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Optica - Tema 3 - Fuentes de Luz y Emision Laser - 2010-11

Optica - Tema 3 - Fuentes de Luz y Emision Laser - 2010-11

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Fundamentos de Óptica

Apuntes de Óptica Curso 2010/11

TEMA 3 FUENTES DE LUZ Y EMISIÓN LÁSER

Prof.Dr. E. Gómez González
Departamento de Física Aplicada III E.S.Ingenieros - Universidad de Sevilla
© E.G.G. DFA III-ESI 2010/11
UNIVERSIDAD DE SEVILLA

2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser)

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Tema 3: Fuentes de luz y emisión láser
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • Consideraciones cuánticas Emisión espontánea y absorción Emisión estimulada y amplificación Inversión de población Cavidad resonante y modos de funcionamiento Emisión láser Coherencia espacial y temporal Componentes generales y luz emitida Comparación con fuentes de luz convencionales (filamento, gas, halógena) y nuevas fuentes (lámparas de diodos LED, lámparas de bajo consumo, solares) Tipos de láser Láser de medio sólido (rubí) Láser de gas (He-Ne) Láser de semiconductor (GaAS) Almacenamiento óptico de información Aplicaciones en comunicaciones ópticas Otros tipos y aplicaciones. Holografía. Riesgos en el uso de fuentes de luz láser. Normas legales. Clasificación y medidas de seguridad Dispositivos de protección ocular

Estos Fundamentos de Óptica han sido específicamente adaptados como Apuntes para el Curso de Óptica que imparte el autor en la asignatura Campos Electromagnéticos de Ingeniería de Telecomunicación de la E.S.Ingenieros de la Universidad de Sevilla. Se recomienda su utilización combinada con los demás materiales y referencias de la asignatura. Propiedad Intelectual Estos Apuntes, así como el material contenido en ellos, están protegidos por las normas vigentes de Propiedad Intelectual y únicamente pueden destinarse al estudio personal. Para citar la información contenida en los mismos debe indicarse: Gómez González, E.: Fundamentos de Óptica: Fuentes de luz y emisión láser, Universidad de Sevilla 2006-09. así como los datos específicos de cada obra detallados en las Referencias indicadas entre corchetes. 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 2
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UNIVERSIDAD DE SEVILLA

En el modelo corpuscular. Emisión espontánea y absorción En condiciones normales. promocionándose el electrón a un nivel de energía superior. Este proceso es aleatorio. Los átomos que se encuentran en estado excitado emiten espontáneamente fotones. tiene lugar un proceso de absorción. la radiación emitida está constituida por fotones. Emisión estimulada y amplificación Si sobre un electrón en un estado excitado incide una radiación de energía correspondiente a una cierta diferencia de niveles.Consideraciones cuánticas Los electrones están alrededor de los núcleos en determinadas órbitas o niveles de energía (definidos por los números cuánticos). Cuando un electrón “salta” de un nivel a otro se produce una radiación cuya frecuencia (ν) está relacionada con la diferencia de energía entre los niveles por la fórmula de Planck: ∆E = h·ν. Telecom. no guardan ninguna relación de fase (espacial ni temporal) unos con otros. Esta radiación es una onda electromagnética propagándose con la velocidad de la luz c ≈ 3·108 m/s. la mayoría de los átomos de una población se encuentran en su estado más bajo de energía (nivel fundamental). © E. En estos niveles. volviendo al nivel energético inferior. con alguno de sus electrones en un nivel superior de energía. los electrones están en un estado estable: ni absorben ni emiten energía. Entre cada par de niveles existe una probabilidad de transición medida por los coeficientes de Einstein. pero el resto están excitados. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA 2º Ing. Cuando sobre un electrón incide radiación de energía ∆E.G. La emisión estimulada se puede producir en condiciones normales pero es un efecto muy pequeño porque hay pocos átomos en estado excitado. denominándose emisión espontánea y los fotones emitidos no son coherentes.G. Algunos estados son estables y otros metaestables. es decir. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 3 . Cada nivel tiene una cierta densidad de ocupación. Este es el proceso de emisión estimulada y al sumarse ambas radiaciones (la incidente y la emitida) tiene lugar la amplificación de la radiación. Recordemos que la frecuencia está relacionada con la longitud de onda (λ) de la radiación por c = λ·ν Cada λ visible es percibida por el ser humano como un color. el átomo es estimulado a emitir un fotón de la misma frecuencia y fase.

mayor es la intensidad de la radiación procedente del mismo y.G. sino resultado de la superposición de ondas esféricas elementales • incoherente: espacial y temporalmente Algunas fuentes de luz naturales (MA + AE): • estrellas (sol): H. con más electrones que un nivel inferior (E1). esa longitud de onda (color) tiene mayor proporción en la luz emitida. Telecom. En esas condiciones la probabilidad de que tenga lugar una emisión estimulada es muy alta. Para que se pueda alcanzar. Al excitarse el MA se ocupan los diferentes niveles energéticos superiores y al desexcitarse.Inversión de población Algunas sustancias activas tienen una estructura de niveles con ciertas características particulares que les permiten alcanzar un estado denominado inversión de población. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .G. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 4 © E. MA) y un mecanismo de aporte energético (AE). emiten la diferencia de energía en forma de radiación. Mientras mayor probabilidad de ocupación tenga un nivel. Fuentes de luz “convencionales” En toda fuente de luz hay una sustancia emisora de la luz (sustancia o medio activo. en consecuencia. La inversión de población es un estado en el que el nivel de energía metaestable (E2) está “superpoblado”. He + reacción termonuclear • llama: proceso de combustión • luminiscencia (inducida): sustancia química + luz de λ adecuada Algunas fuentes de luz artificiales: • bombilla incandescente: filamento de metal + efecto Joule • tubo fluorescente: mezcla de gases + campo eléctrico • diodos LED / lámparas de bajo consumo / … 2º Ing. La luz emitida por una fuente convencional se caracteriza por ser • policromática: el color es la suma (ponderada) de las diferentes λ • no colimada. diferente según el tipo y estado de agregación de la sustancia activa. y se pueden obtener muchos fotones coherentes. uno de los cuales sea “fácilmente alcanzable” (E3). es necesario que haya i) un conjunto de (al menos 3) niveles relativamente próximos con energías E1<E2<E3. ii) una pareja (E3-E2) con alta probabilidad de transición por emisión espontánea y iii) que el nivel “intermedio” (E2) sea metaestable.

Telecom.Fuentes “convencionales”: Tubos de gas (fluorescentes) [8] 2º Ing.G. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 5 © E.G. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .

DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .G.G. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 6 © E.Fuentes “convencionales”: Lámparas halógenas [12] Bombillas incandescencia Duración ≈ 1000 horas Luz: amarillenta (3000 K) Lámparas Halógenas Duración ≈ 2000 horas Luz: blanca – amarilla (2800-3000 K) Consumo: 30% menor 2º Ing.

patrones espaciales y modulación temporal • emisión: hasta 20 lm Eficacia luminosa • bombilla incandescencia (60-100 W) ≈ 15 lm/W • fluorescente hasta ≈ 100 lm/W • LED de alta potencia (1 W) ≈ 100 lm/W 2º Ing.G. en arrays ultraplanos • organic (OLEDs): bajo consumo. … • señales (tráfico. dispositivos móviles (teléfonos.“Nuevas” Fuentes de luz: Lámparas de diodos LED • diodos LED de alta luminosidad • tripletes rojo + verde + azul. montaje sobre soportes flexibles.…) Luz emitida: • elevada saturación y brillo (reproduce cualquier color del espectro) • sin radiación UV e IR: adecuados para materiales o productos fotosensibles • controlable: espectro. Telecom. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . polarización.G. con modulación de intensidades emitidas • luz blanca: triplete RGB con igual “peso relativo” o diodo UV + capa de fósforo (single phospor) Características • pueden incorporan microlentes • larga duración: hasta 50. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 7 © E. 30-550 nm. pda. temperatura de color. …) • espectáculos “dinámicos” • comunicación inalámbrica “segura” 10-100 Mb/s • interacción biológica / química Inconvenientes • sensibles al calor (precisan disipación) • coste Otros tipos: • microleds: 20 µm. focos.000 horas • fuentes de alimentación de baja tensión y corriente constante (muy útil en entornos peligrosos o con riesgo de incendio o explosión) Aplicaciones • iluminación arquitectónica (adaptable). GaN.

2º Ing. Telecom. Temperaturas de color blancoamarillo desde 2700 K – 3000 K • algunos tipos no regulables en intensidad • según el tipo de lámpara emiten . CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 8 © E.G.G.haces amplios / isótropos: medidos en lumen (lm) . halógenas.haces direccionales: medidos en candelas (cd) Eficacia luminosa • muy superior a lámparas convencionales (incandescencia.“Nuevas” Fuentes de luz: Lámparas de bajo consumo (magnitudes radiométricas y fotométricas en Tema 4) Características • consumo eléctrico mucho menor • duración muy superior (6000-10000 horas) • mejor reciclaje Inconvenientes • contienen pequeñas cantidades de mercurio → reciclado • coste por unidad Luz emitida • alta saturación y brillo. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . fluorescentes) Ej: con consumo eléctrico de 20 W producen 1300 lm mientras que con bombilla incandescente son necesarios 100 W.

DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 9 © E.G.“Nuevas” Fuentes de luz: Lámparas solares Elementos Cúpula acrílica Sensor óptico (detección del sol) Lente concentradora Posicionador orientable Fibra Óptica de transmisión Sistema de control Principales características • Captación de luz para iluminación en interiores • Óptica de concentración (lente) y fibra óptica para transmisión • Usa la aberración cromática para filtrar los UV e IR • Cono de luz emitido por la fibra de unos 58º→ a unos 2 m consigue una iluminancia de aprox 500 lux • Un sistema de 12 lentes proporciona un flujo luminoso total de 4000 lm •Otras tecnologías: mediante espejos Valores de referencia de Iluminancia (sobre la superficie iluminada) • 1000 lux para tareas de detalle (costura) • 500 lux para lectura • 200 lux para uso recreativo 2º Ing.G.

DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . Puede ser óptico. en μrad) muy pequeña (debida. hasta ∆λ/λ ≤ 10-15 • colimada: únicamente se amplifica la luz emitida en la dirección del eje de la cavidad resonante. La SA está contenida en su interior. Componentes básicos de un emisor de luz láser: • sustancia activa: sólido / líquido / gas / plasma • mecanismo de aporte energético (o sistema de bombeo): depende de la sustancia activa.G. Características de la luz emitida: LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation • monocromática: la emisión de radiación corresponde (casi totalmente) a una única transición energética. La sección del haz emitido puede ser muy pequeña por lo que la irradiancia puede ser muy alta. químico. Telecom. La sustancia activa tiene que poder alcanzar la inversión de población. por lo que el ancho de banda (de longitudes de onda) es muy pequeño. eléctrico.G.9%) y el otro semitransparente (refleja 95-97%). CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) • coherente: en cada punto de la SA (y en cada instante) la emisión es estimulada por lo que hay una relación de fase entre la emisión de diferentes puntos / en otro instante): coherencia espacial / temporal. a efectos de difracción y defectos de paralelismo entre los espejos). Combina la emisión estimulada y la amplificación de la radiación (luz) emitida en una cavidad resonante. principalmente. … • cavidad resonante: compuesta por 2 espejos alineados. uno totalmente reflectante (99. 10 © E. por lo cual la emisión tiene una divergencia angular (θ.LÁSER: Mecanismo “especial” de emisión de luz. θ θ θ = divergencia angular (muy exagerada) 2º Ing.

Haz emitido La geometría de la cavidad es muy importante porque afecta a su estabilidad y a la ganancia (y. P) y se caracteriza la energía por las propiedades de cada pulso: energía por pulso (J).Q-switched: ganancia de la cavidad en escala temporal. el ancho de los pulsos y su energía): .Cavidad resonante: la radiación se confina en forma de ondas estacionarias.G. el área (A) de la sección transversal del haz emitido determina su densidad de energía / potencia por unidad de superficie. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 11 Modo P Energía (J) En modo-P se consiguen mayores energías (láseres de alta potencia). se reduce su sección. Si se diferencian los pulsos. Telecom. el láser emite en modo continuo (continuous wave. Pulsos de μs / ms .Modelocked: cavidad en trayecto ida-vuelta. 2º Ing. Para transmisión de datos puede modularse la emisión CW pero es preferible usar un láser pulsado. se define la irradiancia como I = P / A (W/m2) La irradiancia se puede aumentar si.G. a la amplificación alcanzable). alcanzándose hasta 1015 W/m2 Potencia (W) Modo CW Modos de funcionamiento: Si la frecuencia de emisión de los pulsos es muy alta. Pulsos de ps → fs Tiempo Tiempo © E. ¡ Ojo ! Independientemente de la cavidad y del modo de funcionamiento.gain switched: lámpara de bombeo se enciende/apaga. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . en consecuencia. frecuencia de repetición (Hz) y ancho de pulso (s). En Modo CW. por tanto. mediante una lente a la salida del haz. si el láser emite una potencia P. se dice que emite en modo pulsado (pulsed mode. Pulsos de ns . y se va amplificando por emisión estimulada en cada ciclo de recorrido hasta que alcanza suficiente energía para vencer al espejo semitransparente = emisión de un pulso láser. Hay varias formas de controlar la ganancia de la cavidad (y. CW) y la energía de la radiación emitida se caracteriza por su potencia (W).

Emiten en modo CW o pulsado. Son complejos (tuberías. con ancho de pulso ~100 ns y potencia ~ 50 W. con potencias bajas-medias (hasta kW). • otros: láseres de gel.8 nm. ~20 μrad. CO2 (alta potencia). La cavidad resonante se forma recubriendo con material reflectante las paredes del semiconductor por lo que el haz emitido tiene sección aproximadamente rectangular y una divergencia angular mayor que los otros tipos de láser. Los iones (o electrones) de uno de los componentes de la mezcla se aceleran hasta alcanzar la energía cinética necesaria para excitar (por colisiones inelásticas) a las moléculas del otro componente. El más conocido es el de He-Ne (proporción 7:1. La SA es un sólido cristalino. Como sus átomos/moléculas están en las posiciones de una red cristalina. Se usan en aplicaciones industriales (corte. energías ~ 30 mJ/pulso. las λ requeridas para excitar a la SA. en modo CW. … 2º Ing. Otro muy usado es el de Nd:YAG. • láser de gas: la SA es una mezcla de gases. Dependen de la sustancia activa (SA) y del mecanismo de aporte energético (sistema de bombeo. Emite una λ = 694. Otros tipos: • láser de colorante (medio líquido).G. son menos monocromáticos que los otros tipos. Ar. 1960). CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 12 © E. soldadura. los niveles de energía son líneas discretas y la emisión es muy monocromática. El más conocido es el “láser de rubí” en el que la SA es una varilla de rubí (óxido de aluminio dopado con cromo) y el SB es una lámpara de xenon.Tipos de emisores láser. Diferentes mezclas de gases producen la emisión en diferentes λ. El SB es un campo eléctrico creado por una diferencia de potencial (fuente de alta tensión) entre electrodos en los extremos del tubo que contiene a la SA. Telecom. Emiten un haz cilíndrico. Emiten en modo pulsado y pueden conseguirse niveles de energía muy altos. Los tipos más comunes son • láser de medio sólido: Primer láser operativo (T. con pulsos del orden de 5J y potencias ~ 1012 W. nucleares. Pueden ser de pequeño tamaño. Injected Laser Diode ILD): la SA es la región de unión de una pareja de capas de semiconductor p-n. presión ~ 1 torr) que emite λ ~ 632.G. … • láser de semiconductor (láser de diodo. El más conocido es el de GaAs que emite λ ~ 690 / 870 nm. Requieren el recipiente de contención del gas a presión.3 nm. Muy utilizados en análisis químico / ambiental. Como el diagrama de niveles es de bandas. por lo cual estos láseres son de tamaño muy reducido. muy adecuado para transmisión por fibra óptica. Puede conseguirse que esta densidad sea alta con intensidades de corrientes pequeñas (como las de una pila botón) si el volumen del semiconductor es muy pequeño. recipientes) y de gran tamaño. Otros son de vapor de Cd. …). Suele añadirse un elemento óptico de colimación del haz emitido. Puede conseguirse emisión láser en (casi) todo el espectro óptico. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . No confundir con diodo LED. sistemas médicos. El SB es una densidad volumétrica de corriente que atraviesa a la SA. Son muy fácilmente modulables. SB). El SB es la luz emitida por una lámpara cuyo espectro de emisión contiene. de rayos X. usos industriales. lectores de códigos de barras. con λ ~ 1064 nm. El SB es “bombeo óptico”: una lámpara flash (estroboscópica) cuya frecuencia e intensidad de destellos determina las características de la luz láser emitida. hasta 1012 Hz. justamente. Mainman. Otros emiten en el IR. Tienen la gran ventaja de que son sintonizables: se puede cambiar la λ emitida mediante la modificación de la composición de la mezcla líquida que forma la SA. Habitualmente utilizados para transmisión de datos y en sistemas médicos.

G. Telecom.9%) [1] Rojo • GaAs: rojo .Láser de medio sólido [1] Láser de semiconductor ILD = Injected Laser Diode c Láser de Rubí Bombeo óptico: Iluminación con luz de una lámpara de Xe (láser de rubí) o de yoduro de tungsteno (láser de NdYAG). CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 13 © E. P~220 mW CD-R/RW 2º Ing.G.5 cm Longitud ~ 5 cm (r = 100%) (r = 99. P~220 mW CD-ROM • AlGaAs: IR λ ~780→830 nm. P~50 mW comunicaciones / imagen alta velocidad • GaN: azul λ ~405-410 nm. Láser de Nd:YAG Diámetro ~ 0. P~30 mW DVD blu-ray disc ¡OJO! No confundir con • AlGaInP: rojo LED = Ligth Emitting Diode λ ~635→670 nm. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .IR λ ~ 690 / 870 nm.

8 nm. …) • CO2: λ ~ 10.2 μm. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . P~10 mW análisis ambiental (polución. P~10 W aplicaciones médicas • He-Cd: λ ~ 442 nm. 2º Ing. P~ kW cortes. los extremos del recipiente del gas se tallan en forma de ventanas correspondientes al ángulo de Brewster.G. P~ W aplicaciones industriales • Ar+: λ ~ 515 nm. taladros. El haz emitido tiene polarización plana (aunque se pierde energía luminosa). Telecom. • He-Ne λ ~ 632.Láser de gas e- [1] Para conseguir la emisión de luz con polarización controlada. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 14 © E.G.

CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) . Si interesa concentrar el haz se usa una lente convergente. que reduce A.. mucho mayor si es especular (la divergencia angular aumenta muy poco). θ aumenta mucho. Para un adulto sano.6 ⋅10 2 W/m 2 ≈ 1000 W/m 2 2 A π ⋅R La energía total incidente sobre la superficie iluminada es el producto de la irradiancia por el tiempo de duración de la exposición. interesa conseguir el modo TEM00 porque tiene un perfil de intensidad gausiano. Valores superiores de irradiancia pueden ser muy peligrosos y causar daños irreversibles porque en el tiempo que tarda el reflejo en activarse ya ha entrado suficiente energía como para producir daño en la retina.Distribución espacial de la energía de un haz láser La distribución espacial de la luz emitida en una sección transversal del haz depende de los modos electromagnéticos (modos TEM) de la cavidad. El valor de I ≈ 750 – 1000 W/m2 corresponde a la irradiancia del sol a nivel del mar (!!). Reflexión especular. y específicamente para la transmisión de datos por una fibra. la irradiancia (I) disminuye al aumentar la distancia al emisor. Telecom. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA 2º Ing.G. En general. Ej. y es el límite máximo de protección del ojo mediante el reflejo de aversión ocular y parpadeo (tarda unos 0. Irradiancia (W/m2) en la sección del haz [4] [1] En modo CW está dada por el cociente entre la potencia (luminosa P) y la sección (A) del haz (suele ser circular). este es el valor máximo tolerable en el sistema ocular. aunque en muchas aplicaciones puede considerarse θ = 0 y la sección del haz constante. θ no cambia Reflexión difusa.25 s). Incidencia sobre una superficie Según la λ y la rugosidad de la superficie puede producirse reflexión especular o difusa.. Su irradiancia es P P I= = = . 15 © E. Un puntero láser consta de un láser de semiconductor de P = 3 mW que forma un punto de 2 mm de diámetro sobre la pantalla. Esto es muy importante para determinar el riesgo al exponerse a un haz reflejado.G. = 9. Debido a la divergencia angular (θ) del haz.

G. read many) o una “deformación local” (disco regrabable) correspondiente a cada bit (1/0). el Te experimenta un cambio de fase a temperatura ambiente. El tamaño del mínimo punto que almacena información está dado por la λ del láser.G. ¡ no tocar ! normal arañazo polvo polvo transparente 16 grasa de huella dactilar © E. pasando de policristalino a amorfo. λ~410 nm →387 MB/cm2. aumentando notablemente la capacidad de almacenamiento en el mismo tamaño de disco. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) . Telecom. write once. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA 2º Ing. En el proceso de lectura. Lectura: La ablación láser provoca un cambio de reflectividad (de especular a difusa) de la superficie del disco. Escritura: La luz de un diodo láser se concentra (mediante lentes) hasta alcanzar un nivel de irradiancia sobre la superficie del disco que produce un “punto de quemadura” (disco WORM. En el año 2000 se consiguieron semiconductores que emitían luz azul (blu-ray). a lo largo de diferentes pistas. el mismo láser (operando a una potencia inferior) ilumina el disco y la luz reflejada es redirigida hacia un fotodetector que la interpreta como 1/0 (según su intensidad). permitiendo una nueva grabación. Se denomina “ablación láser”.Almacenamiento óptico de información: CD / DVD Disco Óptico Compacto (compact disc. CD): consta de una película (aleación) de Te. En los discos regrabables. con lo que el tamaño del punto se reducía casi a la mitad. Físicamente. Sucedieron a los discos magnéticos (1950) y a los videodiscos (1970). un calentamiento de la superficie “borra” las deformaciones. Los primeros sistemas (1980) usaban diodos emisores rojo/IR con λ~800 nm → 17 MB/cm2 . Sn y Pb sobre disco de Al o cristal + capa protectora.

para facilitar la identificación de las marcas. Si el haz de lectura se desvía. Realimentación para mantener alineamiento Para poder seguir con precisión las pistas en espiral.5 μm. Para λ = 780 nm y n = 1. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . El valor “d” depende de la λ.G.12 μm = 120 nm. 2º Ing. Telecom.Proceso óptico de lectura / escritura Profundidad y extensión de las marcas en el disco Como la luz reflejada es una señal débil.G. Esto permite que la lectura/escritura sea más resistente a las vibraciones. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 17 © E. separados un ángulo tal que los haces laterales inciden sobre el espaciado inter-pistas. separadas ~ 1. las señales (reflejadas) de los haces laterales cambian y se activa un mecanismo de realimentación y desplazamiento de las lentes para corregir la dirección de incidencia. Se basa en una red de difracción que descompone el haz del láser en uno central y dos laterales. su profundidad “d” es tal que se produzca interferencia destructiva en la incidencia sobre los flancos (límites) de la marca. el láser de lectura/escritura debe contar con un mecanismo de realimentación para controlar si se desvía.50 la profundidad d ~ 0. d Estructura de las pistas y las marcas de grabación. y del índice de refracción de la capa de material sobre el disco.

Fischetti.G. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . octubre 2007. Investigación y Ciencia. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 18 © E. 2º Ing.G.Tipos de discos ópticos y capacidad de almacenamiento Prismas Espejo semitransparente M.

• si sobre un material ferromagnético incide luz polarizada plana. El material ferromagnético tiene temperatura de Curie TC = 600 K. el haz láser debe producir una irradiancia I ~ 108 W/m2. de 0. Ej: La superficie del disco se mueve con velocidad ~ 1 m/s respecto al haz láser y cada marca es un cilidro de L ~ 1 μm y R ~ 1 μm.G.5-1. Con estos datos.0º. Según su polarización se interpreta si la señal ha sido reflejada en un punto magnetizado o no (1/0). La luz reflejada se hace pasar por un polarizador e incide sobre un detector (en montaje diferencial porque son señales muy débiles). Escritura: el láser calienta el material hasta Tc y el cabezal magnético (electroimán modulado por la señal digital a grabar) orienta los dominios en ese punto. Telecom. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA 2º Ing.G. I↑ I↓ I↑ 19 © E. calor específico Ce = 300 J/(K oC) y densidad ρ = 2·103 kg/m3. el plano de polarización de la luz reflejada está rotado un cierto ángulo (efecto Kerr magneto-óptico). a la que tiene lugar la transición de ferromagnético a no-ferromagnético).Disco magneto-óptico Disco: película (aleación) de metales/tierras raras (TbFeCo) con una estructura de dominios magnéticos. Una vez que el material se enfría. la orientación permanece (hasta campos de kG). Lectura: el haz del láser (polarizado) incide sobre el material ferromagnético. codificando un 1/0. Fundamentos: dos fenómenos físicos • La orientación de los dominios magnéticos puede cambiarse con un campo magnético débil (300 G) si el material ha sido previamente calentado por un láser hasta su temperatura de Curie (Tc. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) .

Otros riesgos hay que evaluarlos por separado (Low Voltage Directive. clasificación EN 207:1999. Otros riesgos Químico: Algunos láseres necesitan sustancias peligrosas o tóxicas para su funcionamiento (p. Los láseres pueden inducir reacciones químicas con liberación de productos peligrosos gaseosos (F). Riesgos debidos a la radiación óptica Ocular: La exposición aguda (“puntual”) a algunas longitudes de onda (290-400nm) y/o potencias puede causar quemaduras en la córnea.Terminal Equipment Directive.Riesgos en el uso de fuentes de luz láser. Los efectos visuales pueden no ser evidentes hasta que el nivel de daño térmico sea muy alto. siendo adaptadas por los organismos nacionales de cada país. Radio &Telecom. Incendio: Los disolventes utilizados en los láseres de colorante son inflamables. EN 208:1999 – protectores oculares EN 60825-2:2004 – sistemas de fibra óptica Directiva sobre Exposición a Radiación Óptica Artificial (AORD) EN 60825-12:2004 – comunicaciones aéreas 2006/25/EC a implementar antes del 27/4/10. 2º Ing. Para potencias superiores el daño profundo es inmediato.: láseres de colorante o láseres de excímero). Los materiales inflamables pueden entrar en ignición debido a incidencia directa o reflexiones especulares de láseres infrarrojos continuos de alta potencia. Machinery Directive) Las medidas de seguridad necesarias vienen determinadas por esta clasificación y son obligatorias legalmente A nivel internacional las normas las definen la Comisión Electrotécnica Internacional (IEC) y la Organización Internacional de Estandarización (ISO) y sus análogos europeos (CENELEC y CEN). Fuentes defectuosas de >15 kV pueden emitir rayos-X. Los láseres se clasifican por su potencial de riesgo basado en su emisión óptica. La exposición crónica (“prolongada”) a niveles excesivos puede causar opacidad en la córnea o en el cristalino (cataratas) o daño retinal. Para potencias 1 W 5 W el daño inicial es superficial. La franja de daño retinal es de 400-1400 nm. Normas legales. Telecom. ¡¡ hay que consultarlas siempre !! ¡¡ buscar las últimas actualizaciones !! Algunas son: EN 60825-4:2006 . Las lámparas de flash o de alto voltaje puede ocasionar ignición. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . La carcinogénesis puede ocurrir para longitudes de onda ultravioleta (290-320 nm). CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 20 © E. Dérmico: La exposición aguda a altos niveles de radiación óptica puede causar quemaduras en la piel. La exposición al láser Nd:YAG Qswitched (1064 nm) es particularmente peligrosa. Eléctrico: La mayoría de los láseres utilizan fuentes de alto voltaje que pueden ser letales.G.ej.protecciones EN 60825-1:2007 – fabricante. la retina o ambas.G.

Telecom. Con los criterios anteriores se generan las 4 Clases (7 niveles) de riesgo láser (p. la clasificación se basa en aquella más peligrosa. CW) o los láseres pulsados repetitivos se consideran la potencia promedio de salida (average power output) (W) y el tiempo de exposición límite (limiting exposure time) inherentes al diseño. 3. La MPE. 5. El uso de gafas o cualquier otro instrumento óptico puede reducir la sección del haz. la frecuencia de repetición de pulsos y la exposición radiante del haz emergente (emergent beam radiant exposure). UVA). Longitud de Onda. Para entorno abierto (unrestricted locations) en el rango de 400 nm a 700 nm la Clase es 2 y para todas las otras longitudes de onda es Clase 1. Debe estar señalizada y restringida (según la Clase). Las operaciones de servicio y mantenimiento o desmontaje (incluso parcial) o una rotura (por ejemplo. siguiente). aumentando su irradiancia y hacer que el nivel de exposición real de un usuario sea superior al correspondiente al nivel del sistema láser. El nivel de riesgo permisible depende del entorno y uso. especialmente si es posible que los usuarios puedan superar los niveles de exposición admisibles. 3. Se diferencia si se trata la exposición directa o a la luz reflejada y si es reflexión especular o difusa. 2º Ing. A veces se usan haces visibles paralelos o tarjetas luminiscentes para marcar la trayectoria del haz no visible. La Exposición Máxima Permitida (Maximum Permitted Exposure. la duración (ancho) del pulso . DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . MPE) se define como “El nivel de radiación láser al que una persona puede estar expuesta sin sufrir efectos peligrosos o cambios biológicos adversos en el ojo o en la piel“. AEL) . NHZ) es la zona donde se supera la MPE. expresada en [J/cm2] or [W/cm2]. Requieren especial atención con los dispositivos láser emisores de haces no visibles (IR. La MPE no es una “línea de diferenciación” entre una exposición segura y una peligrosa. 5.G. Cada Clase tiene tabulado un Límite de Emisión Accesible (Accesible Emission Limit. La clasificación solo es válida para el uso normal del equipo. 2. Hay que tener en cuenta que 1. 4. Si el láser emite en múltiples longitudes de onda. 2. La Directiva AORD impone realizar una evaluación de riesgo para los equipos de Clases 3B y 4. Ej: sistemas de fibra óptica. en una fibra óptica) pueden hacer que los niveles de exposición sean superiores.Criterios de clasificación de los láseres (según su riesgo) 1. Esto no quiere decir que no sea también necesaria para equipos de clase inferior. La Zona de Riesgo Nominal (nominal hazardous zone. 6. depende de los parámetros del láser.G. Para clasificar los láseres pulsados se consideran la energía total por pulso (J). según el acuerdo de los expertos. pueden ser ocupacionalmente seguros para exposiciones repetidas. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 21 © E. sino que representa los niveles máximos que. Para clasificar los láseres de onda continua (continuous wave. 4.

25s en producirse. que tarda aproximadamente 0. La visión de reflexión difusa es normalmente segura si el ojo está a más de 13 cm de la superficie difusora y si la exposición es menor de 10 s. Los haces son altamente divergentes o colimados pero con gran diámetro. Requieren protector ocular. Nunca supera la MPE. Ej. Se considera seguro si se maneja cuidadosamente y sin visión directa.25s). Peligro de incendio.G. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 22 © E. 2º Ing. Para láseres CW. Los haces son altamente divergentes o colimados pero con gran diámetro. Pueden ser peligrosos si el usuario utiliza algún dispositivo óptico en el haz. Puede superarse la MPE pero con bajo riesgo de daño. Las reflexiones directa y difusa son también peligrosas. Para láseres pulsado entre 400-700 nm el límite es 30 mJ. II.G. Generalmente contiene un láser de clase superior en una carcasa no accesible sin desmontarla. III. Protección ocular recomendada.: punteros. el AEL = 5 mW. el AEL = 500 mW. La protección de los ojos es la dada por la respuesta de aversión natural. Clase 1 SEGURO Visible / no visible Clase 1M SEGURO SIN DISPOSITIVOS DE AYUDA A LA VISIÓN 302. IIIa y IV. Requieren protector ocular. La visión directa del haz (o reflexión especular) es siempre peligrosa. Para láseres CW.Clase* / POTENCIA / rango de λ Características Láser seguro en condiciones de uso normal. La visión directa del haz (o reflexión especular) es siempre peligrosa. Riesgo ocular y dérmico. Pueden ser peligrosos si el usuario utiliza algún dispositivo óptico en el haz. llave para funcionar e interruptor de seguridad. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . Clase 2 BAJA POTENCIA Sólo visible Clase 2M SEGURO SIN DISPOSITIVOS DE AYUDA A LA VISIÓN Sólo visible Clase 3R BAJA /MEDIA POTENCIA Visible / no visible Clase 3B MEDIA /ALTA POTENCIA Visible / no visible Clase 4 ALTA POTENCIA Visible / no visible *Esta clasificación coexiste con una Clasificación (anterior) norteamericana que define las Clases I. incluyendo el reflejo del parpadeo.25s en producirse. Para los láseres continuos (CW) la protección de los ojos es la dada por la respuesta de aversión natural. el AEL = 1 mW (o superior si la exposición es menor de 0. llave para funcionar e interruptor de seguridad.5 nm hasta 4000 nm Láser seguro en condiciones de uso normal. incluyendo el reflejo del parpadeo. IIa. Telecom. Para láseres CW. Estos láseres no son intrínsecamente seguros. que tarda aproximadamente 0.

…) y mecanismo de excitación (riesgo eléctrico. inflamables. …) 2º Ing. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . Telecom.Precauciones y Medidas de Seguridad El Etiquetado debe indicar • punto / dirección de salida del haz • tipo (gas / diodo / iones / …) • modo (continuo / pulsado) • energía y frecuencia de pulsos / potencia • longitud de onda (y si es invisible) • Clase • advertencias (para piel y ojos) según Clase • [norma legal de referencia] • advertencias según sustancias (tóxicas.G. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 23 © E.G.

Telecom. Deben permitir el máximo de visión (mínima atenuación) en el resto del espectro visible. no deben atenuar por completo el láser para permitir ver la localización del haz.G. El fabricante debe señalar el tiempo máximo de resistencia (del protector) a la exposición indicando: .Dispositivos de protección ocular. 5. resistencia a impactos y salpicaduras. Los protectores oculares se fabrican en polímeros o cristales con un absorbente: 1. 2. Para la mayoría de las aplicaciones. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 24 © E. posibilidad de llevar gafas de corrección oftálmica simultáneas. especialmente al manipular sistemas con riesgo de exposición imprevista o λ no visibles. peso y comodidad.G. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .modo pulsado: número máximo de pulsos / frecuencia y energía/pulso 3. Otros factores a considerar: ángulo de visión y visión periférica. Tipos (comunes) de protectores oculares Goggles (gafas “submarinas”) Full-view spectacles (gafas de campo completo) Lightweight spectacles (gafas ligeras) wrap-around spectacles (gafas envolventes) 2º Ing. El material absorbente se degrada con el tiempo: ¡¡ ojo a la fecha de caducidad !! 4. Muy recomendables siempre. Son obligatorios (al menos) con sistemas de Clases 3 y 4. atenuación en otras longitudes de onda. Los protectores específicos para una longitud de onda no sirven para otra (aunque sean próximas o “del mismo color”).modo continuo: potencia y número máximo de segundos .

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