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Fisica Cuantica

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Según ya vimos en temas anteriores, para un metal la conductivi-
dad eléctrica venía dada por

σ = eµn ,

siendo su dependencia con la temperatura del tipo σ ∝ T−1

. Esta de-
pendencia con la temperatura provenía básicamente de la movilidad
puesto que la concentración de electrones en la banda apenas variaba
con la temperatura1

.

En un semiconductor, debido a la presencia de dos tipos de porta-
dores de carga, la conductividad eléctrica debía expresarse como

σ = e(nµn + pµp) ,

1

Recuérdese que en un metal n apenas variaba con T dado que el cambio de la
situación energética de los electrones en la banda debido a la excitación térmica era
muy pequeño con respecto a la situación existente a T = 0K.

Apuntes de CF

FLML

7.4. Conductividad eléctrica en semiconductores

121

encontrándose experimentalmente una dependencia con la tempera-
tura tal que existe una relación lineal entre el ln σ y el inverso de la
temperatura,1/ T. A continuación veremos que esta dependencia pue-
de ya explicarse a partir de las expresiones obtenidas anteriormente en
el tema.

SemiconductorIntrínseco

Dado que en este caso n = pni, (7.1) puede reescribirse como

σ = en + µp)ni .

(7.29)

En los semiconductores (y al contrario de lo que ocurre en los
metales),la conductividad muestra una dependencia con la tem-
peratura tanto en las movilidades como en la concentración in-
trínseca. Al sustituir (7.16) en (7.29) obtenemos que

σ = en + µp) NCNV exp

Eg
2kBT

.
Para las movilidades se encuentra una dependencia con la tem-
peratura del tipo T−3/ 2

y dado que√NCNV, según (7.8) y (7.10),

muestra una dependencia del tipo T3/ 2

, ello implica que la con-

ductividad puede finalmente escribirse como

Conductividad eléctrica de un se-
miconductor intrínseco

σ = σ0 exp

Eg
2kBT

,

(7.30)

donde σ0 es una constante que sólo depende de los parámetros
del material pero no de la temperatura. Esta expresión expli-
ca satisfactoriamente los resultados experimentales encontrados
anteriormente y muestra que la conductividad en los semicon-
ductores intrínsecos es altamente dependiente del valor de la
anchura de la banda prohibida y de la temperatura de trabajo.
Esto último nos indica que los semiconductores intrínsecos de-
ben operar en unas condiciones de temperatura controlada para
evitar que las propiedades de los dispositivos se vean muy afec-
tadas.

SemiconductorExtrínseco

El estudio de la conductividad eléctrica en los semiconductores
extrínsecos es más complicada que en los intrínsecos, por lo que
no abordaremos su estudio. No obstante, podemos resaltar que
ese estudio nos daría la dependencia que muestra la figura ad-
junta para el ln σ con el inverso de la temperatura, 1/ T. Dado
que los semiconductores extrínsecos se comportan como los in-
trínsecos a altas temperaturas, la figura muestra a temperaturas
altas (parte izquierda de la gráfica) la misma pendiente que para
el caso intrínseco. A temperaturas no tan altas, ln σ muestra el
mismo tipo de comportamiento aunque con otra pendiente.

FLML

Apuntes de CF

122

Capítulo 7. Portadores de carga en Semiconductores

EJEMPLO 7.5 Cálculo de la conductividad eléctrica para el Si a T = 300K y
T = 500K, siendo µn = 1350cm2

/ V·s y µp = 480cm2

/ V·s.

Teniendo en cuenta el resultado del ejemplo 7.1, al sustituir en la expre-
sión (7.29), llegamos a que

σ(T = 300K) = 1,6×10−19

(0,135+0,048)1,42×1015

= 4,15×10−5

(Ω·m)−1

.

Para calcular la conductividad a T = 500K, suponemos que la variación
más notable con la temperatura se debe únicamente a la dependencia en la
exponencial, por lo que podemos escribir que

σ(T = 500K)

σ(T = 300K) = exp

1,1
2·8,625×10−5

1

500 − 1

300

≈4927

y, por tanto,

σ(T = 500K)≈0,2(Ω·m)−1

.

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