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Electronic A Teoria de Circuitos 6 Ed Boylestad

Electronic A Teoria de Circuitos 6 Ed Boylestad

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  • 1.1 INTRODUCCIÓN
  • 1.2 EL DIODO IDEAL
  • 1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES
  • 1.4 NIVELES DE ENERGÍA
  • 1.5 MATERIALES EXTRÍNSECOS: TIPO n Y TIPO p
  • 1.6 Diodo semiconductor 15
  • 1.7 Niveles de resistencia 21
  • 1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS
  • 1.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS
  • 1.10 CAPACITANCIA DE TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN
  • 1.11 TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO
  • 1.12 NOTACIÓN DE DIODOS SEMICONDUCTORES
  • 1.13 PRUEBA DE DIODOS
  • 1.14 DIODOS ZENER
  • 1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ
  • 1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS INTEGRADOS
  • 1.17 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 2.1 INTRODUCCIÓN
  • 2.2 ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA
  • 2.3 APROXIMACIONES DE DIODOS
  • 2.4 CONFlGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DE DC
  • 2.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO
  • 2.6 COMPUERTAS ANDjOR
  • 2.7 ENTRADAS SENOIDALES; RECTIF1CACIÓN DE MEDIA ONDA
  • 2.8 RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA
  • 2.9 RECORTADORES
  • 2.10 CAMBIADORES DE NIVEL
  • 2.11 DlODOSZENER
  • 2.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
  • 2.13 ANÁUSIS POR COMPUTADORA
  • 3.1 INTRODUCCIÓN
  • 3.2 CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES
  • 3.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
  • 3.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
  • 3.5 ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
  • 3.6 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN
  • 3.7 CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN
  • 3.8 LÍMITFS DE OPERACIÓN
  • 3.9 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES
  • 3.10 PRUEBA DE TRANSISTORES
  • 3.11 ENCAPSULADO DE TRANSISTORES E IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES
  • 3.12 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 4.1 INTRODUCCIÓN
  • 4.2 PUNTO DE OPERACIÓN
  • 4.3 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA
  • 4.4 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADO EN EMISOR
  • 4.5 POLARIZACIÓN POR DMSOR DE VOLTAJE
  • 4.6 POLARIZACIÓN DE DC POR RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE
  • 4.7 DIVERSAS CONFlGURACIONES DE POLARIZACIÓN
  • 4.8 OPERACIONES DE DISEÑO
  • 4.9 REDES DE CONMUTACIÓN DE TRANSISTORES
  • 4.10 TÉCNICAS PARA LA LOCAUZACIÓN DE FALLAS
  • 4.11 TRANSISTORES PNP
  • 4.12 ESTABILIZACIÓN DE lA POlARIZACIÓN
  • 4.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 5.1 INTRODUCCIÓN
  • 5.2 CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET
  • 5.3 CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA
  • 5.4 HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFE1)
  • 5.5 INSTRUMENTACiÓN
  • 5.6 RELACIONES IMPORTANTES
  • 5.7 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
  • 5.8 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
  • 5.9 MANEJO DEL MOSFET
  • 5.10 VMOS
  • 5.11 CMOS
  • 5.12 TABLA RESUMEN
  • 5.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 6.1 INTRODUCCIÓN
  • 6.2 CONFlGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
  • 6.3 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
  • 6.4 POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE
  • 6.5 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
  • 6.6 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
  • 6.7 TABLA RESUMEN
  • 6.8 REDES COMBINADAS
  • 6.9 DISEÑO
  • 6.10 LOCAUZACIÓN DE FALLAS
  • 6.11 FET DE CANAL-P
  • 6.12 CURVA UNIVERSAL DE POLARIZACIÓN PARA JFET
  • 6.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 7.1 INTRODUCCIÓN
  • 7.2 AMPUFlCACIÓN EN EL DOMINIO DE AC
  • 7.3 MODELAJE DE TRANSISTORES BJT
  • 7.4 LOS PARÁMETROS IMPORTANTES:
  • 7.5 EL MODELO DE TRANSISTOR re~
  • 7.6 EL MODELO HÍBRIDO EQUIVALENTE
  • 7.7 DETERMINACIÓN GRÁFICA DE LOS PARÁMETROS h
  • 7.8 VARIACIONES DE LOS PARÁMETROS DE TRANSISTORES
  • 7.9 ANÁLISI5g0R COMPUTADORA
  • 8.1 INTRODUCCIÓN
  • 8.2 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA
  • 8.3 POlARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE
  • 8.4 CONFIGURACIÓN DE E-C CON POLARIZACIÓN EN EMISOR
  • 8.5 CONFIGURACIÓN EMISOR-SEGUIDOR
  • 8.6 CONFlGURACIÓN DE BASE COMÚN
  • 8.7 CONFlGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN EN COLECTOR
  • 8.8 CONRGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN DE DC EN COLECTOR
  • 8.9 CIRCUITO EQUIVALENTE HÍBRIDO APROXIMADO
  • 8.10 MODELO EQUIVALENTE HÍBRIDO COMPLETO
  • 8.11 TABLA RESUMEN
  • 8.12 SOLUCIÓN DE PROBLEMAS
  • 8.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 9.00E+01
  • 9.1 INTRODUCCIÓN
  • 9.2 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL FET
  • 9.3 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA PARA EL JFET
  • 9.4 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN PARA EL JFET
  • 9.5 CONF1GURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL JFET
  • 9.6 CONFlGURACIÓN FlJENTE-SEGUIDOR (DRENAJE COMÚN) PARA EL JFET
  • 9.7 CONFlGURACIÓN DE COMPUERTA COMÚN PARA EL JFET
  • 9.8 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
  • 9.9 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
  • 9.10 CONflGURACIÓN DE RETROALIMENTACIÓN EN DRENAJE PARA EL EMOSFET
  • 9.11 CONFIGURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL EMOSFET
  • 9.13 TABLA RESUMEN
  • 9.14 SOLUCIÓN DE PROBLEMAS
  • 9.15 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 10.1 INTRODUCCIÓN
  • 10.2 SISTEMAS DE DOS PUERTOS
  • 10.3 EFECTO DE LA IMPEDANCIA DE CARGA Ql.J
  • 10.5 EFECTO COMBINADO DE Rs y R
  • 10.6 REDES BJT DE CE
  • 10.7 REDES EMISOR-SEGUIDOR
  • 10.8 REDES eB
  • 10.9 REDES FET
  • 10.10 TABLA RESUMEN
  • 10.11 SISTEMAS EN CASCADA
  • 10.12 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 11.2 LOGARITMOS
  • 11.3 DECIBELES
  • 11.4 CONSIDERACIONES GENERALES SOBRE LA FRECUENCIA
  • 11.5 ANÁLISIS A BAJA FRECUENCIA, GRÁRCA DE BODE
  • 11.6 RESPUESTA A BAJA FRECUENCIA, AMPUFICADOR BJT
  • 11.7 RESPUESTA A BAJA FRECUENCIA, AMPLIFICADOR FET
  • 11.8 CAPACITANCIA DE EFECTO MILLER
  • 11.9 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA, AMPLIFICADOR BJT
  • 11.11 EFECTOS DE FRECUENCIA EN MULTIETAPAS
  • 11.12 PRUEBA DE ONDA CUADRADA
  • 11.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 12.1 INTRODUCCIÓN
  • 12.2 CONEXIÓN EN CASCADA
  • 12.3 CONEXIÓN CASCODE
  • 12.4 CONEXIÓN DARLINGTON
  • 12.5 PAR RETROALlMENTADO
  • 12.6 CIRCUITO CMOS
  • 12.7 CIRCUITOS DE FUENTE DE CORRIENTE
  • 12.8 ESPEJO DE CORRIENTE
  • 12.9 CIRCUITO DE AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
  • 12.10 CIRCUITOS DE AMPLIFICADOR DIFERENCIAL BiFET, BiMOS
  • 12.11 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 13.1 INTRODUCCIÓN
  • 13.2 MATERIALES SEMICONDUCTORES, Si, Ge y GaAs
  • 13.3 DIODOS DISCRETOS
  • 13.4 FABRICACIÓN DE TRANSISTORES
  • 13.5 CIRCUITOS INTEGRADOS
  • 13.6 CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLÍTICOS
  • 13.7 EL CICLO DE PRODUCCIÓN
  • 13.8 CIRCUITOS INTEGRADOS DE PELÍCULA DELGADA Y PEÚCULA GRUESA
  • 13.9 CIRCUITOS INTEGRADOS HÍBRIDOS
  • 14.1 INTRODUCCIÓN

ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS

6 Polarización de FET Polarización fija: Vas = -Vaa . Vos = Voo - IJio: autopolarización: Vas = -IJis' Vos = Voo Io(Rs + Ro)' Vs = IsRs: divisor de voltaje: Va = R, Vool(R, + R,), Vas = Va - IJis' Vos = Voo - lo(Ro + R): MOSFET incremental: ID == k(VGS - VGS(Th» 2 , k == 1D(encendido)/(VGS(encendido) - VGS(Th»2; polarización por retroalimentación: VDS =VGS' Vas = Vr¡o- loRD: divisor de voltaje: Va =R,Vool(R, + R,). VGS = VG-1oRs: curva universal: m = 1V p 1IlossRs' M = m x vall Vp 1, Va =R, Vool(R, + R,) ModeJaje de transistores bipolares Z,= Y,Jl,,l, = (V, - V,)/R""",,,lo = (V, - V) IR""",,,ZO = V)Io,A,= V)V,.A" = + Rs)' A¡ == -AvZJRL' re == 26 mV/lé base común: Z¡ == re,Zo ::::: 00 n,Av ::::: R¿fre' A¡ :::: -1; emisor común: Z¡ = fjre• Zo ro' Av = -R{Jre' A¡ :::: f3, h ie = f3r e, hft! == f3ac ' h ib == Te' hfb = -a. 7
Z¡Av~L /(Z¡

=

8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar Emisor común: A, = -Reir,. Z, = RBIIf3r,. Zo = Re. A, = f3: divisor de voltaje: R' = R,I\R,. A, = -Re Ir,. Z, = R'1If3r,. Zo = Re: polarización en emisor: Zb = f3(r, + RE) = f3R"A,. = -f3Re IZb = -RJ (r, + RE) = -ReiRé emisor seguidor: Zb = f3(r, + RE)' A, = l. Zo = r,: base común: A, = Reir,. Z, = REllr,. Zo = Re: retroali-' mentación en colector: A, =-Reir,. Z, = f3r,IIR F/I A,I. Zo = ReIIRe: retroalimentación de de en colector: A, =-(RF.IIRe)/r" Z, = RF, lIf3r,. Zo = RclIRF,: parámetros híbridos: A, = h¡(l + hoRL). A, = -h¡RJ[h, + (h,h o - h¡h,)RLl. Z, = h, - h¡h/?LI(l +

hoRL)' Zo = l/[h o - (h¡h/(h, + R,»]

.

9 Análisis a pequeña señal del FET gm = gmo(l - VGSIVp). 8 mo =2loss lJVpl: configuración básica: A, =-gmRO: resistencia de fuente sin desvío: A, -gmROI(1 + gmRS): seguidor de fuente: A, = gmRs/(l + gmRS): compuerta común: A, =

=

gm(Rollr)
10 Aproximacíónalossistemas:efectodeR,yRL BJT:A v =RLA VNL I(RL+R o).A.=-A v<-'¡ L• V=RVj(R.+R): 7./R I I l i S polarización fija: A, = -(RcIlRL)/r,. A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = f3r,. Zo = Re: divisor de voltaje: A,. = -(RcIlRL)/r,. A" = Z¡A) (Z, + R,). Z, = R,IIRzllf3r,.Z, = Re: polarización en emisor: A, = -(RclIRL)/R" A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = RBIlf3RE'Zo = Re: retroalimentación en colector: A, = -(RcIlRL)lr,. A" = Z,A,/(Z, + R,). Z, f3r,lIRF/IA). Z, RclIRF: emisor seguidor: R~ = REIIRL' A,. = R~(R~ + r,), A" = R~/(R~ + R/f3 + r,l. Z, = RB Ilf3(r, + R~). Zo = REIICR/f3 + r,): base común: A, = (RelIRL)lr,. A, = -l. Z, = r,.Zo = Re: FET: con desvío R,: A, = -gm(RoIIRL). Z, = RG'Zo = Ro: sin desvío Rs: A, = -gm(RoIIRL)/(l + gmRS)' Z, = RG,Zo =RD : seguidor de fuente: A, = gm(RsIIRL)/[1 + gm(RsIIRL)], Z, =RG'Zo = Rsllrdll1lgm; compuerta común: A.. = gm(RDIIRL). ZI = Rslll/gm • Zo = Ro: en cascada: A lir = A VI . A \12 . A \13 .. ' A11. ,AIr = ±A\Ir Z11 IR L '
w

=

=

ECUACIONES IMPORTANTES

1 Diodos semiconductores W = QV, I eV = 1.6 x 10-'9 J,lD ID' r" =I!.V/Md , PD =VdD , Te =I!.V/[V,(T,- To )] x 100% 2 Aplicaciones de diodos
VBE = VD

=1,(e kV ff,
D

-

1), RDC = VDIID, r d = I!.V/Md = 26 mVl

=0.7 V; media onda: Vdo =0.318Vm; onda completa: Vdo =0.636Vm

4 Polarización en dc-BJT En general: VBE = 0.7 V, Ic = lE' Ic =f31B; polarización fija: lB =(Vcc- VBE)/RB, VCE = Vcc-lcRc- Ic~ = Vcc'Ró estabilizada en emisor: lB = (Vcc- VBE)/(RB + (13+ I)R E), R¡= (13+ I)RE' VCE = Vcc-I¿"Rc+ RE),ICw =V cc/(R e + RE); divisor de voltaje: exacto: RTh =R, 11 R2, ETh =R2Veel(R, + R2), lB =(ETh - VBE)I(R Th + (13 + l)R E), VeE = Vcc-I¿"Rc + RE)' aproximado: VB =R2Vee /(R, + R2), f3RE ? IOR2, VE =VB- VBE' Ic = lE V¡;IRé por retroalimentación de voltaje: lB = (Vee- VBE)/[R B + f3(R e + RE)]; base común: lB = (VEE - VBE)/Ré conmutación de transistores: le,,,,,"do =t, + Id' I,p, ,do =1, + 1 ; estabilidad: S(leo) =Me/Meo; polarización fija: S(leo) =13 + 1; 1 polarización en emisor: S(leo) = (~+ 1)(1 + RIRE)/(l + 13 + RIRE); divisor de voltaje: S(lco) = (13 + 1)(1 + RnfRE)/(l + 13 + RnfRE); polarización por retroalimentación: S(lco) = (13 + 1)(1 + R/Rc)/(l + 13 + RB/Re), S(VBE) = M¿I!.VBé polarización fija: S(VBE) = -/3IRB; polarización en emisor: S(VBE) = -/3I[RB + (13 + l )RE]; divisor de voltaje: S(VBE) = -/3I[RTh + (13 + I)R E]; polarización por retroalimentación: S(VBE) =-/3I(R B+ (13+ I)R e), S(f3J =M e/l!..f3; polarización fija: S(f3J =le,lf3,; polarización en emisor: S(f3J = Ic,o + RBIR E)/[I3,(I + 13 2 + RBIRE)]; divisor de voltaje: S(f3J = le,o + RTh IR E)/[f3¡(l + 132 + _ RTh/RE)]; polarización por retroalimentación: S(f3J = Ic,(RB + Rc )/[f3,(RB + R¿"I + 132 ))], Me = S(lco) Meo + S(VBE) I!.VBE + S(f3J I!.f3

=

5 Transistores de efecto de campo I G =OA, ID =IDSS(l- VGS /Vp)2, ID =Is' VGs = Vp(l- V/D/IDSS )' ID = I DSS /4 (si VGS = Vp /2), ID =I DSs'2 (si VGS = O.3Vp), PD =VDSI D' ID =k(VGS - VT)2

ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS
Sexta edición

Robert L. Boylestad Louis Nashelsky

TRADUCCIÓN:

Juan Purón Mier y Terán
Profesor de asignatura en el Depto. de Matemáticas, Universidad Iberoamericana, Profesionista en Sistemas CAD, GIS

Sergio Luis María Ruiz Faudón
Analista de Sistemas Traductor Profesional REVISIÓN TÉCNICA:

M. en e.Agustín Suárez Fernández
Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad Autónoma Metrópolitana-Iztapalapa

Pearson Educación

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MÉXICO· ARGENTINA· BRASIL· COLOMBIA' COSTA RICA' CHILE ESPAÑA· GUATEMALA' PERÚ' PUERTO RICO· VENEZUELA

EDICIÓN EN INGLÉS
Editor: Dave Garza Developmental Editor: Carol Hinklin Robison Production Editor: Rex Davidson Cover Designer: Brian Deep Production Manager: Laura Messerly Marketing Manager: Debbie Yarnell 1l1ustrations: Network Graphics

BOYLESTAD I ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS, 6a. Ed.
Traducido del inglés de la obra: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, SIXTH EDlTlON. Al! rights reserved. Authorized translation from English language edition published by Prentice-Hall, Ine. A Simon & Sehuster Company. Todos los derechos reservados. Traducción autorizada de la edición en inglés publicada por Prentince-Hall, Inc. A Simon & Sehuster Company. Al! rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage and retrieval system, without permission in writing from the publisher. Prohibida la reproducción total o parcial de esta obra, por cualquier medio o método sin autorización por escrito del editor.
D~rechos reservados © 1997 respecto a la cuarta edición en español publicada por

Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Calle 4 Nl 2S·2º piso Fracc. Ind. Alce Blanco, Naucalpan de Juárez, Edo. de México, c.P. 53370

ISBN 968-880-805-9
[J

Miembro de la Cámara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Núm. 1524. Original English Language Edition Published by Prentice-Hall, Inc. A Simon & Schuster Company. Copyright © MCMXCVl AH rights reserved ISBN 0-13-375734-X IMPRESO EN MÉXICO/PRINTED IN MEXICO
F'ROGRAMo\S EDUCATIVOS. S.A. DE e,v CAl.Z. CHABACANO No, 1;6. LOCAl. A

COL ASruRlAS,DELEG. CUAUHTEUQC, C,P. OOBSQ,IIEX\CO, D.f.
eMPRESA CeRTIFICADA POR EL INSTlTUTO MEXICANO DE NORMAliZACIÓN

'iC~~II_C_, SAJOL/I NCI\Wo.

150-S002: 19941NMX.cc-004: 1995
CON El No. DE REGISTRO RSc-G'6

[J

Dedicado a

ElSE MARIE, ERlC, ALISON, MARK y KELCY; STACEY y DOUGLAS; JOHANNA

ya
KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY, JUSTIN Y PATIT

Contenido
PREFACIO AGRADECIMIENTOS
xvii
xxi

1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
1.7

DIODOS SEMICONDUCTORES
Introducción 1 El diodo ideal 1 Materiales semiconductores 3 Niveles de energía 6 Materiales extrínsecos: tipo n y tipo P 7 Diodo semiconductor 10 Niveles de resistencia 17 Circuitos equivalentes para diodos 24 Hojas de especificaciones de diodos 27 Capacitancia de transición y difusión 31 Tiempo de recuperación inverso 32 Notación de diodos semiconductores 32 Prueba de diodos 33 Diodos Zener 35 Diodos emisores de luz 38 Arreglos de diodos: circuitos integrados 42 Análisis por computadora 44

1

1.8 1.9 1.10 1.11 1.12 1.13 1.14
1.15 1.16 1.17

ix

2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10 2.11 2.12 2.13

APUCACIONFS DE DIODOS
Introducción 53 Análisis mediante la recta de carga 54 Aproximaciones de diodos 59 Configuraciones de diodos en serie con entradas dc 61 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 66 Compuertas ANDtOR 69 Entradas senoidales; rectificación de media onda 71 Rectificación de onda completa 74 Recortadores 78 Cambiadores de nivel 85 Diodos Zener 89 Circuitos multiplicadores de voltaje 96 Análisis por computadora 99

53

3
3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 3.10 3.11 3.12

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
Introducción 114 Construcción de transistores 115 Operación del transistor 115 Configuración de base común 117 Acción amplificadora del transistor 121 Configuración de emisor común 122 Configuración de colector común 129 Límites de operación 130 Hoja de especificaciones de transistores 132 Prueba de transistores 136 Encapsulado de transistores e identificación de terminales 138 Análisis por computadora 140

114

4
4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 4.11 4.12 4.13

POLARIZACIÓN DE DC-BJT
Introducción 144 Punto de operación 145 Circuito de polarización fija 147 Circuito de polarización estabilizado en emisor 154 Polarización por divisor de voltaje 158 Polarización de dc por retroalimentación de voltaje 166 Diversas configuraciones de polarización 169 Operaciones de diseño 175 Redes de conmutación con transistores 181 Técnicas para la localización de fallas 186 Transistores pnp 189 Estabilización de la polarización 191 Análisis por computadora 200

144

x

Contenido

5
5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 5.10 5.11 5.12 S.13

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Introducción 215 Construcción y características de los JFET 216 Características de transferencia 223 Hojas de especificaciones (JFET) 227 Instrumentación 230 Relaciones importantes 231 MOSFET de tipo decremental 238 MOSFET de tipo incremental 238 Manejo del MOSFET 246 VMOS 247 CMOS 248 Tabla resumen 250 Análisis por computadora 251

215

6
6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9 6.10 6.11 6.12 6.13

POLARIZACIÓN DEL FET
Introducción 256 Configuración de polarización fija 257 Configuración de autopolarización 261 Polarización mediante divisor de voltaje 267 MOSFET de lipa decremental 273 MOSFET de tipo incremental 277 Tabla resumen 283 Redes combinadas 285 Diseño 288 Localización de fallas 290 FET de canal-p 291 Curva universal de polarización para JFET 294 Análisis por computadora 297

256

7
7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9

MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES
Introducción 311 Amplificación en el dominio de ac 311 Modelaje de transistores EJT 312 Los parámetros importantes: Z;, Zo' A~, A; 314 El modelo de transistor r, 320 El modelo híbrido equivalente 327 Determinación gráfica de los parámetros h 333 Variaciones de los parámetros de transistores 337 Análisis por computadora 339

311

Contenido

xi

8 9.7 9.13 9.5 9.11 9. YRL 477 Redes BIT de CE 479 Redes emisor-seguidor 484 Redes CB 487 Redes FET 489 Tabla resumen 492 Sistemas en cascada 496 Análisis por computadora 497 468 xii Contenido .2 10.6 10.11 lU2 APROXIMACIÓN A LOS SISTEMAS: EFECTOS DE Rs y RL Introducción 468 Sistemas de dos puertos 468 Efecto de la impedancia de carga (RJ 470 Efecto de la impedancia de la fuente (R.8 8.3 8.10 8.2 9.7 8.3 lOA 10.14 9.9 9.6 9.5 8.10 10.9 8.8 10.7 10.1 8.6 8.1 9.13 ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR Introducción 346 Configuración de emisor común con polarización fija 346 Polarización mediante divisor de voltaje 350 Configuración de E-C con polarización en emisor· 353 Configuración emisor-seguidor 360 Configuración de base común 366 Configuración con retroalimentación en colector 368 Configuración con retroalimentación de dc en colector 374 Circuito equivalente híbrido aproximado 377 Modelo equivalente híbrido completo 383 Tabla resumen 390 Solución de problemas 390 Análisis por computadora 393 346 9 9.10 9.9 10.12 9.) 475 Efecto combinado de R.2 8.1 10.5 10.8 8.3 ·9A 9.11 8.12 8.15 ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL FET Introducción 415 Modelo de pequeña señal del FET 416 Configuración de polarización fija para el IFET 424 Configuración de autopolarización para el JFET 426 Configuración de divisor de voltaje para el JFET 432 Configuración fuente-seguidor (drenaje común) para el JFET 433 Configuración de compuerta común para el JFET 436 MOSFET de tipo decremental 440 MOSFET de tipo incremental 442 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 443 Configuración de divisor de voltaje para el EMOSFET 446 Cómo diseñar redes de amplificador FET 447 Tabla resumen 450 Solución de problemas 453 Análisis por computadora 453 415 10 10.4 8.

2 11.9 11.4 11. amplificador a BIT 524 Respuesta a baja frecuencia. amplificador BJT 539 Respuesta a alta frecuencia.3 Conexión cascade 565 Conexión Darlington 566 12.1 Introducción 560 Conexión en cascada 560 12. amplificador FET 533 Capacitancia de efecto MiIler 536 Respuesta a alta frecuencia.11 11.7 13.8 Circuito de amplificador diferencial 582 12.1 13.10 Circuitos de amplificador diferencial BiFET. amplificador FET 546 Efectos de frecuencia en multietapas 550 Prueba de onda cuadrada 552 Análisis por computadora 554 509 12 CONFlGURACIONES COMPUESTAS 12.2 12. BiMOS y CMOS 590 12. Ge y GaAs 607 Diodos discretos 609 Fabricación de transistores 611 Circuitos integrados 612 Circuitos integrados monolíticos 614 El ciclo de producción 617 Circuitos integrados de película delgada y película gruesa 626 Circuitos integrados híbridos 627 607 Contenido xiii . gráfica de Bode 519 Respuesta a baja frecuencia.5 11.5 13.5 Circuito CMOS 575 12.4 Par retroalimentado 571 12.11 11.7 Espejo de corriente 579 12.13 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE TRANSISTORES BJT Y JFET Introducción 509 Logaritmos 509 Decibeles 513 Consideraciones generales sobre la frecuencia 516 Análisis a baja frecuencia.7 11.12 11.6 11.3 13A 13.2 13.3 11.9 TÉCNICAS DE FABRICACIÓN DE CIRCUITOS DISCRETOS E INTEGRADOS Introducción 607 Materiales semiconductores.8 11.6 Circuitos de fuente de corriente 577 12. Si.6 13.9 12.11 Análisis por computadora 591 560 13 13.1 11.10 11.8 13.

5 14.1 14.6 15.3 14.2 15.8 AMPUFlCADORES OPERACIONALES Introducción 628 Operación en modo diferencial y en modo común 630 Amplificador operacional básico 634 Circuitos prácticos con amplificadores operacionales 638 Especificaciones.1 18.7 14.8 16.2 CIRCUITOS CON RETROAUMENTACIÓN y OSCILADORES Conceptos de retroalimentación 773 Tipos de conexión de retroalimentación 774 773 .4 16.7 16.3 16.9 AMPUFlCADORES DE POTENCIA Introducción: definiciones y tipos de amplificadores 701 Amplificador clase A alimentado en serie 703 Amplificador acoplado con transfonnador élase A 708 Operación del amplificador clase B 715 Circuitos de amplificador clase B 719 Distorsión del amplificador 726 Disipación de calor del transistor de potencia 730 Amplificadores clase C y clase D 734 Análisis por computadora 736 701 17 17.7 APUCACIONES DEL AMPUFlCADOR OPERACIONAL Multiplicador de ganancia constante 669 Suma de voltajes 673 Acoplador de voltaje 676 Fuentes controladas 677 Circuitos de instrumentación 679 Filtros activos 683 Análisis por computadora 687 669 16 16.8 CI UNEALES/DIGITALES Introducción 741 Operación del comparador 741 Convertidores analógicos-digitales 748 Operación del el temporizador 752 Oscilador controlado por voltaje 755 Lazo de seguimiento de fase 758 Circuitos de interfaz 762 Análisis por computadora 765 741 18 xiv 18.2 17.6 14.4 14.2 14. parámetros de desvío de dc 644 Especificaciones de parámetros de frecuencia 647 Especificaciones para una unidad de amplificador operacional 651 Análisis por computadora 657 628 15 15.3 ISA 15.6 16.5 15.2 16.14 14.5 17_6 17.1 15.7 17.3 17A 17.1 16.5 16.1 17.

12 21.2 20.1 19.4 18.9 Pantallas de cristal líquido 853 20.6 19.10 Celdas solares 855 20.9 18.6 Fotodiodos 846 20.6 18.1 21.8 18.8 21.7 18.5 19.14 21.18.10 Circuitos prácticos con retroalimentación 780 Amplificador retroalimentado: consideraciones de fase y frecuencia 787 Operación del oscilador 789 Oscilador de corrimiento de fase 791 Oscilador de puente Wien 794 Circuito de oscilador sintonizado 795 Oscilador a cristal 798 Oscilador monounión 802 19 19.3 18.5 Diodos túnel 841 20.1 20.6 21.2 21.7 Celdas fotoconductoras 849 20.8 Emisores de IR 851 20.3 Introducción 832 Diodos de barrera Schottky ("portadores calientes") 832 Diodos varactores (varicap) 836 20A Diodos de potencia 840 20.5 18.9 21.11 21.11 Termistores 859 21 21.3 19.7 21.3 DISPOSITIVOS pnpn Introducción 864 Rectificador controlado de silicio 864 Operación básica del rectificador controlado de silicio 864 Características y valores nominales del SCR 867 Construcción e identificación de terminales del SCR 869 Aplicaciones del SCR 870 Interruptor controlado de silicio 874 Interruptor controlado en compuerta 876 SCR activado por luz 877 Diodo Shockley 880 DIAC 880 TRIAC 882 Transistor monounión 883 Fototransistores 893 Optoaisladores 895 Transistor monounión programable 897 864 21A 21.2 19.10 21.13 21.15 21.4 19.16 xv .5 21.7 FUENTES DE ALIMENTACIÓN (REGULADORES DE VOLTAJE) Introducción 805 Consideraciones generales de filtros 805 Filtro capacitor 808 Filtro Re 811 Regulación de voltaje con transistores discretos 814 Reguladores de voltaje de CI 821 Análisis por computadora 826 805 20 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES 832 20.

8 22.3 22.4 22.5 22.9 OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICIÓN Introducción 906 Tubo de rayos catódicos: teoría y construcción 906 Operación del osciloscopio de rayos catódicos 907 Operación del barrido de voltaje 908 Sincronización y disparo 911 Operación en multitrazo 915 Medición utilizando las escalas calibradas 915 Características especiales 920 Generadores de señales 921 906 APÉNDICE A: PARÁMETROS HÍBRIDOS: ECUACIONES PARA CONVERSIÓN (EXACTAS Y APROXIMADAS) 924 926 933 935 APÉNDICE B: FACTOR DE RIZO Y CÁLCULOS DE VOLTAJE APÉNDICE C: GRÁFICAS y TABLAS APÉNDICE D: PSPICE APÉNDICE E: SOLUCIONES A LOS PROBLEMAS SELECCIONADOS CON NÚMERO NON ÍNDICE 937 943 xvi Contenido .1 22.7 22.6 22.2 22.22 22.

una de las mejoras más importantes que se han retenido de la quinta edición es la manera en la cual el texto se presta para el compendio ordinario del curso. continuamos empeñados en el fuerte sentido pedagógico del texto. Asimismo. De la misma manera que en el pasado. Se han utilizado pantallas para definir características importantes o para aislar cantidades específicas en una red o en una característica. la exactimd y en un aruplio rango de materiales auxiliares que apoyan el proceso educativo.Prefacio Segón nos acercábamos al XXV aniversario del texto. los cuales fueron incrementados de modo considerable desde la quinta edición. El formato ha sido diseñado para establecer una apariencia amistosa para el estudiante y para asegurar que el trabajo artístico se encuentre tan cercano a la referencia como sea posible. Nuestra experiencia docente con esta presentación ha reforzado la creencia de que el material tiene ahora una pedagogía mejorada para apoyar la presentación del instructor y ayudar al estudiante a construir los fundamentos necesarios para sus futuros estudios. Los problemas. van en progreso a partir de lo más simple a lo más complejo. hemos aprendido que el mejoramiento de la lectura se puede obtener a través de la apariencia general del texto. La nueva secuencia de la presentación de los conceptos que afectó la última edición se ha conservado en la presente. La creciente utilización de la computadora. se hizo verdaderamente claro que esta sexta edición debía continuar con el importante trabajo de revisión que tuvo la edición. xvii . Los iconos. de tal fortna que nos hemos comprometido al fortnato que encontrará en la sexta edición de tal manera que el material del texto parezca más "'amistoso" para un amplio sector de estudiantes. El título en cada sección también se reproduce en la sección de problemas para identificar con claridad los ejercicios de interés para un tema de esmdio en particular. un asterisco identifica los ejercicios más difíciles. los cuales han sido desarrollados para cada sección del texto. PEDAGOGÍA Sin duda. los circuitos integrados y el expandido rango de cobertura necesaria en los cursos básicos que contribuyeron al refinamiento de la pasada edición continúan siendo los factores principales que afectan el contenido ele una nueva versión. A través de los años. Se ha conservado la cantidad de ejemplos. facilitan la referencia de un área en particular tan rápidamente como sea posible. Las declaraciones aisladas en negritas ("balas") identifican aseveraciones y conclusiones importantes. desarrollados para cada capítulo del texto.

Aunque puede resultar más fácil considerar los efectos de Rs y RL con cada configuración cuando ésta se presenta por primera vez. sino que también se presentan las hojas de cálculo y el empleo de un paquete de análisis tal como PSpice en numerosas instituciones educativas. Después de una verificación extensiva acerca de la exactitud en la quinta edición. los efectos de Rs y RL también ofrecen una oportunidad para aplicar algunos de los conceptos fundamentales del análisis de sistemas. De hecho. la intención no es de retar al instructor o al estudiante con inconsistencias planeadas. No se supone un conocimiento anterior acerca de paquetes para computadora. MODELAJE DE TRANSISTORES El modelaje del transistor bipolar de unión (BJT) es un área que se ha enfocado de varias maneras. el cual puede ser analizado después con resultados de salida similares a PSpice. La :obertura de PSpice ofrece suficiente capacidad para permitir la escritura del archivo de captura para la mayoría de las redes analizadas en este texto. no existe algo más tenso para un autor que el escuchar sobre errores en su libro. Los capítulos 8. No solamente aparece la utilización de procesadores de texto en el primer semestre. Ciertamente. Se eligió PSpice como el paquete que aparecerá a través de este texto debido a que recientes encuestas sugieren que es el que se emplea con mayor frecuencia. xviii . ahora nos sentimos seguros que este texto gozará del nivel más alto de exactitud que se puede obtener para una publicación de este tipo. La sexta edición destacará el modelo r. EXACTITUD No hay duda que una de las metas primarias de cualquier publicación es que ésta se encuentre libre de errores en lo posible. Otros paquetes posibles incluyen Micro-Cap III y Breadboard.ENFOQUE DE SISTEMAS Durante varias visitas a otros colegios. Se ha dedicado un capítulo completo (capítulo 7) . se mencionaba que debería desarrollarse un mayor "enfoque de sistemas" para apoyar la necesidad de un estudiante de convertirse en adepto de la aplicación de paquetes de sistemas. Aún se incluyen en el texto algunos programas en BASIC para demostrar las ventajas de conocer un lenguaje de computación y de los beneficios adicionales que surgen de su utilización. PSpice y BASIC Los recientes años han visto un crecimiento continuo del contenido de computación en los curSOs introductorios. y juntas de varias sociedades. con la suficiente cobertura del modelo híbrido como para permitir una comparación entre los modelos y la aplicación de ambos. institutos técnicos. Los últimos capítulos referentes a amplifIcadores operacionales y circuitos integrados desarrollan aún más los conceptos presentados en los capítulos iniciales.9 Y 10 están específicamente organizados para desarrollar los cimientos del análisis de sistemas en el grado posible en este nivel introductorio.la introducción de los modelos para asegurar un entendimiento claro y correcto de cada uno y de las relaciones que existen entre los dos. PSpice en el ambiente WINDOWS permite entrar al circuito en forma esquemática. Algunas instituciones utilizan exclusivamente el modelo re mientras que otras se apoyan en el enfoque híbrido o en una combinación de estos dos.

ROBERT BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY .SOLUCIÓN DE PROBLEMAS La solución de los problemas es indudablemente una de las habilidades más difíciles para presentar. se ofrece el detalle con. mientras que para otros el texto completo puede ser cubierto en un semestre mediante la elección de temas específicos. Se trata de un arte que debe ser introducido utilizando una variedad de técnicas. UTILIZACIÓN DEL TEXTO En general. Mediante la elección de ejemplos y aplicaciones específicos es posible reducir el contenido de un curso sin perder las caraetelÍsticas de construcción progresivas del texto. pero al menoS el lector tendrá algún entendimiento de lo que está relacionado con el proceso de la solución. Esto no pretende sugerir que un estudiante se convertirá en un experto en la solución de las redes presentadas en este texto. El contenido es en forma esencial una revisión de situaciones que ocurren con frecuencia dentro del ambiente de laboratorio. pero la experiencia y la exposición son obviamente los elementos clave en el desarrollo de estas habilidades. El material superfluo se relega a los últimos capítulos para evitar el contenido excesivo acerca de un tema particular al principio en el nivel de desarrollo. En cualquier caso. Se presentan algunas ideas sobre cómO aislar un área problemática así como una lista de las causas posibles. el texto está dividido en dos componentes principales: el análisis en de y en ac o respuesta en frecuencia. desarrollar y demostrar en un texto. Para algunos colegios la sección de es suficiente para un semestre. Para cada dispositivo el texto cubre una mayoría de las configuraciones y aplicaciones importantes. si un instructor siente que un área específica es particulannente importante. el fin de tener una revisión más extensiva. Por tanto. el presente es un texto que "construye" a partir de los capítulos iniciales.

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D. CANADÁ Metropolitan State College. CA Penn State-Ogontz University of North Carolina-Charlolte Hartford State Technical College. Stephen Evanson George Fredericks F. Nuestro más sincero agradecimiento a Dave Garza. También deseamos agradecer a Rex Davidson. Fuller Phil Golden Joseph Grabinski Thomas K. Muskegon. F1int. IN Bradford University. South Bend. Austin. MA Waukesha County Technical College. MD ITI Technical Institute Humber College. MI Bunker HilI Community College. TX The Perkin-Elmer Corporation Charles S. CO Indiana Vocational Technical College. WI MicroSim Corporation Internationa! Rectifier Corporation Montgomery College. Day MikeDurren Dr.Agradecimientos Nuestros más sinceros agradecimientos se deben extender a los profesores que han utilizado el texto y han enviado algunos comentarios. Czarapata Mohammad Dabbas John Darlington Lucius B. CANADÁ University of Southern California. Alberta. Ontatio. CT Western Washington University. Molt Community College. Denver. Hartford. WA ITI Technica! Institute xxi . Napa. correcciones y sugerencias. Grady WiUiam HiII Napa College. Southern Alberta Institute ofTechnology. Pewaukee. editor de Prentice-Hall. editor senior de desarrollo. editor senior. Anderson AJAnthony A. Duane Bailey Joe Baker Jerrold Barrosse Ambrose Barry Arthur Birch Scott Bisland Edward Bloch Gary C. Bocksch Jeffrey Bowe Alfred D. Ontatio. Irving. Charlestown. y a Carol Robison. Rockville. UK Northeast State Technica! Community College Rumber College. Los comentarios de estas personas nos han permitido presentar Electrónica: Teoría de Circuitos en esta nueva edición: Ernest Lee Abbott Phillip D. Calgary. MI EG&G VACTEC Inc. TX Hartford State Technical College. Buerosse Lila Caggíano Rohert Casíano Alan H. Hartford. CA Muskegon Community College. Deseamos agradecer a aquellas personas que han compartido sus sugerencias y evaluaciones del presente texto a través de sus muchas ediciones. por su apoyo editorial en la sexta edición de este texto. CT SEMATECH. CANADÁ DeVry Institute ofTechnology. de Prentice-Hall. por mantener unidos los tantos aspectos detallados de producción. Los Ángeles. Bellingham.

MeMillan Thomas E. Robert Payne E. Macon. Ontario. Calgary. OH APPLIED MATERIALS. DeKalb Technical Institute. GA ITI Technical Institute. MI University of Utah Mohawk College of Applied Art & Technology. Greenville. San Diego. CANADÁ Hampton University. Yunghans U1rieh E. Shaikh Dr. Inc. Indiana Vocational Technical College. Szymanski Parker M. Troy. Tacoma. VA DeVry Technical Institute.Albert L. WA University of Glamorgan. CANADÁ Southwest State University. Bellingham. Rockafellow Saeed A. !TI Technical Institute. Marietta. Woodbridge. London. FL School of Engineering. NI Southern College of Technology. Houghton. WA Sal! Lake Cornmunity College. Zeisler San Diego Mesa College. King Charles Lewis Donna Liverman George T. UK Southern-Alberta Institute of Technology. Tabor Peter Tampas Chuek Tinney Katherine L. Bates Vocational-Technical Institute. CANADÁ Miami-Dade Cornmunity College. Newman Dr. Hudson Valley Community College University ofWestem Ontario. Wales. GA Tektronix lne. IN Nashville State Technical Institute . South Bend. UK Computronics Technology Inc. Beaconside. SC Michigan Technological University. Ickstadt Jeng-Nan Juang Karen Karger Kenneth E. Clarkston. Walters Julian Wilson Syd R. Noel Shammas Erie Sung Donald P. Usik DomingoUy Richard J. Owens Technical College. Ontario. Wilson Jean Younes Charles E. Marshall. Youngstown. Texas Instruments Ine. Kent Donald E. F. UT xxii . Alberta. Miami. Hampton. Mason William Maxwell Abraham Michelen John MaeDougall Donald E. Toledo. GA Motorola Inc. MN L. OH Greenville Technical College. Sal! Lake City. CA Mercer University. H. MI Western Washington University. Hamilton.

ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS .

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cuarenta.1 INTRODUCCIÓN Unas cuantas décadas que han seguido a la introducción del transistor. hacia finales de los años. miles de veces más pequeña que un solo elemento de las redes iniciales. Vo lo + VD . han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electrónica. un diodo conducirá corriente en la dirección que define la flecha en el símbolo. El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales. b) características. respectivamente. Con sus características. La miniaturización desarrollada en los años recientes ha dado por resultado sistemas tan pequeños que ahora el propósito básico del encapsulado sólo es obtener algunos medios para manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en fonna adecuada en la base del semiconductor. ~I lo Vo ( + (b) Las caractensticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir comente en una sola dirección. comparados con las redes de bulbos de los años anteriores. 1. primero se considerará el dispositivo ideal para ofrecer una base de comparación.. obvias de inmediato: son más pequeños y ligeros.. aparte de demostrar la riqueza de la información que los fabricantes suelen proporcionar.. Además de los detalles de su construcción y características. tienen una construcción más robusta.CAPÍTULO Diodos semiconductores ---------------------------~--1. el más sencillo de los dispositivos semiconductores. En esencia: VD ~ o ID Ca) + ID + ~ O . 1 .1 . los datos y gráficas importantes se encontrarán en las hojas de especificaciones y también se estudiarán con objeto de asegurar una comprensión de la terminología que se utiliza. son más eficientes y no requieren de un periodo de calentamiento. que son muy similares a las de un interruptor sencillo. Las ventaja~ asociadas con los sistemas actuales. Antes de analizar la construcción y las características de un dispositivo real.. resultan. y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en dirección opuesta. pero que desempeña un papel muy importante en los sistemas electrónicos.1 Diodo ideal: a) símbolo.2 EL DIODO IDEAL + o El primer dispositivo electrónico que se presenta es el que se denomina diodo. De manera ideal.la y b. no tienen requerimientos de calentamiento o disipación de calor (como en el caso de los bulbos). aparece en una amplia variedad de aplicaciones. que tiene el símbolo y características que se muestran en la figura l. en su mayor parte. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio. Los límites de la miniaturización dependen de tres factores: la calidad del material semiconductor. la técnica del diseño de redes y los límites de la manufactura y el equipo de procesamiento. Flgura 1. que van desde las más sencillas a las más complejas. La miniaturización que se ha logrado nos deja sorprendidos de sus alcances.

. el circuito abierto equivalente es el apropiado.En la descripción de los elementos que se presentan a continuación es importante que se definan los diferentes símbolos de letras.3. si la corriente resultante del diodo tiene la misma dirección que la punta de la flecha del símbolo del diodo.. Para la mayona de las caractensticas de los dispositivos que aparecen en este libro. en tanto la abscisa (o eje "x") será el eje del voltaje.1 b. Corto circuito . mientras que una inver· sión en la dirección requerirla del empleo de las caractensticas abajo del eje. polaridades de voltajes y direcciones de la corriente. Rp según lo define la ley de Ohm. el diodo ideal es un circuito cerrado para la región de conducción. el diodo ideal es un circuito abierto en la región de no conducción. sólo un valor positivo OQ (corto circuito) donde VF es el voltaje de polarización directa a través del diodo e 1F es la corriente a través del diodo. como se muestra en la figura l. las caractensticas que deben ser consideradas en la figura l. la porción de las características que deben considerarse es arriba del eje horizontal. Para el flujo convencional (opuesto al flujo de electrones). o cualquier potencial de polarización inversa =Q (circuito abierto) OmA donde VR es el voltaje inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. la ordenada (o eje "y") será el eje de la corriente.2. al observar la dirección de la corriente ID que se establece mediante un voltaje aplicado.3b. . Si la corriente resultante tiene la dirección opuesta. Por tanto. son pertinentes las características hacia la izquierda del eje. es RF =. ID =0 -- ei"uito abierto o ~ I Cb) FIgUra 1. En caso de que se aplique un voltaje inverso.1a (el cuadrante superior derecho de la figura l. ~imitado por el circuito) C') o~ lo o o>----I~II---~o + __ / 0-0--.3a. según se descnbe en la figura 1. Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resisteuciaenel punto o la región de operación. se deduce que el valor de la resistencia directa.lb están hacia la derecha del eje vertical.lb).. mA./. resulta sencillo hasta cierto punto determinar si un diodo se encuentra en la región de conducción o de no conducción.F = IF V OV 2.la. Si ahora se considera la región de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la figura 1. 2 Capitulo l Diodos semiconductores . RR =- V. -20. éste está operando en la región de conducción. Si la corriente a través del diodo tiene la dirección que se indica en la figura l.2 a) Estados de conducción y b) no conducción del diodo ideal según está detenninado por la polarización aplicada. Por lo general. En resumen. IR = -5. Por tanto.la.... son aplicables las condiciones que se descnben en la figura 1. Si se considera la región de conducción definida por la dirección de ID y polaridad de VD en la figura 1. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con el que se muestra en la figura l.

y relacionada con la conductividad de un material. se deben considerar las siguientes preguntas: ¿Qué tan cercana será la resistencia directa o de "encendido" de un diodo práctico comparado con el nivel O-.Q deseado? ¿ Es la resistencia inversa parcial lo suficientemente grande como para permitir una aproximación de circuito abierto? 1. Según se avance a través de las próximas secciones. se encuentra su resistencia al flujo de la carga o corriente. pue1. Un semiconductor. En la tabla 1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES El término semiconductor revela por si mismo una idea de sus características. la letra griega rho) se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales. Las unidades de n-cm se derivan de la sustitución de las unidades para cada cantidad de la figura 1. Como se indicó antes. En unidades métricas.3 o al Estados de conducción y b) no conducción del (bl diodo ideal. Esto es. cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminales. El prefijo semi suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos límites. El término conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga. la magnitud de la resistencia del cubo de la figura lA es igual a la magnitud de la resistividad del material según se demuestra a continuación: (1 cm) 1 P -= P A (1 cm') A=lcm 2 l=lcm Figura 1.3 Materiales semiconductores 3 . Iplohms Este hecho será de utilidad cuando se comparen los niveles de resistividad en los análisis que se presentan enseguida. germanio (Ge) y silicio (Si). es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor. mientras más alto es el nivel de conductividad.4 en la siguiente ecuación (derivada de la ecuación básica de resistencia R = pi! A): p=--= 1 RA (n)(cm') =>n-cm cm (l. Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades eléctricas del cobre y la mica. por tanto. las características de los materiales semiconductores.l) cm p~- De hecho.1 se muestran los valores típicos de resistividad para tres categorías amplias de materiales.(al FIgura 1. según está determinado por la dirección de la corriente convencional establecida por la red. menor es el nivel de resistencia. la resistividad de un material se mide en n-cm o n-m. si el área de la figura lA es de 1 cm' y la longitud de 1 cm. Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presión de una fuente de voltaje aplicada. De manera inversa. el propósito inicial de esta sección es presentar las características de un dispositivo ideal para poder compararlas con las características de la variedad comercial. En las tablas.4 Definicipn de las unidades métricas de resistividad. el ténnino resistividad (p.

puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen co~ductor .1 Figura 1. mientras que los electrones se mueven alrededor del núcleo sobre una órbita fija. La capacidad de cambiar las características del material en forma significativa a través de este proceso. esta característica de cristal único existe y. el protón y el neutrón.5. Ahora. existen cuatro electrones en la órbita exterior (valencia).7 para el silicio. porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. una consideración importante en el desarrollo de dispositivos sensibles al calor o a la luz. red cristalina. den ser relativamente nuevas. Ge y Si han recibido la atención que tienen por varias razones. Los átomos de ambos materiales forman un patrón muy definido que es periódico en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). Para el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1. se examinará la estructura del átomo en sí y se observará cómo se pueden afectar las características eléctricas del material.6. Los modelos de Bohr de los semiconductores que se usan con mayor frecuencia. de electricidad. Una consideración muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy alto nivel de pureza. sin embargo. además. En cada caso. la periodicidad de la estructura no cambia en forma significativa con la adición de impurezas en el proceso de dopado. como se muestra en la figura 1. Dieciocho lugares separan la colocación del punto decimal de un número a otro. Observe en la tabla 1.1 el rango tan grande entre los materiales conductores y aislantes para la longitud de 1 cm (un área de l·cm') de material. Otras razones incluyen el hecho de que sus características pueden alterarse en forma significativa a través de la aplicación de calor o luz. Algunas de las cualidades únicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su estructura atómica. mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias órbitas. el átomo de germanio tiene 32 electrones en órbita. cuya producción aún es escasa. U na unión de átomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina unión covalente. Como se indica en la figura 1. el átomo se compone de tres partículas básicas: el electrón. El potencial (potencial de ionización) que se requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia. 4 Capitulo 1 Diodos semiconductores . ciertamente no son los únicos dos materiales semiconductores.1 Valores tipicos de resistividad Conductor p == 10-6 O-cm (cobre) Semiconductor p == 50 O-cm (germanio) p == 50 X 103 O-cm (silicio) Aislante p= 10 12 n-cm (mica) / / / / / . Tanto el Ge como el Si son referidos como átomos tetravalentes.TABLA 1. en una oblea de silicio. es menor que el requerido por cualquier otro electrón dentro de la estructura. En la red atómica. Como es obvio. pero no así con el germanio. se muestran en la fignra 1. cuando se trata con el medio de los semiconductores. Como se tiene entendido. En realidad lo son si se considera que la adición de una parte de impureza (del tipo adecuado) por millón. De hecho. los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el material puro a una parte por cada 10 mil millones (1 : 10 000 000 000). que se conoce como "dopado". Como se encontrará en los capítulos que siguen. A un patrón completo se le llama cristal. se está manejando un espectro completamente nuevo de niveles de comparación. el germanio y el silicio.6a. los neutrones y los protones forman el núcleo. En años recientes el cambio ha sido estable con el silicio. Es posible que alguien se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. son los que más interesan en el desarrollo de dispositivos semiconductores. es otra razón más por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atención. Para los materiales semiconductores de aplicación práctica en el campo de la electrónica.5 Estructura de un solo cristal de Ge y Si. Cualquier material compuesto sólo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se deno· mina estructura de cristal único. En un cristal puro de germanio o de silicio estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro átomos adjuntos. y al arreglo periódico de los átomos.

según se describió antes. Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si. tienen un coeficiente de temperatura negativo. Este mayor número de portadores aumentará el índice de conductividad y generará un menor nivel de resistencia. Quizá el lector recuerde que la resistencia de casi todos los conductores se incrementará con la temperatura. El término "libre" revela que su movimiento es muy sensible a los campos eléctricos aplicados.~ de valencia (4 para cada uno) lb) Figura 1. Observe en la tabla 1. un número mayor de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica como para romper la unión covalente y contribuir así al número de portadores libres.5 x 10 13 transmisores libres por centímetro cúbico. éste debe ser el caso. debido a que la resistividad y la conductividad son inversamente proporcionales. Esto puede ser cierto. A la misma temperatura. La relación del número de portadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 103 e indica que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. b) silicio. como los establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial.7 silicio. Unión covalente del átomo de Si bien la unión covalente generará una unión más fuerte entre los electrones de valencia y su átomo. el material intrínseco de germanio tendrá aproximadamente 2.. Esto se debe al hecho de que el número de portadores en un conductor no 1. teniendo.6 Estructura atómica: a) germanio. por tanto. un mayor valor.. para romper la unión covalente y asumir el estado "libre". Figura 1. A los electrones libres localizados en el material que se deben sólo a causas naturales. aunque en el estado intrínseco ambos aún son considerados conductores pobres. se les conoce como portadores intrínsecos. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1..mn. aún es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energía cinética por causas naturales. que muestran una reducción en resistencia con el incremento en la temperatura. esencialmente tan puro como se puede obtener a través de /a tecnología moderna.Electrones en órbita EI.3 Materiales semiconductores 5 . Según aumenta la temperatura desde el cero absoluto (O K).1 cómo la resistividad también difiere por una relación de aproximadamente 1000 : 1 con el silicio. Por supuesto. Estas causas naturales incluyen efectos como la energía lumínica en la forma de fotones y la energía térmica del medio que lo rodea. Los materiales intlÍnsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados para reducir /as impurezas a un nivel muy bajo.5 x 10 10 portadores libres en un centímetro cúbico de material intrínseco de silicio. Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el número de electrones libres en el material.

1. y una región prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionización. existe una interacción entre los átomos que ocasiona que los electrones dentro de una órbita en particular de un átomo tengan ligeras diferencias en sus niveles de energía. ._ -..¡ / Electrones ~ .alencia . Cuando los átomos de un material se unen para formar la estructura de la red cristalina.:. pero su patrón de vibración con respecto a una localización relativamente fija aumentará la dificultad para que los electrones pasen a través de ella.-------'"" t I "libres" para establecer la Banda de conducción conducción --_¡. por tanto. Un incremento en la temperatura. en las cuales no pueden aparecer electrones dentro de la estructura atómica aislada.' unidos a la Banda de valencia :. respecto a los electrones en la misma órbita de un átomo adjunto.) (a) Energía Banda de conducción ElectroneS Energía Energía f-... El resultado neto es una expansión de la banda de los niveles discretos de estados de energía posibles para los electrones de valencia.. como se muestra en la figura 1. • . y cualquier electrón que haya dejado a su átomo. de hecho. estructura atómica • • • Banda de valencia Figura 1. tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica.¡ de valencia • e.41 eV (GaAs) Conductor Semiconductor (b) ¡.¡. Energía Nivel de valencia (capa más externa) Banda de energía vacía! Banda de energía vacía etc. . b) bandas de conducción y valencia de un aislador. ~ Aislante E = 1.8 Niveles de energía: a) niveles discretos en estructuras atómicas aisladas. mayor e:s el estado de energía. según se muestra en la figura 1.8a. • • Banda de conducción Las bandas se traslapan --I.• f-'-------.67 eV (Ge) 1.~ = Entre los niveles de energía discretos existen bandas vacías. semiconductor y conductor.. Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo. genera un aumento del nivel de resistencia y un coeficiente positivo de temperatura.8b.Banda de y. Núcleo t Segundo nivel (siguiente capa interna) Tercer nivel (etc.se incrementará significativamente con la temperatura.... Observe que existen niveles y estados de energía máximos en los cuales se puede encontrar cualquier electrón.4 NIVELES DE ENERGÍA En la estructura atómica aislada existen niveles de energía discretos (individuales) asociados con cada electrón en una órbita. Cada material tendrá. Recuerde que la ionización es el mecanismo mediante el cual un electrón puede absorber suficiente 6 Capitulo 1 Diodos semiconductores .1 eV (Si) = 0.. su propio conjunto de niveles de energía pennisibles para los electrones en su estructura atómica.

2) se tiene un nivel de energía referido como un electrón volt. para el germanio 0.8b y entrado a la banda de conducción. Sin embargo.5 Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p 7 . En la sección 1. 25 oC) un gran número de electrones de valencia han adquirido suficiente energía para dejar la banda de valencia. Por tanto.2) según se derivó de la ecuación definida para el voltaje V = W /Q.15 OC). Cada uno se describirá con detalle más adelante. como el antimonio.5 MATERIALES EXTRÍNSECOS: TIPO n Y TIPO p Las características de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adición de ciertos átomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. comparado al silicio expuesto a temperatura ambiente. Q es la carga asociada con un único electrón. Observe que para el aislante la banda de energía es con frecuencia de 5 eV o más. Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación de dispositivos senticonductores: el tipo n y el tipo p. también una mayor densidad de portadores en la banda de conducción a temperatura ambiente. lo cual limita drásticamente el número de electrones que pueden entrar a la banda de conducción a temperatura ambiente.3) A O K o cero absoluto (-273.41 e V.5 encontrará que si ciertas impurezas se añaden a los materiales semiconductores intrínsecos. Para el silicio Eg es de 1. 1.9 1. arsénico y fbsforo. El conductor tiene electrones en la banda de conducción aun a O K. El tipo n se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes). Debido a que la energía también se mide en joules y que la carga de un electrón = 1. La unidad de medida es adecuada. Se observará que la energía asociada con cada electrón se mide en electrón volts (eV).8b. lo que causará una reducción neta en Eg para ambos materiales semiconductores y.energía para separarse de su estructura atómica y entrar en la banda de conducción. y han atravesado la banda de energía vacía definida por Eg en la figura 1. Estas impurezas.6 X 10.6 x 1j}-19 coulomb. pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades eléctricas del material. Material tipo n Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adición de un número predeterminado de átomos de impureza al gennanio o al silicio. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1. Para el germanio. porque I W=QV I eV (1.19 C)(I V) y 1 eV= 1. todos los electrones de valencia de los materiales semiconductores se encuentran en la capa exterior del átomo con niveles de energía asociados con la banda de valencia de la figura 1. Sustituyendo la carga de un electrón y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuación (1. ocurrirán estados de energía en las bandas prohibidas. es bastante obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres más que suficientes para soportar un gran flujo de carga o corriente.1 eV. W = QV = (1. y se debe al gran número de portadores en dicho material. Eg obviamente es menor. a temperatura ambiente (300 K. por consecuencia. Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina un material exmnseco.67 eV y para el arseniuro de galio 1.6XIO-19 J (1. aunque sólo haya sido añadida 1 pane en \O millones.

unido débilmente a su átomo (antimonio). El resultado es que a temperatura ambiente existe un gran número de portadores (electrones) en el nivel de conducción.9 Impureza de antimonio en el material tipo n.05 eV (Si). mismo que se encuentra desasociado de cualquier unión covalente en particular. aunque un número importante de portadores "'libres" se han creado en el material tipo n. 8 Capitulo l Diodos semiconductores . un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza.Ol eV CGe) Nivel de energía del donor Figura 1. Existe.da~de~~~~~ Es como antes Eg = 0. impureZ/lS tlifundüJos con cinco electrones de valencÍll se les l/mnll átomos donares. Observe que un nivel de energía discreto (llamado el nivel del donor) aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente menor que aquel del material intrínseco. Energía :. y la conductividad del material aumenta en forma significativa. Debido a que el átomo de impureza insertado ha donado un electrón relativamente "libre" a la estructura: A 1m. Este electrón restante.10 Efecto de las impurezas del donor sobre la estructura de la banda de energía. Si el nivel de "dosificación" fuera de 1 en 10 millones (lO'). Aquellos electrones "libres" que se deben a la impureza añadida se sitúan en este nivel de energía. Es importante comprender que. debido a que de manera ideal el número de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones '·libres" cargados negativamente y en órbita en la estructura.000 : l.10. Observe que las cuatro uniones covalentes aún se encuentran presentes.Figura 1.O. A temperatura ambiente en un material de Si intrínseco existe aproximadamente un electrón libre por cada 10 12 átomos (uno por cada 109 para Ge). (utilizando el antimonio como impureza en el silicio). éste aún es eléctricamente neutral.'B~~. y tienen menor dificultad para absorber la energía térmica suficiente para moverse a la banda de conducción a temperatura ambiente. sin embargo. El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a través del diagrama de bandas de energía de la figura 1. se encuentra relativamente libre para moverse dentro del recién formado material tipo n. la proporción (10 12110 7 = 105 ) indicaria que la concentración de portadores se ha incrementado en una proporción de 100.

A la vacante que resulte se le llama hueco. Sin embargo. según se muestra en la figura 1. galio e indio. el cual se indica por la dirección del flujo de huecos .11 Impureza de boro en el material tipo p. • FIgUra 1. Por tanto. y está representado por un pequeño círculo o signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa. como el boro sobre el silicio. entonces se creará un hueco en la unión covalente que liberó el electrón. 9 . El efecto de alguno de estos elementos.11. Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética para romper su unión covalente y llena un hueco. La dirección que se utilizará en el texto es la del flujo convencional. El material resultante tipo p es eléctricamente neutro. existe una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha.Material tipo p El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. se indica en la figura 1. por las mismas razones descritas para el material tipo n.12. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propósito son el boro. Flujo de electrones comparado con flujo de huecos El efecto del hueco sobre la conducción se muestra en la figura 1.12 Flujo de huecos Flujo de electrones • 1. Figura 1. la vacante resultante aceptará con facilidad un electrón "libre"': A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como átomos aceptores.12. Observe que ahora existe un número de electrones insuficiente para completar las uniones covalentes de la red cristalina recién fonnada.5 Materiales extrínsecos: tipo R y tipo p Flujo de electrones en función de flujo de huecos.

el número de huecos no ha cambiado de manera significativa de su nivel intrínseco.Portadores mayoritarios y minoritarios En el estado intrínseco. A esta región de iones positivos y negativos descubiertos se le llama región de agotamiento. polarización directa (VD> O V) Ypolarización inversa (VD < OV). Como el diodo es un dispositivo de dos tenninales. la aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite tres posibilidades: sin polarización (VD = O V). Por razones análogas. 10 Capítulo l Diodos semiconductores .5 se presentaron tanto los materiales tipo n como tipo p. Iones donores Ponadores mayoritarios Iones aceptores Portadores minoritarios Portadores mayoritarios Tipo n Figura 1. Por tanto: En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón es el portador minoritario. utilizando técnicas que se describirán en el capítulo 20. Cada una es una condición que dará un resultado que el usuario deberá comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma efectiva. según se muestra en la figura 1.6 DIODO SEMICONDUCTOR En la sección 1. El resultado neto.13b. Cuando el quinto electrón de un átomo donor deja a su átomo. el número de electrones libres en Ge o en Si se debe sólo a aquellos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energía de las fuentes térmicas o lumínicas para romper la unión covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminarse. por tanto. Tipop Portadores minoritarios 1. En el momento en que son "unidos" los dos materiales. Los materiales tipo n y p representan los bloques de construcción básicos de los dispositivos semiconductores. En la siguiente sección se encontrará que la "unión" de un solo material tipo n con un material tipo p tendrá por resultado un elemento semiconductor de importancia considerable en los sistemas electrónicos. Por esta razón: En un material tipo n (figura 1. como se muestra en la figura 1. En un material tipo n. Las "vacantes" dejadas atrás en la estructura de uniones covalentes representan una cantidad muy limitada de huecos. b) material tipo p. es que el número de electrones supera por mucho el número de huecos.14. debido al agotamiento de portadores en esta región. Para el material tipo p el número de huecos supera por mucho el número de electrones. los electrones y los huecos en la región de la unión se combinan. el signo negativo aparece en el ion aceptor. el átomo restante adquiere una carga positiva neta: de ahí el signo positivo en la representación del ion donar.13a) al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario. dando por resultado una falta de portadores en la región cercana a la unión.13 a) material tipo n. El diodo semiconductor se fonna con sólo juntar estos materiales (construidos en la misma base: Ge o Si).

Una vez más. y que los niveles de dopado para cada material pueden dar como resultado un flujo de portadores desigual de electrones y huecos. con el fin de migrar hacia el área localizada más allá del área de agotamiento del material tipo p. la misma consideración se puede aplicar a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo resultante debido a los portadores mayoritarios también se describe en la figura 1. se supone que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se localizan en la región de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarán directamente al material tipo p.14. pasarán directamente al material tipo p. Mientras más cercano se encuentre el portador minoritario a la unión.~ Flujo de portadores minoritarios 1" ':~-~:I" ~~I. . Sin embargo. Este flujo de portadores se indica en la figura 1. se observará que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales que el flujo neto en cualquier dirección es igual a cero.6 Diodo semiconductor JI . Con la idea de que surjan análisis futuros.Si se examina con cuidado la figura 1. y a la capa de iones negativos en el material tipo p. FluJo de ponadores mayoritarios p n "------0+ tzD ~ DmA VD ~ DV (sin polarización) Figura 1. 1. Sin polarización aplicada (VD = O V) Bajo condiciones -sin polarización. En resumen: En ausencia de un voltaje de polarización aplicado. cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentren dentro de la región de agotamiento. mayor será la atraccíón de la capa de iones negativos y menor la oposición de los iones positivos en la región de agotamiento del material tipo n. Esta cancelación de los vectores se indica por medio de las líneas cruzadas. en el material tipo n el número de portadores mayoritarios es tan grande que invariablemente habrá un pequeño número de portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de ~a región de agotamiento hacia el material tipo p. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibujó en una escala mayor que el flujo de los electrones con objetO de demostrar que la magnitud de cada uno no necesariamente debe ser la misma para la cancelación del flujo.14 para los portadores minoritarios de cada materiaL Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben sobreponerse a las fuerzas de atracción de la capa de iones positivos del material tipo n.14 Unión p-n sin polarización externa. Se puede considerar que algo similar pasa con los portadores minoritarios (electrones) del material tipo p.14. el flujo neto de la carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero.

.. que la dirección de 1. es contra la flecha del símbolo. por tanto. el número de portadores minoritarios que están entrando a la región de agotamiento no cambiarán. Por tanto. Unión p-n con polarización Sin embargo. De hecho.---Región de agotamiento n + Figura 1. con excepción de los dispositivos de alta potencia. y dan como resultado vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud que sin voltaje aplicado. para VD = O V._:::0 p '---------.18.16 inversa. Flujo de portadores minoritarios 1mayoruarlO . Las condiciones de polarización inversa se describen en la figura 1.l. y en el rango de microamperes para el germanio.El símbolo para el diodo se repite en la figura 1. para mayor referencia: Un diodo semiconductor tiene po/arizacibn directa cuando se ha establecido la asociación tipo p y positivo y tipo n y negativo. que el potencialaegativo está conectado al materia! tipo p y el potencial positivo a! material tipo n. es una ampliación de la región de agotamiento. . como se muestra en las caractensticas de los diodos de la figura 1. Una condición de polarización directa O "encendido" se establece al aplicar el potencial positivo al materia! tipo p y el potencia! negativo al materia! tipo n. Si un potencial externo de V volts se aplica a través de 1.15 Condiciones para un diodo semiconductor sin polarización. La corriente de saturación inversa rara vez es mayor que unos cuantos microamperes. Condición de polarización inversa (VD < O V) Figura 1.16 . como lo muestra la figura 1.14.: unión p-n de tal forma que la terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo n y la terminal negativa esté conectada con e1 materia1 tipo p como se muestra en la figura 1.. como lo indica la figura 1. Condición de polarización directa (VD> O V) (Opuestos) Figura 1. Observe. Como se indicó. en años recientes se encontró que su nivel está casi siempre en el rango de nanoamperes para dispositivos de silicio. Capítulo 1 Diodos semiconductores 12 .. la corriente en cualquier dirección es O roA.19 para VD < O V. A la corriente que existe bajo las condiciones de polariUlción inversa se le llama corriente de saturación inversa.17 para el símbolo de diodo y la unión p-n. además de una reducción efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a cero.. El término saturación proviene del hecho de que alcanza su máximo nivel con rapidez y no cambia de manera significativa con el incremento del potencial de polarización inversa.. A su vez. y que la diferencia en las literales subrayadas para cada región revela una condición de polarización inversa.. como se muestra en la figura 1 .. El efecto neto.15 con las regiones tipo n y tipo p asociadas. en particular. Por razones similares.-.16. Observe que la flecha está asociada con el componente tipo p y la barra con la región de tipo n. Dicha ampliación establecerá una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios.17 Condiciones de polarización inversa para un diodo semiconductor. el número de iones negativos se incrementará en el material tipo p. el número de iones positivos en la región de agotamiento del material tipo n se incrementará debido al gran número de electrones "libres" atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. y se representa mediante Is' + o---I~M-----<o _t.

LA I I 1 11 I I Figura 1.3 ¡.21J.4) I Unidad real disponible·en el mercado I I I I I . Ahora. . como se muestra en la región de polarización directa de las caracte J ID(mA) 20 19 I I lB 17 Ec.ID>OmA) I I I I 5 4 3 1/ / 0. ¡-. )' Imavoril:mo } ID = lmayom:mo .-0. 1 . Mientras se incremente en magnitud la polarización aplicada._1./ -40 -30 -20 -\0 f ° r->::0. (1. .+~ 8~8+ + 8 + (-'"~ C<r. La aplicación de un potencial de polarización directa VD "presionará" los electrones en el material tipo n y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos a la unión y reducirá el ancho de la región de agotamiento como se indica en la figura 1.lD=-Is>T . 1.7 I 2 1.19 Características del diodo semiconductor de silicio. la región de agotamiemo continuará disminuyendo su anchura hasta que un flujo de electrones pueda pasar a través de la unión.ID=OmA) 1 I -?4 ¡.6 Diodo semiconductor 13 . portadores minoritarios. - 7 6 Región de polarización directa (VD>OV.1 ~A 05 1 VD (V) Región de polarización inversa (VD<OV. El flujo de electrones.1.' +8+8 p n Región de agotamiento + VD Figura 1. lo que da como resultado un incremento exponencial en la corriente. debido a la pequeña región de agotamiento y a una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al material tipo p.3 -0. del material tipo p al material tipo n (y de los huecos del material tipo n al material tipo p) no ha cambiado en magnitud (debido a que el nivel de conducción se encuentra controlado básicamente por el número limitado de impurezas en el material). pero la reducción en el ancho de la región de agotamiento ha generado un gran flujo de portadores mayoritarios a través de la unión.18 Unión p-n con polarización directa. un electrón de material tipo n "observa" una barrera muy reducida en la unión.18.LA --O.A Ji Si~ polariz~ciÓ~ (VD=OV.- - 16 15 14 l3 12 II 10 Polarización definida y dirección para la gráfica - 9 8 I + -ID VD ~ -.

1) = O mA. en general.1) =IP .19 que la unidad comercial disponible tiene características que se encuentran desplazadas a la derecha por unas cuantas décimas de un volt.20 Gráfica de ex.21 Condiciones de polarización directa para un diodo semiconductor.4) en la forma siguiente.4). La ruptura de las características en Vv = OV se debe sólo al cambio drástico en la escala de mA a !LA. afortunadamente en una sección posterior se hará un número de aproximaciones que eliminará la necesidad de aplicar la ecuación (1. Para Vv' la escala para los valores positivos está en décimas de volts y para los valores negativos la escala es en decenas de volts.19. la ecuación (1. Por tanto.22. el voltaje a través de un diodo de polarización directa será de menos de 1 V. Cada una contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de corriente.20.4) Yofrecerá una solución con un mínimo de dificultad matemática.19 se encuentra en múltiplos de diez volts en la región negativa. En un principio. mientras se mejoran los métodos de producción. La corriente se incrementa figura 1. 14 Capítulo 1 Diodos semiconductores . y la escala horizontal en la región de polarización directa tiene un máximo de 1 V. Es importante observar el cambio en la escala para los ejes vertical y horizontal.19. como aparece en la fIgura 1. El resultado será positivo para los valores positivos de Vv e [v' y crecerá de la misma manera que la función y = ex. existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por resultado un agudo cambio en las características. como lo muestra la figura 1. (Similares) Región Zener Aunque la escala de la figura 1. Observe en la figura 1. las condiciones para la conducción (el estado "encendido") se repiten en la fIgura 1. Sin embargo.19: } I o 2 x Figura ]. Antes de dejar el tema del estado de polarización directa.4) se convierte en Iv = [.19 está en miliamperes (aunque algunos diodos semiconductores tendrán una escala vertical en amperes). En Vv =0 V. se puede describir con facilidad el componente de contribución para cada región de la figura 1. la ecuación (l. Si se expande la ecuación (1. Con el tiempo. Para los valores positivos de ID' la escala se encuentra en miliamperes y la escala de la corriente abajo del eje se calcula en microamperes (o posiblemente nanoamperes). esta diferencia disminuirá y las características reales se aproximarán a aquellas de la sección (1.21 con los requerimientos de polaridad y la dirección resultante del flujo de portadores mayoritarios.600 / 1) con 1) = 1 para Ge y 1) = 2 para Si en niveles relativamente bajos de corriente del diodo (en o abajo del punto de inflexión de la curva) y 1) = 1 para Ge y Si en mayores niveles de corriente del diodo (en la sección de crecimiento rápido de la curva) TK = Tc +273° En la fIgura 1. Esto se debe a la resistencia interna del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo. Para valores negativos de Vv' el primer término disminuirá rápidamente debajo de 1" dando como resultado Iv =-1" que es la línea horizontal de la figura 1.(e0 . y superará el efecto del segundo término.rísticas de la figura 1. como lo determina la ley de Ohm (V = IR). Observe en particular cómo la dirección de la conducción concuerda con la flecha en el símbolo (según se reveló para el diodo ideal).19. A través del empleo de la física del estado sólido se puede demostrar que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuación siguiente para las regiones de polarización directa e inversa: (1.4). Observe que la escala vertical de la figura 1.4) donde Is = corriente de saturación inversa K = 11 . Para valores positivos de VD' el primer término de la ecuación anterior crecerá con mayor rapidez. la cual aparece en la figura 1.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un temor injustificado de que ésta se someterá a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos. Observe también la rapidez con que se incrementa la corriente después del punto de inflexión de la curva de respuesta.19 se ofrece una gráfIca de la ecuación (1.

Sin embargo. por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Voltage). El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede aumentar a cerca de 200 oC (400°F). mientras que el germanio tiene un valor máximo mucho menor (lOO OC). otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuirá con un cambio agudo en la característica.14. a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la región de voltaje positivo. por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) o PRV. La región de avalancha (Vz ) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de: dopado en los materiales tipo p y tipo n. su velocidad y energía cinética asociada (WK := : mv 1 ) será suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras estructuras atómicas estables. mientras que el valor máximo para el germanio está más cel:ca de los 400 V. como -5 V. se generará un proceso de ionización por medio del cual los electrones de valencia absorben suficiente energía para dejar su átomo. mientras Vz disminuye a niveles muy bajos. comparado con el gennanio. Sin embargo. Aunque el mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo sólo en los niveles más bajos de Vz• este cambio rápido en la característica a cualquier nivel se denomina región Zener. y rangos más amplios de temperatura que los diodos de germanio. El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la región Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV. según se indica en la figura 1.22 Región Zener. Mientras el voltaje a través del diodo se incrementa en la región de polarización inversa. es el mayor voltaje de polarización directa que se requiere 1. Esto es. y los diodos que utilizan esta porción única de la característica de una unión p-n son los diodos Zener.V / . la desventaja del silicio. Estos diodos se describen en la sección 1. Los diodos también se conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transporte de corriente. Silicio en función de germanio Los diodos de silicio tienen. se deben conectar en serie un número de diodos de la misma característica. 1-. Si una aplicación requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad. en general. El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy drástico de las características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz .. \ t . Los valores PIV para el silicio pueden encontrarse en la vecindad de 1000 V. Eventualmente. La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las características de esta región de voltaje inverso.6 Diodo semiconductor 15 .23. hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha que determina la región de ruptura de avalancha. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo eléctrico en la región de la unión que puede superar las fuerzas de unión dentro del átomo y "generar" portadores. la velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturación inversa ( también se incrementarán. Dichos portadores adicionales pueden luego ayudar al proceso de ionización.Región Zener o figura 1. un PIV y un valor de corriente más altos.

Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical. para asegurar un mínimo de confusión con otros términos. mientras más cercana al eje vertical es la excursión. El potencial por el cual ocurre este crecimiento se conoce como potencial de conducción de umbralo de encendido.3 V para diodos de germanio cuando se redondea a la siguiente décima.l 0.OI pA= lOnA Vz(Si) 5 ¡ t Vz(Ge) ~ D.4 0.6 0.2 0. Con frecuencia. (Si)=O.3 (Ge) Obviamente. para alcanzar la región de conducción. más cerca de lo "ideal" está el dispositivo.24. al factor r¡ en la sección (lA).5 0. Efectos de la temperatura La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las características de un diodo semíconductor de silicio.7 (Si) VT = 0.7 V de magnitud para los diodos de silicio disponibles en el mercado. Éste suele ser del orden de 0. básicamente. 20 Si lS lO 1.lo (roA) 30 25 G. como el voltaje de salida (VD' por las iniciales en inglés de: output) y el voltaje de polarización directa (Vp por la inicial en inglés de:forward). Sin embargo.23 Comparación de diodos semiconductores de Si y Ge. En resumen: VT = 0. las otras características del silicio comparadas con el germanio lo hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado.8 VD (V) t J. 16 Capitulo 1 Diodos semiconductores . La mayor variación para el silicio se debe. la primera letra de un término que describe una cantidad en particular se usa en la notación para dicha cantidad. según se comprobó mediante un diodo de silicio típico en la figura 1. el factor r¡ cae a 1 (el valor continuo del germanio).lA 3~ VT(Ge) VT(Si) Si Ge FIgUra 1. y 0.7 0.3 0. A partir de múltiples experimentos se encontró que: La corriente de saturación inversa ls será casi igual al doble en magnitud por cada 10°C de incremento en la temperatura. Sin embargo. la notación Vrha sido adaptada para este libro por la palabra "umbral" (por la inicial en inglés de: threshold). (Ge) 1 ~A 2 }. Este factor toma parte en la determinación de la forma de la curva sólo en niveles de corriente muy bajos. Esto es evidente por las similitudes en las curvas una vez que el potencial de conducción se ha alcanzado.

. /1 'fl (1 _1..../ 4 f-----fl-.. en realidad se convierten en características más "ideales".: /. ~ .--If---f'--+----1 /1 (V) 2 lO I ... pero observe también el incremento no deseado en la corriente de saturación inversa...24..24 Variación en las características de los diodos con el cambio de temperatura. una razón muy importante para que los dispositivos de silicio tengan un nivel significativamente mayor de desarrollo y utilización en el diseño..... pero el mayor valor de Is sobrepasará el menor cambio en porcentaje en TK' Mientras la temperatura mejora las características en polarización directa. 1... (punto de ebullición I I I del ag.. el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura. Desde luego.LA a 25 oC tenga una corriente de fuga de 100). 1.. I .(' 0..'---+-----1 . para los diodos de silicio no alcanzan los mismos altos niveles que para el germanio. I T J-----'..---1--------1--1 ~. del orden de 1 o 2 ¡. el equivalente de circuito abierto en la región de polarización inversa es mejor a cualquier temperatura con silicio en lugar de gennanio.ua) . oc...23.ID (mA) (392°F) 200°C 100°C 25°C I I I 12 lO I 8 6 • I I I f---H---i--I::::=p-1F_=.lA = 0.2 3 I I 1: ¡ (!lA) Figura 1.... 7 NIVELES DE RESISTENCIA Cuando el punto de operación de un diodo se mueve desde una región a otra. Simplemente.%:: ."" (temper~tura ambiente) . El resultado es que aún a mayor temperatura. 1. En la región de polarización inversa. aumentan a mayortemperatura con niveles menores del voltaje de umbral.5 2 - - _/f. el nivel de TK también se incrementará en la misma ecuación.. I • I . Los niveles de 1. según se mostró en la figura 1. en la ecuación (lA) observe el rápido incremento en la corriente del diodo. Se presentarán tres niveles diferentes en esta sección.. No es poco frecuente que un diodo de germanio con un 1..1 roA a una temperatura de 100 Los niveles de corriente de esta magnitud en la región de polarización inversa con seguridad cuestionarían la condición deseada de circuito abierto en la región de polarización inversa..-..... es muy importante que su detenninación se comprenda con claridad... I--¡+-l'-h//I--rl:". como se muestra en la figura 1... pero cuando se revisan las hojas de especificación se encuentra que las temperaturas más allá del rango de operación normal pueden tener un efecto muy perjudicial en los niveles de potencia y corriente máximas del diodo...... Por tanto. Los valores típicos de lo para el silicio son mucho menores que para el germanio para unos niveles similares de potencia y corriente... al incrementar el nivel de 1. En los siguientes párrafos se demostrará cómo el tipo de voltaje o señal aplicado definirá el nivel de la resistencia de interés.7 Niveles de resistencia 17 .7 1 ... Fundamentalmente. pero aparecerán de nuevo cuando se analicen otros dispositivos.los niveles de 1. la resistencia del diodo también cambiará debido a la forma no lineal de la curva característica.

25 y aplicando la siguiente ecuación: ( 1. La resistencia del diodo en el punto de operación puede encontrarse con sólo localizar los niveles correspondientes de VD e ID como se muestra en la figura 1.+ 0 lIlA 0. la resistencia determinada será en el nivel de corriente predeterminado (casi siempre unos cuantos miliamperes). los niveles de resistencia en la región de polarización inversa serán muy altos. los óhmetros utilizan una fuente de comente relativamente constante..8 VD (V) FIgura 1.5 V (de la curva) y 0.26 Ejemplo L L Solución a) EnID =2rnA. ID (mA) Figura 1...26 en a) ID = 2rnA b) ID=20rnA e) VD = -10 V 30 _ 20 ------------ Silicio 10 _ . Como es natural. Debido a que..25 Determinación de la resistencia en dc de un diodo en un punto de operación en parti<:utar...5 0. VD =0.Resistencia en dc o estática La aplicación de un voltaje de a UD circuito que contiene un diodo semiconductor tendrá por resultado un punto de operación sobre la curva característica que no cambiará con el tiempo.5 V 2rnA = 2500 18 Capítulo 1 Diodos semiconductores .l Determine los niveles de resistencia en de para el diodo de la figura 1.5) Los niveles de resistencia en de en el punto de inflexión y hacia abajo serán mayores que los niveles de resistencia que se obtienen para la sección de crecimient·o vertical de las características.. por lo regular. EJEMPLOl.

Característica del diodo "--.l resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo es independiente de la forma de la característica en la región que rodea el punto de interés. que significa "estable o sin variación~'. como lo muestra la figura 1. definirá un cambio en particular en el voltaje.7 Niveles de resistencia 19 . Sin tener una señal con variación aplicada. Resistencia en ac o dinámica A partir de la ecuación 1.28 Determinación de la resistencia en ac en un punto Q. menor será el valor de ~Vd para el mismo cambio en Md y menor será la resistencia.=-lpA(delacurva)y VD 10V RD = = .8 V RD = = = 400 ID 20 rnA c) En VD=-lOV. La resistencia ac en la región de crecimiento vertical de la característica es. PuntoQ (ope"dón de) Figura 1. la situación cambiará por completo. (1.27. define un cambio específico en corriente y voltaje. como se muestra en la figura 1.dI d I donde ~ significa un cambio finito en la cantidad. _ _ _ . En forma de ecuación. FIgura 1. fCfJ'---------'" M Línea tangente : L_ .. VD = 0.27.28. Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de de. así como en la corriente que pueden ser utilizados para detenninar la resistencia en ac o dinámica para esta región en las características del diodo. determinado por los niveles de dc aplicados.. el punto de operación sería el punto Q que aparece en la figura 1. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequeño y equidistante como sea posible el cambio en ei voltaje y en la corriente a cualquier lado del punto Q. mientras que la resistencia ac es mucho más alta en los niveles de corriente bajos. I = ~Vd rd . La designación del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en inglés de: quiescent).27 Definición de la resistencia dinámica o en ac. por tanto. muy pequeña.8 V (de la curva) y VD 0. por tanto. Una línea recta dibujada tangencialmente a la curva a través del punto Q.ID=-I.= 10 MO ID 1 pA Es obvio que se sustentan algunos de los comentarios anteriores con respecto a los niveles de resistencia de de un diodo. 1.b) En ID = 20 rnA. ' : _ ___ o -----.5 y en el ejemplo l. La entrada variante desplazará de manera instantánea el punto de operación hacia arriba y abajo en una región de las características y.6) Mientras mayor sea la pendiente.

76 Y. e) Comparar los resultados de los incisos a y b con las resistencias en de a cada nivel.02 Y rd = -d = .Vd = 0. 30 1 I . Y en [D =20 mA...[d 10 mA 20 Capitulo 1 Diodos semiconductores .7 0..[d !J.. Solución a) Para [D = 2 mA.65 V.1 0.65 Y = 0. raI" 25 20 J \"v u" 15 10 5 4 .0. 0..O mA = 4mA y y la resistencia en ac: !J.. 4mA .8 0..9 ~ o I VI> (V) aY. 25 mA.78 Y = 0. 2 0 !J.EJEMPLO 1..29: a) Determinar la resistencia en ac en ID::. 2 mA se dibujó como se muestra en la figura y se eligió una excursión de 2 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada.} F. Los cambios que resultan en la corriente y el voItaje son !J. Los cambios que resultan en la corriente y el voltaje son = !J.0.5 O 4 mA 0.3 0.02 Y y la resistencia ac: !J. VD =0.8 Y.29 Ejemplo 1.[d..2.. Y en[D = O mA.. VD 0... En [D =30 mA. 2 -----------------. b) Detenninar la resistencia en ac en [ D .78 V..Vd = . la línea tangente en [D = 25 mA se dibujó como se muestra en la figura y se eligió una excursión de 5 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada.5 0.gura 1. En [D = 4 mA. la línea tangente en [D .6 0.76 Y .•.8 Y ..2 0.11 Y r = -d !J. VD = 0.: 2 mA.V 0.[d = 30mA .4 0.. VD =0.20mA = lOmA y !J.= 27.11 Y b) Para [D = 25 mA.2 Para las características de la figura 1.Vd = 0.

6). Vv =0.e) Para/v =2roA. Se ha encontrado la resistencia dinámica en forma gráfica.7V Iv = 350 Q la cual excede por mucho la r d de 27..s.7Vy Rv = Vv = -2mA 0..'" --Iv dVo TK dl D k Sustituyendo 11. Por tanto.79 V 25 roA = 31. en esencia.38..600 =11.5 n.026 dIo Iv o rd = 26mV I (1. consiste.79 V Y Rv = Vv Iv = 0. se tendrá una ecuación para la resistencia dinámica o ac en esa región.62 Q la cual excede por mucho la r d de 2 n. Es decir. 1 para Ge y Si en la sección de crecimiento vertical de las características. se tendrá d dVv y (lo) dIo dVo = dV k d [IsCekVDITK . I_o 1.28.600 TK = Te + 273" = 25 0 + 273 0 = 298 0 de tal ionna que k TK dIo dVD = 1l. Vv = 0. se obtiene dVo '" 0.. la ecuación (l. pero existe una definición básica en el cálculo diferencial que establece: La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la únea tangente dibujada en dicho punto.:.600 TI = II . Para Iv = 25 roA.7 Niveles de resistencia 21 .Is en la sección de pendiente venical de las caractensticas y . según se definió en la figura 1.. ID >.93 y = 38. se obtiene k= y a temperatura ambiente II . En general.7) L -_ _ _ _.JGe..6OO 298 .931v Invirtiendo el resultado para definir una proporción de resistencia (R =VIl). Si se encuentra la derivada de la ecuación general (104) para el diodo semiconductor con respecto a la polarización directa aplicada y luego se invierte el resultado. encontrar la derivada de la función en el punto Q de operación.1)] =-(lv+ / .) TK siguiendo algunas maniobras básicas de cálculo diferencial. tomando la derivada de la ecuación (104) con respecto a la polarización aplicada.

Para los valores pequeños de ID por abajo del punto de inflexión de la curva.la resistencia incluye la resistencia dinámica definida por la ecuación 1.1 . En los niveles altos de corriente. Para el ejemplo 1. La resistencia ac promedio es. y en el mejor de los casos los resultados deben manejarse con cuidado. y que la resistencia ac resultante al utilizar la ecuación (1.04D La diferencia de aproximadamente 1 n se debe tomar como una contribución de r B' Para el ejemplo 1.30.. Estos niveles de resistencia adicionales pueden incluirse en la ecuación (1. En los niveles bajos de corriente del diodo.la determinación de rd con un alto grado de exactitud de una curva caractenstica utilizando la ecuación (1.7) es exacta sólo para valores de ID en la sección de crecimiento vertical de la curva. El análisis anterior se centró sólo en la región de polarización directa.6).8). a lo largo del libro se supone que la resistencia ac se encuentra determinada sólo per r d y que el impacto de rB se ignorará a menos que se observe lo contrario. Este implica que la resistencia dinámica se puede encontrar mediante la sustitución del valor de la corriente en el punto de operación del diodo en la ecuación. pero debido a que con frecuencia habrá otros elementos de resistencia de mucho mayor magnitud en serie con el diodo.7) resulta inadecuada. Por tanto. el factor rB es lo suficientemente bajo comparado con rd como para pennitir que se omita su impacto sobre la resistencia ac del diodo.6) es suficientemente alta como para permitir la aproximación del circuito abierto.la ecuación (1. Utilizando la ecuación (l.7). En la región de polarización inversa se supondrá que el cambio en la corriente a lo largo de la línea 1. es importante considerar que la ecuación (l. rd = 2( ---r 26m'V\ ID (26mj 2 . Todos los niveles de resistencia que se han detenninado hasta ahora han sido definidos para la unión p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en sí (llamada resistencia del cuerpo).6) es un proceso difícil. es nulo desde OV hasta la región Zener.7) se obtiene 26mV D 26mV rd = .7) debe comprenderse con claridad.2 la resistencia ac en 2 mA se calculó como de 27. Utilizando la ecuación (1.= 25mA = 1. y en algún momento se convertirá en un factor que con seguridad no se tomará en cuenta al compararse con rd .- 1 + rB ohms (1.7) al añadir la resistencia denotada por rB como aparece en la ecuación (1. pero multiplicando por un factor de 2 para esta región (en el punto de inflexión de la curva 1] = 2)..7 y la resistencia r B que recién se presentó. = r. No hay necesidad de tener las caractensticas disponibles o de preocuparse per trazar líneas tangenciales como se defmió en la ecuación (1. la resistencia deter- 22 Capítulo 1 Diodos semiconductores . Resistencia en ac promedio Si la señal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursión tal como lo indica la figura 1.8) D El factor r B puede tener un rango típico desde 0. Las mejoras tecnológicas de los años recientes sugieren que el nivel de rB continuará disminuyendo en magnitud.El significado de la ecuación (1. Sin embargo.= 2(130) = 260 2mA La diferencia de 1.2 la resistencia ac en 25 mA se calculó como 2 O.5 Q.1 O para los dispositivos de alta potencia a 2 O para algunos diodos de baja potencia y propósitos generales. por definición. a la resistencia asociada con el dispositivo para esta región se le llama resistencia en ac promedio. Para valores menores de ID' 1] 2 (silicio) y el valor obtenido de rd se debe multiplicar por un factor de 2. y la resistencia que presentan la conexión entre el material del semiconductor y el co~ductor metálico exterior (llamada resistencia del contacto).5 Q se debe tomar como una contribución debida a r B' En realidad. el nivel de rB puede acercarse al de rd . r' d 26mV =: .

ld 1 punto por punto (1.=--=----=5Q Md 15 mA Si la resistencia ac (rd ) estuviera determinada por ID = 2 mA.725 V . L\.7 Niveles de resistencia 23 . su valor no sería mayor a 5 a.2 0. En forma de ecuación (obsérvese la figura 1.0.65 v = 0.2 se desarrolló con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las últimas páginas y de hacer énfasis en las diferencias entre los diversos niveles de resistencia. 1.V.Vd 0.8 0.7 " .6 Figura 1. la resistencia ac haría la transición desde un valor alto en 2 mA al valor bajo en 17 mA.Vd =0..2 mA = 15 mA y L\.5 0.Id = 17 mA .1 0. el contenido de esta sección es el fundamento para gran cantidad de cálculos de resistencia que se efectuarán en secciones y capítulos posteriores.30). L\.. En medio. y si fuera determinada a 17 mA.30.9) definió un valor que se considera el promedio de los valores ac de 2 a 17 mA. Como se indicó antes.30 Determinación de la resistencia en ac promedio entre los límites indicados.9 minada por una línea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores máximos y mínimos del voltaje de entrada.3 DA 0. La ecuación (1.9) Para la situación indicada por la figura 1.ID (mA) 20 15 tJ d 10 5 o 0. Tabla resumen La tabla 1. 0. sería menor. El hecho de que pueda utilizarse un nivel de resistencia para tan amplio rango de las características probará ser bastante útil en la definición de circuitos equivalentes para un diodo en una sección posterior. Vd r av:::: ó. 0.075 V con L\.075 V r.

En otras palabras.31.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS Un circuito equivalente es una combinación de elementos que se eligen en/arma adecuado. como se muestra en la figura 1. El diodo ideal se incluye con el fin de establecer que existe una única dirección de conducción a 24 Capítulo 1 Diodos semiconductores . Circuito equivalente de segmentos lineales Una técnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las características del dispositivo mediante segmentos lineales.32. al circuito equivalente que resulta se le llama circuito equivalente de segmentos lineales.id ID Definida por una línea tangencial en el punto Q 26mV/IDQ ac promedio . sobre todo en la región de inflexión de la curva de respuesta.2 Niveles de resistencia Características Tipo Ecuación especiales Determinación gráfica DC o estática Definida como un punto en las características AC o dinámica b.6./d punto a punto Definida por una línea recta entre los límites de operación 1.31 debe resultar obvio que los segmentos lineales no resultan ser una duplicación exacta de las características reales. lo mejor posible. los segmentos resultantes son lo suficientemente cercanos a la curva real como para establecer un circuito equivalente. e insertar el circuito equivalente en su lugar sin afectar de forma severa el comportamiento real del sistema. a continuación del dispositivo real.TABLA 1. Sin embargo. una vez que se define el circuito equivalente.. El resultado es a menudo una red que puede resolverse mediante el empleo de técnicas tradicionales de análisis de circuitos. sistema o similar en una región de operación en particular. las características terminales reales de un dispositivo.Vd 26mV rd = .: . el símbolo del dispositivo puede eliminarse de un esquema.7 es la resistencia que aparece en el circuito equivalente de la figura 1. A partir de la figura 1. que ofrecerá una excelente primera aproximación al comportamiento real del dispositivo. Para la sección con pendiente del equivalente. define el nivel de resistencia cuando se encuentra en el estado "encendido". el nivel de resistencia ac promedio que se presentó en la sección 1. para representar. En esencia.!!. Como es natural.

no se obtendrá una lectura de 0. Si se coloca un voltímetro a través de un diodo aislado encima de una mesa de laboratorio.8 V.1 V = lOmA =lOQ Circuito equivalente simplificado Para la mayor parte de las aplicaciones.32. debe aparecer una batería Vr que se opone a la conducción en el circuito equivalente según se muestra en la figura 1.8 Circuitos equi-valentes para diodos 25 .sV (Vj) VD (V) F1gura 1.7\1 O.ID (mA) lü () 0. y se generará una condición de polarización inversa en el estado de circuito abierto para el dispositivo. se sabe que para el silicio se requiere un cambio de 0.DmA según se obtuvo para la figura 1. + o FIgura 1.7 V antes que haya conducción y = = 0.7 V. Sin embargo. La batería sólo especifica que el voltaje a través del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la batería antes que pueda establecerse la conducción a través del dispositivo en la dirección que dicta el diodo ideal. 0. el nivel aproximado de ray puede determinarse a partir de un punto de operación en la hoja de especificaciones (la cual se analizará en la sección 1.31).7 V con una polarización directa (según se muestra en la figura 1.9). tenga en cuenta que V T en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje independiente.32 Componentes del circuito equivalente de segmentos lineales. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de conducción hasta que VD alcanza 0. 1. Cuando se establezca la conducción.0.31 Definición del circuito equivalente de segmentos lineales mediante el empleo de segmentos de linea recta para aproximar la curva característica.7V lOmA . la resistencia rav es lo suficientemente pequeña como para omitirse en comparación con otros elementos en la red. Por ejemplo. para un diodo semiconductor de silicio. la resistencia del diodo será el valor especificado de '". La eliminación de rav del circuito . través del dispositivo. Por lo regular. si IF 10 mA (una comente de conducción directa en el diodo) a VD 0. La batería sólo representa el defasamiento horizontal de las características que deben excederse para establecer la conducción.30.8 V .

7-V puede. tal como lo muestra la figura 1.7 V a través de él.. El circuito equivalente reducido aparece en la misma figura.34 con sus características. pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizará con mucha frecuencia en el análisis de sistemas electrónicos... en el estado de conducción a cualquier nivel de corriente del diodo (desde luego. En este caso. Cada uno se investigará con mayor detalle en el capítulo 2. es la representación de un dispositivo. el circuito equivalente se reducirá al de un diodo ideal. equivalente es la misma que aparece en las características del diodo. 26 Capítulo 1 Diodos semiconductores . objeto y sistema existente.33 Circuito equivalente simplificado para el diodo semiconductor de silicio. mientras que el diodo ideal es aplicado con mayor regularidad en el análisis de los sistemas de fuente de alimentación donde se localizan los mayores voltajes.34 Diodo ideal y sus características. esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de circuitos semiconductores según se demuestra en el capítulo 2. De hecho. Tabla resumen Por claridad. figura 1. y se establece que un nivel de 0.. esta terminología de sustitución se empleará casi de manera exclusiva en los capítulos subsecuentes.=OQ Figura 1. En el capítulo 2 se verá que esta aproximación suele hacerse sin perjuicio considerable en cuanto a exactitud. dentro de los valores nominales). en comparación con el nivel de voltaje aplicado. Desde luego. una sustitución popular para la frase "circuito equivalente de diodo" es modelo de diodo... tal como se muestra en la figura 1. por definición. y así sucesivamente. a menudo. r~.3.33. Éste establece que un diodo de silicio con polarización directa en un sistema electrónico bajo condiciones de de tiene una caída de 0. En la industria. Siempre existen excepciones a la regla general. Circuito equivalente ideal Ahora que rav se eliminó del circuito equivalente se tomará un paso más. omitirse. un modelo que. con todas sus características en segmentos lineales. los modelos de diodos que se utilizan para el rango de parámetros y aplicaciones de circuito se presentan en la tabla 1.

también se presentan datos adicionales. como el rango de frecuencia. Es común que consistan sólo de una breve descripción limitada. El nivel máximo de disipación de potencia a una temperatura en particular 6. Si se proporciona la máxima potencia o el valor nominal de disipación. existen piezas específicas de datos que deben incluirse para una correcta utilización del dispositivo. trabajo artístico. etc. Dispositi vo ideal Rred »r~v Ered »VT o 1. Los niveles de capacitancia (según se definirá en la sección 1. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas) 2. La corriente de saturación inversa IR (a una corriente y temperatura especificadas) 4. Sin embargo. a veces de una página. tablas. Para la aplicación considerada. será claro por sí mismo. Éstos incluyen: l. El valor de voltaje inverso [PIVo PRV o V(BR).10) 7.9 Hojas de especificaciones de diodo" 27 . se entiende que éste es igual al producto siguiente: (1. los niveles de resistencia térmica y los valores pico repetitivos. en general. es un extenso examen de las características con sus gráficas.TABLA 1. El tiempo de recuperación inverso t" (como se definirá en la sección 1. 1. el tiempo de conmutación. el significado de los datos.3 Circuitos equivalentes para diodos (modelos) Tipo Condiciones Modelo Características Modelo de segmentos lineales o v. en cualquier caso.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS Los datos acerca de los dispositivos semiconductores específicos suele presentarlos el fabricante de dos maneras.10) donde ID Y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operación en particular. El rango de temperatura de operación Dependiendo del tipo de diodo que se considere. donde BR proviene del término "ruptura" (por la inicial en inglés de: breakdown) (a una temperatura especificada)] 5. De otra forma.11) 8. Modelo simplificado o v. el nivel de ruido. La corriente directa máxima IF (a una temperatura especificada) 3.

Es decir.0 1. y determinar la disipación de potencia resultante para compararla contra el valor de máxima potencia..Temperatura máxima de operación de la unión Temperatura de la . Cone~iones d~ l.7 V)/D (Ul) DIFUSIÓN PLANAR DE SILICIO A--<f---' BV '" 125 V (MIN)@loo!lA(BAY73) 'BV .60 = = = F G IR Corriente inversa 0.60 0..7 V para un diodo de silicio en la ecuación (1.0MHz IF .67 0.I .IOmA.1 mA IF = 0.69 0.0 200 6.85 0.69 0.81 MÍN MÁX UNIDADES V V V V V V V nA nA ~A CONDICIONES DE PRUEBA IF 200 mA IF 100 mA IF SOmA IF=lOmA If =5... La fábrica debe ser consultada sobre aplIcaciones que involucran pulsos u operación con ciclo ele trabajo bajo.78 0.80 0.:anexión -65°C a +200 oC +17SoC +260°C Disipación de potenda (Nota 2) c-l---- Disipación máxima de potencia total a 25 OC de ambiente Factor de pérdida de disipación de potencia lineal (desde 25 OC) SOOmW 3.0 Bv H Voltaje de ruptura Capacitancia Tiempo de: recuperación i versa- = 125 8.IAN256 = NOTAS: t Estos son valores límites sobre 10$ cuales el funcionamiento del diodo puede ser dañado.33 mW¡OC Voltaje y corriente máximas WIV Voltaje inverso de trabajo Corriente rectificada promedio BAY73 BA129 100 V 180V 200mA 0-1----- Corriente directa continua Pico de corriente directa repetitivo Pico de corriente de onda directa Ancho de pulso = 1 s Ancho de pulso = 1 J1s 500mA 600mA NOTAS acero cubierto de cobre ConexIones doradas dIsponibles Encapsulado de vIdrio ~ellado henn¿hCameme Peso del paquete de 0. Pdi'ip'd' - (0.83 0.88 0. IR - lOO~A e t rr vR = O.00 0.35 Características eléctricas de los diodos de alto voltaje y baja fuga Fairchild BAY73 .94 CARACTERÍSTICA Voltaje dir~cto MÍN 0. .OA 4.68 500 5..0 3.60 0.75 0.1 mA V R -20V.0 = 10 nA ~A 5.V R 35V RL 1.) 28 Capitulo 1 Diodos semiconductores .T A 125°C VR = 180V VR = 180V.0 a lOOkO CL lOpF. se puede sustituir VD = VT = 0.71 0.10).0mA IF = 0. Figura 1.00 0. 2 Estos son límit~~ de estado estables.0A CARACTERÍSTICAS EUtCTRICAS (25 SÍMBOLO E VF Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contrario) BAY73 BA 129 MÁX 1. 200 V (MIN) @ 100 !lA (BA 129) VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1) Temperaturas Rango de temperao1ra de almacenamiento ENCAPSULADO 00·35 B . BA 129.78 0.f = = 1.12S"C VR = lOOV VR = lOOV.T A .0 V pF ~. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.TA 100°C 0.Si se aplica el modelo simplificado para una aplicación en particular (un caso frecuente).14 gramo.51 1.

1~<.0 O. . i . ! . \. I l I 100 i I 1'\ T . o 1. -' 0.~- '2.0 1.. I i I r\T .5 3. = 100 -< .5 1. ~ " O 40 30 2-D 1. -::.0 I i I I . BA 129.Coeficiente de temperatura _ mVolC CORRIENTE INVERSA CONTRA COEFICIENTE DE TEMPERATURA VR . (Cortesía de Fairchild Camera and lnstrument Corporation. I 0.lrio CORRIENTE DIRECTA CONTRA COEFICIENTE DE TEMPERATURA 500 I CAPACITANCIA CONTRA VOLTAJE INVERSO 6.-. =I .\1 ~ 5 '" f--+-I--+C". J . E toO .0 o o I i i 8. vl I 5K IK ~ v. .05 I 1 I I i 10 I~~ ~+.5 2.2 0. 1 001 0.".0 . .Voltaje inverso .=?I.0 I U E e 5 o.0 (MPEDANCIA DINÁMICA CONTRA CORRIE~TE DIRECTA 100 I T" = 2~oC I .0 12 0. -X e u g \' T '--'.02 • í I I 1. ! 50 " . I .0 r.p 0. I '. I E 300 200 100 ¿~~' . I ~".¡. I I -.1 0.0 ~ '§ (.2 \" 2..36 Características térmicas de los diodos de alto voltaje Fairchild BAY73 .0 1 0.1 O TA - 25 50 75 100 125 ISO o 1.S ~ o :7 I ' . .oC O OL-~ O 25 50 75 100 125 ISO 175 200 TA .0 1.Voltaje inverso . 0.9 Hojas de especificaciones de diodos 29 . Este ejemplo representaría la lista extensa de datos y características.0 16 Voltaje directo . I I i I ! om : O 25 50 7S 100 125 0.) 1." . ¡"'-.4 VF - .Una copia exacta de los datos proporcionados por Fairchild Camera and Instrument Corporatíon para sus diodos de alto voltaje y baja fuga BAY73 y BA 129 aparece en las figuras 1.¡. I I I . .Temperatura ambiente . I i v § E 0. -:'i = ~ 0. II I I I I folkH. I . .volt~ VOLTAJE INVERSO CONTRA CORRIENTE INVERSA 1. I ! lO I 2 . .35 y 1.dc . 125 V I .Temperatura ambiente _ oC Figura 1. 11 I I I . I I .I I . I i .. I \.:' __-L·~~~~~ O 25 50 75 100 125150 175 200 TA .8 1.volts Temperatura ambiente _ oC RD -Impedancia dinámica .5 í . mismo que se describirá en el capitulo 2.0 . 1 i i I I I lOO 1. I . ~-' ' + 1. El término rectificador se aplica a un diodo cuando se emplea con frecuencia en un proceso de rectificación. .0 o 4. '" . 2 "'1.\-'oh!'> Te . I . a 25 VOLTAJE DIRECTO CO:-iTRA CORRIENTE DIRECTA 1000 CURVAS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS TÍPICAS Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contr.0 10 100 IK JQK V R .Q CURVA DE PÉRDIDA DE DISIPACiÓN DE POTENCIA 500 400 300 200 CORRIENTE RECTIFICADA PROMEDIO Y CORRIENTE DIRECTA CONTRA TEMPERATURA AMBIENTE 500 1'\ '\ i f'\: i ! I I I 400 i I .~ ~ 10 . 0.2 .'~.36.. . Tip~W .6 0.

. mientras I F aumentó de lO ¡.O) y 212°F = 100 oC = ebullición (HzÜ)]. la manera en que VF se incrementó desde cerca de 0.7 V. su nivel puede ser superior al nivel continuo. Observe el empleo de la escala Celsius y un amplio rango de utilización [recuerde que 32°F = O oC = congelamiento (H. Éste es el valor máximO instantáneo de la corriente directa repetitiva.¡. la corriente directa pico repetitiva y la corriente de sobrecarga pico. en la figura superior izquierda. 30 capítulo l Diodos semiconductores .A a más de lOO mA. porque una forma de onda de corriente de media onda tendrá valores instantáneos mucho más altos que el valor promedio. el mal funcionamiento y otros factores similares. Corriente rectificada promedio.36. COmo aparecen en la hoja de especificaciones. Este valor nominal define el valor máximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas del nivel de corriente. Una señal rectificada de media onda (descrita en la sección 2.36). Nivel de disipación de potencia máximaPo= Volo = 500 mW. existirán corrientes muy altas a través del dispositivo durante breves intervalos de tiempo (que no Son repetitivos). como se aprecia en la figura adjunta. Observe. pero permanece en menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta VR = 125 V. Características de temperatura según se indican.0 mA. la comente de saturación inversa se incrementa con rapidez con el aumento en la temperatura (tal como se pronosticó antes). El rango de valores de VFen I F = 1. Corriente de sobrecarga pico. 0. La corriente rectificada promedio.5 V a más de 1 V. 2.¡.005 ¡. En este caso.7 El rango de valores de VF en IF =200 mA. observe cómo los límites superiores se encuentran alrededor de 0. Sin embargo. Corriente directa pico repetitivo. Corriente directa continua máxima I F = 500 mA (observe I F en función de la m" temperatura en la figura 1. El valor de potencia máxima disminuye a una proporción de 3. mientras que a un voltaje inverso mayor IR cae a S nA = 0.8) tiene un valor promedio definido por 1" = 0.36 se utiliza una escala logarítmica. duraute el en. Una breve investigación de la sección 11.. En la figura inferior se encuentra que la corriente de saturación inversa cambia un poco con los cambios crecientes de VR. se definen de la manera siguiente: 1.5 ¡LA.2 debe ayudar a la lectura de las gráficas.318 Ip"o' El valor de la corriente promedio es menor que las comentes directas continuas o pico repetitivo.A. y en la figura inferior se puede ver que la resistencia ac (rd ) es sólo cercana al Q en lOO mA y aumenta a lOO Q en corrientes menores de 1 mA (según se esperaba a partir del análisis en secciones anteriores). según se indica con claridad en la curva de pérdida de disipación de potencia en la figura 1.33 mW por grado de incremento en la temperatura arriba de la temperatura ambiente (25 oC). En la figura superior derecha se observa cómo disminuye la capacitancia con el incremento en el voltaje de polarización inversa. Eu ocasiones. C: D: E: F: G: H: 1: En algunas de las curvas de la figura 1. El tiempo de recuperación inverso es 3 Ils para la lista de condiciones de operación.cendido.Las áreas específicas de las hojas de datos se resaltaron en gris con una letra de identificación correspondiente a la descripción siguiente: A: B: Los voltajes mínimos de polarización inversa (PIV) para cada diodo a una corriente de saturación inversa especificada. El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el diodo BAY73 en VR = VD = O V (sin polarización) y con una frecuencia aplicada de 1 MHz. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo. Observe que excede VT = V para ambos dispositivos. En V R " 20 Vy una temperatura de operación típica IR" 500 nA= 0.

Sin embargo. en particular cuando el impacto de cada parámetro se comprende con mayor claridad para la aplicación que se esté investigando. éste es mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la velocidad a la que la carga es inyectada hacia las regiones justo afuera de la región de agotamiento. Aunque el efecto descrito también se encontrará presente en la región de polarización directa. En la región de polarización inversa existe una región de agotamiento (libre de portadores) que. donde E es la pertnitividad del dieléctrico (aislante) entre las placas de área A separada por una distancia d. El hecho de que la capacitancia es dependiente del potencial de polarización inverso aplicado. y la constante de tiempo resultante (r = RC¡. los niveles crecientes de corriente resultan en niveJes reducidos de resistencia asociada (lo cual se demostrará más adelante). esto no se puede ignorar a frecuencias muy altas. Sin embargo.5 Figura 1. se comporta como un aislante entre las capas de carga opuesta. Casi todos los efectos relativos a la capacitancia pueden omitirse a bajas frecuencias. Ambos tipos de capacitancia se encuentran presentes en las regiones de polarización directa y polarización inversa. X" será lo suficientemente pequeño debido al alto valor def para presentar una trayectoria de "corto" de baja reactancia. De hecho. misma que es muy importante en las aplicaciones de alta velocidad. en el capítulo 20 se presentará un diodo cuya operación depende totalmente de este fenómeno. 1.Mientras más se está en contacto con las hojas de especificaciones. como lo muestra la figura 1.10 CAPACITANCIA DE TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN Los dispositivos electrónicos son inherentemente sensibles a las frecuencias muy altas.10 Capacitancia de transición y difusión 31 . en esencia. la capacitancia de transición que resulta disminuirá.37.25 0. En la región de polarización inversa se tiene la capacitancia de la región de transición o de agotamiento (e T). porque no se hace excesiva. Debido a que el ancho de esta región (el) se incrementará mediante el aumento del potencial de polarización inversa. Recuerde que la ecuación básica para la capacitancia de un capacitar de placa'S paralelas está definida por e = EA/d. pero una sobrepasa a la otra de tal manera que en cada región sólo se consideran los efectos de una sola capacitancia. C(pF) 15 .. I 10 Polarización inversa (C r ) 7 5 7 POlarización. 1. debido a que su reactancia Xc = \l2rtfe es muy grande (equivalente a circuito abierto).37 Capacitancia de transición y de difusión en función de la polarización aplicada para un diodo de silicio. En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos de capacitancia que deben considerarse. mientras que en la región de polarización directa se tiene la capacitancia de difusión (e J o de almacenamiento. tiene aplicación en numerosos sistemas electrónicos. El resultado es que niveles crecientes de corriente resultarán en niveles crecientes de la capacitancia de difusión.directa (CD ) - (V) • -25 -20 -15 -lO o 0. éstas se volverán más "amistosas" .

. debido a que un gran número de portadores minoritarios se localizan en cada material. Y permanecerá en este nivel susceptible de ser medido durante un tiempo t. El ánodo se refiere a un potencial mayor O positivo y el cátodo se refIere a una terminal a un potencial más bajo o negativo. Sin embargo. El tiempo de recuperación inversa es la suma de estos dos intervalos: t rr := t s + t{ • Naturalmente. 1-.. En esencia~ el diodo pennanecerá en el estado de circuito cerrado con una corriente linversa determinada por los parámetros de la red. En algún momento. por lo regular.. para las aplicaciones de baja O mediana frecuencia (excepto en el área de potencia). 1. Sin embargo. Los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden hacia el material tipo n establecen un gran número de portadores minoritarios en cada material. la corriente se reducirá en nivel hasta llegar a aquel asociado con el estado de no conducción.38..39. Sin embargo. " . En la figura 1.11 TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO Existen ciertas partes de datos que. como un punto o banda. una vez que ha pasado esta fase de almacenamiento.- . se mostró antes que existe un gran número de electrones del material tipo n que pasan a través del material tipo p.'~ 1 FIgura 1.Los efectos de la capacitancia que se describieron antes se encuentran representados por un capacitor en paralelo con el diodo ideal.41 aparecen varios diodos semiconductores disponibles en el mercado. la corriente del diodo se invertirá como se muestra en la figura 1. Para la mayor parte de los diodos cualquier marca. es una consideración importante en las aplicaciones de conmutación de alta velocidad. y un gran número de huecos en el tipo n.. se explican en los capítulos 12 y 20. idealmente se desearía ver que el diodo cambia de fonna instantánea. En el estado de polarización directa.. Este segundo periodo se denota mediante t.¡ Cambio de estado (encendido·apagado) requerido en t = ti' / ' Respuesta deseada [in\lersa '-_-'-! . presentan los fabricantes en las hojas de especificaciones de diodos. Si el voltaje aplicado se invierte para establecer una nueva situación de polarización inversa. Casi todos los diodos de conmutación disponibles en el mercado tienen un t rr en el rango de unos cuantos nanosegundos hasta 1 J. por lo general. el capacitor no está incluido en el símbolo del diodo. como los que aparecen en la figura 1.12 ).. según se muestra en la figura 1.1. La terminología ánodo y cátodo es una herencia de la notación de bulbos. lo cual es un requisito para la conducción.38 Se incluye el efecto de la capacitancia de transición o de difusión en el diodo semiconductor. (intervalo de transición). Esta combinación de niveles de polarización dará por resultado una condición de polarización directa o "encendido" para el diodo. Algunos detalles de la construcción real de dispositivos..41. 32 Capítulo 1 Diodos semiconductores . (tiempo de almacenamiento) que requieren los portadores minoritarios para retornar a su estado de portadores mayoritarios dentro del material opuesto.-t. 1. figura 1. . hay unidades disponibles con un t rr de sólo unos cuantos cientos de picosegundos (10. y se denota mediante t rr . aparece en el extremo del cátodo.40.40.s. -'='"""+--i/ [dircc¡. Una de estas cantidades que todavía no se ha considerado es el tiempo de recuperación inverso.12 NOTACIÓN DE DIODOS SEMICONDUCTORES La notación que más se suele utilizar para los diodos semiconductores se presenta en la figura 1. .39 Definición del tiempo de recuperación inverso. del estado de conducción al de nO conducción. según lo muestra la figura 1.

etc. Si las conexiones se encuentran invertidas.cb Ánooo O'. K. como se muestra en la figura 1.41 Varios tipos de diodos de unión.13 Prueba de diodos 33 . una indicación OL en ambas direcciones es indicativa de un diodo abierto o defectuoso.43a. (. y la pantalla indicará el voltaje de polarización directa tal como 0.40 Notación de los diodos semiconductores. y b) y e) Cortesía de International Rectifier Corporation. Función de verificación de diodos En la figura 1. [a) Cortesía de Motorola lnc. Por tanto. 2) la sección de medición de ohms de un multímetro..43a revela un diodo abierto (defectuoso). TCárod~ Figura 1.67 V (para Si). por las iniciales en inglés de: digital display meter) con una función de verificación de diodos.) (b) (e) FlgUra 1.] 1. Cuando se coloca en esta posición y se conecta coma se muestra en la figura 1. El medidor tiene una fuente interna de corriente constante (cercana a 2 mA) que definirá el nivel de volta- je. debe resultar una indicación OL debido a la equivalencia de circuito abierto que se espera para el diodo. el diodo debe estar en encendido". o 3) un trazador de curvas. 1.43b.13 PRUEBA DE DIODOS La condición de un diodo semiconductor se puede detenninar con rapidez utilizando: 1) un multímetro digital (DDM. Observe el pequeño símbolo de diodo en la parte inferior del selector.42 se ilustra un multímetro digital con capacidad de verificación de diodos. Una indicación OL al conectar como en la figura 1. en general.

Al conectar el diodo en forma adecuada al tablero de pruebas en la parte central e inferior de la unidad y ajustando los controles. Una lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condición abierta (dispositivo defectuoso).67 V (b) Figura 1.44a.) {D (mA) Terminal roja (Víl) I t I t Terminal negra (COM) ---I~M--- . incluyendo el diodo semiconductor.. se puede 34 Capítulo l Diodos semiconductores . mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direcciones quizá indique un dispositivo en corto. se puede esperar un nivel relativamente bajo.. Inc. si se mide la resistencia de un diodo utilizando las conexiones que se señalan en la figura 1. Mientras más alta sea la corriente. . de una mayor escala de resistencia en el medidor. Por tanto. según se indica en la figura 1. Trazador de curvas (b) Figura 1.- R relativamente alta Terminal negra (COM) 1 lTerminal roja (Víl) En la sección 1. Prueba con un óhmetro (Óhmetro) R relativamente baja Terminal roja (VQ) 1 1 (a) Terminal negra (COM) +-----'.44b.44 Verificación de un diodo mediante un óhmetro.7 se encontró que la resistencia en polarización directa para un diodo semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarización inversa. (Cortesía de Computronics Technology. La indicación resultante en el óhmetro será una función de la corriente establecida por la batería interna a través del diodo (a menudo 1.42 Multímetro digital con capacidad de verificación de diodos.--+.43 Verificación de un diodo en el estado de polarización directa..45 puede desplegar las características de una gran cantidad de dispositivos. Para la situación de polarización inversa la lectura debe ser bastante alta.5 V) por el circuito del óhmetro.. El trazador de curvas de la figura 1.t----I A o (a) 0. requiriendo.Figura 1. -'--I~. tal vez. menor será el nivel de resistencia.

1. lne.47 Revi. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje horizontal.¡\ I 9mA SmA mA Pordjvi~ión 7mA &mA horilOntal 100 m' 'mA 'mA 3mA 2mA U V ov O. lo que da por resultado los niveles indicados.SV 0. Observe que la escala vertical es de I mA/div. a medida que se investigan las características de diversos dispositivos. la escala es de 100 m V/div.46. (Cortesía de Tektronix.sión de la región Zener. obtener una imagen en la pantalla como la de la figura 1.0V .6V 0. Aunque.9V lmA DmA r> o g".figura 1.14 DIODOS ZENER La región Zener de la figura 1.SV 0. el instrumento parece ser muy complejo.45 Trazador de curvas. por diVj. El mismo instrumento aparecerá en más de una ocasión en los capítulos subsecuentes.2\1 03V 0. revela que la corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a aquella de un diodo con polarización directa.) Por divi~ión lOmA VenIC.ión 1.14 Diodos Zener Figura 1.46 Respuesta del trazador de curvas para el diodo de silicio IN4007. en principio. en vez de arriba y lejos para la región positiva VD. como se definió para un DDM. el manual de instrucciones y algunos momentos de contacto revelarán que los resultados deseados por lo general se pueden obtener sin mucho esfuerzo y tiempo.7\1 O. La característica cae de manera casi vertical en un potencial de polarización inversa denotado como Vz. Para un nivel de 2-mA. 35 .IV 0. Para el eje horizontal..- Figura 1.el voltaje resultante sería de 625 mV = 0.625 y.4\1 O. lo que da por resultado los niveles de voltaje que se indican.6. o 1..47 se analizó con cierto nivel de detalle en la sección 1.

5 en) 8. Tipo Jedec IN961 Vz dinámica Impedancia maxima de punto de inflexión Corriente Corriente Voltaje de prueba inversa máxima reguladora máxima IZM Coeficiente máxima ZZT O IZT ZZJ( o IZK en) 700 IR o VR (¡¡A) lO (V) lO emA) 12. Un incremento en el dopado.072 36 Capítulo 1 Diodos semiconductores . La localización de la región Zener puede controlarse mediante la variación de los niveles de dopado.. con rangos de potencia desde 1hasta 50 W. IZT Zener nominal.r= 12.49 Circuito equivalente de Zener: a) completo: b) aproximado.w= 32 mA Figura 1. Debido a su capacidad para soportar mayor temperatura y comente.5. TABLA 1.48 Dirección de la conducción: a) diodo Zener: b) diodo semiconductor. El diodo semiconductor."'f (a) r v-L - v. Para el diodo Zener la dirección de la conducción es opuesta a la de la flecha sobre el símbolo. El término "nominal" asociado con Vz indica que se trata de un valor típico promedio. En la figura 1. que la polarización de VD y de Vz son iguales.r 1 d l¡. Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan uno alIado de otro en la figura 1. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la región Zener.48 con objeto de asegurar que la dirección de la conducción se comprenda con todo detalle junto con la polarización requerida del voltaje aplicado.8 hasta 200 V. que produzca un aumento en el número de impurezas agregadas.49. en el estado "encendido". f . incluye una pequeña resistencia dinámica y una bateria igual al potencial Zener.50 se muestra un dibujo más grande de la región Zener con objeto de'pennitir una descripción de los datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla lA para un diodo Fairchild IN961 de 500-mW y 20%. .50 Características de prueba de Zener (FairchUd lN96l). Debido a que se trata de un diodo de 20%.48a.2 emA) 32 de temperatura típico e%rc) +0. 1 T (b\ Figura 1.10 .25 mA = I ZK "'.25 VR (V) 7. Los diodos Zener se encuentran disponibles con potenciales Zener desde 1. se puede esperar que el 'z v" /' ( v. Esta región de características únicas se utiliza en el diseño de los diodos Zener. y que el circuito equivalente es el que se indica en la figura 1.5 mA =8.4 Caractelisticas elécmcas (25°C de temperatura ambiente. Sin embargo. los cuales tienen el símbolo gráfico que aparece en la figura 1. + VD ~ID fa) lb) Figura 1.uA 1" Vz 0. como se muestra en la figura 1.5 emA) 0. para todas las aplicaciones siguientes se deberá suponer como primera aproximación que las resistencias son de magnitudes mucho mayores que la resistencia Zener equivalente. por lo general en la manufactura de los diodos Zener se prefiere silicio.Q=Zn lz. a menos que se observe lo contrario) Voltaje Impedancia Corriente de prueba. Observe. disminuirá el potencial Zener. de acuerdo con el comentario en la introducción de esta sección. soportará una corrienle en la dirección de la flecha en el símbolo.~--ffi-o + v¿ ~ 1. como si se hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera sido un elemento resistivo. a su vez.49b.

potencial Zener varíe cerca de 10 V ± 20% o entre 8 y 12 V en su rango de aplicación. También se encuentran disponibles diodos de 10% y 5% con las mismas especificaciones. La corriente de prueba 1ZT es la definida por el nivel ~ de potencia y ZZT es la impedancia dinámica en este nivel de corriente. La máxima impedancia del punto de inflexión ocurre en la corriente del punto de inflexión de JZK' La corriente de saturación inversa se alcanza en un nivel particular de potencia. e 1l.'VI representa la corriente máxima para la unidad de 20%. El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual en Vz con respecto a la temperatunl. Ésta se define por la ecuación .

%/OC

(1.12)

donde ~ Vz es el cambio que resulta en el potencia! Zener debido a la variación de la temperatura. Observe en la figura 1.51 que el coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo, o incluso hasta cero para diferentes niveles Zener. Un valor positivo reflejaría un incremento en Vz con un aumento en la temperatura. mientras que un valor negativo daría corno resultado la disminución en el valor con un incremento en la temperatura. Los niveles de 24 V, 6.8 V. y 3.6 V se refieren a tres diodos Zener que tienen estos valores nominales dentro de la misma familia Zener como el lN96l. Naturalmente. la curva para el lN96l de 10 V caería entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V Y 24 V. Regresando a la ecuación (1.12), Tu es la temperatura a la cual se ofrece Vz (por lo regular la temperatura ambiente. 25 OC), Y TI es el nuevo nivel. El ejetuplo l.3 demostrará el empleo de la ecuación (1.12).
Impedancia dinámica contra corriente Zener
1 kQ

Coeficiente de temperatura contra corriente Zener

E
:::

+0.12

,T"'"T l. -,"'-rT1L"Tl"1-' lil~;T l;-rr--c· 1
I

tf-~:2~~~~~'I.='~':l!!=I~!::~\*\~;!,=¡ttt=1 +Q.G4 tr~''-:·1~\J:j:t~i1:!¡tt:::d'j' l:::j
+0.08

500
el
200

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I 1
0.1 0.2 0.5 1 2
1
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"' m1v
6.8 V

,

2
1

12 L...J..:1-_'-.!.l_-'--'-CL..-'-.l..J.lL.~

0.01 0.050.1

0.5

J

5 10

50 100

5

10 20

" "50

100

CorrÍente Zener.

Iz - (mA)

Corriente Zener. Iz - (mA)
(b)

Figura 1.51 Características eléctricas para un diodo Zener Faírchild de 500 mW. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

Detenninar el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild 1N96l de la tabla 1.4 a una temperatura de lOO oc.

EJEMPLO 1.3

Solución
A partir de la ecuación (1.12).

1.14 Diodos Zener

37

Los valores sustituidos a partir de la tabla 1.4 generan (0.072)(10 V) (lOO oC _ 25 OC) lOO = (0.0072)(75)

= 0.54 V
y debido al coeficiente de temperatura positivo, un nuevo potencial Zener, definido por
V~ = Vz

V;, es

+ 0.54 V

= 10.54 V La variación en la impedancia dinámica (fundamentalmente, su resistencia en serie) con la corriente aparece en la figura 1.51b. Una vez más, el Zener de 10 V surge entre los Zeners de 6.8 V Yde 24 V. Observe que mientras más grande es la comente (o mientras más arriba se esté en el eje vertical de la figura 1.47), menor será el valor de la resistencia. Observe igualmente que cuando se cae abajo del punt? de inflexión de la curva, la resistencia se incrementa a niveles significativos. La identificación de la terminales y el encapsulado pata una variedad de diodos Zener aparece en la figura 1.52. La figura 1.53 es una fotografía de diversos dispositivos Zener. Observe que su aspecto es muy similar al diodo semiconductor. Algunas áreas de aplicación del diodo Zener se examinarán en el capítulo 2.

Figura 1.52 Identificación y símbolos de las terminales Zener.

figura 1.53 Diodos Zener.
(Cortesía de Siemens Corporation.)

1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ
El aumento en el uso de pantallas digitales en las calculadoras, relojes y todo tipo de instrumentos ha contribuido a generar el muy considerable interés que hoy en día existe respecto a las estructuras que emiten luz cuando se polarizan en forma apropiada. En la actualidad, los dos tipos que se utilizan con más frecuencia para llevar a cabo esta función son el diodo emisor de luz (LED, por las iniciales en inglés de: light emitting diode) y la pantalla de cristal líquido (LCD, por las iniciales en inglés de: liquid crystal display). Debido a que el LED entra

38

Capítulo 1 Diodos semiconductores

en la familia de los dispositivos de unión p-n, se estudiará en este capítulo y algunas de sus redes se estudiarán en los capítulos siguientes. La pantalla LCD se describe en el capítulo 20. Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que emite luz visible cuando se energiza. En cualquier unión p-n con polarización directa existe, dentro de la estructura y en forma primaria cerca de la unión. una recombinación de huecos y electrones. Esta recombinación requiere que la energía que posee un electrón libre se transfiera a otro estado. En todas las uniones p-n de semiconductor, parte de esta energía se emite como calor y otra parte en forma de fotones. En el silicio y el germanio el mayor porcentaje se genera en forma de calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP), el número de fotones de energía de luz emitida es suficiente para crear una fuente de luz muy visible.
Al proceso de emisión de luz mediante la aplicación de una fuente de energía eléctrica se le llama electroluminiscencia.

Como se muestra en la figura 1.54 con su símbolo gráfico, la superficie conductora conectada al material p es mucho más pequeña, con objeto de permitir la emisión de un número máximo de fotones de energía lumínica. Observe en la figura que la recombinación de los portadores inyectados debido a la unión con polarización directa genera luz, que se emite en el lugar en que se da la recombinación. Puede haber, desde luego, alguna absorción de los paquetes de energía de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se encuentra disponible para salir, según se muestra en la figura.

/ ' Luz visible /" emitida

+ e
(-)

----..
ID

-::--I"--~e ~
VD

el-

(b)

Contacto/ metálico

"" Contacto metálico

Figura 1.54 a) Proceso de electroluminiscencia en el LED; b) símbolo gráfico.

La apariencia y características de una lámpara subminiatura de estado sólido de gran eficiencia que fabrica Hewlett-Packard aparece en la figura 1.55, Observe, en la figura 1.55(b), que la corriente pico directa es de 60 rnA con 20 mA de corriente directa promedio típica, Sin embargo, las condiciones de prueba que se enumeran en la figura 1.55(c) corresponden a una corriente directa de 10 rnA, El nivel de VD bajo condiciones de polarización directa se indica como VF y se extiende de 2.2 a 3 V. En otras palabras, se puede esperar una corriente de operación típica de aproximadamente 10 rnA a 2.5 V para una buena emisión de luz, Aparecen dos cantidades que aún no se han identificado bajo el encabezado de características eléctricas / ópticas a TA = 25 oC, Estas son la intensidad lumínica axial (Iv) y la eficiencia lumínica (1), La intensidad de la luz se mide en candelas, Una candela emite un flujo de luz de 4n lúmenes y establece una iluminación de 1 candela pie en un área de 1 pie cuadrado a 1 pie de la fuente de luz, Aunque esta descripción quizá no ofrezca una comprensión clara de la candela como unidad de medida, su nivel bien puede compararse entre dispositivos similares. El término eficacia es, por definición, una medida de la capacidad de un dispositivo para generar un efecto deseado. Para el LED, este es el cociente del nÚmero de lúmenes generados por watt aplicado de energía eléctrica. Esta eficiencia relativa está definida por la intensidad
1,15 Diodos emisores de luz

39

---------

lumínica por unidad de corriente, según se muestra en la figura 1.55g. La intensidad relativa de cada color contra la longitud de onda se muestra en la figura 1.55d, Debido a que el LED es un dispositivo de unión p-n, tendrá una característica en polarización directa (figura 1.5Se) similar a las curvas de respuesta del diodo. Observe el incremento casi lineal en la intensidad lumínica relativa con corriente directa (figura 1.55f). La figura 1.55h revela que mientras más larga es la duración del pulso a una frecuencia en particular, menor será la corriente pico permitida (después de pasar el valor de ruptura de tp )' La figura 1.55i muestra que la intensidad es mayor a 0° (de cabeza) y la menor a 90° (cuando el dispositivo se observa desde un lada).

Valores máximos absolutos aTA

= 25 Oc
Rojo de afra eficiencia
~160

Parámetros
Disipación de potencia Corriente directa promedio Corriente directa pico Rango de temperatura de operación y almacenamiento Temperatura de soldadura de la cone;<..ión [1.6 mm (0.063 pulg) del cuerpo [1] Pérdida desde 50 oC a 0.2 mA/oC.

Unidades

120 20,11

mv,:

60 _55°C a 100 C
Q

mA mA

230°C durante 3 segundos

(a)

(b)

Características eléctricas/ópticas aTA = 25

Oc
Rojo de alta eficiencia

4160
Símbolo Descripción
Intensidad lumínica axial Incluyendo el ángulo entre los Pl..mtos de la mitad de intensidad lumínica Longitud de onda de pico Longitud de onda dominante Velocidad de respuesta Capacitancia Resistencia ténnica

Mínimo

npico
3.0 80

Máximo

Unidades
med

Condiciones de prueba

LO

deg.

Nota 1

635 628

om om

Medida en el pico Nota 2
VF = 0:1= 1 Mhz ünión a la conexión cátodo a 079 mm (.031 pulg) desde el cuerpo

90
II

pF

"'

120

°crw

Voltaje directo Voltaje de ruptura inverso Eficacia lumínica

2.2 5.0
147

3.0

v
V

lF=lOmA
IR=lOO~A

lmJW

)¡ota 3

NOTAS,
l. el.'~ es el ángulo fuera dd eje al cual la intensidad lumínica es la mitad de la intensidad lumínica axial. 2. La longitud de onda dominante, P.d , se deriva del diagrama de cromaticidad elE y representa la longitud de onda única que define el color del dispositivo. 3. La intensidad radiante. le' en watts/estereorradianes. se puede encontrar a partir de la ecuación 1,. = /,.ITf l • donde/l' es la intensidad lumínica en candelas y Tf,. es la eficacia luminica en lúmenes/waU.

(e)

FIgUra 1.55 Lámpara subminiatura roja de estado sólido de alta eficiencia de Hewlett-Packard; a) apariencia; b) valores nominales máximos absolutos; e) características eléctricas/ópticas; d) intensidad relativa contra longitud de onda; e) corriente directa contra voltaje directo; f) intensidad lumínica relativa contra corriente directa; g) eficiencia relativa contra corriente pico; h) corriente pico máxima contra duración del pulso; i) intensidad lumínica relativa contra desplazamiento angular. (Cortesía de Hewlett-packard Corporation.)

40

Capítulo 1 Diodos semicondnctores

1.or-----------r-~--~~--_r------~

__~~--------~------·----_,
. /' Rojo GaAsP

Verde

ii 0.5 f-------,II------\---+--¡'----+'r--=="+--~--__j

:g

-=
500
550 600

O~~~~~----~~~~~~~·---=~-----~==·_·~~~~-~=----~
650 700

;

750

Longitud de onda - nm
(d)

2O

<
o ü

T,

=
~

~ 25°~

3.0

,
r1'.4 = 25°C

1.6

15 2.0 10

.g
6 u
~-

"-O 2

/
V ../'
O
5

" , "

1.5

1.4
1.3

i:g
·1 ~s

,
/ /
l

--

-

5

1.0

/
10
15

ª

1.2
l.l

1.0 0.9

OR
07

o
O

/
05
1.0 1.5

o
2.0
2.5
3.0

20

0"

Vr - Voltaje directo - V

°

10
I p""
-

20

40

50

"o

I r - Corriente directa - mA
(f)

Comente pico - roA
(gl

(,¡

--->-

T

I~

,

....:ió,¡ ....:~ ...

~J~

El

10

100

(000

10.000

20°

rp - Duración del pulso - )..ls
(h)
(i)

Flgura L55 Continuación.

1.15 Diodos emisores de luz

41

Hoy en día, las pantallas de visualización LEO se encuentran disponibles en muchos tamaños y formas diferentes. La región de emisión de luz está disponible en longitudes desde 0.1 a 1 pulgada. Los números pueden crearse por segmentos como los que se ejemplifican en la figura 1.56. Al aplicar una polarización directa al segmento apropiado de material tipo p, se puede desplegar cualquier número del O al 9 .

.LtJ
I~0803,,-I

.t:C.-. oto" i .
~

'r"

O.IOO"Tip

smIDJ
--..11--

Flgura 1.56 Pantalla visual de segmentos Litronix.

La pantalla de visualización de la figura 1.57 ofrece ocho dígitos y se utiliza en calculadoras. Existen también lámparas LED con dos conexiones que contienen dos LED, de tal forma que una inversión en la polarización cambiará el color de rojo a verde o viceversa. Actualmente, los LED se encuentran disponibles en rojo, verde, amarillo, naranja y blanco; el blanco con azul estará disponible pronto. En general, los LEO operan a niveles de voltaje desde 1.7 hasta 3.3 V, lo cual los hace por completo compatibles con los circuitos de estado sólido. Tienen un tiempo de respuesta rápido (nanosegundos) y ofrecen buenas relaciones de contraste para la visibilidad. El . requerimiento de potencia suelen ser de 10 hasta 150 mW con un tiempo de vida de 100.000 horas o más. Su construcción de semiconductor le añade un significativo factor de fortaleza.

Figura 1.57 Pantalla visual para calculadora con ocho dígitos y signo. (Cortesía de Hewlett-Packard Corporation.)

1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS INTEGRADOS
Las características únicas de los circuitos integrados se presentarán en el capítulo 12. Sin embargo, se ha alcanzado una plataforma en la introducción de circuitos electrónicos que permite por lo menos hacer un examen superficial a los arreglos de diodos en circuitos integrados. Se encontrará que el circuito integrado no es un dispositivo único con características totalmente diferentes a aquellas que se analizarán en estos capítulos introductorios. Simplemente es una técnica que permite una reducción significativa en el tamaño de los sistemas electrónicos. En otras palabras, dentro del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discretos que estuvieron disponibles mucho tiempo antes que el circuito integrado como se le conoce actualmente, se convirtiera en una realidad.

42

Capítulo l

Diodos semiconductores

Un arreglo posible aparece en la figura 1.58. Observe que los ocho diodos son internos en el arreglo de diodos Fairchild FSAI4IOM. Esto es, en el encapsulado mostrado en la figura 1.59 existe un arreglo de diodos en una placa única de silicio que tiene todos los ánodos conectados a la terminal 1 y los cátodos de cada una a las terminales 2 al 9. Observe. en la misma figura, que la tenninal 1 puede detenninarse como la que está del lado izquierdo de la pequeña proyección o ceja del encapsulado si se mira desde abajo hacia el encapsulado. Los otros números siguen después en secuencia. Si sólo se utiliza un diodo, solamente se utilizarian las tenninales 1 y 2 (o cualquier otro número del 3 al 9).

FSA1410M
ARREGLO MONOLÍTICO PLANAR DE DIODOS AISLADOS DEL AIRE
. c ... 5.0 pF CMÁX)
. dV F
•••

15 mv (~ÁX) @ lOmA DIAGRA:vtA DE COl\"EXIÓl\" FSA]4 ]OM _55°C a +200 oC +150°C +260 oC 400mW 600mW 3.2 mW¡OC 4.8 mW¡OC

VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1) Temperaturas Rango de temperatura de almacenamiento :vtáxima temperatura de operación de la unión Temperatura en la conexión Disipación de potencia (Nota 2) Máxima disipación en la unión a 25 nc de ambiente Por encapsulado a 25 oC de ambiente Factor de pérdida de disipación lineal (desde 25 OC) en la unión Encapsulado Corriente y voltaje máximos WIV Voltaje inverso de trabajo Corriente directa continua Corriente de onda de pico directo Ancho de puLso = t.o s Ancho de pulso = l.o!ls

rfHtHH
2

J

4

5

6

7

8

9

Ver diagrama de base del encapsulado TO·96

55 V 350 mV

1.0 A
2.0A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (25 SÍMBOLO
I

Oc de temperatura ambiente a menos que se especifique lo contrarío)
MÍNIMO
I

CARACTERÍSTICA

MÁXIMO

UNIDADES

CONDICIONES DE PRUEBA
I

L 27. Voltaje de ruptura

60

!

v
1.5
11

V,

Voltaje directQ (Nota 3)

I
1

1.0 100 100 5.0 4.0
I

V V V

lF = 500 mA lF = 200 mA IF = 100 mA
V R =40V V R = 40 V

1,

Corriente inversa Corriente inversa (TA = 150°C) Capacitancia Voltaje pico directo
I
¡

nA
~A

I
i

e
V",
tú t rr

pF V

VR = O. f = 1 MHz
11 = 500 mA. Ir < 10 ns 11
_

I
I , I

Tiempo de recuperación directo Tiempo de recuperación inverso

40 10 50

n, n, n,
mV

500 mA.l, < 10 ns

I

I

l I = 1, =10- 200mA R L = IOOn. Rec. a 0.1 Ir II = 5ODmA.I, = 50mA R L = !DOn. Ret. a 5 mA

Igualdad de voltaje directo
NOTAS:

15

I

IF = lOmA

-----_._-

I Estos valore, son nlores limItes sobre Jo, cuales la vida O el de'empeño satIsfactorios pueden ser dañado, 2 Estos son límites estable~ de los estados. La fábrica debe ser con,ultada para aplicaciones que mvolucn:n operacIón con pulso o un Ctclo de tra1::>;¡Jo 1::>;¡jo. :; V F se mide utill2lmdo un pulso de & ms

Figura 1.58 Arreglo monolítico de diodos. (Cortesía de Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)

1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados

43

.... 0.230" +-

3

FIgura 1.59 Descripción del encapsulado TO-96 para el arreglo de diodos FSA1410M. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

~ Plano de montaje
0.500"

2
6

La forma del aislador de separación puede variar
Notas: Conex.iones de Kovar, banadas en oro Encapsulado sellado hennéticamente Peso del encapsulado: 1.32 gramos

7

~~~~~~~~~n

Vidrio

Los diodos restantes se quedarían "colgando" y no afectarían la red a la cual sólo estarían conectadas las terminales 1 y 2. Otro arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente, pero la secuencia de numeración aparece en el diagrama de base. La terminall es la que está directamente arriba de la pequeña muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales hacia abajo.

1

Diagramas de base FSA2500M

l'

TO-116-2 Descripción

0.785"

,

I

+" C:::::J
....L,..,...._~--:-..,.....---,
Plano de montaje

Ver descripción de! encapsulado TO-II6-2

-- -

o~r:"~:;::;;
t
.".';

~

Notas: Aleación 42. terminales estañadas Terminales bañadas en oro disponibles Encapsulado de cerámica sellado herméticamente

Figura 1.60 Arreglo monolítico de diodos. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

1.17 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
La computadora se ha convertido en una parte integral de la industria electrónica, de tal manera que las capacidades de esta "herramienta" de trabajo se deben presentar en la primera oportunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en computación, existe al principio un temor muy común hacia este poderoso sistema que parece complicado. Tomando esto en cuenta, el análisis por computadora de este libro fue diseñado para hacer que el sistema por computadora resulte más "amistoso", mediante la revelación de la relativa facilidad con que se puede aplicar para llevar a cabo algunas tareas muy útiles y especiales con una cantidad mínima de tiempo y un alto grado de exactitud. El contenido se escribió suponiendo que el lector no tiene experiencia previa en computación ni tampoco contacto con la terminología que se utilizará. Tampoco existe sugerencia alguna en cuanto a que el contenido de este libro sea suficiente para permitir una comprensión completa de los "cómos" y los "porqués" que surgirán. El propósito aquí es meramente presentar algo de la terminología, analizar algunas de sus capacidades, revelar las posibilidades disponibles, tocar algunas de las limitaciones y demostrar su versatilidad con un número de ejemplos cuidadosamente seleccionados. En general, el análisis por computadora de los sistemas electrónicos puede tomar uno de dos métodos: utilizando un lenguaje tal como el BASIC, Fortran, Pascal, o C, o utilizando un paquete de programación como PSpice, MicroCap 11, Breadboard, o Circuit Master, por nombrar unos cuantos. Un lenguaje, a través de su notación simbólica, construye un puente entre el

44

Capitulo 1

Diodos semiconductores

usuario y la computadora, el cual permite un diálogo entre los dos con el fin de establecer las operaciones que deben llevarse a cabo, El lenguaje que se usa en este libro es el BASIC, y se eligió debido a que emplea una cantidad de palabras y frases familiares de la lengua inglesa que revelan, por sí mismas, la operación que se desarrollará. Cuando se utiliza un lenguaje para analizar un sistema, se desarrolla un programa que define, en fanna secuencial, las operaciones que se llevarán a cabo, en su mayor parte, siguiendo el mismo orden con que se realiza el mismo análisis efectuando los cálculos a mano. Al igual que ocurre con el método de calcular a mano, un paso incorrecto y el resultado que se obtiene carecerá por completa de significado. Obviamente, los programas que se desarrollan con tiempo y aplicación son medios más eficaces para obtener una solución. Una vez que se establecen en su e"mejor" forma, se pueden catalogar y utilizar posterionnente. La ventaja más importante del método de los lenguajes radica en que el programa puede adaptarse con objeto de satisfacer todas las necesidades especiales del usuario. Permite que este último haga "movimientos" especiales que darán por resultado la obtención de datos en forma impresa, de manera informativa e interesante. El método alterno que se describió antes utiliza un paquete de computadora para llevar a cabo la investigación deseada. Un paquete de programación es un programa escrito y probado durante cierto tiempo, que se diseña para realizar un tipo de análisis o síntesis en particular de manera eficiente y con un alto nivel de exactitud. El paquete en sí no puede ser alterado por el usuario y su aplicación está limitada a las operaciones que se integran al sistema. Un usuario debe ajustar su deseo de información de salida al rango de posibilidades que ofrece el paquete. Además, el usuario debe capturar información, tal y como lo exige el paquete, o de lo contrario los datos pueden ser malinterpretados, El paquete de programación que se eligió para este libro es PSpice.* En la actualidad, PSpice se encuentra disponible en dos formas: DOS y Wmdows, El formato DOS fue el primero que se introdujo y es el más popular hoy en día. Sin embargo, la versión Windows cobra cada vez más aceptación confonne los usuarios conocen sus capacidades. Es como todo: una vez que se logra dominar un método que hará el trabajo por nosotros, se genera menos entusiasmo por tomar el tiempo para aprender otro método del que se obtendrán resultados similares, Sin embargo, los autores confIrman que confonne se conoce más la versión Wmdows, ésta ofrece algunas características interesantes que bien vale la pena investigar. La versión de DOS que se usa en este texto es la 6.0 y la de Windows es la 6.1. En MicroSim, ubicada en Irvine, California, se encuentran disponibles copias para evaluación, En la fIgura 1.61 aparece una fotografía de un paquete de Centro de Diseño completo con la versión CDROM 6.2, También se encuentra disponible en discos flexibles de 35", Una versión más compleja, que se denomina SPICE, está encontrando una amplia gama de aplicaciones en la industria, Por tanto, en general, un paquete de programación está "empacado" para realizar una serie de cálculos y operaciones, y para ofrecer los resultados en un formato definido. Un lenguaje

F¡gura 1.61 Paquete de diseño PSpice. (Cortesía de MicroSim Corporatíon.)
*PSpice es una marca registrada de MicroSim Corparation.

1,17

Análisis por computadora

45

permite un mayor nivel de flexibilidad, pero también omite los beneficios que brindan las numerosas pruebas y la investigación exhaustiva que se suelen realizar para desarrollar un paquete ~'confiable". El usuario debe definir cuál método satisface mejor sus necesidades del momento. Obviamente, si existe un paquete para el análisis o síntesis que se desea realizar, debe considerarse antes de optar por las muchas horas de trabajo que se requieren para desarrollar un programa confiable y eficiente. Además, es posible adquirir los datos que se necesitan para un análisis en particular de un paquete de programación y luego buscar un lenguaje para definir el formato de salida. En muchos aspectos, los dos métodos van de la mano. Si alguien continuamente tiene que depender del análisis por computadora, es necesario que conozca el uso y las limitaciones tanto de los lenguajes como de los paquetes. La decisión en cuanto a con qué lenguaje o paquete conviene familiarizarse es, básicamente, una función del área de investigación. Sin embargo, por fortuna, el conocimiento fluido de un lenguaje o un paquete específico ayudará al usuario a familiarizarse con otros lenguajes y paquetes. Existen similitudes en propósitos y procedimientos que facilitan la transición de un método a otro. En cada capítulo se harán algunos comentarios respecto al análisis por computadora. En algunos casos aparecerá un programa BASIC y una aplicación PSpice, mientras que en otras situaciones sólo se aplicará uno de los dos. Conforme surja la necesidad de entrar en detalles, se proporcionará la información necesaria para permitir cuando menos una comprensión superficial del análisis.

PSpice (versión DOS)
Este capítulo aborda las características del diodo semiconductor en particular. En el capítulo 2 el diodo se investiga utilizando el paquete PSpice. Como un primer paso dirigido hacia tal análisis, se presenta ahora el "modelo" para el diodo semiconductor. La descripción en el manual PSpice incluye un total de 14 parámetros para definir sus características tenninales. Éstos incluyen la corriente de saturación, la resistencia en serie, la capacitancia de la conexión, el voltaje de ruptura inverso, la corriente de ruptura inversa, y muchos otros factores que en caso necesario pueden especificarse para el diseño o análisis que vaya a realizarse. La especificación de un diodo en una red tiene dos componentes. El primero especifica la ubicación y nombre del modelo, el otro incluye los parámetros que se mencionan antes. El fonnato para definir la ubicación y el nombre del modelo del diodo es el siguiente para el diodo de la figura 1.62:
'-v-'

Dl

(+)

o--I~II--~o

2

3

(-)

Figura 1.62 Etiquetas de PSpice para la captura de diodos en la descripción de una red.

2

'-v-'

3

'-v-'

DI

+
nombre nodo nodo nombre del modelo

Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del renglón seguida por la identificación que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de los nodos (puntos de conexión para los diodos) define el potencial en cada nodo y la dirección de la conducción para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conducción se especifica a partir del nodo positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la descripción del parámetro que sigue. El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier número de diodos en la red, como D2, D3, Y así sucesivamente. Los parámetros se especifican cuando se usa una instrucción MODEL que tiene el fonnato siguiente para un diodo:
MODEL
'-v-'

DI

nombre del modelo

D(IS = 2E - 15) '---" especificaciones de parámetro

La especificación se inicia con los datos .MODEL seguido por el nombre del modelo según se especificó en la descripción de la ubicación y la literal D para especificar un diodo.

46

Capítulo 1 Diodos semiconductores

Las especificaciones del parámetro aparecen en paréntesis y deben utilizar la notación que se especifica en el manual PSpice. La corriente de saturación inversa se encuentra listada como IS y se le asigna un valor de 2 x 10- t5 A. Se eligió este valor debido a que, por lo general, resulta en un voltaje de diodo de cerca de 0.7 V para niveles de corriente de diodo que con frecuencia se encuentran en las aplicaciones que se analizan en el capítulo 2. De esta manera, del análisis manual y por computadora se obtendrán resultados relativamente cercanos en cuanto a magnitud. Si bien en el listado anterior se especificó un parámetro, la lista puede incluir los 10 parámetros que aparecen en el manual. Para los dos enunciados anteriores, es en particular importante seguir el fonnato según se definió. La ausencia de un punto antes de MODEL o la omísión de la letra D en el mismo renglón invalidarán por completo el registro.

Análisis del centro de diseño PSpice en Windows
Cuando se utiliza el PSpice para Windows, el usuario dibuja la red en un esquema en lugar de capturar renglón por renglón empleando los nodos de referencia. Por tanto, una fuente para cada elemento debe encontrarse disponible para colocarlos en la pantalla. Primero, se debe establecer una pantalla de esquemas (siguiendo un procedimiento de instalación que se deja a criterio del usuario), y luego se selecciona la opción Draw (Dibuja) desde la barra de menúes. Una vez seleccionado, aparecerá una lista de opciones de las cuales se elige Gel New.Part (Seleccionar una nueva parte). Aparecerá una caja de diálogo; se selecciona Browse (Hojear), lo cual lleva a la caja de diálogo de Get Part (Traer parte). Se escoge la biblioteca eval.slb del listado de librerías y se recorre la lista de Partes (part) hasta que se encuentra DIN414S. Cuando se hace "click", la Descripción (Description) superior revelará que se trata de un diodo. Se hace "click" en OK y aparecerá un símbolo de diodo en la pantalla de esquemas. Después que se mueve el diodo a la posición deseada. un "click" adicional dejará el diodo y añadirá las etiquetas DI y DIN414S. Cuando se haga "click" con el botón derecho pel apuntador (motise), se completa la secuencia de colocación del diodo. Si se deben cambiar los parámetros del diodo, simplemente de hace "c1ick" una vez (y sólo una vez) al símbolo del diodo en el esquema y luego se hace "c1ick" otra vez en la opción de Edición (Edit) en la barra de menú. Se elige el Modelo (Model) y luego Editar Modelo Ejemplificado (Edit Instance Model) (debido a que se desea establecer parámetros para una sola aplicación) y una caja de diálogo del Editor de Modelos (Model Editor) aparecerá con los parámetros del diodo. Los cambios en el modelo del diodo se pueden llevar a cabo en la caja de diálogo para ser utilizados en la aplicación real. Si no se observa la pantalla, lo anterior puede resultar algo difícil de seguir y comprender. Lo mejor sería obtener el modelo para su evaluación, inicializar la pantalla y realizar las operaciones en el orden indicado. En el siguiente capítulo se presentará una red real que ayudará en el proceso de revisión.

§

},2 Diodo ideal

PROBLEMAS

1. Describa, con sus propias palabras, el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispositivo o a un sistema.

2. Describa. con sus propias palabras, las características del diodo ideal y cómo se determinan los estados "encendido" y "apagado" del dispositivo. Es decir, describa por qué son adecuados los equi~ valentes de circuito cerrado y circuito abierto.

3. ¿Cuál es la diferencia más importante entre las características de un simple intenuptor y aquellas de un diodo ideal?

§

1.3 Materiales semiconductores

4. Con sus propias palabras, defina semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y resistencia
de contactos óhmicos.

S. a) Utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un área de 1 cm2 y una longitud de 3 cm. b) Repita el inciso a si la longitud es de 1 cm y el área de 4 cm2 . c) Repita el inciso a si la longitud es de 8 cm y el área de 0.5 cm2 • d) Repita el inciso a para el cobre y compare los resultados.

Problemas

47

6. Dibuje la estructura atómica del cobre y analice por qué es un buen conductor y cómo su estructura es diferente del gennanio y del silicio.
7. Defina, con sus propias palabras. un material intrínseco, un coeficiente de temperatura negativo y una unión covalente. 8. Consulte su biblioteca de referencia y mencione tres materiales que tengan un coeficiente de temperatura negativo y tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.

§

1.4 Niveles de energía

9. ¿Cuánta energía en joules se necesita para mover una carga de 6 C a través de una diferencia en potencial de 3 V? 10. Si se requieren 48 eV de energía para mover uoacarga a través de una diferencia de potencial de 12 Y, determine la carga involucrada.

11. Consulte su biblioteca de referencia y precise el nivel de E" para GaP y ZnS, dos materiales semiconductores de valor práctico. Además. determine el non~bre escrito para cada material.

§

1.5 Materiales extrinsecos: tipo n y tipo p
11

12. Especifique la diferencia entre los materiales semiconductores tipo

y tipo p.

13. Explique la diferencia entre las impurezas donoras y aceptaras. 14. Describa la diferencia entre los portadores mayoritarios y minoritarios.

15. Dibuje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como se mostró para el silicio en la figura 1.9.
16. Repita el problema 15, pero inserte una impureza de indio.

17. Consulte su biblioteca de referencia y localice otra explicación para el flujo de huecos contra el de electrones. Utilizando ambas descripciones, señale con sus propias palabras, el proceso de la conducción de huecos.

§

1.6 Diodo semiconductor

18. Explique, con sus propias palabras, las condiciones establecidas por las condiciones de polarización directa e inversa en un diodo de unión P-ll, y la manera en que se afecta la corriente resultante. 19. Describa, cómo recordará los estados de polarización directa e inversa en el diodo de unión p-n. Es decir, ¿cómo recordará cuál potencial (positivo o negativo) se aplica a cuál terminal?
20. Utilizando la ecuación (1 .4), precise la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio con l ~ = 50 nA y una polarización directa aplicada de 0.6 V. 21. Repita el problema 20 para T = 100 oC (punto de ebullición del agua). Suponga que Is se incrementó a 5.0 ¡LA. 22. a) Utilizando la ecuación (lA), detennine la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio con Is = 0.1 J1A a un potencial de polarización inversa de -10 V. b) ¿El resultado es el esperado? ¿Por qué? 23. a) Grafique la función y::;; eX para x desde O hasta 5. b) ¿Cuál es el valor de y = eX para x = O? c) Basándose en los resultados del inciso b, ¿por qué es importante el factor -1 en la ecuación (lA)? 24. En la región de polarización inversa la corriente de saturación de un diodo de silicio es de aproximadamente 0.1 Ji.A (T = 20 OC). Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa 40 oC. 25. Compare las características de un diodo de silicio y uno de gennanio y detennine cuál preferiría utilizar para la mayor parte de las aplicaciones prácticas. Proporcione algunos detalles. Refiérase a características de fabricante y compare las características de un diodo de germanio y uno de silicio de valores máximos similares. 26. Detennine la caída de voltaje directo a través del diodo cuyas características aparecen en la figura 1.24 a temperaturas de -75 oC, 2S oC, 100 oC y 200 oC y una corriente de 10 mA. Para cada temperatura precise el nivel de la corriente de saturación. Compare los extremos de cada una y haga un comentario sobre la relación de ambos.

48

Capitulo I

Diodos semiconductores

§

1.7 Niveles de resistencia

27. Determine la resistencia estática o de del diodo disponible en el mercaao ae la figura 1.19 con una corriente directa de 2 mA. 28. Repita el problema 26 con una corriente directa de 15 mA Y compare los resultados. 29. Determine la resistencia estática o de del diodo disponible en el mercado de la figura 1.19 con un voltaje inverso de -10 V. ¿Cómo se compara con el valor determinado para un voltaje inverso de -30 V? 30. a) Determine la resistencia dinámica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10 mA utilizando la ecuación (1.6). b) Precise la resistencia dinámica (ae) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10 mA utilizando la ecuación (1.7). e) Compare las soluciones de los incisos a y b.

31. Calcule las resistencias dc y ac para el diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de lOmA y compare sus magnitudes. 32. Utilizando la ecuación (1.6), determine la resistencia ac con una corriente de 1 mA y 15 mA para el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y d~sarrol1e una conclusión general respecto a la resistencia ac y a los crecientes niveles de corriente del diodo. 33. Utilizando la ecuación (1.7), determine la resistencia lC con una corriente de 1 mA y 15 mA para el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuación cuando sea necesario para los niveles bajos de corriente de diodo. Compare con las soluciones que obtuvo en el problema 32. 34. Determine la resistencia ac promedio para el diodo de la figura 1.19 para la región entre 0.6 y 0.9 V. 35. Determine la resistencia ac para el diodo de la figura 1 19 a 0.75 Vy compare con la resistencia ac promedio obtenida en el problema 34.

§

1.8 Circnitos equivalentes para diodos

36. Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de la figura 1.19. Utilice un segmento de línea recta que interseque el eje horizontal en 0.7 V Y que mejor se aproxima a la curva para la región mayor a 0.7 V. 37, Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29.

§

1.9 Hojas de especificaciones de diodos

* 38.

Grafique 1F contra VF utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Observe que la gráfica que se presenta utiliza una escala logarítmica para el eje vertical (las escalas logarítmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3). inversa para el diodo BAY73.

39. Comente el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de polarización 40. ¿Cambia significativamente en magnitud la corriente de saturación inversa del diodo BAY73 para
potenciales de polarización inversa en el rango de -25 Va-lOO V?

* 41.

Detennine para el diodo de la figura 1.36 el nivel de IR a temperatura ambiente (25 OC) Y en el punto de ebullición del agua (100 OC). ¿Es significativo el cambio? ¿Casi se duplica el nivel por cada incremento de 10 oC en la temperatura?

42. Para el diodo de la figura 1.36 detenrune la resistencia en ac máxima (dinámica) con una corriente directa de 0.1 mA, 1.5 mA Y20 mA. Compare los niveles y comente si los resultados respaldan las
conclusiones derivadas en las primeras secciones de este capítulo. 43. Utilizando las características de la figura 1.36, determine los niveles máximos de disipación de potencia para el diodo a temperatura ambiente (25 OC) Y 100 oC. Suponiendo que VF permanece fijo a 0.7 V, ¿cómo ha cambiado el nivel máximo de IF entre los dos niveles de temperatura?

44. Haciendo uso de las características de la figura 1.36, detennine la temperatura en la cual la corriente del diodo será del 50% de su valor a temperatura ambiente (25 OC).

Problemas

49

14 Diodos Zener SO. Refiriéndose a la figura 1.2 mA. Describa. V R = 16. Suponga una escala lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0. Determine la proporción del cambio en capacitancia al cambio en el voltaje. § 1.63 Problema 49.4). Compare los niveles de impedancia dinámica para el diodo de 24 V de la figura 1. con sus propias palabras.55 si la corriente pico crece de 5 a 10 mA? b) Repita el inciso a para 30 a 35 mA (el mismo incremento en corriente).37. c) Compare el porcentaje de incremento de los incisos a y b. determine la capacitancia de transición con potenciales de polarización inversa de -25 V Y-10 V. 53. Detennine la impedancia dinámica para el diodo de 24 Valz = lOmA para la figura 1. * 51 ¿A qué temperatura tendrá el diodo Zener IN961 10 V Fairchild un voltaje nominal de 10.1 mA. e) ¿Cómo se comparan las proporciones detenninadas en los y b? ¿Qué le indica a usted acerca de cuál rango tendrá más áreas de aplicación práctica? 46. 52. detennine la capacitancia de difusión a O V Y a 0. a un potencial directo de 0. ¿cuál parecería ser un valor apropiado de VT para este dispositivo? ¿Cómo se compara con el valor de Vr para el silicio y el germanio? 57. 54.8 V a una temperatura de 100 oC. determine el voltaje directo a través del diodo si la intensidad lumínica relativa es de 1.5 1b a los niveles de corriente de 0.2 V Y a un potencial inverso de -20 V si la frecuencia que se aplica es de 6 MHz.15 Diodos emisores de lnz 56. § 1. Utilizando las curvas de la figura 1. ¿Cómo se relacionan los resultados a la forma de las características en esta región? § 1.25 V. Dibuje la curva característica de la manera que tiene en la figura 1. Utilizando la infonnación que se proporciona en la figura 1. RefIriéndose a la fIgura 1.75 V? (Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.5 1b. Dibuje la fonna de la onda para i en la red de la figura 1.37. 48. 20}lA Y 12M :: 40 mA. !O ti = 5 ns 10 k!l o . ¿qué nivel de coeficiente de temperatura esperaría para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de S V. Las siguientes características están especificadas para un diodo Zener en particular: V z = 29 V.§ * 45.11 Tiempo de recnperación inverso 49.55e. ¿Cuál es la proporción del cambio en la capacitancia al cambio en el voltaje? b) Repita el inciso a para potenciales de polarización inversa de -10 V Y -1 V. IR:.51 a.10 Capacitancia de transición y difusión Con referencia a la figura 1. Detenmne la reactancia ofrecida por un diodo descrito con las características de la figura 1.5 Figura 1.5.37. 1 roA.55. a 47. * SS. Observe que se trata de una escala logarítmica.63 si tI = 2ts Y el tiempo total de recuperación inverso es de 9 ns. Y 10 mA.50. a) 1. a) ¿Cuál es el porcentaje de incremento en la eficiencia relativa de la figura 1. * 58. Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (caracterizado a 25 OC) si el voltaje nominal cae a4. cómo difieren las capacitancias de difusión y de transición.8 V. Izr:: 10 mA. ¿En qué punto de la curva diría usted que se gana poco al seguir aumentando la corriente pico? 50 Capitulo I Diodos semiconductores .

55. detenrune la corriente pico tolerable máxima.* 59. 60. a) Si la intensidad lumínica en un desplazamiento angular de 0° es de 3. a) Refiriéndose a l~ figura 1. Problemas 51 . (Observe los valores máximos promedio.55h.75 mcd? b) ¿A qué ángulo cae la pérdida de intensidad lumínica debajo del nivel de 50%? * 61.la frecuencia es de 300 Hz y la máxima corriente dc tolerable es de 20 mA.0 mcd para el dispositivo de la figura 1.55a como se determinó para la temperatura. si el periodo de la duración del pulso es de 1 ms. ¿a qué ángulo será de 0.) *Los asteriscos indican problemas más difíciles. b) Repita el inciso a para una frecuencia de 100 Hz. Dibuje la curva de pérdida de corriente para la corriente directa promedio del LED rojo de alta eficiencia de la figura 1.

.

El análisis abarcará desde el que emplea las características reales del diodo hasta el que utiliza. también se proporcionan detalles suficientes con objeto de permitir que quien lo desee. La variación puede ser ligera. ¿Es la resistencia nominal de 100 ü exactamente igual a 100 ü? ¿El voltaje aplicado es exactamente igual a 10 V o quizá 10. El rango de aplicaciones no tiene fin. esté en condiciones de realizar un análisis matemático minucioso. una vez que se comprende con claridad el componamiento básico de un dispositivo. El objetivo principal del presente capítulo es desarrollar un amplio conocimiento práctico sobre el diodo en una variedad de configuraciones utilizando los modelos adecuados para el área de aplicación. Los conceptos que aprenda en este capítulo aparecerán de ·rnanera recurrente en los subsiguientes. casi exclusivamente. las características de un diodo semiconductor lN4001 pueden variar de un elemento a otro dentro de un mismo lote. sin embargo. los diodos se utilizan a menudo en la descripción de la construcción básica de los transistores y en el análisis de las redes de transistores en de yac. 53 . En este libro el énfasis se centra en el desarrollo de un conocimiento práctico de un dispositivo. También se deben considerar los otros elementos de la red. se comprenderá con claridad el patrón básico de componamiento de los diodos en las redes de de yac. Por lo general. se pueden determinar su función y respuesta en una variedad infinita de configuraciones. En otras palabras. evitando así un nivel innecesario de complejidad matemática. Por ejemplo. Es importante que la función y respuesta de varios elementos dentro de un sistema electrónico se comprendan sin tener que repasar de forma continua procedimientos matemáticos prolongados y tediosos. mediante la utilización de las aproximaciones adecuadas. modelos aproximados. Sin embargo. el cual por sí mismo se puede considerar un arte. las características y los modelos no sufren cambio alguno.CAPÍTULO Aplicaciones de diodos 2.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia general en cuanto a que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de aproximaciones~ quizá resulte tan "exacta" como una en la que se utilizan las características en su totalidad. características y modelos de los diodos semiconductores se analizaron en el capítulo l. tenga en cuenta que también las características obtenidas de la hoja de especificaciones pueden ser un poco distintas a las que se obtengan del uso real del dispositivo. Si bien los resultados que se obtienen al utilizar las características reales pueden diferir un poco de aquellos en los que se requiere una serie de aproximaciones.1 INTRODUCCIÓN La construcción. esto se lleva a cabo a través del proceso de aproximación. El contenido de este capítulo revela una faceta interesante y muy positiva del estudio de un campo tal como el de los dispositivos electrónicos y los sistemas. pero a menudo será suficiente para validar las aproximaciones utilizadas en el análisis. Una vez que concluya este capítulo.

la técnica se usa de manera frecuente en los capítulos siguientes.1) ID (mA) Las dos variables en la ecuación (2.1 que utiliza un diodo. Por tanto. Si se establece ID = OAen la ecuación (2. b) características. Las intersecciones de la recta de carga sobre las características pueden detenninarse con facilidad si se considera que en cualquier lugar del eje horizontal ID = O A Y que en cualquier lugar del eje vertical VD'" O V.1 b. Si se cambia el nivel de R (la carga). con VD = O V la ecuación (2. y en un punto de intersección diferente entre la recta de.1) se convierte en E = VD + Irft = VD + (OA)R y VD '" EIID = oA I (2. El hecho de que esta corriente y la dirección de conducción definida del diodo sean "semejantes".1) se convierte en o (b) y ID = R El VD = OY (2.VD .1 Configuración de diodo en serie: a) circuito.lb. Aunque la mayor parte de las redes de diodos que se analizan en este capítulo no utilizan el sistema de la recta de carga. El punto de intersección entre las dos es el punto de operación para este 54 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos . es decir. el cual tiene las características de la figura 2.1a que la "presión" que proporciona la batería tiene como objetivo establecer una corriente a través del circuito en serie.2. con ID = O A la ecuación (2. y el primer cuadrante (VD e ID positivos) de la figura 2. la carga aplicada tendrá un impacto importante en el punto o región de operación del dispositivo.3) como lo señala la figura 2. y esta introducción ofrece la aplicación más simplificada del método.VR (a) -"+ ID + + VD -l E_ ( + R VR =O o I E = VD + Irft I (2. La intersección de la recta de carga con las características determinará el punto de operación del sistema.1) (VD e ID) son las mismas que las variables de los ejes del diodo de la figura 2. indica que el diodo está en estado "encendido" y que se establece la conducción. Una línea recta dibujada entre los dos puntos definirá una recta de carga como la descrita en la figura 2. Ahora se tiene una recta de carga definida por la red y una curva de características definida por el dispositivo.1) y se resuelve para ID' se tiene una magnitud de ID sobre el eje vertical.• 2. carga y las características del dispositivo. Si se establece VD = O V en la ecuación (2. como lo indica la figura 2.1a dará por resultado E . se puede dibujar una línea recta sobre las características del dispositivo que represente la carga aplicada.2.1b será la región de interés. La polaridad resultante a través del diodo será como se señala. Considere la red de la figura 2. Por razones obvias. la región de polarización directa.1 b. Obsérvese en la figura 2. Por tanto. Esta similitud permite una graficación de la ecuación (2.2 ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA Normalmente. El resultado será un cambio en la pendiente de la recta de carga. Si el análisis se debe llevar a cabo de manera gráfica. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 2. Pennite de igual fonna una validación de la aproximación de la técnica descrita a lo largo del resto del capítulo.2.1) y se resuelve para VD' se tiene la magnitud de VD sobre el eje vertical. cambiará la intersección sobre el eje vertical. de acuerdo con el sentido de las manecillas del reloj. a este análisis se le llama análisis mediante la recta de carga.2) Figura 2.1) sobre las mismas características de la figura 2.

Mediante el sencillo dibujo de una línea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede determinarse el voltaje del diodo VD' mientras que una línea horizontal a partir del punto de intersección y hasta el eje vertical dará el ~ivel de ID . Determinar para la configuración de diodos en serie de la figura 2. 2./ Caracteósticas (dispositivo) Punto Q '.3a usando las características de diodo de la figura 2. por las palabras en inglés de: Quiescent PoinT) y refleja sus cualidades de "estable y sin movimiento" según se definió para una red de de. El análisis de la recta de carga descrito antes ofrece una solución con un mínimo de esfuerzo. las matemáticas involucradas requerirían del uso de técnicas no lineales que están fuera de las necesidades y objetivo de este libro. b) características. Puesto que la curva para un diodo tiene características no lineales. En general.3). al punto de operación se le llama punto estable (abreviado "Q-pt". y una descripción "pictórica" de la razón por la cual se obtuvieron los niveles de solución para VDQ e 1DQ' Los siguientes dos ejemplos demostrarán las técnicas que se presentaron..3 a) Circuito.1) Y (1.2 Dibujo de la recta de carga y la selección del punto de operación. las cuales ofrecen una facilidad relativa con la que puede dibujarse la recta de carga utilizando las ecuaciones (2.4 ) [ID = IsCeKvD/TK . La corriente ID es en realidad la corriente a través de toda 1a conflgúración en serie de la figura t.. La solución que se obtiene por la intersección de las dos curvas es la misma que podría conseguirse mediante la solución matemática de las ecuaciones simultáneas (2.2) y (2.la. o E Figu!'a 2. circuito.3b: a) VDQ e IDQ • b) VR • EJEMPLO 2.5 0..8 (b) • Figura 2.2 Análisis mediante la recta de carga 55 . Si R 9 8 7 > 1 k.Q VR + 6 5 4 3 2 o 0.1 10 + .1)]..

78V Q Q ID ".4. Es cierto que los resultados ofrecen una magnitud esperada para el voltaje VR.7 V = 9.0. 56 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .3 V VR I DQ '" 4. Un grado más alto de exactitud requeriría de una gráfica mucho más grande.25 V o VR =E-VD =IOV-0..25 mA ¡n (mA) '" lO 9 8 7 6 5 4 3 2 o 0. una vez más.= 10 mA IkQ La ecuación (2.6mA La diferencia en los niveles se debe.22V La diferencia en los resultados se debe a la exactitud con la cual se pueda leer la gráfica.4 Solución al ejemplo 2.78V=9..2): ID = -E I R VD=OV 10V = .O. EJEMPLO 2.2): ID = !.2 V con VR = E . La intersección entre la recta de carga y la curva característica define el punto Q COffi<? VD ".O.I R VD = ov =~=5 2 kQ mA La ecuación (2.5. b) VR = I.1 con R = 2 kQ.Solución a) La ecuación (2.VD = 10 V . Es ideal cuando los resultados que se obtienen de una ti otra manera son los mismos.25mA El nivel de VD es una estimación y la exactitud de ID está limitada por la escala elegida. Solución a) La ecuación (2.3): VD = EI1D=DA = IOV La recta de carga resultante aparece en la figura 2.1.R = ID R Q = (9.6 mA)(2 kQ) = 9. .2 Repetir el análisis del ejemplo 2.5 \ J 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (E) VD (V) Figura 2. a la exactitud con la cual se pueda leer la gráfica.25 mA)(1 kQ) = 9.9.7V Q b) = IRR = IDQR = (4.3): VD = EIID = DA = lO V La recta de carga resultante aparece en la figura 2.. El punto Q resultante está definido por VD ". I DQ == 9. Obsérvese la pendiente reducida y los niveles de corriente del diodo para las cargas crecientes.

10 9 8 f 7 Punto Q 11\! == 4. 2.25 mA IDQ =9.5 Solución al ejemplo 2.2 Análisis mediante la recta de carga 57 . Repetir el ejemplo 2. El punto Q resultante: VD Q EJEMPLO 2.3 = 0. Las características del circuito equivalente aproximado para el diodo también se han trazado en la misma gráfica. la recta de carga será exactamente la misma que se obtuvo en los ejemplos anteriores.1.6. Si se recurre al modelo aproximado para el diodo y no se cambia la red.1 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor' de silicio.2.7V Figura 2.25 mA 10 9 8 7 6 5 4 3 2 O 05 \1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD (V) Figura 2.1) o 05 \ I 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (E) VDQ == O. los siguientes dos ejemplos repiten el análisis de los ejemplos 2. Solucióu Se dibuja de nuevo la recta de carga según se muestra en la figura 2.1 usando el modelo aproximado del diodo.1 y 2. con la misma intersección como se definió en el ejemplo 2.6 mA 4 ''1 3 (del ejemplo 2. Como se observa en los ejemplos anteriores.6 Solución al ejemplo 2. mientras las características están definidas para el dispositivo elegido.7 V ID Q = 9. De hecho.2 mediante el empleo del modelo aproximado para permitir una comparación de los resultados. la recta de carga está determinada sólo por la red aplicada.

7V figura 2. pero es cierto que están en la misma vecindad. pero ahora las características ideales se intersecan con la recta de carga en el eje vertical.Los resultados que se obtienen en el ejemplo 2.4.4 los resultados que se obtienen tanto para VD como para IDo son los mismos que los que resultaron empleando las características compfetas en el ejemplo 2. porque el nivel de ID es exactamente el mismo que el del ejemplo 2. EJEMPLO 2.1 usando el modelo del diodo ideal.2.3 son muy interesantes.1 empleando una curva de características qu~ resulta mucho más fácil dibujar que la que aparece en la figura 2. que el uso de las aproximaciones adecuadas puede dar como resultado la obtención de soluciones que son muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproducción adecuada de las características. Esto sugiere. Los resultados indicarán las condiciones que deben ser satisfechas para poder aplicar el equivalente ideal de forma adecuada. Los ejemplos anteriores demuestran que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al utilizar el modelo aproximado. con la misma intersección definida en el ejemplo 2.7. si se comparan sus magnitudes con las de los otros voltajes en la red. En el ejemplo 2.7 V 4.2 3 4 6 7 8 9 10 VD (V) utilizando el modelo aproximado del diodo.2. Solución En la figura 2.5 \1 V DQ ~ =>-.7 Solución al ejemplo 2.1 tiene una diferencia en magnitud del orden de las centésimas. El nivel de VD ~ 0.6 mA lo Q 1/)(mA) 10 9 8 7 6 I DQ =: 4.78 V del ejemplo 2. son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las características completas.cIf-o- 5 0. EJEMPLO 25 Repetir el ejemplo 2. eligiendo a su vez una escala lo suficiente grande.4 Repetir el ejemplo 2. Las características del circuito equivalente aproximado para el diodo también se dibujaron en la misma gráfica.7 V contra 0. Por tanto. como se verá al aplicarlo en las próximas secciones. Solución La recta de carga se dibuja de nuevo como lo indica la figura 2.6 mA 5 4 -0.7 V 3 2 O 2 =:O.2 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor de silicio. el punto Q está definido por VDQ = O V IDo = lOmA 58 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .8 se mostró cómo la recta de carga continúa siendo la misma. El punto Q resultante: VDQ ~ ~ 0.

el uso del modelo del diodo ideal debe reservarse para aquellas ocasiones cuando la función de un diodo sea más importante.1 como para causar una incertidumbre acerca de su exactitud. el modelo equivalente completo podría aplicarse de la misma forma como se describió en la sección 2. Con la finalidad de preparar el análisis que se presentará. ya que los niveles de voltaje que resulten serán sensibles a las variaciones que se aproximan a VT" También en secciones posteriores se usará el modelo ideal con mayor frecuencia debido a que los voltajes aplicados serán un poco más altos que VT. De hecho. será entonces el sistema empleado en este libro. se desarrolló la tabla 2. Si r" fuera cercano en magnitud a los otros elementos en serie de la red. Debido a que el uso del modelo aproximado genera los resultados que se desean después de un tiempo y esfuerzo reducidos. y así sucesivamente. Ylos autores desean asegurarse que la función del diodo quede comprendida en fonna correcta y clara. si no iguales.Punto Q I DQ =10mA 10 9 8 7 ~ \ VD=OV ~ 2 ~~ .1 usando el modelo del diodo ideal. a la respuesta obtenida al utilizar las características de manera completa. Yno se utilizó en el análisis de la recta de carga debido a que r av suele ser mucho menor que los otros elementos en serie de la red. temperaturas. de manera que minimice la necesidad de extensos desarrollos matemáticos. Aunque el diodo de silicio se usa en forma casi 2.:::---3 4 o" ¡ 2 5 6 7 8 9 Figura 2.3 APROXIMACIONES DE DIODOS En la sección 2. y en las situaciones donde los voltajes aplicados son de manera considerable más grandes que el voltaje de umbral VT" En las siguientes secciones se usará en forma casi exclusiva el modelo aproximado. Es cierto que ofrecen alguna indicación acerca del nivel de voltaje y corriente que deben esperarse para otros niveles de voltaje de la red. Los resultados son lo suficientemente diferentes para las soluciones del ejemplo 2. si se consideran todas las posibles variaciones debidas a las tolerancias. Por tanto.8 Solución al ejemplo 2. los modelos y las cond~ciones de aplicación de los modelos aproximados e ideales de los diodos. muestra que el método del ejemplo 2.7 V.3 Aproximaciones de diodos 59 . 2. El modelo equivalente de segmentos lineales completo se presentó en el capítulo 1. Recuerde lo siguiente: El propósito básico de este libro es desa"ollor un conocimiento general acerca del comportamiento. capacidades y áreas posibles de aplicación de un dispositivo. pero el esfuerzo adicional de incluir el equivalente de 0. a menos que se especifique 10 contrario.2 se indicó que los resultados que se obtuvieron al emplear el modelo equivalente de segmentos lineales fueron muy cercanos. se podría considerar una solución "tan exacta" como la otra.1 para repasar las características más importantes.3 es más apropiado.2. que los niveles de voltaje que pueden variar en décimas de un volt.

De la misma manera que el diodo de silicio.Entrará al estado "encendido·· cuando VD. y detallan que el voltaje del diodo debe ser por lo menos del nivel que se indica antes que la conducción pueda establecerse.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes independientes de energía.1. Tenga en cuenta que el 0. un diodo de germanio se aproxima mediante un equivalente de circuito abierto para los voltajes menores que Vr.TABLA 2.) => ------4--------+ + + V T - ~'_ ________V_D_ exclusiva debido a sus características de temperatura.3 V VD Modelo ideal (Si o Ge) + OV -~ -l~-E (E»VT. Los fabricantes especifican la caída de voltaje a través de cada uno cuando el dispositivo se encuentra en "encendido'·.7 V Y el 0.7\1 ~ if-o ~O.R»r".R»r". pero están ahí sólo para que recuerde que existe un "precio que debe pagarse" por encender un diodo.1 Modelos de diodo semiconductor aproximado e ideal + Siliciu 0.3 V -~ o 0.. y por tanto se incluye en la figura 2.' = VT = 0.) => o + Germanio 0.3 V si se coloca un voltímetro en sus terminales. 60 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .3 V.7~ lo (E> V-¡. Un diodo aislado en la mesa de laboratorio no indicará 0.7 V o 0. todavía se utiliza el diodo de germanio.

~v .10.1 sobre el análisis de las configuraciones'de los diodos. El voltaje resultante y los niveles de corriente son . Si las condiciones son las que podrían usarse en el modelo del diodo ideal. Para cada configuración. Se dibuja de nuevo la red como lo señala la figura 2.7· Va través de cada diodo en "encendido" y dibujar una línea a través de cada diodo en estado "apagado" o abierto.10 Configuración con diodo en serie. . fígura 2. el símbolo del diodo aparecerá como lo señala la figura 2. Si un diodo está en estado "encendido".11 Determinación del estado del diodo de la figura. un diodo está en estado "encendido" si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su dirección concuerda con la flecha del símbolo del diodo. Figura 2.9 a) Notación del modelo aproximado: b) notación del modelo ideal. el diodo se encuentra en estado "encendido". como lo indica la figura 2. Si la dirección resultante es "similar" a la flecha del símbolo del diodo.. se reemplazarán mentalmente los diodos por elementos resistivos y se observará la dirección resultante de la corriente. Primero. + v. + v{) - lL + R vR (2.4 CONFlGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DE DC Figura 2. Inicialmente el método de sustitución se utilizará con el fin de asegurar que se detenninen el voltaje y los niveles de corriente adecuados.Cuáles diodos se encuentran en "encendido" y cuáles en "apagado"? Una vez que esto se hace. el símbolo del diodo aparecerá como lo indica la figura 2.7-V a través del elemento. 2. y V D ~ 0. ocurrirá la conducción a través del diodo y el dispositivo estará en estado ·'encendido"..11.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de dc 61 . La descripción anterior depende de que la fuente suministre un voltaje mayor que el voltaje de "encendido" (VT) de cada diodo. El circuito en serie de la figura 2. se puede colocar una caída de 0.9b. probablemente se preferirá incluir la caída de 0.2. La dirección resultante de 1 coincide con la flecha en el símbolo del diodo.12 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio con polarización directa.4) Si + Figura 2.. para ca. 2.6) Figura 2.7 V para el silicio y V D ~ 03 V para el germanio. se puede sustituir el equivalente adecuado como se definió en la sección 2.ue la que resultaría si de hecho el diodo fuera un elemento resistivo. de acuerdo como se establece debido a los voltajes aplicados ("presión"). Dicho contenido establece los fundamentos en el análisis de diodos que se aplicarán en las secciones y capítulos siguientes.3 y determinar los parámetros restantes de la red detenninada. Para las situaciones en que se emplee el circuito equivalente aproximado.da configuración debe detenninarse el estado de cada diodo. que la polaridad de VD es la misma 'l.5) (2. el estado del diodo se determina de forma mental al reemplazar el diodo con un elemento resistivo. y dado que E> VT. Ge (a) --(b) 2. En general.12 Sustitución del modelo equivalente para el diodo en estado "encendido" de la.En las siguientes secciones se demostrará el impacto de los modelos de la tabla 2. En esta sección se usará el modelo aproximado para investigar una variedad de configuraciones de diodos en serie con entradas de de. se necesitará para demostrar la aproximación descrita en los párrafos anteriores.10.1.. + E F'· o. descrito brevemente en la sección 2. Con el tiempo.93 para los diodos de silicio y de germanio. o dibujar de nuevo la red con el circuito equivalente VT como se definió en la tabla 2. Obsérvese para una futura referencia.los siguientes: (2. ¿. Primero.10. El procedimiento descrito podrá aplicarse a redes con cualquier número de diodos y en una variedad de configuraciones.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo cerrado genera E .6 Para la configuración de diodos en serie de la figura 2. determinar VD' VRe ID' Solución +F E + Vo Si l'L. +~ E if"'"'''' . --1+ R V.de la resistencia R es la siguiente: El hecho de que VR = O V establecerá E volts a través del circuito abierto. R V.13. 2.10.VR y =O VD=E-VR=E-O=E =8V 62 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .16 Circuito para el ejemplo 2.+ E ~=- + R V. y que el equivalente del diodo es el circuito abierto sin importar qué modelo se utilice.14 indicará que la dirección resultante de la corriente no coincide con la flecha del símbolo del diodo. Figura 2.6 con el diodo invertido. VD = 0.. El reemplazo mental del diodo por un elemento resistivo según la figura 2.7 V VR 7. El diodo está en estado "apagado". Figura 2. Debido l~.7. Esto es porque VR = VR = (O)R=O V.2 ka .15 Sustitución del modelo equivalente para el diodo en estado "apagado" de la figura 2.6. R 2. EJEMPLO 2.2kn EJEMPLO 2. el resultado es la red de la figura 2.. + Debido a que el voltaje establece una corriente en la dirección de las manecillas del reloj para coincidir con la flecha del símbolo y que el diodo está en estado "encendido". donde ID = O A. lo que genera el circuito equivalente de la figura 2.16..13 el diodo de la figura 2. resulta que la dirección de 1 es opuesta a la flecha en el símbolo del diodo. al circuito abierto. etc. = R 2. como se definió por la ley de voltaje de Kirchhoff.15. Figura 2.3 V _332mA VR=E-VD =8V-O. Siempre se tomará en cuenta que bajo cualesquiera circunstancias. Debido al circuito abierto. valores instantáneos de de.10 se invirtió.. En la figura 2. E L 8V ID = OA o---l1 VD R Solución 'R = O: V R Al eliminar el diodo.2kQ 8 V V..13 Invirtiendo el diodo de la figura 2. Figura 2. pulsos. ac. Flgura 2.13.14 Determinación del estado del diodo de la figura 2.7 Repetir el ejemplo 2. la corriente del diodo es de O A Y el voltaje a través . deberá satisfacerse la ley de voltaje de Kirchhoff.17 . + VD=E +F E l"t.VD . + ~ .17 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2.7V=73V ID=IR= .

7 el alto voltaje a través del diodo a pesar de que se encuentra en estado "'apagado".onfiguración de diodo en serie de la figura 2. La corriente es cero. El voltaje resultante y los niveles de corriente son por tanto los siguientes: ID = OA VR = I.20.R = Id? = (OA)1. pero la corriente estará limitada por la red que la rodea. el nivel del voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio. Se trata de una notación común en la industria. debe recordarse el análisis siguiente: l.8 ~ Si + E -=:=. en la figura 2.19 Circuito del diodo en serie para el ejemplo 2. En el siguiente ejemplo es importante la notación de la figura 2.8.7 V VD == 0.2 kQ V R Figura 2.20 Punto de operación con E '" 0. / 0.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de 63 .5 V. 2. Un circuito cerrado tiene una caída de O V a través de sus terminales.18 para el voltaje aplicado. Dicha notación y otros niveles definidos de voltaje se tratarán con mayor profundidad en el capítulo 4.5V o Figura 2. Para la c. con la que el lector debe familiarizarse.19.2kn = OV y VD =E=O. determinar VD' VR e ID" EJEMPLOZ.5 v R < 1. pero el voltaje es significativo.Obsérvese en el ejemplo 2. Con el fin de repasar.5 V 2.0. pero la corriente siempre será igual a OA. El punto de operación sobre las características se señal~. E =+lOVo Figura 2. Solución A pesar de que la "presión" establece una comente con la misma dirección que el símbolo de la flecha.18 Notación de la fuente. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a través de sus terminales. y establece el equivalente del circuito abierto como la aproximación adecuada.

7 V . e ID para el circuito en serie de la figura 2. porque E = 12 V > (0.VT .10.25. pero no así para el diodo de g~l?Danio. Nótese la fuente redibujada de 12 V Y la polaridad de Vo a través de la resistencia de 5.22 es el resultado.6 kO Figura 2.25 Sustitución del estado equivalente para el diodo abierto.3 V) =1 V.96mA R R Figura 2. = 12 V . IR V. Existe una similitud en la dirección de la corriente para el diodo de silicio.0. Y Vo para el circuito de la figura 2.7 V + 0. Solución Un enfoque similar que se aplicó en la figura 2. . 64 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .9.0. V D2 Si + 12 v o---~---f4I--ri-:-<' V.9. EJEMPLO 2. Solución Al eliminar los diodos y al determinar la dirección de la corriente resultante 1 generará el circuito de la figura 2.24. Figura 2.24 Determinación del estado de los diodos de la figura 2.23 Circuito para el ejemplo 2. Si IR + 5. ? 1= o FIgura 2.22 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2.6kQ 0'1.23.10 Determinar ID' VD.EJEMPLO 2. y que la red de la figura 2. como lo señala la figura 2. +12V ID Si G.23.VT .21.3 V = 11 V e [D=[R=-=-= VR Vo 11 V 5. La combinación de un corto circuito en serie con un circuito abierto siempre genera como resultado un circuito abierto e ID = O A.21 Circuito para el ejemplo 2.6 kn Figura 2.6 kQ.9 Determinar V. El voltaje resultante Vo = E . 5.6 revelará que la corriente resultante tiene la misma dirección que las flechas de los símbolos de ambos diodos.

26 Determinación de las cantidades desconocidas para el circuito del ejemplo 2.28 Determinación del estado del diodo para la red de la figura 2.11 + v. . R2 E.27. E.27. 2. El diodo está en estado "encendido" y la notación que aparece en la figura 2.Vo = O La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj da y VD.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de . VI' V2 y Vo para la configuración de de en serie de la figura 2. y la dirección de la corriente se indica en la figura 2.O . Obsérvese que el estado "encendido" se anota sólo mediante VD = 0.7 kn 2.La pregunta que permanece es: ¿qué sustituir en lugar del diodo de silicio? Para el análisis que seguirá y para los capítulos subsecuentes. 110V . . + 5V¡ A V.27. 65 Figura 2.29 Determinación de las cantidades desconocidas para la red de la figura 2. (T 4. R.2 ka: + v. Vo y = I¡? = lrfi = (OA)R = OY VD2 = Vcitcuito abierto =E = 12 V E .Vo = l2V . como se describió para la situación sin polarización en el capítulo l..7V- . . 4. Figura 2.7 V + VI - + O.10. = O Y se indican en la figura 2.VD.26.27 Circuito para el ejemplo 2.11. EJEMPLO 2. VD =O Y (y viceversa).29 está incluida para indicar este estado.O = 12V Determinar 1.. Solución Las fuentes se dibujan de nueve.VD.28. + J. sólo debe recordarse que para el diodo práctico real ID =OA. Figura 2. Las condiciones descritas por ID = OA Y VD. Vo con =E = OV VD.7 ka + FIgUra 2.

para la configuración de diodos en paralelo de la figura 2.0. ambos diodos están en estado "encendido". e ID. 2. Con el tiempo. Como se señaló en la introducción de esta sección.07 mAl (4. .12 Determinar Vo'!¡'!D.7 V 66 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos ..7 kQ) = 9.55 V La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección de salida en la dirección de las manecillas del reloj generará un resultado y Vo = V. .adicional en la figura. es probable que esta sea la ruta y notación que se tomará. Para cada área de aplicación.73 V = IR.12.. sólo con una línea a través del dispositivo.5V = ~. . = IR¡ = (2.4 se pueden extender al análisis de las configuraciones en paralelo y en serie-paralelo. Para el voltaje aplicado.31.3 V 6.07mA R¡ + R. Y los voltajes son V¡ V. El voltaje a través de los elementos en paralelo es siempre el mismo y Vo = 0. = 4. la "presión" de la fuente es para establecer una corriente a través de cada diodo en la misma dirección que se muestra en la figura 2.27.7 V 4. Debido a que la dirección de la corriente resultante es igual a la de la flecha en cada símbolo de diodo.. sólo se igualan las series secuenciales de pasos aplicados a las configuraciones de diodos en serie. una vez que se establece un nivel de confiabilidad en el análisis de las configuraciones de los diodos.VD = 10 V + 5 V .7 V.7 kQ + 2. = (2. 1= E¡ + E. EJEMPLO 2.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO Los métodos aplicados en la sección 2. Esto elimina la necesidad de dibujar de nuevo la red y evita cualquier confusión que pueda generarse por la aparición de otra fuente.2 kQ) = 4.30 Red para el ejemplo 2. y que el voltaje aplicado es mayor que 0.30. La corriente resultante a través del circuito es. .45 V El signo de menos indica que Vo tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.E.9 kQ _2. Solución FIgura 2.07 mAl (2.. el análisis completo se desarrollará sólo refiriéndose a la red original. Recuerde que puede indicarse un diodo con polarización inversa.55 V .2 kQ = 14.

30 es sólo de 20 mA..1SmA Suponiendo diodos de características similares. la corriente está limitada a un valor seguro de 14..0.13 1 -+ E¡=20V R 2.= 2 2 14..12 demostró una razón para colocar diodos en paralelo.. 2..". se tiene 1D. Determinar la corriente 1 para la red de la figura 2.2 kQ + :1]' :' T + 0.09mA El ejemplo 2.95mA 1 R = 2.33. v 0_ Figura 2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 67 . EJEMPLO 2.13.7 V 0.2kQ _ 6.R = VR = IOV .7 V 2.. .2kQ .09 mA con el mismo voltaje terminal.33 kQ = 2S.32.0. se señala que la dirección de la corriente resultante es como para encender el diodo DI y apagar el diodo D 2 " La corriente resultante 1 es entonces 1= 20 V .. Al colocar dos en paralelo.30. 28.4 V .7 V 4V Figura 2. Si . '-' Si D_ Figura 2.18 mA dañaría el dispositivo si apareciera sólo en la figura 2. = 1 D.33 Determinación de las cantidades desconocidas para la red del ejemplo 2.11 + 1 V ' - ~ 0.. Solución Al dibujar de nuevo la red como lo indica la fIgura 2. Si la corriente nominal de los diodos de la figura 2.12. D.31 Determinación de las cantidades desconocidas para la red del ejemplo 2.. La corriente 1.18 mA 1. = .13. una corriente de 28.33 kn R E 110 .32 Red para el ejemplo 2. =.

3 V. • Si R.15.EJEMPLO 2. sin embargo. aunque quizá se podría medir en milisegundos.15. R.34. 03V rS ~ F a vTTo3V o O7 V I .3 kQ = 0. la caída de 0.36 Red para el ejemplo 2. éste '''prenderá'' y mantendrá un nivel de 0. ~ 3. El diodo de silicio nunca tendrá la oportunidad de capturar su 0.37. parecería que el voltaje aplicado "encenderá" ambos diodos.7-Va través del diodo de silicio no será igual a los 0.2 kSl Inicialmente. 68 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .. e / D. 2. El resultado: Vo = 12 V .36..2 kD Figura 2. Solución s. E -.37 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2. de la figura 2. 2.14 12 v Determinar el voltaje Va para la red de la figura 2.34 Red para el ejemplo 2.7V 5.14. si ambos están en "encendido". y por tanto pennanecerá en su estado de circuito abierto como lo indica la figura 2.6 kQ . para la red de la figura 2.20 v v = 0.V1 + figura 2.35. I----~v. _. Nótese que el uso de la notación abreviada para los diodos '''encendido'' y que la solución se obtienen a través de una aplicación de técnicas aplicadas a las redes de en serie-paralelo.3 V a través del diodo de gennanio. Durante el incremento en que se establece 0.35 Determinación de Vo para la red de la figura 2.6 kQ 3.7 V requerido. EJEMPLO 2. La acción resultante se puede explicar sólo con notar que cuando la fuente se enciende incrementará de O Va 12 V en un periodo.7 V Figura 2.212mA Figura 2.3kQ 5.15 Determinar las corrientes /" /.34. I vo .3 V = 11..3 V a través del diodo de germanio como se requiere.¡. por el hecho de que el voltaje a través de elementos paralelos debe ser el mismo. como se observó por las direcciones de corriente resultante en la red. Solución El voltaje aplicado (presión) es como para encender ambos diodos.0. 33 kQ D.

6 V V. Esto es.. Las suposiciones se confinuan por los voltajes y la corriente resultante. .16 es una compuerta OR para lógica positiva.212 mA = 3. kQ Figura 2. el nivel de 10-V de la figura 2.7V .7V con 1.38.6 COMPUERTAS ANDjOR s. = 3. Con 9.. que demostrará el rango de aplicaciones de este dispositivo relativamente sencillo. pero el 9. y se puede asumir que el análisis inicial es correcto. y no se incluirá un análisis detallado de álgebra booleana o de lógica positiva y negativa. La dirección de la corriente y la trayectoria contin~a resultante para la conducción reafirman la suposición de que DI está conduciendo. para la red de la figura 2. Por tanto. 2.VT . En el nodo a de la parte inferior 18. mientras que D.3 en el lado del cátodo (-) de D 2 y O Ven el lado del ánodo (+).38. La terminal 2 con una entrada de O V es esencialmente un potencial de tierra.6 V = . Para D I el estado "encendido" establece Vo en Vo = E . La figura 2. Una compuerta OR es tal. El análisis estará limitado a la determinación de los niveles de voltaje. El siguiente paso es sólo para verificar que no existen contradicciones en las suposiciones. La red que se analizará en el ejemplo 2. D.. observar que la polaridad a través de DI es tal como para encenderlo y que la polaridad a través de D 2 es tal como para apagarlo.32 mA 5.0.0. = O 18.3 V para el de germanio) para cambiar al estado "encendido'·.. En general. D? está definitivamente en estado "apagado". el mejor método es el de establecer un sentido "intuitivo·' para el estado de los diodos mediante la observación de la dirección y la "presión" que establecen los potenciales aplicados. las herramientas de análisis están a la disposición.. - Vr.7 V positivos para el diodo de silicio (0. Figura 2. con su lado "positivo" en O V está quizá en "apagado" .38 Compuerta lógica OR positiva. y la oportunidad de investigar una configuración de computadora.. y lo.. Esto es.1. r. y - VT .6 Compuertas ANDjOR 69 . = 20V . en lugar del ideal. la salida es un nivel 1 con sólo una entrada. = V o R.3 V.La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la dirección de las manecilla. 10 V en la terminal l. = 1. s. ye ( ~ D.3 V es lo suficientemente grande para ser considerado un nivel l.39. en tanto que una entrada de O-V tiene asignado un "O··. Rt . debido a que puede estipularse que el voltaje a través del diodo debe ser 0. Determinar V. = E . D. El nivel de voltaje de salida no es de JO V como se definió para una entrada de 1. como se indica en lo que se dibujó de nuevo de la red de la figura 2. que el nivel de voltaje de salida será de 1 si alguna o ambas entradas son l. El análisis verificará o negará las suposiciones iniciales.108 mA 2.40.V T . La salida es de O si ambas entradas están en el nivelO.39 "sugiere" que DI está probablemente en estado "encendido'· debido a los 10 V aplicados.32 mA '-. El análisis de las compuertas AND/OR se realiza con fáciles mediciones al utilizar el equivalente aproximado para un diodo.VD = 10 V -0.39 Red dibujada de nuevo de la figura 2. (1) E=10 Ahora.16 + . (O( Oy 1 av.0. Solución Obsérvese que en principio sólo existe un potencial aplicado..7 V =9. lo cual sugiere que se trata de una EJEMPLO 2. del reloj produce: -V2 + E . La suposición de estos estados dará por resultado la configuración de la figura 2.6kQ ID: + JI = 1:.38 tiene asignado un "1" para el álgebra booleana.= 3.

. 70 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .41. debido a que el diodo D.. Para la red de la figura 2. = ¡OY D. Para DI ¿de dónde vendrá el 0. no proporcionará el 0. nitivamente en estado "apagado"..R 1 I kQ. Para la red de la figura 2. Si Solución Obsérvese en este caso que la fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de la red. Debido a razones que pronto serán obvias. si los voltajes de entrada y fuente se encuentran en el mismo nivel y creando "presiones" opuestas? Se supone que D.3 mA FIgura 2. DI está defi- E 1 .42 el voltaje en Vo es de 0. La red está dibujada en la figura 2.7 Y requerido para encender los diodos y la salida será de O debido al nivel de salida de O-v..42 Sustitución de los estados asumidos para los diodos de la figura 2.42 Yuna magnitud igual a I = = lOY.0. Una entrada de O-Yen ambas entradas.41.3mA lkQ 10 Y .42 con las suposiciones iniciales respecto a los estados de los diodos.7 Y EJEMPLO 2.= 9.41 Compuerta lógica AND positiva. lO\' Figura 2.7 Y.17 (1) Determinar el nivel de salida para la compuerta lógica ANO positiva de la figura 2. se encuentra en estado "encendido" debido al bajo voltaje del lado del cátodo y la disponibilidad de la fuente de !O-Ya través de la resistencia de l-kQ . (01 Si Ez =ov 2 D. recuerde que se mencionó en la introducción de esta sección que el empleo del modelo aproximado servirá de ayuda para el análisis. Con 0. R I k!l entrada.7 Y. Con 10 Y del lado del cátodo de DI se asume que DI se encuentra en estado "apagado". Figura 2. se elige el mismo nivel que el nivel lógico de la OVo E. compuerta ORo Un análisis de la misma red con dos entradas de lO-y dará por resultado que ambos diodos estén en estado "encendido" y con una salida de 9..7 Y en el ánodo de DI y 10 Y en el cátodo.40 el nivel de corriente se encuentra determinado por I = = .7Y lkQ = 9.40 "=" Estados del diodo asumidos para la figura 2. La corriente 1 tendrá la dirección que se indica en la figura 2 . Sin embargo.. aunque exista una fuente de lO-y conectada al ánodo de DI a través de la resistencia.0.38. está polarizado directamente.3 Y.

43. rectificación de media onda 71 . para asegurar que el sistema no se dificulte por la complejidad matemática adicional. es común que se le llame rectificador. El estado de los diodos es. El circuito de la figura 2... Al sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo dará por resultado el circuito equivalente de la figura 2. A través de un ciclo completo..43 Rectificador de media onda. ~ + ~-. No existe duda de que el grado de dificultad se complicará. + + + . pero una vez que se comprendan varios movimientos. Durante el intervalo t = O . el análisis será bastante directo y seguirá un procedimiento común.. el análisis de los diodos se ampliará para incluir las funciones variables en el tiempo. = Vmsen oor .. + + R ~ leido v. tales como la fonna de onda senoidal y la onda cuadrada. el valor promedio (la suma algebraica de las áreas arriba y abajo del eje) es cero.. llamado rectificador de media onda. Las dos terminales que definen el voltaje de salida están conectadas directamente a la señal aplicada mediante la equivalencia de corto circuito del diodo.. Figura 2.. Cuando un diodo se usa en el proceso de rectificación. A pesar de que no hay O V como se especificó antes para el nivelO.. T/2). ~ + ~ + R Vo R. = V¡ .44. definido por el periodo T de la figura 2. " .-~-.7 ENTRADAS SENOIDALES.. confinnado y el análisis anterior fue correcto...43..44 Región de conducción (O 2. y encender el diodo con la polaridad indicada arriba del diodo. por tanto.43. Por el momento se utilizará el modelo ideal (obsérvese la ausencia de la identificación Si o Ge para denotar el diodo ideal). Los estados restantes de los diodos para las posibilidades de dos entradas y ninguna entrada se examinarán en los problemas que aparecen al final del capítulo. TI2 en la figura 2. 2... Figura 2... Sus valores nominales de potencia y corriente son nonnalmente mucho más altos que los de los diodos que se usan en otras aplicaciones.. por tanto.. una única entrada dará por resultado un nivelO de salida. Para la compuerta AND.43. donde parece muy obvio que la señal de salida es una réplica exacta de la señal aplicada.7 Entradas senoidales. el voltaje de salida es lo suficientemente pequeño para poder considerarlo en un nivelO. generará una forma de onda vo' la cual tendrá un valor promedio de uso particular en el proceso de conversión de ac a dc. RECTIF1CACIÓN DE MEDIA ONDA Ahora. La red más simple que se examinará con una señal variable en el tiempo aparece en la figura 2. la polaridad del voltaje aplicado Vi es como para establecer "presión" en la 'dirección que se indica. ~ . como en computadoras o sistemas de comunicación.

Figura 2.318Vm Imediaonda (2.. El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y V o = iR = (O)R = O V para el periodo T/2 ---'> T..7V 11 + vr - R o I I ~2 Defasamiento debido a VT 11 11 T T t Figura 2.7) + R v" "0 = OV . y un valor promedio detenninado por Vdc = 0.Para el periodo T/2 ---'> T.47 Efecto de VT sobre la señal rectificada de media onda.45 Región de no conducción (T/2 ~ o .45. El efecto del uso de un diodo de silicio con Vr = 0..46 Señal rectificada de media onda. Ahora.o+-+--.46 con el propósito de establecer una comparación. Para los niveles de v.. . menores que 0. como lo indica la misma figura...7 V antes de que el diodo pueda "encender".f--¡... la cual reduce de manera ¡--o-jt---o~-~+ O. Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un nivel de se le llama rectificación de media onda.. La entrada v.. la diferencia entre voY Vi se encuentra en un nivel fijo de V T= 0.47 para la región de polarización directa. 72 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos ..7 V YV o = Vi . y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado "apagado" con un equivalente de circuito abierto.7 V se señala en la figura 2..V r según se indica en la figura.L 2 T T) .--~ Vd':: = OV o -r- Figura 2. Cuando conduce. es como se indica en la figura 2.. la señal de salida v(J tiene un área neta positiva arriba del eje sobre un periodo completo. La señal aplicada debe ser abara de por lo menos 0. El efecto neto es una reducción en el área arriba del eje... la polaridad de la entrada v... y la salida va se dibujaron juntas en la figura 2.7 V el diodo aún está en estado de circuito abierto y V o := O V..

7V= 19.22 V o cerca del 3.14 V La caída resultante en el nivel de es de 0. el nivel dc es Vd' = -D.O.7V) = -D. .6 V Ecuación (2..49 V o resultante para el circuito del ejemplo 2.36 V El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida de la figura 2.3 V) = -63.0.7 Entradas senoidales.5%. EJEMPLO 2.318)(199. rectificación de media onda 73 . Solución a) En esta situación el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada según se muestra en la figura 2.18 + + o TI Figura 2.318Vm = -D.50 Efecto de VTsobre la salida de la figura 2.18. Para el inciso e el desvío y la caída en la amplitud debido a VT no sería discernible en un osciloscopio típico si se despliega el patrón completo.8).49.318(l9. 2. b) Utilizando un diodo de silicio.8) Si vm es suficientemente más grande que V T' la ecuación 2.3 18(200 V .3V Figura 2. Para el periodo completo.18. -14+ T ro '. e) Ecuación (2. Repetir los incisos a y b si Vm se incrementa a 200 V.3l8Vm = -D. la salida tiene la apariencia de la figura 2.318(Vm -0.7 V) = -(0. Ycomparar las soluciones utilizando las ecuaciones (2. puede ignorarse para la mayor parte de las aplicaciones.48 Red para el ejemplo 2. en efecto.50 y Vd'.natural el nivel resultante de voltaje de.7): Vd' = -D.8 puede aplicarse para determinar el valor promedio con un alto nivel de exactitud. (2.3 18(200 V) = -63. o L 2 \ 20V.: -6.8): Vd' = -D. y V o aparecerá como se señala en la misma figura.49.318(20 V) = -6.48.38 V la que es una diferencia que. Repetir el inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.48.7) y (2.3V).: -0.7 es a menudo aplicada como una primera aproximación de VdC • a) b) e) Dibujar la salida voy detenninar el nivel de de la salida de la red de la figura 2. Para las situaciones donde Vm » Vp la ecuación 2.318(Vm - v" VT ) = -D. + 20 0 + 2kQ o 'o O T 2 Figura 2.

'--------' Valor PIV G Vm recrificador de media onda (2.51.53.54. El resultado neto es la configuración de la figura 2.8 RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA Puente de diodos El nivel de dc que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un proceso que se llama rectificación de onda completa.53 para mostrar que D. se hallan en estado "apagado". con su corriente y polaridad indicadas a través de R. por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Va/tage) del diodo es muy importante en el diseño de sistemas de rectificación.52 Puente rectificador de onda completa. Por tanto. en tanto que D¡ y D. Durante el periodo t '" O a Tl2 la polaridad de la entrada se muestra en la figura 2. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff. por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) (o PRV. + T R D4 FJgura 2. O T 2 t FJgura 2. + "encendido" + _ "encendido"_ R + _ "apagado" A 2 + " A v. 74 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .PIV (pRV) El valor del voltaje pico inverso (PIV. 2. parece muy obvio que el valor PIV del diodo debe ser igualo mayor al valor del pico del voltaje aplicado.43 con polarización inversa con un voltaje máximo aplicado. Figura 2. y D3 están conduciendo.52 para el periodo O ~ T/2 del voltaje de entrada vi.51 Determinación del valor de PIV que se requiere para el rectificador de media onda. Debido a que los diodos son ideales. Recuerde que se trata del valor del voltaje que no debe excederse en la región de polarización inversa.9) vo == + 0------------+-----.o IR= (O)R=O V Figura 2. la cual muestra el diodo de la figura 2. Las polaridades resultantes a través de los diodos ideales también se señalan en la figura 2. pues de otra fonna el diodo entrará en la región de avalancha Zener. el voltaje de carga V o = Vi' según se muestra en la misma figura. La red más familiar para llevar a cabo tal función aparece en la figura 2.53 Red de la figura 2.54 Trayectoria de conducción para la región positiva de Vi. El valor PIV requerido para el rectificador d~ media onda puede determinarse a partir de la figura 2.52 con sus cuatro diodos en una configuración en forma de puente.

11) ¡~::::..55 Trayectoria de conducción para la región negativa de v¡- T Figura 2.2. en comparación con la obtenida para un sistema de media onda. como se indica en la figura 2.8 Rectificación de onda completa 75 . \ o . (2.10) Sí se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indica en la figura 2.=. Si Vm es lo suficiente más grande que 2V" entonces la ecuación (2. Debido a que el área arriba deI eje para un ciclo completo es ahora doble. . (2.11) para el valor promedio con un nivel relativamente alto de precisión.57 Determinación de V para los diodos de silicio en Omh la configuración puente.7) = 2(0..55.57.Para la región negativa de la entrada los diodos conductores son DI y D 4 . una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conducción resultaría Vi - Vr Vo Vo - Vr = O 2Vr y = Vi - El valor pico para el voltaje de saIida va es..::==7 • ¿~ ~=O. estableciendo un segundo pulso positivo.7V _ 0-+ R o·_\. R o "2 T T Figura 2. Para las situaciones donde V m» 2VT . el nivel de dc también ha sido duplicado y Vd' = 2(Ec.. Después de un ciclo completo los voltajes de entrada y de salida aparecerán según la figura 2. T \ "2 + T ".56.636Vm m) o I IOOd"OffiP¡et.56 Formas de onda de entrada y salida para un rectificador de onda completa. El resultado importante es que la polaridad a través de la resistencia de carga R es la misma que en la figura 2. .10) a menudo se aplica como una primera aproximación para VdC ' 2. o . generando la configuración de la figura 2.v Ftgura 2.53.318V Vd' = 0. por tanto. .:.55. puede aplicarse la ecuación (2.

D.+.58 Determinación del P¡V que se requiere para la configuración puente. " D. la red aparece como lo indica la figura 2. '...59 Transformador con derivación central para un rectificador de onda completa. :'. \ O I.. l'2~-.¡ ~ o : + !Jim .59 con sólo dos diodos. por las iniciales en inglés de: Center Tappeá) para establecer la señal de entrada a través de cada sección del secundario del transformador. V lA \ va'" + O I.. pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a v ~ .60 Condiciones de la red para la región positiva de Vi' Durante la porción negativa de la entrada. invirtiendo los papeles de los diodos. la red aparece como se muestra en la figura 2. D) asume el equivalente del corto circuito y Do el equivalente del circuito abierto.-_~-o_ _.. I .. Para la malla indicada el voltaje máximo a través de R es Vm y el valor PIV se define por ' -_ _ _Vm -"'. ¡Tfii.61.60.~ m + . 2 T Vm t~'~ + CT .V .g. " + ".PIV El PIV que se requiere para cada diodo (ideal) puede determinarse a partir de la figura 2. __ I. según se determinó por los voltajes secundarios y las direcciones de corriente resultantes.61 ~ ~ Vm Condiciones de la red para la región negativa de v¡O 76 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos ..12) F1gura 2.60. I \ ~~ ~... El voltaje de salida aparece en la figura 2.. 2 ~II >0-----'1. . ~~ R + cr .. + " Figura 2.. 2 m R + Figura 2. Durante la porción positiva de Vi aplicada al primario del transformador..' :~: o I.. Transformador con derivación central Un segundo rectificador de onda completa muy popular aparece en la figura 2.". 2 T + Figura 2.58 que se obtuvo en el pico de la región positiva de la señal de entrada.Jrectificador puente de onda completa PIV~ I (2. pero requiere de un transformador con derivación central (CT.'0/1".

64. como lo indica la figura 2.13) Figura 2.65. El efecto neto es una salida igual a la que aparece en la figura 2. El redibujo de la red generará la configuración de la figura 2. Sin embargo. 2 kO 2Hl Figura 2. r----~ PIV ~+-.{l + 2 ill > + '. ! '. •• +(10 V) 5 V.8 Rectificación de onda completa 77 . 2. '. Vsecundario + R v'" + + VR = Vm + Vm y PIV f.19 + 2 kO T.. Para la parte negativa de la entrada la función de los diodos será intercambiada y V o aparecerá según la figura 2. 2ill .18 V o al disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. por tanto. La inserción del voltaje máximo del voltaje secundatio y el Vm de acuerdo con lo establecido para la red adjunta dará por resultado PIV .64 para la región positiva del voltaje de entrada.65 Red redibujada de la figura 2. Determinar la forma de onda de salida para la red de la figura 2. 2k. El efecto de remover dos diodos de la configuración puente fue. oVo•• +V. reducir el nivel de dc disponible al siguiente: Vd' = 0.19.---_--.56 con los mismos niveles de dc. o I.62 Determinación del nivel de PIV para los diodos del transformador con derivación central para un rectificador de onda completa. PIV La red de la figura 2.636(5 V) = 3..63 y calcular el nivel dc de salida y el PIV que se requiere para cada diodo. 2 T tigura 2. donde V o +v.19. Solución La red aparecerá como en la figura 2.{l 2 ill > ~ o 2: T' Figura 2..66.58 es igual al voltaje máximo a través de R. 2Vm ' -_ _ _ _ _.65. EJEMPLO 2... = = = = ~ o I 2 + + 2k.:::_--' transformador CT.64 Red de la figura 2.62 ayudará a determinar el PIV neto para cada diodo de este rectificador de onda completa.63 para la región positiva de Vi" Figura 2.63 Red puente para el ejemplo 2. el cual es de 5 V o la mitad de lo que se requiere para un rectificador de media onda con la misma entrada. el PIV según se determinó en la figura 2.66 Salida resultante para el ejemplo 2.través de la resistencia de carga R. rectificador de onda completa I (2.

La configuración en serie es donde el diodo está en serie con la carga. no existen limitaciones sobre el tipo de señales que pueden aplicarse a un recortador. R figura 2. y se reservará el efecto de VT a un ejemplo posterior. (b) Figura 2.. La región negativa de la señal de entrada está "presionando" a! diodo hacia 78 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . v ~I-__f---'---o+ T Y.67b.68 puede tener un efecto pronunciado sobre la salida de un recortador. El rectificador de media onda de la sección 2. Para la red de la figura 2.ortador en serie. (a) 'o .7 es un ejemplo de la forma más simple de un recortador de diodo.68. Dependiendo de la orientación del diodo./ 2. El análisis inicial se limitará a los diodos ideales.68. una resistencia y un diodo. + . pero existen ciertas ideas que deberán considerarse mientras se trabaja en la solución. La fuente dc requiere más aún que el voltaje Vi sea mayor que V volts para encender el diodo.67a a una variedad de formas de onda alternas se ilustra en la figura 2. + R Yo . Aunque se presentó al principio como un rectificador de media onda (para fonnas de onda senoidales). la dirección del diodo sugiere que la seña! Vi debe ser positiva para encenderlo. Hacer un dibujo mental de kl respuesta de la red basándose en kl dirección del diodo yen los niveles de voltaje aplicados. la región positiva O negativa de la señal de entrada es "recortada". mientras que en paralelo tiene un diodo en una trayectoria paralela a la carga.9 RECORTADORES Existe una variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de "recortar" una porción de la señal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda alterna..68 Recortador en serie con una fuente de. l.67 Rec. No existe un procedimiento genera! para el análisis de las redes como las del tipo que se presenta en la figura 2. Existen dos categorías generales de recortadores: en serie y en paralelo. En serie La respuesta de la configuración en serie de la figura 2. La adición de una fuente de de como la que se muestra en la figura 2.

71 Determinación de los niveles de v O. =V (2. para el caso Vi = V m en la figura 2. "~ + R 3.70. donde se reconoce que el nivel de Vi que causará una transición en el estado es = = = = v.68 se genera la configuración de la figura 2. ' IV 1_ Vi • . + ~I----ó--<>----r--o v Para un voltaje de entrada mayor que V volts el diodo está en estado de corto circuito.15) . Puede ayudar el dibujar la señal de entrada arriba de la señal de salida y determinar los valores instantáneos de la entrada.71. es posible dibujar los voltajes de salida a partir de los puntos de datos resultantes de vo' como se demostró en la figura 2. == vm 1~~ v + R 'o T -+v.9 Recortadores 79 . Para Vm> V el diodo está en estado de corto circuito y para V o Vm .70 Determinación de VD.69 Determinación del nivel de transición para el circuito de la figura 2. como el que se muestra en la figura 2. soportado más aún por la fuente dc.V . se puede estar muy seguro que el diodo está en circuito abierto (estado "apagado") para la región negativa de la señal de entrada. Determinar el voltaje aplicado (voltaje de transición) que causará un cambio en el estado del diodo. el voltaje de salida V o se puede determinar mediante la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj: Vi - Figura 2.71. mientras que para los voltajes de entrada menores que V volts está en estado de circuito abierto o "apagado". o . V (los diodos cambian de estado) Figura 2.' i ' y v o = v. . Posteriormente. 2 T I Q T = = =- = Figura 2. y la curva completa para V puede dibujarse como se muestra en la figura 2.68. aqui el nivel de DC se disminuye v.el estado "apagado".T 4. como en la figura 2. Para el diodo ideaL la transición entre los estados ocurrirá en el punto sobre las características donde vd O V e id O A. En general. "'1.72.68. V- V o = a (dirección de las manecillas del reloj) (2.V.73 Dibujo de vO' 2.72 Determinación de V o cuando Vi = Vm' Figura 2. . se analizará la red que aparece en la figura 2. Por ejemplo. .14) R Figura 2. Tenga en cuenta que a un valor instantáneo de Vi la entrada puede ser tratada como una fuente dc de dicho valor y el valor de dc correspondiente (el valor instantáneo) de la salida determinada. '= T . Para Vi V los diodos cambian de estado y para Vi Vm • Vo av.73. 2.69. Estor consciente continuamente de las terminales definidas y la polaridad de vo ' Cuando el diodo se encuentra en estado de corto circuito. Al aplicar la condición id O Y Vd O a la red de la figura 2.

• EJEMPLO 220 Determinar la forma de la onda de salida para la red de la figura 2. El análisis de las redes de recortadores con las entradas de onda cuadrada es en realidad más fácil que las redes con entradas senoidales.74. el diodo entrará en estado de circuito abierto.20. En otras palabras. se obtiene la red de la figura 2. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.75 y va:.-----<> +. 20 --'F"""'''''--''----+ T\ Voltaje de transición 5V "". Sustituyendo id == O para vd:. o----.17 Dibujo de V o para el ejemplo 2.+ + SV R '. Solución La experiencia anterior sugiere que el diodo estará en estado "encendido" para la región positiva de Vi' especialmente cuando se observa el efecto de ayuda de V:.: Vi + 5 V. Agura 2. FIgUra 2.76 O~-------+---'O Determinación del nivel de transición para el recortador de la figura 2. Para los valores de Vi más negativos que -5 V.75 V o con diodo en estado "encendido".=0 V+5V =5V O f \ T vo=-S V+SV =OV Figura 2.74. I--~-<>----.: 5 V... aquí el nivel de DC se aumenta V=5 v ~l-+-JI~II-~-~ T Or-----_-+--__O t R Figura 2. mientras que para los voltajes más positivos de -5 V el diodo estará en estado de corto circuito. La red aparecerá como lo señala la figura 2.76 y Vi == -5 V.: O para los niveles de transición. debido a que sólo deben considerarse dos niveles. 80 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .74 Recortador en serie para el ejemplo 220.77. la red puede analizarse como si tuviera dos entradas de nivel de con la salida resultante V o graficada en el marco adecuado de tiempo.

en paralelo con la salida para las mismas entradas de la figura 2.21 que el recortador no sólo recortó únicamente 5 V de la excursión total de la señal sino que incrementó el nivel de de la señal por 5 V..21. El análisis de las configuraciones en paralelo es muy similar a la que se aplica a las configuraciolles en serie.82 es la más sencilla de las configuraciones de diodos. = = = = = = + ~ 20 ¡=----I+ 5V + R IOV v r+ 1 5V + R v. colocando el diodo en estado "apagado" y V o i RR (O)R OV.81. como se demostrará en el siguiente ejemplo. Obsérvese en el ejemplo 2. Figura 2.79.79 V o a vi = +20 V.81 ejemplo 2. Solución Para vi = 20 V (O -7 T/2) generará la red de la figura 2.82 Respuesta de un recortadoT en paralelo. Para Vi -10 V dará como resultado la figura 2.1 T 10 figura 2. Figura 2.=O V 25 Y + Oy o Vo T T "2 Dibujo de va para el FJ.--O R + -+- o -v o -v Figura 2.80 a vi '" -10 V. El voltaje resultante de salida aparece en la figura 2.20 para la onda cuadrada de entrada de la figura 2. En paralelo La red de la figura 2.gUra 2.--=---. 2.21.67.----. El diodo está en estado de corto circuito y V o 20 V + 5 V 25 V.78 Señal que se aplica para el ejemplo 2.78.9 Recortadores 81 ..Repetir el ejemplo 2. + '{---'\fV'.21 20 o T -2 . EJEMPLO 2.80.

el siguiente ejemplo especificará un diodo de silicio.85 V_-~j[~4-'-'--_<o + El estado de transición puede determinarse a partir de la figura 2. O-~"'''''~-. v. Para examinar los efectos de VT sobre el voltaje de salida. donde la condición =OA para vd =O Y se ha impuesto.83.85.87._-----O R + + v o-------------~------~o 1 4V Figura 2.86 1 1 'o 4v o Vo T T '2 Agora 2. donde V o = Vi' Completando el dibujo de V o resulta la forma de onda de la figura 2. de id Determinación del nivel de transición para el ejemplo 2. el voltaje de entrada debe ser mayor a 4 Y para que el diodo esté en estado "apagado".22.22. en lugar del equivalente del diodo ideal.----EJEMPLO 222 Determinar V o para la red de la figura 2. Solución La polaridad de la fuente de y la dirección del diodo sugieren que el diodo está en estado "encendido" para la región negativa de la señal de entrada. Cualquier voltaje de entrada menor que 4 V generará un diodo en corto circuito. 16 + v. Para esta región la red aparecerá como lo señala la figura 2. donde las terminales definidas para V o requieren que V o = V = 4 y. Para el estado de circuito abierto la red aparecerá según se muestra en la figura 2.86. R + o c_--_____v I~_4_v~o __ Figura 2.87 Dibujo de V o para el ejemplo 2. El resultado es que v.84 V o para la región negativa de Vi' + + o_----_____ Figura 2. " " v q Figura 2.83 Ejemplo 2. Debido a que la fuente de se encuentra obviamente "presionando" al diodo para permanecer en estado de circuito cerrado. Determinación de para el estado abierto del diodo. 82 Capítulo 2 Aplícaciones de diodos .22. (la transición) = V =4 Y.84.

donde v o = 4V .7 V = 3.90. 0. 2..0.3 V + e R + ) ] .90 Dibujo de V "2 o para el ejemplo 2. Obsérvese en particular la respuesta de la última configuración.Repetir el ejemplo 2. se encuentra que EJEMPLO 2.88 Determinación del nivel de transición para la red de la figura 2.3 V \}R :::: if? ov Figura 2. Para los voltajes de entrada menores que 3. 16 V 3. el diodo estará en estado "encendido" y resul· tará la red de la figura 2.3 V. No hay duda de que incluir los efectos de VTccmplicarán el análisis un poco.7 V.7 V. el diodo estará en circuito abierto y va = v. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de salida en el sentido de las manecillas del reloj. el procedimiento. Nótese que el único efecto de VT fue disminuir el nivel de transición desde 3.89. o T T Figura 2. 07V Figura 2.9 Recortadores 83 . para el diodo de la figura 2. =Vi¡/?:::: VT =4V = (O)R = . y obteniendo la red de la figura 2.91.7V 3. pero una vez que el análisis se comprende con el diodo ideal. Solución El voltaje de transición suele detenninarse en primera instancia al aplicar la condición de i d := OA cuando vd VD 0.3 V J..3 V a 4 V.23 = = Vi + VT - V= O y V.88.83 en La forma de onda resultante de salida aparece en la figura 2.89 4V Determinación de V o o_ _ _ _ _ _~_ _ _o estado "encendido". incluyendo los efectos de V ro no serán tan difíciles. Resumen Una variedad de recortadores en serie y en paralelo con los resultados de salida para las entradas senoidales se presentan en la figura 2.3 V.83. con su capacidad de recortar Una sección positiva o negativa como se detennÍne por la magnitud de sus fuentes de de. Para los voltajes de entrada mayores que 3.22 usando un diodo de silicio con V T = 0.23.

o I v'I " o Figura 2. 84 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .91 Circuítos de recorte.. -o "~ -vm . . V -o o---J + v .. T-.. J + ~~\vm v o V o t o _-v o ~ -. R + v.----o v R + (Vm-V) + 0---1 v ~ + R . v + .. + . . + V) + R Recortadores en serie polarizados (diodos ideales) + o---II--I~-.~I Recortadores en serie simples (diodos ideales) POSITIVO NEGATIVO -o + R .(v".. + R '" " o -(Vm-V) Recortadores en paralelo simplt!S (diodos ideales) + + R Recortadores en paralelo polarizados (diodos ideales) ~ T v.

' T -2 v V figura 2. La magnitud de R y e debe elegirse de tal fanna que la constante de tiempo r = Re es lo suficiente grande para asegurar que el voltaje a través del capacitor no se descarga de manera significativa. Cuando la entrada cambia al estado -V. Ahora que R se encuentra de regreso en la red. con el equivalente de circuito abierto para el diodo determinado por la señal aplicada y el voltaje almacenado a través del capacitar. A través de todo el análisis se asumirá que para propósitos prácticos. " ~~ >R > Figura 2. La constante de tiempo Re resultante es tan pequeña (R se detennina por la resistencia inherente de la red) que el capacitar se cargará a V volts rápidamente. con el diodo en estado "encendido" efectivamente hace corto circuito el efecto de la resistencia R.94. el capacitor se cargará o descargará totalmente en cinco constantes de tiempo. -v Durante el intervalo 0-> Tl21a red aparecerá como lo indica la figura 2. la red aparecerá como lo indica la figura 2.92 Cambiador de niveL Figura 2. Debido a que V o está en paralelo con el diodo y la resistencia.10 Cambiadores de nivel o 2" ." 2. Este hecho es una excelente herramienta para verificar el resultado que se obtiene.. La red de la figura 2. l. ambos "presionando" la corriente a través del diodo desde el cátodo hacia el ánodo.95 Dibujo de red de la figura 2.95 junto con la señal de entrada. también puede dibujarse en la posición alterna que se indica en la figura 2. los siguientes pasos pueden ser útiles cuando se analizan redes cambiadoras de nivel. el voltaje (debido a que V = QIC) durante este periodo. Iniciar el análisis de las redes cambiadoras de nivel mediante la consideración de la parte de la señal de entrada que dará polarización directa al diodo. Y puede asumirse sobre una base aproximada que el capacitar mantiene toda su carga y. Para una red de cambio de nivel: -v La excursión de voltaje total de la señal de salida es igual a la excursión de voltaje total de la señal de entrada.93. v o T vy v V - V o = O T r " = -2V 2: El signo negativo se debe a que la polaridad de 2Ves opuesta a la polaridad definida por vO' La forma de onda de salida que resulta aparece en la figura 2.94 Determinación de va con el diodo en "apagado". durante el intervalo en que el diodo no está conduciendo. o para la 85 .' T. La resistencia R puede ser una resistencia de carga o una combinación en paralelo de la resistencia de carga y una resistencia diseñada para ofrecer el nivel deseado de R. La señal de salida "cambia de nivel" a O V durante el intervalo de O a T12.. la constante de tiempo determinada por el producto Re es lo suficiente grande para establecer un periodo de descarga 5 r mucho mayor que el periodo Tl2 -> T.93 Diodo en "encendido" y el capacitor cargando a V volts. por tanto.92 cambiará el nivel de la señal de entrada a cero volts (para diodos ideales). e " v e ~:r-~----~--~+ T T + < R \J" o .92. En general._ .10 CAMBIADORES DE NIVEL Una red de cambiadora de nivel es la que "cambia" una señal a un nivel de de diferente. un diodo y un elemento resistivo: pero también puede usar una fuente de de independiente para introducir un cambio de nivel de de adicional. pero mantiene la misma excursión de voltaje total (2\1) que la entrada. Durante este intervalo el voltaje de salida está directamente a través del "corto circuito" y V o = O V.94. La red debe tener un capacitor. 2. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de entrada dará por resultado e + Figura 2.

--~ 25 V""'+------. que resulta en un periodo de I ms y un intervalo de 0. Durante el pertódo en donde el diodo está en estado "encendido". Solución C ~!~+~--~~--~+ ve 20 V + V-.96 Señal que se aplica y red para el ejemplo 2.98.---.98 Determinación de V o con el diodo en estado "apagado". El análisis comenzará con el periodo tI -? t 2 de la señal de entrada debido a que el diodo está en estado de corto circuito según recomendaciones del comentario l. como se estableció en el comentario 2. +10 V + 25 V y V V o = O o = 35 V 86 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . pero un circuito equivalente Thévenin de la porción de la red que incluye la batería y la resistencia generará RTh = O Q con En = V = 5 V. Ve = 25 V + ~(----'-.. pero también directamente a través de la batería de 5 V si se sigue la conexión directa entre las terminales definidas para voy las terminales de la batería. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de entrada dará por resultado -20V+Ve -5V=0 y Determinación de V o y Ve con el diodo en estado "encendido". el capacitar se cargará hasta 25 V. 5. se asumirá que el capacitor se cargará de manera instantánea al nivel de voltaje que determine la red.¡.-5V Figura 2. VI f = 1000Hz C=I¡lF ¡~--~II~!--~----r---~+ ¡~ R V-.. A través de todo el análisis debe mantenerse un continuo cuidado de la posición y la polaridad de referencia para v o ' para asegurar que los niveles correctos de V o se están obteniendo. pero el análisis no se ampliará con una medida innecesaria de investigación. EJEMPLO 224 Determinar V o para la red de la figura 2.. El equivalente de circuito abierto para el diodo eliminará que la batería de 5 V tenga cualquier efecto sobre vo' y la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo exterior de la red dará por resultado KVL Figura 2. Para este intervalo la red aparecerá como lo señala la figura 2. el diodo no hace corto circuito en la resistencia R. + IOY Por tanto.97.. Se supondrá que durante el periodo en que el diodo está en estado "apagado" el capacitar se mantendrá en el nivel de voltaje que se establece. Para el periodo t 2 -? t 3 1a red aparecerá como lo indica la figura 2.97 Obsérvese que la frecuencia es de 1000 Hz.- > R 5V >100 kQ Vo + Figura 2. El resultado es V o = 5 V para este intervalo. 4.La instrucción anterior puede requ'erir de saltar un intervalo de la señal de entrada (como se demostrará en el siguiente ejemplo).24. En este caso. Tener en mente la regla general de que la excursión total de voltaje de salida debe ser igual a la excursión de voltaje de la señal de entrada.5 ms entre niveles. 3.96 para la entrada que se indica. 2. La salida es a través de R.

99 junto con la señal de entrada.7 V = 24.10 Cambiadores de nivel 87 . La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff genera +10 V + 24. Repetir el ejemplo 2. Solución Para el estado de corto circuito la red toma ahora la apariencia de la figura 2.96. Debido a que el intervalo 12 ---) 13 durará sólo 0.. La salida resultante aparece en la figura 2. Obsérvese que la excursión de voltaje de salida de 30 V iguala a la excursión del voltaje de entrada como se observa en el paso 5.uF) = 0. +5V-0.0. 35 10 'o o " . y determinarse por la ley de voltaje de Kirchhoff en la sección de salida.20 V + Ve + 0.99 V¡Y V o para el cambiador de nivel de la figura 2. Ve = 25 V .7V-vo =0 y V V EJEMPLO 2.98 está detenninada por el producto Re y tiene la magnitud de /' " = Re = (lOO kQ)(O.01 s = 10 ms El tiempo total de descarga es por tanto de Sr= 5(10 ms) = 50 ms.. :<. P. es cierto que resulta buena la aproximación de afinnar que el capacitar mantendrá su voltaje durante el periodo de descarga entre los pulsos de la señal de entrada..3 V IOV .101.0.3 V Ahora.3 V Para la sección de entrada la ley de voltaje de Kirchhoff dará por resultado .La constante de tie~po de la red de descarga de la figura 2.100 Determinación de V y Ve con el diodo en estado o "encendido"._ _ _ _ _ _~J Figura 2.. siendo el único cambio el voltaje a través del capacitar. o 2.25 o puede o = 5 V ." '3 " .5 ros.:: I 1 " '2 30 V O '3 " Figura 2..7 V. -20 ~ 30Y I 5 -¡ . 13 la red aparecerá como la figura 2.7 V = 4.1 .3 V ~~~+~--~--~+ 24.24 usando un diodo de silicio con VT = 0.-.7 V-S V = O y Figura 2. .-...-\ .100. para el periodo 1.101 Determinación de V con el diodo en estado abierto. -.3 V V Yo =0 a = 34.

C - r- ~ ._ 1v.104 para la red que aparece en la parte inferior derecha de la figura 2.-- v" o ".102 Dibujo de Vo para el cambiador de nivel de la figura 2.103 son ondas cuadradas..103 _1 2V o 2V -t Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (Sr o::: SRC> T/2).103. Redes de caJ1lbio de nivel v o f-+--i-+ -v T :TI c VJ v" ----¡ v" R o h"''-''''-¡tr+t 2V . 1 v. Un método para el análisis de las redes de cambio de nivel con entradas senoidaJes es. o 1 - .96 con un diodo de silicio..3 V o t. las redes de cambio de nivel trabajan de la misma manera para las señales senoidales.2vr '-- . rl~ o -v. - --o - .. .t v.1 03 se muestran varios circuitos de cambio de nivel y su efecto en la señal de entrada.La salida resultante aparece en la figura 2. + R v.102. La salida resultante tendrá una forma envolvente para la respuesta senoidal. I~ C v. +-l 2V t C + R v. Aunque todas las formas de onda que aparecen en la figura 2. Figura 2. el de reemplazar la señal senoidal por una onda cuadrada con los mismos valores pico. comprobándose el enunciado de que las eXCursiones de voltaje de entrada y salida son iguales. En la figura 2. v. t 2V v. -" ::. t -v. . 88 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .3 V 30V 4.-1 v. --. v. 34.-~ J VI t F: " --o v. como lo indica la figura 2.. Figura 2. --o ~~ R + v. ¡ ".

el diodo Zener está en estado "encendido" y se puede sustituir el modelo equivalente de la figura 2. V o (V) ~I~:--~--~----~+ e R -T- !O V + Figura 2.::: Vz .16) + + v Si V. El voltaje de dc aplicado es fijo. Para el estado "apagado" de acuerdo con su definición para un voltaje menor que Vz pero mayor que OV con la polaridad que se indica en la figura 2. 2.105a. el equivalente Zener es el circuito abierto que aparece en la misma figura.107.l05b. Primero debe determinarse el estado del diodo seguido por una sustitución del modelo adecuado.11 DlODOSZENER El análisis de las redes que utilizan diodos Zener es muy similar al que se aplica al análisis de diodos semiconductores de las secciones anteriores. y una detenninación de las otras cantidades desconocidas de la red. + vz =:> 1 l- vZ + v=:> 1 1 Ftgura 2. Figura 2. el diodo está en "apagado" y se sustituye la equivalencia de circuito abierto de la figura 2.. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminación de la red y calculando el voltaje a través del circuito abierto resultante. A menos que se especifique 10 contrario.105b.11 Diodos Zener Figura 2.106.106 básico. 89 .105 Equivalentes de diodo Zener para los estados a) "encendido" y b) "apagado".104 Red de cambio de nivel con una entrada senoidal. R v (Vz >v >0 V) "encendido" (.107 Determinación del ~~stado del diúdo Zener.106 generará la red de la figura 2. La aplicación del paso 1 a la red de la figura 2.) "apagado" (b) Vi Y R fijas Las redes más simples del diodo Zener aparecen en la figura 2. El análisis puede hacerse fundamentalmente en dos pasos. donde una aplicación de la regla del divisor del voltaje resultará R v. (2. Regulador Zener 1. Si V < Vz . así como la resistencia de carga.1 OSa. 2.. el modelo Zener utilizado para el estado "encendido" será como el que indica la figura 2.

Cuando el sistema se enciende. "'" 16 V Vz = IOV P zM =30mW FIgura 2. -==. es muy importante darse cuenta de que el primer paso se utilizó sólo para determinar el estado del diodo Zener.106 el estado "encendido" dará por resultado la red equivalente de la figura 2. Se "atará" en este nivel y nunca alcanzará un nivel más alto de V volts. ofrecerá un nivel para compararlo en función de otros voltajes. Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incógnitas deseadas . lkil ¡Iz ~~. Esto es Sustitución del equivalente Zener para la situación "encendido" . < + V.V z PZM -~ Figura 2. determinar Vu VR. EJEMPLO 2. e donde = (2. 1.16) da 1.110. 12 kQ + VL v. La figura 2. la red se redibuja como lo indica la figura 2.18) La potencia disipada por el diodo Zener está determinada por (2. Repetir el inciso a con RL = 3 kD.108.Iz =¡¡ 2. el voltaje a través de la carga se mantendrá en Vz volts. el voltaje a través del diodo no es de V volts.2 kQ(16 V) lkQ+1.R ..106 es un regulador simple diseñado para mantener un voltaje fijo a través de la carga Re Para los valores de voltaje aplicado mayores que el que se requiere para encender el diodo Zerrer.26 a) b) Para la red de diodo Zener de la figura 2.lz y Pz. Puesto que los voltajes a través de los elementos paralelos deben ser los mismos.j.109 Regulador de diodo Zener para el ejemplo 2.2kQ V= = = 8. se encuentra que (2.73 V 90 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .109.17) La comente del diodo Zener debe determinarse por la aplicación de la ley de comente de Kirchhoff.26. Si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referencia. La aplicación de la ecuación (2. Antes de continuar. Solución a) Siguiendo el procedimiento sugerido.108 + : R. R. Si el diodo Zener está en estado "encendido". Para la red de la figura 2.19) el cual debe ser menor que la P2M especificada para el dispositivo. Los diodos Zener se utilizan con mayor frecuencia en las redes reguladoras o como un voltaje de referencia. el diodo Zener se encenderá tan pronto como el voltaje a través de él sea de Vz volts.

110 Determinación de V para el regulador de la figura 2.17) genera VL = Vz = 10V y VR = Vi .112 será el resultado.67mA) = 26. iz(mA) Dado que V = 8.IL [Ec.73 Ves menor que Vz = 10 V. ~T 16V ~ figura 2.111 Punto de operación resultante para la red de la figura 2. el diodo está en estado "encendido" y la red de la figura 2.. donde se encuentra que VL = V = 8. + vR R IkQ + V..11 Diodos Zener 91 .18)] = 6 mA . el diodo está en estado "apagado".VL = l6V .67mA La potencia disipada Pz = V!z = (lOV)(2. b) Aplicando la ecuación (2.16) ahora resulta 3 kQ(16 V) = 12 V lkQ+3kQ Debido a que V = 12 V es mayor que Vz = 10 V.+ v.8.109.111.109. 2.73V = 727V Iz = OA y Pz = V!z = Vz(OA) = OW Figura 2. como se muestra en las características de la figura 2 .33 mA = 2. (2.73 V '2 VR = Vi . Sustituyendo el equivalente de circuito abierto resultará la misma red que en la figura 2 ..33 mA 3kQ RL IR = VR R e de tal forma que 6V = = 6mA 1 kQ IR .V L = 16V-lOV=6V con 10V VL IL = .112 Red de la figura 2.= 3.= .109 en estado "encendido". La aplicación de la ecuación (2.3. 16 V + V Figura 2.11 0.7mW la cual es menor que la especificada PZM = 30 m W.73 V \ o 8.

y un 1z máximo cuando JL eS un valor mínimo debido a que IR es constante. Una resistencia de carga RL muy pequeña generará un voltaje VL a través de la resistencia de carga menor que Vz y el dispositivo Zener estará en estado "apagado".26) 92 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .20) establece el RL mínimo. se tiene (2. pero a su vez especifIca ellL máximo como (2. de corriente de carga) que asegurará que el dispositivo Zener está en estado "'encendido".21) Una vez que el diodo está en estado "encendido".24) resultando un 1z mínimo cuando JL es un máximo. Resolviendo RL . Esto es. RL variable Debido al voltaje Vz ' existe un rango de valores de resistencias (y por tanto. Dado que I z está limitada a 12M como se especificó en la hoja de datos. simplemente se calcula el valor de RL y dará como resultado un voltaje de carga VL = Vz .25) y la resistencia de carga máxima como (2.22) e IR permanece fija en (2.20) Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el RL que se obtiene de la ecuación (2. Para determinar la resistencia de carga mínima de la figura 2.20) asegurará que el diodo Zener está en estado "encendido" y que el diodo puede ser reemplazado por su fuente equivalente VzLa condición defInida por la ecuación (2.Vi fijo. el voltaje a través de R permanece constante en (2. afecta el rango de RL y por tanto de le Sustituyendo I ZM por Iz establece el I L mínimo como (2.23) La corriente Zener (2.106 que encenderá el diodo Zener.

Figura 2.1\3. Ik.'·1 1.25k. m"..lO V 40 .20): R Lmm IOkQ RVz (1 kQ)(lO V) = --=-.= I L mL " 10 V 8mA = 1. z 150Q El voltaje a través de la resistencia R se determina por medio de la ecuación (2...=50V R VZ ~ 1.251<.22): V R = Vi .a) b) Para la red de la figura 2.27.23) ofrece la magnitud de IR: 1 =--= R R VR 40V 1 kQ =40mA El nivel mínimo de I L se determina después con la ecuación (2.32 mA = 8 mA con la ecuación (2. lOV :-'.Vz = 50 V-lO V = 40 V y la ecuación (2. o 250 Q ¡V.25): I Lm .:(-..26) se determina el valor máximo de R L : RL . IzM =32mA Solución a) Para determinar el valor de R L que encenderá el diodo Zener." = IR - IZM = 40 mA . -:'1 '.Q EJEMPLO 2.114b.= [ D f . = (lO V)(32 mAl = 320 mW 10+ 1. se aplica la ecuación (2.114 VL en función de RL e IL para el regulador de la figura 2. Vz = -.= V _ V 50 V .114a y para VL en función de I L en la figura 2.27 IR -+ + V. F'lgura 2.--------. = 10 v =l"V' D. determinar el rango de R L y de 1L que resultará que V R. V. 2.11 Diodos Zener 93 ..113.0 Una gráfica de VL en función de R L aparece en la figura 2.Q o 8mA (b) 40mA 1.~'j\..113 Regulador de voltaje para el ejemplo 2.. Determinar el valor de la disipación máxima en watts del diodo. se mantenga en 10 V.

el máximo Vi se define por V =VR +Vz V = IR m:h R + V z 1m:!..>: (2.2 kQ + V.115.115 Regulador para el ejemplo 2..106.87 V 23. -+- + v¡ 220Q Vz = 20 V ~ Iz =lV' R.. El voltaje de encendido mínimo Vi V está determinado por = 1". Debido a que 12M =IR-IL' I IRm~ = IZM + IL I .67 mA = 76. .'0 VL = V Z - RV Li RL + R (2. el voltaje Vi debe Ser lo suficientemente grande para encender el diodo Zener. = IZM + lL = 60 mA + 16.87V+20V = 36.- ==.. 1...67 mA)(0... Se presenta en la figura 2..28): I R"".116 VL en función de Vi para el regulador de la figura 2.= . Vi variable Para los valores fijos de R L en la figura 2. R 1...67 mA 20V .28.28) Debido a que IL está fijo en V:!R L y que l ZM es el valor máximo de lz.22 kO) O + 20 V 10 20 1 40 = 16. = ¡min El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima 12M .= 16.67 V 36.27) y v.116 una gráfica de VL en función de Vi' 94 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .67 V IL = -L.RL fija.28 Determinar el rango de valores de Vi que mantendrán el diodo Zener de la figura 2..-" 1 Ecuación (2.115 en estado "encendido".2 kO V Ecuación (2.. Solución Ecuación (2.29) EJEMPLO 2.27): v.1Rmáx R + VZ - = (76.= -z.87 V Figura 2.67 mA RL RL 1. I ZM =60 mA Figura 2.29): Vi má. """ (2. ¡mm = (R L + R)Vz RL V = (1200 O + 2200)(20 V) 1200 O 20V = 23.

como lo indica la figura 2. Mientras Vi sea mayor que la suma de Vz y V".11 Diodos Zener 95 ..87 V.118. Olt I (a) 5kQ + z. Para la señal senoidal Vi' el circuito aparecerá como en la figura 2.87 V 23. Entonces Z2 se encenderá (como un diodo + ____ ____ 30V ~ ~ -4_________~ . La entrada y salida continuarán duplicándose mutuamente hasta que Vi alcance 20 V.Los resultados del ejemplo 2.119b en el instante Vi = 10 V. proceso descrito con mayor detalle en un capítulo posterior.28 revelan que para la red de la figura 2. 10 V..119 Regulación de ac senoidal: a) regulador ac senoidal de 40-V de pico a pico. También pueden utilizarse dos diodos Zener conectados en sus cátodos (espalda con espalda) como un regulador de ac.. el voltaje de salida permanecerá fijo en 20 V para un rango de voltaje de entrada que se extiende desde 23. 2. como aparece en la figura 2. La región de operación de cada diodo se indica en la figura adjunta. Figura 2..IJ6. v.117 Forma de onda o generada mediante una señal rectificada filtrada.117 y la salida permanecería constante en 20 V. + 5 kQ z. ". la que corresponde a la representación de circuito abierto.115 con una RL fija.=IOV 20V z. 40 36. + 20V _ 5 kn + 10 V (Vz ) + Pueden establecerse dos o más niveles de referencia al colocar diodos Zener en serie como lo indica la figura 2. El resultado es V o = Vi cuando Vi. el efecto neto es el de establecer un voltaje de de estable (para un rango definido de V) como se señala en la figura 2. b) operación del circuito a Vi = 10 V. v. z.67 V hasta 36.1l9a. Obsérvese que Z¡ está en una región de baja impedancia. Olt 20-V< Zener ". La entrada podría aparecer como lo indica la figura 2. ambos diodos se encontrarán en estado "encendido" y estarán disponíbles tres voltajes de referencia. Sin embargo.67 V 20 10 Figura 2. mientras que la impedancia de Z2 es muy grande.118 Establecimiento de tres niveles de voltaje de referencia..116 de una fuente senoidal con un valor promedio de O. La forma de onda en la figura 2. + " . (b) o V figura 2.117 se obtiene alfillrar una salida de media onda o de onda completa rectificada.

2. está en corte y el diodo D. IOV z. Durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario. conduce carga al capacitor C 2 .121 es un doblador de voltaje de media onda. + V + Vm = O m de la cual ~ + + :( ~I 96 ª 14 r !' D. D. La red de la figura 2.120 con la forma de onda de salida SOV + v. es idealmente un circuito cerrado durante este medio ciclo. el diodo del secundario D. 2 1t rol Zener o IO-V\ + L v. como lo señala la figura 2.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE Los circuitos multiplicadores de voltaje se utilizan para mantener el voltaje pico de un transformador relativamente bajo. conduce (y el diodo D. Dado que el diodo D 2 actúa como un corto circuito durante el medio ciclo negativo (y el diodo DI abierto). Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . La red está limitando en forma efectiva el valor rms del voltaje disponible. Obsérvese que la forma de onda no es puramente senoidal.121 Doblador de voltaje de media onda. I + + Figura 2. Vi se incrementa a quizá 50-V pico con Zener de lO-V.122b): -Vc. pueden sumarse los voltajes alrededor del lazo externo (véase la figura 2. y el voltaje de entrada carga al capacitar C I hasta Vm con la polaridad mostrada en la figura 2.Zener). 5 kO + + .l19( a). está en corte). v.119a puede ampliarse a la de un generador simple de onda cuadrada (debido a la acción de recorte) si la señal de resultante. La salida resultante para el rango completo de vise indica en la figura 2 .120 Generador simple de onda cuadrada. pero su valor rms es menor que el asociado con una señal pico completa de 22-V.. 2v. cuatro o más veces el voltaje pico rectificado.122a. el diodo D. { c. mientras que 2 1 está en una región de conducción con un nivel de resistencia lo suficiente pequeño comparado con la resistencia de 5-kO en serie para considerarlo como un circuito cerrado. cargando el capacitar C I hasta el voltaje pico rectificado (Vm )· El diodo D. -lOV FtgUra 2. ya que elevan el voltaje de salida pico a dos. Doblador de voltaje La red de la figura 2. o - v. Durante el medio ciclo de voltaje positivo a través del transformador. tres.. - 2V.

. En el siguiente medio ciclo positivo..124a)..--' D' 2 "']\io conductor . ~ r o D.+ V". ue operación alternos para el doblador de voltaje de onda completa..-'-t-D---i.124.Meu:'os ddos.--. el diodo DI conduce carga al capacitar C l hasta un voltaje pico Vm . el voltaje a través del capacitor Cz Cae durante el medio ciclo positivo (en la entrada). Otro circuito doblador es el doblador de onda completa de la figura 2.-.. El voltaje pico inverso a través de cada diodo eS de 2Vm . o ~II o V + . Durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador (véase la figura 2.. existe una carga conectada a la salida del doblador de voltaje.12 Circuitos multiplicadores de voltaje 97 .c. La forma de onda de la salida a través del capacitor C z es la de una señal de media onda filtrada por un filtro capacitar. -~ "D. el a Vm y C? a 2Vm • Si. . como pudiera esperarse. ~ Conductor D 2 figun 2. el diodo Dz no está conduciendo y el capacitar Cz se descargará a través de la carga... ... indicando cada medio ciclo de operación: a) medio c. '. El diodo D 2 no está conduciendo en este momento. condUClo-r o no conductor r" (b) Figura 2.....iclo positivo: b) medio ciclo negativo. (al (b) 2.. ConductOr / No conductor \c+ ~ V .122 Operación doble.....123 Doblador de voltaje de onda completa....1414---r-~2~ + el / DiodoD. ~II vI>! 'l J j + 21/ m 'm . Si ninguna carga está conectada a través del capacitar C z' ambos capacitares permanecen cargados.. figura 2. 11".--_.-14c ..J._ / Diodo Do no condt7ctor ~II Diodo DI conductor c-:::---1v!-~--. D. el capacitor se recarga hasta 2Vm durante el medio ciclo negativo.123.

el que desarrolla tres y cuatro veces el voltaje pico de entrada. En el medio ciclo negativo. al mismo voltaje pico de 2Vm . el voltaje a través de los capacitores el y e z es 2Vm.los circuitos dobladores de voltaje de media onda y de onda completa ofrecen el doble del voltaje pico del secundario del transformador. a través de el y e3es de 3Vm . La medición desde la parte superior del devanado del transformador (figura 2. - e. y D4 conducen con el capacitar e3 . El valor menor del capacitor ofrecerá una acción de filtrado más pobre que el circuito de filtrado con un solo capacitor. y así sucesivamente. solos.l24b) el diodo D. siete. pueden desarrollarse de de voltajes de muy altos mediante este tipo de circuito. se carga al doble del voltaje pico 2 Vm desarrollado por la suma de los voltajes a través del capacitor el y el transformador. veces el voltaje pico básico (Vm)' e+ '------1 v'" +11l' Triplicador (3Vm ) -----~·I 2V". y cada diodo en el circuito debe tener un valor nominal de 2Vm para PIV.125) ofrecerá múltiplos nones de Vm en la salida.. Si se utilizan secciones adicionales de diodo y capacitor.cargando e4 a 2Vm • El voltaje a través del capacitor e2es 2Vm . utilizando muchas secciones para aumentar el voltaje de de. ~ ~ D. + " l' " +"2Vm Doblador (2V.1 'V m Cuadruplicador (4 V. seis. El voltaje pico inverso a través de cada diodo es 2Vm así como lo es para el circuito de filtro con capacitar.) . mientras que si la medición es desde la parte inferior del transformador el voltaje de salida ofrecerá múltiplos pares del voltaje pico Vm' El valor del voltaje nominal de salida del transformador es únicamente Vm . Durante el medio ciclo positivo. y no se requiere un transformador con derivación central sino únicamente un valor PIV de 2 Vm para los diodos. Si no hay consumo de corriente en capacitor la carga del circuito. El capacitor e. ~ . durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario del transformador. Resultará obvio para el patrón de la conexión del circuito la forma en que los diodos y capacitores adicionales se pueden conectar de tal forma que el voltaje de salida puede ser de cinco.J • Figura 2. que es menor a la capacitancia de el y e. ya través de e2 y e4 es de 4 V m. ~ ~ D.. Vm' durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador. e. Si la carga es pequeña y los capacitores tienen poca fuga. máximo. los diodos D. cada capacitar será cargado con 2Vm . en serie. e" Triplicador y cuadruplicador de voltaje La figura 2.125 muestra una extensión del doblador de voltaje de media onda. 98 capítulo 2 Aplicaciones de diodos . el voltaje en los capacitares C l y C z es el mismo que a través de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda completa.111 Durante el medio ciclo negativo (véase la figura 2. 1\ ~I I v m ~~ e. Durante la operación el capacitor el se carga a través del diodo DI a un voltaje pico. En resumen. +u- e. D. el diodo D3 conduce y el voltaje a través del capacitor e 2 carga al capacitor e. conduce carga al en tanto que el diodo DI no está conduciendo. Una diferencia es la capacitancia efectiva de el y e.. Si hay consumo de corriente de carga en el circuito.125 Triplicador y cuadruplicador de voltaje.

2. El archivo de entrada para la red de la figura 2.11) utilizando la versión DOS de PSpice.126.END exactamente en el fonnato que se indica.128 Archivo de entrada para la red de la figura 2.O) V(2.126 VEllO lOV Rl 1 2 4. La omisión del punto invalidará completamente el archivo de entrada. seguida por el nombre de la fuente.128.7 ka 2 Si 3 + lOV Figura 2.OPTIONS NOPAGE .126 se presenta en la figura 2. 4.126. La siguiente entrada en el archivo es un elemento resistivo que requiere una literal R para empezar el renglón seguido por el nombre elegido (en este caso sólo el número 1 para referir el subíndice en la red de la figura 2.13 Análisis por computadora 99 .Pi 2. El voltaje V 1 se localiza entre los nodos 1 y 2 Y V2 entre los nodos 3 y 4. La primera línea de la descripción de la red especifica la fuente de dc de lO-Y. Para todas las fuentes dc la primera línea debe ser la literal Y.28: VE2045V . La última entrada debe ser la instrucción . El formato para la entrada del diodo se presentó en el capítulo 1. Después se captura el nodo con el lado positivo de la fuente seguido por la polaridad negativa.126). La magnitud de la resistencia se especificó como de 4. El primer paso consiste en dibujar de nuevo la red como lo indica la figura 2.MODEL DI D(IS-2E-1S) .27 para el análisis PSpice. El diodo de silicio está especificado entre los nodos 2 y 3.J) . Renglón de título La infonnación de la red se captura en la computadora en un archivo de entrada como se muestra en bloques en la figura 2. La primera entrada debe ser una línea de títulos para identificar el análisis que se desarrollará.11 está del nodo 3 a tierra. Descripción de la red Instrucciones para análisis Instrucción END Figura 2. El voltaje de salida del ejemplo 2. El nombre es sólo una elección de letras y/o números para identificar la fuente en la estructura de la red.127. El siguiente conjunto de entradas es una descripción de la red utilizando los nodos elegidos y el formato que requiere PSpice para cada elemento. de ahí el orden de los nodos en el archivo de entrada. Oiode circuit for network of Fig.EIfD Figura 2. Obsérvese la entrada en el renglón 3 de la descripción de la red y la del modelo del diodo en el renglón 6.126 como el circuito que debe analizarse.127 Componentes de un archivo de entrada.2) VI3. Se captura la magnitud de la fuente como se indicó. 1 R.PRINT De Ve') I(Dl) V(1. La línea del título especifica el circuito de diodo para la red de la figura 2.OC VEl lOV lOV lV . La "presión" de la fuente de lO-y sugiere que la corriente resultante hará al nodo 1 positivo respecto al nodo 2.13 ANÁUSIS POR COMPUTADORA PSpice (versión DOS) El análisis por computadora de este capítulo empezará por determinar las cantidades desconocidas para la red de la figura 2. Recuerde que 2.71': Dl R2 2 3 DI 3 4 2. identificar los nodos y etiquetarlos en un orden lógico.7 ldl. La tierra se elige como el nivel de referencia y se le asigna la etiqueta O.27 (ejemplo 2.126 Dibujar de nuevo la Archivo de entrada figura 2.

se especificó IS como 2E-15 para obtener una caída de 0.11 y V(3.- VE! 1 O lOV Rl 1 2 4.55 V es para el mismo ejemplo. 2.PRINT oc V(3) I(Dl) V(l. el que se compara de manera favorable con el -.455E-Ol =-0. La entrada .icite específicamente.070E-03 9.END _.OPTIONS NOPAGE (OPCIONES NO PÁGINAS) es una instrucción para "ahorrar papel".155E-Ol 100 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos . el que limita los datos presentados en el archivo de salida a menos que se so1.129 Archivo de salida para la red de la figura 2. El último elemento del archivo de salida es el voltaje a través del diodo.QPTIONS NOPAGE .000000E-15 OC TRANSFER CURVES V(J) 1(01) •••• VE1 TEMPERATURE '" V(l.07 mA.730E+OO 4. La instrucción _PRINT (IMPRESIÓN) define las cantidades que deben incluirse en los datos de salida. es una réplica exacta del ejemplo 2..554E+OO 7. VEl es sólo una repetición del nivel de E.END. el programa PSpice puede ser "corrido" y la información deseada que se obtiene en el fOffilato del archivo de salida que aparece en la figura 2. Obsérvese en cada caso un intento para definir los nodos positivos y negativos en el orden de las entradas de los nodos. el análisis se desarrollará desde el primer nivel al segundo nivel y a los niveles definidos por el incremento que se especifica como la siguiente entrada en el renglón.OOOE + 1 = 10) Y lo controla la computadora para especificar la condición bajo la que se hicieron los cálculos (recordar la instrucción . como es el caso.2) V(3~4) 27.11. el análisis se desarrollará únicamente al nivel que se indica. El archivo de entrada termina con la instrucción . La cantidad V(3) es el voltaje del nodo 3 a tierra.De): mientras que V(3) = Ve> =-4. el voltaje de salida de la figura 2.7K 01 2 3 DI :3 4 2~2K VE2045V .11.129. El voltaje V(1.DC VE! lOV lOV IV .2} V(J. se requiere una entrada para el incremento como se indica por el 1 V utilizado generalmente para este propósito.126 **.45 V que se obtuvo en el ejemplo 2.126. La entrada . *••• R2 CIRCUIT OESCRIPTION **************************************************_ ••• _•• _.4) = V2 =4.000 OEG V{2. J) e 1.554 V que se compara con 4. Obsérvese en la figura la posición del renglón de título y la repetición de la descripción de toda la red.. Una vez que el archivo de entrada se capturó adecuadamente. Oiode MODEL PARAMETERS DI 1$ 2. Aunque el análisis es sólo a un nivel. Diode circ'. Una vez que se corre el programa y el sistema de cómputo observa una repetición del nivel de 10 V.De puede especificarse para un rango de valores.7-V (o lo más cercana posible a este nivel) a través de los diodos de silicio en estado "encendido" con los niveles de corriente usuales para los sistemas electrónicos. La corriente del diodo I(DI) = ID = 2. La entrada . (l.4455 V. No es necesario incluir la segunda fuente de de en esta instrucción. 455E-Ol 2. de ahí la repetición del nivel de lO-Ven el renglón de captura. Si el segundo nivel fuera diferente.De especifica el tipo de análisis a un nivel de El = 10 V con todos los otros elementos según se especificó en la descripción de la red.De especifica un análisis en dc con una fuente El a 10 V.. el cual es para el nivel de corriente IS elegido de 0. Se listan los parámetros del modelo que se especificó seguidos por los resultados deseados. Las siguientes dos entradas son la segunda resistencia y la fuente de alimentación._ •••••• _.2) = VI =9.126.J) .MODEL DI 0(IS=2E-15) .lit tor netW'ork of Fig.000E+Ol -4.A continuación se encuentra la corriente a través del diodo seguido por los voltajes entre los nodos indicados. Si el nivel se repite.4) V(2.73 V para el ejemplo 2.715 V.73 V que se compara con 9. Una suposición incorrecta dará por resultado sólo en un signo negativo para el voltaje a través de un elemento en particular. Figura 2. El análisis . sólo llevará a cabo el análisis a un nivel único (10 V) e ignora el impacto de la captura del incremento.

1" (Malla activa. se asegurará de que todas las conexiones sean establecidas entre los elementos. se tiene que colocar R 2 . La caja de diálogo de Get Part aparecerá. Una vez que se especifique con una pequeña x en las cajas adecuadas.11. La pantalla al principio puede inicializarse al elegir Options (Opciones) en la barra de menú seguido por Display Options (Desplegar Opciones).130 mientras se avanza a través de la presentación. Con mayor importancia. Las etiquetas Rl y R2 están de manera correcta~ pero los valores son incorrectos. Del capítulo 1 recuerde que el voltaje del diodo es una función de una variedad de parámetros. los resultados son exactos con los que se obtuvieron en el ejemplo 2. es natural que dejará preguntas y dudas acerca de su aplicación. En los siguientes párrafos se presentarán las bases para dibujar una red sobre la pantalla. sin embargo.1 "). la secuencia superior permite un primer acercamiento a una lista importante de bibliotecas y opciones. se da "click" en la librería analog. y que cualquier conocimiento acerca de su aplicación será valioso en cualquier sistema de análisís por computadora que se pueda elegir. Stay on Grid y un Grid Size de 0. se le da "click" al botón izquierdo del mouse.126. La secuencia entera puede reducirse con teclear R en la caja de diálogo de Add Part (añadir parte) y dando "click" en OK. La caja de diálogo de Display Options permitirá hacer todas las elecciones necesarias respecto al tipo de pantalla que se desee. sólo se hace "click" al botón derecho del mouse y el proceso se completa. En general. se debe estar consciente que la intención de este libro es presentar al lector varios métodos de computación. como deben ser si se aplica el cuidado adecuado para ambos métodos. sino sólo qlle pueden surgir preguntas que requieran un curso sobre el tema o por lo menos la disponibilidad del manual PSpice. el nivel de corriente. como la corriente de saturación inversa. Lo anterior es el tipo de análisis PSpice que se presentará a lo largo de este libro. El primer contacto con cualquier técnica nueva. Nótese la forma en que se "adhiere" a la estructura de la malla. puede girar la resistencia 90 0 .slb.slb y aparecerá un listado de alternativas bajo el encabezado de Part (parte). la temperatura. Sin duda se harán algunas referencías a los manuales cuando se intenten otras configuraciones. Sin embargo. Esto no quiere decir que la descripción anterior no sea suficiente para iDtentar varias configuraciones de diodos. Recorriéndolo hasta ver R. La resistencia aparecerá en forma horizontal. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Ahora. Para estos propósitos se eligirá Grid On. y aparecerá una resistencia en la pantalla. lo que es perfecto para R l' Se mueve la resistencia a una posición lógica. esta descripción lo llevará a través de las bases sin demasiada dificultad. PSpice para Windows se aplicará a la misma red de la figura 2.comparado con el 0.126 para permitir una comparación entre los métodos y las soluciones. R Primero se coloca la resistenciaR¡ en la posición adecuada al dar "click" a Draw (dibujar) en la barra de menú seguido por Get New Part (seleccionar una parte nueva) y Browse (hojear). Como se describió en el capítulo 1. y así sucesivamente. y no necesariamente el detalle que se requiere para desarrollar el análisis por su propia cuenta para una variedad de configuraciones. pero R 2 es vertical en la figura 2. es más fácil dibujar la red si la malla se encuentra sobre la pantalla y se hace el requerimiento de que todos los elementos se hallan sobre dicha malla.7 V amenos que se elimine el uso de todo el modelo.7 V Y utilizado en el ejemplo 2. y la resistencia R 1 está en posición. Permanecer en la Malla y un Tamaño de Malla de 0. Se podrá hacer referencia a la red terminada de la figura 2. En general. permitiendo su colocación en la fonna vertical adecuada. y si se recorre la biblioteca hasta que aparece analog. Las opciones restantes se dejan para investigar. como el análisis PSpice que se presenta en esta sección. Debe tenerse presente que PSpice es uno de los paquetes aplicados con mayor frecuencia en la comunidad educacional. 2. se hace "click" en R y luego OK. sin embargo. Puesto que no hay más resistencias en el diagrama. Al presionar etrl y R de manera simultánea. pero no puede especificarse sólo como 0. al dar OK se inicializará la pantalla con las especificaciones que se desean.13 Análisis por computadora 101 . la aplicación de la versión para Windows tiene como resultado un dibujo de la red en una pantalla esquemática.11. Ahora.

Se escribe el valor correcto y aparecerá en la pantalla al dar OK.130.Model (modelo) . es necesario oprimir la secuencia Ctrl R dos veces para rotar el símbolo antes de colocarlo en posición. Si se desean ver las especificaciones de los diodos. se oprime una vez el símbolo del diodo y se utiliza la secuencia Edit (editar) . Se oprime el lado derecho del mouse para terminar las series de colocación de los diodos. Una vez ahí.7k posteriormente. Para añadir la etiqueta de 10 V al diagrama. Se libera el botón y la etiqueta de 4. Dando OK da por resultado el símbolo de la fuente en el esquema. Antes de dejar la caja de diálogo se debe estar seguro de dar Save Attr (guardar atributos). se da un "click" sobre el valor y las cajas reaparecerán. Se repite lo anterior para el valor de la resistencia R 2 • E Las fuentes de voltaje se encuentran en la biblioteca source. Se cambia la etiqueta a El y se la da "click" a OK y aparecerá E 1 sobre la pantalla dentro de una caja. Por tanto. se hace doble "click" en el valor sobre la pantalla (primer R 1) Y aparecerá una caja de diálogo Set Attribute Value (establecer valor del atributo).Para cambiar un valor.126 la etiqueta Si aparece en lugar del Dl' Al dar doble "click" el DI traerá el Edit Reference Designator para cambiarlo a Si. Cuando se hace "click" para colocarla. Para establecer el valor de El se oprime el símbolo dos veces y aparecerá una caja de diálogo. IPROBE Puede desplegarse la corriente de la red al insertar un IPROBE (ensayo) en serie con los elementos de la red. éste está 180' fuera de fase con la corriente deseada.slb y aparece como una carátula de medidor en la pantalla. Se oprime el lado derecho del mouse para terminar el proceso y luego se oprime el lado izquierdo para eliminar la caja.slb de la caja de diálogo Get Parto Oprimiendo el diodo DIN4l48 y el OK colocará el símbolo del diodo en la pantalla.7k dentro de la caja. aparecerá una caja en blanco que puede moverse a la posición deseada. Si la etiqueta DI no desaparece por completo. Un "click" en el botón derecho del mouse terminará la característica de inserción del IPROBE.7k permanecerá donde se colocó.EditInslance Model (editar modelo ejemplo). Para cambiar la etiqueta a El. El Model Editor aparecerá y mediante un "click" puede cambiarse una parte. Las etiquetas DI y D1N4l48 aparecerán cerca del diodo. se hace "click" al VI un par de veces y aparecerá una caja de diálogo de Edit Reference Designator (editar el designador de referencia). que puede moverse sólo haciendo "click" en la pequeña caja y mientras se mantenga oprimido el botón. un "click" adicional en cualquier lugar de la pantalla eliminará las cajas y terminará el proceso. Se mueve el diodo a la posición correcta. El proceso será el mismo para Ez' pero se debe estar seguro de incluir el signo negativo.slb de Get Part y eligiendo VSRC. La caja puede moverse de la misma manera que las etiquetas para las resistencias. un "c1ick" completará el proceso. Si se desea mover e14. Debido a que se está buscando una respuesta positiva en esta investigación. El IPROBE responderá con una respuesta positiva si la corriente entra al símbolo al final con un arco que representa la escala. En la figura 2. y se oprime una vez. Cuando se tengan en la posición correcta. DIODO El diodo está en la biblioteca eval. 102 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .7k a la posición que se desee. se mueve el 4. Donde aparece el símbolo primero. se utiliza la instrucción Ctrl L para dibujar de nuevo la red y ésta eliminará cualquier línea que persista. que puede colocarse como sea necesario. Se hace "click" en OK y El ha sido fijado con un valor de 10 V aunque no aparezca en la red. sólo se oprime el mouse una vez más y El estará en posición. se selecciona Draw en la barra de menú seguido por Text (texto). Aparecerá el 4. Después de darle "click" para colocarlo donde se requiere. Para este análisis se cambió Is a 2E-15 en lugar del valor implícito de 1 pA. El Part Name:VSRC (nombre de la parte El: VSRC). Se escribe 10 V Y se hace "click" en OK. Se seleccionaDC= y se establece el valor de 10 V. Una vez en posición. los 10 V aparecerán en la pantalla. IPROBE está en la librería special. el IPROBE debe ser instalado como se indica en la figura 2. aparecerá una etiqueta VI.

simulación) para llevar a cabo el análisis. Para este análisis las referencias de los nodos se cambiaron para igualarlas a la figura 2. VIEWPOINT Los voltajes de los nodos pueden desplegarse sobre el diagrama después de la simulación utilizando VIEWPOINTS (puntos de vista) que están en la biblioteca special. Se elige Do Not Auto-Run Probe (no autoejecutar la prueba) debido a que Probe no es apropiada para este análisis. ASIGNACIÓN DE NODOS Cuando los elementos son capturados como en la parte anterior.126.análisis. Se sale de la caja y el diagrama tendrá la corriente y el voltaje de los nodos como en la figura 2. Para acelerar el proceso.126. el proceso puede terminarse al oprimir el botón derecho del mouse.07 mA concuerda con la solución en DOS. ANÁLISIS Ahora.126. por las palabras en inglés de: Earth GrouND) es parte de la biblioteca port.7k R2 2. la red está lista para el análisis.130. Aparecerá entonces un lápiz que puede dibujar las líneas deseadas de la siguiente manera. Esta lista puede cambiarse para igualar la de la figura 2. sólo se presiona la barra espaciadora después de terminar una línea y se dibuja la siguiente línea. Es una opción que se presentará en un capítulo posterior cuando se manejen las cantidades que cambian con el tiempo. una caja de diálogo de PSpice aparecerá indicando que el análisis en de se terminó. Si sólo se debe dibujar una línea. Ahora.lüV E2 5V Figura 2. Sin embargo.130 Respuesta de Windows para la red de la figura 2. Si se desarrolla correctamente. Luego se dibuja la línea y se hace "click" una vez más al botón izquierdo al final de la línea.13 Análisis por computadora 103 . La tierra (EGND. Se mue ve el lápiz al principio de la línea y se oprime el botón izquierdo del mouse. la red está completa como lo indica la figura 2. Después se procede con OK-Analysis-Simulate (Ok. El resultado es un listado de los elementos de la red y el valor numérico asignado a cada nodo.066E-ú3 -'---==1- -TL-____~. la probabilidad es que los nodos asociados con cada elemento no concuerden con las referencias de los nodos asignadas de la figura 2.slb de la caja de diálogo Get Parto Sólo se coloca la flecha del símbolo VIEWPOINT en el punto donde se desea el voltaje respecto a la tierra. Puede colocarse un VIEWPOINT en cada nodo de la red si es necesario. RI DI DIN4148 -. se oprime Analysis (análisis) y se elige Probe Setup (irticialización de la prueba).45 V. esto puede cambiarse al oprimir el Examine Netlist (examinar la lista neta) bajo el encabezado Analysis (análisis).4542 El ~ : 4. y el voltaje de los nodos en -{).slb y puede colocarse de la misma manera que los otros elementos de la red.130. La corriente del circuito de 2. Si deben dibujarse líneas adicionales. 2.2 k 2.LÍNEA Los elementos ahora necesitan ser conectados al elegir Draw y luego Wire (cable). v EGND El sistema debe tener tierra para actuar como punto de referencia para los voltajes de los nodos.------~~ + -==-.46 Ves muy cercano a la solución DOS de -{).126 con una simple secuencia de inserciónlborrado para cada referencia de los nodos. la frecuencia o cualquier otra variable importante.

......000000E-J S BV JOO lBV l00....126.....El archivo de salida puede observarse con la secuencia Analysis--Examine Output (análisis........ ····DIODES NAME O_DI MODEL D1N4I4&-X ID 2...........131...... los diodos se repiten bajo el listado Diode MODEL PARAMETERS (parámetros de modelos de diodOS).065E-03 2.. ••••• SMAU.06SE-03 TOTALPOWEIlDlSSlPAnON 3.000000E~15 RS 16 TI 12.126... La SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (solución de pequeña señal de polarización) incluye todos los voltajes de los nodos con la corriente listada a continuación como las VOLTAGE SOURCE CURRENTS (corrientes de las fuentes de voltaje).7 V utilizado en la solución manual......131 Archivo de salida para el análisis PSpice (Windows) del circuito de la figura 2................()9 CJO 2...X 2..._ .... R RI SN_OOO2 SN_OOOl 4.................. una posihle razón para la ligera diferencia en el voltaje de los nodos listado arriba.......... La OPERATING POlNT INFORMATION (información del punto de operación) revela que ID es de 2.4561 (SN_oooS) 10. IS D1N414J....749 V en lugar del 0..2k SNJ)OOSODC lOV $N OOG40DC-SV SN-OOOI $N 0003 DIN4148-X v_V6 ..s Ncdist .....0000 VOLTAGE SOUIlCE CUIUtENTS NAME CIllUU!NT V_El V_P2 -2..... Obsérvese que las asignaciones de los nodos del Schematics Netlist (lista esquemática neta) concuerda con las referencias de los nodos de la figura 2..10&<>2 WATTS •••• OPEltA~GPOINTJNFOlJ...............-•.....0000 (SN_OOO4) ·'0000 TEMPERATURE = 27... Los parámetros de •••• .....MAnON TEMPBRAnJRE....... Scbemati<:..49E-Ol REQ CAP 1.......000000E-12 •••• ...•........ a:R2 V_El V El D:DI SN_OOO4 SN_OOO3 2...........000 DEG e NODE VOLTAOE VOLTAGE (SN_0001) ............. SN:0005 SN:0002 e Diode MODEL pARAMETERS ••••• ..07 mA Y que el voltaje a través del diodo es de 0...............()()O()C)Ot.... VD ......1lc.............2925 (SN_OO<l3) .....................01E-03 7...27.................."' •••••••••••••••••••••••••••••• ! ...06SE-03 v_w~ 2.. 104 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos ..-SlGNAL BIAS SOLtmON NOnE VOLTAGE NQDE VOLTAGE :NODE (SN-"002) 10. examinar salida)....-.... Varias de las partes importantes del archivo de salida aparecen en la figura 2....2SE+Ol 9.000DEGC ...62&10 Figura 2. ••••• CIRCUIT DESCRIPTlON ..

Con el tiempo. 1 1 .133 que resultará para una corriente del diodo de 10 mA si E:. 1 .2 ka + v'" 4. 1 f-. i \ I 1 1 1 . § 1. 1 ro) ! Figura 2.134 Problema 4. j ! . ¡ 1 : 1 . I 1 I 1 I ¡D(mA) i . I~ rb) E T + 5v L______-' Figura 2. 1 I . R 2. I ! ! I 1 . . I I 1 . para el circuito de la figura 2. i . V~(V) I . . Determine el valor de R para el circuito de la figura 2.134. \ 5 I . 1 ! i i . el resultado es una red dibujada con todos los voltajes de los nodos importantes y las corrientes deseadas impresas en el diagrama. b) Desarrolle el mismo análisis del inciso lA utilizando el modelo ideal para el diodo. b) Repita el inciso a usando el modelo aproximado para el díodo y compare los resultados. + VD s. Utilice las características de la figura 2. . 132b. i I ! . 2. . e) ¿Sugieren los resultados que se obtuvieron en los incisos a y b que el modelo ideal puede ofrecer una buena aproximación para la respuesta real bajo algunas condiciones? Figura 2. "R ~25 . detennine JD Y VD para el circuito de la figura 2.10 YV R.132a. I A O ¡ i i i . para el circuito de la figura 2.132 Problemas 1. Problemas 105 .132b para el diodo. _ ¡ i ! 1 1 I i \ .18 ka. e) Repita el inciso a utilizando el modelo ideal para el diodo y compare los resultados. i + R O. desde luego uno se vuelve más adepto a la construcción de la red: y también.33kQ 1-30 I I I . b) Repita el inciso a con R == 0. ~20 1_.2. a) Usando las características de la fIgura 2.133 Problemas 2. . . I .Al principio. a) 2.2 Análisis mediante la recta de carga PROBLEMAS Utilizando las características de la figura 2. 3. 7 V.133. \ . . a) Usando las características aproximadas para el diodo de Si. se debe dar al sistema de Windows una oportunidad para demostrar su versatilidad mientras se empiezan a examinar sus otras características. .7V I 1 2 I ! ¡ . I : ! . I 1 1 . • I ¡ I I .47 kQ. 3. I . i! ¡ I I .132b. 1 . se completó el análisis utilizando la versión para Windows de PSpice. I 3 I ! 4 I 7 1 1 . determine ID' VD Y VR.1O I I I . I ¡ ¡ 1 . I . 1 i " 9 1 10 . Sin embargo. i5 . 1 1 . ! ! . puede parecer que se hace mucho más trabajo antes de llegar a la solución para Windows en comparación con la solución para DOS. c) Repita el inciso a con R == 0. ! ! ! .Ahora. detennine el valor de V0. I 5 6 ! I O.

Determine Vo e ID para las redes de la figura 2. * o 7. SI /t lOmA 2.7 kQ Si s.8 kn lb) ':' "=' SI Figura 2. * 8. Determine la corriente / para cada una de las configuraciones de la figura 2.2 kQ 4.138. 106 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . SI 20 v G. 6.137.138 Problema 8.2 kQ 1.135 Problema 5.. ~ ~ 2 kQ 'VV'v 1"' 2 kn " . SI 12 V L -10Q 1 20 V . tI ~~ IOV SI "ro- > tI ~ Ion >20n ~~ SI lb) (o) Figura 2.2 kD: 1 "=' +20 V 5V 6. 52.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de 5. SI 2.137 Problema 7.§ 2. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2. lb) Figura 2. 51..136.1 + + '1 *SI 10Q ¡.2 kQ 1. Determine el nivel de Vo para cada una de las redes de la figura 2.136 Problemas 6.135 utilizando el modelo equivalente aproximado para el diodo. la) (b) Figura 2.

141.. 15 V +. ¡~ SI SI~ ~ Vo SI 4. y V0. Detennine V o e JD para las redes de la figura 2. para las redes de la figura 2.141 Problema 11..3 kQ (a) (b) F1gura 2. Problemas 107 . +lOV +16V t---~V. Detennine V o e 1 para las redes de la figura 2.·. * 9.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 10.140.7 kQ }> >2. * 11.7kn 12 V (b) (a) > Figura 2.139.139 Problema 9.2 kQ -5 V (b) _L (a) Figura 2. § 2. Detennine V0. >4. Ge Si 3. 53.ov ¡ • -+ Vo ID SI ~ ID i --.140 Problemas 10.~.

Si ! kn 17. 19. i. § 2. 20 V 2kD Si Si 2 kQ 2 kQ Figura 2. . Hgura 2.. flgura 2. Determine Vo e ID para la red de la figura 2.142. Ideal " V(\c= 2V ~1. § Si 2. " ~_-I"'W--. Determine el nivel de Vo para configuración de la figura 2. Determine Vo para la red de la figura 2. 16..142 Problema 12. 18. Figura 2..8 k. 23. Repita el problema 22 con una carga aplicada de 6.7 Entradas senoidales. ~ T ~ * 24. Determine Va para la compuerta lógica OR de la figura 2.. figura 2. 10/' 1 kD +10 V ~¡.38 con 10 V en ambas entradas. Determine el nivel de Vo para la compuerta de la figura 2. e 1 para la red de la figura 2. La entrada tiene una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60 Hz.143. Dibuje v L e i L • 1 .2 kD.144.145 Problema 19. Detennine Va para la compuerta lógicaAND de la figura 2.144 -5 Problema 18. .2 kO 6.148.6 Compuertas AND{OR 14. 108 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos ..5 V v Si Si 5V av Si 2. 24. Detenmne Va para la red de la figura 2. +.~I 12. R. 25. dibuje Vo y determine V dc ..146. Figura 2.. 21.7 V). Determine Va para la red de la flgura 2.Q vL Hgura 2.150.llld~e'i!!I~_ r oVd. Figura 2. 15. IkD 10V -5 V . Vo".8 kQ como 10 indica la figura 2..146 Problema 20..147 Problema 21. * 13.2 kO + + V. 2.. Repita el problema 22 con un diodo de silicio (VT = 0.143 Problemas 13. IOV .147 .145.41 con 10 V en ambas entradas. 54. Para la red de la figura 2.41 con O V en ambas entradas.2 kD + figura 2. Suponiendo un diodo ideal. 20. 2. dibuje vi' Vd e id para el rectificador de media onda de la figura 2.149 Problema 24.149. Determine Va para la red de la figura 2. Determine Vo] .·=2V * 23.148 Problemas 22. rectificación de media onda 22.= 110 Y (rros) Ideal + 2.38 con O V en ambas entradas.2 kQ IOV Vo Si Ge Vo 2.150 Problema 25.

. Determine la comente a través de cada diodo para V.153.l¡:' == 14 rnW para cada diodo de la figura 2. -.. determine el valor máximo de corriente de cada diodo (utilizando el modelo equivalente aproximado).. e) Encuentre la corriente máxima a través de cada diodo durante la conducción. Para la red de la figura 2.151.-imo. Un puente rectificador de onda compieta con una entrada senoidal de 120. d) ¿Cuál es el valor de potencia que ser requiere de cada diodo? 29. a) b) e) d) e) Dado Pm.2 kQ -100 V Figura 2. ¿Es la corriente detenninadaenel inciso e menorque~r~alor máximo determinado enel inciso a? Si sólo estuviera presente un diodo.::.153 Problema 29. Determine 1má:\ para Vi m~.152 Problema 27.. * 27. utilizando los resultados del inciso b.: 160 V. § 2. Problemas 109 ... a) Si se utilizan diodos de silicio..151 Problema 26.8 Rectificación de onda completa 28.i * 26. ¿cuál es el voltaje dc disponible en la carga? b) Determine el valor PIV que se requiere de cada diodo.V nns tiene una resistencia de carga de 1 ill. Determine va y el valorPIV que se requiere para cada diodo de la configuración de la figura 2.. > ~ 47 kQ + v .152. dibuje va e iR' + I ka + -10 V Figura 2. < > 56 kn Figura 2. + Diodos ideales + 2. detennine la corriente del diodo y compárela con el valor má.. ~: o--- 1"" .

+ Diodos ideales 2.2 kQ 2. Dibuje V o para la red de la figura 2.--- ~---~ . 33. ¡OV " Si 5V ~c--I~M----1II--_____.2 kQ -100 V Figura 2. + Diodos ideales 2.2 kn -170V Figura 2.156 Problema 32. -20 V 'o " (b) Figura 2.2 ldl 4...156 para la entrada que se indica. Dibuje V o para cada red de la figura 2.157 para la entrada que se indica. Dibuje V o para la red de la figura 2.155 Problema 31.154 y determine el voltaje de de disponible.155 y determine el voltaje de de disponible.< -lOV r (a) 1. § 2. Dibuje V o para cada red de la figura 2.2 kQ 2.7 kQ (b) Figura 2.2 kn 2.. llO Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . * 30.2 kn ~ " 6~8 + kfl . * 31. " 20V Si 5V Ideal + + 2.9 Recortadores 32.154 Problema 30.157 Problema 33.

Problemas III . Dibuje iR y Vo para la red de la figura 2..160 para la entrada que se indica.2 kQ S( o (a) (b) FIgura 2. Dibuje V o para cada red de la figura 2.". . § 2. (b) (a) Figura 2.10 Cambiadores de nivel 37.-~ ro \'. * 35. 36.1' " ".159 para la entrada que se indica.160 Problema 36.161 Problema 37. I kQ v. Id. 2() V :--JT 2V Ideal Ideal " O---IM----.159 Problema 35. 2. Dibuje V o para cada red de la figura 2.al . 4Y + 2_2 k.1 Ideal R " I 5Y .158 para la entrada que se indica.~vvv---¡ ~AA. Dibuje V o para cada red de la figura 2.158 Problema 34. r 10 kQ o--JVV\.2 kQ o -5 V I ~o-----<j~o (a) +5 y (b) Figura 2.* 34. e 20 V e + o -20 V 0--.. ~ j ~ " >R o + " 0--. ~T . 2.Q S( + "0 .161 para la entrada que se indica. + " -+ 'R S3Y o i1 ! s ' Figura 2.

fR < + + l'. b) Comparar 5rcon la mitad del periodo de la señal aplicada. • . Diseñar un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la función que se indica en la figura 2.---~-~ + 0.¡.\)lF . sr R + E T (b) 20 V " Figura 2..165. Dibuje V o para cada red de la figura 2.3 V Figura 2. * 39.7 V o o -10 V -17. e +\0 o--KI~---. +30 V Diodos ideales 20V + Diseño + o -lOV -20 V Figura 2.2 v Figura 2. * 41.~ 38.162 Problema 38.164 Problema 40.163 Problema 39.162 para la entrada que se indica. Diseñar un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la función que se señala en la figura 2. Para la red de la figura 2. Diodos de silido IOV + + Diseño 2.165 Problema 41. * 40. ~ sr R ~56kn + L------I _ lO f = 1 kHz -'1=. ¿Sería una buena mación considerar que se trata de un diodo ideal para ambas configuraciones? ¿Por qué? aproxi~ e 120 v e + o-------j' 1\ o-------j sr • ~ .164. c) Dibujar vo._. 112 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .163: a) Calcular 5 T.

§ 2. Il Diodos Zener * 42. Repita el problema 50 usando BASIC. Figura 2. Repita para una onda cuadrada de S-v.167 para mantener V[ en 12 V para una variación en la carga (lL) desde O hasta 200 mA. 53.. determine el valor adecuado de Rs y la corriente máxima IZM ' 46.143 utilizando PSpice (Windows). e) Determine el valor de R L que establecerá las condiciones máximas de potencia para el diodo a) Zener. escriba el archivo de entrada para determinar Vo para la red de la figura 2.12 Circuitos multiplicadores de voltaje P Zm " Vz = 8 V =400rn'W' 0. para determinar Vo para la red de la figura 2. 52. Detennine los valores PIV que se requieren por los diodos de la figura 2. determine el rango de Vi que mantendrá VL en 8 V Y no excederá el valor máximo de potencia del diodo Zener.121 en téI1Ilinos del voltaje pico del secundario Vm . a) Diseñe la red de la figura 2. 1 .166 siR L = ISOn. * 44. Diseñar un regulador de voltaje que mantendrá un voltaje de salida de 20 V a través de una carga de 1 kQ con una entrada que tendrá una variacíón entre 30 y 50 V. 51. figura 2. Esto es. Esto es. . para el diodo Zener del inciso a.120 si la entrada es una onda cuadrada de 50 V.IR Vi':::: 220 Q 10 V P2m" = 400 mW V f. R. Desarrolle un análisis para la red de la figura 2. determine Rs y Vz.l36b utilizando P$pice (Windows). 91 Q § 2.137b. + .167 Problema 43.IL e IR para la red de la figura 2..Figura 2.168 usando PSpice (Windows). . Determinar VL.168 Problemas 44. 48. Escriba el archivo de entrada PSpice (DOS).168. Repita el problema 49 utilizando BASIC.13 Análisis por computadora 49. Determine el voltaje disponible del doblador de voltaje de la figura 2.. Desarrolle un análisis general de la red Zener de la figura 2.166 Problema 42.36 (ejemplo 2. Utilizando PSpice (DOS).12 e 1m de la figura 2. 55. Desarrolle un análisis para la red de la figura 2. Los asteriscos indican problemas más difíciles. d) Detennine el valor mínimo de RL para asegurar que el diodo Zener está en estado ·'encendido". Para la red de la figura 2. b) Determine P 2m". * 43. b) RepitaelincisoasiRL =4700. Problemas 113 .22 kQ 47. 50.. 57. 56.140b usando PSpice (Windows).121 si el voltaje del secundario del transfonnador es de 120 V (rrns). Dibuje la salida de la red de la figura 2. 55.15). Desarrolle un análisis para la red de la figura 2.§ 2. 45.38. Escriba el archivo de entrada para PSpice (DOS) para detenninar las corrientes 1). 54.

1910 PhD Harvard. Bardeen Nació en: Madison. Shockley Nació en: Londres. La producción se incrementó. Fue esa tarde cuando Walter H. el bulbo fue. no tenía requerimientos de Los inventores del primer transistor en los BeU Laboratories: doctor WiIliam Shockley (sentado). (Cortesía de los archivos AT&T.1 INTRODUCCIÓN Durante el periodo de 1904 a 1947. Lee De Forest le añadió un tercer elemento al diodo al vacío. Brattain Nació en: Amoy. doctor Walter H. denominado rejilla de control. Poco tiempo después. en 1906. Brattain. Inglaterra. En los años subsecuentes.1 El primer transistor.CAPÍTULO Transistores bipolares de unión f3 3.cien millones aproximadamente en 1937. lo cual dio por resultado el triodo.) 114 . Wisconsin. 1928 Todos compartieron el Premio Nobel en 1956 por esta contribución. 1936 Dr. primer amplificador de su género. sin duda. (Cortesía BeU Telephone Laboratories. China. 1902 PhD Universidad de Minnesota.1. Fleming en 1904. técnicas de manufactura. Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales respecto al bulbo se manifestaron de inmediato: era más pequeño y ligero. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3. aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización. la radio y la televisión ofrecieron un gran estímulo a la industria de los bulbos. Brattain y Joseph Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en la compañía Bell Telephone Laboratories.) Dr. A. la industria de la electrónica registró la aparición de un nuevo campo de interés y desarrollo. 1908 PhD Princeton. el 23 de diciembre de 1947.de cerca de un millón de bulbos en 1922 a . 1936 Dr. A principio de los años treinta el tubo de vacío de cuatro y cinco elementos cobró gran importancia en la industria de los tubos electrónicos al vaCÍo. En los años siguientes la industria se convirtió en una de las más importantes y se lograron rápidos avances en el diseño. doctor John Bardeen (izquierda). Sin embargo. el dispositivo electrónico más interesante y también el que más se desarrolló. El diodo de bulbo fue introducido por J. Figura 3.

l' FIgura 3.150I"l n n e (b) Figura 3. E r 0. ~I r-p B p e 3.3 Unión con polarización d. o bien.3 se dibujó de nuevo el transistor pnp sin la polarización base-colector. b) npn. Región de agotamiento + 1.001 = 150: 1.. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polaIlzado de forma opuesta. en este capítulo se aborda por primera vez el análisis de dispositívos con tres o más terminales_ El lector encontrará que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje. entonces se considera un dispositivo unipolar..3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR Ahora se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 3. La abreviatura BJT.Ambos se muestran en la figura 3. de dos capas de material tipo p y una tipo n.2 Tipos de transístores: a) pnp. Al primero se le llama transistor npn. 3. e para el colector y B para la base.+ ++/ _B • .2. Para los transistores que se muestran en la fIgura 3. misma que sí se intercambiaran las funciones que cumplen el electrón y el hueco. donde una controla de flujo de las otras dos terminales.irecta de un transistor pnp.150/0. en tanto que al segundo transistor pnp. ~II- 0. a partir del análisis anterior. Nótese que. es uno de estos dispositivos. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 1 o menos). Se desarrollará una apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. E r p O. El diodo Schottky. Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este material al limitar el número de portadores "libres". +Portadores mayoritarios E +.2a. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco).+ + +-++ p-+ -:++-+. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada.. la base ligeramente dopada y el colector sólo muy poco dopado. estaba disponible para utilizarse de inmediato. En la figura 3. Obsérvense las similitudes entre esta situación y aquella del diodo con polarización directa del capítulo l. su construcción era resistente y era más eficiente debido a que el mismo dispositivo consumía menos potencia. la proporción del espesor total respecto al de la capa central es de 0. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipo pon al que circundan. En el capítulo 4 encontrará que la polarización de de es necesaria para establecer la región de operación adecuada para la amplificación de ac. que se considera en el capítulo 20. no requería de un periodo de calentamiento y era posible utilizar voltajes de operación más bajos.001 itl. de transistor bipolar de unión (del inglés.2 CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES (a) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p. Para la polarización que se muestra en la figura 3.150l"l 0. La operación del transistor npn es exactamente la. El espesor de la región de agotamiento se redujo debido a la polarización aplicada.3 Operación del transistor 115 .calentamiento o disipación de calor.2 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor. suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n. Bipolar Junction Transistor).2 con la polarización de de adecuada. 3. la corriente o nivel de potencia) tendrán por lo menos tres terminales.001 in.

Figura 3. en la figura 3. habrá una gran difusión de portadores mayoritarios a través de la unión p~n con polarización directa hacia el material tipo n.2) 116 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión . Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5.5. Debido a que el material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad. Como se indica en la figura 3.4. Es pertinente considerar las similitudes entre esta situación y la del diodo con polarización inversa de la sección 1. Recuerde que el flujo de los portadores mayoritarios es cero. como si fuera un solo nodo.5 ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp.6.4 Unión con polarización inversa de un transistor pnp.5. con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios.5. La mayor cantidad '"de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa. según se indica en la figura 3. hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector. comparado con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. (3. los espesores de las regiones de agotamiento.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp. un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia la tenninal de la base. en resumen: Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa. Por consiguiente. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes. la corriente total del colector se detennina mediante la ecuación (3. Así. Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el símbolo leo (corriente le con la tenninal del emisor abierta). según se muestra en la figura 3. mientras que la otra tiene polarización directa. corno indica la figura 3. se obtiene (3. según se muestra en la figura 3.5. +Portadores mayoritarios +Ponadores minoritarios +Portadores minoritarios • Región de agotamiento Región de agotamiento + Figura 3.4. la pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base lB o si pasarán directamente al material tipo p.2).1) y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región de la base tipo n.5.2a. En la figura 3. Sin embargo. Por tanto.A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región de agotamiento atravesarán la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo que se indica en la figura 3.f3 Ahora se eliminará la polarización base-colector del transistor pnp de la figura 3 . La razón de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo con polarización inversa. que indican con claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál polarización inversa. la corriente del colector está fonnada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios. En otras palabras. los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n. Obsérvense. y da por resultado sólo un flujo de portadores minoritarios.

3. mientras que leo se mide en microamperes o nanoamperes. Corno se muestra en la figura 3. se requiere de dos conjuntos de características. + 0---"--. en cada caso.6 son las direcciones reales. sobre todo. B (b) Figur. La tenninologia de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. se compara la dirección de lE con la polaridad de VEE para cada configuración y la dirección de le con la polaridad de Vce Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres tenninales.4 Configuración de base común 117 . Es decir. E1 conjunto de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés... --. Esta elección se basó. el potencial de tierra. que I E = le + IR' Obsérvese también que las polaridades aplicadas (fuentes de alimentación) son tales que permiten establecer una corriente en la dirección que se indica en cada rama./" vcc 3.6 0.(3 Para los transistores de propósíto general.7. .. Sí lo anterior no se considera de manera adecuada. d I/ cc Vu 1. en el hecho de que en la gran cantidad de literatura disponible en instituciones educativas e industriales se utiliza el flujo convencional.7 Características del punto de entrada o manejo para un amplíficador a transistor de silicio de base común. Para el transistor: La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo. La notación y los símbolos que se utilizan junto Con el transistor en casi todos los textos y manuales que se publican hoy en dia.l 3. para la configuración de base común con transistores pnp y npn.~ L E B + . A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones.6.6 Notación y símbolos utilizados con la configuración de base común: a) transistor pnp. el conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (lE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios nIveles de voltaje de salida (VeB)' El conjunto de salida relacionará la corriente de salida (le) con un voltaje de salida (VeB) para varios niveles de corriente de entrada (lE)' según se muestra en la figura 3. b) transistor npn. leo' al igual que Is para un diodo con polarización inversa. OA 0. Nótese.8. A su vez. Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.8 1. le se mide en miliamperes. o que se encuentra en.~ 6 B lo) le . definidas por medio de la elección del flujo convencional. se indican en la figura 3.6.0 Val-: (V) figura 3. es susceptible de afectar de manera severa la estabilidad de un sistema a una temperatura alta. es sensible a la temperatura y debe analizarse con cuidado cuando se consideren rangos amplios de temperatura. Recuerde que la flecha en el simbolo del diodo define la dirección de la conducción para la corriente convencional. uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. como se indica r' I. por lo re~ guIar la base es la terminal más cercana a. como los amplificadores de base común de la figura 3.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN Ea 1.!. y las flechas en todos los simbolos electrónicos tienen una dirección definida por esta convención. 8 7 6 5 Ir I " =1\' 2 Il O. VI. Las mejoras en las técnicas de construcción han generado niveles significativamente más bajos de leo' a tal grado que casi siempre es posible omitir sus efectos.

Así también: En la región de corte..9. Como se infiere por su propio nombre. según indica la figura 3. mientras que la unión emisor-base se polariza directamente.f3 Ir (mA) . o L. La corriente leo real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de le (miliamperes) que aparece virtualmente sobre la misma línea horizontal en donde le =O. la región de corte se define como la región en la que la corriente del colector es OA.8 Características de salida o colector para un amplificador a transistor de base comú:1.8.lCBO. La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 3. Sin embargo.8. y se debe a la corriente de saturación inversa leo' como lo señala la figura 3. el efecto de leBo puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura. Nótese asimismo el efecto casi nulo de V eB sobre la corriente del. Las condiciones de circuito que existen cuando lE =O para la configuración de base común se muestran en la figura 3. por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. la corriente del emisor (IE) es cero. recuerde que I CBO ' así como ls' para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura.3) Figura 3. Las curvas indican con claridad que una primera aproximación a la relación entre lEe Icen la región activa está especificada por (3. En el extremo más bajo de la región activa.9 Corriente de saturación inversa. Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación. La notación que con más frecuencia se utiliza para lco en los datos y las hojas de especificaciones es. la corriente del colector aumenta a una magnitud en esencia igual a aquella de la corriente del emisor.0.colector para la región activa.8 que cuando la corriente del emisor se incrementa por arriba de cero. <>:: 4mA 3mA 2mA 11- IE= 1 mA IE=O mA I Figura 3. A mayores temperaturas. como se indica en la figura 3. el nivel de leBo para los transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana. lIS Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . En particular: En la región activa la unión base-colector se polariza inversamente. tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de un transistor tienen polarización inversa. Además. 7 Región activa (área sin sombra) 7mA 1- 6 f- 6mA 5 4 1- 'o Ti ~ " 5mA ~ " " Oi '" .L -1 I I I o 5 10 15 20 V es (V) Región de corte en la figura 3.8: las regiones activa. según se detennina por las relaciones básicas de corriente en el transistor. de corte y de saturación.9. esa es la verdadera corriente del colector. La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión).6." 3 2 '" 'o " . Obsérvese en la figura 3. para las unidades de mayor potencia/cBo aparecerá todavía en el rango de los microamperes.

Éstas especifican que con el transistor en estado "encendido" o activo. La escala horizontal en esta región se expandió para mostrar con claridad el cambio radical que sufren las características en esta región. se pueden ignorar los cambios ocasionados por VCB y sus características pueden dibujarse corno se ilustra en la figura 3.7 revelan que para valores fijos del voltaje del colector (VeR)' conforme se incrementa el voltaje base-emisoLla corriente del emisor aumenta de tal manera que es muy similar a las características del diodo. el efecto de las variaciones debidas a VeB y <:lla pendiente de las características de entrada se omitirán en tanto sea posible analizar las redes de transistores de tal manera que ofrezcan una buena aproximación a la respuesta reaL sin involucrarse demasiado en las variaciones de los parámetros de menor importancia.7 V ! VBf. .4 Configuración de base común 119 . una vez que el transistor se encuentre en estado "encendido". 3.l0b.4 0.10 Desarrollo del modelo equivalente para ser utilizado para la región base-emisor de un amplificador en modo de de.8 VSE(V) 1') lb) Figura 3.2 0. se obtendrán las características que denota la figura 3. . dará por resultado las características que se presentan en la figura 3.7 V a cualquier nivel de corriente del emisor controlada mediante una red extema.10a.4 06 0.2 0. 6 5 4 ¡ I I I I 7 " 5 4 3 2 3 2 3 O 0. los niveles crecientes de V eB tienen un efecto tan bajo sobre las características que. el modelo equivalente de la figura 3.lOc se utilizará para todos los análisis en dc de redes de transistores. la resistencia asociada con la unión con polarización directa. tanto la unión base-colector como la emisor-base están en polarización directa.~ . por tanto..4 06 'e) 0. es posible especificar de inmediato que el voltaje base-emisor es de 0.6 L" 0.10c. t 8 7 6 5 4 ir (mAl 11. .mAI I I g 8 - Cualquier Vr¡.4) En otras palabras. Es decir. como una primera aproximación. una conclusión muy importante para el análisis de dc que se explica a continuación. y. Las características de entrada de la figura 3. Desde la primera vez que se encuentra cualquier configuración de transistor en el modo de dc.10c. En la región de saturación. Al avanzar un paso más e ignorando la pendiente de la curva. Si se aplica la aproximación de segmentos lineales. Para los propósitos de análisis de este texto. 0.8 2 0.7 V si el dispositivo se encuentra en la región activa.2 0.f3 La región de saturación se define como la región a la izquierda de las' características de VCE = OV. el voltaje base-emisor será de 0.(V) O.7 V (3.8 VIIE(V) O 0. Obsérvese el incremento exponencial en la corriente del colector cuando el voltaje VeB se incrementa hacia los O V. se supondrá que el voltaje base-emisor es el siguiente: V8E = 0. De hecho. (mAl \ J. Es importante apreciar en su totalidad el enunciado que establece las características de la figura 3.

Solución a) b) c) d) Las características indican con claridad que le'= IE= 3 mA. El uso de una ecuación como la (3. Empleando las características de la figura 3. En la mayor parte de las situaciones. determine la corriente resultante del colector cuando lE = 3 mAy VeB = 10 V.1 a) b) e) d) Utilizando las características de la figura 3.8 podrían sugerir que a =1 para los dispositivos prácticos. Usando las características de la figuras 3.90 a 0. en la figura 3.8 cuando lE::::: O mA.2) se convierte en I le = alE + leBO (3.998.1.y suponiendo. si se utiliza la aproximación Ic : IE. en la figura 3. Polarización La polarización correcta de la configuración de base común en la región activa se puede determinar con rapidez. Sin embargo. no obstante. determine VBE cuando le = 4 mA y VeB =20V.lOc VBE es de 0. las magnitudes de aac y adc son muy cercanas. Por el momento. Repita el inciso e utilizando las características de las figuras 3.7) especifica que un cambio relativamente bajo en la corriente del colector se divide entre el cambio correspondiente en lE cuando se mantiene constante el voltaje del colector a la base.7 V para cualquier nivel de corriente del emisor.6. a partir de la figura 3. El efecto de cambio de VeB puede omitirse e le continúa siendo 3 mA." le= 4 mA.7) se demostrará en la sección 3. Debido a que alfa sólo puede definirse para los portadores mayoritarios. determine la corriente resultante del colector si lE pennanece en 3 mA pero V CS se reduce a 2 V. se debe reconocer que la ecuación (3. como se mencionó antes.7 el nivel resultante de V BE es de aproximadamente 0. que lB 120 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión .. IE'= le = 4 mA.8 y 3. donde la mayoría se aproxima al extremo alto del rango. Alfa (a) En el modo de dc los niveles de le e lE debidos a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada alfa y definida por la siguiente ecuación: (3.8.8. En otras palabras.8. el nivel de alfa suele extenderse de 0. alfa de ac se denomina como de base común.6) Para las características de la figura 3.5) donde le elE son los niveles de corriente en el punto de operación. Una vez más. por el momento.f3 EJEMPLO 3.8. A partir de la figura 3.8. le es por consiguiente igual a ICBO . lo cual pennite utilizar la magnitud de una para la otra.8.7) En ténninos fonnales. le también parece ser de O mA para el rango de valores de VCB' Para las situaciones de ac donde el punto de operación se desplaza sobre la curva de característica. la ecuación (3. corto circuito o factor de amplificación por razones que resultarán más obvias cuando se analicen los circuitos equivalentes para transistores en el capítulo 7.8. cuando lE=' O mA.lOc.7 y 3.74 V. el nivel de Icso es con frecuencia tan pequeño que prácticamente no es posible detectarlo en la gráfica de la figura 3. un alfa en ac se define mediante a " = (He I -AlE V CB :: constante (3. Si bien las características de la figura 3. En la figura 3.

La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unión con polarización directa en la entrada (base-emisor) y a la unión con polarización inversa en la salida (base-colector).mplificación de voltaje de la configuración de base común. Por ejemplo. lOQkQ Figura 3.5 ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR Ahora que se ha establecido la relación entre le e lE en la sección 3.I - + R 5 k!l R.5 Acción amplificadora del transistor 121 . Utilizando un valor común de 20 Q para la resistencia de entrada.. = = 200mY 20Q = lOmA Ri Si se asume por un momento que aac . mayor será la resistencia) y suele varíar entre 50 kQ Y 1 MQ (100 kQ para el transistor de la figura 3. La resistencia de salida. 1 (le..7 es muy pequeña y casi siempre varía entre 10 y 100 Q. La polaridad de no aparece en la figura debido a que nuestro interés se limita a la respuesta en ac.12 Acción básica de a... según se detenninó en las curvas de la figura 3. ---+- 200 mV ---'--+ 20Xu R . se puede explicar la acción básica de amplificación del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura 3. Algunos estudiantes sienten que pueden recordar si la flecha del símbolo del dispositivo se encuentra apuntando hacia adentro o hacía afuera. Para la configuración de base 'común. existe una similitud entre las literales npn y las literales itálicas de no apuntando hacia adentro y las literales pnp con apuntando hacia adentro. es muy alta (mientras más horizontales sean las curvas.12..11 Establecimiento de la polarización correcta para un transistor pnp en base común en la región activa. El resultado es la configuración de la figura 3.8.12). que soportarán la dirección resultante de la corriente.L = ILR = (10 mA)(5 ill) = 50Y + Vi:: I I\¡ 1. comparando las literales del tipo de tran- sistor con las literales adecuadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "no apuntando hacia adentro". la resistencia ac de entrada determinada por las características de la figura 3.4. 3.11 para el transistor pnp. pnp E e B 1. 1. Para el transistor npn se in vertiráo las polaridades. '" O IlA. V.E e f3 + figura 3. La flecha del símbolo define la dirección del flujo convencional para lE == le Luego se insertan las fuentes de con una polaridad tal. se encuentra que V. le)' IL = li = 10 mA y v. 3.

Esta última característica debe ser obvia debido a que le = alE Y a es siempre menor que 1. las características de salida son una gráfica de la corriente de salida (le) en función del voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de corriente de entrada (lB). se necesitan dos conjuntos de características para describir por completo el comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor.13 Notación y símbolos utilizados con la configuración de emisor común: a) transistor npn. v" . aún se puede aplicar las relaciones de corriente que se desarrollaron antes para la configuración de base común. Es decir. en la siguiente fórmula.~ lB e le n V ee v" e P le lB 1 E (b) V cc .6 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura 3. La acción básica de amplificación se produjo mediante la transferencia de una comente 1 desde un circuito de baja resistencia a uno de alta. b) transistor pnp. Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (lB) en función del voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (VCE)' 122 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión .l4. La amplificación de corriente (le/lE) es siempre menor que 1 para la configuración de la base común. lE = le + IBele=aIE· Para la configuración de emisor común. esto es. Si bien cambió la configuración del transistor. colector y base se muestran en su dirección convencional para la corriente. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso. Ambos se muestran en la figura 3. transferencia + resistor ---7 transistor 3.) Las corrientes del emisor.= 200mV 50 V 250 Los valores típicos de la amplificación de voltaje para la configuración de base común varían entre 50 y 300. Una vez más. La combinación de las partes de las dos palabras en itálicas. es común tanto a la tenninal de base como a la de colector). E (..f3 La amplificación de voltaje es Vi =.13 para los transistores pnp y npn..---0 e Bo--'----I -+- lB Figura 3. da como resultado el término transistor.

8 l. corriente o potencia.~--:::--.~A _____ 60 2~~=:~::::::::::::::::::::~2~0~~~A~___ 10 ¡. comparado con los miliamperes de le.. Recuerde que estas son las mismas condiciones que existieron en la región activa de la configuración de base común..f3 /c(mA) .6 0. Obsérvese en las características del colector de la figura 3. b) características de la base.=!V 6 100 . es decir. 10 cual indica que el voltaje del colector al emisor tendrá influencia sobre la magnitud de la corriente del colector.--~_=--=_30-.2 0.4 0.6). esta región existe a la derecha de la línea punteada en VCt. la corriente del colector fue igual sólo a la corriente de saturación inversa leo' de tal forma que en la curva lE = O Y el eje de los voltajes fue uno para todos los propósitos prácticos.0 V 8E (V) lao =f3/ C80 (al (Región de corte) (b) Figura 3. emisor común En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se encuentra polarizada inversamente.LA (R¡:glón activa) 50 40 30 20 10 o 5 10 \5 o 0.. En la figura 3. La región activa de la configuración de emisor común se puede emplear también para la amplificación de volt~ie. La región de corte para la configuración de emisor común no está tan bien definida como para la configuración de base común. la región en la que las curvas para lB son casi rectas e igualmente espaciadas.3) y (3.l4a. y por arriba de la curva para lB igual a cero.6 Configuración de emisor común .6): le = aló La sustitución da Volviendo a arreglar da: Ecuación (3.va=JOv (Región de saturación) 5 90 80 70 31!~_"". Para la configuración de base común.Considere también que las curvas de lB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para lEen la configuración de base común.Vn. Obsérvese que en las características de la figura 3 J 4 la magnitud de lB se indica en microamperes.14 Características de un transistor de silicio en la configuración de emisor común: a) características del colector. La región activa para la configuración del emisor común es la parte del cuadrante superior derecho que tiene mayor linealidad. Ecuación (3.3): le = ~leBo m.. cuando la corriente de entrada lE fue igual a cero. mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente.8) I - a 123 3. Es decir. se denomi~a región de saturación.14 que le no es igual a cero cuando lB es cero.lc + + lB) + leBo I CBO (3. La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse a través del manejo adecuado de las ecuaciones (3. La región a la izquierda de VCE.

La condición ideal de corte debe ser le = O mA para el voltaje elegido VeE .14b..nd.pero sólo para los transistores de silicio. Sin embargo. Recuerde que para la configuración de base común se hizo una aproximación al conjunto de características de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales.7 V para cualquier nivel de lE mayor que O mA. Y se sustituye un valor típico como de 0.004 = 2501eBo Si leso fuera 1 . a la corriente del colector definida con la condición lB = O /lA se le asignará la notación que indica la ecuación (3.4 0. la corriente resultante del colector es la siguiente: le = a(OA) l-a leBo + le80 .. Debido a que lCEO suele ser bajo en magnitud para los materiales de silicio.=0"" En la figura 3. O A. según se refleja en las características de la figura 3. 124 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión .0. la región por abajo de lB = O J1A debe evitarse si se requiere una señal de salida sin distorsión. el voltaje está fijo para cualquier nivel de corriente de base. el corte para la configuración de emisor común se definirá mediante le = ICEO' En otras palabras. lo cual da por resultado el equivalente aproximado de la figura 3. el corte existirá para fines de conmutación cuando lB = O J1A o lc = ICEO. un transistor tc.la corriente resultante del colector con lB =OA sería 250(1 .7 V Figura 3.uA) =0.8 0. En este caso.996.16.rá dos puntos de operación interesantes: uno en la región de corte y otro en la región de saturación.. que dio como resultado V BE = 0.9) I - a1/. para los transistores de germanio. el corte para fines de conmutación se definirá mediante las condiciones que existan cuando lc = ICBO.7 V.15 Condiciones de cir<:uito relativos a ¡CEO.9). /B (pA) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 Figura 3.15 se demuestran las condiciones para esta corriente recién definida con su dirección asignada de referencia. donde lB. Como referencia futura.uA. Dicha condición se puede obtener. El resultado da sustento a la conclusión anterior respecto a que para un transistor "encendido" o activo. el voltaje de la base-emisor es de 0.996 0. O 0.f3 Si se considera el caso que recién se analizó. Para la configuración de emisor común se puede recurrir al mismo método.25 mA. para los transistores de germanio mediante la polarización inversa de la unión baseemisor. con unas cuantas décimas de volt.6 1 0. = leBo I (3. por 10 regular.14.16 Equivalente de segmentos lineales para las características del diodo de la figura 3. Cuando se utiliza como interruptor en el circuito lógico de una computadora. Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión).2 0.

Beta (JJ) En el modo de de. por lo regular. como h FE .11) es similar en cuanto a formato a la ecuación para a¡¡C en la sección 3. 0. Sin embargo.7 V. El cambio en lB = = 3. y la corriente de base es la corriente de entrada. específicamente J3dc = hFE . f3dc se incluye.5 mA.10) donde le e lB son determinadas en un punto de operación en particular de las características.5 V. Para las situaciones de ac. La restricción de VeE constante requiere que se dibuje una línea vertical a través del punto de operación en VCE = 7.17.6 Configuración de emisor común 125 . Usando la figura 3.4. en las hojas de especificaciones f3ac se indica como h¡e' Obsérvese que la única diferencia entre la notación que se utiliza para la beta de.14.a) b) Utilizando las características de la figura 3. determine le cuando V" VeE~ 15 V. con la mayoría dentro del rango medio. en la intersección de lB = 20 /lA Y VCE = 1S V. determine le cuando lB ~lOV.11) se describe mejor mediante un ejemplo numérico utilizando un conjunto real de características.5 V.5 V. Como para a.jorward) y la configuración de emisor común. el término amplificación se incluye en la nomenclatura anterior. la ecuación (3. la corriente del colector equivale a 200 veces ia magnitud de la corriente de base. Para un dispositivo con una f3 de 200. Debido a que.lc =3. En las hojas de especificaciones.jorward) en la configuración de emisor común. El procedimiento para obtener lXac a partir de las curvas de características no se explicó debido a la dificultad para medir realmente los cambios de le elE sobre las características. el nivel de f3 suele tener un rango entre cerca de 50 y más de 400. La ecuación (3. f3 revela ciertamente la magnitud relativa de una corriente respecto a la otra. La literal h continúa haciendo referencia al circuito equivalente híbrido que se describirá en el capítulo 7 y lafe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en inglés de. se encuentra que I C = 2.14a y se repiten en la 3.14b. Detennine f3ac para una región de las características definidas por un punto de operación de IB = 25 /lA YV eE 7.7 V Y Solución a) b) En la intersección delB = 30 /lA Y V CE = 10 V.como se indica en la figura 3.11) El nombre formal para f3ac es factor de amplificación de corriente directa de emisor común. una constante.14a. ~ 30 /lA Y VeE ~ EJEMPLO 32 Empleando las características de la figura 3. se define en los términos siguíentes: (3.11) puede describirse con cierta claridad.17.IB ~ 20 /lA cuando VBE ~ 0. Los subíndices FE se derivan de una amplificación de corriente directa (por las siglas en inglés de. El uso de la ecuación (3.14. por lo general. radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad señalada como subíndice. Por lo regular. A partir de la figura 3. respectivamente. Para los dispositivos prácticos. En cualquier lugar de esta línea vertical el voltaje VCE es 7. donde la h se obtiene de un circuito equivalente híbrido que se presentará en el capítulo 7. una beta ac. y de hecho el resultado se puede utilizar para encontrar aac empleando una ecuación que se obtendrá más adelante. los niveles de le e lB se relacionan mediante una cantidad a la que llamaremos beta y se defmen mediante la ecuación siguiente: (3. la corriente del colector es la comente de salida para una configuración de emisor común. como las que aparecen en la figura 3.4 mA.

2 mA ...5 V 10 15 VU(V) Figura 3.I B) como aparece en la ecuación (3. i 10 pA i i ! I . Es pertinente mencionar que la mejor determinación suele hacerse manteniendo la . (!J.17 Determinación de f3ac y Pdc a partir de las características del colector.lA Y de 30 }. los dos niveles de le pueden determinarse trazando una línea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes de le' El f3ac resultante para la región se puede determinar mediante f3" = Me 1 = le. las curvas de lB = 20 }.1e ( mA ) 9 1 8 I I 7 6 ~V vt:-.. I 70 )lA I I i I I 60 )lA ! I ! I 5 4 .20}. y a distancias aproximadamente similares a cada lado del punto Q.lA cumplen el requisito sin extenderse muy lejos del punto Q. Si se determina la beta de dc en el punto Q: 126 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . También definen los niveles de lB que se definen con facilidad en lugar de tener que interpolar el nivel de lB entre las curvas. ! 20)1A ¡ ¡ I I I .lA .2 mA 30}. -lB I ¡ I 1 I I ! 1 ! i i . V VI ~ VI I lB: 1 5+ I ! 1Punto Q 140 pA 1 I 1 1 I 1 ¡ I I 1 I ! j 25 IJA 30 pA i 1 I i I I < 3 .1 18 que se seleccionó tan pequeña como sea posible. V I _ J)lA I ¡ I I I I I ! ) I I I ! . 2 1 1/ e..11) se define entonces al elegir dos puntos en cada lado del punto Q a lo largo del eje vertical.-O)lA O 5/ VcE =7...le. En las dos intersecciones de lB Y el eje vertical. la corriente del colector será de aproximadamente 100 veces la magnitud de la corriente base.2..lB I LlIB vCE = constante 3. ] I 8Ol1A I ! I ¡ ! I i I I i ! ! . I I I 20 I 25 1 I 1. IBc .lA = = 1 mA 1O}. f{_ -i -. .iA = 100 La solución anterior revela que para una entrada de ac en la base. Para esta situación.

la magnitud de f3 ac y de f3dc será la misma en cada punto de las características. aunque cada uno tenga el mismo número de código. Y el espaciamiento vertical entre las curvas es el mismo en cada punto de las características. 2 mA. ofrecemos un conjunto de características con el objeto de compararlas con las que se obtienen con un trazador de curvas (que se describirá enseguida). mientras más bajo sea el nivel de ICEo' más cercanas serán las magnitudes de las dos betas.uA 3 rfI 5 2 1 lB = 10 . Es importante observar que I CEO = O!lA. el subíndice correspondiente a dc o ac no se incluirá con la f3 para evitar la confusión a que dan lugar las expresiones con etiquetas innecesarias.6 Configuración de emisor común 127 . El cálculo de {3" en el punto Q indicado dará por resultado =----45 !lA 9mA 7mA 2mA = 200 35 !lA 10 !lA Detenninar beta de dc en el mismo punto Q dará por resultado 8mA 40 !lA = 200 lo cual revela que si las características tienen la apariencia de la figura 3. por consiguiente.18. Casi siempre. por 10 regular se utilizará tanto para los cálculos de dc como para10s de ac.18.UA 6 5 ¡-4 IB=20. si se conoce el nivel de f3ac ' se supone que es de la misma magnitud aproximadamente que f3dc ' y viceversa. Para las situaciones de dc bastará con reconocerla como f3dc ' y para cualquier análisis en ac será {3ac" Si se especifica un valor de {3 para una configuración de transistor en particular. Aunque un conjunto de características· de un transistor real nunca tendrá la apariencia de la figura 3. Debido a que la tendencia se dirige hacia niveles más y más bajos de lCEO' la validación de la aproxímación anterior se sustenta aún más. Tome también en cuenta que dentro del mismo lote. es suficiente validar el sistema aproximado anterior. Si las características tuvieran la apariencia de aquellas que se encuentran en la figura 3. el valor de f3ac variará en alguna medida entre un transistor y el siguíente.p Aunque no son exactamente iguales.uA r'------------------------1 1 1 1 1 1 1 1 IB=50)JA Punto Q lB == 40)JA 7 JB=)O. 3. los niveles de f3ac y de f3dc se encuentran razonablemente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente. Esto es. Obsérvese que el paso o incremento en lB se ha fijado en 10 pA. le (mA)" 12 11 10 9 8 IB==60.uA lB = O j1.18. el nivel de f3ac sería el mismo en todas las regiones de las características. es decir. Es probable que la variación no sea significativa para la mayor parte de las aplicaciones.18 Características en la cual f3 ac es igual en cualquier lado y f3 ac '" f3 dc- Para el análisis subsecuente.A (lCEO == O IJA) / 1 O JO I 15 ~ 20 Figura 3.

a (3. y se pide aplicar la polaridad correcta para colocar al dispositivo en la región activa. a o bien 1 +f3 a f3 = af3 + = (f3 + l)a en consecuencia I a=f3:1 I f3=-1 . se encuentra que leEO = (f3 + 1)leBo o bien (3. Al sustituir en lE = le + lB se tiene le a = le + f3 le y al dividir ambos miembros de la ecuación entre le se obtiene -:.14) y dado que lE = le + lB = f3 IB + lB (3. (3.12b) =--- 1..14a..13) según se indica en la figura 3. Al utilizar 13 = lellB se tiene que lB = lelJ3.19b. Es decir. Después. recuerde que a (3.19a.f3 Es posible establecer una relación entre 13 y a utilizando las relaciones básicas que se han presentado hasta ahora. Polarización La polarización adecuada de un amplificador de emisor común puede determinarse de una manera similar a la presentada para la configuración de base común. y a partir de a = lellE se tiene que lE = lela. El primer paso consiste en indicar la dirección de lE según lo establece la flecha en el símbolo del transistor como se muestra en la figura 3. Beta es un parámetro en particular importante porque ofrece un vinculo directo entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida para una configuración de emisor común.15) se tiene Las dos ecuaciones anteriores desempeñan un papel muy importante en el análisis que se realiza en el capítulo 4. se presentan las otras 128 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión .a pero al utilizar una equivalencia de --=13+1 1 - a derivado de lo anterior.12a) o bien A su vez.. Suponga que se le presenta un transistor npn como el que se muestra en la figura 3.

20 con las direcciones adecuadas de corriente y notación de voltaje. 3. contrariamente a las de las configuraciones de base común y de un emisor COmún.7 CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN La tercera y última configuración de transistor es la configuración de colector común.f3 ? ? r 1') lb) 1 ('1 Figura 3. 3.19 tiene un transistor pnp. se invertirán todas las corrientes y polaridades de la figura 3. para completar el concepto. que se ilustra en la figura 3. La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. El mismo sistema puede aplicarse a los transistores pnp.7 Configuración de colector común 129 .20 Notación y símbolos utilizados con la configuración de colector común: a) transistor pnp. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.19 Determinación del arreglo polarización apropiada para una configuración de transistor npn en emisor común. tomando en cuenta la relación de la ley de corriente de Kirchhoff: le + lB = lE' Por último.19c.19c. se introducen las fuentes con las polaridades que soportarán las direcciones resultantes de lB e le' según se muestra en la figura 3. Si el transistor de la figura 3. corrientes como se indica. b) transistor npn. 80----1 e la) e lb) Figura 3.

las cuales asegurarán que no se rebasen los valores máximos y que la señal de salida exhiba una distorsión mínima. Para el transistor de la figura 3. Desde un punto de vista de diseño.8 LÍMITFS DE OPERACIÓN Para cada transistor hay una región de operación sobre las características.. las características de salida son una gráfica de lEen función de V EC para un rango de valores de lB· Por tanto.6.-.21.21 Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento de impedancia.9. Para el circuito de entrada de la configuración de colector común las características básicas de emisor común son suficientes para obtener la infonnación que se requiere. El eje horizontal del voltaje para la configuración del colector común se obtiene con sólo cambiar el signo del voltaje del colector al emisor de las características del emisor común. Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor común.22. se especificó como 50 mA Y VCEO como 20 V.22 Definición de la región lineal (sin distorsión) de ~ __ O. 101~ ______________________ 5 Región de corte ~~~ 1O)lA - I ~-- Figura 3.. En la figura 3. Puede diseñarse utilizando las características de emisor común de la sección 3. La línea vertical relativa a 50 )lA 40 Región üe saturación . ICm'. .21 se muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. la corriente de entrada es la misma tanto para las características del emisor común como para las del colector común. Para la configuración de colector común..al 10 t 15 20 operación para un transistor. 1~ .~20~)lA~~ lE .~..solos. Esta región se definió para las características del transistor de la figura 3 . .. Para todos los propósitos prácticos. si le se reemplaza por lE para las características de colector común (debido a que a" 1). 40 )lA 30 20 _________________________________. 130 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . existe un cambio casi imperceptible en la escala vertical de lc de las características de emisor común. no se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los parámetros del circuito de la figura 3.22. 3. Algunos de los límites de operación se explican por sí .80------1 E R Figura 3. Todos los límites de operacíón para un transistor se definen en la hoja de especificaciones que se describirá en la sección 3. Por último..3V I V CE . tales como la corriente máxima: del colector (a la que por lo regular se hace mención normalmente en la hoja de especificaciones como corriente continua del colector) y voltaje máximo del colector al emisor (que a menudo se ~brevía como V CEO o V(BRlCEO en la hoja de especificaciones). las características de salida para la configuración de colector común son las mismas que para la configuración de emisor común.

suele encontrarse en las proximidades de los 0. se obtiene VCEle VCE(50 mA) VeE = 300mW = 300mW = 300mW 50mW = 6V Como resultado.. y se despeja Con objeto de obtener el nivel resultante de VCE' se obtiene 300mW y 300mW 25mA = 12V Como también se indica en la figura 3 . y los niveles de corriente y de voltaje que no dañarán al dispositivo.8 limites de operación 131 ... sólo habrá que asegurar que le' V CE' Y su producto Vc~c caigan dentro del rango que aparece en la ecuación (3. entonces VCE == 6 V sobre la curva de disipación de potencia. 3. En algunas hojas de especificaciones sólo se incluye ICBO' Entonces. como se indicó en la figura 3.16) Para el dispositivo de la figura 3. = VCEle. Si se elige que le tenga un valor máximo de 50 mA y se sustituye en la relación anterior.17). Si ahora se elige un nivel de le a la mitad del rango medio tal como 25 mA. Si ahora se elige que V eE tenga un valor máximo de 20 V.3 V que se especifican para este transistor. En caso de que no se disponga de las curvas características. especifica el VCE mínimo que puede aplicarse sin caer en la región no lineal denominada como región de saturación. la disipación de potencia del colector se especificó como 300 mW. El nivel máximo de disipación se define mediante la ecuación siguiente: (3.22. el nivel de le es el siguiente: (20 V)/c = 300 mW 300mW l e = .. .las características que se define como VCE. La operación en la región resultante de la figura 3. Así surge la pregunta respecto a cómo graficar la curva de disipación de potencia del colector especificada por el hecho de que Pe "'. mientras más puntos se tengan. El nivel de VCE. se puede dibujar un estimado general de la curva real utilizando los tres puntos que se defmieron antes. o que éstas no aparezcan en la hoja de especificaciones (cosa que suele ocurrir). Desde luego.". más exacta será la curva: sin embargo.= 1SmA 20V definiendo un segundo punto sobre la curva de potencia. casi siempre lo único que se necesita es un estimado general. se debe utilizar la ecuación lCEO = f3/ CBO para darse una idea del nivel de corte si no se dispone de las curvas características. se encuentra que si le = 50 mA. = 300 mW o bien VCEle = 300 mW En cualquier punto de las características el producto de V eE e le debe ser igual a 300 ID W.22.22 asegurará una distorsión mínima de la señal de salida. Por lo regular.22. La región de corte se define como la región por abajo de lc = ICEO' Esta región debe evitarse también si la señal de salida debe tener una distorsión mínima.

Los parámetros restantes se presentarán en los capítulos siguientes. y un valor .' = PD = 625 mW. el valor máximo a 8 rnA es 50. Casi todas las hojas de especificaciones se desglosan en valores nominales máximos.23 se tomó directamente de la publicación Small-Signal Transistors. La infonnación que se proporciona como figura 3.f3 lCEO VCE ""1 :> lc :> lc m" :> V CE :> VCE (3.). Aunque no hemos presentado todos los parámetros. EI2N4123 es un transistor npn de uso cuya identificación de encapsulado y tenninales aparecen en la esquina superior derecha de la figura 3. En la figura 3. ({3.uA :> le :> 200 mA 0. En otras palabras.9 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES Debido a que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el usuario.15 mA.17) m:1x Para las características de base común. El factor de pérdida de disipación bajo el valor máximo especifica que er~alor máximo disminuye en 5 mW por el aumento de cada 1 de temperatura por arriba de los 25 oC.. El nivel de hFE tiene un rango entre 50 y 150 en lc =2 mA Y VCE = 1 V. características térmicas y características eléctricas.5 .5 .. Las características eléctricas se desglosan después en "encendido".0075 mA puede considerarse como O mA sobre una base aproximada. la curva de potencia máxima se define mediante el siguiente producto de cantidades de salida: (3. También puede disminuir a este nivel si lc disminuye al nivel bajo de 0.3V:>VcE :>30V VcElc :> 650mW En las características de pequeña señal se proporciona el nivel de h¡. Cuando [c 50 mA ha disminuido a 50/2 25. FET y diodos) que preparó la compañía Motorola Inc.17) utilizando h FE = 150 (el límite superior) e ICEO '" {3ICBO = (150)(50 nA) 7. es muy importante que la información que incluye se reconozca y se entienda con claridad. FETs. = 0. se hará men- ción a esta hoja de especificaciones con objeto de repasar la forma como se presenta el parámetro. la nonnalización revela que = = = = 132 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión .ínimo de 25 a la mayor corriente de 50 mA al mismo voltaje. ahora conoceremos casi todos. Las características de "encendido" y "apagado" se refieren a los límites de de. Es cierto que para muchas aplicaciones el 7. En las características "apagado" leBo se especifica como 50 nA y en las de "encendido" VCE . and Diodes (Transistores de pequeña señal.uA 0. Q = = Límites de operación 7.18) 3. Entonces.23a. Obsérvese en la lista de valores nominales máximos que VCEm" =V CEO =30 V con lc m" = 200 mA. en tanto que las de pequeña señal incluyen los parámetros importantes para la operación en ac.'. La disipación máxima del colector Pc.3 V.5.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la corriente del colector en el nivel de h FE ({3.. Confonne lc se incrementa por arriba de este nivel. si se tiene un transistor con f3dc h FE 50 a temperatura ambiente. hFEdisminuye a la mitad del valor cuando Ices igual a 50 mA.A temperatura ambiente (25 oC) obsérvese que h FE ({3do) tiene un valor máximo de l en el área cercana a 8 mA aproximadamente. Como se trata de una curva normalizada.uA. Ahora definimos los límites de operación para el dispositivo y se repiten a continuación en el fonnato de la ecuación (3. "apagado" y en características de pequeña señal.23f.) junto con una gráfica de la forma en que varía con la corriente del colector en la figura 3.

le"'O} Máximo I Lnidad VIBRICEO V'BRICBO V"'BR1E.23j es una escala logarítmica. V = 20 Vdc. nLORES :'IOOMI:'\ALES MÁXIMOS Valor Voltaje coleCIOf-eTmsor Símbolo VCEO VCBU Voj¡Jje emisor-base Corriente del colector continua Di<".. VCE "" 10 Vde.J.3 0.0 KHz} (I) Pru.I E -O} Voltaje de ruptura colector-b<lse {l =oIOflAdc.I B = 5.0 Vde. quiera hacer un nuevo repaso de las gráficas que se incluyen en esta sección.:ba de pulso: ancho del pulso _ 300 ¡. f= 100 MHz) CapaCItancia de sahdu (V CB = 5. Las escalas logarítmicas se analizan con todo detalle en el capítulo 11.'l. unión a enc:¡p.\CTERisTICAS TÉRMICAS Característica R~~isteneia R.5 Vdc.0 mAde.:. 250 4..0 Vdc.lción base-emisor (le'" 50 mAdc. Vdc Vdc mAdc 2N4123 ENCAPSULADO 29-04.(iÓn tol"l del di~po~ilivo @T. f= 1.l e '" O} 50 nAde 50 nAde c ARA c TERISTICAS DE ENe ENDIDO Ganancia de corriente OC 1) (le'" 2. Es probable que el lector.lr"'O} Voltaje de ruptuw emisor-base {l~=IOflAde.0 mAdc.0 mAdc) Vdc -.0 mAdc) (! =50mAdc. f == 100 KHz) CapacitancIa colector-base (Ir". 3.l e = 5. VCE "" 1. f.0 mAdc.\=25°C Pérdjd~ R~ngll 2N4123 Unidad Vd. cuando disponga de tiempo para revisar las primeras secciones del capítulo 11.O. 8 mA.T"ó de temperJ!Ur~ de umón en (}per~ción -55~+15() 'c J ~lmaccnam'~n1o "2 e .ul:J.0 3 Colc<:tor mW m'W"C de di~lpJC1{m arriba 25 "C TJ. VCE '" 20 Vde. f= 1.ENA SENAL Producto ganancia en corriente-ancho de band3 (le'" 10 mAdc.0 kHz) 50 -. V CE"" 10 V.R. lE = O) Corriente de corte del emIsor {V OE =o 3.V cs =-5.V h~ 50 25 150 Vd' = VCE 'Ul V BE.0 mAde.l c = Q.f3 el nivel real de h FE a cualquier nivel de le se dividió entre el valor máximo de h FE a esa temperatura y con le.f= 100kHz) Ganan<:ia en corriente en ~quei\a seiíal (le = 2.1.0 MHz pF pF pF 'O 4.5 = 50 200 6. ESTILO \ TO-92 (TO-226AA) 30 YEBO 5.0 dE Figura de ruido {le = 100 flAdc.0 k ohm. CARACTERISTICAS DE PEQt.~.0 '" 'e Pe d~ 200 625 5.e .¡s.lrio) Característica CARACTERiSTlCAS DE APAGADO Voltaje de ruptura {1} colector-emisor {le .0 200 2.0V. Ciclo de trabaJo'" 2.0 Comente de corte del colector (Ves'" 20 Vde. Obsérvese asímismo que la escala horizontal de la figura 3.a de entrada ("'BE == 0.0 <k Figura 3_23 Hoja de especificaciones de transistores.. unión a ambiente R~JA 200 CARACTERisTICAS ELÉCfRICAS (T JI ~ 25 T J m~nos qu. lE =-0.0 Vdc. - 0.95 VolwJe de satUr. Rs '" 1.0 Vdc) = 1.:specifiquc lo contr. VCE"" 5. f= 1. f== 100 MHz) CE (le 2.l.0 Vdc) Voltaje de saturación (l) colector-emisor (le 50 mAde.'~ 3 1 Em"or Símbolo Rme Máximo Lnidad °CW °CW tcrmiea.do 833 TRANSISTOR DE PROPÓSITO GENERAL NPl'i SILICIO ReSistencia t¿rmie<l.0 kHz) GananCia en comente-alta frecuencia (Ic = 10 mAdc. f '" 100 MHz) Capacitanc.9 Hoja de especificaciones de transistores 133 .!lO leBo I EBO 30 Vd<: Vdc Vdc 40 5.

... ~ ·v/ . Figura 4 . / .AL PARA AUDIO FIGURA DE RUIDO (V CE = 5 Vdc.0 2.0 2..0 .0 I I I .. ~ " "º § ".5 mA Resistencia de la fuente = 1 kD... .. . Ir ~..0 10 le. • T.0 7. ... i / .5O I1 A I / -- Resist~ncia de la fuente = 500 n :. De hecho.0 5.'i I • ~ 5....:: W i\.0 7. Sin embargo. ..../ :/ .0 3.~.2 0."'<' .. La hoja de especificaciones puede ser una herramienta muy valiosa en el diseño o al utilizarla en el análisis. i l' . 12 10 .5mA 6 4 ~ "- l..J / I I I .i .Resistencia de la fuente 14 \ f= 1 kHz 12 10 ..23 Continuación... .0 _.I. :.0 Hz Figura 3 ....g ¡..Corriente de colector (mA) 50 100 200 ('1 CARACTERÍSTICAS DE PEQUEÑA SEJ\. .4 O " r Frecuencia (kHz. 134 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión .. casi todas las hojas de especificaciones que presentan la mayoría de los fabricantes omiten proporcionar las características completas.~ ~ 50 30 20 .Tiempos de conmutación 10 7..0: 1 . T A = 25"C) Ancho de banda = 1. 2 6 /V "I'-~! / .¡ 2 O 0. Figura 1 ..Capacitancia Figura 2 .sy+-c-I· 3. 8= .... le = 100 J. -.Variaciones de frecuencia.0 1. Es de esperarse que los datos que se proporcionan sean suficientes para utilizar de manera eficaz el dispositivo en el proceso de diseño.. • ... temperatura y demás. obsérvese el hecho de que no se proporcionan las características reales del colector..LA 0. -. i .5 0.JI V/ // 1/ / / / / / / '// 1mAJ"/ le = 0.....1 0..... i 1..0 2. . y la forma en que puede variar con los niveles cambiantes de comente.. a medida que se presenten los parámetros. 200 .:¡ 5.f3 Antes de concluir esta descripción de las características. ::-~ : ...1 'x:" . .2 0.. pero debe hacerse cualquier esfuerzo que sea necesario para conocer la importancia de cada parámetro.2 0. ~X .0 4. ~ Resistencia de la fuente = '200.. i ! i . E. ..23 se mencionará con frecuencia en los capítulos que siguen.0 10 Voltaje de polarización inversa (V) Ib1 5... no todos los parámetros que se incluyen en la hoja de especificaciones se definieron en las secciones o capítulos anteriores.. ... /~ ! '...) (dI 2 10 20 40 100 0.. .1 0.0 ¿ " '-' 3..Y. .. I ....X '\... iooJ..A ..Q V l e = 1 mA :s " ~ u 8 . 20 30 40 10.. la hoja de especificaciones que se proporciona en la figura 3. . 4 2 / / !/'J /!/'" ! I I I /~ Ic= .COb~ :::::::<.. . 1.bo ~ ! I : ....0 10 20 40 100 (. Resistencia de la fuente =' :WO.0 20 30 5..: . / ...) Figura 3. ¡-------.0 I 0.: "' : .. i ¡ I 100 70 ""'..~ O.. Como se observó en la introducción de esta sección..3 0. v--- Ic= 5O I1 A .e ... .:: ..7 1.. :s ~ 2 8 ¡-----le =0...0 V cc = 3 V le/lB-lO VEB (abieno) "y: ....4 1..0 2... I .

.2 ' -_ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _---' . ~-. 1.1 0. .5 0.0 __ ~ I 0.0 7.3 0. ..1 0. '. - =:_--====:=====~=.0 2.5 0._-_ .0 0.0 10 0.~ 0.5 1.0 5.7 2.0 '-~_L- .5 0. . +\25°C " = " .9 Hoja de especificaciones de transistores 135 " .Impedancia de entrada Figura 8 ..:::.0 2.0 0.1 0.0 '\..5 1.3 0. " ....! I 1 --1 ¡'.1 I .-j-------------0.~ -g ~ = 1.0 3.~ -j ___________ 0. 1 i .0 10 CARACTERÍSTICAS EST ÁTICAS Figura 9 '" Ganancia de corriente en DC 1.Corriente de colector (mA! (g) (O Figura 7 .1 0.0 I ~ 2 .0 0.2 le' Corriente de colector (mA) (h) 0.<:.0 1(".f3 PARÁMETROS h VCE = 10V. '\.Admitancia de entrada 100 I ----I I I I e_ -- ~ o '6 50 '~" ~ 20 o 10 5..Ganancia de corriente Figura 6 .. Relación de retroalimentación de voltaje ../ 5. T\=25°C Figura 5 . O . I "'70 100 ! . ¡TJ ."'- ~ " ~ e 0..... 1.2 2.0 5.0 10 1.2 5.0 1.j= 1 kHz. Corriente de colector (mAl (i) 5..2 - 1.5 2.0 1.0 10 JC' Corriente de colector (mAl le.0 ~~ " 'g :g .2 . .0 0.7 ~ +25OC 5SOC ~ VCE=lV _ i o o o .:::..23 Continuación.. 3.. 30 0.2 0.0 10 20 30 50 le Corriente de colector (mA) """ 200 Ftgura 3.

=6. Ic. En esta región de la pantalla.24 Respuesta del trazador de curvas al transistor npn 2N3904. empezando en Of.25 Determinación de la f3ac para las características del transistor de la figura 3. 16mA: ! ..70 !lA . 12mAi ¡r /: e . medidor digital y óhmerro.uA Horizontal por división rí' i I IV i ! I 4mAi i · · . existen tres "rutas" que pueden tomarse para verificar un transistor: trazador de curvas. La sensibilidad horizontal es de 1 V /div. La función de paso indica que las curvas están separadas por una diferencia de 10 pA. La sensibilidad vertical es de 2 mA /div. .(lA 40.(lA I 2mAI : " !OllA ¡ I /3 o gm por división 200 Figura 3.10 PRUEBA DE TRANSISTORES De manera semejante como ocurre con los diodos.J 1 +/ .7V SV OllA 9V lOV lV 2V 3V 4V 5V 6V lc. .25. -~. 14mAi. .(lA Venieal por división 2mA .. 10 que da por resultado la escala que se ilustra a la izquierda del monitor.=40pA =-ro div Flgura 3.VcE =5V) IB=30~A 136 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión .:-: : --:::-:::::2->=::¿=-C=+f=--~-ti========1 -8mA IB. determine f3" para un punto Q de le = 7 mAy V CE = 5 V. como se indica en la figura 3. Punto Q (lc =7mA.24 una vez que todos los controles se ajusten de manera adecuada. Sólo multiplique el factor que aparece en pantalla por el número de divisiones entre las curvas lB en la región de interés. se encuentra que = ~ 10 div (200) = 180 div 2.4mA -.1A para la curva de la parte inferior. r- ._. i.f3 3.( .2 mA ¡ r.0"". I i ! OmA" OV I - . Trazador de curvas El trazador de curvas de la figura 1. 30 llA 20 llA Por paso 10. Las pantallas más pequeñas a la derecha indican la escala que debe aplicarse a las características.24 a le = 7mAyVCE =:SY. i I i 60 flA 50. El último factor de escala que se proporciona se puede utilizar para detenninar con rapidez la f3ac para cualquier región de las características.45 generará una imagen igual a la pantalla de la figura 3. = 8. Si se usa el factor especificado. . Por ejemplo. i ! I ¡ 1: I . 10 que da por resultado la escala que se muestra abajo de las características. la distancia entre las curvas lB es de¡¡' de una división. · SO .

que también aparece en la pantalla digital. si se utilizan los conectores que están en la parte inferior a la izquierda del disco selector de función. = 180 40llA . Obsérvese la opción de pnp o npn y la disponibilidad de dos bornes para el emisor para manejar la secuencia de contactos.6.11) se obtiene le.L. según sea el encapsulado.f3 Al utilizar la ecuación (3.le.26. (Cortesía de Computronics Teehnology. De hecho. con el emisor abierto. .30llA Medidores digitales avanzados Hoy en día. que son capaces de proporcionar el nivel de h FE . Puede medir la capacitancia y la frecuencia además de las funciones nonnales de medición de voltaje. corriente y resistencia.26 Probador de transistores. para representar la unión con polarización inversa. Con el colector abierto. El nivel de h FE se determina a una corriente del colector de 2 mA para el Testmate l75A. en el mercado se dispone de medidores digitales avanzados. la unión base~emisor debe dar por resultado un voltaje bajo de aproximadamente 0.4mA lB. Una inversión de las tenninales debe dar por resultado una indicación G. Obsérvese que este versátil instrumento también puede verificar un diodo. lne.1 () Prueba de transistores 137 . es posible verificar los estados de polarización directa e inversá de la unión base-colector. = B. 1.7 V. . como el que se muestra en la figura 3. De manera análoga.2mA .8mA 10llA lo cual verifica la determinación anterior.) 3. en el modo de verificación de diodo se puede usar para verificar las uniones p-n de un transistor.lB. Ftgura 3. con la punta de prueba roja (positivo) conectada a la base y la punta de prueba negra (negativo) conectada al emisor.

28 con una lectura que suele exceder los 100 kil. Ralta Figura 3.11 ENCAPSULADO DE TRANSISTORES E IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES Una vez que se ha fabricado el transistor utilizando una de las técnicas que se describen en el capítulo 12. Para un transistor pnp las terminales se invierten para cada unión. en esencia. Los que se construyen para trabajo pesado son dispositivos de alta potencia. 3. Recuerde que para un transistor en la región activa.27 Verificación de la unión base-emisor con polarización directa de un transistor npn.27. que casi siempre son de oro. y da por resultado una lectura que. (al (b) Co) (d) FlgUra 3.30. colector o base de un transistor. b) y c) cortesía de Motorola. A su vez. mientras que la unión con polarización inversa muestra una resistencia mucho mayor. d) cortesía de International Rectifier Corporation. Si ambas uniones de un transistor dan por resultado las lecturas esperadas..29. Figura 3. la unión con polarización directa (palarizada por la fuente interna en el modo de resistencia) base-emisor debe verificarse como se indica en la figura 3. Aunque también puede utilizarse un óhmetro para detenninar las tenninales (base. 138 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión .29 Varios tipos de transistores. Si la punta de prueba positiva (+) se conecta a la base y la negativa (-) al emisor. la unión base-emisor tiene polarización directa y la unión base-colector polarización inversa. Algunos de los métodos que se utilizan con mayor frecuencia se indican en la figura 3. Para un transistor npn. por lo regular. se unen las tenninales mediante pequeños alambres. Por tanto. se supone que esta determinación puede hacerse con sólo observar la orientación de los contactos en el encapsulado. en tanto que otros cuyo encapsulado es pequeño (tipo sombrero) o cuyo cuerpo es de plástico son dispositivos de baja o mediana potencia. Siempre que sea posible. el encapsulado del transistor tendrá algún tipo de marca para indicar qué terminales se encuentran conectadas al emisor. caerá en el rango de 100 Q a unos cuantos kilohms. el tipo de transistor también puede determinarse con sólo observar la polaridad de las puntas de prueba cuando se aplican a la unión base-emisor. La unión con polarización inversa base-colector (una vez más polarizada inversamente por la fuente interna) debe verificarse según se muestra en la figura 3. colector y emisor) de un transistor. aluminio o níquel. lnc. una lectura de alta resistencia indicaría un transistor pnp. la unión con polarización directa debe registrar una resistencia relativamente baja. a) Cortesía de General Electric Company. y toda la estructura se encapsula en un "contenedor" como el que se muestra en la figura 3. Es obvio que una resistencia grande o pequeña en ambas direcciones (invirtiendo los contactos) para cada unión de un transistor npn o pnp indica un dispositivo dañado. una lectura de baja resistencia indicaria un transistor npn.28 Verificación de la unión base-colector con polarización inversa de un transistor npn.f3 Óhmetro Un óhmetro o las escalas de resistencia de un DMM pueden utilizarse para verificar el estado de un transistor.

. que aparece en la figura 3.) (e) Figura 3.11 Encapsulado de transistores e identificación de terminales 139 .30 Identificación de terminales del transistor. las conexiones internas de las terminales se ilustran en la figura 3. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.32a. 3. una estructura de cobre y un encapsulado de resina epóxica. De igual manera como ocurre con el encapsulado de diodos en le. Dado con proceso de pasivación Estructura de cobre lnyección de compuesto de moldeo axial . Lenguet3s de cierre (b) (.31 Construcción interna de un transistor Fairchild en un encapsulado TO-92.f3 figura 3.32b. la identificación en la superficie superior indica el número 1 de las 14 terminales.31 aparece la construcción interna de un encapsulado TO-92 de la línea Fairchild.) En el encapsulado de terminales en doble línea. En la figura 3.-. Existen pequeños alambres de oro para conectar las terminales. es posible encapsular cuatro transistores pnp individuales de silicio./" Encapsulado de epóxico Ir I"i\-f. Obsérvese el tamaño en extremo pequeño del dispositivo semiconductor real.

(Cortesía de Texas Instruments Incorporated. y la corriente de saturación inversa IS a un nivel que dé por resultado un voltaje base-entisor de aproximadamente 0. Si se utiliza BASIC. b) diagrama de base. El último registro es el nombre del modelo.7 V cuando el dispositivo está "encendido". Serán los únicos enunciados diferentes de los que aparecen en el análisis de diodos del capítulo 2. el método será análogo a un análisis realizado a mano.MODEL y seguido por el nombre del modelo del transistor como se especificó en el enunciado anterior. Entre éstos se incluyen el valor de beta. El enunciado del modelo tiene el siguiente formato: . PSpice (versión DOS) El enunciado de PSpice para la introducción de los elementos de un transistor tiene el formato siguiente: QI 3 C 4 nombre B E nombre del modelo La Q se requiere para identificar el dispositivo como un transistor.Sin conexión inte~a (b) 3. El número 1 es el nombre elegido para el transistor. Los dos enunciados que se mencionaron antes aparecerán en la sección de análisis por computadora que se incluye en el capítulo 4..15) '------' ..MODEL ~ QN NPN (BF = 140 IS = 2E . es muy extensa y de hecho incluye 40 térntinos. que se señala como BF. En otras palabras. Después.... el enunciado debe comenzar con . Para las necesidades actuales sólo es necesario especificar dos parámetros.f3 (Vista superior) e B E NC E Figura 3.) (a) B E NC E B e NC . como aparece en el manual PSpice.32 Transistores pnp de C silicio Q2T2905 de Texas Instruments: a) apariencia. se indica el tipo de transistor y los valores de los parámetros que se especificarán que se incluyen dentro del paréntesis. Después. La lista de parámetros.12 ANÁLISIS POR COMPUTADORA En el capítulo 4 se estudiará una red de transistores utilizando BASIC y PSpice (versiones DOS y Windows). se capturan las terntinales en el orden que aparece arriba. para dirigir al paquete de programación (programa) hacia la localización de los parámetros que definen al transistor. ~ # nombre tipo del modelo parámetros que serán especificados Como se indica. El PSpice (versión Windows) utilizará'un transistor que se incluye en la biblioteca interna. ntientras que en un análisis mediante PSpice (versión DOS) se utilizará un modelo de transistor que se introduce en los párrafos siguientes. los elementos nuevos pueden 140 Capitnlo 3 Transistores bipolares de unión . aunque puede incluir hasta siete caracteres (números y letras).

¿Cuál es la fuente de la corriente de fuga en un transistor? 5. que VeB tiene sólo un pequeño efecto en la relación entre VBE elE? 12.slb en la lista de Iibrary (biblioteca) y después de seleccionar la entrada se debe mover a través de la lista de dispositivos disponibles.SmA Ves = 16 V. Se encuentra eval. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows La elección de transistor bajo PSpice para Windows se encuentra al seleccionar Draw en la barra de menú de la ventana de 5chematics (esquemas). 7. y aparecerá en la pantalla para su colocación. 10 V Y 20 V. Conforme oprima el botón de un dispositivo al siguiente. De memoria. a) Usando las características de la figura 3. ¿es válida la aproximación de la figura 3. Dibuje una figura similar a la figura 3. Dibuje una figura similar a la figura 3.3 Operación del transistor 3. b) Repitaelincisoaparal[=4. ¿Cuál de las comentes del transistor es siempre la mayor? ¿Cuál es siempre la menor? ¿Cuáles de las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud? 9. Si la comente del emisor de un transistor es de 8 mA e lB es de 1/100 de le determine los niveles de le e lB· § 3. una caja de Description aparecerá arriba de la entrada describiendo el tipo de dispositivo.f3 presentarSe en la biblioteca PSpice sin modificar los procedimientos ya descritos. e insene la dirección convencional del flujo para cada corriente. Describa el movimiento resultante del ponador.10b. El capítulo 4 describirá la forma de modificar los parámetros del transistor seleccionado y la forma de llevar a cabo un análisis de la red de transistores. Utilizando las características de la flgura 3. sólo se selecciona en el dispositivo y OK. En este sentido.:::: 1 V. Dibuje el símbolo gráfico junto a cada uno.2 Construcción de transistores PROBLEMAS 1.5 rnA VcB =4 V.4 para la unión con polarización inversa de un transistor npn. con base en una aproximación. ¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno unipolar? § 3. b) Para las redes en las cuales la magnitud de los elementos resistivos se encuentra en kilohms. el uso del paquete PSpice es una "experiencia de construcción" real con la posibilidad de analizar algunas redes muy complicadas que se encuentran a sólo unos cuantos enunciados de distancia. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operación de amplificación correcta del transistor? 4. a) Determine la resistencia promedio en ac para las características de la figura 3.3 para la unión con polarización directa de un transistor npn. detennine la corriente resultante del colector si lE = 4. e) ¿ Cómo han afectado los cambios de VeB el nivel resultante de le? d) Respecto a una base aproximada. especifique V BE alE = 5 mA para V eB . 11. § 3. dibuje el símbolo del transistor para un transistor pnp y npn. Señale el movimiento resultante del portador. 6. 8. Describa el movimiento resultante del ponador. ¿Es razonable suponer.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor npn.7. ¿cómo se relacionan lE e le basándose en los resultados anteriores? Problemas 141 . ¿Se altera algún elemento de esta información al cambiar de una base de silicio a una de gennanio? 2.8. Una vez que se elige la opción del transistor deseado.4 Configuración de base común 10. Después se elige Get New Par! (busca nuevo componente) seguido por Browse (hojear) para ver la lista disponible. ¿Qué nombres se asignan a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje la construcción básica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno.10c (basándose en los resultados del inciso a)? 13. Dibuje una figura similar a la figura 3.

Encuentre lE si lB::.A Y V CE =10 V.Q.12 si la fuente tiene una resistencia interna de 100 Q en serie con Vi" § 3. encuentre lEe lB' 142 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . a) Dado que ade = 0. c) Sif3dc::: 180e I c = 2. determine f3dc en lB = 80 J1.l4a. determine le si Ves = 10 V VSE ::. Vuelva a hacer el inciso a en lB =30 Ji.lA. especifique el valor correspondiente de f3de . Dibuje de memoria la configuración del transistor en base común (para npn y pnp) e indique la polaridad de la polarización aplicada y las direcciones de corriente resultantes. Calcule la ganancia de voltaje (A" = V L/V) para la red de la figura 3. 4 mA. ¿Se puede ignorar la diferencia si normalmente se encuentran niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts? 15. Calcule la ganancia de voltaje (Av = V L/V) para la red de la figura 3.Ay VCE ::: 15 V.A Y VCE = 5 V. a) Empleando las características de las figuras 3.987. Repita el inciso a en lB = 5 J1A y VCE = 15 V. 'c * 22. 40 jiA Y u dc es 0. 800 rnV. a) b) c) d) Utilizando las características de la figura 3. Al revisar los resultados de los incisos a a e.3 mA e lB = 30 ¡. Repita el inciso b utilizando las características de la figura 3. b) Encuentre e! valor de a correspondiente a este punto de operación.iA Y V CE = 10 V. determine la beta en dc en un punto de operación de VCE = +8 Ve = 2 mA. ¿cambia el valor de f3dc entre punto y punto en las características? ¿Dónde se encuentran los valores más altos? ¿Puede desarrollar algunas conclusiones generales acerca del valor de /3dc con base en un conjunto de características como las que se presentan en la figura 3. detennine le si lE::.10b.6 Configuración de emisor común 19. a) Para las características de emisor común de la figura 3.12 si Vi =500 mV y R (Los otros valores del circuito permanecen iguaJes.98. b) e) d) e) Determine VSE si le::. b) Una vez especificado f3dc ::: 120. calcule I CBO ' 23. § 3.14: a) Encuentre el valor de lc correspondiente a V BE = +750 mV y VCE = +5 V. b) Repita el inciso a en lB::: 5 p. Después calcule a dc y el nivel resultante de lE' (Utilice el nivel de Ic determinado por I c ::: f3 diB') 26. Compare las soluciones para V BE para los incisos b. Determine cxdc si lE = 2. determine f3dc en lB = 25 J1A y VCE = 10 V. DefinalcBo e ICEO' ¿En qué son diferentes? ¿Cómo están relacionados? ¿Por lo regular sus magnitudes son cercanas? 20.14a. 18.7 y 3.f3 14. compare los niveles de f3dc y f3ac para cada punto y comente acerca de la tendencia en magnitud para cada cantidad. e) Utilizando la f3dc determinada en el inciso b. Repita el inciso b utilizando las características de la figura 3. determine fJ" en lB =80 ¡LA Y V eE =5 V. e) A VCE = +8 V. d) Revisando los resultados de los incisos a a e.14a.14a. a) Utilizando las características de la figura 3.0 mA.14. a) b) e) Dada una a dc de 0. Utilizando las características de la figura 3. b) Determine f3dc en lB = 10 j.) =1 k. 10 V.5 Acción amplificadora del transistor 17. y d. e) Vuelva a utilizar el inciso a en lB = 30 f1A Y VCE = 10 V.998.lOc. determine el valor correspondiente de a. 16. 25. ~·21.14a: * 24. b) Encuentre el valor de V CE Y V BE correspondiente a le =. c.8 mA e lB = 20 p. determine 1CEO a V CE = 10 V. ¿cambia el valor de f3ac entre punto y punto en las características? ¿Dónde se encuentran los valores más altos? ¿Puede determinar algunas conclusiones generales acerca del valor de f3 ac con base en un conjunto de características de colector? e) Los puntos seleccionados en este ejercicio son los mismos que los que se utilizaron en el problema 23.A. Si se llevara a cabo el problema 23. 5 mA Y Vcs::. encuentre el valor correspondiente de ICEO' d) Calcule el valor aproximado de lCBO utilizando el valor de beta dc que se obtuvo en el inciso a. a) Usando las características de la figura 3. Utilizando las características de la figura 3.8.

VCEm~x=17V. normalizada a partir de h FE := 100) con el rango de hlc (fIgura 3. ¿Es este cambio tal que deba considerarse en una situación de diseño? Utilizando las características de la figura 3. VCBmó:< = 15 V.23f.f3 27.23.. Con base en los datos de la figura 3. ¿cuál es el valor esperado de promedio de J3dC ? lCEO utilizando el valor 35. Obsérvese que la escala vertical es una escala logáritrnica que puede referirse a la sección 11. § 3.23b.23 con respecto a PDmáx' VCEmáx.7 Configuración de colector común 28. Utilizando las características de la fIgura 3. * 37. 29. calcule la amplificación de voltaje del circuito (A" = V o I Vi) Y la corriente del emisor para RE = 1 kG.. Explique por qué.24.23j. ¿Cómo se comparan los niveles de f3ac y de f3dc en cada región? ¿Es válida la aproximación {3dc == {Jac para este conjunto de características? * Los asteriscos indican problemas más difíciles.x=7mA.2. § 3. Para un transistor que tenga las caractensticas de la figura 3.ICm:. ¿Cómo se compara el rango de h FE (figura 3.e en le = 1 mA Y VeE =8 V.23. Refiriéndose a la figura 3.1 mA a 10 mA? 36.8 limites de operación 30.. 33. Determine f3ac en lc = 1 mA Y VCE = 8 v. Especifique Jl" en le = 14 mA Y VCE = 3 V.14. determine si la capacitancia de entrada en la configuración de base común se incrementa o disminuye con los crecientes niveles de potencial de polarización inversa. Utilizando las características de la figura 3. 34.23f) para el rango de le desde 0.23j. § 3.8 si lcmó:< = 6 mA. determine cuánto ha cambiado el nivel de h(e desde su valor en 1 mA a su valor en 10 mA. Y PCm:íX =30mW.yPcmó:<=40mW. ¿Es significativo el cambio para el rango de temperatura especificado? ¿Se trata de un elemento que deba considerarse en el proceso de diseño? * 38. dibuje las características de entrada y de salida de la configuración de colector común. Utilizando la información que se proporciona en la figura 3. detenmne el nivel de fidc en le= 10 mA en los tres niveles de temperatura que aparecen en la figura.9 Hoja de especificaciones de transistores 32. Determine la región de operación para un transistor que tenga las características de la figura 3. 31. Problemas 143 .1 V.:' y VCEm:. Detennine (3. a) b) e) d) e) f) Utilizando las características de la figura 3. Dibuje de memoria la configuracíón de transistor en emisor común (para npn y pnp) e inserte el arreglo correcto de la polarización con las direcciones de corriente resultantes para lB' le elE" § 3. Se aplica un voltaje de 2 V nns (medidos de la base a tierra) al circuito de la figura 321. Suponiendo que el voltaje del emisor siga exactamente el vohaje de base y que Vbe (rms) = 0.' dibuje los límites de operación para el dispositivo. determine el rango de temperaturas para el dispositivo en grados Farenheit..10 Prueba de transistores 39. determine f3ac en le == 14 mA y VCE = 3 V. Especifique la región de operación para un transistor que tenga las características de la figura 3.14 si/c mó.

el nivel de potencia de salida de ac mejorado es el resultado de una transferencia de energía desde las fuentes de dc aplicadas. es decir.7V (4. y viceversa. la elección de los parámetros para los niveles requeridos de dc afectarán la respuesta en ac. se debe tener en cuenta que durante el estado de diseño o síntesis. Por tanto. Las ecuaciones para JB son tan familiares para una cantidad de configuraciones que una ecuación puede derivarse de otra sólo 144 Capítulo 4 Polarización en dc-B.3) pueden aplicarse para encontrar las cantidades de interés restantes. la solución de las siguientes se tornará más clara. sin la asistencia de una fuente externa de energía. Cada diseño también determinará la estabilidad del sistema.1) a (4. El nivel de de de un transistor en operación es controlado por diversos factores. Una vez definidos los niveles de voltaje y de corriente de dc. el teorema de la superposición puede aplicarse y la investigación de las condiciones de de puede separarse por completo de la respuesta de ac.2 se especifica el rango para el amplificador a BIT. se debe construir una red que establecerá el punto de operación deseado.3) Una vez que estén analizadas las primeras redes. En realidad. incluyendo el rango de puntos de operación posibles sobre las características del dispositivo. las relaciones de las ecuaciones (4. el análisis o diseño de cualquier amplificador electrónico tiene dos componentes: la porción de dc y la porción de ac. qué tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura. existe una similitud fundamental entre el análisis de cada configuración debido al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas.CAPÍTULO Polarización en dc-BJT 4. Muy a menudo se asume que un transistor es un dispositivo mágico que puede elevar el nivel de una señal de entrada de ac. En la sección 4. En la mayoría de los casos la corriente base lB es la primera cantidad que debe determinarse.1) (4. Aunque en este capítulo se analiza cierta cantidad de redes. Las similitudes en el análisis serán inmediatamente obvias según vaya avanzando en este capítulo. Este aspecto también se investigará en una sección posterior del presente capítulo. Una vez que lB se conoce. Sin embargo.IT . que son importantes para un transistor: VBE = O. en este capítulo se analizan varias de estas redes.1 INTRODUCCIÓN El análisis o diseño de un amplificador a transistor requiere de un conocimiento tanto para la respuesta en de como para la respuesta en ac del sistema.2) (4. Por fortuna.

La principal función de este capítulo es desarrollar un nivel de familiaridad con el transistor BJT. por la sigla en inglés de. se pueden considerar algunas diferen. VCEm ' El dispositivo BJT puede estar en polarización para operar fuera de estos límites máximos. Para los amplificadores a transistores el voltaje y comente de dc resultantes establecen un punto de operación sobre las características que definen una región que se utilizará para la amplificación de la señal aplicada. el cual podría permitir un análisis en dc de cualquier sistema que pueda utilizar el amplificador a BJT 4. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o de otros dentro de la región activa. OJiA. o bien la destrucción del dispositivo. Cuando se confina la región activa pueden seleccionarse muchas áreas o puntos de operación diferentes. En el extremo inferior de las escalas se encuentra m" la región de corte. ~. pero el resultado de tal operación podría ser un recorte considerable de la vida del dispositivo.con eliminar o añadir uno o dos términos. quiescent point). 20 50 IJ-A 15 Saturación s 10 . definida por VCE '. Debido a que el punto de operación es un punto fijo sobre las características. Los valores máximos están indicados en las características de la figura 4. La restricción de máxima potencia se m" define por la curva Pe en la misma figura.. definida por ls'.C 20 pA 5 ¡OpA A 5 10 Corte 15 20 Hgura 4. La figura 4. De cualquier manera.1 muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operación indicados. también se le !lama punto de reposo (abreviado punto Q..2 Punlo de operación 145 .2 PUNTO DE OPERACIÓN El término polarización que aparece en el título de este capítulo es un término que comprende todo lo relacionado para la aplicación de voltajes de de. que ayudan a establecer un nivel fijo de comente y voltaje. El punto Q que se elige a menudo depende del empleo del circuito. Y la región de saturación. 4. lc(mA) 80l1A / Cmáx 25 .1 mediante una línea horizontal para la corriente máxima del colector le ' y una línea vertical cuando sea el voltaje máximo del colector-emisor VCE .1 Varios puntos de operación dentro de los límites de operación de un transistor.

) y la corriente de fuga del transistor (lew)' Las mayores temperaturas dan como resultado mayores corrientes de fuga en el dispositivo.el cual indica el grado de cambio en el punto de operación debido a una variación en la temperatura. causando un cambio en la condición de operación establecida por la red de polarización. los siguientes puntos deben resultar exactos: 1. En este análisis. como la ganancia en corriente del transistor (/3. el voltaje y la corriente del dispositivo tendrán variación. Ésta es por lo general la condición deseada para los aruplificadores de pequeña señal (capítulo 8).1 para presentar algunas ideas básicas acerca del punto de operación y. Existe otro factor para la polarización muy importante que todavía debemos considerar. también debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. En general.cias entre los diversos puntos mostrados en la figura 4. Por tanto. Este énfasis sobre la letra inicial debe ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de voltaje. es decir. Para el punto B. pero no la suficiente como para llevar al dispositivo hacia el corte o a la saturación. el punto A no sería precisamente el adecuado. Operación en la región lineal: Unión base-emisor con polarización directa Unión base-colector con polarización inversa 146 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .. Este factor ocasiona que cambien los parámetros. según se muestra en la figura 4. El resultado es que el diseño de la red debe ofrecer también un grado de estabilidad en temperatura. [Obsérvese que para la polarización directa el voltaje a través de la unión p-n es p-positiva. Para que el BJT esté polarizado en su región lineal o de operación activa.6 a 0. La unión base-entisor debe tener una polarización directa (voltaje de la región p más positivo) con un voltaje de polarización directa resultante de aproximadaruente 0. por tanto. cero corriente a través del dispositivo (y cero voltaje a través de él). por tanto. Es mejor un circuito de gran estabilidad. ntientras que para la polarización inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. pero no necesariaruente es el caso para los amplificadores de potencia. si la señal se aplica al circuito. Debido a que es necesario polarizar un dispositivo de forma que pueda responder al rango completo de la señal de entrada. La estabilidad del punto de operación puede especificarse mediante un factor de estabilidad S. comparada con la estabilidad de varios circuitos polarizados. El punto D establece el sitio de operación del dispositivo cerca del nivel de voltaje y potencia máxima. de operación más lineal. El punto e pennitiría cierta variación positiva y negativa de la señal de salida. los cuales serán considerados en el capítulo 16. de tal forma que dichos carubios ocasionen la menor cantidad de modificaciones en el punto de operación.] La operación en las regiones de corte. La operación en el punto e también acarrea inquietud acerca de las no linealidades presentadas por el hecho de que hay un cambio rápido en las curvas de lB en esta región. El punto B es una región de espaciamiento más lineal y.7 V. pero el valor pico a pico estaría limitado por la proximidad de VCE =OVIIe =OrnA.dando por resultado un punto Q enA. permitiendo al dispositivo reaccionar (y posiblemente amplificar) tanto ante las excursiones positivas como negativas de la señal de entrada. Si no se utilizara la polarización. el dispositivo tendrá una variación en corriente y voltaje desde el punto de operación. 2. Una vez que seleccionamos y polarizamos el BJT en un punto de operación. nos concentramos básicamente en la polarización del transistor para la operación de amplificación en pequeña señal. Si la señal de entrada se elige correctamente.1. el dispositivo estaría al principio completamente apagado. es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es muy constante (o lineal) para asegurar que la aruplificación a través de la excursión completa de la señal de entrada es la misma. La excursión del voltaje de salida en la dirección positiva se encuentra entonces limitada para no exceder el voltaje máximo. el punto B parece ser el mejor punto de operación en términos de ganancia lineal y la excursión más grande posible de voltaje y corriente. La unión base-colector debe tener una polarización inversa (voltaje de la región n más positivo) con un voltaje de polarización inversa resultante de cualquier valor dentro de los límites máximos del dispositivo. saturación y lineal de las características del BJT se ofrecen de la siguiente manera: l. del circuito de polarización.

.. Más adelante.4) RB ~" 1 + R. como lo muestra la figura 4. las ecuaciones y los cálculos se pueden aplicar con facilidad a la configuración con transistor pnp.3 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA El circuito de polarización fija de la figura 4. El voltaje a través de RE es el voltaje Vcc aplicado en un extremo menos la caída a través de la unión base-emisor (VBE). Polarización directa base-emisor Figura 4. para permitir una separación de los circuitos de entrada y de salida.2. la separación es válida.2 son las reales. se obtendrá +Vec .VBE (4. .lsRB . reemplazando los capacitares por un equivalente de circuito abierto. con el solo hecho de cambiar todas las direcciones de corriente y los voltajes de polarización. Figura 4. Vee Re RB sena! de enrrada o en ac C.3 Circuito de polarización fija . como se muestra en la figura 4. 3..3 Equivalente de de de lla figura 4.iFlgura 4.V BE =O + Nótese la polaridad de la caída de voltaje a través de RB establecida por la dirección indicada de lB' Cuando se resuelve la ecuación para la corriente lB da por resultado lo signiente: I lB - - V cc . en ac 8+ E L h C + V eE B+ VBE E .. Para el análisis en dc. la fuente Vee de dc puede separarse en dos fuentes (para propósitos de análisis solamente). donde V ce está conectada directamente a R8 y Re' justo como en la figura 4..2 ofrece una introducción relativamente directa y simple al análisis de la polarización en de de transistores.4.2.3.4) no es difícil de recordar si se toma en cuenta que la corriente de base es la corriente a través de R B ' Yde acuerdo con la ley de Ohm dicha corriente es el voltaje a través de RB dividido entre la resistenciaRB . lB ~ V BE Es verdad que la ecuación (4. Aunque la red utilice un transistor npn. Las direcciones de corriente de la figura 4..3.2.4 '\\ . Cuando escriba la ecuación de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj. la red debe aislarse de los niveles de ac. También reduce la unión de las dos corriente que fluyen hacia la base lB' Como se observa.. y los voltajes están definidos por la notación estándar de doble subíndice. Debido a 4. L h señal de v cc Re RB V ee ~salida e + VCE V ¿-B c. Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 4. 147 Malla base-emisor.. Operación en la región de corte: Unión base-emisor con polarización inversa Operación en la región de saturación: Unión base-emisor con polarización directa Unión base-colector con polarización directa 4.2 Circuito de polarización fija .

. .6 E 1. la magnitud de le no es una función de la resistencia Re El cambio de Re hacia cualquier nivel no afectará el nivel de lB o de le mientras se permanezca en la región activa del dispositivo.5 Malla colector-emisor.. fija el nivel de la corriente de base para el punto de operación.que el voltaje Vee y el voltaje base-emisor son constantes RB .7) donde VCE es el voltaje colector-emisor y Ve y VE son los voltajes del colector y del emisor a tierra. Comprender la diferencia entre ambas medidas puede ser muy importante para la localización de fallas en las redes de transistores .5 con la dirección de la corriente le indicada y la polaridad resultante a través de Re La magnitud de la corriente del colector está directamente relacionada a lB mediante (45) . Figura 4.7.. Ve es el voltaje del colector a la tierra y se mide según la misma figura. lB Q e leQ . EJEMPLO 4. a la terminal del emisor según se muestra en la figura 4.. entonces (4. y que VE = O Y. debido a que VE O Y. Hgura 4. . La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección del sentido de las manecillas del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 45 dará por resultado lo siguiente: y (4.. En este caso las dos lecturas son idénticas.6) la cual establece que el voltaje a través de la región colector-emisor de un transistor en la configuración de polarización fija es el voltaje de alimentación menos la caída a través de Re Como un breve repaso de la notación de subíndice sencillo y doble. como se verá más adelante.1 a) Determinar lo siguiente para la configuración de polarización fija de la figura 4. c) d) VByVe VBC' 148 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . ya que (4.9) .10) Medición de VCE Y VC' Tenga presente que los niveles de voltaje como VCE son determinados mediante la colocación de la punta de prueba roja (positiva) del voltímetro en la terminal del colector y la punta de prueba negra (negativa). se tiene que = (4. recuerde que (4.6. Sin embargo. el nivel de Re detenninará la magnitud de VCE ' el cual es un parámetro importante. b) VeEQ .. respectivamente. Es interesante observar que debido a que la corriente de base está controlada por el nivel de R B y que le está relacionada a lB por la constante {3. pero en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes. Pero en este caso. Malla colector~misor + La sección colector-emisor de la red aparece en la figura 4.8) Además.

6.8b la corriente es más o menos alta y el voltaje VCE se asume de O volts.del colector y las del emisor de la siguiente manera: 4.uA) = 2.35 mA = 12 V .1--0------\ 10 . Si se aproximan las curvas de la figura 4.35 mAl (2. Saturación del transistor El término saturación se aplica a cualquier sistema donde los ni veles han alcanzado sus máximos valores. Desde luego.83 V V BC = VB - d) La utilización de la notación del subíndice doble da por resultado Vc = 0.83 V = -6.3 Circuito de polarización fija 149 .1.7 V = VCE = 6. Las condiciones de saturación se evitan normalmente porque la unión base-colector ya no se encuentra con polarización inversa y la señal de salida amplificada se dístorsionará.2 kQ) = 6.7 V = 47.7 Circuito de de polarización fija para el ejemplo 4. 240 ka 1 e.5): 12 V .uF salida +-:-+--.VCc =+12V R. puede calcularse la resistencia entre las tenninales..0.08 !lA 240kQ le Q = {HB Q = (50)(47. En la figura 4.. el nivel más alto de saturación está definido por la corriente máxima del colector. Para un transistor que opera en la región de saturación la corriente es un valor máximo para el diseño en particular. Nótese que se trata de una región donde las curvas características se juntan y el voltaje colector-emisor se encuentra en o por debajo de VCE . como debe Ser para la amplificación lineal.¡eRe Q c) VB Ve = V8E = 0. Solución a) Ecuación (4. Un punto de operación en la región de saturación se describe en la figura 4.8a a las que aparecen en la figura 4.6): VCE = Vee .4): Ecuación (4.08.8a.13 V y el signo negativo revela que la unión tiene polarización inversa.8b.en ac 10 . Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de líquido.uF \ ¡ Va fi= 50 Ftgura 4. Al aplicar la ley de Ohm. el método directo para detenninar el nivel de saturación se toma aparente.(2. El cambio en el diseño puede ocasionar que el nivel de saturación correspondiente pueda llegar a incrementarse O descender.' Además. entrada \ en ac --.7V .~--. y se proporciona en la hoja de especificaciones. la corriente del colector es relativamente alta en las características.83 V b) Ecuación (4.

2 kQ = 5. Solución l e. EJEMPLO 4. si existiera una necesidad inmediata de conocer la comente máxima del colector (nivel de saturación) para un diseño en particular. .9. y el nivel bajo el cual debe permanecer si se espera una amplificación lineal.. Para la configuración de polarización fija de la figura 4.8 Región de saturación a) real b) aproximada.7.o (al (bl Figura 4.2 Determine el nivel de saturación para la red de la figura 4... En resumen. Una vez que le se conoce puede tenerse idea de la corriente máxima posible del colector para el diseño escogid~.45mA 150 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT . sólo haga VeE = OV. sólo se inserta un equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la corriente resultante del colector. - - Vee Re = 12 V 2.10 el corto circuito se aplicó. y para el futuro.' de poiarización fija es (4. Por tanto.11) + Figura 4.10 Determinación de le para la configuración de polarización fir~.9 Determinación de 1C".l e = l e '"l) Figura 4. La aplicación de los resultados al esquema de la red resultaría en la configuración de la figura 4. causando que el voltaje a través de Re se convierta en el voltaje aplicado Vce La corriente de saturación resultante para la configuración RCE=OQ (Va = OV.

Jlb.12) sobre las características de salida es mediante el hecho de que una línea recta se encuentra definida por dos puntos. Esto es similar a encontrar la solución para dos ecuaciones simultáneas: una establecida por la red y la otra por las características del dispositivo. Las características del dispositivo de le en función de VCE se ofrecen en la figura 4.12. el cual se localiza lejos del punto de saturación y aproximadamente a la mitad del valor máximo del diseño. En esencia. Si se elige que le sea O mA. se investigará la forma en que los parámetros de la red definen el rango posible de puntos Q y la manera en que se determina el punto Q real.11 Análisis de la recta de carga a) la red b) las características el dispositivO. Ahora. La solución común de las dos sucede donde se satisfacen las restricciones establecidas por cada una de manera simultánea.1 dio por resultado lco = 2.lA o 5 t lceo 10 15 V CE (V) (a) (bl Figura 4. La red de la figura 4. le (mA) sf7 6 50 )1A 4Ol1A f/'" 30)1A 5 4 20 )1A 3 !O)1A + 2 1" t I I lB = 0}.3 Circuito de polarización fija 151 .13) definiendo un punto para la línea recta de acuerdo con la figura 4. se tiene una ecuación de redes y un conjunto de características que utilizan las mismas variables.35 mA. El método más directo para graficar la ecuación (4.11a establece una ecuación de salida que relaciona las variables le y VCE de la siguiente manera: I VCE = Vce . se encuentra que y (4.12).leRe I (4.El diseño del ejemplo 4. entonces se especifica el eje horizontal como la línea sobre la cual está localizado un punto.11b. se debe superponer la línea recta definida por la ecuación (4. 4. Ahora. Al sustituir le = O mA en la ecuación (4.12) sobre las características. Análisis de recta de carga El análisis hasta el momento se hizo utilizando el nivel de f3 correspondiente con el punto Q resultante.12) Las características de salida del transistor también relacionan las dos variables le y V CE como se muestra en la figura 4.

Si lB se mantiene fijo.. lo que establece al eje vertical como la línea sobre la cual estará definido el segundo punto.A la línea resultante sobre la gráfica de la figura 4.15.-----""'~~:..leRe e (4. \ Vee RJ 1 " FIgUra 4.14) según aparece en la figura 4... el punto Q se desplaza como se indica en la misma figura.14).l2). le le Vcc Re 1. Si Vcc se conserva fijo y se cambia Re' la recta de carga se moverá de acuerdo con la figura 4. 152 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT . Ahora. Si el nivel de lB cambia al variar el valor de R B ' el punto Q se desplaza hacia arriba o hacia abajo sobre la recta de carga como se indica en la figura 4.:--- Reotade oru-g' V ee Figura 4.12 se le llama recta de carga debido a que es definida por el resistor de carga Re Mediante la solución para el nivel resultante de lB puede establecerse el punto Q real que se muestra en la figura 4.13.13) y (4. la recta de carga se mueve igual que en la figura 4. se tiene que le está determinado por la siguiente ecuación: O = Vee .12.14.:Q:.V eE =~II~_____~.14 Efecto de los niveles crecientes de Re sobre la Figura 4.13 Movimiento del punto Q con niveles crecientes de lB' recta de carga y el punto Q.._ _ _ I'Q \I.12 Recta de carga para polarización fija. si se elige que V eE sea O V. se puede dibujar la línea recta establecida por la ecuación (4. Al unir los dos puntos definidos por las ecuaciones (4. Si Re se mantiene fijo y Vcc varía.12. punto Q Vee R.... Vee R. __~ o p:-u_nt_O.

3. EJEMPLO 43 60pA 12 10 8 6 4 2 Figura 4. Dada la recia de carga de la figura 4.0.7 V 25 pA = 772kQ 4.y VeE = OV y Re = -ee = le V 20 V lOmA = 2kf.15 Efecto de valores pequeños de Vec sobre la recta de carga y el punto Q.16 y el punto Q definido.! y 20V .Figura 4. o 5 10 15 20 Solución A partir de la figura 4..16 Va = Vcc = 20V Re e le = O mA Vcc le = .16 Ejemplo 4.3 Circuito de polarización fija 153 . calcule los valores requeridos de Vcc ' Re y RB para la configuración de polarización fija.

16) Multiplicando por (-1) se tiene IB(RB + ({3 + I)R E) .18 Malla base-emisor.17 Circuito de polarización para BlT con resistor de emisor. Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para lB Yla que se obtuvo para la configuración de polarización fija es el término (f3 + I)RE. El análisis se llevará a cabo cuando examinemos en primer lugar la malla base-emisor..15) Recuerde del capítulo 3 que lE = (f3 + I)IB Sustituyendo por lEen la ecuación (4. La ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas del reloj dará por resultado la siguiente ecuación: (4. que Capitulo 4 Polarización en dc-8JT 154 . Existe un resultado interesante que puede derivarse a partir de la ecuación (4..18. ~ - - " o~--1)II---+--'----I L.17) .15) resultará V cc . Figura 4. Figura 4.(f3 + I)laRE = O La agrupación de los términos ofrecerá lo siguiente: -IB(RB + ({3 + I)RE) + Vcc .Vcc + VBE = O IB(R B + (f3 + I)R E) = Vee . e.17). La mejor estabilidad se demostrará a través de un ejemplo numérico que veremos posterionnente en esta sección.17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica en la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad respecto al de la configuración de polarización fija.4 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADO EN EMISOR La red de polarización de de de la figura 4.laRB .VBE . si la ecuación se utiliza para dibujar una red en serie que pudiera resultar en la misma ecuación. y posterionnente utilizando los resultados para investigar la malla colector-emisor.VBE = O (4. Malla emisor-base La malla emisor-base de la red de la figura 4.4.V BE con y resolviendo para lB da + (4.

Ofrece una forma relativamente sencilla para recordar la ecuación (4.le(Re + RE) El voltaje de un único subíndice VE es el voltaje del emisor a la tierra y se determina por (4. que fanna parte de la malla colector-emisor. Por tanto. La solución para la corriente lB dará por resultado la misma ecuación obtenida. se sabe que la corriente a través de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. B figura 4.18) La ecuación 4.23) o (4. Utilizando la ley de Ohm.VBE " Los niveles de resistencia son RB más RE reflejado por ([3 + 1).21. el resistor del emisor. es el caso de la red de la figura 4. el voltaje neto es Vcc .17). h (4.R.17).20) emisor.19. mientras que el voltaje del colector a la tierra puede determinarse y (4. el resistor RE se refleja de regreso al circuito de entrada de la base por un factor ({3 + 1).22) (4.21) o El voltaje en la base respecto a tierra puede determinarse a partir de (4. Debido a que {3 es normalmente 50 o más.17).21 Malla colector- V CE ' = V ee .24) 4. La ley de voltaje de Kirchhoff para la maHa indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado Sustituyendo IE= le y agrupando términos da Va .20 Nivel reflejado de impedancia de RE' como" ({3 + I)REen la malla de la base al emisor.Vee + leCRe + RE) = O + y 1. Malla colector-emisor La malla colector-emisor está dibujada de nuevo en la figura 4.18 puede ser de utilidad en el análisis que seguirá a continuación. El resultado es la ecuación (4. para la configuración de la figura 4. Obsérvese que además del voltaje de la base al emisor VBE . el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito de la base.20.4 Circuito de poIarlzación estabilizado en emisor 155 .19 Red derivada de la ecuación (4. Para el circuito de la base al emisor. En otras palabras. (4. "'aparece figura 4.19) Hgura 4.

Q 10.7 V lB = _----="----.VBE 20V .6.71 V g) VBC = VB .01 mA)(2 kO + 1 kQ) = 20 V ..1)lA b) le = f3IB = (50)(40.97 V d) Ve = Vec .01 mA)(2 kO) = 20 V .(2.97 V = 2.71 V .13...4..VCE = 15.22.98 V .01 V f) VB = VBE + VE =0.: leRE = (2.01 mA)(1 kO) = 2.uF v.7V + 2. o~--':)II-_'-- _ _-I P=50 1 ka I4o.01 V = 2.03 V e) = 13.uF ":'" Figura 4.01 V o VE = IpRE .~< '------------------------------------------------------------EJEMPLO 4.02 V = 15.17): Vee .Ve = 2.19): VCE = Vee .RB + (f3 + I)R E 430 kO + (51)(1 kQ) = 19.-_ = .27 V (con polarización inversa como se requiere) 156 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT .. "=" Solución a) Ecuación (4.le(Re + RE) = 20 V .4 Para la red de polarización en emisor de la figura 4.4.3 V 481 kO = 40.98 V = -13.22 Circuito de polarización con estabilización en emisor para el ejemplo 4.98 V e) VE = Ve .leRe = 20 V .01 mA Ecuación (4.1 !lA) . calcule: lB' a) b) e) le' VCE ' Ve VE' VB' VBC +20 V d) e) f) g) 2 kQ 430 k.(2.0.!?OC.15.: 2.

y ayuda a mantener el valor de le o por lo menos reduce el cambio total en /e debido al cambio en f3. se genera.4 y después repitiéndolos para un valor de f3 = 100. abajo del que se obtuvo con una configuración de polarización fija utilizando el mismo resistor del colector.7 para el mismo cambio en f3.5. Nivel de saturación El nivel de saturación del colector o la coniente máxima del colector para un diseño de polarización en emisor puede determinarse si se utiliza el mismo método aplicado para la configuración de polarización fija: se aplica un corto circuito entre las terminales del colectoremisor como se muestra en la figura 4.64 Se aprecia un cambio del 100% en la coniente del colector de BJT debido al cambio del 100% en el valor de f3.25) Flgura 4.Estabilidad de la polarización mejorada La adición del resistor del emisor a la polarización en de del BJT ofrece una mejor estabilidad.63 1l.Jo siguiente: EJEMPLO 4.35 4.12.11 Ahora. la coniente del colector del BIT se incrementa aproximadamente 81% debido al 100% de incremento en f3. para el valor dado de f3 = 50 Y para un nuevo valor de f3 = 100. 4.4 Circuito de polarización estabilizado en emisor 157 .23: (4.5 f3 so 100 47. La red de la figura 4.97 9. más estable que la de la figura 4. y luego se calcula la coniente del colector resultante. por tanto.71 6.83 1. esto es. La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del colector.08 2. /B es el mismo y VCE disminuye 76%. Prepare una tabla y compare las corrientes y voltajes de polarización de los circuitos de la figura 4. como la temperatura y la beta del transistOfo Mientras que un análisis matemático se ofrece en la sección 4.22 es.3 2.23 Determinación de re para el circuito de polarización co~ estabílidad en ~miSQr. Nótese cómo lB disminuye. Solución Si se utilizan los resultados calculados en el ejemplo 4.ül 3.1 y se repiten para un valor de f3 = 100. tia lo siguiente: 50 100 40.08 47. Para la figura 4. El cambio en VCE ha caído cerca del 35%. puede obtenerse una comparación de la mejoría como lo demuestra el ejemplo 4.7 y la figura 4. Compare también los cambios en /c y VCE para el mismo incremento en f3.23.22.1 36. Utilizando los resultados del ejemplo 4. los voltajes y conientes de polarización de de permanecen más cerca de donde los fijó el circuito cuando cambian las condiciones externas.

24 (denotado lBQ)' o Flgura 4. La elección de VCE = O V da (4.4.27) como se muestra en la figura 4.17) define el nivel de lB sobre las características de la figura 4. Los diferentes niveles de lB desplazarán. lo mejor sería desarrollar un capitulo 4 Polarización en dc-BJT 158 .67mA que es más o menos el doble del nivel de IC para el ejemplo 4.6 Determine la comente de saturación para la red del ejemplo 4. especialmente para los transistores de silicio.5 POLARIZACIÓN POR DMSOR DE VOLTAJE En las configuraciones de polarización previas a la corriente de polarización le y el voltaje VCEQ de polarización eran una función de la ganancia en corriente ({3) del transisto~. La ecuación de la malla colector-emisor que define la recta de carga es la siguiente: L~ selección de le = O mA da (4. y de que el valor real de beta por lo general. desde luego. el punto Q hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga.26) según se obtiene para la configuración de polarización fija.4.24 Recta de carga para la configuración de polarización en emisor. El nivel de lB como lo determinó la ecuación (4. no está bien definido. V ee Re Solución 1C'~l = + RE 20V = 2 kQ Q + 1 kQ = 20V 3kQ = 6. Análisis por recta de carga El análisis por recta de carga para la red de polarización en emisor es poco diferente de la que se encontró para la configuración de polarización fija.24. Q 4. Sin embargo. debido a que f3 es sensible a la temperatura.--< ---------------------------------------------------EJEMPLO 4.

.27 Redibujo de la malla de entrada de la red de la figura 4.27 para el análisis en de. . Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cambios en beta. debe ser examinado con el mismo interés que el método exacto. El método aproximado permite un análisis más directo con un mayor ahorro en tiempo y en energía. o~-~"lt-. existen dos métodos que pueden aplicarse para analizar la configuración del divisor de voltaje.25. v..sor de voltaje.25 Configuración de polarización por divisor de voltaje. Si los parámetros del circuito se eligen adecuadamente. Figura 4.25 puede volver a dibujarse según se muestra en la figura 4. por tanto. Análisis exacto El lado de entrada de la red de la figura 4. de hecho. Como antes se observó.R.5 Polarización por divisor de voltaje 159 . . circuito que fuera menos dependiente o. los niveles resultantes de 1CQ y de V CEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. También es más útil en el modo de diseño que será descrito en una sección posterior. pero el nunto de operación definido sobre las características por leQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros adecuados del circuito. 4. Al segundo se le llama método aproximado y puede introducirse sólo si son satisfechas las condiciones específicas. independiente de la beta del transistor. En conjunto. o Figura 4. El nivel de ISQ cambiará con el cambio en beta. El primero que vamos a demostrar es el método exacto que puede aplicarse en cualquier configuración de divisor de voltaje.25. La red a la que nos referimos es configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4. resulta ser muy pequeña. el método aproximado puede aplicarse a la mayoría de las siruaciones y.---+------Ik c. El motivo principal para elegir los nombres en esta configuración será más obvio en el análisis que sigue. La red equivalente Thévenin a la izquierda de la terminal de la base puede encontrarse de la siguiente manera: s Thévenin Figura 4.26 Definición del punto Q para la configuración de polarización por divi.26. Recuerde que en análisis anteriores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de leo y de VCEQ ' como se muestra en la figura 4.

19). ciertamente muy similar a la ecuación (4. La fuente de voltaje se .9 k. las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la misma manera como fueron desarrolladas para la configuración de polarización en emisor. una diferencia de dos niveles de voltaje y que el denominador es la resistencia de la base más el resistor de emisor reflejado por (/3 + 1). Sustituyendo lE = (/3 + I)lB Y resolviendo para lB lB = --~~--~--- ETh - VBE (4.R.7.28.7 Determine el voltaje de polarización de de V eE y la corriente le para la siguiente configuración de divisor de voltaje de la figura 4. Esto es.29 Determinación deETh .28 Determinación de RTh " (4. Las ecuaciones restantes para VE' Ve y VB son las mismas que se obtuvieron para la configuración de polarización en emisor. 160 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .28) ETh! La fuente de voltaje V ce regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto Thévenin de la figura 4.31) Figura 4. (4. que es exactamente la misma que la ecuación (4.31 Circuito para beta estabilizada para el ejemplo 4. una vez más.30) RTh + (/3 + I)RE B + Aunque la ecuación (4.30 Inserción del circuíto equivalente de Thévenin.reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica en la figura 4.Q FIgura 4.29 se calcula de la siguiente manera: La aplicación de la regla del divisor de voltaje: R Th : Figura 4. +22 V 10 kQ 39 kQ IOpF " ----nI--+-------'--1 3. (4.30 e lB Q puede calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj para la malla que se indica: Figura 4.17).30) aparece al principio diferente de las que se desarrollaron antes.29) + + Después se vuelve a dibujar la red Thévenin como se muestra en la figura 4. EJEMPLO 4. obsérvese que el numerador es.31. Una vez que lB se conoce.

. la comente lB será mucho menor que 12 (la comente siempre busca la trayectoria de menor resistencia).22 V Análisis aproximado La sección de entrada de la configuración del divisor de voltaje se representa por la red de la figura 4.7V 3. - I I ! I .:: 12 YR] YR2 pueden considerarse elementos en serie..9 kQ) = 39ka + 3. El voltaje a través de R" que en realidad es el voltaje 1.32. 1..85 mA)(10 kQ.4 [ecuación (4. I I I R. Si R¡ es mucho mayor que la resistencia R2 .30) : lB = ETh .IIR.55 ka + (141)(1. ~ R.55 ka + 211.5 kQ 1.55 ka La ecuación (4.31): VCE = Vcc -lc(Rc + RE) = 22 V .28): RTh = R. -1. + 1. r -.9 Ka ---"'----"=--- = La ecuación (4.32 Circuito de polarización parcial para calcular el voltaje de base aproximado VB " 4.18)]. Si se acepta la aproximación de que lB es esencialmente cero comparada con II o /2' entonces 1] :.9ka = 3.'. la resistencia reflejada entre la base y el emisor está definida por R¡ = ([3 + I)R E .(0.5 kQ) = 22 V ...8SmA La ecuación (4.5 Polarización por divisor de voltaje 161 ..29): ETh = (3. como se vio en la sección 4. R¡ »R2 v. t ~ : .5 kQ) =------3.. (39 kQ)(3. 1 .Solución La ecuación (4.3 V = 6. (11 ~:d2) Figura 4.VBE RTh + ([3 + l)R E = 2V-0. e 12 será aproximadamente igual a 1].05 )lA) = O.. La resístenciaR¡ es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor con un resistor de emisor RE' Recuerde que..78 V = 12.9.. I + R.05)lA le = [3lB = (140)(6.9 ka)(22 V) =2V 39 Ka + 3.

8 Repita el análisis de la figura 4.V BE (4.33) En otras palabras.31 utilizando la técnica aproximada y compare las soluciones para lc y para VCE .9 ka = 2V 162 Capitulo 4 Po1arización en dc-B. puede calcularse mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de abí el nombre para la configuración).37) Nótese en la secuencia de cálculos desde la ecuación (4.IT . IOR. (4.9 ka) 210 ka .35) I lc o '" lE I (4. si beta a veces es el valor de RE es por lo menos 10 veces el valor de R 2.32) Debido a que R.9 ka)(22 V) = 39 ka + 3. El punto Q (según se determinó mediante lco y V CE ) es por tanto independiente del valor de beta.:. en caso que pueda aplicarse a la aproximación. la aproximación podrá aplicarse con un alto grado de precisión. Q EJEMPLO 4. la condición que definirá. será la siguiente: (4.37) que beta no aparece y que lB no fue calculada.:. 10(3. Una vez determinado VB' el nivel de VE puede calcularse a partir de I VE = V B .5 ka) . (140)(1. Q o Solución Probando: {3RE . El voltaje del colector-emisor se encuentra determinado por (4. Esto es.32): (3.:. 39 ka (satisfecha) La ecuación (4.36) .33) a la ecuación (4.34) y la corriente del emisor podrá calcularse a partir de I e lE = VE RE I (4.base. {3R E. = ({3 + I)R E".

7. Mientras más grande es el nivel de R¡ comparado con R2 . puede considerarse tanto a unO Como al otro. = Vee .33).3 V = 0. 3..9 Solución Este ejemplo no trata de la comparación de los métodos exactos en función de uno aproximado.34): VE = VB - V BE = 2 V .(0. ETh = 2 V lB = --~_-".867 mA \.9. Sin duda.5 kQ) = 12. Finalmente.3 V 1.5 kQ) = 11. Por tanto.. 1.(O .81 ¡JA le Q = f3I B 3.7. y si se toma en cuenta la variación real en los valores de IÓs parámetros.22 V obtenido en el ejemplo 4.5 kQ) = 22 V ..55 kQ + (71)(1.7 V == 1. RTh y ETh son los mismos: RTh = 3. El ejemplo 4.le(Re + RE) = 22 V .85 mA con el análisis exacto. esencialmente la"principal diferencia entre las técnicas aproximada y exacta es el efecto de RTh en el análisis exacto que separa ETh y V B' La ecuación (4.Obsérvese que el nivel de VB es el mismo que para ETh calculado en el ejemplo 4.5 kQ = (70)(11. los resultados paraJe y para VCEQ se encuentran cercanos. sino de probar cuánto se moverá el punto Q si el nivel de f3 se corta por la mitad.5kQ comparada con 0.0. VeEQ Vee .7 si f3 se reduce a 70 y compare las soluciones para leQ y para V CEQ ' EJEMPLO 4."-- ETh - V BE RTh + (f3 + I)R E 2 V .55 kQ.3 V .0..83 mA Ve¡¡.81 ¡JA) = 0. Repita el análisis exacto del ejemplo 4.867 mA)(1O kQ + \..03V contra 12.46 V 4.83 mA)(lO kQ + 1. más cercana será la solución aproximada sobre la exacta.55 kQ + 106.7 V .97 V = 12.le(Re + RE) = 22 V ..10 hace una comparación sobre las soluciones a un nivel muy por debajo de la condición establecida por la ecuación (4.5 Polarización por divisor de voltaje 163 .

55 kQ = 39. Solución Análisis exacto: La ecuación (4. V CEQ f3 = 50 22kQ 1.83 mA 12. 220 kQ (no satisfeciUl) RTh = R.tF + Q o "o ~F "...22 v 12.0.6 }lA) = 1..(1.6 }lA ICQ = f3IB = (50)(39. = Vcc . utilizando las técnicas exacta y ~proximada para comparar las soluciones....11 V RTh + (f3 + I)RE 17.33)..33): f3R E ~ IOR 2 ~ (50)(1.2 kn) = 4.= .54 V 164 Capitulo 4 Polarización en dc-B.10 Determine los niveles de IC Q y de VCE para la configuración del divisor de voltaje de la figura 4.33.81 V .Q >82 k!2 " o~~--Il'l--~-+~~~-I 10 t 1C 10:1¡.35 kQ + (51)(1. Aunque f3 se corte drásticamente a la mitad.6 kQ + 1.85 mA 0.6 k. En este caso las condiciones de la ecuación (4. pero los resultados revelarán la diferencia de la solución si se ignora el criterio de la ecuación (4...46 V Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito hacia el cambio en f3..Al tabular los resultados se obtiene: f3 140 70 0.33) no serán satisfechas.10..2 kn) 78.2 kQ) 10(22 kQ) 60 kn 'f.= ETh . Q EJEMPLO 4.7 V 3.2 ka Figura 4.81 V 82 kQ + 22 kQ 22 kQ(l8 V) lB BE = --=--""-. 18 V ? 5. los niveles de ICQ y de V CE son en esencia los mismos.= 3..98 mA)(5. IIR2 = 82 knl122 kn = 17.35 kQ = ...98 mA Vct.V 3.33 Configuración de divisor de voltaje para el ejemplo 4.IT . de 140 a 70.Ic(Rc + RE) = 18 V .

2 ill = 2.4.40) El nivel de lB desde luego se determina mediante una ecuación diferente para las configuraciones de polarización por divisor de voltaje y de polarización en emisor.88 V Los resultados revelan la diferencia entre las soluciones exacta y aproximada. por tanto. la misma que se obtuvo para la configuración de polarización en emisor. la recta de carga tendrá la misma apariencia que la de la figura 4. pero aunque [3R E es sólo tres veces más grande que R 2 . La ecuación resultante para la corriente de saturación (cuando VCE se hace cero volts) es. Por tanto.2 kQ) = 3.11 V 1. 4.VBE =3. los resultados son todavía cercanos uno del otro.(2.Análisis aproximado: VE = VB . Sin embargo. con (4. le es aproximadamente 30% más grande con la solución aproximada. se tiene: Exacta Aproximada 1. que fue analizado en la sección 4.7 V = 3. mientras que VCE es másQo menos 10% menor.88 V Tabulando los resultados.33) para asegurar una similitud entre las soluciones exacta y aproximada.59 mA)(S.11 V 3.5 Polarización por divisor de voltaje 165 .59 mA = 18 V . Los resultados son notablemente diferentes en cuanto a magnitu~. (4.24. para el futuro el análisis será dictado por la ecuación (4.59 mA 4.81 V . Saturación del transistor El circuito de salida del colector-emisor para la configuración del divisor de voltaje tiene la misma apariencia que el circuito de polarización en emisor.39) y (4.38) Análisis por recta de carga Las similitudes con el circuito de salida de la configuración de polarización en emisor dan como resultado las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuración del divisor de voltaje.0.6 kQ + 1. Esto es.54 V 3.98mA 2.

!: ti.IsRB . ~ RB -tIc ( e.¡. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla en el sentido de las manecillas del reloj dará por resultado Vee . ".4. Por tanto. Aunque el punto Q no es totalmente independiente de beta (aun bajo condiciones aproximadas). El numerador es de nuevo la diferencia entre los niveles disponibles de voltaje.I~Re .6 POLARIZACIÓN DE DC POR RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE Un nivel mejorado de estabilidad también se obtiene mediante la introducción de una trayectoria de retroalimentación desde el colector a la base. la ecuación para lB ha tenido el siguiente formato: 1 =---- V' B R B + f3R' 166 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . o VO Vee + VeE "F ct ..35 Malla bas~misor para la red de la figura 4.34 Circuito de polarización de de con retroalimentación de voltaje. mientras que el denominador es la resistencia de la base más los resistores del colector y del emisor reflejados por beta.34. Sustituyendo l~" le = f3IB e lE" le resultará Vee ..34.IsRB ..f3l sRc . la trayectoria de retroalimentación da por resultado un reflejo de la resistencia Re de regreso al circuito de entrada. la sensibilidad a los cambios en beta o a las variaciones en temperatura son normalmente menores que las encontradas en la configuración de polarización fija o de polarización en emisor. como se muestra en la figura 4. De nuevo.I~E = O Vee Re J+ - Re -tl~ + - '.f31S<Re + RE) . lB ~ + V SE _ -t RE lE ) "- + - > .f3lsRB = O Si se arreglan los términos.o---Ue. Malla base-emisor La figura 435 muestra la malla base-emisor para la configuración de retroalimentación de voltaje. Es importante observar que la corriente a través deR e no es le sino l~ (donde l~ = le + lB)' Sin embargo.IsRB = O y resolviendo para lB dará (4. Figura 4. Figura 4. muy similar al reflejo de RE' En general.VBE . el nivel de le e l~ supera por mucho el nivel normal de lB y la aproximación l' e "le por lo general se utiliza.VBE . el análisis se hará examinando en primer lugar la malla emisor-base y aplicando los resultados a la malla colector-emisor. se tiene Vee .41) El resultado es muy interesante en cuanto a que el formato es muy similar a las ecuaciones para lB obtenidas para configuraciones anteriores.VBE .

41): = . menor será la sensibilidad de le a las variaciones en beta. Ya que le = f3IB .7 ka + 1. I VCE = Vcc .37.37 Red para el ejemplo 4.Q 250 ka + 531 ka = 11.07 mA)(4.6. R' es cero ohms para la configuración de polarización fija y por tanto bastante sensible a las variaciones en beta. y R' = Re + RE para la configuración de retroalimentación del colector.2 ka) 1.34.. mientras más grande sea f3R' comparado con RB . Debido a que R' normalmente es mayor para la configuración de retroalimentación de voltaje que para la configuración de polarización en emisor.con la ausencia de R' para la configuración de polarización fija..2 ka) 250 k. En general. la sensibilidad a las variaciones en beta será menor.A) 10 .. EJEMPLO 4.34 se presenta en la figura 4.42) figura 4.7 =------= 781 k. El voltaje V' es la diferencia entre los dos niveles de voltaje..91 = 1.Ic(Re + RE) la cual es exactamente la obtenida para las configuraciones de polarización en emisor y de polarización por divisor de voltaje. Malla colector-emisor La malla colector-emisor para la red de la figura 4.A ICQ 9.11.11 Solución Ecuación (4.7kn = f3IB = (90) (11.7 V IOV 4.0.le(Re + RE) = 10V . Obviamente.(1. Determinar los niveles de reposo de le Q y de V CE Q para la red de la figura 4.3 V \O V .Vee = O Debido a que I~" le y que lE" le' se tiene Ic(Re + RE) + VCE y - VCC = O (4.1.36 Malla colector-emlsor para la red de la figura 4.07mA ¡J.69 V Ftgura 4.. Desde luego. entonces Q ------= f3R' f3V' f3V' V' R' e lCQ es independiente al valor de beta. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado IERE + VCE + I~Re . 4.36.31 V = 3. si f3R' "" RB Y RB + f3R'" f3R'.3 V 9.91 p.6 Polarización de de por retroalimentación de voltaje 167 .-ka +.uF VeEQ = Vcc . R' = RE para la configuración de polarización en emisor (con (13 + 1) " /3).Q + (90) (4.2kQ = 10V .

... 18 V 91 kO llOkO 3. Resolviendo para lB da lB = Vcc .. mientras que el nivel de VeEQ decayó aproximadamente 20.11 utilizando una beta de 135 (50% más que en el ejemplo 4.2 ka) Aunque el nivel de {3 se incrementó 50%. Solución Es importante observar en la solución para lB en el ejemplo 4. un incremento del 50% en {3 hubiera causado un aumento del 50% en le • y un cambio drástico en la localización del punto Q.12 Repetir el ejemplo 4..9%.11).1 %..92 V 7.13 Determine el nivel de lB y de Ve para la red de la figura 4. mientras mayor es este segundo término comparado con el primero. el nivel de leQ únicamente se elevó al 12. la sensibilidad a los cambios en beta resulta ser significativamente menor. " <>---}II---+.(1..--------I P=75 51OkO I ":" 50 ¡tF Figura 4...89 J1..A e leQ = f3IB = (135)(8.VBE RB + (3(Re + RE) = 250 = 10 V .2 ka) 9.-+--I{-c---o " R. Recuerde que en uno de los análisis anteriores.. menor será la sensibilidad a los cambios en beta. Sin embargo.08 V ka + 1.-4V\I\.. que el segundo término en el denominador de la ecuación es mayor que el primero.7 kQ + 1...2 mA)(4..2mA con VaQ = Vce .5 ka 8.3 V = 9..! + (135)(4..13. Q EJEMPLO 4.------...3 kU lO ¡tF r-"-. 168 Capítulo 4 Polarización en dc-8. es más importante observar en estos ejemplos que una vez que el segundo término es relativamente más grande comparado con el primero. Si la red fuera un diseño de polarización fija.3V 250 ka + 796.89 J1.5 kQ 1046. R..38.Ic(Rc + RE) = 10 V . En este ejemplo.7 = 10 V = 2...A) = 1. el nivel de beta se incrementa en 50%.0.- EJEMPLO 4.7 V kí... lo cual hará que aumente la magnitud de este segundo término aún más comparado con el primero..11.IT . 1O¡tF I 1O¡tF' ...38 Red para el ejemplo 4.

la corriente del colector y los niveles de voltaje del 4.22 V Condiciones de saturación Utilice la aproximación de 1~ = le que es una ecuación para la corriente de saturación. 4.51 kQ) .3 V 201 kQ + 285.Solución En este caso la resistencia de la base para el análisis en de está compuesto de dos resistores con un capacitar conectado a partir de la unión con tierra. y resulta ser la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en emisor. Una vez que se conoce la corriente de la base. Vcc .5 !lA le = j3IB = (75)(35. Para cada configuración que hasta ahora se ha analizado. El nivel de lB será Q definido por la configuración de polarización elegida. Esto es (4. 18 V . el capacitar es equivalente a un circuito abierto y RB = R 1 + R2 .5 .(2. Para el modo de de. para establecer Un procedimiento general hacia la solución deseada.75 kQ 17. existen variaciones en el diseño que hubieran requerido más páginas de las que son posibles de ofrecer en un libro de este tipo.66 mA)(3.VBE RB + ¡3(. el primer paso es la derivación de una expresión para la comente de la base. el principal propósito en esta edición es el de hacer énfasis en las características del dispositivo que permiten un análisis en de de la configuración.I~Re . De hecho.66mA !lA) Ve .7 V =---486.43) Análisis por recta de carga Proseguimos con la aproximación l~.78 V = 9. Sin embargo.3 kQ) .: Vce .leRe = 18 V .Re + RE) =------------------------(91 kQ + 110 kQ) + (75)(3.8.75 kQ 18 V . 35. Vcc .7 DIVERSAS CONFlGURACIONES DE POLARIZACIÓN Existen ciertas configuraciones de polarización para BJT que no se asemejan al molde básico de las analizadas en las secciones previas.3 V . le y da por resultado la misma recta de carga definida para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en emisor. Resolviendo para lB se obtiene lB .3 kQ + 0.0. 2.7 Diversas configuraciones de polarización 169 . 17.

C kQ) = VB - VC = 0.7 kQ) = 19.(1.V' E RB + f3Rc 20 V . El análisis es muy similar. pero sí sugiere una ruta a seguir si se encuentra una nueva configuración. y VcE¡¡ . pero una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito base dará por resultado la corriente de base deseada. parece ser algo no ortodoxo y muy diferente a los que se encontraron hasta ahora.11. e Re 4. EJEMPLO 4.39 Retroalimentación en colector con RE'" On.0. Figura 4.26 V = -10.51}lA) = 1.3 V 1.34.7 V .7 = 11.7 V 680 kQ + (120)(4.56 V En el siguiente ejemplo el voltaje aplicado está conectado a la terminal del emisor y Rc está directamente conectada a la tierra. Solución a) La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos sólo al de Re y la ecuación para l. b) Encontrar VB• Vc.244 MQ b) = 15. Pero esto no implica que todas las soluciones tomarán la misma trayectoria. VE y V.51 }lA ICQ = f31.86 mA)(4.7 V Vc = VCE = 11. pero requiere de la eliminación de RE de la ecuación aplicada.leRe = 20 V . se reduce a lB = = V cc .14 Para la red de la figura 4. El primer ejemplo explica cómo el resistor de emisor se elimina de la configuración de retroalimentación de voltaje de la figura 4.86 mA VCEQ = Vcc .26 V VB = VBE = 0.circuito de salida pueden elegirse prácticamente en forma directa.7 kQ ¡J= 120 e.26 V VE = O V V.39: a) Determinar Iq. = (120)(15. 170 Capítulo 4 Polarización en dc-BJf . Al principio.

se encontrará que tanto las señales de salida como la de entrada están en fase (una siguiendo a la otra) y que el voltaje de salida es ligeramente menor que la señal aplicada.735 mA Ve = -leRe = -(3..2 kQ c.15 1..3 V 100 kQ = 83 ¡. Para el análisis en de el colector se conecta a tierra y el voltaje se aplica en la terminal del emisor.40 Ejemplo 4.lA) = 3.15.735 mA)( 1.3 V El siguiente ejemplo utiliza una red denominada configuración emisor-seguidor.. Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj para la malla base-emisor dará por resultado y La sustitución genera lB = = 9 V .---l{---o '" c.0.7 Diversas configuraciones de polarización 171 .lA le = f31B = (45)(83 ¡.Determinar Ve y VE para la red de la figura 4.40. 1O¡LF /Jo 45 Figura 4.. EJEMPLO 4. Cuando la misma red se analiza en ac.2 kQ) = -4A8 V VB = -lsRB = -(83 ¡.7 V 100kQ 8. . 4..lA)(100 kQ) = -8.

16 Detenninar VCEQ elE para la red de la figura 4 Al.----1 IOpF C.7 V = 19..-( ---------------------------------------------------EJEMPLO 4. . Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado -IBRB . C.l¿E + V EE = O pero y lE = (f3 + l)IB VEE . IOpF VEE -20V Figura 4.73 )lA)(2 kQ) = 11.73 )lA) = 4.16 mA 172 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .' o v.68 V lE = 4. ~-I\-(.0. " 0---1)1---.(f3 + 1)lsRE.V BE .lsRB = O con Sustituyendo los valores queda lB = -------240 kQ + (91)(2 kQ) 20 V .73 )lA le = f3l s = (90)(45.12 mA La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida resultará -VEE + I¿E + V CE = O pero y lE V CE Q = (f3 + l)ls = V EE .3 V = 45.(91)(45.41 Configuración de colector común (emisor:"seguidor).(f3 + l)lsRE = 20 V .3 V 240 kQ + 182 kQ =---422 kQ 19.VBE .

Hasta ahora todos los ejemplos usan una configuración de emisor común o de colector común. En el siguiente ejemplo se investiga la configuración de base común. En dicha situación el circuito de entrada se utilizará para deternlÍnar lEen lugar de 1S' Después la corriente del colector queda disponible para realizar un análisis del circuito de salida.

Determine el voltaje V eB y la corriente 'B para la configuración de base común de la figura 4.42.

EJEMPLO 4.17

"~~
"R,
Vu

r~~~
4V

Vec

lOV

...
Figura 4.42 Configuración de base común.

Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada da

y

Sustituyendo los valores, se obtiene
4 V - 0.7 V
= 2.75 mA

1.2 ka
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida da
-VCB + leRc - V ee Y V CB

=O

= Vec

- lcR-c con le ~ lE

= 10 V - (2.75 mA)(2.4 ka) = 3.4 V lB =

í
f3
2.75 mA 60

= = 45.8

!lA

El ejemplo 4.18 utiliza una fuente doble y requiere de la aplicación del teorema de Thévenin para detenninar las incógnitas deseadas. 4.7 Diversas configuraciones de polarización

173

EJEMPLO 4.18

Especifique Ve y VB para la red de la figura 4.43.
Vcc =+20V

Re R,
8.2kQ

2.7Hl

e
B

e,

,;

,{

o v"

e,
v, o

10 ¡..LF

10 IlF

1:

~
E

.Jl=12ij
1.8kn

R,

2.2kn

RE

VEE =-20V

Figura 4.43

Ejemplo 4.18.

Solución La resistencia y voltaje Thévenin se calculan para la red a la izquierda de la terminal de la base. como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45.

8.2kil
>~~~~~~----~--~--QB

JI1
8.2 k.!l

+

Figura 4.44

Determinación de RTh ,

figura 4.45

Determinación de ETh'

RTh = 8.2 kQ

112.2 kQ

= 1.73 kQ

1=

Vec + VEE

=

20 V + 20 V 8.2 ka + 2.2 ka

=--10.4 kQ

40 V

R¡ + Rz
= 3.85 mA

= (3.85 mA)(2.2 ka) - 20 V = -11.53 V
Luego la red puede ser redibujada según se muestra en la figura 4.46, donde la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff da por resultado

-ETh
174 Capítulo 4

-

leRTh -

V BE -

I~E

+

V EE

= O

Polarización en dc-BJT

p= 120
E
11..53 V

VEE =-20V

Figura 4.46 Sustitución del circuito equivalente de Thévenin.

Sustituyendo lE = (¡J + 1)18 da
Va - ETh - VBE -

(¡J + I)IBRE - IBRTh = O
VBE
I)R E

e

VEE RTh +

ETh -

(¡J +

20 V - 11.53 V - 0.7 V 1.73 ka + (121)(1.8 kQ)

=---219.53 ka

7.77 V

= 35.39
le = ¡JIB

j.iA

= (120)(35.39 ¡lA)

= 4.25

mA

Ve = Vcc - ¡eRe = 20 V - (4.25 mA)(2.7 ka)
= 8.53 V

VB = -ETh - IsRTh = -(11.53 V) (35.39 ¡LA)(1.73 ka)
= -11.59 V

4.8 OPERACIONES DE DISEÑO
Hasta ahora los análisis se enfocan al estudio de la~ redes existentes. Todos los elementos están en su lugar, y sólo es cuestión de resolver para determinar los niveles de corriente y de voltaje de la configuración. El proceso de diseño es donde se especifican la corriente y/o e! voltaje, y deben detenninarse los elementos requeridos para fijar los niveles de! diseño. Este proceso de

síntesis requiere de una muy clara comprensión de las características del dispositivo, las ecuaciones básicas para la red y un gran conocimiento de las leyes básicas del análisis de
circuitos, como la ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhoff, y así sucesivamente. En la mayoría de las situaciones se reta al proceso de pensamiento en un grado alto durante el proceso de diseño, mucho más que durante la secuencia de análisis. La trayectoria hacia la solución está menos definida, y puede requerir de cierta cantidad de suposiciones básicas que no se tienen que hacer cuando simplemente se analiza una red.

4.8 Operaciones de diseño

175

Es obvio que la secuencia de diseño es sensible a los componentes que ya se han especificado ya los elementos que deben determinarse. Si se han especificado tanto el transistor como las fuentes, el proceso de diseño simplemente determinará los resistores que se requieren para un diseño en particular. Una vez que se han decidido los valores teóricos de los resistores, normalmente se escogen los valores estándares comerciales más cercanos, y se aceptan cualesquiera de las variaciones debidas a la no utilización de los resistores de los valores exactos. Es cierto que se trata de una aproximación válida,considerando las tolerancias que con frecuencia se asocian a los elementos resistivos y a los parámetros de los transistores. Si se deben determinar valores resistivos, un~ de las ecuaciones más poderosas es simplemente la ley de Ohm, de la siguiente manera:

I

Ru"" =

R

V

IR

I

(4.44)

En un diseño particular, el voltaje a través de un resistor a menudo puede detenninarse a partir de los niveles que se especificaron. Si existen especificaciones adicionales que definan el nivel de corriente, la ecuación (4.44) puede utilizarse para calcular la resistencia requerida. Los primeros ejemplos demostrarán la forma en que los elementos particulares pueden determinar,e a partir de los nivel"" ""peciflcados. Má, adelante ,e presentará un procedimiento completo de diseño para dos configuraciones comunes.

EJEMPLO 4.19

Dadas las características del dispositivo de la figura 4.47a, determinar Vce RB y Rc para la configuración de polarización fija de la figura 4.47b.

8

lB = 4O).IA

~~~~-

Q

o
(a)

(b)

figura 4.47 Ejemplo 4.19.

Solución De la recta de carga
V cc = 20 V

y

20 V 8 mA

= 2.5 ka

lB
con

=

Vcc - VBE RB Vcc - VBE lB
21l V - 1l.7 V 4O¡JA

RB =

=
176
capítulo 4 Polarización en dc-B.IT

=

19.3 V 40 ¡JA

= 482.5

ka

Los resistores de valores estándar:
Rc = 2.4 kQ

R B = 470 kQ El uso de resistores de valores estándar dan lB = 41.1 !lA

la cual se encuentra dentro del 5% del valor especificado.

Dado ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determinar R¡ y Rc para la red de la figura 4.48.
v

EJEMPLO 420

!O¡¡F

',o-----~r----+-------~
¡8 kil

1.2kQ

Figura 4.48 Ejemplo 4.20.

Solución
VE = I~E '" leRE

= (2
VB

mA)(1.2 kQ)

= 2.4
V

V

V B = V BE + VE = 0.7 V + 2.4 V = 3.l V
2 CC = --~.=- = 3.l

RV

R¡ + R2

y

(18 kQ)(18 V)
R¡ + 18 kQ

= 3.1

V

324 kQ = 3.l R¡ + 55.8 kQ 3.l R¡ = 268.2 kQ
R¡ = - - - - = 86.52 kQ

268.2 kQ 3.l

La ecuación (4.44): con

RC = VR , le

= Vec - Ve
le

Ve = V CE + VE = 10 V + 2.4 V = 12.4 V

y

18 V - 12.4 V

2 mA

= 2.8 kQ
Los valores estándar comerciales más cercanos a R¡ son 82 kQ Y 91 kQ. Sin embargo, el empleo de la combinación en serie de los valores estándar de 82 kQ Y 4.7 kQ. = 86.7 kQ resultaría en un valor muy cercano al nivel de diseño.
4.8 Operaciones de diseño

177

EJEMPLO 4.21

La configuración de polarización en emisor de la figura 4.49 tiene las siguientes especificaciones: leo = Ve"Je",= 8 mA, Ve = 18 V Y f3 =110. Detenninar Re' RE y RB •
r-------~--~28V

FIgUra 4.49

Ejemplo 4.21.

Solución

=

28 V - 18 V

= 2.5 ka

4 mA

y

RE

=

Vee le",

28 V

=

8 mA

=

3.5 ka

RE = 3.5 ka - Re

= 3.5 kQ - 2.5 kQ

= 1 ka
lB
Q

=

le
-Q-

f3

= - - = 36.36 J1A
110

4 mA

y

con

= - - - - - (lll)(l ka)
36.36 J1A

=---36.36 J1A
= 639.8 ka
178
Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

27.3 V

111 ka

Para los valores estándar:
Re = 2.4 ka RE = 1 ka

RB = 620 ka

El análisis que sigue presenta una técnica para el diseño de un circuito completo, pensado para operar en un punto de polarización específico. A menudo, las hojas de especificaciones del fabricante ofrecen infonnación sobre un punto de operación sugerido (o región de operación) para un transistor en particular. Además, los otros componentes del sistema conectados a una etapa de amplificación dada pueden definÍr también la excursión de la corriente, la excursión del voltaje, el valor del voltaje de la fuente común, y así sucesivamente para el diseño. En la práctica real, muchos otros factores deben considerarse, porque pueden afectar la selección del punto de operación que se desea obtener. Sin embargo, por el momento nos concentraremos en la determinación de los valores de los componentes para encontrar un punto de operación específico. El análisis estará limitado a las configuraciones de polarización en emisor y a la de polarización por divisor de voltaje. aunque el mismo procedimiento puede aplicarse a una variedad de otros circuitos de transistores.

Diseño de un circuito de polarización con retroalimentación en el resistor de emisor
Considere primero el diseño de los componentes de polarización de de de un circuito amplificador, que posee la estabilización mediante el resistor de emisor, igual que en la figura 4.50. El voltaje de la fuente y el punto de operación se seleccionaron a partir de la información que ofreció el fabricante sobre el transistor utilizado en el amplificador.

R,

c,

C,
entrada \ de ac ----,I----+-----t VB 2N4401 10 ¡iF (p. 150)

'"---tI-- salida + deac
T

1O¡tF

Figura 4.50

Circuito de polarización

con estabilización en emisor para consideración de disefio.

La selección de los resistores de colector y emisor 00 pueden proceder directamente de la información recién especificada. La ecuación que relaciona los voltajes alrededor de la malla colector-emisor tiene dos incógnitas, los resistores Re y RE. En este momento se debe hacer un juicio de ingeniería, como comparar el nivel del voltaje del emisor con el voltaje de la fuente. Recuerde la necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra para ofrecer un medio de estabilización de la polarización de de, de tal forma que el cambio de la corriente del colector debido a corrientes de fuga del transistor y la beta del transistor no ocasionen un gran cambio en el punto de operación. Por lógica, el resistor de emisor no puede ser demasiado grande, porque su voltaje limita el rango de la excursión de voltaje colector-emisor (que debe observarse cuando la respuesta en ac se analice). Los ejemplos examinados en este capítulo revelan

4.8 Operaciones de diseño

179

que el voltaje del emisor hacia tierra es por lo general de un cuarto a un décimo del voltaje de la fuente. Elegir un caso conservador de un décimo pennitirá calcular el resistor de emisor RE y el resistor Re de una manera parecida a los ejemplos recién completados. En el siguiente ejemplo se desarrolla un diseño completo de la red de la figura 4.49 utilizando el criterio que presentamos antes para el voltaje de emisor.

EJEMPLO 422

Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50 para el punto de operación y el voltaje de la fuente de alimentación.
Solución
VE =",Vec =",(20 V)= 2 V

RE = lE
Re = V Re

VE

VE 2 V '" - - = - - = 1 kQ lc 2mA
= Vcc - VCE - VE = 20 V-lO V - 2 V = ~

le
= 4 kQ

le

2 mA

2 mA

le 1 = -- =
B

2 mA
150

f3

= 13.33 }lA 20 V - 0.7 V - 2 V

RB = -R' - = lB
",1.3MQ

V

--~--~~---=-

Vec-VBE-VE

=

lB

13.33 }lA

Diseño de un circuito de ganancia de corriente estabilizada (independiente de beta)
El circuito de la figura 4.51 ofrece estabilización tanto para los cambios por la corriente de fuga como por la ganancia de corriente (beta). Los cuatro valores de los resistores que mostramos deben obtenerse para el punto de operación especificado. El criterio de ingeniena para la selección de un valor del voltaje del emisor VE se utiliza de la misma forma que las consideraciones previas de diseño, porque guían hacia una solución directa para todos los valores de los resistores. Estos pasos del diseño se muestran en el siguiente ejemplo.

Vcc = 20 V

le, = !O rnA

I 't

C,

C, entrada ___ \ de ac ~f---1~----I

¡ " - - - J L - - salida + ,deac 1O¡ñ'
V CEQ

1O¡ñ'

=8V

(3(mín) = 80

...
180
Capítulo 4

...

FIgUra 4.51 Circuito con ganancia en corriente estabilizada para consideraciones
de diseño .

Polarización en dc-BJf

------------------------------------------------------------EJEMPLO 423
Determine los niveles de Re' RE' R] YRo para la red de la figura 4.51 para el punto de operación indicado.
RE

-<;

=- - lE

VE

VE le

2 V lO mA

= 200Q =
20 V - 8 V - 2 V

Re

=~ =
le

VCC - VeE - VE le

10 mA

=

lOV

lO mA

= lkQ
VB

= VBE

+ VE

= 0.7

V + 2 V = 2.7 V

Las ecuaciones para el cálculo de los resistores de base R 1 Y R2 necesitarán de ciertos análisis. Usar el valor del voltaje de la base calculado arriba y el valor del voltaje de la fuente proporcionará una ecuación, pero existen dos incógnitas, R¡ y R2 , Se puede obtener una ecuación adicional entendiendo la operación de estos dos resistores, al fijar el voltaje de base necesario. Para que el circuito opere de manera eficiente se asume que la corriente a través de R 1 Y R2 debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de la base (por lo menos 1O:1). Este hecho y la ecuación del divisor de voltaje para el voltaje de base ofrecen las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de la base. Esto es,

y

La sustitución da
Ro $,),(80)(0.2 kQ)

1.6 kQ
Vs = 2.7 V
y

0.6

kQ)(20 V)

R] + 1.6 ka

2.7R] + 4.32 ka

= 32

ka

2.7R] = 27.68 ka

R] = 10.25 kQ (use 10 ka)

4.9 REDES DE CONMUTACIÓN DE TRANSISTORES
Aplicar los transistores no se limita únicamente a la amplificación de señales. A través de un diseño adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. La red de la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en los circuitos lógicos de las computadoras. Obsérvese que el voltaje de salida Ve es opuesto al que se aplicó sobre la base o a la terminal de entrada. También obsérvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. La única fuente de dc está conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la señal aplicada, en este caso 5 V.
4,9 Redes de conmutación de transistores

181

5V

5V

.....

OV

Ic(mA)

68 k,Q

hFE = 125

1 ...

-

OV

le"" == 6.1

mA,l-__________________ 50 !lA
6~

71-

r----------------------------~~A

4~~--~~~--------3

5~~--~~-----------------------40~

,r--------=::""'::::~:-------- 20~A
__------------------------~~-----

~
1 t

30 I-lA

2

~ I,=O~
5
Vcc = 5 V

lO~A

2

3

4

ICEO=OmA

(b)

Flgura 4.52 Transistor inversor.

El diseño ideal para el proceso de inversión requiere que el punto de operación conmute de corte a la saturación, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52b. Para estos propósitos se asumirá que 1C = 1CEO = OmA cuando lB = O pA (una excelente aproximación de acuerdo con las mejoras de las técnicas de fabricación), como se muestra en la figura 4.52b. Además, se asumirá que VCE = VCE,,, OV en lugar del nivel típico de 0.1 a 0.3 V. Cuando Vi;;: 5 V, el transistor se encontrará "encendido" y el diseño debe asegurar que la red está saturada totalmente por un nivel de lB mayor asociado con la curva lB' que aparece cerca del nivel de saturación. La figura 4.52b requiere que lB > 50 pA. El nivel de saturación para la corriente del colector y para el circuito de la figura 4.52a está definido por

=

1

C sa,

CC =----

V

R

(4.45)

C

182

Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

Los resultados del nivel de lB en la región activa justo antes de la saturación pueden aproximarse mediante la siguiente ecuación:

Por 10 mismo, para el nivel de saturación se debe asegurar que la siguiente condición se satisfaga:

(4.46) Para la red de la figura 4.52b cuando Vi =5 V, el nivel resultante de lB es el siguiente:
Vi - 0.7 V
lB =

5 V - 0.7 V
= = 63 J.1A

RB
V ee

68 kQ 5 V
'" 6.1 mA

e

1

c,~,

=-~

R

=

e

0.82 kQ

Comprobando la ecuación (4.46) da
- - - - = 48.8 ¡.tA

6.1 mA 125

la cual es satisfecha. Es cierto que cualquier nivel de lB mayor que 60 ¡.tA pasará a través del punto Q sobre la recta de carga, que se encuentra muy cerca del eje vertical. Para Vi = OV'/B = O¡.tA, y dado que se está suponiendo que le = ICEO = OmA,el voltaje cae a través de Rc como 10 determinó VRc = ¡eRe = O V, dando por resultado Ve = +5 V para la
respuesta indicada en la figura 4.52a. Además de su contribución en los circuitos lógicos de las computadoras, el transistor se puede utilizar como un interruptor, si se emplean los extremos de la recta de carga. En la saturación la corriente lc es muy alta y el voltaje VCE muy bajo. El resultado es un nivel de resistencia entre las dos tenninales detenninado por

y descrito en la figura 4.53.

E E

Figura 4.53 Condiciones de saturación y la resistencia resultante de la tenninal.
VCE~

Si se utiliza un típico valor promedio de

como 0.15 V da como resultado

R

'"

=

- - - = 24.60.

0.15 V

6.1 mA

el cual es un valor relativamente bajo y ::: O Q cuando se coloca en serie con resistores en el

rango de los kilohms.
4.9 Redes de conmutación de transistores

183

Figura 4.54 Condiciones de corte y la resistencia resultante de la terminal.

Para Vi = OV como lo vemos en la figura 4.54, la condición de corte ocasionará un nivel de resistencia de la siguiente magnitud:
ee R con, = - - = l CEO O mA V

5 V

=~Q

resultando en la equivalencia de circuito abierto. Para un valor típico de leEO = 10 ¡LA, la

magnitud de la resistencia de corte es

que se aproxima a la equivalencia de circuito abierto para muchas situaciones.

EJEMPLO 4.24

Determine R B Y Re para el transistor inversor de la figura 4.55 si le
Vcc=lOV

"'

= 10 mA.

v,
IOV IOV

hFE = 250

v

Flgura 4.55

Inversor para el ejemplo 4.24.

Solución En la saturación:

l

e'al

=

y

10 mA

=

así que En la saturación:
lB '"

Re
l

=

IOV

10 mA

= 1 kQ = 40
¡LA

~

f3""

=

10 mA
250

Elija lB = 60 ¡LA para asegurar la saturación, y utilizando
lB = Vi - 0.7 V

RB
184
Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

se obtiene

v, -

0.7 V
;

10 V - 0.7 V

155 kQ

60 !lA
Seleccione R B = 150 kQ. el cual es el valor estándar. Luego

v, -

0.7 V
;

- - - - - - ; 62 !lA
150 kQ

10 V - 0.7 V

RB
e
lB ; 62 )lA >

; 40 )lA

Por tanto. use RB

;

150 kQ YRe; 1 kQ.

Existen transistores que se les denomina transistores de conmutación debido a la velocidad con que cambian de un nivel de voltaje a otro. En la figura 3.23c los periodos de tiempo definidos como t s ' td' tI" Y tI se proporcionan en función de la comente de colector. Su impacto sobre la velocidad de respuesta de la salida del colector se define por la respuesta de la comente de colector de la figura 4.56. El tiempo total necesario para que el transistor cambie del estado "apagado" al "encenciido" está designado como tencendido y definido por

I
Transistor "encendido"

tencendido

= t r + td

I

(4.47)

siendo t d el tiempo de retardo entre el estado de cambio de la entrada y el comienzo de una respuesta en la salida. El elemento de tiempo t, es el tiempo de subida del 10 al 90% del valor final.
Transistor "apagado"

1009,

909',

-

-

-

-

-

-

-

- -

_1- _ _ I

I

lOge

,- I - - - - - - - - - -1- - - -1- , , , ,

I

I

- -' o
1,
,

--+<
,

1,

',
--+<,
I[

1,

,tencendido

I

,
~,

tapagado

,,_

Figura 4.56 Definición de los intervalos de tiempo de una forma de onda de pulso.

El tiempo total que requiere un tra.'1sistor para cambiar del estado "encendido" al "apagado" se le conoce como tapagado y se define así (4.48) donde t, es el tiempo de almacenamiemo y tr es el tiempo de bajada del 90 al 10% del valor inicial. 4.9 Redes de conmutación de transistores 185

es cieno que es un resultado fuera de lo común. Un nivel de voltaje de igual importancia es el voltaje del colector al emisor. pero debe esperarse una lectura negativa. por lo mismo. Para el transistor que está en la región activa el nivel dc mesurable más importante es el voltaje emisor-base.7 V Si o::O. Es muy obvio que el primer paso para poder resolver un problema en una red es entender el comportamiento de la misma y tener alguna idea de los niveles de voltaje y corriente esperados.con los niveles de VCEen la vecindad de 0. 4 Y O 12 Y. I tencendido tl.57 Verificación del nivel de de VBE" Para V ce = 20 Y una lectura de V CE entre 1 y 2 Y o entre 18 y 20 Y como se mide en la figura 4.Para el transistor de propósito general de la figura 3. Cualquier lectura totalmente diferente del nivel esperado de más o menos 0.23c a le. Obsérvese que la punta de prueba roja (positiva) se encuentra conectada a la base para un transistor npn y la negra (negativa) al emisor. deben investigarse tanto e1 diseño como la operación. que no puede ser cubierto un rango tan lleno de posibilidades y de técnicas en unas cuantas secciones de un libro. Si VCE = 20 V (con Vcc = 20 Y) existen por lo menos dos posibilidades: O bien el dispositivo (BJT) está ~ E ~ \ ~ -------Va) ~ ~ ~ O (J) + - 0. y así que I f = 12 ns I.?agadQ = + Id I = 13 ns + 25ns=38ns y .10 TÉCNICAS PARA LA LOCAUZACIÓN DE FALLAS El arte de la localización de fallas es un tema tan amplio. se observa una de las razones para elegir un transistor de conmutación cuando surge la necesidad de éste. t encendido = 12 ns y t apagado == 18 os 4.3VGe Para el amplificador típico a transistor que está en la región activa.l. como O Y. Recuerde las características generales de un BJT. Las conexiones adecuadas para medir VaE aparecen en la figura 4. Sin embargo: . Para un transistor pnp pueden usarse las mismas conexiones.l" Id = 120 ns = 25 ns = 13 ns 1.7 V. o si es negativo el valor se debe sospechar de él.. Sin embargo.57. y posiblemente encontrar una solución.3 V = satu"ción O v = estado de corto circuito o de conexión pobre Normalmente unos cuantos volts o más Figura 4. + f = 120 ns + 12 ns 132 nS Al comparar los valores anteriores con los siguientes parámetros de un transistor de conmutaCión BSV52L.3 V que sugieren un dispositivo saturado. V CE está por lo general entre el 25 y el 75% de V cc" Figura 4..:::0.7 Y. se encuentra que t. Para un transistor "encendido" el voltaje V BE debe estar en la vecindad de 0. una condición que no debe existir a menos que se esté usando como interruptor. un practicante debe estar enterado de unas cuantas maniobras y medidas que pueden aislar el área de problema. es mejor verificar las conexiones del dispositivo o la red. y a menos que se conozca otro diseño para esta respuesta.: 10 mA.58.58 de de Ver" Verificación del nivel 186 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .

59 la punta de prueba negra del vólmetro está conectada a la tierra común de la fuente y la roja a la terminal inferior del resistor.. porque la red tiene una tierra común para la fuente y los componentes de la red. haciendo le O mA y VRe = O V.4 pA. 187 . Para V cc. como 10 definió el potencial aplicado y la operación general de la red. Parecería obvio. El resultado será tener valores reales más cercanos a los niveles teóricos y cierta seguridad de que el valor correcto de la resistencia se utiliza. se deben leer V cc volts.:. Si VR . Para las redes cubiertas en este capitulo se deben considerar los niveles típicos dentro del sistema.4 mA Figura 4. mientras más sofisticado es el sistema. a partir del análisis anterior.7 V VCc =20V lc=OmA +~ Re conexión ___ ~ abierta ----/ I 20 v = 28.10 Técnicas para la localización de fallas Figura 4. ¿qué sigue? Ahora. Habrá momentos en que surgirá la frustración. Y VR e son valores razonables pero VCE = O V. como señala VCE. la corriente . los niveles de corriente se calculan a partir de los niveles de voltaje a través de los resistores. Ya que los valores reales de los resistores a menudo son diferentes de los valores de los códigos de color nominales (recuerde que los valores de tolerancia de los resistores). Todos los niveles de los resistores parecen adecuados. En la figura 4. en lugar de "romper" la red para insertar la sección de miliamperímetro de un multímetro.4 mA es cierto que colocaría al diseño en una región de saturación y es posible que se dañe el dispositivo.60 Verificación de los niveles de voltaje respecto a tierra. En cualquier caso. 4. uno de los métodos más efectivos para verificar la operación de una red es probando varios niveles de voltaje respecto a la tierra y al conectar la punta de prueba negra (negativa) de un vólmetro a tierra y "tocando" las terminales importantes con la punta de prueba roja (positiva). En Ve la lectura debe ser menor por la caída a través de Re y V E debe ser menor que Ve por el voltaje colector emisor V eE . pero el control de limitación de corriente se dejó en cero. Obviamente. si la punta roja se conecta directamente a Vcc . Si el medidor está conectado a la terminal del colector del BJT. Antes dijimos que si VCE registra un nivel de aproximadamente 0. es una buena inversión de tiempo hacer la medición de un resistor antes de insertarlo en la red.59. o bien una conexión en la mal1a del circuito del colector-emisor o base-emisor está abierta como en la figura 4. las conexiones se ven sólidas y se ha aplicado la fuente adecuada de voltaje. En la figura 4.0. evitando el nivel adecuado de corriente según lo demanda el diseño de la red.V E (la diferencia entre los dos niveles como se midió arriba). Por 10 general. la lectura será de O V. Se habrá verificado el dispositivo en un trazador de curvas u otro instrumento para probar BJT y parecerá correcto. de base resultante seria 20 V . ¿Podría ser que la conexión interna entre el cable y la conexión final de una punta esté dañada? ¿Cuántas veces el simple hecho de tocar una punta crea una situación "'correcta o incorrecta" entre las conexiones? Quizá la fuente fue encendida y ajustada en el voltaje correcto. Uno de los errores más comunes en la experiencia de laboratorio es el uso del valor erróneo de la resistencia para un diseño dado. la red puede estar saturada con un dispositivo que esté o no defectuoso.dañado y tiene las carf!1cterísticas de un circuito abierto entre las terminales del colector y del emisor. la persona encargada de resolver el problema debe esforzarse para lograr un mayor nivel de sofisticación.. porque V ee está bloqueado del dispositivo activo por un circuito abierto.:. Imagine el impacto del uso de un resistor de 680 Q para Ra en lugar del valor de diseño de 680 ka. para facilitar la verificación e identificación de las posibles áreas de problemas.60. 680 Q en lugar del valor deseado de 28. V C .: 20 V Y una configuración de polarización fija.. más extenso el rango de posibilidades. En los diagramas grandes se ofrecen los niveles específicos de voltaje respecto a la tierra. ¡una diferencia significativa! Una corriente base de 28. La ausencia de una corriente del colector y de la caída de voltaje resultante a través de Re darán por resultado una lectura de 20 V.3 V. que la sección de vólmetro de un VOM o DMM es muy importante en el proceso de localización de fallas. existe la posibilidad de que el BIT esté dañado y presente un equivalente de corto circuito entre las terminales del colector y del emisor. La falla en cualquiera de estos dos puntos sirve para registrar lo que podría parecer un nivel razonable y ser autosuficiente para definir la falla o el elemento defectuoso.59 Efecto de una conexión pobre o un dispositivo dañado.

determinar si el transistor se encuentra "encendido" y si la red está operando de manera correcta. encontrar la posible causa.. y si no 10 está.85 V 250 kil Si la red se encontrara operando de manera adecuada.VR ¡. EJEMPLO 425 Es importante basarse en las lecturas ofrecidas en la figura 4. El nivel de VR ...El proceso de localización de fallas es una verdadera prueba para comprender claramente el comportamiento adecuado de una red y su habilidad para aislar las áreas problemáticas -utilizando unas cuantas medidas básicas con los instrumentos apropiados... = 19. Capitulo 4 Polarización en dc-BJT .61 para determinar si la red está operando adecuadamente. la corriente de base debería ser lB = 79.. se obtiene la siguiente corriente a través de R B' 20 V 252 kil la cual asemeja a la obtenida de 19.4 }lA = 79.= .. Los 20 V en el colector revelan inmediatamente que le = O mA. debido a un circuito abierto o a un transistor que no está operando.0..7 V 19.25 .3 kQ 211 Y p= lOO 2kQ . La experiencia es la clave. ::!ov 3. == 0. y ésta vendrá únicamente con la exposición continua a los circuitos prácticos.. el resultado es que el transistor está dañado en una condición de corto circuito entre la base y el emisor.= RB + V .15 V es menor que la necesaria para encender el transistor y proporcionar algún voltaje para VE' Si se asume una condición de corto circuito desde la base al emisor.. EJEMPLO 426 188 Basándose en las lecturas que aparecen en la figura 4.3 V 452 kil (/3 + l)R E 250 kQ + (101)(2 kil) = 42.61 Red para el ejemplo 4. Solución Figura 4.V 20 V .62.85 V también revela que el transistor está en "apagado" porque la diferencia de Vec .4 }lA cc BE = ----"''------''''-.7 }lA Por tanto.

7 kQ 80 kQ 20\" 4v 3. tanto VSE como V CE serán cantidades negativas.7 V a través de la unión base-emisor del transistor lo que sugiere un transistor "encendido". Sin embargo.63.63. Primero se calcula el nivel de lB' seguido por la aplicación de las relaciones adecuadas de los transistores para determinar la lista de las cantidades que se ignoran.17).19). 4.26. Para V CE la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla colector-emisor. Los 3. (4. según la figura 4. los 20 Ven el colector revelan que le:.49) R.49) y la ecuación (4..7 V Yla sustitución de los valores resultará el mismo signo para cada término de la ecuación (4. Existen dos posibilidades: o bien puede existir una conexión pobre entre Re y la terminal del colector del transistor. el análisis se ha limitado totalmente a los transistores npn para asegurar que el análisis inicial de las configuraciones básicas sean 10 más claras posible y simplificadas para no intercambiar entre los tipos de transistores. el análisis de los transistores pnp sigue el mismo patrón que se estableció para los transistores npn.. O mA. o el transistor tiene abierta la unión base-colector.: 4 V parece adecuado (y de hecho lo es). las direcciones de las corrientes se invirtieron para reflejar las direcciones reales de coriducción. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoffa la malla base-emisor dará por resultado la siguiente ecuación para la red de la figura 4. como se pudo observar anteriormente. pero el signo antes de cada término en el miembro de la derecha ha cambiado.Solución Si nos basamos en los valores de los resistores RI y R 2 Yla magnitud de Vcc ' el voltaje Vs :::. Sin embargo. el voltaje VCE tendrá un signo negativo. La única diferencia entre las ecuaciones resultantes para una red en la que se reemplazó un transistor npn por un transistor pnp es la señal asociada con las cantidades en particular.11 Transistores pnp 189 . debe verificarse el transistor usando uno de los métodos descritos en el capítulo 3. en este caso VBE = -0. dando por resultado la siguiente ecuación: Figura 4.50) La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación (4.62 Red para el ejemplo 4. Debido a que Vcc será mayor que la magnitud del término subsiguiente..17) excepto por el signo para VBE . y si está bien. La ecuación resultante es la misma que la ecuación (4. 20 V 4. Sin embargo.3 Ven el emisor son el resultado de una caída de 0. Primero se verifica la continuidad en la unión del colector utilizando un óhmetro.11 TRANSISTORES PNP Figura 4. En caso de que se utilicen las polaridades definidas de la figura 4.63: + + La sustitución de lE = «(3 + 1)1B Y solución para lB da por resultado (4. como ya se mencionó.3 y 20 kQ 1 kn 4. aunque la conexión a la fuente debe ser "sólida" o los 20 V no aparecerían en el colector del dispositivo. Hasta ahora. Por fortuna.63. Como se observa en la figura 4. la notacíón de doble subíndice continúa de manera normal. Considere que la dirección de lB ahora se definíó como opuesta para un transistor npn.63 Transistor pnp en una configuración de estabilización en emisor.

la única diferencia aparece cuando se sustituyen los valores.16 V .4 k.IT .24 mA Para la malla colector-emisor: Sustituyendo lE == le y acomodando los términos. Solución Probando la condición f3R E '" IOR 2 da por resultado (120)(1. se tiene VeE = -Vee + leCRe + RE) 190 Capitulo 4 Polarización en dc-B.46 V Nótese cómo en la ecuación anterior se utiliza la notación de subíndice sencillo y doble. = (10 kf.27 Calcule VCE para la configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4.1 kQ = 2.1 kQ 8 + Figura 4.(-D.64.l) '" 10(10 kQ) 132 kQ '" lOO kQ (satisfecha) Si se resuelve para VE' se tiene VB = R.Q 47 ka 10 ¡iF t-c--~:~I(f-----<o '" 10 IlF ".7 V) = -3.16 V + 0. Para un transistor npn la ecuación VE = V B .V BE sería exactamente la misma.VE = O y VE = V B .VBE .1 kf.l)(-18 V) 47 kQ + 10 kQ = -3. se obtiene VE = -3. V eE p= 120 1"E lOkQ 1.EJEMPLO 4..16 V Obsérvese la similitud en el fonnato de la ecuación con el voltaje resultante negativo para VB " La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla base-emisor genera +VB . o>- -----1-1".64 Transistor pnp en una configuración de polarización por divisor de voltaje. + R.7 V = -2.46 V 1.. V ec R. r---------~)-18V 2. La corriente lE = VE RE = 2.VBE Sustituyendo los valores.111----+---0------1 t-.

En el extremo. ninguno se ve afectado por la temperatura o el cambio en la corriente de fuga o en la beta.l kQ) = -18 V + 7.48 V.4 kQ + l. La figura 4.1 nA. mientras que a lOO oC (punto de ebullición del agua) leo es aproximadamente 200 veces mayor a 20 nA.5 mV por incremento en grado Celsius (oC) en la temperatura leo (corriente de saturación inversa): duplica su valor por cada 10 oC de incremento en la temperatura Cualquiera o todos estos factores pueden causar que el punto de polarización cambie del punto de operación diseñado.65a en lB = 30 ¡lA.1 describe la forma en que leo y V BE camhiaron con el incremento en la temperatura para un transistor en particular. En cualquier caso. y notando la intersección de la recta de carga y la corriente de base de dc establecida por el circuito de entrada.12 Estabilización de la polarización 191 . Recuerde que lB es muy sensible al nivel de V8E • especialmente para los niveles más allá del valor del umbral.65 a 0.65b. Como lo muestra la figura. la corriente del colector le es sensible a cada uno de los siguientes parámetros: [3: se incrementa con el aumento en la temperatura VBE decrece aproximadamente 7. pero existirá la misma magnitud de la corriente de base a altas temperaturas. Debido a que el circuito de polarización fija proporciona una corriente de base cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la fuente de alimentación y el resistor de la base. Obsérvese que el incremento significativo en la corriente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que también existe un incremento en la beta.2 b 20 50 80 120 VSE (V) 0. La tabla 4.65a y 4. dará por resultado el cambio del punto de polarización de de a una mayor comente de colector y a un menor voltaje colector-emisor en el punto de operación.65b.3 x 10-·' 0. I 1: = TABLA 4. Se puede especificar un punto de operación mediante el dibujo de la recta de carga de dc del circuito sobre la gráfica de las características de colector.1 20 3. según se observa a través del mayor espaciamiento entre las curvas. A temperatura ambiente (cerca de 25 OC) leo 0. Se marca un punto de forma arbitraria en la figura 4. Un mejor circuito de polarización es el que estabilizará o mantendrá la polari- 4.65 muestra la forma como cambian las caractensticas de colector del transistor desde una temperarura de 25 OC a una temperarura de 100 oC.12 V ESTABILIZACIÓN DE lA POlARIZACIÓN La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red hacia las variaciones en sus parámetros.24 mA)(2. da Ve ~ -18 V + (2.1 Variación de los parámetros de un transistor de silicio con la temperatura T ce) -65 25 100 175 leo (nA) 0.3 x 10 3 El efecto de los cambios en la comente de fuga (1col y la ganancia de comente (ff¡ sobre el punto de polarización de dc se demuestra por las características de colector para emisor-común de las figuras 4. según se indica en la gráfica de la figura 4.Sustituyendo los valores.16 4. Para la misma variación en temperatura.84 V = -10. el transistor no podría llevarse a saturación. el nuevo punto de operación puede no ser satisfactorio y ocasionar una distorsión considerable debido al cambio del punto de polarización. (3 se incrementó de 50 a 80 y VBE cayó de 0.65 0.48 0. En cualquier amplificador que utiliza un transistor.85 0.

51) S(VBE ) = Me '" VBE (4_52) SCfJJ = . b) 1O()0C....IC (mA) • le (mAl I 670 ¡lA 6O~A I 50 ¡lA 6.- Me (4. S(VB¡) y S(ft) Se definió un factor de estabilidad S para cada uno de los parámetros que afectan la estabilidad de la polaridad.. Parecería más apropiado en algunas ocasiones considerar las cantidades definidas por las ecuaciones (4.53) "'/3 En cada caso el símbolo delta ("') significa un cambio en dicha cantidad_ El numerador de cada ecuación es el cambio en la corriente del colector.. según se estableció mediante el cambio de la cantidad en el denominador..40 ¡lA 5 5 30 ¡lA i 4 J 50 ¡lA 4 punto Q 40 ¡lA 2 """ ~ 3 pUnloQ 20 ¡lA 30 ¡lA ~ I 20 ~A 1 - ~ 15 10 ¡lA I 01 5 • (a) ~ 20 IB=O¡lA o 5 10 t (b) 15 20 ICEO=f3lcBO Figura 4..5 1 a 4_53) como los factores de sensibilidad porque: 192 Capítulo 4 Polarización en dc-BJ'f . dad de dc establecida inicialmente.65 Cambio en el punto de polarización de dc (punto Q) debido al cambio en la temperatura: a) 25°C. Factores de estabilidad. según se lista a continuación: S(lco) = Me Meo (4. Para una configuración en particular... si un cambio en leo no puede producir un cambio significativo en le' el factor de estabilidad definido por S(leo) = Me /Meo será muy pequeño_ En otras palabras: Las redes que son muy estables y relativamente insensibles a las variaciones en la temperatura tienen bajos factores de estabilidad. S(IcO>.... de forma que el amplificador puede utilizarse en un ambiente de temperatura variable.__.

Sin embargo. mayor sensibilidad tendrá la red a las variaciones de dicho parámetro.55) según se indica en la gráfica de SUco) en función de R B / RE en la figura 4.= --> 1 (13 + 1) (4.57) 4. Gran cantidad de literatura referente a este tema está disponible.66. 5(1co). considere que un buen control de la polarización normalmente requiere que RB sea mayor que RE" Por tanto.54) Para R si RE'" (13 + 1).66 Variación del factor de estabílidad S(JcJ con el cociente de resistor Rs/RE para la configuración de polarización en emisor. debe existir un compromiso que satisfaga tanto a la estabilidad como a las especificaciones de polarización. Sin embargo.66 que el valor más bajo de SUco) es 1. 2 ~~~ ________~~______________~ RB ~+1 RE Para RB/R E 4.12 Estabilización de la polarización 193 . Para el rango donde RB IR E fluctúa entre 1 y (13 + 1). Obviamente.66): S(Ico) = (13 + 1) -------. la ecuación (4. la ecuación (4. y si el tiempo lo permite se le propone leer más acerca del tema. El estudio de los factores de estabilidad requiere del conocimiento del cálculo diferencial. revelando que le siempre se incrementará a un ritmo igualo mayor que lco. S(IcO>: CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN EN EMISOR Un análisis de la red para la configuración de polarización en emisor dará por resultado (4.54) se reducirá a la siguiente: S(/co) = 13 + 1 (4. el factor de estabilidad se encontrará determinado por (4. Es importante observar en la figura 4. el resultado es una situación donde los mejores niveles de estabilidad están asociados con un criterio pobre de diseño. 1.54) se aproximará al siguiente nivel (según se muestra en la figura 4. el propósito aquí es revisar los resultados del análisis matemático y realizar una evaluación total de los factores de estabilidad para las configuraciones de polarización más comunes.56) revelando que el factor de estabilidad se acercará a su nivel más bajo mientras RE se vuelve lo suficientemente grande.Mientras más alto es el factor de estabilidad. Factor de estabilidad ~+l Figura 4.

9 nA) := 0. sería de 2 mA a 2.01 ~ := 1.2 Mc ~ [S(Ico)](.1 nA El ejemplo 4." . resultará la siguiente ecuación: I 194 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT S(lco) ~ [3 + I (4. Mc = [S(leo)](Meo) = (42. Los resultados revelan que la configuración de polarización en emisor es muy estable cuando la relación de RB f RE es tan pequeña como sea posible..9 nA) ~ l.28 revela cómo los niveles más bajos de leo para el transistor BIT moderno mejoraron el nivel de estabilidad de las configuraciones de polarización básicas. lo cual es obviamente lo suficientemente pequeño como para que lo ignoren la mayoría de las aplicaciones.01 1.85 }lA b) 1 + RB/RE SUco) = ([3 + 1) . y es "--menos estable cuando dicha relación se acerca a (f3 + 1)... CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA Para la configuración de polarización fija." ..1 para los siguientes arreglos de polarización en emisor.53 la cual empieza a acercarse al nivel definido por [3 + 1 = 51. a) RB / RE 250 (R B 250R E)· b) RB / RE 10 (R B 10RE)· e) RB / RE = 0.veo) ~ 1.53." . por ejemplo.66. si se multiplican el numerador y el denominador de la ecuación (4. EJEMPLO 428 Calcular el factor de estabilidad y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el transistor definido por la tabla 4. Algunos transistores de potencia exhiben mayores corrientes de fuga.9 nA) " 0..01 la cual se encuentra muy cercana al nivel de 1 del pronóstico si Re/ RE Me = [S(Ico)](.01 = 5(1 . pero para la mayor pane de los circuitos amplificadores los niveles más bajos de leo han tenido un impacto muy positivo sobre la cuestión de la estabilidad.58) .18}lA e) 1 + Re/RE S(lco) = ([3 + 1) --~'----''----1 + [3 + RB/RE = 51 ( 1 + 0..-( según se muestra en la figura 4.2)(19.-) 51..el cambio en le de una corriente en de que se fijó.1 + [3 + RB/RE = 51( 51 ++ 10) = 51 (~) 1 10 61 " 9.01(19.53)(19. en 2 mA.vco) = (9.01 (RE = 100RB)· = = = = Solución a) I + RB/RE S(leo) = ([3 + 1) .1 + [3 + RelRE _5/ 1+ 250 1 _ 51(251) \51 + 2501 301 := 42..085 mA en el peor caso.01 ) 51 + 0." .54) por RE y se hace a RE ~ O Q. 20. Aun cuando el cambio en lees considerablemente diferente en un circuito con una estabilidad ideal (S ~ 1). de uno con un factor de estabilidad de 42.

60. para la configuración de polarización por divisor de voltaje.67 la ecuación para S(lco) es la siguiente: (4.68a. El resultado sería una caída en el nivel de lB' según se detennina en la siguiente ecuación: 4. Los párrafos siguientes intentan llenar e~te vacio a tIa'Vé~ del uso de algunas de las relaciDnes básicas asociadas con cada conflguración. a menudo fallan en cuanto a proporcionar un sentido físico para el motivo. Configuración de polarización por retroalimentación (RE = O Q) En este caso.5 el desarrollo de la red equivalente de Thévenin que aparece en la figura 4. Ahora se sabe de los niveles relativos de estabilidad y cómo la elección de los parámetros puede afectar la sensibilidad de la red. En otras palabras. RTh puede ser mucho menor que la correspondiente R B en la configuración de polarización en emisor y aun así tener un diseño efectivo. (4.) Debido a que la ecuación es similar en formato a la que se obtuvo para las configuraciones de polarización en emisor y de polarización por divisor de voltaje.68b. por el cual las redes se comportan de la forma en que lo hacen. la condición correspondiente es RE > RTh o bien. por 10 mismo. Para la configuración de polarización fija de la figura 4. Sin embargo. Figura 4. la ecuación para la corriente de base es la siguiente: con la corriente del colector determinada por (4. Para la red de la figura 4.Obsérvese que la ecuación resultante asemeja el valor máximo para la configuración de polarización en emisor.12 Estabilización de la polarización 195 .59) Nótense las similitudes con la ecuación (4.67.61) Si le como se indica en la ecuación 4. Para la configuración de polarización por divisor de voltaje. para la configuración de polarización en emisor de la figura 4. un aumento en le debido a un incremento en leo causará que el voltaje VE :::lt!<E:sI~E se incremente.54). pero sin estas ecuaciones quizá resulte difícil explicar con palabras por qué una red es más estable que otra.59). sería una situación muy inestable. el nivel de le continuaría elevándose con la temperatura con lB' manteniendo un valor prácticamente constante.67 Circuito equivalente para la configuración de divisor de voltaje. RTh/R E debe ser tan pequeño como sea posible. El resultado es una configuración con un factor de estabilidad pobre y una alta sensibilidad a las variaciones de leo' Configuración de polarización por divisor de voltaje Recuerde de la sección 4. donde se determinó que S(lco) tenía su nivel más bajo y la red tenía su mayor estabilidad cuando RE > R8' Para la ecuación (4. también aquí pueden aplicarse las mismas conclusiones respecto a la relación de R B /R e Impacto físico El tipo de ecuaciones que se desarrollaron arriba.61 debe incrementarse debido a un incremento en 1co' no existe nada en la ecuación para lB que intente compensar este incremento que no se desea en el nivel de corriente (suponiendo que V BE permanezca constante).

La más estable de las configuraciones es la red de polarización por divisor de voltaje de la figura 4..68d. y por lo mismo compensa la tendencia de le a incrementarse por un aumento en la temperatura.. como ocurre con la configuración de polarización fija. y para un VB constante el voltaje VBE caerá." . la red captará el cambio y tendrá lugar el efecto de balanceo que se describió antes. .VE' Si / e se incrementa. En otras palabras. v" + Re Re ~ lB V BE _ + + V.64) Sustituyendo resultado RE.VBE - VR e t (4.El voltaje base-emisor de la configuración está deternlinado por V BE ::: VB .63) y el nivel de lB se reducirá.- VCC - V Bo - VE t (4.Vcc Vee + VB. Si le se incrementa debido al aumento en la temperatura." + + VE V BE _ VB Figura 4. El lector debe estar enterado de que la acción descrita arriba no sucede en una secuencia paso por paso.62) RB Una caída en lB tendrá el efecto de reducir el nivel de le a través de la acción del transistor. Una caída en V BE establecerá un nivel bajo de lB' que tratará a su vez de compensar el nivel de aumento de le El factor de estabilidad definido por ~~ Ll.0:... La configuración de retroalimentación de la figura 4.68 Revísión de las redes c. En su lugar. Si se satisface la condición j3R E :l> IOR" el voltaje VB pennanecerá razonablemente constante para los niveles cambiantes de /e. dará por (4. . El resultado es un efecto estabilizador como el descrito para la configuración de polarización en emisor.65) 196 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT ." (e) (a) (b) (d) 1B 1. En total. en el mismo instante en que le empiece a incrementarse.e polarización y del factor de estabilidad S(lcOJ.68c opera de la misma forma que la configuración de polarización en emisor cuando llega a los niveles de estabIlidad. la configuración es tal que existe una reacción hacia un incremento en le' que tenderá a oponerse al cambio en las condiciones de polarización. se trata de una acción simultánea para mantener las condiciones de polarización establecidas. 0. VE aumentará como se menciona arriba. R. VBE resultará en la siguiente ecuación para la configuración de polarización en emisor: (4. el nivel de VRe se elevará en la siguiente ecuación: Vcc .

4l7 x lO..9 pA b) x 10.VBE) = (-DA17 = 70. y no pennite el uso de la ecuación (4.17 V) _ SOpA e) En este caso.17 V) En este caso.417 y X 10-' Me = [S(VBEl](Ll. (/3 + 1) = 101 Y RB I RE = 240.7 ka RE 4.293 x lQ-3)(-D.1 para les siguientes arreglos de polarización.64): -100 240 ka + (101)1 ka x 10-3 = = ---341 ka 100 = -0. e) Polarización en emisor con Re = 47 ka.67) Y requiere del uso de la ecuación (4. VBE ) = (-D.= 10 (satisfecha) 4.64) puede escribirse de la siguiente fonna: (4.3)(-D.66) Sustituyendo la condición (/3 + 1) S(V ) " BE j¡> RB IR E resultará la siguiente ecuación para S(VBf·): E" _ _ e -f3!R -f3/R = __ RE 1 (4.3)(0.293 la cual es aproximadamente 30% menor que el valor de polarización fija debido al ténnino adicional (13 + I)RE en el denominador de la ecuación S(VBE)' Me = [S(VBE)](Ll. a) Polarización fija con RB =240 ka y 13 = 100..67) 13 + 1 13 revela que mientras más grande sea la resistencia RE' menor será el factor de estabilidad y más estable el sistema.65): EJEMPLO 429 f3 100 = --'--'-240 ka = . b) Polarización en emisor con RB =240 ka.64). La ecuación (4.0.48 V .La ecuación (4.7 ka y 13= 100.- 47 ka = .12 Estabilización de la polarización 197 .65 V) = (-D. RE = 4. Solución a) La ecuación (4.0. La condición (/3 + 1) j¡> RBIR E no está satisfecha. Detennine el factor de estabilidad S(VBE) y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el transistor señalado en la tabla 4. RE = 1 ka y 13= 100. (/3+1)= 101 RB j¡> .

5%. =50 Y /3. En el ejemplo 4.9 = 2. =80 Y un ¿ociente de resistencia RB I RE de 20.32 x 1~ = [S(fJ¡l[L'<f3J = (8. al utilizar una de R B = 47 ka resulta ser un diseño cuestionable. puede ser de este nivelo uno menor y todavía mantener buenas características de diseño.(1 + /3. Sin embargo. mientras que la notación f32 se usa para describir un nuevo valor de beta como lo establecen causas como un cambio en temperatura. El desarrollo matemático es más complejo que el que se encontró para SUco) y para S(VBE)' como lo da a entender la siguiente ecuación para la configuración de polarización en emisor: S(fJ¡ = = __ .La ecuación (4.-e R--..30 Calcule le a una temperatura de 100 oC e le =2 mA a 25 oc.) /3. la variación de f3 del mismo transistor o un cambio de transistores. Para la configuración por divisor de voltaje el nivel de Rs se cambiará aRTh en la ecuación (4. será RTh para la configuración del divisor de voltaje..7 ka / y /!.68): S(fJ¡ = = le.le = -0. la corriente resultante del colector aumentará a Q Q le Q = 2 mA + 70.:: 2 mA.(I + RBIRE) /3. Para una situación donde le .29..32 x 1()-<i)(30) . se utiliza para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de red.64) con RE reemplaz~da por Re S(f3): El último factor de estabilidad que se investigará es el de S(fJ¡. Utilice el transistor descrito en la tablaº4.B_I __ l.1. EJEMPLO 4.17 = 36.le = 8. + RBIRE) (4. La ecuación resultante para S(VSE) para la red de retroalimentación será similar a la de la ecuación (4.9 pA tendrá un impacto en el nivel de le .::.(1 + /3.25 mA 198 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .E:.-e_1_+_R.. y /3. donde /3. Solución La ecuación (4.212 x 10-3 = [S(VBE)](L'< VBE ) = (-0. sin embargo.67).64) (según se definió en la figura 4.29 el incremento de 70.212 x 10-3)(-0..67): S(VBE ) = = RE 4.0709 mA pA un incremento de 3.0.04 pA V) En el ejemplo 4.68) La notación le. + RBIRE) (2 x 10-3 )(1 + 20) (50)(1 + 80 + 20) = 42 X 10-3 5050 y /!.

se usará la tabla 4. si se examina la configuración de polarización fija.9 nA l.50 = 30 Empezando con una corriente de colector de 2 mA con una RB de 240 ka.68) puede reemplazarse por RTh para la configuración del divisor de voltaje. S(fJJ = (4. con un cociente de RTh/R E : 2 y RE = 4. Por ejemplo.---(-0.01 p. entonces S(/co) = 2.4 p.A + 1200 p. representando un cambio de 12.2 X 10-3(-D.0.(30) 240 ka 50 = 1. Ahora. Si se hubiera utilizado la configuración más estable del divisor de voltaje.71) después de sustituir los factores de estabilidad como se derivó en esta sección.A.7 n. la Me que debe determinarse simplemente es el cambio en le a partir del nivel a una temperatura ambiente.65 V = -0.: O n. pero esto era esperado.70) Al principio. La configuración de polarización fija está definida por S(fJJ = le.{3 = 80 .1 para encontrar el cambio en la corriente del colector para un cambio de temperatura desde 25 oC (temperatura ambiente) a lOO oC (el punto de ebullición del agua).5%. S(VBE) = -D.17 V) + 1. La corriente de colector aumentó desde 2 mA a 3.En conclusión.236 mA. Para este rango la tabla revela que Meo = 20 nA .51 nA + 34 p.VBE = 0. el cambio resultante en le debido a un incremento en la temperatura de 7S oC es el siguiente: 50 2 mA Me = (50 + 1)(19.0. S({3) = 1. y la RB de la ecuación (4. el efecto total sobre la corriente del colector puede calcularse utilizando la siguiente ecuación: (4. 1{3.077 mA nA) .89. la ecuación puede parecer muy compleja.445 1Q-6(30) = 57. que la configuración de polarización fija es la de menor estabilidad. Además.9 nA) . Para la configuración de retroalimentación en colector con RE:.17 V) + .0.25 mA a 100 oC..A 4.1 nA = 19..2 X 10-3 . + 35.48 V .236 mA el cual es un cambio significativo debido principalmente al cambio en {3.A.70) se convierte en la siguiente: (4.445 X X 10-6 Y Me = (2. la ecuación (4. en el sentido que se reconoce en el contenido de esta sección. pero tome en cuenta que cada componente sólo es un factor de estabilidad para la configuración multiplicado por el cambio resultante en un parámetro entre los límites de interés de temperatura. = 1.89)(19.9 : 0.17 V y (obsérvese el signo) l.69) Resumen Ahora que se presentaron tres factores de estabilidad importantes. la co~ente del colector cambió de 2 mA a una temperatura ambiente a 2.42 p.A + 43.12 Estabilización de la polarización 199 .

comparada con la variación en beta.De se especifica la fuente al nivel necesario.PRINT OC I(RC) V(3.69 Red para ser analizada utilizando PSpice. debido a que los 22 V se repiten en este enunciado de control . El archivo de entrada aparece en la figura4. proporciona una excelente oportunidad para comparar las ventajas relativas de cada uno.DC.OPTIONS NOPAGE .4) . F¡gUra 4.69. se debe estar consciente de cómo puede variar la respuesta en de del diseño con las variaciones de los parámetros de un transistor. Nótese que todos los parámetros se definieron entre los nodos indicados. se requiere el l V para completar el formato [] 3. el propósito es desarrollar un alto grado de precau~ ción sobre los factores que se involucran en un buen diseño y para estar más cerca de los parámetros de los transistores y el impacto que ejercen sobre el funcionamiento de la red. CE 4 o SOUF Q1314QH . El análisis de las secciones anteriores fue para las situaciones idealizadas con valores invariables de parámetros.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA 22 V ? 10 kQ ~ Esta sección contiene un análisis de la red del divisor de voltaje del ejemplo 4.9 Hl 1. Si las cantidades específicas como I(RC) =IR.END 200 Capítulo 4 Polarizacíón en dc-BJT . Para temperaturas abajo de los 25 oC le disminuirá con niveles crecientes de temperaturas negativas. =39kn ~[l] PSpice (versión DOS) La red del ejemplo 4. A temperaturas mayores los efectos de S(leo) y de S(VBE) serán mayores que para SCiJ! para el dispositivo de la tabla 4. debido a las mejores técnicas de manufactura que continúan disminuyendo el nivel de leo = 1CBO' También debe mencionarse que para un transistor en particular la variación en los niveles de leBo y VBE de un transistor a otro en un lote es casi despreciable. En el enunciado . La red es obviamente mucho más estable que la con~guración de polarización fija.69 con los nodos escogidos para el análisis PSpice. 4.0 roA a 25 oC.7 y se necesita recurrir tanto a BASIC como a PSpice. incluyendo la respuesta en ac. y los efectos de S(VBE) y de S(lco) fueron por igual muy importantes.70.4) = VCE se requieren en lugar de un simple listado de todos los voltajes nodales.Fig.DC como se indica.1.69 VCC 2 o 22V Rl 2 1 39K R2 1 O 3.70 Archivo de entrada para el análisis con PSpice de la red de la figura 4.La corriente de colector resultante es de 2.077 mA o esencialmente 2. En este caso SCf3) no paso por encima de los otros dos factores. =lc YV(3. comparada con los 2. en este caso 1 V.SK Figura 4. el paquete desarrollará el análisis a cada nivel en y entre los dos niveles utilizando un incremento definido como la entrada siguiente.oc VCC 22 22 1 .1 mA. Si el segundo nivel es distinto. El efecto de SUco) en el proceso de diseño se convierte en una preocupación menor.. Si se repiten los 22 V como en este caso. debe añadirse un enunciado de control . Ahora. Además. Además.5 kQ =r: 50 ~F . el análisis únicamente se hará en este nivel. como se señaló en análisis anteriores. OC Biasinq of BJT .MODEL como lo señalarnos en el capítulo 3.9]( Re 2 3 lOR RE 4 o l..MODEL QN NPN(BF-140 IS-2E-15) . Aunque el análisis anterior puede resultar confuso porque las ecuaciones son muy com~ plejas para algunas de las sensibilidades.J. los resultados del análisis anterior sustentan el hecho de que para un buen diseño estable: El cociente R B I RE o RTh I RE debe ser lo más pequeño posible con las debidas consideraciones en todos los aspectos del diseño.7 se ha redibujado en la figura 4. 4. Sin embargo. asumiendo al primer nodo como el de mayor potencial. El formato del enunciado del transistor es su entrada .

.5lt CE 4 O SOUY 01 3 1 4 oN .. .....220E+Ol Archivo de salida para el análisis con PSpice de la red de la figura 4. IS Bl' 2. ...slb que cuando se selecciona una parte. El capacitar se encuentra listado en la biblioteca analog. .*. La instrucción .000000B-15 140 .8512 mAy Ve". Obsérvese en eval..911. . = L220E+Ol = 12..{ " ) . I 4.*** .2588 R2 3.22 1 . sobre el Q2N2222.slb y el transistor Q2N2222 en la biblioteca eval....IIODI!L QIf_IBF>o140 :[11-2"15)' • OC VCC 22.*: . con el dispositivo apuntador (mouse). El archivo de salida aparece en la fIgura 4...:. aparece una descripción (Description) arriba de la selección en la caja de diálogo Get ParL Recuerde que los VIEWPOINT (puntos de vista) se establecen al elegir la opción 8..7580 1. Tanto para lc() como para VCE los resultados obtenidos. son una réplica exacta con las soluciones del ej¿mplo 4.(Re) Ve3.l'ItUIT De 1. pero son parte de la biblioteca Get New Par!..72 Presentación esq uemática de PSpice (Windows) de la figura 4.' VCC 2 O 22V IÚ 2 1 39r: R2 1 O 3........" . El transistor y el capacitar no aparecen en redes anteriores.69... 4.slb... " '..7...CURVES YCC 2. lec = 8.69 . la red de la figura 4.DD BJ'l' MODBL PARIIMBTERS QIf 1fPIf . Esto es. R1 39k 1..*"".200E+Ol FIgUra 4.) 1..69 puede crearse sobre la página esquemática como se muestra en la figura 4. '. Análisis con el centro de diseño PSpice para Windows Con la misma técnica descrita en el capítulo 2..oc Biasinq of BJT ..512E-04 V(l..PRINT puede escribirse después para especificar las c:antidades deseadas en el listado del archivo de salida..242E-04 Vcc • .69.~~.~ .*'** ••***'*.4) . RC 2. pero se omite en la secuencia operacional.5l2E-D4 = 0.~:..9 59 Re 10k 1 3. de la instrucción.13 Análisis por computadora 201 .. ClRCUIT DBSClUPTrON **.De TRAIISFER .2 V. ..50uF Figura 4... utilizando PSpice.0P1'1011S IIORoGE .Fi9. 3 lOr: RE 4 O 1...71 con la lista de parámetros especifIcados del modelo y los niveles que se desean de salida..~..7I I(ac) 8..9k +----<0>----'1/ CE -'.'*'~~~~" .*It ••••**** .*.72..

Los niveles dc para los diferentes nodos (respecto a la tierra) son parte de la solución de polarización en pequeña señal (Sman Signal Bias Solution).69 la beta del transistor es 140 y la corriente de saturación se ha inicializado en 2E-15A. La beta de es ahora 55 en lugar del 140 capturado y la beta de ac es 65. porque los voltajes y las corrientes pueden observarse directamente sobre el esquema después de la simulación. que tuviera todos sus parámetros de definición. Esto le ahorrará tener que involucrarse con la respuesta de Probe antes de ver el archivo de salida.2588 V 12. que es casi igual a la solución DOS. Obsérvese en el esquema de la figura 4.69.5 V.72 como los VIEWPORT e IPROBE reflejan los mismos resultados impresos en el archivo de salida. Nótese que IS es 26·15 y BF (beta) es 140. porque ésta significa la escala de medición.1. y que el transistor se encuentra listado en la secuencia 3-1-4 (colector.Pprimir el botón izquierdo del dispositivo apuntador. emisor) como lo requiere la versión DOS. Los parámetros del modelo BIT (BJT MODELPARAMETERS) es un listado de los parámetros más importantes que definen al transistor Q2N2222.73 . Una vez en el esquema. se escoge Edit Instance Model (elegir modelo ejemplo).688 V o aproximadamente 0.slb. El uso adecuado de VIEWPORT e IPROBE eliminan la necesidad de estar preocupados acerca de las referencias nodales. Las líneas se capturan por lo general al final para completar la red. Los cambios adicionales se pudieron haber hecho para crear una similitud más cercana. En la versión de evaluación de PSpice para Windows uno debe elegir un transistor de la lista proporcionada y simplemente modificar los parámetros de definición lo mejor posible. En la figura 4. en la barra de menú. Para terminar el proceso oprima el bot'ón derecho del apuntador. Tome en cuenta que la corriente que debe captarse se sitúe en el círculo más cercano a la curva interna. Obsérvese que Ices 0. Es muy probable que la mayoría de los usuarios de Windows coloquen primero los resistores.824 mA comparado con 0. aparecerá una lista de opciones donde Model es una de ellas. Se puede encontrar una descripción de todos los parámetros listados en THE DESIGN CENTER Circuit Analysis Reference Manual (manual de referencia del análisis de circuitos del Centro de Diseño) de MicroSim Corporation.69 para cada elemento. Los números asignados podrán cambiarse con una secuencia insertldeJete (insertarlborrar) y registrar cuando se abandone la caja de diálogo. La corriente del colector será recogida por la opción IPROBE de la biblioteca special.73 es una versión cortada y pegada para pennitir una concentración de los elementos más importantes del archivo.851 mA para el análisis en DOS y que VBEes 0.7 V como se desea. El cambio no sucedió en la versión DOS porque se pudo seleccionar un transistor npn sin tener que escoger un modelo en particular. Antes de simular el programa. Lo mejor sería prever que la introducción de un IPROBE requerirá de la introducción de un nodo adicional entre Vce y la terminal del colector del transistor. base. El voltaje VeE del transistor es de 13. y las probabilidades serán que no concuerden con el valor numérico asignado a cada nodo en la figura 4. Como únicamente estamos interesados en cambiar la beta y establecer 15 para esta red. El archivo de la figura 4. El siguiente listado incluye los distintos niveles de corriente y voltaje de la red y sus parámetros como se definieron mediante el punto de operación resultante. Una vez cambiados. el resultado de dicha secuencia es que los nodos tengan asignados valores numéricos de acuerdo con la secuencia en que los elementos fueron capturados. pero el detalle que se requiere va más aná de las necesidades de este texto. En este caso el nodo adicional (5) fue asignado para asegurar que las referencias de los nodos sean las mismas que la figura 4. Se elige Model y aparecerá una caja de diálogo Edit Model. debe estar seguro de que Probe Setup (inicialización de la prueba) bajo Analysis no esté inicializada para ejecutar automáticamente Probe después de la simulación. Entonces se proporciona una Jista para el transistor Q2N2222 y pueden cambiarse Is(e Ise) a2E-15 y Bra 140. seguidos por el capacitar. las referencias de los nodos pueden cambiarse si se elige Analysis y luego Examine Netlist (examinar lista). Sin embargo. transistor y la fuente de voltaje dc. = 202 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .desde la biblioteca special. como se muestra en la rama del colector de la red.69. Obsérvese que la lista neta esquemática (Schematics Netlist) tiene las mismas referencias de nodos que la figura 4.slb. se oprime OK y los parámetros de la red han sido modificados. La respuesta de Probe se examinará eI1 el capítulo 8 cuando se analice un sistema eu ac.7580 V . Sin embargo. Cada VIEWPOINT se coloca con sólo . la cual será utilizada para la respuesta en ac. al oprimir el símbolo del transistor (sólo una vez) y tecleando Edit. Lasimulacióu de la red dará I'orresultado el archivo de salida de la figura 4 .

.......tOOO1) ($N3JO()S) NODE VOLTAGE NaDE VOLTAGE (SN_OOO2) 22....0000 NODE 19469 (SN_OOO3) 13.....JIE..OOO3 SN-:'OOOS 1010: OSN_OOO4 1........02 va VBC RPl RX RO CBE 2.....01OOOOE-12 MJE m CJC 7...91 0000E-09 XTB 1. NPN (S 2..... RB 10 RBM 10 RC 1 eJE n......SQE"'l' 9.. . SMAll SlGNAL BIAS soumON TEMPERATURE" 27.............242E....258$ n 0000 VOLTAGESOURCECURRENTS NA....SO&OS le VSE 8........9k $N 0001 $N ooo239k R-RE C=CE V_Ycc <LQl SN-=...Z4E-04 68SB-61 -1........Ql WATrS •••• BIPOLAR JUNCTfON TRANSISTO..'002 OOC nv . Q2N22Z2~X v_v: .........34ooooE·\5 NE 1301 BR 6..........6 TR 46........'95-12 O.....72..RS NAME Q_QI MODEL lB Q2N=-X l.04 TOTALPOWERDlSSlPATION 2.......04E"'l3 I................l1XlOOQE.000 DEG e NODE VOLTAGE VOLTAGE (St-.............3416 TF 411.....091 NR .. .....OOE+OI I...04E"'lS 5..............000000E.....7580 ($N _0004) 1..73 Archivo de salida para la red de la figura 4..............306OOOE-\2 MJC ..12 XTF 3 VTF 1.50E+Ol GM 3..2841 ISE \4.OOE"'lO O00E"'lO SETMe FT 6................. .5 ......t 5 BF 140 NF 1 VAF 74....06&11 CBC CBX ClS 2...I8E+Ol L2SE+Ol BETADC 5... 4_13 Análisis por computadora 203 ....47E+07 Figura 4.... • Schcmatic:s Nctlist • RR2 R-RJ R-Re • • .94E.\1E....338E-OJ 8......5k 0$)........_0004 SOuF SN_OOO3 SN_OOOI SN_OOO4 Q2N2222~X SN _0002 SN_0005 O BJT MODEL PARAMETERS S"-..7 ITF ......... CURRENT -1................. CIRcurr DESCRIPTION oSN 0001 3.......03 IKF ....

La línea 10010 calcula la resistencia de base equivalente de Théveriin de R. la que ocurre si el valor de Vr es menor que V SE . en cuyo caso lB toma el valor de cero.:::. Una vez más. de otra forma.7)I(RT + (BETA + 1) .BASIC El programa que se desarrollará con BASIC llevará a cabo el mismo análd.is que el otro listado. Por tanto las líneas 10100 a 10120 calculan VE' VE Y Veo respectivamente.74. obsérvese la correspondencia que está cerca de los resultados obtenidos antes para lc y para VCE . dará por resultado una configuración de polarización fija. Las líneas 10060 y 10070 calculan le e lE' respectivamente. Por ejemplo.2 aparece un resumen de las ecuaciones utilizadas junto con un resumen de las variables en la tabla 4.7 V.3 Variables para ecuación y el programa para el módulo de cálculos de polarización de dc Variable en la ecuación Variable en el programa RI R2 RT CC Enunciados para el programa = RT .7 lB = (VT . ETh - R.leRe VE = lE ' RE VB = VE + 0.2 Ecuaciones y enunciados del programa para el módulo de cálculos de polarización de dc Ecuación R1R~ RTh TABLA 4. En la tabla 4. si R2 se hace igual a 1E30 ohms.7 Ve Vcc .IC ' RC CE = VC . La línea 10020 calcula el voltaje equivalente de Thévenin en la base.O.:: 0.7 V. se trata en esencia de un circuito abierto y que da por resultado una configuración de polarización en emisor. Si RE se queda en cero ohms con R2 en lE30 ohms. De esta manera. (1 (1 204 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . 18 permanece como se calculó en la línea 10030. El programa principal solicita la entrada de todos los datos adecuados del circuito. Luego se determinals en la línea 10030 utilizando un voltaje base-emisor de 0.. La línea 10040 prueba para una condición de corte.(Rl * R2)(Rl + R2) R. el rango de aplicaciones se expande y limita la biblioteca de programas necesarios para hacer el análisis en un área en particular. los valores de le e lE permanecen como se calcularon previamente. + R 2 R. como el módulo 10000 para hacer los cálculos de polarización de de.7 vC = CC .69. RE) IC = BETA' lB lE = (BETA + 1) . y establece le (e lE) con el valor de saturación. lB RTh + (13 + I)R E VT lB BE le = f3l s ~ BETA RE IC lE VE VB VC CE VE = IERE V s = VE + 0. La línea 10130 calcula VCE Y luego el módulo de programa regresa al programa principal. Los pasos del programa principal para imprimir los resultados se proporcionan en la figura 4. R. irá un paso adelante y permitirá cambiar la configuración mediante la especificación de un circuito abierto o un corto circuito para los parámetros. R. V cc ETh . TABLA 4.3. Un módulo de programa que empieza en la línea 10000 está escrito en BASIC para realizar los cálculos necesarios para el análisis en de de la red de la figura 4.::: VT = (R2 ' Cel/(R' + R2) 0. + R.VE La línea 10090 prueba la condición de saturación de un circuito. De otra manera. en paralelo con R 2 .

69.10 REM 20 REH 1t **" **'* '* . First."vQlts" 350 PRIN'l' "VC=fl .9E3 VCC=? 22 Transistor beta~? 140 The results of de bias calculations are: Circuit currents: lB= 6.8523779 roA Circuit qoltaqes! V8= 1...04~233 uA re=: .IE*1000."mA" 310 PRINT 320 PRIN~ "Circuit voltages:" 330 PRINT "VB=".7 This program calculates the de bias for a standard circuit as shown in Figure 4." 120 PRINT 130 PRIN1' "First.7)/(RT+(BETA+l)'RE) 10040 REM Test for cutoff condition 10050 IF VT<=.846:3327 mA lE: ." *********.278567 volts VC= 13.R2 160 INPUT "RE=".VC.RE 170 InpUT "RC:" ¡Re 190 PRIN'I' 190 INPUT "VCC=".69.69. en ter the following círcuít data:" 140 INPUT "RB1="¡Rl 150 INPUT "RB2(Use lE30 if to pe n'}o::".VB."lllA" 300 PRINT "IE=".7 TnEN lB=O 10060 IC=BETA*IB 10070IE==(BETA+l)*IB 10080 REM Test /for saturation condition 10090 IF IC*(RC+RE)-CC TREN lC=CC/(RE+RC) :IE=lC 10120 VC~CC-IC*RC 10130 CE"'"VC-VE 10140 RE'tURN RUN 10100 VE""IE"'RE 10110 VB""VE+. enter the following circuit data: RBl""? 39:E3 RB2(use lEJO if RE=? l."UA" 290 PRIN'f "Ie=" .53667 volts VCE"" 12. BETA 220 PRINT 230 REM Now do circuit calculations 240 GOSU6 10000 250 PRINT uThe results of de bias caleulations are:" 260 PRIN'l 270 PRIN'l' "Circui t curnmts: 11 :zso PRINT "18=II."'** *.IC*1000.CC 200 PRIN'I' 210 INPUT "Transistor beta=" ."vOlts" 340 PRIN'I' "VE=" . "vol ts" 370 PRINT :PRINT 380 ERD 10000 REM Module to calculate de bias of BJT circuit 10010 RT-Rl*(R2/(Rl+R2)) 10020 VT==CC*(R2! (Rl'¡'R2») 10030 IB~(VT-.978567 valts VE= 1."volts" 360 PRIN~ "VCE=" ¡CE.74 Programa BASle para el análisis de la red de la figura 4. '" 11 ." *** *** '* **** *.25811 volts Figura 4.IB"'1000000J . 4.VE.13 Análisis por computadora 205 ..********11:**** OC B~AS 30 REM 40 REM 60 REM CALCULATIONS OF STANDARD CIRCUIT 50 REM ***************************************'************* 100 PRHI'l' "This pl:'ogram calculates the de bias" 110 PRINT "for a standard cLrcuLt as shown in figure 4. s:E:3 RC=? lOE3 'open')~? 3.

b) le' . ¿Cuáles son los valores resultantes de le () y de VCE Q? ¿Cuál es el valor de f3 en el punto de operación? ¿Cuál es el valor de a definido para el punto de operación? ¿Cuál es la corriente de saturación (le. 47.) para el diseño? Dibuje la configuración resultante de polarización fija.75. * 5. Dada la infornlación que aparece en la figura 4. calcule: a) le b) Re e) R .78: a) b) Dibuje una recta de carga sobre las características determinada por E = 21 V Y Re = 3 kQ para una configuración de polarización fija. determine: a) le b) V ee e) d) [3.53. determine: a) lB . 4.. d) V eE . ¿Cuál es la potencia dc disipada por el dispositivo en el punto de operación? c) d) e) f) g) h) i) ¿Cuál es la potencia proporcionada por Vee ? j) Detennine la potencia que los elementos resistivos disiparon al tomar la diferencia entre los resultados de los incisos h e i.. Dadas las características del transistor BJT de la figura 4.4. Escoja un punto de operación a la mitad entre el corte y la saturación. 2.2 kQ + Figura 4.75.56.7kQ figura4.75 Problemas 1. Q e) V CE . 206 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . d) Ve' e) VE' / 16V D VE' 470 kQ 2.PROBLEMAS § 4. 2.51.77.52.61.11.76. Dada la información que aparece en la figura 4.3 Circuito de polarización fija 1. Determine el valor de RE para establecer el punto de operación resultante. Encuentre la corriente de saturación (le". Para la configuración de polarización fija de la figura 4.) para la configuración de polarización fija de la figura 4.. 3.77 Problema 3. RB .

68 k.Q f3 en el punto de operación.<J ~ VE 4 Figura 4.4 V § a) 4.35.24.62. determine: b) e) d) 1/. ~ 1.81.:~~tr 20 V f 110¡¡A. 10..le (mA) .c:: :50uA ' re-: . V ee RE' + '* 10. Con la información que ofrece la figura 4.79. i<-Ij-k-Q--..2mA Re RB 7.10.54. 3 2 20. Re RE' RB' VeE' b) e) VE' 8. i .llA t 2.79 Problemas 6. determine lo siguiente para una configuración de polarización en emisor si se define un punto Q en le = 4 mA y V CE = 10 V. Para el circuito de polarización con emisor estabilizado de la figura 4. ¡](Xl : 90'.4 Circuito de polarización estabilizado en emisor lB 6. Calcule la corriente de saturación para la red de la figura 4. . Con la información que proporciona ia figura 4. .80 Problema 7. • Q Q al Re SI Vcc = 24 Vy RE = 1.~ 510 kQ . b) t----o 2. determine: a) b) e) d) e) 20 .<JVc 8 f3= 100 7 6 5 ::::.A '=ti: ~ t"l/~=o~A¡ ° Figura 4.. 9.6 V VB + VCl:" p=. VCE(J' ~ RE Ve e) VE' f) VE' 7. 1.¡:-.36.79.7 kn f3.78 5 10 15 25 30 12V Problemas 5.81 Problema 8. Problemas 207 .58.leQ 2AkQ 9 " 80~A :70~A: ~+-:---. .51. =i). calcule: a) figura 4.2 kQ.1 V 0. 9.W 2. el RE' d) La potencia disipada por el transistor. e) La potencia disipada por el resistor Re Figura 4.--..c :60~A .78.19.48. Usando las características de la figura 4.80.

20.59.84.83.neo' I x e. determine: a) b) c) /•. VCE ' .7 kQ 62kU R¡ Ve tICQ t 20 le lBe VB + V CEQ R¡ 10.2kD.52.49.9 Hl . la magnitud de f3 se incrementó en un 50%./C'p."'""" d) Determine le y V CE para la red de la figura 4. § 4.63.84 Problema 14.I e = I /e. 5. Con la información que ofrece la figura 4.5 Polarización por divisor de voltaje 12..55.p".24. 15. a) DeterminelcY VCEpara la red de la figura 4. Compare el porcentaje de cambio en leY VCE para cada configuración Ycomente sobre cuál parece ser menos sensible a los cambios en /3.gura 4.. f) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCE usando las siguientes ecuaciones: %tl.p.<. Con la información proporcionada en la figura 4. e) Cambie ¡Ja 150 y determine el nuevo valor de leY VeEpara Ja red de la figura 4.75.1 kQ ~ . Figura 4.. I c.79. g) En cada una de las ecuaciones anteriores. ./ C'p.-------~~--~18V CC 2. e) V•.".82.' I x 100%. 13.2 kD.82 Problemas 12. 18.79. 14.I c := / Cr""..gura 4.. Para la configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4. 16V a) lV 3.~ . .75.6 V ~=80 -+ VB ~A + V eE ~= 100 VE 0.51.~ . 9.83 Problema 13.2 kQ V. c) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCf.68 U"l 8. determine: /e b) VE' e) Vee d) VeE . l.J) 100%. d) e) f) Ve- Q VE' V•."'. determine: a) /eb) VE' e) V•. 208 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . d) R¡. utilizando las siguientes ecuaciones: %tl. f) R¡.* 11.6kU 1. /e . b) Cambie f3 a 135 y calcule el nuevo valor de le y VCE para la red de la figura 4.

para la red del problema 12 (figura 4. 23. obsérvense las soluciones proporcionadas en el apéndice E. +--=--ov.85 utilizando la aproximación.' . e lB. calcule: a) b) d) le Ve VeE . ~v 0. determine: b) le e) Ve Figura 4. 50.33) cuando se determine qué método debe utilizarse.. a) Determine le y VeE para la red de la figura 4. CE'p. 17.5 kQ 1 . * 17. ) para la red de la figura 4..82) con el método aproximado b) e) Figura 4.85 Problemas 16.I Cr?-l"'.2kU Problemas 22. Para la configuración de retroalimentación de voltaje de la figura 4. V CE r . Repita el problema 16 empleando el sistema exacto (Thévenin) y compare las soluciones.n.86. la figura 4.3 kQ 39 kf2 lB' VE' VB .82.33). e) Calcule f3 en el punto Q. Determine la corriente de saturación (Ie". - VCE.33) no esté satisfecha. b) Cambie f3 a 120 (50% de incremento) y detennine los nuevoS valores de le y VCE para la red de e) • 20. ¿Qué conclusiones generales se pueden hacer respecto a las redes en las cuales se satisface la condición f3RE > IOR2 Y las cantidades le y VCE deben resolverse en respuesta a un cambio en f3? § ~ 4.82. utilizando el método ex. detennine Rc y RE para la red del divisor de voltaje que tiene un punto Q de le := 5 mAy Ver: = 8 V.51 ka 22.82. a) Determine lc" ' VCE" e lB .2 kQ ¡ka 18.85.15. a) Con las caractertsticas de la figura 4. e) Determine V B' d) Encuentre R]. Para la configuración de retroalimentación del colector de la figura 4.p"". Problemas 209 .acto. 470kn 220 kn el VE' '.. f) Pruebe la ecuación (4. Determine para la siguiente configuración de divisor de voltaje de la figura 4 . 18 v * 16.64.87 Problema 23. ¿cuál configuración es menos sensible a las variaciones en f3'? f +16 v 3. 1 II Repita los incisos a a e del problema 20 para la red de la figura 4. Cambie {) a 180 en el inciso b. X %t:. " d) Compare la solución del inciso e con las soluciones que se obtuvieron para e y problema 11.33) está satÍsfecha? aunque la condición establecida por la ecuación (4.P.21.V eE = I veEIP"~'. 6. * 19. ¿es el sistema aproximado una técnica válida de análisis si la ecuación (4. Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCE utilizando las siguientes ecuaciones: %M c ~ I 1 c. Si no se llevó a cabo. si R¡ = 24 kQ suponiendo que {3R E > ¡ORz.6 Polarización de de por retroaliinentación de voltaje ~.6kQ del 470kO: * 21. Basándose en los resultados. e) Basándose en los resultados del inciso d. Compare las soluciones y' comente sobre si la diferencia es lo suficientemente grande como para requerir el respaldo de la ecuación (4. 5~F Figura 4.78.87 .¡ 1 100% X c. Utilice Vcc = 24 V y Rc = 3R E • o '-0 b) Encuentre Vt.' 1 1ooo/c.33) y obsérvese si la suposición del inciso d es correcta.. a) le b) Ver e) d) e) 3. o--JI--~----I 1. 56.86 60.]W1< .. 8. Determine Ic". si se satisface la condición establecida por la ecuación (4..'' .

92. .89 Problema 25. * 26.". Determine el rango de posibles valores para Ve para la red de la figura 4.* 24.2 kQ ~NV\.lkQ fi .1 elo""o.91. 1 x 100o/c. 18 V Para la red de la figura 4. Figura 4.P.9 kQ 560 k."..7 Diversas configuraciones de polarización 27.ll"I<. ¿Cómo se compara la red de retroalimentación del colector en función de las otras configuraciones respecto a la sensibilidad a los cambios en j3? 25.1 kQ 470 kQ ISO kQ 4.. Figura 4.p. Figura 4... 4 V para la red de la figura 4..1 kQ j3 = 120 . determine: a) lB' b) le e) 13. Dado VB ::. § 4.".1 kQ 330 kQ Ve + VeE VE 3. - VCE """. Con Ve = 8 V para la red de la figura 4. calcule: a) lB' b) le e) Vcc ' Ve f6V ve d) 12kQ 3..92 Problema 28.-N~~""" Ve 1MQ P=180 P=90 9. d) * 28.p"rt.-h-.. 210 ..o Ve = le 8V + 9.91 Problema 27. %!>V CE = 1 Vcc . 11 f y 20 c. VCE ' lB' f) +22V 13 +12Y 18 v 9."..7 kQ 2.Q t le + V e1=: r---"oIV".90 Problema 26...89 empleando el potenciómetro de l-MQ. FIgura 4. " d) Compare los resultados del inciso e con las soluciones de los problemas 11 c.90.88 Problema 24.. b) Cambie f3a 135 (50% de incremento) y calcule los nuevos niveles de le y VCE ' c) Resuelva la magnitud del porcentaje de cambio en le y VeE usando las siguientes ecuaciones: %!::J e == 11c. VeE . Capítulo 4 Polarización en dc-B.IT 15kQ -12 V Figura 4..' .. e.3 kQ \. resuelva: a) b) e) d) e) VE' le Vc . 1 x 100% VeE.88. a) Determine le y VCE para la" red de la figura 4.

95.97 Problema 37.94. Y un punto Q a la mitad entre el corte y la saturación. OY 5Y p= lOO ov F'lgura 4.78.tándar de resis.8 Operaciones de diseño 32. Diseñe una red de polarización por divisor de voltaje utilizando una fuente de 24 V. y V ccQ lc = 10 mA. = 8 V. Diseñe el inversor a transistor de la figura 4.94 -6\/ 10Y Problema 30. 34. Con las características de la figura 4. IOV 2.96.9 Redes de conmutación de transistores * 36. FIgUra 4... Incluya los efectos de V CE".97 para operar con una corriente de saturación de 8 mA empleando un transistor con una beta de 100. Utilice los valores estándar. un transistor con una beta de 110.2 kD 1.tores. Problemas 211 . Utílice valores estándar.5 kQ ]. Utilice un nivel de lB igual a1120% de lB y valores es.* 29. f3= 120 Y Rc = 4RE • Utilice los valores estándar. Y determine lB' lB~. La fuente que está disponible es de 28 V Y VE Y debe ser un quinto de VCC' La condición establecida por la ecuación (433) también debe cumplirse para ofrecer un alto factor de estabilidad. Calcule Rc y R B para una configuración de polarización fija si Vcc = 12 V. Q (1 33. f3 = 80 e le = 2.5 roA con V CE = 6 V. = +VcC' Utilice V cc = 20 V.78. § 4. determine: 1é" b) Ve c) V cr +18V 6Y 330 kQ 5JükQ "Ie ~ 9. """ 10 V 5Y v. determine la apariencia de la forma de onda de salida para la red de la figura 4. Diseñe una red con estabilización en emisor a lc~ = flc. Con las características de la figura 4. e le.4kQ 180 ka v.93. especifique: a) lB' b) le e) VE' d) Vet..93 Problema 29. =4 mAy VCE (. diseñe una configuración de divisor de voltaje que tenga un nivel de saturación de 10 mA. § 4. Detennine la resistencia colector a emisor en saturación y en corte. Figura 4. Figura 4. y un punto de operación de lc(.95 Problema 31. Determine el nivel de VE e lE para la red de la figura 4. Para la red de la figura 4.. * 30. Elija VE = +Vcc Utilice valores estándar. * 35.1 kQ + Ve P=130 ~= 120 + 510 kQ 1.96 Problema 36.8 kD '-----+----0 -18 v Figura 4. * 37. a) Para la red de la figura 4. * 31. cuando Vi = 10 V.

99 Problema 40.2 kíl ~---_-<O 18 kíl +Vee = 16 V 1. Con las características de la figura 3 .100: a) (. Las mediciones que aparecen en la figura 4.) Cb) Co) Hgura 4.2.2kf! 1.Se incrementa o disminuye Ve si R B aumentó? b) ¿Se incrementa o disminuye le si f3 se incrementa? c) ¿Qué sucede con la corriente de saturación si f3 aumenta? d) ¿Se incrementa o disminuye la corriente del colector si Vce se disminuye? e) ¿Qué sucede a VCE si el transistor se reemplaza con uno con una {3 más pequeña? Hgura 4.2kf! 1.56 y compare los resultados. Obsérvese cómo se utilizan las escalas logarítmicas y la posible necesidad de referirse a la sección 11.7kn 470kn 20V 4.64 v 9------1 fi=IOO 4V 18kn 1.23c. los niveles obtenidos señalan un problema muy específico en cada caso. 16V 16V 91 kn VB =9.6kn C.6 kn fi= 100 2. Sea específico al describir por qué los niveles reflejan un problema en el comportamiento esperado de la red.2 kn Re 3. b) Repita el inciso a para una corriente de 10 mA.2kf! C. * 40.05 V 1. 212 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . Todas las mediciones de la figura 4. Para el circuito de la figura 4.100 Problema 41.7kn 470kn 470kn 4.10 Técnicas para la localización de fallas * 39.4V 3.99 revelan que las redes no están operando adecuadamente. determine teTlcendido y tapagado para una corriente de 2 mA. ¿Cómo han cambiado tencendido y {apagado con el incremento de corriente del colector? e) Dibuje para los incisos a y b la forma de onda del pulso de la figura 4. a) ~ § 4. En otras palabras. Enliste las posibles razones para las mediciones que se obtuvieron. 41.98 revelan que la red no está funcionando de manera adecuada. '.38.) Cb) Figura 4.7kn + 20V OV 0.6 kn 91 kn 3. 20V 20V 20V 4.98 Problema 39.

42.. Detennine Ve e 1s para la red de la figura 4.103 Problema 44. 10 kQ 2. /3=90 Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4..101. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4.75 kQ .2 kQ . Calcule Vc' VCE e lc para la red de la figura 4. Problemas 213 . -22 V -12 V 2. * 43. 46..104. Figura 4..11 Transistores pnp 44. FIgura 4. a) ¿Qué le sucede al voltaje Vc si el resistor Rs se abre? b) ¿Qué le pasa al voltaje VCE si f3 se incrementa debido a la temperatura? c) ¿Cómo se verá afectado VE cuando se reemplace el resistor de colector con uno cuya resistencia está en el extremo inferior del rango de tolerancia? d) Si la conexión del colector del transistor se abre.102 Problema 43.2 kQ 510 kQ Ve lB 82kQ ~c /3=2W + VCE 16kQ /3= 100 0.103... 45. .104 Problema 45..1 05. Figura 4.. a) ¿Qué le sucede al voltaje Vc si el transistor se reemplaza con uno que tenga un mayor valor de {3? b) ¿Qué le pasa al voltaje VCE si la terminal de tierra del reslstor Rs se abre (no se conecta a la tierra)? ' c) ¿Qué le sucede a le si el voltaje de la fuente es bajo? d) ¿Qué voltaje VCE debe ocurrir si la unión del transistor base-emisor falla al convertirse en abiera? e) ¿Qué voltaje V CE debe resultar si la unión del transistor base-emisor falla al convertirse en corto circuito? +Vcc = 20 V Re IOkQ V CC =+18V /3= 80 Re R. FIgura 4.102. § 4.105 Problema 46. Figura 4. DetermÍne lEY V C para la red de la figura 4. ¿qué le pasará a VE? e) ¿ Qué puede motivar que VCE tome el valor de cerca de 18 V? .101 Problema 42 .

82.) como el 25% mayor que f3(T]). S(lco). Es decir.7 V a 0.79. Repita el problema 53 para la red de la figura 4. d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de 1ca de 0. * 50.86.5 V Y un incremento de f3 del 25%. c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la que los valores de los parámetros están especificados y f3(T. .82. e) S({J) utilizando T1 como la temperatura en la que los valores de los parámetros 6stán especificados y f3(T. Repita el problema 57 para la red de la figura 4. d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de 'ca de 02 j. d) Detennine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de lea de 0. 61. ¿Se pueden derivar algunas conclusiones generales a partir de los resultados? * 52. Repita el problema 61 para la red de la figura 4. 55. detennine: a) b) S(lco).75 utilizando BASIC.79.§ a) 4. detennine: a) S(lco). d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de leo de 0. Repita el problema 53 para la red de la figura 4. detenrune lC' VCE e lB' 62. Lc~.5 V Y un incremento de j3del25o/c. Repita el problema 61 para la red de la figura 4. S(VBE).l.7 Va 0.75. Esto es . e) S({J) utilizando T) como la temperatura en la cual las valores de los parámetros están especifi- cados y {3(T2 ) como e125% mayor que {3(T 1). Repita el problema 57 para la red de la figura 4. * 49.91.12 Estabilización de la polarización 47. una caída de VBE de 0. Para la red de la figura 4. una caída de VBE de 0.2 ~A a 10 f.82. b) S(VBE).) como el 25% mayor que f3(T.75.A. Repita el problema 57 para la red de la figura 4.7 V a 0.5 V Y un incremento de f3 del 25%.2 J1A a 10 J1A. 63. * 48. Repita el problema 61 para la red de la flgura 4. Repita un análisis PSpice (versión Windows) para la red de la figura 4.A. * 51. 58. Para la red de la figura 4.7 V a 0.82.13 Análisis por computadora 53. b) S(VBE ). 59. una caída de V BE de 0.. a) Compare los niveles de estabilidad para la configuración de polarización fija del problema 47 . Determine lo siguiente para la red de la figura 4. b) Compare los niveles de estabilidad para la configuración de divisor de voltaje del problema 49.86. *Los asteriscos indican problemas más difíciles.. Lleve a cabo un análisis PSpice (versión OOS) de la red de la figura 4.5 V Y un incremento de f3 del 25%. o no existe un patrón general sobre los resultados? § 4. determine: a) S(lco). 60.· c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la cual Jos valores de los parámetros están especificados y j3(T.determine IC' VCE e lB. 214 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT . 64. 54.iAa 10 J1.1.75.86.79.) como el 25% mayor que f3(T]). una caída de VBE de 0. Repita el problema 53 para la red de la figura 4. ~~~.79. 57. c) ¿Cuáles factores de los inciso a y b parecen tener mayor influencia sobre la estabilidad del sistema. resultados para los ejercicios 47 y 49 pueden encontrarse en el apéndice E. Desarrolle un análisis de la red de la figura 4. 56. Para la red de la figura 4.2 ~A a 10 j1A. Compare los valores relativos de la estabilidad para los problemas 47 a150.

El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción o bien. El ténnino "efecto de campo" en el nombre seleccionado merece cierta explicación. los electrones y los huecos.1 (a) (b) Amplificadores controlados por a) corriente y b) voltaje.. De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp. mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje como se muestra en la figura 5 . + (Voltaje de control) V GS FIgura 5. de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p). (Corriente de controi) 18 BJT FET . Para el FET un campo eléctrico se 215 . a las del transistor BJT descrito en los capítulos 3 y 4. hay transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de dos portadores de carga. En cada caso.. en una gran proporción. también es cierto que tienen muchas similitudes que se presentarán a continuación.lb. la corriente le de la figura 5.CAPÍTULO Transistores de efecto de campo -----------------------IDDivp--5.1 a. la corriente del circuito de salida está controlado por un parámetro del circuito de entrada. En otras palabras.. Aunque existen importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos. en un caso se trata de un nivel de corriente y en el otro de un voltaje aplicado. El campo magnético del imán permanente envuelve las limaduras y las atrae al imán por medio de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo magnético con objeto de que sean lo más cortas posibles. Sin embargo.1a es una función directa del nivel de lB' Para el FET la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada como se muestra en la figura 5. Toda la gente conoce la capacidad de un imán permanente para atraer limaduras de metal hacia el imán sin la necesidad de un contacto real. La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente como se describe en la figura 5.lb.1 INTRODUCCIÓN El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en inglés de Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan.. es importante considerar que el transistor BJT es un dispositivo bipolar.

2. el transistor BJT tiene una sensibilidad mucho más alta a los cambios en la señal aplicada.la cual se asemeja a la región de un diodo sin polarización. En este capítulo se presentarán dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unión (JFET) (por las siglas en inglés de. incapaz de soportar la conducción a través de la región.2. Junction Field Elfect Transistor) y el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) (por las siglas en inglés de Metal-OxideSemiconductor Field Elfect Transistor). el drenaje y la fuente se hallan conectadas a los extremos del canal de tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p. La categoría MOSFET se desglosa después en los tipos decremental e incremental. Su estabilidad térmica y otras características generales lo hacen muy popular en el diseño de circuitos para computadoras. es decir. El resultado es una región de agotamiento en cada unión. Eta Kappa Nu establece mediante las cargas presentes que controlarán la trayectoria de conducción del circuito de salida. Sin embargo. lllinois PhD California Institute of Technology Director de Solid State Electronics Research de Bell Labs Vicepresidente de Investigación en Sandia Corporation Miembro de fRE.Dacey El doctor Dacey nació en Chicago. Source). el JFET es un dispositivo de treS terminales. Existe una tendencia natural cuando se presenta un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones similar a uno que se dio a conocer previamente. para comparar algunas de las características generales de cada uno. Dacey desarrollaron juntos en 1955 un procedimiento experimental para medir las características de un transistor de efecto de campo. Recuerde también que la región de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es.) Jan Munro Ross El doctor Ross nació en Southport. los arreglos de polarización se cubrirán en el capítulo 6. también se dedicó sólo una sección al impacto del uso del transistor pnp. lo cual los hace mucho más útiles en los circuitos integrados (le) (por las siglas en inglés de. 216 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . C. con una tenninal capaz de controlar la corriente de las otras dos. Tau Beta Pi. las características de construcción de algunos FET los pueden hacer más sensibles al manejo que los BIT. Para el transistor JFET. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms excede por mucho los niveles típicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistor BJT. un punto muy importante en el diseño de amplificadores lineales de ac. Cambridge University Presidente emérito de AT &T BeU Labs Socio de IEEE.las ganancia. como elemento discreto en un encapsulado típico de sombrero alto. sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto óhmico a la terminal referida como el drenaje (D). como se muestra en la figura 5.2 CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET Como se indicó anterionnente. Gale). (Cortesía de AT&T Archives. Por otro lado. Durante la ausencia de cualesquiera potenciales aplicados el JFET tiene dos uniones pon bajo condiciones sin polarización. la variación en la corriente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT.s normales de voltaje en ac para los amplificadores a BJT son mucho mayores que para los FET. los mismos que describiremos. Integrated Circuits). Uno de los rasgos más importantes del FET es una gran impedancia de entrada. que la que produce en el FET para el mismo cambio de voltaje aplicado. mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico a una terminal referida como lafuente (S) (por su sigla en inglés. 5. El transistor MOSFET se ha convertido en uno de los dispositivos más importantes en el diseño y construcción de los circuitos integrados para las computadoras digitales. se debe manipular con cuidado (tema que se analizará en una sección posterior)~ Una vez que se hayan presentado la construcción y las características del FET. Obsérvese que la mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma el canal entre las capas interiores del material de tipo p. el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo importante y se dedican párrafos y secciones al impacto del uso de un JFET de canal-p. En general. por tanto. y los primeros son por lo general más pequeños en construcción que los BJT. En el análisis del transistor BIT se utilizó el transistor npn a través de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño. los FET son más estables a la temperatura que los BJT. Miembro de la National Science Board Presidente del National Advisory Committee on Semiconductors G. Por tanto. Por esta razón.Los doctores Jan Munro Ross y G. El análisis que se desarrolló en el capítulo 4 utilizando' transistores BJT será muy útil para derivar las ecuaciones importantes y para el entendimiento de los resultados obtenidos para los circuitos a FET. Los dos materiales de tipo p se encuentran conectados entre sí y también a una terminal de compuerta (G) (por la sigla en inglés de. Sin embargo. La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5. C. Inglaterra PhD Gonville and Caius College.

Bajo las condiciones que aparecen en la fIgura 5. El resultado es que la compuerta y la fuente tienen el mismo potencial y una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material-p similar a la distribución de la condición de sin polarización de la figura 5. G + SG. En el instante en que se aplica el voltaje V DD (= VDS)' los electrones serán atraídos a ia tenninal del drenaje. La "compuerta". VGS Fuente Compuerta ofFr LDrenaje figul1l 5. a través de la llave (fuente). controla el flujo de agua (carga) hacia el "drenaje". la analogía del agua de la figura 5. estableciéndose la corriente convencional ID con la dirección detlnida de la figura 5A. La fuente de la presión del agua se parece al voltaje aplicado desde el drenaje a la fuente que establecerá un flujo de agua (electrones). (5) Región de a!.vés de la terminal de compuerta y acerca de lo adecuado de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo.'otamienlo Hgura 5. 5.2. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las corrientes de drenaje y fuente son equivalentes (lD 15). mediante una señal aplicada (potencial). = D Po CanaJ-n + Región de agotamiento 'N---~'-t'----.4. el flujo de carga se encuentra relativamente sin ninguna restricción y sólo lo limita la resisten~ cia del canal-n entre el drenaje y la fuente. VDS algún valor positivo En la figura 5 A se ha aplicado un voltaje positivo VDS a través del canal.4 JFET en Ves'" OV Y VDS>Ov. En raras ocasiones son perfectas las analogías y a veces pueden causar confusiones.2 porque la terminología está definida para el flujo de electrones.: Contactos óhmico~ Canal-11 Cumpuerta(G) 0--'----1--1 Región de agotamiento ruentc.3 Analogía hídráulica para el mecanismo de control del ¡FET.2 Transistor de efecto de campo de unión OFET). Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en los extremos opuestos del canal~n como en la figura 5.Drenaj¡.2 Construcción y caracteristicas de los JFET 217 . = O V. sin embargo.3 proporciona cierto sentido sobre el control del JFET a tI ~. y la entrada se conectó directamente a la fuente con objeto de establecer la condición VGS = O V. figura 5.

que mientras mayor es la polarización inversa aplicada. Cuando VDS se eleva y se acerca al nivel referido como V p en la figura 5. como 10 muestra la figura 5. ID en función VDS para Ves'" O V.5 V. En cuanto el voltaje VDS se incrementa desde O a unos cuantos volts.5. El hecho de que ID no caiga con el estrechamiento y mantenga el nivel de saturación indicado en la figura 5. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal que se indican en la misma figura.6.6.6. Es importante observar que la región de agotamiento es más amplia cerca de la parte superior de ambos materiales de tipo p.6. mayor la resistencia. Sin embargo.al-/1 s o Figura 5. las regiones de agotamiento de la figura 5. En realidad.5. ov Figura 5. El resultado es que la región superior del material de tipo p estará polarizada de manera inversa con cerca de 1.)l'. este difícilmente es el caso.6.5 V. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n. de ahí que la distribución de la región de agotamiento es como se muestra en la figura 5. Si VDS se eleva a un nivel donde parece que las dos regiones de agotamiento se "tocan". 218 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . El resultado sería una pérdida de la distribución de la región de agotamiento que motivó el estrechamiento inicial. Al nivel de VDS que establece esta condición se le conoce como voltaje de estrechamiento y se denomina como Vp (por su sigla en inglés. Figura 5. D + Estrechamiento JI) I 1 xivel de saturación Vc. ocasionando una reducción notable en el ancho del canal.6 v. lo que sugiere que la resistencia está alcanzando un número "infinito" de ohms en la región horizontal. El hecho de que le = O A es una característica importante del JFET. resultará una condición referida como estrechamiento. la resistencia del canal se puede desglosar en las divisiones que aparecen en la figura 5. En realidad. Pinch-off).=OV G -(~ 1 [ Aumento de I~ resistencia debido al del canal + estrechamH~nt\) [ [ [ Re~lst<:ncia dd c. más ancha es la región de agotamiento.7 Estrechamiento (Ves" OV. lo que ocasiona la curva en la gráfica 5. porque ID mantiene un nivel de saturación definido como lDSS en la figura 5. como se muestra en la figura 5. la corriente aumenta como lo determina la ley de Ohm y la gráfica de ID en función de VDS aparece de acuerdo con la figura 5.5. Mientras más horizontal es la curva. Recuerde a partir de la discusión de la operación del diodo. VDS'" Vp). con la región inferior polarizada en forma inversa únicamente con 0. El OOffio de que la unión pon esté polarizada de forma inversa a través de toda la longitud del canal ocasiona una corriente en la entrada de cero amperes como se muestra en la misma figura.J.4 se harán más amplias.6. aún existe un pequeño canal con una corriente de densidad muy alta. como se muestra en la figura 5.5 Potenciales variables de polarización inversa a través de la unión pon de un JFET de canal·n.7.6 se verifica con el siguiente hecho: la ausencia de una corriente de drenaje eliminaría la posibilidad de niveles de potencial diferentes a través del canal del material-n con objeto de establecer los niveles variantes de polarización inversa a lo largo de la unión pon. La relativa rectitud de la gráfica indica que para la región de valores pequeños de VDS' la resistencia es en esencia constante. La razón por el cambio de tamaño de la región se describe mejor por medio de la ayuda de la figura 5. La trayectoria de conducción reducida causa que se incremente la resistencia. el término ·'estrechamiento·· es un nombre inapropiado que sugiere que la corriente ID se detiene y que cae a O A.

VDS> V po VGS<OV El voltaje de la compuerta a la fuente denotado por V GS es el voltaje que controla al JFET. se pueden desarrollar curvas de ID en función de VDS para varios niveles de Ves para el JFET.10 para VGS -1 V. Así como se establecieron varias curvas para JC en función de VCE para diferentes niveles de lB Y para el transistor BJT.8 Fuente de corriente equivalente para VGS = OV. Los siguientes párrafos describen la manera en que las características de la figura 5. El efecto del Ves aplicado de polaridad negativa es el de establecer regiones de agotamiento similares a las que se obtuvieron con V GS = O V. el resultado de aplicar una polarización negativa en la compuerta es alcanzar un nivel de saturación a un nivel menor de VOS como se muestra en la figura 5.IDDIVp Mientras VDS se incremente más allá de V p' la región del encuentro cercano entre las dos regiones de agotamiento incrementa su longitud a 10 largo del canal. Obsérvese en la figura 5. 5. Source) con una conexión de corto circuito (por la sigla en inglés de.2 Construcción y caracteristicas de los JFET 219 . Vas será lo suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturación que será en esencia OmA. Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control Ves se hace más y más negativo a partir de su nivel Ves::: O V.9 Aplicación de un voltaje negativo a la entrada de un JFET.6 resultan afectadas por los cambios en el nivel de Ves' Figura 5. una vez que VDS> VP' ellFET tiene las características de una fuente de corriente. El nivel resultante de saturación para ID se ha reducido y de hecho continuará reduciéndose mientras Ves se hace todavía más negativo. la terminal de la compuerta se hace a niveles de potencial más y más bajos en comparación con la fuente. pero el nivel de ID pennanece esencialmente constante. foss t I I + VDS o ---+Carga O I DSS es la corriente máxima de drenaje para un JFET y está definida mediante las condiciones V GS = O V Y VDS> l. Obsérvese también en la figura 5. Eventualmente. V p l. pero a ' niveles menores de VDS' Por tanto.10 la manera en que el voltaje de estrechamiento continúa cayendo en una trayectoria parabólica confomle VGS se hace más negativo. Como se muestra en la figura 5.8. Es decir. Short) de la entnida a la fuente. la corriente está fija en ID = 1DSS' pero el voltaje VDS (para aquellos niveles> Vpl está determinado por la carga aplicada. por otro lado. Por tanto. Mientras continúa la investigación de las caracterÍsticas del dispositivo. tenemos que: f o ::. En la figura 5. En resumen: = + G Vos>ÜV + + S~ Agura 5. para todos los propósitos prácticos el dispositivo ha sido "apagado".9 se aplica un voltaje negativo de -1 V entre las tenninales de la compuerta y la fuente para un nivel bajo de VDS.6 que Ves = O V para toda la curva. La elección de la notación IDSS se deriva del hecho de que es la corriente del Drenaje a la fuente (por la sigla en inglés de. cuando VGS= -Vp .

:: O V Y rd es la resistencia en un nivel particular de VGS' Para un JFET de canal-n con r. como se muestra en la figura 5..__ Región . __ " :. Resistor controlado por voltaje La región a la izquierda del estrechamiento en la figura 5."-t.~. La siguiente ecuación ofrecerá una buena y primera aproximación del nivel de resistencia en términos del voltaje aplicado V GS' (5. el voltaje de estrechamiento se encuentra especificado como VGS(apagado) en vez de Vp' Más adelante. en este capítulo se revisará una hoja de especificaciones cuando hayan sido presentados los elementos básicos más importantes. El nivel de V GS que da por resultado ID = O mA se encuentra definido por V GS = V p' siendo Vp un voltaje negativo para los dispositivos de canal-n y un voltaje positivo para los ]FET de canal-p. La región a la derecha del estrechamiento en la figura 5.. '.IJ-~..: ..-~-.I~-:"...... saturación o región de amplificación lineal..2 con una inversión de los materiales tipo p y tipo n.' "T • j Lti·· L • 0' :. . -·_:·:.10 que la pendiente para cada curva.. I Región de saturación f-$~~~.'-" .- 11 ~+-...l0 es la región empleada normalmente en los amplificadores lineales (amplificadores con una mínima distorsión de la señal aplicada). =I\' o ..___-:-_. Obsérvese en la figura 5. ..t-~~ _' I ! I . igual a 10 kQ (VGs=OV. En la mayor parte de las hojas de especificaciones. ~ 7 6 5 4 3 .-~'. la pendiente de cada curva se hace más horizontal.. y se le refiere como la región de corriente constante...1) dará por resultado 40 kQ en VGS = -3 V Dispositivos de canal-p El JFET de canal-p está construido exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal-n de la figura 5..11. 220 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . I-i-J. Vp =-6 V). 1.10 Características del JFET de canal-n con loss '" 8 mAy Vp '" -4 V.... la ecuación (5. En esta región al JFET se le usa en realidad como un resistor variable (posiblemente para un sistema de control de ganancia automática) cuya resistencia se encuentra controlada por medio del voltaje de la compuerta a la fuente.. ' . correspondiendo a un nivel creciente de resistencia. es una función del voltaje aplicado VGs ' Mientras lIGS se convierte en más negativo.ID (mA) 1 / Ubicación de los valore~ de estrechamiento ~ /."I: ~.1 ) donde roes la resistencia con Ves.' :. y por tanto la resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente para VDS < Vp ..a. 5 10 15 '0 15 FIgUra 5.10 es conocida como la región óhmica o de resistencia controlada por voltaje.

y el diseño es tal." • de las hojas de especificaciones. dará como resultado voltajes negativos para VDS sobre las características de la figura 5. que en nivel real de VDS es menor que el valor máximo para todos los valores de V cs' 5. Ves =+2V Región de ruptura o ~5 ~1O ~lS -20 -25 Figura 5. Se observa en los niveles altos de VDS que las curvas suben repentinamente a niveles que parecen ilimitados. y la notación de doble subíndice para Vos' por tanto.la cual tiene una 1DSS de 6 mA y un voltaje de estrechamiento de Ves = +6 V.D ~ I 'n + + ts f Figura 5. JFET de canal-p. Aunque no aparece en la figura 5. sucede para el canal-n cuando se aplica suficiente voltaje.' Éste simplemente indica que la fuente se encuentra a un potencial mayor que el drenaje. No se debe confundir por el signo de menos para VD. El crecimiento vertical es una indicación de que ha sucedido una ruptura y que la corriente a través del canal (en la misma dirección en que normalmente se encuentra) ahora está limitada únicamente por el circuito externo. como las polaridades reales para los voltajes Ves y VDS' Para el dispositivo de canal-p.12.2 Construcción Y características de los JFET 221 . Las direcciones de corriente definidas están invertidas. Esta región puede evitarse si el nivel de VDS m . éste será estrechado mediante voltajes crecientes positivos de la compuerta a la fuente.10 para el dispositivo de canal-n.11.12 Características del JFET de canal-p con IDSS '" 6 mAy Vp '" +6 V.

) Símbolos del JFET: a) de canal-n. Para todos los niveles de Ves entre O V Y el nivel de estrechamiento.13 ¡.14b. así como en el siguiente para los JFET de canal-n. 1 S ¡b) I[)=O A VD!) IVGGI~I (a) vpl D G OmA_ln</DSS < Figura 5. la corriente de drenaje es igual a OA (ID = OA). como aparece en lajigura 5.13.lD " IDSS . e) ¡D se encuentra entre OA ef. b) de canal-p. Obsérvese que la flecha se encuentra apuntando hacia adentro para el dispo~vo de canal-n de la figura 5.DSS cuando VGS es menor o igual a O V Y mayor que el nivel de estrechamiento. Resumen Una cantidad importante de parámetros y relaciones se presentaron en esta sección. S VDS s (b) Figura 5.l4c. La única diferencia en el símbolo es la dirección de la flecha para el dispositivo de canal-p (figura 5. Otros. D D ·h G + G L + + + vc.l3b). con objeto de representar la dirección en la cual fluiría IG si la unión p-n tuviera polarización directa. la corriente ID se encontrará en el rango entre IDSSY OA.14a .13a. D ves =.. Se puede desarrollar una lista similar para los jFET de canal-p. cuya referencia será frecuente en el análisis de este capítulo.14 a) Vcs " OV. se describen a continuación: La corriente máxima se encuentra dejinida como 1DSS y ocurre c:lando Ves = O V Y V DS ~ IV p I como se muestra en la jigura 5. como se encuentra en la jigura 5.V ee G D + V ee + Vc.Símbolos Los símbolos gráficos para los JFET de canal-n y de canal-p se presentan en la figura 5. b) corte (ID" O A) VGS es + S menor que el nivel de estrechamiento. Ce) 222 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . respectivamente. Para los voltajes de la compuerta a lafuente Ves menores que (más negativos que) el nivel de estrechamiento.

considerada como constante para el análisis que fue desarrollado.lO. Shockley nació en Londres.3 Características de transferencia 223 .. La relación entre ID Y Ves se encuentra definida por la ecuación de Shock/e)': ID ~ IDSS . En fanna de ecuación .. pero la curva de transferencia definida por la ecuación (5. y una gráfica de la ecuación de red que relacione las mismas variables.BeU Laboratories Presidente de Shockley Transistor Corp. Sin embargo.--_ _ _ _ _ _.5. 1936 Director del Transistor Physics Department . La solución está definida por el punto de intersección de las dos curvas. Profesor Poniatoff de Enginnering Science en Stanforc University Premio Nobel en física en 1956 junto con los doctores Brattain y Bardeen El ténnino cuadrático de la ecuación dará por resultado una relación no lineal entre ID Y Vcs' produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de V cs' Para el análisis en dc que será desarrollado en el capítulo 6..2) constante En la ecuación (5. Inglaterra PhD Harvard. En la figura 5. Es importante considerar al aplicar la aproximación gráfica que las características del dispositivo no serán afectadas por la red en la cual se utilice el dispositivo. esta relación Ilneal no existe entre las cantidades de salida y de entrada de un JFET. Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuación de Shockley o a partir de las características de salida de la figura 5.variable de control le ~ f( 8 ) ~ /¡PB i I (5. (Cortesía de AT&T Archives). 0 I - ¡? es Vp )2 variable de control (5.3) con stantes T William Bradford Shockley (19101989) coinventó el primer transistor y formuló la teoría de "efecto de campo" que se utilizó en el desarrollo de los transistores y el FET.3) permanece sin resu\tar afectada.3) con objeto de representar el dispositivo. Por tanto: Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no resultan afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo. más directo y fáci1 de aplicarse.2) existe una relación lineal entre le e ¡ B" Si se duplica el nivel de 1H e le' se incrementará también por un factor de 2. 5. . Desafortunadamente.3 CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA Derivación Para el transistor BJT la corriente de salida fe y la corriente de control!B fueron relacionadas por beta.15 VU _\=---4 V 5 10 15 20 25 Obtención de la curva de transferencia ·para las características de drenaje.l5 se proporcionan dos gráficas lv(mAl 1010 9 9 //) (mA) -8 IDs~ __ - Ves=OV 11 Ves =-3 v Figura 5. la aproximación gráfica requerirá de una gráfica de la ecuación (5.¡r=~. La ecuación de la red puede cambiar con la intersección de las dos curvas. en general. un sistema gráfico más que matemático será.

con la escala vertical en miliamperes para cada gráfica. ambos ejes están definidos por variables en la misma región de las características del dispositivo. Precisamente es la curva de ID en función Ves la que recibirá un amplio uso en el análisis del capítulo 6. Antes de continuar.15 decrece notoriamente mientras Ves se hace más y más negativo. . Por tanto. se puede localizar otro punto sobre la curva de transferencia. la gráfica de ID en función V GS sería una línea recta entre 1DSS y Vp ' Sin embargo. Los siguientes párrafos presentan un método rápido y eficiente para graficar ID en función Ves' usando únicamente los niveles de IDss y V p y la ecuación de Shockley. existe una "transferencia" directa de las variables de entrada a las de salida. la corriente de drenaje es de cero miliamperes. ID = loss' Cuando Ves == Vp == -4V. pero el cambio resultante en ID es bastante diferente. utilizando la curva a la izquierda de la figura 5.::: -2 V Y-3 V se puede completar la curva de transferencia.5 mA.0)2 e (5.3). Si la relación fuera lineal. definiendo otro punto sobre la curva de transferencia. Aplicación de la ecuación de Shockley La curva de transferencia de la figura 5.15.3): ID = IDss (.~ Vp . ID = O mA.15.4) 224 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . porque el espaciamiento vertical entre los pasos de Ves sobre las características del drenaje de la figura 5. Si se dibuja una línea horizontal desde Ves = -1 V hacia el eje ID Yluego se extiende hacia el otro eje. la curva que resulta es parabólica. simplemente dando los valores de loss y VP' Los niveles de loss y V p definen los límites de la curva sobre ambos ejes y dejan la necesidad de encontrar sólo unos cuantos puntás intennedios.l5 se demuestra mejor al examinar unos cuantos niveles específicos de una variable y encontrando el nivel resultante del otro de la siguiente manera: Sustituyendo VGS = O V da VGS~' Ecuación (5.3) como una fuente de la curva de transferencia de la figura 5.. El cambio en Ves es el mismo. ya que el eje --vertical está definido como VGS == O V.Con las características de drenaje a la derecha del eje "'y" es posible dibujar una línea horizontal desde la región de saturación de la curva denotada Ves == O Val eje ID' El nivel resultante de corriente para ambas g!'áficas es lDss' El punto de intersección en la curva ID en función Ves será el que se mostró antes. Compare el espaciamiento entre Ves == O V Y Ves = -1 V con aquel entt=e Ves = -3 V Yel estrechamiento. Obsérvese que en VGS = -1 V la curva de transferencia tiene un valor de ID = 4. Nótese que en la definición de ID cuando Ves == O V Y -1 V que se utiliza los niveles de saturación de iD Y la región óhmica se ignora. Las características de transferencia son una gráfica de una corriente de salida (o drenaje) en función una cantidad controladora de entrada. Seguimos con VGS. y no precisamente las características de drenaje de la figura 5.15 también puede obtenerse directamente a partir de la ecuación de Shockley (5. Una es una gráfica de ID en funcÍón VDS' mientras que la otra es de ID en función Ves. La validación de la ecuación (5. es importante comprender que las características de drenaje relacionan una cantidad de salida (o drenaje) a otra cantidad de salida (o drenaje). En resumen: Cuando VGS = O V. Esto es: Cuando VGS = Vp.

3)] una ecuación para el nivel resultante de Ves para un nivel dado de ID.4 Y(l . si se sustituye Ves.25) = -1 V como se sustituyó en el cálculo anterior y siendo verificado por la figura 5. con objeto de graficar la curva de la manera más eficiente mientras se mantenga un grado aceptable de precisión. podría resultar muy ventajoso tener un método manual rápido.. utilizando álgebra básica se puede obtener [a partir de la ecuación (5. Debe resultar obvio a partir de lo anterior que dados Vos s y Vp (como normalmente se proporciona en las hojas de especificaciones) el nivel de ID se puede encontrar para cualquier nivel de Vcs' Recíprocamente.: ~1 V.5) Para las características de drenaje de la figura 5.. de acuerdo con la determinación de la ecuación de Shockley: _ 12)2 __ 1DSsC0. La derivación es bastante directa y dará como re. que los niveles específicos de Ves darán niveles de ID que podrán ser memorizados para proporcionar los puntos necesarios con objeto de graficar la curva de transferencia.:s.6) Puede probarse la ecuación (5. La pérdida de un signo daría un resultado totalmente erróneo.- 2 Vp =8mAI--= 8 mA(0. El formato de la ecuación (5.15. Si se especifica que Ves sea la mitad del valor de estrechamiento V p' el nivel resultante de ID será el siguiente.5625) = -4 Y(l .5 mA -l Y)' ( -4Y 8mA(1 - ~)' =8mA(0.75) = -4 Y(0.75)2 como se muestra en la figura 5.::ul:. Método manual rápido Debido a que la curva de transferencia debe graficarse con mucha frecuencia.-) 0.3) es tal. = .o=--_ _ _ _ ----:===----.5 mA para el dispositivo con las características de la figura 5.15. Ves = Vp(l - ~ ID I Dss ) (5.5)2 5. Ves) ID = loss ( 1 .3 Características de Transferencia 225 .0. Obsérvese el cuidado que se necesita tomar con los signos negativos de Ves 'J Vp en los cálculos anteriores.5625) = 4.(5.6) si se localiza el nivel de Ves que dará por resultado una corriente de drenaje de 4.15.15.:t"ad::.

1 f. En la mayoría de las ocasiones. Solución Los dos puntos de la gráfica están definidos por I DSS = 12 mA y y e ID = OmA En Ves = V p l2 =. utilizando sólo el punto de la gráfica definido por Ves == V p /2 y las intersecciones de los ejes en 1DSS y Vp' se obtiene una Curva lo suficientemente precisa para la mayoría de los cálculos.-{65) = Vp(0. Los cuatro puntos están bien definidos sobre la figura 5.~ .1. sino es una ecuación general para cualquier nivel de Vp mientras que Ves = V p12.3 Vp 0.l Trazar la curva definida por I DSS = 12 mA y Vp = .3Vp O.7) Ahora es importante estar consciente de que la ecuación (5.7) no es para un wel de V p en particular. TABLA 5.{j V/2 =-3 V la corriente de drenaje está dada por ID =IDSs /4 = 12 mA/4= 3 mA.15. El resultado especifica que la corriente de drenaje siempre será de una cuarta parte del valor de saturación 1DSS' mientras el voltaje-fuente sea de la mitad del valor de estrechamiento.3 (-6 V) -1.e (5.8 V. En ID I Dss /2 12 rnA/2 6 mA el voltaje de la compuerta a la fuente se encuentra determinado por Ves'" 0. = = = = = 226 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .. De hecho.::on la curva de transferencia completa. en el análisis del capítulo 6 se utiliza un máximo de cuatro puntos con objeto de trazar las curvas de transferencia. Si se elige ID = I DSS /2 y se sustituye en la ecuación (5. pero la curva de transferencia puede trazarse con un nivel satisfactorio de precisión utilizando simplemente los cuatro puntos definidos arriba y revisados en la tabla 5 .5Vp ID lDSS 1DSS/2 Ve l/Jss/4 DmA EJEMPLOS.3vp l¡o.I DSS IDSS IDSsI2) = Vp(l . se encuentra que Ves =V p = Vp 0 ~) 0.. Obsérvese el nivel de ID para Ves = Ve 12 = -4 V/2 = -2 V en la figura 5.{j v.8) y VGS == o.=IDss /2 Pueden determinarse puntos adicionales.6).293) (5.1 VGS en función ID utilizando la ecuación de Sbockley Ves O O.

16 Curva de transferencia O VGS -6 -5 -4 -3 -2 -1 para el ejemplo 5. 5. La hoja de especificaciones para el JFET de cana1-n 2N5457 proporcionado por Motorola se ofrece en la figura 5.ID (mA) 12ID =/DSS=12mA 11 9 S 7 6 5 4 3 2 \lGS = Vp =-6 V "'" Figura 5. Ves = 0. Para los dispositivos de canal-p. 5. En este caso. tanto Vp como VGS serán positivos. EJEMPLO 52 Solución En Ves = Vp l2 = 3 VI2 = 1.9 V..3 Vp = 0. Los más importantes se analizan en los siguientes párrafos.4 Hojas de especificaciones (JFEl) 227 .. En ID = IDssl2 = 4 mAI2 = 2 mA. la ecuación (5.2.3) de Shockley puede todavía aplicarse exactamente como aparece.4 HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFE1) Aunque el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar desde el mínimo absoluto hasta una gran cantidad de gráficas y tablas. existen unos cuantos parámetros fundamentales que proporcionan todos los fabricantes.17 Curva de transferencia para el dispositivo de canaI~p del ejemplo 5.lD= I Dss l4 = 4mA14= l mA. Trazar la curva de transferencia para un dispositivo de canal-p con 1DSS.5 V. y la curva tendrá la imagen en espejo de la curva de transferencia que se obtuvo para un dispositivo de canal-n y los mismos valores limitantes.1.3 (3 V) = 0. Los dos puntos de la gráfica aparecen en la figura 5. l 8.17 junto con los puntos definidos por medio de loss y Vp ' losS = 4 mA Vp =3 V o 2 3 Vp Figura 5.. 4 mA y V p = 3 V.

Vos = O) 2N5457 CARACTERÍSTICAS ES PEQUEÑA SEÑAL Admitaneia de transferencia directa para fuente común' (Vos'" 15 'Vde.. La fuente aplicada VDD puede exceder estos niveles.2N5457 VALORES !\'OMINALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje-fuente Voltaje drenaje-compuerta Voltaje inverso .~bajo:.0 I 10% Figura 5.::'.: ".. f= 1. Vos =0.l o = 100.oho del pul'oO 5630 m" ciclo dc t.. 25 25 VOSR lo PD -25 Vdc mAdc mW JO JlO 2.5 7.f= 1. Valores nominales máximos La lista de valores nominales máximos por 10 general aparece al principio de la hoja de especificaciones. Todo buen 228 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . pF - 4..0 Vd. T A = 100°C) Voltaje de corte: compuerta fuente (VDS = 15Vdc. VGS =0.uAdc) 2N5457 VIBRIGSS I GSS - -25 - - Vd.0kHz) Capacitancia de entrada (Vos = 15 Vdc.5 Ves --6.. de pul". Vd. VGs=O. 125 -65a+150 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T" = 25 oC a menos que se especifique lo contrario) Característica CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura compuerta-fuente (iG=-IOtlAdc.~ E?\CAPSULADO 29-04.. VGS = O.82 mW/oC oC oC Refiérase al 21'04220 para ~ráficas. pero el nivel real de voltaje entre estas terminales nunca debe exceder el nivel especificado.0 -200 Vdc -0. nAde VGS(~p. Vos =0) (V GS = :"15 Vdc.V GS =O.: 50 e". I Yh i 1000 pmho~ 2N5457 I 10 5000 pmho~ y.0 MHz) Capacitancia ele transferencia inversa (Vos = 15 Vde.lo= lOnAdc) Voltaje compuerta fuente (Vos = 15Vdc.18 JFET de canal-n 2N5457 de Motorola.. Los niveles máximos especificados para VDS y VDG no deben excederse en ningún punto del diseño de la operación de] dispositivo.0 pF 1 I 1.l~ado) -2.f= LOkHz) Admitancia dI: salida para fuente común' (VDS = 15 Vde.5 -1. 2N5457 - - CARACTERíSTICAS "ENCENDIDO" Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada" (VDS = 15 Vde.junto con los voltajes máximos entre las terminales específicas.:ompuerta-fuente Corriente de la I:ompuerta Disipacion total del dispositivo @T A = 25 oC Pérdida de dlsipación arriba de 25 oC Rango de temperatura de la unión Rango de almacenamiento de temperatura del canal T. los niveles máximos de las corrientes y el nivel máximo de disipación de potencia del dispositivo. T..f= 1. C. L-. VDS=O) Corriente inver'ia de la compuerta (Ves = -15 Vdc. ESTILO 5 TO-92 (TO-226AAl Símbolo VD' VDO Valor Lnidad Vd.0 MHz) ·l'T1Jeb.5 3.

20.diseño intentará evitar estos niveles COn un buen margen de seguridad. como se muestra en la figura 5. En este caso V p = VCs<. El término inverso en V esR define el voltaje máximo con la fuente positiva respecto a la compuerta (como si estuviera polarizada normalmente para un dispositivo de canal-n) antes de que ocurra la ruptura. 5.20 Región de operación normal para el diseño de amplificación líneal. Además los JFET se encuentran disponibles en encapsulado de "sombrero alto". En algunas hojas de especificaciones es referido BV[)SS' el voltaje de ruptura con el drenaje y la fuente en corto circuito (VDS == O V) se encuentran referidas como BVDSS' Normalmente está diseñado con objeto de operar con le = O A.82 m W/oC revela que el valor de disipación decrece en 2. ID Ubicació~ los nive~es de estrechamiento 1/ 1 \ \ FIgUra 5. pero por el momento reconocemos que el valor de 2.19 Encapsulado de ~sombrero alto" e identificación de las terminales para un JFET de canal-p. La región óhmica define los valores máximos permisibles de VDS en cada nivel de V CS' y VDS mh especifica el valor máximo para este parámetro.9) Nótese la similitud en formato con la ecuación de disipación máxima de potencia para el transistor BJT. 2N2844 CÁPSULA 22-03. pero si se fuerza a aceptar una corriente de la entrada podría soportar 10 mA antes de que suceda cualquier daño.p"'do) tiene un rango entre -0. El hecho de que ambos tengan -una variación de dispositivo a dispositivo del mismo tipo.18. La disipación total del dispositivo a 25 oC (temperatura ambiente) es la máxima potencia que el dispositivo puede disipar bajo condiciones normales de operación y está definida por (5. Características eléctrícas Las características eléctricas incluyen el nivel de Vp en las CARACTERÍSTICAS DE APAGADO e lDSS en las CARACTERÍSTICAS DE ENCENDIDO. JFET DE USO GENERAL CANAL-P Hgura 5. (TQ-206AA) Construcción del encapsulado e identificación de terminales Este JFET en particular tiene la misma apariencia que proporciona la hoja de especificaciones de la figura S . La identificación de las terminales también se proporciona directamente debajo de la figura.19 con su identificación de tenninales.5 a -6. Las características de pequeña señal se discuten en el capítulo 9.4 Hojas de especificaciones (JFE1) 229 . ESTILO 1::: To-n. El factor de pérdida de disipación se analiza con detalle en el capítulo 3. 3 Drenaje (encapsulado) com~o.82 mW por cada incremento en la temperatura de 1 oC arriba de 25 oC. Las otras cantidades están definidas bajo las condiciones que aparecen entre paréntesis.:S l Fuente Región de operación La hoja de especificaciones y la curva definida por los niveles d$oestrechamientü a cada nivel de Ves definen la región de operación para la amplificación lineal sobre las características de drenaje como Se muestra en la figura 5.0 e lDSS entre 1 y 5 roA. se debe al proceso de fabricación.

Para el JFET de la figura 5 . 5.. Al dibujar una línea a partir de la curva superior sobre el eje ID se puede estimar el nivel de I DSS de cerca de 9 mA. Y finalmente -2 V.~_.1iv _. El nivel de Vp se puede estimar si se observa el valor de Ves de la última curva hacia abajo. I .- i i I -1 i .--' IV t. i . V p es cierto que es más negativo que -2 V Yquizá Vp se encuentre cercano a -2. el trazador de curvas presentado para el transistor BJT puede también mostrar las características de drenaje del transistor JFET a través del ajuste adecuado de varios controles..9 V) 1(. como se vio en el capítulo 3.5 INSTRUMENTACiÓN Recuerde que._--_.5 V.-. \ " iV p =-3 VGS =-2V v Figura 5.La corriente de saturación loss es la corriente máxima de drenaje.21. lo que revela que la curva superior se encuentra definida por VGS == OV. Sin embargo. \ I I - I i I i . ImA por división ! ! ! ! . tenga en cuenta que las curvas VGS se contraen muy rápidamente cuando se acercan a la condición de corte. 500 rnV- por paso - i I I i I 1---. f-I " I I . . 1 1 1 j ..21 Características de drenaje para el transistor JFET 2N4416 como se presenta en un trazador de curvas.. pero tomando en cuenta la distancia más pequeña entre las curvas mientras VGS se hace todavía más negativo.í ~ /7 '1.-gm 2m por división ~.5 V para el dispositivo de canal-no Con el uso del mismo paso de voltaje la siguiente curva es -1 V. En este caso. I . Una instrumentación similar no está disponible con objeto de medir los niveles de I DSS y Vp . ..L ____ ~--.. V '-. El paso del voltaje es de 500 mV/paso (0. 230 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .5 mI. por lo que quizá Vp == -3 V es una / I i ves= ov IDSS=9mA lI ¡ lDSS = 4. I \ 1 I . ¿- i ! ! ! ! \ ! I . luego -1. cada división vertical (en centímetros) refleja un cambio de ¡-mA en le' mientras que cada división horizontal tiene un valor de ¡ V. hay instrumentos disponibles para medir el nivel de f3dc para el transistor BJT. ImA{ di" . y el nivel máximo de disipación de potencia define la curva dibujada de la misma manera que para los transistores BJT. como se muestra en la figura 5.21.• .5 V/paso).---_._. 1 "" : Sensibilidad horizontal IV por división I ¡ j ! . Sin embargo. \ ! ! ¡f ! -~ Sensibilídad vertical I i . La escala vertical (en miliamperes) y la escala horizontal (en volts) se han ajustado para mostrar las características completas. .. Yque la siguiente curva hacia abajo -0. La región sombreada resultante es la región de operación normal para el diseño de amplificadores.2 (VGS = -0. I / .. i ! / Yt i".5 V.

. particulannente importantes para el análisis que sigue para las configuraciones de dc yac.7 V 5. que en VGS:. Con esta información se encuentra que Vp Ves /O.5 V.21 que el nivel correspondiente de Ves es de aproximadamente -0.22 a) JFET contra b) BJT. -2 y. Si el control del paso se incrementa a 10.1. así como una curva adicional entre cada paso de la figura 5.21. se repiten a continuación en seguida de su ecuación correspondiente para el transistor BJT. con Vp = -3 V.::: O. En Ves = -2. Por fortuna. -1 V. el voltaje por paso se puede reducir a 250 mV = 0. el nivel de Vp se puede estimar con un grado razonable de exactitud simplemente aplicando la condición que aparece en la tabla 5. cuando ID == 1 DSS /2. -1.3Vp ' Para las caracterÍsticas de la figura 5. ID =I DSS/2 = 9 mA/2 =4.mejor elección. mientras que las ecuaciones para el B1T se relacionan a la figura 5.10) {::} le" lE {::} VSE " 0. Y la curva para Ves = -2. el cual será nuestra selección para este dispositivo.25 V se hubiera podido incluir.9 V/O.25 V.5 V Y -2 V. -0. Las ecuaciones JFET están definidas para la configuración de la figura 5. En un esfuerzo por aislar y enfatizar su importancia.3 -0.22a.5 mA.5 V la ecuación de Shockley dará por resultadoI D =0. luego VGS. La curva Ves = -2.9 V.21 se describen en el capítulo 8 cuando se examinen las condiciones de ac en pequeña señal.6 Relaciones importantes 231 . = = = ID = IDSS 1 = 9 mA V)' ~ V - GS p f¡ _ -2 vV ~ -3 V! _ 1 mA como se fundamenta en la figura 5. Con este valor encontramos..25 V hubiera indicado la rapidez con que las curvas se están cerrando una sobre la otra para el mismo paso de voltaje.3 -3 V. y es tan visible en la figura 5. También es importante revÍsar que el control del paso se ajusta para una pantalla de cinco pasos limitando las curvas mostradas a VGS = O V. 1') s lb) E figura 5.6 RELACIONES IMPORTANTES Una cantidad de ecuaciones importantes y de características de operación se presentaron en las últimas secciones. JFET BJT (5.25 mA.22b.21. lo cual revela con claridad cuan rápido las curvas se contraen cerca de Vp ' La importancia del parámetro gm y la forma en que se determina a partir de las características de la figura 5. 5. Esto es.21..

pero permanece aislada del canal-n por medio de una capa muy delgada de dióxido de silicio (Si0 2). dando por resultado un dispositivo de cuatro terminales. Una placa de material tipo p está formada a partir de una base de silicio y se le conoce como substrato. En algunos casos el substrato se encuentra conectado interiormente con la teoninal de la fuente. Para la configuración BJT.Entender bien el impacto de cada una de las ecuaciones anteriores es suficiente antecedente para atacar las configuraciones de de más complejas. lB por lo general es el primer parámetro que debe determinarse. Los MOSFETse desglosan más adelante en tipo decremental y en tipo incremental. la condición le = OA es a menudo el punto de inicio para el análisis de una configuración a JFET. muchos dispositivos discretos ofrecen una terminal adicional etiquetada SS.23. 5.7 V a menudo se tomó como clave para inicializar un análisis de una configuración a BIT. mientras que la etiqueta MOSFET significa transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor. existen dos tipos de FET: los JFET y los MOSFET. Las terminales de fuente y compuerta están conectadas por medio de contactos m~tálicos a las regiones dopadas-n unidas por un canal-n como se muestra en la figura.23. como el que aparece en la figura 5. En esta sección se examinará el MOSFET de tipo decremental. Los términos agotamiento e incremental definen su modo básico de operación. Recuerde que VBE = 0. Para el JFET normalmente es V cs' La cantidad de similitudes entre las configuraciones de dc para BIT y JFET se podrá apreciar mejor en el capítulo 6. El SiO. Debido a que existen diferencias en las características y en la operación de cada tipo de MOSFET. el cual tiene las características similares a aquel1as de un JFET entre el corte y la saturación en l DSS' pero luego tiene el rasgo adicional de características que se extienden hacia la región de polaridad opuesta para Ves' Construcción básica La construcción básica del MOSFET de tipo decremental de canal-n se proporciona en la figura 5. que es la base sobre la que se construye el dispositivo.23 MOSFET de tipo decrementa! de canal-n. se han cubierto en secciones por separado. 232 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .7 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Como se observó en la introducción del capítulo. es un tipo particular (Drenaje) D Canal-n Substrato Substrato . La compuerta se encuentra conectada también a una superficie de contacto metálico. Sin embargo.P S (Fuente) Regiones dopadas-n Figura 5. De forma parecida.

aun cuando la impedancia de entrada de la mayoría de Jos JFET es lo suficientemente alta para la mayoría de las aplicaciones. para los electrones libres del canal-no y una corriente similar a aquella establecida a través del canal del JFET. El hecho de que la capa SiO::! es una capa aislante revela el siguiente hecho: No existe conexión eléctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de un MOSFET.. muy deseable. El motivo de la etiqueta FET de metal-óxido-semiconductor es ahora mucho más obvia: metal por las conexiones del drenaje.la tenninal de la compuerta y el control que ofrece el área de la superficie de contacto~el óxido por la capa aislante de dióxido de silicio y el semiconductor por la estructura básica sobre la cual las regiones de típo n y p se difunden. la corriente resultante con Ves =:: O V se le sigue denominando Ioss' como se muestra en la figura 5. Adicionalmente: Se debe a la capa aislante de SiOl del MOSFET explica la alta impedancia. Operación básica y características En la figura 5. de entrada del dispositivo. y se aplica un voltaje Vos a través de las terminales del drenaje y fuente. . La muy alta impedancia de entrada continúa soportando totalmente el hecho de que la corriente de la entrada (le) es en esencia de cero amperes para las configuraciones de polarización de dc.24 MOSFET de tipo decremental de canal-n con VG. El resultado es una atracción. o . La capa aislante entre la compuerta y el canal ha dado por resultado otro nombre para el dispositivo: FET de compuerta aislada o IGFET (por las siglas en inglés de.de aislante conocido como dieléctrico que ocasiona campos eléctricos opuestos (como se indica por el prefijo di) dentro del dieléctrico cuando se expone a un campo externamente aplicado. De hecho. la resistencia de entrada de un MOSFET es a menudo igual a la del JFET nonnal. aunque este nombre es cada vez menos utilizado en la literatura actual. ----- ss + Figura 5. 5. fuente y compuerta a las superficies adecuadas en particular. lnsulated Gate).7 MOSFET de tipo decrementa! 233 . por el potencial positivo del drenaje. De hecho.24 el voltaje compuerta-fuente se hace cero volts mediante la conexión directa de una tenninal a la otra.25.'l '" OV Y un voltaje aplicado Vnn.

= -1 \" _ ..---agotamIento Modo incremental -----I ms ~_------. reducida con la polarización negativa creciente de VGS como se muestra en la figura 5.26....25 Características de drenaje y de transferencia para un MOSFET de tipo decrementa! de canal-n... =-3 V -4V T VD.. Los niveles resultantes de corriente de drenaje y la gráfica de la curva de transferencia se conduce exactamente igual a la descrita para el JFET....s= V.. la figura 5. VGS tiene un voltaje negativo tal como -1 V... y creará nuevos portadores mediante la colisión resultante entre las partículas en aceleración.Ves =-2-V 2 I'-_____________ \/c. El nivel resultante de corriente de drenaje es. Y así sucesivamente. -2 V. El potencial negativo en la entrada tenderá a presionar a los electrones hacia el substrato de tipo p (cargas similares se repelen) y atrae huecos del substrato de tipo p (cargas opuestas se atraen) como se muestra en la figura 5...Ve..26. por tanto.3 V p -5 V O o I 2 Ves =Vp =-6V Figura 5. Dependiendo de la magnitud de la polarización negativa que aplica V cs' sucederá un nivel de recombinación entre los electrones y los huecos que reducirá el número de electrones libres disponibles para la conducción en el canal-n.....25 para VGS = -1 V. Mientras el voltaje compuerta-fuente sigue aumentando en la dirección positiva.25 indica que la corriente de drenaje se incrementará de manera acelerada debido a las razones listadas arriba.' -6 -5 --4 -3 -1 Vp Vp \1 0.. hasta el nivel de estrechamiento de -6 V. más alta será la tasa de recombinación. Para los valores positivos de VGS la entrada positiva atraerá electrones adicionales (portadores libres) desde el substrato de tipo p debido a la corriente de fuga inversa.Ves = O \' _ .-----.. En la figura 5.. Capa de SiO~ Canal-n Proceso de recombinaci6n G~---i Substrato de material-p +) Contacto metálico Huecos atraídos a! potencia! negativo en la compuerta + Electrones repelidos por el potencial negativo en la compuerta FIgUra 5_26 Reducción de portadores libres en el canal debido a un potencial negativo en la terminal de la compuerta.. Mientras más negativa sea la polarización.. 234 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .

la aplicación de un voltaje positivo de la compuerta a la fuente ha "incrementado" el nivel de portadores libres en el canal comparado con aquel encontrado con Ves = O V. O +1 Yc.2 V = 2.3Vp 2 = 0. Las teITfÚnales permanecen como se encuentran identificadas. Las características de drenaje podrian aparecer iguales que en la figura 5. el usuario debe estar alerta del valor máximo de corriente de drenaje porque puede excederse con un voltaje positivo en la entrada. Para ambas regiones simplemente es necesario que se incluya el signo adecuado de Ves en la ecuación. como lo muestra la figura 5. Esto es. pero -3 -2 -1 v. la cual posiblemente podría exceder el valor máximo (corriente o potencia) para el dispositivo.-4 V) = 10 mA(l + 0. se tiene que ser conservador con la selección de los valores que deben sustituirse en la ecuación de Shockley.28a.5 mA 17 16 yen ID = O. ~ ID = IDSS ~ lOmA 4 4 = -1.3V.2 mA. = = Trace las características de transferencia para un MOSFET de tipo decremental de canal-n con IDss ~ !O mAy Vp = -4 V. ahora existe un substrato de tipo n y un canal de tipo p. 10 mAy V p = -4 V. con la región entre el nivel de corte y de saturación de 1DSS denominada como la región de agotamiento. la aplicación de un voltaje VGS ~ +4 V podría dar por resultado una corriente de drenaje de 22. En este caso se intentará + 1 V de la siguiente manera: (. EJEMPLO 53 Solución En VGS VGS = OV.27.23.7 MOSfET de tipo decrementa! 235 . Por esta razón la región de voltajes positivos de la entrada sobre el drenaje o las características de transferencia es a menudo conocida como la región incremental. ~ !O mA(1. 11: 2 LO. para el dispositivo de la figura 5.63 mA . +IV\' ~ !O mA~ . Esto es. como 10 ilustra la misma figura. pero todas las polaridades de los voltajes y las direcciones de las comentes están invertidas. -1 4 1 1 1 MOSFET de tipo decremental de canal-p La construcción de un MOSFET de tipo decremental de canal-p es exactamente el inverso del que aparece en la fIgura 5.s figura 5. ID = = V =-4 V.27 Características de transferencia para un MOSFET de tipo decremental de canaJ~n con ~)SS:. 5.25)' '" 15.5625) 4 3 2 I DSS : 2 1 1 1 1 IDSS : la cual es lo suficientemente alta como para terminar la gráfica. p IDSS ID = lOmA ~ OmA VGS = Vp ~ -4V 2 IDSS 2 VGS = -2 V. Antes de graficar la región positiva de V Gs ' se debe tener en cuenta que ID aumenta con mucha rapidez con los valores mayores de V cs' En otras palabras.3(-4 V) 15 14 todas las cuales aparecen en la figura 5. y que el signo sea seguido con cuidado en las operaciones matemáticas.25 es una clara indicación de cuánto ha aumentado la corriente por el cambio en 1 volt en Ves' Debido al rápido incremento. Es particularmente interesante y útil que la ecuación de Shockley siga aplicándose para las características del MOSFET de tipo decremental tanto en la región de agotamiento como en la incremental. Como se dijo antes.25.El espaciamiento vertical entre las curvas de Ves O V Y Ves + 1 V de la figura 5.25.

hojas de especificaciones y construcción del encapsulado Los símbolos gráficos para un MOSFET de tipo decremental de canal-n y p se proporcionan ~n la figura 5. La inversión en Ves traerá como resultado una imagen de espejo (con respecto al eje ID) para las características de transferencia como lo muestra la figura 5.ID (mA) ¡D(mA) 9 D 8 7 6 ____-----------~S=-l V ~----------. La línea vertical que representa el canal está conectada entre el drenaje y la fuente y está "soportada" por el substrato.28 MOSFET de tipo decreme. con valores negativos de VDS' ID positiva como se indica (debido a que la dirección definida ahora está invertida) y V GS con las polaridades opuestas como se muestra en la figura 5. Para cada tipo de canal se ofrecen dos símbolos para reflejar el hecho de que en algunos casos el substrato se encuentra disponible en forma externa.28c. En otras palabras. La ecuación de Shockley todavía se aplica. mientras que en otros no 10 está..28b.29. el substrato y la fuente estarán conectados y se utilizarán los símbolos inferiores.::: O V 5 4 G 0--_1. .29 Símbolos gráficos para a) MOSFET de tipo decremental de canal-n. + n ss 3 2 'f~--------------_VGS = +3 V Ves = Vp = +6 y (e) .inúa su crecimiento para valores negativos mayores de V GS.----------------ves __------------------ves =+\ V = +2 V V =+4 V es V =+5 V es -1 O -6 2 3 4 5 6 Vp (b) Ves O S (. Para la mayoría de los análisis que siguen en el capítulo 6.Ves.ntal de canal-p con IDSS := 6 roA Y Vp = +6 v. La falta de una conexión directa (debido al aislamiento de la entrada) entre la compuerta y el canal está representado por un espacio entre la compuerta y las otras tenninales del símbolo.--.) Figura 5. . = Símbolos. Obsérvese cómo los símbolos seleccionados intentan reflejar la construcción real del dispositivo. pero necesita sólo colocar el signo correcto tanto para V GS como para V p en la ecuación. 236 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . canal-n canal-p (a) (b) Figura 5. la corriente de drenaje aumenta desde el corte en VGS Vp en la región positiva de Ves a 1DSS' y después c~mt. y b) MOSFET de tipo decremental de canal-p.

TA -= 150°C) Voltaje de corte compuerta fuente (ID=2.0 kHz) 2N3797 Admilancia de salida (Los = 10 V.0 pAdc - - I Ioss 2N3797 CARACTERÍSTICAS "ENCENDIDO" Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada (Vos'" 10 V'V os ""0) Corriente de drenaje en el estado encendido mAdc 2..Vos=O) (VGs-=~lOV.0 ID(cllCendido) 2. Ves = O.0 V.nidad Vd. t == 1.0 kHz.0.Z) Capacitancia de transferencia inversa (VDS = 10 V.uA.lA) Corriente inversa de la compuerta (1 J (VGs=-lOV."'"OC P.7 MOSFET de tipo decrementaI 237 .. La hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo decremental es similar a la hoja de un JFET.14 mAdc mW mW¡OC .30 tiene tres tenninales identificadas en la misma figura.umhos Capacitancia de entrada (\'os = 10v. OG= 11. Los niveles de Vpe 1DSS se dan junto con una lista de los valores máximos y de las caracterís2N3797 ENCAPSCLADO 22-03. f = 1. T.30 MOSFET de tipo decrementa! de canal-n 2N3797 de Motorola.0 ¡.0 1..Z) 2~3797 1".El dispositivo de la figura 5. -7..0 8.0 1. VOS == 0. alcanzildas. mejores condIcione. f = 1.0 mAdc I I (VDS = 10 V.0 MH.... = 25 uc a meno~ que se especifique lo contrario) Característica Máximo Unidad CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura drenaje-fuente (Vos = -7. VGS => O... 2N3797 60 . Rs = 3 megohms) (1) Es[e valor en I~ corriente incluye tallto Ja COlTiente de fuga del FET como la corriente de fuga a.0 200 Vd.0 MH. Ves = +35 V) 2N3797 9..- I ! I +175 -6S a +200 oC oC Rango de almacenamiento de temperatura dd Lanal CANAL-~-AGOTAM~ I I CARACTERíSTICAS ELÉCTRICAS (T. \los =0.ociada con el contacto de prueba y sus conexiones cuando se mide bajo la.0 14 18 . - 6.9 6. 20 ±JO Vdc /t~~. f = 1.0MH. f = 1.Z) pF C". 20 200 1.1 1500 1500 2300 3000 - jlmhos 27 1Y" 1 C". T.0 0.8 0.. f = 1.Vos= 10V) Voltaje inverso drenaje compuerta (1) (..CARACTERÍSTICAS EN PEQUENA SliNAL Admitancia de transferencia directa (VDS = 10 V. ESTILO 2 TO-18 (TO-206AA) VALORES NOMISALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje·fuente 2N3797 Vahaje comput'rta-fucme Corriente del drenaje Disipación total del dispositivo @ TA = 25 "C Pérdida de disipación arriba de 25 oc Rango de temperatura de la unión V GS Símbolo Vos Valor t.Vos=O. V GS == O.0 kH.) .Z) 2N3797 (VDS = 10 V.ls-=. ID = 5. 5. .pog¡1<!o) -5.5 pF CARACTERISTICAS FUNCIONALES Datos 'del ruido (Vos = 10 V. Figura 5.'0. 2N3797 100O V{BRIOSX 2i'\3797 lGSS Vcc 20 25 - pAdc - V GS(.t~ MOSFET DE AUDIO DE BAJA POTENCIA. Vos dB =0." 2 I 1.

Esta es la diferencia primaria entre la construcción de los MOSFET de tipo decremental y los de tipo incremental: la ausencia de un canal como un componente construido del dispositivo. Además.ticas normales de "encendido" y "apagado". Por tanto. La curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley. las características del MOSFET de tipo incremental son bastante diferentes de cualquier otro que hasta ahora obtuvimos. excepto por la ausencia de un canal entre las terminales del drenaje y la fuente. Una placa de material tipo p se fonna a partir de una base de silicio y una vez más se le Conoce como substrato.5 V. la construcción de Un MOSFET de tipo incremental es bastante similar a la de un MOSFET de tipo decremental. aún está presente para aislar la plataforma metálica de la compuerta de la región entre el drenaje y la fuente. el substrato algunas veces se conecta a la tenninal de la fuente. Entonces. 5. pero se observa en la figura 5. La capa de SiO.8 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL Aunque existen muchas similitudes en la construcción y modo de operación entre los MOSFET de tipo decrementa} y de tipo incremental. ya que l D se puede extender más allá del nivel de 1DSS' normalmente se proporciona otro punto que refleja un valor típico de ID para algún voltaje positivo (para un dispositivo de canal-n). Para la unidad de la figura 5. y la corriente de drenaje ahora está en corte hasta que el voltaje compuerta-fuente alcance Una magnitud específica.30. el control de corriente en un dispositivo de canal-n ahora resulta afectado por un voltaje compuerta-fuente positivo en lugar del rango de voltajes negativos encontrados para los JFET de canal-n y los MOSFET de tipo decremental de canal-no Construcción básica La construcción básica del MOSFET de tipo incremental de canal-n se ofrece en la figura 5.31.31 MOSFET de tipo incremental de canal-no 238 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . l D está especificado como I D(oo". Las terminales de la fuente y drenaje se conectan una vez más por medio de contactos metálicos a regiones dopadas n.31 la ausencia de un canal entre las dos regiones dopadas n.d(do) = 9 mA dc con VDS = 10 V Y VGS = 3. De la misma forma que con el MOSFET de tipo decremental. pero ahora está simplemente separada de una sección de material de tipo p. Región dopada-n Sin canal Contactos metálicos Substrato G SS S Región dopada-n F¡gura 5. mientras que en otros casos hay disponible una cuarta tenninal para el control externo de su nivel de potencial.

se fanna al "incrementar" la conductÍ. este tipo de MOSFET se le llama MOSFET de tipo incremental. En la figura 5. Sin embargo. El potencial positivo en la compuerta presionará los huecos (porque las cargas iguales se repelen) del substrato p a lo largo del filo de la capa de Sial con objeto de dejar esa área y entrar a regiones más profundas del substrato p. Y la tenninaJ SS se conecta directamente a la fuente. los electrones en el substrato p (los portadores minoritarios del material) serán atraídos a la entrada positiva y se acumularán en la región cercana a la superficie de la capa de Si0 2 . y se le da el símbolo de VT (parla sigla en inglés de. Mientras Ves aumente en magnitud. El resultado es una región de agotarrriento cerca de la capa aislante de SiO z sin huecos. Threshold). estableciendo al drenaje y la compuerta a un potencial positivo respecto a la fuente.31.32 tanto VDS como Ves están en algún voltaje positivo mayor de cero volts.vidad mediante la aplicación de un voltaje compuerta-fuente. La capa de Si0 2 y sus cualidades aislantes evita que los portadores negativos sean absorbidos en la teOllinal de la compuerta.Operación básica y características Si Ves se hace O V Y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo de la figura 5. Electrones atraídos por la compuerta positiva (canal·n inducido) Región agotada de portadores de tipo p (huecos) ss + Capa aislante HueCOS repelidos por la entrada positiva Figura 5. la ausencia de un canal-n (con su generoso número de portadores libres) dará por resultado una corriente de cero amperes efectivos. Debido a que el canal no existe con Ves::: O V y.8 MOSFET de tipo incremental 239 .32 Formación del canal en el MOSFET de tipo incremental de canal-no 5. existen de hecho dos uniones p-n con polarización inversa entre las regiones dopadas n y el substrato p para oponer cualquier flujo significativo entre el drenaje y la fuente. como se muestra en la figura. Tanto los MOSFET de tipo decrementa! como incremental tienen regiones de tipo incremental. la concentración de electrones cerca de la superficie de Si0 2 se incrementará hasta que una región inducida de tipo n pueda eventualmente soportar un flujo mesurable entre el drenaje y la fuente. Si VDS es cierto voltaje positivo. Ves es O V. una diferencia grande con el MOSFET y JFET de tipo decremental donde ID = IDss' No es suficiente tener acumulados una gran cantidad de portadores (electrones) en el drenaje y la fuente (debido a las regiones dopadas n) si no existe una trayectoria entre las dos. En las hojas de especificaciones se le conoce como VGS(Th)' aunque VT es más corto y será utilizado en el siguiente análisis. El nivel de Ves que resulta en un incremento significativo de la corriente de drenaje se le llama voltaje de umbral. pero el nombre se aplicó al último debido a que ese es su único modo" de operación.

el voltaje [debido a la ecuación (5. cualquier crecilIÚento posterior en VDS y en el valor fijo de V GS no afectará el nivel de saturación de ID hasta que se encuentren las condiciones de ruptura.33. si se mantiene Ves constante y sólo se aumenta el nivel de VDS' la corriente de drenaje eventualmente alcanzará un nivel de saturación así corno ocurrió al JFET y al MOSFET de tipo decrementa\. la densidad de los portadores libre en el canal inducido se incrementan.12) Por tanto.33 Cambio en la región de agotamiento y el canal con aumento en el nivel de Vos para un valor fijo de VGS - Si V GS se mantiene fijo en un valor tal como 8 Y Y VDS se aumenta de 2 Y a 5 y. la saturación ocurrió en un nivel de VDS ~ 6 Y.33. De hecho.33 por la localización de los niveles de saturación. dando por resultado un nivel mayor de corriente de drenaje.Cuando VGS se incrementa más allá del nivel de umbral. se encuentra que (5. como se muestra en la figura 5. En otras palabras. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a los voltajes de las terminales del MOSFET de la figura 5.111] caerá de -6 Y a -3 Y Y la entrada será cada vez menos positiva respecto al drenaje. La saturación de ID se debe a un proceso de estrechamiento descrito por un canal más angosto al final del drenaje del canal inducido. el nivel de saturación para VDS está relacionado con el nivel de VGS aplicado por V DG (5.otamiento D Substrato tipop Figura 5. es obvio que para un valor fijo de VT' mientras mayor sea el nivel de V cs' mayor será el nivel de saturación para Vos' como se muestra en la figura 5. el canal se reducirá al punto del estrechamiento y se establecerá una condición de saturación como se describió antes para el JFET y el MOSFET de tipo decremental. Eventualmente.11) Estrechamiento (principio) Reg. Las características de drenaje de la figura 5. Sin embargo.ión de ag. causando una reducción en el ancho efectivo del canal. 240 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . Esta reducción en el voltaje de la compuerta al drenaje reducirá a su vez la fuerza de atracción para los portadores libres (electrones) en esta región del canal inducido.34 revelan que para el dispositivo de la figura 5.33 con VGS = 8 y.

.ID (mA) II 10 9 8 7f6 5 4 3 ~__---------------------------. la corriente de drenaje de un MOSFET de tipo incremental es de O mA. Por tanto: Para los valores de V GS menores que el nivel de umbral.34 Características del drenaje de un MOSFET de tipo incremental decanal~n con V ". k = ____~ID~(~'"~C~en~d~id~O~)____ (VGS(encendido) Sustituyendo 1D(encendido) de la figura 5.278 X 1()-3 AN2 y una ecuación general para ID para las características de la figura 5. por el hecho de que la corriente de drenaje ha caído a O mA. 6V 10 V 15 V ~ov 25V~ Figura 5.34 da =: (5.13) Una vez más. a su vez.13)] donde ID(encendido) y Ves(f':nccn(itr:U) son los valores de cada uno en un punto en particular sobre las características del dispositivo. Para los niveles de VGs > Vr la corriente de drenaje está relacionada al voltaje compuertafuente aplicado mediante la siguiente relación no lineal: (5.33. = 0. La figura 5.278 x 10-3 AjV2. es bastante notorio que el espaciamiento entre los niveles de VGS aumentaron cuando subió la magnitud de Vcs' dando por resultado aumentos siempre crecientes en la corriente del drenaje.8 MOSFET de tipo incremental 241 .Vos=+6V j. es el término cuadrático que resulta de la relación no lineal (curva) entre ID y VGs ' El término k es una constante que. El valor de k se puede calcular a partir de la siguiente ecuación [derivada de la ecuación (5. es una función de la fabricación del dispositivo. ___________________________ VGS:: +5 V 2 o 5 V. el nivel de saturación resultante para ID también aumenta desde un nivel de O mA a 10 mA.14) - VT)2 10 mA donde VGS(encendido) =8 V a partir de las características k = ----=--= (8 Y . T Como se indicó para las características de la figura 5. el nivel de V T es de 2 Y.34 indica que cuando el nivel de VGS se incrementa de VT a 8 Y. 2 Vyk" 0.2 Y)' (6 Y)2 lOmA 10 mA 10 mA 36 y.34 da por resultado: 5. Además.

Luego.35 Trazo de las caracterfsticas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-n a partir de las características de drenaje._.36a.13).278 10.B mA como se verifica en la figura 5. procede igual que en el ejemplo que antes presentamos para el JFET y el MOFET de tipo decrementa\.3 (4) = 1. limitando de tal modo la región de operación a niveles de VDS mayores que los niveles de saturación como se definió en la ecuación (5. Ahora._--_._- 3 2 Ves =+4V -------- Ves = +3 V 15 o 2 VT 3 4 5 6 7 8 VG. sólo se utilizan los niveles de saturación. Figura 5.13) para detenninar el nivel resultante de ID de la siguiente manera: 4 V)2 = 0.\.5mA 4 V)' = 0.3(2)2 = 0. Para el análisis en de del MOSFET de tipo incremental que aparece en el capítulo 6. La curva de transferencia de la figura 5. En la figura 5.34. se elige un nivel de VGS mayor que VT' tal como 5 V.2 V)' = 0. se encuentra que X ID = 0.5 X 10-3(1)2 242 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .12). las características de transferencia otra vez serán las que se utilizarán en la solución gráfica. en este caso se debe recordar que la corriente de drenaje es de O mA para Ves ~ VT" En este momento una corriente que se puede medir será el resultado para ID Y crecerá como se definió en la ecuación (5.Sustituyendo VGS = 4 V. el dispositivo de canal-n (inducido) está totalmente en la región de VGS positiva y no aumenta hasta que Ves = VT' Surge entonces la pregunta sobre cómo graficar las características de transferencia dados los niveles de k y de Vp así como se incluye abajo para un MOSFET en particular: Primero se dibuja una línea horízontal en ID = O mA desde V GS = O mA a V GS = 4 V como se muestra en la figura 5. En Ves == VTel término al cuadrado es O e ID == O mA.35 es bastante diferente de aquellas otras obtenidas.278 x 10.5 x 10-3(5 V = O. En esencia. Y se sustituye en la ecuación (5. Obsérvese que al definir los puntos de la característica de transferencia a partir de las características de drenaje. 1[)(mA) ID (mA) '10 9 10 9 8 7 8 --------7 6 6 5 4 3 2 5 4 • 5 10 \les=+7V ---. Sin embargo.35 el drenaje y las características de drenaje y de transferencia se han colocado lado a lado para describir el proceso de transferencia tanto de una como de la otra. o 20 25\ v es =VT =2V vC.278 x 10-3 (4 V .

36b. pero están invertidas todas las polarizaciones del voltaje y las direcciones de corriente. con niveles de corriente crecientes que resultan del incremento negativo de los valores de VGs .37a. 7 V Y 8 Vel nivel de ID es 2 mA. como se muestra en la figura 5.36 Gráfica de las características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-n con k = 0.36 c. para Ves 6 V.11) a la (5. Las características del drenaje aparecerán igual que en la figura 537c. Esto es. O 2 3 4 5 (b) 6 7 8 Ves V.8 7 6 5 4 8 7 6 5 4 3 3 2 2 O 2 3 4 \/T (a) 5 6 7 8 Ve.31. pero con ID creciendo con los valores cada vez más negativos de V GS después de Vp como se muestra en la figura 5.8 MOSFET de tipo incremental 243 . como se = muestra en el diagrama resultante de la figura 5. 5 (e) 6 7 8 Ves I-igura 5. Las características de transferencia serán una imagen de espejo (respecto al eje ID) de la curva de transferencia de la figura 5. l{)=(mAl 8 7 6 3 4 " 2 O 2 3 4 V. Pueden aplicarse igual que las ecuaciones (5. ahora existe un substrato de tipo n y regiones dopadas-p bajo las conexiones del drenaje y de la fuente. 5.37b. Por último se eligen niveles adicionales de V GS y se obtienen los niveles resultantes de ID' En particular. Las terminales permanecen tal como se indicaron.5 mA y 8 mA respectivamente.14) a los dispositivos de canal-p. como se muestra en la figura 5 . 4. y se obtiene un punto en el plano.5 X 10-3 AjV2 Y VT = 4 V.35. MOSFET de tipo incremental de canal-p La constnlcción de un MOSFET de tipo incremental de canal-p es exacto al inverso que aparece en la figura 5.

canal-n canal-p G~1 JD ss G~9s JD s (. De hecho. los cuales incluyen ahora una corriente de drenaje máxima de 30 mA de. La hoja de especificaciones ofrece el nivel de 1DSS bajo condiciones de "apagado". Símbolos... el cual es ahora de sólo 10 nA dc (cuando VDS = 10 V Y VGS = OV) comparado con el rango de miliamperes para el JFETy el MOSFET de tipo 244 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . y b) MOSFET de tipo incremental de canal-p.) G~1 JD G~9s (b) JD s s Figura 5. hojas de especificaciones y construcción del encapsulado En la figura 5. Se eligió la línea punteada entre el drenaje y la fuente para reflejar el hecho de que no existe un canal entre los dos bajo condiciones de no polarización. En la figura 5..Ves = -5 V n -o SS 3 3 2 2 -5 -4 + D (a) -3 -2 -1 VT (b) O Vas O (e) Figura 5...37 MOSFET de tipo incremental de canal-p con VT : 2 Vy k = 0.5 x 10--3 AjV2...lD= (mA) I{)=(mA) D 8 7 8 7 6 5 4 6 5 4 ___. Una vez más podemos ver la manera en que los símbolos intentan reflejar la construcción real del dispositivo.39 se proporciona la hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo incremental de canal-n de Motorola_ Se proporcionan la construcción del encapsulado y la identificación de las tenninales junto a los valores nominales máximos.38 se proporcionan los símbolos gráficos para los MOSFET de tipo increl _..38 Símbolos para a) MOSFET de tipo incremental de canal-n. esta es la única diferencia entre los símbolos para los MOSFET de tipo decremental y de tipo incremental..tal para el canal-n y p.

8 MOSFET de tipo incremental 245 .. f = 140 kHz) k' C 1000 . f == 1. VGS =0.0 '" pF pF pF ohm~ C.f". El voltaje de umbral está especificado ~omo V GS{Th) y tiene un rango de 1 a 5 V de.f= 140kHz) Capacitancia drenaje-substrato (V DISl. VDS = 10 Vdc. ESTILO 2 TO-72 (TO-206A¡:.0 1.. 1.uA) Voltaje en encendido drenaje-compuerta (ID = 2. = 25°C T".9 se revisan los requerimientos de manejo de los MOSFET. = 5.OkHz) fd.V DS =0) CARACTERISTICAS "ENCENDIDO" Voltaje de umbral de la compuerta (Vos = 10 V. cuando Ves = 10 V.d. dependiendo de la unidad que se utlice.'1 .\ = 25 OC Pérdida de disipación arriba de 25 'C Rango dc temperatura de la unión Rango de temperatura de almacenamiento 30 30 30 Vd. (Ver figura 9: veces que se detenninó el circuito) 100 "' Figura 5.2N4351 VALORES ~OMINALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje-fu~nte EI\CAPSULADO 20-03.0 kHz) Capacitancia de entrada (Vos = 10 V.V DS = 10 V) " CARACTERISTICAS EN PEQUENA SENAL - 10 10 :t 10 nAdc IlAdc pAdc less - VeS(Thl V OS(cnccnd. En otras palabras.0 300 Resistencia drenaje-fuente (V GS '" 10V'!o=0. f= 140 kHz) Capacitancia de transferencia inversa (VDs=O. En lugar de proporcionar un rango de k en la ecuación (5. - Admitancia de transferencia directa (Vos = 10 V..39 MOSFET de tipo incremental de canal-n 2N4351 de Motorola.13). mAdc . ID = 1O.') Símbolo Vos V DG V(. 1. VGS = IOV) Corriente de drenaje en encendido (V Gs = lOV.3 5. (V Gs = lOVdc) " I 1.0 mAdc. Cdl.0 mA.INCREMENTAL T'l~ CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T A = 25 oC a menos que se especifique lo contrario) Característica CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura drenaje-fuente (ID = 10 IlA.0 ID(clICcnd.J".BI = 10 V.. se especifica un nivel normal de 1D(encendido) (3 mA en este caso) en un nivel de VGS1"OOndidO) en particular (lO V para el nivel especificado de lo).7 175 -65a+175 T.VGs=O.m\\' mW/oC oC oC 300 1. ID 3 mA. 1D(encendido)' y VeS(enccndido) permiten determinar k a partir de la ecuación (5.umho 5. Los niveles que se dieron de VGS(Th). 1. Ves == Ol Símbolo I Mínimo 25 :\11íximo Unidad I V¡BRlDSX loss I - Vdc Corriente de drenaje con voltaje de cero en la compuerta (VDS = ro v.0 5 Vdc V mAd. VGS == O) T . CONMUTACIÓN DEL MOSFET CANAL·N.= 150°C Corriente inversa de la compuerta (V Gs =± 15Vdc. ID PD Valor 25 t:nidad Vdc Voltaje drenaje-compuerta Voltaje compuerta-fuentc' Corriente del drenaje Disipación total del dispositivo @ T. ns ns t d:.ubl 1.ccn«nd¡do' CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN Retardo de encendido (figura 5) Tiempo de subida (figura 6) Retardo de apagado (figura 7) Tiempo de bajada (figura 8) 1" - 45 6S 60 I n = 2.0 mA.14) y escribir la ecuación general para las características de transferencia. 3.l o = 2. decremental. En la sección 5. Vd.

4. 10 Y.39 un voltaje promedio de umbral de VGS(Th) = 3 V: a) El valor de k que resulte para el MOSFET.3 Y)' Para Ves = 5 Y.14): k = ______I~D~(.. pero por esta capa extremadamente delgada se deben tener precauciones para su manejo. 5.40 están trazadas las características de transferencia. ¡D(mA) 8 7 6 5 4 3 2 o 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 J4 15 Ves Figura 5. b) Las características de transferencia.9 MANEJO DEL MOSFET La delgada capa de SiO. Solución a) La ecuación (5.Vr )2 AJV2 = 0.3 Y)' = 0.4 Determine a partir de los datos proporcionados en la hoja de especificaciones de la figura 5.~"~. que se encuentra situada entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el efecto positivo de ofrecer una característica de alta impedancia de entrada para el dispositivo. de tal forma que puede romper la capa y establecer la 246 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .061 X 10-3(Ves . A menudo existe suficiente acumulación de carga estática (la cual se capta de los alrededores) que establece una diferencia de potencial a través de la delgada capa.38 mA.94 mA y 7.061 x 10-3(4) = 0. En la figura 5.061 x 10-3(5 Y .061 X 10-3(2)2 = 0.244 mA Para Ves = 8 Y.061 x 10-3 b) La ecuación (5. respectivamente. ID = 0.525 mA. 3 mA (como se definió).ID será de 1.40 Solución al ejemplo 5..3 Y)' = ..EJEMPLO 5. 12 Y Y 14 Y.AN2 (7 y)2 49 3X 1{}" = 0. 4.13): lo = k(Ves .~"d~id~O~)______ (VGS(encendido) - 3mA = -----= (JO Y . que no eran necesarias en los transistores BJT o JFET.

Si ambos diodos Zener son de 30 V Y aparece un transitorio positivo de 40 V. menos de 1 W) comparado con los transistores BJT. ___ Figura 5. G -1 1 1 1 1 1 1 J S L.41. el Zener inferior se "disparará"" a 30 V Y el D --- superior se encenderá con una caída de cero volts (de fonna ideal. la capa de Si0 2 entre la compuerta y la región de tipo p que se encuentra entre el drenaje y la fuente con el objeto de crear el canal-n inducido (operación en Terminales de la fuente conectadas de forma externa Longitud efectiva del canal n+(substrato) n+ Canal más ancho D + Figura 5. Un método para asegurar que no se exceda este voltaje (debido quizá a efectos transitorios) para cualquier polarización es mediante la introducción de dos diodos Zener. 5. para la región de "encendido" positiva de un diodo semiconductor) a través del otro diodo. Se puede superar esta carencia de un disposítivo con tantas características positivas mediante un cambio en la forma de construirlo de una naturaleza planar como la que se muestra en la figura 5. Todos los elementos del MOSFET planar están presentes en el FET vertical de metal-óxido-silicio (VMOS) (por las ini- ciales en inglés de Vertical Metal~Oxide-Silicon).. todavía es mejor manejar con cautela los dispositivos MOSFET discretos. El resultado es un voltaje máximo de 30 V de la compuerta a la fuente. por tanto. como se muestra en la figura 5. pero aun así es lo suficientemente alta para la mayoría de las aplicaciones. Los diodos Zener están situados uno junto al otro para asegurar protección para cualquier polarización.10 VMOS Una de las desventajas del MOSFET típico consiste en los reducidos niveles de manejo de potencia (por lo general. A menudo existen ciertos transitorios (cambios bruscos en el voltaje o la corriente) en una red cuando los elementos son retirados o insertados cuando se encuentra encendido. U na desventaja que se presenta con la protección Zener consiste en que la resistencia de "apagado" de un diodo Zener es menor que la impedancia de entrada'que se estableció por medio de la capa de Si0 2 . Construcción 5. siempre se debe mantener apagado el sistema cuando se haga cualquier cambio en la red. y siempre levantar el transistor por el encapsulado. El resultado es una reducción de la resistencia de entrada. Con el anillo la diferencia de potencial se mantiene en O V entre dos terminales cualquiera.41 MOSFET protegido por un Zener. Normalmente se proporciona el voltaje compuerta-fuente máximo en la lista de valores nominales máximos del dispositivo. a una con una estructura vertical como la que se señala en la figura 5.42 deunVMOS. la conexión de la superficie metálica a las terminales del dispositivo. Los niveles de transitorios con frecuencia pueden ser mayores de los que puede soportar el dispositivo. El anillo para corto circuito evita la posibilidad de aplicar un potencial a través de dos terminales cualquiera de) dispositivo.42.10 VMOS 247 . Sin embargo.conducción a través de ella. siempre se debe hacer tierra para permitir la descarga de la estática acumulada antes de manejar el dispositivo. es muy importante que se deje el papel de embarque (o anillo) de corto circuito (o conducción) porque interconecta las terminales hasta que el dispositivo se va a insertar en el sistema.23.. La mayor parte de los dispositivos discretos tienen en la actualidad la protección Zener de tal fonna que los cuidados anteriores no resultan tan problemáticos. Por tanto. Por lo menos.

las rápidas velocidades de conmutación. 248 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . en vez de la dirección horizontal para el dispositivo planar. Por tanto. y los bajos niveles de potencia de operación de la configuración CMOS dan por resultado una disciplina totalmente nueva que se le llama diseño lógico CMOS. La configuración que se conoce como un arreglo complementario de MOSFET. Además. como 10 muestra la figura 5. que puede ser mucho menor que el de un canal de construcción plano. Los coeficientes negativos de temperatura dan por resultado menores niveles de resistencia con Un incremento en la temperatura que aumenta los niveles de corriente y genera mayor inestabilidad de temperatura y avalancha ténnica. respectivamente. De hecho. la longitud del canal está limitada de 1 a 2 micrómetros (pm) (1 pm = 10-6 m). Se observa a la izquierda el canal-p inducido y a la derecha el canal-n inducido.42.42 también tiene la apariencia de un corte en V en la base del semiconductor. el canal de la figura 5. de corriente y de potencia.42. Sin embargo. El término vertical se debe básicamente al hecho de que el canal se encuentra ahora formado en la dirección vertical. los FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores nominales. Se pueden controlar las capas de difusión (de la misma forma que la región p de la figura 5. El resultado neto es un dispositivo con corrientes de drenaje que pueden alcanzar niveles de amperes con niveles de potencia que exceden los 10 W. y se abrevia CMOS. para los dispositivos de canal-p y de canal-n. causando con esto una reducción de la corriente de drenaje en vez de un incremento. Además. Los niveles de resistencia se incrementarán si la temperatura del dispositivo aumenta debido al medio que lo rodea o a sus corrientes.modo incremental). dará por resultado el canal-n inducido en la región angosta de tipo p del dispositivo. tiene extensas aplicaciones en el diseño de lógica de computación. que se destaca como característica para la memorización mental del nombre del dispositivo. se define la longitud del canal mediante la altura vertical de la región p.11 CMOS Puede establecerse un circuito lógico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de canal-n sobre el mismo substrato. el área de contacto entre la región n+ se incrementa mucho debido a la construcción vertical. como sucede con un dispositivo convencional. Dado que las longitudes decrecientes de canal dan como resultado niveles reducidos de resistencia.43. La construcción de la figura 5. Otra característica positiva de la configuración VMOS es: Los niveles reducidos de almacenamiento de carga dan por resultado tiempos de conmutación más rápidos en la construcción VMOS comparados con los tiempos de la construcción planar convencional. Sobre un plano horizontal. La impedancia de entrada relativamente alta. .42 es muy simple en naturaleza al eliminar algunos de los niveles de transición de dopado. como se muestra en la figura 5. el nivel de disipación de potencia del dispositivo (potencia disipada en fonna de calor) se reducirá en los niveles de operación de corriente. 10 que contribuye a una reducción mayor en el nivel de resistencia y a una área mayor para corriente entre las capas dopadas. los dispositivos VMOS tienen tiempos de conmutación menores de la mitad de los tiempos que se encuentran en el transistor BJT normal. 5. Por lo general: Comparados con los MOSFET planares disponibles en el mercado. una característica importante de la construcción vertical es: Los FET VMOS tienen un coeficiente positivo de temperatura que atacará la posibilUlad de avalancha térmica. También existen dos trayectorias de conducción entre el drenaje y la fuente para contribuir a un mayor valor de corriente.42) en pequeñas fracciones de un micrómetro. pero a su vez permite una descripción de las facetas más importantes de su operación. La aplicación de un voltaje positivo sobre el drenaje y de un voltaje negativo sobre la fuente con la compuerta en O V o en algún nivel positivo de "encendido" típico .como el que se muestra en la figura 5.

_t ~ V . O V Y Q. la potencia que disipa el dispositivo en cada caso es muy bajo. Una aplicación simple de la regla del divisor de voltaje indicará que V u se encuentra muy cerca de O V o en el estado O.44 Inversor CMOS.. En el capítulo 17 se presentan más comentarios sobre la aplicación de lógica eMOS.44. = O V. dando por resultado una resistencia muy baja entre el drenaje y la fuente.45 Niveles relativos de resistencia para VI'" 5 V (estado 1). como se muestra en la figura 5.. Para los niveles lógicos definidos arriba. Figura 5. _-v . estará apagado con Vss .) está conectada directamente al voltaje aplicado Vss ' mientras que la fuente del MOSFET de canal-n (Q. Figura 5. de cana!-n .43 CMOS con las conexiones indicadas en la figura 5.. encendiendo el MOSFET de canal-p.. la aplicación de 5 V en la entrada deben dar por resultado una salida aproximada de O V. El resultado consiste en que Q. Ves. Con 5 Ven Vi (respecto a la tierra). Ya que Vi y Vss están en 5 Y. un nivel de entrada de O V dará por resultado un nivel de 5 V Y viceversa.45. De l~ misma mai. S. estableciendo el proceso de inversión deseado. "encendido" '----v MOSFET de canal-p Substrato de típo n '-. \.l! CMOS 249 .1era que se presentó para los transistores de conmutación. El nivel de resistencia resultante entre el drenaje y la fuente es muy alto para Q2' como se muestra en la figura 5 AS. Se absenta en la figura 5..s=5V MOSFET de canal-p + Q.v. encendido" p MOSFET de canal-n Figura 5. está "encendido". Para un voltaje aplicado Vi de O V (estado O).. presentará un 'pequeño nivel de resistencia y Q¡ una gran resistencia y Vo == Vss = 5 V (el estado 1). = = V GS .44. Esto es. un inversor es un arreglo complementario de uso muy efectivo. oVu=OV (estado O) Q} apagado R]VSS + 5V (estado 1) V" = . Debido a que la corriente de drenaje que fluye en cada caso está limitada por el transistor "apagado" en el valor de fuga.== O V (estado O) R] + R~ L-~"""1 + Ves. = Vi Y Q. - I Q] encendido MOSFET Q. Como muestra la figura 5. si los niveles lógicos de operación son O V (estado O) y 5 V (estado 1).) está conectada a tierra. v. Ves.44 que ambas entradas están conectadas a la señal de entrada y los dos drenajes a la salida VO ' La fuente del MOSFET de canal-p (Q. -5 V. un inversor es un elemento lógico que "invierte" la señal aplicada. V GS. lo cual es menor que el VT necesario para el dispositivo y da por resultado un estado "apagado".

0.ncendido) .12 TABLA RESUMEN La tabla 5. y después establezca una base de comparación para cada dispositivo. I I I --2 loss 4 'oss vp R¡> 100 Mil C._--}: -------I I R.2 Transistores de efecto de campo Tipo JFET (canal-n) ID 1DSS -SímboloRelaciones básicas I Curoa de transferencia Resistencia y capacitancia de entrada IG=OA. Tome un momento para asegurar que se reconoce cada curva y que está clara su derivación. (1 .10) pF O Ves Ves Ic=OA.: (1 .VGS(Th? 250 Capitulo 5 Transistores de efecto de campo . de los niveles de los parámetros importantes deR i y ei · TABLA 5. Entender bien todas las curvas y parámetros de la tabla ofrecerá una formación suficiente para los análisis en de y ac que siguen en los capítulos 6 y 8.3 T Ves lo=OA.do) : O V GS(Th) V GSlcnccndldo) Ves (VGS(.2 se desarrolló para presentar de manera clara las diferencias entre un dispositivo y otro debido a que las curvas de transferencia y algunas características importantes varían de un tipo de FET a otro..Q C. > 10 1O .ID=ls ~: ( MOSFET tipo decremental (canal-n) I Dss .10) pF -f-- : vp O V 2 lo=IDSS 1-~ eJ vp V.ID =ls rD ~~: ( MOSFET tipo incremental (canal·n) ) f DSS I DSS Vp ID=IDSsl-Vp eJ V ' V./D=Is G u k= 9 S JDVT I VGS(=ndido) D(~~"dido) (n? .: (1 .5. / ID .Ves / D(cncend.10) pF I ID = k(Ves . I I I I I I I Ri> lOlOQ C..

Por último. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Para la versión de PSpice para Windows. El nombre consiste de la literal J.15) Por ejemplo.5 X 10-3 AN'.5. Se utiliza el mismo procedimiento para colocar un JFET sobre la pantalla esquemática que el descrito para los transistores en los capítulos 3 y 4. se generarán los valores ')ue aparecen en la instrucción anterior del modelo. Ambas instrucciones aparecerán en un análisis de PSpice que se desarrollará en el capítulo 6 en una configuración de divisor de voltaje. Continúan las similitudes para una amplia variedad de dispositivos.slb en el listado de Partes (Get New Part). Esto es. para estos propósitos será suficiente especificar VTO y BETA.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA El análisis por computadora de un amplificador a FET en el modo dc utilizando BASIC necesita que se utilice la ecuación característica para el dispositivo que se utilizará.13 Análisis por computadora 251 . Sin embargo. NJF especifica que se trata de un JFET de canal-n. VTO =-4 Vy BETA =IDss/1 Vp l' = 8 mAl (4V)' =8 mAl 16 V' = 0. el BASIC se utiliza para investigar una de las configuraciones del amplificador JFET más comunes. PSpice (versión DOS) Para PSpice se debe utilizar un formato específico para introducir los parámetros JFET de manera adecuada. VTO es el voltaje de umbral que se especifica normalmente como Vp. los JFET están listados en la biblioteca eval.3) especificaciones de parámetros nombre del modelo El . El formato para un dispositivo de canal-p o n es el siguiente: JI 3 D G 4 JN nombre del modelo nombre S El formato es muy similar al que se usa para el transistor BJT. el análisis procederá de la misma forma que el sistema manual. 5.MODEL requerido es seguido por el nombre del modelo como se listó en la instrucción anterior. lo cual permite un ajuste relativamente fácil al análisis de las redes que contienen una gran variedad de elementos. modelo: . se debe introducir el nombre del modelo con objeto de proporcionar una ubicación que definirá los parámetros del JFET. junto con las ecuaciones de la red con el objeto de obtener una solución matemática. que es un designador para JFET. Como se mencionó para la configuración a BJT. En el capítulo 6. Se debe empezar a reconocer la similitud de las instrucciones utilizadas para tener acceso a los parámetros a la red. si Vp = -4 V e 1DSS = 8 mA.MODEL JN ·NJF(VTO =-4V.BETA no es la f3 definida para los transistores BJT sino la que se determina en la siguiente ecuación: (5.SE . junto con el número l. mientras que PJF explicaría un JFET de canal-p. Se puede especificar una selección de hasta 14 parámetros. BETA = . En el capítulo 6 se explicará la especificación de VTO y de BETA para el JFET seleccionado. El siguiente es el formato para la descripción del. Los nodos a los cuales se conectan las terminales están listados en el orden en que aparecen en el ejemplo anterior.

10).46 para establecer los valores de 'DSS y Vp . 5. dibuje las características de transferencia utilizando la ecuación de Shockley. 3 mA. Determine VDS para Ves = -1 Ve ID::.46: a) Trace las características de transferencia directamente a partir de las características de drenaje.8 V.PROBLEMAS § 5. b) Utilizando la figura 5.: -1 V utilizando la ecuación (5.3 Características de transferencia 9. 2. c) Haga otra vez el inciso a entre VGS = -2 V Y-3 V.10. 8. calcule la resistencia del JFET para la región ID::. ¿Cómo reacciona le ante los niveles crecientes de lB contra los cambios en ID respecto a jos aumentos negativos en los valores de V GS? ¿Cómo se comparan los espaciamientos entre los pasos de lB con los espaciamientos entre los pasos de VGS? Compare Ve . Calcule VDS para Ves = O V e ID::. Con los resultados del inciso e. calcule la resistencia del JFET para la región JD = O mA a 1. 3. para un transistor JFET. c) Compare las características de los incisos a y b. Dados 1DSS = 12 roA YIVpi = 6 V. y compare los resultados con el inciso f.2 Construcción y características de los JFET 1.SY. O rnA a 3 mApara Ves =-l V. § 5. con Vp al definir la región no lineal en los niveles bajos del voltaje de salida. Dadas las características de la figura 5. 6. Usando los resultados del inciso e. ¿aparenta la ecuación (5. b) VGs=-IV. Con los resultados del inciso a. a) Describa con sus propias palabras por qué. ¿Cuáles son las diferencias principales entre las características del colect. Con 'las características de la figura 5. a) b) e) d) e) D g) h) i) VGs =-6Y.10: a) Precise la diferencia de comente de drenaje (para VDS> V p ) entre V GS = O V Y V GS = -1 V.)r de un transistor BJT y las de drenaje de un transistor JFET? Compare las unidades de cada eje y la variable de control.: -2 Velo = 1. e) VGs =-I. b) Repita el inciso a entre V GS = -1 V Y-2 V. trace una distribución probable de las curvas características para el JFET (similar a la figura 5. b) ¿Por qué es tan alta la impedancia de entrada a un JFET? c) ¿Por qué es adecuado el ténnino efecto de campo para este importante dispositivo de tres tenninales? 7. l G es efectivamente igual a cero amperes.5 mApara VGs =-2 y. d) Repita el inciso a entre VGS = -3 V Y -4 V. 6 mA utilizando las características de la figura 5.1) ser una aproximación válida? 4. Utilizando las características de la figura 5.1) y compárela con los resultados del inciso d. ¿Existen algunas diferencias importantes? 252 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . En general. d) e) f) V GS VGS =-1. calcule la resistencia del JFET para la región ID = O mA a 6 mApara Ves=Ov. b) Aplique la polarización correcta entre el drenaje y la fuente y dibuje la región de agotamiento para VGs=OV. Repita el inciso g para V GS= -2 V utilizando la misma ecuación.5 mA. Después de definir el resultado del inciso b como T o ' precise la resistencia para VGS . comente acerca de la polarización de los varios voltajes y la dirección de las corrientes para un JFET de canal-n contra un JFET de canal-p. = -4 V. a) Dibuje la construcción básica de un JFET de canal-p. e) ¿Existe un cambio marcado en la diferencia en los niveles de corriente cuando VGS se aumenta en fonna negativa? f) ¿Es lineal o no lineal la relación entre el cambio en VGS Yel cambio que resulta en ID? Explique. Basándose en los resultados de los incisos g y h.10.a. determine ID para los siguientes niveles de Ves (con VDS> V p ). a) VGs=OV.. Detennine VDS para V GS::.

14.46 si Vos max . Precise e1 va10r de 1D a partir de la curva. sólo sustituya en la ecuación de Shockley y resuelva para Vp.21.5 mA.5 mA y V p = 4 V. b) Determine Ves cuando ID = 3 mA y 5. Dado un punto Q en IDQ = 3 mA Y Ves = -3 V. dibuje las características de transferencia utilizando los datos de los puntos de la tabla 5 . Defina la región de operación del JFET de la figura 5. Señale después el área resultante entre las dos curvas.detennine ID cuando: a) VGs=OV b) VGs =-2V el VGs =-3.7 V Y VDS = 10 V. a) Dados 1DSS = 12 mA y V p = -4 V. 17.ID (mA) VGS=üV IÜ 9 8' 1/ 1 -IV 7 6 5 4 1/ I I 2V f-- 3 2 . Dados loss = 16 mA y V p =-5 V. Dados I DSS = 6 mAy Vp = -4. 13. determine loss si V p = -6 V.21 utilizando loss e ID en algún valor de VGS' Esto es. Defina la región de operación del JFET 2N5457 de la figura 5.i. Un JFET de canal-p tiene parámetros del dispositivo de loss = 7. I _1 -3V . 17. cuando VGS -= -3 V Y compárelo con el valor determinado al utilizar la ecuación de Shockley.6 V.. 15. dibuje la curva de transferencia definida por elloss y Vp máximos y la curva de transferencia definida por ellDSS y V p mínimos. Al referirse a la figura 5. 4V I SV 5 10 .6 v VDS (V) O 15 20 25 Figura 5.1.46 Problemas 9. Repita lo anterior para Ves:.:: 25 V YP Om. § 5.Esto es. b) trace las características de drenaje para el dispositivo del inciso Q. d) VGs=-S V 12. ¿se encuentran los valores de estrechamiento definidos por la región VDS < IVpl =3V? 20. Dados Ioss=9 mAy Vp =-3. Trace las características de transferencia.5V.18 utilizando el rango proporcionado de I DSS y Vp. Determine V p para las características de la figura 5.5 Instrumentación 18. 19.5 V: a) Calcule ID cuando Ves =-2 Vy -3. = 120 mW. § 5. dibuje las características de transferencia para el transistor JFET. Problemas 253 .::: -1 V.4 Hojas de especificaciones (JFE1) 16. Con el uso de las características de la figura 5. 11. determine ID cuando Ves = --0.5 V.21.Compare el resultado con el valor supuesto de -3 V de las características. 10.

5 mApara un MOSFET de tipo decremental. 33. Si la corriente de drenaje para el MOSFET 2N3797 de la figura 5. b) Repita el inciso a para Ves = -0.21. Compare la diferencia con los niveles de corriente entre -1 y OV con la diferencia entre 1 y 2 V. Para el MOSFET de tipo incremental de canal-n.21. § 5. detennine 1DSS si Vp = -5 V. a) Dado V GS(Th) = 4 Ve lD(encendido) == 4 mA cuando Ves(encendidO) = 6 V. Ves> V r ) e indique el canal. Utilizando un valor promedio de 2. Trace las características de transferencia y de drenaje de un MOSFET de tipo decremental de canal-n con I Dss = 12 mAy V p = -8 V para un rango de Ves = -Vp a l/es::: 1 V. determine V r 37. determine k y escriba la b) e) 35. a) Dibuje la construcción básica de un MOSFET de tipo decremental de canal-p. la corriente máxima de drenaje es de 30 mA.4 X 10-3 A/V 2 e ID(enCendidO) = 3 mA con Ves{enCendido) = 4 V. a) Calcule la resistencia asociada con el JFET de la figura 5. e) Con sus propias palabras. prec·ise el nivel de VGS que dará por resultado una corriente máxima de drenaje de 20 mA si V p ~-5 V. determine VT y k Y escriba la ecuación general para lo' 36. Utilizando IDSS = 9 rnAy Vp =-3 V para las características de la figura5. precise la corriente de drenaje en Ves = -1 V. ¿se incrementa la corriente de drenaje en una proporción significativamente mayor que para los valores negativos? ¿Se hace la curva lo más y más vertical al aumentar los valores positivos de Ves? ¿Existe una relación lineal o no lineal entre ID Y Ves? Explíquela. 1 V Y 2 V.8 x 10. 27. 254 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . Dado un MOSFET de tipo decremental con IDSS =6 mA Y Vp =~3 V.21a para V GS = O V desde ID = O rnA hasta 4 mA. c) Al asignar el nombre ru al resultado del inciso a y rd al resultado del inciso b.5 pero k se incrementa el 100% a 0. ¿En qué formas es similar la construcción de un MOSFET de tipo decremental y un JFET? ¿En qué fonnas es diferente? 25. 31.47.06 X 10-3 A/V2 Y VTes el valor máximo. utilice la ecuación (5. determine Vpsi I DSS= 9. eanal-n con VT~ 3.21.7 MOSFET de tipo decremental 23. 28.9 mA para el I DSS del MOSFET 2N3797 de la figura 5. En la región positiva. b) Aplique el voltaje adecuado del drenaje a la fuente y trace el flujo de electrones para Ves = O V.3 AN2. Determine VGS en este nivel de corriente cuando k::: 0. describa brevemente la operación básica de un MOSFET de tipo incremental. la dirección del flujo de electrones y la región de agotamiento que resulte. Dados k == 0.:: 14 mAy Ves = 1 V. Explique con sus propias palabras por qué la aplicación de un voltaje positivo a la entrada de un MOSFET de tipo decremental de canal-n dará por resultado que una corriente de drenaje exceda I DSS' 26.5 Vy k ~ 0.1) para determinar r d y compárelo con el resultado del inciso b.4 X 10-3 AJV'. Dado ID:. Determine ID para el dispositivo del inciso a cuando V GS == 2 V. Dibuje las características de transferencia para el dispositivo del inciso a. ¿cuál es el valor máximo permisible de VDS si se utiliza el valor nominal máximo de potencia? § 5.5 V desde lo = O mA hasta 3 mA. 24.30. Dado ID = 4 mAy Ves = -2 V.8 MOSFET de tipo incremental 32. calcule lo cuando Ves = -1 V usando la ecuación de Shockley y compárela con el nivel que aparece en la figura 5. 29. 5 V Y 10 V. 34. expresión general para ID en el formato de la ecuación (5. a) Trace las características de transferencia y de drenaje de un MOSFET de tipo incremental de b) Repita el inciso a para la característica de transferencia si se mantiene V T en 3.13). 22. Dadas las características de transferencia de la figura 5. OV. 30. a) ¿Cuál es la diferencia principal entre la construcción de un MOSFET de tipo incremental y un b) MOSFET de tipo decremental? Dibuje un MOSFET de tipo incremental de canal-p con la polarización adecuada aplicada (VDS> O V.30 es de 8 mA.

imado de resistencia del dispositivo? Si lo::. 0.3 (Ves -4)2 para Ves desde O a 10 V. calcule dIDI dVesY compare sus magnitudes. y si sus conocimientos en matemáticas abarcan el cálculo diferencial. Trace las características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-p si Vr = -5 V Y k = 0.45 X 10-3 AN2 40.5 X 10-3 (\12 es) elD = 0.¡D(mA) 25 20 5 . Investigue en su biblioteca escolar la lógica eMOS y describa el rango de operaciones y de ventajas básicas de esta tecnología.n CMOS * 42. 39. Dibuje la curva de ID = 0.44 (con Vi::. ¿cuál es la resistencia aproximada del dispositivo? ¿Sugieren los niveles de resistencia que sucederá el nivel deseado de voltaje de salida? 43. 5 10 38.5 x 10. ¿cuál es el nivel aprox.47 Problema 35.1 O 5 o Figura 5.5 pA para el transistor "apagado". b) ¿Por qué los FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia del canal? c) ¿Por qué se desea un coeficiente positivo de temperatura? § 5.44 con Vi::.10 VMOS 41. a) Describa con sus propias palabras por qué el FET VMOS resiste unos valores mayores de corriente y potencia que la técnica estándar de constrUcción. Problemas 255 . ¿Tiene un impacto significativo VT = 4 V sobre el nivel de ID en esta región? § 5. "'Los asteriscos indican problemas más difíciles. OV. O V) tiene una corriente de drenaje de 4 mA con VDS::.1 V. a) Describa con sus propias palabras la operación de la red de la figura 5. ¿Aumenta la corriente de un MOSFET de tipo incremental en la misma proporción que un MOSFET de tipo decremental en la región de conducción? Revise con cuidado el fonnato general de las ecuaciones. b) Si el MOSFET "encendido" de la figura 5. 0.

el análisis de este capítulo tendrá una orientación más gráfica en vez de técnicas matemáticas directas. La relación no lineal entre ID Y VGS puede complicar el método matemático del análisis de dc de las configuraciones a FET. Para el transistor de efecto de campo la relación entre las cantidades de entrada y de salida es no lineal. mientras que las relaciones no lineales dan por resultado curvas como las que se obtuvieron para las características de transferencia de un JFET.3) 256 . Sin embargo. Las relaciones lineales resultan en líneas rectas cuando se dibujan en una gráfica de una variable en función de la otra. El duplicar el valor de lB duplicará el nivel de le y así sucesivamente. pero resulta un método más rápido para la mayoría de los amplificadores. Otra diferencia distintiva entre el análisis de los transistores BIT y FET es que la variable de entrada que controla un transistor BJT es el nivel de la corriente.1) e (6. le = f3'B e le ::= lEo La relación entre las variables de entrada y de salida la proporciona /3. Las relaciones generales que pueden aplicarse al análisis en dc de todos los amplificadores a FET son (6. debido al término cuadrático en la ecuación de Shockley.2) La ecuación de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada y de salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental: (6. Una solución gráfica limita las soluciones a una precisión de décimas. mientras que para el FET la variable de control es un voltaje. la cual asumió una magnitud fija para el análisis que se llevó a cabo.1 INTRODUCCIÓN En el capítulo 5 se estudió que para una configuración de transistor de silicio se pueden obtener los niveles de polarización al utilizar las ecuaciones características VBE = 0.CAPÍTULO Polarización del FET 6.7 V. Debido a que el sistema gráfico es por lo general el más común. en ambos casos la variable de salida controlada es un nivel de corriente que también define los niveles importantes de voltaje del circuito de salida. El hecho de que beta sea una constante establece una relación lineal entre le e lB.

2 CONFlGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA En la fIgura 6. la solución de las redes de BJT y de FET es la solución de ecuaciones simultáneas establecidas por el dispositivo y la red.2 Configuración de polarización fija 257 . o------l C. el método gráfico es el más popular para las redes FET y es el que utilizamos en este libro. El MOSFET de tipo decremental se examinará después con su rango aumentado de puntos de operación seguido por el MOSFET de tipo incremental. La red sólo define el nivel de corriente y el voltaje asociado con el punto de operación por medio de su propio conjunto de ecuaciones. V DD RD D I. siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la región activa. para el análisis en ac (capítulo 9). Ambos métodos están incluidos en esta sección con dos objetivos: para demostrar la diferencia entre ambas filosofías y para establecer el hecho de que puede obtenerse la misma solución utilizando cualquier método. G C. La configuración de la figura 6. como el que aparece en la red de la figura 6. Finalmente.1 Configuración de polarización fija.Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación: (6. figura 6.1 incluye los niveles de ac Vi y Vo y los capacitores de acoplamiento (C 1 y C2 )· Recuerde que los capacitares de acoplamiento son "circuitos abiertos" para el análisis en dc e impedancias bajas (esencialmente cortos circuitos) para el análisis en ac. = leRe = (OA)R e = OV La caída de cero volts a través de Re permite reemplazar VG por un corto circuito equivalente.' Éstas no cambian con cada configuración de red. Las primeras secciones de este capitulo están limitadas a los JFET y al sistema gráfico con objeto de analizarlos. Como se mencionó anteriormente. la cual es una de las pocas configuraciones a FET que pueden resolverse directamente tanto con un método matemático como con uno gráfico.2 en de.4) Es particularmente importante observar que todas las ecuaciones anteriores son ¡ sólo para el dispositivo. 6.o OA y VR .. le . i '=' V ee 1 '=' Figura 6. La solución puede determinarse con el uso de un método matemático o gráfico. El resistor Re está presente para asegurar que Vi aparezca en la entrada del amplificador a FET.1 aparece el arreglo de polarización más simple para el JFET de canal-no Conocido como la configuración de polarización fija. D+ G v. l' + cc -.L + V GS - s - --~ ~.2 redibujado de manera específica para el análisis en de. se investigarán los problemas de diseño para probar los conceptos y procedimientos presentados en el capítulo. Para el análisis en de. Red para el análisis 6. En realidad."-----lf----o v. hecho que se demostrará en las primeras redes a analizar.

.VGG - VGS = O (6....4 se ha sobrepuesto el nivel fijo de V GS como una línea vertical en V GS = En cualquier punto de la línea vertical el nivel de V GS es de -VGG . El punto donde se intersecan ambas curvas Red .El hecho de que la tenninal negativa de la batería esté conectada en fonna directa al potencial positivo definido VGS refleja bien que la polarización de VGS está colocada de manera opuesta y directamente a la de VGG' Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj en la malla indicada en la figura 6. 258 Capítulo 6 Polarización del FET . Para el análisis de este capítulo serán suficientes los tres puntos definidos por 1DSS' VP Yla intersección recién descrita con objeto de graficar la curva.. En la figura 6.. Punto Q -.5) y Debido a que VGG es una fuente fija de de... su magnitud y signo pueden sustituirse con facilidad en la ecuación de Shockley.. Ahora..2 se tiene . lo que da por resultado la notación "configuración de polarización fija"...3 Gráfica de la ecuación de Shockley.....3 se muestra un análisis gráfico que hubiera requerido una gráfica de la ecuación de Shockley. el nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuación de Shockley: Ya que VGS resulta una cantidad fija para esta configuración... (solución) Figura 6..4 Búsqueda de la solución para la configuración de polarización fija. además de calcular el nivel resultante de VD' Este es uno de los pocos casos en que una solución matemática es muy directa para una configuración a FET. el nivel de ID simplemente debe estar detenmnado en esta línea vertical.. el voltaje VGS es de una magnitud fija.. o Figura 6.. Es importante recordar que la elección de VGS = Vp /2 dará por resultado una corriente de drenaje de 1DSS /4 cuando se grafique la ecuación. -VGG' En la figura 6.

4. pero también se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relación que existe' entre la notación de doble subíndice y de un solo subíndice.7) Con una notación de doble subíndice: VDS = VD VDS Vs + Vs = VDS +OY o VD = Y Además.4 que el nivel estable de ID puede determinarse al dibujar una línea horizontal desde el punto Q al eje vertical ID igual que en la figura 6.2.es la solución común para la configuración.a+_ _. (6.5 Medición de los valores del punto de operación estable ID y Ves El voltaje del drenaje a la fuente de la sección de salida puede calcularse si se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera: y (6. Se observa en la figura 6. Ya que la configuración necesit~. Es necesario mencionar que una vez que la red de la figura 6. los niveles de dc de ID Y de Ves que serán medidos por los instrumentos de la figura 6.5 son los valores estables que se definen en la figura 6. o VD Ves = Ve Ve = VDS Vs Ves + O Y (6.4.9) El hecho de que VD = VDS Yque Ve = Ves parece obvio a partir del hecho de que Vs = O Y.8) = VGS + Vs Y Ve = Ves (6. 6.2 Configuración de polarización fija 259 .\e dos fuentes de dc.. y no podrá incluirse en la siguiente lista de configuI:~ciones FET más comunes.~a.-" Voltímetm + - ! ~'" S de prueba negm Figura 6. su empleo está limitado.6) Recuerde que los voltajes de un sOlO subíndice se refieren al voltaje en un punto respecto a la tierra.1 esté construida y operando. La literal Q será aplicada a la corriente de drenaje."r~oj". y se conoce como el punto de operación estable. y el voltaje de la compuerta a la fuente con objeto de identificar sus niveles en el punto Q. Para la configuración de la figura 6. Miliamperímetro ID Q \'CSQ f~ I Punta de prueb.

Es verdad que es difícil leer más allá del segundo decimal sin aumentar lo(mA) [DSS= lOmA 9 8 7 6 .6.~--------------------------------------------EJEMPLO 6.625 mA)(2 kQ) ~ 4.6 Ejemplo 6.11.6mA ------"2 4 3 lDss=2.5625) e) d) e) VDS ~ VDD .(5.7.25 V ~ ~ 10 mA(0.6. a) V GSo ' b) e) d) e) f) ID' Q VDS' VD' Vc.5mA -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 - o Figura 6. FIgura 6.-8 V ~ ~ ~ v)..75V VG ~ VGS ~ -2 V Vs ~ OV f) Método gráfico: La curva de Shoekley resultante y la línea vertical en VGS ~ -2 V se proporcionan en la figura 6.75)' 10 mA(0.7 Solución gráfica para la red de la figura 6.1.".IrJl. Vp 2 =-4V 260 Capítulo 6 Polarización del F'ET .75 V VD ~ VDS ~ 4. ~ 10 mA(l .0.25)' 5. Solución Método matemático: a) Vcs Q ~ -VGG ~ -2V -2 10 mA 1 .D ~ 16 V .1 Calcular lo siguiente para la red de la figura 6. 16V 21& Vs' D G + IMn Ves Ios s = lOmA Vp =-8V S + 2V .625mA 16 V .5 4 ~ ID Q =5.

FIgUra 6.6 mA: Por tanto.8 V VDS = 4. v. El voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo detennina el voltaje a través del resistor Rs' que se conecta en la tenninal de la fuente de la configuración como se muestra en la figura 6.(5.. 6.10) vc.ción de a. s + v.ación.utopo\ari2. Rs o En este caso podemos ver que Ves es una función de la corriente de salida ID' Y no fija en magnitud.3 Configuración de autopolarización 261 .11. La corriente a través de Rs es la corriente de la fuente Is' pero Is = ID Y D e + Para el lazo cerrado que se indicó en la figura 6.9 se tiene que -Ves ..VR . y el resistor Re puede cambiarse por un corto circuito equivalente dado que le = OA. c.6 mA)(2 kQ) = 16 V .3 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN La configuración de autopolarización elimina la necesidad de dos fuentes de dc.8 V Ve = Ves = -2 V Vs OV Los resultados confinnan con claridad el hecho de que los sistemas matemático y gráfico generan sol~cjgl}~S_ muy cercanas. pero a partir de la gráfica de la figura 6. =0 y Ves = -VRs n (6. 6.2 V = 4.8 Configuración de autopolarización para lFET. o----}r--~--o---. Agura 6.9 Análisis en de de la configura.6mA Vo~ = VOIJ VD - IdlD 16 V .8. El resultado es la red de la figura 6.9 para el análisis en dc. Para el análisis en de los capacitares pueden reemplazarse una vez más por "circuitos abiertos".significativamente el tamaño de la figura. b) c) d) e) f) ID = 5.7 es bastante aceptable una solución de 5. para el inciso a. como ocurrió para la configuración de polarización fija.

ya·que da por resultado VGS = -Irfis = (O A)Rs = O V. y penniten tanto una solución matemática como una gráfica.10) se define un punto sobre la línea recta mediante ID = OAy VGS= O V. loss 4 __ / ~~-L~L-~~ _ __ VGS=OV. primero se identifican dos puntos sobre la gráfica que se localizan sobre la línea y simplemente se dibuja una línea recta entre ambos puntos.La ecuación (6. Luego se dibuja la línea recta por medio de la ecuación (6. Ambas ecuaciones relacionan las mismas dos variables.10 2 Definición de un punto sobre la recta de autopolarización. El segundo punto para la ecuación (6. Debido a que la ecuación (6. Puede conseguirse una solución matemática mediante la simple sustitución de la ecuación (6. La condición más obvia de aplicación es ID = O A. esto es.10). tal como aparece en la figura 6.ID=OA(VGs=-lrfis) \lGS Vp Vp O f"lgura 6.10) requiere de la selección de un nivel de VGS o de ID = luego I DSS 2 2 -1 R = _ IDs!?s /Y'S El resultado es un segundo punto con el objeto de dibujar la línea recta como se muestra en la figura 6. Por tanto. y la ecuación de Shockley relaciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo.10) define una línea recta en la misma gráfica. que se selecciona un nivel de ID igual a la mitad del nivel de saturación.:- o Al desarrollar el ténnino cuadrático que se indica y al reorganizar los términos. para la ecuación (6.10) está definida por la configuración de la red. Los niveles resultantes de ID y de VGS después definirán otro punto sobre la línea recta y permitirán un dibujo real de dicha línea. puede lograrse una ecuación de la siguiente fanna: IJ) + K/ D + K 2 = O Puede resolverse la ecuación cuadrática para la solución adecuada de ID' La secuencia anterior define el método matemático. ID y calcular el valor correspondiente de la otra cantidad con la ayuda de la ecuación (6.10.10) en la ecuación de Shockley como mostramos a continuación: ID = IDss(1 = 1DSS~ _ ~sj 2 • ( - -Irfis)2 ----v. El método gráfico requiere que primero se establezcan las características de transferencia del dispositivo como se muestra en la figura 6.11.10) y se obtiene el punto 262 Capítulo 6 Polarización del FET .10. Se supone. por ejemplo.

14) Calcular lo siguiente para la red de la figura 6.12. lo que da por resultado y pero y (6.11 Trazo de la recta de autopolarización. Los valores estables de ID Y de V GS pueden determinarse y utilizarse para encontrar las otras cantidades de interés. VG · VD' 20V 3.12 Ejemplo 6. Puede calcularse el valor de VDS si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida. 6.3 kD D + 1M!> Figura 6. estable en la intersección de la línea recta y la curva característica del dispositivo. a) EJEMPLO 62 b) e) VGs ' Q ID' Q VDS' d) e) f) Vs.11) Además: (6.2.13) y (6.3 Configuración de autopolarización 263 .12) (6.loss loss 2 o Figura 6.

12.Ves :::-4 V Red- / : 4 3 2 Ves=OV'/o=OmA Figura 6. Si se selecciona VGS = Vp / 2 = -3 V para la ecuación de Shockley. La solución se encuentra al sobreponer las características de la red defmidas mediante la figura 6. el valor de VGS resultante seóa de -8 V. 264 Capítulo 6 Polarización del FET .14 Trazo de las características del dispositivo para el lFET de la figura 6. se obtiene VGS = -(4 mA)(l km = -4 V El resultado es la gráfica de la figura 6.13 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 o Ves(V) Trazo de la recta de auto polarización para la red de la figura 6. El punto de operación resultante está en un valor del voltaje compuerta-fuente estable de VGS = -2.12.6mA -6 -s -4 -3 -2 -1 o VGs(V) -6 -5 -4 VCSQ = -1 O Ves (V) (Vp ) (Vp ) 2 -2. y encontrando el punto de intersección de ambas como se indica en la figura 6.13 como se definió mediante la red.10) para VGs' Además.15.14.15 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. Figura 6.Solución a) El voltaje compuerta-fuente se determina por Si se elige ID = 4 mA. / I D =8 mA.6 V figura 6. Ves =-8 V ~--"---- ID (mA) 8 7 .12. En caso de elegir ID := 8 roA.6V Q ID 8 7 (mA) 5 4 3 2 I DQ = 2.14. la cual representa las características del dispositivo. se tiene que ID = 1DSS / 4 = 8 mA / 4 = 2 mA. En cualquier caso se obtendrá la misma línea recta.13 sobre las características del dispositivo de la figura 6. debe tenerse en cuenta que puede seleccionarse el valor de V GS' y calcular el valor de ID' para obtener el mismo resultado. y resultará la gráfica de la figura 6. demostrando que puede seleccionarse cualquier valor adecuado de ID' siempre y cuando se utilice el valor determinado por la ecuación (6. ID"" 4 mA. como se muestra en la misma gráfica.

b) En el eje de Ves.82V + 2. R s = 10kQ.6 mA)(3.12 si: R s = 100 Q.18 V = 8.42 V a) b) Encontrar el punto de operación para la red de la figura 6.42V VD VDD . VesQ =-4.6V = 11. IDQ =6.6 mA)(l kQ) = 2.4mA De la ecuación (6. ID Q =0.13): La ecuación (6.(2.46 mA Podemos observar cómo los niveles más bajos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia el eje JD' mientras que los niveles más altos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia el eje Ves' 6.6V e) La ecuación (6.16 Ejemplo 6.11): VDS = VDD .6V De la ecuación (6.3.82 V d) La ecuación (6.IDR D = 20 V .6 V o Ves (V) Figura 6. EJEMPLO 63 t 'n Rs =100Q J D = 4 mA. Solución Obsérvese la figura 6.3 kQ) 11.6 mA)( 1 kQ + 3.4 V (mA) Punto Q 5 4 3 Punto Q -6 -5 -4 -3 -2 -1 Ves(J=-4.3 kQ) o 11.12): Vs = Irfls (2.ID(R s + RD) = 20 V 20 V (2. a) En el eje de ID. Ves == -0.b) En el punto estable: ID = 2.14): Ve = OV f) VD = VDS + Vs = 8.10).3 Configuración de autopolarización 265 .16.6 mA o 111 l' ! e) La ecuación (6.10).

18 posee )~ misma estructura básica que la figura 6.-. ---------------------------------------------------EJEMPLO 6.17. en relación con la estructura básica de la figura 6. 266 Capítulo 6 Polarización del FET . En este caso se determinó el segundo punto para el trazo de la recta de carga seleccionando (en forma arbitraria) ID ~ 6 mA y resolviendo VGS' Esto es.4 Determine lo siguiente para la configuración de entrada común de la figura 6.¡ " .17 Ejemplo 6.ra 6.2. La curva de transferencia de dispositivo se trazó usando: ID ~ I DSS l2mA ~ S + V Rs 680<1 ~ 3mA 4 figura 6..18 Trazo del equivale?te de de de la red de la ligtÍ. Aunque es diferente en apariencia.4.17.8. Figura 6.17.¡:.19. la red de de que resultó de la figura 6.---0 v.6 V Figura 6./ D "3.5 k<1 \>-----1(. Vs.8mA 3 2 Q -6 Vp -5 -4 -3 -2 -1 o Ves.5kQ G + V GS La terminal de la compuerta conectada a tierra y la ubicación de la entrada establecen fuertes similitudes con el amplificador a BJT de base común. a) VGSo" b) 1DQ' e) VD' 12V d) e) f) V G. VGS ~ Irfis ~ -(6 mA)(680 Q) ~ -4.9.08 V como se muestra en la figura 6. 4 ID (mA) lDSS 12 II 10 5 4. Por tanto. a) Las características de transferencia y la recta de carga aparecen en la figura 6.19 Determinación del punto Q de la red de la figura 6. puede proceder el análisis en de de la misma forma que en los ejemplos recientes.19. VDS' 1. 12V t D S<llucióu ID 1.

. R.OA 1 .20 Arreglo de polarización mediante divisor de voltaje.6V De la figura 6.58 V = 3. ID Q '" 3. como lo muestra la figura 6.. incluyendo el capacitar de desvío es' han sido reemplazados por un "circuito abierto" equivalente. Vemos que todos los capacitares.4 POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE El arreglo de polarización mediante divisor de voltaje que se aplicó a los amplificadores a transistor BIT también puede aplicarse a los amplificadores a FET... o ) c. VR .3V = 12V ..19 se obtiene = .58 V VDS = VD . + R.3V vGS b) Q '" -2. + t0+ Ve. lCi.5. .. Al utilizar el punto de operación de la figura 6. Ve . + t lo I.. C. Para el análisis en dc se redibuja la red de la figura 6.21.. R.. C..21 . R.5 kQ) = 6. 6. R. Figura 6.72 V 6.2. "" . ro ( oVo VDD VDl) RD v. tanto en los circuitos de entrada como en los de salida. Ve.=.20.20 para el análisis en dc.. R. La construcción básica es exactamente la misma.. Además. Para los amplificadores FET le = O A.19.(3.. R. se separó la fuente VDD en dos fuentes equivaVDO Ro R. Recuerde que lB proporcionó la relación entre los circuitos de entrada y de salida para la configuración de divisor de voltaje para el BIT. .Vs = 6.3 V .7V d) e) f) Ve = OV Vs = Irl's = (3. Redibujo de la red de la figura 6.y el valor asociado de Ves: 6V 2 como se muestra en la figura 6..4 Polarización mediante divisor de voltaje 267 . Figura 6.. pero la magnitud de lB para los amplificadores de emisor común puede afectar los niveles de corriente y voltaje de dc..19.20 como se muestra en la figura 6.8 mA)(1.IrJiD = 12 V .8mA c) VD = VDD . mientras que Ves hará lo mismo en la configuración a FET.8 mA)(680 Q) = 2. ... pero el análisis en dc de cada una es muy diferente.

puede encontrarse si se utiliza la regla del divisor de voltaje de la siguiente manera: (6.17) El resultado especifica que siempre que se grafique la ecuación (6. Debido a que cualquier línea recta requiere la definición de dos puntos.f¡}?s = Ve . La ecuación (6.lentes con objeto de pennitir una separación mayor de las regiones de entrada y salida de la red. la ley de corriente de Kirchhoffrequiere que fR.22 Trazo de la ecuación de la red para la configuración mediante divisor de voltaje.16) El resultado es una ecuación que todavía incluye las mismas dos variables que aparecen en la ecuación de Shockley: V GS e f D' Las cantidades V G YRs están fijas por la construcción de la red. en esencia se está estableciendo en algún lugar sobre el eje horizontal. I DSS ID=OmA. si se selecciona JD para ser igual a. 268 Capitulo 6 Polarización del FET .(O mA)Rs y (6. No es difícil el procedimiento para dibujar la ecuación (6. El punto que se acaba de determinar aparece en la figura 6.22. /' -------4~---------+----------__~~---~ vp O vGs = vG vos +vo Figura 6. Puede calcularse la localización exacta mediante la simple sustitución de ID = OroA en la ecuación (6. = fR. pero el origen ya no es un punto de la recta..16) es aún la ecuación para una línea recta. Yque el circuito equivalente en serie que aparece a la izquierda de la figura pueda utilizarse para encontrar el nivel de Ve' El voltaje Ve' igual que el voltaje a través de R2 . (6.10 en la figura 6.15) Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las maneciHas del reloj en el lazo indic. en caso de haber seleccionado f D = O mA. se obtiene y Sustituyendo VR = fsRs = f¡}?s' se tiene . Debido a que f G = O A.21.22 la corriente ID = O mA. Entonces. el valor de VGS para el dibujo será de VG volts.16) si se procede como se indica a continuación.16) y encontrando el valor resultante de Ves de la siguiente manera: VGS = VG . O mA. primero está el hecho de que en cualquier punto a lo largo del eje horizontal de la figura 6.16).

Una vez que se han calculado los valores estables de [D. Y se resuelve para el valor calculado de ID: VGS = Ve .= VDD R¡ + Rz (6.22.1 Rs vc. el nivel de [D está determinado por la ecuación (6.23 Efecto de Rs sobre el punto Q obtenido. Esto es. VDS = VDD . Los dos puntos definidos arriba permiten dibujar una línea recta con objeto de representar la ecuación (6. siempre que VGS = O.23 que: Cuando aumentan los valores de R s dan por resullado valores menores eswbles de 1D' así como valores más negativos de Vcs' figura 6.[JiD (6. Parece muy obvio a partir de la figura 6.[Jis OV = Ve .[Jis e Ve [D = .16).19) (6.23.22) 6. Esta intersección aparece también en la figura 6.18) El resultado especifica que las veces que se grafique la ecuación (6.4 Polarización mediante divisor de voltaje 269 . los valores mayores de Rs reducirán el nivel de la intersección ID como se muestra en la figura 6.Para el otro punto se utiliza el hecho de que en cualquier punto sobre el eje vertical VGS = O V.[D(R D + Rs) VD = VDD .20) (6. La intersección de la línea recta con la cunra de transferencia en la región a la izquierda del eje vertical definirá el punto de operación y los niveles correspondientes de ID y de Ves' Debido a que la intersección sobre el eje vertical se calcula mediante ID = VG I Rs y VG está fijo debido a la red de entrada.21) "'s : : [Jis IR .18).s=ov (6.16).= [R . Y de VGS Q ' el análisis restante de la red puede desarrollarse de la manera usual.

si [D = [DSS / 4 = 8 mA / 4 = 2 mA.5 kn _L = r: 20 ~F Figura 6. V S' y vGS Q . La curva resultante que representa la ecuación de Shock1ey aparece en la figura 6.1 MQ I~~F .24 Ejemplo 6.4mA Q ~ 10 = 1...( o V.25.1 MQ + 0.5 kQ) ID=OmA: VGS = +1.8 V GsQ ve =1.~ ------------------------------------------------------------EJEMPLO 6. 270 Capitulo 6 Polarización del FET .27 MQ 1.21 mA(VGs = O V) -4 (Vp ) -3 -2 -1 O 12 3 Figura 6. e )' 5 ~F l270 k.24. v.24.[D(1. +16V el dl e) VDS' VDG " 2.5.82 V (lo=OmA) Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.82 V .4 kQ >2. Solución al Para las características de transferencia. La ecuación de la red está definida por (270 kQ)(l6 V) 2. a) ID b) V.82 V y VGS = VG - Irfls = 1. entonces VGS = Vp / 2 = -4 V/2 = -2 V.82 V lo (mA) 8 (lDSS) 7 5 4 3 2 ID =2.5 Determinar lo siguiente para la red de la figura 6.Q t- I DSs =8mA\\ Vp =--4V >1.25 V =-1.

3.1.8 V VD = VDD . VDD = 20V ~.26 Ejemplo 6.lD lvss=-lOV figura 6. Se observa que la red utiliza una fuente en el drenaje y en la fuente. Determinar 10 siguiente para la red de la figura 6.6V VDS VDD .21 mA 1.24 V e) Vs = IDRs = (2A mA)(1.42 V Independientemente de que la constrUcción básica de la red en el siguiente ejemplo es muy diferente del arreglo de polarización mediante divisor de voltaje.25 con los valores del punto de operación in'J = 2.5 kQ) d) 6.1.24 V .(2A mA)(2.24 V . 6.Ve 10.64 V 10.4mA y b) Ves" = -1.26.ID(R D + Rs) = 16 V .5 kQ) 3. 4 kQ) = 10.82 V ID = = 1.6 V e) Aunque raras veces se solicita.6.4 Polarización mediante divisor de voltaje 271 .82 V = 8. las ecuaciones obtenidas requieren de una solución muy similar a la que se describió.5 kQ La recta de polarización que se obtuvo aparece en la figura 6. a) IDQ yVesQ ' b) VDS' e) d) EJEMPLO 6.Vs = 6.6 VD' Vs. el voIta~e VDC puede determinarse así VDe = VD .I¡fiD = 16 V .(2A mA)(2A kQ + 1.64 V o VDS VD .

1. /. que también aparece en la figura 6.5kQ Los puntos que se obtienen para la gráfica están identificados en la figura 6.35V b) Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff aliado de la salida de la figura 6. El punto de operación establece los siguientes niveles de estabilidad: ID = 6.[sRs + V ss = a () Figura 6. Para este ejemplo.26 se obtiene -Vss + [sRs + Vos + ¡¡}ID .9mA Q VesQ =-O..5kQ) lOV = 6.~ o pero y Ves = Vss . -Ves .28.16).23) Cálculo de la ecuación de la red para la configuración de la figura 6. a = lav e .5 kQ Solución al Se obtiene una ecuación para Ves en términos de ID al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección de entrada de la red como está redibujada en la figura 6.28.V DD =O 272 Capítulo 6 Polarización del FET .35 V Se graficaron las características de transferencia utilizando el punto de la gráfica establecido por Ves = V/2 = -3 V/2 =-1.27 .16) que puede sobreponerse a las características de transferencia.67mA 1. Para 11) = amA. Vos S .[sRs [s = 11) (6.. El resultado es una eCtlación muy similar en su formato a la ecuación (6.ID (1. ID (mAl 9 (IDSS) 8 3 2 Figura 6.26.G + .5 Ve [D = I Ds!4 = 9 mA/4= 2.28 Determinación del punto Q para la red de la figura 6. Para Ves = a v.25 mA. empleando el mismo procedimiento de la ecuación (6.26. -1 I I O 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Ves = -0.27 + R.

58 V .(6.VDS o = 7. La única parte sin definir en el análisis consiste en la fonna de graficar la ecuación de Shockley para los valores positivos de VGS .12.5 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de Jos JFET y de los MOSFET de tipo decremental permiten un análisis similar de cada uno en el dominio de de.9 mA)(1.lD(R D + Rsl (6.23 V = 035 V 6.8 kQ + 1.8 kQ) = 20 V .7 lDQ y VGS.7.81d1 110MO ¡OMU 750 O 6.5 kQ) = 30 V ..42 V = 7.29.24) el cual para este ejemplo resulta 20 V + 10 V .77 V 7.9 mA)(1. el análisis es el mismo si el JFET se reemplaza por un MOSFET de tipo decrementa!.Sustituyendo 15 = ID Y reorganizando se obtiene I VDS ~ VDS ~ VDD + VSS .22. La diferencia más importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo decremental permite puntos de operación con valores positivos de V GS y niveles de ID que excedan I Dss .29 Ejemplo 6.58 V d) VDS = VD .(6. De hecho.7. Para el MOSFET de tipo decremental de canal-n de la figura 6. para todas las configuraciones realizadas hasta ahora. ¿Qué tan lejos debe extenderse la curva de transferencia en la región de valores positivos de VGS y valores de ID mayores que 1DSS? Para la mayoría de las situaciones este rango necesario estará bien definido por los parámetros del MOSFET y por la recta de polarización que se obtuvo de la red. >1.loRD = 20 V .23 V e) VD = VDD . determinar: a) b) EJEMPLO 6.Vs Vs = VD . Unos cuantos ejemplos indicarán el impacto del cambio de dispositivo en el análisis obtenido.5 MOSFET de tipo decrementa! 273 . VDS' 18 V FIgura 6.

5 V lOMO + 1l0MO VGS = VG - l"Rs = 1. se obtiene Haciendo VGS = O V.. se obtiene V 1.778) La curva de transferencia que resultó aparece en la figura 6.I D (750 O) lo (mAl -2 -1 : O 2 VGS Figura 6. Sustituyendo la ecuación de Shockley =6mAl---3 V = 10. 1DSS /4 = 6 mA/4 = 1.5 V.Solución a) Para las características de transferencia se define un punto de la gráfica de ID:. se tiene: Ecuación (6.30 aparecen tanto los puntos de la gráfica como la recta de polarización obtenida.5 V -G .16): 10 MO(l8 VJ = 1.67 mA ~ +1 V)' 6 mA ~ + ~)' = 6 mA(l.15): Ecuación (6. El punto de operación resultante: I DQ '" 3. Si seguimos de acuerdo con la manera que se describió para los JFET.. Al considerar el nivel de Vp y el hecho de que la ecuación de Shockley define una curva que se eleva con mayor rapidez a medida que VGS se hace más positivo.29.1 mA VGS Q = -O..30 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.30.S V 274 Capítulo 6 Polarización del FET .= 2mA = Rs 750 O En la figura 6.8 V Haciendo ID = O mA. vGsQ =-O.5 V . se detalla un punto de la gráfica en VGS = + I V.5 mAy VGs = V/4 =-3 V/2 =-1.

8 kQ + 750 Q) _ 10.5 MOSFET de tipo decrementa! 275 .31.8 Iv (mA) ---.5 V ID = . V GS 2 =+0.5 V Haciendo VGS = O V.= lOmA 150 Q Rs La recta de polarización está incluida en la figura 6.6 mA)(1. se obtiene VGS 1.31 Ejemplo 6. Solución a) Los puntos de la gráfica son los mismos para la curva de transferencia como se muestra en la figura 6.31. . El resultado: I DQ = 7.35 V b) La ecuación (6. Para la recta de polarización.1 V Repetir el ejemplo 6.19): VDS ~ VDD .6mA Q -3 Vp -2 -1 O .35 Ves v Figura 6.ID(R D + Rs) ~ ~ 18 V ..JD =7.. se obtiene VG 1. EJEMPLO 6.b) La ecuación (6.8. Notamos en este caso que el punto de operación estable da por resultado una comente de drenaje que excede 1DSS con un valor positivo para VGS.18 V 6. Haciendo ID = O mA.= .(7.1 mA)(1.ID(R D + Rs) = 18 V .19): VDS VDD .8 kQ + 150 Q) 3.(3.7 con Rs = 150 Q.6 IDA V GSQ = +0.

5 mA = 8mA ~ 1---8 Y +2 Y)2 En la figura 6.2kQ ( o t~. Un punto de la gráfica para las características de transferencia de VGS < OV es ID ~-- I DSS 8mA ~ ~ 2mA 4 Y 4 -8 y ~ ~ VGS ~ Vp 2 -4Y 2 y dado Vp ~ -8 Y. 0>---)11-----.46 V 276 Capítulo 6 Polarización del FET .4 kQ -------- Figura 6. Al elegir V Gs = -6 V se obtiene I El punto Q resultante: I DQ = 1. estableciendo el hecho que VGS debe ser menor que cero volts.~--------------------------------------EJEMPLO 6. Por tanto.32.3 V b) VD = VDD . b) a) IDQ y VGsQ ' VD' 20V 6.(1.7 mA VGsQ D ~---= VGS --6 Y 2.loRD = 20 Y . no existe la necesidad de graficar la curva de transferencia para los valores positivos de VGs ' aunque en esta ocasión se hizo para completar las características de transferencia.7 mA)(6.32 Ejemplo 6. en VGS ~ O Y. Solución a) La configuración de autopolarización da por resultado como la que se obtuvo para la configuración JFET.4kU R ~ 2.-------'1---4 1MQ 2. Para la recta de polarización. para VGS > O Y se seleccionará VGS ~ +2 Y e ID~ IDSS~ _ ~:S)2 = 12.2 kU) 9.9.33 aparece la curva de transferencia que se obtuvo. v.5 mA s ~ -4.9 Determinar lo siguiente para la red de la figura 6. ID ~ O mA.

1. la comente de drenaje debe ser I DSS (por definición). Determinar VDS para la red de la figura 6.3 V Figura 6.15 V = 5V figura 6.33 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. A primera vista aparece algo simple. no existe la necesidad de dibujar la curva de transferencia y VD V DD .34. Solución La conexión directa entre las terminales de la compuerta y la fuente requiere que EJEMPLO 6. 6. Para los niveles de VGS mayores que VGS(Th)' la corriente de drenaje se define mediante 6.7mA 1 Q -5 -f4 -3 -2 -1 o 1 2 Ves YasQ = -4. Lo primero y quizá más imponante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de canal-n. pero a menudo causa cierta confusión cuando se analiza por primera vez debido al punto de operación especial. En otras palabras.5 kQ) 20 V .6 MOSFET de tipo incremental 277 .ID (mA) 6 5 4 3 _2_--ID =1. pero se obtiene una solución gráfica muy diferente a las encontradas en secciones precedentes. la corriente de drenaje es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta-fuente.32.IrIID = 20 V . El siguiente ejemplo utiliza un diseño que también puede aplicarse a los transistores JFET.10.35.(10 mA)(1. menores que el nivel del umbral VGS(Th)' como lo muestra la figura 6.34 Ejemplo 6.5 kQ V Q = OV GS e D ID Q = lOmA ~ + Por tanto.6 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL Las características de transferencia del MOSFET de tipo incremental son muy diferentes de las encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo decremental.10 20V Debido a que Ves está fija en OV.

primero tiene que determinar la constante k de la ecuación (6.37. El resistor RG proporciona un voltaje suficientemente grande a la compuerta para "encender" el MOSFET. Existe ahora una conexión directa entre el drenaje y la compuerta. Características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental (6. "YGS " F'tgura 6.26) VGS(Thj)2 Una vez que k está definida.25) y resolviendo para k de la siguiente manera: ID(encendido) = k(VGS(encendido) - VGS(Th»2 y k = 1D(encendido) ---==='---(VGS(encendido) - (6. Debido a que 1G = OmA y VRe = OV.25) Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente de drenaje (1 D(enCendido). un punto entre V GS(Th) y VGS(encendido) y uno un poco mayor que Ves(encendido) ofrecerán una cantidad suficiente de puntos para graficar la ecuación (6.27) 278 Capitulo 6 Polarización del FET . Para completar la curva..35). Arreglo de polarización por retroalimentación En la figura 6. y tenemos y (6. Por lo general. I / lD=OmA VGS(~ncendido) V GS.---------.-t: I~ ___________________________ _ ID(cncendidol ----------.25) (obsérvense IDI e IDzen la figura 6.35. as{ como su nivel correspondiente de VG5(encendido)' pueden definirse dos puntos de inmediato como lo muestra la figura 6. pueden calcularse otros niveles de ID para los valores seleccionados de V cs."-.25) a partir de los datos de las hojas de especificaciones mediante la sustitución en la ecuación (6.36 se proporciona un arreglo común de polarización para los MOSFET de tipo incremental. . la red equivalente de de aparece como se muestra en la figura 6.35 de canal-n.

permitiendo graficar cada una en el mismo conjunto de ejes.38 con el punto de operación resultante.-------<r-------H(-----o~. I .Ii I . Sustituyendo ID = O mA en la ecuación (6. 6.38 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.28) Se obtiene una ecuación que relaciona las mismas dos variables como la ecuación (6.28).28) es la de una línea recta. para calcular los dos puntos que defínirán el trazo sobre la gráfica. Figura 6.36.37 Equivalente de de de la red de la figura 6. puede emplearse el mismo procedimiento que se describió con anterioridad.28) aparecen en la figura 6.36. Debido a que la ecuación (6.25).29) Sustituyendo Ves = O V en la ecuación (6.28) se obtiene (6.6 MOSFET de tipo incremental 279 . .--------<1 D D + '1. Para el circuito de salida. se tiene (6.25) y (6. la cual se convierte en la siguiente ecuación después de sustituir la ecuación (6.30) Las gráficas definidas por las ecuaciones (6.27): (6.: Figura 6. O-----)I---______----o--t~l G -:. Ves Figura 6.36 Arreglo de polarización por retroalimentación.

3 V)2 6mA 6x 10--3 25 Nv 2 ."".d. 0. 6 V (entre 3 y 8 V): ID .OC"..Od.. I 10 Mn.39 Ejemplo 6. -----..D"..26): Se definen de inmediato dos puntos como se muestra k = _ _ _I". 0.40.24 x 10-3 AJV2 Para Ves...39. 0.-r:.6. Figu'ra.. Solución Gráfica de la curva de transferencia: en la figura 6.11 Determinar IDQ Y VDSQ para el MOSFET de tipo incremental de la figura 6.16 mA 12 11 10 9 8 7 1D(coccndido) . 12V 2ill ~---+---I~(---o ~. ~F v.3 V)2 . ('<l V ..o.óo¡ 280 Capítulo 6 Polarización del FET . O>--U)-- I~F -+----19 1 .24 x 10-3(6 V . "''''. Resolviendo para k: Ecuación (6.39.24 x 10-3(9) 2. 012345678910 I I VGS(Th) VGSlcncend.11.-l_ __ (VGS(encendidO) - VGS(Th))2 .- 6 5 4 3 2 Figura 6.40 Gráfica de la curva de transferencia para el MOSFET de la figura 6.. -----------------------------------------------------EJEMPLO 6.

40. Para VGS ~ 10 V (ligeramente mayor que 10 ~ ~ VeS(Th): 11 0.42 aparece un segundo arreglo de polarización común para el MOSFET de tipo incremental.76mA como aparece también en la figura 6.39.30): Ves ~ V DD = 12VI'D=OmA La recta de polarización que resultó aparece en la figura 6. G Arreglo de polarización mediante divisor de voltaje En la figura 6.4 V Q con VDS Q ~ Ves = 6.6 MOSFET de tipo incremental 281 .24 x 10-3(49) 11.41.como se muestra en la figura 6. Para la red de la recta de polarización: Ves ~ V DD .29): La ecuación (6.24 X j(J-J(lO V .3 V)' ~ 0.41 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.31) polarización mediante divisor de voltaje para un MOSFET de tipo incremental de canal-no 6. Los cuatro puntos son suficientes para grafiear la curva total para el rango de interés como se muestra en la figura 6. El hecho de que IG ~ OmA da por resultado la siguiente ecuación para Vee como se deriva a partir de una aplicación de la regla del divisor de voltaje: + vGS - S Figura 6.75 mA Q y VGS = 6. El punto de operación: ID = 2.4 V Q IO=mA 12 1\ \0 9 8 7 Voo 6 RD 5 4 ID =-2.7SmA-3 Q 2 o 2 3 4 5 8 9 10 11 12 (VDD ) D Flgura 6.40.42 Arreglo de (6.Id'D = 12 V .1D(2 kQ) La ecuación (6.40.

32): Cuando ID = O mA. 4QV 3 k!l 22k!l 2N4351 VGs(Th) = 5 V ID (encendido) = 3 mA Y Vos (encendido) = 10 V G + 18 M. = O y VGS = VG - VR .42 resulta +VG .43 Ejemplo 6.82 kQ) V GS = 18 V . Cuando VGS =O V. 282 Capítulo 6 Polarización del FET .ID(O.44.31): La ecuación (6. \ EJEMPLO 6. tales como VDS' VD Y VS.43.V R. 0. Solucióu Red: (18 MQ)(40 V) 22MQ + 18MQ La ecuación (6..82 kQ) In = . pueden graficarselas dos curvas en la misma gráfica y hacer el cálculo de la solución en la intersección de ambas. U~ vez que se conocen 1DQ Y Veso' pueden entonces calcularse todas las cantidades restantes de la'red.(O mA)(O.o.V GS .82kQ 18 V tal como aparece en la figura 6.Cuando se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la figura 6. VGS = 18 V .33) o Debido a que las características son una gráfica de''ID en función VcS' y que la ecuación (6.44.32) relaciona las mismas dos variables. = 18 V VGS = VG - Irfis = 18 V .32) o Para la sección de salida: VRs + VDS + VRD y - VDD = O - VDS = V DD .95 mA O.V R s VR D (6.12. (6.82 kQ) = 18 V tal como aparece en la figura 6.82 kQ) O = 18 V -ID (O..82 ill f"lgura 6.ID(O.12 Determinar ID" VGsQ ' así como VDS para la red de la figura 6.= 21.

1 para revisar los resultados básicos.7mA Q VGsQ = 12.7 TABLA RESUMEN Ahora que se han presentado los arreglos de polarización más comunes para los diferentes FET.0 kQ) 40Y-25.95 Rs 20 VG o Figura 6. De la figura 6.. y para demostrar la similitud del método para una cierta cantidad de configuraciones..5 Y)' e ID = k(V GS .= 0.12 X IQ-3 NV2 (lOY .7 Tabla resumen 283 . Una vez que se han establecido las características de transferencia..5 V La ecuación (6.4 V 6.5)2 la cual se traza sobre la misma gráfica (figura 6.ID (mA) 30 = 21.82 kQ + 3.33): VDS V DD .ID(R s + RD ) = 40 Y . ID=6. 6..: 3 mA con VGS(encendido) = 10 V La ecuación (6.V GS(Th»2 0. se desarrolló la tabla 6.6Y = 14.(6. También indica que el análisis general de las configuraciones de de para los FET no es demasiado complejo.44 Determinación del punto Q para la red del ejemplo 6..44.44). entonces puede determinarse la recta de autopolarización de la red y el punto Q en la intersección de la característica de transferencia del dispositivo.26): k 1D(encendido) 3mA . y la curva de la red de polarización. Díspositivo: VGS(Th) = 5 Y. El análisis restante sólo consiste en la aplicación de las leyes básicas del análisis de circuitos.12.12 x lQ-3(VGS . 1Dlenccndido) :::.7 mA)(0.

'7 ~OQ O Ve Ve~ MOSFET de tipo incremental Configuración por retroalimentación Ro MOSFET de tipo incremental Polarización mediante divisor de voltaje CC S Ro R Ro R: Rs Ves = VDS VGS = VDD -loRD Ro D(encc O ~ Vesnñl lo V GSfcncend.10ft!> O ~ VesiTl'ti ID Ve Ves 284 Capítulo 6 Polarización del FET .1'0 O ID Ve. Punto Q V.I' pumud .loRs VDS = VOD .raciones arriba de los caso. positivos donde VGS " + voltaje) POlarizagión fija Voo ~ d'" Ro RD R s Voso = -VCG VOS = VOD -loRs .{ RI RD V _ = R~VDD (.\. JFET con polarización mediante divisor de voltaje Compuena común JFET 83:'" . - lo(Ro + Rs) PuulO R.Iv(Ro ~ O v.~ lD'\S Vss -Vss V. RI + R:! 'DSS ve + Rs) R~ R .S = -l. V p VGC Ves JFET con autopolarización d"" Re Ves = -lrfis = Voo -I¡ARo ..R 2 Ves = Vo -lsRs Vos = Vuo . R' ¡ o ID Ve.loRs VDS = V¡:){) + Vs. O lo ¡ f>S~ V5_\ Ves JFET (Ves OV) ..\) JFET con polarización fija V CG _i + {'f RIJ RG Ro Rs VDS VCSQ::O -VCiG VDS = Voo . .TABLA 6 l Configuraciones polarización de FET Tipo Configuración Ecuaciones pertinentes Solución gráfica In ID.JoRs Punto aj o Iv 1055 ./?\ VD = V DO Vs = loRs I Vos = VOD - IsRs PunIOQ':J) VplV'GS -ro MOSFET de tipo decremental -(Todas las configu. Ves = Ye .s In Ro Vos = Y ss .sQ= O V ID(i == Ivss ) ~ /VesQ ::. rJ. 01 V"" Va' ID Ve.dol VDD Ves V _ G - RT R. Ve vr.¡ Ves = Ve. O V O lo loss Ves V(..:YDD + R2 ve R. MOSFET de tipo decrementa! Polarización mediante divisor de voltaje tf R] R2 RI .lo(R D + Rsl VOD Ve =--- R~VDD V.RsJ P"UIO~ Vp:v-G.= JFET (Ro = O a) d'" d" Ro Re Rs Punto Q """ Yc.

45. Las ecuaciones y relaciones que se necesitan sólo son las que hasta ahora se han utilizado en más de una ocasión.62 V = VB - V BE = 3. por lo general.6 kQ) =288 H.92 V 6. se presenta por sí misma la oportunidad de analizar las redes con ambos tipos de dispositivos. Luego.6kn Figura 6045 Ejemplo 6.7 V = 2. =240 kQ).8 Redes combinadas 285 . por lo general.13.7 V se obtiene VE = 3. Estos son.--t. Determinar los niveles de VD y Ve para la red de la figura 6. problemas que resultan interesantes. Debido a que Ves es un valor para el cual no es obvia una solución inmediata. así que no existe la necesidad de desarrollar nuevos métodos de análisis. Para VB: 24 kQ(l6 V) 82kQ + 24kQ Con el hecho que VBE = 0. la puerta se encuentra abierta para calcular otras cantidades y concentrarse en las incógnitas restantes.l > IOR. se dará énfasis a la configuración del transistor bipolar. una cantidad importante para determinar o escribir una ecuación con objeto de analizar las redes con JFET. y luego utilizar los resultados de las últimas secciones y el capítulo 5 para hallar las cantidades importantes de cada dispositivo. Es fundamental entender que el análisis sólo requiere que primero se estudie el dispositivo que proporcionará un voltaje o un nivel de corriente en la terminal.]3 2. lo cual permite un cálculo de VB utilizando la regla del divisor de voltaje en el circuito de entrada. 6. debido al reto que implica encontrar la entrada.0. Solución A partir de la experiencia pasada.62 V .8 REDES COMBINADAS Ahora que se estableció el análisis en de para una variedad de configuraciones a BJT y FET. La configuración mediante divisor de voltaje es una donde puede aplicarse la técnica aproximada (/3RE =(180 x 1.7 ka 82kn 1Mn p= 180 24kQ 1. ahora se sabe que VGS es. r-----------------~r-016V EJEMPLO 6..

7 kQ) : 16 V .4. se encuentra que para esta configuración /D:/s:/e y VD : 16 V .7 V) : 7.825 mA RE 1. se regresa al método gráfIco para trabajar sólo en el orden inverso que se utilizó en las secciones precedentes.VGsQ : 3./D(2. Si puede encontrarse VGS' se podrá conocer VB . Sin embargo.45 indica que Ve está relacionado a Vs mediante Ves (suponiendo que VRc : O V).(-3.6kQ con le '" lE : 1.46.45.92 V : : 1.(1. Primero se trazan las caracteósticas de transferencia del JFET como se muestra en la figura 6.93 V : 11.7 kQ) 16V . 286 Capítulo 6 Polarización del FET . dando por resultado El nivel de Ve: Ve VB .46 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.825 mA A continuación.825 mA Q Figura 6. Tanto VCE como VDS son cantidades desconocidas que evitan que se establezca una relación entre VD Y VeO de VE y VD' Un examen más cuidadoso de la figura 6. y calcularse Vea partir de Luego surge la pregunta acerca de cómo encontrar el valor de ~sQ a partir del valor estable de ID' Los dos valores se encuentran relacionados mediante la ec~ción de Shockley: y Vese puede detenninarse bajo un esquema matemático al resolver VesQ y sustituir los valores numéricos.825 mA)(2.07 V La pregunta sobre cómo calcular Ve no es tan obvia. Luego se determina VGSQ al dibujar una línea desde el punto de operación hacia el eje horizontal.e lE : _R E _ V : VE RE 2.62 V .32 V ID (mA) 12 'DSS 10 8 6 2 --~~~~~~~~ -6 -5 O Vp - ID =1. Luego se establece el nivel de 1DQ por medío de una línea horizontal como se muestra en la misma figura.

..6 V Para el transistor bipolar.47. Esto es.0.47.uA)(470 kQ) = 16 V .48 en VGS Q = -2.= 12.Calcular VD para la red de la figura 6.125 V .4 kQ .875 V = 10. ID (mA) e lB = - le f3 1 mA = .---------~-o16V EJEMPLO 6.48 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.6 V ~ Figura 6.(12.125 V 3 1.Q fi= 80 2.61 mA l--I D =lmA Q y VE ~ VD ~ VB . 1. al revisar el JFET con autopolarización. . 6.lB(470 kQ) = 16 V .7 V 9.14 ..8 Redes combinadas 287 .5 80 8 lDSS J1A 7 6 5 4 VB = 16 V . En este caso no existe una trayectoria obvia para determinar un valor de vohaje o de corriente para la configuración a transistores.47 Ejemplo 6.5.14 3. Sin embargo.5 . con la cual se logra la recta de autopolarización que aparece en la figura 6. puede derivarse una ecuación para VGS y así calcular el punto de operación estable resultante con la ayuda de técnicas gráficas.425 V ! VGS Q =-2.6kf1 470 k.VBE -4 -31-2 -1 Vp O ~ 10. Solución Fq¡ura 6..

rara vez causará un problema real'en el proceso de diseño la pequeña variación debida a la selección de valores estándares.49. En algunos ejemplos.15.9 DISEÑO El proceso de diseño no está limitado sólo a las condiciones de de.34) donde VR e IR a menudo son parámetros que se localizan en forma directa a partir de los valores de voltaje y corriente especificados. y así sucesivamente. Por lo general.50 Ejemplo 6. para los amplificadores lineales es una buena práctica elegir los puntos de operación que no alcancen los valores de saturación (lDSS)' o las regiones de corte (Vp )' Es verdad que durante el diseño son razonables unos puntos iniciales. En el proceso del diseño total entran el área de aplicación. el enfoque es en muchos casos opuesto al descrito en secciones anteriores. Los ejemplos que siguen a continuación tienen un diseño u orientación hacia la síntesis. si están especificados los niveles de VD e ID para la red de la figura 6. (VDD . En cualquier caso. Rs' V DD . en cualquier proceso de diseño no deben excederse los valores máximos de ID ni de VDS que aparecen en las hojas de especificaciones. puede detenninarse el nivel de VGSQ mediante una curva de transferencia y también se puede calcular Rs a partir de V GS . y que requieran del 'USo del valor comercial más cercano. se trata sólo de aplicar la ley de Ohm de una forma adecuada. primero tiene que concentrarse en el establecimiento de las condiciones de de que se eligieron. el nivel de amplificación deseado. EJEMPLO 6. y deben calcularse los parámetros de la red como RD .49. si se solicitan valores de resistencias. junto con las tolerancias (rangos de valores) que normalmente se especifican para los parámetros de una red. Por ejemplo.6. Sin embargo. -1nRs' Si está especificado V DD . es posible que los valores de Rs y de RD no sean valores estándar disponibles en el mercado. puede calcularse el valor de RD a partir de RD . para VGSQ los valores cercanos a Vp /2 o de IDss /2 paralDQ • Desde luego. Es posible que sólo se hayan especificado V DD y R D junto con el valor de VDS' Pero debe especificarse el dispositivo que se va a utilizar junto con el nivel de Rs' Parece lógico que el dispositivo deba tener un valor máximo de VDS mayor que el valor de diseño especificado con cierto margen de seguridad. La anterior es sólo una posibilidad durante la fase de diseño que involucra la red"deJa figura 6. la potencia de la señal y Figura 6.VD)IlD' Desde luego. 288 Capítulo 6 Polarización del FET .5 mA RD F'Igura 6.49 Configuración de auto polarización que se diseñará. Sin embargo. el resultado se logra mediante la simple aplicación de la ley de Ohm de la siguiente manera: Rdesconocida = 1R R V (6. de tal forma que se proporcionan los valores específicos.15 Para la red de la figura 6.50 están especificados los niveles de VDQ Y de 1DQ' Calcular los valores necesarios de RD y de Rs' ¿Cuáles son los valores estándar más cercanos disponibles en el mercado? 20V t IDQ = 2. las condiciones de operación como unas cuantas de las condiciones existentes. En particular.

. ---ID 3 2 Q =2.22 mA)Rs -7.5 mA ID (mA) 6lDSS -(. Y la aplicación de VGS =-/rfis establecerá el nivel de Rs' Rs = _ -_(V-"G""SQ.8kO: 91 ill 47 kQ(l6 V) 47 ka + 91 ka = 5.22 mA)Rs y Rs = 7.3 ka Rs = 0.5 mA se obtiene VGsQ =-1 V..12V = = 2.44 V 0------0 12 V ~ _ _ _. calcular el valor de Rs si VD = 12 V Y VGsQ = -2 V.._------ .16 r-·------------.5mA - 1 -3 Vp -2 -1.VD RD 47kQ + 16V .22mA ~ 1.(2.3 kQ.-~16V 1.9 Diseño 289 .l2V = = .8 kQ Luego se escribe la ecuación para VGS y se sustituyen los valores conocidos: VGS = VG - - -~ Irfis Figura 6. y 20V .34).39 ka Para la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 6.44 V .5mA Al graficar la curva de transferencia de la figura 6.4ka 2. -2 V = 5.2ka 8V 2. t-- con ID = VDD .5mA 2.51 y dibujar la línea horizontal en IDQ = 2..35 ka El valor más cercano que está disponible en el mercado es de 3..--) .1 V) 5 4 . o = -1 V V GSQ Los valores más cercanos disponibles en el mercado son RD = 3.52. Solución Ei nivel de VG se determina de la siguiente forma: VG = EJEMPLO 6.4 ka => 0.52 Ejemplo 6..2 ka => 3.= 0.16.. .= 3..44 V = -(2.Solución Por la definición de la ecuación (6. 6.22mA = 3.44 V 2..

En cualquier caso. Rara vez se miden los niveles de corriente porque estos manejos obligan a modificar la estructura de la red con objeto de insertar el medidor de corriente. Por tanto.= 4mA 6V 1. el proceso se inicia mediante una verificación de la construcción de la red y de las conexiones de las terminales.34) se obtiene R D = V RD = V DD - VDS = V DD - iVDD = DD ----'=-- +V ID y 1 D(encendido) 1D(encencido) 1D{encendido) = -.53 están especificados los niveles de 1D{encendido}" Determine los valores de VDD Y de Rv' VDS e ID como VDS = iVDD e ID = 10 M. y = V GS = +VDD 6V = iVDD VDD = 12 V de tal forma que Con la aplicación de la ecuación (6. Desde luego.17 Para la red de la figura 6. debe tenerse una idea del nivel esperado del voltaje o la comente para que la medición tenga cierta importancia. Por lo general. o entre las terminales de la red. 6. el proceso de localización de fallas puede iniciar con cierta esperanza de éxito si se entiende la operación 290 Capitulo 6 Polarización del FET . una vez obtenidos los niveles de voltaje. í Solución VDS VGS(eN:rodido) = 6 V JD(enco:lldido) ::: 4 mA VOS(rh) =3v \ Figura 6..~ ---------------------------------------------EJEMPLO 6. 4 mA Y VGS..o. pueden calcularse los niveles de la corriente empleando la ley de Ohm.::: VGS(encendido) :. Con ID == 1D(encendido) :.53 EjeIlll'lo 6. Luego.5kQ que es un valor estándar disponible en el mercado.17. se sigue con la verificación de los niveles de voltaje entre las terminales específicas y la tierra. la respuesta es totalmente inesperada y no cumple con los cálculos teóri- cos? ¿Cuál es el siguíente paso? ¿Se trata de una mala conexión? ¿Se trata de una mala lectura en el código de color de un elemento resistivo o simplemente de un error en el proceso constructivo? Parece muy vasto y a menudo es frustrante el rango de posibilidades... El proceso de localización de fallas que se describió al principio del análisis de las configuraciones a BIT debe cerrar la lista de posibilidades y aislar el área del problema siguiendo un plan de ataque preciso. para esta configuración.10 LOCAUZACIÓN DE FALLAS ¿ Cuántas veces se ha construido una red con cuidado sólo para encontrar que cuando se aplica la potencia.. 6 V.

la mejor prueba para el FET es el trazador de curvas. se confirma la continuidad de Vs' En este caso es posible que exista una conexión pobre entre Rs y la tierra que puede no Ser muy obvia. y tomando la medición de los niveles de voltaje desde VDO a tierra con la ayuda de la terminal positiva.básica de la red junto con algunos valores esperados del voltaje o la corriente. pero no indican que su rango de operación se ha reducido de manera severa. pueden destruir el dispositivo. Para la red de la figura 6. existen ciertas ocasiones en que parecen desaparecer misteriosamente las razones de las causas de una respuesta extraña cuando se verifica una red. También es posible que la conexión interna entre el cable de la punta de prueba y el conector de la terminal se encuentren separados. Si el nivel de VDS parece inadecuado. Si VD tiene VDD volts. con la punta de prueba positiva (normalmente roja) a la entrada y la punta de prueba negativa (normalmente negra) a la fuente.55 que cada voltaje de la fuente de alimentación es un voltaje negativo que consume corriente en la dirección indicada. o el uso indebido de valores incorrectos de resistores que ocasionan altos niveles de corriente.: Rs + Figura 6. puede verificarse sin problemas la continuidad de] circuito de salida al conectar a tierra la punta de prueba negativa del voltímetro. El nivel de VDS normalmente se encuentra entre el 25 y el 75% de V DD . la lectura debe tener un signo negativo y una magnitud de unos cuantos volts. Debe encontrarse la causa de tal situación "'buena o mala" muy sensible o de lo contrario puede volver a ocurrir en el momento más inoportuno. resulta obvio que no existe una caída a través de RD debido a la falta de corriente a través de RD y deben verificarse las conexiones para revisar su continuidad. s rojo negro Vcs . Para el amplificador a JFET de canal-n está entendido con claridad que el valor estable de VGSQ está limitado a O V o a un voltaje negativo. Se observa en todas las configuraciones de la figura 6.54. Si se cuestiona la situación del amplificador.55 para los diversos tipos de FET. 6. Sin embargo. VGSQ está restringido a los valores negativos en el rango desde O V hasta Vp" Si se Conecta un voltímetro como lo muestra la figura 6. En estos casos. lo mejor es no confiarse y continuar Con la construcción. Una lectura de OV para VDS indica que o bien el circuito está "abierto" o el JFET tiene un corto circuito interno entre el drenaje y la fuente. se observa que continúa la notación de doble subíndice para los voltajes tal como se definió para el dispositivo de canal-n: V GS' VDS' y así sucesivamente. También existen otras posibilidades como un dispositivo en corto del drenaje a la fuente.11 FET de canal-p 291 . pero tampoco "encendido". en este caso VGS es positivo (positivo o negativo para el MOSFET de tipo decrementa!) y VDS negati va.11 FET DE CANAL-P Hasta ahora el análisis se ha limitado sólo a los FET de canal-n.54 Verificación de la operación en de de la configuración del JFET con autopo!arización. El desarrollo de buenas técnicas de localización de fallas proviene en gran medida de la experiencia y el nivel de confianza en cuanto a qué esperar y por qué. Puede verificarse la continuidad de una red midiendo sólo el voltaje a través de cualquier resistencia de la red (excepto para Re en la configuración JFET). ya que no sólo revela si el dispositivo es operable. La indicación de una de O V revela de inmediato la falta de corriente a través del elemento debido a un circuito abierto en la red. Cualquier otra respuesta tiene que considerarse como sospechosa y debe investigarse. Si VD ~ VDD' puede que la corriente a través de RD sea cero. La aplicación de un voltaje excesivo durante las fases constructiva o de prueba. como se muestra en la figura 6. Sin embargo. sino también sus rangos de valores de corriente y voltaje. pero la persona que se encuentre localizando la falla simplemente tendrá que concentrar las causas posibles del funcionamiento erróneo. Algunos probadores pueden indicar que el dispositivo aún se encuentra básicamente en buen estado. El elemento más sensible en las configuraciones a BJT y JFET es el amplificador en sí mismo.54.. 6. Desde luego. En particular. pero existe continuidad entre VD Y VDD' Si Vs = VDD' el dispositivo no está abierto entre el drenaje y la fuente. Para los FET de canal-p se necesita una imagen de espejo de las curvas de transferencia y se invierten las direcciones definidas de comente.

-r:.l-p. Debido a las similitudes entre el análisis de los dispositivos de canal-n y de canal-p. . Rs I~ VGS _ + VDS . 292 Capítulo 6 Polarización del FET . el siguiente ejemplo demostrará que con la experiencia que se ha logrado a través de los dispositivos de canal-n es bastante directo el análisis de los dispósitivos de canal-p. -V DD ID IDSS RD h+ + VGS tls Rs O VDS Vp VGS V DD tlD RD ID lDss =R¡ + R. aunque la dirección de la corriente y la polarización del voltaje tendrán que ¡nvertirse. en realidad puede asumirse como un dispositivo de canal-n con una fuente inversa de voltaje y desarrollar el análisis completo. tls VG O Vp VGS -VDD RD RG tlD + VDS + VGS 1 VGS Figura 6. estará correcta la magnitud de cada cantidad..55 Configuraciones de cana.. Cuando se obtienen los resultados. Sin embargo.

6. Solución .-Q -5 -4 -3 -2 -1 o1I I 2 3 4 Vp Figura 6.57..18.53mA que también aparece en la ligura 6. = 3.56 Ejemplo 6..55 V 1. El punto de operación estable que se obtiene a partir de la figura 6.= Rs Ve -4.8 kQ = 2.4 mA Ves.11 FET de canaJ-p 293 .4 V /D (mAl 8 ID=3. Cuando se elige V GS = O V.57: ID.56.Ves + Irfis = O y Ves = Ve + Irfis Seleccionando ID = O mA se tiene tal como aparece en la figura 6.8k!l '-_____ /s +-+t ~F Figura 6.57.56.55 V 20kQ(.= -4.18 y Calcular 1DQ' V esQ VDS para el JFET de canal-p de la figura 6.57 Cálculo del punto Q para la coníiguración de JFET de la figura 6.20 V) 20 kQ + 68 kQ Con la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff se obtiene Ve . se obtiene ID = ... 1..4mA. = 1.-------------------------------------------------------------~ EJEMPLO 6.

6 ---~ -! t----.7 kQ + 1.8 -0. mas no su signo.loRo + Voo = O y Vos = -Voo + lo(Ro + Rs) = -20 V + (3. -h. Se observa también que la escala para ID/IDSS se encuentra a la izquierda en lugar de la derecha como se encontró para ID en los ejercicios anteriores. La otra escala. Las dos escalas adicionales a la derecha necesitan presentarse.8 kQ) = -20 V + 15.C-e~i-+:.58 H.Para Vos' con la ley de voltaje de Kirchhoff se obtiene -loRs + Vos .:-. se utiliza junto con la escala m !.2 o 294 Capítulo 6 Polarización del FET .-.4 mA)(2.. y cuando VGS = Vpel cociente VG / I V p I es de-!. con la indicación IV p 1.3 V = -4. En la figura 6. '--+¡-" Curva universal de polarización para el JFET.58 se proporciona la curva universal de un JFET de canal-n o el MOSFET de tipo decremental (para los valores negativos de VesQ )' Se observa que el eje horizontal no es el de VGS' sino el de un nivel nonnalizado definido por V GS/ IV p 1. lo que significa que sólo debe tomarse en cuenta su magnitud.12 CURVA UNIVERSAL DE POLARIZACIÓN PARA JFET Debido a que la solución de una configuración a FET necesita que se dibuje la curva de transferencia en cada análisis.4 -0. Para el eje verticalla escala también es un valor normalizado de loilo~s' El resultado es tal que cuando lo = lossel cociente es 1. +-. se desarrolló una curva universal útil para cualquier nivel de I DSS y de Vp. -0. -0. La escala vertical llamada m puede utilizarse por sí misma para encontrar la solución a las configuraciones de polarización fija.7 V 6. llamada M.L I DSS m=-- IVpl M=m x Rs IDss IVpl vGO -"-'Figura 6.

18 y IVpl 1-3VI -0.2.. V...12 Curva universal de polarización para JFET 295 ..19 3..6kO 40 ¡ll' .. El punto Q obtenido: 0. es mucho más rápido el análisis y más preciso también.31.05 ¡ll' I o V... Las escalas para m y M provienen de un desarrollo matemático que involucra las ecuaciones de la red y la escala normalizada recién presentada. 0-0 --..35) (6. Solución Hgura 6.19 .= . Y la escala M desde O a 1 cuando \/GS ~ Vp = 0. Las ecuaciones de m y de M son las siguientes.15). a que la sobreposición de la recta de polarización resulta mucho más sencilla y a que son menos los cálculos.9Hl 0. Una vez que ha quedado claro el procedimiento.)11----. Calcular los valores del punto de operación estable tanto de ID como de VGS para la red de la fIgura 6. 0. J m=--IDssRs IVpl (6.----.36) con VG = R2 VDD R¡ + R 2 Es importante tener en cuenta que la belleza de este método se debe a que ya no es necesario trazar la curva de transferencia para cada análisis. La siguiente descripción no se concentra sobre el motivo por el cual la escala m se extiende desde O a 5 cuando VGsil Vp I = -0..6 kQ) La recta de autopolarización definida por Rs se grafica al dibujar una línea recta desde el origen y a través del punto definido por m = 0..para encontrar la solución para la configuración mediante divisor de voltaje. sino en la fonna de usar las escalas resultantes para obtener una solución para las configuraciones. Calculando el valor de m.31 IDssRs (6 mA)(1.05 ~F lMO 1. El uso de los ejes m y M se explica mejor mediante unos ejemplos que utilicen dichas escalas.575 6.60. se obtiene m = .= 0. con \/G tal como se definió por medio de la ecuación (6.59.59 Ejemplo 6. 16V EJEMPLO 6.. así como se muestra en la figura 6.

4 VGS =-0.6.-~ H0. -0.0 -0.08 mA y VGsQ = -0..20.-.3f~'~ o _1.20 Calcule los valores en el punto de operación de ID Y VGS para la red de la figura 6.8 -0. Vi 0-0-_~:):~---+---11- 1.73 V EJEMPLO 6.181DSS = 0.2 kO 296 FIgura 6.uF 220kO 1: 1... .2 j. t· ..I Figura 6..-- ~ .18(6 mAl = 1.: + -++ : -0. +--1 2 .---1:'(1------<0 V..19 y 6. ' PuntOQ:_'J'~~I016~9):_ T ~~t :1:-. .ID I Dss m=-5 -1 IV.J __ _ _.I [DssRs GG M=m x IVpl V H--·.~ ~ .60 Curva universal para los ejemplos 6. VGS =-0.575 IV.2kO 91OkO 1.26 IV..5751 Vp 1 = -0.I Los valores del punto de operación estable de ID Y de V GS pueden calcularse después de la siguiente manera: l DQ = 0.61 Ejemplo 6..20.61.uF .575(3 V) = -1.2 m O. ~--------~~--~18V 2.

Con el punto que se obtuvo sobre el eje m y la intersección sobre M. yen el punto de intersección con el eje se añade entonces la magnitud de m.5 6V V) ~ 0.2 kQ) ~ 0. se dibuja una línea recta para intersecar la curva de transferencia y así definir el punto Q.531DSS ~ 0.60.61 usando los nodos y parámetros del dispositivo que se definieron de acuerdo al capítulo 5.222 x 1O-3AN 2 220kQ m 1.261 V p 1 ~ -0. Primero se encuentra M sobre el eje M como se indica en la figura 6. Después se dibuja una línea horizontal hacia el eje m.61 IIJ.5 V 910 kQ + 220 kQ Al encontrar M se tiene M ~ m x VG I vpl ~ 0.2kQ IV l2 p figura 6.53(8 mAl ~ 4. se observa que aunque los valores de IDSS y Vp son diferentes para las dos redes. puede dibujarse la recta de polarización sobre la figura 6.56 V 6. El enfoque de PSpice es muy sinúlar cuando empleamos la configuración a BIT del capítulo 4.26(6 V) ~ -1. Entonces. puede utilizarse la misma curva universal. 297 . con nodos definidos para un análísis mediante PSpice. Esto es.625 La determinación de VG (220 kQ)(l8 V) ~ = 3.2kQ 9!OkQ VTO_V p __ 6V BETA = IDSS =0. Si se elige BASIe se necesitará de un método matemático que incluirá encontrar la solución de una ecuación cuadrática. y IDQ ~ e con 0. Los W ¡8V 2.62 Red de la figura 6. PSpice (versión DOS) En la figura 6.625 (3.365 Ahora que se conocen m y M.24 mA VGsQ ~ -0.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA En esta sección se desarrolla el análisis por computadora de una configuración a JFET mediante un divisor de voltaje usando los programas tanto BASIC como PSpice.Solución El cálculo de m da m ~ 1Vp 1 -- ~ 1--6 V 1 ----(8 mA)( 1.62 se redibuja la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 6.60. como lo muestra la figura.

oc VOD 18 18 1 .000 DEG e VDD 1.23 mA (PSpice).56 V (ejemplo 6. El JFET J2N3819 aparece dentro de la biblioteca eval.***************************.63 Análisis mediante PSpice de la configuración de la figura 6.4} I(RO) .*******.************************.63.20 con ID = 4.222E-3) .000000E-06 **** DC TRANSFER CURVES V(l. y VGS = -1.20) y VGS Q = -1.Browse.62 aparecerá como se muestra en la figura 6.64 Representación esquemática de la red de la figura 6. de igual fonna que en los capítulos previos con el JFET introducido. procedimiento para inicializar la red con los enunciados VIEWPOINTS e IPROBE. Q Q Q Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows La red de la figura 6.PRINT OC V(l. 6.oc Bias of JFET confiquration in Fig. la Descripción (Descriplion) que aparece sobre la lista en la caja de diálogo.64 cuando se aplique la versión para Windows de PSpice.565E+OO i(RD) '. según aparecen en la figura 6. El voltaje que se solicita como V(l.57 V (PSpice).4) es VGS y la corriente I(RD) es ID . Cuando se elige en la biblioteca.225E-Ol TEMPERATURE.2" J1 3 143M .24 rnA (ej¿mplo 6.62.4) -1. 27.800E+Ol Figura 6. se ha descrito en capítulos anteriores el Figura 6.61. VDD 2 O 18V Rl 2 1 910K R2 1 O 220K RD 2 3 2.61 •••• CIRCUlT DESCRIPTION •• ********. se 298 Capítulo 6 Polarización del FET . Se observa cómo son similares los resultados con los del ejempl6 6. Excepto por el JFET.MODEL JK KJF(VTO--6V BETA-. I?ar~metros son capturados. usando los formatos descritos también en el capítulo 5.OPTIONS NOPAGE • EllO •••• \'TO Junction FET NOOEL PARAMETERS JK NJF -6 BETA 222.2K RS 4 O 1.20) e ID = 4.Get New Part . la cual se seleccionó mediante la secuencia Draw .slb de la caja de diálogo Gel Part.

38). el Editor de Modelo (Model Editor) aparecerá y se podrá inicializar VTO en -{iV y BETA en 0.indica como un JFET de. En este ejemplo. tipo decremental de canal-n (n-channel jfet-depletion). Para los valores iniciales de VTO y BETA. se obtiene R¡ Ipss V. La corriente de drenaje igual a 4. entonces es necesario encontrar una solución común mediante el empleo de técnicas matemáticas para las ecuaciones que se definieron por la red y el dispositivo. Para acelerar la ejecución. aparecerá el símbolo JFET para su ubicación en la pantalla. se elige OK para asignar estos valores en la aplicación. VIEWPOINTS e IPROBE tendrán toda la información necesaria.39) VG = R2 VDD R¡ + R2 Si se inserta la ecuación para ID [ecuación (6. --)1--+--'" R.222E-3. Una vez que se termina. Para la red de la figura 6. sólo se selecciona el símbolo JFET que está sobre el dibujo una vez (pero sólo una vez) y se opta por la selección Edit en la barra de menús.65 Configuración mediante divisor de voltaje Que se analizará mediante el empleo de BASIC. Si se selecciona OK. la secuencia OK .65a.076 V =-1.38) (6. se observa que el dispositivo está descrito por la ecuación de Shockley (6.4) =3.13 Análisis por computadora 299 .65b) VGS = VG con - Irfis (6. v.65b): (6. Se coloca el JFET sobre la localización deseada y se oprime el botón derecho del apuntador (mouse) para terminar el proceso. VGG (a) vGS (b) Ftgura 6.57 V.23 mA es una réplica exacta de la solución con DOS así como el voltaje VGS = V(l.Edit Instance Model. se selecciona Analysis seguido por Probe Setup y se elige Do Not Auto-Run Probe. 6.Analysis . Una vez inicializados.Model . BASIC Si se utiliza un lenguaje como BASIC.37)] en la ecuación (6.64. Siguiendo la secuencia Edit .5044 V -5.Simulation proporcionará los resultados que aparecen en la figura 6.37) mientras que la red está definida por (figura 6.

2 B= 1-2' SS' RSNP C=SS' RS-GG D=B .3 Ecuaciones y variables del programa para el módulo 11000 Variable de la ecuación Variable del programa VG VS VD GG DD GS DS VP ID SS Rl R2 vG=--VDD R2 R¡ +Rz Vs = l"Rs vGs=vG-VS lD=IDS{ v::] A = IDssRs GSNP) .4ac.4ac 2a siendo la solución real aquel valor de VGS que caiga dentro del rango entre Oy Vr El programa probará desde luego. indicando que no existe solución en caso de tener un valor negativo. el valor de b2 .3 se proporciona un resumen de las variables y las ecuaciones que se utilizan en el módulo 11000.42) VDS = VD .2-4'A'C VI = (-B + SQR(D))/(2' A) RS RD C=IDssRs-VG D = B2 -4AC -B + 'iD 2A Vz= -B-W 2A V2 = (-B . 2 Vi 2lDssRs 8=1---Vp A=SS'RSNP.-----" a b e Las soluciones a la ecuación cuadrática están determinadas por -b ± -lb' .66 aparece el listado del programa junto Con una ejecución con los mismos valores utilizados en el análisis PSpice. Una vez más es importante notar la correspondencia tan cercana entre los resultados.2 Ecuaciones y enunciados para el módulo 11 000 Ecuación Enunciado para computadora GG = (R2/(Rl + R2)) . En la figura 6. cuando se expande. DD VS=ID'RS GS=VG-VS ID = SS' (1 - TABLA 6. los voltajes del drenaje y la fuente son (6. TABLA 6.40) Vs = IvRs y (6.2 y 6. Luego.41) (6.la cual. genera la siguiente ecuación cuadrática IDssRs ---V2 + V2 GS p '-~ (1 - 2IDS sRs) Ves + (lDSSRS .Vs En las tablas 6.VG) = O Vp ~ '--.SQR(D))/(2' A) VD=DD-ID' RD VS=ID'RS DS=VD-VS VD= VDD-1aRD 300 Capítulo 6 Polarización del FET .

*************.488087 volts Figura 6. IDSS~"¡SS INPUT "Gate-aouree pinoho!f voltaqe.121852 volts 3. VP=? -6 aias current i_." PRINT PRINT "Enter the fOllowing cireuit data:~ PRINT 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 310 340 INPUT "Rl (use lE30 if open)-".R1 .VD.2E3 RD-? 2.66 Programa en BASIC para el análisis de la red de la figura 6..65.*********.2El supply voltage.26821 aias voltaqes are: VGS--l.************* 30 REM Module tar FET de Bias Calculations 40 REM 60 REM 50 REM ********************************************* PRINT "This program provides tbe de bias calculations" PRINT "for a JFET or depletion MOSFET" PRINT "voltage-divider confiquratlon. VDD=? 18 Entar the followinq de~ee data: Drain-souree saturation current.GS¡"volts" PRINT ·Vo--. 10S8-? BE-J Gate-souree pinchoff voltage.. ."mA" PRINT MBias voltages are=~ PRINT "VGS-". REM 10 REM .VS¡"volts· PRINT "VDS="¡DS¡"volts" 350 END 11000 REK Module for FET dc bias calculationd 11010 GG-(R2(Rl+R2))*DD 11020 A-SS*RS/VP~2 11030 11040 o-SS*RS-GG l1Q50 D-B~2-4*A*C 11060 IF 0<0 THEN PRINT -No solution!!!" :STOP 11070 Vl=(-S+SQR(D))(2*A) 11080 V2-(-S-SQR(D))(2'A) 11090 IV ABS(Vl»ABS(VP) THEN GS=V-2 11100 IF ABS(V2»ABS(VP) TREN GS=Vl 11110 ID-SS*(1-GS/VP)A2 11120 VS=XD*'RS 11130 VG-GG 11140 VD-OD-IO. VOD="¡DD PRIIIT PRINT "En~er the followin9 device data:" INPUT "Oratn-aouree saturation current.ID*1000. B-l-Z*SS*RS/VP tnter tha following circuit data: Rl (use lEJO if open)=? 910E3 R2 =? 220E3 RS-? 1.***.**.RS INPUT "RO-" ¡RO PRINT INPUT "Supply voltage.RD 11150 OS=VD-vS 11160 RBTURN RUN This program provides the de bias calculations for a JFET or depletion MOSFET yoltage-divider eonfiquration.8. VP-"¡VP PRINT :PRINT REH Nov do bias caleulations GOSUB 11000 PRINT "Bia~ current ls.~09939 volts ~ vs- VDS= 5.617427 volts VD. 301 .R2 INPUT "R2 rHPUT "RS-"'.2.. IO~ 4."volts" PRINT ·VS·". IP-"..

-r. 14 V VcC.67 Problemas 1. 1. e) Calcular IDQ y VDSQ ' d) Con la ecuación de Shock. Figura6. 16 V 2.2 Configuración de polarización fija 1..6 kíl VD =9 V + VDS IDSs=8mA Vp =-4 V 302 Figura 6. b) R¿pita el fnciso a con un método gráfico y compare los resultados. .2kíl lvss = 10 rnA + IMíl Vp =-4.5 V 3V figura 6.. b) Sobreponer la ecuación de la red en la misma gráfica.67: a) Trazar las caractensticas de transferencia del dispositivo. .68 Problema 2.69 Problema 3.ley. e) Encuentre VDS' VD' VG Y Vs utilizando los resultados del inciso a.35. 12 V IMn . Para la configuración de polarización fija de la figura 6. calcule: a) b) e) [D. ------PROBLEMAS § 6.. 2. determine: a) ID Y Ves utilizando un método puramente matemático..38. 3. resuelva IDQ y luego localice VDSQ ' Compárela con las soluciones del inciso c.41. Para la configuración de polarización fija de la figura 6.69.68. Dado el valor de VD medido en la figura 6.. VDS. .

Para la red de la figura 6. 36.4.74.5 kil I pss = lOmA Vp =-4 V I Mil 750il FIgura 6. 20V 18 V 2. Figura 6. 42. 39. establezca una ecuación cuadrática para ID Y seleccione la solución compatible con las características de la red. calcule: a) I • DQ V b) VGsQ' c) I Dss' d) VD' e) VDS' Problemas 303 . Determine VD para la configuración de polarización fija de la figura 6. b) Sobreponga la ecuación de la red en la misma gráfica. Compárela con la solución que se obtuvo en el problema 6.3 Configuración de autopolarización 6. Esto es.70. Determine VD para la configuración de polarización fija de la figura 6. 5.73. 7.2kil 2kil VD 1 Mil 2 Mil 4V-¡ Figura 6.72: a) Trace la curva de transferencia para el dispositivo. Para la configuración de autopolarización de la figura 6.72 Problemas 6.7 V para la red de la figura 6. c) Calcule IOQ y V GSQ' d) Encuentre VDS' VD' Ve y Vs' 18 V 1. Dada la medíción Vs = 1.70 Problema 4. * 7. calcule: a) VesQelo ' b) VDS' VD' G y Vs' 9.72 utilizando un método puramente matemático.71.71 Problema 5. § 6. 8. Determine IOQ para la red de la figura 6.

Encuentre para la red de la figura 6. FIgura 6. ¿Cuál es el efecto de un Rs menor sobre ID Y VGS ? • . IDSS=6mA vp =-6 v 14 V 2.4 Polarización mediante divisor de voltaje 12.76.77 Problemas 12.39 kil Figura 6.51 ka (aproximadamente e150% del valor de 12).68 kn Figura 6. § 6. 13.6kil I Mil 0.76 Problema 11. Encuentre V s para la red de la figura 6.5 roA Vp =-5 V I Mil v.5 V LIHl FIgura 6. a) Repita el problema 12 con Rs = 0.* 10.51 kil 0.75: a) ID' VDS' b) C) VD" d) 12V VS' 18 V 20V 2.74 Problema 9. 43. Q Q b) ¿Cual es el menor valor posible de Rs para la red de la figura 6.77? 304 Capitulo 6 Polarización del FET . = 1.2kil 2kil I[)SS = 6 mA Vp =-<:' v IDSS =4.7 V 1. * 11. Determine para la red de la figura 6.73 Problema 8. 13.2kil 0. Figura 6.75 Problema lO.77: a) VD' b) ID Q Y VDS' Q e) VD y Vs' 20 V d) V DS Q ' 910kil IDSS= lOmA Vp =-3.

79 Problemas 15.43 kQ 0.81 Problema 17. Figura 6.78. Calcule para la configuración de la figura 6.82 Problema 18. Figura 6. c) VGS' 12V § a) 6. Calcular: a) b) ID' Vs.5 I MOSFET de tipo decremental 3kQ 17. Figura 6. Para la red de la figura 6. Especifique para la red de la figura 6. b) l 18 V 2.80 Problema 16.2 kQ 1 MQ 0. encuentre: a) ID' b) VDY Vs. Dado V DS := 4 V para la red de la figura 6.37. VDS' VG' VGs' c) d) a) b) VI" I * 15. VD := 9 V.14.2 kQ + 4V 2kQ 14 V -3V Figura 6.81: DQ y V GsQ ' b) VDS Y VD' * 18. * 16.39 kQ -4V ... 1.80.68 kQ Figura 6. Calcular para la configuración de autopolarización de la figura 6.82: a) ID Q y Ves' Q VDS Y Vs.t- 1Vs VDS - 91 kQ 0.40. Problemas 305 .78 Problema 14.79: Y V GsQ ' DQ VDSyVS' 18 V f 750 kQ 16 V + Vo + VOS .

85: a) VG .83 Problema 19.51 kQ 0. f) Ve r-------~--------~--~20V $ > 91kQ >330kQ • J..83 calcule: a) IDa b) VeSQyVDSQ' e) VD y Vs· d) VDS- 20. FE .85 Problema 21. Calcular para la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 6.75kQ . .. Para la configuración de la figura 6.8 Redes combinadas * 21.84 Problema 20.. § 6.§ 6.J kQ L:: lB r . figura 6. .1- ~= 160 VD IDss=6mA Vp =-6V flDQ + VasQ 1~ > 18kQ >I. b) VGS elD • e) lE' Q Q d) e) lB.2kQ 306 Capítulo 6 Polarización del FET * . Calcular para la red de la figura 6.8MQ + 5 mA VG5(cncendido) == 6 V + VGSQ VesQ 0. 24 V 22 V 1.84: a) [Da b) y V GSQ ' VDyVs.. figura 6.6 MOSFET de tipo incremental 19. Figura 6.2 kQ lOMQ 2..2 kQ *lDQ VGS(Th) = 3 V VaS(Th) ID(meendido)== ~IDQ 1MQ + VDSQ =4 V VGS(=udid<l) == 7 V 1f)(cncendidQ) = 5 mA 6. VD.

Diseñe una red como la que aparece en la figura 6. 307 . § 6.9 Diseño * 23. Utilice los valores estándar. Problemas Flgura 6.. Col .2 kQ > v. .5R s con R¡ = 22 MQ. D = 3RS Y use los valores estándar. ¿Qué sugieren las lecturas de cada configuración de la figura 6. Asuma que J. * 24. Además.87 acerca de la operación de la red? 12 V 12 V 12V 2kQ 2kQ 2kQ 4V 1MQ 1kQ !--oOV 1 Mil + 12 V 1 Mil ..5 x 10--3 AJV2 para obtener un punto Q en 1DQ = 6 mA.5 mA utilizando una fuente de 24 V...2 kQ Figura 6. Vc + VCE r ~ 10 kQ . § 6. p= lOO ~ lE 1. Q = 10 mA y Vp Diseñe una red mediante divisor de voltaje empleando un MOSFET de tipo decremental con 1DSS = -4 V para obtener un punto Q en 1DQ = 2.* 22. k =0. Utilice una fuente de 16 V Y valores estándar.39 empleando un MOSFET de tipo incremental con VGS(Th) = 4 V... fije Ve = 4 Vy utilice RD = 2.87 Problema 26.86 Problema 22..86: a) b) e) VB' Vc' VE' lE' le ID' d) e) f) g) lB' Ve> Vs• VD' VCE' VDS' • : 40 kQ • • 2. Diseñe una red de autopolarización empleando un transistor JFET con lvss = 8 rnA Y Vp = -6 V para obtener un punto Q en 1D = 4 mA utilizando una fuente de 14 V..10 Localización de fallas * 26... 25. Detennine para la red combinada de la fígura 6.

e) VD. § 6. 30. Repita el problema 1 utilizando la curva universal de polarización para JFET.88 Problema 27. F"lgura 6.51 ill Figura 6.12 Curva universal de polarización para JFET 31.. F"lgura 6.91 Problema 30. DQ b) VDS.91.2kQ 330kQ 2kQ 14.25 V 75 kQ 1 ill . '" 28.90. La red de la figura 6. Para la red de la figura 6.. 32. Repita el problema 6 usando la curva universal de polarización para JFET. 33.7V-r---.11 FET de canal-p 29. ¿Cuál es la causa específica de su falla? 20V 20V 330kQ 2.2kQ 2kQ IMn VGSml) =-3 V 1D(tllCeDdido) = 4 mA IMn VGS(eocendido) = -7 V 0. Repita el problema 15 ayudado con la curva universal de polarización para JFET.. e) VD. 75kQ l ill 6.. 34. 308 Capítulo 6 Polarización del FET .89 no está operando de manera adecuada. calcule: a) IDQ y VGsQ ' b) VDS. F"lgura 6..88 por principio sugieren que la red/éstá comportándose de forma adecuada.. § 6.'" 27.89 Problema 28. -IBV -16V 2. determine: a) I y VGsQ . deterrnine una causa probable del estado indeseable dé\a red. Aunque las lecturas de la figura 6.4 V 3.90 Problema 29. Vuelva a hacer el problema 12 utilizando la curva universal de polarización para JFET.. Para la red de la figura 6.

Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 15. Calcule I DQ . Utilizando BASIC. Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 1. o Q Q *Los asteriscos indican problemas más difíciles. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 6. 37..13 Análisis por computadora ID Q Q 35. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 1. VesQ y VDS Q 41. Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 15. ~. Utilizando BASIC. Q Q 36. 40. 39.§ 6. calcule IDQ y VGsQ para la red del problema 6. Problemas 309 . 42. calcu¡e ID • Ves y VDS p"'a ¡>red del problema 12. calcule 1DQ Y V esQ para la red del problema 1. Calcule Y V GS . . Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 6. Utilizando BASIC. Calcule ID Y VGS 38.

.

311 . establecen con claridad cuál método es el adecuado. Uno de los primeros intereses en el análisis senoidal en ac de las redes de transistores es la magnitud de la señal de entrada. Luego surge la pregunta sobre la manera en que la potencia en ac de salida puede ser mayor que la potencia en ac de entrada. dicho de otra manera. En otraS palabras. Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el análisis en ac de pequeña señal ~ de redes de transistores: el modelo re y el equivalente hlbrido.1 Corriente estable fija.2. aunque parte de ella se disipe por medio del dispositivo y los elementos resistivos.1 INTRODUCCIÓN En el capítulo 3 se presentaron aspectos como la construcción básica. Quizá el papel de la fuente de dc pueda describirse mejor si se considera primero la red de de simple de la figura 7. La dirección de flujo resultante está indicada en la figura junto con una gráfica de la corriente i en función del tiempo. El mecanismo de control es tal. Ahora se insertará un mecanismo de control como el que se muestra en la figura 7. En el capítulo 4 se examinó con detalle la polarización de de. La técnica de pequeña señal se presenta en este capítulo y las aplicaciones de gran señal se examinan en el capítulo 16. Po' de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada. sino que define el papel de cada uno y la relación que hay entre ambos. porque ésta detenninará si deben aplicarse las técnicas de pequeña señalo de gran señal. P. 7. que la aplicación de 1 L- 1. por lo general. De hecho. existe un "intercambio" de potencia de dc al dominio de ac que permite el establecimiento de una mayor potencia de ac de salida.2 AMPUFlCACIÓN EN EL DOMINIO DE AC En el capítulo 3 se demostró que se puede utilizar el transistor como un dispositivo amplificador. No existe una línea divisoria entre ambas.1 1 (constante) o Figura 7.. la potencia en ac de la salida es mayor que la potencia en ac de entrada. y que la eficiencia definida como r¡ = PJP. El factor que falta en la presentación anterior que permite que la potencia en ac de salida sea mayor que la potencia en ac de entrada es la potencia aplicada de dc. y Pi(dc) es la potencia de de suministrada. Esto es. Ésta es una contribución a la potencia total de salida.CAPÍTULO Modelaje de transistores bipolares 7. no puede ser mayor que 1. En este apartado se examinará la respuesta de ac en pequeña señal del amplificador a BJT mediante la revisión de los modelos que se utilizan con más frecuencia para representar al transistor en el dominio senoidal en ac.1. la señal senoidal de salida es mayor que la señal de entrada o.da mediante una fuente de. pero la aplicación y la magnitud de las variables de interés relacionadas con las escalas de las características del dispositivo. La conservación de la energía establece que a través del tiempo la potencia total de salida. la apariencia y las características del transistor. se define una eficiencia de conversión por medio de 7J = P o(ac/Pi(dc)' donde po(ac) es la potencia en ac de la carga. Este capítulo presenta no sólo ambos modelos.

i i~JE una señal relativamente pequeña al mecanismo de control puede ocasionar una oscilación mucho mayor en el circuito de salida. y en general.. Sin embargo. se debe considerar el circuito de la figura 7. y cómo el aprovechamiento de uno conduce al aprovechamiento natural del otro. aplicarse los métodos básicos del análisis de circuitos ac (análisis de mallas. pero es 312 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .~ I~ de control M"anismo Itr v:" ~1 . Sin embargo.2 el valor pico de la oscilación está controlado por el nivel de de establecido. El circuito equivalente de parámetros híbridos sigue siendo muy popular. Un modelo es la combinación de elementos del circuito. ~xisten dos importantes corrientes de pensamiento respecto al circuito equivalente que sustituirá al transistor. se pueden eliminar los niveles de de del análisis en ac de la red. permitiéndose el uso del teorema de la superposición para aislar el análisis dc del análisis ac. Los niveles de dc fueron importantes sólo para determinar el punto de operación Q adecuado. Hoy en día.4. . se seleccionaron el par de capacitores de acoplamiento el y e 2 y el capacitar de desvío e 3 para tener una pequeña reactancia a fa frecuencia de la aplicación. se puede reemplazar en el esquema el símbolo gráfico del dispositivo por este circuito y pueden. esto está claramente expuesto en la figura 7. ni en el efecto de retroalimentación de la salida a la entrada. Una vez que éstos se fijaron.1. Por tanto.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo de estado estable del sistema eléctrico de la figura 7. Durante muchos años tanto las instituciones industriales como las educativas se apoyaban mucho sobre los parámetros h¡'bridos (los cuales serán presentados en breve). 7. para cualquier propósito práctico. Sin embargo. Para el sistema de la figura 7. Los fabricantes continúan especificando los parámetros luaridos para una región de operación en particular en sus hojas de especificaciones. el diseño adecuado del amplificador requiere que los componentes de y en ac sean sensitivos a los requerimientos y limitaciones del otro. Debido a que sólo se está interesado en la respuesta en ac del circuito. de manera exclusiva. el circuito luarido equivalente se condiciona por estar limitado a un conjunto en particular de condiciones de operación si se debe considerar como preciso. En algunos análisis y ejemplos se requerirá el modelo híbrido. En un esfuerzo para demostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente en ac sobre el siguiente análisis.3 o Figura 7. aunque ahora debe compartir su utilización con un circuito equivalente que se derivó directamente a partir de las condiciones de operación del transistor: el modelo r. en realidad es una fortuna que los amplificadores de pequeña señal a transistores puedan considerarse lineales para la mayoría de las aplicaciones. seleccionados de forma adecuada. Cualquier intento de exceder el límite establecido por el nivel de dc dará por resultado un "recorte" (aplanado) de la región pico de la señal de salida. en el texto se harán todos los esfuerzos para mostrar cuán relacionados están los dos modelos. MODELAJE DE TRANSISTORES BJT La clave para el análisis en pequeña señal de los transistores es el uso de circuitos equivalentes (modelos} que se presentarán en este capítulo. pueden sustituirse mediante una trayectoria de baja resistencia o por un corto circuito de polarización. Además. En contraste. Los parámetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para cualquier región de operación dentro de la región activa y no están limitados por el conjunto único de parámetros proporcionados en las hojas de especificaciones. entonces. análisis por nodos y el teorema de Thévenin) para determinar la respuesta del circuito. mientras que en otros se utilizará el modelo r. fracasa por no considerar el nivel de impedancia de salida del dispositivo. todas las fuentes de de se pueden reemplazar por un potencial equivalente de cero (corto circuito) debido a que sólo aproximan el nivel de de (estable) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida en ac. el modelo r. los dos se examinan con detalle en este texto. Por tanto. Es importante asumir por el momento que ya está determinado el circuito equivalente de ac en pequeña señal. Una vez que se determina el circuito equivalente en ac. Los parámetros (o componentes) del modelo r. pueden derivarse de manera directa a partir de los parámetros híbridos. Debido a que ambos modelos se emplean en forma extensiva en la actualidad.3. que mejor se aproximan al comportamiento real de un dispositivo semiconductor que está bajo condiciones especificas de operación.

Vee Re R¡ B Vo e e. E V.5 + R.¡. Re R¡ e B + . '\¡ -. + V..4.3 Modelaje de transistores B.I E o + R. evidente que esto ocasionará un "corto" del resistor de polarización RE" Recuerde que los capacitores asumen un equivalente de "circuito abierto" bajo condiciones de estado de de estable.3 Circuito de transistor bajo examen en esta discusión introductoria.4 para el análisis en ac y pequeña señal. RE -. R I Y R 2 estarán en paralelo.¡.5.. + R. E '\¡ -. + V.. Debido a que los componentes del circuito equivalente del transistor que aparecen en la figura 7. + V. 313 Figura 7. lo que permite un aislamiento entre los estados de los niveles de de y las condiciones estables.. y Re aparecerá de colector a emisor como lo muestra la figura 7. 1 ¡ Figura 7.L le ¡ 3 Figura 7.IT . Vi li Zi B Circuito equivalente de ac en pequeña señal para el tran~istor e R¡II R. '\¡ r ~ + Vi R. Z.5 Redibujo de la figura 7.¡.4 La red de la figura 7. Vi R. Si se establece una tierra común y se reorganizan los elementos de la figura 7. .3 después de la eliminación de la fuente de de y la inserción del corto circuito equivalente para los capadtores. 7. lo + Re VD ..

primero se estudiarán aquellos parámetros de un sistema de dos puertos que son de vital importancia desde los puntos de vista de análisis y de diseño.4 LOS PARÁMETROS IMPORTANTES: Z¡. 1. para la mayoría de los sistemas eléctricos y electrónicos el flujo general nonnalmente es de izquierda a derecha.1) Si la señal de entrada Vi es cambiada. Para ambos conjuntos de terminales.5 se observa para esta configuración que Ji == lb Y que Jo. el teorema de Thévenin. Eliminando todos los elementos en paralelo con un elemento de desvío mediante los equivalentes de corlo oírcuito que fueron presentados en los pasos 1 y 2 4. Redibujando la red de manera más conveniente y más lógica En las siguientes secciones los circuitos re y el híbrido equivalente se presentarán para completar el análisis en ac de la red de la figura 7.6. y así sucesivamente. el lado de la entrada (el lado en el cual se aplica normalmente la señal) está situado a la izquierda y el lado de la salida (donde está conectada la carga) se localiza a la derecha. se pueden identificar las cantidades importantes que se elegirán para el sistema.5. De hecho. + V. la impedancia de entrada 2¡ está definida por la ley de Ohm de la siguiente forma: (7.. En otras palabras: 314 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . el equivalente de ac de una red se obtiene: 1. se puede calcular la corriente Ií utilizando el mismo nivel de impedancia de entrada. Reemplazando todos los capacitores por un corto circuito equivalente 3. se pueden aplicar las técnicas de análisis como la superposición. se podría esperar alguna indicación acerca de cómo se relaciona el voltaje de salida Vo con el voltaje de entrada Vi' la ganancia en voltaje. En las siguientes secciones se hablará mucho más acerca de estos parámetros. + V. Z¡ Para el lado de la entrada. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7.6 Sistema de dos puertos. y la impedancia de salida 20 son particularmente importantes en el próximo análisis. 1. F'tgura 7. z¡ Sistema de dos puertos Z. Debido a que el transistor es un dispositivo amplificador. Impedancia de entrada. En la figura 7.5. Haciendo todas las fuentes de dc cero y reemplazándolas por un corlo circuito equivalente 2. la impedancia entre cada par de terminales bajo condiciones normales de operación es muy importante.. Si se examina con mayor detalle la figura 7. Zo' Av' A¡ Antes de investigar los circuitos equivalentes para los amplificadores a BIT con mayor detalle. para determinar las cantidades deseadas.utilizan componentes familiares como resistores y fuentes controladas independientes.:: le' las cuales definen la ganancia en corriente A¡. En resumen.:: J/Ji" La impedancia de entrada 2¡. 7.

S I (7. una vez que se ha determinado la impedancia de entrada. siempre y cuando ambos valores utilicen el mismo estándar. + Vs 600 Q . en la figura 7. = OQ). Si la fuente fuera ideal (R. las cuales son condiciones que no cambian sólo porque varía la magnitud de la señal de ac aplicada.2) y (7. La ecuación (7. se puede emplear el mismo valor numérico para los niveles cambiantes de la señal aplicada. ovalares nns.2 kQ.3) -Zi + V¡ Sistema de dos puertos Figura 7.. La fuente de la señal tiene una resistencia interna de 600 Q Yel sistema (posiblemente un amplificador a transistor) tiene una resistencia de entrada de 1. r Zi = 1. Se puede utilizar un osciloscopio o un multímetro digital sensible (DMM) para medir tanto el voltaje V" como el Vi.7 se añadió un resistor sensor en el lado de la entrada para permitir una determinación de Ji mediante el empleo de la ley de Ohm. pero por la Rfueotc .8.8 Demostración del impacto de Z¡ en la respuesta del amplificador_ 7. puede variar desde unos cuantos ohms hasta los megaohms.4 Los parámetros importantes: Zi' ZfI' Av' Ai 315 .Para el análisis en pequeña señal. y dependiendo de la manera en que se utilice el transistor.2 ka I lOmV - + V. Es muy notable que para las frecuencias dentro del rango bajo a medio-bajo (normalmente $ 100 kHz): La impedancia de entrada para un amplificador a transistor a BiT es puramente resistiva en naturaleza. Se encontrará en las próximas secciones que la impedancia de entrada de un transistor puede calcularse de forma aproximada mediante las condiciones de polarización de de. Amplificador figura 7. Por ejemplo.Ambos voltajes pueden ser de pico a pico. Luego se determina la impedancia de entrada de la siguiente manera: v-v.. De hecho. Además: No se puede emplear un óhmetro para medir impedancia de entrada en pequeña señal debido a que éste opera en el modo de dc.los 10 mV completos serían aplicados al sistema...1) es particularmente útil porque proporciona un método para medir la resistencia de entrada en el dominio de ac." La importancia de la impedancia de entrada de un sistema se puede demostrar mejor por medio de la red de la figura 7.7 Determinación de Z.

vi = J. .2% de la señal aplicada. el nivel de la impedancia de .8 !lA Ikn Ikn y 1. Luego s<t calcula la impedancia de salida de la siguiente manera: 1 = V-Vo ___ 0 (7. . Si 2i fuera sólo de 600 n. . . será del '93.9.impedancia de la fuente.6 kn De este modo sólo el 66. se debe calcular el voltaje de entrada utilizando la regla del divisor de voltaje de la siguiente malnera: V. v. EJEMPLO 7. Zo La impedancia de salida.V. calcule el valor de la impedancia de entrada. 2V I S (1.1.4) Rsensor y 8J o =Vo 1 o (7. en la tlgura 7. 8. .8 mV .naturalmente se define en el conjunto de terminales de salida.2 kn. Vs' a las:tenninales de salida y se mide el nivel de Vo con un osciloscopio o un DMM sensible.5) 316 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . Por tanto. R.1 Para el sistema de la figu a 7. 5 mV o el 50% de la señal disponible. emisor común. :. 2 mV . Esto es: La impedancia de s~lida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrás al sistema con la seíial aplicada igual a cero. " entrada puede tener un i~pacto significativo sobre el nivel de la señal que alcance el sistema (o amplificador).2 mV 0.2 mV V.2 kn + 0. En las sigulentes secciones y capítulos se demostrará que la resistencia de entrada en ac es dependiente en eH caso de que el transistor esté en la configuración de base común.cmor +1 V. Para determinar 2 0 .5 kQ Z¡= . = 1.2 kQ)(lO mV) "ti -J. Desde luego.9 Ejemplo 7.:: . Por ejemplo.-~(l0 rnV). IkU 2mV '\. pero esta definición es un pocp diferente cuando se trata de la impedancia de entrada.8 !lA li Impedancia de salida.1. v.70/0 de toda la señal de entrada está disponible en la entrada. si 2. 0. entonces 11'. o de cole4tor común y la colocación de los elementos resistivos. se aplica una señal.10 la señal aplicada se hace cero volts.67 mV + Rfuente 1.= 0. 6.2m~ l' Zi t I -1 Solución' Sistema de dos puertos Figura 7.

Solución 1o = = vVo 1o = 1 V . dependiendo de la configuración y la colocación de los elementos resistivos. Av Una de las características más importantes de un amplificador es la ganancia en voltaje en pequeña señal.5 kQ Ganancia en voltaje.Rfucnlc -"AA + Sistema de dos puertos VD Figura 7.1 L si 20 ~ RL' la mayor parte de la comente de salida pasará a la carga.2. I Av (7. el nivel de 20 debe ser tan grande como sea posible. A¡ 317 .6) 7.10 Determinación deZo. Zo puede variar desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder los 2MQ.4 los parámetros importantes: Zj' Zo' A".":' Z" 'VV I _1 + En particular. Para las configuraciones de amplificador donde se desea una ganancia significativa en corriente. Como se demostró en la figura 7. EJEMPLO 7. R L P:'\r3 Ro» R L IL»IR o Figura 7.12 Ejemplo 7.11 EfectodeZn " Roen la corriente JL de carga o salida. En las siguientes secciones y capítulos se demostrará que con frecuencia 20 es tan grande respecto a RL que se puede reemplazar por un equivalente de circuito abierto.2 + Sistema de dos puertos Vo = 680 mV -z. para las frecuencias en el rango bajo a medio (normalmente::. Calcular el nivel de impedancia de salida para el sistema de la figura 7. --lo R 'C.680 rnV 20 kQ = 320 mV 20 kQ = 16 )lA Rsensor Y 20 = 680 rnV 16 )lA = 42. Además: No se puede utilizar un óhmetro para medir la impedancia de salida en pequeña señal debido a que el óhmetro trabaja en el modo de de.12. Vo 20kil Figura 7. como se detennina mediante I =:. 100 kHz): La impedancia de salida de un amplificador a transistor BJT es resistiva por naturaleza y.

14.. de tal forma que A. A. detenninar: a) b) e) Vi' li' Z¡. la magnitud de la ganancia en voltaje para un amplificador a transistor de una etapa normalmente está en el rango de menos de 1 a unos cuantos cientos. Vo Al'.13 que tiene una resistencia de fuente Rs' el nivel de Vi debería determinarse primero utilizando la regla del divisor de voltaje antes de calcular la ganancia V/Vs. . + Rs Z. y V. no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el nivel de ganancia determinado por la ecuación (7. Esto es. la ganancia de voltaje Al" o AV:>:L se puede calcular simplemente al medir los niveles de voltaje adecuados por medio de un osciloscopio o un DMM sensible. Z. un sistema multietapas (multiunidades) puede tener una ganancia en voltaje de varios miles. ZV. Esto es: Vo ! . d) 318 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .13. V. Sin embargo.. Z¡ Z¡ + R.7) RL '" 00 Vi Q (circuito abierto) -Z¡ + Vi + Figura 7. EJEMPLO 7.3 Para el amplificador a BJT de la figura 7. :-"L \- (7.6) se refiere como la ganancia de voltaje de sin carga..-1 (7. la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje con carga.Para el sistema de la figura 7. Dependiendo de la configuración. v. Vo V. V. con . Para el sistema de la figura 7.13 Determinación del voltaje de no carga.. Vo V. v.8) De manera experimental. Z¡ + R . . y sustituyendo en la ecuación correspondiente. V. En el capítulo 9 se demostrará que: Para los amplificadores a transistores. A".

319 .2 kQ (320) = 192 Ganancia en corriente.15 Determinación Vi . = Vi e lo = V. sin embargo..68V o Solución v.8 kQ 1.R.8 kQ = 13. d) A " = = Zi Z. una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la efIciencia total de un diseño.. .33 j1A R.68 V 320 24 rnV 1. 7. b) Y Vi = V. la ganancia en comente normalmente varía desde un nivel apenas inferior a 1 hasta un nivel que puede exceder los 100. = 320 V. =40mV '\" BIT AI>¡. Para la situación con carga de la figura 7. r----4~ + I 1. + o li Zi l.. 1.8 kQ + 1. V. l.. .L -IL--_--<>-~ Figura 7.2 kQ 24 rnV 13. A \} t"L 7. Z.9) Aunque por lo general ésta recibe menor atención que la ganancia en voltaje. V.=7.15. AV NL 1.. En general: Para los amplificadores a BJT. es. e>------ de la ganancia de corriente cargada.33 ¡LA = 1.. A¡ La última característica numérica que será tratada es la ganancia en corriente definida mediante (7. e) Zi = V.4 Los parámetros importantes: Zi' Zo' Av' A. Amplificador BIT + Figura 7. + R.14 Ejemplo 7.2kU + -Zi Vi ~ ---o Amplificador + V..Vi 40 rnV .3.24 rnV 1.

En el capítulo 3 se estudió que una unión de un transistor en operación está polarizada de manera directa. los resultados obtenidos con el modelo en su lugar deben ser relativamente cercanos a aquellos que se consiguen con el transistor real. afectarán algunos de estos parámetros. Como se observó en la sección 7. Relación de la fase La relación de la fase entre las señales senoidales de entrada y de salida es importante por una variedad de razones prácticas.16a se ha insertado un transistor pnp dentro de la estructura de dos puertos.16b entre las mismas dos terminales parece ser muy apropiada.10) RL La ecuación (7. Zi (7.16a.re con A. En otras palabras. Resumen Hasta aquí se han presentado los parámetros de importancia primaria de un amplificador: la impedancia de entrada 21' la impedancia de salida Zf)' la ganancia de voltaje Av> la ganancia de corriente A i Y la relación de la fase resultante. (como se calculó a partir de l. el modelo (circuito equivalente) se selecciona de tal forma que se aproxime al comportamiento del dispositivo que está reemplazando en la región de operación de interés. y es necesario para la discusión de las últimas secciones. pero esto se discutirá en el capítulo 11.5 EL MODELO DE TRANSISTOR re~ El modelo r l • requiere un diodo y una fuente de corriente controlada para duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés.16b el modelo re para el transistor se ha colocado entre las mismas cuatro tenninales.10) permite determinar la ganancia en corriente a partir de la ganancia en voltaje de los niveles de impedancia. Otros factores. La razón de la situación anterior se aclarará en los siguientes capítulos.8 revelaron que le == l. la equivalencia del diodo de la figura 7. 7. De hecho: Los amplificadores a transistor BiT son conocidos como dispositivos de corriente controlada. Téngase presente que para el lado de la salida las curvas horizontales de la figura 3. tales como la frecuencia aplicada en los extremos bajo y alto del espectro de frecuencias. todos los parámetros se determinarán para una variedad de redes de transistores para pennitir una comparación de las ventajas y de las desventajas de cada configuración.. Configuración de base común En la figura 7. En la figura 7. ÚlS señales de entrada y de salida están o bien lS(f' fuera de fase o en fase.7.3.RL y Ai ~ -A . Para la unión de la base al emisor del transistor de la figura 7. Afortunadamente: Para el transistor amplificador tipico a frecuencias que permiten ignorar los efectos de los elementos reactivos. = al) para el rango de valores de VCE" La fuente de corriente 320 Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares . En las siguientes secciones y capítulos. La unión en polarización directa se comportará de fonna similar a un diodo (ignorando los efectos de los cambios de valores de VCE) como lo veritlcan las curvas de la figura 3. lo ~ ~ Vo/R L V¡/Z¡ VoZ¡ ~ li V. Recuerde que una fuente controlada de corriente es aquella donde los parámetros de la fuente de corriente están controlados por medio de una corriente situada en cualquier otro lugar de la red. mientras que la otra está polarizada inversamente.

Esta misma ecuación se puede utilizar para encontrar la resistencia en ac del diodo de la figura 7 .'-' CH I Para la configuración de base común. a (O Al = O A. El resultado es que para el modelo de la figura 7.16 a) Transistor BJT en base común: b) modelo re para la c:onfiguración de la figura 7. e 0----":----.16b establece el hecho de que le = ale' apareciendo la corriente de control!e del lado de la entrada del circuito equivalente como se detenninó en la figura 7 .16b si sólo se sustituye la corriente del emisor de la siguiente manera: r.0 e le = al.13) = = = 7. obteniéndose una equivalencia de circuito abierto en las terminales de la salida.. O A e 1.11 ) El subíndice e de re se seleccionó para enfatizar que es el nivel dc de la coniente del emisor la que determina el nivel de la resistencia en ac del diodo de la figura 7.16a.l6b es un modelo válido del dispositivo real. si se hace cero la señal. en la figura 7. (7.16a. (7.17 Circuito equivalente re de base común. 321 ..0.. una revisión inicial hubiera sugerido que el modelo de la figura 7 .5 E( modelo de transistor r. t B~------------~--------------~B (b) -1. b~------~----~------------~b Figura 7. r-I -----=--. proporcionando así un vínculo entre las dos.17.12) z. se ha establecido una equivalencia en las tenninales de entrada y de salida con la fuente controlada de corriente. = r L--.17. Eo--~~----------~ 1.-'-'_::.'= . En el capítulo 1 se analizó cómo la resistencia en ac de un diodo puede detenninarse por medio de la ecuación r" = 26 mVI1D ..16b dará por resultado el muy útil modelo de la figura 7. Debido al aislamiento que existe entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.-1------00 t b~----~~ -1.16b. Por tanto. entonces 1. es obvio que la impedancia de entrada Z¡ para la configuración de base común de un transistor es simplemente re' Esto es.17. .. al. de la figura 7 .----1E~ 26 mV (7.. Sustituyendo el valor obtenido de r.1. donde ID es la corriente de dc a través del diodo en el punto Q (estable). Para la impedancia de salida. e le = al~ ~b ____4-__________ Figura 7. los valores típicos de Z¡ varían desde unos cuantos ohms hasta un máximo de aproximadamente 50 .

para la configuración de base común. = V.. Si se tuviera cuidado para medir 20 de forma gráfica o experimental.14) r.(-l. 1. ________________~ = 3 mA lE IE= 2 mA 2b-----------------o VeB figura 7.13).)R L = al. daría por resultado la conclusión de la ecuación (7.r. + Amplificador BIT de base Z. = -a '" -1 ICB + Vi o /. /e (mA) / r" I¿=4mA 4~ ----------~--------~ __ 3~ Pendiente :: . 1. Suponiendo que las líneas estén perfectamente horizontales (una aproximación excelente). aRL r.. La resistencia de salida de la configuración de base común está detenninada por la pendiente de las líneas que fonnan las características de salida como se muestra en la figura 7.19 Definición deAv =VO IV. y A. - RL (7. los valores típicos de Zo están en el rango de los megaohms.R L IZ = IeTe .. se obtendrían niveles ubicados normalmente en el rango de 1 a 2 MQ. vu y = -loRL = . A. Vo aIeRL V.En realidad: Para la configuración de base común. o 322 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . 1o = -1. para la configuración de base común. ICB al Para la ganancia en comente. así que A.18. Ahora se determina la ganancia en voltaje para la red de la figura 7. la impedancia de entrada es relativamente pequeña y la impedancia de salida es muy grande.!.19.. y A.18 Definición de 20' En general. común FIgUra 7. = • (7.15) li 1.

e) Encontrar la impedancia de salida y la ganancia en corriente.69 !lA)(0.56 kQ) 168.86 mV 2 mV 84. Obsérvese que la fuente controlada de corriente aún está conectada entre las terminales del colector y de la base.5 Q el 2 0 " 00 Q lo A. Para el transistor npn en la configuración de base común la equivalencia podría parecerse a la mostrada en la figura 7. Además. ~ . y se aplica una señal en ac de 2 m V entre las tenninales de la base y el emisor: a) Calcular la impedancia de entrada. ex:= 0. y el diodo entre las 7. -o: ~ -0. Para una configuración de base común de la figura 7. el lado negativo está en potencial de tierra) indica que tanto Vo como Vi están en fase para la configuración de base común.5 Q lE 4 mA 2 mV -6. las terminales de entrada son las terminales de la base y el emisor. b) Determinar la ganancia en voltaje si se conecta una carga de 0. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor npn se obtiene la configuración de la figura 7.R L ~ (0.I. sea el mismo que el definido por la figura 7.19 (~s decir. pero en este caso la salida se establece entre las terminales del colector y del emisor.15) Configuración de emisor común Para la configuración de emisor común de la figura 7..98)(0. ~ vo V.21 b.5 Q Vo ~ ~ ~ 307. 1. E 0---'-----_ _-" 1.56 kQ a las terminales de salida.98.21 a. 1.~ 6..14). modelo de transistor r.17 con lE = 4 roA..El hecho de que la polaridad del voltaje Vo como lo detenninó la corriente 1..43 a partir de la ecuación (7.20 Modelo aproximado para la configuración de base común para un transistor npn.86 mV y O A . Ir---------~~~DC f 8°-------------~ 1 = al.98)(307.98 como se definió por medio de la ecuación (7. la terminal del emisor ahora es común a los puertos de entrada y de salida del amplificador.------="--0 e le e 0---_--..56 kQ) A.43 r. ~ ~ 84.4 26 mV 26 mV re ~ . . e ______________OB bo------~ _____ ~ ____________ ~Db Figura 7.5 F. Solución a) EJEMPLO 7.~ 1.~ .R L ~ o:I.20. 6. ----~ 168.. 323 . (0.69 !lA I.

.::: Iere == /3lb re oc 1¡=l" b + V¡ - ~ + V. E eo-----------~------------------_oe lb) a) Transistor BJT en emisor común.22. mientras que la comente de salida aún es le' Según lo estudiado en el capítulo 3. (7. tanto.. = 1.22 Determinación de Zi utilizando el modelo aproximado. = (13 + l)lb (7..------oc 1.: Vbe l¡ lb El voltaje Vbe está a través de la resistencia del diodo como se muestra en la figura 7. debido a que la beta en ac por lo general es mucho mayor que 1.18) La impedancia de entrada está determinada por el siguiente cociente: VI Z¡:.::: Vbe . Al aplicar la ley de Ohm da Vi . Oc E 1') Figura 7. aún está detenninado por la corriente dc lE. I le = f3Jb V r. + lh = f3lb + lb e 1.. las comentes de base y del colector están relacionadas por medio de la siguiente ecuación: (7.21a. En esta configuración.16) ~or. la corriente a través del diodo está determinada por 1. 324 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . eo-------~~~----------------~e Figura 7. se empleará la siguiente aproximación en el análisis: r---------..17) Sin embargo. . la corriente de la base es la corriente de entrada. b) modelo aproximado para la configuración de la terminales de la base y el emisor.21 figura 7. El nivel de r.

Por ejemplo.19) establece que la impedancia de entrada para una situación como la que se muestra en la figura 7. (7...5 El modelo de transistor re 325 .21 no incluye una impedancia de salida..24 Definición de ro para la configuración de emisor común. los valores típicos de Z¡ definidos mediante j3re están en el rango desde unos cuantos cientos de ohms al rango de los kilohms con valores máximos de aproximadamente 6 a 7 kilohms..: : : : : : . ICE -' . Se observa que la pendiente de las curvas se incrementa en la corriente del colector. si se ignora la contribución debida a ro como en el modelo re' la impedancia de salida se define mediante Zo := 00 Q. si la señal aplicada se hace cero.26 utilizando la suposición de Zo::: 00 Q.5 Q como en el ejemplo 7. menores el nivel de impedancia de salida (Z). = O ~A '-- Pendiente:::: - 1 r'¡2 O !O 20 FI. y .La sustitución genera 2 1 ::: Vbe =: {3Ib r e lb lb :----_~o....A 4 figura 7.. la ecuación (7.23 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.------.25 Inclusión de ro en el circ.--_ _-0 e (mA) ~endiente = ._ .uito equivalente de transistor.. Para el modelo de la figura 7. t le 10 _ _---.5 a) = 1.1. mientras mayor es la pendiente. 8 _ _ _L-_ _--o e 6 ____ 20IJ.. El efecto de incluir se considerará en el capítulo 8. los valores típicos de Za están en el rango de los 40 a los 50 kQ. '" (3r. Ahora se determinará la ganancia de voltaje para la configuración de emisor común de la figura 7. El modelo re de laflgura 7. '01"-....!-. la corriente le es de O A Y la impedancia de salida es ' . -IO~A ~ 2 .' 0 0 Z = r I CE (7. Para la impedancía de salida.25. = (160)(6.4 y {3 = 160 (muy normal).24.19) En esencia. _v/ Z. la impedancia de entrada se ha incrementado a un nivel de Z¡ '" {3r. pero si ésta se encuentra disponible de un análisis gráfico o de las hojas de especificaciones. las caracteósticas de interés son el conjunto de salida de la figura 7.23 es beta veces el valor de re" En otras palabras. Para la dirección definida de lo y la polaridad de Vo' '0 7.04 kQ b ~-----t Para la configuración de emisor común.25. un elemento resistivo en la terminal de emisor se refleja en el circuito de entrada mediante un factor de multiplicación {3. Para la configuración de emisor común.-_ __ _ _ . e o---------+---~e tlgura 7.. se puede incluir como lo muestra la figura 7. si re = 6.gura 7.20) Desde luego.

22) Empleando los hechos de que la impedancia de entrada es [3r" la corriente del colector es [3lh' y la impedancia de salida es ro' el modelo equivalente de la figura 7.21 ) El signo negativo resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltaje de salida y de entrada están fuera de fase por 1800 • La ganancia de corriente para la configuración de la figura 7..- + Amplificador BJT de emisor común Figura 7.. b lb e I ~ P'. • f31.[31.. una alta ganancia de voltaje y de corriente.+ 0.27 Modelo re para la e e configuración de emisor común. EJEMPLO 7.26 establecería un voltaje Vo con la polaridad opuesta. El signo negativo simplemente refleja el hecho de que la dirección de Iu en la figura 7.27 puede ser una herramienta útil en el siguiente análisis. Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares = 326 . Continuando se obtiene VD = -loRL = -1.R L = . y una impedancia de salida capaz de incluirse en el análisis de la red. calcular: a) Z. para una configuración de emisor común con ro = ~ Q. c) A.26 Determinación de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador o~-- de emisor común. si se aplica una carga de 2 kQ. 4 4 4 " Figura 7..2 mA. con la carga de 2 kQ. la configuración de emisor común puede considerarse con un valor moderado de impedancia de entrada.R L y de tal fonua que y (7.26: = y (7..5 Dados [3 120 e lE = 3.. b) A. Para los valores nonnales de los parámetros.

. Se proporcionan los valores a una corriente de colector de dc de 1 mA y con un voltaje colector-emisor de 10 V. Durante años. Sin embargo. 0.5 se señaló que el modelo r. VCE = lOV de. en lugar de definir un modelo para la configuración de colector común.28. Además. es sensible al nivel de operación de dc del amplificador.gUra 7. Las cantidades h¡e' h re • hfe y hoe de la figura 7. = (120)(8. = f3 = 120 Configuración de colector común Para la configuración de colector común normalmente se aplica el modelo definido para la configuración de emisor común de la figura 7. Para que se describa el modelo híbrido equivalente en esta sección. Máximo f e:: 1 kHz) 2N4400 h" h" liJe 0. fe:: 1 kHz) Ganancia de corriente en pequeña señal = 1 mA de. Esto se debe a que las hojas de las especificaciones no proporcionan parámetros para un circuito equivalente en cada punto de operación posible. el modelo híbrido junto con todos sus parámetros fue el modelo seleccionado por las comunidades educativas e industriales. 7. 26 mV = = 26 mV 3. = b) f3r.21): A" = .6 El modelo híbrido equivalente 327 .125 Q) = 975 Q = -246. ¡ e:: 1 kHz) 2N4400 Admitancia de salida = 1 mA de. Deberán seleccionarse aquellas condiciones de operación que reflejan las características generales del dispositivo. pero a menudo el parámetro hoe del modelo híbrido equivalente M' . Va = IOV de..re Solución al r .5 75 8. Una ventaja obvia de la hoja de especificaciones consiste en el conocimiento inmediato de los valores típicos de los parámetros del dispositivo comparado contra otros transistores. se definieron los parámetros en un punto de operación que puede o no reflejar las condiciones de operación reales del amplificador. Como se muestran en la figura 7. Va = lOv de. ho)' en día se aplica el modelo re con más frecuencia.2 mA = 8.= 10 V de.15 RL 2 kQ La ecuación (7. LO 30 F"J.125 Q lE Y Z.1 xl()-' (le 20 250 1 ~S {le f e:: 1 kHz) he. se da un rango óe valOTes paTa cada parámetro con el objeto de guiar el diseño o análisis inicial de un sistema.21.28 se conocen como los parámetros híbridos y consisten en los componentes de pequeña señal del circuito equivalente que se describirá en . los parámetros híbridos se redibujan a partir de la hoja de especificaciones para el transistor 2N4400 descrito en el capítulo 3.28 Parámetros híbridos para el transistor 2N4400. mImo Impedancia de entrada (lc = 1 mA de. 7.=r" 8. Va .6 EL MODELO HÍBRIDO EQUIVALENTE En la sección 7. En los capítulos subsecuentes se investigarán una cantidad de conftguraciones de colector común y será muy claro el impacto del mismo modelo. = ID 1.125 Q c) A.0 kQ Relación de retroatimentaci6n de voltaje (lc = 1 mA de. breve.

29. se obtendrá 10 siguiente para h 12 : sin unidad (7.23b) Los parámetros que relacionan las cuatro variables son llamados parámetros h. ya que se trata de un cociente entre los valores de los voltajes. una vez que se hayan definido los componentes de uno para un punto de operación en particular.-------------02' Figura 7.- + 1. No tiene unidades. El subíndice 11 en h II indica el hecho de que el parámetro se calculó mediante un cociente de cantidades medido en las terminales de entrada. por lo que se tratará en fonna detallada en este capítulo. De hecho.29.29 Sistema de dos puertos. Debido a que se trata del cociente del voltaje de entrada entre la corriente de entrada estando en cono circuito las tenninales de salida.23a) [o = h2 ¡!i + h22 Vo I (7. El primer dígito del 328 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . el parámetro h 12 es el cociente entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida con la corriente de entrada igual a cero. 1 00---'-. se obtendrá lo siguiente: ~i Ji ivo=O ohms (7. . Una vez desarrollado..~ se emplea para proporcionar cierta medida de la impedancia de salida. se llama parámetro de impedancia de entrada a corto circuito.---~--_.24) Esta relación indica que el parámetro h ll es un parámetro de impedancia con las unidades de ohms. El siguiente conjunto de ecuaciones (7. <> . es muy importante que el modelo híbrido se cubra con cierto detalle en este libro. Se eligió este término debido a que la mezcla de variables (Ve l) en cada ecuación ocasionan un conjunto "híbrido" de unidades de medición para los parámetros h. Sin embargo. estarán disponibles de forma inmediata los parámetros del otro. - Q 1.23) es sólo una de las muchas fannas en que se pueden relacionar las cuatro variables de la figura 7.23a). = O(poniendo en corto circuito las terminales de salida).25) Por tanto. Si de forma arbitraria se hace V. Se puede entender mejor 10 que representan los diversos parámetros h y cómo puede determinarse su magnitud mediante el aislamiento de cada uno examinando la relación resultante. es el que más se utiliza en el análisis de circuitos de transistores.--'----<>0 2 - + Q t'oo---- -.------. por la palabra "híbrido". El subíndice 12 de h 12 revela que el parámetro es una cantidad de transferencia calculada mediante un cociente entre mediciones de entrada y de salida. serán muy aparentes las similitudes entre los modelos re e híbrido. Debido a que las hojas de especificaciones proporcionan los parámetros híbridos y que el modelo híbrido continúa recibiendo mayor atención. Si se hace Ji igual a cero abriendo las terminales de entrada. La descripción del modelo equivalente híbrido dará principio con el sistema general de dos puertos de la figura 7. al resolver h ll en la ecuación (7. y se llama parámetro de la relación de voltaje de transferencia inversa a circuito abierto. (7.

Este parámetro. Si en la ecuación (7. Se incluye el término inverso porque el cociente es un voltaje de entrada sobre un voltaje de salida en vez del cociente inverso que por lo general es interesante.32 es de una naturaleza más práctica porque relaciona los parámetros h con el cociente resultante que se obtuvo en los últimos párrafos.30. + h. las cuales representan la conductancia en el modelo del transistor. Se llama parámetro de admitanda de salida a circuito abierto. 329 . + v. así como h 12 • no tiene unidades debido a que se trata del cociente entre valores de comente. 1.30. se obtendrá lo siguiente para h21 : h 21 = 1 " ' ti" =0 sin unidad (7...Vo +1 '\.26) 1. V() se hace cerO una vez más mediante el corto circuito de las tenninales de salida. -1 7. El último parámetro. Ahora se utilizará el término directo en lugar de inverso como se aplicó para h l '2: El parámetro h 21 es la relación de la corriente de salida a la corriente de entrada con las terminales de salida en corto circuito.. J. h 22 . se representa mediante un símbolo del resistor. El subíndice 22 indica que se calculó mediante el cociente de cantidades de salida. '" siemens (7. ~ h¡. Debido a que el parámetro h ll tiene la unidad ohm. De manera formal se llama parámetro de la relación de transferencia directa de corriente a corto circuito.subíndice indica la cantidad medida que aparece en el numerador. Debido a que cada término de la ecuación (7 . Debido a que h 22 tiene las unidades de admitancia. Figura 7.32 Circuito equivalente híbrido completo.6 El modelo híbrido equivalente Figura 7. Ya que cada término de la ecuación (7.23b).31 Circuito equivalente híbrido de salida. el parámetro de conductancia de salida se mide en siemens (S). se debe considerar que la resistencia en ohms de este resistor es igual al recíproco de la conductancia (l/h. se aplicará la iey de corriente de Kirchhoff "hacia atrás" para lograr el circuito de la figura 7. El circuito equivalente en "ac" completo para el dispositivo lineal básico de tres tennin-aIes se indica en la figura 7 .23b): h 22 1" V. La elección de las literales es obvia a partir del siguiente listado: h ll ~ resistencia de entrada (input) ~ h¡ h l2 -t relación de voltaje de transferencia inversa (reverse) '.27) o Debido a que se trata de la relación de la corriente de salida al voltaje de salida. 1 Figura 7. Llevando a cabo esta operación se obtiene en circuito de la figura 7 .32junto con un nuevo conjunto de subíndices para los parámetros h.).30 Circuito equivalente híbrido de entrada. o 1t¡:Vo '\. el segundo dígito define la fuente de la cantidad que aparece en el denominador. éste se representa mediante un resistor en la figura 7. La notación de la figura 7. '\IV'>I h.23a) tiene la unidad volt. se aplicará la ley de voltaje de Kirchhoff"hacia atrás" para encontrar un circuito que se "acomode" en la ecuación. Sin embargo.31. --7 hr o + v. El subíndice 21 indica una vez más que se trata de un parámetro de transferencia estando la cantidad de salida en el numerador y la cantidad de entrada en el denominador. o Ii h.23b) tiene las unidades de corriente... Obsérvese que ahora se cuenta con el cocient~ de una cantidad de salida a una cantidad de entrada. La cantidad h¡2 es adimensional y por tanto aparece simplemente como un factor de multiplicación del término de '"retroalimentación" en el circuito de entrada. se puede encontrar una vez más al abrir las terminales de entrada para hacer 11 = O Y resolviendo h22 en la ecuación (7.. 1.

conductancia de salida (output) . para el transistor... lb hi~ e ~ h".. (a) Figura 7.. llamados 8 lb -.b + -lb~ 8 b (a) V'b + V". b) circuito equivalente híbrido. VC~ hf~ lb 1.~ E V" + V".. li = le' lo .34 para los transistores pnp o npn. dos circuitos equivalentes de transistores.. se añadió un segundo subíndice a la notación de parámetros h. En la figura 7. e (h) F'tgura 7. debido a que el nivel de potencial es el mismo... Y V. Para la configuración de base común de la figura 7.32 aparezcan en el circuito tanto un circuito Thévenin como un Norton dio origen para llamar al circuito resultartte un circuito equivalente h[brido. * ~ e (h) h" + ~.. sin embargo. todas son configuraciones de tres terminales... Se agregó la literal b para la configuración de base común. El voltaje de entrada será ahora Vbe con el voltaje de salida Vee .. la parte inferior de las secciones de entrada y de salida de la red de la figura 7. el modelo de transistor es un sistema de dos puertos y tres terminales.32.33 y 7..33. V. los parámetros h cambiarán en cada configuración... Además.. h¡ h22 . mientras que para las configuraciones de emisor común y de colector común se incorporaron las literales e y e. Obsérvese que li = lb' lo = le' y por medio de una aplicación de la ley de corriente de Kirchhoff. así que el circuito equivalente resultante tendrá el mismo formato que el que se muestra en la fIgura 7 . l.34.32 pueden conectarse como se indica en la figura 7.33 Configuración de emisor común: a) símbolo gráfico. e + V. Vo' Se pueden aplicar las redes de las figuras 7.---~~--_. Para distinguir cuál parámetro se ha utilizado o cuál está disponible. ho El circuito de la figura 7. E 1. En cada caso. Por tanto.. -1.1.~ h 21 .32 se puede aplicar en cualquier dispositivo o sistema electrónico lineal de tres tenninales sin fuentes independientes internas. l" con V. relación de corriente de transferencia directa (forward) . b) circuito equivalente híbrido. e '\¡ + + V". 330 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .34 Configuración de base común: a) símbolo gráfico. 1.. lb + l.. aun cuando tiene tres configuraciones básicas..33 aparece la red híbrida equivalente. respectivamente. con la notación estándar. Por tanto. l. los cuales no serán tratados en este texto. El hecho de que en la figura 7.. para la configuración de emisor común..

J -(b) I~C bo----.6 El modelo híhrido equivalente 331 .-------. Modelo híbrido contra re: a) configuración de emisor común.. y ho no se incluyen en el modelo. b>--_ _ _. De hecho.". "\. 11-. Modelo equivalente híbrido aproximado.-1.. su eliminación se aproxima mediante h r y h. b) configuración de base . El equivalente que se obtiene en la figura 7. bo-:'---.J tal.36 -. 1... En la sección 7. "- 7. eO-----------4-________4-______ ~e e~ -1. utilizan ya sea la fuente de voltaje o la fuente de corriente..37 esclarece que = ° ~ lb -1. f e~ ~ hk1b ________ ~e -(a) lb 1.--_--001.37 Común. o- j Figura 7.35...36 es muy similar a la estructura general de los circuitos equivalentes de base común y de emisor común obtenidos con el modelo r('. y Al apenas se ven afectados si h. La figura 7.''':'' Figura 7. Para las configuraciones de emisor común y de base común. r--I:~oc -1. ¡. dando por resultado un equivalente de corto circuito para el elemento de retroalimentación como se muestra en la figura 7. como se muestra en la figura 7.7 se encontrarán las magnitudes de varios parámetros a partir de las características de los transistores dentro la región de operación que se obtenga en la red de pequeña señal equivalente deseada para el transistor.. pero nunca ambos en el mismo circuito equivalente. la magnitud de h r y de ho a menudo es tal que los resultados obtenidos para los parámetros importantes como Z¡.~ ¡---¡~ hfl.circuitos equivalentes de parámetros-z y de parámetros-y.A~. __________.V(}::. 0.. bO-':""---. ~ ~ Figura 7.37 con fines de comparación. i./ '.' .35 Efecto de la eliminación de hre y de hoe del circuitc equivalente híbrido. \:.-<>c . e e . hfb lb 1 -1..=:::P=-------. La resistencia detenninada mediante 1Iho a menudo es lo suficientemente grande para ser ignorada en comparación con una carga paralela que pennita su reemplazo por medio un circuito abierto equivalente para los modelos de CE y CB.3' \. Debido a que h r por lo general es una cantidad relativamente pequeña. . 1.. los modelos híbrido equivalente y r(' para cada configuración se repitieron en la figura 7. . 1..... J ________-4________ j h¡I.35.. v. Zo.

S Obsérvese la figura 7.30) (7. (140)( 1004 Q) kQ ro = = = 50kQ 20J.h = r. Y hjb = I:::-'~ I (7. EJEMPLO 7..1.37b. = lOA Q ex .38 Circuito equivalente híbrido de emisor común para los parámetros del ejemplo 7.5 mA = lOA = 1. e < > .1.5 mA.38. = 140.40 ¡ 1 e /.37b.5 J.456 ill • 't I 140/.6.S Obsérvese la figura 7. calcular: a) El circuito híbrido equivalente para de emisor común. Solución a) r.5 J. h ie = 26 mV lE = = 26 mV 2. f ~=50kO • h~ Figura 7.39 Modelo re de base común para los parámetros del ejemplo 7.S (J..39. b ~ 10. - r----------r--------------~c • h. = 20 J.6. y hj . = [3" h .h ie = [3r.mho) y hah =0. " 'o=2MO b 332 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .1.31) se toma en cuenta por el hecho de que la fuente de corriente del circuito híbrido equivalente estándar apunta hacia abajo en lugar de la dirección real como se muestra en el modelo re de la figura 7.1.6 Dados lE =2.456 Q = [3r. b) El modelo r.31 ) -ex '" -1 En particular. ro = hob = .28) (7. ho .' 1.1. hj . para base común. " Figura 7.-_ _ _ _ -------+--1 ->0---------0 e b) r. A partir de la figura 7.= 2 MQ 0.S..: 1. bo-----. e -/. /. se observa que el signo negativo en la ecuación (7.29) (7.

35) En cada caso el símbolo II se refiere a un pequeño cambio en la cantidad alrededor del punto de operación estable. 7. Es h¡c = f3r c la que tendrá una variación significativa con 1c y se tiene que calcular a niveles de operación. av b.32) a (7. de los parámetros híbridos. el menos sensible a un cambio en la corriente del colector. di.33) di == (sin unidad) (7.. los parámetros h están determinados en la región de operación para la señal aplicada. El primer paso para calcular cualquiera de los cuatro primeros parámetros híbridos consiste en encontrar el punto de operación estable como 10 indica la figura 7. Por tanto. = (}v. se puede mostrar que la magnitud de los parámetros h para el circuito equivalente de pequeña señal del transistor en la región de operación para la configuración de emisor común puede encontrarse mediante las siguientes ecuaciones: '" h ie = av.v b._O t.8 se demuestra que el parámetro híbrido h fc (f3ac ) es.40.v be I \/u·=constante oih (ohms) (7.ve _ t.. estos cambios deben hacerse lo más pequeños posibles. En la ecuación (7. _ avee = di o di. se tratarán primero las operaciones acerca de este parámetro involucradas con las ecuaciones (7. Para las configuraciones de base común y de colector común se pueden lograr las ecuaciones adecuadas mediante la simple sustitución de los valores adecuados de Vi' vo' i¡ e io' Los parámetros h¡e Y h. av/a. Debido a que h fe es por lo general el parámetro de mayor interés. En la sección 7. llv ce I ls=constante (sin unidad) (7. Después la ecuación (7.34) ai/¡ hoe = (siemens) (7. *La derivada parcial en i.32) = llib h. Para lograr la mayor exactitud posible. de tal forma que el circuito equivalente será el más exacto que esté disponible.c están determinados a partir de las características de entrada o de base. la suposición de que hfe = f3 es una constante para el rango de interés resulta ser una muy buena aproximación. En otras palabras. di o . mientras que los parámetros h fe y hae se obtienen desde la salida o de las características del colector.34) la condición V CE.7 Determinación gráfica de los parámetros h 333 . __ .e = .En el apéndice A se proporciona una serie de ecuaciones que relacionan los parámetros de cada configuración para el circuito híbrido equivalente.7 DETERMINACIÓN GRÁFICA DE LOS PARÁMETROS h Mediante el uso de derjvadas parciales (cálculo).35).34) necesita que se divida un cambio pequeño en la comente del colector entre el cambio correspondiente en la comente de la base. Los valores constantes de \/CE e lB se refieren en cada caso a la condición que se debe cumplir cuando se calculan varios parámetros a partir de las características del transistor. proporciona una medida del cambio instantáneo en Vi debido a un cambio instantáneo 7. porque puede tener un impacto real sobre los niveles de ganancia de un transistor amplificador. constante requiere que los cambios en la corriente de la base y en la comente del colector se hagan a lo largo de una línea recta vertical dibujada a través del punto Q que representa un voltaje colector-emisor fijo.

-l 5 ~ L lB = O IlA I "'-.7 ..-J 2 1 O 5 ¡ "1 1 +10 I'A lB "'-..35)..lA lBl = +10 ¡.A (constante) ..1 1 ..A 1 O I . I~ 1 10 15 7V 20 " Figura 7. 15 1 (8.1A 10-3 = 10x 10-6 = 100 En la figura 7..10) J.40 se seleccionó el cambio en i/) para extenderse desde I SI hasta lB: a lo largo de la línea recta perpendicular en VCE.4 V (constante) +30 ¡lA IJJ~ " ~ ~ '- 1----.35) para h oe.. (2. tú .41 se traza una línea recta tangente a la curva de lB a través del punto Q para establecer una línea en JB::. Sustituyendo en la ecuación (7.4 V) 10 20 U CE(V¡ Figura 7.ie (mA) H6 5 4 3 Aie 2 / " ' Recta de carga _+60 ¡lA +50 1'A +40 ¡lA 8. constante.41 Determinación de h Qe • 334 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . como lo requiere la ecuación (7 . Se seleccionó un cambio en v CE y se calcula el cambio correspondiente en ic mediante el dibujo de unas líneas horizontales al eje vertical en las intersecciones sobre la línea en que lB =:: constante. esto es.L7) mA = 111 h =conMante (20 .34). El cambio correspondiente en i{" se encuentra más adelante mediante el dibujo de líneas horizontales a partir de las intersecciones de I BI e I Bl con VCE::. I vel:" ... se obtiene ie (mA) 76 5 4 +60 J.40 Determinación de h fe " En la figura 7.VCE 1 / Punto Q = +20 J. constante respecto al eje vertical..¡. Todo lo que resta consiste en la sustitución de los cambios resultantes de i h e i l " en la ecuación (7.¡.+15 ¡.lA +50 ¡lA +40 ¡lA " ~ ~ Punto +30 IlA Q 3 +20 IJA lB .tA '- I B -+15¡.

42 Determinación de hieo I I El último parámetro.= 33 0. se obtiene Ih 1= " /lVb'l . el circuito híbrido equivalente en pequeña señal es el que se muestra en la figura 7.33).7) V I [. se puede encontrar: primero al dibujar una línea horizontal a través del punto Q en lB = 15 )lA.4 V (con stante) 20 PuntoQ __ 1 Ai b = 10 ~ 15 lO - - L / 0. la selección natural consiste en elegir un cambio en vCE y encontrar el cambio que resulta en vBE como lo muestra la figura 7.2 .VCE == 8. Ih)=-.ó.O) V 8 = X 10-3 = 4 X lo-' =constante 20 Para el transistor cuyas características aparecieron en las figuras 7.43.7 Determinación gráfica de los parámetros h 335 . Luego se seleccionó un pequeño cambio en vbe ' dando por resultado un cambio correspondiente en lb' Si se sustituye en la ecuación (7. para establecer una línea en VCE = constante como lo requiere la ecuación (7. h".44.2. 7. Para h ie .5 kQ 10x 10-6 jB(~A) VCE=OV V =lOY CE ¡CE=20V 30 :-.10) )lA !:J. se dibuja una línea tangente a la curva en VCE = 8.42.725) mV (20 . I = (20 .718) mV = /lv b .32). Sustituyendo en la ecuación (7. se obtiene (733 .. Después./li. v ce lB = (733 .=+15 d v Cl! 1/B =constante X f'A )1A/V = 33 X 10-6 S = 33 )1S 3 Para determinar los parámetros h ie Y h re primero debe encontrarse el punto Q sobre la entrada o las características de base como se indica en la figura 7.i b vCE =constante = .I = (2.40 a la 7.1 15 = X 10-3 = 1.32)..4 V a través del punto Q.1 10-3 Ih¡.6 Figura 7.43.1) mA (ID .

u¡"...40 a 7.6..---..34) cuando una cantidad creció en magnitud.I + 4 X 10-4 V.. (.8 ~ .u.43 Determinación de h re .5 x IO~ 50 25 I1AN 40 kQ =1 -50 25 1 kn ~AN 40 kn 20 n 3.. pueden hallarse los parámetros híbridos para las configuraciones de base común y de colector común empleando las mismas ecuaciones básicas con ias variables y características adecuadas. TABLA 7....re VCE=ov VCE =lOV VCE =20V 30 20 Punto Q ~ t. El signo negativo indica que en la ecuación (7.008 V Figura 7.1 lista los valores típicos de los parámetros para cada una de las configuraciones para el amplio rango de transistores disponibles hoy en día. b + o-----. Como se mencionó con anterioridad.1 Valores típicos de los parámetros para las configuraciones de emisor común.IVV\..IlnYr) e I ~ 0 _ _ _-----'- IL______l______oe 33 pAN (h.5 kQ(h"J 1.5 ~AJV 2 :vIQ 336 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .44 Circuito híbrido equivalente completo para un transistor que contiene las características que aparecen en las figuras 7.0 X \0-' -0..43. la otra disminuyó en magnitud." == 20 V 15 f--------------'CIH-- 18 = 15 ~ (constante) lO O 0.6 0. hj h IIh . r-----~-----~·--oc + VI>< '\. ~ 1.. colector común y base común Emisor común Colector común Base común Parámetro h.. La tabla 7. dentro del cambio seleccionado..98 0..". h. 1 kn 2.7 . 11 0. 'lJBE(V) == 0.J Figura 7.

45 se indicó el efecto de la corriente del colector sobre los parámetros h. el punto estable está en la intersección de VCE = S. mientras que a 3 mA. 7. También hay que tomar en cuenta que para las configuraciones de emisor común y de base común h r es muy pequeña en magnitud. la región de operación y las condiciones bajo las cuales se esté empleando tendrán un efecto sobre varios de los parámetros h. 7. la corriente y el voltaje del colector sobre los parámetros h.OV e lc= 1. mientras que la resistencia de salida es alta. hfl: ha cambiado de un valor 20 lc = 1 mA 5V VCE == T=25°C f=tkHz OOO~ ~ h~ 0. Debe tenerse cuidado acerca de la escala logarítmica que se utiliza sobre los ejes vertical y horizontal. También se debe tener en cuenta que la ganancia de corriente a corto circuito es muy cercana a 1. En el capítulo 11 se ex~mínarán las escalas logarítmicas. es de 1. En la figura 7. En 0.5: Acción amplificadora del transistor) que la resistencia de entrada de la configuración de base común es baja.2 ! ! ~---hit' ! ! ! 0. En otras palabras. En cada conjunto de curvas.8 VARIACIONES DE LOS PARÁMETROS DE TRANSISTORES Existe un gran número de curvas que pueden dibujarse para mostrar las variaciones de los parámetros h debido a la temperatura.8 se tratan los efectos de la temperatura. y que la relación de la resistencia de salida a la de entrada es de aproximadamente 40: l. En la actualidad hay transistores disponibles con valores de h(1' que vanan desde 20 hasta 600.1 mA. siempre se ha indicado el punto de operación en el cual se encuentran los parámetros. es importante indicar estas cantidades sobre las curvas. la frecuencia.8 Variaciones de los parámetros de transistores 337 . si hft. Para las configuraciones de emisor común y de colector común se nota que la resistencia de entrada es mucho mayor que la de la configuración de base común. Para cualquier transistor.5 del 150% de dicho valor. Lo más interesante y útil en esta fase del desarrollo incluye las variaciones de los parámetros h con la temperatura de la unión y el voltaje y la corriente del colector.46.: = 50 cuando lc= LO mA. Debido a que la frecuencia y la temperatura de operación también afectarán los parámetros h.01 O.45 Variaciones de los parámetros híbridos respecto a la corriente del colector. Por esta situación en particular. h¡e es aproximadamente 0. Todos los parámetros se han normalizado a la unidad de tal manera que un cambio relativo en magnitud respecto a la corriente del colector pueda detenninarse con facilidad. como las de la figura 7. el voltaje y la corriente.02 0. En la sección 7.t I 0.5 o el50% de su valor a 1.5 2 5 10 20 ! 50 •Ic(mAl Figura 7.0 mA.0 mA.Se observa en retrospectiva (sección 3.

como era de El valor de h" esperarse. el valor específico de la ganancia de corriente. debido a la sensibilidad de r.5(50) = 25 hasta 1. El hecho de que h¡.(% de Va = 5 V valor de cada cantidad) 3000 2000 \000 700 500 300 lE = 1 mA h h" " h" 200 cE V T=250( --\00 =5V t= t-------------¡~~==~~~~~~~. debe considerarse el punto de operación cuando le = 50 mA.47 se graficó la variación en los parámetros h debido a los cambios en la temperatura de la unión. no existiría una justificación para eliminar hoe del circuito equivalente sobre una base aproximada. puede. La escala horizontal es lineal y no una escala logarítmica como la que se utilizó en las figuras 7. sobre una base aproximada y relativa.46.. Por tanto.46 Variaciones de los parámetros híbridos respecto al potencial colector-emisor. En la figura 7. Este conjunto de curvas se normalizó en el mismo punto de operación del transistor estudiado en la figura 7. para la mayoria de las aplicaciones tanto la magnitud de h re como la de hoe pueden a menudo ignorarse.45 Y 7. hre es casi constante.1 mA hasta 3 mA. de 0. hacia la corriente del emisor (lE '" le)' Es por esto una cantidad que debe determinarse 10 más cercana posible a las condiciones de operación. pero aumenta de manera considerable para valores más altos. todos los parámetros aumentan en magnitud con la temperatura. el parámetro menos afectado es hoe' mientras que la impedancia de entrada hie cambia con mayor rapidez.46 se)ndica la variación en magnitud de los parámetros h sobre una base normalizada ron los cambios en el voltaje del colector.46 que el valor de h¡e es el que tiene cambios mínimos.2 0. varía de manera importante con la corriente del colector. El parámetro hoe es aproximadamente 35 veces su valor nonnalizado. Para los valores abajo del VCE especificado.45. l hit! 1 kHz 70 50 30L-~~--~--L-~----L-~~~--~--~--__ 0. igual a cuando se definió en el punto Q. En otras palabras. Ahora la magnitud de h re es aproximadamente 11 veces. de lo que son hie y hfe' Es interesante observar a partir de las figuras 7. una magnitud que no pennite eliminar 'este parámetro del circuito equivalente. sea h fe o [3. En general. mientras que hoe y h re son mucho mayores a la izquierda ya la derecha del punto de operación seleccionado. Por fortuna. indica que la temperatura de operación debe considerarse con cuidado en el diseño de circuitos de transistores. En la figura 7. hoe y h re son mucho más sensibles a los cambios en el voltaje del colector. Se nota que h ie y h fe son relativamente estables en magnitud.~~~ h. considerarse constante para el rango de la comente y el voltaje del colector. porque so::J. f3r.45 y 7. Por tanto. = 338 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . Este incremento en hoe disminuirá la magnitud de la resistencia de salida del transistor a un punto donde puede acercarse a la magnitud del resistor de carga.5 2 5 10 20 50 JOO VCE (V) figura 7. sin embargo. El valor de normalización se tomó a temperatura ambiente: T = 25 nc. muy sensibles a la corriente del colector y al voltaje del colector al emisor. de tal fcnna que / puede establecerse uná comparación entre los dos conjuntos de curvas. Sin embargo.5(50) = 75 con un cambio de le desde 0. cambiará desde el 50% de su valor normalizado a -50 oC hasta 150% de su valor normalizado a +150 oC.

Su magnitud es de OV. en caso de que su único propósito sea el de establecer la dirección de la corriente de control. la polaridad y la magnirud de la fuente de de.9 ANÁLISI5g0R COMPUTADORA Al aparecer de una fuente de comente controlada por comente (CCCS.0 le = l mA ~'á = 1.0 f=lkHz 0. por sus siglas en inglés.3.~ fuente controlada por corriente controladora v~~ no'mbre de la fuente de voltaje controlada magnitud del multiplicador para la fuente controlada "º'~ El nombre (hasta siete caracteres) asignado a la fuente controlada está seguido por los nodos positivo y negativo para la fuente. V sensor --------~------oc 1~lb I r-------~----~c r 0::=- I (' h" . Para la configuración del transistor de emisor común se empleará el modelo de la figura 7. Figura 7.47 Variaciones de los parámetros híbridos respecto a la temperatura..49. Se utilizará el modelo de la figura 7. Current-Controlled Curr.7 0.4 0. El último factor del formato es el factor de multiplicación para la fuente de corriente controlada. La fuente de voltaje debe estar en el mismo circuito en serie que la corriente de control y polarizada.h¡.5 O. 7.49 Modelo de emisor común para PSpice. como se muestra a continuación: FBJT nombre . Debido a que la definición de la fuente de volUUe debe ser parte de la red que aparece en el archivo de entrada.:\1agniwd relativa de los parámetros 3. -100 -50 O 25' 50 100 150 200 T ('C) Temperatura ambiente t Figura 7. El fonnato se inicializa mediante la literal F.~-' 3 (+N) 2 (-N) "---'--.h eo-------------__--------~~--------__------~e Figura 7. una línea por separado debe definir el nombre."-__ h~"~I____~I__+--L____~I______LI____~I______~.0 (HP congelada) (HP en ebullición) h" 2.5 L~::::::'--. requiere que se introduzca el fonnato de PSpice para tal fuente. ~----------~------~------~~----~.ent Source) en el modelo equivalente de un transistor.48 para la configuración del transistor de base común. 5V T= 25' C "·-1.48 Modelo de base común para PSpice. La literal V debe aparecer antes del nombre de la fuente de voltaje de dc estableciendo la dirección de la corriente de control. . de tal fonna que se establezca una corriente en la dirección opuesta de la corriente de controL Se requiere la dirección opuesta porque en PSpice la corriente de una fuente independiente de voltaje está definida para tener una dirección opuesta a la "presión" aplicada de la fuente.

309E-Ol VP(3.51 aparece el archivo de entrada de la figura 7.O) VP(3.7:K . Las primeras dos líneas describen las dos fuentes de lared con un ángulo de 0° que no está incluido en la descripción de la fuente de ac.*. solicitando la magnitud y el ángulo de la fase del voltaje de salida V o ' ~/h Re 4.O) 6. 7.51 Análisis por medio de PSpice para la red de emisor común de la figura 7.***.50 **** CIRCUIT DESCRIPTION •• *••••••• **.0000 ( 0.50.0000 27.BIAS SOLUTION VOLTAGE IfODE VOLTAGE 2) 0.OPTIONS NOPAGE . Compárese la descripción de la fuente de comente controlada con la hecha anteriormente de las fuentes CCCS.OOE+OO WATTS TEMPERATURE =: *. La impedancia de salida es de 40 kQ entre las terminales 3 y O. el resistor Re es la resistencia de colector del diseño.7.OOOE+OO VSENSE O. 340 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .7 Escriba el archivo de entrada para el amplificador de emisor común de la figura 7.OOOE+OO TOTAL POWER DISSIPATION VI O.7 ka 120l h flgura 7.AC LIN 1 11< lI<: .EJEMPLO 7.ENO **** ( NODE 1) SMALL SIGNAL. Se define la impedancia de entrada f3r e en la tercera línea y la fuente de comente controlada en la siguiente línea.6K Re 3 o 4.*** VI 1 o AC 2MV VSENSE 1 2 o RBRE 2 FBETA 3 o VSENSE 120 RO J o 40K o 1. debido a que se trata del valor implícito cuando nO se especifica.OPTIONS NOPAGE elimina parte del material superfluo en el archivo de salida.0000 TEllPERATUR8 NODE VOLTAGE ( 3) 0.50.50.*** •••• *.O) .OOOE+03 27.800E~02 FREQ 1.** AC ANALYSIS VM(3.O) 1. La frecuencia seleccionada para el análisis en ac (se debe especificar una frecuencia) es de 1 kHz y la siguiente línea solicita la magnitud y el ángulo de fase del voltaje de salida V o ' Recuérdese que el comando .000 DEe e Figura 7.*** ••••• ***** ••••••••••• ** ••• ** ••••••• *.50 Ejemplo 7. Com=on-emitter amplifier of Fig. Solución En la figura 7.000 DEG NODE VOLTAGE e VOLTAGE NAIIE SOURCE CURRENTS CURRENT O.PRINT AC VM(3.

4 kQ.52 Problema 4. ¿Puede desarrollarse alguna analogía para explicar la importancia del nivel de dc sobre la ganancia en ac resultante? § 7. ¿es una buena suposición el empleo del corto circuito equivalente para las condiciones recién descritas? ¿Qué tal a 100 kHz' 4..5.or = 10 ka: e 10 = 10 ¡. Rsensor = 0.45 un nivel que caerá cuando se conecte una carga. 5.2 kQ. a) Calcular 20 si V = 600 mV. Problemas 341 . c) ¿Cuál es el coeficiente de eficiencia de un amplificador en el cual el valor efectivo de la corriente a través de una carga de 2. 7. 6. b) Utilizando la 20 obtenida en del inciso a. e Jamplificador = 6 pA. lo que da por resultado una ganancia sin carga de A.Vi I VI = 1 630. Los resultados también indican un cambio de fase de 1800 entre V v y Vi tal como se esperaba para la configuración de emisor común. Zo' A. c" ( Re + Figura 7 . para la configuración de la figura 7. = _0 " .. para la configuración de la figura 7. b) Liste. Rsen.9 mV.5 kQ e 1i =20 /lA.2 Amplificación en el dominio de ac L ¿Cuál es la amplificación esperada de un amplificador a BJT si la fuente de se hace cero volts? b) ¿Qué sucederá a la señal de salida de ae si el nivel es insuficiente? Trace el efecto sobre la fonna de onda. A. las condiciones bajo las cuales debe aplicarse. § 7.lA.52.2 kn es de 5 mA y el consumo de una fuente de de de 18V es de 3.7 si RL = 2. calcular I L para la configuración de la figura 7. a) Calcular 2¡ si Vs =40 m V. Dada la configuración de base común de la figura 7.9 mV 2 rnV = 315...UF a una frecuencia de 1 kHz? Para aquellas redes en las cuales los niveles de resistencia están por lo general en el rango de los kilohms. para cada modelo. a) Describa la diferencia entre los modelos re e híbrido para un transistor BIT. calcular Vi si se cambia la fuente aplicada a 12 mV con una resistencia interna de 0. ¿Cuál es la reactancia de un capacitor de 1O-. dibuje el equivalente de ac utilizando la notación para el modelo de transistor que aparece en la fIgura 7. § 7.Los resultados indican que la magnitud del voltaje de salida es de 630.10. b) Utilizando los resultados del inciso a.8 mA? a) PROBLEMAS 2.4 Los parámetros importantes: Z.3 Modelaje de transistores BJT 3.7.

si R L = 1. 9. Calcular lo siguiente si el voltaje aplicado es de 48 m V y la carga es de 2.2 k.. d) A".6kQ + V.54 Problema 9. f) lb' 11. calcular 10 siguiente para un amplificador de emisor común si f3 =80. Amplificador a transistor BJT + ~= 3. dando por resultado una corriente del emisor de 0. Usando el modelo de la figura 7.17. c) Av= VJVi" d) Zoconro=ooQ. si R L = 1..A O. e) A¡ = IJI¡.Q.2 kn. li=IO~A + I v.5 El modelo de transistor r.53. a) re' b) Zi' c) le' d) V" e) f) Av' lb' 12.17.. b) lb' e) A¡ =IJI¡ =l/lb si R L = 1. Para el amplificador a BJT de la figura 7. calcular: a) J¡. Figura 7. \ .2 mA y a = 0.51 kQ V¡ = 4 rnV I Figura 7. lidc) = 2 mA y r. calcular: a) Vi' b) Z¡ e) A. f) A¡ utilizando la ecuación (7. d) A. La corriente del emisor es de 3. 342 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . - § 7.53 Problema 8. + l 12rnV IkQ 1 .980.54.Q. 1o Zi + Amplificador a transistor BJT + V.2 k.5 mA.2 kQ. Dada la configuración BJT de la figura 7.27. Si a = 0.99 en la configuración de base común de la figura 7. ~ RL 0. 10. Se aplica una señal de 10 mV a la configuración de base común de la figura 7. =40 kn.8. b) Z¡ c) Vo' d) lo' e) A¡ usando los resultados de los incisos a y d.6 V 18mV Zi -.10). calcular: a) Z¡b) V. a) Z¡.

21. 1 Figura 7. 17.56 Problema 18.4 kQ. '\. '\. Redibujar la red de emisor común de la figura 7. 19. e) lc' d) e) ro:.55 Problema 17. 18. Incluir ro. + V. dibujar los: a) Modelo híbrido equivalente de emisor común..2 mA. b) Modelo re equivalente de emisor común. dibujar los: a) Modelo híbrido equivalente de emisor común. r.. 15. 2. Dados [E (de) = 1. b) Modelo re equivalente de emísor común.57: a) Determinar Vo en términos de V¡" b) Calcular lb en términos de Vi' c) Calcular lb si se ignora h re Vo. e) Modelo híbrido equivalente de base común.57 + e) ¿Es válido el método de ignorar los efectos de h.¡b(con h re ) re x 100% lb(sin h re ) Figura 7. Dados h¡e = 2. Incluir ro' Re V EE -vcc Re R8 C RE + ~e Ce Ce B E v. Redibujar.13.la red de la figura 7 ..6 El modelo híbrido equivalente 14. 50 kQ Y R L = A¡ = l/li = ILllb' Av= V/Vi' '-- § 7.2 ill con f3 = 140. Problemas 343 .56 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las tenninales adecuadas. Dados los valores típicos de h¡C = 1 kQ. ~ R. b) I b siV¡=30rnY.e Vo para los valores típicos utilizados en este ejemplo? Problemas 19.55 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las terminales adecuadas. =40 kQ.. d) Modelo re equivalente de base común.7 kD. d) Precisar el porcentaje de diferencia en lb con la ayuda de la siguiente ecuacíón: % en diferencia en lb = lb(sin h ) . (3= 120 Y r. 16.. h¡e ~ 100.. La impedancia de un amplificador de emisor común es de 1. Redibujar la red de la figura 7. Calcular: a) re. h rc = 2 x 1()-4 y Av = -160 para la configuración de entrada de la figura 7. h" = 4 x l<r' y h" = 25 pS. c) Modelo híbrido equivalente de base común. .3 para la respuesta en ac con el modelo híbrido equivalente aproximado sustituido entre las terminales adecuadas. FIgura 7. d) Modelo re equivalente de base común.

41. 24.2 rnA? b) Calcular su valor resistivo a 0. calcular la magnitud del porcentaje de cambio en h¡e cuando existe un cambio en le de 0.40 Y 7. a) Si hoe = 20 J1. a) Si hoe = 20 f.42. a) Determinar hj " cuando fe = 6 mA y \leE = 5 V.28. a) Si hre = 2 X lQ-4 cuando le = 1 roA en la figura 7. ¿cuál es el valor aproximado de hoe cuando le = 0. 22.47. ¿cuál parámetro cambió lo menos posible para el rango completo de corriente del colector? bl ¿Cuál fue el parámetro que observó más cambios? e) ¿Cuáles son los valores máximo y mínimo para lfhoe? ¿Es una buena aproximación llhoJ\ RL == R L más adecuada con los valores altos o bajos de la corriente del colector? d) ¿En qué región del espectro de corriente es más adecuada la aproximación hreVce == O? 344 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .S cuando le = 1 mA en la figura 7. Con el uso de los resultados de la figura 7.8 \c.43. Utilizando las características de las figuras 7.8 Variaciones de los parámetros de transistores Para los problemas 30 a 34. ¿puede ignorarse h como una buena aproximación si Av = 21 O? re re * 35. 26. Vuelva a hacer el problema 30 calculando hie (con los mismos cambios en le)' 32. 31.lA utilizando las características de la figura 7.A. b) Repetir el inciso a cuandofc = 1 mAy \lCE= 15 V.1 mA? b) Utilizando el valor determinado de h en el inciso a.45. se utilizan las figuras 7. 30.1S cuando le = 1 mA en la figura 7. Repetir el inciso a cuando lB::: 5 ¡.(O.~-180.40 y 7.42. a) Calcular hoe cuando Ic = 6 mA y V CE =: 5 V.43.5 V.42. utilizando las caracteósticas de la figura 7.or resistivo a 10 mA Y compararlo con una carga resistiva de 6.40. b) Realizar de nuevo el inciso a cuando le::: 1 mA y V CE::: 15 V 25. utilizando las características de la figura 7.(O.7 Determinación gráfica de los parámetros h 23. a) b) Determinar hic cuando lB::: 20 ¡. ¿resulta una buena aproximación ignorar los efectos de 1/hoe sobre la impedancia total de carga'? ¿Cuál es el porcentaje de diferencia en la carga total sobre el transistor utilizando la siguiente ecuación? o/e de diferencia en la carga total 21. § 7.2 mAl . ¿Es un buen sistema el ignorar en este caso los efectos de l/h oe? 33. Repetir el problema 19 empleando los valores promedio de los parámetros de la figura 7. Incluir ro' § 7. ¿Es un buen sistema el ignorar en este caso los efectos de 1lhoe? 34. '" 28.8 H2.2 mA almA utilizando la ecuación % de cambio h¡.45. Calcular el modelo re de emisor común cuando lB:: 25 J1A Y \leE::: 12.2 ka y ho~' = 20 pS.28 con A. b) Repetir el inciso a cuando lB = 30 J1. a) Empleando la figura 7.40 a 7.45 a 7. a) Al revisar las características de la figura 7. a) Determinar h re cuando lB = 20 J. calcular el modelo híbrido equivalente de emisor común aproximado cuando lB = 25 J1Ay VCE =. Realizar otra vez el problema 20 para R L = 3.12.Q.(l mAl h¡.45. utilizando las características de la figura 7. ¿cuál es el valor aproximado de hre cuandole =O. Dados los valores típicos de R L == 2.44.5 V utilizando las caractensticas de las figuras 7.3 ka y el valor promedio de hoe en la figura 7.2 mAl x 100% b) Repita el inciso a para un cambio en le de 1 mA a 5 mA. 827.2 mA y compararlo con una carga resistiva de 6.tAy V CE ::: 10 V.45.tA Y VCE = 20 V..hf.45.20. 29. ¿cuál es el valor aproximado de hoc cuando Ic=lOrnA? b) Calcular su va\. dibuje el modelo re equivalente para el transistor que tiene las características que aparecen en las figuras 7.

9 Análisis por computadora PSpice 37. * Los asteriscos indican problemas más difíciles. + ~ =4 mV llL -J. '. Repita el problema 38 utilizando BASIC.* 36 a) b) c) d) e) Al repasar las características de la figura 7.58 Problemas 37. d) La magnitud de la comente de entrada lb' + lOrnY I I -lb 2kQ '\. Escriba el archivo de entrada para la red de emisor común de la figura 7.2kQ Vo • Figura 7.. ¿cuál fue el parámetro que tuvo más cambio debido al incremento en la temperatura? ¿Cuál tuvo menos cambio? ¿Cuáles son los valores máximo y mínimo de h¡) ¿Es significativo el cambio en magnitud? ¿Cómo varía re con respeclO al incremento en la temperatura? Simplemente calcule el valor en tres o cuatro puntoS y compare sus magnitudes. ti" RL + • h¡l. 50kQ + RL 2. h" f : lOOfb t 1 1 '. h~ 3. d) La magnitud de la comente 1(:. Escriba el archivo de entrada para la red de base común de la figura 7. (y compárela contra 1).39. Jo ~ '\.47.59 Y solicite: a) La magnitud y la fase de Vo ' b) La magnitud de lo' e) La magnitud de la comente Ir (y compárela contra 1). 20n t : O. ¿Dentro de qué rango de temperaturas cambian menos los parámetros? § 7. 40.98fc 1 '. 1 20 ¡¡S Figura 7.59 BASIC 39. Repita el problema 37 utilizando BASIC.. 38. 40.58 y solicite: a) La magnitud y la fase de Vi} b) La magnitud de la corriente de salida lo' e) La magnitud de la corriente Ir. Problemas 345 .3 kn V" I I I Problemas 38.

.1 INTRODUCCIÓN Los modelos de transistores que se presentaron en el capítulo 7 se utilizan ahora para llevar a cabo un análisis en ac a pequeña señal de las configuraciones estándar de redes de transistores..] r-.... El análisis a pequeña señal comienza por eliminar los efectos de de de Vce y reemplazar los capacitares de acoplamiento C l y C. 346 . se dedica una sección al análisis a pequeña señal de las redes BJT que únicamente utilizan el modelo híbrido equivalente... mientras que la corriente de salida lo proviene del colector......2 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA La primera configuración que se analizará con detenimiento es la red de polarización fija de emisor común de la figura 8.. para cada configuración. se examina el efecto de la impedancia de salida como es proporcionado por el parámetro hoe del modelo equivalente híbrido. L Se observa que la señal de entrada Vi se aplica a la base del transistor mientras que la salida VD está en el colector.3. Las modificaciones a las configuraciones estándar se examinarán con relativa facilidad una vez que se revise y entienda el contenido de este capítulo.CAPÍTULO Análisis a pequeña señal del transistor bipolar ....2 se observa que la tierra común de la fuente de y la terminal del emisor del transistor permite la reubicación tanto de Rs como de Re en paralelo con las secciones de entrada y de salida del transistor. El análisis por computadora incluye una breve descripción del modelo de transistor empleado en el paquete de programas PSpice.. Se incluye un programa en BASIC para permitir una comparación entre el uso de un paquete de programas y un lenguaje de computación.. En la figura 8. es sensible al punto real de operación..... la corriente de entrada Ii no es la corriente de la base sino la corriente de la fuente... Además. respectivamente. lo cual origina la red de la figura 8. Este programa demuestra el rango y profundidad de los sistemas de análisis por computadora. La sustitución del modelo Te para la configuración de emisor común de la figura 8... Debido a que el modelo r... Sin embargo. mediante cortos circuitos equivalentes. Nótese además.... la colocación de los parámetros importantes de la red Zi' Zo' Ii e lo en la red que se redibujó.. 8.. Se reserva el efecto de ambos parámetros para un método para sistemas en el capítulo 10. Las redes analizadas representan la mayoría de aquellas actualmente utilizadas en la práctica..2 dará por resultado la red de la figura 8.....2. será el modelo primario para el análisis que se desarrollará... los cuales están disponibles en la actualidad y lo relativamente fácil que resulta capturar una red compleja e imprimir los resultados deseados. Para demostrar las similitudes que existen entre los modelos. El análisis de este capítulo no incluye una resistencia de carga RL o la resistencia de la fuente R. L 8..

Debe determinarse el valor de re a partir de un análisis en de del sisterna~ por su parte. Z¡: La figura 8.. + V. IZ o "R c I r. 1. lo cual pennite la siguiente aproximación: Zi . li ~ lb ~ O. .?: Zo ~ Rc11ro ohms (8. re y ro' La magnitud de f3 por lo general se obtiene mediante una hoja de especificaciones o por medición directa utilizando un trazador de curvas o mediante un instrumento para probar transistores.1 ) Para la mayor parte de las situaciones.. cuando Vi ~ O. o-----}t---+-<>---! e. .: '------'RB f3r.:: Re y 1 . más de 10 veces (se debe recordar a partir del análisis de los elementos en paralelo que la resistencia total de dos resistores en paralelo siempre es menor y muy cercana a la más pequeña en caso de que una sea mucho mayor que la otra)...2) Zo: Recuérdese que la impedancia de salida Zo se calculó cuando Vi ~ O. 8.2 Configuración de emisor común con polarización fija 347 . -z. la magnitud de rose obtiene por lo general mediante la hoja de especificaciones o de las características. El resultado es la config~ración de la figura 8. r.1 Configuración de polarización fija de emisor común. R B es mayor que f3r.3) lORD' con frecuencia se aplica la aproximación Re \\ ro'.. .1 después de eliminar los efectos de Vco el y e2- Figura 8. Suponiendo que se hayan determinado f3. e figura 8. Figura 8.2 Red de la figura 8.3.JL RB J. de Zo para la red de la figura 8. dando por resultado una equivalencia de circuito abierto para la fuente de corriente. Re . b l /3r.~ !ORe (8..h 1. I 2= lO/3r. 1..¡. + V. B v.3 revela que ohms (8.4) Figura 8. y ro_ se obtendrán las siguientes ecuaciones para las características importantes de dos puertos del sistema..3 Sustitución del modelo re en la red de la figura 8..4 Determinación. ~ " fllb -.3. Para la figura 8. I Si ro . Z.. El siguiente paso consiste en calcular /3.2. z.4. ohms (8..

= -¡3Ih(RcII V lb.¡3 1" > IORe La complejidad de la ecuación (8.9) Relación de la fase: El signo negativo para Av en la ecuación obtenida indica que ocurre un cambio de fase de 1800 entre las señales de entrada y de salida.6) Se observa la ausencia explícita de ¡3 en las ecuaciones (8. lb li = RB RB + ¡3r.:: .' - rol pero ¡3r. (r)(¡3lb) 1. A.¡3 ro + Re ro + Re con El resultado es (RB)(l) lb = RB + ¡3r. A.lo li = ~ro +ro¡3 ~ ~RB RB¡3r. (8.6).) Re + ¡3RB ro (8. aunque se reconoce que ¡3 debe utilizarse para determinar re' A i : La ganancia de corriente se calcula de la siguiente manera: Al aplicar la regla del divisor de corriente a los circuitos de entrada y de salida.. > IOP'. Esto es.5 y 8. = y lo li - ¡3RBro (r)(R B) • (8. Ai .5. lo cual sucede a menudo.7) sugiere que puede desearse el retorno a una ecuación como la ecuación (7.. si ro ~ 1ORe y RB . = lo 1.10) la cual emplea Ao y Z.5) (8.) la cual ciertamente es una expresión compleja y difícil de manejar.JLAv: y . 348 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar ... Los resistores ro y Re están en paralelo. =eO~cb~ = 4 ¡. de manera que y (8. e lo lb o = r..8) R. Sin embargo.::: lOj3re. V.7) Y Ai = (ro + Re)(R B + ¡3r. como se muestra en la figura 8.

. Z.7V = 24. (cuando ro = 00 Q). (cuando re = 00 Q).1 .5 Demostración del cambio de fase de 1800 entre las formas de onda de entrada y salida. Para la red de la figura 8.71 kQ) f3 = 100 8.0. 470 Iill ~ 1.6 Ejemplo 8.069 3kQ 10.71 Q {3r.428 mA Q) = 10.: ~ 10{3r. r----r--o 12 V 3kQ V. t V. ( 10 ~F 10 ~F - o ~.071 kQ = 1. Calcular Z" (cuando ro = 00 Q).V --c~-- l2V . z. = (100)(10.(470 kQ> 10.= lE r .11 kQ e) Zo = Re '" 3 kQ e) Dado que RB A.2 Configuración de emisor común con polarización fija 349 . = 470 kQ 111. (cuando ro = 00 Q). Determinar A. b) 26 mV 26mV 2. Repetir los incisos e a e incluyendo ro = 50 kQ en todos los cálculos y comparar los resultados.071 kQ = RB 11 {3r..428 mA =-.04 ¡. Solución a) Análisis en DC: ee BE ¡B = ---""---""V . o-----} 1--+-----1 1.LA) = 2.04}lA 470kQ lE = (/3+ l)lB = (101)(24. Encontrar A. O P-tr.. I figura 8. . Figura 8.6: a) Detenninar r('> EJEMPLO 8.J[ Vee Re Re t Yo I ~.1 b) e) d) e) f) Encontrar Z.71 = 1.71 Q = -280.

:.-.8 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8...24)( 1. Re R.3 POlARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE La siguiente configuracíón que se analizará es la red de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8. o-----} li Zi e B {----<o v. R.-_(ro + Rc)(R8 + f3r..:.-_-'-.~-'---''...8. Se observa la ausencia de RE debido al efecto de reducción de baja impedancia del capacitar de desvío.13 vs. la reactancia del capacitar es tan pequeña en comparación con RE que se maneja como un corto circuito para la señal a través de RE' Cuando Vcc se + Vi -li Zi b R.:.83 kQ (100)(470 kQ)(50 kQ) = --. CE' Esto es. lOO Como verificación: A.-. ~ Rc = -(-264.11 ro 11 Re 2.71 Q B _----.16 la cual difiere ligeramente debido sólo a la precisión que se lleva a través de los cálculos.7. Al sustituir el circuito equivalente r..][ f) Zo A~ = rJlRe = 50kQII3kQ = 2. 8. -280.=. RE CE Figura 8..83kQ = . e. ~I /JI.= -264. 10. = -A Z. Considérese que el nombre de la configuración es un resultado de la polarización mediante divisor de voltaje en el lado de la entrada para calcular el nivel en de de VE' Vee V.069 kQ) 3 kQ = 94.. E --Z. se obtendrá la red de la figura 8. - R' '*' Figura 8. e 11 ~ 1b e Pr. e.24 r. + V. 350 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .. R.:~-"---- vs. . • ~ 'o e h Re ~ Z. 3kQ vs.7 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje.:. a la frecuencía (o frecuencias) de operación. V.. - .) (50 kQ + 3 kQ)(470 kQ + 1. ...7.071 kQ) f3R ro = 94.

: Ya que Re y ro están en paralelo.J L iguala a cero coloca una terminal de Rl y Re a potencial de tierra.13) A. - f3R'r o ro(R' + f3r.: " j (Re 11 r.8. Esto es.11 ) De la figura 8. Zi = Zo: R'II f3r.15) A i : Debido a que la red de la figura 8.f3(. 11 Rz = RB .(f31b)(R e 11 e r.16) Ai = lo 1. Además. a O V se obtiene lb = O ilAy f3lb = O mA. f3r.3 Polarización mediante divisor de voltaje 351 . = . cuando se hace V.8. la ecuación para la ganancia de corriente tendrá el mismo formato que la ecuación (8." lOR e (8.8 es tan similar a la de la figura 8. de manera que V = . (8. Zo = RJ ro I (8.7). como se muestra en la figura 8.14) la cual se nota que es una réplica exacta de la ecuación que se obtuvo para la configuración de polarización fija.3.12) (8.= Vi Va Rellro r.) f3R' R' + f3r e ro ~ lOR c y lo Ai = .17) 8. Para ro. excepto por el hecho que R' = R. se observa que R¡ y R2 permanecen como parte del circuito de entrada mientras que Re forma parte del circuito de salida.l y A. Va = . (8.li (8.8. La combinación de R¡ y R 2 está definida por medio de (8.l lb = V.. (8.10) Zi: De la fIgura 8.

.. (cuando ro = O).6RE > lOR 2 (90)(1. Vcc = (8.. (8.9 Ejemplo 8.7 V = 2.19) Relación de la fase: 1800 entre V(J y Vi· El signo negativo de la ecuación (8. o---}l~-+-----1 /. Zo (cuando ro = = O). encuéntrese: a) rlO..14) revela un cambio de fase de EJEMPLO 8.0.J[ y (8.11 V 352 Capítulo 8 Análisis a peqneña señal del transistor bipolar .18) Como una opción.2 kO) 135 kO > 82 kO satisfecha Utilizando el método aproximado.5 kQ) > 10(8.81 V = 2. 11 h01' . Los parámetros de los incisos b a e si ro.2 kO)(22 V) 56 kO+ 8. z.81 V VE = VB - VBE = 2.2.2 kQ Figura 8. Solnción a) De: La prueba de . A. 8. A¡ (cuando ro = = O).2 kO .:: 50 kQ Y compare los resultados. b) e) d) e) f) Z. = 22 v 56Hl 10 ~F V.9.2 Para la red de la figura 8.

= . sin embargo.35 ka e) Z" = Re = 6..4 Configuración de E-C con polarización en emisor 353 .44 Q e) La condición R' 2 10[3r.10 aparece la configuración más básica de las que no poseen desvío.. 10(6.1 S kQ 2 1O( 1..8 kQ A.- d) Re r = ._15_k_Q_)(_5_0_kQ_)_ _ (r" + Re)(R' + [3r) 64.::: 1ORe- 8.11 V = IAlmA 1..11 dará por resultado o 8. A¡ [3R' (90)(7. Sin desvío En la figura 8.= 73.66 kQ = 1. 6.04 R' +[3r..41 roA R' = R.44 a) = 7.15 ka Z¡ = R' 11 [3r.. y A¡ debido a que no se satisfizo la condición ro. pero se observa la ausencia de la resistencia ro' Si se considera el efecto de ro' el análisis será mucho más complicado.= -368.15 kQ) := . -368. = (56 ka) 11 (8. = 7.= .44 Q = -324.04 Existió una diferencia considerable en los resultados de Z(). = _ _.15 kQ + 1.66 kQ f) Z. = - Re 11 ro =- 5. Por tanto.8 kQ)(7. 6.. A. El modelo re equivalente se sustituyó en la figura 8. (7..76 La condición: r" 2 lOR e (50 kQ..:[3_R_'r.8 kQ 1150 kQ = 5.35 ka Zo = Re 11 r" = 6... Por tanto. (50 kQ + 6.= ..5 ka 26roV r... y su efecto se discutirá más adelante en esta sección.. = 1.8 kQ) = 68 kQ) No está satisfecha.J[ V lE = ~ RE 26roV -lE b) 2.15 ka 11 (90)(18.8kQ A.15 ka 111.98 kQ 18.11. = ._ _ = _ _ _ (9_0)_O_.44Q 1.3 VS.2 ka) = 7.66 kQ) 73. no se incluirá en el siguiente análisis. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alIado de la entrada de la figura 8.76 18. Primero se considerará la situación sin derivación y luego se modificarán las ecuaciones obtenidas para la configuración con desvío..3 VS. 7.. en la mayoría de las situaciones se puede ignorar su efecto.. 11 R.6 kQ no está satisfecha.8 kQ .66 kQ) = 16.15 kQ + 1..98 ka vs. por tanto.o.= 18.4 CONFIGURACIÓN DE E-C CON POLARIZACIÓN EN EMISOR Las redes que se examinaron en esta sección incluyen un resistor en emisor que puede tener o no un desvío en el dominio de ac..c. A\.

= f3r.11 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de de la figura 8.11. El resultado como se aprecia en la figura 8.25) 354 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar ..21) puede reducirse aún más a (8. ~ 1. t R/ h . El resultado es = (8. • e e I + /5l. la ecuación aproximada es la siguiente Zb .24) V. Z.23) Zo: Al hacer Vi cero. = -'i.: f3r e y + f3R E (8. lb ~ y Zb Vo = -loRe = -f3l bR e = -f3( . + (f3 + I)RE b v.21) Debido a que RE a menudo es mucho mayor que re' la ecuación (8.10 Configuración polarizac}ón de emisor común. lb O Y f3lb puede reemplazarse mediante un equivalente de circuito abierto. Figura 8.Z. = Vi R f3 e Zb (8.-Zb Vi ~r : pr.= (fl+ ¡)lb figura 8.) Re con A.. Fagura 8.12 Definición de la impedancia de entrada de un transistor con un resistor de emisor sin desvío.20) Ya que f3 por lo regular es mucho mayor que 1. Re V.+ Z. se tiene (8..22) Zi: Regresando a la figura 8. li b . R. y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de RB es Zb = -:.12 indica que la impedancia de entrada de un transistor con un resistor RE sin desvío está determinada por Zb = f3re + (f3 + I )RE (8.10.

las conversiones de las fuentes.26) y para la aproximación Zb. La derivación de cada ecuación está más allá de las necesidades de este texto y se deja como un ejercicio para el lector. 'R (8.----------. Z¡: (8.25) revela una vez más un cambio de fase de 1800 entre Vo y Vi' Efecto de ro: Las ecuaciones que aparecen abajo revelarán con mayor detalle la complejidad adicional que resulta al incluir ro en el análisis.: f3RE' (8.27) Obsérvese una vez más la ausencia de f3 en la ecuación para Av' A¡: La magnitud de R B a menudo es muy' cercana a Zb para permitir la aproximación lb = l¡. Cada ecuación puede derivarse mediante la aplicación cuidadosa de las leyes básicas del análisis de circuitos como las leyes de voltaje y de corriente de Kirchhoff.29) e Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8. + RE) da . el teorema de Thévenin y otros.30) 8. Sin embargo.JL La sustitución de Zb = f3(r.= ---"--R B + Zb li lb R además. Al aplicar la regla mediante la división de corriente al circuito de entrada se obtiene e B . (8.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 355 . en cada caso se observa que cuando se cumplen ciertas condiciones. e lo = f3 l b de tal forma que y (8.28) o " ElJ A = -A-' . las ecuaciones regresan a la fonna recién derivada. Se incluyeron las ecuaciones para eliminar la molesta pregunta del efecto de ro sobre los parámetros importantes de una configuración de transistores.

= ---'---1O-:-..+ .34) 356 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del trausistor bipolar ..? 1O(R c + RE)' se podrán obtener todas las ecuaciones derivadas con anterioridad.33) la cual se obtuvo con anterioridad. A' v' Av = ~= Vi ~ r ] Re 1+-:. + (f3 + I)RE la cual puede compararse de manera directa con la ecuación (8. El resultado es un factor de multiplicación para ro mayor que uno. L-. ro» re y Zo:' Rcl1ro[' + I + f3 r ] f3 e RE la cual puede escribirse como ZO:'Rcl1ro ['+ .20)..+-ro o (8. Para {3 = lOO. f3re (f3 + l)R E + ---"---'---=-l + (Re + RE)/ro Zb:' f3r._ _"'----' Cualquier nivel de r" Zo = Re I (8.31 ) Z. o' (8..02 = 50 1000 n y la cual.:..][ Debido a que el cociente Relro es siempre mucho menor que ({3 + 1).~ = - -+f3 re RE -+ 100 1 H 0. r" = lO Q Y RE = l kQ: 1 1 -1--"-. la siguiente ecuación resulta excelente para la mayoría de las aplicaciones: (8. por supuesto es Re Por tanto. En otras palabras. Debido a que f3 + 1 == {3.] ' l f3 re RE Normalmente tanto 1/f3 como r/RE son menores que uno y suman un total que por lo general es menor que uno.32) Sin embargo. si ro . Zb :.

Por tanto. pueden aplicarse las ecuaciones (8. e ---+2.-h--1r" 2: JURe así como se obtuvo con antes.3.A) = 4. sin CE (sin desvío).56kQ 1ICE 10 ~F . De: lB = Vee-VBE RE + ({3 + I)R E 470kfi + (12\)0..10 está en desvío mediante un capacitor CE de emisor.89 ¡. Para la red de la figura 8. = = 20Y-O.J[ La relación 1'/1'0 « 1 y Av = Vo V.. Zo' A.7Y = 35.56 kU h = (f3 + l)I..0 4. utilizando las ecuaciones anteriores.34 mA 8.. = (121)(46.F Vi e __ )1-4----1 el 1.34 mA r.3 e) d) Z¡. calcular: a) b) re' EJEMPLO 8.. (8. _ _ (3R Re Z"h__-.9)..36) Con desvío Si RE de la figura 8. 0.ro..¡. Aj' _ 20 V e) 470kQ 10 ¡.13 Ejemplo 8.A y = 26mY = 5. Solución a) F'lgura 8.\) a (8.-Re +ro Para ro '" IOR e (8.99. dando por resultado la misma red equivalente que la figura 8.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 357 . A¡: El cálculo de A i será a la ecuación A.35) ' -___ _ _ _ V'-.3.. Z.5 ¡.13. el modelo re equivalente completo puede sustituirse.

-------_.". .34kíl e) Zo = Rc = 2. Z.82 EJEMPLO 8. e) A = -A -Z. Z.:.56 ill) 40 k!l 2: 10(2. A. Solucióu a) b) El análisis del dominio de es el mismo y r. '" f3R B /(R B + Zb)' EJEMPLO 8..3 cuando CE está en su lugar. RE está "en corto" debido a CE para el análisis ac.5.4 Repítase el análisis del ejemplo 8.76 k!l) = 27.92 k!l = -3. Zb y == f3(r. 2.34 k!l) .85 cuando se utilizó la ecuación (8." d) IOR e está satisfecha. = B = 470 k!lIl718..:). Zo' A"." IO(R e + RE)' 40 k!l 2: 10(2.99!l + 560 O) = 470 k!l1167. {3R B RB + Zb (120)(470 ill) 470 k!l + 7l8. = _ Re r.99 Q. = = 67. = _V V.6 k!l satisfecha Por tanto.28): A.(2_.28 (un incremento significativo) e) A = ..99!l = -367.93 cuando se utilizó la ecuación (8.27): Av '" -R¿R E . 358 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . encontrar (mediante las aproximaciones adecuadas): a) b) e) d) e) re.8!l 470 kOII(120)(5.) 67.92 = -(-389) (59. J[ b) La prueba de la condición ro. 2.70 íl e) Zo = Rc = 2.2 k!l + 0.99!l) == 717.92k!l RBllzb = l20(5. 'R c = 104.5 Para la red de la figura 8..2k!l = . Por tanto.89 comparado con -3.. = 5..2kíl d) A. Portanto. + RE) Z.2_k:-!l.92 k!l = 59.. == __R = f3 _c Zb _-.14.-O_20.2kíl ro.8!l = 119.2k!l comparado con 104. o A. = RBllzb = R IIf3r.

324 mA RE 0.V8E = 1.64 O r.6 V le = - 0. Las condiciones de prueba tanto de ro .8 k!l > 100 k!l satisfecha V8 = R.: IO(R e + RE) como de ro ..15 El circuito ac equivalente de la figura 8. El empleo de las aproximaciones adecuadas dan Zb"" {3R E = 142. = 1.:. IOkíl 0.5.8 k!l Z. = RBIIZb = 9 k!l11142.7 V = 0. la configuración que se obtiene es diferente a la de la figura 8.68 kil) > 10(10 kfi) 142.14 Ejemplo 8.-J '=' T 1.][ 16V tI.. VE + R2 ce .68k!l • 2. • e..15 se proporciona el circuito equivalente.2 kil ~ FIgUra 8.2 kO 90kíl o V..:.14.= 50 kQ I . p =210J.0. Ahora.8 k!l = 8. + Figura 8.47kO 8.6 V . e 1.: IOR e se satisfacen. eE z. Solución (210)(0.68 kQ I e.9 V = 1.11 sólo por el hecho que RB = R' = RdlR2 = 9k!l " + z. z.68k!l 26mV 26 mV = 19. '~ + 10kQ 90kíl 0.324 mA = b) En la figura 8. 2.90k!l + 10k!l = V8 .4 Configuración de E-C con polarización en emisor 359 .9 V VE R2 V - IOk!l (16 V) = 1.

2 kil Re 2. 8.5 figura 8.47 EjEMPLO 8..83kO) 2.te menor que la señal de entrada.= -.2kO d) A" = .47kO) A¡ = -A~ Re = -( -3.83kil e) Zo = Re = 2.64 kO e) A= '~RL -A~= _(_112.2 kO = 12. 19.64 O) == 4.--.= -112. Para el análisis en de la resistencia del emisor es RE + REo' mientras que para el análisis en ac el resistor RE en las ecuaciones anteriores es simplehIente. = (210)(19. .64 n. pero la aproximación 360 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .17.16 aparece otra variación de una configuración de polarización en emisor. Zb = f3r.2 kO = 144.1 En la figura 8.5 con Solución a) b) e E en su lugar. CONFIGURACIÓN EMISOR-SEGUIDOR Cuando se toma la salida a partir de la tenninal del emisor del transistor como se muestra en la figura 8.02 (un crecimiento significativo) r.0. debido a la caída de la base al emisor.6 Repetir el ejemplo 8..16 Una configuración polarización en emisor con una porción de la resistencia de emisor en desvío en el dominio de ac . se conoce a la red como emisor~seguidor.][ Zo = Re = 2..2kO d) A~ = .12 kO Z¡ = RBllzb = 9 kOIl4. o-}I---"----I Zi Z.RE = . = 19.24 e) e) Z¡ (8. El voltaje de salida siempre es ligeramej'j.---=.24) 2.02)(2.12 kO = 2.68 kO = -3.RE con RE" en desvío por CE' J --li el V. El análisis en de es el mismo y r.2kil Re 2.

tanto Vo corno VI mantendrán sus valores pico positivos y negativos al mismo tiempo. -:. debido a que el colector está conectado a tierra para el análisis en ac. V.37) Zb = f3r. E?--. Al sustituir el circuito equivalente rl! en la red de la figura 8.17 se obtiene la red de la figura 8. El hecho de que Vo "siga" la magnitud de Vi con una relación dentro de fase acredita la terminología emisor-seguidor. Z¡: La impedancia de entrada se encuentra determinada de la misma manera que se describió en la sección anterior: (8.18.. En la figura 8. en realidad es una configuración de colector-común.5 Configuración emisor-seguidor 361 . El efecto que se obtiene es muy similar al que se logra con un transformador.17.17 aparece la configuración emisor-seguidor más común. En la parte final de esta sección aparecerán otras variaciones de la figura 8.---!!----o 'é. el voltaje está en fase con la señal VI' Esto es. + \ 1 COn 1 Figura 8. A diferencia del voltaje del colector.17 Configuración emisor~seguidor. Sustitución del circuito equivalente re en la red ac equivalente de ac de la figura 8. El efecto de ro se examinará más adelante en la sección. la cual es directamente opuesta a la configuración de polarización fija estándar. donde se acopla una carga con la impedancia de la fuente para obtener una máxima transferencia de potencia a través del sistema. = + -1.J[ _1. v. Figura 8. e -z.17 que tienen la salida en emisor con Vo .18.::: V¡La configuración de emisor-seguidor se utiliza con frecuencia para propósitos de acoplamiento de impedancia. De hecho. e. Presenta una alta impedancia en la entrada y una impedancia baja en la salida. B 0--)1----+-<>--1 el' Z. + (f3 + l)R E (838) 8. Ar 1 por lo general es buena. ~ RE f t 1.

. o y (8. -:-:--:-::--~ Vi _____~ [f3r.. y (8.43) A~.::.39) (8. + (f3 + l )RE o 1 = . RE es mucho mayor que RE + RE Y (8. 'V +1. le = (f3 + I)h = (f3 + Vi 1)- Zb Sustituyendo por Z/) se obtiene le = ~-.--l. se obtiene la configuración de la figura 8..19 para detenninar la ganancia de voltaje mediante la aplicación de la regla del divisor de voltaje: v= " Vo V. :-: RE.-i_ f3r.45) 362 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .. re' REVi RE + re RE (8.. Zo ~ .z" Por lo general RE es mucho mayor que Te' . + re r¡.: Con frecuencia. y a menudo se aplica la siguiente aproximación: Figura 8.] [. Para detenninar Zo' se hace cero V:.4l) re + RE " + v. RE Si ahora se construye la red definida por la ecuación (8.40) Zo: La impedancia de salida se describe mejor al escribir la ecuación para la comente lb: lb = - Vi Zb y luego multiplicando por (/3 + 1) para establecer 1".42) .: Se puede utilizar la figura 8./(f3 + 1)] + RE pero y (f3+l)~f3 ---~--=r f3r e f3+1 f3re f3 < de manera que V le == ----'-'-- (8. Esto es.44) Y A.r. Vo -1 .-)V-.19... (8.19 Definición de la impedancia de salida para la configuración emisor-seguidor.(f3_+.41).

44) y algunas discusiones anteriores de esta sección.50) Utilizando í3 + I =' [3.: De la figura 8.46) o (8.47) Relación de la fase: Como se indicó por medio de la ecuación (8. = -({3 + l)h -lo = -({3 + lh 1) de tal forma que =-({3+1) y debido a que R R B + Zb B ({3 + 1) "" {3.18. + ([3 + I)R E la cual es similar a las conclusiones anteriores con (8.REllr.=. (8.48) Si se satisface la condición ro.. tanto Vo como VI se encuentran en fase para la configuración emisor-seguidor...5 Configuración emisor-seguidor 363 .51 ) 8. o e o 1. RB + Zh lo = -í.49) Z· o' (8.::: 1ORE' Z" = {3r. + -'----"- ({3+ I)R Z" (8. z. Efecto de ro: Z¡: E {3r.J[ A. I Cualquier r" (8.

7.3 kQ Figura 8. . + RE) y A. 3.062 mA 26mV r.-_ _ _ _ _--' ' •.tA) = 2. -'--RnE~~ 1+r" Si se satisface la condición ro ~ 1ORE Y se utiliza la aproximación {3 + 1 E Av=-- (8.52) ={J. detenninar: a) re' b) e) Z¡. Repetir los incisos b a e cuando ro..20.42pA h=({3+ 1)/. (8. EJEMPLO 8.53) ' .20 Ejemplo 8. A.3 k!1 = 20. 12 V f 220 ill v.062 roA = 12. {3R Zb Pero de tal fonna que Zb == {3(r. 25 kQ Ycomparar los resultados.][ ({3 + I)RElZb A. = (101)(20. ro =00 Q -Z. = ---"--RE re + RE I ~IOR. Zo' d) e) 1) A". Solución a) lB = R B + ({3 + I)R E l2V-O. = = 2.42 ¡.~I-~--I li -10 ~F {3 = 100.61 n 364 capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .7V = 220 k!1 + (101)3.7 Para la red emisor-seguidor de la figura 8.

47) se pueden cambiar con sólo reemplazar RB por R'.61 fl) + (101)(3.56 kfl == (3R E Z.::kfl:=- = 1.3 kfl) = 1.7 kfl = 126.3 kfi 1 +--c -=:-3.56 a == r.61 fl = 12.43 kfl 295.72 ka Z" = REllr.7 kfl =-'-----. R¡ 1\ R2• La red de la figura 8. +- 25 kfl con Z. aunque no se satisface la condición ro .67 220 kfi + 334. = 3.3 kfl A. .". = 3.72 kfl a la cual se llegó de la manera anterior (lOO + 1)(3. la cual utiliza una sección de entrada divisor de voltaje para establecer las condiciones de polarización. los resultados para Zo y Av son los mismos y únicamente Z¡ es un poco menor.::: 10R E.261 = ro kfi + 294.= -(0.61 fl = = 0.3 kfl Al verificar la condición ro 2 lOR E . + ({3 + I)R E = (100)(12.72 kfl) = -40.21 es una variación de la red de la figura 8. Los resultados sugieren que para la mayoría de las aplicaciones se puede obtener una buena aproximación de los resultados reales sólo con el hecho de ignorar los efectos de ro para esta configuración.:. = 33 kfl ({3 + I)R E = (100)(12.996 ==1 e) A.-'-'-----'-::-::--[1 + 3. 10(3.61 fl) RE + (100 + 1)3.15 ka A= . Las ecuaciones (8. . = RBI!Zb = 220 kfili334.17.22 también proporciona las características de entrada/salida de un emisor-seguidor.56 O como se obtuvo anteriormente + I)R E /Z b [1 + RE] r" = 0.3 kfi1112.3 kfl = 334.7 kfl VS. pero incluye un resistor colector Re En este caso RE se reemplaza una vez más por la combinación en paralelo de R 1 YR2 . == contra = (100)(220 kfi) = _ 9.56 kfl = 132. Por tanto.3 kfl) la cual no se satisface. 25 kfl Portanto.261 kfl + 333. porque Re no se refleja en las redes equivalentes 8.J[ b) Zh e) d) {3r.-=-3.3 kfl + 12. = V.06 3.996) .5 Configuración emisor-seguidor 365 . = RBllzh = 220 kfl11295.37) a (8. se tiene 25 kfl . ({3 132. La red de la figura 8. ( 132.996 == 1 lo cual es igual al resultado anterior. = RE + r.56 kfl 3 A = -A . Vo RE 3.3 kfl lJ Zo = REllre = 12. La impedancia de entrada Z¡ y la impedancia de salida Z() no se afectan entre sí.3 kfi)/295. RE f) Z.

de base común sustituido en la figura 8. La configuración estándar aparece en la figura '8. -.f. al" e ~ tI.l'-1. Sin embargo.6 CONFlGURACIÓN DE BASE COMÚN .24 Sustitución del circuito equivalente r~ en la red equivalente de ae de la figura 8.54) (8. Figura 8. la ganancia de voltaje puede ser considerable.55) 366 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . • e + ~:. RE E. el único efecto de Re será al determinar el punto de operación Q. 1" ~ + lé B Z. -.23. R. =Jl" " z.lfación emisor-seguidor con un resis!or ' colector Rc de la base o el emisor. Figura 8.21 Configuración emisorseguidor con un arreglo polarización mediante divisor de voltaje.23 Configuración de base común..24. 1.~RL -. vi. La impedancia de salida ro del transistor no está incluida para la configuración de base común debido a que por lo general se encuentra en el rango de los megaohms y puede ignorarse puesto que se encuentra en paralelo con el resistor Re ~.J[ Va 9 v. + V.22 Config'.------~--~~. o \) 1-+~---1 r \ -z Figura 8.23 con el modelo equivalente r". I i Z " Figura 8. t I -1. De hecho.La configuración de base común se caracteriza por tener uria impedancía de entrada relativamente baja y una impedancia de salida alta y además una ganancia de corriente menor a uno. 8. (8.

re 20 O e) A¡ = -0..7 V 1 kO ~ 1. Efecto de ro: Para la configuración de base común.= 250 .6 Configuración de base común 367 . Zo' A r.8 re' Z¡.61 fi == re e) Zo=R e =5kfi Re 5kO d) A '" = . ¡--) 1.a".3 mA b) Z¡ ~ REllr. ~ 1 kOl120 O = 19.0. -+Ika 10 ~F \0...25 Ejemplo 8. ~-' V de tal forma que y (8. -1 (8.57) Relación de la fase: El hecho de que Aves un número positivo indica que tanto V(J como Vi se encuentran en fase para la configuración de base común. .J[ con I. = .3 mA r ~ 26mV ~ 26mV ~ 200 e lE l. Z" o Figura 8.: Al suponer que RE :::p- re se obtiene le = I¡ y lo = -ale = -al¡ A¡ = con 1" 1. Solución a) lE ~ V EE - V BE RE ~ 2 V . calcular: a) b) e) EjEMPLO 8.25.8. d) e) A.98"" -1 8.3 V -1 kO ~ 1.. lO ~F 1.98 r o = 1 MQ 5Hl 8V h ~ o 1 2v T - \0. -Z. ro = l/h oh está por lo general en el rango de los megaohms y es más grande que la resistencia en paralelo Re como para permitir la aproximación ro 11 Re == Re Para la red de la figura 8.56) A~. a= 0.

La sustitucíón del circuito equivalente y el redibujo de la red dará por resultado la configuración de la figura 8.Vi RF con e Debido a que Vv = -loRe lo = f3lb + l' /3Ib es mucho mayor que r.7 CONFlGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN EN COLECTOR La red con retroalimentación en colector de la figura 8.l2. tc~v ':' + " Figura 8.26 utiliza una trayectoria de retroalimentación desde el colector a la base para aumentar la estabilidad del sistema como se discutió en la sección 4. lo '" f3l& y pero Vv = -(f3l blRc = ..26.-t_J"-.RF + ¡Jlb h . Algunos pasos que serán realizados a continuación son el resultado de la experiencia al trabajar con tales configuraciones. 8 . o el Vi - 8 o-----J f--~-<>--I z.f3I¡}1c y 368 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .27. Sin embargo. Los efectos de una resistencia de salida roen el transistor se analizarán más adelante en esta sección. + Vi J. No se espera que un nuevo estudiante del tema seleccione la secuencia de los pasos descritos a continuación sin hacer uno o dos pasos de manera errónea. l' Z. Zo figura 8.lugar de la base a la fuente de dc tiene un impacto significativo sobre el nivel de dificultad que se encuentra al momento de analizar la red.J[ 8.Br. J' = Vo . e.27 ':' Sustitución del circuito equivalente Te en la red equivalente de ac de la figura 8. la simple maniobra de conectar un resistor de la base al colector en .26 Configuración de retroalimentación en colector. Re r-'V\RFI\r-t--.~ V e J.

V = -f3-Re o 13r. =O ¡ En el nodo Figura 8. 369 8.58) -+ 13 Zo: Si se hace Vi cero como se requiere para definir Zo' la red aparecerá como se muestra en la figura 8.J[ Por tanto. t= El res ultado es =---= Vo Vi RF RF V = If3r ... y A. El efecto de f3rl' se elimina y RF aparece en paralelo con Re y (8. Iv = f3Ib + r Para los valores nOnTIales. I + f3R e RF r o Zi = " Re RF (8._ _-. z= f3r.: e de la figura 8.I [ I + -Re] f3r V 1 1 e RF 'e e 1 o Vi [ I Re] + -f3r. f3I b » Sustituyendo lb = V/f3r.60) .- 'li 1+f3r'[I+Rel RF r. J Re = Re pero Re es por 10 general mucho mayor que re y 1 + de tal fOnTIa que . = - Vo V. [ I + RF 'e = lif3r. y z r = Vi = _ _ _-'-f3::--'-. = Re r (8.28.27. A.7 Configuración con retroalimentación en colector .59) v. se obtiene r e Iv" f3Ib' VD = -IoRe = -(f3Ib )R e V.28 Definición de Zo para la configuración de retroalimentación en colector.

Re RFr. RF Rell ro RFre (8. + (lh - l¡)R F + (. I.F. e + IbRF .JL A i: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo exterior de la red genera Vi + VRF e Utilizando lo '" f3lh' se tiene ~ Vo = O Ih f3 r . + R. y comparar con RF y f3R e A. O Y al aplicar la condición ro '" !ORe pero por lo general RelRF « 1y Zi=--:---- -+-370 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar 1 f3r. + RF + (3R c ) = liRF O Sustituyendo lb = 1)f3 a partir de lo '" f31" da lo 13({3r. = ~ li = f3R F RF + f3R e (8. + f3R c Ignorando f3r.63) Al reconocer que l/R F ".=- .Re = O Ih {3r.liRF + (3lbRc = Ib(f3r.--I. + RF + f3R c ) = IiRF e I" = -=--~{3"-R-.62) Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8.--.--c--{3r. .60) indica un cambio de fase de 180Q entre V o y Vi' Efecto de ro: Z¡: Un análisis completo sin la aplicación de aproximaciones dará por resultado 1+ Rell ro RF Zi = 1 -+-+ f3r. (8.61 ) y lo A..

68) Debido a que RF» re' (8.67) A: .70) corno se obtuvo con anterioridad.. como se obtuvo anteriormente.o?: ¡ORe y dado que RelRF es por lo general. (8. A¡.64) - + {3 así. r ~ .' r. Para la red de 1a figura 8.66) igual como se consiguió antes. la figura 8.28 se obtiene (8. 8.29.Q Y comparar los resultados. d) e) f) Repetir los incisos b a e cuando ro = 20 k.69) Re 1+RF ' -_ _ _ _ _ _. Para la condición común de RF» Re (8. detenninar: a) EJEMPLO 8. Re RF (8.9 re' b) e) Z¡.JL o z. mucho menor que uno.::: lOR e (8.. (8. Zo' A.7 Configuración con retroalimentación en colector 371 . Zo: Al incluir ro en paralelo con Re er.651 Para r" .

.7 kU) = 50 f) = 11. = 2.21 U b) Z. Solución a) RF + (3R e = 11.32 mA 26mV 26mV = 11.7 V (200)2.64 X 10 3 0.][ 9V ? 1.= 11.21 n r.9. 32 mA re 11.21 U 11.86 r.45 X 10.VBE = 180 kU + 9V .. = ---'----'---'--.5 U anterionnente = rollRcllR F = 20 kU112.5 n 2¡: La condición ro..7 kUII180 kU = 2. 2.7 kU 0. Z" Z. r.015 lB = Vce .18 X 10 3 = 617..7 kQ V.005 + 0.53 ¡LA) = 2. Figura 8.38 kU 1 + 180kU 1 + 0.7 U vs.7 kU -+(3 RF -+ 200 180 kU 0. ~V\II""---<f-'--lf-----o V" 10 ~F 180 ill ~/" f3 =200.21 U) (200)(11. RF + (3Rc 180 kU + (200)(2.02 e) Zo = RcllRF = 2.:: IORc no está satisfecha.7 kUI120 kU 180kU 2: o 20 1 + 1 + 2.013 = = 1.21) 2. 1+ 2.66 kQ anterionnente 372 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .3 + 1. ~ __ IO~F -/.0.29 Ejemplo 8.= --'-'-'':''::''''=-I Re I 2. 560. (200)(180 kU) e) A = (3R F .006 X 10..53 ¡LA I E = «(3 + 1)IB = (201)(11..3 + 0.7 kUII180 kU = 2.21 U) = 560.21 U = 50(11.66 kn 27kU Re d) Al' = .7 kUI120 kU 180kU (l80kU)(I1.21 U -240. Por tanto../=ooQ .35 kQ VS.

74) determinarán las variables de interés.38 k!1 8..180 k!1 2.7-k-:!1= 47.72) A' " (8. v. z.7 Configuración con retroalimentación en colector 373 . A" = --'---r--'¡c-. Z.38 k!1 . las ecuaciones (8.[~I + ~] (ro¡¡R~) RF re 1R 1+~ R. -240.)(2.30.E_.71) a (8._F_R-.94 vs.38 kí1) 1 + 0. Re 1. = -A" Re = -(-209. 50 anteriores 617. Las derivaciones se dejan como un ejercicio al final del capítulo.56 X 10.013 = -209. .- .92 10.74) f3 8...73) 1 A¡"'-----+ (8.C':"') RE j (8. ~_'VRVF'V-+t!.86 anteriores A: .. C. Figura 8.56)-Z-.[5..56 VS.7 !1 Para la configuración de la figura 8.J A: I lrI • L.30 Configuración de retroalimentación en colector con un resistor de emisor RE: Z¡ '" [-i ------=---+ _(_R=. o---::-¡ f---"-----I z..-If----<> v.6 - 1 ] 2.[ 1 + 180k!1 11.l_.71) z· " (8.21!1 ( ) 1+ X 2 '::"":-'-. C. A.

el capacitor asumirá un equivalente de corto circuito a tierra debido a su bajo nivel de impedancia respecto a los otrOS elementos de la red.76) (8.. o-:---ll Configuración de retroalimentación de de en colector. El circuito equivalente de pequeña señal aparecerá entonces como se muestra en la figura 8.77) A' " R' ~ r"ll RF. Figura 8.75) z· o' (8. t"-1 .. Lu porción de RF que se cambió al lado de entrada o de salida se caiculará mediante los niveles de resistencia de ac deseados de entrada o salida. . Figura 8.32.. I + ~ fJJ.. + v. A la frecuencia o frecuencias de operación. ~'. no obstante que el capacitor C~ cambiará porciones de la resistencia de retroalimentación a las secciones de entrada y d~ salida de la red en el dominio ac.31 v. :::lV' RF . te.32 Sustitución del circuito equivalente Te en la red equivalente de ac de la figura 8. 1.31 tiene un resistor para retroalimentación de de con objeto de una mayor estabilidad. '" Re I I 'é. Z. "F z" v R' (8.8 CONRGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN DE DC EN COLECTOR La red de la figura 8. c.3!. z.I\ Re y V" = -f3I"R' Análisis a pequeña señal del transistor bipolar 374 Capítulo 8 . 1.J[ 8.

IIRc r. Debido a que RF. RFr + Re + f3r(' y A = ~ = li f3R F .R' + Re La ganancia de corriente A.) A.81) o (8. y para el lado de salida utilizando R' = ro 11 R F .8 Configuración con retroalimentación de dc en colector 375 . = .78) A. + f3r e == RF I y lo i3Rt:(r"IIR. Ai: V RF.. o lh = li RF .. . .l4'..li .)(R' + Re) I I'RF (8. I = lo = Ji lo Jh Ih R/ Ji R' {3 RF .IIR c r." =Vi V rJRF.82) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación revela un cambio claro de fase de 180' entre los voltajes de entrada y de salida. =o. + f3r . (8.][ pero y V = o -{3~ Vi R' {3rl" de tal forma que A. + Re) de tal fonua que (8.:::. R' {3lh lo = R + Re 1 o = -::-:'R'{3 -'-..es por lo general mucho mayor que f3re • RF.. V. 8. + {3r. I RF . + {3r..79) r" ~ JOR( Para el lado de entrada In = Rf/i RF .R' (R F .80) 2 L-_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _--' R' == r" .(r"IIR F .--= \ . (8.

.------l IOmF -z.34.OlmF /3= 140.VBE RF + {3R c 12 V .3 V = 608 kf1 = 18.. se satisface mediante el signo de igual en la condición.=30kQ Figura 8.. -z.. =nI.62mA = ({3 + re = 26mV 26mV = 9. = 3 kf1¡¡68 kf1 = 2.33. 11 v Ha 120 kO A..920 2. 1. 1 ~ ~ /JI.62 mA b) {3re = (140)(9.33. + V. r .39 kf1 '" 1.39 kf1 La red equivalente aparece en la figura 8. e) Probando la condición ro !ORe' se encuentra 30 kQ ~ 10(3 kQ) = 30 kQ la cual.395 k. Solución a) -1. r. Figura 8.. z. Z¡ = RF ..6 ¡.10.0. lOmF O..10 Para la red de la figura 8. 120kU -1.6 ¡.. determinar: a) b) e) d) e) re' Zi' Zu' A. f3r. lo r-"NV---r-'VV\r---+'-'-l (---<> V" Vi o----}f-<--.J[ ---------------------------------------------------EJEMPLO 8.7 V (120 kf1 =~~~~~~--~ + 68 kf1) + (140)3 kf1 11.92 f1) = 1..87kO 376 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .IIf3re = 120 kf1II1. 1.37kO + V.34 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8. 140 lb 30kíl r" 68 kU lkU .Q . Zo '" RclIRF .tA) = 2.33 Ejemplo 8.. Por tanto. . 68 kQ .tA lE I)IB = (141)(18. oC: lB = Vcc .

+ -----:c-c--::30kOl168W 3 kO --::----= 1. A¡ '" _---'--f3__ 1 +--- 140 1 Re r"IIR F. 2. .9 Circuito equivalente híbrido aproximado 377 .- RF.37 aparecerá la red equivalente en pequeña señal en la figura 8.36 Circuito equivalente híbrido de base común aproximado. hfb =-a y h·¡b = re (obsérvese el apéndice A).87 kO 9.3 e) Debido a que la condición R F . Sin embargo. h -.==:::.920 = 68 k!1113 W 9. hfe • h ib .14 1 + 0.38. y así sucesivamente. Aunque el tiempo y las prioridades no permiten realizar un análisis detallado de todas las configuraciones tratadas hasta ahora.9 CIRCUITO EQUIVALENTE HÍBRIDO APROXIMADO El análisis de la configuración de emisor común de la figura 8.35 Circuito equivalente híbrido de emisor común aproximado. cuando se presenta el problema. se especifican. Figura 8. .h Configuración de polarización fija Para la configuración de polarización fija de la figura 8. en esta sección se incluirá un breve repaso de algunas de las más importantes para demostrar las similitudes en los métodos y en las ecuaciones que se obtienen. A\. El análisis en de asociado con el uso del modelo re 00 es una parte integral del empleo de los parámetros híbridos. En otras palabras.» [3r" se satisface. Varios de los parámetros del modelo híbrido están especificados en una hoja de datos o mediante el análisis experimental. los parámetros tales como h ie . debe tenerse en cuenta que los parámetros híbridos y los componentes del modelo re están relacionados mediante las siguientes ecuaciones tal como se discutió a detalle en el capítulo 7: hle = f3r e j e = 13.8 8. e >h¡~ t I h"lb • • h~ . hoe = llro .35 y de la base común de la figura 8.• l. r------r----~c ~--4----4---~-~h Figura 8.J[ d) ro ~ lOR c por tanto. utilizando el modelo equivalente híbrido aproximado para 8.920 '" -289.14 140 140 '" 122.36 mediante el empleo del circuito equivalente híbrido aproximado es muy parecido al realizado en el modelo re.\!R c r.

- Figura 8.3 y el análisis del modelo Las semejanzas sugieren que el análisis será muy similar y los resultados de uno pueden relacionarse directamente con el otro.85) h ie (8. 1.: A partir de la figura 8. e. Re 1. (8. Z" 1.l Ro: - • h" 1 I -h hOl? + V h¡J. Z" A. ~ 1" ( h" hje 0-)1---+----1 C.38 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8.86) 378 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . emisor común. + z. = ~ Vi = _ h¡.37 Configuración de polarización fija.eh.l (8. Compárense las similitudes aparentes con la figura 8.84) l/h)1 Re Vo = -loR' = -lcR' = -h¡e1b R' y Ib=~ h ie con Vo = -h. V. T.-' R' .83) Zo: A partir de la figura 8. 1. + v. Z.38.J~ .: Utilizando R' = (8. v " de tal forma que A.:.37. + V" o Figura 8..38.(R c Illlho.> : Re - z.

11 a) b) e) Z¡Z". /. = A partir de la figura 8. v.39 Ejemplo 8.175k!2 ha.k. Solución a) b) Z¡ = RBllh¡.11.175 kl1 r " '" h¡e = 1.38 reemplazando a R B por R' = R ]11 R2 .7:.34 Configuración de divisor de voltaje Para la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8.:. R'II h¡e (8... A¡.88) 8.171 kl1 = _ 262. = 1.7kQ ~ 330 k!2 ¿_)f-I_+---_---1 +---11--- 0 1.40.'=: 20 !lA/V V" z. Al'.38. la red equivalente en pequeña señal obtenida tendrá la misma apariencia que la figura 8.. = 120 Z" h".87) (8.(I:.7 W = 2.56 k!l '" Re ".(2:.::2""0)-. figura 8. = hae h¡e(Rclll1hae) 50 kl1112..171 k!l ! 1 =- 2a = e) -IIRe = hae 1 = 20 JLAN = 50kí} hie d) A¡ '" h¡e = 120 A.----r-.40 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje.:. -:F. ) 1..:.JL ---------------------------------------------------Para la red de la figura 8. k:::l1::..39.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 379 .38 con RB = K'..l1. Z¡ De la figura 8.:. .::. o • i ll--+----i el ~R z.---o 8 v d) ~ ~ /" :l. = 330 WII1. ( ' h¡. calcule: EJEMPLO 8. Z¡: 2Q: z" figura 8.ii:=-SO:.

figura 8.90) Configuración de polarización en emisor sin derivación Para la configuración de emisor común con polarización en emisor sin derivación de la figura 8.41.. o • )1-------1 -z.: (8.J[ A' " (8. el modelo de pequeña señal será el mismo que para la figura 8.41 Configuración de polarización en emisor sin desvío.89) hie (8.95) 380 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .93) y ~ ~ (8.92) Z.91) (8. (8. de la misma manera Con V. reemplazando /3r. y 1.11.· El análisis será entonces.94) (8. mediante hit' y {3If¡ por ht//.

][
o

-A ,

(8.96)

Configuración emisor-seguidor
Para el emisor-seguidor de la figura 8.42 el modelo de pequeña señal igualará la figura 8.18 con f3r" ;; h ie y f3;; h f{'· Las ecuaciones obtenidas serán, por tanto. similares. l¡: (8.97) (8.98)

v, e

z,

1,

---.- )

Figura 8.42 Configuración de emisor-seguidor.

lQ: Para Z() la red de salida definida por las ecuaciones obtenidas aparecerá como se muestra en la fígura 8.43. Al revisar el desarrollo de las ecuaciones en la sección 8.5 y

Z"

-

RE

II~ h
1<'

(8.99)

h"
1 .... h¡e VV\¡

+

v,

I
'\,

I

¡'e
+

o

lt;¡

Z"
Figura 8.43 Definición de Zo para la configuración de emisor-seguidor.

l

o

A~: Para la ganancia de voltaje se puede aplicar la regla del divisor de voltaje a la figura 8.43 de la siguiente manera:

8.9 Circuito equivalente híbrido aproximado

381

J[
pero ya que I +

"fe'" h1,.
A, =

Vu V,

-

RE
RE + h¡/hft

(8. I 00)

A, =

hfc R8

(8.101 )

RB + Zb

o

A, = -A r RE

Z,

(8. I 02)

Configuración de base común
La última configuración que se examinará con el circuito equivalente híbrido aproximado será el amplificador de base común de la figura 8.44. Al sustituir el modelo equivalente híbrido aproximado de base común se obtiene la red de la figura 8.45. la cual es muy similar a la figura 8.24. A partir de la figura 8.45,

+
V,

-J,

h i/¡· hfl,

-z,

-f,

RE
-;; ;;-

L
Re

+
Vo

VEE

T

-

Zo

V

cc

Figura 8.44

Configuración de base común.

-z,

+ -J,-

'--1

---"-'-h-:;'
v"

-

z,.

t
Figura 8.45 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8.44.

Z,

(8.103)

;8.104)

382

Capitulo 8 Auálisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
con

1 =e h
ib

Vi

y

de tal forma que

(8.105)

A, =

lo

(8.106)

1,

a)

Para la red de la figura 8.46. determine: Zi' b) Zo'
e)

EJEMPLO 8.12

A,.

d)
1,

Ai'

+

o

I

lr--~--~.

-z,

h", = - 0.99
hin
=:

3.3 kQ

14.3.Q

h"b= 0.5 ~N .

-

Z"

IOV

Figura 8.46

Ejemplo 8.12.

Solución

a)
b)

Zi
ro

= REllh ib = 2.2 kili I14.3 il = 14.21 il == hib =hob

=
l.

1
0.5 ¡.LA/V

= 2 Mil
3.3 kO
14.21

Zo =
eA , d) Ai

-IIRe == Re =
hob

)

=-

hjbRe

=

(-0.99)(3.3 k!l)

h

ib

=.

22991

== hfb

= -1

Las configuraciones restantes de las secciones 8.1 a 8.8 que no se analizaron en esta sección se dejan como un ejercicio para la sección de problemas de este capítulo. Se supone que el análisis anterior revela las similitudes en el método utilizando los modelos re O el híbrido equivalente aproximado y eliminando, por tanto, cualquier dificultad real cuando se analicen !as redes restantes de las secciones previas.

8.10

MODELO EQUIVALENTE HÍBRIDO COMPLETO

El análisis de la sección 8.9 se limitó al circuito equivalente híbrido aproximado además de alguna discusión acerca de la impedancia de salida. En esta sección se utiliza el circuito equivalente completo para mostrar el impacto de h r y para definir en términos más específicos el 8.10 Modelo equivalente híbrido completo

383

J[
impacto de h{J' Es importante entender que debido a que el modelo híbrido equivalente tiene la misma apariencia para las configuraciones de base común, de emisor común y de colector común, se pueden aplicar a cada configuración las ecuaciones desarrolladas en esta sección. Sólo es necesario insertar los parámetros defmidos para cada configuración. Esto es, para tu configuración de base común, se utilizan hth' h¡h Yasí sucesivamente, se emplean para una configuración de emisor común h(('. hi('. Y as(sucesivamente. Se debe recordar que el apéndice A permite hacer una conversión de un conjunto de parámetros al otro si se proporciona alguno y se requiere algún otro. Considérese la configuración general de la figura 8.47 con los parámetros de dos puertos de interés particular. El modelo equivalente híbrido completo se sustituye más adelante en la figura 8.48 empleando parámetros que no especifican el tipo de configuración de que se trata. En otras palabras. las soluciones estarán en ténninos de h¡, h r • h¡ Y ho' A diferencia del análisis de las secciones previas de este capítulo. la ganancia de corriente Al se determinará en primer lugar porque las ecuaciones que se desarrollaron para precisar los otros parámetros.

R,

+
V,

I\¡


Figura 8.47

Z,

1,

+
v,
Transistor

+
v"

-Z"

-1"

RL

C>--

Sistema de dos puertos.

R,

+
V,

I\¡
-1

1,
Z

+
V,

=¡tI"
h,

+

~I

+
"
~;,

=;-¡

1"

h,.V"

"v

t

h,l"

l/f¡

I

Z"

RL

Figura 8.48 figura 8.47.

Sustitución del circuito equivalente híbrido completo en el sistema de dos puertos de la

Ganancia de corriente, Aí = la/lí
Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de salida 'e obtiene

Sustituyendo V(J = -loRL se obtiene

Al escribir la ecuación anterior, se tiene

lo
e

+ hoRLl,

= h¡l;

384

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
de manera que
A, =
1,

=

(8.107)

Se observa que la ganancia de corriente reducirá el resultado deA i ::: hfen caso de que el factor hoRL sea suficientemente pequeño comparado con uno. .

Ganancia de voltaje, A, = Vo/V¡
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada se consigue

Sustituyendo l¡ = (l + h"RJI)h¡de la ecuación (8.107) e lo = -V,/RL de arriba, se obtiene

Al resolver la relación

~/Vi

se obtiene (8.108)

En este caso se obtendrá la forma familiar de Al'::: -hrRL/h¡ en caso de que el factor (h/l()h¡hr)R L sea 10 suficientemente pequeño comparado con h i.

Impedancia de entrada, Z¡ = V;Il¡
Para el circuito de entrada
Vi

= h¡l¡ + hrVo
=

Sustituyendo se tiene Dado que

V,

-I"R L

VI = h¡l¡ - hrRLlo

A=I

lo li

lo = A¡l¡
de manera que la ecuación anterior se convierte en

Vi = hJi - hrRLA¡l¡
Al resolver la relación Vi/.. se obtiene , ,

y sustituyendo

= -:I-+-h"-,-,R=-LV,
1,

se obtiene

(8.109)

La forma familiar de Z¡ = h¡ se obtendrá cuando el segundo factor sea lo suficientemente menor que el primero.
8.10 Modelo equivalente hibrido completo

385

J[
Impedancia de salida, Zo = Vo/lo
La impedancia de salida de un amplificador está definida como el cociente del voltaje de salida a la comente de salida cuando la señal Vs se iguala a cero. Para el circuito de entrada, cuando V., = O,

1= -h,Vo Rs + h¡
I

Sustituyendo esta relación en la siguiente ecuación que se obtuvo a partir del circuito de salida se tiene

y

(8.110)

En este caso la impedancia de salida se reducirá a la fonna familiar de Zo = 1/h o para el transistor cuando el segundo factor del denominador es suficientemente más pequeño que el primero.

EJEMPLO 8.13

Para lared de la figura 8.49, calcule los siguientes parámetros empleando el modelo equivalente híbrido completo y compare los resultados obtenidos por medio del modelo aproximado.
a) b)

e) d)

Z¡ y Z;. A, A I =1//I yA'=nr o I () I Zo (dentro de Re) y Z;, (incluido Re)'

18 v
>470Hl

4.7 kQ

R'~:
v, '\¡

+
v,

+f

1Hl

_

z' ,

-J,

Q ......

-1L-______~--------~~~------~------<
1.6kQ.h" "" 2x 1O-4./1,}(. = 20v

pA

Figura 8.49 Ejemplo 8.13.

Solución Ahora que están derivadas las ecuaciones básicas para cada cantidad, el orden en que se calculan es arbitrario. Sin embargo, a menudo es una cantidad útil la impedancia de entrada y por tanto se celculará de manera inicial. El circuito equivalente híbrido de emisor común completo se sustituyó y se volvió a dibujar la red como se muestra en la figura 8.50. Se obtendrá un circuito Thévenin equivalente para la sección de entrada de la figura 8.50 en el equivalente de entrada de la figura 8.51 debido a que ETh" V, Y RTh" R, = I kQ (un resultado debido a que R B = 470 kQ es mucho mayor que R, = 1 kQ). En este ejemplo RL = Re e 1, está definida como la

386

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

R,

+
V,

"v -1

-- ~ :l
¡¡
Z,:

J[
=i)l"
L6kn

.!.
Z

+

.

Iko.

+

~l
2xIQ-lV"

V,

470'k12

"v

~

110lb

50kQ

4,7ko.~
I

-Z,;

~

+

-

-1

Théwnin

t:i.gun. S.S(} figura 8.49.

Sus.t\tudón del drc.ui.t0 e<:'¡\i\valente híbúdo c.offi?letQ en la red e<.'¡u\'lalente de ac de la

-- - 9 RJlkQ
(
1,
h
,

Z/

+

::

"

-.::...
-z,;
I

1

z,

I~ z"

v,

v,

"v

hr~ v"
2x 1()-4 v"

"v
-1

~

hIló

hQi' =50kO:

llorb

4.7 kn

h"" =20pS

-1
Reemplazo de la seccióñ de entrada de la figura 8.50 mediante un circuito equivalente

Figura 8.51

Thévenin,

corriente Re igual que en los ejemplos anteriores de este capítulo, La impedancia de salida 20 que está definida mediante la ecuación (8.110) es sólo para las terminales de salida del transistor. No incluye los efectos de Re Z~ simplemente es la combinación en paralelo de Zo y Re La configuración que se obtiene en la figura 8.51 es una réplica exacta de la red definida en la figura 8.48 y pueden aplicarse las ecuaciones derivadas anteriormente.
a)

La ecuación (8,109): Z, =

tV, = h"

hfehreRL

1 + ho,R L
4

1.6 kí1 _ (110)(2 X 10- )(4,7 kD.) 1 + (20 ¡.LS)(4,7 k!1) = 1.6 k!1 - 94.52 !1 = 1.51 k!l
contra 1.6 kQ utilizando sólo h ic '

z; =
b)

470 k!1IIZ, '"
-h¡,R

z, =

1.51 k!l

La ecuación (8. 108): Ac

= ---"- =

V

L ---.,--.,--""==,.----

V,

h"

+ (h"h", - h¡,h,,)RL

-(lIO)(4.h!1) 1.6 kD. + [(1.6 k!1)(20 ¡.LS) - (110)(2 -517 X 10 3 !1 1.6 k!1 + (0.032 - 0.022)4.7 k!1 -517 )( 103 !1 1.6k!1

X

10 4»)4.7 kD.

=

+ 47!1

= -313.9

contra -323.125 al utilizar A,." -h{,RJh".
8.1\\
~l<> "'luiv"",ut,,

hibrld<> <:<>Ulpleto

387

] L,
110 c) La ecuación (8.107):

1

+ (20 ",S)(4.7 kü)

110 = _.:..:..::- = 100.55

J + 0.094

contra 110 mediante el simple empleo de IzV Ya que 470 kQ »Z,.I;= J" y A;= 100.55 también.

d)

La ecuación (8.110): Z

o

Vo = ~ = -~--~~-lo
ho ,
-

[h¡,h"J(h"

+

R,)]

1 =~--------~~--------20 ¡J-S - [(110)(2 X 10 4)/( 1.6 ka + 1 k!1) J
= ------'----

J 1.54 ¡J-S

= 86.66 kfi
el cual es mayor que el valor detenninado mediante l/ho,' = 50 kQ.
Z~ =

RcllZo = 4.7 k!11186.66 ka = 4.46 kfi

contra 4.7 kQ utilizando sólo Re

A partir de los resultados anteriores se observa que las soluciones aproximadas para Al
y Z¡ son muy cercanas a las calculadas con el modelo equivalente completo. De hecho, aún

A¡ se diferenció por menos del 10%. El valor alto de Zu sólo contribuyó a la conclusión anterior que Z() a menudo es tan alto que puede ignorarse comparado con la ca.rga aplicada. Sin embargo, se debe considerar que cuando existe la necesidad de determinar el impacto de hrl' y de huI" debe utilizarse el modelo equivalente como se describió arriba. La hoja de especifIcaciones de un transistor en particular proporciona los parámetros de emisor común, tal como se observó en la figura 7.28. El siguiente ejemplo utílizará los mismos parámetros de transistor que aparecen en la figura 8.49 con una configuración pnp de base común para presentar e1 procedimiento de conversión de parámetros y enfatizar el hecho de que el modelo equivalente híbrido mantiene la misma distribución.

EJEMPLO 8.14

Para el amplificador de base común de la figura 8.52, calcúlese los siguientes parámetros empleando el modelo híbrido equivalente completo y compárese con los resultados obtenidos utilizando el modelo aproximado.
a)

Z, y Z;.
A,.

b)

A,yA;' Zo y Z~.

el
d)

V,

-- -J~ -- -+ 1;
V,

h".= 1.6kQ hr l'=2x 10-:'

h/ r == J 10 h,,,,=20).l.S

lo

1,

3kíl

z;

z,

I\¡

6V

-

Zo

Figura 8.52

Ejemplo 8.14.

-1

e

T

r

t"~~
z;
l2V

Vo

388

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
Solución
Los parámetros híbridos de base común están derivados de los parámetros de emisor común empleando las ecuaciones aproximadas del apéndice A.
ú, h'b '" _h:c.._ = 1.6 kn = 14.41 1 + h". 1 + 110

n

Se observa lo cercano que están las magnitudes con los valo::-es detenninados por medio de
-'------ = 14.55

1.6kn
110

n
- 2
X

(1.6 kn)(20 ¡,tS)
1

+ 110

10- 4

hfb ==

-h r,

1 + hf ,
ho ,
1 + h(,

= =

-110 1 + 110
20 ¡,tS

= -0.991 = 0.18 p5

hob

==

1 + 110

Sustituyendo el circuito híbrido equivalente de base común de la figura 8.52, se tendrá la red equivalente de pequeña señal de la figura 8.53. La red Thévenin para el circuito de entrada dará RTh = 3 kQ 111 kQ = 0.75 kQ para R, en la ecuación para Zo'

R,

~ 1 kll
I\¡
i

1

--¡;
1,

,

h;b

o

z;

z,

+1,
V,

~ +
hrb Ve

!

+
V,

]kQ

0.883 x 104 VI)

"v

t

-0.991 le
hfb 1,.

.-:h ob =O.18IlS

-1 Zo
b

~

=7)/0

Z· o

+
Vo

o

~ 2.2 kQ

-

Thévenin b

Figura 8.53 Equivalente a pequeña señal para la red de la figura 8.52.

a)

La ecuación (8.109): Z, ~ Vi = hib _

Ii

hfbh'bRL 1 + hobRL

= 14.41 n - -'--'-'-'-'-'-------'-'----'1 + (0.18 I'-S)(2.2 kn)

(-0.991)(0.883 x 10- 4 )(2.2 kn)

n .;- 0.19 n = 14.60 n
= 14.41

contra 14.41 Q al utilizar Z,;: h'b'

Z; = 3 Wllzi
b) La ecuación (8.107): A

~

Zi

~

14.60 n

= lo = __h..L:/b,--_
Ii
1

,

1 + hobRL

-0.991 = ----,,-,-=.:..:......_-

+ (0.18 ¡,tS)(2.2 W)

= -0.991 = hfb
Debido a que 3 ka »Zi' 1(= f¡ y A;;;:: lo / 1;= -1 también.

8.10

Modelo equivalente híbrido completo

389

J[
e)

La ecuación (S. lOS):

~ ""1-:-4.-:-4-1-=0-+--""-[(:-:-c-.4c-I 0 14 - :::--)(0c-.-=-'¡S:-¡.t-"S=-)----'-'-(--0::-.9:-9=-'1-:-)(::CO.::C8:-83=--X--=¡::C0::-4<:-)]:-:2--:.2--:k~0
~

-( -0.991 )(2.2 kO)

149.25

d)

La ecuación (8.110): Zo = h -[h h /(h
ob fbrb

¡b+

R )]
s

0.18 ¡J.S - [(-0.991)(0.883 x 10 4)/(14.410 + 0.75 kO)] 0.295 ¡.tS 3.39 Mil

=

contra 5.56 MQ utilizando Z(/ == l/hobo Para
Z~ =

Z: como se definió mediante la figura 8.53:
2.199 kil

Rcllzo ~ 2.2 kn113.39 MO =

contra 2.2 kQ utilizando Z; == Re

8.11

TABLA RESUMEN

Una vez expuestas las configuraciones más comunes de los amplificadores de pequeña señal a transistor, se pueden resumir sus características generales en la tabla 8.1. Debe quedar absolutamente claro que los valores que se listan son sólo valores típicos con objeto de establecer una base de comparación. Por lo general. los niveles que se adquieren en un análisis real son diferentes y seguramente no son iguales entre una configuración y otra. Poder repetir la mayoría de la información en la tabla constituye un importante primer paso para familiarizarse con la materia tratada. Por ejemplo, el lector debe ser capaz de establecer con cierta seguridad que la configuración emisor-seguidor casi siempre tiene una impedancia de entrada alta, baja impedancia de salida y una ganancia de voltaje ligeramente menor a uno. No debe existir una gran variedad de cálculos para recordar los hechos sobresalientes como los anteriores. Para el futuro, esto permitirá realizar el estudio de una red o sistema sin involucrarse en la parte matemática. La función de cada componente de un diseño se hará cada vez más familiar cuando los hechos generales tales como los anteriores se conviertan en parte de la experiencia personal. Una ventaja obvia de recordar las propiedades generales como las anteriores consiste en la capacidad de verificar los resultados de un análisis matemático. Si la impedancia de entrada de una configuración de base común se encuentra en el rango de Jos kilohms, existe un buen motivo para volver a verificar el análisis. Por otro lado. un resultado de 22 Q sugiere que el análisis puede estar correcto.

8.12

SOLUCIÓN DE PROBLEMAS

Aunque la tenninología de solución de problemas sugiere que los procedimientos que se describirán están diseñados sólo para aislar una función mal realizada. es importante observar que pueden aplicarse las mismas técnicas para asegurar que un sistema está operando de manera apropiada. En cualquier caso, los procedimientos para probar. verificar o aislar requieren de un entendimiento de 10 que debe esperarse en varios lugares de la red tanto en los dominios de

390

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

-------------------------------------------------------------TABLA 8.1 Niveles relativos para los parámetros importantes de los amplificadores de emisor común, base común
y colector común.
Configuración
Polarización fJja:
\l cc

J[

Z,
Medio (1 kQ)

Zo
Medio (2kQ)

A,.

A
\

Alto (-200)
\

Alto (lOO)

RB

,....

Re f-o

~

hll~"
-

I

~ Re ll ,,,

I

I

[E]

~~
(r,,2: 10 Re)

~ 1_ R; ',-1
11
"

I

¡3R B r"
~

(r" + Rc1(R¡¡ + f3r,.l

(R¡¡"2lO,Br,l

~[}]
V,,;::: \O Re)

~0
(r" 2: 1ORe RH"2 IO/3r)

Polarización m\!diante divisor de voltaje·

\/cc

Medio (1 kQ)

Medio (2 kQ)

A\to (-200)

Alto (50)

R,
t'"

...

Re f-o

~I

R,IIR,II~".

I

= Re ll "

I

I

=

1_ Re ll , 1
"

,
~

~~
(ro "2 lORe )

(', +

{J(R, 11 R,)'" Re)(R, 11 R, + /3,,)
(J(R, 11 R,) R, 11 R, + /3".
(r,,"210R e )

R,

RE nCE

~[}] ,
(r,,;::: 10 Re)

-

,¡..
PolarizaCIón de emisor Sin derivación: Alto (100 kQ) Medio (2 kQ)

Bajo (-5)

RBr-Evee

I
\

Alto (50)

~ RBllz

I

b

I

~

~

Z¡, =. /3(r,.+REl

)"
+
Emisor-seguidor

=Re ll /3RE I I
(RE»

(cualquier nivel de rol

I

~ 1- ,,:eRc-1
(RE»

r)
Bajo (20 Q)

rn
R¡.:

~
RlJ + ZI,

10 r,. 'J

Alto (lOO kQ)

Bajo (=.1)
~

Alto (-50)

Re

....
f-o
RE

)

\/ec

~I RBllzb
Z¡) ==

I I

~~

f3(r,. + RE)

=\3]
(R lc » r)

G@
RE ..¡- r,.

-

= IR B II/3R E
(RE » r)

=[0
Alto (200)

[iB
Ro + Zb

+
Base común

Bajo (20 Q)

Medio (2 k.Q)
~

I

Bajo (-1)

°1
o

RE
Vu

U1

¡

Io

i~ee
Re
~

~

=GJ
(RE

~
»

~

=[iJ
"

=8]
I

r,)

Retroalimentación en colector

Medio (1 kQ)
V ec

Medio (2kQ)

Alto (-200)

Alto (50)
=

RF

,
/3

1 Re -+--

"

=hIIRF\
(ro;::: ¡ORe)

/3RF
RF + f3Re

RE

=t=J "
(r" ~ ¡ORe RF »Re)

(r" ~ tOR e )

=[E
I
391

8.12 Solución de problemas

J[
dc como ac. En la mayoría de los casos, una red que se encuentra operando correctamente en el modo dc también se comportará adecuadamente en el dominio ac. Además, una red que proporciona la respuesta de ac esperada está polarizada como se planeó. En una instalación de laboratorio se aplican tanto las fuentes de como ac y se verifica la respuesta de ac en varios puntos de la red mediante un osciloscopio como se muestra en la figura 8.54. Se observa que la punta negra (tierra) del osciloscopio está conectada directamente a tierra y la punta roja se mueve de un punto a otro dentro de la red. con lo cual se obtienen los patrones que aparecen en la figura 8.54. Los canales verticales están en el modo ac para eliminar cualquier componente de dc asociado con el voltaje en un punto en particular. La pequeña señal de ac aplicada a la base se amplifica al nivel que aparece del colector a la tierra. Se observa la diferencia en las escalas verticales para los dos voltajes. No existe una respuesta en ac en la terminal del emisor debido a las características de corto circuito del capacitar en la frecuencia establecida. El hecho que 'l/o se mida en volts y vi en milivolts sugiere una ganancia grande del amplificador. En general, aparece que la red se encuentra operando de forma adecuada. Si se desea. puede utilizarse el multímetro en el modo dc para verificar VBE y los niveles de Va- VCE Y V E con objeto de revisar si caen en el rango esperado. Desde luego, ei osciloscopio también puede utilizarse para comparar los niveles de de tan sólo con cambiar al modo de dc para cada canal. vcc

C,

!---U(-~'

v,

C,

'\

o

~(mv~
O~t

...

Conexión a tierra

...

(Selector AC-GND-DC en AC)

Figura 8.54 Utilización del osciloscopio para medir y observar varios voltajes de un amplificador BJT.

No es necesario decir que una respuesta pobre en ac puede deberse a una variedad de motivos. De hecho, puede haber más de un área con problema en el mismo sistema. Sin embargo, afortunadamente con el tiempo y la experiencia puede predecirse la probabilidad de problemas en algunas áreas, de modo que una persona experimentada puede aislar las áreas problemáticas con cierta rapidez. Por lo general, no hay nada misterioso acerca del proceso general de solución de problemas. Si se decide seguir la respuesta en ac, resulta ser un buen procedimiento el comenzar con la señal aplicada y avanzar a través del sistema hacia la verificación de cargas en los puntos críticos a lo largo de la trayectoria. Una respuesta inesperada en algún punto supone que la red se encuentra bien hasta dicha área, definiendo entonces la región que debe investigarse más a detalle. La forma de la onda que se obtiene en el osciloscopio ayudará con toda seguridad 1" definición de los posibles problemas con el sistema. Si la respuesta para la red de la figura 8.54 es como aparece en la figure 8.55. la red tiene un problema y probablemente se trata del área del emisor. No se espera respuesta a través del

392

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[

c,

I(

+
V,

i

0:-0

V!

'\.,

Figura 8.55

Formas de onda obten!das a partir de un problema en el área del emisor.

emisor y la ganancia del sistema que está definida mediante vI) es mucho menor. Se recuerda que para esta configuración la ganancia es mucho mayor en caso de que RE se desvíe. La respuesta que se obtiene sugiere que REno está en desvío por el capacitor y las conexiones tennínales del capacitor y el mismo capacitor deben ser verificados. En este caso una verificación de los niveles de de probablemente no aislarán el área del problema debido a que el capacitor tiene un equivalente de "circuito abierto" para de. En general. un conocimiento previo sobre qué esperar. una familiaridad con la instrumentación y. lo más importante. la experiencia. son los factores que contribuyen al desarrollo de un método efectivo en el arte de la solución de problemas.

8.13

ANÁLISIS POR COMPUTADORA

El análisis a una pequeña señal de un amplificador a BJT puede llevarse a cabo utilizando un paquete de programas tal como PSpice o mediante un lenguaje como el BASIC. Ambos serán necesarios en el análisis de la misma configuración de polarización mediante un divisor de voltaje para permitir una comparación de los métodos. PSpice (versión para DOS y Windows) está bien equipado para analizar las redes de transistores y utiliza un modelo Gummel-Poon mejorado. mismo que se describe con detalle en los manuales de PSpice. La utilización de un lenguaje como el BASIC requiere que las diversas ecuaciones que se desarrollaron en el libro se apliquen en un orden específico para obtener las incógnitas deseadas. En realidad la dirección general de un programa en BASIC utilizaría la misma secuencia de pasos que se necesitan para analizar la red de manera manual (con la ayuda de una calculadora). Desde luego, el empleo de BASIC ofrece al usuario la oportunidad de definir el objetivo y el tipo de salida para un análisis. mientras que PSpice está limitado a una lista específica de cantidades de salida. Sin embargo, en general. la lista de PSpice es lo suficientemente extensa para la mayoría de las investigaciones. El análisis primero se describirá utilizando PSpice seguido después por el lenguaje BASre.

PSpice (versión para DOS)
La lista de los parámetros que pueden especificarse para el modelo PSpice es tan extensa (40 en total) que se limitará la atención a aquellos parámetros requeridos para llevar a cabo el tipo

8.13 Análisis por computadora

393

7 V sea un promedio de los niveles esperados al emplear PSpice si se especifica 1s como S x JO-15 A. se requiere de un mínimo_ de dos líneas para describir un transistor.) en el archivo de entrada. El intento básico de esta sección es ofrecer una introducción lo más clara y sencilla posible para el uso de los modelos. Si se requiere un parámetro en particular para desarrollar un análisis PSpice y no está detallado. se aplicará una señal de 1 m V y se calculará la ganancia utilizando el nivel de salida. PSpice no permite especificar el nivel de VSE para el análisis en dc sino que simplemente necesita la corriente de saturación y una serie de ecuaciones importantes para calcular el nivel resultante de VBE . En general. el paquete de programas utilizará un valor implícito que es típico para el dispositivo que se está investigando. BF representa la beta directa máxima ideal (en este caso f3 = 90). En el modelo la corriente de saturación inversa tiene un impacto importante sobre las características generales del modelo..56 con los nodos definidos para el análisis.7 V para el análisis en de de este libro. De hecho. Algunos de los parámetros necesitan especificarse sólo en caso de requerir la profundidad del análisis o del diseño. éstos se definirán con el mismo grado de detalle.7 V. Debido a que las características específicas tales como Av Y A¡ no fonnan parte de la lista de opciones de salida en PSpice. fuentes. cambiará el nivel de importantes voltajes y corrientes de diseño como VBE para el análisis de de e le para el análisis en ac. el paquete de programas utilizará un valor de 100. lo cual indica que si el parámetro no se especifica por arriba. capacitares. la cual tiene el siguiente fonnato básico: . La red se ha redibujado en la figura 8.9 (ejemplo 8. una vez que los nodos de la red se han definido y se ha capturado la estructura básica. nombre del modelo especificado en la línea de elementos anterior Ji~ tipo de transistor (requerido) parámetros que especifican el modelo ~--------~ (BF = 90.J[ de análisis cubierto en este capítulo. Cambiar el nivel de l.2). se seleccionó un nivel de 5 x 10. Su valor implícito es de 1E-16 o 0. IS = SE - 15) ~ El último agrupamiento de la línea anterior permite la especificación de los parámetros particulares del modelo (una lista que puede incluir hasta 40 parámetros). aunque a veces se hace referencia a ellos en el manual PSpice. (resistcres.. La siguiente línea que se necesita para definir el transistor es la línea del modelo. cuya explicación rebasa las necesidades de este libro. 394 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .MODEL) requerido QMODEI. debido a que VBE se fija en 0.15 A para 105 . la cual tiene el siguiente formato: QXISTOR requerido 1'------' nombre • ~--' 9 -~ nodo de la base ~--' 7 nodo del colector nodo del emisor de transistor '-=--'-"/ QMODEL nombre del modelo que estará definido mediante la siguiente línea Existen otros parámetros en esta línea. No es necesario especificar todos los parámetros. Su valor implícito es de 100. pero estará apenas arriba o abajo de este valor.0001 pA. están disponibles los manuales de PSpice y una larga lista de publicaciones para mayor detalle para una instrucción adicional. En otras palabras. Según aumente la experiencia. ya que el nivel resultante de VBE por lo general es muy cercano a 0. La primera es la línea del elemento. etc.7 V para el rango de nive!es de corriente esperado para el análisis a pequeña señal de BJT. Debe considerarse que 0. Según se necesiten ciertos parámetros adicionales en los capítulos subsecuentes. Por esta razón VBE rara vez será exactamente igual a 0. Ahora se está preparado para aplicar PSpice a la red con divisor de voltaje de la figura 8.

8 kll o + V. Después se proporcionan otros niveles de de para las redes tales como lB = 14. Luego se define el transistor en las dos líneas siguientes y QMODEL es el nombre del modelo del tninsistor. Los valores de de VBC y VCE = 8. La segunda corrida incluirá el nivel sugerido de IS para propósitos de comparación.0 A.354 V V. = Vee = 22 V Luego el archivo de salida ofrece la corriente de la fuente para Vce con el nivel de dc de la fuente de ae. no se especificó un valor de IS para demostrar el impacto sobre los resultados obtenidos. El único impacto real de la frecuencia aplicada será sobre los elementos capacitivos y su efectividad como corto circuitos equivalentes para el análisis en ac. Hasta ahora.2).c) = OV V. BR (la beta inversa máxima ideal) y NR (el coeficiente de emisión de corriente inversa) toman el valor implícito de uno.15 A en la siguiente corrida. Por tanto. le 1. y VBE =0. Una vez que se ha capturado el archivo de entrada. V" de 0. 0B v" '\. Las últimas tres cantidades definen el comportamiento del modelo de una manera que escapa a las necesidades de este libro y que tendrá un impacto despreciable sobre el análisis actual en pequeña señal. las primeras ocho líneas del archivo de entrada de la figura 8. Debe tenerse en mente el nivel de V BE cuando se repasen los resultados al fijar (.A.9285 V V1 = Ve = 2.13 Análisis por computadora 395 .56 Definición de los nodos para un análisis por medio de PSpice de la configuración mediante divisor de voltaje.6 mW.:= \ mVLO a C C 0 ~=90 r~F R. La potencia total disipada por los resistores y el transistor es de 35.2). PSpice está diseñado para llevar a cabo un análisis de automático de la red. en 5 x 10. Pero.57 deben resultar bastante familiares y legibles.7089 V V3 = Ve = 13. f 1 E 0 l.7 V utilizado en el ejemplo 8.1 p. Los resultados son v. Se observa en el renglón del modelo que beta se especificó como de 90.2 ka -1 [OJ RE Figura 8. El comando . se ejecuta PSpice y se enumera una lista de parámetros del modelo BJI.78 V (el cual excede el nivel de 0.5 ka C E = 20 ~F 8. = VE = 1. (IS) tiene el valor implícito de 1 x lO"" pA. NF (el coeficiente de emisión de corriente directa).27 mA(eomparado contra 1A1 mAen el ejemplo 8. 56 k!l 6. Como se requirió para la fuente de ac. se seleccionó una frecuencia de 10kHz para la corrida. = V aterrizado tpara o.PRINT solicita tanto la magnitud como el ángulo de la fase para el voltaje de salida del colector a la tierra. Se puede ver que f3 (BF) es 90 e l.J[ Vcc ==22V Re R.

OOE+ao 9. 82E+17 AC AHALYSI S TE>!PERATtlRE 27.Confiquration of Fig.OOE..AC LIN 1 lOKH lOKH . 616E-03 O. 83E+03 eBE cBe CBX CJS BBTAAC P'1' O.7089 ( HODE » VOLTAGE 13.0000 NaDE ( 2) VOLTAGE ( ( 1....S0E-Ol -1.OO O..000 DEG •• *.OOE+OO O.END •••• BJT MOOEL PARAMETERS QMODEL NPN 15 BF NF lOO. 12 O.00E+01 '.OOOE+OO TOTAL POWER DISSIPATIOH 3.00E+01 7 .*.92E-02 1 .00C>O 2.O) .OPTIONS NOPAGE .MODEL .5K Re 5 3 6.000 CEG e 0.7771+02 Análisis por medio de PSpice de la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 8...8K el 4 2 lOUY CE 1 O VS 4 o 01 3 2 .0) VPC3.*** NODE SNALL SIGNAL BIAS SOLUTION VOLTAGE 1) $) TIlMPERATURE = 27.. 27E-03 7.OP 20UF AC 1MV o 1 QMOOEL QHODEL NPN(BF=90) .56 con IS '" valor implícito.340E-01 -1.000 DEe e BIPOLAR JOHCTIOH TRANSISTORS Ql QlIODEL RAllE IIODEL /GM ve! IlETADC RPI RX RO 1...3540 ( NODE 4) VOLTAGE VOLTAGE SOURC! CI1RRENTS NNIE vcc VS C\JRRE1IT -1. 8.002.. OO 1.14E+01 9.9285 22.* lB IC VBE VlIC OPERATING POINT INFORMATION '!'EMPERATURE "" 27... FREO e VM(3.O) 1.000E+04 Figura 8..OOE+OO O.aooaOOE-la 90 1 BR 1 NR 1 .4lE-OS 1 .56E-02 HATI'S *••• .21< llE 1 O 1.56{IS •••• CIRCUIT OESCRIPTION default value) VCC 5 O OC 22V RBl 5 2 56K RB2 2 08.O) VP(3.OOB.PRINT AC \'1'1(3.57 3.068:+01 1.J[ voltage-Divider Bias . 396 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .

58.OOOE+OO 3.7º en lugar de 180º debido a los elementos de capacitancia de la red. se obtiene una mejora definitiva cuando se comparan los resultados manuales y mediante el PSpice. y la beta de de es igual a la beta en ac de 90. Sin embargo.76 calculada en el ejemplo 8.82 x 10.2.6 V Y 11.000 DEG e 0. El siguiente análisis en ac revela que la magnitud de Vo es de 334 m V para una ganancia de voltaje de 334 comparado con una ganancia de 368.2K RE 1 O L5K Re 5 3 6. 0000 2. Forward Transit) igual a 7. es considerablemente mejor si se obtiene la solución exacta en vez de la aproximada en el ejemplo Voltage-Divider Bias ..58 Análisis por medio de PSpice de la confíguración mediante divisor de voltaje de la figura 8.17 s.2.7039 12.Configuration of Fiq.76 del ejemplo 8.PRI~ AC VM(l.: 20. 8. respectivamente. 8.3 Q. El efecto de cambiar ( a 5 x 10.13 Análisis por computadora 397 . 5 x lD-1S A. El nivel de le es de 1. algunos de los parámetros probablemente no tengan algún significado por el momento.56(specified 15) •• ** CIRCUIT DESCR1PT10N VCC 5 O OC 22V RBl 5 2 56K RB2 2 O 8.0000 VOLTAGE NaDE ( 2) VOLTAGE NaDE ( 3) VOLTAGE NaDE ( 4) VOLTAGE 2. pero algunos Son muy reconocibles y pueden resultar útiles durante la verificación de un diseño o análisis.. La transconductancia glll = llre y re.ElID **** IS BF BJT MODEL PARAMETBRS QMODEL NPN S.3 a) = 1.8K el 4 2 lOUF CE 1 VS 4 o o 20UF AC lMV o Ql 3 2 1 QMODEL .56 con 15".OOOOOOE-15 90 NF SR NR 1 1 1 SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION NODE ( ( 1) S) TEMPERATURE- 21.4 V.827 ka o 1. la impedancia de entrada es f3r.Q) . La seleccÍón de una frecuencia mayor o el Íncremento del nivel de capacitancia acercaría al cambio de fase a 180°.4 en comparación con 368.0235 V comparado con 2.2. Entonces.OPTIONS NOPAGE .AC LIN 1 lOxa lOKH .83 ka como está especificado mediante RPI. Por lo general. El nivel de VE ahora eS de 1.11 V para el ejemplo 8.15 A se demostrará con claridad mediante la corrida de la figura 8.MODEL QMODEL NPN(BF=90 15=5E-15) .0235 22 .OP . = (90)(20.41 mA.O) VP(l. De nuevo. 679E-03 O.J[ entonces se especifican como -10.. El cambio de fase es de 177. La resistencia de salida está listada como de 1 x 10 11 a y la beta en ac es de 90 siendo FT (el tiempo ideal de tránsito directo) (por las iniciales en inglés. y la ganancia de voltaje de ac ahora es de 350.33 mA comparado con 1.9280 VOLTAGE SOUllCE CURRENTS NAME CtlRRENT VCC VS -1.69E-02 WA'l"TS TOTAL POWER OISSIPATION figura 8.

J[

.....
* •• *
HAllE

OPERATING POINT INFORMATION

TEMPERATURE

27.000 OEG

e

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
Q1 QMODEL
1. 48E-OS

MOOEL lB

VBE
VBC
GM

le

1.)3E-OJ
6.80'f:-Ol

veE
RPl
RX RO

BETAOC

CSE CSC

CBX
CJS

n

BETAAC

-1.02E"Ol 1. 09E+Ol 9.00E+Ol 5.16E-02 1. 74E+03 O.OOE+OO l.OOE+12 O.OOE+OO O.OOE+OO O.OOE+OO O.OOE+OO 9.00E+Ol
8.21E+17

••• *
FREQ

AC ANALYSIS
111<(3,0) VP(3,O)

TEMPERATURE

'C

27.000 DEG

e

1.000E+04

3.504E-Ol

-1.776E+02

Figura 8.58 Continuación.

8.2. En especial se observa que VBE ahora es de 0.68 Y, el cual se compara de manera muy favorable con el valor fijo aproximado de 0.7 V. Por tanto, para el análisis de pequeña señal que se desarrolló en este libro mediante el uso de PSpice, IS se especificará como 5 x 10- 15 A.

Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows
Ahora que se presentaron los movimientos básicos para el desarrollo de la red sobre la malla esquemática, la descripción actual se concentrará en las variaciones presentadas mediante el análisis de ac. En la figura 8.56 se desarrolla la red empleando los esquemas, como se muestra en la figura 8.59. Se observan la fuente de ac de 1 mY y el símbolo de la impresora en la terminal de salida de la red.

+

---l-VCC 22V

I

Rl 56k

Re
6.8<
'3.1090 01 02N2222

AC=ok MAG=ok PHASf=ok

2.6 79'

Figura 8.59 Red de la figura 8.56 después de la aplicación de PSpice para Windows.

VS~~. 'mvy ~r 8.~~ ~

e

RE

• +

15k

t

t""-~i-c-,~p
j'20u F

.9911

La fuente senoidal es una parte (New Part) que aparece en la librería source.slb como VSIN. Al oprimir dos veces la fuente sobre el esquema aparece una lista de atributos que deben seleccionarse. Para el ejemplo,

398

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

VAMPL = l mV (el valor pico de la señal senoidal) FREQ VOFF AC = 10kHz (la frecuencia de interés) = O (sin desfase o desfasamiento de voltaje de para V)
= 1 mV

PHASE = O (sin ángulo inicial de fase para V)

Después de cada entrada debe asegurarse de guardar los atributos (Save the Attribute) antes de dejar la caja de diálogo. El símbolo de la impresora se obtiene de la librería specíal.slb de la caja de diálogo de Get Part como VPRINTl. Cuando se coloca sobre el esquema, especifica el voltaje en el punto que será impreso en el archivo de salida (.out). Al oprimir dos veces el símbolo sobre el esquema. se produce una caja de diálogo PRINTl en la cual deben hacerse las siguientes selecciones con objeto de obtener la magnitud y el ángulo de la fase del voltaje de salida: AC=ok MAG=ok PHASE=ok
Las selecciones anteriores pueden listarse jumo al símbolo de la impresora sobre el esquema con sólo oprimir la opción cambiar despliegue (Change Display) y seleccionando el nombre del despliegue (Display Value) y el nombre (Name) para cada una. Se insertan los tres puntos de vista (VIEWPOINTS) mediante la siguiente secuencia: Draw - Get New Part - Browse - special.slb - VIEWPOINT. Cada uno se coloca en su lugar y luego se oprime para rntroducirlos al sistema. Cuando se han colocado los tres. el proceso se completa al oprimir el botón derecho del mouse. Antes de ejecutar el programa deben definirse los nodos que sean iguales a los representados en la figura 8.56 de forma que puedan compararse los resultados. En general, cuando se construye una red, se colocan todos los elementos similares tales como el resistor antes de cambiarse a otro elemento como el capacitar. El resultado es que puede no haber un orden lógico para los nodos en la lista neta. Para ajustar los nodos asociados con cada elemento. simplemente se selecciona análisis (Analysis) y luego examinar lista neta (Examine Netlist). El resultado que se obtiene consiste de una lista de los elementos y los nodos asignados a cada uno. Los nodos asignados para cada elemento pueden cambiarse después por medio de una sencilla secuencia de insertarlborrar hasta que concuerden con aquellos de la figura 8.56. Cuando se ha completado, se sale del listado. Surgirá un texto que; pregunta si se desean guardar los cambios, lo cual es áhora el caso. Ahora se está listo para desarrollar el análisis mediante la selección de Analysis seguido por la inicialización (Setup). Dentro de la caja de diálogo de Setup se elige (barrido de ac) (Ae Sweep) aunque la intención sea la de trabajar con una única frecuencia. Después de oprimir dos veces la caja AC Sweep, deben tomarse algunas decisiones acerca de la frecuencia aplicada. Se selecciona tipo de barrido ac lineal (Linear AC Sweep Type) junto con lo siguiente:

Total Pts. End Freq.

=1 = 10 kHz

Start Freq. = 10 kHz

Después de seleccionar OK en las entradas, se elige Probe Setup, seguido de Do not Auto-Run Probe, lo cual ahorrará tiempo en la obtención de los datos deseados al evitar una cantidad de cajas de diálogo de pruebas. Ahora se está listo para simular bajo el encabezado Analysis para obtener los resultados deseados. Si todo se capturó de forma adecuada. aparecerá una caja de diálogo, la cual indicará eventualmente que se ha concluido el análisis ac. Para revisar los resu1tados simplemente se abandona la caja de diálogo, se regresa a Analysis y se selecciona Examine output (examinar salida). El listado es algo extenso y la figura 8.60 incluye solamente aquellas partes que por el momento son de interés.
8.13 Análisis por computadora

399

••••

CIRCV1T DESCRIPTION

............................................................................... .....
R RE e-CE

R:R2 <LQI
V Vs.

oSN_OOO2 8,2k

O $N 0001 LSk OSN:OOOI2Ouf

SN_oooJ SN_OOO2 SN_OOOI Q2N=-X

$N 00040 AC huV +SlN o JmV 10kHz o o o C_C SN_OOO4SN_OOO2 lOuF R_RI SN_OOO2SN_OOOS S6i<

R Re
V=Vc:c

SN 0003 SN OOOS 6.11k
SN)OOSOOC22V

•••• arr MODEL PAIlAMETERS
•..••..••••....•..•....•..••.........••..........•.....•........•........

......

Q2N=-X
NPS IS ,.. OOOOOOE-l S
BF 90 NF 1 VAF 7403 1KF .2141

ISE 14 34OOOOE-1 S
NE 1 307

.BR 6.092 NR I RB 10 R.BM 10 RC I CJE 22.010000E_12 MJE .377 CJC 7.306000E.12 MJC 3416 TF 411.1oooo0E-12
XTF 3

VTF

1.7

!TF .6 TR 46_910000E..()9

XTB

U
SIGNAL BIAS SOLLiIQN
TEMPERATI..;"R.E:- 27.000 DEG

.... s."dAl.L e .......................................................................... .....
NODE VOLTAGE vOLTAGE (SS))OOI)
1.9911

NODE VOLTAGE

:'ItQDE VOLTAGE

NODE

(S"S_0002)
($N -"004)

2.6679

(S" _0003) 13.1090
($N_OOO3) Z2 0000

00000

VOl.. TAGE SO¡;RCE ClJRRE!','TS

NAME

ctJ!UU¡Nf

O.OOOE+OO -1653E"()3

TOTALPOWERDISSlPATION 364E-02 WATTS

Figura 8_60

Respuesta de salida para el análisis en ac de la figura 8.56.

400

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

JL
•••• O'PEllATIN:GPOINTINfOllMATION

'I'EMPfllAnJRE= 27.000DEGC

................................•.....•...•...........••.•.....••••.....• .....
•••• BIPOLAR. JUNCfION TRANSIStQR.S

NAME Q..Ql Q2N2222~X MOPEL I8 \.99E-OS le 1.31E~3 VBE 6.77E-OI VBC ·1.04E+01 VCE 1.l1E+Ol 6.SBE-+o} BETAOC GM 5.03E..02 RPl 1.42E+03

R.X

I.OOE+Ol

RO 6.46E.~ CBE 5.80E~11 CBC 2.9OE~12 CBX O.OOE+OO CJS O.OOE-+OO BETAAC 7.l5E+OI Fr 1.32E+08

....

AC ANALYSlS

TEMPERATUltE '" 27.000 DEG e

.......................................•••••.....................••.••.•.

LOOOE-+-04 3073E-Ol -L719E+Q2

Figura 8.60 Continuación.

Se observa que los nodos listados tienen los mismos valores numéricos que los que aparecen en la figura 8.56. Luego. siguen los parámetros del modelo BJT (BJT MODEL PARAMETERS). los cuales indican el valor seleccionado de 90 para la beta dc y 5 X 10- 15 para IS. Se proporcionan los niveles para los varios nodos: luego se igualan los valores que aparecen con los puntos de observación (VIEWPOINTS) de la figura 8.56. El siguiente listado de transistores bipolar es de unión BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS proporciona una variedad de niveles de de y de parámetros de la red. Se observa que ahora la beta de de es de 65.8 con la beta de ac de 71.5 en lugar del valor capturado de 90. La versión para Windows ajusta la beta según las condiciones de operación. Por tanto. los resultados de ac serán un poco diferentes de los obtenidos con anterioridad al emplear el modelo re' Si se requiriera una similitud exacta. no se seleccionaría el símbolo del transistor sino que se insertaría en la red el transistor del modelo re con una fuente de corriente controlada y los niveles de resistores adecuados. La respuesta en ac indica que la magnitud del voltaje ac de salida es de 3()7.3 mV con un ángulo de la fase de 177.9° comparado contra 334.0 mV y 177.7° de la versión para DOS de PSpice. Los capacitares presentes crearon un cambio de fase menor a 180º. Si se desea una impresión del voltaje de salida. puede utilizarse la opción Probe. El primer paso consiste en regresar a la opcíón de análisis (Analysis) seguido por la selección de inicialización (Setup). Ahora se selecciona la opción (Transient) transitorio y se desactiva el barrido (AC Sweep) recién utilizada. Al oprimir dos veces la caja Transient. pueden hacerse decisiones acerca del análisis que debe desarrollarse. El periodo de la señal aplicada de 10kHz es de 0.1 ms o 100 ps. La opción del intervalo de impresión Print Step se refiere al intervalo de tiempo entre la impresión o graficación de los resultados del análisis transitorio. Para el ejemplo. se selecciona I ps para ofrecer 100 puntos por ciclo. El tiempo final (Final Time) es el último instante en que se calculará la respuesta de la red. La selección es de 500 fls o 0.5 ms para proporcionar cinco ciclos completos. Se eligió no imprimir el retardo (No-Print Delay) 8.13 Análisis por computadora

401

JL
en Odebido a que todos los capacitores se encuentran esencialmente en corto circuito a 10kHz. La última selección es el intervalo máximo Step Ceiling que establece un valor máximo entre los cálculos obtenidos para el sistema, que en este caso se fijaron en 1 ps. El tiempo entre los cálculos será ajustado de manera interna por el paquete de programas para asegurar información suficiente en los momentos en que la respuesta deseada cambie más rápido de 10 usual. Sin embargo, nunca estará separado por un periodo mayor que el establecido en Step Ceiling. Ahora se regresará a Probe Setup y se seleccionará la opción Automatically Run Probe After Simulation (ejecutar prueba después de la simulación de manera automática). Al regresar a análisis (Analysis) debe seleccionarse simulación (Simulate) para establecer los datos solicitados para la respuesta de Probe. No se puede ir de manera directa a Run Probe porque aún no se ha establecido el archivo de datos. Una vez que se ha completado el análisis se activa la opción trazar Trace seguida por la opción Add (añadir) para "añadir" un trazo a la gráfica. Ahora aparecerá una lista de opciones, y ya que se desea observar al voltaje de salida en el colector del transistor, debe seleccionarse V(Ql:c). Debido a que no aparece en la lista que se proporciona, se oprime en Alias Names (nombres ficticios) y aparecerá una lista mayor donde aparece V(Ql:c). Al seleccionarse aparece en el comando de rastreo (Trace Command) el cual se activará mediante OK (figura 8.61).
:3.6V

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·v·

\./
200...,s 40C,,!>

\;

lOOus

TlIr.e

Figura 8.61

Voltajes de salida Vo

=Ve para la red de la figura 8.59.

El rango del eje y se seleccionó automáticamente para mostrar con claridad la forma completa de la onda. Se muestran cinco ciclos completos de la forma de salida de la onda (con 100 puntos de datos para cada ciclo) dentro del periodo de tiempo seleccionado de cinco periodos completos de la señal aplicada. El valor entre los picos de la forma de onda es de aproximadamente 13.42 V 12.81 V =0.61 V, como resultado un valor de pico de cerca de 0.61 V / 2 =0.305 V =305 m V, el cual se encuentra muy cercano al valor impreso con anterioridad. Si debe hacerse una comparación entre los voltajes de entrada y de salida en la misma gráfica, puede utilizarse la opción añadir eje (Add Y-Axis) Y dentro de la selección del menú de graficación (Plot). Después de seleccionarse, debe regresarse al comando Trace para utilizar la opción ADD (añadir) una vez más. Esta vez puede procederse con la lista de Alias Names, la cual incluye V(Vs:+) como una opción. Tomar esta opción dará por resultado las formas de ondas de la figura 8.62, la cual incluye una escala para cada forma de onda a la izquierda de la gráfica. Se añadieron los textos en los diagramas al elegir la opción herramientas (Tools) de la lista del menú seguido por la etiqueta (Label) y texto (Text). Una vez que se selecciona Text, aparece una caja de diálogo que solicita el texto que aparecerá en la gráfica. Después de teclear

402

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

.JL
1 : 3. bV
: . Cm\.'

l', . \

? \,

/\

i\ ..

,
1).2V
:lV I
Ve (oC)

----~----~----.,_.

.,
I

-,1

lJ

JV·

..
" 8:11V '
.. ¡

..
\/ .Y
100\.1s • V(Vs:+:

.. ,,

-

--.:.---{

,
l.

,

,
,.
V
4001:';

"-~

['

:2

8V

".
~

\~./ ---_.\/
200",0

...

". V

\
.. ve

\)

\ :

.

3CCus

?OCUS

Q

V(Ol:c)

:::

Figura 8.62

Ve y V s para la red de la figura 8.59.

Vs (contra) y oprimir la opción OK, aparecerá Vs en la pantalla y podrá colocarse donde sea necesario. De la misma manera se colocaron las etiquetas restantes en la gráfica. Las líneas se añadieron al seleccionar otra vez la opción Tools y luego la opción línea (Jine). Aparecerá un lápiz y utilizando la misma técnica que la que se emplea para las líneas en los trabajos de arte, pueden añadirse las líneas que se muestran. Se observa la relación fuera de fase entre las dos fonuas de onda y el hecho de que Ve se encuentra sobre un nivel de de 13.1 V. En caso de desear dos gráficas por separado, puede seleccionarse la opción Plot y seleccionar Add Plot (añadir gráfica). Al seleccionarse aparecerá otra gráfica esperando que se tome la siguiente selección por medio del regreso a la opción Trace y Add de V(V s:+) a partir de la lista de Alias. El resultado que se obtiene es el par de gráficas de la figura 8.63 que
! .OmV· .

,, ,

\.
SSL:>;:-

!

-l.O::V V (Vs:':
l3.W~

..

\\
13 .2V '

/~\

\\ /
\

\\
\
\ . .~
40Cu"

,1

¡

/

12

av·

\j

\

\

/

/

/
.,
~CO\J"

..

"

3CO\J~

Y(Q1:c)

Figura 8.63

voy ve como gráficas por separado.

8.13

Análisis por computadora

403

JLpresenta cada fonna de onda de manera separada. Una vez más se añaden las etiquetas Vs y Ve utilizando la opción de herramientas (Tools). Sin embargo. debe tenerse en cuenta que las etiquetas para la primera gráfica deben ser capturadas antes de seleccionar la¡;; etiquetaS para la segunda gráfica. La última forma de onda que se muestra en la figura 8.64 demuestra el empleo de la opción Cursor bajo el encabezado de herramientas (Tools). Al seleccionar Cursor y luego Display (desplegar). aparecerá una línea en el nivel de de de 13.1 V. Al oprimir el mouse. aparecerán una línea horizontal y una línea vertical que se intersecan sobre la curva. Al oprimir sobre la línea vertical y manteniendo oprimido el botón del mouse. puede moverse la línea vertical sobre la forma de onda. Se observa en la caja Probe Cursor que se registra la ubicación de la intersección llamada Al. Si se mueve al valor pico, su valor es de 13.421 V Y el elemento del tiempo es de 75 J.1S. Al oprimir el botón derecho del mouse, aparece una segunda intersección, Hamada A2, la cual también registra su ubicación en la caja Probe Cursor. La información restante en la tercera línea de la caja consiste en la diferencia entre las dos intersecciones sobre los ejes horizontal y vertical, respectivamente. Si se fija A2 al fondo de ve será de 12.807 V a 125 .us (se debe observar la línea del fondo de la figura 8.64). Por tanto la posición del cursor indica la magnitud y tiempo de la localización de la señaL 10 cual puede ser muy conveniente para una gran cantidad de aplicaciones. Obsérvense las etiquetas sobre la gráfica al emplear la opción Tools~text. Puede obtenerse con facílidad al utilizar dos diferentes intersecciones.

13 .4V '

,

!
13 .<,v·:

A--.
I

?'\

!

:\
13 .ov·.

:\

i

\
-.

!

12.8V+·"_._ ...
O, o V(Ql,c)
lOOu~

\)

\

,/

V"

\
200u,

\

/

.\J.
3COu~

4~Ou~

.v. -- '

Al, (75. OOOu, 13.421)

A2, (125. ooo·~, ~2. sel7)

DlFF (111 , (-50. OOCu, 613.907:1'1

figura 8~64

Utilización de la opción Cursor sobre vcpara la red de la figuraS.59.

La introducción anterior fue relativamente breve debido a las restricciones de espacio y prioridad, pero su propósito se cumplió si ahora parece evidente la relativa simplicidad de la aplicación de PSpice para calcular la respuesta a pequeña señal. Cuando el tiempo así lo permita, deben leerse muy cuidadosamente los manuales para entender por completo el efecto de los varios parámetros y las ecuaciones involucradas con el modelo PSpice. Está disponible una versión comercial de PSpice que tiene un catálogo completo de transistores específicos en memoria listos para ser utilizados por el paquete de programas PSpice. En otras palabras. el archivo de entrada puede incluir la referencia a un transistor en particular y el paquete insertará automáticamente los parámetros que describan mejor al transistor para el análisis que se llevará a cabo. Puede obtenerse información adicional respecto a la versión disponible en el mercado

404

Capítulo 8

Aoálisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
al escribir directamente a Microsim Corp. Ahora se comparará el análisis anterior con el análisis del mismo circuito utilizando ahora el lenguaje BASIC.

BASIC
El programa BASIC de la figura 8.65 analizará la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8.56 con las características adicionales de que también puede proporcionar una solución en caso que una porción del resistor del emisor no presente desvío y pueda también incluir los efectos de una resistencia fuente y de carga. La resistencia del emisor se ha designado como RE: en caso de no estar en desvío y RE" en caso de tener desvío.

10 REM

*****-**********************************************
PROGRAM 8.1

20 REM

******************** •••• ***.*** •••• *.** •• ***.******* 40 REM 83T AC ANA1YSIS 50 REM USING re ANO BETA PA,AAMETERS 60 REM ••• * •• * •• -*** •••••• * •• * ••••••••• *•••••••••••• *••••••
30 REH

70 REH 100 CLS

110 PRINT ftThis program performs the ac ealeulations" 120 PRINT nfor a 8JT vOltage-divider using the re and beta parameters."
130 140 150 160 170 200 210 220 230 240 250 PRINT PRINT "Enter the following eireuit data:" PRINT INPUT "RB1=";Rl INPUT "RB2:";R2

190 INPUT "Re-"iRe 190 INPUT "Unbypassed emitter resistance, RE1-d¡El

INPUT "Bypassed emitter resista~ce, RE2=";E2 PRINT INPUT "Beta-"¡BETA INPUT "Supply voltage, VCC-";CC INPUT "Load resistance, RL=" ¡RL INPUT "Source reslstance, RS-";~S 260 INPUT "Source voltage, VS-"¡VS 270 PRINT!'PRINT 280 cosue 11200:REM Perfor. ae analysis 290 PRINT "The resulta ol the ae analysis are:" 300 PRIN'I' 310 PRINT "Transistor dynamie resistanee, re-";RE;"ohms" 320 PRtNT 330 IF CC-IE*(RC+El+E2)<=O TREN PRI~ "circuit in saturation." :GOTO 420 340 PRINT "1nput impedance. Ri-~:RI~·ohaa" 350 PRINT "Output impedanee, Ro-"iRO;"ohms"

360 PRINT "Voltage-qain(no-load), Aq.";AV 370 PRINT "CUrrent gain, Ai-"iAl 380 PRINT 390 PRINT ·output voltage(no la.d), Voe"¡VO¡"volts·

400 PRINT 410 PRINT "Output voltage(under load), VL-"~VL;"volts· 42.0 PRINT 430 VM~CC-IE*(BETA/(BETA+1»*(RC+El+E2) :REM KaXimum signa1 swinq 440 IF ABSCVL»VM THEH PRINT "but maximum undistorted output is"¡VM;"volts" 450 END 11200 REM ~odule to perform BJT ac analysis using re .odel 11210 RB-Rl.CR2/CRl+P2» 11220 RP-RC*(RL{(RC+RL)) 11230 BB-R2*CC{(Rl+R2) 11240 IE2(BB-.7)*(BETA+l)/(RB+BETA*(El+E2» 11250 REc.026{IE 11260 R3-BETA*CRB+El) ;;2,0 RI=RB*IR3/(RB+83»
11280 Ro-ltC

112'0 11300 11310 11320 11330

AI-(RC{(RC+RL»*BErA*(RB/(RB+83») AV--RC/(El+RE) VI-VS*(RI/(RI+RSll VO=AV*VI VL-VO*CRL/CRO+RL»

113 4 O RE"l'URN

Figura 8.65

Programa BASIC para el análisis en ac de una configuración BJT.

8.13 Análisis por computadora

405

J[
RON Thls proqram performs the ac calculations tor a BJT voltage-divider using the re and beta parameters.

Enter the followin9 circuit data:
RaI-? 56E3 R82-? 8.2E3
RC-'? 6.8E3

Unbypassed emitter resistance, RElc? O Bypassed emitter resistance, RE2=? l.5E3 Beta=? 90 Supply voltage, VeCe? 22 Load resistance. RL-? IOE3
Source resistance, RS-? 600

Source voltage, VS-? lE-3 The results of the ae analysis are: Transistor dynamic resistance, re- 19.24912 ohas Input impedanee, Ri~ 1394.631 obas output iBpedance, Ro- 6800 ohas voltage-qain(no-load), Av--353.263 CUrrent galn, Ai- 29.32569 output voltage(no load), Vo--.2469988 volts output voltage(Under load), VL=-.1470231 volts

Figura 8.65 Continuación.

El módulo de las líneas 11210 a 11260 calcularán los parámetros importantes para el modelo de transistor de la figura 8.66 y llevaría a cabo el análisis requerido. Los pasos secuenciales del módulo deben revisarse con cuidado y compararse con los cálculos desarrollados de forma manual (calculadora).

-+-

1,

-+-

lb

V,

-1 '\¡
Z,

+

R~

+
Vi

"
R, R,

-- -- -1,
1,

+

~

Z,

Re

V,

RL

RE,

'='

'='

'='

.¡.

'='

FIgura 8.66 Red analizada mediante el módulo que se extiende desde la línea 11210 a la línea 11260 del programa BASIC de la figura 8.65.

Una ejecución del programa con los valores de la figura 8.56 proporcionará los resultados que aparecen al final de la figura 8.65. En particular, debe observarse la forma en que puede escribirse el programa BASIC con objeto de proporcionar infonnación acerca del sistema de una manera clara, concisa, tabulada. El nivel de R¡ ; R' 11 f3r, ; 1,394.63 n, el cual es diferente a RI en la versión para DOS de PSpice debido a que RI incluye sólo la impedancia de entrada de la configuración del transistor (f3re). La ganancia sin carga es de 353.26, la cual se compara favorablemente con los 334 que se obtuvieron al emplear PSpice. La ganancia de corriente d" 4.9 x 10-25 A OA, es debida a la ausencia de una carga para definir la corriente de salida. La ausencia de una carga también da por resultado que A}, = A, :->L. ~

=

406

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
§ 8.2 Configuración de emisor común con polarización fija
1. Para la red de la figura 8.67: a) Determinar Z¡ y Z". b) Encontrar Al' y A¡, e) Repetir el inciso a cuando r" = 20 k.o. d) Repetir el inciso b cuando ro = 20 H2.

PROBLEMAS

12 \

220 kQ

v,

0---::-11--------1
1,

--Z,

Figura 8.67

Problemas 1,21,

2. Calcular Vce para la red de la figura 8.68 para una ganancia de voltaje de Al' ::: -200.

4.71d2
I

\m

(----<o v,.

Figura 8.68
o;:

Problema 2.

3. Para la red de la figura 8.69: a) Calcular lB" le y re" b) Detenninar Zj y Zo' e) Calcular A .. y A¡. d) Detenninar el efecto de ro =: 30 ka sobre Al' y A¡.

lOY

+lOV

Ftgura 8.69 Problema 3.

Problemas

407

Ji:::

§ 8.3 Polarización mediante divisor de voltaje
4. Para la red de la figura 8.70: a) Determinar r,,' b) Encontrar Z¡ y Z{). e) Encontrar Al' y A" d) Repetir los incisos b y e cuando r" = 25 kQ.

, - - - - 1 - - - - - - 0 Va

39 k!2

82

~
kQ
I

,., kn

~v,
Ce

V,

--1,

I~F

o----jl--+---I
4.7 kn

ft= 100 r" = 50 k,Q

#= lOO
f,,= "" kQ

Z,

5.6kü
1.2W
1 kn

Figura 8.70

Problema 4.

FIgura 8.71

Problema 5.

5. Calcular Vce para la red de la figura 8.71 si A,. = ~ 160 Y rv == 100 ki2. 6. Para la red de la figura 8.72: a) Determinar re' b) Calcular VB y Ve e) Determinar Z¡ y A\, = V/Vi"
Vcc ==20V

6.8 kn
220kn

Ve

f-----o V
Ce
ft=180 r o =50k,Q

o

Vi

-Zi

o----j
Ce

V.

----~r_-o20V

56k!2

Figura 8.72

Problema 6.

Vi

§ 8.4 Configuración de E-C con polarización en emisor
7. Para la red de la figura 8.73: a) Determinar re' b) Encontrar Z¡ y Zv' e) Calcular A\, y A ¡' d) Repetir los incisos b y e cuando r(,

--li

~~.o.-----I

ft=140 r~= IOOkQ

Z,

1.2 k.Q

-Zo

':=

20 kQ.

Figura 8.73

Problemas 7, 9.

408

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
8. Calcular RE y RB para la red de la figura 8.74 si Av =- -10 Y re =- 3.8 Q. Suponga que Zb = f3R E 9. Repita el problema 7 cuando Rt encuentre desvío. Compare los resultados.

* 10.

Para la red de la figura 8.75: Detenninar re' b) Encontrar Zi y Av' e) Calcular A¡.
a)

r---~--<>22

V

5.61&
20 V

3301&

8.2 ka

Vi

v, o---)I--~--I

~= 120

-Z,

O---:-:¡'I---<-----I
Ce

li

~ f-----o
lo

V o

Ce

/l= 80
r,,=40kG.

1.2 kQ

T,,=OOkQ

0.47 ka

Figura 8.74

Problema 8.

Figura 8.75

Problema 10.

§ 8.5 Configuración emisor-seguidor
11. Para la red de la figura 8.76: a) Determinar re y f3r e" b) Encontrar Z¡ y Zo. e) Calcular A, y A,.

* 12.

Para la red de la figura 8.77: Determinar Z¡ y 20' Encontrar Av' e) Calcular Vo cuando Vi = 1 m V.
a) b)
16 V

12V

270 kQ
V,

-li

o----JI-L---I

/3= 110
ro =50kn

V,

Z,

2.7 ka

t

f-----o Yo

lo

-

-1,

o-------}t-.-----I

/l= 120
T

o =40k.O:

Zi

t
-8 V
FIgura 8.77

(-------<> Yo
lo

5.6kU

_
Zo

Zo

Figura 8.76

Problema 11.

Problema 12.

Problemas

409

J[
* 13.
Para la red de la figura 8,78: a) Calcular lB e le b) Detenninar re' c) Detenninar Z¡ y Zo' d) Encontrar Av y A¡.
Vcc = 2QV

56 k!l

v, 0---1t--+_--I
/,

-

p= 200
T

o

=40kn

8.2 kQ

Figura 8.78

Problema 13.

§

8.6

Configuración de base común

14. Para la red de la figura 8.79: . a) Determinar re' b) Encontrar Z¡ y ZQ' c) Calcular Al' y Al"
+6V
-IOV

6.8kQ

Z;

Figura 8.79

Problema 14,

* 15.

Para la red de la figura 8.80, determinar A .. y A¡.
8V

L

~,

-v

/,

3.9kQ

-5 V

Figura 8.80 Problema 15.

410

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

.30: Derivar la ecuación aproximada para A. o-------}'I--~---I Figura 8. a) Figura 8.' y Al' 9V . Para la configuración de retroalimentación en colector de la figura 8.-'VV\r-. * 18.. b) Derivar la ecuación aproximada para Aj' e) Derivar las ecuaciones aproximadas para Z¡ y Zo' d) DadosR c = 2.2 kQ.81: a) Detenninar re' b) Encontrar ZI y Zo' e) Calcular Av y Al' 3.. Para la red de la figura 8. Z¡ - p= 120 r =40kO Q . !3=200.82 Problema 17. 39 kn 22 kn V¡ o--}I--~------l Z¡ 1 ~F I¡ ¡ IO~F I ~F -Z. determinar R c' RrY Vcc V¡ o---JI--~--I P=200 r(J=80kO .7 Configuración con retroalimentación en colector 16. R F = 120 kQ. Dados re = 10 Q.. § 8.81 Problema 16.8 Configuración con retroalimentación de dc en colector 19.HU 220kU v...= -160 y Al = 19 para la red de la figura 8..][ § 8.2 kQ...83 Problema 19.. * 17. calcularlas magnitudes de Av' A¡. f3~90 y Vcc = lOV.'\N\t--+---l~ v.. Figura 8.A\.. Problemas 411 .82...83: a) Detenninar Zi y Zo' b) Encontrar Al. -1. R E = 1. ZI y 20 utilizando las ecuaciones de los incisos (l a c. Para la red de la figura 8.

85 Problema 23. a) Dados f3 = 120. 24.75 kO h~=25¡15 =180 = IO~F figura 8. (Nota: Las soluciones están disponibles en el apéndice E en caso de no haberse llevado a cabo el problema 1.84 Problemas 22. f) Determinar Av y A¡ cuando hoe = 50 J1S. Z. l8Y 68 kll tI. d) Calcular Av y A¡ con los parámetros híbridos.7 kll '1 + o . V. . 1/. o • ) 5~F -Z. > >1.. h re =2 x 10--4. l2kO 1. y Ai' e) Determinar ex. b) Dados h¡e = 1 k. trazar el circuito híbrido equivalente aproximado. f3.5 n y ro =40 n. hit 2.45 O h" = 1 p.. figura 8.84: a) Detenninar Zj y Zo' b) Calcular Av y Aj. hfe = 90 Y hoe = 20 ps. re = 4.992 h. e) Detenninar re y comparar f3r e con h ie . = 9. 2. *' 23. Para la red de la figura 8.2kll 5 ¡1F I oVo hf~ Z.o. Para la red del problema 1: a) Detenninar re. Para la red de base común de la figura 8.) 22. trazar el modelo re· 21. re y ro· hJ> =-0.2kO 1. b) Encontrar hfe y h ie .2 kll \. 2.85: a) Detenninar Z¡ y Zo' b) Calcular A.][ § 8.AN + V.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 20. o li IO'~F )' -Z. ~4Y -"p- 12 Y - v. g) Comparar las soluciones anteriores con aquellas del problema 1. e) Detenninar Z¡ y Zo cuando hoe = 50 pS. 412 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . e) Encontrar Z¡ y lo utilizando los parámetros híbridos.

. -.4 v ~ ~ 14V - + o Vo Zo figura 8. Dada la red de la figura 8. >i< Vi l. 26. § 8.2kU ~lo 1 5 '~F '( Z 2. * 25.::= 25 fJS lO IlF figura 8. determinar: a) 2i' b) A..10 Modelo equivaleute hlbrldo completo * 24.45 a hJ> =0.2 kU V. e) d) Ar' 20' hib = 9.86 Problema 25.5 pA!V k m = 1 x lQ-4 V. I.86 ka h := 1. hfe := 140 h ie := 0.6 ld1 11 - '¡ \. +¡'~F+ "v 0.2 kQ 1 .997 hob = 0.12 Solución de problemas * 27. Para la red de la figura 8. Repetir los incisos a y b del problema 22 cuando h(e = 2 x 1Q-4 Y compare los resultados.J[ § 8. c) A¡ = IJI¡d) 20' 20V 2.87 Problema 26. Para el amplificador de base común de la figura 8.2 kU 470kU ~ lo +-----n(---<>o Vo 5 ~F - Zo Z.. detenninar: a) 2j' b) A.5 x lQ-4 h.88: a) Detenninar si el sistema está operando adecuadamente basándose en los niveles de polarización mediante divisor de voltaje y en las fonnas de onda esperadas para Vo y VE' b) Determinar el motivo de los niveles de de obtenidos y la razón por la que se obtuvo la forma de onda para v o ' Problemas 413 .87. r=.86.

2 kQ vo (V) 10 IlF O ( 10 ~F 01'" O VB =6. 414 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . 34.3) y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 mV. R. determinar la ganancia para la red de la figura 8. 39kn '\.13. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida.13 28. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida.8). Mediante la utilización de PSpice para Windows.25.25 (ejemplo 8.2). b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida. RE l.J[ Vcc = 14 V v¡(rnV) Re R.88 Problema 27.3. b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para V o con los resultados obtenidos en el ejemplo S. determinar la ganancia para la red de la figura 8. Zo' Av y A¡ para la red de la figura 8. a) Análisis por computadora Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8. 30.9 (ejemplo 8.22 V C. b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para V o con los resultados obtenidos en el ejemplo 8.1. b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para Vo con los resultados obtenidos en el ejemplo 8.3).25 (ejemplo S. 33. 32. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡. b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8.13 (ejemplo S.7V O )"' + V. § 8.1) Y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 mY.8.8. P=70 C.3. Mediante la utilización de PSpice para Windows. + VBE =0.5kn 10 ~F Figura 8. determinar la ganancia para la red de la figura 8. R. 31.6 (ejemplo 8.6. Mediante la utilización de PSpice para Windows.2.S) y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 m V. b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8.13 (ejemplo 8. Zo' Al' y A¡ para la red de la figura S. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡. 29. a) Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8. *Nota: Los asteriscos indican problemas más difíciles. 35. Zo' Al' y A¡ para la red de la figura 8. 150kn 2. a) Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8. 36.

La tabla 9. De hecho. el dispositivo FET controla una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeño voltaje de entrada (voltaje en la compuerta). el circuito con MOSFET decrementaI tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una configuración JFET similar. la impedancia de entrada y la impedancia de salida. el BJT generalmente es un dispositivo controlado por corriente y el FET un dispositivo controlado por voltaje. también existen circuitos de drenaje común (fuente-seguidor) que proporcionan ganancia unitaria sín inversión. Sin embargo. pero en ambos casos se observa que la corriente de salida es la variable controlada. Al utilizar los modelos de transistores de PSpice se puede analizar el 415 . el amplificador FET proporciona una impedancia de entrada mucho mayor que la de la configuración de un BIT. Además. Mientras que la ganancia de voltaje de un amplificador FET es casi siempre menor que la obtenida al utilizar un amplificador BIT. Al utilizar PSpice puede llevarse a cabo un análisis en de para obtener las condiciones de polarización del circuito y un análisis en ac para calcular la ganancia de voltaje a pequeña señal. Aunque la configuración de fuente común es la más popular al proporcionar una señal invertida y amplificada. muestra un resumen de los circuitos FET a pequeña señal y sus fórmulas asociadas. el FET tiene un factor de transconductancia. gm' El FET puede utilizarse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en los circuitos lógicos. Mientras que un dispositivo BJT controla una gran comente de salida (colector) por medio de una corriente de entrada (base) relativamente pequeña. se trata de configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen rango de frecuencia y tamaño y peso mínimos. Los valores de la impedancia de salida son comparables tanto para los circuitos BIT como para los FET. la corriente de entrada por 10 general se asume de OflA Y la ganancia de corriente es una cantidad indefinida. Debido a la muy alta impedancia de entrada. Los dispositivos FET también se utilizan en las aplicaciones de alta frecuencia y en las aplicaciones de acoplamiento (interfases). Las redes de amplificadores FET también pueden analizarse mediante el empleo de programas de computadora.1 INTRODUCCIÓN Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de voltaje aunada a la característica de una alta impedancia de entrada. L localizada al final del capítulo. especialmente en los circuitos CMOS que requieren un consumo muy bajo de potencia. Debido a la característica de gran impedancia de entrada de los FET. el modelo equivalente de ae es más sencillo que el utilizado por los BIT.CAPÍTULO Análisis a pequeña señal del FET 9. las características importantes del circuito que se describen en este capítulo íncluyen la ganancia de voltaje. así como circuitos de compuerta común que proporcionan ganancia sin inversión. Así que mientras el BJT tuvo un factor de amplificación f3 (beta). el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales. Los dispositivos IFET y el MOSFET de decremento pueden utilizarse para diseñar amplificadores que tengan ganancias similares de voltaje. Al igual que con los amplificadores BJT. Por tanto.

y =-= /'. similar a la relación que define la conductancia de un resistor G = II R = l/V. se incrementa la magnitud de gm' g". se encuentra que gm es en realidad la pendiente de las características en el punto de operación. Esto es. dicho en otras palabras.1) se tiene: (9. .. y por tanto gm' se incrementa cuando se pasa desde Vp a IDSS' O. Un componente muy importante del modelo hará evidente que un voltaje de ac aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente controla el nivel de corriente del drenaje a la fuente. En el capítulo 6. /'. cuando VGS se acerca a O V.1 Definición de gm utilizando la característica de transferencia.x (9. es posible desarrollar un programa utilizando un lenguaje como el BASIC que puede realizar tanto el análisis de de como el de ac y proporcionar los resultados en un formato muy especial.2 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL FET El análisis en ac de una configuración FET requiere que se desarrolle un modelo de pequeña señal.circuito empleando los modelos específicos de transistores. resulta bastante claro que la pendiente. . Por otro lado. .(= PeTldiente en el punto Q) óVGS MD o 416 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET Figura 9..VGS IVp )2 El cambio en la corriente del colector que se obtendrá de un cambio en el volt~je de la compuerta a la fuente se puede determinar utilizando el factor de transconductancia gm de la siguiente manera: (9. 9.2) Determinación gráfica de gm Si ahora se examinan las características de transferencia de la figura 9. El voltaje de la compuerta a lafuen/e controla la comen/e del drenaje a lafuen/e (canal) de un FET. Se seleccionó la palabra raíz conductancia debido a que gm se determina por la relación del voltaje a la corriente. Al despejar gm en la ecuación (9.1) El prefijo trans (o tras) que se aplica a gm en la terminología indica que se establece una relación entre las cantidades de salida y de entrada.:.3) Al seguir la curvatura de las características de transferencia.1. se indicó que un voltaje en dc de la compuerta a la fuente controlaba el nivel de la corriente de drenaje mediante una relación conocida como la ecuación de Shockley: ID = IDSs(1 ..

Definición matemática de gm El procedimiento gráfíco descríto está limitado por la exactitud de la gráfica de transfe~ rencia y el cuidado con que pueden determinarse los cambios en cada cantidad.2) para calcular gm' Determinar la magnitud de gm para un JFET con puntos de polarización. Un método alternativo para calcular gm 9_2 Modelo de pequeña señal del FET 417 .6V 1. en-O.2 Cálculo de gm en diferentes puntos de polarización.7V 1.8 mA 0. Cada punto de operación se identifica posterionnente y se dibuja una línea tangente a través de cada punto para reflejar mejor la pendiente de la curva de transferencia en esta región.5 Y.0 V Puede observarse la disminución en gm cuando Ves se aproxima a V po gm ~-- ~ 8 g".5 mA bl °m o !1/o !1VGS !1/D =2_57 mS ~ el L5mS !1VGS 1.2) indica que gm puede detenninarse en cualquier punto Q sobre las características de transferencia con sólo seleccionar un incremento finito en Ves (o en ID) cercano al punto Q y luego encontrar el cambio correspondiente en ID (o Ves' respectivamente).-4V (.2) para detenninar gm' a) °m o ~-- !1/D 2. e) VGS ~ -2. Entonces se aplica la ecuación (9. Solución IDSS = 8 mA y V p ::: -4 V en los siguientes EJEMPL09_J Las características de transferencia se generaron como en la figura 9.5 V I D =8mA\. Luego se selecciona un incremento adecuado para VGS para reflejar una variación a cualquier lado de cada punto Q. pero entonces puede tornarse un problema engorroso. Los cambios que se obtienen en cada cantidad se sustituyen después en la ecuación (9. o Vos (V) Figura 9.1 mA !1VGS ~ - ~ 3_5mS 0. a) VGS ~ -0.La ecuación (9.2 al utilizar el procedimiento definido en el capítulo 6. VGS)' ______ 4 3 2 -4 -1 V. b) VGS~-1.5 Y.5 V.

VGS ] Vp = 4mS ~ 5V _ -D.5 mS de la solución gráfica) 418 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .4) se obtiene la siguiente ecuación del valor máximo de gm para un JFET. a) Encontrar el valor máximo de gmo b) Encontrar el valor de gm en cada punto de operación del ejemplo 9. Ya se mencionó que la pendiente de la curva de transferencia es un máximo cuando Ves = O V.6) EJEMPLO 9.4) donde I Vp 1 denota la magnitud. Sustituyendo VGS = O V en la ecuación (9.1 utilizando la ecuación (9.utiliza un enfoque empleado para encontrar la resistencia ac de un diodo en el capítulo 1.5mS (contra 3.4) se convierte en (9. sólo con objeto de asegurar un valor positivo de gm.:: = 2(8mA) 4V = 4mS (máximo valor posible de gm) b) Cuando V GS = -D. es posible derivar una ecuación para gm de la siguiente manera: MD 1 t. -4 V J l = 3. gm = 2IDss Ivpl gmo = ~ ~J 2IDss - y IVpl (9. donde se estableció que La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente dibujada en dicho punto.VGS PLQ dID 1 dV GS pLQ gm = = d dV GS lDSS (1 VGS )2] Vp = I Dss _d_ dVGS 0 _ VGS ) Vp 2 = 2lDSS ~ - VGsJ_d Vp dVGS 0_ VGs ) Vp y (9.1.2 Para el JFET que tiene las características de transferencia del ejemplo 9. Si se toma la derivada de ID respecto a Ves (cálculo diferencial) utilizando la ecuación de Shockley. Solución a) gmO .5 V. gm = gmo [1 . Entonces la ecuación (9. en el cual se han especificado 1DSS y Vp.6) y comparar con los resultados gráficos.5) donde el subíndice O que se añadió recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = O V.

V GS para el JFET de los ejemplos 9.Cuando VGS = -1. v. EJEMPLO 9.3 también indica que cuando VGS es igual a la mitad del valor de estrechamiento.5 mS de la solución gráfica) Los resultados del ejemplo 9.6) define una línea recta con un valor mínimo de O y un valor máximo de gm como se muestra en la gráfica de la figura 9.5 V] -4V = 1.:GS] 4 [1 mS p - -1.1 y 9.3.) de la ecuación (9. En fanna de ecuación. VGS g m mO [1 . La figura 9... Gráfica de gm en función de VGS Debido a que el factor de V'GS (1 . gm se proporciona como Yjs donde la y indica que es parte de un circuÍto equivalente de admiranda. gm tendrá únicamente la mitad del valor máximo. la magnitud de gm se reducirá mientras VGS se aproxime a Vp y la relase incrementa en magnitud. (9. La ecuación (9.3 9.5 V. Yj' está en el rango desde 1000 a 5000 IlS o de 1 a 5 mS. = gm = gmo [1 .3 Gráfica de gm en función de Vcs.5 mS (contra 1. Cuando VGS = Vp ' gm =gmO(J - J) =O. para usos en el futuro cuando se requiera gm' En las hojas de especificaciones.57 mS de la solución gráfica) Cuando = g V GS = -2.6) es menor que 1 para cualquier valor V ción :5 p diferente de O V.4) a (9.6).5 V.2.5mS (contra 2.7) Para el JFET de la figura 5.18. o V GS(V) FIgUra 9.J V p = 4 mS 1 [ -2.2 de hecho son 10 sufIcientemente cercanos como para validar la ecuación (9. La! significa que es un parámetro de transferencia directa (jomará) y la s revela que está conectada con la tenninal de la fuente (source).4. Graficar gm en función de Solución Obsérvese la figura 9.5 V] -4V = 2.2 Modelo de pequeña señal del FET 419 .

= O. 420 Capítulo 9 Análisis a pequeña señaJ del FET ..8) en la ecuación (9.5g I .4 Graficar gm en función de ID para el JFET de los ejemplos 9..5.= O.3..4mS ~-----> 2mS -4V -2V o Figura 9. gm = gmü ~-DS!4 ._ grnO mo IDSS 2 EJEMPLO 9.707gmO IDSS c) Si ID = IDS!4. Impacto de ID sobre gm Puede derivarse una relación matemática entre gm y la corriente de polarización ID al observar que la ecuación de Shock1ey puede escribirse de la siguiente manera: (9.9) para determinar gm para algunos valores específicos de ID' los resultados son a) Si ID =IDSS' gm = gmiJ -~= gmo I DSS b) SilD = IDSP' gm IDS!2 = grnO ~ .8) Al sustituir la ecuación (9. Solución Ver figura 9.4 Gráfica de gm en función de VGS para un JFET con 1DSS::: 8 mA y VGS(V) Vf =-4 V.6) se obtiene (9..1 a 9.9) Al utilizar la ecuación (9.

Cuando la curva es perfectamente horizontal. mayor será la impedancia de salida.3 y 9. = Zo(FET) = rd =Yo. El parámetro Yos es un componente de un circuito equivalente de admitanda y el subíndice o significa un parámetro de salida de la red (output) y s la terminal fuente (souree) a la cual está asignada en el modelo. esta es una aproximación que se utiliza a menudo.11) Con base en la figura 9. En forma de ecuación.12) 9. se tendrá la situación ideal pues será la impedancia de salida (un circuito abierto) infinita.o 3 9 10 JD (mA) Figura 9. Impedancia de salida Zo del FET La impedancia de salida de los FET es similar en magnitud a la de los BIT convencionales.6 puede definirse la impedancia de salida como la pendiente de la curva horizontal característica en el punto de operación. Z¡(FET) = ~ Q (9.4 revelan con claridad que los valores más altos de gm se obtienen cuando Ves se aproxima a O V e ID a su valor máximo de 1DSS' Impedancia de entrada Z¡ del FET La impedancia de entrada de todos los FET disponibles en el mercado es lo suficientemente grande para suponer que las tenninales de entrada son similares a un circuito abierto. 1 (9.5 Gráfica de gm en función de JDpara un JFET con IDSS =8 mAy Ves =-4 V. En las hojas de especificaciones de los FET la impedancia de salida aparecerá normalmente como Yos con las unidades de J1S.18. Para el IFET de la figura 5. Las gráficas de los ejemplos 9.y0' tiene un rango entre 10 y 50 /1S o 20 kQ (R = 1/G = l/50 /1S) y 100 kQ (R = 1/G l/lO /1S). Mientras más horizontal sea la curva.10) Así como para un JFET un valor práctico de lO' Q (1000 MQ) es un valor característico. (9. En forma de ecuación. En forma de ecuación.2 Modelo de pequeña señal del FET 421 . un valor entre 10 12 y 10 15 Q es típico de los MOSFET.

12).6 ~M Definición de rd utilizando las caracterfsticas de drenaje del FET.12). . EjEMPLO 9.1 mA. Esto se logra dibujando una línea recta aproximada a la línea VGS en el punto de operación.=ov = 0. 422 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .5. Luego se selecciona un ~VDS o ~ID y se mide la otra cantidad para utilizarse en la ecuación. Sustituyendo en la ecuación (9. Solución Para VGS = O V se dibuja una línea tangente y se selecciona d Vos como de 5 V Y así se obtiene un dIo de 0.2 mA= 2S kQ 5 Para VGS = -2 V se dibuja una línea tangente y se selecciona d Vos como de 8 V Yasí se obtiene un dIo de 0.7 para VGS = O V Y VGS = -2 V cuando Vos = 8 V.Ves'" constante en -1 V Punto Q v / -2V o Figura 9. 8 7 6 5 4 3 2 Vos=~3 V íI vos=-4V VDS o Figura 9. rd = ~~S Ivc. Sustituyendo en la ecuación (9.2 mA. Obsérvese que al aplicar la ecuación (9.12) el voltaje VGS pennanece constante cuando se calcula rd.7 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 (V) Características del drenaje de uso para calcular rd en el ejemplo 9.5 Determinar la impedancia de salida para el FET de la figura 9.

.2 Modelo de pequeña señal del FET 423 .. mientras que las tenmnales de la compuerta y el drenaje sólo están en "contacto" mediante la fuente de corriente controlada gm Vgs ' En las situacion-es' donde se ignora r d (se supone que es lo suficientemente grande respecto a los otros elementos de la red como para aproximarla por medio de un circuito abierto).8mS y = . s s La impedancia de entrada está representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y la impedancia de salida por medio del resistor r d desde el drenaje hacia la fuente. La fuente de comente tiene su flecha apuntando del drenaje hacia la fuente para establecer un cambio de fase de \80 0 entre los voltajes de salida y de entrada como sucederá con la operación real. G o>---~o .= 80 ka.ntra incluído como una fuente de corriente gm Vgs conectada desde el drenaje a la fuente como se muestra en la figura 9.---t-----'O D + v" Figura 9. Obsérvese que el voltaje fuente se representa ahora mediante V" (subíndices en minúscula) para distinguirlo de los niveles de. y que comúnmente se presentan los valores más pequeños en los niveles bajos de Ves (más cercanos a O V).8.8 mS e YM = 20 )1S. Además.1 mA 8V lo cual muestra que rd sí cambia entre una región de operación y la otra.= . el circuito equivalente es una fuente de corriente cuya magnitud se controla por medio de la señal Vgs y el parámetro gm' el cual claramente representa un dispositivo controlado por voltaje.. G 0 _ _ _0 r------~r-----O D + so------=+-------------~s Figura 9. Dados YI' = 3. = 3. Circuito equivalente en ac del FET Una vez presentados y discutido los parámetros importantes de un circuito equivalente de ac.8 Circuito para equivalente de ac del FET. dibujar el modelo en ac del FET.6 gm = y¡.9. Solución EJEMPLO 9. El control de Id me·diante V¡:. la corriente es común tanto para los circuitos de entrada como de salida.s se eneue.=50kQ 20 )1S lo cual da por resultado el modelo equivalente en ac de la figura 9.6. 9.9 Modelo para equivalente de ac del FET para el ejemplo 9. 0. puede construirse un modelo para el transistor FET en el dominio de ac.

Se observa la polaridad definida mediante Vg. RG S -+- -+ Z¡ z.' la cual define la dirección de gm Vg. Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarización de la hoja de especificaciones. Z. La señal aplicada se representa mediante V.10.10 incluye los capacitores de acoplamiento el y el que tienen por objeto aislar el arreglo de polarización de la señal y carga aplicados.12 revela con claridad que (9. El método será similar al análisis en ac de los amplificadores BJT acompañados de una determinación de los parámetros importantes de Z¡.. se investigarán una serie de configuraciones de FET básicas a pequeña señal.12.10 Configuración JFET con polarización fija . y la señal de salida a través de RD se representa mediante VD. es negativo. 424 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . o de las características.. se consideran como cortos circuitos equivalentes para el análisis en ac..: La figura 9. Batería VDD reemplazada mediante un corto circuito Batería V GG ~ reemplazada mediante un corto circuito S --- FIgUra 9. RD -+Z. Zo y Av para cada configuración. y las baterías V GG Y V DD se hacen cero volts mediante un corto circuito equivalente.11 como se muestra en la figura 9.13) debido a la equivalencia de circuito abierto en las terminales de entrada del JFET.m 9. I+VGG ... Figura 9. Luego se redibuja con cuidado la red de la figura 9.. . la dirección de la fuente de corriente se invierte.3 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA PARA EL JFET Ahora que se ha definido el circuito equivalente para FET. Ambos capacitares tienen el equivalente de corto circuito porque la reactancia Xc = 1/(21ifC) es pequeña comparada con los otros niveles de impedancia de la red.' Cuando Vg. La configuración de polarización fija de la figura 9. -+ z. el modelo equivalente en ac puede sustituirse entre las terminales adecuadas como se muestra en la figura 9.11.11 Sustitución del circuito equivalente del JFET en la red de la figura 9.

..I ~ O V como se requiere debido a la definición de ZU V.s + -+- gm~~_' '.13 Determinación de Zo' Al': Resolviendo Vo en la figura 9..> JOR D (9. Z: Al hacer V.11. "RD I (9...-.. como se muestra en la figura 9.. • + V G D 1 .16) A..17) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación obtenida para Av revela con claridad un cambio de fase de 180' entre los voltajes de entrada y de salida..12. ~ I RD Z.. Figura 9. La impedancia de salida es ~ Si la resistencia r¡j es suficientemente grande (por lo menos 10: 1) comparada contra R D' a menudo puede aplicarse la aproximación rJ 11 R D " R D Y Z..+ V o ~ ~R0 1 .3 Configuración de polarización fija para el JFET 425 . Vo ~ -gm V¡CrJ RD ) de tal forma que Av = Vi (9. . se encuentra v~ = pero y -gm Vgird 11 R D) v.. ~ f'.0 5 Figura 9..¡}?:\OR D .. se hará O V o también...+ .13.------.~ -gmRD 1.----oD ' ... 9..15) .----.12 Redibujo de la red de la figura 9." ~ V.. El resultado es gm V~s = O mA y la fuente de corriente puede reemplazarse mediante un circuito abierto equivalente. lé.

48 f) A.7 La configuración de polarización fija del ejemplo 6.= .5 mS Vp ) f¡ _ (-2 V») = \ 1.7. D I vss = 10 mA vp = -8 V lMn ~ z.uS Yos RG = 1 MQ d) e) Zo = R D11 rd = 2 kQ 1125 kQ = 1. = -gmRD = -(1.. Calcular Zo' Determinar la ganancia de voltaje Al" Determinar Av ignorando los efectos de r d' 20 V 2kº C.15 requiere sólo de una fuente para establecer el punto de operación deseado.85 kQ A.76 Como se demostró en el inciso (f).= 25kQ 4O.4 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN PARA EL JFET Rs con desvío La configuración de polarización fija tiene la desventaja de necesitar dos fuentes de voltaje de.88 mS)(1. se obtuvo una relación de 25 kQ: 2 kQ = 12.14 con una señ~l aplicada V¡. Solución a) 21DSS 2(10 mAl = 2. ~ v. S +- 2V Figura 9. a) Detenninar gm' b) Encontrar r d' e) d) e) f) Determinar Z¡.14 Configuración JFET para el ejemplo 9.88 mS)(2 kQ) = -3.5 : 1 entre rd y R D en una diferencia del 8% en la solución.1 tuvo un punto de operación definido mediante VGS =-2 V e ID = 5. v. Se redibuja la red según Q la figura 9. = -gm(R D 11 rd ) = -(1.625 mAcon IDss = 10 mAy Vp =-8 V. 9.5mS gmO = .El valor de Jos se proporciona como 40 /lS.VGsQ\ = 2. .88 mS (-8 V) b) e) rd Z.. La configuración de autopolarización de la figura 9.85 kQ) = -3. 426 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . -T Z.= IVpl 8V gm = gmo ~ .EJEMPLO 9.

15 después de la sustitución del circuito equivalente de ac para el JFET.4 Configuración de aulopolarización para el JFET 427 .17 Redibujo de la red de la figura 9.. Z. El circuito equivalente a JFET se establece en la figura 9. Figura 9.Vg• Figura 9. Figura 9.18) 9. cs Z. Re Rs .. El capacitor es a través de la resistencia de la fuente es un corto circuito equivalente para de.¡. Debido a que la configuración que se obtiene es la misma que aparece en la figura 9 . se reducirá la ganancia según se muestra a continuación. r .16 y se redibuja con cuidado en la figura 9... + v..15 Configuración JFET con autopolarización . Bajo condiciones de ac el capacitar asume el estado de corto circuito y hace "corto circuito" en los efectos de RS' Si se deja en ac. -Z. lo cual pennite que Rs defina el punto de operación. o-------) ( oVo G S ----. .+ V DD Ro C.12. ____ R s en desvío s mediante Xc. Z¡: (9. D e V.17.. G D + Re V " 1 S + 'd g". las ecuaciones resultantes para Zi' 20 y Ar serán las mismas.16 Red de la figura 9..16.

19) Zo A' =R D I rd ?10R D (9. debido a que la terminal de la compuerta y la tierra estarán con el mismo potencial.ntre V.19. G D + -+ + z.21) A.15.18 se obtiene el circuito que se muestra en la figura 9.23) Zo: La impedancia de salida está definida mediante Z o =_0 v I lo vJ=o Al hacer Vi = OV en la figura 9. En este caso.¡ ID ' 'd gm Vg3 ~ v. y V..22) Relación de la fase: El signo negativo en las soluciones para A)' de nuevo indica un cambio de fase de 18('" . En otras palabras. las polaridades y la dirección definidas. como se aprecia en la figura 9.20) " (9. = -gmRD I rd ? lORD (9. la entrada permanece de la siguiente manera: (9. -.no existe una manera obvia de reducir lared con objeto de bajar su nivel de complejidad.ser muy cuidadoso con la notación. V" l s R. la resistencia Rs será parte del circuito equivalente de ac.18 Configuración JFET con autopolarización incluyendo los efectos de Rs' Z. Al determinar los niveles de Z" Zo y A" es necesario . RG ~r RD 1" + Z" v" l F'"!gura 9.z· o' (9. establecer el voltaje a través de Re igual a O V es como "cortar" los efectos de Re' 428 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .18. Rs sin desvío Si se elimina es de la figura 9.o .: Debido a la condición de circuito abierto entre la compuerta y la red de salida.

IDRs 9.s:..18.!:l.. Vgs R.19 Determinación de Zo para la configuración JFET con autopolarización incluyendo los efectos de Rs y rd . por tanto..-. l + -'- . .4 Configuración de aulopolarización para el JFET 429 . = _V"-u_+_"-.25) A. = rd Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a. -IDR[/~ El voltaje a través de rd puede encontrarse al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera: -vgs o y + V r .~~.. V. o y Z " = " = lo V -lnRO -ID ~ + gmRs + Ro + RsJ rd (9.::: Vi .V () = O d l' = V ---..a D + ID S~ t _ _-1 RD le -+ Z. la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff sobre el circuito de entrada tendrá como consecuencia: V-V-VR=O 1 gs 5 o Vp ... El voltaje V o está definido mediante con ~:. J V o = -IDRD figura 9.: Para la red de la figura 9. (9.24) de manera que Za = RD 1 + gmRs + Ro + Rs rd Para rd ~ IO(R o + Rs)' pueden ignorarse los efectos de rd .

o = V. de manera que una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff dará gm Vgs + v() rd V Rs Al sustituir la Vgo"de arriba y sustituyendo Vo y VR s se tiene de modo que o ID = gm V¡ I + 8mRs + RD + Rs rd Entonces el voltaje de salida es y A. al Determinar gm. si rd " \O(Ro + Rs)' (9.26) indica que existirá un cambio de fase de 180' entre V. Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET 430 .. está dado como 20 ¡J.27) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación (9.El voltaje a través de r d empleando la ley de voltaje de Kirchhoff es vo y V R. y V" EJEMPLO 9.d) Calcular 20 con y sin los efectos de rd . con y sin los efectos de r d .6 mAcon I DSS = 8 mA y V p =-6 V. e) Encontrar 2. e) Calcular A. La red se redibuja según Q la figura 9.20 con una señal ~plicada de V. =.S. El valor de Yo.26) Ro + Rs rd De nuevo. Comparar los resultados.8 La configuración de autopolarización del ejemplo 6.2 tiene un punto de operación definido mediante V GS = -2.6 V e ID = 2. b) Encontrar r d. Comparar los resultados. V gmRo I + gmRs + (9.

3 kQ 3.3kQ = 1 + gmRs 1 + 1.20V 3.3 kil c.3 kQ + 1 kQ) Y 50 kQ .----+1 ---+- ----If-----o 'é.6 V)) = 1.086 2..3 kQ + 1 kQ 50kQ 3. indicando que rd tendrá el mínimo impacto sobreZo .. También se observa que Zo no es igual a RD • la cual es una suposición que a menudo se aplica de manera incorrecta..51 + 0.. 10(3.:"'-- Si se revisa la condición r d .51 mS)(3.51 mS)(l kQ) + 3.3 kQ) =----~-~~~--3. 50 kQ . z.20 Red para el ejemplo 9.= = 1. '2.8.51 mS)(1 kQ) + 50kQ = -1.'. En este caso. -.67 mS 6V = 2.596 3.. -(1.' IO(RD + Rs) se encontrará que ya está satisfecha.3 kQ =-----. 1M" 1 k!l -Z" Figura 9. Esto es. Los resultados indican que así es.:-I = 2Jos 2(8 mAl = 2. Solución a) g mO = s ¡.3kQ = Ro + Rs rd + (1. 43 kQ se satisface.92 9..51 = 1la1 kQ -:: . el nivel correcto es menor que la mitad del valor definido solamente por RD.67 mS (1 - (-2. o------} 1-----.3 kQ + 1 kQ 1 + (1. I DSS = lOmA Vp ==-6V V. c.4 Configuración de autopolarización para el JFET 431 .51 2.27kQ 1 + 1.51 mS (-6 V) b) e) rd =-=--=50kQ Ym 20l1S Z¡ = Re = 1 MQ ri Zo Ro 1 + gmRs + d) Con 3.

-+ z.:' lÜ(RD + Rs) se cumplió. lo cual tendrá un efecto muy positivo sobre la ganancIa total de un sistema..21. C.98 Como antes..L -=- Figura 9.f 1 .L . 9. z. Reemplazando la fuente VDu por UD corto circuito equivalente conectado a tierra una terminal de R 1 Y RD" Debido a que cada red tiene una tierra común.. La red equivalente en ac que se obtiene ahora tiene el formato básico de alguna de las redes ya analizadas... ¡~ . Figura 9.3 kQ) = 1 + (1. fR" o V.22 Red de la figura 9.-(1. VgJ . G D + R. La ganancia típica de un amplificador JFET es menor que la que normalmente se encuentra para los BJT de configuraciones similares. figura 9. Redibujo de la red de la figura 9.21 bajo condiciones de ac. pero en el circuito de salida a través de r d .. como se muestra en la figura 9. . R I queda en paralelo con R]. R.23 ~ -l- t g". RD también puede conectarse a la tierra.51 mS)(3. : -1.5 CONF1GURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL JFET La configuración de divisor de voltaje para los BJT también puede aplicarse a los lFET..51 mS)O kQ) . debe tenerse en cuenta que Z¡ es varias veces mayor que la Z¡ típica de un BJT.. r I e..23. 432 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . . D \ '\.22.- I t R.. Configuración JFET mediante divisor Al susütuir el modele equivalente de ac ?aIa ellFET se ebtendrá la configuración de la figura 9.Vft" " Z.22. RD /1. T ~ V . I z" - -=- . el efecto de rd fue mínimo debido a que la condición rd .' R. como se demostró en la figura 9. G -z" 0\. e I ~ + V Z ~.:.21 de voltaje. Sin embargo..

29) Para rd ~ lORD' (9.". y 1 de modo que -o V gs (rd On¡ ~ 11 RD ) V1-':. e Vi o----}I--~--=G-+I -z¡ z" .s~n \as mismas que \as obtenlüas para \as configuraciones de polarización fija y autopolarización (con Rs en desvío).6 CONFlGURACIÓN FlJENTE-SEGUIDOR (DRENAJE COMÚN) PARA EL JFET El equivalente a JFET de la configuración emisor-seguidor BJT es la configuración fuenteseguidor de la figura 9.24. 9.31 ) (9.Z¡! R 1 Y R::!.24 Configuración JFET fuente-seguidor. La única diferencia es la ecuación para 2 1 que ahora es sensible a la combinación en paralelo de R 1 Y R::!.6 Configuración fuenle-seguidor (drenaje común) para el JFET 433 .\ y (9.a que \a's eCUaciones para Zo 'f Al .30) A: . están en paralelo con e1 cual se obtiene el equivalente de circuito abierto del JFET (9..32) Se ~bser. Obsérvese que la salida se toma de la terminal de la fuente y cuando se reemplaza la fuente dc por su corto circuito equivalente el drenaje se conecta a tierra (de ahí la tenninología de drenaje común). v. 9.28) z· o' Al hacer Vi == O V se fijarán ~~S y gn¡ V gs cero y (9.. figura 9. \/gs : : .

. El resultado es Io~V o [_I_+_I_J_gV rd R m g' S 434 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .24. Zi: La figura 9. s -1 V¡.26 indica con claridad que Zi está definida por (9. El hecho de que tanto Vg.. La fuente de corriente invirtió su dirección. ~ rJ ~ Rs + IL----+----'-----o Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a. se pueden reemplazar por el circuito en paralelo que se muestra en la figura 9.33) Zo: Al hacer Vi ~ O V da por resultado que la terminal de la compuerta se conecte directamente a la tierra como se muestra en la figura 9.1 como V () se . 1 -Zo rd Rs I + Vo Zo -4:Figura 9.Al sustituir el circuito equivalente del JFET se tiene la configuración de la figura 9.25.25.26 Redibujo de la red de la fígura 9... . encuentren a través de la misma red en paralelo da por resultado Vo .: -Vgj .26. D v " S Figura 9. pero Vg.27.'r t > 8 mVx_\ --1" + v" Figura 9..24 después de la sustitución del modelo equivalente de ac para el JFET. La fuente controlada y la impedancia interna de salida del JFET se encuentran en tierra en una terminal y a Rs en la otra junto con Vo a través de Rs' Debido a que gm Vgs ' Td y Rs están conectados a la misma terminal y tierra..27 Determinadón de Zo para la red de la figura 9.ún está definida entre las terminales de la compuerta y la fuente.l a.25 Red de la figura 9.

' \ .86 V e ID = 4.-----~o 9. Comparar los resultados.gm Vo(r)1 Rs) ~ Voll + gm(r)1 Rs)] = gm Vir) 1Rs) A = _o de modo que V . e) Calcular A.::: (9. (9..J rJ"2 lOR s Debido a que el denominador de la ecuación (9.1 -+-+-rd Rs 11gm la cual tiene el mismo fonnato que la resistencia total de las tres resistencias en paralelo. y Vj se encuentran en fase para la configuración JFET emisor-seguidor.35) Av: El voltaje de salida Vo se encuentra determinado mediante y al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del perímetro de la red de la figura 9.Val(r)1 Rs) gm v. de manera que o y Vo Vo ~ gm(V. ' Relación de la fase: Debido a que A. = -------''------. la ganancia nunca puede ser igualo mayor a uno (como se encontró en la red BJT emisorseguidor). de la ecuación (9...vo .= .= . L-_ _ _~-----+.36) En caso de ausencia de rd o en el caso de rd lOR s' (9.d) Calcular Z.9 V I vss = 16mA vp=~v Yos = 25 ¡. . = gm(rd 11 Rs) 1 + gm(rd 11 Rs) ... Por tanto. ¡Mil --11-(--~ 0.56 mA.36) es mayor que el numerador por un factor de uno.9. Un análisis de de la red fuente-seguidor de la figura 9.. con y sin rd' Comparar los resultados..28 dará V GS = -2. Q Q a) Determmar gm' b) Encontrar r d' +9 c) Determinar Z. y ~ Vgs ~ Vgs + Vo v .6 Configuración fuente-seguidor (drenaje común) para el JFET 435 . V. V..34) (9. EJEMPLO 9..26 se obtiene v. con y sin r d . -z.36) es una cantidad positiva.v.37) ' -_ _ _ _ _ _ _ _ _ _.Cr)1 Rs) .28 Red para el análisis del ejemplo 9.tS + V..05 ~F Figura 9. .

2 kQ 11438.Solución 2(16 mAl 4V = 8mS 8 mS l - ~ (-2.28 mS)(2.28 mS)(2.28 mS)(2.1S e) Z¡ = Re = 1 MQ d) Con r d : = 40 kQ 112.77 lo cual es menor que 1 como se predijo antes.86 V) ) (-4 V) ..28 mS)(40 kQ 112.= 0.6 Q = 362..2 kQ) (2..09 kQ) + 4..28 mS)(2.28mS ~ = 40kQ 25 f..52 Q lo cual revela que Zo a menudo es relativamente pequeña y se calcula básicamente mediante IIg m .69 Q e) lo cual indica que rd por lo general tiene poco impacto sobre Zo· Con r d : g.02 + 5.= . La aislacíón entre los circuitos de entrada y de salida obviamente se ha perdído debido a que la terminal de la compuerta ahora se encuentra conectada a la tierra común de la red.7 CONFlGURACIÓN DE COMPUERTA COMÚN PARA EL JFET La última configuración JFET que se analizará con detalle es la configuración de compuerta común de la figura 9./rd 11 Rs) (2.2..02 =0..29. Obsérvese la necesidad constante de que la fuente controlada gm Vgs esté conectada del drenaje a la fuente con r den paralelo.28 mS = 40 kQ 112. 9. También se puede ver la localización del voltaje controlador ~"'. Sin ri gmRs (2.2 kQ 11112. la cual es paralela a la configuración de base común utilizada con los transistores BJT. Además.. el resistor conectado entre las tenninales de entrada ya no es Re sino el resistor Rs conectado de la fuente a la tierra.30..83 + (2. Al sustituir el circuito equivalente JFET se obtendrá la figura 9.09 kQ) 4. Sin r d : Z" = Rs IllIg m = 2.\ y el hecho de que aparece directamente a través del resistor Rs' 436 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .83 lo cual indica que rd casi siempre tiene poco impacto en la ganancia de la configuración.6 Q = 365.77 + gmRs 1+ (2.2 kQ) = 5.2 kQ 11438.2 kQ) .

30 Red de la figura 9.= . Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del perímetro se salida de la red se obtiene =- V' . de modo que y 2'. Ro e.V r RD = V' ...29. V' I' (9.::) + r" VrJ + figura 9.38) o . -. (~ + Z. z~ D e. V.31 Determinación de Z'.. R. ¡--I: Vi z. ~':.(' b e. la cual simplemente estará en paralelo con Rs cuando se defina Zi' La red de interés se redibuja como la figura 9. Rs ...V " . v. se encuentra la impedancia Z~ de la figura 9.7 Configuración de compuerta común para el JFET 437 .29 Configuración JFET de compuerta común. e. ~ Figura 9.VR = O D y + --r V .- gm l D gmVg. ~ I .I'R D --"'1 gm~~¡ V¡.s ¡--It-----¡--o--. 'J -AAA G Z.¡ r z'. V' Z. . para la red de la figura 9.29.: El resistor Rs está directamente a través de las terminales que definen a Z¡O Por tanto.z.31. ~ v. I' 9. a S l ~~. Z'(. Z. RD ~------~------~r---------~----~ +G Figura 9. Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a se obtiene e o I' .. rd V' .29 después de la sustitución del modelo equivalente de ac para el JFET.= .= ..\ . El voltaje V' Y".

+ gm rd y 438 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .40) Zo: Sustituyendo Vi = O V en la figura 9.: La figura 9.y Zi=Rsllz. " y El voltaje a través de r des y V-V.38) pennite la siguiente aproximación porque RJrd« I y a que 1Ird« gm: I y (9..41) (9..Vo + gm V] R D rd V. El resultado es que gm Vg.39) Si rd ? lORD' la ecuación (9.Ir.¡ + ID + gmVgs = O y 1 . o Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al nodo b se obtiene l.30 indica que V =-V ..g Vgs D m d de manera que Vo = IDRD rd = [Vi .. = O Y que rd estará en paralelo con R D .30 hará corto circuito en los efectos de Rs y hará Vg.42) A.. a O V. Por tanto.R D VoRD = . (9. la cual produce (9.

1 kQ Figura 9. un examen cercano indicará que posee todas las características de la figura 9.03 mA.] Para rd 2': lORD' el factor RO/rd de la ecuación (9.con A" = V _0 = ~mRD + ~: ] (9.29.43) se puede eliminar como una buena aproximación y (9. es un número positivo ocasionará una relación en fase entre Vo y Vi para la configuración de compuerta común.6kQ ] + (2. a) Determinar gm' b) Hallar r d' e) Calcular Z¡ con y sin rd" Comparar los resultados.10 10 .2 V») (-4 V) = 2. Si VGsQ = -2. 3.2 V e IDQ = 2.7 Configuración de compuerta común para el JFET 439 .25 mS)(20 kQ) 110.25mS b) cl rd =-=--=20kí2 Yo.44) Relación de la fase: El hecho de que A •.1 kQ 201d1+3.=RsII[rd+RDJ=l.35 kQ 9.10.43) V.32 Red para el ejemplo 9.lS 1. e) Determinar Vo con y sin r d " Comparar los resultados.32 puede en principio no parecer de la variedad de compuerta común.6 kQ EJEMPLO 9. +12 V d) Encontrar 20 con y sin rd\:omparar los resultados. Aunque la red de la figura 9.=-4 V Yos=50j. Solución a) 2(10 mAl = 5 mS 4V 5 mS 1 - ~ (-2.51 kQ = 0. ~ + :. 50.uS Con rd : z.lkQII[ 1 + gmrd 1 1.uF f---ov" 1D55 = 10 mA V p .

18 1 + 0.::: lORD no está satisfecha. 9.6 kQ !120 kQ = 3.1)(40 mV) = 324 rnV En este caso.6 kQ) + . La única diferencia que proporcionan los DMOSFET reside en que VGSQ puede ser positivo para los dispositivos de canal-n y negativo para las unidades de canal-p. RD es ciertamente el factor predominante en este ejemplo.Y.05 kQ e) Una vez más la condición Yd .1 + 0. Es más.8 rnV A.8 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL El hecho de que la ecuación de Shockley también sea aplicable a los MOSFET de tipo decremental da por resultado la misma ecuación para gm. Con r d : 3.Zi = Rs IllIg m = 1.20kQ 8. => Vo = A .02)(40 mV) = 280. ambas ecuaciones obtienen en esencia el mismo nivel de impedancia. pero ambos resultados están razonablemente cercanos uno del otro.18 y 7. el modelo equivalente de ac para los DMOSFET es exactamente el mismo usado en los JFET como se muestra en la figura 9.10 demuestra que aunque no se satisfizo la condición r d ~ 10RDo los resultados para los parámetros dados no fueron significativamente diferentes utilizando las ecuaciones exactas y aproximadas.25 mS = 1.6 ka) = 8.25 mS)(3.33. = gmRD = (2.31 kQ Aunque la condición rd~10RD = >20kQ~IO(3. El resultado es que gm puede ser mayor que gmo como se demuestra en el siguiente ejemplo.44 kQ = 0. = (7.6kQ] [ (2.1 kQ 11 0.25 mS)(3.02 A. En este caso.1 con Vo = A'Yi = (8. en la mayoría de los casos ·se pueden emplear las ecuaciones aproximadas para tener una idea razonable de los niveles particulares con poco de esfuerzo. De hecho. El ejemplo 9. El rango de rd es muy similar al que se encuentra para los JFET.6kQ) =>20kQ~36kQ d) no está satisfecha. 440 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . la diferencia es un poco más notoria pero no de forma drástíca.1 kQ 11112. l/gm fue el factor predominante. = Vo V. Con ri Zo = R D 11 rd = 3.

Se observan las similitudes con la red de la figura 9.10 1500 z. .23.6 mA. S Figura 9.33 • Se vF-' f 3 rn Vg. f) Encontrar Al'· 1.11 Figura 9.34.3 Vg.ce D OG D + ---W S Figura 9.1' = . La red de la figura 9..5 V)) (-3 V) 4 mSO + 0.lIS !O ).28) a la (9.5 V e ID (! = 7.35... Solución a) 2(6 mAl gmü = 4mS 3V = 4 ruS 1 - ~ (+1. - z¡ c + : 10 \10 : IIOMD D vgs < -- s J ~ I 6 X 10..8kO Z.34. IDSS=6mA Vp =-3V Y"".5) = 6 mS y se encuentra que gm es 50% mayor que gmO' b) rd = )'0. o-~~--t----' z.. d) Encontrar Zj' lB y e) Calcular Zo.= 100kQ 10 !. 'd S Modelo equivalente de ac para el DMOSFET. v. a) Determinar gm y compararla con gmO· ~ b) Encontrar r d" e) Dibujar la red equivalente de ae para la figura 9. = lO. + v.8kO IIOMO EJEMPLO 9. < ~ lOOkD 1.32)..11. e. Por tanto...7 y se obtuvo Ves () = 1.S 1 e) Obsérvese la figura 9.35 Circuito equivalente de ac para la figura 9. se pueden aplicar las ecuaciones (9.34 se analizó en el ejemplb 6..34 Red para el ejemplo 9. 9.8 MOSFET de tipo decrementa) 441 . + V.

misma que se puede encontrar en las ~ojas de especificaciones como una admitanda Yos' La transconductancia del dispositivo.d) e) f) La ecuación (9.1 I 1 Figura 9.' "MOS gm 1 =f.36. como se muestra en la figura 9.77 kQ A" = -grnRD = -(6 mS)(1. rd = 1-- }o.8 kQ) = 10. Esto es.j. Existe una impedancia de salida del drenaje a la fuente rd . = R 1 11 R. En el análisis de los JFET se derivó una ecuación paragm a partir de la ecuación de Shockley.o RD = 1.. gm' se encuentra en las hojas de especificaciones como la admitancia de transferencia directa.36 y proporciona un circuito abierto entre la compuerta y el canal drenaje· fuente. d = k--(V - dV es es = 2k(lies - y (9.9 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL El MOSFET de tipo incremental puede ser o bien un dispositivo de canal-n (nMOS) o de canal-p (PMOS). Para los EMOSFET la relación entre la corriente de salida y el voltaje controlador está definido mediante Debido a que gm aún se encuentra definido por puede tomarse la derivada de la ecuación de transferencia para determinar gl1l como un punto de operación.29): La ecuación (9. El circuito equivalente de pequeña señal de cualquiera de los dos dispositivos se muestra en la figura 9. = 10 MQ 11110 MQ = 9.36 Modelo incremental del MOSFET a pequeña sena!.17 MQ Z.8 . así como una fuente de corriente del drenaje a la fuente cuya magnitud depende del voltaje de la compuerta a la fuente.45) 442 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . = r)1 RD = 100 kQ 111.32): Z.28): La ecuación (9.8 kQ = 1. Yfs' 0---0 G D + v" S ~ gmvK.8 kQ r d ~ lORD ~ lOO kQ ~ 18 kQ 9. 1.

10 CONflGURACIÓN DE RETROALIMENTACIÓN EN DRENAJE PARA EL EMOSFET La configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET aparece en la figura 9.J Z G t - Zo .". Figura 9.V" RF VI . v z. = ¡-)I Ro (9.c"-_ \1" r)iRa Vo == (r)IRD)(l¡ -gnY) Vi . Obsérvese que RF no se encuentra dentro del área sombreada que define el modelo equivalente del disposltivo. De otra forma. las terminales de entrada y de salida estarían conectadas directamente y Vil = Vi' Voo Ro RF C2 (--oVo D . Se recuerda a partir de los cálculos en dc que Re se puede reemplazar mediante un corto circuito equivalente debido a que IG = O A Y por tanto.38 Equivalente en ac de la red de la figura 9..gmV) RF f¡R F = Vi VJl + (r tl l! RD. el análísis aC es el mismo que el utilizado para los JFET o los DMOSFET.46) J + gm(r)l RD ) 9. pero proporciona una conexión directa entre los circuitos de entrada y de salida. = . Figura 9. con e de modo que 1i . 1.10 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 443 . Z¡: Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de saiida (en el nodo D) se obtiene v" ---r)IRo y V" ~ V.37. + r)1 Rol RF + y finalmente.37 Configuración de retroalimentación en drenaje para EMOSFET.1¡ + (r)1 RD)gn.gil! Vi . En cualquier otro aspecto.:: _.iR. Al sustituir el modelo equivalente de ac para el dispositivo se obtiene la red de la figura 9.Recuerde que la constante k se puede determinar a partir de un punto de operación típico sobre la hoja de especificaciones... Sin embargo.37.vl g".38. 9.(r)\RD)(l¡ . de manera que o Por tanto. tome precauciones acerca de las característi· cas de un EMOSFET porque los arreglos de polarización son un tanto cuanto limitados.(r)1 Ro)l ~ ¡. para las situaciones de ac se proporciona una impedancia alta muy importante entre Vo y VI. Sin embargo. VRG = O V..

1 = V.49) A.39. RF» rd 1I RD. de tal forma que (9. v.¡ f"lgura 9.Por lo general.: Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al nodo D de la figura 9.37.47) Z: Al sustituir V1 = O V se obtiene Vgs = O V Y g m Vgs = O con una trayectoria de corto o circuito desde la compuerta hacia tierra como se muestra en la figura 9. Con frecuencia RF es mucho mayor que r d 11 R D . - Vo y de modo que y 444 Capítulo 9 Análísis a pequeña señal del FET ..38 se obtiene Ji = g m Vg.1 el. = V-Vo .I . + Va _cc-"C- rdllRD pero v g. por tanto. de tal fonna que Zo=r)lR D (9. Rp r d y RD están entonces en paralelo y (9.39 Determinacíón de Zo para la red de la figura 9.48) r.

12 a) b) e) d) e) Detenninar gm' Encontrar rd .3 V) = 1.--1 + (1. Comparar los.24 x 10-3 AN'.24 x 10-3 AN')(6. 12V 2kfl IOMfl 1D(c~~c~d.lS Figura 9.11 con el resultado k ~ 0. Encontrar Av con y sÍn rd .50) (9.42 Mil 1 + 3. Calcular Z¡ con y sin rd' Comparar los resultados. EJEMPLO 9.75mA.13 9. 20l1S Con r d : RF + rdllRD 1 +gm(r)IRD ) =--------¡.11.. resultados.92 kQ = ...4 V . Comparar los resultados..40 se analizará en el ejemplo 6. VGSe ~6.pero y de manera que (9.40 Amplificador con retroalimentación en drenaje del ejemplo 6.== 2.63 mS)(50 kD 112 kD) 10 MQ + 50 kQI12 kQ 10 MQ + 1..) ~ 2(0. Solución a) gm ~ 2k(VCSQ - VCS(Th.63 mS ~ - b) e) rd ~ -- = SOkQ Yo.do) = 6 mA V GS(C11Ccndlllo) "" 8 V \/Gs(Th¡ =3 V Yu" :. 20 f.4 VeI DQ =2.51 ) Relación de la fase: fuera de fase por 180 0 • El signo negativo de Al' índica que tanto Vo como Vi se localizan El EMOSFET de la figura 9.10 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 445 .. Encontrar Z() con y sín rd .

Con rd : Z" R. .. El formato es exactamente igual al usado en una gran cantidad de presentaciones anteriores.!J . :) \1.41.42.23.63 mS)(l. t..:::: 40 kQ está satisfecha y Jos resülwc.63 mS)(2 kQ) 2. V.-' ~ óm " Vg' Figura 9..RD = -(1. Red equivalente de ac para la configuración de la figura 9.63 mS)(lO MQ = 1150 kQ 112 kQ) -(l. VI e -Z. = -g".42 . 9. • ..53 MQ d) lo cual indica que la condición rJ:?: lORD:::: 50 kQ.lO YIQ I + (1. = -g".28) a (9.os para Z() cor.41. 1 D + °G • . 446 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . El resultado es que las ecuaciones (9. R.92 kQ) = -3.. ~Rl 1 I R.... -! .26 la cual es muy cercana al resultado anterior.92 kQ e) ofreciendo otra vez resultados muy cercanos. la cual es exactamente la misma que la figura 9 .¡ serán muy' cercanos.il r)! RD = 10 MQ 1150 kQ 1I 2 kQ = 49.32) pueden aplicarse como se lista a continuación para el EMOSFET..75 kQ IIEQ = 1.(R F 1I r d 1 R D ) = -(1.41 Configuración EMOSFET ? Figura 9.63 mS)(2 kQ) = -3. Al sustituir la red equivalente de ac para el EMOSFET se obtiene la configuración de la figura 9.Z " R" -'- . Con rd : A.21 A.11 CONFIGURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL EMOSFET La última configuración EMOSFET que será examinada a detalle es la red mediante divisor de voltaje de la figura 9. o sin r." ~ ? . con divisor de voltaje.

Los siguientes tres ejemplos determinarán los parámetros requeridos para obtener una ganancia específica. pero para el análisis en ac presenta una trayectoria de alta impedancia muy importante entre Vo y Vi' Además. Para evitar complejidades innecesarias durante las fases iniciales del diseño.12 CÓMO DISEÑAR REDES DE AMPLIFlCADOR FET Durante esta fase los problemas de diseño se encuentran limitados a la obtención de las condiciones deseadas de polarización o de la ganancia de voltaje.52) " (9.::. aunque la superposición permita un análisis y diseño por separado de la red desde un punto de vista de de y de ac. Z· " Z = r)lR D (9. la impedancia de entrada o la impedancia de salida deseadas. se ha determinado el FET que se empleará y están definidos los capacitares que se requieren para las frecuencias seleccionadas. = R¡IIR. En la mayoría de los casos.53) Para r d ~ lORD' Z():. Una vez que el diseño inicial se ha completado.56) 9..54) rJ?: lORD A. - -gmRD (9. la respuesta en ac. a menudo se utilizan las ecuaciones aproximadas porque se presentarán algunas variaciones cuando los resistores calculados sean reemplazados por sus valores estándar. 9. recu. las diversas ecuaciones desarrolladas se utilizan '''hacia atrás" para definir los parámetros necesarios y para obtener la ganancia. En particular. A menudo debe hacerse un balance entre un punto de operación en particular y su impacto er. simplemente debe tenerse en cuenta que los parámetros de la red· pueden afectar los niveles de dc y ac de varias maneras. pueden probarse los resultados y llevarse a cabo los refinamientos mediante las ecuaciones completas.gm Z¡: Z.. A lo largo del procedimiento de diseño debe estarse consciente que. a menudo un parámetro que se seieccione en el ambiente de dc jugará un papel importante en la respuesta en ac. recuerde que la resistencia Re podría reemplazarse mediante un corto circuito equivalente en la configuración con retroalimentación porque le == O A para las condiciones de dc. Es necesario determinar los elementos resistivos necesarios para establecer la ganancia o el nivel de impedancia deseados. En la mayoría de los casos se conoce el voltaje de de disponible de la fuente. una Rs pequeña también contribuirá a una mayor ganancia. V (9. I (9. = Vo V.55) Y si rd ? 1OR D' A.12 Cómo diseñar re des de amplificador FET 447 .R D A: . = -'-' = -gm(rD 11 RD) V. En resumen.erde que gm es mayor para los puntos de operación cercanos al eje ID (Ves = O V) donde se requiere que Rs sea relativamente pequeña. En la red donde Rs no se encuentra en deSVÍO. pero para el amplificador fuente-seguidor la ganancia se reduce de su vaJor máximo de l.

2¡ = RG = lOMO 20 = R D 11 rd ~ 2 kQ 1150 kQ = 1. Por tanto la ganancia se encuentra determi- A. 0---11--...13 Diseñe la red de polarización fija de la figura 9. El nivel obtenido de VDS se determinará más adelante de la siguíente forma: o VDSQ ~ VDD . v. Esto es..13. el nivel nada mediante qe gm es de gmO.= SOkQ Y"..43 para tener una ganancia ac de 10.. respectivamente.tS Re lOMO. t------<> e..I resultado es y -10 = -s mS(RD 11 r d ) 10 RDllrd = . se encuentra RDh y = RDllSOkQ = 2kQ = 2 kQ RD (50 kO) R D + 50kQ 50RD = 2(RD + 50 kQ) = 2RD + 100 kQ o con y 48RD = 100 kO RD = .43 Circuito para la ganancia de voltaje deseada en el ejemplo 9. = 20 ¡.. Solución Debido a que VesQ .1 ~F lnss = 10 mA V p =-4 V Yo. 448 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET ...... 0.08 kO El valor estándar más cercano es de 2 kO (apéndice E).(ID mA)(2 kO) ~ 10 V Los niveles de Z¡ y de 20 se fijan mediante los niveles de Re y de RD .IDQRD = 30 V .---.: O V.--------- EJEMPLO 9.20xlO-6S Sustituyendo..= 2kQ S mS A panir de las especificaciones de los dispositivos. Esto es. = -gm(RD 11 r) = -gmO(R D 11 rd) con go=--~ 2IDss 1 2(10 mAl 4V m vpl S mS E. rd = ..= . calcule el valor de RD . Figura 9...'" 48 100kQ 2. v.92 kO '" RD = 2 kQ. el cual se utilizaría para este diseño.

14.1 ~F RL ] . -1 V e 1 f¡ _ Vese\ ' V) p DSS. 50kQ 20 )lS y Con el resultado de el cual es un valor estándar..-----------------------------------------------------------Seleccione los valores para RD y Rs para la red de la figura 9.(-4 V) V)) . lOMO : Re lOMO -=- 1{)Ss::: 10 mA } gmO= 5 mS \/p=-4V Yv. OY o---}I--~----l~ 0.625 mA '\ (-4 V) ) La determinación de gm' gm o OmO 0(.Vp IJ 4 J 1 . v" v.(-IV)\'. esQ V ) Vp (-1 .13kQ 3. "" 20 ilS .44 Red para la ganancia de voltaje deseada en el ejemplo 9. Solución El punto de operación se encuentra definido mediante 1 Ves . - 4 (-4 V) . 2. 9.75 mS .IOmAf¡....44 con objeto de obtener una ganancia de 8 utilizando un nivel relativamente alto de gm para este dispositivo definido cuandoen Ves::: +Vp .12 Cómo diseñar redes de amplificador FET 449 . Figura 9...14 +20 Y Ro C.1 ~F el 0. 5.. 5 mS ~ . .75 mS La magnitud de la ganancia de voltaje se calcula mediante 1 A. 1 . V DD gm EJEMPLO 9.. gm(R D 11 rd ) Al sustituir los valores conocidos se obtiene de manera que El nivel de rd está definido por 8 . .. 3.

. .8Q 5.177.625 mA. EJEMPLO 9.75 mS)R D 1 + 0.15 Detenninar RD YRs para la red de la figura 9.75 mS)R D ¡. -(5. -IDRs -1 V . (3.El nivel de Rs se encuentra determinado mediante las condiciones de operación de la siguiente manera: Ves" .4 3.44 para establecer una ganancia de 8 en el caso de que se elimine el capacítor de desvío Cs' Solución Tanto VesQ como IDQ aún son -1 V Y 5. Aunque no están presentes todas las configuraciones posi- 450 Capítulo 9 Análisis a pequena senal del FET .6 H2. 10(3.625 mA)R.675 1 + (3.675) .13 TABLA RESUMEN Se desarrolló la tabla 9.. Isi .75 mS)(lSO Q) I y S(1 + 0.573 kQ de manera que es así el valor estándar más cercano el de 3. En eSle ejemplo Rs no aparece en el diseño en ac debido al efecto de corto circuito de Cs' En el siguiente ejemplo Rs no está en desvío y el diseño se vuelve un poco más complicado.625 mA ¡ V El valor estándar más cercano es de 180 Q.1 en un esfuerzo para proporcionar una comparación rápida entre las configuraciones y ofrecer asimismo un listado que pueda ser útil para una variedad de objetos.75 mS)RD 13.78 kQ) y 50 kQ ? 37... Al sustituir (por la magnitud especificada de 8 para la ganancia). El empleo de la ecuación completa paraA. La ganancia de la configuración de autopolarización sin desvío es Por el momento se asume que rd ? 1O(R D + Rsl. 3. Ahora se puede probar la condición: rd ? lO(R D + Rsl SO kQ ? 10(3.8 kQ la cual se satisface. i -(3.¡la solución persiste ~ 9. y debido a que la ecuación Ves. R s continúa siendo el valor estándar de 180 Q que se obtuvo en el ejemplo 9. ) Rs.14. Para cada parámetro importante se proporcionan la ecuación exacta y aproximada con un rango típico de valOies para cada una. -laRs no ha cambiado. en esta fase del diseño sólo complicaría el proceso de forma innecesaria.75 mS . (3.6 kQ + 0.18 kQ) .

Y. I i A.¡ R D + Rs Zo .. Configuración Z..~ ~v(J(j .Rs Ir.. .Rs + . IR ". I ...j:----v R\ ~ t ":.)1 0 lORD) (r. 7.. ~ IORI..11- f-----ij:---. 9.".I _ =~ I I + gmRs + Ro + Rs 'J i = gmRD I + g".Q) I .~« ~.. ..r RC f----lj:---.1 RD) I ¡ =~ I I i 1 AUlOpolarización des\.. ! .'ío en Rs JFET o D"IOSFET +v{){) Media (2 kO:) \ledia (-10) o Alta (10 Mn) • Rr e.z. " - l/o v~ Po]ari!<l\:ión fija JFET u D:\10SFET d'{J/) i I I Media (1 kG.. I Alta (lO MQ) Media (2 k. Zo I .)1 l =I I RD ) R -8 m O <: lORD) i 1 (r." "~ .~R{.R.JJ Poiarización por di\lisOi de voltaje JFET o D"IOSFET +\'OD j \. J . =5] ir..·--i c.0-----1.) \1edia (-10) I 1... Rs -" P .".(. .'?:! i I \ I .... {~~ Ir". i ! I \ledi<i (-2) Autopoiarización sin desvío en Rs JFET o D"IOSFET -voo RD c. . =@J . T. .v)i I "1 I RD ) -8. ! Z. Alta (lO "IQ) I I " Media (2 Q) RD ".:" R' . Media (-10) I ! I i =~ =~ I = les ~ Z. .J) ) - - gmRD I + gmRs Ir.. ." S t ? cs i \ IOR!)! 1 ! I "r -g". b' .. ~ .2:10(R1 + R.J ".13 Tabla resumen 451 ..:::: IDR¡¡! r-8".i~ \ i ~.J. Rs I I I i == ~ 1 + g".....TABLA 9 1 Zl' Zo y A v para las diferentes configuraciones FET ! .' .. ~ lOR) "r -g"/.: 101R ... v. ! Alt::!(IOMQ) f----------o \'" /" 1 I I "5] "@J =~ Ir.

Vo Rslfd +RD] gmRo + - Ro '"d '1 gc ~ ~ Rs e.. Zo 10R..:: lORI» (R" r. V.) J+ gr¡Rs Ud ~ 10R. I~ .I1 'd 11 RDl I I - V" RF ~ Zo =5] iR.! Polarización con retroalimentación en drenaje EMOSFET +VDD Media(l MO) = RF RD RF + 1 + .11 RD gmv.) +mRo (rJ ~ I - T ION..1 e.) R. RD =5!SJ = s - =R..:: 10R. d~ S RD e.)IR.:: 10RIl ) =~gmRD I I (r".. .l~ 1 +- Ro 'd 10RI>I Zo 10R. .L T .. e. Ro T I-~I'----ovo Rs =~ (rd~ J+ Smv)1 Rsl gm Rs ~ ¡. Df---4~vo =~ =~ = ~gm(. Rs =5] (r".) Compuena común JFET o DMOSFET +VDD Baja (1 kQl Media (2 kQ) 1 + gmrd Media (+ 10) = e. . 452 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .:<: lORo) Polarización por divisor de voltaje EMOSFET +V~D Media (1 ill) Media (2 kQ) Media (-10) R.)I R.. "Z. Fuente-seguidor JFET o DMOSFET Alta (la MQ) Baja (lOO kQ) Baja« 1) =l..." r. v¡o---Ji ? =~ = gm(.o---i. Zo Aa = - VD V..II I I gm 1 (rd~ =5] (r.)IR o I I = ~gm(R.ll RD) Media (2 kQ) Media (-10) = RFII..TABLA 9.IIJIK +VDD m 1 e. v. Q.)1 Ro) I I Z.'<: =~gmRD I I tORil) 1 + gmRD (rJ.. Z...1 (continuación) Configuración Z.l l .

El formato seleccionado fue diseñado para pcnnitir una duplicación de la tabla completa en las dos caras de una hoja tamaño carta. Síntomas y posibles acciones Si no existe un voltaje ac de salida: l. 4. lo cual se desarrolla en gran medida mediante la construcción. 2. amplitud y frecuencia. Debe asegurarse que todas las conexiones a tierra sean comunes. 4. Aún más. se tiene que verificar la señal en varios puntos empleando un osciloscopio para ver la fonua de la onda. así como los "centelleos" inusuales en la forma de onda que puedan presentarse. Utilizar un medidor dc: tomar algunas medidas como lo marca el manual de reparación que contiene el diagrama esquemático del circuito y un listado de los voltajes dc de prueba. Cuando se construye y prueba un amplificador a FET en el laboratorio: 1. puede ser muy 9. 9. 9. Medir la señal de entrada para asegurar que proporciona al circuito el valor esperado. un componente que parezca demasiado caliente como para tocarse. la habilidad para "ver" lo que está suce~ diendo. la solución de problemas en un circuito es una combina~ ción del conocimiento de la teoría y de tener la suficiente experiencia con instrumentos de medición y un osciloscopio para verifícar la operación del circuito. cual~ quier configuración que no esté listada probablemente será alguna variación de aquellas que aparecen en la tabla. Es importante que la señal se encuentre presente para el ciclo completo de la señal. Observar la tableta del circuito para ver si se pueden detectar algunos problemas obvios: un área quemada debido al exceso de calor de un componente. Verificar que todos los voltajes de de estén presentes en las tenninales de los componentes.15 ANÁLISIS POR COMPUTADORA Debido a que los cálculos para la ganancia de voltaje. así que por lo menos el listado proporcionará alguna idea de los niveles que deben esperarse y la trayectoria que probablemente darán las ecuaciones deseadas. Verificar el código de color de los valores resistivos para asegurarse que son los correctos. 3. 2. se incluyeron la mayoría de las que se encuentran con más frecuencia. prueba y reparación de muchos circuitos diferentes. lo que pueda ser un punto de soldadura pobre o cualquier conexión que aparente estar suelta. Un buen reparador tiene un "olfato" para encontrar el problema en un circuito.bIes. Verificar el voltaje de ac en cada extremo de las terminales de acoplamiento del capacitar. Comprobar si el voltaje de saEda en VD se encuentra entre O V Y VDD' 3. Verificar si existe fuente de voltaje. su polaridad. Verificar si existe cualquier señal ac de entrada en la terminal de la compuerta.14 SOLUCIÓN DE PROBLEMAS Como se mencionó con anterioridad.15 Análisis por computadora 453 . mida el valor de la resistencia. Aplicar una señal de prueba: medir los voltajes empezando en la entrada y trabajando a lo largo hacia la salida. 2. En caso de identificar el problema en una fase en particular. porque los componentes que se utilizan con fre~ cuencia pueden sobrecalentarse cuando se utilizan de fonna incorrecta y ocasiona que cambie el valor nominal. 1. De hecho. 3. Para un amplificador FET de pequeña señal puede resolverse un circuito mediante el desarrollo de una cantidad de pasos básicos. impedancia de entrada e impedancia de salida para los varios circuitos FET requieren del cálculo de los valores de polarización para utilizarse en la detenninación de los parámetros del dispositivo en el punto Q.

MODEL MODNAME PJF VTO: BETA: BETA: donde MODNAME es el nombre del modelo dado en la línea del elemento. así como los datos de salida obtenidos. Unos cuantos ejercicios demostrarán la manera en que se escribe una descripción del programa de un circuito y cómo se pueden obtener los resultados de salida deseados para la operación ac del circuito. Suponer que cada dispositivo se encuentra conectado en los nodos: drenaje:. La polarización del JFET se proporciona mediante la fuente de voltaje VCG' la fuente de voltaje VIJIJ y la resistencia del drenaje R D' Se aplica un voltaje de ac de entrada a través dei capacitor el' mientras que la salida amplificada se obtiene mediante el capacitar C 2 . dos de los más importantes son VTO : V p: voltaje de corte de la compuerta a la fuente BETA: IDSS IV¡: parámetro que combina los dos parámetros importantes del dispositivo JFET EJEMPLO 9. El PSpice proporciona modelos de dispositivos JFET. a) Un JFET de canal-n cuyo I DSS : 12 mA y VI': -4 V. PSpice requiere que la trayectoria de salida esté conectada a tierra.MODEL JJ NJF VTO: -3 BETA: 889E-6 = Programa 9.1: Circuito amplificador JFET En la figura 9. fuente compuerta = 2. Solución a) =4 Y b) JUP 5 24 JN .útil un análisis por computadora. NJF identifica un dispositivo de canal-n y PJF identifica un dispositivo de canal-p. por lo que se especifica una resistencia de carga de muy alta impedancia. b) Un JFET de canal-n cuyo 1DSS: 8 mA y Vp : -3 V.46 para el circuito que está analizándose (figura 9. De los varios parámetros del modelo JFET.45 se muestra un circuito amplificador JFET. respectivamente: y MODNAME es el nombre del modelo utilizado en la línea . 5. compuerta y fuente.16 Escriba las líneas del circuito en PSpice para describir los siguientes dispositivos JFET.MODEL que se describe a continuación. MOSFET decremental y MOSFET incremental.MODEL MODNAME NJF VTO : .MODEL JN NJF VTO: -4 BETA 750E-6 JDOWN524JJ . Algunos comentarios acerca del programa PSpice son: Forma de la línea del componente JFET: JI 3 2 o JFET 454 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .45) y que muestra todos los nodos marcados. Línea del modelo JFET La forma general para una línea del modelo para un JFET es . 1\G Y NS son los números de nodo para el drenaje.la salida es esencialmente un circuito abierto. El archivo de descripción del circuito se lista en la figura 9. Re Con un valor de 10 Mn. PSpice (Versión DOS): DESCRIPCIÓN JFET Línea del elemento del JFET La forma general para una línea del elemento para un transistor de junta de efecto de campo es JXXXX ND NG NS MODNAME donde JXXXX es el nombre del transistor: ND.

* CIRCUIT DESCRIPTION •• *********.. el circuito de la figura 9.************** •••••••••• **. La polaridad de la batería.4 .4998 TEMPERATURE NODE VOLTAGE 27.. ::: 1".1870 NODE ( 4) VOLTAGE 0.MODEL JFET NJF VTO También es importante observar: l.~ \ 0.~ Vp i O. V CG' se proporciona al identificar una fuente de 1.PRINT Ae V(l) V(2) V(3) V(4) .249E-02 6.45.i..45 JFET amplificador para el análisis PSpice .!----i 1---.." 10 mA IOMn I. Las unidades megaohms están marcadas como MEOOHM (MEO también es apropiado).0000 VOLTAGE Nl\IIE VDD VGG TOTAL SOURCE CURRENTS C\JRRENT -3 .. 521E-ll POWER DISSIPATION AC AHALYS!S 7.249E-02 9.5 V 1 O Figura 9. 5000 ( 3)' 12.5 V desde el nodo O (positivo) al nodo S (negativo).OOOE+04 1.~' 1 -4 \' ~ + v.. \.25E-4 *.***** ••• **********.000E-02 6.81E-02 WATTS TEMPERATURE 27.000000E~06 SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION **** ( HODE 1) VOLTAGE 5) NODE ( ( 2) 6) VOLTAGE -1.02UF e2 3 4 2UF VIlO AC lOMV .AC LIN 1 leRH lOKH . 2. **** FREQ V(l) V(2) 1.000 DEG e Figura 9.==!OmV'\.5VOLTS J1 3 2 O JFET RG 2 5 10MEGOHM RO 6 3 2KOIIM RL 4 O lOMEGOfIH. el 1 2 O.. 3FET Amplifier .000 DEG C ( 0.. i 1..25E-4 .2_-----.000E-02 V(J) V(4) 1. -1 I Re IOMn 5 .V DD (+20V) o ~RD~2kQ ~ C~.15 Análisis por computadora 455 .OPTIOIlS NOPAGE .46 Salida de PSpice para..END **** Junction FET MODEL PARAMETERS JFET NJF VTO -4 BETA 625.02 .' ce ..Fixed bias = -4V BETA = 6.MOOEL JFET NJF VTO=-4V BETA-6.**** •• ** vao 6 O OC 20VOLTS VGG O 5 OC 1.uF ! 6 el ..* ••••• *.0000 20. . 907E-03 -1. Forma de la lineal del MODELO JFET (JFET MODEL): .0000 -1.

3840 21. CIRCUIT OESCRIPTION Figura 9.7K 4 O 510 5 O lOMEe el 1 2 O.47 JFET amplificador con autopolarización .6945 VOLTAGE SOURCE CURREH'l'S llAME CURRENT VDD -3. JFET Amplifier .MODEL JFET NJF VTQ=-4V SET~=6.7kfl C.2: Amplificador a JFET con autopolarización La figura 9. de tal forma que la iínea .OPTIOHS HOPAGE .3. El circuito tiene una ganancia de voltaje. V p =-4 V I vss = iOmA -1 ? Figura 9.000 OEG e }tODE VOLTA.AC UN proporciona una frecuencia de 10 kHz.000E+04 456 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .RS Sel! bias *. e.48 Salida de PSpice para el circuito de la figura 9.PRXHT ~e V(l) V(2) V(3) V(5) .** FREQ AC ANALYSIS V(l) l.354E-02 *.OOOE-Ol 1.0000 ( 2) 161. El .0000 ( 6) 30.323E-03 ~AL ?QWER DISSIP~TION ~. 3 Y 4.354E-02 l. Rs' está en desvío mediante el capacitar Cs. La figura 9. 2.* VDD 6 o OC 30V Jl RG RO RS RL 3 2 4 JFET 2 O lOMEe 6 3 4.GE ( 4) 1.0000 HaDE ( TEllPERATURE VOL'IIIGE 3) 14. 6. Programa 9. El resistor de polarización. V(4)N(l).EHD **** VTO BETA Junction FET MODEL PARAMETERS JFET HJF -4 625... Rs 5lOfl .48 proporciona la descripción del circuito +Voo (+30V) RD 4.47 es un amplificador que tiene autopolarización.OOOE-03 V(2) l.~1E-02 WATTS TEMPERA'IURE ~ 27.249.~e LXH 1 10KH 10KH .000 OEe e V(3) V(5) 1.2SE-4 .0E-06 5) 0.47.000000E-06 ••• 1I00E ( ( SMALL SIGHAL BIAS SOLU'IIOH VOL'IAGE HaDE VOL'IAGE 1) 0.lUP es C2 3 5 lOUF 4 O 20UF VIlO AC lKV .PRINT se puede utilizar para proporcionar los voltajes en ac de los nodos 1.

.000 DJIG e BODE VOUl'AGE ( ') 6..49 Amplificador polarizado '\" R..50 Salida de PSpice para el circuito de la figura 9... 1 es I4O~F .. La ganancia de voltaje se observa de V(5)N(I) = 13..4 ka . Programa 9.50 incluye el mismo modelo del transistor que en los dos circuitos previos.~IO\IS LIJI 110m '10111 AC_ _V(2) 17(4) V(3) V(5) V(l) o 1_ o V'l'O--tV BBTA-6.. self-bias •• CIRCUlT DBSat.41< Cl 1 2 0...3: JFET amplificador con polarización DC mediante divisor de voltaje La figura 9. e.TItRS l fJI' .'0000 ( 6) 20. JFET AMplifier .0001 CIIIIIUIII'1' ~ -2. --lIftA 425.499B-03 S. La línea del modelo JFET parece ser la misma que en el circuito anterior en las figuras 9..0001 0..947B-07 5..0008-03 V(2) 1..49.******* \IlID 6 O De 20V JI :J 2 . 5 .** •••••• *••• ***.000 DBG C V(5) 9.". 40Ma Rv 2.. .0000 ( 2) 4.V( 4) =.384 V. =·10 ~F Vp .45 y 9. VGS = V (2) .".46. La polarización se obtiene en VD = V(3) = 14. Jn:t al R2 RO 118 6 2: 'OIUQ 2 O lC111BG 3 6 2.5OOB-03 -.D 4 o 2.Voltaqe divider..****** ••••••••••** •••• ***. _***. JPft JI..0000 IIODE ( TBIIPI!RMtIRII - VOL'l'ME 3) 14.. _ . +VOD (+20 V) R.54.5000 27..alaDa.000000"'''' ( ( ..69 V.49 proporciona un voltaje de polarización mediante divisor de voltaje y una amplificación de Vi a Vo ' La descripción del circuito en la figura 9. con la resistencia de polarización Rs en desvío mediante el capaeitor Cs' Se observa la ganancia de voltaje de V(5)N(I) = 5.. FI'r IIODBL PARAIIE.1UF es 4 O 40UF C2 l $--_10Ur u... mediante divisor de voltaje.IP'l"ION Figura 9. AC:AKALYSlS • "(1) 1..< .00"""2 lIAftS V(4) H**. e. 10 Ma Rs 2.2 kO v.499.. lOMa R¡..l'RDT .1on.)" VI 1 AC lIlY ..15 Análisis por computadora 457 ...1.0008+04 1.. -4 v IDss"" lO mA V.en PSpice y los resultados de salida de la polarización y la operación en ae.2SS-4 •• ** 9'rO JUnct.IIIID . _ - _ 1) 5) _InGllllL· BIAS SOLUTI011 IIODB WVl'AGB 0.000&-03 TDIPDA'rURE V(3) 27. mientras que el voltaje de la compuerta a la fuente. I mV Figura 9.49!JiE-03 9. OtsBnA'rIOK $.JI(! .

.000B-03 27... Se obrerva la linea del dispositivo MOSFET.1765 ( 0.00000011:-0.lU1' IIL 5 ....000 DIIG IIOOB _ e .. ClRCOIT DESCRIP'l'IOII .51 Amplificador MOSFET incremental.*. 669B-04 1.... IIOI>I! _ "..'PRl1ft JIC VI:1. con un dispositivo MOSFET Vno (+22 V) RD 2.5) 'IOLTJIG& 1) 0. ~ 3 10 4 ~ ....) VIS) o l_ .....Programa 9. compuerta (nodo 2).52... El listado de salida muestra la polarización en VD = V(3) = 9. 296E-03 e 458 Capítulo 9 Análisís a pequeña señal del FET ..529 V Y una ganancia de voltaje de V(5)N(l) = 3..."000 DBC: V(5) 3...I'IIIPBIIM'II - ..oooB+04 1....'290 22...0000 e 2) 6) 1».52 Sa..2kO lOMO 0... AC AHALYSI8 FIIIIQ Vel) 1.ACLDI 1 1~ 10lQ1 ...25B-02 lIAT'l'S '1'BIIPBRAl'UJt - 'l'InAL POIIBR DISSIPM'lOll ..4: Amplificador MOSFET incremental La figura 9.1 ¡ti' RL lOMO FIgUra 9.*.21: :1.. fuente (nodo O) y sustrato (nodo 4). JFJS AC AIopl1fier .51 es un amplificador incremental con una entrada ac en Vi y una salida resultante Vo' La descripción del circuito en PSpice la proporciona la figura 9... Figura 9.51.. _ RnI'I BJIOSC'V'to-2V) VI 1......IIQ 2 3 1 _ ' 'lIJO 6 O DC22V a RD 3 6 2.0000 ( 'JI '.52'0 (4) VOI4'IIGB SOORCB c:tJIlRBRTS VDD -5.lida de PSpice para el circuito de la figura 9.*••••••••**..IIIIP .. 2 0...296.1111' <:2 3 5 O. SXGIIAL BUS 1IOImI0lI _ votIrAGB 27.0000 IIIIALL . ( ( -- 1 2 20..0 JlC 1JIV ..DI'l'XOIIS JIOPAGB •••• ~IIODBL_ _.. conectado desde el drenaje (nodo 3).. MI 3 2 O 4 ~T la cual identifica el elemento como un dispositivo MOSFET (MI)......

36 mA. El archivo de salida resultante se muestra en la figura 9. el cual es en esencia -180".7k e2 AC=ok MAG=ok PHASE=ok Ae=ok MAG=ok PHASE=ok RL 10Meg 0. El ángulo de la fase es de -179.PHASE=ok 4. Nótese que VTO es -4 V Y que BETA es 625E-6 = 6. VI lmV lOMeg Figura 9. Luego se selecciona la edición del modelo únicamente para la utilización momentánea (Model y Edit Instanee Model) y aparecerá el Model Editor. El listado del modelo indica que la corriente de drenaje en de (ID) es de 3.15 Análisis por computadora 459 . el cual corresponde de cerca con el nivel calculado de 3.9°.47. el cual corresponde muy bien con los 2.1 uF RG '\.9° (= 90°). RO VOO el -r 30V Ae=ok MAG=ok . Luego OK y se está listo para el análisis (Analysis-Simulate).999 mV (= 1 mV) a 0.32 mA.94 mS.47. Para incluir el hecho de que lDSS = 10 mA y V p = -4 V debe cambiarse la descripción del modelo proporcionado al oprimir (sólo una vez) primero el dispositivo en el esquema y luego tomar la opción Edit del listado del menú.slb dentro de la caja de diálogo Get Par!. nótese que gm está listado como 2.25E-4.25E-4. El voltaje de ac a través de Rs es en esencia de OV. También.54 mV del análisis DOS.54..MODEL NFET NMOS (VTO = 2V) proporciona la especificación de que el MOSFET incremental tiene un voltaje de umbral de VTO = VGS(Th) = 2 V.001 ° (= 0°) y el voltaje a través de la resistencia Rs es de 2.. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Ahora se aplicará la versión para Windows de PSpice para la red de la figura 9.88 mS calculados de la siguiente manera: El voltaje de salida (en el nodo 5) tiene una magnitud de 13. 9.53 Investigación mediante Windows de la red de la figura 9. La señal aplicada (en el nodo 1) es de 0.53 aparecerán una vez que se haya completado la simulación. Los niveles de en los puntos de observación (VIEWPOINTS) de la figura 9.25)1V a -89. Oprimir en Vto y cambiar a -4 V seguido por Beta que debe ser ahora de 6. La línea del modelo del dispositivo . como debe ser en el caso que el capacitar esté desarrollando su papel de forma adecuada. de la cual se obtiene la configuración de la figura 9. +r---------.53.31 mV comparado con los 13. Se observa en este caso que se incluyen los tres símbolos de impresora para imprimir la salida de los voltajes de entrada y de salida así como el voltaje de ac a través del resistor Rs' La inicialización de la fuente de ac a sus niveles prescritos se describe con detalle en la sección correspondiente del capítulo 8.de canal-n (NFET). El JFET de canal-n J2N3819 está incluido en la biblioteca eval.

......-12 .........cZ-OS -8. """" V -- 27.. QID m Dm" •••• AC AllU....000• ...15 '322 •• 000001l-15 3U..2040 .. ..5000008-03 -.600000B-12 2.....'1'CI! Kl' • 33.... " .........00 -3......"1&+01 Figura 9.lF 11ft" -4 625..0000 1. """ GIl IIODI!L ..hU Junct:ion f'ET IIOOEL PIIWG"l'BRS •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• •••••••••••• .0000008-06 ~. 3622 -2.o....5 9.....4....... 000 1...._ ...414000.3819-X JI.Zs.~500oaa-ol VI< as ces RI> COI> V'I'O'1'C .. .1""0002-18 .570000..... 460 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET ............71011 0.YSIS ~....3618-03 •••• JPftS ..6 1 1 1. UIIGIDIL lB XSIt ALPIIA J'Z......0000 1.....000 0......0045 0... 27 ....0000 30......54 Archivo de salida para el análisis Windows de la red de la figura 9..7 243.000&+04 2...53.

uS. Calcule gmo PROBLEMAS IDSS para un JFET que tiene los parámetros de dispositivo IDss:= 15 mA. Y" = 25 ¡iS Para la comente drenaje-fuente listada. y la ganancia de voltaje ideal del dispositivo. AJFET).56: a) ¿Cuáles el valor de Tdpara Ves = O V? b) ¿. ¿Cuál es el valor de gm para dicho punto polarizado? 7. V p = -3 V) en un punto de polarización de 5.55: a) ¿Cuál es el valor de gmO? b) Detennine gráficamente gm cuando Ves == -1. Determine el valor de gro para un JFET (IDSS = 8 mA. Para un JFET que tieneg m = 6 mS en VesQ =-1 V. e) ¿Cuál es el valor de gm cuando V esQ = -1. Vp := -5 V) cuando está polarizado en VesQ = V¡l4.5 V? 6. detennine la impedancia de salida del dispositivo. e) ¿Cuál es el valor de g".Cuál es el valor de gmo cuando V DS := 10 V? Problemas 461 .55 Características de transferencia del JFET para el problema 11. = 12 mA. Vp:= -5 V) está polarizado cuando 1D:= 1DS5 / 4. ¿cuál es el valor de IDSS si Vp ==-2. Determine el voltaje de corte de un JFET con gmo = 10 ruS e 3. Una hoja de especificaciones proporciona los siguientes datos (como una lista de corriente drenaje-fuente) Yj' = 4. cuando VeSQ = -2. determine: a) gm' b) 'd' 9. Si un JFET que tiene un valor específico de Td :::: 100 ideal de A/FET):= -200. Un JFET (lDSS:= 10 mA.5 V. 10. Zo(FET). Vp = -5 V.5 mS.5 V. pero las prioridades necesitan que se deje el ejercicio al lector. 12. Calcule el valor de gm para un JFET Ves =-1.6)? Compárela con la solución del inciso d. ¿cuál es el valor de gm? ka tiene también una ganancia de voltaje 11.Mediante el uso de Probe (como se describió en la sección correspondiente del capítulo 8) las fonnas de onda reales se pueden mostrar.5 V utilizando la ecuación (9.6)? Compárela con la solución del inciso b. § 9. d) Detennine gm gráficamente cuando Ves := -2. Para un JFET cuyos parámetros de dispositivo son gmo = 5 roS y V p = -3. 8. (lDSS = 12 roA. Para un JFET que posee los valores espedficos dey/s:= 4. Utilizando las características de drenaje de la figura 9. Utilizando las características de transferencia de la figura 9. ¿cuál es la corriente del dispositivo cuando Ves = O V'! 4.5 mS e Yos:= 25 . ID (mA) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 -5 -4 -3 -2 -1 o VGS (V) Figura 9. 2.5 V.5 V utilizando la ecuación (9.2 Modelo de pequeña señal del FET 1.

. z.(núnimo) = 750 liS. § 9.5 Y +T "=' Figura 9.57 si 1DSS = 12 mA.gm D (mA) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 o 2 3 4 5 6 7 8 9 JO II 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Figura 9. Vp = --6 V YYos = 40 ¡. 16. 1. Vp = -4 V. b) Grafique gm en función de ID para el mismo JFET de canal-n del inciso a. 13. 18.S. Detennine Z¡. Para un JFET de canal·n 2N4220 (y¡. y.56 Características de drenaje del JFET para el problema 12. a) Grafique gm en función de VGS para un JFET de canal-n con 1DSS = 8 mA Y V p = --6 V. VGSQ::: -2 V e Yos = 25 liS.57 Amplificador con polarización fija para los problemas 17 y 18. Vp = -4 V Y 'd = 40 ka.8kn !------If---<> V. Dibuje el modelo equivalente para un JFET si )js = 5. ZQ y Av para la red de la figura 9. Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .57 si IDSS = 10 mA.1S.(máximo) = 10 liS): a) ¿Cuál es el valor de gm? b) ¿Cuáleselvalorcterd ? 14.6 mS e Yos = 15 J. Calcule Z¡. Dibuje el modelo equivalente de ac para un JFET si 1DSS = 10 mA.. 20 +\8V 1. 17. 462 IMn -"=" z. 15.3 Configuración de polarización fija para el JFET y Av para la red de la figura 9.

gura 9.3 kn 2kn -Z. 22. 26y48. 24. Calcule Z¡. 20 y Vo para la red de la figura 9. F"lgura 9. 20.IIMil Rs 6JOil F.60 si Vi = 20 rnV y se elimina el capacitor Cs· 25. 1 Mil fIgUra 9.60 Problemas 23. Detennine Z¡. Repita el problema 19 si Yos = 10 pS.58 Problemas 19. 21.l kil ¡ 20¡J. Vp == --6 V e Yos = 40 /lS.58 si se elimina el capacitor de 20 J1F Y los parámetros de la red son los mismos que en el problema 19. Calcule Z¡. Compare los resultados con el problema 19. 24.Q Vi -Zi o-----}I---+---I. +12V 20V 3.58 si Yfs = 3000 f1S e Y05 = 50 JiS.Z. 25. Problemas 463 .59 si 1DSS = 6 mA.F -Z. 26.5 Configuración de divisor de voltaje para el JfET 23. Zo y A.o para la red de la figura 9. 21 Y 46. Zo y Av para la red de la figura 9.4 Configuración de autopolari2'ación para el JFET 19. Repita el problema 23 si r¿ = 20 kQ Y compare los resultados. Detenrune 2i' Zo y V o para la red de la figura 9. JO Mil J. Detennine Zj' Zo y Av para la red de la figura 9. . § 9.60 si Vi = 20 mY. Elabore nuevamente el problema 24 si r d = 20 U2 y compare los resultados.59 Configuración con autopolarización para los problemas 20 y 47. Compare los resultados con el problema 19. +20 V 2kn 82 Mil I DSS = 12rnA Vp =-3 V Td = lOOk.§ 9.

Calcule Vo para la red de la figura 9. 20 y Av para la red de la figura 9. 31 Y49. Calcule Zi' Zo y Av para la red de la figura 9.62.3 kO 91 MO 2. <>--tt---. Detennine Z¡