de la corriente.

es lo suficientemente alto, se producirá el estrangulamiento del canal impidiendo nuevos incrementos de la corriente.
Al introducir un voltaje negativo entre Gate y Source, la estrangulación del canal se realiza

Al introducir un voltaje negativo entre Gate y Source, la estrangulación del

canal se realiza a valores menores de

la corriente de Drain Id.

negativo entre Gate y Source, la estrangulación del canal se realiza a valores menores de la
negativo entre Gate y Source, la estrangulación del canal se realiza a valores menores de la

Equivalencias del FET con respecto

al transistor BJT.

Equivalencias del FET con respecto al transistor BJT. Polarización del JFET Polarización por Gate : Ig

Polarización del JFET

Equivalencias del FET con respecto al transistor BJT. Polarización del JFET Polarización por Gate : Ig

Polarización por Gate:

Ig = 0A y Vgs = -Vgg

Auto polarización: Vgs = - Ids x Rs, luego I ds I ds  I

Auto polarización:

Vgs = - Ids x Rs, luego

I

ds

I

ds

I I

D

DSS

1

V

GS

V

P

2

I

DSS

1

Ids R s

V

P

2

Se puede despejar Ids, quedando una ecuación de segundo grado, donde:

2 Se puede despejar Ids, quedando una ecuación de segundo grado, donde: Otro método a utilizar

Otro método a utilizar es el método gráfico:

1)

Consiste en graficar los valores de Vgs y Ids de la función

Consiste en graficar los valores de Vgs y Ids de la función 2) Graficar Vgs y

2) Graficar Vgs y Ids de la recta: Vgs = - Id ∙ Rs

3) Determinar el punto de intersección entre la curva y la recta, el cual corresponde.

de la recta: Vgs = - Id ∙ Rs 3) Determinar el punto de intersección entre

Polarización por división de voltaje

Polarización por división de voltaje además, Vth = Vgs + Ids ∙ Rs I ds 
Polarización por división de voltaje además, Vth = Vgs + Ids ∙ Rs I ds 

además, Vth = Vgs + Ids Rs

I

ds

I I

D

DSS

1

V

GS

V

P

2

Rs I ds  I  I D DSS   1  V GS V

Con las dos ecuaciones se puede despejar los valores de Ids y Vgs respectivamente por

cualquiera de los métodos indicados anteriormente.

Modelo simple del JFET en señal pequeña

En el JFET se tiene su corriente de salida Id en función del voltaje de entrada Vgs y su

impedancia de entrada Rgs que es muy alta, luego el circuito equivalente es:

Rgs que es muy alta, luego el circuito equivalente es: entonces: gm   I D

entonces:

gm

I

D

V

GS

2

I

DSS

Si consideramos como gmo = 2 x IDSS / Vp

Donde:

Como

gm

I

D

V

GS

I D

I

DSS

1

V

GS

V

P

2

V

1  

GS

V

P

1

V p

entonces

gm gmo 1

V

GS

V

P

Metal Oxido Semiconductor MOSFET: El Terminal gate está eléctricamente asilado del

cuerpo mediante Oxido de Silicio, de empobrecimiento y enriquecimiento .

asilado del cuerpo mediante Oxido de Silicio, de empobrecimiento y enriquecimiento . MOSFET de empobrecimiento canal

MOSFET de empobrecimiento canal N

MOSFET de empobrecimiento canal N

MOSFET de empobrecimiento canal N

El MOSFET incremental o de enriquecimiento: no posee canal por tanto, la

polarización del gate debe crearlo, para ello, se polariza el Gate a positivo, de manera de

atraer los electrones libres del sustrato P.

Gate a positivo, de manera de atraer los electrones libres del sustrato P. I D 

I

D

K V V

GS

GSth

2

¿Preguntas?.

¿Preguntas?.
¿Preguntas?.

Se terminó el tiempo y debo buscar mi moto

Se terminó el tiempo y debo buscar mi moto