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Pregunta #5.

las caractersticas del colector de un transistor BJT es un grfico de la corriente de salida con respecto al Voltaje de salida para los diferentes niveles de corriente de entrada. las caractersticas de drenaje de un transistor JFET son tambin una parcela de la corriente de salida en comparacin con Voltaje de salida. Sin embargo, las curvas son de diferentes niveles de Voltaje de entrada. para los transistores BJT aumento de los niveles de resultado corriente de entrada en el aumento de los niveles de produccin actuales. para el JFET, el aumento de las magnitudes del resultado de la tensin llave de entrada en los niveles ms bajos de la produccin actual. el espacio entre las curvas de un BJT son lo suficientemente similares para permitir el uso de una versin beta para representar el dispositivo para el anlisis de CC y CA. para el JFET, sin embargo, la distancia entre las curvas de cambios de manera espectacular con el aumento de los niveles de voltaje de entrada que requiere el uso de la ecuacin de Shockley para definir la relacin entre la identificacin y Vgs. Vcsat y Vp definen la regin de la no linealidad para cada dispositivo. que es la operacin a niveles de tensin menor que sea la cantidad se traducir en una respuesta distorsionada, no lineal. 4 - como Vgs se hace ms negativo que el cambio en la identificacin se hace cada vez ms pequeo para el mismo cambio en VGS. 6 .- a) la llave de entrada Ig actual de un JFET es cero ya que el JFET puertafuente es la unin de polarizacin inversa para un funcionamiento lineal, y una unin de polarizacin inversa tiene una resistencia muy alta. b) la llave de entrada imedance del JFET es alta debido a la unin de polarizacin inversa entre la puerta y la fuente. c) la terminologa es adecuada, ya que es el campo elctrico creado por la puerta se aplica a voltaje de la fuente que controla el nivel de consumo de corriente. el campo de plazo es adecuada debido a la ausencia de un camino conductor entre la puerta y la fuente

8 - para un p.channel JFET, todos los polatities tensin en la red se han invertido en comparacin con un dispositivo de canal n. Adems, la corriente de drenaje se ha cambiado de direccin. 24 .- la construccin de un MOSFET de tipo y MOSFET de tipo incremental son idnticas excepto por el dopaje en la regin del canal. en el MOSFET de agotamiento del canal se establece por el proceso de dopaje y que no existe tensin de puerta-a-fuente aplicada. medida que aumenta la tensin de puerta-afuente en la magnitud del canal disminuye de tamao hasta pinch-off se produce. el MOSFET de la mejora no tiene un canal establecido por la secuencia de dopaje, pero se basa en la tensin de puerta-a-fuente para crear un canal. cuanto mayor sea la magnitud de la aplicacin de puerta a fuente de tensin ms grande es el canal disponible.