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ejercicios diodos

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Electrónica I.

Ejercicios Unión PN y circuitos con diodos

Prof. César Martínez

1.

Circuitos con diodos

1. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=10V, R1=R2=10Ω, Vjo=0,7V (para todos los dispositivos), determinar:

a ) El estado cada diodo. b ) La tensión de salida Vo.
D1

+ D3 R1 V1 D2 Vo R2

2. Para el circuito mostrado en la gura, con: V1=20V, V2=10V, V3=5V, R1=5KΩ, R2=10KΩ, Vjo=0,7V (para todos los dispositivos), determinar:

a ) El estado de cada diodo. b ) La tensión de salida Vo.

1

R2=2KΩ. D1 D3 + R2 V2 V1 D4 Vo V3 D2 - R1 4. 2 . Para el circuito mostrado en la gura.7V (para todos los dispositivos).D1 R2 + D3 D2 Vo V1 R1 V3 V2 - 3. b ) La función de transferencia Vo/Vi. R1=10KΩ. V2=5V. determinar: a ) El estado de cada diodo. con: V1=5V. Vjo=0. RL=10KΩ. con: V1=20V. determinar: a ) La tensión de salida Vo. b ) La tensión de salida Vo. Vi=12·Sen(wt). V2=2V. Para el circuito mostrado en la gura. V3=10V.

RL=100Ω. VZ3=3.1V. C1=100µF e inicialmente descargado.D1 + V1 D2 Vi AC RL Vo V2 - 5. con: V1=2V. Para el circuito mostrado en la gura. R1 D1 + R2 Vi AC D2 DZ3 Vo V1 R3 - 6. R2=R3=5KΩ. D1 + V1 Vi AC C1 RL Vo - 7. Para el circuito mostrado en la gura. 3 . asumir modelo ideal para todos los dispositivos. b ) La función de transferencia Vo/Vi. RL=10Ω. con: V1=5V. Vi=12·Sen(6283t). Vi es una señal triangular de 12V pico y 1Khz. Para el circuito mostrado en la gura. determinar: a ) La tensión de salida Vo. R1=2KΩ. determinar: a ) La tensión de salida Vo. con: C1=100µF e inicialmente descargado. determinar: a ) La tensión de salida Vo. Vi es una señal cuadrada de ±15V.

es decir. Ao = 1. 2. Determinar: RF + RL VF VZ DZ - a ) El valor de la impedancia de la fuente RF de modo que el dispositivo regule continuamente. c ) El porcentaje de regulación de carga del circuito regulador. IZK = 4mA y una resistencia interna RZ = 10Ω.)−VL (mn. El circuito de la gura corresponde a un regulador de tensión en paralelo con diodo Zener. Determinar: a ) El potencial de la unión en circuito abierto. Los parámetros del diodo Zener son VZK = 4. Los coecientes de difusión de huecos y electrones son 13cm2 /s y 34cm2 /s respectivamente. NOTA: Este porcentaje de regulación de carga se dene como la variación del voltaje de salida cuando existen variaciones de la corriente en la carga. 8mA. b ) El porcentaje de la corriente de huecos a la corriente total en la región libre de portadores. Las longitudes de difusión de electrones y huecos son 10·10−4 cm y 15·10−4 cm respectivamente y el área de la sección transversal de la unión es de 10−4 cm2 . Unión PN 1. Considerar que K ·T = 0. 027153eV . se determina como: %Regulacin = VL (mx. La tensión de la fuente de alimentación no regulada varía entre 18V y 28V . 54V . originando cambios en la corriente de carga entre 5mA y 23.) VL (mn. indicando todos los valores de interés. 4 . opera en región zener. Una unión P-N tiene un dopado de átomos aceptantes de 1017 cm−3 en el material tipo P y un dopado de impurezas donantes de 5 · 1015 cm−3 en el lado N. 74·1033 cm−6 · o K −3 para el silicio. En un determinado momento mientras el diodo Zener regula.) · 100 % d ) La potencia máxima disipada por el diodo Zener. la corriente circulante a través del dispositivo es IZ = 20mA. b ) Gracar el punto de operación en el que se encuentra operando el diodo Zener.D1 + D3 Vo RL D4 D2 - C1 Vi AC 8.

Las longitudes de difusión de electrones y huecos son 10 · 10−4 cm y 15 · 10−4 cm respectivamente. calcular la corriente de portadores minoritarios en el material tipo P en el borde de la región de agotamiento y en X = 4µm. 5 . calcular la densidad de corriente de difusión de portadores minoritarios en el material tipo N en el borde de la región de agotamiento y en X = 2µm. signica que el tiempo de vida medio de los huecos (τp ) aproximadaente se divide por cuatro. NOTA: Recuerde que si se cuadruplica la velocidad de recombinación. d ) Para el mismo nivel de polarización directa del punto (c). g ) La resistividad del material entre X = 4µm en la región P y X = 4µm en la región N. e ) Si debido a un agente externo la velocidad de recombinación de huecos en el material tipo N se cuadruplicara. el área de la sección transversal de la unión es de 8 · 10−4 cm2 y las movilidades de huecos y electrones son 1800cm2 /V · s y 3800cm2 /V · s respectivamente. c ) Si a esta unión se le aplica una tensión de polarización directa de 0. para el fenómeno que ocurre cuando se aplica la tensión de polarización directa. Considerar que Ao = 3. medidos ambos justo desde la unión de los dos materiales. calcular el nuevo valor de la corriente de huecos en el borde de la región de carga espacial. 2. Determinar: a ) El potencial de la unión en circuito abierto.c ) El porcentaje de la corriente de electrones a la corriente total en la región libre de portadores. Una unión P-N de germanio a 300o K tiene un dopado de átomos aceptores de 4 · 1016 cm−3 en el material tipo P y un dopado de átomos donores de 6 · 1015 cm−3 en el lado N. b ) La corriente total circulante por la región de carga espacial. f ) Gráco representativo de las concentraciones de electrones y huecos en función de la distancia. 53 · 1032 cm−6 · o K −3 para el germanio. Los coecientes de difusión de huecos y electrones son 13cm2 /s y 34cm2 /s respectivamente. 4V .

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->