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INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES DE


EFECTO DE CAMPO

El transistor de efecto de campo (FET ≡ Field Effect Transistor) es un dispositivo


semiconductor de tres terminales, muy empleado en circuitos analógicos y digitales.

Mientras que en un BJT la corriente de colector es controlada por medio de la corriente


de base, en un FET la corriente de drenador es controlada por medio de un campo
eléctrico, de ahí el término “de efecto de campo”. Concretamente, un campo eléctrico
(una tensión) controla el flujo de portadores a través de un canal conductor.

De lo dicho anteriormente se deduce que, así como los BJTs pueden considerarse como
fuentes de corriente controladas por corriente, los FETs pueden considerarse como
fuentes de corriente controladas por tensión.

Los BJT se denominan dispositivos bipolares, ya que en la conducción de corriente


participan tanto electrones como huecos. En los FETs la corriente es transportada
fundamentalmente por un solo tipo de portador, de ahí que se les denomine dispositivos
unipolares. La mayor parte de los FETs están disponibles tanto en la forma de canal n
como de canal p.

Los FETs presentan una impedancia de entrada extremadamente alta, de ahí que la
corriente de puerta pueda considerarse despreciable.

Básicamente, existen dos tipos de FETs:

• JFET (Junction Field Effect Transistor): son dispositivos de unión de puerta en


los que la modulación de la conductividad del canal por el que circula la
corriente se realiza a través de las anchuras de las zonas de deplexión de uniones
pn inversamente polarizadas.

• MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor): son dispositivos


de puerta aislada en los que la modulación de la conductividad del canal por el
que circula la corriente se realiza a través de una tensión de puerta aplicada entre
el metal y el semiconductor que se encuentran separados por un óxido. Los
MOSFET pueden ser a su vez de empobrecimiento (o deplexión) o de
enriquecimiento (o acumulación).