TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

Praktikan: Nicholas Melky S Sianipar (13206010)

Asisten: Eka
Waktu Percobaan: 20 April 2009
EL2140 – Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Sekolah Teknik Elektro dan Informatika – ITB

Abstrak
Pada praktikum ini praktikan mencoba kit praktikum
rangkaian percobaan Tansistor Sebagai Switch yang
berisi transistor FET, BJT, dan dua buah transistor
FET yang memebentuk CMOS. Dengan menggunakan
3 buah multimeter, praktikan dapat memahami dan
mengamati karakteristik transistor sebagai switch
pada saat karakteristiknya menunjukan perpindahan
titik kerja. Dengan mengubah-ubah kondisi rangkaian,
seperti tegangan yang akan seperti membuka atau
menuntup switch, maka praktikan dapat memahami
data-data tersebut pada kurva yang dapat Gambar 2.2 Daerah Perpindahan Titik Kerja Transistor BJT
Sebagai Switch
menghasilkan beberapa kesimpulan. Dan juga,
praktikan mencoba rangkaian transistor ini dengan 2.3 MOSFET Sebagai Switch
menggunakan osiloskop untuk dapat mengamati Selain BJT, MOSFET juga dapat berfungsi sebagai
bagaimana kurva rangkaian apabila diberi suatu input switch. Dibandingkan dengan BJT, sifat switch dari
tegangan tertentu. MOSFET juga lebih unggul karena membutuhkan arus
yang sangat kecil untuk operasinya.
1. Pendahuluan
Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan kerjanya
Pada Praktikum Elektronika EL2140 yang kelima ini, yaitu n‐Channel MOSFET (n‐MOS) dan p‐Channel
bertujuan agar praktikan dapat melakukan percobaan MOSFET (p‐MOS). Dimana n‐MOS bekerja dengan
dan pengamatan secara langsung mengenai komponen memberikan tegangan positif pada gate, dan
elektrik, yaitu transistor. Jenis transistor yang sebaliknya, p‐MOS bekerja dengan memberikan
digunakan pada praktikum adalah Field Effect tegangan negatif di gate.
Transistor yang bertipe CD4007UB dan Bipolar n‐MOS berlaku sebagai switch dengan membuatnya
Juntion Transistor yang bertipe 2N2222. Adapun bekerja di sekitar daerah saturasinya. Daerah kerja dari
tujuan dari percobaan Transistor Sebagai Switch adalah n‐MOS dapat dilihat pada gambar berikut ini.
:
 Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor
sebagai switch
 Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja
Bipolar Junction Transistor ketika beroperasi
sebagai saklar
 Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja
MOS Field‐Effect Transistor baik tipe n‐MOS
maupun CMOS ketika beroperasi sebagai saklar
2. Dasar Teori Gambar 2.3 Daerah Titik Kerja Pada NMOS

2.1 Switch Ideal 2.4 Rangkaian CMOS

Sebuah switch ideal harus mempunyai karakteristik Jika n‐MOS dan p‐MOS digabungkan, akan dihasilkan
rangkaian CMOS (Complementary MOS) yang
1

pada keadaan “off” ia tidak dapat dilalui arus sama

sekali dan pada keadaan “on” ia tidak mempunyai ditunjukkan oleh gambar berikut ini.
Halaman

tegangan drop. Untuk memperlakukan CMOS supaya bekerja sebagai

switch, kita harus mengubah‐ubah daerah kerjanya
2.2 Transistor BJT Sebagai Switch
antara cut‐off dan saturasi.
Komponen transistor dapat berfungsi sebagai switch,
walaupun bukan sebagai switch ideal. Untuk dapat
berfungsi sebagai switch, maka titik kerja transistor
harus dapat berpindah‐pindah dari daerah saturasi
(switch dalam keadaan “on”) ke daerah cut‐off (switch
dalam keadaan “off”). Untuk jelasnya lihat gambar di
bawah ini.
Dalam percobaan ini perpindahan titik kerja dilakukan
dengan mengubah‐ubah pra‐tegangan (bias) dari
emitter‐base.
 Gambar 4.1-1 Rangkaian Pengukuran BJT Sebagai Switch

Hasil pengukuran dari rangkaian karakteristik transistor

pada Gambar 4.1-1 dilakukan dengan mengubah-ubah
tegangan Rvar yang mengakibatkan perubahan VBE.
Akibat perubahan tersebut, dapat amati perubahan IC,
IB, VCE, dan kondisi relay atau lampu. Data yang
diperoleh dapat dilihat pada tabel berikut.

Tabel 4.1-1 Tabel Pengukuran BJT Sebagai Switch

Vc IB Ic
VBE
Gambar 2.4 Daerah Titik Kerja Pada CMOS c (mA (mA Keterangan
(V)
(V) ) )
Rvar min, Relay
3. Metodologi 0 0 0.01 mati,
VCEawal=12.85V
Rangkai Kit Relay nyala,
Lakukan
Pengamatan dan
Praktikum 0.64 0.1 1.47
Sesuai Model VCE=5.09V
Pencatatan Data
Rangkaian. 26.1
12 0.67 0.13
3
31.0
0.7 0.23 Relay nyala
5
0.73 31.0
5.23
Nyalakan Power 7 7
Posisikan
Terminal
Supply Atau 0.62 Relay mati,
Function 0 5.07
Multimeter/Osil
Generator Sesuai
2 VCE=10.31V
oskop Pada 0.66
Nilai Yang
Rangakaian
Ditentukan 0.1 20.7
7
0.7 0.33 27.8
Gambar 3-1 Metodologi Percobaan 0.72 27.7 Relay nyala
1.9
11 5 8
Pada kit praktikum telah tersedia komponen yang akan 27.7
0.74 4.39
dilakukan pada percobaan. Praktikan dipermudah 2
karena cukup menghubung-hubungkan komponen 0.62 Relay mati,
tersebut sesuai model rangkaian beserta 3 buah 0 3.96
8 VCE=9.52V
multimeter yang dipakai untuk mengukur arus dan 0.63 0 2.19 Relay mati
tegangan pada kaki transistor. Power supply disetting 20.9
besarnya sesuai VCC rangkaian tersebut. Untuk VIN 0.68 0.1
5
pada pengukuran menggunakan osiloskop, akan telebih 25.3
dahulu dilakukan pengukuran tegangan dan frekuensi 0.7 0.17
4
generator sinyal dengan besar amplitude 0 – 5 V. Relay nyala
10 25.5
Adapun peralatan dan komponen yang digunakan 0.72 1.61
4
dalam percobaan ini adalah sebagai berikut : 0.73
 Sumber tegangan DC 4.26 25.5
5
 Osiloskop Relay mati,
 Kit Transistor sebagai Switch 0.66 0.02 8.86
VCE=6.52V
 Multimeter Analog dan Digital 0.64
 Kabel‐kabel 0.01 7.45 Relay mati
5
0.68 19.7
4. Hasil dan Analisis 0.1
2

2 3
Halaman

4.1 Transistor BJT Sebagai Switch 22.9

0.7 0.19
9
9 Relay nyala
23.0
0.71 0.5
4
23.1
0.73 3.82
3
0.65
0 5.29 Relay mati, VCE=7V
5

Apabila data karakteristik diatas diproyeksikan dalam

sebuah kurva, diperoleh kurva sebagai berikut.
 35 Tabel 4.2-1 Karakteristik Rangakian NMOS pada VDD tertentu

30
VDD IG (A) ID (A) VGS (V) VDS (V)
25
0 0 0 6.02
20 6V
0 0.01 1.68 5.91
15 0 0 0 7.51
7.5V
10 0 0.01 1.67 7.40
5 0 0 0 9.01
9V
0 0 0.01 1.67 8.91
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Gambar 4.1-2 Kurva VBE –IC Pada VCC yang berbeda-beda Apabila data tabel diatas diproyeksikan dalam sebuah
kurva, diperoleh kurva sebagai berikut.
Dari data diatas dapat diketahui bahwa indikator 0.02
transistor tersebut berada pada keadaan cut-off atau 0.01
saturasinya adalah ketika Rvar diputar hingga LED 0.01
menyala. Saat lampu mulai menyala transistor berada 0.01
dalam keadaan jenuh(saturasi). Kemudian Rvar diputar 0.01
kebalikan hingga LED kembali padam. Saat LED
0.01
padam, transistor dalam keadaan cutt-off.
Adapun fungsi dari dioda adalah sebagai pengendali 0
arus, sehingga memberi relay tegangan yang membuat 0
relay bekerja. Dilihat dari bentuk rangkaian, Relay 0
yang diparalelkan dengan dioda dapat berfungsi 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
sebagai switch. Relay ini akan bekerja jika terdapat Gambar 4.2-2 Kurva VGS –ID Pada VDD yang berbeda-beda
perbedaan tegangan antar kaki relay. Jika kita
menginginkan transistor bekerja sebagai switch maka
nilai VBE harus positif karena pada saat ini arus akan
mengalir dari collector menuju transistor dan relay juga
akan berfungsi sebagai switch .Namun sebaliknya pada
keadaan reverse bias relay tidak bekerja jadi arus yang
menuju VCC akan dialirkan melalui dioda dan relay
akan tetap off.
Melalui, percobaan tersebut didapat bahwa nilai
tegangan base minimum penyebab saturasi adalah
0.67V dan nilai maksimum penyebab transistor cutoff
adalah 0.66V. Ketika saturasi, transistor diibaratkan
seperti hubung singkat, sehingga arus kolektor
mengalir dari kaki kolektor ke kaki emitor. Sedangkan
saat cutoff, transistor diibaratkan seperti hubung Gambar 4.2-3 Rangkaian NMOS menggunakan olsiloskop
terbuka sehingga arus kolektor tidak dapat mengalir
dari kaki kolektor ke kaki emitor. Hanya kedua
keadaan inilah yang harus dicapai bila ingin
mengoperasikan transistor BJT sebagai saklar/switch.
4.2 MOSFET Sebagai Switch (NMOS)

3
Halaman

Gambar 4.2-4 Mode XY Pada Osiloskop

Dari kurva diatas dapat diamati bahwa arus ID mengalir

Gambar 4.2-1 Rangkaian NMOS menggunakan multimeter
Hasil pengukuran dari rangkaian karakteristik transistor
pada Gambar 4.2-1 dilakukan dengan mengubah-ubah
tegangan Rvar yang mengakibatkan perubahan VGS.
Akibat perubahan tersebut, dapat amati perubahan I D,
IG, dan VDS. Data yang diperoleh dapat dilihat pada
tabel berikut.
VDS disekitar 1.66V. Namun ketika VDS lebih kecil dari
1.5V arus ID sangat kecil dan mendekati nol yang
merupakan kondisi cut-off. Karakteristik ini yang
digunakan sebagai switch pada NMOS. Namun, dapat
diamati perbedaan NMOS dengan BJT adalah nilai I G
selalu nol. Ini adalah sifat dari transistor NMOS yang
tidak sifat antara kedua keeping seperti kapasitor yang
tidak mengalirkan arus DC apapada Gatenya. Untuk itu
mempertahankan transistor berada pada daerah kerja
transistor saturasi digunakan VDS minimum sebesar 0.04
1.66V. Dari gambar diatas garis hampir tegak lurus 0.03
(seperti karakteristik switch asli). Oleh karena itu, sifat 0.03
NMOS jauh lebih baik apabila digunakan sebagai
switch. Sedangkan pada kurva mode XY pada 0.02
osiloskop dapat diamati bahwa pada tegangan input 0.02
(VGS) yang tinggi justru menghasilkan tegangan output 0.01
(VDS) yang rendah yang merupakan sifat dari transistor 0.01
NMOS yang biasa digunakan sebagai block gate. 0
4.3 MOSFET Sebagai Switch (Inverter CMOS) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Gambar 4.3-2 Kurva VGS –ID Pada VDD yang berbeda-beda

Gambar 4.3-1 Rangkaian CMOS menggunakan multimeter

Hasil pengukuran dari rangkaian karakteristik transistor

pada Gambar 4.3-1 dilakukan dengan mengubah-ubah
tegangan Rvar yang mengakibatkan perubahan VGS. Gambar 4.3-3 Rangkaian CMOS menggunakan olsiloskop
Akibat perubahan tersebut, dapat amati perubahan I D,
IG, dan VOUT. Data yang diperoleh dapat dilihat pada
tabel berikut.

Tabel 4.2-1 Karakteristik Rangakian NMOS pada VDD tertentu

Vc Keteranga
IG IS ID VGS VDS
c n
Rvar
0 0 0 0 5.07
minimum
0.0 1.65
0 0.01 5.07
1 4
5V
0.0
0 0.02 2.27 5.07
2
0.0
0 0.03 2.4 5.08 Gambar 4.3-4 Mode XY Pada Osiloskop
3
10.0 Rvar Switch dari transistor ini lebih baik daripada switch
0 0 0 0 dari BJT. Hal ini karena transistor ini dapat bekerja
7 mnimium
0.0 1.85 10.0 pada daerah dengan arus yang lebih kecil seperti pada
0 0.01 kurva diatas.
10 1 8 7
4

V 0.0 2.23 10.0 Pada percobaan yang ketiga akan dilihat

0 0.02 bagaimana transistor CMOS (NMOS dan PMOS)
Halaman

2 4 8
0.0 bekerja sebagai saklar. Transistor PMOS dan NMOS
0 0.03 2.3 10.7 saling berkebalikan ketika mencapai keadaan on dan
3
off. Berikut ini cara kerja rangkaian CMOS:
Ketika VIN (VGS) mendapat tegangan tinggi PMOS [2] Mervin T. Hutabarat, Petunjuk Praktikum
akan off seperti switch yang terbuka, NMOS akan on Elektronika EL-2140, Hal 13-24, Laboratorium
dengan resistansi RDSN, sehingga nilai tegangan output Dasar Teknik Eletro STEI-ITB, Bandung, 2009
akan low (Vo=0). Hal ini disebabkan tegangan output
diambil dari kaki drain NMOS.
Sedangkan ketika Vin (Vgs) mendapat tegangan
rendah, PMOS akan akan on dengan resistansi R DSP,
NMOS akan off seperti switch yang terbuka sehingga
nilai tegangan output akan ”high”(Vo=VDD).
NMOS disebut juga ‘pull down’ divais karena dapat
menarik arus beban yang relatif besar, sehingga
menarik tegangan keluaran turun menuju nol. PMOS)
disebut juga ‘pull up’ divais karena dapat memberikan
arus beban yang relatif besar, sehingga menarik
tegangan keluaran naik menuju VDD.

Adapun hasil output osiloskop seperti pada Gambar

4.3-4 tampak bahwa ketika tegangan input tinggi maka
output tegangan keluaran menjadi rendah, dan berlaku
sebaliknya. Hal ini merupakan karakteristik dari blok
gate NOT/ Inverter.
5. Kesimpulan
Transistor dapat berfungsi sebagai switch karena pada
saat off arus yang mengalir sangat kecil sedangkan ada
saat onnya (saturasi) tegangan drop sangat kecil.
Switch akan berada pada posisi on bila transistor ada
pada titik kerja saturasi. Switch akan berada pada
posisi off bila transistor ada pada titik kerja cut off.
Ada 2 jenis transistor, yaitu BJT dan MOSFET. Jika
digunakan sebagai switch MOSFET mempunyai
keunggulan jika dibanding dengan BJT yaitu arus yang
dibutuhkan lebih kecil agar transistor aktif. MOSFET
terdiri dari n-MOS dan p-MOS. Jika keduanya
digabungkan akan menjadi transistor CMOS.
5

6. Daftar Pustaka
Halaman

[1] A. S. Sedra et.al., Microelectronic Circuits 5th

Ed, Hal. 377-458, Oxford University Press,
New York, 2004
7. Lampiran

Kit EL-2140 'Transistor Sebagai Switch'

6
Halaman