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Clase 3-4

EES.
Luis A Ramírez P
17.811.609
Nº 29
Bandas de energía en los
sólidos
Modelo de KRONIG-PENNEY
En física del estado solido, el
modelo de Kronig-Penney,
formulado por los físicos Ralph
Kroning y William George Penney,
describe los estados de energía de
un electrón perteneciente a un
cristal. Para esto supone que la
estructura cristalina configura un
potencial periódico, de cambios
Siguiendo el modelo de Kronig-Penney , el
siguiente gráfico representaría la función
potencial de un átomo aislado.

En la figura, X representa la posición sobre


un eje que pasa por el núcleo, y cuyo
origen esta en el núcleo. También se
observan los estados energéticos, y se
ocupan siguiendo el principio de exclusión
de Pauli. En una visión clásica los
El siguiente gráfico, muestra otro modelo
de Kronig-Penney. Que representaría la
superposición de las Funciones de
Potencial de átomos adyacentes.

Clásicamente el electrón está compartido,


moviéndose entre los dos iones, si su
energía potencial es superior a un cierto
valor E0, pero Cuánticamente, un electrón
puede pasar de un ión al otro incluso para
En la siguiente figura, se puede observar
el comportamiento de un electrón en una
red de cristal unidimensional.

Puede observarse que cuando un electrón


pasa cerca de un átomo es acelerado, y
cuando se aleja es desacelerado hasta que
entra en el campo de acción del próximo
átomo, estableciéndose niveles de energía
potencial que delimitan el movimiento del
electrón a través de la red.
Kronig – Penney plantean un modelo matemático
de potencial iónico periódico, que permite
describir el comportamiento
V(x)
de los electrones
dentro del cristal. Vo
E I II

x
-b 0 a
a+b
L=a+b

Este modelo describe el movimiento de un solo


electrón en la una
red cristalina periódica unidimensional. Este
atraviesa en
forma dos tipos de regiones en forma alternada:
región I Ep = 0
región II Ep = E0
Ese movimiento de la partícula esta
descrito por la
Ecuación de Schrödinger
independiente del tiempo:

En el modelo unidimensional de
Kronig-Penney el
potencial presenta discontinuidades
abruptas que, si
Determinación de las funciones de
bloch
La solución del sistema requiere
resolver la ecuación de Schrodinger
sujeta a las condiciones en las
regiones I (V(x) = 0) y II (V(x) = Vo),
resultando:
Región I: Región II:
Luego Los coeficientes A, B, C y D
se obtienen de las condiciones de
continuidad para la función de onda
y su primera derivada, las que
y además:
Aplicando estas condiciones resulta un
sistema de cuatro
ecuaciones cuya solución seria:

El lado derecho de la ecuación se puede


convertir en una función
de la energía f(E):

Esta función queda limitada entre los


valores +1 y -1
por la condición impuesta por el segundo
Diagrama del Espacio ` K´
En la siguiente figura podemos hallar
la energía total
para un electrón que lleva cierta
velocidad, y nos damos
cuenta que esta energía es igual a la
energía cinética.

La partícula libre:
En el siguiente diagrama de E vs. K se
observan las
bandas de energía permitidas y prohibidas

La banda prohibida, define la cantidad de


energía que
se debe inyectar al electrón para pasarlo de
la banda de
valencia a la de conducción. La variación de
La banda de valencia para la mayoría
de los semiconductores se da para
un k = 0, pero la banda de
conducción tiene dos posibilidades:

 k=0, estos semiconductores se


conocen como de banda de
separación directa y son
óptimamente activos.
 K diferente de 0, estos
semiconductores se conocen como
de banda de separación indirecta,
son muy agudos con la luz y no
sirven como dispositivos ópticos
eficaces activos.

Donde:
EC : Energía de la banda de
conducción.
EV : Energía de la banda de valencia.
Conducción Eléctrica en los
Sólidos
Modelo de enlace
La siguiente figura, es la
representación bidimensional
del enlace covalente en un
semiconductor para K=0.
El Ge y Si forman enlaces
covalentes, cuando están
en el cero absoluto forman
todos los enlaces. El Si
comparte los electrones
de valencia con sus
niveles mas bajos.
En la siguiente figura se muestra la
ruptura de un enlace covalente:

De allí podemos decir, si incremento la T,


se aumentan las vibraciones y por lo tanto
la energía cinética, y puede ser suficiente
para romper los enlaces. En este caso el
electrón quedaría libre y pasa a otro hueco
o a la banda de conducción como se
muestra en la siguiente figura.
Los puntos negros indican los
electrones y los blancos los huecos,
se observa que por cada electrón
que salta a la banda de conducción
queda un hueco en la banda de
valencia que se desplaza a través de
ésta.
Corriente de Arrastre
Puede definirse como la
concentración de impurezas (Huecos
y electrones) que se desplazan
formando regiones de dolarización
para lograr así obtener un equilibrio.
En cuanto al modelo de bandas, se
puede decir que los estados no se
ocupan simétricamente como se
muestra en la figura:
Masa Efectiva del Electrón
Cuando se aplica un campo eléctrico
al cristal, ese portador se acelera,
pero actúan fuerzas internas, el
problema mecánico se resuelve
variando la masa y omitiendo las
fuerzas internas, el cristal depende
de la masa.
La ecuación que nos lleva al
concepto de masa efectiva es la
siguiente:
La siguiente figura muestra la banda
permitida de conducción:

En el punto Ec, se puede aproximar


la parábola, por esto se plantea la
siguiente relación:
E-Ec=C1×(K), donde k
tiene potencia 2
El Concepto de Hueco
Es un enlace covalente roto, si el electrón
salta a ocupar un estado, este electrón
deja libre un hueco, y si salta a llenar un
hueco, estaríamos hablando de una
conducción de valencia. La siguiente
figura ilustra un poco este proceso.

Allí se puede observar el electrón saltando


a ocupar un hueco, entonces se trata de
En el siguiente grafico, se puede
observar que en un grafico E vs. K,
podemos hacer una aproximación de
parábola invertida, queriendo
explicar con esto que la masa
efectiva depende de la energía y es
negativa.

Para la aproximación de la parábola,


Para continuar con la definición del
hueco, planteamos la siguiente
ecuación:

donde m* es la masa efectiva


positiva si se trata de huecos, y
negativa si hablamos de electrones,
y C2 es una CTE positiva, lo que
quiere decir que el electrón se
mueve cerca de la parte superior de
una banda permitida y se comporta
Metales, Aislantes y
Semiconductores
La banda se forma cuando los
átomos se fraccionan, se
separan unos de los otros, si los
estados son permitidos, son
bandas permitidas, casi todos
los estados de la B.V están
ocupados. En la figura se
muestran cuando la banda
permitida esta llena y vacía.
Para seguir con el análisis de los
metales, aislantes y
semiconductores, veamos el
siguiente grafico.

Si la banda de valencia esta llena y la


banda de conducción vacía, significa
que todos los portadores están
unidos en su estructura, este seria el
caso de un aislante. En los
en el caso del metal, hay 2 tipos.
2) La B.C parcialmente llena y la B.V
llena.

6) La banda de conducción llena, en


esta caso se solapan y tendríamos
una banda de valencia solapada.
Para entender un poco mas acerca de las
bandas prohibidas de los metales,
aislante, y semiconductores, se presenta
el siguiente grafico:

se muestra que para los aislantes la banda


prohibida es muy grande, la energía
necesaria para saltar a la banda de
conducción es de 6 ev.
En el caso de los semiconductores,
posee una resistencia media, y su
energía necesaria para llevar un
electrón a la banda de conducción es
de 1 ev. En cambio para el caso de
los metales, La banda de conducción
y de valencia se solapan, poseen
electrones muy débilmente
asociados al medio, tienen baja
resistividad y alta conductividad
Modelo de Bandas de Energía
Tridimensional

De la figura, se puede decir que


en un cristal tridimensional,
sucede que el potencial cambia
con la dirección de los planos.
En la siguiente figura se muestra la
estructura de bandas de energía del AsGa.

Podemos observar que los átomos están


en diferentes direcciones, por lo tanto la
grafica no es simétrica. Este es el tipo de
semiconductor de banda prohibida directo
y sirven como fuentes fotónicas.
otro tipo de semiconductor seria el de
banda prohibida indirecto, y se muestra en
la siguiente figura.

Se puede observar que el mínimo de la


B.C y el máximo de la B.v están en
diferentes puntos o sea diferentes valores
de K la diferencia de energía se la emite al
cristal. El Ge y Si pertenecen a estos
semiconductores.
Función de densidad de estados
La corriente se da en los estados
libres en la banda de conducción, y
para poder modelar esa corriente, se
toma 1/8 del espacio esférico K
positivo como lo indica la siguiente
figura.
Al analizar el modelo de pozo de
potencial en tercera dimensión, se
obtiene la siguiente ecuación.

y se plantea un modelo para los


estados.
La densidad del estado para la banda
de valencia y la banda de conducción
se puede hallar mediante la siguiente
ecuación:

Esta ecuación da negativa, porque la


densidad de estados de energía en la
banda de conducción y en la banda
de valencia en función de la energía
es negativa.
PORTADORES EN
EQUILIBRIO TÉRMICO

El Semiconductor Intrínseco
Es un semiconductor ideal, su red
cristalina esta formada solo por
átomos de un mismo tipo (Si o Ge),
no presenta defectos en su
estructura, y sus enlaces covalentes
están completos.
Semiconductor Extrínseco
Es un semiconductor que se le
añaden a su red cristalina cierta
cantidad de impuraza para doparlo o
contaminarlo y modificar su
concentración de portadores. Las
impurezas modifican el nivel de
energía de Fermi, aumentado la
probabilidad de que los portadores
sean excitados a niveles de energía
menores que las necesarias en la
concentración intrínseca. Existen 2
tipos de semiconductores
1. Semiconductores tipo N: la
impureza es pentavalente es decir
5 electrones de valencia donan
electrones al material ya que 4
electrones forman enlaces
covalentes y el otro electrón queda
disponible.
2) Semiconductores tipo P: La
impureza inyectada es trivalente, es
decir 3 electrones de valencia crea
deficiencia en el material ya que
solo tres electrones forman enlaces
covalentes dejando un enlace roto
(hueco) por cada átomo
contaminante.
Para 0° K el semiconductor se
comporta como un aislante, es decir,
los electrones de valencia ocupan
completamente la banda de valencia.
En los semiconductores intrínsecos la
concentración de electrones n = ni y
la concentración de huecos p = pi, y
ni = pi; el producto de las
concentraciones es:

Esta ecuación se conoce como EC de


equilibrio del semiconductor. Para
calcular la concentración de
La siguiente es la integral de Fermi-
Dirac en función de la energía de
Fermi.

Se dice que hay una relación casi


directa con el argumento, por ello, la
integral se puede considerar como
una constante. Analicemos la
siguiente grafica:
Esta grafica es una función de
probabilidad, y representa la
probabilidad que tiene un
semiconductor de alcanzar un nivel
de energía.
El nivel de Fermi especificado, es el
encargado de garantizar el equilibrio
en la función de probabilidad.
En un grafico de temperatura
intrínseca en función de la
concentración de la base,
observamos que al aumentar la
temperatura, aumenta la
conductividad como se muestra a
continuación.
Dadores y Aceptores

Vamos a analizar la siguiente figura:


Mediciones de niveles de energía de
diversas impurezas en Ge, Si y
GaAs. Los niveles debajo del centro
de la banda prohibida se midieron
desde la parte superior de la banda
de valencia y son aceptores al menos
que se indique con D, como nivel de
dador. Los niveles por encima del
centro de la banda prohibida se
midieron desde la parte inferior de la
banda de conducción y son niveles
de dadores al menos que se indiquen
con A, como nivel de aceptor. Las
Nivel de Fermi
Es el nivel de energía de un estado
ficticio donde los electrones no
interactúan entre si . Las siguientes
figuras muestran el esquema de
banda de energía, Estados de la
Densidad, Distribución de Fermi-
Dirac y La concentración de
portadores para el semiconductor
intrínseco en equilibrio térmico.
La siguiente figura muestra lo
mismo, pero en este caso para un
semiconductor tipo n:
y esta ultima figura lo muestra para
un semiconductor tipo P

Y por ultimo se puede decir que el


nivel de energía de un aceptor, esta
siempre ubicado en la banda de
valencia.
Lo siguiente es el método grafico
para determinar el nivel de energía
de Fermi
Transporte de Portadores.
Propiedades de los
Semiconductores
Movilidad
Movilidad
A la hora de producir una corriente
eléctrica no es lo mismo trabajar con
silicio tipo P, que con silicio tipo N. En el
silicio tipo N la conducción la producen
los electrones y en el tipo P la producen
los huecos. Sin embargo no se requiere
la misma energía para mover un electrón
que para mover un hueco, a este
parámetro se le denomina movilidad. Se
mide en cm/Vs (centímetros /
(voltio·segundo), y depende el material y
de la concentración de portadores.
Para hacer referencia a la movilidad,
se muestra el siguiente grafico.
Resistividad y Efecto Hall
Estudia el efecto a la presencia de un
campo magnético sobre cada
partícula que está en la muestra de
un material semiconductor. Una
configuración básica para medir la
concentración de portadores para
medir el efecto hall seria:
En la siguiente figura se muestra la
Dependencia del coeficiente Hall
extraordinario y la resistividad
longitudinal como función de la
temperatura; en el recuadro superior
se observa la correlación entre R yA

la resistividad ρxx.
La resistividad en función de la
concentración de impurezas para el
silicio a 300 K seria:
Procesos de Recombinación
La recombinación se da a través de 2
procesos físicos, recombinación directa y
recombinación indirecta.
 Recombinación Directa: En la
recombinación directa un electrón de la
banda de conducción y un hueco de la
banda de valencia se combinan sin la
participación de ningún estado
intermedio, es decir, se da una transición
vertical entre un electrón cercano a la
parte superior de la banda de valencia y
un hueco cercano a la parte inferior de la
banda de conducción, este proceso emite
A continuación se muestra la
recombinación directa:

2) Recombinación Indirecta: Ocurre cuando


un electrón de la banda de conducción y
un hueco de la banda de valencia se
combinan con la participación de un
estado intermedio, es decir, la banda de
conducción se encuentra a un valor de
cantidad de movimiento diferente de
cero (k ≠ 0). Esta transición requiere de
A continuación se muestra la
recombinación indirecta.