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Electrónica Analógica Unión PN (teoría)

2. TEORÍA DE LA UNIÓN PN
En un semiconductor existe una unión PN cuando existe una región denominada unión
metalúrgica que separa una región de semiconductor extrínseca de tipo P de una de tipo
N.

p n A K
Unión metalúrgica Representación circuital

Al extremo P, se le denomina ánodo, representándose por la letra A, mientras que la zona


N, se le denomina cátodo, se representa por la letra K.

Cuando no existe ninguna causa externa actuando sobre el diodo, se dice que el diodo
está en equilibrio. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice
que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

2.1 UNIÓN PN EN EQUILIBRIO TERMODINÁMICO


En equilibrio termodinámico no existe ninguna causa externa actuando sobre el material,
se crean pares e--h+ debido a la rotura de enlaces covalentes (generación intrínseca) y
todos los átomos de impurezas se encuentran ionizados (generación extrínseca).

+ + +
- - - + + +
- - - - -
+ + + - -

- - - + + +
+ + - - -
+ + + + +

- - - + + +
- - -

p n
+ - ND+ y NA-

+ - portadores provenientes de las impurezas


+ - portadores provenientes de la rotura de enlaces covalentes

En esta situación, se manifiesta una difusión de portadores de zonas más pobladas a


zonas menos pobladas: los huecos de la zona P pasan a la zona N y los electrones hacen
lo propio de la zona N a la zona P. Estos flujos por difusión pretenden anular el gradiente
de concentración de portadores que hay alrededor de la unión metalúrgica.

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Cuando los portadores abandonan su región correspondiente, dejan tras de sí impurezas


donadoras/aceptadoras ionizadas no compensadas: los iones negativos (NA-) de la zona P
próximos a la unión, al ser desprovistos de los huecos que compensaban sus cargas,
producen en esta región un carga electrostática negativa; a su vez, los iones positivos
(ND+) de la zona N próximos a la unión, al ser desprovistos de los electrones que
compensaban sus cargas, producen en esta región una carga electrostática positiva. La
zona en la que se localizan estas impurezas ionizadas no compensadas recibe diferentes
denominaciones como zona de carga espacial, de deplexión, de vaciamiento o de
transición, y en ella prácticamente no hay cargas móviles.
Zona de
deplexión

+ +
- - - + d
-
+ -
+
- -
+ +
+ +
d
- + d
- -
d
+ +
- - - + -
+ -
+
p n
Carga electrostática negativa
Carga electrostática positiva

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va


incrementando su anchura, profundizando en los semiconductores a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de carga electrostática r alrededor de la unión
metalúrgica crea un dipolo causante de un campo eléctrico E  que se opone a los flujos
por difusión y termina deteniéndolos. Solamente los portadores mayoritarios (huecos de
la zona P y los electrones de la zona N) que poseen la energía cinética suficiente pueden
atravesar por difusión la barrera de potencial existente en la zona de deplexión.

EP
+ +
- - - - ++ d
-
+ -
+
- -
+ +
+ +
d
- - ++ d
- -
d
+ +
- - - - ++ -
+ -
+
p n

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El campo eléctrico descrito provoca el paso de los portadores minoritarios (electrones en


la zona P y huecos en la zona N) a través de la zona de deplexión, lo que da lugar a
sendos flujos de arrastre.

Fap (flujo de electrones por arrastre)

Fan (flujo de huecos por arrastre)

EP
+ +
- - - - ++ -
+ -
+
a
- - a
+ +
+ + - - ++ - -
+ +
- - - - ++ -
+ -
+

En estas condiciones, las corrientes que se establecen a través de la unión son:

• Idp ≡ huecos de la zona P con energía cinética suficiente para atravesar la unión.
• Idn ≡ electrones de la zona N con energía cinética suficiente para atravesar la
unión.
• Iap ≡ huecos generados por la rotura de enlaces covalentes en la zona N.
• Ian ≡ electrones generados por la rotura de enlaces covalentes en la zona P.

Fdn (flujo de electrones por difusión) Fap (flujo de electrones por arrastre)

Fdp (flujo de huecos por difusión) Fan (flujo de huecos por arrastre)

EP
+ +
- - - - ++ dn
-
+ -
+
ap
- - an
+ +
+ +
dp
- - ++ dn
- -
dp
+ +
- - - - ++ -
+ -
+
p n

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Los flujos de arrastre se oponen a los flujos por difusión, de manera que la corriente total
es nula (existen corrientes, pero se compensan).

Ir = IF = Id = Idn + Idp
Is = IR = Ia = Ian + Iap

Ir + I s = 0  Ir = - I s

I = Ir + Is = 0

A K

2.2 UNIÓN PN EN POLARIZACIÓN DIRECTA

El campo eléctrico aplicado ED es de sentido contrario al originado internamente (E P),


siendo la nueva barrera de potencial VB=VD-VP. La disminución de la barrera de potencial
hace que la zona de deplexión se haga más estrecha, ofreciendo menor resistencia al paso
de corriente eléctrica. Esto origina que un gran número de huecos penetren en la región N
y que un gran número de electrones penetren en la región P a través del mecanismo de
difusión  Inyección de portadores mayoritarios.

EP-ED
d
+ + +
- - - - + -
+ d
-
+ -+
- -

+ +
d
- + d
+

-
+

-
d
+ + +
- - - - + d
-
+ -
+ -+
p n

VD

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La inyección de portadores mayoritarios (Ir) hace que la componente de corriente debida


a los portadores minoritarios (Is) sea despreciable. De este modo, aparece a través del
diodo una corriente eléctrica constante, dependiente de la tensión aplicada.

I ≈ Ir

A K

VD

2.3 UNIÓN PN EN POLARIZACIÓN INVERSA


El campo eléctrico aplicado ED tiene el mismo sentido que el originado internamente
(EP), siendo la nueva barrera de potencial VB=VD+VP. Por lo tanto, en las proximidades
de la zona de deplexión existen cada vez menos electrones y huecos que puedan actuar
como portadores de carga eléctrica: la zona de deplexión se hace más ancha, ofreciendo
mayor resistencia al paso de corriente eléctrica.

EP+ED
+
- - - - - ++ ++ -
+
a
- - a
+ +
+ + - - - - ++ ++ - -
+
- - - - - ++ ++ -
+
p n

VD

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Corriente inversa de saturación (Is)

Los portadores minoritarios ven favorecido su arrastre a través de la zona de deplexión


gracias al efecto del campo eléctrico aplicado. Dado que la concentración de portadores
minoritarios (generación intrínseca) es constante para una temperatura dada, al aumentar
la tensión aplicada, aumenta también la corriente de arrastre, pero solamente hasta que
todos los portadores minoritarios participen en la conducción. En ese momento, la
corriente de arrastre ya no crecerá más y permanecerá constante. A dicha corriente se la
denomina corriente inversa de saturación, y se caracteriza por ser una corriente muy
pequeña (del orden de los µA). Dado que la corriente inversa de saturación depende de la
generación intrínseca, y ésta a su vez depende de la temperatura, se deduce que al
aumentar la temperatura también lo hará la corriente.

En este caso, la componente de corriente debida a los portadores mayoritarios (I r) es


prácticamente despreciable, ya que al aumentar la barrera de potencial, será menor el
número de portadores mayoritarios que tengan la energía cinética suficiente para
atravesarla por difusión.

I ≈ Is (µA)

A K

VD
Si la tensión inversa aplicada crece excesivamente, aumentará también el campo eléctrico
aplicado, lo que puede hacer que los portadores minoritarios se aceleren excesivamente,
chocando y arrancando nuevos portadores de la estructura cristalina. Este fenómeno se
denomina ruptura por avalancha y puede producir la destrucción de la unión PN.

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2.4 CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE DEL DIODO


Analizando las componentes de corriente de una unión PN, se llega a la siguiente relación
entre corriente y tensión:
q⋅V
I = I s ⋅ (e K ⋅T − 1)

V ≡ tensión de ánodo a cátodo q ≡ carga de un portador


I ≡ corriente de ánodo a catodo K ≡ cte de Boltzmann
Is ≡ corriente inversa de saturación T ≡ temperatura

Si el diodo se encuentra directamente polarizado: V > 0  I > 0  la corriente circula de


ánodo a cátodo. Por debajo de la tensión umbral (Vγ) la corriente es muy pequeña,
prácticamente despreciable. Para valores superiores a Vγ, la corriente comienza a crecer
q⋅V
de manera exponencial: I =I ⋅(e K ⋅T −1) . No obstante, para valores muy grandes de V
s
llega un momento en que la barrera de potencial en la unión es casi nula, por lo que la
característica es prácticamente una línea recta. A partir de dicho momento, la ecuación
deja de ser válida y la corriente vendrá determinada por la ley de Ohm (I = V / R D), donde
la resistencia será la debida al material y los contactos óhmicos.

Si el diodo se encuentra inversamente polarizado: V < 0  I < 0  la corriente circula de


q⋅V
cátodo a ánodo. Dado que la tensión V es negativa, el valor de la exponencial e K ⋅T tiende
a cero, por lo tanto: I =−Is . Si se alcanza un cierto valor de tensión inversa aplicada
denominado tensión de ruptura (VBR), la ecuación deja de tener validez, de forma que la
corriente inversa aumenta, produciéndose la ruptura de la unión.

I (mA)

I = V / RD

q⋅V
I = Is ⋅ (e K ⋅T −1)

VBR I
IS (μA) Vγ V(v)

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De este análisis se concluye que, cuando el diodo está directamente polarizado, circula
por él una corriente eléctrica constante dependiente de la tensión aplicada, mientras que
cuando el diodo está inversamente polarizado, circula por él la corriente inversa de
saturación prácticamente despreciable e independiente de la tensión aplicada.

2.5 RESISTENCIA DE UN DIODO

Resistencia estática (R)

La resistencia estática R es la relación V/I para cualquier punto de trabajo del diodo. Se
define como la inversa de la pendiente que une el origen de coordenadas con el punto de
trabajo (punto Q).

I (mA)

IQ Q
VQ
R= = cot α
IQ
α
VQ V(v)

Polarización Directa  R = RF  V = 0.7v , I = 10mA RF = 80Ω  R pequeña


Polarización Inversa  R = RR  V = -50v , I = -0.1mA RR = 500MΩ  R grande

Resistencia dinámica (rd)

La resistencia dinámica rd es un parámetro muy importante cuando se trabaja en pequeña


señal (señales alternas de baja frecuencia). Se define como la inversa de la pendiente de
la característica del diodo en el punto de trabajo Q.

I (mA)

α
Q
IQ
∆V ∆V dV
rd = = lim =
∆I Q
∆I →0 ∆I dI

VQ V(v)

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q⋅V dI q
q⋅V dV K ⋅T 1 K ⋅T 1
= ⋅I ⋅e K ⋅T = ⋅ q⋅V ≈ ⋅
I =Is ⋅(e K ⋅T
−1) 
dV K ⋅T
s  dI q q I
Is ⋅e K ⋅T

2.6 CAPACIDAD DE UN DIODO


La unión PN se comporta como un condensador cuya capacidad es función de la tensión
aplicada y en el que el dieléctrico es la zona de deplexión, cuyo espesor es variable.

Polarización directa: capacidad de difusión (CD)

Esta capacidad es la responsable de la limitación de la velocidad de conmutación del


diodo y es debida al mecanismo de difusión de cargas a través de la unión.

τ⋅q ⋅I
La expresión para calcular CD es: CD =
K ⋅T

τ ≡ tiempo promedio que tarda un electrón en moverse entre dos huecos

Como se observa, CD es directamente proporcional a la corriente, por lo que aumenta


muy rápidamente con tensiones positivas.

Polarización inversa: capacidad de transición (CT)

Esta es la capacidad a tener en cuenta cuando el diodo trabaja con señales alternas de alta
frecuencia. La capacidad CT varía en función de la anchura de la zona de deplexión, la
cual se modula a su vez en función de la tensión inversa aplicada. Los fabricantes
proporcionan el valor de CT mediante curvas dependientes de la tensión inversa aplicada
(VR)

Co
La expresión que relaciona CT con VR es: CT = CC +
(1 + 2 ⋅ VR ) n
CC ≡ capacidad de la cápsula
CO ≡ capacidad del diodo con VR = 0
n = 1/2 ó 1/3, dependiendo del tipo de unión

En resumen:

Polarización directa  CD >> CT

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Polarización inversa  CT >> CD

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2.7 CIRCUITOS EQUIVALENTES DE UN DIODO

A K

Diodo ideal

I (mA)

V(v)

q⋅V
I = I s ⋅ (e K ⋅T −1)
I = - Is
CD CT

A Vγ
K A K

RF RR
D ON (P.D.) D OFF (P.I.)

1ª aproximación

I (mA)
I
I=0
F
/R

A K A K
=1

Vγ RF
α

D OFF (P.I.)
tg

α D ON (P.D.)
V(v)

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2ª aproximación

I (mA)

I
I=0

A Vγ
K A K
D ON (P.D.) D OFF (P.I.)
V(v)

3ª aproximación

I (mA)

I
I=0
F
R
1/

A RF
K A K
α=
tg

D ON (P.D.) D OFF (P.I.)


α
V(v)
Vγ = 0

4ª aproximación (diodo ideal)

I (mA)

I I=0

A K A K
D ON (P.D.) D OFF (P.I.)
V(v)
Vγ = 0

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