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Semiconductores Diodo BJT Refs

Tema 2: Semiconductores, diodos y transistores.

Gustavo Camps-Valls†


Dept. Enginyeria Electrònica. Universitat de València. Spain.
gustavo.camps@uv.es, http://www.uv.es/gcamps
Semiconductores Diodo BJT Refs

Situación y escenario:
1 Ya hemos visto los elementos pasivos lineales fundamentales (R, C , L).
2 Ahora veremos la teorı́a de semiconductores.
3 Esto nos permite ver:
1 Elementos pasivos no lineales (los diodos).
2 Elementos activos (transistores).
4 Veremos la caracterización de estos elementos.
5 Aplicaciones reales.
6 Problemas y ejercicios.
Semiconductores Diodo BJT Refs

Contenidos
1 Estructura cristalina y conducción en semiconductores
Preliminares y recordatorio
El Sicilio. Propiedades
Conducción en el Sicilio.
Dopado de semiconductores
2 El diodo de unión
Semiconductores tipo N y tipo P
Diodo de unión P-N
Caracterı́sticas del diodo
El diodo como rectificador de señal
El diodo como recortador de señal
El diodo zener
3 El transistor de unión bipolar (BJT)
Conducción en un BJT
El BJT en zona activa y en saturación
Configuraciones de un transistor
El transistor en emisor común
Caracterı́sticas estáticas de un BJT en emisor común
Hipérbola de máxima disipación de potencia
4 Bibliografı́a adicional
Semiconductores Diodo BJT Refs

Preliminares y recordatorio

Modelo atómico de Bohr

La descripción más básica de la materia


supone la existencia de cargas positivas y
negativas constituyendo el átomo.
Las cargas positivas, protones, están
ubicadas en la región central del átomo,
adosadas al núcleo junto con los neutrones,
por cuyo motivo es más difı́cil liberarlas.
Las cargas negativas o electrones, en
cambio, son más fáciles de liberar.
Figura: Modelo atómico de Un electrón que salte entre órbitas se
Bohr (Flash: emision.swf). acompaña por una cantidad de energı́a
electromagnética emitida o absorbida,
∆E = hν.

Enlaces quı́micos
La valencia es una medida del número de enlaces quı́micos formados por
átomos de un determinado elemento.
Es más común hablar de enlaces covalentes que de valencia.
Los elementos Si (]14) y Ge (]32) están en el grupo del carbono de la
tabla periódica y tienen valencia 4.
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El Sicilio. Propiedades

Nociones básicas de semiconductores (I): átomos y electrones


La Electrónica está basada fundamentalmente en el silicio (sustancia muy
abundante).
El Si es una sustancia con estructura tetravalente: cada átomo se
encuentra rodeado por cuatro vecinos unidos mediante enlaces covalentes
de dos electrones.

Estos electrones forman la capa de valencia del silicio.


Si T baja, no hay conducción (los e − están ligados a los enlaces).
Si T aumenta, la agitación térmica hace que algunos electrones se
escapen de los enlaces covalentes y se conviertan en portadores.
Muchos e − pasan de la parte superior de la banda de valencia a la parte
inferior de la banda de conducción → electrones quasi libres.
Se crea ası́ un par electrón-hueco.
Estos e − cuasi-libres se comportan como e − libres (igual masa efectiva).
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Conducción en el Sicilio.

Nociones básicas de semiconductores (II): huecos


A mayor temperatura, más electrones libres y, por tanto, más
conductividad (menor resistencia).
Un electrón liberado = un enlace roto.
Si se aplica un campo eléctrico (dif. pot.) al semiconductor, los electrones
se desplazan hacia el polo positivo.
Muchos de ellos caen en enlaces rotos, con lo que éstos desaparecen y con
ellos también los electrones libres.
Los enlaces rotos son como huecos donde caen los electrones para
desaparecer como portadores de carga.
Los huecos se comportan como partı́culas de carga igual a la del electrón,
pero con signo positivo.
A más temperatura, más electrones (y huecos) −→ Más corriente y menos
resistencia del semiconductor.
A temperaturas muy bajas la conductividad es muy baja también.
En los metales no hay huecos porque los electrones están libres sin
necesidad de que se produzca la ruptura de enlaces.
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Dopado de semiconductores

Nociones básicas de semiconductores (III): dopaje


A un semiconductor puro se le llama semiconductor intrı́nseco.
En un semiconductor intrı́nseco el número de electrones es igual al número
de huecos.
Un semiconductor extrı́nseco es aquél al que se han añadido sustancias
dopantes de forma que tienen un carácter P o N tanto mayor cuanto
mayor sea la concentración de impurezas añadidas.
Este proceso de dopado (o dopaje) será la base para la construcción de los
diodos de unión y los transistores.
Proceso de dopado:
1 Tipo N: añadimos sustancia dopante con más e − libres. Flash: tipon.swf
2 Tipo P: añadimos sustancia dopante con más h+ libres. Flash: tipop.swf
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Semiconductores tipo N y tipo P

Semiconductores tipo N:
Lo semiconductores tipo N son semiconductores intrı́nsecos a los que se les
ha añadido una pequeña cantidad de sustancia pentavalente (cinco
electrones en la capa de valencia), llamada impureza.
En un semiconductor de tipo N el número de electrones es mayor que el de
huecos y, por tanto, en los enlaces donde haya un átomo de impureza
sobra un electrón.
Ası́, a temperatura ambiente hay más electrones que huecos y la
conducción se produce principalmente por medio de electrones.

Por el conductor sólo circulan


electrones.

V
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Semiconductores tipo N y tipo P

Semiconductores tipo P:
Los semiconductores tipo P son semiconductores intrı́nsecos a los que se
les ha añadido una pequeña cantidad de sustancia trivalente (tres
electrones en la capa de valencia).
Ahora aparecerán átomos de tipo trivalente (impureza de tipo P) y, por
tanto, en los enlaces donde haya un átomo de impureza faltará un
electrón, es decir, habrá un hueco.
Ası́, a temperatura ambiente hay más huecos que electrones y la
conducción se produce principalmente por medio de huecos.

Por el conductor sólo


circulan electrones.
V
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Semiconductores tipo N y tipo P

Recordatorio Importante
Tanto en los semiconductores de tipo P como en los de tipo N, la
conductividad aumenta con la temperatura.
Los semiconductores extrı́nsecos se forman añadiendo pequeñas cantidades
de impurezas (dopantes) a los semiconductores puros.
El objetivo es modificar su comportamiento eléctrico al alterar la densidad
de portadores de carga libres.
En todos los casos, sin embargo, la carga neta del semiconductor es cero
(N + = N − ):
Cuando de rompe un enlace y aparece un electrón de conducción, el átomo
correspondiente queda ionizado con carga positiva y la carga neta siempre
es cero.
Los átomos ionizados están fijos en la red y no contribuyen a la conducción.
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Diodo de unión P-N

¿Qué pasa cuando unimos un bloque P y uno N?


La unión se llamará unión semiconductora P-N.
En el bloque P hay muchos huecos y en el bloque N hay muchos
electrones.
Los huecos del bloque P, y los electrones del bloque N, intentan ocupar
todo el volumen del bloque conjunto P-N.
En la unión se recombina (neutraliza) la carga −→ zona de agotamiento.
P N

Se produce una capa de cargas negativas en la zona P y positivas en la


zona N (átomos ionizados).
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Diodo de unión P-N

¿Qué pasa cuando unimos un bloque P y uno N? (cont.)


P N

Bloque P = muchos huecos, Bloque N = muchos electrones.


También hay algunos e − en el bloque P y h+ en el bloque N (por la
ruptura térmica de enlaces)
Las dos capas de cargas de signo contrario enfrentadas en la zona de
agotamiento producen un campo eléctrico que va (como siempre) de las
cargas positivas a las negativas.
Existe una mayor diferencia de potencial en las cargas positivas que en las
negativas.
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Diodo de unión P-N

¿Qué pasa cuando polarizamos un bloque P-N?


“Una unión P-N polarizada externamente es capaz de conducir solamente
en un sentido, tiene propiedades rectificadoras y se conoce como diodo.”

Existen dos tipos posibles de polarización:directa e inversa.


V V

P N P N

Vo I Vo I
R R

En la pol. directa, la tensión externa crea un E con el que resulta más


sencilla la conducción de los port. may.
En la pol. inversa, conducción por port. min. = corriente de saturación
(∼ µA para Ge, ∼nA para Si).
La Is sólo depende de T (no de Vo ).
El diodo no conduce cuando se polariza en sentido inverso.
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Diodo de unión P-N

¿Qué pasa cuando polarizamos un bloque P-N (cont.)?

Tenemos tres posibles estados ...


1 Equilibrio: hay que suministrar

energı́a para que un e − (o h+ ) pase


a un nivel mayor (menor) de
energı́a.
2 Polarización directa (“forward

biased”): el e − puede pasar por la


unión y combinarse con un hueco.
3 Polarización inversa (“reverse

biased”): la parte N se hace más


negativa y por tanto más difı́cil la
conducción.
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Caracterı́sticas del diodo

Curva caracterı́stica del diodo: modelo no lineal


Ante una tensión constante, V , la corriente por el diodo es:
 
qV
I = Is e kT − 1

donde Is es la corriente de saturación del diodo, e = 2, 7182, q es la carga


del e − (q = 1,6022·10−19 C), k es la constante de Boltzmann (k =
1,3806·10−23 Julio/o K), y T es la temperatura absoluta (en o K), donde
T (o K ) = T (o C ) + 273, 16o C .

Curva caracterı́stica del diodo: aproximación lineal


Tensión umbral de conducción: El “codo” de la caracterı́stica está ∼0,7V
(Si), ∼0,3V (Ge).
I
+
R
V I
V
Vc
Vc
-

Flash: diode.swf [Créditos: David Holburn, Univ. Cambridge]


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Caracterı́sticas del diodo

¿Dónde y cómo opera un diodo de unión?


Circuito de R y diodo en serie alimentado por una Vo .
Casos extremos: diodo en conducción o en corte.
Recta estática de carga de un diodo: Vo = V + RI , donde Vo = fuente, R
= resistencia del circuito, V = tensión de codo del diodo.
I
V0/R
Q

V0
V

La intersección de la recta estática y la curva caracterı́stica = punto de


trabajo, de operación, o punto Q del diodo.

¿Cuánta potencia consume un diodo?


Pol. dir.: P = VI es baja (VGe = 0,3V, VSi =0,7V).
Pol. inv.: P = VI ≈ 0 (Is ∼nA).
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Caracterı́sticas del diodo

Recapitulando: Modelos simplificados del diodo


Aproximación al diodo ideal: Un diodo ideal serı́a aquél con dos únicos estados
(ON/OFF) en función de que la tensión aplicada a sus extremos sea positiva o
negativa.
Aproximación de forma lineal: La caracterı́stica estática del diodo I (v ) se puede
aproximar de forma lineal a partir de su tensión umbral de conducción.
El modelo simplificado lineal del diodo consta de un diodo ideal (on/off) en serie
con una resistencia (pendiente) y una fuente de tensión constante (codo).
Para un modelo mejor se emplea el modelo no lineal de Schockley.
Veamos qué pasa en pequeña señal...
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Caracterı́sticas del diodo

Caracterización del diodo en “pequeña señal” (baja amplitud de alterna y baja f )


Variaciones muy pequeñas alrededor de Q: V + ∆v .
La corriente continua variará: ∆i = I (V + ∆v ) − I (V ).
Conductancia dinámica o incremental del diodo:
∆i I (V + ∆v ) − I (V ) ∂I
gd = = ≡
∆v ∆v ∂V
Resistencia dinámica:
1 kT 1
rd = = , VT = kT /q
gd q I + Is
VT (T = 18o C ) = 25mV, VT (T = 0o C ) = 23,52mV,
VT [mV] = 0,0865 T (o C) + 23,52.
25 [mV ]
Polarizaciones directas I >> IS : rd [Ω] =
I [mA]
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Caracterı́sticas del diodo

Efectos de la temperatura
A mayor temperatura T , menor tensión de activación/conducción, Vγ .
Suponemos una relación lineal:
Vγ (T1 ) − Vγ (T0 ) = k(T1 − T0 ) (1)
donde T1 es la temperatura actual, T0 es la temperatura ambiente, y k es
la constante térmica del diodo.
k = −2,5mV /o C (Si), k = −2,0mV /o C (Ge)
“A mayor temperatura T , mayor corriente de saturación I0 :

I0 (T1 ) = I0 (T0 )exp(k 0 (T1 − T0 )) (2)


0 o
donde k = 0,072/ C
Un aumento de 10o C duplica la corriente de saturación.
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El diodo como rectificador de señal

Propiedades:
Esta es la primera función útil del diodo.
La rectificación es la primera fase en el proceso de convertir una señal
alterna (AC) en una continua (DC).
Podemos clasificar a los rectificadores con diodos en dos grupos:
1 Rectificador de media onda
2 Rectificador de onda completa
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El diodo como rectificador de señal

Rectificadores de media onda


V(t)
R D1 Ve
Vo
Vs
+
+
Ve
RL Vs 0V
t (ms)
- -
-Vo

RL RL
Vs = Ve,max = Vo
RLV(t)+ R RL + R
D3 + Ve
D1 Vo Vs
RL Vs
R

D2 D4 - 0V

+ (ms)
Ve
-Vo

-
+
+
Semiconductores
Ve Diodo BJT Refs
RL Vs 0V
t (ms)
-
El diodo como rectificador de señal-
-Vo

Rectificadores de onda completa

V(t)
D3 + Ve
D1 Vo Vs
RL Vs
R

D2 D4 - 0V

+ (ms)
Ve
-Vo

Semiciclo positivo: D1 y D4 polarizados directamente (cortos), D2 y D3


polarizados inversamente (abiertos).
RL RL
Vs = Ve,max = Vo
RL + R RL + R
Semiciclo negativo: D2 y D3 polarizados directamente (cortos), D1 y D4
polarizados inversamente (abiertos).
RL RL
Vs = −Ve,max = −Vo
RL + R RL + R
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El diodo como recortador de señal

Propiedades:
Esta es una aplicación muy importante del diodo de unión.
Los diodos pueden recortar una señal de entrada o limitar alguna parte de
la señal.
Los recortadores también se llaman limitadores o selectores de amplitud.
Los circuitos rectificadores anteriores tienen un nivel de recorte
aproximadamente nulo: “por encima de cero se quedan con señal y por
debajo la eliminan”
Los recortadores son circuitos con diodos que permiten ajustar ese nivel de
recorte de la señal.
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El diodo como recortador de señal

Circuitos recortadores
Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V

Vin(t)
R
10V

Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V

0
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El diodo como recortador de señal

“One-minute paper”
Vin(t)
R
10V
Vs

Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V

Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V

0
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El diodo como recortador de señal

10’ y entregar
Circuito Señales entrada/salida Ecuaciones y función

Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
t (ms)
-
-10V

Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
0V
Vt t (ms)
-
-10V

Vin(t)
R
10V
Vs
Ve +
R 0V
t (ms)
-
Vt -10V

Vin(t)

10V
Vs
Ve +
0V
t (ms)
-
-10V

0
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El diodo zener

Caracterı́sicas:
“Un diodo zener es un diodo de unión P-N que se ha construido (dopado)
para que funcione en la zona de ruptura”
Funciona aplicándole una tensión inversa superior a la tensión de ruptura o
tensión zener, Vz .
“El codo es muy abrupto y estable, y proporciona una tensión casi
constante entre los extremos del diodo, independientemente de que se den
variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y/o la
temperatura.”
I

Vo Vz
V
Q
VZ

Ánodo
- +
Cátodo
Vo/R
IZ

Potencia disipada: Pdisip. = Pz = Iz,max Vz


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El diodo zener

Zener como regulador


El zener se emplea normalmente para fijar una tensión en un determinado
nodo de un circuito.
La función del zener se puede ver como regulador de tensión: regula las
variaciones de la tensión de entrada de forma que mantiene la tensión de
salida constante:
IR

Ve +
+ R +
Vz Iz RL IL Vz
-
-
-

0
iR = iz + iL −→ iz = iR − iL
Diseñar R = ve −V
iR
z
= viez−V
+iL
z

Dos casos:
1 RL ↑−→↓ iL −→↑ iz
2 RL ↓−→↑ iL −→↓ iz
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El diodo zener

Enunciado
Se tiene un regulador zener con entrada que varı́a entre 10V y 15V, y una carga
con corriente que varı́a entre 100mA y 500mA. Obtener:
1 La resistencia R
2 La corriente Iz,max
suponiendo que el zener fija 6V.
Ayuda: considerar Iz,min = 10 % Iz,max .

Más ayuda...
Dos casos:
Iz,min ↔ IL,max & Ve,min
Iz,max ↔ IL,min & Ve,max

Soluciones
Sol.: Iz,max = 1,32A, R = 6,36Ω, Pz = 7,92W , PR = 12,8W
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El diodo zener

Zener en la práctica real


Rin

+
+
+
Vz
Vin - Vout
-
Rz
-

Zener ideal: Vz = 10 pero el diodo zener real tiene una Rz ≈ 2Ω


Iz,max = 0,53A = 530mA −→ Iz,min = 53mA
Vout ? Ahora Vout 6= Vz sino que:
Vo,min = 10 + 0,053 · 2 = 10,1V
Vo,max = 10 + 0,53 · 2 = 11,1V
Porcentaje de regulación: “excursión de tensión de salida dividido por el
valor nominal de la tensión”:
Vo,max − Vo,min 11,1 − 10,1
η[ %] = = = 0,1 = 10 % (3)
Vo,nominal 10
Buena calidad del regulador: η < 5 %
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El diodo zener

Efectos de la temperatura en un zener


Los diodos zener también se verán afectados por la T al igual que los
diodos de unión.
El coeficiente de temperatura es: k = +2mV /o C
Es positivo! Por tanto, a más T , más difı́cil es la conducción y que fijen
Vz en sus terminales.
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Conducción en un BJT

Estructura de un transistor de unión bipolar (BJT)


El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Inventado en los Lab. Bell (EEUU, 1947) por Bardeen-Brattain-Shockley
(Nobel, 1956).

El transistor es un dispositivo electrónico de estado sólido capaz de


amplificar señales y constituye la pieza clave de toda la Electrónica
Analógica.
El transistor de unión o bipolar (BJT, “bijunction transistor”) es un
dispositivo formado por tres bloques de semiconductor (normalmente de
silicio).
Existen dos tipos: transistor PNP o NPN, cuyo nombre hace referencia a
la posición del tipo N o P de cada bloque.
(a) (b)

E C E C
B B
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Conducción en un BJT

Estructura interna del BJT


El bloque central es muy estrecho y recibe el nombre de base (‘B’).
Los dos bloques, a izquierda y derecha de la base, reciben el nombre de
emisor (‘E’) y colector (‘C’), respectivamente.
El emisor tiene más impurezas (de tipo P) que la base (tipo N), y ésta
más que el colector (tipo P).
No se trata, por consiguiente, de un dispositivo simétrico y las zonas de
agotamiento no tienen la misma anchura en cada unión debido a esta
diferencia de concentración de impurezas entre los bloques.
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Conducción en un BJT

Estructura y polarización:
El BJT como diodos: El transistor bipolar, tanto PNP como NPN,
está formado por dos uniones P-N, es decir, por dos diodos enfrentados.
Funcionamiento como amplificador: Es preciso polarizar directamente la
unión emisor-base e inversamente la unión base-colector.
Efecto transistor: La anchura de la base es muy pequeña y los huecos
inyectados en la base alcanzan, en su mayorı́a, el precipicio de potencial de
la unión colectora → el “diodo colector” conduce a pesar de estar
polarizado inversamente.

Analogı́a hidráulica, http://www.satcure-focus.com/tutor/page4.htm

Si no se inyecta agua por B, no se abre la tapa y no hay


caudal de C a E.
Poco caudal por el conducto de la base puede producir un
gran flujo de colector a emisor.
Parte del caudal por B se suma al de C para ir por E.
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Conducción en un BJT

Esquema de tensiones y corrientes de polarización


emisor base colector
VBE VCB
P N P
+ -
RE RL
VCE

IE
IC
IB
VEE VCC

El BJT es PNP: conducción por huecos.


La proporción de huecos inyectados en la base que alcanzan el colector se
conoce como factor alfa (α, entre 0,99 y 1 tı́picamente).
La corriente de colector está formada por la corriente de huecos del emisor
(αIE ) y la corriente de saturación inversa del colector-base (ICo ):
IC = αIE + ICo
ICo ∼ 0.1µA y depende de la temperatura: se duplica cada ∼10o C y es
mayor Ge que en Si.
Aproximación aceptable: α = 1 e ICo =0.
IC ≈ IE .
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El BJT en zona activa y en saturación

Estados del BJT (I)


Si polarizamos correctamente el BJT, podemos establecer las siguientes
ecuaciones:
VEE = RE IE + VBE
VCC = RL IC + VCB
IE = IC + IB
VCE = VBE + VCB
de donde se obtiene la expresión de la tensión de colector:
VC ≡ VCB = VCC − RL IC
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El BJT en zona activa y en saturación

Estados del BJT (II)


Para que el BJT funcione correctamente, VCB debe ser positivo y entonces
se dice que el transistor funciona en la zona activa.
VC ,max = VCC si se da con IC =0 (para RL 6= 0)
VC ,min = 0 si IC =VCC /RL = Isat .
Si VCB =VCC /2, el BJT trabaja en clase A.
Cuando VCB < 0 (aumenta mucho RL IC ), el BJT está en zona de
saturación:
1 El diodo colector-base queda polarizado directamente
2 La tensión colector-base permanece constante y aproximadamente igual a
0,7V (para el silicio), y VCE es aproximadamente nula.
Un transistor en régimen de saturación no es útil para amplificar señales y
sólo se emplea para actuar en conmutación.
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Configuraciones de un transistor

Posiciones de un BJT:
Existen tres configuraciones en que podemos encontrar el BJT: emisor,
base y colector común.
Se define en función de qué terminal del transistor es común a la entrada y
la salida del circuito amplificador.

(a) (b)
Entrada. Salida.

Terminal
común.

(c) (d)
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El transistor en emisor común

La configuración de emisor común


La configuración de emisor común es la más empleada.
Aquı́, la corriente de salida es IC y la de entrada es IB .
En lugar de definir el factor α (como en base común), ahora se utiliza el
factor β definido por:
IC = βIB + ICEo
donde ICEo es la corriente de saturación en emisor común.
Tanto ICo (o ICEo ) son las corrientes de colector cuando el terminal de
emisor (o base) están en circuito abierto.
Como IE =IC +IB , se puede escribir IC = α(IC + IB ) + ICo , de donde
despejando IC , se obtiene:
β
α=
β+1
Como α tiene valores cercanos a la unidad, β tendrá valores muy elevados.
Además, se obtiene la relación de corrientes de colector:
ICEo = (β + 1)ICo
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Caracterı́sticas estáticas de un BJT en emisor común

Caracterización del BJT:


Para un BJT en emisor común se cumple VCC = RL IC + VCE que es una
recta en el plano VCE -IC y recibe el nombre de recta estática de carga del
BJT en emisor común.
El punto de operación del BJT está siempre forzosamente sobre la recta de
carga.
Si IC =0, el transistor está en corte y la tensión VCE =VCC (la máxima
posible), mientras que si VCE =0, el transistor está en la zona de
saturación y la corriente es máxima e igual a VCC /RL .
Hay que tener en cuenta que al representar VCE -IC tendremos una curva
diferente en función de la corriente de base, IB .
Lo vemos en las siguientes curvas caracterı́sticas ...
mayor es la corriente de base (comportamiento resistivo); (iii) la pendiente de todas
Semiconductores Diodo
las características en puntos muy BJT es cero; y (iv)
próximos al origen de coordenadas Refs
las distancias entre características en sus tramos rectos, para incrementos iguales de
la corriente
Caracterı́sticas estáticasdede
base,
un son
BJT tanto
en mayores
emisor cuanto
comúnmayor es la corriente de base. Una
vez fijada ésta, la característica también queda fijada y así el punto de corte entre
dicha curva y la recta de carga estática del BJT determina el punto de operación Q del
Importante:
transistor (Figura 2.8(b)).

Zona de saturación
IC IC Zona de
disipación
prohibida
+ I C =Pmáx/V CE
Q
Zona activa
IB IB
creciente

Zona de corte VCC =R L ·I C +V CE

VCE VCE
1 El Figura
punto2.8: deFamilia
operación del
de curvas BJT no puede
características del BJT estar
(emisoren la zona
común). de saturación
(b) Punto puesto
de operación de
queunen
BJT ella no haydecurvas
e hipérbola máxima caracterı́sticas;
disipación de potencia.

2 La pendiente de las caracterı́sticas es mayor a mayor corriente de base


(comportamiento resistivo);
Hipérbola de máxima disipación de potencia
3 Las distancias
La potenciaentre caracterı́sticas
disipada en sus tramos
es la suma de potencias rectos,
disipadas por laspara incrementos iguales
dos uniones:
de la corriente de base, son tanto mayores cuanto mayor es la corriente de base.
P = PC + PE = VCB IC + VBE IE (2.9)
4 Una vez fijada IB , la caracterı́stica queda fijada y el punto de corte entre dicha
curva y la recta de carga estática del BJT determina el punto de operación Q del
transistor.
Semiconductores Diodo BJT Refs

Hipérbola de máxima disipación de potencia

Disipación de potencia de un BJT


La potencia disipada es la suma de potencias disipadas por las dos uniones:
P = PC + PE = VCB IC + VBE IE
y no debe exceder el valor estipulado por el fabricante del transistor.
Sustituyendo en esta expresión, las ecuaciones IE = IC + IB y
VCB = VCE − VBE , se obtiene:
P = VCE IC + VBE IB ≈ VCE IC
Si el BJT no está saturado, IB << IC .
En el plano VCE -IC , es una hipérbola equilátera y el punto de operación
debe estar siempre por debajo de ella para evitar que el transistor se queme
Semiconductores Diodo BJT Refs

Referencias

“Fundamentos de Electrónica Analógica”


José Espı́ López, Gustavo Camps-Valls, y Jordi Muñoz-Marı́
Servicio de Publicaciones - Universidad de Valencia
1a edición, 2006. TEMA 1-2
“The Art of Electronics” + “Student Manual”
Paul Horowitz y Winfield Hill
Cambridge University Press
2a edición, 1989. TEMA 1-2
http://www.artofelectronics.com/
“Electrónica Analógica. Problemas y Cuestiones”
José Espı́ López, Gustavo Camps-Valls, y Jordi Muñoz-Marı́
Prentice Hall, Serie Prentice/Practica
1a edición, 2006. TEMA 2

¿Y ahora qué?
Los próximos dı́as haremos ejercicios en clase de los boletines.
Teneis una serie de proyectos propuestos/tutelados (0.05 - 0.1 puntos).