TV AUDIO VIDEO MICROPROCESADORES

ELECTRONICA

SABER

EDICION ARGENTINA

Enciclopedia V isual de la Electrnica

INDICE DEL CAPITULO 10
PRIMERAS REPARACIONES EN EQUIPOS TRANSISTORIZADOS Prueba de transistores con el tster................147 Anlisis de montajes electrnicos ...................148 Lo que puede estar mal...................................149 Defectos y comprobaciones...........................149 Mediciones en pequeos amplificadores .....150 Sustitucin del componente............................151 Equivalencias .....................................................152 MEDICIONES QUE REQUIEREN PRECISION Mtodo de compensacin de Dubois-Reymond ...............................................153 Mtodo de compensacin de Poggendorf.......154 DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE MEMORIA Dispositivos de memoria ...................................155 Aplicaciones de los circuitos de memoria.....155 Tcnicas de fabricacin de las memorias digitales ............................................156 Cmo trabaja una memoria digital ...............156 Memorias de la familia ROM ...........................156 Memorias ROM ..................................................157 Memorias PROM ................................................157 Memorias EEPROM ............................................157 Memorias UV-EPROM ........................................157 Memorias de la familia RAM............................157 Memorias SRAM .................................................158 Memorias DRAM ................................................158 Memorias VRAM ................................................158 Memorias NOVRAM ..........................................158 Memorias en equipos de audio y video ........158 Memorias en computadoras PC .....................159 RAM, Cach, ROM............................................159 Memoria Flash....................................................159 CMOS-RAM.........................................................159 Memoria de video.............................................159 SCORPION 2: MICROTRANSMISOR DE FM El Circuito............................................................159 Cupn N 10 Guarde este cupn: al juntar 3 de stos, podr adquirir uno de los videos de la coleccin por slo $5 Nombre: ________________________
para hacer el canje, fotocopie este cupn y entrguelo con otros dos.

Captulo 10

Captulo 10

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

PRUEBA DE TRANSISTORES CON EL T STER Es de mucha utilidad, especialmente cuando no se tienen los datos t cnicos del componente, saber medir transistores, tanto dentro como fuera de un circuito electr nico, contando con la sola ayuda de un mult metro. En este art culo se explican las t cnicas de prueba de transistores bipolares fuera del circuito y c mo localizar los terminales cuando el componente est en buen estado, queda para otra entrega la prueba de transistores dentro del circuito (sin quitarlo de ste). E n general, los transistores bipolares (NPN o PNP) estn en buen estado o no sirven, es decir, no admiten condiciones intermedias que podran hacer presumir que el elemento est agotado, por lo que pueden probarse sencillamente si se tiene un multmetro. En principio, para hacer la prueba, se debe conocer la polaridad (ya sea NPN o PNP) y la ubicacin de los terminales como as tambin la ubicacin de los terminales de la batera del multmetro respecto de sus puntas de prueba. con la punta roja en base y la punta negra en emisor, la aguja no deflexionar, lo que indica una resistencia alta. El tster debe estar en la posicin R x 10 o R x 100 como indica la figura 1. La misma prueba debe efectuar para la verificacin de la juntura base-colector, o sea, con la punta roja en baFig. 1 se y la negra en colector no debe conducir e, invirtiendo las puntas, la resistencia debe ser baja. Esta prueba es vlida tanto para transistores de silicio como de germanio, ya sean de poder o de baja seal (recuerde que el tster debe estar en el rango R x 10 o R x 100). Para transistores de germanio, la resistencia inversa de las junturas no es tan elevada como en el caso de los de silicio y, por lo tanto, podra producirse una pequea deflexin de la aguja cuando se realiza la medicin. Cuando se miden las junturas de un transistor PNP se sigue el mismo procedimiento, slo que ahora la aguja deflexionar cuando la punta roja est en la base y la negra en cualquiera de los otros dos terminales, como muestra la figura 2. Si al hacer la medicin de las junturas, ambas lecturas dan baja resistencia el transistor est en corto y si en las dos medidas se lee alta resistencia est abierto. En los dos casos el componente no sirve. Una vez medidas las junturas se debe comprobar que no haya cortocircuito entre colector y emisor, por lo tanto, la lectura de resistencia entre estos terminales

En la mayora de los multmetros analgicos (a aguja) el borne marcado con (+) corresponde al () de la batera interna que alimenta el hmetro. Esta es la convencin que adoptamos en el artculo. Primero se debe comprobar el estado de la juntura base-emisor y base-colector del transistor, las cuales se comportan como diodos, o sea de un lado conducen (baja resistencia) y polarizados en sentido inverso acusan alta resistencia. Si el transistor es NPN, con la punta conectada al borne (+) del tster (que corresponde al negativo de la batera interna) tocamos el emisor del transistor y con la otra punta (negra del tster) tocamos la base, el multmetro debe acusar baja resistencia, luego,

Fig. 2

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Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

sentidos. Luego, el transistor es NPN. Si encontramos la base, cuando en sta colocamos la punta roja (marcada con + y correspondiente al negativo de la batera interna), el transistor es PNP. Slo resta ahora localizar el emisor o el colector del transistor; luego por descarte tambin sabremos cul es el tercer terminal. Para la localizacin del emisor colocamos el tster en la escala ms alta del hmetro, el cual se comporta como un medidor de corriente (el tster como hmetro en realidad es un microampermetro) conectado entre emisor y colector del transistor con la punta de polaridad correcta en el emisor. Por ejemplo, si el transistor es NPN, la punta roja (negativo de la batera) la colocamos en el que creemos que es el emisor. De esta manera el transistor queda preparado para conducir en polarizacin fija si se le coloca una resistencia entre base y colector. Para la prueba empleamos la resistencia de los dedos de nuestra mano como elemento de polarizacin, como se ve en la figura 6. En esta figura se supone que el terminal (1) es el emisor de un transistor NPN y el (2) es el colector, luego la aguja deflexiona. Si el terminal elegido como emisor no lo fuera, entonces la aguja no deflexionara, o lo hara muy poco. Le recomendamos repetir varias veces esta prueba con transistores identificados con el objeto de adquirir prctica. Los conceptos dados son vlidos para todos los transistores y son muy tiles, tanto a la hora del armado como de la reparacin.

Fig. 3
debe ser muy alta sin importar cmo se conecten los terminales. La figura 3 muestra esta medicin para un transistor NPN. Si tenemos un transistor del cual suponemos que est en buen estado y no sabemos si es NPN o PNP y ni siquiera conocemos la ubicacin de los terminales, debemos primero identificar la base. Con el tster en R x 10 o R x 100 colocamos una punta en un terminal y con la otra punta tocamos alternativamente los otros dos. Hacemos esto con los tres terminales; luego, la base ser aqulla en que la aguja haya deflexionado, tanto si la punta restante est en un terminal como en el otro. Como ejemplo, supongamos que colocamos la punta roja del tster (negativo de la batera interna) en lo que creemos que es la base, y se presentan los casos de la figura 4. Analizando la misma se llega a la conclusin de que en ningn caso hubo deflexin como se plante inicialmente; por lo tanto, buscando la base con la punta negra (positivo de la batera interna) invertimos las puntas. En la figura 5 se ve que con una punta en la base y con la otra tocando alternativamente los otros terminales, se consigue defleFig. 5 xin en ambos

Fig. 4

AN LISIS DE MONTAJES ELECTR NICOS El an lisis de un prototipo que no funciona o que

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Fig. 6
misor de FM con micrfono de electret alimentado por una tensin de 6V. Los puntos indicados son puntos de medida, en los que apoyaremos la punta de prueba roja del multmetro en la escala de tensiones hasta 6 volt. El punto A es para la conexin de la punta de prueba negra y pasa a ser la referencia para las tensiones que se midan. Con el circuito normal se constatan las tensiones siguientes: Puntos ........................Tensiones Lo que puede estar mal 1 ...........................................2,95 Varias son las posibilidades de 2 ...........................................1,72 error en un montaje que pueden 3 ...........................................1,14 conducir a un funcionamiento 4 ...........................................5,98 deficiente. Podemos dividir esas 5 ...........................................5,98 posibilidades en dos grupos: las 6 ...........................................5,98 que se deben al armador y las que se deben a los componentes Es claro que estas tensiones usados. pueden variar hasta un 10% segn la tolerancia de los compoErrores del armador: nentes y las caracterstics del ins- Inversi n de conexiones trumento usado. Tomamos como - Inversi n de componentes base un multmetro de 10.000 - Cambio de valores por volt en la escala DC usada. Podemos explicar fcilmente Problemas con los esas tensiones en un buen aparacomponentes: to. En el punto 1 tenemos la ten- Componentes da ados sin de polarizacin del electret, - Soldaduras fr as que es aproximadamente la mi- Cortocircuitos tad de la tensin de alimentacin dada por R1. El valor de R1 tambin puede variar bastante cuanNUESTRO CIRCUITO do la tensin en el micrfono quede entre 2 y 89 volt. El circuito que se propone paEn el punto 2 tenemos la tenra analizar se ve en la figura 7. sin de base del transistor oscilaSe trata de un pequeo trans- dor que es aproximadamente

presenta un comportamiento deficiente o tambi n de un aparato comercial que no funciona bien, es algo que muchos armadores no saben c mo hacer. C mo encontrar los problemas en un aparato armado? C mo interpretar las indicaciones de un mult metro o los s ntomas que se constatan y llegar a la ra z del problema? Ese es el tema que trataremos ahora en una serie de art culos en los que nos dedicaremos a circuitos t picos en los que incluiremos distintas clases de defectos mostrando lo que ocurre con las tensiones que se miden en cada caso. Iniciamos el artculo con un circuito que es bastante comn y que tambin, en gran parte de los casos, resulta ser el primer montaje que realiza un estudiante aficionado: un pequeo transmisor de FM (figura 7). Es comn que haya fallas en un circuito de esa clase cuando diversos problemas pueden hacer que no oscile o que lo efecte de manera deficiente. Es claro que el armador inexperto no siempre tiene la facilidad de descubrir con un simple anlisis visual lo que est mal y no es raro que le eche la culpa a la revista o al autor del proyecto. Tan importante como armar es saber lo que est mal en un montaje cuando el equipo no funciona. Por eso damos, en este artculo y otros subsiguientes, informaciones de gran utilidd para la formacin del tcnico reparador, del tcnico que logra analizar y reparar sus montajes as como los de otros.

Fig. 7

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Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

0,6V mayor que la tensin del 3 ...........................................0,05 emisor constatada en el punto 3. 4 ...........................................0,06 En los puntos 4, 5 y 6, dada la 5 ...........................................5,98 baja resistencia del bobinado de 6 ...........................................5,98 LI, encontramos prcticamente la tensin de la fuente, o sea: cerca La tensin anormalmente baja de 6,0V. del colector (4) es lo que ms llama la atencin. Sin duda se debe 1er. defecto a una interrupcin en la bobina o El primer defecto que analiza- a una soldadura fra. La tensin remos nos lleva a la siguiente ta- de base del transistor, de 0,77V, indica que este componente est bla de medidas: aparentemente bien, as como el Punto .......................Tensin (V) divisor formado por R2 y R3. Como la falta de polarizacin 1 ...........................................2,43 2 ...........................................2,18 del colector no recibe la corrien3 ...........................................1,43 te principal del transistor, la ten4 ...........................................5,98 sin en el punto 3 cae prctica5 ...........................................5,98 mente a cero. Es suficiente resol6 ...........................................5,98 dar la bobina para que el transmisor funcione bien. En este caso el aparato no os3er. defecto cila y por consiguiente no emite Este defecto tambin impide seal alguna. Como podemos ver, tenemos una tensin de base la oscilacin. Las tensiones medidel emisor anormalmente alta das son: (puntos 2 y 3). Pero mientras su diPunto .......................Tensin (V) ferencia se mantenga cerca de 1 ...........................................2,58 0,6V, significa en principio que el 2 ...........................................2,69 transistor est bien. Tambin est 3 ...........................................2,23 bien el divisor de tensin formado 4 ...........................................5,98 por R2 y R3, lo que nos lleva a las 5 ...........................................5,98 siguientes posibilidades de falla: 6 ...........................................5,98 capacitor C2 o C3. Vea que la bobina tiene continuidad ya que Medimos en este caso una la tensin en el punto 4 es igual a la de la batera. Por eliminacin tensin anormalmente alta en la llegamos a C3, pues con C2 con base del transistor. La diferencia entre la tensin problemas an tendramos oscilacin, a no ser que estuviese en en el punto 2 y la tensin del emicorto. En caso de corto la tensin sor 3 es menor de 0,6V por lo que en el punto 2 debera ser de 6V, lo prcticamente no circula corriente entre esos dos elementos. que no sucede. La tensin anormalmente alta Sustituyendo C3, el aparato vuelve a funcionar normalmente. del emisor 3 indica tambin que Vea que ese capacitor debe ser no hay pasaje de corriente por el cermico, de buena calidad (de punto a tierra (A). Sospechamos de inmediato placa, por ejemplo), pues la humedad o una pequea induc- de R4, que puede tener mal el tancia impiden la realimentacin valor o haberse alterado aumeny, por consiguiente, la oscilacin. tando o est totalmente abierta. Los capacitores inductivos, como Las tensiones de los puntos 4, 5 y 6 los tubulares o los de polister, no se mantienen normales cuando existe este defecto. sirven para esta funcin. 2 ...........................................0,00 3 ...........................................0,00 4 ...........................................5,98 5 ...........................................5,98 6 ...........................................5,98 Es evidente la falta de polarizacin de la base de Q1, ya que en el colector hay tensin y, por consiguiente, la batera est en buenas condiciones. Eso nos lleva de inmediato a R2 que est abierta. Un corto entre el emisor y la base del transistor tambin disminuira esa tensin pero a un valor mayor que cero. Otros defectos El capacitor C2 abierto no produce muchas alteraciones en la tensin, pero disminuye el rendimiento del circuito. C1 abierto no influye en las tensiones pero produce falta de modulacin (sonido).

MEDICIONES EN PEQUE OS AMPLIFICADORES Cuando se queman los transistores de salida de amplificadores de audio, el equipo "enmudece". Si bien la localizaci n del problema es casi inmediata, la sustituci n representa la mayor dificultad ya que muchas f bricas usan c digos propios para ese componente y eso impide que se identifiquen las caracter sticas y, por consiguiente, el empleo de equivalentes que puedan conseguirse en el mercado con facilidad. Damos a continuaci n, algunos datos para sustituci n de esos componentes con un buen margen de seguridad.

La mayora de los amplificadores de audio de equipos de sonido comerciales, tales como receptores, tres en uno, etc., utilizan etapas de potencia en simetra complementaria, como la configuracin que se muestra en la figura 8. 4 defecto 2 defecto En este circuito, cada uno de Sin oscilacin, se constatan las En este caso tampoco tene- los transistores de salida amplifica tensiones siguientes: mos oscilaciones. Las tensiones la mitad del ciclo de la seal, de manera que la unin posterior de medidas fueron: las dos mitades en el altoparlante Punto .......................Tensin (V) 1 ...........................................2,58 Punto .......................Tensin (V) reproduce el ciclo completo. Los 2 ...........................................0,77 1 ...........................................2,56 semiciclos positivos son conduci-

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Captulo 10
Fig. 8
troltico en serie con el altoparlante para ver si el quemado no se produjo por su entrada en corto (figura 11). Teniendo en cuenta el esquema se verifica si el transistor quemado es el NPN o el PNP y si es del tipo Darlington o comn (figura 12). En principio podemos sustituir el transistor quemado por uno del mismo tipo con la corriente mxima de colector (IC) igual o mayor. La tensin mxima entre el colector y el emisor del sustituto (VCE mx.) debe ser igual o mayor que la del transistor sustituido. La polaridad del transistor es muy importante pues no podemos sustituir un PNP por un NPN y la disposicin de los terminales debe verificarse. Debe darse preferencia a un transistor con la misma disposicin de terminales que el original, pues eso normalmente facilitar su colocacin en funcin de la necesidad de un contacto con el disipador. Vea que estos transistores se montan en disipadores con un aislador, como muestra la figura 13. El aislador, untado con pasta de silicona, asla la electricidad, es decir, evita el contacto elctrico de la aleta (conectada al colector) con el disipador pero no impide el pasaje de calor. La eleccin del sustituto puede ha-

do no hay seal amplificada, lleva la salida a una tensin igual a la mitad de la tensin de alimentacin (figura 10). En funcionamiento, esa tensin oscilar para ms o para menos, segn la polaridad de la seal reproducida, es decir, segn que conduzca uno u otro transistor. Estos transistores de salida son justamente los que trabajan en el rgimen ms "pesado" en un amplificador, debiendo soporFig. 10 tar toda la corriente especificada para la potencia mxima. Cuanto mayor es la potencia del amplificador, mayor es la corriente mxima soportada por estos transistores. En funcin de la tensin proporcionada por la fuente del amplificador y de la corriente mxima que soportan los transistores en esta etapa, el tcnico puede evaluar su potencia sonora con facilidad. Y en el caso de que alguno se haya quemado puede indicar equivalentes que debedos por uno de los transistores y rn funcionar tan bien como los los negativos por otro como originales. muestra la figura 9. El transistor "driver" (excitador) polariza esta etapa de modo que SUSTITUCI N DEL COMPONENTE haya una distribucin de la seal (semiciclos) entre los transistores, Cuando uno de los transistores en forma equitativa para que en de la etapa de salida se quema la amplificacin no haya distor- (o los dos) suelen "arrastrar" tamsin. bin los resistores del emisor que En los circuitos comunes, el se habrn recalentado. Tambin punto de reposo, es decir, cuan- es conveniente verificar el elec-

Fig. 9

Fig. 11

Fig. 12

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Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

Fig. 13
Tabla 1 Potencia del amplificador NPN PNP BD136 BD138 BD140 BD234 BD330 TIP30 BD434 BD436 BD438 BD676 TIP32 BD678 TIP42 Vce 45 60 80 45 20 40 22 32 45 45(D) 40 60(D) 40

cerse fcilmente a partir de las sugerencias que damos en la tabla.

EQUIVALENCIAS Las equivalencias mostradas en la tabla 1, se dan para transistores en funcin de la potencia del amplificador y la tensin de la fuente.

hasta 5W.........................................BD135 .........................................................BD137 .........................................................BD139 de 5 a 10 watts ..............................BD233 .........................................................BD329 ..........................................................TIP29 de 10 a 15 watts............................BD433 .........................................................BD435 .........................................................BD437 de 15 a 25 watts............................BD675 ..........................................................TIP31 .........................................................BD677 ..........................................................TIP41

(D) Darlington Los valores dados son por canal. Para potencias mayores siempre es aconsejable usar los originales.

Mediciones que Requieren Precisin

l potencimetro es un instrumento para la medida de fuerzas electromotrices desconocidas o de una diferencia de potencial comparada en un todo o en parte con una diferencia de potencial conocida, producida por el flujo de una corriente conocida en una red circuital de caractersticas conocidas. Bsicamente estn constituidos por divisores resistivos de ten-

sin y una tensin estable y conocida con precisin, la que est dada por una pila patrn. Veamos un circuito simple, fig. 1, se logra la compensacin cuando un galvanmetro conectado en el circuito del elemento E no da desviacin alguna. Entonces la f.e.m. del elemento compensado es igual a la tensin U entre los puntos A y B. Si R es la resistencia existente entre dichos puntos, e I la inten-

Fig. 1

sidad de la corriente, se sigue IR = E (en volt). Ahora bien, esta ecuacin puede aprovecharse de diversos modos, por ejemplo, partiendo de E y R, se podra determinar la intensidad I, es decir: podra aprovecharse la conexin para contrastar un ampermetro, o bien, midiendo I y R determinar E. Sin embargo, en la medida de fuerzas electromotrices se procede generalmente as: se conectan sucesivamente el elemento a estudiar E y el normal de f.e.m. E, y se compensan. Entonces se obtienen dos ecuaciones: Ex = Ix . Rx y En = In . Rn de las cuales se deduce: Ex Ix . Rx = En In . Rn En la prctica se deja I o R constante durante las dos compensaciones y entonces se tiene:

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Captulo 10
Fig. 2
Ex Rx = En Rn Si el contacto C se encuentra despus de la primera compensacin en la divisin 1, y despus de la segunda, en la 1, las resistencias R y R, comprendidas entre los puntos de derivacin, sern proporcionales a las longitudes del hilo 1 y 1, es decir: Rx 1x = Rn 1n y, por consiguiente, se tendr tambin, Ex Ix = En In o sea: Ix Ex = . En In En este mtodo, ni la resistencia interna del acumulador E, ni 1 de las conexiones tienen influencia alguna, ya que intervienen en las frmulas. Supongamos que tenemos una pila patrn de 1,01874V, y en las medidas se ha encontrado que 1 = 84 cm y que 1 = 62 cm. Aplicando la ltima frmula tenemos: 84 Ex = . 1,01874 = 1,38023V 62

Ex Rx = En Rn tambin: Ex Ix = En In En el primer supuesto est fundado el mtodo de compensacin de Dubois-Reymond y en el segundo, el de Poggendorf. Finalmente, ambos mtodos pueden emplearse sucesivamente en una misma medida, como se hace con los aparatos de compensacin.

M
DE

TODO DE

COMPENSACI N DUBOIS-REYMOND

Los dos elementos, E y E, variando la resistencia colocada entre los puntos de derivacin y dejando constante la intensidad I de la corriente, deben compensarse uno despus del otro. Al variar la resistencia R no debe introducirse variacin alguna en la resistencia total del circuito A E B A, fig. 2. El modo ms cmodo para conseguir eso es efectuar la medicin con un puente de hilo, suponiendo que el punto de corredera sea el punto de derivacin. Desplazando el contacto vara la resistencia R, sin variar la resistencia total. Segn lo dicho, se conectar un elemento constante E, normalmente un acumulador, a los extremos del hilo calibra-

do, y se conecta el elemento a medir E o el normal E entre uno de los extremos del hilo y el contacto de corredera C. En el circuito de compensacin se conecta, adems, un galvanmetro GD y una resistencia de proteccin RA; desplazando el contacto C, los dos elementos se compensan. El cambio de E por E puede conseguirse por medio de un conmutador c. La corriente I, que pasa por el hilo en las dos posiciones del contacto, correspondientes a las dos compensaciones, debe ser la misma, porque las lecturas se hacen solamente cuando por el galvanmetro no pasa corriente. Segn lo dicho anteriormente, las dos fuerzas electromotrices E y E son proporcionales a las resistencias r y R, comprendidas entre los puntos de derivacin A y C o C, respectivamente; por tanto:

Fig. 3

153

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

M
DE TODO DE

COMPENSACI N POGGENDORF

En este mtodo se deja invariable la resistencia R entre los puntos de derivacin y la compensacin se efecta variando la intensidad de la corriente. Para ello se conecta entre dichos puntos una resistencia cuyo valor simplifique los clculos, por ej. de 1.000 ohm y en el circuito del acumulador una caja de resistencias de precisin (vea la figura 3 de la pgina anterior). Al compensar el elemento normal En, la Los resultados obtenidos por resistencia que se encuentra en el este procedimiento no son indecircuito principal ser: pendientes de la resistencia del acumulador E ni de las conexioE1 En nes, porque ellas se encuentran In = = incluidas en Rn y R. Sin embargo, Rn + R R cuanto mayor sea el valor de R, Al compensar E se ha obteni- tanto mayores habr que hacer do una resistencia r; conservando que sean los valores de Rn y R. Si la misma resistencia r de antes, se stos son lo bastante grandes, en comparacin con los de aquellas tendr: resistencias, puede despreciarse su influencia. Fig. 4 Estos mtodos tambin pueden utilizarse en la medida de corriente continua y de resistencias. En el caso de corriente lo que se hace es medir la cada de

tensin sobre una resistencia de bajo valor y de valor conocido con exactitud. Fig. 4. Las medidas de resistencia se Dividiendo ambas ecuaciones efectan por comparacin de obtenemos: tensiones, medidas con el potencimetro. Fig. 5. La resistencia a 1x Rn + R Ex medir se conecta en serie con = = una resistencia normal R, del misIn Rx + R En mo orden de magnitud y se enva por ambas una corriente de intende donde deducimos: sidad I adecuada. Rn + R Medimos con el potencimeEx = . En (volt) tro, la cada de tensin sobre caRx + R da una y obtenemos: U = IR y U = IR Dividiendo ordenadamente, deducimos: Ux Rx = Un Rn o sea Ux Rx = . Rn Un Como elemento indicador de equilibrio es necesario usar instrumentos de bobina mvil de muy alta sensibilidad; para ello se utilizan imanes muy potentes y bobinas mviles, suspendidas por medio de cinta tensa, para eliminar la friccin de los pivotes. Adems, en muchos casos se obtiene un aumento muy grande de la sensibilidad, si se reemplaza la aguja por un pequeo espejo, sobre el cual se proyecta un haz de luz, el que se refleja sobre una escala translcida. Esto es equivalente a una aguja de ms de un metro de longitud. Si bien no es probable que nos encontremos con estos tipos de instrumentos de medicin, y a pesar de ser mtodos desarrollados hace muchos aos, estos aparatos an se encuentran en uso en los laboratorios de grandes empresas y, si bien hoy es posible conseguir voltmetros digitales de seis cifras o siete, debemos tener en cuenta que no existe otra posibilidad que el potencimetro y la pila patrn para su calibracin.

E1 En Ix = = Rx + R R

Fig. 5

154

Captulo 10

Dispositivos Electrnicos de Memoria

DISPOSITIVOS DE MEMORIA

Fig. 1

A los elementos que permiten retener informacin para su posterior uso o reproduccin, se les llama dispositivos de memoria. En este sentido, cualquier medio que permita registrar informacin, como una hoja de papel, una tarjeta perforada, una cinta magntica, un disco compacto o un circuito electrnico son, por ese hecho, dispositivos de memoria. En la tecnologa electrnica, datos que le permiten a este r- te ligado al desarrollo de los sistelos dispositivos de memoria se gano vital tomar decisiones. mas de cmputo, aunque el pripueden clasificar en dos grupos: mer elemento de memoria conocido tena ms bien una funcin 1) Los que se utilizan para graAPLICACIONES DE LOS CIRCUITOS de control; nos referimos a las tarbar y reproducir informaci n de DIGITALES DE MEMORIA jetas de madera perforadas, un uso final. invento del francs J. Marie Jac2) Los que se emplean para En la electrnica moderna, los quard que permita controlar el grabar y reproducir informaci n circuitos de memoria cada vez patrn de tejido de los telares de uso intermedio. tienen mayor presencia. Se los mecnicos, y el cual data de aplica en computadoras, televi- 1805. En el primer grupo encontra- sores, videograbadoras, reproA finales del siglo XIX, el normos al disco compacto de audio ductores de CD, videojuegos, e teamericano Hermann Hollerith digital, al CD-ROM, a los video- incluso en lavadoras automti- aprovech el principio de tarjetas cassettes en sus diversas modali- cas, calculadoras de bolsillo y re- perforadas para manejar las cidades, al disco lser de video, lojes de cuarzo. Su funcin con- fras del censo de Estados Unidos etc. En el segundo grupo se inclu- siste en almacenar instrucciones, de 1890, tarea que pudo llevar a yen a las memorias electrnicas operaciones, resultados de ope- cabo en tan slo dos aos y meen circuito integrado, a los discos raciones aritmticas y lgicas, dio, cuando antes tomaba ocho duros de computadora, etc. etc., ya sea de manera temporal o ms aos. Con el paso del tiemY aunque sta no es una clasi- o definitiva, para luego reutilizar po, Hollerith particip en la creaficacin muy tcnica, la emplea- esta informacin en la ejecucin cin de la Computing Tabulating mos para distinguir entre el tipo de alguna instruccin subsecuen- Recording Company, empresa que de informacin de usuario pro- te. Fundamentalmente, la aplica- en 1957 dio origen a la Internatiopiamente dicha, de la informa- cin de circuitos de memoria tie- nal Business Machines Corporation, cin que se utiliza para apoyar la ne que ver con sistemas electr- mejor conocida por sus siglas: operacin de sistemas electrni- nicos donde se procesan datos, IBM. cos que procesan datos para un se toman decisiones lgicas, se A principios del siglo XX se dedeterminado fin. Por ejemplo, es lleva un control de determinados sarrollaron las primeras calculadistinta la informacin musical eventos, se guarda cierto estado doras elctricas, cuya operacin que se graba en un CD, de la in- de las cosas como referencia fu- se basaba en la apertura y cierre formacin correspondiente al sis- tura, etc. Es decir, se emplean en de un gran nmero de relevadotema operativo que se almacena registros de control y de almace- res, cada uno de los cuales funen los circuitos de memoria RAM namiento que apoyan el funcio- cionando como unidad de mede una computadora, aunque namiento de circuitos y subsiste- moria de un dato elemental. Ya en ambos casos se trate de datos mas especficos en computado- en los aos 40s, con la aparicin en forma de bits. ras, audio, video, sistemas de de la ENIAC, la primera computaDesde esta perspectiva, po- control, etc. (figura 1). dora completamente electrnidramos comparar a los dispositica, surgieron las primeras memovos que se emplean para grabar rias construidas con vlvulas de y reproducir informacin de uso NOTA HIST RICA vaco (bulbos). Pero como la inintermedio, con aquellas porcioformacin almacenada se pernes del cerebro humano que alEl surgimiento de los dispositi- da irremediablemente en cuanto macenan los recuerdos u otros vos de memoria est ntimamen- se apagaba la mquina, los da-

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Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

trada de datos, un sistema de direccionamiento de los datos hacia localidades de memoria especficas y un mtodo para recuperar o dar lectura a la informacin ya grabada. Para llevar a cabo estas funciones, es necesaria la presencia de tres buses independientes, pero que interacten estrechamente entre s: el bus de datos, el de direcciones y el de control. Vea en la figura 3 una explicacin grfica de para qu sirve cada uno de ellos. Por ejemplo para guardar un dato especfico en una memoria, la informacin correspondiente se coloca en el bus de datos, mientras que en el de direcciones se identifica la casilla especfica donde ser almacenada dicha informacin; por su parte, en el bus de control se indica qu se va a hacer con ese dato (guardarlo, dejarlo pasar, etc.) Una vez almacenada la informacin, sta permanece en dicha localidad de memoria tanto tiempo como est energizado el sistema, y si en un momento dado se desea leer los datos, simplemente en el bus de control se enva una orden de lectura, en el de direcciones la ubicacin de la casilla de inters, y la memoria coloca su informacin en el bus de datos. Este proceso puede repetirse millones de veces por segundo.

Fig. 2
tos se almacenaban en una cinta perforada de papel como un medio de memoria permanente. Es importante mencionar que los dispositivos de memoria tuvieron un impulso en su desarrollo, precisamente en los aos 40s, cuando se sent el modelo terico en el que se basaran los diseos de las computadoras. En efecto, en 1944 John Von Neumann propuso la idea de introducir en la memoria de trabajo de la mquina tanto el programa a ejecutar como los datos a procesar. Desarrollos posteriores permitieron disear memorias ms compactas , como la de anillos magnticos, basada en una red de conductores elctricos en forma de matriz, con sendos anillos de material ferromagntico en cada unin. Sin embargo, fue con el advenimiento de los transistores que se pudo disear una nueva generacin de memorias electrnicas, significativamente ms pequeas, con una mayor velocidad de respuesta y una operacin general mucho ms confiable. A fines de los aos 50s, con el desarrollo de la tecnologa planar por parte de la compaa Fairchild, fabricante de semiconductores, surgieron los primeros circuitos integrados, en los cuales se empaquet una gran cantidad de componentes en una sola pastilla de silicio con un encapsulado sencillo. Las capacidades actuales de los circuitos de memoria son realmente sorprendentes; por ejemplo, se han anunciado chips capaces de almacenar hasta 16 millones de bytes, lo que significa que un mdulo de 32MB de RAM se podra construir con tan slo dos de estos integrados; y todo parece indicar que los desarrollos en este campo seguirn por tiempo indefinido.

DE LAS

T CNICAS DE FABRICACI N MEMORIAS DIGITALES

Las tcnicas de fabricacin de las memorias digitales, no difieren sensiblemente de las que se utilizan en cualquier otro circuito integrado, incluidos los modernos microprocesadores. En efecto, se utiliza tecnologa MOS grabando millones de minsculos transistores en grandes obleas de silicio, utilizando para ello mtodos de fotograbado muy similares a los de la litografa (figura 2). Esto ha permitido la fabricacin de memorias de capacidad creciente sin que por ello su costo se incremente (al contrario, tiende a disminuir considerablemente); por lo tanto, en la actualidad podemos hablar fcilmente de sistemas de cmputo que poFig. seen varios millones de bytes de memoria instalada sin que eso implique un precio excesivo.

MEMORIAS DE LA FAMILIA ROM Las primeras memorias semiconductoras que se utilizaron fueron del tipo ROM (Read Only Memory o memoria de s lo lectura). Como su nombre lo indica, estos

C M O TRABAJA UNA MEMORIA DIGITAL Una memoria digital es un dispositivo que almacena estados lgicos, es decir, 1s y 0s. Para ello, requiere de un sistema de en-

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una tensin alta o baja (bit), dependiendo de si existe o no un diodo entre ambas lneas. cambios en los datos o en los programas de trabajo. Memorias UV-EPROM El desarrollo ms reciente en el terreno de las memorias digitales de la familia ROM, es un circuito capaz de ser programado y posteriormente borrado con extrema facilidad, pero no mediante un pulso elctrico (lo cual en ocasiones llega a destruir algunas celdas, dejando inutilizado por completo al chip), sino mediante una radiacin intensa de luz ultravioleta, de ah precisamente el nombre de UV-EPROM (Ultra-Violet Erasable PROM o PROM borrable por ultravioleta). Este tipo de memorias son las ms empleadas actualmente en aplicaciones donde se requiere un dispositivo de slo lectura, pero lo suficientemente flexible como para poder ser modificado el programa o los datos contenidos. Usted las puede identificar por una ventana en la parte superior, justamente por donde se expone al chip a las emisiones ultravioleta cuando va a ser borrada.

Fig. 4

dispositivos se disearon para almacenar datos que slo pueden ser ledos por el usuario, pero no modificados, lo cual resulta de gran utilidad en aparatos que siempre trabajan con las mismas rutinas o principios; de esta manera, el programa requerido para la operacin de los circuitos involucrados, se graba en una ROM para que el microprocesador lo ejecute sin variaciones. A su vez, dentro de la familia de memorias ROM se encuentran varias categoras. ROM, PROM, EEPROM y UV-EPROM. Memorias ROM Estrictamente hablando, stas fueron las ROM originales. Su caracterstica principal es que la informacin queda grabada por medios fsicos en la pastilla de silicio (por lo general, en forma de un diodo conectado a un par de lneas cruzadas). En la figura 4 se muestra la configuracin bsica de este elemento de memoria; observe que se trata de un arreglo resistencia-diodo en el que se almacena un dato, consistente de

Memorias PROM En este tipo de memorias se utiliza una configuracin similar a la anterior (resistencias y diodos), con la diferencia de que todos los diodos tienen asociado un fusible, el cual puede ser fundido mediante pulsos elctricos en las celdas convenientes, para definir el arreglo de unos y ceros correspondientes a la informacin que va a ser almacenada. Ver figura 5. Por esta capacidad de programaci n , a tales elementos se les conoce con el nombre de PROM (Programmable Read Only Memory o memoria de s lo lectura proFig. 5 gramable). Y no obstante que ofrecen un cierto grado de flexibilidad, una vez que estas memorias son programadas su informacin ya es permanente, quedando como una ROM convencional, lo cual es una desventaja cuando llega a cometerse algn error en el programa o llega a requerirse determinado cambio funcional, puesto que el circuito ya no puede reutilizarse. Memorias EEPROM El siguiente paso en el desarrollo de las memorias digitales, fue un elemento capaz de ser programado por el usuario, pero con la posibilidad de modificaciones posteriores en la informacin almacenada. A dicho elemento se le llam EEPROM, por las siglas de Electrically Eraseable PROM, o PROM borrable elctricamente. Como su nombre lo indica, este tipo de memorias estn constituidas por celdas cuya informacin digital puede ser grabada o borrada por el usuario mediante un pulso de tensin de caractersticas adecuadas, lo cual es una gran ventaja en actividades diversas donde se requiere hacer

MEMORIAS DE LA FAMILIA RAM Las memorias ROM satisfacen una buena parte de las necesidades de tipo informtico y electrnico, pero no todas, especialmente aqullas en las que se requiere almacenar datos o un programa de manera temporal. Precisamente, las memorias que cubren esta necesidad son las RAM (Random Access Memory o memoria de acceso aleatorio), de las cuales existen diversas categoras, a saber: SRAM, DRAM, VRAM y NOVRAM. En una memoria RAM es posible escribir, leer, modificar y borrar informacin cuantas veces se requiera, sin necesidad de recurrir a tcnicas especiales y en tiempo real , o sea, sin tener que retirar el circuito para volverlo a programar, como sucede con las ROM. La nica desventaja derivada de su propia flexibilidad, es que slo puede servir de almacn de datos binarios si se encuentra energizada (con su ten-

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Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

sin de alimentacin convenientemente aplicado), de tal manera que si se produce un fallo de energa la informacin se pierde irremediablemente, lo que no pasa con las ROM. da y otro para los de salida, permitiendo as que una porcin de la memoria realice la funcin de lectura al tiempo que otra lleva a cabo la funcin de escritura. Este tipo de memorias se utilizan especialmente en computadoras y otros sistemas donde es necesario el manejo de video digitalizado, ya que en dichas funciones se requiere una alta velocidad en la transmisin de datos; y como es muy costosa la fabricacin de memorias convencionales capaces de trabajar a tales velocidades, los diseadores prefieren aprovechar el recurso de doble bus. el propio microcontrolador o alojados de manera externa. En audio y video, el uso de memorias tanto del tipo ROM como del tipo RAM es intensivo. Las primeras almacenan informacin que nunca vara, mientras que en las del segundo tipo se almacenan datos que, por su naturaleza, deben variar; por ejemplo, c m o es que un radio digital recuerda la ltima estaci n en que estaba sintonizada al momento de apagar el aparato? Esto se logra precisamente por el uso de memorias RAM que graban los datos de la estacin sintonizada, para lo cual una batera o condensador de respaldo la mantiene alimentada mientras el equipo est apagado. Por lo tanto, cuando nos enfrentemos a un radio, un televisor o cualquier otro aparato que cada vez que es apagado olvida la informacin previa, lo ms probable es que se trate de algn problema en el dispositivo de respaldo a la alimentacin de la memoria RAM. Pero existen casos especiales que deben mencionarse, debido a que se han convertido en un problema para muchos tcnicos en electrnica. Quien se dedica a esta actividad, seguramente ya est familiarizado con la nueva generacin de televisores, videograbadoras y equipos modulares, en los que se les han eliminado por completo los tradicionales ajustes por potencimetros, reemplazndolos por ajustes digitales realizados ya sea con el control remoto o con el teclado del panel frontal. Pues bien, todos estos ajustes suelen almacenarse en una memoria del tipo EEPROM, en la que se graba un nuevo valor que cada vez que se modifica un ajuste, informacin que permanece aun si se apaga el equipo o es desconectado de la lnea de alimentacin. Sin embargo, en el caso de los televisores, como se manejan altas tensiones, este tipo de memorias con frecuencia resultan daadas, perdiendo su informacin o modificando algn parmetro fuera de sus lmites de operacin normal.

Memorias SRAM SRAM corresponde a las siglas de Static RAM o RAM est tica. Este es un tipo de memoria que almacena la informacin suministrada durante todo el tiempo de operacin del sistema, sin necesidad de confirmacin o refrescamiento de ella. Este tipo de memorias se utiliza en muy diversas aplicaciones, sobre todo aquellas en las que la falta de energa o la Memorias NOVRAM rapidez de respuesta sean factoNOVRAM corresponde a las sires crticos (las memorias tipo SRAM son significativamente ms glas de No-Volatile RAM o RAM no rpidas que las DRAM). vol til. Su principal caracterstica es que combinan el comportaMemorias DRAM miento dinmico de una RAM DRAM corresponde a las siglas con la rigidez elctrica de una de Dinamic RAM o RAM din mica. ROM; esto es, ofrecen la funcin Es un tipo de memoria que com- de escritura con la posibilidad de parte muchas caractersticas con retener la informacin almacela SRAM, aunque en este caso s nada una vez que es suspendido se requieren pulsos de refresco el suministro de energa elctrica, para confirmar constantemente con la opcin posterior de modifila informacin almacenada en car los datos una y otra vez. Este tipo de memorias se utilizan en sus celdas. La caracterstica principal de muchos aparatos electrnicos de estas memorias es, adems de su consumo, tal es el caso de algunecesidad de pulsos de refres- nas marcas y modelos de televisoc o , su baja necesidad de transis- res, que a pesar de permanecer tores para construirlas; slo como apagados y desconectados por referencia, para almacenar un un tiempo prolongado, al conecsolo bit con una memoria tipo tarlos y encenderlos nuevamente SRAM es necesario utilizar seis recuerdan el canal en que estatransistores, mientras que para ban sintonizados y el volumen figuardar el mismo bit en una me- nal al que se apag el aparato. moria tipo DRAM slo se necesita Esto se logra guardando toda esun transistor; por tal razn, este ti- ta informacin precisamente en po de memoria RAM es la ms una memoria NOVRAM. empleada en aplicaciones donde se requieran cantidades signiMEMORIAS EN EQUIPOS ficativas de memoria. DE AUDIO Y VIDEO Memorias VRAM Todos los equipos modernos VRAM corresponde a las siglas de Video RAM o RAM de video. Es de audio y video incluyen sisteun tipo de memoria que trabaja mas digitales, ya sea para el conde manera idntica a las memo- trol de funciones, la activacin de rias DRAM, con la diferencia de bloques de circuitos o para el moque en lugar de utilizar un solo bus vimiento de mecanismos compara la escritura y lectura de da- plejos, etc. A su vez, como base tos (a fin de ahorrar costos de en- de los microcontroladores, estn capsulado) disponen de un bus los circuitos de memoria, que exclusivo para los datos de entra- pueden estar interconstruidos en

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MEMORIAS EN COMPUTADORAS PC Por su funcin en una computadora PC, los tipos de memoria que podemos encontrar son: RAM Siempre que se habla genricamente de la memoria RAM de un sistema, se est hablando especficamente de aquella memoria que ser utilizada como medio de almacenamiento temporal principal para el microprocesador. Es decir, el lugar donde las aplicaciones y los archivos de trabajo se cargan desde disco duro y quedan a disposicin del CPU para su utilizacin inmediata. A este tipo de memoria tambin se le llama DRAM o RAM dinmica, debido a que para mantener su informacin por perodos prolongados de tiempo, es necesario aplicar unos pulsos de refresco peridicamente, ya que de lo contrario los bits se desvaneceran. Cach Se llama as a un pequeo bloque de memoria de rpido acceso, que sirve como puente entre una memoria RAM lenta y un microprocesador rpido. Esta memoria es muy costosa, y de forma tpica un sistema tiene tan slo entre 256 y 512kB de cach. A este tipo de memoria tambin se le denomina SRAM, siglas de Static RAM o RAM esttica; y su diferencia principal con la RAM comn es que esta memoria no necesita de pulsos de refresco peridicos para mantener su informacin. CMOS-RAM Se trata de un tipo de memoria RAM construida con una tecnologa especial, tpica por su bajsimo consumo de potencia. Este bloque se aadi a la plataforma PC a partir del estndar AT, donde se introdujo un reloj de tiempo real, adems de la utilera de Setup o configuracin, la cual tambin debe mantenerse al cortar la alimentacin. Esta memoria se mantiene con energa de forma permanente gracias a una pequea batera recargable o a una pila de litio, que le enva energa mientras la computadora Fig. 2 est apagada.

ROM Memoria de slo lectura, donde se almacenan las rutinas bsicas de entrada y salida (el BIOS), adems de las pruebas y cdigos POST. La caracterstica principal de este tipo de memoria es que pueden mantener por tiempo indefinido una informacin, incluso despus de que se ha retirado la Memoria de video alimentacin al sistema; lo cual la Desde la aparicin del estnhace idnea para guardar informacin que por su naturaleza no dar VGA, fue necesario incorporar a la tarjeta encargada del precise cambios. despliegue una cierta cantidad Memoria Flash de RAM, para facilitar el manejo Este es un nuevo desarrollo de los grficos en el monitor, al que ha permitido la produccin tiempo que se descarga a la mede una memoria que para fines moria principal del trabajo de prcticos se comporta como una manejar los datos de video. Esta RAM y una ROM al mismo tiempo; memoria se encuentra adosada esto es, puede variarse la infor- en la tarjeta respectiva, y de formacin que contiene, pero es ma tpica encontramos desde capaz de mantenerla incluso 256kB hasta las modernas tarjetas cuando se ha retirado la alimen- con 2,4MB o ms de RAM de vitacin al sistema. deo.

Scorpion 2: Microtransmisor de FM de Gran Alcance

on muy conocidos los circuitos transmisores de FM de reducido tama o, utilizados como elementos de vigilancia (esp a), los cuales deben tener un alcance considerable y estabilidad en frecuencia aceptable. Sin embargo, estos dispositivos suelen emplear circuitos integrados que a veces no son f ciles de conseguir. Presentamos un transmisor que combina las caracter sticas del Scorpion , publicado en la revista Saber Electr nica N 1, con las del Tx de FM de Saber Electr nica N 102, lo que da como resultado un aparato confiable y de bastante buena estabilidad, con un alcance promedio de 70 metros. En la revista Saber Electrnica

N 1 se public el microtransmisor Scorpion , un circuito que puede armarse dentro de una caja

de fsforos y que tiene un alcance de unos 50 metros. Luego, en Saber N 102 dimos el circuito de

Fig. 1

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Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

un transmisor que puede ser empleado en conferencias, como micrfono sin cables con etapa mezcladora. En este tomo brindamos el esquemtico de un micrfono de FM que pueda transmitir a distancia diferentes fuentes de seal, como si fueran varios micrfonos direccionales, cercanos a nuestro microtransmisor, que apuntan a diferentes ngulos con el objeto de cubrir los 360 de una habitaci n . El circuito es muy sencillo y puede incluir ms fuentes de seal. Slo basta con ampliar el esquema de la figura 1, con el agregado de tantos conectores, potencimetros y resistencias como sean necesarias (siempre respetando el esquema propuesto). La bobina L1 consiste en 4 espiras de alambre esmaltado de 0,5 mm de dimetro, bobinadas sobre una forma de 1 cm sin ncleo. El trimer Cv puede tener capacidades mximas comprendidas entre 30 y 80pF (trimer comn). El potencimetro conectado en el colector de Q1 permite ajustar el nivel de modulacin, en funcin de las fuentes de seal. Dicho componente debe ajustarse para que no existan distorsiones e interferencias que puedan perjudicar la calidad de la transmisin. Por otra parte, el potencimetro conectado entre colector de Q1 y la etapa mezcladora, permite regular el nivel de realimentacin con el objeto de asegurar macin. Dicho transistor cumple las funciones combinadas de modulador y amplificador de RF. Si posee dificultades en conseguir una oscilacin estable, puede bajar el valor de C8 e, incluso, retirarlo del circuito. Construido el aparato, se debe colocar una antena formada por un cable de unos 10 cm de largo y se debe proceder al ajuste, se variar la posiFig. 2 cin de Cv hasta captar la seal en un sintouna oscilacin estable para la fre- nizador, en la frecuencia. cuencia con que se ajuste el transmisor. Cabe aclarar que este circuito fue probado en toda la banda LISTA DE MATERIALES de FM comercial, para obtener el mejor desempeo en frecuencias Q1 - BC548C - Transistor NPN. cercanas a los 85MHz. Para fre- Q2 - BF494B - Transistor NPN de RF. cuencias del orden de los P2 - Pot. logar tmicos de 100k 100MHz, la mejor estabilidad se R2 - 100k consigui cuando la bobina L1 R5 - 1M5 tena 3 vueltas y media bobina- R6 - 1k das sobre una forma de cartn R7 - 33k de 1 cm de dimetro (en realidad R8 - 18k sin forma) con una longitud total R9 47 de 7 mm. R10 - Pot. de 2M2 Si la transmisin es ruidosa , P5 Pot.de 10k conviene retocar el valor de C7, L1 - Ver texto se colocar, en su lugar, otro C1 - 220nF componente de 22nF. C2 - 10 F x 12V El funcionamiento del circuito C3 - 10 F x 12V es sencillo; las diferentes fuentes C4 - 4,7nF - Poli ster. de seal se aplican a la base del C5 - 4,7nF NPO transistor Q1 con un nivel que C6 - 100nF - Cer mico puede ajustarse por medio de C7 - 10nF - Poli ster cada potencimetro de entrada. C8 - 1nF - Poli ster (opcional) Q1 cumple la funcin de am- Cv - Trimer com n de 80pF plificar y ecualizar las seales entrantes para ser aplicadas al tran- Varios sistor BF494B que cumple la fun- Placas de circuito impreso, gabicin de generar la portadora que nete para montaje, estao, caser modulada en FM por la infor- bles, etc. *******************

Es una publicacin de Editorial Quark, compuesta de 24 fascculos, preparada por el Ing. Horacio D. Vallejo, contando con la colaboracin de docentes y escritores destacados en el mbito de la electrnica internacional. Los temas de este captulo fueron escritos por Horacio Vallejo y la colaboracin de Leopoldo Parra Reynada.

Editorial Quark SRL - Herrera 761, (1295), Bs. As. - Argentina - Director: H. D. Vallejo

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