UNIDAD 1: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE DOS TERMINALES (DIODOS)

 DIODO DE UNION P-N

 CARACTERISTICAS TENSION CORRIENTE Y S DEPENDENCIA CON SU TEMP.
 RESISTENCIA INTERNA DEL DIODO
 CAPACITANCIA PARACITAS DE LA UNION
 MODELO LINEAL APROXIMADO DEL DIODO
 CONCEPTOS DE RECTAS DE CARGA Y PUNTO DE OPERACIÓN
 EL DIONO ZENER
 EL DIODO SCHOUTTKY
 EL DIODO PARACTOR
 EL DIODO TUNEL
 PARISTOR DE METAL – OXIDO
 DIODO LED
 DIODO LASER

UNIDAD 5: CIRCUITOS DE POLARIZACION PARA TRANSISTORES BJT

 CONCEPTOS GENERALES DE POLARIZACION
 PUNTO DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT
 RECTAS DE CARGA DC Y AC
 TECNICAS DE POLARIZACION, MAXIMA EXCURSION SIMETRICA CIRCUITO DE
POLARIZACION, ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION FRENTE A VARIACIONESDE LOS
PARAMETROS IIMPRINSECOS Y DE LA TEMP.
 COMPENSACION DE LA POLARIZACION MEDIANTE DIODOS Y TRANSISTORES