EMC y Seguridad funcional

1.3.5. Tipos de ruido Es importante conocer las características que definen los diferentes tipos de ruido que pueden afectar los circuitos electrónicos. Cada unos de los ruidos, Figura 1-7 tiene orígenes bastante bien definidos, conocerlos nos ayudará a aplicar las soluciones más correctas en cada caso.
Campos eléctricos

Fluctuaciones de la alimentación

Campos magnéticos

Tipos de ruido

Transitorios

Descargas electrostáticas

Figura 1-7. Tipos de ruido. Campos eléctricos: Se producen por tensiones elevadas conmutando en capacidades parásitas. A través de estas capacidades se inyectan corrientes de interferencia. Un ejemplo clásico es la capacidad parásita de un FET respecto al radiador o estructura metálica, utilizada para evacuar el calor. Cuando este FET conmuta tensiones elevadas con tiempos de conmutación cortos, se produce la citada inyección de corriente. En resumen: en los campos eléctricos están implicadas tensiones elevadas, tiempos de conmutación cortos y capacidades parásitas. Campos magnéticos: Son la consecuencia de corrientes circulando por inductancias, en algunos casos éstas pueden ser parásitas. Cuando las líneas de un campo magnético atraviesan otra inductancia cercana, en esa segunda inductancia aparece otra corriente con la misma frecuencia del campo magnético y con una amplitud que depende de la magnitud del campo y de la inductancia mutua entre las dos inductancias. Cuando este acoplo es involuntario, se le llama crosstalk y es considerado como ruido. En los campos magnéticos por tanto están implicados la corriente, la inductancia y los tiempos de conmutación. Transitorios: Aunque pueden tener una procedencia muy variada, en muchos casos es producto de conmutaciones a frecuencias elevadas. La principal característica es que se trata de ruido en forma de fluctuaciones rápidas del nivel de cualquier señal de control, que en principio debería mantenerse estable. Los transitorios pueden estar presentes en líneas de PCB, entradas de microcontroladores o salidas de cualquier circuito. Fluctuaciones de la alimentación: Como su nombre indica son variaciones de cualquier forma, amplitud y frecuencia que pueden experimentar las líneas de 39

La elección de conectores filtrados o no.3. comporta un nivel de precisión y un tiempo de ejecución distintos. son básicamente tres: Reglas de diseño y listas de comprobación (Rules of thumb). coaxiales. Métodos de diseño de EMC Los métodos de diseño orientado a EMC y de evaluación de algunos parámetros. tendrá que ver con la cantidad de energía de RF que mandaremos al exterior y también la que entrará en el sistema. tiene una relación directa con la cantidad de interferencias que éstos captarán o serán capaces de radiar a su entorno. RF o líneas de transmisión. pero la precisión que se obtiene no es muy elevada. Software: El software también tendrá alguna implicación en la respuesta final del producto y algunas estrategias de software se pueden empezar a plantear desde el inicio. Métodos de diseño orientado a EMC. Simulación.EMC y Seguridad funcional Cableados y conectores: El tipo de cables empleados. trenzados o blindados. 1.11. Conviene no confundir que las reglas de diseño no pueden suplir la falta de experiencia y los conocimientos básicos de diseño de lógica de alta velocidad. sirven como cultura de base para evaluar si una solución es mejor que otra. El debouncing o la lucha contra el ground bounce y el filtrado digital pueden tener una contribución importante desde el terreno del software. no obstante. Los tipos de conectores y la agrupación de señales que se haga nos determinará el crosstalk entre pines. Cálculo. Figura 1-11. no particularizan en un diseño concreto. Las reglas de diseño son de simple aplicación y no requieren mucho tiempo para llegar a un resultado. Figura 1-11. Cada una de estas tres metodologías. Al ser reglas generales. 45 .

no suelen verse alteradas por estos factores externos. El entorno electromagnético interacciona con el producto. La secuencia de operaciones para el correcto diseño orientado a garantizar la EMC y la seguridad funcional durante todo el ciclo de vida sería: Envejecimiento acelerado del producto.Condiciones reales de ensayos de EMC Cambios de herramientas a mitad del proyecto: El cambio a mitad de proyecto de compiladores o herramientas de desarrollo perjudica la buena marcha del mismo. los productos electrónicos deberían envejecerse artificialmente antes de los ensayos de EMC. De lo contrario. 2.3. aumentado el riesgo de fallo y en consecuencia la posibilidad de accidente. A pesar de que las especificaciones no exigen pruebas combinadas de EMC y ambientales al mismo tiempo. de la presencia de los componentes destinados a EMC y seguridad funcional. Condiciones reales de ensayos de EMC 2. tanto conducidas como radiadas.1. pero en realidad los ensayos de EMC son tan solo ensayos de otro entorno más. la humedad. las unidades que han pasado este ensayo nos serán muy útiles para verificar que. los cuales no suelen fallar en condiciones ambientales ideales. La humedad. ¿cómo podríamos garantizar la integridad de las funciones durante toda su vida útil? Un envejecimiento de los componentes y los materiales de que se componen los productos electrónicos puede modificar los umbrales de inmunidad y susceptibilidad frente a interferencias electromagnéticas. la vibración o el polvo. asegura unos resultados mucho más realísticos. Ensayos de EMC combinados con ensayos ambientales de los circuitos principales. durante la manufactura. para aplicaciones de elevada seguridad. y funciones de seguridad en automoción. causando retrasos y la posibilidad de errores en el producto desarrollado.3. continúan pasando los ensayos de EMC y funcionan correctamente. como es el caso de aviónica. combinado con otros de los nombrados. en realidad los ensayos de EMC deberían estar integrados en el resto.3. la temperatura. Inspecciones visuales. Seguridad funcional durante el ciclo de vida del producto A pesar de que no existen normas explícitas sobre el comportamiento en EMC durante todo el ciclo de vida del producto. Ensayos combinados de EMC y ambientales Los fabricantes de productos electrónicos generalmente consideran los ensayos de compatibilidad electromagnética y los ensayos ambientales como funciones separadas.2. Aprovechando que uno de los ensayos habituales es el test de vida (life test). Típicamente el ensayo de ESD es uno de los más susceptibles a fallar debido a condiciones ambientales no ideales. Un ensayo de EMC. Por el contrario. la niebla salida o el polvo son capaces de degradar el funcionamiento de los circuitos electrónicos y comprometer la seguridad de circuitos críticos. a pesar del envejecimiento. Ensayos de EMC combinados con ensayos ambientales de los circuitos redundantes. las emisiones. 56 . al igual que lo hace la temperatura. 2.

5. que el nivel de voltaje no sea el mismo en todos sus puntos. La inductancia La inductancia es uno de los conceptos más desconocidos en el diseño y elaboración de los productos electrónicos.1.4. vías o planos de alimentación y masa. El voltaje inducido en una bobina es: dΦ Vinducido = n dt Ecuación 3-53.Fundamentos electromagnéticos El campo magnético es un vector. Relación entre B y H. por lo que podemos afirmar que el plano de masa se convierte en un generador de radio frecuencia. 3. cuando estos planos están recorridos por corrientes de alta frecuencia. Donde: Donde: n Es el número de espiras de la bobina. A cada punto del campo en el espacio le corresponde una magnitud y una dirección. la fuerza del campo magnético hará que los dos conductores se atraigan. El campo magnético es una fuerza. La inductancia “descontrolada”. terminales de los componentes. 3. es decir. Voltaje inducido en una bobina. del número de espiras de la bobina y de la velocidad a la que el flujo de campo magnético está cambiando debido al movimiento. dФ Variación del flujo magnético. lo que habitualmente conocemos como inductancia parásita. afecta de una manera decisiva al comportamiento de los circuitos electrónicos y además es la máxima responsable de muchos de los problemas relacionados con las EMC y la integridad de la señal. producidas por las propias demandas de corrientes de los circuitos integrados. pero esta fuerza sólo puede ser ejercida en la presencia de otro campo magnético. el flujo magnético Ф es simplemente el producto de BA. entre sus terminales aparece tensión. dt Variación del tiempo. Campo inducido Cuando una bobina se mueve dentro de un campo magnético. A es el área en m2 y Ф es el flujo en webers. Si los planos no son equipotenciales significa que existen diferencias de tensión entre un punto y otro del mismo plano. La relación entre B y H es: B = μ R μ0 H Ecuación 3-52. es decir. donde B son teslas. El campo H es proporcional a la corriente que circula por el conductor. Si dos conductores paralelos transportan la misma corriente. La dirección de la fuerza. Esta tensión depende de la intensidad del campo magnético. 81 . La inductancia en los planos masa hace que éstos no sean equipotenciales. la dirección de la corriente y la dirección del campo son todos perpendiculares entre sí. El campo que induce voltaje es llamado B o campo inductivo. μ0 Permeabilidad en el vacío μR Permeabilidad relativa del medio Para un área de intensidad de campo constante. producida por las conexiones.

Anchura de la masa. Permeabilidad en el vacío. Ecuación 3-64. ⎜W ⎟ 2π ⎝ GND ⎠ Ecuación 3-63. es interesante conocer la inductancia de un circuito cerrado. (4π x 10-7 H/m). Por tanto. Longitud de la masa. Esto no siempre es posible. la longitud de las pistas que transportan corrientes transitorias elevadas debe mantenerse lo más corta posible. La inductancia es inversamente proporcional al logaritmo del diámetro del conductor o a la anchura de un conductor plano.005 ln⎜ ⎟ ⎝ d ⎠ en uH/pulgada.5. compuesto de una pista de señal más su retorno en el plano de masa. ya que en algunos sistemas existen cables o pistas de circuito impreso con longitudes excesivas. La impedancia del circuito impreso puede realzar el ruido de la masa. Altura de la pista hasta la masa. Donde: LGND µ0 ℓ W h Inductancia del plano de masa en H. para poder anticipar problemas de emisiones radiadas.La inductancia Tabla 3-1. 90 .12. Por todo lo anterior. La inductancia es directamente proporcional a la longitud de un conductor. Minimizar la inductancia. Inductancia de un cable. Una fórmula que nos va a aproximar cual es la inductancia de la masa se muestra en la Ecuación 3-63: LGND = ⎛ πh ⎞ μ0 l ln⎜ + 1⎟ en H. Inductancia del plano de masa. 3. Inductancia de los conductores Para poder controlar la inductancia es útil conocer como ésta depende de ciertas propiedades físicas del circuito. crosstalk de impedancia común o ruido delta I en los circuitos que vamos a diseñar. Para un conductor cilíndrico situado por encima de un camino de retorno la inductancia es igual a: ⎛ 4h ⎞ L = 0.

Como consecuencia de la corriente que circula por cada una de las pistas. Componentes no ideales Las mayores dificultades de la EMC no están tanto en solucionar los conflictos. se producen líneas de campo magnético con un sentido de giro determinado por la polaridad de estas corrientes. aunque no parezca una antena.Diseño orientado a EMC conducen esta corriente hasta la carga. En la Figura 3-19 podemos ver algunas de estas antenas no intencionadas que pueden emitir energía de RF al espacio. Las antenas más eficaces siempre suelen ser componentes grandes o que contienen gran cantidad de hilo de cobre. Antenas ocultas.2.7. El comportamiento ideal de los componentes es bien conocido por todos.. los condensadores aumentan su impedancia debido a la ESL y las bobinas disminuyen su impedancia debido a la capacidad parásita entre espiras. Esta frase que aparecía de una forma más cómica en una presentación de EMC. seguro que es una antena. Los circuitos. en ocasiones no hacen su función como nosotros prevemos.. En realidad.3. nosotros no hemos instalado ninguna antena en nuestro producto. sino en identificarlos. Si algo radia como una antena y recibe señal como una antena. pero la RF ha encontrado la mejor manera de propagarse utilizando alguna alternativa como antena. El sentido de estas corrientes está indicado en las pistas mediante la flecha gruesa. 3. Es decir. Cuando un producto electrónico emite interferencias hacia el espacio seguro que lo hace a través de una antena. ni siquiera teniendo experiencia. Antenas ocultas Figura 3-19. como tampoco se comportan de un modo ideal otras partes del sistema. los componentes y las corrientes.7. Con el aumento de la frecuencia. resume una gran verdad dentro del diseño orientado a EMC.. 3. como el cableado. Cuando aparece un problema hay que investigar hasta dar con el origen del problema y a veces no es fácil. 100 . concebido para la interconexión y que en ocasiones se comporta como antenas. pero a medida que aumenta la frecuencia estos componentes no se comportan de un modo ideal. totalmente el efecto contrario al esperado.

En estas condiciones es posible tener toda una serie de descargas secundarias que pueden dañar componentes 117 . +5V R D2 µC D1 C Plano de retorno Capacidad parásita Plano metálico +5V Caja de plástico Radiador CI Blindaje Caja de plástico Capacidad parásita Plano metálico Figura 3-29. Una descarga positiva va a incrementar el nivel de tensión del punto +5V. así como un control estricto del grado de humedad en el ambiente. los cuales presentan dos desventajas: son muy susceptibles de capturar las chispas procedentes del exterior y aumentan su capacidad parásita respecto al plano metálico de referencia. La inmunidad frente a transitorios de ESD va a depender en gran medida del valor que tomen estas capacidades parásitas. En esta parte de la figura no se ha incluido un PCB con plano de masa. ésta alcanza una parte metálica cualquiera y produce una fuerte corriente a través de pistas. el plano de test. la descarga alcanza un pin de entrada de un conector. radiadores. por lo que los componentes grandes aparecen como aislados eléctricamente.Fundamentos electromagnéticos módulo. blindajes o cualquier objeto metálico hasta alcanzar a través de las capacidades parásitas. El tipo de material indicado como aislante también debe ser respetado. En la parte superior. En la parte inferior de la Figura 3-29 vemos otro tipo distinto de estructura en la que aparecen objetos metálicos grandes. Otra parte importante de la corriente circulará por C y finalmente todas estas corrientes alcanzarán las capacidades parásitas. aumentando estas capacidades. por lo que es muy importante mantener la distancia entre el plano de referencia y el módulo electrónico recomendada en las especificaciones del ensayo. Recorrido de la descarga de ESD. por lo que un mal desacoplo del microcontrolador se traducirá en una destrucción del mismo. La corriente circulará a través de la resistencia R. después una parte de la corriente y dependiendo de la polaridad de la descarga lo hará por D1 o D2. planos de alimentación. En la Figura 3-29 podemos ver dos ejemplos de descargas de ESD aplicadas a módulos electrónicos. ya que el mismo actúa como dieléctrico.

cuanto más lentos más probabilidades de que se acople ruido en el flanco y producir jitter. Aumentar los tiempos de transición en los flancos. siempre que sea posible. Hacer que las salidas del microcontrolador que llevan señales de frecuencia media o alta sean las que tienen cerca una conexión de masa. Esta configuración refuerza la conexión a la alimentación del microcontrolador. Configurar los pines no usados del microcontrolador como salidas y activarlas a nivel bajo. ya que tienen una considerable inductancia.Ruido en los circuitos Salida del uControlador activa a 1 Medida del VCC bounce Salida del uControlador activa a 0 Medida del ground bounce Figura 4-18. Evitar que varias salidas conmuten al mismo tiempo. Maximizar la capacidad on-chip. Eliminar los zócalos de los integrados. usando siempre pistas gruesas de alimentación y planos. pero cuidado que puede ser un arma de doble filo. para reducir el VCC bounce. Usar condensadores land-side o bien die-side. Usar circuitos impresos multicapa. Evitar retornos no ideales. Configurar los pines no usados del microcontrolador como salidas y activarlas a nivel alto. Colocar los condensadores lo más cerca posible de los pines de alimentación. Reducir la inductancia tanto como sea posible. Maximizar la capacidad de desacoplo. Esta configuración refuerza la conexión a masa del microcontrolador. para reducir el ground bounce. Decalar las salidas en el tiempo. Esto creará una reserva de energía que no estará afectada por la inductancia. Hacer los flancos más lentos los hace más susceptibles al ruido. Crear diseños síncronos que no se vean afectados por los ruidos de masa. 153 . Minimizar la inductancia de los condensadores de desacoplo y de las vías. Así quedarán las dos mirillas para analizar el bounce.

2. La situación ideal para bloquear todo el ruido hacia los planos consiste en aumentar en cierta medida la inductancia entre cada vía que conecta el condensador CDES a cada plano y reducir todo lo posible la conexión entre el condensador CDES y los pines del circuito integrado. Con esta configuración se consigue la máxima velocidad de entrega de energía desde el condensador y la carga a velocidad lenta.5. Disposición para evitar la contaminación de los planos.Contaminación de los planos Vía a +5V Vía a GND ISUPP -ISUPP Vía a +5V Vía a GND Figura 8-27. 314 . añadiendo por ejemplo pequeñas ferritas desde las vías que conectan los planos hasta el condensador. Debemos recordar que los valores de corriente de carga y descarga no dependen de la disposición. Disposición para reducir el ruido en la entrada de alimentación del CI. 8. Reducción del ruido en los planos Con la disposición de componentes que vemos en la Figura 8-28. pero sí podemos actuar sobre los tiempos de estos eventos. la corriente ISUPP queda más reducida que en el caso anterior. Vía a +5V Vía a GND Figura 8-28.

344 . el bucle de corriente creado es considerable. En la Figura 10-11 podemos apreciar como el radiador está unido físicamente a un chasis metálico. CY2 y el rectificador cierran el circuito de nuevo hasta el polo negativo del condensador C1. las corrientes circulan libremente por el chasis y por medio de los condensadores CY1. la tensión en su drenador crece a gran velocidad y amplitud. También las interferencias en modo común radiadas a través de los cables de entrada de 220V. si no se toman ciertas precauciones. Si además este radiador forma parte de un chasis. serán significativas.0884 * 4. Como se desprende de la figura.1.0884 * ε r * A = d 0.5 *1. Una corriente que se origina en C1 atraviesa estas capacidades parásitas debido al flanco ascendente de la tensión. como la bobina y el propio FET. sean también importantes. Una vez alcanzado el radiador. 380V dV/dt 80 ns Capacidad parásita en el TO220 C= 0. los elementos parásitos capaces de inyectar corriente en el radiador son los que se hallan más próximos a él.5. ciertos elementos de potencia. por lo que cabe esperar que las interferencias radiadas en modo diferencial. son capaces de inyectar una considerable cantidad de corriente al mismo. Corrientes parásitas en los chasis metálicos Como en el caso anterior.Corrientes parásitas a través de los radiadores las corrientes parásitas tengan valores considerables al estar creadas por tensiones con una dV/dt elevada. La Figura 10-10 es un ejemplo de corrientes parásitas de alta frecuencia. producidas por la capacidad parásita de semiconductores del clásico formato TO-220. la corriente parásita puede recorrer este chasis. 10.4 = = 55 pF 0. unidos a un radiador para evacuar el calor producido. En este caso. Entre ambos componentes y el radiador se forma una capacidad parásita denominada Cp. Corrientes de RF a través de los radiadores. Cuando el FET pasa al estado de corte. Esta tensión crea un campo eléctrico en Cp.01 C≈55 pF Termo-silicona 260 m C≈55 p F A C = Capacidad en pF A = Area en cm2 εr = Constante dieléctrica d = Separación en cm Radiador Corriente a través del radiador IC = CΔV 55 x10 −12 * 380V = = 260mA t 80 x10 −9 ∆V = Variación de la tensión t = Tiempo Figura 10-10.

10. En general.Diseño analógico y de potencia geometría correcta de pistas de circuito impreso. tal como se indica. con una frecuencia definida. Equilibrado de corrientes en condensadores electrolíticos. deben estar correctamente protegidos en los momentos de desconexión de las mismas para evitar las sobre oscilaciones o ringings cuya amplitud puede destruir tales elementos. los pasos a seguir para determinar los valores son los siguientes: Medir la frecuencia de resonancia de la sobre oscilación (f en la Figura 10-15 izquierda). La forma más fácil de reducir estos niveles de tensión consiste en utilizar una red RC. Todo este conjunto de elementos parásitos constituyen un circuito resonante capaz de generar tensiones muy elevadas que pueden poner en peligro los dispositivos semiconductores de conmutación.6.2. evitarán que los condensadores centrales soporten la mayor parte de la carga. que controlan cargas inductivas. En la Figura 10-14 podemos ver un ejemplo. de tal modo que garantice que todos los caminos de retorno de las corrientes de cada condensador tenga la misma longitud. Corrientes Figura 10-14. Dos cortes. Estas oscilaciones. serie conocida como snubber. empezando por un valor pequeño y aumentando progresivamente hasta que la frecuencia 349 . Existen otras topologías. son debidas a la inductancia parásita del circuito a la que hay que añadir la inductancia dispersa en el caso de transformadores y la capacidad parásita. pero esta es bastante efectiva. Añadir un condensador entre drain y source del MOSFET. Snubbers En circuitos de potencia los elementos de conmutación como FETs o IGBTs. Los valores de estos componentes deben ser los apropiados para cada caso.

Cuando estemos en presencia de tensiones y corrientes elevadas. el analizador mostrará las interferencias que circulan por él. Figura 13-1. aparecen distintas sondas cada una para una aplicación concreta. Las sondas le permitirán hacer medidas relativas de la amplitud de las frecuencias. Una vez cerrado sobre el cable. Se trata de una ferrita realizada en dos mitades. que se abre para permitir pasar el cable por dentro de la ferrita. Las sondas tienen los blindajes necesarios para que respondan solamente a los campos apropiados. necesitaremos para nuestras investigaciones. nunca medidas absolutas. Si nuestro sistema trabaja con tensiones bajas y corrientes elevadas. En esta figura. seguramente los problemas se derivarán del campo magnético. Figura 13-4. Sondas para detección de campos eléctricos y magnéticos. Acoplado a la ferrita se halla un bucle y un conector que permite la conexión al analizador de espectro.Investigación de causas se suministran comercialmente. La siguiente operación consiste en resintonizar el analizador de espectro en las frecuencias de nuestro interés y mediante la sonda adecuada. Algunos consejos nos ayudarán a elegir la sonda adecuada. especialmente las sondas de campo magnético tienen un blindaje electrostático para evitar quedar afectadas por el campo eléctrico. Las sondas de modo común las utilizo para identificar cual es el cable que radia las emisiones de modo común. Por el contrario si nuestro sistema trabaja con tensiones elevadas y corrientes pequeñas. sin blindar. En algunas WEB de gente experta en RF puede encontrar los planos y explicaciones para poderlas construir. que normalmente no suele ser el caso. Si es usted un “manitas”. con varios tamaños para obtener distintas sensibilidades. a menos que disponga de los equipos adecuados para la calibración de las mismas.empezamos a explorar los distintos circuitos de nuestro sistema. una sonda de campo magnético. Con este tipo de son385 . con blindaje electrostático. deberemos utilizar como primera aproximación. -campo eléctrico o campo magnético. puede construirse estas sondas como aparecen en la Figura 13-4 y ahorrarse algún dinero. utilizar sondas de campo eléctrico. En este caso utilizaremos una sonda de campo magnético.

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