Universidad militar nueva granada 1

Amplificador en Colector Comun

Juan Sebastián Calderón Córdoba
u1801540@unimilitar.edu.co

Abstract— The common-collector configuration is used

primarily for impedance matching purposes, because it has a
high input impedance and low output impedance.

OBJETIVO

R econocer el funcionamiento y comportamiento del

transistor bjt para qué este funcione de la forma que
se quiera y así el sistema funcione correctamente con
base en la polarización que se le implante en este.

MARCO TEORICO Figura 1. Circuito seguidor de emisor

Un amplificador también puede utilizar un transistor

con el colector conectado como terminal común. Este
circuito se denomina generalmente con el nombre de
emisor-seguidor, seguramente porque es análogo al
seguidor catódico del tubo de vacío. Se podría creer
que el procedimiento de análisis seria el mismo que el
seguido para las conexiones en emisor común y en base
común, pero este no es el caso. En este circuito, la
terminal de entrada es el de la base y la terminal de
salida es el emisor. Para encontrar los parámetros del
amplificador del colector común gráficamente, se Figura 2 Circuito equivalente en AC
requieren las curvas características del transistor a
utilizar.
JUSTIFICACION
La configuración en seguidor de emisor se caracteriza
por una ganancia de tensión ligeramente menor que la
Inicialmente hallamos VCE:
unidad, una elevada impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida. Generalmente se utiliza como
VCE = VEE – IERE
transformador de impedancia en los circuitos de entrada
VCE = 12 V – 979.3µ (620 Ω)
y salida de sistemas amplificadores. Cuando se sitúa en
VCE = 11.39V
el circuito de entrada, su elevada impedancia de entrada
traduce la carga aplicada a la fuente de señal. Cuando
Por consiguiente:
se sitúa en el circuito de salida sirve para aislar de la
carga la etapa precedente del amplificador y además, da
IB = VEE – VBE / RB + (β + 1)
una baja impedancia de salida.
IB = 12V – 668 mV / 20 KΩ + (200 + 1)
IB = 3.27µ

Y por ultimo

IC = βIB
IC = 200 (3.27µ)
IC = 976 µ

Entonces decimos que :

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R1 = 10KΩ
VR1= 1.27 V
IR1= 127.5 µA
R2 = 82 KΩ
VR2 = 10.72 V
IR2 = 130.8 µA
RE = 620 Ω
VRE = 607.3 mV
IRE = 979.3µ
RL = 1KΩ
VEE = 12V

CONCLUSIONES

Se diseño e implemento la polarización universal de un

transistor NPN y estabilizada en colector.

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Transistor Q1 Resistencia R1

Resistencia RE

Resitencia R2

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