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CMOS

El transistor de efecto de campo de metal-oxido-silicón fue patentado por J. E. Lilienfeld en 1930, sin embargo fue hasta principios de los 60 cuando comenzaron a ser realmente útiles, produciéndose únicamente transistores tipo n. Uno de los motivos por los que los transistores CMOS fueron aceptados en el mercado fue porque estos transistores únicamente disipaban energía durante las transiciones de estado. Con el tiempo se encontró que era más barato su costo de fabricación y se podía escalar más fácilmente. Asimismo CMOS trajo la posibilidad de tener circuitos analógicos y digitales en un mismo chip. Sin embargo, los MOSFET eran más lentos y más ruidosos que los BJT, la velocidad de los MOSFET se ha ido solucionando aumentando el escalamiento. El transistor MOSFET tiene las siguientes terminales: Compuerta (G), Fuente (S), Drenaje (D), Bulk (B). La fuente y el drenaje son intercambiables porque el dispositivo es simétrico. Si se fabrica el transistor en substrato tipo p, el dispositivo tiene 2 regiones altamente dopadas de material tipo n que forman la fuente y el drenaje y una pieza conductiva altamente dopada de polisilicio como compuerta, y una capa delgada de dióxido de silicio que aísla la compuerta del substrato. En el caso de que el substrato del NMOS no esté conectado al voltaje más negativo se tendrá que considerar la terminal B. La dimensión de la compuerta a lo largo del camino desde la fuente hasta el drenaje es llamada tamaño (L) y la medida perpendicular a esta se llama ancho (W). Durante la fabricación estos valores pueden variar, la distancia entre la fuente y el drenaje es ligeramente menor que la L usada para cálculos. La fuente del transistor es la terminal que provee portadores de carga y el drenaje la terminal que los recolecta. La simbología para los transistores más frecuentemente utilizada se muestra a continuación:

El voltaje de overdrive se define como  Si  Si  el dispositivo estará trabajando en la región de tríodo.Para su funcionamiento. el voltaje de umbral se puede ajustar dopando el área del canal durante la fabricación. . el dispositivo estará trabajando en la región de saturación. los transistores CMOS requieren de un voltaje de umbral que es una cantidad de voltaje aplicado a la compuerta a partir de la cual los electrones fluyen desde la fuente hasta el drenaje.