Curso Basico de Electronic A Industrial

Academia de Instrumentacin Electrnica Industrial 1 UNIDAD I TIRISTORES
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1.1 Introduccin Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica de los sistemas de traccin y de los controles industriales impulsados por motores elctricos; esto ha llevado a un temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de obtener un voltaje de corriente directa variable para el control de los motores e impulsores. La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos. La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido requerido e el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de energa elctrica. En la figura 5-1 se muestra la interrelacin de la electrnica de potencia con la energa, la electrnica y el control. La electrnica de potencia se basa, en primer termino, en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadoresmicrocomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia, que puede compararse con el msculo, y (2) microelectrnica, que tiene el poder de la inteligencia del cerebro.
_______________________________________________________________________________________ Pg. 1 Ing. Gonzalo Serafn Reyes
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Figura 5-1: Relacin de la electrnica de potencia con la energa, la electrnica y el control. La electrnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnologa moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen controles de calor, controles de iluminacin, controles de motor, fuentes de alimentacin, sistemas de propulsin de vehculos y sistemas de corriente directa de un alto voltaje (HVDC por sus siglas en ingles). Resulta difcil trazar los lmites de las aplicaciones de la electrnica de potencia; en especial con las tendencias actuales en el desarrollo de los dispositivos de potencia y los microprocesadores, l limite superior esta aun indefinido. En la tabla 5-1 se muestran algunas de las aplicaciones de la electrnica de potencia.
Tabla 5.1: Aplicaciones de la electrnica de potencia
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Historia de la electrnica de potencia La historia de la electrnica de potencia empez e el ao 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron gradualmente, el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vaci de rejilla controlada, el fanotron y el tiratron. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950. La primera revolucin electrnica inicia en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los seores Bardeen, Brattain y Shockley. La mayor parte de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. A travs de los aos la microelectrnica moderna ha evolucionado a partir de los semiconductores de silicio. El siguiente gran parte aguas, en 1956, tambin provino de los Bell Telephone Laboratories: la invencin del transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR) por sus siglas en ingles. La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces, se han introducidos muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de microelectrnica nos dio la capacidad de procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad increble. La revolucin de la electrnica de potencia nos esta dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la fusin de la electrnica de potencia que es el msculo, con la microelectrnica, que es el cerebro, se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia, y se descubrirn ms. Dentro de los siguientes 30 aos, la electrnica de potencia formara y condicionara la electricidad, en alguna parte de la lnea de transmisin, entre el punto de generacin y todos los usuarios. La revolucin de la electrnica de potencia ha ganado inercia, desde el fin de los aos 80 y principios de los 90. Dispositivos semiconductores de potencia Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el control de la energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2) tiristores, (3) transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia, y (5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin estticos (SIT). Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos: (a) tiristor de conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por lnea, (e) tiristor desactivado por compuerta (GTO), (d) tiristor de conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin esttico (SITH), (o tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT), (g) rectificador controlado de silicio foto activado (LASCR), y (h) tiristores controlados
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por MOS (MCT). Los transistores de induccin estticos tambin estn disponibles en forma comercial. Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperacin rpida) y Schottky. Los diodos de uso general estn disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5s. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo. Existen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en perno y el otro como de disco empacado a presin o de disco de hockey. En el de perno, tanto el nodo como el ctodo podran ser el perno. Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo, y una compuerta. Cuando una pequea corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hacia el ctodo, el tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el tiristor est en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el tiristor continuara conduciendo. Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial en directa es muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del nodo sea igual o menor que el potencias de ctodo. Los tiristores conmutados en lnea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de conmutacin. Existen varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja. Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de hasta 6000 V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los tiristores de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 s con un tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse. Los RCT y los GATT se utilizan en gran medida para la interrupcin de alta velocidad, en especial en aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un tiristor que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000 (y 400 A de
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conduccin inversa) con un tiempo de interrupcin de 40 s. Los GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcin de 8 s. Los LASCR, que se fabrican hasta 6000V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 s, son adecuados para sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente, alterna de baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las caractersticas de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a travs de un TRIAC se puede controlar en cualquier direccin. Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin. Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponibles hasta 4000 V, 3000A. Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V, 300 A, se espera que puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una frecuencia de varios cientos de Khz. y ms all del rango de frecuencia de los GTO. Existen varias configuraciones de GTO. Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores que 10 Khz. y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la configuracin de emisor comn. Mientras que la base de un transistor NPN est a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se conservar activado, siempre que la unin del colector al emisor est correctamente polarizada. La cada directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excitacin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin (es decir desactivado). Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de Khz. Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de salida muy superiores a las de los BJT. Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta 20 Khz. Los IGBT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A.
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1.2 EL FET El transistor bipolar es la espina dorsal de la electrnica lineal, su funcionamiento se basa en dos tipos de cargas electrones y huecos, es por eso que se denomina bipolar. Sin embargo para aplicaciones donde se requiere alta impedancia el transistor unipolar es el ms adecuado. El funcionamiento del transistor unipolar depende de un solo tipo de carga que puede ser electrones o huecos. En la siguiente figura se muestra su smbolo.
Debido a que la unin Gate-Source est polarizada inversamente (diferencia de bipolar) la corriente es IG=0. Si tenemos un VG=2v y IG=0 la resistencia de entrada es
RG = 2v 0 =
En trminos reales la resistencia de entrada no es debido a una pequea fuga de IG, pero si muy cercana del orden de cientos de M. El termino efecto de campo se relaciona con las capas de empobrecimiento alrededor de cada regin p. Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.
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La estructura fsica del FET as como su smbolo correspondiente se muestra en la figura 1. En la figura 1.a) se construye empleando una barra de material tipo n dentro del cual se difunde un par de regiones tipo p. Un JFET de canal p se elabora empleando una barra de material tipo p con regiones difundidas tipo n, como se muestra en la figura anterior. Compuerta ( G ) S D
G Fuente ( S )
p
Drenaje ( D )
material n
p
Contacto hmico ( 1.a ) FET canal n (tipo p)
Compuerta ( G ) S D
G Fuente ( S ) )
N
Drenaje ( D
material P
N
Contacto hmico (1.b) FET canal p (tipo n)

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
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1. ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS= 0 (rds y distintos valores de VGS. on), 2. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS 3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).
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Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS Aislador o separador (buffer) Impedancia de entrada alta y de salida baja Uso general, equipo de medida, receptores Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones
Amplificador de RF
Bajo ruido
Mezclador
Baja distorsin de intermodulacin
Amplificador con CAG Amplificador cascodo
Receptores, Facilidad para controlar ganancia generadores de seales Baja capacidad de entrada Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos
Troceador
Ausencia de deriva
Resistor variable por Se controla por voltaje voltaje
Amplificador de baja Capacidad pequea de acoplamiento frecuencia
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1.3 El SCR. En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren se entregue una cantidad de potencia elctrica variable y controlada. La iluminacin, el control de velocidad de un motor, la soldadura elctrica y el calentamiento elctrico, son las cuatro operaciones ms comunes. Siempre es posible controlar la cantidad de potencia elctrica que se entrega a una carga si se utiliza un transformador variable para proporcionar un voltaje de salida variables. Sin embargo, para grandes potencias, los transformadores variables son fsicamente grandes y costosos y necesitan un mantenimiento frecuente, estos tres factores hacen que los transformadores variables sean poco utilizados. Otro mtodo para controlar la potencia elctrica que se entrega a una carga, es intercalar un restato en serie con la carga, para as controlar y limitar la corriente. Nuevamente para grandes potencias, los restatos resultan de gran tamao, costosos, necesitan mantenimiento adems, despercidian una cantidad apreciable de energa. Los restatos no son la alternativa deseable frente a los transformadores variables en el control de potencia industrial. Desde 1960 est disponible un dispositivo electrnico, el cul no adolece de las fallas antes mencionadas. El SCR es pequeo y relativamente barato, no necesita mantenimiento y su consumo de potencia es muy pequeo. Algunos SCR modernos pueden controlar corrientes del orden de cientos de amperios en circuitos que operan a voltajes tan elevados como 1000 volts. Por estas razones, los SCR son muy importantes en el campo del control industrial moderno. Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin duda, el de mayor inters hoy en da, y fue presentado por primera vez en 1956 por los Bell Telephone Laboratories. Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de los SCR son controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de alimentacin reguladas, interruptores estticos, controles de motores, recortadores, inversores, cicloconversores, cargadores de bateras, circuitos de proteccin, controles de calefaccin y controles de fase. En aos recientes han sido diseados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10 MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia de aplicacin tambin ha sido extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia. Operacin Bsica del Rectificador Controlado de Silicio Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1 . La resistencia inversa es tpicamente de 100 k o ms.
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El smbolo grfico para el SCR se muestra en la figura1, y las conexiones correspondientes a la estructura de semiconductor de cuatro capas en la figura 2
Figura 1 Smbolo del SCR.
Figura 2. Construccin bsica del SCR. Modelo de SCR de dos transistores: La accin regenerativa o de enganche debido a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un modelo de un SCR de dos transistores. Un SCR se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3.
a) Estructura bsica b) Circuito equivalente Fig. 3 Modelo del SCR.
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Activacin del SCR: Un SCR se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas: TERMICA. Si la temperatura de un SCR es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. y pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita. LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un SCR, aumentaran los pares electrn-hueco pudindose activar el SCR. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio. ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar. dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el SCR. Un valor alto de corriente de carga puede daar el SCR por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores. CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un SCR est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al SCR. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la fig.4 y adems se proporcionan las caractersticas de un SCR para diversos valores de corriente de compuerta. Las corrientes y voltajes ms usados se indican en las caractersticas. Voltaje de ruptura directo V(BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra a la regin de conduccin Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del estado de conduccin a la regin de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas.
Figura 4. Caractersticas del SCR.

Aplicaciones del SCR. Tiene variedad de aplicaciones entre ellas estn las siguientes: Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Cicloconversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.
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En la figura 5 se muestra un interruptor esttico es serie de medida de media onda. Si el interruptor est cerrado, la corriente de compuerta fluir durante la parte positiva de la seal de entrada, encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se enciende, el voltaje nodo a ctodo (VF) caer al valor de conduccin, dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca prdida en el circuito de compuerta. Para la regin negativa de la seal de entrada el SCR se apagar, debido a que el nodo es negativo respecto al ctodo. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversin en la corriente de compuerta. Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura 5b. El resultado es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea conduccin a menos de 180, el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la seal de entrada. El interruptor puede ser electrnico, electromagntico, dependiendo de la aplicacin.
a) Figura 5. Interruptor esttico en serie de media onda.
b)
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En la figura 6a se muestra un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180. El circuito es similar al de la figura 5, con excepcin de la resistencia variable y la eliminacin del interruptor. La combinacin de las resistencias R y R1 limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada. Si R1 est en su valor mximo, la corriente de compuerta nunca llegar a alcanzar la magnitud de ence4ndido. Conforme R1 disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta se incrementar a partir del mismo voltaje de entrada. De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en cualquier punto entre 0 y 90, como se muestra en la figura 6b. Si R1es bajo, el SCR se disparar de inmediato y resultar la misma accin que la obtenida del circuito de la figura 6b, el control no puede extenderse ms all de un desplazamiento de fase de 90, debido a que la entrada est a su valor mximo en este punto. Si falla para disparar a ste y a menores valores del voltaje de entrada en la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la seal. A esta operacin se le menciona normalmente en trminos tcnicos como control de fase de media onda por resistencia variable. Es un mtodo efectivo para controlar la corriente rms y, por tanto, la potencia se dirige hacia la carga.
a) Figura 6. Control de fase de resistencia variable de media onda.
b)
Control unidireccional de rectificacin de onda completa La Fig. 7 muestra como dos SCR pueden combinarse con un transformador de toma central para efectuar un control de onda completa. Este circuito se asemeja bastante al rectificador de onda completa para una fuente de alimentacin de DC cuando el devanado secundario est en semiciclo positivo, positivo arriba y negativo abajo, el SCR puede cebarse. Esto conecta la carga a la mitad superior del devanado secundario se encuentra en el semiciclo negativo, el SCR, puede cebarse conectando la carga a la mitad inferior del devanado secundario.
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La corriente a travs de la carga siempre fluye en la misma direccin tal como sucede en una fuente de onda completa. La figura 2(b) muestra las formas de onda de voltaje en la carga y del voltaje ac de lnea para un ngulo de disparo mencionado de 45 aproximadamente. La figura 7(a) muestra dos circuitos de disparo, una para cada SCR a menudo estos dos circuitos pueden combinarse en uno solo, esta prctica de diseo asegura que el ngulo de disparo es el mismo en ambos ciclos.
Circuito de disparo SCR1
SCR1 Fuente de VAC SCR2 (a) V fuente

Circuto de disparo SCR2
Carga
t (b) V carga
Figura 7, (a) Control de potencia de onda completa, (b) formas de onda. Control de potencia de onda completa con rectificacin, utilizando dos SCR y un devanado con toma central (b) formas de onda del voltaje de la fuente y del voltaje en la carga. Ambos semiciclos estn siendo utilizados para la entrega de potencia, pero el voltaje en la carga tiene una sola polaridad.
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1.4 El Diac. Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.
La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.
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1.5 El TRIAC. El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Descripcin general Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa. CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA EQUIVALENTE
La estructura contiene seis capas como se indica en la figura anterior, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura lo hace mas delicado que un SCR en cuanto a di/dt y capacidad para soportar sobre intensidades.
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Se fabrican para intensidades de 1 hasta unos 2000 Amperios eficaces y desde 400 a 2000 V de tensin de pico repetitivo. Los triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores. En la figura anterior se muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente. El Triac acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo, este dispositivo es equivalente a dos latchs.
La figura siguiente describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a travs del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1. El punto VBD (tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
Caracterstica tensin corriente
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El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del cuadrante III Mtodos de disparo del TRIAC. Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1. El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. 1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta entrante). La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y - . Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin. 2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. 3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
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El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. 4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin. El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor. El modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible. En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el disparo en todos los estados. Formas de onda de los triacs. La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se representa en la siguiente figura. La corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en el estado encendido. Si permanece una parte pequea del tiempo en el estado encendido, el flujo de corriente promedio a travs de muchos ciclos ser pequeo, en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido, la corriente promedio ser alta.
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Un triac no esta limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo adecuado del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR. Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la figura siguiente se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac (a travs de los terminales principales) para dos condiciones diferentes. Las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30 de cada semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se cae a travs de las terminales principales del triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de corriente a travs del triac y la carga. La parte del semiciclo durante la cual existe esta situacin se llama ngulo de retardo de disparo. Despus de transcurrido los 30, el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se llama ngulo de conduccin. Las dems figuras muestran las mismas formas de ondas pero con ngulo de retardo de disparo mayor.
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Ejemplo 1 circuito practico para disparo En la FIG. 5 se muestra un circuito prctico de disparo de un triac utilizando un UJT. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un transformador de aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el primario, para este caso asla el circuito de potencia ca del circuito de disparo.
FIG.5 La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinacin de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la lnea de ca. Esta forma de onda es mostrada en la FIG. 6 (a). Funcionamiento. Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac, encendindolo durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor (Vc1), corriente del secundario de T2 (Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la FIG. 6 (b), (c),(d). La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un divisor de voltaje, entre ellos se dividen la fuente de CD de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v, esto origina que el transistor PNP Q1 conduzca, con una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta.
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Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1 ser menor que en el caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a travs del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razn de carga de C1 se reduce, por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan despus en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.
FIG.6
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Ejemplo 2 prctico de aplicacin. En la figura siguiente puede verse una aplicacin prctica de gobierno de un motor de c.a. mediante un triac (TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de mando exterior a la puerta inversora de un ULN2803 que a su salida proporciona un 0 lgico por lo que circular corriente a travs del diodo emisor perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho diodo emite un haz luminoso que hace conducir al Fototriac a travs de R2 tomando la tensin del nodo del triac de potencia. Este proceso produce una tensin de puerta suficiente para excitar al triac principal que pasa al estado de conduccin provocando el arranque del motor. Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que consideremos oportuno. Como podemos apreciar, entre los terminales de salida del triac se sita una red RC cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no deseados. Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador de calor constituido a base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se refrigere adecuadamente.
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1.6 El UJT (Transistor de unijuntura). El transistor monounin (UJT) se utiliza comnmente para generar seales de disparo en los SCR. En la figura 5-7a aparece un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas corno emisor E, base uno B1, y base dos B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 a 9.1 k). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin V, en cd, se carga el capacitar C a travs la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es 1= RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor Vc, llega al voltaje pico, Vp, se activa el UJT y el capacitar C se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de 2= RB1C. 2 es mucho menor 1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. Las formas de onda del emisor y de los voltajes de disparo aparecen en la figura. La forma de onda del voltaje de disparo VB1 es idntica a la corriente de descarga del capacitor C1. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar al SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs. En trminos sencillos, los UJT operan como sigue. Cuando el voltaje entre el Emisor y la Base1, VEB1, es menor que cierto valor llamado el voltaje pico, Vp, el UJT est apagando y no puede haber flujo de corriente de E a B1 (IE =0). Cuando VEB1 excede a Vp por una cantidad muy pequea, el UJT se dispara, o enciende. Cuando esto ocurre, el circuito de E a B1 se vuelve casi un cortocircuito, y la corriente puede descargarse de una terminal a la otra. En la mayoria de los circuitos UJT, la descarga de corriente de E a B1 es de corta duracin, y el UJT pronto se revierte a la condicin de apagado.
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1.7 El PUT (Transistor Unijuntura Programable).
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El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la figura 5-8. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la figura 5-8. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo de voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd. Pero el Vp de un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo RI y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, el dispositivo se conservar en su estado inactivo. Si VA excede el voltaje de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activara. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv, dependen de la impedancia o, equivalente en la compuerta RG = R1R2/(RI + R2) y del voltaje de alimentacin de cd Vs. En general, Rk est limitado a un valor por debajo de 100.
Figura 5-8: Circuito de disparo para un PUT.
El oscilador de relajacin PUT de la figura siguiente resalta algunas de las caractersticas del PUT que los distinguen de un UJT estndar. Note primero que la frecuencia de oscilacin es ajustada variando el voltaje de cd aplicado a la
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compuerta por el divisor de voltaje RG1-RG2. Haga la comparacin con un oscilador UJT, donde la frecuencia se ajustara variando RT, para cambiar la razn de carga del capacitor de temporizacin CT. El acto de variar VG puede considerarse como la programacin del PUT. +12V
Rt 22Mohms 470Kohms
RG1F
Vsalida 500Kohms + 20uF
nodo
RG1V
Gate Ctodo Rk 100 ohms RG2 1Mohms
Oscilador de relajacin (la frecuencia vara con RG1V) Con el resistor de ctodo Rk presente, la referencia de tierra para el circuito es tomada de su terminal inferior, en lugar de la terminal del ctodo misma. Esto, virtualmente no tiene efecto sobre Vp, pues el voltaje a travs de Rk es prcticamente cero cuando el PUT est en su estado de apagado.
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1.8 GTO (Gate Turn-off Thyristor) Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal gate (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de corriente negativa en la terminal gate. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la terminal gate. El smbolo para el tiristor GTO usado ms frecuente, as como sus caractersticas de conmutacin se muestran en la figura. El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales gate y ctodo, la corriente en el gate (ig), crece. Cuando la corriente en el gate alcanza su mximo valor IGR, la corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 s. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola. La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en el gate (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en el gate de 250 A para el apagado.
La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Como se muestra en la figura, existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la operacin, radica en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente
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de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc ac) a niveles de potencia en los que los MOSFETs, TBJs e IGBTs no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC DC, los GTOs, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
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1.9 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porcin de la estructura es la combinacin de regiones n+ , p y n- que forman el MOSFET entre el source S y el gate G con la regin de flujo n- que es el drain D del MOSFET. Otra parte es la combinacin de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unin bipolar entre el drain D y el source. La regin p acta como colector C, la regin nacta como la base B y la regin p+ acta como el emisor E de un transistor pnp. Entre el drain y el source existen 4 capas p+n-pn+ que forman un tiristor. Este tiristor es parsito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
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apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

UNIDAD II. ELEMENTOS FOTOELCTRICOS.
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2.1 Introduccin La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos. Los componentes optoelectrnicos son aquellos cuyo funcionamiento est relacionado directamente con la luz. Los sistemas optoelectrnicos estn cada vez ms de moda. Hoy en da parece imposible mirar cualquier aparato elctrico y no ver un panel lleno de luces o de dgitos ms o menos espectaculares. Por ejemplo, la mayora de los walkman disponen de un piloto rojo que nos avisa, siempre en el momento ms inoportuno, que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. Los tubos de rayos catdicos con los que funcionan los osciloscopios analgicos y los televisores, las pantallas de cristal lquido, los modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra ptica,... son algunos de los ejemplos de aplicacin de las propiedades pticas de los materiales que nos disponemos a desglosar en este captulo. Pero antes debemos recordar los conceptos elementales acerca de la luz. La radiacin electromagntica La radiacin electromagntica est formada por fotones. Cada fotn lleva asociada una energa que se caracteriza por su longitud de onda segn la ecuacin E=hc/ donde E = energa del fotn 8 c = velocidad de la luz 310 m/s h = constante de Planck = longitud de onda del fotn. El numerador de la expresin de la energa es una constante. Por eso, la energa de un fotn es mayor cuanto menor sea la longitud de onda, que se encuentra en el denominador. La luz, tal y como la entiende la persona de a pie, no es mas que una parte de la radiacin electromagntica que es capaz de excitar las clulas de la retina del ojo. La radiacin electromagntica abarca un concepto ms general. La radiacin electromagntica queda dividida segn su longitud de onda. A continuacin se comentan algunos aspectos relativos a estas divisiones: Las ondas de radio son generadas por circuitos electrnicos, como osciladores LC, y son utilizadas en comunicaciones. Las microondas abarcan la zona desde 1 mm hasta 30 cm. Resultan adecuadas para los sistemas de radar, navegacin area y para el estudio de las propiedades atmicas de la materia. Las ondas infrarrojas son llamadas tambin ondas trmicas ya que estas ondas son producidas principalmente por cuerpos calientes y son absorbidas fcilmente por la mayora de los materiales. La energa
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absorbida aparece como calor. Estas ondas comprenden longitudes de onda desde 1 mm hasta 4x10-7 m. La luz visible es la parte del espectro que puede percibir el ojo humano. Incluye las longitudes de onda desde 4x10-7 hasta 7x10-7 metros o lo que es lo mismo, desde 400nm hasta 700nm. Los diferentes colores corresponden a ondas de diferente longitud de onda. La luz ultravioleta (6x10-8 - 3.8x10-7) es producida principalmente por el sol. Es la causa de que la gente se ponga morena. Los rayos X y los rayos gamma son ondas de gran energa que daan la estructura de los tejidos humanos.
El espectro electromagntico
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La optoelectrnica se centra principalmente en la parte del espectro electromagntico correspondiente a la luz visible y la parte del infrarrojo cercano a la luz visible. Dispositivos optoelectrnicos bsicos A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de dispositivos: Dispositivos emisores: emiten luz al ser activados por energa elctrica. Son dispositivos que transforman la energa elctrica en energa luminosa. A este nivel corresponden los diodos LED o los LSER. Dispositivos detectores: generan una pequea seal elctrica al ser iluminados. Transforma, pues, la energa luminosa en energa elctrica. Dispositivos fotoconductores: Conducen la radiacin luminosa desde un emisor a un receptor.
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2.2 El FOTODIODO. Los fotodiodos son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. En la figura siguiente se muestra su smbolo.
Figura 9.13: Smbolo del fotodiodo Caractersticas
Figura 9.14: Curvas caractersticas de un fotodiodo El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn - hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga.
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El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa. Para caracterizar el funcionamiento del fotodiodo se definen los siguientes parmetros: Se denomina corriente oscura (dark current), a la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe luz incidente. Se define la sensibilidad del fotodiodo al incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por unidad de intensidad de luz, expresada en luxes o en mW/cm2.
Esta relacin es constante para un amplio intervalo de iluminaciones. El modelo circuital del fotodiodo en inversa est formado por un generador de intensidad cuyo valor depende de la cantidad de luz. En directa, el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si est fabricado en silicio, la tensin que cae en el dispositivo ser aproximadamente 0,7 V. Los fotodiodos son ms rpidos que las fotorresistencias, es decir, tienen un tiempo de respuesta menor, sin embargo solo pueden conducir en una polarizacin directa corrientes relativamente pequeas. Geometra Un fotodiodo presenta una construccin anloga a la de un diodo LED, en el sentido que necesita una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan los rayos luminosos para incidir en la unin PN. En la siguiente figura, aparece una geometra tpica. Por supuesto, el encapsulado es transparente a la luz.
Corte transversal de un fotodiodo comercial
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2.3 La Fotocelda. Las fotoceldas son pequeos dispositivos que producen una variacin elctrica en respuesta a un cambio en la intensidad de la luz. Las fotoceldas las podemos clasificar en 2 tipos: a) Fotovoltaicas. b) Fotoconductoras O Fotoresistivas.
FOTOCELDAS FOTOVOLTAICAS. Las celdas fotovoltaicas generan una salida de voltaje en funcin de la intensidad de la luz que incide sobre su superficie. El smbolo de una celda fotovoltaica as como su curva de respuesta se muestran a continuacin.
En la curva de respuesta se observa que el eje de la intensidad de la luz es logartmica, lo cual nos indica que la celda es mas sensible a bajos niveles de luz dado que a pequeos cambios en la intensidad de la luz(de 1 a 10 f.c.) se producen las mismas variaciones del voltaje de salida que con cambios mayores segn la grfica. Las celdas fotovoltaicas son mas rpidas en relacin a las fotoresistivas. Las aplicaciones de este tipo de dispositivos son: En circuitos con operacin de todo o nada. Colocando la fotocelda a una distancia mxima de 3 metros con respecto a una fuente de luz de tal forma que cuando la luz este incidiendo sobre el dispositivo el circuito active un relevador y lo apague cuando algn objeto se interponga entre estos dos elementos.
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Otra aplicacin es el conteo de eventos. En un disco que esta acoplado en un eje de motor o mecanismo se realiza una perforacin y adems se coloca una fuente de luz entre una posicin de emisin y recepcin. Cuando en disco est girando en pequeos instantes cuando el orificio permite el paso de la luz incidiendo directamente sobre la celda fotovoltaica, la cual en funcin de la luz nos proporciona una seal de voltaje til para un circuito electrnico.
FOTOCELDAS FOTOCONDUCTORAS FOTORESISTIVAS. Una celda fotorresistiva se compone de un material semiconductor cuya resistencia varia en funcin de la iluminacin. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. Es por ello por lo que tambin se le llama resistencias dependientes de luz (light dependent resistors), fotoconductores o clulas fotoconductoras. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrn hueco. Al haber un mayor nmero de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo.
Fotogeneracin de portadores Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn hasta volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores disminuir y el valor de la resistencia ser mayor.
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Figura 9.11: Estado de conduccin sin fotogeneracin Por supuesto, el material de la fotorresistencia responder a unas longitudes de onda determinadas. Es decir, la variacin de resistencia ser mxima para una longitud de onda determinada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deber ser suministrada por el proveedor. En general, la variacin de resistencia en funcin de la longitud de onda presenta curvas como las de la figura siguiente.
Variacin de resistencia en funcin de la longitud de onda de la radiacin. El material mas utilizado como sensor es el CdS, aunque tambin puede utilizarse Silicio, GaAsP y GaP. La fotocelda no tiene unin como el fotodiodo. Una capa delgada del material conectada entre terminales se expone a la energa luminosa incidente. Cuando aumenta la intensidad de la iluminacin sobre el dispositivo, se incrementa tambin el estado de energa de una gran nmero de electrones en la estructura debido al aumento de disponibilidad de los paquetes de fotones de energa, el resultado real es obtener una menor resistencia en la fotocelda. En otras palabras la respuesta es inversamente proporcional a la cantidad de luz que incida sobre la fotocelda, la resistencia es del orden de 100 kohms cuando no incide luz y 100 ohms cuando incida la mayor cantidad de luz. Las celdas fotoresistivas se prefieren ms que las fotovoltaicas debido a que estas son ms sensibles. Las aplicaciones de este dispositivo son: Para el control de encendido de luz en las ciudades (lmparas).
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En el control de intensidad gradual en las combustiones de calderas, cuando el humo producto de la combustin es bastante negro la resistencia es alta y por lo contrario cuando el humo es blanco la resistencia es menor, con lo anterior se puede controlar con seguridad la combustin o la generacin de contaminantes al ambiente.
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2.4 El LED (DIODO EMISOR DE LUZ). Un diodo emisor de luz es un dispositivo de unin PN que cuando se polariza directamente emite luz. Al aplicarse una tensin directa a la unin, se inyectan huecos en la capa P y electrones en la capa N. Como resultado de ello, ambas capas tienen una mayor concentracin de portadores (electrones y huecos) que la existente en equilibrio. Debido a esto, se produce una recombinacin de portadores, liberndose en dicha recombinacin la energa que les ha sido comunicada mediante la aplicacin de la tensin directa. Se pueden distinguir dos tipos de recombinacin en funcin del tipo de energa que es liberada: Recombinacin no radiante: la mayora de la energa de recombinacin se libera al cristal como energa trmica. Recombinacin radiante: la mayora de la energa de recombinacin se libera en forma de radiacin. La energa liberada cumple la ecuacin:
Si se despeja la longitud de onda:
siendo E la diferencia de energa entre el electrn y el hueco que se recombinan expresada en electrn-voltios. Esta energa depende del material que forma la unin PN. Para caracterizar la eficacia en la generacin de fotones se definen una serie de parmetros: La eficacia cuntica interna (s) es la relacin entre el nmero de fotones generados y el nmero de portadores (electrones y huecos) que cruzan la unin PN y se recombinan. Este parmetro debe hacerse tan grande como sea posible. Su valor depende de las probabilidades relativas de los procesos de combinacin radiante y combinacin no radiante, que a su vez dependen de la estructura de la unin el tipo de impurezas, y sobre todo, del material semiconductor. Sin embargo, la obtencin de una alta eficacia cuntica interna no garantiza que la emisin de fotones del LED sea alta. La radiacin generada en la unin es radiada en todas las direcciones. Es esencial que esa radiacin generada en el interior del material pueda salir de l. A la relacin entre el nmero de fotones emitidos y el nmero de portadores que cruzan la unin PN se le llama eficacia cuntica externa. Las causas de que la eficacia cuntica sea menor son tres: Slo la luz emitida en la direccin de la superficie entre el semiconductor y el aire es til. En la superficie entre el semiconductor y el aire se pueden dar fenmenos de reflexin, quedando los fotones atrapados en el interior del material.
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Los fotones pueden ser absorbidos por el material para volverse a formar un par electrn-hueco.
Consideraciones prcticas En la Figura se muestra el smbolo del diodo LED.
Smbolo del diodo LED En el anlisis de un circuito, el diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. Sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensin de polarizacin directa VD depende del material con el que est fabricado el diodo. Cuando se utilizan LEDs con tensin alterna se suele utilizar el esquema de la Figura:
Diodo LED en alterna Este esquema se utiliza para que el diodo LED no se encuentre nunca polarizado en inversa. Al situar un diodo normal en antiparalelo, la tensin mxima en inversa entre las terminales del LED es de 0,7 V. Esto se realiza as porque un diodo LED puede resultar daado ms fcilmente que un diodo normal cuando se le aplica una polarizacin inversa.
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Materiales utilizados Tal y como se ha expuesto anteriormente, los diodos LED no estn fabricados de silicio monocristalino. El material que compone el diodo es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin (principalmente de los dopados). En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos: VD tpica Material Longitud de onda Color 904 nm IR 1V AsGa 1300 nm IR 1V InGaAsP 750-850 nm Rojo 1,5 V AsGaAl 590 nm Amarillo 1,6 AsGaP 560 nm Verde 2,7 V InGaAlP 480 nm Azul 3V CSi Una aplicacin de los LEDs: el display de 7 segmentos Una de las aplicaciones ms populares de los LEDs es la de sealizacin. Quizs la ms utilizada sea la de 7 LEDs colocados en forma de ocho tal y como se indica en la figura.
Display de 7 segmentos. A la izquierda aparecen las dos posibles formas de construir el circuito
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Polarizando los diferentes diodos, se iluminarn los segmentos correspondientes. De esta manera podemos sealizar todos los nmeros en base 10. Por ejemplo, si queremos representar el nmero 1 en el display deberemos mandar seal a los diodos b y c, y los otros diodos deben de tener tensin cero. Esto lo podemos escribir as: 0110000(0). El primer dgito representa al diodo a, el segundo al b, el tercero al c,... y as sucesivamente. Un cero representa que no polarizamos el diodo, es decir, no le aplicamos tensin. Un uno representa que el diodo est polarizado, y por lo tanto, emite luz. Muchas veces aparece un octavo segmento, entre parntesis en el ejemplo anterior, que funciona como punto decimal.
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2.5 DISPLAY DE CRISTAL LQUIDO (LCDS) Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la reflexin de la luz. El principio de funcionamiento es sencillo. Estos cristales lquidos estn formados por unas molculas alargadas con forma de puro, que se llaman molculas nemticas y se alinean con una estructura simtrica. En este estado el material es transparente. Un campo elctrico provoca que las molculas se desalinien de manera que se vuelven opacas a la luz. De esta manera, aplicando o no aplicando un campo elctrico (es decir, polarizando o no polarizando), podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. Si aplicamos el campo localmente en geometras iguales al display de 7 segmentos, conseguiremos un display anlogo al de los LEDs pero con cristal lquido.
Esquema constructivo de un LCD En la construccin de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de los cristales, tal y como aparece en la figura superior. Estos electrodos tienen la geometra deseada, por ejemplo, el display de 7 segmentos. El espesor del cristal lquido es muy pequeo, del orden de 0.01mm. Ya tenemos nuestro invento preparado. Si no se polarizan los terminales, al incidir la luz sobre el cristal frontal, pasa a travs del cristal lquido y es reflejada por el
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espejo incidiendo en el ojo que est mirando. El resultado: todo se ve de color claro. Si polarizamos un electrodo, por ejemplo, el electrodo a, el cristal lquido pegado al electrodo se vuelve opaco, negro, oscuro. La luz ya no es reflejada. Caractersticas elctricas del LCD Desde el punto de vista elctrico, se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy pequeo en paralelo con una resistencia muy grande.
Circuito equivalente de un LCD. Se necesita una seal pequea en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones mayores romperan la fina capa de cristal lquido. La frecuencia de la tensin puede variar entre 30 y 50 Hz. Frecuencias ms bajas producen un efecto de parpadeo, frecuencias ms altas producen un aumento del consumo.
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2.6 DIODOS LASER LASER es un acrnimo de Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. Las aplicaciones de estos diodos son muy diversas y cubren desde el corte de materiales con haces de gran energa hasta la transmisin de datos por fibra ptica. Caractersticas: ventajas frente a los diodos LED Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las caractersticas de un diodo lser son La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.
Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser La emisin de luz lser es monocromtica: Los fotones emitidos por un lser poseen longitudes de onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz emitida por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.
Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser. Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin
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puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin. Materiales utilizados Los materiales utilizados para la fabricacin de diodos lser son prcticamente los mismos que en diodos LED. En comunicaciones se utilizan predominantemente diodos lser que emiten en el infrarrojo. Tambin se utilizan de luz roja. Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.
Esquema del funcionamiento del CD-ROM Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en informacin analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasin.

2.7 El FOTOTRANSISTOR Se trata de un transistor bipolar sensible a la luz.
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Smbolo del fototransistor La radiacin luminosa se hace incidir sobre la unin colector base cuando ste opera. En esta unin se generan los pares electrn - hueco, que provocan la corriente elctrica. El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes puntos: Un fototransistor opera, generalmente sin terminal de base (Ib=0) aunque en algunos casos hay fototransistores tienen disponible un terminal de base para trabajar como un transistor normal. La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que la pequea corriente fotogenerada es multiplicada por la ganancia del transistor. Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la siguiente figura, como se puede apreciar, son curvas anlogas a las del transistor BJT, sustituyendo la intensidad de base por la potencia luminosa por unidad de rea que incide en el fototransistor.
Curvas caractersticas de un fototransistor tpico
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2.8 EL OPTOACOPLADOR Un optoacoplador es un componente formado por la unin de un diodo LED y un fototransistor acoplados a travs de un medio conductor de luz y encapsulados en una cpsula cerrada y opaca a la luz.
Figura 9.18: Esquema de un optoacoplador Cuanta mayor intensidad atraviesa el fotodiodo, mayor ser la cantidad de fotones emitidos y, por tanto, mayor ser la corriente que recorra el fototransistor. Se trata de una manera de transmitir una seal de un circuito elctrico a otro. Obsrvese que no existe comunicacin elctrica entre los dos circuitos, es decir existe un trasiego de informacin pero no existe una conexin elctrica: la conexin es ptica. Las implementaciones de un optoacoplador son variadas y dependen de la casa que los fabrique. Una de las ms populares se ve en la Figura 9.19. Se puede observar como el LED, en la parte superior, emite fotones que, tras atravesar el vidrio, inciden sobre el fototransistor.
Figura 9.19: Esquema constructivo de un optoacoplador
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Funcionamiento del Optoacoplador La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una seal elctrica en una seal luminosa modulada y volver a convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.
Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores. Cuando aparece una tensin sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a travs de una pequea gua-ondas de plstico o cristal hacia el fotorreceptor. La energa luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensin elctrica a su salida. Este responde a las seales de entrada, que podran ser pulsos de tensin. Diferentes tipos de Optoacopladores Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor BJT. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac slo en los cruce por cero de la corriente alterna.

Ejemplos de diseo de elementos sensibles a la luz.
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Calcular el valor mnimo de la resistencia R si se quiere que el LED CQX12 no sufra ningn dao al conectar la fuente de tensin.
En el siguiente circuito, D1 es un LED de color rojo, D2 naranja y D3 verde. Calcular los valores de R1, R2 y R3 para que se iluminen los tres diodos con If = 20 mA al conectarse la fuente de tensin.
DATOS: Cada de tensin (Voltios) en los diodos para If = 20 mA: rojo naranja verde 1.8 2 2.2 Calcular el mnimo valor de R para que se enciendan los diodos de la figura sin sufrir ningn dao, sabiendo que D1 es rojo, D2 naranja y D3 verde (tomar los datos del problema anterior).
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El montaje de la figura se utiliza cuando se quiere conectar un LED en AC. Como su tensin de ruptura en inversa es muy pobre, se conecta en paralelo un diodo convencional, para que conduzca en el semiciclo negativo y el LED no sufra daos. Se pide seleccionar el LED si se quiere que sea rojo.
Calcular el valor de R para que cuando se conecte la fuente de alimentacin de 5 Voltios se enciendan los tres LED a la vez, con una corriente de 20 mA.
Se quiere que cuando se apliquen seales lgicas en la entrada, se encienda un LED de la serie SOD-76. Qu colores podemos escoger?. Qu seal habra que aplicar en la entrada para saturar Q? (Usar la gua rpida de seleccin).
Para la pantalla de un termmetro digital se ha utilizado un dispositivo tipo CQ216X, que incluye dos dgitos en el mismo soporte. Para que en el dgito de la derecha se lea el nmero dos, qu tensiones hay que aplicar en los terminales de dicho dispositivo?. Qu potencia se estar consumiendo en l si se alimentan con 10 mA?

En el circuito de la figura:
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Calcular la corriente que atravesar al transistor cuando se ilumine con una luz de 10 W/m2. Podra realizarse con este transistor el esquema de la figura 2?. Por qu?. Un fotodiodo con sensibilidad S=25mA por mW/cm2 debe ser utilizado para vigilar la intensidad de la luz solar que incide sobre una estacin de energa solar. Disee un circuito con dicho fotodiodo, que pueda proporcionar una seal en el rango de 0-5V que sea indicativo de la luz incidente. La intensidad pico promedio de la luz solar a medio da es aproximadamente 0.1mW/cm2 en la mayor parte de las regiones de la tierra. Un fotodiodo con sesnibilidad de 20mA por mW/cm2 de iluminacin, se utiliza para decodificar una seal digital enviada a travs de un cable de fibra ptica utilizando el arreglo que se muestra en la figura. En el extremo transmisor, un diodo LED de eficacia E=50mW/mA y Vf=1.3V est alimentado por una fuente de tensin que conmuta entre los niveles lgicos de 0 y 5V. El circuito hace que el LED produzca una seal ptica digital en el cable de fibra ptica. El arreglo fsico es tal que el 20% de la luz emitida por el LED queda acoplado al cable de fibra ptica. En el extremo receptor, el 80% de la luz del cable se acopla al fotodiodo en un rea de 1mm2. Si se desea reproducir los niveles lgicos de 0 y 5V, determinar los valores apropiados de VCC y RL.
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Se quiere transmitir una seal de pulsos (VIN) a travs de un entorno con ruidos electromagnticos. Para ello, se piensa en utilizar fibra ptica, ya que no se ve afectada por dichos ruidos (un cable convencional s se vera afectado y falseara la informacin).
Si los transistores Q1 y Q2 funcionan nicamente en corte y saturacin: 1. Explicar el funcionamiento del circuito 2. Seleccionar D1 y D2 Dado el dispositivo de la figura:
1.- Explicar qu tipo de circuito es y su funcionamiento. 2.- Comprobar que el diodo del optoacoplador no sufre ningn dao cuando VIN=0. 3.- Calcular la corriente absorbida de la fuente de 20 V cuando no se aplica ninguna seal de la entrada.
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Operacin Astable 555. El temporizador 555 es un oscilador y circuito de tiempo de precisin producido por diversos fabricantes de CI. Sus 2 modos de operacin son como oscilador astable y como circuito monoestable. El circuito puede oscilar hasta alrededor de 100 Khz y hay versiones CMOS que llegan hasta 250 khz.. El LM555 puede operar con voltajes desde 4.5 V hasta 18 V. En la figura interna de 555 se muestra que contiene 3 resistencia que generan los voltajes internos de referencia para el circuito 1 de 2/3Vcc denominado comparador de umbral y 1/3Vcc para el circuito 2 llamado comparador de disparo. El Flip-flop (FF) es activado (impulsado alto) por el comparador de umbral cuando Vumbral > 2/3Vcc y la salida alta del FF hace que el transistor entre en operacin ocasionando que el capacitor externo de 0.01 uf se descargue. El FF se reajusta (impulsado a bajo) mediante el comparador de disparo siempre que el Vdisparo<1/3 Vcc ocasionando que el transistor salga de operacin y permita que el capacitor se vuelva a cargar. Podemos concluir que el LM555 proporcionar una salida en alto durante todo el tiempo que tarde el capacitor en cargarse y la salida estar en Bajo durante el tiempo de descarga del capacitor. Lo anterior controlado por los comparadores 1y 2 debido al voltaje proporcionado por el capacitor a las entradas de umbral y disparo. En la operacin del LM555 como astable el circuito estar generando una seal de salida cuadrada durante todo el tiempo que el circuito permanezca encendido y su frecuencia de salida es posible controlarla al convertir la resistencia externa RB en un potenciometro. Esto es debido a que el tiempo de descarga se vuelve mas pequeo a medida que el valor del potenciometro baje. Operacin Monoestable. Este circuito se muestra en siguiente figura donde la terminal 2 entrada del comparador de disparo estar alta, de manera que la salida de este comparador controle al FF con salida alta, al transistor en operacin y la salida del LM555 en bajo. En estas condiciones el capacitor externo se est descargando(no pude cargarse mientras permanezcan estas condiciones). Un pulso negativo o menor de 1/3Vcc volver a enviar a bajo la salida del FF y pondr fuera de operacin al transistor y permite que el capacitor se pueda volver a cargar. Ahora el LM555 proporciona una salida alta. Podemos concluir que en esta forma de operacin del LM555 el circuito slo enva un pulso ya que el control de este circuito est dado por la seal de control de disparo, la cual el diseador la controla, es decir si el diseador proporciona una seal baja a la entrada de disparo (terminal 2) el LM555 dar a la salida una seal alta y se ira a bajo tiempo despus determinada por el tiempo de carga del capacitor externo.

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Tabla 5.1: Aplicaciones de la electrnica de potencia

_______________________________________________________________________________________ Pg. 2 Ing. Gonzalo Serafn Reyes

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Contacto hmico ( 1.a ) FET canal n (tipo p)

Contacto hmico (1.b) FET canal p (tipo n)

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Baja distorsin de intermodulacin

Amplificador con CAG Amplificador cascodo

Resistor variable por Se controla por voltaje voltaje

Amplificador de baja Capacidad pequea de acoplamiento frecuencia

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Figura 1 Smbolo del SCR.

a) Estructura bsica b) Circuito equivalente Fig. 3 Modelo del SCR.

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Figura 4. Caractersticas del SCR.

_______________________________________________________________________________________ Pg. 12 Ing. Gonzalo Serafn Reyes

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a) Figura 5. Interruptor esttico en serie de media onda.

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a) Figura 6. Control de fase de resistencia variable de media onda.

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SCR1 Fuente de VAC SCR2 (a) V fuente

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Caracterstica tensin corriente

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Figura 5-8: Circuito de disparo para un PUT.

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