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Disipadores de Potencia[1]

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FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA

Carlos E. Pastrana S. carlos_epasi@yahoo.es Juan Pablo Medina. jmediana@ucentral.edu.co DISIPADORES DE POTENCIA 1. Introducción El parámetro con mayor impacto en el diseño de componentes semiconductores de potencia es la potencia que se genera y que se tiene que disipar. Esta disipación potencia comporta subidas de temperatura y fracturas de uniones, debido a la desigual expansión entre el sustrato de silicio y sus uniones con el encapsulado. Deben tomarse especiales precauciones para disipar este calor al ambiente para evitar excesivas subidas de temperatura en el componente. 2. Perdida De Potencia En Semiconductores Hay cuatro fuentes principales de pérdida de potencia en un semiconductor: (I) Pérdida de potencia durante la conducción directa. Para un diodo es el producto entre la corriente que atraviesa el componente y la caída de tensión directa en sus bornes. Lo mismo se aplica para el tiristor, pero ya que el ángulo de conducción puede variar, normalmente en las hojas de datos se dan curvas de pérdida de potencia como en la figura 2.1, donde se utiliza la corriente promedio sobre todo el ciclo de conducción. Para un transistor, la pérdida de conducción directa está dada por el producto entre la corriente y la tensión de colector, a la que se añade la disipación de base, igual al producto entre la corriente y la tensión de base. Normalmente las pérdidas de base son pequeñas comparadas con las pérdidas de colector. (II) Pérdida por fugas, cuando el semiconductor de potencia está bloqueando tensión en dirección directa o inversa. Esto puede ocurrir cuando un diodo o tiristor esta polarizado en inversa, o cuando un transistor o tiristor está polarizado en directa pero no conectado. Estas pérdidas normalmente son pequeñas en comparación con las pérdidas de conducción directa. (III) Pérdidas de conmutación durante la conexión o desconexión del semiconductor de potencia. Aunque relativamente pequeñas, estas pérdidas pueden ser apreciables cuando el componente está trabajando a altas frecuencias.

Figura 2.1. Curvas de pérdida de potencia de un tiristor

Pueden ocurrir debido a los procesos graduales de conexión y desconexión, que permiten que

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8 (c) y 1. como en la figura 2.8 (e) y 1.2.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA fluyan grandes cantidades de corriente mientras la tensión en bornes del componente todavía es alta.2. Figura 2.8 (f) muestran un ejemplo de la característica de desconexión. Características de desconexión _ curva de corriente. Las figuras 1. Estas pérdidas de conexión y desconexión dan lugar a picos de potencia en la curva de disipación de potencia total. A continuación observaremos la graficas características de conexión para la curva de corriente y curva de tensión.8 (e).8 (c). como la grafica característica de desconexión para la curva de corriente y curva de tensión. observándose que la pérdida de potencia media debido a la conmutación. Figura 1. La pérdida en la base de un transistor ya se FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL .8 (e). es relativamente pequeña a bajas frecuencias. Figura 1. Figura 1. Característica de conexión _ curva de tensión (IV) Pérdidas en el terminal de control del semiconductor de potencia. Características de desconexión _ curva de tensión. Perdidas de potencia en un semiconductor durante un ciclo típico de corriente y perdida de voltaje.8 (d) muestran un ejemplo del fenómeno de conexión. Figura 1. Características de conexión _ curva de corriente. mientras que las figuras 1.8(d).

Normalmente se definen cuatro parámetros. y por lo tanto. Curvas estáticas. que proporciona una medida de su ritmo de cambio de energía térmica en temperatura está dado por C th C * m donde m es la masa del componente y C es el calor específico. el cual hace de puente para evacuar el calor de la cápsula al medio ambiente. ECUACIONES TERMICAS Existen tres métodos para eliminar calor de un semiconductor de potencia. Esta sección considera primero las ecuaciones térmicas. La capacidad de evacuación del calor al medio ambiente podrá variar según el tipo de cápsula pero en cualquier caso será demasiado pequeña.1. si este aumento es excesivo e incontrolado provocará una reducción de la vida útil del dispositivo y en el peor de los casos su destrucción.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA ha considerado como parte de la pérdida de conduccion directa en el punto (I) anterior. convección y Figura. Los disipadores normalmente se utilizan para mejorar la capacidad térmica de los semiconductores de potencia. les permite disipar el calor generado cuando están en funcionamiento. Es por ello que la evacuación del calor generado en el semiconductor es una cuestión de gran importancia para asegurar el correcto funcionamiento y duración del dispositivo. la potencia promedio de puerta PG(AV) que es el valor máximo de la corriente de puerta directa y la tensión promediados sobre un ciclo. DISIPADORES La capacidad térmica (Ctn ) de un componente. 3. es decir el valor máximo del producto entre la corriente de puerta directa y la tensión permisible. Sin embargo. conducción. y luego describe los métodos de disipación que se pueden utilizar. la potencia pico de puerta PGM. los componentes como los tiristores pueden activarse sólo por pulso. Propagación del calor En todo semiconductor el flujo de la corriente eléctrica produce una pérdida de energía que se transforma en calor. El calor elevará la energía cinética de las moléculas dando lugar a un aumento de temperatura en el dispositivo. por lo que la pérdida de potencia de puerta se puede separa de la pérdida por conducción directa. y la potencia pico inversa de puerta P GMR y la potencia inversa promedio de puerta PGR(AV). ya que siempre está presente mientras el componente está conduciendo. que son los correspondientes valores inversos. FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . que dan una guía para los distintos métodos de enfriar componentes de potencia. Esto es debido al movimiento desordenado en la estructura interna de la unión. por lo que necesita una ayuda adicional para transferir el calor disipado mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie conocido como disipador de calor. La figura continuación muestra las curvas de potencia pico de puerta donde tiene que estar la posición del ataque de puerta. 3.

Conducción. entonces el flujo de calor para los flujos de aire laminar y turbulento están dados por las ecuaciones: Pfl y K fl adT ( Va ) 2 l 1 FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . donde las constantes tienen los valores aproximados de Kfl=3. entonces la pérdida de calor en vatios debido a la radiación está dada por: Pc K T adT d donde dT es la diferencia de temperatura en el disipador y P. (II) La variación de la disipación de potencia entre semiconductores del mismo tipo. y esto es difícil de predecir. La pérdida de calor debido a la radiación depende de la emisividad del disipador (ε) y su diferencia de temperatura sobre el ambiente. incluso aunque sean de la misma partida. La velocidad del flujo de calor a través de un disipador. La resistencia térmica del disipador (Rth ) está dada por la ecuación: Rth dT Pc d KT a Convección. y una diferencia de temperatura por encima del ambiente de dT.9 y K It =6. con un área a en sección transversal. La disipación de potencia variará debido a las diferencias de la presión de fijación entre el componente y su disipador. El flujo de calor de un disipador que tenga un área a de sección transversal. El valor máximo de emisividad es la unidad. empíricamente es: Pr Kra (T 41 T 4 2 ) donde la constante Kr es aproximadamente igual a 5.37. es la velocidad de flujo de calor en vatios. A bajas velocidades de aire el flujo es laminar y se vuelve turbulento a mayores velocidades. El calor radiado por los cuerpos adyacentes también afecta en gran medida al resultado final. con una velocidad v a . Estos errores se deben a: (I) La mezcla de los modos de transferencia de calor y la dificultad de predecir el camino de transferencia de calor. (III) Muchas de las constantes utilizadas en las ecuaciones térmicas son actualmente variables de orden Pn Kna ( dT0.2 l 0.25 donde la constante K n tiene un valor alrededor de 1.7 x 10 -8 El análisis térmico utilizando las ecuaciones anteriores puede dar errores de más del 25%. una longitud vertical de 1. Radiación. ya que son muchos los factores que afectan a las propiedades de la disipación de calor de los disipadores. La convección forzada depende más del flujo de aire si es laminar o turbulento.0. y una conductividad térmica k T. que es la de un radiador de cuerpo negro. un grosor d. Si el disipador se enfría mediante aire forzado. está dada por la ecuación: Pft K ft adT Va0. y se describen mediante ecuaciones térmicas. el punto de cambio depende del diseño del disipador. La convección puede ser por flujo de aire natural o forzado.8 respectivamente.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA radiación.)25 l 1. Si T l y T2 son las temperaturas de la superficie del disipador y la del aire que lo rodea.

mientras que la figura 3. y con un peso minimizado. El aluminio proporciona un disipador inferior al construido de cobre. aunque los componentes funcionen más calientes y los componentes superiores estarán trabajando con una mayor temperatura de encapsulado. mejora su eficiencia. Los disipadores pueden dejarse brillantes. pero son más eficientes las superficies mate coloreadas. DE tipos existentes de encapsulados de semiconductores de potencia. y en la práctica estas formas raramente existen. El análisis de los sistemas por aire enfriado forzado da resultados menos precisos que el análisis por aire enfriado de forma natural porque: (I) Hay diferencias de flujo entre las superficies interiores y exteriores. El negro no es necesariamente el mejor color.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA bajo y a menudo se necesita juicio y experiencia para elegir el valor adecuado. 3. La ventaja de montar componentes sobre el mismo disipador es que hay un buen acoplamiento térmico como el que se necesita cuando funcionan en paralelo. y todos los esmaltes. ya que esto daría como resultado un mayor diferencial de temperatura entre el disipador y el ambiente. Algunos componentes también pueden montarse en un disipador común.2. Los disipadores están diseñados con una gran área superficial. Figura 3. Ejemplos de disipadores: (a) refrigeración por aire. Por ejemplo. ya que a las temperaturas que se están considerando tiene lugar la radiación de calor en la región infrarroja. Los disipadores están disponibles en una gran variedad de formas y tamaños para acoplarse a los distintos Los disipadores normalmente están hechos de extrusión de una aleación de aluminio. para la radiación y conducción del calor. y por lo tanto. (b) refrigeración por líquido. ya que el aluminio es un buen conductor del calor. por ejemplo cilindros y esferas. (II) No es posible calcular la velocidad del aire en cada punto del camino de flujo. superficies anodizadas y pinturas FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . CONSTRUCCION DISIPADORES. fácilmente maleable. barnices. (III) El análisis térmico normalmente supone formas simétricas. El funcionamiento puede mejorarse montando los disipadores verticalmente en un recinto con aperturas en el fondo y en la parte superior.2 (b) es una disposición para el mismo componente refrigerado por líquido. la figura 3. pero es mucho más barato. fácil de extrusionar y con un acabado de superficie suave. para crear un efecto chimenea.2 (a) muestra un disipador para una construcción de "disco de hockey" refrigerado por aire.2.

Sin la grasa. por lo que la temperatura en la fijación de cobre es más uniforme y. también en el semiconductor. la resistencia puede incrementarse durante el montaje en un factor de 10 veces si no se tiene cuidado. su sombreado proporciona una indicación visual si dos están pegadas entre sí. Sin embargo. FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . y cuanto mayor sea el número de aletas mayor es el área de enfriamiento por convección. Los efectos por radiación son ahora despreciables. y ya que la velocidad del flujo de aire es menos dependiente de la temperatura. Esto se realiza manteniendo limpias las superficies de unión aplicando una presión adecuada de acoplamiento y utilizando grasa térmica entre ellas. Las arandelas de mica fueron muy populares. es un material de silicona lleno de óxidos metálicos conductores de calor.3 ilustra como la grasa ayuda a igualar las temperaturas del encapsulado del semiconductor. se produce menos radiación de calor.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA oleosas tienen altas emisividades sin tener en cuenta el color. y ya que son coloreados. Esta grasa. Los disipadores de aire frío forzado son de tres a cuatro veces más eficientes que los sistemas refrigerados de forma natural. y debido a su transparencia. seguida de las arandelas de aluminio anodizado templado con una buena conductividad térmica y rigidez dieléctrica. la resistencia térmica es menos variable. Los disipadores normalmente se diseñan con aletas. La grasa térmica reemplaza al aire y tiene mucha menor resistencia térmica. por lo tanto. fundir o endurecer incluso después de trabajar durante largos períodos a altas temperaturas tales como 200°C. pero se pueden requebrajar y desescamar. y puede conseguirse mediante arandelas de aislamiento. El flujo de aire también es más independiente del espaciado de las aletas del disipador para crear turbulencia sobre su superficie y romper cualquier capa de aire estática. La figura 3. o compuesto disipador. lo cual provocaría un incremento de la resistencia térmica. pero si las aletas están demasiado juntas entre sí. El enlace entre la carcasa del componente por refrigerar y el disipador tiene una resistencia térmica relativamente baja comparada con otras partes del sistema. Los plásticos de alta temperatura tales como el Kapton y el Mylar tienen una rigidez dieléctrica menor que la Mica pero son más baratos. Pueden utilizarse varios materiales para estas arandelas: La glucina es el más caro pero tiene la mayor conductividad térmica y rigidez dieléctrica. A menudo se precisa aislamiento eléctrico al montar un componente sobre un disipador. por lo que se puede suponer que el sistema térmico es lineal. es fácil que se peguen dos entre sí. Esta grasa no debe secarse. arqueado o partícula de polvo hace que la temperatura en A sea mayor que en B. Una alternativa a la utilización de arandelas de aislamiento es rociar el disipador durante la fabricación con un material de aislamiento eléctrico. por lo que existe un compromiso. una ligera protuberancia.

el diamante se utiliza para refrigerar algunos componentes especializados que funcionan a alta frecuencia.3.3. Contornos de temperatura en la unión disipador-componentes de potencia: (a) sin grasa térmica. hay que mantener la temperatura de la unión por debajo del máximo indicado por el fabricante: Diamante Cobre Aluminio Estaño Grasa termica Mica Mylar Aire en calma 0.02 to 0. Contornos de temperatura en la unión disipador-componentes de potencia: (b) con grasa térmica. 4.4. Ilustra las curvas que se pueden utilizar para determinar la resistencia térmica de un disipador en cualquier aplicación.4.0 130 150 400 3000 La figura 3. el disipador debe tener una resistencia. y son similares a la figura 2.4.3 0.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Figura 3. La figura 3. y para una temperatura ambiente de T1. Compara la resistencia térmica de algunos componentes utilizados normalmente. Si ésta se quiere mantener a un nivel seguro. Parámetros que intervienen en el cálculo Para que un semiconductor disipe la potencia adecuada.5 2. Si I1 es la corriente a través del semiconductor de potencia. de un disipador de aire refrigerado forzado funcionando con una serie de velocidades de aire. El paso de la corriente eléctrica produce un aumento de la temperatura de la unión (Tj). MATERIAL RESISTENCIA TERMICA (ºC cm/w) Esta serie de curvas podrían obtenerse. Curvas utilizadas para calcular la resistencia termica del disipador Figura 3. La serie de curvas de la izquierda dan la disipación de potencia a través del semiconductor de potencia.1. entonces P1 es la potencia disipada a su través. mientras que las curvas de la derecha son del disipador y dan su resistencia térmica. debemos evacuar al exterior la energía calorífica generada FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL .1 0. por ejemplo. Figura 3.

que será propia de cada dispositivo.contenedor Rcd = Resistencia contenedor disipador Rd = Resistencia del disipador Tj = Temperatura de la unión Tc = Temperatura del contenedor Donde estos datos se obtienen de la curva de reducción de potencia. y dependerá del tipo de cápsula del dispositivo.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA por la unión. De la figura se obtiene la expresión: RESISTENCIAS TÉRMICAS En la siguiente figura se muestra la igualdad entre el circuito equivalente de resistencias térmicas y los elementos en un montaje real: Esta muestra la potencia en función de la temperatura del contenedor. las resistencias térmicas a las resistencias óhmicas y el flujo de calor a una corriente eléctrica. Deberemos de tener en cuenta que Pd es la dada por el fabricante y no la que FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . La fórmula que se utiliza para el cálculo de esta resistencia es: Rjc = Resistencia unión . El calor pasará del punto más caliente al más frío. se puede decir que: Td = Temperatura del disipador Ta = Temperatura ambiente RESISTENCIA UNIÓN CONTENEDOR (RJC) En este caso el foco calorífico se genera en la unión del propio cristal semiconductor. de tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. Por lo tanto. Al igual que en un circuito eléctrico. A estos factores se les denomina resistencias térmicas. En la figura siguiente se muestra este tipo de curva. Aparecerá bien directamente o indirectamente en forma de curva de reducción de potencia. En ella la pendiente de la recta dada es la resistencia unión contenedor. Asemejaremos las temperaturas a tensiones. debe existir una diferencia de temperatura. Para que se produzca un flujo de energía calorífica de un punto a otro. aprovechando la ley de ohm realizamos la siguiente comparación eléctrica mostrada en la figura adjunta. Generalmente este dato lo suministra el fabricante. pero aparecen factores que dificultan este paso.

b. para una cápsula TO. Por ello podemos obtener la siguiente conclusión: La mica aumenta la Rcd mientras que la pasta de silicona la disminuye y como se ha dicho cuanto más pequeña sea la Rcd menor superficie de aleta refrigeradora. Este valor depende del sistema de fijación del disipador y el componente. Este dato será. ya que da el menor valor de Rcd y si hubiese que aislar con mica interesa montar mica más pasta de silicona ya que la Rcd es menor que si se monta solo con mica. kelafilm. condiciones de la superficie.4 ºC/W. puesto que a nivel microscópico. Para FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . Directo más pasta de silicona. El valor de esta resistencia térmica influye notablemente en el cálculo de la superficie y longitud que debe disponer la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. También las hay conductoras de calor que no precisan pasta de silicona. RESISTENCIA CONTENEDOR DISIPADOR (RCD) Es la resistencia térmica entre el semiconductor y el disipador.3 se tiene que con contacto directo más pasta de silicona la Rcd = 0. precisamente. la Rjc indicada en los manuales para el 2N3055. y del estado de planitud y paralelismo de las superficies de contacto. Si tomamos de un manual los datos correspondientes a un 2N3055 serán: Pdmáx=115W Tjmáx =200 ºC Sustituyendo estos valores en la siguiente ecuación. que con contacto directo más mica y más pasta de silicona Rcd = 0. se obtiene el valor de la Rjc: y ésta es. Normalmente Tc vale 25 ºC. Por ejemplo. quedando huecos de aire que entorpecen la transmisión del calor. solo contactan por unos puntos. El tipo de contacto entre cápsula y disipador podrá ser: Directo. Los elementos que se sitúan entre la cápsula y el disipador pueden ser de dos tipos: a.25 ºC/W. puesto que según el valor que nos de el cálculo. Pastas conductoras de calor. Por lo tanto podemos decir que cuando no sea necesario aislar el dispositivo. etc. Cuanto más baja es Rcd menor será la longitud y superficie de la aleta requerida.8 ºC/W. posición de montaje y en el caso de disipadores planos factores como el grosor del material y el tipo de encapsulado. el tipo de contacto que más interesa es el directo más pasta de silicona. Depende de muchos factores: potencia a disipar. que con contacto directo Rcd = 0. RESISTENCIA DEL DISIPADOR (RD) Representa el paso por convección al aire del flujo calorífico a través del elemento disipador.12 ºC/W. que pueden ser o no ser conductoras de la electricidad.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA disipará el dispositivo en el circuito. así será el tipo de aleta a emplear. Láminas aislantes eléctricas que se pueden emplear conjuntamente con siliconas conductoras de calor como mica. Directo más mica aislante más pasta de silicona. en la práctica. la incógnita principal de nuestro problema. Directo más mica aislante. y que con contacto directo más mica Rcd = 0. También depende del tipo de material que se interponga entre ambas superficies de contacto.

superficie. Como no es un valor fijo. Una vez calculada la Rd se pasa a elegir la aleta refrigeradora. Para ello es necesario disponer de uno de los dos tipos de gráficas que ofrecen los fabricantes de disipadores. habrá que tener en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para su montaje en la aleta disipadora que se haya elegido. Después de cumplir la condición anterior hay que calcular la longitud o la superficie del disipador elegido.(b) Este valor lo suministra el fabricante en función del tipo de contenedor.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA el cálculo de la resistencia se pueden utilizar las siguientes fórmulas: se habla de resistencia unión ambiente sin disipador. la Rd longitud y la Rd . Con esta resistencia deberemos de distinguir dos casos. la resistencia contenedor disipador (Rcd) y la resistencia disipador ambiente (Rd): Fig. TEMPERATURAS TEMPERATURA DE LA UNIÓN (TJ) La temperatura máxima de la unión es el límite superior de temperatura a la que no se debe llegar y menos sobrepasar si queremos evitar la FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . El fabricante la facilita como suma de Rjc y Rca puesto que ignora el tipo de disipador que utilizaremos. nos referimos a la resistencia unión contenedor junto con la contenedor ambiente: Este valor de Rja no es el que da el fabricante ya que éste la suministra sin disipador. Según la gráfica de que se disponga se obtendrá un valor de longitud o un valor de superficie de disipador que hay que montar para refrigerar adecuadamente el dispositivo semiconductor. y la que hay que utilizar es con disipador. no existe una tabla de valores típicos. Para la elección de la aleta. el de resistencia unión ambiente con disipador y sin disipador. Cuando se habla de la resistencia unión ambiente con disipador nos referimos a la suma de la resistencia unión contenedor (Rjc). Cuando Fig. RESISTENCIA UNIÓN .AMBIENTE (RJA) 12 Como su nombre indica es la resistencia que existe entre la unión del semiconductor y el ambiente.(a) Este valor no es conocido ya que varía según el tipo de disipador que se utilice. El valor de Rja dependerá de los valores de Rd y de Rcd.

Para valores de k=0. Si este valor no se refleja en dichos manuales o. TEMPERATURA DEL DISIPADOR (TD) Este valor se obtiene a partir de la potencia disipada Pd. lógicamente. Para valores de k=0. Máximo margen de seguridad. Dimensión menor de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado. siempre será menor que la máxima permitida. Dispositivo poco caliente.6. en los manuales de los fabricantes de semiconductores. La temperatura de la unión que se utilizará en los cálculos será: Tj = Tjmáx x k Las condiciones de funcionamiento en función de k serán: Para valores de k=0. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se sitúe en el exterior. no se encuentra. podremos adoptar unos valores típicos en función del dispositivo a refrigerar como los mostrados en la tabla que se expone a continuación: DISPOSITIVO de unión de Germanio de unión de Silicio JFET MOSFET Tiristores Transistores Uniunión Diodos de Silicio Diodos Zener RANGO DE Tjmáx Entre 100 y 125 ºC Entre 150 y 200 ºC Entre 150 y 175 ºC Entre 175 y 200 ºC Entre 100 y 125 ºC Entre 100 y 125 ºC Entre 150 y 200 ºC Entre 150 y 175 ºC pero el tamaño de la aleta refrigeradora será mayor. normalmente.5. Se calculará con cualquiera de estas expresiones: La temperatura obtenida será siempre inferior a la temperatura de la cápsula aunque será lo suficientemente alta en la mayoría de los casos como para no poder tocar el disipador con las manos. Este dato es un valor que se suele suministrar. El objetivo del que diseña será mantener la temperatura de la unión por debajo de la máxima.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA destrucción de la unión. Para ello se utiliza un coeficiente ( K ) de seguridad cuyo valor dará una temperatura de la unión comprendida entre el 50% y el 70% de la máxima.7. de la resistencia térmica de la aleta Rd y finalmente de la temperatura ambiente Ta. máxima economía en el tamaño de la aleta refrigeradora.5 y 0.7. Le asignamos el valor según el margen de seguridad que queremos que tenga el dispositivo. simplemente. Máximo riesgo para el dispositivo. TEMPERATURA DE LA CÁPSULA (TC) Este dato no se suministra en los manuales ya que depende del valor de la potencia que disipa el dispositivo. de la resistencia del disipador y de la temperatura ambiente. Por lo tanto k estará comprendido entre 0. Por lo tanto solo podemos calcularla cuando conozcamos todos los datos reflejados en alguna de las siguientes expresiones: Se debe distinguir entre la temperatura máxima de la unión permitida para un dispositivo y la temperatura real de la unión a la que se pretende que trabaje dicho elemento o dispositivo que. Esto no es motivo de preocupación ya que se han tomado las medidas necesarias como para que la FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL .

es decir. Resumiendo. Pero en todo momento la temperatura de la unión entrará con amplio margen dentro de los límites permitidos. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la Pdmáx manteniendo la temperatura del contenedor a 25 ºC. Como se puede observar la potencia obtenida es superior a la disipable sin disipador e inferior a la que nos suministra el fabricante. como la Td disminuirán como se desea. No obstante.contenedor Rjc de 0.12 ºC/W y de 1. si de un determinado transistor nos dice el fabricante que puede disipar un máximo de 116 Watios. ambos valores también bastante adecuados. Si conocemos la temperatura de la unión es de 200 ºC y Rja de 35 ªC/W se tiene: Esta es la máxima potencia disipable sin disipador. Este dato es para las mejores condiciones de funcionamiento del dispositivo. 5.5 ºC/W respectivamente. se tendrá: Si hiciéramos disipar 90 W como pretendíamos se destruiría la unión. TEMPERATURA AMBIENTE (TA) En la interpretación de este dato puede haber alguna confusión ya que se puede tomar su valor como la temperatura del medio ambiente cuando en realidad es la temperatura existente en el entorno donde está ubicado el disipador. Si consideramos una aleta con una buena resistencia térmica como puede ser una de 0. a primera vista se puede pensar que disipando 90 Watios no se corre ningún riesgo puesto que hay un margen con respecto al máximo y no se necesita disipador. Por ejemplo. si se quiere disminuir esta temperatura. para una temperatura del contenedor de 25 ºC y un disipador adecuado. es importante saber interpretar adecuadamente los datos suministrados por el fabricante.6 ºC/W y unas resistencias térmicas contenedor disipador Rcd y unión . Puede suceder que la temperatura de la aleta es bastante elevada.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA temperatura de la unión disponga de un margen de seguridad dentro de los márgenes ya explicados. poniendo esta vez 0. pero tanto la Tc. Se puede ver que este valor se queda muy por debajo del indicado por el fabricante. solo hay que calcular de nuevo la resistencia térmica Rd de la aleta. POTENCIA DISIPADA La potencia máxima es un dato que nos dará el fabricante. de lo contrario pueden aparecer sorpresas desagradables. cosa que en la práctica es imposible: Como se ha dicho este dato de 116 W es para las mejores condiciones de funcionamiento y el fabricante debe indicar en cuales se realizó esa medida. Sabemos que la máxima potencia que se puede hacer disipar a un semiconductor sin disipador viene dada por el cociente entre el incremento de la temperatura y la resistencia térmica unión ambiente: FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . Ello llevará a adoptar una aleta más grande. tanto que si se toca con un dedo notaríamos que quema.5 como factor ( k ) necesario para determinar Tj.

BIBLIOGRAFIA 5.2. Cuando se utiliza un disipador. ELCTRONICA DE POTENCIA. la resistencia térmica se divide en tres parámetros: la resistencia entre la unión y el contenedor (Rjc). ELECTRÓNICA DE POTENCIA. entre el contenedor y el disipador (Rcd) y entre el disipador y el ambiente (Rd): 5.FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Donde Rja es la que nos suministra el fabricante que no incluye Rd. FF MAZDA. RASHID. Editorial Paraninfo. 5. Circuitos. MUHAMMAD H. Componentes. circuitos y aplicaciones.1. Segunda Edición FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA UNIVERSIDAD CENTRAL . Dispositivos y Aplicaciones. Editorial Pearson Educación.

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