Tesis Sheep

MEMORIA FLASH
Seminario de Investigacin II
MEMORIA FLASH
Universidad Autnoma de Tamaulipas Unidad Acadmica Multidisciplinaria Mante-Centro Gral. Lzaro Crdenas del Ro
MEMORIA FLASH
TESIS DE EXAMEN PROFESIONAL PRESENTADA COMO REQUISITO PARCIAL PARA OBTENER EL TITULO PROFECSIONAL DE: INGENIERO EN SISTEMAS COMPUTACIOANELAS POR: GERONIMO JERONIMO JESUS ALEJANDRO
ABRIL DEL 2011.
MEMORIA FLASH
Universidad Autnoma de Tamaulipas Unidad Acadmica Multidisciplinaria Mante-Centro Gral. Lzaro Crdenas del Ro Esta investigacin ha sido aprobada como requisito para acreditar el examen profesional. COMISIN REVISORA PRESIDENTE. M.C. BRENDA LILIA VALDEZ REAYNA VOCAL SECRETARIO
MD. SANTIAGO PALOMO SALINAS
ING. RAFAEL URESTI PESINA
M.D. EFRN COMPEN RMZ. DIRECTOR
M.D. JUAN NAVA DE LEN SRIO. ACADEMICO
ASESORES Seminario de Investigacin II 3
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M.C. BRENDA LILIA VALDESZ REYNA M.D. SANTIAGO PALOMO SALINAS. ING. RAFAEL URESTI PESINA
MEMORIA FLASH DEDICATORIAS.
A DIOS Por ensearnos el camino a seguir y porque siempre est con nosotros en todo momento. Por darnos la oportunidad de llegar hasta aqu, por cuidarnos, por guiarme y acompaarme en la vida y culminacin de mis estudios. A MIS PADRES Por todo el apoyo y el amor que me han demostrado durante toda la vida.
AGRADECIMIENTOS. Seminario de Investigacin II 5
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A MIS MAESTROS... Por la paciencia y por los conocimientos que compartieron con cada uno de nuestros Gracias. A todas aquellas personas que durante el desarrollo de este trabajo contribuyeron de una u otra manera su culminacin.
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ndice de figuras FIG.1 Lector de tarjetas de memoria USB FIG.2 Relacin de alumnos que conocen las memorias flash. FIG.3 Relacin de alumnos que conocen cuando inventaron las memorias flash FIG.4 Relacin de alumnos que creen que las memorias flash son importantes FIG.5 Relacin de alumnos que creen importante es una memoria flash en la actualidad. FIG.6 Relacin de alumnos que cuentan con una memoria flash actualmente. FIG.7 Relacin de alumnos que usualmente utilizan memorias flash. FIG.8 Relacin de alumnos que cree probable que en el futuro los discos duros sern remplazados por las memorias flash. FIG.9 Relacin de alumnos que creen que en el futuro las computadoras puedan funcionar con solo una memoria flash. FIG.10 Relacin que respondi que en el futuro pasara una semana entera sin el uso de esta tecnologa. FIG. 11 Relacin de alumnos que respondieron que tan tiles son las memorias flash. 19 45 45 46 46 47 47 48 48 49 49
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ndice de cuadros Cronograma Presupuesto 43 44
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Resumen ANTEPROYECTO DE TESIS. MEMORIAS FLASH Planteamiento del problema. Imaginar un da sin poder utilizar este tipo de herramienta, nos hace pensar que tan frustrados nos sentiramos al no poder manejar la informacin como mas quisiramos. Objetivo. El primer objetivo de esta investigacin es dar a conocer la importancia actual de la memoria flash, ya que este dispositivo de almacenamiento es muy importante en la vida actual, nos proponemos aqu a publicar la informacin ya mencionada mas arriba y estudiar las caractersticas en una extensa muestra de significados para todo tipo de pblico. Adems, nos proponemos a contribuir al estudio de las memorias flash desde un punto de vista mas terico, as como los mecanismos que, dentro de la ubicacin computacional, nos permiten explotar esta relacin en aplicaciones que traten la semntica tecnolgica. Hiptesis. El dispositivo de almacenamiento denominado memoria flash es algo que lleg para quedarse irremplazable por su amplia gama de caractersticas a su favor, no cabe duda que este dispositivo nos hace mas fcil la vida, desde nuestro punto de vista creemos que este articulo revolucion en gran parte el mundo de la informtica aunque algunas herramientas como la computadora impresoras y artculos de computacin se esfuercen por renovarse cada da, la memoria flash solo cambia de apariencia porque su rendimiento hasta el momento no puede ser mas optimo. Justificacin. Cada da que pasa las memorias flash van mejorando su desempeo en el mundo de la informtica, el progreso de estos dispositivos es de gran importancia ya que se ha convertido no solo en un artculo tecnolgico novedoso sino tambin en un modo de vida. Marco Terico. La memoria flash es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos, frente a las anteriores que slo permite escribir o borrar una nica Seminario de Investigacin II 10
MEMORIA FLASH celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. Materiales y Mtodos. La presente investigacin se llevo a cabo en el C.C. de la carrera de I.S.C. de la Unidad Acadmica Multidisciplinaria Mante de la Universidad Autnoma de Tamaulipas durante el periodo comprendido de Agosto - Noviembre de 2010, siendo los siguientes materiales los utilizados para dicha investigacin. Una PC con una memoria de 728 de RAM, disco duro de 80 GB, Con una unidad de CD-ROM, y con un procesador AMD DURON de 1.2 GHz (que fue la que utilic en mi casa) Una PC que cuenta con memoria RAM de 512 MB, disco duro de 120 GB, Con una unidad de DVDs, Procesador Intel Pentium 4 a 1.66 MHz. Una unidad de almacenamiento de 2 GB. Resultados y Discusiones. La mayora de los encuestados ya tenan la nocin de lo que son las memorias flash, pues la mayora cuenta con alguna, tambin es cierto que muchos no saben como es que fue que empezar a realizarse estas muy tiles herramientas. Conclusiones y Recomendaciones. Creo que a medida que pasan los aos el mundo se ha vuelto un lugar ms complejo, y mientras mas productos salgan a la venta, el usuario, el comprador en este caso va a tener la mayor posibilidad de tener mas tecnologa a su alcance.
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MEMORIA FLASH 1. Antecedentes Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura.
Memorias de slo lectura. o ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. o PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrnico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM. Memorias de sobre todo lectura. o EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a travs de la exposicin a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequea ventanita en el chip). o EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM. o Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa. Memorias de Lectura/Escritura (RAM) o DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. o SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras.
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1.1 Planteamiento del Problema
Los Memorias Flash son dispositivos de almacenamiento que ya llevan un tiempo que se tiene desarrollando, hoy en da, son muy utilizadas en la vida diaria, ya que son empleadas para almacenar informacin, imaginar un da sin poder utilizar este tipo de herramienta, me hace pensar que tan frustrados nos sentiramos al no poder manejar la informacin como mas quisiramos.
A cada da que pasa van evolucionando, con las nuevas tecnologas, este mbito, se ha convertido en una muy buena rama de ingresos para los desarrolladores de estas herramientas, es por eso que las compaas han apostado por seguir desarrollando este tipo de memorias, ya que se han convertido en algo muy importante en estos das.
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1.2 Objetivos
1. Dar a conocer lo que son las memorias flash. 2. Contemplar cmo fue que aparecieron las primeras memorias flash. 3. Contemplar como es que han ido evolucionando. 4. Observar cuales son las caractersticas de cada una de ellas.
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1.3 Hiptesis Las memorias flash a cada da que pasa van aumentando su velocidad de lectura y su capacidad. 1.4 Justificacin Cada da que pasa, el mundo se vuelve un lugar ms complejo, es por eso que debemos de usar todos nuestros recursos materiales y humanos con una mayor eficiencia para tener un mejor resultado en nuestras actividades, y para, lograr esto se necesita la ayuda que nos ofrecen los computadores. Desde hace mucho tiempo se ha tratado de hacer todo forma que sea ms compacta, desde tener mejores resultados con menos recursos, hasta cambiar la mano de obra por mquinas que realicen trabajo en serie. En el mundo de la computacin es igual, ya que desde que apareci la Eniac( Es una sigla de Electronic Numerical Integrator And Computer :Computador e Integrador Numrico Electrnico, utilizada por el Laboratorio de Investigacin Balstica del Ejrcito de los Estados Unidos.) hasta los ms recientes ordenadores se ha mejorado mucho la velocidad, el costo, el rendimiento y por supuesto la capacidad para almacenar informacin,... la mayora de personas est ms entusiasmadas ante esta nueva generacin de sper mquinas, y con esto se lleva a mejorar las nuevas tecnologas da a da, Una de stas es la de poder almacenar mayor informacin en memoria, ste campo es ya uno de los ms Seminario de Investigacin II 15
MEMORIA FLASH comercializados en el mundo entero, pues tiene una gran demanda, y es a donde el mercado se ha estado enfocando estos ltimos aos.
1.5 Limitaciones
Las razones por lo que la presente investigacin pueda no ser terminada son las siguientes: El tiempo utilizado en la investigacin. El Presupuesto. La perfecta disposicin que se llegase a tener con el asesor acadmico durante la investigacin. La notable disponibilidad de la informacin. Algn caso ajeno ya sea algn accidente o problemas personales.
1.6 Delimitaciones Geogrfica: Se desarrollo en el laboratorio de Hardware en Cd. Mante, Tamaulipas, Mxico, en la Unidad Acadmica Multidisciplinaria Mante Centro. Tiempo. El proyecto se realizo durante el periodo escolar En AgostoNoviembre del 2010 y tiempo de ahora enero de tal actual. Sujetos. Se aplicaron 15 encuestas a los alumnos del 9 E semestre de la carrera de Ingeniero en Sistemas Computacionales de la Unidad Acadmica Multidisciplinaria Mante de la Universidad Autnoma de Tamaulipas.
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2. Marco Terico. 2.1 Historia de la memoria flash La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las tecnologas a las que presta sus servicios como routers, mdems, BIOS de los PCs, wireless, etc. Fue Fujio Masuoka en 1984. De acuerdo con Toshiba, el nombre de "flash" fue sugerido colega del Dr. Masuoka, el Sr. Shoji Ariizumi , porque el proceso de borrado de la memoria le record el contenido de un Flash de una cmara. El Dr. Masuoka present el invento en el estndar IEEE 1987 International Electron Devices Meeting (IEDM), celebrada en San Francisco, California. Cuando invent este tipo de memoria como evolucin de las EEPROM existentes por aquel entonces (Trabajador perteneciente a Toshiba. Intel vio el enorme potencial de la invencin y present el primer flash de tipo comercial chips en 1988. NOR-based flash era de larga escritura y tiempos de borrado, pero proporciona la direccin completa y datos de los buses de datos, lo que permite el acceso aleatorio a cualquier ubicacin de memoria. Esto hace que sea un sustituto adecuado para los mayores ROM chips, que se utilizan para almacenar el cdigo de programa que rara vez necesita ser actualizado, como un ordenador de la BIOS o el firmware de los decodificadores. Su resistencia es de 10000 a 1000000 ciclos de borrado. NOR-based flash fue la base de principios de flash basada en medios extrables; Compact Flash fue originalmente basado en l, aunque ms tarde se traslad a las tarjetas menos costosas flash NAND. Seminario de Investigacin II 17
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Toshiba anunci el flash NAND en La Reunin Internacional de Dispositivos de electrones de 1987. Tena una rapidez mayor al borrar y de escritura, y requera de un chip de menor superficie por celda, lo que permite una mayor densidad de almacenamiento y costos ms bajos por bit que el flash, tambin dispone de hasta diez veces la resistencia de NOR Flash. Sin embargo, la interfaz de E / S de flash NAND no ofrece un acceso aleatorio direccin externa autobs. Por el contrario, los datos deben leerse en un bloque-wise, con tamaos de bloque tpico de cientos de miles de bits. Esto hizo flash NAND inadecuados como un reemplazo para el programa ROM ya que la mayora de microcontroladores y microprocesadores a nivel de byte requiere de acceso aleatorio. En este sentido flash NAND es similar a otros dispositivos secundarios de almacenamiento como discos duros y soportes ptimos y por lo tanto es muy adecuado para su uso en dispositivos de almacenamiento masivo, tales como tarjetas memoria. Entre los aos 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria que conocemos hoy, como la SmartMedia o la CompactFlash. La tecnologa pronto plante aplicaciones en otros campos. En 1998, la compaa Rio comercializ el primer Walkman sin piezas mviles aprovechando el modo de funcionamiento de SmartMedia. Era el sueo de todo deportista que hubiera sufrido los saltos de un Diskmanen el bolsillo. En 1994 SanDisk comenz a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolucin ha llegado a pequeos dispositivos de mano de la electrnica de consumo como reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consolas, capacidad de almacenamiento para las PC card que nos permiten conectar a redes inalmbricas y un largo etctera, incluso llegando a la aeronutica espacial. El espectro es grande.
2.2 Memoria Flash. La memoria flash es una memoria no voltil de la computadora que se puede borrar y reprogramar elctricamente. Es una tecnologa que se utiliza fundamentalmente en tarjetas de memoria y unidades flash USB de almacenamiento general y la transferencia de datos entre computadoras y otros productos digitales. Se trata de un tipo especfico de EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) que se borra y se programa en grandes bloques, antes de la memoria flash todo el chip tena que ser borrado Seminario de Investigacin II 18
MEMORIA FLASH a la vez. La Memoria Flash cuesta mucho menos que la EEPROM programable y, por tanto, se ha convertido en la tecnologa dominante siempre que sea una cantidad significativa de no voltiles, almacenamiento de estado slido que se necesite. Ejemplo de aplicaciones incluyen los PDA (asistentes digitales personales), ordenadores porttiles, reproductores de audio, cmaras digitales y telfonos mviles. Tambin ha ganado popularidad en el mercado de la consola de juegos, donde a menudo se utiliza en lugar de EEPROMs o de bateras SRAM para el guardar los datos de los juegos.
La memoria flash es no voltil, lo que significa que no es necesario estar encendida para poder mantener la informacin almacenada en el chip. Adems, la memoria flash ofrece rpido acceso de lectura (aunque no tan rpido como voltil memoria DRAM utilizada para la memoria principal en el PC) y una mejor resistencia al choque cintico que los discos duros. Estas caractersticas explican la popularidad de la memoria flash en dispositivos porttiles. Otra caracterstica de la memoria flash es que cuando se envasan en una "tarjeta de memoria," es muy duradera, siendo capaz de soportar una intensa presin, temperaturas extremas, e incluso la inmersin en el agua. Aunque tcnicamente un tipo de EEPROM el trmino EEPROM se utiliza generalmente para referirse especficamente a la no-Flash EEPROM que es borrable en pequeos bloques, por lo general, de bytes. Porque borrar los ciclos es muy lento, los grandes tamaos de bloques utilizados en el borrado de la memoria flash le da una importante ventaja con respecto a la velocidad del viejo estilo EEPROM al escribir grandes cantidades de datos.
Fig. 1, Lector de tarjetas de memoria por USB.
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2.3 Principios de funcionamiento. La Memoria flash almacena informacin en una matriz de celdas de memoria desde los transistores de puerta flotante. Tradicionales en un solo nivel de celdas (Single-Level Cell) de dispositivos, cada celda almacena un solo bit de informacin. Some newer flash memory, known as multi-level cell (MLC) devices, can store more than one bit per cell by choosing between multiple levels of electrical charge to apply to the floating gates of its cells. Algunas memorias flash ms recientes, conocida como de celdas multinivel (MLC) de dispositivos, puede almacenar ms de un bit por celda de elegir entre varios niveles de carga elctrica que se aplican a la flota puertas de sus celdas.
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MEMORIA FLASH 2.4 Memorias NOR Flash. La lectura de NOR flash es similar a la lectura de memoria de acceso aleatorio, siempre que la direccin y bus de datos se asignan correctamente. Debido a esto, la mayora de los microprocesadores puede utilizar la memoria NOR flash se puede ejecutar en el lugar (XIP) de memoria, lo que significa que los programas almacenados en el NOR flash se puede ejecutar directamente sin la necesidad de la primera copia del programa en la RAM. La NOR flash puede ser programado en un acceso aleatorio de manera similar a la lectura. Programando cambios de bits de una lgica a un cero. Bits que son cero, ya se dejan sin cambios. La supresin de un bloque que debe suceder en un momento, y restablece todos los bits en el bloque de borrar de nuevo a un bloque. Los tamaos mas comunes son 64, 128, o 256 KB.
Los comandos especficos Mala gestin de bloque es un elemento relativamente nuevo en NOR flash. Ni en los mayores dispositivos de bloque no apoya la mala gestin, el software o controlador de dispositivo de control del chip de memoria debe corregir para que se desgasten los bloques, o el dispositivo dejar de funcionar de manera fiable. utilizados para bloquear, desbloquear, programa o borrar ni recuerdos diferentes para cada fabricante. Para evitar la necesidad de un software que controle para cada dispositivo, un conjunto especial de TPI comandos para identificar su propia crtica y los parmetros de funcionamiento. Adems de ser utilizado como acceso aleatorio ROM, los NOR memories pueden tambin ser utilizados como dispositivos de almacenamiento aprovechando de acceso aleatorio de programacin. Ofrecen algunos de los dispositivos de lectura y escritura, mientras que la funcionalidad de modo que contina la ejecucin de cdigo, incluso cuando un programa o una operacin de borrado se est produciendo en el fondo. Para el tratamiento secuencial de datos, ni los chips flash suelen tener velocidades de escritura lenta en comparacin con flash NAND.
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MEMORIA FLASH En la entrada de la NOR flash, cada celda se asemeja a una MOSFET estndar, excepto que el transistor tiene dos entradas en vez de una. En la parte superior esta la puerta de control (Control Gate), como en otros transistores MOS, pero por debajo de este hay una puerta flotante (Floating Gate) en torno a todos los aislados por una capa de xido. El FG esta interpuesto entre el CG y el canal del MOSFET. Debido a que el FG est elctricamente aislado por su capa de aislamiento, todos los electrones que pasan se quedan atrapados all y, en condiciones normales, no se descargan en muchos aos. Cuando el FG mantiene una carga, la pantalla anula parcialmente la intensidad del campo elctrico de la CG, que modifica la tensin umbral (V T) de la celda. Durante la lectura, un voltaje se aplica a la CG, y el canal del MOSFET se convertir en conductor o aislante, en funcin de la V T de la celda, que a su vez es controlada por la carga sobre el FG. El flujo de corriente a travs del canal del MOSFET se enciende y forma el cdigo binario, la reproduccin de los datos almacenados. En un dispositivo multi-nivel de de una celda, que almacena ms de un bit por celda, la cantidad de flujo de corriente es encendida (no simplemente su presencia o ausencia), con el fin de determinar con mayor precisin el nivel de carga en el FG.
2.5 Programacin. Un solo nivel, NOR Flash en su estado por defecto es equivalente en cdigo binario al valor "1", porque el flujo corriente a travs del canal en virtud de la aplicacin de un voltaje apropiado a la puerta de control. Una celda NOR flash no se puede programar, o ser establecida en un binario "0", por el siguiente procedimiento: Una elevada carga (normalmente> 5 V), se aplica a la CG el canal ahora est activado, por lo que los electrones pueden fluir desde la fuente hasta el desage (suponiendo una NMOs transistor), la fuente de la fuga actual es lo suficientemente alta para cargar algunos electrones de alta energa para saltar a travs de la capa de aislamiento en el FG, a travs de un proceso llamado de inyeccin en caliente de electrones. Programando una celda de una memoria NOR (ajuste a la lgica 0), a travs de inyeccin en caliente de electrones.
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MEMORIA FLASH 2.6 Borrado. Para borrar una celda NOR flash (recetee al "1" Estado), una gran carga se aplicar desde el lado opuesto de la polaridad entre el CG y la fuente, jalando a los electrones fuera del FG a travs de un tnel cuntico. Modernos chips de la memoria NOR flash se dividirn en segmentos de borrado (a menudo denominados bloques o sectores). La operacin de borrado slo puede ser realizada en un bloque-base racional, todas las celdas en un segmento deben borrarse juntas. Programando celdas NOR , sin embargo, generalmente podrn realizarse un byte o palabra a la vez.
2.7 Interior encargado de bombas. Despite the need for high programming and erasing voltages, virtually all flash chips today require only a single supply voltage, and produce the high voltages via on-chip charge pumps. A pesar de la necesidad de elevados voltajes de programacin y borrado, prcticamente todos los chips flash de hoy requieren una nica tensin de alimentacin, y producir la alta tensin a travs de on-chip cargo bombas.
2.8 Memorias NAND flash. La arquitectura NAND flash fue creada por Toshiba e 1989. se accede al igual que dispositivos de bloque como discos duros o tarjetas de memoria. Cada bloque consta de un nmero de pginas. Las pginas son tpicamente 512 [6] o 2048 o 4096 bytes de tamao. Asociados a cada una de las pginas son unos pocos bytes (por lo general 12a-16to bytes) que debe utilizarse para el almacenamiento de una deteccin y correccin de errores de verificacin.
El tamao tpico bloque son:
32 pginas de 512 bytes cada uno para un tamao de bloque de 16 KB Seminario de Investigacin II 23
MEMORIA FLASH 64 pginas de 2048 bytes cada uno para un tamao de bloque de 128 KB 64 pginas de 4096 bytes cada uno para un tamao de bloque de 256 KB 128 pginas de 4096 bytes cada uno para un tamao de bloque de 512 KB Si bien la lectura y la programacin se realiza en una pgina base, la supresin slo puede ser realizada en un bloque de base. Otra limitacin de NAND flash est en un bloque de datos slo se puede escribir secuencialmente. Nmero de Operaciones (PON) es el nmero de veces que los sectores que pueden ser programados. Hasta la fecha este nmero para el MLC es un flash que, por cada SLC flash es de cuatro. Los Dispositivos NAND tambin requieren bad block management, por parte del controlador de dispositivo de software, o por un chip controlador. Las tarjetas SD, por ejemplo, circuitos de control para realizar bad block management y el desgaste de nivelacin. Cuando un bloque lgico es accesado por un alto nivel de software, es asignada a un bloque fsico por el controlador de dispositivo o controlador. Un nmero de bloques en el chip flash puede ser reservado para el almacenamiento de cartografa de los cuadros para hacer frente a bloques defectuosos, o simplemente el sistema puede verificar cada bloque en el poder para crear un bloque de mala mapa en la memoria RAM. En general, la capacidad de la memoria se reduce gradualmente a medida que los bloques son marcados como no vlidos.
NAND depende de ECC para compensar espontneamente bits que pueden fallar durante la operacin normal del dispositivo. Este ECC puede corregir tan poco como un error de 1 bit en cada 2048 bits, o hasta 22 bits en cada uno de 2.048 bits. Si no puede corregir ECC error durante la lectura, todava puede detectar el error. Al hacer borrar o programar operaciones, el dispositivo puede detectar los bloques que no se programan o borrar y marcarlos mal. Los datos se escriben en otro, buen bloque, y el mal bloque de mapa se actualiza.
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MEMORIA FLASH La mayora de los dispositivos NAND son enviados desde la fbrica con algunos bloques defectuosos que suelen ser identificados y marcados conforme a un determinado bloque de marcado mala estrategia. Al permitir que algunos bloques defectuosos, los fabricantes logran rendimientos ms altos de lo que a medida sera posible si todos los bloques tienen que ser verificados bien. Esto reduce significativamente los costos y flash NAND slo disminuye ligeramente la capacidad de almacenamiento de las partes.
Al ejecutar el software de memorias NAND, la memoria virtual con frecuencia se utilizan estrategias: la memoria debe ser contenida paginada o copiado mapas de memoria RAM y ejecutado all (lo que la combinacin de NAND + RAM). Una unidad de gestin de memoria (MMU) en el sistema es til, pero esto tambin puede lograrse con superposiciones. Por esta razn, algunos sistemas usan una combinacin de memorias NAND y NOR, donde un menor de memoria se utiliza como software de ROM y una memoria NAND ms grande es la particin con un sistema de archivos para su uso como zona de almacenamiento no voltil de datos.
NAND es el ms adecuado para sistemas que requieren gran capacidad de almacenamiento de datos. Este tipo de arquitectura flash ofrece mayor densidad y de mayor capacidad a menor costo con mayor rapidez al borrar, escribir secuencialmente, y velocidades de lectura secuencial, sacrificando la de acceso aleatorio y ejecutar en el lugar ni la ventaja de la arquitectura.
La entrada de NAND flash usa tneles de inyeccin para la escritura y la liberacin del tnel para el borrado. La Memoria flash NAND constituye el ncleo del dispositivo de almacenamiento USB extrable conocido como unidades flash USB y la mayora de tarjeta de memoria de formatos disponibles en la actualidad.
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MEMORIA FLASH 2.9 Estandarizacin. Un grupo llamado Open NAND Flash Interface Grupo de Trabajo (ONFI) se desarroll un interfaz de bajo nivel de los chips flash NAND. Esto permite la interoperabilidad entre dispositivos conformes NAND de diferentes fabricantes. La especificacin ONFI versin 1.0 fue puesto en libertad el 28 de diciembre de 2006. Especifica:
Un estndar de interfaz fsica (pines) de flash NAND en TSOP -48, WSOP -48, LGA -52, y BGA -63 paquetes Un conjunto de comandos para la lectura, escritura y borrado de los chips flash NAND Un mecanismo de auto-identificacin (comparable a la Serial Presence funcin de deteccin de SDRAM mdulos de memoria) El grupo ONFI es apoyado por los principales fabricantes de NAND Flash, incluida Hynix, Intel, Micron Technology, y Numonyx, as como por los principales fabricantes de dispositivos que incorporan los chips flash NAND.
Un grupo de vendedores, incluyendo Intel, Dell y Microsoft forman una memoria no voltil Host Controller Interface (NVMHCI) Grupo de Trabajo. El objetivo del grupo es proporcionar software y hardware estndar de interfaces de programacin de subsistemas de memoria no voltil, incluido el "flash cache" dispositivo conectado al bus PCI Express.
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MEMORIA FLASH 2.10 Bloque de supresin. Una limitacin de la memoria flash es que aunque puede ser programado o leer un byte o una palabra en un tiempo de acceso aleatorio, debe ser borrado de un "bloque" a la vez. Esto generalmente se establecen todos los bits en bloques de 1. A partir de un bloque recin borrado, cualquier ubicacin dentro de ese bloque puede ser programado. Sin embargo, una vez un bit se ha establecido en 0, slo porque el borrado de todo el bloque puede ser cambiado de nuevo a 1. En otras palabras, la memoria flash (especficamente NOR flash) ofrece acceso aleatorio de lectura y programacin de operaciones, pero no puede ofrecer arbitraria de acceso aleatorio reescribir o borrar operaciones. Un lugar que puede, sin embargo, ser reescrito, siempre y cuando el nuevo valor de 0 bits sea un superconjunto de sobre-escritura del valor. Por ejemplo, un nibble podra borrarse de 1111, a continuacin, escrito como 1110. Sucesivamente escribe que los nibbles pueden cambiarlo a 1010, luego 0010, y finalmente 0000. En la prctica de algunos algoritmos toma ventaja de esta capacidad de escribir sucesivamente, y en general todo el bloque es reescrito y borrado de una sola vez.
Aunque las estructuras de datos en memoria flash no puede ser completamente actualizada en la forma general, esto permite a los miembros a ser "eliminado" por el marcado como invlido. This technique may need to be modified for multi-level devices, where one memory cell holds more than one bit. Esta tcnica puede ser necesaria para modificar por los multi-niveles de dispositivos, en caso de que una celda de memoria tenga ms de un bit.
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MEMORIA FLASH 2.11 Memory wear. Otra limitacin es que la memoria flash tiene un nmero finito de ciclos de borrado y escritura. La mayora de los productos disponibles comercialmente flash estn garantizados para resistir escribir-en torno a 100.000 ciclos de borrado, antes de que el desgaste comienza a deteriorarse la integridad del almacenamiento. La garanta de contar con el ciclo podr aplicarse nicamente a los bloques cero (como es el caso de las partes TSOP NAND), o para todos los bloques (como en el NOR). Este efecto es compensado en parte en algunos chip de firmware o controladores de sistema de archivos por contar las escribe y dinmica de reasignacin de los bloques con el fin de difundir entre los sectores de operaciones de escritura, esta tcnica se le llama wear lavelling. Otro enfoque es llevar a cabo la verificacin y la reasignacin de escribir a los sectores de repuesto en caso de fallo de escritura, una tcnica llamada la mala gestin de bloque (BBM). Para los dispositivos porttiles, estas tcnicas de gestin de desgaste suelen prolongar la vida til de la memoria flash ms all de la vida del dispositivo en s, y algunos la prdida de datos puede ser aceptable en estas aplicaciones. Para la Alta fiabilidad para el almacenamiento de datos, sin embargo, no es aconsejable el uso de memoria flash que tendra que pasar por un gran nmero de ciclos de programacin. Esta limitacin no es de "slo lectura" aplicaciones como los clientes ligeros y routers, que slo estn programadas en ms de una vez o varias veces durante su vida.
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MEMORIA FLASH 2.12 Acceso de bajo nivel. La interfaz de bajo nivel a los chips de memoria flash se diferencia de las de otros tipos de memoria como DRAM, ROM y EEPROM, que apoyan la alterabilidad de bits (tanto a cero y un uno a cero) y de acceso aleatorio accesible externamente a travs de abordar los buses. Si bien la memoria NOR proporciona una direccin externa bus para leer y operaciones del programa (y por lo tanto apoya de acceso aleatorio); desbloquear y borrar la memoria ni debe proceder de un bloque por bloque base. Con la memoria flash NAND, la lectura y programacin de las operaciones debe realizarse de pgina a la vez, mientras que el desbloqueo y borrado debe ocurrir en el bloque-wise.
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MEMORIA FLASH 2.13 Distincin entre NOR y NAND flash.
NOR flash NAND y difieren en dos formas importantes: Las conexiones de la memoria de las clulas individuales son diferentes. La interfaz prevista para la lectura y la escritura de la memoria es diferente (NOR permite acceso aleatorio para la lectura, NAND slo permite acceso a la pgina). Una meta importante de desarrollo de flash NAND era reducir el chip de superficie necesaria para aplicar una determinada capacidad de memoria flash, y por lo tanto reducir el costo por bit y aumentar la capacidad mxima de chips de memoria flash para que pueda competir con el almacenamiento magntico de dispositivos como discos duros. NOR flash y NAND obtuvieron sus nombres de la estructura de las interconexiones entre las clulas de memoria. En NOR Flash, las celdas estn conectados en paralelo a las lneas de bits, permitiendo que las celdas que vayan a leer y programadas individualmente. La conexin de las celdas se asemeja a la conexin paralela de transistores en un CMOS NI puerta. En flash NAND, las celdas estn conectados en serie, se asemeja a una NAND de puerta, y la prevencin de las celdas puedan ser ledos y programados individualmente: las celdas conectadas en serie debe ser ledo en serie.
Cuando el flash fue desarrollado, se previ como una forma ms econmica y cmoda ROM regrabable que contemporneo EPROM, EAROM y EEPROM memorias. Por lo tanto la lectura de acceso aleatorio circuito era necesario. Sin embargo, se espera que la memoria flash ROM pudiese leerse mucho ms de las veces que las que pudiera escribirse, por lo que la escritura se incluy circuitos bastante lento y slo puede borrar en un bloque-wise; escritura de acceso aleatorio circuitos que aadir a la complejidad y el costo innecesariamente.
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MEMORIA FLASH Debido a la conexin en serie y la eliminacin de los contactos wordline, una gran red de celdas de memoria flash NAND ocupar tal vez slo el 60% de la superficie de las celdas NOR equivalente (suponiendo que el mismo proceso CMOS de resolucin, por ejemplo, 130 nm, 90 nm, 65 nm). Los diseadores de Flash NAND se dieron cuenta del rea de un chip NAND, y por lo tanto el costo, podra reducirse an ms mediante la eliminacin de la direccin externa y bus de datos de circuitos elctricos. En cambio, los dispositivos externos podran comunicarse con flash NAND via secuencial a travs del mando y los registros de datos, lo que internamente y de salida de recuperar los datos necesarios. Este diseo eleccin de acceso aleatorio de la memoria flash NAND la hizo imposible, pero el objetivo de flash NAND era sustituir los discos duros, y no para sustituir ROM.
2.14 Write Endurance. La write endurance de SLC floating Gate NOR Flash es generalmente igual o mayor que el de flash NAND, mientras que NI MLC NAND Flash tienen similares capacidades de resistencia. Ejemplo de resistencia puntuaciones que figuran en el ciclo de fichas para NAND y NOR Flash se prestan.
SLC NAND Flash es tpicamente una velocidad de alrededor de 100K ciclos (Samsung OneNAND KFW4G16Q2M) MLC NAND Flash es evaluado en general acerca de los ciclos de 5K-10K (Samsung K9G8G08U0M) SLC floating Gate NOR Flash ha Resistencia calificacin tpica de 100K a 1000 ciclos (Numonyx M58BW 100K; Spansion S29CD016J 1000) MLC Floating Gate NOR tiene la Resistencia calificacin tpica de 100K ciclos (Numonyx J3 Flash)
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MEMORIA FLASH 2.15 Sistemas de Archivos Flash Debido a las caractersticas particulares de la memoria flash, lo mejor es utilizado con un controlador para realizar la nivelacin de desgaste y de correccin de errores o flash diseado especficamente los sistemas de archivos, que se extendi sobre los medios de comunicacin y hacer frente a los largos tiempos de eliminar NOR flash bloques. El concepto bsico detrs de los sistemas de archivos flash es el siguiente: Cuando el flash se va a almacenar actualizacin, el sistema de archivos se escribe una nueva copia de los datos cambiados a un nuevo bloque, el archivo remap punteros, y luego borrar el antiguo bloque ms tarde cuando haya tiempo.
En la prctica, los sistemas de archivos flash slo se usan para "Tecnologa de Dispositivos de memoria" (MTD), que se insertan las memorias flash que no tienen un controlador. Se han construido tarjetas de memoria flash extrables y unidades flash USB en los controladores para llevar a cabo la nivelacin de desgaste y de correccin de errores de lo que el uso de un sistema de archivos flash no aporta ningn beneficio. Estos dispositivos de memoria flash removible utilizar el sistema de archivos FAT para permitir compatibilidad universal con ordenadores, cmaras, PDAs y otros dispositivos porttiles con ranuras para tarjetas de memoria o puertos.
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MEMORIA FLASH 2.16 Capacidad. Mltiples chips son organizados a menudo para lograr una mayor capacidad para su uso en dispositivos electrnicos de consumo tales como reproductores multimedia o GPS. La capacidad de los chips flash se ajusta en general a la Ley de Moore, ya que se fabrican con muchos de los mismos circuitos integrados y las tcnicas de los equipos. Los consumidores de Unidades flash suelen tener el tamao medido en poder de dos (por ejemplo, 512 MB, 8 GB). Esto incluye SSDs como reemplazos de disco duro, aunque los discos duros tienden a utilizar unidades de decimales. As, un 64 GB de SSD es en realidad 1024 3 64 bytes. En realidad, la mayora de los usuarios tendrn menos capacidad que la que esta disponible, debido a la adoptada por el espacio de ficheros de metadatos.
En 2005, Toshiba y SanDisk desarrollaron un flash NAND chip capaz de almacenar 1 GB de datos a travs de multi-nivel celular (MLC), la tecnologa, capaz de almacenar los datos de 2 bits por celda. En septiembre de 2005, Samsung Electronics anunci que haba desarrollado el primer chip de 2 GB.
En marzo de 2006, Samsung ha anunciado discos duros flash con una capacidad de 4 GB, esencialmente el mismo orden de magnitud que los discos duros porttiles ms pequeos, y en septiembre de 2006, Samsung ha anunciado un chip de 8 GB producidos utilizando 40 nanmetros proceso de fabricacin.
En enero de 2008 Sandisk anunci la disponibilidad de sus microSDHC de 16 GB y 32 GB de las tarjetas SDHC Plus.
Pero todava hay flash chips fabricados con baja capacidad, como 1 MB, por ejemplo, para la BIOS-ROM.
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MEMORIA FLASH
2.17 Transferencia de las tasas. Comnmente la publicidad es la mxima velocidad de lectura, tarjetas de memoria NAND flash son mucho ms rpidos en la lectura de la escritura. As a chip gets worn out, its erase/program operations slow down considerably, requiring more retries and bad block remapping. Como es un chip desgastado, su eliminador se alenta considerablemente las operaciones, que requieren ms reintentos y malas bloque reasignacin.
Transferencia de mltiples archivos pequeos, ms pequeo que el chip del tamao de bloque especfico, podra dar lugar a una tasa mucho ms baja. Latencia de acceso tiene una influencia en el rendimiento, pero es menos de una cuestin que con su homlogo de disco duro.
A veces denotado en MB / s (megabytes por segundo), o en el nmero de "X" como 60x 100x o 150x. "X" la velocidad de clasificacin hace referencia a la velocidad a la que una unidad de CD de audio legado que entregar los datos, 1x es igual a 150 kilobytes por segundo.
Por ejemplo, una tarjeta de memoria 100x va a 150 KB x 100 = 15000 KB por segundo = 14,65 MB por segundo.
Tenga en cuenta que la velocidad exacta depende de si los medios de comercializacin 10 6 bytes o 2 20 octetos (1000000 bytes o 1048576 bytes) por "megabytes".
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MEMORIA FLASH 2.18 Serie de flash. La Serial flash es una memoria pequea, de baja potencia que utiliza una interfaz serie, por lo general, SPI, para el tratamiento secuencial de acceso a datos. Cuando se incorporen a un sistema empotrado, la serial flash requiere menos cables en el PCB que paralelamente memorias flash, ya que transmite y recibe datos un poco a la vez. Esto puede permitir una reduccin de espacio a bordo, el consumo de energa y coste total del sistema.
Hay varias razones por las que un dispositivo serial, con un menor nmero de pines externos de un dispositivo paralelo, puede reducir significativamente el coste total:
Muchos ASICs son pads limitados, lo que significa que el tamao de la suerte est limitada por el nmero de Bond Pads, en vez de la complejidad y nmero de puertas utilizadas para el dispositivo de lgico. La eliminacin de los bonds pads permite a un ms compacto circuito integrado, en una menor vida, lo que aumenta el nmero de muertes que pueden ser fabricados en una wafer, y, por tanto, reduce el costo por morir. Reducir el nmero de pines externos tambin reduce el montaje y embalaje. Un dispositivo serie puede ser envasado en un paquete ms pequeo y ms sencillo que un dispositivo paralelo. Ms pequeo y ms bajo paquetes de pin-count ocupan reducido espacio de PCB. Lower pin-count devices simplify PCB routing. Ms bajos pin-count PCB simplifica los dispositivos de enrutamiento.
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MEMORIA FLASH 2.19 Firmware de almacenamiento. Con el aumento de la velocidad de las modernas CPUs, dispositivos flash paralelas son a menudo mucho ms lento que el bus de memoria de la computadora a la que se conecta. Por el contrario, modernos SRAM ofrece tiempos de acceso inferior a 10 ns, mientras que el DDR2 SDRAM ofrece tiempos de acceso inferior a 20 ns. Debido a esto, a menudo es conveniente sombrear cdigo almacenado en flash en la memoria RAM, es decir, se copia el cdigo de flash en la memoria RAM antes de la ejecucin, a fin de que la CPU puede acceder a ella a toda velocidad. Los Dispositivos de firmware se pueden almacenar en un dispositivo flash de serie y, a continuacin, copia en SDRAM SRAM o cuando el dispositivo est encendido. La utilizacin de un dispositivo de flash externo de serie en lugar de on-chip flash elimina la necesidad de compromiso importante proceso (un proceso que es bueno para la alta velocidad es la lgica general no es bueno para flash y viceversa). Una vez que se decide a leer el firmware como en un gran bloque es comn para aadir compresin para permitir que un pequeo chip de flash para ser utilizado. Las aplicaciones tpicas incluyen el almacenamiento de serie flash de firmware para unidades de disco duro, Ethernet controladores, DSL mdems, dispositivos de redes inalmbricas, etc.
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MEMORIA FLASH 2.20 Memorias Flash como un reemplazo de discos duros Una obvia extensin de la memoria flash sera como un reemplazo para los discos duros. La memoria flash no tiene la mecnica de las limitaciones y las latencias de unidades de disco duro, por lo que la idea de una unidad de estado slido, o SSD, es atractivo cuando se considera la velocidad, el ruido, el consumo de energa, y la fiabilidad.
Quedan algunos aspectos de SSDs basadas en flash que hacen poco atractiva la idea. Lo que es ms importante, el costo por gigabyte de memoria flash sigue siendo significativamente ms alta que la de plato a base de discos duros. Aunque esta proporcin est disminuyendo rpidamente en la memoria flash, an no est claro que la memoria flash se captura hasta la asequibilidad y la capacidad ofrecida por plato a base de almacenamiento. Sin embargo, la investigacin y el desarrollo es lo suficientemente fuerte que no est claro que tampoco ocurrir.
Tambin existe cierta preocupacin de que el nmero finito de borrado y escritura de los ciclos de memoria flash hara de memoria flash no puede apoyar un sistema operativo. Esto parece ser una cuestin como la disminucin de las garantas en flash basada en SSDs se acercan al de los actuales discos duros.
A partir del 24 de mayo de 2006, Corea del Sur-fabricante de productos electrnicos de consumo Samsung Electronics ha lanzado la primera memoria flash basada en PC, el Q1-SSD y P30-SSD, que tienen 32 GB SSDs. [20] Dell Computer present la Latitude D430 porttil con 32 GB de memoria flash de almacenamiento en julio de 2007 - a un precio significativamente por encima de un disco duro equipada versin.
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MEMORIA FLASH En Las Vegas CES 2007 Cumbre taiwaneses memoria empresa A-DATA showcased SSD unidades de disco duro basado en tecnologa Flash en capacidades de 32 GB, 64 GB y 128 GB. Scandisk anunci un OEM 32 GB de 1,8 "SSD unidad en CES 2007. [22] El XO-1, desarrollado por la Fundacin One Laptop Per Child (OLPC), asociacin, utiliza la memoria flash en lugar de un disco duro. A partir de junio de 2007, una empresa de Corea del Sur reclamaciones Mtron SSD ms rpido con el secuencial de lectura / escritura velocidades de 100 MB/80 MB por segundo.
En lugar de sustituir completamente el disco duro hbrido de tcnicas como la hbrida de conducir y ReadyBoost intento de combinar las ventajas de ambas tecnologas, utilizando como un flash de alta velocidad de cach para los archivos en el disco que a menudo se hace referencia, pero rara vez modificados, tales como la aplicacin y el sistema operativo de archivos ejecutables. Adems, Addonics tiene un adaptador PCI para 4 tarjetas CF, la creacin de una matriz RAID-poder de almacenamiento de estado slido que es mucho ms barato que el cableada-chips tarjeta PCI tipo.
El ASUS Eee PC usa un SSD basados en flash de 2 GB a 20 GB, dependiendo del modelo. Apple Inc. Macbook Air tiene la opcin de mejorar el nivel a un disco duro de 128 GB de disco duro de estado slido. El Lenovo ThinkPad X300 tambin cuenta con un built-in 64 GB unidad de estado slido.
Sharkoon devoloped tiene un dispositivo que utiliza seis tarjetas SDHC en RAID -0 SSD como alternativa, los usuarios pueden utilizar ms asequible de alta velocidad tarjetas SDHC de 8GB para obtener similares o mejores resultados que pueden obtenerse en los SSDs con un coste menor.
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MEMORIA FLASH 2.21 Industria. Una fuente seala que, en 2008, la industria de memoria flash incluye alrededor de 9,1 millones de dlares de los EE.UU. en la produccin y las ventas. Apple Inc. es el tercer mayor comprador de memoria flash, que consume alrededor del 13% de la produccin por s mismo. Otras fuentes de poner el la memoria flash del mercado en un tamao de ms de 20 millones de dlares de los EE.UU. en 2006, que representan ms del ocho por ciento del mercado global de semiconductores, y ms de 34 por ciento del total del mercado de semiconductores de memoria.
2.22 Flash escalabilidad. La agresiva tendencia del diseo del proceso se reduce en el estado de memoria NAND Flash de manera efectiva la tecnologa acelera la Ley de Moore. Debido a su estructura relativamente simple y de alta demanda de mayor capacidad, memoria flash NAND es la ms agresiva a escala tecnologa entre dispositivos electrnicos. La fuerte competencia entre los pocos fabricantes slo se suma a la agresin. Las proyecciones actuales muestran la tecnologa para llegar a aproximadamente 20 nm por alrededor de 2010. Si bien la espera de tiempos de retraccin es un factor de dos cada tres aos por la versin original de La ley de Moore, este ha sido acelerado en el caso de flash NAND de un factor de dos cada dos aos.
Alcanzar el lmite mnimo (actualmente estimado ~ 20 nm), ms aumenta la densidad de Flash se vern impulsadas por mayores niveles de MLC, posiblemente en 3-D de apilamiento de los transistores, y proceso de mejoras. Even with these advances, it may be impossible to economically scale Flash to smaller and smaller dimensions. An con estos avances, puede ser imposible hacer a la memoria Flash cada vez ms pequea. Muchas nuevas tecnologas prometedoras (como Feram, MRAM, PMC, PCM, y otros) se encuentran bajo investigacin y el desarrollo posible ms escalable sustituciones para Flash.
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MEMORIA FLASH
2.23 Futuro de la Memoria Flash. El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a la ubicuidad de las computadoras y electrodomsticos inteligentes e integrados y, por ello, la demanda de memorias pequeas, baratas y flexibles seguir en alza hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en caractersticas como en coste y, al menos en apariencia, no es factible ni siquiera a medio plazo ya que la miniaturizacin y densidad de las memorias flash est todava lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista fsico. El desarrollo de las memorias flash es, en comparacin con otros tipos de memoria sorprendentemente rpido tanto en capacidad como en velocidad y prestaciones. Sin embargo, los estndares de comunicacin de estas memorias, de especial forma en la comunicacin con los PCs es notablemente inferior, lo que puede retrasar los avances conseguidos. La apuesta de gigantes de la informtica de consumo como AMD y Fujitsuen formar nuevas empresas dedicadas exclusivamente a este tipo de memorias como Spansion en julio de 2003 auguran fuertes inversiones en investigacin, desarrollo e innovacin en un mercado que en 2005 sigue creciendo en un mercado que ya registr en 2004 un crecimiento asombroso hasta los 15.000 millones de dlares (despus de haber superado la burbuja tecnolgica del llamado boom punto com) segn el analista de la industria Gartner, avala todas estas ideas. Es curioso que esta nueva empresa, concretamente, est dando la vuelta a la tortilla respecto a las velocidades con una tcnica tan sencilla en la forma como compleja en el fondo de combinar los dos tipos de tecnologas reinantes en el mundo de las memorias flash en tan poco tiempo. Sin duda se estn invirtiendo muchos esfuerzos de todo tipo en este punto. Sin embargo, la memoria flash se seguir especializando fuertemente, aprovechando las caractersticas de cada tipo de memoria para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard para un pequeo dispositivo como un PDA; la memoria de instrucciones estara compuesta por una memoria de tipo ORNAND (empleando la tecnologa Mirror bit de segunda generacin) dedicada a los programas del sistema, esto ofrecera velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en modo rfaga segn la compaa con un costo energtico nfimo y que implementa una seguridad por hardware realmente avanzada; para la memoria de datos podramos emplear sistemas basados en puertas NAND de alta capacidad a un precio realmente asequible. Seminario de Investigacin II 40
MEMORIA FLASH Slo quedara reducir el consumo de los potentes procesadores para PC actuales y dispondramos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas prestaciones que hoy en da sera la envidia de la mayora de los ordenadores de sobremesa. Y no queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles. Cualquier dispositivo con datos crticos emplear las tecnologas basadas en NOR u ORNAND si tenemos en cuenta que un fallo puede hacer inservible un terminal de telefona mvil o un sistema mdico por llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrnica de consumo personal seguir apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gran capacidad, como los reproductores porttiles de MP3 o ya, incluso, reproductores de DVDs porttiles. La reduccin del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la ms reducida), adems de un menor consumo, permitir alargar la vida til de estos dispositivos sensiblemente. Con todo, los nuevos retos sern los problemas que sufren hoy en da los procesadores por su miniaturizacin y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores. Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante CVS (Concurrent Version System) y cdigo abierto permiten un desarrollo realmente rpido, como es el caso de YAFFS2, que, incluso, ha conseguido varios sponsors y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de esta envergadura. La integracin con sistemas de wireless permitir unas condiciones propicias para una mayor integracin y ubicuidad de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo que nos rodea en el sueo de muchos desde la dcada de 1980. Pero no slo eso, la Agencia Espacial Brasilea, por citar una agencia espacial, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias para integrarla en sus diseos; la NASA ya lo hizo y demostr en Marte su funcionamiento en el Spirit (satlite de la NASA, gemelo de Oporttunity ), donde se almacenaban incorrectamente las rdenes como bien se puede recordar. Esto slo es el principio. Y ms cerca de lo que creemos. Intel asegura que el 90% de los PCs, cerca del 90% de los mviles, el 50% de los mdems, etc. en 1997 ya contaban con este tipo de memorias. En la actualidad TDK que estn fabricando discos duros con memorias flash NAND de 32 Gb con un tamao similar al de un disco duro de 2.5 pulgadas, similares a los discos duros de los porttiles con una velocidad de 33.3 Mb/s. El problema de este disco duro es que, al contrario de los discos duros convencionales, tiene un nmero limitado de accesos. Samsung tambin ha desarrollado memorias NAND de hasta 32 Gb.
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MEMORIA FLASH
3 Materiales y Mtodos
La presente investigacin se realizo en el Taller de Harware de la Unidad Acadmica Multidisciplinaria Mante de la Universidad Autnoma de Tamaulipas durante el periodo comprendido de agosto-noviembre de 2010 Se aplicaron 15 encuestas a los alumnos del 9E de la carrera de Ingeniero en Sistemas Computacionales de la Unidad Acadmica Multidisciplinaria Mante de la Universidad Autnoma de Tamaulipas. Material utilizado: Una PC con una memoria de 728 de RAM, disco duro de 80 GB, Con una unidad de CD-ROM, y con un procesador AMD DURON de 1.2 GHz (que fue la que utilic en mi casa) Una PC que cuenta con memoria RAM de 512 MB, disco duro de 120 GB, Con una unidad de DVDs, Procesador Intel Pentium 4 a 1.66 MHz. Una unidad de almacenamiento de 2 GB.
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MEMORIA FLASH 3.1 Encuestas NOMBRE:________________________GRUPO:____ A continuacin subraye la respuesta que usted elija. 1.- Sabe lo que es una memoria flash? a) Si. b) No. 2.- Conoce como es que se inventaron las memorias flash? a) Si. b) No. 3.- Usted cree que las memorias flash son importantes? a) Si. b) No. 4.- Qu tan importante cree Ud. que sean en la actualidad? a) Muy importante b) No tanto 5.- Cuenta con una memoria flash actualmente? a) Si. b) No. 6.- Que tan usualmente utiliza las memorias flash? a) Poco b) Siempre 7.- Cree que sea probable que en un futuro los discos duros sean desplazados, gracias a las memorias flash? a) Si b) No 8.- Cree que en un futuro las computadoras puedan funcionar solamente con una memoria flash? a) Si b) No 9.- Cree que en el futuro pasara una semana entera sin el uso de esta tecnologa? a) Si b) No 10.- qu tan til le son las memorias flash? a) mucho b) poco
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MEMORIA FLASH 4. Cronograma Aqu se muestra la forma en que fue planeada la investigacin en base a su desarrollo.
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MEMORIA FLASH
5. Difusin de la Investigacin El presente trabajo se dar a conocer mediante un resumen que se entregara a cada uno de los alumnos del 9 E de la Unidad Acadmica Multidisciplinaria Mante, al tanto que ser expuesta al catedrtico de la materia de Seminario de Investigacin II El resumen contiene los siguientes apartados: Importancia del tema Objetivos. Hiptesis. Justificacin. Materiales y Mtodos Resultados y Discusiones. Conclusiones y Recomendaciones
6. Presupuesto A continuacin se muestra la cantidad del presupuesto que fue necesitado para la realizacin de la investigacin. Producto Engargolado Memoria USB Carpeta Impresiones Empastado Total Cantidad 1 1 1 80 1 Costo $ 25.00 $ 200.00 $ 2.00 $ 85.00 $200.00 $ 512.00
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7. Resultados Alumnos por sexo que contestaron la encuesta sobre memorias flash. EL 60% de los alumnos encuestados son del sexo masculino y el 40% son del sexo femenino. 1.- Sabe lo que es una memoria flash? El 100% de los alumnos conoce las memorias flash Fig.2
S I N o
2.- Conoce como es que se inventaron las memorias flash? El 54% contesto Si y el 46% contesto No Fig.3
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MEMORIA FLASH 3.- Usted cree que las memorias flash son importantes? El 90% contesto Si y el 10% contesto No Fig4
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4.- Qu tan importante cree Ud. que sean en la actualidad? El 95% contesto que Si y el 5% contesto que No Fig.5
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MEMORIA FLASH 5.- Cuenta con una memoria flash actualmente? El 50% contesto que Si y el 50% contesto que No Fig.6
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6.- Que tan usualmente utiliza las memorias flash? El 100% contesto que si y 0% contesto que No Fig.7
1er trim . 2do trim .
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MEMORIA FLASH 7.- Cree que sea probable que en un futuro los discos duros sean desplazados, gracias a las memorias flash? El 80% contesto que Si y el 20% contesto que No Fig.8
S I N O
8.- Cree que en un futuro las computadoras puedan funcionar solamente con una memoria flash? El 45 % contesto que Si y el 55% contesto que No Fig.9
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MEMORIA FLASH 9.- Cree que en el futuro pasara una semana entera sin el uso de esta tecnologa? El 30% contesto que Si y el 70% dijo que No Fig.10
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10.- Qu tan til le son las memorias flash? El 80% contesto que Si y el 20% contesto que No Fig.11
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8. Conclusiones y Recomendaciones agregar mas informacin cuartilla Una memoria FLASH es un dispositivo de almacenamiento externo que permite la lectura y escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin gracias a ello la tecnologa FLASH mediante impulsos elctricos permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente ala tecnologa EEPROM primigenia, que solo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos pendrive En base a las encuestas realizadas las memorias flash son un dispositivo que es indispensable que en conclusin a medida que los aos pasan el mundo se ah vuelto un lugar ms complejo, y el usuario va a tener ms tecnologa a su alcance. Al lector se le recomienda leer artculos de tecnologa y basarse en internet para que sus dudas sean aclaradas, a su vez esto facilitara el entendimiento del tema.
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9. APNDICE
APNDICE1 9.1 GLOSARIO DE TRMINOS AMD THURION: Es una versin de bajo consumo del procesador AMD Athlon 64 destinada a los ordenadores porttiles, y constituye la respuesta comercial de AMD a la plataforma Centrino de Intel. Se presentan en dos series, ML con un consumo mximo de 35 W y MT con un consumo de 25 W, frente a los 27 W del Intel Pentium M. Apple Inc. : es una empresa multinacional estadounidense que disea y produce equipos electrnicos y software.2 Entre los productos de hardware ms conocidos de la empresa se cuenta con equipos Macintosh, el iPod, el iPhone. Bytes: Es una palabra inglesa (pronunciada [bait] o ['bi.te]), que si bien la Real Academia Espaola ha aceptado como equivalente a octeto (es decir a ocho bits), para fines correctos, un byte debe ser considerado como una secuencia de bits contiguos, cuyo tamao depende del cdigo de informacin o cdigo de caracteres en que sea definido. Chip: Un Chip es un circuito integrado por muchos transistores, si, en el interior pueden llegar a existir incluso millones de estos, arreglados entre si para hacer muchas funciones y su composicin sobre todo es de silicio. EEPROM: Son las siglas de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable elctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no voltiles. Eniac: es un acrnimo de Electronic Numerical Integrator And Computer (Computador e Integrador Numrico Electrnico), utilizada por el Laboratorio de Investigacin Balstica del Ejrcito de los Estados Unidos. Firmware: El firmware es un bloque de instrucciones de programa para propsitos especficos, grabado en una memoria de tipo no voltil (ROM, EEPROM, flash, etc), que establece la lgica de ms bajo nivel que controla los circuitos electrnicos de un dispositivo de cualquier tipo. Mofset: Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Nand: Una puerta lgica, o compuerta lgica, es un dispositivo electrnico que es la expresin fsica de un operador booleano en la lgica de conmutacin. Cada puerta lgica consiste en una red de dispositivos interruptores que Seminario de Investigacin II 52
MEMORIA FLASH cumple las condiciones booleanas para el operador particular. Son esencialmente circuitos de conmutacin integrados en un chip. Pentium: es una gama de microprocesadores de quinta generacin con arquitectura x86 producidos por Intel Corporation. RAM: se utiliza frecuentemente para referirse a los mdulos de memoria que se usan en los computadores personales y servidores. Rom: (Acrnimo en ingls de Read-Only Memory) o memoria de slo lectura, es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite slo la lectura de la informacin y no su borrado, independientemente de la presencia o no de una fuente de energa que la alimente. Samsung: es una de las ms fuertes y reconocidas empresas de Corea del Sur a nivel mundial, y lder mundial en diversas ramas de la industria electrnica. Comenz como una compaa exclusivamente de exportaciones en el ao 1938. SmartMedia: Es una tarjeta de memoria estndar desarrollada por Toshiba en 1995 para competir con las Compact Flash, las PC Card y las MiniCard, uno de los ms difundidos de almacenamiento de imgenes junto con las tarjetas CompactFlash. Ya no se fabrica y no ha habido nuevos dispositivos diseados para usarse con las SmartMedia desde hace aos. SanDisk: es una empresa estadounidense dedicada al desarrollo y fabricacin de dispositivos de almacenamiento de informacin con sede en Milpitas, California. Routers: direccionador, ruteador o encaminador es un dispositivo de hardware para interconexin de red de ordenadores que opera en la capa tres (nivel de red). Toshiba: Es una compaa japonesa dedicada a la manufactura de aparatos elctricos y electrnicos cuya sede est en Tokio. Ocupa el 7 puesto en la lista de grandes compaas mundiales de su campo. Walkman: Era un reproductor de audio estreo porttil lanzado al mercado por la compaa japonesa Sony en 1979. Wireless: es aquella comunicacin inalambrica en la que extremos de la comunicacin (emisor/receptor) no se encuentran unidos por un medio de propagacin fsico, sino que se utiliza la modulacin de ondas electromagnticas a travs del espacio.
APNDICE 2 9.2 GRAFICOS
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1.- Sabe lo que es una memoria flash? El 100% de los alumnos conoce las memorias flash
S I N o
FIG.2 Relacin de alumnos que conocen las memorias flash.
2.- Conoce como es que se inventaron las memorias flash? El 54% contesto Si y el 46% contesto No Seminario de Investigacin II
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FIG.3 Relacin de alumnos que conocen cuando inventaron las memorias flash
3.- Usted cree que las memorias flash son importantes? El 90% contesto Si y el 10% contesto No
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S I NO
FIG.4 Relacin de alumnos que creen que las memorias flash son importantes
4.- Qu tan importante cree Ud. que sean en la actualidad? El 95% contesto que Si y el 5% contesto que No
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S I N O
FIG.5 Relacin de alumnos que creen importante es una memoria flash en la actualidad.
5.- Cuenta con una memoria flash actualmente? El 50% contesto que Si y el 50% contesto que No
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FIG.6 Relacin de alumnos que cuentan con una memoria flash actualmente.
6.- Que tan usualmente utiliza las memorias flash? El 100% contesto que si y 0% contesto que No Seminario de Investigacin II 58
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FIG.7 Relacin de alumnos que usualmente utilizan memorias flash.
7.- Cree que sea probable que en un futuro los discos duros sean desplazados, gracias a las memorias flash? El 80% contesto que Si y el 20% contesto que No
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S I N O
FIG.8 Relacin de alumnos que cree probable que en el futuro los discos duros sern remplazados por las memorias flash.
8.- Cree que en un futuro las computadoras puedan funcionar solamente con una memoria flash? El 45 % contesto que Si y el 55% contesto que No
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S I NO
FIG.9 Relacin de alumnos que creen que en el futuro las computadoras puedan funcionar con solo una memoria flash.
9.- Cree que en el futuro pasara una semana entera sin el uso de esta tecnologa? El 30% contesto que Si y el 70% dijo que No
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FIG.10 Relacin que respondi que en el futuro pasara una semana entera sin el uso de esta tecnologa.
10.- qu tan til le son las memorias flash? El 80% contesto que Si y el 20% contesto que No
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MEMORIA FLASH
S I NO
FIG. 11 Relacin de alumnos que respondieron que tan tiles son las memorias flash.
APNDICE 3 9.3 ENCUESTAS APLICADAS
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MEMORIA FLASH

ABRIL DEL 2011.

MD. SANTIAGO PALOMO SALINAS

ING. RAFAEL URESTI PESINA

M.D. EFRN COMPEN RMZ. DIRECTOR

M.D. JUAN NAVA DE LEN SRIO. ACADEMICO

ASESORES Seminario de Investigacin II 3

MEMORIA FLASH DEDICATORIAS.

AGRADECIMIENTOS. Seminario de Investigacin II 5

ndice de cuadros Cronograma Presupuesto 43 44

Fig. 1, Lector de tarjetas de memoria por USB.

El tamao tpico bloque son:

MEMORIA FLASH 2.13 Distincin entre NOR y NAND flash.

1er trim . 2do trim .

APNDICE 2 9.2 GRAFICOS

FIG.2 Relacin de alumnos que conocen las memorias flash.

FIG.7 Relacin de alumnos que usualmente utilizan memorias flash.

APNDICE 3 9.3 ENCUESTAS APLICADAS

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