nen terenneeeenee ett MAKRON Books Capitulo 2 Diodos Semicondutores de Poténcia 24 INTRODUCGAO Os diodos semicondutores de poténcia tém um papel significative nos circuitos de eletrénica de poténcia. Um diodo age como uma chave para realizar varias fungdes, tais como: chaves em retificadores, comutagao em reguladores chaveados, inversao de carga fem capacitores e transferéncia de energia entre componentes, isolagio de tensfo, reali- mentagio de energia da carga para a fonte de alimentagio e recuperacio da energia armazenada, Os diodos de poténcia podem ser considerados chaves ideais na maioria das aplicagdes, mas os diodos priticas diferem das caracteristicas ideais e tém certas limita- ‘bes. Os diodlos cle poténcia sSo similares aos diodos de sinal de jungio pr. Entretanto, 0 diodos de poténcia t&m maiores capacidades de poténcia, tensio e corrente que 0s diodos comuns de sinal, A resposta em freqiiéncia (ou velocidade de chaveamento) & baixa se comparada a dos diodos de sinal. 2.2 CURVAS CARACTERISTICAS DOS DIODOS Um diodo de poténcia & um dispositive de jungdo pu de dois terminais, e esta juncio & normalmente formada por fusio, difusio e crescimento epitaxial. As técnicas de controle modernas em difusio e processos epitaxiais permitem obter as caracteristicas desejadas do dispositivo. A Figura 2.1 mostra uma vista transversal de uma juncio pr e 0 simbolo de um diodo.24 Eleteénicn de Potincia ~Cirewitos, Dispsii jes Cap.2 Avado[J,[catodo Anode py Catodo Figura 21 Vv . o Jango puesimbolo de um diode. a ae i +H (a) tungao pn (6) Simbalo do dos Quando 0 potencial de anodo é positive em relagio a0 catodo, diz-se que 0 diodo esté diretamente polarizado e conduz. Um diodo em condugao tem uma queda de tensio no sentido direto relativamente pequena sobre ele; e a amplitude dessa queda depende do processo de fabricagio e da temperatura da juncio. Quando o potencial de catodo & positivo em relagio ao anodo, 0 diodo esta reversamente polarizado. Sob condigdes de polarizagio reversa, uma pequena corrente reversa (também conhecida como corrente de fzga, do inglés leakage current) na faixa de micro a miliampéres flui e esta corrente de fuga aumenta lentamente em amplitude com a tensio reversa até que a tensio de avalanche, ou tensio Zener, 6 atingida. A Figura 2.2a mostra as curvas carac- teristicas 2-1 em regime permanente de um diodo, Para a maioria dos propdsitos priticos, um diodo pode ser considerado uma chave ideal, cujas curvas carac- teristicas s30 mostradas na Figura 2.2b, Figura 22 : Curva caracterstica oi de sum diodo. Coens teluge (a)Priteo (ey tdeat As curvas caracteristicas »-i mostradas na Figura 2.2a podem ser expressas pela ‘equagio conhecida como equacio do diodo Schockley, que é dada por Ip = te¥™”""" = 1) en fem que Ip = corrente através do diodo, em A Vp = tensio do diodo, com 0 anodo positive em relagdo ao catodo, em VCap.2 Dios semicondutores de poteneia 25 1k = corrente de fuga (ou de saturagio reversa),tipicamente na faixa de 10°* a wa constante empitica conhecida como cnefciente de emiss dade, cujo valor varia de 1 a2. ‘ou fator de ideal © coeficiente de emissdo m depende do material e da construgio fisica do diodo, Para diodos de germanio, » é considerado como 1. Para diodos de silicio, a expectativa do valor de € de 2, mas para a maioria dos diodos praticos, 0 valor de 1 esta na faixa de 1,1 als. Vy na Eq, (21) ¢ uma constante chamada fensiv térmica (do inglés thermal voltage) e é dada por xr Vr= 2.2) cea 22) fem que q ~ carga do elétron: 1,6022 « 10°" coulomb (C) T= temperatura absoluta em kelvin (K = 273 + °C) k= constante de Boltzmann: 13806 x 10779)/K Na temperatura da jungdo de 25°C, a Bg. (2.2) dt KT _ 1,3806 x 10°? x (273 + 25) Vr= tk 4 1,6022 x 10 = 58mV ‘A uma temperatura especifica, a corrente de fuga J, € uma constante para um dado diodo. As curvas caracteristicas do diodo da Figura 2.2a podem ser divididas em trés regides: regio de polarizacao direta, onde Vy > 0; regio de polarizacao reversa, onde Vp) < 0; regiao de ruptura reversa, onde VD < -Vz5. Regido de polarizacao direta. Na regio de polarizagio direta, Vp > 0,.A corrente do diodo Ip ser muito pequena se a tensdo do diodo Vp for menor que um valor especifico Vrp (tipicamente 0,7 V). 0 diodo conduziré plenamente se Vo for maior que esse valor Vrp, que é referido como tensio de limiar (do inglés threshold voltage) ou fensao de corte (do inglés cut-in zoltage) ou tensi de ligamento (do inglés turn-on voltage), Assim, a tensio de limiar é aquela na qual o diodo conduz. completamente. Considerar uma pequena tensio no diodo Vp = 0,1V, = Le Vz = 258m. A partir da Eq, (2.1) pode-se encontrar a corrente correspondente do diodo Ip como