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Electronic A Teoria de Circuitos 6 Ed Boylestad

Electronic A Teoria de Circuitos 6 Ed Boylestad

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  • 1.1 INTRODUCCIÓN
  • 1.2 EL DIODO IDEAL
  • 1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES
  • 1.4 NIVELES DE ENERGÍA
  • 1.5 MATERIALES EXTRÍNSECOS: TIPO n Y TIPO p
  • 1.6 Diodo semiconductor 15
  • 1.7 Niveles de resistencia 21
  • 1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS
  • 1.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS
  • 1.10 CAPACITANCIA DE TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN
  • 1.11 TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO
  • 1.12 NOTACIÓN DE DIODOS SEMICONDUCTORES
  • 1.13 PRUEBA DE DIODOS
  • 1.14 DIODOS ZENER
  • 1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ
  • 1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS INTEGRADOS
  • 1.17 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 2.1 INTRODUCCIÓN
  • 2.2 ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA
  • 2.3 APROXIMACIONES DE DIODOS
  • 2.4 CONFlGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DE DC
  • 2.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO
  • 2.6 COMPUERTAS ANDjOR
  • 2.7 ENTRADAS SENOIDALES; RECTIF1CACIÓN DE MEDIA ONDA
  • 2.8 RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA
  • 2.9 RECORTADORES
  • 2.10 CAMBIADORES DE NIVEL
  • 2.11 DlODOSZENER
  • 2.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
  • 2.13 ANÁUSIS POR COMPUTADORA
  • 3.1 INTRODUCCIÓN
  • 3.2 CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES
  • 3.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
  • 3.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
  • 3.5 ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
  • 3.6 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN
  • 3.7 CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN
  • 3.8 LÍMITFS DE OPERACIÓN
  • 3.9 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES
  • 3.10 PRUEBA DE TRANSISTORES
  • 3.11 ENCAPSULADO DE TRANSISTORES E IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES
  • 3.12 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 4.1 INTRODUCCIÓN
  • 4.2 PUNTO DE OPERACIÓN
  • 4.3 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA
  • 4.4 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADO EN EMISOR
  • 4.5 POLARIZACIÓN POR DMSOR DE VOLTAJE
  • 4.6 POLARIZACIÓN DE DC POR RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE
  • 4.7 DIVERSAS CONFlGURACIONES DE POLARIZACIÓN
  • 4.8 OPERACIONES DE DISEÑO
  • 4.9 REDES DE CONMUTACIÓN DE TRANSISTORES
  • 4.10 TÉCNICAS PARA LA LOCAUZACIÓN DE FALLAS
  • 4.11 TRANSISTORES PNP
  • 4.12 ESTABILIZACIÓN DE lA POlARIZACIÓN
  • 4.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 5.1 INTRODUCCIÓN
  • 5.2 CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET
  • 5.3 CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA
  • 5.4 HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFE1)
  • 5.5 INSTRUMENTACiÓN
  • 5.6 RELACIONES IMPORTANTES
  • 5.7 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
  • 5.8 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
  • 5.9 MANEJO DEL MOSFET
  • 5.10 VMOS
  • 5.11 CMOS
  • 5.12 TABLA RESUMEN
  • 5.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 6.1 INTRODUCCIÓN
  • 6.2 CONFlGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
  • 6.3 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
  • 6.4 POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE
  • 6.5 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
  • 6.6 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
  • 6.7 TABLA RESUMEN
  • 6.8 REDES COMBINADAS
  • 6.9 DISEÑO
  • 6.10 LOCAUZACIÓN DE FALLAS
  • 6.11 FET DE CANAL-P
  • 6.12 CURVA UNIVERSAL DE POLARIZACIÓN PARA JFET
  • 6.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 7.1 INTRODUCCIÓN
  • 7.2 AMPUFlCACIÓN EN EL DOMINIO DE AC
  • 7.3 MODELAJE DE TRANSISTORES BJT
  • 7.4 LOS PARÁMETROS IMPORTANTES:
  • 7.5 EL MODELO DE TRANSISTOR re~
  • 7.6 EL MODELO HÍBRIDO EQUIVALENTE
  • 7.7 DETERMINACIÓN GRÁFICA DE LOS PARÁMETROS h
  • 7.8 VARIACIONES DE LOS PARÁMETROS DE TRANSISTORES
  • 7.9 ANÁLISI5g0R COMPUTADORA
  • 8.1 INTRODUCCIÓN
  • 8.2 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA
  • 8.3 POlARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE
  • 8.4 CONFIGURACIÓN DE E-C CON POLARIZACIÓN EN EMISOR
  • 8.5 CONFIGURACIÓN EMISOR-SEGUIDOR
  • 8.6 CONFlGURACIÓN DE BASE COMÚN
  • 8.7 CONFlGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN EN COLECTOR
  • 8.8 CONRGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN DE DC EN COLECTOR
  • 8.9 CIRCUITO EQUIVALENTE HÍBRIDO APROXIMADO
  • 8.10 MODELO EQUIVALENTE HÍBRIDO COMPLETO
  • 8.11 TABLA RESUMEN
  • 8.12 SOLUCIÓN DE PROBLEMAS
  • 8.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 9.00E+01
  • 9.1 INTRODUCCIÓN
  • 9.2 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL FET
  • 9.3 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA PARA EL JFET
  • 9.4 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN PARA EL JFET
  • 9.5 CONF1GURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL JFET
  • 9.6 CONFlGURACIÓN FlJENTE-SEGUIDOR (DRENAJE COMÚN) PARA EL JFET
  • 9.7 CONFlGURACIÓN DE COMPUERTA COMÚN PARA EL JFET
  • 9.8 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
  • 9.9 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
  • 9.10 CONflGURACIÓN DE RETROALIMENTACIÓN EN DRENAJE PARA EL EMOSFET
  • 9.11 CONFIGURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL EMOSFET
  • 9.13 TABLA RESUMEN
  • 9.14 SOLUCIÓN DE PROBLEMAS
  • 9.15 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 10.1 INTRODUCCIÓN
  • 10.2 SISTEMAS DE DOS PUERTOS
  • 10.3 EFECTO DE LA IMPEDANCIA DE CARGA Ql.J
  • 10.5 EFECTO COMBINADO DE Rs y R
  • 10.6 REDES BJT DE CE
  • 10.7 REDES EMISOR-SEGUIDOR
  • 10.8 REDES eB
  • 10.9 REDES FET
  • 10.10 TABLA RESUMEN
  • 10.11 SISTEMAS EN CASCADA
  • 10.12 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 11.2 LOGARITMOS
  • 11.3 DECIBELES
  • 11.4 CONSIDERACIONES GENERALES SOBRE LA FRECUENCIA
  • 11.5 ANÁLISIS A BAJA FRECUENCIA, GRÁRCA DE BODE
  • 11.6 RESPUESTA A BAJA FRECUENCIA, AMPUFICADOR BJT
  • 11.7 RESPUESTA A BAJA FRECUENCIA, AMPLIFICADOR FET
  • 11.8 CAPACITANCIA DE EFECTO MILLER
  • 11.9 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA, AMPLIFICADOR BJT
  • 11.11 EFECTOS DE FRECUENCIA EN MULTIETAPAS
  • 11.12 PRUEBA DE ONDA CUADRADA
  • 11.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 12.1 INTRODUCCIÓN
  • 12.2 CONEXIÓN EN CASCADA
  • 12.3 CONEXIÓN CASCODE
  • 12.4 CONEXIÓN DARLINGTON
  • 12.5 PAR RETROALlMENTADO
  • 12.6 CIRCUITO CMOS
  • 12.7 CIRCUITOS DE FUENTE DE CORRIENTE
  • 12.8 ESPEJO DE CORRIENTE
  • 12.9 CIRCUITO DE AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
  • 12.10 CIRCUITOS DE AMPLIFICADOR DIFERENCIAL BiFET, BiMOS
  • 12.11 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
  • 13.1 INTRODUCCIÓN
  • 13.2 MATERIALES SEMICONDUCTORES, Si, Ge y GaAs
  • 13.3 DIODOS DISCRETOS
  • 13.4 FABRICACIÓN DE TRANSISTORES
  • 13.5 CIRCUITOS INTEGRADOS
  • 13.6 CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLÍTICOS
  • 13.7 EL CICLO DE PRODUCCIÓN
  • 13.8 CIRCUITOS INTEGRADOS DE PELÍCULA DELGADA Y PEÚCULA GRUESA
  • 13.9 CIRCUITOS INTEGRADOS HÍBRIDOS
  • 14.1 INTRODUCCIÓN

ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS

6 Polarización de FET Polarización fija: Vas = -Vaa . Vos = Voo - IJio: autopolarización: Vas = -IJis' Vos = Voo Io(Rs + Ro)' Vs = IsRs: divisor de voltaje: Va = R, Vool(R, + R,), Vas = Va - IJis' Vos = Voo - lo(Ro + R): MOSFET incremental: ID == k(VGS - VGS(Th» 2 , k == 1D(encendido)/(VGS(encendido) - VGS(Th»2; polarización por retroalimentación: VDS =VGS' Vas = Vr¡o- loRD: divisor de voltaje: Va =R,Vool(R, + R,). VGS = VG-1oRs: curva universal: m = 1V p 1IlossRs' M = m x vall Vp 1, Va =R, Vool(R, + R,) ModeJaje de transistores bipolares Z,= Y,Jl,,l, = (V, - V,)/R""",,,lo = (V, - V) IR""",,,ZO = V)Io,A,= V)V,.A" = + Rs)' A¡ == -AvZJRL' re == 26 mV/lé base común: Z¡ == re,Zo ::::: 00 n,Av ::::: R¿fre' A¡ :::: -1; emisor común: Z¡ = fjre• Zo ro' Av = -R{Jre' A¡ :::: f3, h ie = f3r e, hft! == f3ac ' h ib == Te' hfb = -a. 7
Z¡Av~L /(Z¡

=

8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar Emisor común: A, = -Reir,. Z, = RBIIf3r,. Zo = Re. A, = f3: divisor de voltaje: R' = R,I\R,. A, = -Re Ir,. Z, = R'1If3r,. Zo = Re: polarización en emisor: Zb = f3(r, + RE) = f3R"A,. = -f3Re IZb = -RJ (r, + RE) = -ReiRé emisor seguidor: Zb = f3(r, + RE)' A, = l. Zo = r,: base común: A, = Reir,. Z, = REllr,. Zo = Re: retroali-' mentación en colector: A, =-Reir,. Z, = f3r,IIR F/I A,I. Zo = ReIIRe: retroalimentación de de en colector: A, =-(RF.IIRe)/r" Z, = RF, lIf3r,. Zo = RclIRF,: parámetros híbridos: A, = h¡(l + hoRL). A, = -h¡RJ[h, + (h,h o - h¡h,)RLl. Z, = h, - h¡h/?LI(l +

hoRL)' Zo = l/[h o - (h¡h/(h, + R,»]

.

9 Análisis a pequeña señal del FET gm = gmo(l - VGSIVp). 8 mo =2loss lJVpl: configuración básica: A, =-gmRO: resistencia de fuente sin desvío: A, -gmROI(1 + gmRS): seguidor de fuente: A, = gmRs/(l + gmRS): compuerta común: A, =

=

gm(Rollr)
10 Aproximacíónalossistemas:efectodeR,yRL BJT:A v =RLA VNL I(RL+R o).A.=-A v<-'¡ L• V=RVj(R.+R): 7./R I I l i S polarización fija: A, = -(RcIlRL)/r,. A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = f3r,. Zo = Re: divisor de voltaje: A,. = -(RcIlRL)/r,. A" = Z¡A) (Z, + R,). Z, = R,IIRzllf3r,.Z, = Re: polarización en emisor: A, = -(RclIRL)/R" A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = RBIlf3RE'Zo = Re: retroalimentación en colector: A, = -(RcIlRL)lr,. A" = Z,A,/(Z, + R,). Z, f3r,lIRF/IA). Z, RclIRF: emisor seguidor: R~ = REIIRL' A,. = R~(R~ + r,), A" = R~/(R~ + R/f3 + r,l. Z, = RB Ilf3(r, + R~). Zo = REIICR/f3 + r,): base común: A, = (RelIRL)lr,. A, = -l. Z, = r,.Zo = Re: FET: con desvío R,: A, = -gm(RoIIRL). Z, = RG'Zo = Ro: sin desvío Rs: A, = -gm(RoIIRL)/(l + gmRS)' Z, = RG,Zo =RD : seguidor de fuente: A, = gm(RsIIRL)/[1 + gm(RsIIRL)], Z, =RG'Zo = Rsllrdll1lgm; compuerta común: A.. = gm(RDIIRL). ZI = Rslll/gm • Zo = Ro: en cascada: A lir = A VI . A \12 . A \13 .. ' A11. ,AIr = ±A\Ir Z11 IR L '
w

=

=

ECUACIONES IMPORTANTES

1 Diodos semiconductores W = QV, I eV = 1.6 x 10-'9 J,lD ID' r" =I!.V/Md , PD =VdD , Te =I!.V/[V,(T,- To )] x 100% 2 Aplicaciones de diodos
VBE = VD

=1,(e kV ff,
D

-

1), RDC = VDIID, r d = I!.V/Md = 26 mVl

=0.7 V; media onda: Vdo =0.318Vm; onda completa: Vdo =0.636Vm

4 Polarización en dc-BJT En general: VBE = 0.7 V, Ic = lE' Ic =f31B; polarización fija: lB =(Vcc- VBE)/RB, VCE = Vcc-lcRc- Ic~ = Vcc'Ró estabilizada en emisor: lB = (Vcc- VBE)/(RB + (13+ I)R E), R¡= (13+ I)RE' VCE = Vcc-I¿"Rc+ RE),ICw =V cc/(R e + RE); divisor de voltaje: exacto: RTh =R, 11 R2, ETh =R2Veel(R, + R2), lB =(ETh - VBE)I(R Th + (13 + l)R E), VeE = Vcc-I¿"Rc + RE)' aproximado: VB =R2Vee /(R, + R2), f3RE ? IOR2, VE =VB- VBE' Ic = lE V¡;IRé por retroalimentación de voltaje: lB = (Vee- VBE)/[R B + f3(R e + RE)]; base común: lB = (VEE - VBE)/Ré conmutación de transistores: le,,,,,"do =t, + Id' I,p, ,do =1, + 1 ; estabilidad: S(leo) =Me/Meo; polarización fija: S(leo) =13 + 1; 1 polarización en emisor: S(leo) = (~+ 1)(1 + RIRE)/(l + 13 + RIRE); divisor de voltaje: S(lco) = (13 + 1)(1 + RnfRE)/(l + 13 + RnfRE); polarización por retroalimentación: S(lco) = (13 + 1)(1 + R/Rc)/(l + 13 + RB/Re), S(VBE) = M¿I!.VBé polarización fija: S(VBE) = -/3IRB; polarización en emisor: S(VBE) = -/3I[RB + (13 + l )RE]; divisor de voltaje: S(VBE) = -/3I[RTh + (13 + I)R E]; polarización por retroalimentación: S(VBE) =-/3I(R B+ (13+ I)R e), S(f3J =M e/l!..f3; polarización fija: S(f3J =le,lf3,; polarización en emisor: S(f3J = Ic,o + RBIR E)/[I3,(I + 13 2 + RBIRE)]; divisor de voltaje: S(f3J = le,o + RTh IR E)/[f3¡(l + 132 + _ RTh/RE)]; polarización por retroalimentación: S(f3J = Ic,(RB + Rc )/[f3,(RB + R¿"I + 132 ))], Me = S(lco) Meo + S(VBE) I!.VBE + S(f3J I!.f3

=

5 Transistores de efecto de campo I G =OA, ID =IDSS(l- VGS /Vp)2, ID =Is' VGs = Vp(l- V/D/IDSS )' ID = I DSS /4 (si VGS = Vp /2), ID =I DSs'2 (si VGS = O.3Vp), PD =VDSI D' ID =k(VGS - VT)2

ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS
Sexta edición

Robert L. Boylestad Louis Nashelsky

TRADUCCIÓN:

Juan Purón Mier y Terán
Profesor de asignatura en el Depto. de Matemáticas, Universidad Iberoamericana, Profesionista en Sistemas CAD, GIS

Sergio Luis María Ruiz Faudón
Analista de Sistemas Traductor Profesional REVISIÓN TÉCNICA:

M. en e.Agustín Suárez Fernández
Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad Autónoma Metrópolitana-Iztapalapa

Pearson Educación

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MÉXICO· ARGENTINA· BRASIL· COLOMBIA' COSTA RICA' CHILE ESPAÑA· GUATEMALA' PERÚ' PUERTO RICO· VENEZUELA

EDICIÓN EN INGLÉS
Editor: Dave Garza Developmental Editor: Carol Hinklin Robison Production Editor: Rex Davidson Cover Designer: Brian Deep Production Manager: Laura Messerly Marketing Manager: Debbie Yarnell 1l1ustrations: Network Graphics

BOYLESTAD I ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS, 6a. Ed.
Traducido del inglés de la obra: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, SIXTH EDlTlON. Al! rights reserved. Authorized translation from English language edition published by Prentice-Hall, Ine. A Simon & Sehuster Company. Todos los derechos reservados. Traducción autorizada de la edición en inglés publicada por Prentince-Hall, Inc. A Simon & Sehuster Company. Al! rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage and retrieval system, without permission in writing from the publisher. Prohibida la reproducción total o parcial de esta obra, por cualquier medio o método sin autorización por escrito del editor.
D~rechos reservados © 1997 respecto a la cuarta edición en español publicada por

Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Calle 4 Nl 2S·2º piso Fracc. Ind. Alce Blanco, Naucalpan de Juárez, Edo. de México, c.P. 53370

ISBN 968-880-805-9
[J

Miembro de la Cámara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Núm. 1524. Original English Language Edition Published by Prentice-Hall, Inc. A Simon & Schuster Company. Copyright © MCMXCVl AH rights reserved ISBN 0-13-375734-X IMPRESO EN MÉXICO/PRINTED IN MEXICO
F'ROGRAMo\S EDUCATIVOS. S.A. DE e,v CAl.Z. CHABACANO No, 1;6. LOCAl. A

COL ASruRlAS,DELEG. CUAUHTEUQC, C,P. OOBSQ,IIEX\CO, D.f.
eMPRESA CeRTIFICADA POR EL INSTlTUTO MEXICANO DE NORMAliZACIÓN

'iC~~II_C_, SAJOL/I NCI\Wo.

150-S002: 19941NMX.cc-004: 1995
CON El No. DE REGISTRO RSc-G'6

[J

Dedicado a

ElSE MARIE, ERlC, ALISON, MARK y KELCY; STACEY y DOUGLAS; JOHANNA

ya
KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY, JUSTIN Y PATIT

Contenido
PREFACIO AGRADECIMIENTOS
xvii
xxi

1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
1.7

DIODOS SEMICONDUCTORES
Introducción 1 El diodo ideal 1 Materiales semiconductores 3 Niveles de energía 6 Materiales extrínsecos: tipo n y tipo P 7 Diodo semiconductor 10 Niveles de resistencia 17 Circuitos equivalentes para diodos 24 Hojas de especificaciones de diodos 27 Capacitancia de transición y difusión 31 Tiempo de recuperación inverso 32 Notación de diodos semiconductores 32 Prueba de diodos 33 Diodos Zener 35 Diodos emisores de luz 38 Arreglos de diodos: circuitos integrados 42 Análisis por computadora 44

1

1.8 1.9 1.10 1.11 1.12 1.13 1.14
1.15 1.16 1.17

ix

2
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10 2.11 2.12 2.13

APUCACIONFS DE DIODOS
Introducción 53 Análisis mediante la recta de carga 54 Aproximaciones de diodos 59 Configuraciones de diodos en serie con entradas dc 61 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 66 Compuertas ANDtOR 69 Entradas senoidales; rectificación de media onda 71 Rectificación de onda completa 74 Recortadores 78 Cambiadores de nivel 85 Diodos Zener 89 Circuitos multiplicadores de voltaje 96 Análisis por computadora 99

53

3
3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 3.10 3.11 3.12

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
Introducción 114 Construcción de transistores 115 Operación del transistor 115 Configuración de base común 117 Acción amplificadora del transistor 121 Configuración de emisor común 122 Configuración de colector común 129 Límites de operación 130 Hoja de especificaciones de transistores 132 Prueba de transistores 136 Encapsulado de transistores e identificación de terminales 138 Análisis por computadora 140

114

4
4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 4.11 4.12 4.13

POLARIZACIÓN DE DC-BJT
Introducción 144 Punto de operación 145 Circuito de polarización fija 147 Circuito de polarización estabilizado en emisor 154 Polarización por divisor de voltaje 158 Polarización de dc por retroalimentación de voltaje 166 Diversas configuraciones de polarización 169 Operaciones de diseño 175 Redes de conmutación con transistores 181 Técnicas para la localización de fallas 186 Transistores pnp 189 Estabilización de la polarización 191 Análisis por computadora 200

144

x

Contenido

5
5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 5.10 5.11 5.12 S.13

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Introducción 215 Construcción y características de los JFET 216 Características de transferencia 223 Hojas de especificaciones (JFET) 227 Instrumentación 230 Relaciones importantes 231 MOSFET de tipo decremental 238 MOSFET de tipo incremental 238 Manejo del MOSFET 246 VMOS 247 CMOS 248 Tabla resumen 250 Análisis por computadora 251

215

6
6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9 6.10 6.11 6.12 6.13

POLARIZACIÓN DEL FET
Introducción 256 Configuración de polarización fija 257 Configuración de autopolarización 261 Polarización mediante divisor de voltaje 267 MOSFET de lipa decremental 273 MOSFET de tipo incremental 277 Tabla resumen 283 Redes combinadas 285 Diseño 288 Localización de fallas 290 FET de canal-p 291 Curva universal de polarización para JFET 294 Análisis por computadora 297

256

7
7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9

MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES
Introducción 311 Amplificación en el dominio de ac 311 Modelaje de transistores EJT 312 Los parámetros importantes: Z;, Zo' A~, A; 314 El modelo de transistor r, 320 El modelo híbrido equivalente 327 Determinación gráfica de los parámetros h 333 Variaciones de los parámetros de transistores 337 Análisis por computadora 339

311

Contenido

xi

6 9.) 475 Efecto combinado de R.5 10.2 8.1 10.10 10.7 8.11 8.2 10.3 lOA 10.13 ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR Introducción 346 Configuración de emisor común con polarización fija 346 Polarización mediante divisor de voltaje 350 Configuración de E-C con polarización en emisor· 353 Configuración emisor-seguidor 360 Configuración de base común 366 Configuración con retroalimentación en colector 368 Configuración con retroalimentación de dc en colector 374 Circuito equivalente híbrido aproximado 377 Modelo equivalente híbrido completo 383 Tabla resumen 390 Solución de problemas 390 Análisis por computadora 393 346 9 9.2 9.1 9.9 8.9 10.8 8.6 8.1 8.14 9.8 10.7 10.9 9.11 lU2 APROXIMACIÓN A LOS SISTEMAS: EFECTOS DE Rs y RL Introducción 468 Sistemas de dos puertos 468 Efecto de la impedancia de carga (RJ 470 Efecto de la impedancia de la fuente (R.4 8.5 8. YRL 477 Redes BIT de CE 479 Redes emisor-seguidor 484 Redes CB 487 Redes FET 489 Tabla resumen 492 Sistemas en cascada 496 Análisis por computadora 497 468 xii Contenido .12 8.12 9.8 9.3 ·9A 9.6 10.13 9.3 8.10 9.7 9.8 8.5 9.15 ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL FET Introducción 415 Modelo de pequeña señal del FET 416 Configuración de polarización fija para el IFET 424 Configuración de autopolarización para el JFET 426 Configuración de divisor de voltaje para el JFET 432 Configuración fuente-seguidor (drenaje común) para el JFET 433 Configuración de compuerta común para el JFET 436 MOSFET de tipo decremental 440 MOSFET de tipo incremental 442 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 443 Configuración de divisor de voltaje para el EMOSFET 446 Cómo diseñar redes de amplificador FET 447 Tabla resumen 450 Solución de problemas 453 Análisis por computadora 453 415 10 10.11 9.10 8.

1 13.11 11.8 Circuito de amplificador diferencial 582 12.3 Conexión cascade 565 Conexión Darlington 566 12.9 12.1 Introducción 560 Conexión en cascada 560 12.10 11.7 13.13 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE TRANSISTORES BJT Y JFET Introducción 509 Logaritmos 509 Decibeles 513 Consideraciones generales sobre la frecuencia 516 Análisis a baja frecuencia.2 12. Si.3 13A 13. amplificador a BIT 524 Respuesta a baja frecuencia. amplificador FET 533 Capacitancia de efecto MiIler 536 Respuesta a alta frecuencia.9 11. BiMOS y CMOS 590 12.1 11.2 11. amplificador FET 546 Efectos de frecuencia en multietapas 550 Prueba de onda cuadrada 552 Análisis por computadora 554 509 12 CONFlGURACIONES COMPUESTAS 12. Ge y GaAs 607 Diodos discretos 609 Fabricación de transistores 611 Circuitos integrados 612 Circuitos integrados monolíticos 614 El ciclo de producción 617 Circuitos integrados de película delgada y película gruesa 626 Circuitos integrados híbridos 627 607 Contenido xiii .9 TÉCNICAS DE FABRICACIÓN DE CIRCUITOS DISCRETOS E INTEGRADOS Introducción 607 Materiales semiconductores.6 13.10 Circuitos de amplificador diferencial BiFET.12 11.11 11. amplificador BJT 539 Respuesta a alta frecuencia.4 11. gráfica de Bode 519 Respuesta a baja frecuencia.6 11.3 11.6 Circuitos de fuente de corriente 577 12.5 Circuito CMOS 575 12.2 13.8 11.5 13.5 11.8 13.7 11.7 Espejo de corriente 579 12.4 Par retroalimentado 571 12.11 Análisis por computadora 591 560 13 13.

3 17A 17.2 16.4 16.3 ISA 15.8 CI UNEALES/DIGITALES Introducción 741 Operación del comparador 741 Convertidores analógicos-digitales 748 Operación del el temporizador 752 Oscilador controlado por voltaje 755 Lazo de seguimiento de fase 758 Circuitos de interfaz 762 Análisis por computadora 765 741 18 xiv 18.5 16.2 15.5 15.9 AMPUFlCADORES DE POTENCIA Introducción: definiciones y tipos de amplificadores 701 Amplificador clase A alimentado en serie 703 Amplificador acoplado con transfonnador élase A 708 Operación del amplificador clase B 715 Circuitos de amplificador clase B 719 Distorsión del amplificador 726 Disipación de calor del transistor de potencia 730 Amplificadores clase C y clase D 734 Análisis por computadora 736 701 17 17.2 17. parámetros de desvío de dc 644 Especificaciones de parámetros de frecuencia 647 Especificaciones para una unidad de amplificador operacional 651 Análisis por computadora 657 628 15 15.8 16.1 15.5 17_6 17.5 14.4 14.1 16.1 14.3 16.6 16.6 15.1 18.7 APUCACIONES DEL AMPUFlCADOR OPERACIONAL Multiplicador de ganancia constante 669 Suma de voltajes 673 Acoplador de voltaje 676 Fuentes controladas 677 Circuitos de instrumentación 679 Filtros activos 683 Análisis por computadora 687 669 16 16.8 AMPUFlCADORES OPERACIONALES Introducción 628 Operación en modo diferencial y en modo común 630 Amplificador operacional básico 634 Circuitos prácticos con amplificadores operacionales 638 Especificaciones.2 14.7 17.1 17.2 CIRCUITOS CON RETROAUMENTACIÓN y OSCILADORES Conceptos de retroalimentación 773 Tipos de conexión de retroalimentación 774 773 .7 16.7 14.3 14.14 14.6 14.

11 21.13 21.6 Fotodiodos 846 20.4 19.3 DISPOSITIVOS pnpn Introducción 864 Rectificador controlado de silicio 864 Operación básica del rectificador controlado de silicio 864 Características y valores nominales del SCR 867 Construcción e identificación de terminales del SCR 869 Aplicaciones del SCR 870 Interruptor controlado de silicio 874 Interruptor controlado en compuerta 876 SCR activado por luz 877 Diodo Shockley 880 DIAC 880 TRIAC 882 Transistor monounión 883 Fototransistores 893 Optoaisladores 895 Transistor monounión programable 897 864 21A 21.3 19.2 21.11 Termistores 859 21 21.18.1 19.12 21.10 21.7 FUENTES DE ALIMENTACIÓN (REGULADORES DE VOLTAJE) Introducción 805 Consideraciones generales de filtros 805 Filtro capacitor 808 Filtro Re 811 Regulación de voltaje con transistores discretos 814 Reguladores de voltaje de CI 821 Análisis por computadora 826 805 20 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES 832 20.15 21.7 21.5 18.2 19.10 Celdas solares 855 20.7 Celdas fotoconductoras 849 20.10 Circuitos prácticos con retroalimentación 780 Amplificador retroalimentado: consideraciones de fase y frecuencia 787 Operación del oscilador 789 Oscilador de corrimiento de fase 791 Oscilador de puente Wien 794 Circuito de oscilador sintonizado 795 Oscilador a cristal 798 Oscilador monounión 802 19 19.8 Emisores de IR 851 20.9 21.5 21.6 18.6 21.9 18.5 Diodos túnel 841 20.8 21.9 Pantallas de cristal líquido 853 20.3 Introducción 832 Diodos de barrera Schottky ("portadores calientes") 832 Diodos varactores (varicap) 836 20A Diodos de potencia 840 20.8 18.2 20.4 18.1 21.7 18.3 18.14 21.6 19.16 xv .1 20.5 19.

8 22.22 22.1 22.4 22.5 22.6 22.9 OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICIÓN Introducción 906 Tubo de rayos catódicos: teoría y construcción 906 Operación del osciloscopio de rayos catódicos 907 Operación del barrido de voltaje 908 Sincronización y disparo 911 Operación en multitrazo 915 Medición utilizando las escalas calibradas 915 Características especiales 920 Generadores de señales 921 906 APÉNDICE A: PARÁMETROS HÍBRIDOS: ECUACIONES PARA CONVERSIÓN (EXACTAS Y APROXIMADAS) 924 926 933 935 APÉNDICE B: FACTOR DE RIZO Y CÁLCULOS DE VOLTAJE APÉNDICE C: GRÁFICAS y TABLAS APÉNDICE D: PSPICE APÉNDICE E: SOLUCIONES A LOS PROBLEMAS SELECCIONADOS CON NÚMERO NON ÍNDICE 937 943 xvi Contenido .2 22.7 22.3 22.

de tal fortna que nos hemos comprometido al fortnato que encontrará en la sexta edición de tal manera que el material del texto parezca más "'amistoso" para un amplio sector de estudiantes. La nueva secuencia de la presentación de los conceptos que afectó la última edición se ha conservado en la presente. desarrollados para cada capítulo del texto. El formato ha sido diseñado para establecer una apariencia amistosa para el estudiante y para asegurar que el trabajo artístico se encuentre tan cercano a la referencia como sea posible. facilitan la referencia de un área en particular tan rápidamente como sea posible. van en progreso a partir de lo más simple a lo más complejo. El título en cada sección también se reproduce en la sección de problemas para identificar con claridad los ejercicios de interés para un tema de esmdio en particular. hemos aprendido que el mejoramiento de la lectura se puede obtener a través de la apariencia general del texto. un asterisco identifica los ejercicios más difíciles. los cuales fueron incrementados de modo considerable desde la quinta edición. los cuales han sido desarrollados para cada sección del texto. Las declaraciones aisladas en negritas ("balas") identifican aseveraciones y conclusiones importantes. la exactimd y en un aruplio rango de materiales auxiliares que apoyan el proceso educativo. PEDAGOGÍA Sin duda. De la misma manera que en el pasado. continuamos empeñados en el fuerte sentido pedagógico del texto. xvii . se hizo verdaderamente claro que esta sexta edición debía continuar con el importante trabajo de revisión que tuvo la edición. los circuitos integrados y el expandido rango de cobertura necesaria en los cursos básicos que contribuyeron al refinamiento de la pasada edición continúan siendo los factores principales que afectan el contenido ele una nueva versión. Los iconos.Prefacio Segón nos acercábamos al XXV aniversario del texto. A través de los años. una de las mejoras más importantes que se han retenido de la quinta edición es la manera en la cual el texto se presta para el compendio ordinario del curso. Se han utilizado pantallas para definir características importantes o para aislar cantidades específicas en una red o en una característica. Asimismo. Se ha conservado la cantidad de ejemplos. La creciente utilización de la computadora. Nuestra experiencia docente con esta presentación ha reforzado la creencia de que el material tiene ahora una pedagogía mejorada para apoyar la presentación del instructor y ayudar al estudiante a construir los fundamentos necesarios para sus futuros estudios. Los problemas.

Se ha dedicado un capítulo completo (capítulo 7) . el cual puede ser analizado después con resultados de salida similares a PSpice. La sexta edición destacará el modelo r. institutos técnicos. Algunas instituciones utilizan exclusivamente el modelo re mientras que otras se apoyan en el enfoque híbrido o en una combinación de estos dos. Ciertamente. ahora nos sentimos seguros que este texto gozará del nivel más alto de exactitud que se puede obtener para una publicación de este tipo. xviii . MODELAJE DE TRANSISTORES El modelaje del transistor bipolar de unión (BJT) es un área que se ha enfocado de varias maneras. Aunque puede resultar más fácil considerar los efectos de Rs y RL con cada configuración cuando ésta se presenta por primera vez.la introducción de los modelos para asegurar un entendimiento claro y correcto de cada uno y de las relaciones que existen entre los dos. los efectos de Rs y RL también ofrecen una oportunidad para aplicar algunos de los conceptos fundamentales del análisis de sistemas. se mencionaba que debería desarrollarse un mayor "enfoque de sistemas" para apoyar la necesidad de un estudiante de convertirse en adepto de la aplicación de paquetes de sistemas.ENFOQUE DE SISTEMAS Durante varias visitas a otros colegios. De hecho. Los capítulos 8. Aún se incluyen en el texto algunos programas en BASIC para demostrar las ventajas de conocer un lenguaje de computación y de los beneficios adicionales que surgen de su utilización. Los últimos capítulos referentes a amplifIcadores operacionales y circuitos integrados desarrollan aún más los conceptos presentados en los capítulos iniciales. Se eligió PSpice como el paquete que aparecerá a través de este texto debido a que recientes encuestas sugieren que es el que se emplea con mayor frecuencia. PSpice en el ambiente WINDOWS permite entrar al circuito en forma esquemática. No solamente aparece la utilización de procesadores de texto en el primer semestre. la intención no es de retar al instructor o al estudiante con inconsistencias planeadas. PSpice y BASIC Los recientes años han visto un crecimiento continuo del contenido de computación en los curSOs introductorios. sino que también se presentan las hojas de cálculo y el empleo de un paquete de análisis tal como PSpice en numerosas instituciones educativas.9 Y 10 están específicamente organizados para desarrollar los cimientos del análisis de sistemas en el grado posible en este nivel introductorio. con la suficiente cobertura del modelo híbrido como para permitir una comparación entre los modelos y la aplicación de ambos. Después de una verificación extensiva acerca de la exactitud en la quinta edición. Otros paquetes posibles incluyen Micro-Cap III y Breadboard. no existe algo más tenso para un autor que el escuchar sobre errores en su libro. y juntas de varias sociedades. EXACTITUD No hay duda que una de las metas primarias de cualquier publicación es que ésta se encuentre libre de errores en lo posible. La :obertura de PSpice ofrece suficiente capacidad para permitir la escritura del archivo de captura para la mayoría de las redes analizadas en este texto. No se supone un conocimiento anterior acerca de paquetes para computadora.

SOLUCIÓN DE PROBLEMAS La solución de los problemas es indudablemente una de las habilidades más difíciles para presentar. El material superfluo se relega a los últimos capítulos para evitar el contenido excesivo acerca de un tema particular al principio en el nivel de desarrollo. Se presentan algunas ideas sobre cómO aislar un área problemática así como una lista de las causas posibles. mientras que para otros el texto completo puede ser cubierto en un semestre mediante la elección de temas específicos. Para cada dispositivo el texto cubre una mayoría de las configuraciones y aplicaciones importantes. el fin de tener una revisión más extensiva. el presente es un texto que "construye" a partir de los capítulos iniciales. desarrollar y demostrar en un texto. En cualquier caso. pero la experiencia y la exposición son obviamente los elementos clave en el desarrollo de estas habilidades. el texto está dividido en dos componentes principales: el análisis en de y en ac o respuesta en frecuencia. se ofrece el detalle con. UTILIZACIÓN DEL TEXTO En general. si un instructor siente que un área específica es particulannente importante. El contenido es en forma esencial una revisión de situaciones que ocurren con frecuencia dentro del ambiente de laboratorio. Se trata de un arte que debe ser introducido utilizando una variedad de técnicas. Para algunos colegios la sección de es suficiente para un semestre. Esto no pretende sugerir que un estudiante se convertirá en un experto en la solución de las redes presentadas en este texto. pero al menoS el lector tendrá algún entendimiento de lo que está relacionado con el proceso de la solución. ROBERT BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY . Mediante la elección de ejemplos y aplicaciones específicos es posible reducir el contenido de un curso sin perder las caraetelÍsticas de construcción progresivas del texto. Por tanto.

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Buerosse Lila Caggíano Rohert Casíano Alan H. Los comentarios de estas personas nos han permitido presentar Electrónica: Teoría de Circuitos en esta nueva edición: Ernest Lee Abbott Phillip D. CO Indiana Vocational Technical College. y a Carol Robison.Agradecimientos Nuestros más sinceros agradecimientos se deben extender a los profesores que han utilizado el texto y han enviado algunos comentarios. CA Penn State-Ogontz University of North Carolina-Charlolte Hartford State Technical College. Southern Alberta Institute ofTechnology. Ontatio. Duane Bailey Joe Baker Jerrold Barrosse Ambrose Barry Arthur Birch Scott Bisland Edward Bloch Gary C. Hartford. Austin. de Prentice-Hall. Ontatio. South Bend. Irving. MI Bunker HilI Community College. MD ITI Technical Institute Humber College. MI EG&G VACTEC Inc. Charlestown. editor senior. D. CT SEMATECH. correcciones y sugerencias. editor senior de desarrollo. Deseamos agradecer a aquellas personas que han compartido sus sugerencias y evaluaciones del presente texto a través de sus muchas ediciones. Czarapata Mohammad Dabbas John Darlington Lucius B. Stephen Evanson George Fredericks F. Molt Community College. Muskegon. Napa. Hartford. Nuestro más sincero agradecimiento a Dave Garza. Calgary. Fuller Phil Golden Joseph Grabinski Thomas K. TX The Perkin-Elmer Corporation Charles S. Day MikeDurren Dr. MA Waukesha County Technical College. Pewaukee. WI MicroSim Corporation Internationa! Rectifier Corporation Montgomery College. Denver. Bocksch Jeffrey Bowe Alfred D. Rockville. Grady WiUiam HiII Napa College. IN Bradford University. por mantener unidos los tantos aspectos detallados de producción. También deseamos agradecer a Rex Davidson. Los Ángeles. por su apoyo editorial en la sexta edición de este texto. Alberta. TX Hartford State Technical College. CANADÁ DeVry Institute ofTechnology. CANADÁ Metropolitan State College. CA Muskegon Community College. CANADÁ University of Southern California. Anderson AJAnthony A. UK Northeast State Technica! Community College Rumber College. WA ITI Technica! Institute xxi . Bellingham. F1int. CT Western Washington University. editor de Prentice-Hall.

Youngstown. Hamilton. Walters Julian Wilson Syd R. Texas Instruments Ine. Greenville. MI Western Washington University. Woodbridge. OH Greenville Technical College. Robert Payne E. King Charles Lewis Donna Liverman George T. Ontario. Yunghans U1rieh E. Clarkston. MeMillan Thomas E. Tabor Peter Tampas Chuek Tinney Katherine L. Szymanski Parker M. Shaikh Dr. GA ITI Technical Institute. Newman Dr. Miami.Albert L. Beaconside. Wales. GA Motorola Inc. UK Southern-Alberta Institute of Technology. CANADÁ Southwest State University. MN L. Toledo. Calgary. Rockafellow Saeed A. !TI Technical Institute. CANADÁ Hampton University. London. Ontario. MI University of Utah Mohawk College of Applied Art & Technology. Troy. Houghton. DeKalb Technical Institute. VA DeVry Technical Institute. Marietta. Zeisler San Diego Mesa College. Indiana Vocational Technical College. H. Wilson Jean Younes Charles E. South Bend. Bellingham. Mason William Maxwell Abraham Michelen John MaeDougall Donald E. Alberta. NI Southern College of Technology. UK Computronics Technology Inc. CA Mercer University. Noel Shammas Erie Sung Donald P. Kent Donald E. Usik DomingoUy Richard J. Marshall. OH APPLIED MATERIALS. Hampton. Macon. F. Hudson Valley Community College University ofWestem Ontario. IN Nashville State Technical Institute . Inc. UT xxii . WA Sal! Lake Cornmunity College. SC Michigan Technological University. CANADÁ Miami-Dade Cornmunity College. Tacoma. FL School of Engineering. WA University of Glamorgan. Bates Vocational-Technical Institute. Ickstadt Jeng-Nan Juang Karen Karger Kenneth E. GA Tektronix lne. Owens Technical College. Sal! Lake City. San Diego.

ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS .

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la y b. 1 . resultan. En esencia: VD ~ o ID Ca) + ID + ~ O . tienen una construcción más robusta. Antes de analizar la construcción y las características de un dispositivo real.. obvias de inmediato: son más pequeños y ligeros. 1. miles de veces más pequeña que un solo elemento de las redes iniciales. La miniaturización que se ha logrado nos deja sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio. aparte de demostrar la riqueza de la información que los fabricantes suelen proporcionar. que son muy similares a las de un interruptor sencillo. un diodo conducirá corriente en la dirección que define la flecha en el símbolo. cuarenta. Vo lo + VD .CAPÍTULO Diodos semiconductores ---------------------------~--1. Flgura 1.. han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electrónica. no tienen requerimientos de calentamiento o disipación de calor (como en el caso de los bulbos). los datos y gráficas importantes se encontrarán en las hojas de especificaciones y también se estudiarán con objeto de asegurar una comprensión de la terminología que se utiliza. b) características. ~I lo Vo ( + (b) Las caractensticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir comente en una sola dirección. en su mayor parte.1 .1 Diodo ideal: a) símbolo. hacia finales de los años. que tiene el símbolo y características que se muestran en la figura l. la técnica del diseño de redes y los límites de la manufactura y el equipo de procesamiento. que van desde las más sencillas a las más complejas. comparados con las redes de bulbos de los años anteriores. Las ventaja~ asociadas con los sistemas actuales. primero se considerará el dispositivo ideal para ofrecer una base de comparación. pero que desempeña un papel muy importante en los sistemas electrónicos. respectivamente. El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales. son más eficientes y no requieren de un periodo de calentamiento. el más sencillo de los dispositivos semiconductores. La miniaturización desarrollada en los años recientes ha dado por resultado sistemas tan pequeños que ahora el propósito básico del encapsulado sólo es obtener algunos medios para manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en fonna adecuada en la base del semiconductor.2 EL DIODO IDEAL + o El primer dispositivo electrónico que se presenta es el que se denomina diodo. y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en dirección opuesta.. De manera ideal.. aparece en una amplia variedad de aplicaciones. Con sus características.1 INTRODUCCIÓN Unas cuantas décadas que han seguido a la introducción del transistor. Además de los detalles de su construcción y características. Los límites de la miniaturización dependen de tres factores: la calidad del material semiconductor.

Por lo general.la. .lb).. son aplicables las condiciones que se descnben en la figura 1. éste está operando en la región de conducción.1a (el cuadrante superior derecho de la figura l. Corto circuito .. -20. En resumen.F = IF V OV 2. IR = -5. Si ahora se considera la región de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la figura 1.lb están hacia la derecha del eje vertical. polaridades de voltajes y direcciones de la corriente. el circuito abierto equivalente es el apropiado. en tanto la abscisa (o eje "x") será el eje del voltaje.En la descripción de los elementos que se presentan a continuación es importante que se definan los diferentes símbolos de letras. 2 Capitulo l Diodos semiconductores .3. como se muestra en la figura l. Para el flujo convencional (opuesto al flujo de electrones). mA. resulta sencillo hasta cierto punto determinar si un diodo se encuentra en la región de conducción o de no conducción. Si la corriente resultante tiene la dirección opuesta. según se descnbe en la figura 1. Si la corriente a través del diodo tiene la dirección que se indica en la figura l.2 a) Estados de conducción y b) no conducción del diodo ideal según está detenninado por la polarización aplicada. Si se considera la región de conducción definida por la dirección de ID y polaridad de VD en la figura 1. es RF =.la./. mientras que una inver· sión en la dirección requerirla del empleo de las caractensticas abajo del eje. son pertinentes las características hacia la izquierda del eje. ~imitado por el circuito) C') o~ lo o o>----I~II---~o + __ / 0-0--..2. RR =- V. Para la mayona de las caractensticas de los dispositivos que aparecen en este libro. el diodo ideal es un circuito cerrado para la región de conducción.3b.. o cualquier potencial de polarización inversa =Q (circuito abierto) OmA donde VR es el voltaje inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. las caractensticas que deben ser consideradas en la figura l. En caso de que se aplique un voltaje inverso. se deduce que el valor de la resistencia directa. Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resisteuciaenel punto o la región de operación. Por tanto..1 b. la ordenada (o eje "y") será el eje de la corriente. el diodo ideal es un circuito abierto en la región de no conducción. si la corriente resultante del diodo tiene la misma dirección que la punta de la flecha del símbolo del diodo. al observar la dirección de la corriente ID que se establece mediante un voltaje aplicado. ID =0 -- ei"uito abierto o ~ I Cb) FIgUra 1. la porción de las características que deben considerarse es arriba del eje horizontal. . sólo un valor positivo OQ (corto circuito) donde VF es el voltaje de polarización directa a través del diodo e 1F es la corriente a través del diodo. Por tanto. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con el que se muestra en la figura l.3a. Rp según lo define la ley de Ohm.

según está determinado por la dirección de la corriente convencional establecida por la red. Según se avance a través de las próximas secciones. el propósito inicial de esta sección es presentar las características de un dispositivo ideal para poder compararlas con las características de la variedad comercial. cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminales. En las tablas. mientras más alto es el nivel de conductividad. Iplohms Este hecho será de utilidad cuando se comparen los niveles de resistividad en los análisis que se presentan enseguida. pue1. las características de los materiales semiconductores.3 o al Estados de conducción y b) no conducción del (bl diodo ideal. El término conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga. El prefijo semi suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos límites.4 en la siguiente ecuación (derivada de la ecuación básica de resistencia R = pi! A): p=--= 1 RA (n)(cm') =>n-cm cm (l. Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presión de una fuente de voltaje aplicada. por tanto. se deben considerar las siguientes preguntas: ¿Qué tan cercana será la resistencia directa o de "encendido" de un diodo práctico comparado con el nivel O-.Q deseado? ¿ Es la resistencia inversa parcial lo suficientemente grande como para permitir una aproximación de circuito abierto? 1. es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor. si el área de la figura lA es de 1 cm' y la longitud de 1 cm.l) cm p~- De hecho. se encuentra su resistencia al flujo de la carga o corriente. Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades eléctricas del cobre y la mica. y relacionada con la conductividad de un material.(al FIgura 1. la magnitud de la resistencia del cubo de la figura lA es igual a la magnitud de la resistividad del material según se demuestra a continuación: (1 cm) 1 P -= P A (1 cm') A=lcm 2 l=lcm Figura 1.3 Materiales semiconductores 3 . De manera inversa.4 Definicipn de las unidades métricas de resistividad. el ténnino resistividad (p. la letra griega rho) se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES El término semiconductor revela por si mismo una idea de sus características. la resistividad de un material se mide en n-cm o n-m. Esto es. Un semiconductor. En la tabla 1. Como se indicó antes. germanio (Ge) y silicio (Si). menor es el nivel de resistencia. Las unidades de n-cm se derivan de la sustitución de las unidades para cada cantidad de la figura 1.1 se muestran los valores típicos de resistividad para tres categorías amplias de materiales. En unidades métricas.

En la red atómica. U na unión de átomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina unión covalente. además. cuya producción aún es escasa. El potencial (potencial de ionización) que se requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia. se examinará la estructura del átomo en sí y se observará cómo se pueden afectar las características eléctricas del material. y al arreglo periódico de los átomos. Como es obvio.6a.1 el rango tan grande entre los materiales conductores y aislantes para la longitud de 1 cm (un área de l·cm') de material. Para el Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1. de electricidad. como se muestra en la figura 1. A un patrón completo se le llama cristal. En realidad lo son si se considera que la adición de una parte de impureza (del tipo adecuado) por millón. mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias órbitas. pero no así con el germanio. De hecho. red cristalina. que se conoce como "dopado".TABLA 1. es menor que el requerido por cualquier otro electrón dentro de la estructura. Observe en la tabla 1. ciertamente no son los únicos dos materiales semiconductores.1 Valores tipicos de resistividad Conductor p == 10-6 O-cm (cobre) Semiconductor p == 50 O-cm (germanio) p == 50 X 103 O-cm (silicio) Aislante p= 10 12 n-cm (mica) / / / / / .7 para el silicio. cuando se trata con el medio de los semiconductores. Una consideración muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy alto nivel de pureza.5 Estructura de un solo cristal de Ge y Si. Los átomos de ambos materiales forman un patrón muy definido que es periódico en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). Algunas de las cualidades únicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su estructura atómica. el átomo se compone de tres partículas básicas: el electrón. existen cuatro electrones en la órbita exterior (valencia). los neutrones y los protones forman el núcleo. el átomo de germanio tiene 32 electrones en órbita. Ahora. En cada caso.5.1 Figura 1. Como se indica en la figura 1. Para los materiales semiconductores de aplicación práctica en el campo de la electrónica. los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el material puro a una parte por cada 10 mil millones (1 : 10 000 000 000). Como se encontrará en los capítulos que siguen. La capacidad de cambiar las características del material en forma significativa a través de este proceso. Cualquier material compuesto sólo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se deno· mina estructura de cristal único. mientras que los electrones se mueven alrededor del núcleo sobre una órbita fija. se muestran en la fignra 1. En un cristal puro de germanio o de silicio estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro átomos adjuntos.6. son los que más interesan en el desarrollo de dispositivos semiconductores. Tanto el Ge como el Si son referidos como átomos tetravalentes. Es posible que alguien se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. una consideración importante en el desarrollo de dispositivos sensibles al calor o a la luz. Otras razones incluyen el hecho de que sus características pueden alterarse en forma significativa a través de la aplicación de calor o luz. es otra razón más por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atención. Ge y Si han recibido la atención que tienen por varias razones. sin embargo. la periodicidad de la estructura no cambia en forma significativa con la adición de impurezas en el proceso de dopado. Dieciocho lugares separan la colocación del punto decimal de un número a otro. Los modelos de Bohr de los semiconductores que se usan con mayor frecuencia. Como se tiene entendido. el protón y el neutrón. porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen co~ductor . 4 Capitulo 1 Diodos semiconductores . den ser relativamente nuevas. esta característica de cristal único existe y. se está manejando un espectro completamente nuevo de niveles de comparación. en una oblea de silicio. En años recientes el cambio ha sido estable con el silicio. el germanio y el silicio.

Por supuesto..Electrones en órbita EI. Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el número de electrones libres en el material. teniendo. b) silicio. como los establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. por tanto.1 cómo la resistividad también difiere por una relación de aproximadamente 1000 : 1 con el silicio.mn. se les conoce como portadores intrínsecos. aún es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energía cinética por causas naturales. Figura 1. Esto se debe al hecho de que el número de portadores en un conductor no 1. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1. aunque en el estado intrínseco ambos aún son considerados conductores pobres.6 Estructura atómica: a) germanio. Unión covalente del átomo de Si bien la unión covalente generará una unión más fuerte entre los electrones de valencia y su átomo. A la misma temperatura. debido a que la resistividad y la conductividad son inversamente proporcionales. Estas causas naturales incluyen efectos como la energía lumínica en la forma de fotones y la energía térmica del medio que lo rodea. para romper la unión covalente y asumir el estado "libre". Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si. el material intrínseco de germanio tendrá aproximadamente 2..~ de valencia (4 para cada uno) lb) Figura 1. un mayor valor. Los materiales intlÍnsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados para reducir /as impurezas a un nivel muy bajo.. que muestran una reducción en resistencia con el incremento en la temperatura.5 x 10 10 portadores libres en un centímetro cúbico de material intrínseco de silicio. Según aumenta la temperatura desde el cero absoluto (O K).3 Materiales semiconductores 5 .5 x 10 13 transmisores libres por centímetro cúbico. El término "libre" revela que su movimiento es muy sensible a los campos eléctricos aplicados. Observe en la tabla 1. según se describió antes. Este mayor número de portadores aumentará el índice de conductividad y generará un menor nivel de resistencia. Esto puede ser cierto. un número mayor de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica como para romper la unión covalente y contribuir así al número de portadores libres.7 silicio. A los electrones libres localizados en el material que se deben sólo a causas naturales. tienen un coeficiente de temperatura negativo. La relación del número de portadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 103 e indica que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. esencialmente tan puro como se puede obtener a través de /a tecnología moderna. éste debe ser el caso. Quizá el lector recuerde que la resistencia de casi todos los conductores se incrementará con la temperatura.

. . mayor e:s el estado de energía. existe una interacción entre los átomos que ocasiona que los electrones dentro de una órbita en particular de un átomo tengan ligeras diferencias en sus niveles de energía.8b. Recuerde que la ionización es el mecanismo mediante el cual un electrón puede absorber suficiente 6 Capitulo 1 Diodos semiconductores .:.. y cualquier electrón que haya dejado a su átomo.• f-'-------. semiconductor y conductor. y una región prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionización.8 Niveles de energía: a) niveles discretos en estructuras atómicas aisladas. respecto a los electrones en la misma órbita de un átomo adjunto. de hecho.1 eV (Si) = 0.¡ de valencia • e.. Cada material tendrá..Banda de y.. pero su patrón de vibración con respecto a una localización relativamente fija aumentará la dificultad para que los electrones pasen a través de ella. Observe que existen niveles y estados de energía máximos en los cuales se puede encontrar cualquier electrón. estructura atómica • • • Banda de valencia Figura 1..8a.4 NIVELES DE ENERGÍA En la estructura atómica aislada existen niveles de energía discretos (individuales) asociados con cada electrón en una órbita. ~ Aislante E = 1.. según se muestra en la figura 1. en las cuales no pueden aparecer electrones dentro de la estructura atómica aislada... Cuando los átomos de un material se unen para formar la estructura de la red cristalina.67 eV (Ge) 1._ -.¡. como se muestra en la figura 1.. Un incremento en la temperatura.se incrementará significativamente con la temperatura.' unidos a la Banda de valencia :.) (a) Energía Banda de conducción ElectroneS Energía Energía f-.alencia .-------'"" t I "libres" para establecer la Banda de conducción conducción --_¡. El resultado neto es una expansión de la banda de los niveles discretos de estados de energía posibles para los electrones de valencia. genera un aumento del nivel de resistencia y un coeficiente positivo de temperatura. • .¡ / Electrones ~ . Núcleo t Segundo nivel (siguiente capa interna) Tercer nivel (etc. • • Banda de conducción Las bandas se traslapan --I. 1. tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica. por tanto.~ = Entre los niveles de energía discretos existen bandas vacías. b) bandas de conducción y valencia de un aislador. Energía Nivel de valencia (capa más externa) Banda de energía vacía! Banda de energía vacía etc. Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo.41 eV (GaAs) Conductor Semiconductor (b) ¡. su propio conjunto de niveles de energía pennisibles para los electrones en su estructura atómica.

aunque sólo haya sido añadida 1 pane en \O millones. Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación de dispositivos senticonductores: el tipo n y el tipo p. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1. Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina un material exmnseco. Sustituyendo la carga de un electrón y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuación (1. Para el silicio Eg es de 1. 25 oC) un gran número de electrones de valencia han adquirido suficiente energía para dejar la banda de valencia. ocurrirán estados de energía en las bandas prohibidas.8b.6 X 10. Se observará que la energía asociada con cada electrón se mide en electrón volts (eV). El tipo n se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes).5 MATERIALES EXTRÍNSECOS: TIPO n Y TIPO p Las características de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adición de ciertos átomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Por tanto. El conductor tiene electrones en la banda de conducción aun a O K. Para el germanio. lo que causará una reducción neta en Eg para ambos materiales semiconductores y. Material tipo n Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adición de un número predeterminado de átomos de impureza al gennanio o al silicio.19 C)(I V) y 1 eV= 1. y han atravesado la banda de energía vacía definida por Eg en la figura 1.67 eV y para el arseniuro de galio 1. Estas impurezas. La unidad de medida es adecuada. también una mayor densidad de portadores en la banda de conducción a temperatura ambiente. Debido a que la energía también se mide en joules y que la carga de un electrón = 1.2) según se derivó de la ecuación definida para el voltaje V = W /Q. Q es la carga asociada con un único electrón. lo cual limita drásticamente el número de electrones que pueden entrar a la banda de conducción a temperatura ambiente.1 eV. comparado al silicio expuesto a temperatura ambiente. a temperatura ambiente (300 K. todos los electrones de valencia de los materiales semiconductores se encuentran en la capa exterior del átomo con niveles de energía asociados con la banda de valencia de la figura 1.2) se tiene un nivel de energía referido como un electrón volt. es bastante obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres más que suficientes para soportar un gran flujo de carga o corriente. Sin embargo. Observe que para el aislante la banda de energía es con frecuencia de 5 eV o más. W = QV = (1.6XIO-19 J (1.5 encontrará que si ciertas impurezas se añaden a los materiales semiconductores intrínsecos.9 1.energía para separarse de su estructura atómica y entrar en la banda de conducción.15 OC).41 e V.6 x 1j}-19 coulomb. arsénico y fbsforo. porque I W=QV I eV (1. por consecuencia. como el antimonio. Cada uno se describirá con detalle más adelante. En la sección 1. para el germanio 0. Eg obviamente es menor.8b y entrado a la banda de conducción. 1.5 Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p 7 .3) A O K o cero absoluto (-273. pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades eléctricas del material. y se debe al gran número de portadores en dicho material.

10 Efecto de las impurezas del donor sobre la estructura de la banda de energía. Este electrón restante. unido débilmente a su átomo (antimonio). Aquellos electrones "libres" que se deben a la impureza añadida se sitúan en este nivel de energía. impureZ/lS tlifundüJos con cinco electrones de valencÍll se les l/mnll átomos donares. Energía :. Observe que un nivel de energía discreto (llamado el nivel del donor) aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente menor que aquel del material intrínseco. El resultado es que a temperatura ambiente existe un gran número de portadores (electrones) en el nivel de conducción.Ol eV CGe) Nivel de energía del donor Figura 1.05 eV (Si). Si el nivel de "dosificación" fuera de 1 en 10 millones (lO').000 : l. Es importante comprender que. (utilizando el antimonio como impureza en el silicio). aunque un número importante de portadores "'libres" se han creado en el material tipo n. El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a través del diagrama de bandas de energía de la figura 1. sin embargo. la proporción (10 12110 7 = 105 ) indicaria que la concentración de portadores se ha incrementado en una proporción de 100.O. Debido a que el átomo de impureza insertado ha donado un electrón relativamente "libre" a la estructura: A 1m.'B~~. A temperatura ambiente en un material de Si intrínseco existe aproximadamente un electrón libre por cada 10 12 átomos (uno por cada 109 para Ge).10. Observe que las cuatro uniones covalentes aún se encuentran presentes.da~de~~~~~ Es como antes Eg = 0. y tienen menor dificultad para absorber la energía térmica suficiente para moverse a la banda de conducción a temperatura ambiente.Figura 1. un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza. y la conductividad del material aumenta en forma significativa. debido a que de manera ideal el número de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones '·libres" cargados negativamente y en órbita en la estructura.9 Impureza de antimonio en el material tipo n. 8 Capitulo l Diodos semiconductores . éste aún es eléctricamente neutral. mismo que se encuentra desasociado de cualquier unión covalente en particular. Existe. se encuentra relativamente libre para moverse dentro del recién formado material tipo n.

por las mismas razones descritas para el material tipo n. Flujo de electrones comparado con flujo de huecos El efecto del hueco sobre la conducción se muestra en la figura 1. existe una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha. 9 . Figura 1. • FIgUra 1. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propósito son el boro. Observe que ahora existe un número de electrones insuficiente para completar las uniones covalentes de la red cristalina recién fonnada. Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética para romper su unión covalente y llena un hueco. la vacante resultante aceptará con facilidad un electrón "libre"': A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como átomos aceptores.11 Impureza de boro en el material tipo p. según se muestra en la figura 1.5 Materiales extrínsecos: tipo R y tipo p Flujo de electrones en función de flujo de huecos.12. como el boro sobre el silicio. El efecto de alguno de estos elementos. Sin embargo. entonces se creará un hueco en la unión covalente que liberó el electrón.Material tipo p El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. La dirección que se utilizará en el texto es la del flujo convencional.12. se indica en la figura 1. galio e indio.12 Flujo de huecos Flujo de electrones • 1. el cual se indica por la dirección del flujo de huecos . Por tanto.11. El material resultante tipo p es eléctricamente neutro. y está representado por un pequeño círculo o signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa. A la vacante que resulte se le llama hueco.

En la siguiente sección se encontrará que la "unión" de un solo material tipo n con un material tipo p tendrá por resultado un elemento semiconductor de importancia considerable en los sistemas electrónicos. Como el diodo es un dispositivo de dos tenninales. 10 Capítulo l Diodos semiconductores . Las "vacantes" dejadas atrás en la estructura de uniones covalentes representan una cantidad muy limitada de huecos. debido al agotamiento de portadores en esta región. Iones donores Ponadores mayoritarios Iones aceptores Portadores minoritarios Portadores mayoritarios Tipo n Figura 1. El resultado neto. Por tanto: En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón es el portador minoritario. por tanto.13a) al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario. En el momento en que son "unidos" los dos materiales. b) material tipo p. A esta región de iones positivos y negativos descubiertos se le llama región de agotamiento. polarización directa (VD> O V) Ypolarización inversa (VD < OV). Tipop Portadores minoritarios 1.5 se presentaron tanto los materiales tipo n como tipo p. El diodo semiconductor se fonna con sólo juntar estos materiales (construidos en la misma base: Ge o Si). la aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite tres posibilidades: sin polarización (VD = O V).Portadores mayoritarios y minoritarios En el estado intrínseco. según se muestra en la figura 1. Cada una es una condición que dará un resultado que el usuario deberá comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma efectiva. el número de huecos no ha cambiado de manera significativa de su nivel intrínseco. Por razones análogas.13 a) material tipo n. Para el material tipo p el número de huecos supera por mucho el número de electrones. los electrones y los huecos en la región de la unión se combinan.14. dando por resultado una falta de portadores en la región cercana a la unión. Los materiales tipo n y p representan los bloques de construcción básicos de los dispositivos semiconductores.6 DIODO SEMICONDUCTOR En la sección 1. como se muestra en la figura 1. utilizando técnicas que se describirán en el capítulo 20. En un material tipo n. Cuando el quinto electrón de un átomo donor deja a su átomo. Por esta razón: En un material tipo n (figura 1. el número de electrones libres en Ge o en Si se debe sólo a aquellos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energía de las fuentes térmicas o lumínicas para romper la unión covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminarse. es que el número de electrones supera por mucho el número de huecos.13b. el átomo restante adquiere una carga positiva neta: de ahí el signo positivo en la representación del ion donar. el signo negativo aparece en el ion aceptor.

Esta cancelación de los vectores se indica por medio de las líneas cruzadas. con el fin de migrar hacia el área localizada más allá del área de agotamiento del material tipo p. cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentren dentro de la región de agotamiento. 1. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibujó en una escala mayor que el flujo de los electrones con objetO de demostrar que la magnitud de cada uno no necesariamente debe ser la misma para la cancelación del flujo. la misma consideración se puede aplicar a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p.14 Unión p-n sin polarización externa. y a la capa de iones negativos en el material tipo p. el flujo neto de la carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero.6 Diodo semiconductor JI .14. FluJo de ponadores mayoritarios p n "------0+ tzD ~ DmA VD ~ DV (sin polarización) Figura 1. pasarán directamente al material tipo p. mayor será la atraccíón de la capa de iones negativos y menor la oposición de los iones positivos en la región de agotamiento del material tipo n. Mientras más cercano se encuentre el portador minoritario a la unión. se observará que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales que el flujo neto en cualquier dirección es igual a cero. Sin polarización aplicada (VD = O V) Bajo condiciones -sin polarización.14 para los portadores minoritarios de cada materiaL Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben sobreponerse a las fuerzas de atracción de la capa de iones positivos del material tipo n. El flujo resultante debido a los portadores mayoritarios también se describe en la figura 1. en el material tipo n el número de portadores mayoritarios es tan grande que invariablemente habrá un pequeño número de portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de ~a región de agotamiento hacia el material tipo p. se supone que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se localizan en la región de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarán directamente al material tipo p. Con la idea de que surjan análisis futuros.14. Se puede considerar que algo similar pasa con los portadores minoritarios (electrones) del material tipo p. Una vez más. En resumen: En ausencia de un voltaje de polarización aplicado. . Este flujo de portadores se indica en la figura 1. Sin embargo. y que los niveles de dopado para cada material pueden dar como resultado un flujo de portadores desigual de electrones y huecos.Si se examina con cuidado la figura 1.~ Flujo de portadores minoritarios 1" ':~-~:I" ~~I.

con excepción de los dispositivos de alta potencia.El símbolo para el diodo se repite en la figura 1.16. en años recientes se encontró que su nivel está casi siempre en el rango de nanoamperes para dispositivos de silicio. y se representa mediante Is' + o---I~M-----<o _t.. que el potencialaegativo está conectado al materia! tipo p y el potencial positivo a! material tipo n. La corriente de saturación inversa rara vez es mayor que unos cuantos microamperes. que la dirección de 1. y dan como resultado vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud que sin voltaje aplicado. y en el rango de microamperes para el germanio. El efecto neto..: unión p-n de tal forma que la terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo n y la terminal negativa esté conectada con e1 materia1 tipo p como se muestra en la figura 1. Las condiciones de polarización inversa se describen en la figura 1. como se muestra en la figura 1 ._:::0 p '---------. Observe que la flecha está asociada con el componente tipo p y la barra con la región de tipo n.15 Condiciones para un diodo semiconductor sin polarización. A su vez.15 con las regiones tipo n y tipo p asociadas.16 inversa. Por razones similares. la corriente en cualquier dirección es O roA. Observe. A la corriente que existe bajo las condiciones de polariUlción inversa se le llama corriente de saturación inversa. Flujo de portadores minoritarios 1mayoruarlO . . el número de iones negativos se incrementará en el material tipo p.. el número de portadores minoritarios que están entrando a la región de agotamiento no cambiarán. El término saturación proviene del hecho de que alcanza su máximo nivel con rapidez y no cambia de manera significativa con el incremento del potencial de polarización inversa.14.. es contra la flecha del símbolo. es una ampliación de la región de agotamiento.19 para VD < O V.. Una condición de polarización directa O "encendido" se establece al aplicar el potencial positivo al materia! tipo p y el potencia! negativo al materia! tipo n. y que la diferencia en las literales subrayadas para cada región revela una condición de polarización inversa. como lo indica la figura 1. en particular. además de una reducción efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a cero. como lo muestra la figura 1.-. para mayor referencia: Un diodo semiconductor tiene po/arizacibn directa cuando se ha establecido la asociación tipo p y positivo y tipo n y negativo. Dicha ampliación establecerá una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios.. Condición de polarización inversa (VD < O V) Figura 1..18.l.17 Condiciones de polarización inversa para un diodo semiconductor..17 para el símbolo de diodo y la unión p-n.16 . Condición de polarización directa (VD> O V) (Opuestos) Figura 1. Unión p-n con polarización Sin embargo. por tanto. Por tanto. Capítulo 1 Diodos semiconductores 12 . Si un potencial externo de V volts se aplica a través de 1. Como se indicó. De hecho. para VD = O V. el número de iones positivos en la región de agotamiento del material tipo n se incrementará debido al gran número de electrones "libres" atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. como se muestra en las caractensticas de los diodos de la figura 1.---Región de agotamiento n + Figura 1.

La aplicación de un potencial de polarización directa VD "presionará" los electrones en el material tipo n y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos a la unión y reducirá el ancho de la región de agotamiento como se indica en la figura 1./ -40 -30 -20 -\0 f ° r->::0. ¡-. como se muestra en la región de polarización directa de las caracte J ID(mA) 20 19 I I lB 17 Ec.19 Características del diodo semiconductor de silicio._1.7 I 2 1. Mientras se incremente en magnitud la polarización aplicada. un electrón de material tipo n "observa" una barrera muy reducida en la unión.' +8+8 p n Región de agotamiento + VD Figura 1. .6 Diodo semiconductor 13 . )' Imavoril:mo } ID = lmayom:mo .ID=OmA) 1 I -?4 ¡.lD=-Is>T .- - 16 15 14 l3 12 II 10 Polarización definida y dirección para la gráfica - 9 8 I + -ID VD ~ -.+~ 8~8+ + 8 + (-'"~ C<r.21J. la región de agotamiemo continuará disminuyendo su anchura hasta que un flujo de electrones pueda pasar a través de la unión. (1.18 Unión p-n con polarización directa. lo que da como resultado un incremento exponencial en la corriente.4) I Unidad real disponible·en el mercado I I I I I . . pero la reducción en el ancho de la región de agotamiento ha generado un gran flujo de portadores mayoritarios a través de la unión.3 -0.LA I I 1 11 I I Figura 1.3 ¡.1.A Ji Si~ polariz~ciÓ~ (VD=OV. - 7 6 Región de polarización directa (VD>OV. del material tipo p al material tipo n (y de los huecos del material tipo n al material tipo p) no ha cambiado en magnitud (debido a que el nivel de conducción se encuentra controlado básicamente por el número limitado de impurezas en el material).1 ~A 05 1 VD (V) Región de polarización inversa (VD<OV.ID>OmA) I I I I 5 4 3 1/ / 0. El flujo de electrones.18.-0. 1. 1 .LA --O. debido a la pequeña región de agotamiento y a una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al material tipo p. portadores minoritarios. Ahora.

4) se convierte en Iv = [.22.19. y la escala horizontal en la región de polarización directa tiene un máximo de 1 V. Para valores negativos de Vv' el primer término disminuirá rápidamente debajo de 1" dando como resultado Iv =-1" que es la línea horizontal de la figura 1.21 con los requerimientos de polaridad y la dirección resultante del flujo de portadores mayoritarios. Si se expande la ecuación (1. A través del empleo de la física del estado sólido se puede demostrar que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuación siguiente para las regiones de polarización directa e inversa: (1. La corriente se incrementa figura 1.20 Gráfica de ex.19: } I o 2 x Figura ]. Esto se debe a la resistencia interna del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo. el voltaje a través de un diodo de polarización directa será de menos de 1 V. la ecuación (1. la ecuación (l. afortunadamente en una sección posterior se hará un número de aproximaciones que eliminará la necesidad de aplicar la ecuación (1.1) = O mA. Es importante observar el cambio en la escala para los ejes vertical y horizontal. mientras se mejoran los métodos de producción. como lo muestra la figura 1. y superará el efecto del segundo término.4).19 que la unidad comercial disponible tiene características que se encuentran desplazadas a la derecha por unas cuantas décimas de un volt. El resultado será positivo para los valores positivos de Vv e [v' y crecerá de la misma manera que la función y = ex. como lo determina la ley de Ohm (V = IR). en general.4) Yofrecerá una solución con un mínimo de dificultad matemática. como aparece en la fIgura 1.1) =IP .20. Con el tiempo.rísticas de la figura 1. las condiciones para la conducción (el estado "encendido") se repiten en la fIgura 1. Por tanto.19.4).4) donde Is = corriente de saturación inversa K = 11 . Antes de dejar el tema del estado de polarización directa.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un temor injustificado de que ésta se someterá a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos.21 Condiciones de polarización directa para un diodo semiconductor. la cual aparece en la figura 1. Cada una contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de corriente. En un principio. Observe también la rapidez con que se incrementa la corriente después del punto de inflexión de la curva de respuesta.(e0 . esta diferencia disminuirá y las características reales se aproximarán a aquellas de la sección (1. Observe en la figura 1. Observe que la escala vertical de la figura 1. En Vv =0 V.4) en la forma siguiente. se puede describir con facilidad el componente de contribución para cada región de la figura 1.19 está en miliamperes (aunque algunos diodos semiconductores tendrán una escala vertical en amperes). (Similares) Región Zener Aunque la escala de la figura 1. Para los valores positivos de ID' la escala se encuentra en miliamperes y la escala de la corriente abajo del eje se calcula en microamperes (o posiblemente nanoamperes). Para valores positivos de VD' el primer término de la ecuación anterior crecerá con mayor rapidez.600 / 1) con 1) = 1 para Ge y 1) = 2 para Si en niveles relativamente bajos de corriente del diodo (en o abajo del punto de inflexión de la curva) y 1) = 1 para Ge y Si en mayores niveles de corriente del diodo (en la sección de crecimiento rápido de la curva) TK = Tc +273° En la fIgura 1. Para Vv' la escala para los valores positivos está en décimas de volts y para los valores negativos la escala es en decenas de volts. 14 Capítulo 1 Diodos semiconductores . Sin embargo.19. La ruptura de las características en Vv = OV se debe sólo al cambio drástico en la escala de mA a !LA. existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por resultado un agudo cambio en las características.19 se ofrece una gráfIca de la ecuación (1.19 se encuentra en múltiplos de diez volts en la región negativa. Observe en particular cómo la dirección de la conducción concuerda con la flecha en el símbolo (según se reveló para el diodo ideal).

y rangos más amplios de temperatura que los diodos de germanio. Sin embargo. El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la región Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo eléctrico en la región de la unión que puede superar las fuerzas de unión dentro del átomo y "generar" portadores. Mientras el voltaje a través del diodo se incrementa en la región de polarización inversa. la velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturación inversa ( también se incrementarán. Eventualmente. mientras que el valor máximo para el germanio está más cel:ca de los 400 V. hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha que determina la región de ruptura de avalancha. 1-. mientras Vz disminuye a niveles muy bajos. Los diodos también se conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transporte de corriente. por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) o PRV. comparado con el gennanio. Sin embargo.V / . Dichos portadores adicionales pueden luego ayudar al proceso de ionización. y los diodos que utilizan esta porción única de la característica de una unión p-n son los diodos Zener. por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Voltage). es el mayor voltaje de polarización directa que se requiere 1. Si una aplicación requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede aumentar a cerca de 200 oC (400°F). \ t .6 Diodo semiconductor 15 . Silicio en función de germanio Los diodos de silicio tienen. Los valores PIV para el silicio pueden encontrarse en la vecindad de 1000 V. La región de avalancha (Vz ) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de: dopado en los materiales tipo p y tipo n.Región Zener o figura 1. Aunque el mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo sólo en los niveles más bajos de Vz• este cambio rápido en la característica a cualquier nivel se denomina región Zener.14. Esto es.23. un PIV y un valor de corriente más altos.22 Región Zener. El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy drástico de las características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz . la desventaja del silicio.. según se indica en la figura 1. a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la región de voltaje positivo. Estos diodos se describen en la sección 1. como -5 V. La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las características de esta región de voltaje inverso. en general. su velocidad y energía cinética asociada (WK := : mv 1 ) será suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras estructuras atómicas estables. se deben conectar en serie un número de diodos de la misma característica. otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuirá con un cambio agudo en la característica. se generará un proceso de ionización por medio del cual los electrones de valencia absorben suficiente energía para dejar su átomo. mientras que el germanio tiene un valor máximo mucho menor (lOO OC).

las otras características del silicio comparadas con el germanio lo hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado. (Si)=O.5 0.2 0. la primera letra de un término que describe una cantidad en particular se usa en la notación para dicha cantidad. para asegurar un mínimo de confusión con otros términos. Éste suele ser del orden de 0. El potencial por el cual ocurre este crecimiento se conoce como potencial de conducción de umbralo de encendido.23 Comparación de diodos semiconductores de Si y Ge. básicamente.lA 3~ VT(Ge) VT(Si) Si Ge FIgUra 1. Sin embargo. Efectos de la temperatura La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las características de un diodo semíconductor de silicio. Esto es evidente por las similitudes en las curvas una vez que el potencial de conducción se ha alcanzado. el factor r¡ cae a 1 (el valor continuo del germanio). para alcanzar la región de conducción.6 0. (Ge) 1 ~A 2 }.4 0. 20 Si lS lO 1. Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical. más cerca de lo "ideal" está el dispositivo.24. Con frecuencia. Este factor toma parte en la determinación de la forma de la curva sólo en niveles de corriente muy bajos. A partir de múltiples experimentos se encontró que: La corriente de saturación inversa ls será casi igual al doble en magnitud por cada 10°C de incremento en la temperatura.7 0.8 VD (V) t J. como el voltaje de salida (VD' por las iniciales en inglés de: output) y el voltaje de polarización directa (Vp por la inicial en inglés de:forward). 16 Capitulo 1 Diodos semiconductores . la notación Vrha sido adaptada para este libro por la palabra "umbral" (por la inicial en inglés de: threshold).3 (Ge) Obviamente. al factor r¡ en la sección (lA). La mayor variación para el silicio se debe. mientras más cercana al eje vertical es la excursión.l 0. En resumen: VT = 0.3 V para diodos de germanio cuando se redondea a la siguiente décima.3 0.7 V de magnitud para los diodos de silicio disponibles en el mercado.OI pA= lOnA Vz(Si) 5 ¡ t Vz(Ge) ~ D.7 (Si) VT = 0. según se comprobó mediante un diodo de silicio típico en la figura 1. Sin embargo. y 0.lo (roA) 30 25 G.

. Los niveles de 1.. según se mostró en la figura 1. Desde luego. pero aparecerán de nuevo cuando se analicen otros dispositivos.lA = 0. 7 NIVELES DE RESISTENCIA Cuando el punto de operación de un diodo se mueve desde una región a otra.. aumentan a mayortemperatura con niveles menores del voltaje de umbral. una razón muy importante para que los dispositivos de silicio tengan un nivel significativamente mayor de desarrollo y utilización en el diseño.24... para los diodos de silicio no alcanzan los mismos altos niveles que para el germanio.7 1 . 1.... En los siguientes párrafos se demostrará cómo el tipo de voltaje o señal aplicado definirá el nivel de la resistencia de interés. pero el mayor valor de Is sobrepasará el menor cambio en porcentaje en TK' Mientras la temperatura mejora las características en polarización directa..los niveles de 1. la resistencia del diodo también cambiará debido a la forma no lineal de la curva característica. pero cuando se revisan las hojas de especificación se encuentra que las temperaturas más allá del rango de operación normal pueden tener un efecto muy perjudicial en los niveles de potencia y corriente máximas del diodo. /1 'fl (1 _1.. en la ecuación (lA) observe el rápido incremento en la corriente del diodo.. del orden de 1 o 2 ¡..---1--------1--1 ~. I ... el equivalente de circuito abierto en la región de polarización inversa es mejor a cualquier temperatura con silicio en lugar de gennanio. I • I . el nivel de TK también se incrementará en la misma ecuación.LA a 25 oC tenga una corriente de fuga de 100). I--¡+-l'-h//I--rl:". En la región de polarización inversa... Por tanto. 1.23.. Simplemente.. como se muestra en la figura 1.ua) . es muy importante que su detenninación se comprenda con claridad. El resultado es que aún a mayor temperatura.... 1.7 Niveles de resistencia 17 . I T J-----'. No es poco frecuente que un diodo de germanio con un 1...... oc.."" (temper~tura ambiente) .24 Variación en las características de los diodos con el cambio de temperatura.%:: .-. ~ ......--If---f'--+----1 /1 (V) 2 lO I ..(' 0.. Fundamentalmente....: /.'---+-----1 .. pero observe también el incremento no deseado en la corriente de saturación inversa..... al incrementar el nivel de 1./ 4 f-----fl-. Se presentarán tres niveles diferentes en esta sección..2 3 I I 1: ¡ (!lA) Figura 1..5 2 - - _/f.ID (mA) (392°F) 200°C 100°C 25°C I I I 12 lO I 8 6 • I I I f---H---i--I::::=p-1F_=. Los valores típicos de lo para el silicio son mucho menores que para el germanio para unos niveles similares de potencia y corriente.. el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura. en realidad se convierten en características más "ideales".1 roA a una temperatura de 100 Los niveles de corriente de esta magnitud en la región de polarización inversa con seguridad cuestionarían la condición deseada de circuito abierto en la región de polarización inversa.. (punto de ebullición I I I del ag.

25 Determinación de la resistencia en dc de un diodo en un punto de operación en parti<:utar...5 0.25 y aplicando la siguiente ecuación: ( 1. ID (mA) Figura 1. La resistencia del diodo en el punto de operación puede encontrarse con sólo localizar los niveles correspondientes de VD e ID como se muestra en la figura 1. Como es natural..5 V (de la curva) y 0. Debido a que.. por lo regular..5 V 2rnA = 2500 18 Capítulo 1 Diodos semiconductores .5) Los niveles de resistencia en de en el punto de inflexión y hacia abajo serán mayores que los niveles de resistencia que se obtienen para la sección de crecimient·o vertical de las características.+ 0 lIlA 0.8 VD (V) FIgura 1.26 Ejemplo L L Solución a) EnID =2rnA.l Determine los niveles de resistencia en de para el diodo de la figura 1.26 en a) ID = 2rnA b) ID=20rnA e) VD = -10 V 30 _ 20 ------------ Silicio 10 _ . la resistencia determinada será en el nivel de corriente predeterminado (casi siempre unos cuantos miliamperes). los niveles de resistencia en la región de polarización inversa serán muy altos..Resistencia en dc o estática La aplicación de un voltaje de a UD circuito que contiene un diodo semiconductor tendrá por resultado un punto de operación sobre la curva característica que no cambiará con el tiempo. los óhmetros utilizan una fuente de comente relativamente constante. EJEMPLOl.. VD =0.

27. como lo muestra la figura 1. _ _ _ . el punto de operación sería el punto Q que aparece en la figura 1.5 y en el ejemplo l. VD = 0. por tanto. (1. muy pequeña. por tanto. mientras que la resistencia ac es mucho más alta en los niveles de corriente bajos.ID=-I. determinado por los niveles de dc aplicados. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequeño y equidistante como sea posible el cambio en ei voltaje y en la corriente a cualquier lado del punto Q. ' : _ ___ o -----.. La entrada variante desplazará de manera instantánea el punto de operación hacia arriba y abajo en una región de las características y. Resistencia en ac o dinámica A partir de la ecuación 1. Característica del diodo "--. PuntoQ (ope"dón de) Figura 1. 1.b) En ID = 20 rnA. menor será el valor de ~Vd para el mismo cambio en Md y menor será la resistencia. fCfJ'---------'" M Línea tangente : L_ .. Sin tener una señal con variación aplicada. La resistencia ac en la región de crecimiento vertical de la característica es.27.27 Definición de la resistencia dinámica o en ac. así como en la corriente que pueden ser utilizados para detenninar la resistencia en ac o dinámica para esta región en las características del diodo.l resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo es independiente de la forma de la característica en la región que rodea el punto de interés. la situación cambiará por completo.6) Mientras mayor sea la pendiente.28 Determinación de la resistencia en ac en un punto Q. Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de de. I = ~Vd rd .7 Niveles de resistencia 19 . define un cambio específico en corriente y voltaje.8 V (de la curva) y VD 0. Una línea recta dibujada tangencialmente a la curva a través del punto Q. como se muestra en la figura 1. que significa "estable o sin variación~'.=-lpA(delacurva)y VD 10V RD = = . definirá un cambio en particular en el voltaje. La designación del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en inglés de: quiescent). FIgura 1.28.dI d I donde ~ significa un cambio finito en la cantidad.= 10 MO ID 1 pA Es obvio que se sustentan algunos de los comentarios anteriores con respecto a los niveles de resistencia de de un diodo.8 V RD = = = 400 ID 20 rnA c) En VD=-lOV. En forma de ecuación.

6 0. 0.gura 1. la línea tangente en [D . 4mA .0.. En [D =30 mA.78 V. Los cambios que resultan en la corriente y el voltaje son = !J.65 Y = 0..8 Y .O mA = 4mA y y la resistencia en ac: !J. VD =0. la línea tangente en [D = 25 mA se dibujó como se muestra en la figura y se eligió una excursión de 5 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada. Los cambios que resultan en la corriente y el voItaje son !J.•.. 30 1 I . Solución a) Para [D = 2 mA. 2 0 !J.76 Y.. VD = 0.2.Vd = 0.65 V. 25 mA. VD =0. 2 mA se dibujó como se muestra en la figura y se eligió una excursión de 2 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada..Vd = .[d = 30mA .29 Ejemplo 1. VD 0.8 0. raI" 25 20 J \"v u" 15 10 5 4 .4 0.76 Y .[d 10 mA 20 Capitulo 1 Diodos semiconductores ..20mA = lOmA y !J..5 O 4 mA 0.78 Y = 0.2 0. Y en [D =20 mA...} F.. Y en[D = O mA.3 0..11 Y r = -d !J.9 ~ o I VI> (V) aY.29: a) Determinar la resistencia en ac en ID::.1 0.. e) Comparar los resultados de los incisos a y b con las resistencias en de a cada nivel. En [D = 4 mA.= 27..2 Para las características de la figura 1.7 0. b) Detenninar la resistencia en ac en [ D . 2 -----------------.11 Y b) Para [D = 25 mA.V 0..8 Y.5 0..02 Y rd = -d = ..[d.02 Y y la resistencia ac: !J.0.: 2 mA.Vd = 0.EJEMPLO 1.[d !J.

se tendrá d dVv y (lo) dIo dVo = dV k d [IsCekVDITK . tomando la derivada de la ecuación (104) con respecto a la polarización aplicada.28.Is en la sección de pendiente venical de las caractensticas y .6OO 298 .931v Invirtiendo el resultado para definir una proporción de resistencia (R =VIl).38.) TK siguiendo algunas maniobras básicas de cálculo diferencial.600 TI = II . en esencia..600 =11. Para Iv = 25 roA.. según se definió en la figura 1.1)] =-(lv+ / . Vv =0.62 Q la cual excede por mucho la r d de 2 n. Es decir.79 V 25 roA = 31. Si se encuentra la derivada de la ecuación general (104) para el diodo semiconductor con respecto a la polarización directa aplicada y luego se invierte el resultado. consiste. 1 para Ge y Si en la sección de crecimiento vertical de las características. la ecuación (l.s.5 n.79 V Y Rv = Vv Iv = 0.7 Niveles de resistencia 21 .'" --Iv dVo TK dl D k Sustituyendo 11.7Vy Rv = Vv = -2mA 0.026 dIo Iv o rd = 26mV I (1.7V Iv = 350 Q la cual excede por mucho la r d de 27.JGe. Vv = 0.. se obtiene dVo '" 0.93 y = 38. ID >. Por tanto. I_o 1. pero existe una definición básica en el cálculo diferencial que establece: La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la únea tangente dibujada en dicho punto.:..7) L -_ _ _ _.600 TK = Te + 273" = 25 0 + 273 0 = 298 0 de tal ionna que k TK dIo dVD = 1l.6). Se ha encontrado la resistencia dinámica en forma gráfica.e) Para/v =2roA. se obtiene k= y a temperatura ambiente II .. En general. se tendrá una ecuación para la resistencia dinámica o ac en esa región. encontrar la derivada de la función en el punto Q de operación..

7) es exacta sólo para valores de ID en la sección de crecimiento vertical de la curva. el factor rB es lo suficientemente bajo comparado con rd como para pennitir que se omita su impacto sobre la resistencia ac del diodo. rd = 2( ---r 26m'V\ ID (26mj 2 ..= 2(130) = 260 2mA La diferencia de 1.5 Q. Para los valores pequeños de ID por abajo del punto de inflexión de la curva. r' d 26mV =: . No hay necesidad de tener las caractensticas disponibles o de preocuparse per trazar líneas tangenciales como se defmió en la ecuación (1..7) resulta inadecuada. y la resistencia que presentan la conexión entre el material del semiconductor y el co~ductor metálico exterior (llamada resistencia del contacto).El significado de la ecuación (1. Estos niveles de resistencia adicionales pueden incluirse en la ecuación (1. y en algún momento se convertirá en un factor que con seguridad no se tomará en cuenta al compararse con rd . = r.la resistencia incluye la resistencia dinámica definida por la ecuación 1.- 1 + rB ohms (1. Todos los niveles de resistencia que se han detenninado hasta ahora han sido definidos para la unión p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en sí (llamada resistencia del cuerpo). y en el mejor de los casos los resultados deben manejarse con cuidado. Resistencia en ac promedio Si la señal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursión tal como lo indica la figura 1. y que la resistencia ac resultante al utilizar la ecuación (1. En los niveles altos de corriente.7) al añadir la resistencia denotada por rB como aparece en la ecuación (1. Este implica que la resistencia dinámica se puede encontrar mediante la sustitución del valor de la corriente en el punto de operación del diodo en la ecuación. La resistencia ac promedio es. es importante considerar que la ecuación (l.5 Q se debe tomar como una contribución debida a r B' En realidad. El análisis anterior se centró sólo en la región de polarización directa.7) se obtiene 26mV D 26mV rd = . Las mejoras tecnológicas de los años recientes sugieren que el nivel de rB continuará disminuyendo en magnitud.la determinación de rd con un alto grado de exactitud de una curva caractenstica utilizando la ecuación (1. Utilizando la ecuación (l. Por tanto. En la región de polarización inversa se supondrá que el cambio en la corriente a lo largo de la línea 1. Sin embargo. En los niveles bajos de corriente del diodo.6) es un proceso difícil.8). el nivel de rB puede acercarse al de rd .6) es suficientemente alta como para permitir la aproximación del circuito abierto. a lo largo del libro se supone que la resistencia ac se encuentra determinada sólo per r d y que el impacto de rB se ignorará a menos que se observe lo contrario. Utilizando la ecuación (1.2 la resistencia ac en 2 mA se calculó como de 27. Para el ejemplo 1.1 O para los dispositivos de alta potencia a 2 O para algunos diodos de baja potencia y propósitos generales.04D La diferencia de aproximadamente 1 n se debe tomar como una contribución de r B' Para el ejemplo 1.2 la resistencia ac en 25 mA se calculó como 2 O.7) debe comprenderse con claridad.6). por definición. pero multiplicando por un factor de 2 para esta región (en el punto de inflexión de la curva 1] = 2). Para valores menores de ID' 1] 2 (silicio) y el valor obtenido de rd se debe multiplicar por un factor de 2. la resistencia deter- 22 Capítulo 1 Diodos semiconductores .7). pero debido a que con frecuencia habrá otros elementos de resistencia de mucho mayor magnitud en serie con el diodo.la ecuación (1.30.8) D El factor r B puede tener un rango típico desde 0.7 y la resistencia r B que recién se presentó.= 25mA = 1. es nulo desde OV hasta la región Zener.1 . a la resistencia asociada con el dispositivo para esta región se le llama resistencia en ac promedio.

9) definió un valor que se considera el promedio de los valores ac de 2 a 17 mA.6 Figura 1. la resistencia ac haría la transición desde un valor alto en 2 mA al valor bajo en 17 mA.Vd 0. 0. y si fuera determinada a 17 mA.Id = 17 mA . 1. Tabla resumen La tabla 1.3 DA 0.30 Determinación de la resistencia en ac promedio entre los límites indicados.075 V con L\. L\.ld 1 punto por punto (1.. 0.7 " . sería menor.65 v = 0.075 V r.0.=--=----=5Q Md 15 mA Si la resistencia ac (rd ) estuviera determinada por ID = 2 mA.. Como se indicó antes. L\.30).8 0. La ecuación (1.7 Niveles de resistencia 23 . Vd r av:::: ó. En medio.5 0.2 mA = 15 mA y L\.9) Para la situación indicada por la figura 1. su valor no sería mayor a 5 a. En forma de ecuación (obsérvese la figura 1.ID (mA) 20 15 tJ d 10 5 o 0.V.1 0.Vd =0. El hecho de que pueda utilizarse un nivel de resistencia para tan amplio rango de las características probará ser bastante útil en la definición de circuitos equivalentes para un diodo en una sección posterior.9 minada por una línea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores máximos y mínimos del voltaje de entrada.30.2 0.725 V .2 se desarrolló con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las últimas páginas y de hacer énfasis en las diferencias entre los diversos niveles de resistencia. el contenido de esta sección es el fundamento para gran cantidad de cálculos de resistencia que se efectuarán en secciones y capítulos posteriores.

que ofrecerá una excelente primera aproximación al comportamiento real del dispositivo.31 debe resultar obvio que los segmentos lineales no resultan ser una duplicación exacta de las características reales. Circuito equivalente de segmentos lineales Una técnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las características del dispositivo mediante segmentos lineales. lo mejor posible.!!. define el nivel de resistencia cuando se encuentra en el estado "encendido". para representar.7 es la resistencia que aparece en el circuito equivalente de la figura 1.id ID Definida por una línea tangencial en el punto Q 26mV/IDQ ac promedio . En esencia. A partir de la figura 1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS Un circuito equivalente es una combinación de elementos que se eligen en/arma adecuado.6.Vd 26mV rd = . sistema o similar en una región de operación en particular. sobre todo en la región de inflexión de la curva de respuesta.2 Niveles de resistencia Características Tipo Ecuación especiales Determinación gráfica DC o estática Definida como un punto en las características AC o dinámica b.TABLA 1.31./d punto a punto Definida por una línea recta entre los límites de operación 1. En otras palabras. a continuación del dispositivo real. como se muestra en la figura 1.. El resultado es a menudo una red que puede resolverse mediante el empleo de técnicas tradicionales de análisis de circuitos.: . e insertar el circuito equivalente en su lugar sin afectar de forma severa el comportamiento real del sistema. el símbolo del dispositivo puede eliminarse de un esquema. Como es natural. El diodo ideal se incluye con el fin de establecer que existe una única dirección de conducción a 24 Capítulo 1 Diodos semiconductores . los segmentos resultantes son lo suficientemente cercanos a la curva real como para establecer un circuito equivalente. Para la sección con pendiente del equivalente. las características terminales reales de un dispositivo. Sin embargo. una vez que se define el circuito equivalente. al circuito equivalente que resulta se le llama circuito equivalente de segmentos lineales. el nivel de resistencia ac promedio que se presentó en la sección 1.32.

+ o FIgura 1. debe aparecer una batería Vr que se opone a la conducción en el circuito equivalente según se muestra en la figura 1. 1.7 V. tenga en cuenta que V T en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje independiente. si IF 10 mA (una comente de conducción directa en el diodo) a VD 0. la resistencia del diodo será el valor especificado de '". La batería sólo representa el defasamiento horizontal de las características que deben excederse para establecer la conducción.8 V . la resistencia rav es lo suficientemente pequeña como para omitirse en comparación con otros elementos en la red.7 V antes que haya conducción y = = 0.30. para un diodo semiconductor de silicio. Por ejemplo.sV (Vj) VD (V) F1gura 1.32.7 V con una polarización directa (según se muestra en la figura 1.1 V = lOmA =lOQ Circuito equivalente simplificado Para la mayor parte de las aplicaciones. Por lo regular. Cuando se establezca la conducción. 0.DmA según se obtuvo para la figura 1.8 V.9). y se generará una condición de polarización inversa en el estado de circuito abierto para el dispositivo.7V lOmA . no se obtendrá una lectura de 0. La eliminación de rav del circuito .31 Definición del circuito equivalente de segmentos lineales mediante el empleo de segmentos de linea recta para aproximar la curva característica. través del dispositivo. el nivel aproximado de ray puede determinarse a partir de un punto de operación en la hoja de especificaciones (la cual se analizará en la sección 1. se sabe que para el silicio se requiere un cambio de 0.31).8 Circuitos equi-valentes para diodos 25 . Sin embargo.32 Componentes del circuito equivalente de segmentos lineales.0.7\1 O.ID (mA) lü () 0. Si se coloca un voltímetro a través de un diodo aislado encima de una mesa de laboratorio. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de conducción hasta que VD alcanza 0. La batería sólo especifica que el voltaje a través del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la batería antes que pueda establecerse la conducción a través del dispositivo en la dirección que dicta el diodo ideal.

34 con sus características. y se establece que un nivel de 0. con todas sus características en segmentos lineales. el circuito equivalente se reducirá al de un diodo ideal. tal como lo muestra la figura 1.. mientras que el diodo ideal es aplicado con mayor regularidad en el análisis de los sistemas de fuente de alimentación donde se localizan los mayores voltajes. omitirse. En el capítulo 2 se verá que esta aproximación suele hacerse sin perjuicio considerable en cuanto a exactitud. objeto y sistema existente. en el estado de conducción a cualquier nivel de corriente del diodo (desde luego.. equivalente es la misma que aparece en las características del diodo. Desde luego. Éste establece que un diodo de silicio con polarización directa en un sistema electrónico bajo condiciones de de tiene una caída de 0.. De hecho.7-V puede.7 V a través de él. tal como se muestra en la figura 1. esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de circuitos semiconductores según se demuestra en el capítulo 2. figura 1. r~.. En este caso.33 Circuito equivalente simplificado para el diodo semiconductor de silicio. dentro de los valores nominales).3. es la representación de un dispositivo. Siempre existen excepciones a la regla general. y así sucesivamente.. a menudo. un modelo que. Tabla resumen Por claridad. Circuito equivalente ideal Ahora que rav se eliminó del circuito equivalente se tomará un paso más. en comparación con el nivel de voltaje aplicado. En la industria. por definición. pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizará con mucha frecuencia en el análisis de sistemas electrónicos.=OQ Figura 1. El circuito equivalente reducido aparece en la misma figura. los modelos de diodos que se utilizan para el rango de parámetros y aplicaciones de circuito se presentan en la tabla 1.34 Diodo ideal y sus características. 26 Capítulo 1 Diodos semiconductores . Cada uno se investigará con mayor detalle en el capítulo 2.. una sustitución popular para la frase "circuito equivalente de diodo" es modelo de diodo. esta terminología de sustitución se empleará casi de manera exclusiva en los capítulos subsecuentes.33.

también se presentan datos adicionales. se entiende que éste es igual al producto siguiente: (1. donde BR proviene del término "ruptura" (por la inicial en inglés de: breakdown) (a una temperatura especificada)] 5. 1. El valor de voltaje inverso [PIVo PRV o V(BR). Modelo simplificado o v. el significado de los datos. De otra forma. Sin embargo. como el rango de frecuencia. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas) 2.9 Hojas de especificaciones de diodo" 27 . Es común que consistan sólo de una breve descripción limitada. es un extenso examen de las características con sus gráficas.11) 8. en general. El tiempo de recuperación inverso t" (como se definirá en la sección 1. etc. existen piezas específicas de datos que deben incluirse para una correcta utilización del dispositivo. será claro por sí mismo.10) 7. Para la aplicación considerada.3 Circuitos equivalentes para diodos (modelos) Tipo Condiciones Modelo Características Modelo de segmentos lineales o v. tablas. Dispositi vo ideal Rred »r~v Ered »VT o 1. Éstos incluyen: l. El nivel máximo de disipación de potencia a una temperatura en particular 6.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS Los datos acerca de los dispositivos semiconductores específicos suele presentarlos el fabricante de dos maneras. El rango de temperatura de operación Dependiendo del tipo de diodo que se considere. el tiempo de conmutación. La corriente de saturación inversa IR (a una corriente y temperatura especificadas) 4. a veces de una página. Los niveles de capacitancia (según se definirá en la sección 1. La corriente directa máxima IF (a una temperatura especificada) 3. en cualquier caso.TABLA 1.10) donde ID Y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operación en particular. trabajo artístico. los niveles de resistencia térmica y los valores pico repetitivos. Si se proporciona la máxima potencia o el valor nominal de disipación. el nivel de ruido.

I .0 1.Si se aplica el modelo simplificado para una aplicación en particular (un caso frecuente).Temperatura máxima de operación de la unión Temperatura de la . 200 V (MIN) @ 100 !lA (BA 129) VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1) Temperaturas Rango de temperao1ra de almacenamiento ENCAPSULADO 00·35 B .51 1. Pdi'ip'd' - (0.69 0.88 0.78 0.00 0..f = = 1.33 mW¡OC Voltaje y corriente máximas WIV Voltaje inverso de trabajo Corriente rectificada promedio BAY73 BA129 100 V 180V 200mA 0-1----- Corriente directa continua Pico de corriente directa repetitivo Pico de corriente de onda directa Ancho de pulso = 1 s Ancho de pulso = 1 J1s 500mA 600mA NOTAS acero cubierto de cobre ConexIones doradas dIsponibles Encapsulado de vIdrio ~ellado henn¿hCameme Peso del paquete de 0. La fábrica debe ser consultada sobre aplIcaciones que involucran pulsos u operación con ciclo ele trabajo bajo. se puede sustituir VD = VT = 0. Es decir.T A .69 0.1 mA V R -20V. .71 0.. BA 129. 2 Estos son límit~~ de estado estables.0 = 10 nA ~A 5.0MHz IF .94 CARACTERÍSTICA Voltaje dir~cto MÍN 0.60 0.T A 125°C VR = 180V VR = 180V.00 0.83 0.10).7 V para un diodo de silicio en la ecuación (1.:anexión -65°C a +200 oC +17SoC +260°C Disipación de potenda (Nota 2) c-l---- Disipación máxima de potencia total a 25 OC de ambiente Factor de pérdida de disipación de potencia lineal (desde 25 OC) SOOmW 3.V R 35V RL 1.78 0.14 gramo.1 mA IF = 0.7 V)/D (Ul) DIFUSIÓN PLANAR DE SILICIO A--<f---' BV '" 125 V (MIN)@loo!lA(BAY73) 'BV .IOmA.85 0.0 V pF ~.12S"C VR = lOOV VR = lOOV.0mA IF = 0.80 0.0 Bv H Voltaje de ruptura Capacitancia Tiempo de: recuperación i versa- = 125 8.0 3.0 200 6. Figura 1.0 a lOOkO CL lOpF. y determinar la disipación de potencia resultante para compararla contra el valor de máxima potencia.. Cone~iones d~ l. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation..IAN256 = NOTAS: t Estos son valores límites sobre 10$ cuales el funcionamiento del diodo puede ser dañado.) 28 Capitulo 1 Diodos semiconductores .75 0..35 Características eléctricas de los diodos de alto voltaje y baja fuga Fairchild BAY73 .OA 4.68 500 5.60 0.81 MÍN MÁX UNIDADES V V V V V V V nA nA ~A CONDICIONES DE PRUEBA IF 200 mA IF 100 mA IF SOmA IF=lOmA If =5.TA 100°C 0.60 = = = F G IR Corriente inversa 0.0A CARACTERÍSTICAS EUtCTRICAS (25 SÍMBOLO E VF Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contrario) BAY73 BA 129 MÁX 1.67 0. IR - lOO~A e t rr vR = O.

-X e u g \' T '--'.0 o 4.5 3. I 0. .". .5 2.0 I i I I .dc . El término rectificador se aplica a un diodo cuando se emplea con frecuencia en un proceso de rectificación. vl I 5K IK ~ v.Coeficiente de temperatura _ mVolC CORRIENTE INVERSA CONTRA COEFICIENTE DE TEMPERATURA VR .." .36. I I -. BA 129.) 1. I '. ! 50 " . I i .5 í . ~-' ' + 1. a 25 VOLTAJE DIRECTO CO:-iTRA CORRIENTE DIRECTA 1000 CURVAS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS TÍPICAS Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contr. ¡"'-.8 1.¡. .. .oC O OL-~ O 25 50 75 100 125 ISO 175 200 TA . II I I I I folkH.¡. '" .0 r.0 (MPEDANCIA DINÁMICA CONTRA CORRIE~TE DIRECTA 100 I T" = 2~oC I . 1 i i I I I lOO 1. I I I . 11 I I I .~ ~ 10 . .0 16 Voltaje directo .Voltaje inverso . \.I I .0 ~ '§ (. E toO .-. mismo que se describirá en el capitulo 2.02 • í I I 1.1 0.p 0.2 0.0 1.9 Hojas de especificaciones de diodos 29 .. . I I . ! .0 1 0.0 1.35 y 1.Voltaje inverso .1 O TA - 25 50 75 100 125 ISO o 1.6 0. 1~<.0 O. I ~". I . 0. -' 0.0 12 0. I E 300 200 100 ¿~~' . -:'i = ~ 0.~- '2.\1 ~ 5 '" f--+-I--+C".. . I .Temperatura ambiente .volts Temperatura ambiente _ oC RD -Impedancia dinámica . i .05 I 1 I I i 10 I~~ ~+.Q CURVA DE PÉRDIDA DE DISIPACiÓN DE POTENCIA 500 400 300 200 CORRIENTE RECTIFICADA PROMEDIO Y CORRIENTE DIRECTA CONTRA TEMPERATURA AMBIENTE 500 1'\ '\ i f'\: i ! I I I 400 i I . I i I r\T .'~. (Cortesía de Fairchild Camera and lnstrument Corporation.36 Características térmicas de los diodos de alto voltaje Fairchild BAY73 .Temperatura ambiente _ oC Figura 1.0 I U E e 5 o. I \. 125 V I . J . I I i I ! om : O 25 50 7S 100 125 0. Tip~W . . Este ejemplo representaría la lista extensa de datos y características.0 .0 10 100 IK JQK V R .:' __-L·~~~~~ O 25 50 75 100 125150 175 200 TA .2 \" 2. 2 "'1.\-'oh!'> Te . =I . -::. I . I .lrio CORRIENTE DIRECTA CONTRA COEFICIENTE DE TEMPERATURA 500 I CAPACITANCIA CONTRA VOLTAJE INVERSO 6.0 .S ~ o :7 I ' . = 100 -< . 1 001 0.0 o o I i i 8.=?I.2 .volt~ VOLTAJE INVERSO CONTRA CORRIENTE INVERSA 1.Una copia exacta de los datos proporcionados por Fairchild Camera and Instrument Corporatíon para sus diodos de alto voltaje y baja fuga BAY73 y BA 129 aparece en las figuras 1. ~ " O 40 30 2-D 1. o 1. I l I 100 i I 1'\ T . I i v § E 0.5 1.4 VF - . 0. I ! lO I 2 . .

7 V. Nivel de disipación de potencia máximaPo= Volo = 500 mW.005 ¡. En V R " 20 Vy una temperatura de operación típica IR" 500 nA= 0.cendido.36 se utiliza una escala logarítmica.A a más de lOO mA.33 mW por grado de incremento en la temperatura arriba de la temperatura ambiente (25 oC). Observe. Observe que excede VT = V para ambos dispositivos. Corriente de sobrecarga pico.36. Corriente rectificada promedio. como se aprecia en la figura adjunta. En la figura inferior se encuentra que la corriente de saturación inversa cambia un poco con los cambios crecientes de VR.5 ¡LA. El rango de valores de VFen I F = 1. Corriente directa pico repetitivo. duraute el en. y en la figura inferior se puede ver que la resistencia ac (rd ) es sólo cercana al Q en lOO mA y aumenta a lOO Q en corrientes menores de 1 mA (según se esperaba a partir del análisis en secciones anteriores). La corriente rectificada promedio. Corriente directa continua máxima I F = 500 mA (observe I F en función de la m" temperatura en la figura 1.¡. C: D: E: F: G: H: 1: En algunas de las curvas de la figura 1. En la figura superior derecha se observa cómo disminuye la capacitancia con el incremento en el voltaje de polarización inversa. mientras que a un voltaje inverso mayor IR cae a S nA = 0. observe cómo los límites superiores se encuentran alrededor de 0.A. Características de temperatura según se indican. la comente de saturación inversa se incrementa con rapidez con el aumento en la temperatura (tal como se pronosticó antes).8) tiene un valor promedio definido por 1" = 0. Eu ocasiones. existirán corrientes muy altas a través del dispositivo durante breves intervalos de tiempo (que no Son repetitivos).2 debe ayudar a la lectura de las gráficas. En este caso.5 V a más de 1 V. El valor de potencia máxima disminuye a una proporción de 3. 30 capítulo l Diodos semiconductores . porque una forma de onda de corriente de media onda tendrá valores instantáneos mucho más altos que el valor promedio. 0.318 Ip"o' El valor de la corriente promedio es menor que las comentes directas continuas o pico repetitivo. el mal funcionamiento y otros factores similares.0 mA.36). El tiempo de recuperación inverso es 3 Ils para la lista de condiciones de operación.¡. Una breve investigación de la sección 11. según se indica con claridad en la curva de pérdida de disipación de potencia en la figura 1. 2.Las áreas específicas de las hojas de datos se resaltaron en gris con una letra de identificación correspondiente a la descripción siguiente: A: B: Los voltajes mínimos de polarización inversa (PIV) para cada diodo a una corriente de saturación inversa especificada. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo. su nivel puede ser superior al nivel continuo. Éste es el valor máximO instantáneo de la corriente directa repetitiva. Observe el empleo de la escala Celsius y un amplio rango de utilización [recuerde que 32°F = O oC = congelamiento (H. Sin embargo. se definen de la manera siguiente: 1. Este valor nominal define el valor máximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas del nivel de corriente. la manera en que VF se incrementó desde cerca de 0. Una señal rectificada de media onda (descrita en la sección 2. El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el diodo BAY73 en VR = VD = O V (sin polarización) y con una frecuencia aplicada de 1 MHz. mientras I F aumentó de lO ¡. pero permanece en menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta VR = 125 V.O) y 212°F = 100 oC = ebullición (HzÜ)]. la corriente directa pico repetitiva y la corriente de sobrecarga pico.. COmo aparecen en la hoja de especificaciones.7 El rango de valores de VF en IF =200 mA. . en la figura superior izquierda.

El resultado es que niveles crecientes de corriente resultarán en niveles crecientes de la capacitancia de difusión. Aunque el efecto descrito también se encontrará presente en la región de polarización directa.directa (CD ) - (V) • -25 -20 -15 -lO o 0. en esencia. y la constante de tiempo resultante (r = RC¡. 1. en particular cuando el impacto de cada parámetro se comprende con mayor claridad para la aplicación que se esté investigando. X" será lo suficientemente pequeño debido al alto valor def para presentar una trayectoria de "corto" de baja reactancia.. tiene aplicación en numerosos sistemas electrónicos.Mientras más se está en contacto con las hojas de especificaciones. mientras que en la región de polarización directa se tiene la capacitancia de difusión (e J o de almacenamiento. la capacitancia de transición que resulta disminuirá. éste es mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la velocidad a la que la carga es inyectada hacia las regiones justo afuera de la región de agotamiento. éstas se volverán más "amistosas" . En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos de capacitancia que deben considerarse. pero una sobrepasa a la otra de tal manera que en cada región sólo se consideran los efectos de una sola capacitancia. I 10 Polarización inversa (C r ) 7 5 7 POlarización.25 0.10 CAPACITANCIA DE TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN Los dispositivos electrónicos son inherentemente sensibles a las frecuencias muy altas. Sin embargo.5 Figura 1. debido a que su reactancia Xc = \l2rtfe es muy grande (equivalente a circuito abierto). en el capítulo 20 se presentará un diodo cuya operación depende totalmente de este fenómeno. De hecho. 1. C(pF) 15 . se comporta como un aislante entre las capas de carga opuesta. misma que es muy importante en las aplicaciones de alta velocidad.10 Capacitancia de transición y difusión 31 .37 Capacitancia de transición y de difusión en función de la polarización aplicada para un diodo de silicio. En la región de polarización inversa se tiene la capacitancia de la región de transición o de agotamiento (e T). Ambos tipos de capacitancia se encuentran presentes en las regiones de polarización directa y polarización inversa. Casi todos los efectos relativos a la capacitancia pueden omitirse a bajas frecuencias. esto no se puede ignorar a frecuencias muy altas. los niveles crecientes de corriente resultan en niveJes reducidos de resistencia asociada (lo cual se demostrará más adelante).37. Sin embargo. Debido a que el ancho de esta región (el) se incrementará mediante el aumento del potencial de polarización inversa. En la región de polarización inversa existe una región de agotamiento (libre de portadores) que. porque no se hace excesiva. El hecho de que la capacitancia es dependiente del potencial de polarización inverso aplicado. Recuerde que la ecuación básica para la capacitancia de un capacitar de placa'S paralelas está definida por e = EA/d. como lo muestra la figura 1. donde E es la pertnitividad del dieléctrico (aislante) entre las placas de área A separada por una distancia d.

se explican en los capítulos 12 y 20.- . En algún momento. 1.12 NOTACIÓN DE DIODOS SEMICONDUCTORES La notación que más se suele utilizar para los diodos semiconductores se presenta en la figura 1.-t. . Este segundo periodo se denota mediante t.39 Definición del tiempo de recuperación inverso. Casi todos los diodos de conmutación disponibles en el mercado tienen un t rr en el rango de unos cuantos nanosegundos hasta 1 J. presentan los fabricantes en las hojas de especificaciones de diodos. 1. Algunos detalles de la construcción real de dispositivos.40. En esencia~ el diodo pennanecerá en el estado de circuito cerrado con una corriente linversa determinada por los parámetros de la red. y se denota mediante t rr .s. una vez que ha pasado esta fase de almacenamiento. En la figura 1. la corriente del diodo se invertirá como se muestra en la figura 1. para las aplicaciones de baja O mediana frecuencia (excepto en el área de potencia). figura 1. En el estado de polarización directa. debido a que un gran número de portadores minoritarios se localizan en cada material..¡ Cambio de estado (encendido·apagado) requerido en t = ti' / ' Respuesta deseada [in\lersa '-_-'-! . Una de estas cantidades que todavía no se ha considerado es el tiempo de recuperación inverso.41 aparecen varios diodos semiconductores disponibles en el mercado. Esta combinación de niveles de polarización dará por resultado una condición de polarización directa o "encendido" para el diodo.. " . Para la mayor parte de los diodos cualquier marca.Los efectos de la capacitancia que se describieron antes se encuentran representados por un capacitor en paralelo con el diodo ideal. según lo muestra la figura 1. La terminología ánodo y cátodo es una herencia de la notación de bulbos. Si el voltaje aplicado se invierte para establecer una nueva situación de polarización inversa.38 Se incluye el efecto de la capacitancia de transición o de difusión en el diodo semiconductor. (tiempo de almacenamiento) que requieren los portadores minoritarios para retornar a su estado de portadores mayoritarios dentro del material opuesto. es una consideración importante en las aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Sin embargo. idealmente se desearía ver que el diodo cambia de fonna instantánea.. por lo general.. Sin embargo. se mostró antes que existe un gran número de electrones del material tipo n que pasan a través del material tipo p.12 ). Sin embargo. el capacitor no está incluido en el símbolo del diodo.41.38. . la corriente se reducirá en nivel hasta llegar a aquel asociado con el estado de no conducción.11 TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO Existen ciertas partes de datos que.. 32 Capítulo 1 Diodos semiconductores .40.'~ 1 FIgura 1. lo cual es un requisito para la conducción. (intervalo de transición). y un gran número de huecos en el tipo n. como un punto o banda. según se muestra en la figura 1.. Los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden hacia el material tipo n establecen un gran número de portadores minoritarios en cada material. 1-. -'='"""+--i/ [dircc¡... del estado de conducción al de nO conducción. Y permanecerá en este nivel susceptible de ser medido durante un tiempo t. como los que aparecen en la figura 1. aparece en el extremo del cátodo. hay unidades disponibles con un t rr de sólo unos cuantos cientos de picosegundos (10. El ánodo se refiere a un potencial mayor O positivo y el cátodo se refIere a una terminal a un potencial más bajo o negativo.1.39. por lo regular. El tiempo de recuperación inversa es la suma de estos dos intervalos: t rr := t s + t{ • Naturalmente.

Cuando se coloca en esta posición y se conecta coma se muestra en la figura 1. Observe el pequeño símbolo de diodo en la parte inferior del selector..41 Varios tipos de diodos de unión. en general. Función de verificación de diodos En la figura 1. El medidor tiene una fuente interna de corriente constante (cercana a 2 mA) que definirá el nivel de volta- je. Una indicación OL al conectar como en la figura 1. por las iniciales en inglés de: digital display meter) con una función de verificación de diodos.13 PRUEBA DE DIODOS La condición de un diodo semiconductor se puede detenninar con rapidez utilizando: 1) un multímetro digital (DDM.43b.cb Ánooo O'.) (b) (e) FlgUra 1. debe resultar una indicación OL debido a la equivalencia de circuito abierto que se espera para el diodo. (. [a) Cortesía de Motorola lnc.43a revela un diodo abierto (defectuoso).] 1. una indicación OL en ambas direcciones es indicativa de un diodo abierto o defectuoso. el diodo debe estar en encendido". o 3) un trazador de curvas. Por tanto.43a.42 se ilustra un multímetro digital con capacidad de verificación de diodos. etc. 2) la sección de medición de ohms de un multímetro.13 Prueba de diodos 33 . Si las conexiones se encuentran invertidas. como se muestra en la figura 1. y b) y e) Cortesía de International Rectifier Corporation. TCárod~ Figura 1. K. 1. y la pantalla indicará el voltaje de polarización directa tal como 0.67 V (para Si).40 Notación de los diodos semiconductores.

t----I A o (a) 0.44a.. Trazador de curvas (b) Figura 1. tal vez..5 V) por el circuito del óhmetro. mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direcciones quizá indique un dispositivo en corto. si se mide la resistencia de un diodo utilizando las conexiones que se señalan en la figura 1. Una lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condición abierta (dispositivo defectuoso). se puede esperar un nivel relativamente bajo. de una mayor escala de resistencia en el medidor.--+.44b.- R relativamente alta Terminal negra (COM) 1 lTerminal roja (Víl) En la sección 1.Figura 1. se puede 34 Capítulo l Diodos semiconductores . -'--I~. Mientras más alta sea la corriente. Inc.) {D (mA) Terminal roja (Víl) I t I t Terminal negra (COM) ---I~M--- .42 Multímetro digital con capacidad de verificación de diodos.44 Verificación de un diodo mediante un óhmetro.. Para la situación de polarización inversa la lectura debe ser bastante alta. Por tanto. requiriendo. (Cortesía de Computronics Technology. según se indica en la figura 1.45 puede desplegar las características de una gran cantidad de dispositivos. El trazador de curvas de la figura 1. .. Al conectar el diodo en forma adecuada al tablero de pruebas en la parte central e inferior de la unidad y ajustando los controles.67 V (b) Figura 1. incluyendo el diodo semiconductor. Prueba con un óhmetro (Óhmetro) R relativamente baja Terminal roja (VQ) 1 1 (a) Terminal negra (COM) +-----'. menor será el nivel de resistencia.43 Verificación de un diodo en el estado de polarización directa.7 se encontró que la resistencia en polarización directa para un diodo semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarización inversa. La indicación resultante en el óhmetro será una función de la corriente establecida por la batería interna a través del diodo (a menudo 1.

IV 0.625 y.¡\ I 9mA SmA mA Pordjvi~ión 7mA &mA horilOntal 100 m' 'mA 'mA 3mA 2mA U V ov O. en vez de arriba y lejos para la región positiva VD.6.7\1 O. a medida que se investigan las características de diversos dispositivos.) Por divi~ión lOmA VenIC. lne.el voltaje resultante sería de 625 mV = 0. en principio. el manual de instrucciones y algunos momentos de contacto revelarán que los resultados deseados por lo general se pueden obtener sin mucho esfuerzo y tiempo.45 Trazador de curvas.figura 1. revela que la corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a aquella de un diodo con polarización directa. La característica cae de manera casi vertical en un potencial de polarización inversa denotado como Vz. lo que da por resultado los niveles de voltaje que se indican.sión de la región Zener. la escala es de 100 m V/div.9V lmA DmA r> o g".47 Revi.SV 0. Observe que la escala vertical es de I mA/div.SV 0. lo que da por resultado los niveles indicados...ión 1.14 DIODOS ZENER La región Zener de la figura 1. Para un nivel de 2-mA. Para el eje horizontal.47 se analizó con cierto nivel de detalle en la sección 1. (Cortesía de Tektronix. por diVj.- Figura 1.46 Respuesta del trazador de curvas para el diodo de silicio IN4007. o 1. obtener una imagen en la pantalla como la de la figura 1. 35 .4\1 O. el instrumento parece ser muy complejo. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje horizontal. Aunque. El mismo instrumento aparecerá en más de una ocasión en los capítulos subsecuentes. 1.14 Diodos Zener Figura 1. como se definió para un DDM.46.2\1 03V 0.0V .6V 0.

49b.4 Caractelisticas elécmcas (25°C de temperatura ambiente. que produzca un aumento en el número de impurezas agregadas.49. Tipo Jedec IN961 Vz dinámica Impedancia maxima de punto de inflexión Corriente Corriente Voltaje de prueba inversa máxima reguladora máxima IZM Coeficiente máxima ZZT O IZT ZZJ( o IZK en) 700 IR o VR (¡¡A) lO (V) lO emA) 12. Sin embargo. 1 T (b\ Figura 1. Observe.50 se muestra un dibujo más grande de la región Zener con objeto de'pennitir una descripción de los datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla lA para un diodo Fairchild IN961 de 500-mW y 20%. Debido a su capacidad para soportar mayor temperatura y comente.50 Características de prueba de Zener (FairchUd lN96l).5 mA =8. como se muestra en la figura 1.49 Circuito equivalente de Zener: a) completo: b) aproximado.r 1 d l¡. soportará una corrienle en la dirección de la flecha en el símbolo.5. Para el diodo Zener la dirección de la conducción es opuesta a la de la flecha sobre el símbolo.48 con objeto de asegurar que la dirección de la conducción se comprenda con todo detalle junto con la polarización requerida del voltaje aplicado. como si se hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera sido un elemento resistivo. TABLA 1. .5 en) 8. En la figura 1.Q=Zn lz.48 Dirección de la conducción: a) diodo Zener: b) diodo semiconductor. El diodo semiconductor.8 hasta 200 V. Los diodos Zener se encuentran disponibles con potenciales Zener desde 1.25 mA = I ZK "'. Esta región de características únicas se utiliza en el diseño de los diodos Zener.2 emA) 32 de temperatura típico e%rc) +0. Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan uno alIado de otro en la figura 1. se puede esperar que el 'z v" /' ( v. y que el circuito equivalente es el que se indica en la figura 1. los cuales tienen el símbolo gráfico que aparece en la figura 1. El término "nominal" asociado con Vz indica que se trata de un valor típico promedio.10 .48a. para todas las aplicaciones siguientes se deberá suponer como primera aproximación que las resistencias son de magnitudes mucho mayores que la resistencia Zener equivalente. a menos que se observe lo contrario) Voltaje Impedancia Corriente de prueba.072 36 Capítulo 1 Diodos semiconductores . f . a su vez. Un incremento en el dopado.r= 12.w= 32 mA Figura 1. de acuerdo con el comentario en la introducción de esta sección. por lo general en la manufactura de los diodos Zener se prefiere silicio. con rangos de potencia desde 1hasta 50 W.. La localización de la región Zener puede controlarse mediante la variación de los niveles de dopado."'f (a) r v-L - v.uA 1" Vz 0. + VD ~ID fa) lb) Figura 1.25 VR (V) 7. incluye una pequeña resistencia dinámica y una bateria igual al potencial Zener. IZT Zener nominal. Debido a que se trata de un diodo de 20%. que la polarización de VD y de Vz son iguales. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la región Zener. en el estado "encendido".5 emA) 0. disminuirá el potencial Zener.~--ffi-o + v¿ ~ 1.

potencial Zener varíe cerca de 10 V ± 20% o entre 8 y 12 V en su rango de aplicación. También se encuentran disponibles diodos de 10% y 5% con las mismas especificaciones. La corriente de prueba 1ZT es la definida por el nivel ~ de potencia y ZZT es la impedancia dinámica en este nivel de corriente. La máxima impedancia del punto de inflexión ocurre en la corriente del punto de inflexión de JZK' La corriente de saturación inversa se alcanza en un nivel particular de potencia. e 1l.'VI representa la corriente máxima para la unidad de 20%. El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual en Vz con respecto a la temperatunl. Ésta se define por la ecuación .

%/OC

(1.12)

donde ~ Vz es el cambio que resulta en el potencia! Zener debido a la variación de la temperatura. Observe en la figura 1.51 que el coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo, o incluso hasta cero para diferentes niveles Zener. Un valor positivo reflejaría un incremento en Vz con un aumento en la temperatura. mientras que un valor negativo daría corno resultado la disminución en el valor con un incremento en la temperatura. Los niveles de 24 V, 6.8 V. y 3.6 V se refieren a tres diodos Zener que tienen estos valores nominales dentro de la misma familia Zener como el lN96l. Naturalmente. la curva para el lN96l de 10 V caería entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V Y 24 V. Regresando a la ecuación (1.12), Tu es la temperatura a la cual se ofrece Vz (por lo regular la temperatura ambiente. 25 OC), Y TI es el nuevo nivel. El ejetuplo l.3 demostrará el empleo de la ecuación (1.12).
Impedancia dinámica contra corriente Zener
1 kQ

Coeficiente de temperatura contra corriente Zener

E
:::

+0.12

,T"'"T l. -,"'-rT1L"Tl"1-' lil~;T l;-rr--c· 1
I

tf-~:2~~~~~'I.='~':l!!=I~!::~\*\~;!,=¡ttt=1 +Q.G4 tr~''-:·1~\J:j:t~i1:!¡tt:::d'j' l:::j
+0.08

500
el
200

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i !i I I 1 I,! f-~'I!-,~+'Ht~-+i_+-jll+¡¡-+,-++HII-+i

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I 1
0.1 0.2 0.5 1 2
1
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"' m1v
6.8 V

,

2
1

12 L...J..:1-_'-.!.l_-'--'-CL..-'-.l..J.lL.~

0.01 0.050.1

0.5

J

5 10

50 100

5

10 20

" "50

100

CorrÍente Zener.

Iz - (mA)

Corriente Zener. Iz - (mA)
(b)

Figura 1.51 Características eléctricas para un diodo Zener Faírchild de 500 mW. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

Detenninar el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild 1N96l de la tabla 1.4 a una temperatura de lOO oc.

EJEMPLO 1.3

Solución
A partir de la ecuación (1.12).

1.14 Diodos Zener

37

Los valores sustituidos a partir de la tabla 1.4 generan (0.072)(10 V) (lOO oC _ 25 OC) lOO = (0.0072)(75)

= 0.54 V
y debido al coeficiente de temperatura positivo, un nuevo potencial Zener, definido por
V~ = Vz

V;, es

+ 0.54 V

= 10.54 V La variación en la impedancia dinámica (fundamentalmente, su resistencia en serie) con la corriente aparece en la figura 1.51b. Una vez más, el Zener de 10 V surge entre los Zeners de 6.8 V Yde 24 V. Observe que mientras más grande es la comente (o mientras más arriba se esté en el eje vertical de la figura 1.47), menor será el valor de la resistencia. Observe igualmente que cuando se cae abajo del punt? de inflexión de la curva, la resistencia se incrementa a niveles significativos. La identificación de la terminales y el encapsulado pata una variedad de diodos Zener aparece en la figura 1.52. La figura 1.53 es una fotografía de diversos dispositivos Zener. Observe que su aspecto es muy similar al diodo semiconductor. Algunas áreas de aplicación del diodo Zener se examinarán en el capítulo 2.

Figura 1.52 Identificación y símbolos de las terminales Zener.

figura 1.53 Diodos Zener.
(Cortesía de Siemens Corporation.)

1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ
El aumento en el uso de pantallas digitales en las calculadoras, relojes y todo tipo de instrumentos ha contribuido a generar el muy considerable interés que hoy en día existe respecto a las estructuras que emiten luz cuando se polarizan en forma apropiada. En la actualidad, los dos tipos que se utilizan con más frecuencia para llevar a cabo esta función son el diodo emisor de luz (LED, por las iniciales en inglés de: light emitting diode) y la pantalla de cristal líquido (LCD, por las iniciales en inglés de: liquid crystal display). Debido a que el LED entra

38

Capítulo 1 Diodos semiconductores

en la familia de los dispositivos de unión p-n, se estudiará en este capítulo y algunas de sus redes se estudiarán en los capítulos siguientes. La pantalla LCD se describe en el capítulo 20. Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que emite luz visible cuando se energiza. En cualquier unión p-n con polarización directa existe, dentro de la estructura y en forma primaria cerca de la unión. una recombinación de huecos y electrones. Esta recombinación requiere que la energía que posee un electrón libre se transfiera a otro estado. En todas las uniones p-n de semiconductor, parte de esta energía se emite como calor y otra parte en forma de fotones. En el silicio y el germanio el mayor porcentaje se genera en forma de calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP), el número de fotones de energía de luz emitida es suficiente para crear una fuente de luz muy visible.
Al proceso de emisión de luz mediante la aplicación de una fuente de energía eléctrica se le llama electroluminiscencia.

Como se muestra en la figura 1.54 con su símbolo gráfico, la superficie conductora conectada al material p es mucho más pequeña, con objeto de permitir la emisión de un número máximo de fotones de energía lumínica. Observe en la figura que la recombinación de los portadores inyectados debido a la unión con polarización directa genera luz, que se emite en el lugar en que se da la recombinación. Puede haber, desde luego, alguna absorción de los paquetes de energía de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se encuentra disponible para salir, según se muestra en la figura.

/ ' Luz visible /" emitida

+ e
(-)

----..
ID

-::--I"--~e ~
VD

el-

(b)

Contacto/ metálico

"" Contacto metálico

Figura 1.54 a) Proceso de electroluminiscencia en el LED; b) símbolo gráfico.

La apariencia y características de una lámpara subminiatura de estado sólido de gran eficiencia que fabrica Hewlett-Packard aparece en la figura 1.55, Observe, en la figura 1.55(b), que la corriente pico directa es de 60 rnA con 20 mA de corriente directa promedio típica, Sin embargo, las condiciones de prueba que se enumeran en la figura 1.55(c) corresponden a una corriente directa de 10 rnA, El nivel de VD bajo condiciones de polarización directa se indica como VF y se extiende de 2.2 a 3 V. En otras palabras, se puede esperar una corriente de operación típica de aproximadamente 10 rnA a 2.5 V para una buena emisión de luz, Aparecen dos cantidades que aún no se han identificado bajo el encabezado de características eléctricas / ópticas a TA = 25 oC, Estas son la intensidad lumínica axial (Iv) y la eficiencia lumínica (1), La intensidad de la luz se mide en candelas, Una candela emite un flujo de luz de 4n lúmenes y establece una iluminación de 1 candela pie en un área de 1 pie cuadrado a 1 pie de la fuente de luz, Aunque esta descripción quizá no ofrezca una comprensión clara de la candela como unidad de medida, su nivel bien puede compararse entre dispositivos similares. El término eficacia es, por definición, una medida de la capacidad de un dispositivo para generar un efecto deseado. Para el LED, este es el cociente del nÚmero de lúmenes generados por watt aplicado de energía eléctrica. Esta eficiencia relativa está definida por la intensidad
1,15 Diodos emisores de luz

39

---------

lumínica por unidad de corriente, según se muestra en la figura 1.55g. La intensidad relativa de cada color contra la longitud de onda se muestra en la figura 1.55d, Debido a que el LED es un dispositivo de unión p-n, tendrá una característica en polarización directa (figura 1.5Se) similar a las curvas de respuesta del diodo. Observe el incremento casi lineal en la intensidad lumínica relativa con corriente directa (figura 1.55f). La figura 1.55h revela que mientras más larga es la duración del pulso a una frecuencia en particular, menor será la corriente pico permitida (después de pasar el valor de ruptura de tp )' La figura 1.55i muestra que la intensidad es mayor a 0° (de cabeza) y la menor a 90° (cuando el dispositivo se observa desde un lada).

Valores máximos absolutos aTA

= 25 Oc
Rojo de afra eficiencia
~160

Parámetros
Disipación de potencia Corriente directa promedio Corriente directa pico Rango de temperatura de operación y almacenamiento Temperatura de soldadura de la cone;<..ión [1.6 mm (0.063 pulg) del cuerpo [1] Pérdida desde 50 oC a 0.2 mA/oC.

Unidades

120 20,11

mv,:

60 _55°C a 100 C
Q

mA mA

230°C durante 3 segundos

(a)

(b)

Características eléctricas/ópticas aTA = 25

Oc
Rojo de alta eficiencia

4160
Símbolo Descripción
Intensidad lumínica axial Incluyendo el ángulo entre los Pl..mtos de la mitad de intensidad lumínica Longitud de onda de pico Longitud de onda dominante Velocidad de respuesta Capacitancia Resistencia ténnica

Mínimo

npico
3.0 80

Máximo

Unidades
med

Condiciones de prueba

LO

deg.

Nota 1

635 628

om om

Medida en el pico Nota 2
VF = 0:1= 1 Mhz ünión a la conexión cátodo a 079 mm (.031 pulg) desde el cuerpo

90
II

pF

"'

120

°crw

Voltaje directo Voltaje de ruptura inverso Eficacia lumínica

2.2 5.0
147

3.0

v
V

lF=lOmA
IR=lOO~A

lmJW

)¡ota 3

NOTAS,
l. el.'~ es el ángulo fuera dd eje al cual la intensidad lumínica es la mitad de la intensidad lumínica axial. 2. La longitud de onda dominante, P.d , se deriva del diagrama de cromaticidad elE y representa la longitud de onda única que define el color del dispositivo. 3. La intensidad radiante. le' en watts/estereorradianes. se puede encontrar a partir de la ecuación 1,. = /,.ITf l • donde/l' es la intensidad lumínica en candelas y Tf,. es la eficacia luminica en lúmenes/waU.

(e)

FIgUra 1.55 Lámpara subminiatura roja de estado sólido de alta eficiencia de Hewlett-Packard; a) apariencia; b) valores nominales máximos absolutos; e) características eléctricas/ópticas; d) intensidad relativa contra longitud de onda; e) corriente directa contra voltaje directo; f) intensidad lumínica relativa contra corriente directa; g) eficiencia relativa contra corriente pico; h) corriente pico máxima contra duración del pulso; i) intensidad lumínica relativa contra desplazamiento angular. (Cortesía de Hewlett-packard Corporation.)

40

Capítulo 1 Diodos semicondnctores

1.or-----------r-~--~~--_r------~

__~~--------~------·----_,
. /' Rojo GaAsP

Verde

ii 0.5 f-------,II------\---+--¡'----+'r--=="+--~--__j

:g

-=
500
550 600

O~~~~~----~~~~~~~·---=~-----~==·_·~~~~-~=----~
650 700

;

750

Longitud de onda - nm
(d)

2O

<
o ü

T,

=
~

~ 25°~

3.0

,
r1'.4 = 25°C

1.6

15 2.0 10

.g
6 u
~-

"-O 2

/
V ../'
O
5

" , "

1.5

1.4
1.3

i:g
·1 ~s

,
/ /
l

--

-

5

1.0

/
10
15

ª

1.2
l.l

1.0 0.9

OR
07

o
O

/
05
1.0 1.5

o
2.0
2.5
3.0

20

0"

Vr - Voltaje directo - V

°

10
I p""
-

20

40

50

"o

I r - Corriente directa - mA
(f)

Comente pico - roA
(gl

(,¡

--->-

T

I~

,

....:ió,¡ ....:~ ...

~J~

El

10

100

(000

10.000

20°

rp - Duración del pulso - )..ls
(h)
(i)

Flgura L55 Continuación.

1.15 Diodos emisores de luz

41

Hoy en día, las pantallas de visualización LEO se encuentran disponibles en muchos tamaños y formas diferentes. La región de emisión de luz está disponible en longitudes desde 0.1 a 1 pulgada. Los números pueden crearse por segmentos como los que se ejemplifican en la figura 1.56. Al aplicar una polarización directa al segmento apropiado de material tipo p, se puede desplegar cualquier número del O al 9 .

.LtJ
I~0803,,-I

.t:C.-. oto" i .
~

'r"

O.IOO"Tip

smIDJ
--..11--

Flgura 1.56 Pantalla visual de segmentos Litronix.

La pantalla de visualización de la figura 1.57 ofrece ocho dígitos y se utiliza en calculadoras. Existen también lámparas LED con dos conexiones que contienen dos LED, de tal forma que una inversión en la polarización cambiará el color de rojo a verde o viceversa. Actualmente, los LED se encuentran disponibles en rojo, verde, amarillo, naranja y blanco; el blanco con azul estará disponible pronto. En general, los LEO operan a niveles de voltaje desde 1.7 hasta 3.3 V, lo cual los hace por completo compatibles con los circuitos de estado sólido. Tienen un tiempo de respuesta rápido (nanosegundos) y ofrecen buenas relaciones de contraste para la visibilidad. El . requerimiento de potencia suelen ser de 10 hasta 150 mW con un tiempo de vida de 100.000 horas o más. Su construcción de semiconductor le añade un significativo factor de fortaleza.

Figura 1.57 Pantalla visual para calculadora con ocho dígitos y signo. (Cortesía de Hewlett-Packard Corporation.)

1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS INTEGRADOS
Las características únicas de los circuitos integrados se presentarán en el capítulo 12. Sin embargo, se ha alcanzado una plataforma en la introducción de circuitos electrónicos que permite por lo menos hacer un examen superficial a los arreglos de diodos en circuitos integrados. Se encontrará que el circuito integrado no es un dispositivo único con características totalmente diferentes a aquellas que se analizarán en estos capítulos introductorios. Simplemente es una técnica que permite una reducción significativa en el tamaño de los sistemas electrónicos. En otras palabras, dentro del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discretos que estuvieron disponibles mucho tiempo antes que el circuito integrado como se le conoce actualmente, se convirtiera en una realidad.

42

Capítulo l

Diodos semiconductores

Un arreglo posible aparece en la figura 1.58. Observe que los ocho diodos son internos en el arreglo de diodos Fairchild FSAI4IOM. Esto es, en el encapsulado mostrado en la figura 1.59 existe un arreglo de diodos en una placa única de silicio que tiene todos los ánodos conectados a la terminal 1 y los cátodos de cada una a las terminales 2 al 9. Observe. en la misma figura, que la tenninal 1 puede detenninarse como la que está del lado izquierdo de la pequeña proyección o ceja del encapsulado si se mira desde abajo hacia el encapsulado. Los otros números siguen después en secuencia. Si sólo se utiliza un diodo, solamente se utilizarian las tenninales 1 y 2 (o cualquier otro número del 3 al 9).

FSA1410M
ARREGLO MONOLÍTICO PLANAR DE DIODOS AISLADOS DEL AIRE
. c ... 5.0 pF CMÁX)
. dV F
•••

15 mv (~ÁX) @ lOmA DIAGRA:vtA DE COl\"EXIÓl\" FSA]4 ]OM _55°C a +200 oC +150°C +260 oC 400mW 600mW 3.2 mW¡OC 4.8 mW¡OC

VALORES NOMINALES MÁXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1) Temperaturas Rango de temperatura de almacenamiento :vtáxima temperatura de operación de la unión Temperatura en la conexión Disipación de potencia (Nota 2) Máxima disipación en la unión a 25 nc de ambiente Por encapsulado a 25 oC de ambiente Factor de pérdida de disipación lineal (desde 25 OC) en la unión Encapsulado Corriente y voltaje máximos WIV Voltaje inverso de trabajo Corriente directa continua Corriente de onda de pico directo Ancho de puLso = t.o s Ancho de pulso = l.o!ls

rfHtHH
2

J

4

5

6

7

8

9

Ver diagrama de base del encapsulado TO·96

55 V 350 mV

1.0 A
2.0A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (25 SÍMBOLO
I

Oc de temperatura ambiente a menos que se especifique lo contrarío)
MÍNIMO
I

CARACTERÍSTICA

MÁXIMO

UNIDADES

CONDICIONES DE PRUEBA
I

L 27. Voltaje de ruptura

60

!

v
1.5
11

V,

Voltaje directQ (Nota 3)

I
1

1.0 100 100 5.0 4.0
I

V V V

lF = 500 mA lF = 200 mA IF = 100 mA
V R =40V V R = 40 V

1,

Corriente inversa Corriente inversa (TA = 150°C) Capacitancia Voltaje pico directo
I
¡

nA
~A

I
i

e
V",
tú t rr

pF V

VR = O. f = 1 MHz
11 = 500 mA. Ir < 10 ns 11
_

I
I , I

Tiempo de recuperación directo Tiempo de recuperación inverso

40 10 50

n, n, n,
mV

500 mA.l, < 10 ns

I

I

l I = 1, =10- 200mA R L = IOOn. Rec. a 0.1 Ir II = 5ODmA.I, = 50mA R L = !DOn. Ret. a 5 mA

Igualdad de voltaje directo
NOTAS:

15

I

IF = lOmA

-----_._-

I Estos valore, son nlores limItes sobre Jo, cuales la vida O el de'empeño satIsfactorios pueden ser dañado, 2 Estos son límites estable~ de los estados. La fábrica debe ser con,ultada para aplicaciones que mvolucn:n operacIón con pulso o un Ctclo de tra1::>;¡Jo 1::>;¡jo. :; V F se mide utill2lmdo un pulso de & ms

Figura 1.58 Arreglo monolítico de diodos. (Cortesía de Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)

1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados

43

.... 0.230" +-

3

FIgura 1.59 Descripción del encapsulado TO-96 para el arreglo de diodos FSA1410M. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

~ Plano de montaje
0.500"

2
6

La forma del aislador de separación puede variar
Notas: Conex.iones de Kovar, banadas en oro Encapsulado sellado hennéticamente Peso del encapsulado: 1.32 gramos

7

~~~~~~~~~n

Vidrio

Los diodos restantes se quedarían "colgando" y no afectarían la red a la cual sólo estarían conectadas las terminales 1 y 2. Otro arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente, pero la secuencia de numeración aparece en el diagrama de base. La terminall es la que está directamente arriba de la pequeña muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales hacia abajo.

1

Diagramas de base FSA2500M

l'

TO-116-2 Descripción

0.785"

,

I

+" C:::::J
....L,..,...._~--:-..,.....---,
Plano de montaje

Ver descripción de! encapsulado TO-II6-2

-- -

o~r:"~:;::;;
t
.".';

~

Notas: Aleación 42. terminales estañadas Terminales bañadas en oro disponibles Encapsulado de cerámica sellado herméticamente

Figura 1.60 Arreglo monolítico de diodos. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

1.17 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
La computadora se ha convertido en una parte integral de la industria electrónica, de tal manera que las capacidades de esta "herramienta" de trabajo se deben presentar en la primera oportunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en computación, existe al principio un temor muy común hacia este poderoso sistema que parece complicado. Tomando esto en cuenta, el análisis por computadora de este libro fue diseñado para hacer que el sistema por computadora resulte más "amistoso", mediante la revelación de la relativa facilidad con que se puede aplicar para llevar a cabo algunas tareas muy útiles y especiales con una cantidad mínima de tiempo y un alto grado de exactitud. El contenido se escribió suponiendo que el lector no tiene experiencia previa en computación ni tampoco contacto con la terminología que se utilizará. Tampoco existe sugerencia alguna en cuanto a que el contenido de este libro sea suficiente para permitir una comprensión completa de los "cómos" y los "porqués" que surgirán. El propósito aquí es meramente presentar algo de la terminología, analizar algunas de sus capacidades, revelar las posibilidades disponibles, tocar algunas de las limitaciones y demostrar su versatilidad con un número de ejemplos cuidadosamente seleccionados. En general, el análisis por computadora de los sistemas electrónicos puede tomar uno de dos métodos: utilizando un lenguaje tal como el BASIC, Fortran, Pascal, o C, o utilizando un paquete de programación como PSpice, MicroCap 11, Breadboard, o Circuit Master, por nombrar unos cuantos. Un lenguaje, a través de su notación simbólica, construye un puente entre el

44

Capitulo 1

Diodos semiconductores

usuario y la computadora, el cual permite un diálogo entre los dos con el fin de establecer las operaciones que deben llevarse a cabo, El lenguaje que se usa en este libro es el BASIC, y se eligió debido a que emplea una cantidad de palabras y frases familiares de la lengua inglesa que revelan, por sí mismas, la operación que se desarrollará. Cuando se utiliza un lenguaje para analizar un sistema, se desarrolla un programa que define, en fanna secuencial, las operaciones que se llevarán a cabo, en su mayor parte, siguiendo el mismo orden con que se realiza el mismo análisis efectuando los cálculos a mano. Al igual que ocurre con el método de calcular a mano, un paso incorrecto y el resultado que se obtiene carecerá por completa de significado. Obviamente, los programas que se desarrollan con tiempo y aplicación son medios más eficaces para obtener una solución. Una vez que se establecen en su e"mejor" forma, se pueden catalogar y utilizar posterionnente. La ventaja más importante del método de los lenguajes radica en que el programa puede adaptarse con objeto de satisfacer todas las necesidades especiales del usuario. Permite que este último haga "movimientos" especiales que darán por resultado la obtención de datos en forma impresa, de manera informativa e interesante. El método alterno que se describió antes utiliza un paquete de computadora para llevar a cabo la investigación deseada. Un paquete de programación es un programa escrito y probado durante cierto tiempo, que se diseña para realizar un tipo de análisis o síntesis en particular de manera eficiente y con un alto nivel de exactitud. El paquete en sí no puede ser alterado por el usuario y su aplicación está limitada a las operaciones que se integran al sistema. Un usuario debe ajustar su deseo de información de salida al rango de posibilidades que ofrece el paquete. Además, el usuario debe capturar información, tal y como lo exige el paquete, o de lo contrario los datos pueden ser malinterpretados, El paquete de programación que se eligió para este libro es PSpice.* En la actualidad, PSpice se encuentra disponible en dos formas: DOS y Wmdows, El formato DOS fue el primero que se introdujo y es el más popular hoy en día. Sin embargo, la versión Windows cobra cada vez más aceptación confonne los usuarios conocen sus capacidades. Es como todo: una vez que se logra dominar un método que hará el trabajo por nosotros, se genera menos entusiasmo por tomar el tiempo para aprender otro método del que se obtendrán resultados similares, Sin embargo, los autores confIrman que confonne se conoce más la versión Wmdows, ésta ofrece algunas características interesantes que bien vale la pena investigar. La versión de DOS que se usa en este texto es la 6.0 y la de Windows es la 6.1. En MicroSim, ubicada en Irvine, California, se encuentran disponibles copias para evaluación, En la fIgura 1.61 aparece una fotografía de un paquete de Centro de Diseño completo con la versión CDROM 6.2, También se encuentra disponible en discos flexibles de 35", Una versión más compleja, que se denomina SPICE, está encontrando una amplia gama de aplicaciones en la industria, Por tanto, en general, un paquete de programación está "empacado" para realizar una serie de cálculos y operaciones, y para ofrecer los resultados en un formato definido. Un lenguaje

F¡gura 1.61 Paquete de diseño PSpice. (Cortesía de MicroSim Corporatíon.)
*PSpice es una marca registrada de MicroSim Corparation.

1,17

Análisis por computadora

45

permite un mayor nivel de flexibilidad, pero también omite los beneficios que brindan las numerosas pruebas y la investigación exhaustiva que se suelen realizar para desarrollar un paquete ~'confiable". El usuario debe definir cuál método satisface mejor sus necesidades del momento. Obviamente, si existe un paquete para el análisis o síntesis que se desea realizar, debe considerarse antes de optar por las muchas horas de trabajo que se requieren para desarrollar un programa confiable y eficiente. Además, es posible adquirir los datos que se necesitan para un análisis en particular de un paquete de programación y luego buscar un lenguaje para definir el formato de salida. En muchos aspectos, los dos métodos van de la mano. Si alguien continuamente tiene que depender del análisis por computadora, es necesario que conozca el uso y las limitaciones tanto de los lenguajes como de los paquetes. La decisión en cuanto a con qué lenguaje o paquete conviene familiarizarse es, básicamente, una función del área de investigación. Sin embargo, por fortuna, el conocimiento fluido de un lenguaje o un paquete específico ayudará al usuario a familiarizarse con otros lenguajes y paquetes. Existen similitudes en propósitos y procedimientos que facilitan la transición de un método a otro. En cada capítulo se harán algunos comentarios respecto al análisis por computadora. En algunos casos aparecerá un programa BASIC y una aplicación PSpice, mientras que en otras situaciones sólo se aplicará uno de los dos. Conforme surja la necesidad de entrar en detalles, se proporcionará la información necesaria para permitir cuando menos una comprensión superficial del análisis.

PSpice (versión DOS)
Este capítulo aborda las características del diodo semiconductor en particular. En el capítulo 2 el diodo se investiga utilizando el paquete PSpice. Como un primer paso dirigido hacia tal análisis, se presenta ahora el "modelo" para el diodo semiconductor. La descripción en el manual PSpice incluye un total de 14 parámetros para definir sus características tenninales. Éstos incluyen la corriente de saturación, la resistencia en serie, la capacitancia de la conexión, el voltaje de ruptura inverso, la corriente de ruptura inversa, y muchos otros factores que en caso necesario pueden especificarse para el diseño o análisis que vaya a realizarse. La especificación de un diodo en una red tiene dos componentes. El primero especifica la ubicación y nombre del modelo, el otro incluye los parámetros que se mencionan antes. El fonnato para definir la ubicación y el nombre del modelo del diodo es el siguiente para el diodo de la figura 1.62:
'-v-'

Dl

(+)

o--I~II--~o

2

3

(-)

Figura 1.62 Etiquetas de PSpice para la captura de diodos en la descripción de una red.

2

'-v-'

3

'-v-'

DI

+
nombre nodo nodo nombre del modelo

Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del renglón seguida por la identificación que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de los nodos (puntos de conexión para los diodos) define el potencial en cada nodo y la dirección de la conducción para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conducción se especifica a partir del nodo positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la descripción del parámetro que sigue. El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier número de diodos en la red, como D2, D3, Y así sucesivamente. Los parámetros se especifican cuando se usa una instrucción MODEL que tiene el fonnato siguiente para un diodo:
MODEL
'-v-'

DI

nombre del modelo

D(IS = 2E - 15) '---" especificaciones de parámetro

La especificación se inicia con los datos .MODEL seguido por el nombre del modelo según se especificó en la descripción de la ubicación y la literal D para especificar un diodo.

46

Capítulo 1 Diodos semiconductores

Las especificaciones del parámetro aparecen en paréntesis y deben utilizar la notación que se especifica en el manual PSpice. La corriente de saturación inversa se encuentra listada como IS y se le asigna un valor de 2 x 10- t5 A. Se eligió este valor debido a que, por lo general, resulta en un voltaje de diodo de cerca de 0.7 V para niveles de corriente de diodo que con frecuencia se encuentran en las aplicaciones que se analizan en el capítulo 2. De esta manera, del análisis manual y por computadora se obtendrán resultados relativamente cercanos en cuanto a magnitud. Si bien en el listado anterior se especificó un parámetro, la lista puede incluir los 10 parámetros que aparecen en el manual. Para los dos enunciados anteriores, es en particular importante seguir el fonnato según se definió. La ausencia de un punto antes de MODEL o la omísión de la letra D en el mismo renglón invalidarán por completo el registro.

Análisis del centro de diseño PSpice en Windows
Cuando se utiliza el PSpice para Windows, el usuario dibuja la red en un esquema en lugar de capturar renglón por renglón empleando los nodos de referencia. Por tanto, una fuente para cada elemento debe encontrarse disponible para colocarlos en la pantalla. Primero, se debe establecer una pantalla de esquemas (siguiendo un procedimiento de instalación que se deja a criterio del usuario), y luego se selecciona la opción Draw (Dibuja) desde la barra de menúes. Una vez seleccionado, aparecerá una lista de opciones de las cuales se elige Gel New.Part (Seleccionar una nueva parte). Aparecerá una caja de diálogo; se selecciona Browse (Hojear), lo cual lleva a la caja de diálogo de Get Part (Traer parte). Se escoge la biblioteca eval.slb del listado de librerías y se recorre la lista de Partes (part) hasta que se encuentra DIN414S. Cuando se hace "click", la Descripción (Description) superior revelará que se trata de un diodo. Se hace "click" en OK y aparecerá un símbolo de diodo en la pantalla de esquemas. Después que se mueve el diodo a la posición deseada. un "click" adicional dejará el diodo y añadirá las etiquetas DI y DIN414S. Cuando se haga "click" con el botón derecho pel apuntador (motise), se completa la secuencia de colocación del diodo. Si se deben cambiar los parámetros del diodo, simplemente de hace "c1ick" una vez (y sólo una vez) al símbolo del diodo en el esquema y luego se hace "c1ick" otra vez en la opción de Edición (Edit) en la barra de menú. Se elige el Modelo (Model) y luego Editar Modelo Ejemplificado (Edit Instance Model) (debido a que se desea establecer parámetros para una sola aplicación) y una caja de diálogo del Editor de Modelos (Model Editor) aparecerá con los parámetros del diodo. Los cambios en el modelo del diodo se pueden llevar a cabo en la caja de diálogo para ser utilizados en la aplicación real. Si no se observa la pantalla, lo anterior puede resultar algo difícil de seguir y comprender. Lo mejor sería obtener el modelo para su evaluación, inicializar la pantalla y realizar las operaciones en el orden indicado. En el siguiente capítulo se presentará una red real que ayudará en el proceso de revisión.

§

},2 Diodo ideal

PROBLEMAS

1. Describa, con sus propias palabras, el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispositivo o a un sistema.

2. Describa. con sus propias palabras, las características del diodo ideal y cómo se determinan los estados "encendido" y "apagado" del dispositivo. Es decir, describa por qué son adecuados los equi~ valentes de circuito cerrado y circuito abierto.

3. ¿Cuál es la diferencia más importante entre las características de un simple intenuptor y aquellas de un diodo ideal?

§

1.3 Materiales semiconductores

4. Con sus propias palabras, defina semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y resistencia
de contactos óhmicos.

S. a) Utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un área de 1 cm2 y una longitud de 3 cm. b) Repita el inciso a si la longitud es de 1 cm y el área de 4 cm2 . c) Repita el inciso a si la longitud es de 8 cm y el área de 0.5 cm2 • d) Repita el inciso a para el cobre y compare los resultados.

Problemas

47

6. Dibuje la estructura atómica del cobre y analice por qué es un buen conductor y cómo su estructura es diferente del gennanio y del silicio.
7. Defina, con sus propias palabras. un material intrínseco, un coeficiente de temperatura negativo y una unión covalente. 8. Consulte su biblioteca de referencia y mencione tres materiales que tengan un coeficiente de temperatura negativo y tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.

§

1.4 Niveles de energía

9. ¿Cuánta energía en joules se necesita para mover una carga de 6 C a través de una diferencia en potencial de 3 V? 10. Si se requieren 48 eV de energía para mover uoacarga a través de una diferencia de potencial de 12 Y, determine la carga involucrada.

11. Consulte su biblioteca de referencia y precise el nivel de E" para GaP y ZnS, dos materiales semiconductores de valor práctico. Además. determine el non~bre escrito para cada material.

§

1.5 Materiales extrinsecos: tipo n y tipo p
11

12. Especifique la diferencia entre los materiales semiconductores tipo

y tipo p.

13. Explique la diferencia entre las impurezas donoras y aceptaras. 14. Describa la diferencia entre los portadores mayoritarios y minoritarios.

15. Dibuje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como se mostró para el silicio en la figura 1.9.
16. Repita el problema 15, pero inserte una impureza de indio.

17. Consulte su biblioteca de referencia y localice otra explicación para el flujo de huecos contra el de electrones. Utilizando ambas descripciones, señale con sus propias palabras, el proceso de la conducción de huecos.

§

1.6 Diodo semiconductor

18. Explique, con sus propias palabras, las condiciones establecidas por las condiciones de polarización directa e inversa en un diodo de unión P-ll, y la manera en que se afecta la corriente resultante. 19. Describa, cómo recordará los estados de polarización directa e inversa en el diodo de unión p-n. Es decir, ¿cómo recordará cuál potencial (positivo o negativo) se aplica a cuál terminal?
20. Utilizando la ecuación (1 .4), precise la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio con l ~ = 50 nA y una polarización directa aplicada de 0.6 V. 21. Repita el problema 20 para T = 100 oC (punto de ebullición del agua). Suponga que Is se incrementó a 5.0 ¡LA. 22. a) Utilizando la ecuación (lA), detennine la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio con Is = 0.1 J1A a un potencial de polarización inversa de -10 V. b) ¿El resultado es el esperado? ¿Por qué? 23. a) Grafique la función y::;; eX para x desde O hasta 5. b) ¿Cuál es el valor de y = eX para x = O? c) Basándose en los resultados del inciso b, ¿por qué es importante el factor -1 en la ecuación (lA)? 24. En la región de polarización inversa la corriente de saturación de un diodo de silicio es de aproximadamente 0.1 Ji.A (T = 20 OC). Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa 40 oC. 25. Compare las características de un diodo de silicio y uno de gennanio y detennine cuál preferiría utilizar para la mayor parte de las aplicaciones prácticas. Proporcione algunos detalles. Refiérase a características de fabricante y compare las características de un diodo de germanio y uno de silicio de valores máximos similares. 26. Detennine la caída de voltaje directo a través del diodo cuyas características aparecen en la figura 1.24 a temperaturas de -75 oC, 2S oC, 100 oC y 200 oC y una corriente de 10 mA. Para cada temperatura precise el nivel de la corriente de saturación. Compare los extremos de cada una y haga un comentario sobre la relación de ambos.

48

Capitulo I

Diodos semiconductores

§

1.7 Niveles de resistencia

27. Determine la resistencia estática o de del diodo disponible en el mercaao ae la figura 1.19 con una corriente directa de 2 mA. 28. Repita el problema 26 con una corriente directa de 15 mA Y compare los resultados. 29. Determine la resistencia estática o de del diodo disponible en el mercado de la figura 1.19 con un voltaje inverso de -10 V. ¿Cómo se compara con el valor determinado para un voltaje inverso de -30 V? 30. a) Determine la resistencia dinámica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10 mA utilizando la ecuación (1.6). b) Precise la resistencia dinámica (ae) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10 mA utilizando la ecuación (1.7). e) Compare las soluciones de los incisos a y b.

31. Calcule las resistencias dc y ac para el diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de lOmA y compare sus magnitudes. 32. Utilizando la ecuación (1.6), determine la resistencia ac con una corriente de 1 mA y 15 mA para el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y d~sarrol1e una conclusión general respecto a la resistencia ac y a los crecientes niveles de corriente del diodo. 33. Utilizando la ecuación (1.7), determine la resistencia lC con una corriente de 1 mA y 15 mA para el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuación cuando sea necesario para los niveles bajos de corriente de diodo. Compare con las soluciones que obtuvo en el problema 32. 34. Determine la resistencia ac promedio para el diodo de la figura 1.19 para la región entre 0.6 y 0.9 V. 35. Determine la resistencia ac para el diodo de la figura 1 19 a 0.75 Vy compare con la resistencia ac promedio obtenida en el problema 34.

§

1.8 Circnitos equivalentes para diodos

36. Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de la figura 1.19. Utilice un segmento de línea recta que interseque el eje horizontal en 0.7 V Y que mejor se aproxima a la curva para la región mayor a 0.7 V. 37, Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29.

§

1.9 Hojas de especificaciones de diodos

* 38.

Grafique 1F contra VF utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Observe que la gráfica que se presenta utiliza una escala logarítmica para el eje vertical (las escalas logarítmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3). inversa para el diodo BAY73.

39. Comente el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de polarización 40. ¿Cambia significativamente en magnitud la corriente de saturación inversa del diodo BAY73 para
potenciales de polarización inversa en el rango de -25 Va-lOO V?

* 41.

Detennine para el diodo de la figura 1.36 el nivel de IR a temperatura ambiente (25 OC) Y en el punto de ebullición del agua (100 OC). ¿Es significativo el cambio? ¿Casi se duplica el nivel por cada incremento de 10 oC en la temperatura?

42. Para el diodo de la figura 1.36 detenrune la resistencia en ac máxima (dinámica) con una corriente directa de 0.1 mA, 1.5 mA Y20 mA. Compare los niveles y comente si los resultados respaldan las
conclusiones derivadas en las primeras secciones de este capítulo. 43. Utilizando las características de la figura 1.36, determine los niveles máximos de disipación de potencia para el diodo a temperatura ambiente (25 OC) Y 100 oC. Suponiendo que VF permanece fijo a 0.7 V, ¿cómo ha cambiado el nivel máximo de IF entre los dos niveles de temperatura?

44. Haciendo uso de las características de la figura 1.36, detennine la temperatura en la cual la corriente del diodo será del 50% de su valor a temperatura ambiente (25 OC).

Problemas

49

a 47.1 mA. determine la capacitancia de transición con potenciales de polarización inversa de -25 V Y-10 V. Dibuje la curva característica de la manera que tiene en la figura 1. Describa.51 a. a) 1. V R = 16.50.5 1b.55.4). Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (caracterizado a 25 OC) si el voltaje nominal cae a4. !O ti = 5 ns 10 k!l o .2 mA. * SS.5. 53.37. ¿En qué punto de la curva diría usted que se gana poco al seguir aumentando la corriente pico? 50 Capitulo I Diodos semiconductores .14 Diodos Zener SO.55 si la corriente pico crece de 5 a 10 mA? b) Repita el inciso a para 30 a 35 mA (el mismo incremento en corriente). § 1. Refiriéndose a la figura 1.11 Tiempo de recnperación inverso 49. Utilizando la infonnación que se proporciona en la figura 1. 48. Las siguientes características están especificadas para un diodo Zener en particular: V z = 29 V.63 Problema 49.8 V a una temperatura de 100 oC. Determine la proporción del cambio en capacitancia al cambio en el voltaje. IR:. Suponga una escala lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0. e) ¿Cómo se comparan las proporciones detenninadas en los y b? ¿Qué le indica a usted acerca de cuál rango tendrá más áreas de aplicación práctica? 46.10 Capacitancia de transición y difusión Con referencia a la figura 1. ¿qué nivel de coeficiente de temperatura esperaría para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de S V.8 V. 1 roA.5 Figura 1. Utilizando las curvas de la figura 1. 20}lA Y 12M :: 40 mA. cómo difieren las capacitancias de difusión y de transición. § 1. Y 10 mA. a) ¿Cuál es el porcentaje de incremento en la eficiencia relativa de la figura 1.5 1b a los niveles de corriente de 0. con sus propias palabras.§ * 45. 54. detennine la capacitancia de difusión a O V Y a 0.37. ¿Cuál es la proporción del cambio en la capacitancia al cambio en el voltaje? b) Repita el inciso a para potenciales de polarización inversa de -10 V Y -1 V. Detennine la impedancia dinámica para el diodo de 24 Valz = lOmA para la figura 1. Compare los niveles de impedancia dinámica para el diodo de 24 V de la figura 1. a un potencial directo de 0.37. Izr:: 10 mA. determine el voltaje directo a través del diodo si la intensidad lumínica relativa es de 1. * 58. Detenmne la reactancia ofrecida por un diodo descrito con las características de la figura 1.25 V. RefIriéndose a la fIgura 1.63 si tI = 2ts Y el tiempo total de recuperación inverso es de 9 ns.55e. Dibuje la fonna de la onda para i en la red de la figura 1. ¿Cómo se relacionan los resultados a la forma de las características en esta región? § 1. Observe que se trata de una escala logarítmica.15 Diodos emisores de lnz 56.2 V Y a un potencial inverso de -20 V si la frecuencia que se aplica es de 6 MHz. ¿cuál parecería ser un valor apropiado de VT para este dispositivo? ¿Cómo se compara con el valor de Vr para el silicio y el germanio? 57. c) Compare el porcentaje de incremento de los incisos a y b. * 51 ¿A qué temperatura tendrá el diodo Zener IN961 10 V Fairchild un voltaje nominal de 10. 52.75 V? (Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.

b) Repita el inciso a para una frecuencia de 100 Hz. a) Refiriéndose a l~ figura 1. 60.0 mcd para el dispositivo de la figura 1. ¿a qué ángulo será de 0. (Observe los valores máximos promedio.55h. detenrune la corriente pico tolerable máxima. Problemas 51 .* 59. a) Si la intensidad lumínica en un desplazamiento angular de 0° es de 3.) *Los asteriscos indican problemas más difíciles.55.75 mcd? b) ¿A qué ángulo cae la pérdida de intensidad lumínica debajo del nivel de 50%? * 61.55a como se determinó para la temperatura. si el periodo de la duración del pulso es de 1 ms.la frecuencia es de 300 Hz y la máxima corriente dc tolerable es de 20 mA. Dibuje la curva de pérdida de corriente para la corriente directa promedio del LED rojo de alta eficiencia de la figura 1.

.

Una vez que concluya este capítulo. Si bien los resultados que se obtienen al utilizar las características reales pueden diferir un poco de aquellos en los que se requiere una serie de aproximaciones. se comprenderá con claridad el patrón básico de componamiento de los diodos en las redes de de yac. Los conceptos que aprenda en este capítulo aparecerán de ·rnanera recurrente en los subsiguientes. Sin embargo. pero a menudo será suficiente para validar las aproximaciones utilizadas en el análisis. Por lo general. El objetivo principal del presente capítulo es desarrollar un amplio conocimiento práctico sobre el diodo en una variedad de configuraciones utilizando los modelos adecuados para el área de aplicación. sin embargo. El análisis abarcará desde el que emplea las características reales del diodo hasta el que utiliza. 53 . ¿Es la resistencia nominal de 100 ü exactamente igual a 100 ü? ¿El voltaje aplicado es exactamente igual a 10 V o quizá 10. esté en condiciones de realizar un análisis matemático minucioso. también se proporcionan detalles suficientes con objeto de permitir que quien lo desee. La variación puede ser ligera. En este libro el énfasis se centra en el desarrollo de un conocimiento práctico de un dispositivo. modelos aproximados. tenga en cuenta que también las características obtenidas de la hoja de especificaciones pueden ser un poco distintas a las que se obtengan del uso real del dispositivo. el cual por sí mismo se puede considerar un arte. También se deben considerar los otros elementos de la red. las características y los modelos no sufren cambio alguno. esto se lleva a cabo a través del proceso de aproximación. Es importante que la función y respuesta de varios elementos dentro de un sistema electrónico se comprendan sin tener que repasar de forma continua procedimientos matemáticos prolongados y tediosos.1 INTRODUCCIÓN La construcción. los diodos se utilizan a menudo en la descripción de la construcción básica de los transistores y en el análisis de las redes de transistores en de yac. El rango de aplicaciones no tiene fin. mediante la utilización de las aproximaciones adecuadas. Por ejemplo. En otras palabras.CAPÍTULO Aplicaciones de diodos 2. una vez que se comprende con claridad el componamiento básico de un dispositivo.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia general en cuanto a que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de aproximaciones~ quizá resulte tan "exacta" como una en la que se utilizan las características en su totalidad. evitando así un nivel innecesario de complejidad matemática. características y modelos de los diodos semiconductores se analizaron en el capítulo l. se pueden determinar su función y respuesta en una variedad infinita de configuraciones. El contenido de este capítulo revela una faceta interesante y muy positiva del estudio de un campo tal como el de los dispositivos electrónicos y los sistemas. las características de un diodo semiconductor lN4001 pueden variar de un elemento a otro dentro de un mismo lote. casi exclusivamente.

Considere la red de la figura 2.1b será la región de interés. cambiará la intersección sobre el eje vertical.1) y se resuelve para ID' se tiene una magnitud de ID sobre el eje vertical. Por razones obvias.VR (a) -"+ ID + + VD -l E_ ( + R VR =O o I E = VD + Irft I (2. Si se cambia el nivel de R (la carga). Esta similitud permite una graficación de la ecuación (2. la región de polarización directa.2. El resultado será un cambio en la pendiente de la recta de carga.2.1) ID (mA) Las dos variables en la ecuación (2. y en un punto de intersección diferente entre la recta de. con ID = O A la ecuación (2. El punto de intersección entre las dos es el punto de operación para este 54 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos . Aunque la mayor parte de las redes de diodos que se analizan en este capítulo no utilizan el sistema de la recta de carga.1a dará por resultado E .1) y se resuelve para VD' se tiene la magnitud de VD sobre el eje vertical. como lo indica la figura 2. Si se establece VD = O V en la ecuación (2. La polaridad resultante a través del diodo será como se señala.1 b.lb. Obsérvese en la figura 2. Si se establece ID = OAen la ecuación (2. es decir.1 que utiliza un diodo. la carga aplicada tendrá un impacto importante en el punto o región de operación del dispositivo.VD . Ahora se tiene una recta de carga definida por la red y una curva de características definida por el dispositivo.2. Pennite de igual fonna una validación de la aproximación de la técnica descrita a lo largo del resto del capítulo.• 2.1 Configuración de diodo en serie: a) circuito. con VD = O V la ecuación (2. Las intersecciones de la recta de carga sobre las características pueden detenninarse con facilidad si se considera que en cualquier lugar del eje horizontal ID = O A Y que en cualquier lugar del eje vertical VD'" O V.1) se convierte en E = VD + Irft = VD + (OA)R y VD '" EIID = oA I (2.1a que la "presión" que proporciona la batería tiene como objetivo establecer una corriente a través del circuito en serie.1) sobre las mismas características de la figura 2. indica que el diodo está en estado "encendido" y que se establece la conducción. la técnica se usa de manera frecuente en los capítulos siguientes.1) (VD e ID) son las mismas que las variables de los ejes del diodo de la figura 2.1 b. Por tanto. La intersección de la recta de carga con las características determinará el punto de operación del sistema. Por tanto. el cual tiene las características de la figura 2. carga y las características del dispositivo. se puede dibujar una línea recta sobre las características del dispositivo que represente la carga aplicada.3) como lo señala la figura 2.2) Figura 2. b) características. El hecho de que esta corriente y la dirección de conducción definida del diodo sean "semejantes". y el primer cuadrante (VD e ID positivos) de la figura 2. de acuerdo con el sentido de las manecillas del reloj. y esta introducción ofrece la aplicación más simplificada del método.2 ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA Normalmente. Una línea recta dibujada entre los dos puntos definirá una recta de carga como la descrita en la figura 2. Si el análisis se debe llevar a cabo de manera gráfica. a este análisis se le llama análisis mediante la recta de carga. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 2.1) se convierte en o (b) y ID = R El VD = OY (2.

1 10 + . La solución que se obtiene por la intersección de las dos curvas es la misma que podría conseguirse mediante la solución matemática de las ecuaciones simultáneas (2.2 Análisis mediante la recta de carga 55 .3). las cuales ofrecen una facilidad relativa con la que puede dibujarse la recta de carga utilizando las ecuaciones (2. El análisis de la recta de carga descrito antes ofrece una solución con un mínimo de esfuerzo. al punto de operación se le llama punto estable (abreviado "Q-pt".2) y (2. las matemáticas involucradas requerirían del uso de técnicas no lineales que están fuera de las necesidades y objetivo de este libro. Determinar para la configuración de diodos en serie de la figura 2.. o E Figu!'a 2. b) características.3a usando las características de diodo de la figura 2. 2.. por las palabras en inglés de: Quiescent PoinT) y refleja sus cualidades de "estable y sin movimiento" según se definió para una red de de. En general.Q VR + 6 5 4 3 2 o 0.5 0.3b: a) VDQ e IDQ • b) VR • EJEMPLO 2.1) Y (1. Mediante el sencillo dibujo de una línea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede determinarse el voltaje del diodo VD' mientras que una línea horizontal a partir del punto de intersección y hasta el eje vertical dará el ~ivel de ID .. Puesto que la curva para un diodo tiene características no lineales. Si R 9 8 7 > 1 k.1)].la.2 Dibujo de la recta de carga y la selección del punto de operación. La corriente ID es en realidad la corriente a través de toda 1a conflgúración en serie de la figura t.8 (b) • Figura 2. circuito. y una descripción "pictórica" de la razón por la cual se obtuvieron los niveles de solución para VDQ e 1DQ' Los siguientes dos ejemplos demostrarán las técnicas que se presentaron./ Caracteósticas (dispositivo) Punto Q '.4 ) [ID = IsCeKvD/TK .3 a) Circuito..

El punto Q resultante está definido por VD ".4 Solución al ejemplo 2.78V=9..3): VD = EI1D=DA = IOV La recta de carga resultante aparece en la figura 2.7V Q b) = IRR = IDQR = (4. Es cierto que los resultados ofrecen una magnitud esperada para el voltaje VR.O. Solución a) La ecuación (2.Solución a) La ecuación (2. Es ideal cuando los resultados que se obtienen de una ti otra manera son los mismos. I DQ == 9.2): ID = -E I R VD=OV 10V = .25 V o VR =E-VD =IOV-0.25mA El nivel de VD es una estimación y la exactitud de ID está limitada por la escala elegida.VD = 10 V .2 Repetir el análisis del ejemplo 2.= 10 mA IkQ La ecuación (2.0.2 V con VR = E ..1.9..7 V = 9. EJEMPLO 2.5. 56 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos . La intersección entre la recta de carga y la curva característica define el punto Q COffi<? VD ". b) VR = I.6mA La diferencia en los niveles se debe.R = ID R Q = (9.78V Q Q ID ".6 mA)(2 kQ) = 9. Obsérvese la pendiente reducida y los niveles de corriente del diodo para las cargas crecientes. a la exactitud con la cual se pueda leer la gráfica.3 V VR I DQ '" 4.1 con R = 2 kQ.4.3): VD = EIID = DA = lO V La recta de carga resultante aparece en la figura 2. Un grado más alto de exactitud requeriría de una gráfica mucho más grande.5 \ J 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (E) VD (V) Figura 2.25 mA ¡n (mA) '" lO 9 8 7 6 5 4 3 2 o 0.22V La diferencia en los resultados se debe a la exactitud con la cual se pueda leer la gráfica.25 mA)(1 kQ) = 9.O. una vez más.2): ID = !.I R VD = ov =~=5 2 kQ mA La ecuación (2. .

2 mediante el empleo del modelo aproximado para permitir una comparación de los resultados.2. Repetir el ejemplo 2. El punto Q resultante: VD Q EJEMPLO 2.25 mA 10 9 8 7 6 5 4 3 2 O 05 \1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD (V) Figura 2.1 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor' de silicio.1.7V Figura 2.6 mA 4 ''1 3 (del ejemplo 2. Si se recurre al modelo aproximado para el diodo y no se cambia la red. los siguientes dos ejemplos repiten el análisis de los ejemplos 2. Solucióu Se dibuja de nuevo la recta de carga según se muestra en la figura 2.10 9 8 f 7 Punto Q 11\! == 4.2 Análisis mediante la recta de carga 57 .3 = 0. De hecho. Las características del circuito equivalente aproximado para el diodo también se han trazado en la misma gráfica.1 y 2. Como se observa en los ejemplos anteriores.1 usando el modelo aproximado del diodo.1) o 05 \ I 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (E) VDQ == O. la recta de carga será exactamente la misma que se obtuvo en los ejemplos anteriores. mientras las características están definidas para el dispositivo elegido.6. 2. la recta de carga está determinada sólo por la red aplicada. con la misma intersección como se definió en el ejemplo 2.5 Solución al ejemplo 2.25 mA IDQ =9.6 Solución al ejemplo 2.7 V ID Q = 9.

1 empleando una curva de características qu~ resulta mucho más fácil dibujar que la que aparece en la figura 2. Solución La recta de carga se dibuja de nuevo como lo indica la figura 2.6 mA lo Q 1/)(mA) 10 9 8 7 6 I DQ =: 4. el punto Q está definido por VDQ = O V IDo = lOmA 58 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .78 V del ejemplo 2. EJEMPLO 25 Repetir el ejemplo 2.3 son muy interesantes.4. pero ahora las características ideales se intersecan con la recta de carga en el eje vertical. EJEMPLO 2.7. Las características del circuito equivalente aproximado para el diodo también se dibujaron en la misma gráfica.2.4 los resultados que se obtienen tanto para VD como para IDo son los mismos que los que resultaron empleando las características compfetas en el ejemplo 2. eligiendo a su vez una escala lo suficiente grande. que el uso de las aproximaciones adecuadas puede dar como resultado la obtención de soluciones que son muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproducción adecuada de las características.1 tiene una diferencia en magnitud del orden de las centésimas. Esto sugiere. son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las características completas.Los resultados que se obtienen en el ejemplo 2. con la misma intersección definida en el ejemplo 2.7 V 4.8 se mostró cómo la recta de carga continúa siendo la misma.4 Repetir el ejemplo 2.7 Solución al ejemplo 2.2 3 4 6 7 8 9 10 VD (V) utilizando el modelo aproximado del diodo. Solución En la figura 2. pero es cierto que están en la misma vecindad.2 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor de silicio. El punto Q resultante: VDQ ~ ~ 0.2.7 V contra 0. si se comparan sus magnitudes con las de los otros voltajes en la red. como se verá al aplicarlo en las próximas secciones.5 \1 V DQ ~ =>-.7 V 3 2 O 2 =:O.1 usando el modelo del diodo ideal.6 mA 5 4 -0. En el ejemplo 2. porque el nivel de ID es exactamente el mismo que el del ejemplo 2.cIf-o- 5 0. Los resultados indicarán las condiciones que deben ser satisfechas para poder aplicar el equivalente ideal de forma adecuada. El nivel de VD ~ 0.7V figura 2. Por tanto. Los ejemplos anteriores demuestran que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al utilizar el modelo aproximado.

y así sucesivamente. capacidades y áreas posibles de aplicación de un dispositivo. temperaturas. Es cierto que ofrecen alguna indicación acerca del nivel de voltaje y corriente que deben esperarse para otros niveles de voltaje de la red. Si r" fuera cercano en magnitud a los otros elementos en serie de la red.3 Aproximaciones de diodos 59 . a la respuesta obtenida al utilizar las características de manera completa.2 se indicó que los resultados que se obtuvieron al emplear el modelo equivalente de segmentos lineales fueron muy cercanos. de manera que minimice la necesidad de extensos desarrollos matemáticos. se podría considerar una solución "tan exacta" como la otra.8 Solución al ejemplo 2. Con la finalidad de preparar el análisis que se presentará.1 usando el modelo del diodo ideal.:::---3 4 o" ¡ 2 5 6 7 8 9 Figura 2. El modelo equivalente de segmentos lineales completo se presentó en el capítulo 1.1 como para causar una incertidumbre acerca de su exactitud. Recuerde lo siguiente: El propósito básico de este libro es desa"ollor un conocimiento general acerca del comportamiento. y en las situaciones donde los voltajes aplicados son de manera considerable más grandes que el voltaje de umbral VT" En las siguientes secciones se usará en forma casi exclusiva el modelo aproximado. a menos que se especifique 10 contrario. el modelo equivalente completo podría aplicarse de la misma forma como se describió en la sección 2. Debido a que el uso del modelo aproximado genera los resultados que se desean después de un tiempo y esfuerzo reducidos. ya que los niveles de voltaje que resulten serán sensibles a las variaciones que se aproximan a VT" También en secciones posteriores se usará el modelo ideal con mayor frecuencia debido a que los voltajes aplicados serán un poco más altos que VT. será entonces el sistema empleado en este libro. los modelos y las cond~ciones de aplicación de los modelos aproximados e ideales de los diodos. De hecho.3 APROXIMACIONES DE DIODOS En la sección 2. se desarrolló la tabla 2. 2. si no iguales. que los niveles de voltaje que pueden variar en décimas de un volt. muestra que el método del ejemplo 2. Ylos autores desean asegurarse que la función del diodo quede comprendida en fonna correcta y clara.2. Por tanto. pero el esfuerzo adicional de incluir el equivalente de 0. Yno se utilizó en el análisis de la recta de carga debido a que r av suele ser mucho menor que los otros elementos en serie de la red.Punto Q I DQ =10mA 10 9 8 7 ~ \ VD=OV ~ 2 ~~ . Aunque el diodo de silicio se usa en forma casi 2.3 es más apropiado. si se consideran todas las posibles variaciones debidas a las tolerancias. Los resultados son lo suficientemente diferentes para las soluciones del ejemplo 2. el uso del modelo del diodo ideal debe reservarse para aquellas ocasiones cuando la función de un diodo sea más importante.7 V.1 para repasar las características más importantes.

60 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos . Los fabricantes especifican la caída de voltaje a través de cada uno cuando el dispositivo se encuentra en "encendido'·. y por tanto se incluye en la figura 2.7~ lo (E> V-¡.TABLA 2.3 V -~ o 0. y detallan que el voltaje del diodo debe ser por lo menos del nivel que se indica antes que la conducción pueda establecerse.1 Modelos de diodo semiconductor aproximado e ideal + Siliciu 0.R»r".1. todavía se utiliza el diodo de germanio.7\1 ~ if-o ~O.3 V.) => o + Germanio 0.) => ------4--------+ + + V T - ~'_ ________V_D_ exclusiva debido a sus características de temperatura.Entrará al estado "encendido·· cuando VD.7 V Y el 0. pero están ahí sólo para que recuerde que existe un "precio que debe pagarse" por encender un diodo.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes independientes de energía.3 V VD Modelo ideal (Si o Ge) + OV -~ -l~-E (E»VT.. Un diodo aislado en la mesa de laboratorio no indicará 0. un diodo de germanio se aproxima mediante un equivalente de circuito abierto para los voltajes menores que Vr. De la misma manera que el diodo de silicio.7 V o 0.R»r".' = VT = 0.3 V si se coloca un voltímetro en sus terminales. Tenga en cuenta que el 0.

Para cada configuración. El procedimiento descrito podrá aplicarse a redes con cualquier número de diodos y en una variedad de configuraciones.10. Para las situaciones en que se emplee el circuito equivalente aproximado. Ge (a) --(b) 2. se necesitará para demostrar la aproximación descrita en los párrafos anteriores. se puede sustituir el equivalente adecuado como se definió en la sección 2. como lo indica la figura 2.9 a) Notación del modelo aproximado: b) notación del modelo ideal. y V D ~ 0. El circuito en serie de la figura 2.93 para los diodos de silicio y de germanio.ue la que resultaría si de hecho el diodo fuera un elemento resistivo.10 Configuración con diodo en serie. Se dibuja de nuevo la red como lo señala la figura 2.9b.. se reemplazarán mentalmente los diodos por elementos resistivos y se observará la dirección resultante de la corriente. .3 y determinar los parámetros restantes de la red detenninada. se puede colocar una caída de 0. probablemente se preferirá incluir la caída de 0. Inicialmente el método de sustitución se utilizará con el fin de asegurar que se detenninen el voltaje y los niveles de corriente adecuados. Si un diodo está en estado "encendido"..los siguientes: (2.. un diodo está en estado "encendido" si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su dirección concuerda con la flecha del símbolo del diodo. Primero. + v.12 Sustitución del modelo equivalente para el diodo en estado "encendido" de la.12 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio con polarización directa. La dirección resultante de 1 coincide con la flecha en el símbolo del diodo. el estado del diodo se determina de forma mental al reemplazar el diodo con un elemento resistivo. 2. La descripción anterior depende de que la fuente suministre un voltaje mayor que el voltaje de "encendido" (VT) de cada diodo. En esta sección se usará el modelo aproximado para investigar una variedad de configuraciones de diodos en serie con entradas de de. ¿.11 Determinación del estado del diodo de la figura.5) (2. el símbolo del diodo aparecerá como lo señala la figura 2.7 V para el silicio y V D ~ 03 V para el germanio.1.En las siguientes secciones se demostrará el impacto de los modelos de la tabla 2. el diodo se encuentra en estado "encendido". En general.7· Va través de cada diodo en "encendido" y dibujar una línea a través de cada diodo en estado "apagado" o abierto. Dicho contenido establece los fundamentos en el análisis de diodos que se aplicarán en las secciones y capítulos siguientes. ocurrirá la conducción a través del diodo y el dispositivo estará en estado ·'encendido". que la polaridad de VD es la misma 'l. de acuerdo como se establece debido a los voltajes aplicados ("presión").da configuración debe detenninarse el estado de cada diodo.~v .7-V a través del elemento. Figura 2. + v{) - lL + R vR (2. Si la dirección resultante es "similar" a la flecha del símbolo del diodo. Con el tiempo. Obsérvese para una futura referencia. para ca.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de dc 61 . o dibujar de nuevo la red con el circuito equivalente VT como se definió en la tabla 2.10. el símbolo del diodo aparecerá como lo indica la figura 2. + E F'· o.4 CONFlGURACIONES DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DE DC Figura 2. fígura 2. El voltaje resultante y los niveles de corriente son .2.10.11. Si las condiciones son las que podrían usarse en el modelo del diodo ideal.Cuáles diodos se encuentran en "encendido" y cuáles en "apagado"? Una vez que esto se hace.. descrito brevemente en la sección 2.6) Figura 2. Primero. 2.1 sobre el análisis de las configuraciones'de los diodos. y dado que E> VT.4) Si + Figura 2.

de la resistencia R es la siguiente: El hecho de que VR = O V establecerá E volts a través del circuito abierto.17 . R V. --1+ R V.. Figura 2.16 Circuito para el ejemplo 2. ac...13 Invirtiendo el diodo de la figura 2. Figura 2.16. como se definió por la ley de voltaje de Kirchhoff.14 Determinación del estado del diodo de la figura 2. + Debido a que el voltaje establece una corriente en la dirección de las manecillas del reloj para coincidir con la flecha del símbolo y que el diodo está en estado "encendido".7V=73V ID=IR= .3 V _332mA VR=E-VD =8V-O. = R 2. + VD=E +F E l"t.10.13 el diodo de la figura 2.2 ka .13. Esto es porque VR = VR = (O)R=O V. deberá satisfacerse la ley de voltaje de Kirchhoff. la corriente del diodo es de O A Y el voltaje a través . el resultado es la red de la figura 2. Siempre se tomará en cuenta que bajo cualesquiera circunstancias.+ E ~=- + R V. VD = 0. + ~ .15 Sustitución del modelo equivalente para el diodo en estado "apagado" de la figura 2.. Debido l~.14 indicará que la dirección resultante de la corriente no coincide con la flecha del símbolo del diodo. Figura 2. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo cerrado genera E . valores instantáneos de de.7. +~ E if"'"'''' ..6 con el diodo invertido. EJEMPLO 2.7 V VR 7.15. El reemplazo mental del diodo por un elemento resistivo según la figura 2. donde ID = O A. lo que genera el circuito equivalente de la figura 2. resulta que la dirección de 1 es opuesta a la flecha en el símbolo del diodo. En la figura 2.2kn EJEMPLO 2.13. Figura 2.VR y =O VD=E-VR=E-O=E =8V 62 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .2kQ 8 V V. Flgura 2. al circuito abierto.6 Para la configuración de diodos en serie de la figura 2. y que el equivalente del diodo es el circuito abierto sin importar qué modelo se utilice. 2.7 Repetir el ejemplo 2. El diodo está en estado "apagado".10 se invirtió. etc. Debido al circuito abierto. R 2.VD .6. E L 8V ID = OA o---l1 VD R Solución 'R = O: V R Al eliminar el diodo. pulsos. determinar VD' VRe ID' Solución +F E + Vo Si l'L.17 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2.

2.18 para el voltaje aplicado.19. y establece el equivalente del circuito abierto como la aproximación adecuada. Solución A pesar de que la "presión" establece una comente con la misma dirección que el símbolo de la flecha.onfiguración de diodo en serie de la figura 2. el nivel del voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio. Para la c. La corriente es cero.8.5 v R < 1. con la que el lector debe familiarizarse.2kn = OV y VD =E=O. pero la corriente siempre será igual a OA. pero la corriente estará limitada por la red que la rodea. / 0.7 V VD == 0. E =+lOVo Figura 2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de 63 . En el siguiente ejemplo es importante la notación de la figura 2. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a través de sus terminales. Dicha notación y otros niveles definidos de voltaje se tratarán con mayor profundidad en el capítulo 4.7 el alto voltaje a través del diodo a pesar de que se encuentra en estado "'apagado".Obsérvese en el ejemplo 2. pero el voltaje es significativo. en la figura 2. debe recordarse el análisis siguiente: l.20 Punto de operación con E '" 0. Un circuito cerrado tiene una caída de O V a través de sus terminales. Se trata de una notación común en la industria.8 ~ Si + E -=:=.2 kQ V R Figura 2.5 V 2.18 Notación de la fuente.5 V. determinar VD' VR e ID" EJEMPLOZ.20.5V o Figura 2.R = Id? = (OA)1. El punto de operación sobre las características se señal~. El voltaje resultante y los niveles de corriente son por tanto los siguientes: ID = OA VR = I.19 Circuito del diodo en serie para el ejemplo 2.0. Con el fin de repasar.

5.9.6 kn Figura 2. IR V.96mA R R Figura 2.6 kO Figura 2. y que la red de la figura 2.10. Figura 2.9 Determinar V.21 Circuito para el ejemplo 2.3 V = 11 V e [D=[R=-=-= VR Vo 11 V 5. porque E = 12 V > (0.EJEMPLO 2. Y Vo para el circuito de la figura 2. Solución Un enfoque similar que se aplicó en la figura 2. EJEMPLO 2.3 V) =1 V.23 Circuito para el ejemplo 2.22 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2.25.0. Nótese la fuente redibujada de 12 V Y la polaridad de Vo a través de la resistencia de 5.7 V + 0.6 kQ. e ID para el circuito en serie de la figura 2. Existe una similitud en la dirección de la corriente para el diodo de silicio. Si IR + 5.9. como lo señala la figura 2.7 V .22 es el resultado. .6 revelará que la corriente resultante tiene la misma dirección que las flechas de los símbolos de ambos diodos. pero no así para el diodo de g~l?Danio.VT .24 Determinación del estado de los diodos de la figura 2.10 Determinar ID' VD. Solución Al eliminar los diodos y al determinar la dirección de la corriente resultante 1 generará el circuito de la figura 2.21. 64 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .6kQ 0'1. = 12 V .25 Sustitución del estado equivalente para el diodo abierto.24. +12V ID Si G.23. La combinación de un corto circuito en serie con un circuito abierto siempre genera como resultado un circuito abierto e ID = O A. ? 1= o FIgura 2.23. El voltaje resultante Vo = E .0.VT . V D2 Si + 12 v o---~---f4I--ri-:-<' V.

4. y la dirección de la corriente se indica en la figura 2. sólo debe recordarse que para el diodo práctico real ID =OA.27.7 ka + FIgUra 2. + J.7 V + VI - + O. .28.28 Determinación del estado del diodo para la red de la figura 2.10. EJEMPLO 2. E. Figura 2.11 + v. Vo y = I¡? = lrfi = (OA)R = OY VD2 = Vcitcuito abierto =E = 12 V E .7 kn 2.2 ka: + v.O = 12V Determinar 1. .7V- . El diodo está en estado "encendido" y la notación que aparece en la figura 2. R2 E. 65 Figura 2. Obsérvese que el estado "encendido" se anota sólo mediante VD = 0. VD =O Y (y viceversa)..29 está incluida para indicar este estado.27.Vo = O La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj da y VD.La pregunta que permanece es: ¿qué sustituir en lugar del diodo de silicio? Para el análisis que seguirá y para los capítulos subsecuentes. = O Y se indican en la figura 2. + 5V¡ A V. Solución Las fuentes se dibujan de nueve. como se describió para la situación sin polarización en el capítulo l.Vo = l2V .. Figura 2. Las condiciones descritas por ID = OA Y VD. VI' V2 y Vo para la configuración de de en serie de la figura 2.11. R.29 Determinación de las cantidades desconocidas para la red de la figura 2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de .VD. (T 4.27.26 Determinación de las cantidades desconocidas para el circuito del ejemplo 2.O . 2.VD. .27 Circuito para el ejemplo 2. Vo con =E = OV VD. 110V .26.

. . La corriente resultante a través del circuito es.12.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO Los métodos aplicados en la sección 2. Recuerde que puede indicarse un diodo con polarización inversa. 2.27.3 V 6. Solución FIgura 2.30. Esto elimina la necesidad de dibujar de nuevo la red y evita cualquier confusión que pueda generarse por la aparición de otra fuente.73 V = IR. ambos diodos están en estado "encendido". la "presión" de la fuente es para establecer una corriente a través de cada diodo en la misma dirección que se muestra en la figura 2. es probable que esta sea la ruta y notación que se tomará. Para el voltaje aplicado.31. . = (2. El voltaje a través de los elementos en paralelo es siempre el mismo y Vo = 0.30 Red para el ejemplo 2.2 kQ) = 4. .adicional en la figura. = 4.7 V 4.0. Y los voltajes son V¡ V.E. y que el voltaje aplicado es mayor que 0.45 V El signo de menos indica que Vo tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2. e ID.VD = 10 V + 5 V .5V = ~. Como se señaló en la introducción de esta sección.12 Determinar Vo'!¡'!D. Debido a que la dirección de la corriente resultante es igual a la de la flecha en cada símbolo de diodo.4 se pueden extender al análisis de las configuraciones en paralelo y en serie-paralelo.. Con el tiempo.55 V . sólo se igualan las series secuenciales de pasos aplicados a las configuraciones de diodos en serie..7 V. el análisis completo se desarrollará sólo refiriéndose a la red original. EJEMPLO 2.07 mAl (4. Para cada área de aplicación.7 kQ + 2. .07mA R¡ + R.2 kQ = 14.07 mAl (2.7 V 66 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .9 kQ _2.7 kQ) = 9. 1= E¡ + E.55 V La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección de salida en la dirección de las manecillas del reloj generará un resultado y Vo = V.. una vez que se establece un nivel de confiabilidad en el análisis de las configuraciones de los diodos. para la configuración de diodos en paralelo de la figura 2. = IR¡ = (2. sólo con una línea a través del dispositivo.

D. Determinar la corriente 1 para la red de la figura 2.33.4 V .13. La corriente 1. Si la corriente nominal de los diodos de la figura 2. la corriente está limitada a un valor seguro de 14.31 Determinación de las cantidades desconocidas para la red del ejemplo 2.30.09 mA con el mismo voltaje terminal.7 V 0.18 mA 1.0. '-' Si D_ Figura 2.2kQ . 28..12 demostró una razón para colocar diodos en paralelo. una corriente de 28.2kQ _ 6.. 2..30 es sólo de 20 mA. EJEMPLO 2.95mA 1 R = 2. .33 kn R E 110 ..1SmA Suponiendo diodos de características similares."...R = VR = IOV .18 mA dañaría el dispositivo si apareciera sólo en la figura 2.12. Si . =. = 1 D. Solución Al dibujar de nuevo la red como lo indica la fIgura 2.7 V 4V Figura 2. = .33 Determinación de las cantidades desconocidas para la red del ejemplo 2.= 2 2 14.09mA El ejemplo 2.0.2 kQ + :1]' :' T + 0. v 0_ Figura 2.13.32. Al colocar dos en paralelo.11 + 1 V ' - ~ 0.13 1 -+ E¡=20V R 2.33 kQ = 2S.. se tiene 1D.7 V 2. se señala que la dirección de la corriente resultante es como para encender el diodo DI y apagar el diodo D 2 " La corriente resultante 1 es entonces 1= 20 V ..5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 67 .32 Red para el ejemplo 2..

y por tanto pennanecerá en su estado de circuito abierto como lo indica la figura 2.36 Red para el ejemplo 2.37 Determinación de las cantidades desconocidas para el ejemplo 2. para la red de la figura 2. 2. de la figura 2. _. La acción resultante se puede explicar sólo con notar que cuando la fuente se enciende incrementará de O Va 12 V en un periodo.212mA Figura 2.7-Va través del diodo de silicio no será igual a los 0. 68 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . como se observó por las direcciones de corriente resultante en la red.14 12 v Determinar el voltaje Va para la red de la figura 2.15 Determinar las corrientes /" /.2 kSl Inicialmente.3 V a través del diodo de gennanio.6 kQ . El diodo de silicio nunca tendrá la oportunidad de capturar su 0.3 kQ = 0.0. 03V rS ~ F a vTTo3V o O7 V I .15.35 Determinación de Vo para la red de la figura 2.34 Red para el ejemplo 2. 33 kQ D.7 V Figura 2. Durante el incremento en que se establece 0.3 V. e / D.37. E -....EJEMPLO 2. sin embargo. R. la caída de 0.3 V = 11.2 kD Figura 2.14. Nótese que el uso de la notación abreviada para los diodos '''encendido'' y que la solución se obtienen a través de una aplicación de técnicas aplicadas a las redes de en serie-paralelo. El resultado: Vo = 12 V . si ambos están en "encendido".3kQ 5.6 kQ 3. • Si R. I vo . Solución El voltaje aplicado (presión) es como para encender ambos diodos.36.7V 5.V1 + figura 2. EJEMPLO 2. por el hecho de que el voltaje a través de elementos paralelos debe ser el mismo. 2. aunque quizá se podría medir en milisegundos. Solución s. parecería que el voltaje aplicado "encenderá" ambos diodos.20 v v = 0. éste '''prenderá'' y mantendrá un nivel de 0.34.¡.34.7 V requerido.35.15. I----~v. ~ 3.3 V a través del diodo de germanio como se requiere.

r.0. (O( Oy 1 av. 2.3 V es lo suficientemente grande para ser considerado un nivel l.7 V positivos para el diodo de silicio (0.VT .3 en el lado del cátodo (-) de D 2 y O Ven el lado del ánodo (+).VD = 10 V -0. El análisis de las compuertas AND/OR se realiza con fáciles mediciones al utilizar el equivalente aproximado para un diodo. Por tanto.212 mA = 3.3 V.6kQ ID: + JI = 1:.7V ..La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la dirección de las manecilla. La dirección de la corriente y la trayectoria contin~a resultante para la conducción reafirman la suposición de que DI está conduciendo..0.. D.32 mA 5. La salida es de O si ambas entradas están en el nivelO.. D? está definitivamente en estado "apagado". en tanto que una entrada de O-V tiene asignado un "O··. observar que la polaridad a través de DI es tal como para encenderlo y que la polaridad a través de D 2 es tal como para apagarlo.38. para la red de la figura 2.16 es una compuerta OR para lógica positiva.. = O 18. La figura 2.. .16 + . del reloj produce: -V2 + E .7 V =9. mientras que D.32 mA '-.6 V = . el nivel de 10-V de la figura 2.1. Con 9. y lo.7V con 1.38 Compuerta lógica OR positiva. que demostrará el rango de aplicaciones de este dispositivo relativamente sencillo.6 COMPUERTAS ANDjOR s.38 tiene asignado un "1" para el álgebra booleana.6 Compuertas ANDjOR 69 . = V o R. D. Una compuerta OR es tal. = 20V .39 "sugiere" que DI está probablemente en estado "encendido'· debido a los 10 V aplicados. que el nivel de voltaje de salida será de 1 si alguna o ambas entradas son l. y no se incluirá un análisis detallado de álgebra booleana o de lógica positiva y negativa. Determinar V. Esto es. El siguiente paso es sólo para verificar que no existen contradicciones en las suposiciones. como se indica en lo que se dibujó de nuevo de la red de la figura 2. s.. (1) E=10 Ahora.40. con su lado "positivo" en O V está quizá en "apagado" .. lo cual sugiere que se trata de una EJEMPLO 2. el mejor método es el de establecer un sentido "intuitivo·' para el estado de los diodos mediante la observación de la dirección y la "presión" que establecen los potenciales aplicados. En el nodo a de la parte inferior 18. pero el 9.39. = 3. El análisis estará limitado a la determinación de los niveles de voltaje. Solución Obsérvese que en principio sólo existe un potencial aplicado. = E . La suposición de estos estados dará por resultado la configuración de la figura 2.3 V para el de germanio) para cambiar al estado "encendido'·. El análisis verificará o negará las suposiciones iniciales. la salida es un nivel 1 con sólo una entrada.108 mA 2. debido a que puede estipularse que el voltaje a través del diodo debe ser 0. La terminal 2 con una entrada de O V es esencialmente un potencial de tierra. ye ( ~ D. y la oportunidad de investigar una configuración de computadora. Rt .= 3. = 1. 10 V en la terminal l. las herramientas de análisis están a la disposición. Figura 2. La red que se analizará en el ejemplo 2. y - VT . En general. - Vr.38. y se puede asumir que el análisis inicial es correcto.0. Para D I el estado "encendido" establece Vo en Vo = E . Esto es. kQ Figura 2. Las suposiciones se confinuan por los voltajes y la corriente resultante.6 V V. El nivel de voltaje de salida no es de JO V como se definió para una entrada de 1. en lugar del ideal.39 Red dibujada de nuevo de la figura 2.V T .

7 Y. debido a que el diodo D.= 9.38.42 con las suposiciones iniciales respecto a los estados de los diodos. Si Solución Obsérvese en este caso que la fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de la red.42 Sustitución de los estados asumidos para los diodos de la figura 2. si los voltajes de entrada y fuente se encuentran en el mismo nivel y creando "presiones" opuestas? Se supone que D.3 mA FIgura 2. Debido a razones que pronto serán obvias.7 Y en el ánodo de DI y 10 Y en el cátodo.42 Yuna magnitud igual a I = = lOY.41.40 "=" Estados del diodo asumidos para la figura 2. R I k!l entrada. aunque exista una fuente de lO-y conectada al ánodo de DI a través de la resistencia.. Una entrada de O-Yen ambas entradas. Sin embargo.3 Y.3mA lkQ 10 Y . Figura 2.17 (1) Determinar el nivel de salida para la compuerta lógica ANO positiva de la figura 2. está polarizado directamente.. = ¡OY D. se elige el mismo nivel que el nivel lógico de la OVo E. DI está defi- E 1 .0. Para DI ¿de dónde vendrá el 0. nitivamente en estado "apagado".7 Y EJEMPLO 2. 70 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .7Y lkQ = 9. Con 10 Y del lado del cátodo de DI se asume que DI se encuentra en estado "apagado".7 Y.0..7 Y requerido para encender los diodos y la salida será de O debido al nivel de salida de O-v.41 Compuerta lógica AND positiva.. Con 0. se encuentra en estado "encendido" debido al bajo voltaje del lado del cátodo y la disponibilidad de la fuente de !O-Ya través de la resistencia de l-kQ .. recuerde que se mencionó en la introducción de esta sección que el empleo del modelo aproximado servirá de ayuda para el análisis.R 1 I kQ..42 el voltaje en Vo es de 0. compuerta ORo Un análisis de la misma red con dos entradas de lO-y dará por resultado que ambos diodos estén en estado "encendido" y con una salida de 9. (01 Si Ez =ov 2 D. La corriente 1 tendrá la dirección que se indica en la figura 2 .40 el nivel de corriente se encuentra determinado por I = = . no proporcionará el 0. Para la red de la figura 2. lO\' Figura 2. Para la red de la figura 2. La red está dibujada en la figura 2.41.

T/2). como en computadoras o sistemas de comunicación. No existe duda de que el grado de dificultad se complicará.44 Región de conducción (O 2. por tanto. El estado de los diodos es. rectificación de media onda 71 ... " . una única entrada dará por resultado un nivelO de salida. + + + . el valor promedio (la suma algebraica de las áreas arriba y abajo del eje) es cero.43. Durante el intervalo t = O .43 Rectificador de media onda..43. El circuito de la figura 2.. A través de un ciclo completo. Las dos terminales que definen el voltaje de salida están conectadas directamente a la señal aplicada mediante la equivalencia de corto circuito del diodo. ~ . la polaridad del voltaje aplicado Vi es como para establecer "presión" en la 'dirección que se indica. pero una vez que se comprendan varios movimientos. RECTIF1CACIÓN DE MEDIA ONDA Ahora. generará una forma de onda vo' la cual tendrá un valor promedio de uso particular en el proceso de conversión de ac a dc. La red más simple que se examinará con una señal variable en el tiempo aparece en la figura 2.43...43.44. Por el momento se utilizará el modelo ideal (obsérvese la ausencia de la identificación Si o Ge para denotar el diodo ideal). Cuando un diodo se usa en el proceso de rectificación. TI2 en la figura 2.. Figura 2.7 Entradas senoidales. el análisis de los diodos se ampliará para incluir las funciones variables en el tiempo. 2. ~ + ~ + R Vo R. para asegurar que el sistema no se dificulte por la complejidad matemática adicional. confinnado y el análisis anterior fue correcto..7 ENTRADAS SENOIDALES. y encender el diodo con la polaridad indicada arriba del diodo..... = Vmsen oor .. = V¡ ... llamado rectificador de media onda. Sus valores nominales de potencia y corriente son nonnalmente mucho más altos que los de los diodos que se usan en otras aplicaciones. Los estados restantes de los diodos para las posibilidades de dos entradas y ninguna entrada se examinarán en los problemas que aparecen al final del capítulo. Para la compuerta AND. tales como la fonna de onda senoidal y la onda cuadrada. el voltaje de salida es lo suficientemente pequeño para poder considerarlo en un nivelO. ~ + ~-. definido por el periodo T de la figura 2. Al sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo dará por resultado el circuito equivalente de la figura 2..-~-.. + + R ~ leido v. por tanto. donde parece muy obvio que la señal de salida es una réplica exacta de la señal aplicada. A pesar de que no hay O V como se especificó antes para el nivelO. es común que se le llame rectificador... el análisis será bastante directo y seguirá un procedimiento común. Figura 2.

. la diferencia entre voY Vi se encuentra en un nivel fijo de V T= 0. y la salida va se dibujaron juntas en la figura 2.318Vm Imediaonda (2..46 Señal rectificada de media onda.o+-+--. La entrada v. 72 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . la cual reduce de manera ¡--o-jt---o~-~+ O. Cuando conduce. es como se indica en la figura 2.7) + R v" "0 = OV .. Para los niveles de v...47 para la región de polarización directa.. Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un nivel de se le llama rectificación de media onda.7 V el diodo aún está en estado de circuito abierto y V o := O V.. Ahora. Figura 2.7 V se señala en la figura 2.. La señal aplicada debe ser abara de por lo menos 0.. El efecto neto es una reducción en el área arriba del eje.L 2 T T) ..46 con el propósito de establecer una comparación.45....Para el periodo T/2 ---'> T. El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y V o = iR = (O)R = O V para el periodo T/2 ---'> T... como lo indica la misma figura. .--~ Vd':: = OV o -r- Figura 2. y un valor promedio detenninado por Vdc = 0.. El efecto del uso de un diodo de silicio con Vr = 0. y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado "apagado" con un equivalente de circuito abierto.7V 11 + vr - R o I I ~2 Defasamiento debido a VT 11 11 T T t Figura 2.f--¡.7 V YV o = Vi ...47 Efecto de VT sobre la señal rectificada de media onda.45 Región de no conducción (T/2 ~ o . la polaridad de la entrada v.7 V antes de que el diodo pueda "encender".V r según se indica en la figura. menores que 0. la señal de salida v(J tiene un área neta positiva arriba del eje sobre un periodo completo.

e) Ecuación (2.18.natural el nivel resultante de voltaje de.3 18(200 V) = -63.0.14 V La caída resultante en el nivel de es de 0. .8): Vd' = -D. y V o aparecerá como se señala en la misma figura.O.5%.18 + + o TI Figura 2.318(20 V) = -6.: -0.50 y Vd'.7 V) = -(0.318)(199.7): Vd' = -D.8) Si vm es suficientemente más grande que V T' la ecuación 2.3V Figura 2. Solución a) En esta situación el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada según se muestra en la figura 2. (2.6 V Ecuación (2.49.318Vm = -D.318(Vm -0.7V) = -D.38 V la que es una diferencia que.8). Repetir los incisos a y b si Vm se incrementa a 200 V. rectificación de media onda 73 .36 V El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida de la figura 2. en efecto. EJEMPLO 2. Repetir el inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio. Para el inciso e el desvío y la caída en la amplitud debido a VT no sería discernible en un osciloscopio típico si se despliega el patrón completo.22 V o cerca del 3.7 Entradas senoidales.7) y (2.318(l9.7 es a menudo aplicada como una primera aproximación de VdC • a) b) e) Dibujar la salida voy detenninar el nivel de de la salida de la red de la figura 2.48. puede ignorarse para la mayor parte de las aplicaciones.3 18(200 V .3l8Vm = -D. + 20 0 + 2kQ o 'o O T 2 Figura 2.48.48 Red para el ejemplo 2.8 puede aplicarse para determinar el valor promedio con un alto nivel de exactitud. 2. Para el periodo completo. la salida tiene la apariencia de la figura 2. Para las situaciones donde Vm » Vp la ecuación 2. o L 2 \ 20V.318(Vm - v" VT ) = -D. Ycomparar las soluciones utilizando las ecuaciones (2.3V).18.50 Efecto de VTsobre la salida de la figura 2. el nivel dc es Vd' = -D.7V= 19..3 V) = -63.49. -14+ T ro '.49 V o resultante para el circuito del ejemplo 2.: -6. b) Utilizando un diodo de silicio.

Las polaridades resultantes a través de los diodos ideales también se señalan en la figura 2. El resultado neto es la configuración de la figura 2.53. con su corriente y polaridad indicadas a través de R. 2.8 RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA Puente de diodos El nivel de dc que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un proceso que se llama rectificación de onda completa.53 para mostrar que D. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff. Recuerde que se trata del valor del voltaje que no debe excederse en la región de polarización inversa. El valor PIV requerido para el rectificador d~ media onda puede determinarse a partir de la figura 2. O T 2 t FJgura 2. 74 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .9) vo == + 0------------+-----.43 con polarización inversa con un voltaje máximo aplicado. La red más familiar para llevar a cabo tal función aparece en la figura 2. Por tanto.51 Determinación del valor de PIV que se requiere para el rectificador de media onda.53 Red de la figura 2. pues de otra fonna el diodo entrará en la región de avalancha Zener. se hallan en estado "apagado". + "encendido" + _ "encendido"_ R + _ "apagado" A 2 + " A v. + T R D4 FJgura 2.54 Trayectoria de conducción para la región positiva de Vi.o IR= (O)R=O V Figura 2. el voltaje de carga V o = Vi' según se muestra en la misma figura. Figura 2.52 Puente rectificador de onda completa.51.54. Durante el periodo t '" O a Tl2 la polaridad de la entrada se muestra en la figura 2. la cual muestra el diodo de la figura 2. en tanto que D¡ y D.PIV (pRV) El valor del voltaje pico inverso (PIV. '--------' Valor PIV G Vm recrificador de media onda (2. por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) (o PRV.52 con sus cuatro diodos en una configuración en forma de puente. parece muy obvio que el valor PIV del diodo debe ser igualo mayor al valor del pico del voltaje aplicado. Debido a que los diodos son ideales.52 para el periodo O ~ T/2 del voltaje de entrada vi. y D3 están conduciendo. por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Va/tage) del diodo es muy importante en el diseño de sistemas de rectificación.

Para la región negativa de la entrada los diodos conductores son DI y D 4 .11) para el valor promedio con un nivel relativamente alto de precisión. T \ "2 + T "...56 Formas de onda de entrada y salida para un rectificador de onda completa.10) Sí se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indica en la figura 2. o .53.7) = 2(0.::==7 • ¿~ ~=O. (2.318V Vd' = 0. en comparación con la obtenida para un sistema de media onda.636Vm m) o I IOOd"OffiP¡et.2. el nivel de dc también ha sido duplicado y Vd' = 2(Ec.55. (2.v Ftgura 2. El resultado importante es que la polaridad a través de la resistencia de carga R es la misma que en la figura 2. R o "2 T T Figura 2.7V _ 0-+ R o·_\. una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conducción resultaría Vi - Vr Vo Vo - Vr = O 2Vr y = Vi - El valor pico para el voltaje de saIida va es. por tanto.56. Después de un ciclo completo los voltajes de entrada y de salida aparecerán según la figura 2.. .57. . Si Vm es lo suficiente más grande que 2V" entonces la ecuación (2. estableciendo un segundo pulso positivo. como se indica en la figura 2.10) a menudo se aplica como una primera aproximación para VdC ' 2..55.11) ¡~::::. puede aplicarse la ecuación (2.8 Rectificación de onda completa 75 .55 Trayectoria de conducción para la región negativa de v¡- T Figura 2.=. Para las situaciones donde V m» 2VT . generando la configuración de la figura 2.:. \ o . .57 Determinación de V para los diodos de silicio en Omh la configuración puente. Debido a que el área arriba deI eje para un ciclo completo es ahora doble.

invirtiendo los papeles de los diodos. El voltaje de salida aparece en la figura 2.PIV El PIV que se requiere para cada diodo (ideal) puede determinarse a partir de la figura 2.. l'2~-. pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a v ~ ..¡ ~ o : + !Jim ..Jrectificador puente de onda completa PIV~ I (2. la red aparece como lo indica la figura 2..".g.60. " + ". 2 m R + Figura 2..' :~: o I.12) F1gura 2..61. :'. 2 ~II >0-----'1.. Transformador con derivación central Un segundo rectificador de onda completa muy popular aparece en la figura 2.. D) asume el equivalente del corto circuito y Do el equivalente del circuito abierto.~ m + . __ I.60 Condiciones de la red para la región positiva de Vi' Durante la porción negativa de la entrada.'0/1"..61 ~ ~ Vm Condiciones de la red para la región negativa de v¡O 76 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . 2 T Vm t~'~ + CT .59 con sólo dos diodos..-_~-o_ _. pero requiere de un transformador con derivación central (CT. ~~ R + cr .60. D... " D. V lA \ va'" + O I.59 Transformador con derivación central para un rectificador de onda completa.V . . I \ ~~ ~. + " Figura 2. I . Para la malla indicada el voltaje máximo a través de R es Vm y el valor PIV se define por ' -_ _ _Vm -"'. \ O I.. '. la red aparece como se muestra en la figura 2. por las iniciales en inglés de: Center Tappeá) para establecer la señal de entrada a través de cada sección del secundario del transformador.58 Determinación del P¡V que se requiere para la configuración puente. Durante la porción positiva de Vi aplicada al primario del transformador. según se determinó por los voltajes secundarios y las direcciones de corriente resultantes. ¡Tfii.+. 2 T + Figura 2.58 que se obtuvo en el pico de la región positiva de la señal de entrada..

. como lo indica la figura 2. El redibujo de la red generará la configuración de la figura 2.través de la resistencia de carga R.66. r----~ PIV ~+-.64.66 Salida resultante para el ejemplo 2. reducir el nivel de dc disponible al siguiente: Vd' = 0. = = = = ~ o I 2 + + 2k. oVo•• +V.58 es igual al voltaje máximo a través de R. Vsecundario + R v'" + + VR = Vm + Vm y PIV f. Para la parte negativa de la entrada la función de los diodos será intercambiada y V o aparecerá según la figura 2. PIV La red de la figura 2.63 Red puente para el ejemplo 2.62 Determinación del nivel de PIV para los diodos del transformador con derivación central para un rectificador de onda completa.{l 2 ill > ~ o 2: T' Figura 2.64 Red de la figura 2.{l + 2 ill > + '. Solución La red aparecerá como en la figura 2. el PIV según se determinó en la figura 2. por tanto. 2 T tigura 2. 2Vm ' -_ _ _ _ _.:::_--' transformador CT. o I. 2.63 y calcular el nivel dc de salida y el PIV que se requiere para cada diodo. Sin embargo. donde V o +v.62 ayudará a determinar el PIV neto para cada diodo de este rectificador de onda completa.19.8 Rectificación de onda completa 77 .63 para la región positiva de Vi" Figura 2. La inserción del voltaje máximo del voltaje secundatio y el Vm de acuerdo con lo establecido para la red adjunta dará por resultado PIV .56 con los mismos niveles de dc.18 V o al disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. 2k. rectificador de onda completa I (2.65.19.65. EJEMPLO 2. 2ill ...65 Red redibujada de la figura 2.. 2 kO 2Hl Figura 2. El efecto neto es una salida igual a la que aparece en la figura 2. •• +(10 V) 5 V. El efecto de remover dos diodos de la configuración puente fue.636(5 V) = 3.---_--.19 + 2 kO T..64 para la región positiva del voltaje de entrada. el cual es de 5 V o la mitad de lo que se requiere para un rectificador de media onda con la misma entrada. ! '.13) Figura 2. Determinar la forma de onda de salida para la red de la figura 2. '.

+ . Aunque se presentó al principio como un rectificador de media onda (para fonnas de onda senoidales). En serie La respuesta de la configuración en serie de la figura 2. No existe un procedimiento genera! para el análisis de las redes como las del tipo que se presenta en la figura 2. Para la red de la figura 2.68.68 Recortador en serie con una fuente de.67a a una variedad de formas de onda alternas se ilustra en la figura 2. Existen dos categorías generales de recortadores: en serie y en paralelo..67b. + R Yo ./ 2..7 es un ejemplo de la forma más simple de un recortador de diodo.68 puede tener un efecto pronunciado sobre la salida de un recortador. (a) 'o . La adición de una fuente de de como la que se muestra en la figura 2. pero existen ciertas ideas que deberán considerarse mientras se trabaja en la solución. La fuente dc requiere más aún que el voltaje Vi sea mayor que V volts para encender el diodo. no existen limitaciones sobre el tipo de señales que pueden aplicarse a un recortador. y se reservará el efecto de VT a un ejemplo posterior.ortador en serie. El rectificador de media onda de la sección 2. la región positiva O negativa de la señal de entrada es "recortada". mientras que en paralelo tiene un diodo en una trayectoria paralela a la carga. v ~I-__f---'---o+ T Y. Hacer un dibujo mental de kl respuesta de la red basándose en kl dirección del diodo yen los niveles de voltaje aplicados. R figura 2.9 RECORTADORES Existe una variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de "recortar" una porción de la señal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda alterna. La configuración en serie es donde el diodo está en serie con la carga. (b) Figura 2. La región negativa de la señal de entrada está "presionando" a! diodo hacia 78 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . la dirección del diodo sugiere que la seña! Vi debe ser positiva para encenderlo. una resistencia y un diodo. El análisis inicial se limitará a los diodos ideales. l. Dependiendo de la orientación del diodo.67 Rec.68.

Puede ayudar el dibujar la señal de entrada arriba de la señal de salida y determinar los valores instantáneos de la entrada. En general.73 Dibujo de vO' 2.69.71. + ~I----ó--<>----r--o v Para un voltaje de entrada mayor que V volts el diodo está en estado de corto circuito. "~ + R 3. Para el diodo ideaL la transición entre los estados ocurrirá en el punto sobre las características donde vd O V e id O A.72 Determinación de V o cuando Vi = Vm' Figura 2.el estado "apagado".73.9 Recortadores 79 . Tenga en cuenta que a un valor instantáneo de Vi la entrada puede ser tratada como una fuente dc de dicho valor y el valor de dc correspondiente (el valor instantáneo) de la salida determinada. Por ejemplo.68 se genera la configuración de la figura 2. . Posteriormente.72. como el que se muestra en la figura 2. Para Vm> V el diodo está en estado de corto circuito y para V o Vm . se puede estar muy seguro que el diodo está en circuito abierto (estado "apagado") para la región negativa de la señal de entrada.71 Determinación de los niveles de v O. ' IV 1_ Vi • . 2. Al aplicar la condición id O Y Vd O a la red de la figura 2. o . '= T . V (los diodos cambian de estado) Figura 2.68.69 Determinación del nivel de transición para el circuito de la figura 2. se analizará la red que aparece en la figura 2. Para Vi V los diodos cambian de estado y para Vi Vm • Vo av. el voltaje de salida V o se puede determinar mediante la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj: Vi - Figura 2. es posible dibujar los voltajes de salida a partir de los puntos de datos resultantes de vo' como se demostró en la figura 2. =V (2.68.71.V. y la curva completa para V puede dibujarse como se muestra en la figura 2. .15) . V- V o = a (dirección de las manecillas del reloj) (2. donde se reconoce que el nivel de Vi que causará una transición en el estado es = = = = v. == vm 1~~ v + R 'o T -+v. .70 Determinación de VD. Estor consciente continuamente de las terminales definidas y la polaridad de vo ' Cuando el diodo se encuentra en estado de corto circuito. mientras que para los voltajes de entrada menores que V volts está en estado de circuito abierto o "apagado".14) R Figura 2. 2 T I Q T = = =- = Figura 2. aqui el nivel de DC se disminuye v. para el caso Vi = V m en la figura 2.70. como en la figura 2.T 4. Determinar el voltaje aplicado (voltaje de transición) que causará un cambio en el estado del diodo. soportado más aún por la fuente dc.V .' i ' y v o = v. "'1.

: Vi + 5 V.77.. I--~-<>----. el diodo entrará en estado de circuito abierto. o----.76 y Vi == -5 V.75 V o con diodo en estado "encendido".: O para los niveles de transición.• EJEMPLO 220 Determinar la forma de la onda de salida para la red de la figura 2.=0 V+5V =5V O f \ T vo=-S V+SV =OV Figura 2. se obtiene la red de la figura 2.. FIgUra 2.74. Solución La experiencia anterior sugiere que el diodo estará en estado "encendido" para la región positiva de Vi' especialmente cuando se observa el efecto de ayuda de V:. mientras que para los voltajes más positivos de -5 V el diodo estará en estado de corto circuito.74. 20 --'F"""'''''--''----+ T\ Voltaje de transición 5V "".76 O~-------+---'O Determinación del nivel de transición para el recortador de la figura 2. aquí el nivel de DC se aumenta V=5 v ~l-+-JI~II-~-~ T Or-----_-+--__O t R Figura 2. 80 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos . la red puede analizarse como si tuviera dos entradas de nivel de con la salida resultante V o graficada en el marco adecuado de tiempo. Para los valores de Vi más negativos que -5 V. El análisis de las redes de recortadores con las entradas de onda cuadrada es en realidad más fácil que las redes con entradas senoidales. debido a que sólo deben considerarse dos niveles.: 5 V. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.+ + SV R '.-----<> +. Sustituyendo id == O para vd:.17 Dibujo de V o para el ejemplo 2.20. La red aparecerá como lo señala la figura 2.74 Recortador en serie para el ejemplo 220. En otras palabras. Agura 2.75 y va:.

El voltaje resultante de salida aparece en la figura 2.21 20 o T -2 .9 Recortadores 81 .--O R + -+- o -v o -v Figura 2. + '{---'\fV'. EJEMPLO 2.79.67.82 Respuesta de un recortadoT en paralelo.80 a vi '" -10 V. Solución Para vi = 20 V (O -7 T/2) generará la red de la figura 2. colocando el diodo en estado "apagado" y V o i RR (O)R OV.21.--=---.79 V o a vi = +20 V. en paralelo con la salida para las mismas entradas de la figura 2. En paralelo La red de la figura 2. como se demostrará en el siguiente ejemplo.Repetir el ejemplo 2. Figura 2.21 que el recortador no sólo recortó únicamente 5 V de la excursión total de la señal sino que incrementó el nivel de de la señal por 5 V.81.=O V 25 Y + Oy o Vo T T "2 Dibujo de va para el FJ.78 Señal que se aplica para el ejemplo 2. = = = = = = + ~ 20 ¡=----I+ 5V + R IOV v r+ 1 5V + R v.gUra 2.78.. Figura 2. El diodo está en estado de corto circuito y V o 20 V + 5 V 25 V.20 para la onda cuadrada de entrada de la figura 2. El análisis de las configuraciones en paralelo es muy similar a la que se aplica a las configuraciolles en serie. Obsérvese en el ejemplo 2.80.21.----. Para Vi -10 V dará como resultado la figura 2.1 T 10 figura 2.82 es la más sencilla de las configuraciones de diodos. 2..81 ejemplo 2.

86.22. el siguiente ejemplo especificará un diodo de silicio. donde la condición =OA para vd =O Y se ha impuesto. El resultado es que v.22.22.----EJEMPLO 222 Determinar V o para la red de la figura 2.83. Para esta región la red aparecerá como lo señala la figura 2. O-~"'''''~-. 82 Capítulo 2 Aplícaciones de diodos . Determinación de para el estado abierto del diodo. Para el estado de circuito abierto la red aparecerá según se muestra en la figura 2. donde V o = Vi' Completando el dibujo de V o resulta la forma de onda de la figura 2.85. Cualquier voltaje de entrada menor que 4 V generará un diodo en corto circuito.86 1 1 'o 4v o Vo T T '2 Agora 2. R + o c_--_____v I~_4_v~o __ Figura 2. " " v q Figura 2. el voltaje de entrada debe ser mayor a 4 Y para que el diodo esté en estado "apagado". v.87. en lugar del equivalente del diodo ideal.85 V_-~j[~4-'-'--_<o + El estado de transición puede determinarse a partir de la figura 2.84.83 Ejemplo 2. Debido a que la fuente de se encuentra obviamente "presionando" al diodo para permanecer en estado de circuito cerrado. 16 + v. donde las terminales definidas para V o requieren que V o = V = 4 y._-----O R + + v o-------------~------~o 1 4V Figura 2.87 Dibujo de V o para el ejemplo 2.84 V o para la región negativa de Vi' + + o_----_____ Figura 2. de id Determinación del nivel de transición para el ejemplo 2. Solución La polaridad de la fuente de y la dirección del diodo sugieren que el diodo está en estado "encendido" para la región negativa de la señal de entrada. (la transición) = V =4 Y. Para examinar los efectos de VT sobre el voltaje de salida.

se encuentra que EJEMPLO 2.91. incluyendo los efectos de V ro no serán tan difíciles.89 4V Determinación de V o o_ _ _ _ _ _~_ _ _o estado "encendido". Solución El voltaje de transición suele detenninarse en primera instancia al aplicar la condición de i d := OA cuando vd VD 0. para el diodo de la figura 2. 2. pero una vez que el análisis se comprende con el diodo ideal. 0.7V 3.7 V = 3.23 = = Vi + VT - V= O y V. Resumen Una variedad de recortadores en serie y en paralelo con los resultados de salida para las entradas senoidales se presentan en la figura 2.89. Nótese que el único efecto de VT fue disminuir el nivel de transición desde 3. y obteniendo la red de la figura 2.23.88.0.3 V.9 Recortadores 83 .88 Determinación del nivel de transición para la red de la figura 2. el diodo estará en circuito abierto y va = v. con su capacidad de recortar Una sección positiva o negativa como se detennÍne por la magnitud de sus fuentes de de.Repetir el ejemplo 2.3 V + e R + ) ] . 07V Figura 2. Obsérvese en particular la respuesta de la última configuración. o T T Figura 2.3 V \}R :::: if? ov Figura 2.7 V. el diodo estará en estado "encendido" y resul· tará la red de la figura 2. No hay duda de que incluir los efectos de VTccmplicarán el análisis un poco. 16 V 3.90 Dibujo de V "2 o para el ejemplo 2.90. =Vi¡/?:::: VT =4V = (O)R = .3 V J. el procedimiento.83.3 V a 4 V. Para los voltajes de entrada menores que 3. Para los voltajes de entrada mayores que 3..83 en La forma de onda resultante de salida aparece en la figura 2. donde v o = 4V . Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de salida en el sentido de las manecillas del reloj.3 V.7 V.22 usando un diodo de silicio con V T = 0..

J + ~~\vm v o V o t o _-v o ~ -.. + R '" " o -(Vm-V) Recortadores en paralelo simplt!S (diodos ideales) + + R Recortadores en paralelo polarizados (diodos ideales) ~ T v.(v"..~I Recortadores en serie simples (diodos ideales) POSITIVO NEGATIVO -o + R .91 Circuítos de recorte. V -o o---J + v . T-. . R + v. 84 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . o I v'I " o Figura 2..----o v R + (Vm-V) + 0---1 v ~ + R . + V) + R Recortadores en serie polarizados (diodos ideales) + o---II--I~-. + .. . -o "~ -vm . v + ..

Para una red de cambio de nivel: -v La excursión de voltaje total de la señal de salida es igual a la excursión de voltaje total de la señal de entrada._ . 2. por tanto.' T -2 v V figura 2.." 2. ambos "presionando" la corriente a través del diodo desde el cátodo hacia el ánodo. con el equivalente de circuito abierto para el diodo determinado por la señal aplicada y el voltaje almacenado a través del capacitar. La magnitud de R y e debe elegirse de tal fanna que la constante de tiempo r = Re es lo suficiente grande para asegurar que el voltaje a través del capacitor no se descarga de manera significativa. el voltaje (debido a que V = QIC) durante este periodo.10 Cambiadores de nivel o 2" . La constante de tiempo Re resultante es tan pequeña (R se detennina por la resistencia inherente de la red) que el capacitar se cargará a V volts rápidamente. -v Durante el intervalo 0-> Tl21a red aparecerá como lo indica la figura 2. la red aparecerá como lo indica la figura 2.. Ahora que R se encuentra de regreso en la red.92. La red debe tener un capacitor. el capacitor se cargará o descargará totalmente en cinco constantes de tiempo. durante el intervalo en que el diodo no está conduciendo. también puede dibujarse en la posición alterna que se indica en la figura 2. La red de la figura 2.95 junto con la señal de entrada. En general.94.93. A través de todo el análisis se asumirá que para propósitos prácticos.93 Diodo en "encendido" y el capacitor cargando a V volts. la constante de tiempo determinada por el producto Re es lo suficiente grande para establecer un periodo de descarga 5 r mucho mayor que el periodo Tl2 -> T. Iniciar el análisis de las redes cambiadoras de nivel mediante la consideración de la parte de la señal de entrada que dará polarización directa al diodo. los siguientes pasos pueden ser útiles cuando se analizan redes cambiadoras de nivel. un diodo y un elemento resistivo: pero también puede usar una fuente de de independiente para introducir un cambio de nivel de de adicional. Y puede asumirse sobre una base aproximada que el capacitar mantiene toda su carga y. o para la 85 . l. pero mantiene la misma excursión de voltaje total (2\1) que la entrada. Debido a que V o está en paralelo con el diodo y la resistencia. con el diodo en estado "encendido" efectivamente hace corto circuito el efecto de la resistencia R.' T. Durante este intervalo el voltaje de salida está directamente a través del "corto circuito" y V o = O V. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de entrada dará por resultado e + Figura 2. La señal de salida "cambia de nivel" a O V durante el intervalo de O a T12. v o T vy v V - V o = O T r " = -2V 2: El signo negativo se debe a que la polaridad de 2Ves opuesta a la polaridad definida por vO' La forma de onda de salida que resulta aparece en la figura 2. Este hecho es una excelente herramienta para verificar el resultado que se obtiene.92 Cambiador de niveL Figura 2.95 Dibujo de red de la figura 2. e " v e ~:r-~----~--~+ T T + < R \J" o . La resistencia R puede ser una resistencia de carga o una combinación en paralelo de la resistencia de carga y una resistencia diseñada para ofrecer el nivel deseado de R.94 Determinación de va con el diodo en "apagado". " ~~ >R > Figura 2.92 cambiará el nivel de la señal de entrada a cero volts (para diodos ideales).10 CAMBIADORES DE NIVEL Una red de cambiadora de nivel es la que "cambia" una señal a un nivel de de diferente. Cuando la entrada cambia al estado -V.94.

Para el periodo t 2 -? t 3 1a red aparecerá como lo indica la figura 2. La salida es a través de R. 5. 2.. A través de todo el análisis debe mantenerse un continuo cuidado de la posición y la polaridad de referencia para v o ' para asegurar que los niveles correctos de V o se están obteniendo.97 Obsérvese que la frecuencia es de 1000 Hz.--~ 25 V""'+------. El análisis comenzará con el periodo tI -? t 2 de la señal de entrada debido a que el diodo está en estado de corto circuito según recomendaciones del comentario l. Solución C ~!~+~--~~--~+ ve 20 V + V-. Ve = 25 V + ~(----'-. EJEMPLO 224 Determinar V o para la red de la figura 2. +10 V + 25 V y V V o = O o = 35 V 86 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .97. Se supondrá que durante el periodo en que el diodo está en estado "apagado" el capacitar se mantendrá en el nivel de voltaje que se establece.24. pero el análisis no se ampliará con una medida innecesaria de investigación. Tener en mente la regla general de que la excursión total de voltaje de salida debe ser igual a la excursión de voltaje de la señal de entrada. como se estableció en el comentario 2. pero un circuito equivalente Thévenin de la porción de la red que incluye la batería y la resistencia generará RTh = O Q con En = V = 5 V. se asumirá que el capacitor se cargará de manera instantánea al nivel de voltaje que determine la red.¡. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de entrada dará por resultado -20V+Ve -5V=0 y Determinación de V o y Ve con el diodo en estado "encendido". que resulta en un periodo de I ms y un intervalo de 0.La instrucción anterior puede requ'erir de saltar un intervalo de la señal de entrada (como se demostrará en el siguiente ejemplo). pero también directamente a través de la batería de 5 V si se sigue la conexión directa entre las terminales definidas para voy las terminales de la batería.98.. + IOY Por tanto. 3.98 Determinación de V o con el diodo en estado "apagado". El resultado es V o = 5 V para este intervalo.-5V Figura 2. el capacitar se cargará hasta 25 V.. el diodo no hace corto circuito en la resistencia R. Durante el pertódo en donde el diodo está en estado "encendido".96 para la entrada que se indica. Para este intervalo la red aparecerá como lo señala la figura 2.---. VI f = 1000Hz C=I¡lF ¡~--~II~!--~----r---~+ ¡~ R V-.96 Señal que se aplica y red para el ejemplo 2. El equivalente de circuito abierto para el diodo eliminará que la batería de 5 V tenga cualquier efecto sobre vo' y la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo exterior de la red dará por resultado KVL Figura 2.- > R 5V >100 kQ Vo + Figura 2.5 ms entre niveles. En este caso. 4..

P..20 V + Ve + 0.99 junto con la señal de entrada.3 V Ahora.5 ros.3 V Para la sección de entrada la ley de voltaje de Kirchhoff dará por resultado .101 Determinación de V con el diodo en estado abierto. Repetir el ejemplo 2. siendo el único cambio el voltaje a través del capacitar. +5V-0.7V-vo =0 y V V EJEMPLO 2.25 o puede o = 5 V ..100.24 usando un diodo de silicio con VT = 0.7 V-S V = O y Figura 2. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff genera +10 V + 24.:: I 1 " '2 30 V O '3 " Figura 2.01 s = 10 ms El tiempo total de descarga es por tanto de Sr= 5(10 ms) = 50 ms.7 V = 24. Ve = 25 V .0.98 está detenninada por el producto Re y tiene la magnitud de /' " = Re = (lOO kQ)(O.uF) = 0.. :<. Debido a que el intervalo 12 ---) 13 durará sólo 0. y determinarse por la ley de voltaje de Kirchhoff en la sección de salida.10 Cambiadores de nivel 87 . -20 ~ 30Y I 5 -¡ .1 .0. o 2. Solución Para el estado de corto circuito la red toma ahora la apariencia de la figura 2.La constante de tie~po de la red de descarga de la figura 2.101. La salida resultante aparece en la figura 2. Obsérvese que la excursión de voltaje de salida de 30 V iguala a la excursión del voltaje de entrada como se observa en el paso 5. para el periodo 1. -.. es cierto que resulta buena la aproximación de afinnar que el capacitar mantendrá su voltaje durante el periodo de descarga entre los pulsos de la señal de entrada.96.." '3 " .100 Determinación de V y Ve con el diodo en estado o "encendido"._ _ _ _ _ _~J Figura 2.7 V = 4.3 V IOV . 13 la red aparecerá como la figura 2.. 35 10 'o o " .99 V¡Y V o para el cambiador de nivel de la figura 2.-.-\ .. .3 V V Yo =0 a = 34.-.3 V ~~~+~--~--~+ 24.7 V.

--o ~~ R + v.103 _1 2V o 2V -t Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (Sr o::: SRC> T/2). --. t 2V v. Figura 2._ 1v. Redes de caJ1lbio de nivel v o f-+--i-+ -v T :TI c VJ v" ----¡ v" R o h"''-''''-¡tr+t 2V .102. +-l 2V t C + R v..2vr '-- .102 Dibujo de Vo para el cambiador de nivel de la figura 2.La salida resultante aparece en la figura 2. o 1 - . - --o - .-1 v. Figura 2... En la figura 2.t v.103 son ondas cuadradas. rl~ o -v.3 V 30V 4. La salida resultante tendrá una forma envolvente para la respuesta senoidal. C - r- ~ .3 V o t. + R v. 1 v.-~ J VI t F: " --o v. . 34. v. Un método para el análisis de las redes de cambio de nivel con entradas senoidaJes es. el de reemplazar la señal senoidal por una onda cuadrada con los mismos valores pico. .96 con un diodo de silicio.104 para la red que aparece en la parte inferior derecha de la figura 2. 88 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .. Aunque todas las formas de onda que aparecen en la figura 2.103. v. -" ::. como lo indica la figura 2. comprobándose el enunciado de que las eXCursiones de voltaje de entrada y salida son iguales.-- v" o ". ¡ ".1 03 se muestran varios circuitos de cambio de nivel y su efecto en la señal de entrada. t -v. las redes de cambio de nivel trabajan de la misma manera para las señales senoidales. I~ C v.

El voltaje de dc aplicado es fijo.. Si V < Vz . V o (V) ~I~:--~--~----~+ e R -T- !O V + Figura 2. A menos que se especifique 10 contrario.106 generará la red de la figura 2. el diodo Zener está en estado "encendido" y se puede sustituir el modelo equivalente de la figura 2.106.105 Equivalentes de diodo Zener para los estados a) "encendido" y b) "apagado". el modelo Zener utilizado para el estado "encendido" será como el que indica la figura 2.l05b. Figura 2. el diodo está en "apagado" y se sustituye la equivalencia de circuito abierto de la figura 2. así como la resistencia de carga. La aplicación del paso 1 a la red de la figura 2.107.105b.) "apagado" (b) Vi Y R fijas Las redes más simples del diodo Zener aparecen en la figura 2.1 OSa.11 Diodos Zener Figura 2. (2.106 básico. + vz =:> 1 l- vZ + v=:> 1 1 Ftgura 2. Para el estado "apagado" de acuerdo con su definición para un voltaje menor que Vz pero mayor que OV con la polaridad que se indica en la figura 2.11 DlODOSZENER El análisis de las redes que utilizan diodos Zener es muy similar al que se aplica al análisis de diodos semiconductores de las secciones anteriores. 2. R v (Vz >v >0 V) "encendido" (.16) + + v Si V.107 Determinación del ~~stado del diúdo Zener. donde una aplicación de la regla del divisor del voltaje resultará R v. 89 ..::: Vz . el equivalente Zener es el circuito abierto que aparece en la misma figura. 2. Regulador Zener 1. y una detenninación de las otras cantidades desconocidas de la red. El análisis puede hacerse fundamentalmente en dos pasos. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminación de la red y calculando el voltaje a través del circuito abierto resultante. Primero debe determinarse el estado del diodo seguido por una sustitución del modelo adecuado.105a.104 Red de cambio de nivel con una entrada senoidal.

Se "atará" en este nivel y nunca alcanzará un nivel más alto de V volts. Repetir el inciso a con RL = 3 kD.109 Regulador de diodo Zener para el ejemplo 2.26 a) b) Para la red de diodo Zener de la figura 2. Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incógnitas deseadas . 1.108 + : R.Iz =¡¡ 2.106 el estado "encendido" dará por resultado la red equivalente de la figura 2. es muy importante darse cuenta de que el primer paso se utilizó sólo para determinar el estado del diodo Zener. Si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referencia. -==. "'" 16 V Vz = IOV P zM =30mW FIgura 2. lkil ¡Iz ~~. Antes de continuar. EJEMPLO 2. Solución a) Siguiendo el procedimiento sugerido. La aplicación de la ecuación (2. el voltaje a través de la carga se mantendrá en Vz volts. Esto es Sustitución del equivalente Zener para la situación "encendido" . Si el diodo Zener está en estado "encendido".109. se encuentra que (2.2 kQ(16 V) lkQ+1.V z PZM -~ Figura 2. Los diodos Zener se utilizan con mayor frecuencia en las redes reguladoras o como un voltaje de referencia.106 es un regulador simple diseñado para mantener un voltaje fijo a través de la carga Re Para los valores de voltaje aplicado mayores que el que se requiere para encender el diodo Zerrer. ofrecerá un nivel para compararlo en función de otros voltajes.19) el cual debe ser menor que la P2M especificada para el dispositivo. 12 kQ + VL v. Puesto que los voltajes a través de los elementos paralelos deben ser los mismos.73 V 90 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . La figura 2. R.110.108.R .2kQ V= = = 8.17) La comente del diodo Zener debe determinarse por la aplicación de la ley de comente de Kirchhoff. Para la red de la figura 2. el diodo Zener se encenderá tan pronto como el voltaje a través de él sea de Vz volts. Cuando el sistema se enciende..26.16) da 1. < + V. la red se redibuja como lo indica la figura 2.18) La potencia disipada por el diodo Zener está determinada por (2. e donde = (2. el voltaje a través del diodo no es de V volts. determinar Vu VR.lz y Pz.j.

= 3. ~T 16V ~ figura 2.3.109.111.11 0.67mA La potencia disipada Pz = V!z = (lOV)(2. como se muestra en las características de la figura 2 .IL [Ec...73 V \ o 8.33 mA 3kQ RL IR = VR R e de tal forma que 6V = = 6mA 1 kQ IR . La aplicación de la ecuación (2. b) Aplicando la ecuación (2. (2. el diodo está en estado "encendido" y la red de la figura 2. el diodo está en estado "apagado".73V = 727V Iz = OA y Pz = V!z = Vz(OA) = OW Figura 2.= .109. iz(mA) Dado que V = 8.67mA) = 26.+ v.11 Diodos Zener 91 .73 V '2 VR = Vi .8.16) ahora resulta 3 kQ(16 V) = 12 V lkQ+3kQ Debido a que V = 12 V es mayor que Vz = 10 V.17) genera VL = Vz = 10V y VR = Vi .73 Ves menor que Vz = 10 V. donde se encuentra que VL = V = 8.111 Punto de operación resultante para la red de la figura 2. 16 V + V Figura 2.18)] = 6 mA .112 será el resultado.33 mA = 2.7mW la cual es menor que la especificada PZM = 30 m W.109 en estado "encendido".V L = 16V-lOV=6V con 10V VL IL = .VL = l6V . + vR R IkQ + V.112 Red de la figura 2.110 Determinación de V para el regulador de la figura 2.. 2. Sustituyendo el equivalente de circuito abierto resultará la misma red que en la figura 2 .

Esto es.24) resultando un 1z mínimo cuando JL es un máximo.20) Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el RL que se obtiene de la ecuación (2.26) 92 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .22) e IR permanece fija en (2. Una resistencia de carga RL muy pequeña generará un voltaje VL a través de la resistencia de carga menor que Vz y el dispositivo Zener estará en estado "apagado".Vi fijo.20) asegurará que el diodo Zener está en estado "encendido" y que el diodo puede ser reemplazado por su fuente equivalente VzLa condición defInida por la ecuación (2. Para determinar la resistencia de carga mínima de la figura 2. RL variable Debido al voltaje Vz ' existe un rango de valores de resistencias (y por tanto. de corriente de carga) que asegurará que el dispositivo Zener está en estado "'encendido".25) y la resistencia de carga máxima como (2.20) establece el RL mínimo. Resolviendo RL .21) Una vez que el diodo está en estado "encendido". se tiene (2.23) La corriente Zener (2. y un 1z máximo cuando JL eS un valor mínimo debido a que IR es constante. el voltaje a través de R permanece constante en (2. simplemente se calcula el valor de RL y dará como resultado un voltaje de carga VL = Vz . Dado que I z está limitada a 12M como se especificó en la hoja de datos.106 que encenderá el diodo Zener. afecta el rango de RL y por tanto de le Sustituyendo I ZM por Iz establece el I L mínimo como (2. pero a su vez especifIca ellL máximo como (2.

114b. = (lO V)(32 mAl = 320 mW 10+ 1.32 mA = 8 mA con la ecuación (2.23) ofrece la magnitud de IR: 1 =--= R R VR 40V 1 kQ =40mA El nivel mínimo de I L se determina después con la ecuación (2..25k. IzM =32mA Solución a) Para determinar el valor de R L que encenderá el diodo Zener.:(-. lOV :-'. se aplica la ecuación (2.=50V R VZ ~ 1.1\3.11 Diodos Zener 93 ..--------.251<.'·1 1.a) b) Para la red de la figura 2. -:'1 '. F'lgura 2.0 Una gráfica de VL en función de R L aparece en la figura 2." = IR - IZM = 40 mA . Determinar el valor de la disipación máxima en watts del diodo.113 Regulador de voltaje para el ejemplo 2.114a y para VL en función de I L en la figura 2...Q o 8mA (b) 40mA 1.Vz = 50 V-lO V = 40 V y la ecuación (2. 2.~'j\. determinar el rango de R L y de 1L que resultará que V R. z 150Q El voltaje a través de la resistencia R se determina por medio de la ecuación (2.. se mantenga en 10 V.22): V R = Vi ..20): R Lmm IOkQ RVz (1 kQ)(lO V) = --=-.= I L mL " 10 V 8mA = 1.Q EJEMPLO 2.114 VL en función de RL e IL para el regulador de la figura 2. Ik. Vz = -.. m".27.= [ D f .25): I Lm .27 IR -+ + V. = 10 v =l"V' D. o 250 Q ¡V.= V _ V 50 V .lO V 40 . V.26) se determina el valor máximo de R L : RL .113. Figura 2.

115 en estado "encendido"..28 Determinar el rango de valores de Vi que mantendrán el diodo Zener de la figura 2. .'0 VL = V Z - RV Li RL + R (2... El voltaje de encendido mínimo Vi V está determinado por = 1"..87 V Figura 2.67 V 36.2 kO V Ecuación (2.28) Debido a que IL está fijo en V:!R L y que l ZM es el valor máximo de lz.116 una gráfica de VL en función de Vi' 94 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .67 V IL = -L. -+- + v¡ 220Q Vz = 20 V ~ Iz =lV' R.. ¡mm = (R L + R)Vz RL V = (1200 O + 2200)(20 V) 1200 O 20V = 23.67 mA RL RL 1..= -z. 1.27) y v.29): Vi má.. Solución Ecuación (2.. Vi variable Para los valores fijos de R L en la figura 2. = IZM + lL = 60 mA + 16..115 Regulador para el ejemplo 2.. el voltaje Vi debe Ser lo suficientemente grande para encender el diodo Zener.29) EJEMPLO 2.28): I R"".22 kO) O + 20 V 10 20 1 40 = 16. el máximo Vi se define por V =VR +Vz V = IR m:h R + V z 1m:!..RL fija.27): v. Se presenta en la figura 2. I ZM =60 mA Figura 2.87 V 23.67 mA = 76.28... """ (2.= .- ==.= 16.2 kQ + V.67 mA)(0. R 1.1Rmáx R + VZ - = (76. = ¡min El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima 12M .115.>: (2. Debido a que 12M =IR-IL' I IRm~ = IZM + IL I .-" 1 Ecuación (2.67 mA 20V .106.116 VL en función de Vi para el regulador de la figura 2.87V+20V = 36.

Para la señal senoidal Vi' el circuito aparecerá como en la figura 2. También pueden utilizarse dos diodos Zener conectados en sus cátodos (espalda con espalda) como un regulador de ac.. el efecto neto es el de establecer un voltaje de de estable (para un rango definido de V) como se señala en la figura 2.117 Forma de onda o generada mediante una señal rectificada filtrada. el voltaje de salida permanecerá fijo en 20 V para un rango de voltaje de entrada que se extiende desde 23.11 Diodos Zener 95 .87 V. La región de operación de cada diodo se indica en la figura adjunta. La entrada podría aparecer como lo indica la figura 2.67 V 20 10 Figura 2.67 V hasta 36.118 Establecimiento de tres niveles de voltaje de referencia. ambos diodos se encontrarán en estado "encendido" y estarán disponíbles tres voltajes de referencia. proceso descrito con mayor detalle en un capítulo posterior. v.. Figura 2. Olt 20-V< Zener ".117 se obtiene alfillrar una salida de media onda o de onda completa rectificada. b) operación del circuito a Vi = 10 V. v.119b en el instante Vi = 10 V.Los resultados del ejemplo 2. 40 36.IJ6. La forma de onda en la figura 2. mientras que la impedancia de Z2 es muy grande.117 y la salida permanecería constante en 20 V. z. El resultado es V o = Vi cuando Vi.1l9a. como lo indica la figura 2. Mientras Vi sea mayor que la suma de Vz y V". (b) o V figura 2. 2.116 de una fuente senoidal con un valor promedio de O. La entrada y salida continuarán duplicándose mutuamente hasta que Vi alcance 20 V. la que corresponde a la representación de circuito abierto. + 5 kQ z. Entonces Z2 se encenderá (como un diodo + ____ ____ 30V ~ ~ -4_________~ . + " . + 20V _ 5 kn + 10 V (Vz ) + Pueden establecerse dos o más niveles de referencia al colocar diodos Zener en serie como lo indica la figura 2. Sin embargo..=IOV 20V z.115 con una RL fija.87 V 23. 10 V.118.119 Regulación de ac senoidal: a) regulador ac senoidal de 40-V de pico a pico.28 revelan que para la red de la figura 2. Olt I (a) 5kQ + z. Obsérvese que Z¡ está en una región de baja impedancia. ". como aparece en la figura 2...

+ V + Vm = O m de la cual ~ + + :( ~I 96 ª 14 r !' D. Obsérvese que la forma de onda no es puramente senoidal.. cuatro o más veces el voltaje pico rectificado.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE Los circuitos multiplicadores de voltaje se utilizan para mantener el voltaje pico de un transformador relativamente bajo. Dado que el diodo D 2 actúa como un corto circuito durante el medio ciclo negativo (y el diodo DI abierto).121 es un doblador de voltaje de media onda. La red de la figura 2. -lOV FtgUra 2. 2v. { c.121 Doblador de voltaje de media onda. tres. La red está limitando en forma efectiva el valor rms del voltaje disponible. está en corte y el diodo D. está en corte). - 2V. 5 kO + + . conduce (y el diodo D. el diodo del secundario D. ya que elevan el voltaje de salida pico a dos. mientras que 2 1 está en una región de conducción con un nivel de resistencia lo suficiente pequeño comparado con la resistencia de 5-kO en serie para considerarlo como un circuito cerrado.l19( a).119a puede ampliarse a la de un generador simple de onda cuadrada (debido a la acción de recorte) si la señal de resultante. es idealmente un circuito cerrado durante este medio ciclo. Vi se incrementa a quizá 50-V pico con Zener de lO-V. IOV z. La salida resultante para el rango completo de vise indica en la figura 2 . I + + Figura 2. y el voltaje de entrada carga al capacitar C I hasta Vm con la polaridad mostrada en la figura 2. Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .122a.120 Generador simple de onda cuadrada. como lo señala la figura 2. el diodo D. Durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario. 2 1t rol Zener o IO-V\ + L v. Durante el medio ciclo de voltaje positivo a través del transformador. conduce carga al capacitor C 2 .122b): -Vc. Doblador de voltaje La red de la figura 2. cargando el capacitar C I hasta el voltaje pico rectificado (Vm )· El diodo D. D.120 con la forma de onda de salida SOV + v. pueden sumarse los voltajes alrededor del lazo externo (véase la figura 2. pero su valor rms es menor que el asociado con una señal pico completa de 22-V. o - v.. 2. v.Zener).

.1414---r-~2~ + el / DiodoD...+ V".._ / Diodo Do no condt7ctor ~II Diodo DI conductor c-:::---1v!-~--. como pudiera esperarse. .122 Operación doble..124a).. '.. D.. el voltaje a través del capacitor Cz Cae durante el medio ciclo positivo (en la entrada). La forma de onda de la salida a través del capacitor C z es la de una señal de media onda filtrada por un filtro capacitar.J.. -~ "D.. En el siguiente medio ciclo positivo....--_. Otro circuito doblador es el doblador de onda completa de la figura 2.123 Doblador de voltaje de onda completa.Meu:'os ddos. el a Vm y C? a 2Vm • Si. indicando cada medio ciclo de operación: a) medio c..--' D' 2 "']\io conductor . condUClo-r o no conductor r" (b) Figura 2. el capacitor se recarga hasta 2Vm durante el medio ciclo negativo. el diodo DI conduce carga al capacitar C l hasta un voltaje pico Vm . 11".12 Circuitos multiplicadores de voltaje 97 .123. El diodo D 2 no está conduciendo en este momento. ~ r o D. Durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador (véase la figura 2..124. ... Si ninguna carga está conectada a través del capacitar C z' ambos capacitares permanecen cargados.-'-t-D---i.-14c .... el diodo Dz no está conduciendo y el capacitar Cz se descargará a través de la carga.--.iclo positivo: b) medio ciclo negativo.. ConductOr / No conductor \c+ ~ V .c.-. ue operación alternos para el doblador de voltaje de onda completa. ~ Conductor D 2 figun 2. ~II vI>! 'l J j + 21/ m 'm .. (al (b) 2.. figura 2. o ~II o V + . existe una carga conectada a la salida del doblador de voltaje. El voltaje pico inverso a través de cada diodo eS de 2Vm ..

- e.125) ofrecerá múltiplos nones de Vm en la salida. utilizando muchas secciones para aumentar el voltaje de de. En resumen. ya través de e2 y e4 es de 4 V m. Si se utilizan secciones adicionales de diodo y capacitor.111 Durante el medio ciclo negativo (véase la figura 2.. solos.) . los diodos D. El voltaje pico inverso a través de cada diodo es 2Vm así como lo es para el circuito de filtro con capacitar.. que es menor a la capacitancia de el y e.l24b) el diodo D.1 'V m Cuadruplicador (4 V. + " l' " +"2Vm Doblador (2V.los circuitos dobladores de voltaje de media onda y de onda completa ofrecen el doble del voltaje pico del secundario del transformador. 98 capítulo 2 Aplicaciones de diodos . Durante la operación el capacitor el se carga a través del diodo DI a un voltaje pico. veces el voltaje pico básico (Vm)' e+ '------1 v'" +11l' Triplicador (3Vm ) -----~·I 2V". y cada diodo en el circuito debe tener un valor nominal de 2Vm para PIV. 1\ ~I I v m ~~ e.cargando e4 a 2Vm • El voltaje a través del capacitor e2es 2Vm . al mismo voltaje pico de 2Vm . mientras que si la medición es desde la parte inferior del transformador el voltaje de salida ofrecerá múltiplos pares del voltaje pico Vm' El valor del voltaje nominal de salida del transformador es únicamente Vm . y no se requiere un transformador con derivación central sino únicamente un valor PIV de 2 Vm para los diodos. el que desarrolla tres y cuatro veces el voltaje pico de entrada. se carga al doble del voltaje pico 2 Vm desarrollado por la suma de los voltajes a través del capacitor el y el transformador. Vm' durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador. siete.125 Triplicador y cuadruplicador de voltaje. El capacitor e. Si no hay consumo de corriente en capacitor la carga del circuito.125 muestra una extensión del doblador de voltaje de media onda. e" Triplicador y cuadruplicador de voltaje La figura 2. El valor menor del capacitor ofrecerá una acción de filtrado más pobre que el circuito de filtrado con un solo capacitor. La medición desde la parte superior del devanado del transformador (figura 2. ~ ~ D. el voltaje en los capacitares C l y C z es el mismo que a través de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda completa. ~ . el voltaje a través de los capacitores el y e z es 2Vm. en serie. +u- e. pueden desarrollarse de de voltajes de muy altos mediante este tipo de circuito. Si hay consumo de corriente de carga en el circuito. a través de el y e3es de 3Vm . cada capacitar será cargado con 2Vm . y D4 conducen con el capacitar e3 . seis. Resultará obvio para el patrón de la conexión del circuito la forma en que los diodos y capacitores adicionales se pueden conectar de tal forma que el voltaje de salida puede ser de cinco. ~ ~ D.J • Figura 2. durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario del transformador. conduce carga al en tanto que el diodo DI no está conduciendo. e. máximo.. Si la carga es pequeña y los capacitores tienen poca fuga. En el medio ciclo negativo. D. y así sucesivamente. Una diferencia es la capacitancia efectiva de el y e. el diodo D3 conduce y el voltaje a través del capacitor e 2 carga al capacitor e. Durante el medio ciclo positivo.

2) VI3. Oiode circuit for network of Fig. Se captura la magnitud de la fuente como se indicó.13 Análisis por computadora 99 .7 ka 2 Si 3 + lOV Figura 2.126).EIfD Figura 2.128 Archivo de entrada para la red de la figura 2.7 ldl. La "presión" de la fuente de lO-y sugiere que la corriente resultante hará al nodo 1 positivo respecto al nodo 2. 2. Renglón de título La infonnación de la red se captura en la computadora en un archivo de entrada como se muestra en bloques en la figura 2.11 está del nodo 3 a tierra.27 (ejemplo 2.O) V(2.OPTIONS NOPAGE .28: VE2045V .126 VEllO lOV Rl 1 2 4.MODEL DI D(IS-2E-1S) . Obsérvese la entrada en el renglón 3 de la descripción de la red y la del modelo del diodo en el renglón 6. El nombre es sólo una elección de letras y/o números para identificar la fuente en la estructura de la red.126. seguida por el nombre de la fuente.OC VEl lOV lOV lV .126 se presenta en la figura 2.Pi 2. El diodo de silicio está especificado entre los nodos 2 y 3. El formato para la entrada del diodo se presentó en el capítulo 1.127. La primera entrada debe ser una línea de títulos para identificar el análisis que se desarrollará.127 Componentes de un archivo de entrada. El voltaje de salida del ejemplo 2. La tierra se elige como el nivel de referencia y se le asigna la etiqueta O.128. Recuerde que 2. La primera línea de la descripción de la red especifica la fuente de dc de lO-Y.126 como el circuito que debe analizarse.27 para el análisis PSpice. El voltaje V 1 se localiza entre los nodos 1 y 2 Y V2 entre los nodos 3 y 4. Descripción de la red Instrucciones para análisis Instrucción END Figura 2.11) utilizando la versión DOS de PSpice. La siguiente entrada en el archivo es un elemento resistivo que requiere una literal R para empezar el renglón seguido por el nombre elegido (en este caso sólo el número 1 para referir el subíndice en la red de la figura 2. El archivo de entrada para la red de la figura 2. La omisión del punto invalidará completamente el archivo de entrada. de ahí el orden de los nodos en el archivo de entrada.71': Dl R2 2 3 DI 3 4 2. El siguiente conjunto de entradas es una descripción de la red utilizando los nodos elegidos y el formato que requiere PSpice para cada elemento. La magnitud de la resistencia se especificó como de 4. Después se captura el nodo con el lado positivo de la fuente seguido por la polaridad negativa.J) . El primer paso consiste en dibujar de nuevo la red como lo indica la figura 2.13 ANÁUSIS POR COMPUTADORA PSpice (versión DOS) El análisis por computadora de este capítulo empezará por determinar las cantidades desconocidas para la red de la figura 2. Para todas las fuentes dc la primera línea debe ser la literal Y.END exactamente en el fonnato que se indica. La línea del título especifica el circuito de diodo para la red de la figura 2.126 Dibujar de nuevo la Archivo de entrada figura 2. La última entrada debe ser la instrucción . 1 R. 4.126.PRINT De Ve') I(Dl) V(1. identificar los nodos y etiquetarlos en un orden lógico.

END _. (l. es una réplica exacta del ejemplo 2. El archivo de entrada termina con la instrucción .455E-Ol =-0.129 Archivo de salida para la red de la figura 2.7K 01 2 3 DI :3 4 2~2K VE2045V .2} V(J.11.icite específicamente. Si el segundo nivel fuera diferente.000 OEG V{2.554 V que se compara con 4. el programa PSpice puede ser "corrido" y la información deseada que se obtiene en el fOffilato del archivo de salida que aparece en la figura 2.73 V para el ejemplo 2.De): mientras que V(3) = Ve> =-4.lit tor netW'ork of Fig. La entrada .OPTIONS NOPAGE (OPCIONES NO PÁGINAS) es una instrucción para "ahorrar papel".55 V es para el mismo ejemplo.000E+Ol -4. Una suposición incorrecta dará por resultado sólo en un signo negativo para el voltaje a través de un elemento en particular. Si el nivel se repite..070E-03 9. Figura 2. Obsérvese en cada caso un intento para definir los nodos positivos y negativos en el orden de las entradas de los nodos.2) V(3~4) 27.73 V que se compara con 9.PRINT oc V(3) I(Dl) V(l.MODEL DI 0(IS=2E-15) .7-V (o lo más cercana posible a este nivel) a través de los diodos de silicio en estado "encendido" con los niveles de corriente usuales para los sistemas electrónicos. 2.. La entrada .155E-Ol 100 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos .715 V.A continuación se encuentra la corriente a través del diodo seguido por los voltajes entre los nodos indicados. J) e 1.126 **. VEl es sólo una repetición del nivel de E. el voltaje de salida de la figura 2. 455E-Ol 2. Diode circ'. El análisis . Obsérvese en la figura la posición del renglón de título y la repetición de la descripción de toda la red.000000E-15 OC TRANSFER CURVES V(J) 1(01) •••• VE1 TEMPERATURE '" V(l. *••• R2 CIRCUIT OESCRIPTION **************************************************_ ••• _•• _.126. el que se compara de manera favorable con el -.END. sólo llevará a cabo el análisis a un nivel único (10 V) e ignora el impacto de la captura del incremento. La instrucción _PRINT (IMPRESIÓN) define las cantidades que deben incluirse en los datos de salida._ •••••• _.J) . La cantidad V(3) es el voltaje del nodo 3 a tierra.554E+OO 7.07 mA.126. La corriente del diodo I(DI) = ID = 2. el que limita los datos presentados en el archivo de salida a menos que se so1. La entrada . Una vez que se corre el programa y el sistema de cómputo observa una repetición del nivel de 10 V.11.DC VE! lOV lOV IV . el análisis se desarrollará únicamente al nivel que se indica. No es necesario incluir la segunda fuente de de en esta instrucción.- VE! 1 O lOV Rl 1 2 4.se especificó IS como 2E-15 para obtener una caída de 0.De puede especificarse para un rango de valores.129.730E+OO 4. se requiere una entrada para el incremento como se indica por el 1 V utilizado generalmente para este propósito. Aunque el análisis es sólo a un nivel.QPTIONS NOPAGE .De especifica un análisis en dc con una fuente El a 10 V. Las siguientes dos entradas son la segunda resistencia y la fuente de alimentación. Se listan los parámetros del modelo que se especificó seguidos por los resultados deseados.11 y V(3. de ahí la repetición del nivel de lO-Ven el renglón de captura. el análisis se desarrollará desde el primer nivel al segundo nivel y a los niveles definidos por el incremento que se especifica como la siguiente entrada en el renglón. El voltaje V(1. el cual es para el nivel de corriente IS elegido de 0. como es el caso.45 V que se obtuvo en el ejemplo 2.4455 V.De especifica el tipo de análisis a un nivel de El = 10 V con todos los otros elementos según se especificó en la descripción de la red. El último elemento del archivo de salida es el voltaje a través del diodo.4) = V2 =4. Una vez que el archivo de entrada se capturó adecuadamente. Oiode MODEL PARAMETERS DI 1$ 2.2) = VI =9..4) V(2.OOOE + 1 = 10) Y lo controla la computadora para especificar la condición bajo la que se hicieron los cálculos (recordar la instrucción .

R Primero se coloca la resistenciaR¡ en la posición adecuada al dar "click" a Draw (dibujar) en la barra de menú seguido por Get New Part (seleccionar una parte nueva) y Browse (hojear). Debe tenerse presente que PSpice es uno de los paquetes aplicados con mayor frecuencia en la comunidad educacional. como deben ser si se aplica el cuidado adecuado para ambos métodos.slb y aparecerá un listado de alternativas bajo el encabezado de Part (parte). Recorriéndolo hasta ver R. los resultados son exactos con los que se obtuvieron en el ejemplo 2. y así sucesivamente. La pantalla al principio puede inicializarse al elegir Options (Opciones) en la barra de menú seguido por Display Options (Desplegar Opciones). Una vez que se especifique con una pequeña x en las cajas adecuadas.comparado con el 0. sólo se hace "click" al botón derecho del mouse y el proceso se completa. se da "click" en la librería analog. Con mayor importancia. y aparecerá una resistencia en la pantalla. y que cualquier conocimiento acerca de su aplicación será valioso en cualquier sistema de análisís por computadora que se pueda elegir. es más fácil dibujar la red si la malla se encuentra sobre la pantalla y se hace el requerimiento de que todos los elementos se hallan sobre dicha malla. permitiendo su colocación en la fonna vertical adecuada. Al presionar etrl y R de manera simultánea. como la corriente de saturación inversa. puede girar la resistencia 90 0 . Se podrá hacer referencia a la red terminada de la figura 2. la temperatura. Puesto que no hay más resistencias en el diagrama.130 mientras se avanza a través de la presentación. Sin embargo. El primer contacto con cualquier técnica nueva. pero R 2 es vertical en la figura 2. Nótese la forma en que se "adhiere" a la estructura de la malla. Sin duda se harán algunas referencías a los manuales cuando se intenten otras configuraciones. pero no puede especificarse sólo como 0. En general.7 V amenos que se elimine el uso de todo el modelo.11. la aplicación de la versión para Windows tiene como resultado un dibujo de la red en una pantalla esquemática. Del capítulo 1 recuerde que el voltaje del diodo es una función de una variedad de parámetros. En los siguientes párrafos se presentarán las bases para dibujar una red sobre la pantalla. se debe estar consciente que la intención de este libro es presentar al lector varios métodos de computación. Las etiquetas Rl y R2 están de manera correcta~ pero los valores son incorrectos. se le da "click" al botón izquierdo del mouse. se asegurará de que todas las conexiones sean establecidas entre los elementos.126. Para estos propósitos se eligirá Grid On. es natural que dejará preguntas y dudas acerca de su aplicación.7 V Y utilizado en el ejemplo 2. sin embargo. La caja de diálogo de Get Part aparecerá. La resistencia aparecerá en forma horizontal. como el análisis PSpice que se presenta en esta sección. se hace "click" en R y luego OK.13 Análisis por computadora 101 . Ahora. al dar OK se inicializará la pantalla con las especificaciones que se desean. En general. Permanecer en la Malla y un Tamaño de Malla de 0.1" (Malla activa. sin embargo. 2.1 "). Stay on Grid y un Grid Size de 0. PSpice para Windows se aplicará a la misma red de la figura 2. Como se describió en el capítulo 1. Esto no quiere decir que la descripción anterior no sea suficiente para iDtentar varias configuraciones de diodos. La caja de diálogo de Display Options permitirá hacer todas las elecciones necesarias respecto al tipo de pantalla que se desee.126 para permitir una comparación entre los métodos y las soluciones. lo que es perfecto para R l' Se mueve la resistencia a una posición lógica. Lo anterior es el tipo de análisis PSpice que se presentará a lo largo de este libro. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Ahora. La secuencia entera puede reducirse con teclear R en la caja de diálogo de Add Part (añadir parte) y dando "click" en OK. sino sólo qlle pueden surgir preguntas que requieran un curso sobre el tema o por lo menos la disponibilidad del manual PSpice. y no necesariamente el detalle que se requiere para desarrollar el análisis por su propia cuenta para una variedad de configuraciones. se tiene que colocar R 2 .11. esta descripción lo llevará a través de las bases sin demasiada dificultad.slb. la secuencia superior permite un primer acercamiento a una lista importante de bibliotecas y opciones. y la resistencia R 1 está en posición. y si se recorre la biblioteca hasta que aparece analog. Las opciones restantes se dejan para investigar. el nivel de corriente.

La caja puede moverse de la misma manera que las etiquetas para las resistencias. se hace "click" al VI un par de veces y aparecerá una caja de diálogo de Edit Reference Designator (editar el designador de referencia). El Part Name:VSRC (nombre de la parte El: VSRC).130. que puede moverse sólo haciendo "click" en la pequeña caja y mientras se mantenga oprimido el botón. IPROBE está en la librería special. Se mueve el diodo a la posición correcta. Por tanto. IPROBE Puede desplegarse la corriente de la red al insertar un IPROBE (ensayo) en serie con los elementos de la red. Para establecer el valor de El se oprime el símbolo dos veces y aparecerá una caja de diálogo. Si la etiqueta DI no desaparece por completo. Para este análisis se cambió Is a 2E-15 en lugar del valor implícito de 1 pA.7k a la posición que se desee. Se escribe 10 V Y se hace "click" en OK. se oprime una vez el símbolo del diodo y se utiliza la secuencia Edit (editar) . Para añadir la etiqueta de 10 V al diagrama. Se libera el botón y la etiqueta de 4. Se hace "click" en OK y El ha sido fijado con un valor de 10 V aunque no aparezca en la red. Si se desea mover e14. éste está 180' fuera de fase con la corriente deseada.7k posteriormente. el IPROBE debe ser instalado como se indica en la figura 2. Se cambia la etiqueta a El y se la da "click" a OK y aparecerá E 1 sobre la pantalla dentro de una caja. es necesario oprimir la secuencia Ctrl R dos veces para rotar el símbolo antes de colocarlo en posición.EditInslance Model (editar modelo ejemplo). Cuando se hace "click" para colocarla. El proceso será el mismo para Ez' pero se debe estar seguro de incluir el signo negativo. se mueve el 4.Para cambiar un valor. se hace doble "click" en el valor sobre la pantalla (primer R 1) Y aparecerá una caja de diálogo Set Attribute Value (establecer valor del atributo).slb de la caja de diálogo Get Parto Oprimiendo el diodo DIN4l48 y el OK colocará el símbolo del diodo en la pantalla. se da un "click" sobre el valor y las cajas reaparecerán. Para cambiar la etiqueta a El.slb de Get Part y eligiendo VSRC. Donde aparece el símbolo primero. Si se desean ver las especificaciones de los diodos. El Model Editor aparecerá y mediante un "click" puede cambiarse una parte. Dando OK da por resultado el símbolo de la fuente en el esquema. DIODO El diodo está en la biblioteca eval. 102 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . Un "click" en el botón derecho del mouse terminará la característica de inserción del IPROBE. Aparecerá el 4. un "click" adicional en cualquier lugar de la pantalla eliminará las cajas y terminará el proceso. Después de darle "click" para colocarlo donde se requiere. Una vez ahí. que puede colocarse como sea necesario.7k dentro de la caja.Model (modelo) . Las etiquetas DI y D1N4l48 aparecerán cerca del diodo. los 10 V aparecerán en la pantalla. Se oprime el lado derecho del mouse para terminar el proceso y luego se oprime el lado izquierdo para eliminar la caja.slb y aparece como una carátula de medidor en la pantalla. Una vez en posición. Se escribe el valor correcto y aparecerá en la pantalla al dar OK. sólo se oprime el mouse una vez más y El estará en posición. aparecerá una caja en blanco que puede moverse a la posición deseada. se selecciona Draw en la barra de menú seguido por Text (texto).7k permanecerá donde se colocó. se utiliza la instrucción Ctrl L para dibujar de nuevo la red y ésta eliminará cualquier línea que persista. y se oprime una vez. Cuando se tengan en la posición correcta.126 la etiqueta Si aparece en lugar del Dl' Al dar doble "click" el DI traerá el Edit Reference Designator para cambiarlo a Si. un "c1ick" completará el proceso. Se oprime el lado derecho del mouse para terminar las series de colocación de los diodos. Se repite lo anterior para el valor de la resistencia R 2 • E Las fuentes de voltaje se encuentran en la biblioteca source. aparecerá una etiqueta VI. El IPROBE responderá con una respuesta positiva si la corriente entra al símbolo al final con un arco que representa la escala. Se seleccionaDC= y se establece el valor de 10 V. Debido a que se está buscando una respuesta positiva en esta investigación. En la figura 2. Antes de dejar la caja de diálogo se debe estar seguro de dar Save Attr (guardar atributos).

La tierra (EGND. se oprime Analysis (análisis) y se elige Probe Setup (irticialización de la prueba). el proceso puede terminarse al oprimir el botón derecho del mouse.130. Después se procede con OK-Analysis-Simulate (Ok.07 mA concuerda con la solución en DOS.slb y puede colocarse de la misma manera que los otros elementos de la red. 2. v EGND El sistema debe tener tierra para actuar como punto de referencia para los voltajes de los nodos. ANÁLISIS Ahora.análisis. una caja de diálogo de PSpice aparecerá indicando que el análisis en de se terminó.46 Ves muy cercano a la solución DOS de -{). la red está completa como lo indica la figura 2. la red está lista para el análisis. Se elige Do Not Auto-Run Probe (no autoejecutar la prueba) debido a que Probe no es apropiada para este análisis. Luego se dibuja la línea y se hace "click" una vez más al botón izquierdo al final de la línea. Esta lista puede cambiarse para igualar la de la figura 2.130. Se mue ve el lápiz al principio de la línea y se oprime el botón izquierdo del mouse.45 V. y el voltaje de los nodos en -{). por las palabras en inglés de: Earth GrouND) es parte de la biblioteca port.7k R2 2. Para acelerar el proceso.126 con una simple secuencia de inserciónlborrado para cada referencia de los nodos.130 Respuesta de Windows para la red de la figura 2.126. RI DI DIN4148 -. Es una opción que se presentará en un capítulo posterior cuando se manejen las cantidades que cambian con el tiempo.slb de la caja de diálogo Get Parto Sólo se coloca la flecha del símbolo VIEWPOINT en el punto donde se desea el voltaje respecto a la tierra.lüV E2 5V Figura 2.------~~ + -==-. La corriente del circuito de 2.126. esto puede cambiarse al oprimir el Examine Netlist (examinar la lista neta) bajo el encabezado Analysis (análisis). Sin embargo.126. la frecuencia o cualquier otra variable importante. Si sólo se debe dibujar una línea. Si deben dibujarse líneas adicionales. Para este análisis las referencias de los nodos se cambiaron para igualarlas a la figura 2. sólo se presiona la barra espaciadora después de terminar una línea y se dibuja la siguiente línea. El resultado es un listado de los elementos de la red y el valor numérico asignado a cada nodo. Si se desarrolla correctamente. Se sale de la caja y el diagrama tendrá la corriente y el voltaje de los nodos como en la figura 2.2 k 2.4542 El ~ : 4. simulación) para llevar a cabo el análisis.13 Análisis por computadora 103 . Puede colocarse un VIEWPOINT en cada nodo de la red si es necesario. la probabilidad es que los nodos asociados con cada elemento no concuerden con las referencias de los nodos asignadas de la figura 2.LÍNEA Los elementos ahora necesitan ser conectados al elegir Draw y luego Wire (cable). ASIGNACIÓN DE NODOS Cuando los elementos son capturados como en la parte anterior.066E-ú3 -'---==1- -TL-____~. VIEWPOINT Los voltajes de los nodos pueden desplegarse sobre el diagrama después de la simulación utilizando VIEWPOINTS (puntos de vista) que están en la biblioteca special. Aparecerá entonces un lápiz que puede dibujar las líneas deseadas de la siguiente manera. Ahora.

.......7 V utilizado en la solución manual.."' •••••••••••••••••••••••••••••• ! .065E-03 2.. Los parámetros de •••• ..................131 Archivo de salida para el análisis PSpice (Windows) del circuito de la figura 2........131.... a:R2 V_El V El D:DI SN_OOO4 SN_OOO3 2....000000E-J S BV JOO lBV l00.•..-...()()O()C)Ot.......07 mA Y que el voltaje a través del diodo es de 0......06SE-03 v_w~ 2....749 V en lugar del 0... Scbemati<:.............. SN:0005 SN:0002 e Diode MODEL pARAMETERS ••••• ... una posihle razón para la ligera diferencia en el voltaje de los nodos listado arriba......49E-Ol REQ CAP 1....... Obsérvese que las asignaciones de los nodos del Schematics Netlist (lista esquemática neta) concuerda con las referencias de los nodos de la figura 2.. VD . Varias de las partes importantes del archivo de salida aparecen en la figura 2........... ••••• SMAU.... ····DIODES NAME O_DI MODEL D1N4I4&-X ID 2.126.0000 (SN_OOO4) ·'0000 TEMPERATURE = 27.....El archivo de salida puede observarse con la secuencia Analysis--Examine Output (análisis..2SE+Ol 9....06SE-03 TOTALPOWEIlDlSSlPAnON 3......MAnON TEMPBRAnJRE..000000E-12 •••• ........... R RI SN_OOO2 SN_OOOl 4.......4561 (SN_oooS) 10......10&<>2 WATTS •••• OPEltA~GPOINTJNFOlJ........... La OPERATING POlNT INFORMATION (información del punto de operación) revela que ID es de 2...................000000E~15 RS 16 TI 12..... IS D1N414J.X 2......2925 (SN_OO<l3) ... los diodos se repiten bajo el listado Diode MODEL PARAMETERS (parámetros de modelos de diodOS)..126.....01E-03 7............-SlGNAL BIAS SOLtmON NOnE VOLTAGE NQDE VOLTAGE :NODE (SN-"002) 10.1lc..............27........000 DEG e NODE VOLTAOE VOLTAGE (SN_0001) ..................... La SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (solución de pequeña señal de polarización) incluye todos los voltajes de los nodos con la corriente listada a continuación como las VOLTAGE SOURCE CURRENTS (corrientes de las fuentes de voltaje)..... 104 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos .....62&10 Figura 2....._ ...0000 VOLTAGE SOUIlCE CUIUtENTS NAME CIllUU!NT V_El V_P2 -2.000DEGC ...s Ncdist .. ••••• CIRCUIT DESCRIPTlON ........()9 CJO 2..-•.. examinar salida).....2k SNJ)OOSODC lOV $N OOG40DC-SV SN-OOOI $N 0003 DIN4148-X v_V6 ......

1 .18 ka. 132b.Al principio. j ! . a) Usando las características aproximadas para el diodo de Si. Problemas 105 . V~(V) I . 3. ~20 1_. i5 . \ 5 I .Ahora.132a. .134. para el circuito de la figura 2. ¡ 1 : 1 . . 1 I . I . b) Repita el inciso a usando el modelo aproximado para el díodo y compare los resultados. • I ¡ I I . Utilice las características de la figura 2. i . § 1.10 YV R.132 Problemas 1. . Determine el valor de R para el circuito de la figura 2. c) Repita el inciso a con R == 0. para el circuito de la figura 2. e) ¿Sugieren los resultados que se obtuvieron en los incisos a y b que el modelo ideal puede ofrecer una buena aproximación para la respuesta real bajo algunas condiciones? Figura 2.33kQ 1-30 I I I . a) 2. .133. i + R O.132b. desde luego uno se vuelve más adepto a la construcción de la red: y también. 1 1 . . puede parecer que se hace mucho más trabajo antes de llegar a la solución para Windows en comparación con la solución para DOS. 3. i I ! . I ¡ ¡ 1 . se debe dar al sistema de Windows una oportunidad para demostrar su versatilidad mientras se empiezan a examinar sus otras características. I~ rb) E T + 5v L______-' Figura 2. determine ID' VD Y VR. b) Desarrolle el mismo análisis del inciso lA utilizando el modelo ideal para el diodo. a) Usando las características de la fIgura 2. 1 f-. el resultado es una red dibujada con todos los voltajes de los nodos importantes y las corrientes deseadas impresas en el diagrama. "R ~25 . I . I . I A O ¡ i i i . . 1 .2 Análisis mediante la recta de carga PROBLEMAS Utilizando las características de la figura 2. detennine el valor de V0. I 1 I 1 I ¡D(mA) i . detennine JD Y VD para el circuito de la figura 2. \ . I 1 1 . ! ! ! . 2. 1 i " 9 1 10 . I : ! . 7 V.2 ka + v'" 4.133 que resultará para una corriente del diodo de 10 mA si E:. . + VD s. i! ¡ I I . b) Repita el inciso a con R == 0. I I 1 .133 Problemas 2. se completó el análisis utilizando la versión para Windows de PSpice. Sin embargo. Con el tiempo. 1 1 . .7V I 1 2 I ! ¡ . i \ I 1 1 1 .2. e) Repita el inciso a utilizando el modelo ideal para el diodo y compare los resultados.47 kQ. 1 ! i i . I ! ! I 1 . ! ! . 1 ro) ! Figura 2. R 2.134 Problema 4.132b para el diodo. I 5 6 ! I O. _ ¡ i ! 1 1 I i \ .1O I I I . I 3 I ! 4 I 7 1 1 .

* o 7. 52. 51. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2.135 Problema 5.136 Problemas 6.. lb) Figura 2.2 kD: 1 "=' +20 V 5V 6.. SI 12 V L -10Q 1 20 V .137 Problema 7. 6. Determine la corriente / para cada una de las configuraciones de la figura 2. tI ~~ IOV SI "ro- > tI ~ Ion >20n ~~ SI lb) (o) Figura 2.1 + + '1 *SI 10Q ¡. la) (b) Figura 2.§ 2. SI /t lOmA 2. 106 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . SI 2.2 kQ 4.138. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2.2 kQ 1. ~ ~ 2 kQ 'VV'v 1"' 2 kn " . SI 20 v G.8 kn lb) ':' "=' SI Figura 2.138 Problema 8.137.135 utilizando el modelo equivalente aproximado para el diodo.7 kQ Si s.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de 5.2 kQ 1. * 8. Determine el nivel de Vo para cada una de las redes de la figura 2.136.

15 V +..141. Detennine V o e 1 para las redes de la figura 2. § 2.7 kQ }> >2. Ge Si 3. 53.ov ¡ • -+ Vo ID SI ~ ID i --. y V0. ¡~ SI SI~ ~ Vo SI 4. Problemas 107 .140.·. Detennine V o e JD para las redes de la figura 2. para las redes de la figura 2. * 11.~.141 Problema 11. Detennine V0..7kn 12 V (b) (a) > Figura 2. * 9.3 kQ (a) (b) F1gura 2. >4.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 10.139 Problema 9.140 Problemas 10.2 kQ -5 V (b) _L (a) Figura 2. +lOV +16V t---~V.139.

7 V). R.2 kQ IOV Vo Si Ge Vo 2.·=2V * 23. 21.147 . Determine Va para la red de la figura 2. 18. 15.41 con 10 V en ambas entradas. Figura 2.147 Problema 21. Para la red de la figura 2. 23.6 Compuertas AND{OR 14.7 Entradas senoidales.38 con 10 V en ambas entradas.. Determine Vo para la red de la figura 2. Detennine Va para la compuerta lógicaAND de la figura 2. +...149.145. Figura 2.2 kO 6. Vo". Suponiendo un diodo ideal. figura 2.. 25. " ~_-I"'W--. Hgura 2. 54.8 kQ como 10 indica la figura 2.146.142. * 13. Repita el problema 22 con un diodo de silicio (VT = 0. 19. Si ! kn 17..150 Problema 25. § Si 2.8 k. dibuje vi' Vd e id para el rectificador de media onda de la figura 2. 20. e 1 para la red de la figura 2.149 Problema 24. 20 V 2kD Si Si 2 kQ 2 kQ Figura 2.148 Problemas 22. 24. i.41 con O V en ambas entradas. 108 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . Determine el nivel de Vo para la compuerta de la figura 2.38 con O V en ambas entradas.= 110 Y (rros) Ideal + 2.. Determine Va para la compuerta lógica OR de la figura 2. 2. dibuje Vo y determine V dc . ..Q vL Hgura 2.143 Problemas 13.144 -5 Problema 18. Determine Vo] .143. Determine el nivel de Vo para configuración de la figura 2. . Determine Va para la red de la flgura 2. ~ T ~ * 24.145 Problema 19.146 Problema 20. Repita el problema 22 con una carga aplicada de 6. La entrada tiene una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60 Hz. 10/' 1 kD +10 V ~¡. Figura 2. 16. § 2. IkD 10V -5 V . Detenmne Va para la red de la figura 2.2 kD. rectificación de media onda 22. flgura 2.~I 12.2 kD + figura 2. Ideal " V(\c= 2V ~1..2 kO + + V. IOV . 2. Determine Vo e ID para la red de la figura 2.150.5 V v Si Si 5V av Si 2.144..llld~e'i!!I~_ r oVd. Dibuje v L e i L • 1 .142 Problema 12..148.

i * 26.153. a) Si se utilizan diodos de silicio.. Para la red de la figura 2. * 27. determine el valor máximo de corriente de cada diodo (utilizando el modelo equivalente aproximado)..151.. dibuje va e iR' + I ka + -10 V Figura 2.152. + Diodos ideales + 2. a) b) e) d) e) Dado Pm.153 Problema 29. e) Encuentre la corriente máxima a través de cada diodo durante la conducción. Problemas 109 . Determine 1má:\ para Vi m~. ~: o--- 1"" .l¡:' == 14 rnW para cada diodo de la figura 2.151 Problema 26. d) ¿Cuál es el valor de potencia que ser requiere de cada diodo? 29. < > 56 kn Figura 2. Determine la comente a través de cada diodo para V.V nns tiene una resistencia de carga de 1 ill.::. > ~ 47 kQ + v ... Determine va y el valorPIV que se requiere para cada diodo de la configuración de la figura 2. Un puente rectificador de onda compieta con una entrada senoidal de 120.: 160 V..2 kQ -100 V Figura 2.. § 2. ¿cuál es el voltaje dc disponible en la carga? b) Determine el valor PIV que se requiere de cada diodo.. -. detennine la corriente del diodo y compárela con el valor má.152 Problema 27. ¿Es la corriente detenninadaenel inciso e menorque~r~alor máximo determinado enel inciso a? Si sólo estuviera presente un diodo.8 Rectificación de onda completa 28..-imo. utilizando los resultados del inciso b.

.157 Problema 33. Dibuje V o para cada red de la figura 2.9 Recortadores 32.2 kn ~ " 6~8 + kfl . ¡OV " Si 5V ~c--I~M----1II--_____. + Diodos ideales 2.156 para la entrada que se indica.7 kQ (b) Figura 2..2 kQ 2.155 y determine el voltaje de de disponible. § 2.2 kn 2. * 30.. Dibuje V o para cada red de la figura 2.2 kQ -100 V Figura 2.156 Problema 32.155 Problema 31. Dibuje V o para la red de la figura 2. 33.154 Problema 30. -20 V 'o " (b) Figura 2.2 kn -170V Figura 2.157 para la entrada que se indica.2 ldl 4.154 y determine el voltaje de de disponible.< -lOV r (a) 1.--- ~---~ . + Diodos ideales 2.2 kQ 2. llO Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . Dibuje V o para la red de la figura 2. * 31. " 20V Si 5V Ideal + + 2.

. ~T . Id. .". Dibuje V o para cada red de la figura 2. Problemas III .-~ ro \'.2 kQ o -5 V I ~o-----<j~o (a) +5 y (b) Figura 2. 36. + " -+ 'R S3Y o i1 ! s ' Figura 2. I kQ v.. 2() V :--JT 2V Ideal Ideal " O---IM----.Q S( + "0 .158 para la entrada que se indica. 2.1' " ".1 Ideal R " I 5Y . 2. e 20 V e + o -20 V 0--.159 para la entrada que se indica. r 10 kQ o--JVV\. Dibuje V o para cada red de la figura 2.al .159 Problema 35.2 kQ S( o (a) (b) FIgura 2. ~ j ~ " >R o + " 0--. § 2.158 Problema 34. 4Y + 2_2 k.160 Problema 36. Dibuje V o para cada red de la figura 2.10 Cambiadores de nivel 37. Dibuje iR y Vo para la red de la figura 2.160 para la entrada que se indica. * 35.161 Problema 37.161 para la entrada que se indica.* 34.~vvv---¡ ~AA. (b) (a) Figura 2.

---~-~ + 0. 112 Capítulo 2 Aplicaciones de diodos . * 40. Dibuje V o para cada red de la figura 2. * 39.2 v Figura 2.165 Problema 41.~ 38. e +\0 o--KI~---. Diseñar un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la función que se señala en la figura 2. Diodos de silido IOV + + Diseño 2.3 V Figura 2.162 Problema 38.164 Problema 40.. ~ sr R ~56kn + L------I _ lO f = 1 kHz -'1=.164. sr R + E T (b) 20 V " Figura 2. Diseñar un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la función que se indica en la figura 2. Para la red de la figura 2. fR < + + l'. b) Comparar 5rcon la mitad del periodo de la señal aplicada.165.163: a) Calcular 5 T. ¿Sería una buena mación considerar que se trata de un diodo ideal para ambas configuraciones? ¿Por qué? aproxi~ e 120 v e + o-------j' 1\ o-------j sr • ~ . +30 V Diodos ideales 20V + Diseño + o -lOV -20 V Figura 2._.¡. • .162 para la entrada que se indica.7 V o o -10 V -17.163 Problema 39. c) Dibujar vo. * 41.\)lF .

22 kQ 47.IR Vi':::: 220 Q 10 V P2m" = 400 mW V f. 55. Desarrolle un análisis para la red de la figura 2.. 53. 56. b) RepitaelincisoasiRL =4700. 50. para determinar Vo para la red de la figura 2. Escriba el archivo de entrada PSpice (DOS). § 2. determine el valor adecuado de Rs y la corriente máxima IZM ' 46.12 Circuitos multiplicadores de voltaje P Zm " Vz = 8 V =400rn'W' 0.168.§ 2. escriba el archivo de entrada para determinar Vo para la red de la figura 2.121 en téI1Ilinos del voltaje pico del secundario Vm .15).168 usando PSpice (Windows). Diseñar un regulador de voltaje que mantendrá un voltaje de salida de 20 V a través de una carga de 1 kQ con una entrada que tendrá una variacíón entre 30 y 50 V. determine Rs y Vz.Figura 2.137b. Desarrolle un análisis general de la red Zener de la figura 2.. Esto es. Desarrolle un análisis para la red de la figura 2. R.167 Problema 43. determine el rango de Vi que mantendrá VL en 8 V Y no excederá el valor máximo de potencia del diodo Zener. Figura 2. figura 2. Esto es. 51. Determine el voltaje disponible del doblador de voltaje de la figura 2. * 44. Determinar VL. 54.IL e IR para la red de la figura 2.167 para mantener V[ en 12 V para una variación en la carga (lL) desde O hasta 200 mA.36 (ejemplo 2. d) Detennine el valor mínimo de RL para asegurar que el diodo Zener está en estado ·'encendido". a) Diseñe la red de la figura 2.12 e 1m de la figura 2. Detennine los valores PIV que se requieren por los diodos de la figura 2.120 si la entrada es una onda cuadrada de 50 V.13 Análisis por computadora 49. 48. . 45. Repita el problema 50 usando BASIC. 52.l36b utilizando P$pice (Windows).143 utilizando PSpice (Windows). 91 Q § 2. * 43. 55.. Desarrolle un análisis para la red de la figura 2.38. 57.121 si el voltaje del secundario del transfonnador es de 120 V (rrns).166 siR L = ISOn. Repita para una onda cuadrada de S-v. Problemas 113 . Utilizando PSpice (DOS). .140b usando PSpice (Windows). e) Determine el valor de R L que establecerá las condiciones máximas de potencia para el diodo a) Zener. Dibuje la salida de la red de la figura 2.168 Problemas 44.. Para la red de la figura 2. para el diodo Zener del inciso a. b) Determine P 2m". Los asteriscos indican problemas más difíciles. Escriba el archivo de entrada para PSpice (DOS) para detenninar las corrientes 1). Il Diodos Zener * 42.166 Problema 42. + . Repita el problema 49 utilizando BASIC. 1 .

Brattain.1 El primer transistor. 1936 Dr. Figura 3. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3. sin duda. doctor John Bardeen (izquierda).1 INTRODUCCIÓN Durante el periodo de 1904 a 1947. el dispositivo electrónico más interesante y también el que más se desarrolló. técnicas de manufactura. 1928 Todos compartieron el Premio Nobel en 1956 por esta contribución. doctor Walter H. Fue esa tarde cuando Walter H. A principio de los años treinta el tubo de vacío de cuatro y cinco elementos cobró gran importancia en la industria de los tubos electrónicos al vaCÍo.) 114 . primer amplificador de su género. aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización.) Dr. Shockley Nació en: Londres. en 1906. Sin embargo. lo cual dio por resultado el triodo. la industria de la electrónica registró la aparición de un nuevo campo de interés y desarrollo. la radio y la televisión ofrecieron un gran estímulo a la industria de los bulbos. 1902 PhD Universidad de Minnesota. Fleming en 1904.de cerca de un millón de bulbos en 1922 a . A. Poco tiempo después. 1910 PhD Harvard. La producción se incrementó. Lee De Forest le añadió un tercer elemento al diodo al vacío. Brattain Nació en: Amoy. el bulbo fue. Inglaterra. 1936 Dr. Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales respecto al bulbo se manifestaron de inmediato: era más pequeño y ligero. Brattain y Joseph Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en la compañía Bell Telephone Laboratories. Bardeen Nació en: Madison. (Cortesía de los archivos AT&T. el 23 de diciembre de 1947.cien millones aproximadamente en 1937.CAPÍTULO Transistores bipolares de unión f3 3.1. China. Wisconsin. 1908 PhD Princeton. denominado rejilla de control. (Cortesía BeU Telephone Laboratories. no tenía requerimientos de Los inventores del primer transistor en los BeU Laboratories: doctor WiIliam Shockley (sentado). El diodo de bulbo fue introducido por J. En los años subsecuentes. En los años siguientes la industria se convirtió en una de las más importantes y se lograron rápidos avances en el diseño.

E r p O. Para los transistores que se muestran en la fIgura 3.001 = 150: 1.001 itl.2 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor.2a. ~II- 0. +Portadores mayoritarios E +.. es uno de estos dispositivos. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco). la corriente o nivel de potencia) tendrán por lo menos tres terminales.001 in. La operación del transistor npn es exactamente la. entonces se considera un dispositivo unipolar. estaba disponible para utilizarse de inmediato. donde una controla de flujo de las otras dos terminales.2. ~I r-p B p e 3.3 Unión con polarización d. l' FIgura 3.3 se dibujó de nuevo el transistor pnp sin la polarización base-colector.+ ++/ _B • . Región de agotamiento + 1. lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n. 3. en este capítulo se aborda por primera vez el análisis de dispositívos con tres o más terminales_ El lector encontrará que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje. Bipolar Junction Transistor).Ambos se muestran en la figura 3. de transistor bipolar de unión (del inglés. que se considera en el capítulo 20. 3. Obsérvense las similitudes entre esta situación y aquella del diodo con polarización directa del capítulo l. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polaIlzado de forma opuesta.+ + +-++ p-+ -:++-+.150/0. la proporción del espesor total respecto al de la capa central es de 0. Nótese que. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 1 o menos). e para el colector y B para la base. suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipo pon al que circundan. Se desarrollará una apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. Para la polarización que se muestra en la figura 3. la base ligeramente dopada y el colector sólo muy poco dopado.2 con la polarización de de adecuada. Al primero se le llama transistor npn. En el capítulo 4 encontrará que la polarización de de es necesaria para establecer la región de operación adecuada para la amplificación de ac.150I"l n n e (b) Figura 3. Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este material al limitar el número de portadores "libres". o bien. en tanto que al segundo transistor pnp. El espesor de la región de agotamiento se redujo debido a la polarización aplicada. misma que sí se intercambiaran las funciones que cumplen el electrón y el hueco. La abreviatura BJT. b) npn.. no requería de un periodo de calentamiento y era posible utilizar voltajes de operación más bajos.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR Ahora se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 3. a partir del análisis anterior.3 Operación del transistor 115 . de dos capas de material tipo p y una tipo n. su construcción era resistente y era más eficiente debido a que el mismo dispositivo consumía menos potencia.calentamiento o disipación de calor.150l"l 0.. En la figura 3.irecta de un transistor pnp.2 Tipos de transístores: a) pnp. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada. E r 0. El diodo Schottky.2 CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES (a) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p.

4 Unión con polarización inversa de un transistor pnp.4. y da por resultado sólo un flujo de portadores minoritarios. los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n.5. según se indica en la figura 3.A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región de agotamiento atravesarán la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo que se indica en la figura 3. Es pertinente considerar las similitudes entre esta situación y la del diodo con polarización inversa de la sección 1. en la figura 3. Por tanto. Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3. Recuerde que el flujo de los portadores mayoritarios es cero. Como se indica en la figura 3.5. los espesores de las regiones de agotamiento. En otras palabras. como si fuera un solo nodo. En la figura 3. Figura 3. Así. la corriente del colector está fonnada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes. un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia la tenninal de la base. comparado con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector.2). habrá una gran difusión de portadores mayoritarios a través de la unión p~n con polarización directa hacia el material tipo n.5. Debido a que el material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad. La razón de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo con polarización inversa.6. según se muestra en la figura 3.5 ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp. tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región de la base tipo n. +Portadores mayoritarios +Ponadores minoritarios +Portadores minoritarios • Región de agotamiento Región de agotamiento + Figura 3. La mayor cantidad '"de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa.5. (3.5. se obtiene (3. Obsérvense. corno indica la figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp. la pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base lB o si pasarán directamente al material tipo p. mientras que la otra tiene polarización directa. según se muestra en la figura 3.2) 116 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión .f3 Ahora se eliminará la polarización base-colector del transistor pnp de la figura 3 .4.1) y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. en resumen: Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa. con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. la corriente total del colector se detennina mediante la ecuación (3. que indican con claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál polarización inversa.5. Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el símbolo leo (corriente le con la tenninal del emisor abierta). Sin embargo. hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector.2a. Por consiguiente.

l 3.. Sí lo anterior no se considera de manera adecuada. se compara la dirección de lE con la polaridad de VEE para cada configuración y la dirección de le con la polaridad de Vce Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres tenninales. B (b) Figur. se requiere de dos conjuntos de características. Las mejoras en las técnicas de construcción han generado niveles significativamente más bajos de leo' a tal grado que casi siempre es posible omitir sus efectos. La notación y los símbolos que se utilizan junto Con el transistor en casi todos los textos y manuales que se publican hoy en dia. Corno se muestra en la figura 3. ./" vcc 3.!. Nótese.8 1. E1 conjunto de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés.6 0. La tenninologia de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración.6 Notación y símbolos utilizados con la configuración de base común: a) transistor pnp. como los amplificadores de base común de la figura 3. le se mide en miliamperes. como se indica r' I. o que se encuentra en. uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. leo' al igual que Is para un diodo con polarización inversa.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN Ea 1.4 Configuración de base común 117 . 3. en cada caso. A su vez. por lo re~ guIar la base es la terminal más cercana a. el conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (lE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios nIveles de voltaje de salida (VeB)' El conjunto de salida relacionará la corriente de salida (le) con un voltaje de salida (VeB) para varios niveles de corriente de entrada (lE)' según se muestra en la figura 3.6 son las direcciones reales.8. el potencial de tierra. en el hecho de que en la gran cantidad de literatura disponible en instituciones educativas e industriales se utiliza el flujo convencional. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones.~ L E B + . que I E = le + IR' Obsérvese también que las polaridades aplicadas (fuentes de alimentación) son tales que permiten establecer una corriente en la dirección que se indica en cada rama.0 Val-: (V) figura 3. 8 7 6 5 Ir I " =1\' 2 Il O. se indican en la figura 3.7 Características del punto de entrada o manejo para un amplíficador a transistor de silicio de base común.6. --. Esta elección se basó. OA 0.6. + 0---"--.~ 6 B lo) le . y las flechas en todos los simbolos electrónicos tienen una dirección definida por esta convención. Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3. b) transistor npn. VI.7. mientras que leo se mide en microamperes o nanoamperes. es susceptible de afectar de manera severa la estabilidad de un sistema a una temperatura alta..(3 Para los transistores de propósíto general. sobre todo. definidas por medio de la elección del flujo convencional. Para el transistor: La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo. d I/ cc Vu 1. Recuerde que la flecha en el simbolo del diodo define la dirección de la conducción para la corriente convencional.. es sensible a la temperatura y debe analizarse con cuidado cuando se consideren rangos amplios de temperatura. Es decir. para la configuración de base común con transistores pnp y npn.

Además.3) Figura 3. <>:: 4mA 3mA 2mA 11- IE= 1 mA IE=O mA I Figura 3. Como se infiere por su propio nombre. Nótese asimismo el efecto casi nulo de V eB sobre la corriente del. A mayores temperaturas. Las condiciones de circuito que existen cuando lE =O para la configuración de base común se muestran en la figura 3. La notación que con más frecuencia se utiliza para lco en los datos y las hojas de especificaciones es. la corriente del emisor (IE) es cero. Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación. la corriente del colector aumenta a una magnitud en esencia igual a aquella de la corriente del emisor. para las unidades de mayor potencia/cBo aparecerá todavía en el rango de los microamperes.9 Corriente de saturación inversa.8: las regiones activa. Obsérvese en la figura 3. o L. y se debe a la corriente de saturación inversa leo' como lo señala la figura 3.f3 Ir (mA) . La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). recuerde que I CBO ' así como ls' para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura.. La corriente leo real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de le (miliamperes) que aparece virtualmente sobre la misma línea horizontal en donde le =O. el nivel de leBo para los transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana. Las curvas indican con claridad que una primera aproximación a la relación entre lEe Icen la región activa está especificada por (3.8 que cuando la corriente del emisor se incrementa por arriba de cero.0. tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de un transistor tienen polarización inversa. Así también: En la región de corte. como se indica en la figura 3. En el extremo más bajo de la región activa.colector para la región activa. según indica la figura 3. lIS Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . de corte y de saturación. La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 3.8 Características de salida o colector para un amplificador a transistor de base comú:1. Sin embargo. 7 Región activa (área sin sombra) 7mA 1- 6 f- 6mA 5 4 1- 'o Ti ~ " 5mA ~ " " Oi '" . según se detennina por las relaciones básicas de corriente en el transistor.9. el efecto de leBo puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura." 3 2 '" 'o " .lCBO.6.9. En particular: En la región activa la unión base-colector se polariza inversamente.L -1 I I I o 5 10 15 20 V es (V) Región de corte en la figura 3.8. esa es la verdadera corriente del colector. por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto.8. mientras que la unión emisor-base se polariza directamente. la región de corte se define como la región en la que la corriente del colector es OA.

se supondrá que el voltaje base-emisor es el siguiente: V8E = 0. Si se aplica la aproximación de segmentos lineales. Al avanzar un paso más e ignorando la pendiente de la curva.(V) O. De hecho.4 06 0.10 Desarrollo del modelo equivalente para ser utilizado para la región base-emisor de un amplificador en modo de de.4 Configuración de base común 119 . En la región de saturación. por tanto.4 06 'e) 0.f3 La región de saturación se define como la región a la izquierda de las' características de VCE = OV. Obsérvese el incremento exponencial en la corriente del colector cuando el voltaje VeB se incrementa hacia los O V. se pueden ignorar los cambios ocasionados por VCB y sus características pueden dibujarse corno se ilustra en la figura 3.7 revelan que para valores fijos del voltaje del colector (VeR)' conforme se incrementa el voltaje base-emisoLla corriente del emisor aumenta de tal manera que es muy similar a las características del diodo. La escala horizontal en esta región se expandió para mostrar con claridad el cambio radical que sufren las características en esta región. Las características de entrada de la figura 3.8 2 0. 0.2 0. Para los propósitos de análisis de este texto.7 V a cualquier nivel de corriente del emisor controlada mediante una red extema. como una primera aproximación.7 V ! VBf. una vez que el transistor se encuentre en estado "encendido". los niveles crecientes de V eB tienen un efecto tan bajo sobre las características que. .2 0. 3. Es decir. el voltaje base-emisor será de 0.10c. (mAl \ J. tanto la unión base-colector como la emisor-base están en polarización directa. el efecto de las variaciones debidas a VeB y <:lla pendiente de las características de entrada se omitirán en tanto sea posible analizar las redes de transistores de tal manera que ofrezcan una buena aproximación a la respuesta reaL sin involucrarse demasiado en las variaciones de los parámetros de menor importancia. se obtendrán las características que denota la figura 3.7 V si el dispositivo se encuentra en la región activa. Es importante apreciar en su totalidad el enunciado que establece las características de la figura 3.2 0. y.8 VIIE(V) O 0. 6 5 4 ¡ I I I I 7 " 5 4 3 2 3 2 3 O 0.4) En otras palabras. dará por resultado las características que se presentan en la figura 3. el modelo equivalente de la figura 3.10a.lOc se utilizará para todos los análisis en dc de redes de transistores.10c. .6 L" 0. Éstas especifican que con el transistor en estado "encendido" o activo. t 8 7 6 5 4 ir (mAl 11.4 0.mAI I I g 8 - Cualquier Vr¡. la resistencia asociada con la unión con polarización directa..7 V (3.l0b.8 VSE(V) 1') lb) Figura 3. Desde la primera vez que se encuentra cualquier configuración de transistor en el modo de dc. una conclusión muy importante para el análisis de dc que se explica a continuación.~ . . es posible especificar de inmediato que el voltaje base-emisor es de 0.

5) donde le elE son los niveles de corriente en el punto de operación. el nivel de Icso es con frecuencia tan pequeño que prácticamente no es posible detectarlo en la gráfica de la figura 3. en la figura 3.8 y 3.7 el nivel resultante de V BE es de aproximadamente 0.8 cuando lE::::: O mA.1 a) b) e) d) Utilizando las características de la figura 3.lOc VBE es de 0.8. Por el momento. que lB 120 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . Empleando las características de la figura 3. la ecuación (3.74 V. le también parece ser de O mA para el rango de valores de VCB' Para las situaciones de ac donde el punto de operación se desplaza sobre la curva de característica. Una vez más.y suponiendo. determine la corriente resultante del colector cuando lE = 3 mAy VeB = 10 V. un alfa en ac se define mediante a " = (He I -AlE V CB :: constante (3. donde la mayoría se aproxima al extremo alto del rango. como se mencionó antes. las magnitudes de aac y adc son muy cercanas. Solución a) b) c) d) Las características indican con claridad que le'= IE= 3 mA.6) Para las características de la figura 3.f3 EJEMPLO 3. a partir de la figura 3. El efecto de cambio de VeB puede omitirse e le continúa siendo 3 mA.7) En ténninos fonnales. Repita el inciso e utilizando las características de las figuras 3.8.1. Si bien las características de la figura 3. el nivel de alfa suele extenderse de 0. En otras palabras." le= 4 mA. A partir de la figura 3.7) especifica que un cambio relativamente bajo en la corriente del colector se divide entre el cambio correspondiente en lE cuando se mantiene constante el voltaje del colector a la base. lo cual pennite utilizar la magnitud de una para la otra. alfa de ac se denomina como de base común..8. cuando lE=' O mA. Usando las características de la figuras 3. le es por consiguiente igual a ICBO . Sin embargo. si se utiliza la aproximación Ic : IE. en la figura 3.7) se demostrará en la sección 3.6. determine la corriente resultante del colector si lE pennanece en 3 mA pero V CS se reduce a 2 V. Alfa (a) En el modo de dc los niveles de le e lE debidos a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada alfa y definida por la siguiente ecuación: (3. En la figura 3.8 podrían sugerir que a =1 para los dispositivos prácticos. IE'= le = 4 mA. por el momento.lOc. Polarización La polarización correcta de la configuración de base común en la región activa se puede determinar con rapidez.90 a 0. determine VBE cuando le = 4 mA y VeB =20V.8.8. corto circuito o factor de amplificación por razones que resultarán más obvias cuando se analicen los circuitos equivalentes para transistores en el capítulo 7.8.7 V para cualquier nivel de corriente del emisor. El uso de una ecuación como la (3.998. no obstante. Debido a que alfa sólo puede definirse para los portadores mayoritarios.7 y 3.2) se convierte en I le = alE + leBO (3. En la mayor parte de las situaciones.8. se debe reconocer que la ecuación (3.

mplificación de voltaje de la configuración de base común. '" O IlA. 1 (le.4. es muy alta (mientras más horizontales sean las curvas. La flecha del símbolo define la dirección del flujo convencional para lE == le Luego se insertan las fuentes de con una polaridad tal.12). lOQkQ Figura 3. Para el transistor npn se in vertiráo las polaridades. La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unión con polarización directa en la entrada (base-emisor) y a la unión con polarización inversa en la salida (base-colector). se encuentra que V. existe una similitud entre las literales npn y las literales itálicas de no apuntando hacia adentro y las literales pnp con apuntando hacia adentro. La resistencia de salida. La polaridad de no aparece en la figura debido a que nuestro interés se limita a la respuesta en ac. = = 200mY 20Q = lOmA Ri Si se asume por un momento que aac . Algunos estudiantes sienten que pueden recordar si la flecha del símbolo del dispositivo se encuentra apuntando hacia adentro o hacía afuera.L = ILR = (10 mA)(5 ill) = 50Y + Vi:: I I\¡ 1.11 Establecimiento de la polarización correcta para un transistor pnp en base común en la región activa. 1. comparando las literales del tipo de tran- sistor con las literales adecuadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "no apuntando hacia adentro".I - + R 5 k!l R.12 Acción básica de a. 3.8.5 Acción amplificadora del transistor 121 . Utilizando un valor común de 20 Q para la resistencia de entrada. V. ---+- 200 mV ---'--+ 20Xu R . la resistencia ac de entrada determinada por las características de la figura 3. le)' IL = li = 10 mA y v. que soportarán la dirección resultante de la corriente.E e f3 + figura 3.12.11 para el transistor pnp.. El resultado es la configuración de la figura 3.. según se detenninó en las curvas de la figura 3..7 es muy pequeña y casi siempre varía entre 10 y 100 Q. Por ejemplo. Para la configuración de base 'común.. 3. mayor será la resistencia) y suele varíar entre 50 kQ Y 1 MQ (100 kQ para el transistor de la figura 3.5 ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR Ahora que se ha establecido la relación entre le e lE en la sección 3. pnp E e B 1.. se puede explicar la acción básica de amplificación del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura 3.

las características de salida son una gráfica de la corriente de salida (le) en función del voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de corriente de entrada (lB). Ambos se muestran en la figura 3.l4. es común tanto a la tenninal de base como a la de colector).~ lB e le n V ee v" e P le lB 1 E (b) V cc . E (. colector y base se muestran en su dirección convencional para la corriente..---0 e Bo--'----I -+- lB Figura 3.) Las corrientes del emisor. Si bien cambió la configuración del transistor. v" . aún se puede aplicar las relaciones de corriente que se desarrollaron antes para la configuración de base común. La acción básica de amplificación se produjo mediante la transferencia de una comente 1 desde un circuito de baja resistencia a uno de alta. en la siguiente fórmula. La combinación de las partes de las dos palabras en itálicas. b) transistor pnp. Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (lB) en función del voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (VCE)' 122 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . esto es. transferencia + resistor ---7 transistor 3.13 para los transistores pnp y npn. lE = le + IBele=aIE· Para la configuración de emisor común. se necesitan dos conjuntos de características para describir por completo el comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso. Una vez más.. Esta última característica debe ser obvia debido a que le = alE Y a es siempre menor que 1.13 Notación y símbolos utilizados con la configuración de emisor común: a) transistor npn. da como resultado el término transistor. Es decir.f3 La amplificación de voltaje es Vi =.= 200mV 50 V 250 Los valores típicos de la amplificación de voltaje para la configuración de base común varían entre 50 y 300. La amplificación de corriente (le/lE) es siempre menor que 1 para la configuración de la base común.6 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura 3.

--~_=--=_30-. la corriente del colector fue igual sólo a la corriente de saturación inversa leo' de tal forma que en la curva lE = O Y el eje de los voltajes fue uno para todos los propósitos prácticos. es decir. La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse a través del manejo adecuado de las ecuaciones (3.8) I - a 123 3.lc + + lB) + leBo I CBO (3.2 0. se denomi~a región de saturación.14 que le no es igual a cero cuando lB es cero. Para la configuración de base común.Considere también que las curvas de lB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para lEen la configuración de base común.8 l. esta región existe a la derecha de la línea punteada en VCt. Obsérvese en las características del colector de la figura 3. Obsérvese que en las características de la figura 3 J 4 la magnitud de lB se indica en microamperes.. La región a la izquierda de VCE.6 Configuración de emisor común .6): le = aló La sustitución da Volviendo a arreglar da: Ecuación (3.LA (R¡:glón activa) 50 40 30 20 10 o 5 10 \5 o 0.. Es decir. cuando la corriente de entrada lE fue igual a cero. b) características de la base.0 V 8E (V) lao =f3/ C80 (al (Región de corte) (b) Figura 3.l4a. 10 cual indica que el voltaje del colector al emisor tendrá influencia sobre la magnitud de la corriente del colector.6 0. comparado con los miliamperes de le.4 0. y por arriba de la curva para lB igual a cero..va=JOv (Región de saturación) 5 90 80 70 31!~_"".=!V 6 100 .3) y (3.Vn.14 Características de un transistor de silicio en la configuración de emisor común: a) características del colector.~--:::--. Ecuación (3. la región en la que las curvas para lB son casi rectas e igualmente espaciadas.~A _____ 60 2~~=:~::::::::::::::::::::~2~0~~~A~___ 10 ¡. En la figura 3. corriente o potencia. Recuerde que estas son las mismas condiciones que existieron en la región activa de la configuración de base común..f3 /c(mA) . La región activa de la configuración de emisor común se puede emplear también para la amplificación de volt~ie. La región de corte para la configuración de emisor común no está tan bien definida como para la configuración de base común. La región activa para la configuración del emisor común es la parte del cuadrante superior derecho que tiene mayor linealidad.3): le = ~leBo m. emisor común En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se encuentra polarizada inversamente. mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente.6).

para los transistores de germanio mediante la polarización inversa de la unión baseemisor. O 0.25 mA. lo cual da por resultado el equivalente aproximado de la figura 3. Recuerde que para la configuración de base común se hizo una aproximación al conjunto de características de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales. Cuando se utiliza como interruptor en el circuito lógico de una computadora.004 = 2501eBo Si leso fuera 1 .0. Dicha condición se puede obtener. el corte para fines de conmutación se definirá mediante las condiciones que existan cuando lc = ICBO.8 0.2 0.7 V Figura 3.la corriente resultante del colector con lB =OA sería 250(1 .f3 Si se considera el caso que recién se analizó..16.rá dos puntos de operación interesantes: uno en la región de corte y otro en la región de saturación.15 se demuestran las condiciones para esta corriente recién definida con su dirección asignada de referencia. la región por abajo de lB = O J1A debe evitarse si se requiere una señal de salida sin distorsión.16 Equivalente de segmentos lineales para las características del diodo de la figura 3.7 V para cualquier nivel de lE mayor que O mA. 124 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión .=0"" En la figura 3.14. Para la configuración de emisor común se puede recurrir al mismo método.uA. con unas cuantas décimas de volt. Debido a que lCEO suele ser bajo en magnitud para los materiales de silicio. por 10 regular. /B (pA) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 Figura 3..nd.15 Condiciones de cir<:uito relativos a ¡CEO. En este caso.9). el voltaje de la base-emisor es de 0. Como referencia futura.996.. que dio como resultado V BE = 0.6 1 0. el corte para la configuración de emisor común se definirá mediante le = ICEO' En otras palabras.9) I - a1/. El resultado da sustento a la conclusión anterior respecto a que para un transistor "encendido" o activo. el voltaje está fijo para cualquier nivel de corriente de base.996 0. para los transistores de germanio.4 0. un transistor tc.14b. Sin embargo. la corriente resultante del colector es la siguiente: le = a(OA) l-a leBo + le80 . Y se sustituye un valor típico como de 0. Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión). el corte existirá para fines de conmutación cuando lB = O J1A o lc = ICEO.7 V. donde lB. = leBo I (3. O A. según se refleja en las características de la figura 3.uA) =0. La condición ideal de corte debe ser le = O mA para el voltaje elegido VeE .pero sólo para los transistores de silicio. a la corriente del colector definida con la condición lB = O /lA se le asignará la notación que indica la ecuación (3.

como se indica en la figura 3. Debido a que.jorward) y la configuración de emisor común. en las hojas de especificaciones f3ac se indica como h¡e' Obsérvese que la única diferencia entre la notación que se utiliza para la beta de. En las hojas de especificaciones. la corriente del colector es la comente de salida para una configuración de emisor común. se encuentra que I C = 2.14a y se repiten en la 3. una constante.14. y la corriente de base es la corriente de entrada. El procedimiento para obtener lXac a partir de las curvas de características no se explicó debido a la dificultad para medir realmente los cambios de le elE sobre las características. radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad señalada como subíndice. en la intersección de lB = 20 /lA Y VCE = 1S V.a) b) Utilizando las características de la figura 3. Sin embargo. determine le cuando V" VeE~ 15 V.IB ~ 20 /lA cuando VBE ~ 0.4.7 V Y Solución a) b) En la intersección delB = 30 /lA Y V CE = 10 V. La restricción de VeE constante requiere que se dibuje una línea vertical a través del punto de operación en VCE = 7. El cambio en lB = = 3. respectivamente.17. Como para a. con la mayoría dentro del rango medio.11) es similar en cuanto a formato a la ecuación para a¡¡C en la sección 3. por lo regular. En cualquier lugar de esta línea vertical el voltaje VCE es 7.6 Configuración de emisor común 125 . como h FE . La literal h continúa haciendo referencia al circuito equivalente híbrido que se describirá en el capítulo 7 y lafe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en inglés de. Detennine f3ac para una región de las características definidas por un punto de operación de IB = 25 /lA YV eE 7. la ecuación (3. Por lo regular.11) puede describirse con cierta claridad. Para las situaciones de ac. y de hecho el resultado se puede utilizar para encontrar aac empleando una ecuación que se obtendrá más adelante. f3 revela ciertamente la magnitud relativa de una corriente respecto a la otra. ~ 30 /lA Y VeE ~ EJEMPLO 32 Empleando las características de la figura 3. los niveles de le e lB se relacionan mediante una cantidad a la que llamaremos beta y se defmen mediante la ecuación siguiente: (3.5 mA.7 V. A partir de la figura 3.4 mA.14b. Los subíndices FE se derivan de una amplificación de corriente directa (por las siglas en inglés de. 0.5 V. donde la h se obtiene de un circuito equivalente híbrido que se presentará en el capítulo 7. la corriente del colector equivale a 200 veces ia magnitud de la corriente de base.lc =3. una beta ac. el término amplificación se incluye en la nomenclatura anterior. específicamente J3dc = hFE . f3dc se incluye. por lo general. Beta (JJ) En el modo de de. como las que aparecen en la figura 3.jorward) en la configuración de emisor común. determine le cuando lB ~lOV. Usando la figura 3. el nivel de f3 suele tener un rango entre cerca de 50 y más de 400.17. se define en los términos siguíentes: (3. La ecuación (3.10) donde le e lB son determinadas en un punto de operación en particular de las características.14a. Para los dispositivos prácticos. Para un dispositivo con una f3 de 200.14. El uso de la ecuación (3.11) El nombre formal para f3ac es factor de amplificación de corriente directa de emisor común.11) se describe mejor mediante un ejemplo numérico utilizando un conjunto real de características.5 V.5 V.

. Para esta situación. 2 1 1/ e..le.1e ( mA ) 9 1 8 I I 7 6 ~V vt:-.. -lB I ¡ I 1 I I ! 1 ! i i . f{_ -i -.1 18 que se seleccionó tan pequeña como sea posible. las curvas de lB = 20 }. I 70 )lA I I i I I 60 )lA ! I ! I 5 4 ...lA cumplen el requisito sin extenderse muy lejos del punto Q. y a distancias aproximadamente similares a cada lado del punto Q. I I I 20 I 25 1 I 1. También definen los niveles de lB que se definen con facilidad en lugar de tener que interpolar el nivel de lB entre las curvas. Es pertinente mencionar que la mejor determinación suele hacerse manteniendo la .I B) como aparece en la ecuación (3. ] I 8Ol1A I ! I ¡ ! I i I I i ! ! .lB I LlIB vCE = constante 3.2. IBc .lA Y de 30 }.2 mA . V I _ J)lA I ¡ I I I I I ! ) I I I ! . V VI ~ VI I lB: 1 5+ I ! 1Punto Q 140 pA 1 I 1 1 I 1 ¡ I I 1 I ! j 25 IJA 30 pA i 1 I i I I < 3 .5 V 10 15 VU(V) Figura 3. la corriente del colector será de aproximadamente 100 veces la magnitud de la corriente base.. Si se determina la beta de dc en el punto Q: 126 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . .lA . ! 20)1A ¡ ¡ I I I .20}.lA = = 1 mA 1O}. los dos niveles de le pueden determinarse trazando una línea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes de le' El f3ac resultante para la región se puede determinar mediante f3" = Me 1 = le.11) se define entonces al elegir dos puntos en cada lado del punto Q a lo largo del eje vertical. i 10 pA i i ! I .-O)lA O 5/ VcE =7.2 mA 30}. (!J.17 Determinación de f3ac y Pdc a partir de las características del colector. En las dos intersecciones de lB Y el eje vertical..iA = 100 La solución anterior revela que para una entrada de ac en la base.

Casi siempre. Y el espaciamiento vertical entre las curvas es el mismo en cada punto de las características. Obsérvese que el paso o incremento en lB se ha fijado en 10 pA. el valor de f3ac variará en alguna medida entre un transistor y el siguíente. si se conoce el nivel de f3ac ' se supone que es de la misma magnitud aproximadamente que f3dc ' y viceversa. Aunque un conjunto de características· de un transistor real nunca tendrá la apariencia de la figura 3. Es importante observar que I CEO = O!lA. es suficiente validar el sistema aproximado anterior.uA lB = O j1.6 Configuración de emisor común 127 . 2 mA. por consiguiente.18. por 10 regular se utilizará tanto para los cálculos de dc como para10s de ac. aunque cada uno tenga el mismo número de código. El cálculo de {3" en el punto Q indicado dará por resultado =----45 !lA 9mA 7mA 2mA = 200 35 !lA 10 !lA Detenninar beta de dc en el mismo punto Q dará por resultado 8mA 40 !lA = 200 lo cual revela que si las características tienen la apariencia de la figura 3.uA r'------------------------1 1 1 1 1 1 1 1 IB=50)JA Punto Q lB == 40)JA 7 JB=)O. el subíndice correspondiente a dc o ac no se incluirá con la f3 para evitar la confusión a que dan lugar las expresiones con etiquetas innecesarias. ofrecemos un conjunto de características con el objeto de compararlas con las que se obtienen con un trazador de curvas (que se describirá enseguida).18 Características en la cual f3 ac es igual en cualquier lado y f3 ac '" f3 dc- Para el análisis subsecuente. Tome también en cuenta que dentro del mismo lote. le (mA)" 12 11 10 9 8 IB==60.18. Para las situaciones de dc bastará con reconocerla como f3dc ' y para cualquier análisis en ac será {3ac" Si se especifica un valor de {3 para una configuración de transistor en particular.p Aunque no son exactamente iguales. la magnitud de f3 ac y de f3dc será la misma en cada punto de las características.UA 6 5 ¡-4 IB=20. Debido a que la tendencia se dirige hacia niveles más y más bajos de lCEO' la validación de la aproxímación anterior se sustenta aún más. mientras más bajo sea el nivel de ICEo' más cercanas serán las magnitudes de las dos betas. Es probable que la variación no sea significativa para la mayor parte de las aplicaciones. los niveles de f3ac y de f3dc se encuentran razonablemente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente.18.uA 3 rfI 5 2 1 lB = 10 . 3. Si las características tuvieran la apariencia de aquellas que se encuentran en la figura 3. es decir. Esto es. el nivel de f3ac sería el mismo en todas las regiones de las características.A (lCEO == O IJA) / 1 O JO I 15 ~ 20 Figura 3.

.a pero al utilizar una equivalencia de --=13+1 1 - a derivado de lo anterior.12b) =--- 1. a o bien 1 +f3 a f3 = af3 + = (f3 + l)a en consecuencia I a=f3:1 I f3=-1 . (3. El primer paso consiste en indicar la dirección de lE según lo establece la flecha en el símbolo del transistor como se muestra en la figura 3.19b. se encuentra que leEO = (f3 + 1)leBo o bien (3. se presentan las otras 128 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . Es decir. Al sustituir en lE = le + lB se tiene le a = le + f3 le y al dividir ambos miembros de la ecuación entre le se obtiene -:. Suponga que se le presenta un transistor npn como el que se muestra en la figura 3.19a.. recuerde que a (3. Beta es un parámetro en particular importante porque ofrece un vinculo directo entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida para una configuración de emisor común.14) y dado que lE = le + lB = f3 IB + lB (3. Al utilizar 13 = lellB se tiene que lB = lelJ3.12a) o bien A su vez. y a partir de a = lellE se tiene que lE = lela.f3 Es posible establecer una relación entre 13 y a utilizando las relaciones básicas que se han presentado hasta ahora. Después. Polarización La polarización adecuada de un amplificador de emisor común puede determinarse de una manera similar a la presentada para la configuración de base común..a (3.14a.13) según se indica en la figura 3.15) se tiene Las dos ecuaciones anteriores desempeñan un papel muy importante en el análisis que se realiza en el capítulo 4. y se pide aplicar la polaridad correcta para colocar al dispositivo en la región activa.

19 tiene un transistor pnp.7 Configuración de colector común 129 .20 Notación y símbolos utilizados con la configuración de colector común: a) transistor pnp.20 con las direcciones adecuadas de corriente y notación de voltaje. 3. corrientes como se indica. 80----1 e la) e lb) Figura 3.19c. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. b) transistor npn. que se ilustra en la figura 3. tomando en cuenta la relación de la ley de corriente de Kirchhoff: le + lB = lE' Por último.7 CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN La tercera y última configuración de transistor es la configuración de colector común.f3 ? ? r 1') lb) 1 ('1 Figura 3. La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. se invertirán todas las corrientes y polaridades de la figura 3. para completar el concepto.19 Determinación del arreglo polarización apropiada para una configuración de transistor npn en emisor común. se introducen las fuentes con las polaridades que soportarán las direcciones resultantes de lB e le' según se muestra en la figura 3.19c. El mismo sistema puede aplicarse a los transistores pnp. Si el transistor de la figura 3. contrariamente a las de las configuraciones de base común y de un emisor COmún. 3.

Desde un punto de vista de diseño. las características de salida son una gráfica de lEen función de V EC para un rango de valores de lB· Por tanto. Todos los límites de operacíón para un transistor se definen en la hoja de especificaciones que se describirá en la sección 3. se especificó como 50 mA Y VCEO como 20 V. Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor común.9. . ICm'.~. existe un cambio casi imperceptible en la escala vertical de lc de las características de emisor común. Para el transistor de la figura 3. 1~ . Esta región se definió para las características del transistor de la figura 3 ..22.8 LÍMITFS DE OPERACIÓN Para cada transistor hay una región de operación sobre las características. no se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los parámetros del circuito de la figura 3.6..22 Definición de la región lineal (sin distorsión) de ~ __ O. 40 )lA 30 20 _________________________________. El eje horizontal del voltaje para la configuración del colector común se obtiene con sólo cambiar el signo del voltaje del colector al emisor de las características del emisor común.21. En la figura 3.al 10 t 15 20 operación para un transistor. La línea vertical relativa a 50 )lA 40 Región üe saturación . las cuales asegurarán que no se rebasen los valores máximos y que la señal de salida exhiba una distorsión mínima.21 se muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Para todos los propósitos prácticos.. 130 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . Para el circuito de entrada de la configuración de colector común las características básicas de emisor común son suficientes para obtener la infonnación que se requiere. la corriente de entrada es la misma tanto para las características del emisor común como para las del colector común. las características de salida para la configuración de colector común son las mismas que para la configuración de emisor común.21 Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento de impedancia. 3. Por último.~20~)lA~~ lE . tales como la corriente máxima: del colector (a la que por lo regular se hace mención normalmente en la hoja de especificaciones como corriente continua del colector) y voltaje máximo del colector al emisor (que a menudo se ~brevía como V CEO o V(BRlCEO en la hoja de especificaciones).80------1 E R Figura 3. Puede diseñarse utilizando las características de emisor común de la sección 3. 101~ ______________________ 5 Región de corte ~~~ 1O)lA - I ~-- Figura 3. si le se reemplaza por lE para las características de colector común (debido a que a" 1)..solos...-.22. Para la configuración de colector común. . Algunos de los límites de operación se explican por sí .3V I V CE .

Si ahora se elige un nivel de le a la mitad del rango medio tal como 25 mA.22. El nivel máximo de disipación se define mediante la ecuación siguiente: (3. 3.las características que se define como VCE. se puede dibujar un estimado general de la curva real utilizando los tres puntos que se defmieron antes.16) Para el dispositivo de la figura 3. Desde luego. La región de corte se define como la región por abajo de lc = ICEO' Esta región debe evitarse también si la señal de salida debe tener una distorsión mínima. Si se elige que le tenga un valor máximo de 50 mA y se sustituye en la relación anterior.8 limites de operación 131 . o que éstas no aparezcan en la hoja de especificaciones (cosa que suele ocurrir). más exacta será la curva: sin embargo.17). entonces VCE == 6 V sobre la curva de disipación de potencia. sólo habrá que asegurar que le' V CE' Y su producto Vc~c caigan dentro del rango que aparece en la ecuación (3.. como se indicó en la figura 3. se encuentra que si le = 50 mA. especifica el VCE mínimo que puede aplicarse sin caer en la región no lineal denominada como región de saturación.22 asegurará una distorsión mínima de la señal de salida. En caso de que no se disponga de las curvas características. el nivel de le es el siguiente: (20 V)/c = 300 mW 300mW l e = . = VCEle. La operación en la región resultante de la figura 3.= 1SmA 20V definiendo un segundo punto sobre la curva de potencia. suele encontrarse en las proximidades de los 0. se debe utilizar la ecuación lCEO = f3/ CBO para darse una idea del nivel de corte si no se dispone de las curvas características.22.".. casi siempre lo único que se necesita es un estimado general. . En algunas hojas de especificaciones sólo se incluye ICBO' Entonces. mientras más puntos se tengan. Por lo regular. Así surge la pregunta respecto a cómo graficar la curva de disipación de potencia del colector especificada por el hecho de que Pe "'.3 V que se especifican para este transistor.. = 300 mW o bien VCEle = 300 mW En cualquier punto de las características el producto de V eE e le debe ser igual a 300 ID W. se obtiene VCEle VCE(50 mA) VeE = 300mW = 300mW = 300mW 50mW = 6V Como resultado. El nivel de VCE.. la disipación de potencia del colector se especificó como 300 mW. Si ahora se elige que V eE tenga un valor máximo de 20 V. y los niveles de corriente y de voltaje que no dañarán al dispositivo. y se despeja Con objeto de obtener el nivel resultante de VCE' se obtiene 300mW y 300mW 25mA = 12V Como también se indica en la figura 3 .22.

la nonnalización revela que = = = = 132 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión .. "apagado" y en características de pequeña señal. se hará men- ción a esta hoja de especificaciones con objeto de repasar la forma como se presenta el parámetro. También puede disminuir a este nivel si lc disminuye al nivel bajo de 0.ínimo de 25 a la mayor corriente de 50 mA al mismo voltaje. la curva de potencia máxima se define mediante el siguiente producto de cantidades de salida: (3.f3 lCEO VCE ""1 :> lc :> lc m" :> V CE :> VCE (3.A temperatura ambiente (25 oC) obsérvese que h FE ({3do) tiene un valor máximo de l en el área cercana a 8 mA aproximadamente. hFEdisminuye a la mitad del valor cuando Ices igual a 50 mA. y un valor .' = PD = 625 mW. = 0. Las características de "encendido" y "apagado" se refieren a los límites de de. en tanto que las de pequeña señal incluyen los parámetros importantes para la operación en ac. Q = = Límites de operación 7. Es cierto que para muchas aplicaciones el 7. FETs. EI2N4123 es un transistor npn de uso cuya identificación de encapsulado y tenninales aparecen en la esquina superior derecha de la figura 3. ahora conoceremos casi todos. La infonnación que se proporciona como figura 3.9 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES Debido a que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el usuario.3 V.23 se tomó directamente de la publicación Small-Signal Transistors.uA.17) utilizando h FE = 150 (el límite superior) e ICEO '" {3ICBO = (150)(50 nA) 7. ({3. características térmicas y características eléctricas. El nivel de hFE tiene un rango entre 50 y 150 en lc =2 mA Y VCE = 1 V. es muy importante que la información que incluye se reconozca y se entienda con claridad.18) 3. El factor de pérdida de disipación bajo el valor máximo especifica que er~alor máximo disminuye en 5 mW por el aumento de cada 1 de temperatura por arriba de los 25 oC. Ahora definimos los límites de operación para el dispositivo y se repiten a continuación en el fonnato de la ecuación (3.. La disipación máxima del colector Pc.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la corriente del colector en el nivel de h FE ({3. FET y diodos) que preparó la compañía Motorola Inc. Casi todas las hojas de especificaciones se desglosan en valores nominales máximos. si se tiene un transistor con f3dc h FE 50 a temperatura ambiente. Entonces.). and Diodes (Transistores de pequeña señal. En la figura 3.5 .5.uA :> le :> 200 mA 0. En otras palabras.23a.17) m:1x Para las características de base común..uA 0. En las características "apagado" leBo se especifica como 50 nA y en las de "encendido" VCE .3V:>VcE :>30V VcElc :> 650mW En las características de pequeña señal se proporciona el nivel de h¡.23f.'. Aunque no hemos presentado todos los parámetros. Los parámetros restantes se presentarán en los capítulos siguientes. Las características eléctricas se desglosan después en "encendido". el valor máximo a 8 rnA es 50.5 . Como se trata de una curva normalizada.15 mA. Cuando [c 50 mA ha disminuido a 50/2 25. Obsérvese en la lista de valores nominales máximos que VCEm" =V CEO =30 V con lc m" = 200 mA. Confonne lc se incrementa por arriba de este nivel.) junto con una gráfica de la forma en que varía con la corriente del colector en la figura 3.0075 mA puede considerarse como O mA sobre una base aproximada.

95 VolwJe de satUr. - 0. 8 mA.R.0 mAde.\CTERisTICAS TÉRMICAS Característica R~~isteneia R.lr"'O} Voltaje de ruptuw emisor-base {l~=IOflAde. VCE '" 20 Vde.(iÓn tol"l del di~po~ilivo @T. lE = O) Corriente de corte del emIsor {V OE =o 3.0 mAdc) Vdc -.0 mAde.:ba de pulso: ancho del pulso _ 300 ¡.I E -O} Voltaje de ruptura colector-b<lse {l =oIOflAdc.J.f3 el nivel real de h FE a cualquier nivel de le se dividió entre el valor máximo de h FE a esa temperatura y con le.T"ó de temperJ!Ur~ de umón en (}per~ción -55~+15() 'c J ~lmaccnam'~n1o "2 e . Rs '" 1.5 Vdc. Obsérvese asímismo que la escala horizontal de la figura 3. 250 4.0 dE Figura de ruido {le = 100 flAdc.0 Vdc) = 1.0 MHz pF pF pF 'O 4. lE =-0. unión a enc:¡p.I B = 5.lción base-emisor (le'" 50 mAdc. ESTILO \ TO-92 (TO-226AA) 30 YEBO 5.0 Vdc.'l.0 mAdc.O. VCE "" 1.3 0.l e = 5. CARACTERISTICAS DE PEQt. quiera hacer un nuevo repaso de las gráficas que se incluyen en esta sección. f == 100 KHz) CapacitancIa colector-base (Ir".:specifiquc lo contr. V CE"" 10 V.0 Vdc. 3. Las escalas logarítmicas se analizan con todo detalle en el capítulo 11.0V.. Es probable que el lector.0 k ohm.0 '" 'e Pe d~ 200 625 5.V cs =-5.0 Vde. f.~.1.l e '" O} 50 nAde 50 nAde c ARA c TERISTICAS DE ENe ENDIDO Ganancia de corriente OC 1) (le'" 2.0 mAdc) (! =50mAdc.e .a de entrada ("'BE == 0..\=25°C Pérdjd~ R~ngll 2N4123 Unidad Vd.5 = 50 200 6.l.0 mAdc.le"'O} Máximo I Lnidad VIBRICEO V'BRICBO V"'BR1E. f= 1.0 Vdc) Voltaje de saturación (l) colector-emisor (le 50 mAde.0 kHz) GananCia en comente-alta frecuencia (Ic = 10 mAdc.:. Ciclo de trabaJo'" 2.0 Comente de corte del colector (Ves'" 20 Vde.ul:J.0 <k Figura 3_23 Hoja de especificaciones de transistores. f '" 100 MHz) Capacitanc.!lO leBo I EBO 30 Vd<: Vdc Vdc 40 5. nLORES :'IOOMI:'\ALES MÁXIMOS Valor Voltaje coleCIOf-eTmsor Símbolo VCEO VCBU Voj¡Jje emisor-base Corriente del colector continua Di<"..V h~ 50 25 150 Vd' = VCE 'Ul V BE.l c = Q.do 833 TRANSISTOR DE PROPÓSITO GENERAL NPl'i SILICIO ReSistencia t¿rmie<l. f= 1.23j es una escala logarítmica. f= 100 MHz) CapaCItancia de sahdu (V CB = 5.'~ 3 1 Em"or Símbolo Rme Máximo Lnidad °CW °CW tcrmiea.lrio) Característica CARACTERiSTlCAS DE APAGADO Voltaje de ruptura {1} colector-emisor {le . VCE "" 10 Vde. cuando disponga de tiempo para revisar las primeras secciones del capítulo 11.f= 100kHz) Ganan<:ia en corriente en ~quei\a seiíal (le = 2.ENA SENAL Producto ganancia en corriente-ancho de band3 (le'" 10 mAdc. Vdc Vdc mAdc 2N4123 ENCAPSULADO 29-04. f= 1. unión a ambiente R~JA 200 CARACTERisTICAS ELÉCfRICAS (T JI ~ 25 T J m~nos qu.0 200 2. V = 20 Vdc. VCE"" 5.¡s.0 KHz} (I) Pru. f== 100 MHz) CE (le 2.9 Hoja de especificaciones de transistores 133 .0 3 Colc<:tor mW m'W"C de di~lpJC1{m arriba 25 "C TJ.0 kHz) 50 -.

. .0 3.... I .2 0. 1. .:: W i\. . ::-~ : .0 ... Es de esperarse que los datos que se proporcionan sean suficientes para utilizar de manera eficaz el dispositivo en el proceso de diseño. • ..bo ~ ! I : ."'<' . ..¡ 2 O 0.... / .1 0. ...0 V cc = 3 V le/lB-lO VEB (abieno) "y: .'i I • ~ 5.0 4. Sin embargo. y la forma en que puede variar con los niveles cambiantes de comente.. le = 100 J. i 1.. De hecho.. i ! i .1 'x:" . -... ~X .. /~ ! '...J / I I I .0 10 Voltaje de polarización inversa (V) Ib1 5.. .JI V/ // 1/ / / / / / / '// 1mAJ"/ le = 0..Capacitancia Figura 2 .0 10 le.0 2.23 se mencionará con frecuencia en los capítulos que siguen....~ ~ 50 30 20 .4 1.....0 7. ..0 ¿ " '-' 3.5 0. no todos los parámetros que se incluyen en la hoja de especificaciones se definieron en las secciones o capítulos anteriores.. 200 .. .. Como se observó en la introducción de esta sección.. i l' .4 O " r Frecuencia (kHz..2 0.0 1..g ¡. i / .. casi todas las hojas de especificaciones que presentan la mayoría de los fabricantes omiten proporcionar las características completas. pero debe hacerse cualquier esfuerzo que sea necesario para conocer la importancia de cada parámetro. 4 2 / / !/'J /!/'" ! I I I /~ Ic= . T A = 25"C) Ancho de banda = 1...2 0. • T..7 1. ..5mA 6 4 ~ "- l. / ..COb~ :::::::<.. a medida que se presenten los parámetros. I .~ O.Variaciones de frecuencia.0 5... Figura 1 .e .. ¡-------.. Resistencia de la fuente =' :WO...Y.. 12 10 .) Figura 3.I.. -.0 2.0 10 20 40 100 (..Q V l e = 1 mA :s " ~ u 8 .. v--- Ic= 5O I1 A . La hoja de especificaciones puede ser una herramienta muy valiosa en el diseño o al utilizarla en el análisis. .5 mA Resistencia de la fuente = 1 kD.. .23 Continuación.. ~ Resistencia de la fuente = '200..Corriente de colector (mA) 50 100 200 ('1 CARACTERÍSTICAS DE PEQUEÑA SEJ\..0: 1 .0 2. ~ ·v/ ..A . la hoja de especificaciones que se proporciona en la figura 3.... 2 6 /V "I'-~! / .Tiempos de conmutación 10 7.. 134 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . E.3 0.AL PARA AUDIO FIGURA DE RUIDO (V CE = 5 Vdc. i ¡ I 100 70 ""'. Ir ~.0 Hz Figura 3 . iooJ... Figura 4 .) (dI 2 10 20 40 100 0..~.. i ..i .0 I I I .... :s ~ 2 8 ¡-----le =0.LA 0. temperatura y demás.0 2.:¡ 5. :. .0 20 30 5.f3 Antes de concluir esta descripción de las características.sy+-c-I· 3.... obsérvese el hecho de que no se proporcionan las características reales del colector... ..Resistencia de la fuente 14 \ f= 1 kHz 12 10 .:: .0 I 0.X '\. ...5O I1 A I / -- Resist~ncia de la fuente = 500 n :..: ... ~ " "º § "... 8= .: "' : ......0 7..1 0./ :/ . 20 30 40 10.0 _.. ..

1 0. " .9 Hoja de especificaciones de transistores 135 " .1 0. ~-.0 10 1.:::.! I 1 --1 ¡'.2 - 1.7 2.5 0. .0 0.2 5. +\25°C " = " .. ._-_ .5 2.1 I .0 1. I "'70 100 ! .2 ' -_ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _---' .-j-------------0. 1. 1.0 ~~ " 'g :g .f3 PARÁMETROS h VCE = 10V.0 0.0 2.<:.Impedancia de entrada Figura 8 .0 3.. '...5 1.0 5.. '\.5 0.1 0..3 0..0 2. T\=25°C Figura 5 .0 10 JC' Corriente de colector (mAl le..23 Continuación.0 0.0 1(".~ -g ~ = 1.5 0. - =:_--====:=====~=.Admitancia de entrada 100 I ----I I I I e_ -- ~ o '6 50 '~" ~ 20 o 10 5.Corriente de colector (mA! (g) (O Figura 7 .~ 0...2 2.0 10 20 30 50 le Corriente de colector (mA) """ 200 Ftgura 3.0 10 CARACTERÍSTICAS EST ÁTICAS Figura 9 '" Ganancia de corriente en DC 1."'- ~ " ~ e 0.:::..0 '-~_L- .7 ~ +25OC 5SOC ~ VCE=lV _ i o o o .0 5.1 0. O .Ganancia de corriente Figura 6 .5 1.j= 1 kHz..2 0.0 __ ~ I 0./ 5.0 7. 30 0.0 I ~ 2 ..~ -j ___________ 0. ¡TJ . 1 i ... .0 1. .0 '\.3 0... Relación de retroalimentación de voltaje . Corriente de colector (mAl (i) 5..2 le' Corriente de colector (mA) (h) 0.0 0.2 . 3.0 10 0.

(lA I 2mAI : " !OllA ¡ I /3 o gm por división 200 Figura 3._. Por ejemplo. 10 que da por resultado la escala que se muestra abajo de las características. i I i 60 flA 50. se encuentra que = ~ 10 div (200) = 180 div 2.=40pA =-ro div Flgura 3. .70 !lA . i.uA Horizontal por división rí' i I IV i ! I 4mAi i · · . empezando en Of.:-: : --:::-:::::2->=::¿=-C=+f=--~-ti========1 -8mA IB. La sensibilidad vertical es de 2 mA /div. como se indica en la figura 3.25. determine f3" para un punto Q de le = 7 mAy V CE = 5 V. . Si se usa el factor especificado.45 generará una imagen igual a la pantalla de la figura 3. . Sólo multiplique el factor que aparece en pantalla por el número de divisiones entre las curvas lB en la región de interés.=6. El último factor de escala que se proporciona se puede utilizar para detenninar con rapidez la f3ac para cualquier región de las características. -~. i ! I ¡ 1: I . 16mA: ! . existen tres "rutas" que pueden tomarse para verificar un transistor: trazador de curvas. En esta región de la pantalla.10 PRUEBA DE TRANSISTORES De manera semejante como ocurre con los diodos. 10 que da por resultado la escala que se ilustra a la izquierda del monitor.24 a le = 7mAyVCE =:SY.0"".25 Determinación de la f3ac para las características del transistor de la figura 3.1A para la curva de la parte inferior. 12mAi ¡r /: e .f3 3.(lA 40. medidor digital y óhmerro.7V SV OllA 9V lOV lV 2V 3V 4V 5V 6V lc. 30 llA 20 llA Por paso 10.. Trazador de curvas El trazador de curvas de la figura 1.24 Respuesta del trazador de curvas al transistor npn 2N3904. = 8. Las pantallas más pequeñas a la derecha indican la escala que debe aplicarse a las características.( .J 1 +/ .VcE =5V) IB=30~A 136 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . I i ! OmA" OV I - . . Punto Q (lc =7mA.4mA -.. Ic. La sensibilidad horizontal es de 1 V /div. 14mAi. La función de paso indica que las curvas están separadas por una diferencia de 10 pA. · SO .24 una vez que todos los controles se ajusten de manera adecuada.2 mA ¡ r. r- . la distancia entre las curvas lB es de¡¡' de una división.(lA Venieal por división 2mA .

si se utilizan los conectores que están en la parte inferior a la izquierda del disco selector de función. De manera análoga.4mA lB. en el modo de verificación de diodo se puede usar para verificar las uniones p-n de un transistor.lB.30llA Medidores digitales avanzados Hoy en día. como el que se muestra en la figura 3. la unión base~emisor debe dar por resultado un voltaje bajo de aproximadamente 0. (Cortesía de Computronics Teehnology. = 180 40llA . que también aparece en la pantalla digital. con la punta de prueba roja (positivo) conectada a la base y la punta de prueba negra (negativo) conectada al emisor.) 3. que son capaces de proporcionar el nivel de h FE . según sea el encapsulado.8mA 10llA lo cual verifica la determinación anterior.11) se obtiene le. para representar la unión con polarización inversa. en el mercado se dispone de medidores digitales avanzados. . es posible verificar los estados de polarización directa e inversá de la unión base-colector.6. De hecho. Con el colector abierto.le. con el emisor abierto.1 () Prueba de transistores 137 . . lne. corriente y resistencia. Obsérvese que este versátil instrumento también puede verificar un diodo. Puede medir la capacitancia y la frecuencia además de las funciones nonnales de medición de voltaje. Obsérvese la opción de pnp o npn y la disponibilidad de dos bornes para el emisor para manejar la secuencia de contactos.26 Probador de transistores.f3 Al utilizar la ecuación (3. Ftgura 3. = B.L. 1.26. Una inversión de las tenninales debe dar por resultado una indicación G.7 V.2mA . El nivel de h FE se determina a una corriente del colector de 2 mA para el Testmate l75A.

por lo regular.29 Varios tipos de transistores. Figura 3. se supone que esta determinación puede hacerse con sólo observar la orientación de los contactos en el encapsulado. la unión con polarización directa (palarizada por la fuente interna en el modo de resistencia) base-emisor debe verificarse como se indica en la figura 3.28 con una lectura que suele exceder los 100 kil. Algunos de los métodos que se utilizan con mayor frecuencia se indican en la figura 3.f3 Óhmetro Un óhmetro o las escalas de resistencia de un DMM pueden utilizarse para verificar el estado de un transistor. (al (b) Co) (d) FlgUra 3. Por tanto. Para un transistor pnp las terminales se invierten para cada unión.27. caerá en el rango de 100 Q a unos cuantos kilohms. colector o base de un transistor. b) y c) cortesía de Motorola. Los que se construyen para trabajo pesado son dispositivos de alta potencia. Aunque también puede utilizarse un óhmetro para detenninar las tenninales (base. en esencia. 138 Capitulo 3 Transistores bipolares de unión . Para un transistor npn. Recuerde que para un transistor en la región activa. A su vez. 3.27 Verificación de la unión base-emisor con polarización directa de un transistor npn. Si ambas uniones de un transistor dan por resultado las lecturas esperadas.11 ENCAPSULADO DE TRANSISTORES E IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES Una vez que se ha fabricado el transistor utilizando una de las técnicas que se describen en el capítulo 12.30. lnc. y da por resultado una lectura que. a) Cortesía de General Electric Company. colector y emisor) de un transistor. aluminio o níquel.29. y toda la estructura se encapsula en un "contenedor" como el que se muestra en la figura 3. mientras que la unión con polarización inversa muestra una resistencia mucho mayor. en tanto que otros cuyo encapsulado es pequeño (tipo sombrero) o cuyo cuerpo es de plástico son dispositivos de baja o mediana potencia. Ralta Figura 3. se unen las tenninales mediante pequeños alambres. Es obvio que una resistencia grande o pequeña en ambas direcciones (invirtiendo los contactos) para cada unión de un transistor npn o pnp indica un dispositivo dañado. la unión con polarización directa debe registrar una resistencia relativamente baja.. Si la punta de prueba positiva (+) se conecta a la base y la negativa (-) al emisor. que casi siempre son de oro. una lectura de alta resistencia indicaría un transistor pnp. la unión base-emisor tiene polarización directa y la unión base-colector polarización inversa. el tipo de transistor también puede determinarse con sólo observar la polaridad de las puntas de prueba cuando se aplican a la unión base-emisor. Siempre que sea posible. La unión con polarización inversa base-colector (una vez más polarizada inversamente por la fuente interna) debe verificarse según se muestra en la figura 3. d) cortesía de International Rectifier Corporation. el encapsulado del transistor tendrá algún tipo de marca para indicar qué terminales se encuentran conectadas al emisor.28 Verificación de la unión base-colector con polarización inversa de un transistor npn. una lectura de baja resistencia indicaria un transistor npn.

31 aparece la construcción interna de un encapsulado TO-92 de la línea Fairchild.30 Identificación de terminales del transistor. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation. Existen pequeños alambres de oro para conectar las terminales. Obsérvese el tamaño en extremo pequeño del dispositivo semiconductor real. Dado con proceso de pasivación Estructura de cobre lnyección de compuesto de moldeo axial . Lenguet3s de cierre (b) (. la identificación en la superficie superior indica el número 1 de las 14 terminales..32a.-./" Encapsulado de epóxico Ir I"i\-f. 3. las conexiones internas de las terminales se ilustran en la figura 3.) En el encapsulado de terminales en doble línea.11 Encapsulado de transistores e identificación de terminales 139 . es posible encapsular cuatro transistores pnp individuales de silicio. En la figura 3. una estructura de cobre y un encapsulado de resina epóxica.) (e) Figura 3. que aparece en la figura 3.32b.f3 figura 3. De igual manera como ocurre con el encapsulado de diodos en le.31 Construcción interna de un transistor Fairchild en un encapsulado TO-92.

b) diagrama de base.MODEL ~ QN NPN (BF = 140 IS = 2E .32 Transistores pnp de C silicio Q2T2905 de Texas Instruments: a) apariencia. El enunciado del modelo tiene el siguiente formato: . Los dos enunciados que se mencionaron antes aparecerán en la sección de análisis por computadora que se incluye en el capítulo 4.. (Cortesía de Texas Instruments Incorporated.12 ANÁLISIS POR COMPUTADORA En el capítulo 4 se estudiará una red de transistores utilizando BASIC y PSpice (versiones DOS y Windows). se capturan las terntinales en el orden que aparece arriba. el enunciado debe comenzar con . que se señala como BF. PSpice (versión DOS) El enunciado de PSpice para la introducción de los elementos de un transistor tiene el formato siguiente: QI 3 C 4 nombre B E nombre del modelo La Q se requiere para identificar el dispositivo como un transistor. es muy extensa y de hecho incluye 40 térntinos.) (a) B E NC E B e NC .f3 (Vista superior) e B E NC E Figura 3. El último registro es el nombre del modelo. Entre éstos se incluyen el valor de beta.. Si se utiliza BASIC. Después. Serán los únicos enunciados diferentes de los que aparecen en el análisis de diodos del capítulo 2.7 V cuando el dispositivo está "encendido". el método será análogo a un análisis realizado a mano.Sin conexión inte~a (b) 3. aunque puede incluir hasta siete caracteres (números y letras).MODEL y seguido por el nombre del modelo del transistor como se especificó en el enunciado anterior. El PSpice (versión Windows) utilizará'un transistor que se incluye en la biblioteca interna. El número 1 es el nombre elegido para el transistor. como aparece en el manual PSpice. se indica el tipo de transistor y los valores de los parámetros que se especificarán que se incluyen dentro del paréntesis.. y la corriente de saturación inversa IS a un nivel que dé por resultado un voltaje base-entisor de aproximadamente 0... La lista de parámetros. los elementos nuevos pueden 140 Capitnlo 3 Transistores bipolares de unión . ntientras que en un análisis mediante PSpice (versión DOS) se utilizará un modelo de transistor que se introduce en los párrafos siguientes. En otras palabras. ~ # nombre tipo del modelo parámetros que serán especificados Como se indica. Después.15) '------' . Para las necesidades actuales sólo es necesario especificar dos parámetros. para dirigir al paquete de programación (programa) hacia la localización de los parámetros que definen al transistor.

El capítulo 4 describirá la forma de modificar los parámetros del transistor seleccionado y la forma de llevar a cabo un análisis de la red de transistores. ¿cómo se relacionan lE e le basándose en los resultados anteriores? Problemas 141 . ¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno unipolar? § 3. ¿Qué nombres se asignan a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje la construcción básica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno. 6. el uso del paquete PSpice es una "experiencia de construcción" real con la posibilidad de analizar algunas redes muy complicadas que se encuentran a sólo unos cuantos enunciados de distancia. e) ¿ Cómo han afectado los cambios de VeB el nivel resultante de le? d) Respecto a una base aproximada. Dibuje una figura similar a la figura 3. Dibuje el símbolo gráfico junto a cada uno. 11. especifique V BE alE = 5 mA para V eB .7. Describa el movimiento resultante del ponador. con base en una aproximación.SmA Ves = 16 V. Se encuentra eval. e insene la dirección convencional del flujo para cada corriente.3 para la unión con polarización directa de un transistor npn. Dibuje una figura similar a la figura 3. y aparecerá en la pantalla para su colocación. § 3. Utilizando las características de la flgura 3. Describa el movimiento resultante del ponador. ¿Cuál de las comentes del transistor es siempre la mayor? ¿Cuál es siempre la menor? ¿Cuáles de las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud? 9. Conforme oprima el botón de un dispositivo al siguiente.10b. a) Determine la resistencia promedio en ac para las características de la figura 3.10c (basándose en los resultados del inciso a)? 13. En este sentido.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor npn.8. detennine la corriente resultante del colector si lE = 4. b) Para las redes en las cuales la magnitud de los elementos resistivos se encuentra en kilohms. De memoria. ¿Cuál es la fuente de la corriente de fuga en un transistor? 5. ¿es válida la aproximación de la figura 3. 8. Una vez que se elige la opción del transistor deseado. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows La elección de transistor bajo PSpice para Windows se encuentra al seleccionar Draw en la barra de menú de la ventana de 5chematics (esquemas). sólo se selecciona en el dispositivo y OK. 10 V Y 20 V. ¿Se altera algún elemento de esta información al cambiar de una base de silicio a una de gennanio? 2. ¿Es razonable suponer. Dibuje una figura similar a la figura 3. a) Usando las características de la figura 3. Después se elige Get New Par! (busca nuevo componente) seguido por Browse (hojear) para ver la lista disponible. Señale el movimiento resultante del portador. Si la comente del emisor de un transistor es de 8 mA e lB es de 1/100 de le determine los niveles de le e lB· § 3.2 Construcción de transistores PROBLEMAS 1. 7. b) Repitaelincisoaparal[=4.:::: 1 V.5 rnA VcB =4 V. que VeB tiene sólo un pequeño efecto en la relación entre VBE elE? 12.3 Operación del transistor 3. dibuje el símbolo del transistor para un transistor pnp y npn.f3 presentarSe en la biblioteca PSpice sin modificar los procedimientos ya descritos.4 para la unión con polarización inversa de un transistor npn. una caja de Description aparecerá arriba de la entrada describiendo el tipo de dispositivo.4 Configuración de base común 10. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operación de amplificación correcta del transistor? 4.slb en la lista de Iibrary (biblioteca) y después de seleccionar la entrada se debe mover a través de la lista de dispositivos disponibles.

16.iA Y V CE = 10 V. Utilizando las características de la figura 3. 'c * 22. e) Vuelva a utilizar el inciso a en lB = 30 f1A Y VCE = 10 V. a) b) e) Dada una a dc de 0. c) Sif3dc::: 180e I c = 2. b) e) d) e) Determine VSE si le::. a) Empleando las características de las figuras 3.14a.A Y VCE = 5 V. b) Encuentre el valor de V CE Y V BE correspondiente a le =.12 si Vi =500 mV y R (Los otros valores del circuito permanecen iguaJes.3 mA e lB = 30 ¡. 25. detennine le si lE::.8. b) Repita el inciso a en lB::: 5 p.7 y 3. determine le si Ves = 10 V VSE ::. determine f3dc en lB = 80 J1.l4a. Encuentre lE si lB::. Compare las soluciones para V BE para los incisos b.12 si la fuente tiene una resistencia interna de 100 Q en serie con Vi" § 3.8 mA e lB = 20 p. determine fJ" en lB =80 ¡LA Y V eE =5 V. Utilizando las características de la figura 3.0 mA.14a. encuentre el valor correspondiente de ICEO' d) Calcule el valor aproximado de lCBO utilizando el valor de beta dc que se obtuvo en el inciso a.98. 10 V. ¿Se puede ignorar la diferencia si normalmente se encuentran niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts? 15. e) A VCE = +8 V. 18. a) Para las características de emisor común de la figura 3. Después calcule a dc y el nivel resultante de lE' (Utilice el nivel de Ic determinado por I c ::: f3 diB') 26. ¿cambia el valor de f3dc entre punto y punto en las características? ¿Dónde se encuentran los valores más altos? ¿Puede desarrollar algunas conclusiones generales acerca del valor de /3dc con base en un conjunto de características como las que se presentan en la figura 3. determine la beta en dc en un punto de operación de VCE = +8 Ve = 2 mA.998. Repita el inciso b utilizando las características de la figura 3.14a: * 24. DefinalcBo e ICEO' ¿En qué son diferentes? ¿Cómo están relacionados? ¿Por lo regular sus magnitudes son cercanas? 20. ¿cambia el valor de f3ac entre punto y punto en las características? ¿Dónde se encuentran los valores más altos? ¿Puede determinar algunas conclusiones generales acerca del valor de f3 ac con base en un conjunto de características de colector? e) Los puntos seleccionados en este ejercicio son los mismos que los que se utilizaron en el problema 23.10b. Calcule la ganancia de voltaje (A" = V L/V) para la red de la figura 3. calcule I CBO ' 23. Vuelva a hacer el inciso a en lB =30 Ji. Repita el inciso a en lB = 5 J1A y VCE = 15 V.A.f3 14. e) Utilizando la f3dc determinada en el inciso b.14: a) Encuentre el valor de lc correspondiente a V BE = +750 mV y VCE = +5 V. determine 1CEO a V CE = 10 V. encuentre lEe lB' 142 Capítulo 3 Transistores bipolares de unión . d) Revisando los resultados de los incisos a a e. 800 rnV. § 3. 4 mA.) =1 k. Repita el inciso b utilizando las características de la figura 3. y d. Si se llevara a cabo el problema 23.5 Acción amplificadora del transistor 17. Al revisar los resultados de los incisos a a e. especifique el valor correspondiente de f3de . determine f3dc en lB = 25 J1A y VCE = 10 V. a) Dado que ade = 0.lOc. a) Usando las características de la figura 3. 40 jiA Y u dc es 0. a) Utilizando las características de la figura 3. c. Calcule la ganancia de voltaje (Av = V L/V) para la red de la figura 3.14. ~·21.Ay VCE ::: 15 V. compare los niveles de f3dc y f3ac para cada punto y comente acerca de la tendencia en magnitud para cada cantidad. a) b) c) d) Utilizando las características de la figura 3. 5 mA Y Vcs::. b) Encuentre e! valor de a correspondiente a este punto de operación.lA.6 Configuración de emisor común 19. b) Una vez especificado f3dc ::: 120. Dibuje de memoria la configuración del transistor en base común (para npn y pnp) e indique la polaridad de la polarización aplicada y las direcciones de corriente resultantes. determine el valor correspondiente de a.Q.14a. b) Determine f3dc en lB = 10 j.987.A Y V CE =10 V. Determine cxdc si lE = 2.

calcule la amplificación de voltaje del circuito (A" = V o I Vi) Y la corriente del emisor para RE = 1 kG.:' y VCEm:.ICm:.e en le = 1 mA Y VeE =8 V.yPcmó:<=40mW. ¿Cómo se compara el rango de h FE (figura 3..23f. ¿Es este cambio tal que deba considerarse en una situación de diseño? Utilizando las características de la figura 3. detenmne el nivel de fidc en le= 10 mA en los tres niveles de temperatura que aparecen en la figura.23f) para el rango de le desde 0. ¿Cómo se comparan los niveles de f3ac y de f3dc en cada región? ¿Es válida la aproximación {3dc == {Jac para este conjunto de características? * Los asteriscos indican problemas más difíciles. VCBmó:< = 15 V.8 limites de operación 30. ¿cuál es el valor esperado de promedio de J3dC ? lCEO utilizando el valor 35.7 Configuración de colector común 28. Especifique la región de operación para un transistor que tenga las características de la figura 3. determine cuánto ha cambiado el nivel de h(e desde su valor en 1 mA a su valor en 10 mA. ¿Es significativo el cambio para el rango de temperatura especificado? ¿Se trata de un elemento que deba considerarse en el proceso de diseño? * 38.8 si lcmó:< = 6 mA. a) b) e) d) e) f) Utilizando las características de la figura 3. Especifique Jl" en le = 14 mA Y VCE = 3 V.14. dibuje las características de entrada y de salida de la configuración de colector común. normalizada a partir de h FE := 100) con el rango de hlc (fIgura 3. Obsérvese que la escala vertical es una escala logáritrnica que puede referirse a la sección 11. § 3.23b.. 33. Y PCm:íX =30mW.2.9 Hoja de especificaciones de transistores 32. Con base en los datos de la figura 3. Detennine (3.23.. Para un transistor que tenga las caractensticas de la figura 3. 31. Explique por qué.x=7mA.23j. VCEm~x=17V. * 37. Determine la región de operación para un transistor que tenga las características de la figura 3.23j. Se aplica un voltaje de 2 V nns (medidos de la base a tierra) al circuito de la figura 321. Problemas 143 .10 Prueba de transistores 39. Utilizando las características de la fIgura 3. determine si la capacitancia de entrada en la configuración de base común se incrementa o disminuye con los crecientes niveles de potencial de polarización inversa. § 3. Refiriéndose a la figura 3..1 mA a 10 mA? 36.' dibuje los límites de operación para el dispositivo.23 con respecto a PDmáx' VCEmáx. § 3. Suponiendo que el voltaje del emisor siga exactamente el vohaje de base y que Vbe (rms) = 0. Utilizando las características de la figura 3. 34.1 V. Determine f3ac en lc = 1 mA Y VCE = 8 v. determine el rango de temperaturas para el dispositivo en grados Farenheit.23. determine f3ac en le == 14 mA y VCE = 3 V.f3 27.24. Dibuje de memoria la configuracíón de transistor en emisor común (para npn y pnp) e inserte el arreglo correcto de la polarización con las direcciones de corriente resultantes para lB' le elE" § 3.14 si/c mó. 29. Utilizando la información que se proporciona en la figura 3.

1) (4. En realidad.7V (4. Una vez que lB se conoce. Por tanto.IT . sin la asistencia de una fuente externa de energía. el análisis o diseño de cualquier amplificador electrónico tiene dos componentes: la porción de dc y la porción de ac. Muy a menudo se asume que un transistor es un dispositivo mágico que puede elevar el nivel de una señal de entrada de ac. En la mayoría de los casos la corriente base lB es la primera cantidad que debe determinarse. Sin embargo. se debe construir una red que establecerá el punto de operación deseado. existe una similitud fundamental entre el análisis de cada configuración debido al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas. Por fortuna. Una vez definidos los niveles de voltaje y de corriente de dc. Aunque en este capítulo se analiza cierta cantidad de redes.3) pueden aplicarse para encontrar las cantidades de interés restantes. En la sección 4.1 INTRODUCCIÓN El análisis o diseño de un amplificador a transistor requiere de un conocimiento tanto para la respuesta en de como para la respuesta en ac del sistema. en este capítulo se analizan varias de estas redes. El nivel de de de un transistor en operación es controlado por diversos factores.2) (4.2 se especifica el rango para el amplificador a BIT. Las ecuaciones para JB son tan familiares para una cantidad de configuraciones que una ecuación puede derivarse de otra sólo 144 Capítulo 4 Polarización en dc-B. el nivel de potencia de salida de ac mejorado es el resultado de una transferencia de energía desde las fuentes de dc aplicadas. las relaciones de las ecuaciones (4. qué tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura.CAPÍTULO Polarización en dc-BJT 4. es decir. que son importantes para un transistor: VBE = O. Este aspecto también se investigará en una sección posterior del presente capítulo. Cada diseño también determinará la estabilidad del sistema. incluyendo el rango de puntos de operación posibles sobre las características del dispositivo.1) a (4. y viceversa. Las similitudes en el análisis serán inmediatamente obvias según vaya avanzando en este capítulo. se debe tener en cuenta que durante el estado de diseño o síntesis. el teorema de la superposición puede aplicarse y la investigación de las condiciones de de puede separarse por completo de la respuesta de ac. la solución de las siguientes se tornará más clara.3) Una vez que estén analizadas las primeras redes. la elección de los parámetros para los niveles requeridos de dc afectarán la respuesta en ac.

. La figura 4.. OJiA. que ayudan a establecer un nivel fijo de comente y voltaje. definida por VCE '. el cual podría permitir un análisis en dc de cualquier sistema que pueda utilizar el amplificador a BJT 4. o bien la destrucción del dispositivo. por la sigla en inglés de. Cuando se confina la región activa pueden seleccionarse muchas áreas o puntos de operación diferentes. La principal función de este capítulo es desarrollar un nivel de familiaridad con el transistor BJT. quiescent point). pero el resultado de tal operación podría ser un recorte considerable de la vida del dispositivo. Para los amplificadores a transistores el voltaje y comente de dc resultantes establecen un punto de operación sobre las características que definen una región que se utilizará para la amplificación de la señal aplicada. ~. definida por ls'. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o de otros dentro de la región activa. lc(mA) 80l1A / Cmáx 25 . La restricción de máxima potencia se m" define por la curva Pe en la misma figura.C 20 pA 5 ¡OpA A 5 10 Corte 15 20 Hgura 4. VCEm ' El dispositivo BJT puede estar en polarización para operar fuera de estos límites máximos. se pueden considerar algunas diferen. Y la región de saturación. 4. también se le !lama punto de reposo (abreviado punto Q.1 muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operación indicados. En el extremo inferior de las escalas se encuentra m" la región de corte.con eliminar o añadir uno o dos términos.1 Varios puntos de operación dentro de los límites de operación de un transistor. 20 50 IJ-A 15 Saturación s 10 .1 mediante una línea horizontal para la corriente máxima del colector le ' y una línea vertical cuando sea el voltaje máximo del colector-emisor VCE . Los valores máximos están indicados en las características de la figura 4. De cualquier manera. Debido a que el punto de operación es un punto fijo sobre las características.2 Punlo de operación 145 . El punto Q que se elige a menudo depende del empleo del circuito.2 PUNTO DE OPERACIÓN El término polarización que aparece en el título de este capítulo es un término que comprende todo lo relacionado para la aplicación de voltajes de de.

El punto e pennitiría cierta variación positiva y negativa de la señal de salida. por tanto. como la ganancia en corriente del transistor (/3.dando por resultado un punto Q enA. La estabilidad del punto de operación puede especificarse mediante un factor de estabilidad S. de operación más lineal. Operación en la región lineal: Unión base-emisor con polarización directa Unión base-colector con polarización inversa 146 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . Debido a que es necesario polarizar un dispositivo de forma que pueda responder al rango completo de la señal de entrada. el punto B parece ser el mejor punto de operación en términos de ganancia lineal y la excursión más grande posible de voltaje y corriente. los cuales serán considerados en el capítulo 16. pero no necesariaruente es el caso para los amplificadores de potencia. El punto D establece el sitio de operación del dispositivo cerca del nivel de voltaje y potencia máxima. La excursión del voltaje de salida en la dirección positiva se encuentra entonces limitada para no exceder el voltaje máximo. Este énfasis sobre la letra inicial debe ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de voltaje.1. Existe otro factor para la polarización muy importante que todavía debemos considerar. del circuito de polarización. pero no la suficiente como para llevar al dispositivo hacia el corte o a la saturación. el punto A no sería precisamente el adecuado. por tanto. de tal forma que dichos carubios ocasionen la menor cantidad de modificaciones en el punto de operación.. El punto B es una región de espaciamiento más lineal y. el voltaje y la corriente del dispositivo tendrán variación. nos concentramos básicamente en la polarización del transistor para la operación de amplificación en pequeña señal. Es mejor un circuito de gran estabilidad. Para que el BJT esté polarizado en su región lineal o de operación activa. cero corriente a través del dispositivo (y cero voltaje a través de él). Una vez que seleccionamos y polarizamos el BJT en un punto de operación. Si no se utilizara la polarización. pero el valor pico a pico estaría limitado por la proximidad de VCE =OVIIe =OrnA. el dispositivo estaría al principio completamente apagado. comparada con la estabilidad de varios circuitos polarizados. según se muestra en la figura 4. saturación y lineal de las características del BJT se ofrecen de la siguiente manera: l. Por tanto.) y la corriente de fuga del transistor (lew)' Las mayores temperaturas dan como resultado mayores corrientes de fuga en el dispositivo. La operación en el punto e también acarrea inquietud acerca de las no linealidades presentadas por el hecho de que hay un cambio rápido en las curvas de lB en esta región.6 a 0.el cual indica el grado de cambio en el punto de operación debido a una variación en la temperatura. Este factor ocasiona que cambien los parámetros. ntientras que para la polarización inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. también debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. permitiendo al dispositivo reaccionar (y posiblemente amplificar) tanto ante las excursiones positivas como negativas de la señal de entrada. En este análisis. si la señal se aplica al circuito.] La operación en las regiones de corte. El resultado es que el diseño de la red debe ofrecer también un grado de estabilidad en temperatura. [Obsérvese que para la polarización directa el voltaje a través de la unión p-n es p-positiva.cias entre los diversos puntos mostrados en la figura 4. Para el punto B. Si la señal de entrada se elige correctamente. el dispositivo tendrá una variación en corriente y voltaje desde el punto de operación. es decir. Ésta es por lo general la condición deseada para los aruplificadores de pequeña señal (capítulo 8). La unión base-entisor debe tener una polarización directa (voltaje de la región p más positivo) con un voltaje de polarización directa resultante de aproximadaruente 0. 2. es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es muy constante (o lineal) para asegurar que la aruplificación a través de la excursión completa de la señal de entrada es la misma. La unión base-colector debe tener una polarización inversa (voltaje de la región n más positivo) con un voltaje de polarización inversa resultante de cualquier valor dentro de los límites máximos del dispositivo. los siguientes puntos deben resultar exactos: 1. En general.7 V. causando un cambio en la condición de operación establecida por la red de polarización.1 para presentar algunas ideas básicas acerca del punto de operación y.

3 Equivalente de de de lla figura 4. Más adelante.4 '\\ .iFlgura 4.2. Debido a 4..V BE =O + Nótese la polaridad de la caída de voltaje a través de RB establecida por la dirección indicada de lB' Cuando se resuelve la ecuación para la corriente lB da por resultado lo signiente: I lB - - V cc . Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son las reales. Polarización directa base-emisor Figura 4. como se muestra en la figura 4. las ecuaciones y los cálculos se pueden aplicar con facilidad a la configuración con transistor pnp.3. Vee Re RB sena! de enrrada o en ac C.3 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA El circuito de polarización fija de la figura 4.4.2 ofrece una introducción relativamente directa y simple al análisis de la polarización en de de transistores. como lo muestra la figura 4. para permitir una separación de los circuitos de entrada y de salida. El voltaje a través de RE es el voltaje Vcc aplicado en un extremo menos la caída a través de la unión base-emisor (VBE).3. lB ~ V BE Es verdad que la ecuación (4.. Operación en la región de corte: Unión base-emisor con polarización inversa Operación en la región de saturación: Unión base-emisor con polarización directa Unión base-colector con polarización directa 4. se obtendrá +Vec . 3. en ac 8+ E L h C + V eE B+ VBE E .. . la separación es válida.2. con el solo hecho de cambiar todas las direcciones de corriente y los voltajes de polarización.lsRB . y los voltajes están definidos por la notación estándar de doble subíndice. .2.4) RB ~" 1 + R.3 Circuito de polarización fija .VBE (4. 147 Malla base-emisor. la red debe aislarse de los niveles de ac.. Figura 4.. Aunque la red utilice un transistor npn. reemplazando los capacitares por un equivalente de circuito abierto.. Cuando escriba la ecuación de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj. L h señal de v cc Re RB V ee ~salida e + VCE V ¿-B c. Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 4.. la fuente Vee de dc puede separarse en dos fuentes (para propósitos de análisis solamente). Para el análisis en dc. También reduce la unión de las dos corriente que fluyen hacia la base lB' Como se observa.4) no es difícil de recordar si se toma en cuenta que la corriente de base es la corriente a través de R B ' Yde acuerdo con la ley de Ohm dicha corriente es el voltaje a través de RB dividido entre la resistenciaRB . donde V ce está conectada directamente a R8 y Re' justo como en la figura 4.2 Circuito de polarización fija .

. entonces (4.10) Medición de VCE Y VC' Tenga presente que los niveles de voltaje como VCE son determinados mediante la colocación de la punta de prueba roja (positiva) del voltímetro en la terminal del colector y la punta de prueba negra (negativa).6) la cual establece que el voltaje a través de la región colector-emisor de un transistor en la configuración de polarización fija es el voltaje de alimentación menos la caída a través de Re Como un breve repaso de la notación de subíndice sencillo y doble.. Es interesante observar que debido a que la corriente de base está controlada por el nivel de R B y que le está relacionada a lB por la constante {3. lB Q e leQ . respectivamente.1 a) Determinar lo siguiente para la configuración de polarización fija de la figura 4. fija el nivel de la corriente de base para el punto de operación.7) donde VCE es el voltaje colector-emisor y Ve y VE son los voltajes del colector y del emisor a tierra. la magnitud de le no es una función de la resistencia Re El cambio de Re hacia cualquier nivel no afectará el nivel de lB o de le mientras se permanezca en la región activa del dispositivo. ya que (4.5 Malla colector-emisor. Sin embargo. c) d) VByVe VBC' 148 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .. se tiene que = (4. debido a que VE O Y. . Comprender la diferencia entre ambas medidas puede ser muy importante para la localización de fallas en las redes de transistores . pero en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes.6 E 1. y que VE = O Y. b) VeEQ . Hgura 4. Ve es el voltaje del colector a la tierra y se mide según la misma figura.que el voltaje Vee y el voltaje base-emisor son constantes RB .9) . La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección del sentido de las manecillas del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 45 dará por resultado lo siguiente: y (4. .8) Además. a la terminal del emisor según se muestra en la figura 4. Malla colector~misor + La sección colector-emisor de la red aparece en la figura 4. En este caso las dos lecturas son idénticas.6.. EJEMPLO 4.. Figura 4.7.. como se verá más adelante.5 con la dirección de la corriente le indicada y la polaridad resultante a través de Re La magnitud de la corriente del colector está directamente relacionada a lB mediante (45) . Pero en este caso. recuerde que (4. el nivel de Re detenninará la magnitud de VCE ' el cual es un parámetro importante.

Saturación del transistor El término saturación se aplica a cualquier sistema donde los ni veles han alcanzado sus máximos valores. Las condiciones de saturación se evitan normalmente porque la unión base-colector ya no se encuentra con polarización inversa y la señal de salida amplificada se dístorsionará. Para un transistor que opera en la región de saturación la corriente es un valor máximo para el diseño en particular.7V .3 Circuito de polarización fija 149 .0.en ac 10 . puede calcularse la resistencia entre las tenninales. Nótese que se trata de una región donde las curvas características se juntan y el voltaje colector-emisor se encuentra en o por debajo de VCE .83 V = -6.83 V V BC = VB - d) La utilización de la notación del subíndice doble da por resultado Vc = 0.08. 240 ka 1 e.5): 12 V . entrada \ en ac --.del colector y las del emisor de la siguiente manera: 4.uF salida +-:-+--. y se proporciona en la hoja de especificaciones.1--0------\ 10 .8b.8a.2 kQ) = 6.uF \ ¡ Va fi= 50 Ftgura 4.(2.VCc =+12V R.uA) = 2. Un punto de operación en la región de saturación se describe en la figura 4.4): Ecuación (4.35 mA = 12 V . En la figura 4. Al aplicar la ley de Ohm.7 V = VCE = 6.8b la corriente es más o menos alta y el voltaje VCE se asume de O volts.. el método directo para detenninar el nivel de saturación se toma aparente. la corriente del colector es relativamente alta en las características.83 V b) Ecuación (4.1.6.6): VCE = Vee .13 V y el signo negativo revela que la unión tiene polarización inversa.' Además. el nivel más alto de saturación está definido por la corriente máxima del colector.8a a las que aparecen en la figura 4. Desde luego. Si se aproximan las curvas de la figura 4.08 !lA 240kQ le Q = {HB Q = (50)(47.~--. Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de líquido. El cambio en el diseño puede ocasionar que el nivel de saturación correspondiente pueda llegar a incrementarse O descender.7 Circuito de de polarización fija para el ejemplo 4. Solución a) Ecuación (4..¡eRe Q c) VB Ve = V8E = 0.35 mAl (2. como debe Ser para la amplificación lineal.7 V = 47.

10 el corto circuito se aplicó.11) + Figura 4.10 Determinación de le para la configuración de polarización fir~... EJEMPLO 4. Por tanto.2 Determine el nivel de saturación para la red de la figura 4..9. sólo se inserta un equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y se calcula la corriente resultante del colector.7.l e = l e '"l) Figura 4. .2 kQ = 5. Solución l e.45mA 150 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT . Una vez que le se conoce puede tenerse idea de la corriente máxima posible del colector para el diseño escogid~. - - Vee Re = 12 V 2. En resumen.9 Determinación de 1C". La aplicación de los resultados al esquema de la red resultaría en la configuración de la figura 4.o (al (bl Figura 4. y para el futuro.8 Región de saturación a) real b) aproximada. y el nivel bajo el cual debe permanecer si se espera una amplificación lineal.' de poiarización fija es (4. Para la configuración de polarización fija de la figura 4. sólo haga VeE = OV. si existiera una necesidad inmediata de conocer la comente máxima del colector (nivel de saturación) para un diseño en particular. causando que el voltaje a través de Re se convierta en el voltaje aplicado Vce La corriente de saturación resultante para la configuración RCE=OQ (Va = OV.

Al sustituir le = O mA en la ecuación (4.35 mA. En esencia. La solución común de las dos sucede donde se satisfacen las restricciones establecidas por cada una de manera simultánea. Análisis de recta de carga El análisis hasta el momento se hizo utilizando el nivel de f3 correspondiente con el punto Q resultante.12) sobre las características de salida es mediante el hecho de que una línea recta se encuentra definida por dos puntos. Esto es similar a encontrar la solución para dos ecuaciones simultáneas: una establecida por la red y la otra por las características del dispositivo.13) definiendo un punto para la línea recta de acuerdo con la figura 4. Ahora.El diseño del ejemplo 4.12) sobre las características. se investigará la forma en que los parámetros de la red definen el rango posible de puntos Q y la manera en que se determina el punto Q real.11 Análisis de la recta de carga a) la red b) las características el dispositivO. se tiene una ecuación de redes y un conjunto de características que utilizan las mismas variables. entonces se especifica el eje horizontal como la línea sobre la cual está localizado un punto. Si se elige que le sea O mA.1 dio por resultado lco = 2. La red de la figura 4. Ahora.11b.11a establece una ecuación de salida que relaciona las variables le y VCE de la siguiente manera: I VCE = Vce .12.12). le (mA) sf7 6 50 )1A 4Ol1A f/'" 30)1A 5 4 20 )1A 3 !O)1A + 2 1" t I I lB = 0}. se debe superponer la línea recta definida por la ecuación (4. se encuentra que y (4. 4.lA o 5 t lceo 10 15 V CE (V) (a) (bl Figura 4.leRe I (4. El método más directo para graficar la ecuación (4.Jlb. Las características del dispositivo de le en función de VCE se ofrecen en la figura 4. el cual se localiza lejos del punto de saturación y aproximadamente a la mitad del valor máximo del diseño.3 Circuito de polarización fija 151 .12) Las características de salida del transistor también relacionan las dos variables le y V CE como se muestra en la figura 4.

.. Si Re se mantiene fijo y Vcc varía.A la línea resultante sobre la gráfica de la figura 4...leRe e (4.. le le Vcc Re 1. Al unir los dos puntos definidos por las ecuaciones (4.:Q:.14) según aparece en la figura 4. 152 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT .. Ahora. Vee R.13 Movimiento del punto Q con niveles crecientes de lB' recta de carga y el punto Q. Si el nivel de lB cambia al variar el valor de R B ' el punto Q se desplaza hacia arriba o hacia abajo sobre la recta de carga como se indica en la figura 4.. Si lB se mantiene fijo.12 Recta de carga para polarización fija._ _ _ I'Q \I.14 Efecto de los niveles crecientes de Re sobre la Figura 4. la recta de carga se mueve igual que en la figura 4.12 se le llama recta de carga debido a que es definida por el resistor de carga Re Mediante la solución para el nivel resultante de lB puede establecerse el punto Q real que se muestra en la figura 4.V eE =~II~_____~. punto Q Vee R. el punto Q se desplaza como se indica en la misma figura. lo que establece al eje vertical como la línea sobre la cual estará definido el segundo punto.-----""'~~:.12.15.12. se puede dibujar la línea recta establecida por la ecuación (4.13) y (4. se tiene que le está determinado por la siguiente ecuación: O = Vee .l2).14).. Si Vcc se conserva fijo y se cambia Re' la recta de carga se moverá de acuerdo con la figura 4.13. \ Vee RJ 1 " FIgUra 4. si se elige que V eE sea O V.:--- Reotade oru-g' V ee Figura 4.14. __~ o p:-u_nt_O.

16 y el punto Q definido.16 Ejemplo 4.3. o 5 10 15 20 Solución A partir de la figura 4.15 Efecto de valores pequeños de Vec sobre la recta de carga y el punto Q.16 Va = Vcc = 20V Re e le = O mA Vcc le = ..! y 20V .y VeE = OV y Re = -ee = le V 20 V lOmA = 2kf. calcule los valores requeridos de Vcc ' Re y RB para la configuración de polarización fija.Figura 4. EJEMPLO 43 60pA 12 10 8 6 4 2 Figura 4.7 V 25 pA = 772kQ 4. Dada la recia de carga de la figura 4.0.3 Circuito de polarización fija 153 .

17 Circuito de polarización para BlT con resistor de emisor.V BE con y resolviendo para lB da + (4. Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para lB Yla que se obtuvo para la configuración de polarización fija es el término (f3 + I)RE.laRB .15) Recuerde del capítulo 3 que lE = (f3 + I)IB Sustituyendo por lEen la ecuación (4. Existe un resultado interesante que puede derivarse a partir de la ecuación (4.Vcc + VBE = O IB(R B + (f3 + I)R E) = Vee .17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica en la figura 4.15) resultará V cc .VBE = O (4. La ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de las manecillas del reloj dará por resultado la siguiente ecuación: (4.16) Multiplicando por (-1) se tiene IB(RB + ({3 + I)R E) .VBE .17) . Figura 4. que Capitulo 4 Polarización en dc-8JT 154 .(f3 + I)laRE = O La agrupación de los términos ofrecerá lo siguiente: -IB(RB + ({3 + I)RE) + Vcc .18.17). y posterionnente utilizando los resultados para investigar la malla colector-emisor. Malla emisor-base La malla emisor-base de la red de la figura 4. si la ecuación se utiliza para dibujar una red en serie que pudiera resultar en la misma ecuación.4 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADO EN EMISOR La red de polarización de de de la figura 4. El análisis se llevará a cabo cuando examinemos en primer lugar la malla base-emisor. ~ - - " o~--1)II---+--'----I L. Figura 4. La mejor estabilidad se demostrará a través de un ejemplo numérico que veremos posterionnente en esta sección.4. e..18 Malla base-emisor.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad respecto al de la configuración de polarización fija..

el resistor del emisor. que fanna parte de la malla colector-emisor.20 Nivel reflejado de impedancia de RE' como" ({3 + I)REen la malla de la base al emisor. Para el circuito de la base al emisor. para la configuración de la figura 4. es el caso de la red de la figura 4.18) La ecuación 4. "'aparece figura 4. (4. Por tanto.23) o (4.Vee + leCRe + RE) = O + y 1. Debido a que {3 es normalmente 50 o más.21) o El voltaje en la base respecto a tierra puede determinarse a partir de (4.19 Red derivada de la ecuación (4. Obsérvese que además del voltaje de la base al emisor VBE . El resultado es la ecuación (4.24) 4.20) emisor.22) (4. el voltaje neto es Vcc . Ofrece una forma relativamente sencilla para recordar la ecuación (4. La solución para la corriente lB dará por resultado la misma ecuación obtenida.le(Re + RE) El voltaje de un único subíndice VE es el voltaje del emisor a la tierra y se determina por (4.4 Circuito de poIarlzación estabilizado en emisor 155 .21 Malla colector- V CE ' = V ee .VBE " Los niveles de resistencia son RB más RE reflejado por ([3 + 1).R.20. mientras que el voltaje del colector a la tierra puede determinarse y (4. h (4. Malla colector-emisor La malla colector-emisor está dibujada de nuevo en la figura 4. En otras palabras.17). el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito de la base. el resistor RE se refleja de regreso al circuito de entrada de la base por un factor ({3 + 1).19) Hgura 4. Utilizando la ley de Ohm. se sabe que la corriente a través de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. La ley de voltaje de Kirchhoff para la maHa indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado Sustituyendo IE= le y agrupando términos da Va .17).19.18 puede ser de utilidad en el análisis que seguirá a continuación.21.17). B figura 4.

01 mA)(2 kO + 1 kQ) = 20 V .RB + (f3 + I)R E 430 kO + (51)(1 kQ) = 19.71 V .6.uF v.01 mA)(1 kO) = 2. calcule: lB' a) b) e) le' VCE ' Ve VE' VB' VBC +20 V d) e) f) g) 2 kQ 430 k. o~--':)II-_'-- _ _-I P=50 1 ka I4o.~< '------------------------------------------------------------EJEMPLO 4.27 V (con polarización inversa como se requiere) 156 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT .98 V = -13.(2.Q 10.02 V = 15.4.-_ = .19): VCE = Vee .71 V g) VBC = VB ..7V + 2.7 V lB = _----="----.4 Para la red de polarización en emisor de la figura 4.!?OC.98 V .(2.97 V = 2.uF ":'" Figura 4.01 V f) VB = VBE + VE =0.98 V e) VE = Ve .VBE 20V ..15.: leRE = (2..1)lA b) le = f3IB = (50)(40.97 V d) Ve = Vec .01 mA Ecuación (4.22 Circuito de polarización con estabilización en emisor para el ejemplo 4.: 2.0.1 !lA) ..4.leRe = 20 V .3 V 481 kO = 40.03 V e) = 13.VCE = 15.Ve = 2.01 V o VE = IpRE .13.22.17): Vee ..01 V = 2. "=" Solución a) Ecuación (4.01 mA)(2 kO) = 20 V .le(Re + RE) = 20 V .

esto es.22 es.71 6.Estabilidad de la polarización mejorada La adición del resistor del emisor a la polarización en de del BJT ofrece una mejor estabilidad.63 1l.7 y la figura 4. /B es el mismo y VCE disminuye 76%.23. abajo del que se obtuvo con una configuración de polarización fija utilizando el mismo resistor del colector.5 f3 so 100 47.97 9.64 Se aprecia un cambio del 100% en la coniente del colector de BJT debido al cambio del 100% en el valor de f3. Nivel de saturación El nivel de saturación del colector o la coniente máxima del colector para un diseño de polarización en emisor puede determinarse si se utiliza el mismo método aplicado para la configuración de polarización fija: se aplica un corto circuito entre las terminales del colectoremisor como se muestra en la figura 4.1 y se repiten para un valor de f3 = 100.25) Flgura 4. El cambio en VCE ha caído cerca del 35%. por tanto.4 Circuito de polarización estabilizado en emisor 157 . Compare también los cambios en /c y VCE para el mismo incremento en f3.83 1. como la temperatura y la beta del transistOfo Mientras que un análisis matemático se ofrece en la sección 4.ül 3. y luego se calcula la coniente del colector resultante. y ayuda a mantener el valor de le o por lo menos reduce el cambio total en /e debido al cambio en f3. Utilizando los resultados del ejemplo 4.22. Prepare una tabla y compare las corrientes y voltajes de polarización de los circuitos de la figura 4. Solución Si se utilizan los resultados calculados en el ejemplo 4.12. los voltajes y conientes de polarización de de permanecen más cerca de donde los fijó el circuito cuando cambian las condiciones externas. la coniente del colector del BIT se incrementa aproximadamente 81% debido al 100% de incremento en f3.35 4.4 y después repitiéndolos para un valor de f3 = 100.08 47. para el valor dado de f3 = 50 Y para un nuevo valor de f3 = 100.08 2. 4. Nótese cómo lB disminuye.3 2. se genera. La red de la figura 4. más estable que la de la figura 4.23: (4. tia lo siguiente: 50 100 40.7 para el mismo cambio en f3. Para la figura 4.11 Ahora.23 Determinación de re para el circuito de polarización co~ estabílidad en ~miSQr.5. La adición del resistor de emisor reduce el nivel de saturación del colector.Jo siguiente: EJEMPLO 4. puede obtenerse una comparación de la mejoría como lo demuestra el ejemplo 4.1 36.

especialmente para los transistores de silicio. Análisis por recta de carga El análisis por recta de carga para la red de polarización en emisor es poco diferente de la que se encontró para la configuración de polarización fija.6 Determine la comente de saturación para la red del ejemplo 4. lo mejor sería desarrollar un capitulo 4 Polarización en dc-BJT 158 .17) define el nivel de lB sobre las características de la figura 4. Sin embargo. no está bien definido. La ecuación de la malla colector-emisor que define la recta de carga es la siguiente: L~ selección de le = O mA da (4.24.27) como se muestra en la figura 4.24 Recta de carga para la configuración de polarización en emisor. y de que el valor real de beta por lo general. V ee Re Solución 1C'~l = + RE 20V = 2 kQ Q + 1 kQ = 20V 3kQ = 6. La elección de VCE = O V da (4. desde luego. Los diferentes niveles de lB desplazarán.67mA que es más o menos el doble del nivel de IC para el ejemplo 4. El nivel de lB como lo determinó la ecuación (4.4. Q 4.4.24 (denotado lBQ)' o Flgura 4. debido a que f3 es sensible a la temperatura. el punto Q hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga.26) según se obtiene para la configuración de polarización fija.--< ---------------------------------------------------EJEMPLO 4.5 POLARIZACIÓN POR DMSOR DE VOLTAJE En las configuraciones de polarización previas a la corriente de polarización le y el voltaje VCEQ de polarización eran una función de la ganancia en corriente ({3) del transisto~.

También es más útil en el modo de diseño que será descrito en una sección posterior. existen dos métodos que pueden aplicarse para analizar la configuración del divisor de voltaje. La red equivalente Thévenin a la izquierda de la terminal de la base puede encontrarse de la siguiente manera: s Thévenin Figura 4. Al segundo se le llama método aproximado y puede introducirse sólo si son satisfechas las condiciones específicas.5 Polarización por divisor de voltaje 159 .26. El primero que vamos a demostrar es el método exacto que puede aplicarse en cualquier configuración de divisor de voltaje. En conjunto. resulta ser muy pequeña. Recuerde que en análisis anteriores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de leo y de VCEQ ' como se muestra en la figura 4. 4.25 puede volver a dibujarse según se muestra en la figura 4. Figura 4.25.27 para el análisis en de. El nivel de ISQ cambiará con el cambio en beta. de hecho.27 Redibujo de la malla de entrada de la red de la figura 4. Si los parámetros del circuito se eligen adecuadamente.26 Definición del punto Q para la configuración de polarización por divi.25. . El método aproximado permite un análisis más directo con un mayor ahorro en tiempo y en energía.---+------Ik c.sor de voltaje. Análisis exacto El lado de entrada de la red de la figura 4.. o Figura 4. o~-~"lt-. . El motivo principal para elegir los nombres en esta configuración será más obvio en el análisis que sigue.R. v.. independiente de la beta del transistor. pero el nunto de operación definido sobre las características por leQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros adecuados del circuito. los niveles resultantes de 1CQ y de V CEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. La red a la que nos referimos es configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4.25 Configuración de polarización por divisor de voltaje. debe ser examinado con el mismo interés que el método exacto. por tanto. el método aproximado puede aplicarse a la mayoría de las siruaciones y. Como antes se observó. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cambios en beta. circuito que fuera menos dependiente o.

Sustituyendo lE = (/3 + I)lB Y resolviendo para lB lB = --~~--~--- ETh - VBE (4.30 e lB Q puede calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj para la malla que se indica: Figura 4.30) RTh + (/3 + I)RE B + Aunque la ecuación (4.31 Circuito para beta estabilizada para el ejemplo 4. 160 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .R. La fuente de voltaje se .9 k. ciertamente muy similar a la ecuación (4.reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica en la figura 4.7.Q FIgura 4. (4.31) Figura 4.17). Una vez que lB se conoce.28. obsérvese que el numerador es.7 Determine el voltaje de polarización de de V eE y la corriente le para la siguiente configuración de divisor de voltaje de la figura 4.31. Las ecuaciones restantes para VE' Ve y VB son las mismas que se obtuvieron para la configuración de polarización en emisor.29 Determinación deETh .28) ETh! La fuente de voltaje V ce regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto Thévenin de la figura 4. EJEMPLO 4. +22 V 10 kQ 39 kQ IOpF " ----nI--+-------'--1 3.28 Determinación de RTh " (4. una vez más. las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la misma manera como fueron desarrolladas para la configuración de polarización en emisor. que es exactamente la misma que la ecuación (4.30 Inserción del circuíto equivalente de Thévenin.29) + + Después se vuelve a dibujar la red Thévenin como se muestra en la figura 4.30) aparece al principio diferente de las que se desarrollaron antes. una diferencia de dos niveles de voltaje y que el denominador es la resistencia de la base más el resistor de emisor reflejado por (/3 + 1).19). (4.29 se calcula de la siguiente manera: La aplicación de la regla del divisor de voltaje: R Th : Figura 4. Esto es.

1 . r -.Solución La ecuación (4.29): ETh = (3..9 ka)(22 V) =2V 39 Ka + 3. La resístenciaR¡ es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor con un resistor de emisor RE' Recuerde que. Si se acepta la aproximación de que lB es esencialmente cero comparada con II o /2' entonces 1] :..4 [ecuación (4.5 kQ) =------3.9. El voltaje a través de R" que en realidad es el voltaje 1.28): RTh = R..85 mA)(10 kQ. Si R¡ es mucho mayor que la resistencia R2 .. - I I ! I . como se vio en la sección 4.5 kQ) = 22 V .22 V Análisis aproximado La sección de entrada de la configuración del divisor de voltaje se representa por la red de la figura 4..8SmA La ecuación (4. (39 kQ)(3.31): VCE = Vcc -lc(Rc + RE) = 22 V .55 ka + 211.30) : lB = ETh .9 kQ) = 39ka + 3. -1.'. (11 ~:d2) Figura 4. t ~ : . 1.5 kQ 1.55 ka La ecuación (4.78 V = 12. I I I R.32 Circuito de polarización parcial para calcular el voltaje de base aproximado VB " 4..05 )lA) = O. R¡ »R2 v. la resistencia reflejada entre la base y el emisor está definida por R¡ = ([3 + I)R E .32.05)lA le = [3lB = (140)(6. + 1.VBE RTh + ([3 + l)R E = 2V-0.9ka = 3..:: 12 YR] YR2 pueden considerarse elementos en serie. e 12 será aproximadamente igual a 1].. la comente lB será mucho menor que 12 (la comente siempre busca la trayectoria de menor resistencia)..(0.7V 3.5 Polarización por divisor de voltaje 161 .18)].3 V = 6. I + R.IIR..9 Ka ---"'----"=--- = La ecuación (4.55 ka + (141)(1. ~ R.

base.37) Nótese en la secuencia de cálculos desde la ecuación (4.33) a la ecuación (4.9 ka = 2V 162 Capitulo 4 Po1arización en dc-B.IT .:. Una vez determinado VB' el nivel de VE puede calcularse a partir de I VE = V B . El voltaje del colector-emisor se encuentra determinado por (4. será la siguiente: (4. Q o Solución Probando: {3RE .:.35) I lc o '" lE I (4. Esto es. El punto Q (según se determinó mediante lco y V CE ) es por tanto independiente del valor de beta.:.9 ka)(22 V) = 39 ka + 3. IOR. en caso que pueda aplicarse a la aproximación.32): (3. la aproximación podrá aplicarse con un alto grado de precisión. puede calcularse mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de abí el nombre para la configuración). = ({3 + I)R E".V BE (4. 39 ka (satisfecha) La ecuación (4. Q EJEMPLO 4. si beta a veces es el valor de RE es por lo menos 10 veces el valor de R 2.34) y la corriente del emisor podrá calcularse a partir de I e lE = VE RE I (4. (140)(1.32) Debido a que R.33) En otras palabras.31 utilizando la técnica aproximada y compare las soluciones para lc y para VCE . la condición que definirá.5 ka) .36) . (4. {3R E.8 Repita el análisis de la figura 4.9 ka) 210 ka . 10(3.37) que beta no aparece y que lB no fue calculada.

55 kQ + 106.0. Mientras más grande es el nivel de R¡ comparado con R2 .46 V 4. ETh = 2 V lB = --~_-".5 kQ = (70)(11.7 V == 1.5 Polarización por divisor de voltaje 163 ."-- ETh - V BE RTh + (f3 + I)R E 2 V . los resultados paraJe y para VCEQ se encuentran cercanos..7.867 mA \. Por tanto.5kQ comparada con 0. esencialmente la"principal diferencia entre las técnicas aproximada y exacta es el efecto de RTh en el análisis exacto que separa ETh y V B' La ecuación (4.le(Re + RE) = 22 V .33).7 si f3 se reduce a 70 y compare las soluciones para leQ y para V CEQ ' EJEMPLO 4. puede considerarse tanto a unO Como al otro.le(Re + RE) = 22 V .81 ¡JA le Q = f3I B 3.. 1.55 kQ.55 kQ + (71)(1. Repita el análisis exacto del ejemplo 4.5 kQ) = 11. sino de probar cuánto se moverá el punto Q si el nivel de f3 se corta por la mitad..34): VE = VB - V BE = 2 V .5 kQ) = 12.5 kQ) = 22 V .7. RTh y ETh son los mismos: RTh = 3.3 V 1..81 ¡JA) = 0.Obsérvese que el nivel de VB es el mismo que para ETh calculado en el ejemplo 4.83 mA)(lO kQ + 1.3 V = 0.9 Solución Este ejemplo no trata de la comparación de los métodos exactos en función de uno aproximado.(0.83 mA Ve¡¡.97 V = 12. más cercana será la solución aproximada sobre la exacta.9.0.10 hace una comparación sobre las soluciones a un nivel muy por debajo de la condición establecida por la ecuación (4.3 V . = Vee .85 mA con el análisis exacto.22 V obtenido en el ejemplo 4.03V contra 12.7 V . El ejemplo 4. 3. VeEQ Vee . Finalmente.. Sin duda..867 mA)(1O kQ + \.(O . y si se toma en cuenta la variación real en los valores de IÓs parámetros.

2 kQ) 10(22 kQ) 60 kn 'f..2 kn) 78.11 V RTh + (f3 + I)RE 17.. utilizando las técnicas exacta y ~proximada para comparar las soluciones.V 3.22 v 12. V CEQ f3 = 50 22kQ 1... de 140 a 70..6 }lA ICQ = f3IB = (50)(39.55 kQ = 39.46 V Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito hacia el cambio en f3.85 mA 0..= .7 V 3.35 kQ = . 18 V ? 5..33..83 mA 12. Aunque f3 se corte drásticamente a la mitad. En este caso las condiciones de la ecuación (4...10.98 mA)(5.2 kn) = 4.33): f3R E ~ IOR 2 ~ (50)(1.Al tabular los resultados se obtiene: f3 140 70 0.tF + Q o "o ~F ".IT ..(1. pero los resultados revelarán la diferencia de la solución si se ignora el criterio de la ecuación (4..33) no serán satisfechas.= 3. los niveles de ICQ y de V CE son en esencia los mismos.0.81 V .33). IIR2 = 82 knl122 kn = 17.33 Configuración de divisor de voltaje para el ejemplo 4.Q >82 k!2 " o~~--Il'l--~-+~~~-I 10 t 1C 10:1¡.2 ka Figura 4.6 kQ + 1. 220 kQ (no satisfeciUl) RTh = R.6 }lA) = 1.81 V 82 kQ + 22 kQ 22 kQ(l8 V) lB BE = --=--""-.54 V 164 Capitulo 4 Polarización en dc-B. Q EJEMPLO 4.= ETh .10 Determine los niveles de IC Q y de VCE para la configuración del divisor de voltaje de la figura 4. = Vcc .98 mA Vct.35 kQ + (51)(1. Solución Análisis exacto: La ecuación (4.6 k..Ic(Rc + RE) = 18 V ..

33) para asegurar una similitud entre las soluciones exacta y aproximada. que fue analizado en la sección 4.59 mA = 18 V . para el futuro el análisis será dictado por la ecuación (4.88 V Los resultados revelan la diferencia entre las soluciones exacta y aproximada. La ecuación resultante para la corriente de saturación (cuando VCE se hace cero volts) es. los resultados son todavía cercanos uno del otro.39) y (4.2 kQ) = 3. se tiene: Exacta Aproximada 1. Saturación del transistor El circuito de salida del colector-emisor para la configuración del divisor de voltaje tiene la misma apariencia que el circuito de polarización en emisor.59 mA 4. pero aunque [3R E es sólo tres veces más grande que R 2 . por tanto.98mA 2.38) Análisis por recta de carga Las similitudes con el circuito de salida de la configuración de polarización en emisor dan como resultado las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuración del divisor de voltaje.24.5 Polarización por divisor de voltaje 165 .6 kQ + 1. Sin embargo.2 ill = 2.VBE =3.59 mA)(S. Esto es.7 V = 3.40) El nivel de lB desde luego se determina mediante una ecuación diferente para las configuraciones de polarización por divisor de voltaje y de polarización en emisor. (4. Los resultados son notablemente diferentes en cuanto a magnitu~. la recta de carga tendrá la misma apariencia que la de la figura 4. con (4. Por tanto.11 V 3.0. 4.54 V 3.4. le es aproximadamente 30% más grande con la solución aproximada.(2.11 V 1. la misma que se obtuvo para la configuración de polarización en emisor.Análisis aproximado: VE = VB . mientras que VCE es másQo menos 10% menor.88 V Tabulando los resultados.81 V .

la ecuación para lB ha tenido el siguiente formato: 1 =---- V' B R B + f3R' 166 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . El numerador es de nuevo la diferencia entre los niveles disponibles de voltaje. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla en el sentido de las manecillas del reloj dará por resultado Vee .f3lsRB = O Si se arreglan los términos.IsRB = O y resolviendo para lB dará (4.34.I~Re .35 Malla bas~misor para la red de la figura 4.!: ti.f3l sRc . la trayectoria de retroalimentación da por resultado un reflejo de la resistencia Re de regreso al circuito de entrada. como se muestra en la figura 4. Aunque el punto Q no es totalmente independiente de beta (aun bajo condiciones aproximadas). se tiene Vee .o---Ue.I~E = O Vee Re J+ - Re -tl~ + - '. ".. Malla base-emisor La figura 435 muestra la malla base-emisor para la configuración de retroalimentación de voltaje. ~ RB -tIc ( e. Sustituyendo l~" le = f3IB e lE" le resultará Vee . Figura 4..6 POLARIZACIÓN DE DC POR RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE Un nivel mejorado de estabilidad también se obtiene mediante la introducción de una trayectoria de retroalimentación desde el colector a la base. Por tanto. el nivel de le e l~ supera por mucho el nivel normal de lB y la aproximación l' e "le por lo general se utiliza.IsRB .4. muy similar al reflejo de RE' En general. Figura 4.IsRB .¡.41) El resultado es muy interesante en cuanto a que el formato es muy similar a las ecuaciones para lB obtenidas para configuraciones anteriores.34. lB ~ + V SE _ -t RE lE ) "- + - > .. el análisis se hará examinando en primer lugar la malla emisor-base y aplicando los resultados a la malla colector-emisor.VBE .VBE . Es importante observar que la corriente a través deR e no es le sino l~ (donde l~ = le + lB)' Sin embargo.34 Circuito de polarización de de con retroalimentación de voltaje. la sensibilidad a los cambios en beta o a las variaciones en temperatura son normalmente menores que las encontradas en la configuración de polarización fija o de polarización en emisor. De nuevo.f31S<Re + RE) . mientras que el denominador es la resistencia de la base más los resistores del colector y del emisor reflejados por beta.VBE . o VO Vee + VeE "F ct .

. EJEMPLO 4.41): = .37.11 Solución Ecuación (4.A) 10 .Ic(Re + RE) la cual es exactamente la obtenida para las configuraciones de polarización en emisor y de polarización por divisor de voltaje.42) figura 4. si f3R' "" RB Y RB + f3R'" f3R'. mientras más grande sea f3R' comparado con RB .07 mA)(4.7 V IOV 4..7kn = f3IB = (90) (11.7 =------= 781 k. y R' = Re + RE para la configuración de retroalimentación del colector. menor será la sensibilidad de le a las variaciones en beta. entonces Q ------= f3R' f3V' f3V' V' R' e lCQ es independiente al valor de beta.3 V \O V . Determinar los niveles de reposo de le Q y de V CE Q para la red de la figura 4..(1.le(Re + RE) = 10V . R' es cero ohms para la configuración de polarización fija y por tanto bastante sensible a las variaciones en beta. Debido a que R' normalmente es mayor para la configuración de retroalimentación de voltaje que para la configuración de polarización en emisor.3 V 9.2 ka) 1.11.uF VeEQ = Vcc . Ya que le = f3IB .34.36 Malla colector-emlsor para la red de la figura 4.Q + (90) (4.69 V Ftgura 4. Obviamente.6 Polarización de de por retroalimentación de voltaje 167 . la sensibilidad a las variaciones en beta será menor.. El voltaje V' es la diferencia entre los dos niveles de voltaje.07mA ¡J. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado IERE + VCE + I~Re .2kQ = 10V .con la ausencia de R' para la configuración de polarización fija. En general. Malla colector-emisor La malla colector-emisor para la red de la figura 4.0.37 Red para el ejemplo 4.31 V = 3.36. R' = RE para la configuración de polarización en emisor (con (13 + 1) " /3).. Desde luego.91 p. 4.7 ka + 1.Vee = O Debido a que I~" le y que lE" le' se tiene Ic(Re + RE) + VCE y - VCC = O (4.91 = 1.1.34 se presenta en la figura 4.6. I VCE = Vcc .-ka +.Q 250 ka + 531 ka = 11.A ICQ 9.2 ka) 250 k.

5 ka 8.- EJEMPLO 4.3 V = 9. un incremento del 50% en {3 hubiera causado un aumento del 50% en le • y un cambio drástico en la localización del punto Q. " <>---}II---+.. menor será la sensibilidad a los cambios en beta.1 %..12 Repetir el ejemplo 4. el nivel de leQ únicamente se elevó al 12....------.! + (135)(4.VBE RB + (3(Re + RE) = 250 = 10 V .. el nivel de beta se incrementa en 50%. 1O¡tF I 1O¡tF' .89 J1...-4V\I\..A) = 1.2mA con VaQ = Vce . la sensibilidad a los cambios en beta resulta ser significativamente menor.13...11.-+--I{-c---o " R. es más importante observar en estos ejemplos que una vez que el segundo término es relativamente más grande comparado con el primero. 18 V 91 kO llOkO 3. En este ejemplo. Solución Es importante observar en la solución para lB en el ejemplo 4.A e leQ = f3IB = (135)(8... Resolviendo para lB da lB = Vcc .11 utilizando una beta de 135 (50% más que en el ejemplo 4..3 kU lO ¡tF r-"-. Sin embargo..2 ka) Aunque el nivel de {3 se incrementó 50%.Ic(Rc + RE) = 10 V . Si la red fuera un diseño de polarización fija.0.IT ..9%. mientras mayor es este segundo término comparado con el primero.13 Determine el nivel de lB y de Ve para la red de la figura 4. Q EJEMPLO 4.(1.2 mA)(4...7 V kí..38 Red para el ejemplo 4..08 V ka + 1.2 ka) 9.. lo cual hará que aumente la magnitud de este segundo término aún más comparado con el primero... 168 Capítulo 4 Polarización en dc-8. mientras que el nivel de VeEQ decayó aproximadamente 20. que el segundo término en el denominador de la ecuación es mayor que el primero.5 kQ 1046.3V 250 ka + 796.38.89 J1.7 kQ + 1.... R.11). Recuerde que en uno de los análisis anteriores.--------I P=75 51OkO I ":" 50 ¡tF Figura 4.7 = 10 V = 2.92 V 7..

3 kQ) . 2. existen variaciones en el diseño que hubieran requerido más páginas de las que son posibles de ofrecer en un libro de este tipo.7 DIVERSAS CONFlGURACIONES DE POLARIZACIÓN Existen ciertas configuraciones de polarización para BJT que no se asemejan al molde básico de las analizadas en las secciones previas.I~Re .3 kQ + 0. Vcc .leRe = 18 V .75 kQ 18 V . para establecer Un procedimiento general hacia la solución deseada. Esto es (4. De hecho. el primer paso es la derivación de una expresión para la comente de la base.7 Diversas configuraciones de polarización 169 .: Vce . 17. Sin embargo. Una vez que se conoce la corriente de la base.78 V = 9. 18 V . Resolviendo para lB se obtiene lB . y resulta ser la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en emisor.75 kQ 17. la corriente del colector y los niveles de voltaje del 4. el capacitar es equivalente a un circuito abierto y RB = R 1 + R2 .66mA !lA) Ve . 4.8.0.3 V 201 kQ + 285.Re + RE) =------------------------(91 kQ + 110 kQ) + (75)(3.43) Análisis por recta de carga Proseguimos con la aproximación l~.51 kQ) . le y da por resultado la misma recta de carga definida para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en emisor. el principal propósito en esta edición es el de hacer énfasis en las características del dispositivo que permiten un análisis en de de la configuración. Para cada configuración que hasta ahora se ha analizado.VBE RB + ¡3(. Vcc . 35. Para el modo de de.(2.Solución En este caso la resistencia de la base para el análisis en de está compuesto de dos resistores con un capacitar conectado a partir de la unión con tierra. El nivel de lB será Q definido por la configuración de polarización elegida.3 V .5 .5 !lA le = j3IB = (75)(35.66 mA)(3.22 V Condiciones de saturación Utilice la aproximación de 1~ = le que es una ecuación para la corriente de saturación.7 V =---486.

56 V En el siguiente ejemplo el voltaje aplicado está conectado a la terminal del emisor y Rc está directamente conectada a la tierra.11.(1. Al principio. b) Encontrar VB• Vc.86 mA)(4. y VcE¡¡ .7 kQ ¡J= 120 e.7 V Vc = VCE = 11. pero una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito base dará por resultado la corriente de base deseada.39: a) Determinar Iq. VE y V.leRe = 20 V . Figura 4.14 Para la red de la figura 4.26 V = -10. El análisis es muy similar. Solución a) La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos sólo al de Re y la ecuación para l. e Re 4.51}lA) = 1.7 = 11. = (120)(15. parece ser algo no ortodoxo y muy diferente a los que se encontraron hasta ahora.7 V . EJEMPLO 4. C kQ) = VB - VC = 0.3 V 1. se reduce a lB = = V cc .51 }lA ICQ = f31. El primer ejemplo explica cómo el resistor de emisor se elimina de la configuración de retroalimentación de voltaje de la figura 4.7 V 680 kQ + (120)(4. 170 Capítulo 4 Polarización en dc-BJf .39 Retroalimentación en colector con RE'" On.V' E RB + f3Rc 20 V .26 V VB = VBE = 0.0. Pero esto no implica que todas las soluciones tomarán la misma trayectoria.7 kQ) = 19.244 MQ b) = 15.86 mA VCEQ = Vcc . pero requiere de la eliminación de RE de la ecuación aplicada.34. pero sí sugiere una ruta a seguir si se encuentra una nueva configuración.circuito de salida pueden elegirse prácticamente en forma directa.26 V VE = O V V.

7 Diversas configuraciones de polarización 171 .---l{---o '" c.735 mA)( 1.3 V El siguiente ejemplo utiliza una red denominada configuración emisor-seguidor. Cuando la misma red se analiza en ac.2 kQ) = -4A8 V VB = -lsRB = -(83 ¡.. EJEMPLO 4.15 1.7 V 100kQ 8.40...0.Determinar Ve y VE para la red de la figura 4.735 mA Ve = -leRe = -(3.40 Ejemplo 4..lA) = 3. se encontrará que tanto las señales de salida como la de entrada están en fase (una siguiendo a la otra) y que el voltaje de salida es ligeramente menor que la señal aplicada.lA le = f31B = (45)(83 ¡. 4. 1O¡LF /Jo 45 Figura 4.3 V 100 kQ = 83 ¡.lA)(100 kQ) = -8.15.. Para el análisis en de el colector se conecta a tierra y el voltaje se aplica en la terminal del emisor. . Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj para la malla base-emisor dará por resultado y La sustitución genera lB = = 9 V .2 kQ c.

12 mA La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida resultará -VEE + I¿E + V CE = O pero y lE V CE Q = (f3 + l)ls = V EE .V BE .(f3 + 1)lsRE.73 )lA le = f3l s = (90)(45.----1 IOpF C.' o v. IOpF VEE -20V Figura 4.l¿E + V EE = O pero y lE = (f3 + l)IB VEE .68 V lE = 4.(91)(45..(f3 + l)lsRE = 20 V .3 V = 45.VBE .7 V = 19. Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado -IBRB . .73 )lA) = 4.73 )lA)(2 kQ) = 11.16 Detenninar VCEQ elE para la red de la figura 4 Al.lsRB = O con Sustituyendo los valores queda lB = -------240 kQ + (91)(2 kQ) 20 V .-( ---------------------------------------------------EJEMPLO 4. C.3 V 240 kQ + 182 kQ =---422 kQ 19.16 mA 172 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .0.41 Configuración de colector común (emisor:"seguidor). " 0---1)1---. ~-I\-(.

Hasta ahora todos los ejemplos usan una configuración de emisor común o de colector común. En el siguiente ejemplo se investiga la configuración de base común. En dicha situación el circuito de entrada se utilizará para deternlÍnar lEen lugar de 1S' Después la corriente del colector queda disponible para realizar un análisis del circuito de salida.

Determine el voltaje V eB y la corriente 'B para la configuración de base común de la figura 4.42.

EJEMPLO 4.17

"~~
"R,
Vu

r~~~
4V

Vec

lOV

...
Figura 4.42 Configuración de base común.

Solución La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada da

y

Sustituyendo los valores, se obtiene
4 V - 0.7 V
= 2.75 mA

1.2 ka
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida da
-VCB + leRc - V ee Y V CB

=O

= Vec

- lcR-c con le ~ lE

= 10 V - (2.75 mA)(2.4 ka) = 3.4 V lB =

í
f3
2.75 mA 60

= = 45.8

!lA

El ejemplo 4.18 utiliza una fuente doble y requiere de la aplicación del teorema de Thévenin para detenninar las incógnitas deseadas. 4.7 Diversas configuraciones de polarización

173

EJEMPLO 4.18

Especifique Ve y VB para la red de la figura 4.43.
Vcc =+20V

Re R,
8.2kQ

2.7Hl

e
B

e,

,;

,{

o v"

e,
v, o

10 ¡..LF

10 IlF

1:

~
E

.Jl=12ij
1.8kn

R,

2.2kn

RE

VEE =-20V

Figura 4.43

Ejemplo 4.18.

Solución La resistencia y voltaje Thévenin se calculan para la red a la izquierda de la terminal de la base. como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45.

8.2kil
>~~~~~~----~--~--QB

JI1
8.2 k.!l

+

Figura 4.44

Determinación de RTh ,

figura 4.45

Determinación de ETh'

RTh = 8.2 kQ

112.2 kQ

= 1.73 kQ

1=

Vec + VEE

=

20 V + 20 V 8.2 ka + 2.2 ka

=--10.4 kQ

40 V

R¡ + Rz
= 3.85 mA

= (3.85 mA)(2.2 ka) - 20 V = -11.53 V
Luego la red puede ser redibujada según se muestra en la figura 4.46, donde la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff da por resultado

-ETh
174 Capítulo 4

-

leRTh -

V BE -

I~E

+

V EE

= O

Polarización en dc-BJT

p= 120
E
11..53 V

VEE =-20V

Figura 4.46 Sustitución del circuito equivalente de Thévenin.

Sustituyendo lE = (¡J + 1)18 da
Va - ETh - VBE -

(¡J + I)IBRE - IBRTh = O
VBE
I)R E

e

VEE RTh +

ETh -

(¡J +

20 V - 11.53 V - 0.7 V 1.73 ka + (121)(1.8 kQ)

=---219.53 ka

7.77 V

= 35.39
le = ¡JIB

j.iA

= (120)(35.39 ¡lA)

= 4.25

mA

Ve = Vcc - ¡eRe = 20 V - (4.25 mA)(2.7 ka)
= 8.53 V

VB = -ETh - IsRTh = -(11.53 V) (35.39 ¡LA)(1.73 ka)
= -11.59 V

4.8 OPERACIONES DE DISEÑO
Hasta ahora los análisis se enfocan al estudio de la~ redes existentes. Todos los elementos están en su lugar, y sólo es cuestión de resolver para determinar los niveles de corriente y de voltaje de la configuración. El proceso de diseño es donde se especifican la corriente y/o e! voltaje, y deben detenninarse los elementos requeridos para fijar los niveles de! diseño. Este proceso de

síntesis requiere de una muy clara comprensión de las características del dispositivo, las ecuaciones básicas para la red y un gran conocimiento de las leyes básicas del análisis de
circuitos, como la ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhoff, y así sucesivamente. En la mayoría de las situaciones se reta al proceso de pensamiento en un grado alto durante el proceso de diseño, mucho más que durante la secuencia de análisis. La trayectoria hacia la solución está menos definida, y puede requerir de cierta cantidad de suposiciones básicas que no se tienen que hacer cuando simplemente se analiza una red.

4.8 Operaciones de diseño

175

Es obvio que la secuencia de diseño es sensible a los componentes que ya se han especificado ya los elementos que deben determinarse. Si se han especificado tanto el transistor como las fuentes, el proceso de diseño simplemente determinará los resistores que se requieren para un diseño en particular. Una vez que se han decidido los valores teóricos de los resistores, normalmente se escogen los valores estándares comerciales más cercanos, y se aceptan cualesquiera de las variaciones debidas a la no utilización de los resistores de los valores exactos. Es cierto que se trata de una aproximación válida,considerando las tolerancias que con frecuencia se asocian a los elementos resistivos y a los parámetros de los transistores. Si se deben determinar valores resistivos, un~ de las ecuaciones más poderosas es simplemente la ley de Ohm, de la siguiente manera:

I

Ru"" =

R

V

IR

I

(4.44)

En un diseño particular, el voltaje a través de un resistor a menudo puede detenninarse a partir de los niveles que se especificaron. Si existen especificaciones adicionales que definan el nivel de corriente, la ecuación (4.44) puede utilizarse para calcular la resistencia requerida. Los primeros ejemplos demostrarán la forma en que los elementos particulares pueden determinar,e a partir de los nivel"" ""peciflcados. Má, adelante ,e presentará un procedimiento completo de diseño para dos configuraciones comunes.

EJEMPLO 4.19

Dadas las características del dispositivo de la figura 4.47a, determinar Vce RB y Rc para la configuración de polarización fija de la figura 4.47b.

8

lB = 4O).IA

~~~~-

Q

o
(a)

(b)

figura 4.47 Ejemplo 4.19.

Solución De la recta de carga
V cc = 20 V

y

20 V 8 mA

= 2.5 ka

lB
con

=

Vcc - VBE RB Vcc - VBE lB
21l V - 1l.7 V 4O¡JA

RB =

=
176
capítulo 4 Polarización en dc-B.IT

=

19.3 V 40 ¡JA

= 482.5

ka

Los resistores de valores estándar:
Rc = 2.4 kQ

R B = 470 kQ El uso de resistores de valores estándar dan lB = 41.1 !lA

la cual se encuentra dentro del 5% del valor especificado.

Dado ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determinar R¡ y Rc para la red de la figura 4.48.
v

EJEMPLO 420

!O¡¡F

',o-----~r----+-------~
¡8 kil

1.2kQ

Figura 4.48 Ejemplo 4.20.

Solución
VE = I~E '" leRE

= (2
VB

mA)(1.2 kQ)

= 2.4
V

V

V B = V BE + VE = 0.7 V + 2.4 V = 3.l V
2 CC = --~.=- = 3.l

RV

R¡ + R2

y

(18 kQ)(18 V)
R¡ + 18 kQ

= 3.1

V

324 kQ = 3.l R¡ + 55.8 kQ 3.l R¡ = 268.2 kQ
R¡ = - - - - = 86.52 kQ

268.2 kQ 3.l

La ecuación (4.44): con

RC = VR , le

= Vec - Ve
le

Ve = V CE + VE = 10 V + 2.4 V = 12.4 V

y

18 V - 12.4 V

2 mA

= 2.8 kQ
Los valores estándar comerciales más cercanos a R¡ son 82 kQ Y 91 kQ. Sin embargo, el empleo de la combinación en serie de los valores estándar de 82 kQ Y 4.7 kQ. = 86.7 kQ resultaría en un valor muy cercano al nivel de diseño.
4.8 Operaciones de diseño

177

EJEMPLO 4.21

La configuración de polarización en emisor de la figura 4.49 tiene las siguientes especificaciones: leo = Ve"Je",= 8 mA, Ve = 18 V Y f3 =110. Detenninar Re' RE y RB •
r-------~--~28V

FIgUra 4.49

Ejemplo 4.21.

Solución

=

28 V - 18 V

= 2.5 ka

4 mA

y

RE

=

Vee le",

28 V

=

8 mA

=

3.5 ka

RE = 3.5 ka - Re

= 3.5 kQ - 2.5 kQ

= 1 ka
lB
Q

=

le
-Q-

f3

= - - = 36.36 J1A
110

4 mA

y

con

= - - - - - (lll)(l ka)
36.36 J1A

=---36.36 J1A
= 639.8 ka
178
Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

27.3 V

111 ka

Para los valores estándar:
Re = 2.4 ka RE = 1 ka

RB = 620 ka

El análisis que sigue presenta una técnica para el diseño de un circuito completo, pensado para operar en un punto de polarización específico. A menudo, las hojas de especificaciones del fabricante ofrecen infonnación sobre un punto de operación sugerido (o región de operación) para un transistor en particular. Además, los otros componentes del sistema conectados a una etapa de amplificación dada pueden definÍr también la excursión de la corriente, la excursión del voltaje, el valor del voltaje de la fuente común, y así sucesivamente para el diseño. En la práctica real, muchos otros factores deben considerarse, porque pueden afectar la selección del punto de operación que se desea obtener. Sin embargo, por el momento nos concentraremos en la determinación de los valores de los componentes para encontrar un punto de operación específico. El análisis estará limitado a las configuraciones de polarización en emisor y a la de polarización por divisor de voltaje. aunque el mismo procedimiento puede aplicarse a una variedad de otros circuitos de transistores.

Diseño de un circuito de polarización con retroalimentación en el resistor de emisor
Considere primero el diseño de los componentes de polarización de de de un circuito amplificador, que posee la estabilización mediante el resistor de emisor, igual que en la figura 4.50. El voltaje de la fuente y el punto de operación se seleccionaron a partir de la información que ofreció el fabricante sobre el transistor utilizado en el amplificador.

R,

c,

C,
entrada \ de ac ----,I----+-----t VB 2N4401 10 ¡iF (p. 150)

'"---tI-- salida + deac
T

1O¡tF

Figura 4.50

Circuito de polarización

con estabilización en emisor para consideración de disefio.

La selección de los resistores de colector y emisor 00 pueden proceder directamente de la información recién especificada. La ecuación que relaciona los voltajes alrededor de la malla colector-emisor tiene dos incógnitas, los resistores Re y RE. En este momento se debe hacer un juicio de ingeniería, como comparar el nivel del voltaje del emisor con el voltaje de la fuente. Recuerde la necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra para ofrecer un medio de estabilización de la polarización de de, de tal forma que el cambio de la corriente del colector debido a corrientes de fuga del transistor y la beta del transistor no ocasionen un gran cambio en el punto de operación. Por lógica, el resistor de emisor no puede ser demasiado grande, porque su voltaje limita el rango de la excursión de voltaje colector-emisor (que debe observarse cuando la respuesta en ac se analice). Los ejemplos examinados en este capítulo revelan

4.8 Operaciones de diseño

179

que el voltaje del emisor hacia tierra es por lo general de un cuarto a un décimo del voltaje de la fuente. Elegir un caso conservador de un décimo pennitirá calcular el resistor de emisor RE y el resistor Re de una manera parecida a los ejemplos recién completados. En el siguiente ejemplo se desarrolla un diseño completo de la red de la figura 4.49 utilizando el criterio que presentamos antes para el voltaje de emisor.

EJEMPLO 422

Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50 para el punto de operación y el voltaje de la fuente de alimentación.
Solución
VE =",Vec =",(20 V)= 2 V

RE = lE
Re = V Re

VE

VE 2 V '" - - = - - = 1 kQ lc 2mA
= Vcc - VCE - VE = 20 V-lO V - 2 V = ~

le
= 4 kQ

le

2 mA

2 mA

le 1 = -- =
B

2 mA
150

f3

= 13.33 }lA 20 V - 0.7 V - 2 V

RB = -R' - = lB
",1.3MQ

V

--~--~~---=-

Vec-VBE-VE

=

lB

13.33 }lA

Diseño de un circuito de ganancia de corriente estabilizada (independiente de beta)
El circuito de la figura 4.51 ofrece estabilización tanto para los cambios por la corriente de fuga como por la ganancia de corriente (beta). Los cuatro valores de los resistores que mostramos deben obtenerse para el punto de operación especificado. El criterio de ingeniena para la selección de un valor del voltaje del emisor VE se utiliza de la misma forma que las consideraciones previas de diseño, porque guían hacia una solución directa para todos los valores de los resistores. Estos pasos del diseño se muestran en el siguiente ejemplo.

Vcc = 20 V

le, = !O rnA

I 't

C,

C, entrada ___ \ de ac ~f---1~----I

¡ " - - - J L - - salida + ,deac 1O¡ñ'
V CEQ

1O¡ñ'

=8V

(3(mín) = 80

...
180
Capítulo 4

...

FIgUra 4.51 Circuito con ganancia en corriente estabilizada para consideraciones
de diseño .

Polarización en dc-BJf

------------------------------------------------------------EJEMPLO 423
Determine los niveles de Re' RE' R] YRo para la red de la figura 4.51 para el punto de operación indicado.
RE

-<;

=- - lE

VE

VE le

2 V lO mA

= 200Q =
20 V - 8 V - 2 V

Re

=~ =
le

VCC - VeE - VE le

10 mA

=

lOV

lO mA

= lkQ
VB

= VBE

+ VE

= 0.7

V + 2 V = 2.7 V

Las ecuaciones para el cálculo de los resistores de base R 1 Y R2 necesitarán de ciertos análisis. Usar el valor del voltaje de la base calculado arriba y el valor del voltaje de la fuente proporcionará una ecuación, pero existen dos incógnitas, R¡ y R2 , Se puede obtener una ecuación adicional entendiendo la operación de estos dos resistores, al fijar el voltaje de base necesario. Para que el circuito opere de manera eficiente se asume que la corriente a través de R 1 Y R2 debe ser aproximadamente igual y mucho mayor que la corriente de la base (por lo menos 1O:1). Este hecho y la ecuación del divisor de voltaje para el voltaje de base ofrecen las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de la base. Esto es,

y

La sustitución da
Ro $,),(80)(0.2 kQ)

1.6 kQ
Vs = 2.7 V
y

0.6

kQ)(20 V)

R] + 1.6 ka

2.7R] + 4.32 ka

= 32

ka

2.7R] = 27.68 ka

R] = 10.25 kQ (use 10 ka)

4.9 REDES DE CONMUTACIÓN DE TRANSISTORES
Aplicar los transistores no se limita únicamente a la amplificación de señales. A través de un diseño adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. La red de la figura 4.52a puede emplearse como un inversor en los circuitos lógicos de las computadoras. Obsérvese que el voltaje de salida Ve es opuesto al que se aplicó sobre la base o a la terminal de entrada. También obsérvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. La única fuente de dc está conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la señal aplicada, en este caso 5 V.
4,9 Redes de conmutación de transistores

181

5V

5V

.....

OV

Ic(mA)

68 k,Q

hFE = 125

1 ...

-

OV

le"" == 6.1

mA,l-__________________ 50 !lA
6~

71-

r----------------------------~~A

4~~--~~~--------3

5~~--~~-----------------------40~

,r--------=::""'::::~:-------- 20~A
__------------------------~~-----

~
1 t

30 I-lA

2

~ I,=O~
5
Vcc = 5 V

lO~A

2

3

4

ICEO=OmA

(b)

Flgura 4.52 Transistor inversor.

El diseño ideal para el proceso de inversión requiere que el punto de operación conmute de corte a la saturación, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52b. Para estos propósitos se asumirá que 1C = 1CEO = OmA cuando lB = O pA (una excelente aproximación de acuerdo con las mejoras de las técnicas de fabricación), como se muestra en la figura 4.52b. Además, se asumirá que VCE = VCE,,, OV en lugar del nivel típico de 0.1 a 0.3 V. Cuando Vi;;: 5 V, el transistor se encontrará "encendido" y el diseño debe asegurar que la red está saturada totalmente por un nivel de lB mayor asociado con la curva lB' que aparece cerca del nivel de saturación. La figura 4.52b requiere que lB > 50 pA. El nivel de saturación para la corriente del colector y para el circuito de la figura 4.52a está definido por

=

1

C sa,

CC =----

V

R

(4.45)

C

182

Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

Los resultados del nivel de lB en la región activa justo antes de la saturación pueden aproximarse mediante la siguiente ecuación:

Por 10 mismo, para el nivel de saturación se debe asegurar que la siguiente condición se satisfaga:

(4.46) Para la red de la figura 4.52b cuando Vi =5 V, el nivel resultante de lB es el siguiente:
Vi - 0.7 V
lB =

5 V - 0.7 V
= = 63 J.1A

RB
V ee

68 kQ 5 V
'" 6.1 mA

e

1

c,~,

=-~

R

=

e

0.82 kQ

Comprobando la ecuación (4.46) da
- - - - = 48.8 ¡.tA

6.1 mA 125

la cual es satisfecha. Es cierto que cualquier nivel de lB mayor que 60 ¡.tA pasará a través del punto Q sobre la recta de carga, que se encuentra muy cerca del eje vertical. Para Vi = OV'/B = O¡.tA, y dado que se está suponiendo que le = ICEO = OmA,el voltaje cae a través de Rc como 10 determinó VRc = ¡eRe = O V, dando por resultado Ve = +5 V para la
respuesta indicada en la figura 4.52a. Además de su contribución en los circuitos lógicos de las computadoras, el transistor se puede utilizar como un interruptor, si se emplean los extremos de la recta de carga. En la saturación la corriente lc es muy alta y el voltaje VCE muy bajo. El resultado es un nivel de resistencia entre las dos tenninales detenninado por

y descrito en la figura 4.53.

E E

Figura 4.53 Condiciones de saturación y la resistencia resultante de la tenninal.
VCE~

Si se utiliza un típico valor promedio de

como 0.15 V da como resultado

R

'"

=

- - - = 24.60.

0.15 V

6.1 mA

el cual es un valor relativamente bajo y ::: O Q cuando se coloca en serie con resistores en el

rango de los kilohms.
4.9 Redes de conmutación de transistores

183

Figura 4.54 Condiciones de corte y la resistencia resultante de la terminal.

Para Vi = OV como lo vemos en la figura 4.54, la condición de corte ocasionará un nivel de resistencia de la siguiente magnitud:
ee R con, = - - = l CEO O mA V

5 V

=~Q

resultando en la equivalencia de circuito abierto. Para un valor típico de leEO = 10 ¡LA, la

magnitud de la resistencia de corte es

que se aproxima a la equivalencia de circuito abierto para muchas situaciones.

EJEMPLO 4.24

Determine R B Y Re para el transistor inversor de la figura 4.55 si le
Vcc=lOV

"'

= 10 mA.

v,
IOV IOV

hFE = 250

v

Flgura 4.55

Inversor para el ejemplo 4.24.

Solución En la saturación:

l

e'al

=

y

10 mA

=

así que En la saturación:
lB '"

Re
l

=

IOV

10 mA

= 1 kQ = 40
¡LA

~

f3""

=

10 mA
250

Elija lB = 60 ¡LA para asegurar la saturación, y utilizando
lB = Vi - 0.7 V

RB
184
Capitulo 4 Polarización en dc-BJT

se obtiene

v, -

0.7 V
;

10 V - 0.7 V

155 kQ

60 !lA
Seleccione R B = 150 kQ. el cual es el valor estándar. Luego

v, -

0.7 V
;

- - - - - - ; 62 !lA
150 kQ

10 V - 0.7 V

RB
e
lB ; 62 )lA >

; 40 )lA

Por tanto. use RB

;

150 kQ YRe; 1 kQ.

Existen transistores que se les denomina transistores de conmutación debido a la velocidad con que cambian de un nivel de voltaje a otro. En la figura 3.23c los periodos de tiempo definidos como t s ' td' tI" Y tI se proporcionan en función de la comente de colector. Su impacto sobre la velocidad de respuesta de la salida del colector se define por la respuesta de la comente de colector de la figura 4.56. El tiempo total necesario para que el transistor cambie del estado "apagado" al "encenciido" está designado como tencendido y definido por

I
Transistor "encendido"

tencendido

= t r + td

I

(4.47)

siendo t d el tiempo de retardo entre el estado de cambio de la entrada y el comienzo de una respuesta en la salida. El elemento de tiempo t, es el tiempo de subida del 10 al 90% del valor final.
Transistor "apagado"

1009,

909',

-

-

-

-

-

-

-

- -

_1- _ _ I

I

lOge

,- I - - - - - - - - - -1- - - -1- , , , ,

I

I

- -' o
1,
,

--+<
,

1,

',
--+<,
I[

1,

,tencendido

I

,
~,

tapagado

,,_

Figura 4.56 Definición de los intervalos de tiempo de una forma de onda de pulso.

El tiempo total que requiere un tra.'1sistor para cambiar del estado "encendido" al "apagado" se le conoce como tapagado y se define así (4.48) donde t, es el tiempo de almacenamiemo y tr es el tiempo de bajada del 90 al 10% del valor inicial. 4.9 Redes de conmutación de transistores 185

Para el transistor de propósito general de la figura 3. Las conexiones adecuadas para medir VaE aparecen en la figura 4. Sin embargo..con los niveles de VCEen la vecindad de 0.: 10 mA. V CE está por lo general entre el 25 y el 75% de V cc" Figura 4.l" Id = 120 ns = 25 ns = 13 ns 1..57 Verificación del nivel de de VBE" Para V ce = 20 Y una lectura de V CE entre 1 y 2 Y o entre 18 y 20 Y como se mide en la figura 4. un practicante debe estar enterado de unas cuantas maniobras y medidas que pueden aislar el área de problema. o si es negativo el valor se debe sospechar de él. deben investigarse tanto e1 diseño como la operación. Cualquier lectura totalmente diferente del nivel esperado de más o menos 0. Un nivel de voltaje de igual importancia es el voltaje del colector al emisor. t encendido = 12 ns y t apagado == 18 os 4. una condición que no debe existir a menos que se esté usando como interruptor. Para el transistor que está en la región activa el nivel dc mesurable más importante es el voltaje emisor-base. Obsérvese que la punta de prueba roja (positiva) se encuentra conectada a la base para un transistor npn y la negra (negativa) al emisor.10 TÉCNICAS PARA LA LOCAUZACIÓN DE FALLAS El arte de la localización de fallas es un tema tan amplio. Es muy obvio que el primer paso para poder resolver un problema en una red es entender el comportamiento de la misma y tener alguna idea de los niveles de voltaje y corriente esperados. Sin embargo: .23c a le. 4 Y O 12 Y.7 V. por lo mismo. Si VCE = 20 V (con Vcc = 20 Y) existen por lo menos dos posibilidades: O bien el dispositivo (BJT) está ~ E ~ \ ~ -------Va) ~ ~ ~ O (J) + - 0. Para un transistor pnp pueden usarse las mismas conexiones.7 V Si o::O.3VGe Para el amplificador típico a transistor que está en la región activa.?agadQ = + Id I = 13 ns + 25ns=38ns y . I tencendido tl.3 V que sugieren un dispositivo saturado.58.l. se encuentra que t. como O Y.57. y a menos que se conozca otro diseño para esta respuesta. que no puede ser cubierto un rango tan lleno de posibilidades y de técnicas en unas cuantas secciones de un libro. Para un transistor "encendido" el voltaje V BE debe estar en la vecindad de 0. Recuerde las características generales de un BJT. y posiblemente encontrar una solución.:::0. es mejor verificar las conexiones del dispositivo o la red. se observa una de las razones para elegir un transistor de conmutación cuando surge la necesidad de éste. pero debe esperarse una lectura negativa. + f = 120 ns + 12 ns 132 nS Al comparar los valores anteriores con los siguientes parámetros de un transistor de conmutaCión BSV52L.58 de de Ver" Verificación del nivel 186 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .7 Y. y así que I f = 12 ns I.3 V = satu"ción O v = estado de corto circuito o de conexión pobre Normalmente unos cuantos volts o más Figura 4. es cieno que es un resultado fuera de lo común.

o bien una conexión en la mal1a del circuito del colector-emisor o base-emisor está abierta como en la figura 4. La ausencia de una corriente del colector y de la caída de voltaje resultante a través de Re darán por resultado una lectura de 20 V. En la figura 4. Y VR e son valores razonables pero VCE = O V. ¿qué sigue? Ahora.:. En los diagramas grandes se ofrecen los niveles específicos de voltaje respecto a la tierra. existe la posibilidad de que el BIT esté dañado y presente un equivalente de corto circuito entre las terminales del colector y del emisor. Todos los niveles de los resistores parecen adecuados. 187 . Obviamente. 4.. que la sección de vólmetro de un VOM o DMM es muy importante en el proceso de localización de fallas. la lectura será de O V. de base resultante seria 20 V .60. El resultado será tener valores reales más cercanos a los niveles teóricos y cierta seguridad de que el valor correcto de la resistencia se utiliza.4 mA Figura 4. La falla en cualquiera de estos dos puntos sirve para registrar lo que podría parecer un nivel razonable y ser autosuficiente para definir la falla o el elemento defectuoso. se deben leer V cc volts.4 mA es cierto que colocaría al diseño en una región de saturación y es posible que se dañe el dispositivo. evitando el nivel adecuado de corriente según lo demanda el diseño de la red. Para las redes cubiertas en este capitulo se deben considerar los niveles típicos dentro del sistema. como señala VCE. los niveles de corriente se calculan a partir de los niveles de voltaje a través de los resistores. uno de los métodos más efectivos para verificar la operación de una red es probando varios niveles de voltaje respecto a la tierra y al conectar la punta de prueba negra (negativa) de un vólmetro a tierra y "tocando" las terminales importantes con la punta de prueba roja (positiva). Uno de los errores más comunes en la experiencia de laboratorio es el uso del valor erróneo de la resistencia para un diseño dado.59 Efecto de una conexión pobre o un dispositivo dañado. pero el control de limitación de corriente se dejó en cero.:. En la figura 4.59. Parecería obvio. V C . Se habrá verificado el dispositivo en un trazador de curvas u otro instrumento para probar BJT y parecerá correcto.4 pA.60 Verificación de los niveles de voltaje respecto a tierra.3 V.V E (la diferencia entre los dos niveles como se midió arriba). más extenso el rango de posibilidades.: 20 V Y una configuración de polarización fija.. Si VR . como 10 definió el potencial aplicado y la operación general de la red.. las conexiones se ven sólidas y se ha aplicado la fuente adecuada de voltaje. 680 Q en lugar del valor deseado de 28.dañado y tiene las carf!1cterísticas de un circuito abierto entre las terminales del colector y del emisor.7 V VCc =20V lc=OmA +~ Re conexión ___ ~ abierta ----/ I 20 v = 28. ¿Podría ser que la conexión interna entre el cable y la conexión final de una punta esté dañada? ¿Cuántas veces el simple hecho de tocar una punta crea una situación "'correcta o incorrecta" entre las conexiones? Quizá la fuente fue encendida y ajustada en el voltaje correcto. Ya que los valores reales de los resistores a menudo son diferentes de los valores de los códigos de color nominales (recuerde que los valores de tolerancia de los resistores). Antes dijimos que si VCE registra un nivel de aproximadamente 0. Por 10 general.0. la red puede estar saturada con un dispositivo que esté o no defectuoso. Para V cc. haciendo le O mA y VRe = O V. porque V ee está bloqueado del dispositivo activo por un circuito abierto.10 Técnicas para la localización de fallas Figura 4. si la punta roja se conecta directamente a Vcc . mientras más sofisticado es el sistema.59 la punta de prueba negra del vólmetro está conectada a la tierra común de la fuente y la roja a la terminal inferior del resistor. para facilitar la verificación e identificación de las posibles áreas de problemas. Imagine el impacto del uso de un resistor de 680 Q para Ra en lugar del valor de diseño de 680 ka. Habrá momentos en que surgirá la frustración. en lugar de "romper" la red para insertar la sección de miliamperímetro de un multímetro. En Ve la lectura debe ser menor por la caída a través de Re y V E debe ser menor que Ve por el voltaje colector emisor V eE . Si el medidor está conectado a la terminal del colector del BJT. En cualquier caso. la corriente . es una buena inversión de tiempo hacer la medición de un resistor antes de insertarlo en la red. la persona encargada de resolver el problema debe esforzarse para lograr un mayor nivel de sofisticación. porque la red tiene una tierra común para la fuente y los componentes de la red. a partir del análisis anterior. ¡una diferencia significativa! Una corriente base de 28.

..4 }lA cc BE = ----"''------''''-. La experiencia es la clave.15 V es menor que la necesaria para encender el transistor y proporcionar algún voltaje para VE' Si se asume una condición de corto circuito desde la base al emisor.7 V 19. El nivel de VR . y ésta vendrá únicamente con la exposición continua a los circuitos prácticos.VR ¡. determinar si el transistor se encuentra "encendido" y si la red está operando de manera correcta. encontrar la posible causa.61 Red para el ejemplo 4.. = 19.V 20 V ..7 }lA Por tanto.4 }lA = 79.3 kQ 211 Y p= lOO 2kQ .62.25 .61 para determinar si la red está operando adecuadamente. ::!ov 3.. Los 20 V en el colector revelan inmediatamente que le = O mA... EJEMPLO 425 Es importante basarse en las lecturas ofrecidas en la figura 4. == 0.3 V 452 kil (/3 + l)R E 250 kQ + (101)(2 kil) = 42.85 V también revela que el transistor está en "apagado" porque la diferencia de Vec .. el resultado es que el transistor está dañado en una condición de corto circuito entre la base y el emisor..= .0. la corriente de base debería ser lB = 79.. debido a un circuito abierto o a un transistor que no está operando.= RB + V . Capitulo 4 Polarización en dc-BJT . Solución Figura 4.El proceso de localización de fallas es una verdadera prueba para comprender claramente el comportamiento adecuado de una red y su habilidad para aislar las áreas problemáticas -utilizando unas cuantas medidas básicas con los instrumentos apropiados. EJEMPLO 426 188 Basándose en las lecturas que aparecen en la figura 4.85 V 250 kil Si la red se encontrara operando de manera adecuada. y si no 10 está. se obtiene la siguiente corriente a través de R B' 20 V 252 kil la cual asemeja a la obtenida de 19.

La única diferencia entre las ecuaciones resultantes para una red en la que se reemplazó un transistor npn por un transistor pnp es la señal asociada con las cantidades en particular. el voltaje VCE tendrá un signo negativo.. Hasta ahora. O mA.7 kQ 80 kQ 20\" 4v 3. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoffa la malla base-emisor dará por resultado la siguiente ecuación para la red de la figura 4.. los 20 Ven el colector revelan que le:.3 y 20 kQ 1 kn 4.11 TRANSISTORES PNP Figura 4. Sin embargo. Sin embargo. En caso de que se utilicen las polaridades definidas de la figura 4.63. el análisis se ha limitado totalmente a los transistores npn para asegurar que el análisis inicial de las configuraciones básicas sean 10 más claras posible y simplificadas para no intercambiar entre los tipos de transistores. en este caso VBE = -0. el análisis de los transistores pnp sigue el mismo patrón que se estableció para los transistores npn. Considere que la dirección de lB ahora se definíó como opuesta para un transistor npn.62 Red para el ejemplo 4.63. pero el signo antes de cada término en el miembro de la derecha ha cambiado..19). debe verificarse el transistor usando uno de los métodos descritos en el capítulo 3.49) y la ecuación (4. aunque la conexión a la fuente debe ser "sólida" o los 20 V no aparecerían en el colector del dispositivo. Como se observa en la figura 4. la notacíón de doble subíndice continúa de manera normal.63: + + La sustitución de lE = «(3 + 1)1B Y solución para lB da por resultado (4. Sin embargo. Debido a que Vcc será mayor que la magnitud del término subsiguiente. Los 3. La ecuación resultante es la misma que la ecuación (4.: 4 V parece adecuado (y de hecho lo es). como ya se mencionó.17). las direcciones de las corrientes se invirtieron para reflejar las direcciones reales de coriducción.63.49) R. o el transistor tiene abierta la unión base-colector.17) excepto por el signo para VBE . 20 V 4. como se pudo observar anteriormente.3 Ven el emisor son el resultado de una caída de 0. 4. Existen dos posibilidades: o bien puede existir una conexión pobre entre Re y la terminal del colector del transistor.50) La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación (4.63 Transistor pnp en una configuración de estabilización en emisor. Por fortuna.Solución Si nos basamos en los valores de los resistores RI y R 2 Yla magnitud de Vcc ' el voltaje Vs :::. Primero se verifica la continuidad en la unión del colector utilizando un óhmetro. dando por resultado la siguiente ecuación: Figura 4. Primero se calcula el nivel de lB' seguido por la aplicación de las relaciones adecuadas de los transistores para determinar la lista de las cantidades que se ignoran.7 V a través de la unión base-emisor del transistor lo que sugiere un transistor "encendido". y si está bien.26.11 Transistores pnp 189 . Para V CE la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla colector-emisor. según la figura 4. (4. tanto VSE como V CE serán cantidades negativas.7 V Yla sustitución de los valores resultará el mismo signo para cada término de la ecuación (4.

La corriente lE = VE RE = 2..l)(-18 V) 47 kQ + 10 kQ = -3. se obtiene VE = -3. V ec R. Solución Probando la condición f3R E '" IOR 2 da por resultado (120)(1.(-D.1 kQ 8 + Figura 4.16 V + 0.24 mA Para la malla colector-emisor: Sustituyendo lE == le y acomodando los términos.VBE Sustituyendo los valores.4 k.l) '" 10(10 kQ) 132 kQ '" lOO kQ (satisfecha) Si se resuelve para VE' se tiene VB = R.7 V = -2.46 V Nótese cómo en la ecuación anterior se utiliza la notación de subíndice sencillo y doble. r---------~)-18V 2. la única diferencia aparece cuando se sustituyen los valores.1 kQ = 2.IT .Q 47 ka 10 ¡iF t-c--~:~I(f-----<o '" 10 IlF ".7 V) = -3. = (10 kf.16 V . o>- -----1-1".27 Calcule VCE para la configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4.VBE .64 Transistor pnp en una configuración de polarización por divisor de voltaje. + R.EJEMPLO 4. Para un transistor npn la ecuación VE = V B .16 V Obsérvese la similitud en el fonnato de la ecuación con el voltaje resultante negativo para VB " La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla base-emisor genera +VB .111----+---0------1 t-.V BE sería exactamente la misma. se tiene VeE = -Vee + leCRe + RE) 190 Capitulo 4 Polarización en dc-B.46 V 1. V eE p= 120 1"E lOkQ 1.VE = O y VE = V B .1 kf..64.

el nuevo punto de operación puede no ser satisfactorio y ocasionar una distorsión considerable debido al cambio del punto de polarización. Se marca un punto de forma arbitraria en la figura 4. A temperatura ambiente (cerca de 25 OC) leo 0.24 mA)(2. I 1: = TABLA 4. dará por resultado el cambio del punto de polarización de de a una mayor comente de colector y a un menor voltaje colector-emisor en el punto de operación.12 Estabilización de la polarización 191 . La figura 4. Como lo muestra la figura. La tabla 4.12 V ESTABILIZACIÓN DE lA POlARIZACIÓN La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red hacia las variaciones en sus parámetros. Obsérvese que el incremento significativo en la corriente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que también existe un incremento en la beta.65a en lB = 30 ¡lA. mientras que a lOO oC (punto de ebullición del agua) leo es aproximadamente 200 veces mayor a 20 nA. ninguno se ve afectado por la temperatura o el cambio en la corriente de fuga o en la beta. la corriente del colector le es sensible a cada uno de los siguientes parámetros: [3: se incrementa con el aumento en la temperatura VBE decrece aproximadamente 7. según se observa a través del mayor espaciamiento entre las curvas. Recuerde que lB es muy sensible al nivel de V8E • especialmente para los niveles más allá del valor del umbral.2 b 20 50 80 120 VSE (V) 0.65 a 0. según se indica en la gráfica de la figura 4.3 x 10 3 El efecto de los cambios en la comente de fuga (1col y la ganancia de comente (ff¡ sobre el punto de polarización de dc se demuestra por las características de colector para emisor-común de las figuras 4.1 20 3. En el extremo.48 0.84 V = -10. En cualquier caso.1 nA.1 Variación de los parámetros de un transistor de silicio con la temperatura T ce) -65 25 100 175 leo (nA) 0.65a y 4.65 muestra la forma como cambian las caractensticas de colector del transistor desde una temperarura de 25 OC a una temperarura de 100 oC.65b.65b.48 V. Debido a que el circuito de polarización fija proporciona una corriente de base cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la fuente de alimentación y el resistor de la base.4 kQ + l. Un mejor circuito de polarización es el que estabilizará o mantendrá la polari- 4.65 0. Se puede especificar un punto de operación mediante el dibujo de la recta de carga de dc del circuito sobre la gráfica de las características de colector. y notando la intersección de la recta de carga y la corriente de base de dc establecida por el circuito de entrada. el transistor no podría llevarse a saturación.5 mV por incremento en grado Celsius (oC) en la temperatura leo (corriente de saturación inversa): duplica su valor por cada 10 oC de incremento en la temperatura Cualquiera o todos estos factores pueden causar que el punto de polarización cambie del punto de operación diseñado.3 x 10-·' 0. da Ve ~ -18 V + (2. pero existirá la misma magnitud de la corriente de base a altas temperaturas.1 describe la forma en que leo y V BE camhiaron con el incremento en la temperatura para un transistor en particular.16 4. (3 se incrementó de 50 a 80 y VBE cayó de 0.Sustituyendo los valores. En cualquier amplificador que utiliza un transistor.l kQ) = -18 V + 7.85 0. Para la misma variación en temperatura.

IC (mA) • le (mAl I 670 ¡lA 6O~A I 50 ¡lA 6. Factores de estabilidad. de forma que el amplificador puede utilizarse en un ambiente de temperatura variable.. Parecería más apropiado en algunas ocasiones considerar las cantidades definidas por las ecuaciones (4..40 ¡lA 5 5 30 ¡lA i 4 J 50 ¡lA 4 punto Q 40 ¡lA 2 """ ~ 3 pUnloQ 20 ¡lA 30 ¡lA ~ I 20 ~A 1 - ~ 15 10 ¡lA I 01 5 • (a) ~ 20 IB=O¡lA o 5 10 t (b) 15 20 ICEO=f3lcBO Figura 4.65 Cambio en el punto de polarización de dc (punto Q) debido al cambio en la temperatura: a) 25°C... S(VB¡) y S(ft) Se definió un factor de estabilidad S para cada uno de los parámetros que afectan la estabilidad de la polaridad.5 1 a 4_53) como los factores de sensibilidad porque: 192 Capítulo 4 Polarización en dc-BJ'f . según se lista a continuación: S(lco) = Me Meo (4..__...53) "'/3 En cada caso el símbolo delta ("') significa un cambio en dicha cantidad_ El numerador de cada ecuación es el cambio en la corriente del colector.51) S(VBE ) = Me '" VBE (4_52) SCfJJ = .. si un cambio en leo no puede producir un cambio significativo en le' el factor de estabilidad definido por S(leo) = Me /Meo será muy pequeño_ En otras palabras: Las redes que son muy estables y relativamente insensibles a las variaciones en la temperatura tienen bajos factores de estabilidad..- Me (4.. b) 1O()0C. S(IcO>. Para una configuración en particular.. según se estableció mediante el cambio de la cantidad en el denominador.. dad de dc establecida inicialmente.

66): S(Ico) = (13 + 1) -------. revelando que le siempre se incrementará a un ritmo igualo mayor que lco.54) se aproximará al siguiente nivel (según se muestra en la figura 4. Sin embargo. Para el rango donde RB IR E fluctúa entre 1 y (13 + 1). considere que un buen control de la polarización normalmente requiere que RB sea mayor que RE" Por tanto. y si el tiempo lo permite se le propone leer más acerca del tema.12 Estabilización de la polarización 193 .66 Variación del factor de estabílidad S(JcJ con el cociente de resistor Rs/RE para la configuración de polarización en emisor.Mientras más alto es el factor de estabilidad. debe existir un compromiso que satisfaga tanto a la estabilidad como a las especificaciones de polarización. la ecuación (4. 1. el factor de estabilidad se encontrará determinado por (4. la ecuación (4. el propósito aquí es revisar los resultados del análisis matemático y realizar una evaluación total de los factores de estabilidad para las configuraciones de polarización más comunes. Factor de estabilidad ~+l Figura 4.54) Para R si RE'" (13 + 1). 5(1co).66. S(IcO>: CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN EN EMISOR Un análisis de la red para la configuración de polarización en emisor dará por resultado (4.57) 4.55) según se indica en la gráfica de SUco) en función de R B / RE en la figura 4. mayor sensibilidad tendrá la red a las variaciones de dicho parámetro.66 que el valor más bajo de SUco) es 1.54) se reducirá a la siguiente: S(/co) = 13 + 1 (4. el resultado es una situación donde los mejores niveles de estabilidad están asociados con un criterio pobre de diseño. Sin embargo.56) revelando que el factor de estabilidad se acercará a su nivel más bajo mientras RE se vuelve lo suficientemente grande.= --> 1 (13 + 1) (4. El estudio de los factores de estabilidad requiere del conocimiento del cálculo diferencial. Es importante observar en la figura 4. 2 ~~~ ________~~______________~ RB ~+1 RE Para RB/R E 4. Gran cantidad de literatura referente a este tema está disponible. Obviamente.

01 = 5(1 . por ejemplo.. a) RB / RE 250 (R B 250R E)· b) RB / RE 10 (R B 10RE)· e) RB / RE = 0. en 2 mA.." .1 + [3 + RelRE _5/ 1+ 250 1 _ 51(251) \51 + 2501 301 := 42.01 1.9 nA) := 0.-( según se muestra en la figura 4.53)(19.01 (RE = 100RB)· = = = = Solución a) I + RB/RE S(leo) = ([3 + 1) . lo cual es obviamente lo suficientemente pequeño como para que lo ignoren la mayoría de las aplicaciones. Los resultados revelan que la configuración de polarización en emisor es muy estable cuando la relación de RB f RE es tan pequeña como sea posible.58) .18}lA e) 1 + Re/RE S(lco) = ([3 + 1) --~'----''----1 + [3 + RB/RE = 51 ( 1 + 0.-) 51.. y es "--menos estable cuando dicha relación se acerca a (f3 + 1)." . si se multiplican el numerador y el denominador de la ecuación (4.2 Mc ~ [S(Ico)](.28 revela cómo los niveles más bajos de leo para el transistor BIT moderno mejoraron el nivel de estabilidad de las configuraciones de polarización básicas.2)(19. Algunos transistores de potencia exhiben mayores corrientes de fuga. EJEMPLO 428 Calcular el factor de estabilidad y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el transistor definido por la tabla 4.085 mA en el peor caso. 20..9 nA) ~ l.01 la cual se encuentra muy cercana al nivel de 1 del pronóstico si Re/ RE Me = [S(Ico)](.01 ~ := 1.01(19.. CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA Para la configuración de polarización fija. sería de 2 mA a 2." .1 para los siguientes arreglos de polarización en emisor.53 la cual empieza a acercarse al nivel definido por [3 + 1 = 51.1 nA El ejemplo 4.. Mc = [S(leo)](Meo) = (42. Aun cuando el cambio en lees considerablemente diferente en un circuito con una estabilidad ideal (S ~ 1).vco) = (9.veo) ~ 1.1 + [3 + RB/RE = 51( 51 ++ 10) = 51 (~) 1 10 61 " 9.66.54) por RE y se hace a RE ~ O Q.01 ) 51 + 0..." . resultará la siguiente ecuación: I 194 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT S(lco) ~ [3 + I (4.85 }lA b) 1 + RB/RE SUco) = ([3 + 1) . de uno con un factor de estabilidad de 42.53. pero para la mayor pane de los circuitos amplificadores los niveles más bajos de leo han tenido un impacto muy positivo sobre la cuestión de la estabilidad.el cambio en le de una corriente en de que se fijó.9 nA) " 0.

Ahora se sabe de los niveles relativos de estabilidad y cómo la elección de los parámetros puede afectar la sensibilidad de la red. Para la configuración de polarización por divisor de voltaje.12 Estabilización de la polarización 195 . donde se determinó que S(lco) tenía su nivel más bajo y la red tenía su mayor estabilidad cuando RE > R8' Para la ecuación (4.Obsérvese que la ecuación resultante asemeja el valor máximo para la configuración de polarización en emisor. por el cual las redes se comportan de la forma en que lo hacen. (4. Figura 4. la condición correspondiente es RE > RTh o bien. a menudo fallan en cuanto a proporcionar un sentido físico para el motivo.61 debe incrementarse debido a un incremento en 1co' no existe nada en la ecuación para lB que intente compensar este incremento que no se desea en el nivel de corriente (suponiendo que V BE permanezca constante). Los párrafos siguientes intentan llenar e~te vacio a tIa'Vé~ del uso de algunas de las relaciDnes básicas asociadas con cada conflguración. para la configuración de polarización en emisor de la figura 4. la ecuación para la corriente de base es la siguiente: con la corriente del colector determinada por (4.61) Si le como se indica en la ecuación 4. Para la red de la figura 4. también aquí pueden aplicarse las mismas conclusiones respecto a la relación de R B /R e Impacto físico El tipo de ecuaciones que se desarrollaron arriba. El resultado es una configuración con un factor de estabilidad pobre y una alta sensibilidad a las variaciones de leo' Configuración de polarización por divisor de voltaje Recuerde de la sección 4. Sin embargo. sería una situación muy inestable.) Debido a que la ecuación es similar en formato a la que se obtuvo para las configuraciones de polarización en emisor y de polarización por divisor de voltaje.5 el desarrollo de la red equivalente de Thévenin que aparece en la figura 4.67. pero sin estas ecuaciones quizá resulte difícil explicar con palabras por qué una red es más estable que otra.68a.67 la ecuación para S(lco) es la siguiente: (4. el nivel de le continuaría elevándose con la temperatura con lB' manteniendo un valor prácticamente constante. En otras palabras. por 10 mismo.67 Circuito equivalente para la configuración de divisor de voltaje. RTh/R E debe ser tan pequeño como sea posible.59).60. RTh puede ser mucho menor que la correspondiente R B en la configuración de polarización en emisor y aun así tener un diseño efectivo.59) Nótense las similitudes con la ecuación (4.68b. un aumento en le debido a un incremento en leo causará que el voltaje VE :::lt!<E:sI~E se incremente. El resultado sería una caída en el nivel de lB' según se detennina en la siguiente ecuación: 4. para la configuración de polarización por divisor de voltaje. Configuración de polarización por retroalimentación (RE = O Q) En este caso.54). Para la configuración de polarización fija de la figura 4.

como ocurre con la configuración de polarización fija. y para un VB constante el voltaje VBE caerá... . la configuración es tal que existe una reacción hacia un incremento en le' que tenderá a oponerse al cambio en las condiciones de polarización. El lector debe estar enterado de que la acción descrita arriba no sucede en una secuencia paso por paso.68 Revísión de las redes c..- VCC - V Bo - VE t (4. Si se satisface la condición j3R E :l> IOR" el voltaje VB pennanecerá razonablemente constante para los niveles cambiantes de /e. La configuración de retroalimentación de la figura 4. v" + Re Re ~ lB V BE _ + + V.VE' Si / e se incrementa.Vcc Vee + VB. En su lugar. VBE resultará en la siguiente ecuación para la configuración de polarización en emisor: (4. se trata de una acción simultánea para mantener las condiciones de polarización establecidas. dará por (4.63) y el nivel de lB se reducirá. . 0. Una caída en V BE establecerá un nivel bajo de lB' que tratará a su vez de compensar el nivel de aumento de le El factor de estabilidad definido por ~~ Ll. la red captará el cambio y tendrá lugar el efecto de balanceo que se describió antes.VBE - VR e t (4.62) RB Una caída en lB tendrá el efecto de reducir el nivel de le a través de la acción del transistor. en el mismo instante en que le empiece a incrementarse. el nivel de VRe se elevará en la siguiente ecuación: Vcc ." (e) (a) (b) (d) 1B 1.65) 196 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .. La más estable de las configuraciones es la red de polarización por divisor de voltaje de la figura 4. R.0:.El voltaje base-emisor de la configuración está deternlinado por V BE ::: VB . Si le se incrementa debido al aumento en la temperatura." . VE aumentará como se menciona arriba.e polarización y del factor de estabilidad S(lcOJ. En otras palabras.64) Sustituyendo resultado RE.68d.68c opera de la misma forma que la configuración de polarización en emisor cuando llega a los niveles de estabIlidad. El resultado es un efecto estabilizador como el descrito para la configuración de polarización en emisor. y por lo mismo compensa la tendencia de le a incrementarse por un aumento en la temperatura. En total." + + VE V BE _ VB Figura 4.

4l7 x lO. (/3 + 1) = 101 Y RB I RE = 240.7 ka RE 4.65): EJEMPLO 429 f3 100 = --'--'-240 ka = .= 10 (satisfecha) 4.64)..67) Y requiere del uso de la ecuación (4. Solución a) La ecuación (4. y no pennite el uso de la ecuación (4. b) Polarización en emisor con RB =240 ka.7 ka y 13= 100.65 V) = (-D.417 y X 10-' Me = [S(VBEl](Ll.293 x lQ-3)(-D. a) Polarización fija con RB =240 ka y 13 = 100.293 la cual es aproximadamente 30% menor que el valor de polarización fija debido al ténnino adicional (13 + I)RE en el denominador de la ecuación S(VBE)' Me = [S(VBE)](Ll. La ecuación (4.VBE) = (-DA17 = 70.67) 13 + 1 13 revela que mientras más grande sea la resistencia RE' menor será el factor de estabilidad y más estable el sistema.1 para les siguientes arreglos de polarización. La condición (/3 + 1) j¡> RBIR E no está satisfecha. RE = 1 ka y 13= 100. e) Polarización en emisor con Re = 47 ka.0.12 Estabilización de la polarización 197 .17 V) _ SOpA e) En este caso.9 pA b) x 10. Detennine el factor de estabilidad S(VBE) y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el transistor señalado en la tabla 4.64): -100 240 ka + (101)1 ka x 10-3 = = ---341 ka 100 = -0.La ecuación (4.48 V . RE = 4.17 V) En este caso.- 47 ka = .66) Sustituyendo la condición (/3 + 1) S(V ) " BE j¡> RB IR E resultará la siguiente ecuación para S(VBf·): E" _ _ e -f3!R -f3/R = __ RE 1 (4.0. (/3+1)= 101 RB j¡> .64) puede escribirse de la siguiente fonna: (4.3)(-D.3)(0.. VBE ) = (-D.

. + RBIRE) (4. y /3.. Para una situación donde le .212 x 10-3 = [S(VBE)](L'< VBE ) = (-0. será RTh para la configuración del divisor de voltaje. se utiliza para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de red.B_I __ l.-e R--.212 x 10-3)(-0.17 = 36.::. + RBIRE) (2 x 10-3 )(1 + 20) (50)(1 + 80 + 20) = 42 X 10-3 5050 y /!. Utilice el transistor descrito en la tablaº4.68) La notación le.68): S(fJ¡ = = le.0.67).30 Calcule le a una temperatura de 100 oC e le =2 mA a 25 oc.64) con RE reemplaz~da por Re S(f3): El último factor de estabilidad que se investigará es el de S(fJ¡.(1 + /3. Sin embargo. =50 Y /3.5%. El desarrollo matemático es más complejo que el que se encontró para SUco) y para S(VBE)' como lo da a entender la siguiente ecuación para la configuración de polarización en emisor: S(fJ¡ = = __ .32 x 1~ = [S(fJ¡l[L'<f3J = (8. Para la configuración por divisor de voltaje el nivel de Rs se cambiará aRTh en la ecuación (4.le = 8..1.. =80 Y un ¿ociente de resistencia RB I RE de 20.-e_1_+_R.04 pA V) En el ejemplo 4.32 x 1()-<i)(30) .29 el incremento de 70.le = -0. Solución La ecuación (4. sin embargo.25 mA 198 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .(I + RBIRE) /3.7 ka / y /!. la corriente resultante del colector aumentará a Q Q le Q = 2 mA + 70.(1 + /3. al utilizar una de R B = 47 ka resulta ser un diseño cuestionable.9 = 2. EJEMPLO 4.:: 2 mA.La ecuación (4. la variación de f3 del mismo transistor o un cambio de transistores.67): S(VBE ) = = RE 4.64) (según se definió en la figura 4. puede ser de este nivelo uno menor y todavía mantener buenas características de diseño.29. En el ejemplo 4..E:.9 pA tendrá un impacto en el nivel de le .) /3. donde /3. La ecuación resultante para S(VSE) para la red de retroalimentación será similar a la de la ecuación (4.0709 mA pA un incremento de 3. mientras que la notación f32 se usa para describir un nuevo valor de beta como lo establecen causas como un cambio en temperatura.

S(VBE) = -D. = 1.0.71) después de sustituir los factores de estabilidad como se derivó en esta sección.65 V = -0.70) se convierte en la siguiente: (4. S(fJJ = (4.89)(19.1 nA = 19.A. + 35.48 V .2 X 10-3 .445 X X 10-6 Y Me = (2. que la configuración de polarización fija es la de menor estabilidad. entonces S(/co) = 2.236 mA.9 nA l. el efecto total sobre la corriente del colector puede calcularse utilizando la siguiente ecuación: (4. y la RB de la ecuación (4.89.51 nA + 34 p.9 : 0.2 X 10-3(-D. la ecuación (4.17 V) + . en el sentido que se reconoce en el contenido de esta sección.---(-0.68) puede reemplazarse por RTh para la configuración del divisor de voltaje.VBE = 0.A.A + 43.En conclusión. pero esto era esperado. S({3) = 1. con un cociente de RTh/R E : 2 y RE = 4. si se examina la configuración de polarización fija. representando un cambio de 12. el cambio resultante en le debido a un incremento en la temperatura de 7S oC es el siguiente: 50 2 mA Me = (50 + 1)(19. la co~ente del colector cambió de 2 mA a una temperatura ambiente a 2.42 p.0.12 Estabilización de la polarización 199 . Para este rango la tabla revela que Meo = 20 nA . se usará la tabla 4. la ecuación puede parecer muy compleja. la Me que debe determinarse simplemente es el cambio en le a partir del nivel a una temperatura ambiente.077 mA nA) . La configuración de polarización fija está definida por S(fJJ = le.70) Al principio.69) Resumen Ahora que se presentaron tres factores de estabilidad importantes. Ahora.17 V y (obsérvese el signo) l..{3 = 80 .1 para encontrar el cambio en la corriente del colector para un cambio de temperatura desde 25 oC (temperatura ambiente) a lOO oC (el punto de ebullición del agua)..7 n.A + 1200 p.50 = 30 Empezando con una corriente de colector de 2 mA con una RB de 240 ka. Si se hubiera utilizado la configuración más estable del divisor de voltaje.236 mA el cual es un cambio significativo debido principalmente al cambio en {3. Por ejemplo. La corriente de colector aumentó desde 2 mA a 3.4 p.25 mA a 100 oC.: O n. 1{3.0.9 nA) .A 4. Para la configuración de retroalimentación en colector con RE:.5%.(30) 240 ka 50 = 1.445 1Q-6(30) = 57. pero tome en cuenta que cada componente sólo es un factor de estabilidad para la configuración multiplicado por el cambio resultante en un parámetro entre los límites de interés de temperatura.01 p. Además.17 V) + 1.

OPTIONS NOPAGE . =lc YV(3. incluyendo la respuesta en ac.1 mA. el análisis únicamente se hará en este nivel.7 y se necesita recurrir tanto a BASIC como a PSpice. el paquete desarrollará el análisis a cada nivel en y entre los dos niveles utilizando un incremento definido como la entrada siguiente. Si el segundo nivel es distinto..69 con los nodos escogidos para el análisis PSpice.5 kQ =r: 50 ~F .70 Archivo de entrada para el análisis con PSpice de la red de la figura 4. A temperaturas mayores los efectos de S(leo) y de S(VBE) serán mayores que para SCiJ! para el dispositivo de la tabla 4.DC. CE 4 o SOUF Q1314QH .J. El análisis de las secciones anteriores fue para las situaciones idealizadas con valores invariables de parámetros.69. 4. En el enunciado . en este caso 1 V.De se especifica la fuente al nivel necesario. como se señaló en análisis anteriores.0 roA a 25 oC.oc VCC 22 22 1 .4) .SK Figura 4. proporciona una excelente oportunidad para comparar las ventajas relativas de cada uno. los resultados del análisis anterior sustentan el hecho de que para un buen diseño estable: El cociente R B I RE o RTh I RE debe ser lo más pequeño posible con las debidas consideraciones en todos los aspectos del diseño. Aunque el análisis anterior puede resultar confuso porque las ecuaciones son muy com~ plejas para algunas de las sensibilidades.077 mA o esencialmente 2.1.9 Hl 1. OC Biasinq of BJT . Además.9]( Re 2 3 lOR RE 4 o l.La corriente de colector resultante es de 2. Nótese que todos los parámetros se definieron entre los nodos indicados. Ahora. comparada con la variación en beta. F¡gUra 4. debido a que los 22 V se repiten en este enunciado de control .4) = VCE se requieren en lugar de un simple listado de todos los voltajes nodales. El archivo de entrada aparece en la figura4.MODEL QN NPN(BF-140 IS-2E-15) . comparada con los 2. En este caso SCf3) no paso por encima de los otros dos factores. Si se repiten los 22 V como en este caso. Además. La red es obviamente mucho más estable que la con~guración de polarización fija. Si las cantidades específicas como I(RC) =IR.Fig. =39kn ~[l] PSpice (versión DOS) La red del ejemplo 4.70. Sin embargo.DC como se indica.7 se ha redibujado en la figura 4. 4. Para temperaturas abajo de los 25 oC le disminuirá con niveles crecientes de temperaturas negativas. El efecto de SUco) en el proceso de diseño se convierte en una preocupación menor. asumiendo al primer nodo como el de mayor potencial.PRINT OC I(RC) V(3.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA 22 V ? 10 kQ ~ Esta sección contiene un análisis de la red del divisor de voltaje del ejemplo 4. se requiere el l V para completar el formato [] 3. se debe estar consciente de cómo puede variar la respuesta en de del diseño con las variaciones de los parámetros de un transistor. debido a las mejores técnicas de manufactura que continúan disminuyendo el nivel de leo = 1CBO' También debe mencionarse que para un transistor en particular la variación en los niveles de leBo y VBE de un transistor a otro en un lote es casi despreciable.MODEL como lo señalarnos en el capítulo 3. El formato del enunciado del transistor es su entrada . y los efectos de S(VBE) y de S(lco) fueron por igual muy importantes.END 200 Capítulo 4 Polarizacíón en dc-BJT .. debe añadirse un enunciado de control .69 VCC 2 o 22V Rl 2 1 39K R2 1 O 3.69 Red para ser analizada utilizando PSpice. el propósito es desarrollar un alto grado de precau~ ción sobre los factores que se involucran en un buen diseño y para estar más cerca de los parámetros de los transistores y el impacto que ejercen sobre el funcionamiento de la red.

.*.~. pero son parte de la biblioteca Get New Par!. con el dispositivo apuntador (mouse).IIODI!L QIf_IBF>o140 :[11-2"15)' • OC VCC 22.DD BJ'l' MODBL PARIIMBTERS QIf 1fPIf ... . la red de la figura 4.50uF Figura 4.4) . RC 2. Análisis con el centro de diseño PSpice para Windows Con la misma técnica descrita en el capítulo 2. R1 39k 1... . Tanto para lc() como para VCE los resultados obtenidos.*** .. Esto es..5lt CE 4 O SOUY 01 3 1 4 oN .242E-04 Vcc • .De TRAIISFER .72. .oc Biasinq of BJT .. aparece una descripción (Description) arriba de la selección en la caja de diálogo Get ParL Recuerde que los VIEWPOINT (puntos de vista) se establecen al elegir la opción 8..7... = L220E+Ol = 12..) 1..*.69 .69.. El capacitar se encuentra listado en la biblioteca analog. El archivo de salida aparece en la fIgura 4.000000B-15 140 . lec = 8. I 4.8512 mAy Ve".(Re) Ve3. de la instrucción..~~.7I I(ac) 8." . 3 lOr: RE 4 O 1..CURVES YCC 2. pero se omite en la secuencia operacional.22 1 .9 59 Re 10k 1 3. '.5l2E-D4 = 0...slb que cuando se selecciona una parte.69..200E+Ol FIgUra 4.911.'*'~~~~" ..:.PRINT puede escribirse después para especificar las c:antidades deseadas en el listado del archivo de salida.*'** ••***'*. El transistor y el capacitar no aparecen en redes anteriores..... 4.13 Análisis por computadora 201 .0P1'1011S IIORoGE .Fi9....71 con la lista de parámetros especifIcados del modelo y los niveles que se desean de salida.220E+Ol Archivo de salida para el análisis con PSpice de la red de la figura 4. utilizando PSpice....72 Presentación esq uemática de PSpice (Windows) de la figura 4. " '..*: .' VCC 2 O 22V IÚ 2 1 39r: R2 1 O 3.2588 R2 3.slb y el transistor Q2N2222 en la biblioteca eval.9k +----<0>----'1/ CE -'.2 V.. son una réplica exacta con las soluciones del ej¿mplo 4.69 puede crearse sobre la página esquemática como se muestra en la figura 4......l'ItUIT De 1.7580 1.. ClRCUIT DBSClUPTrON **... La instrucción ...*""..{ " ) .. Obsérvese en eval.~:.*It ••••**** .slb. IS Bl' 2.512E-04 V(l. . ... sobre el Q2N2222...~ .

se escoge Edit Instance Model (elegir modelo ejemplo). pero el detalle que se requiere va más aná de las necesidades de este texto. porque los voltajes y las corrientes pueden observarse directamente sobre el esquema después de la simulación. la cual será utilizada para la respuesta en ac. El voltaje VeE del transistor es de 13. = 202 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . base. seguidos por el capacitar. Los cambios adicionales se pudieron haber hecho para crear una similitud más cercana. transistor y la fuente de voltaje dc.1. Una vez en el esquema. el resultado de dicha secuencia es que los nodos tengan asignados valores numéricos de acuerdo con la secuencia en que los elementos fueron capturados. En la figura 4. Sin embargo. La respuesta de Probe se examinará eI1 el capítulo 8 cuando se analice un sistema eu ac. En la versión de evaluación de PSpice para Windows uno debe elegir un transistor de la lista proporcionada y simplemente modificar los parámetros de definición lo mejor posible.73 es una versión cortada y pegada para pennitir una concentración de los elementos más importantes del archivo. Los números asignados podrán cambiarse con una secuencia insertldeJete (insertarlborrar) y registrar cuando se abandone la caja de diálogo.slb. se oprime OK y los parámetros de la red han sido modificados. Se puede encontrar una descripción de todos los parámetros listados en THE DESIGN CENTER Circuit Analysis Reference Manual (manual de referencia del análisis de circuitos del Centro de Diseño) de MicroSim Corporation. Nótese que IS es 26·15 y BF (beta) es 140. El cambio no sucedió en la versión DOS porque se pudo seleccionar un transistor npn sin tener que escoger un modelo en particular.69 la beta del transistor es 140 y la corriente de saturación se ha inicializado en 2E-15A. En este caso el nodo adicional (5) fue asignado para asegurar que las referencias de los nodos sean las mismas que la figura 4.72 como los VIEWPORT e IPROBE reflejan los mismos resultados impresos en el archivo de salida. Para terminar el proceso oprima el bot'ón derecho del apuntador. y que el transistor se encuentra listado en la secuencia 3-1-4 (colector. Una vez cambiados. Como únicamente estamos interesados en cambiar la beta y establecer 15 para esta red.7580 V . Tome en cuenta que la corriente que debe captarse se sitúe en el círculo más cercano a la curva interna. aparecerá una lista de opciones donde Model es una de ellas. Obsérvese en el esquema de la figura 4.7 V como se desea. La corriente del colector será recogida por la opción IPROBE de la biblioteca special.851 mA para el análisis en DOS y que VBEes 0. porque ésta significa la escala de medición. El uso adecuado de VIEWPORT e IPROBE eliminan la necesidad de estar preocupados acerca de las referencias nodales.824 mA comparado con 0.2588 V 12.5 V.688 V o aproximadamente 0. que tuviera todos sus parámetros de definición. Obsérvese que Ices 0. al oprimir el símbolo del transistor (sólo una vez) y tecleando Edit. Obsérvese que la lista neta esquemática (Schematics Netlist) tiene las mismas referencias de nodos que la figura 4. Los niveles dc para los diferentes nodos (respecto a la tierra) son parte de la solución de polarización en pequeña señal (Sman Signal Bias Solution). debe estar seguro de que Probe Setup (inicialización de la prueba) bajo Analysis no esté inicializada para ejecutar automáticamente Probe después de la simulación. El archivo de la figura 4.slb. Lo mejor sería prever que la introducción de un IPROBE requerirá de la introducción de un nodo adicional entre Vce y la terminal del colector del transistor. La beta de es ahora 55 en lugar del 140 capturado y la beta de ac es 65. Es muy probable que la mayoría de los usuarios de Windows coloquen primero los resistores. como se muestra en la rama del colector de la red. Los parámetros del modelo BIT (BJT MODELPARAMETERS) es un listado de los parámetros más importantes que definen al transistor Q2N2222. emisor) como lo requiere la versión DOS. Lasimulacióu de la red dará I'orresultado el archivo de salida de la figura 4 . El siguiente listado incluye los distintos niveles de corriente y voltaje de la red y sus parámetros como se definieron mediante el punto de operación resultante.73 . Sin embargo. que es casi igual a la solución DOS. Se elige Model y aparecerá una caja de diálogo Edit Model. Las líneas se capturan por lo general al final para completar la red. en la barra de menú.69. las referencias de los nodos pueden cambiarse si se elige Analysis y luego Examine Netlist (examinar lista). Esto le ahorrará tener que involucrarse con la respuesta de Probe antes de ver el archivo de salida. Cada VIEWPOINT se coloca con sólo .Pprimir el botón izquierdo del dispositivo apuntador.desde la biblioteca special. y las probabilidades serán que no concuerden con el valor numérico asignado a cada nodo en la figura 4.69.69 para cada elemento. Antes de simular el programa. Entonces se proporciona una Jista para el transistor Q2N2222 y pueden cambiarse Is(e Ise) a2E-15 y Bra 140.

............._0004 SOuF SN_OOO3 SN_OOOI SN_OOO4 Q2N2222~X SN _0002 SN_0005 O BJT MODEL PARAMETERS S"-... NPN (S 2.....l1XlOOQE...tOOO1) ($N3JO()S) NODE VOLTAGE NaDE VOLTAGE (SN_OOO2) 22....... • Schcmatic:s Nctlist • RR2 R-RJ R-Re • • .........94E............OOO3 SN-:'OOOS 1010: OSN_OOO4 1...50E+Ol GM 3......OOE+OI I.91 0000E-09 XTB 1...........7 ITF ...........OOE"'lO O00E"'lO SETMe FT 6...SQE"'l' 9.......Ql WATrS •••• BIPOLAR JUNCTfON TRANSISTO.....9k $N 0001 $N ooo239k R-RE C=CE V_Ycc <LQl SN-=....000000E......SO&OS le VSE 8.......... 4_13 Análisis por computadora 203 ..RS NAME Q_QI MODEL lB Q2N=-X l.000 DEG e NODE VOLTAGE VOLTAGE (St-........72...t 5 BF 140 NF 1 VAF 74................02 va VBC RPl RX RO CBE 2... .091 NR .. .306OOOE-\2 MJC ....7580 ($N _0004) 1.47E+07 Figura 4..34ooooE·\5 NE 1301 BR 6... Q2N22Z2~X v_v: .6 TR 46. RB 10 RBM 10 RC 1 eJE n.....04 TOTALPOWERDlSSlPATION 2. .5k 0$).....73 Archivo de salida para la red de la figura 4.'002 OOC nv ......04E"'l3 I. CURRENT -1...12 XTF 3 VTF 1....2841 ISE \4..................\1E....0000 NODE 19469 (SN_OOO3) 13.03 IKF ......06&11 CBC CBX ClS 2.........04E"'lS 5........I8E+Ol L2SE+Ol BETADC 5....01OOOOE-12 MJE m CJC 7.........3416 TF 411....JIE....Z4E-04 68SB-61 -1.................5 ...................242E... CIRcurr DESCRIPTION oSN 0001 3....338E-OJ 8...258$ n 0000 VOLTAGESOURCECURRENTS NA....'95-12 O..... SMAll SlGNAL BIAS soumON TEMPERATURE" 27....

+ R. lB RTh + (13 + I)R E VT lB BE le = f3l s ~ BETA RE IC lE VE VB VC CE VE = IERE V s = VE + 0. Los pasos del programa principal para imprimir los resultados se proporcionan en la figura 4. La línea 10040 prueba para una condición de corte. y establece le (e lE) con el valor de saturación. ETh - R. Una vez más. En la tabla 4.2 Ecuaciones y enunciados del programa para el módulo de cálculos de polarización de dc Ecuación R1R~ RTh TABLA 4. De otra manera. Si RE se queda en cero ohms con R2 en lE30 ohms.69. en cuyo caso lB toma el valor de cero.7 Ve Vcc . V cc ETh . Por tanto las líneas 10100 a 10120 calculan VE' VE Y Veo respectivamente.7 V.:: 0. R. Luego se determinals en la línea 10030 utilizando un voltaje base-emisor de 0. el rango de aplicaciones se expande y limita la biblioteca de programas necesarios para hacer el análisis en un área en particular. irá un paso adelante y permitirá cambiar la configuración mediante la especificación de un circuito abierto o un corto circuito para los parámetros.VE La línea 10090 prueba la condición de saturación de un circuito.(Rl * R2)(Rl + R2) R.7 lB = (VT . Un módulo de programa que empieza en la línea 10000 está escrito en BASIC para realizar los cálculos necesarios para el análisis en de de la red de la figura 4. como el módulo 10000 para hacer los cálculos de polarización de de. en paralelo con R 2 .BASIC El programa que se desarrollará con BASIC llevará a cabo el mismo análd.2 aparece un resumen de las ecuaciones utilizadas junto con un resumen de las variables en la tabla 4. se trata en esencia de un circuito abierto y que da por resultado una configuración de polarización en emisor.:::. + R 2 R. R. Por ejemplo..3. los valores de le e lE permanecen como se calcularon previamente. La línea 10010 calcula la resistencia de base equivalente de Théveriin de R. 18 permanece como se calculó en la línea 10030. La línea 10130 calcula VCE Y luego el módulo de programa regresa al programa principal.::: VT = (R2 ' Cel/(R' + R2) 0.O. dará por resultado una configuración de polarización fija. (1 (1 204 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . El programa principal solicita la entrada de todos los datos adecuados del circuito. RE) IC = BETA' lB lE = (BETA + 1) . La línea 10020 calcula el voltaje equivalente de Thévenin en la base. la que ocurre si el valor de Vr es menor que V SE .3 Variables para ecuación y el programa para el módulo de cálculos de polarización de dc Variable en la ecuación Variable en el programa RI R2 RT CC Enunciados para el programa = RT . Las líneas 10060 y 10070 calculan le e lE' respectivamente. de otra forma. obsérvese la correspondencia que está cerca de los resultados obtenidos antes para lc y para VCE .7 V.7)I(RT + (BETA + 1) . TABLA 4.74.is que el otro listado.leRe VE = lE ' RE VB = VE + 0. De esta manera.IC ' RC CE = VC .7 vC = CC . si R2 se hace igual a 1E30 ohms.

8523779 roA Circuit qoltaqes! V8= 1.CC 200 PRIN'I' 210 INPUT "Transistor beta=" ."lllA" 300 PRINT "IE=". '" 11 ."UA" 290 PRIN'f "Ie=" .04~233 uA re=: ..VB.R2 160 INPUT "RE=".VC.69.VE. enter the following circuit data: RBl""? 39:E3 RB2(use lEJO if RE=? l.74 Programa BASle para el análisis de la red de la figura 4." *** *** '* **** *. BETA 220 PRINT 230 REM Now do circuit calculations 240 GOSU6 10000 250 PRINT uThe results of de bias caleulations are:" 260 PRIN'l 270 PRIN'l' "Circui t curnmts: 11 :zso PRINT "18=II..846:3327 mA lE: .9E3 VCC=? 22 Transistor beta~? 140 The results of de bias calculations are: Circuit currents: lB= 6. 4.978567 valts VE= 1."mA" 310 PRINT 320 PRIN~ "Circuit voltages:" 330 PRINT "VB=".13 Análisis por computadora 205 ." 120 PRINT 130 PRIN1' "First."'** *.7)/(RT+(BETA+l)'RE) 10040 REM Test for cutoff condition 10050 IF VT<=.********11:**** OC B~AS 30 REM 40 REM 60 REM CALCULATIONS OF STANDARD CIRCUIT 50 REM ***************************************'************* 100 PRHI'l' "This pl:'ogram calculates the de bias" 110 PRINT "for a standard cLrcuLt as shown in figure 4.IE*1000.IB"'1000000J .10 REM 20 REH 1t **" **'* '* .25811 volts Figura 4. "vol ts" 370 PRINT :PRINT 380 ERD 10000 REM Module to calculate de bias of BJT circuit 10010 RT-Rl*(R2/(Rl+R2)) 10020 VT==CC*(R2! (Rl'¡'R2») 10030 IB~(VT-. First..53667 volts VCE"" 12."volts" 360 PRIN~ "VCE=" ¡CE.69.278567 volts VC= 13.RE 170 InpUT "RC:" ¡Re 190 PRIN'I' 190 INPUT "VCC=".IC*1000. en ter the following círcuít data:" 140 INPUT "RB1="¡Rl 150 INPUT "RB2(Use lE30 if to pe n'}o::".7 TnEN lB=O 10060 IC=BETA*IB 10070IE==(BETA+l)*IB 10080 REM Test /for saturation condition 10090 IF IC*(RC+RE)-CC TREN lC=CC/(RE+RC) :IE=lC 10120 VC~CC-IC*RC 10130 CE"'"VC-VE 10140 RE'tURN RUN 10100 VE""IE"'RE 10110 VB""VE+.69."vOlts" 340 PRIN'I' "VE=" ."vQlts" 350 PRIN'l' "VC=fl ." *********. s:E:3 RC=? lOE3 'open')~? 3.7 This program calculates the de bias for a standard circuit as shown in Figure 4.

d) Ve' e) VE' / 16V D VE' 470 kQ 2.75 Problemas 1.) para el diseño? Dibuje la configuración resultante de polarización fija.76. ¿Cuáles son los valores resultantes de le () y de VCE Q? ¿Cuál es el valor de f3 en el punto de operación? ¿Cuál es el valor de a definido para el punto de operación? ¿Cuál es la corriente de saturación (le. 2.78: a) b) Dibuje una recta de carga sobre las características determinada por E = 21 V Y Re = 3 kQ para una configuración de polarización fija.. d) V eE .75. * 5. Q e) V CE .PROBLEMAS § 4.) para la configuración de polarización fija de la figura 4. b) le' .61. determine: a) lB . calcule: a) le b) Re e) R .52. Dadas las características del transistor BJT de la figura 4. 206 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . 2.75. ¿Cuál es la potencia dc disipada por el dispositivo en el punto de operación? c) d) e) f) g) h) i) ¿Cuál es la potencia proporcionada por Vee ? j) Detennine la potencia que los elementos resistivos disiparon al tomar la diferencia entre los resultados de los incisos h e i. Determine el valor de RE para establecer el punto de operación resultante.77 Problema 3.11.3 Circuito de polarización fija 1.53.7kQ figura4. Escoja un punto de operación a la mitad entre el corte y la saturación.. Para la configuración de polarización fija de la figura 4. RB .2 kQ + Figura 4. 4.56. Dada la información que aparece en la figura 4. Dada la infornlación que aparece en la figura 4. determine: a) le b) V ee e) d) [3. Encuentre la corriente de saturación (le". 3..77. 47.51.4.

V ee RE' + '* 10.24. calcule: a) figura 4.79 Problemas 6. determine lo siguiente para una configuración de polarización en emisor si se define un punto Q en le = 4 mA y V CE = 10 V.58..54. Para el circuito de polarización con emisor estabilizado de la figura 4.. Problemas 207 .c:: :50uA ' re-: .llA t 2.80. .78 5 10 15 25 30 12V Problemas 5. el RE' d) La potencia disipada por el transistor. i<-Ij-k-Q--. 3 2 20. ~ 1.4 V § a) 4. 10. determine: a) b) e) d) e) 20 .<JVc 8 f3= 100 7 6 5 ::::. i .leQ 2AkQ 9 " 80~A :70~A: ~+-:---.48.¡:-.51. 1.A '=ti: ~ t"l/~=o~A¡ ° Figura 4.35.Q f3 en el punto de operación.. determine: b) e) d) 1/. 9.--.7 kn f3.79.<J ~ VE 4 Figura 4..62.:~~tr 20 V f 110¡¡A.81 Problema 8.W 2. Calcule la corriente de saturación para la red de la figura 4.68 k. b) t----o 2.19.6 V VB + VCl:" p=. Usando las características de la figura 4.le (mA) .36. 9. e) La potencia disipada por el resistor Re Figura 4.4 Circuito de polarización estabilizado en emisor lB 6. VCE(J' ~ RE Ve e) VE' f) VE' 7.80 Problema 7. Re RE' RB' VeE' b) e) VE' 8.2mA Re RB 7. Con la información que ofrece la figura 4. .78.~ 510 kQ .10.81. =i). . Con la información que proporciona ia figura 4.79.1 V 0.2 kQ.c :60~A . • Q Q al Re SI Vcc = 24 Vy RE = 1. ¡](Xl : 90'.

79.75.1 kQ ~ .-------~~--~18V CC 2.82 Problemas 12.24.52. c) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCf.. 208 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT . 15.2kD. § 4../ C'p..79. /e . VCE ' .gura 4.' I x 100%.I e = I /e. determine: a) /eb) VE' e) V•.84 Problema 14. determine: a) b) c) /•.* 11. 18.2 kQ V."'""" d) Determine le y V CE para la red de la figura 4.49. utilizando las siguientes ecuaciones: %tl. d) e) f) Ve- Q VE' V•.I c := / Cr"".~ . . 13. I c."'.55. 14.75. e) V•. Compare el porcentaje de cambio en leY VCE para cada configuración Ycomente sobre cuál parece ser menos sensible a los cambios en /3. d) R¡. 16V a) lV 3. 20.gura 4.83 Problema 13.6kU 1.83. Para la configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4.neo' I x e. f) R¡.68 U"l 8. Con la información proporcionada en la figura 4.~ .6 V ~=80 -+ VB ~A + V eE ~= 100 VE 0.p".82. 5. 9. Con la información que ofrece la figura 4. f) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCE usando las siguientes ecuaciones: %tl.p.J) 100%.5 Polarización por divisor de voltaje 12.59.7 kQ 62kU R¡ Ve tICQ t 20 le lBe VB + V CEQ R¡ 10. . g) En cada una de las ecuaciones anteriores.<. b) Cambie f3 a 135 y calcule el nuevo valor de le y VCE para la red de la figura 4.63.".9 Hl .2 kD.51. l.. a) DeterminelcY VCEpara la red de la figura 4.. e) Cambie ¡Ja 150 y determine el nuevo valor de leY VeEpara Ja red de la figura 4. determine: /e b) VE' e) Vee d) VeE . Figura 4.84./C'p. la magnitud de f3 se incrementó en un 50%.

CE'p. a) le b) Ver e) d) e) 3.33) y obsérvese si la suposición del inciso d es correcta.. +--=--ov. para la red del problema 12 (figura 4.85 utilizando la aproximación. Determine Ic".86. Determine la corriente de saturación (Ie". 23.3 kQ 39 kf2 lB' VE' VB .V eE = I veEIP"~'.64. o--JI--~----I 1. 17. 56.33) no esté satisfecha. e) Calcule f3 en el punto Q. * 19.78. * 17. Basándose en los resultados.21. detennine Rc y RE para la red del divisor de voltaje que tiene un punto Q de le := 5 mAy Ver: = 8 V.87 ... 470kn 220 kn el VE' '.P. Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCE utilizando las siguientes ecuaciones: %M c ~ I 1 c. ¿Qué conclusiones generales se pueden hacer respecto a las redes en las cuales se satisface la condición f3RE > IOR2 Y las cantidades le y VCE deben resolverse en respuesta a un cambio en f3? § ~ 4.. V CE r . utilizando el método ex. obsérvense las soluciones proporcionadas en el apéndice E. ¿cuál configuración es menos sensible a las variaciones en f3'? f +16 v 3. e) Basándose en los resultados del inciso d.'' . si R¡ = 24 kQ suponiendo que {3R E > ¡ORz.33).6kQ del 470kO: * 21. a) Determine le y VeE para la red de la figura 4. 5~F Figura 4. X %t:. ) para la red de la figura 4.p"". Para la configuración de retroalimentación de voltaje de la figura 4.33) cuando se determine qué método debe utilizarse. la figura 4.85 Problemas 16.5 kQ 1 .85.6 Polarización de de por retroaliinentación de voltaje ~. ¿es el sistema aproximado una técnica válida de análisis si la ecuación (4. calcule: a) b) d) le Ve VeE .82.2 kQ ¡ka 18. Compare las soluciones y' comente sobre si la diferencia es lo suficientemente grande como para requerir el respaldo de la ecuación (4. Utilice Vcc = 24 V y Rc = 3R E • o '-0 b) Encuentre Vt...33) está satÍsfecha? aunque la condición establecida por la ecuación (4. Repita el problema 16 empleando el sistema exacto (Thévenin) y compare las soluciones. f) Pruebe la ecuación (4. e lB. 8. b) Cambie f3 a 120 (50% de incremento) y detennine los nuevoS valores de le y VCE para la red de e) • 20. 50.2kU Problemas 22.¡ 1 100% X c.51 ka 22. a) Con las caractertsticas de la figura 4. Problemas 209 .87 Problema 23.86 60. Determine para la siguiente configuración de divisor de voltaje de la figura 4 .82.]W1< .82.' . - VCE.' 1 1ooo/c. 1 II Repita los incisos a a e del problema 20 para la red de la figura 4.82) con el método aproximado b) e) Figura 4. Para la configuración de retroalimentación del colector de la figura 4. a) Determine lc" ' VCE" e lB . determine: b) le e) Ve Figura 4.I Cr?-l"'. 6. e) Determine V B' d) Encuentre R].15. Cambie {) a 180 en el inciso b. Si no se llevó a cabo.acto.n. " d) Compare la solución del inciso e con las soluciones que se obtuvieron para e y problema 11. 18 v * 16. si se satisface la condición establecida por la ecuación (4. ~v 0.

2 kQ ~NV\.".90..91.. Dado VB ::..-N~~""" Ve 1MQ P=180 P=90 9.89 Problema 25..". determine: a) lB' b) le e) 13.91 Problema 27. d) * 28. Figura 4. %!>V CE = 1 Vcc . FIgura 4.1 kQ 330 kQ Ve + VeE VE 3. * 26. VCE ' lB' f) +22V 13 +12Y 18 v 9.* 24. 11 f y 20 c.' .7 Diversas configuraciones de polarización 27. e.o Ve = le 8V + 9. . calcule: a) lB' b) le e) Vcc ' Ve f6V ve d) 12kQ 3.89 empleando el potenciómetro de l-MQ. 210 . VeE .-h-. resuelva: a) b) e) d) e) VE' le Vc . 18 V Para la red de la figura 4.ll"I<.". a) Determine le y VCE para la" red de la figura 4.7 kQ 2.P.88.92 Problema 28.92.. Capítulo 4 Polarización en dc-B. Determine el rango de posibles valores para Ve para la red de la figura 4..1 elo""o. 1 x 100o/c.1 kQ j3 = 120 .. 1 x 100% VeE. Con Ve = 8 V para la red de la figura 4.p.lkQ fi .1 kQ 470 kQ ISO kQ 4.. - VCE """....p"rt. b) Cambie f3a 135 (50% de incremento) y calcule los nuevos niveles de le y VCE ' c) Resuelva la magnitud del porcentaje de cambio en le y VeE usando las siguientes ecuaciones: %!::J e == 11c.3 kQ \..Q t le + V e1=: r---"oIV".IT 15kQ -12 V Figura 4. " d) Compare los resultados del inciso e con las soluciones de los problemas 11 c.".. Figura 4. § 4.9 kQ 560 k. ¿Cómo se compara la red de retroalimentación del colector en función de las otras configuraciones respecto a la sensibilidad a los cambios en j3? 25.88 Problema 24.. Figura 4.90 Problema 26. 4 V para la red de la figura 4.

Incluya los efectos de V CE".97 para operar con una corriente de saturación de 8 mA empleando un transistor con una beta de 100. * 37. Con las características de la figura 4.95. Figura 4.93 Problema 29. Con las características de la figura 4. OY 5Y p= lOO ov F'lgura 4. Problemas 211 . = +VcC' Utilice V cc = 20 V. determine: 1é" b) Ve c) V cr +18V 6Y 330 kQ 5JükQ "Ie ~ 9.96.96 Problema 36..8 kD '-----+----0 -18 v Figura 4. a) Para la red de la figura 4. un transistor con una beta de 110.. Detennine la resistencia colector a emisor en saturación y en corte. 34.5 roA con V CE = 6 V.tores. Determine el nivel de VE e lE para la red de la figura 4. = 8 V. Q (1 33.78. Para la red de la figura 4. Calcule Rc y R B para una configuración de polarización fija si Vcc = 12 V. diseñe una configuración de divisor de voltaje que tenga un nivel de saturación de 10 mA. y un punto de operación de lc(. Utilice un nivel de lB igual a1120% de lB y valores es. § 4. Diseñe una red de polarización por divisor de voltaje utilizando una fuente de 24 V. Y un punto Q a la mitad entre el corte y la saturación.9 Redes de conmutación de transistores * 36. determine la apariencia de la forma de onda de salida para la red de la figura 4. Diseñe una red con estabilización en emisor a lc~ = flc. Elija VE = +Vcc Utilice valores estándar. * 31.93. cuando Vi = 10 V. Figura 4.4kQ 180 ka v. La fuente que está disponible es de 28 V Y VE Y debe ser un quinto de VCC' La condición establecida por la ecuación (433) también debe cumplirse para ofrecer un alto factor de estabilidad.94. Y determine lB' lB~. * 35. * 30.2 kD 1. y V ccQ lc = 10 mA. =4 mAy VCE (.94 -6\/ 10Y Problema 30. especifique: a) lB' b) le e) VE' d) Vet.8 Operaciones de diseño 32. Diseñe el inversor a transistor de la figura 4.97 Problema 37. § 4.5 kQ ]. """ 10 V 5Y v. Utílice valores estándar.78..tándar de resis. f3 = 80 e le = 2.95 Problema 31. IOV 2. FIgUra 4. Utilice los valores estándar.* 29.1 kQ + Ve P=130 ~= 120 + 510 kQ 1.. e le. f3= 120 Y Rc = 4RE • Utilice los valores estándar.

2kf! 1. ¿Cómo han cambiado tencendido y {apagado con el incremento de corriente del colector? e) Dibuje para los incisos a y b la forma de onda del pulso de la figura 4.Se incrementa o disminuye Ve si R B aumentó? b) ¿Se incrementa o disminuye le si f3 se incrementa? c) ¿Qué sucede con la corriente de saturación si f3 aumenta? d) ¿Se incrementa o disminuye la corriente del colector si Vce se disminuye? e) ¿Qué sucede a VCE si el transistor se reemplaza con uno con una {3 más pequeña? Hgura 4.7kn 470kn 470kn 4.38.05 V 1.6kn C.2 kíl ~---_-<O 18 kíl +Vee = 16 V 1.2 kn Re 3. 16V 16V 91 kn VB =9. Obsérvese cómo se utilizan las escalas logarítmicas y la posible necesidad de referirse a la sección 11.98 Problema 39.64 v 9------1 fi=IOO 4V 18kn 1.100 Problema 41.100: a) (.6 kn 91 kn 3. Para el circuito de la figura 4.10 Técnicas para la localización de fallas * 39. a) ~ § 4. b) Repita el inciso a para una corriente de 10 mA.99 revelan que las redes no están operando adecuadamente. * 40. En otras palabras. 41.99 Problema 40.7kn + 20V OV 0.2. Sea específico al describir por qué los niveles reflejan un problema en el comportamiento esperado de la red. 212 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT .2kf! C. Con las características de la figura 3 .56 y compare los resultados. Todas las mediciones de la figura 4. los niveles obtenidos señalan un problema muy específico en cada caso.4V 3.6 kn fi= 100 2. '.23c. Las mediciones que aparecen en la figura 4.2kf! 1. 20V 20V 20V 4. determine teTlcendido y tapagado para una corriente de 2 mA.7kn 470kn 20V 4. Enliste las posibles razones para las mediciones que se obtuvieron.) Cb) Figura 4.98 revelan que la red no está funcionando de manera adecuada.) Cb) Co) Hgura 4.

10 kQ 2. FIgura 4.102 Problema 43.101 Problema 42 . 45.2 kQ . a) ¿Qué le sucede al voltaje Vc si el transistor se reemplaza con uno que tenga un mayor valor de {3? b) ¿Qué le pasa al voltaje VCE si la terminal de tierra del reslstor Rs se abre (no se conecta a la tierra)? ' c) ¿Qué le sucede a le si el voltaje de la fuente es bajo? d) ¿Qué voltaje VCE debe ocurrir si la unión del transistor base-emisor falla al convertirse en abiera? e) ¿Qué voltaje V CE debe resultar si la unión del transistor base-emisor falla al convertirse en corto circuito? +Vcc = 20 V Re IOkQ V CC =+18V /3= 80 Re R.42..2 kQ 510 kQ Ve lB 82kQ ~c /3=2W + VCE 16kQ /3= 100 0.102. ¿qué le pasará a VE? e) ¿ Qué puede motivar que VCE tome el valor de cerca de 18 V? ..75 kQ . /3=90 Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4. 46.103.104. Figura 4. * 43. Detennine Ve e 1s para la red de la figura 4. § 4. Problemas 213 . -22 V -12 V 2.. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4. a) ¿Qué le sucede al voltaje Vc si el resistor Rs se abre? b) ¿Qué le pasa al voltaje VCE si f3 se incrementa debido a la temperatura? c) ¿Cómo se verá afectado VE cuando se reemplace el resistor de colector con uno cuya resistencia está en el extremo inferior del rango de tolerancia? d) Si la conexión del colector del transistor se abre..104 Problema 45.103 Problema 44. DetermÍne lEY V C para la red de la figura 4.1 05. Figura 4. Calcule Vc' VCE e lc para la red de la figura 4.. FIgura 4..105 Problema 46..101. Figura 4..11 Transistores pnp 44. .

64.· c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la cual Jos valores de los parámetros están especificados y j3(T. e) S({J) utilizando T1 como la temperatura en la que los valores de los parámetros 6stán especificados y f3(T. determine: a) S(lco).86. d) Detennine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de lea de 0.5 V Y un incremento de j3del25o/c. d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de 1ca de 0. Repita el problema 57 para la red de la figura 4.1. Repita el problema 61 para la red de la flgura 4. Esto es . S(lco).) como el 25% mayor que f3(T. Repita el problema 61 para la red de la figura 4.75. 55. una caída de VBE de 0.. o no existe un patrón general sobre los resultados? § 4.82. detennine: a) S(lco).79. b) S(VBE). detenrune lC' VCE e lB' 62. * 50. a) Compare los niveles de estabilidad para la configuración de polarización fija del problema 47 .7 Va 0. 56. 57.86.iAa 10 J1. 63. Para la red de la figura 4. Para la red de la figura 4.91. b) Compare los niveles de estabilidad para la configuración de divisor de voltaje del problema 49. c) ¿Cuáles factores de los inciso a y b parecen tener mayor influencia sobre la estabilidad del sistema. Lc~. d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de 'ca de 02 j.) como el 25% mayor que f3(T]).A.2 J1A a 10 J1A.82. 54. 59.5 V Y un incremento de f3 del 25%.79.75.A. ~~~.) como el 25% mayor que f3(T]).7 V a 0. * 48.l. Repita el problema 53 para la red de la figura 4.79. 214 Capitulo 4 Polarización en dc-BJT . 58. ¿Se pueden derivar algunas conclusiones generales a partir de los resultados? * 52.5 V Y un incremento de f3 del 25%. e) S({J) utilizando T) como la temperatura en la cual las valores de los parámetros están especifi- cados y {3(T2 ) como e125% mayor que {3(T 1). Repita el problema 57 para la red de la figura 4.75 utilizando BASIC. d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incremento de leo de 0. Lleve a cabo un análisis PSpice (versión OOS) de la red de la figura 4.7 V a 0. S(VBE). * 51.2 ~A a 10 j1A.determine IC' VCE e lB. Desarrolle un análisis de la red de la figura 4.5 V Y un incremento de f3 del 25%.7 V a 0. detennine: a) b) S(lco).§ a) 4. *Los asteriscos indican problemas más difíciles.75. Repita el problema 57 para la red de la figura 4. resultados para los ejercicios 47 y 49 pueden encontrarse en el apéndice E.. * 49. .79. Repita el problema 61 para la red de la figura 4. una caída de V BE de 0. una caída de VBE de 0. Para la red de la figura 4.82.82. Es decir. Determine lo siguiente para la red de la figura 4. Repita un análisis PSpice (versión Windows) para la red de la figura 4. c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la que los valores de los parámetros están especificados y f3(T.12 Estabilización de la polarización 47.2 ~A a 10 f. Compare los valores relativos de la estabilidad para los problemas 47 a150. 60.13 Análisis por computadora 53.86. Repita el problema 53 para la red de la figura 4. una caída de VBE de 0. b) S(VBE ). 61. Repita el problema 53 para la red de la figura 4.

+ (Voltaje de control) V GS FIgura 5. hay transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p.lb.1a es una función directa del nivel de lB' Para el FET la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada como se muestra en la figura 5. El ténnino "efecto de campo" en el nombre seleccionado merece cierta explicación. también es cierto que tienen muchas similitudes que se presentarán a continuación. De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp. los electrones y los huecos. en un caso se trata de un nivel de corriente y en el otro de un voltaje aplicado... a las del transistor BJT descrito en los capítulos 3 y 4.lb. Toda la gente conoce la capacidad de un imán permanente para atraer limaduras de metal hacia el imán sin la necesidad de un contacto real. la corriente le de la figura 5.. Para el FET un campo eléctrico se 215 . El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción o bien. el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de dos portadores de carga. de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p). es importante considerar que el transistor BJT es un dispositivo bipolar.1 (a) (b) Amplificadores controlados por a) corriente y b) voltaje. mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje como se muestra en la figura 5 . en una gran proporción.1 INTRODUCCIÓN El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en inglés de Field Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan. En otras palabras. la corriente del circuito de salida está controlado por un parámetro del circuito de entrada. La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente como se describe en la figura 5. Sin embargo. (Corriente de controi) 18 BJT FET ..1 a.CAPÍTULO Transistores de efecto de campo -----------------------IDDivp--5. El campo magnético del imán permanente envuelve las limaduras y las atrae al imán por medio de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo magnético con objeto de que sean lo más cortas posibles. Aunque existen importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos. En cada caso.

Por esta razón. sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas. Inglaterra PhD Gonville and Caius College. el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo importante y se dedican párrafos y secciones al impacto del uso de un JFET de canal-p. C. los mismos que describiremos. el JFET es un dispositivo de treS terminales. Por tanto. Gale).) Jan Munro Ross El doctor Ross nació en Southport. 216 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . el drenaje y la fuente se hallan conectadas a los extremos del canal de tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p. mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico a una terminal referida como lafuente (S) (por su sigla en inglés.la cual se asemeja a la región de un diodo sin polarización.2. Eta Kappa Nu establece mediante las cargas presentes que controlarán la trayectoria de conducción del circuito de salida. es decir. Uno de los rasgos más importantes del FET es una gran impedancia de entrada.las ganancia.2 CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET Como se indicó anterionnente. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms excede por mucho los niveles típicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistor BJT. para comparar algunas de las características generales de cada uno. Sin embargo. (Cortesía de AT&T Archives. El resultado es una región de agotamiento en cada unión. un punto muy importante en el diseño de amplificadores lineales de ac. En el análisis del transistor BIT se utilizó el transistor npn a través de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño. los arreglos de polarización se cubrirán en el capítulo 6. con una tenninal capaz de controlar la corriente de las otras dos. Existe una tendencia natural cuando se presenta un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones similar a uno que se dio a conocer previamente. Junction Field Elfect Transistor) y el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) (por las siglas en inglés de Metal-OxideSemiconductor Field Elfect Transistor). la variación en la corriente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT. Source). que la que produce en el FET para el mismo cambio de voltaje aplicado. como se muestra en la figura 5. Los dos materiales de tipo p se encuentran conectados entre sí y también a una terminal de compuerta (G) (por la sigla en inglés de. Integrated Circuits). En este capítulo se presentarán dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unión (JFET) (por las siglas en inglés de. Sin embargo. La categoría MOSFET se desglosa después en los tipos decremental e incremental. y los primeros son por lo general más pequeños en construcción que los BJT.Dacey El doctor Dacey nació en Chicago. Obsérvese que la mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma el canal entre las capas interiores del material de tipo p. lllinois PhD California Institute of Technology Director de Solid State Electronics Research de Bell Labs Vicepresidente de Investigación en Sandia Corporation Miembro de fRE. La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5. por tanto. El análisis que se desarrolló en el capítulo 4 utilizando' transistores BJT será muy útil para derivar las ecuaciones importantes y para el entendimiento de los resultados obtenidos para los circuitos a FET. Recuerde también que la región de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es. el transistor BJT tiene una sensibilidad mucho más alta a los cambios en la señal aplicada. Miembro de la National Science Board Presidente del National Advisory Committee on Semiconductors G.s normales de voltaje en ac para los amplificadores a BJT son mucho mayores que para los FET. Para el transistor JFET. C. Su estabilidad térmica y otras características generales lo hacen muy popular en el diseño de circuitos para computadoras. incapaz de soportar la conducción a través de la región. como elemento discreto en un encapsulado típico de sombrero alto. Durante la ausencia de cualesquiera potenciales aplicados el JFET tiene dos uniones pon bajo condiciones sin polarización. Tau Beta Pi. lo cual los hace mucho más útiles en los circuitos integrados (le) (por las siglas en inglés de. El transistor MOSFET se ha convertido en uno de los dispositivos más importantes en el diseño y construcción de los circuitos integrados para las computadoras digitales. Cambridge University Presidente emérito de AT &T BeU Labs Socio de IEEE. se debe manipular con cuidado (tema que se analizará en una sección posterior)~ Una vez que se hayan presentado la construcción y las características del FET. En general.2. Dacey desarrollaron juntos en 1955 un procedimiento experimental para medir las características de un transistor de efecto de campo. los FET son más estables a la temperatura que los BJT. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto óhmico a la terminal referida como el drenaje (D). Por otro lado. 5. las características de construcción de algunos FET los pueden hacer más sensibles al manejo que los BIT.Los doctores Jan Munro Ross y G. también se dedicó sólo una sección al impacto del uso del transistor pnp.

La "compuerta".2.2 Construcción y caracteristicas de los JFET 217 . = D Po CanaJ-n + Región de agotamiento 'N---~'-t'----. estableciéndose la corriente convencional ID con la dirección detlnida de la figura 5A.3 Analogía hídráulica para el mecanismo de control del ¡FET. El resultado es que la compuerta y la fuente tienen el mismo potencial y una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material-p similar a la distribución de la condición de sin polarización de la figura 5. En raras ocasiones son perfectas las analogías y a veces pueden causar confusiones.'otamienlo Hgura 5.4. mediante una señal aplicada (potencial). figura 5. y la entrada se conectó directamente a la fuente con objeto de establecer la condición VGS = O V.Drenaj¡. VGS Fuente Compuerta ofFr LDrenaje figul1l 5. La fuente de la presión del agua se parece al voltaje aplicado desde el drenaje a la fuente que establecerá un flujo de agua (electrones).4 JFET en Ves'" OV Y VDS>Ov. el flujo de carga se encuentra relativamente sin ninguna restricción y sólo lo limita la resisten~ cia del canal-n entre el drenaje y la fuente. En el instante en que se aplica el voltaje V DD (= VDS)' los electrones serán atraídos a ia tenninal del drenaje. = O V. 5. la analogía del agua de la figura 5.vés de la terminal de compuerta y acerca de lo adecuado de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo.3 proporciona cierto sentido sobre el control del JFET a tI ~.2 porque la terminología está definida para el flujo de electrones. (5) Región de a!. G + SG.: Contactos óhmico~ Canal-11 Cumpuerta(G) 0--'----1--1 Región de agotamiento ruentc. Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en los extremos opuestos del canal~n como en la figura 5. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las corrientes de drenaje y fuente son equivalentes (lD 15). controla el flujo de agua (carga) hacia el "drenaje". sin embargo. a través de la llave (fuente). Bajo las condiciones que aparecen en la fIgura 5. VDS algún valor positivo En la figura 5 A se ha aplicado un voltaje positivo VDS a través del canal.2 Transistor de efecto de campo de unión OFET).

6. porque ID mantiene un nivel de saturación definido como lDSS en la figura 5. La trayectoria de conducción reducida causa que se incremente la resistencia. Cuando VDS se eleva y se acerca al nivel referido como V p en la figura 5. D + Estrechamiento JI) I 1 xivel de saturación Vc. Si VDS se eleva a un nivel donde parece que las dos regiones de agotamiento se "tocan". este difícilmente es el caso.J. VDS'" Vp). la corriente aumenta como lo determina la ley de Ohm y la gráfica de ID en función de VDS aparece de acuerdo con la figura 5.4 se harán más amplias. Mientras más horizontal es la curva. Sin embargo. 218 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . El hecho de que le = O A es una característica importante del JFET. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n. En realidad.5 V. Pinch-off). En cuanto el voltaje VDS se incrementa desde O a unos cuantos volts. El OOffio de que la unión pon esté polarizada de forma inversa a través de toda la longitud del canal ocasiona una corriente en la entrada de cero amperes como se muestra en la misma figura. ov Figura 5. Recuerde a partir de la discusión de la operación del diodo.al-/1 s o Figura 5.6 v.5.7. la resistencia del canal se puede desglosar en las divisiones que aparecen en la figura 5. El resultado sería una pérdida de la distribución de la región de agotamiento que motivó el estrechamiento inicial. El resultado es que la región superior del material de tipo p estará polarizada de manera inversa con cerca de 1.7 Estrechamiento (Ves" OV. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal que se indican en la misma figura. El hecho de que ID no caiga con el estrechamiento y mantenga el nivel de saturación indicado en la figura 5.6. como se muestra en la figura 5.)l'.5 V. lo que ocasiona la curva en la gráfica 5. con la región inferior polarizada en forma inversa únicamente con 0. de ahí que la distribución de la región de agotamiento es como se muestra en la figura 5.6.5.5. más ancha es la región de agotamiento.6 se verifica con el siguiente hecho: la ausencia de una corriente de drenaje eliminaría la posibilidad de niveles de potencial diferentes a través del canal del material-n con objeto de establecer los niveles variantes de polarización inversa a lo largo de la unión pon. Figura 5. como se muestra en la figura 5. Es importante observar que la región de agotamiento es más amplia cerca de la parte superior de ambos materiales de tipo p.=OV G -(~ 1 [ Aumento de I~ resistencia debido al del canal + estrechamH~nt\) [ [ [ Re~lst<:ncia dd c. lo que sugiere que la resistencia está alcanzando un número "infinito" de ohms en la región horizontal. ocasionando una reducción notable en el ancho del canal. ID en función VDS para Ves'" O V.6. La razón por el cambio de tamaño de la región se describe mejor por medio de la ayuda de la figura 5. el término ·'estrechamiento·· es un nombre inapropiado que sugiere que la corriente ID se detiene y que cae a O A.6. resultará una condición referida como estrechamiento. que mientras mayor es la polarización inversa aplicada. La relativa rectitud de la gráfica indica que para la región de valores pequeños de VDS' la resistencia es en esencia constante. En realidad.5 Potenciales variables de polarización inversa a través de la unión pon de un JFET de canal·n. como 10 muestra la figura 5. las regiones de agotamiento de la figura 5. mayor la resistencia.6. Al nivel de VDS que establece esta condición se le conoce como voltaje de estrechamiento y se denomina como Vp (por su sigla en inglés. aún existe un pequeño canal con una corriente de densidad muy alta.

10 la manera en que el voltaje de estrechamiento continúa cayendo en una trayectoria parabólica confomle VGS se hace más negativo. 5. Eventualmente. Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control Ves se hace más y más negativo a partir de su nivel Ves::: O V. V p l. para todos los propósitos prácticos el dispositivo ha sido "apagado". pero el nivel de ID pennanece esencialmente constante.6 resultan afectadas por los cambios en el nivel de Ves' Figura 5.8 Fuente de corriente equivalente para VGS = OV. la corriente está fija en ID = 1DSS' pero el voltaje VDS (para aquellos niveles> Vpl está determinado por la carga aplicada. El nivel resultante de saturación para ID se ha reducido y de hecho continuará reduciéndose mientras Ves se hace todavía más negativo. Obsérvese en la figura 5.6 que Ves = O V para toda la curva. Mientras continúa la investigación de las caracterÍsticas del dispositivo.2 Construcción y caracteristicas de los JFET 219 . la terminal de la compuerta se hace a niveles de potencial más y más bajos en comparación con la fuente. foss t I I + VDS o ---+Carga O I DSS es la corriente máxima de drenaje para un JFET y está definida mediante las condiciones V GS = O V Y VDS> l. Por tanto. VDS> V po VGS<OV El voltaje de la compuerta a la fuente denotado por V GS es el voltaje que controla al JFET.10 para VGS -1 V. por otro lado. La elección de la notación IDSS se deriva del hecho de que es la corriente del Drenaje a la fuente (por la sigla en inglés de. Así como se establecieron varias curvas para JC en función de VCE para diferentes niveles de lB Y para el transistor BJT. En resumen: = + G Vos>ÜV + + S~ Agura 5. pero a ' niveles menores de VDS' Por tanto. Obsérvese también en la figura 5. Es decir. cuando VGS= -Vp . En la figura 5.IDDIVp Mientras VDS se incremente más allá de V p' la región del encuentro cercano entre las dos regiones de agotamiento incrementa su longitud a 10 largo del canal.8. una vez que VDS> VP' ellFET tiene las características de una fuente de corriente. Source) con una conexión de corto circuito (por la sigla en inglés de. se pueden desarrollar curvas de ID en función de VDS para varios niveles de Ves para el JFET. tenemos que: f o ::. Short) de la entnida a la fuente.9 se aplica un voltaje negativo de -1 V entre las tenninales de la compuerta y la fuente para un nivel bajo de VDS. Como se muestra en la figura 5.9 Aplicación de un voltaje negativo a la entrada de un JFET. El efecto del Ves aplicado de polaridad negativa es el de establecer regiones de agotamiento similares a las que se obtuvieron con V GS = O V. Los siguientes párrafos describen la manera en que las características de la figura 5. el resultado de aplicar una polarización negativa en la compuerta es alcanzar un nivel de saturación a un nivel menor de VOS como se muestra en la figura 5. Vas será lo suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturación que será en esencia OmA.

. . 1.. es una función del voltaje aplicado VGs ' Mientras lIGS se convierte en más negativo. En la mayor parte de las hojas de especificaciones. __ " :. La siguiente ecuación ofrecerá una buena y primera aproximación del nivel de resistencia en términos del voltaje aplicado V GS' (5.___-:-_.-~-."I: ~. . ' ...IJ-~.' :."-t.-~'.- 11 ~+-.. la ecuación (5. '.:: O V Y rd es la resistencia en un nivel particular de VGS' Para un JFET de canal-n con r.' "T • j Lti·· L • 0' :.10 es conocida como la región óhmica o de resistencia controlada por voltaje... Resistor controlado por voltaje La región a la izquierda del estrechamiento en la figura 5.. en este capítulo se revisará una hoja de especificaciones cuando hayan sido presentados los elementos básicos más importantes.a. como se muestra en la figura 5. correspondiendo a un nivel creciente de resistencia.__ Región .. I Región de saturación f-$~~~.. 220 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo ..I~-:"..2 con una inversión de los materiales tipo p y tipo n.11.. 5 10 15 '0 15 FIgUra 5.. =I\' o . saturación o región de amplificación lineal...1) dará por resultado 40 kQ en VGS = -3 V Dispositivos de canal-p El JFET de canal-p está construido exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal-n de la figura 5. -·_:·:. En esta región al JFET se le usa en realidad como un resistor variable (posiblemente para un sistema de control de ganancia automática) cuya resistencia se encuentra controlada por medio del voltaje de la compuerta a la fuente. La región a la derecha del estrechamiento en la figura 5. y se le refiere como la región de corriente constante.. y por tanto la resistencia del dispositivo entre el drenaje y la fuente para VDS < Vp .. I-i-J. Vp =-6 V).t-~~ _' I ! I . el voltaje de estrechamiento se encuentra especificado como VGS(apagado) en vez de Vp' Más adelante. Obsérvese en la figura 5. la pendiente de cada curva se hace más horizontal...'-" .10 que la pendiente para cada curva..10 Características del JFET de canal-n con loss '" 8 mAy Vp '" -4 V.ID (mA) 1 / Ubicación de los valore~ de estrechamiento ~ /..: .l0 es la región empleada normalmente en los amplificadores lineales (amplificadores con una mínima distorsión de la señal aplicada). ~ 7 6 5 4 3 . El nivel de V GS que da por resultado ID = O mA se encuentra definido por V GS = V p' siendo Vp un voltaje negativo para los dispositivos de canal-n y un voltaje positivo para los ]FET de canal-p.~..1 ) donde roes la resistencia con Ves. igual a 10 kQ (VGs=OV..

Se observa en los niveles altos de VDS que las curvas suben repentinamente a niveles que parecen ilimitados.D ~ I 'n + + ts f Figura 5.2 Construcción Y características de los JFET 221 . Aunque no aparece en la figura 5. El crecimiento vertical es una indicación de que ha sucedido una ruptura y que la corriente a través del canal (en la misma dirección en que normalmente se encuentra) ahora está limitada únicamente por el circuito externo.12. Ves =+2V Región de ruptura o ~5 ~1O ~lS -20 -25 Figura 5. y el diseño es tal. y la notación de doble subíndice para Vos' por tanto. Esta región puede evitarse si el nivel de VDS m ." • de las hojas de especificaciones. JFET de canal-p. Las direcciones de corriente definidas están invertidas. éste será estrechado mediante voltajes crecientes positivos de la compuerta a la fuente. No se debe confundir por el signo de menos para VD.la cual tiene una 1DSS de 6 mA y un voltaje de estrechamiento de Ves = +6 V.11. sucede para el canal-n cuando se aplica suficiente voltaje.12 Características del JFET de canal-p con IDSS '" 6 mAy Vp '" +6 V. como las polaridades reales para los voltajes Ves y VDS' Para el dispositivo de canal-p. que en nivel real de VDS es menor que el valor máximo para todos los valores de V cs' 5.' Éste simplemente indica que la fuente se encuentra a un potencial mayor que el drenaje.10 para el dispositivo de canal-n. dará como resultado voltajes negativos para VDS sobre las características de la figura 5.

Ce) 222 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .) Símbolos del JFET: a) de canal-n.14b. Otros. la corriente ID se encontrará en el rango entre IDSSY OA. S VDS s (b) Figura 5.13. Resumen Una cantidad importante de parámetros y relaciones se presentaron en esta sección. como se encuentra en la jigura 5. e) ¡D se encuentra entre OA ef.l3b). Para los voltajes de la compuerta a lafuente Ves menores que (más negativos que) el nivel de estrechamiento.lD " IDSS .14a . cuya referencia será frecuente en el análisis de este capítulo. 1 S ¡b) I[)=O A VD!) IVGGI~I (a) vpl D G OmA_ln</DSS < Figura 5. con objeto de representar la dirección en la cual fluiría IG si la unión p-n tuviera polarización directa. así como en el siguiente para los JFET de canal-n. D ves =. b) de canal-p. D D ·h G + G L + + + vc..l4c. Obsérvese que la flecha se encuentra apuntando hacia adentro para el dispo~vo de canal-n de la figura 5.13a.13 ¡. Se puede desarrollar una lista similar para los jFET de canal-p. la corriente de drenaje es igual a OA (ID = OA). b) corte (ID" O A) VGS es + S menor que el nivel de estrechamiento.V ee G D + V ee + Vc. respectivamente.14 a) Vcs " OV. como aparece en lajigura 5. Para todos los niveles de Ves entre O V Y el nivel de estrechamiento. se describen a continuación: La corriente máxima se encuentra dejinida como 1DSS y ocurre c:lando Ves = O V Y V DS ~ IV p I como se muestra en la jigura 5.DSS cuando VGS es menor o igual a O V Y mayor que el nivel de estrechamiento.Símbolos Los símbolos gráficos para los JFET de canal-n y de canal-p se presentan en la figura 5. La única diferencia en el símbolo es la dirección de la flecha para el dispositivo de canal-p (figura 5.

3) con stantes T William Bradford Shockley (19101989) coinventó el primer transistor y formuló la teoría de "efecto de campo" que se utilizó en el desarrollo de los transistores y el FET. La ecuación de la red puede cambiar con la intersección de las dos curvas. en general. En fanna de ecuación . y una gráfica de la ecuación de red que relacione las mismas variables. La relación entre ID Y Ves se encuentra definida por la ecuación de Shock/e)': ID ~ IDSS ..¡r=~. Profesor Poniatoff de Enginnering Science en Stanforc University Premio Nobel en física en 1956 junto con los doctores Brattain y Bardeen El ténnino cuadrático de la ecuación dará por resultado una relación no lineal entre ID Y Vcs' produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de V cs' Para el análisis en dc que será desarrollado en el capítulo 6. Sin embargo. pero la curva de transferencia definida por la ecuación (5. considerada como constante para el análisis que fue desarrollado. . Desafortunadamente.l5 se proporcionan dos gráficas lv(mAl 1010 9 9 //) (mA) -8 IDs~ __ - Ves=OV 11 Ves =-3 v Figura 5. 5. 0 I - ¡? es Vp )2 variable de control (5.lO.2) existe una relación lineal entre le e ¡ B" Si se duplica el nivel de 1H e le' se incrementará también por un factor de 2. Inglaterra PhD Harvard.15 VU _\=---4 V 5 10 15 20 25 Obtención de la curva de transferencia ·para las características de drenaje. Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuación de Shockley o a partir de las características de salida de la figura 5. La solución está definida por el punto de intersección de las dos curvas. esta relación Ilneal no existe entre las cantidades de salida y de entrada de un JFET.. En la figura 5.3) permanece sin resu\tar afectada. Es importante considerar al aplicar la aproximación gráfica que las características del dispositivo no serán afectadas por la red en la cual se utilice el dispositivo. la aproximación gráfica requerirá de una gráfica de la ecuación (5.5. (Cortesía de AT&T Archives).3) con objeto de representar el dispositivo.. Shockley nació en Londres.variable de control le ~ f( 8 ) ~ /¡PB i I (5.--_ _ _ _ _ _. Por tanto: Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no resultan afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo. un sistema gráfico más que matemático será.2) constante En la ecuación (5. 1936 Director del Transistor Physics Department .3 CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA Derivación Para el transistor BJT la corriente de salida fe y la corriente de control!B fueron relacionadas por beta.3 Características de transferencia 223 . más directo y fáci1 de aplicarse.BeU Laboratories Presidente de Shockley Transistor Corp.

se puede localizar otro punto sobre la curva de transferencia. existe una "transferencia" directa de las variables de entrada a las de salida. Las características de transferencia son una gráfica de una corriente de salida (o drenaje) en función una cantidad controladora de entrada.. definiendo otro punto sobre la curva de transferencia. Esto es: Cuando VGS = Vp. Por tanto. Aplicación de la ecuación de Shockley La curva de transferencia de la figura 5.con la escala vertical en miliamperes para cada gráfica.3): ID = IDss (. Compare el espaciamiento entre Ves == O V Y Ves = -1 V con aquel entt=e Ves = -3 V Yel estrechamiento. Si la relación fuera lineal.3) como una fuente de la curva de transferencia de la figura 5. Una es una gráfica de ID en funcÍón VDS' mientras que la otra es de ID en función Ves.~ Vp .::: -2 V Y-3 V se puede completar la curva de transferencia.15. Si se dibuja una línea horizontal desde Ves = -1 V hacia el eje ID Yluego se extiende hacia el otro eje. la corriente de drenaje es de cero miliamperes.l5 se demuestra mejor al examinar unos cuantos niveles específicos de una variable y encontrando el nivel resultante del otro de la siguiente manera: Sustituyendo VGS = O V da VGS~' Ecuación (5. En resumen: Cuando VGS = O V.0)2 e (5. es importante comprender que las características de drenaje relacionan una cantidad de salida (o drenaje) a otra cantidad de salida (o drenaje). la curva que resulta es parabólica.3). Obsérvese que en VGS = -1 V la curva de transferencia tiene un valor de ID = 4. La validación de la ecuación (5. ambos ejes están definidos por variables en la misma región de las características del dispositivo. ID = loss' Cuando Ves == Vp == -4V.4) 224 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .15. Los siguientes párrafos presentan un método rápido y eficiente para graficar ID en función Ves' usando únicamente los niveles de IDss y V p y la ecuación de Shockley.Con las características de drenaje a la derecha del eje "'y" es posible dibujar una línea horizontal desde la región de saturación de la curva denotada Ves == O Val eje ID' El nivel resultante de corriente para ambas g!'áficas es lDss' El punto de intersección en la curva ID en función Ves será el que se mostró antes. pero el cambio resultante en ID es bastante diferente. y no precisamente las características de drenaje de la figura 5. porque el espaciamiento vertical entre los pasos de Ves sobre las características del drenaje de la figura 5. Nótese que en la definición de ID cuando Ves == O V Y -1 V que se utiliza los niveles de saturación de iD Y la región óhmica se ignora. ya que el eje --vertical está definido como VGS == O V.5 mA. Antes de continuar.15 también puede obtenerse directamente a partir de la ecuación de Shockley (5. Seguimos con VGS. Precisamente es la curva de ID en función Ves la que recibirá un amplio uso en el análisis del capítulo 6. ID = O mA.15 decrece notoriamente mientras Ves se hace más y más negativo. . simplemente dando los valores de loss y VP' Los niveles de loss y V p definen los límites de la curva sobre ambos ejes y dejan la necesidad de encontrar sólo unos cuantos puntás intennedios. la gráfica de ID en función V GS sería una línea recta entre 1DSS y Vp ' Sin embargo. El cambio en Ves es el mismo. utilizando la curva a la izquierda de la figura 5.

podría resultar muy ventajoso tener un método manual rápido.15.15.5625) = -4 Y(l .15.::ul:.: ~1 V. Obsérvese el cuidado que se necesita tomar con los signos negativos de Ves 'J Vp en los cálculos anteriores. La pérdida de un signo daría un resultado totalmente erróneo. = .5)2 5.(5. utilizando álgebra básica se puede obtener [a partir de la ecuación (5.. Ves = Vp(l - ~ ID I Dss ) (5. de acuerdo con la determinación de la ecuación de Shockley: _ 12)2 __ 1DSsC0.25) = -1 V como se sustituyó en el cálculo anterior y siendo verificado por la figura 5.75) = -4 Y(0.5 mA para el dispositivo con las características de la figura 5.4 Y(l .3 Características de Transferencia 225 .6) Puede probarse la ecuación (5.0.o=--_ _ _ _ ----:===----. Debe resultar obvio a partir de lo anterior que dados Vos s y Vp (como normalmente se proporciona en las hojas de especificaciones) el nivel de ID se puede encontrar para cualquier nivel de Vcs' Recíprocamente.3) es tal. que los niveles específicos de Ves darán niveles de ID que podrán ser memorizados para proporcionar los puntos necesarios con objeto de graficar la curva de transferencia. Ves) ID = loss ( 1 .5) Para las características de drenaje de la figura 5.5625) = 4.5 mA -l Y)' ( -4Y 8mA(1 - ~)' =8mA(0.3)] una ecuación para el nivel resultante de Ves para un nivel dado de ID. Método manual rápido Debido a que la curva de transferencia debe graficarse con mucha frecuencia. Si se especifica que Ves sea la mitad del valor de estrechamiento V p' el nivel resultante de ID será el siguiente. La derivación es bastante directa y dará como re..- 2 Vp =8mAI--= 8 mA(0.15. con objeto de graficar la curva de la manera más eficiente mientras se mantenga un grado aceptable de precisión. El formato de la ecuación (5.-) 0. si se sustituye Ves.6) si se localiza el nivel de Ves que dará por resultado una corriente de drenaje de 4.:s.75)2 como se muestra en la figura 5.:t"ad::.

~ . Obsérvese el nivel de ID para Ves = Ve 12 = -4 V/2 = -2 V en la figura 5. En la mayoría de las ocasiones.293) (5.8) y VGS == o.6). El resultado especifica que la corriente de drenaje siempre será de una cuarta parte del valor de saturación 1DSS' mientras el voltaje-fuente sea de la mitad del valor de estrechamiento. Si se elige ID = I DSS /2 y se sustituye en la ecuación (5.::on la curva de transferencia completa.7) no es para un wel de V p en particular.1 f.-{65) = Vp(0.15. sino es una ecuación general para cualquier nivel de Vp mientras que Ves = V p12.=IDss /2 Pueden determinarse puntos adicionales.8 V. se encuentra que Ves =V p = Vp 0 ~) 0. En ID I Dss /2 12 rnA/2 6 mA el voltaje de la compuerta a la fuente se encuentra determinado por Ves'" 0.e (5.5Vp ID lDSS 1DSS/2 Ve l/Jss/4 DmA EJEMPLOS.7) Ahora es importante estar consciente de que la ecuación (5.I DSS IDSS IDSsI2) = Vp(l .{j v.1 VGS en función ID utilizando la ecuación de Sbockley Ves O O.1. Solución Los dos puntos de la gráfica están definidos por I DSS = 12 mA y y e ID = OmA En Ves = V p l2 =.{j V/2 =-3 V la corriente de drenaje está dada por ID =IDSs /4 = 12 mA/4= 3 mA. = = = = = 226 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . en el análisis del capítulo 6 se utiliza un máximo de cuatro puntos con objeto de trazar las curvas de transferencia. utilizando sólo el punto de la gráfica definido por Ves == V p /2 y las intersecciones de los ejes en 1DSS y Vp' se obtiene una Curva lo suficientemente precisa para la mayoría de los cálculos. Los cuatro puntos están bien definidos sobre la figura 5. TABLA 5. pero la curva de transferencia puede trazarse con un nivel satisfactorio de precisión utilizando simplemente los cuatro puntos definidos arriba y revisados en la tabla 5 . De hecho.3 (-6 V) -1.3 Vp 0..3vp l¡o..l Trazar la curva definida por I DSS = 12 mA y Vp = .3Vp O.

3 Vp = 0. Trazar la curva de transferencia para un dispositivo de canal-p con 1DSS.1.5 V.ID (mA) 12ID =/DSS=12mA 11 9 S 7 6 5 4 3 2 \lGS = Vp =-6 V "'" Figura 5. la ecuación (5.4 Hojas de especificaciones (JFEl) 227 .3) de Shockley puede todavía aplicarse exactamente como aparece. Para los dispositivos de canal-p. Los dos puntos de la gráfica aparecen en la figura 5.. La hoja de especificaciones para el JFET de cana1-n 2N5457 proporcionado por Motorola se ofrece en la figura 5.2.. 5. Ves = 0. y la curva tendrá la imagen en espejo de la curva de transferencia que se obtuvo para un dispositivo de canal-n y los mismos valores limitantes.3 (3 V) = 0. En ID = IDssl2 = 4 mAI2 = 2 mA. EJEMPLO 52 Solución En Ves = Vp l2 = 3 VI2 = 1. existen unos cuantos parámetros fundamentales que proporcionan todos los fabricantes.lD= I Dss l4 = 4mA14= l mA. l 8. En este caso. Los más importantes se analizan en los siguientes párrafos.4 HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFE1) Aunque el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar desde el mínimo absoluto hasta una gran cantidad de gráficas y tablas.16 Curva de transferencia O VGS -6 -5 -4 -3 -2 -1 para el ejemplo 5. 5.17 Curva de transferencia para el dispositivo de canaI~p del ejemplo 5..17 junto con los puntos definidos por medio de loss y Vp ' losS = 4 mA Vp =3 V o 2 3 Vp Figura 5.9 V. 4 mA y V p = 3 V. tanto Vp como VGS serán positivos.

Vos = O) 2N5457 CARACTERÍSTICAS ES PEQUEÑA SEÑAL Admitaneia de transferencia directa para fuente común' (Vos'" 15 'Vde.18 JFET de canal-n 2N5457 de Motorola. pF - 4.5 3.l o = 100.f= 1. Valores nominales máximos La lista de valores nominales máximos por 10 general aparece al principio de la hoja de especificaciones. 2N5457 - - CARACTERíSTICAS "ENCENDIDO" Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada" (VDS = 15 Vde.0 -200 Vdc -0.. Todo buen 228 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .5 Ves --6.V GS =O. 25 25 VOSR lo PD -25 Vdc mAdc mW JO JlO 2.f= LOkHz) Admitancia dI: salida para fuente común' (VDS = 15 Vde. L-.2N5457 VALORES !\'OMINALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje-fuente Voltaje drenaje-compuerta Voltaje inverso . Los niveles máximos especificados para VDS y VDG no deben excederse en ningún punto del diseño de la operación de] dispositivo...oho del pul'oO 5630 m" ciclo dc t. VGS =0.5 7..lo= lOnAdc) Voltaje compuerta fuente (Vos = 15Vdc.0 Vd.. ESTILO 5 TO-92 (TO-226AAl Símbolo VD' VDO Valor Lnidad Vd.0 I 10% Figura 5. de pul". T.~bajo:.5 -1. Vos =0. VGs=O. T A = 100°C) Voltaje de corte: compuerta fuente (VDS = 15Vdc. I Yh i 1000 pmho~ 2N5457 I 10 5000 pmho~ y.junto con los voltajes máximos entre las terminales específicas.0 MHz) Capacitancia ele transferencia inversa (Vos = 15 Vde.0 MHz) ·l'T1Jeb. nAde VGS(~p.0 pF 1 I 1.:ompuerta-fuente Corriente de la I:ompuerta Disipacion total del dispositivo @T A = 25 oC Pérdida de dlsipación arriba de 25 oC Rango de temperatura de la unión Rango de almacenamiento de temperatura del canal T.f= 1.uAdc) 2N5457 VIBRIGSS I GSS - -25 - - Vd. La fuente aplicada VDD puede exceder estos niveles.0kHz) Capacitancia de entrada (Vos = 15 Vdc. Vd.::'.l~ado) -2. C.: 50 e". VDS=O) Corriente inver'ia de la compuerta (Ves = -15 Vdc. VGS = O. pero el nivel real de voltaje entre estas terminales nunca debe exceder el nivel especificado.: ". f= 1.. los niveles máximos de las corrientes y el nivel máximo de disipación de potencia del dispositivo...~ E?\CAPSULADO 29-04. 125 -65a+150 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T" = 25 oC a menos que se especifique lo contrario) Característica CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura compuerta-fuente (iG=-IOtlAdc.82 mW/oC oC oC Refiérase al 21'04220 para ~ráficas. Vos =0) (V GS = :"15 Vdc.

Además los JFET se encuentran disponibles en encapsulado de "sombrero alto".82 m W/oC revela que el valor de disipación decrece en 2. pero si se fuerza a aceptar una corriente de la entrada podría soportar 10 mA antes de que suceda cualquier daño. se debe al proceso de fabricación. 2N2844 CÁPSULA 22-03. Las otras cantidades están definidas bajo las condiciones que aparecen entre paréntesis.:S l Fuente Región de operación La hoja de especificaciones y la curva definida por los niveles d$oestrechamientü a cada nivel de Ves definen la región de operación para la amplificación lineal sobre las características de drenaje como Se muestra en la figura 5. Características eléctrícas Las características eléctricas incluyen el nivel de Vp en las CARACTERÍSTICAS DE APAGADO e lDSS en las CARACTERÍSTICAS DE ENCENDIDO. pero por el momento reconocemos que el valor de 2. En algunas hojas de especificaciones es referido BV[)SS' el voltaje de ruptura con el drenaje y la fuente en corto circuito (VDS == O V) se encuentran referidas como BVDSS' Normalmente está diseñado con objeto de operar con le = O A.diseño intentará evitar estos niveles COn un buen margen de seguridad.0 e lDSS entre 1 y 5 roA. La región óhmica define los valores máximos permisibles de VDS en cada nivel de V CS' y VDS mh especifica el valor máximo para este parámetro. ESTILO 1::: To-n. 5. JFET DE USO GENERAL CANAL-P Hgura 5. (TQ-206AA) Construcción del encapsulado e identificación de terminales Este JFET en particular tiene la misma apariencia que proporciona la hoja de especificaciones de la figura S .19 con su identificación de tenninales.20 Región de operación normal para el diseño de amplificación líneal. como se muestra en la figura 5. La identificación de las terminales también se proporciona directamente debajo de la figura.19 Encapsulado de ~sombrero alto" e identificación de las terminales para un JFET de canal-p. Las características de pequeña señal se discuten en el capítulo 9. La disipación total del dispositivo a 25 oC (temperatura ambiente) es la máxima potencia que el dispositivo puede disipar bajo condiciones normales de operación y está definida por (5. El término inverso en V esR define el voltaje máximo con la fuente positiva respecto a la compuerta (como si estuviera polarizada normalmente para un dispositivo de canal-n) antes de que ocurra la ruptura. El hecho de que ambos tengan -una variación de dispositivo a dispositivo del mismo tipo.5 a -6.p"'do) tiene un rango entre -0. 3 Drenaje (encapsulado) com~o.20.82 mW por cada incremento en la temperatura de 1 oC arriba de 25 oC.9) Nótese la similitud en formato con la ecuación de disipación máxima de potencia para el transistor BJT.18. En este caso V p = VCs<.4 Hojas de especificaciones (JFE1) 229 . El factor de pérdida de disipación se analiza con detalle en el capítulo 3. ID Ubicació~ los nive~es de estrechamiento 1/ 1 \ \ FIgUra 5.

í ~ /7 '1. En este caso.. i .La corriente de saturación loss es la corriente máxima de drenaje. \ I I - I i I i . pero tomando en cuenta la distancia más pequeña entre las curvas mientras VGS se hace todavía más negativo. Sin embargo. \ " iV p =-3 VGS =-2V v Figura 5._.5 mI. por lo que quizá Vp == -3 V es una / I i ves= ov IDSS=9mA lI ¡ lDSS = 4.---_. tenga en cuenta que las curvas VGS se contraen muy rápidamente cuando se acercan a la condición de corte. Una instrumentación similar no está disponible con objeto de medir los niveles de I DSS y Vp . I .5 V/paso). 230 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . V p es cierto que es más negativo que -2 V Yquizá Vp se encuentre cercano a -2. como se muestra en la figura 5. ImA{ di" .--' IV t. Y finalmente -2 V._--_. 1 "" : Sensibilidad horizontal IV por división I ¡ j ! . i ! / Yt i"..21.5 V. ¿- i ! ! ! ! \ ! I . . Al dibujar una línea a partir de la curva superior sobre el eje ID se puede estimar el nivel de I DSS de cerca de 9 mA. hay instrumentos disponibles para medir el nivel de f3dc para el transistor BJT.-. Sin embargo.9 V) 1(.5 V.-gm 2m por división ~.2 (VGS = -0.. . y el nivel máximo de disipación de potencia define la curva dibujada de la misma manera que para los transistores BJT. 1 1 1 j .5 INSTRUMENTACiÓN Recuerde que. Yque la siguiente curva hacia abajo -0... V '-.• . I / . La escala vertical (en miliamperes) y la escala horizontal (en volts) se han ajustado para mostrar las características completas. 5. luego -1.5 V para el dispositivo de canal-no Con el uso del mismo paso de voltaje la siguiente curva es -1 V. cada división vertical (en centímetros) refleja un cambio de ¡-mA en le' mientras que cada división horizontal tiene un valor de ¡ V.21. \ ! ! ¡f ! -~ Sensibilídad vertical I i . el trazador de curvas presentado para el transistor BJT puede también mostrar las características de drenaje del transistor JFET a través del ajuste adecuado de varios controles.. El nivel de Vp se puede estimar si se observa el valor de Ves de la última curva hacia abajo. La región sombreada resultante es la región de operación normal para el diseño de amplificadores.- i i I -1 i . I .~_. ImA por división ! ! ! ! . f-I " I I ..L ____ ~--. lo que revela que la curva superior se encuentra definida por VGS == OV. 500 rnV- por paso - i I I i I 1---.1iv _. como se vio en el capítulo 3. El paso del voltaje es de 500 mV/paso (0. .. I \ 1 I . Para el JFET de la figura 5 .21 Características de drenaje para el transistor JFET 2N4416 como se presenta en un trazador de curvas.

.6 RELACIONES IMPORTANTES Una cantidad de ecuaciones importantes y de características de operación se presentaron en las últimas secciones. 5. mientras que las ecuaciones para el B1T se relacionan a la figura 5. = = = ID = IDSS 1 = 9 mA V)' ~ V - GS p f¡ _ -2 vV ~ -3 V! _ 1 mA como se fundamenta en la figura 5. -1 V. También es importante revÍsar que el control del paso se ajusta para una pantalla de cinco pasos limitando las curvas mostradas a VGS = O V. el nivel de Vp se puede estimar con un grado razonable de exactitud simplemente aplicando la condición que aparece en la tabla 5. así como una curva adicional entre cada paso de la figura 5. se repiten a continuación en seguida de su ecuación correspondiente para el transistor BJT. 1') s lb) E figura 5.10) {::} le" lE {::} VSE " 0.25 mA. En Ves = -2.3Vp ' Para las caracterÍsticas de la figura 5.21 se describen en el capítulo 8 cuando se examinen las condiciones de ac en pequeña señal.5 V Y -2 V. En un esfuerzo por aislar y enfatizar su importancia.22a. Si el control del paso se incrementa a 10.. luego VGS. Por fortuna.5 V. el cual será nuestra selección para este dispositivo. Esto es. Con esta información se encuentra que Vp Ves /O. con Vp = -3 V. el voltaje por paso se puede reducir a 250 mV = 0.1.21.3 -3 V. ID =I DSS/2 = 9 mA/2 =4. La curva Ves = -2.22 a) JFET contra b) BJT. y es tan visible en la figura 5.21.25 V se hubiera podido incluir.6 Relaciones importantes 231 . -0. Y la curva para Ves = -2. que en VGS:. JFET BJT (5. particulannente importantes para el análisis que sigue para las configuraciones de dc yac. lo cual revela con claridad cuan rápido las curvas se contraen cerca de Vp ' La importancia del parámetro gm y la forma en que se determina a partir de las características de la figura 5. -1.5 V la ecuación de Shockley dará por resultadoI D =0. cuando ID == 1 DSS /2.7 V 5.25 V hubiera indicado la rapidez con que las curvas se están cerrando una sobre la otra para el mismo paso de voltaje. -2 y.25 V.mejor elección.21 que el nivel correspondiente de Ves es de aproximadamente -0.9 V. Con este valor encontramos.22b.::: O.3 -0.21. Las ecuaciones JFET están definidas para la configuración de la figura 5.9 V/O.5 mA..

que es la base sobre la que se construye el dispositivo. El SiO. lB por lo general es el primer parámetro que debe determinarse. Las terminales de fuente y compuerta están conectadas por medio de contactos m~tálicos a las regiones dopadas-n unidas por un canal-n como se muestra en la figura. pero permanece aislada del canal-n por medio de una capa muy delgada de dióxido de silicio (Si0 2). Para el JFET normalmente es V cs' La cantidad de similitudes entre las configuraciones de dc para BIT y JFET se podrá apreciar mejor en el capítulo 6. Los MOSFETse desglosan más adelante en tipo decremental y en tipo incremental. La compuerta se encuentra conectada también a una superficie de contacto metálico. Recuerde que VBE = 0.23 MOSFET de tipo decrementa! de canal-n. En esta sección se examinará el MOSFET de tipo decremental. el cual tiene las características similares a aquel1as de un JFET entre el corte y la saturación en l DSS' pero luego tiene el rasgo adicional de características que se extienden hacia la región de polaridad opuesta para Ves' Construcción básica La construcción básica del MOSFET de tipo decremental de canal-n se proporciona en la figura 5. De forma parecida. En algunos casos el substrato se encuentra conectado interiormente con la teoninal de la fuente.P S (Fuente) Regiones dopadas-n Figura 5.7 V a menudo se tomó como clave para inicializar un análisis de una configuración a BIT. Sin embargo. Los términos agotamiento e incremental definen su modo básico de operación.23. Debido a que existen diferencias en las características y en la operación de cada tipo de MOSFET. Para la configuración BJT.23. dando por resultado un dispositivo de cuatro terminales.7 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Como se observó en la introducción del capítulo. como el que aparece en la figura 5. muchos dispositivos discretos ofrecen una terminal adicional etiquetada SS. se han cubierto en secciones por separado. existen dos tipos de FET: los JFET y los MOSFET. 232 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . mientras que la etiqueta MOSFET significa transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor. 5. Una placa de material tipo p está formada a partir de una base de silicio y se le conoce como substrato. es un tipo particular (Drenaje) D Canal-n Substrato Substrato . la condición le = OA es a menudo el punto de inicio para el análisis de una configuración a JFET.Entender bien el impacto de cada una de las ecuaciones anteriores es suficiente antecedente para atacar las configuraciones de de más complejas.

aun cuando la impedancia de entrada de la mayoría de Jos JFET es lo suficientemente alta para la mayoría de las aplicaciones.24 el voltaje compuerta-fuente se hace cero volts mediante la conexión directa de una tenninal a la otra.la tenninal de la compuerta y el control que ofrece el área de la superficie de contacto~el óxido por la capa aislante de dióxido de silicio y el semiconductor por la estructura básica sobre la cual las regiones de típo n y p se difunden. De hecho. la corriente resultante con Ves =:: O V se le sigue denominando Ioss' como se muestra en la figura 5. de entrada del dispositivo..de aislante conocido como dieléctrico que ocasiona campos eléctricos opuestos (como se indica por el prefijo di) dentro del dieléctrico cuando se expone a un campo externamente aplicado. Operación básica y características En la figura 5. El hecho de que la capa SiO::! es una capa aislante revela el siguiente hecho: No existe conexión eléctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de un MOSFET. ----- ss + Figura 5. El motivo de la etiqueta FET de metal-óxido-semiconductor es ahora mucho más obvia: metal por las conexiones del drenaje. fuente y compuerta a las superficies adecuadas en particular. muy deseable. lnsulated Gate). La capa aislante entre la compuerta y el canal ha dado por resultado otro nombre para el dispositivo: FET de compuerta aislada o IGFET (por las siglas en inglés de. El resultado es una atracción. . Adicionalmente: Se debe a la capa aislante de SiOl del MOSFET explica la alta impedancia.'l '" OV Y un voltaje aplicado Vnn. 5. La muy alta impedancia de entrada continúa soportando totalmente el hecho de que la corriente de la entrada (le) es en esencia de cero amperes para las configuraciones de polarización de dc. la resistencia de entrada de un MOSFET es a menudo igual a la del JFET nonnal. o .24 MOSFET de tipo decremental de canal-n con VG.7 MOSFET de tipo decrementa! 233 . y se aplica un voltaje Vos a través de las terminales del drenaje y fuente. por el potencial positivo del drenaje.25. aunque este nombre es cada vez menos utilizado en la literatura actual. para los electrones libres del canal-no y una corriente similar a aquella establecida a través del canal del JFET. De hecho.

Ves =-2-V 2 I'-_____________ \/c.25 para VGS = -1 V.. hasta el nivel de estrechamiento de -6 V. 234 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo ....26.. y creará nuevos portadores mediante la colisión resultante entre las partículas en aceleración.s= V. =-3 V -4V T VD.25 indica que la corriente de drenaje se incrementará de manera acelerada debido a las razones listadas arriba. Capa de SiO~ Canal-n Proceso de recombinaci6n G~---i Substrato de material-p +) Contacto metálico Huecos atraídos a! potencia! negativo en la compuerta + Electrones repelidos por el potencial negativo en la compuerta FIgUra 5_26 Reducción de portadores libres en el canal debido a un potencial negativo en la terminal de la compuerta....25 Características de drenaje y de transferencia para un MOSFET de tipo decrementa! de canal-n. Para los valores positivos de VGS la entrada positiva atraerá electrones adicionales (portadores libres) desde el substrato de tipo p debido a la corriente de fuga inversa.. El nivel resultante de corriente de drenaje es..---agotamIento Modo incremental -----I ms ~_------..Ve.. El potencial negativo en la entrada tenderá a presionar a los electrones hacia el substrato de tipo p (cargas similares se repelen) y atrae huecos del substrato de tipo p (cargas opuestas se atraen) como se muestra en la figura 5.3 V p -5 V O o I 2 Ves =Vp =-6V Figura 5.... Mientras el voltaje compuerta-fuente sigue aumentando en la dirección positiva. más alta será la tasa de recombinación.' -6 -5 --4 -3 -1 Vp Vp \1 0... reducida con la polarización negativa creciente de VGS como se muestra en la figura 5. Y así sucesivamente. -2 V. En la figura 5. por tanto.... Dependiendo de la magnitud de la polarización negativa que aplica V cs' sucederá un nivel de recombinación entre los electrones y los huecos que reducirá el número de electrones libres disponibles para la conducción en el canal-n.. = -1 \" _ . VGS tiene un voltaje negativo tal como -1 V. Mientras más negativa sea la polarización. la figura 5.26..-----...Ves = O \' _ . Los niveles resultantes de corriente de drenaje y la gráfica de la curva de transferencia se conduce exactamente igual a la descrita para el JFET..

3(-4 V) 15 14 todas las cuales aparecen en la figura 5.7 MOSfET de tipo decrementa! 235 . como lo muestra la figura 5. = = Trace las características de transferencia para un MOSFET de tipo decremental de canal-n con IDss ~ !O mAy Vp = -4 V. Esto es.23. Por esta razón la región de voltajes positivos de la entrada sobre el drenaje o las características de transferencia es a menudo conocida como la región incremental. ~ ID = IDSS ~ lOmA 4 4 = -1.27 Características de transferencia para un MOSFET de tipo decremental de canaJ~n con ~)SS:.-4 V) = 10 mA(l + 0. Las teITfÚnales permanecen como se encuentran identificadas.s figura 5. Las características de drenaje podrian aparecer iguales que en la figura 5.25. En este caso se intentará + 1 V de la siguiente manera: (. la cual posiblemente podría exceder el valor máximo (corriente o potencia) para el dispositivo. se tiene que ser conservador con la selección de los valores que deben sustituirse en la ecuación de Shockley. Como se dijo antes.2 mA. el usuario debe estar alerta del valor máximo de corriente de drenaje porque puede excederse con un voltaje positivo en la entrada. 10 mAy V p = -4 V. con la región entre el nivel de corte y de saturación de 1DSS denominada como la región de agotamiento. ID = = V =-4 V. +IV\' ~ !O mA~ . pero todas las polaridades de los voltajes y las direcciones de las comentes están invertidas.5625) 4 3 2 I DSS : 2 1 1 1 1 IDSS : la cual es lo suficientemente alta como para terminar la gráfica. p IDSS ID = lOmA ~ OmA VGS = Vp ~ -4V 2 IDSS 2 VGS = -2 V. Antes de graficar la región positiva de V Gs ' se debe tener en cuenta que ID aumenta con mucha rapidez con los valores mayores de V cs' En otras palabras. Para ambas regiones simplemente es necesario que se incluya el signo adecuado de Ves en la ecuación. y que el signo sea seguido con cuidado en las operaciones matemáticas.25. O +1 Yc. Esto es. pero -3 -2 -1 v. como 10 ilustra la misma figura. la aplicación de un voltaje positivo de la compuerta a la fuente ha "incrementado" el nivel de portadores libres en el canal comparado con aquel encontrado con Ves = O V.25 es una clara indicación de cuánto ha aumentado la corriente por el cambio en 1 volt en Ves' Debido al rápido incremento.2 V = 2. la aplicación de un voltaje VGS ~ +4 V podría dar por resultado una corriente de drenaje de 22. 5.28a.3V. -1 4 1 1 1 MOSFET de tipo decremental de canal-p La construcción de un MOSFET de tipo decremental de canal-p es exactamente el inverso del que aparece en la fIgura 5.3Vp 2 = 0.5 mA 17 16 yen ID = O. para el dispositivo de la figura 5. ~ !O mA(1. Es particularmente interesante y útil que la ecuación de Shockley siga aplicándose para las características del MOSFET de tipo decremental tanto en la región de agotamiento como en la incremental.27. ahora existe un substrato de tipo n y un canal de tipo p.25)' '" 15. EJEMPLO 53 Solución En VGS VGS = OV. 11: 2 LO.El espaciamiento vertical entre las curvas de Ves O V Y Ves + 1 V de la figura 5.63 mA .

La ecuación de Shockley todavía se aplica. con valores negativos de VDS' ID positiva como se indica (debido a que la dirección definida ahora está invertida) y V GS con las polaridades opuestas como se muestra en la figura 5. . + n ss 3 2 'f~--------------_VGS = +3 V Ves = Vp = +6 y (e) .Ves. mientras que en otros no 10 está. Para cada tipo de canal se ofrecen dos símbolos para reflejar el hecho de que en algunos casos el substrato se encuentra disponible en forma externa. La inversión en Ves traerá como resultado una imagen de espejo (con respecto al eje ID) para las características de transferencia como lo muestra la figura 5. canal-n canal-p (a) (b) Figura 5. la corriente de drenaje aumenta desde el corte en VGS Vp en la región positiva de Ves a 1DSS' y después c~mt..----------------ves __------------------ves =+\ V = +2 V V =+4 V es V =+5 V es -1 O -6 2 3 4 5 6 Vp (b) Ves O S (.) Figura 5. Obsérvese cómo los símbolos seleccionados intentan reflejar la construcción real del dispositivo.--. pero necesita sólo colocar el signo correcto tanto para V GS como para V p en la ecuación. el substrato y la fuente estarán conectados y se utilizarán los símbolos inferiores. La línea vertical que representa el canal está conectada entre el drenaje y la fuente y está "soportada" por el substrato. hojas de especificaciones y construcción del encapsulado Los símbolos gráficos para un MOSFET de tipo decremental de canal-n y p se proporcionan ~n la figura 5.inúa su crecimiento para valores negativos mayores de V GS. . y b) MOSFET de tipo decremental de canal-p.28b.28c.29. En otras palabras.29 Símbolos gráficos para a) MOSFET de tipo decremental de canal-n. 236 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . La falta de una conexión directa (debido al aislamiento de la entrada) entre la compuerta y el canal está representado por un espacio entre la compuerta y las otras tenninales del símbolo. Para la mayoría de los análisis que siguen en el capítulo 6.28 MOSFET de tipo decreme. = Símbolos.::: O V 5 4 G 0--_1.ntal de canal-p con IDSS := 6 roA Y Vp = +6 v.ID (mA) ¡D(mA) 9 D 8 7 6 ____-----------~S=-l V ~----------.

mejores condIcione." 2 I 1.- I ! I +175 -6S a +200 oC oC Rango de almacenamiento de temperatura dd Lanal CANAL-~-AGOTAM~ I I CARACTERíSTICAS ELÉCTRICAS (T.0 ID(cllCendido) 2. 20 ±JO Vdc /t~~. f = 1.5 pF CARACTERISTICAS FUNCIONALES Datos 'del ruido (Vos = 10 V...7 MOSFET de tipo decrementaI 237 .Z) 2N3797 (VDS = 10 V..CARACTERÍSTICAS EN PEQUENA SliNAL Admitancia de transferencia directa (VDS = 10 V.0MH. Los niveles de Vpe 1DSS se dan junto con una lista de los valores máximos y de las caracterís2N3797 ENCAPSCLADO 22-03. 20 200 1. f = 1.. ESTILO 2 TO-18 (TO-206AA) VALORES NOMISALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje·fuente 2N3797 Vahaje comput'rta-fucme Corriente del drenaje Disipación total del dispositivo @ TA = 25 "C Pérdida de disipación arriba de 25 oc Rango de temperatura de la unión V GS Símbolo Vos Valor t..0 kHz. VGS => O.pog¡1<!o) -5.0 1.ociada con el contacto de prueba y sus conexiones cuando se mide bajo la.umhos Capacitancia de entrada (\'os = 10v.Vos=O) (VGs-=~lOV.0. Figura 5.0 pAdc - - I Ioss 2N3797 CARACTERÍSTICAS "ENCENDIDO" Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada (Vos'" 10 V'V os ""0) Corriente de drenaje en el estado encendido mAdc 2. f = 1.14 mAdc mW mW¡OC .nidad Vd.0 1.Z) 2~3797 1". VOS == 0.30 MOSFET de tipo decrementa! de canal-n 2N3797 de Motorola. 2N3797 60 . 2N3797 100O V{BRIOSX 2i'\3797 lGSS Vcc 20 25 - pAdc - V GS(.ls-=. T..Z) Capacitancia de transferencia inversa (VDS = 10 V. - 6.1 1500 1500 2300 3000 - jlmhos 27 1Y" 1 C".0 kH.0 V.0 ¡.. 5."'"OC P. V GS == O. OG= 11.lA) Corriente inversa de la compuerta (1 J (VGs=-lOV.0 kHz) 2N3797 Admilancia de salida (Los = 10 V. Ves = +35 V) 2N3797 9.0 200 Vd. f = 1.Vos= 10V) Voltaje inverso drenaje compuerta (1) (.. alcanzildas. La hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo decremental es similar a la hoja de un JFET.uA. ID = 5.9 6..0 0.'0.Vos=O..) . T.8 0. t == 1.0 14 18 . Vos dB =0. f = 1. \los =0.t~ MOSFET DE AUDIO DE BAJA POTENCIA.0 MH.. -7.0 8. Rs = 3 megohms) (1) Es[e valor en I~ corriente incluye tallto Ja COlTiente de fuga del FET como la corriente de fuga a.TA -= 150°C) Voltaje de corte compuerta fuente (ID=2.0 MH.30 tiene tres tenninales identificadas en la misma figura.0 mAdc I I (VDS = 10 V. ..Z) pF C".El dispositivo de la figura 5. = 25 uc a meno~ que se especifique lo contrario) Característica Máximo Unidad CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura drenaje-fuente (Vos = -7. Ves = O.

31 la ausencia de un canal entre las dos regiones dopadas n. Las terminales de la fuente y drenaje se conectan una vez más por medio de contactos metálicos a regiones dopadas n.31. y la corriente de drenaje ahora está en corte hasta que el voltaje compuerta-fuente alcance Una magnitud específica. Entonces. el control de corriente en un dispositivo de canal-n ahora resulta afectado por un voltaje compuerta-fuente positivo en lugar del rango de voltajes negativos encontrados para los JFET de canal-n y los MOSFET de tipo decremental de canal-no Construcción básica La construcción básica del MOSFET de tipo incremental de canal-n se ofrece en la figura 5.ticas normales de "encendido" y "apagado". Para la unidad de la figura 5. el substrato algunas veces se conecta a la tenninal de la fuente. excepto por la ausencia de un canal entre las terminales del drenaje y la fuente.d(do) = 9 mA dc con VDS = 10 V Y VGS = 3. las características del MOSFET de tipo incremental son bastante diferentes de cualquier otro que hasta ahora obtuvimos. pero ahora está simplemente separada de una sección de material de tipo p. La curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley.8 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL Aunque existen muchas similitudes en la construcción y modo de operación entre los MOSFET de tipo decrementa} y de tipo incremental.31 MOSFET de tipo incremental de canal-no 238 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . De la misma forma que con el MOSFET de tipo decremental. La capa de SiO. aún está presente para aislar la plataforma metálica de la compuerta de la región entre el drenaje y la fuente. Esta es la diferencia primaria entre la construcción de los MOSFET de tipo decremental y los de tipo incremental: la ausencia de un canal como un componente construido del dispositivo. pero se observa en la figura 5. ya que l D se puede extender más allá del nivel de 1DSS' normalmente se proporciona otro punto que refleja un valor típico de ID para algún voltaje positivo (para un dispositivo de canal-n).30. Una placa de material tipo p se fonna a partir de una base de silicio y una vez más se le Conoce como substrato. Además. Región dopada-n Sin canal Contactos metálicos Substrato G SS S Región dopada-n F¡gura 5. Por tanto. l D está especificado como I D(oo". mientras que en otros casos hay disponible una cuarta tenninal para el control externo de su nivel de potencial.5 V. 5. la construcción de Un MOSFET de tipo incremental es bastante similar a la de un MOSFET de tipo decremental.

32 Formación del canal en el MOSFET de tipo incremental de canal-no 5. Tanto los MOSFET de tipo decrementa! como incremental tienen regiones de tipo incremental. En las hojas de especificaciones se le conoce como VGS(Th)' aunque VT es más corto y será utilizado en el siguiente análisis. Electrones atraídos por la compuerta positiva (canal·n inducido) Región agotada de portadores de tipo p (huecos) ss + Capa aislante HueCOS repelidos por la entrada positiva Figura 5. Mientras Ves aumente en magnitud. existen de hecho dos uniones p-n con polarización inversa entre las regiones dopadas n y el substrato p para oponer cualquier flujo significativo entre el drenaje y la fuente. estableciendo al drenaje y la compuerta a un potencial positivo respecto a la fuente.se fanna al "incrementar" la conductÍ. Ves es O V. la concentración de electrones cerca de la superficie de Si0 2 se incrementará hasta que una región inducida de tipo n pueda eventualmente soportar un flujo mesurable entre el drenaje y la fuente. El resultado es una región de agotarrriento cerca de la capa aislante de SiO z sin huecos. Threshold). como se muestra en la figura. Debido a que el canal no existe con Ves::: O V y. Y la tenninaJ SS se conecta directamente a la fuente. El potencial positivo en la compuerta presionará los huecos (porque las cargas iguales se repelen) del substrato p a lo largo del filo de la capa de Sial con objeto de dejar esa área y entrar a regiones más profundas del substrato p.8 MOSFET de tipo incremental 239 .32 tanto VDS como Ves están en algún voltaje positivo mayor de cero volts. la ausencia de un canal-n (con su generoso número de portadores libres) dará por resultado una corriente de cero amperes efectivos. Sin embargo. La capa de Si0 2 y sus cualidades aislantes evita que los portadores negativos sean absorbidos en la teOllinal de la compuerta. El nivel de Ves que resulta en un incremento significativo de la corriente de drenaje se le llama voltaje de umbral. este tipo de MOSFET se le llama MOSFET de tipo incremental. los electrones en el substrato p (los portadores minoritarios del material) serán atraídos a la entrada positiva y se acumularán en la región cercana a la superficie de la capa de Si0 2 . pero el nombre se aplicó al último debido a que ese es su único modo" de operación. En la figura 5. y se le da el símbolo de VT (parla sigla en inglés de.Operación básica y características Si Ves se hace O V Y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo de la figura 5.vidad mediante la aplicación de un voltaje compuerta-fuente. Si VDS es cierto voltaje positivo.31. una diferencia grande con el MOSFET y JFET de tipo decremental donde ID = IDss' No es suficiente tener acumulados una gran cantidad de portadores (electrones) en el drenaje y la fuente (debido a las regiones dopadas n) si no existe una trayectoria entre las dos.

34 revelan que para el dispositivo de la figura 5.33.otamiento D Substrato tipop Figura 5. cualquier crecilIÚento posterior en VDS y en el valor fijo de V GS no afectará el nivel de saturación de ID hasta que se encuentren las condiciones de ruptura.33 Cambio en la región de agotamiento y el canal con aumento en el nivel de Vos para un valor fijo de VGS - Si V GS se mantiene fijo en un valor tal como 8 Y Y VDS se aumenta de 2 Y a 5 y. causando una reducción en el ancho efectivo del canal. el voltaje [debido a la ecuación (5. es obvio que para un valor fijo de VT' mientras mayor sea el nivel de V cs' mayor será el nivel de saturación para Vos' como se muestra en la figura 5.33 por la localización de los niveles de saturación. En otras palabras. dando por resultado un nivel mayor de corriente de drenaje. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a los voltajes de las terminales del MOSFET de la figura 5. Eventualmente. Esta reducción en el voltaje de la compuerta al drenaje reducirá a su vez la fuerza de atracción para los portadores libres (electrones) en esta región del canal inducido. la densidad de los portadores libre en el canal inducido se incrementan.11) Estrechamiento (principio) Reg.111] caerá de -6 Y a -3 Y Y la entrada será cada vez menos positiva respecto al drenaje.33 con VGS = 8 y. 240 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . Las características de drenaje de la figura 5.Cuando VGS se incrementa más allá del nivel de umbral. la saturación ocurrió en un nivel de VDS ~ 6 Y. el canal se reducirá al punto del estrechamiento y se establecerá una condición de saturación como se describió antes para el JFET y el MOSFET de tipo decremental. se encuentra que (5. el nivel de saturación para VDS está relacionado con el nivel de VGS aplicado por V DG (5. como se muestra en la figura 5. De hecho.33. Sin embargo.ión de ag.12) Por tanto. si se mantiene Ves constante y sólo se aumenta el nivel de VDS' la corriente de drenaje eventualmente alcanzará un nivel de saturación así corno ocurrió al JFET y al MOSFET de tipo decrementa\. La saturación de ID se debe a un proceso de estrechamiento descrito por un canal más angosto al final del drenaje del canal inducido.

es una función de la fabricación del dispositivo.Vos=+6V j. ___________________________ VGS:: +5 V 2 o 5 V. a su vez. es bastante notorio que el espaciamiento entre los niveles de VGS aumentaron cuando subió la magnitud de Vcs' dando por resultado aumentos siempre crecientes en la corriente del drenaje. 6V 10 V 15 V ~ov 25V~ Figura 5.34 da =: (5.33. el nivel de saturación resultante para ID también aumenta desde un nivel de O mA a 10 mA. k = ____~ID~(~'"~C~en~d~id~O~)____ (VGS(encendido) Sustituyendo 1D(encendido) de la figura 5.278 X 1()-3 AN2 y una ecuación general para ID para las características de la figura 5. La figura 5.ID (mA) II 10 9 8 7f6 5 4 3 ~__---------------------------. = 0. 2 Vyk" 0. Por tanto: Para los valores de V GS menores que el nivel de umbral. la corriente de drenaje de un MOSFET de tipo incremental es de O mA.278 x 10-3 AjV2. el nivel de V T es de 2 Y.34 Características del drenaje de un MOSFET de tipo incremental decanal~n con V ".34 da por resultado: 5. es el término cuadrático que resulta de la relación no lineal (curva) entre ID y VGs ' El término k es una constante que.2 Y)' (6 Y)2 lOmA 10 mA 10 mA 36 y.13) Una vez más..14) - VT)2 10 mA donde VGS(encendido) =8 V a partir de las características k = ----=--= (8 Y . T Como se indicó para las características de la figura 5. Además. Para los niveles de VGs > Vr la corriente de drenaje está relacionada al voltaje compuertafuente aplicado mediante la siguiente relación no lineal: (5.34 indica que cuando el nivel de VGS se incrementa de VT a 8 Y. El valor de k se puede calcular a partir de la siguiente ecuación [derivada de la ecuación (5.13)] donde ID(encendido) y Ves(f':nccn(itr:U) son los valores de cada uno en un punto en particular sobre las características del dispositivo.8 MOSFET de tipo incremental 241 . por el hecho de que la corriente de drenaje ha caído a O mA.

13) para detenninar el nivel resultante de ID de la siguiente manera: 4 V)2 = 0. procede igual que en el ejemplo que antes presentamos para el JFET y el MOFET de tipo decrementa\. o 20 25\ v es =VT =2V vC.B mA como se verifica en la figura 5._.5mA 4 V)' = 0. Figura 5. En la figura 5.5 X 10-3(1)2 242 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . el dispositivo de canal-n (inducido) está totalmente en la región de VGS positiva y no aumenta hasta que Ves = VT' Surge entonces la pregunta sobre cómo graficar las características de transferencia dados los niveles de k y de Vp así como se incluye abajo para un MOSFET en particular: Primero se dibuja una línea horízontal en ID = O mA desde V GS = O mA a V GS = 4 V como se muestra en la figura 5.34.2 V)' = 0.13). 1[)(mA) ID (mA) '10 9 10 9 8 7 8 --------7 6 6 5 4 3 2 5 4 • 5 10 \les=+7V ---. La curva de transferencia de la figura 5. Y se sustituye en la ecuación (5. se encuentra que X ID = 0.35 es bastante diferente de aquellas otras obtenidas. Obsérvese que al definir los puntos de la característica de transferencia a partir de las características de drenaje.12).35 Trazo de las caracterfsticas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-n a partir de las características de drenaje.278 10._--_. En Ves == VTel término al cuadrado es O e ID == O mA. Sin embargo. las características de transferencia otra vez serán las que se utilizarán en la solución gráfica. limitando de tal modo la región de operación a niveles de VDS mayores que los niveles de saturación como se definió en la ecuación (5.278 x 10-3 (4 V ._- 3 2 Ves =+4V -------- Ves = +3 V 15 o 2 VT 3 4 5 6 7 8 VG.Sustituyendo VGS = 4 V.3(2)2 = 0. en este caso se debe recordar que la corriente de drenaje es de O mA para Ves ~ VT" En este momento una corriente que se puede medir será el resultado para ID Y crecerá como se definió en la ecuación (5.\.5 x 10-3(5 V = O. Ahora. Para el análisis en de del MOSFET de tipo incremental que aparece en el capítulo 6. En esencia.36a. sólo se utilizan los niveles de saturación.35 el drenaje y las características de drenaje y de transferencia se han colocado lado a lado para describir el proceso de transferencia tanto de una como de la otra. se elige un nivel de VGS mayor que VT' tal como 5 V.278 x 10.3 (4) = 1. Luego.

11) a la (5.36 Gráfica de las características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-n con k = 0. l{)=(mAl 8 7 6 3 4 " 2 O 2 3 4 V. Las características de transferencia serán una imagen de espejo (respecto al eje ID) de la curva de transferencia de la figura 5. Pueden aplicarse igual que las ecuaciones (5. como se muestra en la figura 5 . Las terminales permanecen tal como se indicaron.36 c. 7 V Y 8 Vel nivel de ID es 2 mA.35. 5.37a.8 MOSFET de tipo incremental 243 .8 7 6 5 4 8 7 6 5 4 3 3 2 2 O 2 3 4 \/T (a) 5 6 7 8 Ve.5 mA y 8 mA respectivamente. MOSFET de tipo incremental de canal-p La constnlcción de un MOSFET de tipo incremental de canal-p es exacto al inverso que aparece en la figura 5. 5 (e) 6 7 8 Ves I-igura 5.5 X 10-3 AjV2 Y VT = 4 V.31. ahora existe un substrato de tipo n y regiones dopadas-p bajo las conexiones del drenaje y de la fuente.36b. para Ves 6 V. O 2 3 4 5 (b) 6 7 8 Ves V.14) a los dispositivos de canal-p. pero están invertidas todas las polarizaciones del voltaje y las direcciones de corriente. 4.37b. como se muestra en la figura 5. como se = muestra en el diagrama resultante de la figura 5. Esto es. Por último se eligen niveles adicionales de V GS y se obtienen los niveles resultantes de ID' En particular. Las características del drenaje aparecerán igual que en la figura 537c. y se obtiene un punto en el plano. pero con ID creciendo con los valores cada vez más negativos de V GS después de Vp como se muestra en la figura 5. con niveles de corriente crecientes que resultan del incremento negativo de los valores de VGs .

tal para el canal-n y p.39 se proporciona la hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo incremental de canal-n de Motorola_ Se proporcionan la construcción del encapsulado y la identificación de las tenninales junto a los valores nominales máximos. y b) MOSFET de tipo incremental de canal-p. Una vez más podemos ver la manera en que los símbolos intentan reflejar la construcción real del dispositivo... los cuales incluyen ahora una corriente de drenaje máxima de 30 mA de.. La hoja de especificaciones ofrece el nivel de 1DSS bajo condiciones de "apagado". el cual es ahora de sólo 10 nA dc (cuando VDS = 10 V Y VGS = OV) comparado con el rango de miliamperes para el JFETy el MOSFET de tipo 244 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .37 MOSFET de tipo incremental de canal-p con VT : 2 Vy k = 0.38 se proporcionan los símbolos gráficos para los MOSFET de tipo increl _.... esta es la única diferencia entre los símbolos para los MOSFET de tipo decremental y de tipo incremental. En la figura 5..5 x 10--3 AjV2.lD= (mA) I{)=(mA) D 8 7 8 7 6 5 4 6 5 4 ___. hojas de especificaciones y construcción del encapsulado En la figura 5. Símbolos.Ves = -5 V n -o SS 3 3 2 2 -5 -4 + D (a) -3 -2 -1 VT (b) O Vas O (e) Figura 5...) G~1 JD G~9s (b) JD s s Figura 5. canal-n canal-p G~1 JD ss G~9s JD s (.38 Símbolos para a) MOSFET de tipo incremental de canal-n. De hecho. Se eligió la línea punteada entre el drenaje y la fuente para reflejar el hecho de que no existe un canal entre los dos bajo condiciones de no polarización.

VDS = 10 Vdc.13). CONMUTACIÓN DEL MOSFET CANAL·N.m\\' mW/oC oC oC 300 1.39 MOSFET de tipo incremental de canal-n 2N4351 de Motorola. ID 3 mA.INCREMENTAL T'l~ CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T A = 25 oC a menos que se especifique lo contrario) Característica CARACTERÍSTICAS "APAGADO" Voltaje de ruptura drenaje-fuente (ID = 10 IlA. En otras palabras.2N4351 VALORES ~OMINALES MÁXIMOS Clasificación Voltaje drenaje-fu~nte EI\CAPSULADO 20-03. - Admitancia de transferencia directa (Vos = 10 V. = 5.'1 . ID PD Valor 25 t:nidad Vdc Voltaje drenaje-compuerta Voltaje compuerta-fuentc' Corriente del drenaje Disipación total del dispositivo @ T.d. El voltaje de umbral está especificado ~omo V GS{Th) y tiene un rango de 1 a 5 V de. Los niveles que se dieron de VGS(Th). f == 1. VGS == O) T . 1. f = 140 kHz) k' C 1000 .V DS =0) CARACTERISTICAS "ENCENDIDO" Voltaje de umbral de la compuerta (Vos = 10 V. mAdc .0 ID(clICcnd..0 mA.umho 5.0 300 Resistencia drenaje-fuente (V GS '" 10V'!o=0.f= 140kHz) Capacitancia drenaje-substrato (V DISl.0 mA.7 175 -65a+175 T. 3.') Símbolo Vos V DG V(.OkHz) fd. 1.0 1.0 '" pF pF pF ohm~ C. 1D(encendido)' y VeS(enccndido) permiten determinar k a partir de la ecuación (5. = 25°C T".uA) Voltaje en encendido drenaje-compuerta (ID = 2.0 5 Vdc V mAd. ESTILO 2 TO-72 (TO-206A¡:.3 5. f= 140 kHz) Capacitancia de transferencia inversa (VDs=O. Cdl.ubl 1. En lugar de proporcionar un rango de k en la ecuación (5.V DS = 10 V) " CARACTERISTICAS EN PEQUENA SENAL - 10 10 :t 10 nAdc IlAdc pAdc less - VeS(Thl V OS(cnccnd. ID = 1O.0 mAdc.0 kHz) Capacitancia de entrada (Vos = 10 V.\ = 25 OC Pérdida de disipación arriba de 25 'C Rango dc temperatura de la unión Rango de temperatura de almacenamiento 30 30 30 Vd.. ns ns t d:. decremental.14) y escribir la ecuación general para las características de transferencia. 1. Vd. (Ver figura 9: veces que se detenninó el circuito) 100 "' Figura 5.8 MOSFET de tipo incremental 245 .9 se revisan los requerimientos de manejo de los MOSFET.= 150°C Corriente inversa de la compuerta (V Gs =± 15Vdc. Ves == Ol Símbolo I Mínimo 25 :\11íximo Unidad I V¡BRlDSX loss I - Vdc Corriente de drenaje con voltaje de cero en la compuerta (VDS = ro v. VGS =0. dependiendo de la unidad que se utlice. VGS = IOV) Corriente de drenaje en encendido (V Gs = lOV. se especifica un nivel normal de 1D(encendido) (3 mA en este caso) en un nivel de VGS1"OOndidO) en particular (lO V para el nivel especificado de lo)...VGs=O.f". cuando Ves = 10 V.J". (V Gs = lOVdc) " I 1.ccn«nd¡do' CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN Retardo de encendido (figura 5) Tiempo de subida (figura 6) Retardo de apagado (figura 7) Tiempo de bajada (figura 8) 1" - 45 6S 60 I n = 2. En la sección 5.l o = 2.BI = 10 V.

9 MANEJO DEL MOSFET La delgada capa de SiO. 3 mA (como se definió).39 un voltaje promedio de umbral de VGS(Th) = 3 V: a) El valor de k que resulte para el MOSFET.3 Y)' = . ¡D(mA) 8 7 6 5 4 3 2 o 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 J4 15 Ves Figura 5. que no eran necesarias en los transistores BJT o JFET.38 mA.Vr )2 AJV2 = 0.. Solución a) La ecuación (5.40 están trazadas las características de transferencia.~"d~id~O~)______ (VGS(encendido) - 3mA = -----= (JO Y . de tal forma que puede romper la capa y establecer la 246 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .4. En la figura 5. A menudo existe suficiente acumulación de carga estática (la cual se capta de los alrededores) que establece una diferencia de potencial a través de la delgada capa. 4. que se encuentra situada entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el efecto positivo de ofrecer una característica de alta impedancia de entrada para el dispositivo.3 Y)' Para Ves = 5 Y.13): lo = k(Ves .94 mA y 7.061 x 10-3 b) La ecuación (5.525 mA. 5.14): k = ______I~D~(.AN2 (7 y)2 49 3X 1{}" = 0.244 mA Para Ves = 8 Y. respectivamente. pero por esta capa extremadamente delgada se deben tener precauciones para su manejo.40 Solución al ejemplo 5.3 Y)' = 0.061 X 10-3(2)2 = 0. 12 Y Y 14 Y.EJEMPLO 5.061 x 10-3(5 Y ..4 Determine a partir de los datos proporcionados en la hoja de especificaciones de la figura 5.061 x 10-3(4) = 0.~"~.061 X 10-3(Ves . 10 Y. b) Las características de transferencia..ID será de 1. ID = 0.

41. la conexión de la superficie metálica a las terminales del dispositivo. Los niveles de transitorios con frecuencia pueden ser mayores de los que puede soportar el dispositivo.. A menudo existen ciertos transitorios (cambios bruscos en el voltaje o la corriente) en una red cuando los elementos son retirados o insertados cuando se encuentra encendido.42. Se puede superar esta carencia de un disposítivo con tantas características positivas mediante un cambio en la forma de construirlo de una naturaleza planar como la que se muestra en la figura 5. Todos los elementos del MOSFET planar están presentes en el FET vertical de metal-óxido-silicio (VMOS) (por las ini- ciales en inglés de Vertical Metal~Oxide-Silicon). Con el anillo la diferencia de potencial se mantiene en O V entre dos terminales cualquiera. por tanto. para la región de "encendido" positiva de un diodo semiconductor) a través del otro diodo. Normalmente se proporciona el voltaje compuerta-fuente máximo en la lista de valores nominales máximos del dispositivo. el Zener inferior se "disparará"" a 30 V Y el D --- superior se encenderá con una caída de cero volts (de fonna ideal. Por tanto. es muy importante que se deje el papel de embarque (o anillo) de corto circuito (o conducción) porque interconecta las terminales hasta que el dispositivo se va a insertar en el sistema.10 VMOS 247 . como se muestra en la figura 5. El anillo para corto circuito evita la posibilidad de aplicar un potencial a través de dos terminales cualquiera de) dispositivo. El resultado es un voltaje máximo de 30 V de la compuerta a la fuente. 5. U na desventaja que se presenta con la protección Zener consiste en que la resistencia de "apagado" de un diodo Zener es menor que la impedancia de entrada'que se estableció por medio de la capa de Si0 2 . Los diodos Zener están situados uno junto al otro para asegurar protección para cualquier polarización. la capa de Si0 2 entre la compuerta y la región de tipo p que se encuentra entre el drenaje y la fuente con el objeto de crear el canal-n inducido (operación en Terminales de la fuente conectadas de forma externa Longitud efectiva del canal n+(substrato) n+ Canal más ancho D + Figura 5. El resultado es una reducción de la resistencia de entrada. Un método para asegurar que no se exceda este voltaje (debido quizá a efectos transitorios) para cualquier polarización es mediante la introducción de dos diodos Zener. menos de 1 W) comparado con los transistores BJT.42 deunVMOS. siempre se debe mantener apagado el sistema cuando se haga cualquier cambio en la red. siempre se debe hacer tierra para permitir la descarga de la estática acumulada antes de manejar el dispositivo. ___ Figura 5. pero aun así es lo suficientemente alta para la mayoría de las aplicaciones. Construcción 5. La mayor parte de los dispositivos discretos tienen en la actualidad la protección Zener de tal fonna que los cuidados anteriores no resultan tan problemáticos. y siempre levantar el transistor por el encapsulado. Si ambos diodos Zener son de 30 V Y aparece un transitorio positivo de 40 V.10 VMOS Una de las desventajas del MOSFET típico consiste en los reducidos niveles de manejo de potencia (por lo general. Sin embargo. G -1 1 1 1 1 1 1 J S L.conducción a través de ella. todavía es mejor manejar con cautela los dispositivos MOSFET discretos. a una con una estructura vertical como la que se señala en la figura 5.41 MOSFET protegido por un Zener..23. Por lo menos.

el área de contacto entre la región n+ se incrementa mucho debido a la construcción vertical. 248 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . se define la longitud del canal mediante la altura vertical de la región p. pero a su vez permite una descripción de las facetas más importantes de su operación. El término vertical se debe básicamente al hecho de que el canal se encuentra ahora formado en la dirección vertical. Además. La aplicación de un voltaje positivo sobre el drenaje y de un voltaje negativo sobre la fuente con la compuerta en O V o en algún nivel positivo de "encendido" típico . 10 que contribuye a una reducción mayor en el nivel de resistencia y a una área mayor para corriente entre las capas dopadas. respectivamente. Otra característica positiva de la configuración VMOS es: Los niveles reducidos de almacenamiento de carga dan por resultado tiempos de conmutación más rápidos en la construcción VMOS comparados con los tiempos de la construcción planar convencional. La impedancia de entrada relativamente alta.42) en pequeñas fracciones de un micrómetro.11 CMOS Puede establecerse un circuito lógico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de canal-n sobre el mismo substrato. en vez de la dirección horizontal para el dispositivo planar.modo incremental). para los dispositivos de canal-p y de canal-n. las rápidas velocidades de conmutación. la longitud del canal está limitada de 1 a 2 micrómetros (pm) (1 pm = 10-6 m). los dispositivos VMOS tienen tiempos de conmutación menores de la mitad de los tiempos que se encuentran en el transistor BJT normal.42. Sin embargo. Por lo general: Comparados con los MOSFET planares disponibles en el mercado. Se observa a la izquierda el canal-p inducido y a la derecha el canal-n inducido.42 es muy simple en naturaleza al eliminar algunos de los niveles de transición de dopado. La configuración que se conoce como un arreglo complementario de MOSFET. Los coeficientes negativos de temperatura dan por resultado menores niveles de resistencia con Un incremento en la temperatura que aumenta los niveles de corriente y genera mayor inestabilidad de temperatura y avalancha ténnica.42. Por tanto. el nivel de disipación de potencia del dispositivo (potencia disipada en fonna de calor) se reducirá en los niveles de operación de corriente. y se abrevia CMOS. de corriente y de potencia. como 10 muestra la figura 5. y los bajos niveles de potencia de operación de la configuración CMOS dan por resultado una disciplina totalmente nueva que se le llama diseño lógico CMOS. causando con esto una reducción de la corriente de drenaje en vez de un incremento. Los niveles de resistencia se incrementarán si la temperatura del dispositivo aumenta debido al medio que lo rodea o a sus corrientes. 5. como se muestra en la figura 5. Además. Se pueden controlar las capas de difusión (de la misma forma que la región p de la figura 5.como el que se muestra en la figura 5. De hecho. Dado que las longitudes decrecientes de canal dan como resultado niveles reducidos de resistencia. Sobre un plano horizontal. . los FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores nominales. que puede ser mucho menor que el de un canal de construcción plano. tiene extensas aplicaciones en el diseño de lógica de computación. una característica importante de la construcción vertical es: Los FET VMOS tienen un coeficiente positivo de temperatura que atacará la posibilUlad de avalancha térmica. el canal de la figura 5. dará por resultado el canal-n inducido en la región angosta de tipo p del dispositivo. También existen dos trayectorias de conducción entre el drenaje y la fuente para contribuir a un mayor valor de corriente. como sucede con un dispositivo convencional. La construcción de la figura 5.42 también tiene la apariencia de un corte en V en la base del semiconductor. que se destaca como característica para la memorización mental del nombre del dispositivo.43. El resultado neto es un dispositivo con corrientes de drenaje que pueden alcanzar niveles de amperes con niveles de potencia que exceden los 10 W.

Figura 5. estará apagado con Vss . _-v . En el capítulo 17 se presentan más comentarios sobre la aplicación de lógica eMOS. = = V GS . Debido a que la corriente de drenaje que fluye en cada caso está limitada por el transistor "apagado" en el valor de fuga. Con 5 Ven Vi (respecto a la tierra).v. El nivel de resistencia resultante entre el drenaje y la fuente es muy alto para Q2' como se muestra en la figura 5 AS. - I Q] encendido MOSFET Q..44. Para un voltaje aplicado Vi de O V (estado O).44 que ambas entradas están conectadas a la señal de entrada y los dos drenajes a la salida VO ' La fuente del MOSFET de canal-p (Q. oVu=OV (estado O) Q} apagado R]VSS + 5V (estado 1) V" = .== O V (estado O) R] + R~ L-~"""1 + Ves. como se muestra en la figura 5. un nivel de entrada de O V dará por resultado un nivel de 5 V Y viceversa. O V Y Q. El resultado consiste en que Q. Como muestra la figura 5. está "encendido". Figura 5. un inversor es un arreglo complementario de uso muy efectivo.44 Inversor CMOS.44. S. Se absenta en la figura 5.. Ves. \. encendido" p MOSFET de canal-n Figura 5..1era que se presentó para los transistores de conmutación. Una aplicación simple de la regla del divisor de voltaje indicará que V u se encuentra muy cerca de O V o en el estado O. estableciendo el proceso de inversión deseado. encendiendo el MOSFET de canal-p.) está conectada directamente al voltaje aplicado Vss ' mientras que la fuente del MOSFET de canal-n (Q. la aplicación de 5 V en la entrada deben dar por resultado una salida aproximada de O V.. Esto es. la potencia que disipa el dispositivo en cada caso es muy bajo.43 CMOS con las conexiones indicadas en la figura 5._t ~ V . = O V. Para los niveles lógicos definidos arriba. -5 V. v. dando por resultado una resistencia muy baja entre el drenaje y la fuente. si los niveles lógicos de operación son O V (estado O) y 5 V (estado 1). lo cual es menor que el VT necesario para el dispositivo y da por resultado un estado "apagado".l! CMOS 249 . de cana!-n .. presentará un 'pequeño nivel de resistencia y Q¡ una gran resistencia y Vo == Vss = 5 V (el estado 1). Ves. V GS.. = Vi Y Q. "encendido" '----v MOSFET de canal-p Substrato de típo n '-.45.) está conectada a tierra. un inversor es un elemento lógico que "invierte" la señal aplicada.s=5V MOSFET de canal-p + Q. De l~ misma mai. Ya que Vi y Vss están en 5 Y.45 Niveles relativos de resistencia para VI'" 5 V (estado 1).

: (1 .ID=ls ~: ( MOSFET tipo decremental (canal-n) I Dss .10) pF -f-- : vp O V 2 lo=IDSS 1-~ eJ vp V. Entender bien todas las curvas y parámetros de la tabla ofrecerá una formación suficiente para los análisis en de y ac que siguen en los capítulos 6 y 8.ID =ls rD ~~: ( MOSFET tipo incremental (canal·n) ) f DSS I DSS Vp ID=IDSsl-Vp eJ V ' V.. > 10 1O .3 T Ves lo=OA./D=Is G u k= 9 S JDVT I VGS(=ndido) D(~~"dido) (n? .ncendido) ._--}: -------I I R. / ID .2 Transistores de efecto de campo Tipo JFET (canal-n) ID 1DSS -SímboloRelaciones básicas I Curoa de transferencia Resistencia y capacitancia de entrada IG=OA.do) : O V GS(Th) V GSlcnccndldo) Ves (VGS(.5.: (1 .VGS(Th? 250 Capitulo 5 Transistores de efecto de campo . Tome un momento para asegurar que se reconoce cada curva y que está clara su derivación. de los niveles de los parámetros importantes deR i y ei · TABLA 5. 0.Q C. (1 . y después establezca una base de comparación para cada dispositivo. I I I I I I I Ri> lOlOQ C.10) pF O Ves Ves Ic=OA.2 se desarrolló para presentar de manera clara las diferencias entre un dispositivo y otro debido a que las curvas de transferencia y algunas características importantes varían de un tipo de FET a otro.Ves / D(cncend..12 TABLA RESUMEN La tabla 5. I I I --2 loss 4 'oss vp R¡> 100 Mil C.10) pF I ID = k(Ves .

Los nodos a los cuales se conectan las terminales están listados en el orden en que aparecen en el ejemplo anterior. que es un designador para JFET.5 X 10-3 AN'. junto con las ecuaciones de la red con el objeto de obtener una solución matemática.slb en el listado de Partes (Get New Part).3) especificaciones de parámetros nombre del modelo El . VTO es el voltaje de umbral que se especifica normalmente como Vp. se generarán los valores ')ue aparecen en la instrucción anterior del modelo. lo cual permite un ajuste relativamente fácil al análisis de las redes que contienen una gran variedad de elementos. Ambas instrucciones aparecerán en un análisis de PSpice que se desarrollará en el capítulo 6 en una configuración de divisor de voltaje. Se puede especificar una selección de hasta 14 parámetros. Como se mencionó para la configuración a BJT. En el capítulo 6. Sin embargo. el análisis procederá de la misma forma que el sistema manual. 5.BETA no es la f3 definida para los transistores BJT sino la que se determina en la siguiente ecuación: (5. El siguiente es el formato para la descripción del. Por último. PSpice (versión DOS) Para PSpice se debe utilizar un formato específico para introducir los parámetros JFET de manera adecuada.5. los JFET están listados en la biblioteca eval. mientras que PJF explicaría un JFET de canal-p. El nombre consiste de la literal J. si Vp = -4 V e 1DSS = 8 mA. Continúan las similitudes para una amplia variedad de dispositivos. para estos propósitos será suficiente especificar VTO y BETA. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Para la versión de PSpice para Windows. Se debe empezar a reconocer la similitud de las instrucciones utilizadas para tener acceso a los parámetros a la red. NJF especifica que se trata de un JFET de canal-n. se debe introducir el nombre del modelo con objeto de proporcionar una ubicación que definirá los parámetros del JFET. el BASIC se utiliza para investigar una de las configuraciones del amplificador JFET más comunes. El formato para un dispositivo de canal-p o n es el siguiente: JI 3 D G 4 JN nombre del modelo nombre S El formato es muy similar al que se usa para el transistor BJT. Esto es. modelo: .13 Análisis por computadora 251 .MODEL requerido es seguido por el nombre del modelo como se listó en la instrucción anterior.MODEL JN ·NJF(VTO =-4V.SE .13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA El análisis por computadora de un amplificador a FET en el modo dc utilizando BASIC necesita que se utilice la ecuación característica para el dispositivo que se utilizará. BETA = . VTO =-4 Vy BETA =IDss/1 Vp l' = 8 mAl (4V)' =8 mAl 16 V' = 0. Se utiliza el mismo procedimiento para colocar un JFET sobre la pantalla esquemática que el descrito para los transistores en los capítulos 3 y 4.15) Por ejemplo. junto con el número l. En el capítulo 6 se explicará la especificación de VTO y de BETA para el JFET seleccionado.

a) VGs=OV.8 V.10. Determine VDS para Ves = -1 Ve ID::. 2.10. b) Aplique la polarización correcta entre el drenaje y la fuente y dibuje la región de agotamiento para VGs=OV.. b) Utilizando la figura 5. Usando los resultados del inciso e. b) VGs=-IV. = -4 V. con Vp al definir la región no lineal en los niveles bajos del voltaje de salida. ¿Cómo reacciona le ante los niveles crecientes de lB contra los cambios en ID respecto a jos aumentos negativos en los valores de V GS? ¿Cómo se comparan los espaciamientos entre los pasos de lB con los espaciamientos entre los pasos de VGS? Compare Ve . b) ¿Por qué es tan alta la impedancia de entrada a un JFET? c) ¿Por qué es adecuado el ténnino efecto de campo para este importante dispositivo de tres tenninales? 7.PROBLEMAS § 5.: -2 Velo = 1.5 mApara VGs =-2 y. a) Describa con sus propias palabras por qué. Dados 1DSS = 12 roA YIVpi = 6 V. d) e) f) V GS VGS =-1. c) Compare las características de los incisos a y b.SY.: -1 V utilizando la ecuación (5.46 para establecer los valores de 'DSS y Vp . Dadas las características de la figura 5. Con 'las características de la figura 5.5 mA. e) ¿Existe un cambio marcado en la diferencia en los niveles de corriente cuando VGS se aumenta en fonna negativa? f) ¿Es lineal o no lineal la relación entre el cambio en VGS Yel cambio que resulta en ID? Explique.10: a) Precise la diferencia de comente de drenaje (para VDS> V p ) entre V GS = O V Y V GS = -1 V. ¿Existen algunas diferencias importantes? 252 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo . dibuje las características de transferencia utilizando la ecuación de Shockley. calcule la resistencia del JFET para la región ID::. ¿aparenta la ecuación (5.2 Construcción y características de los JFET 1.10). l G es efectivamente igual a cero amperes. calcule la resistencia del JFET para la región ID = O mA a 6 mApara Ves=Ov. trace una distribución probable de las curvas características para el JFET (similar a la figura 5. Basándose en los resultados de los incisos g y h. 6 mA utilizando las características de la figura 5. 6. Con los resultados del inciso e. 3. O rnA a 3 mApara Ves =-l V. ¿Cuáles son las diferencias principales entre las características del colect. 5. y compare los resultados con el inciso f.46: a) Trace las características de transferencia directamente a partir de las características de drenaje.a. a) b) e) d) e) D g) h) i) VGs =-6Y. Con los resultados del inciso a. c) Haga otra vez el inciso a entre VGS = -2 V Y-3 V. a) Dibuje la construcción básica de un JFET de canal-p. e) VGs =-I. En general. Repita el inciso g para V GS= -2 V utilizando la misma ecuación.1) ser una aproximación válida? 4. calcule la resistencia del JFET para la región JD = O mA a 1. para un transistor JFET. 8. b) Repita el inciso a entre V GS = -1 V Y-2 V. Después de definir el resultado del inciso b como T o ' precise la resistencia para VGS .)r de un transistor BJT y las de drenaje de un transistor JFET? Compare las unidades de cada eje y la variable de control. § 5.1) y compárela con los resultados del inciso d. 3 mA. Detennine VDS para V GS::. Calcule VDS para Ves = O V e ID::. comente acerca de la polarización de los varios voltajes y la dirección de las corrientes para un JFET de canal-n contra un JFET de canal-p. Utilizando las características de la figura 5. d) Repita el inciso a entre VGS = -3 V Y -4 V. determine ID para los siguientes niveles de Ves (con VDS> V p ).3 Características de transferencia 9.

46 Problemas 9.46 si Vos max .Esto es.18 utilizando el rango proporcionado de I DSS y Vp. determine loss si V p = -6 V. Defina la región de operación del JFET de la figura 5.6 V. dibuje las características de transferencia utilizando los datos de los puntos de la tabla 5 .21. d) VGs=-S V 12. Repita lo anterior para Ves:. Un JFET de canal-p tiene parámetros del dispositivo de loss = 7.. a) Dados 1DSS = 12 mA y V p = -4 V. ¿se encuentran los valores de estrechamiento definidos por la región VDS < IVpl =3V? 20. Precise e1 va10r de 1D a partir de la curva. 17. Problemas 253 . Defina la región de operación del JFET 2N5457 de la figura 5. determine ID cuando Ves = --0.i. Al referirse a la figura 5. Determine V p para las características de la figura 5. Dados I DSS = 6 mAy Vp = -4. sólo sustituya en la ecuación de Shockley y resuelva para Vp.5 Instrumentación 18. 11. 19.::: -1 V. b) Determine Ves cuando ID = 3 mA y 5. 13. 14.Compare el resultado con el valor supuesto de -3 V de las características.5 V.6 v VDS (V) O 15 20 25 Figura 5. 17.21. dibuje la curva de transferencia definida por elloss y Vp máximos y la curva de transferencia definida por ellDSS y V p mínimos.:: 25 V YP Om. Dado un punto Q en IDQ = 3 mA Y Ves = -3 V.7 V Y VDS = 10 V. Dados loss = 16 mA y V p =-5 V. Dados Ioss=9 mAy Vp =-3.5 mA y V p = 4 V.4 Hojas de especificaciones (JFE1) 16. Trace las características de transferencia. 10. Con el uso de las características de la figura 5.ID (mA) VGS=üV IÜ 9 8' 1/ 1 -IV 7 6 5 4 1/ I I 2V f-- 3 2 . cuando VGS -= -3 V Y compárelo con el valor determinado al utilizar la ecuación de Shockley.21 utilizando loss e ID en algún valor de VGS' Esto es. b) trace las características de drenaje para el dispositivo del inciso Q. = 120 mW.5 mA. dibuje las características de transferencia para el transistor JFET. § 5.5 V: a) Calcule ID cuando Ves =-2 Vy -3.5V.detennine ID cuando: a) VGs=OV b) VGs =-2V el VGs =-3. 15. § 5. 4V I SV 5 10 . Señale después el área resultante entre las dos curvas. I _1 -3V .1.

8 x 10. ¿cuál es el valor máximo permisible de VDS si se utiliza el valor nominal máximo de potencia? § 5. 27. a) Dibuje la construcción básica de un MOSFET de tipo decremental de canal-p. Compare la diferencia con los niveles de corriente entre -1 y OV con la diferencia entre 1 y 2 V.8 MOSFET de tipo incremental 32. 34.1) para determinar r d y compárelo con el resultado del inciso b. 24. Ves> V r ) e indique el canal. 5 V Y 10 V.9 mA para el I DSS del MOSFET 2N3797 de la figura 5. expresión general para ID en el formato de la ecuación (5.4 X 10-3 AJV'. determine V r 37. Dadas las características de transferencia de la figura 5. a) Calcule la resistencia asociada con el JFET de la figura 5. 254 Capítulo 5 Transistores de efecto de campo .30 es de 8 mA.21.7 MOSFET de tipo decremental 23. 30. utilice la ecuación (5. a) Dado V GS(Th) = 4 Ve lD(encendido) == 4 mA cuando Ves(encendidO) = 6 V. a) Trace las características de transferencia y de drenaje de un MOSFET de tipo incremental de b) Repita el inciso a para la característica de transferencia si se mantiene V T en 3. calcule lo cuando Ves = -1 V usando la ecuación de Shockley y compárela con el nivel que aparece en la figura 5. Si la corriente de drenaje para el MOSFET 2N3797 de la figura 5. e) Con sus propias palabras. la corriente máxima de drenaje es de 30 mA.5 pero k se incrementa el 100% a 0.3 AN2. Dados k == 0. Dado ID:.21. determine k y escriba la b) e) 35. 29. 22.5 Vy k ~ 0. 31. Dado un MOSFET de tipo decremental con IDSS =6 mA Y Vp =~3 V. 1 V Y 2 V. OV. detennine 1DSS si Vp = -5 V.21. determine Vpsi I DSS= 9. describa brevemente la operación básica de un MOSFET de tipo incremental.21a para V GS = O V desde ID = O rnA hasta 4 mA.47.5 V desde lo = O mA hasta 3 mA. ¿En qué formas es similar la construcción de un MOSFET de tipo decremental y un JFET? ¿En qué fonnas es diferente? 25. b) Aplique el voltaje adecuado del drenaje a la fuente y trace el flujo de electrones para Ves = O V. eanal-n con VT~ 3. En la región positiva. Dibuje las características de transferencia para el dispositivo del inciso a. Dado ID = 4 mAy Ves = -2 V. la dirección del flujo de electrones y la región de agotamiento que resulte. prec·ise el nivel de VGS que dará por resultado una corriente máxima de drenaje de 20 mA si V p ~-5 V.13). Explique con sus propias palabras por qué la aplicación de un voltaje positivo a la entrada de un MOSFET de tipo decremental de canal-n dará por resultado que una corriente de drenaje exceda I DSS' 26.30. ¿se incrementa la corriente de drenaje en una proporción significativamente mayor que para los valores negativos? ¿Se hace la curva lo más y más vertical al aumentar los valores positivos de Ves? ¿Existe una relación lineal o no lineal entre ID Y Ves? Explíquela. c) Al asignar el nombre ru al resultado del inciso a y rd al resultado del inciso b. Utilizando un valor promedio de 2.06 X 10-3 A/V2 Y VTes el valor máximo. Utilizando IDSS = 9 rnAy Vp =-3 V para las características de la figura5.4 X 10-3 A/V 2 e ID(enCendidO) = 3 mA con Ves{enCendido) = 4 V. § 5. Determine VGS en este nivel de corriente cuando k::: 0. Para el MOSFET de tipo incremental de canal-n. 28. b) Repita el inciso a para Ves = -0. Trace las características de transferencia y de drenaje de un MOSFET de tipo decremental de canal-n con I Dss = 12 mAy V p = -8 V para un rango de Ves = -Vp a l/es::: 1 V. 33.:: 14 mAy Ves = 1 V.5 mApara un MOSFET de tipo decremental. determine VT y k Y escriba la ecuación general para lo' 36. Determine ID para el dispositivo del inciso a cuando V GS == 2 V. a) ¿Cuál es la diferencia principal entre la construcción de un MOSFET de tipo incremental y un b) MOSFET de tipo decremental? Dibuje un MOSFET de tipo incremental de canal-p con la polarización adecuada aplicada (VDS> O V. precise la corriente de drenaje en Ves = -1 V.

Dibuje la curva de ID = 0.45 X 10-3 AN2 40.1 V.44 con Vi::. a) Describa con sus propias palabras por qué el FET VMOS resiste unos valores mayores de corriente y potencia que la técnica estándar de constrUcción.47 Problema 35. 0. "'Los asteriscos indican problemas más difíciles. Trace las características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-p si Vr = -5 V Y k = 0.n CMOS * 42. b) ¿Por qué los FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia del canal? c) ¿Por qué se desea un coeficiente positivo de temperatura? § 5.5 X 10-3 (\12 es) elD = 0.3 (Ves -4)2 para Ves desde O a 10 V. Investigue en su biblioteca escolar la lógica eMOS y describa el rango de operaciones y de ventajas básicas de esta tecnología. 0. b) Si el MOSFET "encendido" de la figura 5. 5 10 38.44 (con Vi::. ¿Aumenta la corriente de un MOSFET de tipo incremental en la misma proporción que un MOSFET de tipo decremental en la región de conducción? Revise con cuidado el fonnato general de las ecuaciones.imado de resistencia del dispositivo? Si lo::. O V) tiene una corriente de drenaje de 4 mA con VDS::. ¿cuál es la resistencia aproximada del dispositivo? ¿Sugieren los niveles de resistencia que sucederá el nivel deseado de voltaje de salida? 43.1 O 5 o Figura 5. a) Describa con sus propias palabras la operación de la red de la figura 5.¡D(mA) 25 20 5 . 39. y si sus conocimientos en matemáticas abarcan el cálculo diferencial. ¿Tiene un impacto significativo VT = 4 V sobre el nivel de ID en esta región? § 5. OV. ¿cuál es el nivel aprox.5 x 10. Problemas 255 . calcule dIDI dVesY compare sus magnitudes.10 VMOS 41.5 pA para el transistor "apagado".

La relación no lineal entre ID Y VGS puede complicar el método matemático del análisis de dc de las configuraciones a FET. Una solución gráfica limita las soluciones a una precisión de décimas. El duplicar el valor de lB duplicará el nivel de le y así sucesivamente. mientras que las relaciones no lineales dan por resultado curvas como las que se obtuvieron para las características de transferencia de un JFET. Las relaciones lineales resultan en líneas rectas cuando se dibujan en una gráfica de una variable en función de la otra. el análisis de este capítulo tendrá una orientación más gráfica en vez de técnicas matemáticas directas. la cual asumió una magnitud fija para el análisis que se llevó a cabo. pero resulta un método más rápido para la mayoría de los amplificadores. Para el transistor de efecto de campo la relación entre las cantidades de entrada y de salida es no lineal. en ambos casos la variable de salida controlada es un nivel de corriente que también define los niveles importantes de voltaje del circuito de salida.3) 256 .2) La ecuación de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada y de salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental: (6. le = f3'B e le ::= lEo La relación entre las variables de entrada y de salida la proporciona /3. Otra diferencia distintiva entre el análisis de los transistores BIT y FET es que la variable de entrada que controla un transistor BJT es el nivel de la corriente. Sin embargo. debido al término cuadrático en la ecuación de Shockley.1 INTRODUCCIÓN En el capítulo 5 se estudió que para una configuración de transistor de silicio se pueden obtener los niveles de polarización al utilizar las ecuaciones características VBE = 0. Debido a que el sistema gráfico es por lo general el más común.7 V.1) e (6.CAPÍTULO Polarización del FET 6. mientras que para el FET la variable de control es un voltaje. El hecho de que beta sea una constante establece una relación lineal entre le e lB. Las relaciones generales que pueden aplicarse al análisis en dc de todos los amplificadores a FET son (6.

l' + cc -.Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación: (6. Las primeras secciones de este capitulo están limitadas a los JFET y al sistema gráfico con objeto de analizarlos. i '=' V ee 1 '=' Figura 6. Para el análisis en de. Red para el análisis 6. La red sólo define el nivel de corriente y el voltaje asociado con el punto de operación por medio de su propio conjunto de ecuaciones. o------l C. la cual es una de las pocas configuraciones a FET que pueden resolverse directamente tanto con un método matemático como con uno gráfico. 6. la solución de las redes de BJT y de FET es la solución de ecuaciones simultáneas establecidas por el dispositivo y la red. se investigarán los problemas de diseño para probar los conceptos y procedimientos presentados en el capítulo. le . como el que aparece en la red de la figura 6. La solución puede determinarse con el uso de un método matemático o gráfico.2 redibujado de manera específica para el análisis en de. El MOSFET de tipo decremental se examinará después con su rango aumentado de puntos de operación seguido por el MOSFET de tipo incremental. Finalmente. G C. La configuración de la figura 6. En realidad. Como se mencionó anteriormente.2 Configuración de polarización fija 257 . = leRe = (OA)R e = OV La caída de cero volts a través de Re permite reemplazar VG por un corto circuito equivalente. para el análisis en ac (capítulo 9). siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la región activa.1 incluye los niveles de ac Vi y Vo y los capacitores de acoplamiento (C 1 y C2 )· Recuerde que los capacitares de acoplamiento son "circuitos abiertos" para el análisis en dc e impedancias bajas (esencialmente cortos circuitos) para el análisis en ac.' Éstas no cambian con cada configuración de red. figura 6.4) Es particularmente importante observar que todas las ecuaciones anteriores son ¡ sólo para el dispositivo. V DD RD D I.2 en de.. Ambos métodos están incluidos en esta sección con dos objetivos: para demostrar la diferencia entre ambas filosofías y para establecer el hecho de que puede obtenerse la misma solución utilizando cualquier método."-----lf----o v.1 Configuración de polarización fija. hecho que se demostrará en las primeras redes a analizar. el método gráfico es el más popular para las redes FET y es el que utilizamos en este libro.L + V GS - s - --~ ~.1 aparece el arreglo de polarización más simple para el JFET de canal-no Conocido como la configuración de polarización fija. El resistor Re está presente para asegurar que Vi aparezca en la entrada del amplificador a FET.o OA y VR .2 CONFlGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA En la fIgura 6. D+ G v.

además de calcular el nivel resultante de VD' Este es uno de los pocos casos en que una solución matemática es muy directa para una configuración a FET..3 Gráfica de la ecuación de Shockley. su magnitud y signo pueden sustituirse con facilidad en la ecuación de Shockley.. el nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuación de Shockley: Ya que VGS resulta una cantidad fija para esta configuración..2 se tiene . Ahora.4 se ha sobrepuesto el nivel fijo de V GS como una línea vertical en V GS = En cualquier punto de la línea vertical el nivel de V GS es de -VGG . el voltaje VGS es de una magnitud fija..VGG - VGS = O (6. Punto Q -.... (solución) Figura 6. Para el análisis de este capítulo serán suficientes los tres puntos definidos por 1DSS' VP Yla intersección recién descrita con objeto de graficar la curva... o Figura 6. El punto donde se intersecan ambas curvas Red . -VGG' En la figura 6.. Es importante recordar que la elección de VGS = Vp /2 dará por resultado una corriente de drenaje de 1DSS /4 cuando se grafique la ecuación....... lo que da por resultado la notación "configuración de polarización fija".. 258 Capítulo 6 Polarización del FET .4 Búsqueda de la solución para la configuración de polarización fija...3 se muestra un análisis gráfico que hubiera requerido una gráfica de la ecuación de Shockley.5) y Debido a que VGG es una fuente fija de de.. el nivel de ID simplemente debe estar detenmnado en esta línea vertical. En la figura 6.El hecho de que la tenninal negativa de la batería esté conectada en fonna directa al potencial positivo definido VGS refleja bien que la polarización de VGS está colocada de manera opuesta y directamente a la de VGG' Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj en la malla indicada en la figura 6...

6. Miliamperímetro ID Q \'CSQ f~ I Punta de prueb. su empleo está limitado.9) El hecho de que VD = VDS Yque Ve = Ves parece obvio a partir del hecho de que Vs = O Y.5 son los valores estables que se definen en la figura 6.4.\e dos fuentes de dc.6) Recuerde que los voltajes de un sOlO subíndice se refieren al voltaje en un punto respecto a la tierra."r~oj".7) Con una notación de doble subíndice: VDS = VD VDS Vs + Vs = VDS +OY o VD = Y Además. o VD Ves = Ve Ve = VDS Vs Ves + O Y (6. Se observa en la figura 6. La literal Q será aplicada a la corriente de drenaje.4 que el nivel estable de ID puede determinarse al dibujar una línea horizontal desde el punto Q al eje vertical ID igual que en la figura 6. Ya que la configuración necesit~.2. los niveles de dc de ID Y de Ves que serán medidos por los instrumentos de la figura 6. y se conoce como el punto de operación estable.5 Medición de los valores del punto de operación estable ID y Ves El voltaje del drenaje a la fuente de la sección de salida puede calcularse si se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera: y (6.es la solución común para la configuración.a+_ _..-" Voltímetm + - ! ~'" S de prueba negm Figura 6. Para la configuración de la figura 6.1 esté construida y operando. y el voltaje de la compuerta a la fuente con objeto de identificar sus niveles en el punto Q.2 Configuración de polarización fija 259 .8) = VGS + Vs Y Ve = Ves (6. y no podrá incluirse en la siguiente lista de configuI:~ciones FET más comunes.4. (6. pero también se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relación que existe' entre la notación de doble subíndice y de un solo subíndice.~a. Es necesario mencionar que una vez que la red de la figura 6.

~ 10 mA(l .7.~--------------------------------------------EJEMPLO 6.0.5625) e) d) e) VDS ~ VDD .7 Solución gráfica para la red de la figura 6.11.25 V ~ ~ 10 mA(0.IrJl. FIgura 6.625 mA)(2 kQ) ~ 4.75)' 10 mA(0..6.1 Calcular lo siguiente para la red de la figura 6.75 V VD ~ VDS ~ 4.75V VG ~ VGS ~ -2 V Vs ~ OV f) Método gráfico: La curva de Shoekley resultante y la línea vertical en VGS ~ -2 V se proporcionan en la figura 6. Es verdad que es difícil leer más allá del segundo decimal sin aumentar lo(mA) [DSS= lOmA 9 8 7 6 . 16V 21& Vs' D G + IMn Ves Ios s = lOmA Vp =-8V S + 2V .".-8 V ~ ~ ~ v).6mA ------"2 4 3 lDss=2.625mA 16 V .25)' 5.1. Solución Método matemático: a) Vcs Q ~ -VGG ~ -2V -2 10 mA 1 .D ~ 16 V .5mA -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 - o Figura 6.6. Vp 2 =-4V 260 Capítulo 6 Polarización del F'ET .(5.5 4 ~ ID Q =5.6 Ejemplo 6. a) V GSo ' b) e) d) e) f) ID' Q VDS' VD' Vc.

ación.6 mA: Por tanto. 6.(5.7 es bastante aceptable una solución de 5. Agura 6.8 Configuración de autopolarización para lFET..6 mA)(2 kQ) = 16 V . v.11.3 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN La configuración de autopolarización elimina la necesidad de dos fuentes de dc. FIgUra 6.10) vc. para el inciso a. =0 y Ves = -VRs n (6.8 V VDS = 4.9 se tiene que -Ves . y el resistor Re puede cambiarse por un corto circuito equivalente dado que le = OA. 6.2 V = 4. o----}r--~--o---.significativamente el tamaño de la figura. El resultado es la red de la figura 6.9 Análisis en de de la configura.. b) c) d) e) f) ID = 5.9 para el análisis en dc. s + v. El voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo detennina el voltaje a través del resistor Rs' que se conecta en la tenninal de la fuente de la configuración como se muestra en la figura 6. como ocurrió para la configuración de polarización fija.utopo\ari2.ción de a.3 Configuración de autopolarización 261 . c.6mA Vo~ = VOIJ VD - IdlD 16 V . pero a partir de la gráfica de la figura 6.VR . La corriente a través de Rs es la corriente de la fuente Is' pero Is = ID Y D e + Para el lazo cerrado que se indicó en la figura 6.8.8 V Ve = Ves = -2 V Vs OV Los resultados confinnan con claridad el hecho de que los sistemas matemático y gráfico generan sol~cjgl}~S_ muy cercanas. Rs o En este caso podemos ver que Ves es una función de la corriente de salida ID' Y no fija en magnitud. Para el análisis en de los capacitares pueden reemplazarse una vez más por "circuitos abiertos".

Debido a que la ecuación (6.10) en la ecuación de Shockley como mostramos a continuación: ID = IDss(1 = 1DSS~ _ ~sj 2 • ( - -Irfis)2 ----v. por ejemplo. esto es.ID=OA(VGs=-lrfis) \lGS Vp Vp O f"lgura 6.10) está definida por la configuración de la red.La ecuación (6.10 2 Definición de un punto sobre la recta de autopolarización. El segundo punto para la ecuación (6. que se selecciona un nivel de ID igual a la mitad del nivel de saturación. La condición más obvia de aplicación es ID = O A. Los niveles resultantes de ID y de VGS después definirán otro punto sobre la línea recta y permitirán un dibujo real de dicha línea. Puede conseguirse una solución matemática mediante la simple sustitución de la ecuación (6. Ambas ecuaciones relacionan las mismas dos variables.10) requiere de la selección de un nivel de VGS o de ID = luego I DSS 2 2 -1 R = _ IDs!?s /Y'S El resultado es un segundo punto con el objeto de dibujar la línea recta como se muestra en la figura 6. Se supone. puede lograrse una ecuación de la siguiente fanna: IJ) + K/ D + K 2 = O Puede resolverse la ecuación cuadrática para la solución adecuada de ID' La secuencia anterior define el método matemático.10) y se obtiene el punto 262 Capítulo 6 Polarización del FET . para la ecuación (6. Por tanto. ya·que da por resultado VGS = -Irfis = (O A)Rs = O V.11. y la ecuación de Shockley relaciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo. Luego se dibuja la línea recta por medio de la ecuación (6.10).10. primero se identifican dos puntos sobre la gráfica que se localizan sobre la línea y simplemente se dibuja una línea recta entre ambos puntos.10) se define un punto sobre la línea recta mediante ID = OAy VGS= O V.10. ID y calcular el valor correspondiente de la otra cantidad con la ayuda de la ecuación (6. y penniten tanto una solución matemática como una gráfica.10) define una línea recta en la misma gráfica. El método gráfico requiere que primero se establezcan las características de transferencia del dispositivo como se muestra en la figura 6. loss 4 __ / ~~-L~L-~~ _ __ VGS=OV.:- o Al desarrollar el ténnino cuadrático que se indica y al reorganizar los términos. tal como aparece en la figura 6.

lo que da por resultado y pero y (6.loss loss 2 o Figura 6. Los valores estables de ID Y de V GS pueden determinarse y utilizarse para encontrar las otras cantidades de interés.11) Además: (6.12 Ejemplo 6. 6.2.3 kD D + 1M!> Figura 6.12) (6.13) y (6. a) EJEMPLO 62 b) e) VGs ' Q ID' Q VDS' d) e) f) Vs. VG · VD' 20V 3.3 Configuración de autopolarización 263 .11 Trazo de la recta de autopolarización.12. Puede calcularse el valor de VDS si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida.14) Calcular lo siguiente para la red de la figura 6. estable en la intersección de la línea recta y la curva característica del dispositivo.

como se muestra en la misma gráfica. En cualquier caso se obtendrá la misma línea recta. 264 Capítulo 6 Polarización del FET . Ves =-8 V ~--"---- ID (mA) 8 7 . el valor de VGS resultante seóa de -8 V.10) para VGs' Además. la cual representa las características del dispositivo.13 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 o Ves(V) Trazo de la recta de auto polarización para la red de la figura 6.Solución a) El voltaje compuerta-fuente se determina por Si se elige ID = 4 mA. se tiene que ID = 1DSS / 4 = 8 mA / 4 = 2 mA.14. y resultará la gráfica de la figura 6.15 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. se obtiene VGS = -(4 mA)(l km = -4 V El resultado es la gráfica de la figura 6. El punto de operación resultante está en un valor del voltaje compuerta-fuente estable de VGS = -2.13 como se definió mediante la red.14 Trazo de las características del dispositivo para el lFET de la figura 6. Si se selecciona VGS = Vp / 2 = -3 V para la ecuación de Shockley.6 V figura 6.Ves :::-4 V Red- / : 4 3 2 Ves=OV'/o=OmA Figura 6. La solución se encuentra al sobreponer las características de la red defmidas mediante la figura 6. / I D =8 mA. debe tenerse en cuenta que puede seleccionarse el valor de V GS' y calcular el valor de ID' para obtener el mismo resultado. ID"" 4 mA. Figura 6. En caso de elegir ID := 8 roA. y encontrando el punto de intersección de ambas como se indica en la figura 6.12.12. demostrando que puede seleccionarse cualquier valor adecuado de ID' siempre y cuando se utilice el valor determinado por la ecuación (6.6mA -6 -s -4 -3 -2 -1 o VGs(V) -6 -5 -4 VCSQ = -1 O Ves (V) (Vp ) (Vp ) 2 -2.6V Q ID 8 7 (mA) 5 4 3 2 I DQ = 2.12.14.13 sobre las características del dispositivo de la figura 6.15.

Solución Obsérvese la figura 6.10). ID Q =0.16.11): VDS = VDD .42 V a) b) Encontrar el punto de operación para la red de la figura 6. IDQ =6.6 mA o 111 l' ! e) La ecuación (6.46 mA Podemos observar cómo los niveles más bajos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia el eje JD' mientras que los niveles más altos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia el eje Ves' 6.12): Vs = Irfls (2. b) En el eje de Ves. R s = 10kQ.4mA De la ecuación (6.(2.3 kQ) 11.14): Ve = OV f) VD = VDS + Vs = 8.b) En el punto estable: ID = 2.10).3.3 Configuración de autopolarización 265 . Ves == -0.6V e) La ecuación (6.16 Ejemplo 6.3 kQ) o 11.82V + 2.6 mA)( 1 kQ + 3.6 V o Ves (V) Figura 6.82 V d) La ecuación (6.4 V (mA) Punto Q 5 4 3 Punto Q -6 -5 -4 -3 -2 -1 Ves(J=-4.6 mA)(3.6 mA)(l kQ) = 2.ID(R s + RD) = 20 V 20 V (2.42V VD VDD .12 si: R s = 100 Q. EJEMPLO 63 t 'n Rs =100Q J D = 4 mA.6V = 11. a) En el eje de ID.18 V = 8.IDR D = 20 V .13): La ecuación (6.6V De la ecuación (6. VesQ =-4.

5 k<1 \>-----1(.19. En este caso se determinó el segundo punto para el trazo de la recta de carga seleccionando (en forma arbitraria) ID ~ 6 mA y resolviendo VGS' Esto es.17.4 Determine lo siguiente para la configuración de entrada común de la figura 6.6 V Figura 6. a) Las características de transferencia y la recta de carga aparecen en la figura 6.17 Ejemplo 6.4.5kQ G + V GS La terminal de la compuerta conectada a tierra y la ubicación de la entrada establecen fuertes similitudes con el amplificador a BJT de base común. VGS ~ Irfis ~ -(6 mA)(680 Q) ~ -4. en relación con la estructura básica de la figura 6.¡:.08 V como se muestra en la figura 6. VDS' 1. La curva de transferencia de dispositivo se trazó usando: ID ~ I DSS l2mA ~ S + V Rs 680<1 ~ 3mA 4 figura 6.18 Trazo del equivale?te de de de la red de la ligtÍ. ---------------------------------------------------EJEMPLO 6./ D "3.19 Determinación del punto Q de la red de la figura 6.¡ " .17. 266 Capítulo 6 Polarización del FET .2.18 posee )~ misma estructura básica que la figura 6.---0 v.17.ra 6.9. a) VGSo" b) 1DQ' e) VD' 12V d) e) f) V G.8.19.8mA 3 2 Q -6 Vp -5 -4 -3 -2 -1 o Ves. 12V t D S<llucióu ID 1. puede proceder el análisis en de de la misma forma que en los ejemplos recientes..-. Vs. Aunque es diferente en apariencia. Figura 6. Por tanto. 4 ID (mA) lDSS 12 II 10 5 4. la red de de que resultó de la figura 6.

Vemos que todos los capacitares.. ro ( oVo VDD VDl) RD v.4 POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE El arreglo de polarización mediante divisor de voltaje que se aplicó a los amplificadores a transistor BIT también puede aplicarse a los amplificadores a FET. + R. R. Recuerde que lB proporcionó la relación entre los circuitos de entrada y de salida para la configuración de divisor de voltaje para el BIT. mientras que Ves hará lo mismo en la configuración a FET. R. + t0+ Ve. R.(3. Al utilizar el punto de operación de la figura 6.3V vGS b) Q '" -2. tanto en los circuitos de entrada como en los de salida. Para el análisis en dc se redibuja la red de la figura 6.y el valor asociado de Ves: 6V 2 como se muestra en la figura 6.19.20.72 V 6. pero el análisis en dc de cada una es muy diferente.58 V VDS = VD . .4 Polarización mediante divisor de voltaje 267 . 6.3V = 12V . como lo muestra la figura 6.8 mA)(1.5 kQ) = 6. Figura 6.21.20 como se muestra en la figura 6. Redibujo de la red de la figura 6.5.20 para el análisis en dc..Vs = 6.. R.8 mA)(680 Q) = 2. C.20 Arreglo de polarización mediante divisor de voltaje.21 ..58 V = 3...6V De la figura 6. incluyendo el capacitar de desvío es' han sido reemplazados por un "circuito abierto" equivalente. Para los amplificadores FET le = O A.. ID Q '" 3.8mA c) VD = VDD . lCi.=. pero la magnitud de lB para los amplificadores de emisor común puede afectar los niveles de corriente y voltaje de dc.19.19 se obtiene = . se separó la fuente VDD en dos fuentes equivaVDO Ro R..OA 1 . La construcción básica es exactamente la misma. o ) c.3 V ....IrJiD = 12 V ... R. C. Ve. . Figura 6. + t lo I.. Ve . VR . "" . Además... . R...7V d) e) f) Ve = OV Vs = Irl's = (3.2.

O mA.(O mA)Rs y (6. I DSS ID=OmA. Entonces.10 en la figura 6. la ley de corriente de Kirchhoffrequiere que fR. Debido a que cualquier línea recta requiere la definición de dos puntos.lentes con objeto de pennitir una separación mayor de las regiones de entrada y salida de la red. (6. Debido a que f G = O A. Puede calcularse la localización exacta mediante la simple sustitución de ID = OroA en la ecuación (6. en caso de haber seleccionado f D = O mA.16) El resultado es una ecuación que todavía incluye las mismas dos variables que aparecen en la ecuación de Shockley: V GS e f D' Las cantidades V G YRs están fijas por la construcción de la red. /' -------4~---------+----------__~~---~ vp O vGs = vG vos +vo Figura 6.16) y encontrando el valor resultante de Ves de la siguiente manera: VGS = VG .22 la corriente ID = O mA.21..16) es aún la ecuación para una línea recta. si se selecciona JD para ser igual a. = fR. 268 Capitulo 6 Polarización del FET . Yque el circuito equivalente en serie que aparece a la izquierda de la figura pueda utilizarse para encontrar el nivel de Ve' El voltaje Ve' igual que el voltaje a través de R2 .16).22 Trazo de la ecuación de la red para la configuración mediante divisor de voltaje. puede encontrarse si se utiliza la regla del divisor de voltaje de la siguiente manera: (6. pero el origen ya no es un punto de la recta.17) El resultado especifica que siempre que se grafique la ecuación (6.15) Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las maneciHas del reloj en el lazo indic. el valor de VGS para el dibujo será de VG volts. La ecuación (6.16) si se procede como se indica a continuación. primero está el hecho de que en cualquier punto a lo largo del eje horizontal de la figura 6. se obtiene y Sustituyendo VR = fsRs = f¡}?s' se tiene .22.f¡}?s = Ve . El punto que se acaba de determinar aparece en la figura 6. No es difícil el procedimiento para dibujar la ecuación (6. en esencia se está estableciendo en algún lugar sobre el eje horizontal.

1 Rs vc. Parece muy obvio a partir de la figura 6.16).23 que: Cuando aumentan los valores de R s dan por resullado valores menores eswbles de 1D' así como valores más negativos de Vcs' figura 6.4 Polarización mediante divisor de voltaje 269 .[Jis e Ve [D = .[JiD (6. el nivel de [D está determinado por la ecuación (6.18) El resultado especifica que las veces que se grafique la ecuación (6.19) (6.21) "'s : : [Jis IR . Una vez que se han calculado los valores estables de [D. siempre que VGS = O. Esto es.23.[D(R D + Rs) VD = VDD .20) (6.22) 6.22.Para el otro punto se utiliza el hecho de que en cualquier punto sobre el eje vertical VGS = O V.23 Efecto de Rs sobre el punto Q obtenido.= [R . VDS = VDD . Y de VGS Q ' el análisis restante de la red puede desarrollarse de la manera usual.= VDD R¡ + Rz (6. Y se resuelve para el valor calculado de ID: VGS = Ve . La intersección de la línea recta con la cunra de transferencia en la región a la izquierda del eje vertical definirá el punto de operación y los niveles correspondientes de ID y de Ves' Debido a que la intersección sobre el eje vertical se calcula mediante ID = VG I Rs y VG está fijo debido a la red de entrada.18).16). Los dos puntos definidos arriba permiten dibujar una línea recta con objeto de representar la ecuación (6.[Jis OV = Ve .s=ov (6. los valores mayores de Rs reducirán el nivel de la intersección ID como se muestra en la figura 6. Esta intersección aparece también en la figura 6.

5 Determinar lo siguiente para la red de la figura 6.4mA Q ~ 10 = 1. V S' y vGS Q .24. a) ID b) V.8 V GsQ ve =1.5 kn _L = r: 20 ~F Figura 6. e )' 5 ~F l270 k.25 V =-1. si [D = [DSS / 4 = 8 mA / 4 = 2 mA.24 Ejemplo 6.4 kQ >2.82 V lo (mA) 8 (lDSS) 7 5 4 3 2 ID =2.5 kQ) ID=OmA: VGS = +1. +16V el dl e) VDS' VDG " 2.82 V .1 MQ + 0.24.. 270 Capitulo 6 Polarización del FET .21 mA(VGs = O V) -4 (Vp ) -3 -2 -1 O 12 3 Figura 6. La curva resultante que representa la ecuación de Shock1ey aparece en la figura 6.82 V (lo=OmA) Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. La ecuación de la red está definida por (270 kQ)(l6 V) 2.5.1 MQ I~~F .82 V y VGS = VG - Irfls = 1. Solución al Para las características de transferencia. v.25.( o V.[D(1.Q t- I DSs =8mA\\ Vp =--4V >1. entonces VGS = Vp / 2 = -4 V/2 = -2 V.27 MQ 1.~ ------------------------------------------------------------EJEMPLO 6..

25 con los valores del punto de operación in'J = 2.3.lD lvss=-lOV figura 6.42 V Independientemente de que la constrUcción básica de la red en el siguiente ejemplo es muy diferente del arreglo de polarización mediante divisor de voltaje.(2A mA)(2.24 V e) Vs = IDRs = (2A mA)(1.ID(R D + Rs) = 16 V .21 mA 1. a) IDQ yVesQ ' b) VDS' e) d) EJEMPLO 6.(2A mA)(2A kQ + 1. Determinar 10 siguiente para la red de la figura 6.Ve 10. el voIta~e VDC puede determinarse así VDe = VD .82 V = 8.24 V .26.4 Polarización mediante divisor de voltaje 271 .6 VD' Vs.26 Ejemplo 6.8 V VD = VDD . 6.5 kQ) d) 6. 4 kQ) = 10.1.82 V ID = = 1. VDD = 20V ~.6V VDS VDD .64 V o VDS VD .4mA y b) Ves" = -1.24 V . Se observa que la red utiliza una fuente en el drenaje y en la fuente.I¡fiD = 16 V .1. las ecuaciones obtenidas requieren de una solución muy similar a la que se describió.5 kQ La recta de polarización que se obtuvo aparece en la figura 6.64 V 10.6.5 kQ) 3.6 V e) Aunque raras veces se solicita.Vs = 6.

23) Cálculo de la ecuación de la red para la configuración de la figura 6. Para este ejemplo.5 kQ Solución al Se obtiene una ecuación para Ves en términos de ID al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a la sección de entrada de la red como está redibujada en la figura 6.35 V Se graficaron las características de transferencia utilizando el punto de la gráfica establecido por Ves = V/2 = -3 V/2 =-1.ID (1. empleando el mismo procedimiento de la ecuación (6. -Ves . Para 11) = amA. Para Ves = a v..[sRs + V ss = a () Figura 6.26.28 Determinación del punto Q para la red de la figura 6. que también aparece en la figura 6. El punto de operación establece los siguientes niveles de estabilidad: ID = 6. /.16).27 + R. ID (mAl 9 (IDSS) 8 3 2 Figura 6. a = lav e . 1.16) que puede sobreponerse a las características de transferencia.V DD =O 272 Capítulo 6 Polarización del FET .35V b) Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff aliado de la salida de la figura 6.5kQ Los puntos que se obtienen para la gráfica están identificados en la figura 6.27 .G + . El resultado es una eCtlación muy similar en su formato a la ecuación (6.26 se obtiene -Vss + [sRs + Vos + ¡¡}ID .67mA 1.5 Ve [D = I Ds!4 = 9 mA/4= 2.5kQ) lOV = 6.28. -1 I I O 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Ves = -0.28..[sRs [s = 11) (6.25 mA.26. Vos S .9mA Q VesQ =-O.~ o pero y Ves = Vss .

lD(R D + Rsl (6.7.29 Ejemplo 6. el análisis es el mismo si el JFET se reemplaza por un MOSFET de tipo decrementa!.7.9 mA)(1.24) el cual para este ejemplo resulta 20 V + 10 V .22..8 kQ + 1.8 kQ) = 20 V .loRD = 20 V . VDS' 18 V FIgura 6.58 V d) VDS = VD . para todas las configuraciones realizadas hasta ahora.42 V = 7.Sustituyendo 15 = ID Y reorganizando se obtiene I VDS ~ VDS ~ VDD + VSS . Unos cuantos ejemplos indicarán el impacto del cambio de dispositivo en el análisis obtenido. Para el MOSFET de tipo decremental de canal-n de la figura 6.58 V .7 lDQ y VGS. determinar: a) b) EJEMPLO 6.23 V = 035 V 6. La única parte sin definir en el análisis consiste en la fonna de graficar la ecuación de Shockley para los valores positivos de VGS . De hecho.(6.5 MOSFET de tipo decrementa! 273 .12.Vs Vs = VD .23 V e) VD = VDD . >1.29.9 mA)(1. La diferencia más importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo decremental permite puntos de operación con valores positivos de V GS y niveles de ID que excedan I Dss . ¿Qué tan lejos debe extenderse la curva de transferencia en la región de valores positivos de VGS y valores de ID mayores que 1DSS? Para la mayoría de las situaciones este rango necesario estará bien definido por los parámetros del MOSFET y por la recta de polarización que se obtuvo de la red.VDS o = 7.5 kQ) = 30 V .5 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de Jos JFET y de los MOSFET de tipo decremental permiten un análisis similar de cada uno en el dominio de de.(6.77 V 7.81d1 110MO ¡OMU 750 O 6.

se tiene: Ecuación (6.I D (750 O) lo (mAl -2 -1 : O 2 VGS Figura 6.S V 274 Capítulo 6 Polarización del FET .5 V.16): 10 MO(l8 VJ = 1.5 V .30. vGsQ =-O.30 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. 1DSS /4 = 6 mA/4 = 1. se obtiene V 1..5 V -G .= 2mA = Rs 750 O En la figura 6. Al considerar el nivel de Vp y el hecho de que la ecuación de Shockley define una curva que se eleva con mayor rapidez a medida que VGS se hace más positivo. Si seguimos de acuerdo con la manera que se describió para los JFET. se obtiene Haciendo VGS = O V.30 aparecen tanto los puntos de la gráfica como la recta de polarización obtenida.67 mA ~ +1 V)' 6 mA ~ + ~)' = 6 mA(l.8 V Haciendo ID = O mA.29.778) La curva de transferencia que resultó aparece en la figura 6. El punto de operación resultante: I DQ '" 3.. Sustituyendo la ecuación de Shockley =6mAl---3 V = 10.1 mA VGS Q = -O.15): Ecuación (6.. se detalla un punto de la gráfica en VGS = + I V.Solución a) Para las características de transferencia se define un punto de la gráfica de ID:.5 mAy VGs = V/4 =-3 V/2 =-1.5 V lOMO + 1l0MO VGS = VG - l"Rs = 1.

8 Iv (mA) ---.31.1 V Repetir el ejemplo 6.31.(7.8 kQ + 750 Q) _ 10. Haciendo ID = O mA.(3.6 IDA V GSQ = +0.b) La ecuación (6.= .8. V GS 2 =+0. se obtiene VG 1.5 V Haciendo VGS = O V.5 MOSFET de tipo decrementa! 275 . .. se obtiene VGS 1.1 mA)(1.= lOmA 150 Q Rs La recta de polarización está incluida en la figura 6.19): VDS ~ VDD .5 V ID = .8 kQ + 150 Q) 3.18 V 6.35 V b) La ecuación (6. Para la recta de polarización. Notamos en este caso que el punto de operación estable da por resultado una comente de drenaje que excede 1DSS con un valor positivo para VGS.35 Ves v Figura 6.6 mA)(1.31 Ejemplo 6.7 con Rs = 150 Q.ID(R D + Rs) = 18 V .19): VDS VDD .ID(R D + Rs) ~ ~ 18 V .6mA Q -3 Vp -2 -1 O . Solución a) Los puntos de la gráfica son los mismos para la curva de transferencia como se muestra en la figura 6. EJEMPLO 6. El resultado: I DQ = 7.JD =7..

en VGS ~ O Y.7 mA)(6.loRD = 20 Y .9 Determinar lo siguiente para la red de la figura 6.2kQ ( o t~. no existe la necesidad de graficar la curva de transferencia para los valores positivos de VGs ' aunque en esta ocasión se hizo para completar las características de transferencia. Para la recta de polarización.2 kU) 9. Un punto de la gráfica para las características de transferencia de VGS < OV es ID ~-- I DSS 8mA ~ ~ 2mA 4 Y 4 -8 y ~ ~ VGS ~ Vp 2 -4Y 2 y dado Vp ~ -8 Y. v.32. 0>---)11-----. ID ~ O mA. b) a) IDQ y VGsQ ' VD' 20V 6.5 mA = 8mA ~ 1---8 Y +2 Y)2 En la figura 6.~--------------------------------------EJEMPLO 6. para VGS > O Y se seleccionará VGS ~ +2 Y e ID~ IDSS~ _ ~:S)2 = 12.7 mA VGsQ D ~---= VGS --6 Y 2.-------'1---4 1MQ 2. Al elegir V Gs = -6 V se obtiene I El punto Q resultante: I DQ = 1. Solución a) La configuración de autopolarización da por resultado como la que se obtuvo para la configuración JFET.32 Ejemplo 6.9. Por tanto.4kU R ~ 2.4 kQ -------- Figura 6.(1.5 mA s ~ -4.33 aparece la curva de transferencia que se obtuvo. estableciendo el hecho que VGS debe ser menor que cero volts.46 V 276 Capítulo 6 Polarización del FET .3 V b) VD = VDD .

5 kQ V Q = OV GS e D ID Q = lOmA ~ + Por tanto.6 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL Las características de transferencia del MOSFET de tipo incremental son muy diferentes de las encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo decremental. 6. A primera vista aparece algo simple.33 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. Para los niveles de VGS mayores que VGS(Th)' la corriente de drenaje se define mediante 6.(10 mA)(1.ID (mA) 6 5 4 3 _2_--ID =1.3 V Figura 6.34. 1. Determinar VDS para la red de la figura 6. Lo primero y quizá más imponante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de canal-n. pero se obtiene una solución gráfica muy diferente a las encontradas en secciones precedentes. no existe la necesidad de dibujar la curva de transferencia y VD V DD . menores que el nivel del umbral VGS(Th)' como lo muestra la figura 6.32.35. En otras palabras.6 MOSFET de tipo incremental 277 . la comente de drenaje debe ser I DSS (por definición).IrIID = 20 V .15 V = 5V figura 6.34 Ejemplo 6.10.7mA 1 Q -5 -f4 -3 -2 -1 o 1 2 Ves YasQ = -4.10 20V Debido a que Ves está fija en OV.5 kQ) 20 V . pero a menudo causa cierta confusión cuando se analiza por primera vez debido al punto de operación especial. la corriente de drenaje es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta-fuente. El siguiente ejemplo utiliza un diseño que también puede aplicarse a los transistores JFET. Solución La conexión directa entre las terminales de la compuerta y la fuente requiere que EJEMPLO 6.

Características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental (6.25) a partir de los datos de las hojas de especificaciones mediante la sustitución en la ecuación (6. "YGS " F'tgura 6. I / lD=OmA VGS(~ncendido) V GS.35 de canal-n. . pueden calcularse otros niveles de ID para los valores seleccionados de V cs. la red equivalente de de aparece como se muestra en la figura 6. un punto entre V GS(Th) y VGS(encendido) y uno un poco mayor que Ves(encendido) ofrecerán una cantidad suficiente de puntos para graficar la ecuación (6.-t: I~ ___________________________ _ ID(cncendidol ----------.37.---------. Para completar la curva. Por lo general. as{ como su nivel correspondiente de VG5(encendido)' pueden definirse dos puntos de inmediato como lo muestra la figura 6.25) (obsérvense IDI e IDzen la figura 6. El resistor RG proporciona un voltaje suficientemente grande a la compuerta para "encender" el MOSFET.25) Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente de drenaje (1 D(enCendido).26) VGS(Thj)2 Una vez que k está definida.35). Existe ahora una conexión directa entre el drenaje y la compuerta. y tenemos y (6. Debido a que 1G = OmA y VRe = OV.36 se proporciona un arreglo común de polarización para los MOSFET de tipo incremental.35.27) 278 Capitulo 6 Polarización del FET ..25) y resolviendo para k de la siguiente manera: ID(encendido) = k(VGS(encendido) - VGS(Th»2 y k = 1D(encendido) ---==='---(VGS(encendido) - (6. primero tiene que determinar la constante k de la ecuación (6."-. Arreglo de polarización por retroalimentación En la figura 6.

28).: Figura 6. permitiendo graficar cada una en el mismo conjunto de ejes.--------<1 D D + '1. para calcular los dos puntos que defínirán el trazo sobre la gráfica.37 Equivalente de de de la red de la figura 6. Debido a que la ecuación (6.25).27): (6.-------<r-------H(-----o~.36. Sustituyendo ID = O mA en la ecuación (6.Ii I .25) y (6.29) Sustituyendo Ves = O V en la ecuación (6. O-----)I---______----o--t~l G -:. Figura 6. se tiene (6. Para el circuito de salida. 6. . Ves Figura 6.38 con el punto de operación resultante. puede emplearse el mismo procedimiento que se describió con anterioridad.30) Las gráficas definidas por las ecuaciones (6.28) es la de una línea recta.36 Arreglo de polarización por retroalimentación. I .28) se obtiene (6. la cual se convierte en la siguiente ecuación después de sustituir la ecuación (6.28) aparecen en la figura 6.38 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.36.6 MOSFET de tipo incremental 279 .28) Se obtiene una ecuación que relaciona las mismas dos variables como la ecuación (6.

... ('<l V . 12V 2ill ~---+---I~(---o ~.24 x 10-3(9) 2.39 Ejemplo 6. I 10 Mn.- 6 5 4 3 2 Figura 6.óo¡ 280 Capítulo 6 Polarización del FET .16 mA 12 11 10 9 8 7 1D(coccndido) . "''''.-r:.-l_ __ (VGS(encendidO) - VGS(Th))2 . Resolviendo para k: Ecuación (6.24 x 10-3(6 V .OC".40 Gráfica de la curva de transferencia para el MOSFET de la figura 6.39.6. O>--U)-- I~F -+----19 1 .11 Determinar IDQ Y VDSQ para el MOSFET de tipo incremental de la figura 6.3 V)2 6mA 6x 10--3 25 Nv 2 . 6 V (entre 3 y 8 V): ID . Solución Gráfica de la curva de transferencia: en la figura 6. ~F v.39.24 x 10-3 AJV2 Para Ves.o.. 012345678910 I I VGS(Th) VGSlcncend.11.26): Se definen de inmediato dos puntos como se muestra k = _ _ _I". 0.d.40..""...Od. Figu'ra. 0. -----.. -----------------------------------------------------EJEMPLO 6. 0.3 V)2 ..D".

30): Ves ~ V DD = 12VI'D=OmA La recta de polarización que resultó aparece en la figura 6. Para la red de la recta de polarización: Ves ~ V DD .40. Para VGS ~ 10 V (ligeramente mayor que 10 ~ ~ VeS(Th): 11 0.1D(2 kQ) La ecuación (6.31) polarización mediante divisor de voltaje para un MOSFET de tipo incremental de canal-no 6.41.42 Arreglo de (6.40.como se muestra en la figura 6.41 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.Id'D = 12 V .7SmA-3 Q 2 o 2 3 4 5 8 9 10 11 12 (VDD ) D Flgura 6. G Arreglo de polarización mediante divisor de voltaje En la figura 6.6 MOSFET de tipo incremental 281 .4 V Q con VDS Q ~ Ves = 6.29): La ecuación (6. El punto de operación: ID = 2.24 X j(J-J(lO V .76mA como aparece también en la figura 6.40. Los cuatro puntos son suficientes para grafiear la curva total para el rango de interés como se muestra en la figura 6.75 mA Q y VGS = 6.39.3 V)' ~ 0.24 x 10-3(49) 11.4 V Q IO=mA 12 1\ \0 9 8 7 Voo 6 RD 5 4 ID =-2. El hecho de que IG ~ OmA da por resultado la siguiente ecuación para Vee como se deriva a partir de una aplicación de la regla del divisor de voltaje: + vGS - S Figura 6.42 aparece un segundo arreglo de polarización común para el MOSFET de tipo incremental.

V R. VGS = 18 V .82kQ 18 V tal como aparece en la figura 6.82 kQ) In = .Cuando se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la figura 6.V GS . tales como VDS' VD Y VS.42 resulta +VG . Solucióu Red: (18 MQ)(40 V) 22MQ + 18MQ La ecuación (6.ID(O..= 21.32) o Para la sección de salida: VRs + VDS + VRD y - VDD = O - VDS = V DD . 4QV 3 k!l 22k!l 2N4351 VGs(Th) = 5 V ID (encendido) = 3 mA Y Vos (encendido) = 10 V G + 18 M.12 Determinar ID" VGsQ ' así como VDS para la red de la figura 6. pueden graficarselas dos curvas en la misma gráfica y hacer el cálculo de la solución en la intersección de ambas.82 ill f"lgura 6.33) o Debido a que las características son una gráfica de''ID en función VcS' y que la ecuación (6..82 kQ) V GS = 18 V . \ EJEMPLO 6. 282 Capítulo 6 Polarización del FET .95 mA O.o.31): La ecuación (6.82 kQ) O = 18 V -ID (O. (6.44.32) relaciona las mismas dos variables.12. Cuando VGS =O V. = 18 V VGS = VG - Irfis = 18 V . = O y VGS = VG - VR . 0.44.32): Cuando ID = O mA.V R s VR D (6.(O mA)(O.43. U~ vez que se conocen 1DQ Y Veso' pueden entonces calcularse todas las cantidades restantes de la'red.ID(O.43 Ejemplo 6.82 kQ) = 18 V tal como aparece en la figura 6.

82 kQ + 3.(6.7 Tabla resumen 283 . 6.26): k 1D(encendido) 3mA .ID(R s + RD ) = 40 Y . Díspositivo: VGS(Th) = 5 Y.12 X IQ-3 NV2 (lOY .5 Y)' e ID = k(V GS .0 kQ) 40Y-25.6Y = 14.V GS(Th»2 0.95 Rs 20 VG o Figura 6. El análisis restante sólo consiste en la aplicación de las leyes básicas del análisis de circuitos.44). También indica que el análisis general de las configuraciones de de para los FET no es demasiado complejo.ID (mA) 30 = 21. Una vez que se han establecido las características de transferencia. entonces puede determinarse la recta de autopolarización de la red y el punto Q en la intersección de la característica de transferencia del dispositivo.44.5)2 la cual se traza sobre la misma gráfica (figura 6.12.7 mA)(0.5 V La ecuación (6. se desarrolló la tabla 6. 1Dlenccndido) :::.= 0..33): VDS V DD . y la curva de la red de polarización.7mA Q VGsQ = 12..4 V 6...: 3 mA con VGS(encendido) = 10 V La ecuación (6. y para demostrar la similitud del método para una cierta cantidad de configuraciones. ID=6.7 TABLA RESUMEN Ahora que se han presentado los arreglos de polarización más comunes para los diferentes FET.12 x lQ-3(VGS .44 Determinación del punto Q para la red del ejemplo 6. De la figura 6..1 para revisar los resultados básicos.

s In Ro Vos = Y ss .10ft!> O ~ VesiTl'ti ID Ve Ves 284 Capítulo 6 Polarización del FET .JoRs Punto aj o Iv 1055 .R 2 Ves = Vo -lsRs Vos = Vuo .loRs VDS = V¡:){) + Vs. V p VGC Ves JFET con autopolarización d"" Re Ves = -lrfis = Voo -I¡ARo .. JFET con polarización mediante divisor de voltaje Compuena común JFET 83:'" .\. rJ.:YDD + R2 ve R.\) JFET con polarización fija V CG _i + {'f RIJ RG Ro Rs VDS VCSQ::O -VCiG VDS = Voo .= JFET (Ro = O a) d'" d" Ro Re Rs Punto Q """ Yc.dol VDD Ves V _ G - RT R. positivos donde VGS " + voltaje) POlarizagión fija Voo ~ d'" Ro RD R s Voso = -VCG VOS = VOD -loRs .~ lD'\S Vss -Vss V. R' ¡ o ID Ve.TABLA 6 l Configuraciones polarización de FET Tipo Configuración Ecuaciones pertinentes Solución gráfica In ID. MOSFET de tipo decrementa! Polarización mediante divisor de voltaje tf R] R2 RI . O V O lo loss Ves V(.S = -l. Ve vr.lo(R D + Rsl VOD Ve =--- R~VDD V. '7 ~OQ O Ve Ve~ MOSFET de tipo incremental Configuración por retroalimentación Ro MOSFET de tipo incremental Polarización mediante divisor de voltaje CC S Ro R Ro R: Rs Ves = VDS VGS = VDD -loRD Ro D(encc O ~ Vesnñl lo V GSfcncend. RI + R:! 'DSS ve + Rs) R~ R .I' pumud . Punto Q V. 01 V"" Va' ID Ve.{ RI RD V _ = R~VDD (.¡ Ves = Ve. O lo ¡ f>S~ V5_\ Ves JFET (Ves OV) .Iv(Ro ~ O v. - lo(Ro + Rs) PuulO R..1'0 O ID Ve./?\ VD = V DO Vs = loRs I Vos = VOD - IsRs PunIOQ':J) VplV'GS -ro MOSFET de tipo decremental -(Todas las configu.raciones arriba de los caso. Ves = Ye .loRs VDS = VOD . ..sQ= O V ID(i == Ivss ) ~ /VesQ ::.RsJ P"UIO~ Vp:v-G.

--t. se presenta por sí misma la oportunidad de analizar las redes con ambos tipos de dispositivos.. debido al reto que implica encontrar la entrada. La configuración mediante divisor de voltaje es una donde puede aplicarse la técnica aproximada (/3RE =(180 x 1. la puerta se encuentra abierta para calcular otras cantidades y concentrarse en las incógnitas restantes. Para VB: 24 kQ(l6 V) 82kQ + 24kQ Con el hecho que VBE = 0. r-----------------~r-016V EJEMPLO 6. Determinar los niveles de VD y Ve para la red de la figura 6. así que no existe la necesidad de desarrollar nuevos métodos de análisis.8 REDES COMBINADAS Ahora que se estableció el análisis en de para una variedad de configuraciones a BJT y FET. por lo general. se dará énfasis a la configuración del transistor bipolar.6kn Figura 6045 Ejemplo 6.13. Estos son.92 V 6. una cantidad importante para determinar o escribir una ecuación con objeto de analizar las redes con JFET.8 Redes combinadas 285 . problemas que resultan interesantes.62 V = VB - V BE = 3. Las ecuaciones y relaciones que se necesitan sólo son las que hasta ahora se han utilizado en más de una ocasión. por lo general.7 ka 82kn 1Mn p= 180 24kQ 1. y luego utilizar los resultados de las últimas secciones y el capítulo 5 para hallar las cantidades importantes de cada dispositivo. Luego.7 V = 2.62 V .]3 2.45.0. 6. =240 kQ).l > IOR. Es fundamental entender que el análisis sólo requiere que primero se estudie el dispositivo que proporcionará un voltaje o un nivel de corriente en la terminal. ahora se sabe que VGS es. Debido a que Ves es un valor para el cual no es obvia una solución inmediata.7 V se obtiene VE = 3. Solución A partir de la experiencia pasada.6 kQ) =288 H. lo cual permite un cálculo de VB utilizando la regla del divisor de voltaje en el circuito de entrada.

92 V : : 1.(1.VGsQ : 3. se encuentra que para esta configuración /D:/s:/e y VD : 16 V . se regresa al método gráfIco para trabajar sólo en el orden inverso que se utilizó en las secciones precedentes.7 kQ) : 16 V . Sin embargo. Luego se determina VGSQ al dibujar una línea desde el punto de operación hacia el eje horizontal.46.4.825 mA RE 1. y calcularse Vea partir de Luego surge la pregunta acerca de cómo encontrar el valor de ~sQ a partir del valor estable de ID' Los dos valores se encuentran relacionados mediante la ec~ción de Shockley: y Vese puede detenninarse bajo un esquema matemático al resolver VesQ y sustituir los valores numéricos.62 V .46 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6. 286 Capítulo 6 Polarización del FET . dando por resultado El nivel de Ve: Ve VB .45. Primero se trazan las caracteósticas de transferencia del JFET como se muestra en la figura 6.825 mA)(2.825 mA A continuación.6kQ con le '" lE : 1.45 indica que Ve está relacionado a Vs mediante Ves (suponiendo que VRc : O V).825 mA Q Figura 6.(-3. Luego se establece el nivel de 1DQ por medío de una línea horizontal como se muestra en la misma figura./D(2. Si puede encontrarse VGS' se podrá conocer VB .93 V : 11.7 kQ) 16V .07 V La pregunta sobre cómo calcular Ve no es tan obvia.e lE : _R E _ V : VE RE 2.32 V ID (mA) 12 'DSS 10 8 6 2 --~~~~~~~~ -6 -5 O Vp - ID =1. Tanto VCE como VDS son cantidades desconocidas que evitan que se establezca una relación entre VD Y VeO de VE y VD' Un examen más cuidadoso de la figura 6.7 V) : 7.

Calcular VD para la red de la figura 6. puede derivarse una ecuación para VGS y así calcular el punto de operación estable resultante con la ayuda de técnicas gráficas.6 V Para el transistor bipolar.5 ..47 Ejemplo 6.48 Cálculo del punto Q para la red de la figura 6.14 .6kf1 470 k.125 V .4 kQ . 1.48 en VGS Q = -2.47.Q fi= 80 2.875 V = 10.uA)(470 kQ) = 16 V ..5.VBE -4 -31-2 -1 Vp O ~ 10. 6. .8 Redes combinadas 287 .7 V 9.= 12.14 3. con la cual se logra la recta de autopolarización que aparece en la figura 6. Sin embargo. Esto es. ID (mA) e lB = - le f3 1 mA = .lB(470 kQ) = 16 V ..47..125 V 3 1. Solución Fq¡ura 6. En este caso no existe una trayectoria obvia para determinar un valor de vohaje o de corriente para la configuración a transistores.---------~-o16V EJEMPLO 6.61 mA l--I D =lmA Q y VE ~ VD ~ VB .0.425 V ! VGS Q =-2.5 80 8 lDSS J1A 7 6 5 4 VB = 16 V .6 V ~ Figura 6. al revisar el JFET con autopolarización.(12.

en cualquier proceso de diseño no deben excederse los valores máximos de ID ni de VDS que aparecen en las hojas de especificaciones. de tal forma que se proporcionan los valores específicos. y que requieran del 'USo del valor comercial más cercano. puede detenninarse el nivel de VGSQ mediante una curva de transferencia y también se puede calcular Rs a partir de V GS . Rs' V DD .6. puede calcularse el valor de RD a partir de RD . para VGSQ los valores cercanos a Vp /2 o de IDss /2 paralDQ • Desde luego. rara vez causará un problema real'en el proceso de diseño la pequeña variación debida a la selección de valores estándares.15 Para la red de la figura 6. para los amplificadores lineales es una buena práctica elegir los puntos de operación que no alcancen los valores de saturación (lDSS)' o las regiones de corte (Vp )' Es verdad que durante el diseño son razonables unos puntos iniciales.5 mA RD F'Igura 6. primero tiene que concentrarse en el establecimiento de las condiciones de de que se eligieron. es posible que los valores de Rs y de RD no sean valores estándar disponibles en el mercado. Sin embargo.VD)IlD' Desde luego. (VDD . el resultado se logra mediante la simple aplicación de la ley de Ohm de la siguiente manera: Rdesconocida = 1R R V (6. La anterior es sólo una posibilidad durante la fase de diseño que involucra la red"deJa figura 6.49 Configuración de auto polarización que se diseñará. Es posible que sólo se hayan especificado V DD y R D junto con el valor de VDS' Pero debe especificarse el dispositivo que se va a utilizar junto con el nivel de Rs' Parece lógico que el dispositivo deba tener un valor máximo de VDS mayor que el valor de diseño especificado con cierto margen de seguridad.50 Ejemplo 6. Sin embargo. En particular. y así sucesivamente.15. si se solicitan valores de resistencias.50 están especificados los niveles de VDQ Y de 1DQ' Calcular los valores necesarios de RD y de Rs' ¿Cuáles son los valores estándar más cercanos disponibles en el mercado? 20V t IDQ = 2. En cualquier caso. Por ejemplo. junto con las tolerancias (rangos de valores) que normalmente se especifican para los parámetros de una red. Los ejemplos que siguen a continuación tienen un diseño u orientación hacia la síntesis. se trata sólo de aplicar la ley de Ohm de una forma adecuada.34) donde VR e IR a menudo son parámetros que se localizan en forma directa a partir de los valores de voltaje y corriente especificados. En el proceso del diseño total entran el área de aplicación. las condiciones de operación como unas cuantas de las condiciones existentes.49.49. 288 Capítulo 6 Polarización del FET . y deben calcularse los parámetros de la red como RD . -1nRs' Si está especificado V DD . En algunos ejemplos. el enfoque es en muchos casos opuesto al descrito en secciones anteriores. si están especificados los niveles de VD e ID para la red de la figura 6. el nivel de amplificación deseado. la potencia de la señal y Figura 6. EJEMPLO 6.9 DISEÑO El proceso de diseño no está limitado sólo a las condiciones de de. Por lo general.

.--) ..1 V) 5 4 .-~16V 1. 6.. calcular el valor de Rs si VD = 12 V Y VGsQ = -2 V.22 mA)Rs y Rs = 7. Solución Ei nivel de VG se determina de la siguiente forma: VG = EJEMPLO 6.12V = = 2..4 ka => 0..2ka 8V 2.35 ka El valor más cercano que está disponible en el mercado es de 3.22mA ~ 1.5mA Al graficar la curva de transferencia de la figura 6.Solución Por la definición de la ecuación (6.4ka 2.(2._------ .52.5mA 2.5mA - 1 -3 Vp -2 -1. .34)..5 mA se obtiene VGsQ =-1 V..51 y dibujar la línea horizontal en IDQ = 2. o = -1 V V GSQ Los valores más cercanos disponibles en el mercado son RD = 3.3 kQ.22mA = 3.44 V 0------0 12 V ~ _ _ _.5 mA ID (mA) 6lDSS -(.8 kQ Luego se escribe la ecuación para VGS y se sustituyen los valores conocidos: VGS = VG - - -~ Irfis Figura 6.l2V = = . t-- con ID = VDD .8kO: 91 ill 47 kQ(l6 V) 47 ka + 91 ka = 5.16.VD RD 47kQ + 16V . y 20V .. ---ID 3 2 Q =2.16 r-·------------.44 V 2.22 mA)Rs -7.2 ka => 3.39 ka Para la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 6.. Y la aplicación de VGS =-/rfis establecerá el nivel de Rs' Rs = _ -_(V-"G""SQ. -2 V = 5.9 Diseño 289 .= 3.44 V = -(2.52 Ejemplo 6.= 0.3 ka Rs = 0.44 V .

17. 6. la respuesta es totalmente inesperada y no cumple con los cálculos teóri- cos? ¿Cuál es el siguíente paso? ¿Se trata de una mala conexión? ¿Se trata de una mala lectura en el código de color de un elemento resistivo o simplemente de un error en el proceso constructivo? Parece muy vasto y a menudo es frustrante el rango de posibilidades. Por tanto.~ ---------------------------------------------EJEMPLO 6. Rara vez se miden los niveles de corriente porque estos manejos obligan a modificar la estructura de la red con objeto de insertar el medidor de corriente. pueden calcularse los niveles de la corriente empleando la ley de Ohm.10 LOCAUZACIÓN DE FALLAS ¿ Cuántas veces se ha construido una red con cuidado sólo para encontrar que cuando se aplica la potencia.34) se obtiene R D = V RD = V DD - VDS = V DD - iVDD = DD ----'=-- +V ID y 1 D(encendido) 1D(encencido) 1D{encendido) = -. el proceso de localización de fallas puede iniciar con cierta esperanza de éxito si se entiende la operación 290 Capitulo 6 Polarización del FET . Por lo general.5kQ que es un valor estándar disponible en el mercado.o. El proceso de localización de fallas que se describió al principio del análisis de las configuraciones a BIT debe cerrar la lista de posibilidades y aislar el área del problema siguiendo un plan de ataque preciso..53 están especificados los niveles de 1D{encendido}" Determine los valores de VDD Y de Rv' VDS e ID como VDS = iVDD e ID = 10 M. se sigue con la verificación de los niveles de voltaje entre las terminales específicas y la tierra. í Solución VDS VGS(eN:rodido) = 6 V JD(enco:lldido) ::: 4 mA VOS(rh) =3v \ Figura 6.= 4mA 6V 1..53 EjeIlll'lo 6.. 6 V. En cualquier caso. o entre las terminales de la red.. el proceso se inicia mediante una verificación de la construcción de la red y de las conexiones de las terminales. debe tenerse una idea del nivel esperado del voltaje o la comente para que la medición tenga cierta importancia.::: VGS(encendido) :. para esta configuración. Con ID == 1D(encendido) :. 4 mA Y VGS. una vez obtenidos los niveles de voltaje. Luego..17 Para la red de la figura 6. y = V GS = +VDD 6V = iVDD VDD = 12 V de tal forma que Con la aplicación de la ecuación (6. Desde luego.

La indicación de una de O V revela de inmediato la falta de corriente a través del elemento debido a un circuito abierto en la red. Debe encontrarse la causa de tal situación "'buena o mala" muy sensible o de lo contrario puede volver a ocurrir en el momento más inoportuno. en este caso VGS es positivo (positivo o negativo para el MOSFET de tipo decrementa!) y VDS negati va. s rojo negro Vcs . También existen otras posibilidades como un dispositivo en corto del drenaje a la fuente.. El elemento más sensible en las configuraciones a BJT y JFET es el amplificador en sí mismo. El desarrollo de buenas técnicas de localización de fallas proviene en gran medida de la experiencia y el nivel de confianza en cuanto a qué esperar y por qué. Si se cuestiona la situación del amplificador. Para el amplificador a JFET de canal-n está entendido con claridad que el valor estable de VGSQ está limitado a O V o a un voltaje negativo. Desde luego. Algunos probadores pueden indicar que el dispositivo aún se encuentra básicamente en buen estado. En estos casos.54. Si el nivel de VDS parece inadecuado.54. Una lectura de OV para VDS indica que o bien el circuito está "abierto" o el JFET tiene un corto circuito interno entre el drenaje y la fuente. pero la persona que se encuentre localizando la falla simplemente tendrá que concentrar las causas posibles del funcionamiento erróneo. VGSQ está restringido a los valores negativos en el rango desde O V hasta Vp" Si se Conecta un voltímetro como lo muestra la figura 6. ya que no sólo revela si el dispositivo es operable. lo mejor es no confiarse y continuar Con la construcción. se confirma la continuidad de Vs' En este caso es posible que exista una conexión pobre entre Rs y la tierra que puede no Ser muy obvia. Se observa en todas las configuraciones de la figura 6. pueden destruir el dispositivo. pero existe continuidad entre VD Y VDD' Si Vs = VDD' el dispositivo no está abierto entre el drenaje y la fuente. resulta obvio que no existe una caída a través de RD debido a la falta de corriente a través de RD y deben verificarse las conexiones para revisar su continuidad.55 para los diversos tipos de FET. sino también sus rangos de valores de corriente y voltaje.55 que cada voltaje de la fuente de alimentación es un voltaje negativo que consume corriente en la dirección indicada.11 FET DE CANAL-P Hasta ahora el análisis se ha limitado sólo a los FET de canal-n. o el uso indebido de valores incorrectos de resistores que ocasionan altos niveles de corriente. como se muestra en la figura 6. Sin embargo. Para los FET de canal-p se necesita una imagen de espejo de las curvas de transferencia y se invierten las direcciones definidas de comente. pero no indican que su rango de operación se ha reducido de manera severa.54 Verificación de la operación en de de la configuración del JFET con autopo!arización.11 FET de canal-p 291 .: Rs + Figura 6. y tomando la medición de los niveles de voltaje desde VDO a tierra con la ayuda de la terminal positiva. En particular.básica de la red junto con algunos valores esperados del voltaje o la corriente. se observa que continúa la notación de doble subíndice para los voltajes tal como se definió para el dispositivo de canal-n: V GS' VDS' y así sucesivamente. la mejor prueba para el FET es el trazador de curvas. la lectura debe tener un signo negativo y una magnitud de unos cuantos volts. pero tampoco "encendido". 6. Para la red de la figura 6. Si VD ~ VDD' puede que la corriente a través de RD sea cero. Puede verificarse la continuidad de una red midiendo sólo el voltaje a través de cualquier resistencia de la red (excepto para Re en la configuración JFET). También es posible que la conexión interna entre el cable de la punta de prueba y el conector de la terminal se encuentren separados. con la punta de prueba positiva (normalmente roja) a la entrada y la punta de prueba negativa (normalmente negra) a la fuente. La aplicación de un voltaje excesivo durante las fases constructiva o de prueba. El nivel de VDS normalmente se encuentra entre el 25 y el 75% de V DD . Sin embargo. 6. Si VD tiene VDD volts. puede verificarse sin problemas la continuidad de] circuito de salida al conectar a tierra la punta de prueba negativa del voltímetro. Cualquier otra respuesta tiene que considerarse como sospechosa y debe investigarse. existen ciertas ocasiones en que parecen desaparecer misteriosamente las razones de las causas de una respuesta extraña cuando se verifica una red.

Cuando se obtienen los resultados. -V DD ID IDSS RD h+ + VGS tls Rs O VDS Vp VGS V DD tlD RD ID lDss =R¡ + R.55 Configuraciones de cana.l-p. en realidad puede asumirse como un dispositivo de canal-n con una fuente inversa de voltaje y desarrollar el análisis completo. 292 Capítulo 6 Polarización del FET . estará correcta la magnitud de cada cantidad. . tls VG O Vp VGS -VDD RD RG tlD + VDS + VGS 1 VGS Figura 6. aunque la dirección de la corriente y la polarización del voltaje tendrán que ¡nvertirse. Sin embargo.. Rs I~ VGS _ + VDS .. el siguiente ejemplo demostrará que con la experiencia que se ha logrado a través de los dispositivos de canal-n es bastante directo el análisis de los dispósitivos de canal-p. Debido a las similitudes entre el análisis de los dispositivos de canal-n y de canal-p.-r:.

.55 V 1.18 y Calcular 1DQ' V esQ VDS para el JFET de canal-p de la figura 6.-Q -5 -4 -3 -2 -1 o1I I 2 3 4 Vp Figura 6.= Rs Ve -4.57 Cálculo del punto Q para la coníiguración de JFET de la figura 6. se obtiene ID = . Solución .55 V 20kQ(. 1.57...4 V /D (mAl 8 ID=3.53mA que también aparece en la ligura 6.56.-------------------------------------------------------------~ EJEMPLO 6.11 FET de canaJ-p 293 .. = 3.4 mA Ves.Ves + Irfis = O y Ves = Ve + Irfis Seleccionando ID = O mA se tiene tal como aparece en la figura 6. = 1.= -4.57.18.8k!l '-_____ /s +-+t ~F Figura 6. 6.57: ID.8 kQ = 2.56.4mA.. Cuando se elige V GS = O V.20 V) 20 kQ + 68 kQ Con la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff se obtiene Ve . El punto de operación estable que se obtiene a partir de la figura 6.56 Ejemplo 6.

se desarrolló una curva universal útil para cualquier nivel de I DSS y de Vp.7 V 6. -0.:-. Las dos escalas adicionales a la derecha necesitan presentarse.3 V = -4. La escala vertical llamada m puede utilizarse por sí misma para encontrar la solución a las configuraciones de polarización fija. +-.loRo + Voo = O y Vos = -Voo + lo(Ro + Rs) = -20 V + (3.2 o 294 Capítulo 6 Polarización del FET . En la figura 6. y cuando VGS = Vpel cociente VG / I V p I es de-!. con la indicación IV p 1.Para Vos' con la ley de voltaje de Kirchhoff se obtiene -loRs + Vos .L I DSS m=-- IVpl M=m x Rs IDss IVpl vGO -"-'Figura 6. Para el eje verticalla escala también es un valor normalizado de loilo~s' El resultado es tal que cuando lo = lossel cociente es 1. Se observa también que la escala para ID/IDSS se encuentra a la izquierda en lugar de la derecha como se encontró para ID en los ejercicios anteriores. -h.58 se proporciona la curva universal de un JFET de canal-n o el MOSFET de tipo decremental (para los valores negativos de VesQ )' Se observa que el eje horizontal no es el de VGS' sino el de un nivel nonnalizado definido por V GS/ IV p 1.12 CURVA UNIVERSAL DE POLARIZACIÓN PARA JFET Debido a que la solución de una configuración a FET necesita que se dibuje la curva de transferencia en cada análisis.8 -0.C-e~i-+:. '--+¡-" Curva universal de polarización para el JFET. -0.8 kQ) = -20 V + 15.7 kQ + 1.6 ---~ -! t----. La otra escala.4 mA)(2.4 -0.. mas no su signo. lo que significa que sólo debe tomarse en cuenta su magnitud.-. se utiliza junto con la escala m !. llamada M.58 H.

.----.36) con VG = R2 VDD R¡ + R 2 Es importante tener en cuenta que la belleza de este método se debe a que ya no es necesario trazar la curva de transferencia para cada análisis. Las escalas para m y M provienen de un desarrollo matemático que involucra las ecuaciones de la red y la escala normalizada recién presentada. con \/G tal como se definió por medio de la ecuación (6.. 16V EJEMPLO 6.. El punto Q obtenido: 0.. así como se muestra en la figura 6.. Las ecuaciones de m y de M son las siguientes. Calculando el valor de m. es mucho más rápido el análisis y más preciso también.2.59 Ejemplo 6. Una vez que ha quedado claro el procedimiento. 0-0 --.19 3. La siguiente descripción no se concentra sobre el motivo por el cual la escala m se extiende desde O a 5 cuando VGsil Vp I = -0..12 Curva universal de polarización para JFET 295 . se obtiene m = . El uso de los ejes m y M se explica mejor mediante unos ejemplos que utilicen dichas escalas.31.= 0... a que la sobreposición de la recta de polarización resulta mucho más sencilla y a que son menos los cálculos.15)..6 kQ) La recta de autopolarización definida por Rs se grafica al dibujar una línea recta desde el origen y a través del punto definido por m = 0. V. sino en la fonna de usar las escalas resultantes para obtener una solución para las configuraciones.05 ~F lMO 1.)11----. Solución Hgura 6.9Hl 0. J m=--IDssRs IVpl (6. Y la escala M desde O a 1 cuando \/GS ~ Vp = 0.59.575 6..31 IDssRs (6 mA)(1.para encontrar la solución para la configuración mediante divisor de voltaje. 0.6kO 40 ¡ll' .05 ¡ll' I o V...19 .= .18 y IVpl 1-3VI -0.35) (6. Calcular los valores del punto de operación estable tanto de ID como de VGS para la red de la fIgura 6.60.

~--------~~--~18V 2.6. -0.20 Calcule los valores en el punto de operación de ID Y VGS para la red de la figura 6.20. +--1 2 ...---1:'(1------<0 V.I Los valores del punto de operación estable de ID Y de V GS pueden calcularse después de la siguiente manera: l DQ = 0.73 V EJEMPLO 6.2kO 91OkO 1.2 kO 296 FIgura 6. t· .3f~'~ o _1. Vi 0-0-_~:):~---+---11- 1.8 -0.-.ID I Dss m=-5 -1 IV.2 m O.575 IV.~ ~ .uF .2 j..575(3 V) = -1.-~ H0.I [DssRs GG M=m x IVpl V H--·..uF 220kO 1: 1.18(6 mAl = 1..: + -++ : -0.J __ _ _.19 y 6. ' PuntOQ:_'J'~~I016~9):_ T ~~t :1:-.20.08 mA y VGsQ = -0..61 Ejemplo 6..-- ~ .4 VGS =-0.I Figura 6.61.. . .26 IV. VGS =-0.5751 Vp 1 = -0.60 Curva universal para los ejemplos 6.0 -0.181DSS = 0.

222 x 1O-3AN 2 220kQ m 1. Esto es.625 La determinación de VG (220 kQ)(l8 V) ~ = 3.2 kQ) ~ 0. se observa que aunque los valores de IDSS y Vp son diferentes para las dos redes. con nodos definidos para un análísis mediante PSpice. El enfoque de PSpice es muy sinúlar cuando empleamos la configuración a BIT del capítulo 4. Si se elige BASIe se necesitará de un método matemático que incluirá encontrar la solución de una ecuación cuadrática. y IDQ ~ e con 0.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA En esta sección se desarrolla el análisis por computadora de una configuración a JFET mediante un divisor de voltaje usando los programas tanto BASIC como PSpice.26(6 V) ~ -1.61 IIJ. Entonces.Solución El cálculo de m da m ~ 1Vp 1 -- ~ 1--6 V 1 ----(8 mA)( 1. Primero se encuentra M sobre el eje M como se indica en la figura 6. yen el punto de intersección con el eje se añade entonces la magnitud de m.62 se redibuja la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 6.531DSS ~ 0.24 mA VGsQ ~ -0. puede dibujarse la recta de polarización sobre la figura 6.625 (3. como lo muestra la figura. puede utilizarse la misma curva universal. Con el punto que se obtuvo sobre el eje m y la intersección sobre M.365 Ahora que se conocen m y M.2kQ 9!OkQ VTO_V p __ 6V BETA = IDSS =0. Los W ¡8V 2. PSpice (versión DOS) En la figura 6.53(8 mAl ~ 4. Después se dibuja una línea horizontal hacia el eje m.61 usando los nodos y parámetros del dispositivo que se definieron de acuerdo al capítulo 5.261 V p 1 ~ -0.5 V 910 kQ + 220 kQ Al encontrar M se tiene M ~ m x VG I vpl ~ 0.60.60.5 6V V) ~ 0. 297 .2kQ IV l2 p figura 6. se dibuja una línea recta para intersecar la curva de transferencia y así definir el punto Q.56 V 6.62 Red de la figura 6.

000 DEG e VDD 1.61 •••• CIRCUlT DESCRIPTION •• ********. se 298 Capítulo 6 Polarización del FET .20) e ID = 4.23 mA (PSpice). se ha descrito en capítulos anteriores el Figura 6.4} I(RO) .57 V (PSpice).56 V (ejemplo 6.2K RS 4 O 1.62 aparecerá como se muestra en la figura 6.oc VOD 18 18 1 .4) -1.Browse. Cuando se elige en la biblioteca.oc Bias of JFET confiquration in Fig. 6.000000E-06 **** DC TRANSFER CURVES V(l. Q Q Q Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows La red de la figura 6. usando los formatos descritos también en el capítulo 5. la Descripción (Descriplion) que aparece sobre la lista en la caja de diálogo.64 Representación esquemática de la red de la figura 6.565E+OO i(RD) '.PRINT OC V(l.***************************. El JFET J2N3819 aparece dentro de la biblioteca eval.Get New Part . la cual se seleccionó mediante la secuencia Draw .*******.20) y VGS Q = -1.2" J1 3 143M . 27.24 rnA (ej¿mplo 6.63. de igual fonna que en los capítulos previos con el JFET introducido. Excepto por el JFET.800E+Ol Figura 6.64 cuando se aplique la versión para Windows de PSpice.20 con ID = 4.slb de la caja de diálogo Gel Part. procedimiento para inicializar la red con los enunciados VIEWPOINTS e IPROBE. I?ar~metros son capturados.MODEL JK KJF(VTO--6V BETA-. según aparecen en la figura 6.222E-3) .63 Análisis mediante PSpice de la configuración de la figura 6.62.OPTIONS NOPAGE • EllO •••• \'TO Junction FET NOOEL PARAMETERS JK NJF -6 BETA 222.61. Se observa cómo son similares los resultados con los del ejempl6 6. El voltaje que se solicita como V(l.************************. VDD 2 O 18V Rl 2 1 910K R2 1 O 220K RD 2 3 2.4) es VGS y la corriente I(RD) es ID . y VGS = -1.225E-Ol TEMPERATURE.

Edit Instance Model. VGG (a) vGS (b) Ftgura 6.Analysis .65a. v. el Editor de Modelo (Model Editor) aparecerá y se podrá inicializar VTO en -{iV y BETA en 0. Para la red de la figura 6.13 Análisis por computadora 299 .5044 V -5. Se coloca el JFET sobre la localización deseada y se oprime el botón derecho del apuntador (mouse) para terminar el proceso.65 Configuración mediante divisor de voltaje Que se analizará mediante el empleo de BASIC.4) =3.222E-3.57 V. la secuencia OK .65b): (6. Una vez que se termina. Si se selecciona OK. se obtiene R¡ Ipss V. En este ejemplo.38) (6. se observa que el dispositivo está descrito por la ecuación de Shockley (6. Para acelerar la ejecución. La corriente de drenaje igual a 4. tipo decremental de canal-n (n-channel jfet-depletion).23 mA es una réplica exacta de la solución con DOS así como el voltaje VGS = V(l. BASIC Si se utiliza un lenguaje como BASIC. VIEWPOINTS e IPROBE tendrán toda la información necesaria. se elige OK para asignar estos valores en la aplicación.64.39) VG = R2 VDD R¡ + R2 Si se inserta la ecuación para ID [ecuación (6.37) mientras que la red está definida por (figura 6.076 V =-1. Una vez inicializados. sólo se selecciona el símbolo JFET que está sobre el dibujo una vez (pero sólo una vez) y se opta por la selección Edit en la barra de menús.65b) VGS = VG con - Irfis (6. se selecciona Analysis seguido por Probe Setup y se elige Do Not Auto-Run Probe.Simulation proporcionará los resultados que aparecen en la figura 6. aparecerá el símbolo JFET para su ubicación en la pantalla. Siguiendo la secuencia Edit .37)] en la ecuación (6.38). Para los valores iniciales de VTO y BETA. --)1--+--'" R. entonces es necesario encontrar una solución común mediante el empleo de técnicas matemáticas para las ecuaciones que se definieron por la red y el dispositivo.Model . 6.indica como un JFET de.

4ac 2a siendo la solución real aquel valor de VGS que caiga dentro del rango entre Oy Vr El programa probará desde luego.2 Ecuaciones y enunciados para el módulo 11 000 Ecuación Enunciado para computadora GG = (R2/(Rl + R2)) . En la figura 6.-----" a b e Las soluciones a la ecuación cuadrática están determinadas por -b ± -lb' . 2 Vi 2lDssRs 8=1---Vp A=SS'RSNP.2 y 6.41) (6. cuando se expande.3 se proporciona un resumen de las variables y las ecuaciones que se utilizan en el módulo 11000. los voltajes del drenaje y la fuente son (6.SQR(D))/(2' A) VD=DD-ID' RD VS=ID'RS DS=VD-VS VD= VDD-1aRD 300 Capítulo 6 Polarización del FET .2 B= 1-2' SS' RSNP C=SS' RS-GG D=B .66 aparece el listado del programa junto Con una ejecución con los mismos valores utilizados en el análisis PSpice.2-4'A'C VI = (-B + SQR(D))/(2' A) RS RD C=IDssRs-VG D = B2 -4AC -B + 'iD 2A Vz= -B-W 2A V2 = (-B .Vs En las tablas 6.3 Ecuaciones y variables del programa para el módulo 11000 Variable de la ecuación Variable del programa VG VS VD GG DD GS DS VP ID SS Rl R2 vG=--VDD R2 R¡ +Rz Vs = l"Rs vGs=vG-VS lD=IDS{ v::] A = IDssRs GSNP) .la cual. Luego.40) Vs = IvRs y (6.VG) = O Vp ~ '--. indicando que no existe solución en caso de tener un valor negativo. Una vez más es importante notar la correspondencia tan cercana entre los resultados.4ac.42) VDS = VD . DD VS=ID'RS GS=VG-VS ID = SS' (1 - TABLA 6. el valor de b2 . TABLA 6. genera la siguiente ecuación cuadrática IDssRs ---V2 + V2 GS p '-~ (1 - 2IDS sRs) Ves + (lDSSRS .

301 .~09939 volts ~ vs- VDS= 5.**.26821 aias voltaqes are: VGS--l..GS¡"volts" PRINT ·Vo--.VS¡"volts· PRINT "VDS="¡DS¡"volts" 350 END 11000 REK Module for FET dc bias calculationd 11010 GG-(R2(Rl+R2))*DD 11020 A-SS*RS/VP~2 11030 11040 o-SS*RS-GG l1Q50 D-B~2-4*A*C 11060 IF 0<0 THEN PRINT -No solution!!!" :STOP 11070 Vl=(-S+SQR(D))(2*A) 11080 V2-(-S-SQR(D))(2'A) 11090 IV ABS(Vl»ABS(VP) THEN GS=V-2 11100 IF ABS(V2»ABS(VP) TREN GS=Vl 11110 ID-SS*(1-GS/VP)A2 11120 VS=XD*'RS 11130 VG-GG 11140 VD-OD-IO. VDD=? 18 Entar the followinq de~ee data: Drain-souree saturation current.65.R2 INPUT "R2 rHPUT "RS-"'.2.*********.2El supply voltage. VP-"¡VP PRINT :PRINT REH Nov do bias caleulations GOSUB 11000 PRINT "Bia~ current ls..R1 . IP-".************* 30 REM Module tar FET de Bias Calculations 40 REM 60 REM 50 REM ********************************************* PRINT "This program provides tbe de bias calculations" PRINT "for a JFET or depletion MOSFET" PRINT "voltage-divider confiquratlon.2E3 RD-? 2.RD 11150 OS=VD-vS 11160 RBTURN RUN This program provides the de bias calculations for a JFET or depletion MOSFET yoltage-divider eonfiquration." PRINT PRINT "Enter the fOllowing cireuit data:~ PRINT 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 310 340 INPUT "Rl (use lE30 if open)-". VP=? -6 aias current i_."mA" PRINT MBias voltages are=~ PRINT "VGS-". .VD. 10S8-? BE-J Gate-souree pinchoff voltage. REM 10 REM .121852 volts 3. IO~ 4.8.617427 volts VD.*************. IDSS~"¡SS INPUT "Gate-aouree pinoho!f voltaqe.66 Programa en BASIC para el análisis de la red de la figura 6.ID*1000."volts" PRINT ·VS·"..488087 volts Figura 6..***. VOD="¡DD PRIIIT PRINT "En~er the followin9 device data:" INPUT "Oratn-aouree saturation current. B-l-Z*SS*RS/VP tnter tha following circuit data: Rl (use lEJO if open)=? 910E3 R2 =? 220E3 RS-? 1.RS INPUT "RO-" ¡RO PRINT INPUT "Supply voltage.

6 kíl VD =9 V + VDS IDSs=8mA Vp =-4 V 302 Figura 6.-r. ------PROBLEMAS § 6. calcule: a) b) e) [D. . 3.68. Para la configuración de polarización fija de la figura 6.. Dado el valor de VD medido en la figura 6.. e) Encuentre VDS' VD' VG Y Vs utilizando los resultados del inciso a.69. VDS. b) R¿pita el fnciso a con un método gráfico y compare los resultados. 16 V 2.2 Configuración de polarización fija 1. 2. b) Sobreponer la ecuación de la red en la misma gráfica. e) Calcular IDQ y VDSQ ' d) Con la ecuación de Shock. 14 V VcC. Figura6..69 Problema 3.ley. 12 V IMn .67: a) Trazar las caractensticas de transferencia del dispositivo. 1.38.2kíl lvss = 10 rnA + IMíl Vp =-4.68 Problema 2. ..41. determine: a) ID Y Ves utilizando un método puramente matemático.. . Para la configuración de polarización fija de la figura 6.5 V 3V figura 6.35. resuelva IDQ y luego localice VDSQ ' Compárela con las soluciones del inciso c.67 Problemas 1.

72 utilizando un método puramente matemático.3 Configuración de autopolarización 6.70 Problema 4. 7.71 Problema 5.74. Figura 6. Compárela con la solución que se obtuvo en el problema 6. Determine IOQ para la red de la figura 6. * 7. b) Sobreponga la ecuación de la red en la misma gráfica. § 6. 20V 18 V 2. 36. 39. Determine VD para la configuración de polarización fija de la figura 6.7 V para la red de la figura 6.4. calcule: a) I • DQ V b) VGsQ' c) I Dss' d) VD' e) VDS' Problemas 303 . Para la configuración de autopolarización de la figura 6.5 kil I pss = lOmA Vp =-4 V I Mil 750il FIgura 6. Dada la medíción Vs = 1.73. 42. 8. calcule: a) VesQelo ' b) VDS' VD' G y Vs' 9. Para la red de la figura 6.71.72 Problemas 6.70. establezca una ecuación cuadrática para ID Y seleccione la solución compatible con las características de la red. Esto es. Determine VD para la configuración de polarización fija de la figura 6. 5.2kil 2kil VD 1 Mil 2 Mil 4V-¡ Figura 6. c) Calcule IOQ y V GSQ' d) Encuentre VDS' VD' Ve y Vs' 18 V 1.72: a) Trace la curva de transferencia para el dispositivo.

§ 6. IDSS=6mA vp =-6 v 14 V 2.76.51 kil 0.75 Problema lO.77? 304 Capitulo 6 Polarización del FET . Encuentre para la red de la figura 6. FIgura 6. 43.75: a) ID' VDS' b) C) VD" d) 12V VS' 18 V 20V 2. Figura 6. Q Q b) ¿Cual es el menor valor posible de Rs para la red de la figura 6.51 ka (aproximadamente e150% del valor de 12). * 11. Encuentre V s para la red de la figura 6.7 V 1. = 1. 13.39 kil Figura 6. 13.2kil 2kil I[)SS = 6 mA Vp =-<:' v IDSS =4.5 roA Vp =-5 V I Mil v.5 V LIHl FIgura 6.6kil I Mil 0. ¿Cuál es el efecto de un Rs menor sobre ID Y VGS ? • .4 Polarización mediante divisor de voltaje 12.* 10.74 Problema 9.2kil 0.77: a) VD' b) ID Q Y VDS' Q e) VD y Vs' 20 V d) V DS Q ' 910kil IDSS= lOmA Vp =-3.68 kn Figura 6.76 Problema 11. a) Repita el problema 12 con Rs = 0.77 Problemas 12.73 Problema 8. Determine para la red de la figura 6.

Calcule para la configuración de la figura 6. 1. Calcular: a) b) ID' Vs.78 Problema 14. c) VGS' 12V § a) 6. Problemas 305 .79: Y V GsQ ' DQ VDSyVS' 18 V f 750 kQ 16 V + Vo + VOS .82: a) ID Q y Ves' Q VDS Y Vs.79 Problemas 15. Especifique para la red de la figura 6.81: DQ y V GsQ ' b) VDS Y VD' * 18.37. Para la red de la figura 6. Dado V DS := 4 V para la red de la figura 6.81 Problema 17.39 kQ -4V .2 kQ + 4V 2kQ 14 V -3V Figura 6. Figura 6. Figura 6.40. Figura 6.14.5 I MOSFET de tipo decremental 3kQ 17.80..43 kQ 0. encuentre: a) ID' b) VDY Vs.68 kQ Figura 6. VD := 9 V.78. Calcular para la configuración de autopolarización de la figura 6.. b) l 18 V 2.80 Problema 16.t- 1Vs VDS - 91 kQ 0.2 kQ 1 MQ 0.82 Problema 18. VDS' VG' VGs' c) d) a) b) VI" I * 15. * 16.

figura 6. Para la configuración de la figura 6. § 6.1- ~= 160 VD IDss=6mA Vp =-6V flDQ + VasQ 1~ > 18kQ >I.75kQ .2 kQ *lDQ VGS(Th) = 3 V VaS(Th) ID(meendido)== ~IDQ 1MQ + VDSQ =4 V VGS(=udid<l) == 7 V 1f)(cncendidQ) = 5 mA 6.83 calcule: a) IDa b) VeSQyVDSQ' e) VD y Vs· d) VDS- 20.2 kQ lOMQ 2...85: a) VG .. b) VGS elD • e) lE' Q Q d) e) lB.J kQ L:: lB r . .84 Problema 20..6 MOSFET de tipo incremental 19.51 kQ 0. . figura 6.. 24 V 22 V 1. Calcular para la red de la figura 6.§ 6.84: a) [Da b) y V GSQ ' VDyVs. VD. FE . Figura 6. Calcular para la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 6. f) Ve r-------~--------~--~20V $ > 91kQ >330kQ • J.8 Redes combinadas * 21.85 Problema 21.8MQ + 5 mA VG5(cncendido) == 6 V + VGSQ VesQ 0.83 Problema 19.2kQ 306 Capítulo 6 Polarización del FET * .

. * 24.10 Localización de fallas * 26.2 kQ Figura 6. 25.. § 6. Q = 10 mA y Vp Diseñe una red mediante divisor de voltaje empleando un MOSFET de tipo decremental con 1DSS = -4 V para obtener un punto Q en 1DQ = 2. Utilice los valores estándar. D = 3RS Y use los valores estándar.87 acerca de la operación de la red? 12 V 12 V 12V 2kQ 2kQ 2kQ 4V 1MQ 1kQ !--oOV 1 Mil + 12 V 1 Mil . Utilice una fuente de 16 V Y valores estándar. Diseñe una red de autopolarización empleando un transistor JFET con lvss = 8 rnA Y Vp = -6 V para obtener un punto Q en 1D = 4 mA utilizando una fuente de 14 V. Vc + VCE r ~ 10 kQ . 307 . § 6..39 empleando un MOSFET de tipo incremental con VGS(Th) = 4 V.86 Problema 22. Diseñe una red como la que aparece en la figura 6.. ¿Qué sugieren las lecturas de cada configuración de la figura 6.5R s con R¡ = 22 MQ. Asuma que J. p= lOO ~ lE 1.5 x 10--3 AJV2 para obtener un punto Q en 1DQ = 6 mA. fije Ve = 4 Vy utilice RD = 2. Problemas Flgura 6.2 kQ > v.86: a) b) e) VB' Vc' VE' lE' le ID' d) e) f) g) lB' Ve> Vs• VD' VCE' VDS' • : 40 kQ • • 2.5 mA utilizando una fuente de 24 V. Además.... k =0.9 Diseño * 23.. Detennine para la red combinada de la fígura 6... .* 22.87 Problema 26. Col .

. 34.91.. F"lgura 6. Repita el problema 15 ayudado con la curva universal de polarización para JFET. calcule: a) IDQ y VGsQ ' b) VDS. Repita el problema 1 utilizando la curva universal de polarización para JFET. § 6. ¿Cuál es la causa específica de su falla? 20V 20V 330kQ 2..12 Curva universal de polarización para JFET 31. '" 28. F"lgura 6.7V-r---. deterrnine una causa probable del estado indeseable dé\a red.'" 27.89 no está operando de manera adecuada. Aunque las lecturas de la figura 6. Para la red de la figura 6. 308 Capítulo 6 Polarización del FET .90.4 V 3. Repita el problema 6 usando la curva universal de polarización para JFET. F"lgura 6.2kQ 330kQ 2kQ 14..2kQ 2kQ IMn VGSml) =-3 V 1D(tllCeDdido) = 4 mA IMn VGS(eocendido) = -7 V 0.88 por principio sugieren que la red/éstá comportándose de forma adecuada..91 Problema 30. Para la red de la figura 6. 75kQ l ill 6. DQ b) VDS. § 6. La red de la figura 6.. 30. 33.. e) VD. Vuelva a hacer el problema 12 utilizando la curva universal de polarización para JFET.11 FET de canal-p 29. determine: a) I y VGsQ .88 Problema 27.25 V 75 kQ 1 ill .90 Problema 29. e) VD. -IBV -16V 2. 32.89 Problema 28.51 ill Figura 6.

o Q Q *Los asteriscos indican problemas más difíciles. Utilizando BASIC. calcule 1DQ Y V esQ para la red del problema 1. VesQ y VDS Q 41. Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 15. ~. Problemas 309 .13 Análisis por computadora ID Q Q 35. 40. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 1. Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 1. 42. Q Q 36. Desarrolle un análisis con PSpice (Windows) de la red del problema 6. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 15. calcu¡e ID • Ves y VDS p"'a ¡>red del problema 12. 37. Calcule ID Y VGS 38. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 6. Utilizando BASIC. 39. Utilizando BASIC.. Calcule I DQ . . calcule IDQ y VGsQ para la red del problema 6.§ 6. Calcule Y V GS .

.

2 AMPUFlCACIÓN EN EL DOMINIO DE AC En el capítulo 3 se demostró que se puede utilizar el transistor como un dispositivo amplificador. P.1. no puede ser mayor que 1. sino que define el papel de cada uno y la relación que hay entre ambos. se define una eficiencia de conversión por medio de 7J = P o(ac/Pi(dc)' donde po(ac) es la potencia en ac de la carga. la potencia en ac de la salida es mayor que la potencia en ac de entrada. Este capítulo presenta no sólo ambos modelos.1 Corriente estable fija.1 1 (constante) o Figura 7. No existe una línea divisoria entre ambas. existe un "intercambio" de potencia de dc al dominio de ac que permite el establecimiento de una mayor potencia de ac de salida. pero la aplicación y la magnitud de las variables de interés relacionadas con las escalas de las características del dispositivo.. Esto es. La conservación de la energía establece que a través del tiempo la potencia total de salida. En el capítulo 4 se examinó con detalle la polarización de de. La dirección de flujo resultante está indicada en la figura junto con una gráfica de la corriente i en función del tiempo.CAPÍTULO Modelaje de transistores bipolares 7. establecen con claridad cuál método es el adecuado. la señal senoidal de salida es mayor que la señal de entrada o. Ahora se insertará un mecanismo de control como el que se muestra en la figura 7. Uno de los primeros intereses en el análisis senoidal en ac de las redes de transistores es la magnitud de la señal de entrada.2. Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el análisis en ac de pequeña señal ~ de redes de transistores: el modelo re y el equivalente hlbrido. De hecho. En otraS palabras. Quizá el papel de la fuente de dc pueda describirse mejor si se considera primero la red de de simple de la figura 7. El mecanismo de control es tal. 311 . 7. Po' de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada. Luego surge la pregunta sobre la manera en que la potencia en ac de salida puede ser mayor que la potencia en ac de entrada. dicho de otra manera. la apariencia y las características del transistor. y Pi(dc) es la potencia de de suministrada. por lo general. y que la eficiencia definida como r¡ = PJP. La técnica de pequeña señal se presenta en este capítulo y las aplicaciones de gran señal se examinan en el capítulo 16. Ésta es una contribución a la potencia total de salida.da mediante una fuente de.1 INTRODUCCIÓN En el capítulo 3 se presentaron aspectos como la construcción básica. que la aplicación de 1 L- 1. En este apartado se examinará la respuesta de ac en pequeña señal del amplificador a BJT mediante la revisión de los modelos que se utilizan con más frecuencia para representar al transistor en el dominio senoidal en ac. aunque parte de ella se disipe por medio del dispositivo y los elementos resistivos. El factor que falta en la presentación anterior que permite que la potencia en ac de salida sea mayor que la potencia en ac de entrada es la potencia aplicada de dc. porque ésta detenninará si deben aplicarse las técnicas de pequeña señalo de gran señal.

Además. Por tanto.2 el valor pico de la oscilación está controlado por el nivel de de establecido. se pueden eliminar los niveles de de del análisis en ac de la red. En algunos análisis y ejemplos se requerirá el modelo híbrido. Para el sistema de la figura 7. el diseño adecuado del amplificador requiere que los componentes de y en ac sean sensitivos a los requerimientos y limitaciones del otro. en realidad es una fortuna que los amplificadores de pequeña señal a transistores puedan considerarse lineales para la mayoría de las aplicaciones. Los parámetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para cualquier región de operación dentro de la región activa y no están limitados por el conjunto único de parámetros proporcionados en las hojas de especificaciones. MODELAJE DE TRANSISTORES BJT La clave para el análisis en pequeña señal de los transistores es el uso de circuitos equivalentes (modelos} que se presentarán en este capítulo. y en general. mientras que en otros se utilizará el modelo r. Es importante asumir por el momento que ya está determinado el circuito equivalente de ac en pequeña señal. Una vez que éstos se fijaron. Durante muchos años tanto las instituciones industriales como las educativas se apoyaban mucho sobre los parámetros h¡'bridos (los cuales serán presentados en breve). pueden sustituirse mediante una trayectoria de baja resistencia o por un corto circuito de polarización. esto está claramente expuesto en la figura 7. Por tanto. pueden derivarse de manera directa a partir de los parámetros híbridos. en el texto se harán todos los esfuerzos para mostrar cuán relacionados están los dos modelos. análisis por nodos y el teorema de Thévenin) para determinar la respuesta del circuito. los dos se examinan con detalle en este texto. entonces. todas las fuentes de de se pueden reemplazar por un potencial equivalente de cero (corto circuito) debido a que sólo aproximan el nivel de de (estable) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida en ac. En un esfuerzo para demostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente en ac sobre el siguiente análisis.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo de estado estable del sistema eléctrico de la figura 7. i i~JE una señal relativamente pequeña al mecanismo de control puede ocasionar una oscilación mucho mayor en el circuito de salida. aplicarse los métodos básicos del análisis de circuitos ac (análisis de mallas. El circuito equivalente de parámetros híbridos sigue siendo muy popular. fracasa por no considerar el nivel de impedancia de salida del dispositivo. Un modelo es la combinación de elementos del circuito. Una vez que se determina el circuito equivalente en ac. Debido a que ambos modelos se emplean en forma extensiva en la actualidad. de manera exclusiva. Los niveles de dc fueron importantes sólo para determinar el punto de operación Q adecuado. se debe considerar el circuito de la figura 7. Sin embargo. permitiéndose el uso del teorema de la superposición para aislar el análisis dc del análisis ac. el modelo r. se puede reemplazar en el esquema el símbolo gráfico del dispositivo por este circuito y pueden.. aunque ahora debe compartir su utilización con un circuito equivalente que se derivó directamente a partir de las condiciones de operación del transistor: el modelo r. Debido a que sólo se está interesado en la respuesta en ac del circuito. y cómo el aprovechamiento de uno conduce al aprovechamiento natural del otro. ni en el efecto de retroalimentación de la salida a la entrada. ~xisten dos importantes corrientes de pensamiento respecto al circuito equivalente que sustituirá al transistor.4.1. pero es 312 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . que mejor se aproximan al comportamiento real de un dispositivo semiconductor que está bajo condiciones especificas de operación. para cualquier propósito práctico. Los fabricantes continúan especificando los parámetros luaridos para una región de operación en particular en sus hojas de especificaciones. Sin embargo.3. seleccionados de forma adecuada. se seleccionaron el par de capacitores de acoplamiento el y e 2 y el capacitar de desvío e 3 para tener una pequeña reactancia a fa frecuencia de la aplicación. Sin embargo. 7. Los parámetros (o componentes) del modelo r. .~ I~ de control M"anismo Itr v:" ~1 .3 o Figura 7. el circuito luarido equivalente se condiciona por estar limitado a un conjunto en particular de condiciones de operación si se debe considerar como preciso. Cualquier intento de exceder el límite establecido por el nivel de dc dará por resultado un "recorte" (aplanado) de la región pico de la señal de salida. Hoy en día. En contraste.

RE -. Si se establece una tierra común y se reorganizan los elementos de la figura 7..3 después de la eliminación de la fuente de de y la inserción del corto circuito equivalente para los capadtores.I E o + R.¡. evidente que esto ocasionará un "corto" del resistor de polarización RE" Recuerde que los capacitores asumen un equivalente de "circuito abierto" bajo condiciones de estado de de estable.IT .¡. + V. . lo que permite un aislamiento entre los estados de los niveles de de y las condiciones estables.5 + R.4. 7. + V.5. + R.. 313 Figura 7..L le ¡ 3 Figura 7. + V. Re R¡ e B + . 1 ¡ Figura 7. Z. '\¡ r ~ + Vi R.5 Redibujo de la figura 7. y Re aparecerá de colector a emisor como lo muestra la figura 7. E V.3 Modelaje de transistores B. lo + Re VD .¡. Vi R. Debido a que los componentes del circuito equivalente del transistor que aparecen en la figura 7. R I Y R 2 estarán en paralelo.4 para el análisis en ac y pequeña señal. '\¡ -. E '\¡ -.4 La red de la figura 7..Vee Re R¡ B Vo e e..3 Circuito de transistor bajo examen en esta discusión introductoria. Vi li Zi B Circuito equivalente de ac en pequeña señal para el tran~istor e R¡II R.

En resumen. el lado de la entrada (el lado en el cual se aplica normalmente la señal) está situado a la izquierda y el lado de la salida (donde está conectada la carga) se localiza a la derecha. la impedancia entre cada par de terminales bajo condiciones normales de operación es muy importante.1) Si la señal de entrada Vi es cambiada. z¡ Sistema de dos puertos Z. Haciendo todas las fuentes de dc cero y reemplazándolas por un corlo circuito equivalente 2. 1.6 Sistema de dos puertos.5. Impedancia de entrada. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7. y así sucesivamente. Reemplazando todos los capacitores por un corto circuito equivalente 3.utilizan componentes familiares como resistores y fuentes controladas independientes. Para ambos conjuntos de terminales. + V. se pueden aplicar las técnicas de análisis como la superposición.:: le' las cuales definen la ganancia en corriente A¡. En las siguientes secciones se hablará mucho más acerca de estos parámetros. 7.4 LOS PARÁMETROS IMPORTANTES: Z¡. 1. se pueden identificar las cantidades importantes que se elegirán para el sistema. primero se estudiarán aquellos parámetros de un sistema de dos puertos que son de vital importancia desde los puntos de vista de análisis y de diseño. para la mayoría de los sistemas eléctricos y electrónicos el flujo general nonnalmente es de izquierda a derecha. Debido a que el transistor es un dispositivo amplificador. Zo' Av' A¡ Antes de investigar los circuitos equivalentes para los amplificadores a BIT con mayor detalle.:: J/Ji" La impedancia de entrada 2¡. En otras palabras: 314 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . En la figura 7.5. el teorema de Thévenin. + V. Z¡ Para el lado de la entrada. De hecho. Redibujando la red de manera más conveniente y más lógica En las siguientes secciones los circuitos re y el híbrido equivalente se presentarán para completar el análisis en ac de la red de la figura 7. Eliminando todos los elementos en paralelo con un elemento de desvío mediante los equivalentes de corlo oírcuito que fueron presentados en los pasos 1 y 2 4. y la impedancia de salida 20 son particularmente importantes en el próximo análisis.5 se observa para esta configuración que Ji == lb Y que Jo.. Si se examina con mayor detalle la figura 7. F'tgura 7.6. se puede calcular la corriente Ií utilizando el mismo nivel de impedancia de entrada. para determinar las cantidades deseadas. la impedancia de entrada 2¡ está definida por la ley de Ohm de la siguiente forma: (7. el equivalente de ac de una red se obtiene: 1. se podría esperar alguna indicación acerca de cómo se relaciona el voltaje de salida Vo con el voltaje de entrada Vi' la ganancia en voltaje..

Se puede utilizar un osciloscopio o un multímetro digital sensible (DMM) para medir tanto el voltaje V" como el Vi. Además: No se puede emplear un óhmetro para medir impedancia de entrada en pequeña señal debido a que éste opera en el modo de dc.7 Determinación de Z. las cuales son condiciones que no cambian sólo porque varía la magnitud de la señal de ac aplicada. siempre y cuando ambos valores utilicen el mismo estándar. Amplificador figura 7. pero por la Rfueotc . puede variar desde unos cuantos ohms hasta los megaohms. Si la fuente fuera ideal (R.2) y (7. + Vs 600 Q .8.. se puede emplear el mismo valor numérico para los niveles cambiantes de la señal aplicada. en la figura 7." La importancia de la impedancia de entrada de un sistema se puede demostrar mejor por medio de la red de la figura 7. ovalares nns.. De hecho. La ecuación (7. Por ejemplo. Es muy notable que para las frecuencias dentro del rango bajo a medio-bajo (normalmente $ 100 kHz): La impedancia de entrada para un amplificador a transistor a BiT es puramente resistiva en naturaleza.7 se añadió un resistor sensor en el lado de la entrada para permitir una determinación de Ji mediante el empleo de la ley de Ohm. y dependiendo de la manera en que se utilice el transistor.Ambos voltajes pueden ser de pico a pico..Para el análisis en pequeña señal. La fuente de la señal tiene una resistencia interna de 600 Q Yel sistema (posiblemente un amplificador a transistor) tiene una resistencia de entrada de 1. r Zi = 1.2 kQ. = OQ).8 Demostración del impacto de Z¡ en la respuesta del amplificador_ 7..1) es particularmente útil porque proporciona un método para medir la resistencia de entrada en el dominio de ac.4 Los parámetros importantes: Zi' ZfI' Av' Ai 315 . Luego se determina la impedancia de entrada de la siguiente manera: v-v. S I (7.3) -Zi + V¡ Sistema de dos puertos Figura 7.los 10 mV completos serían aplicados al sistema. una vez que se ha determinado la impedancia de entrada. Se encontrará en las próximas secciones que la impedancia de entrada de un transistor puede calcularse de forma aproximada mediante las condiciones de polarización de de.2 ka I lOmV - + V.

emisor común.5) 316 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .9. entonces 11'.= 0. calcule el valor de la impedancia de entrada.5 kQ Z¡= . se debe calcular el voltaje de entrada utilizando la regla del divisor de voltaje de la siguiente malnera: V. 8.1.2m~ l' Zi t I -1 Solución' Sistema de dos puertos Figura 7.8 !lA Ikn Ikn y 1.2 mV V.:: . Por ejemplo.70/0 de toda la señal de entrada está disponible en la entrada. :. " entrada puede tener un i~pacto significativo sobre el nivel de la señal que alcance el sistema (o amplificador).67 mV + Rfuente 1. Para determinar 2 0 . será del '93. .8 mV . = 1. Vs' a las:tenninales de salida y se mide el nivel de Vo con un osciloscopio o un DMM sensible.2 mV 0.6 kn De este modo sólo el 66. IkU 2mV '\. Zo La impedancia de salida. 5 mV o el 50% de la señal disponible.impedancia de la fuente. . Esto es: La impedancia de s~lida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrás al sistema con la seíial aplicada igual a cero. 2V I S (1. v. Si 2i fuera sólo de 600 n. el nivel de la impedancia de . si 2. 0.2 kn. . v.cmor +1 V. Luego s<t calcula la impedancia de salida de la siguiente manera: 1 = V-Vo ___ 0 (7. 2 mV . se aplica una señal. EJEMPLO 7.4) Rsensor y 8J o =Vo 1 o (7. o de cole4tor común y la colocación de los elementos resistivos. en la tlgura 7. 6. Desde luego.8 !lA li Impedancia de salida.2 kn + 0.10 la señal aplicada se hace cero volts.naturalmente se define en el conjunto de terminales de salida.1 Para el sistema de la figu a 7.1. .-~(l0 rnV). vi = J.2% de la señal aplicada. R.V.2 kQ)(lO mV) "ti -J. Por tanto. pero esta definición es un pocp diferente cuando se trata de la impedancia de entrada. En las sigulentes secciones y capítulos se demostrará que la resistencia de entrada en ac es dependiente en eH caso de que el transistor esté en la configuración de base común.9 Ejemplo 7. .

Zo puede variar desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder los 2MQ. Como se demostró en la figura 7. Solución 1o = = vVo 1o = 1 V .11 EfectodeZn " Roen la corriente JL de carga o salida. R L P:'\r3 Ro» R L IL»IR o Figura 7.10 Determinación deZo. A¡ 317 . Vo 20kil Figura 7. Además: No se puede utilizar un óhmetro para medir la impedancia de salida en pequeña señal debido a que el óhmetro trabaja en el modo de de.":' Z" 'VV I _1 + En particular. --lo R 'C. 100 kHz): La impedancia de salida de un amplificador a transistor BJT es resistiva por naturaleza y.6) 7. como se detennina mediante I =:.5 kQ Ganancia en voltaje. EJEMPLO 7.1 L si 20 ~ RL' la mayor parte de la comente de salida pasará a la carga. En las siguientes secciones y capítulos se demostrará que con frecuencia 20 es tan grande respecto a RL que se puede reemplazar por un equivalente de circuito abierto.680 rnV 20 kQ = 320 mV 20 kQ = 16 )lA Rsensor Y 20 = 680 rnV 16 )lA = 42.2.12. el nivel de 20 debe ser tan grande como sea posible. Para las configuraciones de amplificador donde se desea una ganancia significativa en corriente.12 Ejemplo 7. para las frecuencias en el rango bajo a medio (normalmente::.4 los parámetros importantes: Zj' Zo' A".Rfucnlc -"AA + Sistema de dos puertos VD Figura 7. Av Una de las características más importantes de un amplificador es la ganancia en voltaje en pequeña señal.2 + Sistema de dos puertos Vo = 680 mV -z. dependiendo de la configuración y la colocación de los elementos resistivos. Calcular el nivel de impedancia de salida para el sistema de la figura 7. I Av (7.

-1 (7.6) se refiere como la ganancia de voltaje de sin carga.7) RL '" 00 Vi Q (circuito abierto) -Z¡ + Vi + Figura 7. la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje con carga. A. detenninar: a) b) e) Vi' li' Z¡. Dependiendo de la configuración. Z¡ Z¡ + R. no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el nivel de ganancia determinado por la ecuación (7.. En el capítulo 9 se demostrará que: Para los amplificadores a transistores.. ZV.. Sin embargo. A". con . . :-"L \- (7. V. Esto es: Vo ! . v. v. V.13 que tiene una resistencia de fuente Rs' el nivel de Vi debería determinarse primero utilizando la regla del divisor de voltaje antes de calcular la ganancia V/Vs. Vo V. V. un sistema multietapas (multiunidades) puede tener una ganancia en voltaje de varios miles. EJEMPLO 7. . Vo Al'.13. Z. d) 318 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .14. la magnitud de la ganancia en voltaje para un amplificador a transistor de una etapa normalmente está en el rango de menos de 1 a unos cuantos cientos.13 Determinación del voltaje de no carga. Para el sistema de la figura 7. Esto es.3 Para el amplificador a BJT de la figura 7. Z¡ + R .8) De manera experimental. y sustituyendo en la ecuación correspondiente. de tal forma que A.Para el sistema de la figura 7. Vo V. la ganancia de voltaje Al" o AV:>:L se puede calcular simplemente al medir los niveles de voltaje adecuados por medio de un osciloscopio o un DMM sensible. y V.. + Rs Z.

33 j1A R. la ganancia en comente normalmente varía desde un nivel apenas inferior a 1 hasta un nivel que puede exceder los 100.. una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la efIciencia total de un diseño. e) Zi = V.. = 320 V. =40mV '\" BIT AI>¡.24 rnV 1.4 Los parámetros importantes: Zi' Zo' Av' A. es. l..2 kQ (320) = 192 Ganancia en corriente. A¡ La última característica numérica que será tratada es la ganancia en corriente definida mediante (7..9) Aunque por lo general ésta recibe menor atención que la ganancia en voltaje.68 V 320 24 rnV 1. + o li Zi l.. b) Y Vi = V. 319 .15. A \} t"L 7. . Amplificador BIT + Figura 7. AV NL 1.14 Ejemplo 7.8 kQ = 13.Vi 40 rnV .=7.15 Determinación Vi .2 kQ 24 rnV 13.. V. = Vi e lo = V..33 ¡LA = 1. En general: Para los amplificadores a BJT.L -IL--_--<>-~ Figura 7. + R. . V. 7.3. e>------ de la ganancia de corriente cargada. 1.8 kQ 1. Para la situación con carga de la figura 7. d) A " = = Zi Z.R.8 kQ + 1.2kU + -Zi Vi ~ ---o Amplificador + V. sin embargo. r----4~ + I 1. Z.68V o Solución v.

7.10) RL La ecuación (7. mientras que la otra está polarizada inversamente. Otros factores. el modelo (circuito equivalente) se selecciona de tal forma que se aproxime al comportamiento del dispositivo que está reemplazando en la región de operación de interés.5 EL MODELO DE TRANSISTOR re~ El modelo r l • requiere un diodo y una fuente de corriente controlada para duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés.16a se ha insertado un transistor pnp dentro de la estructura de dos puertos.16b entre las mismas dos terminales parece ser muy apropiada. lo ~ ~ Vo/R L V¡/Z¡ VoZ¡ ~ li V. Resumen Hasta aquí se han presentado los parámetros de importancia primaria de un amplificador: la impedancia de entrada 21' la impedancia de salida Zf)' la ganancia de voltaje Av> la ganancia de corriente A i Y la relación de la fase resultante. Para la unión de la base al emisor del transistor de la figura 7. Relación de la fase La relación de la fase entre las señales senoidales de entrada y de salida es importante por una variedad de razones prácticas.re con A. Zi (7. afectarán algunos de estos parámetros. ÚlS señales de entrada y de salida están o bien lS(f' fuera de fase o en fase. = al) para el rango de valores de VCE" La fuente de corriente 320 Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares . Recuerde que una fuente controlada de corriente es aquella donde los parámetros de la fuente de corriente están controlados por medio de una corriente situada en cualquier otro lugar de la red. La razón de la situación anterior se aclarará en los siguientes capítulos. la equivalencia del diodo de la figura 7.RL y Ai ~ -A . (como se calculó a partir de l. De hecho: Los amplificadores a transistor BiT son conocidos como dispositivos de corriente controlada.16a. tales como la frecuencia aplicada en los extremos bajo y alto del espectro de frecuencias.3.7. En otras palabras. todos los parámetros se determinarán para una variedad de redes de transistores para pennitir una comparación de las ventajas y de las desventajas de cada configuración.10) permite determinar la ganancia en corriente a partir de la ganancia en voltaje de los niveles de impedancia. La unión en polarización directa se comportará de fonna similar a un diodo (ignorando los efectos de los cambios de valores de VCE) como lo veritlcan las curvas de la figura 3. Téngase presente que para el lado de la salida las curvas horizontales de la figura 3. pero esto se discutirá en el capítulo 11. Configuración de base común En la figura 7. Como se observó en la sección 7. y es necesario para la discusión de las últimas secciones. los resultados obtenidos con el modelo en su lugar deben ser relativamente cercanos a aquellos que se consiguen con el transistor real. En las siguientes secciones y capítulos.. En la figura 7. Afortunadamente: Para el transistor amplificador tipico a frecuencias que permiten ignorar los efectos de los elementos reactivos. En el capítulo 3 se estudió que una unión de un transistor en operación está polarizada de manera directa.8 revelaron que le == l.16b el modelo re para el transistor se ha colocado entre las mismas cuatro tenninales.

17. Por tanto.. = r L--. Eo--~~----------~ 1.----1E~ 26 mV (7.0. al.1.. donde ID es la corriente de dc a través del diodo en el punto Q (estable). (7. O A e 1. si se hace cero la señal.13) = = = 7. b~------~----~------------~b Figura 7.17.5 E( modelo de transistor r.. es obvio que la impedancia de entrada Z¡ para la configuración de base común de un transistor es simplemente re' Esto es.16 a) Transistor BJT en base común: b) modelo re para la c:onfiguración de la figura 7.12) z.'-' CH I Para la configuración de base común. e 0----":----.l6b es un modelo válido del dispositivo real. obteniéndose una equivalencia de circuito abierto en las terminales de la salida. se ha establecido una equivalencia en las tenninales de entrada y de salida con la fuente controlada de corriente. los valores típicos de Z¡ varían desde unos cuantos ohms hasta un máximo de aproximadamente 50 . t B~------------~--------------~B (b) -1. r-I -----=--. El resultado es que para el modelo de la figura 7.'= .16a.17..16b dará por resultado el muy útil modelo de la figura 7. Debido al aislamiento que existe entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.-1------00 t b~----~~ -1.16b establece el hecho de que le = ale' apareciendo la corriente de control!e del lado de la entrada del circuito equivalente como se detenninó en la figura 7 . proporcionando así un vínculo entre las dos. en la figura 7. . En el capítulo 1 se analizó cómo la resistencia en ac de un diodo puede detenninarse por medio de la ecuación r" = 26 mVI1D . a (O Al = O A. Esta misma ecuación se puede utilizar para encontrar la resistencia en ac del diodo de la figura 7 .16a.0 e le = al.16b. e le = al~ ~b ____4-__________ Figura 7... Para la impedancia de salida.16b si sólo se sustituye la corriente del emisor de la siguiente manera: r. una revisión inicial hubiera sugerido que el modelo de la figura 7 . entonces 1.-'-'_::.17 Circuito equivalente re de base común. de la figura 7 . (7.11 ) El subíndice e de re se seleccionó para enfatizar que es el nivel dc de la coniente del emisor la que determina el nivel de la resistencia en ac del diodo de la figura 7. Sustituyendo el valor obtenido de r. 321 .

común FIgUra 7. - RL (7. y A..18.!.. Vo aIeRL V. se obtendrían niveles ubicados normalmente en el rango de 1 a 2 MQ. 1. o 322 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .R L IZ = IeTe .. daría por resultado la conclusión de la ecuación (7. A. La resistencia de salida de la configuración de base común está detenninada por la pendiente de las líneas que fonnan las características de salida como se muestra en la figura 7.)R L = al. para la configuración de base común.(-l.13). la impedancia de entrada es relativamente pequeña y la impedancia de salida es muy grande. 1o = -1. /e (mA) / r" I¿=4mA 4~ ----------~--------~ __ 3~ Pendiente :: . para la configuración de base común.14) r.r. y A. así que A. = V.. los valores típicos de Zo están en el rango de los megaohms.15) li 1. aRL r. ICB al Para la ganancia en comente.19. Suponiendo que las líneas estén perfectamente horizontales (una aproximación excelente).En realidad: Para la configuración de base común. vu y = -loRL = . = • (7. Ahora se determina la ganancia en voltaje para la red de la figura 7.19 Definición deAv =VO IV. 1. = -a '" -1 ICB + Vi o /. + Amplificador BIT de base Z. ________________~ = 3 mA lE IE= 2 mA 2b-----------------o VeB figura 7. Si se tuviera cuidado para medir 20 de forma gráfica o experimental.18 Definición de 20' En general.

43 r.21 b.98)(0. ~ vo V.------="--0 e le e 0---_--. b) Determinar la ganancia en voltaje si se conecta una carga de 0. la terminal del emisor ahora es común a los puertos de entrada y de salida del amplificador. y el diodo entre las 7. Ir---------~~~DC f 8°-------------~ 1 = al. modelo de transistor r.20. ----~ 168.. e ______________OB bo------~ _____ ~ ____________ ~Db Figura 7.4 26 mV 26 mV re ~ .98 como se definió por medio de la ecuación (7. ~ . y se aplica una señal en ac de 2 m V entre las tenninales de la base y el emisor: a) Calcular la impedancia de entrada.14).56 kQ a las terminales de salida.5 Q el 2 0 " 00 Q lo A. Obsérvese que la fuente controlada de corriente aún está conectada entre las terminales del colector y de la base..56 kQ) A.~ 6. 1.98.20 Modelo aproximado para la configuración de base común para un transistor npn. e) Encontrar la impedancia de salida y la ganancia en corriente.19 (~s decir.~ 1.R L ~ (0.98)(307. Solución a) EJEMPLO 7.86 mV 2 mV 84. 6. .R L ~ o:I.5 Q lE 4 mA 2 mV -6. 323 .~ . (0.43 a partir de la ecuación (7. Sustituyendo el circuito equivalente re para el transistor npn se obtiene la configuración de la figura 7.21 a.69 !lA I. -o: ~ -0.. Además. E 0---'-----_ _-" 1. el lado negativo está en potencial de tierra) indica que tanto Vo como Vi están en fase para la configuración de base común. ex:= 0.El hecho de que la polaridad del voltaje Vo como lo detenninó la corriente 1.I.17 con lE = 4 roA.. Para una configuración de base común de la figura 7. las terminales de entrada son las terminales de la base y el emisor.. sea el mismo que el definido por la figura 7.5 Q Vo ~ ~ ~ 307.5 F. pero en este caso la salida se establece entre las terminales del colector y del emisor.86 mV y O A . 1.56 kQ) 168. ~ ~ 84..15) Configuración de emisor común Para la configuración de emisor común de la figura 7. Para el transistor npn en la configuración de base común la equivalencia podría parecerse a la mostrada en la figura 7.69 !lA)(0.

eo-------~~~----------------~e Figura 7.21 figura 7.16) ~or. Oc E 1') Figura 7. mientras que la comente de salida aún es le' Según lo estudiado en el capítulo 3. las comentes de base y del colector están relacionadas por medio de la siguiente ecuación: (7. = 1.21a.17) Sin embargo.22. + lh = f3lb + lb e 1.. = (13 + l)lb (7. (7. debido a que la beta en ac por lo general es mucho mayor que 1.22 Determinación de Zi utilizando el modelo aproximado. b) modelo aproximado para la configuración de la terminales de la base y el emisor..------oc 1.::: Iere == /3lb re oc 1¡=l" b + V¡ - ~ + V.: Vbe l¡ lb El voltaje Vbe está a través de la resistencia del diodo como se muestra en la figura 7. El nivel de r. .. la corriente de la base es la corriente de entrada. aún está detenninado por la corriente dc lE.::: Vbe . 324 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . Al aplicar la ley de Ohm da Vi .18) La impedancia de entrada está determinada por el siguiente cociente: VI Z¡:. tanto. I le = f3Jb V r. la corriente a través del diodo está determinada por 1. E eo-----------~------------------_oe lb) a) Transistor BJT en emisor común. se empleará la siguiente aproximación en el análisis: r---------.. En esta configuración..

la corriente le es de O A Y la impedancia de salida es ' . = O ~A '-- Pendiente:::: - 1 r'¡2 O !O 20 FI.4 y {3 = 160 (muy normal). '" (3r.------.24 Definición de ro para la configuración de emisor común. Para la dirección definida de lo y la polaridad de Vo' '0 7. _v/ Z. -IO~A ~ 2 . un elemento resistivo en la terminal de emisor se refleja en el circuito de entrada mediante un factor de multiplicación {3.5 El modelo de transistor re 325 . si re = 6.!-.23 es beta veces el valor de re" En otras palabras.La sustitución genera 2 1 ::: Vbe =: {3Ib r e lb lb :----_~o.uito equivalente de transistor.19) En esencia. Para la impedancía de salida.. Se observa que la pendiente de las curvas se incrementa en la corriente del colector. (7...5 a) = 1. = (160)(6.--_ _-0 e (mA) ~endiente = . Para el modelo de la figura 7.. los valores típicos de Z¡ definidos mediante j3re están en el rango desde unos cuantos cientos de ohms al rango de los kilohms con valores máximos de aproximadamente 6 a 7 kilohms. Ahora se determinará la ganancia de voltaje para la configuración de emisor común de la figura 7. la ecuación (7. los valores típicos de Za están en el rango de los 40 a los 50 kQ. t le 10 _ _---... si se ignora la contribución debida a ro como en el modelo re' la impedancia de salida se define mediante Zo := 00 Q. e o---------+---~e tlgura 7. se puede incluir como lo muestra la figura 7.: : : : : : . las caracteósticas de interés son el conjunto de salida de la figura 7.20) Desde luego. menores el nivel de impedancia de salida (Z). El modelo re de laflgura 7..24.25. la impedancia de entrada se ha incrementado a un nivel de Z¡ '" {3r.A 4 figura 7._ .21 no incluye una impedancia de salida.19) establece que la impedancia de entrada para una situación como la que se muestra en la figura 7. y .1.. Para la configuración de emisor común.04 kQ b ~-----t Para la configuración de emisor común... ICE -' . 8 _ _ _L-_ _--o e 6 ____ 20IJ. mientras mayor es la pendiente.gura 7. Por ejemplo.-_ __ _ _ .23 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.25. si la señal aplicada se hace cero.26 utilizando la suposición de Zo::: 00 Q.. El efecto de incluir se considerará en el capítulo 8. '01"-...' 0 0 Z = r I CE (7. pero si ésta se encuentra disponible de un análisis gráfico o de las hojas de especificaciones.25 Inclusión de ro en el circ..5 Q como en el ejemplo 7.

. calcular: a) Z. una alta ganancia de voltaje y de corriente.26: = y (7. • f31.R L = ..21 ) El signo negativo resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltaje de salida y de entrada están fuera de fase por 1800 • La ganancia de corriente para la configuración de la figura 7. 4 4 4 " Figura 7.R L y de tal fonua que y (7. EJEMPLO 7..26 Determinación de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador o~-- de emisor común..26 establecería un voltaje Vo con la polaridad opuesta..5 Dados [3 120 e lE = 3.[31. Para los valores nonnales de los parámetros. para una configuración de emisor común con ro = ~ Q. b) A.27 puede ser una herramienta útil en el siguiente análisis. con la carga de 2 kQ. b lb e I ~ P'.27 Modelo re para la e e configuración de emisor común. si se aplica una carga de 2 kQ.22) Empleando los hechos de que la impedancia de entrada es [3r" la corriente del colector es [3lh' y la impedancia de salida es ro' el modelo equivalente de la figura 7. Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares = 326 . Continuando se obtiene VD = -loRL = -1. la configuración de emisor común puede considerarse con un valor moderado de impedancia de entrada. El signo negativo simplemente refleja el hecho de que la dirección de Iu en la figura 7. y una impedancia de salida capaz de incluirse en el análisis de la red.2 mA.- + Amplificador BJT de emisor común Figura 7. c) A.+ 0..

Deberán seleccionarse aquellas condiciones de operación que reflejan las características generales del dispositivo. Esto se debe a que las hojas de las especificaciones no proporcionan parámetros para un circuito equivalente en cada punto de operación posible.125 Q lE Y Z.gUra 7.1 xl()-' (le 20 250 1 ~S {le f e:: 1 kHz) he. 7.=r" 8.15 RL 2 kQ La ecuación (7.28. Además. Va = IOV de. Va .6 El modelo híbrido equivalente 327 .21. LO 30 F"J. breve. es sensible al nivel de operación de dc del amplificador.125 Q c) A. en lugar de definir un modelo para la configuración de colector común. fe:: 1 kHz) Ganancia de corriente en pequeña señal = 1 mA de. = f3 = 120 Configuración de colector común Para la configuración de colector común normalmente se aplica el modelo definido para la configuración de emisor común de la figura 7.5 75 8.re Solución al r . mImo Impedancia de entrada (lc = 1 mA de. 7. ¡ e:: 1 kHz) 2N4400 Admitancia de salida = 1 mA de. Como se muestran en la figura 7.5 se señaló que el modelo r. 0. = b) f3r. Se proporcionan los valores a una corriente de colector de dc de 1 mA y con un voltaje colector-emisor de 10 V. En los capítulos subsecuentes se investigarán una cantidad de conftguraciones de colector común y será muy claro el impacto del mismo modelo. = ID 1. se da un rango óe valOTes paTa cada parámetro con el objeto de guiar el diseño o análisis inicial de un sistema.0 kQ Relación de retroatimentaci6n de voltaje (lc = 1 mA de. Durante años. Para que se describa el modelo híbrido equivalente en esta sección. Las cantidades h¡e' h re • hfe y hoe de la figura 7.6 EL MODELO HÍBRIDO EQUIVALENTE En la sección 7.. se definieron los parámetros en un punto de operación que puede o no reflejar las condiciones de operación reales del amplificador. Máximo f e:: 1 kHz) 2N4400 h" h" liJe 0. = (120)(8. Una ventaja obvia de la hoja de especificaciones consiste en el conocimiento inmediato de los valores típicos de los parámetros del dispositivo comparado contra otros transistores.125 Q) = 975 Q = -246. VCE = lOV de. Sin embargo. 26 mV = = 26 mV 3.21): A" = .2 mA = 8.28 se conocen como los parámetros híbridos y consisten en los componentes de pequeña señal del circuito equivalente que se describirá en . los parámetros híbridos se redibujan a partir de la hoja de especificaciones para el transistor 2N4400 descrito en el capítulo 3. el modelo híbrido junto con todos sus parámetros fue el modelo seleccionado por las comunidades educativas e industriales. ho)' en día se aplica el modelo re con más frecuencia. pero a menudo el parámetro hoe del modelo híbrido equivalente M' .28 Parámetros híbridos para el transistor 2N4400..= 10 V de. Va = lOv de.

se llama parámetro de impedancia de entrada a corto circuito.25) Por tanto. una vez que se hayan definido los componentes de uno para un punto de operación en particular. El siguiente conjunto de ecuaciones (7. <> .29. - Q 1. Debido a que se trata del cociente del voltaje de entrada entre la corriente de entrada estando en cono circuito las tenninales de salida. el parámetro h 12 es el cociente entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida con la corriente de entrada igual a cero.23b) Los parámetros que relacionan las cuatro variables son llamados parámetros h. El subíndice 12 de h 12 revela que el parámetro es una cantidad de transferencia calculada mediante un cociente entre mediciones de entrada y de salida. Debido a que las hojas de especificaciones proporcionan los parámetros híbridos y que el modelo híbrido continúa recibiendo mayor atención.------. Se eligió este término debido a que la mezcla de variables (Ve l) en cada ecuación ocasionan un conjunto "híbrido" de unidades de medición para los parámetros h. se obtendrá lo siguiente: ~i Ji ivo=O ohms (7. = O(poniendo en corto circuito las terminales de salida).- + 1.-------------02' Figura 7.--'----<>0 2 - + Q t'oo---- -. De hecho. serán muy aparentes las similitudes entre los modelos re e híbrido. (7. Se puede entender mejor 10 que representan los diversos parámetros h y cómo puede determinarse su magnitud mediante el aislamiento de cada uno examinando la relación resultante.23a). 1 00---'-. es muy importante que el modelo híbrido se cubra con cierto detalle en este libro. La descripción del modelo equivalente híbrido dará principio con el sistema general de dos puertos de la figura 7. Si de forma arbitraria se hace V. Una vez desarrollado.29 Sistema de dos puertos. se obtendrá 10 siguiente para h 12 : sin unidad (7. Si se hace Ji igual a cero abriendo las terminales de entrada. al resolver h ll en la ecuación (7. es el que más se utiliza en el análisis de circuitos de transistores. . por lo que se tratará en fonna detallada en este capítulo.. por la palabra "híbrido".23a) [o = h2 ¡!i + h22 Vo I (7.23) es sólo una de las muchas fannas en que se pueden relacionar las cuatro variables de la figura 7.~ se emplea para proporcionar cierta medida de la impedancia de salida. No tiene unidades. El primer dígito del 328 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .29. ya que se trata de un cociente entre los valores de los voltajes. Sin embargo.---~--_. El subíndice 11 en h II indica el hecho de que el parámetro se calculó mediante un cociente de cantidades medido en las terminales de entrada. estarán disponibles de forma inmediata los parámetros del otro. y se llama parámetro de la relación de voltaje de transferencia inversa a circuito abierto.24) Esta relación indica que el parámetro h ll es un parámetro de impedancia con las unidades de ohms.

32 es de una naturaleza más práctica porque relaciona los parámetros h con el cociente resultante que se obtuvo en los últimos párrafos.27) o Debido a que se trata de la relación de la corriente de salida al voltaje de salida. Debido a que cada término de la ecuación (7 . h 22 . se aplicará la ley de voltaje de Kirchhoff"hacia atrás" para encontrar un circuito que se "acomode" en la ecuación.. El subíndice 21 indica una vez más que se trata de un parámetro de transferencia estando la cantidad de salida en el numerador y la cantidad de entrada en el denominador. Se llama parámetro de admitanda de salida a circuito abierto. se obtendrá lo siguiente para h21 : h 21 = 1 " ' ti" =0 sin unidad (7. 1 Figura 7.23b). las cuales representan la conductancia en el modelo del transistor.32junto con un nuevo conjunto de subíndices para los parámetros h. La elección de las literales es obvia a partir del siguiente listado: h ll ~ resistencia de entrada (input) ~ h¡ h l2 -t relación de voltaje de transferencia inversa (reverse) '.30 Circuito equivalente híbrido de entrada. Se incluye el término inverso porque el cociente es un voltaje de entrada sobre un voltaje de salida en vez del cociente inverso que por lo general es interesante. se puede encontrar una vez más al abrir las terminales de entrada para hacer 11 = O Y resolviendo h22 en la ecuación (7. o Ii h.23b): h 22 1" V. o 1t¡:Vo '\. el segundo dígito define la fuente de la cantidad que aparece en el denominador. Figura 7. Si en la ecuación (7. Sin embargo.23b) tiene las unidades de corriente. Debido a que h 22 tiene las unidades de admitancia. + h. Ahora se utilizará el término directo en lugar de inverso como se aplicó para h l '2: El parámetro h 21 es la relación de la corriente de salida a la corriente de entrada con las terminales de salida en corto circuito.30. 1. El subíndice 22 indica que se calculó mediante el cociente de cantidades de salida.. -1 7. '\IV'>I h.. el parámetro de conductancia de salida se mide en siemens (S). 329 .Vo +1 '\. V() se hace cerO una vez más mediante el corto circuito de las tenninales de salida. así como h 12 • no tiene unidades debido a que se trata del cociente entre valores de comente. + v. La cantidad h¡2 es adimensional y por tanto aparece simplemente como un factor de multiplicación del término de '"retroalimentación" en el circuito de entrada. Llevando a cabo esta operación se obtiene en circuito de la figura 7 . 1. Obsérvese que ahora se cuenta con el cocient~ de una cantidad de salida a una cantidad de entrada. J. se aplicará la iey de corriente de Kirchhoff "hacia atrás" para lograr el circuito de la figura 7. --7 hr o + v. ~ h¡. Este parámetro. Debido a que el parámetro h ll tiene la unidad ohm.32 Circuito equivalente híbrido completo.subíndice indica la cantidad medida que aparece en el numerador. '" siemens (7. se representa mediante un símbolo del resistor.. éste se representa mediante un resistor en la figura 7. se debe considerar que la resistencia en ohms de este resistor es igual al recíproco de la conductancia (l/h.26) 1...31.). El último parámetro. La notación de la figura 7. De manera formal se llama parámetro de la relación de transferencia directa de corriente a corto circuito.30. Ya que cada término de la ecuación (7.23a) tiene la unidad volt.6 El modelo híbrido equivalente Figura 7.31 Circuito equivalente híbrido de salida. El circuito equivalente en "ac" completo para el dispositivo lineal básico de tres tennin-aIes se indica en la figura 7 .

Por tanto..32 pueden conectarse como se indica en la figura 7. E 1.. conductancia de salida (output) .. los parámetros h cambiarán en cada configuración.1. debido a que el nivel de potencial es el mismo. Vo' Se pueden aplicar las redes de las figuras 7.. * ~ e (h) h" + ~. e '\¡ + + V".. relación de corriente de transferencia directa (forward) . Se agregó la literal b para la configuración de base común. la parte inferior de las secciones de entrada y de salida de la red de la figura 7.33. dos circuitos equivalentes de transistores. así que el circuito equivalente resultante tendrá el mismo formato que el que se muestra en la fIgura 7 . li = le' lo ....34 para los transistores pnp o npn. el modelo de transistor es un sistema de dos puertos y tres terminales. mientras que para las configuraciones de emisor común y de colector común se incorporaron las literales e y e. con la notación estándar.32 aparezcan en el circuito tanto un circuito Thévenin como un Norton dio origen para llamar al circuito resultartte un circuito equivalente h[brido. para el transistor. se añadió un segundo subíndice a la notación de parámetros h.... Además. Y V..32. En la figura 7.~ h 21 ..~ E V" + V". El hecho de que en la figura 7. Para distinguir cuál parámetro se ha utilizado o cuál está disponible.b + -lb~ 8 b (a) V'b + V". 330 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . para la configuración de emisor común. lb + l.. -1. El voltaje de entrada será ahora Vbe con el voltaje de salida Vee .33 aparece la red híbrida equivalente.33 Configuración de emisor común: a) símbolo gráfico. b) circuito equivalente híbrido. Para la configuración de base común de la figura 7. l" con V.32 se puede aplicar en cualquier dispositivo o sistema electrónico lineal de tres tenninales sin fuentes independientes internas. VC~ hf~ lb 1. llamados 8 lb -.33 y 7.34 Configuración de base común: a) símbolo gráfico.. sin embargo. todas son configuraciones de tres terminales. (a) Figura 7. b) circuito equivalente híbrido.. e + V. aun cuando tiene tres configuraciones básicas. Obsérvese que li = lb' lo = le' y por medio de una aplicación de la ley de corriente de Kirchhoff... 1. los cuales no serán tratados en este texto. respectivamente...34. En cada caso. ho El circuito de la figura 7.. V. l..---~~--_. e (h) F'tgura 7. Por tanto. h¡ h22 . lb hi~ e ~ h". l.

Zo.. Para las configuraciones de emisor común y de base común./ '.. Modelo equivalente híbrido aproximado.J -(b) I~C bo----.. En la sección 7.. ~ ~ Figura 7.35.37 Común.-1. Modelo híbrido contra re: a) configuración de emisor común... dando por resultado un equivalente de corto circuito para el elemento de retroalimentación como se muestra en la figura 7. r--I:~oc -1. La resistencia detenninada mediante 1Iho a menudo es lo suficientemente grande para ser ignorada en comparación con una carga paralela que pennita su reemplazo por medio un circuito abierto equivalente para los modelos de CE y CB. El equivalente que se obtiene en la figura 7. J ________-4________ j h¡I.36 es muy similar a la estructura general de los circuitos equivalentes de base común y de emisor común obtenidos con el modelo r('. "- 7.-<>c .7 se encontrarán las magnitudes de varios parámetros a partir de las características de los transistores dentro la región de operación que se obtenga en la red de pequeña señal equivalente deseada para el transistor.A~.J tal. . v.' . su eliminación se aproxima mediante h r y h. utilizan ya sea la fuente de voltaje o la fuente de corriente. pero nunca ambos en el mismo circuito equivalente.36 -..35. eO-----------4-________4-______ ~e e~ -1. b>--_ _ _. "\..-------..circuitos equivalentes de parámetros-z y de parámetros-y.35 Efecto de la eliminación de hre y de hoe del circuitc equivalente híbrido. i.~ ¡---¡~ hfl. bo-:'---. los modelos híbrido equivalente y r(' para cada configuración se repitieron en la figura 7.=:::P=-------. como se muestra en la figura 7. 1.. y ho no se incluyen en el modelo. 1..37 esclarece que = ° ~ lb -1. b) configuración de base .''':'' Figura 7. 1..37 con fines de comparación. f e~ ~ hk1b ________ ~e -(a) lb 1. hfb lb 1 -1. o- j Figura 7.--_--001. De hecho. __________. ¡. Debido a que h r por lo general es una cantidad relativamente pequeña. \:..". la magnitud de h r y de ho a menudo es tal que los resultados obtenidos para los parámetros importantes como Z¡..V(}::. e e . La figura 7. 11-. y Al apenas se ven afectados si h.. .6 El modelo híhrido equivalente 331 .. bO-':""---. 0.3' \.

29) (7. = 140.1.5 mA.' 1.mho) y hah =0. h ie = 26 mV lE = = 26 mV 2. se observa que el signo negativo en la ecuación (7.1.5 J.S (J. = lOA Q ex .38 Circuito equivalente híbrido de emisor común para los parámetros del ejemplo 7. " 'o=2MO b 332 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . (140)( 1004 Q) kQ ro = = = 50kQ 20J. " Figura 7. A partir de la figura 7.6.. EJEMPLO 7.31) se toma en cuenta por el hecho de que la fuente de corriente del circuito híbrido equivalente estándar apunta hacia abajo en lugar de la dirección real como se muestra en el modelo re de la figura 7. ro = hob = ..30) (7.5 mA = lOA = 1.1. calcular: a) El circuito híbrido equivalente para de emisor común. Solución a) r.456 ill • 't I 140/. b) El modelo r.S Obsérvese la figura 7.h ie = [3r. f ~=50kO • h~ Figura 7. = [3" h .37b. hj . y hj .5 J.28) (7. /.31 ) -ex '" -1 En particular. e -/.6.-_ _ _ _ -------+--1 ->0---------0 e b) r.39 Modelo re de base común para los parámetros del ejemplo 7.S. para base común. ho .40 ¡ 1 e /.h = r. Y hjb = I:::-'~ I (7. = 20 J.6 Dados lE =2.37b.: 1. - r----------r--------------~c • h.1.= 2 MQ 0.1. bo-----. e < > .456 Q = [3r.39. b ~ 10.S Obsérvese la figura 7..38.

av/a.7 Determinación gráfica de los parámetros h 333 . constante requiere que los cambios en la corriente de la base y en la comente del colector se hagan a lo largo de una línea recta vertical dibujada a través del punto Q que representa un voltaje colector-emisor fijo. Para las configuraciones de base común y de colector común se pueden lograr las ecuaciones adecuadas mediante la simple sustitución de los valores adecuados de Vi' vo' i¡ e io' Los parámetros h¡e Y h.En el apéndice A se proporciona una serie de ecuaciones que relacionan los parámetros de cada configuración para el circuito híbrido equivalente. Después la ecuación (7.40. de tal forma que el circuito equivalente será el más exacto que esté disponible. En la ecuación (7. *La derivada parcial en i.35) En cada caso el símbolo II se refiere a un pequeño cambio en la cantidad alrededor del punto de operación estable.33) di == (sin unidad) (7. El primer paso para calcular cualquiera de los cuatro primeros parámetros híbridos consiste en encontrar el punto de operación estable como 10 indica la figura 7.7 DETERMINACIÓN GRÁFICA DE LOS PARÁMETROS h Mediante el uso de derjvadas parciales (cálculo).32) a (7.ve _ t.32) = llib h. los parámetros h están determinados en la región de operación para la señal aplicada. Para lograr la mayor exactitud posible. mientras que los parámetros h fe y hae se obtienen desde la salida o de las características del colector. llv ce I ls=constante (sin unidad) (7. proporciona una medida del cambio instantáneo en Vi debido a un cambio instantáneo 7.e = .34) la condición V CE. di.8 se demuestra que el parámetro híbrido h fc (f3ac ) es. estos cambios deben hacerse lo más pequeños posibles. el menos sensible a un cambio en la corriente del colector. Debido a que h fe es por lo general el parámetro de mayor interés. En la sección 7. de los parámetros híbridos._O t. porque puede tener un impacto real sobre los niveles de ganancia de un transistor amplificador. se tratarán primero las operaciones acerca de este parámetro involucradas con las ecuaciones (7. Por tanto. En otras palabras. se puede mostrar que la magnitud de los parámetros h para el circuito equivalente de pequeña señal del transistor en la región de operación para la configuración de emisor común puede encontrarse mediante las siguientes ecuaciones: '" h ie = av. Es h¡c = f3r c la que tendrá una variación significativa con 1c y se tiene que calcular a niveles de operación.v b. = (}v. Los valores constantes de \/CE e lB se refieren en cada caso a la condición que se debe cumplir cuando se calculan varios parámetros a partir de las características del transistor.v be I \/u·=constante oih (ohms) (7.34) necesita que se divida un cambio pequeño en la comente del colector entre el cambio correspondiente en la comente de la base.. di o . 7..c están determinados a partir de las características de entrada o de base. la suposición de que hfe = f3 es una constante para el rango de interés resulta ser una muy buena aproximación.35). av b. __ . _ avee = di o di.34) ai/¡ hoe = (siemens) (7.

I vel:" .41 Determinación de h Qe • 334 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . (2.1A 10-3 = 10x 10-6 = 100 En la figura 7. 15 1 (8.40 Determinación de h fe " En la figura 7..7 . esto es. se obtiene ie (mA) 76 5 4 +60 J.ie (mA) H6 5 4 3 Aie 2 / " ' Recta de carga _+60 ¡lA +50 1'A +40 ¡lA 8. El cambio correspondiente en i{" se encuentra más adelante mediante el dibujo de líneas horizontales a partir de las intersecciones de I BI e I Bl con VCE::..35) para h oe. constante.1 1 .4 V (constante) +30 ¡lA IJJ~ " ~ ~ '- 1----.lA lBl = +10 ¡.tA '- I B -+15¡.. constante respecto al eje vertical.+15 ¡.40 se seleccionó el cambio en i/) para extenderse desde I SI hasta lB: a lo largo de la línea recta perpendicular en VCE. tú .... I~ 1 10 15 7V 20 " Figura 7. Sustituyendo en la ecuación (7..L7) mA = 111 h =conMante (20 ...A 1 O I . Se seleccionó un cambio en v CE y se calcula el cambio correspondiente en ic mediante el dibujo de unas líneas horizontales al eje vertical en las intersecciones sobre la línea en que lB =:: constante. Todo lo que resta consiste en la sustitución de los cambios resultantes de i h e i l " en la ecuación (7.¡.10) J.lA +50 ¡lA +40 ¡lA " ~ ~ Punto +30 IlA Q 3 +20 IJA lB .-J 2 1 O 5 ¡ "1 1 +10 I'A lB "'-.VCE 1 / Punto Q = +20 J.A (constante) .35).-l 5 ~ L lB = O IlA I "'-..41 se traza una línea recta tangente a la curva de lB a través del punto Q para establecer una línea en JB::.¡. como lo requiere la ecuación (7 .4 V) 10 20 U CE(V¡ Figura 7.34).

42 Determinación de hieo I I El último parámetro. la selección natural consiste en elegir un cambio en vCE y encontrar el cambio que resulta en vBE como lo muestra la figura 7.44.6 Figura 7.4 V a través del punto Q.32).= 33 0.7) V I [.33). Luego se seleccionó un pequeño cambio en vbe ' dando por resultado un cambio correspondiente en lb' Si se sustituye en la ecuación (7.725) mV (20 .10) )lA !:J.i b vCE =constante = . se obtiene (733 ./li. I = (20 .=+15 d v Cl! 1/B =constante X f'A )1A/V = 33 X 10-6 S = 33 )1S 3 Para determinar los parámetros h ie Y h re primero debe encontrarse el punto Q sobre la entrada o las características de base como se indica en la figura 7.1 15 = X 10-3 = 1. se puede encontrar: primero al dibujar una línea horizontal a través del punto Q en lB = 15 )lA..1 10-3 Ih¡.VCE == 8..4 V (con stante) 20 PuntoQ __ 1 Ai b = 10 ~ 15 lO - - L / 0.42.1) mA (ID . h". Sustituyendo en la ecuación (7.7 Determinación gráfica de los parámetros h 335 . Después.I = (2.718) mV = /lv b . el circuito híbrido equivalente en pequeña señal es el que se muestra en la figura 7. 7. se dibuja una línea tangente a la curva en VCE = 8.2. Ih)=-.40 a la 7. v ce lB = (733 .5 kQ 10x 10-6 jB(~A) VCE=OV V =lOY CE ¡CE=20V 30 :-.O) V 8 = X 10-3 = 4 X lo-' =constante 20 Para el transistor cuyas características aparecieron en las figuras 7.43.2 . para establecer una línea en VCE = constante como lo requiere la ecuación (7.43.32). se obtiene Ih 1= " /lVb'l .ó. Para h ie .

8 ~ . h.5 kQ(h"J 1. hj h IIh . b + o-----. La tabla 7.5 x IO~ 50 25 I1AN 40 kQ =1 -50 25 1 kn ~AN 40 kn 20 n 3.... El signo negativo indica que en la ecuación (7.IlnYr) e I ~ 0 _ _ _-----'- IL______l______oe 33 pAN (h.." == 20 V 15 f--------------'CIH-- 18 = 15 ~ (constante) lO O 0.40 a 7. 11 0. r-----~-----~·--oc + VI>< '\.1 lista los valores típicos de los parámetros para cada una de las configuraciones para el amplio rango de transistores disponibles hoy en día.". TABLA 7..1 Valores típicos de los parámetros para las configuraciones de emisor común. pueden hallarse los parámetros híbridos para las configuraciones de base común y de colector común empleando las mismas ecuaciones básicas con ias variables y características adecuadas.44 Circuito híbrido equivalente completo para un transistor que contiene las características que aparecen en las figuras 7.J Figura 7.---. ~ 1.34) cuando una cantidad creció en magnitud.43 Determinación de h re .0 X \0-' -0.I + 4 X 10-4 V...98 0. la otra disminuyó en magnitud.u.7 ...u¡".. Como se mencionó con anterioridad.6 0. dentro del cambio seleccionado.. 'lJBE(V) == 0.008 V Figura 7.. 1 kn 2.IVV\..6.43.re VCE=ov VCE =lOV VCE =20V 30 20 Punto Q ~ t.5 ~AJV 2 :vIQ 336 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . colector común y base común Emisor común Colector común Base común Parámetro h... (.

0 mA.8 VARIACIONES DE LOS PARÁMETROS DE TRANSISTORES Existe un gran número de curvas que pueden dibujarse para mostrar las variaciones de los parámetros h debido a la temperatura.OV e lc= 1. mientras que a 3 mA. En la figura 7. Debe tenerse cuidado acerca de la escala logarítmica que se utiliza sobre los ejes vertical y horizontal.01 O. Lo más interesante y útil en esta fase del desarrollo incluye las variaciones de los parámetros h con la temperatura de la unión y el voltaje y la corriente del colector. siempre se ha indicado el punto de operación en el cual se encuentran los parámetros. mientras que la resistencia de salida es alta. Para las configuraciones de emisor común y de colector común se nota que la resistencia de entrada es mucho mayor que la de la configuración de base común. En otras palabras.46. si hft. En la sección 7. hfl: ha cambiado de un valor 20 lc = 1 mA 5V VCE == T=25°C f=tkHz OOO~ ~ h~ 0. el voltaje y la corriente. el punto estable está en la intersección de VCE = S. En el capítulo 11 se ex~mínarán las escalas logarítmicas. En la actualidad hay transistores disponibles con valores de h(1' que vanan desde 20 hasta 600.45 Variaciones de los parámetros híbridos respecto a la corriente del colector. Debido a que la frecuencia y la temperatura de operación también afectarán los parámetros h.5 2 5 10 20 ! 50 •Ic(mAl Figura 7. y que la relación de la resistencia de salida a la de entrada es de aproximadamente 40: l.2 ! ! ~---hit' ! ! ! 0.: = 50 cuando lc= LO mA. También se debe tener en cuenta que la ganancia de corriente a corto circuito es muy cercana a 1.1 mA. como las de la figura 7.0 mA. En 0. es de 1. Para cualquier transistor. También hay que tomar en cuenta que para las configuraciones de emisor común y de base común h r es muy pequeña en magnitud.t I 0.45 se indicó el efecto de la corriente del colector sobre los parámetros h.02 0. la corriente y el voltaje del colector sobre los parámetros h. es importante indicar estas cantidades sobre las curvas.8 se tratan los efectos de la temperatura.5 del 150% de dicho valor.8 Variaciones de los parámetros de transistores 337 .5 o el50% de su valor a 1. Todos los parámetros se han normalizado a la unidad de tal manera que un cambio relativo en magnitud respecto a la corriente del colector pueda detenninarse con facilidad. 7. 7.5: Acción amplificadora del transistor) que la resistencia de entrada de la configuración de base común es baja.Se observa en retrospectiva (sección 3. la frecuencia. En cada conjunto de curvas. h¡e es aproximadamente 0. la región de operación y las condiciones bajo las cuales se esté empleando tendrán un efecto sobre varios de los parámetros h. Por esta situación en particular.

Por fortuna. no existiría una justificación para eliminar hoe del circuito equivalente sobre una base aproximada. Por tanto. mientras que hoe y h re son mucho mayores a la izquierda ya la derecha del punto de operación seleccionado. porque so::J.47 se graficó la variación en los parámetros h debido a los cambios en la temperatura de la unión. En general. sobre una base aproximada y relativa.1 mA hasta 3 mA. para la mayoria de las aplicaciones tanto la magnitud de h re como la de hoe pueden a menudo ignorarse. de tal fcnna que / puede establecerse uná comparación entre los dos conjuntos de curvas.45 y 7. debe considerarse el punto de operación cuando le = 50 mA.5(50) = 75 con un cambio de le desde 0.46.(% de Va = 5 V valor de cada cantidad) 3000 2000 \000 700 500 300 lE = 1 mA h h" " h" 200 cE V T=250( --\00 =5V t= t-------------¡~~==~~~~~~~. el parámetro menos afectado es hoe' mientras que la impedancia de entrada hie cambia con mayor rapidez. de 0. pero aumenta de manera considerable para valores más altos.46 se)ndica la variación en magnitud de los parámetros h sobre una base normalizada ron los cambios en el voltaje del colector.46 Variaciones de los parámetros híbridos respecto al potencial colector-emisor. de lo que son hie y hfe' Es interesante observar a partir de las figuras 7. el valor específico de la ganancia de corriente. Por tanto. igual a cuando se definió en el punto Q. hacia la corriente del emisor (lE '" le)' Es por esto una cantidad que debe determinarse 10 más cercana posible a las condiciones de operación. Este incremento en hoe disminuirá la magnitud de la resistencia de salida del transistor a un punto donde puede acercarse a la magnitud del resistor de carga. Ahora la magnitud de h re es aproximadamente 11 veces. puede. En otras palabras. varía de manera importante con la corriente del colector.46 que el valor de h¡e es el que tiene cambios mínimos. f3r. El hecho de que h¡. cambiará desde el 50% de su valor normalizado a -50 oC hasta 150% de su valor normalizado a +150 oC. El valor de normalización se tomó a temperatura ambiente: T = 25 nc.5 2 5 10 20 50 JOO VCE (V) figura 7. hre es casi constante.45. sea h fe o [3. una magnitud que no pennite eliminar 'este parámetro del circuito equivalente. Para los valores abajo del VCE especificado. La escala horizontal es lineal y no una escala logarítmica como la que se utilizó en las figuras 7. sin embargo. indica que la temperatura de operación debe considerarse con cuidado en el diseño de circuitos de transistores. = 338 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . como era de El valor de h" esperarse. debido a la sensibilidad de r. todos los parámetros aumentan en magnitud con la temperatura. l hit! 1 kHz 70 50 30L-~~--~--L-~----L-~~~--~--~--__ 0. Sin embargo. En la figura 7.45 Y 7. muy sensibles a la corriente del colector y al voltaje del colector al emisor.5(50) = 25 hasta 1. El parámetro hoe es aproximadamente 35 veces su valor nonnalizado. Este conjunto de curvas se normalizó en el mismo punto de operación del transistor estudiado en la figura 7.2 0. hoe y h re son mucho más sensibles a los cambios en el voltaje del colector. considerarse constante para el rango de la comente y el voltaje del colector. Se nota que h ie y h fe son relativamente estables en magnitud. En la figura 7.~~~ h..

3. en caso de que su único propósito sea el de establecer la dirección de la corriente de control.0 (HP congelada) (HP en ebullición) h" 2. .ent Source) en el modelo equivalente de un transistor. Su magnitud es de OV. Para la configuración del transistor de emisor común se empleará el modelo de la figura 7. -100 -50 O 25' 50 100 150 200 T ('C) Temperatura ambiente t Figura 7. Debido a que la definición de la fuente de volUUe debe ser parte de la red que aparece en el archivo de entrada.:\1agniwd relativa de los parámetros 3. la polaridad y la magnirud de la fuente de de. requiere que se introduzca el fonnato de PSpice para tal fuente.5 O. V sensor --------~------oc 1~lb I r-------~----~c r 0::=- I (' h" . ~----------~------~------~~----~.49 Modelo de emisor común para PSpice.h eo-------------__--------~~--------__------~e Figura 7.49.48 para la configuración del transistor de base común.. Current-Controlled Curr. de tal fonna que se establezca una corriente en la dirección opuesta de la corriente de controL Se requiere la dirección opuesta porque en PSpice la corriente de una fuente independiente de voltaje está definida para tener una dirección opuesta a la "presión" aplicada de la fuente. una línea por separado debe definir el nombre. como se muestra a continuación: FBJT nombre .h¡. por sus siglas en inglés. 7.0 le = l mA ~'á = 1. El último factor del formato es el factor de multiplicación para la fuente de corriente controlada.~ fuente controlada por corriente controladora v~~ no'mbre de la fuente de voltaje controlada magnitud del multiplicador para la fuente controlada "º'~ El nombre (hasta siete caracteres) asignado a la fuente controlada está seguido por los nodos positivo y negativo para la fuente. Se utilizará el modelo de la figura 7."-__ h~"~I____~I__+--L____~I______LI____~I______~. El fonnato se inicializa mediante la literal F.0 f=lkHz 0.5 L~::::::'--.7 0. 5V T= 25' C "·-1.48 Modelo de base común para PSpice.~-' 3 (+N) 2 (-N) "---'--.47 Variaciones de los parámetros híbridos respecto a la temperatura. La fuente de voltaje debe estar en el mismo circuito en serie que la corriente de control y polarizada.9 ANÁLISI5g0R COMPUTADORA Al aparecer de una fuente de comente controlada por comente (CCCS. Figura 7. La literal V debe aparecer antes del nombre de la fuente de voltaje de dc estableciendo la dirección de la corriente de control.4 0.

ENO **** ( NODE 1) SMALL SIGNAL. el resistor Re es la resistencia de colector del diseño.309E-Ol VP(3.OPTIONS NOPAGE elimina parte del material superfluo en el archivo de salida. 340 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .OOOE+OO TOTAL POWER DISSIPATION VI O.***.800E~02 FREQ 1.51 Análisis por medio de PSpice para la red de emisor común de la figura 7. Se define la impedancia de entrada f3r e en la tercera línea y la fuente de comente controlada en la siguiente línea.OOE+OO WATTS TEMPERATURE =: *.50.6K Re 3 o 4.7.O) .7 Escriba el archivo de entrada para el amplificador de emisor común de la figura 7. Solución En la figura 7.OOOE+OO VSENSE O.50 Ejemplo 7.O) 6.** AC ANALYSIS VM(3.BIAS SOLUTION VOLTAGE IfODE VOLTAGE 2) 0. solicitando la magnitud y el ángulo de la fase del voltaje de salida V o ' ~/h Re 4.O) 1.7 ka 120l h flgura 7. Las primeras dos líneas describen las dos fuentes de lared con un ángulo de 0° que no está incluido en la descripción de la fuente de ac. 7.7:K .*** VI 1 o AC 2MV VSENSE 1 2 o RBRE 2 FBETA 3 o VSENSE 120 RO J o 40K o 1.OPTIONS NOPAGE .0000 TEllPERATUR8 NODE VOLTAGE ( 3) 0.OOOE+03 27. Com=on-emitter amplifier of Fig.EJEMPLO 7.000 DEG NODE VOLTAGE e VOLTAGE NAIIE SOURCE CURRENTS CURRENT O.*.51 aparece el archivo de entrada de la figura 7.0000 27.50 **** CIRCUIT DESCRIPTION •• *••••••• **.AC LIN 1 11< lI<: .PRINT AC VM(3.*** ••••• ***** ••••••••••• ** ••• ** ••••••• *.0000 ( 0.O) VP(3.*** •••• *.50. debido a que se trata del valor implícito cuando nO se especifica. La frecuencia seleccionada para el análisis en ac (se debe especificar una frecuencia) es de 1 kHz y la siguiente línea solicita la magnitud y el ángulo de fase del voltaje de salida V o ' Recuérdese que el comando .50.000 DEe e Figura 7. La impedancia de salida es de 40 kQ entre las terminales 3 y O. Compárese la descripción de la fuente de comente controlada con la hecha anteriormente de las fuentes CCCS.

A.8 mA? a) PROBLEMAS 2. b) Utilizando la 20 obtenida en del inciso a.10.5. 6.4 kQ.52..2 kn es de 5 mA y el consumo de una fuente de de de 18V es de 3. a) Describa la diferencia entre los modelos re e híbrido para un transistor BIT. para cada modelo.. para la configuración de la figura 7. Rsensor = 0..lA. Problemas 341 .7 si RL = 2. calcular Vi si se cambia la fuente aplicada a 12 mV con una resistencia interna de 0. lo que da por resultado una ganancia sin carga de A.. = _0 " . dibuje el equivalente de ac utilizando la notación para el modelo de transistor que aparece en la fIgura 7. a) Calcular 20 si V = 600 mV. § 7.52 Problema 4.5 kQ e 1i =20 /lA. § 7. 5.2 Amplificación en el dominio de ac L ¿Cuál es la amplificación esperada de un amplificador a BJT si la fuente de se hace cero volts? b) ¿Qué sucederá a la señal de salida de ae si el nivel es insuficiente? Trace el efecto sobre la fonna de onda. las condiciones bajo las cuales debe aplicarse. b) Liste.2 kQ.7.9 mV 2 rnV = 315. 7. ¿Cuál es la reactancia de un capacitor de 1O-. a) Calcular 2¡ si Vs =40 m V.or = 10 ka: e 10 = 10 ¡.9 mV. Los resultados también indican un cambio de fase de 1800 entre V v y Vi tal como se esperaba para la configuración de emisor común. e Jamplificador = 6 pA.Los resultados indican que la magnitud del voltaje de salida es de 630. Zo' A.3 Modelaje de transistores BJT 3. Rsen. Dada la configuración de base común de la figura 7. ¿es una buena suposición el empleo del corto circuito equivalente para las condiciones recién descritas? ¿Qué tal a 100 kHz' 4.4 Los parámetros importantes: Z. ¿Puede desarrollarse alguna analogía para explicar la importancia del nivel de dc sobre la ganancia en ac resultante? § 7. para la configuración de la figura 7. c" ( Re + Figura 7 . b) Utilizando los resultados del inciso a.Vi I VI = 1 630.UF a una frecuencia de 1 kHz? Para aquellas redes en las cuales los niveles de resistencia están por lo general en el rango de los kilohms. calcular I L para la configuración de la figura 7. c) ¿Cuál es el coeficiente de eficiencia de un amplificador en el cual el valor efectivo de la corriente a través de una carga de 2.45 un nivel que caerá cuando se conecte una carga.

6 V 18mV Zi -. ~ RL 0. a) Z¡.5 mA. - § 7. La corriente del emisor es de 3.2 k.99 en la configuración de base común de la figura 7.2 kQ. 10.27. Se aplica una señal de 10 mV a la configuración de base común de la figura 7. b) Z¡ c) Vo' d) lo' e) A¡ usando los resultados de los incisos a y d. Amplificador a transistor BJT + ~= 3.2 mA y a = 0. Usando el modelo de la figura 7. a) re' b) Zi' c) le' d) V" e) f) Av' lb' 12. f) lb' 11. + l 12rnV IkQ 1 . b) lb' e) A¡ =IJI¡ =l/lb si R L = 1.54 Problema 9. calcular: a) J¡. \ . 342 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares . calcular: a) Vi' b) Z¡ e) A. 9. calcular 10 siguiente para un amplificador de emisor común si f3 =80. si R L = 1.53 Problema 8. Figura 7.53. calcular: a) Z¡b) V.10). dando por resultado una corriente del emisor de 0..17.2 k.51 kQ V¡ = 4 rnV I Figura 7.980. f) A¡ utilizando la ecuación (7.6kQ + V. li=IO~A + I v. si R L = 1.54. 1o Zi + Amplificador a transistor BJT + V.Q.17.Q.A O. Calcular lo siguiente si el voltaje aplicado es de 48 m V y la carga es de 2..2 kn.8.5 El modelo de transistor r.. =40 kn. Si a = 0. e) A¡ = IJI¡. Para el amplificador a BJT de la figura 7. d) A. Dada la configuración BJT de la figura 7. c) Av= VJVi" d) Zoconro=ooQ. d) A". lidc) = 2 mA y r.

~ R.. + V.21. d) Precisar el porcentaje de diferencia en lb con la ayuda de la siguiente ecuacíón: % en diferencia en lb = lb(sin h ) . 1 Figura 7. 17. =40 kQ. FIgura 7. r.56 Problema 18. Problemas 343 . Incluir ro' Re V EE -vcc Re R8 C RE + ~e Ce Ce B E v. c) Modelo híbrido equivalente de base común. h" = 4 x l<r' y h" = 25 pS. '\. 50 kQ Y R L = A¡ = l/li = ILllb' Av= V/Vi' '-- § 7.3 para la respuesta en ac con el modelo híbrido equivalente aproximado sustituido entre las terminales adecuadas.7 kD. 18.57: a) Determinar Vo en términos de V¡" b) Calcular lb en términos de Vi' c) Calcular lb si se ignora h re Vo. Redibujar la red de la figura 7. d) Modelo re equivalente de base común.55 Problema 17. 16. '\.. e) Modelo híbrido equivalente de base común. d) Modelo re equivalente de base común.2 ill con f3 = 140.¡b(con h re ) re x 100% lb(sin h re ) Figura 7.4 kQ. h¡e ~ 100..e Vo para los valores típicos utilizados en este ejemplo? Problemas 19. e) lc' d) e) ro:. b) I b siV¡=30rnY. dibujar los: a) Modelo híbrido equivalente de emisor común.55 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las terminales adecuadas. La impedancia de un amplificador de emisor común es de 1. dibujar los: a) Modelo híbrido equivalente de emisor común. 15. 2. 19. Redibujar la red de emisor común de la figura 7. . Dados h¡e = 2. Redibujar.56 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las tenninales adecuadas.la red de la figura 7 . Dados [E (de) = 1.. b) Modelo re equivalente de emísor común..6 El modelo híbrido equivalente 14.. b) Modelo re equivalente de emisor común.57 + e) ¿Es válido el método de ignorar los efectos de h. Incluir ro. Calcular: a) re.2 mA.13. Dados los valores típicos de h¡C = 1 kQ. (3= 120 Y r. h rc = 2 x 1()-4 y Av = -160 para la configuración de entrada de la figura 7.

28. '" 28.12. Repetir el problema 19 empleando los valores promedio de los parámetros de la figura 7. dibuje el modelo re equivalente para el transistor que tiene las características que aparecen en las figuras 7.(l mAl h¡. a) b) Determinar hic cuando lB::: 20 ¡.40. 22. ¿cuál es el valor aproximado de hoc cuando Ic=lOrnA? b) Calcular su va\.42.5 V.43. a) Si hre = 2 X lQ-4 cuando le = 1 roA en la figura 7.(O.20.5 V utilizando las caractensticas de las figuras 7.tA Y VCE = 20 V.45.42.lA utilizando las características de la figura 7. 24. a) Determinar h re cuando lB = 20 J. Vuelva a hacer el problema 30 calculando hie (con los mismos cambios en le)' 32. ¿Es un buen sistema el ignorar en este caso los efectos de l/h oe? 33. a) Calcular hoe cuando Ic = 6 mA y V CE =: 5 V.~-180.8 \c..1S cuando le = 1 mA en la figura 7.2 mAl . a) Al revisar las características de la figura 7. utilizando las caracteósticas de la figura 7.2 ka y ho~' = 20 pS.or resistivo a 10 mA Y compararlo con una carga resistiva de 6.hf. b) Repetir el inciso a cuando lB = 30 J1. calcular el modelo híbrido equivalente de emisor común aproximado cuando lB = 25 J1Ay VCE =.43. a) Empleando la figura 7. b) Realizar de nuevo el inciso a cuando le::: 1 mA y V CE::: 15 V 25. Con el uso de los resultados de la figura 7. ¿resulta una buena aproximación ignorar los efectos de 1/hoe sobre la impedancia total de carga'? ¿Cuál es el porcentaje de diferencia en la carga total sobre el transistor utilizando la siguiente ecuación? o/e de diferencia en la carga total 21.44. 29.28 con A.tAy V CE ::: 10 V.42.45. 31.45 a 7.41.S cuando le = 1 mA en la figura 7.45.2 mAl x 100% b) Repita el inciso a para un cambio en le de 1 mA a 5 mA. Repetir el inciso a cuando lB::: 5 ¡.45.47. calcular la magnitud del porcentaje de cambio en h¡e cuando existe un cambio en le de 0.40 y 7.1 mA? b) Utilizando el valor determinado de h en el inciso a.(O. ¿Es un buen sistema el ignorar en este caso los efectos de 1lhoe? 34. ¿cuál parámetro cambió lo menos posible para el rango completo de corriente del colector? bl ¿Cuál fue el parámetro que observó más cambios? e) ¿Cuáles son los valores máximo y mínimo para lfhoe? ¿Es una buena aproximación llhoJ\ RL == R L más adecuada con los valores altos o bajos de la corriente del colector? d) ¿En qué región del espectro de corriente es más adecuada la aproximación hreVce == O? 344 Capítulo 7 Modelaje de transistores bipolares .2 mA y compararlo con una carga resistiva de 6.7 Determinación gráfica de los parámetros h 23. Dados los valores típicos de R L == 2.3 ka y el valor promedio de hoe en la figura 7.2 rnA? b) Calcular su valor resistivo a 0.45. ¿puede ignorarse h como una buena aproximación si Av = 21 O? re re * 35.40 Y 7. a) Si hoe = 20 f. Utilizando las características de las figuras 7. utilizando las características de la figura 7. § 7. Incluir ro' § 7.40 a 7. Calcular el modelo re de emisor común cuando lB:: 25 J1A Y \leE::: 12.Q.8 Variaciones de los parámetros de transistores Para los problemas 30 a 34. Realizar otra vez el problema 20 para R L = 3. 26. a) Si hoe = 20 J1. a) Determinar hj " cuando fe = 6 mA y \leE = 5 V. se utilizan las figuras 7. ¿cuál es el valor aproximado de hoe cuando le = 0. ¿cuál es el valor aproximado de hre cuandole =O. utilizando las características de la figura 7.2 mA almA utilizando la ecuación % de cambio h¡. b) Repetir el inciso a cuandofc = 1 mAy \lCE= 15 V.8 H2. 30. 827.A.

50kQ + RL 2.59 BASIC 39. d) La magnitud de la comente de entrada lb' + lOrnY I I -lb 2kQ '\. h" f : lOOfb t 1 1 '. 40. + ~ =4 mV llL -J..59 Y solicite: a) La magnitud y la fase de Vo ' b) La magnitud de lo' e) La magnitud de la comente Ir (y compárela contra 1). 20n t : O.3 kn V" I I I Problemas 38.* 36 a) b) c) d) e) Al repasar las características de la figura 7.58 y solicite: a) La magnitud y la fase de Vi} b) La magnitud de la corriente de salida lo' e) La magnitud de la corriente Ir. Repita el problema 38 utilizando BASIC. h~ 3. ¿Dentro de qué rango de temperaturas cambian menos los parámetros? § 7.47.2kQ Vo • Figura 7.39. ti" RL + • h¡l. ¿cuál fue el parámetro que tuvo más cambio debido al incremento en la temperatura? ¿Cuál tuvo menos cambio? ¿Cuáles son los valores máximo y mínimo de h¡) ¿Es significativo el cambio en magnitud? ¿Cómo varía re con respeclO al incremento en la temperatura? Simplemente calcule el valor en tres o cuatro puntoS y compare sus magnitudes. Escriba el archivo de entrada para la red de emisor común de la figura 7. Jo ~ '\.98fc 1 '. (y compárela contra 1). '.58 Problemas 37. d) La magnitud de la comente 1(:.9 Análisis por computadora PSpice 37. 40. 1 20 ¡¡S Figura 7. * Los asteriscos indican problemas más difíciles. Escriba el archivo de entrada para la red de base común de la figura 7. Problemas 345 .. 38. Repita el problema 37 utilizando BASIC.

... 346 .. L Se observa que la señal de entrada Vi se aplica a la base del transistor mientras que la salida VD está en el colector.. L 8. Las modificaciones a las configuraciones estándar se examinarán con relativa facilidad una vez que se revise y entienda el contenido de este capítulo.2 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN CON POLARIZACIÓN FIJA La primera configuración que se analizará con detenimiento es la red de polarización fija de emisor común de la figura 8..2 dará por resultado la red de la figura 8. Sin embargo. Además. Las redes analizadas representan la mayoría de aquellas actualmente utilizadas en la práctica.. En la figura 8.. será el modelo primario para el análisis que se desarrollará.CAPÍTULO Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . los cuales están disponibles en la actualidad y lo relativamente fácil que resulta capturar una red compleja e imprimir los resultados deseados.. El análisis por computadora incluye una breve descripción del modelo de transistor empleado en el paquete de programas PSpice..2 se observa que la tierra común de la fuente de y la terminal del emisor del transistor permite la reubicación tanto de Rs como de Re en paralelo con las secciones de entrada y de salida del transistor..... se examina el efecto de la impedancia de salida como es proporcionado por el parámetro hoe del modelo equivalente híbrido. mientras que la corriente de salida lo proviene del colector.. respectivamente. Debido a que el modelo r... 8. Nótese además. se dedica una sección al análisis a pequeña señal de las redes BJT que únicamente utilizan el modelo híbrido equivalente. para cada configuración. La sustitución del modelo Te para la configuración de emisor común de la figura 8..... la colocación de los parámetros importantes de la red Zi' Zo' Ii e lo en la red que se redibujó. es sensible al punto real de operación... Para demostrar las similitudes que existen entre los modelos.... Este programa demuestra el rango y profundidad de los sistemas de análisis por computadora. Se reserva el efecto de ambos parámetros para un método para sistemas en el capítulo 10. Se incluye un programa en BASIC para permitir una comparación entre el uso de un paquete de programas y un lenguaje de computación. El análisis de este capítulo no incluye una resistencia de carga RL o la resistencia de la fuente R... El análisis a pequeña señal comienza por eliminar los efectos de de de Vce y reemplazar los capacitares de acoplamiento C l y C...... la corriente de entrada Ii no es la corriente de la base sino la corriente de la fuente.2...... mediante cortos circuitos equivalentes.1 INTRODUCCIÓN Los modelos de transistores que se presentaron en el capítulo 7 se utilizan ahora para llevar a cabo un análisis en ac a pequeña señal de las configuraciones estándar de redes de transistores.. lo cual origina la red de la figura 8.3..] r-..

. 1. I 2= lO/3r. de Zo para la red de la figura 8. R B es mayor que f3r. El siguiente paso consiste en calcular /3. B v. Suponiendo que se hayan determinado f3. li ~ lb ~ O.3. más de 10 veces (se debe recordar a partir del análisis de los elementos en paralelo que la resistencia total de dos resistores en paralelo siempre es menor y muy cercana a la más pequeña en caso de que una sea mucho mayor que la otra). .4. -z. r. + V. 8.4) Figura 8.. lo cual pennite la siguiente aproximación: Zi ... o-----}t---+-<>---! e.2) Zo: Recuérdese que la impedancia de salida Zo se calculó cuando Vi ~ O. Para la figura 8.3) lORD' con frecuencia se aplica la aproximación Re \\ ro'. z. y ro_ se obtendrán las siguientes ecuaciones para las características importantes de dos puertos del sistema.JL RB J.~ !ORe (8. b l /3r. .h 1.2. Z¡: La figura 8.4 Determinación. ~ " fllb -...: '------'RB f3r.3. El resultado es la config~ración de la figura 8.1 después de eliminar los efectos de Vco el y e2- Figura 8. Debe determinarse el valor de re a partir de un análisis en de del sisterna~ por su parte.2 Red de la figura 8.¡. ohms (8.3 revela que ohms (8.1 ) Para la mayor parte de las situaciones. IZ o "R c I r... la magnitud de rose obtiene por lo general mediante la hoja de especificaciones o de las características.3 Sustitución del modelo re en la red de la figura 8. + V. Figura 8. cuando Vi ~ O.. 1... e figura 8.2 Configuración de emisor común con polarización fija 347 . dando por resultado una equivalencia de circuito abierto para la fuente de corriente. .:: Re y 1 . Z.1 Configuración de polarización fija de emisor común. I Si ro .?: Zo ~ Rc11ro ohms (8. Re . re y ro' La magnitud de f3 por lo general se obtiene mediante una hoja de especificaciones o por medición directa utilizando un trazador de curvas o mediante un instrumento para probar transistores.

:: . de manera que y (8.¡3 1" > IORe La complejidad de la ecuación (8.lo li = ~ro +ro¡3 ~ ~RB RB¡3r. aunque se reconoce que ¡3 debe utilizarse para determinar re' A i : La ganancia de corriente se calcula de la siguiente manera: Al aplicar la regla del divisor de corriente a los circuitos de entrada y de salida.JLAv: y . lb li = RB RB + ¡3r.10) la cual emplea Ao y Z. lo cual sucede a menudo. Sin embargo. A. como se muestra en la figura 8. Esto es.5) (8. = lo 1. (8.. > IOP'.7) Y Ai = (ro + Re)(R B + ¡3r. Ai .5 y 8. Los resistores ro y Re están en paralelo.7) sugiere que puede desearse el retorno a una ecuación como la ecuación (7..6) Se observa la ausencia explícita de ¡3 en las ecuaciones (8..8) R. = -¡3Ih(RcII V lb.9) Relación de la fase: El signo negativo para Av en la ecuación obtenida indica que ocurre un cambio de fase de 1800 entre las señales de entrada y de salida.) la cual ciertamente es una expresión compleja y difícil de manejar.5. e lo lb o = r.¡3 ro + Re ro + Re con El resultado es (RB)(l) lb = RB + ¡3r.. A.. = y lo li - ¡3RBro (r)(R B) • (8. V.::: lOj3re. (r)(¡3lb) 1.' - rol pero ¡3r. 348 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .) Re + ¡3RB ro (8. =eO~cb~ = 4 ¡.6). si ro ~ 1ORe y RB .

470 Iill ~ 1. Repetir los incisos e a e incluyendo ro = 50 kQ en todos los cálculos y comparar los resultados.428 mA Q) = 10.071 kQ = 1.V --c~-- l2V .= lE r .71 kQ) f3 = 100 8.0. z.069 3kQ 10. Solución a) Análisis en DC: ee BE ¡B = ---""---""V .071 kQ = RB 11 {3r. b) 26 mV 26mV 2. Para la red de la figura 8.J[ Vee Re Re t Yo I ~. (cuando ro = 00 Q).: ~ 10{3r. . I figura 8.1 . Encontrar A. t V..04}lA 470kQ lE = (/3+ l)lB = (101)(24. Calcular Z" (cuando ro = 00 Q).71 = 1. .428 mA =-. O P-tr.1 b) e) d) e) f) Encontrar Z.71 Q = -280. ( 10 ~F 10 ~F - o ~. Figura 8.71 Q {3r.5 Demostración del cambio de fase de 1800 entre las formas de onda de entrada y salida. Z. Determinar A.11 kQ e) Zo = Re '" 3 kQ e) Dado que RB A. (cuando re = 00 Q). = (100)(10.. = 470 kQ 111.7V = 24. o-----} 1--+-----1 1.6: a) Detenninar r('> EJEMPLO 8.2 Configuración de emisor común con polarización fija 349 .6 Ejemplo 8.04 ¡. (cuando ro = 00 Q).LA) = 2.(470 kQ> 10. r----r--o 12 V 3kQ V.

= -A Z.. ~I /JI.. • ~ 'o e h Re ~ Z. Re R.24 r.71 Q B _----. la reactancia del capacitar es tan pequeña en comparación con RE que se maneja como un corto circuito para la señal a través de RE' Cuando Vcc se + Vi -li Zi b R.-_-'-.069 kQ) 3 kQ = 94.. R. - R' '*' Figura 8.83 kQ (100)(470 kQ)(50 kQ) = --. e.-.) (50 kQ + 3 kQ)(470 kQ + 1.7 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje. E --Z. Al sustituir el circuito equivalente r.13 vs.3 POlARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE La siguiente configuracíón que se analizará es la red de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8.:.83kQ = .:~-"---- vs..:. e. 10.16 la cual difiere ligeramente debido sólo a la precisión que se lleva a través de los cálculos.. - .~-'---''. ~ Rc = -(-264.7. e 11 ~ 1b e Pr.. .][ f) Zo A~ = rJlRe = 50kQII3kQ = 2.071 kQ) f3R ro = 94. 350 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . V. 8.7. + V. 3kQ vs. lOO Como verificación: A. a la frecuencía (o frecuencias) de operación. . R.= -264.8. Se observa la ausencia de RE debido al efecto de reducción de baja impedancia del capacitar de desvío. RE CE Figura 8...-_(ro + Rc)(R8 + f3r.. CE' Esto es..11 ro 11 Re 2. Considérese que el nombre de la configuración es un resultado de la polarización mediante divisor de voltaje en el lado de la entrada para calcular el nivel en de de VE' Vee V. se obtendrá la red de la figura 8.:. o-----} li Zi e B {----<o v.=..:.24)( 1.-..8 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8. -280.

excepto por el hecho que R' = R. (8. de manera que V = . (8. Zi = Zo: R'II f3r.14) la cual se nota que es una réplica exacta de la ecuación que se obtuvo para la configuración de polarización fija. a O V se obtiene lb = O ilAy f3lb = O mA. - f3R'r o ro(R' + f3r. como se muestra en la figura 8.3 Polarización mediante divisor de voltaje 351 . la ecuación para la ganancia de corriente tendrá el mismo formato que la ecuación (8. se observa que R¡ y R2 permanecen como parte del circuito de entrada mientras que Re forma parte del circuito de salida. = .7).13) A. Además.8 es tan similar a la de la figura 8. f3r. Esto es.l lb = V. cuando se hace V." lOR e (8.8.11 ) De la figura 8.J L iguala a cero coloca una terminal de Rl y Re a potencial de tierra.3.li (8.(f31b)(R e 11 e r.: " j (Re 11 r.8.= Vi Va Rellro r.17) 8.) f3R' R' + f3r e ro ~ lOR c y lo Ai = .16) Ai = lo 1.15) A i : Debido a que la red de la figura 8.. (8.l y A.12) (8.8. Para ro. La combinación de R¡ y R 2 está definida por medio de (8. 11 Rz = RB .10) Zi: De la fIgura 8.f3(.: Ya que Re y ro están en paralelo. Zo = RJ ro I (8. Va = .

(cuando ro = O).. o---}l~-+-----1 /.6RE > lOR 2 (90)(1. 11 h01' .. (8.7 V = 2.18) Como una opción. b) e) d) e) f) Z. A. Zo (cuando ro = = O). 8.14) revela un cambio de fase de EJEMPLO 8.2 kO)(22 V) 56 kO+ 8.11 V 352 Capítulo 8 Análisis a peqneña señal del transistor bipolar . Los parámetros de los incisos b a e si ro.2 Para la red de la figura 8.2. Vcc = (8. = 22 v 56Hl 10 ~F V..9. Solnción a) De: La prueba de .. encuéntrese: a) rlO. A¡ (cuando ro = = O). z.2 kO) 135 kO > 82 kO satisfecha Utilizando el método aproximado.J[ y (8.9 Ejemplo 8.19) Relación de la fase: 1800 entre V(J y Vi· El signo negativo de la ecuación (8.81 V = 2.81 V VE = VB - VBE = 2.2 kO .2 kQ Figura 8.5 kQ) > 10(8.:: 50 kQ Y compare los resultados.0.

7.. = (56 ka) 11 (8.= ._15_k_Q_)(_5_0_kQ_)_ _ (r" + Re)(R' + [3r) 64.98 ka vs. 6._ _ = _ _ _ (9_0)_O_. = 7..35 ka e) Z" = Re = 6.44Q 1.15 kQ + 1. y A¡ debido a que no se satisfizo la condición ro...76 La condición: r" 2 lOR e (50 kQ. (50 kQ + 6.04 Existió una diferencia considerable en los resultados de Z().66 kQ = 1. A¡ [3R' (90)(7. -368.8 kQ 1150 kQ = 5.8 kQ) = 68 kQ) No está satisfecha.11 V = IAlmA 1.11..66 kQ) = 16. Primero se considerará la situación sin derivación y luego se modificarán las ecuaciones obtenidas para la configuración con desvío.8 kQ A.2 ka) = 7.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 353 .= 18.. A.. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alIado de la entrada de la figura 8.76 18..c. y su efecto se discutirá más adelante en esta sección.o.15 kQ) := .= -368.15 ka 11 (90)(18.1 S kQ 2 1O( 1..5 ka 26roV r. = .6 kQ no está satisfecha. por tanto.. 10(6..= 73.15 ka Z¡ = R' 11 [3r.::: 1ORe- 8.= ..8 kQ .35 ka Zo = Re 11 r" = 6.- d) Re r = .66 kQ) 73..04 R' +[3r.98 kQ 18.44 Q e) La condición R' 2 10[3r.8 kQ)(7.3 VS. no se incluirá en el siguiente análisis. El modelo re equivalente se sustituyó en la figura 8. (7. Por tanto. Sin desvío En la figura 8.. Por tanto.41 roA R' = R.8kQ A.44 a) = 7.. = - Re 11 ro =- 5. = 1.3 VS...10 aparece la configuración más básica de las que no poseen desvío.44 Q = -324.. en la mayoría de las situaciones se puede ignorar su efecto.4 CONFIGURACIÓN DE E-C CON POLARIZACIÓN EN EMISOR Las redes que se examinaron en esta sección incluyen un resistor en emisor que puede tener o no un desvío en el dominio de ac.66 kQ f) Z.15 ka 111. 6. = . A\..J[ V lE = ~ RE 26roV -lE b) 2. 11 R.:[3_R_'r. pero se observa la ausencia de la resistencia ro' Si se considera el efecto de ro' el análisis será mucho más complicado.. sin embargo. = _ _.11 dará por resultado o 8.15 kQ + 1.

y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de RB es Zb = -:. li b .Z. t R/ h . + (f3 + I)RE b v. = -'i.) Re con A... Fagura 8.= (fl+ ¡)lb figura 8. R.23) Zo: Al hacer Vi cero.11 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de de la figura 8. Z.21) Debido a que RE a menudo es mucho mayor que re' la ecuación (8. El resultado como se aprecia en la figura 8.+ Z.12 Definición de la impedancia de entrada de un transistor con un resistor de emisor sin desvío. se tiene (8.11. El resultado es = (8. la ecuación aproximada es la siguiente Zb . lb O Y f3lb puede reemplazarse mediante un equivalente de circuito abierto.12 indica que la impedancia de entrada de un transistor con un resistor RE sin desvío está determinada por Zb = f3re + (f3 + I )RE (8. = Vi R f3 e Zb (8.10.: f3r e y + f3R E (8.= f3r. lb ~ y Zb Vo = -loRe = -f3l bR e = -f3( ..21) puede reducirse aún más a (8.22) Zi: Regresando a la figura 8.25) 354 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .10 Configuración polarizac}ón de emisor común. ~ 1. Figura 8.20) Ya que f3 por lo regular es mucho mayor que 1.-Zb Vi ~r : pr. • e e I + /5l. Re V.24) V.

en cada caso se observa que cuando se cumplen ciertas condiciones. + RE) da . (8.29) e Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8. e lo = f3 l b de tal forma que y (8.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 355 .----------.26) y para la aproximación Zb. las ecuaciones regresan a la fonna recién derivada.27) Obsérvese una vez más la ausencia de f3 en la ecuación para Av' A¡: La magnitud de R B a menudo es muy' cercana a Zb para permitir la aproximación lb = l¡.28) o " ElJ A = -A-' . las conversiones de las fuentes. Cada ecuación puede derivarse mediante la aplicación cuidadosa de las leyes básicas del análisis de circuitos como las leyes de voltaje y de corriente de Kirchhoff.JL La sustitución de Zb = f3(r. Z¡: (8. el teorema de Thévenin y otros. Se incluyeron las ecuaciones para eliminar la molesta pregunta del efecto de ro sobre los parámetros importantes de una configuración de transistores. Al aplicar la regla mediante la división de corriente al circuito de entrada se obtiene e B . Sin embargo. 'R (8.: f3RE' (8.25) revela una vez más un cambio de fase de 1800 entre Vo y Vi' Efecto de ro: Las ecuaciones que aparecen abajo revelarán con mayor detalle la complejidad adicional que resulta al incluir ro en el análisis. La derivación de cada ecuación está más allá de las necesidades de este texto y se deja como un ejercicio para el lector.30) 8.= ---"--R B + Zb li lb R además.

Para {3 = lOO. por supuesto es Re Por tanto.34) 356 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del trausistor bipolar . + (f3 + I)RE la cual puede compararse de manera directa con la ecuación (8.31 ) Z. El resultado es un factor de multiplicación para ro mayor que uno. r" = lO Q Y RE = l kQ: 1 1 -1--"-..] ' l f3 re RE Normalmente tanto 1/f3 como r/RE son menores que uno y suman un total que por lo general es menor que uno.32) Sin embargo. f3re (f3 + l)R E + ---"---'---=-l + (Re + RE)/ro Zb:' f3r. A' v' Av = ~= Vi ~ r ] Re 1+-:. ro» re y Zo:' Rcl1ro[' + I + f3 r ] f3 e RE la cual puede escribirse como ZO:'Rcl1ro ['+ ..20).02 = 50 1000 n y la cual. o' (8.~ = - -+f3 re RE -+ 100 1 H 0. Debido a que f3 + 1 == {3.33) la cual se obtuvo con anterioridad. L-.= ---'---1O-:-. si ro . En otras palabras. Zb :._ _"'----' Cualquier nivel de r" Zo = Re I (8..? 1O(R c + RE)' se podrán obtener todas las ecuaciones derivadas con anterioridad.][ Debido a que el cociente Relro es siempre mucho menor que ({3 + 1)..+-ro o (8.:.+ . la siguiente ecuación resulta excelente para la mayoría de las aplicaciones: (8..

35) ' -___ _ _ _ V'-.¡.99.13.56 kU h = (f3 + l)I.3 e) d) Z¡. Zo' A..-h--1r" 2: JURe así como se obtuvo con antes. Por tanto. (8.5 ¡. Z.34 mA 8. el modelo re equivalente completo puede sustituirse...A y = 26mY = 5.9). De: lB = Vee-VBE RE + ({3 + I)R E 470kfi + (12\)0.-Re +ro Para ro '" IOR e (8.\) a (8. Aj' _ 20 V e) 470kQ 10 ¡. = = 20Y-O. calcular: a) b) re' EJEMPLO 8.34 mA r.56kQ 1ICE 10 ~F .7Y = 35. Solución a) F'lgura 8. _ _ (3R Re Z"h__-. A¡: El cálculo de A i será a la ecuación A. sin CE (sin desvío).ro. = (121)(46.. utilizando las ecuaciones anteriores..4 Configuración de E-C con polarización en emisor 357 . e ---+2..F Vi e __ )1-4----1 el 1. Para la red de la figura 8.. dando por resultado la misma red equivalente que la figura 8..10 está en desvío mediante un capacitor CE de emisor.89 ¡.0 4.3.3. pueden aplicarse las ecuaciones (8.36) Con desvío Si RE de la figura 8.13 Ejemplo 8.A) = 4. 0.J[ La relación 1'/1'0 « 1 y Av = Vo V.

2.92k!l RBllzb = l20(5.8!l 470 kOII(120)(5.. + RE) Z. A.92 k!l = -3." IO(R e + RE)' 40 k!l 2: 10(2.5 Para la red de la figura 8.. 358 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . RE está "en corto" debido a CE para el análisis ac. {3R B RB + Zb (120)(470 ill) 470 k!l + 7l8.8!l = 119.92 k!l = 59.70 íl e) Zo = Rc = 2.2 k!l + 0.:). J[ b) La prueba de la condición ro.. = _ Re r.:. o A.2_k:-!l.". Z.-------_..28): A.92 = -(-389) (59.. e) A = -A -Z.76 k!l) = 27.) 67.2kíl d) A.27): Av '" -R¿R E .82 EJEMPLO 8.2kíl ro. encontrar (mediante las aproximaciones adecuadas): a) b) e) d) e) re.93 cuando se utilizó la ecuación (8.99!l + 560 O) = 470 k!l1167...2k!l comparado con 104. Zb y == f3(r. == __R = f3 _c Zb _-.85 cuando se utilizó la ecuación (8. '" f3R B /(R B + Zb)' EJEMPLO 8.14.99!l = -367.4 Repítase el análisis del ejemplo 8.99 Q. Portanto.(2_. = 5. Zo' A".56 ill) 40 k!l 2: 10(2. 2. Solucióu a) b) El análisis del dominio de es el mismo y r. . = B = 470 k!lIl718. = RBllzb = R IIf3r.-O_20.28 (un incremento significativo) e) A = . Por tanto. Z.34 k!l) .89 comparado con -3." d) IOR e está satisfecha. 'R c = 104.99!l) == 717.6 k!l satisfecha Por tanto.5. = = 67.2k!l = . = _V V.3 cuando CE está en su lugar.34kíl e) Zo = Rc = 2.

'~ + 10kQ 90kíl 0..47kO 8. Solución (210)(0. IOkíl 0.-J '=' T 1. VE + R2 ce .5.= 50 kQ I .7 V = 0. eE z.15 se proporciona el circuito equivalente.68k!l 26mV 26 mV = 19.:.0. = 1.8 k!l = 8.68 kil) > 10(10 kfi) 142.V8E = 1.6 V .6 V le = - 0.8 k!l > 100 k!l satisfecha V8 = R. = RBIIZb = 9 k!l11142.14. 2. El empleo de las aproximaciones adecuadas dan Zb"" {3R E = 142. la configuración que se obtiene es diferente a la de la figura 8.9 V VE R2 V - IOk!l (16 V) = 1.324 mA RE 0.: IO(R e + RE) como de ro ..11 sólo por el hecho que RB = R' = RdlR2 = 9k!l " + z. e 1.8 k!l Z.:.2 kil ~ FIgUra 8.14 Ejemplo 8. z. Las condiciones de prueba tanto de ro .15 El circuito ac equivalente de la figura 8. p =210J.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 359 .: IOR e se satisfacen..][ 16V tI.64 O r. + Figura 8.9 V = 1.68k!l • 2.90k!l + 10k!l = V8 . Ahora. • e.68 kQ I e.324 mA = b) En la figura 8.2 kO 90kíl o V..

19.47 EjEMPLO 8. = (210)(19. El análisis en de es el mismo y r. o-}I---"----I Zi Z. Para el análisis en de la resistencia del emisor es RE + REo' mientras que para el análisis en ac el resistor RE en las ecuaciones anteriores es simplehIente.12 kO = 2. pero la aproximación 360 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . debido a la caída de la base al emisor..47kO) A¡ = -A~ Re = -( -3.= -.83kO) 2.64 O) == 4.RE con RE" en desvío por CE' J --li el V.5 con Solución a) b) e E en su lugar.2 kil Re 2. .83kil e) Zo = Re = 2..2kO d) A~ = .--.68 kO = -3.2 kO = 144.5 figura 8. = 19.12 kO Z¡ = RBllzb = 9 kOIl4.02 (un crecimiento significativo) r.2kO d) A" = .16 aparece otra variación de una configuración de polarización en emisor. se conoce a la red como emisor~seguidor. Zb = f3r.02)(2.0.][ Zo = Re = 2.64 kO e) A= '~RL -A~= _(_112..24 e) e) Z¡ (8.= -112.---=.24) 2. CONFIGURACIÓN EMISOR-SEGUIDOR Cuando se toma la salida a partir de la tenninal del emisor del transistor como se muestra en la figura 8.6 Repetir el ejemplo 8. El voltaje de salida siempre es ligeramej'j.2kil Re 2.17.64 n.te menor que la señal de entrada.2 kO = 12. 8.1 En la figura 8.RE = .16 Una configuración polarización en emisor con una porción de la resistencia de emisor en desvío en el dominio de ac .

Al sustituir el circuito equivalente rl! en la red de la figura 8. debido a que el colector está conectado a tierra para el análisis en ac.17 que tienen la salida en emisor con Vo . El efecto de ro se examinará más adelante en la sección.---!!----o 'é. el voltaje está en fase con la señal VI' Esto es. = + -1.18. e. De hecho.17 se obtiene la red de la figura 8.17 aparece la configuración emisor-seguidor más común. e -z.17. Figura 8. v. + \ 1 COn 1 Figura 8. En la parte final de esta sección aparecerán otras variaciones de la figura 8. A diferencia del voltaje del colector.. B 0--)1----+-<>--1 el' Z. + (f3 + l)R E (838) 8. en realidad es una configuración de colector-común. Z¡: La impedancia de entrada se encuentra determinada de la misma manera que se describió en la sección anterior: (8. El efecto que se obtiene es muy similar al que se logra con un transformador. E?--. En la figura 8.J[ _1. V. la cual es directamente opuesta a la configuración de polarización fija estándar. tanto Vo corno VI mantendrán sus valores pico positivos y negativos al mismo tiempo.::: V¡La configuración de emisor-seguidor se utiliza con frecuencia para propósitos de acoplamiento de impedancia. ~ RE f t 1. -:.17 Configuración emisor~seguidor. Ar 1 por lo general es buena. El hecho de que Vo "siga" la magnitud de Vi con una relación dentro de fase acredita la terminología emisor-seguidor. donde se acopla una carga con la impedancia de la fuente para obtener una máxima transferencia de potencia a través del sistema.18.37) Zb = f3r.5 Configuración emisor-seguidor 361 . Presenta una alta impedancia en la entrada y una impedancia baja en la salida. Sustitución del circuito equivalente re en la red ac equivalente de ac de la figura 8.

:-: RE.44) Y A.41). Vo -1 ./(f3 + 1)] + RE pero y (f3+l)~f3 ---~--=r f3r e f3+1 f3re f3 < de manera que V le == ----'-'-- (8.(f3_+.] [.4l) re + RE " + v. -:-:--:-::--~ Vi _____~ [f3r. Zo ~ . re' REVi RE + re RE (8.-)V-.40) Zo: La impedancia de salida se describe mejor al escribir la ecuación para la comente lb: lb = - Vi Zb y luego multiplicando por (/3 + 1) para establecer 1". + (f3 + l )RE o 1 = .: Con frecuencia..45) 362 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . . Para detenninar Zo' se hace cero V:. se obtiene la configuración de la figura 8.: Se puede utilizar la figura 8.::.43) A~. y a menudo se aplica la siguiente aproximación: Figura 8. RE es mucho mayor que RE + RE Y (8. + re r¡.--l. o y (8.39) (8. Esto es.42) .19.. RE Si ahora se construye la red definida por la ecuación (8..19 Definición de la impedancia de salida para la configuración emisor-seguidor.. y (8..-i_ f3r.r. le = (f3 + I)h = (f3 + Vi 1)- Zb Sustituyendo por Z/) se obtiene le = ~-. 'V +1. (8.z" Por lo general RE es mucho mayor que Te' ..19 para detenninar la ganancia de voltaje mediante la aplicación de la regla del divisor de voltaje: v= " Vo V.

..48) Si se satisface la condición ro. + ([3 + I)R E la cual es similar a las conclusiones anteriores con (8.46) o (8. I Cualquier r" (8.5 Configuración emisor-seguidor 363 . z. Efecto de ro: Z¡: E {3r.::: 1ORE' Z" = {3r.18..47) Relación de la fase: Como se indicó por medio de la ecuación (8.49) Z· o' (8.50) Utilizando í3 + I =' [3.51 ) 8. tanto Vo como VI se encuentran en fase para la configuración emisor-seguidor. o e o 1.=. + -'----"- ({3+ I)R Z" (8. = -({3 + l)h -lo = -({3 + lh 1) de tal forma que =-({3+1) y debido a que R R B + Zb B ({3 + 1) "" {3. (8.J[ A.REllr.: De la figura 8. RB + Zh lo = -í.44) y algunas discusiones anteriores de esta sección.

53) ' .3 kQ Figura 8. A.7 Para la red emisor-seguidor de la figura 8. + RE) y A.~I-~--I li -10 ~F {3 = 100.. = = 2.tA) = 2.-_ _ _ _ _--' ' •. EJEMPLO 8. {3R Zb Pero de tal fonna que Zb == {3(r.20.7V = 220 k!1 + (101)3.062 roA = 12.7.52) ={J. -'--RnE~~ 1+r" Si se satisface la condición ro ~ 1ORE Y se utiliza la aproximación {3 + 1 E Av=-- (8. = ---"--RE re + RE I ~IOR. (8. detenninar: a) re' b) e) Z¡.062 mA 26mV r.20 Ejemplo 8.42 ¡.61 n 364 capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .][ ({3 + I)RElZb A. . 3. = (101)(20. Repetir los incisos b a e cuando ro. 25 kQ Ycomparar los resultados. ro =00 Q -Z.3 k!1 = 20. Zo' d) e) 1) A".42pA h=({3+ 1)/. Solución a) lB = R B + ({3 + I)R E l2V-O. 12 V f 220 ill v.

06 3.67 220 kfi + 334. = RBllzh = 220 kfl11295. se tiene 25 kfl . aunque no se satisface la condición ro .61 fl = 12. ( 132.3 kfl) la cual no se satisface.15 ka A= .47) se pueden cambiar con sólo reemplazar RB por R'.7 kfl VS.56 a == r.37) a (8. . la cual utiliza una sección de entrada divisor de voltaje para establecer las condiciones de polarización.".= -(0. . = RBI!Zb = 220 kfili334. = 3.J[ b) Zh e) d) {3r.3 kfi)/295.::: 10R E.-'-'-----'-::-::--[1 + 3.-=-3.56 kfl == (3R E Z.72 kfl) = -40. +- 25 kfl con Z. + ({3 + I)R E = (100)(12. los resultados para Zo y Av son los mismos y únicamente Z¡ es un poco menor.3 kfl lJ Zo = REllre = 12.61 fl) RE + (100 + 1)3.3 kfi 1 +--c -=:-3.261 = ro kfi + 294.43 kfl 295.17.56 kfl = 132. Vo RE 3.56 O como se obtuvo anteriormente + I)R E /Z b [1 + RE] r" = 0.::kfl:=- = 1. La red de la figura 8.3 kfi1112.72 ka Z" = REllr.61 fl) + (101)(3. = 33 kfl ({3 + I)R E = (100)(12.3 kfl A.996) . = V.72 kfl a la cual se llegó de la manera anterior (lOO + 1)(3.996 ==1 e) A.56 kfl 3 A = -A . R¡ 1\ R2• La red de la figura 8.7 kfl =-'-----.61 fl = = 0.996 == 1 lo cual es igual al resultado anterior.22 también proporciona las características de entrada/salida de un emisor-seguidor. == contra = (100)(220 kfi) = _ 9. Las ecuaciones (8. pero incluye un resistor colector Re En este caso RE se reemplaza una vez más por la combinación en paralelo de R 1 YR2 . La impedancia de entrada Z¡ y la impedancia de salida Z() no se afectan entre sí. RE f) Z.3 kfl = 334. 10(3.3 kfl) = 1.3 kfl Al verificar la condición ro 2 lOR E . porque Re no se refleja en las redes equivalentes 8. 25 kfl Portanto. Por tanto.7 kfl = 126.:. = RE + r.21 es una variación de la red de la figura 8. ({3 132. = 3.5 Configuración emisor-seguidor 365 . Los resultados sugieren que para la mayoría de las aplicaciones se puede obtener una buena aproximación de los resultados reales sólo con el hecho de ignorar los efectos de ro para esta configuración.261 kfl + 333.3 kfl + 12.

-. la ganancia de voltaje puede ser considerable.54) (8.lfación emisor-seguidor con un resis!or ' colector Rc de la base o el emisor. La configuración estándar aparece en la figura '8. =Jl" " z.~RL -. t I -1.22 Config'. • e + ~:. I i Z " Figura 8. RE E.6 CONFlGURACIÓN DE BASE COMÚN . La impedancia de salida ro del transistor no está incluida para la configuración de base común debido a que por lo general se encuentra en el rango de los megaohms y puede ignorarse puesto que se encuentra en paralelo con el resistor Re ~.23 con el modelo equivalente r". Figura 8.21 Configuración emisorseguidor con un arreglo polarización mediante divisor de voltaje.f. vi. o \) 1-+~---1 r \ -z Figura 8. al" e ~ tI. -.23. 8.J[ Va 9 v. Sin embargo.55) 366 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .24. De hecho. 1" ~ + lé B Z. el único efecto de Re será al determinar el punto de operación Q. + V. (8. de base común sustituido en la figura 8. Figura 8. 1. R..La configuración de base común se caracteriza por tener uria impedancía de entrada relativamente baja y una impedancia de salida alta y además una ganancia de corriente menor a uno.23 Configuración de base común.l'-1.------~--~~.24 Sustitución del circuito equivalente r~ en la red equivalente de ae de la figura 8.

Z" o Figura 8. Zo' A r.J[ con I. re 20 O e) A¡ = -0.0. d) e) A.3 mA r ~ 26mV ~ 26mV ~ 200 e lE l. -Z.3 mA b) Z¡ ~ REllr..6 Configuración de base común 367 .8.. a= 0.25 Ejemplo 8. ~-' V de tal forma que y (8. ro = l/h oh está por lo general en el rango de los megaohms y es más grande que la resistencia en paralelo Re como para permitir la aproximación ro 11 Re == Re Para la red de la figura 8.= 250 . -1 (8.25.: Al suponer que RE :::p- re se obtiene le = I¡ y lo = -ale = -al¡ A¡ = con 1" 1. -+Ika 10 ~F \0.98"" -1 8.8 re' Z¡.a". Efecto de ro: Para la configuración de base común..57) Relación de la fase: El hecho de que Aves un número positivo indica que tanto V(J como Vi se encuentran en fase para la configuración de base común..98 r o = 1 MQ 5Hl 8V h ~ o 1 2v T - \0.61 fi == re e) Zo=R e =5kfi Re 5kO d) A '" = .7 V 1 kO ~ 1. lO ~F 1. ¡--) 1.56) A~. ~ 1 kOl120 O = 19. calcular: a) b) e) EjEMPLO 8. = . Solución a) lE ~ V EE - V BE RE ~ 2 V .3 V -1 kO ~ 1. .

26. l' Z. o el Vi - 8 o-----J f--~-<>--I z.J[ 8.Vi RF con e Debido a que Vv = -loRe lo = f3lb + l' /3Ib es mucho mayor que r.26 Configuración de retroalimentación en colector. 8 . e.-t_J"-.27. lo '" f3l& y pero Vv = -(f3l blRc = .lugar de la base a la fuente de dc tiene un impacto significativo sobre el nivel de dificultad que se encuentra al momento de analizar la red.~ V e J.Br. + Vi J.f3I¡}1c y 368 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .7 CONFlGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN EN COLECTOR La red con retroalimentación en colector de la figura 8.27 ':' Sustitución del circuito equivalente Te en la red equivalente de ac de la figura 8.. La sustitucíón del circuito equivalente y el redibujo de la red dará por resultado la configuración de la figura 8. tc~v ':' + " Figura 8. Zo figura 8.26 utiliza una trayectoria de retroalimentación desde el colector a la base para aumentar la estabilidad del sistema como se discutió en la sección 4. Los efectos de una resistencia de salida roen el transistor se analizarán más adelante en esta sección. Re r-'V\RFI\r-t--. J' = Vo .l2.RF + ¡Jlb h . No se espera que un nuevo estudiante del tema seleccione la secuencia de los pasos descritos a continuación sin hacer uno o dos pasos de manera errónea. Sin embargo. la simple maniobra de conectar un resistor de la base al colector en . Algunos pasos que serán realizados a continuación son el resultado de la experiencia al trabajar con tales configuraciones.

=O ¡ En el nodo Figura 8. = - Vo V.27._ _-. t= El res ultado es =---= Vo Vi RF RF V = If3r .28.59) v.28 Definición de Zo para la configuración de retroalimentación en colector.58) -+ 13 Zo: Si se hace Vi cero como se requiere para definir Zo' la red aparecerá como se muestra en la figura 8.60) . J Re = Re pero Re es por 10 general mucho mayor que re y 1 + de tal fOnTIa que . f3I b » Sustituyendo lb = V/f3r. A.J[ Por tanto. 369 8.7 Configuración con retroalimentación en colector .- 'li 1+f3r'[I+Rel RF r. y A. El efecto de f3rl' se elimina y RF aparece en paralelo con Re y (8. y z r = Vi = _ _ _-'-f3::--'-. Iv = f3Ib + r Para los valores nOnTIales.. z= f3r. [ I + RF 'e = lif3r.I [ I + -Re] f3r V 1 1 e RF 'e e 1 o Vi [ I Re] + -f3r. se obtiene r e Iv" f3Ib' VD = -IoRe = -(f3Ib )R e V. = Re r (8.. I + f3R e RF r o Zi = " Re RF (8. V = -f3-Re o 13r.: e de la figura 8.

--.Re = O Ih {3r. + R.63) Al reconocer que l/R F ".liRF + (3lbRc = Ib(f3r. + RF + (3R c ) = liRF O Sustituyendo lb = 1)f3 a partir de lo '" f31" da lo 13({3r. y comparar con RF y f3R e A. (8. e + IbRF .F. I. + f3R c Ignorando f3r. + RF + f3R c ) = IiRF e I" = -=--~{3"-R-.=- .--c--{3r. Re RFr.JL A i: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo exterior de la red genera Vi + VRF e Utilizando lo '" f3lh' se tiene ~ Vo = O Ih f3 r .60) indica un cambio de fase de 180Q entre V o y Vi' Efecto de ro: Z¡: Un análisis completo sin la aplicación de aproximaciones dará por resultado 1+ Rell ro RF Zi = 1 -+-+ f3r. = ~ li = f3R F RF + f3R e (8. O Y al aplicar la condición ro '" !ORe pero por lo general RelRF « 1y Zi=--:---- -+-370 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar 1 f3r.61 ) y lo A.--I. + (lh - l¡)R F + (. .62) Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8.. RF Rell ro RFre (8.

69) Re 1+RF ' -_ _ _ _ _ _.68) Debido a que RF» re' (8.Q Y comparar los resultados.9 re' b) e) Z¡.28 se obtiene (8. mucho menor que uno.' r. A¡. 8.66) igual como se consiguió antes.JL o z.64) - + {3 así. Para la condición común de RF» Re (8. Zo' A.::: lOR e (8.70) corno se obtuvo con anterioridad.29.7 Configuración con retroalimentación en colector 371 . d) e) f) Repetir los incisos b a e cuando ro = 20 k..67) A: . Re RF (8. la figura 8. detenninar: a) EJEMPLO 8.o?: ¡ORe y dado que RelRF es por lo general. Zo: Al incluir ro en paralelo con Re er. r ~ . como se obtuvo anteriormente. Para la red de 1a figura 8. (8. (8.651 Para r" ..

53 ¡LA) = 2.32 mA 26mV 26mV = 11..64 X 10 3 0. = 2. r.7 kUI120 kU 180kU (l80kU)(I1. = ---'----'---'--. Solución a) RF + (3R e = 11.9.21 U b) Z.21 U = 50(11. 2. Por tanto. RF + (3Rc 180 kU + (200)(2..7 kU) = 50 f) = 11.53 ¡LA I E = «(3 + 1)IB = (201)(11.5 n 2¡: La condición ro.21 U) (200)(11. (200)(180 kU) e) A = (3R F . 560.35 kQ VS.006 X 10.5 U anterionnente = rollRcllR F = 20 kU112.21) 2.38 kU 1 + 180kU 1 + 0.013 = = 1.18 X 10 3 = 617.66 kn 27kU Re d) Al' = .7 kUI120 kU 180kU 2: o 20 1 + 1 + 2.86 r..21 n r.02 e) Zo = RcllRF = 2.21 U 11.015 lB = Vce . ~ __ IO~F -/../=ooQ .3 + 0.3 + 1.66 kQ anterionnente 372 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .0.7 kQ V. ~V\II""---<f-'--lf-----o V" 10 ~F 180 ill ~/" f3 =200.7 kUII180 kU = 2.VBE = 180 kU + 9V .45 X 10.29 Ejemplo 8.= 11.7 kU -+(3 RF -+ 200 180 kU 0.7 kUII180 kU = 2.= --'-'-'':''::''''=-I Re I 2. Z" Z.:: IORc no está satisfecha. 32 mA re 11.21 U -240.7 V (200)2. 1+ 2.7 U vs. Figura 8.][ 9V ? 1..7 kU 0...005 + 0.21 U) = 560.

Las derivaciones se dejan como un ejercicio al final del capítulo.[5.38 kí1) 1 + 0..86 anteriores A: .E_.180 k!1 2.30.7 !1 Para la configuración de la figura 8. C.C':"') RE j (8. A.- .J A: I lrI • L.94 vs. o---::-¡ f---"-----I z. las ecuaciones (8.21!1 ( ) 1+ X 2 '::"":-'-.56 X 10. A" = --'---r--'¡c-..74) determinarán las variables de interés.71) z· " (8.30 Configuración de retroalimentación en colector con un resistor de emisor RE: Z¡ '" [-i ------=---+ _(_R=. ~_'VRVF'V-+t!.6 - 1 ] 2.-If----<> v. .74) f3 8.92 10. = -A" Re = -(-209...7-k-:!1= 47.013 = -209.56 VS..38 k!1 .)(2. C.[ 1 + 180k!1 11. v._F_R-. -240.7 Configuración con retroalimentación en colector 373 . z.[~I + ~] (ro¡¡R~) RF re 1R 1+~ R.38 k!1 8.73) 1 A¡"'-----+ (8.71) a (8. 50 anteriores 617.56)-Z-.l_. Figura 8. Re 1. Z..72) A' " (8.

t"-1 .J[ 8. Z. El circuito equivalente de pequeña señal aparecerá entonces como se muestra en la figura 8.76) (8. no obstante que el capacitor C~ cambiará porciones de la resistencia de retroalimentación a las secciones de entrada y d~ salida de la red en el dominio ac. te. 1.75) z· o' (8.I\ Re y V" = -f3I"R' Análisis a pequeña señal del transistor bipolar 374 Capítulo 8 . Lu porción de RF que se cambió al lado de entrada o de salida se caiculará mediante los niveles de resistencia de ac deseados de entrada o salida. I + ~ fJJ.31 tiene un resistor para retroalimentación de de con objeto de una mayor estabilidad. z.32.. Figura 8.32 Sustitución del circuito equivalente Te en la red equivalente de ac de la figura 8.3!. 1.77) A' " R' ~ r"ll RF. Figura 8. A la frecuencia o frecuencias de operación.. c... :::lV' RF . .31 v. "F z" v R' (8. '" Re I I 'é. ~'.8 CONRGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN DE DC EN COLECTOR La red de la figura 8. el capacitor asumirá un equivalente de corto circuito a tierra debido a su bajo nivel de impedancia respecto a los otrOS elementos de la red. o-:---ll Configuración de retroalimentación de de en colector. + v.

y para el lado de salida utilizando R' = ro 11 R F .80) 2 L-_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _--' R' == r" . (8.78) A.. . =o.81) o (8. R' {3lh lo = R + Re 1 o = -::-:'R'{3 -'-. o lh = li RF ..li .es por lo general mucho mayor que f3re • RF.l4'.R' + Re La ganancia de corriente A.IIR c r.8 Configuración con retroalimentación de dc en colector 375 . + f3r . + Re) de tal fonua que (8.)(R' + Re) I I'RF (8. RFr + Re + f3r(' y A = ~ = li f3R F .79) r" ~ JOR( Para el lado de entrada In = Rf/i RF .82) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación revela un cambio claro de fase de 180' entre los voltajes de entrada y de salida.--= \ .R' (R F .) A.IIRc r.. Ai: V RF. I RF . V.. + f3r e == RF I y lo i3Rt:(r"IIR. = .. (8.][ pero y V = o -{3~ Vi R' {3rl" de tal forma que A. I = lo = Ji lo Jh Ih R/ Ji R' {3 RF . Debido a que RF. + {3r." =Vi V rJRF. + {3r.(r"IIR F .:::.. 8. .

.tA) = 2. oC: lB = Vcc .------l IOmF -z. r. 68 kQ . z.395 k. Solución a) -1.87kO 376 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . 120kU -1. .920 2..10. 140 lb 30kíl r" 68 kU lkU .3 V = 608 kf1 = 18.33 Ejemplo 8.34. determinar: a) b) e) d) e) re' Zi' Zu' A.33.VBE RF + {3R c 12 V . = 3 kf1¡¡68 kf1 = 2.34 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8. lOmF O.33. 1.92 f1) = 1.39 kf1 '" 1. e) Probando la condición ro !ORe' se encuentra 30 kQ ~ 10(3 kQ) = 30 kQ la cual. 1.0. se satisface mediante el signo de igual en la condición. 1 ~ ~ /JI.37kO + V....=30kQ Figura 8.62mA = ({3 + re = 26mV 26mV = 9..39 kf1 La red equivalente aparece en la figura 8. Zo '" RclIRF .7 V (120 kf1 =~~~~~~--~ + 68 kf1) + (140)3 kf1 11. Z¡ = RF . Figura 8. 11 v Ha 120 kO A. f3r.OlmF /3= 140.10 Para la red de la figura 8.Q . =nI.IIf3re = 120 kf1II1.. r . lo r-"NV---r-'VV\r---+'-'-l (---<> V" Vi o----}f-<--..6 ¡. Por tanto.J[ ---------------------------------------------------EJEMPLO 8... + V.62 mA b) {3re = (140)(9. -z..6 ¡.tA lE I)IB = (141)(18.

36 Circuito equivalente híbrido de base común aproximado.38. 2.14 1 + 0. . r------r----~c ~--4----4---~-~h Figura 8. A\. + -----:c-c--::30kOl168W 3 kO --::----= 1.- RF.• l. y así sucesivamente.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 377 .J[ d) ro ~ lOR c por tanto. hfb =-a y h·¡b = re (obsérvese el apéndice A). h -. hoe = llro . Varios de los parámetros del modelo híbrido están especificados en una hoja de datos o mediante el análisis experimental.8 8. debe tenerse en cuenta que los parámetros híbridos y los componentes del modelo re están relacionados mediante las siguientes ecuaciones tal como se discutió a detalle en el capítulo 7: hle = f3r e j e = 13. Aunque el tiempo y las prioridades no permiten realizar un análisis detallado de todas las configuraciones tratadas hasta ahora.35 Circuito equivalente híbrido de emisor común aproximado.37 aparecerá la red equivalente en pequeña señal en la figura 8. En otras palabras. Sin embargo. cuando se presenta el problema. e >h¡~ t I h"lb • • h~ . El análisis en de asociado con el uso del modelo re 00 es una parte integral del empleo de los parámetros híbridos.3 e) Debido a que la condición R F . se especifican.\!R c r.14 140 140 '" 122.==:::.87 kO 9.9 CIRCUITO EQUIVALENTE HÍBRIDO APROXIMADO El análisis de la configuración de emisor común de la figura 8. en esta sección se incluirá un breve repaso de algunas de las más importantes para demostrar las similitudes en los métodos y en las ecuaciones que se obtienen.h Configuración de polarización fija Para la configuración de polarización fija de la figura 8.920 '" -289.35 y de la base común de la figura 8. utilizando el modelo equivalente híbrido aproximado para 8.36 mediante el empleo del circuito equivalente híbrido aproximado es muy parecido al realizado en el modelo re. .» [3r" se satisface. los parámetros tales como h ie . hfe • h ib .920 = 68 k!1113 W 9. Figura 8. A¡ '" _---'--f3__ 1 +--- 140 1 Re r"IIR F.

emisor común. e. - Figura 8. Compárense las similitudes aparentes con la figura 8.84) l/h)1 Re Vo = -loR' = -lcR' = -h¡e1b R' y Ib=~ h ie con Vo = -h. (8.37 Configuración de polarización fija.37. + v.86) 378 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . ~ 1" ( h" hje 0-)1---+----1 C. = ~ Vi = _ h¡. V.> : Re - z.: A partir de la figura 8.38. Z" A.83) Zo: A partir de la figura 8.3 y el análisis del modelo Las semejanzas sugieren que el análisis será muy similar y los resultados de uno pueden relacionarse directamente con el otro.l Ro: - • h" 1 I -h hOl? + V h¡J. Re 1.(R c Illlho. Z" 1. T. 1. v " de tal forma que A.:. + z.38.85) h ie (8.eh.l (8.38 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8. 1.-' R' . + V" o Figura 8.. Z.: Utilizando R' = (8.J~ .

o • i ll--+----i el ~R z..7kQ ~ 330 k!2 ¿_)f-I_+---_---1 +---11--- 0 1. la red equivalente en pequeña señal obtenida tendrá la misma apariencia que la figura 8. calcule: EJEMPLO 8.56 k!l '" Re ".:.11.39. Z¡ De la figura 8. = 1.87) (8.38 reemplazando a R B por R' = R ]11 R2 . = hae h¡e(Rclll1hae) 50 kl1112.::2""0)-.:. Z¡: 2Q: z" figura 8..---o 8 v d) ~ ~ /" :l. Solución a) b) Z¡ = RBllh¡. k:::l1::. ( ' h¡.171 kl1 = _ 262.----r-.:. = 330 WII1. A¡.. -:F.88) 8.171 k!l ! 1 =- 2a = e) -IIRe = hae 1 = 20 JLAN = 50kí} hie d) A¡ '" h¡e = 120 A.k.7:.ii:=-SO:.'=: 20 !lA/V V" z. /.39 Ejemplo 8. ) 1.(I:.l1...11 a) b) e) Z¡Z".40 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje. Al'.38 con RB = K'.7 W = 2.175 kl1 r " '" h¡e = 1.40.:..9 Circuito equivalente híbrido aproximado 379 .(2:. R'II h¡e (8.::.. figura 8.JL ---------------------------------------------------Para la red de la figura 8.38. . v.34 Configuración de divisor de voltaje Para la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8. = 120 Z" h".175k!2 ha. = A partir de la figura 8.

mediante hit' y {3If¡ por ht//. o • )1-------1 -z.90) Configuración de polarización en emisor sin derivación Para la configuración de emisor común con polarización en emisor sin derivación de la figura 8.93) y ~ ~ (8.95) 380 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . y 1.91) (8. figura 8.94) (8. el modelo de pequeña señal será el mismo que para la figura 8. de la misma manera Con V.11.: (8. reemplazando /3r.J[ A' " (8.· El análisis será entonces.92) Z. (8.41 Configuración de polarización en emisor sin desvío.89) hie (8.41..

][
o

-A ,

(8.96)

Configuración emisor-seguidor
Para el emisor-seguidor de la figura 8.42 el modelo de pequeña señal igualará la figura 8.18 con f3r" ;; h ie y f3;; h f{'· Las ecuaciones obtenidas serán, por tanto. similares. l¡: (8.97) (8.98)

v, e

z,

1,

---.- )

Figura 8.42 Configuración de emisor-seguidor.

lQ: Para Z() la red de salida definida por las ecuaciones obtenidas aparecerá como se muestra en la fígura 8.43. Al revisar el desarrollo de las ecuaciones en la sección 8.5 y

Z"

-

RE

II~ h
1<'

(8.99)

h"
1 .... h¡e VV\¡

+

v,

I
'\,

I

¡'e
+

o

lt;¡

Z"
Figura 8.43 Definición de Zo para la configuración de emisor-seguidor.

l

o

A~: Para la ganancia de voltaje se puede aplicar la regla del divisor de voltaje a la figura 8.43 de la siguiente manera:

8.9 Circuito equivalente híbrido aproximado

381

J[
pero ya que I +

"fe'" h1,.
A, =

Vu V,

-

RE
RE + h¡/hft

(8. I 00)

A, =

hfc R8

(8.101 )

RB + Zb

o

A, = -A r RE

Z,

(8. I 02)

Configuración de base común
La última configuración que se examinará con el circuito equivalente híbrido aproximado será el amplificador de base común de la figura 8.44. Al sustituir el modelo equivalente híbrido aproximado de base común se obtiene la red de la figura 8.45. la cual es muy similar a la figura 8.24. A partir de la figura 8.45,

+
V,

-J,

h i/¡· hfl,

-z,

-f,

RE
-;; ;;-

L
Re

+
Vo

VEE

T

-

Zo

V

cc

Figura 8.44

Configuración de base común.

-z,

+ -J,-

'--1

---"-'-h-:;'
v"

-

z,.

t
Figura 8.45 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8.44.

Z,

(8.103)

;8.104)

382

Capitulo 8 Auálisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
con

1 =e h
ib

Vi

y

de tal forma que

(8.105)

A, =

lo

(8.106)

1,

a)

Para la red de la figura 8.46. determine: Zi' b) Zo'
e)

EJEMPLO 8.12

A,.

d)
1,

Ai'

+

o

I

lr--~--~.

-z,

h", = - 0.99
hin
=:

3.3 kQ

14.3.Q

h"b= 0.5 ~N .

-

Z"

IOV

Figura 8.46

Ejemplo 8.12.

Solución

a)
b)

Zi
ro

= REllh ib = 2.2 kili I14.3 il = 14.21 il == hib =hob

=
l.

1
0.5 ¡.LA/V

= 2 Mil
3.3 kO
14.21

Zo =
eA , d) Ai

-IIRe == Re =
hob

)

=-

hjbRe

=

(-0.99)(3.3 k!l)

h

ib

=.

22991

== hfb

= -1

Las configuraciones restantes de las secciones 8.1 a 8.8 que no se analizaron en esta sección se dejan como un ejercicio para la sección de problemas de este capítulo. Se supone que el análisis anterior revela las similitudes en el método utilizando los modelos re O el híbrido equivalente aproximado y eliminando, por tanto, cualquier dificultad real cuando se analicen !as redes restantes de las secciones previas.

8.10

MODELO EQUIVALENTE HÍBRIDO COMPLETO

El análisis de la sección 8.9 se limitó al circuito equivalente híbrido aproximado además de alguna discusión acerca de la impedancia de salida. En esta sección se utiliza el circuito equivalente completo para mostrar el impacto de h r y para definir en términos más específicos el 8.10 Modelo equivalente híbrido completo

383

J[
impacto de h{J' Es importante entender que debido a que el modelo híbrido equivalente tiene la misma apariencia para las configuraciones de base común, de emisor común y de colector común, se pueden aplicar a cada configuración las ecuaciones desarrolladas en esta sección. Sólo es necesario insertar los parámetros defmidos para cada configuración. Esto es, para tu configuración de base común, se utilizan hth' h¡h Yasí sucesivamente, se emplean para una configuración de emisor común h(('. hi('. Y as(sucesivamente. Se debe recordar que el apéndice A permite hacer una conversión de un conjunto de parámetros al otro si se proporciona alguno y se requiere algún otro. Considérese la configuración general de la figura 8.47 con los parámetros de dos puertos de interés particular. El modelo equivalente híbrido completo se sustituye más adelante en la figura 8.48 empleando parámetros que no especifican el tipo de configuración de que se trata. En otras palabras. las soluciones estarán en ténninos de h¡, h r • h¡ Y ho' A diferencia del análisis de las secciones previas de este capítulo. la ganancia de corriente Al se determinará en primer lugar porque las ecuaciones que se desarrollaron para precisar los otros parámetros.

R,

+
V,

I\¡


Figura 8.47

Z,

1,

+
v,
Transistor

+
v"

-Z"

-1"

RL

C>--

Sistema de dos puertos.

R,

+
V,

I\¡
-1

1,
Z

+
V,

=¡tI"
h,

+

~I

+
"
~;,

=;-¡

1"

h,.V"

"v

t

h,l"

l/f¡

I

Z"

RL

Figura 8.48 figura 8.47.

Sustitución del circuito equivalente híbrido completo en el sistema de dos puertos de la

Ganancia de corriente, Aí = la/lí
Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de salida 'e obtiene

Sustituyendo V(J = -loRL se obtiene

Al escribir la ecuación anterior, se tiene

lo
e

+ hoRLl,

= h¡l;

384

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
de manera que
A, =
1,

=

(8.107)

Se observa que la ganancia de corriente reducirá el resultado deA i ::: hfen caso de que el factor hoRL sea suficientemente pequeño comparado con uno. .

Ganancia de voltaje, A, = Vo/V¡
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada se consigue

Sustituyendo l¡ = (l + h"RJI)h¡de la ecuación (8.107) e lo = -V,/RL de arriba, se obtiene

Al resolver la relación

~/Vi

se obtiene (8.108)

En este caso se obtendrá la forma familiar de Al'::: -hrRL/h¡ en caso de que el factor (h/l()h¡hr)R L sea 10 suficientemente pequeño comparado con h i.

Impedancia de entrada, Z¡ = V;Il¡
Para el circuito de entrada
Vi

= h¡l¡ + hrVo
=

Sustituyendo se tiene Dado que

V,

-I"R L

VI = h¡l¡ - hrRLlo

A=I

lo li

lo = A¡l¡
de manera que la ecuación anterior se convierte en

Vi = hJi - hrRLA¡l¡
Al resolver la relación Vi/.. se obtiene , ,

y sustituyendo

= -:I-+-h"-,-,R=-LV,
1,

se obtiene

(8.109)

La forma familiar de Z¡ = h¡ se obtendrá cuando el segundo factor sea lo suficientemente menor que el primero.
8.10 Modelo equivalente hibrido completo

385

J[
Impedancia de salida, Zo = Vo/lo
La impedancia de salida de un amplificador está definida como el cociente del voltaje de salida a la comente de salida cuando la señal Vs se iguala a cero. Para el circuito de entrada, cuando V., = O,

1= -h,Vo Rs + h¡
I

Sustituyendo esta relación en la siguiente ecuación que se obtuvo a partir del circuito de salida se tiene

y

(8.110)

En este caso la impedancia de salida se reducirá a la fonna familiar de Zo = 1/h o para el transistor cuando el segundo factor del denominador es suficientemente más pequeño que el primero.

EJEMPLO 8.13

Para lared de la figura 8.49, calcule los siguientes parámetros empleando el modelo equivalente híbrido completo y compare los resultados obtenidos por medio del modelo aproximado.
a) b)

e) d)

Z¡ y Z;. A, A I =1//I yA'=nr o I () I Zo (dentro de Re) y Z;, (incluido Re)'

18 v
>470Hl

4.7 kQ

R'~:
v, '\¡

+
v,

+f

1Hl

_

z' ,

-J,

Q ......

-1L-______~--------~~~------~------<
1.6kQ.h" "" 2x 1O-4./1,}(. = 20v

pA

Figura 8.49 Ejemplo 8.13.

Solución Ahora que están derivadas las ecuaciones básicas para cada cantidad, el orden en que se calculan es arbitrario. Sin embargo, a menudo es una cantidad útil la impedancia de entrada y por tanto se celculará de manera inicial. El circuito equivalente híbrido de emisor común completo se sustituyó y se volvió a dibujar la red como se muestra en la figura 8.50. Se obtendrá un circuito Thévenin equivalente para la sección de entrada de la figura 8.50 en el equivalente de entrada de la figura 8.51 debido a que ETh" V, Y RTh" R, = I kQ (un resultado debido a que R B = 470 kQ es mucho mayor que R, = 1 kQ). En este ejemplo RL = Re e 1, está definida como la

386

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

R,

+
V,

"v -1

-- ~ :l
¡¡
Z,:

J[
=i)l"
L6kn

.!.
Z

+

.

Iko.

+

~l
2xIQ-lV"

V,

470'k12

"v

~

110lb

50kQ

4,7ko.~
I

-Z,;

~

+

-

-1

Théwnin

t:i.gun. S.S(} figura 8.49.

Sus.t\tudón del drc.ui.t0 e<:'¡\i\valente híbúdo c.offi?letQ en la red e<.'¡u\'lalente de ac de la

-- - 9 RJlkQ
(
1,
h
,

Z/

+

::

"

-.::...
-z,;
I

1

z,

I~ z"

v,

v,

"v

hr~ v"
2x 1()-4 v"

"v
-1

~

hIló

hQi' =50kO:

llorb

4.7 kn

h"" =20pS

-1
Reemplazo de la seccióñ de entrada de la figura 8.50 mediante un circuito equivalente

Figura 8.51

Thévenin,

corriente Re igual que en los ejemplos anteriores de este capítulo, La impedancia de salida 20 que está definida mediante la ecuación (8.110) es sólo para las terminales de salida del transistor. No incluye los efectos de Re Z~ simplemente es la combinación en paralelo de Zo y Re La configuración que se obtiene en la figura 8.51 es una réplica exacta de la red definida en la figura 8.48 y pueden aplicarse las ecuaciones derivadas anteriormente.
a)

La ecuación (8,109): Z, =

tV, = h"

hfehreRL

1 + ho,R L
4

1.6 kí1 _ (110)(2 X 10- )(4,7 kD.) 1 + (20 ¡.LS)(4,7 k!1) = 1.6 k!1 - 94.52 !1 = 1.51 k!l
contra 1.6 kQ utilizando sólo h ic '

z; =
b)

470 k!1IIZ, '"
-h¡,R

z, =

1.51 k!l

La ecuación (8. 108): Ac

= ---"- =

V

L ---.,--.,--""==,.----

V,

h"

+ (h"h", - h¡,h,,)RL

-(lIO)(4.h!1) 1.6 kD. + [(1.6 k!1)(20 ¡.LS) - (110)(2 -517 X 10 3 !1 1.6 k!1 + (0.032 - 0.022)4.7 k!1 -517 )( 103 !1 1.6k!1

X

10 4»)4.7 kD.

=

+ 47!1

= -313.9

contra -323.125 al utilizar A,." -h{,RJh".
8.1\\
~l<> "'luiv"",ut,,

hibrld<> <:<>Ulpleto

387

] L,
110 c) La ecuación (8.107):

1

+ (20 ",S)(4.7 kü)

110 = _.:..:..::- = 100.55

J + 0.094

contra 110 mediante el simple empleo de IzV Ya que 470 kQ »Z,.I;= J" y A;= 100.55 también.

d)

La ecuación (8.110): Z

o

Vo = ~ = -~--~~-lo
ho ,
-

[h¡,h"J(h"

+

R,)]

1 =~--------~~--------20 ¡J-S - [(110)(2 X 10 4)/( 1.6 ka + 1 k!1) J
= ------'----

J 1.54 ¡J-S

= 86.66 kfi
el cual es mayor que el valor detenninado mediante l/ho,' = 50 kQ.
Z~ =

RcllZo = 4.7 k!11186.66 ka = 4.46 kfi

contra 4.7 kQ utilizando sólo Re

A partir de los resultados anteriores se observa que las soluciones aproximadas para Al
y Z¡ son muy cercanas a las calculadas con el modelo equivalente completo. De hecho, aún

A¡ se diferenció por menos del 10%. El valor alto de Zu sólo contribuyó a la conclusión anterior que Z() a menudo es tan alto que puede ignorarse comparado con la ca.rga aplicada. Sin embargo, se debe considerar que cuando existe la necesidad de determinar el impacto de hrl' y de huI" debe utilizarse el modelo equivalente como se describió arriba. La hoja de especifIcaciones de un transistor en particular proporciona los parámetros de emisor común, tal como se observó en la figura 7.28. El siguiente ejemplo utílizará los mismos parámetros de transistor que aparecen en la figura 8.49 con una configuración pnp de base común para presentar e1 procedimiento de conversión de parámetros y enfatizar el hecho de que el modelo equivalente híbrido mantiene la misma distribución.

EJEMPLO 8.14

Para el amplificador de base común de la figura 8.52, calcúlese los siguientes parámetros empleando el modelo híbrido equivalente completo y compárese con los resultados obtenidos utilizando el modelo aproximado.
a)

Z, y Z;.
A,.

b)

A,yA;' Zo y Z~.

el
d)

V,

-- -J~ -- -+ 1;
V,

h".= 1.6kQ hr l'=2x 10-:'

h/ r == J 10 h,,,,=20).l.S

lo

1,

3kíl

z;

z,

I\¡

6V

-

Zo

Figura 8.52

Ejemplo 8.14.

-1

e

T

r

t"~~
z;
l2V

Vo

388

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
Solución
Los parámetros híbridos de base común están derivados de los parámetros de emisor común empleando las ecuaciones aproximadas del apéndice A.
ú, h'b '" _h:c.._ = 1.6 kn = 14.41 1 + h". 1 + 110

n

Se observa lo cercano que están las magnitudes con los valo::-es detenninados por medio de
-'------ = 14.55

1.6kn
110

n
- 2
X

(1.6 kn)(20 ¡,tS)
1

+ 110

10- 4

hfb ==

-h r,

1 + hf ,
ho ,
1 + h(,

= =

-110 1 + 110
20 ¡,tS

= -0.991 = 0.18 p5

hob

==

1 + 110

Sustituyendo el circuito híbrido equivalente de base común de la figura 8.52, se tendrá la red equivalente de pequeña señal de la figura 8.53. La red Thévenin para el circuito de entrada dará RTh = 3 kQ 111 kQ = 0.75 kQ para R, en la ecuación para Zo'

R,

~ 1 kll
I\¡
i

1

--¡;
1,

,

h;b

o

z;

z,

+1,
V,

~ +
hrb Ve

!

+
V,

]kQ

0.883 x 104 VI)

"v

t

-0.991 le
hfb 1,.

.-:h ob =O.18IlS

-1 Zo
b

~

=7)/0

Z· o

+
Vo

o

~ 2.2 kQ

-

Thévenin b

Figura 8.53 Equivalente a pequeña señal para la red de la figura 8.52.

a)

La ecuación (8.109): Z, ~ Vi = hib _

Ii

hfbh'bRL 1 + hobRL

= 14.41 n - -'--'-'-'-'-'-------'-'----'1 + (0.18 I'-S)(2.2 kn)

(-0.991)(0.883 x 10- 4 )(2.2 kn)

n .;- 0.19 n = 14.60 n
= 14.41

contra 14.41 Q al utilizar Z,;: h'b'

Z; = 3 Wllzi
b) La ecuación (8.107): A

~

Zi

~

14.60 n

= lo = __h..L:/b,--_
Ii
1

,

1 + hobRL

-0.991 = ----,,-,-=.:..:......_-

+ (0.18 ¡,tS)(2.2 W)

= -0.991 = hfb
Debido a que 3 ka »Zi' 1(= f¡ y A;;;:: lo / 1;= -1 también.

8.10

Modelo equivalente híbrido completo

389

J[
e)

La ecuación (S. lOS):

~ ""1-:-4.-:-4-1-=0-+--""-[(:-:-c-.4c-I 0 14 - :::--)(0c-.-=-'¡S:-¡.t-"S=-)----'-'-(--0::-.9:-9=-'1-:-)(::CO.::C8:-83=--X--=¡::C0::-4<:-)]:-:2--:.2--:k~0
~

-( -0.991 )(2.2 kO)

149.25

d)

La ecuación (8.110): Zo = h -[h h /(h
ob fbrb

¡b+

R )]
s

0.18 ¡J.S - [(-0.991)(0.883 x 10 4)/(14.410 + 0.75 kO)] 0.295 ¡.tS 3.39 Mil

=

contra 5.56 MQ utilizando Z(/ == l/hobo Para
Z~ =

Z: como se definió mediante la figura 8.53:
2.199 kil

Rcllzo ~ 2.2 kn113.39 MO =

contra 2.2 kQ utilizando Z; == Re

8.11

TABLA RESUMEN

Una vez expuestas las configuraciones más comunes de los amplificadores de pequeña señal a transistor, se pueden resumir sus características generales en la tabla 8.1. Debe quedar absolutamente claro que los valores que se listan son sólo valores típicos con objeto de establecer una base de comparación. Por lo general. los niveles que se adquieren en un análisis real son diferentes y seguramente no son iguales entre una configuración y otra. Poder repetir la mayoría de la información en la tabla constituye un importante primer paso para familiarizarse con la materia tratada. Por ejemplo, el lector debe ser capaz de establecer con cierta seguridad que la configuración emisor-seguidor casi siempre tiene una impedancia de entrada alta, baja impedancia de salida y una ganancia de voltaje ligeramente menor a uno. No debe existir una gran variedad de cálculos para recordar los hechos sobresalientes como los anteriores. Para el futuro, esto permitirá realizar el estudio de una red o sistema sin involucrarse en la parte matemática. La función de cada componente de un diseño se hará cada vez más familiar cuando los hechos generales tales como los anteriores se conviertan en parte de la experiencia personal. Una ventaja obvia de recordar las propiedades generales como las anteriores consiste en la capacidad de verificar los resultados de un análisis matemático. Si la impedancia de entrada de una configuración de base común se encuentra en el rango de Jos kilohms, existe un buen motivo para volver a verificar el análisis. Por otro lado. un resultado de 22 Q sugiere que el análisis puede estar correcto.

8.12

SOLUCIÓN DE PROBLEMAS

Aunque la tenninología de solución de problemas sugiere que los procedimientos que se describirán están diseñados sólo para aislar una función mal realizada. es importante observar que pueden aplicarse las mismas técnicas para asegurar que un sistema está operando de manera apropiada. En cualquier caso, los procedimientos para probar. verificar o aislar requieren de un entendimiento de 10 que debe esperarse en varios lugares de la red tanto en los dominios de

390

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

-------------------------------------------------------------TABLA 8.1 Niveles relativos para los parámetros importantes de los amplificadores de emisor común, base común
y colector común.
Configuración
Polarización fJja:
\l cc

J[

Z,
Medio (1 kQ)

Zo
Medio (2kQ)

A,.

A
\

Alto (-200)
\

Alto (lOO)

RB

,....

Re f-o

~

hll~"
-

I

~ Re ll ,,,

I

I

[E]

~~
(r,,2: 10 Re)

~ 1_ R; ',-1
11
"

I

¡3R B r"
~

(r" + Rc1(R¡¡ + f3r,.l

(R¡¡"2lO,Br,l

~[}]
V,,;::: \O Re)

~0
(r" 2: 1ORe RH"2 IO/3r)

Polarización m\!diante divisor de voltaje·

\/cc

Medio (1 kQ)

Medio (2 kQ)

A\to (-200)

Alto (50)

R,
t'"

...

Re f-o

~I

R,IIR,II~".

I

= Re ll "

I

I

=

1_ Re ll , 1
"

,
~

~~
(ro "2 lORe )

(', +

{J(R, 11 R,)'" Re)(R, 11 R, + /3,,)
(J(R, 11 R,) R, 11 R, + /3".
(r,,"210R e )

R,

RE nCE

~[}] ,
(r,,;::: 10 Re)

-

,¡..
PolarizaCIón de emisor Sin derivación: Alto (100 kQ) Medio (2 kQ)

Bajo (-5)

RBr-Evee

I
\

Alto (50)

~ RBllz

I

b

I

~

~

Z¡, =. /3(r,.+REl

)"
+
Emisor-seguidor

=Re ll /3RE I I
(RE»

(cualquier nivel de rol

I

~ 1- ,,:eRc-1
(RE»

r)
Bajo (20 Q)

rn
R¡.:

~
RlJ + ZI,

10 r,. 'J

Alto (lOO kQ)

Bajo (=.1)
~

Alto (-50)

Re

....
f-o
RE

)

\/ec

~I RBllzb
Z¡) ==

I I

~~

f3(r,. + RE)

=\3]
(R lc » r)

G@
RE ..¡- r,.

-

= IR B II/3R E
(RE » r)

=[0
Alto (200)

[iB
Ro + Zb

+
Base común

Bajo (20 Q)

Medio (2 k.Q)
~

I

Bajo (-1)

°1
o

RE
Vu

U1

¡

Io

i~ee
Re
~

~

=GJ
(RE

~
»

~

=[iJ
"

=8]
I

r,)

Retroalimentación en colector

Medio (1 kQ)
V ec

Medio (2kQ)

Alto (-200)

Alto (50)
=

RF

,
/3

1 Re -+--

"

=hIIRF\
(ro;::: ¡ORe)

/3RF
RF + f3Re

RE

=t=J "
(r" ~ ¡ORe RF »Re)

(r" ~ tOR e )

=[E
I
391

8.12 Solución de problemas

J[
dc como ac. En la mayoría de los casos, una red que se encuentra operando correctamente en el modo dc también se comportará adecuadamente en el dominio ac. Además, una red que proporciona la respuesta de ac esperada está polarizada como se planeó. En una instalación de laboratorio se aplican tanto las fuentes de como ac y se verifica la respuesta de ac en varios puntos de la red mediante un osciloscopio como se muestra en la figura 8.54. Se observa que la punta negra (tierra) del osciloscopio está conectada directamente a tierra y la punta roja se mueve de un punto a otro dentro de la red. con lo cual se obtienen los patrones que aparecen en la figura 8.54. Los canales verticales están en el modo ac para eliminar cualquier componente de dc asociado con el voltaje en un punto en particular. La pequeña señal de ac aplicada a la base se amplifica al nivel que aparece del colector a la tierra. Se observa la diferencia en las escalas verticales para los dos voltajes. No existe una respuesta en ac en la terminal del emisor debido a las características de corto circuito del capacitar en la frecuencia establecida. El hecho que 'l/o se mida en volts y vi en milivolts sugiere una ganancia grande del amplificador. En general, aparece que la red se encuentra operando de forma adecuada. Si se desea. puede utilizarse el multímetro en el modo dc para verificar VBE y los niveles de Va- VCE Y V E con objeto de revisar si caen en el rango esperado. Desde luego, ei osciloscopio también puede utilizarse para comparar los niveles de de tan sólo con cambiar al modo de dc para cada canal. vcc

C,

!---U(-~'

v,

C,

'\

o

~(mv~
O~t

...

Conexión a tierra

...

(Selector AC-GND-DC en AC)

Figura 8.54 Utilización del osciloscopio para medir y observar varios voltajes de un amplificador BJT.

No es necesario decir que una respuesta pobre en ac puede deberse a una variedad de motivos. De hecho, puede haber más de un área con problema en el mismo sistema. Sin embargo, afortunadamente con el tiempo y la experiencia puede predecirse la probabilidad de problemas en algunas áreas, de modo que una persona experimentada puede aislar las áreas problemáticas con cierta rapidez. Por lo general, no hay nada misterioso acerca del proceso general de solución de problemas. Si se decide seguir la respuesta en ac, resulta ser un buen procedimiento el comenzar con la señal aplicada y avanzar a través del sistema hacia la verificación de cargas en los puntos críticos a lo largo de la trayectoria. Una respuesta inesperada en algún punto supone que la red se encuentra bien hasta dicha área, definiendo entonces la región que debe investigarse más a detalle. La forma de la onda que se obtiene en el osciloscopio ayudará con toda seguridad 1" definición de los posibles problemas con el sistema. Si la respuesta para la red de la figura 8.54 es como aparece en la figure 8.55. la red tiene un problema y probablemente se trata del área del emisor. No se espera respuesta a través del

392

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[

c,

I(

+
V,

i

0:-0

V!

'\.,

Figura 8.55

Formas de onda obten!das a partir de un problema en el área del emisor.

emisor y la ganancia del sistema que está definida mediante vI) es mucho menor. Se recuerda que para esta configuración la ganancia es mucho mayor en caso de que RE se desvíe. La respuesta que se obtiene sugiere que REno está en desvío por el capacitor y las conexiones tennínales del capacitor y el mismo capacitor deben ser verificados. En este caso una verificación de los niveles de de probablemente no aislarán el área del problema debido a que el capacitor tiene un equivalente de "circuito abierto" para de. En general. un conocimiento previo sobre qué esperar. una familiaridad con la instrumentación y. lo más importante. la experiencia. son los factores que contribuyen al desarrollo de un método efectivo en el arte de la solución de problemas.

8.13

ANÁLISIS POR COMPUTADORA

El análisis a una pequeña señal de un amplificador a BJT puede llevarse a cabo utilizando un paquete de programas tal como PSpice o mediante un lenguaje como el BASIC. Ambos serán necesarios en el análisis de la misma configuración de polarización mediante un divisor de voltaje para permitir una comparación de los métodos. PSpice (versión para DOS y Windows) está bien equipado para analizar las redes de transistores y utiliza un modelo Gummel-Poon mejorado. mismo que se describe con detalle en los manuales de PSpice. La utilización de un lenguaje como el BASIC requiere que las diversas ecuaciones que se desarrollaron en el libro se apliquen en un orden específico para obtener las incógnitas deseadas. En realidad la dirección general de un programa en BASIC utilizaría la misma secuencia de pasos que se necesitan para analizar la red de manera manual (con la ayuda de una calculadora). Desde luego, el empleo de BASIC ofrece al usuario la oportunidad de definir el objetivo y el tipo de salida para un análisis. mientras que PSpice está limitado a una lista específica de cantidades de salida. Sin embargo, en general. la lista de PSpice es lo suficientemente extensa para la mayoría de las investigaciones. El análisis primero se describirá utilizando PSpice seguido después por el lenguaje BASre.

PSpice (versión para DOS)
La lista de los parámetros que pueden especificarse para el modelo PSpice es tan extensa (40 en total) que se limitará la atención a aquellos parámetros requeridos para llevar a cabo el tipo

8.13 Análisis por computadora

393

) en el archivo de entrada. De hecho.2). pero estará apenas arriba o abajo de este valor.0001 pA. fuentes. En general. 394 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . éstos se definirán con el mismo grado de detalle. La siguiente línea que se necesita para definir el transistor es la línea del modelo.7 V sea un promedio de los niveles esperados al emplear PSpice si se especifica 1s como S x JO-15 A. Algunos de los parámetros necesitan especificarse sólo en caso de requerir la profundidad del análisis o del diseño. lo cual indica que si el parámetro no se especifica por arriba. Si se requiere un parámetro en particular para desarrollar un análisis PSpice y no está detallado. están disponibles los manuales de PSpice y una larga lista de publicaciones para mayor detalle para una instrucción adicional. En el modelo la corriente de saturación inversa tiene un impacto importante sobre las características generales del modelo. ya que el nivel resultante de VBE por lo general es muy cercano a 0. se aplicará una señal de 1 m V y se calculará la ganancia utilizando el nivel de salida. La primera es la línea del elemento. debido a que VBE se fija en 0.7 V para el rango de nive!es de corriente esperado para el análisis a pequeña señal de BJT. En otras palabras.MODEL) requerido QMODEI. Según se necesiten ciertos parámetros adicionales en los capítulos subsecuentes. Debe considerarse que 0. aunque a veces se hace referencia a ellos en el manual PSpice. El intento básico de esta sección es ofrecer una introducción lo más clara y sencilla posible para el uso de los modelos. La red se ha redibujado en la figura 8. Su valor implícito es de 100. etc. nombre del modelo especificado en la línea de elementos anterior Ji~ tipo de transistor (requerido) parámetros que especifican el modelo ~--------~ (BF = 90.15 A para 105 . una vez que los nodos de la red se han definido y se ha capturado la estructura básica.56 con los nodos definidos para el análisis. Su valor implícito es de 1E-16 o 0.7 V para el análisis en de de este libro. Cambiar el nivel de l. BF representa la beta directa máxima ideal (en este caso f3 = 90).. capacitares. Debido a que las características específicas tales como Av Y A¡ no fonnan parte de la lista de opciones de salida en PSpice. cambiará el nivel de importantes voltajes y corrientes de diseño como VBE para el análisis de de e le para el análisis en ac.. la cual tiene el siguiente formato: QXISTOR requerido 1'------' nombre • ~--' 9 -~ nodo de la base ~--' 7 nodo del colector nodo del emisor de transistor '-=--'-"/ QMODEL nombre del modelo que estará definido mediante la siguiente línea Existen otros parámetros en esta línea. No es necesario especificar todos los parámetros. (resistcres. el paquete de programas utilizará un valor de 100.J[ de análisis cubierto en este capítulo. cuya explicación rebasa las necesidades de este libro. PSpice no permite especificar el nivel de VSE para el análisis en dc sino que simplemente necesita la corriente de saturación y una serie de ecuaciones importantes para calcular el nivel resultante de VBE . Por esta razón VBE rara vez será exactamente igual a 0. Según aumente la experiencia. Ahora se está preparado para aplicar PSpice a la red con divisor de voltaje de la figura 8. la cual tiene el siguiente fonnato básico: . se requiere de un mínimo_ de dos líneas para describir un transistor. el paquete de programas utilizará un valor implícito que es típico para el dispositivo que se está investigando. se seleccionó un nivel de 5 x 10. IS = SE - 15) ~ El último agrupamiento de la línea anterior permite la especificación de los parámetros particulares del modelo (una lista que puede incluir hasta 40 parámetros).7 V.9 (ejemplo 8.

Los resultados son v. Hasta ahora.2 ka -1 [OJ RE Figura 8.56 Definición de los nodos para un análisis por medio de PSpice de la configuración mediante divisor de voltaje. La segunda corrida incluirá el nivel sugerido de IS para propósitos de comparación.7 V utilizado en el ejemplo 8.PRINT solicita tanto la magnitud como el ángulo de la fase para el voltaje de salida del colector a la tierra.78 V (el cual excede el nivel de 0.7089 V V3 = Ve = 13.1 p. Se puede ver que f3 (BF) es 90 e l. Se observa en el renglón del modelo que beta se especificó como de 90. las primeras ocho líneas del archivo de entrada de la figura 8.15 A en la siguiente corrida. 56 k!l 6. Debe tenerse en mente el nivel de V BE cuando se repasen los resultados al fijar (. Por tanto. Una vez que se ha capturado el archivo de entrada.A. Como se requirió para la fuente de ac. Después se proporcionan otros niveles de de para las redes tales como lB = 14. Pero. (IS) tiene el valor implícito de 1 x lO"" pA.2).57 deben resultar bastante familiares y legibles. no se especificó un valor de IS para demostrar el impacto sobre los resultados obtenidos.6 mW. se ejecuta PSpice y se enumera una lista de parámetros del modelo BJI.9285 V V1 = Ve = 2. = VE = 1.27 mA(eomparado contra 1A1 mAen el ejemplo 8.5 ka C E = 20 ~F 8. se seleccionó una frecuencia de 10kHz para la corrida. y VBE =0. La potencia total disipada por los resistores y el transistor es de 35.13 Análisis por computadora 395 . 0B v" '\.354 V V. El comando .c) = OV V. BR (la beta inversa máxima ideal) y NR (el coeficiente de emisión de corriente inversa) toman el valor implícito de uno. le 1.2). = V aterrizado tpara o. NF (el coeficiente de emisión de corriente directa). = Vee = 22 V Luego el archivo de salida ofrece la corriente de la fuente para Vce con el nivel de dc de la fuente de ae. Las últimas tres cantidades definen el comportamiento del modelo de una manera que escapa a las necesidades de este libro y que tendrá un impacto despreciable sobre el análisis actual en pequeña señal. V" de 0.8 kll o + V. Luego se define el transistor en las dos líneas siguientes y QMODEL es el nombre del modelo del tninsistor. Los valores de de VBC y VCE = 8. f 1 E 0 l. en 5 x 10. PSpice está diseñado para llevar a cabo un análisis de automático de la red. El único impacto real de la frecuencia aplicada será sobre los elementos capacitivos y su efectividad como corto circuitos equivalentes para el análisis en ac.J[ Vcc ==22V Re R.0 A.:= \ mVLO a C C 0 ~=90 r~F R.

FREO e VM(3.. 27E-03 7..MODEL .*.9285 22.S0E-Ol -1.. OOE+ao 9..000 DEe e BIPOLAR JOHCTIOH TRANSISTORS Ql QlIODEL RAllE IIODEL /GM ve! IlETADC RPI RX RO 1.0) VPC3.5K Re 5 3 6.8K el 4 2 lOUY CE 1 O VS 4 o 01 3 2 ..J[ voltage-Divider Bias .0000 NaDE ( 2) VOLTAGE ( ( 1.068:+01 1.. OO 1.000E+04 Figura 8. 83E+03 eBE cBe CBX CJS BBTAAC P'1' O.00E+01 '..21< llE 1 O 1.002.OP 20UF AC 1MV o 1 QMOOEL QHODEL NPN(BF=90) .AC LIN 1 lOKH lOKH .56 con IS '" valor implícito.00E+01 7 .PRINT AC \'1'1(3.OPTIONS NOPAGE .. 616E-03 O.OOE+OO O.000 DEG •• *.3540 ( NODE 4) VOLTAGE VOLTAGE SOURC! CI1RRENTS NNIE vcc VS C\JRRE1IT -1.56{IS •••• CIRCUIT OESCRIPTION default value) VCC 5 O OC 22V RBl 5 2 56K RB2 2 08.57 3..4lE-OS 1 .92E-02 1 .7089 ( HODE » VOLTAGE 13.000 CEG e 0..340E-01 -1..OO O.. 82E+17 AC AHALYSI S TE>!PERATtlRE 27..OOOE+OO TOTAL POWER DISSIPATIOH 3.56E-02 HATI'S *••• ..O) 1.14E+01 9.*** NODE SNALL SIGNAL BIAS SOLUTION VOLTAGE 1) $) TIlMPERATURE = 27.00C>O 2.O) .END •••• BJT MOOEL PARAMETERS QMODEL NPN 15 BF NF lOO.O) VP(3.Confiquration of Fig.OOE+OO O. 396 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .7771+02 Análisis por medio de PSpice de la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 8.OOE. 8.* lB IC VBE VlIC OPERATING POINT INFORMATION '!'EMPERATURE "" 27. 12 O.OOB.aooaOOE-la 90 1 BR 1 NR 1 .

3 a) = 1.11 V para el ejemplo 8. Sin embargo.Configuration of Fiq.4 V. respectivamente.15 A se demostrará con claridad mediante la corrida de la figura 8.OPTIONS NOPAGE .OOOE+OO 3. la impedancia de entrada es f3r.ElID **** IS BF BJT MODEL PARAMETBRS QMODEL NPN S. El siguiente análisis en ac revela que la magnitud de Vo es de 334 m V para una ganancia de voltaje de 334 comparado con una ganancia de 368. y la ganancia de voltaje de ac ahora es de 350.2K RE 1 O L5K Re 5 3 6.6 V Y 11.Q) .58.OOOOOOE-15 90 NF SR NR 1 1 1 SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION NODE ( ( 1) S) TEMPERATURE- 21.7º en lugar de 180º debido a los elementos de capacitancia de la red.33 mA comparado con 1. 8. algunos de los parámetros probablemente no tengan algún significado por el momento. pero algunos Son muy reconocibles y pueden resultar útiles durante la verificación de un diseño o análisis.2.13 Análisis por computadora 397 . El cambio de fase es de 177. El efecto de cambiar ( a 5 x 10.: 20.000 DEG e 0.76 calculada en el ejemplo 8. 679E-03 O...9280 VOLTAGE SOUllCE CURRENTS NAME CtlRRENT VCC VS -1.76 del ejemplo 8..0235 V comparado con 2.827 ka o 1.56(specified 15) •• ** CIRCUIT DESCR1PT10N VCC 5 O OC 22V RBl 5 2 56K RB2 2 O 8.82 x 10. El nivel de VE ahora eS de 1.J[ entonces se especifican como -10.4 en comparación con 368. Forward Transit) igual a 7. La resistencia de salida está listada como de 1 x 10 11 a y la beta en ac es de 90 siendo FT (el tiempo ideal de tránsito directo) (por las iniciales en inglés. y la beta de de es igual a la beta en ac de 90. Entonces.8K el 4 2 lOUF CE 1 VS 4 o o 20UF AC lMV o Ql 3 2 1 QMODEL .O) VP(l.56 con 15". De nuevo.41 mA.2. 5 x lD-1S A. 8.83 ka como está especificado mediante RPI.69E-02 WA'l"TS TOTAL POWER OISSIPATION figura 8. = (90)(20.7039 12.OP . 0000 2.MODEL QMODEL NPN(BF=90 15=5E-15) .AC LIN 1 lOxa lOKH .3 Q. Por lo general.PRI~ AC VM(l.2. El nivel de le es de 1.58 Análisis por medio de PSpice de la confíguración mediante divisor de voltaje de la figura 8. es considerablemente mejor si se obtiene la solución exacta en vez de la aproximada en el ejemplo Voltage-Divider Bias .17 s. La transconductancia glll = llre y re.0235 22 .0000 VOLTAGE NaDE ( 2) VOLTAGE NaDE ( 3) VOLTAGE NaDE ( 4) VOLTAGE 2. se obtiene una mejora definitiva cuando se comparan los resultados manuales y mediante el PSpice. La seleccÍón de una frecuencia mayor o el Íncremento del nivel de capacitancia acercaría al cambio de fase a 180°.

J[

.....
* •• *
HAllE

OPERATING POINT INFORMATION

TEMPERATURE

27.000 OEG

e

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
Q1 QMODEL
1. 48E-OS

MOOEL lB

VBE
VBC
GM

le

1.)3E-OJ
6.80'f:-Ol

veE
RPl
RX RO

BETAOC

CSE CSC

CBX
CJS

n

BETAAC

-1.02E"Ol 1. 09E+Ol 9.00E+Ol 5.16E-02 1. 74E+03 O.OOE+OO l.OOE+12 O.OOE+OO O.OOE+OO O.OOE+OO O.OOE+OO 9.00E+Ol
8.21E+17

••• *
FREQ

AC ANALYSIS
111<(3,0) VP(3,O)

TEMPERATURE

'C

27.000 DEG

e

1.000E+04

3.504E-Ol

-1.776E+02

Figura 8.58 Continuación.

8.2. En especial se observa que VBE ahora es de 0.68 Y, el cual se compara de manera muy favorable con el valor fijo aproximado de 0.7 V. Por tanto, para el análisis de pequeña señal que se desarrolló en este libro mediante el uso de PSpice, IS se especificará como 5 x 10- 15 A.

Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows
Ahora que se presentaron los movimientos básicos para el desarrollo de la red sobre la malla esquemática, la descripción actual se concentrará en las variaciones presentadas mediante el análisis de ac. En la figura 8.56 se desarrolla la red empleando los esquemas, como se muestra en la figura 8.59. Se observan la fuente de ac de 1 mY y el símbolo de la impresora en la terminal de salida de la red.

+

---l-VCC 22V

I

Rl 56k

Re
6.8<
'3.1090 01 02N2222

AC=ok MAG=ok PHASf=ok

2.6 79'

Figura 8.59 Red de la figura 8.56 después de la aplicación de PSpice para Windows.

VS~~. 'mvy ~r 8.~~ ~

e

RE

• +

15k

t

t""-~i-c-,~p
j'20u F

.9911

La fuente senoidal es una parte (New Part) que aparece en la librería source.slb como VSIN. Al oprimir dos veces la fuente sobre el esquema aparece una lista de atributos que deben seleccionarse. Para el ejemplo,

398

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

VAMPL = l mV (el valor pico de la señal senoidal) FREQ VOFF AC = 10kHz (la frecuencia de interés) = O (sin desfase o desfasamiento de voltaje de para V)
= 1 mV

PHASE = O (sin ángulo inicial de fase para V)

Después de cada entrada debe asegurarse de guardar los atributos (Save the Attribute) antes de dejar la caja de diálogo. El símbolo de la impresora se obtiene de la librería specíal.slb de la caja de diálogo de Get Part como VPRINTl. Cuando se coloca sobre el esquema, especifica el voltaje en el punto que será impreso en el archivo de salida (.out). Al oprimir dos veces el símbolo sobre el esquema. se produce una caja de diálogo PRINTl en la cual deben hacerse las siguientes selecciones con objeto de obtener la magnitud y el ángulo de la fase del voltaje de salida: AC=ok MAG=ok PHASE=ok
Las selecciones anteriores pueden listarse jumo al símbolo de la impresora sobre el esquema con sólo oprimir la opción cambiar despliegue (Change Display) y seleccionando el nombre del despliegue (Display Value) y el nombre (Name) para cada una. Se insertan los tres puntos de vista (VIEWPOINTS) mediante la siguiente secuencia: Draw - Get New Part - Browse - special.slb - VIEWPOINT. Cada uno se coloca en su lugar y luego se oprime para rntroducirlos al sistema. Cuando se han colocado los tres. el proceso se completa al oprimir el botón derecho del mouse. Antes de ejecutar el programa deben definirse los nodos que sean iguales a los representados en la figura 8.56 de forma que puedan compararse los resultados. En general, cuando se construye una red, se colocan todos los elementos similares tales como el resistor antes de cambiarse a otro elemento como el capacitar. El resultado es que puede no haber un orden lógico para los nodos en la lista neta. Para ajustar los nodos asociados con cada elemento. simplemente se selecciona análisis (Analysis) y luego examinar lista neta (Examine Netlist). El resultado que se obtiene consiste de una lista de los elementos y los nodos asignados a cada uno. Los nodos asignados para cada elemento pueden cambiarse después por medio de una sencilla secuencia de insertarlborrar hasta que concuerden con aquellos de la figura 8.56. Cuando se ha completado, se sale del listado. Surgirá un texto que; pregunta si se desean guardar los cambios, lo cual es áhora el caso. Ahora se está listo para desarrollar el análisis mediante la selección de Analysis seguido por la inicialización (Setup). Dentro de la caja de diálogo de Setup se elige (barrido de ac) (Ae Sweep) aunque la intención sea la de trabajar con una única frecuencia. Después de oprimir dos veces la caja AC Sweep, deben tomarse algunas decisiones acerca de la frecuencia aplicada. Se selecciona tipo de barrido ac lineal (Linear AC Sweep Type) junto con lo siguiente:

Total Pts. End Freq.

=1 = 10 kHz

Start Freq. = 10 kHz

Después de seleccionar OK en las entradas, se elige Probe Setup, seguido de Do not Auto-Run Probe, lo cual ahorrará tiempo en la obtención de los datos deseados al evitar una cantidad de cajas de diálogo de pruebas. Ahora se está listo para simular bajo el encabezado Analysis para obtener los resultados deseados. Si todo se capturó de forma adecuada. aparecerá una caja de diálogo, la cual indicará eventualmente que se ha concluido el análisis ac. Para revisar los resu1tados simplemente se abandona la caja de diálogo, se regresa a Analysis y se selecciona Examine output (examinar salida). El listado es algo extenso y la figura 8.60 incluye solamente aquellas partes que por el momento son de interés.
8.13 Análisis por computadora

399

••••

CIRCV1T DESCRIPTION

............................................................................... .....
R RE e-CE

R:R2 <LQI
V Vs.

oSN_OOO2 8,2k

O $N 0001 LSk OSN:OOOI2Ouf

SN_oooJ SN_OOO2 SN_OOOI Q2N=-X

$N 00040 AC huV +SlN o JmV 10kHz o o o C_C SN_OOO4SN_OOO2 lOuF R_RI SN_OOO2SN_OOOS S6i<

R Re
V=Vc:c

SN 0003 SN OOOS 6.11k
SN)OOSOOC22V

•••• arr MODEL PAIlAMETERS
•..••..••••....•..•....•..••.........••..........•.....•........•........

......

Q2N=-X
NPS IS ,.. OOOOOOE-l S
BF 90 NF 1 VAF 7403 1KF .2141

ISE 14 34OOOOE-1 S
NE 1 307

.BR 6.092 NR I RB 10 R.BM 10 RC I CJE 22.010000E_12 MJE .377 CJC 7.306000E.12 MJC 3416 TF 411.1oooo0E-12
XTF 3

VTF

1.7

!TF .6 TR 46_910000E..()9

XTB

U
SIGNAL BIAS SOLLiIQN
TEMPERATI..;"R.E:- 27.000 DEG

.... s."dAl.L e .......................................................................... .....
NODE VOLTAGE vOLTAGE (SS))OOI)
1.9911

NODE VOLTAGE

:'ItQDE VOLTAGE

NODE

(S"S_0002)
($N -"004)

2.6679

(S" _0003) 13.1090
($N_OOO3) Z2 0000

00000

VOl.. TAGE SO¡;RCE ClJRRE!','TS

NAME

ctJ!UU¡Nf

O.OOOE+OO -1653E"()3

TOTALPOWERDISSlPATION 364E-02 WATTS

Figura 8_60

Respuesta de salida para el análisis en ac de la figura 8.56.

400

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

JL
•••• O'PEllATIN:GPOINTINfOllMATION

'I'EMPfllAnJRE= 27.000DEGC

................................•.....•...•...........••.•.....••••.....• .....
•••• BIPOLAR. JUNCfION TRANSIStQR.S

NAME Q..Ql Q2N2222~X MOPEL I8 \.99E-OS le 1.31E~3 VBE 6.77E-OI VBC ·1.04E+01 VCE 1.l1E+Ol 6.SBE-+o} BETAOC GM 5.03E..02 RPl 1.42E+03

R.X

I.OOE+Ol

RO 6.46E.~ CBE 5.80E~11 CBC 2.9OE~12 CBX O.OOE+OO CJS O.OOE-+OO BETAAC 7.l5E+OI Fr 1.32E+08

....

AC ANALYSlS

TEMPERATUltE '" 27.000 DEG e

.......................................•••••.....................••.••.•.

LOOOE-+-04 3073E-Ol -L719E+Q2

Figura 8.60 Continuación.

Se observa que los nodos listados tienen los mismos valores numéricos que los que aparecen en la figura 8.56. Luego. siguen los parámetros del modelo BJT (BJT MODEL PARAMETERS). los cuales indican el valor seleccionado de 90 para la beta dc y 5 X 10- 15 para IS. Se proporcionan los niveles para los varios nodos: luego se igualan los valores que aparecen con los puntos de observación (VIEWPOINTS) de la figura 8.56. El siguiente listado de transistores bipolar es de unión BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS proporciona una variedad de niveles de de y de parámetros de la red. Se observa que ahora la beta de de es de 65.8 con la beta de ac de 71.5 en lugar del valor capturado de 90. La versión para Windows ajusta la beta según las condiciones de operación. Por tanto. los resultados de ac serán un poco diferentes de los obtenidos con anterioridad al emplear el modelo re' Si se requiriera una similitud exacta. no se seleccionaría el símbolo del transistor sino que se insertaría en la red el transistor del modelo re con una fuente de corriente controlada y los niveles de resistores adecuados. La respuesta en ac indica que la magnitud del voltaje ac de salida es de 3()7.3 mV con un ángulo de la fase de 177.9° comparado contra 334.0 mV y 177.7° de la versión para DOS de PSpice. Los capacitares presentes crearon un cambio de fase menor a 180º. Si se desea una impresión del voltaje de salida. puede utilizarse la opción Probe. El primer paso consiste en regresar a la opcíón de análisis (Analysis) seguido por la selección de inicialización (Setup). Ahora se selecciona la opción (Transient) transitorio y se desactiva el barrido (AC Sweep) recién utilizada. Al oprimir dos veces la caja Transient. pueden hacerse decisiones acerca del análisis que debe desarrollarse. El periodo de la señal aplicada de 10kHz es de 0.1 ms o 100 ps. La opción del intervalo de impresión Print Step se refiere al intervalo de tiempo entre la impresión o graficación de los resultados del análisis transitorio. Para el ejemplo. se selecciona I ps para ofrecer 100 puntos por ciclo. El tiempo final (Final Time) es el último instante en que se calculará la respuesta de la red. La selección es de 500 fls o 0.5 ms para proporcionar cinco ciclos completos. Se eligió no imprimir el retardo (No-Print Delay) 8.13 Análisis por computadora

401

JL
en Odebido a que todos los capacitores se encuentran esencialmente en corto circuito a 10kHz. La última selección es el intervalo máximo Step Ceiling que establece un valor máximo entre los cálculos obtenidos para el sistema, que en este caso se fijaron en 1 ps. El tiempo entre los cálculos será ajustado de manera interna por el paquete de programas para asegurar información suficiente en los momentos en que la respuesta deseada cambie más rápido de 10 usual. Sin embargo, nunca estará separado por un periodo mayor que el establecido en Step Ceiling. Ahora se regresará a Probe Setup y se seleccionará la opción Automatically Run Probe After Simulation (ejecutar prueba después de la simulación de manera automática). Al regresar a análisis (Analysis) debe seleccionarse simulación (Simulate) para establecer los datos solicitados para la respuesta de Probe. No se puede ir de manera directa a Run Probe porque aún no se ha establecido el archivo de datos. Una vez que se ha completado el análisis se activa la opción trazar Trace seguida por la opción Add (añadir) para "añadir" un trazo a la gráfica. Ahora aparecerá una lista de opciones, y ya que se desea observar al voltaje de salida en el colector del transistor, debe seleccionarse V(Ql:c). Debido a que no aparece en la lista que se proporciona, se oprime en Alias Names (nombres ficticios) y aparecerá una lista mayor donde aparece V(Ql:c). Al seleccionarse aparece en el comando de rastreo (Trace Command) el cual se activará mediante OK (figura 8.61).
:3.6V

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·v·

\./
200...,s 40C,,!>

\;

lOOus

TlIr.e

Figura 8.61

Voltajes de salida Vo

=Ve para la red de la figura 8.59.

El rango del eje y se seleccionó automáticamente para mostrar con claridad la forma completa de la onda. Se muestran cinco ciclos completos de la forma de salida de la onda (con 100 puntos de datos para cada ciclo) dentro del periodo de tiempo seleccionado de cinco periodos completos de la señal aplicada. El valor entre los picos de la forma de onda es de aproximadamente 13.42 V 12.81 V =0.61 V, como resultado un valor de pico de cerca de 0.61 V / 2 =0.305 V =305 m V, el cual se encuentra muy cercano al valor impreso con anterioridad. Si debe hacerse una comparación entre los voltajes de entrada y de salida en la misma gráfica, puede utilizarse la opción añadir eje (Add Y-Axis) Y dentro de la selección del menú de graficación (Plot). Después de seleccionarse, debe regresarse al comando Trace para utilizar la opción ADD (añadir) una vez más. Esta vez puede procederse con la lista de Alias Names, la cual incluye V(Vs:+) como una opción. Tomar esta opción dará por resultado las formas de ondas de la figura 8.62, la cual incluye una escala para cada forma de onda a la izquierda de la gráfica. Se añadieron los textos en los diagramas al elegir la opción herramientas (Tools) de la lista del menú seguido por la etiqueta (Label) y texto (Text). Una vez que se selecciona Text, aparece una caja de diálogo que solicita el texto que aparecerá en la gráfica. Después de teclear

402

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

.JL
1 : 3. bV
: . Cm\.'

l', . \

? \,

/\

i\ ..

,
1).2V
:lV I
Ve (oC)

----~----~----.,_.

.,
I

-,1

lJ

JV·

..
" 8:11V '
.. ¡

..
\/ .Y
100\.1s • V(Vs:+:

.. ,,

-

--.:.---{

,
l.

,

,
,.
V
4001:';

"-~

['

:2

8V

".
~

\~./ ---_.\/
200",0

...

". V

\
.. ve

\)

\ :

.

3CCus

?OCUS

Q

V(Ol:c)

:::

Figura 8.62

Ve y V s para la red de la figura 8.59.

Vs (contra) y oprimir la opción OK, aparecerá Vs en la pantalla y podrá colocarse donde sea necesario. De la misma manera se colocaron las etiquetas restantes en la gráfica. Las líneas se añadieron al seleccionar otra vez la opción Tools y luego la opción línea (Jine). Aparecerá un lápiz y utilizando la misma técnica que la que se emplea para las líneas en los trabajos de arte, pueden añadirse las líneas que se muestran. Se observa la relación fuera de fase entre las dos fonuas de onda y el hecho de que Ve se encuentra sobre un nivel de de 13.1 V. En caso de desear dos gráficas por separado, puede seleccionarse la opción Plot y seleccionar Add Plot (añadir gráfica). Al seleccionarse aparecerá otra gráfica esperando que se tome la siguiente selección por medio del regreso a la opción Trace y Add de V(V s:+) a partir de la lista de Alias. El resultado que se obtiene es el par de gráficas de la figura 8.63 que
! .OmV· .

,, ,

\.
SSL:>;:-

!

-l.O::V V (Vs:':
l3.W~

..

\\
13 .2V '

/~\

\\ /
\

\\
\
\ . .~
40Cu"

,1

¡

/

12

av·

\j

\

\

/

/

/
.,
~CO\J"

..

"

3CO\J~

Y(Q1:c)

Figura 8.63

voy ve como gráficas por separado.

8.13

Análisis por computadora

403

JLpresenta cada fonna de onda de manera separada. Una vez más se añaden las etiquetas Vs y Ve utilizando la opción de herramientas (Tools). Sin embargo. debe tenerse en cuenta que las etiquetas para la primera gráfica deben ser capturadas antes de seleccionar la¡;; etiquetaS para la segunda gráfica. La última forma de onda que se muestra en la figura 8.64 demuestra el empleo de la opción Cursor bajo el encabezado de herramientas (Tools). Al seleccionar Cursor y luego Display (desplegar). aparecerá una línea en el nivel de de de 13.1 V. Al oprimir el mouse. aparecerán una línea horizontal y una línea vertical que se intersecan sobre la curva. Al oprimir sobre la línea vertical y manteniendo oprimido el botón del mouse. puede moverse la línea vertical sobre la forma de onda. Se observa en la caja Probe Cursor que se registra la ubicación de la intersección llamada Al. Si se mueve al valor pico, su valor es de 13.421 V Y el elemento del tiempo es de 75 J.1S. Al oprimir el botón derecho del mouse, aparece una segunda intersección, Hamada A2, la cual también registra su ubicación en la caja Probe Cursor. La información restante en la tercera línea de la caja consiste en la diferencia entre las dos intersecciones sobre los ejes horizontal y vertical, respectivamente. Si se fija A2 al fondo de ve será de 12.807 V a 125 .us (se debe observar la línea del fondo de la figura 8.64). Por tanto la posición del cursor indica la magnitud y tiempo de la localización de la señaL 10 cual puede ser muy conveniente para una gran cantidad de aplicaciones. Obsérvense las etiquetas sobre la gráfica al emplear la opción Tools~text. Puede obtenerse con facílidad al utilizar dos diferentes intersecciones.

13 .4V '

,

!
13 .<,v·:

A--.
I

?'\

!

:\
13 .ov·.

:\

i

\
-.

!

12.8V+·"_._ ...
O, o V(Ql,c)
lOOu~

\)

\

,/

V"

\
200u,

\

/

.\J.
3COu~

4~Ou~

.v. -- '

Al, (75. OOOu, 13.421)

A2, (125. ooo·~, ~2. sel7)

DlFF (111 , (-50. OOCu, 613.907:1'1

figura 8~64

Utilización de la opción Cursor sobre vcpara la red de la figuraS.59.

La introducción anterior fue relativamente breve debido a las restricciones de espacio y prioridad, pero su propósito se cumplió si ahora parece evidente la relativa simplicidad de la aplicación de PSpice para calcular la respuesta a pequeña señal. Cuando el tiempo así lo permita, deben leerse muy cuidadosamente los manuales para entender por completo el efecto de los varios parámetros y las ecuaciones involucradas con el modelo PSpice. Está disponible una versión comercial de PSpice que tiene un catálogo completo de transistores específicos en memoria listos para ser utilizados por el paquete de programas PSpice. En otras palabras. el archivo de entrada puede incluir la referencia a un transistor en particular y el paquete insertará automáticamente los parámetros que describan mejor al transistor para el análisis que se llevará a cabo. Puede obtenerse información adicional respecto a la versión disponible en el mercado

404

Capítulo 8

Aoálisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
al escribir directamente a Microsim Corp. Ahora se comparará el análisis anterior con el análisis del mismo circuito utilizando ahora el lenguaje BASIC.

BASIC
El programa BASIC de la figura 8.65 analizará la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8.56 con las características adicionales de que también puede proporcionar una solución en caso que una porción del resistor del emisor no presente desvío y pueda también incluir los efectos de una resistencia fuente y de carga. La resistencia del emisor se ha designado como RE: en caso de no estar en desvío y RE" en caso de tener desvío.

10 REM

*****-**********************************************
PROGRAM 8.1

20 REM

******************** •••• ***.*** •••• *.** •• ***.******* 40 REM 83T AC ANA1YSIS 50 REM USING re ANO BETA PA,AAMETERS 60 REM ••• * •• * •• -*** •••••• * •• * ••••••••• *•••••••••••• *••••••
30 REH

70 REH 100 CLS

110 PRINT ftThis program performs the ac ealeulations" 120 PRINT nfor a 8JT vOltage-divider using the re and beta parameters."
130 140 150 160 170 200 210 220 230 240 250 PRINT PRINT "Enter the following eireuit data:" PRINT INPUT "RB1=";Rl INPUT "RB2:";R2

190 INPUT "Re-"iRe 190 INPUT "Unbypassed emitter resistance, RE1-d¡El

INPUT "Bypassed emitter resista~ce, RE2=";E2 PRINT INPUT "Beta-"¡BETA INPUT "Supply voltage, VCC-";CC INPUT "Load resistance, RL=" ¡RL INPUT "Source reslstance, RS-";~S 260 INPUT "Source voltage, VS-"¡VS 270 PRINT!'PRINT 280 cosue 11200:REM Perfor. ae analysis 290 PRINT "The resulta ol the ae analysis are:" 300 PRIN'I' 310 PRINT "Transistor dynamie resistanee, re-";RE;"ohms" 320 PRtNT 330 IF CC-IE*(RC+El+E2)<=O TREN PRI~ "circuit in saturation." :GOTO 420 340 PRINT "1nput impedance. Ri-~:RI~·ohaa" 350 PRINT "Output impedanee, Ro-"iRO;"ohms"

360 PRINT "Voltage-qain(no-load), Aq.";AV 370 PRINT "CUrrent gain, Ai-"iAl 380 PRINT 390 PRINT ·output voltage(no la.d), Voe"¡VO¡"volts·

400 PRINT 410 PRINT "Output voltage(under load), VL-"~VL;"volts· 42.0 PRINT 430 VM~CC-IE*(BETA/(BETA+1»*(RC+El+E2) :REM KaXimum signa1 swinq 440 IF ABSCVL»VM THEH PRINT "but maximum undistorted output is"¡VM;"volts" 450 END 11200 REM ~odule to perform BJT ac analysis using re .odel 11210 RB-Rl.CR2/CRl+P2» 11220 RP-RC*(RL{(RC+RL)) 11230 BB-R2*CC{(Rl+R2) 11240 IE2(BB-.7)*(BETA+l)/(RB+BETA*(El+E2» 11250 REc.026{IE 11260 R3-BETA*CRB+El) ;;2,0 RI=RB*IR3/(RB+83»
11280 Ro-ltC

112'0 11300 11310 11320 11330

AI-(RC{(RC+RL»*BErA*(RB/(RB+83») AV--RC/(El+RE) VI-VS*(RI/(RI+RSll VO=AV*VI VL-VO*CRL/CRO+RL»

113 4 O RE"l'URN

Figura 8.65

Programa BASIC para el análisis en ac de una configuración BJT.

8.13 Análisis por computadora

405

J[
RON Thls proqram performs the ac calculations tor a BJT voltage-divider using the re and beta parameters.

Enter the followin9 circuit data:
RaI-? 56E3 R82-? 8.2E3
RC-'? 6.8E3

Unbypassed emitter resistance, RElc? O Bypassed emitter resistance, RE2=? l.5E3 Beta=? 90 Supply voltage, VeCe? 22 Load resistance. RL-? IOE3
Source resistance, RS-? 600

Source voltage, VS-? lE-3 The results of the ae analysis are: Transistor dynamic resistance, re- 19.24912 ohas Input impedanee, Ri~ 1394.631 obas output iBpedance, Ro- 6800 ohas voltage-qain(no-load), Av--353.263 CUrrent galn, Ai- 29.32569 output voltage(no load), Vo--.2469988 volts output voltage(Under load), VL=-.1470231 volts

Figura 8.65 Continuación.

El módulo de las líneas 11210 a 11260 calcularán los parámetros importantes para el modelo de transistor de la figura 8.66 y llevaría a cabo el análisis requerido. Los pasos secuenciales del módulo deben revisarse con cuidado y compararse con los cálculos desarrollados de forma manual (calculadora).

-+-

1,

-+-

lb

V,

-1 '\¡
Z,

+

R~

+
Vi

"
R, R,

-- -- -1,
1,

+

~

Z,

Re

V,

RL

RE,

'='

'='

'='

.¡.

'='

FIgura 8.66 Red analizada mediante el módulo que se extiende desde la línea 11210 a la línea 11260 del programa BASIC de la figura 8.65.

Una ejecución del programa con los valores de la figura 8.56 proporcionará los resultados que aparecen al final de la figura 8.65. En particular, debe observarse la forma en que puede escribirse el programa BASIC con objeto de proporcionar infonnación acerca del sistema de una manera clara, concisa, tabulada. El nivel de R¡ ; R' 11 f3r, ; 1,394.63 n, el cual es diferente a RI en la versión para DOS de PSpice debido a que RI incluye sólo la impedancia de entrada de la configuración del transistor (f3re). La ganancia sin carga es de 353.26, la cual se compara favorablemente con los 334 que se obtuvieron al emplear PSpice. La ganancia de corriente d" 4.9 x 10-25 A OA, es debida a la ausencia de una carga para definir la corriente de salida. La ausencia de una carga también da por resultado que A}, = A, :->L. ~

=

406

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
§ 8.2 Configuración de emisor común con polarización fija
1. Para la red de la figura 8.67: a) Determinar Z¡ y Z". b) Encontrar Al' y A¡, e) Repetir el inciso a cuando r" = 20 k.o. d) Repetir el inciso b cuando ro = 20 H2.

PROBLEMAS

12 \

220 kQ

v,

0---::-11--------1
1,

--Z,

Figura 8.67

Problemas 1,21,

2. Calcular Vce para la red de la figura 8.68 para una ganancia de voltaje de Al' ::: -200.

4.71d2
I

\m

(----<o v,.

Figura 8.68
o;:

Problema 2.

3. Para la red de la figura 8.69: a) Calcular lB" le y re" b) Detenninar Zj y Zo' e) Calcular A .. y A¡. d) Detenninar el efecto de ro =: 30 ka sobre Al' y A¡.

lOY

+lOV

Ftgura 8.69 Problema 3.

Problemas

407

Ji:::

§ 8.3 Polarización mediante divisor de voltaje
4. Para la red de la figura 8.70: a) Determinar r,,' b) Encontrar Z¡ y Z{). e) Encontrar Al' y A" d) Repetir los incisos b y e cuando r" = 25 kQ.

, - - - - 1 - - - - - - 0 Va

39 k!2

82

~
kQ
I

,., kn

~v,
Ce

V,

--1,

I~F

o----jl--+---I
4.7 kn

ft= 100 r" = 50 k,Q

#= lOO
f,,= "" kQ

Z,

5.6kü
1.2W
1 kn

Figura 8.70

Problema 4.

FIgura 8.71

Problema 5.

5. Calcular Vce para la red de la figura 8.71 si A,. = ~ 160 Y rv == 100 ki2. 6. Para la red de la figura 8.72: a) Determinar re' b) Calcular VB y Ve e) Determinar Z¡ y A\, = V/Vi"
Vcc ==20V

6.8 kn
220kn

Ve

f-----o V
Ce
ft=180 r o =50k,Q

o

Vi

-Zi

o----j
Ce

V.

----~r_-o20V

56k!2

Figura 8.72

Problema 6.

Vi

§ 8.4 Configuración de E-C con polarización en emisor
7. Para la red de la figura 8.73: a) Determinar re' b) Encontrar Z¡ y Zv' e) Calcular A\, y A ¡' d) Repetir los incisos b y e cuando r(,

--li

~~.o.-----I

ft=140 r~= IOOkQ

Z,

1.2 k.Q

-Zo

':=

20 kQ.

Figura 8.73

Problemas 7, 9.

408

Capítulo 8

Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
8. Calcular RE y RB para la red de la figura 8.74 si Av =- -10 Y re =- 3.8 Q. Suponga que Zb = f3R E 9. Repita el problema 7 cuando Rt encuentre desvío. Compare los resultados.

* 10.

Para la red de la figura 8.75: Detenninar re' b) Encontrar Zi y Av' e) Calcular A¡.
a)

r---~--<>22

V

5.61&
20 V

3301&

8.2 ka

Vi

v, o---)I--~--I

~= 120

-Z,

O---:-:¡'I---<-----I
Ce

li

~ f-----o
lo

V o

Ce

/l= 80
r,,=40kG.

1.2 kQ

T,,=OOkQ

0.47 ka

Figura 8.74

Problema 8.

Figura 8.75

Problema 10.

§ 8.5 Configuración emisor-seguidor
11. Para la red de la figura 8.76: a) Determinar re y f3r e" b) Encontrar Z¡ y Zo. e) Calcular A, y A,.

* 12.

Para la red de la figura 8.77: Determinar Z¡ y 20' Encontrar Av' e) Calcular Vo cuando Vi = 1 m V.
a) b)
16 V

12V

270 kQ
V,

-li

o----JI-L---I

/3= 110
ro =50kn

V,

Z,

2.7 ka

t

f-----o Yo

lo

-

-1,

o-------}t-.-----I

/l= 120
T

o =40k.O:

Zi

t
-8 V
FIgura 8.77

(-------<> Yo
lo

5.6kU

_
Zo

Zo

Figura 8.76

Problema 11.

Problema 12.

Problemas

409

J[
* 13.
Para la red de la figura 8,78: a) Calcular lB e le b) Detenninar re' c) Detenninar Z¡ y Zo' d) Encontrar Av y A¡.
Vcc = 2QV

56 k!l

v, 0---1t--+_--I
/,

-

p= 200
T

o

=40kn

8.2 kQ

Figura 8.78

Problema 13.

§

8.6

Configuración de base común

14. Para la red de la figura 8.79: . a) Determinar re' b) Encontrar Z¡ y ZQ' c) Calcular Al' y Al"
+6V
-IOV

6.8kQ

Z;

Figura 8.79

Problema 14,

* 15.

Para la red de la figura 8.80, determinar A .. y A¡.
8V

L

~,

-v

/,

3.9kQ

-5 V

Figura 8.80 Problema 15.

410

Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

.' y Al' 9V .. Para la configuración de retroalimentación en colector de la figura 8. § 8.83 Problema 19.... a) Figura 8.7 Configuración con retroalimentación en colector 16.81 Problema 16. R F = 120 kQ.83: a) Detenninar Zi y Zo' b) Encontrar Al..A\.82 Problema 17. -1.2 kQ... b) Derivar la ecuación aproximada para Aj' e) Derivar las ecuaciones aproximadas para Z¡ y Zo' d) DadosR c = 2.-'VV\r-. 39 kn 22 kn V¡ o--}I--~------l Z¡ 1 ~F I¡ ¡ IO~F I ~F -Z. Figura 8..8 Configuración con retroalimentación de dc en colector 19. * 18. Dados re = 10 Q. ZI y 20 utilizando las ecuaciones de los incisos (l a c..HU 220kU v. R E = 1. Z¡ - p= 120 r =40kO Q .][ § 8.30: Derivar la ecuación aproximada para A..2 kQ. Para la red de la figura 8.. !3=200... o-------}'I--~---I Figura 8. determinar R c' RrY Vcc V¡ o---JI--~--I P=200 r(J=80kO .'\N\t--+---l~ v. Para la red de la figura 8.81: a) Detenninar re' b) Encontrar ZI y Zo' e) Calcular Av y Al' 3. calcularlas magnitudes de Av' A¡. * 17.82.= -160 y Al = 19 para la red de la figura 8. Problemas 411 . f3~90 y Vcc = lOV.

84: a) Detenninar Zj y Zo' b) Calcular Av y Aj.5 n y ro =40 n. re = 4.75 kO h~=25¡15 =180 = IO~F figura 8. = 9. 2.84 Problemas 22. o • ) 5~F -Z. *' 23. e) Detenninar Z¡ y Zo cuando hoe = 50 pS. h re =2 x 10--4. Para la red de base común de la figura 8.45 O h" = 1 p.992 h.AN + V. Z. y Ai' e) Determinar ex. hit 2. 1/.7 kll '1 + o . ~4Y -"p- 12 Y - v.2 kll \. V.85 Problema 23. > >1. Para la red del problema 1: a) Detenninar re.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 20. a) Dados f3 = 120. f3. b) Dados h¡e = 1 k. b) Encontrar hfe y h ie . g) Comparar las soluciones anteriores con aquellas del problema 1.) 22. hfe = 90 Y hoe = 20 ps. e) Encontrar Z¡ y lo utilizando los parámetros híbridos. Para la red de la figura 8. 24.2kO 1. f) Determinar Av y A¡ cuando hoe = 50 J1S. e) Detenninar re y comparar f3r e con h ie . l8Y 68 kll tI. o li IO'~F )' -Z. l2kO 1.][ § 8. re y ro· hJ> =-0.2kll 5 ¡1F I oVo hf~ Z. (Nota: Las soluciones están disponibles en el apéndice E en caso de no haberse llevado a cabo el problema 1. 2.. 412 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . figura 8.85: a) Detenninar Z¡ y Zo' b) Calcular A. trazar el modelo re· 21.o.. trazar el circuito híbrido equivalente aproximado. d) Calcular Av y A¡ con los parámetros híbridos. .

.10 Modelo equivaleute hlbrldo completo * 24. Dada la red de la figura 8. c) A¡ = IJI¡d) 20' 20V 2.2 kU 470kU ~ lo +-----n(---<>o Vo 5 ~F - Zo Z.2 kQ 1 .86 Problema 25.4 v ~ ~ 14V - + o Vo Zo figura 8. Para la red de la figura 8. I.87 Problema 26.J[ § 8.87.. Repetir los incisos a y b del problema 22 cuando h(e = 2 x 1Q-4 Y compare los resultados.12 Solución de problemas * 27.997 hob = 0.45 a hJ> =0.86 ka h := 1. * 25.5 pA!V k m = 1 x lQ-4 V.88: a) Detenninar si el sistema está operando adecuadamente basándose en los niveles de polarización mediante divisor de voltaje y en las fonnas de onda esperadas para Vo y VE' b) Determinar el motivo de los niveles de de obtenidos y la razón por la que se obtuvo la forma de onda para v o ' Problemas 413 .5 x lQ-4 h. e) d) Ar' 20' hib = 9.2 kU V. 26.2kU ~lo 1 5 '~F '( Z 2.::= 25 fJS lO IlF figura 8. § 8.6 ld1 11 - '¡ \. detenninar: a) 2j' b) A. r=. +¡'~F+ "v 0..86. >i< Vi l. determinar: a) 2i' b) A. hfe := 140 h ie := 0. -. Para el amplificador de base común de la figura 8.

2).3) y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 mV. Mediante la utilización de PSpice para Windows.1) Y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 mY. P=70 C. 33. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida. + VBE =0.25 (ejemplo 8. 36. b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8. Zo' Al' y A¡ para la red de la figura S. b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para Vo con los resultados obtenidos en el ejemplo 8.8. 150kn 2.25 (ejemplo S. 414 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . 34.S) y solicitar el nivel de Vo para Vi = 1 m V. Mediante la utilización de PSpice para Windows. 31. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡. 30. 35. determinar la ganancia para la red de la figura 8. R.5kn 10 ~F Figura 8. 39kn '\.2 kQ vo (V) 10 IlF O ( 10 ~F 01'" O VB =6.3. *Nota: Los asteriscos indican problemas más difíciles. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida. b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para V o con los resultados obtenidos en el ejemplo 8. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡. a) Escribir un programa en BASIC para calcular Z¡.7V O )"' + V. b) Llevar a cabo el análisis por medio de PSpice y comparar el resultado para V o con los resultados obtenidos en el ejemplo S. 29.13 28. R.6.6 (ejemplo 8.13. a) Análisis por computadora Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8.88 Problema 27. a) Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8. b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8. Mediante la utilización de PSpice para Windows.13 (ejemplo 8.J[ Vcc = 14 V v¡(rnV) Re R. RE l. b) Llevar a cabo el análisis del inciso a y comparar contra los resultados obtenidos en el ejemplo 8. § 8.1. determinar la ganancia para la red de la figura 8. a) Escribir el archivo de entrada de PSpice para la red de la figura 8. Zo' Al' y A¡ para la red de la figura 8.3).25. 32.22 V C.8).9 (ejemplo 8.2.8. Utilice Probe para desplegar las formas de onda tanto de entrada como de salida. determinar la ganancia para la red de la figura 8. Zo' Av y A¡ para la red de la figura 8.3.13 (ejemplo S.

gm' El FET puede utilizarse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en los circuitos lógicos. Los dispositivos FET también se utilizan en las aplicaciones de alta frecuencia y en las aplicaciones de acoplamiento (interfases). así como circuitos de compuerta común que proporcionan ganancia sin inversión. La tabla 9. Los valores de la impedancia de salida son comparables tanto para los circuitos BIT como para los FET. L localizada al final del capítulo. el dispositivo FET controla una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeño voltaje de entrada (voltaje en la compuerta). Al utilizar PSpice puede llevarse a cabo un análisis en de para obtener las condiciones de polarización del circuito y un análisis en ac para calcular la ganancia de voltaje a pequeña señal. Debido a la característica de gran impedancia de entrada de los FET.CAPÍTULO Análisis a pequeña señal del FET 9. el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales. especialmente en los circuitos CMOS que requieren un consumo muy bajo de potencia.1 INTRODUCCIÓN Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de voltaje aunada a la característica de una alta impedancia de entrada. Así que mientras el BJT tuvo un factor de amplificación f3 (beta). el modelo equivalente de ae es más sencillo que el utilizado por los BIT. la corriente de entrada por 10 general se asume de OflA Y la ganancia de corriente es una cantidad indefinida. el amplificador FET proporciona una impedancia de entrada mucho mayor que la de la configuración de un BIT. Al utilizar los modelos de transistores de PSpice se puede analizar el 415 . pero en ambos casos se observa que la corriente de salida es la variable controlada. Aunque la configuración de fuente común es la más popular al proporcionar una señal invertida y amplificada. también existen circuitos de drenaje común (fuente-seguidor) que proporcionan ganancia unitaria sín inversión. el circuito con MOSFET decrementaI tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una configuración JFET similar. el BJT generalmente es un dispositivo controlado por corriente y el FET un dispositivo controlado por voltaje. la impedancia de entrada y la impedancia de salida. las características importantes del circuito que se describen en este capítulo íncluyen la ganancia de voltaje. Debido a la muy alta impedancia de entrada. se trata de configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen rango de frecuencia y tamaño y peso mínimos. Las redes de amplificadores FET también pueden analizarse mediante el empleo de programas de computadora. Sin embargo. muestra un resumen de los circuitos FET a pequeña señal y sus fórmulas asociadas. Por tanto. Mientras que la ganancia de voltaje de un amplificador FET es casi siempre menor que la obtenida al utilizar un amplificador BIT. Al igual que con los amplificadores BJT. Los dispositivos IFET y el MOSFET de decremento pueden utilizarse para diseñar amplificadores que tengan ganancias similares de voltaje. Además. Mientras que un dispositivo BJT controla una gran comente de salida (colector) por medio de una corriente de entrada (base) relativamente pequeña. De hecho. el FET tiene un factor de transconductancia.

:. 9..y =-= /'. se encuentra que gm es en realidad la pendiente de las características en el punto de operación. En el capítulo 6. Un componente muy importante del modelo hará evidente que un voltaje de ac aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente controla el nivel de corriente del drenaje a la fuente. Esto es.1 Definición de gm utilizando la característica de transferencia. dicho en otras palabras.. se indicó que un voltaje en dc de la compuerta a la fuente controlaba el nivel de la corriente de drenaje mediante una relación conocida como la ecuación de Shockley: ID = IDSs(1 .VGS IVp )2 El cambio en la corriente del colector que se obtendrá de un cambio en el volt~je de la compuerta a la fuente se puede determinar utilizando el factor de transconductancia gm de la siguiente manera: (9. resulta bastante claro que la pendiente.x (9. y por tanto gm' se incrementa cuando se pasa desde Vp a IDSS' O.1. /'. . es posible desarrollar un programa utilizando un lenguaje como el BASIC que puede realizar tanto el análisis de de como el de ac y proporcionar los resultados en un formato muy especial. El voltaje de la compuerta a lafuen/e controla la comen/e del drenaje a lafuen/e (canal) de un FET. se incrementa la magnitud de gm' g".1) El prefijo trans (o tras) que se aplica a gm en la terminología indica que se establece una relación entre las cantidades de salida y de entrada. .2) Determinación gráfica de gm Si ahora se examinan las características de transferencia de la figura 9.3) Al seguir la curvatura de las características de transferencia. similar a la relación que define la conductancia de un resistor G = II R = l/V. . Por otro lado.circuito empleando los modelos específicos de transistores.1) se tiene: (9.2 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL FET El análisis en ac de una configuración FET requiere que se desarrolle un modelo de pequeña señal. Al despejar gm en la ecuación (9. Se seleccionó la palabra raíz conductancia debido a que gm se determina por la relación del voltaje a la corriente.. cuando VGS se acerca a O V.(= PeTldiente en el punto Q) óVGS MD o 416 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET Figura 9.

-4V (.2) para calcular gm' Determinar la magnitud de gm para un JFET con puntos de polarización.8 mA 0.La ecuación (9.2) indica que gm puede detenninarse en cualquier punto Q sobre las características de transferencia con sólo seleccionar un incremento finito en Ves (o en ID) cercano al punto Q y luego encontrar el cambio correspondiente en ID (o Ves' respectivamente).5 V. Solución IDSS = 8 mA y V p ::: -4 V en los siguientes EJEMPL09_J Las características de transferencia se generaron como en la figura 9.5 V I D =8mA\. Entonces se aplica la ecuación (9. a) VGS ~ -0.7V 1.2) para detenninar gm' a) °m o ~-- !1/D 2. b) VGS~-1.6V 1. Un método alternativo para calcular gm 9_2 Modelo de pequeña señal del FET 417 . Definición matemática de gm El procedimiento gráfíco descríto está limitado por la exactitud de la gráfica de transfe~ rencia y el cuidado con que pueden determinarse los cambios en cada cantidad. o Vos (V) Figura 9. Los cambios que se obtienen en cada cantidad se sustituyen después en la ecuación (9.0 V Puede observarse la disminución en gm cuando Ves se aproxima a V po gm ~-- ~ 8 g". e) VGS ~ -2.5 Y.5 Y. Cada punto de operación se identifica posterionnente y se dibuja una línea tangente a través de cada punto para reflejar mejor la pendiente de la curva de transferencia en esta región. pero entonces puede tornarse un problema engorroso.2 Cálculo de gm en diferentes puntos de polarización.1 mA !1VGS ~ - ~ 3_5mS 0.5 mA bl °m o !1/o !1VGS !1/D =2_57 mS ~ el L5mS !1VGS 1.2 al utilizar el procedimiento definido en el capítulo 6. Luego se selecciona un incremento adecuado para VGS para reflejar una variación a cualquier lado de cada punto Q. en-O. VGS)' ______ 4 3 2 -4 -1 V.

Si se toma la derivada de ID respecto a Ves (cálculo diferencial) utilizando la ecuación de Shockley.6) y comparar con los resultados gráficos. -4 V J l = 3. gm = gmo [1 . Ya se mencionó que la pendiente de la curva de transferencia es un máximo cuando Ves = O V. gm = 2IDss Ivpl gmo = ~ ~J 2IDss - y IVpl (9.VGS ] Vp = 4mS ~ 5V _ -D.VGS PLQ dID 1 dV GS pLQ gm = = d dV GS lDSS (1 VGS )2] Vp = I Dss _d_ dVGS 0 _ VGS ) Vp 2 = 2lDSS ~ - VGsJ_d Vp dVGS 0_ VGs ) Vp y (9.2 Para el JFET que tiene las características de transferencia del ejemplo 9.5 mS de la solución gráfica) 418 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . Entonces la ecuación (9. sólo con objeto de asegurar un valor positivo de gm. Sustituyendo VGS = O V en la ecuación (9. donde se estableció que La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente dibujada en dicho punto. en el cual se han especificado 1DSS y Vp. a) Encontrar el valor máximo de gmo b) Encontrar el valor de gm en cada punto de operación del ejemplo 9.1 utilizando la ecuación (9.:: = 2(8mA) 4V = 4mS (máximo valor posible de gm) b) Cuando V GS = -D. es posible derivar una ecuación para gm de la siguiente manera: MD 1 t. Solución a) gmO .4) donde I Vp 1 denota la magnitud.4) se obtiene la siguiente ecuación del valor máximo de gm para un JFET.6) EJEMPLO 9.5mS (contra 3.5 V.utiliza un enfoque empleado para encontrar la resistencia ac de un diodo en el capítulo 1.1.5) donde el subíndice O que se añadió recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = O V.4) se convierte en (9.

En fanna de ecuación.Cuando VGS = -1.6).3 también indica que cuando VGS es igual a la mitad del valor de estrechamiento.6) define una línea recta con un valor mínimo de O y un valor máximo de gm como se muestra en la gráfica de la figura 9.5mS (contra 2.6) es menor que 1 para cualquier valor V ción :5 p diferente de O V. EJEMPLO 9.4) a (9.5 V.3. Yj' está en el rango desde 1000 a 5000 IlS o de 1 a 5 mS. para usos en el futuro cuando se requiera gm' En las hojas de especificaciones. Graficar gm en función de Solución Obsérvese la figura 9.57 mS de la solución gráfica) Cuando = g V GS = -2. la magnitud de gm se reducirá mientras VGS se aproxime a Vp y la relase incrementa en magnitud. = gm = gmo [1 . Cuando VGS = Vp ' gm =gmO(J - J) =O. V GS para el JFET de los ejemplos 9. gm se proporciona como Yjs donde la y indica que es parte de un circuÍto equivalente de admiranda.J V p = 4 mS 1 [ -2.3 Gráfica de gm en función de Vcs.:GS] 4 [1 mS p - -1. La! significa que es un parámetro de transferencia directa (jomará) y la s revela que está conectada con la tenninal de la fuente (source).2 de hecho son 10 sufIcientemente cercanos como para validar la ecuación (9. gm tendrá únicamente la mitad del valor máximo.5 V] -4V = 2.2.1 y 9.5 V. Gráfica de gm en función de VGS Debido a que el factor de V'GS (1 . VGS g m mO [1 . (9.18.5 V] -4V = 1. o V GS(V) FIgUra 9.3 9. La ecuación (9.7) Para el JFET de la figura 5.) de la ecuación (9. v. La figura 9..5 mS (contra 1.2 Modelo de pequeña señal del FET 419 .5 mS de la solución gráfica) Los resultados del ejemplo 9..4.

1 a 9.9) Al utilizar la ecuación (9.5g I .9) para determinar gm para algunos valores específicos de ID' los resultados son a) Si ID =IDSS' gm = gmiJ -~= gmo I DSS b) SilD = IDSP' gm IDS!2 = grnO ~ ...4mS ~-----> 2mS -4V -2V o Figura 9..= O.._ grnO mo IDSS 2 EJEMPLO 9. 420 Capítulo 9 Análisis a pequeña señaJ del FET .4 Graficar gm en función de ID para el JFET de los ejemplos 9.8) Al sustituir la ecuación (9. Solución Ver figura 9.707gmO IDSS c) Si ID = IDS!4. gm = gmü ~-DS!4 .6) se obtiene (9.4 Gráfica de gm en función de VGS para un JFET con 1DSS::: 8 mA y VGS(V) Vf =-4 V.8) en la ecuación (9.3.= O. Impacto de ID sobre gm Puede derivarse una relación matemática entre gm y la corriente de polarización ID al observar que la ecuación de Shock1ey puede escribirse de la siguiente manera: (9.5.

10) Así como para un JFET un valor práctico de lO' Q (1000 MQ) es un valor característico. En las hojas de especificaciones de los FET la impedancia de salida aparecerá normalmente como Yos con las unidades de J1S.y0' tiene un rango entre 10 y 50 /1S o 20 kQ (R = 1/G = l/50 /1S) y 100 kQ (R = 1/G l/lO /1S). Impedancia de salida Zo del FET La impedancia de salida de los FET es similar en magnitud a la de los BIT convencionales. En forma de ecuación. = Zo(FET) = rd =Yo.18. Las gráficas de los ejemplos 9. Mientras más horizontal sea la curva. se tendrá la situación ideal pues será la impedancia de salida (un circuito abierto) infinita. (9.4 revelan con claridad que los valores más altos de gm se obtienen cuando Ves se aproxima a O V e ID a su valor máximo de 1DSS' Impedancia de entrada Z¡ del FET La impedancia de entrada de todos los FET disponibles en el mercado es lo suficientemente grande para suponer que las tenninales de entrada son similares a un circuito abierto. En forma de ecuación. un valor entre 10 12 y 10 15 Q es típico de los MOSFET.6 puede definirse la impedancia de salida como la pendiente de la curva horizontal característica en el punto de operación.3 y 9. Para el IFET de la figura 5. esta es una aproximación que se utiliza a menudo.2 Modelo de pequeña señal del FET 421 . mayor será la impedancia de salida.12) 9.5 Gráfica de gm en función de JDpara un JFET con IDSS =8 mAy Ves =-4 V.11) Con base en la figura 9. El parámetro Yos es un componente de un circuito equivalente de admitanda y el subíndice o significa un parámetro de salida de la red (output) y s la terminal fuente (souree) a la cual está asignada en el modelo. En forma de ecuación.o 3 9 10 JD (mA) Figura 9. Z¡(FET) = ~ Q (9. 1 (9. Cuando la curva es perfectamente horizontal.

2 mA= 2S kQ 5 Para VGS = -2 V se dibuja una línea tangente y se selecciona d Vos como de 8 V Yasí se obtiene un dIo de 0. Sustituyendo en la ecuación (9.1 mA.12) el voltaje VGS pennanece constante cuando se calcula rd. Sustituyendo en la ecuación (9.7 para VGS = O V Y VGS = -2 V cuando Vos = 8 V. 422 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .Ves'" constante en -1 V Punto Q v / -2V o Figura 9.12). Esto se logra dibujando una línea recta aproximada a la línea VGS en el punto de operación. rd = ~~S Ivc. EjEMPLO 9.2 mA. 8 7 6 5 4 3 2 Vos=~3 V íI vos=-4V VDS o Figura 9. Luego se selecciona un ~VDS o ~ID y se mide la otra cantidad para utilizarse en la ecuación.5 Determinar la impedancia de salida para el FET de la figura 9.5. Obsérvese que al aplicar la ecuación (9.12). .6 ~M Definición de rd utilizando las caracterfsticas de drenaje del FET. Solución Para VGS = O V se dibuja una línea tangente y se selecciona d Vos como de 5 V Y así se obtiene un dIo de 0.7 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 (V) Características del drenaje de uso para calcular rd en el ejemplo 9.=ov = 0.

La fuente de comente tiene su flecha apuntando del drenaje hacia la fuente para establecer un cambio de fase de \80 0 entre los voltajes de salida y de entrada como sucederá con la operación real. Circuito equivalente en ac del FET Una vez presentados y discutido los parámetros importantes de un circuito equivalente de ac. puede construirse un modelo para el transistor FET en el dominio de ac. Además. El control de Id me·diante V¡:.2 Modelo de pequeña señal del FET 423 . el circuito equivalente es una fuente de corriente cuya magnitud se controla por medio de la señal Vgs y el parámetro gm' el cual claramente representa un dispositivo controlado por voltaje.---t-----'O D + v" Figura 9.1 mA 8V lo cual muestra que rd sí cambia entre una región de operación y la otra.ntra incluído como una fuente de corriente gm Vgs conectada desde el drenaje a la fuente como se muestra en la figura 9. la corriente es común tanto para los circuitos de entrada como de salida. Dados YI' = 3.8.6.9. Solución EJEMPLO 9. 9. y que comúnmente se presentan los valores más pequeños en los niveles bajos de Ves (más cercanos a O V).= 80 ka.9 Modelo para equivalente de ac del FET para el ejemplo 9.. G o>---~o ..= . 0. s s La impedancia de entrada está representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y la impedancia de salida por medio del resistor r d desde el drenaje hacia la fuente.8 Circuito para equivalente de ac del FET.8 mS e YM = 20 )1S. dibujar el modelo en ac del FET.=50kQ 20 )1S lo cual da por resultado el modelo equivalente en ac de la figura 9.s se eneue. G 0 _ _ _0 r------~r-----O D + so------=+-------------~s Figura 9. = 3. Obsérvese que el voltaje fuente se representa ahora mediante V" (subíndices en minúscula) para distinguirlo de los niveles de.6 gm = y¡..8mS y = . mientras que las tenmnales de la compuerta y el drenaje sólo están en "contacto" mediante la fuente de corriente controlada gm Vgs ' En las situacion-es' donde se ignora r d (se supone que es lo suficientemente grande respecto a los otros elementos de la red como para aproximarla por medio de un circuito abierto).

-+ z..3 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA PARA EL JFET Ahora que se ha definido el circuito equivalente para FET. es negativo.. La señal aplicada se representa mediante V.13) debido a la equivalencia de circuito abierto en las terminales de entrada del JFET. Se observa la polaridad definida mediante Vg.. se consideran como cortos circuitos equivalentes para el análisis en ac.10. el modelo equivalente en ac puede sustituirse entre las terminales adecuadas como se muestra en la figura 9.' la cual define la dirección de gm Vg. Figura 9.12 revela con claridad que (9. la dirección de la fuente de corriente se invierte. Luego se redibuja con cuidado la red de la figura 9. Batería VDD reemplazada mediante un corto circuito Batería V GG ~ reemplazada mediante un corto circuito S --- FIgUra 9.12. Ambos capacitares tienen el equivalente de corto circuito porque la reactancia Xc = 1/(21ifC) es pequeña comparada con los otros niveles de impedancia de la red.. RG S -+- -+ Z¡ z.' Cuando Vg.10 incluye los capacitores de acoplamiento el y el que tienen por objeto aislar el arreglo de polarización de la señal y carga aplicados. Z. 424 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . El método será similar al análisis en ac de los amplificadores BJT acompañados de una determinación de los parámetros importantes de Z¡.11 Sustitución del circuito equivalente del JFET en la red de la figura 9.. o de las características. y la señal de salida a través de RD se representa mediante VD.m 9. se investigarán una serie de configuraciones de FET básicas a pequeña señal.10 Configuración JFET con polarización fija .: La figura 9. Zo y Av para cada configuración.11. RD -+Z. La configuración de polarización fija de la figura 9. y las baterías V GG Y V DD se hacen cero volts mediante un corto circuito equivalente.. Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarización de la hoja de especificaciones.11 como se muestra en la figura 9. . I+VGG .

• + V G D 1 .....+ .0 5 Figura 9.13 Determinación de Zo' Al': Resolviendo Vo en la figura 9.15) .13. 9..I ~ O V como se requiere debido a la definición de ZU V..12.----. Vo ~ -gm V¡CrJ RD ) de tal forma que Av = Vi (9. El resultado es gm V~s = O mA y la fuente de corriente puede reemplazarse mediante un circuito abierto equivalente. se encuentra v~ = pero y -gm Vgird 11 R D) v. Figura 9.3 Configuración de polarización fija para el JFET 425 ...17) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación obtenida para Av revela con claridad un cambio de fase de 180' entre los voltajes de entrada y de salida..-.> JOR D (9. "RD I (9. lé.+ V o ~ ~R0 1 .s + -+- gm~~_' '. Z: Al hacer V. como se muestra en la figura 9..¡}?:\OR D . se hará O V o también.----oD ' . ~ f'. La impedancia de salida es ~ Si la resistencia r¡j es suficientemente grande (por lo menos 10: 1) comparada contra R D' a menudo puede aplicarse la aproximación rJ 11 R D " R D Y Z.------.11... .~ -gmRD 1... ~ I RD Z..12 Redibujo de la red de la figura 9." ~ V....16) A...

El valor de Jos se proporciona como 40 /lS.88 mS)(2 kQ) = -3. se obtuvo una relación de 25 kQ: 2 kQ = 12.625 mAcon IDss = 10 mAy Vp =-8 V. a) Detenninar gm' b) Encontrar r d' e) d) e) f) Determinar Z¡.= IVpl 8V gm = gmo ~ .4 CONFlGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN PARA EL JFET Rs con desvío La configuración de polarización fija tiene la desventaja de necesitar dos fuentes de voltaje de. Se redibuja la red según Q la figura 9.48 f) A.5mS gmO = .85 kQ) = -3.EJEMPLO 9.= .15 requiere sólo de una fuente para establecer el punto de operación deseado. Calcular Zo' Determinar la ganancia de voltaje Al" Determinar Av ignorando los efectos de r d' 20 V 2kº C.88 mS (-8 V) b) e) rd Z. -T Z.uS Yos RG = 1 MQ d) e) Zo = R D11 rd = 2 kQ 1125 kQ = 1. 9.= 25kQ 4O. = -gm(R D 11 rd ) = -(1. 426 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .5 mS Vp ) f¡ _ (-2 V») = \ 1. S +- 2V Figura 9. D I vss = 10 mA vp = -8 V lMn ~ z.14 con una señ~l aplicada V¡..5 : 1 entre rd y R D en una diferencia del 8% en la solución.1 tuvo un punto de operación definido mediante VGS =-2 V e ID = 5. v. = -gmRD = -(1. Solución a) 21DSS 2(10 mAl = 2.88 mS)(1. ~ v. La configuración de autopolarización de la figura 9..76 Como se demostró en el inciso (f). .7.85 kQ A.7 La configuración de polarización fija del ejemplo 6.VGsQ\ = 2.14 Configuración JFET para el ejemplo 9.

Bajo condiciones de ac el capacitar asume el estado de corto circuito y hace "corto circuito" en los efectos de RS' Si se deja en ac. El capacitor es a través de la resistencia de la fuente es un corto circuito equivalente para de.4 Configuración de aulopolarización para el JFET 427 .Vg• Figura 9.. se reducirá la ganancia según se muestra a continuación.18) 9.16. lo cual pennite que Rs defina el punto de operación.15 después de la sustitución del circuito equivalente de ac para el JFET. G D + Re V " 1 S + 'd g".15 Configuración JFET con autopolarización . D e V.. Z¡: (9.16 y se redibuja con cuidado en la figura 9.12.17 Redibujo de la red de la figura 9.16 Red de la figura 9. las ecuaciones resultantes para Zi' 20 y Ar serán las mismas... cs Z. ____ R s en desvío s mediante Xc. Figura 9.¡.. . r ..17. Re Rs . Z. o-------) ( oVo G S ----.+ V DD Ro C. + v. El circuito equivalente a JFET se establece en la figura 9. Debido a que la configuración que se obtiene es la misma que aparece en la figura 9 . Figura 9.. -Z.

ser muy cuidadoso con la notación.18 Configuración JFET con autopolarización incluyendo los efectos de Rs' Z.ntre V.¡ ID ' 'd gm Vg3 ~ v. RG ~r RD 1" + Z" v" l F'"!gura 9. V" l s R.21) A. = -gmRD I rd ? lORD (9.19) Zo A' =R D I rd ?10R D (9. la entrada permanece de la siguiente manera: (9. como se aprecia en la figura 9. la resistencia Rs será parte del circuito equivalente de ac. y V. Rs sin desvío Si se elimina es de la figura 9.: Debido a la condición de circuito abierto entre la compuerta y la red de salida. debido a que la terminal de la compuerta y la tierra estarán con el mismo potencial.15.o . G D + -+ + z.23) Zo: La impedancia de salida está definida mediante Z o =_0 v I lo vJ=o Al hacer Vi = OV en la figura 9. las polaridades y la dirección definidas. establecer el voltaje a través de Re igual a O V es como "cortar" los efectos de Re' 428 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . En este caso. -.22) Relación de la fase: El signo negativo en las soluciones para A)' de nuevo indica un cambio de fase de 18('" .18.no existe una manera obvia de reducir lared con objeto de bajar su nivel de complejidad.19.20) " (9. Al determinar los niveles de Z" Zo y A" es necesario .z· o' (9.18 se obtiene el circuito que se muestra en la figura 9. En otras palabras..

.!:l.: Para la red de la figura 9.18. -IDR[/~ El voltaje a través de rd puede encontrarse al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera: -vgs o y + V r .. la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff sobre el circuito de entrada tendrá como consecuencia: V-V-VR=O 1 gs 5 o Vp .V () = O d l' = V ---.s:. l + -'- .IDRs 9. Vgs R..a D + ID S~ t _ _-1 RD le -+ Z.-. o y Z " = " = lo V -lnRO -ID ~ + gmRs + Ro + RsJ rd (9. (9. = _V"-u_+_"-. = rd Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a..25) A... El voltaje V o está definido mediante con ~:..::: Vi . por tanto. J V o = -IDRD figura 9..19 Determinación de Zo para la configuración JFET con autopolarización incluyendo los efectos de Rs y rd .24) de manera que Za = RD 1 + gmRs + Ro + Rs rd Para rd ~ IO(R o + Rs)' pueden ignorarse los efectos de rd .4 Configuración de aulopolarización para el JFET 429 .~~. V.

26) indica que existirá un cambio de fase de 180' entre V. b) Encontrar r d. V gmRo I + gmRs + (9. de manera que una aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff dará gm Vgs + v() rd V Rs Al sustituir la Vgo"de arriba y sustituyendo Vo y VR s se tiene de modo que o ID = gm V¡ I + 8mRs + RD + Rs rd Entonces el voltaje de salida es y A.d) Calcular 20 con y sin los efectos de rd .27) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación (9.6 V e ID = 2.. El valor de Yo.20 con una señal ~plicada de V.El voltaje a través de r d empleando la ley de voltaje de Kirchhoff es vo y V R. =. Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET 430 .26) Ro + Rs rd De nuevo. al Determinar gm.S.o = V. La red se redibuja según Q la figura 9.8 La configuración de autopolarización del ejemplo 6. si rd " \O(Ro + Rs)' (9. Comparar los resultados.2 tiene un punto de operación definido mediante V GS = -2. e) Calcular A.6 mAcon I DSS = 8 mA y V p =-6 V. está dado como 20 ¡J. y V" EJEMPLO 9. Comparar los resultados. con y sin los efectos de r d . e) Encontrar 2.

'2.51 mS)(l kQ) + 3.8.' IO(RD + Rs) se encontrará que ya está satisfecha.3 kQ + 1 kQ 1 + (1.51 mS (-6 V) b) e) rd =-=--=50kQ Ym 20l1S Z¡ = Re = 1 MQ ri Zo Ro 1 + gmRs + d) Con 3.086 2.'.3kQ = Ro + Rs rd + (1. Esto es..67 mS (1 - (-2. 50 kQ ...92 9.3 kQ =-----..4 Configuración de autopolarización para el JFET 431 .51 mS)(1 kQ) + 50kQ = -1.6 V)) = 1.:"'-- Si se revisa la condición r d .51 2. o------} 1-----. z. -. c. Solución a) g mO = s ¡. 1M" 1 k!l -Z" Figura 9. indicando que rd tendrá el mínimo impacto sobreZo . También se observa que Zo no es igual a RD • la cual es una suposición que a menudo se aplica de manera incorrecta. 10(3.3 kQ + 1 kQ 50kQ 3..27kQ 1 + 1.20V 3.3kQ = 1 + gmRs 1 + 1.20 Red para el ejemplo 9.----+1 ---+- ----If-----o 'é.3 kQ + 1 kQ) Y 50 kQ .:-I = 2Jos 2(8 mAl = 2. Los resultados indican que así es.3 kQ) =----~-~~~--3. el nivel correcto es menor que la mitad del valor definido solamente por RD.67 mS 6V = 2.596 3.51 mS)(3..3 kQ 3.3 kil c. I DSS = lOmA Vp ==-6V V.51 = 1la1 kQ -:: .51 + 0. 43 kQ se satisface.= = 1. -(1. En este caso.

: -1. Reemplazando la fuente VDu por UD corto circuito equivalente conectado a tierra una terminal de R 1 Y RD" Debido a que cada red tiene una tierra común.51 mS)(3. e I ~ + V Z ~.23. Redibujo de la red de la figura 9. VgJ ...:' lÜ(RD + Rs) se cumplió. ... Sin embargo. Configuración JFET mediante divisor Al susütuir el modele equivalente de ac ?aIa ellFET se ebtendrá la configuración de la figura 9.. ¡~ .Vft" " Z. La ganancia típica de un amplificador JFET es menor que la que normalmente se encuentra para los BJT de configuraciones similares.' R.98 Como antes.L .21.22 Red de la figura 9. T ~ V . D \ '\. G D + R. R.-(1. RD también puede conectarse a la tierra. .5 CONF1GURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL JFET La configuración de divisor de voltaje para los BJT también puede aplicarse a los lFET.23 ~ -l- t g". -+ z. figura 9. lo cual tendrá un efecto muy positivo sobre la ganancIa total de un sistema. G -z" 0\. debe tenerse en cuenta que Z¡ es varias veces mayor que la Z¡ típica de un BJT. el efecto de rd fue mínimo debido a que la condición rd .21 bajo condiciones de ac.51 mS)O kQ) . r I e. z. 9. Figura 9.L -=- Figura 9.f 1 ..3 kQ) = 1 + (1. pero en el circuito de salida a través de r d . I z" - -=- . R I queda en paralelo con R].:. La red equivalente en ac que se obtiene ahora tiene el formato básico de alguna de las redes ya analizadas. como se demostró en la figura 9.21 de voltaje.. como se muestra en la figura 9. fR" o V. RD /1.- I t R.22. C.22. 432 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .....

". \/gs : : . figura 9. La única diferencia es la ecuación para 2 1 que ahora es sensible a la combinación en paralelo de R 1 Y R::!.31 ) (9.24. e Vi o----}I--~--=G-+I -z¡ z" .29) Para rd ~ lORD' (9..28) z· o' Al hacer Vi == O V se fijarán ~~S y gn¡ V gs cero y (9. 9. Obsérvese que la salida se toma de la terminal de la fuente y cuando se reemplaza la fuente dc por su corto circuito equivalente el drenaje se conecta a tierra (de ahí la tenninología de drenaje común).s~n \as mismas que \as obtenlüas para \as configuraciones de polarización fija y autopolarización (con Rs en desvío).Z¡! R 1 Y R::!.32) Se ~bser.6 Configuración fuenle-seguidor (drenaje común) para el JFET 433 . 9.. están en paralelo con e1 cual se obtiene el equivalente de circuito abierto del JFET (9. y 1 de modo que -o V gs (rd On¡ ~ 11 RD ) V1-':. v.24 Configuración JFET fuente-seguidor.\ y (9.a que \a's eCUaciones para Zo 'f Al .30) A: .6 CONFlGURACIÓN FlJENTE-SEGUIDOR (DRENAJE COMÚN) PARA EL JFET El equivalente a JFET de la configuración emisor-seguidor BJT es la configuración fuenteseguidor de la figura 9.

25 Red de la figura 9.26.24.. s -1 V¡.27 Determinadón de Zo para la red de la figura 9. ..26 indica con claridad que Zi está definida por (9.l a.. encuentren a través de la misma red en paralelo da por resultado Vo .'r t > 8 mVx_\ --1" + v" Figura 9.24 después de la sustitución del modelo equivalente de ac para el JFET. se pueden reemplazar por el circuito en paralelo que se muestra en la figura 9.ún está definida entre las terminales de la compuerta y la fuente.: -Vgj .1 como V () se .25. El hecho de que tanto Vg. La fuente controlada y la impedancia interna de salida del JFET se encuentran en tierra en una terminal y a Rs en la otra junto con Vo a través de Rs' Debido a que gm Vgs ' Td y Rs están conectados a la misma terminal y tierra.25.33) Zo: Al hacer Vi ~ O V da por resultado que la terminal de la compuerta se conecte directamente a la tierra como se muestra en la figura 9.. 1 -Zo rd Rs I + Vo Zo -4:Figura 9.. Zi: La figura 9.27. El resultado es Io~V o [_I_+_I_J_gV rd R m g' S 434 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . ~ rJ ~ Rs + IL----+----'-----o Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a. D v " S Figura 9.26 Redibujo de la red de la fígura 9.Al sustituir el circuito equivalente del JFET se tiene la configuración de la figura 9. pero Vg.. La fuente de corriente invirtió su dirección.

-z...d) Calcular Z..1 -+-+-rd Rs 11gm la cual tiene el mismo fonnato que la resistencia total de las tres resistencias en paralelo.tS + V.37) ' -_ _ _ _ _ _ _ _ _ _.-----~o 9.gm Vo(r)1 Rs) ~ Voll + gm(r)1 Rs)] = gm Vir) 1Rs) A = _o de modo que V .6 Configuración fuente-seguidor (drenaje común) para el JFET 435 . de manera que o y Vo Vo ~ gm(V. ' Relación de la fase: Debido a que A. L-_ _ _~-----+.9 V I vss = 16mA vp=~v Yos = 25 ¡.::: (9.= ..vo . = gm(rd 11 Rs) 1 + gm(rd 11 Rs) .86 V e ID = 4. Q Q a) Determmar gm' b) Encontrar r d' +9 c) Determinar Z.v. con y sin r d . V.05 ~F Figura 9. .56 mA. de la ecuación (9.Cr)1 Rs) . ' \ . la ganancia nunca puede ser igualo mayor a uno (como se encontró en la red BJT emisorseguidor). Comparar los resultados. Un análisis de de la red fuente-seguidor de la figura 9.36) En caso de ausencia de rd o en el caso de rd lOR s' (9.J rJ"2 lOR s Debido a que el denominador de la ecuación (9.9.36) es mayor que el numerador por un factor de uno. Por tanto. (9. y Vj se encuentran en fase para la configuración JFET emisor-seguidor. V. y ~ Vgs ~ Vgs + Vo v .28 dará V GS = -2.26 se obtiene v.Val(r)1 Rs) gm v..34) (9.35) Av: El voltaje de salida Vo se encuentra determinado mediante y al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del perímetro de la red de la figura 9. e) Calcular A..36) es una cantidad positiva. .= ..28 Red para el análisis del ejemplo 9. con y sin rd' Comparar los resultados... = -------''------. ¡Mil --11-(--~ 0. EJEMPLO 9..

Solución 2(16 mAl 4V = 8mS 8 mS l - ~ (-2.77 lo cual es menor que 1 como se predijo antes.1S e) Z¡ = Re = 1 MQ d) Con r d : = 40 kQ 112. La aislacíón entre los circuitos de entrada y de salida obviamente se ha perdído debido a que la terminal de la compuerta ahora se encuentra conectada a la tierra común de la red.09 kQ) + 4..30.28 mS)(2.28 mS)(2.29.69 Q e) lo cual indica que rd por lo general tiene poco impacto sobre Zo· Con r d : g.= .2 kQ 11438.2 kQ 11438...6 Q = 362.86 V) ) (-4 V) ..28mS ~ = 40kQ 25 f.2 kQ 11112.2..2 kQ) . Además...83 + (2. 9..02 =0.77 + gmRs 1+ (2.7 CONFlGURACIÓN DE COMPUERTA COMÚN PARA EL JFET La última configuración JFET que se analizará con detalle es la configuración de compuerta común de la figura 9.2 kQ) = 5.09 kQ) 4.\ y el hecho de que aparece directamente a través del resistor Rs' 436 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .6 Q = 365. Sin r d : Z" = Rs IllIg m = 2. Obsérvese la necesidad constante de que la fuente controlada gm Vgs esté conectada del drenaje a la fuente con r den paralelo. el resistor conectado entre las tenninales de entrada ya no es Re sino el resistor Rs conectado de la fuente a la tierra.= 0. la cual es paralela a la configuración de base común utilizada con los transistores BJT..28 mS)(2.83 lo cual indica que rd casi siempre tiene poco impacto en la ganancia de la configuración. Al sustituir el circuito equivalente JFET se obtendrá la figura 9. También se puede ver la localización del voltaje controlador ~"'.28 mS = 40 kQ 112.28 mS)(40 kQ 112./rd 11 Rs) (2.28 mS)(2.02 + 5.52 Q lo cual revela que Zo a menudo es relativamente pequeña y se calcula básicamente mediante IIg m .2 kQ) (2. Sin ri gmRs (2.

z~ D e. 'J -AAA G Z. a S l ~~.31 Determinación de Z'. ~ Figura 9.. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del perímetro se salida de la red se obtiene =- V' . I' 9. RD ~------~------~r---------~----~ +G Figura 9. se encuentra la impedancia Z~ de la figura 9. Rs .I'R D --"'1 gm~~¡ V¡.29.31. (~ + Z.\ .::) + r" VrJ + figura 9.= .: El resistor Rs está directamente a través de las terminales que definen a Z¡O Por tanto.= .29 después de la sustitución del modelo equivalente de ac para el JFET. Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff en el nodo a se obtiene e o I' . Z'(.- gm l D gmVg. ~ I .. .VR = O D y + --r V . V' I' (9.38) o . V' Z. El voltaje V' Y".. v. ~ v. R.29 Configuración JFET de compuerta común.¡ r z'...= .7 Configuración de compuerta común para el JFET 437 . V.s ¡--It-----¡--o--. Ro e.29. para la red de la figura 9.(' b e. e. ¡--I: Vi z. de modo que y 2'..30 Red de la figura 9. rd V' .V r RD = V' . ~':.V " . -. la cual simplemente estará en paralelo con Rs cuando se defina Zi' La red de interés se redibuja como la figura 9. Z..z.

Ir.42) A. = O Y que rd estará en paralelo con R D .R D VoRD = .y Zi=Rsllz.Vo + gm V] R D rd V.30 hará corto circuito en los efectos de Rs y hará Vg. o Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al nodo b se obtiene l. a O V..41) (9.+ gm rd y 438 Capitulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . la cual produce (9. Por tanto.. " y El voltaje a través de r des y V-V.: La figura 9..40) Zo: Sustituyendo Vi = O V en la figura 9. El resultado es que gm Vg..¡ + ID + gmVgs = O y 1 . (9.38) pennite la siguiente aproximación porque RJrd« I y a que 1Ird« gm: I y (9.30 indica que V =-V ..39) Si rd ? lORD' la ecuación (9.g Vgs D m d de manera que Vo = IDRD rd = [Vi .

10. Si VGsQ = -2.uS Con rd : z.32 puede en principio no parecer de la variedad de compuerta común. un examen cercano indicará que posee todas las características de la figura 9. es un número positivo ocasionará una relación en fase entre Vo y Vi para la configuración de compuerta común.1 kQ 201d1+3. Solución a) 2(10 mAl = 5 mS 4V 5 mS 1 - ~ (-2.43) V.29.44) Relación de la fase: El hecho de que A •. Aunque la red de la figura 9.43) se puede eliminar como una buena aproximación y (9. 50.6 kQ EJEMPLO 9. +12 V d) Encontrar 20 con y sin rd\:omparar los resultados.] Para rd 2': lORD' el factor RO/rd de la ecuación (9.7 Configuración de compuerta común para el JFET 439 .2 V e IDQ = 2.=-4 V Yos=50j.32 Red para el ejemplo 9.con A" = V _0 = ~mRD + ~: ] (9.25 mS)(20 kQ) 110.35 kQ 9. e) Determinar Vo con y sin r d " Comparar los resultados. ~ + :.51 kQ = 0.uF f---ov" 1D55 = 10 mA V p . 3.lS 1.lkQII[ 1 + gmrd 1 1.=RsII[rd+RDJ=l.1 kQ Figura 9.10 10 .6kQ ] + (2.03 mA. a) Determinar gm' b) Hallar r d' e) Calcular Z¡ con y sin rd" Comparar los resultados.25mS b) cl rd =-=--=20kí2 Yo.2 V») (-4 V) = 2.

en la mayoría de los casos ·se pueden emplear las ecuaciones aproximadas para tener una idea razonable de los niveles particulares con poco de esfuerzo. = (7. Con r d : 3.Y. Con ri Zo = R D 11 rd = 3.18 1 + 0.25 mS = 1. De hecho.31 kQ Aunque la condición rd~10RD = >20kQ~IO(3. RD es ciertamente el factor predominante en este ejemplo. l/gm fue el factor predominante.33.05 kQ e) Una vez más la condición Yd . Es más.1 + 0. 440 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .6kQ] [ (2.25 mS)(3. = Vo V.44 kQ = 0. la diferencia es un poco más notoria pero no de forma drástíca.1)(40 mV) = 324 rnV En este caso. = gmRD = (2.::: lORD no está satisfecha.1 con Vo = A'Yi = (8. El rango de rd es muy similar al que se encuentra para los JFET.25 mS)(3. 9.Zi = Rs IllIg m = 1. ambas ecuaciones obtienen en esencia el mismo nivel de impedancia. La única diferencia que proporcionan los DMOSFET reside en que VGSQ puede ser positivo para los dispositivos de canal-n y negativo para las unidades de canal-p.6kQ) =>20kQ~36kQ d) no está satisfecha. El ejemplo 9.1 kQ 11112.1 kQ 11 0.8 MOSFET DE TIPO DECREMENTAL El hecho de que la ecuación de Shockley también sea aplicable a los MOSFET de tipo decremental da por resultado la misma ecuación para gm. el modelo equivalente de ac para los DMOSFET es exactamente el mismo usado en los JFET como se muestra en la figura 9.02 A.6 kQ !120 kQ = 3. El resultado es que gm puede ser mayor que gmo como se demuestra en el siguiente ejemplo.20kQ 8.18 y 7.6 ka) = 8.10 demuestra que aunque no se satisfizo la condición r d ~ 10RDo los resultados para los parámetros dados no fueron significativamente diferentes utilizando las ecuaciones exactas y aproximadas. En este caso.02)(40 mV) = 280.6 kQ) + . => Vo = A .8 rnV A. pero ambos resultados están razonablemente cercanos uno del otro.

v.32)..ce D OG D + ---W S Figura 9.. a) Determinar gm y compararla con gmO· ~ b) Encontrar r d" e) Dibujar la red equivalente de ae para la figura 9. Se observan las similitudes con la red de la figura 9. - z¡ c + : 10 \10 : IIOMD D vgs < -- s J ~ I 6 X 10. Por tanto. f) Encontrar Al'· 1..23.8kO IIOMO EJEMPLO 9.8kO Z.5 V e ID (! = 7.= 100kQ 10 !. d) Encontrar Zj' lB y e) Calcular Zo.28) a la (9. + v. + V.8 MOSFET de tipo decrementa) 441 .34 se analizó en el ejemplb 6. = lO. < ~ lOOkD 1.34.5 V)) (-3 V) 4 mSO + 0.7 y se obtuvo Ves () = 1. se pueden aplicar las ecuaciones (9...11 Figura 9..6 mA.35. IDSS=6mA Vp =-3V Y"". 'd S Modelo equivalente de ac para el DMOSFET.10 1500 z.11. 9.1' = .3 Vg.35 Circuito equivalente de ac para la figura 9. e. S Figura 9.lIS !O ).34.5) = 6 mS y se encuentra que gm es 50% mayor que gmO' b) rd = )'0. .S 1 e) Obsérvese la figura 9..34 Red para el ejemplo 9. o-~~--t----' z.. La red de la figura 9..33 • Se vF-' f 3 rn Vg. Solución a) 2(6 mAl gmü = 4mS 3V = 4 ruS 1 - ~ (+1.

d = k--(V - dV es es = 2k(lies - y (9. Yfs' 0---0 G D + v" S ~ gmvK.1 I 1 Figura 9. = r)1 RD = 100 kQ 111. misma que se puede encontrar en las ~ojas de especificaciones como una admitanda Yos' La transconductancia del dispositivo.8 kQ r d ~ lORD ~ lOO kQ ~ 18 kQ 9. Existe una impedancia de salida del drenaje a la fuente rd . = 10 MQ 11110 MQ = 9. Para los EMOSFET la relación entre la corriente de salida y el voltaje controlador está definido mediante Debido a que gm aún se encuentra definido por puede tomarse la derivada de la ecuación de transferencia para determinar gl1l como un punto de operación. = R 1 11 R.9 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL El MOSFET de tipo incremental puede ser o bien un dispositivo de canal-n (nMOS) o de canal-p (PMOS).17 MQ Z.29): La ecuación (9.' "MOS gm 1 =f.. rd = 1-- }o. El circuito equivalente de pequeña señal de cualquiera de los dos dispositivos se muestra en la figura 9.j.36.o RD = 1.28): La ecuación (9. En el análisis de los JFET se derivó una ecuación paragm a partir de la ecuación de Shockley.32): Z.36 Modelo incremental del MOSFET a pequeña sena!. como se muestra en la figura 9. gm' se encuentra en las hojas de especificaciones como la admitancia de transferencia directa.8 kQ) = 10. 1.8 .77 kQ A" = -grnRD = -(6 mS)(1.d) e) f) La ecuación (9.36 y proporciona un circuito abierto entre la compuerta y el canal drenaje· fuente. así como una fuente de corriente del drenaje a la fuente cuya magnitud depende del voltaje de la compuerta a la fuente. Esto es.8 kQ = 1.45) 442 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .

Sin embargo. Obsérvese que RF no se encuentra dentro del área sombreada que define el modelo equivalente del disposltivo.. de manera que o Por tanto... el análísis aC es el mismo que el utilizado para los JFET o los DMOSFET. Figura 9. Al sustituir el modelo equivalente de ac para el dispositivo se obtiene la red de la figura 9.37. 1. Sin embargo.gmV) RF f¡R F = Vi VJl + (r tl l! RD. Se recuerda a partir de los cálculos en dc que Re se puede reemplazar mediante un corto circuito equivalente debido a que IG = O A Y por tanto.10 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 443 .37 Configuración de retroalimentación en drenaje para EMOSFET.c"-_ \1" r)iRa Vo == (r)IRD)(l¡ -gnY) Vi .(r)1 Ro)l ~ ¡.Recuerde que la constante k se puede determinar a partir de un punto de operación típico sobre la hoja de especificaciones. con e de modo que 1i . pero proporciona una conexión directa entre los circuitos de entrada y de salida.46) J + gm(r)l RD ) 9.V" RF VI . De otra forma.". Figura 9. las terminales de entrada y de salida estarían conectadas directamente y Vil = Vi' Voo Ro RF C2 (--oVo D .38.37.iR. = . VRG = O V. En cualquier otro aspecto. tome precauciones acerca de las característi· cas de un EMOSFET porque los arreglos de polarización son un tanto cuanto limitados.:: _..J Z G t - Zo . = ¡-)I Ro (9.10 CONflGURACIÓN DE RETROALIMENTACIÓN EN DRENAJE PARA EL EMOSFET La configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET aparece en la figura 9. + r)1 Rol RF + y finalmente.1¡ + (r)1 RD)gn.38 Equivalente en ac de la red de la figura 9.vl g".(r)\RD)(l¡ . 9. Z¡: Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de saiida (en el nodo D) se obtiene v" ---r)IRo y V" ~ V. para las situaciones de ac se proporciona una impedancia alta muy importante entre Vo y VI. v z.gil! Vi .

37.: Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al nodo D de la figura 9.48) r. Rp r d y RD están entonces en paralelo y (9.47) Z: Al sustituir V1 = O V se obtiene Vgs = O V Y g m Vgs = O con una trayectoria de corto o circuito desde la compuerta hacia tierra como se muestra en la figura 9. RF» rd 1I RD.Por lo general. = V-Vo . de tal forma que (9. Con frecuencia RF es mucho mayor que r d 11 R D .39 Determinacíón de Zo para la red de la figura 9.38 se obtiene Ji = g m Vg..1 = V.39. de tal fonna que Zo=r)lR D (9.¡ f"lgura 9.I .1 el. + Va _cc-"C- rdllRD pero v g.49) A. por tanto. - Vo y de modo que y 444 Capítulo 9 Análísis a pequeña señal del FET . v.

20l1S Con r d : RF + rdllRD 1 +gm(r)IRD ) =--------¡..63 mS ~ - b) e) rd ~ -- = SOkQ Yo. Encontrar Z() con y sín rd . EJEMPLO 9. Encontrar Av con y sÍn rd .do) = 6 mA V GS(C11Ccndlllo) "" 8 V \/Gs(Th¡ =3 V Yu" :.11.13 9. resultados.63 mS)(50 kD 112 kD) 10 MQ + 50 kQI12 kQ 10 MQ + 1.51 ) Relación de la fase: fuera de fase por 180 0 • El signo negativo de Al' índica que tanto Vo como Vi se localizan El EMOSFET de la figura 9.50) (9.12 a) b) e) d) e) Detenninar gm' Encontrar rd .lS Figura 9.42 Mil 1 + 3. Comparar los resultados.24 x 10-3 AN'.11 con el resultado k ~ 0.) ~ 2(0... Comparar los. VGSe ~6. Solución a) gm ~ 2k(VCSQ - VCS(Th.24 x 10-3 AN')(6.75mA.92 kQ = .pero y de manera que (9.== 2.40 se analizará en el ejemplo 6..--1 + (1..40 Amplificador con retroalimentación en drenaje del ejemplo 6.4 V . Calcular Z¡ con y sin rd' Comparar los resultados.3 V) = 1.4 VeI DQ =2.10 Configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET 445 . 20 f.. 12V 2kfl IOMfl 1D(c~~c~d.

R. El formato es exactamente igual al usado en una gran cantidad de presentaciones anteriores.-' ~ óm " Vg' Figura 9. Red equivalente de ac para la configuración de la figura 9. Al sustituir la red equivalente de ac para el EMOSFET se obtiene la configuración de la figura 9.. 446 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .42. Con rd : A.75 kQ IIEQ = 1.92 kQ) = -3.(R F 1I r d 1 R D ) = -(1.11 CONFIGURACIÓN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL EMOSFET La última configuración EMOSFET que será examinada a detalle es la red mediante divisor de voltaje de la figura 9..:::: 40 kQ está satisfecha y Jos resülwc. t.. -! . 9.41..41 Configuración EMOSFET ? Figura 9.32) pueden aplicarse como se lista a continuación para el EMOSFET. :) \1.il r)! RD = 10 MQ 1150 kQ 1I 2 kQ = 49..92 kQ e) ofreciendo otra vez resultados muy cercanos. = -g". . ~Rl 1 I R.63 mS)(l. El resultado es que las ecuaciones (9.21 A. la cual es exactamente la misma que la figura 9 ..28) a (9.63 mS)(2 kQ) 2. o sin r.¡ serán muy' cercanos.63 mS)(2 kQ) = -3..41." ~ ? .!J .26 la cual es muy cercana al resultado anterior.lO YIQ I + (1.. • . V..53 MQ d) lo cual indica que la condición rJ:?: lORD:::: 50 kQ.23. 1 D + °G • . = -g". Con rd : Z" R.63 mS)(lO MQ = 1150 kQ 112 kQ) -(l.Z " R" -'- . con divisor de voltaje.42 . VI e -Z.RD = -(1.os para Z() cor.

.54) rJ?: lORD A. recu. se ha determinado el FET que se empleará y están definidos los capacitares que se requieren para las frecuencias seleccionadas.53) Para r d ~ lORD' Z():. = Vo V. En la mayoría de los casos.12 CÓMO DISEÑAR REDES DE AMPLIFlCADOR FET Durante esta fase los problemas de diseño se encuentran limitados a la obtención de las condiciones deseadas de polarización o de la ganancia de voltaje. A lo largo del procedimiento de diseño debe estarse consciente que. la respuesta en ac. aunque la superposición permita un análisis y diseño por separado de la red desde un punto de vista de de y de ac. una Rs pequeña también contribuirá a una mayor ganancia. En particular. pero para el análisis en ac presenta una trayectoria de alta impedancia muy importante entre Vo y Vi' Además. 9.52) " (9. la impedancia de entrada o la impedancia de salida deseadas. En la red donde Rs no se encuentra en deSVÍO. A menudo debe hacerse un balance entre un punto de operación en particular y su impacto er. = R¡IIR. pero para el amplificador fuente-seguidor la ganancia se reduce de su vaJor máximo de l. En la mayoría de los casos se conoce el voltaje de de disponible de la fuente. Z· " Z = r)lR D (9.. En resumen.12 Cómo diseñar re des de amplificador FET 447 .R D A: .::. a menudo un parámetro que se seieccione en el ambiente de dc jugará un papel importante en la respuesta en ac. = -'-' = -gm(rD 11 RD) V. las diversas ecuaciones desarrolladas se utilizan '''hacia atrás" para definir los parámetros necesarios y para obtener la ganancia. Los siguientes tres ejemplos determinarán los parámetros requeridos para obtener una ganancia específica. simplemente debe tenerse en cuenta que los parámetros de la red· pueden afectar los niveles de dc y ac de varias maneras.56) 9. a menudo se utilizan las ecuaciones aproximadas porque se presentarán algunas variaciones cuando los resistores calculados sean reemplazados por sus valores estándar. recuerde que la resistencia Re podría reemplazarse mediante un corto circuito equivalente en la configuración con retroalimentación porque le == O A para las condiciones de dc.55) Y si rd ? 1OR D' A. Es necesario determinar los elementos resistivos necesarios para establecer la ganancia o el nivel de impedancia deseados. Para evitar complejidades innecesarias durante las fases iniciales del diseño. I (9. Una vez que el diseño inicial se ha completado.gm Z¡: Z. V (9.erde que gm es mayor para los puntos de operación cercanos al eje ID (Ves = O V) donde se requiere que Rs sea relativamente pequeña. - -gmRD (9. pueden probarse los resultados y llevarse a cabo los refinamientos mediante las ecuaciones completas.

El nivel obtenido de VDS se determinará más adelante de la siguíente forma: o VDSQ ~ VDD .92 kO '" RD = 2 kQ.. Figura 9... 0..I resultado es y -10 = -s mS(RD 11 r d ) 10 RDllrd = . = 20 ¡. t------<> e.--------- EJEMPLO 9.IDQRD = 30 V . rd = . respectivamente. 0---11--. calcule el valor de RD .. 448 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .---. Esto es.= 2kQ S mS A panir de las especificaciones de los dispositivos.tS Re lOMO.= ..13.'" 48 100kQ 2.13 Diseñe la red de polarización fija de la figura 9.1 ~F lnss = 10 mA V p =-4 V Yo...43 para tener una ganancia ac de 10.08 kO El valor estándar más cercano es de 2 kO (apéndice E)...20xlO-6S Sustituyendo. 2¡ = RG = lOMO 20 = R D 11 rd ~ 2 kQ 1150 kQ = 1..= SOkQ Y".: O V. se encuentra RDh y = RDllSOkQ = 2kQ = 2 kQ RD (50 kO) R D + 50kQ 50RD = 2(RD + 50 kQ) = 2RD + 100 kQ o con y 48RD = 100 kO RD = .. Esto es.(ID mA)(2 kO) ~ 10 V Los niveles de Z¡ y de 20 se fijan mediante los niveles de Re y de RD . Solución Debido a que VesQ .. el nivel nada mediante qe gm es de gmO. v.43 Circuito para la ganancia de voltaje deseada en el ejemplo 9.. el cual se utilizaría para este diseño. v.. = -gm(RD 11 r) = -gmO(R D 11 rd) con go=--~ 2IDss 1 2(10 mAl 4V m vpl S mS E. Por tanto la ganancia se encuentra determi- A..

V DD gm EJEMPLO 9. gm(R D 11 rd ) Al sustituir los valores conocidos se obtiene de manera que El nivel de rd está definido por 8 .44 con objeto de obtener una ganancia de 8 utilizando un nivel relativamente alto de gm para este dispositivo definido cuandoen Ves::: +Vp .1 ~F el 0. "" 20 ilS ..44 Red para la ganancia de voltaje deseada en el ejemplo 9.75 mS ..(-IV)\'. OY o---}I--~----l~ 0.625 mA '\ (-4 V) ) La determinación de gm' gm o OmO 0(. 50kQ 20 )lS y Con el resultado de el cual es un valor estándar.14 +20 Y Ro C.(-4 V) V)) .. 2.Vp IJ 4 J 1 .13kQ 3. .14..75 mS La magnitud de la ganancia de voltaje se calcula mediante 1 A.-----------------------------------------------------------Seleccione los valores para RD y Rs para la red de la figura 9. Figura 9.1 ~F RL ] . Solución El punto de operación se encuentra definido mediante 1 Ves . -1 V e 1 f¡ _ Vese\ ' V) p DSS. 5 mS ~ . esQ V ) Vp (-1 ..IOmAf¡. . 5. 9. v" v. - 4 (-4 V) ... 1 ..12 Cómo diseñar redes de amplificador FET 449 . lOMO : Re lOMO -=- 1{)Ss::: 10 mA } gmO= 5 mS \/p=-4V Yv.. 3.

75 mS)(lSO Q) I y S(1 + 0.75 mS)R D 1 + 0.625 mA ¡ V El valor estándar más cercano es de 180 Q. Isi .1 en un esfuerzo para proporcionar una comparación rápida entre las configuraciones y ofrecer asimismo un listado que pueda ser útil para una variedad de objetos. (3.75 mS .El nivel de Rs se encuentra determinado mediante las condiciones de operación de la siguiente manera: Ves" .75 mS)R D ¡. -(5.14.. .675) .177. (3. y debido a que la ecuación Ves. El empleo de la ecuación completa paraA.6 H2.75 mS)RD 13. -IDRs -1 V . ) Rs. La ganancia de la configuración de autopolarización sin desvío es Por el momento se asume que rd ? 1O(R D + Rsl.44 para establecer una ganancia de 8 en el caso de que se elimine el capacítor de desvío Cs' Solución Tanto VesQ como IDQ aún son -1 V Y 5.¡la solución persiste ~ 9..78 kQ) y 50 kQ ? 37..625 mA.4 3.573 kQ de manera que es así el valor estándar más cercano el de 3.8Q 5. Para cada parámetro importante se proporcionan la ecuación exacta y aproximada con un rango típico de valOies para cada una.15 Detenninar RD YRs para la red de la figura 9.625 mA)R. 10(3. 3.675 1 + (3. en esta fase del diseño sólo complicaría el proceso de forma innecesaria. EJEMPLO 9. En eSle ejemplo Rs no aparece en el diseño en ac debido al efecto de corto circuito de Cs' En el siguiente ejemplo Rs no está en desvío y el diseño se vuelve un poco más complicado.8 kQ la cual se satisface. Al sustituir (por la magnitud especificada de 8 para la ganancia). i -(3.13 TABLA RESUMEN Se desarrolló la tabla 9.6 kQ + 0.. Ahora se puede probar la condición: rd ? lO(R D + Rsl SO kQ ? 10(3. Aunque no están presentes todas las configuraciones posi- 450 Capítulo 9 Análisis a pequena senal del FET .18 kQ) . R s continúa siendo el valor estándar de 180 Q que se obtuvo en el ejemplo 9. -laRs no ha cambiado.

)1 l =I I RD ) R -8 m O <: lORD) i 1 (r.¡ R D + Rs Zo ."..J ".. . ~ IORI.. ! Alt::!(IOMQ) f----------o \'" /" 1 I I "5] "@J =~ Ir. ~ .' ....0-----1.j:----v R\ ~ t ":.Y.. Media (-10) I ! I i =~ =~ I = les ~ Z.)1 0 lORD) (r.. I Alta (lO MQ) Media (2 k." "~ .'ío en Rs JFET o D"IOSFET +v{){) Media (2 kO:) \ledia (-10) o Alta (10 Mn) • Rr e. .'?:! i I \ I .~« ~.Rs + ..r RC f----lj:---. 7.v)i I "1 I RD ) -8. 9.13 Tabla resumen 451 .. J ..i~ \ i ~.~ ~v(J(j . T.: 101R .z. ! ..11- f-----ij:---. I .... =5] ir. . I i A...Q) I . i ! I \ledi<i (-2) Autopoiarización sin desvío en Rs JFET o D"IOSFET -voo RD c.J.I _ =~ I I + gmRs + Ro + Rs 'J i = gmRD I + g"..1 RD) I ¡ =~ I I i 1 AUlOpolarización des\. v.J) ) - - gmRD I + gmRs Ir. Configuración Z.:::: IDR¡¡! r-8".". b' .2:10(R1 + R. ..Rs Ir. .(.. ..) \1edia (-10) I 1. ~ lOR) "r -g"/.." S t ? cs i \ IOR!)! 1 ! I "r -g". {~~ Ir". Zo I .·--i c.JJ Poiarización por di\lisOi de voltaje JFET o D"IOSFET +\'OD j \. Rs -" P .. Alta (lO "IQ) I I " Media (2 Q) RD ". Rs I I I i == ~ 1 + g".TABLA 9 1 Zl' Zo y A v para las diferentes configuraciones FET ! .. IR ". " - l/o v~ Po]ari!<l\:ión fija JFET u D:\10SFET d'{J/) i I I Media (1 kG.. ! Z.~R{. .R..:" R' . =@J ..

Zo 10R. .. v. v¡o---Ji ? =~ = gm(.)IR o I I = ~gm(R.)1 Ro) I I Z. 452 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . Fuente-seguidor JFET o DMOSFET Alta (la MQ) Baja (lOO kQ) Baja« 1) =l.11 RD gmv..:: 10RIl ) =~gmRD I I (r"...) R..:: 10R.'<: =~gmRD I I tORil) 1 + gmRD (rJ.l~ 1 +- Ro 'd 10RI>I Zo 10R... "Z..ll RD) Media (2 kQ) Media (-10) = RFII. I~ .IIJIK +VDD m 1 e. d~ S RD e. Ro T I-~I'----ovo Rs =~ (rd~ J+ Smv)1 Rsl gm Rs ~ ¡.) J+ gr¡Rs Ud ~ 10R. e." r.L T .1 (continuación) Configuración Z. .l l .II I I gm 1 (rd~ =5] (r.) +mRo (rJ ~ I - T ION. Df---4~vo =~ =~ = ~gm(. Z.:<: lORo) Polarización por divisor de voltaje EMOSFET +V~D Media (1 ill) Media (2 kQ) Media (-10) R.)I R.! Polarización con retroalimentación en drenaje EMOSFET +VDD Media(l MO) = RF RD RF + 1 + . RD =5!SJ = s - =R. Zo Aa = - VD V..)IR.1 e. Q.I1 'd 11 RDl I I - V" RF ~ Zo =5] iR.o---i. ...) Compuena común JFET o DMOSFET +VDD Baja (1 kQl Media (2 kQ) 1 + gmrd Media (+ 10) = e... V..TABLA 9. Rs =5] (r".:: lORI» (R" r. Vo Rslfd +RD] gmRo + - Ro '"d '1 gc ~ ~ Rs e.

3. Verificar que todos los voltajes de de estén presentes en las tenninales de los componentes. la solución de problemas en un circuito es una combina~ ción del conocimiento de la teoría y de tener la suficiente experiencia con instrumentos de medición y un osciloscopio para verifícar la operación del circuito. 1. 9. 4. lo cual se desarrolla en gran medida mediante la construcción. Aplicar una señal de prueba: medir los voltajes empezando en la entrada y trabajando a lo largo hacia la salida. 2. prueba y reparación de muchos circuitos diferentes. porque los componentes que se utilizan con fre~ cuencia pueden sobrecalentarse cuando se utilizan de fonna incorrecta y ocasiona que cambie el valor nominal. El formato seleccionado fue diseñado para pcnnitir una duplicación de la tabla completa en las dos caras de una hoja tamaño carta. Es importante que la señal se encuentre presente para el ciclo completo de la señal. amplitud y frecuencia.15 Análisis por computadora 453 . Utilizar un medidor dc: tomar algunas medidas como lo marca el manual de reparación que contiene el diagrama esquemático del circuito y un listado de los voltajes dc de prueba. Medir la señal de entrada para asegurar que proporciona al circuito el valor esperado. se incluyeron la mayoría de las que se encuentran con más frecuencia. 3.14 SOLUCIÓN DE PROBLEMAS Como se mencionó con anterioridad. Un buen reparador tiene un "olfato" para encontrar el problema en un circuito. 4. así que por lo menos el listado proporcionará alguna idea de los niveles que deben esperarse y la trayectoria que probablemente darán las ecuaciones deseadas. Síntomas y posibles acciones Si no existe un voltaje ac de salida: l. Debe asegurarse que todas las conexiones a tierra sean comunes. Para un amplificador FET de pequeña señal puede resolverse un circuito mediante el desarrollo de una cantidad de pasos básicos. Verificar el voltaje de ac en cada extremo de las terminales de acoplamiento del capacitar. De hecho. cual~ quier configuración que no esté listada probablemente será alguna variación de aquellas que aparecen en la tabla. Cuando se construye y prueba un amplificador a FET en el laboratorio: 1. así como los "centelleos" inusuales en la forma de onda que puedan presentarse. lo que pueda ser un punto de soldadura pobre o cualquier conexión que aparente estar suelta. se tiene que verificar la señal en varios puntos empleando un osciloscopio para ver la fonua de la onda. Verificar si existe fuente de voltaje. En caso de identificar el problema en una fase en particular. Verificar el código de color de los valores resistivos para asegurarse que son los correctos. Verificar si existe cualquier señal ac de entrada en la terminal de la compuerta. Aún más. su polaridad. 2. Comprobar si el voltaje de saEda en VD se encuentra entre O V Y VDD' 3. mida el valor de la resistencia. Observar la tableta del circuito para ver si se pueden detectar algunos problemas obvios: un área quemada debido al exceso de calor de un componente. un componente que parezca demasiado caliente como para tocarse.bIes.15 ANÁLISIS POR COMPUTADORA Debido a que los cálculos para la ganancia de voltaje. 2. 9. la habilidad para "ver" lo que está suce~ diendo. impedancia de entrada e impedancia de salida para los varios circuitos FET requieren del cálculo de los valores de polarización para utilizarse en la detenninación de los parámetros del dispositivo en el punto Q. puede ser muy 9.

La polarización del JFET se proporciona mediante la fuente de voltaje VCG' la fuente de voltaje VIJIJ y la resistencia del drenaje R D' Se aplica un voltaje de ac de entrada a través dei capacitor el' mientras que la salida amplificada se obtiene mediante el capacitar C 2 . 5. PSpice (Versión DOS): DESCRIPCIÓN JFET Línea del elemento del JFET La forma general para una línea del elemento para un transistor de junta de efecto de campo es JXXXX ND NG NS MODNAME donde JXXXX es el nombre del transistor: ND.16 Escriba las líneas del circuito en PSpice para describir los siguientes dispositivos JFET.útil un análisis por computadora.MODEL MODNAME NJF VTO : . así como los datos de salida obtenidos.45 se muestra un circuito amplificador JFET. De los varios parámetros del modelo JFET.MODEL JN NJF VTO: -4 BETA 750E-6 JDOWN524JJ . Unos cuantos ejercicios demostrarán la manera en que se escribe una descripción del programa de un circuito y cómo se pueden obtener los resultados de salida deseados para la operación ac del circuito. PSpice requiere que la trayectoria de salida esté conectada a tierra.MODEL que se describe a continuación. compuerta y fuente. 1\G Y NS son los números de nodo para el drenaje. a) Un JFET de canal-n cuyo I DSS : 12 mA y VI': -4 V. Algunos comentarios acerca del programa PSpice son: Forma de la línea del componente JFET: JI 3 2 o JFET 454 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . NJF identifica un dispositivo de canal-n y PJF identifica un dispositivo de canal-p. respectivamente: y MODNAME es el nombre del modelo utilizado en la línea . Solución a) =4 Y b) JUP 5 24 JN . fuente compuerta = 2. El PSpice proporciona modelos de dispositivos JFET. Re Con un valor de 10 Mn. MOSFET decremental y MOSFET incremental.MODEL JJ NJF VTO: -3 BETA: 889E-6 = Programa 9. El archivo de descripción del circuito se lista en la figura 9.46 para el circuito que está analizándose (figura 9. dos de los más importantes son VTO : V p: voltaje de corte de la compuerta a la fuente BETA: IDSS IV¡: parámetro que combina los dos parámetros importantes del dispositivo JFET EJEMPLO 9. b) Un JFET de canal-n cuyo 1DSS: 8 mA y Vp : -3 V.1: Circuito amplificador JFET En la figura 9.45) y que muestra todos los nodos marcados. Línea del modelo JFET La forma general para una línea del modelo para un JFET es .MODEL MODNAME PJF VTO: BETA: BETA: donde MODNAME es el nombre del modelo dado en la línea del elemento.la salida es esencialmente un circuito abierto. Suponer que cada dispositivo se encuentra conectado en los nodos: drenaje:. por lo que se especifica una resistencia de carga de muy alta impedancia.

* CIRCUIT DESCRIPTION •• *********.************** •••••••••• **. 2. ...1870 NODE ( 4) VOLTAGE 0.5 V desde el nodo O (positivo) al nodo S (negativo). V CG' se proporciona al identificar una fuente de 1..15 Análisis por computadora 455 .249E-02 6..MODEL JFET NJF VTO También es importante observar: l. 3FET Amplifier . i 1.000E-02 V(J) V(4) 1.' ce . -1 I Re IOMn 5 . Forma de la lineal del MODELO JFET (JFET MODEL): .000E-02 6.~ \ 0.25E-4 .**** •• ** vao 6 O OC 20VOLTS VGG O 5 OC 1. 907E-03 -1.. ::: 1".MOOEL JFET NJF VTO=-4V BETA-6.02UF e2 3 4 2UF VIlO AC lOMV ..Fixed bias = -4V BETA = 6.i.81E-02 WATTS TEMPERATURE 27. La polaridad de la batería..000000E~06 SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION **** ( HODE 1) VOLTAGE 5) NODE ( ( 2) 6) VOLTAGE -1. el circuito de la figura 9." 10 mA IOMn I.. 521E-ll POWER DISSIPATION AC AHALYS!S 7.!----i 1---..249E-02 9.==!OmV'\..0000 20.uF ! 6 el .~ Vp i O.45.V DD (+20V) o ~RD~2kQ ~ C~.000 DEG e Figura 9.END **** Junction FET MODEL PARAMETERS JFET NJF VTO -4 BETA 625.46 Salida de PSpice para.. 5000 ( 3)' 12.***** ••• **********.~' 1 -4 \' ~ + v.AC LIN 1 leRH lOKH .OOOE+04 1. **** FREQ V(l) V(2) 1.45 JFET amplificador para el análisis PSpice .0000 VOLTAGE Nl\IIE VDD VGG TOTAL SOURCE CURRENTS C\JRRENT -3 .000 DEG C ( 0.5 V 1 O Figura 9.0000 -1. el 1 2 O.* ••••• *.OPTIOIlS NOPAGE .. \.PRINT Ae V(l) V(2) V(3) V(4) .25E-4 *.2_-----.5VOLTS J1 3 2 O JFET RG 2 5 10MEGOHM RO 6 3 2KOIIM RL 4 O lOMEGOfIH.02 .4 . Las unidades megaohms están marcadas como MEOOHM (MEO también es apropiado).4998 TEMPERATURE NODE VOLTAGE 27.

7K 4 O 510 5 O lOMEe el 1 2 O.249.0000 ( 2) 161.PRINT se puede utilizar para proporcionar los voltajes en ac de los nodos 1. El circuito tiene una ganancia de voltaje. de tal forma que la iínea .~e LXH 1 10KH 10KH .AC UN proporciona una frecuencia de 10 kHz. 3 Y 4. V(4)N(l).0000 HaDE ( TEllPERATURE VOL'IIIGE 3) 14. 2.3. V p =-4 V I vss = iOmA -1 ? Figura 9.3840 21. El resistor de polarización.2SE-4 . CIRCUIT OESCRIPTION Figura 9. 6.OOOE-Ol 1.354E-02 l.. La figura 9.000000E-06 ••• 1I00E ( ( SMALL SIGHAL BIAS SOLU'IIOH VOL'IAGE HaDE VOL'IAGE 1) 0..6945 VOLTAGE SOURCE CURREH'l'S llAME CURRENT VDD -3. El .OOOE-03 V(2) l.323E-03 ~AL ?QWER DISSIP~TION ~. e.000E+04 456 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET .47 es un amplificador que tiene autopolarización.48 Salida de PSpice para el circuito de la figura 9.* VDD 6 o OC 30V Jl RG RO RS RL 3 2 4 JFET 2 O lOMEe 6 3 4.000 OEG e }tODE VOLTA.354E-02 *.MODEL JFET NJF VTQ=-4V SET~=6.PRXHT ~e V(l) V(2) V(3) V(5) .lUP es C2 3 5 lOUF 4 O 20UF VIlO AC lKV . Rs' está en desvío mediante el capacitar Cs.47.0000 ( 6) 30.RS Sel! bias *. JFET Amplifier .EHD **** VTO BETA Junction FET MODEL PARAMETERS JFET HJF -4 625.OPTIOHS HOPAGE . Rs 5lOfl .48 proporciona la descripción del circuito +Voo (+30V) RD 4.2: Amplificador a JFET con autopolarización La figura 9.~1E-02 WATTS TEMPERA'IURE ~ 27.47 JFET amplificador con autopolarización .7kfl C.000 OEe e V(3) V(5) 1.0E-06 5) 0. Programa 9.** FREQ AC ANALYSIS V(l) l.GE ( 4) 1.

5OOB-03 -.49..15 Análisis por computadora 457 ..alaDa.. lOMa R¡..4 ka . I mV Figura 9.". mediante divisor de voltaje.. 10 Ma Rs 2.45 y 9.50 Salida de PSpice para el circuito de la figura 9.Voltaqe divider.. AC:AKALYSlS • "(1) 1. La polarización se obtiene en VD = V(3) = 14.. OtsBnA'rIOK $. JFET AMplifier .l'RDT . 40Ma Rv 2. e.0001 0.0000 ( 2) 4. VGS = V (2) ..IIIID . _ .50 incluye el mismo modelo del transistor que en los dos circuitos previos...499B-03 S...2 kO v.0008-03 V(2) 1..'0000 ( 6) 20.1on.".. .1..947B-07 5.TItRS l fJI' .0008+04 1. Jn:t al R2 RO 118 6 2: 'OIUQ 2 O lC111BG 3 6 2.. FI'r IIODBL PARAIIE. JPft JI.0000 IIODE ( TBIIPI!RMtIRII - VOL'l'ME 3) 14..54. Programa 9.1UF es 4 O 40UF C2 l $--_10Ur u. e.. +VOD (+20 V) R.69 V. con la resistencia de polarización Rs en desvío mediante el capaeitor Cs' Se observa la ganancia de voltaje de V(5)N(I) = 5. 5 .V( 4) =.JI(! .000000"'''' ( ( .en PSpice y los resultados de salida de la polarización y la operación en ae. La ganancia de voltaje se observa de V(5)N(I) = 13. self-bias •• CIRCUlT DBSat..000 DBG C V(5) 9..000&-03 TDIPDA'rURE V(3) 27. _***. La línea del modelo JFET parece ser la misma que en el circuito anterior en las figuras 9.49 Amplificador polarizado '\" R.499..3: JFET amplificador con polarización DC mediante divisor de voltaje La figura 9.2SS-4 •• ** 9'rO JUnct.000 DJIG e BODE VOUl'AGE ( ') 6.46.0001 CIIIIIUIII'1' ~ -2.49 proporciona un voltaje de polarización mediante divisor de voltaje y una amplificación de Vi a Vo ' La descripción del circuito en la figura 9. _ - _ 1) 5) _InGllllL· BIAS SOLUTI011 IIODB WVl'AGB 0...00"""2 lIAftS V(4) H**.******* \IlID 6 O De 20V JI :J 2 .)" VI 1 AC lIlY .< . mientras que el voltaje de la compuerta a la fuente..41< Cl 1 2 0...****** ••••••••••** •••• ***.** •••••• *••• ***. =·10 ~F Vp .. 1 es I4O~F .D 4 o 2.. -4 v IDss"" lO mA V.. --lIftA 425.5000 27.384 V..IP'l"ION Figura 9.~IO\IS LIJI 110m '10111 AC_ _V(2) 17(4) V(3) V(5) V(l) o 1_ o V'l'O--tV BBTA-6.49!JiE-03 9.

oooB+04 1.000B-03 27..IIIIP . JFJS AC AIopl1fier .lida de PSpice para el circuito de la figura 9..00000011:-0.lU1' IIL 5 . 669B-04 1.2kO lOMO 0.0 JlC 1JIV ......I'IIIPBIIM'II - .... conectado desde el drenaje (nodo 3).21: :1.........1765 ( 0.51 Amplificador MOSFET incremental.) VIS) o l_ .52 Sa..DI'l'XOIIS JIOPAGB •••• ~IIODBL_ _.*.1111' <:2 3 5 O...5) 'IOLTJIG& 1) 0.0000 IIIIALL .. 296E-03 e 458 Capítulo 9 Análisís a pequeña señal del FET ."000 DBC: V(5) 3.51 es un amplificador incremental con una entrada ac en Vi y una salida resultante Vo' La descripción del circuito en PSpice la proporciona la figura 9. con un dispositivo MOSFET Vno (+22 V) RD 2..*••••••••**.....52'0 (4) VOI4'IIGB SOORCB c:tJIlRBRTS VDD -5..ACLDI 1 1~ 10lQ1 .. SXGIIAL BUS 1IOImI0lI _ votIrAGB 27. AC AHALYSI8 FIIIIQ Vel) 1.IIQ 2 3 1 _ ' 'lIJO 6 O DC22V a RD 3 6 2..1 ¡ti' RL lOMO FIgUra 9.. compuerta (nodo 2)...25B-02 lIAT'l'S '1'BIIPBRAl'UJt - 'l'InAL POIIBR DISSIPM'lOll .*. ~ 3 10 4 ~ ..51..'290 22... ( ( -- 1 2 20. 2 0.52..0000 e 2) 6) 1».529 V Y una ganancia de voltaje de V(5)N(l) = 3...296.... El listado de salida muestra la polarización en VD = V(3) = 9. IIOI>I! _ ".'PRl1ft JIC VI:1..000 DIIG IIOOB _ e ...4: Amplificador MOSFET incremental La figura 9.. fuente (nodo O) y sustrato (nodo 4). ClRCOIT DESCRIP'l'IOII ..0000 ( 'JI '... MI 3 2 O 4 ~T la cual identifica el elemento como un dispositivo MOSFET (MI)......Programa 9. Figura 9. Se obrerva la linea del dispositivo MOSFET.. _ RnI'I BJIOSC'V'to-2V) VI 1....

25)1V a -89.94 mS.47.. El JFET de canal-n J2N3819 está incluido en la biblioteca eval.47. Luego OK y se está listo para el análisis (Analysis-Simulate). El ángulo de la fase es de -179.32 mA.25E-4.31 mV comparado con los 13. El voltaje de ac a través de Rs es en esencia de OV.53 aparecerán una vez que se haya completado la simulación.53.9°.53 Investigación mediante Windows de la red de la figura 9.999 mV (= 1 mV) a 0. Para incluir el hecho de que lDSS = 10 mA y V p = -4 V debe cambiarse la descripción del modelo proporcionado al oprimir (sólo una vez) primero el dispositivo en el esquema y luego tomar la opción Edit del listado del menú.54 mV del análisis DOS.9° (= 90°).MODEL NFET NMOS (VTO = 2V) proporciona la especificación de que el MOSFET incremental tiene un voltaje de umbral de VTO = VGS(Th) = 2 V. La señal aplicada (en el nodo 1) es de 0.88 mS calculados de la siguiente manera: El voltaje de salida (en el nodo 5) tiene una magnitud de 13..1 uF RG '\. También. El listado del modelo indica que la corriente de drenaje en de (ID) es de 3. Análisis del centro de diseño de PSpice para Windows Ahora se aplicará la versión para Windows de PSpice para la red de la figura 9. de la cual se obtiene la configuración de la figura 9. Oprimir en Vto y cambiar a -4 V seguido por Beta que debe ser ahora de 6. nótese que gm está listado como 2. La línea del modelo del dispositivo . RO VOO el -r 30V Ae=ok MAG=ok . Nótese que VTO es -4 V Y que BETA es 625E-6 = 6.slb dentro de la caja de diálogo Get Par!.7k e2 AC=ok MAG=ok PHASE=ok Ae=ok MAG=ok PHASE=ok RL 10Meg 0.25E-4.54. el cual es en esencia -180".36 mA.15 Análisis por computadora 459 . El archivo de salida resultante se muestra en la figura 9. Los niveles de en los puntos de observación (VIEWPOINTS) de la figura 9. Se observa en este caso que se incluyen los tres símbolos de impresora para imprimir la salida de los voltajes de entrada y de salida así como el voltaje de ac a través del resistor Rs' La inicialización de la fuente de ac a sus niveles prescritos se describe con detalle en la sección correspondiente del capítulo 8. Luego se selecciona la edición del modelo únicamente para la utilización momentánea (Model y Edit Instanee Model) y aparecerá el Model Editor. el cual corresponde de cerca con el nivel calculado de 3. el cual corresponde muy bien con los 2. VI lmV lOMeg Figura 9.001 ° (= 0°) y el voltaje a través de la resistencia Rs es de 2. como debe ser en el caso que el capacitar esté desarrollando su papel de forma adecuada. +r---------. 9.PHASE=ok 4.de canal-n (NFET).

..YSIS ~..lF 11ft" -4 625.15 '322 •• 000001l-15 3U. 3622 -2..000 0.hU Junct:ion f'ET IIOOEL PIIWG"l'BRS •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• •••••••••••• .. 460 Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET ..o.....-12 ._ .414000.... .......... . 000 1............600000B-12 2....71011 0........cZ-OS -8.1""0002-18 .5000008-03 -............. 27 .........."1&+01 Figura 9...53...0000 1.0000 1.570000...3819-X JI.7 243........~500oaa-ol VI< as ces RI> COI> V'I'O'1'C .4... """ GIl IIODI!L ......2040 .54 Archivo de salida para el análisis Windows de la red de la figura 9.00 -3..Zs...3618-03 •••• JPftS ..0045 0.... UIIGIDIL lB XSIt ALPIIA J'Z. " .. QID m Dm" •••• AC AllU.. """" V -- 27...6 1 1 1.....000&+04 2.'1'CI! Kl' • 33....0000 30.000• ..5 9..0000008-06 ~.......

¿cuál es la corriente del dispositivo cuando Ves = O V'! 4. (lDSS = 12 roA. Calcule gmo PROBLEMAS IDSS para un JFET que tiene los parámetros de dispositivo IDss:= 15 mA. detennine la impedancia de salida del dispositivo. e) ¿Cuál es el valor de gm cuando V esQ = -1. cuando VeSQ = -2. Determine el voltaje de corte de un JFET con gmo = 10 ruS e 3.5 V utilizando la ecuación (9. § 9. e) ¿Cuál es el valor de g". AJFET). Y" = 25 ¡iS Para la comente drenaje-fuente listada. Vp:= -5 V) está polarizado cuando 1D:= 1DS5 / 4. ¿cuál es el valor de gm? ka tiene también una ganancia de voltaje 11.6)? Compárela con la solución del inciso d. Zo(FET). ¿cuál es el valor de IDSS si Vp ==-2.5 V. Vp := -5 V) cuando está polarizado en VesQ = V¡l4. 2. 10. Para un JFET que posee los valores espedficos dey/s:= 4. V p = -3 V) en un punto de polarización de 5.56: a) ¿Cuáles el valor de Tdpara Ves = O V? b) ¿.Mediante el uso de Probe (como se describió en la sección correspondiente del capítulo 8) las fonnas de onda reales se pueden mostrar.5 V utilizando la ecuación (9. = 12 mA. Para un JFET que tieneg m = 6 mS en VesQ =-1 V. 8. Un JFET (lDSS:= 10 mA. determine: a) gm' b) 'd' 9. Para un JFET cuyos parámetros de dispositivo son gmo = 5 roS y V p = -3. pero las prioridades necesitan que se deje el ejercicio al lector.55: a) ¿Cuál es el valor de gmO? b) Detennine gráficamente gm cuando Ves == -1. ¿Cuál es el valor de gm para dicho punto polarizado? 7. Calcule el valor de gm para un JFET Ves =-1. Utilizando las características de transferencia de la figura 9. 12. y la ganancia de voltaje ideal del dispositivo.5 mS.5 V. Si un JFET que tiene un valor específico de Td :::: 100 ideal de A/FET):= -200. Utilizando las características de drenaje de la figura 9. ID (mA) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 -5 -4 -3 -2 -1 o VGS (V) Figura 9. d) Detennine gm gráficamente cuando Ves := -2. Vp = -5 V.Cuál es el valor de gmo cuando V DS := 10 V? Problemas 461 .uS.5 V? 6.55 Características de transferencia del JFET para el problema 11.6)? Compárela con la solución del inciso b. Una hoja de especificaciones proporciona los siguientes datos (como una lista de corriente drenaje-fuente) Yj' = 4. Determine el valor de gro para un JFET (IDSS = 8 mA.2 Modelo de pequeña señal del FET 1.5 mS e Yos:= 25 .5 V.

Capítulo 9 Análisis a pequeña señal del FET . 1.gm D (mA) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 o 2 3 4 5 6 7 8 9 JO II 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Figura 9. Para un JFET de canal·n 2N4220 (y¡.5 Y +T "=' Figura 9. Vp = --6 V YYos = 40 ¡.. § 9.S..(núnimo) = 750 liS. 17. ZQ y Av para la red de la figura 9. y.57 si IDSS = 10 mA.57 Amplificador con polarización fija para los problemas 17 y 18. b) Grafique gm en función de ID para el mismo JFET de canal-n del inciso a.1S. Dibuje el modelo equivalente para un JFET si )js = 5.57 si 1DSS = 12 mA. 18. 462 IMn -"=" z. Vp = -4 V. 15.6 mS e Yos = 15 J.3 Configuración de polarización fija para el JFET y Av para la red de la figura 9. Vp = -4 V Y 'd = 40 ka. 20 +\8V 1. z. 16. Calcule Z¡.(máximo) = 10 liS): a) ¿Cuál es el valor de gm? b) ¿Cuáleselvalorcterd ? 14.8kn !------If---<> V. Dibuje el modelo equivalente de ac para un JFET si 1DSS = 10 mA. 13.56 Características de drenaje del JFET para el problema 12. a) Grafique gm en función de VGS para un JFET de canal-n con 1DSS = 8 mA Y V p = --6 V. VGSQ::: -2 V e Yos = 25 liS. Detennine Z¡.

25. Repita el problema 23 si r¿ = 20 kQ Y compare los resultados. 20. 21. 24.60 si Vi = 20 mY.5 Configuración de divisor de voltaje para el JfET 23.§ 9. Detennine Z¡.60 Problemas 23.Q Vi -Zi o-----}I---+---I.58 Problemas 19. Repita el problema 19 si Yos = 10 pS. Compare los resultados con el problema 19. 21 Y 46. Zo y A. § 9.3 kn 2kn -Z. 26. Elabore nuevamente el problema 24 si r d = 20 U2 y compare los resultados. JO Mil J. +12V 20V 3.o para la red de la figura 9. Detennine Zj' Zo y Av para la red de la figura 9. +20 V 2kn 82 Mil I DSS = 12rnA Vp =-3 V Td = lOOk. 1 Mil fIgUra 9. 24.59 Configuración con autopolarización para los problemas 20 y 47.58 si Yfs = 3000 f1S e Y05 = 50 JiS.Z.59 si 1DSS = 6 mA. . F"lgura 9. 22. Calcule Z¡. Calcule Z¡. Detenrune 2i' Zo y V o para la red de la figura 9.gura 9. Zo y Av para la red de la figura 9. Compare los resultados con el problema 19.l kil ¡ 20¡J.F -Z.58 si se elimina el capacitor de 20 J1F Y los parámetros de la red son los mismos que en el problema 19.60 si Vi = 20 rnV y se elimina el capacitor Cs· 25. 20 y Vo para la red de la figura 9. Vp == --6 V e Yos = 40 /lS. Problemas 463 .4 Configuración de autopolari2'ación para el JFET 19. 26y48.IIMil Rs 6JOil F.

Repita el problema 30 si r d = 25 k.§ 9.5V rd =40kQ I DSS =6mA lOMO 2.Q. v..63 Problemas 30.2 kO .. ZQ y Vo para la red de la figura 9...3 kO 91 MO 2. z...62. Determine