Está en la página 1de 324

1

S. TARAS



PUSLAIDININKINS IR FUNKCINS
ELEKTRONIKOS TAISAI



















Vilnius 2003

2






S. TARAS




PUSLAIDININKINS IR FUNKCINS
ELEKTRONIKOS TAISAI



Vadovlis elektronikos, automatikos, informatikos ir kit
technologijos moksl krypi studentams










Vilnius 2003



3
UDK 621.38


S.taras. PUSLAIDININKINS IR FUNKCINS ELEKTRONIKOS
TAISAI. Vadovlis elektronikos, automatikos, informatikos ir kit
ininerijos krypi studentams. Vilnius, 2003. 627 p.

Knygoje pateikti puslaidininki fizikos pagrindai, inios apie
puslaidininkinius taisus, integrinius grandynus, o taip pat akustins, optins,
magnetins elektronikos bei informacijos atvaizdavimo taisus.
Leidinys skirtas pagrindini studij studentams, studijuojantiems
elektronikos, automatikos, informatikos, telekomunikacij ininerij.

Recenzavo:
LMA akademikas VU profesorius habil. dr. J. Vaitkus,
LMA akademikas KTU profesorius habil. dr. D. Eidukas,
VGTU Radioelektronikos katedros profesorius habil. dr. R. Kirvaitis,
KTU Taikomosios elektronikos katedros docentas dr. V. Bartkeviius,
VGTU Radioelektronikos katedros docentas dr. . Paulikas.













Knygos rengim parm Lietuvos valstybinis mokslo ir studij fondas



4
Pratarm

1897 metais angl fizikas D. Tomsonas (J. Thomson) atrado
elektron. Po elektrono atradimo pradjo formuotis nauja mokslo ir
technikos sritis elektronika. Per imtmet ji taip verliai vystsi ir
tobuljo, kad siskverb praktikai visas mogaus veiklos sritis.
Pastaruoju metu elektronika tapo besikurianios informacins
visuomens varikliu.
Elektronikos aknys fizikoje. Jos susij su Ampero (Ampere),
Kulono (Coulomb), Faradjaus (Faraday), Gauso (Gauss), Henrio
(Henry), Omo (Ohm), Kirchhofo (Kirchhoff), Maksvelo (Maxwell),
Herco (Hertz) ir kit mokslo gigant vardais. Pirmiausia nuo fizikos
atsiskyr elektrotechnika, paskui nuo jos elektronika.
Elektronika danai apibriama kaip mokslo ir technikos aka,
tirianti ir taikanti elektros krvinink generacijos, judjimo,
rekombinacijos reikinius vakuume, dujose, kietuosiuose knuose ir
taikanti iuos reikinius ir jais pagrstus taisus informacijai apdoroti.
Taigi elektronika, kaip ir elektrotechnika, tiria ir taiko reikinius,
susijusius su elektronais. Taiau elektronik nuo elektrotechnikos
skiria du svarbs skiriamieji bruoai. Pirma, elektrotechnika tiria ir
taiko reikinius, susijusius su elektronais ir elektros srove metaluose,
elektronika su elektron judjimu vakuume, plazmoje, puslaidi-
ninkiuose. Antra, elektrotechnika susijusi su energetika, elektronika
su informacijos apdorojimu.
Sprsdami informacijos apdorojimo ir perdavimo udavinius
iuolaikins elektronikos srities mokslininkai ir ininieriai taiko
naujausius vis mokslo srii pasiekimus. Apdorojant informacij
panaudojami nebe tik elektronai, bet ir kitos dalels fotonai, nebe tik
elektron krviai, bet ir j magnetins savybs. Mikroelektronika
transformuojasi nanoelektronik. Prognozuojama, kad, taikant
nanotechnologijas, informacija bus apdorojama molekuliniame lygyje.
Nanotechnologijos taikys kvantinius reikinius ir reikinius
biologinse sistemose.
Taigi iuolaikin elektronika jau nebetelpa suformuluoto
apibrimo rmus. Siejant su paskirtimi, literatroje angl kalba

5
elektronika kartais apibriama kaip 4C: components (komponentai,
taisai), communication (ryiai), computation (kompiuterija) ir control
(automatika, valdymas).
iame vadovlyje, skirtame elektronikos, automatikos,
telekomunikacij, informatikos ir kit technologijos mokslo krypi
pagrindini studij studentams, pateikiamos inios tik apie
komponentus iuolaikins puslaidininkins ir funkcins elektronikos
taisus, dar neseniai, atsivelgiant veikimo ir sandaros sudtingum
(iuolaikiniuose integriniuose grandynuose sutelpa imtai milijon
element!), vadintus prietaisais.
Vadovl sudaro trys dalys.
Pirmojoje dalyje glaustai pateikiami puslaidininkins elektronikos
fizikiniai pagrindai: nagrinjama puslaidininki sandara, j
krvininkai, kietj kn laidumas, reikiniai pn sandrose,
vairialytse sandrose, metalo-dielektriko-puslaidininkio dariniuose,
aptariamos sandr ir kit darini savybs.
Antrojoje dalyje nagrinjami puslaidininkiniai taisai diodai,
dvipoliai tranzistoriai, tiristoriai, lauko tranzistoriai, integriniai
grandynai, mikrobang puslaidininkiniai taisai.
Treiojoje dalyje apvelgiami funkcins elektronikos taisai. i
dal sudaro akustins elektronikos, optins elektronikos, informacijos
apdorojimo ir magnetoelektronikos tais skyriai.
Btina pastebti, kad svarbiausia vadovlio paskirtis teikti
skaitytojui ini apie iuolaikins elektronikos elementins bazs
principus, kuriuos reikia inoti gilesnse elektronikos, ryi,
kompiuterijos, informatikos, automatikos studijose. Todl pirmojoje
knygos dalyje, atsivelgiant realius studij laiko resursus,
pateikiamos tik trumpos, technologijos moksl studentams
btiniausios puslaidininki fizikos inios. Taikomi supaprastinti
modeliai. Daugeliu atveju, nagrinjant reikinius ir siekiant atskleisti
puslaidininki savybes, remiamasi paprastojo puslaidininkio silicio
pavyzdiais. Todl io vadovlio pirmoji dalis negali bti
pakankama pasirinkusiems fizini moksl srities fizikos krypt. Jiems
yra Vilniaus universiteto mokslinink A. Juodvirio,

6
M. Mikalkeviiaus ir S. Vengrio vadovlis Puslaidininki fizikos
pagrindai.
Dar tenka pastebti, kad iuolaikinje elektronikoje pritaikomos
naujausios vairiausi mokslo srii inios. Todl elektronikos taisai
labai vairs sandaros, veikimo ir savybi poiriais. Taiau visko
viename vadovlyje nemanoma aprpti. Skaitytojas vadovlyje gali
pasigesti ini apie puslaidininkini tais triukmus, isamesni ini
apie integrinius grandynus ir j gamyb, ini apie kai kuriuos
funkcins elektronikos taisus bei informacijos apie konkrei tais
taikomsias savybes. ias ini spragas turt upildyti kiti studij
program kursai ir kiti informacijos altiniai.
Spariai tobuljant elektronikos taisams, labai svarbia problema
tampa nauj lietuvik termin paieka. is darbas labai atsakingas ir
labai reikalingas. Kita vertus, kain ar galima pilnai pateisinti prie
deimtmet pradt elektronikos terminijos revoliucij. Atrodyt, kad
reikia iekoti pavadinim naujiems reikiniams, naujiems taisams, o
vartojam termin keisti tik tuo atveju, kai jis aikiai nevyks, o
naujas neabejotinai geras ir j vartosianiai bendrijai priimtinas.
Taiau u tok konservatyv poir Mikroelektronikos pagrind
vadovlio autoriai (io vadovlio autorius ir prof. R. Kirvaitis)
buvome piktai ibarti.
Prie rengiant vadovl pasirod Radioelektronikos termin
odynas. Jame teisinta daug ger elektronikos srities termin. Taiau
su kai kuriais naujadarais io vadovlio autoriui nepavyko susitaikyti.
Gal, skaitytojas atleis rads senesns kartos termin, kurie buvo
priimtini Fizikos termin odyno, kit leidini autoriams ir jau buvo
sitvirtin praktikoje.
Dkoju Lietuvos valstybiniam mokslo ir studij fondui,
parmusiam knygos rengim. Nuoirdiai dkoju u vertingas
pastabas ir silymus knygos recenzentams LMA akademikui VU
profesoriui J. Vaitkui, LMA akademikui KTU profesoriui habil. dr.
D. Eidukui, VGTU profesoriui habil. dr. R. Kirvaiiui, KTU docentui
dr. V. Bartkeviiui, VGTU docentui dr. . Paulikui, VGTU radio-
elektronikos katedros kolegoms ir studentams.

7
Ypatingai kruopiai knygos rankrat nagrinjo prof. J. Vaitkus.
Jo, kaip vieno i puslaidininki fizikos pradinink Lietuvoje, inomo
mokslininko ir pedagogo, dstanio puslaidininki fizikos klausimus
ne tik Lietuvoje, bet ir usienyje, pastabos buvo labai vertingos ir
padjo ivengti kai kuri netikslum ir fizik poiriu nekorektik
interpretacij. Kita vertus, kelet gerbiamo recenzento pastab ir
silym atsivelgta nepilnai. Knygos autorius laiksi nuomons, kad
teikiama informacija turi atitikti vartotojo pasirengim j priimti ir
interesus. Todl ioje knygoje, kaip ir daugumoje technologijos
moksl krypties studentams skirt vadovli, neatsisakyta kai kuri
supaprastint modeli ir interpretacij.
Bsiu dkingas visiems, kurie prane apie pastebtus trkumus ir
klaidas ir teiks silymus, kaip tobulinti ini apie iuolaikik
elektronikos tais teikim.

S.taras

El. patas: stanislovas.staras@el.vtu.lt






Pagrindiniai ymenys

A darbas
a pagreitis
B magnetin indukcija; informacijos perdavimo greitis
b kanalo storis
C talpa
c viesos greitis
D difuzijos koeficientas; barjero skaidrumo koeficientas; elektrinio
lauko indukcija; viesos dispersijos parametras
d nuskurdintojo sluoksnio storis
E elektrinio lauko stipris; elektrovara
e elektrono krvis; natrinio logaritmo pagrindas
F jga
f danis; pasiskirstymo funkcija;
B
f Maksvelo ir Bolcmano
pasiskirstymo funkcija;
F
f Fermio ir Dirako pasiskirstymo
funkcija
G generacijos koeficientas; laisvoji Gibso energija; skiriamoji geba
g aktyvusis laidumas; bsen tankis; viesos stiprinimo
koeficientas
H tranzistoriaus parametras; elektron pluoto nuokrypis ekrane
h tranzistoriaus parametras; ) (t h impulsin charakteristika
h Planko konstanta; 2 / h = h
I srovs stipris
i momentinis srovs stipris
J srauto tankis
j srovs tankis;
n
j ir
p
j elektronins ir skylins srovi tankiai;
D
j ir
E
j difuzins ir dreifins srovi tankiai
j
1
K koeficientas; perdavimo koeficientas; ) ( j K perdavimo
funkcija; ) ( K danin amplituds charakteristika
k bangos skaiius; reakcijos greiio konstanta, sveikasis skaiius
k Bolcmano konstanta
L difuzijos nuotolis; Debajaus ekranavimo nuotolis; judesio kiekio


momentas
l orbitinis kvantinis skaiius; ilgis
m mas;
n
m ir
p
m elektrono ir skyls efektins mass
N skaiius; daleli skaiius; pasiskirstymo funkcija; priemaios
koncentracija;
A
N Avogadro skaiius;
a
N akceptorini
priemai koncentracija;
d
N donorini priemai koncen-
tracija;
c
N efektinis laidumo juostos lygmen tankis;
v
N
efektinis valentins juostos lygmen tankis
N elektroninis puslaidininkis su plaia draudiamja juosta
n kvantinis skaiius; elektron koncentracija (tankis); lio
rodiklis
n elektroninis puslaidininkis
P tikimyb, galia
P skylinis puslaidininkis su plaia draudiamja juosta
p skyli koncentracija (tankis); impulsas; slgis; periodas
p skylinis puslaidininkis
Q elektros krvis; legiravimo doz; elektrin kokyb
q elementarusis krvis
R elektrin vara; atspindio koeficientas; rekombinacijos
koeficientas
R Rydbergo konstanta
r elektrin vara; spindulys
S plotas; jautris
T absoliuioji temperatra; virpesi periodas
t laikas
U elektrin tampa;
k
U kontaktinis (slyio) potencial skirtu-
mas
u momentin elektrin tampa; bsen skaiius
V tris
v greitis
W energija;
p
W potencin energija;
k
W kinetin energija;
F
W Fermio energija; W draudiamosios juostos plotis;
v
W valentins juostos virutinio lygmens energija;
c
W
laidumo juostos dugno energija;
a
W aktyvacijos energija
Y kompleksinis (pilnutinis) laidumas
Z kompleksin (pilnutin) vara


statinis emiterio srovs perdavimo koeficientas
diferencialinis emiterio srovs perdavimo koeficientas;
slopinimo koeficientas; temperatrinis koeficientas; kampas
statinis bazs srovs perdavimo koeficientas
diferencialinis bazs srovs perdavimo koeficientas; fazs
koeficientas
emiterio efektyvumas, sklidimo konstanta
pokytis; F praleidiamj dani juostos plotis
Laplaso operatorius
nuokrypis
dielektrin skvarba
0
elektrin konstanta
naudingumo koeficientas; kvantinis naumas
bangos ilgis
judrumas (judris); cheminis potencialas; magnetin skvarba
0
magnetin konstanta
viesos virpesi danis
savitoji vara; elektros krvio tankis; spinduliuots spektrinis
tankis
savitasis laidumas; vidutinis kvadratinis nuokrypis
laiko konstanta; krvinink gyvavimo trukm
srautas
elektrinis potencialas; kampas; faz; ) ( danin fazs
charakteristika
, bangin funkcija
kampinis danis


judrs krvininkai
nejudrs jonai






00. Pratarme200308 2003.08.18 14:00



1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
10

1. KIETJ KN SANDARA IR ENERGIJOS JUOSTOS

Kietieji knai pasiymi formos ir matmen pastovumu. Pagal
elektrin laidum normalioje temperatroje jie skirstomi laidininkus,
puslaidininkius ir izoliatorius. Kietj kn savybes lemia mediag
sandaros ypatumai.
iame skyriuje aptarsime atom sveik kietuosiuose knuose,
kietj kn kristalines gardeles, kietj kn elektron energijos
spektrus ir laidinink, puslaidininki bei izoliatori juostini modeli
ypatumus. Didiausias dmesys bus skiriamas paprastiesiems
puslaidininkiams j sandarai ir modeliams.

1.1. Atom sveika kietuosiuose knuose

Susidarant kietajam knui, atsiranda tarpatominiai (cheminiai)
ryiai. Ryio jgos atsiranda dl elektros krvi sveikos.
Atsivelgiant prigimties ypatumus, ryiai skirstomi joninius,
kovalentinius, metalikuosius ir molekulinius.
Joniniai ryiai susidaro, kai vien atom valentiniai elektronai
pereina kitus atomus. Susidariusi prieingo krvio jon (pvz., Na
+
ir
Cl

jon) tarpusavio elektrin trauka ir lemia ry. Ryio stiprum


nusako ryio energija. Ryio energija tai kiekis energijos, kuri
isiskiria susidarant ryiams. Joniniai ryiai yra stiprs ryiai. J ryio
energija siekia imtus ir net tkstanius kilodauli moliui. Todl
joniniai kristalai mechanikai stiprs, kieti, lydosi tik auktose
temperatrose. Kadangi joniniuose kristaluose nra laisvj elektron,
jiems bdingas tik nedidelis joninis laidumas.
Kai kuri mediag molekulse (pvz., H
2
, O
2
, N
2
, ) neutralius
atomus sieja kovalentiniai ryiai. Kovalentini ryi prigimt
paaikina kvantin mechanika. Trumpai aptarkime, kaip susidaro
kovalentinis ryys tarp dviej vandenilio atom.
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
11
Suartjant dviem vandenilio atomams, didja tikimyb, kad vieno
atomo elektronas atsidurs greta kito atomo. Kai atstumas tarp atom
sumaja iki 0,1 nm, j elektronai tampa bendri. Jeigu elektron
sukiniai yra prieing enkl, padidja tikimyb rasti iuos elektronus
erdvje tarp branduoli. Bdami tarp branduoli, elektronai, kaip
neigiami krviai, traukia teigiamus branduolius. Taip atsiranda
kovalentinio ryio jga. Taigi kovalentiniai ryiai atsiranda tada, kai
susidaro bendros gretimiems atomams elektron poros.
Kietuosiuose knuose kovalentiniai ryiai vyrauja atominiuose
kristaluose, turiniuose deimanto tipo kristalin gardel. Deimantas
sudarytas i anglies atom, turini po keturis valentinius elektronus.
Deimanto gardelje kiekvien atom supa keturi artimiausieji atomai.
Kovalentiniai ryiai susidaro, atsiradus bendroms gretim atom
valentini elektron orbitoms. Vien orbit uima du elektronai su
prieingais sukiniais (1.1 pav.).
Deimanto tipo gardel bdinga ir paprastiesiems puslaidinin-
kiams siliciui ir germaniui.
Kovalentini ryi energija didel imtai kilodauli moliui.
Todl daugumai atomini kristal bdingas didelis mechaninis
atsparumas, kietumas, j lydymosi temperatros auktos. Kadangi
kovalentinio ryio nuotolis nedidelis, atominiai kristalai yra traps.
Pagal elektrines savybes
deimantas laikomas izoliatoriumi,
silicis ir germanis yra
puslaidininkiai. Nedidel elektrin
laidum lemia tai, kad
pamintuose kristaluose beveik
nra laisvj elektron.
Metaluose tarp atom
dominuoja metalikieji ryiai.
Metalo atomams suartjant,
atom valentiniai elektronai
tampa laisvi ir gali judti tarp
jon netekusi elektron
atom. Neigiami elektronai



1.1 pav. Deimanto valentini
elektron orbitos supaprastintas
(plokiasis) modelis
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
12
traukia teigiamus jonus. Taip ir atsiranda metalikj ryi jgos.
Metalikj ryi energija taip pat didel imtai kilodauli
moliui. Todl dauguma metal yra mechanikai atspars, kieti,
pasiymi auktomis lydymosi temperatromis. Metalikieji ryiai
nenutrksta net tada, kai atomai gerokai pasislenka vienas kito
atvilgiu. Todl metalikieji kristalai yra plastiki. Metaluose daug
laisvj elektron, todl jiems bdingas didelis elektrinis laidumas.
Molekuliniai ryiai (dl Van der Vaalso, dispersini jg,
dipolins sveikos) susidaro kristaluose i inertini duj atom arba
neutrali molekuli. Jie yra silpni. Kietieji knai, kuriuose vyrauja
molekuliniai ryiai, lengvai deformuojami, lydosi emose
temperatrose. Pagal elektrines savybes jie dielektrikai.
Atom traukos jgos didja, majant atstumui tarp
sveikaujani atom (1.2 pav.). Pavyzdiui, joninio ryio atveju
traukos jga pagal Kulono dsn ireikiama formule
2
2
tr
4
q
r
F

= ;
ia q elementarusis krvis ( q e = , e elektrono krvis)
dielektrin skvarba, r atstumas tarp sveikaujani atom.
Taiau atom traukos jgos nra vienintels. Kai atstumas tarp
atom maja ir suartja gretim atom elektron apvalkalai, pradeda
veikti atom stmos jgos.
Jos neleidia vieno atomo
elektronams siskverbti
kito atomo elektronin
apvalkal. Majant atstu-
mui tarp atom, stmos jga
st
F spariai stiprja (1.2
pav.). Esant tam tikram
atstumui
0
r tarp atom,
traukos ir stmos jgos
atsveria viena kit,
atstojamoji jga

F tampa
lygi nuliui.


F
Fst
Ftr
F
r
r0
0

1.2 pav. Tarpatomini jg priklauso-
mybs nuo atstumo tarp sveikaujani
atom
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
13
Nutol atstumu
0
r vienas nuo kito atomai yra pusiausvyros
bsenoje. Todl, susidarant kietajam knui, atomai isidsto
tvarkingai atstumu
0
r vienas nuo kito. Jeigu pasireikia tik artimoji
tvarka, kietasis knas yra amorfinis. Jeigu tvarkinga vidin struktra
yra visame kietajame kne, tai jis yra kristalas. Toliau nagrinsime tik
kristalinius kietuosius knus.

1.2. Kristalins gardels

Aikinantis vidin kristal struktr, jie modeliuojami
kristalinmis gardelmis. Kristalin gardel tai erdvinis tinklelis,
kurio mazgai sutampa su kristalo atom arba molekuli centrais.
Kristalin gardel sudaro elementars narveliai (1.3 pav.).
Bendruoju atveju elementariojo
narvelio briaunos yra nevienodo ilgio
ir kertasi skirtingais kampais. Trkiais
ir lygiagreiais poslinkiais kartojant
(transliuojant) elementarj narvel,
susidaro erdvin gardel.
Jeigu gardels mazgai yra tik
elementariojo narvelio virnse
(1.4 pav., a), tai toks narvelis vadina-
mas paprastuoju arba primityviuoju, o
pati gardel paprastja arba
primityvija. Kiekvienam paprastajam
narveliui tenka vienas mazgas.
Kartais kristalo sandara ir simetrija geriau irykja nagrinjant
ne paprastj, o sudtingj narvel, kuriame mazgai yra ne tik
virnse. Sudtingi kubiniai narveliai atvaizduoti 1.4 paveiksle, bd.
Centruotojo trio narvelyje (1.4 pav., b) be mazg narvelio virnse
yra mazgas narvelio centre. Centruotojo pagrindo narvelyje
(1.4 pav., c) papildomi mazgai yra dviej prieing sieneli centruose,
centruotojo paviriaus narvelyje (1.4 pav., d) kiekvienos sienels
centre.


x
a
y
b
z
c



1.3 pav. Elementarusis kris-
talins gardels narvelis
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
14
1848 metais O.Brav
(Bravais) rod, kad gali bti
tik 14 skirting erdvini
kristalini gardeli. Todl
kristalins gardels dar
vadinamos Bravs gardel-
mis.
Kristalo gardelje visada
galima rasti paprastj
narvel. Sudarytos i
sudting narveli gardels
kartu yra ir paprastosios
gardels. Tuo galima sitikinti
atitinkamai parinkus vekto-
rius a , b ir c (1.5 pav.).
Paprasiausiu atveju gardels mazguose yra pavieniai atomai.
Taiau mazguose gali bti keli atom arba molekuli grups. Tokia
grup vadinama struktros elementu arba baze. Taigi, norint isamiai
apibdinti kristalo sandar, dar reikia nurodyti, kaip sudaryta baz.
Paprastiesiems puslaidininkiams germaniui ir siliciui bdinga
deimanto tipo gardel. Deimanto tipo gardels baz sudaryta i dviej
atom. i gardel galima sivaizduoti kaip dvi sudarytas i vienod
atom ir statytas viena kit centruotojo paviriaus kubines gardeles,
perstumtas viena kitos atvilgiu per ketvirt trins striains.
Kiekvien atom deimanto
tipo gardelje supa keturi
artimiausi atomai. J
isidstymas erdvje paro-
dytas 1.6 paveiksle, a.
Sudtini puslaidininki,
sudaryt i periodins ele-
ment sistemos treiosios ir
penktosios grups element,
gardels baz sudaryta i
dviej skirting atom (pvz.,


a b
c d

1.4 pav. Paprastasis (a) ir sudtingieji
(bd) kubiniai narveliai




1.5 pav. Paprastojo narvelio vektori
kryptys centruotojo pagrindo narve-
lyje
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
15
Ga ir As). Sudtini pus-
laidininki kristal gardeles
galima sivaizduoti kaip dvi
skirting atom centruotojo
paviriaus gardeles, statytas
viena kit ir perstumtas viena
kitos atvilgiu per ketvirt trins
striains. Tokios gardels
vadinamos cinko blizgio (ZnS)
arba sfalerito tipo gardelmis.
iose gardelse vieno tipo atom
supa keturi artimiausi kito tipo atomai.
Kai vliau isamiau nagrinsime puslaidininkius, j erdviniai
modeliai bus pernelyg sudtingi. Todl taikysime supaprastintus
plokiuosius modelius. Paprastojo puslaidininkio plokiojo
modelio fragmentas parodytas 1.6 paveiksle, b. Pagal supaprastint
model puslaidininkio atom supa taip pat keturi artimiausieji atomai,
tik visi atomai yra vienoje ploktumoje.
1.1 uduotis
Kristalin gardel deimanto tipo, jos konstanta a. Raskime atom skai-
i, tenkant gardels narveliui, atstum tarp artimiausi atom ir atomin
spindul.
Sprendimas
Kiekvienas paprastosios gardels mazgas priklauso 8 gretimiems
narveliams. Vienam narveliui tenka 8 (1/8)=1 mazgas.
Centruotojo paviriaus narvelio sienels centre esantis mazgas priklauso
dviem gretimiems narveliams. Dl mazg, esani sieneli centruose,
narveliui tenka 6(1/2)=3 mazgai. I viso centruotojo paviriaus narveliui
tenka 1+3=4 mazgai.
Deimanto tipo gardel sudaryta i dviej centruotojo paviriaus
gardeli, Todl vienam jos narveliui tenka 24=8 atomai.
Jeigu kubo briauna a, tai jo erdvins striains ilgis 3 a . Artimiau-
sieji atomai deimanto tipo gardelje yra nutol vienas nuo kito, kaip seka i
gardels apibdinimo ir 1.6 paveikslo, a, per ketvirt erdvins striains.
Taigi atstumas tarp j yra 4 / 3 a .


a b

1.6 pav. Deimanto tipo gardels
narvelio fragmentas (a) ir jo
plokiasis modelis (b)
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
16
Kartais kietojo kno gardels mazgai modeliuojami besilieianiais
rutuliais. Rutulio spindulys vadinamas atominiu spinduliu. Kadangi atstumas
tarp artimiausi atom centr yra 4 / 3 a , tai atominis spindulys lygus
8 / 3 a .
Dar aptarkime, kaip kristalografijoje ymimi mazgai, kryptys ir
ploktumos.
Su gardels narvelio briaunomis paprastai sutapdinamos
koordinai ays. Tada paprastosios gardels mazg koordinats
ireikiamos taip: ma x = , nb y = , pc z = ; ia m, n , ir p sveikieji
skaiiai. Kai gardels parametrai a , b ir c inomi, mazgo padt
galima nusakyti skaii m, n , ir p rinkiniu. Tai mazgo kristalo-
grafiniai indeksai. Jie raomi dvigubuose lautiniuose skliaustuose:
]] [[mnp .
Krypt kristale galima nusakyti
spinduliu, ieinaniu i koordinai
sistemos pradios. Krypt visikai
nusako indeksai pirmojo mazgo, per
kur eina spindulys. Kryptis ymima
taip: ] [uvw . Kai kuri krypi
indeksai nurodyti 1.7 paveiksle.
Minuso enklas raomas vir
indekso. Visos lygiagreios kryptys
ymimos simboliu uvw .
Jei ploktuma koordinai
ayse atkerta atkarpas ma , nb , pc , tai jos lygt galima urayti itaip:
;
; 1
D lz ky hx
p
z
n
y
m
x
= + +
= + +

ia D bendras vardiklis.
Maiausi sveikieji skaiiai h , k , l , kuri santykiai
) / 1 ( : ) / 1 ( : ) / 1 ( : : p n m l k h = , vadinami ploktumos indeksais. Taip



[ 1 1 0]

0

[110]

[1 0 0]

[1 0 1 ]

x

y

z



1.7 pav. Kai kuri krypi
indeksai
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
17
nustatyt ploktumos indeks skaitins reikms sutampa su normals
ploktumai, kaip krypties, skaitiniais indeksais.
Ploktuma ymima ) (hkl , lygiagrets ploktumos ymimos } {hkl .
Jei ploktuma lygiagreti koordinai aiai, tai t a atitinkantis
indeksas lygus 0. Kai kuri ploktum indeksai nurodyti
1.8 paveiksle.
Kristalografiniai ploktum ir krypi indeksai dar vadinami
Milerio (Miller) indeksais.
1.2 uduotis
Raskime ilgius atkarp, kurias koordinai ayse atkerta kristalografins
ploktumos, kuri indeksai (213) ir (210).
Sprendimas
Uraome ploktum lygtis:
D z y x = + + 3 1 2 ir C z y x = + + 0 1 2 .
ias lygtis galime taip perrayti:
1
2 6 3
= + +
z y x
ir 1
2 1
=

+ +
z y x
.
Tuomet ploktuma (213) atkerta ayse atkarpas, kuri ilgiai 3a, 6a, 2a,
antroji ploktuma ayse x ir y atkerta atkarpas a, 2a ir yra lygiagreti z aiai;
ia a gardels konstanta.

x
y
z
x
y
z
x
y
z
(110) (100) (111)
a b c

1.8 pav. Kai kuri ploktum indeksai
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
18

1.3. Kristal defektai

Realiuose kristaluose bna defekt. Kristal defektai tai
monokristal periodins sandaros paeidimai. Defektai skirstomi
dinaminius ir statinius.
Dinaminiai defektai pasireikia dl kristalins gardels mazg
ilumini virpesi apie pusiausvyros padtis. rodoma, kad kristalo
gardels virpesi energij
k
W galima ireikti normalij
(nepriklausom) virpesi energij suma:

+ =
i
i i
n W
2
1
k
h ; (1.1)
ia
i
normalij i-ojo tipo virpesi danis,
i
n sveikasis skaiius.
I formuls aiku, kad tam tikro tipo virpesi energija gali keistis
tik kvantais
i
h , kurie vadinami fononais. Fonon galima laikyti
kvazidalele (lot. quasi beveik, tartum), kurios energija
i
h , o impul-
sas
i
k p h = ; ia 2 / h = h , h Planko (Planck) konstanta,
/
i i
k v = bangos skaiius, v virpesi sklidimo greitis. Remiantis
fonono svoka, daugeliu atveju kristal galima nagrinti kaip
kvazidaleli fonon sistem. Fonon sistemos energija lygi kietojo
kno virpesi energijai.
Statiniai kristal defektai gali atsirasti auginant kristal. Jie
skirstomi nulinius, vienmaius, dvimaius ir trimaius.
Nuliniai, arba takiniai kristalo defektai gali atsirasti auktoje
temperatroje. Atom ilumini virpesi energija kristale pasiskirsto
netolygiai. Kai kurie atomai gali gyti tiek energijos, kad jos pakanka
suardyti ryiams su gretimais atomais. Tokie atomai kristale ilekia i
gardels mazgo. Kristale atsiranda tuias mazgas (vakansija) ir
dislokuotas tarp mazg atomas (1.9 pav., a). Tokio tipo defektai
vadinami Frenkelio () defektais.
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
19
Vakansija gali atsirasti,
igaravus atomui auktoje
temperatroje i kristalo
pavirinio sluoksnio. Po to ji
gali skverbtis kristal
(1.9 pav., b) Tokio tipo
defektai vadinami otkio
(Schottky) defektais.
Takini defekt prie-
astimi dar gali bti kito tipo
priemai atomai arba
jonai gardels mazguose arba
tarpmazgiuose (1.10 pav.).
Vienmaiai, arba lini-
jiniai defektai dar vadinami
dislokacijomis. Dislokacijos
apima keli imt ar tks-
tani gardels period sritis.
Kristalo viduje nutrkus vie-
nai kristalo atominei ploktu-
mai, susidaro kratin dislo-
kacija (1.11 pav., a), kurios
ais yra atomins pus-
ploktums kratas AB.
Dl vienos kristalo dalies
lyties kitos kristalo dalies
atvilgiu atsiranda sraigtin
dislokacija. Sraigtins dislo-
kacijos atveju atomins
ploktumos susijungia, suda-
rydamos sraigtin paviri
(1.11 pav., b). Aplink sraig-
tins dislokacijos a AB
ploktuma kyla arba leidiasi
sraigto ingsniu, lygiu


a b


1.9 pav. Frenkelio (a) ir otkio (b)
defektai dvimatje gardelje


a b


1.10 pav. Priemai atom sukelti
defektai


a b
A
B
A
B


1.11 pav. Atomini ploktum
defektai kratins (a) ir sraigtins (b)
dislokacij atvejais
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
20
atstumui tarp atomini ploktum.
Dvimaiai, arba paviriniai defektai atsiranda dl kristalo
periodins struktros nutrkimo kristalo paviriuje. Kita pavirini
defekt prieastis kristalo pavirinio sluoksnio uterimas, veikiant
deguoniui, vandens garams ir kitiems aplinkos veiksniams. Dar gali
bti ir vidiniai paviriniai defektai polikristalus sudarani
monokristalini grdeli paviriuose.
Kiauryms ir kanalai kristalo viduje laikomi trimaiais, arba
triniais defektais. Jie susidaro trkstant atom arba esant kristale duj
ar priemai intarpams.

1.4. Atom elektron savybs

Elektronai yra mikrodalels ir pasiymi daleli ir bang
savybmis. Pagal de Broil (de Broglie) mikrodalel, kurios mas m,
energija W ir impulsas p , atitinka banga, kurios danis ir bangos
ilgis , ireikiami formulmis
h / p =
, (1.2)
h / W = ;
(1.3)
ia h Planko konstanta; h / 2 = h .
Elektronus, kaip mikrodaleles, atitinkanios de Broilio bangos yra
tikimybinio pobdio.
Mikrodalelms bdingas koordinats ir greiio neapibrtumas.
Heizenbergas (Heisenberg) nustat, kad h p x ir h t W ; ia
x , p ir W yra mikrodalels koordinats, judesio kiekio (impulso)
ir energijos neapibrtumai, t laiko intervalas, kuriame mikro-
dalels energija yra intervale nuo W iki W W + .
Dl neapibrtumo nemanoma tiksliai rasti mikrodalels
koordinats ir impulso. Taigi koordinat ir impulsas negali isamiai
apibdinti mikrodalels bsenos. Kadangi mikrodalelei bdingos
bangins savybs, mikrodalel galima aprayti kaip bang j
atitinkania bangine funkcija ) , , , ( t z y x . Mikrodalel atitinkani
bangin funkcij galima rasti sprendiant redingerio (Schrdinger)
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
21
lygt. Fizikin prasm turi ne pati bangin funkcija, o jos modulio
kvadratas
2
) , , , ( t z y x . Jis proporcingas tankiui tikimybs rasti
mikrodalel nagrinjamame erdvs take x , y , z laiko momentu t .
Jeigu mikrodalels potencin energija nekinta laikui bgant, re-
dingerio lygtis sprendiama kintamj atskyrimo metodu bangin
funkcija ireikiama dviej funkcij, kuri viena priklauso tik nuo
koordinai, o kita tik nuo laiko, sandauga:
) ( ) , , ( ) , , , ( t z y x t z y x = .
Jeigu mikrodalels neveikia iorins jgos, ji yra laisva. Tuomet
dalels potencin energija lygi nuliui, ir bendrosios redingerio lygties
sprendinys, kai mikrodalel juda vienmatje erdvje, yra toks:
[ ] [ ] ) ( j exp ) ( j exp ) , ( t kx B t kx A t x + + = ; ia A ir B koeficientai,
/ 2 = k bangos skaiius; ir mikrodalel atitinkanios de
Broilio bangos kampinis danis ir ilgis. Sprendinys reikia dviej
plokij bang superpozicij. Pirmasis dmuo aprao krintanij
bang, sklindani x kryptimi, antrasis atspindtj bang, sklin-
dani prieinga kryptimi.
Laisvosios mikrodalels ir j atitinkanios de Broilio bangos
greiiai yra susieti: bangos fazinis greitis 2 / /
f
v k v = = , grupinis
greitis v k v
g
= = /d d ; ia v dalels greitis.
Laisvoji dalel gali gyti bet koki kinetin energij jos
energijos spektras yra itisinis.
Sprendiant redingerio lygt mikrodalelei, kuri sutinka
potencialo barjer, gaunama, kad mikrodalel gali atsispindti nuo
emo barjero. Atspindio tikimyb priklauso nuo mikrodalels
energijos ir potencialo barjero aukio santykio. Kuo auktesnis
barjeras, tuo didesn atspindio tikimyb. Prie atsispinddama nuo
aukto potencialo barjero mikrodalel j iek tiek siskverbia. Todl
galimas tunelinis efektas: mikrodalel gali prasiskverbti per aukt ir
plon potencialo barjer.
Sprendiant redingerio lygt mikrodalelei, kuri yra potencialo
duobje, gaunama, kad mikrodalels energijos spektras yra diskreti-
nis mikrodalel gyja tik tam tikras kvantuotas energijos reikmes.
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
22
Mikrodalels, esanios be galo gilioje vienmatje staiakampje
duobje, energija ireikiama formule
;
8
h
2
2
2
n
ma
W
n
= (1.4)
ia n = 1; 2; 3... kvantinis skaiius, nusakantis dalels bsen; m
dalels mas, a duobs plotis.
Atomas elektronui yra trimat potencialo duob. Elektrono
bsena atome nusakoma keturiais kvantiniais skaiiais pagrindiniu
kvantiniu skaiiumi n ( n = 1; 2; 3; ...), orbitiniu kvantiniu skaiiumi l
( l = 0; 1; 2; ... ; 1 n ), magnetiniu kvantiniu skaiiumi
l
m
(
l
m = l ; ) 1 ( l ; ... 1 ; 0; 1; ... ; l ) ir sukinio kvantiniu skaiiumi
s
m (
s
m = 1/2; 1/2).
Vandenilikajame atome esanio elektrono energija priklauso nuo
pagrindinio kvantinio skaiiaus n:
; / Rhc
2 2
n Z W
n
= (1.5)
ia Z sveikasis skaiius, nusakantis branduolio krv Zq (q
elementariojo krvio absoliuioji vert); R Rydbergo (Rydberg)
konstanta.
Daugiaelektroninio atomo elektrono energija yra dviej pirmj
kvantini skaii ( n ir l ) funkcija.
Pagal Paulio (Pauli) draudimo princip vienoje kvantinje
sistemoje negali bti dviej elektron su tais paiais keturiais
kvantiniais skaiiais.
Taigi atomuose elektronai uima leidiamosios energijos
lygmenis. Isamesnes inias apie atom elektron savybes ir atom
elektronines struktras galima rasti 1 priede.

1.5. Elektronai kristale

Dabar isiaikinkime, kaip kinta elektron energijos spektras,
suartjant atomams i laisvj atom susidarant kietajam knui.
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
23
Siekdami paprasiau atskleisti sudting fizikini reikini esm,
pasitelkime supaprastintus modelius.
Pradioje nagrinkime du natrio atomus. Natris periodinje
element sistemoje 11-asis elementas. Natrio atomo elektronin
struktra:
1 6 2 2
s 3 p 2 s 2 s 1 .
Kol atstumas tarp atom didelis, j sveikos galima nepaisyti ir
laikyti tuos atomus laisvaisiais. 1.12 paveiksle, a, parodyti natrio
atom elektron potencins energijos
p
W priklausomybs nuo
elektron nuotoli r nuo branduoli grafikai ir elektron energijos
lygmenys, kai atstumas tarp atom d daug didesnis u atstum a tarp
atom kristale. I paveikslo matyti, kad atom elektronai yra
potencialo duobse, atom elektronus skiria aukti ir plats potencialo
barjerai. Barjer auktis elektronams nevienodas: kuo emesnis
lygmuo, kur uima elektronas, tuo auktesnis barjeras. Kai a d >> ,


3 s
1
W
W
p
1 s
2
2 s
2
2 p
6
d>>a
r
W

a

3 s
W
r
2 p
2
2 s
2
1 s
2
d=a

b

1.12 pav. Elektronai atomuose, kai nuotolis d tarp atom didelis (a) ir
kai a d (b)
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
24
barjer storis apytikriai lygus d .
Aukt didelio storio barjer elektronai negali veikti, todl
nutolusi atom elektronai nesveikauja.
1.12 paveiksle, b, parodyti grafikai, apibdinantys elektron
bsenas suartjusiuose atomuose (kai a d ). I paveikslo matyti, kad,
suartjant atomams, sumaja ne tik potencialo barjer tarp atom
plotis, bet ir j auktis. Uimantiems lygmen 3s valentiniams
elektronams potencialo barjeras erdvje tarp atom tampa emas. ie
elektronai atom sistemoje tampa laisvais.
Kristale, sudarytame i N atom lygmen 3s turt uimti N
elektron. Taiau tai prietarauja Paulio draudimo principui: lygmen
3s gali uimti tik du elektronai. Sprendiant prietaravim rodyta,
kad kristale Paulio draudimo principas galioja. Mat dl atom
sveikos kristale leidiamosios energijos lygmenys iplinta
(1.12 pav, b) ir i j susidaro energijos juosta, sudaryta i ) 1 2 ( + l N
vienas arti kito esani polygmeni.
Lygmen iplitimo laipsnis priklauso nuo j padties (1.13 pav.).
Kuo energijos lygmuo emesnis, tuo maiau jis iplits, nes
elektronus, uimanius emesnius lygmenis skiria auktesni
potencialo barjerai. Todl emesni lygmen elektron sveika yra
silpnesn. Ji gali pasireikti tik dl tunelinio efekto.
Virutini energijos
lygmen iplitim galima
pagrsti ir kitaip. Elektronai,
uimantys virutinius ener-
gijos lygmenis, kristale yra
laisvi. Jie gali judti vairiais
greiiais. Todl j leidia-
mj energijos reikmi
diapazonas yra iplits. Dar
svarbu pastebti, kad
lygmenys iplinta juostas
nepriklausomai nuo to, ar
atitinkamuose lygmenyse yra
elektron, ar j nra.


W
3s
2p
pp
2s
d
d = a
W a


1.13 pav. Leidiamosios energijos
lygmen plitimas, susidarant kietajam
knui
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
25
Taigi, susidarant i izoliuot
atom kristalui, leidiamosios
energijos lygmenys virsta leidia-
mosiomis energijos juostomis.
Tarp leidiamosios energijos juost
yra draudiamosios energijos
juostos. Grynojo kristalo elektronai
negali gyti energijos, esanios
draudiamosios energijos juostoje.
Didjant energijai, leidiamosios
energijos juostos platja, todl
draudiamosios juostos tampa vis siauresns.
Taigi darome ivad, kad kristale esani elektron energij
spektrui bdingas juostinis pobdis.
Analogikas ivadas galima gauti remiantis kvantine mechanika
sprendiant redingerio lygt. Siekiant, kad redingerio lygties
sprendimas bt paprastesnis, taikomas Kronigo (Kronig) ir Peni
(Penney) pasilytas supaprastintas kristalo modelis, atvaizduotas
1.14 paveiksle. Pagal model elektronas, kurio energija
k
W , yra
vienmatje erdvje, kurioje periodikai pasikartojanias, modeliuo-
janias atomus potencialo duobes skiria periodiniai potencialo bar-
jerai.
Jei barjero auktis lygus nuliui,
elektronas yra laisvas. iuo atveju,
kaip parodyta 1 priede, elektrono
energija ireikiama formule:
m
p
m
k
m
W
2 2
h
2
2
2
2
2
2
k
= = =

h
; (1.6)
ia elektron atitinkanios de
Broilio bangos ilgis; / 2 = k
bangos skaiius; p impulsas.
Pagal (1.6) sudarytas kinetins
energijos priklausomybs nuo
bangos skaiiaus grafikas pateiktas

W
0 a x
W
b
Wk
Wp


1.14 pav. Supaprastintas kris-
talo atom modelis periodi-
ns potencialo duobs


-3 -2 -1 0 1 2 3
0
Wk Wk
ka/


1.15 pav. Laisvojo elektrono
kinetins energijos priklauso-
myb nuo bangos skaiiaus ir
leidiamosios energijos spekt-
ras
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
26
1.15 paveiksle. Laisvojo elektrono energijos spektras yra itisinis
elektrono kinetin energija gali gyti bet koki reikm.
Jeigu erdv, kaip kristale, sudaryta i potencialo duobi,
spendiant redingerio lygt gaunama, kad elektrono kinetins
energijos priklausomyb nuo bangos skaiiaus tampa sudtingesn
(1.16 pav.). Priklausomybs ) (
k
k W kreiv yra trki. Elektrono
energijos spektras yra juostinio pobdio sudarytas i leidiamosios
ir draudiamosios energijos juost.

1.6. Elektrono efektin mas

Sakykime, kad kristale sudarytas elektrinis laukas. Jis veikia
elektron jga F . Juddamas greiiu
g
v v = , kelyje x d elektronas
gyja papildomos energijos:
t Fv x F W d d d
g
= = . (1.7)
vertindami, kad bangos grupinis greitis k v /d d
g
= ir de Broilio
bangos danis h / W = , (1.7) formul galime perrayti taip:
t
k
W
F W d
d
d 1
d
h
= .
Tada


-3 -2 -1 0 1 2 3
W
k
W
k

Leidia-
mosios
juostos
Draudia-
mosios
juostos
ka/
1.16 pav. Kristalo elektrono energijos priklausomybs nuo bangos
skaiiaus pobdis ir energijos spektras
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
27
h
F
t
k
=
d
d
. (1.8)
Elektrono pagreiio, kaip greiio ivestins, iraik galime taip
pertvarkyti:
t
k
k
W
k t
W
k t t
v
t
v
a
d
d
d
d 1
d d
d 1
d d
d
d
d
d
d
2
2 2 2
g
h h
= = = = =

. (1.9)
ra (1.8) (1.9), gauname:
n
2
2
2
d
d 1
m
F
F
k
W
a = =
h
; (1.10)
ia
n
m elektrono efektin mas
kristale.
Pagal (1.10) elektrono efektin
mas
2 2
2
n
/d d k W
m
h
= . (1.11)
Jeigu elektronas laisvas, jo
energija ireikiama (1.6) formule.
Tada m k W / /d d
2 2 2
h = ir m m =
n
.
Taigi laisvojo elektrono efektin mas
lygi tiesiog jo masei m.
Kristale esanio elektrono
energijos priklausomyb nuo bangos
skaiiaus yra sudtingesn (1.16 pav.).
Leidiamosios energijos juostoje
energija
k
W , jos ivestins k W /d d
k
,
2
k
2
/d d k W ir efektin elektrono mas
n
m ~ ( )
2 2
/d d 1 k W priklauso nuo
bangos skaiiaus k , kaip parodyta
1.17 paveiksle. I paskutiniojo grafiko
matyti, kad kristalo elektrono efektin
mas
n
m priklauso nuo bangos
skaiiaus k.

Wk
k
dWk /dk
d
2
Wk /dk
2

k
k
k
k
mn


1.17 pav. Kietojo kno
elektrono kinetins ener-
gijos, energijos ivestini ir
efektins mass priklau-
somybs nuo bangos skai-
iaus k
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
28
Elektrono mas kristale skiriasi nuo jo mass m todl, kad
kristale elektronas juda tarp kristalins gardels mazg ir, veikiant tam
tikro stiprio elektriniam laukui, gyja kitok pagreit nei greitinamas
vakuume.
Kai elektronas yra arti leidiamj energij juostos viraus, jo
efektin mas tampa neigiama. Tuomet gaunasi, kad nors elektronas
turi neigiam krv, kristale jo pagreitis yra prieingas elektrinio lauko
krypiai tarsi teigiamo elektrinio krvio dalels. Taigi lygmenyse ar-
ti leidiamosios juostos viraus elektronas gyja teigiamo krvininko
skyls savybes. Vliau skyls samprat patikslinsime. Nagrindami
puslaidininki krvininkus pamatysime, kad skyl atitinka elektron
neuimtas energijos lygmuo, esantis valentins juostos virutinje
dalyje.

1.7. Laidinink, puslaidininki ir izoliatori juostiniai
modeliai

Pradkime nuo pavyzdi. Pradioje nagrinkime lit, treij
periodins sistemos element. Laisvieji liio atomai turi po tris
elektronus. Du i j upildo sluoksn 1s. Treiasis elektronas priklauso
2s pasluoksniui, kuris nra visikai upildytas. Susidarant kristalui,
leidiamosios energijos lygmenys iplinta (1.18 pav., a). Susidariusi i
iplitusi lygmen 1s juosta upildoma visa. 2s juostoje elektronai
uima tik juostos apatins dalies lygmenis.
Berilis periodinje element sistemoje ketvirtasis elementas.
Berilio atomo elektronin struktra yra
2 2
s 2 s 1 . Taigi berilio kristale
juosta 2s turt bti visikai upildyta. Taiau pasirodo, kad berilio
virutin energijos juosta, kurioje yra elektron, nra visikai
upildyta. reikin galima paaikinti itaip. Atome vir lygmens 2s
yra leidiamosios energijos lygmuo 2p. Susidarant kristalui,
upildytieji 2s lygmenys ir tuti lygmenys 2p tiek iplinta, kad i j
susidariusios leidiamosios juostos persikloja. Taip susidaro hibridin
leidiamoji juosta, kurioje vir upildyt lygmen yra tui lygmen.
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
29
Tiek litis, tiek berilis yra laidininkai. J elektron energijos
spektrams bdinga tai, kad vir elektron upildyt juost yra tik i
dalies upildyta leidiamoji juosta. Kai temperatra ema ir neveikia
iorinis elektrinis laukas, elektronai ioje juostoje uima emiausius
lygmenis, isidstydami poromis. Sukrus kristale iorin elektrin
lauk, kurio stipris E , kiekvien elektron veikia jga E F q = . Jgos
veikiamas elektronas gyja pagreit. Jo energija didja. Energijos
didjim atitinka elektrono kilimas auktesnius lygmenis. Jeigu i
dalies upildytoje juostoje yra daug laisv leidiamosios energijos
lygmen, toks elektron judjimas visikai galimas. Kadangi energinis
atstumas tarp gretim lygmen yra labai maas (10
23
eV eils), tai,
net labai silpnam laukui veikiant, elektronas gali keisti savo energij.
Taiau gyt kryptingo judjimo greit elektronai praranda dl
susidrim su kristalins gardels defektais, todl lieka lygmenyse arti
laidumo juostos dugno. Iki susidrim su gardele elektronai juda
kryptingai. Kadangi elektrinis laukas priveria elektronus slinkti tam
tikra kryptimi, atsiranda elektros srov.
Taigi laidininko juostiniam modeliui bdinga tai, kad
valentin juosta nevisikai uimta elektron arba persidengia su laisva
juosta, ir todl vir uimt lygmen yra neuimt leidiamosios
energijos lygmen. Kadangi btent i aplinkyb nulemia svarbiausi


W
d a
1s
2s
0
W
d=a

W
WF


a b c

1.18 pav. Energijos lygmen plitimas suartjant atomams (a), laidininko
energijos juostos, kai nuotolis tarp atom d lygus gardels konstantai
(b) ir supaprastintas laidininko juostinis modelis (c)
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
30
laidinink savyb elektrin laidum, nagrinjant laidininkus,
pakanka nagrinti tik 1.18 paveiksle, b, apskritimo linija apvest
energins diagramos dal. Ji atvaizduota 1.18 paveiksle, c. Visame
atvaizduotame energijos reikmi ruoe (1.18 pav., c) yra ne-
vaizduojami leidiamosios energijos lygmenys. Iki lygmens
F
W
leidiamosios energijos lygmenys yra upildyti elektron, vir
F
W yra
neupildyti leidiamosios energijos lygmenys.
Anglis, silicis ir germanis yra ketvirtosios grups elementai. J
elektronins struktros tokios:
C:
2 2 2
p 2 s 2 s 1
Si:
2 2 6 2 2
p 3 s 3 p 2 s 2 s 1
Ge:
2 2 10 6 2 6 2 2
p 4 s 4 d 3 p 3 s 3 p 2 s 2 s 1
Vis i element atom paskutiniai p pasluoksniai nevisikai
uimti. Juose gali tilpti dar po 4 elektronus.
Susidarant deimanto tipo kristalams, atom elektronins
struktros persitvarko, gretimus atomus sujungia kovalentiniai ryiai
(1.1 pav., 1.6 pav., b). Taip kiekvienas atomas tarsi prisijungia dar po
4 elektronus. Laisvieji valentins juostos lygmenys visikai usipildo.
Vir upildytos valentins juostos yra draudiamoji juosta. Vir jos
tuia leidiamosios energijos juosta, vadinama laidumo juosta
(1.19 pav., a).
Veikiant elektriniam laukui, visikai uimtos valentins juostos
elektronai negali keisti savo energijos. Laidumo juostoje elektron
nra. Todl absoliuiojo nulio temperatroje deimanto, silicio ir
germanio kristalai yra nelaids.
Kylant temperatrai, intensyvja iluminiai kristalo virpesiai.
Tada kai kurie valentins juostos elektronai gali gyti tiek energijos,
kad jos pakanka draudiamajai juostai veikti ir pakilti laidumo
juost. Atsiradus laidumo juostoje elektron ir neuimt lygmen
valentinje juostoje, gali reiktis elektrinis laidumas.
I aptariam trij mediag didiausiu elektriniu laidumu
normalioje (kambario) temperatroje pasiymi germanis. Silicis
maiau laidus. Deimantas yra praktikai nelaidus. Silicis ir germanis
laikomi puslaidininkiais, deimantas daniausiai laikomas izolia-
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
31
toriumi. Tokias mediag savybes lemia draudiamosios juostos
plotis. Germanio draudiamosios juostos plotis apie 0,7 eV, silicio
1,1 eV, deimanto vir 6 eV.
Taigi puslaidininki ir izoliatori juostiniai modeliai panas
ir skiriasi draudiamosios juostos ploiu. Puslaidininki elektrin
laidum nulemia apatini laidumo juostos lygmen ir virutini
valentins juostos lygmen bsenos ar tie lygmenys uimti
elektron, ar ne. Todl, nagrinjant puslaidininkius, paprastai
nagrinjama tik ta energijos juost diagramos dalis, kuri
1.19 paveiksle, a, apvesta apskritimo linija. Ji atvaizduota 1.19 pa-
veiksle, b.
Dar neseniai buvo laikoma, kad mediaga izoliatorius, jei jos
draudiamosios juostos plotis didesnis nei 23 eV. Taiau i tikrj
grietos ribos tarp puslaidininki ir izoliatori nra. Laikui bgant,
kuriamos naujos technologijos, pagrstos puslaidininki su platesne
draudiamja juosta panaudojimu. Dabar kai kuriuose taikymuose net
deimantas laikomas tik pusiau izoliatoriumi.
Aukiausias valentins juostos lygmuo vadinamas valentins
juostos virumi ir ymimas
v
W (indeksas v kils i angl kalbos:
valence band valentin juosta). emiausias laidumo juostos lygmuo
vadinamas laidumo juostos dugnu ir ymimas
c
W (conduction band
laidumo juosta). Draudiamosios juostos plotis .
v c
W W W =


W
W
Wc
Wv
Valentin
juosta
Laidumo juosta
Wc
Wv
W
Draudiamoji
juosta

a b
1.19 pav. Izoliatoriaus ir puslaidininkio energijos juostos (a) ir
supaprastintas juostinis modelis (b)
1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
32

1.8. Ivados

1. Paprastiesiems puslaidininkiams germaniui ir siliciui bdinga
deimanto tipo kristalin gardel. i gardel galima sivaizduoti
kaip dvi sudarytas i vienod atom ir statytas viena kit
centruotojo paviriaus kubines gardeles, perstumtas viena kitos
atvilgiu per ketvirt trins striains. Kiekvien atom
deimanto tipo gardelje supa keturi artimiausi atomai. Daugeliu
atveju vietoje puslaidininki gardeli erdvini modeli tinka
paprastesni ploktieji modeliai.
2. Susidarant i izoliuot atom kristalui, elektron leidiamosios
energijos lygmenys iplinta ir virsta leidiamosios energijos
juostomis. Tarp i juost yra draudiamosios energijos juostos.
Taigi kristale esani elektron energijos spektrui bdingas
juostinis pobdis.
3. Laidininko energijos juost diagramai bdinga tai, kad valentin
juosta tik dalinai upildyta elektron arba persidengia su tuia
juosta, ir todl valentinje juostoje vir uimt lygmen yra
neuimt lygmen.
4. Izoliatoriaus valentin juosta yra visikai upildyta elektron.
Vir jos yra plati draudiamoji juosta ir tuia leidiamosios
energijos juosta.
5. Puslaidininki juostiniai modeliai panas izoliatori energijos
lygmen diagramas, tik draudiamosios juostos plotis yra
maesnis. Puslaidininki elektrinis laidumas pasireikia, kai
elektronai i virutini valentins juostos lygmen, veik
draudiamj juost, pakyla vir jos esani laidumo juost.

1. Kietj kn sandara ir energijos juostos
33
1.9. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Kokie cheminiai ryiai pasireikia kietuosiuose knuose?
2. Paaikinkite kovalentini ryi prigimt. Aptarkite atomini kristal
elektrines savybes.
3. Kodl, susidarant kristalams, atomai isidsto tvarkingai?
4. Dvimatje gardelje sudarykite tris skirtingus elementariuosius ir vien
sudtingj narvel.
5. rodykite, kad kristalins gardels, sudarytos i centruotojo paviriaus
bei centruotojo trio narveli, yra paprastosios gardels.
6. Kokia kristalin gardel bdinga paprastiesiems puslaidininkiams?
7. Kokia yra deimanto tipo kristalins gardels sandara? Kaip joje isidst
artimiausieji atomai?
8. Kristalas sudarytas i atom, kuri atomin mas A. Kristalo gardel
kubin, gardels konstanta a. Laikydami, kad gardels tipas ir atom
skaiius
a
n elementariajame narvelyje inomi, iveskite kristalo
mediagos tankio iraik.
9. Silicio tankis 2,33
.
10
3
kg/m
3
, atomin mas 28, elementariajam
narveliui tenka 8 atomai. Raskite gardels konstant.
Ats.: 0,542 nm.
10. Nubraiykite kristalografines ploktumas, kuri indeksai (231) ir (120).
11. Aptarkite statinius kristalins gardels defektus.
12. Kokios yra dinamini kristalins gardels defekt prieastys?
13. Kaip pakinta elektron energijos spektras prie atomo priartjus kitiems
to paties tipo atomams?
14. Kas bdinga kristalo elektron energijos spektrui?
15. Sudarykite ir paaikinkite laidininko juostin model.
16. Sudarykite ir paaikinkite puslaidininkio juostin model..
17. Silicio gardels konstanta a = 0,542 nm. Jo elementariajam narveliui
tenka 8 atomai. Apskaiiuokite silicio valentini elektron skaii trio
vienete.
Ats.: 2
.
10
23
cm
3
.



01. KK sandara_200308 2003.08.18 13:59
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
34


2. METAL ELEKTRONAI IR PUSLAIDININKI
KRVININKAI

Kietajame kne elektronai sudaro mikrodaleli sistem. Daleli
sistemoms bdingi saviti statistiniai dsningumai.
iame skyriuje remdamiesi statistins fizikos principais aptarsime
metal laisvj elektron savybes, nagrinsime paprastj pus-
laidininki krvinink prigimt, aikinsims, kaip galima apskaiiuoti
i krvinink koncentracijas (tankius).

2.1. Kvantin ir klasikin statistikos

I daugelio daleli sudaryt sistem savybes tiria statistin fizika.
Statistin fizika skirstoma klasikin statistik ir kvantin statistik.
Kvantins statistikos objektas mikrodaleli sistemos. Pagal
sistemoje irykjanias savybes mikrodalels skirstomos Fermio
(Fermi) daleles, arba fermionus, ir Bozs (Bose) daleles, arba bozonus.
Fermion grupei priklauso elektronai, protonai ir kitos mikrodalels,
kuri sukini kvantiniai skaiiai yra pusiniai (1/2, +1/2). Bozon
grupei priklauso fotonai, fononai ir kitos dalels, kuri sukini
kvantiniai skaiiai yra sveikieji skaiiai (0, 1, ...).
Bozonams bdinga tai, kad vienoje kvantinje bsenoje gali bti
bet koks daleli skaiius. I bozon sudaryt sistem savybes
nagrinja Bozs ir Einteino statistika. . Boz j taik fotonams, o
A. Einteinas bet kokioms dalelms, kuri sukinio kvantinis skai-
ius sveikasis.
Siekdami isiaikinti elektron sistem savybes, daugiau dmesio
skirsime fermionams. Fermion savybes nagrinja Fermio ir Dirako
statistika.
Fermionams bdingas polinkis vienatv. Jiems galioja Paulio
draudimo principas jeigu kvantinje bsenoje jau yra fermionas, tai
kitas toks pat fermionas t bsen negali patekti. Fermion savybs
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
35

irykja jiems susitikus bandant uimti t pai bsen. Fermion
susitikim danis priklauso nuo santykio G N / ; ia N daleli
skaiius, G kvantini bsen skaiius. Savitos fermion savybs
pasireikia tik tada, kai daleli skaiius N artimas kvantini bsen
skaiiui G (kai 1 / G N ). Jei i slyga tenkinama, fermion sistema
laikoma isigimusia ir jai taikoma kvantin statistika.
Jeigu 1 / << G N , tai sistem sudarantys fermionai beveik
nesusitinka ir nesveikauja. Tokiai neisigimusiai fermion sistemai
galima taikyti klasikin Maksvelo (Maxwell) ir Bolcmano (Boltzmann)
statistik.
Daleli sistemoms apibdinti statistinje fizikoje taikomos
pasiskirstymo funkcijos. Pasiskirstymo funkcijos aprao daleli
pasiskirstym pagal greiio, energijos ar kito fizikinio dydio
reikmes.
Sakykime, kad sistemoje, sudarytoje i

N daleli, yra N d
daleli, kuri energija yra elementariame energijos intervale nuo W
iki W W d + . Daleli skaiius N d yra proporcingas

N ir energijos
intervalui W d :
W W f N N d ) ( d

. (2.1)
ioje formulje proporcingumo koeficientas ) (W f priklauso nuo
energijos reikms, kurios aplinkoje pasirenkamas intervalas W d .
Santykis W W f N N d ) ( / d

reikia tikimyb P d , kad sistemos


dalels energija yra intervale nuo W iki W W d + . Tada funkcija
W
P
W
N N
W f
d
d
d
/ d
) (

, (2.2)
kaip tikimybs P d ir intervalo W d santykis, turi mintos tikimybs
tankio prasm. Ji rodo, kokiu dsniu pasiskirsiusios daleli energijos,
todl vadinama pasiskirstymo funkcija.
Taigi P W W f d d ) ( reikia tikimyb, kad sistemos dalels
energija yra intervale nuo W iki W W d + . Jeigu W d =1, tai
) ( d W f P . Vadinasi, pasiskirstymo funkcijos ) (W f skaitin reikm
atitinka tikimyb, kad dalels energija yra vienetinio ilgio energijos
ruoe, kurio centras sutampa su W .
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
36

Greta funkcijos ) (W f danai vartojama jai proporcinga
pasiskirstymo funkcija ) ( ) ( W f N W N

. Pagal (2.1) N W W N d d ) ( .
Taigi sandauga W W N d ) ( reikia skaii daleli N d , kuri energija
yra nuo W iki W W d + . Kai W d =1, tai ) ( d W N N . Vadinasi,
pasiskirstymo funkcijos ) (W N skaitin reikm atitinka skaii da-
leli vienetinio ilgio energijos intervale, kurio centras sutampa su W .
inant daleli pasiskirstym pagal tam tikro dydio reikmes,
galima rasti to dydio vidutin reikm ir kitus daleli sistem
apibdinanius parametrus.

2.2. Kietj kn laisvj elektron bsen skaiius

Klasikinje mechanikoje dalels bsen nusako jos koordinats
x , y , z ir impulso dedamosios
x
p ,
y
p ,
z
p . Tai reikia, kad
eiamatje koordinai x , y , z ,
x
p ,
y
p ,
z
p sistemoje klasikins
dalels bsen atitinka erdvs takas.
Pagal kvantin mechanik mikrodalelei galioja Heizenbergo
nelygybs:
. h
, h
, h

z
y
x
p z
p y
p x




Jas sudaugin gauname nelygyb
3
h
z y x
p p p z y x . (2.3)
i nelygyb byloja, kad eiamatje koordinai
x , y , z ,
x
p ,
y
p ,
z
p erdvje mikrodalels bsen atitinka ne takas,
o elementarusis ios erdvs narvelis, kurio tris
3
h .
Bet kokiame erdvs tryje telpa be galo daug be galo ma tak,
bet baigtinio trio narveli skaiius yra ribotas. Todl yra ribotas ir
mikrodaleli bsen skaiius.
Siekdami rasti bsen skaii, nagrinkime sistem, sudaryt i
laisvj mikrodaleli, kurios gali laisvai judti tryje V. Tuomet
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
37

mikrodalels koordinai neapibrtumas yra toks, kad V z y x , ir
(2.3) nelygyb galima perrayti itaip:
V p p p
z y x
/ h
3
. (2.4)
i nelygyb liudija, kad laisvj mikrodaleli bsenas galima
vaizduoti trimatje impulso dedamj
x
p ,
y
p ,
z
p erdvje. ioje erdvje
mikrodalels bsen atitinka narvelis,
kurio tris V / h
3
.
Remdamiesi pastarja mintimi
galime rasti mikrodaleli bsen
skaii impulso reikmi intervale
nuo p iki p p d + .
Impulso dedamj erdvje
intervalas nuo p iki p p d + atitinka
sferin sluoksn, kurio vidinis
spindulys p , o iorinis spindulys
p p d + (2.1 pav.). io sluoksnio tris
( ) p p p p p V
p
d 4
3
4
d
3
4
d
2 3 3
+ . (2.5)
Elementarij narveli skaiius iame tryje
p p
V
V
V
u
p
d
h
4
/ h
d
2
3 3
. (2.6)
Dalels impulsas susietas su jos kinetine energija. Kadangi
m p mv W 2 / 2 /
2 2
k
, tai
k
2mW p , (2.7)
k
k
d
2
d W
W
m
p . (2.8)
ra (2.7) ir (2.8) (2.6), gauname toki bsen skaiiaus
iraik:
k k
2 / 3
3
d
h
2 4
W W m
V
u . (2.9)

p+dp
p
p
y

p
z
p
x



2.1 pav. Sferinis impulso
dedamj erdvs sluoksnis
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
38

Dydis u reikia bsen skaii kinetins energijos intervale nuo
k
W iki
k k
dW W + . Atsivelgdami, kad laisvojo elektrono kinetin
energija atskaitoma nuo laidumo juostos dugno, t.y.
c k
W W W ,
bsen skaiiaus iraik galime ireikti formule:
W W g W W W m
V
u d ) ( d
h
2 4
c
2 / 3
3
; (2.10)
ia W u W g /d ) ( , kaip bsen skaiiaus ir intervalo ilgio W d
santykis, turi bsen tankio prasm.
Pagal (2.10) elektron bsen tankis laidumo juostoje
ireikiamas formule
c
2 / 3
3
h
2 4
) ( W W m
V
W g . (2.11)
2.2 paveiksle parodyta bsen tankio priklausomyb nuo
energijos. Kreiv byloja, kad laidumo juostos apatinje dalyje, kol
elektrono efektin mas pastovi, bsen tankis didja, didjant
energijai.


g
W Wc
0


2.2 pav. Bsen tankio pasiskirstymas laidumo juostos apatinje
dalyje
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
39


2.3. Bsenos upildymo tikimyb

Kvantin bsen gali uimti du elektronai su prieingais sukiniais.
Elektron pasiskirstym pagal kvantines bsenas ireikia Fermio ir
Dirako pasiskirstymo funkcija. Ji ivesta 2 priede ir ireikiama
formule:
( ) [ ] 1 k / exp
1
) (
F
F
+

T W W
W f ; (2.12)
ia
F
f kvantins bsenos (energijos lygmens W ) upildymo
tikimyb, k Bolcmano konstanta, T absoliuioji temperatra,
F
W bdingasis Fermio ir Dirako pasiskirstymo funkcijos
parametras, vadinamas elektron cheminiu potencialu. Cheminis
potencialas bendruoju atveju priklauso nuo temperatros. Kaip matyti
i (2.12), dydis
F
W turi energijos dimensij ir puslaidininki fizikoje
vadinamas Fermio lygmeniu. Absoliuiojo nulio temperatroje
energija
F
W vadinama Fermio energija.
I formuls (2.12) matyti, kad absoliuiojo nulio temperatroje
( ) W f
F
=1, jeigu elektrono energija maesn nei
F
W , ir ( ) W f
F
=0, jeigu
F
W W > (2.3 pav.). Taigi absoliuiojo nulio temperatroje emesni nei
F
W leidiamosios energijos lygmenys yra upildyti elektron, o
lygmenys vir
F
W yra tuti.
Auktesnse kaip 0 K
temperatrose bsenos, kuri
energija
F
W W , yra pusiau
upildytos, nes ) (
F F
W f =1/2.
Fermio ir Dirako funkcijos
pobdis parodytas 2.3 pa-
veiksle. ios funkcijos kiti-
mas, kylant temperatrai,
paaikinamas tuo, kad dl
iluminio suadinimo dalis


0
0,25
0,5
0,75
1
1,25
W
F
W
f
F

T=0
T>0


2.3 pav. Fermio ir Dirako pasi-
skirstymo funkcija
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
40

elektron patenka bsenas, kuri energija didesn nei
F
W .
Suprantama, kad dl to tiek pat bsen, kuri
F
W W < , lieka tui.
2.1 uduotis
Raskime tikimybes, kad 300 K temperatroje energijos lygmenys
T W k
F
+ ir T W k
F
yra upildyti elektron.
Sprendimas
Jeigu T W W k
F
+ , tai T W W k
F
. Tuomet

[ ]
. 27 , 0
1 1 exp
1
1 k / ) ( exp
1
) (
F
F

+

T W W
W f
Jeigu T W W k
F
, tai T W W k
F
, ir

[ ]
. 73 , 0
1 ) 1 exp(
1
1 k / ) ( exp
1
) (
F
F

+

T W W
W f

2.4. Metal laisvj elektron pasiskirstymas

Metalo laisvj elektron skaii energijos intervale [ ] W W W d , +
galime rasti, padaugin kvantini bsen skaii iame intervale i j
upildymo tikimybs. Dar reikia atsivelgti tai, kad bsen gali
uimti du elektronai su prieingais sukiniais. Tada
W W f W g uf N d ) ( ) ( 2 2 d
F F
. (2.13)
Kadangi W W N W W f N N d ) ( d ) ( d

, tai
) ( ) ( 2 ) ( ) (
F
W f W g W f N W N . (2.14)
ra (2.14) formul bsen tankio bei Fermio ir Dirako
funkcijos iraikas, gauname metalo laisvj elektron energij
pasiskirstymo funkcij:
( ) [ ]
;
1 k / exp h
2 8
) (
F
c
3
2 / 3
+

T W W
W W
n
m
W f (2.15)
ia V N n /

elektron koncentracija.
Pasiskirstymo funkcijos pobd lengva nustatyti pasinaudojus
(2.14) formule. Turint funkcij ) (W g ir ) (
F
W f grafikus, pasiskirstymo
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
41

funkcijos grafikas sudaromas, sudauginus kreivi, atvaizduot
2.4 paveiksle, a, b, ordinai reikmes.
Pagal 2.4 paveiksl ir (2.14) formul, kai T = 0 K, pasiskirstymo
funkcijos iraika tampa paprastesn:
. kai , 0
, kai ), ( 2
) (
F
F
W W
W W W g
W N
>
<
(2.16)
Pagal pasiskirstymo funkcijos prasm kreivs ) (W N ribojamas
plotas lygus daleli skaiiui sistemoje. Tada, kai T = 0 K,
( )


F
c
F
c
d
h
2 8
d ) (
2 / 1
c
3
2 / 3

W
W
W
W
W W W
Vm
W W N N (2.17)
ved pakeitim
k c
W W W ir paymj
Fc c F
W W W ,
gauname:


0
0,5
1
1,5
f
F

a
b
N
W
c
W
F
W
0
c
T=0
T>0
g
T=0
T>0


2.4 pav. Bsen tankio pasiskirstymas (a), Fermio ir Dirako
pasiskirstymo funkcija (b) ir metalo laisvj elektron
pasiskirstymo pagal energijos reikmes funkcija (c)
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
42


Fc
0
2 / 3
Fc
2 / 3
3
k k
3
2 / 3

h 3
2 16
d
h
2 8
W
W m
V
W W
Vm
N . (2.18)
Tada
3 / 2
2
Fc
8
3
2
h
1
]
1

n
m
W . (2.19)
Pagal pastarj formul Fermio lygmens padt absoliuiojo nulio
temperatroje nulemia laisvj elektron koncentracija. rodoma, kad
kylant temperatrai Fermio lygmens padtis metale kinta neymiai.
Dar svarbu pastebti, kad >
c F Fc
W W W 0. Taigi absoliuiojo nulio
temperatroje metale yra laisvj elektron ir Fermio lygmuo yra
aukiau laidumo juostos dugno.
2.2 uduotis
Raskime metalo elektrono vidutin kinetin energij absoliuiojo nulio
temperatroje.
Sprendimas
Kai inoma pasiskirstymo funkcija ) (x f , tai vidutin atsitiktinio dydio
x reikm ireikiama formule

0
d ) ( x x xf x .
Absoliuiojo nulio temperatroje galime taikyti paprastesn
pasiskirstymo funkcijos iraik (2.16). Kadangi laisvj elektron energija
atskaitoma nuo laidumo juostos dugno ) (
k c
W W W + ir n V N

/ , tai

.
h 5
2 16
h
2 8
d ) (
1
d ) (
2 / 5
Fc
2 / 3
3
0
k k k
3
2 / 3
0
k k k

0
k k k
k
Fc
W m
n
dW W W
n
m
W W N W
N
W W f W W
W




Palygin gaut iraik su (2.18) formule, galime pastebti, kad

Fc
k
5
3
W W .
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
43

Taigi, inodami Fermio energij arba laisvj elektron koncentracij
metale, lengvai galime apskaiiuoti vidutin laisvj elektron kinetin
energij.
2.3 uduotis
Vario tankis 8920 kg/m
3
, atomin mas 63,54. Kiekvienas vario
atomas sukuria vien laidumo elektron. Raskime vario Fermio energij ir
vidutin elektrono energij absoliuiojo nulio temperatroje.
Sprendimas
inodami atomin mas, galime rasti atomo mas:

A 1
/ N A m ;
ia
A
N Avogadro skaiius.
inodami tank , randame atom skaii trio vienete ir laisvj
elektron koncentracij:

3 28
26
A
m 10 45 , 8
54 , 63
10 02 , 6 8920




A
N
n

.
Taikydami (2.19) formul, randame Fermio energij:
eV 02 , 7
8
10 45 , 8 3
10 11 , 9 2
) 10 626 , 6 (
8
3
2
3 / 2
28
31
2 34
3 / 2
2
Fc

,
_


,
_

n
m
h
W .
Tuomet vidutin elektrono energija
eV 2 , 4 ...
5
3
Fc
k W W .

2.5. Neisigimusio puslaidininkio elektron pasiskirstymas

Puslaidininkiuose laisvj elektron koncentracija yra daug
maesn nei metaluose. Todl daniausiai puslaidininkio laisvj
elektron sistema esti neisigimusi.
Fermion sistema yra neisigimusi, jeigu tenkinama slyga
( ) [ ] 1 / exp
F
>> kT W W . (2.20)
Tada Fermio ir Dirako pasiskirstymo funkcijos iraika tampa
paprastesn:
) ( e e e ) (
B
k / k / k /
F
F
W f A W f
T W T W T W


; (2.21)
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
44

ia ) (
B
W f Maksvelo ir Bolcmano pasiskirstymo funkcija
Pagal (2.13), (2.11) ir (2.21) formules neisigimusios sistemos
elektron skaiius energijos intervale [ ] W W W d , + ireikiamas
formule:
W W W
m V
N
T W T W
d e e
h
) 2 ( 4
d
k / k /
c
3
2 / 3
F

. (2.22)
Suintegrav N d visame laidumo juostos leidiamj energijos
reikmi ruoe nuo laidumo juostos dugno
c
W iki jos viraus
max
W ,
turime gauti laisvj elektron skaii. Vadinasi,



max
c
F
d e e
h
) 2 ( 4
k /
c
/
3
2 / 3

W
W
T W kT W
W W W
m V
N . (2.23)
Didjant energijai W , reikinys po integralo enklu spariai
maja. Todl nesuklysime prim, kad
max
W . Tada, ved
pakeitim
k c
W W W , gausime:

0
k
k /
k
/ k /
3
2 / 3

d e e e
h
) 2 ( 4
k c F
W W
m V
N
T W kT W T W
. (2.24)
rodoma, kad
2 / 3
0
2a
dx e x
ax

.
Taikydami i formul, galime gauti toki elektron
koncentracijos iraik:
T W T W
T m
V
N
n
k / k /
3
2 / 3
c F
e e
h
) k 2 ( 2

. (2.25)
Pagal (2.25)
T W T W
T m
n
k /
2 / 3
3
k 2 /
c F
e
) k 2 ( 2
h
e . (2.26)
ra (2.26) (2.22), pastarj formul galime taip perrayti:
( )
k k k
k /
k
2 / 3
d ) ( d e k

2
d
k
W W f N W W T
N
N
T W


. (2.27)
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
45

Tuomet neisigimusios sistemos laisvojo elektrono energij
pasiskirstymo funkcija ) (
k
W f ireikiama formule:
T W
e W T W f
k /
k
2 / 3
k
k
) k (

2
) (

. (2.28)
ios pasiskirstymo funkcijos grafik taip pat galime sudaryti
daugindami dviej funkcij
k 1
W C f ir ) k / exp(
k 2
T W f
ordinates. Taip sudarytas pasiskirstymo funkcijos grafikas atvaiz-
duotas 2.5 paveiksle.
2.4 uduotis
Raskime grynojo silicio laisvojo elektrono vidutin kinetin energij ir
vidutin kvadratin greit 0 K ir 300 K temperatrose.
Sprendimas
Grynajame puslaidininkyje elektron koncentracija labai nedidel,
elektronai sudaro neisigimusi sistem. Tuomet, taikydami (2.28) formul,
gauname:
( ) T W W T W W f W W
T W
k
2
3
d e k

2
d ) (
k
k /
0
2 / 3
k
2 / 3
0
k k k
k
k


.
Kadangi
2 /
2
k v m W , tai vidutinis kvadratinis greitis ireikiamas formule


f
W W
k
0
f2
f1


2.5 pav. Neisigimusios elektron sistemos pasiskirstymo
funkcija
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
46


m
T
v v
k 3
~ 2
.
Tuomet absoliuiojo nulio temperatroje elektron vidutin kinetin
energija lygi 0. Tada ir 0
~
v . Vliau pamatysime, kad taip yra todl, kad
absoliuiojo nulio temperatroje neisigimusiame puslaidininkyje nra
laisvj elektron.
Kai T 300 K,
. eV 039 , 0 J 10 21 , 6 ...
2
k 3
21
k

T
W
. km/s 117 m/s 10 17 , 1 ...
k 3
~ 5

m
T
v
2.5 uduotis
Iveskime neisigimusios sistemos dalels tikimiausios kinetins
energijos iraik.
Sprendimas
Tikimiausia energija atitinka pasiskirstymo funkcijos maksimum.
Tuomet, kai
kt k
W W , pasiskirstymo funkcijos ivestin turi bti lygi 0.
Diferencijuodami (2.28) gauname:
T W
T
W W C W f
k /
k
2 / 1
k k
k
e
k
1
2
1
) ( '

,
_

.
I ia
2 / k
kt
T W .
Nagrindami neisigimusi elektron sistem jau pasiekme
svarbi rezultat ivedme elektron koncentracijos ir pasiskirstymo
funkcijos iraikas. Dabar dar grkime prie neisigimimo slygos
(2.20). J galime taip pertvarkyti:
1 e e e
k / ) ( k / ) ( k / ) (
c F c F
<<
T W W T W W T W W
. (2.29)
Laidumo juostoje daugiklis ( ) [ ] T W W k / exp
c
kinta nuo 1 iki 0.
Tada tam, kad bt tenkinama nelygyb (2.29), turi bti tenkinama
nelygyb ( ) [ ] 1 k / exp
c F
<< T W W , Remdamiesi ia slyga ir (2.26)
formule, galime rayti:
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
47

( )
1
k 2 2
h
e
2 / 3
3
k / ) (
c F
<<

T m
n
T W W
. (2.30)
Pastaroji nelygyb byloja, kad elektronai sudaro neisigimusi
sistem, jeigu T W W k
c F
< , tai yra jeigu Fermio lygmuo yra bent per
T k emiau draudiamosios juostos dugno. I nelygybs taip pat aiku,
kad neisigimimo slyga tenkinama, kai nedidel elektron
koncentracija arba aukta temperatra.
2.6 uduotis
Apskaiiuokime didiausi elektron koncentracij, kuriai esant kietojo
kno elektronai 300 K temperatroje sudaro neisigimusi sistem.
Sprendimas
Pagal (2.30) elektron sistema neisigimusi, jeigu

25
3
2 / 3
10 5 . 2 ...
h
) k 2 ( 2
<<
T m
n m
3
.

2.6. Grynj puslaidininki krvininkai

Grynaisiais vadinami puslaidininkiai be priemai. Vliau
apibrim patikslinsime.
ia ir toliau iame skyriuje kaip puslaidininkio pavyzd
nagrinsime silic daniausiai elektroniniuose taisuose panaudojam
puslaidinink.

2.6.1. Laisvj krvinink prigimtis

Absoliuiojo nulio temperatroje puslaidininkiai yra izoliatoriai.
Taip yra todl, kad visi puslaidininkio atom valentiniai elektronai
dalyvauja kovalentiniuose ryiuose. Tai iliustruoja 2.6 paveikslas, a,
kuriame atvaizduotas plokiasis silicio modelis. Pagal juostin model
(2.6 pav., b) absoliuiojo nulio temperatroje visi valentiniai
elektronai yra valentinje juostoje. Visi valentins juostos lygmenys
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
48

uimti. Laidumo juosta tuia. Taigi absoliuiojo nulio temperatroje
puslaidininkyje laisvj krvinink nra.
Kylant temperatrai, intensyvja kristalo atom iluminiai
virpesiai, ir elektronai gali gyti papildomos energijos. gijs
pakankamai energijos, elektronas gali isilaisvinti i kovalentinio ryio
ir tapti laisvuoju laidumo elektronu (2.7 pav., a), kuris gali judti
erdvje tarp kristal sudarani atom.
Elektrono isilaisvinim i kovalentinio ryio atitinka jo uolis i


Si Si Si
Si Si
Si Si Si
Si
Si
Si Si Si
a
W
Wc
Wv
b


2.6 pav. Grynojo silicio kristalins gardels plokiasis modelis (a) ir
energijos lygmen diagrama (b)


Si Si Si
Si Si
Si Si Si
Si
+

Si
Si Si Si
a
W
Wc
Wv
b
W


2.7 pav. Krvinink generavimas grynajame puslaidininkyje
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
49

valentins juostos laidumo juost. (2.7 pav., b). Pagal juostin model
minimali energija, kurios reikia elektronui, kad jis isilaisvint i ryio
ir tapt laidumo elektronu, lygi draudiamosios juostos ploiui W .
Kuo siauresn puslaidininkio draudiamoji juosta, tuo emesnje tem-
peratroje jame atsiranda laidumo elektron.
Silicio draudiamosios juostos plotis apie 1,1 eV. Laidumo
elektron koncentracija silicyje 300 K temperatroje yra apie 1,510
10

cm
3
. Atsivelgdami, kad 300 K kubiniame centimetre yra 510
22

silicio atom ir atomas turi 4 valentinius elektronus, galime sitikinti ,
kad 300 K temperatroje tik 1 elektronas i madaug 1,510
13

valentini elektron yra taps laidumo elektronu.
Isilaisvinus elektronui, valentini ryi sistemoje atsiranda
vakuojanti vieta, o prarads elektron atomas tampa teigiamuoju jonu.
Vakuojani kovalentinio ryio viet gali uimti gretimo atomo
elektronas. Tada teigiamu jonu tampa io elektrono neteks atomas.
Toks estafetinis valentini elektron judjimas tolygus teigiam krv
turinios vakuojanios vietos teigiamo krvininko skyls
judjimui.
I aptarimo aiku, kad skyls judjimas yra atom jonizacijos ir
elektron judjimo rezultatas. Tad ar verta vartoti skyls svok?
Atsakym galima rasti, panagrinjus mao duj burbuliuko judjim
skystyje. Burbuliukas tai erdv, kurioje nra skysio. Taigi
burbuliuko judjimas yra j supani skysio atom judjimo
pasekm. Vis dlto lengviau sivaizduoti ir aprayti burbuliuko
judjim, o ne daugelio j supani atom judjim.
Energijos lygmen diagramoje skyl atitinka neuimtas energijos
lygmuo valentinje juostoje (2.7 pav., b). Kai valentinje juostoje yra
neuimt energijos lygmen, juos gali uimti emesni lygmen
elektronai. Vadinasi, tada elektron energija gali kisti, ir valentins
juostos elektronai, veikiami iorinio elektrinio lauko, gij kryptingo
judjimo greit, gali perneti krv.
Taigi grynojo puslaidininkio elektrin laidum lemia dviej
tip laisvieji krvininkai laidumo elektronai ir skyls, kuri
koncentracijos yra vienodos. Grynajame puslaidininkyje laisvieji
krvininkai atsiranda kaip puslaidininkio atom jonizacijos rezultatas.
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
50

Kai elektronai atsipalaiduoja i kovalentini ryi ir atsiranda
savj puslaidininkio krvinink, sakoma, kad vyksta savj
krvinink generacija. reikin lydi prieingas procesas
rekombinacija. Kai prieingo enklo krvininkai, juddami kristale,
suartja tiek, jog pradeda veikti j tarpusavio traukos jga, laisvasis
elektronas gali uimti vakuojani kovalentinio ryio viet. Tada abu
laisvieji krvininkai inyksta. Pagal juostin model krvinink
rekombinacij atitinka elektrono uolis i laidumo juostos valentin
juost. io proceso metu elektrono atiduodama energija virsta iluma
arba ispinduliuojama viesos pavidalu.

2.6.2. Grynojo puslaidininkio lygmen bkl

rodoma, kad grynojo puslaidininkio Fermio lygmens padtis
ireikiama formule:
n
p
c v
F
ln k
4
3
2 m
m
T
W W
W +
+
; (2.31)
ia
n
m ir
p
m laidumo elektron ir skyli efektins mass. Kadangi
laidumo elektronai ir skyls yra ne laisvojoje erdvje, o kristale tarp
atom, veikiant elektriniam laukui jie gyja kitok pagreit nei
laisvojoje erdvje esantis elektronas. Kristalo taka krvininkams
vertinama primus, kad j mass skiriasi nuo elektrono, esanio
laisvojoje erdvje, mass. Skyls efektin mas lygi skyles
okinjanio elektrono efektinei masei.
Pagal (2.31) formul absoliuiojo nulio temperatroje grynojo
puslaidininkio Fermio lygmuo yra draudiamosios energijos juostos
viduryje (2.8 pav., a). Kylant temperatrai, Fermio lygmens padtis
gali neymiai keistis. Lygmens padties kitim lemia efektini masi
santykis
n p
/ m m .
Valentins ir laidumo juost bsen upildymo tikimyb aprao
Fermio ir Dirako funkcija (2.12). Jos grafikai atvaizduoti
2.8 paveiksle, b. Absoliuiojo nulio temperatroje valentins juostos
lygmen upildymo tikimybs lygios 1, laidumo juostos lygmen
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
51

upildymo tikimybs lygios 0. Kylant temperatrai, didja tikimybs,
kad apatiniai laidumo juostos lygmenys bus uimti elektron. Kartu
maja tikimybs, kad bus elektron upildyti virutiniai valentins
juostos lygmenys.
Kai Fermio lygmuo yra emiau laidumo juostos dugno ir
tenkinama slyga T W W k 3
F c
> , laidumo juostos lygmens W
upildymo tikimybs iraika tampa paprastesn:
T W W
W f
k / ) (
F
F
e ) (

. (2.32)
Taigi, kai T W W k 3
F c
> , Fermio ir Dirako funkcijos dal laidumo
juostoje galima aproksimuoti paprastesne Maksvelo ir Bolcmano
pasiskirstymo funkcija, o laidumo juostos elektronai sudaro
neisigimusi sistem.
Tikimyb, kad lygmuo bus laisvas, uimtas skyli, ireikiama
formule
) ( 1 ) (
F p
W f W f . (2.33)
Kai lygmuo W priklauso valentinei juostai ir tenkinama slyga
T W W k 3
v F
> , galioja nelygyb ( ) [ ] 1 k / exp
F
<< T W W . Tada,
atsivelgus tai, kad, esant maoms x reikmms, galioja sryis
x x + 1 ) 1 /( 1 , formul (2.12) galima urayti taip:


WF
Wc
Wv
W
WF
Wv
Wc
W
0 0,5 1 fF
T=0 K
T>0 K
a b


2.8 pav. Grynojo puslaidininkio energijos lygmen diagrama
(a) ir kreivs (b), vaizduojanios lygmen upildymo
tikimybes skirtingose temperatrose
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
52

T W W
W f
k / ) (
F
F
e 1 ) (

. (2.34)
Tuomet pagal (2.33)
T W W T W W
W f
k / ) ( k / ) (
p
F F
e e ) (

. (2.35)
Taigi, jeigu tenkinama slyga T W W k 3
v F
> , tikimyb, kad
valentins juostos lygmenyje bus skyl, taip pat galima aproksimuoti
Maksvelo ir Bolcmano funkcija.
Dar svarbu atkreipti dmes, kad pagal (2.34) ir 2.8 paveiksl, b,
skyls kaupiasi valentins juostos viruje. ia prasme skyli savybs
panaios duj burbuliuk skystyje savybes. Skyls energija didesn,
jeigu ji uima emesn energijos lygmen.
I aptarimo seka, kad jeigu Fermio lygmuo yra draudiamojoje
juostoje ir jo nuotolis nuo laidumo juostos dugno ir valentins juostos
viraus yra ne maesnis nei , k 3 T puslaidininkis yra neisigims ir jo
laidumo elektronams ir skylms galima taikyti klasikin Maksvelo ir
Bolcmano statistik.
Grynojo silicio Fermio lygmuo yra nutols nuo laidumo ir
valentins juost apytikriai per eV 55 , 0 2 / W . Kai T = 300 K, tai
T k 0,026 eV, T k 3 0,078 eV. Tada neisigimimo slyga ne-
abejotinai tenkinama, ir, nagrinjant grynj puslaidininki elektronus
ir skyles, nedvejojant galima taikyti klasikin Maksvelo ir Bolcmano
statistik.

2.6.3. Krvinink koncentracija grynajame puslaidininkyje

Neisigimusio puslaidininkio elektron koncentracijos
matematin iraik jau ivedme. Koncentracija ireikiama (2.25)
formule. Dabar dar patikslinsime, kad nagrinjant laidumo elektronus,
vietoje elektrono mass m reikia nagrinti elektrono efektin mas
n
m . Taigi laidumo elektron koncentracija
( )
T W W T W W
N
T m
n
k / ) (
c
k / ) (
3
2 / 3
n F c F c
e e
h
k 2 2

; (2.36)
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
53

ia
c
N efektinis laidumo juostos bsen tankis, ireikiamas
formule

( )
3
2 / 3
n
c
h
k 2 2 T m
N . (2.37)
Panaiai kaip laidumo elektronus nagrinjant valentins juostos
skyles, galima rodyti, kad skyli koncentracija

( )
T W W T W W
N
T m
p
k / ) (
v
k / ) (
3
2 / 3
p
v F v F
e e
h
k 2 2

; (2.38)
ia
v
N efektinis valentins juostos bsen tankis, ireikiamas
formule

( )
3
2 / 3
p
v
h
2 2 kT m
N . (2.39)
Sudaugin (2.36) ir (2.38), gauname:

T W T W W
N N N N np
k /
v c
k / ) (
v c
e e
v c

. (2.40)
Taigi laidumo elektron ir skyli koncentracij sandauga
nepriklauso nuo Fermio lygmens padties, o priklauso tik nuo
draudiamosios juostos ploio ir temperatros.
Svarbu pastebti, kad (2.36), (2.38) ir (2.40) formuls galioja
visiems neisigimusiems (ne tik gryniesiems) puslaidininkiams.
Grynajame puslaidininkyje laidumo elektron ir skyli
koncentracijos vienodos. Tada

2
i
2
i i i
p n p n np , (2.41)
ir pagal (2.40)

T W
N N np p n
k 2 /
v c i i
e

; (2.42)
ia indeksai i ymi grynj (anglikai intrinsic) puslaidinink.
Pagal (2.42) formul krvinink koncentracija grynajame
puslaidininkyje labai priklauso nuo temperatros ir
draudiamosios juostos ploio. Kylant temperatrai, intensyvja
puslaidininkio kristalo iluminiai virpesiai, ir daugiau elektron
pakyla i valentins juostos laidumo juost. Todl, kylant
temperatrai, puslaidininkio savj krvinink koncentracija didja.
Kuo platesn draudiamoji juosta, tuo didesns energijos reikia jai
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
54

veikti, todl maiau elektron gali pakilti i valentins juostos
laidumo juost, ir puslaidininkio savj krvinink koncentracija esti
maesn.
Logaritmuodami (2.42) gauname:
( )
T
b a
T
W
N N p n
1 1
k 2
ln
2
1
ln ln
v c i i


.
Taigi koordinai sistemoje, kurios abscisi ayje atidedamas
dydis, atvirkias temperatrai, o
ordinai ayje krvinink
koncentracijos logaritmo
reikms, grynojo puslaidininkio
krvinink koncentracijos
priklausomybs nuo temperatros
kreiv yra artima tiesei (2.9 pav.).
Tiess posvyrio kampas
priklauso nuo draudiamosios
juostos ploio:

k 2
tan
W
. (2.43)
Ubaigiant grynj puslaidininki krvinink koncentracij
aptarim, dar svarbu pastebti, kad, remiantis slyga
i i
p n ir taikant
(2.36) ir (2.38) formules, nesunku gauti pateikt be ivedimo Fermio
lygmens iraik (2.31).
2.7 uduotis
Raskime germanio ir silicio savj krvinink koncentracij santyk
300 K temperatroje.
Sprendimas
Pagal (2.421)

kT W
kT W
N N
N N
n
n
2 /
vSi cSi
2 /
vGe cGe
Si i
Ge i
Si
Ge
e
e

.
Efektiniai lygmen tankiai priklauso nuo krvinink efektini masi.
Laikydami, kad jos apytikriai lygios elektrono masei, gauname:

lnn
i
lnp
i
1/T



2.9 pav. Grynojo puslaidininkio
krvinink koncentracijos pri-
klausomyb nuo temperatros
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
55


T W W
n
n
k 2 / ) (
iSi
iGe Ge Si
e

,
( ) [ ] 4080 300 10 38 , 1 2 / 10 6 , 1 67 , 0 1 , 1 exp
23 19
iSi
iGe


n
n
.
2.8 uduotis
Apskaiiuokime, kiek kart pakis silicio savj krvinink
koncentracijos kylant temperatrai nuo 20 iki 100
0
C.
Sprendimas
Pagal (2.42), (2.37) ir (2.39)

( )
( )
153 ...
1 1
k 2
exp
1 2
2 / 3
1
2
1 i
2 i

1
1
]
1

,
_

,
_

T T
W
T
T
T n
T n
.

2.7. Priemaiiniai puslaidininkiai

Net gryniausiuose puslaidininkiuose esti priemai. Be to,
priemaios puslaidininkius terpiamos, siekiant suteikti jiems tam
tikr pageidaujam savybi. Kita vertus, daniausiai priemai
koncentracija puslaidininkiuose turi bti nedidel. Silicio
puslaidininkini integrini grandyn pagrinduose elektrikai aktyvij
priemai koncentracija esti iki 10
-5
%. Kai koncentracija tokia maa,
deimiai milijon silicio atom vidutinikai tenka vienas toki
priemai atomas. Taigi kiekvien priemaios atom supa tik
puslaidininkio mediagos atomai, priemai atomai kristale esti
santykinai toli vienas nuo kito. Tada priemai atomai yra atskirti
(izoliuoti) vienas nuo kito ir negali sveikauti.
Norint gauti pageidaujam puslaidininkio laidumo tip naudo-
jamos donorins ir akceptorins priemaios.
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
56


2.7.1. Puslaidininkiai, legiruoti donorinmis priemaiomis

Donorinmis priemaiomis paprastuosiuose puslaidininkiuose
(Ge, Si) gali bti periodins element sistemos penktosios grups
element fosforo (P), arseno (As), stibio (Sb) atomai.
Panagrinkime silic, kuriame yra priemaiini fosforo atom.
Keturi i penki valentini fosforo elektron sudaro kovalentinius
ryius su keturiais artimiausiais silicio atomais (2.10 pav.). ie
elektronai yra panaiose slygose kaip pagrindins mediagos (silicio)
atom valentiniai elektronai. Todl j energijos reikms gali bti
tokios pat kaip ir silicio valentini elektron energijos reikms jos
yra valentinje juostoje.
Penktasis fosforo atomo valentinis elektronas kovalentiniuose
ryiuose nedalyvauja. Jo ryys su atomu yra silpnas, ryio energija yra
tik apie 0,044 eV. gijs tiek nedaug energijos, penktasis elektronas
atitrksta nuo atomo ir tampa laidumo elektronu. Fosforo atomas
tampa teigiamu jonu.
Elektronas tampa laidumo elektronu, kai jis patenka laidumo
juost. laidumo juost fosforo atomo penktasis elektronas pakyla
gijs 0,044 eV energij. Vadinasi, prie tai jis um energijos
lygmen draudiamojoje juostoje arti laidumo juostos dugno. Taigi

Si Si Si
Si Si
Si Si Si
P
+
Si
Si Si Si


2.10 pav. Legiruoto donorine
priemaia puslaidininkio kristali-
ns gardels plokiasis modelis

W
W
v


W
c

W
d


2.11 pav. Legiruoto donorine
priemaia puslaidininkio ener-
gijos lygmen diagrama
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
57

donorins priemaios atom penktj elektron energijos lygmenys
yra draudiamojoje juostoje arti laidumo juostos dugno (2.11 pav.).
ie lygmenys vadinami donoriniais lygmenimis. Kai priemaios
koncentracija maa ir priemaios atomai nesveikauja, priemaiiniai
lygmenys yra izoliuoti vienas nuo kito. Todl 2.11 paveiksle
donoriniai lygmenys atvaizduoti brknine linija.
I aptarimo matyti, kad penktosios grups atomai puslaidininkio
kristalui gali atiduoti penktuosius elektronus, tampanius
priemaiiniais laidumo elektronais neigiamais krvininkais. Todl
puslaidininkiai, kuri priemaios yra penktosios grups elementai, yra
vadinami elektroniniais arba n (angl. negative neigiamas)
puslaidininkiais. Penkiavaleni element atomai, praturtinantys pus-
laidinink priemaiiniais elektronais, vadinami donorais (lot. dono
dovanoju).

2.7.2. n puslaidininkio Fermio lygmuo ir krvinink
koncentracijos

Priemaiini puslaidininki Fermio lygmuo ir krvinink
koncentracijos labai priklauso nuo temperatros ir priemai
koncentracijos.
Absoliuiojo nulio temperatroje tiek puslaidininkio, tiek
donorins priemaios atomai nejonizuoti. Penktieji donorins
priemaios elektronai skrieja apie priemaiinius atomus. Energijos
lygmen diagramoje penktieji elektronai uima donorinius lygmenis.
Fermio lygmuo yra tarp uimt donorini lygmen
d
W ir tuios
laidumo juostos dugno
c
W (2.12 pav.).
Kylant temperatrai, intensyvja puslaidininkio kristalo
iluminiai virpesiai, elektronai gyja daugiau energijos ir kyla i
donorini lygmen laidumo juost. Taigi vyksta priemaios atom
jonizacija ir atsiranda priemaiini laidumo elektron. Kylant
temperatrai, j koncentracija didja.
Tam tikroje temperatroje, kuri gerokai emesn u 300 K, visi
priemaios atomai ir donoriniai lygmenys itutja netenka penktj
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
58

elektron. Tada laidumo
elektron koncentracija pasiekia
donorins priemaios kon-
centracij
d
N .
Toliau kylant temperatrai,
laidumo elektron koncentracija
plaiame temperatros intervale
praktikai nesikeiia. Mat
priemaiiniai lygmenys jau
itutj, o savj puslaidininkio
krvinink koncentracija dar
labai nedidel. Vadinasi,
vidutini temperatr srityje
elektron koncentracija n
puslaidininkyje
d n
N n . (2.44)
inant laidumo elektron koncentracij, pagal (2.41) formul
galima apskaiiuoti skyli koncentracij n puslaidininkyje:
. / /
d
2
i n
2
i n
N n n n p (2.45)
Vidutini temperatr srityje savj krvinink koncentracija
daug maesn nei priemaiini elektron koncentracija (
n i
n n << ).
Kadangi
i i
p n , tai pagal (2.45) formul

i i
n
i
n
p p
n
n
p << .
Vadinasi, vidutini temperatr srityje skyli koncentracija n
puslaidininkyje yra maesn nei grynajame puslaidininkyje. Taip yra
todl, kad dl susidrim su elektronais, kuri koncentracija didel,
dalis skyli rekombinuoja.
Taigi vidutini temperatr srityje elektron koncentracija n
puslaidininkyje esti daug didesn u skyli koncentracij. Todl
elektronai yra n puslaidininkio pagrindiniai krvininkai, skyls
alutiniai krvininkai.

W
W
v


W
c

WF(T)
Wd
T 0


2.12 pav. n puslaidininkio Fermio
lygmens priklausomyb nuo tem-
peratros
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
59

Fermio lygmens padt vidutini temperatr srityje galima rasti
remiantis (2.36) formule. Atsivelg (2.44), j galime urayti
itokiu pavidalu:
( ) [ ]
d F c c n
k / exp N T W W N n . (2.46)
Ilogaritmav (2.46), galime gauti:

d
c
c F
ln k
N
N
T W W . (2.47)
Jeigu puslaidininkis neisigims, tai
c d
N N << . Tada
( )
d c
ln N N >0. Vadinasi, vidutini temperatr srityje, kylant
temperatrai, Fermio lygmuo leidiasi emyn ir tolsta nuo
c
W
(2.12 pav.).
Kai temperatra labai pakyla, sustiprjus kristalo iluminiams
virpesiams, prasideda intensyvus elektron kilimas i valentins
laidumo juost generuojami savieji krvininkai (2.12 pav.). Tam
tikroje temperatroje savj elektron koncentracija pasiekia
priemaiini elektron koncentracij. Toliau kylant temperatrai,
savj krvinink koncentracija tampa dominuojania ir spariai
didja. Tada puslaidininkio elektrin laidum lemia savieji
krvininkai. Taigi aukt temperatr srityje krvinink
koncentracijas galima skaiiuoti taikant (2.42) formul. Laikydami,
kad
p n
m m gauname, kad Fermio lygmuo aukt temperatr srityje
yra draudiamosios juostos viduryje (2.12 pav.).
Priemaiini puslaidininki krvinink koncentracij
priklausomybs nuo temperatros grafikai danai sudaromi
koordinai sistemoje, kurios abscisi ayje, kaip ir 2.9 paveiksle,
atidedamas dydis, atvirkias temperatrai, o ordinai ayje
krvinink koncentracij logaritmai. Tokioje koordinai sistemoje
koncentracij kreives gana tiksliai galima aproksimuoti tiesi
atkarpomis (2.13 pav.), kurias atitinka trys aptartos temperatr sritys.
Pirmoji, em temperatr sritis, dar vadinama priemai
jonizacijos sritimi. ioje srityje, kylant temperatrai, laidumo
elektron koncentracija didja, nes vis daugiau elektron i donorini
lygmen pakyla laidumo juost. Temperatroje
s
T (donorini
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
60

lygmen itutjimo temperatroje) visi priemaios atomai tampa
jonizuoti.
Antroji, vidutini temperatr sritis tai priemaiinio laidumo
sritis. Joje pagrindini krvinink koncentracija praktikai nepriklauso
nuo temperatros. alutini krvinink skyli koncentracija,
kylant temperatrai, spariai auga, nes vis daugiau elektron
atsipalaiduoja i kovalentini ryi. Temperatrai artjant prie
treiosios srities, alutini krvinink koncentracija artja prie
pagrindini krvinink koncentracijos.
Temperatrai virijus
i
T , elektron ir skyli koncentracijos spar-
iai didja, nes generuojami savieji krvininkai. Todl treioji, aukt
temperatr sritis, dar vadinama savojo laidumo sritimi. Temperatra
i
T yra savojo laidumo atsikrimo temperatra.
Temperatroje
s
T Fermio lygmuo nusileidia iki donorini
lygmen ir j upildymo tikimyb tampa ( )
d F
W f 1/2. Tada,
taikydami supaprastint model (neatsivelgdami donorini lygmen
upildymo ypatumus), galime sakyti, kad pakilusi i donorini
lygmen laidumo juost elektron koncentracija 2 /
d
N n . Tuomet,
taikydami (2.36) formul, galime gauti, kad

( )
d c
d c
s
/ 2 ln k N N
W W
T

. (2.48)

lnn
lnp
1 2 3
1/T 1/T
i
1/T
s

lnn
n

lnp
n



2.13 pav. n puslaidininkio krvinink
koncentracij priklausomybs nuo
temperatros

W
Wv

Wc
Wd
WF


2.14 pav. n puslaidinin-
kio energijos lygmen
diagrama
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
61

Temperatroje
i
T savj elektron koncentracija
i
n pasiekia
priemaiini elektron koncentracij
d n
N n . Remdamiesi slyga
d i
N n ir taikydami (2.42) formul, galime rodyti, kad

) / ln( k
2
d v c
i
N N N
W
T . (2.49)
Temperatra
s
T esti daug emesn, o temperatra
i
T ymiai
auktesn u 300 K.
Kaip jau minjome, Fermio lygmuo ir krvinink koncentracija
labai priklauso ir nuo priemai koncentracijos. Jei fosforo kon-
centracija silicyje yra 10
5
%, tai 300 K temperatroje Fermio lygmuo
yra madaug 0,2 eV emiau laidumo juostos dugno (2.14 pav.).
Kuo didesn donorini priemai koncentracija, tuo pagal (2.47)
formul Fermio lygmuo yra aukiau, ariau laidumo juostos dugno.
Kuo maesn priemai koncentracija, tuo Fermio lygmuo emiau,
ariau draudiamosios juostos vidurio kaip grynajame pus-
laidininkyje. Taip pat svarbu pastebti, kad n puslaidininkio Fermio
lygmuo visuomet bna aukiau draudiamosios juostos vidurio. Taigi
Fermio lygmuo vir draudiamosios juostos vidurio yra n
puslaidininkio poymis.
Pagal (2.44), didjant donorins priemaios koncentracijai
d
N ,
pagrindini n puslaidininkio krvinink laidumo elektron
koncentracija
n
n didja, nes
d n
N n . alutini krvinink skyli
koncentracija maja, nes pagal (2.45)
d
2
i n
/ N n p .
2.9 uduotis
Silicio ploktel legiruota fosforu. Fosforo koncentracija 10
15
cm
3
.
Raskime elektron, skyli koncentracijas ir Fermio lygmens padt 300 K
temperatroje.
Sprendimas.
Fosforas donorin priemaia. Legiruotas fosforu silicis 300 K
temperatroje yra n puslaidininkis. Jo pagrindini krvinink elektron
koncentracija
15
d n
10 N n cm
3
.
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
62

Skyls alutiniai n puslaidininkio krvininkai. J koncentracija
ireikiama (2.45) formule. Savj krvinink koncentracija silicyje 300 K
temperatroje yra 1,510
10
cm
3
. Tada
5
15
2 10
d
2
i
n
10 25 , 2
10
) 10 5 , 1 (


N
n
p cm
3
.
Taikydami (2.47) formul, galime rasti Fermio lygmens nuotol nuo
laidumo juostos dugno. Efektinis lygmen tankis laidumo juostoje
ireikiamas (2.37) formule. Kadangi uduoties slygoje nra ini apie
elektrono efektin mas, galime priimti, kad elektrono efektin mas
apytikriai lygi jo ramybs masei. Tada
25
3
2 / 3
n
c
10 5 , 2 ...
h
) k 2 ( 2

T m
N m
-3
.
eV 26 , 0 J 10 2 , 4 ... ln k
20
d
c
F c


N
N
T W W .

2.7.3. Puslaidininkiai, legiruoti akceptorinmis priemaiomis

Akceptorinmis priemaiomis keturvaleniams germaniui ir
siliciui gali bti trivaleni element boro (B), aliuminio (Al), galio
(Ga), indio (In) atomai.
Panagrinkime silic, kuriame yra priemaiini boro atom. Boro
atomas turi tik tris valentinius elektronus. Todl, susidarant
kovalentiniams ryiams, vienas ryys prie boro atomo nesusidaro
(2.15 pav., a).
gijs nedidel energij, prie boro atomo gali perokti silicio
atomo valentinis elektronas i gretimo ryio (2.15 pav., b). Taip
puslaidininkyje, legiruotame akceptorine priemaia, atsiranda
teigiamas silicio jonas, prie kurio trksta ryio, tai yra atsiranda
teigiama skyl. Kartu boro atomas tampa neigiamu boro jonu.
Kadangi trivaleniai atomai tarsi pagauna valentinius elektronus, jie
vadinami akceptoriais ( lot. acceptor primjas).
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
63

Puslaidininkio energijos lygmen diagramoje akceptorins
priemaios sudaro akceptorinius lygmenis netoli valentins juostos
viraus (2.16 pav.).
Absoliuiojo nulio temperatroje akceptoriniai lygmenys yra
laisvi. Fermio lygmuo yra tarp lygmen
v
W ir
a
W (2.17 pav.).
Puslaidininkyje laisvj krvinink nra.
Kylant temperatrai, vyksta akceptorins priemaios atom


Si Si Si
Si Si
Si Si Si
B
Si
Si Si Si
Si Si Si
Si Si
Si Si Si
B

Si
+

Si Si Si
a b


2.15 pav. Legiruoto akceptorine priemaia puslaidininkio
kristalins gardels plokiasis modelis

W
W
v


W
c

W
a



2.16 pav. Akceptorine prie-
maia legiruoto puslai-
dininkio energijos lygmen
diagrama

W
Wv

Wc
WF(T)
Wa
T 0


2.17 pav. Akceptorine priemaia
legiruoto puslaidininkio Fermio lyg-
mens priklausomyb nuo tempera-
tros
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
64

jonizacija valentins juostos elektronai kyla akceptorinius
lygmenis. Valentinje juostoje atsiranda skyli. Kylant temperatrai,
skyli koncentracija didja ir temperatroje
s
T tampa apytikriai lygi
akceptorini priemai koncentracij
a
N . Pastarj mint iliustruoja
2.18 paveikslas, kuriame atvaizduotos krvinink koncentracij
priklausomybs nuo temperatros.
Vidutini temperatr, arba priemaiinio laidumo srityje skyli
koncentracija nekinta:
a p
N p . (2.50)
Elektron koncentracija
n
n yra nedidel ir kylant temperatrai
didja, nes pagal (2.41)
a
2
i
p
2
i
p
N
n
p
n
n . (2.51)
Fermio lygmuo vidutini temperatr srityje kyla, artdamas prie
draudiamosios juostos vidurio. Laikydami, kad
a p
N p ir taikydami
(2.38) formul galime gauti kad
a
v
v F
ln k
N
N
T W W (2.52)

lnp
lnn
1 2 3
1/T 1/T
i
1/T
s

lnp
p

lnn
p



2.18 pav. Akceptorine priemaia legi-
ruoto puslaidininkio krvinink kon-
centracij priklausomybs nuo tem-
peratros

W
Wv

W
c

Wa
WF


2.19 pav. p puslaidininkio
energijos lygmen dia-
grama
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
65

Temperatrai pasiekus savojo laidumo atsikrimo temperatr
i
T ,
elektron ir skyli koncentracijos susilygina (2.18 pav.). Aukt
temperatr arba savojo laidumo srityje, kylant temperatrai,
krvinink koncentracijos silicyje spariai didja, nes vis daugiau
elektron pakyla i valentins juostos laidumo juost.
300 K temperatroje Fermio lygmens padtis ir krvinink
koncentracijos priklauso nuo akceptori koncentracijos. Kai pus-
laidininkis silicis, priemaia boras ir jos koncentracija 10
5
%, tai
Fermio lygmuo 300 K temperatroje yra madaug 0,2 eV aukiau
valentins juostos viraus (2.19 pav.). Jeigu priemaios koncentracija
maesn, tai Fermio lygmuo yra aukiau, ariau draudiamosios
juostos vidurio. Jeigu priemaios koncentracija didesn, tai Fermio
lygmuo yra emiau, ariau valentins juostos viraus.
Pagal (2.50), kai priemai koncentracija
a
N didesn, skyli
koncentracija yra didesn, nes
a p
N p , o elektron koncentracija
maesn, nes pagal (2.51)
a
2
i p
/ N n p .
300 K temperatros aplinkoje galioja nelygybs
p i p
n p p >> >> .
Todl vidutini temperatr srityje teigiamos skyls yra
pagrindiniai puslaidininkio, legiruoto akceptorine priemaia,
krvininkai, laidumo elektronai alutiniai krvininkai. Todl
legiruoti akceptoriais puslaidininkiai vadinami skyliniais arba p
puslaidininkiais (angl. positive teigiamas). Jei
p n
m m , skylinio
laidumo puslaidininkio Fermio lygmuo esti emiau draudia-
mosios juostos vidurio.
2.10 uduotis
Germanio ploktel legiruota boru. Boro koncentracija 10
16
cm
3
.
Raskime elektron ir skyli koncentracijas puslaidininkyje 300 K
temperatroje.
Sprendimas.
Boras akceptorin priemaia. Legiruotas boru germanis 300 K
temperatroje yra p puslaidininkis. Jo pagrindini krvinink skyli
koncentracija
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
66

16
a p
10 N p cm
3
.
Elektronai alutiniai p puslaidininkio krvininkai. J koncentracija
ireikiama (2.51) formule. Taigi
10
16
2 13
a
2
i
p
10 25 , 6
10
) 10 5 , 2 (


N
n
n cm
3
.

2.8. Efektin priemai koncentracija. Puslaidininki
isigimimas

Daniausiai puslaidininkyje bna abiej tip ir donorini, ir
akceptorini priemai. Jeigu donor koncentracija '
d
N didesn nei
akceptori koncentracija '
a
N , donorini lygmen tankis puslai-
dininkyje didesnis nei akceptorini lygmen tankis (2.20 pav.).
Vidutini temperatr srityje elektronai i dalies donorini lygmen
yra nusileid akceptorinius lygmenis. Netek elektron donorai ir
prisijung elektronus akcep-
toriai yra nejudrs jonai. Taigi
dalis donorins priemaios
atom puslaidininkyje sukom-
pensuoja akceptorin prie-
mai. Kiti donoriniai lyg-
menys vidutini temperatr
srityje taip pat yra tuti i j
elektronai yra pakil laidumo
juost. Taigi puslaidininkyje
vyrauja priemaiiniai krvi-
ninkai elektronai. Skyli gali
atsirasti tik dl elektron uoli
i valentins laidumo juost.
Puslaidininkis turi bti
neutralus teigiamj ir
neigiamj krvi koncentracijos turi bti vienodos:
' '
d a
N p N n + + . (2.53)

W
W
c

W
d

Wa
W
v


2.20 pav. Puslaidininkio, kuriame
yra donorini ir akceptorini
priemai, energijos lygmen
diagrama
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
67

Remdamiesi ia elektrinio neutralumo slyga ir prisimindami, kad
neisigimusiame puslaidininkyje
2
i
n np , galime rasti krvinink
koncentracijas.
Jeigu ' '
a d
N N >> , tai elektron koncentracija puslaidininkyje daug
didesn nei skyli koncentracija. Elektronai jame pagrindiniai
krvininkai, puslaidininkis yra n puslaidininkis. Tada pagal (2.53) ir
(2.41)
' '
a d d n
N N N n ,
d
2
i n
/ N n p ; (2.54)
ia
d
N efektin donorini priemai koncentracija.
Jeigu ' '
d a
N N >> , tai
' '
d a a p
N N N p ,
a
2
i p
/ N n n ; (2.55)
ia
a
N efektin akceptorini priemai koncentracija.
Jeigu ' '
a d
N N , tai priemaiini krvinink koncentracija yra
maa. Jeigu savj krvinink koncentracija didesn nei priemaiini
( ' '
a d i
N N n > ), puslaidininkis pasiymi savojo laidumo kompen-
suotojo puslaidininkio savybmis.
Dabar galime patikslinti ir grynojo puslaidininkio svok:
puslaidinink galime laikyti grynuoju, jeigu jame savj krvinink
daug daugiau nei priemaiini.
I aptarimo seka, kad, terpiant legiruot puslaidinink kito tipo
priemai, galima kompensuoti pradines priemaias arba net pakeisti
puslaidininkio laidumo tip. Vliau sitikinsime, kad toks laidumo tipo
keitimo principas labai plaiai taikomas puslaidininkini tais ir
integrini grandyn gamyboje. Kita vertus, kompensuoti priemaias ir
pakeisti laidumo tip galima, jeigu pradin priemai koncentracija
nedidel.
Kai priemaios koncentracija didja, nuotolis tarp priemaios
atom maja. Suartj priemaios atomai pradeda sveikauti. Tada
priemaiiniai lygmenys iplinta ir i j susidaro leidiamosios
energijos juostos.
Silicis ir germanis isigimsta, kai nuotolis tarp priemaios atom
yra tik apie deimt kart didesnis u vidutin nuotol tarp gretim
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
68

puslaidininkio atom. Tai atsitinka, kai priemaios koncentracija
pasiekia 0,010,1 % ir sudaro 10
18
10
19
cm
3
.
Priemaiiniai lygmenys esti arti leidiamosios energijos juost.
Jeigu didel donorini priemai koncentracija, tai susidariusi i
iplitusi donorini lygmen juosta dalinai persidengia su laidumo
juosta. Taigi susidaro hibridin laidumo juosta. Apatiniai ios juostos
lygmenys yra upildyti elektron. Taigi isigimusio donorinio
puslaidininkio Fermio lygmuo yra vir laidumo juostos dugno
(2.21 pav., a).
Kai didel akceptorini priemai koncentracija, tai iplit
akceptoriniai lygmenys sudaro leidiamosios energijos juost, kuri
dalinai persikloja su valentine juosta. Kadangi akceptoriniai lygmenys
neuimti elektron, susidariusios hibridins valentins juostos
virutiniai lygmenys yra neupildyti. Taigi Fermio lygmuo yra emiau
valentins juostos viraus (2.21 pav., b ).
I aptarimo aiku, kad isigimusio puslaidininkio hibridinse
juostose net absoliuiojo nulio temperatroje vir elektron upildyt
lygmen yra laisv lygmen. Todl isigimusi puslaidininki
savybs skiriasi nuo neisigimusi puslaidininki savybi isigim
puslaidininkiai, panaiai kaip laidininkai, laids net absoliuiojo nulio
temperatroje. Aukt temperatr srityje, kylant temperatrai,
krvinink koncentracija isigimusiame puslaidininkyje spariai
didja dl savj krvinink generacijos.

W
Wv

Wc
W
F


W
WF

Wc
Wv

a b

2.21 pav. Isigimusi puslaidininki energijos lygmen diagramos
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
69

Dar verta pastebti, kad dl priemaiini juost susidarymo
isigimusiuose puslaidininkiuose susiaurja draudiamoji juosta.
2.11 uduotis
Silicis legiruotas fosforu ir boru. Fosforo koncentracija 10
17
cm
3
,
boro 10
16
cm
-3
. Raskime krvinink koncentracijas 300 K temperatroje.
Sprendimas
Efektin fosforo koncentracija:
. cm 10 9 10 10 ' '
3 16 16 17
a d d

N N N
Tuomet 300 K temperatroje
, cm 10 9
3 16
d n

N n
. cm 10 5 , 2
10 9
) 10 5 , 1 (
3 3
16
2 10
d
2
i
n


N
n
p

2.9. Nepusiausvirieji krvininkai

Kaip jau buvo minta, tuo paiu metu puslaidininkyje vyksta du
procesai krvinink generacija ir rekombinacija. Tam tikroje
temperatroje, esant termodinaminei pusiausvyrai, krvinink
generacijos ir rekombinacijos spartos yra vienodos. Todl krvinink
koncentracijos nekinta.
Veikiant ilumai ir kylant temperatrai, tampa intensyvesni
kristalins gardels virpesiai. iluma sukelia krvinink generacij,
veikdama per tarpinink kristalin gardel. Dl ios prieasties ir dl
to, kad iluminiai procesai yra inertiki, kintant temperatrai,
krvinink koncentracijos lieka pusiausviros. Krvininkai, kuriuos
lemia iluminiai procesai, yra pusiausvirieji krvininkai.
Danai puslaidinink veikia dar ir kiti veiksniai, pavyzdiui,
viesa, iorinis elektrinis laukas, sukuriantys perteklinius arba
nepusiausviruosius krvininkus. Nepusiausvirieji savieji krvininkai
atsiranda, kai iorinio adinimo energija tiesiogiai perduodama
valentiniams elektronams.
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
70

Vidutini temperatr srityje pertekliniai elektronai ir skyls
silicyje gali atsirasti dl elektron uoli i valentins laidumo
juost. Todl nepusiausvirj elektron ir skyli koncentracijos esti
vienodos:
p n .
Sakykime, kad turime plon n silicio ploktel. 300 K
temperatroje pusiausvirj elektron koncentracija
d n
N n ,
pusiausvirj skyli koncentracija
d
2
i n
/ N n p . Apvietus ploktel,
krvinink koncentracijos gali padidti. Atsiradus perteklini
krvinink, elektron ir skyli koncentracijos apviestoje ploktelje
ireikiamos formulmis:
.
,
0 n 0
0 n 0
p p p
n n n

+
+
(2.56)
Laiko momentu t 0 ijungus vies, prasideda pusiausvirj
koncentracij atsistatymo procesas. Krvinink rekombinacija vyksta
spariau nei generacija ir j koncentracijos maja artja prie
n
n ir
n
p .
Nagrindami stambiu planu, galime sakyti, kad krvinink
rekombinacijos greitis proporcingas perteklini krvinink
koncentracijoms:

n
t
n
t
n
...
d
) d(
d
d
, (2.57)

p
t
p
t
p
...
d
) d(
d
d
; (2.28)
ia / 1 proporcingumo koeficientas; minuso enklas ymi, kad
laikui bgant krvinink koncentracijos maja.
Isprend (2.57) ir (2.58) lygtis ir atsivelg pradines slygas
(
0
n n ir
0
p p , kai 0 t ), gautume:
) / exp( ) / exp(
0 0
t p t n p n . (2.59)
Taigi nurodytomis slygomis nepusiausvirj krvinink
koncentracijos kinta eksponentiniu dsniu (2.22 pav.). Dydis yra
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
71

nepusiausvirj krvi-
nink gyvavimo trukm.
Per laik perteklini
krvinink koncentra-
cijos sumaja e 2,72
kart.
Pagal (2.57) ir
(2.58) elektron ir skyli
rekombinacijos spartos
vienodos, atvirkiai
proporcingos krvinink
gyvavimo trukmei. Dl
pastarosios prieasties krvinink gyvavimo trukm labai svarbus
puslaidininkio parametras. Nagrindami puslaidininkinius taisus
sitikinsime, kad nuo krvinink gyvavimo trukms priklauso
daugelio puslaidininkini tais danins savybs ir veikimo sparta.
Jeigu tenkinamos slygos
0 n
n n >> ir
0 n
p p << , atsistatant
pusiausvirosioms koncentracijoms, elektron koncentracija kinta
neymiai, skyli koncentracija sumaja daugel kart. Taigi
priemaiinio puslaidininkio elektrini savybi kitim gali lemti
alutini krvinink koncentracijos kitimas.
Krvinink rekombinacijos mechanizmus isamiau aptarsime
nagrindami viesos generavim optins elektronikos puslai-
dininkiniuose taisuose. Dabar pastebsime tik tai, kad rekombinacija
gali vykti vairiai. Rekombinacijos metu elektron energija gali
atsipalaiduoti viesos kvant pavidalu (spindulin rekombinacija) arba
suadinti intensyvesnius kristalins gardels virpesius (nespindulin
rekombinacija). Rekombinacijos metu krvininkai gali okti i
laidumo juostos valentin juost (tarpjuostin rekombinacija) arba
pasiekti valentin juost per rekombinacijos centrus.
Kai kurios priemaios gali sudaryti leidiamosios energijos
lygmenis arti puslaidininkio draudiamosios juostos vidurio. Toki
priemai atomai atlieka rekombinacijos centr vaidmen. Kai toki
centr yra, krvinink rekombinacija vyksta dviem etapais.
Elektroniniame puslaidininkyje elektronai rekombinuoja per


n , p
n
0
, p
0
0 t


2.22 pav. Nepusiausvirj krvinink
koncentracij kitimas bgant laikui
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
72

upildytus rekombinacijos centrus. I pradi elektronas i
rekombinacijos lygmens patenka valentin juost. Rekombinacijos
lygmuo lieka tuias. Po to laidumo juostos elektronas nusileidia
tui lygmen. Skyliniame puslaidininkyje rekombinacija vyksta per
tuius rekombinacijos centrus. Pirmiausia elektronas nusileidia
rekombinacijos lygmen. Po to jis oka valentin juost, o
rekombinacijos lygmuo lieka tuias.
Jeigu silicyje vyraut spindulin rekombinacija, tai krvinink
gyvavimo trukm bt labai didel. Praktikai krvinink gyvavimo
silicyje trukm esti ne ilgesn kaip keletas milisekundi. Taip yra
todl, kad vyrauja nespindulin rekombinacija per rekombinacijos
centrus.
Rekombinacijos centr vaidmuo labai reikmingas. Pavyzdiui,
gryn german terpus 10
5
% nikelio arba aukso atom, krvinink
gyvavimo trukm sumaja penkiomis eilmis.
Rekombinacijos centr vaidmen gali atlikti dislokacijos ir kiti
kristalo defektai.

2.10. Elektron sistemos pusiausvyra

Daleli sistemos savybes galima tirti ne tik statistiniais, bet ir
termodinaminiais metodais. Termodinamikoje, tiriant makroskopini
sistem savybes, nesigilinama sistemoje vykstani proces mikro-
skopin prigimt. Sistemos bsena nusakoma tokiais parametrais kaip
tris, slgis, temperatra.
Termodinamikoje rodoma, kad pastovioje temperatroje ir esant
pastoviam slgiui termodinamins sistemos laisvosios Gibso (Gibbs)
energijos pokytis ireikiamas formule
N G d d ; (2.60)
ia sistemos cheminis potencialas, N d sistem sudarani
daleli skaiiaus pokytis.
Kai N d 1, tai G d . Taigi sistemos cheminis potencialas
lygus sistemos laisvosios Gibso energijos pokyiui, sistemos daleli
skaiiui padidjant viena dalele.
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
73

Remdamiesi (2.60) formule,
iveskime sudarytos i dviej dali
termodinamins sistemos (2.23 pav.)
pusiausvyros slyg.
Sakykime, kad
1
ir
2

sistemos dali cheminiai potencialai.
Tada, perjus i pirmosios sistemos
dalies antrj dal N d daleli,
sistemos pirmosios dalies laisvoji energija sumaja N d
1
, antro-
sios padidja N d
2
. Visos sistemos laisvosios Gibso energijos
pokytis ireikiamas formule:
N N G d d d
2 1
+ . (2.61)
Vykstant termodinaminiam procesui, sistema ilieka pusiausvyros
bsenoje, jeigu jos laisvoji energija nesikeiia ir lieka minimali
( G d 0). Tada pagal (2.61)
0 d d
2 1
+ N N .
I ia

2 1
. (2.62)
Gautoji iraika liudija, kad pusiausvyros bsenoje sistemos dali
cheminiai potencialai yra vienodi.
Nusistovint pusiausvyrai, sistemos laisvoji Gibso energija maja
( < G d 0). Tada
0 d d
2 1
< + N N
ir

1 2
< . (2.63)
Pastaroji nelygyb reikia, kad, nusistovint pusiausvyrai, dalels
i sistemos dalies, kurios cheminis potencialas auktesnis, pereina
sistemos dal, kurios cheminis potencialas emesnis.
Prisimin, kad puslaidininki fizikoje cheminis potencialas
vadinamas Fermio lygmeniu, (2.62) formul galime taip perrayti:
2 F 1 F
W W . (2.64)
Taigi sudaryta i dviej dali sistema yra pusiausvira, jeigu jos
dali Fermio lygmenys yra vienodi. Pagal (2.63), nusistovint



1

2
d N



2.23 pav. Termodinamin
sistema
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
74

pusiausvyrai, elektronai i sistemos dalies, kur Fermio lygmuo
aukiau, pereina sistemos dal, kur Fermio lygmuo yra emiau.

2.11. Ivados

1. Metalo laisviesiems elektronams taikoma Fermio ir Dirako
statistika. Kadangi elektronams galioja Paulio draudimo
principas, j bsen tankis yra ribotas. Kvantin bsen gali
uimti du elektronai su prieingais sukiniais. Bsenos upildymo
tikimyb ireikia Fermio ir Dirako pasiskirstymo funkcija
) (
F
W f . Fermio ir Dirako pasiskirstymo funkcijos parametras yra
Fermio lygmens energija
F
W . Bet kurioje temperatroje Fermio
lygmens upildymo tikimyb lygi 1/2.
2. Puslaidininki krvininkai daniausiai sudaro neisigimusi
sistem. Tokiai sistemai vietoje kvantins Fermio ir Dirako
statistikos galima taikyti paprastesn klasikin Maksvelo ir
Bolcmano statistik.
3. Grynojo puslaidininkio elektrin laidum lemia dviej tip savieji
krvininkai elektronai ir skyls. J koncentracijos yra vienodos.
Grynojo puslaidininkio elektron ir skyli koncentracijos
priklauso nuo draudiamosios juostos ploio ir temperatros. Kuo
platesn draudiamoji juosta, tuo maesns krvinink kon-
centracijos. Kylant temperatrai, krvinink koncentracijos
grynajame puslaidininkyje spariai didja. Jei skyli ir elektron
efektins mass artimos, Fermio lygmuo beveik nepriklauso nuo
temperatros ir yra arti draudiamosios juostos vidurio.
4. Periodins element sistemos penktosios grups elementai
fosforo (P), arseno (As), stibio (Sb) atomai gali bti paprastj
puslaidininki (Ge ar Si) donorinmis priemaiomis. Kiekvienas
donorins priemaios atomas dovanoja puslaidininkiui vien
laidumo elektron neigiam krvinink. Todl paprastieji pus-
laidininkiai, kuri priemaios yra penktosios grups elementai,
vadinami elektroniniais arba n puslaidininkiais. Vidutini tempe-
ratr srityje elektron koncentracija n puslaidininkyje nepri-
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
75

klauso nuo temperatros ir yra lygi donorini priemai koncen-
tracijai:
d n
N n . Skyli koncentracija
d
2
i n
/ N n p yra maesn
nei savj krvinink koncentracija
i
p ir, kylant temperatrai,
spariai auga. Elektronai yra pagrindiniai n puslaidininkio
krvininkai, o skyls alutiniai krvininkai. n puslaidininkio
Fermio lygmuo yra vir draudiamosios juostos vidurio.
5. Trivaleni element boro (B), aliuminio (Al), galio (Ga),
indio (In) atomai keturvaleniams germaniui ir siliciui yra
akceptorins priemaios. Akceptorins priemaios atomui trksta
vieno elektrono ryiams su gretimais puslaidininkio atomais
sudaryti. Kai prie tokio atomo peroka puslaidininkio atomo
elektronas, atsiranda teigiamas puslaidininkio jonas, prie kurio
trksta ryio puslaidininkyje atsiranda teigiama skyl. Pus-
laidininkiuose, legiruotuose akceptorinmis priemaiomis, skyls
yra pagrindiniai krvininkai. Todl ie puslaidininkiai vadinami
skyliniais arba p puslaidininkiais. Vidutini temperatr srityje
skyli koncentracija lygi akceptori koncentracijai:
a p
N p .
Elektronai alutiniai p puslaidininkio krvininkai. J kon-
centracija
a
2
i p
/ N n n maa, taiau spariai didja kylant
temperatrai. Kai
n p
m m , p puslaidininkio Fermio lygmuo esti
emiau draudiamosios juostos vidurio.
6. Kai priemaios koncentracija puslaidininkyje nedidel, priemai
galima sukompensuoti terpiant kito tipo priemai. Jeigu terpt
priemai koncentracija tampa didesn nei pradin, pasikeiia
puslaidininkio laidumo tipas.
7. Didjant priemai koncentracijai, maja atstumas tarp
priemai atom. Suartj priemai atomai pradeda sveikauti, ir
puslaidininkis isigimsta. Isigimusiame n puslaidininkyje Fermio
lygmuo yra aukiau laidumo juostos dugno, isigimusiame p
puslaidininkyje emiau valentins juostos viraus. Abiem
atvejais tuoj pat vir upildyt lygmen yra neuimt lygmen.
Todl isigim puslaidininkiai laids net absoliuiojo nulio
temperatroje.
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
76


2.12. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Kokia statistika nagrinja metal elektron savybes?
2. Paaikinkite pasiskirstymo funkcij ) (W f ir ) (W N prasm.
3. Iveskite elektron bsen tankio iraik.
4. Uraykite Fermio ir Dirako pasiskirstymo funkcij ir paaikinkite jos
prasm.
5. Sudarykite funkcijos ) (
F
W f grafikus, kai T = 0 K ir T > 0 K.
6. Kas yra Fermio lygmuo?
7. Apskaiiuokite tikimybes, kad metalo elektronai bus um energijos
lygmenis ( ) 1 , 0
F
+ W eV ir ) 1 , 0 (
F
W eV, kai T = 0; 300; 1000 K.
Ats.: 1; 0; 0,98; 0,02; 0,76, 0,24.
8. Iveskite metalo elektron pasiskirstymo pagal energijos reikmes
funkcij ir sudarykite jos grafikus, kai T = 0 K ir T > 0 K.
9. Iveskite metalo Fermio energijos iraik, kai T = 0 K.
10. Absoliuiojo nulio temperatroje metalo Fermio energija yra 7 eV.
Apskaiiuokite io metalo laisvj elektron koncentracij, kai T = 0.
Ats.: 8,4
.
10
28

m
3
.
11. Uraykite neisigimimo slyg ir supaprastinkite Fermio ir Dirako
funkcijos iraik. Aptarkite gaut rezultat.
12. Iveskite neisigimusios sistemos daleli energijos pasiskirstymo
funkcij.
13. Sudarykite neisigimusios sistemos daleli energijos pasiskirstymo
grafik. Kaip daleli pasiskirstymas kinta kylant temperatrai?
14. Kokiomis slygomis kietojo kno elektron sistema yra neisigimusi?
15. Iveskite neisigimusios sistemos daleli pasiskirstymo pagal impulso
reikmes funkcij ir tikimiausio impulso iraik.
16. Kaip galima rasti daleli parametr vidutines reikmes?
17. Iveskite neisigimusios sistemos dalels vidutins kinetins energijos
iraik.
18. Sakykime, kad trio vienete yra N daleli. Daleli skaiius trio vienete
greiio intervale [v, v+dv] ireikiamas formule dN = Kvdv, kai v < v
0
, ir
lygus 0, kai v > v
0
. Sudarykite daleli pasiskirstymo pagal greit
funkcijos grafik. Konstant K ireikkite per N ir v
0
. Apskaiiuokite
sistemos dalels vidutin, vidutin kvadratin ir tikimiausi greiius.
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
77

Ats.: 2N/ v
0
2
, 2v
0
/3, 0,707v
0
, v
0
.
19. Atsivelgdami, kad absoliuiojo nulio temperatroje metalo elektron
pasiskirstymo funkcija ireikiama formule W CN W N ) ( , kai
W <
F
W , ir N(W) = 0, kai W >
F
W , apskaiiuokite vidutin elektrono
energij. Raskite kuri elektron dalis yra energijos intervale nuo 0,1
F
W
iki 0,2
F
W .
Ats.: 0,6
F
W , 0,058.
20. Metalo Fermio lygmens energija 7 eV. Raskite elektrono vidutin
energij ir vidutin kvadratin greit, kai T = 0 K.
Ats.: 4,2 eV, 1,2
.
10
6
m/s.
21. Raskite silicio laisvojo elektrono vidutin kinetin energij ir vidutin
kvadratin greit, kai T = 300 K.
Ats. 0,039 eV, 117 km/s.
22. Palyginkite ir pakomentuokite 24 ir 25 udavini rezultatus.
23. Kiek kart padidja germanio laisvj elektron energija kylant
temperatrai nuo 10 iki 100
0
C?
Ats.: 1,32.
24. Kodl 0 K temperatroje puslaidininkis nelaidus?
25. Sudarykite grynojo silicio kristalins gardels dvimat model.
Paaikinkite, kaip vyksta savj krvinink generacija, judjimas ir
rekombinacija.
26. Sudarykite grynojo silicio energijos lygmen diagram ir paaikinkite,
kaip vyksta krvinink generacija ir rekombinacija.
27. Kiek krvinink atsiranda elektronui ijus i kovalentiniam ryio?
28. Koks yra grynojo puslaidininkio laidumo elektron ir skyli
koncentracij ryys?
29. Kokia yra Fermio lygmens padtis grynajame puslaidininkyje?
30. Iveskite grynojo puslaidininkio laidumo elektron koncentracijos
iraik.
31. Nuo ko, kaip ir kodl priklauso krvinink koncentracija grynajame
puslaidininkyje?
32. Iveskite grynojo puslaidininkio Fermio energijos iraik.
33. vertinkite, kuri germanio ir silicio valentini elektron dalis 300 K
temperatroje yra laidumo juostoje.
34. Apskaiiuokite, kiek kart pakis savj krvinink koncentracijos
germanyje kylant temperatrai nuo 20 iki 100
0
C.
Ats.: 25.
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
78

35. Kokios priemaios grynj puslaidinink paveria n puslaidininkiu?
36. Sudarykite n puslaidininkio kristalins gardels dvimat model. Pa-
aikinkite, kaip atsiranda pagrindiniai ir alutiniai krvininkai.
37. Sudarykite n puslaidininkio energijos lygmen diagram. Paaikinkite,
kaip atsiranda priemaiiniai ir savieji krvininkai.
38. Kiek krvi ir kiek krvinink atsiranda donorins priemaios atomo
jonizacijos metu?
39. Nubraiykite ir paaikinkite n puslaidininkio Fermio lygmens pri-
klausomybs nuo temperatros grafik.
40. Silicio ploktel legiruota fosforu.
d
N =10
16
cm
3
. Raskite elektron,
skyli koncentracijas ir Fermio lygmens padt 300 K temperatroje.
41. Silicis legiruotas fosforu.
d c
W W =0,044 eV,
d
N =10
16
cm
3
,
T = 300 K. Raskite Fermio lygmens padt. Raskite vidutin laidumo
elektrono energij.
42. Kokios paprastj puslaidininki priemaios gali bti akceptoriais?
43. Sudarykite p puslaidininkio kristalins gardels plokij model.
Paaikinkite, kaip atsiranda skyls.
44. Kokie krviai ir krvininkai atsiranda akceptorins priemaios atomo
jonizacijos metu?
45. Nuo ko, kaip ir kodl priklauso p puslaidininkio Fermio lygmuo?
46. Kaip kinta p puslaidininkio krvinink koncentracijos kylant
temperatrai? Kodl?
47. Nuo ko ir kaip priklauso p puslaidininkio krvinink koncentracijos
300 K temperatroje?
48. Silicio bandinys legiruotas boru.
a
N =10
16
cm
3
,
v a
W W =0,045 eV.
300 ir 400 K temperatrose apskaiiuokite: elektron ir skyli kon-
centracijas ir Fermio lygmens nuotol nuo valentins juostos viraus.
Aptarkite gautus rezultatus.
Ats.: 10
16
, 2,25
.
10
4
, 0,2; 10
16
, 2,1
.
10
9
, 0,28.
49. Paaikinkite priemai kompensavimo esm.
50. Kaip apskaiiuojamos krvinink koncentracijos puslaidininkiuose,
turiniuose donorini ir akceptorini priemai?
51. Silicio bandinys legiruotas fosforu ir boru.
d
N =10
16
cm
3
,
a
N =
10
17
cm
3
. Raskite pagrindini krvinink koncentracij bandinyje
300 K temperatroje.
52. Ar visuomet manoma sukompensuoti puslaidininkio priemaias?
2. Metal laisvieji elektronai ir puslaidininki krvininkai
79

53. Sudarykite ir paaikinkite isigimusio puslaidininkio energijos lygmen
diagram.
54. Silicio kristalo atom tankis apytikriai lygus 510
22
cm
3
. Silicis
isigimsta, kai priemai koncentracija virija 10
19
cm
3
. Raskite vidutin
nuotol tarp priemai atom ir palyginkite j su silicio gardels
konstanta ir atominiu spinduliu.
55. Kaip puslaidininkyje gali atsirasti perteklini krvinink?
56. K vadina krvinink gyvavimo trukme? Kaip ji atsiliepia pus-
laidininkini tais veikimo spartai?
57. Apvietus silicio ploktel, kurioje donorini priemai koncentracija
d
N =10
16
cm
3
, perteklini krvinink koncentracija tapo 10
10
cm
3
.
Raskite ir palyginkite pilnutines ir pusiausvirsias krvinink
koncentracijas 300 K temperatroje.




02. Kruvininkai_200308 2003.08.18 14:13
3. Kietj kn elektrinis laidumas
80


3. KIETJ KN ELEKTRINIS LAIDUMAS.
KRVININK PERNAA

iame skyriuje trumpai, taikydami supaprastintus modelius,
aptarsime, nuo ko, kaip ir kodl priklauso puslaidininki, metal ir
lydini elektrinis laidumas bei juose tekanios srovs.

3.1. Krvinink dreifas ir relaksacija

Nagrinkime kietojo kno bandin, kuriame yra laisvj
elektron. Kai iorinis elektrinis laukas neveikia, laisvieji elektronai
juda chaotikai (3.1 pav., a) dl susidrim su kietojo kno gardels
defektais. Sukrus kietajame kne elektrin lauk, kurio stipris E , be
chaotikojo elektron judjimo, vyksta j kryptingas slinkimas
prieinga elektriniam laukui kryptimi (3.1 pav., b). Toks slinkimas
vadinamas dreifu. Vidutinis io kryptingo slinkimo greitis
E
v
vadinamas dreifo greiiu.
Aptarkime, kaip dreifo greitis priklauso nuo elektrinio lauko
stiprio.
Elektrinis laukas veikia elektron jga, kurios modulis
E F q ; (3.1)
ia q elektrono krvio
absoliuioji vert.
Veikiant jgai F ,
elektrono greitis turt nuolat
didti. Taiau kietajame kne
elektronui judti trukdo
gardels defektai. Susidur-
damas su jais elektronas
praranda kryptingo judjimo
greit. Gardels defekt tak


x x
E
a b

3.1 pav. Elektrono judjimas
kietajame kne neveikiant (a) ir
veikiant (b) elektriniam laukui
3. Kietj kn elektrinis laidumas
81

elektrono judjimui galima vertinti pasiprieinimo jga
p
F , kuri
proporcinga dreifo greiiui, bet yra prieingos krypties:
;
1
n
r
p E
v m F

(3.2)
ia
n
m elektrono efektin mas,
r
1 proporcingumo koeficientas.
Atsivelgiant jgas F ir
p
F , elektrono krypting judjim
galima aprayti lygtimi:
a m F F
n p
+ ; (3.3)
ia a pagreitis.
ra (3.3) jg iraikas (3.1) ir (3.2) ir atsivelg, kad
t v a
E
d d , gauname:

t
v
m v m E
E
E
d
d 1
q
n n
r

. (3.4)
I ios lygties matyti, kad, pradjus veikti elektriniam laukui,
laisvj kietojo kno elektron greitis didja. Kartu didja ir
pasiprieinimo jga
p
F . Jai didjant, maja elektron pagreitis. Kai
jgos
p
F ir F susilygina, pagreitis sumaja iki nulio. Tada elektronai
slenka pastoviu greiiu, kuris pagal (3.4) ireikiamas formule:
E E
m
v
E n
n
r
q

. (3.5)
ioje lygtyje proporcingumo koeficientas

n
r
n
q
m

(3.6)
vadinamas elektron judrumu. Kai E 1, tai pagal (3.5)
n

E
v .
Vadinasi, kai elektrinio lauko stipris lygus vienetui, krvinink
judrumo skaitin vert lygi dreifo greiio skaitinei vertei.
Dabar mintyse sudarykime kietajame kne staiakamp gretasien,
kurio pagrindas statmenas elektrinio lauko krypiai (3.2 pav.).
Staiakampio gretasienio pagrindo plotas lygus vienetui, auktin yra
E
v . Tada staiakampio gretasienio tris
E
v V . Jame yra
E
nv nV N

elektron. Visi ie elektronai per laiko vienet pereina


3. Kietj kn elektrinis laidumas
82

per staiakampio gretasienio
pagrind. Tada srovs tankis
kietajame kne (krvis
pratekantis per laiko vienet pro
ploto vienet) ireikiamas
formule:
E
nv j q . (3.7)
ra (3.7) dreifo greiio
E
v iraik, tursime:
E E n j
n
q . (3.8)
Pagal i formul srovs tankis kietajame kne yra tiesiai pro-
porcingas elektrinio lauko stipriui. Formul ireikia Omo (Ohm)
dsn. Joje savitasis (specifinis) nagrinjamo kietojo kno lai-
dumas.
Pagal (3.8), kai kietojo kno krvininkai yra tik elektronai, to
kietojo kno savitasis elektrinis laidumas ireikiamas formule:

n
q n . (3.9)
Puslaidininki elektrin laidum lemia elektronai ir skyls. Todl
) ( q
p n
p n + ; (3.10)
ia p skyli koncentracija,
p
j judrumas.
Taigi kietojo kno savitj elektrin laidum ir jo savitj
var 1 lemia krvinink koncentracija ir j judrumas.
Dabar tarkime, kad ilg laik veiks elektrinis laukas laiko
momentu t 0 ijungiamas. Tada dl susidrim su gardels defektais
elektron kryptingo slinkimo greitis pradeda mati atsistato
elektrinio lauko sutrikdyta elektron sistemos pusiausvyra. Toks
fizins sistemos pusiausvyros atsistatymas po jos sutrikdymo
vadinamas relaksacija.
Kai elektrinis laukas neveikia, (3.4) lygtis tampa paprastesn:
) (
1
d
) ( d
r
t v
t
t v
E
E

.
ios lygties sprendinys ireikiamas formule
S=1
v
E
E
3.2 pav. Kietojo kno fragmentas

3. Kietj kn elektrinis laidumas
83

,
_


r
exp ) 0 ( ) (

t
v t v
E E
; (3.11)
ia ) 0 (
E
v pradinis dreifo greitis,
r
konstanta elektrono dreifo
greiio arba impulso relaksacijos trukm.
Pagal (3.11), ijungus elektrin lauk, kryptingas elektron
judjimas nyksta. Per laik
r
dreifo greitis sumaja e kart.
Relaksacijos trukm
r
galima susieti su krvininko vidutiniu
laisvuoju keliu. Jeigu elektronas kryptingo judjimo greit praranda po
vieno susidrimo su gardele, elektrono laisvasis kelias ireikiamas
formule
r
v ; ia v vidutinis elektrono greitis. Danai elektronas
kryptingo judjimo greit praranda tik po k susidrim su gardele.
Tada
r
v k . I ia
v k
r
. (3.12)
Elektrono greitis susideda i dviej dedamj iluminio
judjimo greiio
T
v ir dreifo elektriniame lauke greiio
E
v . Kai
elektrinio lauko stipris nedidelis, iluminio judjimo greitis bna daug
didesnis u dreifo greit. Tada galima laikyti, kad T v v .
Pagal (3.6) ir (3.12) krvinink judrumas ireikiamas formule

v
k
m

p , n
p , n
q
. (3.13)
I ios formuls matyti, kad krvinink judrumas yra ribotas dl
baigtinio laisvojo kelio. Laisvj keli riboja krvinink sklaida,
atsirandanti, kaip jau buvo paminta, dl krvinink susidrim su
kristaline gardels defektais.
Nagrindami krvinink sklaid kristale, turime prisiminti j,
kaip mikrodaleli, dvilypum ir bangines savybes. Bangos
neatsispindi nuo periodini netolygum, tarp kuri atstumas daug
maesnis u bangos ilg. Taigi elektronai ir skyls, kaip de Broilio
bangos, neatsispindi nuo arti vienas kito esani kietojo kno gardels
mazg. Krvinink sklaid sukelia j susidrimai su gardels
defektais, atsirandaniais dl priemai, gardels ilumini virpesi ir
kit anksiau aptart prieasi.
3. Kietj kn elektrinis laidumas
84


3.2. Puslaidininki krvinink judrumas

Grynajame puslaidininkyje nra priemai. Todl krvinink
laisvj keli ir judrum lemia kristalins gardels iluminiai defektai.
Virpant gardelei, jos mazgai kai kuriose kristalo vietose suartja,
kitose vietose nutolsta vienas nuo kito. Taip gardelje atsiranda
netolygum, nuo kuri elektronai atsispindi. Kylant temperatrai,
gardels ilumini defekt koncentracija didja. Galime sakyti ir
kitaip. Intensyvjant gardels virpesiams, joje didja anksiau aptart
kvazidaleli fonon koncentracija. Dl krvinink sveikos
(susidrim) su fononais didja j sklaida ir trumpja krvinink
vidutinis laisvasis kelias: T / 1 ~ . Neisigimusios sistemos daleli
vidutinis iluminio judjimo greitis, kaip inome, didja kylant
temperatrai: T vT ~ . Kad krvininkas prarast kryptingo judjimo
greit pakanka vieno susidrimo su fononu ( k 1). Tada pagal (3.13)
formul
2 / 3
p , n
~

T . (3.14)
Taigi, kylant temperatrai, krvinink judrumas grynajame
puslaidininkyje maja.
Priemaiiniame puslaidininkyje krvinink sklaid sukelia
gardels iluminiai defektai ir jonizuoti priemai atomai. emj
temperatr srityje gardels ilumini defekt koncentracija bna
nedidel. Tuomet krvinink judrum lemia jonizuot priemai
atom sukelta sklaida.
Priemai koncentracija nepriklauso nuo temperatros. Todl
krvinink vidutinis laisvasis kelias, kylant temperatrai, nesikeiia.
Krvinink vidutinis iluminio judjimo greitis, kylant temperatrai,
didja: T vT ~ . Juddamas didesniu greiiu, krvininkas greiiau
veikia jono sukurto elektrinio lauko srit. Jo trajektorija maiau
pasikeiia. Taigi, kylant temperatrai, skaiius susidrim, po kuri
krvininkas praranda kryptingo judjimo greit, padidja. Taip
3. Kietj kn elektrinis laidumas
85

samprotaujant rodoma, kad
2 4
~ ) ( ~ T v k T . Tada pagal (3.13)
formul
2 / 3
2
p , n
~ ~ ~ T
T
T
v
k
T

. (3.15)
Vadinasi, emj temperatr srityje, kylant temperatrai,
krvinink judrumas priemaiiniame puslaidininkyje didja.
Aukt temperatr srityje krvinink sklaid priemaiiniame
puslaidininkyje lemia j sveika su fononais. Todl aukt
temperatr srityje, kylant temperatrai, krvinink judrumas maja.
3.3 paveiksle atvaizduotos puslaidininki krvinink judrumo
priklausomybs nuo temperatros kreivs. Jas panagrinjus matyti,
kad aukt temperatr srityje krvinink judrumas nepriklauso nuo
priemai koncentracijos N . em temperatr srityje, didjant
priemai koncentracijai, judrumas maja. Didiausias silpnai
legiruoto silicio krvinink judrumas gaunamas, kai temperatra
emesn u normali. Didjant priemai koncentracijai, maksimalus
judrumas maja, maksimalaus judrumo takas slenka auktesni
temperatr kryptimi.
3.4 paveiksle pateiktos kreivs, vaizduojanios, kaip silicio
krvinink judrumas 300 K temperatroje priklauso nuo priemai
koncentracijos. Kai priemai koncentracija nedidel (iki 10
15
cm
3
),
krvinink judrumas nuo priemai koncentracijos beveik nepri-
klauso, nes vyrauja fononin
krvinink sklaida. Kai prie-
mai koncentracija didesn
kaip 10
15
cm
3
, pradeda reiktis
jonizuot priemai atom
sukelta sklaida. Tada, didjant
priemai koncentracijai, judru-
mas maja. Kai > N 10
17
cm
3
,
priemaiiniame puslaidininkyje
dominuoja priemai sukelta
krvinink sklaida. Tada
3
/ 1 ~ N , nes krvininko


T

N= 0
N 1
N 2 >N 1

3.3 pav. Krvinink judrumo
priklausomybs nuo temperatros
3. Kietj kn elektrinis laidumas
86

vidutinis laisvasis kelias yra
tiesiai proporcingas atstumui
tarp priemai atom, kuris
apytikriai lygus
3
/ 1 N .
I 3.4 paveikslo dar
matyti, kad silicio laidumo
elektron ir skyli judrumai
nevienodi. Elektron
judrumas beveik tris kartus
didesnis u skyli judrum.
Be aptart prieasi,
krvinink judrum gali
riboti j sklaida dl
susidrim su neutraliais
priemai atomais, taip pat pavirin, dislokacin sklaida ir pan. Kai
veikia keli sklaidos mechanizmai, efektinis judrumas ireikiamas
formule:

i
i

1 1
; (3.16)
ia
i
judrumo reikm, gaunama atsivelgiant tik i -j sklaidos
mechanizm.
3.1 uduotis
Elektron judrumas grynajame silicyje 300 K temperatroje yra
1500 cm
2
/(Vs). Laikydami, kad elektrono efektin mas lygi jo ramybs
masei, apskaiiuosime vidutin laisvj elektrono keli ir palyginsime j su
gardels konstanta a = 0,543 nm.
Sprendimas
Pagal (3.13)

q q
n n
T v m v m
.
Elektrono vidutinis iluminio judjimo greitis yra artimas vidutiniam
kvadratiniam greiiui. Taikydami klasikin Maksvelo ir Bocmano statistik,
galime rayti:


0
500
1000
1500
12 14 16
/ [cm
2
/(Vs)]
p

p

n
ln(N/cm
3
)
18 20

3.4 pav. Silicio elektron ir skyli
judrumo priklausomybs nuo prie-
mai koncentracijos
3. Kietj kn elektrinis laidumas
87


n

k 8
m
T
vT .
Skaiiuodami pagal i formul, gautume, kad . m/s 10 08 , 1
5
T v
Tuomet
nm 92 m 10 2 , 9
10 6 , 1
10 08 , 1 10 11 , 9 15 , 0
8
19
5 31


ir
. 169
543 , 0
92

a



3.3. Puslaidininki elektrinis laidumas

Puslaidininkio elektrin laidum lemia laidumo elektronai ir
skyls. Elektrinis laidumas ireikiamas (3.10) formule:
) ( q
p n
p n + .
Grynajame puslaidininkyje laidumo elektron ir skyli
koncentracijos vienodos
i i
p n p n . Tada
) ( q
p n i
+
i
n . (3.17)
Grynojo silicio savj krvinink koncentracija ir judrumas
priklauso nuo temperatros. Pagal (2.42), (2.37), (2.39) ir (3.14)
) k 2 / exp( ~
2 / 3
i
T W T n , (3.18)
2 / 3
p , n
~

T . (3.19)
Atsivelgdami ias krvinink koncentracijos ir judrum
iraikas, (3.17) formul galime perrayti taip:
T W k 2 /
0 i
e



. (3.20)
Ilogaritmav (3.20), gauname
T
W
k 2
ln ln
0 i

. (3.21)
Taigi galime sakyti, kad grynojo puslaidininkio laidumo
logaritmo priklausomyb nuo dydio T k 2 / 1 yra ties (3.5 pav.). Jos
3. Kietj kn elektrinis laidumas
88

polinkio kampas priklauso
nuo draudiamosios juostos
ploio W : W tan .
3.2 uduotis
Apskaiiuokime grynojo silicio
savitj laidum ir savitj var 300
K temperatroje.
Sprendimas
Grynajame silicyje 300 K
temperatroje
10
i
10 5 , 1 n cm
3
,
1400
n
cm
2
/(Vs), 500
p
cm
2
/(Vs).
Pagal (3.17) formul
3 16 19
i
10 46 , 0 ) 05 , 0 14 , 0 ( 10 5 , 1 10 6 , 1

+ 1/(m) =
= 4,6 10
-6
1/(cm).
Tada
3
i i
10 2 , 2 ... / 1 m = 2,210
5
cm.
Legiruotj puslaidininki laidum vidutini temperatr srityje
lemia pagrindiniai krvininkai. Tada pagal (3.10) n ir p puslaidininki
savitieji laidumai ireikiami formulmis:
n n
q n , (3.22)
p p
q p . (3.23)
Legiruotojo puslaidininkio elektrinis laidumas priklauso nuo
temperatros ir priemai koncentracijos. emj ir auktj
temperatr srityse (priemai jonizacijos ir savojo laidumo srityse)
krvinink koncentracijos daug labiau priklauso nuo temperatros nei
judrumas. Todl legiruotojo silicio elektrinio laidumo priklausomybs
nuo temperatros kreiv (3.6 pav.) panai elektron donoriniame
puslaidininkyje ir skyli akceptoriniame puslaidininkyje pri-
klausomybes nuo temperatros (2.13 ir 2.18 pav.). Skirtumas tik tas,
kad vidutini temperatr srityje pagrindini legiruotojo silicio
krvinink koncentracija nekinta, o elektrinis laidumas maja, kylant
temperatrai. ioje srityje laidumo priklausomybs nuo temperatros


ln
i
1/2kT


3.5 pav. Grynojo puslaidininkio
elektrinio laidumo priklausomyb
nuo temperatros
3. Kietj kn elektrinis laidumas
89

pobd nulemia judrumo
majimas, didjant fononinei
krvinink sklaidai.
Vidutini temperatr sri-
tyje pagrindini krvinink
koncentracija legiruotame pus-
laidininkyje lygi priemai
koncentracijai. Todl, didjant
priemai koncentracijai, elekt-
rinis puslaidininkio laidumas
didja, nors judrumas, kaip
inome, iek tiek maja.
Puslaidininki elektrinis
laidumas priklauso ir nuo kit veiksni. Toliau aptarsime stipraus
elektrinio lauko ir viesos tak puslaidininki elektriniam laidumui.

3.4. Stipraus elektrinio lauko sukeliami reikiniai

Srovs tankis puslaidininkyje tiesikai priklauso nuo elektrinio
lauko stiprio, kol elektrinis laukas nra labai stiprus. Stiprjant
elektriniam laukui, tiesin priklausomyb (3.8) sutrinka. Taip atsitinka
todl, kad, sustiprjus elektriniam laukui, pakinta puslaidininkio
elektrinis laidumas. Kai laukas stiprus, srovs tankis ireikiamas
formule
E E j ) ( . (3.24)
Puslaidininkio elektrinis laidumas, kaip jau isiaikinome,
priklauso nuo krvinink koncentracij ir j judrum:
) ( q
p n
p n + . Todl stipraus elektrinio lauko efektai
puslaidininkiuose pasireikia dl krvinink judrumo ir koncentracijos
kitimo, stiprjant elektriniam laukui.


ln
1/T 1/T
s
1/T
i



3.6 pav. Legiruotojo silicio elektri-
nio laidumo priklausomybs nuo
temperatros pobdis
3. Kietj kn elektrinis laidumas
90


3.4.1. Stipraus lauko taka krvinink judrumui

Jei elektrinio lauko stipris nedidelis, krvinink dreifo greitis
elektriniame lauke bna daug maesnis u j vidutin iluminio
judjimo greit. Jei i slyga tenkinama, vidutinis krvinink greitis ir
j judrumas nepriklauso nuo elektrinio lauko stiprio.
Stiprjant elektriniam laukui, dreifo greitis
E
v didja. Kai slyga
T E
v v << nebetenkinama, didjant dreifo greiiui, didja vidutinis
krvinink greitis. Pagal (3.13) tai atsiliepia krvinink judrumui.
Kai elektrinis laukas greitina krvinink, elektrinio lauko energija
Ed W
E
q , virsta kinetine krvininko energija 2 /
2
m k
mv W ; ia d ir
m
v greitinamo krvininko kelias ir greitis prie susidrim su
gardels defektu. Susidurdamas su gardels defektu, krvininkas
praranda greit, jo kinetin energija virsta gardels ilumini virpesi
energija. Todl krvininko dreifo greitis apytikriai lygus 2 /
m
v . Taip
samprotaudami gauname, kad E v
E
~ . Labai stipriame elektriniame
lauke
E
v v . Tada laikydami, kad vyrauja fononin krvinink
sklaida ( 1 k ), gauname, kad E / 1 ~ . Taigi, didjant elektrinio
lauko stipriui, judrumas maja (3.7 pav.).
Jeigu vyrauja jonizuot priemai atom sukelta sklaida,
stiprjant elektriniam laukui, didja ne tik vidutinis greitis v , bet ir
skaiius susidrim, po kuri
krvininkai praranda kryptingo
judjimo greit. Kadangi susi-
drim skaiius
4
) ( ~ v k , didjant
elektrinio lauko stipriui, judrumas
pagal (3.13) didja (
2 / 3
~ E ).
Kai elektrinis laukas yra
nelabai stiprus, judrumo priklau-


E


3.7 pav. Judrumo priklauso-
myb nuo elektrinio lauko
stiprio
3. Kietj kn elektrinis laidumas
91

somyb nuo elektrinio lauko stiprio ireikiama formule:
); 1 (
2
0
E + (3.25)
ia
0
judrumas silpname elektriniame lauke, neomikumo
koeficientas. Jei vyrauja fononin sklaida, bna neigiamas dydis.
Tada, stiprjant elektriniam laukui, judrumas maja. Jei vyrauja
jonizuot priemai sukelta sklaida, tai koeficientas bna
teigiamas, ir, stiprjant elektriniam laukui, judrumas didja.
Dar btina pastebti, kad stiprjant elektriniam laukui, kinta
elektron ir gardels sveika. Krvinink gyjama energija didja
lyginant su j atiduodama gardelei energija. Todl krvinink vidutin
kinetin energija tampa didesn nei 2 / k 3 T . is reikinys vadinamas
krvinink kaitimu. Krvininkai, kuri vidutin kinetin energij
2 / k 3
k
k T W atitinkanti temperatra
k
T yra didesn u kristalo
gardels temperatr T , vadinami kartaisiais krvininkais.
1958 metais akademik P. Brazdino ir J. Poelos iniciatyva
stipri lauk reikiniai buvo pradti tirti Vilniaus universitete ir
Lietuvos moksl akademijos Fizikos ir matematikos institute.
Aktuals darbai ir reikmingi j rezultatai lm, kad susiformavo
pasaulyje inoma Lietuvos mokslo kryptis.

3.4.2. Krvinink judrumas sudtiniuose puslaidininkiuose

Laisvojo elektrono energija ireikiama (1.6) formule. Grafikai
atvaizduota laisvojo elektrono energijos priklausomyb nuo bangos
skaiiaus yra parabol (1.14 pav.).
Nagrinjant laisvuosius kristalo elektronus, vietoj elektrono
ramybs mass reikia imti efektin mas
n
m . Elektrono efektin mas
priklauso nuo jo energijos. Todl priklausomybs ) (k W pobdis
tampa sudtingesnis. 3.8 paveiksle, a, atvaizduota galio arsenido
laidumo elektrono minimalios energijos priklausomyb nuo bangos
skaiiaus. Kreiv turi du minimumus. Todl sakoma, kad GaAs
3. Kietj kn elektrinis laidumas
92

laidumo juostoje yra du slniai,
kuri energijos skiriasi dydiu
12
W =0,36 eV.
Silpname elektriniame lauke
laidumo elektrono vidutin kinetin
energija yra daug maesn u
12
W ,
todl dauguma elektron yra
1 slnyje. Jame elektrono efektin
mas
0 1 n
07 , 0 m m , judrumas

1 n
8000 cm
2
/(Vs). Taigi elekt-
ron judrumas galio arsenide kelet
kart didesnis nei silicyje. Todl
GaAs leidia padidinti tranzistori ir
kit puslaidininkini tais veikimo
spart.
Skyli judrumas galio arsenide
daug maesnis nei elektron. Todl
daniausiai naudojamas elektroninio
laidumo GaAs.
Kai elektronai yra galio arsenido laidumo juostos 1 slnyje, j
dreifo greitis ir srovs tankis puslaidininkyje ireikiami formulmis:
E v
E 1 n 1
,
E n j
n1
q ;
ia n laidumo elektron koncentracija.
Didjant elektrinio lauko stipriui, srovs tankis didja
(3.8 pav., b). Kartu didja ir elektron energija, todl didja j
perjimo 2 sln tikimyb. Kylant elektronams 2 sln, kinta j
sveikos su kristalo gardele pobdis, didja efektin mas ir maja
judrumas. Kai elektrinis laukas yra pakankamai stiprus, laidumo
elektronai yra antrajame slnyje. Jame elektrono efektin mas
0 2 n
3 , 1 m m , judrumas
2 n
0,01 m
2
/(Vs), elektron dreifo greitis ir
srovs tankis ireikiami formulmis
E v
E 2 n 2
,


W
k
W
12
= 0,36 eV
2 slnis
1 slnis

a

j
E
j=qnn1E
j=qnn2E

b
3.8 pav. Galio arsenido laidu-
mo juostos slniai (a) ir srovs
tankio priklausomyb nuo
elektrinio lauko stiprio (b)
3. Kietj kn elektrinis laidumas
93

E n j
2 n
q .
Kadangi, elektronams pereinant 2 sln, j judrumas smarkiai
maja, priklausomybs ) (E j kreiv (3.8 pav., b) turi srit, kurioje
diferencialinis laidumas E j /d d
d
yra neigiamas. Todl galio
arsenide, veikiant stipriam elektriniam laukui, gali susiadinti
mikrobang virpesiai. reikin elektroninio laidumo galio arsenide
1963 metais pastebjo D. B. Ganas (Gunn). Vliau Gano efektas
buvo pritaikytas mikrobang puslaidininkiniuose taisuose Gano
dioduose.
Aptartos galio arsenido savybs bdingos ir kitiems sudtiniams
puslaidininkiams.

3.4.3. Stipraus lauko taka krvinink koncentracijai

Didjant elektrinio lauko stipriui, gali ymiai pakisti ne tik
krvinink judrumas, bet ir j koncentracija. Krvinink
koncentracija gali padidti dl smgins ir elektrostatins
puslaidininkio atom jonizacijos.
Veikiant stipriam elektriniam laukui, laisvasis elektronas greitja,
jo kinetin energija didja. gijs pakankamai energijos,
sveikaudamas su gardele, elektronas gali dal energijos atiduoti
valentins juostos elektronui. Pastarajam pakilus laidumo juost,
atsiranda nauja krvinink pora. is reikinys vadinamas smgine
jonizacija.
Elektrinis laukas veikia ne tik laisvuosius krvininkus. Labai
stiprus elektrinis laukas traukia elektronus i kovalentini ryi,
tiksliau i valentins juostos laidumo juost. Taigi, veikiant
stipriam elektriniam laukui, gali prasidti elektrostatin puslaidininkio
atom jonizacija.
Dl smgins ar elektrostatins puslaidininkio atom jonizacijos
padidjus krvinink koncentracijai, gali labai padidti puslaidininkio
elektrinis laidumas ir juo tekanios srovs tankis prasideda
puslaidininkio elektrinis pramuimas.
3. Kietj kn elektrinis laidumas
94

Isamiau pramuim aptarsime, nagrindami reikinius pn
sandrose.

3.5. Fotolaidumas

Krvinink koncentracija puslaidininkyje gali padidti, j
apvietus. is reikinys vadinamas vidiniu fotoelektriniu reikiniu.
Elektrinio laidumo padidjim dl apvietimo lemia fotoelektrinis
laidumas arba fotolaidumas.
Daniausiai stebimas koncentracinis fotolaidumas. Supaprastintai
nagrinjant, jo esm lengvai galima suprasti remiantis juostiniu
puslaidininkio modeliu. Jei puslaidininkyje nra priemai, o viesos
kvanto energija W h , tai absorbavs tok viesos kvant
elektronas gali perokti i valentins juostos laidumo juost
(3.9 pav., a). Tada laidumo juostoje atsiranda fotoelektron, o
valentinje juostoje fotoskyli, ir pasireikia savasis fotolaidumas. Jo
raudonoji riba apibdinama maiausiu absorbuotos viesos daniu
arba ilgiausiu bangos ilgiu:
h /
min
W , (3.26)
W / hc / c
min max
; (3.27)
ia c viesos greitis.
Kai viesos banga ilgesn nei
max
, puslaidininkis viesos
energijos nesugeria, yra skaidrus, o fotolaidumas nepasireikia.
Priemaiiniuose puslaidininkiuose perteklinius krvininkus gali
sukurti fotonai, kuri W < h . Jei puslaidininkyje yra nejonizuot
donorini priemai, viesos kvantai gali jonizuoti t priemai
atomus. Elektronams pakilus i donorini (3.9 pav., b) arba uimt
akceptorini lygmen laidumo juost, stebimas elektroninis
priemaiinis fotolaidumas. Jei puslaidininkyje yra nejonizuot
akceptorini priemai, gali pasireikti skylinis priemaiinis
fotolaidumas, susijs su elektron uoliais i valentins juostos
akceptorinius lygmenis (3.9 pav., c).
3. Kietj kn elektrinis laidumas
95

Priemaiinis fotolaidumas gali reiktis emose temperatrose, kai
ne visi priemai atomai jonizuoti. Kadangi priemaiin fotolaidum
gali sukelti maesns energijos fotonai, jis stebimas veikiant
ilgesnms, emesnio danio viesos bangoms.
I aptarimo seka ivada, kad fotolaidumas priklauso nuo viesos
bangos ilgio. Fotolaidumas gali reiktis, kai viesos bangos ilgis yra
trumpesnis u krizin
max
. Trumpjant bangai, puslaidininkio
elektrinis laidumas didja, pasiekia maksimum ir po to gali mati.
Paprasiausiai aikindami elektrinio laidumo majim trumpj
bang srityje galime sakyti, kad, didjant daniui, didja fotono
energija ir jo sugerties tikimyb. Tada viesa sugeriama ploname
paviriniame puslaidininkio sluoksnyje. Jame daug defekt, todl
maas krvinink judrumas ir trumpa j gyvavimo trukm.
viesa gali turti takos ne tik krvinink koncentracijai, bet ir j
judrumui. Fotolaidumas, kur lemia laisvj krvinink judrum
pokyiai, vadinamas judruminiu.
Belieka pastebti, kad krvinink koncentracija puslaidininkiuose
gali padidti ne tik dl viesos poveikio. Krvinink generacij gali
sukelti ir kitokia elektromagnetin ar korpuskulin spinduliuot
Rentgeno, gama, spinduliai, , daleli, proton, neutron ir kit
daleli srautai.
Fotolaidum selene 1973 metais aptiko V. Smitas (Smith).
Fotolaidumu pagrstas fotorezistori ir kit fotoelektrini tais



W
f
>h
W
W c
W
v

W
f
>W
c
W
d
W
W c
W
v

W
f
>W
a
W
v
W
W
c
W
v

a b c

3.9 pav. Krvinink fotogeneracija grynajame (a), donoriniame (b)
ir akceptoriniame (c) puslaidininkiuose
3. Kietj kn elektrinis laidumas
96

veikimas. 1951 metais fotolaidumas buvo pradtas tirti Vilniaus
universitete Tyrim rezultatai taikyti tobulinant elektrografijos
technik, kuriant fotorezistorius, jonizuojanios radiacijos (Rentgeno,
gama spinduli) detektorius, o vliau tobulinant elektrografijos ir
televizijos technik.

3.6. Metal ir lydini laidumas

Pagal (3.7) formul metalo laidum lemia elektron koncentracija
ir j judrumas.
inome, kad susidarant metalikiesiems ryiams, valentiniai
metalo atom elektronai atitrksta nuo atom ir gali judti tarp
gardels mazg tampa laisvi. Toki laisvj elektron koncentracija
priklauso nuo atom skaiiaus trio vienete ir atomo valentini
elektron skaiiaus. Ji praktikai nepriklauso nuo temperatros ir bna
10
22
10
23
cm
3
. Todl metalo elektrinio laidumo priklausomyb nuo
temperatros lemia elektron judrumas.
Nagrinjant elektron judrum metale, reikia nepamirti, kad
elektron koncentracija metale didel. Jie uima energijos lygmenis,
esanius emiau Fermio lygmens. Esantieji vir Fermio lygmens
energijos lygmenys laisvi.
Metaluose elektrinis laukas silpnas. Silpnas laukas lemia, kad
metalo elektron energija pakinta dl energij pokyi t elektron,
kurie yra arti laisv lygmen. Todl supaprastintai nagrindami,
galime sakyti, kad metalo laisvj elektron dreifo greit ir judrum
lemia elektronai, uimantieji energijos lygmenis prie pat Fermio
lygmens. Judrumas ireikiamas formule, panaia (3.13):
F
F F
n
n
q
v
k
m

; (3.28)
ia
F
uimanio Fermio lygmen elektrono vidutinis laisvasis
kelias,
F
k skaiius susidrim, po kuri is elektronas praranda
kryptingo judjimo greit,
F
v vidutinis minto elektrono greitis.
3. Kietj kn elektrinis laidumas
97

Remdamiesi (3.28) formule, aptarkime, kaip metalo elektron
judrumas ir savitasis laidumas priklauso nuo temperatros ir priemai
koncentracijos.
Jei elektrinis laukas silpnas, tai elektron dreifo greitis bna
maas. Todl, skaiiuojant vidutin greit
F
v , dreifo greiio galima
nepaisyti ir laikyti, kad elektrono vidutinis greitis apytikriai lygus
iluminio judjimo greiiui
n F F
/ 2 m W v
T
. Pagal (2.19) absoliuiojo
nulio temperatroje metalo elektron Fermio energija priklauso nuo
laisvj elektron koncentracijos. Kylant temperatrai, elektron
koncentracija metale ir Fermio lygmens padtis beveik nekinta. Todl
galime laikyti, kad uimani Fermio lygmen elektron vidutinis
greitis
F
v nekinta, kylant temperatrai.
Metalo elektron vidutin laisvj keli nulemia elektron
susidrimai su gardels defektais. Jei vyrauja fononin elektron
sklaida, tai T / 1 ~
F
, o 1
F
k . Tada pagal (3.28) ir (3.7) grynojo
metalo elektron judrumas ir savitasis laidumas atvirkiai
proporcingi temperatrai: T / 1 ~
n
, T / 1 ~ . Grynojo metalo savitoji
vara, kylant temperatrai, didja:
T ~ / 1 . (3.29)
i ivad, kaip inome, patvirtina eksperimentai. Pagal
eksperimentini tyrim rezultatus
)] ( 1 [
0 0
T T + ; (3.30)
ia varos temperatrinis koeficientas, ir
0
savitoji vara
temperatrose T ir
0
T .
Paprastai net gryniausiame metale esti priemai. Todl em
temperatr srityje elektron vidutin laisvj keli riboja tik
susidrimai su priemai atomais. Tada ne tik
F
v bei
F
k , bet ir
F

nepriklauso nuo temperatros. Todl nuo temperatros nepriklauso nei
krvinink judrumas, nei metalo savitasis laidumas, nei jo savitoji
vara.
Bet kurioje temperatroje metalo savitj var sudaro abi
dedamosios
pr
ir
T
, atsirandanios dl priemaiins ir fononins
elektron sklaid:
3. Kietj kn elektrinis laidumas
98


T
+
pr
. (3.31)
3.10 paveiksle atvaizduo-
tas metalo savitosios varos
priklausomybs nuo tempe-
ratros grafikas. Pagal (3.31)
formul ir 3.10 paveiksl
absoliuiojo nulio tempe-
ratroje lieka tik savitosios
varos dedamoji
pr
. Todl ji
dar vadinama liekamja vara.
Didjant priemai kon-
centracijai,
pr
ir didja. Todl metal lydini, kuriuose vieno
metalo atomai yra priemaia kito metalo gardelje, savitoji vara bna
didesn u grynj metal savitsias varas. teigin galima
iliustruoti tokiu pavyzdiu. Sidabro savitoji vara yra maesn nei
aliuminio. Taiau aliumin maiius sidabro, jo savitoji vara ne
sumaja, o padidja. Lydinio, kuriame yra apie 90 % sidabro ir 10 %
aliuminio, savitoji vara 300 K temperatroje yra apie 15 kart
didesn u aliuminio savitj var ir apie 30 kart didesn u sidabro
savitj var. Lydini vara yra didel todl, kad kristalins gardels
defektai labai sumaina elektron laisvj keli ir judrum.
Kuo daugiau reikiasi priemaiin sklaida, tuo maiau vara
priklauso nuo temperatros. Todl metal lydini temperatriniai
varos koeficientai bna daug maesni u grynj metal
temperatrinius varos koeficientus.
3.3 uduotis
Kaip ir kiek kart pakist grynojo silicio, n silicio ir vario bandini
varos kylant temperatrai nuo 300 iki 340 K?
Sprendimas
Vara atvirkiai proporcinga laidumui. Taigi
( ) ) (
) ( ) (
2
1
1
2
T
T
T
T

.
Grynojo puslaidininkio savitasis laidumas ireikiamas (3.20) formule.
Tada



0
pr
T

3.10 pav. Metalo savitosios varos
priklausomyb nuo temperatros
3. Kietj kn elektrinis laidumas
99

( )
1
1
]
1

,
_


1 2 2
1
2
1
1
2
1 1
k 2
exp
) k 2 / exp(
) k 2 / exp(
) (
) ( ) (
T T
W
T W
T W
T
T
T
T


ir
082 , 0
300
1
340
1
10 38 , 1 2
10 6 , 1 1 , 1
exp
) 300 (
) 340 (
23
19

1
1
]
1

,
_

.
Legiruotojo puslaidininkio pagrindini krvinink koncentracija
vidutini temperatr srityje nekinta. Savitojo laidumo kitim lemia judrumo
kitimas. Tada
( ) ) (
) (
~
) (
) ( ) (
2 n
1 n
2
1
1
2
T
T
T
T
T
T

.
Pagal 3.6 paveiksl ir (3.15) formul
2 / 3
~

T . Tada legiruotojo silicio
( )
21 , 1
340
300
~
) 340 (
) 300 (
~
) 340 (
) 300 (
300
) 340 (
2 / 3
n
n

,
_

.
Varis yra metalas. Pagal (3.29) formul
1
2
1
2
~
) (
) (
T
T
T
T


ir
13 , 1
300
340
~
) 300 (
) 340 (

.
Pagal inynus vario temperatrinis varos koeficientas
3
10 33 , 4

1/K. inodami temperatrin varos koeficient ir taikydami
(3.30) formul, gautume, kad
17 , 1
) 300 (
) 340 (

.
Taigi, kylant temperatrai, grynojo silicio bandinio vara spariai
maja, legiruotojo silicio ir vario bandini varos didja.

3.7. Superlaidumas

Superlaidumo reikin 1911 metais pastebjo H. Kamerlingas
Onesas (Kamerling Onnes), tirdamas gyvsidabrio liekamj var.
3. Kietj kn elektrinis laidumas
100

Superlaidumas pasireikia tuo, kad laidininko elektrin vara
sumaja beveik iki nulio, kai to laidininko temperatra tampa
emesn u jam bding krizin (superlaidaus virsmo) temperatr
kr
T (3.11 pav.). Gyvsidabrio
kr
T =4,2 K.
Superlaidumo mikroskopin teorij 1957 metais sukr
D. Bardynas (Bardeen), L. Kperis (Cooper) ir D. ryferis
(Schrieffer). Pagal i teorij, svarbiausia superlaidum sukelianti
prieastis yra elektron ir kristalins gardels sveika. Dl ios
sveikos laisvieji elektronai deformuoja gardel. Prie j priartja
teigiamieji jonai. Elektronas ir j supantys jonai sudaro teigiamai
elektrint visum, pritraukiani antr elektron. Taip susidaro
elektron poros, vadinamos Kperio poromis. Atstumas tarp Kperio
poros elektron yra apie 10
6
m. Kperio poras sudaro elektronai,
kuri sukiniai yra prieing enkl. Todl Kperio poros sukinys
lygus nuliui ir Kperio poros pasiymi bozon savybmis. Vien ir t
pat energijos lygmen gali uimti bet koks Kperio por skaiius.
Elektronams jungiantis Kperio poras, j bendra energija
sumaja, Tarp upildyt ir neuimt energijos lygmen atsiranda
draudiamosios energijos plyys 2 (3.12 pav.). Jo plotis priklauso
nuo superlaidaus virsmo temperatros ( ) ~ 2
kr
T .
em temperatr srityje gardels ilumini virpesi energijos
nepakanka Kperio poroms suardyti, todl j sklaida nepasireikia.
Turdamos t pai energij, Kperio poros gali nesveikaudamos su
gardele tvarkingai judti kristale. Kadangi gardelje nekyla


0

T

T
kr





3.11 pav. Superlaidininko savi-
tosios varos priklausomyb nuo
temperatros


2
W


3.12 pav. Superlaidininko
energin diagrama
3. Kietj kn elektrinis laidumas
101

pasiprieinimo Kperio por judjimui, tai superlaidininko laidumas
esti labai didelis, jo savitoji vara praktikai lygi nuliui. Jei
superlaidininko iede suadinama srov, ji teka beveik nesilpndama.
Superlaidumas inyksta, kai superlaidininko temperatra tampa
auktesn u krizin arba kai superlaidininko temperatra emesn u
krizin, bet jis yra stipresniame u krizin magnetiniame lauke, arba
kai juo teka srov, stipresn u krizin srov.
Superlaidininkas pasiymi idealaus diamagnetiko savybmis.
Silpnesnis u krizin iorinis magnetinis laukas nesiskverbia
superlaidinink. is reikinys vadinamas Meisnerio (Meissner) efektu.
Superlaidumas buvo pastebtas daugiau kaip dviejuose
tkstaniuose grynj mediag ir jungini, taiau j superlaidaus
virsmo temperatra buvo emesn nei 24 K. 1986 metais IBM firmos
veicarijoje mokslininkams J. Bednorcui (Bednorz) ir K. Miuleriui
(Muller) pavyko sukurti keramik, kurios superlaidaus virsmo
temperatra buvo apie 35 K. Vliau JAV mokslininkai i itrio, bario ir
vario oksid su priedais susintetino keramik, kuri tampa superlaidi
92 K temperatroje, auktesnje u skysto azoto virimo temperatr
(77 K). Yra optimistini prognozi, kad pavyks sukurti mediagas,
kurios bt superlaidios net normalioje temperatroje.
Superlaidumo reikin numatoma plaiai panaudoti energetikoje,
elektrotechnikoje, elektronikoje, skaiiavimo ir matavimo technikoje.
Paprasiausias krioelektronikos emj temperatr elektronikos
taisas yra kriotronas. Kryminio plonasluoksnio kriotrono sandara
atvaizduota 3.13 paveiksle. Jis gali bti sudarytas i valdomosios
alavo ynos, dielektriko sluoksnio ir valdymo ynos. Kriotrono
veikimas pagrstas staigiu valdomosios ynos varos pokyiu pakitus
magnetiniam laukui, kur
sukuria srov, tekanti
valdymo yna. Kriotronas
yra ma matmen, vartoja
maai energijos. Jo veikimo
sparta yra labai didel:
persijungimo trukm yra tik
pikosekundi eils.


Pagrindas
Valdomoji
yna
SiO2
sluoksnis
Valdymo yna


3.13 pav. Kriotronas
3. Kietj kn elektrinis laidumas
102


3.8. Dozefsono efektai

Superlaidininko vara labai maa. Todl, tekant superlaidininku
srovei, jame beveik nepastebimas tampos kritimas.
Perpjaukime superlaidininko bandin dvi dalis ir terpkime tarp
j plon (keli nanometr storio) dielektriko sluoksn. Gautasis
darinys (3.14 pav., a) vadinamas Dozefsono sandra. Tirdamas jos
savybes, B. D. Dosefsonas (Josephson) 1962 metais numat, o
P. V. Andersonas (Anderson) ir D. M. Rovelis (Rowell) 1963 metais
atrado du reikinius.
Jei per Dozefsono sandr teka nuolatin srov, ne stipresn u
tam tikr krizin
0
I , tai tampa sandroje nekrinta. is reikinys
vadinamas stacionariuoju Dozefsono efektu.
Srovs stipriui virijus krizin reikm, Dozefsono sandroje
krinta tampa (3.15 pav.), gran-
dinje atsiranda kintamoji srovs
dedamoji, sandra spinduliuoja
elektromagnetines bangas. is rei-
kinys vadinamas nestacionariuoju
Dozefsono efektu.
Stacionarusis Dozefsono
efektas paaikinamas tuo, kad per
Dozefsono sandr teka tunelin
srov. Mikrodalelms (iuo atveju
Kperio poroms) tuneliniu bdu
skverbiantis per plon dielektriko
sluoksn (3.14 pav., b), j energija
nekinta. Todl tampa Dosefsono
sandroje nekrinta.
Sakykime, kad Dozefsono
sandroje krinta minimali tampa
(3.15 pav.). Minimalus tampos
kritimas atitinka draudiamosios

a
W
b
W
c
2


3.14 pav. Dozefsono sandra
(a) ir jos energins diagramos
(b, c)
3. Kietj kn elektrinis laidumas
103

energijos plyio plot, nes 2 q 2 U .
ry iliustruoja 3.14 paveikslas, c, kuriame
atvaizduota Dozefsono sandros energin
diagrama.
Kai pirmosios superlaidininko dalies
energijos lygmenys yra aukiau u
antrosios dalies energijos lygmenis,
elektronai i uimt lygmen gali pereiti
tuius lygmenis, esanius vir drau-
diamosios energijos plyio (3.14 pav., c).
Po to elektronai jungiasi Kperio poras ir
grta lygmenis, esanius emiau draudiamojo plyio.
Atsipalaiduojanti energija ispinduliuojama elektromagnetiniais
virpesiais.
rodoma, kad tunelin srov per Dozefsono sandr ireikiama
formule
sin
0
I I ; (3.32)
ia bangini funkcij, apraani Kperio poras abiejose barjero
pusse, fazi skirtumas.
Remiantis (3.32), galimas toks supaprastintas nestacionariojo
Dozefsono efekto aikinimas. Sakykime, kad Dozefsono sandroje
krinta tampa U . Tada Kperio por energij skirtumas abiejose
dielektriko sluoksnio pusse yra lygus U W q 2
C
; ia q 2 Kperio
poros krvio absoliuioji vert. energij skirtum atitinka Kperio
poras atitinkani bangini funkcij dani skirtumas
h / q 2 /
C
U h W ir bangini funkcij fazi skirtumas
t
U
t
,
_


h
q 2
2 2 . (3.33)
Tada pagal (3.32) ir (3.33)
) 2 sin(
q 2
sin
0 0
ft I t
U
I I
,
_

h
. (3.34)
Taigi virpesi danis f tiesiai proporcingas tampos kritimui U :


I0
0
I
U


3.15 pav. Dozefsono
sandros voltamperin
charakteristika
3. Kietj kn elektrinis laidumas
104

U f
h
q 2
. (3.35)
Pakitus tampai 1 mV, virpesi danis pakinta 483,6 MHz.
Taikant Dozefsono efektus, sukurti kvantins elektronikos
elementai (kriosarai, skvidai), logins schemos ir integriniai
grandynai. Visi Dozefsono efektais pagrsti kvantins elektronikos
taisai pasiymi labai didele veikimo sparta ir vartoja nedaug
energijos. Dar svarbu pastebti, kad nestacionarusis Dozefsono
efektas panaudojamas iuolaikiniuose tampos etalonuose.

3.9. Holo efektas

Sakykime, kad metalo arba puslaidininkio bandinys (3.16 pav.)
yra silpname magnetiniame lauke. Magnetins indukcijos B kryptis
statmena bandiniu tekanios srovs I krypiai. Tada tarp bandinio
sieneli C ir D atsiranda potencial skirtumas
H
U . reikin
1879 metais atrado E. H. Holas (Hall). Potencial skirtumas
H
U
vadinamas Holo tampa.
Sakykime, kad pagrindiniai
bandinio krvininkai yra elektronai.
Judant magnetiniame lauke dreifo
greiiu
E
v elektron, kurio krvis
q , veikia Lorenco (Lorentz) jga
] [ q L B v F E .
ios jgos krypt galima rasti
pagal kairiosios rankos taisykl.
Kai greiio ir magnetins
indukcijos vektoriai statmeni, jgos
modulis ireikiamas formule
B v F
E
q
L
.
Lorenco jgos veikiami
elektronai nukrypsta link sienels
D. Prie sienels C lieka


F
L

v
E

F
E

D C
I
B
d


3.16 pav. Holo tampa elektro-
ninio laidumo bandinyje
3. Kietj kn elektrinis laidumas
105

nesukompensuoti teigiamieji krviai. Tarp sieneli C ir D atsiranda
elektrinis laukas, kurio stipris
d U E /
H
;
ia d bandinio matmuo (3.16 pav.).
Elektriniame lauke, kurio stipris E , elektron veikia jga, kurios
modulis
E F
E
q .
Pusiausvyros slygomis jgos
L
F ir
E
F atsveria viena kit. J
moduliai lygs. Todl galime rayti:
E B v
E
q q . (3.36)
Tada
B v E
E
. (3.37)
Bandiniu tekanios srovs tankis ireikiamas formule

E
nv j q . (3.38)
Tada, remdamiesi (3.34), ir (3.36) (3.38) formulmis, gauname:
jBd R jBd
n
U
H H
q
1
; (3.39)
ia n R q / 1
H
Holo konstanta.
Kai pagrindiniai bandinio krvininkai yra elektronai, savitasis
laidumas ireikiamas formule
n
q n . Tada

n H
R . (3.40)
Vadinasi, imatavus Holo konstant
H
R ir savitj laidum ,
taikant (3.44) formul, galima apskaiiuoti elektron judrum.
Nesunku taip pat sitikinti, kad Holo tampos polikumas ir Holo
konstantos enklas priklauso nuo pagrindini krvinink tipo.
Vadinasi, pagal Holo tampos polikum galima nustatyti pagrindini
krvinink enkl ir puslaidininkio laidumo tip.
Holo reikiniu pagrsti puslaidininkiniai taisai Holo keitikliai
naudojami daugelyje mokslo ir technikos srii. Jie taikomi srovs
stipriui, magnetinei indukcijai, galiai matuoti, signalams apdoroti ir
kitiems tikslams.
3. Kietj kn elektrinis laidumas
106


3.10. Krvinink difuzija

Neveikiant elektriniam laukui, krvininkai gali kryptingai judti
dl nevienalyts koncentracijos. Jeigu krvinink koncentracija tam
tikra kryptimi maja, tai pasireikia j kryptingas slinkimas
koncentracijos majimo kryptimi. Daleli skverbimasis kon-
centracijos majimo kryptimi vadinamas difuzija.
Siekdami isiaikinti, kaip vyksta difuzija, pradioje nagrinkime
i neutrali daleli sudarytas dujas. Sakykime, kad daleli
koncentracija didja koordinats x kryptimi (3.17 pav., a).
Koncentracijos kitimo greitis apibdinamas koncentracijos gradientu.
Kai daleli koncentracija N priklauso tik nuo vienos koordinats x ,
j koncentracijos gradientas ireikiamas formule:
x
N
N
d
d
grad . (3.41)
sivaizduokime statmen x aiai ploktum,
1
x x . Jeigu daleli
koncentracijos gradientas nelygus nuliui, tai daleli tankis vienoje
ploktumos pusje didesnis nei kitoje. Kadangi, kai T 0, dalels
chaotikai juda, daugiau j prasiskverbia per tariam ploktum i tos
puss, kur didesnis tankis. Taigi pasireikia daleli difuzija
koncentracijos majimo kryptimi i srities, kur slgis didesnis,
srit, kur slgis maesnis.


x
N
x
1

a
Ap A[p+(dp/dx)x]
x
b

3.17 pav. Daleli tankio kitimas (a) ir duj sluoksn veikianios
jgos (b)
3. Kietj kn elektrinis laidumas
107

Imkime plon duj sluoksn, statmen x aiai (3.17 pav., b).
Jeigu jo plotas yra A , tai i kairs t sluoksn veikia jga ) (x Ap , i
deins jga
1
]
1

+ x
x
x p
x p A
d
) ( d
) ( ; ia p slgis, x sluoksnio
storis. Tada atstojamoji jga ireikiama formule:
x
x
p
A F
d
d

. (3.42)
Nagrinjamame sluoksnyje yra x NA NV daleli. Tada vien
dalel veikianti jga lygi
x
p
N NV
F
F
d
d 1

D
. (3.43)
Tarp duj daleli koncentracijos ir slgio, kaip inome, yra ryys:
T N p k . (3.44)
ra (3.43) (3.42), gauname:
x
N
N
T F
d
d 1
k
D
(3.45)
Taigi daleli difuzijos varomoji jga proporcinga tempe-
ratrai ir daleli koncentracijos gradientui.
Dabar grkime prie kietojo kno krvinink. J difuzijos slygos
skiriasi nuo neutrali daleli difuzijos slyg: vykstant krvinink
difuzijai, jeigu nra krvinink difuzinius srautus kompensuojani
prieing krvinink sraut, kinta krvio pasiskirstymas ir susikuria
elektrinis laukas. Susijusias su elektrinio lauko atsiradimu difuzijos
pasekmes isamiau aptarsime kitame skyriuje. Dabar, dar tai
nesigilindami, bet atsivelgdami krvinink judjimo kietajame kne
ypatumus, isiaikinkime, nuo ko priklauso krvinink kryptingo
slinkimo dl difuzijos greitis ir difuzins srovs tankis.
Kai elektron koncentracijos gradientas nelygus nuliui, veikiant
difuzijos varomajai jgai, elektronai kietajame kne juda panaiai kaip
veikiami elektrinio lauko sukeltos jgos. Jie juda chaotikai,
susidurdami su gardels defektais ir kartu slenka koncentracijos
majimo kryptimi.
3. Kietj kn elektrinis laidumas
108

Nagrindami krvinink dreif, sitikinome, kad kai veikia
elektrinis laukas ir jga E F
E
q , elektronas gyja dreifo greit, kuris
proporcingas jgai
E
F :
E E
F
m
E
m
E
m
E v
n
r
n
r
n
r
n n
q
q
. (3.46)
Kai veikia difuzijos varomoji jga, elektrono difuzijos greitis turi
bti proporcingas jgai
D
F . Elektrono difuzijos greiio priklausomyb
nuo difuzijos varomosios jgos turi bti analogika (3.46). Tada,
atsivelgdami (3.46) ir (3.45), galime rayti:
x
n
n
D
x
n
n
T
m
F
m
v
d
d 1
d
d 1
k
n
n
r
D
n
r
Dn


; (3.47)
ia n elektron koncentracija,
n
D j difuzijos koeficientas.
Pagal (3.47) elektron difuzijos koeficientas ireikiamas
formule:
q
k
q
k q
k
n
n
r
n
r
n
T T
m
T
m
D

. (3.48)
inodami elektron difuzijos greit, galime rasti elektronins
difuzins srovs tank:
x
n
D nv j
d
d
q q
n Dn Dn
. (3.49)
Nagrindami skyles, kuri koncentracijos gradientas nelygus
nuliui, gautume analogikas skyli difuzijos greiio, difuzijos
koeficiento ir skylins difuzins srovs iraikas:
x
p
p
D v
d
d 1
p Dp
, (3.50)
q
k
k
p
p
r
p
T
T
m
D

, (3.51)
x
p
D pv j
d
d
q q
p Dp Dp
. (3.52)
Verta atkreipti dmes, kad elektronins difuzins srovs kryptis
sutampa su elektron koncentracijos didjimo kryptimi. Skylins
difuzins srovs kryptis prieinga skyli koncentracijos didjimo
krypiai.
3. Kietj kn elektrinis laidumas
109

Kadangi krvinink judjimas kietajame kne, veikiant
elektriniam laukui, yra panaus j judjim dl koncentracijos
gradiento, krvinink difuzijos koeficientai ir judrumai yra susieti.
Pagal (3.48) ir (3.51) formules
q
k
p
p
n
n
T
D
D


. (3.53)
Pastarieji sryiai vadinami Einteino sryiais.

3.11. Puslaidininkiuose tekanios srovs

Bendruoju atveju krvinink koncentracijos puslaidininkyje gali
bti nevienalyts ir dar gali veikti elektrinis laukas. Tada elektronin
ir skylin srovs yra sudarytos i dreifins ir difuzins dedamj.
Statinio reimo (nuostoviosios veikos) slygomis, kai nekinta
elektrinio lauko stipris ir nra krvi kaupimo, atsivelgdami (3.8) ir
(3.49), elektronins srovs tank galime ireikti formule:
x
n
D E n j j j
E
d
d
q q
n n nD n n
+ + . (3.54)
Analogika formule galime ireikti skylins srovs tank:
x
p
D E p j j j
E
d
d
q q
p p pD p p
+ . (3.55)
Tada pilnutins srovs tankis ireikiamas formule:
.
pD p nD n p n
j j j j j j j
E E
+ + + + (3.56)
Taigi elektros srov puslaidininkyje sudaryta i elektronins
dreifins, elektronins difuzins, skylins dreifins ir skylins
difuzins dedamj.

3.12. Ivados

1. Sukrus kietajame kne elektrin lauk, kartu su chaotikuoju
krvinink judjimu vyksta j kryptingas slinkimas dreifas.
3. Kietj kn elektrinis laidumas
110

Dreifo greitis proporcingas elektrinio lauko stipriui ir krvinink
judrumui.
2. Kietojo kno savitj elektrin laidum lemia krvinink
koncentracija ir judrumas: ) ( q
p n
p n + .
3. Krvinink judrum kietajame kne lemia j susidrimai su
gardels defektais. Gardels defektus sukelia jos iluminiai
virpesiai ir priemai atomai. Todl puslaidininki krvinink
judrumas priklauso nuo temperatros ir priemai koncentracijos.
4. Grynojo puslaidininkio elektrinis laidumas labai priklauso nuo
draudiamosios juostos ploio ir temperatros. Priklausomybi
pobd lemia krvinink koncentracija. Kuo platesn grynojo
puslaidininkio draudiamoji juosta, tuo maesnis jo savitasis
laidumas. Kylant temperatrai, grynojo puslaidininkio laidumas
spariai didja.
5. Priemaiinio puslaidininkio savitasis laidumas didesnis nei
grynojo ir priklauso nuo temperatros ir priemai kon-
centracijos. 300 K temperatros aplinkoje, kylant temperatrai,
silpnai legiruoto silicio laidumas maja, nes krvinink
koncentracija nekinta, o judrumas, kylant temperatrai, maja
dl fononins krvinink sklaidos.
6. Galio arsenido ir kit sudtini puslaidininki laidumo juostoje
yra du slniai. Elektronams kylant auktesn sln, maja j
judrumas, ir gali pasireikti puslaidininkio neigiamas diferen-
cialinis laidumas.
7. Labai stiprus elektrinis laukas turi takos krvinink judrumui ir
koncentracijai. Jis gali sukelti smgin ar elektrostatin
puslaidininkio atom jonizacij. Dl to gali labai padidti
krvinink koncentracija ir prasidti puslaidininkio elektrinis
pramuimas.
8. Kai krvinink koncentracija nevienalyt, pasireikia j difuzija
slinkimas koncentracijos majimo kryptimi. Difuzins srovs
tankis proporcingas krvinink difuzijos koeficientui ir j
koncentracijos gradientui.
9. Statinio reimo (nuostoviosios veikos) slygomis, kai nekinta
elektrinio lauko stipris ir nra krvi kaupimo, puslaidininkyje
3. Kietj kn elektrinis laidumas
111

tekanti elektros srov sudaryta i keturi dedamj: elektronins
dreifins, elektronins difuzins, skylins dreifins ir skylins
difuzins srovi.

3.13. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Apibdinkite elektron judjim kietajame kne, kai jame sudarytas
elektrinis laukas.
2. Iveskite elektron dreifo greiio iraik. Aptarkite, nuo ko dreifo
greitis priklauso.
3. Paaikinkite krvinink judrumo prasm.
4. Iveskite bendriausi krvinink judrumo iraik. Aptarkite, nuo ko
judrumas priklauso.
5. Iveskite kietojo kno savitojo elektrinio laidumo bendriausi iraik.
Aptarkite, kas lemia savitj laidum.
6. Kokie reikiniai riboja krvinink judrum puslaidininkyje?
7. Nuo ko, kaip ir kodl priklauso krvinink judrumas grynajame
puslaidininkyje?
8. Aptarkite krvinink judrum priemaiiniame puslaidininkyje.
9. Nuo ko, kaip ir kodl priklauso grynojo puslaidininkio savitasis
elektrinis laidumas?
10. Kodl legiruotojo silicio elektrinis laidumas vidutini temperatr
srityje maja, kylant temperatrai?
11. Apskaiiuokite grynojo puslaidininkio savitj laidum, kai
10
i
10 5 n cm
3
, 1400
n
cm
2
/(Vs), 500
p
cm
2
/(Vs). Koks
bt io puslaidininkio savitasis laidumas, j legiravus donorinmis
priemaiomis, kuri koncentracija
d
N =3,510
14

cm
3
?
Ats.: 1,510
5
, 7,810
2
cm.
12. Kaip ir kiek kart pakist grynojo silicio ir p silicio laidumai,
temperatrai kylant nuo 20 iki 40
o
C?
Ats.: 4; 0,91.
13. Nurodykite stipraus lauko efekt puslaidininkyje prieastis.
14. Koks yra stipraus lauko kriterijus?
15. Elektron judrumas silicyje 300 K temperatroje 0,13 m
2
/(Vs). Kokio
stiprio elektriniame lauke elektron dreifo greitis pasiekt vidutin
kvadratin iluminio judjimo greit?
3. Kietj kn elektrinis laidumas
112

Ats.: 910
5
V/m.
16. Kodl gali pasireikti galio arsenido neigiama diferencialin vara?
17. Kokia yra Gano efekto esm?
18. Aptarkite elektrinio lauko tak krvinink koncentracijai pus-
laidininkyje.
19. K vadina fotolaidumu?
20. Paaikinkite savojo fotolaidumo ir priemaiinio fotolaidumo mecha-
nizmus.
21. Regimosios viesos bangos ilgi spektras yra nuo 380 iki 780 nm. Koks
turi bti puslaidininkio draudiamosios juostos plotis, kad puslaidininkis
tikt regimosios viesos detektoriams?
Ats.: <1,59 eV.
22. Kaip ir kodl puslaidininkio fotolaidumas priklauso nuo viesos bangos
ilgio?
23. Kas lemia metalo elektron judrum? Kaip metalo elektron judrumas ir
metalo savitoji vara priklauso nuo temperatros?
24. Kodl pasireikia metalo liekamoji vara?
25. Koks yra superlaidumo mechanizmas?
26. Kokia yra Dozefsono efekt esm?
27. Legiruoto silicio bandinio savitoji vara 9,2710
-3
m, jo Holo
konstanta 3,8410
-4
m
3
/C. Raskite pagrindini krvinink koncen-
tracij ir judrum.
Ats.: 1,610
22
m
-3
, 0,04 m
2
/Vs.
28. Kvadratinio skerspjvio n germanio bandiniu, kurio skerspjvio plotas
4 mm
2
, teka 10 mA stiprumo srov. Veikiant 0,1 T skersiniam magne-
tiniam laukui, gaunama 1 mV Holo tampa. Raskite bandinio Holo
konstant ir elektron koncentracij.
Ats.: 0,002 m
3
/C, 3,110
21

m
-3
.
29. Kokiomis slygomis vyksta daleli difuzija? Kas yra difuzijos varomoji
jga? Nuo ko ir kaip ji priklauso?
30. Iveskite difunduojanio krvininko greiio iraik.
31. Uraykite difuzins srovs tankio iraik. Aptarkite, nuo ko ir kaip i
srov priklauso.
32. I koki dedamj sudaryta puslaidininkyje tekanti srov?
03. KK laidumas_200308 2003.08.18 14:58
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
113


4. NEVIENALYIAI PUSLAIDININKIAI. pn SANDROS

Nevienalyiais vadinami puslaidininkiai, kuri savybs kinta bent
vienos koordinats kryptimi. Nevienalyio puslaidininkio kristale gali
bti skirtingo laidumo tipo srii. Pereinamasis sluoksnis tarp
puslaidininkio monokristalo p ir n srii vadinamas skyline
elektronine, arba pn sandra.
iame skyriuje aptarsime reikinius nevienalyiuose pus-
laidininkiuose ir pn sandrose ir i puslaidininki bei pn sandr
savybes.

4.1. Nevienalytis puslaidininkis

Tarkime, kad puslaidininkio bandinyje donorins priemaios
koncentracija kinta iilgai ko-
ordinats x (4.1 pav.). Kambario
temperatroje donorai yra jonizuoti,
todl elektron koncentracija
priklauso nuo koordinats x .
Dl nevienalyts koncentracijos
vyksta elektron difuzija x
kryptimi. Difunduodami elektronai
palieka nesukompensuotus donor
jonus. Taip nevienalyiame pus-
laidininkyje atsiranda vidinis
elektrinis laukas (4.2 pav.).
Elektrinis laukas sukelia krvinink
dreif.
Pusiausvyros slygomis elektronins ir skylins srovi tankiai
bandinyje turi bti lygs nuliui. Taikydami (3.54) ir (3.55) formules,
galime rayti:


n
N
d

x 0
a
b


4.1 pav. Nevienalyio n pus-
laidininkio bandinys (a) ir prie-
mai pasiskirstymas jame (b)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
114

0
d
d
q q
n n n
= + =
x
n
D E n j , (4.1)
0
d
d
q q
p p p
= =
x
p
D E p j . (4.2)
I i formuli gauname:
x
x n
x n
T
x
x n
x n
D
x E
d
) ( d
) (
1
q
k
d
) ( d
) (
1
) (
n
n
= =

, (4.3)
x
x p
x p
T
x
x p
x p
D
x E
d
) ( d
) (
1
q
k
d
) ( d
) (
1
) (
p
p
= =

. (4.4)
Atsivelg tai, kad
2
i
n np = , galime sitikinti, kad (4.3) ir (4.4)
iraikos yra tapatingos. Taikydami (4.3) ir (4.4) formules, galime
rasti elektrinio lauko stipr, kai inomas
krvinink pasiskirstymas. domus rezultatas
gaunamas, kai krvinink koncentracijos
kinta eksponentiniu dsniu. Sakykime, kad
). exp( ) (
0
bx n x n = (4.5)
Tada ra (4.5) (4.3), gautume:
b
T
x E
q
k
) ( = . (4.6)
Taigi, kai krvinink koncentracija kinta
eksponentiniu dsniu, elektrinio lauko stipris
bandinyje yra pastovus, nepriklauso nuo koordinats.
inodami elektrinio lauko stipr, galime rasti potencialo
pasiskirstym bandinyje, nes
x
x E
d
d
) (

= . (4.7)
Pagal (4.7)
x x E d ) ( d = . (4.8)
ra (4.8) elektrinio lauko stiprio iraikas (4.3) ir (4.4),
gauname:
p
p T
n
n T d
q
k d
q
k
d = = . (4.9)


E


4.2 pav. Vidinis
elektrinis laukas ne-
vienalyiame puslai-
dininkyje
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
115

Integruokime d nuo tako
1
x , kurio potencialas
1
ir kurio
aplinkoje krvinink koncentracijos
1
n ir
1
p , iki tako
2
x , kurio
potencialas
2
ir kurio aplinkoje krvinink koncentracijos
2
n ir
2
p :

= =
2
1
2
1
2
1
d
q
k d
q
k
d
p
p
n
n
p
p T
n
n T

. (4.10)
Atlik integravim, gauname potencial skirtumo tarp pamint
bandinio tak iraik:
1
2
1
2
1 2 21
ln
q
k
ln
q
k
p
p T
n
n T
U = = = . (4.11)
Pagal (4.11) potencial skirtumas tarp bandinio tak priklauso
tik nuo krvinink koncentracij t tak aplinkose.
Taigi nevienalyiame puslaidininkyje vyksta krvinink
difuzija j koncentracij majimo kryptimi ir atsiranda vidinis
elektrinis laukas, sukeliantis krvinink dreif. Pusiausvyros
slygomis difuziniai ir dreifiniai krvinink srautai kompensuoja
vieni kitus ir atstojamasis srautas lygus nuliui. Dl krvinink
koncentracij kitimo bandinyje kinta elektrinis potencialas. Potencial
skirtum tarp bandinio tak lemia krvinink (elektron arba skyli)
koncentracij santykis.
Kaip jau isiaikinome, apie puslaidininkio savybes galima sprsti
pagal jo energijos lygmen diagram. Taigi sudarykime nevienalyi
n ir p puslaidininki energijos lygmen diagramas. udavin
nesunku atlikti remiantis jau gytomis iniomis Prim prielaid, kad
elektron ir skyli efektins mass lygios (
p n
m m ) galime teigti:
1. Kai priemai koncentracija lygi nuliui (puslaidininkis
grynas), Fermio lygmuo yra ties draudiamosios juostos
viduriu.
2. n puslaidininkyje Fermio lygmuo yra vir draudiamosios
juostos vidurio.
3. p puslaidininkyje Fermio lygmuo esti emiau draudiamosios
juostos vidurio.
Be to inome, kad pusiausvyros bsenoje Fermio lygmuo
bandinyje pastovus, nepriklauso nuo koordinats.
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
116

Remiantis iomis iniomis sudarytos nevienalyi silicio bandini
energijos lygmen diagramos atvaizduotos 4.3 ir 4.4 paveiksluose. I
j matyti, kad nevienalyiuose puslaidininkiuose atsiranda potencialo
barjerai. Jeigu nesikeiia puslaidininkio laidumo tipas, potencialo
barjero auktis yra ne didesnis nei 2 / W .
Jeigu bandinio tak potencialai nevienodi, tai elektron
potencins energijos
1
W ir
2
W iuose takuose yra nevienodos:
. q
21 1 2 21
U W W W = = (4.12)
Tada
q /
21 1 2 21
W U = = . (4.13)
Jeigu potencialo barjero auktis
21 b
W W = nevirija 2 / W , tai
kontaktinis potencial skirtumas nevienalyio tam tikro laidumo tipo
puslaidininkio bandinyje tenkina slyg



c
W
b

n
N
d

x
0
a
b
E
W
W
c

W
F

W
v

W
x


4.3 pav. Nevienalyio n silicio
bandinys (a), donorini priemai
pasiskirstymas (b) ir energijos
lygmen diagrama (c)


c
W
b

p
N
A

x
0
a
b
E
W
W
c

W
F

W
v

W
x


4.4 pav. Nevienalyio p silicio
bandinys (a), donorini priemai
pasiskirstymas (b) ir energijos
lygmen diagrama (c)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
117

q 2
k
W
U

. (4.14)
Silicio draudiamosios juostos plotis yra 1,1 eV. Taigi

k
U 0,55 eV.
Pagal 4.3 paveiksl, c, ir 4.4 paveiksl, c, nevienalyio puslai-
dininkio krvininkai (laidumo juostos elektronai ir valentins juostos
skyls), difunduodami koncentracijos majimo kryptimi, sutinka
potencialo barjerus, atsirandanius dl vidinio elektrinio lauko
bandinyje. Krvininkai, kuriems barjeras auktas, atsispindi ir pradeda
dreifuoti prieinga kryptimi. Kaip jau paminjome, termodinamins
pusiausvyros slygomis difuziniai ir dreifiniai krvinink srautai
kompensuoja vieni kitus ir elektros srov bandinyje neteka.
Nagrinjant valentins juostos skyli judjim btina prisiminti,
kad skyl yra tarsi duj burbuliukas skystyje ir jos energija didesn,
jei ji uima emesn valentins juostos lygmen. Skyls nuotolis nuo
valentins juostos viraus atitinka skyls kinetin energij.
4.1 uduotis
Silicio dreifinio npn tranzistoriaus bazje priemai koncentracija kinta
eksponentiniu dsniu. Bazs storis 1 m. vertinkime elektrinio lauko stipr
tranzistoriaus bazje.
Sprendimas
Tranzistoriaus baz yra p puslaidininkio sluoksnis. Tam tikro laidumo
tipo sluoksnyje kontaktinis potencial skirtumas yra ne didesnis nei q 2 / W .
Jeigu puslaidininkis silicis, tai
k
U 0,55 V. Sakykime, kad V 2 , 0
k
U .
Tada
V/m. 10 2
10
2 , 0
5
6
B
k
= =

U
E

4.2. pn sandra

Puslaidininkio bandinyje galima sudaryti skirtingo laidumo tipo
sritis. Tarp puslaidininkinio darinio p ir n srii susidaro pereinamasis
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
118

sluoksnis, vadinamas pn sandra. pn sandros bna staigios ir
tolydins, simetrins ir nesimetrins. Staigiojoje pn sandroje
priemai koncentracijos kinta uoliu, tolydinje palaipsniui. pn
sandra yra simetrin, kai donorini priemai koncentracija n srityje
yra tokia pat kaip akceptorini priemai koncentracija p srityje. Jeigu
priemai koncentracijos nevienodos, susidaro nesimetrin pn
sandra.
Nagrinkime staigij simetrin pn sandr silicio monokristalo
luste (4.5 pav., a), kurio kairij pus terpta akceptorini priemai
(j koncentracija
a
N ), deinij pus donorini priemai (j
koncentracija
d
N ). Sakykime, kad = =
d a
N N 10
16
/cm
3
.
Vidutini temperatr srityje visi priemai atomai yra jonizuoti.
Todl kairiojoje darinio pusje skyli koncentracija
= =
a p
N p 10
16
cm
3
. Elektron koncentracija deiniojoje darinio
pusje = =
d n
N n 10
16
cm
3
. Greta pagrindini krvinink abiejose
darinio pusse yra alutini krvinink. J koncentracijas galime rasti
i iraikos
2
i
n pn = . Kai temperatra 300 K, savj krvinink kon-
centracija
i
n silicyje yra 1,510
10
cm
3
. Tada elektron koncentracija
kairiojoje darinio pusje = =
p
2
i p
/ p n n 2,2510
4
cm
3
, skyli
koncentracija deiniojoje pusje = =
n
2
i p
/ n n p 2,2510
4
cm
3
.
Sujungus p ir n sritis, dl dideli krvinink koncentracij
gradient vyksta j difuzija per sandr. Skyls i p srities difunduoja
n srit, elektronai i n srities p srit. Dl difuzijos krvinink
koncentracijos pn sandroje kinta ne taip staigiai, kaip legiruojanij
priemai koncentracijos, o palaipsniui (4.5 pav., b).
Pereinamajame sluoksnyje tarp p ir n srii krvinink
koncentracijos yra daug kart maesns nei u jo rib. Kai = x 0, tai
i i
n p n p = = = .Vadinasi, pn sandroje susidaro nuskurdintasis
sluoksnis su maa krvinink koncentracija ir didele savitja vara.
Difunduodamos i p srities n srit, skyls p srityje palieka
nesukompensuotus neigiamus akceptori jonus. Difunduodami i n
srities p srit, elektronai palieka nesukompensuotus teigiamus donor
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
119

jonus. Taip pn sandroje susidaro erdviniai krviai (4.5 pav., c), kuri
tankio pasiskirstymas atvaizduotas 4.5 paveiksle, d.
Tarp erdvini krvi atsiranda elektrinis laukas. 4.5 paveiksle, e,
atvaizduotas elektrinio lauko stiprio pasiskirstymo grafikas.
Dl krvinink koncentracij gradient ir elektrinio lauko
krvininkus veikia difuzijos varomoji jga
D
F ir jga E F q = . ios



p n
x 0
(Na, Nd, p, n)/cm
-3

10
16

10
10

10
4

N
a
N
d
p
p
n
n

n
p
p
n

x
p n
d
d
n
d
p

x

E
x
a
b
c
d
e
p n
p n
p n
jpD
j
nD

jpE
jnE
f
g
i
-dp 0 dn x
W
Wp
Wn

Wb
j


4.5 pav. pn sandra pusiausvyros bsenoje
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
120

jgos yra prieing krypi ir pusiausvyros bsenoje kompensuoja
viena kit. Kita vertus, galime sakyti, kad dl i jg veikimo
susikuria difuziniai ir dreifiniai prieing krypi krvinink srautai,
kurie pusiausvyros bsenoje kompensuoja vienas kit.
Difuzinius srautus ir difuzines skylin ir elektronin sroves per pn
sandr sudaro pagrindiniai krvininkai, difunduojantys koncentracij
majimo kryptimis. veik pn sandr jie tampa alutiniais
krvininkais (4.5 pav., f). Pagrindini krvinink difuzij stabdo pn
sandros vidinis elektrinis laukas. Nepakankamai energijos turinius
pagrindinius krvininkus elektrinis laukas grina atgal: skyles p
srit, elektronus n srit (4.5 pav., f).
Dreifinius srautus ir dreifines elektronin bei skylin sroves
sukuria alutiniai krvininkai. p ir n srityse alutiniai krvininkai juda
chaotikai. Priartjusius prie pn sandros alutinius krvininkus
pagauna vidinis elektrinis laukas, greitina ir pernea per sandr. Per
pn sandr perneti alutiniai krvininkai tampa pagrindiniais
(4.5 pav., g).
I aptarimo aiku, kad elektros srov per pn sandr sudaro
keturios dedamosios: skylin difuzin, elektronin difuzin, skylin
dreifin ir elektronin dreifin srovs. i srovi tankiai
pD
j ,
nD
j ,
E
j
p
ir
E
j
n
(4.5 pav., i).
Kai neveikia iorinis elektrinis laukas, pn sandroje nusistovi
dinamin pusiausvyra, kuriai esant difuzin ir dreifin srovs
kompensuoja viena kit, ir srov per pn sandr neteka. Vadinasi,
0
n nD n
= + =
E
j j j , (4.15)
0
p pD p
= + =
E
j j j (4.16)
ir
0
D
= + =
E
j j j ; (4.17)
ia
pD nD D
j j j + = per pn sandr tekanios difuzins srovs tankis,
E E E
j j j
p n
+ = dreifins srovs tankis.
Pusiausvyros slygomis Fermio lygmuo yra vienodas visame
darinyje. U pn sandros rib p srityje Fermio lygmuo esti emiau
draudiamosios juostos vidurio, n srityje vir draudiamosios
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
121

juostos vidurio. Remiantis iais teiginiais galima sudaryti pn sandros
energijos lygmen diagram (4.5 pav., j). Pagal energijos lygmen
diagram pn sandroje energijos lygmen
v
W ir
c
W padtys kinta ir
krvininkams susidaro potencialo barjerai. ie barjerai atsiranda todl,
kad pn sandroje veikia elektrinis laukas ir tarp n ir p srii veikia
kontaktinis (slyio) potencial skirtumas
k
U . Barjero auktis
ireikiamas formule:

k b
qU W = ; (4.18)
ia


= =
n
p
d ) ( d ) (
p n k
d
d
x x E x x E U . (4.19)
ioje formulje
n
d ir
p
d yra nuskurdintj sluoksni storiai n ir p
srityse (4.5 pav., j).
ra (4.19) formul elektrinio lauko stiprio iraikas (4.3) ir
(4.4), galime gauti:

2
i
p n
n
p
p
n
ln
q
k
... ln
q
k
... ln
q
k
q
k
n
p
n
p n
T
p
p
T
n
n T
n
dn T
U
n
n
k
= = = = = =

. (4.20)
Vidutini temperatr srityje, kai
d n
N n = ir
a p
N p = ,

2
i
a d
k
ln
q
k
n
N N T
U = . (4.21)
Pagal i formul kontaktinis potencial skirtumas tarp n ir p
srii tuo didesnis ir potencialo barjeras pn sandroje tuo auktesnis,
kuo didesns priemai koncentracijos
d
N ir
a
N .
Pagal 4.5 paveiksl, j, galioja ryys

n p b
W W W W = .
Didjant priemai koncentracijoms, p srityje Fermio lygmuo
artja prie valentins juostos viraus (
p
W 0), n srityje prie
laidumo juostos dugno (
n
W 0). Tada barjero auktis
b
W artja
prie draudiamosios juostos ploio W . Taigi maksimalus potencial
skirtumas tarp n ir p srii ireikiamas formule:
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
122

q /
max k
W U .
Kai mediaga silicis, tai
max k
U 1,1 V.
pn sandroje susidarius elektrin lauk, kontaktin potencial
skirtum ir potencialo barjer gali veikti tik turintys pakankamai
kinetins energijos elektronai. Jei elektrono kinetin energija maesn
u barjero aukt, jis gali tik siskverbti pn sandr. Ieikvojs
energij darbui, nukreiptam prie elektrinio lauko jg, elektronas
sustoja. Po to elektrinis laukas t elektron grina n srit. Analogiki
procesai vyksta, kai i p srities n srit juda skyls.
Priartjusius prie pn sandros alutinius krvininkus elektrinis
laukas veikia prieingai: ne stabdo, o greitina. Judani per pn sandr
alutini krvinink kinetin energija didja. Susidurdami su gardels
defektais, alutiniai krvininkai praranda kinetin energij. Jei tokie
susidrimai vyksta pn sandroje, krvininkai periodikai praranda
kinetin energij ir tarsi slysta barjeru.
Pagrindini krvinink judjim per pn sandr iliustruoja 4.6 pa-
veikslas. Elektronai ir skyls, kaip pagrindiniai krvininkai, juda
koncentracij majimo kryptimis. Potencialo barjeras stabdo difuzij.
Vienam i elektron nepakanka energijos pn sandrai veikti. Kitas
elektronas pn sandroje susiduria su gardels defektu ir praranda


Wv
WF
W
c

W



4.6 pav. Pagrindini krvinink
judjimas per pn sandr


Wv
WF
Wc
W


4.7 pav. alutini krvinink
judjimas per pn sandr
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
123

kinetin energij. Elektrinis laukas j grina atgal n srit. Potencialo
barjer veikia tik elektronai ir skyls, turintieji pakankamai didel
pradin kinetin energij ir nesusiduriantieji sandroje su defektais.
4.7 paveikslas iliustruoja alutini krvinink judjim per pn
sandr. alutiniai krvininkai gali laisvai judti per sandr. Jeigu
krvininkas sandroje nesusiduria su gardels defektais, jo kinetin
energija, judant per sandr, didja. Susidurdami su defektais, kr-
vininkai slysta pn sandros potencialo barjeru kit pn darinio srit.
4.2 uduotis
Silicio pn sandra staigi.
-3 18 -3 16
cm 10 4 , cm 10
a d
= = N N . Ap-
skaiiuokime kontaktin potencial skirtum ir potencialo barjero aukt pn
sandroje, kai T = 300 K.
Sprendimas
Pagal (4.21)
V. 85 , 0
) 10 5 , 1 (
10 4 10
ln 026 , 0 ln
q
k
2 10
18 16
2
i
d a
k


= =
n
N N T
U
Pagal (4.18)
85 , 0 q
k b
= U W eV.
ia minuso enklas rodo, kad n srityje energijos lygmenys emesni nei p
srityje.

4.3. pn sandros voltamperin charakteristika

Prijungus prie pn sandros iorin tamp, sutrinka krvinink
difuzijos ir dreifo pusiausvyra ir per sandr ima tekti srov. ios
srovs priklausomyb nuo tampos yra netiesin ir vadinama pn
sandros voltamperine charakteristika.
Sakykime, kad iorin tampa prijungta minusu prie p srities ir
pliusu prie n srities. Tegul p ir n srii varos yra daug maesns u
nuskurdintojo sluoksnio var Tada praktikai visa iorin tampa
krinta pn sandroje. Iorin tampa sandroje sukuria iorin elektrin
lauk
e
E (external iorinis), kurio kryptis nagrinjamu atveju
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
124

sutampa su vidinio elektrinio lauko
i
E (internal vidinis) kryptimi
(4.8 pav., a). Padidjus potencial skirtumui tarp n ir p srii, padidja
potencialo barjero auktis pn sandroje. Pagal 4.8 paveiksl, a, b, jis
ireikiamas formule:
) ( q
k b
U U W = ; (4.22)
ia
k
U kontaktinis potencial skirtumas tarp n ir p srii, U
iorin tampa tarp p ir n srii.
Priartj prie pn sandros alutiniai krvininkai patenka elektrin
lauk, kuris juos pernea per sandr kit pn darinio srit. Toki
krvinink skaiius priklauso nuo alutini krvinink koncentracijos.
Nuo elektrinio lauko stiprio jis nepriklauso. Todl dreifin pn
sandros srov nepriklauso nuo potencialo barjero aukio.
Didjant barjero aukiui, j gali veikti vis maiau pagrindini
krvinink. Nagrindami elektron pasiskirstym laidumo juostoje
galtume sitikinti, kad, didjant barjero aukiui, skaiius n srities
elektron, kurie gali barjer veikti, maja eksponentiniu dsniu. i


n p
x 0
U
x
W
Wv
Wc
WF
-qU
Wb=q(Uk-U)
Ei
Ee
a
b

4.8 pav. pn darinys (a) ir jo
energijos lygmen diagrama (b),
veikiant atgalinei tampai


n p
x 0
U
x
W
W
v

W
c

W
F

E
i

E
e

a
b



4.9 pav. pn darinys (a) ir jo
energijos lygmen diagrama (b),
veikiant tiesioginei tampai
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
125

ivada tinka ir p srities skylms. Todl, didjant 4.8 paveiksle, a, nu-
rodytai tampai ir barjero aukiui, difuzin srov per pn sandr spar
iai silpnja. Paveiksle nurodyto polikumo tampa ( 0 < U ) yra at-
galin tampa (kartais ji dar vadinama atbuline ar atvirktine tampa).
Pakeitus tampos polikum prijungus tiesiogin tamp 0 > U
(4.9 pav., a), pasikeiia jos sukurto elektrinio lauko
e
E kryptis. pn
sandroje veikianio elektrinio lauko stipris sumaja. Sumaja ir
potencialo barjero auktis (4.9 pav., b). Sumajus barjero aukiui,
dreifin pn sandros srov nepakinta. Difuzin srov, didjant
tiesioginei tampai U ir majant barjero aukiui, stiprja ekspo-
nentiniu dsniu. Remiantis pamintu elektron energij pasiskirstymu
rodoma, kad difuzins srovs tankis ireikiamas formule:
) k / q exp(
s D
T U j j = ; (4.23)
ia
s
j proporcingumo koeficientas, kurio prasm atskleisime vliau.
Kadangi pn sandros srov sudaro difuzin ir dreifin
dedamosios, galime rayti:
. ) k / q exp(
s D E E
j T U j j j j + = + = (4.24)
Pusiausvyros bsenoje, kai = U 0, pagal (4.17) ir (4.24) formules
0
s
= + =
E
j j j . (4.25)
I ia
s
j j
E
= . Tada, pagal (4.24), veikiant bet kokiai tampai,
srovs per pn sandr tankis ireikiamas formule:
[ ] 1 ) k / q exp( ) k / q exp(
s s s
= = T U j j T U j j . (4.26)
Padaugin srovs tank i pn sandros ploto S , gauname per pn
sandr tekanios srovs iraik. Jos stipris
[ ] 1 ) k / q exp(
s
= = T U I jS I ; (4.27)
ia S j I
s s
= .
(4.27) formul yra idealios pn sandros voltamperins
charakteristikos iraika.
300 K temperatroje q / kT 26 mV. Todl, kai > U 0,1 V, galioja
nelygyb 1 ) k / q exp( >> T U . Tada
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
126

) k / q exp(
s
T U I I . (4.28)
Vadinasi, didjant tiesioginei tampai, pn sandros tiesiogins
srovs stipris didja eksponentiniu dsniu.
Jeigu veikia atgalin tampa ir > U 0,1 V, tai 1 ) k / q exp( << T U ir
s
I I . Vadinasi, kai > U 0,1 V, didjant atgalinei tampai, idealios
pn sandros atgalin srov nekinta. Taip yra todl, kad tada per pn
sandr teka tik dreifin srov, kurios tankis ir stipris nepriklauso nuo
veikianios tampos ir potencialo barjero aukio. Srov
s
I vadinama
pn sandros soties srove.
4.10 paveiksle, a, atvaizduotas idealios pn sandros volt-
amperins charakteristikos grafikas. Veikiant nedidelei tiesioginei
tampai, per pn sandr gali tekti stipri tiesiogin srov. Atgalin
srov esti silpna net veikiant didelei atgalinei tampai. Todl
voltamperins charakteristikos tiesioginei ir atgalinei akoms parinkti
skirtingi masteliai. Tiesiogin tampa ir tiesiogin srov paymtos
F
U ir
F
I (forward tiesiogin), atgalins tampa ir srov
R
U ir
R
I
(reverse atgalin).
4.10 paveiksle, b, atvaizduota idealios pn sandros voltamperins
charakteristikos pradin dalis.



0
0,2 0,4
4 2
U
R
/V
U
F
/V
I
F
/mA
I
R
/ A
40
80
20

- 0,02

0

0,02

0,04

0,06

0,08

0,1

- 0,3
- 0,2
- 0,1
0
0,1
U

/ V

I / mA
- 0,02

0

0,02

0,04

0,06

0,08
- 0,2

- 0,1

0

U /
V
I / mA
- 0,02
0
0,02
0,04
0,06
0,08
- 0,2 - 0,1 0 0,1
I / mA
U / V

a b
4.10 pav. pn sandros voltamperin charakteristika (a) ir jos pradin
dalis (b)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
127

Pagal (4.27) formul pn sandros voltamperin charakteristika
priklauso nuo temperatros ir soties srovs
s
I . Soties srov lemia
alutiniai krvininkai. alutini krvinink koncentracija lygi N n /
2
i
;
ia N priemai koncentracija simetrins pn sandros p ir n srityse.
Savj krvinink koncentracija
i
n labai priklauso nuo puslaidininkio
draudiamosios juostos ploio ir temperatros: ). k 2 / exp( ~
i
T W n
Atsivelgdami iuos sryius, galime rayti:
N
T W
S I
) k / exp(
~
s

. (4.29)
Taigi pn sandros soties srov ir voltamperin charakteristika
priklauso nuo sandros ploto, p ir n srii legiravimo laipsnio, o
ypa nuo puslaidininkio draudiamosios juostos ploio ir
temperatros.
Voltamperins charakteristikos priklausomyb nuo temperatros
iliustruoja 4.11 paveikslas. Kylant temperatrai, stiprja pn sandros
atgalin srov ir maja tiesiogin tampa, atitinkanti tam tikro
stiprumo tiesiogin srov. Nesunku sitikinti, kad, pakitus temperat-
rai 10
0
C, silicio pn sandros soties srov tampa dvigubai stipresn.
Kadangi tiesiogin tampa, kylant temperatrai, maja, sakoma, kad
tiesiogins tampos temperatrinis koeficientas yra neigiamas.
Jei puslaidininkio draudiamoji juosta platesn, alutini
krvinink koncentracijos p ir n srityse yra maesns. Todl per pn


I F
/mA
I R
/ A
U F /(1 V)
U F /(10 V)
T 2
T 1
0


4.11 pav. Idealios pn sandros
voltamperins charakteristikos,
kai sandros temperatra T
1
ir
T
2
> T
1



I F
/mA
I R
/ A
U F /(1 V)
U F
/(10 V)
0
W 1
W 2


4.12 pav. Idealios pn sandros
voltamperins charakteristikos,
kai skirtingi draudiamj juost
ploiai (W
2
> W
1
)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
128

sandr teka silpnesn atgalin srov. Be to, kai platesn draudiamoji
juosta, susidaro auktesnis potencialo barjeras pn sandroje. Auktesn
barjer pajgia veikti maiau pagrindini krvinink. Todl tiesiogin
pn sandros srov taip pat yra silpnesn (4.12 pav.). Dl to, kad silicio
ir germanio draudiamj juost ploiai skirtingi, vienodomis
slygomis per silicio pn sandr teka silpnesn srov nei per germanio
sandr.
Voltamperins charakteristikos priklausomyb nuo priemai
koncentracijos lemia tai, kad, esant didesnei priemai koncentracijai,
yra maesn alutini krvinink koncentracija ir auktesnis
potencialo barjeras. Dl i prieasi, kai didesn priemai
koncentracija, dreifin ir difuzin pn sandros srovs yra silpnesns.
4.3 uduotis
Kiek kart germanio diodo soties srov stipresn u tokio pat silicio
diodo soties srov 300 K temperatroje?
Sprendimas
Pagal (4.29)
. 10 52 , 1
026 , 0
1 , 1 67 , 0
exp
k
exp ...
) (
) (
7 1 2
1 s
2 s
=


= =
T
W W
W I
W I


Puslaidininkio kristalo lusto su jame suformuota pn sandra (re-
alios pn sandros) voltamperin charakteristika skiriasi nuo idealios
pn sandros voltamperins charakteristikos. Prieastis galime isiai-
kinti nagrindami realios pn sandros ekvivalentin grandin. Gran-
dins schemoje (4.11 pav.) diodas D modeliuoja ideali pn sandr,
vara
1
R pn darinio p ir n srii var,
2
R nuotkio var.
Nuotkio srov gali tekti dl bandinio, kuriame sudaryta pn sandra,
paviriaus uterimo. Pavirinius reikinius trumpai aptarsime kitame
skyriuje.
Realis pn sandros voltamperins charakteristikos tiesioginei
akai didiausi tak daro vara
1
R . Kai per pn sandr teka
tiesiogin srov, tampa krinta pn sandroje ir varoje
1
R . Todl

1 F F FD
R I U U + = ; (4.30)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
129

ia
FD
U realios pn sandros (puslaidininkio diodo) tiesiogin
tampa, tekant tiesioginei srovei
F
I .
tampos kritimo varoje
1
R tak sandros voltamperins
charakteristikos tiesioginei akai iliustruoja 4.14 paveikslas.
Dl tampos kritimo
1 F
R I charakteristikos ) (
FD F
U I statumas yra
maesnis nei idealios pn sandros voltamperins charakteristikos tie-
siogins akos statumas. Dl tampos kritimo varoje
1
R per sandr
teka silpnesn srov. Tiesiogin srov pradeda tekti, kai tiesiogin
tampa virija tam tikr slenkst, kuris priklauso nuo potencialo barjero
aukio, taigi ir nuo puslaidininkio mediagos. Germanio diod
slenkstin tampa yra apie 0,3 V, silicio diod apie 0,7 V.
Dar svarbu pastebti, kad po to, kai sandra tampa laidi, didjant
tiesioginei tampai, dl tampos kritimo p ir n srityse tiesiogin srov
kinta ne eksponentiniu dsniu, o beveik tiesikai. Todl, nagrinjant
stipri signal apdorojimo klausimus, puslaidininkini diod
voltamperins charakteristikas galima aproksimuoti lautinmis
linijomis.
pn sandros atgalin vara esti didel. Todl maa vara
1
R
(4.13 pav.) praktikai neturi takos voltamperins charakteristikos
atgalinei akai. Veikiant atgalinei tampai, didesns takos turi pn



R
1

R
2

D R
1

R
2

D


4.13 pav. Realios pn
sandros ekvivalentin
nuolatins srovs
grandin


I F
U
F
1
2
3
0


4.14 pav. Idealios pn sandros
voltamperins charakteristikos tiesiogin
aka (1 kreiv), tampos kritimas n ir p
srityse (2) ir realios pn sandros
voltamperins charakteristikos tiesiogin
aka (3 kreiv)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
130

sandr untuojanti vara
2
R ir
dl to atsirandanti nuotkio
srov. Atsivelgdami nuotkio
srov, gauname:

2 R R RD
/ R U I I + = .
Didjant atgalinei tampai,
nuotkio srov stiprja, todl
stiprja ir atgalin srov
RD
I
(4.15 pav.).
Taigi realios pn sandros
atgalin srov bna stipresn u
soties srov. Tai lemia ne tik
nuotkio srov. Svarbi realios
pn sandros atgalins srovs dedamoji yra generavimo srov. J
sukuria elektronai ir skyls, generuojami nuskurdintajame pn darinio
sluoksnyje dl ilumini gardels virpesi. Krvinink poras,
atsirandanias dl elektron uoli i valentins juostos laidumo
juost, elektrinis laukas iskiria ir nukreipia skirtingas sritis. Didjant
atgalinei tampai, sandra, kaip ne u ilgo sitikinsime, pleiasi, didja
jos tris, todl generavimo srov stiprja.
Kai pn sandros atgalin tampa virija leidiamj, atgalin
srov pradeda staiga stiprti prasideda pn sandros pramuimas ir
stiprja pramuimo srov.
Taigi realios pn sandros atgalin srov sudaro kelios
dedamosios: dreifin, generavimo, nuotkio ir pramuimo srovs.
4.4 uduotis
Tekant per puslaidininkin diod 5 mA srovei, pn sandroje krinta 0,7 V
tampa. Diodo p ir n srii vara 20 . Raskime diodo tiesiogin tamp.
Sprendimas
Pagal (4.30)
V. 71 , 0 005 , 0 20 7 , 0
F 1 F FD
= + = + = I R U U




0
I R
U R
1
2
3


4.15 pav. Idealios pn sandros
voltamperins charakteristikos
atgalin aka (1 kreiv), nuotkio
srov (2) ir realios pn sandros
voltamperins charakteristikos at-
galin aka (3 kreiv)

4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
131

4.5 uduotis
Silicio pn sandroje krinta 0,7 V tiesiogin tampa. Kiek kart tekanti
per pn sandr srov stipresn u soties srov, kai T = 300 K?
Sprendimas
Pagal (4.28)
. 10 5
026 , 0
7 , 0
exp
k
q
exp
11
s

T
U
I
I

Taigi pn sandros tiesiogin srov daug kart stipresn u
atgalin srov. pn sandra viena kryptimi gerai praleidia srov, kita
praktikai nepraleidia. Tai ventilin pn sandros savyb.

4.4. pn sandra veikiant atgalinei tampai

Nagrindami pn darin
pusiausvyros bsenoje sitikino-
me, kad pn sandroje susidaro
nuskurdintasis erdvinio krvio
sluoksnis, sudarytas i puslaidi-
ninkio atom ir nesukompensuot
donorini ir akceptorini priemai-
jon.
Veikiant atgalinei tampai, n srities elektronai pasislenka link
teigiamojo poliaus, p srities skyls link neigiamojo poliaus
(4.16 pav.). pn sandros storis padidja.

4.4.1. pn sandros storis

pn sandros stor galima apskaiiuoti sprendiant Puasono
(Poisson) lygt. Staiakampi koordinai sistemoje Puasono lygtis
ireikiama itaip:


n
p



4.16 pav. pn sandros pltimasis
veikiant atgalinei tampai
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
132

) , , (
2
2
2
2
2
2
z y x
z y x
=

; (4.31)
ia potencialas, laisvojo elektros krvio tankis,
r 0
= ,
0
elektrin konstanta,
r
santykin dielektrin skvarba.
Kai erdvinis krvis ir potencialas kinta tik vienos koordinats x
kryptimi, Puasono lygtis tampa paprastesn:

) (
d
) ( d
2
2
x
x
x
= . (4.32)
Kai pn sandra staigi, donor koncentracija n srityje yra
d
N ,
akceptori koncentracija p srityje
a
N (4.17 pav.). Vidutini tem-
peratr srityje priemaios jonizuotos. Tada p srityje (kai
p
0 d x > > )
erdvinio krvio tankis
. q
a p
N (4.33)
n srityje, kai 0
n
< < x d ,


x
-dn 0 dp
n p
Nd
Na
x
N
0 -dn dp
d
a
b
c


4.17 pav. Staigi pn sandra (a), priemai pasiskirstymas (b)
ir pn sandros modelis (c)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
133

d n
qN . (4.34)
ra (4.33) (4.32), gauname:

a
2
2
q
d
) ( d N
x
x
= . (4.35)
Sprsdami i lygt, gauname:
1
a
q
d
) ( d
C x
N
x
x
+ =

; (4.36)
ia
1
C konstanta.
Tada elektrinio lauko stipris p srities nuskurdintajame sluoksnyje
(
p
0 d x < < ) ireikiamas formule:
1
a
q
d
) ( d
) ( C x
N
x
x
x E = =

. (4.37)
Kai
p
d x = , elektrinio lauko stipris turi bti lygus nuliui. Tada
p
a
1
q
d
N
C

= ,
) (
q
d
) ( d
) (
p
a
d x
N
x
x
x E = =

(4.38)
ir
) (
q
d
) ( d
p
a
d x
N
x
x
=

. (4.39)
Integruodami (4.39) lygt, gauname:
2
2
p
a
2
) (
q
) ( C
d x
N
x +

. (4.40)
Kai
p
d x = , potencialas tampa lygus p srities potencialui
p
. Tada
p 2
= C ir
2
) (
q
) (
2
p
a
p
d x
N
x

+ =

. (4.41)
Analogikai nagrindami n srities nuskurdintj erdvinio krvio
sluoksn ( 0
n
< < x d ), kuriame elektrinio krvio tankis ireikiamas
(4.34) formule, galime gauti:
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
134

) (
q
d
) ( d
) (
n
d
d x
N
x
x
x E + = =

(4.42)
ir
2
) ( q
) (
2
n d
n
d x N
x
+
=

. (4.43)
Kai = x 0, skaiiuodami elektrinio lauko stipr pagal (4.38) ir
(4.42) formules turime gauti t pat rezultat. Todl
n
d
p
a
q q
d
N
d
N

= . (4.44)
Tada
n d p a
d N d N = . (4.45)
Pagal (4.45) lygt, kai pn sandra simetrin, erdvinio krvio
sluoksniai p ir n srityse yra vienodo storio (
p n
d d = ). Jeigu
a d
N N ,
tai erdvinio krvio sluoksnis storesnis toje srityje, kur priemai
koncentracija maesn. i mint iliustruoja 4.17 paveikslas, b. Jame
paymti plotai lygs sandaugoms
n d
d N ir
p a
d N . Taigi erdvini
krvi sluoksni stori p ir n srityse santykiai atvirkiai proporcingi
priemai koncentracij santykiams.
Dar pastebkime, kad pjvyje = x 0 p ir n srii potencialai turi
bti vienodi. Tada sulygin (4.41) ir (4.43), gauname:
2
q
2
q
2
n d
n
2
p
a
p
d N
d
N

= + . (4.46)
Atsivelg, kad
R k p n
U U + = , gauname:
( )
.
1 1
2
q
2
q
d a
2
n
2
d
2
n d
2
p a R k p n

+ =
= + = + =
N N
d N
d N d N U U


(4.47)
Tada
( )
( )
d a
R k
d
n
/ 1 / 1 q
2 1
N N
U U
N
d
+
+
=

, (4.48)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
135

( )
( )
d a
R k
a
p
/ 1 / 1 q
2 1
N N
U U
N
d
+
+
=

(4.49)
ir
( )

+
+
= + =
d a
R k
p n
1 1
q
2
N N
U U
d d d

. (4.50)
Taigi pn sandros nuskurdintojo sluoksnio storis d priklauso nuo
kontaktinio potencial skirtumo
k
U , atgalins tampos
R
U ir
priemai koncentracij
a
N ir
d
N . Kuo didesns priemai
koncentracijos, tuo pn sandra plonesn. Didjant atgalinei tampai,
pn sandros storis d didja pn sandra pleiasi.
4.6 uduotis
Apskaiiuokime staigiosios silicio pn sandros stor, kai
. T U N N K 300 , 0 , cm 10 4 , cm 10
-3 18 -3 16
a d
= = = =
Sprendimas
Pagal (4.50)
( )

+
+
=
d a
R k
1 1
q
2
N N
U U
d

.
Atlikdami 4.2 uduot gavome, kad =
k
U 0,85 V. Silicio 8 , 11
r
= .
Tada
333 , 0 ...
10 4
1
10
1
10 6 , 1
85 , 0 8 , 11 10 854 , 8 2
24 22 19
12
=

d m.

4.4.2. pn sandros barjerin talpa

Didjant atgalinei tampai ir pleiantis pn sandrai, joje didja
nesukompensuot donor ir akceptori jon sukurti krviai
d
Q ir
a
Q ,
ireikiami formulmis:
n d n n d
q Sd N V Q = = (4.51)
ir
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
136

p a p p a
q Sd N V Q = = . (4.52)
Atsivelgus (4.45), nesunku sitikinti, kad absoliutins krvi
d
Q ir
a
Q verts yra vienodos: Q Q Q = =
a d
.
Taigi krviai
d
Q ir
a
Q priklauso nuo
n
d ir
p
d , vadinasi, ir nuo
atgalins tampos. Krvio kitimas, kintant tampai, yra talpos poymis.
inodami krvio Q priklausomyb nuo atgalins tampos
R
U , pn
sandros talp galime rasti pagal formul:
R b
d d U Q C = . (4.53)
Talpa
b
C susieta su potencialo barjero pn sandroje aukiu ir
vadinama pn sandros barjerine talpa.
Taigi barjerin talp galime apskaiiuoti taikydami (4.53), (4.51)
ir (4.50) formules. Kita vertus, pn sandros barjerins talpos iraik
galime ivesti sivaizduodami pn sandr kaip plokij kondensa-
tori laikydami, kad p ir n sritys yra laids kondensatoriaus elekt-
rodai, o nuskurdintasis sluoksnis yra dielektrikas (4.17 pav., c). Tada
( )( )
a d R k
b
/ 1 / 1 2
q
N N U U
S
d
S
C
+ +
= =

. (4.54)
Jeigu sandra simetrin ( N N N = =
a d
), tai
( )
R k
b
4
q
U U
N
S C
+
=

. (4.55)
Taigi pn sandros barjerin talpa tiesiog proporcinga pn
sandros plotui ir priklauso nuo priemai koncentracij ir
tampos tarp n ir p srii. Kuo priemai koncentracija didesn, tuo
pn sandra plonesn, o jos barjerin talpa didesn. Didjant atgalinei
tampai, pn sandra pleiasi, jos barjerin talpa maja
(
R k
1 ~ U U C
b
+ ). Priklausomyb ) (
R b
U C vadinama pn sandros
voltfaradine charakteristika.
(4.55) formulei galime suteikti pavidal:
( )
N
U U A
C
R k
2
b
1 +
= ; (4.56)
ia A proporcingumo koeficientas.
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
137

Vadinasi, jeigu pn sandra
staigi, dydis
2
b

C tiesikai pri-
klauso nuo iorins tampos.Tada,
jeigu pagal matavim rezultatus
sudarytas funkcijos ) (
R
2
b
U C


grafikas (4.18 pav.) yra ties, tai
galima sakyti, kad pn sandra yra
staigioji. Pagal tiess polinkio
kamp galima sprsti apie pn
sandros srii legiravimo
laipsn. Tiess susikirtimo su
abscisi aimi takas atitinka kontaktin potencial skirtum
k
U
(4.18 pav.).
Jeigu pn sandra yra simetrin ir tolydin, o erdvinio krvio
tankis joje kinta tiesiniu dsniu ( ax x q ) ( = ), rodoma, kad
3
R k
p n
q
) ( 12
a
U U
d d d
+
= + =

(4.57)
ir

3
R k
2
b
) ( 12
q
U U
a
S C
+
=

; (4.58)
ia a proporcingumo koeficientas, turintis priemai koncentracijos
gradiento prasm.
Vadinasi, jeigu pn sandra yra tolydin, tai tiesikai nuo atgalins
tampos priklauso dydis
3
b

C .
Vliau sitikinsime, kad barjerin talpa yra svarbus pn sandros
parametras. Siekiant padidinti puslaidininkini tais veikimo spart,
stengiamasi barjerin talp mainti. Kita vertus, pn sandros talpos
priklausomybe nuo tampos pagrstas elektriniu bdu valdom
kondensatori varikap veikimas.


UR
1/Cb
2

0 -Uk


4.18 pav. Priklausomybs
) (
R
2
b
U C

grafikas
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
138


4.7 uduotis
Silicio bandinyje tarp srii, kuriose priemai koncentracijos
-3 16
cm 10
d
= N ir
-3 18
cm 10 4
a
= N sudaryta staigioji pn sandra, kurios
plotas 0,1 mm
2
. Kaip ir kiek kart pakis sandros barjerin talpa atgalinei
tampai pakilus nuo 1 iki 5 V?
Sprendimas
Pagal (4.54), didjant atgalinei tampai, barjerin talpa maja.

1 R k
2 R k
2 R b
1 R b
) (
) (
U U
U U
U C
U C
+
+
= .
Atlikdami 4.2 uduot gavome, kad =
k
U 0,85 V. Tada
. 78 , 1
1 85 , 0
5 85 , 0
) (
) (
2 R b
1 R b

+
+
=
U C
U C


4.5. pn sandra tekant tiesioginei srovei

Pradjus veikti tiesioginei tampai, pn sandroje sumaja
potencialo barjero auktis ir sustiprja difuzin srov. Krvinink
judjim per pn sandr bei p ir n sritis, tekant tiesioginei srovei,
iliustruoja 4.19 paveikslas, a, b.
Turintis pakankamai energijos n srities elektronas dreifuodamas p
sritimi pasiekia pn sandr, difunduoja per j p srit, kurioje tampa
alutiniu krvininku, sutinka p sritimi dreifuojani skyl ir
rekombinuoja. Turinti pakankamai energijos p srities skyl, veikusi
pn sandr, tampa n srities alutiniu krvininku, sutinka elektron ir
rekombinuoja. Pakankamai toli nuo pn sandros n srityje teka
tiesiogin elektronin srov
n F
I I = , p srityje tokio pat stiprio
skylin srov
p F
I I = (4.19 pav., c). Sandros aplinkoje x aies
kryptimi elektronins srovs stipris maja, skylins srovs stipris
didja, tiesiogins srovs stipris nekinta,
p n F
I I I + = .
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
139

Tekant tiesioginei srovei, vietoj rekombinavusi n srityje ir
difundavusi i n srities p srit elektron n srit teka elektron i
metalinio ivado. p srityje vietoj difundavusi ir rekombinavusi
skyli naujos skyls atsiranda prie metalinio ivado, ijus per j i p
srities elektronams. Beje, ia verta prisiminti, kad skyli judjimas
tam tikra kryptimi yra ne kas kitas kaip elektron judjimas prieinga
kryptimi.
Taigi, pradjus veikti tiesioginei tampai, pagrindiniai krvininkai
veikia pn sandr ir kitoje sandros pusje padidja alutini
krvinink koncentracijos. is reikinys vadinamas alutini
krvinink injekcija.
Sakykime, kad p srit buvo injektuota elektron. Injektuoti
elektronai sukuria neigiam erdvin krv, kuris traukia pagrindinius
krvininkus skyles. Per trump laik skyls neutralizuoja elektron
erdvin krv ir prie pn sandros padidja alutini ir pagrindini

p n
W
Wcn
WFn
Wv
Wb
IF
0
x
In
Ip
a
b
c
WFp
Wcp


4.19 pav. Krvinink judjimas pn darinyje, tekant tiesioginei
srovei (a), sandros energijos lygmen diagrama (b) ir
elektronins bei skylins srovi pasiskirstymai (c)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
140

krvinink koncentracijos. Po to vyksta du reikiniai: alutini
krvinink difuzija nuo pn sandros ir j rekombinacija. Dl
rekombinacijos elektron tankis maja, todl p srityje koordinats x
kryptimi silpnja elektronin srov (4.19 pav., c). Panas reikiniai
vyksta kitoje pn sandros pusje dl skyli injekcijos.
Po kokybinio reikini, kurie vyksta pn sandros aplinkoje tekant
tiesioginei srovei, aptarimo pradkime kiekybin analiz. alutini
krvinink pasiskirstym pn sandros aplinkoje galime rasti
sprsdami tolydumo (nenutrkstamumo) lygt.

4.5.1. Tolydumo lygtis

Nagrinjant pn sandras ir puslaidininkinius taisus, be Puasono
lygties danai taikoma tolydumo lygtis. Siekdami ivesti tolydumo
lygt, nagrinkime puslaidininkio bandin, kurio skerspjvio plotas
lygus vienetui. Sakykime, kad iilgai
bandinio veikia elektrinis laukas ) (x E , o
elektron koncentracija jame kinta x
aies kryptimi ( 0 d / d grad = x n n ).
Imkime plon (storio x d ) bandinio
sluoksn (4.20 pav.). io sluoksnio tris
yra x d . Elektron koncentracija
ploname sluoksnyje x d praktikai
pastovi ir laiko momentu t yra ) , ( t x n .
Prabgus laikui t d , elektron
koncentracija tampa ) d , ( t t x n + . Tada elektron skaiiaus pokyt
nagrinjamame sluoksnyje per laik t d galime ireikti formule:
[ ] x t
t
n
x t x n t t x n d d d ) , ( ) d , (

= + . (4.59)
Elektron skaiius sluoksnyje gali pakisti dl j generacijos,
rekombinacijos, difuzijos ir dreifo.
Jei vykstant krvinink generacijai bandinio trio vienete per
laiko vienet atsiranda G elektron (ia G generavimo sparta), tai


E
J(x)
J(x+dx)
x
x x+dx


4.20 pav. Puslaidininkio
bandinio fragmentas
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
141

nagrinjamame sluoksnyje, kurio tris x d , per laik t d elektron
skaiiaus pokytis dl generacijos lygus t x G d d . Dl rekombinacijos
elektron skaiiaus pokytis sluoksnyje yra t x R d d ; ia R
rekombinacijos sparta. Tada elektron skaiiaus pokytis dl
generacijos ir rekombinacijos ireikiamas formule
( ) t x R G d d . (4.60)
Dl krvinink koncentracijos gradiento ir elektrinio lauko
bandinyje susikuria elektron srautas. Jei tekantis sluoksn srautas
yra ) , ( t x J , o itekantis srautas yra ) , d ( t x x J + , tai elektron skaiius
sluoksnyje kinta bgant laikui. Kadangi bandinio skerspjvio plotas
lygus vienetui, tai elektron skaiiaus pokyt sluoksnyje per
elementar laik t d galime ireikti formule
[ ] t x
x
J
t x x J x J d d d ) d ( ) (

= + . (4.61)
Pagal (4.59)(4.61) formules elektron skaiiaus pokyt
sluoksnyje x d per laik t d galime ireikti lygtimi:
t x
x
J
R G t x
t
n
d d d d

. (4.62)
Tada
x
J
R G
t
n

. (4.63)
Elektron srautas J vienareikmikai susijs su bandinyje
tekanios srovs tankiu:
q /
n
j J = . (4.64)
Elektronin srov sudaro dreifin ir difuzin dedamosios. Pagal
(3.54)
x
n
D E qn j
d
d
q
n n n
+ = . (4.65)
Pasinaudoj pastarosiomis trimis lygtimis, gauname:
2
2
n n n
d
d
x
n
D
x
n
E
x
E
n R G
t
n

+ + =

. (4.66)
Analogik lygt galime gauti nagrindami skyles:
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
142

2
2
p p p
d
d
x
p
D
x
p
E
x
E
p R G
t
p

. (4.67)
(4.66) ir (4.67) lygtys yra tolydumo lygtys. Jomis matematikai
ireikiamas krvio tverms dsnis.

4.5.2. Injektuot elektron pasiskirstymas

Taikykime (4.66) lygt injektuotiems p srit elektronams,
siekime rasti injektuot elektron pasiskirstym pagal koordinat x .
Kad bt paprasiau sprsti udavin, laikykime, kad injektuot
elektron koncentracija nedidel, todl p srityje 0 E , 0 / x E .
Krvinink generacijos nepaisykime ir laikykime, kad 0 = G . Tekant
pastovaus stiprumo srovei, elektron koncentracija nekinta. Tada
0 / = t n . Atsivelg ias prielaidas, (4.66) lygt galime
supaprastinti. Ji gyja tok pavidal:
0
d
d
2
2
n
= R
x
n
D . (4.68)
Pagal (2.59) perteklini krvinink koncentracija, nutrkus
srovei, mat eksponentiniu dsniu:


/
0
e
t
n n

= . (4.69)
Tada rekombinacijos sparta



n n
t
n
R
t
= = =
/ 0
e
d
) d(
. (4.70)
ra (4.70) (4.68) ir atsivelg, kad n n n + =
n
, gauname:
. 0
d
) ( d
2
2
n
= +

n
x
n
D (4.71)
ios lygties sprendin galime ireikti taip:
n n
/ /
e e ) (
L x L x
B A x n + =

; (4.72)
ia A ir B integravimo konstantos,
n
L elektron difuzijos
nuotolis,

n n
D L = . (4.73)
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
143

Veikiant tiesioginei tampai, pn
sandros storis yra maas. Tai leidia
supaprastinti pn sandros model
galima laikyti, kad sandra be galo
plona (4.21 pav.). Tada, atsivelg,
kad vyksta injektuot p srit elektron
rekombinacija ir toli nuo sandros
perteklini elektron koncentracija
lygi 0, gauname, kad (4.72) lygtyje
= B 0. Kai = x 0, pagal (4.72)
A n = ) 0 ( . (4.74)
Tada p srityje
n
/
p p
e ) 0 ( ) (
L x
n x n

= . (4.75)
Taigi injektuot p srit elektron koncentracija koordinats x
kryptimi maja eksponentiniu dsniu ir priklauso nuo ) 0 (
p
n
koncentracijos p srityje prie pn sandros.

4.5.3. Perteklini krvinink koncentracijos

Pagal pn sandros energijos lygmen diagram (4.19 pav., b) p
srityje laidumo juostos dugno nuotolis nuo Fermio lygmens yra
Fn b cn
W W W + . Tada, taikydami (2.36) formul, elektron
koncentracij p srityje galime ireikti formule:
T W
n kT W W W N n
k /
n Fn b cn c p
b
e ] / ) ( exp[

= + = . (4.76)
Kai veikia tiesiogin tampa U , potencialo barjero auktis
ireikiamas formule
) ( q
k b
U U W = . (4.77)
Tada, ra (4.77) (4.76), gauname
T U U
n n
k / ) ( q
n p
k
e

= . (4.78)
Kai = U 0 ir pn sandra yra pusiausvyros bsenoje, tai
) k / q exp(
k n 0 p
T U n n = . Atsivelgdami tai gauname, kad


0
x
n p


4.21 pav. Supaprastintas pn
sandros modelis
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
144

T U
n n
k / q
0 p p
e = . (4.79)
Taigi, didjant tiesioginei tampai, elektron koncentracija prie pn
sandros p srityje didja eksponentiniu dsniu. Perteklini elektron
koncentracija p srityje prie pn sandros ireikiama formule:
) 1 (e ) 0 (
k / q
0 p 0 p p p
= =
T U
n n n n . (4.80)
ra (4.80) (4.75), gauname:
n
/ k / q
0 p n p p
e ) 1 (e ) / exp( ) 0 ( ) (
L x T U
n L x n x n

= = . (4.81)
Panaiai galime rasti perteklini skyli koncentracijos
pasiskirstym n srityje. Jis ireikiamas formule:
p
/ k / q
0 n p n n
e ) 1 (e ) / exp( ) 0 ( ) (
L x T U
p L x p x p = = ; (4.82)
ia
p
L skyli difuzijos nuotolis,

p p
D L = . (4.83)
I (4.81), (4.82) ir (4.26) formuli palyginimo matyti, kad
perteklini krvinink koncentracijos proporcingos per pn sandr
tekanios srovs tankiui ir eksponentiniu dsniu maja tolstant nuo
pn sandros.
inodami, kaip kinta krvinink koncentracijos, galime
apskaiiuoti difuzines sroves. Taikydami (3.49) ir (3.52) formules,
gauname tokias difuzini srovi tanki iraikas:

n
/ k / q
n
0 p n
n nD
e ) 1 (e
q
d
d
q ) (
L x T U
L
n D
x
n
D x j

= = , (4.84)

p
/ k / q
p
0 n p
p pD
e ) 1 (e
q
d
d
q ) (
L x T U
L
p D
x
p
D x j = = . (4.85)
Prie sandros, kai = x 0,
) 1 (e
q
) 0 (
k / q
n
0 p n
nD
=
T U
L
n D
j , (4.86)
) 1 (e
q
) 0 (
k / q
p
0 n p
pD
=
T U
L
p D
j . (4.87)
Susumav iuos srovi tankius, padaugin sum i pn sandros
ploto S ir atmet minuso enkl, ymint, kad pagal 4.19 paveiksl
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
145

difuzins srovs teka x kryptimi, gauname toki srovs, tekanios
per pn sandr, iraik:
[ ] 1 ) k / q exp(
s
= T U I I ; (4.88)
ia

+ =
p
0 n p
n
0 p n
s
q
L
p D
L
n D
S I . (4.89)
(4.88) formul sutampa su anksiau ivesta pn sandros
voltamperins charakteristikos iraika. (4.89) formul yra sandros
soties srovs iraika.

4.5.4. Difuzin talpa

inant perteklini alutini krvinink pasiskirstymus (4.81) ir
(4.82), galima rasti i krvinink sukurtus erdvinius krvius.
Perteklini elektron erdvinis krvis p srityje ireikiamas
formule

=
0
p np
d ) ( q x x n S Q . (4.90)
ra i formul perteklini elektron koncentracijos iraik
(4.81), gauname:
( ) ( ) 1 q d e 1 q
k / q
n 0 p
0
/ k / q
0 p np
n
= =

T U L x T U
e L Sn x e Sn Q . (4.91)
Panaiai galime rodyti, kad perteklini skyli krvis n srityje
ireikiamas formule:
( ) 1 q
k / q
p 0 n pn
=
T U
e L Sp Q . (4.92)
Krviai
np
Q ir
pn
Q parodyti 4.22 paveiksle. Injektuoti p srit
elektronai pritraukia skyles, kuri krvis
np pp
Q Q = . Injektuotos n
srit skyls pritraukia elektronus, kuri krvis
pn nn
Q Q = . Bendras
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
146

prie pn sandros susikaups teigiamas erdvinis krvis ireikiamas
formule:
[ ] 1 ) k / q exp( ) ( q
n 0 p p 0 n pn pp
+ = + = T U L n L p S Q Q Q . (4.93)
I (4.93) formuls matyti, kad krvis Q priklauso nuo tampos
U . Tai talpos poymis.
Dydis
U Q C d d
d
= (4.94)
vadinamas pn sandros difuzine talpa.
Pagal (4.94) ir (4.93)
( ) ) k / q exp(
k
q
n 0 p p 0 n
2
d
T U L n L p
T
S
C + = . (4.95)
Pagal (4.88)

s
s
) k / q exp(
I
I I
T U
+
= . (4.96)
Remdamiesi iraikomis (4.95), (4.96), (4.89) ir atsivelg
(4.73) ir (4.83), galime rodyti, kad
) (
k
q
s d
I I
T
C + = . (4.97)
Pagal i formul difuzin pn sandros talpa proporcinga
tekaniai per pn sandr difuzinei srovei ir krvinink gyvavimo
trukmei.

Qnp Qpp
Qnn Qpn
n p


4.22 pav. alutini ir pagrindini krvinink sukurti
krviai, tekant tiesioginei pn sandros srovei
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
147

Difuzin talpa maina puslaidininkini tais veikimo spart.
Norint i talp sumainti, reikia mainti krvinink gyvavimo trukm
.
Bendra pn sandros talpa lygi barjerins ir difuzins talp sumai:

d b
C C C + = . (4.98)
Kai veikia bent 0,1 V atgalin tampa ir difuzin srov neteka, tai
=
d
C 0, ir bendra pn sandros talpa lygi barjerinei talpai
b
C . Kai
veikia tiesiogin tampa ir teka tiesiogin srov, tai
b d
C C >> , ir
bendra pn sandros talpa apytikriai lygi difuzinei talpai.
4.8 uduotis
300 K temperatroje per silicio pn sandr, veikiant 0,8 V tiesioginei
tampai, teka 10 mA srov. Krvinink gyvavimo trukm 1 s.
Apskaiiuokime pn sandros difuzin talp.
Sprendimas
Silicio pn sandros atgalin srov (taigi ir soties srov) bna silpna.
Todl pagal (4.97)
nF. 85 3 F 10 85 , 3
026 , 0
10 1 10 10
k
q
7
6 3
d
= =




I
T
C

4.6. pn sandr pramuimai

Kylant pn sandros atgalinei
tampai
R
U , atgalin srov pradeda
staiga stiprti (4.23 pav.) dl sandros
pramuimo. pn sandros pamuimas
gali bti elektrinis arba iluminis.
Vykstant elektriniam pramu-
imui, sandra nesuardoma. Jeigu jis
nepereina ilumin pramuim,
nustojus veikti atgalinei tampai,
visikai atsistato ventilins pn


UR
IR


4.23 pav. pn sandros volt-
amperins charakteristikos
atgalin aka
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
148

sandros savybs. Elektrinis pramuimas bna tunelinis arba gritinis.
Tunelinis pramuimas manomas tuomet, kai priemai
koncentracijos p ir n srityse yra didels ir pn sandra yra plona (kai
sandros storis maesnis nei 0,1 m). Plonoje sandroje, veikiant
atgalinei tampai, susikuria stiprus elektrinis laukas. Tada taikydami
supaprastint (kristalins gardels) model galime laikyti, kad stiprus
elektrinis laukas ilaisvina elektronus ir gali sukelti Zinerio (Zener)
efekt elektrostatin puslaidininkio atom jonizacij. Prasidjus
jonizacijai, padidja laidumo elektron ir skyli koncentracijos,
sumaja pn sandros atgalin vara ir sustiprja atgalin pn sandros
srov.
Krvinink atsiradim ir judjim, vykstant tuneliniam
pramuimui, iliustruoja 4.24 paveikslas, kuriame atvaizduota pn
sandra ir jos energijos lygmen diagrama. Veikiant atgalinei tampai,
n srities laidumo juostos apaia atsiduria emiau u p srities valentins
juostos vir. Tada prie elektron uimtus p srities valentins juostos
lygmenis atsiduria laisvi n srities laidumo juostos lygmenys. Juos
skiria potencialo barjeras, kurio auktis lygus draudiamosios juostos


n p
W
Wc
Wv
a
b
E


4.25 pav. pn sandra (a) ir jos
energijos lygmen diagrama (b),
vykstant gritiniam pramuimui



n p
W
Wc
Wv
a
b
E
a

4.24 pav. pn sandra (a) ir jos
energijos lygmen diagrama (b),
vykstant tuneliniam pramuimui
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
149

ploiui, o storis a (4.24 pav., b). Didjant atgalinei tampai, ener-
gijos juostos pn sandroje labiau ilinksta, barjero storis a maja, ir
elektronai i p srities valentins juostos tuneliniu bdu pradeda
skverbtis n srities laidumo juost, palikdami p srityje skyles. Kadangi
atgalin pn sandros srov stiprja dl tunelinio efekto, aptariamasis
pramuimas ir vadinamas tuneliniu pramuimu. Tunelinis pramuimas
prasideda, kai elektrinio lauko stipris pn sandroje virija madaug
10
6
V/cm. Kadangi tunelinis elektron skverbimasis manomas tik per
plonas sandras, silicio tunelinio pramuimo tampa bna nedidel.
Isamiau nagrinjant gaunama, kad tunelinio pramuimo tampa yra
apie q / 4 W . Taigi silicio pn sandr tunelinio pramuimo tampa esti
apie 5 V.
Gritinis pn sandros pramuimas gali vykti silpnai legiruotose
plaiose pn sandrose ir prasideda, veikiant silpnesniam elektriniam
laukui, krvinink koncentracijai didjant dl smgins puslaidininkio
atom jonizacijos. Gritinio pramuimo pradi iliustruoja 4.25 pa-
veikslas, kuriame parodyta, kad pateks pn sandr ir veikiamas
elektrinio lauko elektronas greitja, jo kinetin energija didja. gijs
pakankamai energijos, sveikaudamas su gardele elektronas dal
gytos energijos gali atiduoti valentins juostos elektronui. iam
elektronui pakilus valentin juost, atsiranda nauja krvinink pora.
Tada elektrinis laukas greitina jau tris krvininkus, kurie gali jonizuoti
naujus puslaidininkio atomus. Taip pn sandroje prasideda gritis,
didja krvinink koncentracija ir staiga stiprja atgalin pn sandros
srov.
Gritinis procesas gali vykti, jeigu pn sandros storis didesnis u
krvininko laisvj keli. Todl gritinis pramuimas galimas tik
storose pn sandrose, susidaraniose tarp silpnai priemaiomis
legiruot p ir n srii. Todl gritinio pramuimo tampa bna didesn
u 57 V.
Prasidjus elektriniam pramuimui, atgalins srovs stiprjim
atitinkanti pramuimo tampa maai kinta (4.23 pav.). Todl elektrinio
pramuimo reikiniai panaudojami nestabilioms nuolatinms
tampoms stabilizuoti. Tuomet daniausiai bna svarbu, kad
pramuimo tampa bt stabili ir kintant temperatrai.
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
150

Tunelinio pramuimo tampa, kylant temperatrai, maja. Taip
yra todl, kad, kylant temperatrai, intensyvja puslaidininkio
gardels iluminiai virpesiai ir didja tikimyb, kad elektronas pakils
i valentins juostos laidumo juost. Kai i tikimyb didesn,
elektrostatin puslaidininkio atom jonizacija prasideda veikiant
silpnesniam elektriniam laukui. Remiantis energijos lygmen
diagrama (4.24 pav.) reikin galima paaikinti tuo, kad, kylant
temperatrai, iek tiek susiaurja puslaidininkio draudiamoji juosta ir
todl maja potencialo barjero, per kur skverbiasi elektronai, auktis
ir storis. Tada tunelinis elektron skverbimasis per sandr prasideda
veikiant silpnesniam elektriniam laukui ir silpnesnei atgalinei tampai.
Gritinis pramuimas, kaip sitikinome, vyksta silpnai legiruotose
pn sandrose. Kai priemai koncentracija maa, krvinink vidutin
laisvj keli lemia j susidrimai su fononais. Kylant temperatrai,
fonon koncentracija didja, o krvinink laisvasis kelias trumpja.
Tada pakankam kinetin energij krvininkas gali gyti tik, kai j
greitina stipresnis elektrinis laukas, sukuriamas auktesns tampos.
Todl, kylant temperatrai, gritinio pramuimo tampa didja.
Elektrinio pramuimo tampos temperatrin stabilum apibdina
temperatrinis koeficientas
T U
U
U

p
p
= ;
ia
p
U pramuimo tampos
p
U pokytis, atitinkantis temperatros
pokyt T .
Jeigu pramuimas tunelinis, tai temperatrinis pramuimo
tampos koeficientas
U
yra neigiamas, jeigu pramuimas gritinis,
tai
U
teigiamas. Kai silicio pn sandros pramuimo tampa yra
apie 57 V, tai tuo pat metu vyksta abu pramuimai ir tada
U
0.
Tekant per pn sandr srovei, isiskiria Daulio (Joule) iluma.
Jeigu srov stipri ir iluma nespja isisklaidyti, pn sandra kaista.
Kylant temperatrai, intensyviau generuojami savieji krvininkai.
Didjant savj krvinink koncentracijai, maja pn sandros
atgalin vara ir, veikiant atgalinei tampai, stiprja per sandra
tekanti atgalin srov. Stiprjant srovei, pn sandra dar labiau kaista ir
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
151

joje atsiranda dar daugiau krvinink. Taip vystosi iluminis pn
sandros pramuimas. Prasidjus iluminiam pramuimui, stiprjant
srovei, tampos kritimas pn sandroje maja.
Taigi iluminis pramuimas prasideda perkaitus pn sandrai.
Tunelinis ar gritinis pramuimas, jeigu srov per sandr neribojama,
gali pereiti ilumin pramuim. Tai iliustruoja brknine linija
4.23 paveiksle atvaizduota voltamperins charakteristikos dalis.
Supaprastintai nagrindami, galime sakyti, kad vykstant
iluminiam pramuimui, suyra labai daug kovalentini ryi, todl
sutrinka taisyklinga puslaidininkio kristalo struktra. Po iluminio
pramuimo taisyklinga kristalo struktra nebeatsistato, taigi
nebeatsistato ir prastos sandros savybs.
Dl iluminio pramuimo pavojaus puslaidininkini tais darbo
temperatr diapazonas yra ribotas. Silicio puslaidininkini tais
didiausia darbo temperatra bna iki 125200
0
C.

4.7. Ivados

1. Nevienalyiame puslaidininkyje dl krvinink koncentracijos
gradiento vyksta krvinink difuzija koncentracijos majimo
kryptimi. Pasislink koncentracijos majimo kryptimi,
krvininkai palieka nesukompensuotus priemai jonus. Todl
susikuria vidinis elektrinis laukas, sukeliantis krvinink dreif.
Kai iorinis elektrinis laukas neveikia, pusiausvyros slygomis
srov neteka difuziniai ir dreifiniai krvinink srautai
sukompensuoja vienas kit. Pusiausvyros slygomis Fermio
lygmuo visame nevienalyio puslaidininkio bandinyje yra
vienodas. Energijos lygmenys
v
W ir
c
W nevienalyiame
puslaidininkyje kyla vidinio elektrinio lauko kryptimi.
2. pn darinyje tarp p ir n srii susidaro pn sandra nuskurdintasis
sluoksnis, pasiymintis didele savitja vara. Sujungus p ir n
bandinius, difunduodamos koncentracijos majimo kryptimi i p
srities n srit, skyls p srityje palieka nesukompensuotus
neigiamus akceptori jonus. Difunduodami i n srities, elektronai
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
152

ioje srityje palieka teigiamus donor jonus. Taip pn sandroje
susikuria dvigubas erdvinis krvis. Tarp donor ir akceptori jon
susikuria vidinis elektrinis laukas. Jis stabdo pagrindini
krvinink difuzij ir sukelia alutini krvinink dreif per pn
sandr. Dl vidinio elektrinio lauko pn sandroje susidaro
kontaktinis potencial skirtumas. Kai neveikia iorin tampa,
Fermio lygmuo visame pn darinyje yra vienodas. Dl vidinio
elektrinio lauko ir kontaktinio potencial skirtumo pn sandroje
susidaro potencialo barjeras. Dl krvinink koncentracijos
gradiento ir vidinio elektrinio lauko per pn sandr teka skyli
difuzinis, elektron difuzinis, skyli dreifinis ir elektron dreifinis
srautai. Kai neveikia iorinis elektrinis laukas, pn sandroje
nusistovi dinamin pusiausvyra, difuziniai ir dreifiniai srautai
kompensuoja vienas kit, ir srov per sandr neteka.
3. Prijungus prie pn sandros iorin tamp, krvinink difuzijos ir
dreifo pusiausvyra sutrinka, ir per pn sandr ima tekti srov.
Iorin tampa, kurios teigiamas polius prijungtas prie p srities, o
neigiamas polius prie n srities, yra laikoma tiesiogine; prieingo
polikumo tampa yra atgalin.
4. Atgalins tampos sukurto elektrinio lauko kryptis sutampa su
vidinio pn sandros elektrinio lauko kryptimi. Didjant atgalinei
tampai, didja potencialinio barjero auktis, pn sandr veikia
vis maiau pagrindini krvinink, ir silpnja per pn sandr
tekanti difuzin srov. Dreifin srov nuo iorins tampos
nepriklauso. Veikiant pakankamai didelei atgalinei tampai, per
ideali pn sandr teka tik silpna dreifin soties srov.
5. Tiesiogin tampa sumaina pn sandros potencialinio barjero
aukt. Didjant idealios pn sandros tiesioginei tampai,
eksponentiniu dsniu auga difuzins srovs tankis. Tiesiogin pn
sandros srov gali bti daug kart stipresn u atgalin srov.
Taigi pn sandra viena kryptimi praleidia srov, kita beveik
nepraleidia.
6. Soties srov ir pn sandros voltamperin charakteristika labai
priklauso nuo sandros ploto, puslaidininkio draudiamosios
juostos ploio, temperatros ir priemai koncentracij p ir n
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
153

srityse. Kuo platesn puslaidininkio draudiamoji juosta, tuo
silpnesn soties srov ir didesnis tampos kritimas sandroje,
tekant tiesioginei srovei. Kylant temperatrai, pn sandros soties
srov spariai stiprja. Kai per pn sandr teka pastovaus
stiprumo tiesiogin srov, sandros tampa, kylant temperatrai,
maja. Kuo didesns priemai koncentracijos p ir n srityse, tuo
maesns alutini krvinink koncentracijos ir auktesnis
potencialo barjeras pn sandroje. Todl, kuo didesn priemai
koncentracija, tuo silpnesns esti dreifin ir difuzin srovs.
7. Realios pn sandros voltamperins charakteristikos tiesioginei
akai turi takos tampos kritimas pn darinio p ir n srityse.
Tiesiogin srov pradeda tekti, kai tiesiogin tampa virija
slenkstin tamp. Atsivrus sandrai, tiesiogin srov beveik
tiesikai priklauso nuo tiesiogins tampos. Realios pn sandros
atgalin srov susideda i dreifins, iluminio generavimo,
nuotkio ir pramuimo srovi.
8. pn sandros storis priklauso nuo iorins tampos ir priemai
koncentracijos. Didjant atgalinei tampai, pn sandros storis
didja sandra pleiasi. Kuo didesn priemai koncentracija,
tuo pn sandra plonesn. Jeigu pn sandra nesimetrin, erdvinio
krvio sluoksnio storis didesnis toje srityje, kur priemai
koncentracija maesn.
9. Kai, kintant atgalinei tampai, kinta pn sandros storis, kartu
kinta ir priemai jon sukurti krviai. Todl pasireikia barjerin
pn sandros talpa. Ji apskaiiuojama modeliuojant sandr
plokiuoju kondensatoriumi laikant, kad p ir n sritys yra laids
elektrodai, o nuskurds sluoksnis yra dielektrikas. Staigios pn
sandros barjerin talpa tiesiog proporcinga pn sandros plotui.
Be to, ji priklauso nuo priemai koncentracijos ir tampos. Kuo
priemai koncentracija didesn, tuo pn sandra plonesn, o jos
barjerin talpa didesn. Didjant atgalinei tampai, pn sandra
pleiasi, jos barjerin talpa maja.
10. Pradjus veikti tiesioginei tampai, sumaja potencialo barjero
auktis pn sandroje ir sustiprja pagrindini krvinink difuzija
per sandr. veik pn sandr pagrindiniai krvininkai tampa
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
154

alutiniais. Taigi, tekant tiesioginei srovei, p ir n sritis
injektuojami alutiniai krvininkai. Injektuoti alutiniai
krvininkai sukuria erdvinus krvius, kurie traukia pagrindinius
krvininkus. Per trump laik, prilygstant dielektrins
relaksacijos trukmei, pagrindiniai krvininkai neutralizuoja
alutini krvinink krv. Po to vyksta du procesai: alutini
krvinink difuzija nuo pn sandros ir j rekombinacija.
Perteklini alutini krvinink koncentracij pasiskirstymas p ir
n srityse, tekant tiesioginei pn sandros srovei, randamas
sprendiant tolydumo lygt.
11. inant perteklini alutini krvinink pasiskirstymus pn
sandros aplinkoje, galima ivesti sandros voltamperins
charakteristikos, soties srovs iraikas, o taip pat rasti
nepusiausvirj krvinink sukurtus pn sandros aplinkoje
krvius. Kadangi ie krviai priklauso nuo tiesiogins tampos,
pasireikia pn sandros difuzin talpa. Difuzin talpa proporcinga
tekaniai per sandr difuzinei srovei ir krvinink gyvavimo
trukmei.
12. Bendra pn sandros talpa lygi barjerins ir difuzins talp sumai.
Kai veikia atgalin tampa ir difuzin srov neteka, difuzin talpa
nepasireikia ir pn sandros talp lemia barjerin talpa. Kai veikia
tiesiogin tampa ir teka tiesiogin srov, pn sandros talp
nulemia difuzin talpa, nes ji daug didesn u barjerin talp.
13. Didjant atgalinei tampai, atgalin srov staiga stiprja dl pn
sandros pramuimo. Vykstant elektriniam pramuimui, sandra
nesuardoma. Jeigu elektrinis pramuimas nepereina ilumin,
nustojus veikti atgalinei tampai, visikai atsistato ventilins pn
sandros savybs. Elektrinis pramuimas gali bti tunelinis arba
gritinis. Perkaitus pn sandrai, prasideda iluminis pramuimas,
kur lemia intensyvi ilumin savj krvinink generacija. Kai
suyra daug kovalentini ryi, vyksta negrtamj
puslaidininkio kristalo struktros pasikeitim, todl po iluminio
pramuimo prastos sandros savybs nebeatsistato.
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
155


4.8. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Kok puslaidinink vadina nevienalyiu?
2. Kaip nevienalyiame puslaidininkyje susikuria vidinis elektrinis laukas?
3. Laikydami, kad skyli koncentracijos pasiskirstymas ) (x p inomas,
iveskite vidinio elektrinio lauko stiprio nevienalyiame puslaidininkyje
iraik.
4. Sudarykite ir aptarkite nevienalyi n ir p puslaidininki energijos
lygmen diagramas.
5. Kaip galima apskaiiuoti nevienalyiame puslaidininkyje susidariusio
potencialo barjero aukt?
6. Kodl, sudarius pn darin, elektronai i n srities skverbiasi p srit, o
skyls i p srities skverbiasi n srit?
7. Pus silicio monokristalo lusto legiruota donorinmis priemaiomis, kita
pus akceptorinmis priemaiomis. Priemai koncentracijos:
-3 16
cm 10 5
d
= N ,
-3 14
cm 10 5
a
= N . Sudarykite priemai ir krvinink
pasiskirstymo luste grafikus, kai T = 300 K. Ordinai ayje
koncentracijas atidkite logaritminiu masteliu.
8. Kokia krvi, sudarani pn sandroje dvigubo erdvinio krvio
sluoksn, prigimtis?
9. Sudarius pn darin, vyksta elektron difuzija i (p, n) srities, skyli i
(p, n) srities; nesukompensuoti teigiamieji jonai lieka pn sandros (p, n)
srityje, neigiamieji jonai (p, n) srityje.
10. Kaip pn sandroje susikuria vidinis elektrinis laukas? Kokia jo kryptis?
11. Iveskite kontaktinio potencial skirtumo tarp pn darinio srii iraik.
12. Silicio bandinyje sudaryta staigioji pn sandra,
-3 15
cm 10 5
d
= N ,
-3 17
cm 10
a
= N . Apskaiiuokite kontaktin potencial skirtum ir
potencialo barjero aukt pn sandroje.
13. Pagal pastarosios uduoties slyg ir skaiiavimo rezultatus sudarykite
pn sandros energijos lygmen diagram.
14. Kai elektronas pereina i n srities p srit, jo kinetin energija (padidja,
sumaja).
15. Ivardinkite tekanios per pn sandr srovs dedamsias. Nurodykite j
kryptis. Paaikinkite susidarymo prieastis.
16. Nurodykite pn sandros tiesiogins ir atgalins tamp polikumus.
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
156

17. Tiesiogin tampa (padidina, sumaina) pn sandros potencialo barjero
aukt.
18. Kaip difuzin ir dreifin pn sandros srovs priklauso nuo potencialo
barjero aukio?
19. Iveskite ir inagrinkite idealios pn sandros voltamperins
charakteristikos matematin iraik.
20. Silicio pn sandros soties srov 10 pA. Apskaiiuokite tiesiogines
sroves, kurios teka, kai sandroje veikia 0,5, 0,6 ir 0,7 V tiesiogins
tampos.
Ats.: 2,5; 119; 5,710
3
mA.
21. Nuo ko, kaip ir kodl priklauso pn sandros soties srov?
22. Kiek kart sustiprja germanio ir silicio pn sandr soties srovs kylant
temperatrai nuo 20 iki 100
o
C?
Ats.: 607; 2,310
4
.
23. Vieno silicio pn darinio p ir n srityse priemai koncentracija du kartus
didesn nei kito. Raskite pn sandr soties srovi santyk.
24. Nuo ko, kaip ir kodl priklauso idealios pn sandros voltamperins
charakteristikos eiga?
25. Silicio pn sandros tiesiogin tampa 0,7 V. Kaip ir kiek kart pakis
diodo tiesiogin srov kylant temperatrai nuo 55 iki 100
o
C?
Ats.: >6900.
26. Dl p ir n srii var (padidja, sumaja) tampos kritimas diode,
tekant per j tiesioginei srovei
F
I , ir (padidja, sumaja) voltamperins
charakteristikos tiesiogins akos statumas.
27. Kokios dedamosios sudaro diodo atgalin srov? Kokia j prigimtis?
28. Diodo pn sandros soties srov 1 A. Nuotkio vara 10 M.
Raskite diodo atgalins srovs stiprum, veikiant 10 V atgalinei tampai.
29. Kaip susidaro iluminio generavimo srov?
30. Uraykite Puasono lygt. K galima rasti sprendiant i lygt?
31. Iveskite elektrinio lauko stiprio, potencialo pasiskirstymo staigioje pn
sandroje ir pn sandros storio iraikas.
32. Apskaiiuokite staigios silicio pn sandros stor, kai
-3 15
cm 10 5
d
= N ,
-3 17
cm 10
a
= N , U = 0, T = 300 K.
33. Kaip pn sandros storis priklauso nuo iorins tampos? Kodl?
34. Kaip pn sandros erdvini krvi sluoksni storiai priklauso nuo
priemai koncentracij?
4. Nevienalyiai puslaidininkiai. pn sandros
157

35. Kodl, skaiiuojant barjerin talp, pn sandr galima modeliuoti
kondensatoriumi?
36. Iveskite pn sandros barjerins talpos iraik.
37. Barjerin pn sandros talpa (didja, maja) didjant atgalinei tampai.
38. Silicio diodo pn sandra staigi,
-3 15
cm 10
d
= N ,
-3 19
cm 10
a
= N ,
sandros plotas S = 0,0625 mm
2
. Raskite diodo barjerin talp, kai
R
U =1 ir 5 V.
Ats.: 4,3 ir 2,4 pF.
39. Kuo didesns priemai koncentracijos p ir n srityse, tuo (didesn,
maesn) pn sandros barjerin talpa.
40. Iveskite tolydumo lygt.
41. Aptarkite krvinink judjim per pn sandr, tekant tiesioginei srovei.
42. Tekant tiesioginei srovei, elektronai injektuojami (p, n) srit, skyls
(p, n) srit. Kas vyksta po krvinink injekcijos?
43. Kokia yra pn sandros difuzins talpos prigimtis?
44. Iveskite alutini krvinink koncentracij pasiskirstymo ir pn
sandros voltamperins charakteristikos iraikas.
45. Staigiosios pn sandros parametrai:
-3 22
m 10
d
= N ,
-3 24
m 10
a
= N ,
n
= 0,4
2
m /(Vs),
p
= 0,2
2
m /(Vs),
p n
= = 1 s,
i
n =
-3 19
m 10 ,
S =
2 6
m 10

. Apskaiiuokite diodo soties srov, kai T = 300 K.


Ats.: 0,12 nA.
46. Iveskite perteklini skyli krvio ir pn sandros difuzins talpos
iraikas.
47. Didjant tiesioginei pn sandros tampai, difuzin pn sandros talpa
(nekinta, didja, maja).
48. Silicio pn sandros soties srov 1 A. Krvinink gyvavimo trukm
1 s. Apskaiiuokite sandros difuzin talp, kai veikia 0,1, 0,2 ir 0,3 V
tiesiogin tampa.
49. Paaikinkite, kaip prasideda ir vyksta gritinis pn sandros pramuimas?
50. Kaip gritinio pramuimo tampa kinta kylant temperatrai? Kodl?
51. Kaip vyksta tunelinis pramuimas?
52. Kaip tunelinio pramuimo tampa priklauso nuo temperatros? Kodl?
53. Kaip vystosi iluminis pn sandros pramuimas?
54. Kokiuose puslaidininkiniuose taisuose taikomi pn sandros pramuimo
reikiniai?
04. pn sanduros _200308 2003.08.20 13:34
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
158


5. VAIRIALYTS SANDROS. MDP DARINIAI

Puslaidininkiniuose taisuose naudojamos vienalyts pn sandros,
vairialyts pn sandros, metalo-puslaidininkio, metalo-dielektriko-
puslaidininkio (MDP), metalo-oksido-puslaidininkio (MOP) ir kiti
dariniai. iame skyriuje apvelgsime reikinius vairialyi mediag
sandrose ir vairialyi kontakt bei puslaidininki pavirini
sluoksni savybes. Kontaktiniai reikiniai svarbs, kai srov teka
statmena sandroms kryptimi ir kerta sandros pereinamj sluoksn.
Paviriniai reikiniai svarbs, kai srov teka paviriniu sluoksniu
lygiagreiai paviriui.

5.1. Metalo-puslaidininkio sandros

Metalo-puslaidininkio kontaktas buvo panaudotas pirmuosiuose
puslaidininkiniuose dioduose. Dabar pasiyminios vienakrypiu
laidumu metalo-puslaidininkio sandros taikomos didels veikimo
spartos ir kituose puslaidininkiniuose taisuose. Be to, visuose
puslaidininkiniuose taisuose reikalingi pasiymintieji maa vara
ominiai metalo-puslaidininkio kontaktai.
Inagrinkime reikinius metalo-puslaidininkio sandrose ir
isiaikinkime, kas lemia metalo-puslaidininkio sandr savybes.

5.1.1. Elektron ilaisvinimo darbas

Metalo-puslaidininkio sandr savybs priklauso nuo elektrono
ilaisvinimo darbo i metalo, ilaisvinimo darbo i puslaidininkio ir
kit puslaidininkio savybi.
Susidarant kietajam knui, tarp atom susidaro cheminiai ryiai.
Atom ir j elektron energijos sumaja. Todl kietajame kne
elektronai yra potencialo duobje.
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
159

Supaprastintai nagrindami,
galime sakyti, kad metale laisvj
elektron veikia aplinkiniai krviai,
taiau atstojamoji jga praktikai
lygi nuliui. Taiau jeigu elektronas
tolsta nuo metalo bandinio, iame
bandinyje lieka nesukompensuotas
teigiamas jonas ir atsiranda
elektrins traukos jga, trukdanti
elektronui nutolti (5.1 pav., a). Dl
ios jgos veikimo itrkdamas i
metalo bandinio elektronas turi
veikti potencialo barjer.
Potencialo barjerai ir duob,
kurioje yra metalo bandinio laidumo
juostos elektronai atvaizduota
5.1 paveiksle, b. Jame nuliniu
energijos lygmeniu
0
W laikomas
lygmuo, kur uimt vakuume toli
nuo bandinio esantis nejudantis
elektronas. Ilkdamas i metalo, elektronas turi veikti ilaisvinimo
barjer, kurio auktis priklauso nuo to, kok energijos lygmen uima
tas elektronas. Vidutinis darbas A , kur turi atlikti elektronas
itrkdamas i metalo, yra lygus energiniam atstumui tarp Fermio
lygmens ir nulinio energijos lygmens. Jis vadinamas termodinaminiu
ilaisvinimo darbu, arba tiesiog ilaisvinimo darbu.
Puslaidininkio bandinio elektronai taip pat yra potencialo duobje
(5.1 pav., c). Neisigimusio puslaidininkio Fermio lygmuo yra drau-
diamojoje juostoje. Energija, kurios reikia, kad i puslaidininkio
bandinio ilkt elektronas, esantis laidumo juostos dugne, yra
vadinama elektroniniu giminikumu. Taiau i puslaidininkio bandinio
gali ilkti arba laidumo, arba valentins juostos elektronai. Taigi
ilaisvinimo darbas skiriasi nuo elektroninio giminikumo. Laidumo
juostos elektronas sutinka emesn potencialo barjer nei valentins
juostos elektronas. Taiau valentinje juostoje yra daugiau elektron


AM
W
W0
WF
Wc
x
b
W
W0
Wc
Wv
An
x
c
WF
a


5.1 pav. Kietj kn bandi-
niai kaip elektron potencins
duobs
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
160

nei laidumo juostoje. Isamesn analiz rodo, kad elektron,
itrkstani i puslaidininkio valentins ir laidumo juost, santykis
yra toks, kad vidutinis darbas, kur turi atlikti ilekiantis elektronas,
taip pat lygus energiniam atstumui tarp nulinio energijos lygmens ir
Fermio lygmens. Taigi
F 0
W W A = .

5.1.2. Reikiniai metalo ir puslaidininkio sandrose

Pradioje aptarkime metalo ir n puslaidininkio sandr tuo atveju,
kai elektrono ilaisvinimo i metalo darbas
M
A darbas didesnis u
elektrono ilaisvinimo i puslaidininkio darb
n
A . 5.2 paveiksle
atvaizduoti dar nesujungti metalo ir puslaidininkio bandiniai ir j
energijos lygmen diagramos. Kadangi
M
A >
n
A , tai puslaidininkio
Fermio lygmuo esti aukiau nei metalo Fermio lygmuo.
Sujungus badinius (5.3 pav.), elektronai i sistemos dalies, kurioje
ilaisvinimo darbas maesnis pereina sistemos dal, i kurios
elektron ilaisvinimo darbas didesnis. Remdamiesi sistemos termo-
dinamins pusiausvyros slyga, galime sakyti ir kitaip: elektronai i
puslaidininkio, kuriame Fermio lygmuo auktesnis, skverbiasi


W W
W0n
Wc
WFn
Wv
W0M
WFM
M n
AM
An


5.2 pav. Metalo ir n puslaidininkio
bandiniai ir j energijos lygmen
diagramos, kai
n M
A A >


W
W0n
Wc
WFn
Wv
W0M
WF
M n
A
M
A
n

qUk E


5.3 pav. Metalo ir n puslaidinin-
kio darinys ir jo energijos
lygmen diagrama, kai
n M
A A >
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
161

metal, kur Fermio lygmuo emesnis. Itrkus i puslaidininkio
elektronams, sandroje susidaro nuskurdintasis puslaidininkio
sluoksnis, pasiymintis didesne savitja vara. iame sluoksnyje lieka
nesukompensuoti teigiami donor jonai. Tarp j ir perjusi metal
bei susitelkusi ploname sluoksnyje elektron susidaro vidinis
elektrinis laukas, stabdantis kit n srities elektron judjim metal.
Nusistojus pusiausvyrai, metalo ir puslaidininkio Fermio
lygmenys susilygina. U sluoksnio, kuriame veikia elektrinis laukas,
rib metalo ir puslaidininkio energijos lygmen padtis Fermio
lygmens atvilgiu lieka nepakitusi. Puslaidininkio sluoksnyje, kur
veikia elektrinis laukas, energijos juostos ilinksta, ir kontakto srityje
tarp puslaidininkio ir metalo susidaro potencialo barjeras, kurio
auktis
n M k
q A A U = ; ia
k
U kontaktinis potencialo skirtumas tarp
puslaidininkio ir metalo.
Dl energijos juost ilinkimo pereinamajame sluoksnyje
padidja nuotolis tarp lygmen
c
W ir
F
W . Fermio lygmuo priartja
prie draudiamosios juostos vidurio (5.3 pav.). Nesunku sitikinti, kad,
esant didesniam ilaisvinimo darb skirtumui, energijos juostos tiek
ilinkt, kad Fermio lygmuo prie kontakto atsidurt emiau
draudiamosios juostos vidurio. Tada kontakto srityje susidaryt
inversinis sluoksnis, kuriame skyli koncentracija bt didesn u
elektron koncentracij. Atsi-
radus inversiniam p sluoksniui,
metalo ir n puslaidininkio san-
droje susidaryt pn sandra.
Taigi tuo atveju, kai
M
A >
n
A , metalo ir n puslaidi-
ninkio sandroje susidaro nu-
skurds didels varos sluoks-
nis, vadinamas utvariniu
sluoksniu arba net inversinis
skylinio laidumo puslaiki-
ninkio sluoksnis ir pn sandra.
Jeigu elektrono ilaisvini-
mo i metalo darbas maesnis


W
W0n
Wc
WFn
Wv
W0M
WF
M n
AM
An


5.4 pav. Metalo ir n puslaidininkio
darinys ir jo energijos lygmen
diagrama, kai
n M
A A <
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
162

u elektrono ilaisvinimo i n puslaidininkio darb, sudarius metalo-
puslaidininkio sandr, elektronai i metalo pereina puslaidinink.
Tada sandroje susidaro puslaidininkio sluoksnis su padidinta
pagrindini krvinink elektron koncentracija (5.4 pav.).
Padidjus elektron koncentracijai, laidumo juostos dugnas priartja
prie Fermio lygmens (5.4 pav., b).
Nagrindami metalo ir p puslaidininkio sandr, galtume siti-
kinti, kad nuskurdintasis ar net inversinis sluoksnis susidaro, kai
p M
A A < . Jeigu
p M
A A > , sandroje susidaro laidus praturtintasis
sluoksnis.

5.1.3. Metalo-puslaidininkio sandr savybs

Metalo-puslaidininkio sandroje susidars utvarinis sluoksnis
pasiymi ventilio savybmis. Paprasiausi tokios sandros teorij
1938 metais sukr V. otkis (Schottky). Utvariniame sluoksnyje
susidarantis potencialo barjeras dabar vadinamas otkio barjeru.
Kai iorin tampa neveikia, veikiantieji potencialo barjer
elektronai, sukuria nedidel sraut
s
J i puslaidininkio metal
(5.5 pav.). Dl vidinio elektri-
nio lauko susikuria dreifinis
elektron srautas
s
J i metalo
puslaidinink. Pusiausvyros b-
senoje paminti srautai kom-
pensuoja vienas kit ir
pilnutins srovs per sandr
stipris lygus nuliui.
Jeigu prie metalo ir
puslaidininkio darinio pri-
jungiama iorin tampa, kurios
teigiamas polius prijungtas prie
n srities, o neigiamas polius
prie metalo, tai puslaidininkio



W
Wc
WFn
Wv
WF
M n
qUk

E
x 0
Js
Js


5.5 pav. Metalo ir n puslaidininkio
darinys su utvariniu sluoksniu, kai
neveikia iorin tampa
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
163

potencialas pakyla, jame esani elektron potencin energija
sumaja, ir puslaidininkio energijos lygmenys pasislenka emyn
(5.6 pav.). Iorin tampa krinta didels varos nuskurdintajame
sluoksnyje, ir auktis potencialo barjero, kur sutinka elektronai,
pereinantieji i puslaidininkio metal, padidja. Taigi aptariamo
polikumo tampa yra atgalin tampa. Pradjus veikti iorinei tampai,
auktis barjero, kur sutinka elektronai, juddami i metalo
puslaidinink, nepakinta. Todl susilpnjus elektron srautui i
puslaidininkio metal, per sandr teka tik silpnas srautas
s
J i
metalo puslaidinink. (5.6 pav., a).
Jeigu prie sandros prijungiama tiesiogin tampa, puslaidininkio
potencialas metalo atvilgiu sumaja, puslaidininkio srities elektron
potencin energija padidja, ir puslaidininkio energijos lygmenys
pakyla (5.7 pav.). Majant aukiui potencialo barjero, kur sutinka
elektronai, pereinantieji i puslaidininkio metal, eksponentikai
stiprja elektron i puslaidininkio metal srautas.
rodoma, kad srovs, tekanios per metalo-puslaidininkio
sandros utvarin sluoksn, stiprio priklausomyb nuo tampos
ireikiama formule:



W
Wc
WF
M n
WFn
Wv
q(UkU)
E
x 0
Js
J
U<0
qU


5.6 pav. Metalo ir puslaidininkio
darinys su utvariniu sluoksniu,
veikiant atgalinei tampai



M n
E
x 0
Js
J
U>0
W
Wc
WF WFn
Wv
q(UkU)
-qU


5.7 pav. Metalo ir puslaidininkio
darinys su utvariniu sluoksniu,
veikiant tiesioginei tampai
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
164

[ ] 1 ) k / q exp(
s
= T U I I ; (5.1)
ia S J I
s s
= , S sandros plotas.
i iraika sutampa su idealios pn sandros voltamperins
charakteristikos iraika. Ir visdlto kai kurie reikiniai metalo-
puslaidininkio sandroje i esms skiriasi nuo reikini pn sandros
aplinkoje. Labai svarbu tai, kad, tekant per metalo ir puslaidininkio
sandros utvarin sluoksn tiesioginei srovei, nevyksta alutini
krvinink injekcija ir kaupimas. Perj i n puslaidininkio metal
elektronai lieka pagrindiniais krvininkais. i aplinkyb lemia geras
metalo-puslaidininkio sandros danines savybes, didel veikimo
spart ir taikym mikrobang taisuose.
Dar svarbu pastebti, kad metalo-puslaidininkio sandros
slenkstin tampa, kuriai veikiant sandra atsiveria, yra maesn nei
pn sandr slenkstins tampos.
Metalo-puslaidininkio sandros su otkio barjerais danai
taikomos puslaidininkiniuose taisuose. Kita vertus, tenka pastebti,
kad dl metalo-puslaidininkio sandr savybi kyla keblum, kuriant
puslaidininkinius taisus. Reikalas tas, kad puslaidininkio ir metalini
ivad kontaktai turi bti ominiai j varos turi bti maos, o
voltamperins charakteristikos tiesins.
Kai
M
A >
n
A , siekiant suma-
inti metalo ir n puslaidininkio
kontakto srityje susidarant
utvarin barjer, puslaidininkio
sluoksnis po kontaktu papil-
domai legiruojamas donorinmis
priemaiomis. Tokio kontakto
sandara ir energijos lygmen
diagrama atvaizduotos 5.8 pa-
veiksle. I energijos lygmen
diagramos matyti, kad, sudarius
n+ sluoksn, galima pasiekti, kad
pereinantieji i n puslaidininkio


W
Wc
WFn
Wv
WF
M n n+



5.8 pav. Metalo ir n puslaidininkio
kontaktas ir jo energijos lygmen
diagrama
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
165

metal elektronai nesutikt barjero.
Silicio integrini grandyn element jungiamieji laidininkai
laidieji takeliai danai daromi i aliuminio. Aliuminis, kaip inome,
yra akceptorin priemaia. Todl, sudarant aliuminio takeli kontaktus
su puslaidininkio p sritimis, joki komplikacij nekyla. deginant
kontaktus, aliuminio atomai difunduoja puslaidinink, kontakto
srityje susidaro papildomai legiruotas akceptorinmis priemaiomis
sluoksnis, pasiymintis dideliu laidumu, ir gaunamas geras ominis
kontaktas.
Prasiskverbus aliuminio atomams n srit, galt susidaryti
didesns varos sluoksnis, kuriame efektin donorini priemai
koncentracija maesn, arba net p laidumo sritis ir pn sandra.
Siekiant to ivengti, n sritis po bsimuoju silicio kontaktu su aliuminio
ivadu papildomai legiruojama donorinmis priemaiomis, kuri
koncentracija gerokai virija maksimal aliuminio tirpum silicyje.
Susidars n
+
sluoksnis pasiymi isigimusio puslaidininkio pus-
metalio savybmis. Jo laidumas lieka didelis net j prasiskverbus
aliuminio atomams.
5.1 uduotis
Sandra sudaryta tarp metalo ir n puslaidininkio. Elektron ilaisvinimo
i metalo darbas 1,4 eV, ilaisvinimo i puslaidininkio darbas 1 eV.
Prijungus tarp puslaidininkio ir metalo srii 0,4 V tamp, 300 K
temperatroje teka 0,1 A srov. Koks bt srovs stipris, pakeitus tampos
polikum?
Sprendimas
Kadangi elektron ilaisvinimo i n puslaidininkio darbas maesnis nei
ilaisvinimo i metalo darbas, sandroje susidaro otkio barjeras ir jos
voltamperin charakteristika ireikiama (5.1) formule. tampa, kurios
teigiamas polius prijungtas prie n srities, o neigiamas prie metalo, yra
atgalin tampa. Tada 0,1 A srov yra soties srov, ir stipr srovs, kuri
tekt pakeitus tampos polikum, galime rasti pagal (5.1) formul:
[ ] A 48 , 0 ) 026 , 0 / 4 , 0 exp( 10 1 ) k / q ( exp
7
=

T U I I
s
.
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
166


5.2. vairialyts sandros

Yra puslaidininki, kuri kristalini gardeli konstantos beveik
vienodos ir kuri kristalizacija vyksta panaiai. Tada jie gali bti
auginami vienas ant kito ir sudaryti vien kristal. Taiau skirting
puslaidininkini mediag sandroje kinta draudiamosios juostos
plotis, elektroninis giminikumas, elektron ilaisvinimo darbas,
dielektrin skvarba ir kitos mediag savybs. Tarp toki mediag
susidaro vairialyts sandros, arba heterosandros.
Kiekvienas vairialyts sandros puslaidininkis gali bti
legiruotas donorinmis ar akceptorinmis priemaiomis. Todl galimi
keturi vairialyi sandr tipai: nN, pP, nP ir pN. ia didiosios
raids ymi platesns draudiamosios juostos, maosios siauresns
draudiamosios juostos puslaidinink.
Imkime GaAs ir AlGaAs. GaAs draudiamosios juostos plotis
maesnis, elektroninis giminikumas didesnis. 5.9 paveiksle
atvaizduotos N, n bandini ir Nn darinio energijos lygmen
diagramos. Kaip matyti i 5.9 paveikslo, b, Nn sandroje elektronams
gali susidaryti potencialo barjeras, ir gali reiktis staigios Nn sandros


N n
W c
W F
W 0
W v
W
W c
W F
W 0
W v
W
n N
W c
W F
W 0
W v
W


a b
5.9 pav. N, n bandiniai, j energijos lygmen diagramos (a), i i
bandini sudarytas Nn darinys ir jo energijos lygmen diagrama (b)
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
167

voltamperins charakteristikos netiesikumas. Taiau praktikoje
GaAs-AlGaAs sandroje susidaro ominis kontaktas, nes sandra
daniausiai nebna idealiai staigi. Gi, jeigu yra pereinamasis GaAs-
AlGaAs sluoksnis, kuriame kinta aliuminio koncentracija, energijos
lygmenys sandroje kinta nuosekliai, be trki, kaip atvaizduota
brknine linija (5.9 pav., b).
Staigiosios Np sandros juostinis modelis panaus vienalyts np
sandros juostin model: elektronams ir skylms susidaro potencialo
barjerai (5.10 pav.). Tiesa, btina pastebti ir esmin skirtum
vairialytje sandroje potencialo barjerai elektronams ir skylms
yra nevienodo aukio.
vairialyi sandr eksperimentines voltamperines charak-
teristikas galima aproksimuoti iraika:
] 1 ) k / q [exp(
s
= T a U I I ; (5.2)
ia
s
I soties srov; a koeficientas, priklausomas nuo sandros tipo
ir temperatros (1 <a < 3).
Kadangi potencialo barjer aukiai elektronams ir skylms
nevienodi, tiesiogin vairialyts sandros srov lemia krvininkai,
kuriems potencialo barjero auktis maesnis. Kai potencialo barjeras


N p
W c
W F
W 0
W v
W
W c
W F
W 0
W v
W
p N
W c
W F
W 0
W v
W


a b

5.10 pav. N, p bandiniai, j energijos lygmen diagramos (a), i i
bandini sudarytas Np darinys ir jo energijos lygmen diagrama (b)
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
168

emesnis elektronams, j injekcijos i N srities p srit efektyvumas
ireikiamas formulmis:

n p p n
n n
/ 1
1
j j j j
j
j
j
+
=
+
= = ; (5.3)
( ) [ ] T W W
N N
N N
N
N
L
L
D
D
j
j
k / exp
p N
vN cN
vp cp
a
d
np
pN
pN
np
p
n
= ; (5.4)

2 / 3 2
) h / k 2 ( 2 T m N
ik ik
= (5.5)
ia
n
j ir
p
j elektronins ir skylins srovi tankiai;
np
D ir
pN
D -
elektron ir skyli difuzijos koeficientai p ir N srityse;
np
L ir
pN
L
elektron ir skyli difuzijos nuotoliai p ir N srityse;
d
N ir
a
N
donorini ir akceptorini priemai koncentracijos;
ik
N efektinis
lygmen tankis laidumo (i = c) ir valentinje (i = v) juostose N ( N = k )
ir p ( p k = ) srityse;
ik
m laidumo elektron efektin mas laidumo
juostoje (i = c) ir skyli koncentracija valentinje juostoje (i = v) N ir p
srityse;
N
W ir
p
W N ir p srii puslaidininki draudiamj
juost ploiai.
GaAs ir Al
0,3
Ga
0,7
As (ia trupmenos ymi aliuminio ir galio
atom skaiiaus ir vis trivaleni atom skaiiaus santyk)
draudiamj juost ploiai skiriasi apie 0,37 eV. Tada 300 K
temperatroje eksponentinis daugiklis (5.4) formulje yra apie 610
7
.
Todl elektronins ir skylins srovi per vairialyt sandr
santyk lemia potencialo barjer elektronams ir skylms aukiai,
o ne darinio srii legiravimas.
vairialyts sandros naudojamos mikrobang, optins elektro-
nikos ir kituose puslaidininkiniuose taisuose.

5.3. MDP dariniai

Tarkime, kad ant monokristalinio puslaidininkio sluoksnio buvo
sudarytas dielektriko sluoksnis, o ant jo metalinis elektrodas. Toks
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
169

darinys (5.11 pav., a) vadinamas MDP (metalo-dielektriko-puslai-
dininkio) dariniu.
Prie MDP darinio prijungus ivadus (5.11 pav., a), puslaidininkio
pavirin elektrin laidum galima valdyti iorine tampa. Paviriniu
laidumu
s
vadinamas puslaidininkio vienetinio ploio ir vienetinio
ilgio sluoksnio laidumo pokytis, taigi ;
0 s
= ia
0
ir
paminto sluoksnio laidumas neveikiant ir veikiant tampai.
Sakykime, kad puslaidininkis yra n tipo (5.11 pav., a). Dar, kad
bt paprasiau isiaikinti reikini MDP darinyje esminius bruous,
tarkime, kad elektrono ilaisvinimo darbas i metalo toks pat kaip
elektrono ilaisvinimo i puslaidininkio darbas.
5.11 paveiksle, b, atvaizduota MDP darinio energijos lygmen
diagrama, kai iorin tampa neprijungta. Dielektriko sluoksnio
draudiamoji juosta plati (
cD
W yra dielektriko laidumo juostos
dugnas), todl metalo ir puslaidininkio elektronus skiria auktas
potencialo barjeras, ir MDP darinys yra savotikas kondensatorius.
Prijungta prie MDP darinio iorin tampa krinta dielektriko
sluoksnyje ir paviriniame puslaidininkio sluoksnyje. Pradjus veikti
iorinei tampai atsirads
elektrinis laukas gali pakeisti
alia dielektriko esanio
puslaidininkio pavirinio
sluoksnio laidum gali
susidaryti praturtintasis, nu-
skurdintasis ar net inversinis
puslaidininkio sluoksnis.
Prijungus prie MDP darinio
5.12 paveiksle, a, parodyto poli-
kumo tamp (U > 0), metalinis
elektrodas sikrauna teigiamai.
Teigiamas metalinio elektrodo
krvis traukia neigiamus
elektronus. Todl paviriniame
puslaidininkio sluoksnyje padi-
dja elektron koncentracija.


M D
O
P
n
x
0
WFM
W
WcD
Wcn
WFn
Wvn
a
b

5.11 pav. MDP darinys (a) ir jo
energijos lygmen diagrama
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
170

Kadangi elektrinis laukas iek tiek prasiskverbia ir puslaidinink, prie
paviriaus jo energijos juostos ilinksta (5.12 pav., b). Didjant
veikianiai tampai, paviriniame sluoksnyje didja pagrindini
krvinink elektron koncentracija, ir didja io sluoksnio
elektrinis laidumas.
Puslaidininkio sluoksnio, kur prasiskverbia elektrinis laukas ir
kuris pasiymi padidjusiu laidumu, stor galima rasti sprendiant
Puasono lygt. Taip rodoma, kad pavirinio sluoksnio potencialas
ireikiamas formule:
) / exp( ) (
Dn s n
L x x + = ; (5.6)

M D P
n
x
0
a
WFM
W
WcD
Wcn
WFn
Wvn
b
U > 0


5.12 pav. MDP darinys (a) ir jo
energijos lygmen diagrama (b),
veikiant iorinei tampai, susi-
darius praturtintajam n puslai-
dininkio sluoksniui

M D P
n
x
0
a
WFM
W
U < 0
Wcn
WFn
Wvn
b

5.13 pav. MDP darinys (a) ir jo
energijos lygmen diagrama (b),
veikiant iorinei tampai, susi-
darius nuskurdintajam n puslai-
dininkio sluoksniui
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
171

ia
n
puslaidininkio potencialas,
s
potencialo pokytis
paviriniame puslaidininkio sluoksnyje, x koordinat (5.12 pav., a),
Dn
L Debajaus (Debye) ekranavimo nuotolis, ireikiamas formule
n
Dn
q q
k
n
T
L

= ; (5.7)
ia puslaidininkio dielektrin skvarba,
n
n elektron koncent-
racija (
d
N n
n
= ).
I (5.6) ir (5.7) formuli aiku, kad Debajaus ekranavimo nuotolis
ir padidjusio laidumo sluoksnio storis priklauso nuo pagrindini
krvinink koncentracijos. Galima apskaiiuoti, kad priemaiiniuose
puslaidininkiuose Debajaus ekranavimo nuotolis esti nanometr eils.
Vadinasi, priemaiinius puslaidininkius nagrinjamos krypties
elektrinis laukas siskverbia labai negiliai ir padidjusio laidumo
sluoksnis yra labai plonas, nes krvininkai gali telktis ploname
sluoksnyje. Dar svarbu pastebti, kad io sluoksnio storis nepriklauso
nuo tampos.
Pakeitus iorins tampos polikum (5.13 pav., a), metalinis
elektrodas sikrauna neigiamai. Jo neigiamas elektros krvis stumia
nuo puslaidininkio vidinio paviriaus pagrindinius krvininkus
elektronus. Majant pagrindini krvinink koncentracijai, prie
paviriaus susidaro nuskurdintasis sluoksnis. Kylant tampai, jis
storja.
Kadangi nuskurdintajame sluoksnyje lieka nesukompensuoti
donor jonai, erdvinio krvio tankis iame sluoksnyje ireikiamas
formule
d
qN = . Atsivelg tai ir isprend Puasono lygt arba
pasinaudoj (4.43) lygtimi, galime gauti, kad nuskurdintojo sluoksnio
storis ireikiamas formule:
d
s
n
q
2
N
d

= . (5.8)
Taikydami (5.8) formul, galime sitikinti, kad nuskurdintojo
sluoksnio storis
n
d esti daug kart didesnis u Debajaus ekranavimo
nuotol
Dn
L ir, didjant iorinei tampai, didja.
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
172

Nuskurstant paviriniam
puslaidininkio sluoksniui, jo laidumas
maja. Taip pat svarbu, kad neigiamas
metalinio elektrodo krvis traukia prie
puslaidininkio paviriaus skyles ir,
majant pagrindini krvinink
elektron koncentracijai n , didja
skyli koncentracija p , nes n / n p
2
i
= .
Kai skyli ir elektron koncentracijos
susilygina, puslaidininkio pavirinio
sluoksnio laidumas tampa minimalus, nes
krvinink koncentracijos prie paviriaus
yra tokios, kaip grynajame
puslaidininkyje. Toliau kylant tampai,
didjantis metalinio elektrodo neigiamas
krvis dar labiau stumia elektronus ir
traukia skyles. Kai tampa virija
slenkstin, skyli koncentracija tampa
didesn u elektron koncentracij ir prie
puslaidininkio paviriaus susidaro
inversinis skylinio laidumo sluoksnis. io
sluoksnio storis apytikriai lygus Debajaus ekranavimo nuotoliui.
Kylant tampai, skyli koncentracija inversiniame sluoksnyje didja,
todl didja ir puslaidininkio pavirinis laidumas.
Puslaidininkio pavirinio laidumo
s
priklausomyb nuo tampos
U atvaizduota 5.14 paveiksle, a. Kai U > 0, kylant tampai,
paviriniame puslaidininkio sluoksnyje didja pagrindini krvinink
koncentracija (5.12 pav., a), ir pavirinis laidumas didja. Kai U < 0,
kylant tampai, paviriniame puslaidininkio sluoksnyje pagrindini
krvinink koncentracija ir jo laidumas maja. Kai tampa pasiekia
slenkstin, elektron ir skyli koncentracijos susilygina. Po to,
didjant tampai, pavirinis laidumas didja, nes susidariusiame
inversiniame sluoksnyje didja skyli koncentracija.
Krvinink koncentracijos ir puslaidininkio pavirinio laidumo
kitimas, kintant statmenam puslaidininkio paviriui elektriniam laukui,


s
0
U
a
C
U
0
b


5.14 pav. Puslaidininkio
pavirinio laidumo (a) ir
MDP darinio talpos (b)
priklausomybs nuo
tampos
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
173

vadinamas lauko efektu, arba lauko reikiniu. Lauko efektu pagrstas
lauko tranzistori veikimas.
MDP darinio, kaip kondensatoriaus, talpa priklauso nuo iorins
tampos (5.14 pav., b). Kai veikia tampa (5.12 pav., a), kuri praturtina
pavirin puslaidininkio sluoksn pagrindiniais krvininkais, konden-
satoriaus dielektriko vaidmen atlieka dielektriko sluoksnis, kurio
storis d (5.15 pav., a).
Jeigu veikia tampa (5.13 pav., a), kuri skurdina pavirin
puslaidininkio sluoksn, dielektriko vaidmen atlieka dielektriko
sluoksnis kartu su nuskurdintuoju puslaidininkio sluoksniu, kurio
storis
n
d (5.15 pav., b). Didjant tampai, nuskurdintasis sluoksnis
storja, didja atstumas
n
d d + tarp kondensatoriaus elektrod, ir
MDP darinio talpa maja. Susidarius inversiniam sluoksniui, tarp
dielektriko sluoksnio ir nuskurdintojo sluoksnio atsiranda plonas
laidus sluoksnis, ir MDP darin galima nagrinti kaip du nuosekliai
sujungtus kondensatorius (5.15 pav., c). Atsiradus inversiniam
sluoksniui ir kylant tampai, didja krvinink krvis inversiniame
sluoksnyje, elektrinis laukas nuskurdintajame sluoksnyje nebestiprja,
is sluoksnis nebesipleia (
max n n
d d = ), todl MDP darinio talpa
nebekinta.
Tenka pastebti, kad 5.14 paveiksle, b, itisine linija atvaizduot
MDP darinio voltfaradin charakteristik eksperimentikai galima
gauti, kai matavimo grandinje kintamosios tampos danis yra
pakankamai auktas (virija imtus kiloherc) ir virpesi periodas
trumpesnis u alutini krvinink gyvavimo trukm. Jeigu danis
emas, inversiniame sluoksnyje elektrinis krvis spja kisti, veikiant


d
dn(U) dnmax
a b c


5.15 pav. MDP darinio modeliai, veikiant vairioms tampoms
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
174

kintamajai tampos dedamajai. Tada kintamasis elektrinis laukas
nuskurdintj sluoksn neprasiskverbia, ir MDP darinio talp lemia
dielektriko storis. Tuo atveju gaunama MDP darinio voltfaradin
charakteristika, atvaizduota 5.14 paveiksle, b, brknine linija.
Analogiki reikiniai gali vykti metalo, dielektriko ir p
puslaidininkio dariniuose, tik atitinkami sluoksniai susidaro veikiant
prieingo polikumo tampoms. Bendra taisykl tokia: praturtintasis
sluoksnis susidaro, kai prie metalinio elektrodo prijungto tampos
poliaus enklas prieingas puslaidininkio pagrindini krvinink
krvio enklui; nuskurdintasis ar inversinis sluoksnis susidaro, kai
metalinio elektrodo elektros krvis toks, kad jis stumia pagrindinius
puslaidininkio krvininkus ir traukia alutinius krvininkus.
Kai puslaidininkis yra silicis, dielektriko vaidmen MDP
dariniuose daniausiai atlieka silicio dioksido SiO
2
sluoksnis,
sudaromas oksiduojant puslaidininkio paviri. Todl tokie dariniai
vadinami MOP dariniais.

5.4. Paviriniai reikiniai

Pavirinius reikinius gali sukelti ne tik elektrinis laukas.
Puslaidininkio kristalo paviriuje nutrksta kristalins gardels
periodikumas. Be to, kristalo paviri veikia aplinka. Jis gali
adsorbuoti kit mediag atomus.
rodoma, kad dl to, kad kristalin gardel prie paviriaus
nutrksta, atsiranda pavirins bsenos ir energijos lygmenys, kuri
puslaidininkio tryje nra. Reali kristal atveju papildomi paviriniai
lygmenys susidaro dl adsorbuot atom bei kristalins gardels
defekt (vakansij, dislokacij). ie lygmenys gali atlikti donor,
akceptori, elektron ir skyli rekombinacijos ir prilipimo centr
vaidmen. Todl paviriniai lygmenys gali smarkiai pakeisti
krvinink koncentracij, judrum ir pavirinio sluoksnio laidum.
Sakykime, kad n puslaidininkyje yra donorini lygmen.
Vidutini temperatr srityje donorai yra jonizuoti. Donor jonai
paviriuje sudaro teigiam krv (5.16 pav., a), kurio sukeltas
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
175

elektrinis laukas traukia link paviriaus elektronus. Dl elektrinio
lauko ilinksta energijos juostos prie kristalo paviriaus. Padidjus
pagrindini krvinink koncentracijai, padidja pavirinio sluoksnio
laidumas.
Kitokia yra akceptori sukelto neigiamo pavirinio krvio taka n
puslaidininkiui (7.16 pav., b). Neigiamas krvis stumia pagrindinius
krvininkus elektronus ir traukia alutinius krvininkus skyles.
Prie paviriaus energijos juostos ilinksta taip, kad energinis atstumas
tarp laidumo juostos dugno ir Fermio lygmens padidja. Paviriniam
krviui didjant, elektron koncentracija paviriniame sluoksnyje
maja, skyli koncentracija didja, energijos juostos labiau ilinksta
ir prie paviriaus gali net pasikeisti puslaidininkio laidumo tipas gali
susidaryti inversinis p sluoksnis.
p puslaidininkio paviriuje susidars neigiamas pavirinis krvis
padidina skyli koncentracij paviriniame puslaidininkio sluoksnyje.
Teigiamas pavirinis krvis sukuria nuskurdintj ar net inversin
sluoksn.
Paviriniai reikiniai gali pakeisti puslaidininkini tais savybes.
Paviriniai lygmenys pagauna krvininkus, ekranuoja iorin elektrin
lauk, silpnina lauko efekt ir sukl sunkum kuriant MOP
integrinius grandynus ir kitus lauko efektu pagrstus puslaidininkinius
taisus. ia daugiau nesigilindami pavirini reikini fizik,


W
Wc
WF
Wv
W
Wc
WF
Wv
n n
a b


5.16 pav. Krviai puslaidininkio paviriuje ir puslaidininkio
energijos lygmen diagramos
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
176

pavirini reikini svarb iliustruo-
kime paprastu pavyzdiu aptarkime
pavirin pn sandros pramuim.
Sakykime, kad pn sandra yra
staigi ir nesimetrin. Jos p srityje
akceptorini priemai koncentracija
daug maesn u donorini priemai
koncentracij n srityje. Tada pn
sandros storis p srityje daug didesnis
u jos stor n srityje (5.17 pav., a).
Susidarius puslaidininkio paviriuje
neigiamam paviriniam krviui, p
srities paviriniame sluoksnyje
padidja skyli koncentracija, ir pn
sandros storis prie p srities paviriaus sumaja (5.17 pav., b). n
sriiai, kur priemai koncentracija didel, pavirinis krvis neturi
ymesns takos.
Prie paviriaus sumajus pn sandros storiui, ji pramuama,
veikiant maesnei atgalinei tampai. Pramuimas prasideda prie
puslaidininkio paviriaus.
Taigi paviriaus utertumo takos puslaidininki savybms ir
pavirini reikini negalima pamirti kuriant ir gaminant integrinius
grandynus ir kitus puslaidininkinius taisus.

5.5. Ivados

1. Laisviesiems elektronams kietasis knas yra potencialo duob.
Vidutinis darbas A, kur turi atlikti elektronas, itrkdamas i
metalo ar puslaidininkio bandinio, yra lygus
F 0
W W ; ia
0
W yra
toli nuo bandinio esanio ir nejudanio elektrono energija. Darbas
A vadinamas termodinaminiu ilaisvinimo darbu.
2. Jeigu sandra sudaroma tarp metalo ir n puslaidininkio ir
elektron ilaisvinimo i metalo darbas
M
A yra didesnis nei
ilaisvinimo i puslaidininkio darbas
n
A , tai elektronai i


p

n

p

n

a

b


5.17 pav. Staigi nesimetrin
pn sandra (a) ir i sandra
(b), susidarius paviriniam
krviui
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
177

puslaidininkio, kuriame Fermio lygmuo auktesnis, teka metal.
Ijus elektronams, susidaro nuskurds puslaidininkio sluoksnis,
pasiymintis didesne savitja vara. Tarp puslaidininkyje likusi
nesukompensuot donor jon ir ijusi metal elektron
susidaro vidinis elektrinis laukas, stabdantis elektron judjim
metal. Pusiausvyros slygomis metalo ir puslaidininkio Fermio
lygmenys yra vienodi. Puslaidininkio sluoksnyje, kur veikia
elektrinis laukas, energijos juostos ilinksta, ir kontakto tarp
puslaidininkio ir metalo srityje susidaro potencialo barjeras,
vadinamas otkio barjeru. Dl juost ilinkimo Fermio lygmuo
priartja prie puslaidininkio draudiamosios juostos vidurio arba
net atsiduria emiau draudiamosios juostos vidurio. Taigi, kai
n M
A A > , metalo ir n puslaidininkio sandroje susidaro
nuskurdintasis didels varos utvarinis sluoksnis arba net
inversinis sluoksnis ir pn sandra.
3. Metalo ir puslaidininkio sandroje susidars utvarinis sluoksnis
pasiymi ventilio savybmis. Sandros voltamperins charak-
teristika panai pn sandros voltamperin charakteristik.
Taiau, tekant per metalo-puslaidininkio sandr su otkio
barjeru tiesioginei srovei, nra alutini krvinink injekcijos ir
kaupimo. Todl puslaidininkiniai taisai, kuriuose panaudoti
metalo-puslaidininkio kontaktai su otkio barjerais, pasiymi
geromis daninmis savybmis ir didele veikimo sparta. Jeigu
reikia nuslopinti ventilines metalo ir n puslaidininkio kontakto
savybes ir gauti maos varos omin kontakt, puslaidininkio
sluoksnis po kontaktu papildomai legiruojamas donorinmis
priemaiomis.
4. Jeigu elektrono ilaisvinimo i metalo darbas maesnis u
elektrono ilaisvinimo i n puslaidininkio darb (
n M
A A < ),
sandroje susidaro antiutvarinis puslaidininkio sluoksnis su
padidinta pagrindini krvinink koncentracija ir maa vara.
5. Metalo ir p puslaidininkio kontakte nuskurdintasis arba net
utvarinis sluoksnis susidaro, kai
p M
A A < . Jeigu
p M
A A > ,
sandroje susidaro laidus praturtintasis sluoksnis.
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
178

6. MDP ir MOP darini puslaidininkio pavirin laidum galima
valdyti iorine tampa. Kai prie MDP darinio metalinio elektrodo
prijungiamas tampos polius, kurio enklas prieingas
puslaidininkio pagrindini krvinink enklui, metalinis
elektrodas traukia puslaidininkio pagrindinius krvininkus. Tada
prie puslaidininkio vidinio paviriaus padidja pagrindini
krvinink koncentracija ir puslaidininkio pavirinio sluoksnio
elektrinis laidumas. Veikiant prieingo polikumo iorinei
tampai, metalinio elektrodo krvis stumia pagrindinius
krvininkus ir traukia alutinius krvininkus. Tada prie vidinio
puslaidininkio paviriaus susidaro maesnio laidumo nu-
skurdintasis sluoksnis. Kai tampa pasiekia slenkstin, skyli ir
elektron koncentracijos puslaidininkio paviriuje susilygina, o
pavirinis puslaidininkio laidumas tampa minimalus. Dar
padidjus tampai, susidaro inversinis sluoksnis. Toliau kylant
tampai, io sluoksnio laidumas didja. Aptartas reikinys, kurio
esm ta, kad krvinink koncentracijos ir puslaidininkio
pavirinio laidumas kinta, kintant statmenam puslaidininkio
paviriui elektriniam laukui, vadinamas lauko efektu.
7. MDP darinys yra savotikas kondensatorius. Jo dielektriko
vaidmen atlieka dielektriko sluoksnis kartu su puslaidininkio
nuskurdintuoju sluoksniu. Nuskurdintojo sluoksnio storis priklau-
so nuo iorins tampos, todl MDP darinio talpa taip pat
priklauso nuo iorins tampos.

5.6. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Kodl svarbios metalo ir puslaidininkio sandr savybs?
2. K vadina termodinaminiu ilaisvinimo darbu?
3. Kokie procesai vyksta, sudarius metalo ir n puslaidininkio sandr,
kai
n M
A A > ?
4. Sudarykite metalo ir n puslaidininkio energin diagram, kai
n M
A A > .
5. Kai iorin tampa prijungiama prie metalo ir n puslaidininkio sandros,
kurioje yra utvarinis sluoksnis, ir puslaidininkio potencialas pakyla,
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
179

visi jo energijos lygmenys (pakyla, nusileidia), pereinantieji i
puslaidininkio metal elektronai sutinka (auktesn, emesn)
potencialo barjer. Todl tampa, kurios neigiamas polius prijungtas prie
metalo, o teigiamas prie n puslaidininkio, yra (tiesiogin, atgalin)
metalo ir n puslaidininkio sandros tampa.
6. Jeigu
n M
A A > , tiesiogin metalo ir n puslaidininkio sandros tampa
(sumaina, padidina) potencialo barjero aukt, (sumaina, padidina)
nuskurdintojo sluoksnio stor ir turi takos elektron srautui (i
puslaidininkio metal, i metalo puslaidinink).
7. Kodl, tekant tiesioginei srovei per otkio diod, nesikaupia alutiniai
krvininkai?
8. Kokie procesai vyksta sudarius metalo ir n puslaidininkio sandr,
kai
n M
A A < ?
9. Sudarykite metalo ir n puslaidininkio energin diagram, kai
n M
A A < .
10. Kaip galima sudaryti maos varos omin aliuminio ir n silicio kontakt?
11. Metalo-puslaidininkio-metalo darinyje panaudotas puslaidininkio
sluoksnis, kurio skersmuo 100 m, storis 2 m, savitoji vara
0,1 m. Pirmojo metalo elektron ilaisvinimo darbas 1,4 eV,
puslaidininkio 1 eV, antrojo metalo 0,6 eV. Sudar darinio energijos
lygmen diagram, nusakykite jo elektrines savybes. Apskaiiuokite,
kokia srov 290 K temperatroje tekt per darin, prijungus prie
pirmojo metalinio elektrodo 0,5 V teigiam tamp antrojo metalinio
elektrodo atvilgiu, jeigu inoma, kad pakeitus tampos polikum teka
10 nA srov.
Ats.: 6,1 mA.
12. Sudarykite nP darinio energijos lygmen diagram, kai puslaidininki
draudiamj juost ploiai yra 0,7 ir 1,4 eV ir ir
P n
A A < . Aptarkite
potencialo barjerus sandroje.
13. Sudarykite nN darinio energijos juost diagram, kai
N n
A A > .
14. MOP darinyje panaudotas p puslaidininkis. Kokio polikumo tampoms
veikiant puslaidininkyje gali susidaryti praturtintasis, nuskurdintasis ir
inversinis sluoksniai?
15. MOP darinyje panaudotas p puslaidininkis. Laikydami, kad elektron
ilaisvinimo darbai i metalo ir puslaidininkio vienodi, sudarykite io
darinio energines diagramas, kai U = 0, U < 0 ir U > 0.
5. vairialyts sandros. MDP dariniai
180

16. MOP darinio puslaidininkio nuskurdintojo sluoksnio storis priklauso
nuo (metalinio elektrodo storio, iorins tampos, priemai koncen-
tracijos, per darin tekanios srovs).
17. Pagrindini krvinink koncentracija MOP darinio inversiniame
sluoksnyje gali bti (nedidel, labai didel). Todl inversinis sluoksnis
(bna labai plonas, gali bti storas). Inversinio sluoksnio elektrinis
laidumas (priklauso, nepriklauso) nuo iorins tampos.
18. Sudarykite MOP darinio ekvivalentins grandins schem. Aptarkite
nuo ko, kaip ir kodl priklauso darinio talpa.
19. MOP darinyje panaudotas p silicio pagrindas, kuriame priemai kon-
centracija 10
16
cm
3
. Oksido sluoksnio storis 0,1 m, santykin
dielektrin skvarba 4. Apskaiiuokite darinio ploto vieneto talp, kai
U = 2 V, f = 1 Hz; U = 20 V, f = 1 Hz; U = 20 V, f = 1 MHz.
Ats.: 35; 35; 17,5 nF/cm
2
.


05. MDP_200308 2003.08.20 13:35
6. Puslaidininkiniai diodai
181


6. PUSLAIDININKINIAI DIODAI

Puslaidininkin diod sudaro puslaidininkio kristalo luste sudaryta
pn sandra, ivadai ir korpusas. Silpniau legiruota diodo sritis
vadinama baze. Kita, labiau legiruota sritis, i kurios, tekant
tiesioginei srovei, baz injektuojami krvininkai, vadinama emiteriu.
Diodo p srities ivadas vadinamas anodiniu, n srities katodiniu
ivadu.
iame skyriuje aptarsime puslaidininkini diod tipus ir i diod
savybes.

6.1. Diod pn sandr sudarymo bdai

Atsivelgiant pn darini konstrukcijas, puslaidininkiniai diodai
skirstomi takinius ir ploktinius.
Takiniam diodui naudojamas puslaidininkins mediagos lustas,
prie kurio prispausta metalin adata (6.1 pav.). Jeigu puslaidininkis
yra elektroninio laidumo, tai adatos galas i anksto padengiamas
trivalente akceptorine priemaia aliuminiu, indiu arba galiu. pn san-
dra sudaroma elektrinio formavimo bdu: per kontakt praleidiamas
galingas srovs impulsas. Jis kaitina adatos ir kristalo slyio viet, ir
adatos galas silydo puslaidinink. Be to, auktoje temperatroje
priemaios atomai skverbiasi puslaidinink. Todl po adatos galu
susidaro nedidel p puslaidininkio
sritis ir pn sandra. Takini diod pn
sandros plotas paprastai esti ne
didesnis kaip 50 m
2
. Takini diod
elektrini savybi ypatumus atsklei-
sime vliau.
Pirmieji ploktiniai diodai buvo
gaminami lydimo bdu. lydimo
technologijos esm iliustruoja 6.2 pa-


n
p
1
2


6.1 pav. Takinio diodo pn
darinys: 1 puslaidininkio
lustas, 2 metalin adata
6. Puslaidininkiniai diodai
182

veikslas. elektroninio laidumo
silicio lust 600700
0
C tempe-
ratroje lydoma aliuminio
tablet. Aliuminio atomams
siskverbus silic, aplink
aliuminio tablet susidaro
skylinio laidumo silicio sritis.
Germanio pn sandr galima
sudaryti sulydant german su
indiu. lydimo bdu sudaromos staigios pn sandros. Lydytini
sandr plotas gali bti didelis.
Tobulesn yra pn darini sudarymo technologija, pagal kuri
priemaios atomai puslaidininkio kristal difunduoja i dujins
aplinkos. Difuzijos krosnyje vir elektroninio laidumo silicio
praleidiamas duj miinys, kuriame yra akceptorins priemaios
boro (6.3 pav., a). 10001300
0
C temperatroje (artimoje silicio
lydymosi temperatrai) boro atomai dl koncentracijos gradiento
skverbiasi silic. Parinkus termins priemai difuzijos temperatr ir
trukm, gaunamas pageidaujamas boro pasiskirstymas (6.3 pav., b).
Efektin priemai koncentracija, kaip inome, lygi priemai
koncentracij skirtumui: jei ' '
d a
N N > , tai ' '
d a a
N N N = ; jei ' '
a d
N N > ,
tai ' '
a d d
N N N = ; ia '
a
N ir '
d
N akceptorins ir donorins prie-
mai koncentracijos. Todl, kai akceptorins priemaios koncen-
tracija lusto paviriniame sluoksnyje virija pradin donorins

n
p
1
2


6.2 pav. Lydytinis pn darinys:
1 silicio lustas; 2 aliuminio
tablet


p
n
N
x
N
d
'
N
a
'
N
a
'N
d
'
a b
0
B
x
pn



6.3 pav. pn sandros sudarymas termins priemai difuzijos
bdu (a) ir priemai pasiskirstymas (b)
6. Puslaidininkiniai diodai
183

priemaios koncentracij, pasikeiia laidumo tipas, pavirinis
sluoksnis tampa p puslaidininkiu (6.3 pav.). Taip termins priemai
difuzijos bdu sudaroma pn sandra.
Termins priemai difuzijos bdu galima sudaryti artim staigiai
arba tolydin pn sandr. Sandros tip lemia efektins priemai
koncentracijos gradientas, priklausantis nuo priemai difuzijos
slyg temperatros ir trukms. ie veiksniai lemia ir pn sandros
gyl
pn
x .
Kadangi termins priemai difuzijos bdu pn sandra sudaroma
perkompensuojant pradines priemaias, priemai koncentracija
kitokio laidumo sluoksnyje visuomet yra didesn nei pradin
priemai koncentracija. Kitokio laidumo puslaidininkio sluoksn su
bet kokia priemai koncentracija galima sudaryti epitaksijos bdu.
Epitaksijos metu vir silicio ploktels (padklo) praleidiamas
duj srautas. Padklo paviriuje auktoje (apie 1200
0
C) temperatroje
vyksta chemin reakcija tarp sraut sudarani mediag (silicio
tetrachlorido SiCl
4
ir vandenilio H
2
). Reakcijos metu isiskyr silicio
atomai lieka ant padklo paviriaus (6.4 pav.). Tvarkingai isidst ant
padklo jie sudaro sluoksn, kuris pratsia padklo kristalin gardel.
maiius duj sraut junginius su priemai atomais (pvz., BCl
3
ar
PCl
3
), galima uauginti n, p, taip pat n

, p

bei n
+
, p
+
puslaidininki
sluoksnius. ia minusas ymi, kad puslaidininkis yra silpnai
legiruotas, pliusas reikia, kad priemaios koncentracija didel.
Kartais puslaidininkiniams diodams tikslinga naudoti sudtingus
puslaidininkinius darinius, formuojamus epitaksine-difuzine tech-
nologija. Taikant i technologij ant n
+
tipo silicio padklo


n
+

n


p



6.5 pav. Epitaksine-difuzine
technologija sudarytas darinys


n
Si
SiCl
4

2H
2

2HCl
i


6.4 pav. Silicio epitaksija
6. Puslaidininkiniai diodai
184

uauginamas epitaksinis n

silicio sluoksnis. Termins priemai


difuzijos bdu sluoksn vedus akceptorini priemai, pavirin
epitaksinio sluoksnio dalis paveriama p puslaidininkiu (6.5 pav.).
Ploktinio diodo pn sandros plotas gali bti didelis. Tada diodas
gali praleisti stipri srov. Taiau, jeigu sandros plotas didelis,
sandros elektrin talpa yra didel, o diodo danins savybs prastos.
Mao ploto pn sandroms sudaryti buvo sukurtos mezatechnologijos
ir planariosios technologijos.
Diod mezadarini gamyb iliust-
ruoja 6.6 paveikslas. Kaip padklas
naudojamas n silicis. Termins prie-
mai difuzijos bdu padklo paviriuje
sudaromas p silicio sluoksnis. Po to
puslaidininkio pavirius padengiamas
silicio dioksido SiO
2
sluoksniu.
Fotolitografijos bdu silicio dioksido
sluoksnis nuo paviriaus dalies nusdinamas. Liks SiO
2
sluoksnis
naudojamas kaip apsauginis, sdinant silic. Po sdinimo gautas
darinys atvaizduotas 6.6 paveiksle. Paalinus silicio dioksido sluoksn,
puslaidininkin ploktel dalinama lustus su nedidelio ploto pn
sandromis.
Naudojant planarij technologij, puslaidininkinis darinys
formuojamas apdorojant virutin ploki padklo paviri. Kai
taikoma planarioji epitaksin-difuzin technologija, ant n
+
silicio
padklo uauginamas n

silicio sluoksnis. Po to paviriuje sudaromas


silicio dioksido sluoksnis ir jame fotolitografijos bdu atidaroma anga,
per kuri vykdoma termin priemai difuzija. Perkompensavus
pradines priemaias, sudaroma p laidumo sritis (6.7 pav.). Planarij
darini srii ivadus galima jungti prie vienos lusto puss.
Kartais vietoj pn sandr dioduose naudojamos metalo ir
puslaidininkio sandros su otkio barjerais. otkio epitaksinio
mezadarinio struktra atvaizduota 6.8 paveiksle. Metalo sluoksnis ant
tinkamai apdoroto puslaidininkio paviriaus ugarinamas vakuume.
Mikrobang ir lazeriniuose dioduose naudojamos vairialyts
sandros. Jas isamiau aptarsime vliau.


n
p
SiO
2



6.6 pav. Mezadarinys
6. Puslaidininkiniai diodai
185

Puslaidininkiniai diodai naudojami kintamosios srovs
lygintuvuose, detektoriuose, impulsinse grandinse, o kartais net kaip
generatori ir stiprintuv aktyvieji elementai.

6.2. Lygintuviniai diodai

Kintamosios srovs lygintuvuose srovs lyginimui panaudojama
ventilin puslaidininkini diod savyb. Lygintuvams geriausiai tikt
ideals ventiliai, kuri voltamperin charakteristika atvaizduota
6.9 paveiksle, a. Reals puslaidinin-
kiniai diodai, kaip inome, atsiveria tik
tuomet, kai tiesiogin tampa tampa
didesn nei slenkstin tampa
0
U
(6.9 pav., b). i tampa priklauso nuo
puslaidininkio.
Svarbiausieji lygintuvinio diodo
parametrai tai didiausia leidiamoji
tiesiogin srov ir didiausia
leidiamoji atgalin tampa. Jas riboja
pn sandros perkaitimas ir pramu-
imas. Diodai, kuri maksimali
leidiamoji srov stipresn nei 10 A,
vadinami lygintuviniais galios diodais.
Galios dioduose naudojamos didelio
ploto pn sandros. Srovs tankis


n
+

n


p SiO
2



6.7 pav. Planarusis darinys, sudarytas
epitaksine-difuzine technologija



n
+
Si
n
Au


6.8 pav. Epitaksinis otkio
mezadarinys


U
I
0

a


U
I
0 U
0


b

6.9 pav. Idealaus ventilio
(a) ir puslaidininkinio diodo
(b) voltamperins charakte-
ristikos
6. Puslaidininkiniai diodai
186

sandroje bna iki 200 A/cm
2
. Siekiant geriau isklaidyti sandroje
isiskiriani ilum, naudojami radiatoriai, kartais net priverstinis
auinimas. Leidiamasis silicio sandr perkaitimas yra didesnis nei
germanio, nes silicio draudiamoji juosta yra platesn.
Lygintuvinis diodas maiau kaista, jeigu jam panaudotas n
+
n

p
darinys, kurio n
+
pagrindas pasiymi maa vara. Stiprias sroves
galima lyginti sujungus du ar daugiau diod lygiagreiai. Siekiant
padidinti atsparum elektriniam pramuimui, lygintuviniams diodams
naudojami p

n arba pin dariniai su plaiomis pn sandromis.


Auktoms tampoms lyginti naudojami lygintuviniai stulpeliai,
sudaryti i nuosekliai sujungt pn sandr. J atgalin tampa bna iki
deimi kilovolt. Gaminami ir kitokie diod blokai, pavyzdiui,
blokai, kuriuose diodai sujungti pagal lygintuvinio tiltelio schem.
Kai diodas naudojamas grandinje, kur veikia nuolatin ir
kintamoji tampos, diodo vara nuolatinei srovei ir vara kintamajai
srovei yra nevienodos.
Vara nuolatinei srovei (statin vara) randama pagal formul:
0 0 s
/ I U R = ; (6.1)
ia
0
U ir
0
I diodo tampos ir srovs nuolatins dedamosios.
Vara silpnai kintamajai srovei (dinamin, diferencialin vara)
ireikiama formule:
I U I U R / /d d
d
= ; (6.2)
ia U ir I tampos pokytis ir j atitinkantis srovs pokytis diodo
darbo tako aplinkoje.
6.1 uduotis
Per germanio sandr 300 K temperatroje teka 100 A soties srov.
Apskaiiuokime sandros statin ir dinamin varas, kai veikia 0,2 V
tiesiogin tampa.
Sprendimas
Kai veikia tiesiogin tampa, per sandr teka srov
A 22 , 0 ) 026 , 0 / 2 , 0 exp( 0001 , 0 ) / q exp( = kT U I I
s
.
Tada diodo statin vara
91 , 0
22 , 0
2 , 0
=
I
U
R
s
.
6. Puslaidininkiniai diodai
187

Diferencijuodami pn sandros voltamperins charakteristikos iraik
gauname:
. d
k
q
) ( d
k
q
k
q
exp d
s s
U
T
I I U
T T
U
I I + =

=
Tada
12 , 0
22 , 0
1
026 , 0
1
q
k
d
d
s
d

+
= =
I I
T
I
U
R .

6.3. Puslaidininkiniai stabilitronai

Prasidjus pn sandros elektriniam pramuimui, pn sandros
tampa, kaip inome, maai kinta, nors sandros atgalin srov
stiprja. i pn sandros savyb panaudojama puslaidininkiniuose
(silicio) stabilitronuose, skirtuose nuolatinei tampai stabilizuoti.
Puslaidininkini stabilitron darbo tampa bna nuo 3 iki 400 V,
didiausia sklaidomoji galia nuo imt milivat iki deimi vat.
Siekiant sumainti temperatrin tampos koeficient, kartais
stabilitronuose nuosekliai sujungiamos kelios pn sandros.
Pavyzdiui, su maai legiruota plaia sandra, kurioje vyksta gritinis
pramuimas, nuosekliai jungiamos kelios pn sandros tiesiogine
kryptimi. Kylant temperatrai, gritinio pramuimo tampa didja, o
tiesiogine kryptimi jungt pn sandr tampos maja. Taip galima
gauti ma temperatrin stabilizuojamos tampos koeficient.
Maoms tampoms stabilizuoti naudojami stabistoriai
puslaidininkiniai diodai, jungti tiesiogine kryptimi. J tampos
temperatrinis koeficientas neigiamas.

6.4. Auktadaniai diodai

Auktadaniais vadinami diodai, taikomi plaiame dani
diapazone (iki keli imt megaherc) lyginti srov, detektuoti
signalus ir atlikti kitokias virpesi apdorojimo funkcijas.
6. Puslaidininkiniai diodai
188

Diodo ekvivalentin grandin silpnai
kintamajai srovei atvaizduota 6.10 pa-
veiksle, a. Joje
pn
R pn sandros dinamin
vara,
pn
C sandros talpa,
1
R p ir n
srii, esani u pn sandros rib (diodo
bazs ir emiterio) vara,
2
R nuotkio
vara.
Bazs vara paprastai bna daug
didesn u emiterio var. Todl var
1
R
nulemia bazs vara
B
R .
Pagal (6.2) ir (4.27) formules pn
sandros dinamin vara ireikiama
formule:
D s
pn
1
q
k 1
q
k
I
T
I I
T
R =
+
= . (6.3)
I ios formuls matyti, kad pn sandros dinamin vara priklauso
nuo difuzins srovs
D
I . Kai
s
I I = , difuzin srov neteka, ir
idealios pn sandros dinamin vara yra be galo didel.
pn sandros talpa susideda i barjerins ir difuzins talp, kurios
priklauso nuo tampos.
Jeigu veikia ne tik kintamoji tampa, bet ir nuolatin atgalin
tampa, tai diodo pn sandros dinamin vara bna didel, o difuzin
talpa lygi nuliui. Tada diodo ekvivalentins grandins schema tampa
paprastesn, sudaryta i nuosekliai sujungt bazs varos
B
R ir
barjerins talpos
b
C . Taigi diodo danines savybes lemia laiko
konstanta
b B
C R = . Mainant i konstant galima iplsti diodo
darbo dani diapazon.
Diodo sandros barjerin talp galima sumainti mainant pn
sandros plot. i diod danini savybi gerinimo galimyb
panaudojama takiniuose, mikrolydytiniuose dioduose, mezadioduose
ir planariuosiuose dioduose, kuriuose bazs skerspjvio plotas daug
didesnis nei pn sandros plotas. Jeigu ploktinio diodo bazs


Cpn
R
pn
R
2
R1


6.10 pav. Auktadanio
diodo ekvivalentin
grandin
6. Puslaidininkiniai diodai
189

skerspjvio plotas lygus pn sandros plotui, tai majant sandros
plotui, didja bazs vara, ir laiko konstanta gali nesumati.
Vara
B
R sumaja, padidinus bazje priemai koncentracij.
Taiau, esant didesnei priemai koncentracijai, pn sandra tampa
plonesn. Kai pn sandra plonesn, jos barjerin talpa yra didesn, o
pramuimo tampa maesn. Taigi tenka iekoti kit laiko
konstantos mainimo bd.
Ploktini diod bazs var ir sandros barjerin talp pavyksta
sumainti, panaudojant epitaksine-difuzine technologija sudarytus
n
+
n

p darinius (6.5 pav.). Juose silpnai legiruota n

bazs sritis esti


plona, todl bazs vara maa. pn sandra susidaro tarp silpnai
legiruot srii, taigi ji yra stora, jos barjerin talpa maa, o
pramuimo tampa pakankamai didel.
Nagrinjant mikrobang puslaidininkini diod savybes, reikia
atsivelgti ne tik diode panaudoto puslaidininkinio lusto parametrus,
bet ir diodo ivad parazitin induktyvum L bei parazitin talp
tarp ivad C . Mikrobang srityje naudojami otkio ir takiniai
diodai. Siekiant, kad bt maesnis kontakto plotas, takini diod
metalin adata nusmailinama. Kontaktas elektriniu bdu
neformuojamas, taigi naudojamas metalo-puslaidininkio kontaktas.
Siekiant sumainti induktyvum L ir talp C , mikrobang
detektoriniai ir kiti diodai gaminami be vielini ivad.

6.5. Varikapai

pn sandros barjerin talpa priklauso nuo atgalins tampos.
Remiantis ia pn sandros savybe buvo sukurti varikapai
kintamosios talpos diodai, dar vadinami varaktoriais. Taigi varikapai
yra puslaidininkiniai diodai, naudojami kaip elektrinio valdymo
kondensatoriai, j talpa valdoma keiiant sandros atgalin tamp.
Varikapo savybes apibdina voltfaradin charakteristika
) (
R
U f C = . Ji priklauso nuo pn sandros sudarymo bdo ir tipo.
Svarbiausi varikapo parametrai tai maksimali talpa
max
C , minimali
6. Puslaidininkiniai diodai
190

talpa
min
C ir koeficientas
min max
/ C C k
C
= . Maksimali
varikap talpa bna iki keli
imt pikofarad, koeficientas
C
k iki 5, kartais net iki 10.
Dar vienas svarbus
varikapo parametras yra jo
elektrin kokyb Q , kuri lemia
reaktyviosios
e
X ir aktyviosios
e
R var santykis:
e e
/ R X Q = . (6.4)
Varikapo kokyb priklauso nuo jo, kaip auktadanio diodo,
ekvivalentins grandins (6.10 pav.) parametr. Tiesa, kai veikia
atgalin tampa, pn sandros dinamin vara
pn
R yra labai didel,
todl jos galima nepaisyti.
Kai danis emas, vara
1
R yra maa lyginant su likusios
grandins dalies vara, todl varikapo ekvivalentins grandins
schema tampa dar paprastesn (6.11 pav., a). Tada, ura grandins
pilnutins varos iraik ir rad ios varos dedamsias, pagal (6.4)
formul gautume:
2 pn
R C Q = . (6.5)
Kai danis auktas, talpos vara tampa maa, ir galima nepaisyti
nuotkio varos takos (6.11 pav., b). Tada
1 pn
/ 1 R C Q = . (6.6)
Taigi varikapo kokyb lemia nuotkio vara ir bazs vara. I
formuli (6.5) ir (6.6) matyti, kad, kylant daniui, kokyb didja,
pasiekia maksimali vert ir paskui aukt dani srityje, kai
lemiamos takos turi bazs vara, maja.
Varikapai naudojami elektriniu bdu derinamuose radijo ir
televizini imtuv virpamuosiuose kontruose, parametriniuose
stiprintuvuose ir kituose taisuose, kur reikia elektriniu bdu valdom
nedideli talp.


Cpn
R2
C
pn

R1


a b

6.11 pav. Varikapo ekvivalentins
grandins
6. Puslaidininkiniai diodai
191


6.6. Impulsiniai diodai

Impulsiniai diodai naudojami impulsins technikos taisuose.
Impulso frontai ilieka stats, jeigu grandins praleidiamj dani
juosta plati. Taigi impulsiniai diodai turi bti auktadaniai.
Kad isiaikintume puslai-
dininkinio diodo impulsins
veiksenos ypatumus, panagri-
nkime diodu tekani srov,
kai, veikus tiesioginei tampai,
staiga pakeiiamas tampos
polikumas (6.12 pav., a).
Sakykime, kad priemai
koncentracija diodo n srityje
emiteryje daug kart didesn
u priemai koncentracij p
srityje bazje. Tada, veikiant
tiesioginei tampai, vyksta
elektron difuzija per pn
sandr ir j injekcija baz.
Tekant tiesioginei srovei, pn
sandroje ir diodo bazje yra
daug nepusiausvirj elektron
ir skyli (6.13 pav.). Todl
laiko momentu 0 = t staiga
pasikeitus tampos polikumui,
per sandr teka stipri atgalin
srov (6.12 pav., b). ios sro-
vs stipr riboja tik diodo bazs
ir grandins, kurioje diodas
jungtas, varos. Tekant stipriai
atgalinei srovei, elektronai,
kaip alutiniai krvininkai,


0
I
s

a
t
u
i
t
0
t
1
t
2

b


6.12 pav. Impulsinio diodo tamp ir
srovi diagramos

p n
+



6.13 pav. Nepusiausvirieji kr-
vininkai impulsinio diodo bazje,
tekant tiesioginei srovei


6. Puslaidininkiniai diodai
192

ekstrahuojami (itraukiami, isiurbiami) i bazs, ir pn sandra
pleiasi. Tuo pat metu, inoma, vyksta ir rekombinacija. Dl i
reikini nepusiausvirj krvinink maja, ir, prajus tam tikram
laikui
1
t , diodo atgalin srov pradeda silpnti (6.12 pav., b). Prabgus
laikui
2
t , nepusiausvirj krvinink koncentracija pn sandros
aplinkoje sumaja ir atsikuria didel diodo atgalin vara.
I aptarimo aiku, kad diodas gali atlikti ventilio funkcijas tik
tuomet, kai atgalins tampos impulso trukm daug ilgesn u laiko
tarp
2 a
t t = , per kur atsikuria sandros atgalin vara. Kitaip tariant
impulsinis diodas turi tenkinti slyg:
f
T t
1
a
= << ; (6.7)
ia T virpesi periodas, f danis.
Siekiant pagreitinti atgalins varos atsistatym ir padidinti
impulsini diod veikimo spart, reikia mainti pn sandros difuzin
talp. Tai galima padaryti mainant krvinink gyvavimo trukm ir
alutini krvinink bazje sukurt krv.
Siekiant sumainti krvinink gyvavimo trukm, puslaidininkiai
legiruojami specialiomis priemaiomis. Kaip silicio priemaia danai
naudojamas auksas.
alutini krvinink ekstrakcijos trukm pavyksta sumainti pn
darini gamyboje taikant difuzin bei epitaksin-difuzin
technologijas. Difuzinio diodo bazje dl netolygaus priemai
pasiskirstymo susikuria elektrinis laukas, stabdantis alutini
krvinink difuzij. Tada alutiniai krvininkai kaupiasi prie pn
sandros. Pradjus veikti atgalinei tampai, jie greiiau ekstrahuojami.
Epitaksijos ir difuzijos bdu sudarytuose n
+
n

p dariniuose silpnai
legiruotas bazs sluoksnis yra plonas. Tekant difuzinei srovei,
krvininkai sluoksn greitai veikia ir n
+
srityje greitai
rekombinuoja. Kai prie pn sandros nepusiausvirasis krvis maesnis,
jis greiiau ekstrahuojamas.
Didele veikimo sparta pasiymi otkio diodai. Kaip jau inome,
jiems bdinga labai vertinga savyb: tekant tiesioginei srovei, veik
6. Puslaidininkiniai diodai
193

metalo-puslaidininkio sandr puslaidininkio elektronai patenka
metal, taigi nra alutini krvinink injekcijos ir kaupimo.
Impulsini diod veikimo sparta priklauso ir nuo barjerins
talpos. Todl pageidautina, kad impulsinio diodo pn sandros plotas
bt maas.
Impulsiniams diodams keliamus reikalavimus geriausiai tenkina
takiniai, mikrolydytiniai diodai, difuziniai mezadiodai, epitaksiniai-
difuziniai planarieji diodai, otkio mezadiodai.
Kadangi dl stabdanio elektrinio lauko difuziniuose dioduose
alutiniai krvininkai kaupiasi ploname bazs sluoksnyje, pasibaigus
alutini krvinink ekstrakcijai, atgalin srov staiga silpnja. i
difuzini diod savyb panaudojama formuoti impulsams su labai
trumpais frontais. Tam tikslui skirti diodai vadinami krvio kaupimo
diodais. Krvio kaupimo diod pn dariniai formuojami taikant
difuzin, epitaksin-difuzin bei planarisias technologijas.

6.7. Tuneliniai ir atvirktiniai diodai

1958 metais L. Esakis (Esaki) pastebjo, kad, esant labai
didelms priemai koncentracijoms p ir n srityse, pn sandros
voltamperin charakteristika yra anomali (6.14 pav., a). Charak-
teristikos anomalij lemia tunelin srov.
Kai priemai koncentracija virija 10
18
cm
3
, puslaidininkis
isigimsta. Priemaiiniai lygmenys sudaro leidiamsias juostas. I
donorini lygmen sudaryta juosta persikloja su laidumo juosta;
isigimusiame n puslaidininkyje Fermio lygmuo yra laidumo juostoje
(2.21 pav., a). Juosta, sudaryta i akceptorini lygmen persikloja su
valentine juosta; isigimusiame p puslaidininkyje Fermio lygmuo yra
valentinje juostoje (2.21 pav., b).
Isigimusi puslaidininki sandra esti labai plona ( d 0,01 m).
6.15 paveiksle atvaizduota tokia sandra ir jos energijos lygmen
diagramos, atitinkanios 6.14 paveiksle, a, paymtus keturis
voltamperins charakteristikos takus.
6. Puslaidininkiniai diodai
194

Kai neveikia iorin tampa, Fermio lygmuo yra bendras visam
dariniui (6.15 pav., b). Per sandr srov neteka.
Prijungus atgalin tamp, prie elektron uimtus valentins
juostos lygmenis atsiranda neuimt laidumo juostos lygmen
(6.15 pav., c). Kadangi iuos lygmenis skiria labai plonas potencialo
barjeras, tai elektronai i p srities valentins juostos tuneliniu bdu
skverbiasi n srities laidumo juost. Didjant atgalinei tampai, prie
uimtus lygmenis atsiduria vis daugiau laisv lygmen. Todl tunelin
srov ir pn sandros atgalin srov spariai stiprja.
Pradjus veikti tiesioginei tampai, prie elektron uimtus
laidumo juostos lygmenis atsiranda neuimt valentins juostos
lygmen. Kylant tampai, toki lygmen daugja ir j skaiius
pasiekia maksimum (6.15 pav., d) voltamperins charakteristikos
2 take.
Toliau kylant tiesioginei tampai, ima mati lygmen, esani
prie neuimtus leidiamuosius energijos lygmenis, skaiius.
Atitinkamai kinta ir tunelin srov. 6.15 paveiksle, e, atvaizduota pn
sandros energijos lygmen diagrama, atitinkanti voltamperins
charakteristikos 3 tak. iame take tunelin srov neteka, taiau
tiesiogin sandros srov nelygi nuliui. Taip yra todl, kad, veikiant
tiesioginei tampai, sandroje sumaja potencialo barjero auktis ir
pradeda tekti difuzin srov. Kylant tiesioginei tampai, ji stiprja.


U
I
0
1
2
3
U
I
0
I
T

a b
I
D



6.14 pav. Tunelinio diodo voltamperin charakteristika (a)
ir diodo srovs dedamosios (b)
6. Puslaidininkiniai diodai
195

Taigi isigimusi puslai-
dininki pn sandros voltampe-
rins charakteristikos eig lemia
tunelin ir difuzin srovs. Tai
iliustruoja 6.14 paveikslas, b, ku-
riame atvaizduotos tunelins
T
I ir
difuzins
D
I srovi priklauso-
mybs nuo tampos. Sumuodami
ias sroves, gauname tunelinio
diodo voltamperin charakte-
ristik, atvaizduot 6.14 paveiks-
le, a.
Tunelinio diodo voltampe-
rins charakteristikos dalyje tarp 2
ir 3 tak dinamin vara yra
neigiama. Todl tunelinius diodus
galima naudoti silpniems
elektriniams virpesiams stiprinti ir
generuoti. Tekant tunelinei srovei,
elektronai tiesiai i n srities
laidumo juostos patenka p srities
valentin juost, taigi nesikaupia
alutiniai krvininkai. Todl
tuneliniai diodai pasiymi didele
veikimo sparta ir yra naudojami
formuoti trump front impulsus.
Dl ger danini savybi
tuneliniai diodai naudojami
mikrobang taisuose.
Parinkus maesn priemai
koncentracij, galima pasiekti,
kad n srityje Fermio lygmuo
sutapt su laidumo juostos dugnu,
o p srityje su valentins juostos
virumi (6.16 pav., a). Tada


n
+
p
+

W
c

W
v

W
F

W 1
W
c

W
v

W
F

W
0
W
c

W
v

W
F

W 2
W
c

W
v

W 3
W
F

a
b
c
d
e


6.15 pav. Isigimusi puslai-
dininki pn darinys (a) ir jo
energijos lygmen diagramos (b-
e)
6. Puslaidininkiniai diodai
196

tunelin srov teka tik veikiant atgalinei tampai, ir gaunama
6.16 paveiksle, b, atvaizduota diodo voltamperin charakteristika.
Kaip matyti, kai veikia nedidel tampa, diodo atgalin srov esti
stipresn nei tiesiogin. Diodo atgalin vara yra daug maesn u jo
var tiesiogine kryptimi. Todl toks diodas vadinamas atvirktiniu
diodu. Atvirktiniai diodai taikomi silpn auktadani signal
apdorojimo taisuose, pavyzdiui, detektoriuose.

6.8. Ivados

1. Takin diod sudaro puslaidininkio lustas, prie kurio prispausta
metalin adata. Ploktini diod gamyboje taikomos lydimo,
difuzin, epitaksin-difuzin, planarioji ir kitos technologijos.
Kartais vietoje pn sandr dioduose naudojamos metalo-
puslaidininkio sandros su otkio barjerais.
2. Puslaidininkini diod veikimas pagrstas ventiline pn sandros
savybe. Puslaidininkiniuose stabilitronuose, skirtuose nuolatinei
tampai stabilizuoti, panaudojami tunelinis ir gritinis pn
sandros pramuimai. Maoms tampoms stabilizuoti naudojami
stabistoriai puslaidininkiniai diodai, jungti tiesiogine kryptimi.


U
I
0
W
W
F

W
v

Wc
a b


6.16 pav. Atvirktinio diodo pn darinio energijos lygmen
diagrama (a) ir voltamperin charakteristika (b)
6. Puslaidininkiniai diodai
197

Varikapuose panaudojama pn sandros barjerins talpos
priklausomyb nuo atgalins tampos.
3. Lygintuviniuose dioduose naudojamos didelio ploto pn sandros.
Siekiant geriau sklaidyti sandrose isiskiriani ilum,
lygintuviniai galios diodai montuojami ant radiatori, o kartais
net priverstinai auinami. Siekiant padidinti leidiamj atgalin
tamp, panaudojami pin diodai su plaiomis pn sandromis.
Auktoms tampoms lyginti naudojami lygintuviniai stulpeliai,
sudaryti i nuosekliai sujungt pn sandr.
4. Auktadanis diodas turi turti ma bazs var ir ma pn
sandros barjerin talp. Ma ploktini pn sandr barjerin
talp ir ma bazs var pavyksta gauti panaudojant epitaksine-
difuzine technologija sudarytus planariuosius n
+
n

p darinius.
Mikrobang ruoe naudojami otkio ir takiniai diodai.
5. Impulsini diod veikimo spart riboja alutini krvinink
ekstrakcijos i diodo bazs ir diodo atgalins varos atsistatymo
procesai. Siekiant pagreitinti atgalins varos atsistatym, reikia
mainti pn sandros difuzin talp. Kaip maos galios impulsiniai
diodai naudojami takiniai diodai, difuziniai mezadiodai,
epitaksiniai-difuziniai planarieji diodai. Didel veikimo sparta
bdinga otkio diodams, kuriuose, tekant tiesioginei srovei,
nesikaupia alutiniai krvininkai.
6. Tuneliniuose dioduose naudojamos plonos pn sandros, susi-
daranios tarp stipriai legiruot p ir n srii. Dl tunelins srovs
tunelinio diodo voltamperin charakteristika yra anomali ir turi
krintani dal, kurioje diodo dinamin vara yra neigiama.
Tekant tunelinei srovei, nesikaupia alutiniai krvininkai, todl
tuneliniai diodai pasiymi didele veikimo sparta.
7. Atvirktini diod pn darini sritys legiruotos tiek, kad tunelin
srov pradeda tekti, veikiant atgalinei tampai. Kai veikia
nedidel tampa, atvirktinio diodo atgalin srov esti stipresn
nei tiesiogin.
6. Puslaidininkiniai diodai
198


6.9. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Kaip gaminami takiniai diodai?
2. Kas bdinga ploktiniams diodams? Ivardinkite j gamybos
technologijas.
3. Kaip pn sandros sudaromos termins priemai difuzijos bdu?
4. Aptarkite epitaksijos technologij ir jos taikym pn dariniams formuoti.
5. Kaip gaminami mezadiodai? Kokiomis savybmis jie pasiymi?
6. Aptarkite planariosios technologijos esm ir planarij epitaksini-
difuzini diod savybes.
7. Aptarkite lygintuvini ir lygintuvini galios diod ypatumus.
8. Nubraiykite auktadanio diodo ekvivalentins grandins schem.
Aptarkite, kas lemia diodo danines savybes.
9. Aptarkite diod danini savybi gerinimo bdus.
10. Silicio diodo soties srov 125
0
C temperatroje yra 30 A. Apskai-
iuokite diodo statin ir dinamin varas, kai veikia 0,2 V tiesiogin ir
atgalin tampos.
Ats.: 20 , 6,7 k ; 3,4 , 390 k.
11. Iveskite diodo statins ir dinamins var iraikas, vertindami diodo
bazs var
B
R .
12. Paaikinkite puslaidininkinio stabilitrono veikim. Aptarkite, kas lemia
stabilitrono tampos temperatrin koeficient. Kaip pavyksta j
sumainti?
13. Kokia varikap paskirtis? Aptarkite j parametrus. Paaikinkite nuo ko
ir kaip priklauso varikapo elektrin kokyb.
14. Diodo bazs vara 10 , jo pn sandros barjerin talpa 5 pF.
vertinkite diodo darbo dani juost.
15. Aptarkite takinio diodo danines savybes.
16. Kokie procesai riboja impulsinio diodo veikimo spart?
17. Kaip pavyksta sumainti diodo atgalins varos atsistatymo trukm?
18. Kodl didel veikimo sparta bdinga otkio diodams?
19. vertinkite diodo darbo dani diapazon, jeigu inoma, kad diodo
atgalin vara atsistato per 4 ns.
Ats.: 25 MHz.
20. Kas bdinga tunelinio diodo pn sandrai?
21. I koki dedamj susideda tunelinio diodo srov?
6. Puslaidininkiniai diodai
199

22. Sudarykite tunelinio diodo pn sandros energijos lygmen diagram.
23. Aptarkite, kaip ir kodl tunelin srov priklauso nuo tampos.
24. Kodl tuneliniai diodai pasiymi didele veikimo sparta? Kam jie
taikomi?
25. Kas bdinga atvirktinio diodo sandrai ir voltamperinei charak-
teristikai?

06. Pusl.diodai 200308 2003.08.26
7. Dvipoliai tranzistoriai
200


7. DVIPOLIAI TRANZISTORIAI

1947 metais JAV Bell laboratorijose Bardynas (J. Bardeen) ir
Bratenas (W. H. Brattain), tirdami takin diod, netoli nuo adatos
kontakto su germanio lustu prijung zond kit adat ir pastebjo,
kad srov zondo grandinje priklauso nuo srovs, tekanios per diod.
is reikinys buvo panaudotas takiniuose tranzistoriuose. Tobules-
nio ploktinio tranzistoriaus teorij 1949 metais paskelb oklis
(W. Schockley). D. Bardynui, V. Bratenui ir V. okliui u dvipolio
tranzistoriaus iradim 1956 metais buvo paskirta Nobelio premija.
iame skyriuje nagrinsime dvipoli tranzistori sandar,
veikim, charakteristikas, parametrus, ekvivalentines grandines,
savybes ir aptarsime tranzistorini struktr sudarymo bdus.

7.1. Sandara ir veikimas

Dvipolis tranzistorius sudarytas i trij puslaidininkio
monokristalo skirtingo laidumo srii, tarp kuri yra dvi
sveikaujanios pn sandros. Dvipoliai tranzistoriai bna pnp ir npn
struktros (7.1 pav.).
Vidurin pnp ir npn darini
sritis vadinama baze (angl.
base). Likusios dvi kitokio
laidumo sritys vadinamos
emiteriu (emitter) ir kolek-
toriumi (collector). Sandra
tarp emiterio ir bazs
vadinama emiterio sandra,
sandra tarp bazs ir
kolektoriaus kolektoriaus
sandra.



p n p
E K
B
E K
B
a
n p n
E K
B
E K
B
b


7.1 pav. pnp (a) ir npn (b) tranzistori
dariniai ir ymenys schemose
7. Dvipoliai tranzistoriai
201

Aptariami tranzistoriai vadinami dvipoliais, dvikrviais arba
bipoliariaisias, todl, kad juose teka abiej tip krvinink
(elektronins ir skylins) srovs.
Nagrinkime pnp tranzistori, jungt pagal bendrosios bazs
schem (7.2 pav.). Grandinje panaudoti du maitinimo altiniai. Bazs
ir emiterio grandinje jungtas altinis, kurio tampa emiterio sandrai
yra tiesiogin. Kolektoriaus ir bazs grandinje jungtas altinis, kurio


B

E
E
E
K

p p n
I
Ep

I
En

I
Epr

I
K0

I
Kp

I
E

I
K

I
B

Bef

a
q(U
kE
U
EB
)
q(U
kK
+U
KB
)
W
W
c

W
v

b


7.2 pav. pnp tranzistoriaus jungimo schema, tekanios srovs (a) ir
energijos lygmen diagrama (b)
7. Dvipoliai tranzistoriai
202

tampa kolektoriaus sandrai yra atgalin. Tokiose slygose
tranzistorius gali stiprinti elektrinius virpesius.
Veikiant emiterio sandroje tiesioginei tampai
BE
U , emiterio
sandroje potencialo barjero auktis tampa ) ( q
EB kE
U U ; ia
kE
U
kontaktinis potencial skirtumas emiterio sandroje. Sumajus
potencialo barjero aukiui, per emiterio sandr teka tiesiogin srov
E
I . J sudaro skylin ir elektronin dedamosios:
En Ep E
I I I + . (7.1)
Elektronin srov
En
I sukuria i bazs emiter difunduojantys
elektronai, skylin srov
Ep
I i emiterio baz difunduojanios
skyls (7.2 pav., a).
Injektuotos i emiterio baz skyls tampa alutiniais
krvininkais ir difunduoja koncentracijos majimo kryptimi link
kolektoriaus sandros (7.2 pav., b). Priartjusias prie kolektoriaus
sandros skyles pagauna ios sandros elektrinis laukas ir permeta
kolektoriaus srit. Taip atsiranda per kolektoriaus sandr tekanti
pagrindin tranzistoriaus srov
Kp
I .
Ne visos skyls pasiekia kolektoriaus sandr. Dalis skyli bazje
susitinka su pagrindiniais bazs krvininkais elektronais ir
rekombinuoja. Dl to atsiranda skyli rekombinacin srov
Epr
I .
veikusios emiterio sandr skyls pasiekia kolektoriaus sandr arba
rekombinuoja, todl
Epr Kp Ep
I I I + . (7.2)
Kai kolektoriaus sandroje veikia atgalin tampa
KB
U ,
potencialo barjero auktis kolektoriaus sandroje yra ) ( q
KB kK
U U + ;
ia
kK
U kontaktinis potencial skirtumas kolektoriaus sandroje.
Aukto barjero negali veikti bazs ir kolektoriaus srii pagrindiniai
krvininkai, todl per kolektoriaus sandr teka pagrindin
tranzistoriaus srov
Kp
I ir dreifin srov
0 K
I . Taigi
0 K Kp K
I I I + .
Srov
0 K
I sukuria kolektoriaus sandros aplinkoje generuojami
savieji puslaidininkio krvininkai. ie krvininkai ir atgalin
7. Dvipoliai tranzistoriai
203

kolektoriaus sandros srov
0 K
I atsiranda dl ilumini kristalins
gardels virpesi. Todl srov
0 K
I kartais vadinama ilumine srove.
Kai 0
E
I , tai 0
Kp
I ir
0 K K
I I . Taigi
0 K
I yra kolektoriaus
sandros soties srov, kai emiterio grandin nutraukta.
I tranzistoriaus srovi aptarimo ir 9.2 paveikslo, a, aiku, kad
ryys tarp tranzistoriaus ivad srovi ir ivardyt tranzistoriaus
srovi dedamj ireikiamas formulmis:
Epr Kp En Ep En E
I I I I I I + + + , (7.3)
0 K Kp K
I I I + . (7.4)
0 K Epr En B
I I I I + . (7.5)
Nesunku sitikinti, kad
B K E
I I I + . (7.6)
Tranzistoriaus bazs srov esti silpna. Tada
E K
I I . Stiprjant
tranzistoriaus emiterio srovei
E
I , stiprja pagrindin tranzistoriaus
srov
Kp
I ir jo kolektoriaus srov
K
I . Taigi tranzistoriaus emiterio
srov valdo jo kolektoriaus srov.
Vienas svarbiausi dvipolio tranzistoriaus parametr yra jo
statinis emiterio srovs perdavimo koeficientas, ireikiamas formule:
E
Kp
I
I
. (7.7)
io perdavimo koeficiento reikm esti artima vienetui
( 998 , 0 95 , 0 ). Jo iraik galima taip pertvarkyti:
;
Epr Kp
Kp
En Ep
Ep
E
Ep
Ep
Kp

+ +

I I
I
I I
I
I
I
I
I
(7.8)
ia
En Ep
Ep
I I
I
+
, (7.9)
Epr Kp
Kp
I I
I
+
. (7.10)
7. Dvipoliai tranzistoriai
204

Koeficientas vadinamas emiterio efektyvumu. Jis nusako, koki
emiterio srovs dal sudaro srov, kurianti bazje krvininkus,
lemianius pagrindin tranzistoriaus srov. Koeficientas yra
krvinink pernaos per baz koeficientas, nusakantis, kuri injektuot
baz krvinink dalis pasiekia kolektoriaus sandr ir kuria
pagrindin tranzistoriaus srov.
I (7.8) formuls matyti, kad siekiant padidinti statin emiterio
srovs perdavimo koeficient, reikia didinti emiterio efektyvum ir
gerinti krvinink perna per baz.
Pagal (7.9) formul pnp tranzistoriaus emiterio efektyvum
galima padidinti mainant emiterio srovs elektronin dedamj. Tam
reikia mainti pagrindini krvinink koncentracij bazje, todl
reikia parinkti
aE dB
N N << ; ia
dB
N donorini priemai
koncentracija bazje,
aE
N akceptorini priemai koncentracija
emiteryje.
Siekiant padidinti pernaos koeficient , reikia mainti
rekombinacin srov
Epr
I . Praktikoje to siekiama mainant bazs
stor. Bazs storis
B
turi bti daug maesnis u skyli difuzijos
nuotol bazje
p
L .
Statinis emiterio srovs perdavimo koeficientas priklauso ir nuo
elektrini slyg. 7.3 paveiksle atvaizduota koeficiento pri-
klausomyb nuo emiterio srovs.
Kai teka silpna emiterio srov,
ymi dal injektuot baz
krvinink pagauna rekombinaci-
jos centrai, ir jie rekombinuoja.
Tada pernaos koeficientas yra
maas, todl emiterio srovs
perdavimo koeficientas gali bti
gerokai maesnis u vienet.
Stiprjant emiterio srovei,
santykin rekombinacijos centr
pagaut krvinink dalis spariai
maja, todl koeficientas


0
I
E


1


7.3 pav. Statinio emiterio srovs
perdavimo koeficiento priklau-
somyb nuo emiterio srovs
stiprio
7. Dvipoliai tranzistoriai
205

didja. Plaiame emiterio srovs reikmi ruoe jis yra didelis, artimas
vienetui. Smarkiai sustiprjus emiterio srovei, bazje susikaupia dideli
skyli ir elektron krviai, sumaja skyli difuzijos koeficientas, ir
emiterio srovs perdavimo koeficientas sumaja.
Didjant kolektoriaus tampai, statinis emiterio srovs perdavimo
koeficientas didja. Taip yra todl, kad, didjant atgalinei tampai,
pleiasi kolektoriaus sandra, plonja baz, joje rekombinuoja maiau
injektuot krvinink ir daugiau j pasiekia kolektoriaus sandr.
Bazs storio kitimas, kintant kolektoriaus tampai, vadinamas Erlio
(Earley) reikiniu.
npn tranzistoriai veikia analogikai. Skiriasi tik maitinimo tamp
polikumas ir srovi kryptys. npn tranzistoriaus pagrindin srov
sukuria elektronai.

7.2. Tranzistoriaus jungimo ir veikos variantai

Tranzistorius turi jimo ir ijimo grandines. J galime nagrinti
kaip keturpol. Kita vertus, tranzistorius turi tik tris ivadus. Todl, kai
tranzistori modeliuojame keturpoliu, vienas i jo elektrod bna
bendras abiem grandinms ir galimi trys tranzistoriaus jungimo
variantai tranzistorius gali bti jungtas pagal bendrosios bazs,
bendrojo emiterio arba bendrojo kolektoriaus schemas.
Veikdami elektrinse grandinse tranzistoriai gali bti vairiose
bsenose. Tranzistoriaus bsen ir jo
veiksen lemia sandr tamp
polikumai (7.4 pav.). Kai emiterio
sandros tampa tiesiogin, o
kolektoriaus sandros tampa
atgalin, tranzistorius gali stiprinti
elektrinius virpesius. Kai tranzis-
toriaus abiej sandr tampos
tiesiogins, jis yra soties bsenoje.
Jeigu abiej sandr tampos
atgalins, tranzistoriaus srovs yra


Soties
bsena
Stiprinimo
veika
Udaroji
bsena
Apgrin
veika
U
K

U
E



7.4 pav. Tranzistoriaus veikos
atmainos
7. Dvipoliai tranzistoriai
206

silpnos ir laikoma, kad jis udaras. Pagaliau, galima tranzistoriaus
apgrin veika, kai kolektoriaus sandroje veikia tiesiogin tampa, o
emiterio sandroje atgalin tampa.
Dabar sakykime, kad tranzistorius jungtas grandinje, kur jo
emiterio sandros tampa tiesiogin, kolektoriaus sandros atgalin,
ir aptarkime elektrini virpesi stiprinimo galimybes.
Kai tranzistorius jungtas pagal bendrosios bazs schem
(7.5 pav., a), jimo srovei pakitus dydiu
E
d I , gaunamas ijimo
srovs pokytis
K
d I . inodami iuos srovi pokyius, galime rasti
diferencialin emiterio srovs perdavimo koeficient:
E
K
d
d
I
I
K
I
. (7.11)
Pagal (7.4) ir (7.7) formules

U
B

U
R

E
s

I
B
I
K

E
B
E
K

R
E

c
U
BE

U
KE
E
s

I
B
I
K

E
B
E
K

R
K

b
U
EB
U
KB

E
s

I
E
I
K

E
E
E
K

R
K

a


7.5 pav. Tranzistorius paprasiausiose stiprintuv grandinse, jungtas
pagal bendrosios bazs (a), bendrojo emiterio (b) ir bendrojo
kolektoriaus (c) schemas
7. Dvipoliai tranzistoriai
207

0 K E 0 K Kp K
I I I I I + + . (7.12)
Tada
E
E
d
d
I
I K
I

+ . (7.13)
Paprastai tranzistoriaus veikos slygos parenkamos taip, kad
statinis emiterio srovs perdavimo koeficientas praktikai
nepriklauso nuo emiterio srovs
E
I . Tada 0 /d d
E
I , ir
1 <
I
K . (7.14)
Tranzistoriaus emiterio srovs pakytis
E
d I sukelia jimo tampos
pokyt
E EB EB
d d I r U ; ia
EB
r tranzistoriaus jimo vara. Dl
ijimo srovs pokyio
K
d I ijimo tampa apkrovos varoje
K
R
pakinta
K K KB
d d I R U . Tada kintamosios tampos perdavimo
koeficientas, kai tranzistorius jungtas pagal bendrosios bazs schem,
ireikiamas formule:
EB
K
EB
K
B
K
EB
K
EB
KB
d
d
d
d
r
R
r
R
I
I
r
R
U
U
K
U
. (7.15)
Atviros emiterio sandros vara esti nedidel. Jei
K EB
R r << , tai
1 >>
U
K . Taigi grandin, kurioje tranzistorius jungtas pagal
bendrosios bazs schem (7.5 pav., a), gali atlikti tampos stiprinimo
funkcij.
Galios stiprinimo koeficientas ireikiamas srovs ir tampos
perdavimo koeficient sandauga:
U I P
K K K . (7.16)
Kadangi 1
I
K , tai
EB
K
r
R
K K
U P
. (7.17)
I (7.15) ir (7.17) formuli matyti, kad jungtas pagal bendrosios
bazs schem tranzistorius gali stiprinti elektrini virpesi tamp ir
gali. Taip yra todl, kad tranzistoriaus ijimo srov, kuri apytikriai
lygi jimo srovei, teka apkrovos vara, kuri daug didesn u
tranzistoriaus jimo var. Su ia mintimi susijs ir pats terminas
7. Dvipoliai tranzistoriai
208

tranzistorius. Anglikas odis transistor buvo sudarytas i dviej
odi: tran(sfer) perneti ir (re)sistor rezistorius.
Kai tranzistorius jungtas pagal bendrojo emiterio schem
(7.5 pav., b), jo jimo srov yra bazs srov, ijimo srov
kolektoriaus srov. Tada kintamosios srovs perdavimo koeficientas
yra diferencialinis bazs srovs perdavimo koeficientas :
B
K
d
d
I
I
K
I
. (7.18)
Pagal (7.6)
K E B
d d d I I I . Tada


1 /d d 1
/d d
d d
d
E K
E K
K E
K
I I
I I
I I
I
K
I
. (7.19)
Kadangi emiterio srovs perdavimo koeficientas yra artimas
vienetui, tai 1 1 << . Todl bazs srovs perdavimo koeficientas
gali bti daug didesnis u vienet. Paprastai =20500.
Bendraemiters tranzistoriaus grandins (7.5 pav., b) kintamosios
tampos perdavimo koeficientas ireikiamas formule:
BE
K
B
K
BE
K
BE
KE
d
d
d
d
r
R
I
I
r
R
U
U
K
U
. (7.20)
Kadangi >>1 ir, be to, apkrovos vara
K
R gali bti daug
didesn u tranzistoriaus jimo var
BE
r , grandinje galimas didelis
kintamosios tampos stiprinimas. Kadangi 1 >>
I
K ir 1 >>
U
K , tai
galima gauti labai didel galios stiprinim. Galios stiprinimo
koeficientas gali siekti net deimtis tkstani.
Kai tranzistorius jungtas pagal bendrojo kolektoriaus schem
(7.5 pav., c), jo kolektoriaus potencialas yra pastovus. Tranzistoriaus
jimo srov yra bazs srov, ijimo srov emiterio srov. Tada
kintamosios srovs perdavimo koeficientas ireikiamas formule:


1
1
/d d 1
1
d d
d
d
d
E K K E
E
B
E
I I I I
I
I
I
K
I
. (7.21)
Kadangi 1 1 << , tai 1 >>
I
K .
Bendrojo kolektoriaus schemoje emiterio sandros vara ir
apkrovos vara sudaro tampos dalikl, kurio perdavimo koeficientas
maesnis u vienet. Taigi, emiterinio kartotuvo grandinje, kur
7. Dvipoliai tranzistoriai
209

tranzistorius jungtas pagal bendrojo kolektoriaus schem, tampa
nestiprinama, taiau gali bti stiprinama kintamoji srov ir galia.
Srovs, tampos ir galios stiprinim stiprintuvuose, kai
tranzistorius jungtas pagal bendrosios bazs (BB), bendrojo emiterio
(BE) ir bendrojo kolektoriaus (BK) schemas, apibdina duomenys,
pateikti 2.1 lentelje.

7.3. Dvipoli tranzistori statins charakteristikos

Tranzistoriaus statins voltamperins charakteristikos tai jo
nuolatini srovi priklausomybs nuo nuolatini tamp.
Tranzistoriaus savybms nusakyti naudojamos kelios charakteristik
eimos. Ininerinje praktikoje daniausiai naudojamos jimo
charakteristikos (tranzistoriaus jimo srovs priklausomybs nuo
jimo tampos) ir ijimo charakteristikos (ijimo srovs
priklausomybs nuo ijimo tampos).
Tranzistoriaus srovi priklausomybes nuo tampos galima
ireikti matematinmis formulmis.

7.3.1. Molo ir Eberso formuls

Panagrinkime pnp tranzistori, jungt pagal bendrosios bazs
schem. Parinkime teigiamas tamp ir srovi kryptis, nurodytas
7.6 paveiksle, a.

2.1 lentel. inios apie srovs, tampos ir galios stiprinim

Stiprinimo
koeficientas
BB BE BK
K
I
<1 >1 >>1
K
U
>>1 >>1 <1
K
P
>>1 >>1 >>1

7. Dvipoliai tranzistoriai
210

Veikiant tiesioginei emiterio sandros tampai
EB
U (7.6 pav., b),
teka emiterio srov, apraoma pn sandros voltamperins
charakteristikos lygtimi:
[ ] 1 ) k / q exp(
EB Es EF
T U I I ; (7.22)
ia
Es
I emiterio sandros soties srov, tekanti, kai 0
KB
U .
Kai 0
KB
U , tai pagal (7.12)
EF KF
I I . (7.23)
Jeigu veikia tik kolektoriaus sandros tampa
KB
U (7.6 pav., c),
tai teka kolektoriaus ir emiterio srovs, ireikiamos formulmis,
analogikomis (7.22) ir (7.23):
[ ] 1 ) k / q exp(
KB Ks KI
T U I I , (7.24)
KI I EI
I I ; (7.25)
ia indeksai I ymi inversin tranzistoriaus veiksen,
Ks
I yra
tranzistoriaus kolektoriaus sandros srov, kai 0
EB
U .
Kai veikia ir emiterio, ir kolektoriaus sandr tampos, pagal 7.6
paveiksl
EI EF E
I I I , (7.26)
KI KF K
I I I . (7.27)
ias lygtis ra srovi dedamj iraikas (7.22)(7.25),
gauname:
( ) [ ] ( ) [ ] 1 k / q exp 1 k / q exp
KB Ks I EB Es E
T U I T U I I ; (7.28)


U
EB
U
KB

I
E
I
K

p p n
E K B
a
U
EB

I
EF
I
KF

p p n
E K B
b
U
KB

I
EI
I
KI

p p n
E K B
c
7.6 pav. Tranzistoriaus srovs, kai
veikia jimo ir ijimo (a), tik
jimo (b) ir tik ijimo (c) tampos

7. Dvipoliai tranzistoriai
211

( ) [ ] ( ) [ ] 1 k / q exp 1 k / q exp
KB Ks EB Es K
T U I T U I I . (7.29)
(7.28) ir (7.29) formuls vadinamos Molo (Moll) ir Eberso
(Ebers) lygtimis.
Kai inomos emiterio ir kolektoriaus srovs, bazs srov galime
rasti pagal (7.6) formul:
K E B
I I I .
Srov
Ks
I susijusi su kolektoriaus sandros ilumine srove
0 K
I ,
tekania, kai emiterio grandin nutraukta. Jei emiterio grandin
nutraukta, tai 0
E
I . Tada i (7.28) isireik
Ks
I ir ra gaut
iraik (7.29) formul, laikydami, kad veikia pakankamai didel
kolektoriaus sandros atgalin tampa ir tenkinama slyga
1 ) k / q exp(
KB
<< T U , gauname:
) 1 (
I Ks 0 K K
I I I .
I ia
I
0 K
Ks
1

I
I . (7.30)
Analogikai srov
Es
I yra susijusi su srove
0 E
I , tekania, kai
emiterio sandroje veikia pakankamai didel atgalin tampa, o
kolektoriaus grandin nutraukta.
Molo ir Eberso lygtys yra universalus, bet paprasiausias
tranzistoriaus matematinis modelis. Remiantis iomis lygtimis, galima
sudaryti teorines statines tranzistoriaus charakteristikas.
Tranzistori charakteristikos sudaromos laikantis nuostatos, kad
srov yra teigiama, jeigu ji teka tranzistori. Apie tampos polikum
galima sprsti pagal tampos ymens indeks. Pavyzdiui, jeigu

KB
U 10 V, tai reikia suprasti, kad kolektoriaus potencialas yra
-10 V emiterio potencialo atvilgiu.
Pagal ias taisykles 7.6 paveiksle, a, emiterio srovs teigiama
kryptis ir tamp polikumai yra paymti teisingai. Teigiama
kolektoriaus srovs kryptimi reikia laikyti prieing krypt nei
nurodyta 7.6 paveiksle, a.
7. Dvipoliai tranzistoriai
212


7.3.2. Teorins statins charakteristikos

Pasinaudodami (7.28) ir (7.29) formulmis sudarysime ir
aptarsime statines charakteristikas pnp tranzistoriaus, jungto pagal
bendrosios bazs schem.
Jeigu tranzistoriaus sandr tampos atitinka stiprinimo veik
( 0
EB
> U , 0
KB
< U ) ir q / k
KB
T U >> , tai (7.28) ir (7.29) formuls
tampa paprastesns:
[ ]
Ks I EB Es E
1 ) k / q exp( I T U I I + . (7.31)
[ ]
Ks EB Es K
1 ) k / q exp( I T U I I + . (7.32)
(7.32) formulje vestas kolektoriaus srovs modulio ymuo,
kadangi, kaip jau buvo paminta, pagal galiojanius susitarimus
teigiama kolektoriaus srovs kryptis yra prieinga nurodytai 7.6 pa-
veiksle, a.
Pagal (7.31) formul
[ ]
Ks I E Es
1 ) k / q exp( I I T U I . (7.33)
Atsivelgdami sry, (7.32) formul galime taip perrayti:
Ks I E K
) 1 ( I I I + . (7.34)
Tada pagal (7.31), (7.34) ir (7.30)
[ ] 1 ) k / q exp(
EB Es E
T U I I , (7.35)
0 K E K
I I I + . (7.36)
Pagal (7.35) tranzistoriaus jimo charakteristika ) (
EB E
U f I yra
emiterio sandros voltamperins charakteristikos tiesiogin aka. Jos
grafikas atvaizduotas 7.7 paveiksle. Teorin jimo charakteristika
nepriklauso nuo ijimo tampos.
7.8 paveiksle atvaizduota tranzistoriaus ijimo charakteristik
) (
KB K
U f I eima. Kreivi parametras emiterio srov
E
I . Kai
0
E
I , ijimo charakteristika sutampa su kolektoriaus sandros
voltamperins charakteristikos atgaline aka. Pradjus tekti emiterio
7. Dvipoliai tranzistoriai
213

srovei, kolektoriaus srov sustiprja: pagal (7.11) ir (7.36) kolek-
toriaus srovs pokytis ireikiamas formule
E K
I I .
Kai , 0
KB
< U kolektoriaus srov beveik lygi emiterio srovei. Ji
nepriklauso nuo kolektoriaus tampos. Taip yra todl, kad kolektoriaus
sandroje veikia elektrinis laukas, kuris visas veikusias baz skyles
permeta kolektoriaus srit. Pasikeitus kolektoriaus tampos
polikumui, kolektoriaus sandra atsiveria ir per j teka difuzin


0
10
20
30
40
0 0,2 0,4 0,6 0,8
U
EB
/ V
U KB < 0
I E / mA


7.7 pav. pnp tranzistoriaus, jungto pagal bendrosios bazs schem,
teorin jimo charakteristika


-10
0
10
20
30
40
-1 0 1 2 3 4 5
IK / mA
UKB / V
10 mA
20 mA
30 mA
IE = 0


7.8 pav. pnp tranzistoriaus, jungto pagal bendrosios bazs schem,
ijimo charakteristikos
7. Dvipoliai tranzistoriai
214

srov. Tada, augant tampai
KB
U , (7.29) formuls antrasis narys
spariai didja, o kolektoriaus srov spariai silpnja ir net keiia
enkl.
Molo ir Eberso sudarytame tranzistoriaus modelyje neatsivelgta
bazs storio moduliacijos reikin, bazs var, kolektoriaus sandros
pramuim ir kitus tranzistoriuje vykstanius reikinius. Todl
tranzistoriaus realios statins charakteristikos skiriasi nuo teorini.

7.3.3. Realios statins charakteristikos

Aptarsime tranzistori, jungt pagal bendrosios bazs ir bendrojo
emiterio schemas, jimo ir ijimo charakteristikas.
jungto pagal bendrosios bazs schem tranzistoriaus realios
jimo ir ijimo charakteristikos atvaizduotos 7.9 paveiksle.


0
10
20
30
0 5 10
-I K / mA
-U
KB
/ V
I E = 10 mA
I E = 0
20 mA 30 mA
b
0
10
20
30
40
0 0,5 1
I
E
/ mA
U
EB
/ V
a
-10 V
U
KB
= 0


7.9 pav. pnp tranzistoriaus, jungto pagal bendrosios bazs schem,
statins charakteristikos
7. Dvipoliai tranzistoriai
215

Pagal 7.9 paveiksl, a, tran-
zistoriaus jimo srov
E
I
priklauso ne tik nuo emiterio
tampos. jimo srov stiprja,
augant kolektoriaus tampai
KB
U .
Tai lemia Erlio reikinys. Didjant
KB
U , didja kolektoriaus
sandros storis, maja efektinis
bazs storis
Bef
(7.10 pav., a), ir
didja injektuot baz alutini
krvinink koncentracijos gra-
dientas (7.10 pav., b). Kai dides-
nis krvinink koncentracijos
gradientas, teka stipresn difuzin
srov.
7.9 paveikslo, b, kreivs ne-
ymiai skiriasi nuo teorini
ijimo charakteristik (7.8 pav.).
Pagal 7.9 paveiksl, b, didjant
kolektoriaus tampai, kolektoriaus
srov iek tiek stiprja. Taip yra
todl, kad, didjant tampai
KB
U ,
plonja baz, silpnja tranzistoriaus rekombinacin srov ir didja
emiterio srovs perdavimo koeficientas. Iaugus kolektoriaus tampai,
kolektoriaus srov ima spariai stiprti dl kolektoriaus sandros
pramuimo.
7.11 paveiksle atvaizduotos jimo ir ijimo charakteristikos
tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio schem. jimo
charakteristikos ) (
BE B
U f I panaios tranzistoriaus, jungto pagal
bendrosios bazs schem, jimo charakteristikas. Taiau yra ir keletas
reikming skirtum. Pirmiausia, tranzistoriaus, jungto pagal
bendrojo emiterio schem, jimo srov tai bazs srov. Ji esti
gerokai silpnesn u emiterio srov. Antra, didjant ijimo tampai


p n p

Bef
(U
KB1
)

Bef
(U
KB2
)

B

p
x
0
p(U
KB1
)
p(U
KB2
)
b
a

7.10 pav. pnp tranzistoriaus
kolektoriaus sandros pltimasis,
bazs plonjimas (a) ir skyli
koncentracijos pasiskirstymo ba-
zje kitimas (b), augant kolek-
toriaus sandros atgalinei tampai
7. Dvipoliai tranzistoriai
216

KE
U , jimo srov ne stiprja, o silpnja. Taip yra todl, kad tuo
atveju, kai 0
KE
U , veikiant jimo tampai, tranzistorius yra soties
bsenoje, jo abi sandros yra atviros (7.12 pav., a). Tada bazs srov
lygi emiterio ir kolektoriaus srovi sumai. Pakilus tampai
KE
U ir
virijus jimo tamp
BE
U , kolektoriaus sandroje pradeda veikti
atgalin tampa (tai akivaizdu i 7.12 paveikslo, b). Susidarius
stiprinimo veikos slygoms, tranzistoriaus bazs srov susilpnja.
Toliau augant ijimo tampai
KE
U , bazs srov neymiai silpnja tik
todl, kad pleiasi kolektoriaus sandra, plonja baz ir silpnja


0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
0 0,5 1
I
B
/ mA
U
BE
/ V
a
10 V
U
KE
= 0
0
10
20
30
40
0 5 10
-I
K
/ mA
-U
KE
/ V
I
B
= 0,1 mA
I
B
= 0
0,2 mA 0,3 mA
b

7.11 pav. pnp tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio
schem, statins charakteristikos
7. Dvipoliai tranzistoriai
217

rekombinacin srov, kuri, kaip inome, yra viena i bazs srovs
dedamj.
jungto pagal bendrojo emiterio schem tranzistoriaus ijimo
charakteristik ) (
KB K
U f I parametras yra jimo srov
B
I .
Stipresn jimo srov atitinka stipresn ijimo srov.
Pagal (7.12) ir (7.6)
0 K B K K
) ( I I I I + + . (7.37)
iai formulei galime suteikti pavidal
0 KE B K
I I I + ; (7.38)
ia statinis bazs srovs perdavimo koeficientas (bendraemiters
tranzistoriaus grandins nuolatins srovs stiprinimo koeficientas),
0 KE
I ilumin kolektoriaus sandros srov, kai tranzistorius jungtas
pagal bendrojo emiterio schem. ie dydiai ireikiami formulmis:

1
, (7.39)

1
0 K
0 KE
I
I . (7.40)
Kadangi statinis emiterio srovs perdavimo koeficientas yra
artimas vienetui, tai >>1, o
0 K 0 KE
I I >> .


p

p

n

I
K

I
E
I
B

U
BE

a

p

p

n

U
BE

b

U
K E
p

p

n

I
K E0

c



7.12 pav. pnp tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio schem,
veikos atmainos
7. Dvipoliai tranzistoriai
218

Kai 0
B
I , tai pagal (7.38)
0 KE K
I I . Pagal (7.40)
0 K 0 KE
I I >> .
Vadinasi, kai bazs grandin nutraukta (7.12 pav., c), tai tekanti per
tranzistori srov
0 KE
I yra daug stipresn u ilumin kolektoriaus
srov
0 K
I .
Ijimo charakteristik, atvaizduot 7.9 paveiksle, b, ir 7.11 pa-
veiksle, b, pradins dalys skiriasi. jungto pagal bendrojo emiterio
schem tranzistoriaus ijimo srov pradeda silpnti, ijimo tampai
dar nepakeitus enklo. Taip yra todl, kad pagal 7.12 paveiksl, b,
kolektoriaus sandroje pradeda veikti tiesiogin tampa ir tranzistorius
pereina soties bsen, kai tik ijimo tampa
KE
U tampa maesn u
jimo tamp
BE
U .
Palyginus 7.9 paveiksl, b, ir 7.11 paveiksl, b, taip pat matyti,
kad stiprinimo veikos slygomis, kai didja ijimo tampa
KE
U ,
tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio schem, ijimo srov
stiprja spariau nei tranzistoriaus, jungto pagal bendrosios bazs
schem, ijimo srov. Taip yra todl, kad, didjant kolektoriaus
atgalinei tampai, baz plonja ir rekombinacin srov silpnja.
Pakilus ijimo tampai ir susilpnjus rekombinacinei srovei,
susilpnja ir bazs srov. Taiau matuojant tranzistoriaus, jungto
pagal bendrojo emiterio schem, ijimo charakteristik, palaikoma
pastovi bazs srov. Jei ji susilpnja, padidinama jimo tampa.
Padidjus jimo tampai, sustiprja emiterio ir kolektoriaus srovs.
Ijimo srovs stiprjim, veikiant didelms ijimo tampoms ir
tekant stiprioms srovms lemia ilumins srovs stiprjimas, perkaitus
kolektoriaus sandrai, ir ios sandros pramuimas.
Dar verta pastebti, kad tarpai tarp 7.11 paveiksle, b, atvaizduot
ijimo charakteristik nevienodi. Taip yra todl, kad pagal (7.38)
formul
B K
I I . Kadangi statinis emiterio srov perdavimo
koeficientas artimas vienetui, tai neymus jo pokytis turi didels
takos statiniam emiterio srovs perdavimo koeficientui . Nesunku
sitikinti, kad, koeficientui padidjus 0,1 %, koeficientas gali
padidti 25 % ir net daugiau.
7. Dvipoliai tranzistoriai
219

Tranzistoriaus statins charakteristikos priklauso nuo
temperatros. jimo charakteristikos ) (
EB E
U f I ir ) (
BE B
U f I ,
kintant temperatrai, kinta panaiai, kaip pn sandros voltamperins
charakteristikos tiesiogin aka: kylant temperatrai, didja
charakteristik statumas. Taigi, kylant temperatrai, tokio pat stiprio
jimo srov teka, veikiant silpnesnei jimo tampai.
Temperatros tak ijimo charakteristikoms ) (
KB K
U f I lemia
tai, kad, kylant temperatrai, didja kolektoriaus sandros ilumin
srov
0 K
I ir didja emiterio srovs perdavimo koeficientas . Pakilus
temperatrai 10
0
C, silicio tranzistoriaus srov
0 K
I sustiprja
madaug dvigubai.
Net neymiai padidjus koeficientui , kaip jau pastebjome,
gali labai padidti emiterio srovs perdavimo koeficientas .
Sustiprjus srovei
0 K
I ir padidjus koeficientui , sustiprja srov
0 KE
I . Dl i prieasi temperatros taka tranzistoriaus, jungto
pagal bendrojo emiterio schem, ijimo charakteristikoms
) (
KE K
U f I yra didesn nei tranzistoriaus, jungto pagal bendrosios
bazs schem, charakteristikoms ) (
KB K
U f I .
Palyginus silicio ir germanio tranzistori statines charakteristikas
matyti, kad silicio tranzistori srov
0 K
I esti gerokai silpnesn,
emiterio sandros atsivrimo tampa didesn.
npn tranzistori statins charakteristikos panaios aptartas pnp
tranzistori charakteristikas. Ypa tai pasakytina apie inynuose
pateikiamus charakteristik grafikus, kuriose nurodomi tik tamp ir
srovi moduliai. tamp polikumus, kai inomas tranzistoriaus tipas
(pnp ar npn), nesunku nustatyti: jimo tampa emiterio sandrai turi
bti tiesiogin, o ijimo tampa kolektoriaus sandrai atgalin.
7. Dvipoliai tranzistoriai
220


7.4. Tranzistoriaus, kaip tiesinio aktyviojo keturpolio,
parametrai

Tranzistoriaus statins voltamperins charakteristikos yra
netiesins. Todl, nagrinjant tranzistorines grandines, bendruoju
atveju negalima taikyti itobulint tiesini elektrini grandini
analizs metod. Kita vertus, tranzistoriai danai naudojami silpniems
virpesiams stiprinti. Tada panaudojama tik nedidel netiesins
voltamperins charakteristikos dalis parinkto darbo tako Q (angl Q
quiescent operating point) aplinkoje. Nedidel kreivs atkarp, kaip
inome, galima aproksimuoti tiese. Todl, kai apdorojami silpni
virpesiai, tranzistori galima modeliuoti tiesiniu aktyviuoju keturpoliu
(7.13 pav.).
Sakykime, kad tranzistoriaus jimo ir ijimo tamp bei srovi
kintamosios dedamosios yra harmonins. J kompleksines efektines
vertes paymkime
1
U ,
2
U ,
1
I ir
2
I . Tada du i i dydi
laikydami nepriklausomaisiais kintamaisiais (argumentais), kitus du
galime ireikti i argument funkcijomis. Taip galime sudaryti
eias lygi sistemas. Daniausiai tranzistoriams aprayti naudojama
viena i trij sistem.
Laikydami sroves nepriklausomais kintamaisiais ir taikydami
superpozicijos princip, galime rayti:
2 12 1 11 1
I Z I Z U + , (7.41)
2 22 1 21 2
I Z I Z U + . (7.42)
I (7.41) ir (7.42) formuli matyti, kad tranzistoriaus Z
parametrai yra pilnutins varos (impedansai). emj dani srityje


I1, U1 U2, I2 I1, U1

U2, I2


7.13 pav. Tranzistorius, kaip tiesinis aktyvusis keturpolis
7. Dvipoliai tranzistoriai
221

j reaktyviosios dedamosios yra nedidels. Tada (7.41) ir (7.42) lygtys
yra paprastesns:
2 12 1 11 1
I r I r U + , (7.43)

2 22 1 21 2
I r I r U + ; (7.44)
ia

0
2 1
1
11

I I
U
r jimo vara, kai ijime sudarytos tuiosios
veikos slygos;

0
1 2
1
12

I I
U
r grtamojo ryio vara, kai tuiosios veikos
slygos sudarytos jime;

0
2 1
2
21

I I
U
r tiesioginio perdavimo vara, kai ijime
sudarytos tuiosios veikos slygos;

0
1 2
2
22

I I
U
r ijimo vara, kai tuiosios veikos slygos
sudarytos jime.
Taigi, matuojant tranzistoriaus r parametrus, reikia sudaryti
tuiosios veikos slygas. Siekiant sudaryti kintamosios srovs
tuiosios veikos slygas, nuolatins maitinimo tampos prie
tranzistoriaus ivad jungiamos per emo danio droselius, kuri
varos kintamajai srovei didesns u varas nuolatinei srovei.
Tuiosios veikos slygas nesunku sudaryti tranzistoriaus, jungto
pagal bendrosios bazs ar bendrojo emiterio schem, jimo
grandinje, nes vara
11
r bna maa. Tranzistoriaus ijimo
grandinje sudaryti tuiosios veikos slygas sudtinga, nes
tranzistoriaus ijimo vara
22
r bna didel.
Pasirink argumentais tampas, galime rayti:
2 12 1 11 1
U Y U Y I + , (7.45)

2 22 1 21 2
U Y U Y I + . (7.46)
7. Dvipoliai tranzistoriai
222

ia Y parametrai turi pilnutini laidum (admitans) prasm. Kai
virpesi danis emas, vietoje pilnutini laidum galime nagrinti
aktyviuosius laidumus g . Tada (7.45) ir (7.46) formules galime taip
perrayti:

2 12 1 11 1
U g U g I + , (7.47)

2 22 1 21 2
U g U g I + ; (7.48)
ia

0
2 1
1
11

U U
I
g ;
0
1 2
1
12

U U
I
g ;

0
2 1
2
21

U U
I
g ;
0
1 2
2
22

U U
I
g .
I g parametr iraik matyti, kad, matuojant
11
g ir
21
g , reikia
sudaryti kintamosios srovs trumpojo jungimo slygas tranzistoriaus
ijime. Matuojant
12
g ir
22
g , reikia sudaryti kintamosios srovs
trumpojo jungimo slygas tranzistoriaus jime.
Kintamosios srovs trumpojo jungimo slygos sudaromos tarp
atitinkam tranzistoriaus ivad jungus didels talpos kondensatori.
Tranzistori, jungt pagal bendrosios bazs ir bendrojo emiterio
schemas, jimo laidumai bna dideli. Todl trumpojo jungimo
slygas tranzistoriaus jime sudaryti sudtinga.
Sunkum, kylani nustatant r ir g parametrus, galima ivengti
naudojant miri (hibridin) tranzistoriaus parametr sistem.
Naudojant i sistem, tranzistorius apraomas lygtimis:

2 12 1 11 1
U H I H U + , (7.49)

2 22 1 21 2
U H I H I + . (7.50)
Kai danis emas,

2 12 1 11 1
U h I h U + , (7.51)

2 22 1 21 2
U h I h I + ; (7.52)
ia

0
2 1
1
11

U I
U
h ; (7.53)
7. Dvipoliai tranzistoriai
223


0
1 2
1
12

I U
U
h ; (7.54)

0
2 1
2
21

U I
I
h ; (7.55)

0
1 2
2
22

I U
I
h . (7.56)
I h parametr iraik matyti, kad
11
h yra tranzistoriaus jimo
vara,
12
h grtamojo ryio koeficientas,
21
h srovs perdavimo
koeficientas,
22
h ijimo laidumas. Matuojant
11
h ir
21
h reikia
sudaryti kintamosios srovs trumpojo jungimo slygas tranzistoriaus
ijime, o matuojant
12
h ir
22
h kintamosios srovs tuiosios veikos
slygas jime. Pamintas slygas sudaryti nesudtinga.
Taigi tranzistori galima apibdinti keliais parametr rinkiniais:

1
]
1

22 21
12 11
g g
g g
,
1
]
1

22 21
12 11
r r
r r
arba
1
]
1

22 21
12 11
h h
h h
.
Bet kurio i i rinkini visikai pakanka tranzistoriui, kaip
tiesiniam keturpoliui, aprayti. inant visus vieno rinkinio parametrus,
galima apskaiiuoti kito rinkinio parametrus. Praktikoje daniausiai
vartojami h parametrai, nes juos lengviau imatuoti. Taiau yra dar ir
kitas svarbus h parametr privalumas: h parametr rinkin tiesiogiai
eina svarbiausias tranzistoriaus parametras srovs perdavimo
koeficientas. Kai tranzistorius jungtas pagal bendrosios bazs
schem, tai
B 21
h , kai pagal bendrojo emiterio schem,

E 21
h .
7.1 uduotis
Iveskime formules tranzistoriaus r parametrams skaiiuoti, kai inomi
h parametrai.
Sprendimas
(7.52) formul galime taip perrayti:
2
22
1
22
21
2
1
I
h
I
h
h
U + . (7.57)
7. Dvipoliai tranzistoriai
224

Tada pagal (7.51)
2
22
12
1
22
21 12
11 1
) ( I
h
h
I
h
h h
h U + , (7.58)
Palygin (7.58), (7.57) ir (7.43) bei (7.44), gauname:

.
1
,
, ,
22
12
22
21
21
22
12
12
22
21 12
11 11
h
r
h
h
r
h
h
r
h
h h
h r


, (7.59)
inynuose nurodomi tranzistori parametrai tam tikruose darbo
takuose. Laisvai pasirinktame darbo take tranzistoriaus parametrus
galima rasti i statini charakteristik. Aptarkime, kaip i statini
charakteristik randami tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio
schem, h parametrai.
Skaiiuojant h parametrus, remiamasi (7.53)(7.56) formulmis.
Vietoje kintamj tamp
1
U ,
2
U ir kintamj srovi
1
I ,
2
I
nagrinjami jimo ir ijimo tamp ir srovi pokyiai. Slyga 0
2
U
(7.53) ir (7.55) formulse reikia, kad parametrai
E 11
h ir
E 21
h
nustatomi, esant pastoviai tranzistoriaus ijimo tampai
KE
U . Slyga
0
1
I (7.54) ir (7.56) formulse reikalauja, kad parametrai
E 12
h ir
E 22
h bt nustatomi, esant pastoviai jimo srovei
B
I .
Parametrai
E 11
h ir
E 12
h randami i jimo charakteristik eimos
(7.14 pav.). Pasirinkto darbo tako Q aplinkoje ie parametrai
skaiiuojami pagal formules:

Q KE KE B
BE
2 1
1
E 11
const 0 U U I
U
U I
U
h

, (7.60)

BQ B 1 KE 3 KE
BE
B KE
BE
1 2
1
E 12
const 0 I I U U
U
I U
U
I U
U
h

. (7.61)
Parametrai
E 21
h ir
E 22
h randami i ijimo charakteristik eimos
(7.15 pav.) pagal formules:
7. Dvipoliai tranzistoriai
225


Q KE KE 1 B 3 B
1 K 3 K
KE B
K
2 1
2
E 21
const 0 U U I I
I I
U I
I
U I
I
h

, (7.62)

BQ B KE
K
1 2
2
E 22
const 0 I I U
I
I U
I
h

. (7.63)
jungto pagal bendrojo emiterio schem tranzistoriaus jimo
vara
E 11
h bna apie kiloom. tampos grtamojo ryio koeficientas
E 12
h =10
4
10
3
, srovs stiprinimo koeficientas
E 21
h = =20500,
ijimo vara
E 22
/ 1 h bna vienet ir deimi kiloom eils. Kadangi


Q
a
I
B

U
BE

0
I
B

U
BE

U
KEQ

b
I
B

U
BE
0
I
BQ

U
BE

Q
U
KE1
U
KE3



7.14 pav. tamp ir srovi pokyiai, reikalingi skaiiuojant
parametrus h
11E
ir h
12E
pagal tranzistoriaus jimo charakteristikas

I
K

U
KE
0
I
K1

I
K3

I
B1

I
B2
=I
BQ

I
B3

U
KEQ

a
Q
I
K

U
KE

0
U
KE

I
K

Q
b


7.15 pav. tamp ir srovi pokyiai, reikalingi skaiiuojant
parametrus h
21E
ir h
22E
pagal tranzistoriaus ijimo charakteristikas
7. Dvipoliai tranzistoriai
226

grtamojo ryio koeficientas
E 12
h labai maas, jo reikms pagal
tranzistoriaus charakteristikas nepavyksta nustatyti. Vliau
isiaikinsime, kaip koeficientas
E 12
h ireikiamas per kitus
tranzistoriaus parametrus.

7.5. Tranzistori ekvivalentins grandins

Analizuojant tranzistorinius stiprintuvus ir kitus taisus,
tranzistoriai pakeiiami ekvivalentinmis grandinmis. Viena ar kita
ekvivalentin grandin pasirenkama atsivelgiant tai, koks klausimas
nagrinjamas.
Tranzistori, apraom Molo ir Eberso formulmis, atitinka
7.16 paveiksle, a, atvaizduota ekvivalentin grandin. ioje grandinje
E
I ir
K I
I yra srovs altiniai. Kai sudarytos stiprinimo veikos
slygos, per kolektoriaus sandr difuzin srov neteka, ir
tranzistoriaus ekvivalentin grandin tampa paprastesn (7.16 pav., b).
Sudarant 7.16 paveikslo ekvivalentines grandines, nevertintos bazs
ir kolektoriaus srii varos ir sandr talpos.
Kai nagrinjamas tik silpn virpesi perdavimas, nepaisoma
tranzistoriaus tamp ir srovi nuolatini dedamj. Tada
tranzistoriaus ekvivalentins grandins sudaromos remiantis lygtimis,


E K
B
IIK

AIE

a
E K
B
b
IE IK
IE
IK0


7.16 pav. Tranzistoriaus ekvivalentins grandins
7. Dvipoliai tranzistoriai
227

apraaniomis tranzistori kaip tiesin aktyvj keturpol. Daniausiai
naudojamos T ir pavidalo ekvivalentins grandins.

7.5.1. T pavidalo ekvivalentins grandins

Pagal (7.51) lygt tranzistoriaus jimo tampa
1
U sudaryta i
dviej dedamj tampos kritimo jimo varoje
11
h , tekant per j
jimo srovei
1
I , ir grtamojo ryio tampos
2 12
U h . Taigi (7.51) lygt
atitinka jimo grandin, sudaryta i dviej nuosekliai sujungt
element jimo varos
11
h ir tampos altinio
2 12
U h . Pagal (7.52)
lygt ijimo srov irgi sudaryta i dviej dedamj srovs,
tekanios per ijimo laidum
22
h , veikiant ijimo tampai
2
U , ir
srovs dedamosios
1 21
I h . (7.52) lygt atitinka tranzistoriaus ijimo
grandin, sudaryta taip pat i dviej element lygiagreiai sujungt
ijimo laidumo
22
h ir srovs altinio
1 21
I h . Remiantis tokia logika
sudaryta tranzistoriaus ekvivalentin grandin atvaizduota 7.17 pa-
veiksle, a. Prisimin, kad iuolaikiniuose tranzistoriuose grtamasis
ryys esti silpnas ( 0
12
h ), i tranzistoriaus jimo grandins, galime
paalinti grtamojo ryio tampos altin. Tada gauname tranzistoriaus
ekvivalentin grandin, atvaizduot 7.17 paveiksle, b.
7.17 paveikslo, b, ekvivalentin grandin paprasta, bet nepa-
kankamai vaizdi. Pavyzdiui, sakykime, kad tranzistorius yra jungtas
pagal bendrosios bazs schem. Jeigu tranzistoriaus baz plona,
pasireikia bazs srities vara bazs srovei, taiau bazs varos
ekvivalentinje grandinje nra. Beje, 7.17 paveiksle, a, bazs varos
taip pat nra, taiau ji vertinama per tranzistoriaus h parametrus.
Papild 7.17 paveikslo, b, tranzistoriaus ekvivalentin grandin
bazs vara, pastebtume, kad ji yra ryio tarp tranzistoriaus jimo ir
ijimo grandini elementas, taigi leidia vertinti grtamj ry. Taip
samprotaudami ir dar prisimin, kad
B 21
h , 7.17 paveikslo, b,
ekvivalentin grandin galime transformuoti vaizdesn T pavidalo
grandin (7.17 pav., c), sudaryt i vidini tranzistoriaus parametr
7. Dvipoliai tranzistoriai
228

emiterio sandros varos
E
r , bazs varos
B
r , kolektoriaus sandros
varos
K
r ir srovs altinio
E
I .
7.17 paveikslo, c, grandins jimo ir ijimo tampos irei-
kiamos lygtimis:
( ) ( )
2 B 1 B E 2 1 B 1 E 1
I r I r r I I r I r U + + + + , (7.64)
( ) ( ) ( ) ( )
2 K B 1 K B 1 2 K 2 1 B 2
I r r I r r I I r I I r U + + + + + + . (7.65)
Palygin (7.64), (7.65) ir (7.58), (7.57) formules, gauname, kad

B 22
B 12
B
h
h
r , (7.66)
( )
B 22
B 12
B 21 B 11 E
1
h
h
h h r + , (7.67)
ir
B 22 B 22
B 12
K
1 1
h h
h
r

. (7.68)
Emiterio sandros diferencialin var galime rasti ir kitaip.
Diferencijuodami (7.35) gauname:


U 1 U 2
I 1

I 2

h 11

h 12 U 2

h 21 I 1

a

h 22 U 2

U 1 U 2
I 1

I 2

h 11

h 21 I 1

b

h 22 U 2

U 1 U 2
I 1

I 2

r E

r B

I 1

c

r K
I B
r K

r E

r B

I E
d

C E

C K

r K *

E

K

B



7.17 pav. Tranzistoriaus ekvivalentins grandins
7. Dvipoliai tranzistoriai
229

E EB
Es
EB
E
k
q
) k / q exp(
k
q
d
d
I
T
T U
T
I
U
I
. (7.69)
Tada
E E
EB
E
1
q
k
d
d
I
T
I
U
r . (7.70)
Apskaiiav emiterio sandros var ir inodami tranzistoriaus
ijimo laidum, pagal (7.66) formul galime rasti tranzistoriaus
grtamojo ryio koeficient
B 12
h .
Pagal (7.67) ir (7.66) formules
( )
B B 11 E
1 r h r . (7.71)
Tada tranzistoriaus bazs vara
) (
1
E B 11
E B 11
B
r h
r h
r

. (7.72)
Taigi, kai parinktas tranzistoriaus darbo takas, surad h
parametrus, taikydami (7.70), (7.72) ir (7.68) formules, galime rasti
vis tranzistoriaus ekvivalentins grandins element parametrus.
Aukt dani srityje pasireikia tranzistoriaus sandr talpos. Be
to, tranzistoriaus savybms turi takos jo kolektoriaus srities trin
vara

K
r . Papildyta iais elementais tranzistoriaus ekvivalentin
grandin atvaizduota 7.17 paveiksle, d.
7.2 uduotis
Pagal tranzistoriaus statines voltamperines charakteristikas buvo
nustatyta, kad jo darbo take, kai V 3 ir mA 10
CBQ EQ
U I , h parametrai
yra tokie: S. 10 , 99 , 0 , 5
B 22 B 21 B 11
h h h Raskime tranzistoriaus
T pavidalo ekvivalentins grandins parametrus. K. 300 T
Sprendimas
Pradiniai duomenys leidia rasti tranzistoriaus ekvivalentins grandins,
atvaizduotos 7.17 paveiksle, c, parametrus. ia grandine galima modeliuoti
tranzistori em dani srityje, kai sandr talp taka nereikminga.
Tranzistoriaus emiterio srovs diferencialinis perdavimo koeficientas
. 99 , 0
B 21
h
Pagal (7.70) emiterio sandros diferencialin vara
7. Dvipoliai tranzistoriai
230

6 , 2
10
1
026 , 0
1
q
k
2
E
E

I
T
r .
Pagal (7.72) bazs vara
240
99 , 0 1
6 , 2 5
1
E B 11
B

r h
r .
Pagal (7.68) kolektoriaus sandros diferencialin vara
k 100 ...
10
1 1
5
B 22
K

h
r .
Elektrinse grandinse tranzistoriai daniausiai veikia jungti
pagal bendrojo emiterio schem. Kai tranzistorius jungtas pagal
bendrojo emiterio schem, tranzistoriaus ekvivalentin grandin
(7.17 pav., c) gyja pavidal, atvaizduot 7.18 paveiksle, a. iame
paveiksle bazs ir kolektoriaus srovi kryptys tokios, kaip 7.13 pa-
veiksle, b. Tada emiterio srovs kryptis prieinga 7.17 paveikslo, c,
emiterio srovei. Todl pakeista ir srovs altinio srovs kryptis.
Tekant ijimo srovei
K
I ir veikiant srovs altiniui, tampos kritimas
tranzistoriaus kolektoriaus sandroje pagal 7.18 paveiksle, a, atvaiz-
duot schem ireikiamas formule:
( )
E K K K
I I r U . (7.73)
Kadangi
B K E
I I I + , (7.75) formul galime taip pertvarkyti:
( ) ( )
B K KE B K K K
1
1 I I r I I r U


,
_

; (7.74)
ia
( ) 1
K KE
r r . (7.75)
Palygin (7.73) ir (7.74) iraikas matome, kad 7.18 paveikslo, a,
ekvivalentinje grandinje srovs altin
E
I ir var
K
r galime
pakeisti srovs altiniu
B
I ir vara
KE
r (7.18 pav., b). Kolektoriaus
sandros laiko konstanta dl io pakeitimo neturi pasikeisti. Taigi

KE KE K K
C r C r . (7.76)
Kadangi
K K KE
) 1 ( r r r << , tai
K K K K K
KE
K
KE
) 1 (
1
1
C C C C C
r
r
C >> +

. (7.77)
7. Dvipoliai tranzistoriai
231

Atsivelgiant pastarsias mintis tranzistoriaus, jungto pagal
bendrojo emiterio schem, ekvivalentin grandin atvaizduota
7.18 paveiksle, c.
7.3 uduotis
Kaip galima apskaiiuoti tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio
schem, ekvivalentins grandins parametrus, kai inomi jo h parametrai?
Sprendimas
Pasinaudodami tranzistoriaus ekvivalentins grandins schema
(7.18 pav., b), galime urayti tokias tranzistoriaus jimo ir ijimo tamp
iraikas:

2 E 1 E B 2 1 E 1 B 1
) ( ) ( I r I r r I I r I r U + + + + .

2 KE E 1 KE E 1 2 KE 2 1 E 2
) ( ) ( ) ( ) ( I r r I r r I I r I I r U + + + + .
Palygin ias formules su (7.58) ir (7.57), gauname:


U
1

U
2

I
1 = I
B
I
2 = I
K
r
E
r
B
I
E
a

r
K
I E
B

K

E

U 1

U
2

I
1 = I
B

I
2 = I
K

r
E

r
B

I
B
b

r
K E

I
E

B

K

E

r
K E

r
E

r
B

I
B

c

C
E

E

K

B

C K E


7.18 pav. Tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio schem,
ekvivalentins grandins
7. Dvipoliai tranzistoriai
232


.
1
,
, ,
KE E
E 22
KE E
E 22
E 21
E
E 22
E 12
E B
E 22
E 21 E 12
E 11
r r
h
r r
h
h
r
h
h
r r
h
h h
h
+
+

(7.78)
Tada

E 22
E 12
E
h
h
r , (7.79)
( )
E E 11 E
E 22
E 21 E 12
E 11 B
1 ... r h r
h
h h
h r + , (7.80)

E 22
E
E 22
KE
1 1
h
r
h
r . (7.81)
Kadangi
E 12
h skaitin reikm esti maa, emiterio varai
E
r skaiiuoti
praktikoje taikoma (7.70) formul.

7.5.2. pavidalo ekvivalentin grandin

Dvipoliai tranzistoriai, jungti pagal bendrojo emiterio schem,
atliekant skaiiavimus, danai modeliuojami pavidalo ekviva-
lentinmis grandinmis. Todl sudarysime dvipolio tranzistoriaus
pavidalo ekvivalentin grandin ir atskleisime jos privalumus.
em dani srityje tranzistori, kaip tiesin aktyvj keturpol,
galime aprayti lygtimis (7.47) ir (7.48), kurias eina g parametrai.
ias lygtis atitinka ekvivalentin grandin, atvaizduota 7.19 paveiks-
le, a.
7.19 paveiksle, a, tranzistoriaus jimo grandinje jungtas srovs
altinis vertina grtamj ry tranzistoriuje. Kadangi iuolaikiniuose
tranzistoriuose grtamasis ryys yra silpnas, galime laikyti, kad g
12
0.
Tai vertindami ir paymj 1/g
11
= r

, 1/g
22
= r
o
ir g
21
= g
m
, gauname
tranzistoriaus ekvivalentin grandin, atvaizduot 7.19 paveiksle, b.
Pagal (7.48), kuomet
2
U 0,
1
2
m 21
U
I
g g . (7.82)
7. Dvipoliai tranzistoriai
233

Kai tranzistorius jungtas pagal bendrojo emiterio schem, vietoje
1
U galime nagrinti tranzistoriaus jimo tampos pokyt
BE
U , o
vietoje
2
I kolektoriaus srovs pokyt
K
I . Tada
BE
K
m
U
I
g

. (7.83)
Pagal i formul g
m
yra tranzistoriaus perdavimo charakteristikos
statumas (literatroje angl kalba jis vadinamas transfer conductance,
transconductance arba mutual conductance).
Kai tampos ir srovs pokyiai tranzistoriaus darbo tako Q
aplinkoje yra mai, statumo iraika gyja pavidal:
BE
K
d
d
U
I
g
m
. (7.84)
Pagal (7.35) ir (7.36) tranzistoriaus kolektoriaus ir emiterio sroves
galime ireikti formulmis:
( ) T U I I k / q exp
EB Es E
(7.85)
E K
I I . (7.86)
Pagal (7.84)(7.86) formules


U 1
U 2
I 1 I 2
g 11
g 12 U 2 g 21 U 1
a
g 22
U 1
U 2
I 1 I 2
r
g m U 1
b
r o
U 1
U 2
I 1 I 2
r
g m U
c
r
o
C
C
U
r
B
*
B K
E

7.19 pav. Tranzistoriaus ekvivalentins grandins
7. Dvipoliai tranzistoriai
234

q / k k
q
k
q
exp
k
q
d
d Q K
E
EB
Es
EB
E
m
T
I
T
I
T
U
T
I
U
I
g ; (7.87)
ia
Q K
I kolektoriaus srov tranzistoriaus darbo take Q.
Kai T = 300 K, tai kT/q 0,025 V. Tuomet
Q K
Q K
m
40
025 , 0
I
I
g . (7.88)
Var

r galime apskaiiuoti taikydami formules:


E
E
E
BE
B
BE
1
1
1 ) 1 ( d
d
d
d
r
r
I
U
I
U
I
U
r

, (7.89)
ia
( )
m Q K E EB E E
BE
E
1 q / k
k / q
1
/d d
1
d
d
g I
T
I T U I I
U
r . (7.90)
Taigi
m

g
r

. (7.91)
Ijimo var
o
r galime rasti pasinaudodami tranzistoriaus
ijimo charakteristikomis, nes
K
KE
K
KE
0
2
2
22
o
d
d 1
1
I
U
I
U
I
U
g
r
U



. (7.92)
Kita vertus, apytikr ijimo varos reikm galime apskaiiuoti
ir neturdami tranzistoriaus voltamperini charakteristik. J. Erlis
pastebjo, kad, pratsus tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio
schem, ijimo charakteristik tiesines dalis, linijos susikerta
praktikai viename abscisi aies take
A
U (7.20 pav.). tampa
A
U
dabar vadinama Erlio tampa. Ji esti 50200 V. Tuomet pagal 7.20 pa-
veiksl
Q K Q K
A
Q K
Q KE A
o
100
I I
U
I
U U
r
+
. (7.93)
I nagrinjimo matyti, kad, parink tranzistoriaus darbo tak ir
inodami bazs srovs perdavimo koeficient , taikydami (7.88),
(7.91) ir (7.92) arba (7.93) formules, labai lengvai galime rasti nagri-
njamos dvipolio tranzistoriaus ekvivalentins grandins parametrus
7. Dvipoliai tranzistoriai
235

m
g ,

r ir
o
r . Kartu verta pastebti, kad 7.19 paveikslo, b, ekvi-
valentin schema dar neturi pavidalo. Ji tampa pavidalo
ekvivalentine schema tik pavaizdavus joje tranzistoriaus parazitines
talpas

C ir

C (7.19 pav., c). Talpa

C tai talpa tarp kolektoriaus ir


bazs srii. Taigi
K
C C . Kaip galima rasti talp

C , aptarsime
inagrinj tranzistori danines savybes.
7.4 uduotis
Tranzistorius jungtas pagal bendrojo emiterio schem. Jo darbo take,
kai 50
B
I A, 2
KE
U V, bazs srovs perdavimo koeficientas 75 .
Sudarykime tranzistoriaus pavidalo ekvivalentin grandin ir raskime jos
element parametrus.
Sprendimas
Pagal turimus duomenis tranzistori galime modeliuoti ekvivalentine
grandine, atvaizduota 7.19 paveiksle, b.
inodami srovs perdavimo koeficient , galime rasti tranzistoriaus
emiterio srov darbo take:
A. 00375 , 0 10 50 75
6
BQ BQ KQ


I I I
Tada pagal (7.88), (7.91) ir (7.93) formules
A/V 15 , 0 00375 , 0 40 40
KQ m
I g ,
500 15 , 0 / 75 /
m
g r ,
7 , 26 ... 00375 , 0 / 100 / 100
KQ o
I r k.



-U
A

0 U
KE

I
K

U
KEQ

Q
I
KQ

I
B1

I
B2



7.20 pav. Tranzistoriaus ijimo charakteristikos
7. Dvipoliai tranzistoriai
236


7.6. Tranzistori danins savybs

Didjant daniui, emiterio srovs perdavimo koeficientas maja.
Tranzistoriaus danines savybes lemia laikas, per kur alutiniai
krvininkai veikia baz, ir tranzistoriaus sandr talpos.
Sakykime, kad tranzistorius jungtas pagal bendrosios bazs sche-
m. Jo emiterio srovei pakitus uoliu (7.21 pav., a), kolektoriaus srov
vluoja emiterio srovs atvilgiu ir stiprja palaipsniui (7.21 pav., b).
Taip yra todl, kad krvininkas baz veikia tik per tam tikr laik,
kuris priklauso nuo bazs storio ir krvininko greiio. Kadangi
krvinink greiiai nevienodi, kolektoriaus srov stiprja palaipsniui.
7.21 paveiksle, c, atvaizduota tranzistoriaus bazs srovs laikin
diagrama. Kol kolektoriaus srov neteka, bazs srov lygi emiterio
srovei. Stiprjant kolektoriaus srovei, bazs srov silpnja. Bazs
srovs grafikas primena srovs, tekanios sikraunant talpai, grafik.
Taip yra todl, kad alutini
krvinink lkio per baz
procesas yra susijs su emiterio
sandros difuzins talpos si-
krovimo procesu.
rodoma, kad tuo atveju, kai
bazje krvinink judjim link
kolektoriaus sandros lemia
difuzija, krvinink lkio per
baz trukm ireikiama formule:
D
t
2
2
B
B

;
ia
B
bazs storis, D
alutini krvinink difuzijos
koeficientas.
Jei baz plona, tranzistoriaus
savybms turi takos krvinink


0
0
i
E

t
I
E

0

0
I
E
i
K

t
i
B

t
(1-
0
)I
E

a
b
c


7.21 pav. Emiterio, kolektoriaus ir
bazs srovi diagramos
7. Dvipoliai tranzistoriai
237

lkio per kolektoriaus sandr trukm.
Srovs uolio formos ikraipymai tranzistoriuje atsiranda ir dl
sandr barjerini talp sikrovimo. Emiterio sandr untuoja maa
atviros emiterio sandros vara. Todl uolio ikraipymams ir
tranzistoriaus daninms savybms didesns takos turi kolektoriaus
sandros barjerin talpa. Kai tranzistoriaus ijime sudarytos trumpojo
jungimo slygos, kolektoriaus barjerin talpa persikrauna per
grandin, sudaryt i var
B
r ir

K
r (7.17 pav., d), nes ) (
K B K

+ >> r r r .
Taigi kolektoriaus grandins laiko konstanta ireikiama formule:

K K B K
) ( C r r

+ . (7.94)
Jei kolektoriaus srities trin vara nedidel, tai

K B K
C r . (7.95)
Kolektoriaus srovs laikin diagram galima aproksimuoti
eksponentine funkcija, kuri 7.21 paveiksle, b, atvaizduota brknine
linija. Todl emiterio srovs perdavimo koeficiento kitim laike
galima aprayti formule:
( ) ) / exp( 1 ) (
0
t t ; (7.96)
ia
0
tranzistoriaus emiterio srovs perdavimo koeficientas,
pasibaigus pereinamajam procesui,

laiko konstanta. Galima


laikyti, kad

K B

+ t . (7.97)
Jeigu jungto pagal bendrosios bazs schem pnp tranzistoriaus
jime veikia labai aukto danio tampa, tai dalis injektuot baz
skyli per teigiamos tampos pusperiod nesuspja pasiekti
kolektoriaus sandros. Per neigiamos tampos pusperiod ios skyls
grinamos emiterio srit. Dl ios prieasties, o taip pat dl sandr
barjerini talp takos, didjant daniui, emiterio srovs perdavimo
koeficientas maja.
(7.96) formul atitinka perdavimo koeficientas, ireikiamas
formule:
7. Dvipoliai tranzistoriai
238



/ j 1 j 1
0 0
+

+
; (7.98)
ia

/ 1 . (7.99)
Pagal (7.98) tranzistoriaus danin amplituds charakteristika
ireikiama formule:
( )
( )
2
0
/ 1


+
. (7.100)
Kai

, tai 2 /
0
. Taigi danis

atitinka
tranzistoriaus praleidiamj dani juostos virutin rib. Danis
2 /

f yra ribinis emiterio srovs perdavimo danis. Norint
gauti platesn tranzistoriaus praleidiamj dani juost, kaip matyti
i (7.99) formuls, reikia mainti laiko konstant

.
Jei tranzistorius jungtas pagal bendrojo emiterio schem, tai jo
bazs srovs stiprinimo koeficientas ireikiamas formule:

/ j 1 1
0
+

(7.101)
ia
( ) ( )
0 0
1 / 1

+ . (7.102)
Kampin dan

atitinka
ribinis bazs srovs stiprinimo
danis 2 /

f . I formuls
(7.102) matyti, kad ribinis bazs
srovs stiprinimo danis yra daug
kart maesnis u ribin emiterio
srovs perdavimo dan. Taip yra
todl, kad bazes srovs stiprinimo
koeficientas pastebimai
sumaja net neymiai sumajus
emiterio srovs perdavimo
koeficientui . Be to, didjant
daniui, dl kolektoriaus srovs


I
E
I
K
I
B
I
E
I
K
I
B
a

b


7.22 pav. Tranzistoriaus srovi
vektori diagramos emj (a)
ir auktj (b) dani srityse
7. Dvipoliai tranzistoriai
239

vlavimo emiterio srovs atvilgiu didja fazi skirtumas tarp
K
I ir
E
I (7.22 pav.). Didjant fazi skirtumui, bazs srov
B
I spariai
stiprja, o tada bazs srovs stiprinimo koeficientas maja.
Kai

>> , pagal (7.101)



T
0
(7.103)
ia



0 0 T
. (7.104)

Kai
T
, bazs srovs stiprinimo koeficientas sumaja iki 1
tranzistorius, jungtas pagal bendrojo emiterio schem, nustoja
stiprinti srov. Danis
T
esti maesnis u

.
Pastaruoju metu dan 2 /
T T
f siloma vadinti vienetinio
srovs perdavimo koeficiento daniu. Pagal (7.103) formul dan
T
f
galima gana paprastai imatuoti pakanka, esant auktam daniui f
(
T
f f f < <

), imatuoti bazs srovs stiprinimo koeficient ir


apskaiiuoti sandaug f .
Didjant daniui, maja ir tranzistoriaus galios stiprinimo
koeficientas. Kai galios stiprinimo koeficientas sumaja iki 1,
generatoriuje, kuriame panaudotas tranzistorius, nebemanoma
suadinti virpesi. Todl svarbus tranzistoriaus daninis parametras
yra maksimalus galios stiprinimo arba maksimalus generacijos danis.
rodoma, kad jis ireikiamas formule
K B
0
max
8 C r
f
f

. (7.105)
Taigi dvipolio tranzistoriaus danines savybes galima nusakyti
parametrais
T
f ir
max
f . Didiausios takos tranzistoriaus daninms
savybms turi krvinink lkio bazje trukm
B
ir kolektoriaus
grandins laiko konstanta
K
.
Aptar, kas lemia tranzistoriaus danines savybes, dar grkime
prie jo pavidalo ekvivalentins grandins (7.19 pav., c).
7. Dvipoliai tranzistoriai
240

Laikydami, kad tranzistoriaus ijime sudarytos trumpojo
jungimo pagal kintamj srov slygos ( 0
2
U ), ir taikydami (7.48)
formul, galime rayti:
m 1 21 2
U g U g I ; (7.106)
ia

U kintamosios tampos kritimas varoje

r .
Kai 7.19 paveikslo, c, grandins ijime sudarytas trumpasis
jungimas, jimo srov
B 1
I I teka per lygiagreiai sujungtus
elementus

r ,

C ir

C . Taigi
) ( j ) / 1 (

B

C C r
I
U
+ +

. (7.107)
ra (7.107) (7.106) galime gauti, kad

/ j 1 ) ( j 1
0

m
1
2
+

+ +

C C r
r g
I
I
. (7.108)
I ia
T
0

1
) (

+ C C r . (7.109)
Taigi
T
m
T
0

2 f
g
r
C C +

(7.110)
ir

T
m

2
C
f
g
C . (7.111)
Belieka pridurti, kad, kaip inome, tranzistoriaus daninms
savybms nemaos takos gali turti tranzistoriaus bazs vara bazs
srovei. Todl 7.19 paveikslo, c , ekvivalentinje schemoje dar pavaiz-
duota vara
E 11 B
r h r

.
7.5 uduotis
Dvipolio tranzistoriaus bazs srovs perdavimo koeficientas
0
=100.
Daniui pasiekus 100 MHz, jis sumaja iki 20. Tranzistoriaus kolektoriaus
sandros barjerin talpa 0,5 pF. em dani srityje
E 11
h 750 .
Parinktame darbo take per tranzistori teka 5 mA srov. Sudarykime
7. Dvipoliai tranzistoriai
241

tranzistoriaus pavidalo ekvivalentins grandins schem ir raskime jos
element parametrus.
Sprendimas
Tranzistoriaus pavidalo ekvivalentin schema atvaizduota 7.19 pa-
veiksle, c. Jos element parametrai:
2 , 0 10 5 40 40
3
KQ m


I g A/V.
500
2 , 0
100
m
0


g
r

.
20000
005 , 0
100 100
KQ
o

I
r =20 k.
2 ... 20 10 100
6
T
f f GHz.
5 , 0
K
C C pF.
4 , 15 ... 10 5 , 0
10 2 2
2 , 0
2
12
9
T
m





C
f
g
C pF.

E 11 B
r h r 750500=250 .

7.7. Dvipoli tranzistori atmainos

Nuo tranzistoriaus sukrimo jau prajo daugiau nei 50 met. Per
t laik buvo tobulinamos tranzistorini darini formavimo
technologijos ir atsirado daug tranzistori atmain.
Praktikoje daniausiai naudojami germanio ir silicio pnp ir npn
tranzistoriai. pnp tranzistori pagrindin srov, kaip inome, kuria
skyls, npn tranzistoriuose elektronai. Elektron judrumas didesnis
nei skyli. Todl npn tranzistoriai turi privalum. Kadangi elektronai
baz gali veikti per trumpesn laik, maiau j rekombinuoja, taigi
gaunamas didesnis srovs perdavimo koeficientas. Be to, kai
krvinink lkio per baz trukm maesn, tranzistoriaus
praleidiam dani juosta yra platesn.
Tranzistoriniai dariniai formuojami panaiai kaip diodiniai.
Gaminant pirmuosius ploktinius tranzistorius silpnai legiruoto
puslaidininkio ploktel (baz) i abiej pusi bdavo lydomos kito
7. Dvipoliai tranzistoriai
242

laidumo tipo lustai (7.23 pav.). lydimo bdu sunku pagaminti
tranzistorius, kuri bazs storis maesnis nei 1020 m. Toki
tranzistori ribinis srovs stiprinimo danis

f yra iki 1020 MHz.


Tranzistoriaus kolektoriaus sandr galima sudaryti termins
priemai difuzijos bdu, emiterio sandr lydimo bdu. Priemai
pasiskirstymas taip suformuotame npn darinyje atvaizduotas 7.24 pa-
veiksle, b. Darinio p srityje bazje nuosekliai kinta akceptorini
priemai koncentracija. Tada bazs pagrindiniai krvininkai sky-
ls pasislenka koncentracijos majimo kryptimi ir bazje susikuria
vidinis elektrinis laukas, kurio stipris gali bti didelis iki keli
kilovolt centimetrui. is elektrinis laukas veikia injektuotus i
emiterio baz alutinius krvininkus elektronus. Tada bazje vietoj
ltos alutini krvinink difuzijos link kolektoriaus sandros vyksta
krvinink dreifas. Veikiami elektrinio lauko krvininkai veikia baz
per trumpesn laik. Kai krvinink lkio per baz trukm maesn,
gaunamos geresns tranzistoriaus danins savybs. Tranzistoriai,
kuri bazje vyksta alutini krvinink dreifas, vadinami dreifiniais
tranzistoriais.
7.25 paveiksle atvaizduotas mezatranzistorius. Jo baz gali bti
sudaryta termins priemai difuzijos bdu, emiterio sandra



B

E

K

p

p

n




7.23 pav. Lydytinis
tranzistorius


N
d

N
a

0 x
n p
n
E B K
a
b
E

7.24 pav. Difuzinis-lydytinis npn tranzis-
torius (a) ir priemai pasiskirstymas jo
srityse (b)
7. Dvipoliai tranzistoriai
243

lydimo bdu. Taikant mezatechnologij galima gaminti tranzistorius
su maais sandr plotais.
Tobuliausios yra planariosios tranzistori gamybos technologijos.
Gaminant epitaksinius-difuzinius planariuosius npn tranzistorius ant
puslaidininkio ploktels su didele donorini priemai koncentracija
uauginamas silpnai legiruoto n puslaidininkio sluoksnis. Po to
termins priemai difuzijos bdu iame sluoksnyje sudaromos bazs
ir emiterio sritys (7.26 pav.). Tokiems tranzistoriams bdinga maa
kolektoriaus srities vara. Kita vertus, kolektoriaus sandra susidaro
tarp silpnai legiruot epitaksinio n sluoksnio ir bazs, todl ios
sandros storis yra gana didelis. Tai lemia didel sandros elektrin
atsparum ir ma barjerin talp. Kadangi tranzistoriaus baz
sudaroma termins priemai difuzijos bdu, joje priemai
koncentracija yra nevienalyt, taigi bazje susidaro elektrinis laukas,
priveriantis injektuotus krvininkus greiiau judti ir per trumpesn
laik pasiekti kolektoriaus sandr. Maesn krvinink lkio per
baz trukm ir maesn kolektoriaus sandros talpa lemia geresnes
tranzistoriaus danines savybes ir didesn jo veikimo spart.
Pagal gali tranzistoriai skirstomi maos, vidutins ir didels
galios tranzistorius. Maos galios tranzistori sklaidomoji galia yra iki
0,3 W, didels galios daugiau nei 1,5 W. Kai tranzistorius
naudojamas virpesi stiprinimui, jo kolektoriaus sandroje
isiskirianti galia
K KB K
I U P bna daug didesn u gali



p
n
E B
K



7.25 pav. Mezatranzis-
torius


n


n
+

p
n
+

B E
K

7.26 pav. Epitaksinis-difuzinis planarusis
tranzistorius

7. Dvipoliai tranzistoriai
244

E EB E
I U P , isiskiriani emiterio sandroje. Todl didiausi gali,
kuri gali sklaidyti tranzistorius, lemia kolektoriaus sandros
perkaitimas. Didiausia galia, kuri gali sklaidyti kolektoriaus sandra
ireikiama formule:
T
R
T T
P
0 max K
max K

;
ia
max K
T didiausia leidiamoji kolektoriaus sandros temperatra,
0
T aplinkos temperatra,
T
R ilumin vara tarp kolektoriaus
sandros ir aplinkos.
Temperatra
max K
T priklauso nuo tranzistoriui panaudotos
puslaidininkins mediagos. Germanio tranzistori
max K
T =7585
0
C,
silicio 125150
0
C.
ilumin vara
T
R priklauso nuo tranzistoriaus konstrukcijos ir
ilumos sklaidymo nuo kolektoriaus sandros bdo. Siekiant
sumainti ilumin var ir padidinti maksimali sklaidomj gali,
galinguose tranzistoriuose sudaromas geras iluminis puslaidininkio
lusto kontaktas su tranzistoriaus korpusu ir panaudojami radiatoriai.
Labai galingi tranzistoriai priverstinai auinami oru arba skysiu.
Dar svarbu pastebti, kad didiausia tranzistoriaus sklaidomoji
galia priklauso nuo aplinkos temperatros. Kylant aplinkos
temperatrai, ji maja.
Didiausios leidiamosios tranzistoriaus tamp, srovi ir galios
reikms nurodomos inynuose greta kit svarbiausij tranzistoriaus
parametr. Didiausi leidiamj tranzistoriaus kolektoriaus tamp
lemia gritinis sandros pramuimas ir sandr trumpasis
susijungimas, pleiantis kolektoriaus sandrai ir plonjant bazei.
Didiausias leidiamsias tranzistoriaus sroves lemia sandr plotai.
Tranzistoriaus darbo tak reikia parinkti taip, kad tranzistoriaus
tampos, srovs ir sklaidomoji galia neviryt leidiamj reikmi.
Slyg
max K K
P P ijimo charakteristik grafike atitinka hiperbol
(7.27 pav.).
7. Dvipoliai tranzistoriai
245

Pagal danines savybes tranzistoriai skirstomi emj, vidutini
ir auktj dani tranzistorius. Isamiau tranzistori danines
savybes ir veikimo spartos didinimo bdus aptarsime vliau.

7.8. Ivados

1. Dvipolis tranzistorius sudarytas i emiterio, bazs ir kolektoriaus
srii, tarp kuri yra dvi sveikaujanios pn sandros.
Dvipoliuose tranzistoriuose teka abiej tip krvinink
(elektronins ir skylins) srovs. Veikiant emiterio sandroje
tiesioginei tampai, o kolektoriaus sandroje atgalinei tampai,
tranzistoriaus sroves sudaro keturios dedamosios: pagrindin
tranzistoriaus srov, emiterio sandros srovs dedamoji, kuri
lemia krvinink injekcija i bazs emiter, rekombinacin
srov, atsirandanti dl krvinink rekombinacijos bazje, ir
kolektoriaus ilumin srov. Pagrindin tranzistoriaus srov lemia
injektuoti i emiterio baz krvininkai, pasiek kolektoriaus
sandr. iuos krvininkus pagauna kolektoriaus sandros
elektrinis laukas ir permeta kolektoriaus srit. Tranzistoriaus
emiterio, kolektoriaus ir bazs sroves sieja lygtis
B K E
I I I + .


0

U
KE

U
KE max

I
K max

I
K

P
K max



7.27 pav. Tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio schem,
leidiamj ijimo tamp ir srovi sritis
7. Dvipoliai tranzistoriai
246

Kadangi bazs srov esti silpna, tai
K E
I I . Taigi emiterio srov
gali valdyti kolektoriaus srov.
2. Tranzistoriaus savybes nusako statinis emiterio srovs perdavimo
koeficientas , rodantis kokia emiterio srovs dalis teka per
kolektoriaus sandr, diferencialinis emiterio srovs perdavimo
koeficientas
E K
/d d I I ir diferencialinis bazs srovs
stiprinimo koeficientas ) 1 /( /d d
B K
I I .
3. Tranzistoriaus elektrod nuolatini srovi priklausomybs nuo
nuolatini tamp ireikiamos Molo ir Eberso lygtimis. i
priklausomybi grafikai vadinami statinmis voltamperinmis
charakteristikomis. Inineriniuose skaiiavimuose daniausiai
panaudojamos jimo statins charakteristikos (tranzistoriaus
jimo srovs priklausomybs nuo jimo tampos) ir ijimo
charakteristikos (ijimo srovs priklausomybs nuo ijimo
tampos). Tranzistoriaus statins voltamperins charakteristikos
priklauso nuo jo jungimo schemos.
4. jungto pagal bendrosios bazs schem tranzistoriaus jimo
charakteristikos yra emiterio sandros voltamperins charak-
teristikos tiesiogins akos. Charakteristikos priklauso nuo
ijimo tampos. Didjant ijimo tampai, tranzistoriaus jimo
(emiterio) srovs stipris didja. jungto pagal bendrosios bazs
schem tranzistoriaus ijimo srov ireikiama formule
0 K E K
I I I + . Todl ijimo charakteristik ) (
KB K
U f I
parametras yra emiterio srov
E
I . Kai
E
I = 0, ijimo
charakteristika sutampa su kolektoriaus sandros voltamperins
charakteristikos atgaline aka. Pradjus tekti emiterio srovei,
kolektoriaus srov sustiprja. Kolektoriaus srovs pokytis
ireikiamas formule
E K
I I . Stiprjant ijimo tampai,
tranzistoriaus ijimo srov neymiai stiprja: didjant
kolektoriaus sandros atgalinei tampai, pleiasi kolektoriaus
sandra, plonja baz, silpnja rekombinacin srov ir didja
emiterio srovs perdavimo koeficientas .
5. jungto pagal bendrojo emiterio schem tranzistoriaus jimo
charakteristika taip pat primena pn sandros voltamperins
7. Dvipoliai tranzistoriai
247

charakteristikos tiesiogin ak. Taiau tranzistoriaus, jungto
pagal bendrojo emiterio schem, jimo srov yra bazs srov. Ji
daug silpnesn u emiterio srov. Kylant ijimo tampai, bazs
srov silpnja. jungto pagal bendrojo emiterio schem
tranzistoriaus ijimo srov ireikiama formule
0 KE B K
I BI I + ;
ia ) 1 /( ,
0 K 0 KE
I I . Todl jungto pagal bendrojo
emiterio schem tranzistoriaus ijimo charakteristikos panaios
tranzistoriaus, jungto pagal bendrosios bazs schem, ijimo
charakteristikas, bet j parametras bazs srov. Ijimo
charakteristik eigai takos turi tai, kad bazs srovs perdavimo
koeficientas bei srov
0 KE
I labiau nei emiterio srovs
perdavimo koeficientas ir srov
0 K
I priklauso nuo
tranzistorius veikos slyg, o taip pat tai, kad dar nepasikeitus
ijimo tampos polikumui susidaro tranzistoriaus soties veikos
slygos.
6. Jeigu sudarytos stiprinimo veikos slygos ir tranzistoriaus
sandr tamp ir srovi kintamosios dedamosios yra silpnos,
tranzistori galima laikyti tiesiniu aktyviuoju keturpoliu. Jo
savybes galima nusakyti r, g arba h parametrais. Kai naudojama h
(hibridin, miri) parametr sistema, tranzistorius, kaip
keturpolis, apraomas lygtimis
;
,
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
U h I h I
U h I h U
+
+

ia
11
h tranzistoriaus jimo vara;
12
h tampos grtamojo
ryio koeficientas,
21
h srovs perdavimo koeficientas
(
21E B 21
, h h ),
22
h ijimo laidumas. Matuojant para-
metrus
11
h ir
21
h reikia sudaryti kintamosios srovs trumpojo
jungimo slygas tranzistoriaus ijime, o matuojant parametrus
12
h ir
22
h kintamosios srovs tuiosios veikos slygas tranzis-
toriaus jime. Parametr reikmes bet kuriame tranzistoriaus
darbo take galima rasti i statini charakteristik.
7. Analizuojant elektrines grandines, kuriose yra tranzistori, ie
tranzistoriai pakeiiami ekvivalentinmis grandinmis. Tinka-
7. Dvipoliai tranzistoriai
248

miausia ekvivalentin grandin pasirenkama atsivelgiant
sprendiam udavin. Analizuojant tranzistorinius stiprintuvus,
daniausiai panaudojamos T ir pavidalo ekvivalentins
schemos.
8. Didjant daniui, tranzistoriaus emiterio ir bazs srovi
perdavimo koeficientai maja. Tranzistoriaus danines savybes
lemia daug faktori. Svarbiausieji i j du: laikas, per kur
alutiniai krvininkai veikia baz, ir tranzistoriaus kolektoriaus
sandros barjerins talpos persikrovimo procesas. Tranzistoriaus
daninms savybms nusakyti praktikoje daniausiai naudojami
du parametrai: danis
T
f , ties kuriuo bazs srovs stiprinimo
koeficientas sumaja iki 1, o emiterio srovs perdavimo
koeficientas sumaja 3 dB, ir maksimalus galios stiprinimo
(maksimalus generacijos) danis
max
f . Geromis daninmis
savybmis pasiymi dreifiniai planarieji tranzistoriai, gaminami
pagal epitaksin-difuzin technologij.

7.9. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Kokie turi bti pnp ir npn tranzistori maitinimo tamp polikumai, kad
bt sudarytos stiprinimo veikos slygos?
2. Atvaizduokite npn tranzistoriaus struktr ir parodykite, kaip teka
tranzistoriaus srovi dedamosios.
3. npn tranzistoriaus bazs pagrindiniai krvininkai yra (elektronai,
skyls).
4. Uraykite tranzistoriaus emiterio, kolektoriaus ir bazs srovi iraikas.
5. Kaip susietos tranzistoriaus emiterio, bazs ir kolektoriaus srovs?
6. Kuri tranzistoriaus srov yra stipriausia, kuri silpniausia? Kurios
srovs yra beveik vienodo stiprumo?
7. Sudarykite pnp ir npn tranzistori energines diagramas ir paaikinkite
krvinink, sukuriani pagrindines sroves, judjim.
8. Ivardinkite ir apibdinkite tranzistoriaus jungimo schemas ir veikos
atmainas.
9. Tranzistorius jungtas pagal bendrosios bazs schem. Jo =0,98,
K0
I =25 nA. Raskite
K
I , kai
E
I =1 mA.
7. Dvipoliai tranzistoriai
249

10. npn tranzistoriaus
K
I =2 mA,
B
I =40 A. Apskaiiuokite
E
I , ir .
11. Tranzistoriaus = 0,98. Raskite . Dar apskaiiuokite , kai = 0,99.
Aptarkite skaiiavimo rezultatus.
12. Paaikinkite srovs perdavimo koeficient ir
I
prasm.
13. Sudarykite tranzistoriaus, jungto pagal bendrosios bazs schem,
ijimo charakteristik eim. Paaikinkite charakteristik eig.
Apibrkite sritis, atitinkanias stiprinimo veik ir soties bei udarymo
bsenas.
14. Paaikinkite Erlio efekto esm.
15. Sudarykite tranzistoriaus, jungto pagal bendrojo emiterio schem,
jimo charakteristik eim ir paaikinkite charakteristik eig.
16. Kodl srov
0 KE
I stipresn nei
0 K
I ? Kaip srov
KE0
I kinta kylant
temperatrai?
17. rodykite, kad 1/(1)=+1.
18. Tranzistoriaus = 250,
0 K
I = 60 nA. Raskite
0 KE
I .
19. Tranzistorius jungtas pagal bendrojo emiterio schem. Jo = 125,
0 K
I = 100 nA. Raskite
K
I , kai
B
I = 8 A.
20. Raskite
E
I , kai
B
I = 40 A ir = 0,98.
21. Pagal inyne pateiktas tranzistoriaus charakteristikas raskite jo h
parametrus.
22. Iveskite iraikas tranzistoriaus h parametrams skaiiuoti, kai inomi r
parametrai.
23. Ar galima ommetru imatuoti tranzistoriaus jimo var kintamajai
srovei?
24. Tranzistoriaus
E
I = 2,5 mA,
E 21
h =140,
E 22
h = 20 S,
B 22
h = 0,1 S.
Sudarykite:
a) tranzistoriaus ekvivalentins grandins schem, atitinkani h
parametr sistem, kai tranzistorius jungtas pagal bendrosios bazs
schem;
b) tranzistoriaus ekvivalentins grandins schem, atitinkani h
parametr sistem, kai tranzistorius jungtas pagal bendrojo
emiterio schem;
c) tranzistoriaus pavidalo ekvivalentins grandins schem.
25. Pagal inyne pateiktas tranzistoriaus charakteristikas, pasirink darbo
tak, sudarykite tranzistoriaus pavidalo ekvivalentins grandins
schem.
7. Dvipoliai tranzistoriai
250

26. Kokie reikiniai lemia tranzistoriaus danines savybes?
27. Kokia tranzistoriaus parametr

f ,

f ir
T
f prasm? rodykite, kad

f f ) 1 (
0
.
28. Nurodykite tranzistori danini savybi gerinimo bdus.
29. Tranzistoriaus bazs storis 10 m, bazs alutini krvinink difuzijos
koeficientas 0,0031 m
2
/s. Raskite tranzistoriaus ribinio danio

f
orientacin reikm.
Ats.: 9,8 MHz.
30. Tranzistoriaus
0
= 160. Kai f = 50 MHz, () = 8. Raskite
T
f ir

f .
Ats.: 400 ir 2,5 MHz.
31. Pagal inyn, kai
K
I =1 mA, tranzistoriaus
0
= 120. Kai f =25 MHz,
() = 10. Apskaiiuokite tranzistoriaus pavidalo ekvivalentins
grandins talp

C , jeigu inoma, kad

C = 1 pF.
Ats.: 24 pF.
32. Pagal inyn tranzistoriaus
0
= 120,
E 11
h = 1,75 k,
T
f = 300 MHz,
KB
C =2 pF. Parinktame darbo take
K
I = 2,37 mA. Sudarykite
tranzistoriaus pavidalo ekvivalentins grandins schem ir ap-
skaiiuokite jos element parametrus.
33. Kokie tranzistoriai vadinami dreifiniais?
34. Kaip gaminami epitaksiniai-difuziniai tranzistoriai? Kokie j
privalumai?
35. Raskite tranzistoriaus leidiamj ijimo srovi ir tamp srit, kai
max K
I = 7 mA,
max KB
U = 15 V ir
max K
P = 30 mW.






07. Dvip. tranzistoriai_200308 2003.08.20 14:16



8. Tiristoriai
251


8. TIRISTORIAI

Tiristoriais vadinami ketursluoksniai pnpn struktros puslaidinin-
kiniai taisai. Pagal elektrod ir ivad skaii tiristoriai skirstomi
diodinius tiristorius, arba dinistorius, triodinius tiristorius, arba
trinistorius, ir tetrodinius tiristorius, arba binistorius. Tiristoriai turi
voltamperins charakteristikos dal, kurioje tiristoriaus diferencialin
vara yra neigiama. Daniausiai sutinkami katodinio arba anodinio
valdymo trinistoriai (8.1 pav.), praktikoje vadinami tiesiog tiristoriais.
Aptarsime tiristori veikim, savybes ir atmainas.

8.1. Sandara ir veikimas

8.2 paveiksle, a atvaizduota dinistoriaus sandara. Kratins
dinistorinio darinio sritys vadinamos p emiteriu ir n emiteriu. Tarp
emiteri esanios sritys vadinamos bazmis. Prie p emiterio prijungtas
metalinis elektrodas vadinamas anodu, prie n emiterio katodu.
8.2 paveiksle, b, atvaizduota dinistoriaus voltamperin charak-
teristika. Jos atgalin aka panai pn sandros voltamperins
charakteristikos atgalin ak. Veikiant atgalinei tampai, 1 ir 3
dinistoriaus sandros yra udaros, ir per tais teka tik silpna atgalin
srov. Veikiant didelei atgalinei tampai, atgalin srov stiprja dl pn
sandr pramuimo.


arba arba
a b

8.1 pav. Katodinio (a) ir anodinio (b) valdymo trinistori grafiniai
ymenys
8. Tiristoriai
252

Dinistoriaus tiesiogin tampa 1 ir 3 sandroms yra tiesiogin, o 2
sandrai atgalin. Todl voltamperins charakteristikos tiesiogins
akos pradin dalis (tarp tak 0 ir 1) taip pat primena puslaidininkinio
diodo voltamperins charakteristikos atgalin ak. Tiesioginei
tampai pasiekus sijungimo tamp
O
U , prasideda dinistoriaus
sijungimo procesas.
Nagrinjant sijungim, dinistorius pakeiiamas ekvivalentine
grandine, sudaryta i pnp ir npn tranzistori (8.3 pav, a). Srov
2
I ,
tekanti per 2 sandr, ireikiama formule:
R 3 2 1 1 2
I I I I + + = ; (8.1)
ia
1
tranzistoriaus T
1
emiterio srovs
1
I perdavimo koeficientas,
2
tranzistoriaus T
2
emiterio srovs
3
I perdavimo koeficientas,
R
I udaros 2 sandros atgalin srov.


p n p n
a
A K
1 2 3
0
U
I
IH
UO
1
2
3
4
5
b


8.2 pav. Dinistoriaus sandara (a) ir
voltamperin charakteristika (b)


n p p
n p n
a
T1
T2
1
3
T1
T2
IB2

IK2

IK1

b


8.3 pav. Dinistoriaus ekvi-
valentins grandins
8. Tiristoriai
253

Dinistoriuje visos trys sandros sujungtos nuosekliai. Todl
I I I I = = =
3 2 1
. Tada pagal (8.1) formul dinistoriaus srov
ireikiama formule:

) ( 1
2 1
R
+
=
I
I . (8.2)
Kol tranzistoriaus emiterio srov silpna, jo emiterio srovs
perdavimo koeficientas, kaip inome, yra maas. Jei 1 ) (
2 1
<< + , tai
pagal (8.2)
R
I I .
Kylant tiesioginei dinistoriaus tampai, pleiasi jo 2 sandra ir
plonja ekvivalentins grandins tranzistori bazs. Stiprjant
emiterio srovei ir plonjant bazei, tranzistoriaus emiterio srovs
perdavimo koeficientas didja. Sumai ) (
2 1
+ artjant prie vieneto,
pagal (8.2) srov I spariai stiprja, ir dinistorius pradeda sijungti.
sijungimo proces atitinka voltamperins charakteristikos dalis tarp 1
ir 2 tak. ioje charakteristikos dalyje dinistoriaus srov stiprja, o
tiesiogin tampa maja.
sijungimo proces iliustruoja ekvivalentin grandin, atvaizduota
8.3 paveiksle, b. Sakykime, kad npn tranzistoriaus T
2
bazs srov iek
tiek sustiprjo. Tada bazs srovs pokytis
2 B
I sukelia tranzistoriaus
kolektoriaus srovs pokyt
2 K
I . Taiau tranzistoriaus T
2
kolektoriaus
srov yra pnp tranzistoriaus T
1
bazs srov. Todl srovs pokyt
1 B 2 K
I I = dar sustiprina pnp tranzistorius. Jo kolektoriaus srovs
pokytis
1 K
I (kartu ir tranzistoriaus T
2
bazs srovs pokytis) yra daug
didesnis u pradin tranzistoriaus T
2
bazs srovs pokyt. Taigi
grandinje susidaro teigiamas grtamasis ryys, ir per dinistori
tekanti srov spariai stiprja. Jeigu nuosekliai dinistoriui yra jungtas
rezistorius, didja tampos kritimas jo varoje, o dinistoriaus tampa
maja. Pasibaigus sijungimo procesui, abu ekvivalentins grandins
(8.3 pav., b) tranzistoriai visikai atsiveria (susidaro j soties veikos
slygos). Srovs stiprum grandinje tada riboja nuosekliai dinistoriui
jungto grandins elemento vara.
8. Tiristoriai
254

sijungus dinistoriui, jo voltamperin charakteristika (tarp 2 ir 3
tak) yra panai puslaidininkinio diodo voltamperins
charakteristikos tiesiogin ak.
Tiesioginei srovei susilpnjus iki
H
I (ia
H
I palaikomoji srov,
angl. holding current), prasideda dinistoriaus isijungimas
pradjus veikti teigiamam grtamajam ryiui, ekvivalentins
grandins tranzistoriai, vadinasi, ir dinistorius usidaro.
Voltamperins charakteristikos dalyje tarp 2 ir 3 tak
dinistoriaus diferencialin vara
d
R yra neigiama. i voltamperins
charakteristikos dal manoma imatuoti, jeigu matavimo grandinje
nuosekliai dinistoriui jungta pakankamai didel vara R . Jeigu
d
R R < , tai dinistoriaus sijungimo ir isijungimo metu grandinje
gaunami srovs ir tampos uoliai.
Kai inome per dinistori tekani srov, jo tamp galime rasti
pagal voltamperin charakteristik:
) (I f U = . (8.3)
Kita vertus, kai prie maitinimo altinio prijungta grandin,
sudaryta i dinistoriaus ir rezistoriaus (8.4 pav.), dinistoriaus tampa
ireikiama formule:
IR E U = . (8.3)
ia E altinio elektrovara.
Jeigu bt sudarytos tuiosios veikos slygos (per dinistori


VD
R RI
U
0

E/R

I

U

E

a

b


8.4 pav. Paprasiausia grandin su dinistoriumi (a) ir jos analiz grafiniu
bdu (b)
8. Tiristoriai
255

srov netekt), tai gautume, kad 0 = I ir E U = . Jeigu bt
dinistoriaus trumpasis jungimas, tai bt 0 = U , ir grandinje tekt
srov R E I / = . Paymj dinistoriaus voltamperins charakteristikos
grafiko ayse takus, atitinkanius tuij veik ir trumpj jungim,
per iuos takus galime nubrti apkrovos ties (8.4 pav., b). ios
tiess susikirtimo su dinistoriaus voltamperine charakteristika takai
atitinka (8.3) ir (8.4) lygi sistemos sprendinius.
Sakykime, kad, jung tiesiogin tamp, mainame var R .
Tada darbo takas juda pradine dinistoriaus voltamperins
charakteristikos tiesiogins akos dalimi, kol pasiekia tak A
(8.5 pav., a). Dar sumajus varai R , prasideda dinistoriaus
sijungimas. Jam pasibaigus, grandins bsena atitinka tak B. Dar


0

I

U

E

D

C
0

I

U

E

A

B

0

I

U

E

a

b

c


8.5 pav. Grafikai, iliustruojantieji dinistoriaus sijungim (a),
isijungim (b) ir veik, kai
d
R R > (c)
8. Tiristoriai
256

majant varai R , darbo takas kyla voltamperins charakteristikos
aka vir.
Jeigu, esant atviram dinistoriui, var R didiname, darbo takas
jo voltamperine charakteristika leidiasi emyn iki tako C
(8.5 pav., b). iame take prasideda dinistoriaus isijungimo procesas,
dinistoriaus vara didja. Todl per dinistori tekanti srov silpnja, o
jo tampa didja, darbo takas juda i C D. Dinistoriui isijungus ir
didinant var R , apkrovos ties artja prie abscisi aies. Darbo
takas slenka pradine voltamperins charakteristikos dalimi link
koordinai pradios tako 0.
Taigi dinistoriaus voltamperins charakteristikos dal tarp tak 1
ir 2 (8.2 pav., b) manoma imatuoti tik tuomet, kai tenkinama slyga
d
R R > ir maitinimo altinio elektrovara E yra pakankamai didel.
Tada, mainant var R , darbo takas gali nuosekliai slinkti
dinistoriaus voltamperine charakteristika (8.5 pav., c).
I aptarimo matyti, kad 8.2 paveiksle, b, paymtos dinistoriaus
voltamperins charakteristikos dalys atitinka penkias jo bsenas:
didels tiesiogins varos (tarp tak 0 ir 1), neigiamos diferencialins
varos (12), didelio tiesioginio laidumo (23), didels atgalins
varos (04) ir pramuimo (45).

8.2. Tiristori atmainos

Dinistoriaus jungimo tamp galima valdyti viesa. Apvietus
fotodinistoriaus baz, padidja krvinink koncentracija bazje,
sustiprja dinistoriaus ekvivalentins grandins tranzistoriaus srov,
padidja jo srovs perdavimo koeficientas, ir sijungimas prasideda
veikiant maesnei anodo tampai.
Triodinis tiristorius trinistorius jungimo valdymui turi
valdymo elektrod. Valdymo elektrodas G jungiamas prie vienos i
bazi (8.6 pav.). Taigi yra katodinio ir anodinio valdymo trinistori.
Kai valdymo elektrodo srov neteka, trinistoriaus voltamperin
charakteristika (8.7 pav.) yra analogika dinistoriaus voltamperinei
8. Tiristoriai
257

charakteristikai. Pradjus tekti valdymo srovei, sumaja trinistoriaus
sijungimo tampa.
Trinistori taip pat galima pakeisti ekvivalentine grandine,
sudaryta i dviej tranzistori (8.8 pav.). Pradjus tekti valdymo
srovei
2 B
I , tranzistoriaus T
2
atsiveria ir priveria atsiverti vis
trinistori. Atviram trinistoriui valdymo srov neturi takos. Todl
valdymo srov gali bti impulso pavidalo. Kai valdymo impulsas
nebeveikia, trinistori galima ijungti mainant anodins srovs stipr
arba ijungus anodin tamp.
Nuo 1956 met, kada firmoje Bell Telephone Laboratories buvo
sukurtas trinistorius, pasilyta daug pnpn tais atmain. Yra
trinistori, kuriuos galima ijungti neigiamu valdymo impulsu.
Tetrodiniai tiristoriai binistoriai turi abiej bazi ivadus. n baz
galima panaudoti tiristoriaus jungimui arba ijungimui. Taigi yra


I
K 2
T
1
T
2
I
B 2


8.8 pav. Katodinio valdymo
trinistoriaus ekvivalentin
grandin


n n p p
K A
G
a
n n p p
K
A
G
b

8.6 pav. Katodinio (a) ir anodinio (b) valdymo trinistori struktros


0
U
I
I
v
= 0
I
v
=I
v 1
I
v2
>I
v1


8.7 pav. Trinistoriaus voltamperins
charakteristikos
8. Tiristoriai
258

ijungiamj tiristori. Dar yra atgaline kryptimi laidi tiristori.
Nors daugiasluoksniai pnpn taisai jau seniai inomi, lietuvika
terminija dar nenusistovjo. Beje, tiristori terminai labai vairuoja ir
kitose kalbose. Angl kalboje trinistoriai daniausiai vadinami
valdomaisiais silicio lygintuvais (SCR silicon controlled rectifier).
Atskir tiristori grup sudaro simetriniai tiristoriai. Diodinio
simetrinio tiristoriaus diako sandara atvaizduota 8.9 paveiksle, a.
Diak sudaro 5 sritys. J galima nagrinti kaip lygiagreiai, bet
prieingomis kryptimis sujungtus dinistorius (8.9 pav., b). Kai veikia
vieno polikumo tampa, diako voltamperin charakteristik lemia
vieno dinistoriaus voltamperins charakteristikos tiesiogin aka, kai
veikia kito polikumo tampa kito dinistoriaus voltamperins
charakteristikos tiesiogin aka. Todl diako voltamperin
charakteristika yra simetrin (8.10 pav.). Simetriniai triodiniai
tiristoriai vadinami triakais.
Tiristori savybms nusakyti vartojama apie 30 parametr.
Svarbiausieji i j: jungimo tampa, ijungimo srov, jungimo
trukm, ijungimo trukm, leidiamoji tiesiogin srov, leidiamoji
atgalin tampa, didiausias darbo danis.
Silicio tiristori leidiamoji tiesiogin srov esti nuo keli
miliamper iki keli kiloamper, leidiamoji atgalin tampa nuo
keli volt iki keli kilovolt. Trinistori jungimo trukm bna nuo


p
n
n
p
p

n
p
n
p
n
p
p
n
a b


8.9 pav. Diako struktra (a) ir jo
ekvivalentin grandin (b)

0
U
I

8.10 pav. Diako voltamperin
charakteristika
8. Tiristoriai
259

imtj mikrosekunds dali iki keleto mikrosekundi, ijungimas
trunka ilgiau nuo vienet iki imt mikrosekundi. Taigi tiristori
veikimo sparta esti nedidel, maksimalus darbo danis bna iki
deimi kiloherc.
Tiristoriai gaminami vairiais bdais. 8.11 paveiksle, a, atvaiz-
duota difuzinio-lydytinio dinistoriaus struktra. Kaip pagrindas
panaudota silpnai legiruoto n puslaidininkio ploktel. Termins
aliuminio difuzijos bdu joje sudaryta p bazs sritis, termins boro
difuzijos bdu p
+
emiterio sritis. lydimo bdu sudarytas n
+
emiteris.
8.10 paveiksle, b, apvaizduota epitaksinio-difuzinio trinistoriaus
sandara. Toks trinistorius gaminamas panaiai kaip epitaksinis-
difuzinis tranzistorius: ant p
+
pagrindo uauginamas n epitaksinis
sluoksnis, kuriame termins priemai difuzijos bdu sudaromos p ir
n
+
sritys.
Tiristoriai naudojami elektronikos, automatikos, pramonins
elektronikos grandinse, elektros pavarose ir pan.

8.3. Ivados

1. Tiristoriais vadinami pnpn struktros taisai. Tiristorius turi
voltamperins charakteristikos dal, kurioje jo diferencialin vara
yra neigiama. Yra daug tiristori atmain.
2. Paprasiausias pnpn struktros taisas yra dinistorius, dar kartais
vadinamas oklio (Shockley) diodu. Jis sijungia (atsiveria,


p
+ n
p
n
+
A
K G
b
p
+

n
p
n
+

A
K
a


8.11 pav. Tiristori struktros
8. Tiristoriai
260

persijungia i didels tiesiogins varos bsenos didelio
tiesioginio laidumo bsen), kai teigiama anodo tampa pasiekia
sijungimo tamp, ir isijungia, kai srov tampa silpnesn u
palaikymo srov.
3. Galimos penkios dinistoriaus bsenos: didels tiesiogins varos,
neigiamos diferencialins varos, didelio tiesioginio laidumo,
didels atgalins varos ir pramuimo.
4. Nagrinjant veikim, dinistori galima pakeisti ekvivalentine
grandine, sudaryta i pnp ir npn tranzistori. Specifines
dinistoriaus savybes lemia teigiamas grtamasis ryys.
5. Praktikoje daniausiai naudojami pnpn taisai tai katodinio
valdymo trinistoriai. Trinistoriaus sijungimo tampa priklauso
nuo valdymo srovs. Atviram trinistoriui valdymo srov
daniausiai neturi takos. Todl trinistoriaus jungimui pakanka
srovs impulso. Trinistorius isijungia sumainus per j tekanios
srovs stipr.

8.4. Kontroliniai klausimai

1. Aptarkite dinistoriaus sandar ir jo voltamperin charakteristik.
2. Nubrkite dinistoriaus voltamperin charakteristik ir paaikinkite jos
eig.
3. Apibdinkite slygas, kuriose prasideda dinistoriaus sijungimas.
4. Kaip dinistori galima perjungti didelio laidumo bsen? Kaip galima
j ijungti?
5. Apibdinkite trinistoriaus sandar.
6. Sudarykite trinistoriaus ekvivalentin grandin ir paaikinkite jo
atsivrimo proces.
7. Paaikinkite trinistoriaus usidarymo slygas.
8. Aptarkite tiristori atmainas ir taikymo sritis.
9. Kas yra diakai ir triakai?
10. Aptarkite tiristorini darini formavimo bdus.

08. Tiristoria_200308 2003.08.20 14:20

9. Lauko tranzistoriai
261


9. LAUKO TRANZISTORIAI

Lauko tranzistoriuose (angl.: FET field effect transistor) srov
kuria specialiai sudaryto kanalo pagrindiniai krvininkai. Kadangi
srov lemia vieno enklo krvininkai, ie tranzistoriai dar vadinami
vienpoliais tranzistoriais. Kanalo laidum ir juo tekani srov valdo
statmenas srovs krypiai elektrinis laukas.
Lauko tranzistoriaus n arba p kanalo (angl. channel) gale
sudaromi du elektrodai. Elektrodas, per kur kanal patenka
pagrindiniai krvininkai, vadinamas itaka (source). Elektrodas, per
kur pagrindiniai krvininkai iteka, vadinamas santaka (drain).
Kanale tekani srov valdo treiojo tranzistoriaus elektrodo utros
(gate) tampa.
Pagal utros tip lauko tranzistoriai skirstomi lauko
tranzistorius su valdaniosiomis pn sandromis (sandrinius lauko
tranzistorius) ir lauko tranzistorius su izoliuotja utra. Pastarieji
tranzistoriai yra MDP arba MOP tranzistoriai. MDP tranzistoriai bna
su indukuotuoju kanalu arba su pradiniu kanalu. Pagal kanalo veikos
pobd jie skirstomi praturtintosios veikos lauko tranzistorius ir
nuskurdintosios veikos lauko tranzistorius. Taigi yra daug lauko
tranzistori atmain. Jas atspindi 9.1 paveikslas, kuriame atvaizduoti
lauko tranzistori grafiniai ymenys.


U
S
I
U
S
I
a b
U
S
I
P U
S
I
P U
S
I
P U
S
I
P
c d e f


9.1 pav. Sandrini lauko tranzistori (a, b), pradinio kanalo MOP
tranzistori (c, d) ir indukuotojo kanalo MOP tranzistori (e, f) grafiniai
ymenys: a, c, e su n kanalu, b, d, f su p kanalu; I itaka, S
santaka, U utra, P pagrindas
9. Lauko tranzistoriai
262

Aptarsime lauko tranzistori sandar, veikim, ekvivalentines
grandines, savybes.

9.1. Sandriniai lauko tranzistoriai

Lauko tranzistoriaus su dviem
valdaniosiomis pn sandromis ir n
kanalu sandara atvaizduota 9.2 pa-
veiksle. Tranzistoriui panaudotas n
puslaidininkio lustas, kuriame
sudarytos dvi p sritys. Tarp pn
sandr esanti n sritis yra tran-
zistoriaus kanalas. Prie jo gal
prijungti itakos ir santakos
elektrodai. Utros vaidmen atlieka
p sritys.
Nagrinkime 9.2 paveiksle at-
vaizduot lauko tranzistori, jungt
pagal bendrosios itakos schem.
Tranzistoriaus veikimas pagrstas tuo,
kad kanalo storis ir jo skerspjvio
plotas priklauso nuo valdaniosios
tampos
UI
U , veikianios tarp
utros ir itakos. tampa
UI
U sandroms yra atgalin. Didjant iai
tampai, pn sandros pleiasi, kanalo storis maja (9.3 pav., a), o jo
vara didja. Jeigu tarp santakos ir itakos veikia tampa, tai,
didjant kanalo varai, silpnja juo tekanti srov. Taigi utros tampa
gali valdyti tranzistoriaus kanalo srov. Siekiant, kad srov bt
efektyviau valdoma, priemai koncentracija kanale parenkama daug
maesn nei priemai koncentracija utros srityje.
Kanalo storis ireikiamas formule:
n n
2d b b = ; (9.1)



U
I
S
n
p p

9.2 pav. Sandrinio lauko
tranzistoriaus su dviem val-
daniosiomis pn sandromis
sandara
9. Lauko tranzistoriai
263

ia
n
b n srities storis,
n
d pn sandros storis n srityje, ireikiamas
(4.48) formule.
Jeigu
a d
N N << , tai (4.48) formul tampa paprastesn. Tada

( )
d
k UI
n
q
2
2
N
U U
b b
+
=

; (9.2)
ia
UI
U jimo tampos absoliuioji vert valdanij sandr
atgalin tampa.
Jeigu tampa
UI
U didja, kanalas plonja. Kai i tampa pasiekia
vadinamj atkirtos tamp
0 UI
U , sandros susilieia, kanalas
inyksta, ir srov tarp itakos ir santakos nebeteka. Laikydami, kad
0 = b , i (9.2) formuls gauname:
k
d
2
n
UI0
8
q
U
N b
U =

. (9.3)
Pasinaudodami (9.2) ir (9.3) formulmis, galime gauti toki
kanalo storio iraik:


U
I
S
n
p
p
UUI
a


U
I
S
n
p
p
USI
b


9.3 pav. jimo ir ijimo tamp taka sandrinio lauko tranzis-
toriaus kanalui
9. Lauko tranzistoriai
264

+
+
=
k 0 UI
k UI
n
1
U U
U U
b b . (9.4)
Taigi utros tampa valdo kanalo stor, kanalo var ir santakos
srov
S
I (9.4 pav., a).
Jei tampa tarp utros ir itakos neveikia ( 0
UI
= U ), o tampa
SI
U tarp santakos ir itakos nedidel, tranzistoriaus kanal galima
nagrinti kaip omin var. Tada, jei didja tampa
SI
U , tranzistoriaus
kanalu tekanti srov tiesikai stiprja. Kita vertus, jeigu didja tampa
SI
U , tai didja atgalin valdaniosios pn sandros tampa kanalo gale
prie santakos. Todl iame kanalo gale didja pn sandros storis,
plonja kanalas ir didja jo vara. Veikiant tampai
0 UI SI
U U = , prie
santakos pn sandros susilieia (9.3 pav., b), kanalo vara labai
padidja. Tada, kylant ijimo tampai, santakos srov beveik
nebestiprja per tranzistori teka soties srov
max S
I (9.4 pav., b).
Taigi tampos prieaugis krinta nuskurdintajame sluoksnyje tarp
santakos ir kanalo. Dl ios tampos nuskurdintajame sluoksnyje
susidaro elektrinis laukas. Kanalu tekant srovei, is elektrinis laukas
pagauna priartjusius prie nuskurdintojo sluoksnio elektronus ir
pernea juos prie santakos. Labai padidjus ijimo tampai,
tranzistoriaus ijimo srov pradeda stiprti dl pn sandr


I
Smax
I
S
U
UI
a
U
UI0
I
S
U
SI
0
0
b


9.4 pav. Santakos srovs priklausomybs nuo jimo ir ijimo tamp
9. Lauko tranzistoriai
265

pramuimo.
I aptarimo matyti, kad tranzistoriaus ijimo srov priklauso nuo
jimo ir ijimo tamp. Lauko tranzistoriaus srov valdo ne jimo
srov, kaip dvipoliame tranzistoriuje, o jimo tampa. Galimos
kelios sandrinio lauko tranzistoriaus bsenos: udaroji, omins
veikos, soties ir pramuimo. Sandrinio lauko tranzistoriaus jimo
grandinje yra udara pn sandra. Todl jo jimo vara didel
megaom eils.
Kadangi jungto pagal bendrosios itakos schem lauko
tranzistoriaus jimo srov silpna, tranzistoriaus savybms nusakyti
pakanka vienos voltamperini charakteristik eimos, vaizduojanios
kaip tranzistoriaus ijimo srov
S
I priklauso nuo jimo tampos
UI
U
ir ijimo tampos
SI
U . Praktikoje naudojami du lauko tranzistori
statini voltamperini charakteristik tipai perdavimo
charakteristikos ) (
UI S
U I ir ijimo charakteristikos ) (
SI S
U I .
Perdavimo charakteristikos (9.5 pav., a) vaizduoja, kaip tranzis-
toriaus santakos srov priklauso nuo jimo tampos, Kreivi pa-
rametras ijimo tampa
SI
U . Ijimo charakteristikos (9.5 pav., b)
vaizduoja, kaip tranzistoriaus ijimo srov priklauso nuo ijimo


0
2
4
6
8
10
12
14
-3 -2 -1 0
0
2
4
6
8
10
12
14
0 2 4 6 8 10
I
S
/ mA I
S
/ mA
U
UI
/ V U
SI
/ V
U
SI
= 8 V
6 V
4 V
U
UI
= 2 V
1 V
0 V
Soties
veika
Omin
veika
a b

9.5 pav. Sandrinio lauko tranzistoriaus perdavimo (a) ir ijimo (b)
charakteristikos
9. Lauko tranzistoriai
266

tampos. Ijimo charakteristik parametras jimo tampa
UI
U .
Silpn virpesi stiprintuv grandinse sudaromos sandrini
lauko tranzistori soties veikos slygos. Tada santakos srov priklauso
nuo jimo tampos. Atsivelgiant tai, kad link santakos kanalas
siaurja, rodoma, kad soties slygomis santakos srovs
S
I pri-
klausomyb nuo jimo tampos
UI
U galima aproksimuoti formule:
2
0 UI
UI
max S S
1

=
U
U
I I ; (9.5)
ia
max S
I santakos srov, kai 0
UI
= U .
Kita vertus, i 9.5 paveikslo matyti, kad net soties veikos
slygomis, didjant ijimo tampai, ijimo srov iek tiek stiprja.
Taip yra todl, kad soties slygomis, didjant ijimo tampai, pleiasi
valdaniosios pn sandros, trumpja kanalas ir maja jo vara.
Taigi aptarme sandrinio lauko tranzistoriaus veikim, kai jis
jungtas pagal bendrosios itakos schem. Kartais elektrinse
grandinse lauko tranzistoriai veikia jungti pagal bendrosios santakos
ar bendrosios utros schemas.
Praktin planariojo sandrinio lauko tranzistoriaus (angl.: JFET
junction FET) struktra atvaizduota 9.6 paveiksle, a. Ji gali bti
sudaryta epitaksine-difuzine technologija. Ant p silicio pagrindo
sudarius epitaksin n silicio sluoksn, termins priemai difuzijos
bdu sudaromos lokaliosios p
+
ir n
+
sritys. Tranzistoriaus kanalo
vaidmen atlieka n epitaksinis sluoksnis, esantis tarp p
+
utros ir p


i GaAs

n

I

U

S

p Si

n

I

U

S

p
+
n
+

P

a

b



9.6 pav. Planarusis sandrinis (a) ir metalo-puslaidininkio struktros (b)
lauko tranzistoriai
9. Lauko tranzistoriai
267

pagrindo. Pagrind P galima panaudoti kaip antrj utr. Jeigu jis
sujungiamas su utra G, gaunamas sandrinis lauko tranzistorius su
dviem valdaniosiomis pn sandromis.
Pagal sandar ir veikim sandriniams lauko tranzistoriams artimi
metalo-puslaidininkio struktros lauko tranzistoriai (angl.: MESFET
metal-semiconductor FET). Galio arsenido metalo-puslaidininkio
lauko tranzistoriaus sandara atvaizduota 9.6 paveiksle, b. Tran-
zistoriaus pagrindui panaudotas silpnai legiruotas galio arsenidas. J
galime laikyti dielektriku. Ant pagrindo uaugintas plonas
(mikrometro dali storio) epitaksinis n galio arsenido sluoksnis. Ant
io sluoksnio sudaryti itakos ir santakos metaliniai elektrodai. Tarp
i elektrod ir epitaksinio sluoksnio susidaro ominiai kontaktai.
Utros elektrodui panaudota tokia mediaga, kad tarp utros
elektrodo ir epitaksinio sluoksnio susidaro otkio barjeras. Veikiant
utros tampai, nuskurdintasis sluoksnis po utros elektrodu storja,
o kanalas plonja. Taigi metalo-puslaidininkio lauko tranzistorius yra
nuskurdintosios veikos otkio lauko tranzistorius.
Vienas svarbiausi lauko tranzistoriaus parametr yra perdavimo
charakteristikos statumas. I 9.5 paveikslo, a, matyti, kad jis didja
stiprjant per tranzistori tekaniai srovei. Taiau tranzistoriaus darbo
tak reikia parinkti taip, kad, veikiant jimo tampai, jo sandros
likt udaros. Taigi galimybs parinkti stipresn santakos srov ir
gauti didesn statum yra ribotos. Pavojaus, kad utra atsivers,
nebna, jeigu tarp jos ir kanalo yra ne pn sandra, o dielektriko
sluoksnis.

9.2. MOP tranzistoriai

MOP tranzistoriuose (angl.: MOSFET metal-oxide-semicon-
ductor FET) tarp kanalo ir utros yra oksido sluoksnis. Tranzistori
veikimas pagrstas lauko efektu MOP darinyje. Panaudojamos dvi i
lauko tranzistori atmainos: tranzistoriai su pradiniu kanalu ir
tranzistoriai su indukuotuoju kanalu.
9. Lauko tranzistoriai
268

Pradinio kanalo MOP tranzistoriaus sandara atvaizduota 9.7 pa-
veiksle. Tranzistoriui panaudotas p silicio pagrindas. Jame sudarytos
lokaliosios n
+
sritys, prie kuri prijungti itakos ir santakos ivadai.
Tarp j sudarytas silpnai legiruotas n kanalas. Ant jo yra dielektrinis
silicio dioksido sluoksnis ir metalinis utros elektrodas.
Tranzistoriaus pagrindas daniausiai esti sujungtas su itaka.
Kai tranzistorius jungtas pagal bendrosios itakos schem,
veikiant santakos-itakos tampai
SI
U , sudarytu pradiniu kanalu gali
tekti srov. Jeigu prijungiama teigiama utros tampa ( 0
UI
> U ),
kanal i itakos ir santakos srii traukiami elektronai. Kanalo vara
sumaja. Per tranzistori tekanti srov sustiprja. Neigiama utros
tampa stumia i kanalo pagrindinius krvininkus elektronus. Tada
kanalo vara padidja, per tranzistori tekanti srov
S
I susilpnja.
Taigi galima tiek praturtintoji, tiek nuskurdintoji tranzistoriaus veika.
Todl MOP tranzistoriai su pradiniu kanalu yra nuskurdintosios-
praturtintosios veikos tranzistoriai (angl.: DE-MOSFET depletion-
enhancement MOSFET).
MOP tranzistoriaus su pradiniu kanalu perdavimo charakteristika
(9.8 pav.) panai sandrini lauko tranzistori perdavimo
charakteristikas. Taiau yra ir svarbus skirtumas galima sudaryti ne



I S
U
Pagrindas
p Si
n
+
n
+
n
SiO2



9.7 pav. MOP tranzistorius
su pradiniu kanalu

0
5
10
15
20
25
30
35
-6 -4 -2 0 2 4
IS / mA
UUI / V
ISI0
UUI0
Skurdinimas
Turtinimas

9.8 MOP tranzistoriaus su pradiniu
kanalu perdavimo charakteristika
9. Lauko tranzistoriai
269

tik kanalo skurdinimo (kai 0
UI
< U ), bet ir kanalo turtinimo ( 0
UI
> U )
slygas.
Perdavimo charakteristik galima aproksimuoti formule,
analogika (9.5):
2
0 UI
UI
0 S S
1

=
U
U
I I ; (9.6)
ia
0 S
I tranzistoriaus santakos srov, kai 0 =
UI
U .
Gaminant pradinio kanalo MOP tranzistorius, reikia atlikti kanalo
formavimo operacijas. i operacij nereikia sudarant indukuotojo
kanalo MOP tranzistorius.
Indukuotojo n kanalo MOP tranzistoriaus sandara atvaizduota
9.9 paveiksle. Tranzistoriui panaudotas p silicio pagrindas. Jame
sudarytos lokaliosios n
+
itakos ir santakos sritys. Tarpas tarp i
srii padengtas oksido sluoksniu, ant kurio sudarytas utros
elektrodas, kuris su atsarga dengia tarp tarp itakos ir santakos srii.
Jeigu tarp utros ir pagrindo tampos nra, tai tarp santakos ir
itakos yra dvi prieprieiais sujungtos pn sandros. Veikiant tarp
santakos ir itakos tampai, per tranzistori srov neteka.
Itakos elektrodas paprastai bna sujungtas su pagrindu. Tada
jungus tranzistori pagal bendrosios itakos schem ir prijungus
teigiam utros-itakos tamp, po utra galima sudaryti inversin n
sluoksn indukuotj kanal (9.10 pav., a). Didjant utros tampai,
kanale didja elektron kon-
centracija ir kartu didja jo lai-
dumas. Taigi indukuotojo kanalo
MOP tranzistorius yra praturtin-
tosios veikos tranzistorius (angl.:
E-MOSFET enhancement
MOSFET).
Indukuotasis kanalas susi-
daro, kai utros-itakos tampa
virija slenkstin tamp
UI0
U .
Tada, veikiant nedidelei ijimo
(santakos-itakos) tampai, tran-


I S
U
Pagrindas
p Si
n
+
n
+

SiO2


9.9 pav. Indukuotojo kanalo
MOP tranzistoriaus sandara
9. Lauko tranzistoriai
270

zistoriaus kanalas veikia kaip tiesin vara. Taiau didjant teigiamai
ijimo tampai
SI
U , pn sandra tarp santakos srities ir pagrindo
pleiasi. Potencial skirtumas
US
U tarp utros ir santakos maja.
Kai tampa
SI UI US
U U U = tampa maesn u slenkstin tamp
0 UI
U , prie santakos srities inversinio sluoksnio nebelieka
(9.10 pav., b). Dl to tranzistoriaus srov nenutrksta: dreifuojantieji
kanalu elektronai pasiekia nuskurdintj sluoksn kanalo gale prie
santakos ir elektrinis laukas juos permeta santakos srit. Taiau
didjant ijimo tampai, srov per tranzistori beveik nebestiprja.
Susidaro tranzistoriaus soties veikos slygos.
Taigi bendruoju atveju MOP tranzistoriaus su indukuotuoju
kanalu ijimo (santakos) srov
S
I priklauso nuo utros ir santakos
tamp (9.11 pav.). Kadangi soties slygomis MOP tranzistoriaus
srov maai priklauso nuo tampos
SI
U , tranzistoriaus perdavimo
charakteristik (9.11 pav., a) pakankamai tiksliai galima aproksimuoti
iraika:
2
UI0 UI S
) ( U U K I = ; (9.7)
ia K proporcingumo koeficientas.
Visgi, ir soties veikos slygomis, kaip matyti i 9.11 paveikslo, b,
didjant tampai
SI
U , tranzistoriaus srov
S
I iek tiek stiprja. Taip

I

S

U

p Si

n
+

n
+

Indukuotasis
n kanalas

Nuskurdintasis
sluoksnis

U
UI

U
SI
0

a

I

S

U

p Si

n
+

n
+

Indukuotasis n

kanalas

Nuskurdintasis
sluoksnis

U
UI

U
SI
b



9.10 pav. MOP tranzistorius su indukuotuoju n kanalu tiesins
(a) ir soties (b) veikos slygomis
9. Lauko tranzistoriai
271

yra todl, kad, pleiantis nuskurdintajam sluoksniui prie santakos,
trumpja kanalas ir maja jo vara.
MOP tranzistori jimo varos nuolatinei srovei bna labai
didels, siekia 10
12
10
15
. Taigi jimo srov esti labai silpna, nes
tarp utros ir kanalo yra dielektriko sluoksnis. Kita vertus, is
sluoksnis bna plonas. Todl lauko tranzistorius reikia saugoti nuo
statini krvi. Kadangi talpa tarp utros ir kanalo bna nedidel, net
nedidelis statinis krvis gali sukurti didel tamp. Keliasdeimt volt
tampa gali pramuti plon dielektriko sluoksn ir sukelti nepataisom
MOP tranzistoriaus gedim. Dl nurodyt prieasi lauko
tranzistoriai transportuojami laidiuose laikikliuose arba j ivadai
bna sujungti laidiais iedais.

9.3. Lauko tranzistori parametrai ir ekvivalentins
grandins

Jau aptarme, kad jungto pagal bendrosios itakos schem lauko
tranzistoriaus jimo vara esti labai didel, jimo srov labai
silpna. Todl galima laikyti, kad utra yra visikai izoliuota nuo
kanalo, o jimo srov emj dani srityje lygi nuliui. Ijimo


0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 5 10 15 20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 2,5 5 7,5 10
I
S
/ mA
U
UI
/ V U
SI
/ V
U
SI
= 10 V
U
UI
= 10 V
7,5 V
5 V
a b
I
S
/ mA

9.11 pav. Indukuotojo kanalo MOP tranzistoriaus perdavimo (a) ir
ijimo (b) charakteristikos
9. Lauko tranzistoriai
272

(santakos) srov bendruoju atveju yra jimo ir ijimo tamp
funkcija:
); , (
SI UI S
U U f I = (9.8)
ia
UI
U jimo (utros-itakos) tampa,
SI
U ijimo (santakos-
itakos) tampa.
Pagal (9.8) tranzistoriaus srovs
S
I diferencialas ireikiamas
formule:
SI
o
UI m SI
SI
S
UI
UI
S
S
d
1
d d d d U
r
U g U
U
I
U
U
I
I + =

= ; (9.9)
ia
m
g arba S tranzistoriaus perdavimo charakteristikos statumas
(angl. kaip ir dvipolio tranzistoriaus atveju transfer conductance,
transconductance, mutual conductance),
o
r tranzistoriaus ijimo
(vidin) vara.
Pagal (9.9)

UI
S
m
d
d
U
I
S g = = , kai const
SI
= U , (9.10)

S
SI
o
d
d
I
U
r = , kai const
UI
= U . (9.11)
Taikydami (9.10) ir (9.11) formules ir vietoje diferencial imdami
srovs ir tamp pokyius darbo tako aplinkoje, lauko tranzistoriaus
parametrus galime rasti pagal jo perdavimo arba ijimo
charakteristikas.
Nagrindami lauko tranzistori kaip tiesin aktyvj keturpol,
vietoje tamp ir srovs pokyi galime nagrinti tamp ir srovi
kintamsias dedamsias. Tada
, 0
D
I (9.12)
SI 0 UI m S
U g U g I + = ; (9.13)
ia
o o
/ 1 r g = ijimo laidumas.
i lygi sistem, apraani lauko tranzistori, atitinka 9.12 pa-
veiksle, a, atvaizduota ekvivalentin grandin.
Kai lauko tranzistorius yra soties bsenoje, jo ijimo srov
S
I
maai priklauso nuo ijimo tampos
SI
U . Ijimo srovs priklau-
9. Lauko tranzistoriai
273

somyb nuo jimo tampos, kaip jau inome, galima aproksimuoti
iraika
; ) (
2
0 UI UI S
U U A I (9.14)
ia A proporcingumo koeficientas,
UI0
U atkirtos arba slenkstin
tampa (kai ,
0 UI UI
U U = tai
S
I = 0).
Pagal (9.14) lauko tranzistoriaus statumas proporcingas
S
I :
S 0 UI UI
UI
S
m
2 ) ( 2 I A U U A
U
I
g = =

= . (9.15)
Pagal (9.13) nuo statumo
m
g priklauso tranzistoriaus ijimo
srovs kintamoji dedamoji. Kai tranzistorius panaudojamas virpesiams
stiprinti, nuo statumo priklauso stiprintuvo stiprinimo koeficientas.
Pagal (7.87) dvipolio tranzistoriaus atveju santykis
KQ m
/ I g
lygus T k / q . Kai T = 300 K, tai
-1
KQ m
V 40 k / q / T I g . Pagal (9.14)
ir (9.15) lauko tranzistoriaus ) /( 2 /
0 UI UI SQ m
U U I g = . Santykis
) /( 2
0 UI UI
U U esti daug maesnis nei 40 V
1
. Taigi dvipoli
tranzistori perdavimo charakteristikos statumas didesnis nei lauko
tranzistori. Taiau lauko tranzistoriai turi kit svarbi privalum: jie
pasiymi didele jimo vara, didesniu temperatriniu stabilumu, yra
atsparesni radiacijai. Dar svarbu, kad dl paprastesns konstrukcijos
yra paprastesn lauko tranzistori gamyba.


1/r
o
U
UI
U
SI
IS
a
U
S
I
IU
C US
C UI
b
C SI
U
S
I
g
m
U
UI
UUI
gmUUI
IS
USI
1/ro


9.12 pav. Lauko tranzistoriaus ekvivalentins grandins
9. Lauko tranzistoriai
274

Lauko tranzistori statumo priklausomybs nuo konstrukcijos
parametr analiz rodo, kad
m
g ~
k
l

; (9.16)
ia krvinink judrumas tranzistoriaus kanale,
k
l kanalo ilgis.
Taigi, siekiant gauti didesn lauko tranzistoriaus statum, reikia
trumpinti kanal ir didinti krvinink judrum kanale. Kadangi
elektron judrumas yra didesnis u skyli judrum, tranzistori su n
kanalais statumas yra didesnis. Trumpas kanalas bdingas vertikalios
konstrukcijos MOP tranzistoriams. V-MOP tranzistoriaus (angl.: V-
MOSFET) sandara atvaizduota 9.13 paveiksle. Gaminant tranzistori,
ant n
+
pagrindo uauginamas epitaksinis n sluoksnis, termins
priemai difuzijos bdu jame
sudaromos p ir n
+
lokalios sritys.
Isdinus darinyje griovel,
sudaromas izoliacinis silicio di-
oksido sluoksnis. Jame reikiamose
vietose fotolitografijos bdu
atidarius langus, sudaromi meta-
liniai elektrodai. Trumpas indu-
kuotasis n kanalas tarp n
+
itakos
ir n bei n
+
santakos srii, veikiant
teigiamai utros-itakos tampai,
susidaro p sluoksnyje.

9.4. Lauko tranzistori danins savybs

Augant daniui, lauko tranzistoriaus statumas maja dl
krvinink lkio tranzistoriaus kanale efekto. vertinant lkio efekt
(tai, kad valdymo tampa spja pasikeisti, kol krvininkas veikia
kanal tarp itakos ir santakos), tranzistoriaus perdavimo koeficientas
ireikiamas formule:


I I
S
U
SiO 2

n
+

p

n
n
+
pagrindas


9.13 pav. V-MOP tranzistoriaus
struktra
9. Lauko tranzistoriai
275

x
x
x
S
S
K
j
0
e
sin
) j (

= = ,
2
k

= x ; (9.17)
ia
0
S statumas emj dani srityje,
k
krvininko lkio kanale
trukm.
Pagal (9.17) formul galima apskaiiuoti dan
S
f , ties kuriuo
statumas sumaja 2 karto. Kita vertus, daniausiai laikoma, kad
lauko tranzistoriaus danines savybes lemia kitas reikinys
tranzistoriaus jimo varos majimas didjant daniui.
9.12 paveiksle, b, atvaizduota lauko tranzistoriaus ekvivalentin
grandin, papildyta jo parazitinmis talpomis talpa tarp utros ir
itakos
UI
C , utros ir santakos
US
C ir santakos ir itakos
SI
C . Ji
panai dvipolio tranzistoriaus pavidalo ekvivalentin grandin.
Dl parazitini talp, augant daniui, maja lauko tranzistoriaus
jimo vara kintamajai srovei. Kai tranzistoriaus ijime sudarytos
trumpojo jungimo pagal kintamj srov slygos, jo jimo var
lemia grandinl, sudaryta i lygiagreiai sujungt talp
UI
C ir
US
C
(9.12 pav., b). Tuomet tranzistoriaus jimo srovs kintamj
dedamj galime ireikti formule
UI US UI U
) ( j U C C I + = . (9.18)
Kai tranzistoriaus ijime sudarytas trumpasis jungimas
( 0
SI
= U ), pagal (9.13)
UI m S
U g I = . (9.19)
Kadangi, augant daniui, tranzistoriaus jimo srov
U
I stiprja,
tai ji gali tapti tokio pat stiprumo, kaip ir ijimo srov
S
I . Tada lauko
tranzistorius nustoja stiprinti srov. Danis, kuriam esant tai atsitinka,
kaip ir dvipoli tranzistori atveju, ymimas
T
f . Pagal (9.18) ir (9.19)
formules, laikydami, kad
S U
I I = , kai
T
f f = , gauname, kad
k US UI
m
T
2
1
) ( 2
=
+
=
C C
g
f ; (9.20)
ia
k
yra grandinls, sudarytos i varos
m
/ 1 g ir talpos
US UI
C C C + = , laiko konstanta. rezultat galima interpretuoti taip:
9. Lauko tranzistoriai
276

lauko tranzistoriaus danines savybes lemia jo talp
UI
C ir
US
C
persikrovimo procesas; persikrovimo srov riboja vara (kanalo vara)
m
/ 1 g . Taigi laiko konstanta yra talpos, kuri susidaro tarp utros ir
kanalo, persikrovimo laiko pastovioji. Ji lygi krvinink lkio kanale
trukmei.
Taigi lauko tranzistoriaus dan
T
f ir jo danines savybes lemia
krvinink lkio kanale trukm
k
. Siekiant dan
T
f padidinti, reikia
trumpinti kanal. Kai kanalas labai trumpas, jame susikuria labai
stiprus elektrinis laukas. Todl auktadani lauko tranzistori
kanaluose elektronai pasiekia maksimal dreifo greit
max
v . Tuomet
max k k
/ v l = (9.21)
ir
k
max
T
2 l
v
f = . (9.22)
rodoma, kad lauko tranzistoriaus maksimalus galios stiprinimo
arba generacijos danis ireikiamas formule
o
m T
max
2 g
g f
f = . (9.23)
Atlikta analiz leidia apibendrinti, kad lauko tranzistori
danines savybes lemia horizontalusis planariojo tranzistoriaus
matmuo kanalo ilgis. Jau sukurti mikrobang integriniai grandynai
su lauko tranzistoriais, kuri kanalo ilgis 80 nm. J
max
f > 400 GHz.
9.1 uduotis
Pagal inyn lauko tranzistoriaus
UI0
U = 3 V. Kai
UI
U = 0, srov
= =
max S S
I I 9 mA. Tranzistoriaus ijimo vara
o
r = 100 k, talpos
11
C = 2 pF, =
12
C 1 pF,
22
C = 1,5 pF (ia
11
C jimo talpa, kai ijimas
trumpai sujungtas,
12
C pereinamoji talpa,
22
C ijimo talpa, kai jimas
trumpai sujungtas). Tranzistoriaus darbo take =
UI
U 1 V. Sudarysime
tranzistoriaus ekvivalentin grandin. Apskaiiuosime dan
T
f ir
krvinink lkio kanale trukm.

9. Lauko tranzistoriai
277

Sprendimas
Tranzistoriaus ekvivalentin grandin yra tokia kaip 9.12 paveiksle, b.
Rasime ekvivalentins grandins element parametrus.
Kai , 0
UI
= U tai
2
UI0 max S S
AU I I = = . Taigi
2
0 UI max S
/ U I A = ir pagal
(9.15)
( ) ( ) 4 ... 3 1
3
10 9 2 2
2
3
0 UI UI
2
0 UI
max S
m
= +

= =

U U
U
I
g mA/V.
= =
12 US
C C 1 pF.
US UI 11
C C C + = ; = =
12 11 UI
C C C 21 = 1 pF.
SI US 22
C C C + = ; = =
12 22 SI
C C C 1,51 = 0,5 pF.
Tada
=
+

=
+
=

9
12
3
10 32 , 0
10 ) 1 1 ( 2
10 4
) ( 2
US UI
m
T
C C
g
f 320 MHz
ir

10
9
10 5
10 32 , 0 2
1
2
1



= =
T
k
f
= 0,5 ns.
9.2 uduotis
Silicio lauko tranzistoriaus n kanalo ilgis 0,3 m. Raskime dan
T
f .
Maksimalus elektron greitis silicyje apie 10
7
cm/s.
Sprendimas
Pagal (9.22)
GHz 53 Hz 10 3 , 5
10 3 , 0 2
10
2
10
6
5
k
max
T
=

= =

l
v
f .

9. Lauko tranzistoriai
278


9.5. Ivados

1. Lauko tranzistoriuje srov teka kanalu, sudarytu tarp itakos ir
santakos. Srovs stiprum valdo utros tampa. Kanale srov
kuria pagrindiniai vieno enklo krvininkai. Todl lauko
tranzistoriai dar vadinami vienpoliais tranzistoriais. Pagal utros
tip lauko tranzistoriai skirstomi dvi grupes sandrinius lauko
tranzistorius ir tranzistorius su izuoliuotja utra. Tranzistoriai
su izoliuotja utra daniau vadinami MDP arba MOP
tranzistoriais. Jie esti dviej tip su pradiniu kanalu ir su
indukuotuoju kanalu.
2. Lauko tranzistoriuje su n kanalu ir valdaniosiomis pn
sandromis kanalas yra tarp dviej p srii, kurios atlieka utros
vaidmen. Tokiame tranzistoriuje, didjant utros neigiamai
tampai
UI
U , pleiasi pn sandros, maja kanalo storis, didja jo
vara ir maja kanale tekanios srovs stiprumas. Taip utros
tampa valdo per tranzistori tekani srov
S
I .
3. MOP tranzistoriuje su pradiniu kanalu tarp kanalo ir metalinio
utros elektrodo yra plonas silicio dioksido sluoksnis. Gaminant
tranzistori, itakos, santakos sritys ir jas jungiantis silpnai
legiruotas kanalas sudaromi paviriniame puslaidininkio
sluoksnyje termins priemai difuzijos ar joninio legiravimo
bdais. Jei pradinis kanalas yra n tipo, tai, veikiant teigiamai
utros tampai, i n
+
itakos ir santakos srii kanal traukiami
elektronai. Padidjus pagrindini krvinink koncentracijai,
kanalo vara sumaja. Neigiama utros tampa stumia i kanalo
elektronus. Todl, didjant neigiamai utros tampai, kanalo
vara didja. Taip utros tampa valdo kanalo var ir juo
tekani srov. MOP tranzistorius su pradiniu kanalu gali veikti ir
kanalo turtinimo, ir kanalo skurdinimo slygomis.
4. Indukuotojo kanalo MOP tranzistoriai yra paprastesns
konstrukcijos. Tranzistori su indukuotuoju n kanalu sudaro p
puslaidininkio pagrindas, kuriame sudarytos n
+
itakos ir santakos
9. Lauko tranzistoriai
279

sritys; tarpas tarp n
+
srii padengtas dielektriko sluoksniu, ant
kurio sudarytas utros elektrodas. Teigiamai utros tampai
virijus slenkstin, po utra susidaro inversinis n sluoksnis
kanalas. Didjant utros tampai, kanale didja elektron
koncentracija ir kartu didja jo laidumas. Taigi tranzistoriai su
indukuotuoju kanalu yra praturtintosios veikos MOP tranzistoriai.
5. jungto pagal bendrosios itakos schem lauko tranzistoriaus
jime yra udara pn sandra arba izoliuotas nuo kanalo utros
elektrodas. Todl lauko tranzistori jimo vara nuolatinei srovei
yra didel, o jimo srov labai silpna.
6. Lauko tranzistoriaus santakos srovs priklausomyb nuo tamp
nusakoma jo perdavimo ir ijimo charakteristikomis.
Stiprintuvuose lauko tranzistoriams daniausiai sudaromos soties
veikos slygos. Soties slygomis lauko tranzistoriaus ijimo
srov maai priklauso nuo ijimo (santakos-itakos) tampos.
Tranzistoriaus perdavimo charakteristik galima aproksimuoti
(9.14) formule.
7. Lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikos statumas tiesiai
proporcingas
S
I . Norint padidinti statum ir gauti didesn
stiprintuvo stiprinimo koeficient, tranzistoriaus darbo tak
reikia parinkti taip, kad santakos srov bt stipresn.
8. emj dani srityje lauko tranzistori galima pakeisti jo
ekvivalentine grandine, sudaryta i jimo tampos
UI
U valdomo
srovs
UI m
U g altinio ir lygiagreiai jam prijungtos tranzis-
toriaus ijimo varos
o
r . Auktj dani srityje ekvivalentins
grandins schem reikia papildyti tranzistoriaus parazitinmis
talpomis. Tada ji gyja pavidal.
9. Didjant daniui, didja lauko tranzistoriaus jimo talpin srov.
Tranzistoriaus srovs stiprinimo koeficientas maja. Kai danis
pasiekia
T
f , srovs stiprinimo koeficientas sumaja iki 1.
rodoma, kad danis
T
f ireikiamas (9.20) formule ir yra tiesiai
proporcingas santykiui
2
k
/ l ; ia lauko tranzistoriaus kanalo
pagrindini krvinink judrumas,
k
l kanalo ilgis. Taigi, kuo
9. Lauko tranzistoriai
280

didesnis krvinink judrumas ir trumpesnis kanalas, tuo geresns
lauko tranzistoriaus danins savybs.

9.6. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Lauko tranzistoriaus n kanale srov kuria (elektronai, skyls, elektronai
ir skyls).
2. Aptarkite lauko tranzistoriaus su valdaniosiomis pn sandromis sandar
ir veikim.
3. Lauko tranzistoriuje su valdaniosiomis pn sandromis krvininkai,
juddami i itakos santak, (veikia dvi pn sandras, nesutinka n
vienos pn sandros).
4. Palyginkite dvipoli ir lauko tranzistori jungimo schemas.
5. Sudarykite lauko tranzistoriaus su valdaniosiomis pn sandromis
perdavimo charakteristik eim. Paaikinkite charakteristik eig.
6. Sudarykite lauko tranzistoriaus su valdaniosiomis pn sandromis
ijimo charakteristik eim. Paaikinkite charakteristik eig.
7. Sandrinio lauko tranzistoriaus
max S
I = 20 mA,
0 UI
U = 10 V. Kokio
stiprio tranzistoriaus ijimo srov
S
I tekt, kai
UI
U = 0? Kokiai
tampai
SI
U veikiant susidaryt tranzistorius soties veikos slygos,
jeigu
UI
U = 2 V?
8. Sandrinio lauko tranzistoriaus
UI0
U = 6 V ir
max S
I = 12 mA. Jeigu
i duomen pakanka, sudarykite tranzistoriaus perdavimo charakteris-
tik.
9. Sandrinio lauko tranzistoriaus su p kanalu
max S
I = 4 mA ir
0 UI
U = +3 V. Sudarykite tranzistoriaus perdavimo charakteristik.
10. Aptarkite MOP tranzistoriaus su pradiniu kanalu sandar ir veikim.
11. Neigiama tampa
UI
U (skurdina, turtina) MOP tranzistoriaus pradin n
kanal, teigiama tampa kanal (skurdina, turtina) kanal.
12. Kuo MOP tranzistorius su indukuotuoju n kanalu skiriasi nuo MOP
tranzistoriaus su pradiniu n kanalu?
13. Aptarkite MOP tranzistoriaus su indukuotuoju kanalu veikim ir
charakteristikas.
9. Lauko tranzistoriai
281

14. MOP tranzistoriaus su indukuotuoju n kanalu
max S
I = 30 mA. Kai
UI
U = 1 V, tranzistoriaus ijimo srov
S
I = 4 A. Kai
UI
U = 10 V,
S
I = 10 mA. Sudarykite tranzistoriaus perdavimo charakteristik.
15. Sudarykite lauko tranzistoriaus pavidalo ekvivalentins grandins
schem ir palyginkite j su dvipolio tranzistoriaus pavidalo
ekvivalentins grandins schema.
16. Lauko tranzistoriaus su valdaniosiomis pn sandromis
max S
I = 8 mA ir
UI0
U = 4 V. Apskaiiuokite tranzistoriaus perdavimo charakteristikos
statum, kai
UI
U = 1,5 V.
17. MOP tranzistoriaus su indukuotuoju n kanalu
max S
I = 50 mA. Kai
S
I = 10 mA, jo statumas
m
g = 6 mS. Raskite statum, kai
S
I = 40 mA.
18. Lauko tranzistoriaus su valdaniosiomis pn sandromis ir n kanalu
0 UI
U = 3 V,
max S
I = 9 mA. Raskite tranzistoriaus perdavimo
charakteristikos statum, kai
UI
U = 1,5 V. Sudarykite tranzistoriaus
ekvivalentins grandins schem. Prim, kad
UI
C = 9 pF,
US
C = 6 pF
ir
SI
C = 2 pF, apskaiiuokite tranzistoriaus didiausi srovs stiprinimo
dan
T
f .
19. Kodl MOP tranzistoriams pavojingi statiniai krviai?
20. Palyginkite lauko tranzistori ir dvipoli tranzistori bendrsias
savybes.







09. L.tranzistoriai_200308 20/08/2003 14:27
10. Integrini grandyn gamybos procesai
282


10. INTEGRINI GRANDYN GAMYBOS PROCESAI

Svarbiausieji iuolaikins elektronins aparatros komponentai
yra silicio integriniai mikrograndynai. J elementai (tranzistoriai,
rezistoriai, kondensatoriai) ir juos jungiantieji laids takeliai
suformuojami vienu technologini proces ciklu ir sudaro nedalom
visum.
Silicio integrini grandyn gamybos technologinius procesus
galima suskirstyti tris grupes. Pirmajai paruoiamj proces grupei
priskiriami silicio plokteli bei grandyn korpus detali ir mazg
gamybos procesai. Antrj grup sudaro puslaidininkini element
formavimo silicio ploktelse procesai. Elementai formuojami
planarija technologija, taikant epitaksijos, termins priemai
difuzijos, jon implantavimo, dielektrini ir metalini sluoksni
sudarymo, fotolitografijos bei kitus procesus. Pagaliau treiajai
gamybos technologini proces grupei priskiriami mikrograndyn
surinkimo, kontrols ir bandymo procesai.
iame skyriuje aptarsime silicio plokteli gamyb ir integrini
grandyn element formavimo procesus.

10.1. Silicio plokteli gamyba

Silicis yra vienas labiausiai paplitusi element: jis sudaro
madaug ketvirtadal ems plutos mass. Laisvas silicis gamtoje
nesutinkamas. Labiausiai paplits silicio junginys yra silicio
dioksidas. Jis sudaro iki 98 % kvarcinio smlio mass.
Vadinamasis techninis silicis gaunamas kaitinant kvarcin sml ir
koks 15002000
o
C temperatroje:
SiO
2
+ 2C Si + 2CO. (10.1)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
283

Techniniame silicyje daug priemai. Siekiant jas paalinti,
sudaromi silicio junginiai: silicio tetrachloridas SiCl
4
, chlorsilanas
SiHCl
3
arba monosilanas SiH
4
.
Silicio tetracloridui ir chlorsilanui gauti panaudojamos ios
reakcijos:
Si + 2Cl
2
SiCl
4
, (10.2)
Si + 3HCl SiHCl
3
+ H
2
. (10.3)
Sudaryti silicio junginiai gryninami daugiakarts distiliacijos ir
rektifikacijos bdu. Po to i ivalyt nuo priemai jungini vl
gaunamas silicis:
SiCl
4
+ 2H
2
Si + 4HCl, (10.4)
SiHCl
3
+ H
2
Si + 3HCl. (10.5)
Gautas polikristalinis silicis dar gryninamas metalurginiais
valymo bdais: zoniniu lydymu arba traukimu i lydalo. ie
gryninimo bdai pagrsti tuo, kad priemai tirpumas skystojoje ir
kietojoje silicio fazse yra nevienodas. Zoniniam lydymui naudojama
elektromagnetini virpesi energija (10.1 pav.). Silicio strype
indukuojamos auktadans sukrins srovs ilydo nedidel strypo
dal (zon). Slenkant auktadanei ritei iilgai strypo, i zona juda
kartu su ja. Kadangi siliciui kristalizuojantis didioji priemai dalis
lieka skystojoje fazje, tai priemaios kaupiasi ilydytoje zonoje ir
slenka apdorojamo strypo gal. Reikiamo grynumo silicis gaunamas
naudojant daugiakart zonin lydy-
m. Priglaudus prie apdorojamo
strypo galo silicio monokristalo
uuomazg, zoninio lydymo bdu
galima pagaminti tam tikros
orientacijos monokristalinio silicio
stryp, taiau gautame monokristale
yra gana daug dislokacij (10
3

10
5
cm
2
).
Geresns struktros silicio
monokristalai iauginami traukimo


Lydalas
Melt
Silicio
strypas
Indukcin
rit

Rits
judjimo
kryptis


10.1 pav. Zoninis lydymas
10. Integrini grandyn gamybos procesai
284

i lydalo metodu, kur dar 1918
metais pasil ochralskis
(Czochralski). Taikant och-
ralskio metod, vakuuminje
kameroje silicio lydal panar-
dinama silicio monokristalo
uuomazga (10.2 pav.). i
uuomazg ltai traukiant i
lydalo ir intensyviai auinant
kristalo ir lydalo slyio srit,
vyksta silicio kristalizacija.
Silicio monokristalas auga kaip
kristalo uuomazgos tsinys.
Norint gauti apvalaus skers-
pjvio monokristal, tiglis su
lydalu ir auginamasis mono-
kristalas ltai sukami prieingomis kryptimis apie vertikali a. Jei
reikia gauti legiruot silic, lydal dedama reikiam priemai.
Kristalo augimo greit lemia traukimo greitis (50150 mm/h). Nuo
traukimo greiio priklauso monokristalo skersmuo ir kokyb (defekt
tankis, legiravimo tolygumas). ochralskio metodu iauginami silicio
monokristal strypai, kuri skersmuo bna 150300 mm, ilgis iki
1,52 m.
Iauginto monokristalinio strypo pavirius bna nelygus, todl
strypas lifuojamas. Po to nupjaunami jo galai ir, Rentgeno (Rntgen)
spinduli arba optiniu bdu patikslinus kristalo orientacij, strypas
pjaustomas 0,40,8 mm storio plokteles. Tam naudojami diskai su
vidine ar iorine deimanto grdeliais padengta pjovimo briauna.
Po pjovimo operacijos plokteli paviriai yra gana nelygs,
paviriniuose sluoksniuose gali bti skilim ir kitoki defekt. Todl
ploktels lifuojamos nulifuojamas 60100 m storio pavirinis
sluoksnis. Po to darbinis pavirius poliruojamas naudojant suspensijas
su vis maesni matmen (pabaigoje smulkesniais nei 1 m)
abrazyvo grdeliais. Po mechaninio poliravimo atliekamas cheminis
dinaminis poliravimas plokteli pavirius sdinamas azoto, fluoro

U uomazga

Silicio
kristalas

Silicio
lydalas

Indukcin

rit

Kvarcinis
tiglis


10.2 pav. Silicio monokristalo
auginimas ochralskio metodu
10. Integrini grandyn gamybos procesai
285

ir acto rgi miiniu. Paviriaus ikilimuose silicio atom ryiai su
kristalu yra silpnesni, todl cheminio poliravimo metu pirmiausia
nusdinami ie ikilimai.
Kiekvienos technologins operacijos metu ploktels gali bti
utertos. Todl j paviriai rpestingai valomi fiziniais ir cheminiais
metodais. Riebalams nuo plokteli paviriaus paalinti naudojami
organiniai tirpikliai (benzolas, toluolas, spiritas), kartas vandenilio
peroksidas ir kitos chemins mediagos. Tirpal likuiai kruopiai
nuplaunami distiliuotu ir dejonizuotu vandeniu.
Nuvalytas plokteles reikia saugoti nuo uterimo. Todl
integrini grandyn gamybos patalpos turi tenkinti grietus
technologins higienos reikalavimus.

10.2. Epitaksija

Epitaksija tai orientuoto kristalo sluoksnio auginimas ant mono-
kristalins ploktels padklo. io technologinio proceso pava-
dinimas kils i dviej graikik odi. Priedlis epi reikia buvim
ant, vir, ko nors pertekli, pried. odis taxis reikia isidstym.
Kai auginamas tos paios mediagos kaip padklas epitaksinis
sluoksnis, jis pratsia padklo kristalin gardel, ir procesas
vadinamas homoepitaksija, arba vienalyte epitaksija. Kai ant padklo
auginamas orientuotas kitos mediagos sluoksnis, procesas vadinamas
heteroepitaksija, arba vairialyte epitaksija. Naudojant hetero-
epitaksijos proces, monokristalinio silicio sluoksn galima uauginti
ant monokristalinio izoliacinio (pavyzdiui, sintetinio safyro Al
2
O
3
)
pagrindo.

10.2.1. Epitaksijos paskirtis ir bdai

Naudojant epitaksijos proces, galima sudaryti vairius
puslaidininkinius darinius: ant legiruoto padklo uauginti maai
legiruot sluoksn (sudaryti n
+
n, p
+
p, p
+
p

ir kitokius darinius), ant


10. Integrini grandyn gamybos procesai
286

legiruoto pagrindo uauginti kito laidumo tipo epitaksin sluoksn ir
pan. Uauginus kito laidumo tipo sluoksn, tarp padklo ir epitaksinio
sluoksnio susidaro pn sandra. Gaminant puslaidininkinius integrinius
grandynus, 225 m storio epitaksiniame sluoksnyje sudaromi
aktyvieji ir pasyvieji grandyn elementai. Monokristalinis padklas,
ant kurio sudaromas epitaksinis sluoksnis, atlieka tik integrinio
grandyno konstrukcinio pagrindo vaidmen.
Epitaksiniam sluoksniui auginti galima panaudoti vairi
agregatini bsen mediagas. Silicio epitaksiniai sluoksniai
daniausiai sudaromi dujine epitaksija silicio atom altinis yra vir
pagrindo praleidiamos dujos. Taikant skystin epitaksij, epitaksinis
sluoksnis susidaro kristalizuojantis ant padklo puslaidininkinei
mediagai i lydalo, kuris audamas prisisotina. Skystin epitaksija
kartais taikoma sudting puslaidininki vairialyiams dariniams
(pavyzdiui, GaAs-AlGaAs struktrai) sudaryti. Dabar tokie dariniai
daniausiai sudaromi molekulins epitaksijos bdu. Mediagos atomai
i jos kietosios fazs imuami elektron pluotu. Pasiek kaitint
pagrind, atomai ant jo nusda ir pratsia pagrindo kristalin gardel.

10.2.2. Silicio epitaksijai vartojamos mediagos

Silicio epitaksiniai sluoksniai auginami chloridiniu ir hidridiniu
metodais.
Taikant chloridin metod, silicis gaunamas vykstant redukcijos
reakcijoms. Kaip pradins mediagos iuo atveju vartojami silicio
chloridai (tetrachloridas SiCl
4
, trichlorsilanas SiHCl
3
, dichlorsilanas
SiH
2
Cl
2
) ir vandenilis. Naudojant silicio tetrachlorid, kaitint
padkl paviriuje 11501250
o
C temperatroje vyksta reakcija:
SiCl
4
+ 2H
2
Si + 4HCl . (10.6)
Lik ant pagrindo silicio atomai sudaro epitaksin sluoksn.
Vandenilio chloridas paalinamas i reaktoriaus.
Pagrindinis chloridinio metodo trkumas aukta proceso
temperatra. Auktoje temperatroje epitaksin sluoksn i padklo
10. Integrini grandyn gamybos procesai
287

difunduoja priemaios. Todl sunku gauti staigias pn sandras, ypa
kai epitaksinis sluoksnis sudaromas ant pagrindo, kuriame didel
priemai koncentracija. ia prasme pranaesnis hidridinis metodas,
pagrstas monosilano SiH
4
pirolize, kuri vyksta emesnje 950
1050
o
C temperatroje:
SiH
4
Si + 2H
2
. (10.7)
Didiausias ios reakcijos trkumas yra tas, kad monosilanas yra
brangesn ir pavojingesn mediaga. Grynas monosilanas ore
usidega ir gali sprogti, todl epitaksijos procese vartojamas labai
atskiestas argonu ir vandeniliu monosilanas.
Legiruotiems priemaiomis epitaksiniams sluoksniams gauti nau-
dojamos ligatros mediagos, kuriose yra priemai atom. Taikant
chloridin metod, naudojamos skystos ligatros, daniausiai
halogenidai PCl
3
ir BBr
3
. Priemai atomai isiskiria vykstant
redukcijos reakcijoms:
2PCl
3
+ 3H
2
2P + 6HCl , (10.8)
2BBr
3
+ 3H
2
2B + 6HBr , (10.9)
Vykdant epitaksij hidridiniu metodu, monosilano duj sraut
maioma fosfino PH
3
, arsino AsH
3
ar diborano B
2
H
6
. Priemai
atomai silic patenka, skylant hidridams:
2PH
3
2P + 3H
2
, (10.10)
B
2
H
6
2B + 3H
2
, (10.11)
Fosfinas, arsinas ir diboranas yra labai toksiki.

10.2.3. Epitaksijos renginiai ir technologija

Epitaksini sluoksni auginimo rengin (10.3 pav.) sudaro
epitaksijos procese vartojam mediag altiniai, duj skirstymo
sistema su valdymo ir kontrols prietaisais ir epitaksijos reaktorius.
Naudojant chloridin metod, reikiamos sudties darbinis duj miinys
10. Integrini grandyn gamybos procesai
288

gaunamas praleidiant vandenil pro skyst silicio tetrachlorid ir
ligatr arba silicio tetrachlorido ir ligatros miin. Nuo silicio
tetrachlorido ir ligatros dalini slgi darbiniame miinyje santykio
priklauso priemai koncentracija epitaksiniame sluoksnyje ir jo
savitoji vara. Todl pradini mediag santykiai parenkami
priklausomai nuo epitaksiniam sluoksniui keliam reikalavim,
remiantis eksperimentini tyrim rezultatais, kurie literatroje
apibendrinti ir pateikiami grafik arba empirini formuli pavidalu.
Silicio tetrachlorido ir ligatros garavimo greiiai nevienodi ir
priklauso nuo temperatros. Jei naudojamas bendras silicio tetra-
chlorido ir ligatros altinis, tai, greiiau garuojant vienai pradinei
mediagai, kinta miinio sudtis. Dl to kinta priemai koncentracija
auginamame epitaksiniame sluoksnyje, o tai daniausiai nepagei-
dautina. Todl naudojami ir atskiri priemai altiniai, bet tada
reikalinga sudtingesn priemai dozavimo ranga. Pastoviai pradini
mediag temperatrai palaikyti naudojami termostatai.
Epitaksijos reaktori konstrukcijos bna vairios. J korpusai
gaminami i kvarco arba nerdijanio plieno. Reikiama pus-
laidininkini plokteli temperatra gaunama kaitinant indukciniu
bdu, infraraudonaisiais spinduliais arba naudojant varinius kaitin-
tuvus. Puslaidininkini plokteli temperatra kontroliuojama opti-
niais pirometrais. Temperatros sklaida turi bti maa (iki t 5
o
C).
10.3 paveiksle atvaizduoto reaktoriaus korpusas pagamintas i
kvarco. Puslaidininkini plokteli laikiklis grafitinis, kaitinamas


N
2

H
2

HCl

H
2

SiCl
4

D uj iaupas

Indukcin rit

Grafitinis
laikiklis

Silicio
ploktels

Kvarcinis vamzdis



10.3 pav. Epitaksini sluoksni auginimo renginio supaprastinta schema
10. Integrini grandyn gamybos procesai
289

indukciniu bdu. Reakcijos produktai i reaktoriaus patenka
epitaksinio sluoksnio auginimo renginio special tais skruber ir
jame sudega.
Epitaksinio sluoksnio auginimo ciklas susideda i keli etap.
djus epitaksijos reaktori puslaidininkines plokteles, pirmiausia i
reaktoriaus azotu istumiamas oras. Po to, kaitinant plokteles
vandenilio aplinkoje, alinamas (redukuojamas silic) padklo
paviriuje susidars dioksido sluoksnis:
SiO
2
+ 2H
2
Si + 2H
2
O. (10.12)
Sekaniame etape kartu su vandeniliu reaktori pradedamas
tiekti vandenilio chloridas. Jis auktoje temperatroje sdina utert
pavirin puslaidininkio sluoksn vyksta reakcija, atvirktin
reakcijai, apraomai (10.6) lygtimi:
Si + 4HCl SiCl
4
+ 2H
2
. (10.13)
Nusdinus 0,11 m storio pavirin sluoksn, reaktori
pradedamas tiekti vandenilio, silicio tetrachlorido ir ligatros darbinis
miinys. Padidjus i mediag koncentracijai, (10.6) reakcija
pradeda vykti tiesiogine kryptimi pradeda augti epitaksinis
sluoksnis. Augimo greitis priklauso nuo parinkt epitaksijos proceso
slyg ir bna 0,22 m/min. Procesas trunka 1030 min.
Ciklo pabaigoje epitaksinio sluoksnio paviriuje gali bti
sudaromas apsauginis SiO
2
sluoksnis. Po to ploktels atauinamos,
reaktorius prapuiamas azotu. Imus plokteles i reaktoriaus,
matuojami epitaksinio sluoksnio parametrai.

10.2.4. Epitaksinio sluoksnio augimas ir parametrai

Kai taikomas chloridinis metodas, epitaksijos proces sudaro
kelios stadijos: reagent tiekimas reakcijos zon, reagent difuzija
link puslaidininkins ploktels paviriaus, reagent pavirin
adsorbcija, heterogenin reakcija, reakcijos produkt desorbcija,
10. Integrini grandyn gamybos procesai
290

reakcijos produkt difuzija link neanij duj srauto ir reakcijos
produkt alinimas i reakcijos zonos.
Padklo pavirinio sluoksnio atomai sudaro periodin potencialo
reljef. Todl nusds ant ploktels paviriaus silicio atomas uima
potencialo reljefo sln (10.4 pav.). Kaip tik i aplinkyb lemia tai, kad
silicio atomai epitaksiniame sluoksnyje tvarkingai orientuojasi
padklo atvilgiu, pratsdami jo kristalin gardel.
Kita vertus, auktoje temperatroje silicio atom energija yra
gana didel, ir jie gali migruoti padklo paviriumi. Suartjus keliems
migruojantiems atomams, greta ryi su padklu, susidaro papildomi
ryiai tarp gretim atom. Taip atsiranda naujo atominio sluoksnio
uuomazga. Tolesn proceso vyksm lemia tai, kad atomai migruoja
link auganio atominio sluoksnio ir, susidarius papildomiems ryiams,
sitvirtina io sluoksnio kratuose. Taip atominis sluoksnis pleiasi.
Ant auganio atominio sluoksnio patek atomai migruoja link io
sluoksnio krato arba sudaro naujo atominio sluoksnio uuomazgas.
Aptarta tvarkingo atom isidstymo stadija riboja mono-
kristalinio epitaksinio sluoksnio augimo greit. Jei padklo paviriuje
atsiranda daug puslaidininkio atom ir jie nesuspja tvarkingai
orientuotis, epitaksiniame sluoksnyje susidaro daug defekt. Jei
pradini mediag srautas dar didesnis ir reakcijos greit riboja
pradini mediag difuzija link padklo paviriaus, silicio atomai
atsiranda dujose vir padklo paviriaus. Tada jie gali jungtis grupes
dar nepasiek padklo paviriaus. Toki grupi orientacija gali bti
bet kokia. Todl, joms nusdus ant padklo, susidaro polikristalinis
sluoksnis.
Svarbiausieji epitaksinio
sluoksnio parametrai jo
storis, savitoji vara ir defekt
tankis.
Epitaksinio sluoksnio
stor lemia jo augimo greitis ir
trukm. Sluoksnio augimo
greitis priklauso nuo pradini
mediag koncentracij dar-


Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si


10.4 pav. Silicio epitaksinio sluoksnio
augimas
10. Integrini grandyn gamybos procesai
291

biniame duj miinyje, duj srauto greiio, padklo orientacijos ir
temperatros. Parinkus proceso technologin reim, reikiamas
epitaksinio sluoksnio storis gaunamas kontroliuojant proceso trukm.
Epitaksinio sluoksnio storis matuojamas nuoulnaus lifo,
infraraudonj spinduli interferencijos ir kitais metodais.
Epitaksinio sluoksnio savitoji vara priklauso nuo ligatros
koncentracijos darbiniame duj miinyje, sluoksnio augimo greiio ir
proceso temperatros. Savitosios varos priklausomyb nuo sluoksnio
augimo greiio ir temperatros lemia nevienodi puslaidininkins
mediagos ir priemai garavimo greiiai. Priemaios kartais turi
didels takos ir epitaksinio sluoksnio augimo greiiui. Eksperi-
mentikai nustatyta, kad boru legiruoti sluoksniai auga 23 kartus
greiiau u nelegiruotus.
Epitaksinio sluoksnio parametrams gali turti takos autodifuzi-
ja priemai termin difuzija i padklo epitaksin sluoksn ir i
epitaksinio sluoksnio padkl. Autodifuzija liau vyksta emesnje
temperatroje.
Epitaksinio sluoksnio defektai irykja sdinant specialiais
sdikliais. Po to defektus galima stebti pro mikroskop. Nuo defekt
koncentracijos priklauso krvinink judrumas epitaksiniame
sluoksnyje ir kiti io sluoksnio parametrai.

10.3. Termin priemai difuzija

Difuzija (lot. diffusio sklidimas) yra kryptingas mediagos
skverbimasis koncentracijos majimo link dl jos daleli chaotikojo
judjimo. Gaminant puslaidininkinius taisus ir puslaidininkinius
integrinius grandynus, difuzijos reikinys panaudojamas puslai-
dininki legiravimui. Jau aptarme, kad vedus auktoje temperatroje
difuzijos bdu pavirin puslaidininkio sluoksn priemai, galima
pakeisti io sluoksnio laidumo tip arba sudaryti lokalias kitokio
laidumo sritis.
10. Integrini grandyn gamybos procesai
292


10.3.1. Priemai difuzijos mechanizmas ir greitis

Termin priemai difuzija vyksta dl difunduojanios media-
gos difuzanto koncentracijos gradiento.
Priemai atomai kietuosius knus gali skverbtis keliais bdais:
uimdami vakansijas, prasiskverbdami tarp mazg ir pasikeisdami
vietomis su gretimais atomais (10.5 pav.).
Tikimiausias yra pirmasis priemai atom difuzijos
mechanizmas, nes auktoje temperatroje vakansij gali bti gana
daug. Jos atsiranda kaip otkio arba Frenkelio defektai. Kylant
temperatrai, vakansij koncentracija auga, priemai atom
skverbimosi per vakansijas tikimyb didja. Beje, didjant
prasiskverbusi padkl priemai koncentracijai ir dl to majant
vakansij koncentracijai, svarbesnis tampa antrasis priemai
skverbimosi kelias per tarpmazgius. Maiausiai tiktinas treiasis
priemai atom skverbimosi bdas, nes gretimi atomai gardels
mazguose gali pasikeisti vietomis tik gij gana daug energijos.
Difuzijos proceso greit apibdina difuzijos koeficientas.
Termins priemai difuzijos koeficientas D paprastai ireikiamas
kvadratiniais centimetrais per sekund (cm
2
/s). Jo skaitin vert
reikia skaii daleli, pereinani per 1 cm
2
plot per 1 s, kai
priemai koncentracijos gradientas lygus 1 cm
4
.


a b c

10.5 pav. Priemaios atom skverbimasis per vakansijas (a),
tarpmazgius (b) ir pasikeiiant vietomis su kitais atomais (c)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
293

Difuzijos koeficientas labai priklauso nuo temperatros. Kylant
temperatrai, difuzijos koeficientas spariai didja. Priklausomyb
) (T D ireikiama Arenijaus (Arrhenius) lygtimi:
T W
D D
k /
0
a
e

; (10.14)
ia
0
D proporcingumo koeficientas;
a
W difuzijos proceso akty-
vacijos energija; k Bolcmano konstanta; T difuzijos proceso
temperatra.
Koeficientas
0
D priklauso nuo puslaidininkio ir priemaios tipo,
kristalografins krypties, kuria vyksta difuzija, ir pradins priemai
koncentracijos. Aktyvacijos energija
a
W priklauso nuo puslaidininkio,
priemaios tipo ir difuzijos mechanizmo. Jei silic difunduoja boras,
tai
a
W 3,7 eV; jei fosforas, 4,4 eV.
Kadangi koeficientas
0
D ir aktyvacijos energija
a
W priklauso
nuo daugelio veiksni, tai (10.14) lygtis gerai tinka tik difuzijos
koeficiento D priklausomybi nuo T ir
a
W pobdiui ireikti.
Praktikoje priemai difuzijos koeficientas randamas i literatroje
pateikiam grafik, sudaryt remiantis eksperiment rezultatais.

10.3.2. Difuzijos proces teorija

Difuzijos teorija pagrsta dviem dsniais, kuriuos 1855 metais
suformulavo veicar mokslininkas A. Fikas (Fick).
Difuzijos varomosios jgos prigimt aptarme ir su pirmuoju Fiko
dsniu susipainome, nagrindami krvinink difuzij (r. p. 3.10).
Taikydami dsn priemaios difuzijai ir laikydami, kad priemaios
atomai skverbiasi kristal x aies kryptimi, galime rayti:

x
t x N
D t x J


) , (
) , ( ; (10.15)
ia J priemaios atom srauto tankis, N priemaios koncen-
tracija, t laikas.
Antrojo Fiko dsnio matematin iraik galima ivesti remiantis
pirmuoju dsniu.
10. Integrini grandyn gamybos procesai
294

Imkime plon sluoksn x d tarp dviej vienetinio ploto
ploktum, statmen difuzinio srauto krypiai (10.6 pav.). Sakykime,
kad priemaios koncentracija sluoksnyje laiko momentu t yra ) , ( t x N .
Prabgus laikui t d , priemaios koncentracija tampa ) d , ( t t x N + . Tada
priemaios atom skaiiaus pokytis nagrinjamame sluoksnyje per
laik t d yra
[ ] x t
t
t x N
x t x N t t x N d d
) , (
d ) , ( ) d , (

+ . (10.16)
Priemaios koncentracija kinta todl, kad priemaios srautas
) , ( t x J nagrinjamj sluoksn per 1 ploktum skiriasi nuo
itekanio per 2 ploktum srauto ) , d ( t x x J + . Dl to, kad ie srautai
nevienodi, priemaios atom skaiiaus pokyt sluoksnyje x d per
elementar laik t d galime ireikti formule:
[ ] t x
x
t x J
t x t x J t x J d d
) , (
d ) d , ( ) , (

+ . (10.17)
Sulygin (10.16) ir (10.17) iraik deinisias puses, gauname:
t
t x J
t
t x N

) , ( ) , (
. (10.18)
ra i lygt srauto tankio iraik (10.15), gauname
diferencialin lygt, kuria ireikiamas antrasis Fiko dsnis:
2
2
) , ( ) , (
x
t x N
D
t
t x N

. (10.19)
i lygtis aprao priemaios
kaupimosi greit. Ja naudojantis
galima nagrinti difuzijos proceso
dinamik.
Isprendus (10.19) lygt, randa-
ma priemaios koncentracijos
priklausomyb nuo difuzijos truk-
ms ir koordinats, taigi galima
apskaiiuoti priemaios pasiskirs-
tym kristale bet kuriuo laiko
momentu. Priemaios koncentra-
cijos priklausomyb nuo koor-


dx
J(x,t)
dx
J(x+dx,t)
x
1 2


10.6 pav. Difuziniai srautai
10. Integrini grandyn gamybos procesai
295

dinats vadinama priemaios koncentracijos profiliu, arba legiravimo
profiliu.
Praktikoje sutinkamas priemai difuzijos slygas gana gerai
atitinka du paprasti teoriniai modeliai: difuzija i nesenkanio altinio
ir difuzija i riboto altinio.
Laikoma, kad difuzijos altinis yra nesenkantis, jeigu priemaios
koncentracija kristalo paviriuje nekinta jeigu
0
) , 0 ( N t N const,
kai 0 t . Atsivelgus pradin slyg 0 ) , ( t x N , kai 0 x ir 0 t ,
bei ribin slyg 0 ) , ( t x N , kai x ir 0 t , gaunamas toks
antrosios Fiko diferencialins lygties sprendinys:
Dt
x
N t x N
2
erfc ) , (
0

; (10.20)
ia erfc - papildoma paklaid funkcija (error function complement),
ireikiama formule:


y
y y y
0
2
d ) exp(
2
1 erfc . (10.21)
Dydis Dt vadinamas difuzijos nuotoliu.
Pagal (10.20) priemaios koncentracijos pasiskirstym lemia
difuzijos koeficientas D (proceso temperatra T ) ir difuzijos proceso
trukm t . Priemaios profilio kitim vaizduoja 10.7 paveikslo, a,
kreivs. Vykstant difuzijai i nesenkanio altinio, didesniame gylyje
priemaios koncentracija yra maesn. Tam tikrame gylyje, kol vyksta
difuzija, priemaios koncentracija didja. Jei difuzijos procesas vykt
pakankamai ilgai, priemaios koncentracija bet kuriame gylyje tapt
tokia, kaip paviriuje.
Nuo difuzijos proceso temperatros ir trukms priklauso ir
legiravimo doz Q skaiius priemaios atom, perjusi per
vienetin padklo paviriaus plot per difuzijos laik t .
inodami ) , ( t x N , galime rasti difuzijos srauto tank. Taikydami
pirmj Fiko dsn, galime rayti:

0
) , (
) , 0 (


x
x
t x N
D t J . (10.22)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
296

(10.22) formul ra priemaios pasiskirstymo iraik (10.20),
gauname:

t
D
N
Dt
N
D t J
x
Dt x

) , 0 (
0 0
) 2 / ( 0
2

. (10.23)
Suintegrav priemaios atom sraut per vienetinio ploto padklo
paviri, gauname legiravimo doz:

2 ... d ) , 0 ( ) (
0
0
Dt
N t t J t Q
t

. (10.24)
Praktikoje termins priemai difuzijos proces daniausiai
sudaro dvi stadijos. Difuzija i nesenkanio altinio vyksta pirmojoje
priemai terpimo stadijoje. ioje stadijoje plon pavirin kristalo
sluoksn vedamas reikiamas priemai kiekis. Antrojoje priemai
perskirstymo stadijoje, auktesnje temperatroje suformuojamas
reikiamas priemai koncentracijos profilis.
Danai antrojoje difuzijos stadijoje atliekamas ir paviriaus
oksidavimas. Todl antrojoje stadijoje priemai atomai per padklo
paviri neprasiskverbia ir legiravimo doz nekinta. Tada difuzija
vyksta i riboto altinio pirmojoje stadijoje legiruoto pavirinio
sluoksnio. iomis slygomis antrosios Fiko diferencialins lygties
sprendinys ireikiamas formule:

N(x)/N 0
1
0
x
Dt= 0
( Dt )
1
( Dt ) 2 > ( Dt ) 1
Dt ( Dt )
3 >> ( Dt )
1
a
N(x)/N 0
x
b
0
( D't' )
1
( D't' )
2
> ( D't' )
1
( D't' ) 3 >> ( D't' ) 1

10.7 pav. Priemai pasiskirstymo profiliai, kai difuzija vyksta i
nesenkanio (a) ir riboto (b) altini
10. Integrini grandyn gamybos procesai
297

,
_


' ' 4
exp
' '
) ' , (
2
t D
x
t D
Q
t x N
; (10.25)
ia ' D priemaios difuzijos koeficientas priemai perskirstymo
etape, ' t io etapo trukm.
(10.25) formul atitinka Gauso (Gauss), arba normalj, pasi-
skirstym. Pasiskirstymo kreivs atvaizduotos 10.7 paveiksle, b. Kaip
ir 10.7 paveiksle, a, kreivi parametras yra difuzijos koeficiento ir
proceso trukms sandauga . Pradioje (kai ' ' t D =0) priemaios koncen-
tracija padklo paviriuje paprastai atitinka ribin priemaios tirpum.
Didjant sandaugai ' ' t D , priemaios atomai i pavirinio sluoksnio
skverbiasi gilyn padkl. Todl prie padklo paviriaus priemaios
koncentracija maja, padklo gilumoje auga. Kreivi ribojamas
plotas (10.6 pav., b) nekinta, nes nekinta legiravimo doz.
Remiantis gautomis iraikomis, galima teorikai parinkti
termins priemai difuzijos proceso slygas.
Sakykime, kad padkl, kuriame pradin priemaios kon-
centracija
pr
N , atliekama kito tipo priemaios termin difuzija. Po
antrosios difuzijos stadijos padklo paviriuje reikia gauti difun-
duojanios priemaios koncentracij
0
N . Kito laidumo tipo difuzinio
sluoksnio storis (pn sandros gylis) turi bti
pn
x .
Pagal suformuluot uduot turi bti tenkinamos slygos
0
) , 0 ( N t N ir
pr pn
) , ( N t x N . Pasinaudoj iomis slygomis ir
(10.25), gauname:
' '
0
t D
Q
N (10.26)
ir

,
_

,
_


' ' 4
exp
' ' 4
exp
' '
2
pn
0
2
pn
pr
t D
x
N
t D
x
t D
Q
N . (10.27)
Pagal (10.27)
pr
0 2
pn
ln ' ' 4
N
N
t D x . (10.28)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
298

Taikydami pastarj formul, galime rasti pn sandros gyl arba
parinkti difuzijos proceso slygas (proceso temperatr ir trukm),
kad sandra susidaryt reikiamame gylyje. Po to, remiantis (10.26)
formule, galima rasti legiravimo doz:
' '
0
t D N Q . (10.29)
inodami reikaling legiravimo doz, pirmosios difuzijos stadijos
slygas (temperatr ir trukm) galime parinkti remdamiesi (10.24)
formule.
Panaiai difuzijos proceso reim teorikai galima parinkti ir tuo
atveju, kai naudojama tik viena priemai vedimo stadija. Tuomet
reikia remtis (10.20) formule.

10.3.3. Termins priemai difuzijos silic technologija

Terminei priemai difuzijai grynos mediagos, kaip priemai
atom altiniai, praktikai nevartojamos. Taip yra dl keleto
prieasi: boras pasiymi aukta lydymosi temperatra, todl
difuzijos temperatroje jo gar slgis yra emas; kaitinamas fosforas
usidega; arsenas yra nuodinga mediaga.
Priemai altiniais gali bti kietosios, skystosios arba dujins
fazs junginiai, kuriuose yra priemai atom.
Kietaisiais priemai altiniais gali bti boro ir fosforo anhidridai
B
2
O
3
ir P
2
O
5
. Patekus i mediag molekulms ant silicio ploktels,
auktoje temperatroje vyksta reakcijos:
2B
2
O
3
+ 3Si 4B + 3SiO
2
. (10.30)
2P
2
O
5
+ 5Si 4P + 5SiO
2
. (10.31)
Atsirad laisvi priemai atomai difunduoja silicio ploktel.
Kietieji priemai altiniai nelabai patogs, nes reikalingos dviej
zon difuzins krosnys. Pirmojoje tokios krosnies zonoje kietasis
junginys garinamas, antrojoje zonoje jo garai pasiekia silicio
ploktel, ir, vykstant reakcijai, atsirad priemaios atomai difunduoja
silic. Taikant toki technologij, priemai gar slgis antrojoje
10. Integrini grandyn gamybos procesai
299

zonoje labai priklauso nuo temperatros pirmojoje zonoje. Todl
temperatros nuokrypiai labai atsiliepia difuzini sluoksni
parametrams.
Lengviausia palaikyti reikiam dujini mediag B
2
H
6
, PH
3
,
AsH
3
slg, taiau ios mediagos labai toksikos.
Gamyboje daniausiai naudojami skystieji priemai altiniai
halogenidai PCl
3
, BCl
3
, BBr
3
, fosforo oksichloridas POCl
3
ir kiti
junginiai. Kadangi auktoje temperatroje ios mediagos gali sdinti
silicio paviri, j garai difuzin krosn tiekiami kartu su deguonimi.
Tada padkl paviriuje vyksta reakcijos:
Si + O
2
SiO
2
(10.32)
ir
4PCl
3
+ 5O
2
2P
2
O
5
+ 6Cl
2
(10.33)
arba
4BBr
3
+ 3O
2
2B
2
O
3
+ 6Br
2
. (10.34)
Taip padkl paviriuje susidaro fosforosilikatinio arba
borosilikatinio stiklo SiO
2
legiruoto P
2
O
5
arba B
2
O
3
sluoksniai. Po
to vykstant (10.30) ir (10.31) reakcijoms, i i sluoksni silic
difunduoja priemai atomai.
10.8 paveiksle atvaizduota supaprastinta termins priemai
difuzijos renginio su skystuoju priemai altiniu schema. ia prie-


O
2
Ar

Kvarcinis
vamzdis
Kaitinimo
spiral
Silicio
ploktel
Duj
maiymo
kamera
Priemai
altinis
Duj iaupas
Rotametras

10.8 pav. Termins priemai difuzijos renginio supaprastinta schema
10. Integrini grandyn gamybos procesai
300

maioms neti difuzin krosn naudojamos argono arba azoto dujos.
Difuzin krosnis yra kvarco vamzdis su variniu kaitintuvu. Krosnies
darbinje zonoje, kurios ilgis 0,61 m, sudaroma iki 1250
o
C tem-
peratra. Pasirinktos temperatros nuokrypis nevirija ) 5 , 0 2 , 0 ( t
o
C.
Difuzijos proceso cikl sudaro keli etapai. Svarbiausieji etapai,
kaip jau buvo minta, priemai terpimas ir perskirstymas.
Priemaios terpiamos 8001000
o
C temperatroje. Tada priemai
difuzija gilyn kristal praktikai nevyksta. Taigi sudaromas plonas
priemai sluoksnis ploktels paviriuje. Stadijos trukm iki 30
40 min. Priemai perskirstymas atliekamas 9001200
o
C ir trunka
nuo deimi minui iki keli valand.
Naudojamos ir kitokios termins priemai difuzijos techno-
logijos. Pagal vien i j kietieji planarieji priemai altiniai
idstomi darbinje difuzins krosnies dalyje tarp silicio plokteli.
Fosforosilikatini ir borosilikatini stikl sluoksniai taip pat gali bti
sudaromi neauktoje temperatroje atliekant kai kuri mediag
pirolitin skaldym. Dar priemai altinio vaidmen gali atlikti ir
legiruotas polikristalinis sluoksnis.
Kartais silicis legiruojamas priemaiomis, kurios sumaina
krvinink gyvavimo trukm. Tam tikslui daniausiai naudojamas
auksas. Ant silicio ploktels sudaromas plonas aukso sluoksnis.
Aukso atomai silic skverbiasi per tarpmazgius. Auktoje tem-
peratroje aukso difuzijos koeficientas yra daug kart didesnis u boro
ir fosforo difuzijos koeficientus. Kai temperatra 11001200
o
C,
kelios minuts jau yra ilga aukso difuzijos trukm, kurios metu
pasiekiama vienoda aukso koncentracija visoje silicio ploktelje.
Aukso tirpumas silicyje smarkiai maja krintant temperatrai. Todl
aukso difuzija esti vienas i paskutinij silicio plokteli terminio
apdorojimo proces. Siekiant, kad nesusidaryt aukso atom
sankaupos, legiruotos auksu ploktels auinamos staiga, pavyzdiui,
ant masyvi aliuminio lakt.
Naudojant kaip priemai atom altin fosforosilikatinio arba
borosilikatinio stiklo ar kitos mediagos pavirin sluoksn, lokaliosios
legiruotos sritys sudaromos prastu bdu per isdintas gryname
silicio dioksido sluoksnyje angas. 10.9 paveiksle, a, atvaizduotas
10. Integrini grandyn gamybos procesai
301

silicio ploktels fragmentas. Dal ploktels paviriaus dengia SiO
2

sluoksnis. Tokio darinio paviriuje sudaromas priemaios altinio
sluoksnis (10.9 pav., b). Auktoje temperatroje priemaios atomai i
io sluoksnio silic difunduoja tik per ang SiO
2
sluoksnyje. Po
difuzijos proceso priemai altinio ir silicio dioksido sluoksniai
nusdinami (10.9 pav., c). Po to ploktels paviriuje sudaromas
apsauginis SiO
2
sluoksnis.

10.3.4. Difuzini sluoksni parametrai

Svarbiausi difuzini sluoksni parametrai tai sluoksnio storis
arba pn sandros gylis
pn
x , sluoksnio pavirin vara
s
R , pavirin
priemai koncentracija ir priemai koncentracijos profilis.
Difuzini sluoksni storis bna nuo deimtj mikrometro dali
iki keli mikrometr. Norint imatuoti difuzinio sluoksnio stor, silicio
ploktel nulifuojama nuoulniai
(10.10 pav.). Po to chemikalais,
kurie nevienodai veikia p ir n sritis,
irykinama pn sandros vieta.
Imatavus b (10.10 pav.), pn
sandros gylis randamas pagal
formule:
b b x tan
pn
.


SiO2
n Si
a
n Si
Borosilikatinio
stiklo sluoksnis
b
n Si
p
c

10.9 pav. Selektyvi priemai difuzija silic i pavirinio priemai
altinio


n

p

b





10.10 pav. Nuoulnusis silicio
ploktels lifas
10. Integrini grandyn gamybos procesai
302

Yra ir kit, tobulesni (lazerini, interferencini) difuzinio
sluoksnio storio matavimo bd.
Kadangi priemai koncentracija difuziniame sluoksnyje pri-
klauso nuo koordinats x , atskaitomos nuo difuzinio sluoksnio pavir-
iaus, difuzinio sluoksnio savitasis laidumas taip pat yra koordinats
x funkcija. Imkime difuzin sluoksn, kurio ilgis a , plotis b ir storis
t . Tokio sluoksnio vara srovei, tekaniai iilgine kryptimi,
ireikiama formule:

b
a
R
bt
a
R
s
v
1

;
ia
v
vidutinis sluoksnio savitasis laidumas; t R
v s
/ 1
pavirin vara.
Pirmojoje varos R iraikoje yra du sunkiai imatuojami
dydiai: savitasis laidumas
v
ir sluoksnio storis t . Antrojoje
iraikoje juos abu pakeiia nesunkiai imatuojama pavirin vara
s
R . Taigi
s
R yra kvadrato formos difuzinio sluoksnio vara, danai
ymima R

.
Difuzinio sluoksnio pavirin vara matuojama keturi zond
metodu (10.11 pav.). Tekant srovei I kratiniais zondais, matuojama
tampa U tarp vidurinij zond. Pavirin vara apskaiiuojama
pagal formul

I
U
k R
s
;
ia k koeficientas, priklausantis
nuo bandinio skersmens d ir zond
ingsnio s santykio s d / . Jei
s d / >>1, tai 53 , 4 2 ln / k .
inant pradin priemai
koncentracij silicio ploktelje,
pavirin var ir priemai
pasiskirstymo dsn, galima ap-
skaiiuoti pavirin priemai
koncentracij. Praktikoje skaiia-
vimo ivengiama, turint vairiems

d
A
V
s s s


10.11 pav. Difuzinio sluoksnio
pavirins varos matavimo
grandin
10. Integrini grandyn gamybos procesai
303

priemai pasiskirstymo dsniams i anksto sudarytus pavirins
priemai koncentracijos priklausomybs nuo pavirins varos
grafikus.
Priemai pasiskirstymo dsnis nustatomas, sdinant difuzin
sluoksn ir matuojant pavirin var, matuojant var vairiose
puslaidininkins ploktels strio lifo vietose ir kitais metodais.

10.4. Priemai jon implantavimas

Puslaidininki legiravimo termins priemai difuzijos bdu
technologijai bdingi keli trkumai:
1. Kiekvienos paskesns difuzijos metu vyksta anksiau vest
priemai persiskirstymas. Todl sunku utikrinti ma plon
difuzini sluoksni parametr sklaid ir gaminti tranzistorius, kuri
bazs storis maesnis nei 0,6 m.
2. Formuojant lokalias difuzines sritis, be priemai atom
difuzijos statmena paviriui kryptimi, vyksta onin difuzija po silicio
dioksido kauke (10.12 pav.). Dl ios prieasties difuzins srities
plotas esti didesnis u angos difuzijai plot, ir formuoti maas sritis
bei kai kuriuos elementus yra sunkiau.
3. Kadangi priemai difuzija vyksta auktoje temperatroje,
nemanoma panaudoti kai kuri perspektyvi mediag.
Siekiant ivengti pamint legiravimo proceso trkum, buvo
pradta taikyti priemai jon implantavimo technologija.
Jon implantavimo metod 1964 metais upatentavo JAV fizikas
V. oklis (Shockley). Taikant
metod, priemai atomai jonizuo-
jami, greitinami aukta tampa ir
nukreipiami puslaidininkio
ploktel. Didels energijos jonai
ploktel gali skverbtis net
normalioje temperatroje.
10.13 paveiksle atvaizduota
jon implantavimo renginio


Si02

B
n

Si



10.12 pav. Priemaios skverbi-
masis, vykstant terminei difuzijai
10. Integrini grandyn gamybos procesai
304

supaprastinta schema. Legiruojanios mediagos garai arba dujos,
kuri sudt eina legiruojanios mediagos atom, tiekiami
jonizacijos kamer. ioje kameroje, tarp anodo ir katodo vykstant
lankiniam ilydiui, atsiranda priemaios jon. Ekstrahuoti i
jonizacijos kameros jonai patenka greitintuv, kuriame jonus
(panaiai kaip elektronus elektroniniame vamzdyje) greitina ir
fokusuoja elektrostatinje greitinimo ir fokusavimo sistemoje
veikiantis elektrinis laukas. Po to jonai patenka masi separatori.
Magnetiniame masi separatoriuje sukuriamas skersinis magnetinis
laukas. Tada separatoriuje judanius jonus veikia Lorenco jga. Ji
pakeiia jon judjimo krypt (10.14 pav.). Jono kreipimo kampas
priklauso nuo jo mass ir energijos. Todl antrj greitinimo pakop
galima nukreipti vienodos mass ir energijos jon pluot. Pralk
horizontalaus ir vertikalaus kreipimo sistemas, jonai patenka darbin
kamer ir bombarduoja puslaidininkines plokteles (10.13 pav.). Jon
energija esti nuo deimi kiloelektronvolt iki 0,51 MeV. Kai
energija didesn, prasideda stiprus Rentgeno spinduliavimas.
Vakuuminiais siurbliais jon implantavimo renginyje palaikomas
10
5
10
4
Pa slgis.
Siekiant vienodai apdoroti vis puslaidininkini plokteli
paviri, jon implantavimo renginyje naudojama elektrostatin,
mechanin arba miri jon pluoto skleidimo sistema. Elektrostatin
skleidimo sistema susideda i dviej kreipimo elektrod por.
Skleidiant mechanikai, puslaidininkins ploktels tvirtinamos prie


Jonizacijos
kamera
Jon greitinimo ir
fokusavimo sistema Masi
separatorius
Jon horizontalaus ir
vertikalaus kreipimo
sistemos
Silicio
ploktel
Jon pluotas


10.13 pav. Jon implantavimo renginio supaprastinta schema
10. Integrini grandyn gamybos procesai
305

karusels, kuri juda jon pluoto
atvilgiu. Naudojant kombi-
nuotas skleidimo sistemas, jon
pluotas elektrostatine arba
magnetine kreipimo sistema
skleidiamas viena kryptimi ir
nukreipiamas judanias kita
kryptimi plokteles (10.15 pav.).
Lokalios legiruotos sritys,
taikant jon implantavim,
sudaromas per angas ekra-
nuojaniuose silicio dioksido,
silicio nitrido ar fotorezisto
sluoksniuose. Yra rengini, kuriuose ekranuojanio sluoksnio kauk
net nereikalinga. Juose, naudojant elektrostatines skleidimo ir
valdymo sistemas, apdorojam puslaidininkin ploktel
nukreipiamas sufokusuotas jon pluotas. Jon sraut pagal program
valdo kompiuteris. Taip galima sudaryti labai ma matmen
legiruotas sritis, nes jonai gali bti suglausti 0,1 m skersmens
pluot.
Besiskverbiantys kietj kn jonai sveikauja su kristalins
gardels atom branduoliais ir elektronais. Dl susidrim jon
energija maja. Kai jono energija susilygina su kristalins gardels
atom vidutine energija, jis stringa kietajame kne.
Jon siskverbimo gylis yra atsitiktinis dydis. Vidutinis si-


Jon
pluotas

Skersinio
magnetinio
lauko linijos

Diafragma


10.14 pav. Magnetinio masi
separatoriaus schema


Kreipimo
ploktel
Karusel
Silicio
ploktels


10.15 pav. Kombinuota jon skleidimo sistema
10. Integrini grandyn gamybos procesai
306

skverbimo gylis priklauso nuo
puslaidininkins ploktels me-
diagos, jon energijos ir jon
pluoto krypties. Jono energija
priklauso nuo greitinimo tampos
U ir jonizacijos laipsnio :
U W q (10.35)
Didjant jon energijai, vidu-
tinis siskverbimo gylis didja. Jeigu jonai deimanto tipo gardel
nukreipiami iilgai kristalografini krypi su maais indeksais
(pavyzdiui, 100 , 110 , 111 ), tai jie siskverbia kristal daug giliau
nei juddami kitomis kryptimis. Taip yra todl, kad priemai atomai
gali skverbtis kanalais, susidaraniais tarp monokristalo atom
(10.16 pav.). Praktikoje kanalin reikin panaudoti sunku, nes
puslaidininkio ploktel reikia tiksliai orientuoti jon pluoto
atvilgiu. Reikinio ivengiama, pasukant ploktel jon pluoto
atvilgiu 78
o
kampu.
Implantuotos puslaidininkin ploktel priemaios pasiskirstym
galima aprayti Gauso dsniu:
( )
1
]
1


2
2
2 / exp
2
) (

x x
Q
x N ; (10.36)
ia Q legiravimo doz, x vidutinis siskverbimo gylis,
vidutinis kvadratinis siskverbimo gylio nuokrypis.
Jon implantavimo bdu sudarytas priemai koncentracijos
profilis atvaizduotas 10.17 paveiksle, a. Kai x x , priemai koncen-
tracija yra maksimali. Pagal (10.36)

2
max

Q
N . (10.37)
Jei kito tipo priemai koncentracija
max
N virija pradin
priemai koncentracij puslaidininkinje ploktelje
pr
N , tai toje
ploktelje susidaro kito laidumo tipo sluoksnis. Ten, kur
pr
) ( N x N ,
atsiranda pn sandra. Remdamiesi ia slyga ir (10.36) bei (10.37)
formulmis, galime ivesti toki pn sandros gylio iraik:



10.16 pav. Priemaios jono
skverbimasis kanalu tarp mono-
kristalo atom
10. Integrini grandyn gamybos procesai
307

) / ln( 2
pr max pn
N N x x t (10.38)
Panagrinjus i iraik ir priemai pasiskirstym
(10.17 pav., a), nesunku sitikinti, kad tuo atveju, kai
pr max
N N > ir
) 0 (
pr
N N > , puslaidininkinje
ploktelje susidaro dvi pn
sandros ir gaunamas pnp arba
npn darinys (10.17 pav., b).
Legiravimo doz Q ir
maksimali priemai koncen-
tracija priklauso nuo jon
pluoto srovs tankio j , jon
implantavimo proceso trukms
t ir jonizacijos laipsnio :
q / jt Q . (10.39)
Taigi reikiam legiravimo
doz Q galima gana tiksliai
sudaryti kontroliuojant jonin
srov ir implantavimo proceso
trukm. Pramoniniuose jon
implantavimo renginiuose
jonins srovs stiprumas bna
nuo deimi mikroamper iki keli miliamper.
Skverbdamasis puslaidininkin ploktel, didels energijos jonas
imua i gardels mazg tam tikr atom skaii. gij pakankamai
energijos, imutieji atomai savo ruotu gali imuti kitus atomus.
Todl kiekvieno jono trajektorijos aplinkoje atsiranda kristalins
gardels defekt. Daniausiai susidaro Frenkelio defektai atomai
tarpmazgiuose ir vakansijos. Padidjus takini defekt kon-
centracijai, gali susidaryti dislokacijos. Siekiant sumainti i
radiacini defekt koncentracij ir suaktyvinti tarpmazgiuose likusius
implantuotus priemaios atomus, puslaidininkins ploktels po jon
implantavimo 1520 minui kaitinamos 700800
o
C temperatroje.
Jei reikia pakeisti sudaryt priemai profil, ploktels apdorojamos


ln N
x / m
x

0
ln Npr
ln N ( x )
n p n
b
a


10.17 pav. Priemai pasiskirstymas
(a) ir jon implantavimo bdu
suformuotas npn darinys (b)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
308

auktesnje temperatroje. Kartu tenka pastebti, kad negilius
sudtingus priemai koncentracij profilius galima gauti tiesiogiai
jon implantavimo bdu, valdant jon energij.
Aptarta priemai jon implantavimo technologija turi nemaai
privalum, lyginant su termine priemai difuzija: legiravimo
procesas yra daug spartesnis ir trunka ne ilgiau kaip kelet minui;
puslaidinink pavyksta legiruoti emesnje temperatroje; lengva
kontroliuoti legiravimo doz, todl pn sandros gylio paklaid
pavyksta sumainti iki 0,02 m; valdant jon energij, galima sudaryti
net labai sudtingus priemai koncentracijos profilius; priemaios
nesiskverbia po ekranuojanios kauks kratais; pavyksta sudaryti
padidintos priemai koncentracijos, virijanios maksimal
priemaios tirpum, sluoksnius. Jon implantavimo technologijos
taikym apsunkina tai, kad reikalingi daug sudtingesni ir brangesni
technologiniai renginiai, be to, sunku sudaryti gilius legiruotus
sluoksnius.

10.5. Dengimas dielektriku

Svarb vaidmen puslaidininkini integrini grandyn gamyboje
ir konstrukcijose atlieka ploni (plonesni nei 1 m) dielektriniai
sluoksniai. Pagal paskirt ie sluoksniai skirstomi technologinius,
funkcinius ir apsauginius.
Technologiniai dielektriniai sluoksniai panaudojami kaip
ekranuojantieji kauki sluoksniai. Atliekant selektyvij termin
priemai difuzij arba jon implantavim, tam tikro storio
dielektriniai sluoksniai sulaiko priemai skverbimsi puslaidinink.
Legiruotieji silicio dioksido sluoksniai (fosforosilikatiniai ir
borosilikatiniai stiklai) naudojami kaip priemai altiniai, atliekant
termin difuzij.
Funkciniai dielektriniai sluoksniai eina puslaidininkini
integrini grandyn (MOP tranzistori ir kondensatori) sudt. Jie
taip pat naudojami kaip izoliaciniai sluoksniai tarp puslaidininkio ir
metalini takeli, jungiani grandyno elementus.
10. Integrini grandyn gamybos procesai
309

Apsauginiai sluoksniai apsaugo puslaidininkio paviri nuo
aplinkos poveiki, krvi kaupimosi puslaidininkio paviriuje,
korozijos ir pan.
Visiems dielektriniams sluoksniams keliami technologikumo
reikalavimai. Kiti reikalavimai yra prietaringi ir priklauso nuo
sluoksnio paskirties.
Kaip dielektriniai sluoksniai panaudojami silicio dioksido SiO
2
,
silicio nitrido Si
3
N
4
, kai kuri metal oksid ir kit mediag
sluoksniai. Daniausiai naudojami amorfinio silicio dioksido
sluoksniai, sudaromi silicio terminio oksidavimo bdu.
Apvelgsime dielektrini sluoksni sudarymo bdus ir savybes.

10.5.1. Terminis silicio oksidavimas

Normalioje temperatroje, reaguodamas su atmosferos
deguonimi, silicis pasidengia 510 nm storio dioksido sluoksniu.
Storesn SiO
2
sluoksn galima sudaryti auktesnje temperatroje.
Terminiam silicio oksidavimui galima naudoti kelias techno-
logijas: sausj, garin, drgnj oksidavim ir kombinuotus
oksidavimo bdus. Taigi terminiam silicio oksidavimui naudojamos
itokios reakcijos:
Si + O
2
SiO
2
, (10.40)
Si +H
2
O SiO
2
+ 2H
2
. (10.41)
Kai puslaidininkins ploktels pavirius pasidengia SiO
2

sluoksniu, oksidacijos procesas tampa sudtingesnis. J sudaro kelios
stadijos: oksidatoriaus molekuli pavirin adsorbcija, oksidatoriaus
difuzija per oksido sluoksn, chemin reakcija silicio paviriuje,
dujini reakcijos produkt difuzija per oksido sluoksn paviri ir j
desorbcija. Kai proceso greit riboja oksidatoriaus difuzija, SiO
2

sluoksnio augimo greitis yra atvirkiai proporcingas jo storiui s :
s
k
t
s
v
2 d
d
; (10.42)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
310

ia
v
k oksidavimo proceso greiio konstanta.
Isprend (10.42) lygt, gauname:
t k s
v
. (10.43)
Vadinasi, kai oksidavimo proceso greit riboja oksidatoriaus
difuzija per SiO
2
sluoksn, is sluoksnis, bgant laikui, auga vis liau.
Oksidavimo proceso greiio konstanta
v
k labai priklauso nuo
temperatros. Priklausomyb ireikiama Arenijaus lygtimi:
T W
v
Ae k
k /
a

; (10.44)
ia A pastovus koeficientas,
a
W aktyvacijos energija.
Pagal (10.43) ir (10.44) formules
) k / exp(
a
T W At s . (10.45)
Eksperimentikai nustatyta, kad, oksiduojant normalaus slgio
sausu deguonimi, 2 , 21 A , 33 , 1
a
W eV. Oksiduojant sausu
deguonimi, gaunamas tankus (tankis apie 2,27 g/cm
3
) ir kokybikas
silicio dioksido sluoksnis. Taiau sauso oksidavimo technologija nra
tobula. Dl to, kad deguonies difuzijos silicio diokside koeficientas
nedidelis ir didel proceso aktyvacijos energija, sauso oksidavimo
procesas ilgai trunka. Skaiiuodami galtume sitikinti, kad 1300
o
C
temperatroje 1 m storio SiO
2
sluoksnis susidaryt per 15 h.
Jei oksiduojama vandens garais, tai 26 , 7 A , 8 , 0
a
W eV.
Kadangi vandens molekuli difuzijos koeficientas yra didesnis ir
proceso aktyvacijos energija maesn, tai garinio oksidavimo procesas
yra spartesnis. 1300
o
C temperatroje 1 m storio SiO
2
sluoksn
pavykt sudaryti per 1 h. Dar labiau proces galima paspartinti
padidinus vandens gar slg. Taiau, be privalum, garinio
oksidavimo technologija turi svarb trkum. Silicio dioksido
sluoksnyje lieka vandenilio ir hidroksilini grupi intarp, todl
sluoksnio kokyb esti prastesn. Oksido tankis yra tik apie 2 g/cm
3
.
Geresns kokybs SiO
2
sluoksn galima gauti taikant drgnj
oksidavim oksidavimui naudojant deguonies ir vandens gar
miin. Tada proceso aktyvacijos energija, oksido sluoksnio augimo
greitis ir jo kokyb priklauso nuo deguonies ir vandens gar dalini
slgi santykio.
10. Integrini grandyn gamybos procesai
311

Integrini grandyn gamyboje geriausiai tinka kombinuotieji
sausojo ir drgnojo oksidavimo bdai. Pradioje oksiduojama sausu
deguonimi ir puslaidininkins ploktels paviriuje sudaromas didelio
tankio silicio dioksido sluoksnis. Jis apsaugo silicio ploktels
paviri nuo erozijos, kuri gali reiktis, kai silic tiesiogiai veikia
vandens garai. Reikiamas oksido sluoksnio storis gaunamas antrajame
etape, taikant drgnj oksidavim. Pabaigoje dar oksiduojama sausu
deguonimi. Tuomet i silicio dioksido sluoksnio pasialina vandenilis,
padidja oksido tankis ir pagerja silicio dioksido sluoksnio kokyb.
Taikant kombinuotj oksidavim, visas oksidavimo procesas,
sudarant 1 m storio sluoksn, trunka apie 3 h.
Jau buvo paminta, kad silicio oksidavimas atliekamas antrojoje
termins priemai difuzijos stadijoje. Taigi oksidavimui tinka
difuzins krosnys. Atliekant drgnj oksidavim, deguonies ir
vandens gar miinys gaunamas per vanden leidiant deguon. Duj
miinio sudtis priklauso nuo vandens temperatros ir deguonies
srauto. Parinkus oksidavimo reim, oksido sluoksnio stor lemia
proceso trukm.
Silicio terminio oksidavimo procesas yra gana paprastas, taiau
terminio oksidavimo technologij taikym kartais sunkina aukta
proceso temperatra ir ilga jo trukm.

10.5.2. Kiti dielektrini sluoksni sudarymo bdai

Kad oksidavimo metu nevykt priemai difuzija ir nekist
suformuoti priemai profiliai, dielektrinius sluoksnius reikia formuoti
emesnje temperatroje.
emesnje temperatroje SiO
2
sluoksn ant silicio galima sudaryti
nusodinimo bdu. Tam galima taikyti tetraetoksisilano pirolizs
reakcij:
Si(OC
2
H
5
)
4
SiO
2
+ 2H
2
O + 4C
2
H
4
. (10.46)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
312

Reakcija vyksta 650800
o
C temperatroje. SiO
2
sluoksnio
augimo greitis apie 0,03 m/min. Proceso trkumas tas, kad
sudarom oksido sluoksn gali uterti reakcijos produktai.
Dar emesnje (200400
o
C) temperatroje silicio dioksid
galima nusodinti, vykstant monosilano ir deguonies reakcijai:
SiH
4
+O
2
SiO
2
+ 2H
2
O. (10.47)
Sluoksnio augimo greitis 0,050,5 m/min. Didiausias ios
technologijos trkumas tas, kad monosilanas nuodingas ir, susimais
su oru, lengvai usidega ir sprogsta.
Perspektyvi mediaga dielektrinei dangai yra silicio nitridas
Si
3
N
4
. Jo ekranuojanios ir dielektrins savybs dar geresns u silicio
dioksido savybes. Atliekant termin priemai difuzij, silicio
dioksido ekranuojanios kauks storis turi bti 0,21 m. Tam paiam
tikslui naudojant silicio nitrid, pakanka 0,080,2 m sluoksnio. Be
to, silicio nitridas pasiymi didesniu elektriniu atsparumu ir didesne
santykine dielektrine skvarba.
Silicio nitridas nusodinamas vykstant monosilano arba silicio
halogenid ir amoniako reakcijoms:
3SiH
4
+ 4NH
3
Si
3
N
4
+ 12H
2
, (10.48)
3SiCl
4
+ 4NH
3
Si
3
N
4
+ 12HCl. (10.49)
Pirmoji reakcija vyksta 650750
o
C temperatroje, antroji
10001200
o
C temperatroje. Silicio nitridui nusodinti naudojami
epitaksijos reaktoriai arba difuzins krosnys. Sluoksnio augimo greitis
priklauso nuo darbinio duj miinio sudties, duj srauto,
temperatros ir gali siekti 0,1 m/min. Didiausias io silicio nitrido
sluoksni sudarymo bdo trkumas maas parametr tikslumas,
ypa kai sluoksnis sudaromas emesnje temperatroje.
Kartais dielektriniams sluoksniams naudojami metal (aliuminio,
titano, tantalo, niobio) oksidai. Aliuminio oksid 800
o
C temperatroje
galima nusodinti, vykstant reakcijai:
2AlCl
3
+ 3H
2
O Al
2
O
3
+ 6HCl. (10.50)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
313

Ant alt arba kaitint iki 100200
o
C temperatros paviri
dielektrinius sluoksnius galima sudaryti plazminio-cheminio
nusodinimo metodu. Naudojant metod, reakcijai vykti reikaling
aktyvacijos energij pradini mediag molekulms teikia plazmos
jonai. Plazma gaunama lankinio ilydio deguonies ir azoto arba
argono dujose metu. Naudojant plazmin-chemin metod, galima
sudaryti silicio oksido, nitrido, aliuminio oksido ir kit mediag
sluoksnius.
Oksid sluoksniams ant alt pagrind sudaryti dar galima taikyti
elektrochemin anodavimo technologij. iuo bdu galima
sudaryti aliuminio ir tantalo oksid sluoksnius.

10.5.3. Dielektrini sluoksni parametrai

Svarbiausi dielektrini sluoksni parametrai tai storis ir
akytumas.
Silicio dioksido ir silicio nitrido sluoksni storis nustatomas
interferenciniais metodais. Vizualiai sluoksnio stor galima nustatyti
pagal spalv. Apvietus skaidriu dielektriku padengt puslaidininkin
ploktel balta viesa, atsispindjusios nuo dielektrinio sluoksnio
virutinio ir apatinio paviri viesos bangos interferuoja. Ta paia
faze viesos bangos sumuojasi, jei tenkinama slyga:
k sn 2 ; (10.51)
ia s sluoksnio storis, n lio rodiklis, k sveikasis skaiius
( k = 1; 2; 3; ), krintanios viesos bangos ilgis.
Taigi dl viesos interferencijos puslaidininkins ploktels
paviriaus spalva priklauso nuo dielektrinio sluoksnio storio.
Literatroje pateikiamos sluoksnio storio priklausomybs nuo spalvos
lentels. gud operatoriai oksido ir nitrido sluoksni stor pagal
spalv gali nustatyti gana tiksliai (paklaida bna ne didesn kaip
t 0,02 m). Sluoksniui storjant, ta pati spalva pasikartoja (SiO
2

sluoksnio kas 0,160,24 m, Si
3
N
4
sluoksnio kas 0,120,14 m).
Interferencijos eil k nustatoma ploktels su dielektriniu sluoksniu
10. Integrini grandyn gamybos procesai
314

krat pamerkus sdikl. Kai dielektriko kratas gyja pleito
pavidal, suskaiiavus, kiek kart pasikartoja stebima sluoksnio
paviriuje spalva, nustatoma k reikm.
Jei dielektrinio sluoksnio plotas nedidelis ir irimas tik pro
mikroskop, tai jo storis matuojamas mikrointerferometru.
Gaminant puslaidininkinius integrinius grandynus, pavojingi
dielektrini sluoksni defektai. Per ekranuojani kauki poras gali
prasiskverbti priemaios. Per izoliacini sluoksni poras susidaro
trumpieji jungimai. Akytas apsauginis sluoksnis neapsaugo nuo
aplinkos poveikio.
Dielektrinio sluoksnio akytumas kontroliuojamas elektro-
cheminiais metodais. Taikant vandens elektrolizs metod,
puslaidininkin ploktel pamerkiama vanden ir naudojama kaip
katodas. Jei per dielektrinio sluoksnio por prie puslaidininkio
prasiskverbia vanduo, vykstant elektrolizei, isiskiria dujinis
vandenilis. Stebint ploktel pro mikroskop, pagal susidarani
burbuliuk skaii galima nustatyti, kiek defekt yra ploto vienete.
Kitas akytumo nustatymo bdas pagrstas elektrocheminiu vario
nusodinimu. Dl elektrolizs vario atomai padengia silic tose vietose,
kur dielektriko sluoksnyje yra poros.

10.6. Metalizavimas

Metalizavimo procesas taikomas laidiam sluoksniui
puslaidininkins ploktels paviriuje sudaryti. Tai vienas paskutinij
puslaidininkins ploktels apdorojimo proces. Jis atliekamas
suformavus reikiamas puslaidininkio sritis, sudarius plokteli
paviriuje dielektrin sluoksn ir fotolitografijos bdu atvrus
dielektriniame sluoksnyje angas kontaktams. Po to, kai ant ploktels
sudaromas itisinis metalo sluoksnis, taikant fotolitografij, dalis io
sluoksnio nusdinama. Taip gaunami bsimj lust elementus
jungiantieji laids takeliai, MOP darini metaliniai sluoksniai bei
kontaktins aiktels.
10. Integrini grandyn gamybos procesai
315

Puslaidininkini integrini grandyn gamyboje metalizavimui
daniausiai naudojamas aliuminis. Jis pigus, pasiymi geru laidumu,
gerai sukimba su siliciu ir silicio dioksidu. Aliuminio sluoksnis
atsparus aplinkos poveikiui, nes aliuminio pavirius pasidengia plonu
(apie 5 nm storio) ir tankiu oksido sluoksniu, kuris saugo metal.
Aliuminio iluminio pltimosi koeficientas gerokai didesnis nei
silicio, taiau tai nelabai svarbu, nes aliuminis minkta, plastika
mediaga.
Daniausiai naudojami aliuminio sluoksniai, kuri storis virija
aukiausio SiO
2
laiptelio aukt ir bna iki 1 m. Sluoksniui sudaryti
tinka vakuuminio ugarinimo technologija. Garinimui naudojami
garintuvai su variniais kaitinimo elementais. Auktoje temperatroje
igarav aliuminio atomai nusda ant paildyt iki 200400
o
C
temperatros silicio plokteli. Sluoksnio augimo greitis apie 10
30 nm/s. Gali bti panaudotos ir kitos plon sluoksni sudarymo
technologijos.
Po litografijos, kuri taikant sudaromi laids aliuminio takeliai,
atliekamas metalo deginimas puslaidininkins ploktels inertini
duj arba azoto aplinkoje kelet minui kaitinamos 500550
o
C
temperatroje.
deginimo metu silicio dioksido ir aliuminio slyio vietose
silicio dioksidas reaguoja su aliuminiu ir pagerja aliuminio sluoksnio
sukibimas su padklu. Be to, deginimo metu dl silicio ir aliuminio
difuzijos pagerja kontakt elektrins savybs.
Aliuminis yra akceptorin priemaia, todl tarp aliuminio takeli
ir silicio p srii susidaro geri ominiai kontaktai. Siekiant sudaryti
ominius kontaktus tarp aliuminio takeli ir n srii, tos sritys po
bsimaisiais kontaktais, kaip jau inome, papildomai legiruojamos
donorinmis priemaiomis, kuri koncentracija virija maksimal
aliuminio tirpum silicyje.
deginimo metu silicio difuzija aliumin yra spartesn nei
aliuminio difuzija silic. Todl gali reiktis silicio paviriaus erozija.
Jos galima ivengti metalizacijai naudojant legiruot siliciu aliumin.
Naudojant aliuminio ir silicio lydin, dar ivengiama aliuminio
elektrodifuzijos. Elektrodifuzija pasireikia, kai labai didelis aliuminio
10. Integrini grandyn gamybos procesai
316

laidininku tekanios srovs tankis. Tada aliuminio laidininko
temperatrai pakilus vir 150
o
C, aliuminio jonai perneami elektron
srauto kryptimi. Todl prie neigiamojo kontakto aliuminio laidininkas
gali nutrkti.
Be pamintj, yra ir kit aliuminio, kaip metalizacijai
panaudojamos mediagos, trkum. Todl laidiems takeliams
naudojamos ir kitos mediagos. Didelio integracijos laipsnio
mikrograndynuose pradti naudoti laids vario takeliai. Auktos
kokybs kontaktams gauti naudojami laids takeliai, sudaryti i keli
sluoksni. Apatiniam arba kontaktiniam sluoksniui (pasluoksniui)
naudojami metalai, kurie maai siskverbia puslaidinink, utikrina
ma kontakto var ir gerai sukimba su silicio dioksidu. Pasluoksniui
naudojami titanas, chromas, vanadis, molibdenas arba volframas.
Virutinis sluoksnis daromas i metalo, turinio ma savitj var ir
gerai besiderinanio su pasluoksniu. Jei pastaroji slyga netenkinama,
tarp kontaktinio ir laidiojo sluoksni naudojamas papildomas apie
0,05 m storio platinos, titano arba molibdeno tarpsluoksnis. Geromis
savybmis pasiymi Mo-Au, V-Al, Mo-Au, W-Au, Cr-Au, Ti-Pt-Au
deriniai. Geri rezultatai taip pat gaunami naudojant PtSi-Mo-Al, PtSi-
Mo-Au ir kitas sistemas, kuriose yra platinos silicido PtSi pasluoksnis.
Kartais laidiam sluoksniui panaudojami ne metalai, o legiruotas
polikristalinis silicis.

10.7. Litografija

Taikant planarij technologij, puslaidininkis termins priemai
difuzijos arba jon implantavimo bdu lokaliai legiruojamas per
ekranuojanios kauks angas. Silicio dioksido ar kitos ekranuojanios
mediagos kauk puslaidininkins ploktels paviriuje sudaroma
litografijos
*
bdu. Litografijos bdu taip pat sudaroma reikiama
laidaus sluoksnio konfigracija. Kartais litografija dar taikoma
selektyviam silicio sdinimui.

*
Litografija (gr. lithos akmuo, grapho raau) grafikos technika
10. Integrini grandyn gamybos procesai
317

Puslaidininkini integrini grandyn gamyboje naudojami vairs
litografijos bdai: fotolitografija, elektron pluoto, jon pluoto,
Rentgeno spinduli litografija. Kai mikrograndyn integravimo
laipsnis nra labai didelis, taikoma fotolitografija.

10.7.1. Fotolitografijos schema

Silicio dioksido sluoksnio fotolitografijos proceso schema
atvaizduota 10.18 paveiksle. Svarbiausius fotolitografijos etapus
iliustruoja 10.19 paveikslas. Padengtos silicio dioksidu puslai-
dininkins ploktels (10.19 pav., a) pavirius nuvalomas ir
padengiamas viesai jautrios mediagos fotorezisto sluoksniu
(10.19 pav., b). Tada ant ploktels udedamas grupinis fotoablonas
(stiklo ploktel su daug kart pasikartojaniu integrinio grandyno
srii atvaizdu), ir fotorezistas eksponuojamas ultravioletiniais
spinduliais (10.19 pav., c). Apviestas arba neapviestas fotorezistas
(tai priklauso nuo fotorezisto tipo) rykinimo metu paalinamas
(10.19 pav., d). Po likusio fotorezisto kietinimo per fotorezisto


Plokteli
valymas
Dengimas
fotorezistu
Fotorezisto
sluoksnio
diovinimas
Tapdinimas,
eksponavimas
Rykinimas,
plovimas
Fotorezisto
terminis
kietinimas
SiO
2
sluoksnio
sdinimas,
plovimas
Likusio
fotorezisto
alinimas

Plovimas


10.18 pav. Fotolitografijos proceso schema
10. Integrini grandyn gamybos procesai
318

sluoksnyje atidarytas angas sdinamos angos silicio diokside
(10.19 pav., e). Galiausiai fotorezisto kauk paalinama ir
puslaidininkins ploktels paviriuje lieka silicio dioksido kauk
(10.19 pav., f), atitinkanti piein fotoablone.
Perkeliant fotolitografijos bdu fotoablino piein ant
puslaidininkins ploktels, gaunami to pieinio ikraipymai,
ribojantys maiausi pieinio element matmenis.
Fotolitografijos galimybs nusakomos skiriamja geba, kuri
ireikiama dar nesusiliejani linij skaiiumi viename milimetre ir
apskaiiuojama pagal formul:
min
2
1000
a
G ; (10.52)


Si
SiO2
a
Si
SiO2
b
Fotorezistas
Si
SiO2
c
Fotoablonas
Si
SiO2
d
Fotorezistas
Si
e
SiO2
Fotorezistas
Si
f
SiO2


10.19 pav. Silicio dioksido ekranuojanios kauks sudarymas foto-
litografijos bdu
10. Integrini grandyn gamybos procesai
319

ia
min
a minimalus linijos plotis (mikrometrais), kai tarpas tarp
linij lygus linijos ploiui.
Jeigu minimalus linijos plotis yra 2 m, tai skiriamoji geba yra
250 lin./mm. inoma, skiriamj geb galima nusakyti ir minimaliu
linijos ploiu. Fotolitografijos skiriamoji geba priklauso nuo foto-
rezisto savybi ir fotoablon bei eksponavimo, rykinimo ir sdinimo
paklaid.

10.7.2. Fotorezistai

Fotorezistas yra organin kompozicija, sudaryta i viesai jautraus
polimero, tirpiklio ir pried. Naudojami dviej tip fotorezistai:
negatyvieji ir pozityvieji.
Veikiant viesai negatyvj fotorezist, jame vyksta foto-
polimerizacijos procesas, kurio metu molekuls suadinamos ir tarp j
susidaro papildomi ryiai. Tuomet apviestos fotorezisto sluoksnio
sritys tampa chemikai atsparesns. iuo atveju rykinant
nusdinamos tik neapviestos fotorezisto sluoksnio sritys, o apviestos
sritys lieka ant puslaidininkins ploktels (10.20 pav., a, b).
viesai veikiant pozityvj fotorezist, vyksta prieingas
fotopolimerizacijai fotolizs procesas. Fotolizs metu viesa sukelia
molekuli destrukcij. Susidarius paprastesns struktros molekulms,
fotorezistas tampa maiau chemikai atsparus, jo tirpumas padidja.
Todl rykinant nusdinamos apviestos fotorezisto sritys
(10.20 pav., c, d).
Fotorezist savybs apibdinamos daugeliu parametr. Svarbiausi
i j tai jautrumas viesai, skiriamoji geba ir atsparumas rgtims.
Jautrumas viesai ir skiriamoji geba du prietaringi parametrai.
Jautrs fotorezistai esti stambiagrdiai, todl jiems bdinga prasta
skiriamoji geba.
Jautrumas viesai yra atvirkiai proporcingas energijos kiekiui,
kuris reikalingas fotorezisto savybms pakeisti. Jis ireikiamas
formule H S / 1 ; ia Et H ekspozicija, E fotorezisto
10. Integrini grandyn gamybos procesai
320

apviestumas, t ekspozicijos trukm. Siekiant padidinti jautrum,
fotorezist dedama speciali pried sensibilizatori.
Fotorezisto jautrumas viesai priklauso nuo viesos bangos ilgio.
Dauguma fotorezist jautriausi ultravioletiniams spinduliams.
Apvieiant fotorezist, daugiausia viesos energijos sugeria jo
pavirinis sluoksnis. Todl pavirinio sluoksnio savybs pakinta labiau
nei gilesni sluoksni. Dl ios prieasties, taip pat dl viesos
sklaidos gaunami fotoablono pieinio ikraipymai, kurie tuo didesni,
kuo storesnis fotorezisto sluoksnis. Todl, siekiant padidinti
skiriamj geb, reikia mainti fotorezisto sluoksnio stor. Jis turi bti
maesnis u maiausi pieinio matmen. Praktikoje daniausiai
naudojami fotorezist sluoksniai, kuri storis nuo 0,3 iki 2 m.
Nuo fotorezisto sluoksnio storio priklauso jo atsparumas
chemikalams (rykalams, rgtims, armams ir pan.). Fotorezisto
atsparumo kiekybin charakteristika yra laikas, kur fotorezistas


Si
SiO
2
Fotorezistas
Fotoablonas
a
b
c
d


10.20 pav. Negatyviojo (a, b) ir pozityviojo (c, d) fotorezist kauki
sudarymas
10. Integrini grandyn gamybos procesai
321

atlaiko chemikalo poveik. Jei per fotorezisto angas dielektrikas
sdinamas plazma, fotorezistas turi bti atsparus plazmos poveikiui.
Didesne skiriamja geba (iki 5001000 lin./mm) pasiymi
pozityvieji fotorezistai, nes j molekuls maesns. Negatyvij
fotorezist privalumas paprastesnis rykinimo procesas:
neapviestas fotorezisto sritis galima nuplauti tuo paiu tirpikliu,
kuriuo tirpinamas fotorezistas, sudarant jo sluoksn ant
puslaidininkins ploktels.

10.7.3. Svarbiausios fotolitografijos operacijos

Fotorezisto sluoksnyje neturi bti defekt. Jis turi patikimai
prilipti prie ploktels paviriaus. Todl fotolitografijos proceso
pradioje ploktels rpestingai nuvalomos. Valymo technologija
priklauso nuo ploktels paviriuje sudaryto sluoksnio mediagos.
Siekiant nuo paviriaus paalinti organinius teralus, ploktels
plaunamos kartais organiniais tirpikliais arba apdorojamos i
tirpikli garais. Po to ploktels plaunamos dejonizuotu vandeniu.
Kartais taikomi ultragarsiniai valymo bdai. Siekiant nuo valomo
paviriaus paalinti vandens molekules ir suteikti paviriui
hidrofobini (vanden atstumiani) savybi, ploktels apdorojamos
termikai.
Hidrofobins savybs pageidautinos todl, kad fotorezistai
hidrofobinius pavirius gerai vilgo ir gerai prie j prilimpa. Be to,
dauguma sdikli (rgi arba arm vandeniniai tirpalai) blogai
vilgo hidrofobinius pavirius ir nesiskverbia po fotorezisto sluoksnio
kratu.
Fotorezisto sluoksnis turi bti itisinis ir vienodo storio visame
ploktels paviriuje (leistinas tik 1020 nm storio nuokrypis). Todl
keliami grieti reikalavimai fotorezisto kokybei. Jame neturi bti
stambi daleli, tad prie vartojim fotorezistas filtruojamas ir
centrifuguojamas. Siekiant apsaugoti ploktels paviri ir fotorezist
nuo dulki, fotorezisto sluoksnis sudaromas specialioje varioje
patalpoje. Vienodo storio fotorezisto sluoksniui sudaryti naudojama
10. Integrini grandyn gamybos procesai
322

centrifuga. Silicio ploktel su SiO
2
sluoksniu prisiurbiama prie
centrifugos staliuko. I dozatoriaus ant ploktels centrins dalies
ulainamas fotorezisto laas. Veikiant centrifugai, dl icentrini jg
fotorezistas ant lygaus paviriaus pasklinda plonu vienodo storio
sluoksniu. Jo perteklius nuo ploktels nublokiamas. I plono
sluoksnio garuojant tirpikliui, fotorezisto klampumas didja.
Susidariusio fotorezisto sluoksnio storis priklauso nuo fotorezisto
pradinio klampumo ir centrifugos sukimosi greiio.
Naudojant centrifug, sudarytame fotorezisto sluoksnyje lieka
vidini tempim. J galima ivengti fotorezisto sluoksn upurkiant
ant ploktels. is bdas tinka ir tada, kai jau sudarytas ploktels
paviriaus reljefas.
Fotorezisto sluoksnis diovinamas, kad jame nelikt tirpiklio.
Diovinant termostate, tirpiklis pirmiausia igaruoja i fotorezisto
sluoksnio paviriaus. Tada per j besiskverbdamos tirpiklio molekuls
sukelia pavirinio sluoksnio defektus. Geresn fotorezisto sluoksnio
kokyb gaunama diovinant infraraudonaisiais spinduliais arba
naudojant mikrobanges diovinimo krosnis. Tada energij sugeria ir
kaista ploktel, ant kurios sudarytas fotorezisto sluoksnis, o kaistant
ploktelei, tirpiklis pirmiausia pasialina i fotorezisto sluoksnio
gilumos.
Formuojant puslaidininkini integrini grandyn elementus,
fotolitografija atliekama kelet kart. Kiekvieno sekanio
fotolitografijos proceso metu fotoablon reikia tiksliai orientuoti
puslaidininkins ploktels su joje sudarytomis sritimis atvilgiu.
Leistinoji fotoablono ir puslaidininkins ploktels sutapdinimo
paklaida priklauso nuo formuojam element matmen. Element
matmen nuokrypiai turi neviryti t (1025) % nuo maiausio
elemento matmens. Kai maiausias elemento matmuo 2 m,
sutapdinimo paklaida turi bti ne didesn kaip t (0,20,5) m.
Sutapdinimui naudojami specials tapdinimo ir eksponavimo
renginiai. Tapdinama pagal fotoablone ir puslaidininkinje plok-
telje padarytas ymes (10.21 pav.). ymes sutapdinus,
puslaidininkin ploktel eksponuojama ultravioletiniais spinduliais.
Optinmis sistemomis gaunamas lygiagrei spinduli pluotas,
10. Integrini grandyn gamybos procesai
323

vienodai apvieiantis vis apdo-
rojam paviri. iuolaikiniai ren-
giniai leidia tapdinimo ir ekspo-
navimo operacijas automatizuoti.
Po eksponavimo atliekamas
rykinimas. Sudtos kaset
ploktels panardinamos rykal.
Naudojant automatizuot rykinimo
sistem, ploktels apdorojamos
individualiai. Tada rykinimo technologija panai dengimo
fotorezistu technologij. Skirtumas tas, kad vietoj fotorezisto
dozatoriumi tiekiamas rykalas. Po rykinimo ploktel plaunama
dejonizuotu vandeniu. Rykinimo reimas parenkamas toks, kad bt
visikai paalintos nereikalingos fotorezisto sritys ir gauta kuo maiau
likusio fotorezisto sluoksnio defekt. Jei po rykinimo aptinkamas
sudarytos kauks brokas, fotorezistas paalinamas ir fotolitografijos
procesas pradedamas i naujo. Jei kauk kokybika, siekiant ubaigti
fotorezisto polimerizacij, pagerinti jo adhezij ir atsparum sdik-
liams, fotorezistas kietinamas termikai apdorojamas 110120
o
C
temperatroje. Kietinimas atliekamas panaiai kaip fotorezisto
sluoksnio diovinimas, tik auktesnje temperatroje.
Kietinimo operacija galutinai suformuojama fotorezisto kauk. Po
to pro fotorezisto kauks angas selektyviai sdinami dielektriko ar
metalo sluoksniai arba silicis.
Silicio dioksido sluoksnis sdinamas fluoro rgties tirpalais.
sdinimo metu vyksta reakcija:
SiO
2
+ 4HF SiF
4
+ 2H
2
O. (10.53)
Silicio nitrido sdinimui galima naudoti kart fosforo rgt
H
3
PO
4
, taiau jai neatspars negatyvieji fotorezistai. Todl daniau
taikomas selektyvus plazminis silicio nitrido sdinimas, arba, prie
sudarant fotorezisto sluoksn, ant silicio nitrido ugarinamas
molibdeno pasluoksnis. Atliekant fotolitografij, pirmiausia atidaro-
mos angos molibdene, o po to atspari molibdeno kauk panaudojama
selektyviam silicio nitrido sluoksnio sdinimui.


ym
ploktelje
ym
ablone


10.21 pav. Tapdinimo yms
10. Integrini grandyn gamybos procesai
324

Aliuminiui sdinti naudojami arminiai arba rgtiniai sdikliai.
Jei kauk sudaryta i pozityviojo fotorezisto, aliumin galima sdinti
fosforo rgtimi:
2Al + 2H
3
PO
4
2AlPO
4
+ 3H
2
. (10.54)
Legiruotas siliciu aliuminis sdinamas azoto ir fluoro rgi
vandeniniu tirpalu.
Jei kauk sudaryta i negatyviojo fotorezisto, aliuminio sdinimui
naudojami natrio arba kalio arm tirpalai:
2Al + 6NaOH 2Na
3
AlO
3
+ 3H
2
. (10.55)
Silicis sdinamas azoto ir fluoro rgi tirpalu. Anizotropiniam
silicio sdinimui naudojami sdikliai, kurie viena kryptimi silic
sdina daug greiiau negu kita.
Cheminiu bdu sdinant dielektriko ar metalo sluoksn, gaunami
fotoablono pieinio ikraipymai dl sdiklio skverbimosi po
fotorezisto sluoksniu (10.22 pav.). iems ikraipymams sumainti
didels integracijos laipsnio mikrograndyn gamyboje taikomi vairs
plazminio sdinimo metodai.
Taikant jonin sdinim, sdinamos mediagos atomus i
pavirinio sluoksnio imua pagreitinti inertini duj jonai vyksta
fizinis pavirinio sluoksnio ardymas. Taikant joninius-cheminius
metodus, sdinim lemia fizinis jon poveikis ir chemins reakcijos.
Naudojant plazmin-chemin metod, sdinamo sluoksnio mediaga
reaguoja su suadintomis duj molekulmis. Duj molekuls


Si
SiO2
Fotorezistas
a
Si
SiO2
Fotorezistas
b

10.22 pav. Silicio dioksido kauks sudarymas taikant skyst sdikl (a)
ir saus sdinim (b)
10. Integrini grandyn gamybos procesai
325

suadinamos, vykstant dujiniam ilydiui plazmoje. Vykstant
reakcijai, susidaro laks junginiai, kurie i reaktoriaus isiurbiami.
Po sdinimo fotorezisto kauk nebereikalinga. Ji alinama
deguonies plazma arba cheminiais metodais. Pastaruoju atveju
sdikliai parenkami atsivelgiant fotorezisto tip ir po juo esani
mediag. Pozityvieji fotorezistai alinami organiniais tirpikliais,
negatyvieji virinant koncentruotoje sieros rgtyje. Aiku, kad
pastarasis sdiklis negali bti naudojamas po laidaus sluoksnio
sudarymo. Cheminiu bdu paalinus fotokauk, ploktels plaunamos
dejonizuoto vandens kaskadinse voniose.

10.7.4. Fotoablon gamyba. Projekcin fotolitografija

Puslaidininkiniam integriniam grandynui pagaminti reikia 512
fotoablon komplekto. Fotoablonas tai stiklo arba kvarco ploktel
su daug kart pasikartojaniu pozityviuoju arba negatyviuoju (tai
priklauso nuo fotorezisto tipo) mikrograndyno srii atvaizdu.
Gaminant fotoablonus sudaromas padidinto mastelio srii
atvaizdas originalas ir fotografiniais bdais sumainamas.
Originalui gaminti naudojama neskaidriu sluoksniu padengta skaidri
sintetin plval. Tos plvels neskaidriame sluoksnyje pagal
automatizuoto projektavimo rezultatus koordinatografu padidintu
masteliu (pvz., 500:1) iraiomas sluoksnio srii atvaizdas.
Fotografuojant ir kartu mainant original redukcine kamera,
pagaminamas tarpinis originalas fotooriginalas. Po to specialiu
renginiu fotomultiplikatoriumi dar kart mainamas ir tam tikru
ingsniu eksponuojamas fotoploktelje tarpinio originalo vaizdas.
Taip pagaminamas etaloninis fotoablonas. Etaloninio fotoablono
fotosluoksnis nepakankamai atsparus mechaniniams poveikiams ir
kontaktinei fotolitografijai netinka. Todl, naudojantis grupiniu
etaloniniu fotoablonu, fotografijos bdu gaminamas grupinis darbinis
fotoablonas. Neskaidrus ultravioletiniams spinduliams darbinio
fotoablono sluoksnis turi bti plonas ir mechanikai atsparus.
Darbinis fotoablonas gaunamas sudarant ant fotoablono emulsins
10. Integrini grandyn gamybos procesai
326

puss labai plon chromo sluoksn. Chromas, nusds ant stiklo per
angas fotosluoksnyje, gerai sukimba su stiklu ir ant jo pasilieka, o
nusds ant fotosluoksnio kartu su tuo sluoksniu paalinamas. Labai
patogu vykdyti sutapdinim, kai darbiniame fotoablone naudojamas
skaidrus regimajai viesai, bet neskaidrus ultravioletiniams
spinduliams geleies ar chromo oksido sluoksnis. Tokie darbiniai
fotoablonai vadinami pusiau skaidriais.
Mainant original kamera, gaunami pieinio ikraipymai. J
ivengiama i karto gaminant fotooriginal. Jame 5 ar 10 kart
padidintas mikrograndyno srii atvaizdas sudaromas naudojantis
pagal program valdomu optiniu vaizdo generatoriumi. Atvaizdas
formuojamas fotorinkimo bdu eksponuojant elementarias figras
(kvadratus, staiakampius ir pan.).
Kontaktins fotolitografijos fotoablonai yra brangs. Dl slyio
su puslaidininkine ploktele darbiniuose fotoablonuose atsiranda
defekt. Po 80100 tapdinim jie tampa netinkami. Darbiniai
fotoablonai tarnauja daug ilgiau, kai vykdomas ne kontaktinis
eksponavimas, bet eksponavimas ilaikant 1020 m tarpel tarp
fotoablono ir ploktels. inoma, pastaruoju atveju dl viesos
difrakcijos fotolitografijos skiriamoji geba yra prastesn.
Siekiant ivengti fotoablon gamybos ir su jais susijusi
integrinio grandyno element matmen paklaid bei kontaktins
fotolitografijos trkum, buvo sukurta projekcins fotolitografijos
technologija. Taikant i technologij, fotooriginalo vaizdas
projektuojamas ir multiplikuojamas tiesiog ant fotorezistu padengtos
silicio ploktels.
Yra sukurta ir kitoki projekcins fotolitografijos sistem.
Projekcin litografija leidia sudaryti elementus, kuri minimals
matmenys 0,81,5 m.

10.7.5. Kiti litografijos metodai

Litografijos skiriamoji geba dl difrakcijos ir kit reikini
priklauso nuo fotorezisto eksponavimui naudojam spinduli bangos
10. Integrini grandyn gamybos procesai
327

ilgio. Fotolitografijos procese naudojami spinduliai, kuri bangos ilgis
200500 nm, ir pasiekiama 0,52 m skiriamoji geba. Siekiant
padidinti skiriamj geb, naudojami dar trumpesnio ilgio
ultravioletiniai spinduliai ir kitos tobulesns litografijos technologijos.
Elektron pluoto litografijos renginiuose specialus rezistas
eksponuojamas sufokusuotu elektron pluotu. Yra vairi elektron
pluoto litografijos sistem. Pagal vien i j eksponavimas
atliekamas rastriniu metodu skenuojant elektron pluot ir pagal
program valdant io pluoto intensyvum. Atlikus vieno bsimojo
lusto eksponavim, renginio stalas su puslaidininkin ploktele
perstumiamas tam tikru ingsniu, ir eksponavimas kartojamas. Tada
nereikia gaminti fotoablon. Elektron pluoto litografijos skiriamoji
geba apie 0,20,5 m.
Jon pluoto litografijos principai panas elektron pluoto
litografijos principus. Skirtumas tik tas, kad vietoje elektron pluoto
eksponavimui panaudojamas jon pluotas. Jon sklaida fotoreziste
yra maesn, todl galima pasiekti didesn skiriamj geb. Be to,
rezistai jon pluotui jautresni. Dl to sumaja ekspozicijos trukm ir
naiau dirbama. Taikant jon pluoto litografij, taip pat nereikia
fotoablon. Tuo atveju, kai sufokusuotu jon pluotu vykdomas
selektyvus silicio dioksido sdinimas, nereikia ir rezisto, o atliekant
selektyv jon implantavim, nereikia ir silicio dioksido sluoksnio.
Taikant jon pluoto litografij, pasiekiama 0,10,2 m skiriamoji
geba.
Svarbu pastebti, kad elektron ar jon pluoto litografij galima
taikyti fotoablonams gaminti.
Taikant rentgenolitografij, rentgenorezistas eksponuojamas
Rentgeno spinduliais, kuri ilgis 0,110 nm. Daniausiai naudojamas
projekcins rentgenolitografijos metodas eksponuojama per grupin
rentgenoablon, tarp kurio ir ploktels sudaromas nedidelis 310 m
tarpelis. Atliekant rentgenolitografij, pasiekiama panai skiriamoji
geba, kaip ir jon pluoto litografija.
10. Integrini grandyn gamybos procesai
328


10.8. Ivados

1. Silicio integrini grandyn elementai formuojami silicio
monokristalinse ploktelse planarija technologija, taikant
epitaksijos, termins priemai difuzijos, joninio legiravimo,
dielektrini ir metalini sluoksni sudarymo, fotolitografijos ir
kitus procesus.
2. Epitaksijos bdu ant silicio ploktels galima uauginti kitokio
laidumo silicio sluoksn, pratsiant pagrindo kristalin gardel.
Silicio epitaksinis sluoksnis daniausiai sudaromas dujine
epitaksija. Taikant chloridin metod, kaip pradins mediagos
vartojami silicio chloridai, vandenilis ir skystos ligatros
mediagos, kuriose yra priemai atom. Reikiamos sudties
darbinis duj miinys gaunamas praleidiant vandenil per skyst
silicio tetrachlorid ir ligatr. Hidridinio metodo atveju silicio
atomai atsiranda vykstant silano SiH
4
skilimui, priemai atomai
silic patenka vykstant hidrid (fosfino PH
3
, diborano B
2
H
6
)
skilimui. Auginamo epitaksinio sluoksnio atomai isidsto
tvarkingai todl, kad pavirinio puslaidininkins ploktels
sluoksnio atomai sudaro periodin potencialin reljef. Nusd ant
ploktels atomai uima potencialinio reljefo slnius.
3. Priemaios puslaidinink vedamos termins priemai difuzijos
ir joninio legiravimo metodais. Taikant termin priemai
difuzij, priemai atomai auktoje temperatroje silic
skverbiasi keliais bdais: uimdami vakansijas, prasisprausdami
tarp gardels mazg ir pasikeisdami vietomis su gretimais
atomais. Difuzijos koeficientas labai priklauso nuo temperatros.
Kylant temperatrai, difuzijos koeficientas spariai didja.
4. Praktikoje termins priemai difuzijos proces daniausiai
sudaro dvi priemai terpimo ir priemai perskirstymo
stadijos, kurias atitinka du teoriniai modeliai: difuzija i
nesenkanio altinio ir difuzija i riboto altinio. Vykstant
difuzijai i nesenkanio altinio, priemai koncentracija kristalo
10. Integrini grandyn gamybos procesai
329

paviriuje nekinta. Nuo difuzijos proceso temperatros ir trukms
priklauso legiravimo doz skaiius priemaios atom,
siskverbusi per vienetin padklo paviriaus plot. Vykstant
difuzijai i riboto altinio, priemaios atomai per padklo paviri
nesiskverbia, ir legiravimo doz nekinta. Todl prie padklo
paviriaus priemaios koncentracija maja, gilumoje auga.
5. Terminei priemai difuzijai grynos mediagos, kaip priemai
atom altiniai, praktikai nevartojamos. Difuzantai paprastai
gaunami i kietj, skystj arba dujini jungini, kuriuos eina
priemai atomai. Atliekant fosforo ir boro difuzij silic,
padkl paviriuje sudaromi fosforosilikatinio arba borosilikatinio
stiklo (SiO
2
legiruoto P
2
O
5
arba B
2
O
3
) sluoksniai. Po to
isilaisvin priemaios atomai difunduoja silic. Priemaios
vedamos 8001000
o
C, perskirstomos 10001200
o
C tempe-
ratroje. Kadangi difuzijos koeficientas labai priklauso nuo
temperatros, pasirinktos temperatros sklaida turi neviryti
t(0,250,5)
o
C.
6. Taikant joninio legiravimo technologij, priemai atomai
jonizuojami, pagreitinami aukta tampa ir nukreipiami
puslaidininkio ploktel. Didels energijos jonai kristal gali
skverbtis net normalioje temperatroje. Siekiant apdoroti vis
paviri, jon implantavimo renginiuose naudojamos elektro-
statins, mechanins arba mirios jon pluoto skleidimo
sistemos. Lokalios sritys sudaromos per silicio dioksido, silicio
nitrido ar fotorezisto kauki angas. Yra rengini, kuriuose
lokalias legiruotas sritis galima sudaryti valdant jon pluot ir
nenaudojant ekranuojani kauki. Implantuot puslaidininkin
ploktel priemai koncentracijos pasiskirstym galima aprayti
Gauso dsniu. Vidutinis jon siskverbimo gylis priklauso nuo
puslaidininkins ploktels mediagos, jon energijos ir jon
pluoto krypties. Legiravimo doz ir maksimali priemai
koncentracija priklauso nuo jon pluoto srovs tankio, jon
implantacijos proceso trukms ir jonizacijos laipsnio.
7. Svarb vaidmen silicio integrini grandyn gamyboje ir
konstrukcijose atlieka ploni dielektriniai sluoksniai. Pagal paskirt
10. Integrini grandyn gamybos procesai
330

jie skirstomi technologinius, funkcinius ir apsauginius. Kaip
dielektriniai sluoksniai panaudojami silicio dioksido, silicio
nitrido ir kai kuri metal oksid sluoksniai. Daniausiai
naudojami amorfinio silicio dioksido sluoksniai. Juos galima
sudaryti auktoje temperatroje oksidavimo sausu deguonimi,
vandens garais, drgnu deguonimi ir kombinuotais bdais.
Gamyboje geriausiai tinka kombinuoti silicio terminio
oksidavimo bdai, kai pakaitomis oksiduojama sausu ir drgnu
deguonimi. emesnje temperatroje silicio dioksido, silicio
nitrido ir kitokius sluoksnius galima sudaryti nusodinimo bdais.
8. Vienas paskutinij puslaidininkins ploktels grupinio
apdorojimo proces yra metalizavimas. Jis atliekamas suformavus
reikiamas puslaidininkio sritis, sudarius ploktels paviriuje
dielektrin sluoksn ir fotolitografijos bdu atvrus iame
sluoksnyje angas kontaktams. Po to, kai ant ploktels sudaromas
itisinis metalo sluoksnis, taikant fotolitografij, dalis io
sluoksnio nusdinama. Taip gaunami mikrograndyno elementus
jungiantieji takeliai, MOP darini metaliniai sluoksniai bei lust
kontaktins aiktels. Silicio integrini grandyn gamyboje
metalizavimui daniausiai naudojamas aliuminis. Aliuminio
sluoksnis sudaromas vakuuminio ugarinimo technologija.
9. Silicio dioksido ar kitos ekranuojanios mediagos kauk
puslaidininkins ploktels paviriuje sudaroma litografijos bdu.
Litografija dar taikoma selektyviam laidaus sluoksnio sdinimui.
Taikant fotolitografij, silicio dioksido sluoksniu padengtas
puslaidininkins ploktels pavirius nuvalomas ir padengiamas
viesai jautrios mediagos fotorezisto sluoksniu. Tada ant
ploktels udedamas grupinis fotoablonas, ir fotorezistas
eksponuojamas ultravioletiniais spinduliais. Apviestas arba
neapviestas fotorezistas (tai priklauso nuo fotorezisto tipo)
rykinimo metu paalinamas. Tada per fotorezisto sluoksnyje
atidarytas angas sdinamos angos silicio diokside. Galiausiai
fotorezisto kauk paalinama ir puslaidininkins ploktels
paviriuje lieka silicio dioksido kauk.
10. Integrini grandyn gamybos procesai
331

10. Puslaidininkiniam mikrograndynui pagaminti reikia 512 foto-
ablon komplekto. Fotoablonas tai stiklo arba kvarco
ploktel su daug kart pasikartojaniu grandyno srii atvaizdu.
Fotoablonai brangs. Siekiant ivengti fotoablon gamybos ir
su jais susijusi grandyno element matmen paklaid, taikoma
projekcins fotolitografijos technologija. Siekiant suformuoti
maesni matmen elementus ir gauti auktesn integracijos
laipsn, taikomi tobulesni litografijos metodai elektron pluoto,
jon pluoto litografija ir rentgenolitografija.

10.9. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Kokiais bdais gaunamas tinkamas integrini grandyn gamybai silicis?
2. Aptarkite silicio gryninimo metalurgini metod esm.
3. Kaip pagaminami monokristalinio silicio luitai?
4. Kaip gaminamos silicio ploktels?
5. Kokia epitaksijos paskirtis? Kam reikalingas epitaksinis sluoksnis?
6. Aptarkite silicio epitaksijos bdus ir naudojamas mediagas.
7. Aptarkite epitaksini sluoksni auginimo renginio sandar. Kaip
renginyje sudaromas reikiamos sudties darbinis duj miinys?
8. I koki etap susideda silicio epitaksinio sluoksnio auginimo ciklas?
Ivardykite ir aptarkite epitaksijos proceso stadijas.
9. Kodl epitaksinio sluoksnio atomai isidsto tvarkingai? Paaikinkite
epitaksinio sluoksnio augimo mechanizm.
10. Kas lemia epitaksinio sluoksnio augimo greit?
11. Ivardykite ir aptarkite epitaksinio sluoksnio parametrus.
12. Kas yra difuzija? Kaip difuzijos reikinys taikomas gaminant puslai-
dininkinius mikrograndynus?
13. Kaip priemaios atomai skverbiasi silic?
14. K nusako difuzijos koeficientas? Nuo ko ir kaip jis priklauso?
15. Nuo ko priklauso besiskverbiani puslaidinink priemai atom
srauto tankis?
16. Iveskite antrj Fiko diferencialin lygt. Kam ji taikoma ?
17. Aptarkite difuzijos i nesenkanio altinio slygas ir gaunam priemai
profil. Kaip jis kinta difuzijos proceso metu?
10. Integrini grandyn gamybos procesai
332

18. K vadina legiravimo doze? Iveskite legiravimo dozs iraik.
Aptarkite nuo ko ir kaip ji priklauso.
19. Aptarkite termins priemai difuzijos i riboto altinio slygas, tiksl ir
gaunam priemai profil. Kaip jis kinta difuzijos proceso metu?
20. Laikydami, kad priemaios atomai difunduoja vienalyio puslai-
dininkio ploktel i riboto altinio, iveskite pn sandros gylio iraik.
21. Siekiant sudaryti pn sandr, atliekama boro difuzija legiruot fosforu
silicio ploktel. Pradin fosforo koncentracija 10
16
cm
3
. Boro
perskirstymas atliekamas 1200
o
C temperatroje, boro difuzijos
koeficientas D = 310
12
cm
2
/s. Per kiek laiko galima sudaryti 5,4 m
storio p sluoksn, kurio paviriuje boro koncentracija 510
18
cm
3
?
Ats.: 1,08 h.
22. Aptarkite termins priemai difuzijos silic technologijas.
23. Aptarkite aukso difuzijos silic ypatumus.
24. Kaip sudaromos lokaliosios difuzins sritys?
25. Ivardykite ir aptarkite svarbiausius difuzinio sluoksnio parametrus.
26. Kaip matuojamas difuzinio sluoksnio storis?
27. Kas yra kvadrato vara? Nuo ko ji priklauso?
28. Integrinis rezistorius sudarytas atliekant bazs difuzij. Rezistoriaus
ilgis 40 m, plotis 2 m, storis 3 m. Kvadrato vara 200 .
Apskaiiuokite rezistoriaus var.
29. Aptarkite termins priemai difuzijos technologijos trkumus.
30. Nusakykite jon implantavimo technologijos esm.
31. I ko sudarytas jon implantavimo renginys? Kokias funkcijas atlieka
svarbiausios jo dalys?
32. Kaip jonais apdorojamas visas puslaidininkins ploktels pavirius?
Kaip sudaromos lokalios legiruotos sritys?
33. Nuo ko priklauso jon siskverbimo gylis? Kokia yra kanalinio efekto
esm?
34. Kas bdinga priemai koncentracijos profiliui, sudaromam joninio
legiravimo bdu?
35. Kas nulemia joninio legiravimo doz?
36. Kodl po joninio legiravimo puslaidininkins ploktels dar apdoro-
jamos termikai?
37. Nusakykite jon implantavimo technologijos privalumus ir trkumus.
38. Vienoje silicio ploktelje pradin donorini priemai koncentracija
buvo 10
16
cm
3
, kitoje 10
17
cm
3
. Jon implantavimo bdu plokteles
vest boro atom maksimali koncentracija 0,5 m gylyje yra 10
19
cm
3
,
10. Integrini grandyn gamybos procesai
333

vidutinis kvadratinis siskverbimo gylio nuokrypis sudaro 0,15 m.
Kokios struktros susidar ploktelse po jon implantavimo?
39. Kam puslaidininkini integrini grandyn gamyboje reikalingi
dielektriniai sluoksniai? I koki mediag jie sudaromi?
40. Kokiais bdais galima sudaryti silicio dioksido sluoksnius?
41. Kaip vyksta terminis silicio oksidavimas? Kas lemia silicio dioksido
sluoksnio stor?
42. Kodl silicio grandyn gamyboje taikomi kombinuoti terminio
oksidavimo bdai? Kokia j esm ir privalumai?
43. Kokia yra silicio dioksido sluoksnio nusodinimo technologijos esm?
Kokie ios technologijos privalumai?
44. Kaip sudaromi silicio nitrido sluoksniai? Kokie j privalumai?
45. Nurodykite dielektrini sluoksni svarbiausius parametrus. Aptarkite j
kontrols bdus.
46. Aptarkite metalizavimui panaudojamas mediagas ir integrini
grandyn gamyboje taikom metalizavimo technologij
47. Kodl po metalizavimo reikalingas terminis apdorojimas?
48. Nurodykite aliuminio, kaip metalizacijai panaudojamos mediagos,
trkumus. Aptarkite, kaip j ivengiama.
49. Nusakykite fotolitografijos paskirt.
50. Kaip kiekybikai nusakoma fotolitografijos kokyb? Nuo ko ji
priklauso?
51. Kas yra fotorezistas? Kuo skiriasi pozityvieji ir negatyvieji fotorezistai?
52. Ivardinkite ir apibdinkite fotorezist parametrus.
53. Kodl fotorezisto sluoksnis turi bti plonas? Kas riboja sluoksnio storio
mainim?
54. Kaip plokteli paviriuje sudaromas kokybikas fotorezisto sluoksnis?
55. Kam prie fotorezisto eksponavim reikalinga sutapdinimo operacija?
56. Kaip atliekamas fotorezisto rykinimas ir kietinimas?
57. Kas ir kaip daroma suformavus fotorezisto kauk?
58. Kodl pranaesni silicio dioksido sauso sdinimo bdai? Kokia j esm?
59. K vadina fotoablonu? Kodl gaminant integrin grandyn reikalingi
keli fotoablonai?
60. Ivardinkite ir apibdinkite darbinio fotoablono gamybos etapus.
61. Kokia yra projekcins fotolitografijos esm? Kokie jos privalumai?
62. Apibdinkite elektron, jon pluot litografij ir rentgenolitografij.

10. IG gamyba_200308 2003.08.26 10:23
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
334


11. PUSLAIDININKINI INTEGRINI GRANDYN
TIPAI IR ELEMENTAI

Integriniu grandynu vadinamas mikroelektronikos gaminys,
sudarantis nedalom visum ir pasiymintis dideliu tarpusavyje
sujungt tranzistori, diod, rezistori ir kit element tankiu.
Integriniai grandynai skirstomi sluoksninius, hibridinius ir
puslaidininkinius.
Sluoksniniame integriniame grandyne visi elementai ir j
sujungimai sudaryti i laidi, varini ir dielektini sluoksni,
sudaryt ant dielektrini padklo. Sluoksnin technologija taikoma
sudaryti pasyviesiems elementams. Sluoksniniai integriniai grandynai
bna plonasluoksniai (sluoksnio storis iki 1 m) ir storasluoksniai.
Hibridinis integrinis grandynas sudarytas i sluoksnini element
ir kit komponent. Sluoksniniai elementai naudojami laidiems
takeliams, kontaktinms aiktelms, variniams elementams, nedi-
dels talpos kondensatoriams. Kaip kiti komponentai gali bti
panaudojami bekorpusiai tranzistoriai, diodai ir puslaidininkiniai
integriniai grandynai.
Puslaidininkinio integrinio grandyno elementai ir juos jungiantieji
laids takeliai sudaromi puslaidininkio monokristalo lusto tryje
(paviriniame sluoksnyje) ir ant jo pasyvuoto paviriaus. Pus-
laidininkiniuose hibridiniuose integriniuose grandynuose pus-
laidininkio lusto paviriuje bna sluoksnine technologija sudaryt
pasyvij element.
Integriniai grandynai yra konstrukcins, technologins ir
mokslins bei technins integracijos rezultatas. Integracija tai dali,
element jungimas visum. Konstrukcin integracija pasireikia tuo,
kad visi elektrins grandins elementai integriniame grandyne sudaro
nedalom visum. Technologins integracijos esm sudaro tai, kad
integrini grandyn gamyboje taikomi grupiniai gamybos metodai.
Pagaliau mokslin bei technin integracija pasireikia tuo, kad kuriant
ir gaminant integrinius grandynus taikomos fizikos, chemijos,
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
335

metalurgijos, mediag mokslo, metrologijos bei kitos mokslo ir
technologij inios, paangiausios idjos ir pasiekimai.
Sukrus planarij diskretini tranzistori gamybos technologij,
atsirado galimybs realizuoti grupinius tranzistori gamybos
metodus apdorojant vien puslaidininkin ploktel, gaminti didel
tranzistori skaii. Be to, pribrendo prielaidos miniai apie
puslaidininkin integrin grandyn.
Elektronins grandins realizavimo viename puslaidininkinio
kristalo luste idj 1959 metais nepriklausomai vienas nuo kito pasil
JAV mokslininkai R. Noisas (Noyce) ir D. S. Kilbis (Kilby). Tada dar
sunku buvo suvokti ios idjos svarb. Ji keit pasaul, lm tolimesn
elektronikos, kompiuterijos, telekomunikacij raid ir sudar
prielaidas iuolaikins informacins visuomens krimui. 2000 metais
u nuopelnus mokslui, technologij raidai ir visuomenei D. S. Kilbis
(u jo nuopelnus integrinio grandyno iradime) ir . I. Al-
ferovas () bei G. Kremeris (Kroemer) u heterosandr
teorij ir taikymus buvo pripainti Nobelio premijos laureatais.
Jau 1961 metais kelios JAV firmos gamino nedidelio integracijos
laipsnio puslaidininkinius mikrograndynus. Pirmieji puslaidininkiniai
integriniai grandynai Lietuvoje buvo pagaminti 1968 metais.
Puslaidininkiniuose integriniuose grandynuose naudojami
dvipoliai ir MOP tranzistoriai.
Dabar jau sukurtos labai sudting puslaidininkini grandyn
prjojektavimo ir gamybos technologijos. Taikant iuolaikines
automatizuoto projektavimo ir puslaidininkini darini formavimo
technologijas, puslaidininkio monokristalo luste suformuojami imtai
milijon element. Tobulinamos trimats integracijos technologijos.
iame skyriuje aptarsime tik santykinai nesudting
puslaidininkini integrini grandyn sudarymo principus ir elementus.

11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
336


11.1. Puslaidininkini grandyn element izoliavimas

Siekiant ivengti nepageidaujam ryi tarp puslaidininkinio
integrinio grandyno element, iuos elementus reikia izoliuoti vien
nuo kito. Tam tikslui naudojamos pn sandros, dielektriniai sluoksniai
arba taikomi kombinuoto izoliavimo bdai.
Izoliuotos pn sandromis sritys puslaidininkio monokristale
daniausiai sudaromos skiriamja priemai difuzija. Izoliuot srii
sudarymo nuoseklum iliustruoja 11.1 paveikslas. Kaip pagrindas
panaudota p silicio ploktel su ant jos uaugintu epitaksiniu
sluoksniu (11.1 pav., a). Ploktels paviriuje sudarius silicio dioksido
sluoksn, atliekama izoliuot srii fotolitografija, ir silicio dioksidas
paliekamas tik vir bsimj izoliuot srii. Per angas silicio
diokside termins difuzijos bdu terpiami akceptorini priemai
atomai (11.1 pav., b). Kai lokaliosios difuzins sritys susilieja su p
pagrindu, susidaro n izoliuotos sritys p puslaidininkyje (11.1 pav., c).
ios sritys izoliuotos viena nuo kitos prieprieiais sujungtomis pn
sandromis. Tam, kad visos n sritys bt geriau izoliuotos nuo p
pagrindo, prie pagrindo prijungiama didiausia neigiama integrinio
grandyno maitinimo tampa. Tada visos prieprieiais sujungtos pn
sandros yra udaros.
Panaudojamos ir kitokios izoliavimo pn sandromis techno-
logijos. Izoliuotas pn sandromis sritis galima sudaryti kolektoriaus
difuzijos, bazs difuzijos ir kitais bdais. Kai kuriuos i ia pamint


p
n
a
p
b
p SiO2
p
n
c
n n
n


11.1 pav. Izoliuot pn sandromis n srii sudarymas
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
337

bd aptarsime nagrindami integrinius tranzistorius.
Dielektrinio izoliavimo oksido sluoksniu princip iliustruoja
11.2 paveikslas. Pirmiausia n silicio monokristalo ploktel paden-
giama SiO
2
sluoksniu, kuriame fotolitografijos bdu tarp bsimj
izoliuot srii atidaromos angos (11.2 pav., a). Per jas sdinamas
silicis. Isdinus griovelius, silicio paviriuje sudaromas SiO
2
sluoks-
nis (11.2 pav., b). Po to ant SiO
2
sluoksniu padengtos silicio ploktels
uauginamas storas (150200 m) polikristalinio silicio sluoksnis
(11.2 pav., c), ploktel apveriama ir lifuojama, kol pasiekiamas
polikristalinis silicis. Taip gaunamos silicio dioksido sluoksniu izo-
liuotos n monokristalinio silicio sritys (11.2 pav., d). Naudojant
dielektrin izoliavim, pavyksta gauti didel izoliacijos var, suma-
inamos parazitins elektrins talpos, taiau izoliavimo technologija
yra sudtingesn.
Siekiant sumainti talpas tarp grandyno element, juos jungiani
takeli ir pagrindo, buvo sukurtos silicio darini ant dielektriko (angl.
SOI silicon on insulator) technologijos. Viena j atmaina silicio
darini ant safyro (SOS silicon on saphire) technologija. Taikant i
technologij, kaip pagrindas naudojama monokristalin sintetinio
safyro dielektriko ploktel. Safyras yra turinti priemai korundo
Al
2
O
3
atmaina. Kadangi safyro kristalin gardel artima silicio


n
SiO2
a
n
SiO2
b
n
SiO2
c
Polikristalinis
silicis
SiO2
Polikristalinis
silicis
d
n


11.2 pav. Izoliuot oksido sluoksniu n srii sudarymas
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
338

gardelei, ant safyro padklo galima uauginti plon epitaksin sluoksn
(11.3 pav., a). Lokaliai nusdinus uaugint silic, ant dielektrinio
safyro pagrindo lieka silicio salels (11.3 pav., b). i dielektrinio
izoliavimo technologija yra paprastesn, taiau safyro padklai
brangs, be to, auginant ant safyro padklo heteroepitaksin silicio
sluoksn susidaro gana daug jo kristalins gardels defekt.
Kombinuotajai izoliacijai panaudojamos pn sandros ir dielekt-
riniai intarpai.
Taikant lokaliojo oksidavimo technologij, ant p silicio pagrindo
uauginamas epitaksinis n silicio sluoksnis ir jo paviriuje sudaroma
silicio nitrido kauk. Per kauks angas sdinamas silicis (11.4 pav., a).
Kai susidaro grioveliai, kuri gylis siekia madaug pus epitaksinio
sluoksnio storio, pradedamas terminis silicio oksidavimas.
Oksidavimo metu tik apie 40 % silicio dioksido sluoksnio storio
susidaro puslaidininkyje. Dl sluoksnio augimo, siliciui jungiantis su
deguonimi, po lokaliojo oksidavimo manoma gauti beveik ploki
darinio paviri. Todl i technologija vadinama izoplanarija.


Safyras
Si
a
Safyras
Si
b


11.3 pav. Izoliuot silicio srii sudarymo silicio ant safyro
technologija


Si3N4
p
n
a
p
Si3N4
b
SiO2 n


11.4 pav. Izoliuot srii sudarymas lokaliojo oksidavimo bdu
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
339

Silicio sdinimo greitis
priklauso nuo kristalografins
krypties. Panaudojant i
silicio savyb, sukurta
vertikalaus anizotropinio
sdinimo (angl. V-ATE
vertical anisotropic etching)
technologija. Taikant i
technologij, kaip pagrindas
naudojama p silicio ploktel,
kurios pavirius sutampa su ploktuma (100). Uauginus n epitaksin
sluoksn ir sudarius silicio dioksido kauk, epitaksinis sluoksnis
lokaliai sdinamas specialiu sdikliu. Kadangi [100] kryptimi
sdinimo greitis daug didesnis nei kitomis kryptimis, susidaro V
pavidalo grioveliai. Padengus paviri dielektriniu sluoksniu
(daniausiai SiO
2
arba Si
3
N
4
), gaunamos izoliuotos sritys. Jos, kaip ir
sritys, sudarytos izoplanarija technologija, i on izoliuotos
dielektriku, i apaios pn sandromis. Tokiai izoliacijai reikia
nedaug ploto. Taiau dl darinio reljefikumo sunku sudaryti
kokybikus laidius takelius. io trkumo galima ivengti taikant VIP
(angl. V-groove isolation polycrystal backfill) technologij. Pagal VIP
technologij, sudarius dielektrin sluoksn, pavirius dengiamas
polikristalinio silicio sluoksniu. Po to is sluoksnis sdinamas. Likus
grioveliuose polikristaliniam siliciui (11.5 pav.), gaunamas daug
lygesnis pavirius.
Tobulinant puslaidininkini integrini grandyn gamyb,
sukuriama vis naujesni, tobulesni izoliavimo technologij. Siekiant
efektyviau inaudoti lusto plot ir pasiekti auktesn integracijos
laipsn, izoliavimui panaudojami stats siauri upildomi dielektriku
grioveliai, padaromi anizotropinio sdinimo plazma bdu.
Gaminant dvipolius integrinius grandynus, izoliuotose srityse
sudaromi grandyn elementai.


p

SiO 2

n

n

Pol ikristalinis
silicis



11.5 pav. Izoliuotos V grioveliais n
sritys
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
340


11.2. Dvipoli integrini grandyn gamyba ir elementai
11.2.1. Dvipoli integrini grandyn gamyba

Dvipoli integrini grandyn gamybos paprasiausia schema
atvaizduota 11.6 paveiksle. Svarbiausieji grandyn sudarymo etapai
yra ie:
1. Ant p silicio ploktels uauginamas n epitaksinis sluoksnis ir
jo paviriuje sudaromas silicio dioksido sluoksnis. Fotolitografijos
bdu SiO
2
sluoksnis paliekamas vir bsimj izoliuot srii.
Skiriamja boro difuzija sudaromos izoliuotos sritys (11.7 pav.).
2. Silicio ploktels pavirius vl padengiamas silicio dioksido
sluoksniu. Fotolitografija SiO
2
sluoksnyje atidaromos angos. Per jas
izoliuotas sritis termine difuzija vedama akceptorins priemaios
boro. ia bazs difuzija suformuojamos p sritys (11.8 pav., a).
3. Bazs difuzijos priemai perskirstymo stadijoje atliekamas
terminis oksidavimas. Fotolitografija sudaroma nauja silicio dioksido
kauk ir per ios kauks angas atliekama donorins priemaios
fosforo difuzija. ia emiterio difuzija sudaromos n
+
emiterio ir
kontakto su kolektoriumi sritys (11.8 pav., b). Tuo baigiamas dvipoli
integrini grandyn pagrindini element tranzistori formavimas
puslaidininkio kristalo tryje.
4. Emiterio difuzijos proceso antrojoje stadijoje ploktels
pavirius vl padengiamas itisiniu SiO
2
sluoksniu. Fotolitografijos
bdu SiO
2
sluoksnyje padaromos angos laidi takeli kontaktams su
suformuotais integrini grandyn elementais.
5. Ploktels pavirius padengiamas itisiniu aliuminio sluoksniu.
Fotolitografijos bdu nusdinus dal aliuminio sluoksnio, ant
izoliacinio silicio dioksido sluoksnio lieka laids takeliai integrini
grandyn elementus jungiantieji laidininkai (11.8 pav., c). Kad bt
geresni laidi takeli kontaktai su puslaidininkyje sudarytais
elementais, atliekamas kontakt deginimas.

11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
341





Epitaksija

Oksidavimas
Izoliuot srii
fotolitografija
Skiriamoji
difuzija

Oksidavimas
Bazs
fotolitografija
Bazs
difuzija

Oksidavimas
Emiterio
fotolitografija
Emiterio
difuzija

Oksidavimas
Kontaktini
ang
fotolitografija
Laidaus
sluoksnio
sudarymas
Laidaus
sluoksnio
fotolitografija
Kontakt
deginimas
Termocheminis
oksido
nusodinimas
Kontaktini
aikteli
fotolitografija
Zondin

kontrol
Ploktels

pjaustymas
Lust
montavimas

korpusuose
Korpus

hermetizavimas

Bandymai

p Si
G
R
U
P
I
N
I
O

A
P
D
O
R
O
J
I
M
O

P
R
O
C
E
S
A
I

I
N
D
I
V
I
D
U
A
L
A
U
S

L
U
S
T


A
P
D
O
R
O
J
I
M
O

P
R
O
C
E
S
A
I



11.6 pav. Dvipoli integrini grandyn gamybos proces schema
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
342

6. Ploktels pavirius pa-
syvuojamas: ant jo nusodinamas
itisinis silicio dioksido sluoks-
nis, kuriame fotolitografija ati-
daromos angos bsimj lust
kontaktines aikteles.
Pasyvavimo procesu pasi-
baigia puslaidininkinje plokte-
lje formuojam integrini grandyn grupinis apdorojimas. Integrinio
grandyno lusto plotas priklauso nuo element skaiiaus ir daniausiai
esti nuo keli kvadratini milimetr iki keli kvadratini centimetr.
Todl 100300 mm skersmens puslaidininkinje ploktelje galima
sudaryti nuo keli deimi iki keli tkstani grandyn. Bendra
grupinio apdorojimo proces trukm priklauso nuo formuojam
element, gamybos technologijos ir gali bti imt valand eils.
Baigus grupin apdorojim, pradedami individualaus kristalo lust
apdorojimo procesai. Juos aptarsime vliau.

11.2.2. Dvipoliai tranzistoriai

Dvipoliuose integriniuose grandynuose daniausiai naudojami
n
+
pn tranzistoriai. J parametrai geresni u pnp tranzistori


p
SiO2 n
SiO2


11.7 pav. Izoliuotos sritys silicio
ploktelje


p
n
p
a
p
n
SiO2
b
n
+

p
n
SiO2 p
c
n
+
Al
p
SiO2

11.8 pav. Dvipolio integrinio
tranzistoriaus formavimas
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
343

parametrus. Taip yra dl dviej prieasi. Pirmiausia, fosforo
tirpumas silicyje yra didesnis u boro tirpum. Kai tirpumas didesnis,
galima sudaryti didesn priemai koncentracij emiterio srityje ir
gauti didesn emiterio srovs perdavimo koeficient. Kita prieastis ta,
kad npn tranzistori pagrindin srov lemia elektronai. J judrumas
silicyje yra kelis kartus didesnis u skyli judrum. Kai judrumas
didesnis, krvininkai greiiau veikia baz ir maiau joje
rekombinuoja. Tai taip pat leidia gauti didesn srovs perdavimo
koeficient. Be to, kai judrumas didesnis, galima gauti geresnes
tranzistori danines savybes ir didesn j veikimo spart.
Taikant epitaksin-difuzin technologij, n
+
pn tranzistoriai
izoliuotose srityse, kaip jau aptarme, sudaromi dvikarts difuzijos
bdu. Tranzistori srii forma vaizde i viraus (topologiniame
brinyje) priklauso nuo tranzistoriui keliam reikalavim ir gali bti
vairi. Paprasiausios konfigracijos n
+
pn tranzistorius su vienu
kolektoriaus kontaktu atvaizduotas 11.9 paveiksle. Dar kart verta
pastebti, kad kartu su emiterio n
+
sritimi sudaromos n
+
sritys po
kolektoriaus ivadu. Taip gaunamas ominis aliuminio kontaktas su n
tipo kolektoriaus sritimi.


n p
n
+

E B K SiO2
K B E


11.9 pav. Dvipolio integrinio tranzistoriaus pjvis ir vaizdas i
viraus
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
344

Danai naudojami tranzis-
toriai su formos kolektoriaus
ivadu (11.10 pav.). Kai tokia
ivado forma, gaunama ma-
esn kolektoriaus trin vara.
Be to, per tok tranzistori gali
tekti stipresn srov.
Dar maesn kolektoriaus
srities trin var pavyksta
gauti naudojant tranzistoriaus
darinyje paslpt n
+
sluoksn
(11.11 pav.). is sluoksnis p
puslaidininkinje ploktelje
sudaromas prie n epitaksinio
sluoksnio auginim. Lokalios
termins priemai difuzijos
bdu ploktel vedama stibio arba arseno. i donorini priemai
difuzijos koeficientas yra maas. Todl sekani termini proces
epitaksijos ir difuzij metu priemaios i n
+
sluoksnio nedaug
siskverbia izoliuot kolektoriaus srit.
Pagrindin n
+
pn tranzistoriaus su paslptuoju sluoksniu srov
didij kelio dal teka stipriai legiruotu n
+
sluoksniu (11.11 pav.).
Todl kolektoriaus trin vara esti nedidel. Kartu reikminga ir tai,
kad pati kolektoriaus sandra susidaro tarp p srities ir silpnai
legiruotos n srities. Tai
utikrina nedidel sand-
ros barjerin talp ir
didesn kolektoriaus san-
dros elektrin atsparum.
Paslptasis n
+
sluoks-
nis naudojamas ir taikant
kolektoriaus izoliuojanios
difuzijos technologij.
Taikant i technologij,
naudojama p silicio plok-


K B E
n
p
p
n
+



11.10 pav. n
+
pn tranzistoriaus su
pavidalo emiterio ir kolektoriaus
srii ivadais vaizdas i viraus


p
p n
+

n
+

n
B E K


11.11 pav. n
+
pn tranzistoriaus su pa-
slptuoju n
+
sluoksniu pjvio vaizdas
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
345

tel. Joje lokaliosios termi-
ns difuzijos bdu
sudaromas paslptasis n
+

sluoksnis ir uauginamas
plonas (12 m storio)
epitaksinis p silicio sluoks-
nis (1.12 pav., a). epi-
taksin sluoksn lokaliosios
termins priemai difuzijos
bdu vedant donorini
priemai sudaromos n
+

sritys. Difuzija tsiama tol,
kol ios sritys susijungia su
paslptuoju n
+
sluoksniu. Po
ios difuzijos p silicio
ploktelje susidaro izoliuo-
toji n
+
kolektoriaus sritis,
kurioje yra p sritis
tranzistoriaus bazs sritis
(11.12 pav., b). Siekiant
sudaryti bazje tok priemai koncentracijos profil, kad tranzistorius
tapt dreifiniu, po kolektoriaus izoliuojanios difuzijos atliekama
akceptorini priemai difuzija. i difuzij galima vykdyti be
ekranuojanios kauks. Emiterio sritis ir laids takeliai sudaromi taip
pat, kaip pagal anksiau aptart paprasiausi epitaksin-difuzin
technologij. Suformuoto tranzistoriaus pjvis atvaizduotas
11.12 paveiksle, c).
Kartais elektroninse grandinse greta npn tranzistori reikalingi
ir pnp tranzistoriai. Praktikoje daniausiai naudojami vertikalios
konstrukcijos (statieji) ir horizontalios konstrukcijos (oniniai) pnp
tranzistoriai. iems tranzistoriams sudaryti pakanka technologini
proces, taikom formuojant n
+
pn tranzistorius.
oninio pnp tranzistoriaus sandara atvaizduota 11.13 paveiksle, a.
Tokio tranzistoriaus emiterio ir kolektoriaus sritys sudaromos bazs
difuzijos metu. Tranzistorius yra simetrinis jo emiterio ir


p
n
+

p
a
p
n
+

p
b
p
n
+

p
n
+
K B E K
c


11.12 pav. n
+
pn tranzistoriaus forma-
vimas taikant kolektoriaus izoliuo-
janij difuzij
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
346

kolektoriaus srityse prie-
mai koncentracijos vieno-
dos. Tranzistoriaus bazje
priemai koncentracija taip
pat vienoda tranzistorius
yra nedreifinis. Dl ios prie-
asties, o taip pat dl to, kad
baz yra gana stora,
oniniam pnp tranzistoriui
bdingas nedidelis srovs
perdavimo koeficientas ir
maa veikimo sparta.
Staiojo tranzistoriaus
pnp darinys (11.13 pav., b)
gaunamas jau po bazs
difuzijos. Taiau io tran-
zistoriaus kolektorius yra p
ploktel. Vis toki pnp tranzistori kolektori sritys yra bendros.
Todl staiuosius pnp tranzistorius galima naudoti tik bendrojo
kolektoriaus (pavyzdiui, emiterini kartotuv) grandinse.
I izoliuotoje srityje sudaryt pnp ir npn tranzistori arba dviej
npn tranzistori galima sudaryti sudtin tranzistori, pasiymint
dideliu bazs srovs perdavimo koeficientu.
Siekiant gauti didesn logini grandini veikimo spart, reikia,
kad nesusidaryt tranzistori soties slygos. Soties bsenos
ivengiama tranzistoriaus kolektoriaus sandr untuojant otkio
diodu. otkio diodas atsiveria greiiau nei kolektoriaus sandra ir
neleidia tranzistoriui sisotinti. Dvipoliams otkio tranzistoriams
sudaryti taip pat nereikia papildom technologini proces pakanka,
kad bazs aliumininis ivadas dalinai dengt kolektoriaus srit.
TTL skaitmeninse grandinse naudojami daugiaemiteriniai
tranzistoriai. Daugiaemiterinio tranzistoriaus bazje yra kelios
emiterio sritys. Taigi tranzistoriaus srov gali valdyti kelios grandins.

B E K
p
n
p n
+

a
B E K
p
n
p n
+

b


11.13 pav. Integriniai pnp tranzistoriai
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
347


11.2.3. Integriniai diodai

Integrini diod pn sandros sudaromos formuojant dvipoli
integrini grandyn tranzistorius. Diodui galima panaudoti pn
sandr, kuri, taikant epitaksin-difuzin technologij, sudaroma
bazs arba emiterio difuzija (11.8 pav., a, b). Daniausiai
integriniuose grandynuose kaip diodai naudojami tranzistoriniai
dariniai (11.14 pav.).
Nuo tranzistorinio darinio
jungimo priklauso diodo
pramuimo tampa, atbulin
srov ir kiti parametrai.
Daniausiai naudojamas
11.14 paveiksle, d, atvaizduo-
tas jungimas (11.15 pav.).
Tuomet integrinio diodo
tiesiogin tampa maai
priklauso nuo per j tekanios
srovs. Tokio diodo pra-
muimo tampa apie 58 V.
Kaip jau buvo paminta, dvipoliuose integriniuose grandynuose
naudojami ir otkio diodai. Maa j isijungimo trukm leidia
padidinti skaitmenini grandini veikimo spart.


a b c d e


11.14 pav. Tranzistoriniai dariniai kaip integriniai diodai


p
n
p n
+

K A


11.15 pav. Tranzistorinio darinio,
panaudoto kaip diodas, pjvio
vaizdas
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
348


11.2.4. Integriniai kondensatoriai

Dvipoliuose integriniuose grandynuose naudojami sandriniai ir
MOP kondensatoriai.
Sandriniuose kondensatoriuose naudojama emiterio arba
kolektoriaus sandros barjerin talpa. 11.16 paveiksle atvaizduota
sandrinio kondensatoriaus, kuriam panaudota kolektoriaus sandros
barjerin talpa, sandara. Toki kondensatori lyginamoji talpa bna
iki 150300 pF/mm
2
, pramuimo tampa 3070 V. Kai panaudojama
emiterio sandros talpa, kondensatoriaus lyginamoji talpa bna
didesn (6001000 pF/mm
2
), o pramuimo tampa emesn (58 V).
Sandriniai kondensatoriai yra poliniai, j talpa paprastai
nevirija keli imt pikofarad, talpos nuokrypis siekia (1520) %.
MOP kondensatoriaus sandara atvaizduota 11.17 paveiksle. MOP
kondensatorius tai plokiasis kondensatorius, kuriame vieno laidaus
elektrodo vaidmen atlieka n
+
emiterio sritis, kito aliuminio
sluoksnis. Kaip dielektrikas naudojamas plonas (iki 50100 nm storio)
silicio dioksido sluoksnis.
Toki MOP kondensatori
lyginamoji talpa bna iki 400
600 pF/mm
2
, talpa gali siekti
500 pF, pramuimo tampa esti
iki 3050 V, elektrin kokyb
2080.
Jeigu vietoj silicio di-
oksido naudojamas silicio
nitrido dielektrinis sluoksnis,
lyginamoji talpa siekia 800
1600 pF/mm
2
, talpa iki
1000 pF, elektrin kokyb esti
nuo 20 iki 100.

n
+

p
p
n
p
n p n
+



11.16 pav. Sandrinis kondensatorius
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
349

MOP kondensatori
talpos sklaida irgi bna
gana didel iki 20 %,
taiau talpa beveik nepri-
klauso nuo tampos.
MOP kondensatori
taikym riboja tai, kad
dvipoli integrini gran-
dyn su MOP konden-
satoriais gamyba yra
sudtingesn reikia papil-
domos fotolitografijos ir
papildomo oksidavimo plo-
nam dielektriko sluoksniui
sudaryti.
Puslaidininkiniuose hi-
bridiniuose grandynuose
naudojami plveliniai
MDM (metalo-dielektriko-metalo) struktros kondensatoriai. J
elektrodai daromi i aliuminio arba tantalo. Kaip dielektrikas
naudojamas aliuminio oksidas Al
2
O
3
arba tantalo pentoksidas Ta
2
O
5
,
pasiymintis didesne dielektrine skvarba, taiau prastesnmis
daninmis savybmis. Plvelini kondensatori privalumas
maesn talpos sklaida, taiau jiems sudaryti, aiku, reikia papildom
technologini proces.

11.2.5. Integriniai rezistoriai

Dvipoliuose integriniuose grandynuose daniausiai naudojami
difuziniai rezistoriai. Difuziniams rezistoriams panaudojama
puslaidininkio kanalo, sudaryto termins priemai difuzijos bdu kito
laidumo tipo puslaidininkyje, vara. Vaizde i viraus difuziniai
rezistoriai esti itsto staiakampio arba meandro formos. Su kitais


p
n
p
n n
+

n
+



11.17 pav. MDP kondensatorius
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
350

grandyno elementais rezis-
toriai sujungiami laidiais
takeliais, sudarytais ant
izoliacinio silicio dioksido
sluoksnio.
Difuziniams rezisto-
riams sudaryti nereikia
papildom proces. Da-
niausiai jiems naudojami p
sluoksniai (11.18 pav.),
sudaromi bazs difuzijos
metu. Visi rezistoriai,
kuriems naudojami p
sluoksniai, gali bti vienoje
n izoliuotoje srityje. Siekiant geriau izoliuoti vien rezistori nuo kito,
prie izoliuotos srities, kurioje yra rezistoriai, prijungiama didiausia
teigiama mikrograndyno maitinimo tampa.
Bazs sluoksnio kvadrato vara esti 100300 . Naudojant bazs
difuzin sluoksn, galima sudaryti rezistorius, kuri vara nuo 30 iki
40 k. Mas (3100 ) varos rezistoriams naudojamas n
+
difuzinis
emiterio sluoksnis. Didels varos rezistoriams naudojamas bazs
sluoksnis, esantis po emiterio sluoksniu (11.19 pav.). Toki rezistori
vara siekia deimtis kiloom. Didel var pavyksta gauti todl, kad
bazs sluoksnis po emiterio
sluoksniu bna plonas ir
priemai koncentracija jame
maa. Tokie rezistoriai vadi-
nami suspaustaisiais (angl.
pinch resistor).
Difuzini rezistori varos
sklaida gana didel varos
nuokrypiai siekia (1520) %.
Suspaustj rezistori varos
nuokrypiai dar didesni iki
50 %.



p n
p
p n
p


11.18 pav. Difuzinis rezistorius

p

n

p

p

n

p

n
+

n
+


11.19 pav. Suspaustasis rezistorius
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
351

Difuzini rezistori naudojim didels integracijos grandynuose
sunkina tai, kad jiems reikia daug vietos. Vienas 1 k difuzinis
rezistorius gali uimti tok kristalo plot, kurio pakakt deimiai
dvipoli tranzistori. Siekiant sumainti rezistorius, jiems naudojami
didels varos sluoksniai, sudaromi joninio legiravimo bdu. Kai
manoma, paprasti variniai elementai keiiami tranzistoriniais
dariniais.
Puslaidininkiniuose hibridiniuose grandynuose naudojami
nichromo arba tantalo plveliniai rezistoriai. Plveliniai rezistoriai
tikslesni, taiau jiems sudaryti reikalingi papildomi technologiniai
procesai.

11.2.6. Laidininkai ir kontaktins aiktels

Kaip jau ne kart minta, puslaidininkinio grandyno elementai
daniausiai sujungiami laidiais aliuminio takeliais, sudarytais ant
izoliacinio silicio dioksido sluoksnio. Takeli sankirt ivengiama
naudojant po silicio dioksido sluoksniu suformuotas tunelines junges
(11.20 pav.). ios jungs panaios difuzinius rezistorius, kuriems

n
p
n
+

n
p
n
+



11.20 pav. Tunelin jung



n
p
n
p



11.21 pav. Kontaktin aiktel
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
352

panaudoti n
+
sluoksniai. J vara esti 35 .
Tunelinms jungms reikia izoliuot srii, kurios uima nemaai
vietos. Todl, kai sujungim schema sudtinga, sudaromi keli laids
sluoksniai. Skirting sluoksni laidininkams izoliuoti naudojami
termocheminiu bdu nusodinti silicio arba aliuminio oksid
sluoksniai.
Kristalo luste sudarytos grandins sujungimui su mikrograndyno
korpuso ivadais naudojamos kontaktins aiktels, kurios sudaromos
kartu su laidiais takeliais. Atliekant sujungimus, gali bti paeistas
silicio dioksido sluoksnis. Todl, siekiant ivengti kontaktins
aiktels trumpojo jungimosi su grandyno pagrindu, po kontaktine
aiktele sudaroma izoliuota sritis (11.21 pav.).
Izoliuota sritis nereikalinga po kontaktine aiktele, prie kurios
jungiama didiausia neigiama mikrograndyno maitinimo tampa.
Siekiant, kad grandyno elementai bt geriau izoliuoti, i tampa per
ang izoliaciniame silicio dioksido sluoksnyje prijungiama prie p
pagrindo.

11.3. MOP integrini grandyn gamyba ir elementai

11.3.1. MOP integrini grandyn gamybos schema ir elementai

MDP tranzistoriai pranaesni u dvipolius: jie paprasiau
suformuojami, pasiymi didele jimo vara, maesniais triukmais,
yra atsparesni radiacijai. MDP tranzistoriai, kaip inome, esti dviej
tip: su indukuotuoju kanalu ir su pradiniu kanalu. MDP integriniuose
grandynuose daniausiai panaudojami tranzistoriai su indukuotuoju
kanalu, kuriuose dielektrikas po utra plonas silicio dioksido
sluoksnis. Dl pastarosios prieasties ie mikrograndynai daniausiai
vadinami MOP integriniais grandynais.
Kadangi tranzistori su p kanalais gamyba yra iek tiek
paprastesn u tranzistori su n kanalais gamyb, pirmiausia buvo
gaminami pMOP integriniai grandynai. Vliau juos pakeit pranaesni
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
353

nMOP grandynai. Juose n kanalo pagrindini krvinink elektron
judrumas didesnis. Kai didesnis judrumas, kaip inome, galima gauti
didesn tranzistoriaus perdavimo charakteristikos statum, geresnes
danines savybes ir didesn veikimo spart.
MOP integrini grandyn, kuriuose panaudoti tranzistoriai su
indukuotaisiais n kanalais, gamybos proceso schema atvaizduota
11.22 paveiksle. Svarbiausieji grandyno element formavimo etapai
yra ie:
1. p silicio ploktels pavirius padengiamas silicio dioksidu.
Fotolitografijos bdu SiO
2
sluoksnyje atidaromos angos. Termins
priemai difuzijos bdu sudaromos 12 m gylio n
+
itakos ir
santakos sritys (11.23 pav., a).



Oksidavimas

Itakos ir

santakos srii

fotolitografija

Itakos ir
santakos sri i
difuzij a

Fotolitografija

Oksidavimas

p Si

Plono SiO2
sluoksnio
sudarymas
Laidaus
sluoksnio
sudarymas

Kontaktini ang
fotolitografija

Laidaus
sluoksnio
fotolitogra fija

Kontakt
degini mas

Termocheminis
silicio di oksido
nusodinimas

Ko ntaktini
aikteli
fotolitografija


11.22 pav. Grupinio apdorojimo procesai, gaminant MOP integrinius
grandynus
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
354

2. Termins priemai difuzijos priemai perskirstymo stadijoje
silicio ploktels pavirius padengiamas silicio dioksidu. Foto-
litografijos bdu silicio dioksidas nusdinamas tose vietose, kur bus
sudaromas plonas dielektriko sluoksnis po utros elektrodu
(11.23 pav., b).
3. Sudaromas plonas (iki 50100 nm storio) auktos kokybs
silicio dioksido sluoksnis. Fotolitografijos bdu silicio dioksido
sluoksnyje atidaromos angos bsimiesiems itakos ir santakos
ivadams (11.23 pav., c).
4. Ploktels pavirius padengiamas laidiu sluoksniu. Foto-
litografijos bdu dal metalo sluoksnio nusdinus, sudaromi laids
takeliai ir utros elektrodai (11.23 pav., d). Laidus sluoksnis
deginamas.
Puslaidininkinje ploktelje formuojam lust grupinio
apdorojimo pabaigoje pavirius padengiamas apsauginiu SiO
2

sluoksniu, kuriame atidaromos angos vir lust kontaktini aikteli.
Formuojant MOP tranzistorius, sudaromi ir kiti MOP integrini
grandyn elementai. Svarbu pastebti, kad MOP integriniuose
grandynuose panaudojama nedaug element tip. Kaip variniai
elementai daniausiai naudojami MOP tranzistori kanalai, o i
tranzistori utros sujungiamos su itakos arba santakos elektrodais.


I S U
p n
+
n
+

SiO2
p n
+
n
+

SiO2
p n
+
n
+

SiO2
p n
+
n
+

SiO2
a b
c d


11.23 pav. Integrinio MOP tranzistoriaus su indukuotuoju n kanalu
formavimas
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
355

Tokie rezistoriai uima maesn plot nei difuziniai rezistoriai. Ryiai
tarp grandyno element daniausiai bna galvaniniai, todl ryio ir
skiriamj kondensatori nereikia. Kaip atminties grandini talpiniai
elementai panaudojamos talpos tarp MOP tranzistori utr ir
puslaidininkins ploktels.
Palyginus 11.6 ir 11.22 paveikslus aiku, kad MOP integrini
grandyn gamyba yra paprastesn nei dvipoli integrini grandyn
gamyba. Todl, gaminant toki pat funkcini galimybi MOP
mikrograndynus gaunama maiau broko.
Svarbu pastebti, kad integriniai MOP tranzistoriai yra izoliuoti
vienas nuo kito prieprieiais jungtomis pn sandromis. Kai
elementams nereikia izoliuot srii, daug geriau inaudojamas lusto
plotas. Kadangi MOP tranzistorius uima kelis kartus maesn plot
nei dvipolis tranzistorius, taikant MOP technologij pavyksta pasiekti
auktesn integracijos laipsn.
Didel MOP tranzistori jimo vara ir maesnis uimamas
plotas lemia tai, kad MOP integrini grandyn vartojamoji galia yra
maa. Kadangi per MOP grandyn elementus teka silpnesns srovs,
tai element sujungimams galima naudoti ne tik metalinius takelius,
bet ir laidininkus, sudarytus panaudojant n
+
sluoksn arba polikristalin
silic. Taigi yra didesns galimybs atlikti reikalingus sujungimus
panaudojant tik vien metalo sluoksn.
Dl aptart prieasi dauguma iuolaikini integrini grandyn
yra MOP grandynai. Aplamai MOP integriniai grandynai buvo sukurti
vliau nei dvipoliai. Tai lm technologiniai sunkumai, kil siekiant
paalinti nepageidaujamus pavirinius reikinius, sumainti pavirini
lygmen tank ir sudaryti plon auktos kokybs dielektriko sluoksn
po utra. Beje, ir veikus pamintus sunkumus, pagamintiems pagal
aptart paprasiausi technologij MOP integriniams grandynams
bdingi svarbs trkumai. MOP tranzistori veikimo spart riboja
kanalo ilgis ir parazitins talpos, susidaranios dl to, kad utros
elektrodas dalinai dengia itakos ir santakos sritis. Minimal kanalo
ilg lemia fotolitografijos galimybs. Utros persidengimas su itaka
bei santaka numatomas konstruojant tranzistori. Jeigu utros
matmuo bt toks pat kaip tarpas tarp itakos ir santakos, dl
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
356

fotoablon sutapdinimo paklaidos galt nesusidaryti kanalas,
jungiantis itak su santaka, ir tranzistorius neveikt. Be to MOP
integrini grandyn veikimo spartai neigiamai atsiliepia laidi
takeli parazitins talpos su pagrindu puslaidininkine ploktele.
Dar vienas paprasiausios technologijos trkumas susijs su tuo,
kad slenkstin tampa, kuriai veikiant po utra susidaro inversinis
sluoksnis (kanalas), yra gana didel (apie 24 V).

11.3.2. Tobulesni MOP integrini grandyn gamybos bdai

Pirmiesiems MOP integriniams grandynams bdingi trkumai
buvo veikti tobulinant gamybos technologijas. Apvelgsime MOP
grandyn veikimo spartos didinimo ir slenksio tampos mainimo
bdus.
Nagrindami MOP tranzistorius sitikinome, kad j danins
savybs ir veikimo sparta labai priklauso nuo kanalo ilgio. Siekiant
sudaryti tranzistorius su trumpesniais kanalais buvo tobulinamos
litografijos technologijos. Parazitini talp tarp utros ir itakos bei
santakos ivengiama taikant savaiminio sutapdinimo technologijas.
Tiksliai sutapdint su utra kanal galima sudaryti taikant jon
implantavim. Technologijos esm iliustruoja 11.24 paveikslas.
Pirmiausia pagal aptart technologij (11.22 pav.) sudaromas
tranzistorius, kuriame utros elektrodas trumpesnis u atstum tarp
itakos ir santakos srii. Po to silicio ploktel implantuojami
fosforo jonai. Parenkama tokia jon energija, kad jie neprasiskverbt
per storo dielektriko ir metalo
sluoksnius, taiau prasi-
skverbt per plon silicio
dioksido sluoksn. Taip su-
daromos n sritys (11.24 pav.)
ir po utra lieka tiksliai su ja
sutapdinta p sritis, kurioje
gali bti indukuotas n
kanalas.


p
n
+

n
n
+



11.24 pav. Kanalo sutapdinimas su
utra taikant jon implantavim
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
357

Slenkstin tamp, kuriai veikiant susidaro indukuotasis kanalas,
galima sumainti parenkant utros ir dielektrinio sluoksnio po utra
mediagas. Utr reikia daryti i mediagos, tarp kurios ir silicio
susidaro maas kontaktinis potencial skirtumas. reikalavim
geriausiai tenkina molibdenas ir polikristalinis silicis. Dielektriko
sluoksniui, be silicio dioksido tinka silicio nitridas. Kartais
naudojamas daugiasluoksnis dielektrikas, sudarytas i plon SiO
2
ir
Si
3
N
4
sluoksni. Daniausiai MOP dariniai su maa (0,51,5) V
slenkstine tampa sudaromi i polikristalinio silicio, silicio dioksido ir
silicio taikoma polikristalinio silicio utr technologija.
Legiruoto polikristalinio silicio utr technologijos esm
iliustruoja 11.25 paveikslas. Sudarius plon silicio dioksido sluoksn
(11.25 pav., a), puslaidininkins ploktels pavirius padengiamas
polikristaliniu siliciu (11.25 pav., b). Tam daniausiai taikomas silano
pirolizs metodas. Po fotolitografijos atliekama termin priemai
difuzija. Kai puslaidininkin ploktel p tipo, termine priemai


p
n
+

I S U
e
p
n
+

d
p
n
+

c
p
b
Polikristalinis
silicis
SiO2
p
a
SiO2
11.25 pav. Polikrista-
linio silicio utr
technologijos etapai

11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
358

difuzija sudaromos n
+
itakos ir santakos sritys (11.25 pav., c). Kartu,
siekiant sumainti kontaktin potencial skirtum, donorine priemaia
legiruojama polikristalinio silicio utra. Po to ploktels pavirius vl
dengiamas SiO
2
sluoksniu ir fotolitografijos bdu jame atidaromos
angos kontaktams su itakos, santakos ir polikristalinio silicio utros
sritimis (11.25 pav., d). Beje, siekiant sumainti kanalo ilg, anga
utros elektrod atidaroma ne vir kanalo, o greta jo. Todl i anga
11.25 paveiksle, d, neparodyta. Galiausiai pavirius metalizuojamas ir,
taikant fotolitografij, sudaromi laids takeliai (11.25 pav., e). Svarbu
pastebti, kad taikant i technologij pavyksta ne tik sumainti
slenkstin tamp, bet ir ivengiama utros ir kanalo sutapdinimo
netikslum. Dar svarbu, kad kartu su polikristalinio silicio utros
elektrodu galima sudaryti polikristalinio silicio junges po SiO
2

sluoksniu, kurios panaudojamos kaip vieno laidaus sluoksnio takeliai.
MOP integriniams grandynams sudaryti taikoma ir silicio ant
safyro technologija. Pagal i technologij ant monokristalinio safyro
pagrindo uauginamas plonas monokristalinio silicio sluoksnis. Po
fotolitografijos lieka izoliuotos silicio salels, kuriose formuojami
MOP tranzistoriai. Kadangi safyras yra dielektrikas, nesusidaro
parazitins talpos tarp tranzistori bei juos jungiani laidi takeli ir
pagrindo, todl grandyno veikimo sparta yra didesn.
Svarbi MOP integrini grandyn grup sudaro grandynai su
jungtiniais MOP tranzistoriais (11.25 pav.), dar vadintini
komplementariaisiais
1
MOP integriniais grandynais (angl. CMOS IC
complementary MOS integrated circuit, rus.
). Juose naudojamos
nuosekliai sujungt tranzistori su n ir p kanalais poros (11.25 pav.).
Kaip KMOP integrinio grandyno pagrindas naudojama n silicio
ploktel (11.26 pav., a). MOP tranzistoriai su p kanalais joje
sudaromi tiesiogiai. Tranzistorius su n kanalais formuojami jiems
sudarytose p difuzinse srityse. Aiku, KMOP integrini grandyn
gamyba sudtingesn, j veikimo sparta yra maesn, taiau jie turi
labai svarb privalum. Skaitmeninse grandinse loginio nulio arba

1
Lot. complementum papildymas.
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
359

loginio vieneto bsenose vienas i poros tranzistori esti udaras.
Taigi per tranzistorius praktikai neteka srov ir nevartojama
maitinimo altinio galia. Todl KMOP integriniai grandynai gerai
tinka portavyviems, baterijomis maitinamiems aparatams.
KMOP integrini grandyn gamybai gerai tinka ir silicio darini
ant safyro technologija. Pagal j ant safyro pagrindo uauginamas
epitaksinis kompensuotojo savojo laidumo silicio sluoksnis. Po io
sluoksnio fotolitografijos ant safyro lieka silicio salels, kuriose
sudaromi skirting tip tranzistoriai.
Mikroprocesori, keitikli ir kituose didels integracijos
grandynuose tikslinga inaudoti dvipoli ir MOP element
privalumus. Todl integrini grandyn gamybai taikoma kombinuotoji
dvipoli ir MOP darini (Bi-MOP, Bi-KMOP) technologija.

11.4. Individualus lust apdorojimas

deginus kontaktus ir pasyvavus paviri, pradedamas bsimj
kristalo lust individualus apdorojimas (11.6 pav.). Pirmiausia
atliekama lust kontrol. Tam naudojamos daugelio zond matavimo
galvuts, judanios nuo vieno puslaidininkinje ploktelje sudaryto
grandyno prie kito. Zondams prisijungus prie bsimojo lusto
kontaktini aikteli, matavimo aparatra tikrinamas grandyno


n
p
+

p
n
+

I1 U1 S1 I2 U2 S2
T2
T1
a b


11.26 pav. KMOP integrinio grandyno fragmentas (a) ir tranzistori
jungimo schema (b)
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
360

veikimas bei jo elektriniai
parametrai. Netinkami gran-
dynai paymimi specialiais
daais.
Po to ploktel dalinama
atskirus lustus. Dalinama
vairiais bdais: pjaustoma
deimantiniu disku, raioma
deimantiniu rtuku ir lauoma,
raioma lazerio spinduliu ir pan.
Po padalinimo nekokybiki,
daais paymti lustai atskiriami. Tinkami lustai tvirtinami
korpusuose ir atliekami btini elektriniai sujungimai. i operacij
technologija priklauso nuo korpuso tipo.
Korpusas turi apsaugoti lust nuo aplinkos poveiki. Jo tipas
parenkamas atsivelgiant numatomas mikrograndyno eksploatacijos
slygas. Korpusai bna metalostikliniai, metalopolimeriniai,
plastmasiniai ir pan.
Lusto kontaktines aikteles reikia sujungti su mikrograndyno
ivadais. Siekiant proces automatizuoti, buvo sukurta apversto lusto
bevielio montao technologija. Taikant i technologij, dar
nepadalinus puslaidininkins ploktels lustus, kontaktini aikteli
paviriuje sudaromi ikils ivadai. Padalijus ploktel lustus,
apversti lustai su ikiliais ivadais statomi ant i anksto sudaryt
plvelini kontaktini aikteli (11.27 pav.), o kai naudojami
plastmasiniai korpusai ant lanksi laikmen, ir atliekamas grupinis
ultragarsinis suvirinimas.
Atlikus monta, mikrograndynas hermetizuojamas. Patikrinus
hermetikum, atliekami elektriniai bandymai. Mikrograndynas
enklinamas. Siekiant atskirti potencialiai nekokybikus gaminius ir
padidinti patikimum, mikrograndynai treniruojami. Periodikai
atliekami mechaniniai, klimatiniai ir kiti mikrograndyn bandymai.


Korpuso kontaktin
aiktel
Lustas Ikilus ivadas


11.27 pav. Bevielis montavimas
apversto lusto bdu
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
361


11.5. Integracijos laipsnis

Integrini grandyn krjai stengiasi puslaidininkins ploktels
luste sutalpinti kuo daugiau element. Didjant element skaiiui
luste, maja elektronins aparatros tris, mas, vartojamoji galia ir
didja patikimumas.
Mikrograndyno sudtingum nusako integracijos laipsnis,
randamas pagal formul
M K lg = ;
ia M element skaiius luste; K integracijos laipsnis
(apskaiiuota pagal formul K reikm didinama iki artimiausio
didesnio sveikojo skaiiaus).
Taigi integrinis grandynas, kuriame 50000 element atitinka
penktj integracijos laipsn. Treiasis penktasis integracijos laipsnis
laikomas dideliu, etasis ir auktesnis labai dideliu.
Vakar alyse integracijos laipsnis nustatomas remiantis ne
deimtaine, o dvejetaine skaiiavimo sistema (11.1 lentel).

11.1 lentel. Integrini grandyn element skaiius ir integracijos laipsnis

Element skaiius Integracijos laipsnis Anglikas pavadinimas
2
1
2
6
(264) Maas SSI small scale
integration
2
6
2
11
(642048) Vidutinis MSI medium scale
integration
2
11
2
16
(204865536) Didelis LSI large scale
integration
2
16
2
21
(65536210
6
) Labai didelis VLSI very large scale
integration
> 2
21
(210
6
10
9
) Ypa didelis ULSI ultra large scale
integration

1964 metais G. Muras (Moore) pastebjo, kad nuo 1959 met
luste sutalpinam element skaiius per metus padiddavo du kartus ir
paskelb prognoz, kad tokia tendencija bus ir ateityje. Muro taisykl
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
362

galioja iki i dien. Tiesa, elemento matmenims sumajus iki 1 m,
element skaiiaus didjimas luste iek tiek sultjo. Pastaraisiais
metais element skaiius luste padvigubja madaug per 18 mnesi.
Integracijos laipsnis didinamas mainant element matmenis ir
didinant lusto matmenis. Dar 1996 metais firma Texas Instruments
paskelb, kad sukurta 0,18 m skiriamosios gebos technologija, kuri
taikant, viename luste galima sudaryti 125 milijonus tranzistori.
Taigi viena i iuolaikins mikroelektronikos tendencij susijusi
su integracijos laipsnio didinimu. Tobulinant litografijos technik,
mainant element matmenis, mikroelektronika transformuojasi
nanoelektronik. Ambicingus udavinius iuo poiriu usibr
Europos Sjunga, 1999 metais pradjusi FP5 (Fifth Framework)
mokslini tyrim program, kurios viena svarbiausi krypi
informacins visuomens technins bazs krimas. Daug dmesio
skiriama mikroelektronikos ir optins elektronikos vystymui.
Usibrta padidinti litografijos skiriamj geb (veikti 0,1 m rib,
sukurti siauresni nei 0,15 m laidinink technologij). Tai leist
sumainti mikrograndyn elementus, padidinti j integracijos laipsn
ir veikimo spart. Kai kurios prognozs pateiktos 11.2 lentelje.

11.2 lentel. Mikrograndyn raidos prognozs

Metai 1995 1998 2001 2004 2007 2010
Atminties mikro-
grandyno talpa (bitai)
64M 256M 1G 4G 16G 64G
Minimalus matmuo
(m)
0,35 0,25 0,18 0,13 0,1 0,07
Gamybos rengini
kaina (bilijonai doleri)
1 5

Tobulinant tradicinius sprendimus, neivengiamai perengiama
riba, u kurios pasireikia kvantiniai efektai. Todl nagrinjami
kvantiniai informacijos apdorojimo ir komunikacij principai.
Kartu iekoma princip, kurie, integravus elektronikos, kvantins
mechanikos, biochemijos ir kit moksl inias ir principus, leist
sukurti naujos kartos informacijos apdorojimo taisus, pagrstus
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
363

procesais molekulse ar atomuose. Panaios idjos jau nebra
fantastins.
Kuriantis informacinei visuomenei, didja informacijos srautai ir
jiems apdoroti reikia spartesni elektronini tais. Taigi kita svarbi
iuolaikins elektronikos tendencija didinti elektronini tais
veikimo spart. Puslaidininkini tais veikimo spartos didinimo
klausimus aptarsime kitame skyriuje.


11.6. Ivados

1. Integriniai grandynai konstrukcins, technologins ir mokslins
bei technins integracijos rezultatas. Puslaidininkini integrini
grandyn elementai ir juos jungiantieji laids takeliai sudaromi
puslaidininkio monokristalo tryje ir ant jo pasyvuoto paviriaus.
Atsivelgiant svarbiausi element tranzistori tip,
puslaidininkiniai integriniai grandynai skirstomi dvipolius ir
MOP integrinius grandynus.
2. Siekiant ivengti nepageidaujam ryi, puslaidininkini
integrini grandyn elementai izoliuojami vienas nuo kito.
Izoliuojama pn sandromis, dielektriko sluoksniu arba taikomi
kombinuotojo izoliavimo bdai. Izoliuotos pn sandromis sritys
puslaidininkio monokristale sudaromos skiriamja priemai
difuzija. Siekiant, kad visos izoliuojanios pn sandros bt
udaros, prie p pagrindo prijungiama didiausia neigiama
mikrograndyno maitinimo tampa. Dielektrinei izoliacijai
panaudojamas silicio dioksido sluoksnis. Taikant dielektrin
izoliacij, pavyksta gauti didel izoliacijos var. Siekiant
sumainti integrinio grandyno element ir juos jungiani laidi
takeli parazitines talpas su puslaidininkine ploktele, taikoma
silicio ant dielektriko technologija. Kombinuotajai silicio srii
izoliacijai panaudojamos pn sandros ir dielektriniai intarpai.
Taikant kombinuotosios izoliacijos technologijas, sudaromos
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
364

silicio salels, kurios i apaios nuo pagrindo izoliuotos pn
sandromis, i krat dielektriko sluoksniu.
3. Dvipoli integrini grandyn gamybos schem lemia procesai,
reikalingi tranzistoriams sudaryti. Kaip npn tranzistori
kolektori sritys panaudojamos izoliuotosios n sritys. Taikant
oksidavimo, fotolitografijos ir lokalios akceptorini priemai
difuzijos procesus, kolektori srityse sudaromos p bazi sritys.
Dar kart atlikus oksidavim, fotolitografij ir pro sudarytas
silicio dioksido kauks angas vedus donorini priemai,
sudaromos emiteri ir kitos n
+
sritys. Po to formuojami
jungiamieji laidininkai ir kontaktai. Tam silicio ploktels
pavirius padengiamas itisiniu SiO
2
sluoksniu, fotolitografijos
bdu atidaromos angos laidi takeli kontaktams, ploktels
pavirius padengiamas itisiniu aliuminio sluoksniu.
Fotolitografijos bdu nusdinus dal aliuminio sluoksnio, ant
silicio dioksido sluoksnio lieka laids takeliai puslaidininkinio
grandyno element jungiamieji laidininkai. Kad bt geresni
jungiamj laidinink kontaktai su puslaidininkyje suformuotais
elementais, atliekamas kontakt deginimas. Pabaigoje, siekiant
apsaugoti bsimuosius integrini grandyn lustus nuo aplinkos
poveiki, ploktels pavirius pasyvuojamas ant jo termo-
chemikai nusodinamas itisinis SiO
2
sluoksnis, kuriame
fotolitografija atidaromos angos kristal kontaktines aikteles.
4. Dvipoliuose integriniuose grandynuose daniausiai naudojami
npn tranzistoriai todl, kad j parametrai geresni u pnp
tranzistori parametrus. Siekiant gauti maesn npn tranzistoriaus
kolektoriaus trin var, tranzistoriaus struktroje naudojamas
paslptasis n
+
sluoksnis. Paslptojo sluoksnio panaudojimu
pagrsta ir kolektoriaus izoliuojanios difuzijos technologija. i
technologija paprastesn u standartin tranzistori sudarymo
technologij. Kadangi reikia maiau fotolitografijos proces,
gaminant gaunama maiau broko. Be to, geriau inaudojamas
kristalo plotas.
5. Kartais elektrinse grandinse greta npn tranzistori reikalingi ir
pnp tranzistoriai. Be papildom technologini proces galima
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
365

sudaryti staiuosius ir oninius pnp tranzistorius. Kadangi staiojo
pnp tranzistoriaus kolektorius yra p ploktel, j galima naudoti
tik bendrojo kolektoriaus schemoje. oninio pnp tranzistoriaus
emiterio ir kolektoriaus sritys sudaromos bazs difuzijos metu.
Tranzistorius yra simetrinis jo emiterio ir kolektoriaus srityse
priemai koncentracijos vienodos. Bazje priemai
koncentracija tolygi. Be to, baz bna gana stora. Todl oniniai
tranzistoriai tinka tik emuose daniuose ir turi nedidel srovs
perdavimo koeficient.
6. Integrini diod pn sandros sudaromos gaminant dvipoli
integrini grandyn tranzistorius. Daniausiai dvipoliuose
integriniuose grandynuose kaip diodai panaudojami atitinkamai
jungti dvipoliai tranzistoriai.
7. Dvipoliuose integriniuose grandynuose naudojami sandriniai ir
MOP kondensatoriai. Sandriniams kondensatoriams panau-
dojama emiterio arba kolektoriaus sandros barjerin talpa.
Sandrini kondensatori lyginamoji ir maksimali talpos
priklauso nuo naudojamos pn sandros ir tampos. MOP
kondensatoriuje vieno elektrodo vaidmen atlieka n
+
sritis, kito
aliuminio sluoksnis. Kaip dielektrikas naudojamas plonas silicio
dioksido sluoksnis. Plaiame tamp ruoe MOP kondensatoriaus
talpa nepriklauso nuo tampos. Didesn lyginamoji talpa ir
auktesn elektrin kokyb gaunamos, kai vietoje silicio dioksido
naudojamas silicio nitridas. Puslaidininkiniuose hibridiniuose
integriniuose grandynuose naudojami plveliniai MDM (metalo-
dielektriko-metalo) kondensatoriai, sudaromi ant izoliacinio
silicio dioksido sluoksnio.
8. Dvipoliuose integriniuose grandynuose naudojami difuziniai
rezistoriai. Difuziniame rezistoriuje panaudojama puslai-
dininkinio kanalo, sudaryto kito laidumo tipo puslaidininkyje,
vara. Daniausiai difuziniams rezistoriams naudojami p
sluoksniai, sudaromi izoliuotoje n srityje bazs difuzijos metu.
Maos varos rezistoriams naudojami n
+
difuziniai sluoksniai,
sudaromi atliekant emiterio difuzij. Didels varos rezistoriams
galima panaudoti bazs sluoksn, esant po emiterio sluoksniu.
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
366

Difuzini rezistori varos nuokrypiai siekia (1520) %.
Puslaidininkiniuose hibridiniuose mikrograndynuose naudojami
nichromo arba tantalo rezistoriai, sudaryti ant izoliacinio silicio
dioksido sluoksnio. Jie tikslesni, taiau jiems sudaryti reikalingi
papildomi technologiniai procesai.
9. Apie tris ketvirtadalius iuolaikini mikrograndyn sudaro MOP
integriniai grandynai. Tai lemia kai kurie svarbs MOP integrini
grandyn privalumai: paprastesn gamyba, auktesnis integracijos
laipsnis, didel jimo vara, maa vartojamoji galia.
10. MOP integraliniuose grandynuose daniausiai panaudojami MOP
tranzistoriai su indukuotuoju kanalu, kuriuose dielektrikas po
utra plonas silicio dioksido sluoksnis. Pirmiausia buvo
sisavinta pMOP integrini grandyn gamyba. Vliau juos pakeit
nMOP grandynai, kuri tranzistori kanal pagrindiniai kr-
vininkai elektronai, pasiymintieji didesniu nei skyls judrumu.
11. MOP tranzistoriams integriniuose mikrograndynuose nereikia
izoliuot srii jie izoliuoti vienas nuo kito prieprieiais
sujungtomis pn sandromis. Formuojant MOP tranzistorius,
sudaromi ir kiti MOP grandyn elementai. Kaip rezistoriai
daniausiai panaudojami MOP tranzistoriai (toki rezistori
plotas daug maesnis nei difuzini rezistori uimamas plotas).
Ryiai tarp MOP integrini grandyn element daniausiai bna
galvaniniai, todl ryio ir skiriamj kondensatori nereikia. Kaip
atminties elementai panaudojamos talpos tarp MOP tranzistori
utr ir puslaidininkins ploktels.
12. Pirmj MOP integrini grandyn maksimali veikimo sparta
buvo maesn nei dvipoli. Be to, MOP tranzistori slenkstin
tampa, kuriai veikiant po utra susidaro inversinis sluoksnis
kanalas, buvo didel. Siekiant MOP integrini grandyn veikimo
spart padidinti, buvo trumpinami tranzistori kanalai ir iekoma
bd sumainti parazitines talpas. Siekiant sumainti talp dl
utros dalinio persidengimo su kanalu, buvo sukurtos kanalo ir
utros savaiminio sutapdinimo technologijos. Maa (0,51,5) V
slenkstin tampa buvo gauta pradjus naudoti polikristalinio
silicio utras. Taikant legiruoto polikristalinio silicio utr
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
367

technologij, pavyksta ne tik sumainti slenkstin tamp, bet ir
ivengti utros ir kanalo sutapdinimo netikslum.
13. Atskir MOP integrini grandyn grup sudaro komplementarieji
MOP integriniai grandynai, kuriuose naudojamos nuoseklios
tranzistori poros su abiej laidumo tip p ir n kanalais.
KMOP integrini grandyn gamyba sudtingesn, taiau jie turi
svarb privalum. Bet kurioje logins grandins pusiausvyros
bsenoje vienas i tranzistori yra udaras, ir pusiausvyros
bsenoje praktikai nevartojama srov. Todl KMOP integrini
grandyn vartojama galia yra labai maa.
14. Kai kurie didels integracijos mikrograndynai gaminami pagal
kombinuotsias Bi-MOP arba Bi-KMOP technologijas. Taip
inaudojami dvipoli ir MOP element privalumai.
15. Mikroelektronika vystoma keliomis kryptimis didinamas
integracijos laipsnis, didinama integrini grandyn veikimo
sparta, sisavinamos naujos mediagos, kuriami ir tobulinami
naujais fizikiniais reikiniais ir principais pagrsti funkcins
elektronikos taisai.

11. 7. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Kokias problemas sprendiant atsirado mikroelektronika? Apibdinkite
slygas, kuriose kilo mintys apie integrini grandyn sukrimo
galimybes.
2. Kokia yra integracijos svarbiausio mikroelektronikos principo esm?
3. Apibdinkite mikrograndyn tipus, atsivelgdami j gamybos
principus.
4. Kaip sudaromos dvipoli integrini grandyn izoliuotos sritys?
5. Sudarykite ir paaikinkite dvipoli integrini grandyn gamybos
proces schem.
6. Kaip sudaromi laidininkai, kuriais sujungiami kristalo tryje sudaryti
puslaidininkinio integrinio grandyno elementai?
7. Sudarykite dvipolio integrinio tranzistoriaus pjvio vaizd ir vaizd i
viraus.
8. Kodl dvipoliuose integriniuose grandynuose daniausiai naudojami npn
tranzistoriai?
11 skyrius. Puslaidininkini integrini grandyn tipai ir elementai
368

9. Kam integriniame tranzistoriuje naudojamas paslptasis sluoksnis?
10. Kaip formuojami tranzistoriai, taikant kolektoriaus izoliuojanios
difuzijos technologij?
11. Kaip sudaromas oninis pnp integrinis tranzistorius?
12. Kaip sudaromi integriniai diodai?
13. Sudarykite otkio tranzistoriaus pjvio vaizd. Apibdinkite otkio
tranzistoriaus privalumus.
14. Kaip sudaromi dvipoli integrini grandyn rezistoriai?
15. Sudarykite ir aptarkite difuzinio rezistoriaus, kuriam panaudotas bazs
difuzinis sluoksnis, pjvio vaizd ir vaizd i viraus.
16. Kokius rezistorius vadina suspaustaisiais? Apibdinkite j privalumus ir
trkumus.
17. Apibdinkite dvipoli integrini grandyn kondensatori tipus.
18. Sudarykite sandrinio kondensatoriaus, kuriam panaudota kolektoriaus
sandra, pjvio vaizd ir vaizd i viraus.
19. Sudarykite MOP kondensatoriaus pjvio vaizd ir vaizd i viraus.
20. Kaip sudaromos lust kontaktins aiktels?
21. Apibdinkite MOP integrini grandyn tipus.
22. Sudarykite integrinio MOP tranzistoriaus su indukuotuoju n kanalu
pjvio vaizd ir vaizd i viraus.
23. Sudarykite ir paaikinkite MOP integrini grandyn gamybos proces
schem.
24. Apibdinkite MOP integrini grandyn privalumus.
25. Kokius udavinius teko sprsti tobulinant MOP integrinius grandynus?
26. Aptarkite kanalo ir utros savaiminio sutapdinimo technologij esm.
27. Kaip gaminami MOP integriniai grandynai, kuriose panaudojamos
legiruoto polikristalinio silicio utros?
28. Apibdinkite legiruoto polikristalinio silicio utr technologijos
privalumus.
29. Kas yra KMOP integrinis grandynas? Kokie io tipo integrini grandyn
privalumai?
30. Apibdinkite kombinuotsias integrini grandyn gamybos
technologijas.
31. Aptarkite integrini grandyn surinkimo procesus.
32. Kaip nustatomas integrinio grandyno integracijos laipsnis?
33. Aptarkite integracijos laipsnio didinimo svarb ir galimybes.

11. IG elementai_200308 2003.08.26 10:34
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
369


12. MIKROBANG PUSLAIDININKINIAI TAISAI

Mikrobangomis vadinamos elektromagnetins bangos, kuri ilgis
nuo 30 cm iki 1 mm, danis nuo 1 iki 300 GHz. Kaip galingi
aktyvieji mikrobang diapazono taisai naudojami vakuuminiai
elektroniniai prietaisai klistronai, magnetronai, bganiosios ir
atbulins bangos lempos.
Vakuuminiai elektroniniai prietaisai buvo kuriami ir tobulinami
tenkinant radiolokacijos, radionavigacijos, radijo relini linij
poreikius. Laikui bgant, mikrobang taikymo sritys pltsi. Spar-
tinant informacijos apdorojim, virpesi daniai kompiuteriuose ir
kitose informacijos apdorojimo priemonse (jau nekalbant apie vir-
pesi dani spektrus) pasiek mikrobang ruo. Mikrobang ruoo
dani resursai pradti naudoti ryi sistemose dabar praktikai vi-
sos iuolaikins judriojo ryio sistemos veikia mikrobang diapazone.
Kadangi buvo sunku sukurti miniatirinius elektroninius
vakuuminius prietaisus, mikrobang ruo skverbsi ir jame
sitvirtino puslaidininkiniai taisai. Pirmiausia kaip alternatyva
vakuuminiams elektroniniams prietaisams atsirado specials
puslaidininkiniai diodai tuneliniai, Gano, gritiniai-lkio ir kiti
diodai.
Tranzistori ir mikrograndyn veikimo spartos didjim
pirmiausia lm ir lemia poreikiai didinti kompiuteri ir kitos
elektronins aparatros veikimo spart. Taiau didels veikimo
spartos tranzistoriams bdingi mai matmenys ir maa galia. Todl
tranzistori ir mikrograndyn tobulinimo darbai vyksta ir kita
kryptimi. Kadangi informacijai perduoti reikia pakankamai galing
aktyvij element, tobuljant puslaidininkinms technologijoms,
sukuriama vis galingesni mikrobang tranzistori ir mikrograndyn,
reikaling ginkluotei, kosminei technikai, aviacijos renginiams,
judriojo ir optinio ryio sistemoms ir pan.
iame skyriuje aptarsime Gano, gritini-lkio, ir kit
mikrobang diod sandar, veikim bei didels veikimo spartos
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
370

tranzistori ir mikrograndyn sukrimo prielaidas ir tobulinimo
principus. Kartu sieksime ir kit tiksl atskleisime galimybes, kurias
teikia sudtini puslaidininki, heterodarini, kvantini reikini,
nauj puslaidininkini mediag ir technologij panaudojimas.

12.1. Mikrobang diodai
12.1.1. Gano diodai

Gano diodo pagrind sudaro sudtinio dvislnio puslaidininkio
kristalo lustas, prie kurio prijungti metaliniai elektrodai katodas ir
anodas (12.1 pav., a).
Veikiant iorinei tampai, vienalyiame puslaidininkyje, kaip
inome, susidaro vienodo stiprio
elektrinis laukas. Taiau prie
metalini elektrod paprastai
pasitaiko priemai koncentra-
cijos fliuktuacij. Tarkime, kad
prie katodo yra puslaidininkio
sluoksnis, kurio savitoji vara
yra didesn. Tuomet, prijungus
iorin tamp, iame sluoksnyje
susikuria stipresnis elektrinis
laukas nei likusioje lusto dalyje.
Didjant iorinei tampai,
sluoksnyje prie katodo elekt-
rinio lauko stipris pasiekia
krizin
kr
E , ir elektronai
pradeda kilti auktesn laidumo
juostos sln (12.2 pav.).
Elektronui pereinant auktesn
sln, kaip inome, didja jo
efektin mas. Sunkesni
elektron judrumas yra ma-



n GaAs
a
E
E
d

E
k

x
b
n
n0
x
c


12.1 pav. Gano diodo sandara (a) ir
elektrinio lauko stiprio (b) bei
elektron koncentracijos (c) pasi-
skirstymai susidarius elektriniam
domenui
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
371

esnis, todl, elektronams
kylant auktesn sln,
sluoksnio prie katodo vara
didja. Savo ruotu dl to dar
labiau sustiprja elektrinis
laukas, o dl to dar daugiau
elektron pereina auktesn
sln. Taip prie katodo
formuojasi stipraus elektrinio
lauko sritis, vadinama
elektriniu domenu, ir silp-
nesnio elektrinio lauko sritis
likusioje kristalo dalyje.
Elektrinio lauko veikiami sunkieji elektronai juda slyginai mau
dreifo greiiu link anodo. Ltus sunkiuosius elektronus pasiveja greiti
lengvieji elektronai. Patek elektrinio domeno srit (12.1 pav., b), jie
tampa sunkiaisiais. Taip domeno upakalinio fronto dalyje elektron
koncentracija padidja (12.1 pav., c). Prie domen buvusieji greitieji
elektronai tolsta nuo domeno ir artja prie anodo. Todl domeno
priekinio fronto dalyje elektron koncentracija sumaja.
Susiformavus domenui ir nusistovjus pusiausvyrai, elektron
dreifo greitis
d E
v domene yra lygus j greiiui
k E
v kitoje lusto dalyje.
Kadangi
d n d
' ' E v
E
= ir
k n k
' E v
E
= , tai
k n d n
' ' ' E E = ; (12.1)
ia '
n
greitj (emesniojo slnio) elektron judrumas, ' '
n

ltj (auktesnio slnio) elektron judrumas,
d
E elektrinio lauko
stipris domene,
k
E elektrinio lauko stipris likusioje kristalo dalyje.
Domenas pradeda formuotis, kada elektrinio lauko stipris visame
luste yra artimas kriziniam lauko stipriui
kr
E . Tada diodo srovs
tankis
kr n 0 1
' q E n j = . (12.2)
Susiformavus domenui, srovs tankis tampa
k n 0 2
' q E n j = . (12.3)


W
k
W12 = 0,36 eV


12.2 pav. Galio arsenido laisvojo
elektrono minimalios energijos pri-
klausomyb nuo bangos skaiiaus
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
372

Kadangi
kr k
E E < , tai
1 2
j j < .
Silpnesn srov, kurios tankis
2
j , teka, kol domenas pasiekia
anod. Pasieks anod, domenas nyksta, todl elektrinio lauko stipris
ir srov luste vl ima stiprti. Kai elektrinio lauko stipris pasiekia
krizin vert
kr
E , pradeda formuotis naujas domenas ir procesas
kartojasi (12.3 pav.). Srovs impuls pasikartojimo danis T f / 1 ;
ia
d
/
E
v L T yra virpesi periodas, apytikriai lygus laikui, per kur
domenas veikia nuotol L tarp katodo ir anodo.
Stipr elektrin lauk nesunku sudaryti tik ploname puslaidininkio
sluoksnyje. Kai L yra maas, elektron lkio tarp anodo ir katodo
trukm yra maa, todl virpesi danis auktas.
Aptarta domenin Gano diod veiksena nra labai efektyvi. Gano
generatori naudingumo koeficientas esti maas iki 5 %.
Efektyvesn riboto erdvinio krvio kaupimo veiksen dar
1966 metais pasil J. Kouplendas (J. A .Copeland). Literatroje
angl kalba i veiksena sutrumpintai ymima LSA (limited space-
charge accumulation).
Riboto erdvinio krvio kaupimas realizuojamas Gano diod
galio arsenido ar kito dvislnio puslaidininkio lust taisius
mikrobang rezonatoriuje. Tada diod kartu su nuolatinio slinkio
tampa
0
U , kelet kart virijania krizin tamp
kr
U , veikia
harmonin auktojo danio tampa t U u sin
m
= (12.4 pav.).
Kai momentin tampa didesn u krizin, prie katodo pradeda
formuotis domenas. Kit periodo
dal tampa u U +
0
esti maesn
u krizin, todl erdvinis krvis
nyksta.
Tinkamai legiravus puslai-
dinink ir parinkus rezonatoriaus
virpesi dan
0
f , erdvinio krvio
pulsacijos sukelia srovs virpesius.
J dan lemia rezonatoriaus
danis
0
f .

j
0
t
1
t
2
T t


12.3 pav. Srovs tankio laiko
diagrama
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
373

Kuomet per trump virpesi period domenas diode nespja
susidaryti, elektrinis laukas lieka beveik homogenikas. Tada, veikiant
stipriam elektriniam laukui, beveik visas kristalo lustas tampa
neigiamos varos elementu. Kadangi generuojam dan lemia
rezonatorius, diodo lustas gali bti daug (net 100 kart) storesnis u
domenins veiksenos Gano diod ir gali sklaidyti daug didesn gali.
Norint sudaryti riboto erdvinio krvio veiksen, reikia tenkinti
kelet slyg.
Pirma. Kad domenas nesuspt susidaryti, turi bti tenkinama
slyga
' ' ) 3 ... 2 (
r
< T , (12.4)


0
0 r
0 r r
q

' ' ' '


n
= = ; (12.5)
ia ' '
r
dielektrins relaksacijos trukm, kai veikia stiprus elektrinis
laukas ir pasireikia puslaidininkio neigiama diferencialin vara,
0

elektrin konstanta,
r
puslaidininkio mediagos santykin dielekt-
rin skvarba,
0
n elektron koncentracija, diferencialinis


U
I
0
u 0
t
U 0
i
0 t
a
b
c
U kr

12.4 pav. Gano diodo volt-
amperin charakteristika
(a) ir jo tampos (b) bei
srovs (c) laiko diagramos

12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
374

judrumas.
Antra. Per laik , kada diodo tampa emesn u krizin,
susikrs domeno erdvinis krvis turi spti visikai inykti. Taigi turi
bti tenkinama slyga
1 0
0 r
0 r
q

'


n
T = > >> ; (12.6)
ia
1
elektron judrumas, kai
kr
E E < .
vertindami (12.4)(12.6) formules ir tai, kad f T / 1 = , galime
gauti toki riboto erdvinio krvio kaupimo veiksenos slyg:

) 3 ... 2 (
q

0 r 0
1
0 r
< <<
f
n
. (12.7)
Galio arsenido atveju (12.7) formulei galima suteikti pavidal
5 0 4
10 2 10 < <
f
n
scm
3
.
Riboto erdvinio krvio kaupimo slygomis Gano generatoriui
bdingas kietas susiadinimas. Daniausiai pirmuosius mikrobang
virpesius lemia domenin veiksena, vliau pereinanti riboto erdvinio
krvio kaupimo veiksen.
Kai Gano diodas veikia riboto erdvinio krvio kaupimo
slygomis ir , 4 ... 3 /
kr 0
= U U Gano generatoriaus naudingumo koefi-
cientas siekia 17 %.
Galio arsenido Gano diodai naudojami dani diapazone iki
100 GHz , indio fosfido Gano diodai diapazone iki 150300 GHz.
Centimetrini bang ruoe Gano generatori nenutrkstam virpesi
galia gali siekti kelis vatus. Generatori ijimo gali riboja iluminiai
reikiniai (kristalo perkaitimas). Milimetrini bang ruoe Gano
generatori virpesi galia esti tik deimtj vato dali eils. Gali
riboja elektriniai (elektrinio pramuimo) reikiniai.
Siekiant gauti didesn virpesi gali, taikomas keli Gano diod
kuriam virpesi sumavimo principas. Daniausiai generatoriai su
Gano diodais veikia impulsiniu reimu. Kai impuls skvarba didel,
galia impulse gali siekti kelis kilovatus.
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
375


12.1.2. Gritiniai lkio diodai

Gritinis lkio diodas tai puslaidininkinis diodas, kuriame
gritinis krvinink dauginimasis naudojamas mikrobang
virpesiams generuoti.
Siekdami isiaikinti, kaip gritinis lkio diodas veikia, imkime
p
+
n darin (12.5 pav.). Sakykime, kad veikia atgalin tampa ir
sandroje susikuria elektrinis laukas, kuriam veikiant, prasideda
gritinis pramuimas. Atsirad elektronai ir skyls juda veikiami
elektrinio lauko. Kadangi pn sandra nesimetrin, elektron dreifo
trukm nuskurdintajame sluoksnyje virija skyli dreifo trukm.
Gritinis krvinink dauginimasis yra inertikas pradjus veikti
pramuimo tampai, srov stiprja palaipsniui. Be to, reikalingas tam
tikras laikas, kol elektronai veikia nuskurdintj sluoksn. Dl i
prieasi, kai kartu su nuolatine tampa veikia auktojo danio
kintamoji tampa, per diod tekanios srovs kintamoji dedamoji
atsilieka nuo tampos. Jeigu srovs vlavimas
v
t toks, kad
v
= t ,
tai, augant tampai, srov silpnja, ir atvirkiai (12.6 pav., a). Tada
diodo diferencialin vara yra
neigiama vis period.
Laikydami, kad =
v
t const,
gautume, kad, majant daniui,
fazs kampas
v
t maja. Tada
dal periodo diodo diferencialin
vara yra neigiama, dal
teigiama. Kai 2 /
v
= t , ketvirt
periodo diodo diferencialin vara
yra neigiama, kit ketvirt
teigiama (12.6 pav., b). Dar su-
majus daniui, diodo diferen-
cialins varos vidutin reikm
tampa teigiama.

p
+
n
a
b
x 0
E
E
pr


12.5 pav. Gritinio lkio diodo
darinys (a) ir jame veikianio
elektrinio lauko stiprio pasi-
skirstymas (b)
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
376

Augant daniui, fazs
kampas
v
t didja. Nesunku
sitikinti, kad, fazs kampui
virijus 2 / 3 , diodo diferen-
cialins varos vidutin reikm
irgi tampa teigiama.
Element, turint neigiam
diferencialin var, kaip inome,
galima panaudoti virpesiams
stiprinti ir generuoti. Gritinis
lkio diodas pasiymi neigiama
diferencialine vara tik tam
tikrame dani ruoe. U io
ruoo, taigi ir statiniu atveju,
neigiama diferencialin vara
nepasireikia.
Gritini lkio diod
sukrimo galimyb 1958 metais
teorikai numat W. T. Ridas
(Read). Todl gritiniai lkio
diodai danai vadinami Rido diodais, arba IMPATT (IMPact
Avalanche Transit Time mode) diodais (rus. -
).
Gritini lkio diod p
+
nin
+
, p
+
pnn
+
, p
+
nn
+
, p
+
in
+
dariniai
gaminami i germanio, silicio, galio arsenido, indio fosfido. ie
diodai naudojami dani diapazone apytikriai nuo 1 iki 400 GHz
(bang ruoe 30 cm 0,7 mm). Augant daniui, virpesi galia
max
P ,
kuri galima gauti naudojant gritin lkio diod, maja. Kai danis
yra iki 10 GHz, nenutrkstam virpesi galia gali siekti 10 W.
Centimetrini bang ruoe f P
max
const; virpesi gali riboja
iluminiai reikiniai. Milimetrini bang ruoe diodo kristalas turi bti
labai ma matmen. Dl mao kristalo skerspjvio ploto yra ribota
diodo srov. Dl mao storio ribota diodo tampa. Todl
milimetriniame ruoe
2
max
f P const, taigi
2
max
/ 1 ~ f P . Optimizavus

u
i
t
a
u
i
t
b


12.6 pav. tamp ir srovi laiko
diagramos, kai t
v
= (a) ir
t
v
=/2 (b)

12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
377

milimetrinio diapazono InP gritinius lkio diodus numatoma gauti
didesn nei 1 W 100 GHz virpesi gali ir 18 % naudingumo
koeficient. Sumuojant virpesius, manoma gauti imt vat
nenutrkstam virpesi gali ir kilovat eils gali impulse.
Gritiniai lkio diodai naudojami ryi, radiolokacijos sistemose,
fazinse anten gardelse ir pan.
12.1 uduotis
Gritinis lkio diodas pagamintas i silicio, kuriame maksimalus
elektron dreifo greitis 10
7
cm/s. Koks turi bti elektron lkio srities ilgis,
kad diodo darbo danis bt 15 GHz?
Sprendimas
Remdamiesi slyga
v
= t galime gauti, kad diodo darbo danis
L
v
t
f
E
2
1
2
1
v
= .
Tada elektron lkio srities ilgis
3 , 3 ...
10 15 2
10
2
9
5
=


f
v
L
E
m.
1965 metais buvo pastebta, kad galima anomali gritini lkio
p
+
nn
+
diod veiksena, kuriai bdingas labai didelis (net iki 75 %)
naudingumo koeficientas, didesn virpesi galia (iki 1 kW impulse),
taiau emesnis (centimetrinio diapazono) darbo danis. Taip
veikiantieji diodai vadinami gritiniais lkio pagautosios plazmos arba
TRAPATT (angl. TRApped Plasma Avalanche Triggered Transit
mode) diodais.
Fizikini proces vyksmas gritiniuose lkio pagautosios
plazmos dioduose buvo atskleistas taikant kompiuterinio modeliavimo
metodus. Diodo pn sandroje prasidjus smginei puslaidininkio
atom jonizacijai ir gritiniam pramuimui, padidja krvinink
koncentracija. Padidjus krvinink koncentracijai, sumaja sluoks-
nio, kuriame vyksta smgin jonizacija, vara. Tuomet tampos
kritimas iame sluoksnyje sumaja ir didesn diodo tampos dalis
krinta likusioje nuskurdintojo sluoksnio dalyje. tampos sukurtas
elektrinis laukas sukelia smgin jonizacij. Taigi gritiniame lkio
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
378

pagautosios plazmos diode stipraus elektrinio lauko ir smgins
jonizacijos banga sklinda nuskurdintuoju sluoksniu. Kai smgin
jonizacija apima vis n srit, visame diode gaunama didel krvinink
koncentracija. Tada diodo vara sumaja. Per diod teka stipri srov.
Kadangi diodas yra jungtas elektros grandin, sumajus jo
varai ir sustiprjus srovei, padidja tampos kritimas nuosekliai su
diodu jungtoje varoje, o diodo tampa sumaja. Taigi gaunama, kad
kur laik, veikiant maai tampai, per gritin lkio pagautosios
plazmos diod teka stipri srov. Taiau nedidel tampa nebegali
sukurti elektrinio lauko, kuris kelt smgin jonizacij. Todl
krvinink koncentracija n srityje maja, diodo vara didja, per j
tekanti srov silpnja, o jo tampa didja.
Kadangi, stiprjant per diod tekaniai srovei, jo tampa maja,
ir atvirkiai, gritinis lkio pagautosios plazmos diodas pasiymi
neigiama diferencialine vara. TRAPATT veiksena skiriasi nuo
IMPATT veiksenos tuo, kad smgin puslaidininkio atom jonizacija
apima vis n srit. Kai diodo aktyviojoje srityje susidaro plazma,
sudaryta i skyli ir neigiam elektron, elektrinio lauko stipris, kaip
jau aptarme, esti maas. Todl krvininkai juda maesniu greiiu
negu IMPATT dioduose ir plazmos isiurbimo i aktyviosios srities
trukm esti palyginti didel. Todl TRAPATT diod darbo daniai
emesni nei IMPATT diod darbo daniai.

12.1.3. Injekciniai lkio diodai

Injekciniai lkio diodai kaip ir gritiniai lkio diodai pasiymi
neigiama diferencialine vara todl, kad dreifo srityje krvininkai
utrunka, ir dl to srov atsilieka nuo tampos. Injekciniuose lkio
dioduose krvininkai dreifo srityje atsiranda ne dl smgins
jonizacijos kaip gritiniuose lkio dioduose, o dl alutini krvinink
injekcijos. Todl injekciniai lkio diodai dar vadinami BARITT (angl.
BARrier Injected Transit Time) diodais.
Injekciniai lkio diodai gali bti pnp, pnp, pnM ar MnM
struktros. Kai diodui panaudotas pnp darinys, veikiant tiesioginei
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
379

pn sandros tampai, silpnai legiruot donorais sluoksn
injektuojamos skyls. Po to skyls dideliu dreifo greiiu juda link
kontaktins p srities. rodoma, kad optimalus dreifo kampas
injekciniuose lkio dioduose yra apie 1,5.
Injekciniai lkio diodai naudojami nedidels galios genera-
toriuose, heterodinuose. Gera j savyb emas triukm lygis. i
injekcini lkio diod savyb lemia tai, kad juose nra chaotik
smgins jonizacijos ir gritinio krvinink dauginimosi reikini.

12.2. Tranzistori veikimo sparta ir j ribojantys veiksniai

Tranzistoriams keliami reikalavimai priklauso nuo j taikymo.
Didels veikimo spartos skaitmeninms grandinms reikalingi maos
galios sparts tranzistoriai. Ryi priemonms reikalingi galingi
mikrobang tranzistoriai. Siekdami isiaikinti tranzistori veikimo
spartos ir galios didinimo galimybes, remdamiesi pradinmis iniomis
apie dvipoli ir lauko tranzistori sandar, veikim, ekvivalentines
grandines, danines savybes, isamiau panagrinsime vairi veiksni
tak tranzistori daninms savybms, veikimo spartai, galiai ir
atskleisime danini parametr, matmen ir galios sryius.

12.2.1. Veiksniai, lemiantys dvipoli ir lauko tranzistori
daninius parametrus

jungto pagal bendrosios bazs schem dvipolio tranzistoriaus
diferencialinis emiterio srovs perdavimo koeficientas

irei-
kiamas formule
E
K

I
I

= ; (12.8)
ia
K
I kolektoriaus (ijimo) srovs pokytis, gaunamas emiterio
(jimo) srovei pakitus
E
I .
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
380

Toliau nagrindami npn dvipol tranzistori, (12.8) formul
galime perrayti tokiu pavidalu:
K K B E
nK
K
nE
nK
E
nE

= =

=
I
I
I
I
I
I
; (12.9)
ia
nE
I emiterio elektronin srov;
nK
I srovs
nE
I dedamoji,
tekanti per kolektoriaus sandr; koeficientus
E
,
B
,
K
ia
vadinkime emiterio, bazs ir kolektoriaus efektyvumais;
B E E nK
/ = = I I .
Siekiant gauti didesn (artim 1) emiterio srovs perdavimo
koeficient

, reikia didinti koeficientus


E
,
B
ir
K
.
Emiterio srov, kaip inome, sudaro dvi dedamosios elektronin
nE
I ir skylin
pE
I . Pastaroji npn tranzistoriuje yra silpna ). (
nE pE
I I <<
Atsivelgdami tai, emiterio efektyvumo iraik galime taip
pertvarkyti:
nE
pE
nE pE pE nE
nE
E
1
1
1
I
I
I I I I
I


+
=
+

= . (12.10)
Siekiant, kad emiterio srovs elektronin dedamoji bt daug
stipresn u skylin ir kad bt didesnis npn tranzistoriaus emiterio
efektyvumas, priemai koncentracija
emiteryje, kaip jau inome, parenkama
daug didesn nei bazje (
aB dE
N N >> ).
Augant daniui, emiterio efektyvumas
maja dl emiterio sandros barjerins
talpos
Eb
C takos. 12.7 paveiksle atvaiz-
duota tranzistoriaus emiterio sandros
ekvivalentin grandin. Pagal j
auktadan emiterio srov sudaro dvi
dedamosios. Srov, tekanti per emiterio
sandros barjerin talp, nesukelia
krvinink injekcijos baz. Todl emiterio efektyvumo
priklausomyb nuo danio galime vertinti koeficientu

r
E

C
Eb

U
EB



12.7 pav. Tranzistoriaus
emiterio sandros ek-
vivalentin grandin
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
381

E Eb E EB
E EB
E
Ea
0 E
E
E
j 1
1
) j / 1 (
/

+
=
+
= = =
C r U
r U
I
I
K ; (12.11)
ia
0 E
emiterio efektyvumas em dani srityje;
Ea
I emiterio
srovs
E
I aktyvioji dedamoji,
EB
U kintamosios tampos kritimas
emiterio sandroje,
Eb E E
C r = emiterio sandros laiko konstanta.
Isamesnis nagrinjimas rodo, kad aukt dani srityje emiterio
efektyvumui dar turi takos laikas
E
t , per kur krvininkai veikia
emiterio sandr. Todl vietoje laiko konstantos
E
reikia nagrinti
laiko konstant
E E vE
t + = . (11.12)
Tada pagal (12.11) emiterio efektyvum galime ireikti formule:
( )
vE
e
1
j 1 2
vE
0 E
vE
0 E
E

j
+
=
+
= . (12.13)
Bazs efektyvum (krvinink pernaos per baz koeficient),
kaip inome, riboja tai, kad ne visi baz i emiterio injektuoti
krvininkai pasiekia kolektoriaus sandr dalis j rekombinuoja
bazje. em dani srityje bazs efektyvumas ireikiamas formule:
; 1 ...
nK
nr
nr nK
nK
nE
nK
0 B
I
I
I I
I
I
I

=
+

= (12.14)
ia
nr
I rekombinacin bazs srov.
Aiku, kad, norint padidinti bazs efektyvum, reikia mainti
rekombinacin srov.
Laikydami, kad baz plona ir kad joje vyksta krvinink difuzija,
sprsdami tolydumo lygt, gautume, jog perteklini elektron
koncentracija bazje ireikiama formule:
) / cosh(
] / ) sinh[(
) 0 ( ) (
n B
n B
B B
L
L x
n x n

; (12.15)
ia x koordinat,

B
efektinis bazs storis,
n
L elektron
difuzijos nuotolis bazje.
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
382

Taikydami (12.15) formul, galime rasti krvinink kon-
centracijos gradient prie emiterio bei kolektoriaus sandr ir srovi
nK
I ir
nE
I santyk. Taip samprotaudami sitikintume, kad
n
B
2
n
B
n B
0 B
1
2
1
1
) / cosh(
1

L L
; (12.16)
ia
B
elektron lkio bazje trukm,
n
elektron gyvavimo
trukm.
Pagal (12.16), norint gauti didesn bazs efektyvum, reikia
mainti jos stor ir laik, per kur injektuoti baz krvininkai veikia
baz ir pasiekia kolektoriaus sandr. Kadangi paprastai elektronai
judresni nei skyls, j lkio trukm npn tranzistoriaus bazje esti
maesn nei skyli lkio trukm pnp tranzistoriaus tokio pat storio
bazje. Todl, naudojant npn darin, kaip jau inome, galima pasiekti
didesn bazs efektyvum.
Dreifiniuose tranzistoriuose, siekiant sumainti laik, per kur
krvininkai veikia baz, bazje sudaromas krvininkus greitinantis
elektrinis laukas. rodoma, kad tada bazs efektyvumas ireikiamas
formule:
2
n
B
0 B
) 1 ( 2
1
1

; (12.17)
ia
) (
) 0 (
ln
2
1
B aB
aB

N
N
, (12.18)
) 0 (
aB
N ir ) (
B aB

N akceptorini priemai koncentracijos bazs
kratuose (prie emiterio ir kolektoriaus sandr).
Dl to, kad injektuoti baz elektronai tik po laiko
B
pasiekia
kolektoriaus sandr, kolektoriaus srovs kintamoji dedamoji atsilieka
nuo emiterio srovs. Tai turi neigiamos takos ir tranzistoriaus
daninms savybms bazs efektyvumas, augant daniui, maja.
Kuo didesn krvinink lkio bazje trukm
B
, tuo didesnis
joje susikaupia nepusiausvirj krvinink krvis, vadinasi,
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
383

pasireikia didesn emiterio sandros difuzin talpa
Ed
C . Emiterio
difuzin talpa
Ed
C persikrauna per emiterio var
E
r . Tada
B Ed E 0 B
B
B
j 1
1
j 1
1

+
=
+
= =
C r
K ; (12.19)
ia
Ed E B
C r = .
Pagal (12.19)
B
j
2
B
0 B
B
0 B
B
e
) ( 1
j 1


+
=
+
= . (12.20)
Kolektoriaus sandroje paprastai veikia stiprus elektrinis laukas,
todl pasiek kolektoriaus sandr krvininkai veikia kolektoriaus
sandr gana greitai ir nuostoliai dl rekombinacijos esti mai. Taigi
kolektoriaus efektyvumas em dani srityje yra artimas 1 ( 1
0 K
).
Taiau, augant daniui, kolektoriaus efektyvumas maja. To
prieastis kolektoriaus sandros barjerin talpa.
Pagal tranzistoriaus ekvivalentins grandins schem
(7.18 pav., c), kai sudarytos ijimo kintamosios srovs trumpojo
jungimo slygos, tranzistoriaus ijimo grandins perdavimo
koeficient galime ireikti formule:
K nK K B
K nK
nK
K
K
j 1
1
...
1

+
= =
+
= =

I
r r
Z I
I
I
; (12.21)
ia
K
Z srovs altinio apkrovos vara, kuri sudaro nuosekliai
sujungtos varos
B
r ,

K
r ir lygiagreiai joms prijungta talpa
K
C (vara
K
r didel, jos tak ia galima paneigti);
K K B K
) ( C r r

+ .
Isamesn analiz rodo, kad vietoje laiko konstantos
K
reikia
nagrinti laiko konstant
K K vK
t + = ; (12.22)
ia
K
t laikas, per kur krvininkai veikia kolektoriaus sandr. Kai
kolektoriaus sandroje veikia stiprus elektrinis laukas, krvininkai
juda maksimaliu dreifo greiiu
max
v , kuris priklauso nuo tranzistoriui
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
384

panaudotos puslaidininkins mediagos. vertinant i prielaid
rodoma, kad
max
K
K
2v
d
t = ; (12.23)
ia
K
d kolektoriaus sandros storis.
Taigi pagal (12.21) kolektoriaus efektyvum galime ireikti
formule:
vK
j
2
vK
vK
K
e
) ( 1
1
j 1
1


+
=
+
. (12.24)
Remdamiesi atlikta analize ir (12.9), (12.13), (12.20), (12.24)
formulmis, emiterio srovs perdavimo koeficient galime ireikti
formule:
vK B
0 B
vE
0 E
K B E K

j 1
1
j 1 j 1

+
= = = . (12.25)
Tranzistoriaus praleidiam dani juostoje trupmen vardikli
menamieji dmenys esti daug maesni u 1, todl

0
vK B vE
0

j 1 ) ( j 1

+
=
+ + +
; (12.26)
ia

vlinimo laikas tranzistoriuje, ireikiamas formule:


vK B vE
+ + = . (12.27)
(12.25) formulei galime suteikti pavidal:


j
e
) / ( 1
2
0
; (12.28)
ia

/ 1

= . (12.29)
Taigi dvipolio tranzistoriaus danines savybes ir jo ribin emiterio
srovs perdavimo dan 2 /

= f bei vienetinio srovs perdavimo
koeficiento dan

f f
T
lemia krvinink lkio per emiterio
sandr, baz, kolektoriaus sandr efektai ir emiterio bei kolektoriaus
sandr barjerini talp persikrovimo procesai. Didiausios takos
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
385

tranzistoriaus daninms savybms turi krvinink lkio bazje
trukm
B
ir kolektoriaus grandins laiko konstanta
K
.
Literatros duomenimis auktadani dvipoli tranzistori
maksimalus galios stiprinimo arba maksimalus generacijos danis
max
f (7.105) esti didesnis nei
T
f . Geriausi tranzistori
max
f > 2
T
f .
rodoma, kad planariojo dvipolio tranzistoriaus maksimal galios
stiprinimo dan ir konstrukcijos parametrus sieja priklausomyb:
r
K B 0
E
max
8
1

d
b
f = ; (12.30)
ia
E
b juostels pavidalo emiterio plotis,
B
bazs storis,
K
d
kolektoriaus sandros storis,
r
bazs pagrindini krvinink
dielektrins relaksacijos trukm.
Pagal (12.30) formul danis
max
f labiausiai priklauso nuo tran-
zistoriaus horizontaliojo matmens emiterio ploio
E
b .
Sandauga
r
yra atvirkiai proporcinga pagrindini ir alutini
krvinink judrum sandaugai
p n
. Kai priemai koncentracija ba-
zje maa, i sandauga yra puslaidininkins mediagos parametras. Si-
licio
p n
6,510
5
, germanio 6,910
6
, galio arsenido 3,610
6
cm
4
/(Vs)
2
. ie duomenys liudija, kad dvipoli tranzistori bazms i
pamint mediag geriausios yra germanis ir galio arsenidas.
Sumainus silicio tranzistori matmenis iki 0,5 m, danius
T
f ir
max
f pavyko padidinti iki 30 GHz. Pastaruoju metu jau sukurta silicio
mikrograndyn auktesniems nei 100 GHz daniams.
Lauko tranzistori danines savybes, kaip inome, lemia talpos
tarp utros ir itakos bei santakos srii ir kanalo vara. Kai talpos
dl utros persidengimo su itakos ir santakos sritimis maos, lauko
tranzistori danines savybes lemia krvinink lkio kanale trukm
k
. Pagal (9.20) formul
k T
2 / 1 = f . Taigi siekiant dan
T
f
padidinti, reikia trumpinti kanal ir didinti jame krvinink greit.
Lauko tranzistoriaus maksimalus galios stiprinimo arba generacijos
danis
max
f pagal (9.23) priklauso nuo danio
T
f . Jau sukurti
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
386

mikrobang integriniai grandynai su lauko tranzistoriais, kuri kanalo
ilgis 80 nm. J
max
f > 400 GHz.
Taigi galima apibendrinti, kad tranzistori danines savybes
lemia laikas, per kur krvininkai veikia tranzistoriaus darin, ir
parazitins tranzistori talpos.

12.2.2. Tranzistori danini parametr ir galios sryis

Nagrindami tranzistori daninius parametrus sitikinome, kad
jie priklauso nuo tranzistori matmen. Norint padidinti dvipolio
tranzistoriaus vienetinio srovs perdavimo koeficiento dan
T
f ,
reikia mainti tranzistoriaus bazs stor ir kolektoriaus sandros
barjerin talp, kuri priklauso nuo kolektoriaus sandros ploto.
Majant tranzistori matmenims, maja pramuimo tampos,
leistinosios srovs ir maksimali tranzistoriaus sklaidomoji galia.
vertinant, kad elektrinio lauko stipris tranzistoriuje turi bti
maesnis u elektrinio lauko stipr, kuriam veikiant prasideda
pramuimas, ir kad maksimalus krvinink dreifo greitis puslai-
dininkiuose yra ribotas, rodoma, kad
2
max max
K max T
v E
X P f ; (12.31)
ia
B T
2 / 1

f f ,
B
krvinink lkio bazje trukm,
max
P
maksimali tranzistoriaus sklaidomoji galia,
K T K
2 / 1 C f X =
kolektoriaus sandros talpins varos modulis,
max
E maksimalus
leidiamasis elektrinio lauko stipris (silicyje
max
E 210
5
V/cm),
max
v maksimalus krvinink dreifo greitis (silicyje maksimalus
elektron dreifo greitis yra madaug 10
7
cm/s).
Nors, ivedant (12.30) formul, padaryta supaprastinani
nagrinjim prielaid, ji leidia suvokti, koks yra tranzistori danini
savybi ir galios sryis. 12.8 paveiksle atvaizduotas pagal (12.30)
formul sudarytas grafikas. Jis akivaizdiai iliustruoja, kad egzistuoja
fizikins dvipoli tranzistori praleidiamj dani juostos ir galios
didinimo ribos.
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
387

12.2 uduotis
Koki silicio npn tranzistoriaus maksimali sklaidomj gali galima
gauti, kai
T
f =4 GHz ir kolektoriaus sandros talpa
K
C =40 pF?
Sprendimas
Pagal (1.64)
= =

= ...
2
2
1
2
max max
2
K T
v E
f C f
P

6,2W.
Ribota yra ir mikrobang lauko tranzistori galia, nors yra
sukurta lauko tranzistori, kurie pranaesni u dvipolius.
Pradjus taikyti mikrobang tranzistorius ir integrinius grandynus
ne tik karinje technikoje, kosminje aparatroje, bet ir ryi
priemonse, labai padidjo j paklausa. Mikrobang tranzistoriams ir
integriniams grandynams kurti ir tobulinti pasaulyje skiriamos
milinikos los. Todl sukuriama vis tobulesni technologij ir
gamini. Mikrobang galios tranzistori gali galima apibdinti
tokiais skaiiais. Kai danis 1 GHz, galingiausi tranzistoriai leidia
gauti imt vat eils virpesi gali; kai danis 10 GHz, galia yra
vat eils, kai f 100 GHz, rekordin virpesi galia 1998 metais
buvo per 400 mW.
Dar svarbu pridurti, kad iekoma bd, kurie leist apeiti
principinius sunkumus, susijusius su ribota tranzistori galia. Pirma,
stiprintuv galia gali bti daug didesn u tranzistori gali


100
1000
10000
100000
0,01 0,1 1 10
( PX
K
)
1/2

f
/ GHz

12.8 pav. Dvipolio tranzistoriaus galios ir

f sryis
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
388

stiprintuv galiniuose laipsniuose naudojami lygiagreiai jungti
tranzistoriai, kuri sustiprinti virpesiai sumuojami. Yra sukurta
moduli, leidiani gauti 10 kW gali, kai danis 10 GHz. Antra,
kuriant naujos kartos telekomunikacines sistemas, siekiama mainti
gali. Tai ypa svarbu siekiant padidinti neiojam ir baterijomis
maitinam tais ekonomikum.

12.2.3. Dvipoliai ir lauko tranzistoriai kaip logini grandini
elementai

Tranzistoriaus veikimo sparta loginje grandinje priklauso nuo
parazitini talp persikrovimo trukms, tranzistoriui persijungiant i
vienos logins bsenos kit.
Siekiant nustatyti vlinimo trukm
v
tranzistoriniame inver-
teryje, nagrinjami nuosekliai sujungti inverteriai. Taip gaunama, kad
dvipoli tranzistori atveju
2
) (
2
3
2
2 3
E K B B L K E
v
C C r
I
U C C +
+ +
+


; (12.32)
ia
E
C ir
K
C emiterio ir kolektoriaus sandr barjerins talpos,
L
U logini lygi skirtumas, I srovs, tekanios per atvir
tranzistori, stipris.
I (12.31) formuls matyti, kad vlinimo trukm
v
priklauso ne
tik nuo tranzistoriaus parametr. Ji priklauso ir nuo tranzistoriaus
panaudojimo slyg. Beje, kuo stipresn srov I, tuo greiiau gali
persikrauti talpos, ir vlinimas inverteryje yra maesnis.
Lauko tranzistori atveju
k v
) 3 ... 2 ( . (12.33)
Imkime silicio lauko tranzistori su otkio barjeru. Sakykime,
kad tranzistoriaus kanalo ilgis 1 m ir elektronai jame juda
maksimaliu dreifo greiiu
max
(v 10
7
cm/s). Tada pagal (9.21) ir
(9.22) elektron lkio trukm
k
yra apie 10 ps, tranzistoriaus
T
f
16 GHz. Pagal (12.33) gauname, kad
v
2030 ps. Sumainus
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
389

tranzistoriaus kanalo ilg iki 0,25 m, lkio ir vlinimo trukms
sumat 4 kartus. Panaudojus kaip puslaidinink galio arsenid,
kuriame maksimalus krvinink greitis didesnis, lkio ir vlinimo
trukmes pavykt dar madaug 1,5 karto sumainti. ie orientaciniai
skaiiavimai rodo, kad dar neinaudoti gana dideli logini grandini
veikimo spartos didinimo rezervai, nes daugumos serijini logini
grandini ventili vlinimo trukm yra imt pikosekundi eils.
Norint imatuoti
v
, i tranzistori sudaromi iediniai gene-
ratoriai. Jei stiprinimo koeficientas virija 1, susiadina virpesiai.
Tada, jeigu tranzistorini pakop skaiius N nelyginis,
v
galima
rasti pagal formul
fN N
T
2
1 1
2
v
= = ; (12.34)
ia T virpesi periodas, f danis.
Nuo vlinimo trukms inverteryje priklauso labai svarbus logini
grandini parametras maksimalus taktinis danis
t
f .
Paprasiausio loginio elemento inverterio bsenos trukm turi
bti ne trumpesn nei
v
2 . Period sudaro dvi bsenos. Tai
vertindami gautume, kad
v t
4 / 1 f . Kai =
v
25 ps, pagal i
formul gautume, kad taktinis danis bt auktas:
t
f 10 GHz.
Praktikoje taikomos logins grandins, sudarytos i keli element,
todl jose pereinamj proces trukm esti didesn. Be to,
paymtina, kad, nagrinjant logini grandini veikimo spart, reikia
atsivelgti procesus jungiamuosiuose laidininkuose, kurie, kai danis
auktas, tampa ilg linij atkarpomis. Laikydami, kad dielektrikas
SiO
2
, kurio santykin dielektrin skvarba
r
4, galime apskaiiuoti,
kad 1 mm ilgio linijos vlinimo trukm yra madaug 6,7 ps. is
skaiius gana maas, taiau reikia nepamirti, kad jungiamj linij
atkarp apkrovos daniausiai esti nesuderintos. Tuomet linij atkarpos
veikia kaip parazitins talpos ir dl pereinamj proces vlinimo
trukm esti daug didesn u vlinimo trukm jungiamosios linijos
atkarpoje.
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
390

Diskreij tranzistori persijungimo trukm, kaip inome,
galima sumainti padidinus veikianias tampas ir sroves. Taiau tada
padidja sklaidomoji galia.
Mikrograndyno lusto sklaidomoji galia esti ribota. Todl, padi-
djus galiai, kuri isiskiria inverteryje, sumat leidiamasis
element skaiius luste. Dl ios prieasties greitaveiki
mikrograndyn tranzistoriams keliami maos vlinimo trukms
v
ir
maos galios P reikalavimai i dydi sandauga
v
P (perjungimo
energija) turi bti minimali.
Pagal Muro taisykl per 1218 mnesi tranzistori skaii
integriniame grandyne pavykdavo padidinti du kartus. Panaiai kito ir
grandyn sparta. Jau sukurti mikrograndynai, utikrinantieji 40 Gb/s
informacijos apdorojimo greit. Kaip jau buvo pastebta anksiau,
prognozuojama, kad Muro taisykl galios ir artimiausioje ateityje.
Intel planuoja 2011 metais pateikti rinkai pagamint pagal 0,07 m
technologij mikroprocesori su 1 milijardu tranzistori, kurie veiks
10 GHz daniu.

12.3. Technologins ir fizikins tranzistori veikimo spartos
didinimo galimybs

Nagrindami tranzistori daninius parametrus ir savybes,
sitikinome, kad, norint padidinti tranzistori veikimo spart, reikia
mainti j matmenis ir didinti krvinink judjimo greit. Dabar
isamiau aptarkime matmen mainimo ir krvinink dreifo greiio
didinimo galimybes.

12.3.1. Minimals tranzistori matmenys

Taikant planarij technologij, tranzistorini darini hori-
zontalij ir vertikalij matmen mainimo galimybs yra skirtingos.
Dvipoli tranzistori svarbiausias vertikalusis matmuo yra bazs
storis. Dar 1970 metais difuzijos technologija buvo sukurti dvipoliai
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
391

tranzistoriai, kuri bazs storis 0,1 m. Dabar, taikant molekulin
epitaksij, jon implantavim ir kitas iuolaikines technologijas,
manoma sudaryti sluoksnius, kuri storis nanometr eils. Todl
principini technologini sunkum sudaryti plonus legiruotus
puslaidininkio sluoksnius nra. Taiau tranzistoriaus baz neturi bti
pernelyg plona dl kolektoriaus sandros susiliejimo su emiterio
sandra pavojaus. Laikoma, kad dl fizikini apribojim dvipolio
tranzistoriaus baz turi bti ne plonesn nei 40 nm. Taigi bazs storio
mainim riboja ne technologiniai, o fizikiniai veiksniai.
Horizontalij matmen (dvipoli tranzistori emiterio srities
ploio, lauko tranzistori kanalo ilgio) mainimo technologines ribas
lemia litografija. Fotolitografijos skiriamj geb riboja viesos
difrakcijos reikinys.
Litografijai naudojant ultravioletinius spindulius, tranzistori
emiterio plot ar kanalo ilg manoma sumainti iki mikrometro dali.
Elektronin, jonin ir rentgeno litografijos ir sausi plazminiai
sdinimo metodai leidia formuojamo lango matmen sumainti iki
0,1 m. Maas legiruotas sritis galima sudaryti joninio legiravimo
metodais. Sutapdinimo klausimai, formuojant submikroninius
darinius, sprendiami taikant savaiminio sutapdinimo (tapatinimosi) ir
savaiminio formavimosi principus. Taiau horizontalij matmen
mainim taip pat riboja ne tik technologins galimybs, bet ir
fizikins prieastys.
Majant legiruotai puslaidininkio sriiai, didja priemai
koncentracijos ir legiravimo dozs fliuktuacijos, todl priemai
atom skaiius legiruotoje srityje neturi bti pernelyg maas.
Sakykime, kad priemai koncentracija silicyje yra 10
18
cm
3
. Tuomet
vienam priemai atomui tenka 10
18
cm
3
tris. Toks yra tris kubo,
kurio kratin lygi 10
6
cm = 0,01 m. Laikydami, kad legiruotoje
srityje turt bti bent 1000 priemai atom, gautume, kad
minimalus silicio legiruotos srities matmuo turt bti bent 0,1 m.
Matmen mainim dar riboja pramuimo pavojai: trumpame
lauko tranzistoriaus kanale gali susikurti labai stiprus elektrinis laukas
net veikiant silpnai tampai. Taiau taip samprotaudami prieiname
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
392

ivad, kad ir lauko tranzistori matmen, lemiani veikimo spart,
mainim riboja ne tiek technologiniai, kiek fizikiniai veiksniai.
Dar neseniai literatroje buvo prognozuojama, kad integrini
grandyn lauko tranzistori kanalai dl technologini ir fizikini
prieasi bus ne trumpesni nei 0,2 m. Taiau iuolaikins
technologijos taip spariai tobulja, kad pasiekiama rezultat, kurie
aplenkia net labai optimistines prognozes. Dar 1996 met pabaigoje
firma Texas Instruments paskelb, kad 0,2 m riba veikta. Firma
sukr 0,18 m utros ilgio technologij, kuri leidia puslaidininkio
luste sutalpinti 100 milijon tranzistori. Jau pagaminami mikrobang
integriniai grandynai, kuri lauko tranzistori kanalo ilgis tik 80 nm.

12.3.2. Maksimalus krvinink greitis puslaidininkiuose

Puslaidininkyje krvininkai gali perneti krv difunduodami
koncentracijos majimo kryptimi arba dreifuodami veikiant
elektriniam laukui. Difuzijos koeficientas ir judrumas, kaip inome,
tarpusavyje susieti Einteino sryiais. Kita vertus, aiku, kad
krvininkai gali gyti didesn greit ir greiiau veikti tam tikr nuotol
tuomet, kai juos veikia elektrinis laukas. Todl dabar aptarsime, kas
lemia krvinink dreifo greit ir kodl jis yra ribotas. Be to, paliesime
fizikinius reikinius, kuriuos taikant, galima sumainti krvinink
lkio mikrodariniuose trukm.
Elektriniame lauke vakuume elektron veikia jga E F q = , todl
jo pagreitis pastovus, o greitis didja. Puslaidininkyje sudarytame
elektriniame lauke krvininkai juda susidurdami su kristalins
gardels defektais, todl gyja greit, proporcing elektrinio lauko
stipriui. Kol elektrinis laukas silpnas, dreifo greitis esti daug maesnis
u iluminio judjimo greit. Tada galima laikyti, kad T v v ir
) (E const. Taigi, didjant elektrinio lauko stipriui, krvinink
dreifo greitis tiesikai didja ( E v
E
= ). Stipriame elektriniame lauke
slyga
T E
v v << nebetenkinama. Tuomet, didjant elektrinio lauko
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
393

stipriui, krvininko greitis
E T
v v v
r r r
+ = didja, dl to maja judrumas
ir dreifo greiio didjimas sultja.
Paprastuosiuose puslaidininkiuose germanyje ir silicyje kr-
vinink dreifo greit stipriame elektriniame lauke riboja susidrimai su
optiniais fononais. Elektron dreifo greiio silicyje priklausomyb nuo
elektrinio lauko stiprio atvaizduota 12.9 paveiksle 1 kreive. Skai-
iavimais ir eksperimentais nustatyta, kad maksimalus elektron
dreifo greitis silicyje
max E
v 10
7
cm/s.
Galio arsenide ir kituose dvislniuose puslaidininkiuose maksi-
mal krvinink dreifo greit, kaip inome, riboja j perjimai kit
laidumo juostos sln, kuriame judrumas maesnis. Elektron dreifo
greiio galio arsenide priklausomyb nuo elektrinio lauko stiprio
atvaizduota 12.9 paveiksle 2 kreive. Maksimalus elektron dreifo
greitis galio arsenide madaug du kartus didesnis nei silicyje. Be to,
svarbu pastebti, kad 2 kreivs pradins dalies statumas daug
didesnis. Taip yra todl, kad silpname elektriniame lauke E v
E
, o
elektron judrumas galio arsenide madaug 6 kartus didesnis nei
silicyje (
GaAs n
8500 cm
2
/s,
Si n
1600 cm
2
/s). Dl i prieasi
GaAs yra tinkamesn mediaga didels veikimo spartos tranzistoriams

nei silicis.


0
1
2
3
0 5 10 15 20
1
2
3
4
v
E
/ (10
7
cm/s)
E / (kV/cm)


12.9 pav. Elektron dreifo greiio priklausomybs nuo elektrinio
lauko stiprio: 1 Si; 2 GaAs; 3 GaInAs; 4 InP
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
394

Dar geresn puslaidininkin
mediaga GaInAs (12.9 pav.,
3 kreiv). Indio galio arsenide
krvinink judrumas ir
maksimalus dreifo greitis dar
didesni nei galio arsenide.
Didiausi dreifo greit elektronai
gali gyti indio fosfide (12.9
pav., 4 kreiv).
Aptartas krvinink dreifo
greitis yra stacionarus (nuostovus)
greitis, kuriuo juda krvininkai
pastovaus stiprio nuolatiniame
elektriniame lauke. Dar ap-
tarkime, kaip nusistovi stacio-
narus dreifo greitis po to, kai elektrinis laukas staiga jungiamas.
Kai elektrinis laukas jungiamas, elektron pradeda veikti jga
E F q = . Tada elektronas gyja pagreit m F a / = ir laiko intervale
r
< t juda didjaniu greiiu t m E at v ) / q ( = = , kol susiduria su
gardels defektu ir gyt kryptingo judjimo greit praranda. Po to
greitjimo ir greiio praradimo procesai kartojasi. Taip samprotaujant
tampa aiku, kad stacionarus krvininko dreifo greitis 2 /
m
v v
E
; ia
m
v maksimalus krvininko greitis prie susidrim su gardele.
Dreifo greitis, kaip inome, yra vidutinis krvinink greitis.
Staiga jungtas elektrinis laukas greitina visus krvininkus ir, tik
iaugus krvininko energijai, padidja jo sveikos su fononu tikimyb.
Prasidjus krvinink sklaidai, j vidutinis greitis pradeda mati ir tai
tsiasi kelias pikosekunds dalis, kol nusistovi stacionarus dreifo
greitis (12.10 pav.). Taigi, staiga pradjus veikti elektriniam laukui,
gaunamas krvinink dreifo greiio blyksnis. Svarbu pastebti, kad
blyksnyje krvinink greitis gerokai didesnis u stacionarj dreifo
greit. Todl, panaudojant dreifo blyksn, galima padidinti
puslaidininkini tais veikimo spart.
Staiga pagreitinti elektronai po to lekia i inercijos Toks lkis
vadinamas balistiniu. Jis panaudojamas balistiniuose tranzistoriuose.



0,5
1,5
2,5
-0,1 0 0,1 0,2 0,3
v
E
/ (10
7
cm/s)
t / ps
E
a
b


12.10 pav. Elektrinio lauko uolis
(a) ir jo sukelto krvinink dreifo
greiio kitimas (b)

12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
395


12.4. Mikrobang tranzistoriai ir integriniai grandynai

Iki 19901995 met mikrobang tranzistori ir mikrobang
integrini grandyn veikimo spartos didinim lm j taikymai
aviacinje, kosminje ir karins paskirties aparatroje. Dar 1996
metais mokslinje spaudoje buvo keliamas klausimas, ar mikrobang
integrini grandyn gamybos apimtys ir kaina leis jiems sitvirtinti
komercinje rinkoje. Taiau labai spariai tobuljo bevielio ryio
priemons, veikianios mikrobang diapazone, todl didjo
maagabarii mikrobang tais poreikiai, augo j gamyba, majo
kaina.
Pirmiausia buvo tobulinamos Si ir GaAs technologijos ir taisai.
Nors darbai iomis kryptimis tsiami ir dabar, milinikos investicijos
tikslinms programoms lm nauj technologij vystym, hetero-
darini taikym ir nemaai kokybini pokyi.
Aptarsime mikrobang tranzistori su vienalytmis sandromis
(homostruktrini tranzistori) galimybes, tranzistori su vairia-
lytmis sandromis (heterosandrini tranzistori) struktras bei
tolimesnio tranzistori ir mikrograndyn tobulinimo idjas.

12.4.1. Homostruktriniai tranzistoriai

Homostruktrinio tranzistoriaus sritys sudaromos vieno puslaidi-
ninkio kristale.
Literatros duomenimis silicio dvipoli tranzistori vienetinio
srovs stiprinimo danis
T
f jau pasiek kelias deimtis gigaherc.
Norint dar labiau iplsti dvipoli tranzistori darbo dani ruo,
reikt panaudoti puslaidininkines mediagas, kuriose didesnis
krvinink difuzijos koeficientas ir krvinink judrumas. Taiau i
(12.30) formuls analizs matyti, kad dvipoli tranzistori galios
stiprinimo maksimalus danis priklauso nuo abiej tip krvinink
(elektron ir skyli) judrum, todl dvipoliuose tranzistoriuose
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
396

nepavyksta iki galo inaudoti didelio elektron judrumo kai kuriuose
puslaidininkiuose (galio arsenide elektron judrumas
8500 cm
2
/(Vs), taiau skyli judrumas tik madaug 450 cm
2
/(Vs)).
Didel vieno tipo krvinink judrum pavyksta geriau inaudoti
vienpoliuose lauko tranzistoriuose.
Silicio lauko tranzistoriams panaudojami MOP dariniai. Nors
lauko tranzistori statumas yra maesnis nei dvipoli, j jimo vara
didesn, o triukmai maesni. Be to, lauko tranzistoriai utikrina
didesn galios stiprintuv tiesikum. Todl silicio MOP tranzistoriai
tobulja ir geriausi tranzistori galia, kai danis 12 GHz, pasiek
100150 W.
Lauko tranzistori veikimo spart, kaip inome, lemia kanalo
ilgis ir krvinink greitis kanale. Kaip jau buvo konstatuota, elektron
judrumas galio arsenide yra apie 6 kartus, o maksimalus elektron
greitis madaug 2 kartus didesnis nei silicyje. Todl galio arsenidas
didels veikimo spartos tranzistoriams yra daug tinkamesn mediaga
nei silicis.
Kadangi kyla technologini sunkum, sudarant ant GaAs
dielektrinius sluoksnius, daniausiai naudojami galio arsenido metalo-
puslaidininkio lauko tranzistoriai su otkio barjeru. GaAs lauko
tranzistori gamyboje taikomos epitaksijos, joninio legiravimo ir kitos
technologijos. 12.11 paveiksle atvaizduota supaprastinta epitaksinio
GaAs lauko tranzistoriaus sandara. Tranzistoriaus pagrindui
naudojamas legiruotas chromu
galio arsenidas. Tada Fermio
lygmuo yra arti draudiamosios
juostos vidurio ir GaAs
pagrindas yra nelaidus. Ant
pagrindo uauginamas plonas
silpnai legiruoto GaAs sluoksnis,
atliekantis tranzistoriaus n
kanalo vaidmen. Danai tarp
pagrindo ir epitaksinio n
sluoksnio dar sudaromas plonas
buferinis didels varos GaAs


I U S
1
2
3
4


12.11 pav. Lauko tranzistoriaus
sandara: 1 grynojo GaAs pa-
grindas, 2 n GaAs sluoksnis, 3
n
+
GaAs kontaktinis sluoksnis, 4
nuskurdintasis sluoksnis
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
397

epitaksinis sluoksnis. Itakos ir santakos elektrodams tinka Au-Ge
sluoksnis. Utros elektrodas daromas i aliuminio, po kuriuo susidaro
otkio barjeras.
12.12 paveiksle atvaizduotas stiprintuvinio GaAs lauko
tranzistoriaus, kurio darbo danis 14 GHz, ijimo galia 20 W,
pjvio vaizdas. Tranzistoriui panaudotas plonas (40 m storio) GaAs
chromu legiruotas pagrindas. Ant jo uauginti: 100 nm storio buferinis
AlGaAs sluoksnis, pasiymintis didele vara; 200 nm nelegiruoto
GaAs pereinamasis sluoksnis; 110 nm storio n GaAs sluoksnis, skirtas
tranzistoriaus kanalui; 100 nm storio n

GaAs sluoksnis; 100 nm storio


n
+
GaAs kontaktinis sluoksnis. Tranzistoriaus n kanalas legiruotas
siliciu, kurio koncentracija 210
18
cm
-3
. Didel krvinink kon-
centracija kanale leidia gauti didesn tranzistoriaus perdavimo
charakteristikos statum, be to, kanalu gali tekti stipresn srov.
Tranzistoriaus aktyviajai sriiai formuoti panaudota meza
technologija. Itakos ir santakos elektrodams panaudotas Ni-AuGe
sluoksnis. Tarpas tarp itakos ir santakos 8 m. Utrai panaudotas
Ti/Al sluoksnis. Siekiant sumainti utros var, jai suteiktas T
pavidalas. Utros ilgis prie kanalo 0,5 m. Nuotolis tarp santakos ir
itakos parinktas daug didesnis nei utros ilgis siekiant padidinti
leidiamsias tranzistoriaus tampas. Darinio apsaugai panaudotas
200 nm storio silicio nitrido sluoksnis. Tranzistoriaus lusto matme-
nys 3,4x0,6 mm.
Praktikoje GaAs metalo-puslaidininkio lauko tranzistoriai


GaAs pagrindas
i

AlGaAs
i

GaAs
n

GaAs
n


GaAs
n
+

GaAs
Si
3
N
4
I S
U

12.12 pav. GaAs MEP lauko tranzistoriaus pjvio vaizdas
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
398

naudojami dani diapazone iki keli deimi gigaherc. Yra sukurta
plaiajuosi stiprintuvini ir kitoki didels veikimo spartos
mikrograndyn, kuriose panaudoti GaAs lauko tranzistoriai.
Literatros duomenimis, naudojant submikronin utr ir
inaudojant krvinink dreifo greiio blyksn, homostruktrini GaAs
lauko tranzistori persijungimo trukm galima sumainti iki keleto
pikosekundi ir gauti >
max
f 100 GHz.
Galio arsenidas yra vienas geriausiai sisavint sudtini
puslaidininki, bet ne vienintel perspektyvi didels veikimo spartos
tranzistoriams mediaga. Kitomis perspektyviomis mediagomis
homostruktriniams lauko tranzistoriams laikomos tokios mediagos,
kaip InP, GaInAs, InAs. inios apie potencialias homostruktrini
lauko tranzistori danini savybi gerinimo galimybes pateiktos
12.13 paveiksle, kuriame atvaizduoti danio
T
f priklausomybs nuo
utros ilgio grafikai. Verta pastebti, kad, kai utros ilgis maesnis
nei 0,3 m, kreivi statumas padidja dl elektron dreifo greiio
blyksnio.
Didiausi mikrobang tranzistori ir integrini grandyn
veikimo spart pavyksta gauti taikant heterosandras.



1
1
2
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2
10
10
2
f
T
/ GHz
l
k
/ m
Si
InP
GaAs

GaInAs
InAs

12.13 pav. Danio
T
f priklausomybs nuo kanalo ilgio
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
399


12.4.2. Heterostruktriniai dvipoliai tranzistoriai

Literatroje aprayta gana daug heterosandr taikymo
dvipoliuose tranzistoriuose idj. Aptarsime svarbiausias ir j
taikym.
Np heterosandr galima panaudoti kaip efektyv heteroemiter.
Al
0,3
Ga
0,7
As-GaAs heterosandros atveju draudiamj juost ploi
skirtumas esti apie 0,37 eV. Tuomet normalioje temperatroje
eksponentinis daugiklis (5.4) formulje yra apie 610
7
. Todl
tiesiogin srov per Np heterosandr lemia potencialo barjer
krvininkams aukiai, o ne priemai koncentracijos heterosandros
srityse. Taigi didel injekcijos koeficient i N srities p srit ir didel
emiterio efektyvum galima gauti net, kai baz smarkiai legiruota. O
kuo didesn priemai koncentracija, tuo maesn vara. Kai bazs
vara maesn, gaunama maesn kolektoriaus laiko konstanta
K B
C r .
Taigi, taikant Np emiterio sandr, manoma ne tik padidinti emiterio
efektyvum, bet ir sumainti kolektoriaus laiko konstant.
Dvipoli tranzistori bazei, kaip inome, keliami prietaringi
reikalavimai. Kad bt maa kolektoriaus laiko konstanta, bazs vara
bazs srovei turi bti maa. Bazs var bazs srovei galima sumainti
padidinus priemai koncentracij bazje ir padidinus bazs stor. Bet
kuo didesnis bazs storis, tuo didesn krvinink lkio bazje trukm.
Efektingai sumainti krvinink lkio bazje trukm manoma
naudojant varizonin puslaidinink, kurio draudiamosios juostos
plotis priklauso nuo koordinats. 12.14 paveiksle atvaizduota npn
tranzistoriaus, kuriam panaudotas varizoninis puslaidininkis, energijos
juost diagrama. Dl draudiamosios juostos ploio kitimo bazs
srityje kinta laidumo juostos dugno padtis. Dl ios prieasties bazje
susikuria vidinis elektrinis laukas, kurio stipris
B
b
q
W
E ; (12.35)
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
400

ia
b
W potencialo barjero bazs
srityje auktis.
Greitinami bazs vidinio elektrinio
lauko (slysdami barjeru) elektronai
greitai veikia baz. Sumajus lkio
per baz trukmei, ne tik pagerja
dvipolio tranzistoriaus danins
savybs, bet ir sumaja elektron
rekombinaciniai nuostoliai bazje. Dl
to padidja bazs efektyvumas
(elektron pernaos per baz
koeficientas).
GaAs heterosandrini tranzis-
tori daniai
T
f ir
max
f gali siekti
deimtis gigaherc, kai minimalus
tranzistoriaus matmuo yra gana didelis 2 m eils. Tai svarbu todl,
kad didesni matmenys leidia gauti didesn gali.
Dar svarbu, kad galio arsenido tranzistoriai sudaromi ant
izoliacinmis savybmis pasiymini GaAs pagrind. Tai leidia
ivengti silicio tranzistoriams bding parazitini talp tarp
kolektoriaus srities ir pagrindo. ios talpos turi nedaug takos
tranzistoriaus daniniams parametrams
T
f ir
max
f , taiau sumaina
stiprintuv ir kit tais pra-
leidiam dani juost ir darbo
dani diapazon. Tai nesunku
suprasti pavelgus 12.15 paveikslo
schem.
Jau prie 15 met buvo
paskelbta, kad sukurti heterostruk-
triniai AlGaAs-GaAs tranzistoriai,
kuri parametrai
T
f ir
max
f virijo
100 GHz, o bazs stiprinimo
koeficientas siek 50000. Vliau
buvo pasiekta dar geresni rezultat


Wc
W
WF

Wv

n p n
a
b


12.14 pav. Varizoninio tran-
zistoriaus struktra (a) ir
energijos lygmen diagra-
ma (b)




12.15 pav. Parazitins talpos
stiprintuvo grandinje
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
401

(gauta
max
f arti 200 GHz). Deja, praktikoje pasiekiami parametrai esti
prastesni u rekordinius.
Pastaraisiais metais daug dmesio skiriama telekomunikacinei
aparatrai skirtiems Si-SiGe heterosandriniams tranzistoriams ir
mikrograndynams kurti ir tobulinti. i tranzistori gamybai galima
taikyti technologijas, kurios artimos silicio tais gamybos tech-
nologijoms. Tranzistori bazms naudojamas varizoninis SiGe
sluoksnis, pasiymintis siauresne nei Si draudiamja juosta. Baz
smarkiai legiravus boru, gaunama maa jos vara. Geriausi SiGe-Si
tranzistori
max
f jau pereng 150 GHz.
Prognozuojama, kad naujos kartos telekomunikacinje apara-
troje bus taikomi heterosandriniai tranzistoriai, sudaryti ant InP
pagrindo. 12.16 paveiksle atvaizduota tranzistoriaus, kuriam pa-
naudota dviguba heterosandra, energijos lygmen diagrama. Tran-
zistoriaus emiteriui panaudotas AlInAs, kolektoriui InP. Bazs
vaidmen atlieka GaInAs sluoksnis, kuriame didelis elektron
judrumas (12.9 pav.). Toki tranzistori rekordin
T
f reikm jau arti
300 GHz,
max
f apie 500 GHz. Tikimasi pasiekti
max
f > 1 TGz.

E B K
AlInAs InP
W
GaInAs


12.16 pav. Dvipolio tranzistoriaus energijos lygmen diagrama
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
402


12.4.3. Heterostruktriniai lauko tranzistoriai

Lauko tranzistoriuose heterostuktros naudojamos, siekiant
sudaryti didelio laidumo kanal ir gauti didel krvinink judrum
kanale.
Puslaidininkio elektrinis laidumas, kaip inome, didja didjant
priemai koncentracijai. Taiau, didjant priemai koncentracijai,
maja krvinink judrumas. Kadangi kaip tik krvinink judrumas
lemia krvinink lkio kanale greit ir tranzistoriaus perdavimo
charakteristikos statum, pamintas elektrinio laidumo didinimo bdas
nra geras.
Prietaravim pavyksta veikti naudojant heterosandras. Imkime
periodin struktr, sudaryt i n
+
AlGaAs ir nelegiruoto GaAs
sluoksni (12.17 pav., a). Jeigu sluoksniai ploni, tai elektronai i
AlGaAs pereina siauresns draudiamosios juostos GaAs
(12.17 pav., b). Taip gaunami GaAs sluoksniai, kuriuose didel
elektron koncentracija ir didelis
j judrumas.
Veikiant susikrusiam stip-
riam elektriniam laukui, GaAs
sluoksniuose susidaro potencialo
duobs. Tada iilgai duobs
elektronai gali judti laisvai.
Elektron judjim skersai
duobs riboja potencialo barjerai.
Jeigu potencialo duobs
plotis yra tokios pat eils kaip
elektrono de Broilio bangos ilgis,
btina vertinti kvantines elektron
savybes elektronai gali uimti
tik tam tikrus energijos lygmenis
(12.18 pav.). Tokios elektronins


a
W
c

b
1 2 1
n
+


12.17 pav. Periodinio darinio,
sudaryto i AlGaAs ir GaAs
sluoksni, fragmentas (a) ir jo
energin diagrama (b): 1
AlGaAs sluoksniai, 2 GaAs
sluoksnis
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
403

dujos aptariamame darinyje yra
dvimats 2D-dujos.
Veikiant stipriam elektriniam
laukui, elektronai 2D-struktrose,
panaiai kaip ir vienalyiuose
dvislniuose puslaidininkiuose, per-
eina auktesn sln (12.17 pav., b).
Todl elektron dreifo greiio
priklausomybs nuo elektrinio lauko
stiprio pobdis yra toks pat kaip ir
vienalyio dvislnio puslaidininkio
atveju (12.9 pav., 2 kreiv). Tiesa,
maksimalus dreifo greitis AlGaAs-GaAs darinyje esti 1,52 kartus
maesnis nei vienalyiame galio arsenide.
GaAs sluoksniuose esanius elektronus be kit veiksni veikia
AlGaAs jonizuot priemai sukurtas elektrinis laukas. Siekiant
sumainti dl to atsirandani elektron sklaid, heterosandroje
sudaromas silpnai legiruoto plaiajuosio puslaidininkio tarpiklis
(angl. spacer). Jo storis 23 nm.
Aptart elektron judrumo didinimo bd dar 1980 metais net
kelios firmos dieg mikrobang diapazono lauko tranzistoriuose.
Sukurtus tranzistorius firmos vairiai pavadino: didelio elektron
judrumo tranzistoriais (angl.: high electron mobility transistor
HEMT), moduliuoto legiravimo lauko tranzistoriais (modulation
doped FET MODFET), lauko tranzistoriais su dvimatmis elektroni-
nmis dujomis (two-dimension electron gas FET TEGFET),
selektyviai legiruotaisiais heterosandriniais lauko tranzistoriais
(selectively doped heterojunction transistor SDHT). Pastaruoju metu
literatroje daniausiai sutinkamas pirmasis pavadinimas.
GaAs didelio elektron judrumo lauko tranzistoriaus sandara
atvaizduota 12.19 paveiksle. Toks tranzistorius veikia panaiai kaip
MDP tranzistorius. Taiau jo kanalas pasiymi dideliu laidumu,
utros elektrodas jame yra arti kanalo. Be to, AlGaAs sluoksnis
pasiymi didesne nei SiO
2
dielektrine skvarba. Dl i prieasi
didelio elektron judrumo lauko tranzistoriams bdingas didelis


W
1
W
2
W
c
W

x


12.18 pav. Elektron leistiniai
energijos lygmenys periodinio
puslaidininkinio darinio poten-
cinje duobje
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
404

perdavimo charakteristikos statu-
mas, kuris i dalies lemia ir didel
veikimo spart, nes pagal (9.20)
T
f ~
m
g . Literatros duomenimis,
didelio elektron judrumo lauko
tranzistori perdavimo charak-
teristikos statumas ir daniniai
parametrai 1,251,4 karto geresni
nei atitinkami metalo-puslai-
dininkio lauko tranzistori
parametrai.
Nors didelio elektron
judrumo lauko tranzistoriai,
kuriuose naudojami AlGaAs-GaAs
sluoksniai turi privalum prie homostruktrinius silicio ir galio
arsenido lauko tranzistorius, jiems bdingi ir kai kurie trkumai:
heterosandroje laidumo juostos dugno uolis yra nedidelis, galio
arsenido iluminis laidumas maas ir pan. Todl heterosandroms
iekoma kit mediag.
Heterosandros privalumus manoma inaudoti tik tuomet, jeigu
ji pakankamai kokybika jeigu joje nedaug defekt. Bet defekt esti
nedaug, jeigu heterosandr sudarani mediag kristalini gardeli
konstantos yra artimos. Jeigu gardeli konstantos skiriasi daugiau
negu deimtja ar net imtja procento dalimi, heterosandroje
atsiranda dislokacij ir kit defekt. Kita vertus, iuolaikins
technologijos leidia uauginti sluoksnius, kuri storis nevirija
deimi gardels period. Tokiuose plonuose sluoksniuose, kai
gardeli konstantos skiriasi, atsiranda mechaniniai tempimai, bet
nesusidaro defekt. Tokie sluoksniai vadinami sluoksniais su tempta
kristaline gardele. Sluoksni su tempta kristaline gardele naudojimas
ipleia puslaidininki partneri rat. Be to, mechaniniai tempimai
turi takos puslaidininki energijos juostoms, todl atsiranda
papildom galimybi gauti pageidaujam savybi sandras.


I U S 1
2
3
4


12.19 pav. Didelio elektron
judrumo tranzistoriaus sandara:
1 n AlGaAs sluoksnis; 2 ne-
legiruoto AlGaAs sluoksnis; 3
grynojo GaAs sluoksnis; 4
2D kanalas
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
405

Tobulinant silicio technologijas ir silicio lauko tranzistorius,
sukurta Si-SiGe heterostruktrini lauko tranzistori. Paskelbta, kad
panaudojus T pavidalo utr, kurios ilgis 0,18 m, Si-SiGe
heterostruktrinio tranzistoriaus danis
max
f siek vir 80 GHz.
Geriausiomis daninmis savybmis pasiymi heterostruktriniai
lauko tranzistoriai, sudaromi ant InP pagrindo. Jiems naudojama
GaInAs-AlInAs heterosandra. Kanalo vaidmen atlieka GaInAs
sluoksnis, kuriame elektron judrumas labai didelis apie
10 000 cm
2
/(Vs).
Integrinio GaInAs-AlInAs tranzistoriaus su tempta kristaline
gardele sandara atvaizduota 12.20 paveiksle. Siekiant, kad
jungiamosiose linijose nesusiadint auktesnio tipo bangos,
panaudotas plonas (50 m storio) InP pagrindas. Siekiant sumainti
kontakt varas, itakos ir santakos elektrodams panaudoti Ni/Au-
Ge/Ag/Au sluoksniai. Kanalui panaudotas 20 nm storio In
0,65
Ga
0,35
As
sluoksnis. Tranzistoriai, kuri utros ilgis 80 nm, leido sukurti 2
pakop maais triukmais pasiymint mikrobang stiprintuv, kurio
stiprinimas 7,2 dB, kai danis 190 GHz. Tranzistoriai, kuri utros

0,08 m utra

Itaka

Santaka

n
+

GaInAs

AlInAs

Si l egiruotas

sluoksnis

In
0,65
Ga
0,35
As

AlInAs

50 m InP pagrindas

Kanalas



12.20 pav. InGaAs-InAlAs-InP lauko tranzistoriaus darinys
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
406

ilgis yra 0,15 m, leido gauti 427 mW ijimo gali, kai danis
95 GHz.
Taigi yra sukurta daug mikrobang tranzistori atmain. J
savybs ir taikymo sritys skiriasi. inios apie vairi tranzistori
tinkamum ryi paskirties aparatrai pateiktos 12.112.3 lentelse

12.1 lentel. vairi technologij tinkamumas korinio ryio telefon tiesini
galios stiprintuv mikrograndynams

Technologija ema
maiti-
nimo
tampa
Tiesi-
kumas
Naudin-
gumo
koefici-
entas
Vienas
maitinimo
altinis
Ramy-
bs
srov
GaAs
MESFET

GaAs HBT
GaAs HEMT
SiGe HBT
InP SHBT
InP DHBT
InP HEMT

Tinkamumo vertinimas: puikiai vidutinikai prastai
Santrumpos:
MESFET (metal-semiconductor FET)
metalo-puslaidininkio lauko tranzistorius
HBT (heterojunction bipolar transistor)
heterostruktrinis dvipolis tranzistorius
HEMT (high electron mobility transistor)
heterostruktrinis lauko tranzistorius su kanalu, kuriame didelis
elektron judrumas
SHBT (single HBT)
heterostruktrinis dvipolis tranzistorius su viena heterosandra
DHBT (double HBT)
heterostruktrinis dvipolis tranzistorius su dviem heterosandromis

12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
407

12.2 lentel. vairi technologij tinkamumas tiesini mikrobang galios
stiprintuv mikrograndynams, skirtiems palydovinio ryio ir duomen
perdavimo sistemoms

Technologija
max
, f f
T
Tiesikumas Pramuimo
tampa
GaAs
MESFET

GaAs HBT
GaAs HEMT
SiGe HBT
InP SHBT
InP DHBT
InP HEMT

12.3 lentel. vairi technologij tinkamumas optoelektroniams integriniams
grandynams (IG), skirtiems optinio ryio aparatrai, kai informacijos
perdavimo greitis per 20 Gb/s

Technologija Imtuv IG Moduliatori
valdymo IG
GaAs MESFET
GaAs HBT
GaAs HEMT
SiGe HBT
InP SHBT
InP DHBT
InP HEMT

12.4.4. Kiti tranzistoriai

Greta aptart tranzistori veikimo spartos didinimo bd yra
pasilyta daug kit tranzistori tobulinimo idj. Tranzistoriuose
panaudojami kartieji elektronai, balistinis elektron lkis, kvantiniai
reikiniai. Bent trumpai aptarkime balistini, analogini tranzistori
principus ir kvantini reikini taikym.
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
408

Krvinink vidutin kinetin energija puslaidininkyje, kaip
inome, priklauso nuo temperatros: 2 / k 3
k
T W = . Taigi krvinink
vidutins kinetins energijos padidjim galima interpretuoti kaip j
temperatros padidjim. Stiprs elektriniai laukai ir kartieji
elektronai naudojami praktikai visuose didels veikimo spartos tran-
zistoriuose. Dabar aptarkime kartj elektron tranzistorius, kuri
veikim lemia kartj elektron injekcija. ie tranzistoriai vadinami
balistiniais elektroniniais tranzistoriais (angl. BET Ballistic
Electron Transistor). Balistiniai tranzistoriai, panaiai kaip dvipoliai
tranzistoriai, sudaryti i emiterio, bazs ir kolektoriaus. Juose i
emiterio baz injektuojami elektronai, kuri pradinis greitis didelis.
Tada elektronai veikia baz i inercijos panaudojamas stipraus
elektrinio lauko pagreitint elektron balistinis lkis. Didel pradin
greit elektronai gyja pereidami per potencialo barjer emiterio
sandroje. Per balistin tranzistori tekani srov valdo bazs tampa.
Nors balistiniai ir dvipoliai tranzistoriai, pavirutinikai
nagrinjant, kai kuo panas, jie turi i esms skirting bruo. Bene
svarbiausia tai, kad balistiniai tran-
zistoriai yra vienpoliai visos balis-
tinio tranzistoriaus sritys yra to paties
laidumo tipo. i aplinkyb leidia
panaudoti judresnius krvininkus ir
ivengti alutini krvinink kaupi-
mo. Be to, balistiniuose tranzis-
toriuose baz injektuojami didels
energijos krvininkai.
Kaip pavyzdys 12.21 paveiks-
le, a, atvaizduotas heterostruktrinio
balistinio tranzistoriaus su tuneliniu
emiteriu darinys. 12.21 paveikslas, b,
vaizduoja tranzistoriaus energijos lyg-
men diagramos laidumo juostos
dugn, kai bazs ir kolektoriaus
tampos yra teigiamos emiterio atvil-

E B K
1 2 1 2 1
a
W
c

W
FE

W
FB

W
FK

b

12.21 pav. Heterosandrinio
balistinio tranzistoriaus su
tuneliniu emiteriu sandara (a)
ir energijos lygmen diagra-
ma (b): 1 n GaAs sluoksnis,
2 GaAlAs sluoksnis
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
409

giu ir kolektoriaus tampa didesn nei bazs.
Didjant bazs tampai, plonja srityje tarp emiterio ir bazs
sudarytas trikampis potencialo barjeras. Plonjant barjerui, stiprja per
j tekanti tunelin srov. Injektuoti baz elektronai po balistinio lkio
pasiekia kolektori. Jei injektuot elektron sklaida bazje maa,
bazs srov yra silpna.
Plon baz elektronai gali veikti per kelet pikosekunds dali ir
i aplinkyb lemia didel potenciali balistini tranzistori veikimo
spart. Jeigu baz bt 50 nm storio, tai, taikydami formules
max B
/
E B
v = ir
B T
2 / 1 = f , gautume, kad balistinio tranzistoriaus
su GaAs baze vienetinio srovs stiprinimo danis
T
f siekt 3 THz.
Literatroje aprayta daug balistini elektronini tranzistori
atmain. Isamesnes inias apie iuos tranzistorius skaitytojas ras
specialiojoje literatroje. Pagal veikimo princip balistini tranzistori
grupei galima priskirti ir MOMOM (metalas-oksidas-metalas-oksidas-
metalas) struktros tranzistorius.
Mokslinje spaudoje praneta, kad NEC laboratorijos sukr
MOP tranzistori, kurio utros plotis tik 8 nm. Jis pavadintas HET
(hot electon transistor) kartj elektron tranzistoriumi. Turint
tokius tranzistorius bt manoma gaminti 10 terabit talpos
puslaidininkines atmintines.
Reikmingi kartj krvinink tyrimai atliekami ir Lietuvoje. Jie
buvo pradti Puslaidininki fizikos institute. ia padarytas atradimas
Elektrovaros jgos ir elektrinio laidumo asimetrijos susidarymo
reikinys vienalyiame izotropiniame puslaidininkyje Jo autoriai
S. Amontas, J. Pola ir K. Repas. Isami ini apie kartj
elektron tyrimus, taikym ir kartj elektron tranzistorius galima
rasti akademiko J. Polos monografijose ir kituose Puslaidininki
fizikos instituto mokslinink darbuose. Kartj elektron slygotus
reikinius tiria ir Vilniaus universiteto mokslininkai.
Atskir mikrobang tranzistori grup sudaro analoginiai
tranzistoriai.
Analoginis tranzistorius yra vertikalaus tipo lauko tranzistorius
(12.22 pav.). Jo utra yra puslaidininkyje sudaryto tinklelio pavidalo.
Galima laikyti, kad analoginis tranzistorius yra vakuuminio triodo
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
410

analogas. Vakuuminio triodo elektrodai katodas, tinklelis ir anodas
yra vakuume. Tarp analoginio tranzistoriaus itakos, utros ir
santakos yra puslaidininkis. Didel potenciali analoginio
tranzistoriaus veikimo spart lemia nedidel elektron lkio tarp
itakos ir santakos trukm.
Analoginio tranzistoriaus idja buvo pasilyta dar 1950 metais,
taiau jos gana ilgai nepavyko realizuoti buvo sudtinga
puslaidininkyje sudaryti tinklel. veikus technologinius sunkumus,
buvo sukurti analoginiai tranzistoriai su puslaidininkiniais ir
metaliniais tinkleliais.
Analoginio tranzistoriaus su puslaidininkiniu tinkleliu sandara
atvaizduota 12.23 paveiksle. Tranzistorius yra n
+
in
+
struktros.
Tinklelis yra p
+
puslaidininkio juosteli pavidalo. Tok tranzistori
galima nagrinti kaip kelet lygiagreiai sujungt lauko tranzistori.
Kadangi tarp tranzistoriaus itakos ir santakos srii yra grynasis
puslaidininkis, potencialas tranzistoriuje yra pasiskirsts kaip
dielektrike. Todl toks tranzistorius dar vadinamas statins indukcijos
tranzistoriumi (angl. SIT static induction transistor).
Analoginio tranzistoriaus utra labai trumpa. Tarpas tarp itakos
ir santakos gali bti nedidelis. Todl tranzistoriaus potenciali veikimo
sparta gali bti didel, literatros duomenimis danis
T
f gali bti
keli imt megaherc eils. Elementarieji tranzistoriai analoginiuose
tranzistoriuose sujungti lygiagreiai, todl analoginiai tranzistoriai gali

S
I
U
GaAs


12.22 pav. Analoginio tranzis-
toriaus sandaros schema


S
I
U
n
+

p
+

i
n
+



12.23 pav. Analoginis tranzisto-
rius su puslaidininkiniu tinkleliu
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
411

bti taikomi kaip galingi jungikliai arba galingi mikrobang
diapazono tranzistoriai.
Ubaigiant mikrobang tranzistori aptarim dar svarbu paminti,
kad majant tranzistori matmenims, pradeda reiktis kvantiniai
efektai. Kvantini reikini painimas leidia juos taikyti kuriant
nauj savybi taisus.

12.4.5. Kiti mikrobang integrini grandyn elementai

Didjant daniui ir trumpjant bangai, kinta reikalavimai
grandini elementams. Mikrobang diapazone atsiranda nauj
integracijos galimybi. Milimetrini bang diapazono rezonatori ir
filtr element matmenys yra mai, todl tampa manoma mikro-
grandynuose realizuoti ne tik tradicinius j elementus, bet ir
induktyvumo elementus, linijas ir net antenas. Greta planariosios
technologijos vystoma trimat integracija. Dar svarbu pastebti, kad
taikant puslaidininkines technologijas pastaruoju metu buvo sukurti ir
pradti taikyti mikrobang taisuose, optinse sistemose ir kitose
srityse nauji elementai silicio mikromechanikos taisai (angl. MEMS
microelectromechanical system). Mikrobang integriniuose
grandynuose jie gali atlikti ma auktos kokybs rezonatori ir filtr
funkcijas.

12.5. Mikrobang puslaidininkini tais efektyvumas

Puslaidininkiniai taisai jau taikomi dani diapazone iki
300 GHz ir optiniame diapazone. Pasaulyje daug dirbama toliau
tobulinant mikrobang puslaidininkinius taisus kol kas nra
efektyvi puslaidininkini tais dani diapazonui nuo 300 GHz
(bangos ilgis 1 mm) iki 10 TGz (33 m). sisavinus terahercin
ply telekomunikacijoms ir kitiems taikymams atsivert didiuliai
dani resursai.
Tobulinant mikrobang puslaidininkinius taisus, kaip jau buvo
akcentuota, daug dmesio skiriama i tais galios didinimui. Nors
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
412

sukuriama vis galingesni tais, galimybs didinti gali yra ribotos
dl keli principini prieasi.
Puslaidininkyje krvininkai juda kristalinje gardelje.
Susidurdami su gardels defektais, krvininkai netenka energijos, kuri
virsta iluma. Dl ios prieasties puslaidininkini tais naudingumo
koeficientas yra ribotas (geriausi tais iki 50 %). iuo poiriu
daug pranaesni yra mikrobang vakuuminiai elektroniniai prietaisai
(klistronai, magnetronai, bganiosios ir atbulins bangos lempos),
kuriuose vakuume judani elektron energija efektyviai
transformuojama mikrobang virpesi energij.
Didjant galiai, naudingumo koeficiento didinimo problema
tampa vis atresn ne tik energijos vartojimo ir taupymo poiriu.
Svarbu, kad taise isiskirt maiau ilumos, nes j reikia atiduoti
aplinkai. Taigi, kuriant galingus puslaidininkinius taisus, tenka sprsti
sunkumus, kylanius ne tik dl to, kad dl maesnio naudingumo
koeficiento suvartojama daugiau energijos ir taise isiskiria daugiau
ilumos, bet ir dl to, kad puslaidininkini tais auinimo klausimai
sudtingesni j element leidiamasis perkaitimas yra daug
maesnis nei leidiamasis vakuumini elektronini prietais
perkaitimas. Siekiant padidinti leidiamj perkaitim, sisavinamos
mediagos, pasiyminios plaia draudiamja juosta. Perspek-
tyviomis mediagomis didels galios mikrobang puslaidininkiniams
taisams laikomi junginiai SiC ir GaN. Silicio karbido draudiamosios
juostos plotis 3,2 eV, iluminis laidumas apie 3 kartus didesnis nei
silicio ir apie 10 kart didesnis nei galio arsenido, taiau elektron
judrumas silicio karbide nedidelis apie 300500 cm
2
/(Vs). Galio
nitrido draudiamosios juostos plotis 3,4 eV. Elektron judrumas
AlGaN-GaN dariniuose didesnis apie 1500 cm
2
/(Vs).
Taigi puslaidininkini tais veikimo spart ir naudingumo
koeficient riboja tai, kad krvininkai juda susidurdami su gardels
defektais. Dl susidrim su gardele maksimalus krvinink dreifo
greitis puslaidininkiuose yra tik apie 10
5
m/s. Vakuume elektron
greitis gali bti artimas viesos greiiui 10
8
m/s. Todl fizikai ir
greitaveiki elektronini tais krjai vl atsigria vakuum, kaip
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
413

elektron judjimo terp. Taigi, permusi paangiausias mikro-
elektronikos technologijas, gali atgimti vakuumin elektronika.
Taikant mikroelektronikos technologijas jau beveik isprstas
svarbus klausimas sukurti kristaliniai altieji katodai. Jau yra sukurta
mikrominiatirini klistron, bganiosios ir atbulins bangos lemp.
Labai svarbu, kad, sumainus tradicini mikrobang elektronini
prietais matmenis, pavyksta padidinti j darbo dan. Taigi
vakuumin mikroelektronika kartu sprendia auktesni dani
sisavinimo udavin. Vakuumins mikroelektronikos taisai bt
atspars radiacijai, galt veikti daug platesniame temperatr
diapazone. Ar XXI amiuje bus vakuumins elektronikos renesansas,
parodys ateitis.

12.6. Ivados

1. iuolaikins puslaidininkins technologijos leidia pagaminti
didels veikimo spartos puslaidininkinius taisus (specialius
mikrobang diodus, tranzistorius, integrinius grandynus), kurie
panaudojami dani diapazone net iki 300 GHz.
2. Gano diodams panaudojami dvislniai puslaidininkiai. Gano
diod veikimas pagrstas tuo, kad greitinami stipraus elektrinio
lauko elektronai pradeda kilti auktesn laidumo juostos sln,
kuriame j judrumas maesnis ir diode susikuria elektrinis
domenas. Domenams periodikai atsirandant, judant ir nykstant
pasiekus anod, gaunami elektriniai virpesiai. Galima ir kita,
efektyvesn riboto erdvinio krvio kaupimo Gano diod
veiksena.
3. Gritiniuose-lkio dioduose mikrobang virpesiams generuoti
panaudojamas gritinis krvinink dauginimasis nuskurdintajame
pn sandros sluoksnyje, veikiant atgalinei tampai. Gritinio
krvinink dauginimosi inertikumas ir laikas, reikalingas, kad
krvininkai veikt nuskurdintj sluoksn, lemia, kad per gritin-
lkio diod tekanti aukto danio srov atsilieka nuo tampos, ir
dl to mikrobang diapazone gaunama neigiama gritinio-lkio
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
414

diodo diferencialin vara. Greta paprast gritini-lkio
(IMPATT) diod panaudojami gritiniai-lkio pagautosios
plazmos (TRAPATT) diodai, kuriems bdingas didesnis
naudingumo koeficientas.
4. Tranzistori danines savybes lemia laikas, per kur krvininkai
veikia tranzistori. Siekiant laik sumainti, tenka mainti tai-
s matmenis. Kai matmenys mai, tranzistori galia yra ribota.
Todl, kuo didesn tranzistori veikimo sparta, tuo maesn j
galia.
5. Tranzistori matmenis manoma mainti tik iki tam tikr rib
jas lemia technologins galimybs ir fizikins prieastys.
6. Kai matmenys riboti, vlinimo laik tranzistoriuje galima
sumainti didinant krvinink greit. Taiau ne tik krvinink
judrumas, bet ir j maksimalus greitis yra ribotas ir priklauso nuo
puslaidininkio mediagos. Silicis ne pati tinkamiausia mikro-
bang tranzistori mediaga. Geresns mediagos galio
arsenidas ir indio fosfidas.
7. Gana didels mikrobang tranzistori tobulinimo galimybs
atsiveria taikant heterosandras. Tranzistoriuose taikomos GaAs-
AlGaAs, Si-Ge heterosandros. Prognozuojama, kad naujos kartos
telekomunikacinje aparatroje bus naudojami heterosandriniai
tranzistoriai, gaminami taikant InP technologij.
8. Taikant heterosandras ir varizoninius puslaidininkius dvipoliuose
tranzistoriuose, pavyksta padidinti emiterio efektyvum, sumainti
bazs var, padidinti krvinink greit bazje.
9. Siekiant padidinti lauko tranzistori veikimo spart, j kanalams
naudojami heterodariniai, leidiantieji gauti didesn krvinink
koncentracij ir didesn krvinink judrum kanale. Tokie lauko
tranzistoriai vadinami didelio elektron judrumo tranzistoriais.
10. Perspektyviais mikrobang tranzistoriais laikomi kartj
elektron tranzistoriai, balistiniai elektroniniai tranzistoriai ir labai
ma matmen tranzistoriai, kuriuose panaudojami kvantiniai
reikiniai.
11. Mikrobang puslaidininkini tais naudingumo koeficientas yra
maesnis nei vakuumini elektronini prietais. Tai lemia
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
415

principins prieastys krvinink judjimo kietuosiuose
knuose ypatumai. Santykinai nedidelis naudingumo koeficientas
ir nedidelis leidiamasis puslaidininkio perkaitimas lemia ribot
puslaidininkini tais gali.

12.7. Kontroliniai klausimai ir uduotys

1. Apibdinkite mikrobang diapazono komponent raid.
2. Apibdinkite Gano diod sandar. I koki puslaidininki jie gaminami?
3. Paaikinkite Gano diodo veikim. Kas lemia generuojam virpesi
dan?
4. Kaip Gano diode sudaromos riboto krvio kaupimo slygos?
5. Kas yra gritiniai lkio diodai?
6. Kokiomis slygomis pasireikia gritinio-lkio diodo neigiama diferen-
cialin vara?
7. Kas bdinga gritiniams lkio pagautosios plazmos (TRAPATT) dio-
dams?
8. Kas lemia tranzistoriaus emiterio efektyvum? Kodl ir kaip jis priklauso
nuo danio?
9. Nuo ko priklauso tranzistoriaus krvinink pernaos per baz koefi-
cientas? Kodl ir kaip jis priklauso nuo danio?
10. Apibdinkite dreifini tranzistori privalumus.
11. Kokie veiksniai lemia dvipolio tranzistoriaus danines savybes ir
veikimo spart? Kurie i j svarbiausi?
12. Apibdinkite dvipolio tranzistoriaus danini savybi priklausomyb
nuo konstrukcijos.
13. Kokie reikiniai lemia lauko tranzistori danines savybes?
14. Apibdinkite tranzistori danini savybi ir galios sry.
15. Kokie tranzistori parametrai lemia logini grandini veikimo spart?
16. Apibdinkite technologines ir fizikines tranzistori veikimo spartos
didinimo galimybes.
17. Kokie puslaidininki parametrai lemia j tinkamum mikrobang
tranzistoriams?
18. Kas riboja krvinink judrum ir maksimal krvinink greit pus-
laidininkiuose?
19. Kokiomis slygomis galimas krvinink dreifo greiio blyksnis?
12. Mikrobang puslaidininkiniai taisai
416

20. Aptarkite potencines homostruktrini dvipoli ir lauko tranzistori
veikimo spartos didinimo galimybes.
21. Kokios heterosandr savybs leidia pagerinti dvipoli tranzistori
parametrus?
22. Aptarkite heterosandr taikym, tobulinant lauko tranzistorius.
23. Apibdinkite didelio elektron judrumo tranzistori sandar, veikim ir
savybes.
24. Kas yra kartj elektron tranzistoriai?
25. Aptarkite analogini tranzistori sandar, veikim ir savybes.
26. Apibdinkite milimetrinio diapazono integrini grandyn ypatumus.
27. Aptarkite tranzistori naudingumo koeficient ir ribotos galios prieastis.
































12. MB PI_200308 2003.08.26 10:42
13. Akustins elektronikos taisai
417


13. AKUSTINS ELEKTRONIKOS TAISAI

Didjant integrini grandyn integracijos laipsniui, maja
elektronins aparatros mas, tris, savikaina, didja patikimumas,
pleiasi funkcins galimybs. Kita vertus, integriniuose grandynuose
daniausiai realizuojami tik tranzistoriai, diodai, rezistoriai ir
nedidels talpos kondensatoriai.
Po to, kai buvo sukurti integriniai grandynai, ikilo filtr,
vlinimo linij ir kit komponent, kuriems reikalingi induktyvumo
elementai, miniatirizavimo problema. Sprendiant i problem,
buvo tobulinami aktyvieji filtrai, komutuojamos talpos filtrai,
diegiami skaitmeniniai informacijos apdorojimo bdai. Be to, virpesi
filtravimui ir vlinimui buvo pradtos taikyti pavirins akustins
bangos ir susiformavo nauja funkcins elektronikos kryptis akusto
elektronika.
iame skyriuje aptarsime, bendrsias akustini bang savybes,
atskleisime, kodl jos patrauk elektronikos komponent krj
dmes ir apvelgsime trini ir pavirini akustini bang tais
sandar, veikim, savybes ir taikymus.

13.1. Akustiniai virpesiai ir bangos

Akustin (garso) banga yra sklindantis tamprios mediagos
daleli virpesys. Akustini virpesi dani diapazonas nuo herco
dali iki 10
13
Hz. Akustoelektroniniuose taisuose daniausiai
panaudojami ultragarsiniai (210
4
10
9
Hz) ir hipergarsiniai (10
9

10
13
Hz) virpesiai.
Begalini matmen kietajame kne, kaip inome, gali sklisti
iilgins ir skersins trins bangos. Sklindant iilginei bangai, kietojo
kno dalels virpa apie pusiausvirsias padtis kryptimi, sutampania
su bangos sklidimo kryptimi (13.1 pav., a), sklindant skersinei ban-
gai, kryptimi, statmena bangos sklidimo krypiai (13.1 pav., b).
13. Akustins elektronikos taisai
418

Kietojo kno paviriniu sluoksniu gali sklisti pavirins bangos.
Tada virpa tik pavirinio sluoksnio, kurio storis apytikriai lygus
bangos ilgiui, dalels (13.1 pav., c). Beje, pavirins bangos taip pat
bna keli tip. Daniausiai panaudojamos vertikaliosios
poliarizacijos Reiljaus (J. W. Rayleigh) pavirins bangos, kurias dar
XIX amiuje, tyrindamas ems drebjimus, aptiko lordas Reiljus.
Sklindant ioms bangoms, pavirinio sluoksnio dalels juda
elipsinmis trajektorijomis. Didioji elipss ais statmena paviriui,
maoji lygiagreti bangos sklidimo krypiai.
Siekdami isiaikinti akustini bang savybes, lmusias
akustoelektronini komponent krim, panagrinkime iilginius
virpesius vienalyiame strype (13.2 pav.).
Imkime strypo element x d . Jo mas
x S m d d = ; (13.1)
ia S skerspjvio plotas; strypo mediagos tankis.


x b
x
a
x
c
13.1 pav. Kietojo kno
daleli momentinis isi-
dstymas, sklindant x aies
kryptimi iilginei (a),
skersinei (b) trinms bei
pavirinei (c) bangoms



13. Akustins elektronikos taisai
419

Strypo dalelms virpant,
atsiranda tamprumo jga F ,
kurios modulis proporcingas
poslinkiui s . Jga F
priklauso nuo koordinats x .
Jos pokytis elemente x d
apytikriai lygus
x
x
F
F d d

= . (13.2)
Jga F d suteikia strypo elementui x d pagreit
x
F
S m
F
t
s
a

= = =

1
d
d
d
d
2
2
. (13.3)
Strypo elemento x d pailgjimas, veikiant jgai F , pagal Huko
(Hooke) dsn ireikiamas formule:
ES
F
x
s
=
d
d
; (13.4)
ia E tamprumo modulis.
Pagal (13.4)
2
2
x
s
ES
x
F

. (13.5)
ra (13.5) (13.3), gauname bangin lygt
2
2
2
2
x
s E
t
s

. (13.6)
Jos sprendinys ireikiamas formule:
)] / ( j exp[ )] / ( j exp[ ) , ( v x t B v x t A t x s + + = ; (13.7)
ia A ir B integravimo konstantos, v iilgini virpesi sklidimo
greitis, ireikiamas formule:
/ E v = . (13.8)
Atsivelgdami tai, kad santykis S F / reikia mechanin
tempim , formul (13.4) galime taip perrayti:
.
x
s
E

= (13.9)


dx
x
F F+dF

13.2 pav. Strypas garsolaidis
13. Akustins elektronikos taisai
420

Tuomet pagal (13.9) ir (13.7) formules
( ) )] / ( j exp[ )] / ( j exp[ j ) , ( v x t B v x t A E
v
t x + + =

. (13.10)
Greitis v esti apie 10
5
karto maesnis u elektromagnetini bang
sklidimo greit. Tai leidia nedidelio ilgio garsolaidiuose gauti didel
signal vlinimo laik. Be to, dl nedidelio akustins bangos sklidimo
greiio akustins bangos ilgis f v / = bna maas. Pavyzdiui, jeigu
= v 5000 m/s, tai, kai virpesi danis = f 1 MHz, akustins bangos
ilgis yra tik 5 mm.
Dar svarbu, kad akustini bang sklidimo greitis priklauso nuo
bangos tipo. rodoma, kad skersini bang sklidimo greitis
ireikiamas formule
/
t
G v = ; (13.11)
ia )) 1 ( 2 /( + = E G lyties modulis; Puasono (Poisson)
koeficientas. Kadangi E G < , tai v v <
t
.
Pavirini Reiljaus bang greitis v v 9 , 0
R
.
Gautsias ) , ( t x s ir ) , ( t x iraikas galima taikyti ir tada, kai
strypo ilgis yra baigtinis.
Sakykime, kad baigtinio ilgio l strypo kairysis galas yra kietai
tvirtintas, deinysis galas laisvas (13.3 pav., a). Tada sprendiniai
(13.7) ir (13.10) turi tenkinti slygas:
0 ) , 0 ( = t s , (13.12)
0 ) , ( = t l . (13.13)
Taikydami (13.12) slyg, gauname, kad A B = . Tuomet
poslinki ir tempim iraikos tampa paprastesns:
t
v
x
C t x s

j
e sin ) , ( = , (13.14)
t
v
x
E
v
C t x

j
e cos ) , ( = . (13.15)
Jeigu C 0 ir 0, tai (13.13) slyga yra tenkinama, jeigu
0 cos =
v
l
. (13.16)
13. Akustins elektronikos taisai
421

ir

2

) 1 2 ( = n
v
l
; (13.17)
ia n sveikasis skaiius ( = n 1; 2; 3; ...).
I (13.17) formuls galime rasti strypo (13.3 pav., a) savj
virpesi danius:

E
l
n
l
v n
f
n
4
1
) 1 2 (
4
1 2
=

= . (13.18)


l
a
n=3
x
n=1
b
s
m
x
m
n=1
n=3
c

13.3 pav. Viename gale tvirtinto
strypo (a) poslinki amplitudi
(b) ir tempim amplitudi (c)
pasiskirstymai

l
a
n =2
x
n =1
b
s
m
x

m
n =1
n =2
c

13.4 pav. Laisvojo strypo (a)
poslinki amplitudi (b) ir
tempim amplitudi (c) pasi-
skirstymai
13. Akustins elektronikos taisai
422

emiausias danis vadinamas pagrindiniu ir ireikiamas formule:

E
l
f
4
1
1
= . (13.19)
Savj virpesi danius atitinka bangos ilgiai
l
n
n
1 2
4

= . (13.20)
Pastarj iraik galime taip perrayti:

4
) 1 2 (
n
n l

= . (13.21)
Panaiai nagrindami laisvj stryp (13.4 pav., a), sitikintume,
kad jo savj virpesi daniai ireikiami formulmis:

E
l
f
2
1
1
= , (13.22)

1
nf f
n
= . (13.23)
Strypo ilgis su savj virpesi bang ilgiais susietas formule:

2
n
n l

= . (13.24)
13.3 paveiksle, b, c, atvaizduoti mechanini poslinki ir tempim
amplitudi pasiskirstymai viename gale tvirtintame strype, sudaryti
remiantis (13.14) ir (13.15) formulmis. Analogiki grafikai laisvajam
strypui atvaizduoti 13.4 paveiksle, b, c. I grafik matyti, kad,
strypams virpant, kai kuriose vietose susidaro bangos mazgai,
kuriuose strypo dalels yra ramybs bsenoje ( 0
m
= s ). Mazg vietose
strypus galima tvirtinti. Tada tvirtinimo elementai neslopina stryp
virpesi.
I baigtinio ilgio stryp virpesi analizs seka, kad gale tvirtintas
strypas, kurio ilgis lygus nelyginiam bangos ketviri skaiiui, arba
laisvasis strypas, kurio ilgis lygus sveikajam pusbangi skaiiui, yra
mechaniniai rezonatoriai. Kadangi akustini bang ilgiai kietuosiuose
knuose esti nedideli ir pagal (13.21) ir (13.24) formules
1
< l ,
mechaniniai rezonatoriai yra ma matmen. Be to, jie pasiymi
aukta kokybe.
Rezonatoriaus kokyb, kaip inome, ireikiama formule
13. Akustins elektronikos taisai
423

F
f
Q

r
= ; (13.25)
ia
r
f rezonansinis danis, ' ' ' f f F = ; ' f ir ' ' f daniai, ties
kuriais priverstini virpesi amplitud sumaja 2 karto.
Elektrini rezonatori LC kontr kokyb bna deimi,
daugiausia keli imt vienet eils. Mechanini rezonatori kokyb
esti daug didesn 10
3
10
4
, o kartais net 10
6
10
7
.
Paymtina, kad kaip tik mai mechanini rezonatori gabaritai ir
didel kokyb atkreip elektrini filtr krj dmes ir lm
mechanini rezonatori taikym elektrini virpesi filtruose.
Auktos kokybs rezonatoriams keliami grieti stabilumo
reikalavimai. Rezonansinio danio stabilumas nusakomas tempera-
trinio koeficientu, ireikiamu formule:
T f
f
f

r
r
= ; (13.26)
ia
r
f rezonansinio danio
r
f pokytis, atitinkantis temperatros
pokyt T .
I (13.19) ir (13.22) formuli matyti, kad mechaninio
rezonatoriaus temperatrin stabilum lemia jo matmen ir tamprumo
modulio stabilumas.
Dar svarbu, kad mechaniniams rezonatoriams bdingas didelis
savj virpesi ir rezonansini dani skaiius. Viena i prieasi
matyti i (13.18) ir (13.23) formuli. Antroji prieastis ta, kad
akustins bangos kietajame kne gali sklisti keliomis kryptimis. Todl
staiakamps ploktels rezonans slygos gali bti tenkinamos pagal
ilg, plot ir stor. Pagaliau, treioji prieastis ta, kad ribot matmen
kietajame kne gali susiadinti iilginiai, skersiniai, lenkimo, sukimo
triniai virpesiai ir pavirins bangos. Kadangi skirting bang
sklidimo greiiai nevienodi, savj virpesi ir rezonansiniai daniai
taip pat nevienodi. Kai ie daniai esti arti vienas kito, kyla sunkum
siekiant, kad susiadint tik pageidaujamo tipo virpesiai.
Kai kuri savj virpesi galima ivengti parenkant rezonatoriaus
form. Tuo galime sitikinti lygindami, pavyzdiui, staiakamps
ploktels ir disko, kurio storis kinta radialine kryptimi, savj
13. Akustins elektronikos taisai
424

virpesi spektrus. Be to, nepageidaujam rezonans ivengiama
parenkant tinkam rezonatoriaus adinimo bd.
Aptar svarbiausias akustini bang ir mechanini rezonatori
savybes, apvelgsime elektronikos taisus, kuriuose taikomos trins
ir pavirins akustins bangos.

13.2. Trini akustini bang taisai

Elektroninje aparatroje panaudojami pjezoelektriniai ir
magnetostrikciniai rezonatoriai ir keitikliai, elektromechaniniai ir
pjezoelektriniai filtrai, ultragarsins vlinimo linijos ir kiti trini
akustini bang taisai.

13.2.1. Elektromechaniniai rezonatoriai ir keitikliai

Elektromechaninio rezonatoriaus funkcin schema atvaizduota
13.5 paveiksle.
Pjezoelektriniuose rezonatoriuose elektriniams virpesiams
pakeisti mechaninius ir mechaniniams virpesiams pakeisti
elektrinius panaudojamas pjezoelektrinis reikinys, kur 1880 metais
atrado akas ir Pjeras Kiuri (Curie). Tiesioginis pjezoelektrinis
reikinys (gr. piezo slegiu) pasireikia tuo, kad, veikiant mechaninei
jgai, pjezoelektrikas poliarizuojasi ir ant jo sudarytuose elektroduose
atsiranda elektriniai krviai, atvirktinis tuo, kad elektrinis laukas
sukelia pjezoelektriko deformacijas. Pjezoefektas pasireikia kvarce,
pjezokeramikoje ir kitose pjezoelektrinse mediagose.


Keitiklis
Mechaninis
rezonatorius
u(t)


13.5 pav. Elektromechaninio rezonatoriaus funkcin schema
13. Akustins elektronikos taisai
425

Imkime kvarco ploktel, ant
kurios sudaryti metaliniai elektrodai
(13.6 pav.). Kvarco ploktelje
pasireikia tiesioginis ir atvirktinis
pjezoefektai ir, be to, ta pati ploktel
yra mechaninis rezonatorius. Todl
jungta elektrin grandin kvarco
ploktel veikia kaip pjezoelektrinis
rezonatorius. Jo ekvivalentin grandin
atvaizduota 13.7 paveiksle, a. Joje L ir
C pjezoelektrinio rezonatoriaus ekvi-
valentiniai elektriniai parametrai. Vara r vertina energijos
nuostolius rezonatoriuje,
0
C yra statin talpa tarp rezonatoriaus
elektrod.
Ekvivalentinis induktyvumas L yra proporcingas pjezoelektrinio
rezonatoriaus tampriai deformacijai, ekvivalentin talpa
rezonatoriaus masei. Laisvojo strypo (13.5 pav., a) ekvivalentinius
elektrinius parametrus galima rasti pagal formules:
SE
l
L
2

2
= ; (13.27)
2
lS
C = . (13.28)

Kvarco diskas
Metalinis
elektrodas


13.6 pav. Pjezoelektrinis
rezonatorius


L
C
r
C
0

a

R e , X e
f
fr1
fr2
R e
X e
b


13.7 pav. Pjezoelektrinio rezonatoriaus ekvivalentin grandin (a) ir jo
pilnutins varos aktyviosios ir reaktyviosios dedamj priklau-
somybs nuo danio (b)
13. Akustins elektronikos taisai
426

13.7 paveiksle, b, atvaizduotos pjezoelektrinio rezonatoriaus
pilnutins varos aktyviosios ir reaktyviosios dedamj
priklausomybs nuo danio. Daniai
LC
f
2
1
r1
= (13.29)
ir

0
r1
0
0
2 r
1
2
1
C
C
f
C C
C C
L
f + =
+
= (13.30)
yra pjezoelektrinio rezonatoriaus rezonansiniai daniai.Kadangi talpa
C esti daug maesn u statin talp
0
C , daniai
r1
f ir
r2
f yra labai
artimi. Pjezokvarcini rezonatori atveju santykis
1 1 r 2 r
) (
r
f f f bna
deimtj procento dali eils ( 125 / kai
0
C C tai
% 4 , 0 / ) (
r1 r1 r2
f f f ). Svarbu taip pat pastebti, kad dan
2 r
f
galima iek tiek paderinti jungus lygiagreiai pjezoelektriniam
rezonatoriui (lygiagreiai talpai
0
C ) paderinamj kondensatori.
Pjezokvarcini rezonatori kokyb labai aukta 10
4
10
7

vienet.
Kvarcins ploktels pjezoelektriniams rezonatoriams
ipjaunamos i kvarco (SiO
2
)
kristal (13.8 pav.). Silicio ir
deguonies atom isidstymas
kristale lemia, kad kvarco
kristal savybs x , y ir z ai
kryptimis yra nevienodos
kristalas yra anizotropinis.
Kvarco kristalo z ais vadi-
nama pagrindine arba optine ai-
mi, x ais elektrine, y ais
mechanine. Pagaminus i kvarco
kristalo ploktel, kurios
briaunos lygiagreios aims, dl
tiesioginio pjezoefekto krviai


z
a
y
x
x
x
b


13.8 pav. Supaprastinti kvarco
kristalo (a) ir jo pjvio (b) vaizdai
13. Akustins elektronikos taisai
427

susidaro ploktels sienelse, statmenose x aiai, kai veikia jga x
aies kryptimi (iilginis tiesioginis pjezoefektas) arba y aies
kryptimi (skersinis tiesioginis pjezoefektas). Veikiant jgai z aies
kryptimi, pjezoefektas nepasireikia.
Dl kvarco kristalo anizotropikumo pjezoelektrinio rezonatoriaus
savybs priklauso nuo pjvio kvarco ploktels orientacijos ai
atvilgiu. Seniau kvarco plokteles pjaudavo statmenai x aiai. Tokio
pjvio ploktelse stipriausiai pasireikia pjezoefektas. Dabar
daniausiai naudojami sudtingesni pjvi pjezokvarciniai rezo-
natoriai, pasiymintys didesniu parametr stabilumu.
Kvarciniai rezonatoriai naudojami dani diapazone nuo keli
imt herc iki keli deimi megaherc. Kuo emesnis danis, tuo
didesni turi bti rezonatoriaus matmenys. emj dani srityje
panaudojami strypeli pavidalo rezonatori lenkimo virpesiai.
Vidutinje nurodyto dani diapazono srityje panaudojami tempimo-
gniudymo, lyties pagal kontr ir kiti virpesiai. Virutinje dani
diapazono dalyje lyties pagal stor virpesiai.
Virpesi pagal stor atveju pjezokvarcinio rezonatoriaus dan
galima apskaiiuoti pagal formul:

s
f
8 , 2 ... 6 , 1
r
= ; (13.31)
ia
r
f rezonansinis danis (MHz), s ploktels storis (mm).
Pagal (13.31) formul 20 MHz pjezokvarcinio rezonatoriaus
ploktels storis turi bti ne didesnis kaip 0,15 mm. Tokia plona
ploktel yra nepakankamai mechanikai atspari. Todl, kai danis
10150 MHz, panaudojami auktesni rezonatori virpesi tipai ( n = 3;
5). Tada ploktel gali bti storesn: 2 / 3
a
= s arba 2 / 5
a
= s ; ia
a
akustins bangos ilgis.
Pageidaujamas kvarcini rezonatori virpesi tipas gaunamas
tinkamai parinkus j form, pjv ir virpesi adinimo bd. Kvarco
ploktels tvirtinimo elementai turi utikrinti talpos
0
C stabilum ir
neslopinti rezonatoriaus virpesi. Siekiant patenkinti pastarj
reikalavim, rezonatoriai tvirtinami nejudamuose mazg takuose. Kai
naudojami tempimo-gniudymo arba lyties pagal kontr virpesiai,
13. Akustins elektronikos taisai
428

rezonatoriai kabinami ant styg, pritvirtint prie metalizuot paviri
centr. Lenkimo virpesiams suadinti ant kvarco strypelio on
sudaromos dvi metalo sluoksni poros (13.9 pav., a). Prie i
sluoksni mazg takuose prijungiamos stygos. J jungimo schema
atvaizduota 13.9 paveiksle, b. Veikiant iorinei tampai, tarp vienos
elektrod poros gaunamas iilginis tempimas, tarp kitos
gniudymas, ir rezonatorius ilinksta.
Oras trukdo rezonatori virpesius. Todl, siekiant gauti aukt
kokyb, pjezokvarciniai rezonatoriai montuojami balionuose, i kuri
itraukiamas oras. Taiau tada nuo rezonatoriaus sunkiau pasialina
iluma. Todl gaminami ir vakuuminiai, ir hermetizuotieji pjezo-
kvarciniai rezonatoriai.
Aplamai, kaip jau buvo paminta, pjezoelektriniai rezonatoriai
gaminami ne tik i kvarco, bet ir i kit pjezoelektrini mediag.
Pjezokeraminiai rezonatoriai gaminami i pjezokeramikos.
Pjezoefektas pjezokeramikoje pasireikia po to, kai ji gamybos
procese poliarizuojama stipriu elektriniu lauku. Pjezokeraminiai
rezonatoriai yra pigesni, taiau daugeliu atveju negali pakeisti
pjezokvarcini rezonatori dl emesns kokybs ir prastesnio
stabilumo.
Pjezokeramika gerai tinka ultrgarsini vlinimo linij ir kit
tais pjezoelektriniams keitikliams (13.10 pav.). Veikiant
elektriniams virpesiams, pjezoelektrin ploktel virpa, ir garsolaidyje
susiadina akustin banga. Analogikas keitiklis tinka mechaniniams
virpesiams pakeisti elektrinius.


a
b


13.9 pav. Kvarcinis strypelis su elektrodais (a) ir jo jungimo schema (b)
13. Akustins elektronikos taisai
429

Virpesiams pakeisti
taikomas ir magneto-
srikcijos (lot. strictio
suslgimas, tempimas)
reikinys. Jo esm ta,
kad, didjant magnetinei
indukcijai, kinta fero-
magnetik matmenys
(13.11 pav.). Magneto-
strikcinmis savybmis
pasiymi geleis, nike-
lis, feritai ir kitos magnetostrikcins mediagos.
Magnetostrikcinio elektrini virpesi keitiklio mechaninius
virpesius sandara atvaizduota 13.12 paveiksle. Keitiklio mechaninis
rezonatorius gaminamas i magnetostrikcins mediagos. Kadangi
koordinai pradios aplinkoje magnetostikcins deformacijos
charakteristika (13.11 pav.) yra netiesin, magnetostrikciniame
keitiklyje naudojamas nuolatinis magnetas. Jo sukurtas nuolatinis
magnetinis laukas sukuria poslinkio magnetin indukcij
0
B . Tada
inaudojama tiesin charakteristikos dalis ir, tekant keitiklio rite
kintamajai srovei, mechaninio rezonatoriaus virpesi danis yra lygus
srovs daniui. Jeigu nuolatinio pamagnetinimo nebt, dl
magnetostrikcins deformacijos charakteristikos netiesikumo
mechaninio rezonatoriaus virpesi danis bt dvigubai didesnis u
srovs dan.



Pjezokeramikos
ploktel
Garsolaidis
Metaliniai
elektrodai
Akustin
apkrova


13.10 pav. Pjezoelektrinis keitiklis


0
B
B
0
l


13.11 pav. Magnetostrikcins me-
diagos strypo santykinio pail-
gjimo priklausomyb nuo magne-
tins indukcijos


N

S

Mechaninis

rezonatorius




13.12 pav. Magnetostrikcinis
keitiklis
13. Akustins elektronikos taisai
430

Virpant feromagnetins mediagos mechaniniam rezonatoriui, dl
deformacij kinta jo magnetin skvarba. Tuomet kinta nuolatinio
magneto sukurtas magnetinis srautas rezonatoriuje rits erdyje, ir
ritje indukuojama elektrovara. Vadinasi, 13.12 paveikslo keitikl
galima naudoti ir mechaniniams virpesiams keisti elektrinius
virpesius.

13.2.2. Elektromechaniniai ir pjezoelektriniai filtrai

Apvelgsime elektromechanini, pjezoelektrini ir pjezo-
mechanini filtr sandar ir veikim.
Elektromechaninio filtro struktrin schema atvaizduota
13.13 paveiksle. jimo keitiklis elektrinius virpesius pakeiia
mechaninius. Filtro selektyvum lemia mechanini rezonatori
sistema. Filtruoti mechaniniai virpesiai patenka ijimo keitikl ir
paveriami filtruotais elektriniais virpesiais.
Mechanini rezonatori sistem sudaro keletas mechanikai
susiet rezonatori. Nuo rezonatori skaiiaus, rezonansini dani ir
ryio stiprumo priklauso filtro danins charakteristikos. Projektuojant
ir modeliuojant elektromechaninius filtrus, j danins charak-
teristikos skaiiuojamos elektrini grandini skaiiavimo metodais,
prie tai pakeitus keitiklius, mechaninius rezonatorius ir ryio
elementus j ekvivalentinmis elektrinmis grandinmis.
13.14 paveiksle atvaizduotas elektromechaninis filtras, kuriame
panaudoti magnetostrikciniai keitikliai. Mechaniniai rezonatoriai
susieti vieliniais ryio elementais. Per juos, pradjus virpti jimo
keitiklio mechaniniam rezonatoriui, susiadina kit rezonatori


jimo
keitiklis
Mechaniniai
rezonatoriai
Ijimo
keitiklis


13.13 pav. Elektromechaninio filtro struktra
13. Akustins elektronikos taisai
431

iilginiai virpesiai.
em dani diapazono elektromechaniniuose filtruose
panaudojami rezonatori lenkimo arba sukimo virpesiai. Pageidaujami
virpesiai suadinami parinkus tinkam rezonatori tvirtinimo bd ir
ryio element prijungimo viet.
Pavyzdiui, sukimo virpesius galima
suadinti naudojant keitikl, sudaryt
i dviej magnetostrikcini keitikli
(13.15 pav.). Magnetostrikcini kei-
tikli rits sujungiamos taip, kad
jomis tekanti srov sukurt prieing
krypi magnetinius laukus. Tada,
tekant kintamajai srovei, magneto-
strikcini keitikli mechanini
rezonatori virpesi fazs yra
prieingos vienam rezonatoriui ilgjant, kitas trumpja ir atvirkiai.
Tokie pamint rezonatori virpesiai per ryio stygas suadina
mechaninio rezonatoriaus sukimo virpesius.
Elektromechaniniai filtrai naudojami dani diapazone nuo
100 Hz iki 1 MHz. Jie esti kompaktiki ir gali bti didelio
selektyvumo.
Pjezoelektriniuose filtruose panaudojami pjezoelektriniai
rezonatoriai. Atsivelgiant rezonatori tip, pjezoelektriniai filtrai
skirstomi pjezokvarcinius ir pjezokeraminius.
Kadangi pjezokvarciniai rezonatoriai esti labai auktos kokybs ir
yra gana brangs, j skaiius pjezokvarciniuose filtruose bna
nedidelis. Danai pjezokvarcin filtr sudaro viena ar dvi , T arba

jimo
keitiklis
Mechaninis
rezonatorius
Ryio
elementas
Ijimo
keitiklis


13.14 pav. Elektromechaninis filtras


R


13.15 pav. Mechaninio rezo-
natoriaus sukimo virpesi
adinimas
13. Akustins elektronikos taisai
432

tiltelio pavidalo grandys. Kelios toki grandi schemos atvaizduotos
13.16 paveiksle.
Nagrinjant filtr elektrines savybes, pjezokvarciniai rezonatoriai
pakeiiami ekvivalentinmis elektrinmis grandinmis. Po to taikomi
elektrini grandini skaiiavimo metodai.
Pjezokeraminiuose filtruose naudojami lengviau pagaminami,
taiau emesns kokybs pjezokeraminiai rezonatoriai. Kada
rezonatori kokyb emesn, reikiam filtro selektyvum pavyksta
gauti, esant didesniam rezonatori skaiiui. Taiau, neirint to, kad
taip gali bti pasiektas didelis selektyvumas, pjezokeraminiai filtrai
neprilygsta pjezokvarciniams filtrams pagal temperatrin stabilum ir
stabilum laike.
Pjezomechaniniai filtrai kaip ir pjezoelektriniai sudaryti i
pjezoelektrini rezonatori, taiau ryys tarp rezonatori ne
elektrinis, o mechaninis. Paprasiausio pjezomechaninio filtro sandara
atvaizduota 13.17 paveiksle.
Kai elektriniai virpesiai suadina pirmojo pjezoelektrinio


a b
c


13.16 pav. Paprasiausi pjezokvarciniai filtrai

jimo
rezonatorius
Ijimo
rezonatorius
Ryio
elementas


13.17 pav. Pjezomechaninis filtras
13. Akustins elektronikos taisai
433

rezonatoriaus virpesius, per mechaninio ryio element virpesiai
persiduoda antrajam pjezoelektriniam rezonatoriui. Susiadinus
antrajam rezonatoriui, filtro ijime gaunami filtruoti elektriniai
virpesiai.
Atskir pjezomechanini rezonatori grup sudaro monolitiniai
pjezoelektriniai filtrai. Monolitinio pjezoelektrinio filtro sandara
atvaizduota 13.18 paveiksle. Filtr sudaro pjezoelektrins mediagos
ploktel, ant kurios plonasluoksne technologija sudarytos metalini
elektrod poros. ie elektrodai kartu su tarp j esania pjezoelektrine
mediaga atlieka pjezoelektrini rezonatori vaidmen. Parenkamas
toks rezonatori storis s , kad bt tenkinama slyga 2 /
a
n s = .
Tarpuose tarp rezonatori pjezoelektrin ploktel atlieka mechaninio
ryio element vaidmen.
Jeigu monolitiniame pjezoelektriniame filtre yra daugiau nei du
pjezoelektriniai rezonatoriai, filtro danins savybs priklauso ne tik
nuo rezonatori savybi ir skaiiaus bei mechaninio ryio tarp
rezonatori stiprumo, bet ir nuo rezonatori elektrinio jungimo.
Monolitiniai pjezoelektriniai filtrai naudojami dani diapazone
nuo 2 iki 200 MHz. J praleidiamj dani juosta sudaro 0,0055 %
nuo centrinio pralaidumo juostos danio.
Svarbus monolitini pjezoelektrini filtr privalumas mai
matmenys. i filtr korpusai panas tipinius integrini grandyn
korpusus.


Pjezoelektrin
ploktel
Metalinis
elektrodas


13.18 pav. Monolitinis pjezoelektrinis filtras
13. Akustins elektronikos taisai
434


13.2.3. Ultragarsins vlinimo linijos

Nedidelis akustini bang sklidimo greitis kietuosiuose knuose
lm j taikym vlinimui. Ultragarsins vlinimo linijos struktrin
schema atvaizduota 13.19 paveiksle. Patek jimo keitikl elektriniai
virpesiai suadina akustin
bang, kuri sklinda garso-
laidiu iki ijimo keitiklio.
Pastarajame mechaniniai vir-
pesiai pakeiiami elektri-
nius gaunami suvlinti
elektriniai virpesiai.
Ultragarsins vlinimo
linijos vlinimo trukm
a v
/ v L t = priklauso nuo
garsolaidio ilgio L ir akustins bangos sklidimo greiio
a
v . Linijos
danines savybes ir slopinim joje lemia keitikliai.
Ultragarsini vlinimo linij garsolaidiai gaminami i lydyto
kvarco, speciali stikl, magnio lydini ir kit mediag,
utikrinani ma akustins bangos slopinim ir vlinimo trukms
stabilum. Virpesi pakeitimui daniausiai naudojami pjezoelektriniai
keitikliai.
Skersini akustini bang sklidimo greitis yra maesnis nei
iilgini. Todl, panaudojant skersines bangas, pavyksta gauti
reikaling vlinimo trukm trumpesniuose garsolaidiuose. Neirint
to, deimi mikrosekundi ir didesn vlinimo trukm gauti nra
parasta. Pavyzdiui, norint gauti 1 ms vlinimo trukm, reikia 35 m
ilgio garsolaidio. Siekiant sumainti garsolaidio ir visos
ultragarsins vlinimo linijos matmenis, panaudojami daugkartiniai
akustins bangos atspindiai (13.20 pav.).
Tose vietose, kur akustin banga atsispindi nuo garsolaidio
krat, pritvirtinus keitiklius, galima padaryti ultragarsin vlinimo
linij su atvadais. Nuosekliai keiiamos vlinimo trukms

jimo
keitiklis
Ijimo
keitiklis
Garsolaidis


13.19 pav. Ultragarsins vlinimo
linijos sandara
13. Akustins elektronikos taisai
435

ultragarsins vlinimo linijos sandara atvaizduota 13.21 paveiksle.
Slenkant garsolaidio judamj dal nejudamja dalimi, kinta atstumas
tarp keitikli ir vlinimo trukm.
Ultagarsins vlinimo linijos naudojamos dani diapazone iki
100 MHz. J danins amplituds charakteristikos panaios juostini
filtr charakteristikas. Todl ultragarsinmis vlinimo linijomis
betarpikai galima vlinti radijo impulsus, kuri dani spektre nra
emadani dedamj. Jeigu reikia vlinti impulsus ir kitus virpesius,
kuri spektre vyrauja emadans dedamosios, tais virpesiais
moduliuojamas nelys, kurio danis lygus centriniam ultragarsins
vlinimo linijos daniui. Tada moduliuotas virpesys vlinamas
ultragarsine vlinimo linija. Po demoduliacijos gaunami virpesiai,
kuri forma artima pradinei. Kadangi ultragarsins vlinimo linijos
santykinis praleidiam dani juostos plotis yra ribotas, siekiant
utikrinti maesnius vlinam virpesi formos ikraipymus, tenka
didinti linijos darbo dan.
13.1 uduotis
Skersini akustini bang greitis kvarciniame stikle 3,5 km/s. Kokie
bt orientaciniai 64 s vlinimo linijos (13.20 pav.) garsolaidio matmenys?
Sprendimas
Bangos kelias tarp keitikli turi bti 3,510
3
6410
6
=0,224 m. keli
sudaro apytikriai 20 elementari atkarp. Vienos j ilgis apie 11 mm. Tada ...
apytiksliai garsolaidio matmenys 30x40 mm.



IN I
Garsolaidis


13.20 pav. Daugkartiniai atspindiai
ultragarsinje vlinimo linijoje



Judamoji
dalis
IN I
Nejudamoji
garsolaidio
dalis


13.21 pav. Ultragarsin regu-
liuojamo vlinimo linija
13. Akustins elektronikos taisai
436


13.3. Pavirini akustini bang taisai

Trini akustini bang filtr ir vlinimo linij rezonatori ir
garsolaidi gamyba gana sudtinga reikalingas didelis mechaninio
apdorojimo tikslumas. Kadangi rezonatori ir garsolaidi matmenys
mai, net labai nedidels absoliutins j gamybos paklaidos labai
atsiliepia rezonatori rezonansiniams daniams arba vlinimo linij
vlinimo laikui. Tuo nesunku sitikinti pavelgus rezonansini
dani arba vlinimo trukms iraikas. Be to, trini akustini bang
filtr ir vlinimo linij darbo dani diapazonas yra ribotas. Jo
virutin riba 100200 MHz.
Tobulesni yra pavirini akustini bang filtrai ir vlinimo linijos.
Juos galima gaminti taikant plonasluoksnes technologijas. Be to, j
dani diapazono virutin riba yra daug auktesn iki keleto
gigaherc.
Apvelgsime pavirini akustini bang keitikli, rezonatori,
filtr ir vlinimo linij sandar, veikim, savybes.

13.3.1. Pavirini akustini bang keitikliai ir rezonatoriai

Pirmuosiuose pavirini akustini bang taisuose bang
suadinimui ir j pakeitimui elektrinius virpesius buvo naudojami
trini akustini bang keitikliai. Kokybikai naujas pavirini
akustini bang tais raidos etapas prasidjo nuo 1965 met, kai
buvo pasilyti ir sukurti planarieji elektrodiniai pjezoelektriniai
keitikliai, sudaromi taikant integrini grandyn technologijas.
Paprasia