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Fisica Cuantica

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Apuntes de apoyo a la asignatura

COMPLEMENTOSdeFÍSICA

E.T.S. de Ingeniería Informática

UNIVERSIDAD DE SEVILLA

Francisco L. Mesa Ledesma

II

Copyright ©2002 by Francisco L. Mesa Ledesma; esta información
puede ser copiada, distribuida y/o modificada bajo ciertas condicio-
nes, pero viene SIN NINGUNA GARANTÍA;ver la Design Science
License
para más detalles.

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"Work"shall mean such an aforementioned work. The License also applies to the output of the Work, only if said output constitutes a "derivative work.o

f the

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source file is the Source Data; if the Work is an MPEG 1.0 layer 3 digital audio recording made from a WAV format audio file recording of an analog source, then
the original WAV file is the Source Data; if the Work was composed as an unformatted plaintext file, then that file is the Source Data; if the Work was composed
in LaTeX, the LaTeXfile(s) and any image files and/ or custom macros necessary for compilation constitute the Source Data.)
.Author"shall mean the copyright holder(s) of the Work.
The individual licensees are referred to as 2

ou."

2. RIGHTS AND COPYRIGHT.
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3. COPYING AND DISTRIBUTION.
Permission is granted to distribute, publish or otherwise present verbatim copies of the entire Source Data of the Work, in any medium, provided that full
copyright notice and disclaimer of warranty, where applicable, is conspicuously published on all copies, and a copy of this License is distributed along with the
Work.
Permission is granted to distribute, publish or otherwise present copies of the Object Form of the Work, in any medium, under the terms for distribution of
Source Data above and also provided that one of the following additional conditions are met:
(a) The Source Data is included in the same distribution, distributed under the terms of this License; or
(b) A written offer is included with the distribution, valid for at least three years or for as long as the distribution is in print (whichever is longer), with a
publicly-accessible address (such as a URL on the Internet) where, for a charge not greater than transportation and media costs, anyone may receive a copy of
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4. MODIFICATION.
Permission is granted to modify or sample from a copy of the Work, producing a derivative work, and to distribute the derivative work under the terms
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(a) The new, derivative work is published under the terms of this License.
(b) The derivative work is given a new name, so that its name or title cannot be confused with the Work, or with a version of the Work, in any way.
(c) Appropriate authorship credit is given: for the differences between the Work and the new derivative work, authorship is attributed to you, while the material
sampled or used from the Work remains attributed to the original Author; appropriate notice must be included with the new work indicating the nature and
the dates of any modifications of the Work made by you.
5. NO RESTRICTIONS.
You may not impose any further restrictions on the Work or any of its derivative works beyond those restrictions described in this License.
6. ACCEPTANCE.
Copying, distributing or modifying the Work (including but not limited to sampling from the Work in a new work) indicates acceptance of these terms. If you
do not follow the terms of this License, any rights granted to you by the License are null and void. The copying, distribution or modification of the Work outside
of the terms described in this License is expressly prohibited by law.
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7. NO WARRANTY.
THE WORK IS PROVIDED .AS IS,.AND COMES WITH ABSOLUTELY NO WARRANTY, EXPRESS OR IMPLIED, TO THE EXTENT PERMITTED BY APPLI-
CABLE LAW, INCLUDING BUT NOT LIMITED TO THE IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY OR FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE.
8. DISCLAIMER OF LIABILITY.
IN NO EVENT SHALL THE AUTHOR OR CONTRIBUTORS BE LIABLE FOR ANY DIRECT, INDIRECT, INCIDENTAL, SPECIAL, EXEMPLARY, OR CON-
SEQUENTIAL DAMAGES (INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, PROCUREMENT OF SUBSTITUTE GOODS OR SERVICES; LOSS OF USE, DATA, OR
PROFITS; OR BUSINESS INTERRUPTION) HOWEVER CAUSED AND ON ANY THEORY OF LIABILITY, WHETHER IN CONTRACT, STRICT LIABILITY,
OR TORT (INCLUDING NEGLIGENCE OR OTHERWISE) ARISING IN ANY WAY OUT OF THE USE OF THIS WORK, EVEN IF ADVISED OF THE POSSI-
BILITYOF SUCH DAMAGE.
END OF TERMS AND CONDITIONS

Apuntes de CF

FLML

Prefacio

La presente colección de notas sobre Física Cuántica y Física del
Estado Sólido pretende ser una ayuda al estudiante en la asignatu-
ra cuatrimestral Complementos de Física de la E.T.S. de Ingeniería In-
formática de la Universidad de Sevilla. Aunque estas notas han sido
inspiradas por diversas fuentes (permítaseme destacar y agradecer la
importante contribución de los profesores de la ETS de Ingeniería In-
formática del Departamento de Física Aplicada 1 de la Universidad de
Sevilla), cualquier defecto o error sólo es atribuible al autor de estos
apuntes. Es importante resaltar que estas notas no pueden ni deben
sustituir a otros textos más elaborados sobre la materia.

El objetivo principal de la materia presentada es dotar al alumno
de algunos de los fundamentos físicos elementales en los que se basa
el funcionamiento de los dispositivos y sistemas usados en Informá-
tica. Gran parte de la tecnología actual de los computadores se basa
en la Electrónica. Dado que la Electrónica consiste básicamente en el
control del flujo de los electrones en materiales conductores y semi-
conductores, es evidente la necesidad de estudiar el comportamiento
de dichos electrones en metales y semiconductores. Este estudio se
llevará a cabo mediante una serie de temas introductorios de Física
Cuántica y Atómica donde se presentan las propiedades fundamen-
tales de las partículas cuánticas. Posteriormente se analiza el compor-
tamiento de los electrones en metales y semiconductores, para lo cual
debemos considerar sus características cuánticas y estadísticas. Final-
mente, estudiaremos el comportamiento de la unión p-n puesto que
es la base de multitud de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos
usados en la tecnología de los computadores.

FRANCISCO L. MESA LEDESMA
Sevilla, febrero de 2001

III

IV

Apuntes de CF

FLML

Índice general

1. Fundamentos de Física Cuántica

1

1.1. Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.2. Cuantización de la radiación . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.2.1. Espectros ópticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.2.2. Efecto fotoeléctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.3. Dualidad de la radiación . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.4. Modelo atómico de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

1.5. Dualidad de la materia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

1.5.1. Hipótesis de De Broglie . . . . . . . . . . . . . . 15

1.5.2. Verificación experimental . . . . . . . . . . . . . 17

1.5.3. Naturaleza de la onda . . . . . . . . . . . . . . . 19

1.6. Principio de Heisenberg . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

1.6.1. Principio de incertidumbre
posición/ momento . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

1.6.2. Principio de incertidumbre energía-tiempo . . . 24

1.7. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

2. Ecuación de Schrödinger. Aplicaciones

29

2.1. Ecuación de Schrödinger . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

2.2. Partícula ligada. Cuantización . . . . . . . . . . . . . . . 32

2.2.1. Partícula Libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

2.2.2. Pozo potencial infinito monodimensional . . . 33

2.2.3. Pozo de potencial tridimensional . . . . . . . . 36

2.3. Efecto túnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

2.4. Átomos hidrogenoides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

2.4.1. Números cuánticos . . . . . . . . . . . . . . . . 40

2.4.2. Spin del electrón . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

V

VI

ÍNDICE GENERAL

2.5. Tabla periódica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

2.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

3. Materia Condensada

51

3.1. Estados de Agregación de la Materia . . . . . . . . . . . 51

3.2. Gas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

3.3. Monocristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

3.4. Estructuras reticulares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

3.4.1. Redes de Bravais . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

3.4.2. Parámetros de la estructura reticular . . . . . . . 58

3.5. Observación de las estructuras cristalinas . . . . . . . . 60

3.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

4. Electrones libres en metales

63

4.1. Fenomenología . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

4.2. Modelo clásico del electrón libre . . . . . . . . . . . . . 65

4.2.1. Hipótesis básicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

4.2.2. Dependencia con la temperatura . . . . . . . . . 68

4.2.3. Fallos del modelo de Drude . . . . . . . . . . . . 69

4.3. Modelo cuántico del electrón libre . . . . . . . . . . . . 69

4.3.1. Función densidad de estados . . . . . . . . . . . 70

4.3.2. Distribución de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . . 70

4.3.3. Conducción eléctrica . . . . . . . . . . . . . . . . 73

4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld . . . . . . . . 74

4.4. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

5. Electrones en una red periódica

77

5.1.Modelo cuántico del electrón ligado . . . . . . . . . . . . . 77

5.1.1. Aproximación de fuerte enlace . . . . . . . . . . 79

5.1.2. Bandas de energía . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

5.2. Aislantes, Semiconductores y Conductores . . . . . . . 84

5.3. Masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86

5.4. Huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90

5.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92

6. Bandas de Energía en Semiconductores

95

Apuntes de CF

FLML

ÍNDICE GENERAL

VII

6.1. Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95

6.2. Generación y recombinación de electrones y huecos . . 96

6.3. Semiconductores Intrínsecos . . . . . . . . . . . . . . . . 98

6.3.1. Descripción cualitativa . . . . . . . . . . . . . . . 98

6.3.2. Probabilidad de ocupación de electrones y huecos100

6.3.3. Posición del nivel de Fermi para semiconducto-
res
intrínsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100

6.3.4. Función densidad de estados para electrones y
huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100

6.3.5. Distribución energética de huecos y electrones . 103

6.4. Semiconductores Extrínsecos . . . . . . . . . . . . . . . 105

6.4.1. Semiconductor tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . 105

6.4.2. Semiconductor tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . 106

6.4.3. Distribución energética de huecos y electrones . 107

6.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108

7. Portadores de carga en Semiconductores

111

7.1. Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

7.2. Concentración de electrones y huecos . . . . . . . . . . 111

7.2.1. Ley de acción masas . . . . . . . . . . . . . . . . 114

7.3. Compensación y Neutralidad de la carga
espacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

7.3.1. Cálculo aproximado de n y p . . . . . . . . . . . 117

7.3.2. Cálculo de EF para semiconductores intrínsecos
y extrínsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118

7.4. Conductividad eléctrica en semiconductores . . . . . . 120

7.5. Corrientes de Arrastre y Difusión . . . . . . . . . . . . . 122

7.5.1. Proceso de difusión . . . . . . . . . . . . . . . . . 122

7.5.2. Corriente de difusión . . . . . . . . . . . . . . . 123

7.5.3. Corriente total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124

7.5.4. Campo eléctrico interno . . . . . . . . . . . . . . 125

7.6. Velocidad de generación y recombinación . . . . . . . . 128

7.7. Ecuación de continuidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130

7.7.1. Ecuación de difusión . . . . . . . . . . . . . . . 132

7.7.2. Inyección constante de portadores . . . . . . . . 133

FLML

Apuntes de CF

VIII

ÍNDICE GENERAL

7.8. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134

8. Unión p-n

137

8.1. Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137

8.2. Unión p-n en equilibrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138

8.2.1. Potencial de Contacto . . . . . . . . . . . . . . . 138

8.2.2. Región de carga espacial . . . . . . . . . . . . . . 141

8.3. Unión p-n polarizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143

8.3.1. Descripción cualitativa de las corrientes en la unión143

8.3.2. Ecuación del diodo. Cálculo simplificado . . . . 147

8.4. Láser Semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151

8.4.1. Propiedades eléctricas . . . . . . . . . . . . . . . 152

8.4.2. Propiedades ópticas . . . . . . . . . . . . . . . . 154

8.4.3. Estructura del láser semiconductor . . . . . . . . 158

8.5. Aplicaciones del Láser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161

8.5.1. Aplicaciones del Láser de Inyección . . . . . . . 162

8.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165

A. Constantes fundamentales

167

B. Energía y longitud de onda de una partícula relativista 169

C. Promedios estadísticos

171

C.1. Sistemas Discretos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171

C.2. Sistemas Continuos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172

D. Propiedades de algunos materiales semiconductores

173

E. Invarianza del nivel de Fermi en equilibrio

175

Apuntes de CF

FLML

Capítulo 1

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