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P.D-S
1




Un cuadernillo en Ciencia
de los Materiales













P. Dip-Segovia
Alumno del programa de Doctorado en Ciencias de la Ingeniera con Mencin en Ciencias de los
Materiales.
Escuela de Postgrado
Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas
Universidad de Chile
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P.D-S
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1 Teora Electrnica de los Metales
1.1. El principio de la duda (o incertidumbre)
Uno de los fundamentos principales de la teora atmica moderna y, en particular,
de la teora electrnica de los metales, es el principio de la duda de Heisemberg. La antigua
teora del tomo de Bohr se basaba sobre la simple teora de la mecnica Newtoniana. En
principio, se supuso que un electrn viajaba alrededor del ncleo en rbitas circulares igual
o similar a los planetas en torno del sol. En cada rbita de Bohr, se supuso que el electrn
tena una velocidad conocida de manera que, tericamente, sera posible medir la posicin
de un electrn en su rbita en dos tiempos diferentes y determinar de ese modo la distancia
recorrida durante el intervalo de tiempo dado. Ahora se reconoce que es imposible una
medicin precisa de esta naturaleza sobre una partcula del tamao de un electrn, tanto en
la teora como en la prctica. No tenemos el tiempo suficiente para establecer el principio
de la duda, esto es, la condicin que revela las limitaciones; lo mejor que podemos hacer es
describirlo brevemente.
Supngase que un electrn es est moviendo a lo largo de una lnea recta, como en
la Fig. 1.1.



x




x

Fig. 1.1 La duda en la posicin de un electrn.
Sea x la distancia del electrn desde el centro de coordenadas. Cuando
determinamos experimentalmente esta cantidad siempre hay un error experimental . 2 / x
En otras palabras, la incertidumbre en la posicin es . x Ahora consideremos mv p = , el
momento del electrn. Cualquier medicin experimentalmente del momento del electrn
implicar tambin una incertidumbre p . El principio de Heisemberg establece que el
producto de estas dos incertidumbres no puede ser menor que la constante h de Planck, o
h x p

El principio de la incertidumbre, tiene poca importancia para medir la posicin o
momentun de objetos grandes. Esto se debe al pequeo tamao de la constante de Planck
relativa a las cantidades medidas. Sin embargo, para partculas tan pequeas como un
tomo, electrn es extremadamente importante, como puede verse aqu.
Supngase que el electrn tiene un momento cero significando que est en reposo.
Entonces tenemos
= =

=
0
h
p
h
x

lo cual nos dice que la duda en la posicin del electrn es infinita, o que seramos
completamente incapaces de localizarla. Por otra parte, si fusemos capaces en algn
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momento de determinar la posicin exacta de un electrn estaramos totalmente ignorantes
de su velocidad. En consecuencia, aun cuando pueda conocerse la posicin de su electrn
estaramos totalmente ignorantes de su velocidad. En consecuencia, aun cuando pueda
conocerse la posicin de un electrn en un momento dado, no seramos capaces de predecir
su posicin a cierto instante futuro de tiempo.
Lo anterior es una fuerte evidencia de que la teora de Bohr no est basada sobre
fundamentos tericos slidos, pues esto ltimo implica que la posicin y momentun del
electrn se pueden medir con precisin en cualquier instante.
Es interesante que se pueda emplear este principio para explicar el por qu de la
energa vibracional de un slido no es cero al cero absoluto. Si se desvaneciese la energa
de punto cero, cada tomo del slido estara en reposo en su posicin reticular de equilibrio.
Su momentun sera cero y su posicin sera fija y determinable. Este razonamiento no est
claramente de acuerdo con el principio de la duda.
1.2. La doble naturaleza de la materia
Tanto la materia como la luz tienen una naturaleza doble: corpuscular y
ondulatoria. Consideremos un electrn. Es un hecho bien conocido de que un electrn
simple lleva una carga elctrica limitada y que se puede medir
) 10 60 , 1 (
19
coulombios e

= , lo cual es una propiedad corpuscular, como es el hecho de
que un electrn tiene una masa en reposo limitada ) 10 11 , 9 (
28
0
g m

= . Por otra parte,
cuando un haz de electrones consistiendo en un gran nmero de electrones se hace incidir
sobre un material cristalino, puede ser difractado de acuerdo con la misma ley de rayos X
electromagnticos, provisto que la longitud de onda de un electrn sea expresada por la
relacin de De Broglie.
p
h
mv
h
= =

donde
: es la longitud del electrn.
: m masa del electrn.
: v su velocidad.
: p momentun.
Esta habilidad de los electrones de ser difractados muestra una vez ms las
caractersticas ondulatorias que posee.
Si los electrones son ondas realmente, nos encaramos con el problema de decir que
clase de onda son. Nuestro problema bsico es que el principio de Incertidumbre no nos
permite utilizar el concepto del electrn como una partcula, como se implica en la teora de
Bohr. Por otra parte, somos incapaces de definir un electrn en trminos de ondas.
Afortunadamente hay un acercamiento matemtico a esta materia que obvia la necesidad de
definir exactamente un electrn. Este acercamiento se hace a travs de la mecnica
ondulatoria, cuyo resultado se expresa habitualmente en trminos de la energa de un
electrn. La energa es, por supuesto, una propiedad importante. Como sabemos, la energa
de radiacin de un tomo (posiblemente la de un tomo de hidrgeno) est relacionada por
la ley de Planck a la diferencia en las energas del electrn en dos estados diferentes en el
tomo, o
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I II
E E hv =

donde
: h es la constante de Planck.
: v es la frecuencia de radiacin.
:
II I
E E son la energas en dos niveles diferentes de energa atmica.
Mientras que la mecnica ondulatoria puede rendir estimaciones precisas de las
posibles energas de un electrn, no puede dar una informacin similar sobre las posiciones
de los electrones. Lo que da una idea de las regiones en el espacio donde se hallar
probablemente un electrn. La mecnica ondulatoria, en consecuencia est relacionada
estrechamente con el concepto de la probabilidad.
Con el propsito de ver cmo entra el concepto de la probabilidad en el problema de
la dinmica electrnica, consideremos primero un sencillo experimento ptico. La
difraccin de la luz a travs de una rendija, bajo las condiciones experimentales mostradas
en la fig. 8.2A produce un diagrama de difraccin semejante al de la fig. 1.2B, donde la
abscisa corresponde a las distancias a lo largo del diagrama, y la altura de ste representa la
intensidad de la radiacin cayendo sobre la placa fotogrfica o sobre algn dispositivo para
registrar el diagrama. Por definicin, la intensidad de la luz es la energa por segundo que
cae sobre un centmetro cuadrado, de manera que la ordenada en la fig.1.2B representa el
grado al cual cae la energa en varios puntos a lo largo del diagrama. Ahora consideremos
este mismo experimento desde un punto de vista corpuscular. En este caso, la altura del
diagrama debe ser proporcional al nmero de cuantos de luz cayendo por segundo sobre un
rea unitaria de la pantalla en cualquier punto dad. Sin embargo, todava hay otro medio de
que esta difraccin pueda ser vista. Supngase que slo pasa un cuanto de luz a travs de la
rendija, entonces la ordenada del diagrama de difraccin se considera que representa la
contingencia, o probabilidad, de que el cuanto caiga en un punto dado de la pantalla. De
acuerdo con este punto de vista, el rea bajo la curva completa debe ser la unidad, esto es,
el cuanto debe incidir en alguna parte a lo largo de la pantalla.


















Fuente
de luz
x
Lentes
Pantalla
Rendija
rectangular
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Fig. 1.2 (A) Disposicin experimental para la difraccin de
Fraunhofer utilizando una rendija simple. (B) Diagrama de
difraccin de Fraunhofer para una rendija sencilla.

Del experimento de difraccin anterior puede verse que la ordenada puede
considerarse para medir bien la intensidad de luz en una posicin dada, o la posibilidad de
que un simple cuanto incida sobre ella. En efecto, hay una correspondencia directa entre la
intensidad de luz y la probabilidad como se le defini anteriormente. En la mecnica
ondulatoria, se trata las propiedades ondulatorias de los electrones desde este punto de vista
de probabilidad.
A continuacin consideremos una onda sencilla que se ajusta a la relacin siguiente:
|
.
|

\
|
=

x
vt sen y y
2
2
0
Esto puede representar una onda en una cinta infinita excitada por la vibracin de un
diapasn elctrico conectado en un extremo. Como se indica en la fig. 1.3, es la longitud
de onda,
0
y es su amplitud, y la onda vieja en la direccin positiva x . Adems, en la
ecuacin anterior, v es la frecuencia, o nmero de vibraciones por segundo, x es la
distancia en la direccin de desplazamiento, y t es el tiempo. La ecuacin anterior se puede
escribir tambin en forma ms simple
( ) kx t sen y y =
0

donde v 2 = es la frecuencia angular, y / 2 = k se conoce como el nmero de la onda.
Es bien conocida la ley de fsica de que la intensidad de una onda es proporcional al
cuadrado de la amplitud de onda, o
2
0
y I

donde I es la intensidad, y
0
y es la amplitud. Sin embargo, hemos visto anteriormente que la
intensidad est relacionada directamente a la probabilidad de que un cuanto (o electrn)
caiga en un punto dado. En consecuencia, por analoga, definamos la funcin de manera
que
x
Intensidad de
luz
______________________________________________________________________
P.D-S
6
2
= P

Aqu, P es la probabilidad y es una funcin que, cuando se le multiplica por s
misma, produce la probabilidad P. Realmente, con mayor exactitud debido a que la funcin
es con frecuencia un nmero complejo, deberamos escribir la expresin anterior en la
forma siguiente:
*
= P

donde y
*
son recprocos complejos, y sus productos, la probabilidad, es un nmero
real.

Fig. 1.3 Onda viajando en una larga cinta infinita.

Es evidente que la cantidad equivale a la amplitud de una onda, de manera que
podemos escribir (por analoga con nuestra expresin para una onda como se da
anteriormente):
( ) kx t sen =
0

Ahora hallemos el segundo derivado de esta funcin con respecto a la distancia
( ) kx t k
dx
d
+ =

cos
0
y
( )

2
0
2
2
2
k kx t sen k
dx
d
= =


o
0
2
2
2
= + =

k
dx
d

Esta ecuacin diferencial es la ecuacin bsica para el movimiento ondulatorio en una
dimensin. Una de las soluciones es, por supuesto,
( ) kx t sen =
0

Por definicin, la cantidad k en la ecuacin diferencial anterior es el nmero ondulatorio y
es igual a 2/. Ahora supongamos que podemos sustituir la longitud de onda de Broglie
del electrn, mv h / = , en el nmero de onda k de manera que
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P.D-S
7
mv
h
k

2 2
= =

y
|
.
|

\
|
= =
2
2
2
2 2
2
2
2
2
1 8 4
mv m
h
v m
h
k


donde
2
2 / 1 mv es claramente la energa cintica de un electrn. La expresin anterior para
2
k puede ser sustituida ahora en la ecuacin ondulatoria con el resultado siguiente:
0
2
1 8
2
2
2
2
2
=
|
.
|

\
|
+

mv m
h dx
d

Esta es la bien conocida ecuacin ondulatoria de Schrdinger en una dimensin. En tres
dimensiones (x,y,z) , se tiene la forma
0
2
1 8
2
2
2
2
2
2
2
2
2
=
|
.
|

\
|
+



mv m
h z y x

Debido a que la energa cintica de un electrn es igual a su energa total menos su energa
potencial, la ecuacin de Schrdinger se escribe usualmente:
( ) 0
8
2
2
2
2
2
2
2
2
= +



V W m
h z y x

donde
2
2 / 1 mv V W = , W es la energa total del electrn y V es su energa potencial.
1.3. Teora del electrn libre
Ahora presentaremos brevemente la teora del electrn libre de Sommerfeld de un
metal. Sus suposiciones bsicas son que los electrones de valencia en un metal son libres y
que estn confinados a moverse dentro de los lmites de un objeto metlico, esto es, se
mueven de un lado para otro dentro del metal, pero no lo abandonan. Esta idea conforma
con el concepto de que los electrones tienen una energa potencial menor dentro del metal
que fuera de l o que toma trabajo remover un electrn de una pieza metlica. En la teora
de Sommerfeld, se supone tambin que el potencial de un electrn es constante en el
interior de un metal. El enunciado es una sobresimplificacin, porque un electrn se mueve
realmente en un campo potencial muy complicado debido a la presencia tanto de los dems
electrones como de la disposicin peridica de iones cargados positivamente dentro del
metal. A pesar de esta simplificacin, la teora elemental rinde ciertos resultados
importantes.
Al desarrollarla, consideremos primero lo que se conoce como el problema de la
partcula dentro de una caja. Aqu suponemos que un electrn est confinado dentro de
una caja y que su energa potencial es cero (constante) dentro de la caja e infinita fuera de
ella. Estas condiciones sobre el potencial nos aseguran que la probabilidad
de hallar un electrn fuera de la caja ser cero, lo cul, a su vez nos dice que cualquier
solucin de la ecuacin ondulatoria
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8
( ) 0
8
2
2
2
2
2
2
2
2
= +



V W m
h z y x

debe ser cero en todos los puntos fuera de la caja y, en particular, en los lmites de la
misma. Para la simplicidad, supongamos que el electrn es capaz de moverse en una sola
direccin, de manera que estamos trabajando efectivamente con una caja unidimensional.


Fig. 1.4 Pozo potencial dentro de una caja unidimensional como se supone
en la teora del electrn libre.

El problema bsico se ilustra ahora en la figura 1.4 donde se ha seleccionado la longitud de
la caja como igual a L. Por la condicin de que debe ser cero en los lmites, tenemos

0 =
a
0 = x

0 =
a
L x =

Estas son las mismas condiciones de contorno que se aplican a la amplitud de
vibracin de ondas que viajan en una cinta de longitud L cuyos extremos estn fijos.
Debido a que la misma ecuacin ondulatoria bsica controla el movimiento de los
electrones en una dimensin y la vibracin de una cinta, podemos utilizar las soluciones
conocidas de la cinta de los extremos fijos para poder definir las soluciones del electrn en
la caja. Es bien sabido que una cinta de este tipo es capaz de vibrar aciertas frecuencias
naturales. Estas frecuencias, por supuesto, se determinan por los diagramas de las posibles
ondas estacionarias que pueden desarrollarse en una cinta de longitud L. As, en la figura
1.5, la frecuencia fundamental, o menor, de la cinta vibratoria tiene una longitud de onda L,
el tercero a 2/3L, etc., y, en general, podemos escribir
,... 3 , 2 , 1 =
z
n

,... 4 , 3 , 2 , 1
2
= =
z
z
n L
n




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Figura 1.5 Ondas estacionarias en una cinta con extremos fijos.

donde
z
n supone valores enteros desde uno hasta el infinito. Esta misma condicin es vlida
para las ondas estacionarias de la funcin del electrn en la caja unidimensional y, por
definicin, , / 2 = k de manera que
L
n
k
z

=

y
2
2
2
2
L
n
k
z

=

Sin embargo, ya hemos visto que, en general,
( ) V W m
h
k =
2
2
2
8

pero dentro de la caja, donde existen las ondas estacionarias, suponemos que V es cero, por
lo que
mE
h
mW
h
k
2
2
2
2
2
8 8
= =

donde W es la energa total del electrn y E es la energa cintica del mismo. Igualando los
dos valores dados anteriormente para
2
k y resolviendo para E se tiene
,... 3 , 2 , 1
8
2
2
2
= =
z
z
n
mL
n h
E

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Este resultado es extremadamente importante porque muestra que la energa de un electrn
en un metal se cuantiza; puede tener nicamente ciertos valores fijos correspondiendo a
valores enteros del nmero cuntico .
z
n
En una caja tridimensional, pueden disponerse ondas estacionarias del tipo descrito
anteriormente a lo largo de cada uno de los tres ejes primarios, resultando en una onda
estacionaria tridimensional. Ahora, si se supone que la caja es un cubo con una longitud L
en cada lado, puede mostrarse que la energa del diagrama resultante dela onda estacionaria
tridimensional tambin es cuantizada y dada por la expresin
( ) ,... 3 , 2 , 1
8
, ,
2 2 2
2
2
= + + =
z y x z y x
n n n n
mL
h
E

El estado energtico menor que puede ocupar un electrn en una caja tridimensional ocurre
cuando 1 = = =
z y x
n n n . Su valor es:
( )
2
2
2 2 2
2
2
8
3
1 1 1
8 mL
h
mL
h
E = + + =

Siguiendo al estado energtico ms bajo, hay dos estados de energa igual. En general, es
prctica comn denominar a estados diferentes con energas iguales estados degenerados.
Los tres estados degenerados presentes ocurren cuando dos nmeros cunticos son igual
uno y el otro es dos: (112), (121) y (211). La energa de estos estados es:
( )
2
2
2 2 2
2
2
8
6
2 1 1
8 mL
h
mL
h
E = + + =

En la tabla 1.1 se dan todos los niveles de energa electrnica en una caja
tridimensional con una energa menor de . 8 / 45
2 2
mL h La primera columna es proporcional
a la energa de los diversos estados. Para simplicidad, en esta columna se dan los valores de
). (
2 2 2
z y x
n n n + + Estos valores son proporcionados a la energa debido a que
( ) E
h
mL
n n n
z y x
2
2
2 2 2
8
= + +

La segunda columna indica las combinaciones de nmero cuntico que dan los valores en la
columna uno. Obsrvese que, al elevarse la energa, aumenta la frecuencia con la cual ms
de una combinacin de nmeros cunticos es capaz de rendir la misma energa. La tercera
columna enlista la degeneracin, o el nmero de estados con el mismo valor de energa.
Slo cuando todos los nmeros cunticos de un estado dado tienen el mismo valor [esto es
(222)] es posible tener estados degenerados: slo un estado para un valor de energa dado.
La ltima columna representa la suma de todos los estados de energa hasta un valor de
energa dado; realmente un valor dado de ). (
2 2 2
z y x
n n n + + As, cuando ) (
2 2 2
z y x
n n n + + es
9 hay siete estados con una energa igual a, o menor de,
2 2
8 / 9 mL h : uno con una energa
igual a
2 2
8 / 3 mL h , tres con
2 2
8 / 6 mL h , y tres con
2 2
8 / 9 mL h .
En una pieza de metal de tamao promedio el nmero de electrones es muy grande.
Por ejemplo, considrese un metal monovalente, tal como la plata, donde hay un electrn
libre por tomo. Aqu, 107,9 gr (1 mol) de plata contendrn una cantidad de electrones
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libres igual al nmero de Abogador 6.0210
23
. En teora de Sommerfeld, se supone que los
electrones libres no interactan unos con otros excepto cuando se aplica el principio de
exclusin de Pauli, lo cual significa que, cuando hay una caja hay ms de un electrn,
puede suponerse que los electrones ocupan los mismos niveles de energa que el electrn
simple. Sin embargo, el principio de exclusin de Pauli, que controla el nmero de
electrones que pueden entrar en un estado dado con el tomo de hidrgeno, se aplica
tambin en el presente caso. En otras palabras, slo dos electrones con movimientos
dirigidos en sentido opuesto pueden ocupar un estado cuntico dado.

TABLA 1.1 NIVELES INFERIORES DE ENERGA PARA UN
ELECTRN EN UNA CAJA
( )
2 2 2
z y x
n n n + + o
E
h
mL
2
2
8

Combinaciones de
nmero cuntico
dando el estado
Degeneracin o
nmero de estados
con la misma energa
Nmero total de
estados
3 (111) 1 1
6 {112} 3 4
9 {122} 3 7
11 {113} 3 10
12 {222} 1 11
14 {123} 3 14
17 {223} 3 17
18 {114} 3 20
19 {133} 3 23
21 {124} 3 26
22 {233} 3 29
24 {224} 3 32
26 {134} 3 35
27 {115} y {333} 4 39
29 {234} 3 42
30 {125} 3 45
32 {334} 3 48
33 {144} y {225} 6 54
35 {135} 3 57
36 {244} 3 60
38 {235} y {116} 6 66
41 {344} y {126} 6 72
42 {145} 3 75
43 {335} 3 78
44 {226} 3 81
45 {245} 3 84

Al cero absoluto, los electrones buscarn los estados de energa inferiores en el
metal. Puede esperarse que a esta temperatura (comenzando con el estado de energa
inferior), todos los estados se llenarn de un par de electrones en cada estado hasta alguno
que contenga el electrn con la energa ms alta.
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Como un ejemplo, supngase que tenemos una pequea pieza de metal conteniendo
slo 120 electrones libres. Al cero absoluto los 120 electrones ocuparn los 60 niveles
inferiores de energa en el metal. Todos los niveles hasta, e incluyendo los de una energa
de
2 2
8 / 36 mL h estn llenos. Esto puede confirmarse examinando la tabla 1.1. Todos los
estados de energa con valores mayores de
2 2
8 / 36 mL h estarn vacos.
En una pieza de metal real, la magnitud de la energa del electrn que queda en el
estado de energa ms elevado es muy grande aun a 0K. Este es un resultado del gran
nmero de electrones involucrados y del gran nmero de estados cunticos requeridos para
mantenerlos sujetos a todos ellos. Ahora intentaremos determinar la magnitud de esta
energa. Para poder hacer esto, debemos derivar primero una relacin para el nmero de
estados de energa con una energa igual a, o menor que, la de un estado dado.


Fig. 1.6 Espacio de nmero cuntico. Como los nmeros cunticos son enteros
positivos, slo se utiliza la octante superior derecha para designar el estado
cuntico, o nivel de energa, de un electrn

Formemos un sistema de coordenadas cartesianas tridimensional, utilizando como
coordenadas para los tres ejes valores de
x
n ,
y
n , y
z
n . Debido a que cada estado de energa
de un electrn en una caja corresponde a un juego particular de nmeros cunticos, se
puede representar un estado por un solo punto en el espacio de nmero cuntico. As, en la
figura 1.6, se designa especficamente el punto que representa al estado con los nmeros
cunticos , 5 , 4 = =
y x
n n y . 7 =
z
n
Cuando se consideran juntos todos los estados de energa electrnica, forman un red
tridimensional de puntos que recuerda a una red espacial cbica simple. Debido a que los
valores de
x
n ,
y
n y
z
n son siempre nmeros enteros positivos, la red tiene que quedar en la
mismo octante del sistema coordenado que el ocupado por el punto dado en la figura 1.6 (la
octante superior derecha).
Para simplificar la explicacin, reduzacamos a dos el nmero de coordenadas del
metal. Entonces, solo necesitamos considerar dos nmeros cunticos,
x
n y
y
n , y la red
tridimensional de puntos que representa los estados de energa se reduce a una cuadrcula
rectangular bidimensional del tipo mostrado en la figura 1.7. Nuestro problema bsico es
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hallar cuntos estados de energa poseen una energa igual o menor que cierto valor
mximo
m
E . En dos dimensiones, la energa de cualquier estado se por
( )
2 2
2
2
8
y x
n n
mL
h
E + =

Esta relacin nos dice que la energa de un estado vara directamente segn los cuadrados
de los dos nmeros cunticos. Un estado tendr una energa menor que la de un estado dado
slo si sus nmeros cunticos producen un valor menor de ( )
2 2
y x
n n + que el del estado
dado. El ejemplo sencillo siguiente ayudar a comprender el significad de este ltimo
enunciado.

Fig. 1.7 Espacio de nmero cuntico bidimensional.

Supngase que
m
E corresponde a un estado cuyos nmeros cunticos son 15 =
x
n y
1 =
y
n . Entonces tendremos
( ) ( ) 226 1 15
2 2
2 2
= + = +
mx
y x
n n

En la figura 1.7, se ha trazado un cuadrante de crculo con su radio.
( ) 226
2 2
= + =
mx
y x
n n r

Todos los puntos que quedan dentro de este arco representan estados cunticos con energas
por debajo de
m
E . As, considrese el estado con nmeros cunticos 11 =
x
n y 10 =
y
n .
Aqu, 221
2 2
= +
y x
n n que es menor que 226. Cuando se cuenta el nmero de puntos
(estados) dentro del rea dada, se prueba que son 163. Este mismo nmero se puede estimar
calculando simplemente el rea encerrada por el cuadrante de crculo (OAB). Esto es
estados r rea mx 177 ) 226 (
4 4
2
= = =


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Este ltimo valor, aunque difiere del valor contado de 163 estados, es una buena
aproximacin. La concordancia entre valores contados y calculados ser mucho ms
ajustada cuando sea ms grande el nmero total de estados, y para nmeros muy grandes de
estados (correspondiendo a valores muy grandes de
m
E ) puede predecirse el nmero de
estados con un grado de exactitud elevado por medio de este tipo de clculo. As, para
grandes valores de
m
E
( )
m
mx
y x
E
h
mL
n n
2
2
2 2
8
4 4

= + =

en donde es el nmero de estados con una energa igual o menor que
m
E .

Fig. 1.8 A cero absoluto, puede suponerse que los estados ocupados quedan
dentro de esta octante de esfera en el espacio de nmero cuntico.

Volvamos a una consideracin de un metal con tres dimensiones. Aqu, todos los
estados con una energa menor de
m
E quedan dentro del octante de una esfera, como se
define en la figura 1.8. Para grandes valores de
m
E , por analoga con el caso bidimensional,
podemos tomar el volumen de esta octante como una medida del nmero de estados
cunticos con una energa igual o menor que
m
E . El radio de la esfera es:


( )
2 / 1
2
2
2 / 1
2 2 2
8
|
|
.
|

\
|
= + + =
m z y x mx
E
h
mL
n n n r

y por lo tanto, tenemos
= volumen del octante =
2 / 3
2
2
3
8
6 3
4
4
1
|
|
.
|

\
|
=
m mx
E
h
mL
r


donde es el nmero de estados con una energa igual o menor que
m
E .
______________________________________________________________________
P.D-S
15
Si N es el nmero de electrones en una pieza de metal, entonces a cero absoluto
deben estar N/2 estados cunticos llenos; o
2 / 3
2
2
8
6 2
|
|
.
|

\
|
=
F
E
h
mL N

En esta expresin,
F
E , conocida como la energa de Fermi, es la mxima energa
electrnica a cero absoluto. Resolviendo la relacin anterior para la energa de Fermi,
tendremos:
2 / 3
2
2
3
8
|
.
|

\
|
=

N
mL
h
E
F

o
3 / 2
2
3 / 2
3
2
3
8
3
8
|
.
|

\
|
=
|
.
|

\
|
=
V
N
m
h
L
N
m
h
E
F


en donde V = L
3
es el volumen de la supuesta caja de metal. Este ltimo resultado es de
inters porque muestra que la energa de Fermi depende slo del nmero de electrones por
unidad de volumen en el metal.
Con la ayuda de la ecuacin anterior, es posible estimar la energa de Fermi de un
metal. Como un ejemplo, considrese la plata (Ag), la cual tiene un volumen molecular por
gramo de 10,28 cm
3
. Como la plata es monovalente, una molcula gramo debe contener
6,0210
23
electrones libres. Adems, la constante h de Planck es 6,6310
-27
erg/seg, y m ,
la masa del electrn, es 9,1110
-28
gr. Sustituyendo estos valores en la ecuacin nos da
( )
( )
3 / 2
23
28
2
27
28 , 10
10 02 , 6 3
10 11 , 9 8
10 63 , 6
|
|
.
|

\
|

F
E

voltios electrn erg E
F
= =

5 , 5 10 9 , 8
12

Es posible que se pueda expresar mejor esta energa en caloras por molcula de electrones
(al nivel de Fermi) porque entonces podremos compararla con la energa atmica trmica.
As,
mol
cal
E
F
000 . 130
10 19 , 4
10 02 , 6 10 9 , 8
7
23 12
=


=


Esta energa es extremadamente elevada. Puede demostrarse fcilmente que el electrn
promedio en un metal al cero absoluto posee energa que es 3/5 del valor de Fermi, de
manera que en la Plata
( )
mol
cal
E
F
000 . 78 000 . 130
5
3
= =

En cierto sentido, podemos pensar de los electrones en un metal como un gas. La energa
trmica (cintica) de una molcula de un gas monoatmico, por ejemplo helio, de acuerdo
______________________________________________________________________
P.D-S
16
con la teora clsica, es del orden de 3/2 RT cal/mol. Puesto que R es aproximadamente 2
cal/mol/grado, a temperatura ambiente (T = 300 K) la energa trmica de tal gas deber ser
de unos 900 cal/mol. Puede verse entonces que los tomos de un gas ordinario poseen, a
temperatura ambiente, slo alrededor del 1/80 de la energa cintica principal de los
electrones en un metal al cero absoluto.


Fig. 1.9 Relaciones de energa de acuerdo con la teora de Sommerfeld.

La teora de Sommerfeld enuncia que los electrones en un metal se mueven a
velocidades extremadamente elevadas y que ocupan niveles de energa definidos con dos
electrones de movimiento opuesto en cada estado. Al cero absoluto, los electrones llenan
todos los estados inferiores que quedan hasta un nivel conocido como nivel de Fermi. En
la figura 1.9 se ilustran estas aseveraciones. En esta figura, V
8
representa la diferencia en
potencial entre un punto dentro del metal y un punto fuera del metal en el vaco. En nuestra
derivacin previa, se supuso que esta diferencia potencial era infinita, pero en un metal real
es limitada. La suposicin simplificada que se hizo, sin embargo, no afecta a nuestros
resultados finales. Suponiendo que el potencial en el metales cero, el espacio alrededor del
metal queda a un potencial que es ms elevado en una cantidad V
8
. Por lo tanto, puede
considerarse que el volumen del metal se encuentra en un pozo potencial. Puede pensarse
que los estados de energa electrnica, quedan a diversas distancias sobre el fondo del pozo.
El estado de energa ms elevado a cero absoluto, o nivel de Fermi, se designa en la figura
como
F
E . El promedio de energa queda a
F
E 5 / 3 . Finalmente, el smbolo representa la
energa requerida para remover un electrn desde el nivel de Fermi y sacarlo del metal.
Esto se llama la funcin de trabajo y es igual a la energa que se mide normalmente cuando
se quita un electrn de la superficie de un metal (cuando se extrapola a 0 K). Obsrvese que
, a 0 K. Un electrn en el nivel de Fermi posee la energa ms elevada de todos los
electrones en el metal y es ms fcil de remover. El valor de la funcin de trabajo,
determinado experimentalmente, para la plata es de 46,6 electrn-voltios. La energa de
Fermi de la plata es de 5,5 electrn-voltios. As, la diferencia en potencial V
8
entre un
punto dentro y un punto fuera del metal es alrededor de 10 electrn-voltios.


______________________________________________________________________
P.D-S
17
1.4. La densidad de estados
Es conveniente con frecuencia, pensando sobre los estados de energa en un metal,
utilizar el concepto de densidad de estados. Para cualquier valor dado de la energa E, el
nmero de estados con una energa igual o menor que este valor es
2 / 3
2
2
8
6
|
|
.
|

\
|
= E
h
mL


Debido a que es muy grande el nmero de estados en un metal, debemos considerar que
tanto como E son funciones continuas, a pesar de que ellas varan con intervalos distintos.
Con esta suposicin, tomaremos la derivativa de con respecto a E, lo cual nos da una
nueva funcin N(E) donde
2 / 3
2
2
8
4
) (
|
|
.
|

\
|
= = E
h
mL
dE
d
E N


Aqu, N(E) es la densidad de los estados de energa a un nivel de energa dado; el nmero
de estados de energa con una energa de entre E y dE E + es dE E N ) ( . La figura 1.10
muestra a N(E) graficada como una funcin de la energa de E. La curva resultante es una
parbola. El rea bajo esta parbola, comenzando en el origen y corriendo hacia un valor de
energa E dado, representa el nmero de estados con una energa igual o menor que la de
Fermi. Por definicin de la energa de Fermi, esta rea, por consiguiente, mide el nmero
de estados que son ocupados por los electrones al cero absoluto. Por tanto, puede
considerarse que la figura 8.10 muestra la naturaleza de la distribucin de los electrones en
los diversos niveles de energa a 0 K, de acuerdo con la teora de Sommerfeld.


Fig. 1.10 Densidad de los estados como una funcin de la energa a 0K,
de acuerdo con la teora del electrn libre.
1.5. El efecto de la temperatura sobre la distribucin de electrones en
los niveles de energa
La figura 8.10 puede tomarse para representar la distribucin de los electrones en
los diversos niveles de energa a 0 K. La cuestin que se nos presenta ahora es en qu
forma es afectada esta distribucin por un aumento en la temperatura significa que los
tomos de un slido vibran con amplitudes ms grandes. La energa asociada con estas
vibraciones aumentadas puede pasar de un lado a otro entre electrones libres y tomos
vibratorios. La magnitud de la energa que puede ser dada a un electrn promedio por un
______________________________________________________________________
P.D-S
18
tomo vibratorio es aproximadamente kT ( RT por mol de electrones), k es la constante de
Boltzmann 1,3810
-16
erg/K. A temperatura ambiente, kT es alrededor de 410
-14
erg. Sin
embargo, hemos visto que en un metal tpico (plata)
F
E es alrededor de 910
-12
erg. En esta
forma, las vibraciones trmicas son capaces de cambiar la energa de los electrones por
valores del orden de 1/200 de la energa de nivel de Fermi. Este es un hecho importante
cuando se considera en unin de principio de exclusin de Pauli. Este ltimo puede ser
interpretado como una prohibicin dl movimiento de un electrn desde un estado a otro que
ya est lleno. En otras palabras, la energa trmica no puede tomar a un electrn en uno de
los estados inferiores y elevarlo a otro nivel que ya est ocupado. Debido al pequeo
tamao de kT en relacin con
F
E . Esto quiere decir que slo pueden ser afectados por la
energa trmica de los tomos los electrones que quedan en niveles de energa cercanos al
nivel de Fermi. De acuerdo con las estadsticas Fermi-Dirac, puede suponerse que la
distribucin en los estados de energa a cualquier temperatura (T) es como se muestra en la
figura 1.11. Aqu, se puede observar que algunos estados

Fig. 1.11 La energa trmica, a cualquier temperatura normal, slo cambia ligeramente la
distribucin de los electrones en los estados de energa.

Sobre
F
E estn ocupados y un nmero correspondiente por debajo de
F
E estn
desocupados. Esta, por supuesto, es una distribucin estadstica, con los electrones
movindose hacia dentro y hacia fuera de los estados que quedan cerca de
F
E . El cambio en
la distribucin de los electrones en los niveles de energa slo es apreciable sobre un rango
de varios valores de kT por encima y por debajo de
F
E .
La energa de Fermi se define con mayor propiedad en los trminos de la figura
1.11. Nosotros la hemos definido como la energa mxima de un electrn al cero absoluto.
Con mayor propiedad, debera ser la energa del nivel, a cualquier temperatura, que
contenga un 50% de probabilidad de ser ocupada por un electrn. As, en la figura 1.11, la
energa de Fermi corresponde a la energa donde la densidad de estados real (lnea ab) tiene
un valor igual a la mitad de la densidad de estados mxima (lnea ac).
1.6. Calor especfico electrnico
Debido a que la energa trmica afecta a slo unos relativamente pocos electrones,
stos proporcionan nicamente una pequea contribucin al calor especfico de un metal.
En consecuencia, segn se calienta un metal, la mayora de la energa utilizada en elevar la
temperatura de ste va a incrementar la energa vibracional de los tomos. De hecho, el
calor especfico de los metales se puede calcular con exactitud razonable sobre la
______________________________________________________________________
P.D-S
19
suposicin de que el calor especfico depende nicamente de las vibraciones atmicas. Uno
de los xitos de la teora del electrn libre es su capacidad para explicar por qu es tan
pequea la contribucin electrnica al calor especfico.
1.7. La teora de la zona
En la simple teora del electrn libre se supone que los electrones se mueven en una
regin de potencial constante. Realmente, sin embargo, dentro de cualquier metal real hay
una disposicin peridica de iones cargados positivamente a travs del cul deben
trasladarse los electrones (figura 1.12). En consecuencia, el potencial a lo largo de una lnea
tal como aa, la cual pasa a travs de los centros de los iones, debe variar en la forma
representada en la figura 1.13. Bloch

fue el primero en desarrollar un tratamiento


mecnico ondulatorio del movimiento de los electrones en un potencial peridico.


Fig. 1.12 Los electrones no pueden moverse a travs de la red se satisface
la ley de Bragg: dsen n 2 =


Fig. 1.13 Potencial peridico dentro de un cristal

Bloch, F., Zeits. Fr Physik, 52 (1928), pg. 555; 59 (1930), pg. 208
______________________________________________________________________
P.D-S
20
Como este anlisis es demasiado complicado para que lo consideremos, nos ocuparemos
nicamente de ciertas conclusiones importantes de este anlisis. Una de las conclusiones
ms importantes es que no puede producirse el movimiento de los electrones en un cristal
bajo las condiciones que satisfagan la ley de difraccin de Bragg.
dsen n 2 =

en donde n es un entero, es la longitud de la onda de los electrones, d es el espaciamiento
interplanar, y el ngulo de incidencia de los electrones relativos al plano reticular dado.
As, en la figura 1.12 aa representa un plano reticular y es el ngulo entre la direccin de
movimiento de los electrones y este plano, un electrn es incapaz de moverse a travs del
cristal en la direccin indicada cuando ( ) n dsen / 2 = .
El hecho de que los electrones no se pueden mover en el interior de un cristal en
forma tal que satisfagan la ley de Bragg no es sorprendente. La relacin de Bragg nos dice
meramente las condiciones bajo las cuales son reflectados los electrones por los planos de
un cristal. As es que, los electrones movindose en direcciones especficas y con
determinadas energas, son capaces de ser reflectados desde su direccin de movimiento
original. Generalmente, esto se puede interpretar como que los electrones no son capaces de
poseer las energas y direcciones de movimiento que producen reflexiones internas. Por lo
tanto, la ley Bragg tiene un efecto importante sobre los estados de energa que un electrn
puede poseer en un metal. Nuestro propsito presente es desarrollar estas relaciones, pero
primero debe considerarse en mayor detalle la ley de Bragg.
La longitud de onda de un electrn se relaciona con su momento por la ecuacin
p
h
mv
h
= =

o sustituyendo el momentun por la longitud de onda en la ley de Bragg, tenemos
dsen
nh
p
2
=

Esta aseveracin de la ley de Bragg nos dice que las reflexiones de electrones ocurrirn a
ciertas combinaciones de una direccin de movimiento y magnitud del momento del
electrn, esto es, a valores especficos del vector de momento de un electrn. En la
mecnica ondulatoria es costumbre utilizar el nmero de onda k en lugar del momentun p
para describir los resultados del presente tipo de trabajo; los dos vectores difieren
nicamente por una constante h / 2 , o
h
p
k
2
=

Cuando se expresa en trminos del nmero de onda k, la relacin de Bragg se convierte en

dsen
p
k =

Recalquemos que k es un vector cuya direccin es la misma que la del movimiento
del electrn, y cuya magnitud es directamente proporcional al momento del electrn.
Reacomodando la ecuacin anterior nos da
______________________________________________________________________
P.D-S
21
d
p
ksen

=

Sin embargo, la cantidad ksen es meramente la componente del vector del nmero de onda
normal al plano reflectante de Bragg, como se muestra en la figura 1.14 para n = 1
(reflexin de primer orden). La expresin anterior nos dice que , siempre que la
componente de k resulta normal plano reticular sea igual a d n / , sern satisfechas las
condiciones de Bragg. Como los valores crticos de esta componente normal al nmero de
onda k varan inversamente con el espaciamiento interplanar d, es evidente que los primeros
planos que influirn sobre el movimiento de los electrones sern aquellos con mayores
valores de d: planos con los ndices de Miller ms bajos.


Fig. 1.14 L primera reflexin de Bragg ocurre cuando d sen k / = , o cuando
la componente de k normal al plano de reflexin es una constante ( ) / d . En la
figura se muestran dos valores diferentes de que satisfacen la condicin de Bragg

Ahora consideremos un ejemplo de una red cbica simple de dos dimensiones,
como se muestra en la figura 1.15. La condicin de Bragg se satisface primero por los
planos {100}de esta red. Los electrones que ocupan estados de energa muy bajos, con los
correspondientes valores de k muy pequeos, sern capaces, en general, de moverse en
cualquier direccin a travs del cristal sin reflexin.

Fig. 1.15 Una red cbica simple.

______________________________________________________________________
P.D-S
22
Sin embargo, segn consideramos a los electrones en estados de energa cada vez ms
elevados, se alcanza eventualmente un punto donde la condicin de Bragg con respecto a
los planos {100} influye el movimiento de los electrones. Despus de esto, el segundo
juego de planos para los cuales ser satisfecha la condicin de Bragg es {100}, los
segundos planos ms ampliamente espaciados en la estructuras cbica simple.
Investiguemos ahora especficamente las reflexiones desde los planos {100} con un poco
ms detalle. La figura 1.16A representa un sistema de coordenadas el cual se denominar
espacio k. Cualquier punto, tal como m en esta figura, corresponde a un vector de nmero
de onda especfico. La figura 1.16B muestra que el vector en cuestin puede obtenerse
trazando una flecha desde el origen de coordenadas al punto dado, y que si llamamos a este
vector k su componente x ser k
x
y su componente y ser k
y
. En una red bidimensional

Fig. 1.16 Espacio de nmero de onda bidimensional. El punto m en (A)
representa el vector k en (B).

como la de la figura 1.15, hay dos planos {100} horizontal (010) y vertical (100). La
condicin de Bragg se satisface para estos dos tipos de planos por todos los vectores k
correspondientes a la lnea ABCD en la figura 1.5. A este respecto, considrese el vector
arbitrario k que corre desde el origen del sistema de coordenadas espaciales k hasta un
punto sobre la lnea AB. Este vector forma un ngulo con la horizontal y as tambin con
los planos (010) en la figura 8.17. De acuerdo con este dibujo, la componente vertical de
este vector, que es normal a los planos (010), es /d. El vector k satisface en esta forma la
condicin de Bragg con respecto a los planos (010) y lo mismo puede decirse de todos los
valores de k que caen sobre la lnea AB y sobre la lnea CD. Adems, puede verse que el
vector k, que termina sobre la lnea BC, satisface la condicin de Bragg para los planos
(100). Por consiguiente, las lneas AB y DC representan vectores k para reflexiones desde
los planos horizontales, y las lneas BC y AD los de los planos verticales. Todos los
vectores tales como k y k que tocan ABCD representan nmeros de onda que satisfacen
la condicin de Bragg. Por otra parte, cualquier vector tal como k que no se extienda
hasta el lmite ABCD representa el movimiento de un electrn que no sufre reflexin. El
rea en el espacio del nmero de onda encerrado por la lnea ABCD se conoce como una
______________________________________________________________________
P.D-S
23
zona de Brillouin. En el caso de la red cbica simple bidimensional considerada ahora,
ABCD es la primera zona. La segunda est formada por las reflexiones desde los planos
{100}, y se muestra en unin de la primera zona en la figura 8.18. Los lmites exteriores de
la segunda zona se dan por las lneas que conectan a los puntos E, F, G, y H. La zona
misma est representada por las cuatro zonas triangulares sombreadas. Una propiedad
interesante de las reas de Brillouin es que las diferentes zonas para un cristal dado tienen
todas la misma rea. As, las reas de las zonas uno y dos en la figura 1.18 son iguales. La
segunda zona tiene la misma importancia que la primera. Cualquier vector k que caiga
sobre el lmite de esta zona corresponde a una reflexin y a un tipo de movimiento de los
electrones imposible.

Fig. 1.17 La primera zona de Brillouin de una red cbica
simple bidimensional.

En tres dimensiones, la primera zona de Brillouin de una red cbica simple es un
cubo (figura 1.19). Las caras de este cubo son paralelas a los planos del cubo {100} y
representan valores crticos del vector del nmero de onda en tres dimensiones. Las zonas
Brillouin de las formas de red regular, en la que cristalizan normalmente los metales, se
pueden deducir fcilmente de la misma manera que para la red cbica simple. En el sistema
cbico centrado en las caras, por ejemplo, resulta que en ciertas direcciones desde planos
{111}. La primera zona de Brillouin de esta red, la cual aparece en la figura 1.20, se forma,
por lo tanto, desde superficies paralelas a ambos tipos de estos planos.
1.8. La dependencia de la energa sobre el nmero de onda
De acuerdo con la teora de Sommerfeld, la energa de un electrn est relacionada
con el nmero de onda k del electrn por la ecuacin
m
k h
E
2
2 2
8
=

______________________________________________________________________
P.D-S
24
en donde E es la energa del electrn, m es su masa, k es su nmero de onda y h es la
constante de Planck.

Fig. 1.18 Primera y segunda zonas de Brillouin de una red cbica simple.
La segunda zona est sombreada.



Fig. 1.19 Primera zona de Brillouin de una red cbica
simple tridimensional.


______________________________________________________________________
P.D-S
25
Ahora limitemos atencin a los electrones que viajan slo en una direccin,
digamos, paralela al eje x y por tanto normal a los planos (100). El nmero de ondas de
tales electrones se representa por el smbolo k, y tenemos que
m
k h
E
x
2
2
2
8
=

Esta relacin parablica entre la energa y el nmero de onda se muestra en la forma
diagramtica de la figura 1.21, y est basada en la suposicin de Sommerfeld de que los
electrones se mueven en un potencial constante. Cuando consideramos los movimientos de
los electrones en un potencial peridico, la figura 1.21 representa todava una buena
aproximacin de la relacin nmero de onda-energa sobre la mayora del espectro
energtico. Sin embargo, segn acabamos de ver, a ciertos valores crticos del nmero de
onda se rompe el movimiento normal del electrn, lo cual tiene el efecto de introducir
discontinuidades dentro de la curva nmero de onda-energa. As, para electrones que
viajan normales a planos (100), tenemos
) (

dsen
n
k
x
=

pero aqu es 90 por lo tanto el sen = 1, de manera que k
x
= n

/d, donde n es un nmero


entero y d es el espaciamiento interplanar de los planos (100). Por consiguiente, las
discontinuidades en la relacin nmero de onda-energa ocurren a intervalos de /d a lo
largo del eje k
x
, como se muestra en la figura 8.22. Obsrvese que segn se acerca k a un
mltiplo de /d, la energa se desva desde la parbola simple mostrada en la figura 1.21.


Fig. 1.20 Primera zona de Brillouin de una red cbica centrada en las caras.
Las superficies son paralelas bien a {100} o {111}.




______________________________________________________________________
P.D-S
26
En particular, considrese una discontinuidad especfica tal como en /d. Aqu, segn k
x
se
acerca a un valor crtico desde cualquier direccin, comienza a cambiar la energa con
lentitud cada vez mayor, de tal manera que la curva representa al estado de energa tiende a
volverse y a correr paralela a k
x
o eje del nmero de onda. Al valor especfico /d, la
energa tiene dos valores representados por los puntos a y b, respectivamente, en la figura
1.22. Los electrones que viajan normales a los planos (100) no pueden tener energa que
caiga entre el intervalo de a y b.

Fig. 1.21 Energa de un electrn (movindose en una sola direccin)
graficada como una funcin de su nmero de onda de acuerdo
con la teora del electrn libre.


Fig. 1.22 Variacin de la energa con el nmero de onda de los electrones
movindose en una sola direccin de acuerdo con la teora de zona.


______________________________________________________________________
P.D-S
27
Ahora nos referiremos a otro diagrama que muestra la primera zona de Brillouin de una red
cbica simple bidimensional -figura 1.23(A). En el ltimo diagrama, se han colocado dos
puntos marcados a y b a lo largo del eje k
x
. Estos puntos corresponden a puntos similares en
la figura 1.22, y se destinan para mostrar que cuando se cruza el lmite de una zona de
Brillouin, ocurre una discontinuidad en los niveles de energa. Tales discontinuidades
ocurren sin importar dnde se cruza la zona de Brillouin. Sin embargo, la posicin de la
abertura en la energa, como puede verse en la grfica de la energa en funcin del nmero
de onda, vara con la direccin de movimiento del electrn en el cristal, y por lo tanto vara
con el punto donde se cruza el lmite de la zona. Esto se debe a la magnitud absoluta de los
cambios crticos del nmero de onda, segn nos movemos a lo largo del lmite de zona.



Fig. 1.23 La abertura de la energa vara con la direccin del movimiento
de los electrones. (Ntese que slo se muestra la mitad positiva de la
parbola del nmero de onda-energa)

As, en la figura 1.23A, un vector crtico del nmero de onda tal como k
1
, que es paralelo a
uno de los ejes principales del cristal, 100, corresponde al valor menor del nmero de
onda al cual sern reflectados los electrones en la red cbica simple bidimensional bajo
consideracin. Todos los dems nmeros de onda crticos para la primera zona son mayores
que k
1
como, por ejemplo, k
2
y k
3
, los cuales corresponden a los electrones que se mueven
en oras direcciones que las normales al plano {100}. En efecto, se ve fcilmente que k
3

representa al nmero de onda crtico, por tanto, aumenta desde un valor mnimo en el
______________________________________________________________________
P.D-S
28
centro de no de los lados de la zona bidimensional hasta un valor mximo en las esquinas
de las zona. Correspondiendo a este cambio en el valor del nmero de onda a lo largo del
lmite de una zona hay un cambio en la posicin de la abertura en la energa, como se
muestra en la figura 1.23B, donde se grafica la energa como una funcin del nmero de
onda para las tres posiciones indicadas donde se cruza el lmite de la zona. Obsrvese, sin
embargo, que en cada caso slo se da la mitad de la curva nmero de onda-energa. Estas
curvas muestran claramente la forma en que cambia la posicin de la abertura en la energa
segn se vara la direccin del movimiento del electrn. Las aberturas en la energa se
producen a los valores energticos ms bajos, cuando los electrones se mueven en una
direccin normal a los planos {100}, y a los valores ms altos cuando los electrones viajan
a 45 en relacin a estos planos.
Como se mencion previamente, la zona de Brillouin de una red cbica simple en
tres dimensiones es un cubo. Aqu, puede demostrarse tambin que las aberturas en la
energa ocurrirn a los menores valores de k cuando los electrones se mueven en una
direccin 100. Sin embargo, los valores mximos de k para el cruce de la primera zona de
Brillouin, en este caso, ocurrirn en las esquinas del cubo las que, en tres dimensiones,
corresponden a los electrones movindose en las direcciones 111.
1.9. La densidad de la curva de estados
Debido a que los lmites de una zona de Brillouin representan una abertura en los
niveles de energa permitidos para todas las direcciones de movimiento de los electrones,
puede concluirse que el nmero de niveles de energa dentro de una zona dad es finito o
limitado. A este respecto, puede mostrarse realmente

que el nmero de estados de energa


tanto en un metal cbico centrado en el cuerpo como uno centrado en las caras es
exactamente igual al nmero de tomos en el metal. Por el Principio de Pauli, cada zona de
estos metales cbicos deber, en consecuencia ser capaz de contener el doble de electrones
que tomos hay en el metal. En metales monovalentes, por ejemplo, oro, plata y cobre, hay,
en consecuencia, justamente los electrones de valencia suficientes para llenar la mitad de la
primera zona.
Como resultado del hecho de que hay un nmero definido de niveles de energa en
una zona dada y de que hay aberturas en la energa entre zonas, no se puede mantener la
simple relacin parablica entre la densidad de estados en un metal y la energa de estados
en un metal cuando se considera la existencia de las zonas. En la fig. 1.24A se muestra la
ley parablica pronosticada por Sommerfeld. En la fig. 1.24B se muestra la curva
correspondiente, de acuerdo con la teora de zona. La ltima curva se refiere
especficamente slo a la primera de una red cbica simple bidimensional, pero puede
tomarse como representativa de la naturaleza de la forma de la curva de densidades de
estados como una funcin de energa para los otros cristales ms complejos. El rea bajo
esta curva representa el nmero total de estados de energa en toda la primera zona. Esta
curva tiene varios puntos de inters. Primero, para pequeos valores de energa, la curva de
la teora de zona es idntica a la relacin parablica de la teora del electrn libre. Segundo,
segn aumenta la energa de estados, se alcanza eventualmente un punto donde los
electrones viajando en direcciones 100 comienzan aparecer las reflexiones de Bragg
desde los planos {100}. En este momento, aumenta la densidad de los estados y la curva

Raynor, G. V., An Introduction to the Electron Theory of Metals. Instituto de los Metales, Londres, 1947.
______________________________________________________________________
P.D-S
29
asciende sobre la relacin parablica simple. Sin embargo, por aumentos posteriores en la
energa, la densidad de los estados disminuye y eventualmente desciende a cero. Este
ltimo efecto se debe al hecho de que, segn aumenta la energa, disminuye el nmero de
estados remanentes en la zona.

Fig. 1.24 La densidad de estados como una funcin de la energa (A) de acuerdo a la teora
del electrn libre. (B) la teora de zona.
1.10. Conductores y aisladores
Ahora estamos en una posicin donde podemos aplicar los principios de la teora de
zonas para explicar las diferencias entre varios de los slidos bien conocidos.
Consideremos primero el caso donde la abertura de energa entre las zonas primera y
segunda es lo suficientemente grande para que no haya sobreposicin de los niveles de
energa en las dos primeras zonas.
Con el propsito de ilustrar nuestro punto, utilicemos una vez ms el caso de la red
cbica simple bidimensional y, adems, supongamos que las curvas nmero de onda-
energa correspondientes a las posiciones inferior y superior de las aberturas de energa son
como se muestran en la fig. 1.25A. Aqu, debido al gran tamao de la abertura en cualquier
direccin especfica, el nivel de energa en el fondo de la segunda zona queda muy por
encima del nivel de energa superior de la primera zona. Los niveles de energa en la zona
segunda son todos considerablemente ms altos que los de la zona primera, y de ordinario,
un electrn no ser capaz de penetrar a la zona segunda a menos de que reciba una energa
de excitacin relativamente grande. Generalmente, puede suponerse que la energa
necesaria es mucho ms elevada, puesto que es del orden de varios electrn-voltios, que
seran suministrados generalmente por vibraciones trmicas a cualquier temperatura
normal. Esta condicin se debe al hecho de que kT es aproximadamente 1/40 electrn-
voltios (temperatura ambiente). En la fig. 1.25B, se muestra adems un mtodo alternativo
para describir la relacin del nivel de energa con respecto a las dos zonas. Aqu, la
densidad de estados en funcin de la energa se grafica para las dos zonas primeras, y se
muestra claramente la separacin entre las dos zonas.
______________________________________________________________________
P.D-S
30
Ahora, supongamos que estamos interesaos en un metal monovalente y que cada
una de las zonas indicadas es capaz de mantener, a lo sumo, dos electrones por tomo.
Como


Fig. 1.25 Cuando la abertura de la energa para los electrones que se mueven en
una sola direccin es grande (como en [A]), puede resultar una abertura en los
niveles de energa entre las zonas (como en [B])

los tomos del metal slo contienen un electrn de valencia simple por tomo. Como los
tomos del metal slo contienen un electrn de valencia simple por tomo, nicamente hay
electrones suficientes para llenar la mitad de la zona primera. Al cero absoluto puede
suponerse que los electrones ocuparn la mitad del fondo de los niveles energticos de la
zona primera. Esto se da a entender en la fig. 1.25B, donde est sombreada la mitad inferior
del rea, representando los estados de energa llenos.
Cuando una zona slo est llena parcialmente, como se muestra en la fig. 1.25, el
slido es un metal normal o conductor elctrico. Para que una corriente elctrica pueda
moverse dentro de un slido, los electrones deben ser capaces de moverse dentro de los
niveles de energa ms altos. Este es ciertamente el caso en el ejemplo presente donde estn
desocupados la mitad de los niveles de energa y cualquier potencial elctrico aplicado
puede ocasionar que se aceleren los electrones dentro de niveles de energa ms altos.
Tambin podemos visualizar la zona parcialmente llena de un conductor metlico en
la forma de la fig. 1.26A, donde el rea circular en el centro de la zona de Brillouin
representa todos los estados de energa llenos. El significado de esta rea es como sigue.
______________________________________________________________________
P.D-S
31
Recordando que estamos tratando con un ejemplo bidimensional, el crculo muestra que los
electrones poseen todos los valores posibles de k hasta k
m
que corresponden al radio del
crculo y al nivel de Fermi. Como la direccin de un vector k es la misma que la direccin
de movimiento de un electrn, la simetra de la distribucin de los valores de k significa


Fig. 1.26 Efecto de un campo elctrico sobre la distribucin de estados de energa
en la primera zona de Brillouin (red cbica simple bidimensional)

que los electrones se mueven en todas direcciones en tal forma que no hay un flujo neto de
carga.
Ahora supongamos que se aplica un campo elctrico sobre nuestro metal bidimensional. El
efecto de este campo ser acelerar algunos de estos electrones y moverlos dentro de los
niveles de energa ms altos en la direccin del campo. As, si se supone que del campo es
dirigido en la direccin positiva del eje x, los electrones con vectores de onda que queden al
lado derecho de la fig. 1.26A se movern hacia niveles de energa con componentes ms
grandes de k en la direccin x, como se muestra en la figura 1.26B. Los estados que
desocupan estos electrones se llenarn, a su vez, por electrones en los estados con valore de
k justamente inferiores al grupo primero. Este proceso de promocin de electrones dentro
de los estados de energa con valores de k
x
ms grandes, puede considerarse que se extiende
por toda la distribucin, en la forma mostrada en la fig. 1.26B. Lo que sucede
efectivamente es que el crculo se mueve hacia la derecha. En esta nueva disposicin, para
cada electrn con un valor de k aumentando en la direccin del campo (sobre la derecha del
crculo) hay otro con n valor menguado (sobre la izquierda del crculo). Esta distribucin
no simtrica de velocidades de electrones resulta en un flujo neto de carga en direccin del
campo y constituye una corriente elctrica.
Considrese ahora un slido que contiene justamente los electrones suficientes para
llenar completamente la primera banda. En el ejemplo presente, este podra ser dos
electrones por tomo. Aqu, si todava suponemos una amplia separacin entre los niveles
de energa de la primera banda y los de la segunda, el slido constituye un aislador. Los
______________________________________________________________________
P.D-S
32
electrones no se pueden mover dentro de los niveles de energa ms altos en la primera
banda porque todos los estados estn llenos. Adems, ningn potencial elctrico normal es
capaz de elevarlos a travs de la abertura en la energa desde la primera zona a la segunda.
Si no es posible cambiar los estados de energa de los electrones, no ser posible entonces
cambiar la velocidad promedio de los electrones, por lo tanto, no puede haber corriente
elctrica neta.
La simple explicacin anterior muestra que la teora electrnica, que se fund en el
concepto de electrones libres en un metal, tambin es capaz de explicar por qu ciertos
slidos son aisladores. Estos materiales son, en general, los que poseen electrones que
llenan completamente una zona de Brillouin y, al mismo tiempo, tienen amplias aberturas
en la energa entre las zonas llenas y las zonas que quedan directamente sobre ellas. Un
excelente ejemplo lo proporciona la forma de diamante del carbono que tiene cuatro
electrones de valencia por tomo en cada celda. Este es justamente el nmero de electrones
de valencia necesarios para llenar completamente la primera zona en la estructura del
diamante. Como hay una considerable abertura en la energa entre las zonas primera y
segunda, el diamante es aislador.
Cuando un slido contiene electrones suficientes para llenar por completo una zona
de Brillouin, puede poseer las propiedades de un conductor metlico provisto que haya una
sobre posicin de zonas. Esta sobre posicin pude ser explicada con la ayuda de la fig.
1.27A, la cual muestra de nuevo las curvas nmero de onda-energa para diferentes
direcciones de movimiento en un cristal cbico simple bidimensional. En el caso presente,
se supone que la abertura en la energa para electrones que se mueven en una direccin
dada es pequea, y que los estados en la parte superior de a primera zona tienen energa
ms alta que la de los estados del fondo de la segunda zona. La fig. 1.27B muestra las zonas
correspondientes trazadas sobre un diagrama de densidad de estados. En esta figura, la lnea
de puntos que queda sobre la regin donde se sobreponen las zonas representa la suma de
las curvas de densidad individual.
Supongamos ahora, que hay electrones suficientes para llenar la primera zona.
Debido al solapamiento en los niveles de energa algunos de los electrones pasarn a la
segunda zona, resultando que ambas zonas estarn llenas al mismo nivel de energa. Esto se
muestra en la fig. 1.37, donde el rea sombrada indica los estados llenos.
Es posible la conduccin elctrica en un slido del tipo indicado en la fig. 1.27
porque hay estados de energa desocupados en ambas zonas directamente sobre los
electrones en el nivel de Fermi (estados llenos ms altos). Otro hecho que debe ser
mencionado es que los electrones pueden cambiarse fcilmente de una zona a la otra en este
tipo de slido. Un electrn que ocupa un nivel alto en la primera zona puede cambiarse a un
estado de energa equivalente en la segunda zona, sin un gran cambio en energa, si slo se
cambia la direccin de su movimiento, esto es, desde [100] a [110]. Tales cambios en la
direccin del movimiento pueden ser ocasionados fcilmente por el efecto dispersor de las
vibraciones reticulares.

1.11. Semiconductores
En la seccin anterior, se mostr que los aisladores poseen zonas llenas separadas
de las zonas desocupadas por aberturas en la energa relativamente grandes. Al mismo
tiempo e indic tambin que si las zonas se sobre imponen (abertura de energa cero) el
______________________________________________________________________
P.D-S
33
slido tiene las propiedades asociadas normalmente con un metal, aun cuando tiene
electrones suficientes para llenar la primera zona. Los slidos semiconductores representan
un caso intermedio, uno entre estos dos tipos elementales.
Los semiconductores tomarn dos formas bsicas: intrnseca e impura.

Fig. 1.27 Zonas sobreimpuestas.

Un semiconductor intrnseco, del cual nos ocuparemos primero, tiene la disposicin
de zona de un aislador tpico, slo la abertura en la energa es de menor magnitud que en un
aislador tpico. As, refirindonos a la fig. 1.25, un semiconductor intrnseco tendr una
primera zona llena con una abertura angosta entre la primera zona y la segunda. Al cero
absoluto esta clase de slido tiene las propiedades de un aislador tpico. Sin embargo, segn
se eleva la temperatura, la energa trmica permite que los electrones salten sobre la
angosta abertura en la energa y entrar en la zona desocupada. Cuando esto sucede, el
slido se vuelve un dbil conductor de electricidad. La habilidad de un semiconductor
intrnseco para conducir corriente elctrica depende de dos factores. As, cada electrn que
se mueve a la banda superior deja un estado energtico vacante, o agujero, en la banda
inferior, y la habilidad de un semiconductor para conducir la electricidad depende de los
electrones que son elevados a la banda superior y de los agujeros dejados atrs en la banda
inferior. Es evidente el hecho de que los electrones pueden conducir corriente cuando se les
eleva a una zona de Brillouin que de otra forma estara desocupada.
La contribucin de los agujeros a la corriente puede ser explicada en la forma
siguiente. En general, cuando hay un estado desocupado en una zona que de otra forma
estara llena, este estado puede ser llenado casi a voluntad por electrones de energa casi
igual en estados adyacentes. Sin embargo, cuando un electrn se mueve dentro de un estado
desocupado, se forma el estado que deja dentro del estado desocupado. Ahora, cuando se
______________________________________________________________________
P.D-S
34
aplica un campo elctrico a esta forma de slido, los movimientos sucesivos de los
electrones dentro de los estados desocupados, son influidos por el campo aplicado. En
general, el campo tiende a causar que los electrones se muevan dentro de los estados
vacantes en una direccin tal que contribuya como un elemento de corriente en la direccin
del campo aplicado. Sin embargo, para cada movimiento que hace un electrn dentro de un
agujero en la direccin del campo aplicado, hay un movimiento inverso correspondiente del
estado desocupado o agujero. Por lo tanto, es posible considerar a un agujero en el sentido
de un conductor de carga positiva, porque se mueve en direccin opuesta a la del electrn
cargado negativamente. Con frecuencia, se describe la contribucin de los agujeros en la
banda inferior a la conductividad de un semiconductor en trminos del movimiento de estas
ficticias partculas cargadas en forma positiva.
En un semiconductor intrnseco, la conductividad aumenta con el aumento en la
temperatura porque con ello aumenta el nmero de conductores de carga; el nmero de
electrones que se mueven a la banda superior crece con el aumento de la temperatura. El
nmero de electrones que son excitados trmicamente dentro de la banda superior, o banda
de conduccin como se les llama, vara aproximadamente con un factor de Boltzmann de la
forma
kT E
e
/
, donde E es el tamao de la abertura de la energa y k es la constante de
Boltzmann. Esta calse de realcin funcional aparecer en secciones posteriores de este libro
en conexin con cierto nmero de otros fenmenos que ocurren en los metales. Por ahora es
suficiente decir que representa una rpida elevacin en a conductividad con la temperatura.
Adems, debe recordarse que en general las conductividades de los semiconductores son
muy pequeos cuando se les compara con las conductividades de los metales. Solo si kT es
del orden de E podra esperarse que un semiconductor tenga una conductividad
comparable a la de un metal normal, pues si suponemos que E es alrededor de electrn-
voltio (un valor razonable para un semiconductor), se requiere una temperatura del orden de
6000 K para hacer kT igual a este valor de E. Esta temperatura, sin embargo, es suficiente
tanto para fundir como para vaporizar todos los elementos conocidos.
Una caracterstica interesante de los semiconductores intrnsecos es que su
conductividad aumenta con el aumento de la temperatura. Esto es opuesto a la variacin de
la conductividad en los metales, donde el aumento en la temperatura decrece la
conductividad. En el caso de conductores metlicos, una red perfecta no deber ofrecer
resistencia al movimiento de los electrones al cero absoluto. A una temperatura elevada, sin
embargo, las vibraciones trmicas de la red cambian constantemente a los electrones de un
estado a otro en los estados cercanos al nivel de Fermi. Esto tiene el efecto de tender a
destruir el movimiento ordenado de los impartido por un campo elctrico y conduce a una
resistencia al flujo de la corriente elctrica. Las vibraciones trmicas, en consecuencia,
aumentan la resistencia de un metal, mientras que la hacen decrecer en un semiconductor.
1.12. Semiconductores impuros
Al hablar de semiconductores, es prctica usual llamar a la banda inferior banda de
valencia y a la superior banda de conduccin. Los semiconductores impuros se caracterizan
por tener niveles de energticos discretos que quedan en la abertura de la energa entre la
banda de valencia y la de conduccin. Estos niveles energticos estn asociados a la
presencia de tomos impuros en la red. Lo ms importante de los semiconductores impuros
son el silicio y el germanio. Ambos elementos pertenecen al mismo grupo en la tabla
peridica que el carbono, y cristalizan en la red covalente del diamante. Como resultado,
______________________________________________________________________
P.D-S
35
tienen una estructura de zona similar a la del diamante. Los tamaos en abertura respectivos
son de alrededor de 0,74 electrn voltios para el germanio, 1.10 electrn voltios para el
silicio, y 7 electrn voltios para el diamante. El diamante est calificado como aislador
debido a su gran abertura energtica, mientras que el tamao moderado en las aberturas de
las energas en el silicio y el germanio hace posible clasificar a estos elementos como
semiconductores intrnsecos. A temperatura ambiente, sin embargo, su conductividad
intrnseca es extremadamente baja y slo se vuelve apreciable cuando se les calienta a
temperatura de varios cientos de grados sobre el ambiente. En efecto, la conductividad
asociada normalmente con estos elementos a temperatura ambiente puede considerarse
como debida primordialmente a la presencia de tomos impuros en estos elementos.

Fig. 1.28 Niveles aceptantes en un semiconductor impuro.

En total, hay cuatro elementos que cristalizan en la estructura de diamante: carbono
(diamante), silicio, germanio y estao (gris). Cada uno de estos elementos posee cuatro
electrones de valencia. Hay dos formas de interpretar sus estructuras cristalinas. Primero,
desde el punto de vista covalente, podemos suponer que cada tomo est enlazado a sus
cuatro vecinos ms cercanos por enlaces covalentes, correspondiendo cada enlace a un par
de electrones compartidos. Alternativamente, de la teora de zona, sabemos que los enlaces
poseen suficientes electrones para llenar la primera zona y que en el diamante, silicio y
germanio hay una abertura energtica que separa la zona de valencia de la zona de
conduccin. Es interesante observar, sin embargo, la creencia de que estas zona se
sobreponen en el estao gris; un efecto que da a esta estructura las propiedades de un
conductor metlico.
Ahora consideremos especficamente los elementos silicio y germanio. Supngase
que un tomo con una valencia de tres (B, Al, Ga, In) es sustituido en el cristal de uno de
estos elementos por uno de los tomos de silicio o del germanio. Se supone as que uno de
los tomos impuros ocupa una de las posiciones de la red que normalmente sera ocupada
tal vez por un tomo de silicio (o de germanio). Como el tomo impuro slo contribuye al
fig. 1.28.
cristal con tres electrones de valencia, habr un electrn menos en el slido que el nmero
requerido para dar a cada tomo cuatro pares de electrones compartidos. Como resultado,
______________________________________________________________________
P.D-S
36
un enlace covalente slido debe tener slo un electrn de valencia simple. Partiendo del
concepto de zona, esto tiene el efecto de crear un nivel energtico ms lato en la banda de
valencia. La posicin de este nivel energtico relativo a la banda de valencia se muestra
esquemticamente en la fig. 1.28. La magnitud de la abertura en la energa entre la parte
superior de la banda de valencia y este nivel desocupado, que generalmente se conoce
como un nivel aceptante, se da en la tabla 1.2 para un nmero de elementos trivalentes. La
tabla muestra que la magnitud de las aberturas es alrededor de 0.01 electrn voltios, la cual
es del mismo orden que el valor de kT a temperatura ambiente alrededor de 1/40 electrn
voltios. Como el ltimo da una estimacin de la energa que las vibraciones trmicas
pueden impartir a un electrn, es evidente que la energa trmica puede rpidamente excitar
electrones desde la banda de valencia dentro de los niveles aceptantes a temperatura
ambiente. Cuando esto sucede, se deja un nivel de energa vacante o agujero detrs de la
banda de valencia. Como los agujeros en la banda de valencia son capaces de conducir
corrientes elctricas, la excitacin de electrones dentro de los niveles aceptantes da a los
slidos la habilidad para conducir corriente. Un semiconductor que exhibe conductividad
causada por lo movimientos de los agujeros en la banda de valencia se denomina
semiconductor tipo p, en el supuesto de que se considere a los agujeros como cargas
positivas. Debe indicarse aqu un medio alternativo para que los tomos impuros puedan
contribuir a las propiedades de semiconduccin.


Fig. 1.29 Niveles donadores en un semiconductor impuro.

Supngase un tomo con 5 electrones de valencia (P, As, Sb, Bi) que es sustituido dentro
de la red de un cristal de germanio o de silicio. En cualquiera de los casos, cada tomo
impuro contribuir con un electrn ms de los necesarios para formar los cuatro enlaces
covalentes por tomo en el slido. Desde la zona o teora de banda, este electrn extra
quedar en un nivel energtico que est muy por encima de los niveles asociados con la
banda de valencia y que, en general, cae justamente debajo de la banda de conduccin. En
la fig. 1.29 se muestra la posicin de estos niveles energticos, donde se les designa como
______________________________________________________________________
P.D-S
37
niveles donadores. En la tabla 1.2 se da la diferencia energtica entre el fondo de la banda
de conduccin y los niveles donadores para alguno de los elementos con una valencia de
cinco. Estas aberturas son comparables tambin al valor de kT a temperatura ambiente, de
manera que podemos suponer que los electrones que ocuparan normalmente estos niveles
TABLA 1.2 ABERTURAS DE LA ENERGA EN SEMICONDUCTORES
IMPUROS
*


Impuro En el germanio En el silicio
B 0.0104 0.045
Al 0.0102 0.057
Ga 0.0108 0.066
In 0.0112 0.160

Abertura de la energa entre le nivel aceptante
y la banda de valencia

Abertura de la energa entre le nivel donador
y la banda de conduccin

P 0.0120 0.044
As 0.0127 0.049
Sb 0.0096 0.039

son excitados en gran cantidad a temperatura ambiente dentro de los niveles de la banda de
conduccin. En la banda de conduccin, los electrones excitados dan al material la
habilidad de conducir una corriente elctrica. Los semiconductores, con habilidades
conductoras de corriente debidas primordialmente a la presencia de electrones excitados
desde niveles donadores dentro de la banda de conduccin, se conocen como de tipo n, o
semiconductores negativos.


















______________________________________________________________________
P.D-S
38
Referencias Bibliogrficas
Principios de metalurgia fsica / por Robert E. Reed-Hill ; [tr. por Antonio Galn Patio].
Mxico, D.F.: C.E.C.S.A., 1979.












































______________________________________________________________________
P.D-S
39
2. Estructura Electrnica de los tomos
2.1. Introduccin
Los progresos de la fsica y de la qumica en los ltimos cien aos han demostrado
que las propiedades dependen de su Estructura Interna (un todo estructurado es un conjunto
formado por partes ordenadas). Para la comprensin de las propiedades corrientemente
interesantes en Ingeniera (salvo en Ingeniera Nuclear), basta considerar a la materia
formada por tomos y a stos constituidos por electrones en torno a un ncleo de protones y
neutrones.
En los tomos libres y no excitados de cualquier elemento, el nmero de electrones
es idntico al nmero de protones; a tal valor se le llama el nmero atmico, Z. La carga del
electrn es negativa en tanto que la del protn es positiva y la del neutrn es nula; en valor
absoluto, la carga del protn y del electrn son idnticas.
Slo a principios de nuestro siglo se lleg a tener la adecuada evidencia
experimental como para que quedara irrefutablemente demostrado que la materia estaba
constituida por tomos y que, dentro de stos, se podan distinguir electrones y una parte
positiva, el ncleo (el cual es normalmente indivisible por mtodos convencionales).
En 1913, Neils Bohr propuso un modelo atmico que permiti, por primera vez,
interpretar adecuadamente los espectros de emisin y absorcin atmica. Para su modelo,
Bohr utiliz magistralmente ideas de diversas reas de la Fsica de su poca
(electromagnetismo, cuantificacin de la energa, etc.), como ideas originales de l.
A continuacin se presenta el modelo de Bohr y despus, esquemticamente, el
modelo atmico moderno.
2.2. Modelo Bohr
Versin original del modelo de Bohr
Para empezar, Bohr adhiri a la idea de que el electrn del hidrgeno giraba en
crculos en torno al ncleo (sistema planetario), en rbitas estacionarias (que no decaen).
Segn teora electromagntica clsica, los electrones acelerados (para mantener su
orbita circular) deben emitir radiacin electromagntica; ahora bien, al perder energa por
este mecanismo, los electrones deberan terminar por ser atrados al ncleo. Ante la
evidencia experimental de la estabilidad de las rbitas, Bohr plante el carcter estacionario
de las rbitas electrnicas como un postulado.
En tal movimiento, la fuerza centrfuga es compensada por la atraccin del
electrosttica, por lo que se tiene:
r mv r e / /
2 2 2
=
donde
e: valor absoluto de la carga del electrn.
r: radio de la rbita
m: masa del electrn
v: velocidad el electrn
En una rbita de radio r, la energa total del electrn (cintica + potencial) resulta ser:
r e mv r E
t
/ 2 / 1 ) (
2 2
=
Para las rbitas estacionarias posibles del nico electrn del hidrgeno, Bohr sugiri
que la cantidad de movimiento mv por la longitud de la rbita, r 2 , estaba 2cuantificado,
______________________________________________________________________
P.D-S
40
en trminos de un nmero entero de paquetes de movimiento de valor h, donde h es la
constante de Plank. La correspondiente expresin analtica es:
,
2
|
.
|

\
|
=
r
h
n mv

para n = 1,2,3,...
A n se le denomina el nmero cuntico principal. Con las tres ecuaciones anteriores
es posible calcular la energa del electrn y el radio correspondiente a las rbitas asociadas
a los diferentes valores permitidos de n. Se demuestra fcilmente que:
|
|
.
|

\
|
=
2 2
2
2
4
) (
me
h
n n r


o bien
, ) (
2
An n r = con
|
|
.
|

\
|
=
2 2
2
4 me
h
A


Adems,
2 2
2 4
2
) (
h n
m n e
n E
t

=
) (
) (
2
n r
e
n E
t

=
2
) (
n
B
n E
t

=















Fig. 2.1. Se muestran los resultados de r(n) y de E
t
(n).

As, Bohr calcul el radio y las energas de las rbitas electrnicas permitidas. Sin
embargo, ninguna de estas dos magnitudes pueden ser medidas directamente. Pero, como
veremos, con su modelo l lleg a interpretar los espectros de emisin y absorcin del
hidrgeno, interpretacin que entonces se consider una demostracin de la validez de sus
ideas.


0,529 2,116 4,761
R[A]
E
t
(n)[eV]
n =1
n =2 n =3
______________________________________________________________________
P.D-S
41
2.3. Los espectros experimentales
Bajo ciertas condiciones de excitacin (por luz, calor, etc.) los tomos emiten luz,
en general radiacin electromagntica (visible o no) policromtica. Al anlisis de esta luz
(en trminos de frecuencia) se le llama espectro.
Al calentar gas de hidrgeno, ste emite luz, la cual, con ayuda de un prisma, por
ejemplo, puede ser descompuesta y analizada, ver figura 2.2. Se observa que la luz as
emitida contiene ciertas frecuencias o rayas espectrales sobre un fondo continuo. Adems,
estas rayas espectrales se pueden agrupar en series; a cada serie se le puede asociar una
ecuacin emprica. Las primeras observaciones de este tipo se debieron a Balmer (1884)


Fig. 2.2 (a) Un espectro continuo conteniendo todas las longitudes de onda de la luz
visible. (b) El espectro del hidrgeno conteniendo solo unas pocas longitudes de onda
discretas.

______________________________________________________________________
P.D-S
42
Sobre la base de resultados de numerosos fsicos experimentales, se encontr las
frecuencias obtenidas experimentalmente para el hidrgeno, obedecen a la siguiente
relacin emprica:
| |
|
.
|

\
|
=

2 2
15 1
1 1
10 276 , 3
N n
s v
Cada una de las llamadas series resulta de fijar N y considerar varios valores de n. N
y n son enteros, mayores que cero y con N>n.
2.4. La interpretacin de los espectros
Para interpreta los espectros, Bohr recurri a la ecuacin de Planck-Einstein (1900),
la que establece que la energa de E de una radiacin est relacionada con su frecuencia
v por la ecuacin:
hv E =
donde h es la constante de Planck.
Segn postul Bohr, mientras el electrn de hidrgeno est en una rbita no emite
radiacin. Pero, cuando el electrn cambia de rbita, varia su energa, pues a cada rbita se
asocia una energa determinada. Ahora bien, si un electrn pasa de una rbita de mayor
energa E(N) a otra de menor energa E(n) , el electrn pierde energa. Segn Bohr, esta
energa se pierde en forma de radiacin electromagntica emitida de frecuencia v ,
debindose satisfacer la relacin hv n E N E = ) ( ) ( . Segn lo ya expuesto, se tiene:
2
) (
N
B
N E

= y
2
) (
n
B
n E

=
Resulta que debe cumplirse
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
2 2
1 1
n N h
B
v con N > n.
Al comparar las ecuaciones de la frecuencia resultantes del modelo de Bohr y de los
experimentos, se lleg a la conclusin de que haba una buena concordancia entre ellas.
Este fue el gran logro del modelo de Bohr.
Lo que se ha presentado corresponde a los espectros de emisin, algo similar se
puede hacer para los espectros de absorcin. En una espectro de absorcin hay que
considerar que las radiaciones externas que pueden ser absorbidas por los electrones de las
rbitas, estn limitadas a aquellas que corresponden exactamente a las diferencias de
energa entre una rbita inferior y una superior contigua.


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Fig. 2.3 Transiciones electrnicas en el modelo de Bohr para el tomo de hidrgeno. (a) Un
diagrama de niveles de energa para las transiciones electrnicas. (b) Un diagrama de
transicin de orbitales. (c) Los espectros resultantes sobre un plano fotogrfico.



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44
2.5. Modificaciones al modelo de Bohr
El modelo de Bohr pudo explicar bastante bien el aspecto general del espectro de
hidrgeno. Sin embargo, no lograba explicar el desdoblamiento de ciertas gruesas lneas
espectrales en otras ms finas, bajo efectos de campos elctricos y/o magnticos. Esto llev
a pensar que dentro de cada rbita o capa, descrita por el nmero cuntico principal n, haba
varias posibilidades de energa y no una sola.
As es como Sommerfeld propuso que las rbitas no eran necesariamente circulares, sino
que, en general podan ser elpticas. Cada elipse puede ser caracterizada por un coeficiente
de forma o excentricidad, que corresponde al cuociente entre el dimetro mayor y el
dimetro menor de la elipse. Segn Sommerfeld, los coeficientes de forma de las elipses
posibles para una capa de nmero n dado, estn limitados a ciertos valores dependientes del
segundo nmero cuntico, l; ste ltimo puede tomar valores enteros, segn l = 0, 1, ... (n-
1).
En particular, l =0 corresponde a un caso extremo de elipse, la circunferencia. El nmero l
resulta de la cuantificacin del momento magntico de la rbita electrnica.
Ese momento magntico se relaciona con la geometra de la rbita que describe la
carga elctrica del electrn.
Mientras mayor es l, ms excntrica es la elipse. A l se le llama nmero cuntico
azimutal.
Ejemplo:
Determinar e ilustrar esquemticamente la variedad de rbitas elpticas posibles en el caso
de una capa con n = 3.
Para un n = 3, los valores posibles de l son 0, 1 y 2. Tres tipos de elipses, el primero de los
cuales corresponde a una circunferencia.

2.6. Nomenclatura
Para las capas caracterizadas por el nmero cuntico principal n, y para los sub-niveles o
sub-capas caracterizadas por el nmero l, a menudo se usan letras, segn la tabla que sigue.











Tabla 2.1. Nomenclatura para capas y tipos de orbitales

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45
Al moverse un electrn en una rbita, por el hecho de ser una carga elctrica, se
genera un dipolo magntico; bajo los efectos de un campo magntico externo estos dipolos
se orientan. La energa potencial del dipolo magntico en un campo depende de la
orientacin del dipolo respecto de dicho campo. Este nuevo trmino de energa potencial
influye en la posicin de las lneas espectrales. Aprovechando la informacin contenida en
los espectros se pudo deducir que una sub-capa de tipo l poda adoptar 2l + 1 orientaciones
diferentes respecto de un campo externo. De este modo aparece el tercer nmero cuntico o
nmero cuntico magntico m, que da cuenta de otro trmino de energa, asociado a las
orientaciones de las sub-capas y que adopta valores enteros comprendidos entre l y +l.
Finalmente, se determin la existencia de un cuarto nmero cuntico
correspondiente al spin electrnico. Este cuarto nmero se interpret clsicamente como
asociado al movimiento de rotacin del electrn sobre s mismo. El nmero s adopta los
valores de +1/2 y 1/2, valores con los cuales se calcula otro trmino de energa. A menudo
estos dos valores posibles se ilustran por una flecha con una punta hacia arriba y por otra
con la punta hacia abajo.
Cada combinacin diferente de n, l y m corresponde a un nico estado cuntico
llamado un orbital.
El principio de exclusin de Pauli puede expresarse como que dos electrones en un
mismo sistema no pueden tener exactamente la misma energa; de modo equivalente, no
pueden tener los 4 nmeros cunticos iguales. As, de acuerdo a este principio, cada orbital
no puede contener ms de dos electrones. Y a condicin de que estos ltimos tengan spines
opustos.
Ejemplo:
En una capa n = 3, podra haber hasta cuntos electrones?
n = 3
l = 0 1 2
m = 0 -1,0,+1 -2,-1,0,+1,+2
Total: 9 orbitales, con capacidad de dos electrones cada uno, luego la respuesta es 18
electrones.
2.7. Limitaciones del modelo
El modelo de Bohr con sus modificaciones (desarrollado entre 1913 y 1926)
explicaba bastante bien la ubicacin de las lneas del espectro del H ( Z = 1); pero ya en la
interpretacin del He ( Z = 2) tena serias limitaciones. De esta manera que con todos sus
ajustes, el modelo de Bohr, ahora incluyendo estos cuatro nmeros cunticos, describa
muy bien la ubicacin de las rayas (colores, frecuencias o longitudes de onda) del espectro
de hidrgeno. Sin embargo, este modelo no predeca correctamente los espectros de
cualquier otro tomo ms complicado. Adems, dicho modelo tampoco era capaz de
explicar las intensidades de las rayas espectrales. (Tampoco era correcto en trminos de la
geometra de los orbitales).
Una explicacin ms adecuada de la estructura electrnica se basa en ideas de la
Fsica Moderna (mecnica ondulatoria, Principio de Incertidumbre de Heisemberg, etc.),
que trataremos esquemticamente a continuacin. Al desarrollo de una teora ms
satisfactoria contribuyeron numerosos cientficos de esa poca.


______________________________________________________________________
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46
2.8. Modelo Moderno
Bases del modelo
Hacia 1920, ya estaba claro que las radiaciones electromagnticas (luz visible, rayos
x, etc.) tenian, adems de un evidente carcter ondulatorio, un carcter corpuscular. En
particular, para la luz se ha definido los corpsculos o paquetes de energa denominados
fotones. La energa E de un fotn queda dada por la ecuacin de Planck E = hv. Pues bien,
en 1924, de Broglie propuso que los corpsculos materiales tambin deban tener un
carcter ondulatorio y que deban tener una longitud de onda asociada . A partir de las
relaciones ya conocidas para la luz, de Broglie propuso que la cantidad de movimiento
) ( mv p = de un electrn cumpla con la relacin p h / = .
Incidentalmente, en 1927, Greninger y Germer demostraron experimentalmente que los
electrones tenan tambin un carcter ondulatorio, revalidando irrefutablemente la idea
previa concedida por de Broglie.
De Broglie, tambin sugiri que los nmeros enteros n asociados a las rbitas
estacionarias deban tener que ver con los modos normales de vibracin de las ondas
estacionarias. Entonces, para una rbita circular estacionaria, el crculo r 2 deba ser igual
a n veces la longitud de onda, de donde:
n r = 2
=
mv
h

mv
h
n r = 2
) 2 ( r
h
n mv p

= =
Ntese que este ltimo resultado corresponde a uno de los postulados de Bohr.
Otra de las ideas bsicas en la teora atmica moderna es el principio de
incertidumbre de Heisemberg que establece que no podemos medir ciertas parejas de
magnitudes fsicas (variables conjugadas) con una precisin infinita . Esta es una limitacin
de principio, no debida a errores experimentales. As, si
x
p es la precisin con que
queremos medir la cantidad de movimiento de una partcula y x es la precisin deseada
para definir su posicin, estas variables deben satisfacer la desigualdad:
2
h
x p
x
con | | seg erg h =
27
10 63 , 6
Dado que el valor de h es pequeo, resulta que esta limitacin prcticamente no
afecta los objetos que observamos habitualmente, pero si afecta a los electrones y protones.
As, para estos ltimos objetos debemos pensar en una distribucin probabilstica en cuanto
a su posicin y velocidad.
Para referirse a la amplitud de la onda electrnica, Schrdinger utiliz la letra ,
que denota la funcin de onda. Siendo las rbitas estados estacionarios de vibracin, las
ondas electrnicas deban satisfacer una ecuacin diferencial matemticamente anloga a la
condicin de una cuerda vibrante fija en sus extremos. La ecuacin de Schrdinger (1929)
para las ondas electrnicas estacionarias en una dimensin, es:
( ) 0
8
2 2
2
= + V E
h
m
dx
d
t


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:
t
E energa electrnica total.
:
p
E energa electrnica potencial
Es til recordar que para una cuerda vibrante, fija en sus extremos, la ecuacin diferencial
correspondiente es:
0
4
2
2
2
2
=
|
|
.
|

\
|
+ u
dx
u d


donde u es el desplazamiento transversal de un segmento de cuerda dx; x es la distancia a lo
lago de la cuerda y es la longitud de la onda
Debemos destacar que estamos trabajando con leyes que son exactas, pero que son
leyes de probabilidad. Las leyes de la mecnica cuntica son leyes que no determinan el
estado (velocidad-posicin) de las cosas.
En tres dimensiones, la ecuacin de Schrdinger se escribe:
( ) 0
8
2
2
2
= + V E
h
m
t


A continuacin slo comentaremos los resultados de estos clculos y la
interpretacin fsica correspondiente, sin introducir los detalles matemticos de su
deduccin.
2.9. Resultados del Modelo Moderno
Las soluciones de la ecuacin de ondas para las distribuciones electrnicas en torno
de un ncleo, son estrictas usualmente en la forma ) , , ( r = . Estas soluciones son
similares a las de la ecuacin de la cuerda vibrante, en el sentido de que estn cuantificadas
y que contienen un nmero entero de nodos, pero la interpretacin fsica de una solucin
para un electrn es fundamentalmente diferente de la de una cuerda.
Interpretacin del cuadrado de la funcin de onda
En primer lugar, la funcin de onda no puede ser interpretada simplemente como
una amplitud, porque el principio de incertidumbre establece que no podemos conocer la
posicin de un electrn con suficiente precisin como para especificarlo de esta manera.
Pero Bohr lleg a la interpretacin siguiente en 1926: dV
2
es la probabilidad de que el
electrn sea encontrado en el volumen dV . Para una funcin esfricamente simtrica,
centrada en el ncleo, dV
2
es la probabilidad de que el electrn sea encontrado entre r y r
+ dr respecto del centro atmico. Esta interpretacin parece razonable, considerando la
siguiente analoga: conocemos que en el caso de la luz, la intensidad (y por lo tanto, la
probabilidad de encontrar fotones), es proporcional al cuadrado de la amplitud de la onda
luminosa.
Nodos y energa
Otra caracterstica de la funcin de onda que la distingue de la amplitud de una
cuerda, es que se trata de una funcin tridimensional y, que generalmente, sus nodos (sitios
donde 0 = ), sern superficies en vez de puntos. Las posiciones de estos nodos en torno
del ncleo indican dnde ser nula la probabilidad de encontrar un electrn.
Por otra parte, cuanto mayor sea el nmero de nodos en la funcin de onda de un
electrn, mayor ser su energa. Una aproximacin razonable a la energa del electrn en un
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estado permitido, movindose en torno a una carga positiva unitaria, est dada nuevamente
por la ecuacin de Bohr:
| | eV
n h n
me
E
2 2 2
4 2
6 , 13 2
= =

,
donde m la masa del electrn, e su carga y n es un entero mayor que cero llamado nmero
cuntico principal.
Nmeros cunticos
En contraste con las soluciones del problema de la cuerda vibrante unidimensional,
que estn caracterizados por un conjunto de nmeros cunticos (el nmero de nodos a lo
largo de la cuerda), la solucin de la ecuacin de onda tridimensional debe tener tres
conjuntos de nmeros cunticos, todos ellos enteros. Estos nmeros cunticos dela solucin
de la ecuacin de Schrdinger tiene similar interpretacin y rango que los nmeros
cunticos del modelo de Bohr, ya presentados; por ello, se usa la misma nomenclatura n, l y
m.
El spin asociado al electrn mismo, tambin debe ser considerado en el modelo
moderno.
Orbitales
Cada combinacin diferente de n, l y m corresponde a un nico estado cuntico
llamado orbital. De acuerdo con el principio de exclusin de Pauli, cada orbital no puede
contener ms que dos electrones y esos dos deben tener spines opuestos (designados
usualmente por un cuarto nmero s, cuyos valores son nicamente +1/2 y 1/2.
Geometra de los orbitales
En esta breve presentacin cabe estacar una diferencia fundamental entre los
modelos, la que se relaciona con la geometra de los orbitales. El conocimiento de la
correcta geometra de los orbitales, particularmente la de los ms externos, es fundamental
para el posterior estudio de los enlaces y del comportamiento de los tomos cuando
interactan con otros tomos. Desde el punto de vista terico, conocer la geometra de los
orbitales, corresponde a conocer la distribucin espacial de la funcin .
2
dV
En el modelo moderno, las geometras corresponden a nubes tridimensionales de
probabilidad asociadas, como en el modelo de Bohr, a los distintos valores de l. Ya
mencionamos que, usualmente, en lugar de los valores numricos de l, se emplean las letras
s, p, d y f.
Solamente los orbitales con l = 0, es decir, tipo s, presentan, aisladamente
considerados, simetra esfrica, ver figuras 2.4 y 2.5.
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Fig. 2.4 Dos representaciones para los orbitales 1s, 2s y 3s del tomo de hidrgeno.
(a) probabilidad de la distribucin del electrn. (b) superficie que contiene un 90% de la
probabilidad de distribucin del electrn.

Por otra parte, aunque cada uno de los orbitales p dentro de una capa no es
simtrico, ver figura 2.5, se puede demostrar que la suma de los tres orbitales completos p
s lo es. As, si los tres orbitales p de una capa estn completos (con seis electrones), tales
orbitales forman un conjunto de simetra esfrica. Similarmente ocurre con los cinco
orbitales d y con los siete orbitales f.
Estructura electrnica de los elementos
Con lo que hemos visto, ahora es posible describir la estructura de los tomos, no
slo de hidrgeno, al estado fundamental. En principio, con el modelo moderno es posible
llegar a calcular en forma razonablemente correcta y para los diferentes elementos:
Los nmeros cunticos y la energa de los orbitales.
La geometra de stos.
Para el caso del hidrgeno, los valores de los niveles de energa son muy similares
para ambos modelos. Como ya vimos, si hay diferencias en las geometras de los orbitales.
Consideremos la figura 2.5 donde se destacan algunos resultados cualitativos (correctos)
del modelo Bohr, respecto de la energa de los orbitales. Se observa que, al aumentar n, la
diferencia de energa entre dos capas sucesiva se hace menor y, adems, aumenta la
subdivisin de cada capa de orbitales. Por lo tanto, al aumentar n, se hace ms probable la
superposicin de orbitales, en trminos de energa, de capas con distinto n.

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Fig. 2.5 Representacin de los orbitales 2p.























El esquema de cajas de la figura 2.7 ilustra la ubicacin relativa en energa de los
distintos orbitales. Cada crculo representa un orbital. Obsrvese que el orbital 4s
presenta una energa muy prxima (y para muchos elementos, menor)que la del orbital 3d.
Por otra parte, los valores precisos de las energas de los orbitales dependen de cada
elemento. Cada elemento es un problema diferente, con distintas condiciones de borde,
pues no slo cambia el nmero de electrones, sino que tambin el ncleo. En efecto, para
cada elemento caracterizado por su nmero Z y por sus partculas en el ncleo diferente de
los protones, tenemos un conjunto especfico de valores de energa. Pero, podemos usar, en
d
p
s
p
s
n = 2
n = 3
E
t

n = 1
s
Fig. 2.6. Al aumentar n aumenta la tendencia a que se superpongan en
energa los orbitales con valores de n.
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forma cualitativa y slo como primera aproximacin, la distribucin relativa de energas del
hidrgeno, sin valores, como un grfico maestro para orientarnos respecto del orden en
energa en el cual se encuentran los orbitales de cualquier elemento, ver figura 2.7. En la
prctica, cuando el Z se hace suficientemente grande, por la posible superposicin de
orbitales de mayor energa, hay que estudiar experimentalmente lo que ocurre para cada
elemento y, de ser posible, hay que calcular con suficiente precisin las energas de los
orbitales elemento a elemento.























Para Determinar las frmulas electrnicas de los elementos al estado fundamentales,
a menudo es suficiente designar solamente los valores de n y l y el nmero de electrones en
cada nivel l, ver tabla 2.2. En el estado fundamental, por definicin, el conjunto de los
electrones del tomo estn en la condicin de mnima energa. Por ejemplo, (1s)
1
representa
al hidrgeno con Z = 1, (1s)
2
representa al helio con Z = 2, (1s)
2
(2s)
2
(2p)
4
al oxgeno con Z
= 8. Obsrvese que los valores permitidos de m y s, determinan cuntos electrones se
requieren para llenar el estado l.









5s
4d
5p
6s 4f
5d
6p
E
N
E
R
G
Y
Fig. 2.7 Ubicacin Cualitativa de los niveles
electrnicos segn energas relativas.
4p
3d
4s
3p
3s
2p
2s
1s
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La estructura electrnica del Na
0
(Z = 11) al estado fundamental, esta ilustrada en la
figura 2.8.

Fig. 2.8 Configuracin del Na con modelo de cajas y de letras.

Cabe sealar que para definir detalladamente la frmula electrnica de algunos
elementos, hay que considerar tambin el principio de Hund. Este establece que en la
medida de lo posible, los electrones en un mismo tipo de orbital caracterizado por l,
tendern a presentar spines paralelos. (Tambin en un conjunto de orbitales hibridizados)
En la tabla 2.2 ntese tambin la particular estructura electrnica exterior de los
elementos desde Z = 19 hasta Z = 28. A los elementos desde Z = 21 hasta Z = 28 se les
llama ELEMENTOS DE LA PRIMERA SERIE DE METALES DE TRANSICIN. Hay
otras series de transicin superiores. En esta serie se encuentran muchos metales de inters
industrial.
Anlisis qumico por espectrometra
Incidentalmente, de lo expuesto en este captulo se deduce que cada elemento tiene
sus propias rayas espectrales, asociadas a las transiciones electrnicas, las que lo
caracterizan como una huella digital. Ello se puede emplear para anlisis qumico por
espectrometra: los colores identifican a los elementos (anlisis cualitativo) y la intensidad
de los colores, con una calibracin adecuada, permiten saber cunto hay de dicho elemento
(anlisis cuantitativo). El modelo moderno permite abordar, en principio (pero con
dificultad) el clculo de las intensidades de las rayas espectrales.

















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TABLA 2.2. CONFIGURACIONES ELECTRNICAS DE LOS ELEMENTOS






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Referencias Bibliogrficas
Fisicoqumica / Ira N. Levine ; traduccin Angel Gonzlez Urea. Madrid : McGraw-Hill,
1996.
Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales / William F. Smith ; traduccin Alicia
Larena Pellejero. Madrid : McGraw-Hill, 1998.










































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55
3. Estructura y Geometra Cristalinas
3.1. Redes espaciales y celdas unitarias
La importancia en la ingeniera de la estructura fsica de los materiales slidos depende
principalmente de la disposicin de los tomos, iones o molculas que constituyen el slido
y de las fuerzas de enlace entre ellos. Si los tomos o iones de un slido se ordenan de una
disposicin que se repite en tres dimensiones, forman un slido del que se dice tiene una
estructura cristalina y nos referimos a l como un slido cristalino o material cristalino.
Ejemplos de materiales cristalinos son metales, aleaciones y algunos materiales cermicos.

Fig. 3.1 (a) Retculo espacial de un slido cristalino ideal. (b) Celdilla unidad
con indicacin de las constantes reticulares.

El ordenamiento atmico en los slidos cristalinos puede representarse asimilando
los tomos a los puntos de interseccin de una red de lneas en tres dimensiones. Tal red se
llama retculo espacial (fig. 3.1a) y puede ser descrita como una disposicin de puntos
tridimensional infinita. Cada punto en la red espacial tiene idntico entorno. En un cristal
ideal, la agrupacin de puntos reticulares alrededor de cualquier punto dado es idntica con
la agrupacin en torno a cualquier otro punto reticular en la red cristalina. Cada red espacial
puede ser descrita de este modo, especificando las posiciones atmicas en una celda unidad
que se repite, tal como la que se ha perfilado en la figura 3.1a. El tamao y la forma de la
celda unidad puede describirse por tres vectores reticulares a, b y c, que se originan a partir
de un vrtice de la celda unidad (fig.3.1b). Las longitudes axiales a, b, y c y los ngulos
inter-axiales , y son las constantes reticulares.
3.2. Sistemas Cristalinos y Redes de Bravais
Asignando valores especficos para las longitudes axiales y los ngulos inter-axiales, se
pueden construir deferentes tipos de celda unidad. Los cristalgrafos han mostrado que son
necesarias slo siete tipos diferentes de celda unidad para crear todas las redes puntuales.
Estos sistemas se recogen en la tabla 3.1.
La mayor parte de estos siete sistemas cristalinos presentan variaciones de la celda
unidad bsica. A. J. Bravais mostr que las 14 celdas unidad estndar podan describir
todas las estructuras reticulares posibles. Estas redes de Bravais se ilustran en la figura 3.2.
Hay cuatro tipos bsicos de celda unidad: (1) Sencilla, (2) Centrada en el cuerpo, (3)
Centrada en las caras, y (4) Centrada en la base.
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En el sistema cbico hay tres tipos de celda unidad: cbica sencilla, cbica centrada
en el cuerpo y cbica centrada en las caras. En el sistema ortorrmbico estn representados
los cuatro tipos. En el sistema tetragonal hay slo dos: sencilla y centrada en el cuerpo. La
celda unidad tetragonal centrada en las caras parece que falta, pero se puede formar a partir
de cuatro celdas unidad tetragonales centradas en el cuerpo. El sistema monoclnico tiene
celdas unidad sencilla y centrada en la base, y los sistemas rombodrico, hexagonal y
triclnico tiene slo una celda unidad.
3.3. Principales estructuras cristalinas metlicas
En este captulo se discutirn con detalle las principales estructuras de metales elementales.
La mayora de los metales elementales (cerca del 90%) cristalizan en tres estructuras
cristalinas densamente empaquetadas: cbica centrada en el cuerpo (BCC) (fig. 3.3a),
cbica centrada en las caras (FCC) (fig. 3.3b) y hexagonal compacta (HCP) (fig. 3.3c). La
estructura HCP es una modificacin ms densa de la estructura cristalina hexagonal sencilla
(fig. 3.2). La mayor parte de los metales cristaliza en estas estructuras densamente
empaquetadas debido a que se libera energa a medida que los tomos se aproximan y e
enlazan cada vez ms estrechamente entre s. De este modo, dichas estructuras densamente
empaquetadas se encuentran en disposiciones u ordenamientos de energa cada vez ms
baja y estable.
El pequeo tamao de las celdillas unidad de los metales cristalinos que se muestran
en la figura 3.3 debera ser el resultado: La arista del cubo de la celda unidad del hierro
cbico centrado en el cuerpo, por ejemplo, a temperatura ambiente es igual a 0,287*10
-9
m,
0,287 nammetros (nm). Por consiguiente, si las celdas unidad de hierro puro estuvieran
alineadas arista con arista en 1mm, habra:
unidad celdas
nm mm nm
unidad celda
mm
6
6
10 48 , 3
/ 10 287 , 0
1
1 =



Examinemos ahora detalladamente la disposicin de los tomos en las celdas unidad
de las tres principales estructuras cristalinas. Aunque sea slo sea una aproximacin,
consideremos a los tomos de estas estructuras como esferas rgidas. Las distancia entre los
tomos (distancia interatmica) en las estructuras cristalinas puede ser determinado
experimentalmente por anlisis de difraccin de rayos X. Por ejemplo, la distancia
interatmica entre dos tomos de aluminio en un fragmento de aluminio puro a 20C es
0,2862 nm. Se considera que el radio del aluminio en el aluminio metal es la mitad de la
distancia interatmica, 0,143 nm. Los radios atmicos de determinados tomos metlicos
son recogidos en las tablas 3.2 y 3.4.
En primer lugar consideremos la situacin de los tomos en la celda unidad para la
estructura cristalina BCC mostrada en la figura 3.4a. En esta celda unidad las esferas
slidas representan los centros donde los tomos estn localizados e indican claramente sus
posiciones relativas. Si representamos los tomos en estas celdas como esferas rgidas,
entonces la celda unidad presentar el aspecto en la figura 3.4b. En esta celda unidad
podemos observar que el tomo central se encuentra rodeado por otros ocho vecinos ms
cercanos y se dice tiene un nmero de coordinacin de 8.
Si asilamos una celda unidad sencilla de esferas rgidas, obtendremos el modelo
mostrado en la figura 3.4c. Cada una de estas celdas tiene el equivalente de dos tomos por
celda unidad. Un tomo completo est localizado en el centro de la celda unidad, y un
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57
octavo de esfera est localizado en cada vrtice de la celda unidad, haciendo el equivalente
de otro tomo. De este modo, hay un total de 1 (en el centro) + 8*1/8 (en los vrtices) = 2
tomos por celda unidad.

TABLA 3.1 CLASIFICACIN DE RETCULOS ESPACIALES EN SISTEMAS
CRISTALINOS
Sistema
Cristalino
Longitudes axiales y
ngulos interaxiales
Retculos espaciales
Cbico Ejes iguales en ngulos rectos.
a = b = c, 90 = = =
Cbico sencillo.
Cbico Centrado en el
cuerpo.
Cbico centrado en las
caras.
Tetragonal Ejes en ngulos rectos.
90 , = = = = c b a
Tetragonal sencillo.
Tetragonal centrado en el
cuerpo.
Ortorrmbico Ejes distintos en ngulos rectos.
90 , = = = c b a
Ortorrmbico sencillo
Ortorrmbico centrado en
el cuerpo.
Ortorrmbico centrado en
las bases.
Ortorrmbico centrado en
las caras.
Rombodrico Ejes iguales inclinados por igual.
90 , = = = = c b a
Rombodrico sencillo.
Hexagonal Ejes iguales a 120 y a 90 con el
tercero.
120 , 90 , = = = = c b a
Hexagonal sencillo.
Monoclnico Ejes distintos, dos de ellos no
forman ngulo recto.
= = 90 , c b a
Monoclnico sencillo.
Monoclnico centrado en
las bases.
Triclnico Ejes distintos con distinta
inclinacin y ninguno en ngulo
recto.
90 , c b a
Triclnico sencillo.

Los tomos en las celdas BCC contactan entre s a travs de la diagonal del cubo,
segn indican en la figura 3.5, de modo que la relacin entre la longitud de la cara del cubo
a y el radio atmico R es:
3
4
4 3
R
a bien o R a = =

Si los tomos en la celda BCC se consideran esfricos, el factor de
empaquetamiento atmico (APF) puede calcularse usando la ecuacin:

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BCC unidad celda la de volumen
BCC celda la en tomos de volumen
APF =

A continuacin consideremos la celda reticular unitaria FCC de la figura 3.6a. En
esta celda unidad hay un punto reticular en cada vrtice del cubo y otro en el centro de cada
cara del cubo. El modelo de esferas slidas del la figura 3.6b indica que los tomos de esta
estructura estn unidos del modo ms compacto. El APF de esta estructura de
empaquetamiento compacto es 0,74 que al compararla con el valor de 0,68 para la
estructura BCC, indica que sta no es compacta.
La celda FCC, segn muestra la figura 3.6c, tiene el equivalente a cuatro tomos por
celda unidad. Los ocho octavos de tomo de los vrtices cuentan por uno entero (8*1/8 = 1)
y los seis medios tomos en las caras del cubo contribuyen con otros tres tomos ms,
haciendo un total de cuatro tomos por celda unidad. Los tomos en la celda FCC contactan
entre s a lo largo de la diagonal de la cara del cubo, segn se observa en la figura 3.7, de tal
modo que la relacin entre la longitud de la cara del cubo y el radio atmico es:
2
4
4 2
R
a bien o R a = =

El APF para la estructura FCC es 0,74 que es mayor que el factor 0,68 de la
estructura BCC. El APF de 0,74 es el mximo posible para empaquetamiento de tomos
esfricos. Muchos metales como Cu, Al, Pb, Ni y Fe a elevadas temperaturas (912 a
1394C) cristalizan segn la estructura FCC. La tabla 3.3 muestra las constantes reticulares
y los radios atmicos para los metales seleccionados con estructura FCC.
La tercera estructura electrnica ms comn es la HCP, mostrada en la figura 3.8.
Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla de la figura 3.2 porque el APF
es demasiado bajo. Los tomos pueden alcanzar una energa ms baja y unas condiciones
ms estables para formar la estructura HCP de la figura 3.8. El APF de esta estructura es
0,74 el mismo que para la estructura FCC, ya que para ambas estructuras los tomos estn
empaquetados de un modo lo ms cercano posible. En ambas estructuras, HCP y FCC, cada
tomo est rodeado de otros 12 tomos y por tanto ambas estructuras tienen un nmero de
coordinacin 12. Las diferencias en el empaquetamiento atmico en las estructuras
cristalinas HCP y FCC sern estudiadas ms adelante.
La celda unidad HCP aislada aparece representada en la figura 3.8c y tiene un
equivalente de seis tomos por celda unidad. Tres tomos forman un tringulo en la capa
intermedia, como se indica por las posiciones atmicas en la figura 3.8a. Existen 6*1/6
secciones de tomos en las capas de arriba y de abajo, haciendo un equivalente de 2 tomos
ms (2*6*1/6 = 2). Finalmente, hay dos mitades de tomos en el centro de ambas capas
superior e inferior, haciendo el equivalente de un tomo ms. El nmero total de tomos en
la estructura HCP es, por tanto, 3 + 2 + 1 = 6.
La relacin de la altura c del prisma hexagonal de la estructura cristalina HCP al
lado de la base a, se llama relacin c/a (fig. 3.8a). La relacin c/a para una estructura
cristalina HCP ideal consistente en esferas uniformes tan prximas como sea posible es
______________________________________________________________________
P.D-S
59


Fig. 3.2 Las 14 celdillas unidad convencionales de la red de Bravais agrupadas por sistemas
cristalinos. Las esferas indican puntos reticulares que cuando estn situados en las caras o
en los vrtices estn compartidos con otras celdillas unidad reticulares idnticas.

1,633. La tabla 3.4 muestra algunos metales HCP importantes y sus relaciones c/a. De los
metales listados, cinc y cadmio tienen una relacin c/a ms lata de lo ideal, lo que indica
que los tomos en estas estructuras estn ligeramente elongadas a lo largo del eje c en la
celda unidad HCP. Los metales de magnesio, circonio, titanio y berilio tienen relaciones c/a
menores que la relacin ideal. Por tanto, en estos metales los tomos estn ligeramente
comprimidos a lo largo de la direccin del eje c. De este modo, para los metales HCP
listados en la tabla 3.4 se da una cierta cantidad de desviacin del modelo ideal de esferas
rgidas.

______________________________________________________________________
P.D-S
60

Fig. 3.3 Celdillas unidad de las principales estructuras cristalinas metlicas.
(a) Cbica centrada en el cuerpo; (b) Cbica centrada en lasa caras;
(c) Hexagonal compacta.


Fig. 3.4 Celdillas unidad BCC; (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas;
(c) celdilla unidad aislada.

TABLA 3.2 ALGUNOS METALES CON ESTRUCTURAS CRISTALINAS BCC A
TEMPERATURA AMBIENTE (20C), SUS CONSTANTES RETICULARES Y SUS
RADIOS ATMICOS.
Metal Constante Reticular (a), nm Radio atmico R*, nm
Cromo 0.289 0.125
Hierro 0.287 0.124
Molibdeno 0.315 0.136
Potasio 0.533 0.231
Sodio 0.429 0.185
Tntalo 0.330 0.143
Wolframio 0.316 0.137
Vanadio 0.304 0.132








______________________________________________________________________
P.D-S
61

Fig. 3.5 Celdilla unidad BCC que muestra la relacin entre la constante
de red y el radio atmico.


Fig. 3.6 Celdillas unidad FCC: (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas;
(c) celdilla unidad aislada.

TABLA 3.3 ALGUNOS METALES CON ESTRUCTURAS FCC A TEMPERATURA
AMBIENTE (20C), SUS CONSTANTES DE RED Y SUS RADIOS ATMICOS.
Metal Constante de red (a), nm Radio atmico R*, nm
Aluminio 0.405 0.143
Cobre 0.3615 0.128
Hierro 0.408 0.144
Plomo 0.495 0.175
Nquel 0.352 0.125
Platino 0.393 0.139
Plata 0.409 0.144





______________________________________________________________________
P.D-S
62

Fig. 3.7 Celdilla unidad FCC que muestra la relacin entre la constante de red y el radio
atmico R. Los tomos contactan a lo largo de las diagonales de las caras R a 4 2 = .

TABLA 3.4 ALGUNOS METALES CON ESTRUCTURA HCP A TEMPERATURA
AMBIENTE (20C), SUS CONSTANTES DE RED, SUS RADIOS ATMICOS
REALACIONALES c/a.

Metal

Constantes de
red, nm

Radio atmico
R, nm

Relacin
% de variacin
de la relacin
ideal
a c c/a
Cadmio 0.2973 0.5618 0.149 1.89 +15.7
Cinc 0.2665 0.4947 0.133 1.856 +13.6
HCP ideal 1.633 0
Magnesio 0.3209 0.5209 0.160 1.623 -0.66
Cobalto 0.2507 0.4069 0.125 1.623 -0.66
Circonio 0.3231 0.5148 0.160 1.593 -2.45
Titanio 0.2950 0.4683 0.147 1.587 -2.81
Berilio 0.2286 0.3584 0.113 1.586 -3.98

3.4. Posiciones atmicas en las celdas unidad cbica
Para localizar las posiciones atmicas en las celdas unidad utilizamos el sistema de ejes x,
y, y z. En cristalografa, el eje x positivo es normalmente la direccin perpendicular al plano
del papel, el eje y positivo es la direccin hacia la derecha del papel y el eje z positivo es la
direccin hacia la parte superior. Las direcciones negativas son las opuestas a las que se
acaban de describir.
Las posiciones atmicas en celdas unitarias se localizan usando distancias unidad a
lo largo de los ejes x, y, y z como se indica en la figura 3.9a. Por ejemplo las coordenadas
de posicin para los tomos en la celda unidad BCC se muestran en la figura 3.9b. Las
posiciones atmicas para los ocho tomos situados en los vrtices de la celda unidad BCC
son
(0,0,0) (1,0,0) (0,1,0) (0,0,1)
(1,1,1) (1,1,0) (1,0,1) (0,1,1)
______________________________________________________________________
P.D-S
63


Fig. 3.8 Celdillas unidad HCP: (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas;
(c) celdilla unidad aislada.

El tomo central de la unidad celular BCC tiene las coordenadas (1/2,1/2,1/2). Las
posiciones atmicas de la celda unidad que son (0,0,0) y (1/2,1/2,1/2). Las posiciones
atmicas restantes de la celda unidad se suponen comprendidas. De la misma manera, las
posiciones atmicas en la celda unidad FCC pueden ser localizadas.
3.5. Direcciones en celdas unidad cbicas
A menudo, es necesario referirnos a posiciones especficas en las redes cristalinas.
Esto es especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que varan con
la orientacin cristalogrfica. Para cristales cbicos los ndices de las direcciones
cristalogrficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltos a lo largo de
cada eje coordenado y reducidas a los enteros ms pequeos.
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P.D-S
64
Para indicar en un diagrama una direccin en una celda cbica unitaria, dibujamos
un vector de direccin desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cbica)
hasta que sale a la superficie del cubo (fig. 3.10). Las coordenadas de posicin de la celda
unidad donde el vector de direccin sale de la superficie del cubo despus de ser
convertidas a enteros son los ndices de direccin. Los ndices de direccin se encierran
entre corchetes [ ] sin separacin por comas.


Fig. 3.9 (a) Ejes rectangulares x, y, z, para la localizacin de las posiciones atmicas
en celdillas unidad cbicas. (b) Posiciones atmicas en una celdilla unidad BCC.

Por ejemplo, las coordenadas de posicin del vector de direccin OR en la figura
3.10a donde sale de la superficie cbica es (1,0,0) y de este modo los ndices de direccin
para el vector OR son [110]. Las coordenadas de posicin del vector OS (fig. 3.10a) son
(1,1,0) y as los ndices de direccin para OS son [110]. Las coordenadas de posicin para
el vector OT (fig. 3.10b) son (1,1,1) y as los ndices de direccin de OT son [111].


Fig. 3.10 Alguna direcciones en celdillas unidad cbicas

Las coordenadas de posicin del vector director OM (fig. 3.10c) son (1,1/2,0), y
como los vectores direccin han de ser enteros, estas posiciones han de ser multiplicadas
por dos para obtener enteros. As, los ndices de posicin de OM quedan convertidos en:
2(1,1/2,0) = [210]. Un ndice negativo de direccin se escribe con una barra sobre el ndice.
As los ndices de direccin para el vector ON son| | 0 1 1 . Obsrvese que para dibujar la
direccin ON dentro del cubo, el origen del vector director tiene que llevar al vrtice
inferior derecho del cubo unidad (fig. 3.10d).
______________________________________________________________________
P.D-S
65
Las letras u,v,w son utilizadas generalmente para ndices de direccin en las
direcciones de los ejes x,y, z respectivamente y se escriben con [u v w]. Es importante
destacar que todos aquellos vectores de direccin paralela tiene los mismos ndices de
direccin.
Las direcciones se dice que son cristalogrficamente equivalentes si los espacios
atmicos a lo largo de cada direccin son los mismos. Por ejemplo, las siguientes
direcciones de una arista del cubo son cristalogrficamente equivalentes:
| | | | | | | | | | | | 100 00 1 , 1 00 , 0 1 0 , 001 , 010 , 100

3.6. Indices de Miller para planos cristalogrficos en celdas de unidad
cbica
A veces es necesario referirnos a los planos reticulares especficos de tomos dentro de una
estructura cristalina o puede ser interesante conocer la orientacin crsitalogrfica de un
plano o grupo de planos en una red cristalina.
Para identificar los planos cristalinos en estructuras cristalinas cbicas se usa la
notacin de Miller:
Los ndices de Miller de un plano cristalino estn definidos como los recprocos de
las intersecciones que el plano determina con los ejes x, y, z de los tres lados no paralelos
del cubo unitario.
Las aristas de una celda cbica unitaria representan longitudes unitarias y las
intersecciones de los planos de una red se miden sobre la base de estas longitudes unitarias.
El procedimiento de determinacin de los ndices de Miller para un plano de un
cristal cbico es el siguiente:
1. Escoger un plano que no pase por el origen (0,0,0).
2. Determinar las intersecciones del plano en base a los ejes x, y, z cristalogrficos
para un cubo unitario. Estas intersecciones pueden fraccionarias.
3. Construir los recprocos de estas intersecciones.
4. Despejar las fracciones y determinar el conjunto ms pequeo de nmeros enteros
que estn en la misma razn que las intersecciones. Estos nmeros enteros son los
ndices de Miller de un plano cristalogrfico y se encierran entre parntesis sin usar
comas. La notacin (hkl) se usa para indicar los ndices de Miller en sentido general,
donde h, k y l son los ndices de Miller para un plano de un cristal cbico de ejes x,
y y z respectivamente.
La figura 3.11 muestra tres de los ms importantes planos cristalogrficos de las
estructuras cbicas. Consideremos primero el plano cristalino sombreado de la figura 3.11a,
con intersecciones 1, , a los ejes x, y y z respectivamente. Tomamos los recprocos de
estas intersecciones para obtener los ndices de Miller que son, por consiguiente, 1, 0, 0.
Como estos nmeros no son fraccionarios, los ndices de Miller para este plano son (100)
que es ledo como el plano uno, cero, cero.
Seguidamente, consideremos el segundo plano mostrado en la figura 3.11b. Las
intersecciones de este plano son 1,1, . Puesto que los recprocos de estos nmeros son 1,
1, 0 no involucran fracciones, siendo los ndices de Miller para este plano (110).
Finalmente, el tercer plano, figura 3.13c tiene las intersecciones 1, 1, 1 que nos dan un
ndice de Miller (111) para este plano.
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P.D-S
66
Considrese ahora el plano del cristal cbico mostrado en la figura 3.12 con
intersecciones 1/3, 273, 1. Los recprocos son 3, 3/2,1. Puesto que no estn aplicadas por

Fig. 3.11 ndices de Milles de algunos planos cristalinos importantes.

dos para convertir la fraccin 3/2 en un entero. As la interseccin recproca se convierte en
6, 3 y 2 y los ndices de Miller son (632).
Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que una o ms
intersecciones son cero, el plano ha de ser desplazado hasta una posicin equivalente en la
misma celdilla unidad de modo que el plano permanezca paralelo al plano origen. Esto es
posible porque todos los planos paralelos equidistantes se denotan mediante los mismos
ndices de Miller.
Si grupos de planos reticulares equivalente sestn relacionados por la simetra del
sistema cristalino, se llaman planos de una familia o forma. Los ndices de un plano de la
familia son encerrados entre llave, como {hkl} para representar los ndices de una familia
de planos simtricos. Por ejemplo, los ndices de Miller de los planos de la superficie del
cubo (100), (010) y (001) se designan colectivamente como una familia o forma por la
notacin {100}.

Fig. 3.12 Plano cristalino cbico (632) con intersecciones fraccionarias.

Una importante relacin para el sistema cbico y slo para el sistema cbico es que
los ndices de una direccin perpendicular a un plano del cristal son los mismos que los
______________________________________________________________________
P.D-S
67
ndices de Miller para ese plano. Por ejemplo, la direccin | | 100 es perpendicular al plano
cristalino (100).
En estructuras cristalinas cbicas la distancia interplanar entre dos planos paralelos
muy cercanos con los mismos ndices de Miller se designa como
,
hkl
d
donde h, k y l son
los ndices de Miller de los planos. Este espaciado representa la distancia desde un origen
elegido contenido en un plano y otro plano paralelo con los mismos ndices que sea muy
cercano a l. Por ejemplo, la distancia entre los planos (110) 1 y 2,
110
d
, en la figura 3.13
es AB. Tambin la distancia entre los planos (110) 2 y 3 es
110
d
y su longitud es BC en la
figura 3.13. A partir de conocimientos geomtricos sencillos puede ser mostrado para
estructuras cristalinas que
2 2 2
l k h
a
d
hkl
+ +
=

donde
:
hkl
d
distancia interplanar entre los planos ms cercanos paralelos con ndices de Miller
h, k y l.
: a
Constante de red (lados del cubo de unidad)
: , , l k h
ndices de Miller de los planos cbicos objeto de consideracin.


Fig. 3.13 Vista superior de una celdilla unidad que muestra la distancia entre planos
cristalinos [110], d
100
.

______________________________________________________________________
P.D-S
68
3.7. Comparacin entre las estructuras cristalinas FCC, HCP y BCC
Como anteriormente se ha indicado, ambas estructuras cristalinas HCP y FCC son
estructuras compactas. Esto es, sus tomos, que son considerados aproximadamente esferas
y se encuentran tan ntimamente agrupados como es posible, permiten que se consiga un
factor de empaquetamiento de 0,74. Los planos (1 1 1) de la estructura cristalina FCC
mostrados en la figura 3.14b. Sin embargo, tridimensionalmente, las estructuras cristalinas
FCC y HCP no son idnticas debido a que existe una diferencia en la disposicin de
apilamiento de sus planos atmicos, los cuales pueden describirse mejor por consideracin
del apilamiento de esferas rgidas que representa a los tomos. Como analoga til, uno
puede imaginar el empaquetamiento de planos basndose en canicas de igual tamao una
sobre otra, minimizando el espacio entre las canicas.

Fig. 3.14 Comparacin de (a) la estructura cristalina FCC mostrando planos (111)
de empaquetamiento compacto y (b) de la estructura HCP mostrando
planos de empaquetamiento compacto (0001).


______________________________________________________________________
P.D-S
69

Fig. 3.15 Formacin de estructuras cristalinas HCP y FCC por apilamiento de
planos de empaquetamiento compacto de tomos.


Considrese un plano de tomos compactos designado como plano, tal como se
muestra en la figura 3.15a. Obsrvese que hay dos tipos diferentes de espacios vacos o
huecos entre los tomos. Los espacios sealados en la parte superior de la figura son
designados espacios a, y los sealados en la parte inferior de la figura, espacios b. Un
segundo plano de tomos puede ser localizado sobre los huecos a y b y se producir la
misma estructura tridimensional. Localicemos el plano B sobre los espacios a, como se
muestra en la figura 3.15b. Ahora si un tercer plano de tomos se coloca sobre el plano B
para formar una estructura compacta, es posible formar dos estructuras de
empaquetamiento compacto diferentes. Una posibilidad es situar los tomos del tercer
plano sobre los huecos b del plano B. Entonces los tomos del tercer plano descansarn
directamente sobre el plano A y as pueden designarse como un nuevo plano A (fig. 3.15c).
Si subsiguientes planos de tomos se colocan en este orden de apilamiento, entonces la
secuencia de apilamiento de la estructura tridimensional producida puede ser denominada
ABABAB... Tal secuencia de apilamiento lleva a la estructura cristalina HCP (fig. 3.14b).
La segunda posibilidad para formar una estructura compacta es situar el plano tercero en los
huecos a del plano B (fig. 3.15d). Este tercer plano se designa como plano C, puesto que
sus tomos no descansan sobre los del plano B, ni sobre los tomos del plano A. La
secuencia de apilamiento en esta estructura compacta se designa as como ABCABCAB... y
lleva una estructura FCC. Mostrad en la figura 3.14a.
La estructura BCC no es una estructura compacta, de ah, que no tenga planos
compactos entre como los planos { } 111 de la estructura FCC y los planos { } 0001 de la
estructura HCP. Los planos ms densos en la estructura BCC son los planos de la familia
{ } 110 de los cuales el plano (110) se muestra en la figura 3.16.b, Los tomos, sin embargo,
en la estructura BCC tienen unas direcciones compactas a lo largo de las diagonales del
cubo, que son las direcciones 111 .
3.8. Polimorfismo y alotropa
Muchos compuestos y elementos existen en ms de una forma cristalina bajo
diferentes condiciones de temperatura y presin. Este fenmeno es determinado como
polimorfismo o alotropa. Muchos metales industrialmente importantes como el hierro,
______________________________________________________________________
P.D-S
70
titanio y cobalto experimentan transformaciones alotrpicas a elevadas temperaturas
manteniendo la presin atmosfrica. La tabla 3.5 recoge algunos metales seleccionados que
muestran transformaciones alotrpicas y cambios de estructura.
El hierro existe en ambas estructuras cristalinas BCC y FCC, sobre un rango de
temperaturas que va desde la temperatura ambiente hasta su punto de fusin a 1539C,
como se muestra en la figura 3.24. El hierro () existe desde 273 a 912C y tiene la
estructura cristalina BCC. El hierro () existe desde 912 hasta 1394C y tiene su estructura
cristalina FCC. El hierro delta () existe desde 1394 hasta 1539C, que es el punto de
fusin del hierro.
La estructura cristalina del hierro delta es tambin la BCC pero con una constante
de red mayor que la del hierro.
3.9. Anlisis de la estructura del cristal
Nuestro criterio actual de las estructuras cristalinas ha sido obtenido principalmente por
medio de tcnicas de difraccin de rayos X, que utilizan rayos X de la misma longitud

TABLA 3.5 FORMAS CRISTALINAS ALOTRPICAS DE ALGUNOS METALES
Metal Estructura cristalina a temperatura
ambiente
A otras temperaturas
Ca FCC BCC (> 447C)
Co HCP FCC (> 427C)
Hf HCP BCC (> 1742C)
Fe BCC FCC (912 1394C)
BCC (> 1394C)
Li BCC HCP (< -193C)
Na BCC HCP (< -223C)
Tl HCP BCC (>234C)
Ti HCP BCC (> 883C)
Y HCP BCC (>1481C)
Zr HCP BCC (> 872C)



Fig. 3.16 Estructura cristalina BCC mostrando: (a) el plano (100); (b) una seccin del
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P.D-S
71
plano (110). Obsrvense que aunque no es una estructura de empaquetamiento
compacta, las diagonales las diagonales si son direcciones de
empaquetamiento compacto.

de onda que la distancia entre los planos de la red cristalina. Sin embargo, antes de discutir
la manera en la cual los rayos X son producidos para propsitos experimentales.
Los rayos X utilizados para la difraccin de ondas electromagnticas con longitudes
de onda oscilan entre 0,05 y 0,25 nm (0,5 y 2,5 A). Para producir rayos X para propsitos
de difraccin es necesario un voltaje de unos 35kV y se suministra entre un ctodo y un
metal diana andico, ambos mantenidos en vaco como se muestra en la figura 3.17.
Cuando el filamento de wolframio del ctodo se calienta, se liberan electrones por emisin
termoinica y se aceleran a travs del vaco por la gran diferencia de voltaje entre el ctodo
y el nodo, por consiguiente ganando energa cintica. Cuando los electrones golpean la
lmina de metal (por ej.: molibdeno) se emiten rayos X. Sin embargo, la mayor parte de la
energa cintica (cerca del 98%) se convierte en calor, por tanto, la muestra tiene que
enfriarse externamente.

Fig. 3.17 Diagrama esquemtico de la seccin transversal de un tubo de
rayos X de filamento sellado.

El espectro emitido a 35kV usando una lmina de molibdeno se muestra en la figura
3.18. El espectro muestra radiacin continua de rayos X para una longitud de onda que
oscila entre 0,2 y 1,4 A (0,02 y 0,14 nm) y dos picos de radiacin determinada se designan
las lneas

K y

K . Las longitudes de onda de las lneas

K y

K son caractersticas de un
determinado elemento. En el molibdeno la lnea

K aparece a una longitud de onda de unos


0,7 A. El origen de esta radiacin determinada se explica como sigue.
Primero, electrones K (electrones del orbital n = 1) se expulsan del tomo por bombardeo
de la lmina con electrones altamente energticos dejando los tomos excitados. A
continuacin, algunos de los electrones de orbitales ms altos (es decir n = 2 o n = 3) caen a
niveles energticos ms bajos, para reemplazar los electrones K perdidos, emitiendo
energa de una determinada longitud de onda. La transicin de electrones del orbital L (n =
______________________________________________________________________
P.D-S
72
2) al orbital K (n = 1) genera energa de longitud de onda correspondiente a la lnea

K como indica la figura 3.19.



Fig. 3.18 Espectro de emisin de rayos X cuando se utiliza molibdeno metlico
como blanco en un tubo de rayos X operado a 35 kV.

Puesto que las longitudes de onda de algunos rayos X son ms o menos iguales a la
distancia entre planos de tomos en slidos cristalinos, los picos de difraccin debidos a la
radiacin de intensidades variables se pueden producir cuando un grupo de rayos X golpea
un slido cristalino. Sin embargo, antes de considerar la aplicacin de las tcnicas de
difraccin de rayos X al estudio de las estructuras del cristal, estudiemos las condiciones
geomtricas necesarias para producir difraccin o reforzar los grupos de rayos X reflejados.
Consideremos que un haz de rayos X monocromtico (longitud de onda sencilla)
incide sobre un cristal, como se muestra en la figura 3.20. Por simplificacin, permitamos
el reemplazamiento de planos cristalinos de centros de dispersin atmicos por planos
cristalinos que actan como espejos reflejando el haz de rayos X incidente. En la figura
3.20 las lneas horizontales representan un conjunto de planos cristalinos un conjunto de
planos cristalinos paralelos con ndices de Miller (hkl). Cuando un haz incidente de rayos X

Fig. 3.19 Niveles electrnicos de energa en el molibdeno, mostrando el
______________________________________________________________________
P.D-S
73
origen de la radiacin

K y

K .

monocromticos de longitud de onda golpea este conjunto de planos con un ngulo tal
que el diagrama de ondas del haz deja los diversos planos en una situacin fuera de fase, no
se producir haz reforzado alguno (fig. 3.20a). De este modo tienen lugar interferencias
destructivas. Si los diagramas de ondas reflejados del haz dejan a los diversos planos de
fase, entonces se producir un reforzamiento del haz o interferencia constructiva (fig.
3.20b).
Consideremos a los rayos X incidentes 1 y 2 como se indican en la figura 3.20c.
Para que estos rayos estn en la fase, la distancia extra de recorrido del rayo 2 es igual a MP
+ Pn, que debe ser un nmero entero de longitudes de onda . De este modo,
PN MP n + =

donde
,... 3 , 2 , 1 = n
, y se conoce como orden de la difraccin. Puesto que ambos MP y
NP son iguales a
sen d
hkl
, donde hkl
d
es el espaciado interplanar de los planos
cristalinos de ndices (hkl) la condicin para interferencia constructiva (p.e., la produccin
de un pico de difraccin de radiacin intensa) debe ser
sen d n
hkl
2 =

Esta ecuacin, conocida como Ley de Bragg establece la posicin entre las posiciones
angulares de los haces difractados reforzados en trminos de longitud de onda de la
radiacin de rayos X incidente y de los espaciados interplanares hkl
d
de los planos
cristalinos. En la mayor parte de los casos, se utiliza el primer orden de difraccin donde n
= , y asi, para este caso, la Ley de Bragg adopta una forma:
sen d
hkl
2 =

Ejemplo
Una muestra de Fe BCC colada en un difractmetro es sometida a rayos X incidentes con
una longitud de onda nm 154 , 0 = . Se obtiene difraccin de los planos
{ } 110 a = 704 , 44 2 . Calcular un valor para la constante de red a del hierro BCC.
(Considrese una difraccin de primer orden con n = 1)
Solucin:
= = 35 , 22 704 , 44 2

sen d
hkl
2 =

nm
nm
sen
d 2036 , 0
) 3803 , 0 ( 2
1541 , 0
2
110
= = =


Reordenando la ecuacin tendremos
______________________________________________________________________
P.D-S
74
2 2 2
l k h d a
hkl
+ + =

de este modo,
nm d Fe 287 , 0 0 1 1 ) (
2 2
110
= + + =

Anlisis de difraccin de rayos X por el mtodo de polvo.
La tcnica ms comnmente utilizada de difraccin de rayos X es el mtodo de polvos. En
esta tcnica se utiliza una muestra pulverizada a fin de que se produzca una orientacin al
azar de muchos cristales que asegure que algunas de las partculas estn orientadas en el
haz de rayos X que tiene un contador de radiacin para detectar el ngulo y la intensidad
del haz difractado (fig. 3.21). Un registrador representa automticamente la intensidad del
haz difractado mientras el contador se mueve a lo largo de un gonimetro de crculo que
est sincronizado con la muestra en un rango prximo a los valores de 2 (fig. 3.22): la
figura 3.31 muestra un registro de difraccin de rayos X para la intensidad del haz
difractado frente a los ngulos de difraccin de 2 para una muestra de metal puro
pulverizado. De esta forma los ngulos de los haces difractados y sus intensidades pueden
ser registrados a la vez. Algunas veces se utiliza una cmara de polvo con un rollo de
pelcula en vez de un difractmetro, pero este mtodo es mucho ms lento y en la mayora
de los casos, menos conveniente.
Condiciones de difraccin para celdillas de unidad cbicas
Las tcnicas de difraccin de rayos X, permiten determinar las estructuras de los
slidos cristalinos. La interpretacin de los datos de difraccin de rayos X para la mayora
de las sustancias es compleja y no est en los propsitos de este apuntes, por eso slo se
considerar el caso sencillo de difraccin en metales de estructura cbica pura. El anlisis
de difraccin de rayos X para celdillas de unidad cbicas puede ser simplificado
combinando la ecuacin
2 2 2
l k h
a
d
hkl
+ +
=

______________________________________________________________________
P.D-S
75

Fig. 3.20 Reflexin de un haz de rayos X por los planos (hkl) de un cristal. (a) Para ngulos
arbitrarios de incidencia no se produce reflexin alguna. (b) Para el ngulo de Bragg los
rayos reflejados estn en la fase y se refuerzan mutuamente. (c) Similar a (b) con la
excepcin de que se ha omitido la representacin de la onda.

con la ecuacin de Bragg dsen 2 = , obteniendo
2 2 2
2
l k h
sen a
+ +


Esta ecuacin puede ser utilizada con los datos de difraccin de rayos X para
determinar si una estructura cristalina es cbica centrada en el cuerpo o cbica centrad en
las caras. Para emplear la ecuacin anterior, en el anlisis de difraccin, debemos saber que
planos del cristal son los planos de difraccin para cada tipo de estructura cristalina. Para la
______________________________________________________________________
P.D-S
76
red cbica simple, son posibles reflexiones desde todos los planos (hkl). Sin embargo para
la estructura BCC la difraccin ocurre slo sobre los planos cuyos ndices de Miller
sumados ) ( l k h + + nos da un nmero par (tabla 3.7). En el caso de la estructura cristalina
FCC, los planos principales de difraccin son aquellos cuyos ndices de Miller son todos
pares o todos impares (cero es considerado par). De este modo, para la estructura cristalina
FCC, los planos difractantes son{ } { } { }, 220 , 200 , 111 ...etc., que estn enumerados en la tabla
3.7.

Fig. 3.21 Difractmetro de Rayos X automatizado.

Interpretacin de los datos experimentales de difraccin de rayos X para metales con
estructuras cbicas simples.
Podemos utilizar datos de difractmetros de rayos X para determinar estructuras
cristalina. Un caso sencillo que permite ilustrar esto es la utilizacin de estos datos para
diferenciar entre las estructuras BCC y FCC de un metal cbico. Supongamos un metal que
tiene una estructura cristalina BCC o FCC y que nosotros somos capaces de identificar los
planos principales de difraccin y sus correspondientes valore 2, como se indica para el
metal tungsteno en la figura 3.31.
Elevando al cuadrado ambos lados de la ecuacin 3.11 y despejando sen
2
,
obtenemos
( )
2
2 2 2 2
2
4a
l k h
sen
+ +
=


A partir de los datos de difraccin de rayos X podemos obtener valores
experimentales de 2 para una serie de planos difractantes {hkl} . Puesto que la longitud de
onda de la radiacin emitida y la constante de red a son dos valores constantes podemos
eliminar estos valores calculando la relacin de dos valores de sen
2
,
( )
( ) B B A
A A A
B
A
l k h
l k h
sen
sen
2 2 2
2 2 2
2
2
+ +
+ +
=


donde
A
y
B
son dos ngulos de difraccin asociados con los planos principales de
difraccin {h
A
k
A
l
A
} y {h
B
k
B
l
B
} respectivamente.
______________________________________________________________________
P.D-S
77
Utilizando la ecuacin 3.13 y los ndices de Miller de la primera y segunda serie de
planos principales difractantes enumerados en la Tabla 3.7 para estructuras BCC y FCC,
podemos determinar valores para los cocientes sen
2
para ambas estructuras BCC y FCC.

TABLA 3.6 REGLAS PARA LA DETERMINACIN DE LOS PLANOS DE
DIFRACCIN {hkl}EN CRISTALES CBICOS.
Redes de Bravais Reflexiones presentes Reflexiones ausentes
BCC (h + k + l) = pares (h + k + l) = impares
FCC (h,k,l) todas pares o todas
impares.
(h,k,l) no todas pares ni todas
impares.


Fig. 3.22 Ilustracin esquemtica del mtodo del difractmetro de anlisis cristalino y de
las condiciones necesarias para la difraccin.

Para la estructura cristalina BCC las dos primeras series de planos difractantes son
los planos {110} y {200} (Tabla 3.7). Sustituyendo los ndices de Miller {hkl} de estos
planos en la ecuacin 3.13 se obtiene
( )
( )
5 , 0
0 0 2
0 1 1
2 2 2
2 2 2
2
2
=
+ +
+ +
=
B
A
sen
sen


De este modo, si la estructura cristalina del metal cbico desconocido es BCC la
relacin entre los valores de sen
2
correspondientes a los dos primero planos principales de
difraccin ser 0,5.
Para la estructura cristalina FCC las dos primeras series de planos difractantes son
los planos {111} y {200} (Tabal 3.7). Sustituyendo los ndices de Miller {hkl} de estos
planos en la ecuacin 3.13 se obtiene
( )
( )
75 , 0
0 0 2
1 1 1
2 2 2
2 2 2
2
2
=
+ +
+ +
=
n
A
sen
sen





______________________________________________________________________
P.D-S
78
TABLA 3.7 INDICES DE MILLER DE PLANOS DE DIFRACCIN PARA REDES
BCC Y FCC.

Planos cbicos
{hkl}

h
2
+ k
2
+ l
2


Suma
(h
2
+ k
2
+ l
2
)
Planos cbicos
difractantes {hkl}
FCC BCC
{100} 1
2
+ 0
2
+ 0
2
1
{110} 1
2
+ 1
2
+ 0
2
2 ... 110
{111} 1
2
+ 1
2
+ 1
2
3 111
{200} 2
2
+ 0
2
+ 0
2
4 200 200
{210} 2
2
+ 1
2
+ 0
2
5
{211} 2
2
+ 1
2
+ 1
2
6 ... 211
...
{220} 2
2
+ 2
2
+ 0
2
8 220 220
{221} 2
2
+ 2
2
+ 1
2
9
{310} 3
2
+ 1
2
+ 0
2
10 ... 310

Por tanto, si la estructura cristalina del metal cbico desconocido es FCC la relacin entre
los valores de sen
2
correspondientes a los dos primeros planos principales de difraccin
ser 0,75.



























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P.D-S
79
Referencias Bibliogrficas
Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales / William F. Smith ; traduccin Alicia
Larena Pellejero. Madrid: McGraw-Hill, 1998.
Introduccin a la ciencia e ingeniera de los materiales / William D. Callister. Barcelona:
Editorial Revert, S.A., 1995-2001.










































______________________________________________________________________
P.D-S
80
4. Dislocaciones y fenmenos de deslizamiento
4.1. La discrepancia entre el lmite de fluencia terico y el observado en
los cristales
En la Fig. 4.1 se muestra la curva de tensin-deformacin de un cristal tpico de
magnesio simple, orientado con el plano basal inclinado en 45 del eje de tensin y
deformado en tensin. Al bajo esfuerzo de tensin de 7 kg/cm, el cristal se deforma
plsticamente y entonces se alarga fcilmente en forma de una cinta angosta que puede ser


Fig. 4.1 Curva deformacin-tensin para un cristal de magnesio simple.


Fig. 4.2 Lneas de deslizamiento sobre el cristal de magnesio.

cuatro o cinco veces ms larga que el cristal original. Si examinamos la superficie del
cristal deformado, podremos ver marcas que corren ms o menos continuamente alrededor
de la probeta en forma de elipses. (Vase la Fig. 4.2). Estas marcas, si se les observa a
muchos aumentos se reconocen como manifestaciones visibles de una serie de finos
escalones que se han formado sobre la superficie. La naturaleza de estos escalones se
muestra esquemticamente en la Fig. 4.3. Evidentemente, como un resultado de la fuerza
aplicada, los cristales han sido cizallados en cierto nmero de planos paralelos. Adems, del
anlisis cristalogrfico de las marcas muestra que stas son planos basales (0002) y, por lo
tanto, los planos ms compactos del cristal. Cuando ocurre este tipo de deformacin, se
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P.D-S
81
dice que el cristal experimenta un deslizamiento, las marcas visibles sobre la superficie se
denominan lneas de deslizamiento, o huellas de deslizamiento, y el plano cristalogrfico
sobre el cul ha ocurrido el cizallado se llama plano de deslizamiento.


Fig. 4.3 (A) Vista esquemtica aumentada de lneas de deslizamiento (vista lateral). (B)
Vista esquemtica aumentada de lneas de deslizamiento (vista frontal)


Fig. 4.4 Posicin inicial de los tomos sobre un plano de deslizamiento.

El esfuerzo cortante al cual comienza el flujo plstico en un cristal simple es
asombrosamente pequeo cuando se le compara con la resistencia al corte terico del cristal
perfecto (calculado en trminos de fuerzas cohesivas de los tomos). Se puede obtener una
estimacin de esta resistencia en la siguiente manera. La Fig. 4.4 muestra dos planos
adyacentes de un cristal hipottico. Un esfuerzo cortante, actuando como se indica por los
vectores marcados S
s
, tiende a mover a la izquierda a los tomos del plano superior. Cada
tomo del plano superior se eleva a su posicin mxima (Fig. 4.5) segn se desliza sobre su
vecino en el plano de abajo. Esta posicin mxima representa un punto de caballete, pues
ahora se promover un movimiento continuado hacia la izquierda por las fuerzas que tiran
del tomo hacia la cavidad siguiente. Un corte de una distancia atmica requiere que los
tomos del plano superior en la Fig. 4.4 sean llevados a una posicin equivalente de la Fig.
4.5, despus de lo cual se mueven espontneamente hacia la siguiente posicin de
equilibrio. Para alcanzar el punto del caballete, se requiere un movimiento horizontal de
cada tomo igual a un radio atmico. En la Fig. 4.6 se muestra este movimiento. Como la
separacin entre los dos planos es del orden de dos radios atmicos, la deformacin por
esfuerzos cortante en el punto de caballete es aproximadamente igual a una mitad. Esto es,
______________________________________________________________________
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82
2
1
2

a
a




Fig. 4.5 El punto de caballete para el corte de un plano de tomos sobre otro.

En donde es la deformacin por esfuerzo cortante. En un cristal perfectamente elstico,
la relacin del esfuerzo cortante a la deformacin por cizallamiento es igual al mdulo de
corte:
G S
s
=

con la deformacin por cizallamiento, S
s
es el esfuerzo cortante, y G es el mdulo de
corte. Sustituyendo el vaor de para , la deformacin por esfuerzo de corte, y el valor
2500000 lb/plg
2
para G, que es del orden de la magnitud del mdulo de corte para el
magnesio, obtenemos para S
s
el esfuerzo en el punto de caballete,
6
6
10
2
10 5 . 2

=
s
S
lb/plg
2


Fig. 4.6 El corte en el punto de caballete es aproximadamente a/b o .

La relacin del esfuerzo terico para comenzar el corte del cristal al observado en un cristal
real es, por lo tanto, aproximadamente
10000
10
10
2
6


En otras palabras, el cristal se deforma plsticamente a tensiones de 1/10000 de su
resistencia terica. De manera similar ocurre con otros metales, los cristales reales se
deforman a pequeas fracciones de su resistencias tericas (1/1000 a 1/10000).



______________________________________________________________________
P.D-S
83
4.2. Dislocaciones
La explicacin de la discrepancia entre las cargas de deformacin aparente y real descansa
en el hecho de que los cristales reales no son perfectos sino que contienen defectos. El tipo
de defecto que hace posible una explicacin del bajo lmite elstico de los cristales se
denominan dislocacin. Hay dos orientaciones bsicas en una dislocacin la de borde y
la helicoidal. En la Fig. 4.7 se muestra esquemticamente una dislocacin de borde en un
cristal cbico simple. La lnea SP representa el plano de deslizamiento del cristal. Las
lneas de trazos se dibujaron para representar planos cristalinos normales al plano de
deslizamiento. El plano marcado a en la parte superior del dibujo termina en el plano b
sobre el plano de deslizamiento mientras que los planos a los lados de a van continuamente
desde la parte superior hasta la inferior de la figura. En un caso como este, donde un plano
reticular termina dentro de un cristal, el resultado es una dislocacin de borde. Debe
observarse que la dislocacin de la Fig. 4.7 representa un defecto que corre completamente
a travs del cristal, desde la parte delantera hasta la posterior.
La Fig. 4.8 ilustra cmo se mueve la dislocacin anterior a travs del cristal bajo un
esfuerzo de corte aplicado que se indica por los vectores S
S
. Como resultado del esfuerzo
aplicado, el tomo c puede moverse a la posicin marcada c en la Fig. 4.8B. Si lo hiciese,
la dislocacin se movera una distancia atmica hacia la izquierda.


Fig. 4.7 Una dislocacin de borde








______________________________________________________________________
P.D-S
84

Fig. 4.8 Tres estados en el movimiento de una dislocacin de borde a travs de un cristal.

El plano x, en la parte superior de la figura, corre ahora continuamente de arriba hasta el
fondo del cristal, mientras que el plano y termina abruptamente en el plano deslizante. La
aplicacin continuada del esfuerzo causar que la dislocacin se mueva a pasos repetidos a
lo largo del plano de deslizamiento del cristal. El resultado final es que el cristal se corta a
travs del de deslizamiento por una distancia atmica, como se muestra en la Fig. 4.8C.
Cada paso en el movimiento de la dislocacin, como puede verse en la Fig. 4.8A y B,
requiere slo una ligera redisposicin de los tomos en la vecindad del plano extra. Como
resultado, una fuerza muy pequea mover una dislocacin. Clculos tericos muestran que
esta fuerza es de la magnitud correcta que motiva la bajas cargas de deformacin de los
cristales.
Las dislocaciones fueron admitidas originalmente como postulados porque eran capaces de
explicar el bajo lmite elstico aparente de los metales, y por muchos aos no hubo
evidencia experimental independiente que probase su existencia. En los ltimos aos, sin
embargo, se han hecho experimentos que prueban la existencia de las dislocaciones ms
all de una duda razonable.
El movimiento de una dislocacin simple a travs de un cristal produce un escaln sobre la
superficie cuya profundidad es de una distancia atmica. Como una distancia atmica en
una cristal metlico es del orden de unas cuantas unidades ngstrom, tal escaln no ser
visible a cierta vista. Para poder producir una lnea de deslizamiento visible se deberan
producir muchos cientos o miles de dislocaciones a travs de un plano de deslizamiento.
Inmediatamente se proporcionar un mecanismo para mostrar cmo es posible producir
este nmero de dislocaciones sobre un plano de deslizamiento simple dentro de un cristal.
Primero, sin embargo, es necesario definir una dislocacin helicoidal, la cual se muestra
esquemticamente en la Fig. 4.9A, donde puede considerarse que cada pequeo cubo
representa un tomo. La Fig. 4.9B representa al mismo cristal con la posicin de la lnea de
dislocacin marcada por la lnea DC. El plano ABCD es el plano de deslizamiento. La parte
frontal superior del cristal ha sido cizallada por una distancia atmica a la izquierda relativa
______________________________________________________________________
P.D-S
85
a la porcin frontal inferior. La definicin helicoidal para este defecto reticular se deriva
del hecho de que los planos reticulares del cristal forman una espiral en la lnea de
dislocacin DC. Esta afirmacin se puede probar comenzando en el punto x en la Fig. 4.9A,
siguiendo entonces hacia arriba y alrededor del cristal en direccin de las flechas. Un
circuito del cristal termina en el punto y; los circuitos continuados terminarn finalmente en
el punto z.

Fig. 4.9 Dos representaciones de una dislocacin helicoidal. Obsrvese que
los planos en esta dislocacin forman un espiral alrededor de la dislocacin
en la forma de un tornillo de rosca a la izquierda.

Las dislocaciones de borde mostrada en la Fig. 4.7 tiene un plano incompleto que queda
sobre el plano deslizante. Es posible tambin tener el plano incompleto por debajo del
plano deslizante. Los dos casos son diferenciados llamando al primero dislocacin de borde
positiva y al ltimo dislocacin de borde negativa. Los smbolos que representan a estas
dos formas son y respectivamente, donde la lnea horizontal representa al plano
deslizante y la vertical al plano incompleto. Hay tambin dos formas de dislocaciones
helicoidales. La dislocacin helicoidal mostrada en la Fig. 4.9 tiene planos reticulares que
forman una espiral sobre la lnea DC en forma semejante a un tornillo de rosca a la
izquierda. Una dislocacin helicoidal igualmente probable es donde la red se forme en
espiral hacia la derecha alrededor de la lnea de dislocacin. Ambas formas de
dislocaciones de borde y helicoidales se muestran en la Fig. 4.10. La figura ilustra tambin
la manera en que los cuatro tipos se mueven bajo el mismo esfuerzo de corte aplicado
(indicado por los vectores S
S
). Como se mencion previamente, la Fig. 4.10 muestra que
una dislocacin de borde positiva se mueve hacia la izquierda cuando la mutad superior de
la red se cizalla a la izquierda. Por otra parte, una dislocacin de borde negativa se mueve
hacia la derecha, pero produce idntico corte del cristal. La figura muestra tambin que la
helicoidal a la derecha se mueve hacia delante y la helicoidal izquierda hacia atrs,
producindose tambin el mismo corte de la red.
En los ejemplos anteriores, se ha supuesto que las lneas de dislocacin corren como lneas
rectas a travs del cristal. Es una consecuencia de la naturaleza bsica de las dislocaciones
que no puedan terminar en el interior del cristal. As, el plano extra de una dislocacin de
borde puede extenderse slo parte del camino a travs del cristal, como se muestra en la
Fig. 4.11, y su borde trasero b forma entonces una segunda dislocacin de borde. Los dos
segmentos de dislocacin a y b forman de esta manera un paso continuo a travs del cristal
desde la superficie frontal a la superior.
______________________________________________________________________
P.D-S
86

Fig. 4.10 Sentidos en que se mueven las cuatro orientaciones bsicas de una dislocacin
bajo la misma carga aplicada: (A) Borde positivo, (B) Borde negativo, (C) Helicoidal a la
izquierda, y (D) Helicoidal a la derecha.

Tambin es posible para los cuatro bordes de un plano incompleto quedar en el interior de
un cristal, formando una dislocacin compacta de cuatro lados en los lmites del plano.
Adems, una dislocacin que es de borde en una orientacin puede cambiar a helicoidal en
otra orientacin como se ilustra la en la Fig. 4.12. La Fig. 4.13 muestra la misma
dislocacin vista desde arriba. Los crculos representan a los tomos justamente debajo del
plano de deslizamiento. Obsrvese que la red est cizallada por una distancia atmica en la
regin del cuarto inferior derecho de la figura confinada por los segmentos de dislocacin.
Finalmente, una dislocacin no necesita ser puramente helicoidal o de borde, sino que
puede tener orientaciones intermedias a ambas. Este hecho significa que las lneas de
dislocacin no tienen que ser rectas, sino que pueden ser curvas.
______________________________________________________________________
P.D-S
87


Fig. 4.11 Las dislocaciones pueden variar en direccin. Este plano extra sombreado
forma una dislocacin con componentes de borde a y b.


Fig. 4.12 Una dislocacin de dos componentes formada por un componente
de borde y uno helicoidal.

Considrese la dislocacin rectangular cerrada de la Fig. 4.14, consistente en los cuatro
tipos elementales de dislocacin mostrada en la Fig. 4.10. Los lados a y c son dislocaciones
de borde positiva y negativa respectivamente, en tanto que b y d son helicoidales derecha e
izquierda, respectivamente. La Fig. 4.10 muestra que, bajo el sentido del esfuerzo cortante
indicado, las dislocaciones a y c se mueven a la izquierda y a la derecha respectivamente,
en tanto que b y d se mueven hacia delante y hacia atrs, respectivamente. As, el anillo de
dislocacin se abre, o se agranda, bajo determinados esfuerzos. (Sin embargo, se cerrara si
se invirtiese el sentido del esfuerzo). Debe observarse que el circuito de dislocacin abcd
no necesita ser rectangular para abrirse bajo el esfuerzo cortante dado.
Una curva cerrada, tal como un crculo, se expandira tambin en forma similar y cortara al
cristal del mismo modo.
4.3. El foco de Frank-Read
Supngase que una dislocacin de borde positiva, que queda en el plano ABCD de la Fig.
4.18, se conecta a otras dos dislocaciones de borde que corren verticalmente a la superficie
superior del cristal. Las dos dislocaciones de borde verticales no se pueden mover bajo el
______________________________________________________________________
P.D-S
88
esfuerzo de corte aplicado. (Sin embargo, se movern bajo un esfuerzo cortante aplicando a
la parte frontal y trasera del cristal). Como el segmento de dislocacin xy es borde positivo,
el esfuerzo S
S
tender a moverlo hacia la izquierda.


Fig. 4.18 Foco de Frank-Read. El segmento de dislocacin xy puede moverse en el plano
ABCD bajo el esfuerzo aplicado. Sus extremos x y y, sin embargo, son fijos.

Causando que la lnea forme un arco con los extremos en los puntos fijos x e y. Este arco
est indicado en la Fig. 4.19 por el smbolo a. Una posterior aplicacin del esfuerzo
ocasiona que la dislocacin curvada se expanda a las sucesivas posiciones b y c. En c el
anillo se intercepta por s mismo en el punto m, pero como un segmento de interseccin es
helicoidal de mano izquierda y el otro es helicoidal de mano derecha, los segmentos se


Fig. 4.19 Varios pasos en la generacin de un anillo de dislocacin en
un foco de Frank-Read.

cancelan uno al otro en el punto de interseccin. (Cuando formas opuestas de dislocacin
quedan en el mismo plano de interseccin siempre ocurre una cancelacin. Este hecho
puede ser demostrado fcilmente para el caso de las dislocaciones de borde positivas y
negativas puesto que las intersecciones forman un plano reticular completo de dos planos
incompletos). La cancelacin de los segmentos de dislocacin en el punto de contacto m
rompe la dislocacin en dos segmentos marcados d, uno de los cuales es circular y se
expande hasta la superficie del cristal, produciendo un corte de una distancia atmica. El
otro componente permanece como un borde positivo regenerado, que queda entre los
______________________________________________________________________
P.D-S
89
puntos x e y donde est en posicin de repetir el ciclo. En esta forma, muchos anillos de
dislocacin pueden ser generados sobre el mismo plano de deslizamiento, y puede ser
producido un corte lo suficientemente grande para que explique el gran tamao de las lneas
de deslizamiento observadas. Un generador de dislocaciones de este tipo recibe el nombre
de foco de Frank-Read.
4.4. Nucleacin de dislocaciones
La evidencia experimental muestra que los focos de Frank-Read existen realmente en los
cristales

. No se conoce que tan importantes son estos generadores de dislocaciones en la


deformacin plstica de os metales, pero evidencia reciente muestra que las dislocaciones
se pueden formar tambin sin la ayuda de focos de Frank-Read o similares. Si las
dislocaciones no se forman por generadores de dislocaciones, entonces deben ser creadas
por un proceso de nucleacin. Como en todos los fenmenos de esta naturaleza, las
dislocaciones pueden ser creadas en dos formas: homognea o heterogneamente. En el
caso de las dislocaciones, la nucleacin homognea significa que stas se forman en una
red perfecta por la accin de un esfuerzo simple, no requirindose otro medio ms que el
esfuerzo. La nucleacin heterognea, por otra parte, significa que las dislocaciones se
forman con la ayuda de defectos presentes en el cristal, posiblemente partculas de
impurezas. Los defectos hacen que la formacin de dislocaciones sea ms fcil por una
disminucin del esfuerzo requerido para formarlas. Se asume que la nucleacin homognea
de las dislocaciones requiere esfuerzos extremadamente altos, esfuerzos que tericamente
son del orden de 1/30 del mdulo de corte de un cristal. Como el mdulo de corte de un
metal es usualmente alrededor de 10
6
a 10
7
lb/plg
2
, el esfuerzo para formar dislocaciones
debe ser del orden de 10
5
lb/plg
2
. Sin embargo, el esfuerzo de corte real al cual comienzan a
deformarse los cristales metlicos por deslizamiento es usualmente alrededor de 100
lb/plg
2
. Esta evidencia favorece ciertamente la opinin de que si las dislocaciones no se
forman por los focos de Frank-Read, entonces deben ser nucleadas heterogneamente.
Los cristales metlicos no son particularmente apropiados para una investigacin del
fenmeno de nucleacin. Cuando se les prepara por solidificacin u otros medios, poseen
de ordinario una densidad de dislocaciones relativamente elevada en la forma de una red
ms o menos al azar que se extiende a travs de la probeta.
Como un punto de inters, los generadores de dislocaciones del tipo de Frank-Read son
considerados usualmente una parte de las dislocaciones que crecieron en el cristal. Nuestro
inters presente no descansa en estas redes, sino en la creacin de nuevos anillos de
dislocacin independientes. Sin embargo, una concentracin elevada de dislocacin de
crecimiento interior complica la observacin de fenmeno de nucleacin. Adems, en los
metales, el deslizamiento ocurre rpidamente de tal forma que una vez alcanzado el lmite
elstico aparente se forman al mismo tiempo, de ordinario, muchas dislocaciones. Estas
dificultades experimentales casi se eliminan si se estudia la nucleacin de la dislocacin en
cristales de fluoruro de litio , el cual es un sal inica que cristaliza en la red cbica simple
(sal de roca). Este material puede ser preparado en forma de cristales simples con un
elevado grado de perfeccin de manera que tenga una baja densidad de dislocaciones de
crecimiento interior ( 510
4
/cm
2
). Adems, los cristales de LiF son lo suficientemente
rgidos a temperatura ambiente para ser manejados sin distorsin, y slo son ligeramente

Dash, W. C., Dislocations and Mechanical Properties of Crystals, John Wiley and Sons, Inc., 1957. 57.
______________________________________________________________________
P.D-S
90
plsticos a esta temperatura. En esta forma, con una pequea tensin ( 700 a 1000 lb/plg
2
)
aplicada durante un corto periodo de tiempo, se pueden formar en ellos dislocaciones en
corto nmero controlado.


Fig. 4.20 Las grandes picaduras cuadradas del ataque qumico en filas horizontales
corresponden a dislocaciones formadas en el LiF a temperaturas ambiente, en tanto
que las picaduras ms pequeas, con un espaciado ms angosto, que se observan
en filas curvadas, crecieron dentro del cristal cuando ste se fabric.

Uno de los mejores y ms simples medios de observar dislocaciones en los cristales, es por
medio del uso de un reactivo de ataque, que forme una picadura sobre la superficie del
cristal en cada punto donde una dislocacin intercepte la superficie del cristal. Este mtodo
no est exento de dificultades porque a menudo no hay medio de saber si el ataque qumico
revela todas las dislocaciones, o si alguna de las picaduras se deben a otros defectos. En el
fluoruro de litio, el mtodo de la picadura por ataque qumico parece ser bastante seguro.
Se han desarrollado varias soluciones de ataque para ser empleadas en el LiF, una de las
cuales es capaz de distinguir entre dislocaciones de crecimiento interno y dislocaciones de
nueva formacin. En la Fig. 4.20 puede verse la accin de esta solucin. Las grandes
picaduras cuadradas que corren en dos filas horizontales estn asociadas con las
dislocaciones de una nueva formacin. Las filas horizontales definen la intercepcin del
plano de deslizamiento de estas dislocaciones con la superficie. Adems de las grandes
picaduras, hay dos filas de interseccin curvadas de pequeas picaduras estrechamente
espaciadas. Esta ltimas delinean lo que se conoce como lmite de grano de ngulo
pequeo. Los lmites consisten realmente en cierto nmero de dislocaciones estrechamente
espaciadas. Debe observarse que la solucin de ataque mencionada forma grandes
picaduras en las dislocaciones nuevas y pequeas picaduras en las dislocaciones de la red.
La razn para esta habilidad del ataque para distinguir entre estos dos tipos de dislocaciones
en la red no se comprende, pero puede ser relacionada con el hecho de que los tomos de
impureza tienden a reunirse alrededor de las dislocaciones. Esta segregacin de los tomos
de impureza no puede ocurrir normalmente en un periodo de tiempo razonable a bajas
temperaturas, porque los tomos del slido no se difunden o mueven con la suficiente
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91
rapidez a bajas temperaturas para permitirles reunirse alrededor de las dislocaciones. Sin
embargo, a temperaturas ms elevadas, el movimiento de los tomos de impureza hacia las
dislocaciones puede ocurrir con bastante rapidez. As, las dislocaciones que fueron
formadas a temperaturas elevadas tienen mayor probabilidad de tener tomos de impureza


Fig. 4.21 Movimiento de dislocacin en el LiF segn se revela por
ataques qumicos repetidos.

segregados a su alrededor que las dislocaciones creadas en la red a bajas temperaturas. Esta
habilidad de una solucin de ataque qumico para distinguir entre las dislocaciones de
crecimiento interno y las dislocaciones nuevamente formadas es una de las ventajas
precisas ofrecidas por el uso del LiF en el estudio del fenmeno de la nucleacin.
Otra faceta interesante del empleo de las picaduras por ataque qumico para observar las
dislocaciones en el LiF es que con la tcnica apropiada se puede seguir el movimiento de
una dislocacin bajo la accin de un esfuerzo aplicado. Esto requiere usualmente varias
repeticiones del proceso de ataque qumico. En esta forma, se ataca primero la superficie de
la probeta para revelar las posiciones de las dislocaciones a un tiempo determinado. Las
picaduras que se forman se observan de ordinario sobre las superficies {001}. Los cristales
de fluoruro de litio se deslizan fcilmente a lo largo de los planos {001}. Sobre este tipo de
superficie, las picaduras se forman como pirmides de cuatro lados con un punto agudo en
su extremidad inferior. Si ahora se aplica un esfuerzo a la probeta, las dislocaciones se
movern separndose de sus picaduras. Un segundo ataque revelar las nuevas posiciones
de las dislocaciones y aumentar las picaduras viejas que presentan las posiciones
originales. Sin embargo, los dos juegos de picaduras tienen una apariencia distinta. Las
picaduras realmente conectadas con la dislocacin tienen siempre extremidades en punta,
en tanto que las correspondientes a de donde se han movido las dislocaciones tienen fondos
planos. Vase la Fig. 4.21.
El trabajo sobre el fluoruro de litio ha mostrado que, en este material particular, las
dislocaciones de crecimiento interno usualmente estn firmemente ancladas en su lugar y
no toman parte en los procesos de deformacin plstica. De manera que, los focos de
Frank-Read no son activos en el LiF. La inmovilidad de las dislocaciones de la red puede
ser acreditada a la presencia de atmsferas de tomos de impurezas que segregan alrededor
de cada dislocacin.
Tambin se ha demostrado experimentalmente que se pueden aplicar esfuerzos muy
grandes a los cristales de LiF sin dislocaciones de nucleacin homognea. Por ejemplo,
cuando se presiona una pequea esfera (hecha de vidrio y limpiada cuidadosamente) sobre
una regin libre de dislocaciones de la superficie del cristal de LiF, es posible alcanzar
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tensiones de corte estimadas en tanto como 110000 lb/plg
2
(7733 kg/cm
2
) y sin embargo no
crear todava dislocaciones. Esta tensin, debe observarse, es ms de cien veces mayor que
la tensin requerida normalmente para causar fluencia en este material. Se cree adems, que
an esta elevada tensin, que estaba limitada por dificultades experimentales debidas a la
rotura de la bola de cristal, no define el esfuerzo requerido para nuclear homogneamente
dislocaciones en el LiF. Resulta claro que la nucleacin de las dislocaciones por un
esfuerzo sin ayuda es muy difcil, a cualquier grado. Debido a que la carga de deformacin,
o el esfuerzo al que comienzan a moverse normalmente las dislocaciones, es mucho menor
que el requerido para nuclear homogneamente las dislocaciones, es claro que la mayora
de las dislocaciones deben ser nucleadas en forma heterognea. La conclusin de Gilman es
que en el LiF pequeas heterogeneidades extraas ocasionan la mayor parte de la
nucleacin de la dislocacin. Las ms importantes de stas son probablemente pequeas
partculas de impureza. Se ha obtenido realmente evidencia experimental para la formacin
de dislocaciones en las inclusiones de los cristales de LiF. Sin embargo, no se conoce el
mecanismo por el cual las inclusiones extraas nuclean a estos anillos de dislocacin.
Otro aspecto muy importante del trabajo sobre el LiF es que ha demostrado que las
dislocaciones en movimiento pueden nuclear otras dislocaciones. Considrese la Fig. 4.22
donde el dibujo superior representa a un cristal con una dislocacin simple que queda en el
plano de deslizamiento, delineado por el rayado. La aplicacin de un esfuerzo al cristal
ocasiona que el anillo se expanda, y, al mismo tiempo, aparezcan nuevas dislocaciones
dentro del anillo original, como se muestra en el diagrama inferior. Bajo la aplicacin de un
esfuerzo continuado, el anillo original se expande a la superficie, en tanto que los anillos
internos crecen y nuclean an a otros anillos. Este procesos desarrolla primero una estrecha
banda de deslizamiento que posteriormente crece en anchura segn se nuclean las
dislocaciones sobre planos de deslizamiento adyacentes. El ltimo resultado es la
formacin de una banda de deslizamiento (un grupo de lneas de deslizamiento con un
espaciamiento muy pequeo). En la Fig. 4.23 se muestran varios juegos de estas bandas.
El cuadro de Gilman y sus asociados han producido para el proceso de deslizamiento en el
LiF es algo diferente del basado sobre el concepto de los focos de Frank-Read. En el LiF se
ha mostrado que las dislocaciones se forman heterognemente en las discontinuidades de la
red. Las ltimas son de ordinario partculas de impureza incorporadas dentro del cristal.
Los anillos de dislocacin que se forman de esta manera se expanden bajo la accin de una
carga aplicada y, en su crecimiento, nuclean otras dislocaciones por medio de un
mecanismo desconocido. Este mecanismo multiplicador de dislocaciones produce primero
lneas estrechas de deslizamiento que crecen hasta formar bandas de deslizamiento, las
Figura 4.22
cuales, a su vez, pueden expandirse hasta cubrir todo el cristal. No se ha determinado si un
mtodo idntico es vlido o no para el desarrollo de las lneas o bandas de deslizamiento
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93

Fig. 4.22 En un cristal de fluoruro de litio, un anillo de dislocacin en movimiento puede
nuclear otros anillos. (A) Pequeo anillo de dislocacin sencillo, (B) el mismo anillo
expandido por la accin de un esfuerzo mostrando anillos secundarios nucleados
por el movimiento del anillo primario.

para los metales. Sin embargo, el trabajo sobre el LiF ha demostrado ciertamente que nos
encontramos bastante lejos de entender completamente los mecanismos por los que se
forman las lneas de deslizamiento.
4.5. Deslizamiento por flexin
Durante muchos aos se ha sabido que los cristales pueden ser doblados plsticamente y
que esta forma de deformacin plstica ocurre como resultado del deslizamiento. La flexin
de los cristales puede ser explicada en trminos de los focos de Frank-Read.

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Fig. 4.23 Bandas de deslizamiento en el LiF. Bandas formadas
a 196C y 0,36% de deformacin.

Apliquemos pares iguales (de magnitud M) a los extremos del cristal mostrado en la Fig.
4.24A. El efecto de estos pares es producir un momento de flexin (M) uniforme a lo largo
del cristal. Hasta que se exceda el punto del lmite elstico aparente, la deformacin ser
elstica. La distribucin de esfuerzos a travs de cualquier seccin transversal, tal como aa
es dad por la ecuacin
I
My
S
x
=

en donde y es la distancia vertical medida desde el eje neutral del cristal (lnea de centro
horizontal), M es el momento de flexin, e I el momento de inercia de la seccin transversal
del cristal ( 4 /
4
r para cristales de seccin transversal circular). La Fig. 4.24B muestra la
distribucin de esfuerzos que vara uniformemente desde un esfuerzo de compresin
mximo en la superficie superior, a cero en el eje neutral, y a un esfuerzo de tensin
mximo en la superficie inferior. La Fig. 4.25 representa al mismo cristal en el que se
supone que la lnea mn representa el trazo de un plano de deslizamiento. La curvatura del
cristal no se muestra, para simplificar la figura. Por conveniencia, se supone tambin que el
plano de deslizamiento es perpendicular al plano del papel y que la lnea mn es tambin la
direccin de deslizamiento. Los vectores horizontales asociados con la lnea mn representan
la misma distribucin de esfuerzos que en la Fig. 4.24B. La Fig. 4.25 muestra tambin, a lo
largo de la lnea op, el componente de esfuerzo cortante (paralelo al plano de
deslizamiento) de la distribucin de esfuerzos. Obsrvese que el sentido del esfuerzo
cortante cambia su signo segn cruza el eje neutral. Adems el esfuerzo cortantes cero en el
eje neutral y llega a un mximo en los extremos del plano de deslizamiento. Debido a la
distribucin del esfuerzo cortante, los primeros anillos de dislocacin se formarn en los

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Fig. 4.24 (A) Deformacin elstica de un cristal sometido a dos momentos iguales (M)
aplicados a sus extremos. (B) Distribucin normal de esfuerzos sobre un seccin
transversal tal como aa.

focos de Frank-Read o en otros cerca de las superficies inferior y superior. La forma en que
se mueven estos anillos de dislocacin, sin embargo, depende de si la dislocacin queda
sobre o por debajo del eje neutral de la probeta. En ambos casos, las componentes de borde
positivos de todos los anillos de dislocacin se mueven hacia la superficie, mientras que las
componentes de borde negativos se mueven hacia el eje neutral de la probeta. (Vase la
Fig. 4.26). Las dislocaciones de borde negativas se mueven hacia una regin de esfuerzo
cortante decreciente y eventualmente deben parar. Las dislocaciones de borde positivas, por
otra parte, estn en una regin de esfuerzos elevados, como son los componentes
helicoidales de mano izquierda y de derecha de cada anillo de dislocacin. Los tres ltimos
componentes (borde positivo y helicoidales derecho e izquierdo) se puede suponer que se


Fig. 4.25 Distribucin de esfuerzos sobre planos de deslizamiento correspondientes a la
deformacin elstica mostrada en la Fig. 4.24.

mueven hacia la superficie y dejan el cristal. Por ejemplo, bajo la distribucin de esfuerzos
de flexin aplicados, los anillos de dislocacin cerrados originados en los focos de Frank-
Read se vuelven eventualmente dislocaciones de borde negativas que se mueven hacia el
eje neutral del cristal. Segn se dobla el cristal ms y ms, las dislocaciones de borde
negativas que se mueven hacia el eje neutral del cristal. Segn se dobla el cristal ms y
ms, las dislocaciones de borde negativas sern conducidas cada vez ms lejos a lo largo de
los planos de deslizamiento hacia el centro del cristal. Eventualmente, en cada plano de
deslizamiento activo se hallar una secuencia ordenada de dislocaciones, teniendo stas una
separacin ms o menos uniforme, cuyo espaciamiento mnimo depende del hecho de que
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las dislocaciones del mismo tipo y signo se repelen mutuamente si quedan sobre el mismo
plano de deslizamiento. La Fig. 4.27 ilustra la naturaleza general de la distribucin de
dislocaciones. La seccin estrecha al eje neutral se presenta libre de dislocaciones, de
acuerdo con el hecho de que esta regin, bajo esfuerzos de flexin moderados, no sufrir
esfuerzos sobre el lmite elstico, con lo que la deformacin ser elstica y no plstica.
Ahora, cada dislocacin de borde negativa de una secuencia que queda sobre un plano de
deslizamiento dado representa un plano extra que termina en el plano de deslizamiento.
Cada uno de estos planos queda sobre la izquierda de su plano de deslizamiento. Para poder


Fig. 4.26 Efecto de la distribucin de esfuerzos sobre el movimiento, de las dislocaciones.
Las componentes de borde positivos se mueven hacia la superficie; los de borde
negativos, hacia el eje neutral.


Fig. 4.27 Distribucin de un exceso de dislocaciones de borde en un
cristal flexionado plsticamente.

Acomodar estos planos extra (todos sobre un lado de un plano de deslizamiento dado), los
planos de deslizamiento deben asumir una curvatura que es convexa hacia abajo y a la
izquierda, y el cristal como un todo una curvatura convexa hacia abajo.
Si se invirtiesen los pares aplicados al cristal en la Fig. 4.24 a 4.27, se producira un exceso
de dislocaciones positivas a lo largo de los planos de deslizamiento. Los planos de
deslizamiento y el cristal asumiran entonces una curvatura inversa a la descrita
anteriormente.
En la discusin anterior, se supuso que el cristal era de dimensiones macroscpicas y que la
deformacin por flexin estaba distribuida uniformemente sobre toda la longitud del cristal.
El fenmeno que ha sido descrito no est restringido (sin embargo) a cristales grandes. La
flexin de los planos cristalinos por la acumulacin de un nmero excesivo de
dislocaciones de borde del mismo signo puede ocurrir en cristales bastante pequeos, e
incluso en reas bastante pequeas de los cristales. Se pueden explicar cierto nmero de
fenmenos relacionados observados en cristales metlicos en trminos de rotaciones
localizadas en la red. En cada caso, hay una acumulacin de dislocaciones de borde del
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97
mismo signo sobre planos de deslizamiento del cristal. Entre stas hay alabeamientos,
planos de flexin, y bandas de deformacin. Una descripcin detallada de lo ltimo
sobrepasa el intento del presente texto, pero el hecho de que se observen con frecuencia
puntualiza el hecho de que la flexin plstica de los cristales metlicos es un importante
mecanismo de deformacin.
4.6. Ascenso de las dislocaciones de borde
El plano de deslizamiento de una dislocacin se define como el plano que contiene tanto la
dislocacin como el vector de Burguers. Como el vector de Burgers es paralelo a una
dislocacin helicoidal, cualquier plano que contenga a la dislocacin es un posible plano de
deslizamiento. (Vase la Fig. 4.28). Por otra parte, el vector de Burgers de una dislocacin
de borde es perpendicular a la dislocacin, y solo hay un posible plano de deslizamiento.
(Vase la Fig. 4.29). Una dislocacin helicoidal puede moverse por deslizamiento o
corrimiento en cualquier direccin perpendicular a s misma, pero una dislocacin de borde
slo puede correrse en su plano de deslizamiento simple. Sin embargo, hay otro mtodo,
que se diferencia fundamentalmente del deslizamiento, por el cual se puede mover una
dislocacin de borde. Este proceso se llama ascenso e implica movimiento en una direccin
perpendicular al plano de deslizamiento.


Fig. 4.28 (Izquierda). Cualquier plano conteniendo la dislocacin es un plano de
deslizamiento para una dislocacin helicoidal: La Fig. 4.29 (Derecha). Para una
dislocacin de borde slo hay un plano de deslizamiento. Este tiene tanto
el vector de Burgers como la dislocacin.

La Fig. 4.30A representa una vista de una dislocacin de borde con un plano extra
perpendicular al plano de papel y que se designa por crculos llenos. En este diagrama, un
lugar vacante la red se ha movido hacia arriba a una posicin justamente a la derecha del
tomo de a, uno de los tomos que forma el borde o lmite del plano extra. Si el tomo a
salta dentro de un lugar desocupado, el borde de la dislocacin pierde un tomo, como se
muestra en la Fig. 4.30B, donde el tomo c, designado con un crculo cruzado, representa el
tomo prximo del borde (quedando justamente por debajo del plano del papel). Si el
tomo b y todos los otros que forman el borde original de los planos extras se separan por
interaccin con los lugares desocupados, la dislocacin de borde ascender una distancia
atmica en una direccin perpendicular al plano de deslizamiento. Esta situacin se muestra
en la Fig. 4.30C. La ascensin, tal como se ilustra en el ejemplo anterior, se designa como

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Fig. 4.30 Ascenso positivo de una dislocacin de borde.

una ascensin positiva y resulta en una disminucin del tamao del plano extra. La
ascensin negativa corresponde a lo opuesto de lo anterior en que el plano extra crece en
tamao en lugar de contraerse. En las Fig. 4.31A y 4.31B se ilustra un mecanismo para la
ascensin negativa.
En este caso, supongamos que el tomo a de la Fig. 4.31A se muestra a la izquierda y se
une al plano extra, dejando un lugar vacante a su derecha, como se muestra en la Fig.
4.31B. Este lugar vacante se mueve entonces dentro del cristal. Obsrvese que esto es de
nuevo un procedimiento de tomo por tomo y no un movimiento cooperativo de toda la
fila de tomos que queda detrs del tomo a. As, el tomo c (crculo cruzado), mostrado en
la Fig. 4.31B, representa al tomo que originalmente estaba detrs del tomo a. Un
movimiento cooperativo de todos los tomos en la fila detrs de a corresponde a un
desplazamiento y no a un ascenso.
Debido a que estamos removiendo el material del interior del cristal segn se contrae el
plano extra, el efecto de ascenso positivo sobre el cristal es el de causar su contraccin en
una direccin paralela al plano de deslizamiento (perpendicular al plano extra). El ascenso
positivo est asociado por lo tanto con una deformacin compresiva y ser promovido por
un componente de esfuerzo compresivo perpendicular al plano extra. Similarmente, un
esfuerzo de tensin aplicado perpendicular al plano extra de una dislocacin de borde
promueve el crecimiento del plano y as el ascenso negativo. En consecuencia, existe un
diferencia fundamental entre la naturaleza del esfuerzo que produce deslizamiento y el que
produce ascenso. El deslizamiento ocurre como resultado de esfuerzo cortante; el ascenso
como resultado de un esfuerzo normal (de tensin o compresin).
Tanto el ascenso positivo como el negativo requieren que los lugares vacantes se muevan a
travs de la red, hacia la dislocacin en el primer caso y opuesta a ella en el segundo. Si la
concentracin de los lugares vacantes y su grado de es muy bajo, entonces no se espera que
asciendan las dislocaciones de borde. Como veremos los lugares vacantes en la mayor parte
de los metales son prcticamente inmviles a bajas temperaturas (un salto en once das en
el cobre a temperatura ambiente), pero a temperaturas elevadas se mueven con gran rapidez
y su nmero de equilibrio aumenta por muchas potencias de diez. Por lo tanto, el ascenso es
un fenmeno que se vuelve importante cada vez ms, segn aumenta la temperatura. Por
otra parte, el deslizamiento slo es influido ligeramente por la temperatura.

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Fig. 4.31 Ascenso negativo de una dislocacin de borde
4.7. Planos de deslizamiento y direcciones de deslizamiento
Es un hecho experimental que en los cristales metlicos el deslizamiento, o corrimiento,
ocurre preferentemente sobre planos de elevada densidad atmica. Es una regla general que
la separacin entre planos reticulares paralelos vara directamente con el grado de
compacticidad en los planos. En consecuencia, los cristales se cortan con mayor facilidad
sobre planos de amplia separacin. Esta aseveracin no significa que el deslizamiento no
pueda ocurrir en un cristal dado sobre planos distintos a los ms compactos. Significa ms
bien que las dislocaciones se mueven con mayor facilidad a lo largo de planos con
espaciamiento amplio donde la distorsin reticular debida al movimiento de la dislocacin
es pequea.
El deslizamiento no slo tiende a efectuarse de preferencia sobre los planos
cristalogrficos, sino que en la direccin del corte asociada con el deslizamiento es tambin
cristalogrfica. Se ha encontrado que esta direccin de deslizamiento de un cristal
(direccin de corte) es casi exclusivamente una direccin compacta, una direccin de la red
con tomos dispuestos en una lnea recta, tocando cada uno al siguiente. Debe mencionarse
tambin que esta tendencia al deslizamiento ocurrente a lo largo de direcciones compactas
es mucho ms fuerte que la tendencia a ocurrir sobre los planos ms compactados. Para
propsitos prcticos, puede suponerse de ordinario que el deslizamiento se produce en una
direccin compacta.
El hecho de que la direccin de deslizamiento determinada experimentalmente coincida con
las direcciones compactas de un cristal puede ser explicado en trminos de dislocaciones.
Cuando se mueve una dislocacin a travs de un cristal, ste se corta en una cantidad igual
al vector de Burgers de la dislocacin. Despus de que ha pasado la dislocacin, el cristal
debe estar sin cambio en la geometra de los tomos, esto es, debe ser retenida la simetra
del cristal. El corte menor que puede llenar esta condicin es igual a la distancia entre
tomos en una direccin compacta.

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100

Fig. 4.32 Dos sentidos en los cuales puede ser cortada una red cbica simple mientras
todava mantiene la simetra reticular; (A) El cristal antes del corte, (B) Corte en una
direccin compacta, y (C) Corte en una direccin no compacta.

Para poder explicar este punto con mayor claridad, consideremos un modelo de bola dura
de una estructura cristalina cbica simple. La lnea mn de la Fig. 4.32A es una direccin
compacta. En la Fig. 4.32B, la mitad superior de la red ha sido cortada a la derecha por a, la
distancia atmica en direccin mn. El corte, por supuesto, no ha cambiado la estructura
cristalina. Considrese ahora una direccin que no sea compacta elegida arbitrariamente,
tal como qr en la Fig. 4.32A. La Fig. 4.32C muestra que un corte de c (la distancia entre
centros de tomos en esta direccin) preserva tambin la red. Sin embargo, c es mayor que
a (c = 1,414a). Adems, c y a igualan los respectivos tamaos de los vectores de Burgers
de la dislocacin capaz de producir los dos cortes. La dislocacin correspondiente al corte
en la direccin compacta tiene as el vector de Burgers ms pequeo. Sin embargo, la
distorsin reticular y la energa de deformacin asociada con una dislocacin son funciones
del tamao del vector de Burgers, y ha sido demostrado por Frank que la energa de
deformacin vara directamente con el cuadrado del vector de Burgers. En el caso presente,
la energa de deformacin de una dislocacin del vector de Burgers c es el doble de una
dislocacin del vector de Burgers a [esto es, c
2
= 1,414
2
a
2
]. En esta forma, una dislocacin
con un vector de Burgers igual al espaciamiento de los tomos en una direccin compacta
sera nica, y poseera la menor energa de deformacin de todas las dislocaciones cuyo
movimiento a travs del cristal no perturba la estructura cristalina. El hecho de que posea la
menor energa de deformacin deber hacer a esta forma de dislocacin mucho ms
probable que las formas de energa de deformacin ms elevada. Tambin deber tomarse
en cuenta el hecho observando experimentalmente que la direccin de deslizamiento en los
cristales es casi siempre una direccin compacta.
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4.8. Sistemas de deslizamiento
La combinacin de un plano de deslizamiento y una de sus direcciones compactas define a
un posible modo o sistema de deslizamiento. Si se considera que el plano del papel en la
Fig. 4.33 define a un plano deslizante, entonces habr tres sistemas de deslizamiento
asociados con el plano compacto indicado, correspondiendo un modo a cada una de las tres
direcciones de deslizamiento. Todos los modos de un plano de deslizamiento dado son
equivalentes cristalogrficamente. Adems, todos los sistemas de deslizamiento en planos
de la misma forma [(111), (1-11), (-111) y (11-1)] son tambin equivalentes. Sin embargo,
la facilidad con que se puede producir el deslizamiento sobre sistemas de deslizamiento
pertenecientes a planos de formas distintas [(111) y (110)] ser, en general, muy diferente.


Fig. 4.33 Las tres direcciones de deslizamiento en un plano compacto. Obsrvese que
este tipo de plano ocurre tanto en la red hexagonal compacta como en la cbica
centrada en las caras.
4.9. Esfuerzo cizallante crtico determinado
Es un hecho bien conocido que las probetas de metal policristalino poseen un lmite elstico
que debe ser excedido para producir deformacin plstica. Tambin es cierto que los
cristales metlicos simples necesitan ser sometidos a un esfuerzo sobre un lmite elstico
similar antes de que la deformacin plstica por deslizamiento sea medible
macroscpicamente. Como el deslizamiento es causado por esfuerzos cortantes, el lmite
elstico para cristales se expresa mejor en trminos de un esfuerzos cizallantes determinado
sobre el plano de deslizamiento y en la direccin del deslizamiento. Este esfuerzo se
denomina esfuerzo cizallante crtico determinado. Es el esfuerzo que ocasionar el
movimiento de un nmero suficientemente grande de dislocaciones en tal forma que se
pueda observar una deformacin mesurable. La mayor parte de las probetas cristalinas no
se prueban directamente en corte, sino en tensin, de manera que ahora se derivar una
ecuacin que relaciona el esfuerzo de tensin aplicado con el esfuerzo cizallante
determinado sobre el plano de deslizamiento y en la direccin del deslizamiento.
Concedamos que el plano inclinado en la parte superior del cristal cilndrico de la Fig. 4.34
corresponda al plano de deslizamiento el cristal. La normal al plano de deslizamiento y la
direccin de deslizamiento estn indicadas por las lneas p y d respectivamente. El ngulo
entre la normal del plano de deslizamiento y el eje de esfuerzos se representa por , y el de
entre la direccin del deslizamiento y el eje de esfuerzos por . La fuerza de tensin axial
aplicada al cristal, en libras, se designa por f
n
.
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El rea de la seccin transversal de la probeta perpendicular a la fuerza de tensin aplicada
es el rea del plano de deslizamiento como el coseno del ngulo entre los dos planos. Este
ngulo es el mismo que el ngulo entre las normales a los dos planos en cuestin y el
ngulo en la figura. As,


Fig. 4.34 Una figura para la determinacin de la ecuacin del esfuerzo
cizallante crtico determinado.

En donde A
n
es el rea de la seccin transversal perpendicular al eje de la probeta, y A
sp
el
rea del plano de deslizamiento. El esfuerzo sobre el plano de deslizamiento es igual la
fuerza aplicada dividida entre el rea del plano de deslizamiento:
cos
n
n
sp
n
A
A
f
A
f
s = =

donde s
A
es el esfuerzo sobre el plano de deslizamiento en la direccin de la fuerza original
f
n
. Sin embargo, este no es el esfuerzo de cizallamiento que acta en la direccin del
deslizamiento, sino el esfuerzo total actuando sobre el plano de deslizamiento. La
componente de este esfuerzo paralela a la direccin de deslizamiento es el esfuerzo
cizallante deseado y se puede obtener multiplicando s
A
por el cos es el ngulo entre s
A
y
s
s
, el esfuerzo cizallante determinado. Como resultado de lo anterior, podemos escribir
ahora
cos cos cos
n
n
A A
A
f
s s = =

en donde s
s
es el esfuerzo cizallante determinado sobre el plano de deslizamiento en la
direccin del deslizamiento. Finalmente, como f
n
/ A
n
es la fuerza de tensin aplicada
dividida entre el rea normal a esta fuerza, se puede reemplazar este trmino por s
n
, el
esfuerzo de tensin normal:
cos cos
n s
s s =

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103
De la ecuacin anterior se pueden extraer varias conclusiones importantes. Si el eje tensor
es perpendicular al plano de deslizamiento, el ngulo de es 90 y el esfuerzo cizallante es
nuevamente cero. Por tanto, no es posible producir deslizamiento sobre un plano dado
cuando ste es perpendicular o paralelo al eje del esfuerzo tensor. El mximo esfuerzo
cizallante que se puede producir es igual a 0,5s
n
y ocurre cuando tanto como son
iguales a 45. Para todas las dems combinaciones de estos dos ngulos, el esfuerzo
cizallante determinado es menor de la mitad del esfuerzo de tensin.
Por pruebas en muchos metales diferentes, se ha verificado experimentalmente que el
esfuerzo cizallante resuelto para un plano cristalogrfico dado es independiente de la
orientacin del cristal. As, si un nmero de cristales, difiriendo slo en la orientacin del
plano de deslizamiento con el eje del esfuerzo tensor, son sometidos a tensin, y se calcula
con la ecuacin anterior el esfuerzo cizallante al que ceden, se hallar que la carga de
deformacin es una constante. La Fig. 4.35 muestra los datos del esfuerzo cizallante crtico
determinado de Burke y Hibbard para cristales de magnesio simples de 99,99% de pureza.


Fig. 4.35 El lmite elstico en tensin para cristales simples de magnesio con orientaciones
diferentes. Las abscisas son valores de la funcin coscos. La curva suave es para una
constante supuesta del esfuerzo cizallante crtico determinado de 63 lb/plg
2
(4.42 kg/cm
2
)

La ordenada para esta curva es el esfuerzo de tensin al cul se observ la cedencia,
mientras que las abcisas dan los valores correspondientes de la funcin coscos. Se traz
una curva suave a travs de los datos correspondientes a una carga de deformacin
constante (esfuerzo cizallante) de 44 g/mm
2
(62 lb/plg
2
). Los puntos experimentales caen
sobre esta curva con precisin extraordinaria.
El esfuerzo cizallante crtico determinado para deslizamiento sobre un tipo de plano dado
es notablemente constante para cristales de la misma composicin y tratamiento previo. Sin
embargo, el esfuerzo cizallante crtico resuelto es sensible a los cambios en la composicin
y manejo. Generalmente, cunto ms puro es el metal ms baja ser la carga de
deformacin, como puede verse con bastante claridad en las curvas de la Fig. 4.36 para
cristales simples de plata y cobre. Los datos de la plata en particular muestran que
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cambiando la composicin de una pureza de 99,99% a una de 99,93% se eleva el esfuerzo
cizallante crtico determinado por un factor mayor de tres.
El esfuerzo cizallante crtico determinado e suna funcin de la temperatura. En el caso de
los cristales cbicos centrados en las caras, esta dependencia de la temperatura puede ser
pequea. Los cristales metlicos que pertenecen a otras formas cristalinas (BCC,
Hexagonal y rombodrica) muestran un mayor efecto de la temperatura. En estos cristales,
la carga de deformacin aumenta segn disminuye la temperatura, con una proporcin de
aumento que generalmente se hace mayor segn desciende la temperatura.
La Fig. 4.37 muestra este efecto para cierto nmero de diferentes metales cbicos no
centrados en las caras.
4.10. Deslizamiento sobre sistemas de deslizamiento equivalente
Se ha determinado empricamente que cuando un cristal posee varios sistemas de
deslizamiento cristalogrficamente equivalentes, el deslizamiento comenzar primero sobre
el sistema que tenga el mayor esfuerzo cizallante resuelto. Se ha encontrado tambin que si
se somete a esfuerzos iguales a varios sistemas equivalentes, el deslizamiento comenzar de
ordinario simultneamente sobre todos estos sistemas.


Fig. 4.37 Efecto de la temperatura sobre el esfuerzo cizallante crtico. Nota: Los datos sobre
los que estn basadas estas curvas son anteriores a la Tabla 4.2. Los esfuerzos crticos ms
elevados en este caso corresponden a cristales de pureza inferior.
4.11. Sistemas de deslizamiento en diferentes formas cristalinas
Metales Cbicos Centrados en las Caras. Las direcciones compactas son las <110> en la
estructura cbica centrada en las caras. Estas son direcciones que corren diagonalmente a
travs de las caras de la celda unitaria. La Fig. 4.33 muestra un segmento de un plano
compacto. En la red cbica centrada en las caras hay cuatro de estos planos, llamados
planos octadricos, con ndices (111), (1-11), (11-1) y (-111). Cada plano octadrico
contiene tres direcciones compactas, como se puede ver en la Fig. 4.33, y, en consecuencia,
el nmero total de sistemas octadricos de deslizamiento es de 43 = 12. El nmero de
sistemas octadricos de deslizamiento puede ser calculado tambin en forma diferente. Hay
6 direcciones <110> y, como cada direccin compacta queda en dos planos octadricos, el
nmero de sistemas de deslizamiento es, por tanto, doce.
______________________________________________________________________
P.D-S
105
Los nicos sistemas de deslizamiento importantes en la estructura cbica centrada en las
caras son los asociados con el deslizamiento en el plano octadrico. Hay varias razones
para esto, primero, el deslizamiento puede ocurrir con mayor facilidad sobre un plano
compacto que sobre planos de menor densidad atmica, esto es, el esfuerzo cizallante
crtico determinado en los metales de red cbica centrada en las caras es muy pequeo en
las cercanas del estado puro.

TABLA 4.1 ESFUERZO CIZALLANTE CRTICO DETERMINADO PARA METALES
DE RED CBICA CENTRADA EN LAS CARAS
Metal Pureza Sistema de
deslizamiento
Esfuerzo cizallante
crtico determinado
lb/plg
2

Cu 99.999 {111}<110> 92
Ag 99.999 {111}<110> 54
Au 99.99 {111}<110> 132
Al 99.996 {111}<110> 148

Generalmente, los cristales cbicos centrados en las caras deformados plsticamente se
deslizan sobre ms de un plano octadrico debido al gran nmero de sistemas equivalentes
de deslizamiento. De hecho, es muy difcil producir deformaciones de ms de unos cuntos
porcentajes, aun en un ensayo a la tensin simple, sin inducir simultneamente corrimiento
sobre varios planos. Sin embargo, cuando ocurre deslizamiento al mismo tiempo sobre
varios planos de deslizamiento intersectantes, el esfuerzo requerido para producir
deformaciones adicionales se eleva rpidamente. En otras palabras, la resistencia cristalina
a la deformacin aumenta. La Fig. 4.38 muestra curvas tpicas de esfuerzo-deformacin
para un par de cristales cbicos de centrado en las caras. La curva a corresponde a un
cristal cuya orientacin original es tal, que varios sistemas de deslizamiento tienen iguales
esfuerzos cizallantes determinados. En este caso, la deformacin plstica ocurre por
deslizamiento sobre varios planos deslizantes y la curva tiene una fuerte pendiente desde el
comienzo de la deformacin. Por otra parte, la curva b es representativa de cristales en los
que el plano de deslizamiento se encuentra sometido a mayores esfuerzos que todos los
dems al comienzo de la deformacin. La regin marcada 1 en esta curva corresponde al
deslizamiento en este plano nicamente; los otros planos de deslizamiento se encuentran
inactivos. La pequea inclinacin de la curva en el paso 1 muestra que el aumento de
endurecimiento por deformacin es menor cuando el deslizamiento ocurre sobre un plano
cristalogrfico simple. La regin 2 de la curva b, que aparece despus de varios porcentajes

______________________________________________________________________
P.D-S
106

Fig. 4.38 Curvas de esfuerzo-deformacin tpicas de los cristales cbicos simples centrados
en las caras. La curva a corresponde a la deformacin por corrimiento mltiple despus de
un perodo de deslizamiento simple (corrimiento fcil).

de deformacin, tiene una inclinacin ms pronunciada y el cristal aumenta en resistencia
rpidamente con el incremento de deformacin. En esta regin, cesa el deslizamiento sobre
un plano simple, comenzando los corrimientos mltiples sobre planos de deslizamiento
intersectantes que aumentan el endurecimiento de la deformacin.
La regin 1 de la curva b, donde ocurre el deslizamiento sobre un plano simple, se conoce
como la regin de corrimiento fcil. La extensin de esta regin de corrimiento fcil
depende de varios factores, entre los cuales est el tamao de la probeta y la pureza del
metal. Cuando el dimetro de la seccin transversal de una probeta cristalina es grande, o el
metal es muy puro, la regin de corrimiento fcil tiende a desaparecer. En cualquier caso, la
regin de corrimiento fcil, o deslizamiento simple, raramente excede las deformaciones de
varios porcentajes en los cristales cbicos de centrado en las caras, y, para cualquier
propsito prctico, puede suponerse que estos metales se deforman por corrimientos
mltiples sobre cierto nmero de sistemas octadricos. Esta deformacin es especialmente
cierta en el caso de los metales cbicos de centrado en las caras policristalinos.
Las propiedades plsticas de los metales cbicos de centrado en las caras son las siguientes:
los bajos esfuerzos cizallantes crticos determinados para el deslizamiento sobre los planos
octadricos significan que la deformacin plstica de estos metales comienza a bajos
niveles de deformacin. Sin embargo, los deslizamientos mltiples sobre planos de
deslizamiento intersectantes ocasionan una rpida resistencia debido al endurecimiento por
deformacin segn prosigue sta.
Metales Hexagonales. Como el plano basal de los cristales hexagonales compactos y el
plano octadrico {111} de la red cbica centrada en las caras tienen una disposicin de
tomos idntica, debe esperarse que el deslizamiento sobre el plano basal de los metales
hexagonales ocurra tan fcilmente como el deslizamiento sobre los planos octadricos de
los metales cbicos de centrado en las caras. En el caso de los tres metales hexagonales,
cinc, cadmio, y magnesio, este es realmente el caso. La Tabla 4.2 enlista el esfuerzo de
tensin cizallante crticos determinado para el deslizamiento basal de esto metales medido a
temperatura ambiente. Los ndices hexagonales de Miller del plano basal son (0001), y las
direcciones compactas, o de deslizamiento, son <11-20>.
La Tabla 4.2 confirma en forma definitiva que la deformacin plstica por deslizamiento
basal en estos tres metales hexagonales comienza a esfuerzos del mismo orden de magnitud
______________________________________________________________________
P.D-S
107
que los requeridos para comenzar el deslizamiento en los metales cbicos de centrado en
las caras.

TABLA 4.2 ESFUERZO CIZALLANTE CRITICO DETERMINADO PARA
DESLIZAMIENTO BASAL.
Metal Pureza Sistema de
deslizamiento
Esfuerzo cizallante
crtico determinado
lb/plg
2

Cinc 99.999 {111}<110> 92
99.999 {111}<110> 54
99.99 {111}<110> 132

Otros dos metales de inters son el titanio y el berilio en los cuales el esfuerzo cizallante
crtico determinado a temperatura ambiente para deslizamiento basal es muy elevado
(aproximadamente 16000 lb/plg
2
1125 kg/cm
2
en el caso del titanio, y 5700 lb/plg
2

401 kg/cm
2
). En consecuencia, el ltimo plano es el plano de deslizamiento preferido en el
titanio. El deslizamiento basal del zirconio, otro metal tambin hexagonal, no ha sido
observado hasta tal punto. Parece que el deslizamiento ocurre primordialmente sobre
sistemas de deslizamiento {10-10} <11-20>. El esfuerzo cizallante crtico para esta forma
de deslizamiento es alrededor de 900 lb/plg
2
(499 kg/cm
2
). La pregunta que se presenta
ahora es cmo se pueden explicar las diferencias en el comportamiento al deslizamiento del
magnesio, cinc, y cadmio, por una parte, y las de berilio, titanio, y zirconio por la otra. No
se tiene a mano una completa solucin a este problema, pero lo siguiente est relacionado
sin duda con este efecto.
La Fig. 1.14 del Cap. 1 muestra la celda unitaria de la red hexagonal. En esta figura, la
distancia a es igual a la distancia entre los tomos en el plano basal, en tanto que c es la
distancia vertical entre tomos en cualquier otro plano basal. La relacin c/2a es, por tanto,
una medida sin dimensin determinada del espaciamiento entre planos basales. Si los
tomos de los metales hexagonales fuesen realmente de forma esfrica, la relacin c/2a
sera la misma en todos los casos 80,816). La Tabla 4.3, sin embargo, muestra que este
valor no es el mismo, sino que vara desde 0,943 en el caso del cadmio a 0,793 en el del
berilio. nicamente el magnesio tiene un tomo que se acerca a la forma esfrica
verdadera, c/2a = 0,812. El cadmio y el cinc tienen una separacin de plano basal ms
grande que la de esferas compactas, mientras que el berilio, titanio y zirconio tienen una
similar. Es significativo que los metales hexagonales con separaciones pequeas entre los
planos basales sean aquellos con esfuerzos cizallantes crticos muy altos para deslizamiento
basal.



TABLA 4.3 RELACIN c/2a PARA METALES HEXAGONALES.
Metal c/2a
Cd 0.943
Zn 0.928
Mg 0.812
Zr 0.795
______________________________________________________________________
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108
Ti 0.794
Be 0.793



Fig. 4.39 Deslizamiento {1122} <1123> en metales hexagonales.

Se ha observado que los metales hexagonales cinc y cadmio se deslizan sobre un plano de
deslizamiento nico cuando se les deforma en tal manera que se haga muy pequeo el
esfuerzo cizallante crtico sobre el plano basal. Esta deformacin puede realizarse, por
ejemplo, colocando el eje del esfuerzo tensor casi paralelo al plano basal. El plano de
deslizamiento observado para este tipo de deformacin es {11-22}, en tanto que la
direccin de deslizamiento es <-1-123<. La Fig. 4.39 muestra la posicin de uno de estos
planos de deslizamiento y una de estas direcciones de deslizamiento en una celda
hexagonal unitaria. La caracterstica significativa de este modo de deformacin es que la
direccin <-1-123> no es la direccin compacta en la estructura cristalina hexagonal. Antes
de la observacin del deslizamiento {11-22} <-1-123>, se haba observado la direccin de
deslizamiento en todos los metales como compacta, casi universalmente. Este corrimiento
piramidal de segundo orden fue observado primero por Bell y Cahn en cristales
macroscpicos de cinc, pero tambin fue verificado por Price tanto en cinc como en
Cadmio, utilizando el microscopio de transmisin electrnica (TEM).
La ltima tcnica utiliza una probeta metlica en forma de una hoja delgada a cuyo a travs
pasa un haz electrnico del microscopio. En una probeta que contenga dislocaciones, el haz
electrnico sufre efectos de difraccin ocasionando que las dislocaciones aparezcan como
sombras sobre la imagen de la probeta. El microscopio de transmisin electrnica hace
posible en esta forma la observacin directa de las dislocaciones. El trabajo de Price no slo
ha confirmado la existencia de esta clase de deslizamiento, sino que ha mostrado realmente
las dislocaciones responsables del mismo.
Corrimiento Fcil en Metales Hexagonales. Los metales cinc, cadmio, y magnesio son
nicos que poseen tanto una baja tensin cizallante crtica como un plano de deslizamiento
primario simple, el plano basal. Suponiendo que este plano de deslizamiento sea orientado
en forma apropiada con respecto al eje de esfuerzo tensor, se pueden producir
deformaciones de gran magnitud por deslizamiento basal. Los deslizamientos simultneos
sobre planos de deslizamiento primarios intersectantes no son un problema en estos metales
con un plano de deslizamiento simple y la relacin de endurecimiento por deformacin es
por tanto mucho menor que en los cristales cbicos centrados en las caras. La regin del
corrimiento fcil en una curva de esfuerzo tensin-deformacin, en lugar de extenderse
______________________________________________________________________
P.D-S
109
nicamente en varios porcentajes, puede exceder valores del cien por ciento. De hecho, es
bastante posible estirar un cristal de magnesio en forma de listn cuatro a seis veces su
longitud original.
La gran plasticidad de los cristales simples de estos tres metales hexagonales no se
transporta a su forma policristalina. El magnesio, cinc, o cadmio policristalinos tiene baja
ductilidad. En los prrafos anteriores se seal que la gran ductilidad de los cristales
simples se debe al hecho de que el deslizamiento ocurre sobre un plano cristalogrfico
simple. Sin embargo, en el material policristalino, la deformacin plstica es mucho ms
complicada que en los cristales simples. Cada cristal debe experimentar una deformacin
que le permita conformarse a los cambios de forma de sus vecinos. Los cristales con slo
un plano de deslizamiento simple, no tienen el grado de plasticidad suficiente para
deformaciones extensas bajo las condiciones que ocurren en los metales policristalinos.
Cristales Cbicos Centrados en el Cuerpo. Los cristales cbicos centrados en el cuerpo se
caracterizan por cuatro direcciones compactas, las direcciones <111>, y por la carencia de
un verdadero plano compacto como el octadrico de la red cbica centrada en las caras, o
por el plano basal de la red hexagonal. La Fig. 4.40 muestra un modelo de bola dura del
plano (110) cbico centrado en el cuerpo, el plano ms compacto en esta red. En este plano
hay dos direcciones compactas, la [-111] y la [1-11]. Una comparacin de la Fig. 4.40 y la
Fig. 4.33 (plano octadrico cbico de centrado en las caras) confirma el hecho de que los
planos {110} cbicos de centrado en el cuerpo no son planos de los ms compactos.


Fig. 4.40 El plano (110) de la red cbica centrada en el cuerpo.

El fenmeno de deslizamiento observado en los cristales cbicos de centrado en el cuerpo
corresponde estrechamente con el esperado en cristales con direcciones compactas y sin
planos verdaderamente compactos. La direccin de deslizamiento en los cristales cbicos
centrados en el cuerpo es la direccin compacta <111>; sin embargo, el plano de
deslizamiento no est bien definido. Las lneas de deslizamiento en la red cbica centrada
en el cuerpo son sinuosas e irregulares, haciendo con frecuencia que la identificacin de un
plano de deslizamiento en los cristales cbicos centrados en el cuerpo, pero trabajos
recientes sobre cristales de hierro simples indican que cualquier plano que contenga la
direccin <111> compacta acta como un plano de deslizamiento. En concordancia con la
falta de un plano compacto est la elevada tensin cizallante crtica para el deslizamiento en
los metales cbicos de centrado en el cuerpo. En el hierro es aproximadamente 4000 lb/plg
2

(281 kg/cm
2
) a temperatura ambiente.


______________________________________________________________________
P.D-S
110
5. Dislocaciones y lmite de grano
5.1. Deslizamiento Transversal
El deslizamiento transversal es un fenmeno que ocurre en cristales donde hay dos o ms
planos de deslizamiento con una direccin de deslizamiento comn. Como ejemplo, tmese
el metal hexagonal magnesio en el cual, a bajas temperaturas, puede ocurrir el
deslizamiento sobre el plano basal o sobre planos prismticos {10-10}. Estos dos tipos de
planos tienen direcciones de deslizamiento comunes las direcciones <11-20> compactas.
Las orientaciones relativas del plano basal y de un plano prismtico se muestran en la Fig.
5.1A y 5.1B, donde se supone que cada diagrama representa un cristal en la misma
orientacin bsica (el plano basal paralelo a las superficies superior e inferior). En el primer
croquis, el cristal est cizallado sobre el plano basal, en tanto que en el segundo est
cizallado sobre el plano prismtico. La tercera ilustracin, Fig. 5.1C, muestra la naturaleza
del deslizamiento transversal. Aqu se observa que la superficie de deslizamiento real no es


Fig. 5.1 Representacin esquemtica de deslizamiento transversal en un metal hexagonal:
(A) Deslizamiento sobre un plano basal; (B) Deslizamiento sobre el plano prismtico, y (C)
Deslizamiento sobre planos basal y prismtico.

un plano simple, sino que est formada de segmentos, parte de los cuales quedan en el
plano basal y parte en el plano prismtico. El perfil resultante de la superficie de
deslizamiento tiene la apariencia de una escalera. Una analoga simple para deslizamiento
transversal lo proporciona un cajn de un mueble. El deslizamiento de los lados y del fondo
del cajn en relacin con el marco del mueble es bsicamente similar al movimiento
cizallante que se efecta en el deslizamiento transversal.
En la Fig. 5.2 se muestra una fotografa de un cristal de magnesio mostrando deslizamiento
transversal, donde el plano de la fotografa es equivalente a las fuerzas hacia las caras
delanteras de los cristales esquemticos mostrados en la Fig. 5.1. Obsrvese que mientras
en esta probeta se produce el deslizamiento primordialmente a lo largo de un plano
prismtico, los segmentos de deslizamiento transversal sobre el plano basal son evidentes.

______________________________________________________________________
P.D-S
111

Fig. 5.2 Deslizamiento transversal en magnesio. Las huellas del plano de deslizamiento
vertical corresponden al plano prismtico{1010}, mientras que las huellas del plano de
deslizamiento horizontal

Durante el deslizamiento transversal las dislocaciones que producen la deformacin deben,
desplazarse de un plano de deslizamiento al otro. En el ejemplo anterior, las dislocaciones
se mueven desde el plano prismtico al plano basal y de vuelta al plano prismtico. El
desplazamiento real de la dislocacin desde un plano a otro slo puede producirse por una
dislocacin en la orientacin helicoidal. Las dislocaciones de borde, como se indic al
principio, tienen sus vectores de Burgers normales a sus lneas de dislocacin. Como el
plano de deslizamiento activo debe contener el vector de Burgers y a la lnea de
dislocacin, las dislocaciones de borde estn confinadas a moverse en un plano de
deslizamiento simple. Las dislocaciones helicoidales, con sus vectores de Burgers paralelos
a las lneas de dislocacin, son capaces de moverse en cualquier plano que pase a travs de
la lnea de dislocacin. La manera en que una dislocacin helicoidal puede producir un
escaln en un plano de deslizamiento se muestra esquemticamente en la Fig. 5.3.
El hecho de que las componentes de borde y helicoidales de una dislocacin pueden
moverse, bajo una fuerza aplicada dada, con velocidades ampliamente distintas, tiene
probablemente una relacin importante sobre el deslizamiento transversal en los cristales.

______________________________________________________________________
P.D-S
112

Fig. 5.3 Movimiento de una dislocacin helicoidal durante el deslizamiento transversal. En
la figura superior la dislocacin se mueve en un plano vertical, mientras que en la figura
inferior su plano de deslizamiento se ha corrido de manera que se mueva horizontalmente.

Donde se han comparado experimentalmente las velocidades de los dos tipos de
dislocaciones, se ha encontrado que las componentes de borde se mueven con velocidades
ms altas. Este hecho ha sido observado en el aluminio
1
, silicio
2
y en el cristal inico LiF
3
.
En los cristales de fluoruro de litio, las componentes de borde tienen una velocidad
aproximadamente cincuenta veces mayor que las componentes helicoidales. Las
dislocaciones se forman en un cristal como pequeos anillos que contienen componentes
tanto de borde como helicoidales. Si, en la mayor parte de los metales, se mantiene
realmente una diferencia de velocidades del orden de la observada en el LiF, esto implicara
que un anillo de dislocacin crece en un tiempo muy corto en que ascendera a un par de
dislocaciones helicoidales paralelas. Claramente, tal configuracin de dislocaciones
conducira al deslizamiento transversal. Sin embargo, es necesario indicar que el
deslizamiento transversal se observa tambin en metales donde las dislocaciones se
disocian en dislocaciones parciales. En este caso, el fenmeno de deslizamiento transversal
es ms complicado. Las dislocaciones parciales se discutirn posteriormente en este
captulo.
5.2. Bandas de deslizamiento
Una banda de deslizamiento es un grupo de lneas de deslizamiento estrechamente
espaciadas que tienen la apariencia, a baja amplificacin, de ser una gran lnea simple de
deslizamiento. En muchos metales, las bandas de deslizamiento tienden a ser onduladas e
irregulares en apariencia, lo cual evidencia que las dislocaciones que producen las bandas
en estos metales no estn confinados a moverse en un plano simple. El desplazamiento de

1
Chem, N.K., y Pond, R. B., Trans. AIME, 194 (1952), Pg. 1085.
2
Low, J.R., y Guard, R. W., Acta Met.
3
Johnston, W. G., y Gilman, J. J., Jour. Appl. Phys., 30 (1959). Pg. 129.
______________________________________________________________________
P.D-S
113
las dislocaciones desde un plano de deslizamiento a otro puede realizarse tanto por el
ascenso de dislocaciones de borde como por deslizamiento transversal de dislocaciones
helicoidales. De estas dos posibilidades, la ltima es probablemente la ms importante.
La resolucin de las lneas de deslizamiento individuales es una banda de deslizamiento es
normalmente una tarea que requiere el empleo de un microscopio electrnico. Sin embargo,
cuando se observa una banda de deslizamiento sobre una superficie que es casi paralela al
plano de deslizamiento activo, es algunas veces posible, cualitativamente al menos, resolver
las componentes de una banda de deslizamiento con ayuda de un microscopio ligero.
5.3. Notacin vectorial para dislocaciones
Hasta aqu, nos hemos interesado en las dislocaciones slo en un sentido general y, para
ilustracin, nicamente se ha considerado el tipo de estructura ms elemental, una red
cbica simple. En un cristal real, debido a la disposicin espacial ms compleja de los
tomos, las dislocaciones son complicadas y difciles de visualizar. Algunas veces es
conveniente dejar a un lado todas las consideraciones de la apariencia geomtrica de una
dislocacin complicada y definir la dislocacin por su vector de Burgers. Aqu es
especialmente conveniente la notacin vectorial para los vectores de Burgers. Se ha
indicado ya que, en cualquier forma cristalina, la distancia entre tomos en una direccin
compacta corresponde a la distancia cizallante ms pequea que preservar a la estructura
del cristal durante un movimiento deslizante. Las dislocaciones con los vectores de Burgers
iguales a este esfuerzo cizallante son energticamente la ms favorecidas en una estructura
cristalina dada. En relacin con la notacin del vector, la direccin de un vector de Burgers
puede representarse por los ndices de Miller de su direccin, y la longitud del vector se
puede expresar por medio de un factor numrico apropiado puesto enfrente de los ndices
de Miller. Es necesario considerar varios ejemplos explicativos.

Fig. 5.4 Espaciamiento entre los tomos en las direcciones compactas de diferentes
sistemas cbicos: centrado en las caras, cbico centrado en el cuerpo, y cbico simple.

La Fig. 5.4 representa a la celda unitaria para estructuras cbicas. En una red cbica simple,
la distancia entre tomos en una direccin compacta es igual a la longitud de un borde de la
celda unitaria. Ahora consideremos el smbolo [100]. Esta cantidad puede ser tomada para
______________________________________________________________________
P.D-S
114
representar un vector, tal como se muestra en la Fig. 5.4, con una componente unitaria en la
direccin x, y es, por tanto, la distancia entre tomos en la direccin x. Una dislocacin con
un vector de Burgers paralelo a la direccin x en una red cbica simple se representa por
consiguiente por [100]. Ahora considrese una red cbica centrada en las caras. Aqu la
direccin compacta es una diagonal frontal y la distancia entre tomos en esta direccin es
igual a la mitad de la longitud de la diagonal frontal. En la Fig. 5.4, la diagonal frontal
indicada ob tiene ndices[101]. Este smbolo corresponde tambin a un vector con
componentes unitarias en las direcciones x y z y una componente cero en la direccin y.
Como resultado, una dislocacin en una red cbica centrada en las caras que tenga un
vector de Burgers quedando en la direccin [101] deber escribirse [101]. En la red
cbica centrada en el cuerpo, la direccin compacta es una diagonal cbica, o una direccin
de la forma<111>. La distancia entre tomos en estas direcciones es la mitad de la longitud
de la diagonal, por lo que una dislocacin que tenga un vector de Burgers paralelo a [111],
por ejemplo, se escribe [111].
5.4. Dislocaciones en la red cbica centrada en las caras
El plano de deslizamiento primario en la red cbica centrada en las caras es el plano
octadrico {111}. La vista de la Fig. 5.5 es normal a un plano de este tipo y, cuando se mira
hacia abajo sobre el plano extra de la dislocacin, muestra una dislocacin en la orientacin
de borde. Los crculos oscuros representan al plano compacto (111) en el cual termina el
plano extra de la dislocacin de borde, mientras que los crculos claros son los tomos en el
plano compacto (111) prximo siguiente. Obsrvese que en el ltimo plano falta una fila de
tomos en zig-zag. Esto corresponde al plano de la dislocacin de borde. Considrese ahora
el plano de tomos(que queda directamente sobre la fila en zigzag de tomos claros)
inmediatamente a la izquierda del plano faltante de tomos.
El movimiento de los tomos de este plano a travs de la distancia horizontal b desplaza a
la dislocacin una unidad a la izquierda. El vector b representa as al vector de Burgers de
la dislocacin, el cual se designa [-110], de acuerdo con el mtodo delineado en la
seccin precedente. Movimientos similares en sucesin de los planos de tomos que se
encuentran a la izquierda de la dislocacin ocasionarn que sta se mueva a travs de todo
el cristal. Como es de esperar, este movimiento de dislocacin cizalla la mitad superior del
cristal (sobre el plano del papel) una unidad b a la derecha en relacin con la mitad del
fondo (por debajo del plano del papel).
Una dislocacin del tipo mostrado en la Fig. 5.5 no se mueve normalmente en la forma
sencilla discutida en el prrafo anterior. Como puede deducirse con la ayuda de un modelo
de bolas de ping-pong de la disposicin de los tomos en la Fig. 5.5, el movimiento de un
plano de tomos en zig-zag, tal como aa, a travs de la distancia horizontal b implicara una
deformacin muy grande de la red, debido a que cada tomo claro en el plano de
deslizamiento sera forzado a ascender sobre el tomo oscuro debajo del mismo y a su
derecha. Lo que se cree que sucede realmente es que el plano indicado de tomos hace el
movimiento indicado por los vectores marcados c en la Fig. 5.6. Este movimiento puede
ocurrir con una deformacin mucho ms pequea de la red. Un segundo movimiento del
mismo tipo, indicado por los vectores marcados d, lleva a los tomos a las mismas
posiciones finales que el desplazamiento simple b de la Fig. 5.5.

______________________________________________________________________
P.D-S
115

Fig. 5.5 Una dislocacin total (orientacin de borde) en una red cbica centrada en las
caras, vista se mira hacia abajo sobre el plano de deslizamiento.


Fig. 5.6 Dislocacin parcial en una red cbica centrada en las caras.

La disposicin atmica de la Fig. 5.6 es particularmente significativa debido a que muestra
cmo una dislocacin de unidad simple puede abatirse en un par de dislocaciones parciales.
En esta forma, la aislada fila de tomos simples en zig-zag tiene una dislocacin incompleta
en cada uno de sus lados. Los vectores de Burgers de estas dislocaciones son los vectores c
y d mostrados en la figura. La notacin vectorial para estos vectores de Burgers puede ser
deducida con la ayuda de la Fig. 5.7. Esta figura muestra la superficie (111) de un cristal
cbico centrado en las caras en relacin a la celda unitaria de la estructura. Las posiciones
de los tomos en esta superficie estn indicadas por crculos dibujados con trazos cortos.
Los lugares que seran ocupados por los tomos en el plano prximo superior estn
designados por crculos pequeos con la letra B en su interior. En el centro de la Fig. 5.7
hay otro crculo pequeo marcado con la letra C. El vector de Burgers de la dislocacin
______________________________________________________________________
P.D-S
116
total es igual a la distancia B
1
B
2
, mientras que los vectores de Burgers de las dos
dislocaciones parciales c y d de la fig. 5.6 son los mismos que las distancias B
1
C y CB
2
. El



Fig. 5.7 La relacin de la orientacin entre los vectores de Burgers de una dislocacin
total y sus dislocaciones parciales.

vector de Burgers de la dislocacin total es [-110], lo cual se deduce de la discusin
previa. La lnea B
1
C queda en la direccin [-12-1]. El smbolo [-12-1] reprsenta a un vector
con componentes negativas unitarias en las direcciones x y z y una componente de 2 en la
direccin y. Este es un vector cuya longitud es dos veces la distancia mn en la Fig. 5.7.
Como B
1
C es justamente un tercio de la lnea mn, el vector de Burgers para esta dislocacin
es 1/6 [-12-1]. En la misma manera, puede mostrarse que el vector CB
2
puede ser
representado por 1/6[-211]. La dislocacin total cbica centrada en las caras [-110] es
capaz de disociarse en dos dislocaciones parciales de acuerdo con la notacin.

| | | | | | 11 2
6
1
1 2 1
6
1
10 1
2
1
+ =

Cuando una dislocacin total se convierte en un par de dislocaciones parciales, disminuye
la energa de deformacin de la red. Esto resulta porque la energa de una dislocacin es
proporcional al cuadrado de su vector de Burgers y debido a que el cuadrado del vector de
Burgers de la dislocacin total es ms de dos veces mayor que el cuadrado del vector de
Burgers de una dislocacin parcial. Debido a que las dislocaciones parciales de la Fig. 5.6
representan aproximadamente iguales deformaciones de la red, existe una fuerza repulsiva
______________________________________________________________________
P.D-S
117

Fig. 5.8 Una dislocacin extendida.

entre ellas que las fuerza a separarse. Tal separacin aadir planos adicionales de tomos
al plano simple en zig-zag de la Fig. 5.6, como se muestra en la Fig. 5.8. Una dislocacin
total que se ha disociado en un par de parciales separadas como las de la ltima figura se
conoce como una dislocacin extendida. Un hecho importante de observar sobre la Fig. 5.8
es que los tomos claros que quedan entre las dos dislocaciones parciales tienen
disposiciones apiladas que se diferencian de las de los tomos sobre el lado alejado de
cualquiera de las dislocaciones parciales. En esta forma, si suponemos que los tomos
oscuros ocupan las posiciones A en una secuencia apilada y los tomos claros en cualquier
extremo de la figura, posiciones B, entonces los tomos claros entre las dos dislocaciones
parciales quedan sobre las posiciones C. En esta regin, la secuencia de apilamiento normal
ABCABC... de la red cbica centrada en las caras sufre discontinuidad y se vuelve
ACABCA... Las flechas indican las discontinuidad. Las discontinuidades en el orden de
apilamiento de los planos {111}, o compactos, se llaman fallas de apilamiento. En el
presente ejemplo, la falla de apilamiento se produce sobre el plano de deslizamiento (entre
los tomos claros y oscuros) y est confinada en sus extremos por dislocaciones parciales
de Shockley. En la red cbica centrada en las caras
4
las fallas de apilamiento pueden
presentarse en cierto nmero de formas distintas. En todos los casos, si una falla de
apilamiento termina dentro de un cristal sus lmites formarn una dislocacin parcial. Las
dislocaciones parciales de fallas de apilamiento, en general, pueden ser bien del tipo
Shockley, con el vector de Burgers de la dislocacin quedando en el plano de la falla, o del
tipo de Frank, con el vector de Burgers normal a la falla de apilamiento. Las dislocaciones
parciales que se estn considerando ahora, sin embargo, son nicamente las asociadas con
el desplazamiento y son de la forma Shockley.
Como los tomos sobre cualquiera de los lados de una falla de apilamiento no estn en las
posiciones que ocuparan normalmente en una red perfecta, una falla de apilamiento posee
una energa de superficie que, generalmente, es pequea comparada con la de un lmite de
grano ordinario, pero no obstante finita. Esta energa de la falla de apilamiento juega una
parte importante para determinar el tamao de una dislocacin extendida. Cuanto mayor
sea la separacin entre las dislocaciones parciales, menor ser la fuerza repulsiva entre

4
Read, W. T., Dislocations in Crystals. McGraw-Hill Book Co., Inc., New York, 1953.
______________________________________________________________________
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ellas. Por otra parte, la energa de superficie total asociada con la falla de apilamiento
aumenta con la distancia entre dislocaciones parciales. La separacin entre las dos parciales
representa en esta forma un equilibrio entre la energa repulsiva de las dislocaciones y la
energa de superficie de la falla. Seeger
5
y Schoeck
6
han mostrado que la separacin de un
par de dislocaciones parciales en una dislocacin extendida depende de un parmetro sin
dimensin determinada c/Gb
2
, en donde es la energa de superficie de la falla de
apilamiento, G es el mdulo cizallante en el plano de deslizamiento, c es la separacin entre
planos de deslizamiento contiguos, y b es la magnitud del vector de Burgers. En ciertos
metales cbicos de centrado en las caras representadas por el aluminio, este parmetro es
mayor de 10
-2
y la separacin entre dislocaciones es slo del orden de una simple distancia
atmica. Se dice que estos metales poseen energas elevadas de falla de apilamiento.
Cuando el parmetro es menor de 10
-2
, se dice que el metal tiene energa de falla de
apilamiento baja. El cobre es un ejemplo representativo de un metal con baja energa de
falla de apilamiento. La separacin calculada de las dislocaciones parciales en el cobre es
del orden de doce espaciamientos interatmicos si las dislocaciones extendidas estn en la
orientacin de borde, y de unos cinco espaciamientos interatmicos si se encuentran en la
orientacin helicoidal.
Debe decirse algo sobre el movimiento de una dislocacin extendida a travs de un cristal.
El movimiento real puede ser bastante complicado por varias razones. Primero, si la
dislocacin en movimiento encuentra obstculos, tales como otras dislocaciones o incluso
partculas de segundo orden, variar la anchura de a falla de apilamiento. Segundo, las
vibraciones trmicas pueden ocasionar tambin que la anchura de la dislocacin de
apilamiento vare localmente a lo largo de la dislocacin, siendo la variacin una funcin
del tiempo. En el caso en que se puedan desestimar stos y otros efectos complicadores,
una dislocacin extendida puede describirse como un par de dislocaciones parciales,
separadas por una distancia finita, que se mueven conjuntamente a travs del cristal. La
primera dislocacin parcial, segn se mueve, ocasiona cambios en el orden de apilamiento,
en tanto que la segunda restaura el orden a su propia secuencia. Despus de que ambas
parciales han pasado un punto dado en la red, el cristal habr sido cizallado (en el plano de
deslizamiento) por una cantidad igual al vector de Burgers b de la dislocacin total.
5.5. Dislocaciones extendidas en metales hexagonales
Debido a que el plano basal de un metal hexagonal tiene exactamente la misma disposicin
compacta de tomos que el plano octadrico {111} de los metales cbicos de centrado en
las caras, las dislocaciones extendidas pueden ocurrir tambin en stos metales. En el
sistema hexagonal, la dislocacin de un dislocacin total en un par de parciales sobre el
plano basal se expresa en la siguiente forma:
| | | | | | 100 1
3
1
0 1 01
3
1
0 1 2 1
3
1
+ =

la ecuacin anterior representa exactamente la misma adicin de vectores de Burgers que la
dada en la seccin previa para el sistema cbico centrado en las caras, esto es,

5
Seeger, A.,y Schoeck, G., Acta Met., 1 (1953), Pg. 519.
6
Seeger, A., Dislocations and Mechanical Properties of Crystals. Jhon Wiley & Sons, Inc., New York, 1957.
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| | | | | | 11 2
6
1
1 2 1
6
1
10 1
2
1
+ =

La nica diferencia entre las dos ecuaciones descansa en el uso actual de los ndices de
Miller de cuatro dgitos para metales hexagonales. La falla de apilamiento asociada con las
dislocaciones extendidas en los metales hexagonales es similar a la de los metales de
centrado en las caras. El movimiento de la primera dislocacin parcial a travs del cristal
cambia la secuencia de apilamiento ABABABAB... a ACBCBCBC... en el caso de que el
segundo plano se deslice en relacin con el primero. Obsrvese que la secuencia
CBCBCB.. es una perfectamente buena secuencia hexagonal con planos alternados que
quedan unos sobre otros. La falla de apilamiento ocurre entre los dos primeros planos; entre
AC... como en el ejemplo cbico de centrado en las caras, el movimiento de la segunda
dislocacin parcial restaura al cristal a la secuencia de apilamiento apropiada ABABAB...
5.6. Dislocaciones extendidas y deslizamiento transversal
Bajo circunstancias normales, no se espera que una dislocacin parcial sea capaz de
cambiar su plano de deslizamiento. En otras palabras, cuando una dislocacin toma la
forma de una dislocacin extendida es confinada a moverse nicamente en el plano basal en
un metal hexagonal, o en su plano octadrico especfico en un metal cbico de centrado en
las caras. En consecuencia, en tanto exista una dislocacin en una forma extendida, no
puede tomar parte en el deslizamiento transversal. Para que ocurra el deslizamiento
transversal, deben recombinarse las dislocaciones parciales para formar una dislocacin
total. Como el deslizamiento transversal est asociado nicamente con la componente
helicoidal de una dislocacin, la dislocacin recombinada total debe estar en una
orientacin helicoidal. Generalmente se cree que la facilidad con la que ocurra el
deslizamiento transversal en los metales hexagonales y cbicos de centrado en las caras es
un resultado de la facilidad de derrumbamiento de las dislocaciones parciales a
dislocaciones totales. Esto debera ser ms fcil en un metal con elevada energa de falla de
apilamiento, tal como el aluminio, donde hay muy poca separacin entre las dislocaciones
parciales, y ms difcil en un metal, tal como el cobre, en el cual es mayor la anchura de la
falla de apilamiento.
5.7. Intersecciones de dislocaciones
Las dislocaciones en un metal constituyen una red tridimensional de fallas lineales. En
relacin con cualquier plano de deslizamiento dado, habr cierto nmero de dislocaciones
que queden en este plano y sean capaces de producir deslizamiento a lo largo del mismo. Al
mismo tiempo, habr muchas otras dislocaciones que lo intersecten en diversos ngulos.
En consecuencia, cuando se mueva una dislocacin debe, necesariamente, pasar a travs de
aquellas dislocaciones que intersecten a su plano de deslizamiento. El corte de las
dislocaciones por otras dislocaciones es un asunto importante porque, en general, se
requiere trabajo para hacer las intersecciones. La facilidad o dificultad relativa con lo que
ocurra el deslizamiento es determinada en parte por la interseccin de dislocaciones.
Para un ejemplo sencillo del resultado de una interseccin de dislocacin, vase la Fig. 5.9.
En el dibujo dado se supone que una dislocacin se ha movido a travs del plano de
deslizamiento ABCD cizallando con ello la mitad superior del cristal rectangular relativo a
la mitad inferior por la longitud de su vector de Burgers b. En la Fig. 5.9 se muestra una
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120
segunda dislocacin (vertical), teniendo un anillo que intersecta al plano de deslizamiento
en dos puntos. Por conveniencia, se supone que este anillo se encuentra en la orientacin de
borde donde intersecta al plano de deslizamiento. El desplazamiento indicado del cristal,
que se muestra en la Fig. 5.9, cizalla tambin la mitad superior del anillo de dislocacin
vertical relativo a su mitad del fondo en la cantidad del vector de Burgers b. Esta accin
cizallante no puede romper al anillo en dos medios anillos separados porque, de acuerdo


Fig. 5.9 En la figura se supone que una dislocacin de borde se ha movido a travs del
plano horizontal ABCD y, al cortar a travs del anillo de dislocacin vertical, forma un par
de escalones en el ltimo.

con la regla, una dislocacin no puede terminar en el interior de un cristal. La nica
alternativa es que el desplazamiento prolongue al anillo de dislocacin vertical por una
cantidad igual a los dos escalones horizontales mostrados en la Fig. 5.9. Este resultado es
caracterstico de la interseccin de dislocaciones, pues si una dislocacin corta a otra, una o
ambas dislocaciones pueden adquirir escalones.
Consideremos ahora algunos de los tipos de escalones ms sencillos

que se forman por


intersecciones de dislocaciones. Los dos casos ms definidos son, primero, cuando el
escaln queda en el plano de deslizamiento de una dislocacin y, segundo, cuando el
escaln es normal al plano de deslizamiento de una dislocacin. El primer caso se trata en
la Fig. 5.10. Aqu, el dibujo de la izquierda representa una dislocacin en la orientacin de
borde, y el de la derecha una dislocacin en la orientacin helicoidal, en ambas se han
formado escalones (on) como resultado de intersecciones con otras dislocaciones. Debe
observarse que el escaln en la dislocacin de borde tiene una orientacin helicoidal.
(Vector de Burgers paralelo a la lnea on), mientras que el escaln en la dislocacin
helicoidal tiene una orientacin de borde (Vector de Burgers normal a la lnea on). Ambos
de estos escalones son inestables, y pueden ser eliminados fcilmente, por ejemplo
moviendo la lnea mn sobre la posicin de la lnea de trazos. Este movimiento, en ambos
casos, puede ocurrir por deslizamiento simple. Como la eliminacin de un escaln
disminuye la energa del cristal en la cantidad de la energa de deformacin asociada con un

Jogs en ingls.
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121
escaln, puede suponerse que los escalones de este tipo tendern a desaparecer. Como los
escalones que quedan en el plano de deslizamiento son fcilmente removidos por ambas
orientaciones primarias (de borde y helicoidal) de una dislocacin, puede concluirse que no
tienen importancia relativamente.


Fig. 5.10 Dislocaciones con escalones que quedan en el plano de deslizamiento
de las dislocaciones.


Fig. 5.11 Dislocaciones con escalones normales a sus planos de deslizamiento.

Una dislocacin de borde y una helicoidal, con escalones normales al plano de
deslizamiento primario se muestran en las Figs. 5.11A y 5.11B. Debe observarse que el
escaln de la Fig. 5.11B es capaz tambin de eliminacin si se puede mover la dislocacin
en un plano normal al plano de deslizamiento indicado, esto es, en un plano vertical. Esto
se deduce del hecho de que si se mira a esta dislocacin escalonada como si quedase en un
plano vertical, entonces tendremos la misma disposicin que la mostrada en la Fig. 5.10B.
Sin embargo, supongamos que ambas dislocaciones de la Fig. 5.11 no son capaces de
corrimiento en un plano vertical. Cul es entonces el efecto de los escalones sobre el
movimiento de las dislocaciones en sus superficies de deslizamiento horizontal?. A este
respecto, es evidente que la dislocacin de borde con un escaln, mostrada en la Fig. 5.11B,
es libre de moverse sobre la superficie escalonada mostrada en la figura, los tres segmentos
de la dislocacin, mn, no y op, estn en una orientacin de borde simple con sus vectores de
Burgers respectivos quedando en los planos del cristal que contienen los segmentos de
dislocacin. La nica diferencia entre el movimiento de esta dislocacin y una dislocacin
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de borde ordinaria es que en lugar de correrse a lo largo de un plano simple se mueve sobre
una superficie escalonada.
La dislocacin helicoidal con un escaln, mostrada en la Fig. 5.11B, representa un caso
enteramente distinto. Aqu, el escaln es una dislocacin de borde con un plano incompleto
que queda en la superficie escalonada.
Como argumento, supongamos que su plano extra queda a la izquierda de la lnea no y en
esa forma corresponde al rea sombreada en la Fig. 5.11B. Ahora hay dos medios bsicos
de que pueda formarse un plano incompleto que es slo un espaciamiento atmico de
altura. En el primer caso, puede suponerse que el rea sombreada corresponde a una fila de
tomos intersticiales que terminan en no. Como alternativa, se puede considerar al escaln
sombreado como una parte del plano reticular continuo normal, y entonces, la superficie
escalonada a la derecha de no tendra que ser una fila de lugares desocupados o vacantes. El
ltimo caso es el indicado en el dibujo de la Fig. 5.11B. La presentacin de cualquiera de
estas dos alternativas depende de la orientacin relativa de los vectores de Burgers de las
dos dislocaciones, cuya interseccin caus el escaln. A este respecto, debe mencionarse
que estos escalones se forman cuando una dislocacin helicoidal intersecta a otra
dislocacin helicoidal. Los otros escalones ilustrados en la Fig. 5.10 y 5.11A estn
formados por varias intersecciones que implican dislocaciones de borde con otros bordes, o
dislocaciones de borde con helicoidales. Read
7
discute en detalle estas posibilidades
diferentes y muestra en particular la forma en que la interseccin de dos dislocaciones
helicoidales puede conducir a la produccin, bien de una fila de lugares vacantes o una fila
de tomos intersticiales. En relacin con estas filas de lugares vacantes, o tomos
intersticiales, debe indicarse que despus que una dislocacin helicoidal ha intersectado a
otra, la fila de defectos de punto (lugares vacantes o tomos intersticiales) se alarga en una
lnea desde la dislocacin en movimiento retrocediendo a la estacionaria. Esto es, por
supuesto, en la suposicin de que la energa trmica no cause que los defectos de punto se
difundan dentro de la retcula. En trminos de la Fig. 5.11B, esto significa que si la
dislocacin indicada se mueve a la izquierda, la fila de lugares vacantes a su derecha se
extender retrocediendo a otra dislocacin helicoidal, cuya interseccin por la dislocacin
en movimiento ocasion la formacin de la fila de lugares vacantes.
Mientras que la dislocacin de borde con un escaln normal a su plano de deslizamiento es
capaz de moverse por corrimiento simple a lo largo de la superficie escalonada de la Fig.
5.11A, ste no ser el caso de la dislocacin helicoidal escalonada de la Fig. 5.11B. Aqu, el
escaln (lnea no), que est en una orientacin de borde, no es capaz de correrse a lo largo
de la superficie vertical mostrada en la figura, debido a que su vector de Burgers no se
encuentra en la superficie del escaln sino normal al mismo. El nico medio de que se
pueda mover el escaln a travs de la superficie del paso es por la ascensin de la
dislocacin. En esta forma, en la Fig. 5.11B, si el escaln se mueve hacia la izquierda con
el resto de la dislocacin, se tendrn que aadir lugares vacantes adicionales a la fila de
lugares vacantes (a la derecha de la lnea no). Como alternativa, si el plano extra ha sido
formado por una fila de tomos intersticiales a la izquierda del escaln, el movimiento de
ste (en este caso hacia la derecha) requiere la creacin de tomos intersticiales adicionales.
En cualquier caso, previsto que no se puedan eliminar los escalones fcilmente, la
interseccin de dislocaciones helicoidales con otras helicoidales puede conducir a la

7
Read, W. T., Jr., Dislocations in Crystals, McGraw.Hill Book Company, Inc., New York, 1953.
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formacin de filas de lugares vacantes, o de tomos intersticiales, cuando se ocasiona el
movimiento de las dislocaciones.
Resumiendo el asunto de los escalones, se ve que los importantes son los que se forman
normales al plano de deslizamiento de la dislocacin, Read
8
ha dado una regla general para
la formacin de este tipo de escalones: Cuando un dislocacin corta a otra, cada
dislocacin adquiere un escaln igual a la componente normal a su propio plano de
deslizamiento del vector de Burgers de la otra dislocacin.
La formacin de un escaln en una dislocacin aumenta la longitud de sta y en
consecuencia su energa. Esta energa debe ser suministrada por la fuerza que mueve a la
dislocacin. En esta forma, parte del trabajo de deformacin se involucra en el corte de las
dislocaciones por otras dislocaciones. Adems, las dislocaciones con escalones normales a
sus planos de deslizamiento requieren una fuerza adicional para moverlas, debido al
arrastre ofrecido por los escalones que deben ser atrados junto con el resto de la
dislocacin. Un punto interesante a este respecto es el siguiente: debe esperarse que los
escalones en las dislocaciones helicoidales (Fig. 5.11B) ofrecern una mayor resistencia al
arrastre que los escalones correspondientes a las dislocaciones de borde (Fig. 5.11A). Esto
puede contar con el hecho observado experimentalmente de que las dislocaciones
helicoidales tienden a moverse con mayor lentitud a travs de un cristal que las
dislocaciones de borde. (Ver seccin sobre Deslizamiento Transversal)
5.8. Lmite de grano
Slo se ha estudiado primordialmente las propiedades de los metales muy puros en la forma
de cristales simples. El estudio de los cristales simples es importante porque conduce a un
entendimiento ms rpido de muchos problemas bsicos. Sin embargo, los cristales simples
son esencialmente una herramienta de laboratorio y raramente se hallan en objetos de metal
comerciales los cuales, como una regla, consisten de muchos miles de pequeos cristales
metlicos microscpicos. La Fig. 5.12 muestra la estructura cristalina de una probeta
policristalina (muchos cristales) tpica, amplificada 500 veces. El dimetro promedio de los
cristales es muy pequeo, 0.05mm aproximadamente, y cada cristal se ve que est separado
de sus vecinos por lneas oscuras, los lmites de grano. Los lmites de grano parecen tener
una anchura apreciable, pero esto es nicamente debido a que la superficie ha sido atacada
con una solucin cida para poder revelar su presencia. Una probeta policristalina
sumamente pulida de un metal puro que no haya sido atacado aparecer enteramente
blanca bajo el microscopio, esto es, no mostrar lmites de grano. La anchura de un lmite
de grano es, por tanto, muy pequea.
Los lmites de grano juegan un papel importante en la determinacin de las propiedades de
un metal. Por ejemplo, a bajas temperaturas los lmites de grano son, como regla, bastantes
fuertes y no debilitan a los metales. De hecho, los metales puros muy deformados, y la
mayora de las aleaciones, fallan a bajas temperaturas por fisuras que pasan a travs de los
cristales y no de los lmites de grano. Las fracturas de este tipo se llaman transcristalinas.
Sin embargo, a temperaturas elevadas y a proporciones de deformacin bajas, los lmites de
grano pierden su resistencia con mayor rapidez que lo hacen los cristales, resultando que las
fracturas no atraviesan ya a los cristales sino que corren a lo largo de los lmites de grano.
Las fracturas de este ltimo tipo se denominan intercristalinas. En los siguientes prrafos
se cubrirn cierto nmero de otros aspectos importantes sobre lmites de grano.

8
Read, w. T., Jr., Dislocations in Crystals, McGraw-Hill Book Company, Inc., New York, 1953.
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Fig. 5.12 Una probeta policristalina de zirconio fotografiada con luz polarizada. En esta
fotografa, pueden distinguirse los cristales individuales por la diferencia en el sombreado,
as como por las delgadas lneas oscuras que representan los lmites de grano.
5.9. Modelo de dislocaciones de un lmite de grano de ngulo pequeo
En 1940, tanto Bragg como Burgers introdujeron la idea de que los lmites entre cristales de
la misma estructura pueden ser considerados como conjunto de dislocaciones. Si dos granos
difieren slo ligeramente en su orientacin relativa, es posible trazar sin dificultad un
modelo de dislocacin del lmite. La Fig. 5.13 muestra un ejemplo de tal lmite elemental
en una red cbica simple en la cual el cristal de la derecha es girado con respecto al de la
izquierda alrededor de la direccin [100] (la direccin perpendicular al plano del papel). La
lnea vertical entre los puntos a y b corresponde al lmite. Se ve que la red en ambos lados
del lmite est inclinada en la parte inferior hacia el lmite, resultando que ciertos planos
reticulares verticales cercanos de ambos cristales terminan en el lmite como dislocaciones
de borde positivas. Cuanto mayor sea la rotacin angular de un cristal en relacin con el
otro, ms grande es la inclinacin de los planos que terminan como dislocaciones en el
lmite, y ms cercano es el espaciamiento de las dislocaciones en el lmite vertical. El
espaciamiento de dislocacin en el lmite determina as la inclinacin angular entre las
retculas.

______________________________________________________________________
P.D-S
125

Fig. 5.13 Modelo de dislocacin de un lmite de ngulo pequeo.

Se a obtenido evidencia experimental de los lmites de ngulo pequeo mediante el empleo
de reactivos de ataque apropiados que atacan localmente la superficie de los metales en
posiciones donde las dislocaciones cortan a la superficie. Despus del ataque con uno de
estos reactivos, los lmites de ngulo pequeo, consistentes en filas de dislocaciones de
borde, aparecen como filas de picaduras de ataque bien definidas. De acuerdo con la
discusin en el prrafo precedente, la separacin de estas picaduras de ataque qumico
(dislocaciones) deber determinar la rotacin angular de la red sobre un lado del lmite en
relacin con el del otro. El hecho de que determinaciones sobre difraccin de rayos X de la
misma rotacin reticular estn en buen acuerdo con el valor predicho por el espaciamiento
de las dislocaciones, sirve como una excelente comprobacin de la validez del modelo de
dislocacin para lmites de ngulo pequeo. La Fig. 5.14 muestra una fotografa real de los
lmites de ngulo pequeo en un cristal de magnesio.
El lmite de grano representado en la Fig. 5.13 es un lmite muy especial en el que se
consideraba a las dos redes giradas slo ligeramente con respecto a la opuesta alrededor de
una direccin reticular comn (un borde cbico [100]). Esto, por supuesto, no representa el
caso general de un lmite de grano. Lmites de grano ms complicados, con ngulos grandes
desajustados, deben involucrar disposiciones muy complicadas de dislocaciones y no ha
sido preparado todava cuadro simple alguno de su estructura.
La dificultad principal para presentar un modelo de dislocacin apropiado de un lmite de
ngulo grande descansa en el hecho de que el ngulo de desajuste entre los granos se vuelve
ms grande, las dislocaciones Deben juntarse ms y, al hacerlo, tienden a perder su
identidad.


______________________________________________________________________
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126

Fig. 5.14 Lmites de ngulo pequeo en una probeta de magnesio. Las filas de picaduras de
ataque qumico corresponde n a posiciones donde las dislocaciones intersectan a la
superficie.
5.10. Energa de lmite de grano
Una dislocacin en un cristal representa un defecto lineal en la estructura cristalina, con
tomos adyacentes a las dislocaciones empujadas o atrados fuera de sus posiciones
reticulares normales. Este desplazamiento de gran nmero de tomos desde posiciones que
ocuparan normalmente en un cristal perfecto requiere un aumento en la energa del cristal.
En consecuencia, con cada dislocacin est asociada la energa de deformacin. Si hay
energa asociada con cada dislocacin, debe haber tambin energa asociada con un
conjunto de dislocaciones que forman un lmite entre los dos cristales. Debido a la
inherente naturaleza bidimensional de un lmite de grano, esta energa se expresa mejor
como energa por unidad de rea (ergios/cm
2
). Read y Shockley han utilizado una teora
elstica para derivara una expresin terica para la energa de lmite de grano de un lmite
de ngulo pequeo como una funcin del ngulo de desajuste entre cristales adyacentes. El
hecho de que su ecuacin est en excelente acuerdo con los datos experimentales se
muestra en la Fig. 5.15. La lnea slida de la figura representa la ecuacin de Shockley-
Read, en tanto que los datos en puntos son valores experimentales.
Figura 5.15
La ecuacin derivada sobre suposiciones vlidas nicamente para ngulos que varen
menos de varios grados est en acuerdo notable con datos experimentales sobre ngulos tan
elevados como de 20. El hecho de que los datos tericos y los experimentales concuerden
tan bien en este amplio rango puede ser fortuito, pero no debe desestimarse el hecho de que
el modelo de dislocacin para lmites de ngulo pequeo ha sido utilizado con xito para
predecir la dependencia de la energa del lmite sobre el ngulo de desajuste.
Esta es otra excelente confirmacin para la suposicin de que los lmites de ngulo pequeo
son deformaciones de dislocaciones.
______________________________________________________________________
P.D-S
127
5.11. Tensin superficial del lmite de grano
La energa superficial de un lmite de grano tiene las unidades de ergios/cm
2
. Esto es,
2
cm
ergios
=

lo que equivale a
cm
dinas
cm
cm dinas
= =
2


pero las unidades dinas/cm son las de tensin superficial. Los lmites de grano slidos
poseen as una tensin superficial equivalente a la de superficies de lquidos. La tensin
superficial de los lmites de los cristales es un fenmeno metalrgico importante. Los datos
experimentales de la Fig. 5.15 muestran que la tensin superficial de lmite de grano es una
funcin ascendente del ngulo de desajuste entre granos a un ngulo de 20,
aproximadamente, y entonces es esencialmente constante para todos los ngulos mayores.
Es difcil determinar valores absolutos o numricos de la tensin superficial de las
superficies metlicas. Sin embargo, se han hecho mediciones sobre cobre, plata y oro que
muestran que sus tensiones superficiales de superficies libres (superficies exteriores) son
del orden de 1200 a 1800 dinas/cm. Las superficies metlicas exteriores, en consecuencia,
poseen tensiones relativamente grandes; stas son aproximadamente 20 veces mayores que
la del agua en estado lquido. Se ha determinado posteriormente que las tensiones
superficiales de lmites de grano de ngulo grande igualan aproximadamente a un tercio de
los valores de las superficies libres, y por tanto son del orden de 300 a 500 dinas/cm.
Mientras que los valores absolutos de la tensin superficial de los lmites de grano son
difciles de medir, se pueden estimar los valores relativos de la energa superficial del lmite
con la ayuda de una relacin simple. En la Fig. 5.16, representamos los lmites de grano por
tres lneas que quedan perpendiculares al plano del papel y se encuentran en una lnea de
proyeccin representada por o. Los tres vectores

,

originados en el punto o
representan, por sus direcciones y magnitudes, las tensiones superficiales de los tres lmites.
Si se supone que estos tres vectores de fuerza se encuentran en equilibrio esttico, entonces
debe ser cierta la relacin siguiente:

sen sen sen


= =

en donde , y son los ngulos didricos entre lmites.
Como los lmites de los cristales son regiones de desajuste o desorden entre los cristales,
debe esperarse que ocurran con bastante facilidad movimientos atmicos a travs y a lo
largo de los lmites.
Se ocasiona el movimiento del lmite por el simple proceso por el cual los tomos dejan un
cristal y se unen a otro cristal sobre el otro lado del lmite. Los lmites de los cristales en los
metales slidos pueden moverse y no se debe pensar que estn fijos en el espacio. La
velocidad a que se mueven los lmites cristalinos depende de cierto nmeros de factores. El
primero de stos es la temperatura, puesto que la energa que hace posible que un tomo se
mueva desde una posicin de lmite de grano en equilibrio a otra viene de vibraciones
______________________________________________________________________
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128

Fig. 5.15 Energa relativa de lmite de grano como funcin del ngulo de desajuste entre los
cristales que bordean al lmite. La lnea slida representa la curva terica; los puntos, a los
datos experimentales de Dunn para hierro-silicio.

trmicas. Por tanto, tenemos una situacin anloga a la de los movimientos atmicos al
interior de los cristales donde los tomos se difunden dentro de los lugares vacantes en la
red como resultados de saltos activados trmicamente. El grado de movimiento debe
aumentar rpidamente con la elevacin de la temperatura. Sin embargo, siendo iguales otras
cosas, debe esperarse que el mismo nmero de tomos cruce al lmite en una direccin y en
la opuesta, y que el lmite est relativamente fijo en el espacio. Realmente, los movimientos
de los lmites de grano ocurren nicamente si la energa del metal en conjunto desciende
por un movimiento de tomos de mayor en una direccin que en la otra. Una manera de que
se pueda bajar la energa de una probeta por el movimiento de un lmite de grano ocurre
cuando ste se mueve dentro de un cristal deformado, dejando detrs un cristal libre de
deformacin. Otra fuerza impulsora del movimiento se encuentra en la energa de los
lmites mismos. Un metal puede acercarse a un estado ms estable reduciendo su rea de
lmites de grano. Hay dos formas en que se puede lograr esto. Primero, los lmites pueden
moverse de manera que, enderecen regiones demasiados curvadas, y segundo, se pueden
mover en tal forma que ocasionen la desaparicin de algunos cristales, en tanto que otros
crezcan de tamao. El ltimo fenmeno, que resulta en una disminucin en el nmero total
de granos, se denomina crecimiento de grano.
Una de las consecuencias del movimiento de los lmites de grano es que si un metal es
calentado a una temperatura suficientemente elevada por un tiempo bastante largo, puede
observarse realmente la relacin de equilibrio entre las tensiones superficiales y los ngulos
didricos. En los metales puros con cristales orientados al azar, se presentan con poca
frecuencia los lmites de ngulo bajo, y puede suponerse que la energa de los lmites de
grano es constante para todos los lmites. (Vase la Fig. 5.15). Si las energas superficiales
(tensin superficial) son iguales en cada uno de los tres lmites que se encuentran en una
lnea comn, y si los lmites han obtenido una configuracin de equilibrio, los tres ngulos
diedros deben ser iguales. Un examen de las uniones donde se encuentran los lmites en la
fotografa, Fig. 5.12, muestra un gran nmero de ngulos diedros de 120. Este hecho es
sorprendente cuando se considera que muchos de los lmites de grano no son normales al
plano de la fotografa. De hecho, si fuese posible cortar la superficie para que todos los
lmites fuesen perpendiculares a la superficie, se observara una buena concordancia entre
______________________________________________________________________
P.D-S
129
los ngulos experimentales y los predichos. Puede concluirse que en un metal bien
recocido, esto es, que haya sido calentado durante un largo tiempo a una temperatura
elevada, las intersecciones de los lmites de grano forman ngulos muy cercanos a 120.


Fig. 5.16 Tensiones superficiales de lmites de grano en la unin de tres cristales.
5.12. Lmites entre cristales de fases diferentes
Un fase se define como un cuerpo homogneo de materia que es fsicamente distinto. Los
tres estados de la materia (lquido, slido y gaseoso) corresponden todos a fases separadas.
En esta forma, un metal puro, por ejemplo, cobre, puede existir en fase slida, lquida, o
gaseosa, cada una estable en un rango de temperatura diferente. A este respecto, parecera
que no hay diferencia entre los conceptos de fase y estado. Sin embargo, cierto nmero de
metales son alotrpicos (polimorfos), esto es, pueden existir en diferentes estructuras
cristalinas, cada una de ellas estable en un rango de temperatura diferente. Cada estructura
cristalina en estos metales corresponde a una fase separada, y los metales alotrpicos, por
tanto, poseen ms de tres fases posibles. Cuando se combinan metales puros para formar
aleaciones, pueden resultar estructuras cristalinas adicionales en cierta composicin y
rangos de temperatura. Cada una de estas estructuras cristalinas en s constituye una fase
separada. Finalmente, debe indicarse que una solucin slida (un cristal conteniendo dos o
ms tipos de tomos en la misma red) satisface tambin la definicin de una fase. Un buen
ejemplo de una solucin slida ocurre cuando se funden juntos cobre y nquel y despus se
les deja enfriar lentamente al estado slido. Los cristales que se forman contienen tomos
de nquel y de cobre en la misma proporcin que la de la mezcla lquida original; ambos
tipos de tomos ocupan indiscriminadamente los sitios reticulares del cristal.
Por este momento, se ha introducido el concepto de fases para explicar los fenmenos
adicionales de la tensin superficial. El estudio de las fases de los sistemas de aleacin es
un tpico que ser considerado en un captulo posterior.
Los lmites de grano de las aleaciones conteniendo cristales de una sola fase deben
comportarse en una forma anloga a los de un metal puro. Los cristales de una aleacin en
solucin slida bien recocida, como la de cobre-nquel mencionada anteriormente, aparecen
bajo el microscopio igual que las de un metal puro. En todos los puntos donde se
encuentran tres granos hay un ngulo diedro intermedio de 120.

______________________________________________________________________
P.D-S
130

Fig. 5.17 Tensiones superficiales en los lmites de grano en una unin entre dos cristales
de la misma fase con un cristal de fase diferente.

En las aleaciones de dos fases, son posibles dos tipos de lmites: lmites que separan
cristales de la misma fase y lmites que separan cristales de dos fases. Tres granos de una
sola fase pueden todava intersectar en una lnea, pero hay la posibilidad adicional de dos
granos de una fase que se encuentren con un grano de otra fase en una interseccin comn.
En la Fig. 5.17 se muestra una unin de este tipo. Si las tensiones superficiales en los
lmites estn en equilibrio esttico, entonces
2
cos 2
12 11

=

en donde
11
es la tensin superficial en el lmite de la fase simple,
12
la tensin
superficial en el lmite de la fase doble, y el ngulo diedro entre los dos lmites que
separan a la fase 2 de la fase 1.
Resolvamos la expresin anterior para la relacin de la tensin superficial del lmite
bifsico a la del lmite monofsico. Esto produce
2
cos 2
1
11
12

=

La relacin
11 12
/ se grafica como una funcin del ngulo diedro en la Fig. 5.18.
Obsrvese que al alcanzar la tensin superficial de 0.5, el ngulo diedro cae rpidamente a
cero. En la Fig. 5.19 es rpidamente aparente la importancia de los ngulos diedros
pequeos, mostrndose la forma de la interseccin para ngulos de 10 y 1. Es bastante
aparente que segn el ngulo se acerca a cero, la segunda fase se mueve para formar una
delgada pelcula entre los cristales de la primera fase. Adems, si la tensin superficial del
lmite bifsico ( )
12
cae a un valor menor de de la tensin superficial de la fase simple
11
, no es posible el equilibrio esttico de las tres fuerzas y el punto o se mueve hacia la
izquierda, lo que equivale a decir que cuando el ngulo diedro se vuelve cero, la segunda
fase penetra en los lmites de la fase simple y asla a los cristales de la primera fase. Este
efecto puede ocurrir aun cuando la fase segunda est presente en cantidades casi
despreciables.
______________________________________________________________________
P.D-S
131

Fig. 5.18 La dependencia del ngulo diedro bifsico sobre la relacin de la tensin
superficial bifsica a la tensin superficial de una sola fase.

Un buen ejemplo es el caso del bismuto en el cobre. La tensin superficial de la intercara
bismuto cobre es tan baja que el ngulo diedro es cero y una cantidad diminuta de bismuto
es capaz de formar una pelcula delgada entre los cristales de cobre. Mientras que el cobre
es de ordinario un metal de conductividad elevada y capaz de una gran deformacin
plstica, el bismuto no lo es. De hecho, el bismuto es un metal frgil, y cuando forma una
pelcula continua alrededor de los cristales de cobre, ste pierde su ductilidad aun cuando la
cantidad total de impurezas de bismuto sea menor del 0.05%. Esta perdida en la ductilidad
se observa a todas las temperaturas a las que se trabaja el cobre.


Fig. 5.19 Cuando el ngulo diedro es pequeo, la fase segunda (an si est presente en
pequeas cantidades) tiende a separar cristales de la fase primera. (A) ngulo diedro 1, (B)
ngulo diedro 10.

En un determinado nmero de importantes casos metalrgicos, las impurezas de la segunda
fase permanecen en el estado lquido hasta alcanzar una temperatura muy por debajo del
punto de solidificacin de la fase principal. La cantidad de dao que estas impurezas (en
pequeos porcentajes) pueden hacer a las propiedades plsticas de los metales es una
funcin de la tensin superficial entre lquido y slido. Si esta energa interfacial es
______________________________________________________________________
P.D-S
132
elevada, el lquido tiende a formar glbulos discretos con poco efecto sobre las propiedades
de trabajo en caliente de los metales.
Tomemos el caso del hierro conteniendo pequeas cantidades de azufre como impureza. El
sulfuro de hierro es lquido a temperaturas bien por debajo del punto de solidificacin del
hierro. Esta zona incluye a la zona de temperaturas utilizadas normalmente para productos
de hierro y acero laminados en caliente. Infortunadamente, la energa superficial del sulfuro
de hierro en los lmites del hierro es muy cercana a la mitad de la del lmite entre los
cristales de hierro, y el sulfuro lquido forma una pelcula de lmites de grano que separa
casi completamente a los cristales de hierro. Como un lquido no posee una fuerza real, el
hierro o el acero en estas condiciones son frgiles y no pueden ser trabajados en caliente sin
que se desintegren. En un caso como ste, cuando un metal se vuelve frgil a temperaturas
elevadas, se dice que el metal es quebradizo en caliente, esto es, sus propiedades son
deficientes a temperaturas de trabajo elevadas.
Se ha explicado ya que en una fase segunda en pequeas cantidades forma delgadas
pelculas intergranulares cuando el ngulo diedro es cero. Para ngulos diedros mayores de
cero, pero menores de 60, la configuracin de equilibrio es una, donde pequeas
cantidades de fase segunda corren como una red continua a lo largo de los bordes de grano
de la fase primera, a lo largo de lneas donde se encontraran los tres granos de la fase
primera en ausencia de la fase segunda. De acuerdo con la Fig. 5.18, un ngulo diedro de
60 corresponde a una relacin de tensiones superficiales interfase a fase simple de 0.582.
Muchas intercaras lquido-slido poseen tensiones superficiales menores de 0.600 de la
tensin superficial de lmite slido. Por tanto, cuando coexisten lquidos y slidos, hay una
gran posibilidad de que el lquido formar una malla continua a travs del metal. Como la
difusin es ms rpida en los lquidos que en los slidos, esta malla forma un paso
conveniente para una difusin rpida de los elementos (tanto buenos como malos) hacia el
interior del metal.
Cuando el ngulo diedro entre los lmites de la interfase es mayor de 60, la fase segunda ya
no forma una malla continua a menos que se encuentre presente en la fase principal. La
segunda fase, si estuviese presente en pequeas cantidades, formara ahora partculas
globulares discretas, comnmente a lo largo de los lmites de los cristales de fase primera.
Vase la Fig. 5.20.
Por debajo de los 1000 C aproximadamente, el sulfuro de hierro ya no es un lquido, sino
un slido. El sulfuro de hierro slido forma un ngulo de equilibrio con el hierro slido
mayor a 60 y, por tanto, tiende a cristalizar como partculas separadas de FeS en lugar de
un pelcula de lmite de grano continua. Las partculas pequeas en fase segunda, aun
cuando poseen ser frgiles por s mismas, son bastantes menos perjudiciales para las
propiedades de un metal que las pelculas continuas de lmite de grano frgiles. El hierro
que contenga FeS suficiente para hacerlo frgil a temperaturas de trabajo en caliente,
retendr mucha de su dificultad a temperatura ambiente.





______________________________________________________________________
P.D-S
133

Fig. 5.20 Cuando el ngulo diedro es grande (sobre los 60), la fase segunda (cuando est
presente en pequeas cantidades) tiende a formar pequeas partculas separadas, de
ordinario en los lmites de la fase primera.
5.13. Esfuerzo cortante del lmite de grano
Los metales policristalinos poseen un modo adicional de deformacin plstica comparados
con los cristales simples, pues ellos pueden deslizarse en relacin de unos con otros a lo
largo de sus lmites. No se comprende bien el mecanismo implicado en este fenmeno
debido a la naturaleza complicada de la deformacin. Sin embargo, hay varios hechos
empricos notables. La direccin del esfuerzo cortante es la direccin que queda en el lmite
con el mximo esfuerzo cizallante resuelto. Excepto para lmites simples (de ngulo bajo),
el esfuerzo cortante de lmites de grano implica deformacin plstica en cristales que se
unen en los lmites. En esta forma, de ordinario no hay cizallamiento sobre un plano simple,
sino sobre una anchura limitada que se extiende dentro de los cristales sobre ambos lados
del lmite. Adems, el esfuerzo cortante de lmites de grano en los metales policristalinos se
ha encontrado que es discontinuo, esto es, que el deslizamiento no es uniforme y continuo
bajo carga, sino espasmdico e irregular; y ocurre a diferentes grados en puntos distintos a
lo largo de un lmite, y en cantidades que varan en un punto dado con respecto al tiempo.
De esta manera se forman los lmites, luego dejan de moverse y, posteriormente pueden
moverse de nuevo. Ahora se cree que el esfuerzo cortante irregular en los lmites de grano
se produce como consecuencia de la deformacin no uniforme en el cristal, a causa de que
el cizallamiento de lmite de grano ocurre nicamente despus de un deslizamiento en los
cristales. El esfuerzo cortante de lmite de grano acta as para revelar concentraciones de
esfuerzos cuando los planos de deslizamiento no corren continuamente desde un cristal al
otro en los metales policristalinos.
El cizallamiento de los cristales a lo largo de los lmites de grano depende de la
temperatura. La relacin de cizallamiento aumenta rpidamente con la temperatura,
mostrando una dependencia sobre la ltima similar a la de movimiento de los lugares
vacantes en los cristales. Se ha admitido, por tanto, que el esfuerzo cortante de lmite de
grano es controlado por ascenso de dislocacin, el cual releva concentraciones de esfuerzos
a lo largo de los lmites de los cristales.
Debido a la gran dependencia de la temperatura del esfuerzo cortante del lmite de grano, es
nicamente un fenmeno importante a temperaturas elevadas; temperaturas medidas sobre
una escala absoluta, que queda entre la temperatura de fusin y aproximadamente una
mitad de la temperatura de punto de fusin.


______________________________________________________________________
P.D-S
134
Referencia Bibliogrfica
Principios de metalurgia fsica / por Robert E. Reed-Hill ; [tr. por Antonio Galn Patio].
Mxico, D.F. : C.E.C.S.A., 1979.









































______________________________________________________________________
P.D-S
135
6. Defectos en cristales
Existen muchas razones para estudiar las imperfecciones en los slidos. Importantes
propiedades de los slidos dependen de los defectos en la estructura atmica y electrnica
de los cristales. Por ejemplo, se ha establecido claramente que la difusin en cristales
metlicos depende de la presencia de vacantes en la red. La deformacin plstica en los
metales se le conoce por estar asociada con el movimiento de las dislocaciones. La
conductividad elctrica de muchos slidos inicos est asociada con el movimiento de
vacantes o iones intersticiales. El comportamiento elctrico de cristales semiconductores
est relacionado a imperfecciones electrnicas. Estas son unas pocas razones para efectuar
una discusin acerca de las imperfecciones. Sin embargo, No es necesario mirar solo
consideraciones prcticas para justificar su estudio, las imperfecciones son interesantes per
se, en cristales, en las mantas orientales, en las estampillas postales, y an en la gente.
En esta seccin trataremos imperfecciones cristalinas desde un punto de vista
termodinmico. Notemos que las imperfecciones puede ser observadas y analizadas en dos
extremos de concentracin. Cuando existe baja concentracin las imperfecciones estn
diluidas siendo observadas como entidades particulares ms que una naturaleza bien
definida. Esto es cierto parta los defectos de punto, tales como, vacantes o tomos
intersticiales. Un defecto individual puede interactuar con otros al formar una simple
combinacin de pares. Esas simples combinaciones pueden ser tratadas como entidades
separadas y asignarles entropas suyas propias.
En el otro extremo de concentraciones, la densidad de defectos es tan alta que cada uno de
los defectos pierde sus propiedades individuales logrando la naturaleza de grupo. Las
superficies tales como los bordes de grano, caen dentro de esta categora. Esos grupos de
estructuras pueden asignrseles propiedades del tipo tensin interfacial, que hace su
descripcin posible en trminos termodinmicos.
6.1. Defectos de punto en cristales elementales
Un tomo desaparecido en la estructura de un cristal elemental es una vacante o defecto de
punto. Si la ausencia de un tomo sobre un sitio de la red no altera el resto del cristal, se
puede aplicar el siguiente principio. El cristal consistir de N tomos y n sitios vacantes en
la red. Supongamos que la energa necesaria para crear cada una de esas vacantes esta dada
por
V
E . Por lo tanto hay dos estados en la red a ser considerados:
Un estado ocupado
0 = E

Un estado desocupado
V
E E =

La probabilidad de encontrar un estado desocupado est relacionada con la energa
requerida para producir la vacancia y la temperatura del cristal, como:
( )
Z
kT E
P
V
V
/ exp
=

(2.1)
Donde ( ) kT E Z
v
/ exp 1 + = .


______________________________________________________________________
P.D-S
136
( )
( )
|
.
|

\
|

=
+

=
+
=
kT
E
N
n
kT E
kT E
N n
n
P
V
V
V
V
exp
/ exp 1
/ exp



(2.2)
La ecuacin 2.2 muestra que las temperaturas por sobre el cero absoluto, los cristales
elementales en el equilibrio conteniendo vacantes. Un valor tpico, por ejemplo para el
aluminio elemental, es ( ) mol kJ eV E
V
/ 4 , 72 75 , 0 = .
Actualmente, la ausencia de un tomo en un sitio de la red cambia los patrones de vibracin
de los tomos vecinos (figura 2.1). Debemos tomar en cuenta no slo la energa (o entalpa)
requerida para producir vacantes, sino que tambin los cambios de entropa en el sector que


Fig. 2.1 Efectos de una vacancia sobre los vecinos ms cercanos: todos ests
adscritos a la vacancia

rodea a la vacante. En el equilibrio, la energa libre de Gibbs del cristal est en el mnimo
con respecto al nmero de vacantes presentes a una temperatura y presin constante. La
energa libre de Gibbs molar cambia, el G entre el cristal imperfecto ( )
i
G y el perfecto
( )
p
G , es:
S T H n G G G
V p i
= =

(2.3)
donde
V
H es la entalpa de formacin de una vacancia, y n es el nmero de vacancias.
El trmino de la entropa, S , se puede expresar como:
C V
S S n S + =

(2.4)



El cambio total en la entropa molar S es igual a la suma de cambio de entropa requerida
para crear la vacancia
V
S y la entropa configuracional
C
S , la que est relacionada con
______________________________________________________________________
P.D-S
137
la incertidumbre en la ubicacin espacial de vacante en el espacio. Suponiendo una
distribucin aleatoria de vacantes, este trmino de entropa configuracional se puede
expresar as:
( )
|
.
|

\
|
+
= =
! !
!
ln ln
n N
n N
k k S
C

(2.5)
Ordenando despus de aplicar la aproximacin de Stirling, podemos escribir una expresin
para G en funcin del nmero de imperfecciones:

( ) ( ) ( ) | | n n N N n N n N kT S T H n G
V V
ln ln ln + + =

(2.6)
El mnimo de G como funcin del nmero de imperfecciones es:

0 ln =
|
.
|

\
|
+
+ =
|
.
|

\
|


n N
n
kT S T H
n
G
V V
T

(2.7)
Resolviendo para una fraccin de sitios vacantes ( ) :
V
x
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|

=
+
=
kT
H
k
S
n N
n
x
V V
V
exp exp

(2.8)
Generalmente, para las imperfecciones
|
.
|

\
|

=
kT
H
A x
V
i
exp

(2.9)
Donde ( ) k S A
V
/ exp = y es un factor del nmero de cuentas en cristalografa.
Notemos que N n x
i i
/ = porque N n
i
<< .
Tomando el logaritmo natural a ambos lados de la ecuacin, ecuacin 2.9 podemos escribir
el result6ado de la siguiente forma:
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|

=
T k
H
A x
V
i
1
ln ln

(2.10)
En esta forma es aparente que un grfico de naturaleza logartmica de la concentracin de
defectos (o alguna cantidad o propiedad lineal que depende de ello) en la ordenada, y el
inverso de la temperatura absoluta en la abscisa, ser una lnea recta con una pendiente
negativa igual a la entalpa de formacin de las imperfecciones dividida por k, que es la
constante de Boltzmann (Fig. 3.2).
Del anlisis anterior, concluimos que las vacantes son una caracterstica de equilibrio en
cristales elementales a temperaturas por sobre el creo absoluto. Esas son las llamadas
vacantes intrnsecas, debido a que son parte inherente del cristal. La existencia de vacantes
solamente del tipo intrnsecas, nos llevar ha observar una linealidad entre
i
x ln v/s ) / 1 ( T
que se muestra en la figura 2.2.
______________________________________________________________________
P.D-S
138

Fig. 2.2 Fraccin de imperfecciones (vacantes) en funcin
del inverso de la temperatura.
La concentracin de vacantes puede, sin embargo, estar influenciada por otros factores
diferentes a ala temperatura.
L adiccin de impurezas puede ocasionar el distorsionamiento de la red, creando
condiciones de favorecimiento a la concentracin de vacancias en lugares cercanos al
tomo de impureza mayores que la concentracin intrnseca. Las vacancias generadas por
factores extraos son llamadas vacantes extrnsecas. La presencia de vacantes extrnsecas
generalmente se manifiesta por s mismo como una desviacin de la linealidad de
i
x ln v/s
) / 1 ( T , que puede ser apreciada en la figura 2.3.

Fig. 2.3 Fraccin de imperfecciones (intrnsecas y extrnsecas) en funcin
del inverso de la temperatura absoluta.

6.2. Verificacin experimental de las vacancias
En principio podra ser posible determinar valores de
V
H y
V
S sabiendo el nmero de
imperfecciones como una funcin de la temperatura. Desafortunadamente, es difcil medir
______________________________________________________________________
P.D-S
139
el nmero absoluto de imperfecciones. Es posible, sin embargo, inferir
V
H y
V
S
midiendo el cambio con la temperatura del nmero de imperfecciones. Una aproximacin
al problema realmente novedosa y exitosa fue ejecutada por Simmons y Balluffi
1
quin
afirm que el volumen de un cristal crece con el aumento de la temperatura por dos
razones; el aumento de la vibracin termal de los tomos y la creacin de vacantes:
V Th
V V V + =


(2.11)
El trmino
Th
V se refiere al cambio de volumen a causa del aumento de la vibracin termal
de los tomos. El trmino
V
V , se refiere al cambio de volumen debido a la presencia de
vacantes. Es igual al nmero de vacantes multiplicada por el cambio de volumen
introducido por la presencia de una vacante, y se escribe como
V V V
V n V = . Encontrar el
cambio de volumen de
V
V , a temperatura y presin constante, substituimos para n segn
las ecuaciones 2.9 y 2.11, y derivamos con respecto a la temperatura:

( ) ( )
2
exp
kT
H
kT
H
A V N
T
V n
T
V
V V
V A
P
V V
P
V

(


= |
.
|

\
|

= |
.
|

\
|




Reordenando:
(


=
(


kT
H
k
H N
T
V
V
T
V V
P
V
V
exp
2


(2.12)
Tomando el logaritmo natural a ambos lados en la ecuacin (3.12), tenemos
(


=
(

|
.
|

\
|


kT
H
k
H N
T
V
V
T
V V
P
V
V
ln ln
2


(2.13)
De la ecuacin (3.13), es directo apreciar que el grfico de ( ) | |
P V V
T V V T / / ln
2
v/s 1/T
tiene una pendiente de . / k H
V

El valor del trmino ( )
P V
T V V / / 1 se determin observando la diferencia entre el cambio
de las dimensiones externas de un cristal l l / y el cambio en el parmetro de la red a a / a
medida que la temperatura del cristal esta cambiando. El trmino que involucra cambios en
el parmetro de red, a a / , est relacionado al cambio en volumen asociado solamente con
el aumento de las vibraciones de los tomos. La diferencia entre ambos es el cambio de
volumen introducido por la formacin de vacancias. Porque el volumen es una funcin
cbica de una dimensin lineal del cristal, el trmino V V
V
/ es tres veces el cambio de la
fraccin lineal.
|
.
|

\
|

a
a
l
l
V
V
V
3


(2.14)

1
Simmons, R. O., Ballufi, R. W., Phys. Rev., 117, 52 (1960)
Simmons, R. O., Ballufi, R. W., Phys. Rev., 119, 600 (1960)

______________________________________________________________________
P.D-S
140
De estos experimentos Simmons y Balluffi infirieron las entalpas de formacin y entropas
en las vacantes del aluminio, oro y plata (Tabla 2.1)
Basndose en tales valores, la fraccin calculada de los sitios de la red vacantes ( ) n n / en
el punto de fusin de esos metales, tambin en la tabla 2.1, muestra ser uno en mil.

TABLA 2.1 ENTALPA DE FORMACIN Y ENTROPAS DE VACANTES EN EL
ALUMINIO, ORO Y PLATA
) (eV H
V
k S
V
/ n n / (en el punto de
fusin)
Aluminio 0.75 2.2 910
-4

Oro 0.94 1.0 7.210
-4

Plata 1.09 1.5 210
-4

Fuente: 1.

Utilizando tales valores, calcularemos para la plata la fraccin de sitios vacantes a 700K.
Los valores de la entalpa y entropa de la tabal 2.1 son EV H
V
09 . 1 = y 5 . 1 / = k S
V
.
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|

=
kT
H
k
S
N
n
V V
exp exp
*

( )
( )( )
9
5
*
10 64
700 10 617 . 8
09 . 1
exp 5 . 1 exp

=
|
|
.
|

\
|

=
N
n

La fraccin de sitios vacantes en la red es por lo tanto de aproximadamente 64 partes por
billn. La concentracin de vacantes es la fraccin de sitios vacantes multiplicados por el
nmero de sitios de la red por unidad de volumen, . / V N
A
Este clculo, para el caso de la
plata es de 3.7510
15
vacantes por centmetro cbico a 700K.
6.3. Interacciones entre vacantes e impurezas
Hemos establecido que las vacancias existen en el equilibrio puro, en los cristales
elementales por sobre el cero absoluto de temperatura. La concentracin de esas vacantes
intrnsecas puede ser calculada utilizando la ec. (2.8), si las entalpas de formacin y las
entropas son conocidas. La presencia de tomos de impurezas disueltas en el cristal puede
influenciar la concentracin de vacantes intrnsecas, porque los tomos de impurezas
difieren en tamao a los tomos del solvente, generando que las vacantes sean atradas a los
tomos de impurezas. La concentracin total de vacantes por lo tanto podra ser
modificada.
Para analizar esta situacin utilizando la termodinmica estadstica, consideremos que una
vacante puede existir en dos estados estables, unido a un tomo de impureza (extrnseco) o
desunida (intrnseca). La concentracin total de vacantes
V
n es la suma de los dos:
V V V
n n n

+ =
1
*


(2.15)
donde
V
n es la concentracin total de vacantes (vacantes por unidad de volumen),
*
V
n es
una concentracin de vacantes intrnsecas, y
V
n
1
es concentracin de vacantes extrnsecas.
______________________________________________________________________
P.D-S
141
El estado de energa de una vacante depende de si est unida o no. Designemos la energa
de una vacante sin unir por
0
E y la energa de una vacante unida por
V
E
1
. Con el propsito
de nuestro anlisis podemos asignar un valor de cero a la energa sin unin: 0
0
= E . El
valor de
V
E
1
ser inherentemente negativo a causa de su energa de enlace; esto es, se
requiere de una energa para separar la vacante del tomo de impureza y luego crear la
vacante sin unin. La razn entre vacantes unidas y desunidas es:
pf
V
V
V
V
Z
kT
E
g
n
n
|
.
|

\
|

1
1
*
1
exp

con
pf
Z (funcin de particin) ( ) kT E g g
V V
/ exp
1 1
*

+ = .

( ) kT E g g
kT E g
n
n
V V
V V V
/ exp
) / exp(
1 1
*
1 1
*
1


+

=


(2.16)

El valor de la degeneracin,
V
g
1
, es el producto de la concentracin de impurezas,
i
n , y
Z , el nmero de coordinacin en el cristal, porque la vacante puede adjuntarse por si
misma a una impureza a cualquiera de las posiciones vecinas ms cercanas
2
. La
degeneracin de las vacantes sin unir es el nmero de sitios de la red no prximos a los
tomos de impureza.
;
1 i V
Zn g =

( )
i i i
n Z N Zn n N g 1
*
+ = =
( ) ( ) kT E Zn n Z N
kT E Zn
n
n
V i i
V i V
/ exp 1
) / exp(
1
1
*
1


+ +

=


(2.17)

Notemos que ( )
i
n Z N 1 + >> , y ( ) N kT E Zn
V i
<<

/ exp
1
para un
i
n pequeo:
|
.
|

\
|
+ =

kT
E
Z
N
n
n
n
V i
V
V 1
*
exp 1


(2.18)
Aprender cun importante puede ser la concentracin intrnseca, estimemos algunos de los
trminos de la ec. (2.18). Tomemos plata a 700K como en el ejemplo anterior. Con el
clculo de la seccin 2.2 que vacantes en la plata estn presentes en 64 partes por billn a
esta temperatura. Es difcil reducir las impurezas ( )
i
n en la plata a este nivel. Una fraccin
de impureza tpica es 10
-3
, o 0.1%. En este nivel, suponiendo una energa de enlace
razonable ( ) eV E
V
1 . 0
1
=

, y un nmero de coordinacin de 12, la razn del nmero total


de vacantes a la cantidad de vacantes
3
intrnsecas es:

2
La notacin habitual para el nmero de coordinacin es la letra Z, que tambin hemos utilizado para
significar funcin de particin. Para evitar una confusin, la notacin de Z
pf
se utiliz en esta seccin para la
funcin de particin.
3
La constante de Boltzmann es 8.61710
-5
eV/K.
______________________________________________________________________
P.D-S
142
|
|
.
|

\
|
(

+ =

) 700 )( 10 617 . 8 (
1 . 0
exp ) 12 ( 10 1
5
3
*
n
n
V

06 . 1
*
=
n
n
V

A un nivel del 1% de impurezas, la razn alcanza el 1.06. Esto nos lleva a la concluir que
las impurezas pueden tener un efecto sobre la concentracin de vacancias. Basndose en la
ec. (2.18), este efecto llega a ser an ms importante a bajas temperaturas.
6.4. Interacciones entre impurezas e imperfecciones
Hay una tendencia tanto para los tomos e imperfecciones cristalinas de formar clusters,
esperando imperfecciones en las estructura, tales como dislocaciones, y la atraccin de
unin entre los tomos de impureza en el cristal. Un ejemplo interesante de este enlace se
encuentra en las aleaciones de hierro-carbono (acero). Una explicacin aceptada para el
yield point en aceros se basa en la unin de dislocaciones y la ocupacin de posiciones
intersticiales en la red del hierro, tal como los tomos de carbono. La deformacin plstica
en un slido cristalino ocurre cuando las dislocaciones se mueven debido a esfuerzos
aplicados. En aleaciones hierro-carbono, los esfuerzos requeridos para comenzar el
movimiento de dislocaciones es ms alto que el esfuerzo requerido para mantener a ellos en
movimiento, entregando distintos yield point. La unin entre dislocaciones y tomos de
carbono causa este fenmeno. Los esfuerzos de corte requeridos para romper la dislocacin
lejos de los tomos de carbono relativamente inmviles es ms grande que el esfuerzo de
corte requerido para mantenerlos a ellos movindose. Basndose en un razonamiento
similar al utilizado en derivar la ecuacin 2.18, deberan haber pocos tomos ligados a las
imperfecciones a medida que la temperatura crece. De esta manera, el fenmeno de yield
point debera llegar a ser menos pronunciado a temperatura mayores. Este es, en efecto, lo
que se observa en el sistema hierro-carbono. A temperaturas sobre los 700C el yield point
esencialmente desaparece.
Tratar con el efecto de unin entre impurezas intersticiales a las dislocaciones, nos permite
adoptar el mismo tipo de notacin utilizada en la seccin 2.3. Escribamos:

( )
( ) kT E g g
kT E g
n
n
N N N
N N
N
V
/ exp
/ exp
*


+

=



(2.19)
Donde
:
*
N n Nmero de tomos de nitrgeno intrnseco en el hierro por centmetro cbico
(solubilidad intrnseca).
:
N
n Nmero de tomos de nitrgeno unidos a las dislocaciones.
:
N
g Nmero de posiciones en la red disponible para disolver tomos de nitrgeno.
:
N
g Nmero de posiciones en las dislocaciones para disolver tomos de nitrgeno.
:
N
E Energa de interaccin de nitrgenos disueltos y dislocaciones relativas para
disolver nitrgeno en la red (cantidad negativa).
______________________________________________________________________
P.D-S
143
Notemos que hemos asignado una energa de cero al nitrgeno disuelto, en una posicin
normal (intersticial). Si podemos asumir que

>>
N N
g g , la ec. 2.19 se convierte en
( )
N
N N
N
V
g
kT E g
n
n / exp
*


=



(2.20)
El nmero total de tomos de nitrgeno disueltos
T
n es la suma de N n
*
y
N
n .
( )
N
N N
N
N
T
g
kT E g
n n n
/ exp
*


= + =



(2.21)
Es aparente de la ecuacin 2.21 que la medida de solubilidad del nitrgeno en el hierro es
una funcin de la concentracin de dislocaciones si la energa de interaccin
N
E no es
cero. Estimemos la magnitud del efecto. Las energas de interaccin
N
E , son
aproximadamente 0.3 eV. Si una muestra es severamente trabajada en fro (rolled), la
densidad de dislocaciones crece hasta un 510
12
cm/cm
3
. Para el hierro, el nmero de
posiciones intersticiales por centmetro cbico es 8.410
22
, o 4.710
7
. Suponiendo, por
simplicidad, que hubiramos tratado con dislocaciones de borde, el nmero de posiciones
de dislocacin que pueden ser ocupadas por los tomos de nitrgeno es el producto de la
densidad de dislocaciones y 4.310
7
, o 2.1510
20
. Si sustituimos esos valores en la ec. 2.21
a 700K (427C), el aumento de solubilidad observada es aproximadamente del 37%. Este
efecto debera ser observable, y en efecto, fue observado por Darken.
Darken condujo sus experimentos equilibrando muestras de hierro con una mezcla de
amonaco e hidrgeno cerca de los 450C. Controlando la razn de amonaco e hidrgeno,
el fij la actividad termodinmica del nitrgeno, porque la constante de equilibrio
a
K es
determinada por la temperatura:
3
2
2 / 3
2 3
2
3
NH
H
N a
P
P
a K
N H NH
=
+ =



(2.21)
donde N subrayado indica el nitrgeno disuelto.
El nmero de dislocaciones fue variada por trabajo en fro en las muestras a diferentes
niveles. El grado ms grande de trabajo en fro, corresponde al nivel mayor de
concentracin de dislocaciones.
______________________________________________________________________
P.D-S
144

Fig. 2.4 Nitrgeno disuelto en hierro como una funcin de la actividad del
nitrgeno y el trabajo en fro (imperfecciones) en el hierro.

Despus de equilibrar las muestras de hierro con la actividad del gas de nitrgeno
controlado, Darken encontr una solubilidad mas alta en las muestras con un trabajo en fro
mayor (i.e., aquellas con una densidad de dislocaciones ms alta). Sus observaciones se
presentan en la Figura 2.4.
6.5. Defectos electrnicos
Los materiales slidos puedes ser divididos en tres clases, si estamos hablando en un
sentido amplio, refirindose a su capacidad de transportar las cargas elctricas: metales,
semiconductores y aisladores. Los metales tiene una alta movilidad de carga (electrones),
del orden de 10
22
por centmetro cbico. En el otro extremo de la escala se encuentran los
aisladores, presentan una movilidad muy baja del orden de uno por centmetro cbico. El
comportamiento de los electrones en los metales se puede ver en los textos de metalurgia
fsica o en libros de fsica del estado slido. La conductividad de los aisladores no es
discutida aqu porque, por la naturaleza de los dispositivos, sus propiedades no pueden
variar significativamente. Semiconductores son particularmente interesantes porque sus
conductividades pueden ser variadas cambiando el medio en el cual ellas existen. Ellas son,
por lo tanto, tiles como sensores.
Los semiconductores intrnsecos son caracterizados por un gap de energa (banda gap), la
que se encuentra en una zona intermedia entre las bandas de valencia y de conduccin, o
bien comnmente conocidas como los estados prohibidos para los electrones (Figura 2.5).
Para que lleguen a ser activos, en un sentido de conduccin, los electrones deben saltar la
energa del gap hasta llegar a la banda de conduccin. Cuando ellos lo hacen, ellos dejan
detrs un agujero u hoyo en la banda de valencia. Tanto los electrones como los hoyos
pueden participar en la conduccin de las cargas elctricas. Los semiconductores tienen un
rango de conduccin de cargas elctricas que si son tabuladas en la misma escala de los
______________________________________________________________________
P.D-S
145
aisladores y conductores, podramos decir que la movilidad de carga es del orden de10
10

por centmetro cbico. Ellos son muy tiles para dispositivos elctricos, tales como los
transistores, o en el caso de los slidos inicos, como los sensores, porque el nmero de
carga cambia con la temperatura o con la naturaleza qumica de la atmsfera en equilibrio
con el slido. En esta seccin, estableceremos la relacin entre el transporte de carga en
elementos cristalinos puros (electrones y hoyos) como una funcin de la temperatura y el
gap de energa del slido.
Si los dos estados para los electrones, tanto en la zona ms alta de la banda de valencia y la
zona ms baja de la banda de conduccin no existen lmites (es decir,
g
E es cero) podra
ser calculada directamente a travs de la aplicacin de la estadstica de Boltzmann. Sin
embargo, la situacin es ms complicada, por la aplicacin del principio de exclusin de
Pauli. Solamente un electrn puede ocupar cada estado cuntico del cristal, tomando todos
los nmeros cunticos en cuenta, incluyendo a los espines. Utilizando la estadstica de
Fermi-Dirac, el nmero de electrones en la banda de conduccin
C
N est basada en:
dE
kT
E
E g N
C
1
exp 1 ) (

|
.
|

\
|

+ =





(2.23)

Donde es el nivel de Fermi en el cristal,
F
E , y ) (E g es la densidad de estados entre los
niveles de energa E y dE E + .
La densidad de estados para los electrones en la banda de conduccin puede ser derivada
utilizando la misma tcnica que se utiliza para determinar la densidad de estados para un
gas ideal, esto es, el modelo de la partcula cuntica en una caja. Tomando en cuenta los
dos estados para los espines que pueden existir cada uno de los niveles de energa, el
resultado para los electrones es
( )
( )
2 / 1
2 / 1
2 / 3
2
*
) (
2
4 ) (
H E E C E g
E E
h
m
E g
g e
g
e
=

|
|
.
|

\
|
=





(2.24)
donde
2 / 3 2 *
) / 2 ( 4 h m C
e e
= y
*
e
m es la masa efectiva de un electrn en el cristal.
Para los hoyos en la banda de valencia, se entrega una aproximacin similar:
( )
( )
2 / 1
2 / 1
2 / 3
2
*
) (
2
4 ) (
E C E g
E
h
m
E g
h
h
=

|
|
.
|

\
|
=





(2.25)
donde
*
h
m es la masa efectiva de un hoyo en la banda de valencia.


______________________________________________________________________
P.D-S
146

Fig. 2.5 Ploteo de la densidad de estados g(E) versus E para la conduccin de
electrones y los hoyos en el semiconductor.

Porque el nivel de Fermi est situado en la banda prohibida, y su distancia desde el borde
de la banda es comparable en tamao a kT (la cuales igual a 0.025 eV aproximadamente a
temperatura ambiente), podemos aproximar la funcin de Fermi como sigue:
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|

+
kT
E E
kT
E E
F F
exp exp 1



(2.26)
Sustituyendo las ecs. 2.26 y 2.24 en 2.23 se obtiene:
( )
( )
dE
kT
E E
E E C N
g
E
F
g e C


= exp
2 / 1



(2.27)
Si hacemos el siguiente cambio de variable , / ) ( kT E E x
g
= en la ec. 2.27 llega a ser
dx e x
kT
E E
kT C N
g
E
x F g
e C


=
2 / 1 2 / 3
) (
exp ) (



(2.28)
Para la integral definida, escribimos

=
0
2 / 1
2
1
dx e x
x




______________________________________________________________________
P.D-S
147
De aqu
(

|
|
.
|

\
|
=
kT
E E
h
kT m
N
F g
e
C
) (
exp 2 2
2 / 3
2
*





(2.28)
Por un proceso similar, el nmero de hoyos presentes en la banda de valencia es,
(

|
|
.
|

\
|
=
kT
E
h
kT m
N
F h
h
exp 2 2
2 / 3
2
*





(2.29)
Si estuviramos tratando con un semiconductor intrnseco- eso es, uno en el cual hay un
hoyo dejado detrs para cada electrn en la banda de conduccin (impurezas no donor o
aceptor)- entonces
4
,
h C
N N =


(2.30)
Sustituyndose las ecs. 2.28 y 2.29 en 3.30:
*
*
ln
4
3
2
e
h
g
F
m
m
kT
E
E + =



(2.31)
Adems kT es pequea, y los valores de
*
e
m y
*
h
m no son tan diferentes, el nivel de Fermi
puede ser considerado como la mitad del gap para semiconductores intrnsecos.
Si pensamos la formacin de hoyos y electrones de conduccin desde el punto de vista de
una reaccin qumica, podemos escribir:
h C
N N nulo + =


(2.32)
El producto de
C
N y
h
N es una funcin de la temperatura, tanto como lo es la constante de
equilibrio, y tiene una expresin de:
|
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
kT
E
T m m
h
k
N N
g
h e h C
exp ) (
2
4
3 2 / 3
* *
3
2




(2.33)
Es interesante notar que el trmino de la energa de Fermi, ,
F
E desaparece de la ec. 2.33, y
el producto de
C
N y
h
N dependen solamente de la temperatura y de la energa del gap, .
g
E
6.6. Defectos en compuestos inicos
En las secciones precedentes tratamos con defectos en cristales elementales, donde los
tomos eran de la misma especie. En los compuestos inicos tiene un mnimo de dos
elementos, un elemento electropositivo, designado por la letra M , y otro electronegativo
designado por X . Las vacancias puede ocurrir tanto en la parte de la red electropositiva
como electronegativa. Adems, tanto los elementos electronegativos como electropositivos

4
En muchas publicaciones,
C
N , el nmero de electrones en la banda de conduccin, es escrita simplemente
como n. El nmero de hoyos
h
N es escrito como p, refirindose a una especie de conduccin cargada
positivamente.
______________________________________________________________________
P.D-S
148
toman posiciones intersticiales en la red. Cada tipo de defecto es discutido en las secciones
que siguen.
TABLA 2.2 RESUMEN DE LA NOTACIN KROGER-VINK
Smbolo Definicin
M tomo del elemento electropositivo
X tomo del elemento electronegativo
M
M tomo M sobre un sitio M
M
N tomo N sobre un sitio M
M
V Vacancia sobre un sitio M
i
M tomo M sobre un sitio intersticial
*
i
M
In M cargado positivamente sobre un sitio intersticial (ionizado una vez)
* *
i
M
In M cargado positivamente sobre un sitio intersticial (ionizado dos veces)
'
i
V
In X cargado negativamente sobre un sitio intersticial (ionizado una vez)
*
X
V
Vacancia cargada positivamente (relativa a una red perfecta) sobre el sitio X
'
M
V
Vacancia cargada negativamente (relativa a la red perfecta) sobre el sitio M
Fuente: 2

Para los propsitos de nuestra discusin, adoptaremos la notacin de Kroger-Vink. Una
forma fcil de entender la notacin es considerar que cada defecto de punto se representa
por un smbolo con un subndice y otra supra-ndice de la manera siguiente: Y
Z
X
X representa cual sitio es (V para las vacancias y una notacin de elemento si es un
elemento).
Y representa el tipo de sitio ocupado por X (i para un sitio intersticial, o para un sitio
de la red, el smbolo para el elemento que est usualmente ocupando ese sitio de la
red).
Z representa la carga relativa a la carga inica normal sobre el sitio Y [cargas
positivas estn representadas por dots (
*
o
**
, y cargas negativas por primas ( `y ``):
una letra minscula x es algunas ocasiones utilizadas para denotar un tomo neutral].

En el cloruro de plata, AgCl, un in intersticial es representado como Ag
*
i
. Una vacancia
en la red de la plata se representa por V
Ag
.
Las ecuaciones que describen la formacin del defecto o aniquilacin deben adherirse a los
siguientes principios:
1. Conservacin de masa.
2. Conservacin de la carga (electroneutralidad).
3. Una razn fija de sitios de M y X segn los compuestos que estn siendo
estudiados.
6.7. Defectos de Frenkel
Un tipo de defecto en los slidos inicos se forma cuando un in se ubica en una posicin
intersticial de la red cristalina y su posicin en la estructura est vacante. Este tipo de
defecto es llamado defecto de Frenkel. La formacin de un defecto de Frenkel por un
elemento electropositivo (M) puede ser expresada como una ecuacin qumica:
______________________________________________________________________
P.D-S
149
i M
M V X M MX
) 1 (

+ + =



(2.34)
En la notacin Kroger-Vink, la que utilizaremos, se escribe como:
'
*
; M i M
V M M + =


(2.35)
Suponemos que el tomo intersticial M est ionizado con una carga de +1. La vacancia
tiene una carga de 1 relativa a una red perfecta. Si pensamos del cambio expresado en la
ec. 2.35 como una reaccin qumica, podemos escribir una constante de equilibrio para:
M
M
i
M
V
M
a
a a
K
'
1
*
=


(2.36)
La actividad del material M ( )
M
M
a es muy cercana a la unidad porque solamente pequeas
cantidades de defectos son formados. Utilizando una solucin diluida infinitamente como
en el estado estndar para las imperfecciones que hacen sus actividades iguales a sus
concentraciones
5
:
| || |
' *
1

M i
V M K =


(2.37)
Para describir la concentracin de esas imperfecciones como una funcin de la temperatura,
sigamos el mismo procedimiento utilizado para cristales elementales, con la complicacin
que debemos tomar en cuenta entropa configuracional ( )
C
S tanto de las vacancias y de
los intersticios. Hay incertidumbre con respecto a la posicin de las vacantes y tambin en
relacin a la posicin de intersticios. Si suponemos que las ubicaciones de las vacantes y de
Intersticios son aleatorias e independientes uno de otro, podemos escribir
( ) ( )
(

+ +
=
! !
!

! !
!
ln
i
i
v
v
C
n N
n N
n N
n N
k S


(2.38)
Donde
v
n : nmero de vacantes
:
i
n nmero de intersticios
De la seccin precedente 2.1, obtenemos:
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
+ kT
H
k
S
n N
n
n N
n
f f
i
i
v
v
exp exp


(2.39)


pero
| | | |
V
n
M
V
n
V N n N n
i
i
v
M i v
= = << <<
*
; ' ; ;

Para un mol de cristal:

5
Los corchetes cuadrados [ ] denotan concentraciones de las especies en los corchetes.
______________________________________________________________________
P.D-S
150
| || |
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

=
kT
H
k
S
V
N
M V
f f
A
i M
exp exp '
2
2
*


(2.40)
La concentracin de defecto de Frenkel, [F] es igual a la concentracin de intersticios | |
i
X
o de vacantes | | V si las dos son iguales, o la raz cuadrada de su producto:
| | | || | ( )
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

= =
kT
H
k
S
V
N
M V F
f f
A
i M
2
exp
2
exp '
2 / 1
*


(2.41)
Este trmino [F], es llamado concentracin de defecto de Frenkel intrnseco y esta
relacionado a la entropa y entalpa de formacin del defecto.
La explicacin anterior se bas en la formacin de defectos de Frenkel para elementos
positivos (M). Un tratamiento similar se puede realizar, para elementos electronegativos
(X).
6.8. Defectos de Schottky Wagner
Un defecto en un cristal inico puede ser creado teniendo un nmero equivalente de cargas
elctricas de vacantes creadas en redes electropositivas y electronegativas. Si los elementos
electropositivo y electronegativo tienen igual valencia, habr el mismo nmero de vacantes
en cada una de las redes. Si la valencia de los dos elementos es distinta, el nmero de
vacantes es inversamente proporcional a sus estados de valencia. En el caso de valencias
similares estas pueden ser expresadas como una ecuacin qumica del siguiente tipo (el
trmino null representa en la red el defecto libre (defect-free)):
'
*
M X
V V null + =


(2.42)
En trminos de una constante de equilibrio, este puede ser escrito como sigue:
| || | '
*
2 M X
V V K =


(2.43)
Notemos que el trmino | | '
M
M aparece tanto en las ecs. 2.37 y 2.43. Tanto los defectso de
Frenkel como de Schottky-Wagner pueden estar simultneamente en el mismo cristal. El
equilibrio qumico requiere que tanto el equilibrio como la estequiometra sean satisfechos,
que en este caso corresponde a la electroneutralidad entre las especies cargadas. Porque de
esas condiciones, podemos escribir:
| | | | | |
| |
| |
| |
| |
'
2
*
'
1
*
* * '
;
M
X
M
i
X i M
V
K
V
V
K
M
V M V
= =
+ =


(2.44)

| |
| | ( )
2 / 1
2 1
2 1
2
'
' K K V
K K V
M
M
+ =
+ =


(2.45)
Por lo tanto la concentracin de vacantes en la red electropositiva depende de la presencia
de defectos de Frenkel como de Schottky-Wagner.

______________________________________________________________________
P.D-S
151
6.9. Defectos extrnsecos e intrnsecos en cristales inicos
Las vacantes existen en equilibrio en los cristales inicos a temperaturas por sobre el cero
absoluto. Esas vacantes inducidas trmicamente en cristales puros M-X son llamadas
vacantes intrnsecas. Las vacantes tambin pueden ser inducidas por iones de impurezas
cuyas valencias difieren de las valencias de los iones en el cristal matriz. Esas son llamadas
vacantes extrnsecas.
Consideremos agregar dicloruro de cadmio (CdCl
2
) a un cristal de cloruro de sodio (NaCl).
De las ecuaciones qumicas que describen los compuestos, es aparente que la valencia del
ion cadmio en el dicloruro de cadmio es +2. El in sodio en el CdCl
2
tiene una valencia de
+1. Una molcula de de CdCl
2
ocupa dos sitios aninicos, un sitio catinico. Por lo tanto,
en una solucin diluida de CdCl
2
en NaCl, debera haber un ion sodio vacante en la red de
M para cada ion cadmio agregado, porque as lo requiere la electroneutralidad (Figura 3.8).
Esta condicin de electroneutralidad puede ser expresada como sigue:
| | | | | |
* *
'
Cl Na Na
V Cd V + =


(2.46)
La concentracin de vacantes del in sodio sobre la red es igual a la concentracin de
vacantes en la red del cloro ms la concentracin de iones cadmio.
De la ec. 2.46 es claro que si la concentracin de iones de cadmio es mucho ms grande que
las vacantes de los iones cloro | | | | ( )
* *
Cl Na
V Cd >> , las vacantes en la concentracin de iones
sodio simplemente iguala la concentracin de iones cadmio. En este caso, la concentracin
de vacantes de iones de sodio es extrnseca; eso es, no es controlada por las propiedades
inherentes del cloruro de sodio. Depende de otra condicin (viz., la concentracin de iones
cadmio) y no est relacionada al nmero intrnseco de vacantes producidas trmicamente.
Si, sin embargo, la concentracin del in cadmio es muy pequea | | | | ( )
* *
Na Cl
Cd V >> , la
concentracin de vacantes de iones sodio es igual a la concentracin de vacantes de iones
cloro, y la concentraciones son intrnsecas- eso es, inducidas trmicamente solamente.
Esas relaciones pueden ser ilustradas utilizando las relaciones de equilibrio para defectos de
Schottky sobre la red de cloruro de sodio:

| || | ' '
Cl Na S
V V K =


(2.47)
Combinado las ecs. 2.46 y 2.47 se obtiene:
| | | |
| | '
* '
Na
S
Na Na
V
K
Cd V + =
o
| | | || | 0 ' * '
2
=
S Na Na Na
K V Cd V

La solucin a esta ecuacin es:

| |
| | | | ( )
2
4
'
2 / 1
2
* *
S Na Na
Na
K Cd Cd
V
+ +
=


(2.47)

______________________________________________________________________
P.D-S
152

Fig. 2.6 Efectos de la adicin de CdCl
2
(presencia de
*
Na
Cd )
sobre el cristal de NaCl.

Un cristal de cloruro de sodio con una concentracin dada de cloruro de cadmio puede
mostrar un comportamiento tanto intrnseco como extrnseco dependiendo de su
temperatura. Esto puede ser entendido considerando la ec. 2.47. A temperaturas ms altas,
el valor de la constante de equilibrio
S
K puede ser mucho ms grande que el valor de
| |
2
*
Na
Cd .Si eso es cierto, entonces | |
2 / 1
'
S Na
K V = y las imperfecciones generadas
trmicamente sern ms grandes que la concentracin del in cadmio. El cristal mostrar
comportamiento intrnseco. Cuando
S
K es mucho ms pequeo que | |
2
*
Na
Cd , veremos
| | | |
*
'
Na Na
Cd V = y un comportamiento extrnseco. Este cambio en el comportamiento con la
temperatura se ilustra en la Figura 2.7. En la regin intrnseca, las vacantes de los iones de
sodio son iguales a las vacantes de iones cloruro. En la regiones extrnsecas, la expresin de
equilibrio (ec. 2.43) deben an ser observadas; por lo tanto las vacantes de los iones de
cloruro sern menos que la cantidad calculada para concentraciones de iones de cloruro
intrnsecos como se ilustra en la figura 2.7.







______________________________________________________________________
P.D-S
153

Fig. 2.7 Regiones de vacantes intrnsecas y extrnsecas.
















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154
Referencias Bibliogrficas
Thermodynamics of Materials, Vol. II, David V. Ragone, John Wiley & Sons. Inc. 1995.










































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P.D-S
155
7. Fractura
7.1. Introduccin
Entendemos por fractura un fenmeno en el cual una grieta nuclea y se propaga en
un material. Si la grieta es preexistente ya no es necesario nuclearla.
No interesa el caso de los materiales policristalinos especialmente, si bien la
informacin obtenida de los materiales monocristalinos es fundamental para comprender lo
que ocurre en los policristales. En ingeniera tambin se usan ocasionalmente materiales
monocristalinos estructurales, adems de ellos se usan mucho en aplicaciones electrnicas,
magnticas, etc.
Hay casos en que un metal se rompe por la aplicacin de esfuerzos sin que
intervenga una grieta, por una ruptura de enlaces, situacin en la cual los especialistas
prefieren no hablar de fractura. Un ejemplo de ello es la rotura de un monocristal de Zn
debido a su deslizamiento simple localizado. Esta situacin es de poco inters en ingeniera
estructural.
Fractura dctil y frgil
Considerando un primer criterio de clasificacin, se acostumbra distinguir entre fractura
dctil y frgil. Aqu lo u interesa es si el fenmeno mismo de la fractura es o no
acompaado (acompaado o incluso controlado) por la deformacin plstica.
Veremos que cuando no hay deformacin plstica ni siquiera en el mbito local, cerca de la
grieta, no existen mecanismos de nucleacin de grietas. Todos los mecanismos de
nucleacin de grietas dependen de que haya deformacin plstica. As, no hay mecanismos
frgiles de nucleacin de grietas, solo existen mecanismos dctiles.
Camino de las grietas en los policristales
Otro criterio de clasificacin de la fractura en un policristal corresponde al camino de la
grieta: por los bordes de grano (intergranular o intercristalina) o por dentro de los granos
(transgranular o transcristalina). En los complejos casos reales, en policristales
monofsicos, tambin puede haber una combinacin de estos tipos de trayectorias.

Ejemplos:
En la tabla I se presentan ejemplos de casos de fractura, atendiendo a los dos tipos de
clasificacin antes indicados.
Sabemos que normalmente, a bajs temperaturas (menores que 0.5 T
f
[K] ), los bordes de
grano son ms resistentes que los granos de los mismos. Por ello nos interesa el grano fino,
para tener mucha superficie de bordes de grano por unidad de volumen de material. Pero,
como lo muestran los ejemplos de la Tabla I, esto no es cierto cuando, por ejemplo,
estamos en condiciones de fluencia lenta (creep) o bien cuando hay una anormal
segregacin en los bordes de grano.
Tres aspectos de los aceros tipo AISI 1010 0 1020 resulfurados: cul es su estructura,
propiedades y aplicaciones?.
El origen de la fragilidad por revenido se sospech correctamente desde hace muchas
dcadas, pues se daba en aceros con una cantidad relativamente alta de P y S, despus de
revenidos en ciertos rangos de temperatura. Hasta hace unos 50 aos, la forma de resolver
el problema era evitando esas temperaturas de revenido. Despus, al perfeccionarse los
procesos de fabricacin de los aceros, a bajas cantidades de P y S logradas, minimizaron el
problema. Hace unos 30 aos se confirm experimentalmente que unas pocas capas
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P.D-S
156
atmicas de compuestos frgiles segregados en los bordes de grano, eran efectivamente la
causa del problema.

TABLA I. EJEMPLOS DE TIPOS DE FRACTURA, ATENDIENDO A SU CARCTER
DCTIL/FRGIL Y A SU TRAYECTORIA INTER/TRANS GRANULAR

Intercristalina (por borde de grano) Transcristalina (por dentro de los
bordes de grano)
Dctil Creep (factores: alta temperatura,
esfuerzo moderado, tiempo grande): al
haber deslizamiento de bordes de grano,
all nuclean y se propagan grietas
dctiles. Aparecen en los bordes entre
dos granos y entre tres granos ( a estos
ltimos se les llama puntos triples).
Fractura del Cu y del Acero 1020 a
temperatura ambiente en traccin
cuasiesttica (habitual). Por
mecanismos dctiles, se produce la
estriccin, con nucleacin y
coalescencia de microporos
(microhoyuelos). En traccin se
obtiene la tpica morfologa de copa y
cono.
Frgil Fragilidad en aceros por revenido: ciertas
impurezas (P y S, por ejemplo) segregan
a los bordes de grano, durante el
revenido cuando ste se hace a ciertas
temperaturas. All, se forman compuestos
frgiles a temperatura ambiente.
Fractura de aceros ferrticos (cc) a
bajas temperaturas (menores de 50C,
por ejemplo). El cristal se rompe por
clivaje, como el diamante. El clivaje
es muy importante en la fractura
frgil.

7.2. Modelo de Griffith para la propagacin de las grietas
Introduccin
Griffith que fue el primero en abordar adecuadamente el rol de la grietas en fractura frgil
(1920). Ntese que en la fractura frgil, las grietas se propagan en un campo elstico,
puesto que no hay deformacin plstica. El problema planteado consiste en considerar que
se tiene un material dado, con una grieta de tamao y geometra conocidos y un nivel de
esfuerzo conocido; la pregunta es: bajo tales condiciones, se propagar esa grieta?.
Griffith public su trabajo, donde model la fractura frgil de vidrio, en una revista inglesa
de gran prestigio. Pasaron varios aos antes de que su contribucin fuera apreciada por los
ingenieros de esa poca, sin embargo abrumados por la ruptura de los componentes de
aceros de los puentes, calderas, ejes, etc. No slo el material abordado por Griffith pareca
irrelevante, a primera vista; tambin su metodologa de balance energtico hacia difcil la
generalizacin de las aplicaciones a geometras complejas de grietas. Hoy se reconoce la
contribucin fundamental de Griffith para la disciplina denominada Mecnica de la
Fractura.
Enunciado del modelo de Griffith
Consideremos un material como el vidrio:
- Istropo
- Elstico perfecto. Es elstico lineal y no presenta plasticidad, ver Figura 1.
Se aplicarn algunas ecuaciones elementales de Elasticidad Lineal.

______________________________________________________________________
P.D-S
157
El caso analizado por Griffith se presenta en la Fig. 7.1. Se trata de un plancha de espesor
unitario, suficientemente delgada como para que el esfuerzo perpendicular a la plancha sea
despreciable. Hay un esfuerzo aplicado, que es conocido y constante. Los casos de las
Figs. 7.1a y 7.1b son similares a su tratamiento e idnticos en su solucin, si se cuida
emplear la nomenclatura para el tamao de la grieta presente en esa figura. En ambos casos
la grieta es perpendicular a la direccin del esfuerzo.
Lo que se quiere establecer si la grieta se propagar o no, (No se pregunta acerca de cmo
apareci la grieta).
Modelacin
Consideremos el caso de Griffith de la Fig. 7.1a. Para resolver el problema se hace un
balance de las energas involucradas. Adems, la energa de la plancha agrietada se refiere a
(compara con) a la de una plancha similarmente solicitada, pero sin la grieta, ver Fig.7.3.
As, primero se calcular:
| | | | 0 2 U a U U =


Ec. (1)
En este clculo slo se tomar en cuenta los trminos energticos que presentan diferencias
entre las dos planchas. Por ejemplo, no tomaremos en cuenta la energa correspondiente a
las superficies libres de las planchas, debido a que tales superficies son iguales en ambas
planchas. Ntese que a toda superficie de un material, que es una forma de defecto
cristalino, se le asocia una energa especfica de superficie ( )
2
/ cm erg .
Al estado de referencia, plancha no agrietada, slo le corresponde una energa elstica
almacenada, por unidad de volumen de cristal. Aprovechando un resultado de la teora de la
Elasticidad, para un nivel de esfuerzo , se tiene:
| | | |
P V
V U U
|
.
|

\
|
= =
2
1
0 0


Ec. (2)
Para la plancha, t S V
P
= , donde
P
S es la superficie de la plancha y t el espesor de sta;
adems 1 = t . Aplicando la ley de Hooke ( E = ), se llega a:
| |
P
S
E
U
|
|
.
|

\
|
=
2
2
1
0



Ec. (3)
Veamos ahora el clculo de la energa total de la plancha con una grieta 2. Por tener una
grieta, esta plancha tiene ms superficie que la de referencia. Adems, por estar agrietada,
parte de su energa elstica est relajada.


| | | | | | a U a U a U
S V
2 2 2 + =


Ec. (4)
Ahora bien, considerando las dos superficies libres enfrentadas asociadas a la grieta, se
tiene:
| | ( ) ( ) t a a U
S
= 2 2 2


Ec. (5)
______________________________________________________________________
P.D-S
158
El clculo de | | a U
V
2 es algo ms complejo, pues hay que conocer los campos de esfuerzos
y deformaciones en la plancha y luego hay que integrar la energa elstica sobre el
volumen. Este es un problema resuelto de elasticidad, pero aqu desarrollaremos una
solucin aproximada, la que permite llegar rpidamente a una solucin que difiere slo en
un factor numrico de la solucin exacta; adems, en esta solucin simplificada, aparecen
correctamente todos los parmetros involucrados.
Supondremos que la grieta genera un volumen en que los esfuerzos estn totalmente
relajados, y que fuera de dicho volumen el esfuerzo es una constante igual a , el esfuerzo
nominal aplicado. La Fig. 7.4 ilustra estos volmenes en la plancha agrietada.
De esta manera, se tiene:
| |
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
= t
a
S
E
a U
P S
4
) 2 (
2
1
2
2 2



Ec. (6)
Ahora ya podemos desarrollar la ec. 1:
| | | |
( )
( ) ( )
P P
S
E
a t
a
S
E
U a U U
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
=
2
2
2
2
1
1 2 2
4
2
2
1
0 2




Lo que da:
( )

2
2
2
1
4 a
E
a U
|
|
.
|

\
|
=


Ec. (7a)
Al deducir la ec. 7a, se adopt una aproximacin para considerar la relajacin de los
esfuerzos en la plancha debido a la presencia de la grieta. Una solucin matemtica
rigurosa indica que subestimamos el trmino elstico en un factor 2. Por lo tanto, el
resultado correcto es:
( )

2
2
4 a
E
a U
|
|
.
|

\
|
=


Ec. (7b)
Tengamos presente que se est trabajando con un material dado (de constantes E y ) bajo
un esfuerzo constante . Analicemos cmo evoluciona U cuando la magnitud a crece,
ver Fig. 7.3. Obsrvese que, en el segundo miembro, el primer sumando corresponde a una
energa que se opone a la propagacin de la grieta, en tanto que el segundo sumando
corresponde a una energa elstica liberada. Esta ltima permite, entre otras cosas, superar
la anterior barrera energtica haciendo posible la propagacin. El primer sumando del
segundo miembro crece linealmente con a, en tanto que el segundo sumando, para valores
suficientemente grandes de a, decrece muy rpidamente con el cuadrado de a. Esto es, para
______________________________________________________________________
P.D-S
159
valores pequeos de a, prevalecer el primer sumando que es positivo; pero, para valores
mayores, prevalecer el segundo sumando que es negativo.
Calculemos el valor de a que corresponde al cambio de pendiente de la curva U versus a.
Ese punto se asocia a un valor extremo (mximo) de dicha funcin, que es de concavidad
negativa.
Derivando e igualando a cero, se obtiene:
( ) 0 2 4
2
=
|
|
.
|

\
|

a
E

de donde:
) (
2
2

E
a
C
=




Ec. 8
A este valor del semitamao de la grieta 2 se le llama valor crtico. Veamos su
interpretacin.
Interpretacin del tamao crtico de la grieta,
C
a
Supongamos que se tiene una grieta de tamao a, y que esta vara, por alguna razn, su
tamao en da. Tal valor da no puede ser negativo pues, en un caso como ste, las grietas
no sanan! Espontneamente, es decir, no se cierran (no se reestablecen los enlaces).
Veamos entonces el caso de una grieta de tamao a que crece en da, teniendo en cuenta
nuestros clculos previos y particularmente la Fig. 7.5.
Si
C
a a < , al crecer la grieta aumenta la energa del material y la grieta no podr
seguir creciendo espontneamente (no se dispara ms all de reciente crecimiento
en da).
Por el contrario, si
C
a a > el sistema librar suficiente energa elstica como para
seguir pagando el precio energtico , asociado a crear nuevas superficies por
crecimiento de la grieta. Entonces la grieta crecer espontneamente y, ms an,
como veremos, ellas acelerar.
As, este criterio de propagacin de grietas frgiles establece que si
C
a a > , la grieta se
propagar rpidamente.
Aceleracin de las grietas crticas
Ntese que para
C
a a > , la curva U versus a tiene una pendiente cada vez ms negativa,
ver Fig. 7.5. Ello se debe a que al crecer a, la energa liberada elsticamente por el volumen
se hace cada vez mayor que la energa necesaria para crear las superficies correspondientes,
ver Figs. 7.5 y 7.6. Esto contribuye a que cada vez haya ms energa excedente, lo cual
hace acelerar la grieta, hasta llegar a velocidades prximas a un 40% de la velocidad del
sonido de un material.
Por esta razn es muy difcil frenar una grieta que super el valor crtico. Solo se puede
hacer si se pone una barrera antes de que ella crezca (acelere) demasiado. Tal rol lo puede
desempear los bordes de grano; en efecto, se ha observado policristales de Fe sometidos a
esfuerzo y luego descargados, que presentan grietas que se extienden dentro de un grano, de
______________________________________________________________________
P.D-S
160
un borde de grano a otro. Sin embargo, lo habitual es que una vez que una grieta comenz a
propagarse, ya no se frene hasta que la pieza o probeta se rompa totalmente.
Criterio de Griffith y la necesidad de una grieta aguda
El criterio de Griffith es una condicin energtica necesaria, pero no suficiente, pues
tambin se requiere que se cumpla otra condicin vinculada a que la grieta sea aguda. Esta
condicin establece que el esfuerzo nominal multiplicado por el coeficiente local de
concentracin de tensiones en el extremo de la grieta, debe ser suficiente para romper
localmente los enlaces atmicos. Por lo tanto, cuando se aplica el criterio de Griffith, se
entiende que hay una grieta con extremo agudo que satisface la condicin recin expuesta.
Cuando se tiene una grieta de tamao
C
a a < , si el esfuerzo aplicado es cclico y moderado,
podra tenerse crecimiento por fatiga. Bajo esas condiciones, la grieta crecer en forma
estable por fatiga; slo cuando el tamao de ella llegue al valor crtico, se tendr la
propagacin rpida final.
Esfuerzo crtico,
C

La anterior ec. (8) para
C
a , se puede analizar en trminos de un esfuerzo crtico,
C
. Para
ello basta despejar de la referida ecuacin. Entonces queda:
2 / 1

2
|
.
|

\
|
=
a
E
C





Ec. 9
La ec. 9 permite determinar el esfuerzo para el cual se iniciar la propagacin de una grieta
de tamao conocido, bajo las condiciones de la Fig. 7.1, en un material de constantes E y
.
Generalizacin del modelo de Griffith
Como veremos, teniendo en cuenta ciertas modificaciones, el criterio de Griffith es
extensible al caso de policristales de metales frgiles, materiales que no son perfectamente
elsticos, pues ellos normalmente presentan algn grado de plasticidad en el extremo de la
grieta. Tampoco los granos individuales de los metales (monocristales) son istropos.
Resultados de Griffith en la nomenclatura de la mecnica de la fractura
Ms adelante veremos una introduccin del enfoque de la Mecnica de Fractura a
problemas como el planteado por Griffith, considerando distintas geometras de grietas
incluso materiales elastoplsticos. A la luz de ese enfoque, la solucin al problema de
Griffith se puede expresar como se indica a continuacin. Primero, rescribiremos la ec. 8 de
la manera siguiente:
( ) ( )
2 / 1 2 / 1
2 E a
C
=


Ec. 10
Ntese que el segundo miembro de la ec. (10) depende solo de constantes del material;
entonces definimos una magnitud, propia del material, llamada Tenacidad del material (en
M. de Fractura), como ( )
2 / 1
2 E K
C
= . Por otra parte, el primer miembro rene a las dos
variables del problema de Griffith, y a; as, el trmino ( )
2 / 1
a K
C
= se le llama Factor
de Intensidades de Tensiones, por razones propias de la M. de Fractura. De esta manera,
una grieta se propagar cuando K se haga igual a
C
K . En este enfoque tambin se debe
reconocer a 2 como igual a G, factor denominado, en la M. de F., Velocidad Crtica de
______________________________________________________________________
P.D-S
161
Liberacin de Energa de Deformacin. El factor 2 en esta ltima relacin tiene que ver con
que cuando se crea 1 cm
2
de grieta, se crean 2 cm
2
de superficies nuevas.











Figura 7.1
Curva de traccin de un
material perfectamente
elstico lineal, que se
rompe frgilmente. Es el
caso del vidrio, en un
ensayo habitual de
traccin a temperatura
ambiente.









Figura 7.3
Se calcula la diferencia de
energa entre una plancha
agrietada (ver Fig. 2) y una
plancha sin grieta, de
referencia. Las dos planchas
son del mismo material y de
las mismas dimensiones, y
estn sometidas a un mismo
esfuerzo de traccin, .



______________________________________________________________________
P.D-S
162

Figura 7.4
Aproximacin de la relajacin del campo de esfuerzos en la plancha agrietada (ver Fig. 2)


Figura 7.5
Dependencia con la magnitud a, de las diferencias de energa entre la plancha agrietada y la
no agrietada , a constante. La curva de la diferencia total de energa U versus a,
presenta un mximo para
C
a a = . Ms all de ese mximo, la pendiente de esa curva se
hace ms y ms negativa; ello se debe a que se incrementa la liberacin de energa elstica
almacenada en el volumen del material, .
V
U

______________________________________________________________________
P.D-S
163




Figura 7.6
Para dos tamaos de grietas centrales en una plancha, se presenta esquemticamente el
volumen relajado, cuando una grieta crece desde 2 hasta ( ) da a + 2 , a esfuerzo constante.
Ntese que en este problema la energa elstica liberada es proporcional al volumen
relajado.




















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P.D-S
164
Referencias Bibliogrficas
Notas del Curso: Comportamiento Mecnico de los Materiales, dictado por el Dr. Aquiles
Seplveda.
Fracture of engineering brittle materials / Ayal de S. Jayatilaka. London : Applied Science
Publishers, 1979.