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Lab. Electrónica II- P2 Amplificador Multietapa con acoplamiento directo

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LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

Dpto. Ing. de Telecomunicaciones 1 UNEFA Núcleo Maracay

PRÁCTICA Nº 2 AMPLIFICADOR MULTIETAPA CON ACOPLAMIENTO DIRECTO
Los amplificadores multietapa con acoplamiento capacitivo tienen la ventaja de quedar polarizadas independientemente una etapa de la otra y su diseño se puede hacer por separado. Sin embargo, este tipo de amplificadores tiene dos desventajas: • Las reactancias capacitivas a bajas frecuencias se comportan como altas impedancias, degradando la ganancia total del amplificador. Esto hace que el diseño sea impráctico para el procesamiento de señales analógicas lentas o de corriente continua, donde se requiere de una respuesta frecuencial plana a bajas frecuencias. • El acoplamiento capacitivo sólo tiene aplicación práctica en amplificadores discretos. En amplificadores de circuito integrado los capacitores ocuparían grandes cantidades de valiosa superficie dentro del microcircuito. En amplificadores multietapas con acoplamiento directo, la polarización de cada etapa no es independiente de las otras. Más aún, el nivel dc de cada etapa se va trasladando a la siguiente, produciéndose un problema de apilamiento de voltaje que termina saturando a las etapas finales. Esto se puede corregir, empleando estrategias de desplazamiento o corrimiento de nivel dc.

Objetivo: El objetivo de esta práctica es estudiar un amplificador de dos etapas inversoras BJT npn con acoplamiento directo, enfrentarse al problema del apilamiento de voltaje y resolverlo, implementando las técnicas disponibles. Materiales: MPF102 ó 2N5454 (Usar transistores iguales con β > 100). Resistores varios. Ing. César González Actualizado por: Dra. María del Pilar Pérez

María del Pilar Pérez . tomando en cuenta la potencia del Zener y que esta modificación no debe influir en la ganancia del amplificador. Vcc R2 2. Vcc R2 2.2k R1 750k Ci + 1uF Vi Q1 Dz Rz R4 2. más costosa pero permite mejorar la ganancia. Dado el circuito de la figura.LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II Dpto.2k Vo Q2 R3 750 R5 750 Esta segunda técnica es más sofisticada que la anterior. 4. si pudiera funcionar sin problemas de polarización. Calcular el valor de la ganancia de tensión del amplificador. Calcular el valor de la 10V tensión Zener necesaria para obtener máxima excursión simétrica de Vo. 10V demostrar y verificar en la práctica que Q2 está saturado por el exagerado valor del voltaje en su base. Ing. Procedimiento: 1. de Telecomunicaciones 2 UNEFA Núcleo Maracay Pre-Laboratorio: Simule cada uno de los circuitos de la práctica realizando cada una de las actividades señaladas en el procedimiento mediante la simulación.2k R1 750k Ci Q1 Q2 R4 2. Determinar también el valor de Rz para polarizar al diodo. a la vez que desplaza el corrimiento de nivel dc. César González Actualizado por: Dra. 2. Ing.2k Vo + 1uF Vi - R3 750 R5 750 3.

Vcc 10V R2 2.2k Post-Laboratorio: Compare los valores obtenidos mediante cálculos y simulaciones con los obtenidos en la práctica. Ing. César González Actualizado por: Dra. de Telecomunicaciones 3 UNEFA Núcleo Maracay 5.LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II Dpto. María del Pilar Pérez . Analice y concluya.2k R1 750k Ci Q1 Qa R4 2. + 1uF Vi - R3 750 Rx 10k Ry 10k -Vcc Qb Vo Q2 R5 750 Rb 2. recalcular todo y verificar los resultados. Obtener un valor adecuado para Ra. Ing.2k Ra Amplificador con JFET en configuración Fuente Común.

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