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DIODOS ESPECIALES

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DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO
FACULTAD DE INGENIERÍA

DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELÉCTRICA ELECTRÓNICA

INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES

Dispositivos de radiofrecuencia

DIODOS: LASER, SCHOTTKY, GUNN, FOTOVOLTAICO, TÚNEL, ZENER

INTEGRANTES: CABALLERO BARTOLO MARCO ANTONIO CRUZ HUERTA MIGUEL ANGEL DE LA CRUZ TORRES DANIEL GONZÁLEZ GALEANA GRACIELA ADRIANA ANAYA SAYAVEDRA JOSÉ LUIS

20/04/10
1 DIODOS ESPECIALES: LASER, SCHOTTKY, GUNN, FOTOVOLTAICOS, TÚNEL, ZENER

la cual posibilita tener una trayectoria de retroalimentación positiva facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas angosto al espectro emitido. con la misma frecuencia y fase del fotón estimulante. un diodo laser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso. La luz que tiene muchas fases diferentes se llama luz no coherente. ya que produce luz coherente. por consiguiente. produciendo longitudes de onda con fases entre 0 y 360 grados. G NN. lo que significa que todas las ondas luminosas están en fase entre si. es decir. este proceso esta acompañado con la emisión de un fotón. Para que el numero de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontánea. La idea básica de un diodo laser consiste en usar una cámara resonante con espejos que refuerza la emisión de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. la que se logra con una polarización directa de la unión. SC OTTKY. y por el otro una cavidad resonante. es necesario por un lado tener una fuerte inversión de portadores. ZENER   ¡   DIOSOS LASER 2 . para que se compensen las perdidas. Un diodo laser es diferente en este aspecto. y para que se incremente la pureza espectral. un LED produce luz no coherente. cuando un fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de reposo. FOTOVOLTAICOS. TÚNEL. DIODOS ESPECIALES: LASER. . A causa de esta resonancia.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA En un LED 1os electrones libres radian luz cuando caen de niveles de energía superior a niveles inferiores y lo hacen de forma aleatoria y continuamente. enfocado y puro.

Baja corriente. o cegando pilotos de avión. dispositivos teledirigidos. trayendo abajo satélites. Intensidad reducida: Un diodo de láser no se puede utilizar para los propósitos espectaculares como quemar agujeros en metal. y varios miliamperios. su salida coherente resulta en eficacia alta y facilidad de modulación para las comunicaciones y los usos del control. rubí. y y y y Tamaño y peso pequeños: Un diodo típico del láser mide menos de un milímetro a través y pesa una fracción de un gramo. Un cable de fibra óptica es análogo a un par trenzado." DIODOS ESPECIALES: LASER. haciéndolo ideal para el uso en el equipo electrónico portable.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA El diodo laser también se conoce como laser semiconductor. La ventaja consiste en que se puede enviar mucha mas infomaci6n a través de un cable de fibra óptica que a través de un cable de cobre. y sistemas de la detección de intrusión. SC OTTKY. TÚNEL. FOTOVOLTAICOS. de varias maneras. Sin embargo. verde o azul) y luz invisible (infrarroja). y tipos de gas. pueden funcionar con pequeñas fuentes de energía de batería. Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.C. En comunicaciones de banda ancha se usan con cables de fibra óptica para incrementar la velocidad en Internet.neón (He-Ne). except0 que las trenzas son fibras de vidrio o plástico delgadas y flexibles que transmiten un haz de luz en lugar de 1os electrones libres. ZENER ¢ £ ¢ 3 . Entre los primeros encontramos diodos laser en reproductores de discos compactos e impresoras laser. Estos diodos pueden producir luz visible (roja. voltaje. G NN. Rayo de ángulo ancho: Un diodo del láser produce un "cono" más bien qu e un "lápiz" de luz visible o IR. aunque este "cono" se puede enfocar usando lentes convexos. y requisitos de energía: La mayoría de los diodos de láser requieren solamente algunos milivatios de energía en 3 a 12 voltios de C. Por lo tanto. Los diodos láser diferencian de los láseres convencionales. tales como el helio .

ZENER ¤ ¥ ¤ . es necesario diseñar un sistema de control que mantenga el punto de operación del sistema fijo. TÚNEL. Sin embargo para utilizar un diodo láser com o fuente lumínica. 4 DIODOS ESPECIALES: LASER. SC OTTKY. en la luz emitida por diodos LED. debido a que un corrimiento de este punto puede sacar al diodo fuera de operación o incluso dañarlo.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA APLICACIÒN BÀSICA La aplicación básica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de alimentación lumínica para sistemas de telecomunicaciones vía fibra óptica. En cambio. *Velocidad de modulación hasta 200MHz hasta GHz LASER *Más rápido *Potencia de salida mayor y La emisión de luz láser es monocromática: Los fotones emitidos por un láser poseen longitudes de onda muy cercanas entre sí. suficiente para transmitir señales a varios kilómetros de distancia y cubren un intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm. LED *Mayor estabilidad térmica *Menor potencia de salida. FOTOVOLTAICOS. mayor tiempo de vida *Emisión coherente de luz *Emisión incoherente *Construcción es más compleja *Mas económico *Actúan como fuente s adecuadas en Se acoplan a fibras ópticas en distancias sistemas de telecomunicaciones cortas de transmisión *Modulación a altas velocidades.005 -25mW. El diodo láser es capaz de proporcionar potencia óptica entre 0. G NN. Características: La emisión de luz es dirigida en una sola dirección en comparación con un diodo LED que emite luz en todas direcciones Diferencias del diodo láser con un diodo LED. existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.

FOTOVOLTAICOS. El diodo Schottky es la solución ya que puede conmutar más rápido que un diodo normal. Puede rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300 MHz. poniendo en peligro el dispositivo. A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa.7 V de un diodo normal. esto. que es cuando más bien e iste una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente -éste opere de igual forma como lo haría regularmente. o sea. DIODOS ESPECIALES: LASER. Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor " ortador p mayoritario". solamente los portadores tipo (electrones móviles) desempe arán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales. Esto significa que. pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto. GUNN. El diodo Schottky con polarización directa tiene 0.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA DIODO SCHOTKKY. El di d Sc o y o diodo de barrera Sc o y llamado así e ho or del físico alemán Walter H Schottky es un dispositivo semiconductor que proporcionaconmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos peque os de 5 mm de diámetro y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo aunque en inglés se refieren a ella como "knee". de rodilla) La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto. ZENER      ©¨¨ §      ©¨¨ § ¦ ¦     5 .25 V de barrera de potencial frente a los 0. dejando de lado la región Zener. SCHOTTKY. si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo . con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida. TÚNEL. claro.

se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor El metal se deposita generalmente en un tipo de material N. Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material semiconductor. siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de m0. La Región N tiene un dopaje relativamente alto. por esto. un comportamiento óhmico cualquiera. a fin de reducir la pérdida de conducción. En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia). típicamente. debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA Funcionamiento. Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. el cátodo. creando una región de transición en la ensambladura. el contacto tiene. FOTOVOLTAICOS. Un diodo Schottky. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares. la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. SC OTTKY. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja.3V). DIODOS ESPECIALES: LASER. comenzando también a tener un efecto de rectificación. la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V. los electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal. TÚNEL. ZENER    6 . las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo. una vez que no existan cargas en la región tipo N. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor. G NN.

La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.2 V a 0. G NN.4 V empleándose. El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA Características y usos. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS. La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. El diodo Schottky en lugar de construirse a partir de dos cristales semiconductores de unión tipo p-n. los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0. utiliza un metal como el aluminio (Al) o el platino (Pt) en contacto con un cristal semiconductor de silicio (Si) menos dopado que el empleado en la fabricación de un diodo 7 DIODOS ESPECIALES: LASER. A diferencia de los diodos convencionales de silicio.7 V. SC OTTKY. otra utilización del diodo Scho ttky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades. mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL con la misma potencia. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia. como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido. ZENER   . que tienen una tensión umbral valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0. por ejemplo. FOTOVOLTAICOS. TÚNEL.

No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR). Esta unión le proporciona características de conmutación muy rápida durante los cambios de estados que ocurren en tre la polarización directa y la inversa. ZENER ! " ! . Los diodos Schottky se emplean ampliamente en la protección de las descargas de las celdas solares en instalaciones provistas de baterías de plomo-ácido. Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. así como suprimir valores altos de sobrecorriente en circuitos que trabajan con gran intensidad de corriente. G NN. El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma. Este efecto nos permite la generación de oscilaciones en el rango en los materiales semiconductores. Este diodo presenta una zona de resistencia negativa bajo la condición de que el voltaje sea mayor a los 3. lo que posibilita que pueda rectificar señales de muy altas frecuencias. tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos. FOTOVOLTAICOS. ni de los contactos. El diodo gunn generador de microondas formado por un semiconductor de dos terminales solamente tiene regiones del tipo N. DIODO G NN Efecto fue descubierto por un científico británico. así como en mezcladores de frecuencias entre 10 MHz y 1000 GHz instalados en equipos de telecomunicaciones.3 voltios / cm.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA normal. 8 DIODOS ESPECIALES: LASER. razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. John Battiscombe Gunn en 1963. Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la flecha). SC OTTKY. 2. DESVENTAJAS Las dos principales desventajas del diodo Schottky son: 1. Gunn observó esta de las microondas característica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fósforo de Indio (InP). TÚNEL.

Así. la diferencia fundamental es que el Klystron es similar a las antiguas válvulas y el diodo Gunn es de estado solido y a la hora de generar el diodo lo hace en forma instantánea en cambio el Klystron demora ya que debe tomar determinada temperatura. la corriente.36eV. ZENER # $ # 9 . pero en lugar de moverse más rápido. los electrones saltan a una banda de energía más elevada. Si se aumenta la tensión. SC OTTKY. disminuyen su velocidad y. los electrones. y por tanto corrientes de oscilación de las microondas. TÚNEL. La diferencia que tiene con el klystrón es que los dos utilizados en la generación de radiofrecuencia en la gama de las microondas. FOTOVOLTAICOS. una elevación de la tensión en este elemento causa una disminución de la corriente. que el material tiene en exceso. la corriente aumenta. al mínimo más fuerte de la banda (el valle de mayor energía). Cuando la tensión es fuerte en el compuesto. entre 15 y 30 minutos. circulan y producen corriente. Funcionamiento en resistencia positiva: Cuando se aplica una tensión a una placa (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs). DIODOS ESPECIALES: LASER. Presentan varios valles en la banda de conducción. por ende.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA se puede utilizar como oscilador Oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua. que normalmente esta vacía. se les comunica a los electrones una mayor energía. lo que a su ves provoca que la masa efectiva de los electrones sea mayor en los niveles energéticos superiores. La energía que los electrones deben ganar para pasar de un valle a otro es aproximadamente de 0. como por ejemplo al aumentar la energía también aumenta la movilidad de los electrones. se produce la transferencia de electrones hacia la banda de conducción. esto les permite moverse de un valle a otro y generar así dominios Gunn. Existe una serie de detalles en cada uno de estos valles. G NN. Funcionamiento en resistencia negativa: A la placa anterior se le sigue aumentando la tensión.

SC OTTKY. el circuito electrónico excita la membrana de aluminio mediante impulsos rectangulares dentro de la frecuencia de resonancia para generar vibraciones típicas de aprox. ZENER % & % . que sirven al mismo tiempo para la recepción de las señales reflejadas (figura inferior).5° en el vertical. están integrados en los parachoques de vehículos por ejemplo para facilitar. Un oscilador Gunn (diodo Gunn dentro de una caja ecoica) alimenta en paralelo tres antenas patch dispuestas en yuxtaposición. FOTOVOLTAICOS.8 mm) hace posible una construcción compacta. G NN. Frecuencia de trabajo de 76 GHz (longitud de onda de aprox.5 m. Una lente de plástico colocada delante (lente de Fresnel) concentra el haz de rayos de emisión dentro de una ventana angular de ±5° en el plano horizontal y de ±1. El gran ángulo de abertura que se obtiene con el empleo de varios sensores (cuatro en la parte trasera y de cuatro a seis en la parte delantera) permite determinar con ayuda de la "triangulación" la distancia y el ángulo en relación con un obstáculo. emitiéndose entonces ondas ultrasónicas: la onda sonora reflejada por el obstáculo hace vibrar a su vez la membrana. Cuando recibe de la unidad de control un impulso digital de emisión. que entretanto se había estabilizado (durante el período de extinción de aprox. CELDAS FOTOVOLTAICAS Las celdas fotovoltaicas son elementos que producen electricidad al incidir la luz sobre su superficie. 900 µs no es posible ninguna recepción). La fuente de luz utilizada generalmente es el sol. Otra aplicación para estos diodos se da en sensores ultrasónicos se utilizan para averiguar las distancias a que se encuentran posibles obstáculos y para vigilar un espacio. El alcance de detección de un sistema de tal clase cubre una distanci a de aprox. requerida para el empleo en vehículos. 300 µs. El sensor ultrasónico funciona según el principio "impulso -eco" en combinación con la "triangulación". TÚNEL.25 a 1. entrada y salida de aparcamientos y las maniobras de estacionamiento. 0. considerando su costo 10 DIODOS ESPECIALES: LASER. 3.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA Usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz). referida al eje del vehículo.

W. o dificultar su salida con carga positiva. A partir de ese descu brimiento. esta explicación indica: 1 .La carga eléctrica de la placa metálica expuesta a la radiación luminosa puede facilitar la salida de los electrones con carga negativa.La energía cuántica depende directamente de la frecuencia de las ondas luminosas (a través de la constante de Planck). Hertz descubrió el efecto fotoeléctrico externo o fotoemisión. denominado efecto fotoconductivo. TÚNEL. Su desarrollo empezó en el año 1839 cuando Becquerel descubrió que si se ilumina uno de dos electrodos sumergidos en un electrolito. La intensidad de la luz determina sólo la cantidad de electrones que se pueden liberar si los fotones suministran la energía mínima necesaria para la salida de los electrones. En 1887. Por otra parte. se liberan electrones de la estructura atómica. Dado que cada elemento puede generar una cantidad reducida de electricidad. formando paneles solares para aumentar la potencia generada. En 1888 Hallwachs analizó est e efecto en profundidad y además descubrió que si radiaba un electrodo negativo no se observaba ninguna variación. en el año 1900 Planck desarrolló la teoría cuántica. aparece entre ambos una diferencia de potencial. fotopilas o generadores helio voltaicos.La luz recibida se debe considerar como una lluvia de partículas cuánticas (fotones) que transmiten su energía a los electrones del metal irradiado. descubrieron que se creaba una diferencia de potencial cuando sus aparatos eran iluminados. dando lugar al efecto fotovoltaico. los que éstos salen de la superficie del metal. 2 . que le permitió a Einstein explicar la fotoemisión en 1905. n 1876. Si la energía que suministran es suficientemente grande como para que los electrones adquieran una energía superior a la energía de ligazón de la red cristalina. investigando la descarga eléctrica entre dos electrodos usada como fuente de ondas electromagnéticas. 3 . en el año 1873. Cabe señalar en aquel entonces se utilizaban superficies metálicas pulidas de selenio policristalino de alto grado de pureza y doce años desp ués Hallwachs observó el mismo fenómeno en un semiconductor compuesto por cobre y óxido cuproso. Smith observó una variación de la capacidad de conducción del selenio por efecto de la luz. 11 DIODOS ESPECIALES: LASER. G NN. Generalmente se las agrupa en disposiciones serie-paralelo. mientras Adams y Day se hallaban experimentando con la conductividad de unas varillas de selenio amorfo embebidas en hierro. FOTOVOLTAICOS.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA marginal nulo. que contribuyó a la divulgación del nuevo fenómeno. Por su parte. ZENER ' ( ' . observando que la intensidad de la descarga aumentaba si radiaba el electrodo positivo con luz ultravioleta. lo que sugirió que las superficies iluminadas emitían más electrones. Siemens construyó un fotómetro. Estas celdas también son conocidas como baterías solares. SC OTTKY. De manera simplificada.

el efecto fotovoltaico produce un desplazamiento de portadores que da lugar a una diferencia de potencial aprovechable de alrededor de 0. por el exterior de la célula. De este modo. ZENER ) 0 ) 12 . una parte de l a luz se refleja (energía perdida) y la otra penetra en el semiconductor. Los portadores de carga liberados se propagan por el cristal mediante difusión o bajo la influencia de un campo eléctrico. Los electrones pueden recombinarse durante su recorrido. SC OTTKY. las celdas fotovoltaicas pueden compararse con los diodos de silicio normales. la capa límite deberá encontrarse lo mas cerca posible de la superficie expuesta a la luz. En circuito cerrado la corriente pasa por la carga del borne P al N. pero cuando la unión P -N se emplea como generador fotovoltaico. La celda se completa mediante los contactos óhmicos (no rectificadores) en las capas P y N. pero si un portador minoritario (electrón en la zona P. mientras que la carga negativa produce el efecto contrario. TÚNEL.5 V entre los electrodos a circuito abierto. hueco en la zona N) alcanza la capa límite de la barrera de potencial.3 mm ). de reducida resistencia eléctrica para no provocar caídas de tensión adicionales. Las celdas fotovoltaicas modernas están formadas generalmente por una juntura semiconductora P-N de silicio de gran superficie y reducido espesor (típico: 0. similar a la utilizada en los diodos de estado sólido. el campo de la capa límite retiene los portadores mayoritarios en la región en que han sido liberados. Para lograr un buen rendimiento energético. La barrera de potencial impide que el proceso se revierta. queda atraído por el campo eléctrico de esa capa y penetra en la región en que son mayoritarios los portadores de igual signo. Desde el punto de vista eléctrico. FOTOVOLTAICOS. En la transición entre las capas P y N (capas con dopaje positivo y negativo respectivamente) se forma por difusión una capa límite en la que se establece una barrera de potencial. G NN. Al incidir la luz sobre la juntura. el sentido del flujo de los electrones es opuesto al que se observa cuando se lo usa como rectificador.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA La carga positiva aumenta la atracción entre los electrones y por lo tanto se necesita una mayor energía para romper la estructura atómica. cualquiera que sea la región en que que da absorbido el fotón y liberados los portadores de carga. DIODOS ESPECIALES: LASER.Por otro lado. Los fotones que ingresan con energía suficiente liberan cada uno un par electrón-hueco. aunque puede existir una pequeña corriente de fuga.

siendo la región de trabajo normal de las celdas fotovoltaicas. la curva (O) indica la corriente inversa de fuga en la oscuridad en función de la tensión inversa. mientras que la curva (E) da la variación de esa corriente con la iluminación. que en el primer cuadrante (1). Finalmente. fijados en función de la resistencia óptima de carga (Rm = Vm / Im ). Analizando la curva (E) se ve. TÚNEL. En la práctica. En una celda determinada. lo que equival e a decir que. el rendimiento energético es función del reparto espectral de los fotones. G NN. sólo podrá generar una corriente limitada. ZENER 1 2 1 . en el cuarto cuadrante (4). correspondiente al diodo con polarización directa. la característica no sale del origen.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA Así la curva tensión-corriente trazada en la oscuridad (O) resulta igual a la de un diodo ordinario. pues a corriente nula la tensión en bornes no es cero (Vco). SC OTTKY. aunque sea parcialmente. lo que obliga a la instalación de un diodo de protección en serie para prevenir daños. Si una de las celdas conectadas en serie queda oscurecida. mientras que la curva correspondiente a la incidencia sobre la celda de una determinada iluminación (E). las celdas fotovoltaicas trabajan con dificultad fuera del cuarto cuadrante (4). con radiaciones de determinadas longitudes de onda (colores) proporciona más energía eléctrica que con otras. proporcional a la energía luminosa recibida. sobre todo. resulta de la traslación de la curva anterior. Si la carga aplicada al panel solar es tal que 13 DIODOS ESPECIALES: LASER. En estas condiciones. Aquí la celda funciona como fotodiodo. FOTOVOLTAICOS. de forma que sólo recibe una parte de la energía solar que llega a las que la rodean. la tensión inversa que pueden soportar es pequeña. En el tercer cuadrante (3). la celda funciona como generador de energía. la potencia que entrega pasa por un máximo (Pm) para determinados valores de tensión (Vm) y corriente (Im).

se limita la tensión inversa máxima que puede producirse añadiendo diodos en paralelo. DIODOS ESPECIALES: LASER. FOTOVOLTAICOS. Estas estaciones típicamente consisten de un receptor. se añaden diodos anti-retorno. situados habitualmente en la caja de conexiones. Existen miles de estos sistemas instalados alrededor del mundo y tienen una excelente reputación por su confiabilidad y costos relativamente bajos de operación y mantenimiento. lo que provoca su c alentamiento y acarrea un riesgo de ruptura. TÚNEL. un transmisor y un sistema basado en una fuente de alimentación fotovoltaica. Entonces la celda afectada funcionará como receptor si la tensión de funcionamiento se hace superior a la suya a circuito abierto. ni hacerse sombra mutuamente en cualquier horario y época del año. la celda afectada funcionará en sentido inverso. situados habitualmente en la caja de conexiones. para proteger a las celdas del sobrecalentamiento debido a sombras parciales en la superficie del panel. resulta evidente que es muy importante que los paneles no reciban sombras de obstáculos cercanos. los teléfonos de emergencia y los sistemas de monitoreo. Los sistemas fotovoltaicos han proporcionado una solución rentable a este problema con el desarrollo de estaciones repetidoras de telecomunicaciones en área remotas. Análogamente. SC OTTKY.DISPOSITIVOS DE RADIOFREC ENCIA demanda una corriente superior a dicha corriente limitada. Sin embargo el costo de energía eléctrica de hacer funcionar estos sistemas y el alto coste de mantenimiento de los sistemas convencionales han limitado su uso. para proteger a las celdas del sobrecalentamiento debido a sombras parciales en la superficie del panel. de forma que sólo recibe una parte de la energía solar que llega a las que la rodean. sólo podrá generar una tensión limitada. Para solucionar este inconveniente. Aplicación Las buenas comunicaciones son esenciales para mejorar la calidad de vida en áreas alejadas. Por todo lo anterior. si una de las celdas conectadas en paralelo queda oscurecida. Principios similares se aplican a radios y televisiones accionadas por energía solar. Para solucionar este inconveniente. ZENER 3 4 3 DIODO TUNEL 14 . menor a las restantes en paralelo. Los sistemas de monitoreo remotos se pueden utilizar para recolectar datos del tiempo u otra información sobre el medio ambiente y transmitirla automáticamente vía radio a una central. G NN. lo que también provoca su calentamiento y acarrea un riesgo de ruptura. aunque sea parcialmente.

Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. la parte mas interesante de su curva característica es la comprendida entre la cresta y el valle. A partir de este punto. pero luego se hace cada vez más rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. el físico japonés Esaki. Para las aplicaciones prácticas del diodo túnel. desde el cual de nuevo aumenta. descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminación del material básico mucho más elevado que lo habitual e hiben una característica tensión-corriente muy particular. FOTOVOLTAICOS. llamado corriente de valle. como oscilador o como biestable. Cuando la resistencia es negativa. este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación. en otros términos.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA En 1958. DIODOS ESPECIALES: LASER. GUNN. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento. En consecuencia. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los físicos denominan efecto túnel. el diodo túnel puede funcionar como amplificador. Apli ion s Los diodos túnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rápidamente. cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso más rápido que los diodos Schottky. la corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo. la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo. En esta parte de lacurva a un aumento de la tensión aplicada corresponde una disminución de la corriente. TÚNEL. si se sigue aumentando la tensión aplicada. Esencialmente. la corriente disminuye al aumentar el voltaje. ZENER 8 676 5 15 . la relación entre un incremento de la tensión y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva re presenta una resistencia incremental negativa . SCHOTTKY. denominado corriente de cresta.

esto quiere decir que la representación gráfica es V(-) -> V(+) . DIODOS ESPECIALES: LASER. disminuirá el potencial Zener. SCHOTTKY. y y La localización de la región Zener puede controlarse variando los niveles de dopado. La fabricacion de los Zener es desde los 3. que produzca un aumento en el numero de impurezas. Un incremento en el dopado. la flecha flecha del símbolo esta en contra de la dirección de conducción.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA Desgraciadamente. con rangos de potencia desde 0. ZENER 9 16 .3v y con una potencia mínima de 250mW. Algunas características a resaltar del diodo Zener: y Su dirección de conducción es inversa a la de un diodo rectificador. pues. Para evitar la destrucción del diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Así estos diodos sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitososciladores de alta frecuencia. FOTOVOLTAICOS. Los diodos Zener se encuentran disponibles conpotenciales Zener desde 1. Se emplean para producir entre sus extremos una tensión constante e independiente de la corriente que las atraviesa según sus especificaciones.25 a 50 [Watz]. la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. TÚNEL. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unión P cuando se polariza inversamente al llegar a la tensión de ruptura (tensión de Zener).8 [V] hasta 200 [V]. GUNN. DIODOS ZENER. este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando están polarizados en reversa.

Consideremos primero la operación del circuito cuando la fuente de tensión proporciona un valor VAA constante pero la corriente de carga varia. SCHOTTKY. GUNN. ZENER E D C B B @A@ F 17 . Las corrientes IL = VZ/RL e IZ están ligadas a través de la ecuación: DIODOS ESPECIALES: LASER. Este circuito se dise a de tal forma que el diodo zener opere en la región de ruptura. aproximándose así a una fuen e idea de tensión. FOTOVOLTAICOS. a pesar de los cambios que se puedan producir en la fuente de tensión VAA.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA Apli ion s d l diodo Zener: Una de las aplicaciones más usuales de los diodos zener es su utilización como reguladores de tensión. y en la corriente de carga IL. El diodo zener está en paralelo con una resistencia de carga RL y se ncarga de mantener constante la tensión entre los extremos de la resistencia de carga (Vout=VZ). dentro de unos limites requeridos en el dise o. Analicemos a continuación el funcionamiento del circuito. TÚNEL. La figura de abajo muest el circuito de un diodo usado como ra regulador.

las pequeñas variaciones se producirían por las variaciones de IZ para compensar las variaciones de VAA. Características de prueba principales de un diodo Zener: Para un diodo Zener (Fairchild 1N961) de 500m -W y 20%. GUNN. DIODOS ESPECIALES: LASER. IZ disminuye y viceversa (debido a la ecuación (1)). Z ZT es la impedancia dinámica en este nivel de corriente. y y y y y y Vz es un valor típico promedio. La máxima impedancia del punto de inflexión ocurre en la corriente del punto de inflexión I K .25. El 20% nos indica que se puede esperar que el potencial Zener varie de 10V ± 20% (Entre 8 y 12 V). En consecuencia VZ no permanecerá absolutamente constante. e I ZM representa la corriente maxima para la unidad de 20%. I ZM es la corriente de prueba definida por la potencia de 0. una tensión de salida prácticamente constante. un aumento de ésta produce un aumento de IT y por tanto de IZ pues IL permanece constante. variará muy poco debido a los cambios de IZ que se producen para compensar los cambios de IL. y lo contrario si se produjera una disminución de VAA. FOTOVOLTAICOS. ZENER G H 18 . De esta forma la corriente total IT queda fijada a pesar de las variaciones de lacorriente de carga. Si ahora lo que permanece constante es la corriente de carga y la fuente de tensión VAA varía. Esto lleva a la conclusión de que si IL aumenta.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA IT = IL + IZ (1) y para las tensiones: VAA=IT R + VZ =VR + VZ (2) Por lo tanto. TÚNEL. si VAA y VZ permanecen constantes. Tendríamos lo mismo que antes. VR debe de serlo también (VR = IT R). SC OTTKY.

SCHOTTKY. ZENER . TÚNEL. GUNN.DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA 19 DIODOS ESPECIALES: LASER. FOTOVOLTAICOS.

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