Caracterizacin de diodos y su aplicacin en circuitos

Valeria Jesiotr Ezequiel Bernatene Emilio Winograd Laboratorio de electrnica, Departamento de Fsica, FCEyN, UBA. Agosto 2005.

Resumen
El objetivo de este trabajo es lograr, mediante el clculo y anlisis de magnitudes caractersticas, una descripcin general del funcionamiento de un diodo comn y uno Zener, as como las diferentes aplicaciones de los mismos en circuitos simples. Se midi la respuesta de ambos diodos a la variacin de tensin, determinndose que la tensin mnima de conduccin fue de 0.7V. Utilizando cuatro diodos reales se arm un dispositivo rectificador de onda completa, verificando que la variacin en la tensin de salida, disminua frente a un aumento en la capacidad. Tambin se armaron dos circuitos recortadores, observndose que la seal de salida resultaba recortada en uno de sus semiciclos. Por ltimo, se arm un circuito enclavador, y se observ su propiedad de limitar la tensin de salida de manera regulable.

1. Introduccin
1.1 Efectos de los diodos en un circuito electrnico El diodo es un dispositivo electrnico de dos terminales (ctodo y nodo) que presenta un comportamiento no lineal: permite el flujo de corriente en un sentido, y bloquea el flujo en el sentido opuesto. Su smbolo circuital puede observarse en la figura 1.

Figura 1: Smbolo circuital del diodo y sus dos terminales.

Cuando el diodo conduce, la corriente circula desde el nodo hacia el ctodo y se dice que el diodo est polarizado en directa. Cuando el nodo est a menor potencial que el ctodo, el diodo se polariza en inversa y no permite que circule corriente desde el ctodo hacia el nodo. Para ser precisos se debe hacer una distincin entre lo que es un diodo ideal y uno real. En un diodo ideal, las caractersticas mencionadas se producen sin importar la diferencia de potencial entre los terminales ni la tensin aplicada sobre el diodo, y conducen como un cable ideal cuando la diferencia de tensin entre nodo y ctodo es positiva. En un diodo real, en cambio, existe una limitacin en la diferencia de potencial a la que se lo somete cuando est polarizado en inversa (VR), as como tambin una restriccin en la corriente que puede circular por l. Si no se respetan alguna de estas dos limitaciones, el diodo se rompe y deja de funcionar como tal. Adems, se produce una cada de tensin en el diodo cuando est polarizado en directa algo inferior a 1V (echo que no ocurre en el diodo ideal) y su conduccin con est polarizacin, es peor que la de un cable ideal. Estas diferencias pueden observarse en la figura 2. [1]

Figura 2: Curvas V-i: (a) para un diodo ideal; (b) para un diodo real.

Otra de las diferencias que existe es que el diodo real tiene un tiempo de respuesta. Esto quiere decir que cuando se le intenta circular corriente de

ctodo a nodo, no es instantnea su polarizacin en inversa y por consiguiente existe una corriente en esa direccin durante un intervalo de tiempo. Cuando uno supone que trabaja con un diodo ideal, este tiempo de respuesta es nulo, ya que se considera que el diodo se polarizar instantneamente. No es el diodo real el nico diodo que se utiliza. Existen otros tipos, como el diodo Zener, diodos led, diodos tnel, etc., que tambin son utilizados. A efectos de este trabajo describiremos nicamente al diodo Zener. El diodo Zener es un diodo que tiene la capacidad de permitir un flujo de corriente cuando est polarizado en inversa. Cuando la tensin aplicada entre ctodo y nodo es menor a un cierto VR, el diodo permite el paso de corriente en sentido del ctodo hacia el nodo, y para valores superiores a VR el diodo funciona como un diodo real. Este comportamiento se puede observar en la figura 3.

Figura 3: Curvas V-i: para un diodo Zener.

1.2 Funcionamiento del diodo Los diodos se componen de dos semiconductores: uno de tipo P y otro de tipo N, formando una unin de la clase P-N. Los semiconductores de tipo P tienen la caracterstica de atraer electrones, mientras que los de tipo N se caracterizan por ceder estas cargas. Cuando se realiza la unin, se crea alrededor de la superficie de contacto una regin de transicin, donde se genera una diferencia de potencial, de forma tal que la tensin en la zona N es superior al de la zona P, con lo que no puede efectuarse ningn paso de electrones de una a la otra. Cuando se aplica una tensin externa, con el positivo en la zona P y el negativo en la zona N, una parte de sta se utilizar para vencer esta barrera, dejando sin diferencia de tensin ambas zonas, y la tensin extra se aprovechar para permitir el flujo de corriente en la direccin desde la zona P

hacia la zona N. En cambio, si la tensin externa es negativa en la zona P y positiva en la zona N, sta deber sumarse a la diferencia de tensin ya existente por lo que no ocurrir un flujo de corriente en el sentido N-P. [2]

2. Procedimiento
2.1 Diodo real y diodo Zener. Para la medicin de la curva caracterstica I-V de los diodos (real y Zener), se arm el circuito de la figura 4, formado por un generador de funciones (F), un diodo (D) y una resistencia (R).

Figura 4: Circuito para la medicin de la curva caracterstica de entrada de un diodo. (F) Fuente de seales, (D) Diodo, (R) Resistencia, (1) Canal 1, (2) Canal 2.

La seal de entrada fue 664 mV (vpp) y la resistencia R=470 para el caso del diodo real, y R=7000 para el caso del diodo Zener. Midiendo las tensiones por medio del osciloscopio, con los canales 1 y 2 como se indica en la fig. 1, se midi la cada de tensin en el diodo. VD=VF-VR 2.2 Rectificador de onda completa. Para la realizacin del rectificador de onda completa, se arm el circuito de la figura 5, constituido por una fuente de tensin alterna de 50Hz (F), cuatro diodos comunes (D1, D2, D3, D4), una resistencia y un capacitor (C).

Figura 5: Circuito Rectificador de onda completa.

Para evitar conflictos con potenciales de referencia, se trabaj con una fuente flotante. Por medio del osciloscopio, se midi la cada de tensin sobre el capacitor, para distintos valores de capacidad. C1=1F C2=47 F La tensin de la seal de entrada fue de 9V vpp. 2.3 Circuito Recortador. Se realizaron dos circuitos recortadores distintos y se analizaron sus diferencias. En el primero, se arm el circuito de la figura 6, formado por un generador de funciones, una pila (P), un diodo comn (D) y una resistencia (R). Los valores utilizados fueron de R=10k y P=5V.

Figura 6: Circuito recortador.

Se midi la cada de tensin sobre la resistencia y se calcul la corriente que circulaba por el circuito. En el segundo circuito recortador, se invirti la posicin de la resistencia y la pila, como se muestra en la figura 7, y se midi la cada de tensin en el diodo.

Figura 7: Circuito recortador.

2.4 Circuito Enclavador. Para la realizacin del circuito enclavador, se dispuso de una fuente de seales (F), un capacitor (C) de 1F y un diodo, como se muestra en la figura

8.

Figura 8: Circuito enclavador.

3. Resultados y discusin
3.1 Curvas caractersticas de los diodos Para el anlisis de los datos obtenidos, nos ocuparemos primero del diodo comn (1N2128), para luego ser tratado el diodo tipo Zener.

Para analizar el comportamiento del diodo 1N4148, podemos observar los datos obtenidos en el grfico de la figura 9. Puede notarse claramente dos regiones con comportamientos completamente distintos. Para valores de tensin menores a los 0,7V, la corriente en el diodo es nula, mientras que para valores positivos de corriente, la cada de tensin en el diodo es de 0,7V. Puede observarse una leve dependencia entre la cada de tensin en el diodo y el valor de la corriente que circula por el mismo, para una polarizacin en directa, pero debido a que las variaciones de tensin en el rango medido son mucho menores a los 0,7V, se omitir un estudio sobre esta dependencia.
0,022 0,020 0,018 0,016 0,014

Intensidad diodo

Intensidad [A]

0,012 0,010 0,008 0,006 0,004 0,002 0,000 -0,002 -13 -12 -11 -10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3

Tensin [V]

Figura 9: Curva caracterstica del diodo comn.

Para el estudio del diodo Zener, podemos observar los datos obtenidos en el grfico de la figura 10. Puede notarse como tambin tiene dos regiones con comportamientos completamente distintos. Para valores de tensin menores a los 0,7V, la corriente en el diodo se comporta en forma exponencial con la tensin (a diferencia del diodo comn que su corriente era nula), mientras que para valores positivos de corriente, la cada de tensin en el diodo es de 0,7V (igual al diodo real comn). En la parte de comportamiento exponencial, se propone una aproximacin por la siguiente forma funcional

I = A eV/B Esta forma funcional esta caracterizada por los valores de las constante A y B. Por cuestiones arbitrarias, se puede definir que para tensiones de entre 0,7V y -1,5V, una regin de no conduccin del diodo, ya que en este rango de tensiones, la variacin de corriente es prcticamente nula. Estas caractersticas encontradas eran las que se esperaban, segn se expuso en 1.1.
0,0009 0,0008 0,0007 0,0006 0,0005 0,0004

Datos de ajuste: Equation: y = a*exp(b*x) a=-2.2E-75E-8 b=-2.440.07

Corriente [A]

0,0003 0,0002 0,0001 0,0000 -0,0001 -0,0002 -0,0003 -0,0004 -0,0005 -3,5 -2,8 -2,1 -1,4 -0,7 0,0 0,7 1,4

Tensin [V]

Figura 10: Curva caracterstica del diodo Zener.

3.2 Circuito rectificador En la figura 11 se observan las tensiones registradas a la salida del rectificador de onda de completa, para distintos valores del capacitor. Se observa que la seal oscila con una amplitud menor cuanto mayor es la capacidad del condensador. El rango de oscilacin registrado (medido pico a pico) es de 11.2V (sin capacitor), 6.8V (C=1F) y 0.48V (C=47F). Por esta razn, si se pudiera obtener un capacitor de capacidad infinita, la tensin de salida que se obtendra sera constante.

12

Tensin de salida sin capacitor (C) Tensin de salida con C=47F Tensin de salida con C=1F

10

Tensin [V]

0 0 500 1000 1500 2000 2500

Tiempo

Figura 11: Seal obtenida con el circuito rectificador de onda completa.

3.3 Circuitos recortadores La tensin obtenida a la salida del circuito recortador de la figura 6 y su comparacin con la seal externa aplicada puede observarse en la figura 12.
4,5 4,0 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0 -0,5 -1,0 -1,5 -2,0 -2,5 -3,0 -3,5 -4,0 -4,5 -5,0 0

Tensin de salida Tensin de la fuente

Tensin [V]

Figura 12: Seal obtenida con el circuito recortador.

500

1000

1500

2000

2500

Tiempo

En primer lugar puede verse como el diodo recorta el semiciclo negativo de la onda sinusoidal aplicada. Se aprecia una cada de tensin de alrededor de 0,7V que concuerda con los resultados esperados y obtenidos en 3.1. Tambin puede observarse que no se produce un desfasaje entre las dos seales, por lo que la impedancia medida es puramente resistiva. Con respecto a los resultados obtenidos con el circuito de la figura 7, pudo observarse que tambin se recortaba la seal como en la figura 12. A diferencia con el circuito anterior, el semiciclo recortado es el positivo, y en vez de medirse una tensin nula, se registraba una diferencia de potencial de 0.7V, por la presencia del diodo. Otra diferencia entre ambos circuitos radica en que en el primero la tensin que mide el osciloscopio en inversa es nula, ya que el diodo impide el flujo de corriente en todo el circuito, mientras que en el segundo, la tensin medida (ahora en directa) era de 0.7V, detectndose un flujo de corriente por el osciloscopio, con la consecuente prdida de energa. Por este motivo es ms eficiente el circuito de la figura 6. 3.4 Circuito enclavador Utilizando el circuito de la figura 8, se obtuvieron las tensiones que se observan en la figura 13.

12 10 8 6 4 2 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 0

Tensin de salida Tensin de entrada

Tensin [V]

500

1000

1500

2000

2500

tiempo

Figura 13: Seal obtenida con el circuito enclavador.

En primer lugar se observa un desfasaje entre las dos seales que era de esperar ya que el capacitor tiene una impedancia compleja de valor Z=(jC)-1. Lo que resulta ms interesante para analizar es la forma que tiene la seal de salida. Esta puede ser explicada de la siguiente manera: en primer lugar, el capacitor se carga a una tensin VC=VM-0,7V (con VM el mximo de tensin que est entregando la fuente); para instantes posteriores a los que la fuente entreg VM, el diodo no conducir ya que la tensin de salida ser VFuente-VM+0,7V, que, al ser VM>VFuente, es menor a 0,7V. Por lo tanto la seal de salida nunca exceder los 0,7V. Si quisiramos que la tensin de salida nunca supere otra tensin, podramos ubicar inmediatamente despus del diodo una pila, con lo cual fijaramos la seal mxima de salida a VPila-0.7V. Si por alguna razn aparece un pico de tensin inesperado en la entrada, el capacitor se cargar hasta alcanzar esta tensin y fijar otro valor para la tensin de salida. Para evitar que esto suceda podramos ubicar una resistencia en paralelo con el diodo, y as el capacitor se descargara por ella y no se vera afectado por este imprevisto.

4. Conclusiones
El diodo 1N4148 esta caracterizado por dos regiones con comportamientos completamente distintos. Para valores de tensin menores a los 0,7V, la corriente en el diodo es nula, mientras que para valores positivos de corriente, la cada de tensin en el diodo es aproximadamente de 0,7V. El diodo Zener, esta caracterizado por dos regiones. Para valores de tensin menores a los 0,7V, la corriente en el diodo se comporta en forma exponencial con la tensin (a diferencia del diodo comn que su corriente era nula), mientras que para valores positivos de corriente, la cada de tensin en el diodo es de 0,7V (igual al diodo comn). En la parte de comportamiento exponencial, siguiente la forma funcional I = A eV/B Se puede definir que para tensiones de entre 0,7V y 1,5V , una regin de no conduccin del diodo, dando as, una variante nueva a la del diodo comn, ya que para valores mayores a los 1,5V (en inversa) permite la circulacin de corriente. Tambin se pudo construir un circuito rectificador de onda completa mediante un puente de diodos y se observ que se obtena mejor rectificacin a la salida cuanta ms capacidad tena el capacitor, ubicado en paralelo a la salida. Se apreciaron los efectos de los circuitos recortadores y enclavadores. El primero produce que se elimine parte de la seal que se encuentra por debajo (o encima) de cierto valor, y el segundo introduce una limitacin regulable en la tensin de salida.

Referencias
[1] Ramn Brags Barda, Juan Antonio Chvez Domnguez y Llus Prat Vias. Circuitos y dispositivos electrnicos. Ed. Universidad politcnica de Catalunia. 6 ed. Espaa 1999. Captulo 6. [2] Gran enciclopedia de la electrnica. Ed. Nueva Lente. Espaa 1985. Tomo 1, pgs. 33-35.