tema 41 TECNOLOGA

Circuitos electrnicos: elementos componentes y su funcionamiento. Procedimientos de conexin.

31-20156-13

NUEVO TEMARIO 2012

SIMBOLOGA UTILIZADA EN EL TEMARIO

NOTA ENlAcE

Link con otros temas del temario oficial. Para que aproveches al mximo tu tiempo de estudio y para que tengas en cuenta en todo momento los bloques de contenido del temario.

cONsEjO

Indicaciones, consejos y pequeos trucos que, al margen del desarrollo expositivo del tema, pueden ayudarte en tu preparacin.

PREgUNTA clAVE

Preguntas de respuesta abierta, situadas al final de un epgrafe o fragmento del tema, cuya respuesta te da las claves para saber si has asimilado o no el fragmento que acabas de estudiar o leer.

REcORdANdO cONcEPTOs

Recordatorio de conceptos bsicos o previos, que has de tener en cuenta para un ptimo estudio del tema. Nociones aclaratorias vinculadas con el tema tratado.

NOTA

Una aclaracin o nota al margen de la exposicin del tema. Slo la encontrars en casos excepcionales.

cONsUlTA EN El ANExO

Remisin al apndice o al anexo del temario o del tema en concreto para que amples la informacin legislativa de tu Comunidad o sobre cualquier otro aspecto relevante.

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1.
1.1.

CIRCUITOS ELECTRNICOS: ELEMENTOS COMpONENTES y SU fUNCIONAMIENTO

REsisTENCiAs
1.1.1. Resistencias lineales 1.1.2. Resistencias no lineales

1.2. 1.3. 1.4. 1.5. 1.6.

CONdENsAdOREs BOBiNAs impEdANCiAs RELs sEmiCONduCTOREs

1.6.1. semiconductores intrnsecos 1.6.2. semiconductores extrnsecos 1.6.3. unin pN 1.6.4. El diodo 1.6.5. Transistores bipolares 1.6.6. Transistores unipolares de efecto decampo de unin (JFET) 1.6.7. Transistores unipolares de efecto de campo de puerta aislada (mOsFET) 1.6.8. Otros elementos semiconductores de potencia

2.
2.1. 2.2. 2.3.

pROCEDIMIENTOS DE CONExIN
REALizACiN dE uNA sOLdAduRA NORmAs y OpERACiONEs pARA REALizAR uNA sOLdAduRA LA sOLdAduRA EN LOs CiRCuiTOs impREsOs

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INTRODUCCIN

Este tema est dedicado en una primera parte a proporcionar al alumno conocimientos acerca de los principales elementos componentes empleados en los circuitos electrnicos, su descripcin, funcionamiento y tipos. Estos elementos componentes se pueden dividir a su vez en dos grandes grupos, si bien esta divisin no se contempla como tal en la estructura del tema. Por un lado, se pueden englobar los componentes pasivos empleados en electrnica, principalmente las resistencias y los condensadores, y por otro lado, los componentes basados en materiales semiconductores. Por este motivo, se dedican, despus de los componentes pasivos, varios apartados a la descripcin de dichos materiales semiconductores, que tomaron el relevo de las antiguas vlvulas de vaco o de gas. Es importante comprender la constitucin y el funcionamiento de los materiales semiconductores para poder entender el comportamiento de los componentes electrnicos basados en ellos, como los diodos, los transistores bipolares, los transistores de efecto de campo de unin y los transistores de efecto de campo de puerta aislada. La ltima parte del ttulo descriptor de este tema trata de los procedimientos de conexin de los elementos componentes empleados en circuitos electrnicos. As, se hace una breve introduccin a los principales aspectos a tener en cuenta a la hora de conectar o desconectar un componente a un circuito impreso mediante soldadura de fusin por calor, que ser el tipo de soldadura ms empleado por el alumno. Finalmente, puesto que existen numerosos tipos y mtodos de soldadura para los componentes electrnicos y con el objetivo de aclarar conceptos, se hace una clasificacin de los tipos de soldadura.

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1.

CIRCUITOS ELECTRNICOS: ELEMENTOS COMpONENTES y SU fUNCIONAMIENTO

1.1. REsIsTENcIAs
Las resistencias o resistores son los componentes electrnicos pasivos encargados de ofrecer una resistencia elctrica, que se define como la magnitud fsica caracterizada por la oposicin que presentan los materiales conductores al paso de la corriente elctrica. La unidad de resistencia elctrica es el ohmio () y se define como la resistencia elctrica que existe entre dos puntos de un conductor cuando una diferencia de potencial de 1 V aplicada entre estos produce en dicho conductor una corriente de 1 A de intensidad. Todo material se opone en mayor o menor medida a la circulacin de carga por su interior cuando, entre dos puntos del mismo, se aplica un voltaje para generar una corriente elctrica. El fsico alemn Georg Simon Ohm, en el siglo XIX, determin que dicha relacin es constante, en la enunciacin de la ley que lleva su nombre: ley de Ohm. La relacin que existe entre la tensin aplicada entre dos puntos de un conductor y la intensidad de la corriente que circula entre dichos puntos es una constante denominada resistencia. Los factores que influyen en la resistencia de un conductor son dos. Por una parte, el tipo de material que forma dicho conductor, puesto que determinar la cantidad de portadores de carga libre y su movilidad. Por tanto, cada material presenta una resistividad, , caracterstica. Y, por otra parte, factores geomtricos, como la longitud y la seccin del material conductor. Tambin existe una influencia de la temperatura en la resistencia de un conductor. La resistividad y la resistencia son constantes en un material a una determinada temperatura y normalmente se especifican a temperatura ambiente (~ 20 oC). Durante su desplazamiento, los electrones en el interior del material conductor pierden parte de su energa en choques y roces con el resto de los elementos constitutivos de la estructura del material y entre ellos, lo que produce un calentamiento del conductor. El fsico britnico James Prescott Joule cuantific este efecto calorfico: ley de Joule. La cantidad de calor, Q, desprendida (disipada) en un conductor por el paso de la corriente elctrica es proporcional al cuadrado de la intensidad, I, de la corriente y a la resistencia, R, del conductor. Por lo general, esta energa calorfica se pierde (se disipa), y se conoce como prdida por calentamiento o por efecto Joule. Los parmetros fundamentales de una resistencia son:

Valor nominal de la resistencia. El proporcionado por el fabricante de la misma. Tolerancia. Dispersin alrededor de su valor nominal que presenta los valores reales del componente. Se especifica en trminos porcentuales. Potencia mxima. Potencia mxima que puede disipar una resistencia sin llegar a causar daos irreversibles. En una resistencia a la que se aplica un voltaje, V, y por la que circula una corriente, I, se disipar una potencia de valor: P = V I = R I2 = V2/R

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Esta potencia se disipa (se pierde) en forma de calor: efecto Joule. Depende de factores constructivos y tamao. Existen series normalizadas de resistencias de distintas potencias; las ms usadas son de W (0,25 W), W (0,5 W), 1 W y 2 W.

Coeficiente de temperatura. Indica cmo vara la resistencia con los cambios de temperatura. En la mayora de las aplicaciones se desea que este coeficiente sea el menor posible.

Las resistencias suelen llevar impreso el valor nominal de su resistencia elctrica y de su tolerancia mediante un cdigo de colores. El valor nominal de la resistencia se obtiene de las tres primeras franjas de colores de la izquierda. Las dos primeras franjas indican la primera y segunda cifra significativa, y la tercera, el multiplicador o nmero de ceros. La tolerancia se obtiene de la cuarta franja. La Figura 1 muestra un ejemplo de una resistencia de valor 560 k 10 %. Dicho valor se puede obtener a partir de los cdigos de colores que aparecen en la Tabla 1.
Color Negro Marrn Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Violeta Gris Blanco Oro Plata Sin color 1. cifra --1 2 3 4 5 6 7 8 9 2. cifra 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0,1 0,01 +5% + 10 % + 20 %
Tabla 1.

Multiplicador 1 10 100 1.000 10.000 100.000 1.000.000

Tolerancia +1% +2%

Figura 1. Ejemplo de resistencia.

En el mercado no se pueden encontrar dispositivos resistivos de cualquier valor nominal de resistencia, sino que los fabricantes suministran valores normalizados de resistencia.

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1.1.1. Resistencias lineales

Son aquellas resistencias en las que se cumple la ley de Ohm. Se pueden dividir en:

Resistencias lineales fijas. Son aquellas que no pueden sufrir variaciones en el valor de su resistencia una vez que han sido fabricadas. Dependiendo de los materiales empleados en su fabricacin, se pueden clasificar en: De carbn. Se fabrica de grnulos de carbn presionados al calor y mezclados con cantidades variables de relleno; se consiguen grandes mrgenes de valores de resistencia. Ventajas: son baratas, fiables y tienen unos valores pequeos de capacidades e inductancias parsitas. Desventajas: sus tolerancias (entre el 5 y el 20 %) y coeficientes de temperatura son relativamente altos (Figura 2). De hilo enrollado. Consisten en longitudes de hilo enrollado alrededor de un ncleo cilndrico aislado y se destinan a aplicaciones que necesitan alta precisin, baja resistencia y alta disipacin de potencia. Sus tolerancias oscilan entre el 0,01 y el 1 % (Figura 3). De pelcula de carbn y pelcula metlica. Estn formadas por finas capas de carbn o de metal depositadas sobre materiales aislantes que pueden alcanzar valores muy altos de resistencia. Su precisin y estabilidad son comparables a las de hilo enrollado, con bajo ruido e inductancia parsita (Figura 4).

Figura 2. Resistencias lineales fijas de carbn.

Figura 3. Resistencias lineales fijas de hilo enrollado.

cilindro cermico hlice de carbn casquillo conterminales pintura aislante

Figura 4. Resistencias lineales fijas de pelcula de carbn y metal.

Figura 5. Resistencia lineal variable.

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C A R1 + V1 B I + V1

C R1 V

B Figura 6. Conexin restato.

Figura 7. Conexin potencimetro.

Resistencias lineales variables. Son resistencias fabricadas de tal manera que su valor puede ajustarse con algn tipo de control (Figura 5). Se pueden conectar en modo restato (dos hilos) (Figura 6) o potencimetro (tres hilos) (Figura 7).

1.1.2. Resistencias no lineales

Son componentes cuyo valor resistivo depende de determinadas magnitudes fsicas, como la temperatura (existen con coeficiente de temperatura positivo, PTC, o con coeficiente de temperatura negativo, NTC) (Figura 8), la luz (LDR), la tensin (VDR), etc.

Figura 8. Resistores pTC y NTC.

1.2. cONdENsAdOREs
Un condensador es un dispositivo electrnico pasivo formado por dos placas conductoras enfrentadas o armaduras, separadas por un material aislante o dielctrico. Cuando se aplica una diferencia de potencial, V, entre las armaduras, en el condensador se acumula una carga elctrica, Q, cuyo valor est relacionado con la diferencia de potencial aplicada por la expresin: Q=CV donde C es la capacidad del condensador. Esta capacidad (relacin entre la carga acumulada y la tensin entre armaduras) da idea de la facultad del condensador de almacenar energa. La unidad de capacidad es el faradio (F), unidad muy grande para el uso habitual en electrnica, por lo que normalmente se utilizan submltiplos de esta, como son: milifaradio (mF, 103), microfaradio (F, 106), nanofaradio (nF, 109) o picofaradio (pF, 1012). Los condensadores, al igual que las resistencias, se fabrican con unas determinadas tolerancias debidas a los procesos de fabricacin y en unos determinados valores normalizados. Como los procesos de fabricacin difieren en gran medida de un tipo de condensador a otro, estas tolerancias y valores normalizados dependen del tipo de condensador de que se trate y, en algunos casos, incluso del fabricante que los realiza, por lo que, en general, no se puede hablar de unas tolerancias y gamas de valores estndar para todos los condensadores. La tensin aplicada en los terminales de un condensador produce un campo elctrico en su dielctrico. Este campo elctrico tiene un lmite, que depende del tipo de dielctrico, por encima del cual puede llegar a destruirse (se dice que se ha perforado el dielctrico). Para evitar esta situacin, la tensin en un condensador est limitada.

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Cuando por un condensador pasa una corriente, I, adquiere un potencial, V, y por tanto se habr entregado una energa al condensador. En el caso de la resistencia, esta energa se converta en calor (se disipaba). En el condensador, la energa queda almacenada. Un condensador real tendr una pequea disipacin, debida a que el dielctrico no es perfecto (presenta una determinada resistencia). A esto se le denomina prdidaseneldielctrico. En general, estas prdidas suelen ser pequeas y, excepto en aplicaciones muy concretas, se desprecian. Los condensadores fijos son aquellos cuya capacidad es siempre la misma. Pueden ser de muy diversos tipos (Figura 9):

De papel. Formados por dos tiras largas y delgadas de aluminio separadas por una hoja de papel revestida de parafina. El conjunto, arrollado en forma de cilindro, se introduce en un envoltorio metlico o de cartn recubierto de parafina para evitar la corrosin. Son los condensadores ms usados debido a su bajo coste y al hecho de que se fabrican en una amplia gama de valores (500 pF a 50 F). De aceite. Su dielctrico es el aceite impregnado en una tira de papel. Exteriormente son como los de papel; de hecho son una variedad de los anteriores. De plstico. Se utiliza una lmina delgada de plstico (tereftalato de polietileno, tefln o poliestireno) como dielctrico. Este dielctrico mejora las propiedades del condensador al minimizar las corrientes de fugas. De mica. Formado por hojas alternadas de estao y mica. El conjunto va dentro de un envoltorio de baquelita o plstico. Los condensadores de mica tienen unas corrientes de fuga y unos factores de disipacin muy pequeos. Los valores de capacidad de estos condensadores estn limitados al rango de 1 pF a 0,1 F. De cermica. Es un cilindro o disco de cermica, hueco, que hace de dielctrico y da forma al condensador. El interior y el exterior del cilindro, revestidos con pintura de plata, hacen de placa. Electrolticos. Se fabrican normalmente de aluminio o tntalo. La estructura bsica del condensador electroltico de aluminio consiste en dos lminas de aluminio, una de las cuales recubierta de una capa delgada de xido. El xido se hace crecer sobre el metal mediante un proceso en el que se aplica un voltaje al condensador. El grosor depender del voltaje empleado. Entre las lminas se encuentra papel empapado en una solucin electroltica. Este electrolito es un conductor que sirve como una extensin de la lmina de metal no oxidada. El condensador formado posee como dielctrico una pelcula delgada de xido, con una constante dielctrica muy alta, en contacto con las dos placas metlicas. Una vez formado el xido, las lminas se enrollan en un tubo, de modo que la lmina sin xido se conecta al encapsulado exterior del condensador. Este terminal sirve de conexin negativa del condensador. El otro terminal se marca con un + en el cuerpo del condensador, y debe conectarse al terminal positivo del circuito en el que se use (los condensadores electrolticos son polarizados). Los condensadores electrolticos alcanzan los valores ms grandes de capacidad por volumen de elemento, pero tambin poseen los valores de corrientes de prdidas ms grandes. Variables de aire. Varan su capacidad al modificar la superficie de sus placas por un procedimiento mecnico. Constan de dos juegos de placas de aluminio muy rgidas y lo ms delgadas posible. Uno de los juegos, llamado estator, va fijo sobre un soporte; mientras que el otro, llamado rotor, puede girar alrededor de un eje, intercalando sus placas entre las del estator. El dielctrico es el aire.

Los condensadores variables permiten variar su capacidad. Pueden ser:

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Ajustables de mica. Cambian su capacidad al modificar la separacin entre sus placas. Estn formados por una placa flexible que puede aproximarse, mediante un tornillo, a otra fija de la que est aislada por una lmina de mica. Hay dos clases: Trimmer, que es un condensador de pequea capacidad que se coloca en paralelo con otro de mayor capacidad para ajustar esta, incrementndola en pequeas cantidades, o Padder, que son condensadores de pequeo tamao, pero de gran capacidad, que se colocan en serie con otro para ajustar esta, disminuyndola en Figura 9. Condensadores fijos. pequeas cantidades.

1.3. BOBINAs
Las bobinas o inductancias son dispositivos electrnicos pasivos que permiten relacionar el flujo magntico y la intensidad de la corriente elctrica. Es decir, almacenan energa elctrica en forma de campo magntico cuando aumenta la intensidad de corriente, y la devuelven cuando esta disminuye. Este funcionamiento se debe al fenmeno de la autoinduccin. El valor de la inductancia de una bobina es constante y depende de sus especificaciones constructivas. El valor de la inductancia L se mide en henrios (H). (t) = L i(t) Cuando a una bobina ideal se le aplica corriente continua se comporta como un cortocircuito (conductor ideal), puesto que no existe variacin de la intensidad de corriente. En corriente alterna, una bobina ideal ofrece una resistencia al paso de la corriente elctrica que recibe el nombre de reactancia inductiva. Al abrir y cerrar un circuito elctrico donde existe una bobina, se producen variaciones bruscas de la corriente que generan en la bobina una fuerza electromagntica de autoinduccin.

1.4. IMPEdANcIAs
La impedancia no es un dispositivo electrnico pasivo, sino que es la magnitud equivalente a la resistencia (que establece la relacin entre la tensin y la intensidad de corriente mediante la ley de Ohm) cuando se trata de corriente alterna (la corriente vara en el tiempo). Cuando un circuito elctrico est constituido nicamente por resistencias, el valor de la impedancia en un determinado punto del circuito coincide con el valor de la resistencia equivalente. Si el circuito consta de bobinas y o condensadores, la tensin y la propia impedancia se describen con nmeros complejos o funciones del anlisis armnico. La parte real de la impedancia es la resistencia, y su parte imaginaria es la reactancia.

1.5. REls
El rel es un dispositivo electromecnico que funciona como un interruptor controlado por tensin. Su funcionamiento est basado en un electroimn que al ser excitado elctricamente transmite movimiento a un sistema mecnico que abre o cierra uno o varios contactos elctricos1.
1 El tema 43 est dedicado a los circuitos de conmutacin con rels.

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1.6. sEMIcONdUcTOREs
En todos los materiales, el ncleo atmico est compuesto por neutrones y protones. Ambas partculas determinan el peso del tomo. El nmero de protones del ncleo determina el nmero atmico de un elemento y la carga positiva neta del ncleo. Si un tomo tiene un nmero anormal de neutrones, recibe el nombre de istopo. En un tomo elctricamente neutro, el nmero de electrones es igual al nmero de protones. Se supone que existen diferentes niveles permitidos de energa en los que puede estar el electrn. Un electrn radia energa si salta de un nivel de energa a otro ms prximo al ncleo, y a la inversa, un electrn excitado desde una rbita interior a otra exterior absorbe energa. Si se aumenta suficientemente por algn medio la energa de un electrn, este puede ser separado del tomo. En este caso se dice que se ha producido su ionizacin. Se llama banda de valencia al nivel de energa ms externo del tomo. Los electrones de este nivel determinan las propiedades qumicas y elctricas del elemento. La banda de conduccin es la banda de excitacin. Al comunicarle a un electrn una energa suficiente, puede hacerle saltar a un nivel de excitacin. El electrn en esta banda puede ser arrastrado por una fuerza externa (Figura 10). Los materiales aislantes se caracterizan por tener un enlace inico, es decir, un enlace constituido por las atracciones electrostticas entre iones formados por una transferencia de electrones. Tienen las bandas de conduccin y de valencia separadas. Los materiales conductores pueden considerarse un mar de electrones, es decir, los electrones tienen una gran facilidad para moverse libremente. Las bandas de conduccin y valencia pueden llegar a estar solapadas. Los materiales semiconductores (Figura 11) se caracterizan por que sus tomos estn unidos por un enlace covalente, es decir, los tomos se enlazan por comparticin de electrones y porque presentan una estructura cristalina propia. Sin embargo, algunos de estos enlaces pueden romperse, liberndose un electrn y generndose un hueco en la red. Por tanto, en los semiconductores existen dos tipos de portadores (electrones y huecos), mientras que en los conductores solo existen electrones. En los semiconductores, la energa de salto (Eg) entre las bandas de conduccin y de valencia es muy pequea (aproximadamente 1 eV en el caso del silicio). La conductividad aumenta con la temperatura, al contrario de lo que ocurre con los conductores. En los semiconductores, a temperaturas cercanas al cero absoluto, los electrones ocupan sus enlaces, y el semiconductor se comporta como un aislante. La banda de valencia est llena y la banda de conduccin vaca. Al aumentar la temperatura, los electrones adquieren energa y escapan de su enlace, saltan a la banda de conduccin y dejan un enlace incompleto (hueco) en la banda de valencia.
Energa Banda de conduccin Electrn Banda de valencia

Figura 10. Bandas de energa.

Figura 11. semiconductor.

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A este proceso se le llama generacin. El proceso contrario se llama recombinacin, y se caracteriza por que los electrones de la banda de conduccin saltan hacia los huecos en la banda de valencia, liberando energa.
1.6.1. semiconductores intrnsecos

En los semiconductores intrnsecos o puros, las concentraciones de electrones (n) y huecos (p) son iguales. El nmero de portadores de carga disponibles para mantener la corriente elctrica es pequeo. Los electrones libres se pueden unir a los huecos libres (recombinacin), con lo que disminuye an ms el nmero de portadores libres.
1.6.2. semiconductores extrnsecos

Para aumentar la conductividad, a los semiconductores extrnsecos se le aade una cantidad definida de impurezas: tomos que sustituyen a los del semiconductor en la estructura cristalina y que aportan portadores de carga (huecos o electrones). A este proceso se le llama dopaje. Se llaman impurezas donadoras cuando se aaden tomos con cinco electrones en su ltima capa (pentavalentes), como el fsforo (P), arsnico (As), antimonio (Sb), etc. La concentracin de electrones (n) coincide con la suma del nmero de huecos (p) y el nmero de tomos que hayan perdido un electrn. A la estructura cristalina resultante se le llama de tipo N y los portadores mayoritarios son los electrones, y los minoritarios, los huecos. Se llaman impurezas aceptoras cuando se aaden tomos con tres electrones en su ltima capa (trivalentes), como el boro (B), galio (Ga), indio (In), etc. La concentracin de huecos (p) coincide con la suma del nmero de electrones (n) y el nmero de enlaces en los que falta un electrn. A la estructura cristalina resultante se le llama de tipo P y los portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios, los electrones. En general, en un semiconductor podran aparecer impurezas donadoras y aceptoras. El tipo de estructura cristalina quedar determinado por la impureza presente en mayor concentracin. Si se aplica un campo elctrico externo al semiconductor, aparece una corriente de arrastre que se caracteriza por que los portadores (huecos y electrones) se mueven ordenadamente con una velocidad proporcional a la intensidad del campo elctrico. En un semiconductor, en un determinado instante de tiempo, puede existir una distribucin no homognea de portadores y producirse un movimiento de portadores que trata de equilibrar la distribucin. A este movimiento se le llama corriente de difusin.
1.6.3. Unin PN

La unin PN se forma a partir de un cristal semiconductor que se puede considerar dividido en dos mitades. La primera sufre un dopaje tipo P y la otra un dopaje tipo N. La unin PN en circuito abierto alcanza el equilibrio (Figura 12). La corriente total debe ser nula, por lo que las corrientes de difusin de mayoritarios y minoritarios se igualan. Se genera una zona de deplexin porque el campo elctrico que se crea lo impide, compensando el efecto de difusin. La zona de portadores libres presenta una barrera al paso de corriente con una diferencia de potencial asociado Vo (barrera de potencial).

Zona deplexin

Figura 12. unin pN en circuito abierto.

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La unin PN en circuito cerrado con polarizacin directa (Figura 13) hace que la tensin aplicada V se oponga a la barrera de potencial Vo, con lo que dicha barrera de potencial disminuya, lo que facilita la difusin de portadores minoritarios y aumenta la corriente de difusin ID. Cuando la barrera desaparezca, la corriente de difusin de mayoritarios encontrar ya muy poca resistencia. La unin PN en circuito cerrado con polarizacin inversa (Figura 14) provoca que la tensin V refuerce Vo, por lo que aumenta la barrera de potencial. Aunque se favorece la corriente de arrastre de minoritarios, la zona sin cargas aumenta y la corriente es muy pequea, hasta que la zona de deplexin alcanza a todo el diodo (ruptura). Entonces, el exceso de carga se puede marchar directamente por el conductor.
1.6.4. El diodo

El diodo de unin P-N est constituido por un monocristal semiconductor en el que existen dos regiones, una tipo P, denominada nodo, y otra tipo N, que se denomina ctodo (Figura 15). La caracterstica tensin-corriente de un diodo es una grfica V-I que caracteriza su funcionamiento, como se muestra en la Figura 16.

nodo

Ctodo

Figura 15. diodo de unin pN.

Figura 13. unin pN en circuito cerrado conpolarizacin directa.

Zona directa

Zona inversa Zona ruptura

Figura 14. unin pN en circuito cerrado con polarizacin inversa.

Figura 16. Grfica V-i del diodo.

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En dicha grfica se aprecia la zona de funcionamiento en directa que resulta de aplicar una tensin en directa, como consecuencia de lo cual se reduce el potencial de barrera y aumenta la corriente de difusin. Se puede observar que la corriente aumenta a partir de una tensin umbral que depende del material semiconductor empleado. Este instante viene determinado por el momento en que desaparece la barrera de potencial. En la zona de funcionamiento en inversa, que resulta de aplicar una tensin en inversa, se aumenta el potencial de barrera y disminuye la corriente de difusin. Si se aplica una tensin en inversa excesiva, se entra en la zona de funcionamiento en ruptura, donde aumenta la corriente de arrastre, lo cual puede disociar los enlaces covalentes. Normalmente esto produce la ruptura del diodo.
1.6.5. Transistores bipolares

El transistor bipolar es un cristal semiconductor en el cual se definen tres zonas: emisor, base y colector. El dopaje de emisor y colector ser de un tipo (N o P), y el de base, del tipo contrario. Como caractersticas de fabricacin se deben destacar que la zona de base es muy estrecha, y que la zona de emisor est muEmisor Colector cho ms dopada que la de base, y sta a su vez ms que la de colector (Figura 17). La Figura 18 muestra los dos tipos de transistores bipolares y su representacin simblica.
Base Figura 17. Transistor bipolar.

Emisor

Colector

Emisor

Colector

Base E

Base E

Transistor PNP

Transistor NPN

Figura 18. Tipos de transistores bipolares.

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Se pueden distinguir cuatro zonas de funcionamiento del transistor bipolar atendiendo al tipo de polarizacin, directa o inversa, que se realice a las uniones base-emisor y base-colector del transistor. a) Funcionamiento en zona activa, con la unin base-emisor polarizada en directa y la unin base-colector en inversa. Esta zona ser la empleada cuando se necesite amplificar. Para que el transistor trabaje como amplificador, se aplica una seal entrada entre dos terminales y se obtiene una seal de salida amplificada entre otros dos terminales. Como disponemos de tres terminales (emisor, base y colector), una de ellas debe ser comn a la entrada y salida. Existen, por tanto, tres posibles configuraciones: emisor comn, base comn y colector comn As, la ganancia de corriente en modo emisor comn vendr dada por el cociente entre la corriente de colector y la de base. b) Funcionamiento en zona de saturacin, con la unin base-emisor polarizada en directa y la unin base-colector en directa. c) Funcionamiento en zona de corte, con la unin base-emisor polarizada en inversa y la unin base-colector en inversa. Cuando se emplea el transistor en los modos de funcionamiento de corte y saturacin, se le llama transistor en conmutacin, y ser utilizado principalmente en electrnica digital. En la Figura 19 se muestra el circuito caracterstico para un transistor NPN, en que la salida se define en la tensin de colector. Cuando el transistor est en corte, la intensidad de colector es nula, con lo que la tensin de colector coincide prcticamente con VCC (1). Cuando el transistor est en saturacin, el voltaje VCE es prcticamente nulo (0). d) Funcionamiento en inversa, con la unin base-emisor polarizada en inversa, y la unin base-colector en inversa.
1.6.6. Transistores unipolares de efecto

VCC

RC RB

VI

Figura 19. Transistor en conmutacin.

Drenador

decampo de unin (jFET) En los transistores de efecto campo (FET), la corriente se debe a un solo tipo de portadores, que se mueven por un nico tipo de semiconductor (transistor unipolar). En los transistores de efecto campo de unin (JFET) (Figura 20) existe un canal contiguo a los terminales de drenador y fuente. El terminal de puerta rodea el canal.

Fuente

Figura 20. Transistor unipolar JFET.

Canal

Puerta

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En funcin del semiconductor empleado en el canal, existen JFET de canal N o de canal P (Figura 21). Al igual que los transistores bipolares, los JFET se pueden polarizar en modo amplificador y en modo corte/trodo.
Drenador Drenador

Canal N

Fuente

Fuente

Canal P

Puerta

Puerta

G S

G S

JFET Canal N Figura 21. Tipos de transistores JFET.

JFET Canal P

1.6.7. Transistores unipolares de efecto de campo de puerta aislada (MOsFET)

En los transistores MOSFET, la corriente se debe a un solo tipo de portadores, que se mueven por el canal existente entre fuente y drenador. Adems, el terminal de puerta est aislado del dispositivo, lo que asegura que la corriente por puerta sea cero. Segn exista inicialmente el canal o no, se habla de MOSFET de deplexin o empobrecimiento, o de MOSFET de acumulacin o enriquecimiento (Figuras 22 y 23).
S G D ID VG = 3 2 1 VD S G canal n D ID VG = 1 0 1 VD

n+

n+

n+

n+

substrato p Canal n de acumulacin

substrato p Canal n de deplexin

p+

p+

VD 1 2 VG = 3 ID

p+

G canal p

p+

VD 1 2 VG = 1 ID

substrato n

substrato n

Canal p de acumulacin Figura 22. Tipos de transistores mOsFET.

Canal p de deplexin

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En los MOSFET de deplexin existe un canal inicial que permite el paso de portadores entre fuente y drenador. Por lo tanto, incluso con VGS nula, si se aplica una tensin VDS entre drenador y fuente, existe una corriente que recorre ambos terminales y la zona de canal existente. Como en el JFET, si el canal est cerrado, dicha corriente es constante. Dado que el cierre del canal supone siempre el crecimiento de una zona de empobrecimiento o deplexin, el dispositivo adopta el nombre de MOSFET de deplexin. El MOSFET de acumulacin o enriquecimiento se diferencia del de deplexin en que no existe un canal fabricado. Por ello, para hacer pasar una corriente entre drenador y fuente, el dispositivo debe inducir un canal de paso. Los parmetros fsicos del canal inducido, longitud L y anchura W, van a determinar en gran medida el comportamiento del transistor.
1.6.8. Otros elementos semiconductores de potencia

Existen diversos dispositivos semiconductores de potencia, como los rels de estado slido (SSR), el tiristor y el triac2.

MOSFET EMPOBRECIMIENTO Canal n Canal p

MOSFET ENRIQUECIMIENTO Canal n Canal p

D G B S G

D B S G

D B S G

D B S

D G S G

S G D

D G S

Figura 23. simbologa de los mOsFET.

En el tema 43 se estudian estos dispositivos.

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2.

pROCEDIMIENTOS DE CONExIN

2.1. REAlIzAcIN dE UNA sOldAdURA

La conexin de componentes electrnicos mediante soldadura por fusin por calor se logra fundiendo unas aleaciones especiales (con bajo punto de fusin) aplicando calor. De esta forma, la aleacin convertida en lquido moja los terminales que se quieren soldar y se forma una nica aleacin unida. El objetivo es que, una vez retirada la fuente de calor (soldador), quede una unin sin solucin de continuidad y de baja resistencia hmica. Principalmente se utilizan dos tipos de soldadores. Por un lado, los de calentamiento por induccin (tambin llamados soldadores de pistola), que constan de un transformador reductor de voltaje. Son rpidos y con potencias disipables del orden de 100 W. Y, por otro lado, de calentamiento indirecto, que constan de una punta de cobre estaado que es calentada por una resistencia, de la que est aislada elctricamente. Son relativamente lentos en calentarse y con potencias que van desde los 15 a los 250 W. Las aleaciones de soldar ms comunes suelen ser de estao-plomo (67 % de Sn y 23 % de Pb, y funde a 180 C ) o de estao-plata (funde a una temperatura ligeramente por encima de la anterior). Normalmente tienen como fundente alma de resina, es decir, el hilo de soldar tiene un ncleo de resina. Actualmente, para el ensamblaje industrial, la Unin Europea prohbe el uso de la antigua aleacin de Sn-Pb. Los fundentes son las sustancias que se aplican al soldar para limpiar qumicamente los terminales y facilitar que la aleacin se distribuya de manera uniforme sobre las superficies a unir, al mismo tiempo que se evita la oxidacin producida por la temperatura demasiado elevada del soldador. La composicin de esta pasta es a base de colofonia (normalmente llamada resina) y suele estar contenida dentro de las cavidades del hilo en una proporcin del 2~2,5 %. En la soldadura sobre circuitos impresos nunca deben utilizarse fundentes, excepto la resina que lleva el propio hilo de soldadura.

2.2. NORMAs y OPERAcIONEs PARA REAlIzAR UNA sOldAdURA

Antes de iniciar una soldadura hay que tener en cuenta varios aspectos:

La punta del soldador debe estar limpia. Para ello se puede usar un cepillo de alambres suaves (que suele estar incluido en el soporte) o mejor una esponja humedecida (que tambin suelen traer los soportes). Las piezas a soldar deben estar limpias y, a ser posible, preestaadas. Para ello se utilizar un limpiametales, lija muy fina, una lima pequea o las tijeras, dependiendo del tipo y tamao del material que se vaya a soldar. Se debe utilizar un soldador de potencia adecuada. Para el conexionado de componentes electrnicos, es recomendable usar soldadores de 15~30 W. Dichos componentes del circuito se pueden daar si se les aplica un calor excesivo.

Las operaciones a realizar son: a) Establecer el contacto mecnico entre las partes a soldar. Si es necesario, utilizar unos alicates para sujetar bien las partes.

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b) Aplicar el calor y el hilo de soldar. Se calentarn los terminales y se aplicar el hilo de soldar a los mismos hasta que dicho hilo se funda y fluya sobre los terminales. Nunca debe aplicarse el hilo sobre el soldador, pues se pueden producir las llamadas soldaduras fras, con un contacto de alta resistencia hmica y mecnicamente poco slidas. Estas soldaduras se identifican por su forma de gota y por un color oscuro. c) Retirar el soldador, tratando de no mover las partes de la soldadura. Dejar que la soldadura se enfre naturalmente. Esto lleva un par de segundos. El metal fundido se solidifica, quedando la soldadura finalizada, con aspecto brillante y con buena resistencia mecnica. d) Eliminar el exceso de soldadura y cortar el sobrante de terminales.

2.3. lA sOldAdURA EN lOs cIRcUITOs IMPREsOs

Actualmente, casi todas las placas de circuitos impresos (PCB) comerciales poseen componentes de montaje superficial (SMD) que son difciles de reemplazar si no se cuenta con herramientas adecuadas. Tambin hoy da es posible conseguir diferentes productos que pueden combinarse con el estao para bajar la temperatura de fusin y, de esta forma, no poner en riesgo la vida de los componentes cuando se manipulan en una placa de circuito impreso. En realidad, la soldadura de componentes SMD en la placa, no es realmente una soldadura, puesto que se suele emplear para la unin de adhesivos conductores. Son las llamadas pastas de soldadura, que se aplican a la PCB antes de colocar los componentes mediante un proceso serigrfico. En general, en electrnica se usan numerosos tipos de soldadura que parten de medios muy distintos. Una clasificacin de los tipos de soldadura podra ser la siguiente:

Soldaduraporfusin. Aquella en la que un metal o aleacin metlica se funde para realizar la soldadura y posteriormente se enfra y solidifica. Esta soldadura puede ser a su vez: Soldadurablanda.Se caracteriza por el uso de una aleacin metlica con bajo punto de fusin (< 450 oC) y los metales a unir no llegan a la fusin. Se puede llevar a cabo de varias formas: Por conduccin del calor: mediante soldadores, por ola, por inmersin, etc. Por conveccin: mediante chorro de aire caliente. Por radiacin: por rayos lser, infrarrojos o ultravioleta. Soldaduraduraofuerte. Se usan metales puros y aleaciones metlicas con altos puntos de fusin, como el oro y la plata. Soldaduraeutctica.Se usa una aleacin metlica de oro-silicio u oro-estao. Es la ms empleada en microelectrnica.

Soldadurasinfusin. No se utiliza ningn material de aportacin. La unin se produce por interpenetracin molecular de las dos partes a unir. Muy usada en las uniones con hilos de oro entre los chip y las patillas del encapsulado. Puede llevarse a cabo mediante ultrasonidos, termosnica, que mezcla los ultrasonidos con el sistema trmico, o mediante termocompresin, donde adems de calor se emplea presin de los materiales a unir. Uninmedianteadhesivosconductores. Utilizada exclusivamente en SMD, se usan colas epoxdicas o de silicona.

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CONCLUSIN

En este tema se ha pretendido que el alumno adquiera conocimientos acerca de los principales elementos componentes empleados en los circuitos electrnicos. En una primera parte se han visto los componentes pasivos utilizados en electrnica, y se ha hecho hincapi en las resistencias y los condensadores, puesto que son los ms usados. En una segunda parte se han tratado los componentes basados en materiales semiconductores, y para ello se ha comenzado por explicar la constitucin y el funcionamiento de los materiales semiconductores y posteriormente los componentes electrnicos basados en ellos, es decir, los diodos, los transistores bipolares, los transistores de efecto de campo de unin y los transistores de efecto de campo de puerta aislada. En la ltima parte se han tratado los procedimientos de conexin de los elementos componentes empleados en circuitos electrnicos. Para ello, se ha comenzado con una breve introduccin a los principales aspectos a tener en cuenta a la hora de conectar mediante soldadura un componente a un circuito impreso, particularizando con el mtodo de soldadura, que posiblemente el alumno emplear de forma mayoritaria, es decir, soldadura por fusin mediante calor aplicado con soldador. Finalmente, debido los numerosos mtodos de soldadura que existen y son empleados para los componentes electrnicos se hace una clasificacin de los mismos.

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BIBLIOGRAFA
BiBLiOGRAFA REFERidA FLOYD, T. L. (2003): Dispositivos electrnicos. Mxico: Limusa RODRGUEZ SALGADO, DAVID (2010): Soldadura: tecnologa y tcnica de los procesos de soldadura. Madrid: Bellisco. BiBLiOGRAFA COmENTAdA GUASCH, M.; BORREGO, M. y JORDAN, J. (2005): Electrotecnia. Madrid: McGraw-Hill.
Aunque con una estructura distinta, este libro de texto de Bachillerato abarca de forma muy completa y con una gran calidad de figuras la primera parte del contenido de este tema. La unidad 4 est dedicada a los componentes elctricos pasivos, mientras que la unidad 13, llamada Sistemas electrnicos analgicos, est dedicada a los componentes basados en semiconductores.

MALVINO, A. (2010): Principios de electrnica. Madrid: McGraw-Hill.

Libro de texto recomendado para ampliar conocimientos de la parte del tema dedicada a los componentes basados en semiconductores.

SEDRA, A. y SMITH, K. (2009): Circuitos microelectrnicos. Madrid: McGraw-Hill.

Extenso libro cuyos captulos 3, 4 y 5 estn dedicados exclusivamente a los diodos, transistores de efecto de campo y transistores bipolares, respectivamente. Por tanto, cubre de manera extensa la parte del tema dedicada a los componentes basados en semiconductores.

WEBGRAFA http://es.wikipedia.org/wiki/Wikipedia

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RESUMEN

Circuitos electrnicos: elementos componentes y su funcionamiento. Procedimientos de conexin.

1. CIRCUITOS ELECTRNICOS: ELEMENTOS COMpONENTES y SU fUNCIONAMIENTO

1.1. REsisTENCiAs
Las resistencias o resistores son los componentes electrnicos pasivos encargados de ofrecer una resistencia elctrica, que es la magnitud fsica caracterizada por la oposicin que presentan los materiales conductores al paso de la corriente elctrica. La unidad de resistencia elctrica es el ohmio (). Los parmetros fundamentales de una resistencia son: Valor nominal de la resistencia, que es el proporcionado por el fabricante. Tolerancia. Dispersin alrededor de su valor nominal. Se especifica en trminos porcentuales. Potencia mxima. Esta potencia se disipa en forma de calor: efecto Joule. Coeficiente de temperatura. Indica cmo vara la resistencia con los cambios de temperatura. Las resistencias suelen llevar impreso el valor nominal de su resistencia elctrica y de su tolerancia mediante un cdigo de colores.

intensidad de la corriente elctrica. Es decir, almacenan energa elctrica en forma de campo magntico cuando aumenta la intensidad de corriente, y la devuelven cuando esta disminuye. Este funcionamiento se debe al fenmeno de la autoinduccin. El valor de la inductancia, L, se mide en henrios.

1.4. impEdANCiAs
La impedancia no es un dispositivo electrnico pasivo, sino que es la magnitud equivalente a la resistencia cuando se trata de corriente alterna. La parte real de la impedancia es la resistencia, y su parte imaginaria es la reactancia.

1.5. RELs
El rel es un dispositivo electromecnico que funciona como un interruptor controlado por tensin.

1.6. sEmiCONduCTOREs
Sus tomos estn unidos por un enlace covalente y presentan una estructura cristalina propia. Existen dos tipos de portadores (electrones y huecos). La conductividad aumenta con la temperatura. Al aumentar la temperatura, los electrones adquieren energa y escapan de su enlace, saltando a la banda de conduccin y dejando un enlace incompleto (hueco) en la banda de valencia. A este proceso se le llama generacin. El proceso contrario se llama recombinacin, y se caracteriza por que los electrones de la banda de conduccin saltan hacia los huecos en la banda de valencia, liberando energa.

1.1.1. Resistencias lineales

Son aquellas resistencias en las que se cumple la ley de Ohm. Se pueden dividir en fijas y variables.

1.1.2. Resistencias no lineales

Son componentes cuyo valor resistivo depende de determinadas magnitudes fsicas, como la temperatura, la luz, la tensin, etc.

1.6.1. semiconductores intrnsecos

En los semiconductores intrnsecos o puros, las concentraciones de electrones (n) y huecos (p) son iguales.

1.2. CONdENsAdOREs
Es un dispositivo electrnico pasivo formado por dos placas conductoras enfrentadas o armaduras, separadas por un material aislante o dielctrico. Cuando se aplica una diferencia de potencial, V, entre las armaduras, en el condensador se acumula una carga elctrica, Q, cuyo valor est relacionado con la diferencia de potencial aplicada. El condensador puede almacenar energa. La unidad de capacidad es el faradio (F).

1.6.2. semiconductores extrnsecos

Se le aade una cantidad definida de impurezas: tomos que sustituyen a los del semiconductor en la estructura cristalina y que aportan portadores de carga (huecos o electrones). A este proceso se le llama dopaje. Si se aaden tomos con 5 electrones en su ltima capa, a la estructura cristalina resultante se le llama de tipo N y los portadores mayoritarios son los electrones, y los minoritarios, los huecos. Cuando se aaden tomos con tres electrones en su ltima capa, a la estructura cristalina resultante se le llama de tipo P, y los portadores mayoritarios son los huecos, y los minoritarios, los electrones.

1.3. BOBiNAs
Las bobinas o inductancias son dispositivos electrnicos pasivos que permiten relacionar el flujo magntico y la

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1.6.3. unin pN
La unin PN en circuito cerrado con polarizacin directa hace que la tensin aplicada V se oponga a la barrera de potencial Vo, de modo que esta disminuye. La unin PN en circuito cerrado con polarizacin inversa provoca que la tensin V refuerce Vo, por lo que aumenta la barrera de potencial.

1.6.7. Transistores unipolares de efecto de campo de puerta aislada (mOsFET)

En los transistores MOSFET, la corriente se debe a un solo tipo de portadores, que se mueven por el canal existente entre fuente y drenador. Adems, el terminal de puerta est aislado del dispositivo, lo cual asegura que la corriente por puerta sea cero. En funcin de si existe inicialmente el canal o no, se habla de MOSFET de deplexin o empobrecimiento y de MOSFET de acumulacin o enriquecimiento.

1.6.4. El diodo
El diodo de unin P-N est constituido por un monocristal semiconductor en el que existen dos regiones, una tipo p, denominada nodo, y otra tipo n, que se denomina ctodo. En la zona de funcionamiento en directa se reduce el potencial de barrera y aumenta la corriente de difusin. La corriente aumenta a partir de una tensin umbral. En la zona de funcionamiento en inversa se aumenta el potencial de barrera y disminuye la corriente de difusin. Si se aplica una tensin en inversa excesiva, se entra en la zona de funcionamiento en ruptura.

2. pROCEDIMIENTOS DE CONExIN
2.1. REALizACiN dE uNA sOLdAduRA
La conexin de componentes electrnicos mediante soldadura por fusin por calor se logra fundiendo unas aleaciones especiales (con bajo punto de fusin) aplicando calor. De esta forma, la aleacin convertida en lquido moja los terminales que se quieren soldar y se forma una nica aleacin unida. El objetivo es que, una vez retirada la fuente de calor (soldador), quede una unin sin solucin de continuidad y de baja resistencia hmica. Las aleaciones de soldar ms comunes suelen ser de estao-plomo o de estao-plata. Normalmente tienen un ncleo de resina.

1.6.5. Transistores bipolares

Es un cristal semiconductor en el cual se definen tres zonas: emisor, base y colector. El dopaje de emisor y colector ser de un tipo (N o P), mientras que el de base ser del tipo contrario. Se pueden distinguir cuatro zonas de funcionamiento:

Funcionamiento en zona activa, con la unin baseemisor polarizada en directa y la unin base-colector en inversa. Existen tres posibles configuraciones: emisor comn, base comn y colector comn. Funcionamiento en zona de saturacin, con la unin base-emisor polarizada en directa y la unin basecolector en directa. Funcionamiento en zona de corte, con la unin baseemisor polarizada en inversa y la unin base-colector en inversa. Cuando se emplea el transistor en los modos de funcionamiento de corte y saturacin se le llama transistor en conmutacin, y ser utilizado principalmente en electrnica digital. Funcionamiento en inversa, con la unin base-emisor polarizada en inversa y la unin base-colector en inversa.

2.2. NORmAs y OpERACiONEs pARA REALizAR uNA sOLdAduRA

Antes de iniciar una soldadura hay que tener en cuenta varios aspectos:

La punta del soldador debe de estar limpia. Las piezas a soldar deben de estar limpias.

Se debe utilizar un soldador de la potencia adecuada. Las operaciones a realizar sern, por tanto: Establecer el contacto mecnico entre las partes a soldar. Aplicacin de calor y del hilo de soldar. Retirar el soldador y dejar que la soldadura se enfre naturalmente. Eliminacin del exceso de soldadura y corte del sobrante de terminales.

1.6.6. Transistores unipolares de efecto de campo de unin (JFET)

La corriente se debe a un solo tipo de portadores, que se mueven por un nico tipo de semiconductor. Existe un canal contiguo a los terminales de drenador y fuente. El terminal de puerta rodea el canal. Segn el semiconductor empleado en el canal, existen JFET de canal N o de canal P. Al igual que los transistores bipolares, los JFET se pueden polarizar en modo amplificador y en modo corte/trodo.

2.3. LA sOLdAduRA EN LOs CiRCuiTOs impREsOs

Actualmente, casi todas las placas de circuitos impresos (PCB) comerciales poseen componentes de montaje superficial (SMD) que son difciles de reemplazar si no se cuenta con herramientas adecuadas. La soldadura de componentes SMD en la placa no es realmente una soldadura, puesto que se suele emplear para la unin adhesivos conductores. Son las llamadas pastas de soldadura. En electrnica se usan numerosos tipos de soldadura que parten de medios muy distintos.

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AUTOEVALUACIN
1. Los parmetros fundamentales de una resistencia son: a. Valor nominal, tolerancia, potencia mxima y coeficiente de temperatura. b. Resistividad, valor nominal y capacidad. c. Resistividad, tolerancia y permisividad. d. Valor resistivo, tolerancia y valor lineal. 2. Cuando se aplica una diferencia de potencial entre las armaduras de un condensador: a. Si se trata de tensin continua, no se carga elctricamente, pero con alterna s. b. Si la tensin de entrada es mayor, el condensador se carga, y en caso contrario se descarga. c. En el condensador se acumula una carga elctrica. d. Se carga dependiendo de la impedancia de salida de la fuente de tensin aplicada. 3. El valor de una bobina o inductancia, L, se mide: a. En faradios. b. Si es resistiva, en ohmios; si es inductiva, en flujos magnticos. c. En henrios. d. En radianes. 4. Cuando aumenta la temperatura en un material semiconductor: a. Los electrones disminuyen la movilidad y se recombinan. b. Los electrones saltan de la banda de conduccin a la banda de valencia. c. Los electrones saltan de la banda de valencia a la banda de conduccin. d. Los electrones se sustituyen por huecos en la banda de conduccin. 5. En los semiconductores intrnsecos: a. Los electrones se recombinan con los huecos en la banda de valencia. b. Las concentraciones de electrones y huecos son iguales. c. Los tomos estn unidos por enlace inico. d. Segn las impurezas aadidas, pueden ser de tipo N o P.

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6. La diferencia entre un semiconductor tipo N y tipo p depende de: a. Si se aaden impurezas con carga positiva o negativa. b. Si el nmero de tomos de impurezas aadidas es par (P) o impar (N). c. El nmero de electrones en la ltima capa de los tomos de las impurezas aadidas. d. Si se aaden impurezas con ms huecos (P) o ms electrones (N). 7. un diodo de unin p-N es un monocristal semiconductor donde existen dos regiones: a. Una regin tipo P, llamada diodo positivo, y otra tipo N, llamada diodo negativo. b. Una regin tipo P, denominada nodo, y otra tipo N, denominada ctodo. c. Una regin tipo P, denominada ctodo, y otra tipo N, denominada nodo. d. La regin positiva (P) y la regin negativa (N). 8. El transistor bipolar, en zona de activa de funcionamiento, tiene: a. La unin emisor-base polarizada en directa y la unin colector-base en inversa. b. Un doble diodo que tiene la capacidad de conducir en ambos sentidos. c. La unin base-emisor polarizada en directa y la unin base-colector en inversa. d. La unin base-emisor polarizada en inversa y la unin base-colector en directa. 9. Los terminales de los transistores unipolares se denominan: a. Puerta, drenador y fuente. b. Surtidor, fuente y puerta. c. nodo, ctodo y puerta. d. Base, emisor y colector. 10. Las aleaciones ms comunes para soldadura por fusin mediante calor: a. Suelen ser de cromo-vanadio con ncleo de resina. b. Suelen ser de plomo recubierto de resina. c. Suelen ser de cobre con bajo punto de fusin. d. Suelen ser de estao-plomo o estao-plata y tienen ncleo de resina.