UNIVERSIDAD AUTNOMA DE GUADALAJARA CAMPUS TABASCO

Direccin Ingeniera

A-D 2010

MOSFET MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total. La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia. Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):

APLICACION El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son: En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificacin muy lineal. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la regin de modo de enriquecimiento (+Vg).