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ii io _ _
+ +
v Transistor v
i o Fig. 2. Red de dos puertas con parám etros h.
_ _
Donde
TABLE I
Parámetros para cuadripolos.
Ii
y11 = jV =0 = Yi
Vi o
Var. Independiente Var. Dependiente Parámetros Ii
y12 = jV =0 = Yr
Ii ; Io Vi ; V o Z Vo i
Vi ; V o Ii; Io Y Io
y21 = jV =0 = Yf
Ii ; Vo Vi ; Io h Vi o
Vo ; Io Vi ; Ii A; B; C; D Io
y22 = jV =0 = Yo (6)
Vo i
Resultando la red de la Fig. 3.
A. Parámetros h
C. Análisis en ca
Se de…nen los parámetros h para satisfacer el sistema de
ecuaciones (1) y (2). Los modelos propuestos describen el comportamiento de
los transistores en la zona lineal, a pequeña señal además
U F R O - D IE . M a te ria l p re p a ra d o p a ra la a sig n a tu ra d e C irc u ito s E le c tró n ic o s
de sus características dinámicas, así el análisis básico de
I. Ve r 2 -2 0 1 0 . ampli…cadores requerirá de dichos modelos.
2
Ii Io ib
+ + +
+ + ic hie
+
1 + vCE v BE hfe i b 1
1 hre v CE vCE
Vi Yi Vo Yr Yf Vi Vo vBE i b hoe
Yo _ _ _
_
_ _
(a) (b)
Fig. 3. Red de dos puertas con parám etros Y. Fig. 4. (a) BJT en em isor común. (b) M odelo usando parám etros h.
El análisis de ampli…cadores consiste en la determinación ib =vBE ). Este parámetro puede ser calculado como hie =
de la relación de las variables de entrada y salida, común- 26[mV ] o
mente llamada ganancia, la que puede ser de voltaje (Av ) ibQ ; válido solamente para T ambiente. Por lo general
o corriente (Ai ). Sin embargo, son importantes las carac- su valor es de algunos [K ].
terísticas de entrada y salida tales como la impedancias de
vBE vBE
entrada y salida (Rin y Rout ), parámetros que permitirán hre = ji =0 = ji =Cte (8)
vCE b vCE b
evaluar el efecto de la conexión entre distintas etapas.
Como el análisis es en ca, se deben anular las fuentes de Corresponde a la transmisión inversa, por lo general de
cc, y dejar sólo las componentes de señal. Los capacitores bajo valor (no medible), puede ser considerada 0.
se reemplazan por cortocircuitos y …nalmente se reemplaza
el dispositivo activo por el modelo correspondiente. Final- ic ic
hf e = jv =0 = jv =Cte (9)
mente, a través de las leyes de Kirccho¤, se determinan los ib CE ib CE
parámetros señalados. Donde (9) es la ganancia de corriente a pequeña señal
III. Configuraciones amplificadoras en los y es el equivalente dinámico de .
transistores ic ic
hoe = ji =0 = ji =Cte (10)
Las relaciones de entrada-salida de los sistemas electróni- vCE b vCE b
cos son cuatro: Ganancia de voltaje Av , Ganancia de cor-
riente Ai , Transconductancia GT y Transresistencia RT : La ecuación (10) es la pendiente de la curva caracterís-
La Tabla II, indica las variables y sus unidades. tica de salida, también llamada resistencia de salida del
transistor (ro ). Por lo general, h1oe ! 1. Finalmente, el
modelo queda como se indica en la Fig. 5.
TABLE II
Relaciones Entrada-Salida
ib ic
Nombre Relación +
h ie +
vout
Av vin v BE h fe i b v CE
iout
Ai iin _ _
vout
RT iin [ ]
iout 1 Fig. 5. M o delo del BJT en EC a p equeña señal.
GT vin
Debido a que el BJT es un dispositivo controlado por A.1 Aplicación 1: Ampli…cador en emisor común
corriente, resulta conveniente usar los parámetros h, que
permite describir con más detalle sus cualidades dinámicas. Para el circuito de la Fig. 6, determinar la ganancia de
El FET es un dispositivo controlado por tensión que puede tensión (Av ), la ganancia de corriente (Ai ), y las impedan-
ser descrito usando los parámetros Y. cias de entrada y de salida (Zin , Zout ).
R2
RE
vBE vBE CE
hie = jv =0 = jv =Cte (7)
ib CE ib CE
Donde (7) equivale a la resistencia dinámica de la jun-
Fig. 6. Con…guración en em isor común.
tura de emisor (corresponde a la pendiente de la curva
A N A L IS IS Y M O D E L O S A P E Q U E Ñ A S E Ñ A L D E L T R A N S IS T O R 3
vo
Vcc
vi Rc
Rc RL
R1 R2 R1
Cc
Ci vo
Q
v
(a) i
RL
R2
ib RE
v
i vo
R1 R2 hie hfe i b RC RL
(a)
ib
vo
vi
(b) hie hfe i b
R1 R2 Rc RL
RE
Fig. 7. (a) Con…guración en ca. (b) Reem plazo del m odelo.
(b)
vi = ib hie (12)
De acuerdo a la red de la Fig. 9b.
Despejando i b de (12) y reemplazando en (11)
vo = (Rc jjRL ) hf e ib (18)
vo (Rc jjRL )
Av = = hf e (13)
vi hie Pero
La relación entre la salida y la entrada es mucho mayor
que 1. Para determinar la impedancia de entrada, se con- vi RE (1 + hf e ) ib
ib = (19)
sidera que Zin = Rin = viii ; así, la corriente de entrada ii hie
está dada por Despejando la corriente
vi
ii = (14) vi
R1 jjR2 jjhie ib = n o (20)
RE (1+hf e)
hie 1 + hie
Luego
vi Así
Rin = = R1 jjR2 jjhie (15)
ii
vo (R jjR ) h
La resistencia de salida Rout vista desde la carga, se Av = = n c L fe o (21)
vi hie 1 + RE (1+hf e)
determina anulando la excitación y colocando una fuente hie
de prueba en la salida como se muestra en la Fig. 8, así
Si hf e >> 1, entonces la ganancia de tensión tiende
v
i= + hf e ib (16)
RC (Rc jjRL )
Av (22)
Como ib = 0, entonces RE
vi
La resistencia de entrada estará dada por Rin = ii ,
Rout = RC (17) luego de acuerdo a la Fig. 9b.
vi
ib
ii = + ib (23)
i R1 jjR2
+
R1 R2 hie hfe i b Rc v Reemplazando (20) en (23) entonces
vi vi
ii = + n o (24)
R1 jjR2 hie 1 + RE (1+hf e)
Fig. 8. Cálculo de Rout . hie
Finalmente
4
El parámetro
1 iD iD
Rin = 1 1 Y22 = jv =0 = jv =cte (32)
R1 jjR2 + hie +RE (1+hf e) vDS GS vDS GS
= R1 jjR2 jj fhie + RE (1 + hf e)g (25) Es la pendiente de la curva de característica de salida,
su recíproco es la resistencia dinámica de salida, luego,
La Rout se calcula anulado la excitación y colocando un Y22 = r1d : Como rd resulta ser siempre de valor elevado,
generador de prueba de acuerdo a la Fig. ??.
típicamente 500[K ], puede ser considerado como rd !
1. Así, el modelo será el de la Fig. 12b:
h ie hfe i b
ib ip + + + +
+
RE RC vp v GS g m vGS rd vDS v GS g m vGS vDS
_ _ _ _
(a) (b)
Fig. 10. Cálculo de Rout .
Fig. 12. (a) M o delo en Fuente común. (b) M odelo sim pli…cado.
Como
B.1 Aplicación 1
vp
ip = + ib hf e (26) Se determina la ganancia de tensión Av y la resistencia
RC
de entrada Rin del circuito de la Fig. 13a.
ib hie = ib (1 + hf e ) RE (27)
vp
Rout = = RC (28) RD
ip R1 C vo
C vo v
i
B. Modelo del FET en Fuente Común vi +
RL R1 R2 v
GS g m vGS RD
_
El JFET en fuente común queda R2
id ig
(a) (b)
ig +
+ +
vds v gs
1 1
+ Yrv DS Yf vgs vDS Fig. 13. (a) Con…guración fuente común. (b) Cto. a p equeña señal.
Y Y
vgs _ i o
_ - _
iC TABLE III
iE iC iE
Parámetros base común en función de emisor común .
+
+ + h ib +
v +
EB vCB v EB h iE 1 v
h rb v CB fb CB Base Común Emisor Común
_ h ob
_
hie
_ _ hib hf e +1
hf e
(a) hf b hf e +1
(b)
hoe
hob hf e +1
Fig. 14. (a) Con…guración base común. (b) M odelo de base común con
parám etros h.
(a)
Fig. 15. Reem plazo del m o delo de EC en la con…guración de BC.
v vo
i
h fe i
b
1 RE h ie RC R L
De esta forma se tiene para hoe ! 1, como hib = ib
vEB
iE jvCB =0 ; luego
(b)
iE
vEB = iB hie = hie
hf e + 1 Fig. 16. (a) Con…guración en base común. (b) Cto. a p equeña señal.
hie
hib =
hf e + 1 Planteando la LVK en el circuito de la Fig. 16b.
iC
Para hf b = iE jvCB =0 ; se tiene que vo = hf e ib (RL jjRC ) (37)
vi
Pero como ib = hie ; entonces
iE
iC = hf e iB = hf e (RL jjRC )
hf e + 1 Av = hf e (38)
hf e hie
hf b =
hf e + 1 Para el cálculo de Rin se tiene que
(b)
(a)
Fig. 17. (a) Con…guración gate común. (b) Cto. a p equeña señal.
h fe i b
ib
vi
h ie +
Calculando la ganancia de voltaje, se tiene R1 R2 RE RL vo
_
Pero vi = vGS , así Fig. 19. (a) Seguidor de em isor en ca. (b) Equiv. a p equeña señal.
Vcc
vi Ci
ii = + ib (50) Co
R1 jjR2 v
i v
vo i
RE RG
RG vo
io = ib (1 + hf e ) (51) RS
RS
R E + RL
vi = ib hie + ib (1 + hf e ) (RE jjRL ) (52) Fig. 21. (a) Con…guración Drain común. (b) Equivalente en ca.
RE ii (1 + hf e )
io = (54) (a) (b)
R E + RL 1 + hie + (1 + hf e ) (RE jjRL )
Fig. 22. (a) M o delo a p equeña señal. (b) Determ inación de Rout .
Se obtiene
h fe i b
ib
vo = gm (vi vo ) (RS jjrd )
hie ip +
R1 R2 R
E
vp vo (1 + gm (RS jjrd )) = vi gm (RS jjrd )
Finalmente
Fig. 20. Circuito para cálculo de Rout . gm (RS jjrd )
Av = (63)
(1 + gm (RS jjrd ))
Par LCK se tiene Calculando la Rin
vp Para el circuito de la Fig. 22a, se tiene que vi = ii RG ;
ip = ib hf e ib + (58)
RE luego
vp Rin = RG (64)
Pero ib = hie ; de esta forma
vp vp Calculando la Rout
ip = (1 + hf e ) + (59)
hie RE Para el circuito de la Fig. 22b, se tiene
Despejando
vp vp
vp 1 ip = gm vGS + (65)
Rout = = (1+hf e )
(60) rd RS
ip + 1
hie RE vp = vGS (66)
8
Ci
Así
v Co
i vo v
i vo n o
RG 1 RG jjRS1 jjRS2
RS
1 RL
RG RS RL gm + RS1 RG
1 RL
Av = n o (75)
RL RL RG jjRS1 jjRS2
1 + RL gm + RS1 RS1 RS1
RS RS
2 2
Si RG ! 1; se tiene que
(a) (b)
i
i
+ vGS _ vi = ii RG + vx (77)
v
i vo
RG vo vx
RS
1 RL
vx = ii + RS2 (78)
RS1
v
x
RS
Luego, despejando vx de (77) y reemplazándolo (78)
2
RS2 RS2 vo
vi = ii RG + ii RS2
+ RS2
Fig. 24. FET en refuerzo en ca. 1 + RS1 1 + RS1 RS1
! RS2
RS2 RS1 Av vi
Determinando la ganancia de voltaje vi = ii RG + RS2
+
1 + RS1 1+ R S2
RS1
Así se obtiene
vx vo
vo = + gm vgs RL (68)
RS1 RS2
RG + R
vi vx vx vo vx vi 1+ RS2
S1
= + (69) Rin = = RS2
(79)
RG RS1 RS2 ii RS1
1 R Av
vi = vgs + vo (70) 1+ RS2
S1
!
vi vo 1 vgs
vx = + ip = gm vgs (80)
RG RS1 1
+ 1
+ 1 RG jjRS2
RS1 RS2 RG
Pero vgs = vp ; luego se obtiene
vi vo
= + (RG jjRS1 jjRS2 ) (71)
RG RS1 1
vgs = vi vo (72) ip = vp gm + (81)
RG jjRS2
A N A L IS IS Y M O D E L O S A P E Q U E Ñ A S E Ñ A L D E L T R A N S IS T O R 9
gm vGS
io = iR hf e ib (83)
_ ip ib hie io RC
iR = (84)
RS + R
vGS 1 vp ib hie
ii = + ib + iR (85)
R1 jjR2
RG RS
2 ib hie io RC
+ Como io = R hf e ib , entonces
hie
R hf e
Fig. 25. Cálculo de Rout .
io = ib RC
1+ R
hie hie io RC
Luego, si ii = ib R1 jjR2 +1+ R R ; se tiene
Por lo tanto
io RC hie
ii + R R hf e
vp 1 io = RC
(86)
Rout = = (82) hie
+1+ hie 1+ R
ip 1 R1 jjR2 R
gm + RG jjRS2
La ganancia de corriente será
La complicación del análisis resulta de la realimentación
que existe entre la salida y la entrada, esto debido a la in- io hie
hf e
R
teracción de la variable de salida con la variable de entrada =
ii hie
+1+ hie
1+ RC
+ RC
hf e hie
a través de la red RG RS1 RS2 . R1 jjR2 R R R R
(87)
B. Ampli…cador Realimentado
V. Conclusiones
Sea el siguiente ampli…cador de la Fig. 26, luego para el
circuito a pequeña señal de la Fig. se plantea 27b El análisis a pequeña señal consiste en determinar la
ganancia del circuito (corriente y voltaje) en conjunto con
la impedancia de entrada y la de salida. Estos elementos
Vcc
permiten describir cualquier con…guración ampli…cadora
R1
io
Rc transistorizada.
R Para realizar el análisis se deben usar los modelos a pe-
vo queña señal de los dispositivos, lo cuales consisten en una
Q red de dos puertas: Fuente de corriente controlada por cor-
i
riente (BJT) y una fuente de voltaje controlada por voltaje
i R2
CE (FET). Ambas descritas en función de los parámetros h y
Y respectivamente. Como el análisis es en ca, se anulan las
fuentes de cc, se reemplazan los modelos correspondientes
Fig. 26. BJT con realim entación de corriente. y se determinan los parámetros mencionados.
References
Este ampli…cador tiene una realimentación llamada [1 ] S ava t, C ., R o d e n , M ., 1 9 9 2 . D iseñ o E lectrón ico. A d d iso n -We sle y
corriente-voltaje, la cual implica que se toma una pequeña [2 ] M illm a n , J . H a k ia s, C ., 1 9 7 9 . E lectrón ica Fundam en tos y A plicacion es. H is-
p a n o E u ro p e a .
muestra de voltaje la cual se transforma en corriente y es
superpuesta con la señal de corriente de entrada. Esta
condición hace que los cálculos de ganancia sea más com-
plicados.
R
R
Q
io ib
Rc i R1 R2 h ie h fe i b io Rc
i R R i
i 1 2
(b)
(a )